WO2019030891A1 - 可撓性表示装置及び可撓性表示装置の製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a flexible display (flexible display) and a method of manufacturing the flexible display.
- Patent Document 1 describes a flexible display device in which the frame portion visible from the display surface side is reduced by bending the frame portion including the pad by 180 degrees and arranging it on the back surface of the display surface of the display area. .
- JP 2014-232300 Publication (Dec. 11, 2014)
- FIG. 10 is a view showing a schematic configuration of a frame portion of the conventional flexible display device disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG.
- the conventional flexible display device disclosed in Patent Document 1 is configured such that the frame portion including the pad PD can be bent 180 degrees by the bending area BA.
- a region including the bending region BA in the flexible substrate 101 is provided with the etching prevention layer 106, and the buffer film 102 which is an inorganic film and the gate insulating film 103 which is an inorganic film are provided to cover the etching prevention layer 106. It is formed. Then, on the gate insulating film 103, the gate wiring GL is formed in a predetermined shape, and an interlayer insulating film 104 which is an inorganic film is formed so as to cover the gate wiring GL.
- the etching prevention layer 106 is left so as to be able to be bent 180 degrees in the bending area BA, and the buffer film 102, the gate insulating film 103, A bending hole BH penetrating the three layers is formed in the interlayer insulating film 104, and a link hole LKH is formed in a part of the interlayer insulating film 104 overlapping with the gate wiring GL in a plan view.
- a lead wiring LK electrically connecting the pad PD and the gate wiring GL is formed on the interlayer insulating film 104, and in the bending area BA, the taper portions TP1 and TP2 of the bending hole BH and the etching preventing layer
- the lead wiring LK is formed to be in contact with the wiring 106.
- the protective layer 105 is formed so as to cover the lead wiring LK, and the lead wiring LK is electrically connected to the gate wiring GL via the link hole LKH formed in the interlayer insulating film 104. And electrically connected to the pad PD through the pad hole PDH formed in the protective layer 105.
- Patent Document 1 has the following problems due to the structure of its bending area BA.
- the lead wiring LK is formed in contact with the tapered portions TP1 and TP2 of the bending hole BH and the etching preventing layer 106, and the lead wiring LK is disconnected.
- the taper portions TP1 and TP2 of the bending holes BH it is necessary for the taper portions TP1 and TP2 of the bending holes BH to have a relatively gentle slope.
- the tapered portions TP1 and TP2 of the bending holes BH are formed with a relatively gentle slope, in the bending region BA, the buffer film 102, the gate insulating film 103, and the interlayer insulating film 104, which are inorganic films. If the tapered portions TP1 and TP2 remain and the bending alignment variation at the time of bending is large, a crack is likely to occur at this portion, and as a result, the lead wiring LK is broken due to the crack generated at the tapered portions TP1 and TP2. There is a problem of
- the lead wiring LK is formed along the tapered portions TP1 and TP2 of the bending holes BH formed with a relatively gentle slope, the length thereof becomes longer than necessary and the resistance is increased. There is also.
- the present invention has been made in view of the above problems, and can realize flattening of a display area and a terminal area, as well as suppressing disconnection of a lead wiring in a bending area (bending area).
- An object of the present invention is to provide a flexible display device in which the length of the lead-out wiring is lengthened more than necessary to suppress an increase in resistance, and a method of manufacturing the flexible display device.
- the flexible display device is a flexible display device including a flexible substrate, and an active element and a display element provided on the flexible substrate, in order to solve the problems described above.
- the active element and the display element are provided in a display area, and a bending area adjacent to the display area and a terminal area outside the bending area are provided around the display area.
- the bent region is a region from which at least a portion of the inorganic film of one or more layers provided in each of the regions on the flexible substrate has been removed, and the first resin layer And in the display area and the terminal area, it is formed on the inorganic film of the one or more layers, and in the display area, the extended wiring electrically connected to the active element is exposed.
- a first opening is formed in the first resin layer and the inorganic film of one or more layers, and the lead wiring is electrically connected to the drawn wiring through the first opening.
- the lead wiring is electrically connected to the drawn wiring through the first opening.
- it is characterized in that it is formed on the first resin layer in the bending area.
- the first resin layer fills the bent area and is formed on the one or more inorganic films in the display area and the terminal area.
- the lead wiring is electrically connected to the drawn wiring through the first opening, and is formed on the first resin layer in the bent region.
- a display area provided with an active element and a display element, a bending area adjacent to the display area, and the bending area A method of manufacturing a flexible display including an outer terminal area, wherein at least a part of the one or more inorganic films formed in each of the areas is removed to form the bent area; A step of forming a first resin layer on the one or more inorganic films in the display area and the terminal area while filling the bent area, and electrically connected to the active element in the display area A step of forming a first opening in the first resin layer and the one or more inorganic films so that the extended wiring is exposed; and electrically connecting the extended wiring through the first opening.
- the first resin layer is formed on the one or more inorganic films in the display area and the terminal area while filling the bent area.
- the lead wiring is electrically connected to the drawn wiring through the first opening, and is formed on the first resin layer in the bent region.
- planarization of a display area and a terminal area can be realized.
- a flexible display device that suppresses the occurrence of disconnection of the lead wiring and suppresses that the length of the lead wiring becomes longer than necessary to increase the resistance;
- a flexible display device manufacturing method can be provided.
- FIG. 7 is a drawing for explaining the manufacturing process of the flexible organic electroluminescence display device of Embodiment 2.
- FIG. 1 It is a figure which shows schematic structure of bending area
- FIG. It is a figure which shows schematic structure of the bending area
- FIG. It is a figure which shows schematic structure of the frame part of the conventional flexible display apparatus disclosed by patent document 1.
- an organic EL (Electro luminescence) element is described as an example of a display element (optical element), but the present invention is not limited to this. Or, it may be a reflective liquid crystal display element or the like which has a controlled transmittance and does not require a backlight.
- the display element may be an optical element whose luminance or transmittance is controlled by a current, and an organic light emitting diode (OLED) is provided as an optical element for current control.
- OLED organic light emitting diode
- Embodiment 1 A first embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 5.
- FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a flexible organic EL display device 30 including a bending area BA.
- FIG. 1A shows a state in which the flexible organic EL display 30 including the bending area BA is not bent
- FIG. 1B shows the flexible organic EL display in the bending area BA.
- 30 is a view showing a case where the terminal area (TA) can not be seen from the display surface side (upper side in the figure) by arranging the terminal area (TA) on the back surface of the display area of the display area (AA) by bending 30 is there.
- the non-display area (NAA) is illustrated with the right end area in the figure of the display area (AA).
- the non-display area NAA surrounds the display area AA.
- the non-display area (NAA) of the flexible organic EL display device 30 includes a bending area (BA) and a terminal area (TA), and a display area (A) is displayed around the display area (AA).
- AA) and adjacent fold area (BA) and terminal area (TA) outside fold area (BA) are provided.
- the manufacturing process of the flexible organic EL display device 30 and the schematic configuration in the display area (AA), the bending area (BA) and the terminal area (TA) of the flexible organic EL display device 30. explain.
- FIG. 2 is a view for explaining the manufacturing process of the flexible organic EL display device 30. As shown in FIG.
- FIG. 3 is a view showing a schematic configuration of a display area (AA) of the flexible organic EL display device 30. As shown in FIG.
- FIG. 4 is a view showing a schematic configuration of a bending area (BA) of the flexible organic EL display device 30. As shown in FIG.
- FIG. 5 is a view for explaining a Laser Lift Off process (also referred to as an LLO process) included in the manufacturing process of the flexible organic EL display device 30. As shown in FIG.
- the PI layer 2 was applied as a resin layer on the glass substrate 1 as a non-flexible substrate (Step S1).
- the case where the glass substrate 1 having high heat resistance is used is described as an example in consideration of the high temperature process included in the post process and passing of the laser beam in the post process. It is not limited to the glass substrate as long as it can withstand the high temperature process included in the above and can pass the laser light in the later process.
- PI layer 2 polyimide resin layer (second resin layer)
- second resin layer polyimide resin layer
- the glass substrate 1 can be peeled off from the PI layer 2 by ablation at the interface of
- the moisture-proof layer 3 (also referred to as a barrier layer) was formed on the resin layer (PI layer 2) (step S2).
- the moisture-proof layer is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the active element and the display element when the flexible organic EL display device 30 is used, and is, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, formed by CVD. Alternatively, it can be formed of a silicon oxynitride film or a laminated film of these.
- the semiconductor layer 4 was formed in a predetermined shape on the moisture-proof layer 3 (step S3).
- step S3 a step of forming an amorphous silicon layer (a-Si layer) in a predetermined shape on the moisture-proof layer 3, a crystal of the amorphous silicon layer formed on the moisture-proof layer 3 using an excimer laser And a step of doping the predetermined region of the crystallized polycrystalline silicon layer with an impurity such as boron.
- a-Si layer amorphous silicon layer
- a gate insulating layer 5 was formed as a first insulating layer covering the moisture-proof layer 3 and the semiconductor layer 4 (step S4).
- the gate insulating layer 5 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
- SiOx silicon oxide
- SiNx silicon nitride
- the gate electrode 6a and the capacitance electrode 6b are formed in a predetermined shape on the gate insulating layer 5 (S5 step), and then the gate insulating layer is formed. 5, the second insulating layer 7 is formed to cover the gate electrode 6a, the capacitor electrode 6b, and the gate electrode extended wiring 6c (shown in FIG. 4) (step S6).
- the second insulating layer 7 is an insulating film layer for forming a capacitor (capacitive element), and may be, for example, a silicon nitride (SiN x) film formed by a CVD method.
- a capacitive counter electrode 8 overlapping the capacitive electrode 6 b in plan view is formed in a predetermined shape on the second insulating layer 7 (step S7)
- the third insulating layer 9 covering the second insulating layer 7 and the capacitor counter electrode 8 was formed (step S8).
- the third insulating layer 9 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
- the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 9 are removed. Then, a bending hole (BH) was formed, and a bending area (BA) was formed (step S9).
- the shape of the formed bending hole (BH) is a shape having an inclined end (a tapered end), and is a part of the bending area (BA) That is, in the central portion, the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 9 are removed, and the vicinity of the boundary between the bent area (BA) and the display area (AA) In the vicinity of the boundary between the bent area (BA) and the terminal area (TA), the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 9 are left.
- bending hole (BH) was formed in the shape which has an inclined end (a taper end) was mentioned as an example and explained, it is not limited to this, and bending hole (BH) may be formed in a shape as in Embodiments 3 and 4 described later.
- the bending hole (BH) may be formed by removing the entire laminated film made of an inorganic film in consideration of 180-degree bending and bending easiness in the bending area (BA) of the flexible organic EL display device 30, and the like. Although it is preferable, it may be formed by removing only one or more upper films in the laminated film made of an inorganic film.
- the first resin layer (photosensitive PI layer 10) having the opening 10 a while filling the bending area (BA) ) (Step S10).
- the opening 10 a of the photosensitive PI layer 10 is formed in the display area (AA) and the terminal area (TA).
- the photosensitive PI layer 10 is a polyimide resin containing a photosensitive material, and is also a planarizing film that eliminates the step in the lower layer.
- the photosensitive PI layer 10 may be positive or negative.
- the positive PI is used in which the opening 10 a is formed in the exposed portion.
- the photosensitive PI layer 10 (polyimide resin containing a photosensitive material) is used in consideration of the fact that the penetration of moisture and impurities can be more effectively prevented, but the present invention is limited thereto. Instead, an acrylic resin containing a photosensitive material may be used.
- the first resin layer may be a polyimide resin or an acrylic resin not containing a photosensitive material, and in such a case, the opening 10 a is formed on a polyimide resin or an acrylic resin not containing a photosensitive material. It can form by dry etching etc. by setting the resist film of the formed predetermined pattern as a mask.
- contact holes (CH) were formed in the lower layer of the opening 10 a using the photosensitive PI layer 10 as a mask ( S11 step).
- a gate which is a lower layer of the opening 10 a
- the opening 10a is used as a mask with the photosensitive PI layer 10
- the second insulating layer 7 and the third insulating layer 9 which are lower layers of the lower layer are removed, and the photosensitive PI layer 10 is used as a mask to form a contact hole (CH) for making contact with the capacitive counter electrode 8.
- the third insulating layer 9 which is the lower layer of 10a is removed.
- the photosensitive PI layer 10 is used as a mask to form a contact hole (CH) for making contact with the gate electrode extension wiring 6c.
- the lower second insulating layer 7 and the third insulating layer 9 are removed.
- the opening 10 a formed in the photosensitive PI layer 10 and the contact hole (CH) overlap in a plan view.
- the contact hole (CH) is formed using the photosensitive PI layer 10 and the opening 10 a formed in the photosensitive PI layer 10 as a mask.
- the side surface of the contact hole (CH) is formed along the side surface of the opening 10a formed in the side wall, and the side surface of the opening 10a and the side surface of the contact hole (CH) in the portion where the opening 10a contacts the contact hole (CH) It is complete.
- all the contact holes (CH) illustrated in (g) of FIG. 3 and (d) of FIG. 4 have etching stopper layers in each of the gate electrode 6a, the capacitor counter electrode 8 and the gate electrode extension wiring 6c. Therefore, it can be formed in one dry etching step.
- step S12 the semiconductor layer 4, the gate electrode 6a, and the gate electrode are stretched through the opening 10a and the contact hole (CH).
- a drain wiring 11a is formed in contact with the semiconductor layer 4 through a contact hole (CH) for taking a contact with the semiconductor layer 4 and the opening 10a.
- a gate wiring 11b is formed in contact with the gate electrode 6a through a contact hole (CH) for taking a contact with the gate electrode 6a and the opening 10a, and a contact hole (contact hole for taking a contact with the capacitive counter electrode 8)
- a capacitive wiring 11c in contact with the capacitive counter electrode 8 was formed via the CH) and the opening 10a.
- the drain wiring 11 a, the gate wiring 11 b, the capacitor wiring 11 c, and the lead wiring 11 d can be formed in the process of forming the conductive layer 11.
- the illustration of the source wiring is omitted, and the gate wiring 11b is electrically connected to the source wiring or drain wiring of another TFT element disposed in the display area (AA). .
- a third resin layer (photosensitive planarization layer 12) was formed having an opening 12a overlapping in a view and an opening 12b overlapping in a plan view with the lead-out wiring 11d in the conductive layer 11 (step S13).
- a lead wiring 11d is formed to be in contact with the gate electrode extended wiring 6c (conductive member) through the contact hole (CH) and the opening 10a, and the lead wiring 11d is photosensitive.
- a portion exposed through the opening 12 b of the planarization layer 12 is a terminal portion.
- the photosensitive planarizing layer 12 is a resin layer containing a photosensitive material, and is also a planarizing film that eliminates the step in the lower layer.
- a polyimide resin containing a photosensitive material is used as the photosensitive planarizing layer 12 in consideration of the fact that the penetration of moisture and impurities can be more effectively prevented, but is limited to this There is no.
- the photosensitive planarization layer 12 may be positive or negative, in the present embodiment, the positive type is used in which the openings 12a and 12b are formed in the exposed portion.
- the third resin layer may be a polyimide resin or an acrylic resin not containing a photosensitive material, and in such a case, the openings 12a and 12b may be a polyimide resin or an acrylic resin not containing a photosensitive material. It can form by dry etching etc. by setting the resist film of the predetermined pattern formed on it as a mask.
- the first electrode 13 (electrode layer electrically connected to the drain wiring 11 a through the opening 12 a on the photosensitive planarization layer 12) ) (Step S14).
- the lead-out wiring 11d on the photosensitive PI layer 10 formed in (TA) is electrically connected, and the gate electrode extended wiring 6c and the lead-out wiring 11d electrically connected are in the display area (AA).
- the TFT element which is an active element provided in
- the gate line of the TFT element as the active element provided in the display area (AA) is extended to the terminal area (TA) via the gate electrode extended line 6c and the lead line 11d.
- the present invention is not limited to this, and the source wiring of the TFT element which is an active element provided in the display area (AA) of the flexible organic EL display 30.
- the extended wiring and the lead wiring may be routed to another terminal area (TA) to form a terminal portion.
- step S15 the display element 14 and the sealing film 15 were formed.
- the layer forming the semiconductor layer 4, the gate insulating layer 5, the gate electrode 6a, etc., the layer forming the second insulating layer 7, the layer forming the capacitance counter electrode 8, and the third insulating layer 9 A film including the photosensitive PI layer 10, the conductive layer 11, and the photosensitive planarization layer 12 is used as the laminated film 16.
- a plurality of red light emitting organic EL elements 14R, a plurality of green light emitting organic EL elements 14G and a plurality of blue light emitting organic EL elements 14B are formed on the laminated film 16, and a plurality of red light emitting organic EL elements 14R, a plurality of A sealing film 15 is formed to cover the green light emitting organic EL element 14G and the plurality of blue light emitting organic EL elements 14B.
- each of the red light emitting organic EL element 14R, the green light emitting organic EL element 14G and the blue light emitting organic EL element 14B is not shown, for example, but the first electrode 13, a hole injection layer, a hole transport layer, light emission of each color It is a laminated body of a layer, an electron carrying layer, an electron injection layer, and a second electrode.
- an edge cover is formed so as to surround each end of the first electrode 13.
- the sealing film 15 covers the red light emitting organic EL element 14R, the green light emitting organic EL element 14G and the blue light emitting organic EL element 14B, and prevents the penetration of foreign matter such as water and oxygen.
- the sealing film 15 is formed over the first inorganic sealing film, the first inorganic sealing film, and functions as a buffer film, an organic sealing film, a first inorganic sealing film, and an organic sealing film. It may include a second inorganic sealing film to cover.
- Each of the first inorganic sealing film and the second inorganic sealing film is formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film of these formed by CVD using a mask. be able to.
- the organic sealing film is a translucent organic insulating film that is thicker than the first inorganic sealing film and the second inorganic sealing film, and may be formed of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic. it can.
- an ink containing such an organic material may be inkjet-coated on the first inorganic sealing film and then cured by UV irradiation.
- the edge cover can be formed of polyimide, acrylic or the like.
- step S16 laser light is irradiated from the side of the glass substrate 1 which is a non-flexible substrate (step S16), and the PI layer 2 and the glass substrate 1 are Ablation occurred at the interface.
- the glass substrate 1 was peeled off from the PI layer 2 (step S17).
- an adhesive layer (not shown) provided on the surface 19a on one side of the film substrate 19 which is a flexible substrate is used.
- the film substrate 19 was attached to the PI layer 2 to complete the flexible organic EL display device 30 (step S18).
- the photosensitive PI layer 10 fills the bending holes (BH) formed in the bending area (BA), and at the same time, displays the display area (AA) and the terminal area (TA). And is also formed.
- the flexible organic EL display device 30 In the manufacturing process of the flexible organic EL display device 30 described based on FIG. 2 to FIG. 5, it is formed on the first resin layer (photosensitive PI layer 10) and the first resin layer (photosensitive PI layer 10)
- the second insulating layer 7 and the third insulating layer 9, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7, the third insulating layer 9, and the third insulating layer 9 which are lower layers of the opening 10a are removed using the opening 10a as a mask. And each contact hole (CH) is formed.
- the gate insulating layer 5 is formed first because the depth is particularly deep.
- the first resin layer (photosensitive PI layer 10) is formed thereon after the second insulating layer 7 and the third insulating layer 9 are removed and the contact hole (CH) is formed, the depth of the first resin layer (photosensitive PI layer 10) is deep. Since the first resin layer (photosensitive PI layer 10) and the resist film enter CH) and remain there, there is a problem that formation failure of the contact hole (CH) tends to occur.
- the first resin layer (photosensitive PI layer 10) first, the first resin layer (photosensitive PI layer 10) And the opening 10a formed in the first resin layer (photosensitive PI layer 10) as a mask, and the second insulation layer 7 and the third insulation layer 9, the gate insulation layer 5, and the second insulation which are lower layers of the opening 10a. Since the layer 7 and the third insulating layer 9 and the third insulating layer 9 are removed to form the contact holes (CH), it is possible to suppress the occurrence of a defect in forming the contact holes (CH).
- the display area (AA) can be flattened to some extent, and a flexible organic material in which parasitic capacitance between wires is suppressed
- the EL display device 30 can be realized.
- the manufacturing process of the flexible organic EL display 30 including the Laser Lift Off process has been described as an example, the present invention is not limited to this, and the Laser Lift Off process ( It goes without saying that the present invention can be applied to the manufacturing process of a flexible organic EL display device not including the LLO process.
- the drawn wiring (conductive member) is the gate electrode drawn wiring 6c
- the present invention is not limited thereto, and the drawn wiring (conductive member) is, for example, As long as it is a capacitive wiring and the conductive layer is lower than the conductive layer 11, the type is not particularly limited.
- the contact holes (CH) and the bending holes (BH) are formed in one step, and the contacts are formed before the opening 10a is formed in the first resin layer (photosensitive PI layer 10).
- the holes (CH) are formed, the other features are as described in the first embodiment.
- members having the same functions as the members shown in the drawings of Embodiment 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.
- FIG. 6 is a view for explaining the manufacturing process of the flexible organic EL display device of the present embodiment.
- FIG. 7 is a view showing a schematic configuration of a bending area (BA) of the flexible organic EL display device of the present embodiment.
- the resist film 26 having an opening 26a in a portion overlapping in plan view with the opening 10a and the contact hole (CH) to be formed in a later step is used as a third insulating film. Formed on layer 9
- the resist film 26 is formed.
- the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 9 were removed, and a bending hole (BH) was formed to form a bending region (BA) (S9 'step) ).
- the contact holes (CH) are formed in the display area (AA) and the terminal area (TA).
- the first resin layer (photosensitive PI) has an opening 10 a that fills the bent area (BA) and overlaps the contact hole (CH) in plan view.
- Layer 10 was formed (step S10 ').
- the photosensitive PI layer 10 fills the bending holes (BH) formed in the bending area (BA), and the display area (AA) and the terminal area (TA) are also formed.
- the contact hole (CH) and the bending hole (BH) are formed in one step.
- the contact hole (CH) is formed before forming the opening 10a in the first resin layer (photosensitive PI layer 10).
- the first resin layer (photosensitive PI layer 10) and the resist film enter the contact hole (CH) whose depth is deep and remain, and the formation failure of the contact hole (CH) is likely to occur.
- the first resin layer (photosensitive PI layer 10) the unexposed part is removed so that the first resin layer (photosensitive PI layer 10) present in the contact holes (CH) can be easily removed.
- the glass substrate 1 provided with the photosensitive PI layer 10 may be completely put in the developer to perform development.
- development is carried out by turning the glass substrate 1 provided with the photosensitive PI layer 10 upside down and completely putting it in a developer.
- the shape of the bending hole (BH ′) is formed to have a shape without the inclined end (tapered end), and the bending area (BA) includes the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, and the second
- the embodiment is different from the first embodiment in that the insulating layer 7 and the third insulating layer 9 are removed from the opening region, and the other portions are as described in the first embodiment.
- members having the same functions as the members shown in the drawings of Embodiment 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.
- FIG. 8 is a view showing a schematic configuration of a bending area (BA) of the flexible organic EL display device of the present embodiment.
- the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, and the second insulating film are not formed in a region where the resist film 27 is not formed using the resist film 27 as a mask.
- the folded region (BA) was formed by removing the insulating layer 7 and the third insulating layer 9 and forming a bent hole (BH ′) having a shape having no inclined end (a tapered end).
- the bending area (BA) is an opening area from which the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 9 are removed. Since the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7 and the third insulating layer 9 which are inorganic films do not exist in the bending area (BA) of the flexible organic EL display device of the present embodiment, While the bending easiness in the region (BA) can be further improved, the inorganic film does not crack or the like.
- the photosensitive PI layer 10 fills the bending holes (BH) formed in the bending area (BA), and the display area (AA) and the terminal area (TA) are also formed.
- Embodiment 4 A fourth embodiment of the present invention will now be described based on FIG.
- the shape of the bending hole (BH ′) is formed to have a shape without the inclined end (tapered end), and the bending area (BA) includes the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, and the second
- the second embodiment differs from the second embodiment in that the insulating layer 7 and the third insulating layer 9 are removed from the opening region, and the other portions are as described in the second embodiment.
- members having the same functions as the members shown in the drawings of Embodiment 2 are given the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
- FIG. 9 is a view showing a schematic configuration of a bending area (BA) of the flexible organic EL display device of the present embodiment.
- the resist film 28 is formed.
- the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 9 are removed, and a bent hole (BH ') having a shape having no inclined end (a tapered end) To form a bending area (BA).
- the bending area (BA) is an opening area from which the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 9 have been removed. Since the moisture-proof layer 3, the gate insulating layer 5, the second insulating layer 7 and the third insulating layer 9 which are inorganic films do not exist in the bending area (BA) of the flexible organic EL display device of the present embodiment, While the bending easiness in the region (BA) can be further improved, the inorganic film does not crack or the like.
- the photosensitive PI layer 10 fills in the bending holes (BH) formed in the bending area (BA), and the display area (AA) and the terminal area (TA) are also formed.
- a flexible display device including: a flexible substrate; and an active element and a display element provided on the flexible substrate.
- the active element and the display element are provided in a display area, and a bending area adjacent to the display area and a terminal area outside the bending area are provided around the display area.
- the bent region is a region from which at least a portion of the inorganic film of one or more layers provided in each of the regions on the flexible substrate has been removed, and the first resin layer is In the display area and the terminal area, an extension wiring is formed on the one or more layers of the inorganic layer, and in the display area, the active element is electrically connected.
- a first opening is formed in the first resin layer and the one or more inorganic films so as to be exposed, and the lead wiring is electrically connected to the drawn wiring through the first opening. It is characterized in that it is formed on the first resin layer of the bent area.
- the first resin layer fills the bent area and is formed on the one or more inorganic films in the display area and the terminal area.
- the lead wiring is electrically connected to the drawn wiring through the first opening, and is formed on the first resin layer in the bent region.
- the first opening is an opening formed in the first resin layer, and an opening formed in the one or more inorganic films.
- the side surface of the opening formed in the first resin layer in a portion where the opening formed in the first resin layer and the opening formed in the inorganic film of one or more layers are in contact with each other The side surface of the opening formed in the inorganic film of one or more layers may be aligned.
- the first resin layer and the one or more inorganic films in the display area are the semiconductor layer or gate electrode of the active element.
- the second opening may be formed to expose the wiring, and the wiring of the active element may be electrically connected to the active element through the second opening.
- a flexible display having the second opening in the display area can be realized.
- the second opening is an opening formed in the first resin layer, and an opening formed in the one or more inorganic films.
- the side surface of the opening formed in the first resin layer in a portion where the opening formed in the first resin layer and the opening formed in the inorganic film of one or more layers are in contact with each other The side surface of the opening formed in the inorganic film of one or more layers may be aligned.
- a capacitive electrode and a capacitive counter electrode formed above the capacitive electrode through an insulating layer are provided in the display area.
- a third opening is formed in the first resin layer and the one or more inorganic films in the display region so as to expose the capacitor counter electrode;
- the wiring of the capacitive element may be electrically connected to the capacitive counter electrode through the third opening.
- the third opening is an opening formed in the first resin layer and an opening formed in the one or more inorganic films.
- the side surface of the opening formed in the first resin layer in a portion where the opening formed in the first resin layer and the opening formed in the inorganic film of one or more layers are in contact with each other The side surface of the opening formed in the inorganic film of one or more layers may be aligned.
- the flexible display device is any one of aspects 1, 3 and 5, wherein the first resin layer and the one or more layers are such that the conductive member is exposed in the terminal area.
- a fourth opening may be formed in the inorganic film, and the lead wiring may be electrically connected to the conductive member through the fourth opening.
- the fourth opening is an opening formed in the first resin layer and an opening formed in the one or more inorganic films.
- the side surface of the opening formed in the first resin layer in a portion where the opening formed in the first resin layer and the opening formed in the inorganic film of one or more layers are in contact with each other The side surface of the opening formed in the inorganic film of one or more layers may be aligned.
- the bent area may be an open area of the one or more inorganic films.
- the first resin layer may be formed of a polyimide resin containing a photosensitive material.
- the first resin layer may be formed of an acrylic resin containing a photosensitive material.
- the first resin layer can be patterned by the exposure and development steps, and when the display element is a bottom emission type, the decrease in the transmittance of the emitted light by the first resin layer may be small.
- a flexible display can be realized.
- the display element may be an organic EL display element.
- the display element may be a reflective liquid crystal display element.
- a method of manufacturing a flexible display device comprising: a display area provided with an active element and a display element; and a bending area adjacent to the display area.
- a method of manufacturing a flexible display device including a terminal area outside the bending area, wherein at least a part of one or more inorganic films formed in the respective areas is removed to form the bending area. And filling the bent area, forming a first resin layer on the one or more inorganic films in the display area and the terminal area, and electrically connecting the active element to the active area in the display area.
- first opening in the first resin layer and the one or more inorganic films so as to expose the extended wiring connected thereto, and the extending through the first opening.
- connecting lines and electrically it is characterized in that it comprises a step of forming a lead wire to the bent region of the first resin layer.
- the first resin layer is formed on the one or more inorganic films in the display area and the terminal area while filling the bent area.
- the lead wiring is electrically connected to the drawn wiring through the first opening, and is formed on the first resin layer in the bent region.
- the first opening in the step of forming a first opening in the first resin layer and the inorganic film of one or more layers in the above-mentioned aspect 14, the first opening The opening may be formed in the one or more inorganic films using the opening formed in the resin layer and the first resin layer as a mask.
- the openings may be formed in the first resin layer.
- the formation of the bent region and the formation of the opening in the inorganic film of one or more layers can be performed in one step.
- the one or more inorganic films formed in each of the regions are one side of the non-flexible substrate. And forming a second resin layer formed on the surface of the second resin layer, and irradiating the laser light from the side of the second flexible layer to separate the second flexible resin layer from the second resin layer; And affixing a flexible substrate to the surface of the second resin layer from which the non-flexible substrate has been peeled.
- the first resin layer may be formed of a polyimide resin containing a photosensitive material.
- the first resin layer may be formed of an acrylic resin containing a photosensitive material.
- the first resin layer can be patterned by the exposure and development steps, and when the display element is a bottom emission type, the decrease in the transmittance of the emitted light by the first resin layer may be small.
- a flexible display can be realized.
- the bent area may be an opening area of the one or more inorganic films.
- the second resin layer may be formed of a polyimide resin.
- the display element may be an organic EL display element.
- the display element may be a reflective liquid crystal display element.
- the present invention can be applied to a flexible display device and a method of manufacturing the flexible display device.
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Abstract
感光性PI層(10)は、折り曲げ領域(BA)を埋めるとともに、表示領域(AA)及び端子領域(TA)において、第3絶縁層(9)上に形成されており、ゲート電極引き伸ばし配線(6c)が露出するように、感光性PI層(10)には開口(10a)が形成されており、第2絶縁層(7)及び第3絶縁層(9)にはコンタクトホール(CH)が形成されている。
Description
本発明は、可撓性表示装置(フレキシブル表示装置)と、可撓性表示装置の製造方法とに関するものである。
近年、可撓性基板(フレキシブル基板)を備えた可撓性表示装置は、表示装置を自由に曲げることができることから高い注目を浴びている。
そして、このような可撓性表示装置の分野においても、他の表示装置と同様に、狭額縁化への要求が強くなっている。
特許文献1には、パッドを含む額縁部分を180度折り曲げて、表示領域の表示面の裏面に配置することで、表示面側から見える額縁部分を減らした可撓性表示装置について記載されている。
図10は、特許文献1に開示されている従来の可撓性表示装置の額縁部分の概略構成を示す図である。
特許文献1に開示されている従来の可撓性表示装置は、パッドPDを含む額縁部分をベンディング領域BAで180度折り曲げることができる構成となっている。
フレキシブル基板101におけるベンディング領域BAを含む領域には、エッチング防止層106が備えられており、エッチング防止層106を覆うように無機膜であるバッファー膜102と、無機膜であるゲート絶縁膜103とが形成されている。そして、ゲート絶縁膜103上には、所定形状でゲート配線GLが形成されており、このゲート配線GLを覆うように無機膜である層間絶縁膜104が形成されている。
図示されているように、フレキシブル基板101上のベンディング領域BAにおいては、ベンディング領域BAで180度折り曲げることができるように、エッチング防止層106のみを残し、バッファー膜102と、ゲート絶縁膜103と、層間絶縁膜104とには、この3層を貫通するベンディングホールBHが形成されており、ゲート配線GLと平面視において重なる層間絶縁膜104の一部にはリンクホールLKHが形成されている。
層間絶縁膜104上には、パッドPDとゲート配線GLとを電気的に接続する引き回し配線LKが形成されており、ベンディング領域BAにおいては、ベンディングホールBHのテーパ部TP1・TP2と、エッチング防止層106とに接するように引き回し配線LKが形成されている。
そして、引き回し配線LKを覆うように、保護層105が形成されており、引き回し配線LKは、層間絶縁膜104に形成されているリンクホールLKHを介してゲート配線GLと電気的に接続されているとともに、保護層105に形成されているパッドホールPDHを介してパッドPDと電気的に接続されている。
しかしながら、特許文献1に開示されている従来の可撓性表示装置は、そのベンディング領域BAの構造から以下のような問題がある。
図10に図示されているように、ベンディング領域BAにおいて、引き回し配線LKは、ベンディングホールBHのテーパ部TP1・TP2と、エッチング防止層106とに接するように形成されており、引き回し配線LKを断線なくこのように形成するためには、ベンディングホールBHのテーパ部TP1・TP2が比較的緩やかな傾斜からなる必要がある。
以上のように、ベンディングホールBHのテーパ部TP1・TP2が比較的緩やかな傾斜で形成されると、ベンディング領域BAにおいては、無機膜である、バッファー膜102やゲート絶縁膜103や層間絶縁膜104のテーパ部TP1・TP2が残ってしまい、折り曲げ時の折り曲げアライメントバラツキが大きい場合、この部分でクラックが生じやすく、結果的にテーパ部TP1・TP2で生じたクラックによって、引き回し配線LKが断線してしまうという問題がある。
また、引き回し配線LKは、比較的緩やかな傾斜で形成されたベンディングホールBHのテーパ部TP1・TP2に沿って形成されるため、その長さが必要以上に長くなり、抵抗を高めてしまうという問題もある。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、表示領域及び端子領域の平坦化を実現できるとともに、折り曲げ領域(ベンディング領域)において、引き回し配線の断線が生じるのを抑制するとともに、その引き回し配線の長さが必要以上に長くなり抵抗を高めてしまうのを抑制した可撓性表示装置と、可撓性表示装置の製造方法とを提供することを目的とする。
本発明の可撓性表示装置は、上記の課題を解決するために、可撓性基板と、上記可撓性基板上に備えられたアクティブ素子及び表示素子と、を含む可撓性表示装置であって、上記アクティブ素子及び上記表示素子は、表示領域に備えられており、上記表示領域の周辺には、上記表示領域と隣接する折り曲げ領域と、上記折り曲げ領域より外側の端子領域とが備えられており、上記折り曲げ領域は、上記可撓性基板上の上記各領域に備えられた1層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域であり、第1樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に形成されており、上記表示領域においては、上記アクティブ素子と電気的に接続された引き伸ばし配線が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口が形成されており、引き回し配線は、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続されているとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に形成されていることを特徴としている。
上記構成によれば、第1樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に形成されている。また、引き回し配線は、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続されているとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に形成されている。
したがって、上記第1樹脂層によって、上記表示領域及び上記端子領域の平坦化を実現できる。また、上記折り曲げ領域において、上記引き回し配線の断線が生じるのを抑制できるとともに、その引き回し配線の長さが必要以上に長くなり抵抗が高くなるのを抑制できる。
本発明の可撓性表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、アクティブ素子と表示素子とが備えられた表示領域と、上記表示領域と隣接する折り曲げ領域と、上記折り曲げ領域より外側の端子領域とを含む可撓性表示装置の製造方法であって、上記各領域に形成された1層以上の無機膜の少なくとも一部を除去して、上記折り曲げ領域を形成する工程と、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に第1樹脂層を形成する工程と、上記表示領域において、上記アクティブ素子と電気的に接続された引き伸ばし配線が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口を形成する工程と、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続するとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に引き回し配線を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
上記方法によれば、第1樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に形成されている。また、引き回し配線は、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続されているとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に形成されている。
したがって、上記第1樹脂層によって、上記表示領域及び上記端子領域の平坦化を実現できる。また、上記折り曲げ領域において、上記引き回し配線の断線が生じるのを抑制できるとともに、その引き回し配線の長さが必要以上に長くなり抵抗が高くなるのを抑制できる。
本発明の一態様によれば、表示領域及び端子領域の平坦化を実現できる。また、折り曲げ領域(ベンディング領域)において、引き回し配線の断線が生じるのを抑制するとともに、その引き回し配線の長さが必要以上に長くなり抵抗を高めてしまうのを抑制した可撓性表示装置と、可撓性表示装置の製造方法とを提供できる。
本発明の実施の形態について図1から図9に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
なお、以下の各実施形態においては、表示素子(光学素子)の一例として、有機EL(Electro luminescence)素子を例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、例えば、電圧によって輝度や透過率が制御され、バックライトを必要としない、反射型の液晶表示素子などであってもよい。
上記表示素子(光学素子)は、電流によって輝度や透過率が制御される光学素子であってもよく、電流制御の光学素子としては、OLED(Organic Light Emitting Diode:有機発光ダイオード)を備えた有機EL(Electro Luminescence:エレクトロルミネッセンス)ディスプレイ、又は無機発光ダイオードを備えた無機ELディスプレイ等のELディスプレイ、QLED(Quantum dot Light Emitting Diode:量子ドット発光ダイオード)を備えたQLEDディスプレイ等がある。
〔実施形態1〕
図1から図5に基づき、本発明の実施形態1について説明する。
図1から図5に基づき、本発明の実施形態1について説明する。
図1は、折り曲げ領域BAを含むフレキシブル有機EL表示装置30の概略構成を示す図である。
図1の(a)は、折り曲げ領域BAを含むフレキシブル有機EL表示装置30を折り曲げていない状態を示す図であり、図1の(b)は、折り曲げ領域(BA)において、フレキシブル有機EL表示装置30を折り曲げて、端子領域(TA)を表示領域(AA)の表示面の裏面に配置することで、表示面側(図中上側)から端子領域(TA)を見えなくした場合を示す図である。
本実施形態においては、図1の(a)及び図1の(b)に図示されているように、非表示領域(NAA)が、表示領域(AA)の図中の右端領域と、図示していない表示領域(AA)の上端領域とに備えられている場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、非表示領域(NAA)は、表示領域(AA)を取り囲む、右端領域、左端領域、上端領域及び下端領域中の1領域以上に備えることができ、例えば、これらの領域中の互いに隣接する2領域や互いに対向する2領域に備えられていてもよく、表示領域(AA)を取り囲む4領域に備えられていてもよい。
図示されているように、フレキシブル有機EL表示装置30の非表示領域(NAA)は、折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)とを含み、表示領域(AA)の周辺には、表示領域(AA)と隣接する折り曲げ領域(BA)と、折り曲げ領域(BA)より外側の端子領域(TA)とが備えられている。
以下、図2から図5に基づいて、フレキシブル有機EL表示装置30の製造工程と、フレキシブル有機EL表示装置30の表示領域(AA)、折り曲げ領域(BA)及び端子領域(TA)における概略構成について説明する。
図2は、フレキシブル有機EL表示装置30の製造工程を説明するための図である。
図3は、フレキシブル有機EL表示装置30の表示領域(AA)の概略構成を示す図である。
図4は、フレキシブル有機EL表示装置30の折り曲げ領域(BA)の概略構成を示す図である。
図5は、フレキシブル有機EL表示装置30の製造工程に含まれるLaser Lift Off工程(LLO工程ともいう)を説明するための図である。
図2及び図3の(a)に図示されているように、先ず、非可撓性基板としてのガラス基板1上に樹脂層としてPI層2を塗布した(S1工程)。
本実施形態においては、後工程に含まれる高温工程と、後工程においてレーザー光を通すこととを考慮し、高耐熱性を有するガラス基板1を用いる場合を一例に挙げて説明するが、後工程に含まれる高温工程に耐えることができ、かつ、後工程においてレーザー光を通すことができるのであれば、ガラス基板に限定されることはない。
なお、樹脂層としては、PI層2(ポリイミド樹脂層(第2樹脂層))を用いており、後工程においてガラス基板1側からレーザー光を照射することで、PI層2とガラス基板1との界面でアブレーションを起こし、ガラス基板1をPI層2から剥離することができる。
次に、図2及び図3の(b)に図示されているように、樹脂層(PI層2)上に防湿層3(バリア層ともいう)を形成した(S2工程)。
防湿層は、フレキシブル有機EL表示装置30の使用時に、水分や不純物が、アクティブ素子や表示素子に到達することを防ぐ層であり、例えば、CVDにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
次に、図2及び図3の(c)に図示されているように、防湿層3上に半導体層4を所定形状に形成した(S3工程)。
上記S3工程には、非晶質シリコン層(a-Si層)を防湿層3上に所定形状に形成する工程と、防湿層3上に形成した非晶質シリコン層をエキシマレーザーを用いて結晶化する工程と、結晶化された多結晶シリコン層の所定領域に、ホウ素などの不純物をドープする工程などが含まれる。
次に、図2及び図3の(c)に図示されているように、防湿層3及び半導体層4を覆う第1絶縁層として、ゲート絶縁層5を形成した(S4工程)。
ゲート絶縁層5は、例えば、CVD法によって形成された、酸化シリコン(SiOx)膜あるいは窒化シリコン(SiNx)膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
次に、図2及び図3の(d)に図示されているように、ゲート絶縁層5上に、ゲート電極6aと容量電極6bを所定形状に形成し(S5工程)、その後、ゲート絶縁層5、ゲート電極6a、容量電極6b及びゲート電極引き伸ばし配線6c(図4に図示)を覆う第2絶縁層7を形成した(S6工程)。
第2絶縁層7は、キャパシタ(容量素子)形成用の絶縁膜層であり、例えば、CVD法によって形成された、窒化シリコン(SiNx)膜であってもよい。
次に、図2及び図3の(e)に図示されているように、第2絶縁層7上に容量電極6bと平面視において重なる容量対向電極8を所定形状に形成し(S7工程)、その後、第2絶縁層7と容量対向電極8とを覆う第3絶縁層9を形成した(S8工程)。
第3絶縁層9は、例えば、CVD法によって形成された、酸化シリコン(SiOx)膜あるいは窒化シリコン(SiNx)膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
次に、図2、図4の(a)及び図4の(b)に図示されているように、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して、折り曲げホール(BH)を形成し、折り曲げ領域(BA)を形成した(S9工程)。
なお、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去し、折り曲げホール(BH)を形成する工程においては、図4の(a)に図示されているように、傾斜端部(テーパ端部)を有するレジスト膜16をマスクとして用いて、ドライエッチングを行い、折り曲げホール(BH)を形成した。
図4の(b)に図示されているように、形成された折り曲げホール(BH)の形状は、傾斜端部(テーパ端部)を有する形状となっており、折り曲げ領域(BA)の一部、すなわち、中央部分においては、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去されており、折り曲げ領域(BA)と表示領域(AA)との境界近傍及び折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)との境界近傍においては、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が残っている。
本実施形態においては、折り曲げホール(BH)を、傾斜端部(テーパ端部)を有する形状に形成している場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、折り曲げホール(BH)は、後述する実施形態3及び4のような形状で形成してもよい。
なお、折り曲げホール(BH)は、フレキシブル有機EL表示装置30の折り曲げ領域(BA)での180度折り曲げや曲げやすさなどを考慮すると、無機膜からなる積層膜全体を除去して形成することが好ましいが、無機膜からなる積層膜中、上側の1つ以上の膜のみを除去して形成してもよい。
また、本実施形態においては、ドライエッチングを行い、折り曲げホール(BH)を形成する場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。
次に、図2、図3の(f)及び図4の(c)に図示されているように、折り曲げ領域(BA)を埋めるとともに、開口10aを有する第1樹脂層(感光性PI層10)を形成した(S10工程)。
なお、本実施形態においては、感光性PI層10の開口10aは、表示領域(AA)及び端子領域(TA)に形成されている。
感光性PI層10は、感光性材料を含むポリイミド樹脂であり、下層の段差を無くす平坦化膜でもある。
なお、感光性PI層10は、ポジ型であってもネガ型であってもよいが、本実施形態においては、露光された部分に開口10aが形成されるポジ型を用いた。
また、本実施形態においては、水分や不純物の浸透をより効果的に防ぐことができる点を考慮し、感光性PI層10(感光性材料を含むポリイミド樹脂)を用いたが、これに限定されることはなく、感光性材料を含むアクリル樹脂などを用いてもよい。
また、上記第1樹脂層は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂やアクリル樹脂であってもよく、このような場合には、開口10aは、感光性材料を含まないポリイミド樹脂やアクリル樹脂上に形成された所定パターンのレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングなどで形成することができる。
次に、図2、図3の(g)及び図4の(d)に図示されているように、感光性PI層10をマスクとして、開口10aの下層にコンタクトホール(CH)を形成した(S11工程)。
図3の(g)に図示されているように、半導体層4とのコンタクトを取るためのコンタクトホール(CH)を形成するため、感光性PI層10をマスクとして、開口10aの下層であるゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去され、ゲート電極6aとのコンタクトを取るためのコンタクトホール(CH)を形成するため、感光性PI層10をマスクとして、開口10aの下層である第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去され、容量対向電極8とのコンタクトを取るためのコンタクトホール(CH)を形成するため、感光性PI層10をマスクとして、開口10aの下層である第3絶縁層9が除去されている。
また、図4の(d)に図示されているように、ゲート電極引き伸ばし配線6cとのコンタクトを取るためのコンタクトホール(CH)を形成するため、感光性PI層10をマスクとして、開口10aの下層である第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去されている。
図3の(g)及び図4の(d)に図示されているように、感光性PI層10に形成された開口10aとコンタクトホール(CH)とは、平面視において、重なっている。
具体的には、本実施形態においては、感光性PI層10と感光性PI層10に形成された開口10aとをマスクとして、コンタクトホール(CH)を形成しているので、感光性PI層10に形成された開口10aの側面に沿ってコンタクトホール(CH)の側面が形成されており、開口10aとコンタクトホール(CH)とが接する部分において、開口10aの側面とコンタクトホール(CH)の側面とが揃っている。
なお、図3の(g)及び図4の(d)に図示されている全てのコンタクトホール(CH)は、ゲート電極6a、容量対向電極8及びゲート電極引き伸ばし配線6cの各々が、エッチングストッパー層となるため、一つのドライエッチング工程で形成することもできる。
次に、図2、図3の(h)及び図4の(e)に図示されているように、開口10a及びコンタクトホール(CH)を介して、半導体層4とゲート電極6aとゲート電極引き伸ばし配線6cと容量対向電極8の各々と接触する導電層11を所定形状に形成した(S12工程)。
図3の(h)に図示されているように、半導体層4とのコンタクトを取るためのコンタクトホール(CH)と開口10aとを介して、半導体層4と接触するドレイン配線11aを形成し、ゲート電極6aとのコンタクトを取るためのコンタクトホール(CH)と開口10aとを介して、ゲート電極6aと接触するゲート配線11bを形成し、容量対向電極8とのコンタクトを取るためのコンタクトホール(CH)と開口10aとを介して、容量対向電極8と接触する容量配線11cを形成した。
また、図4の(e)に図示されているように、ゲート電極引き伸ばし配線6cとのコンタクトを取るためのコンタクトホール(CH)と開口10aとを介して、ゲート電極引き伸ばし配線6cと接触する引き回し配線11dを形成した。
ドレイン配線11a、ゲート配線11b、容量配線11c及び引き回し配線11dは、導電層11の形成工程で形成することができる。
なお、図3においては、ソース配線の図示を省略しており、ゲート配線11bは、表示領域(AA)内に配置された他のTFT素子のソース配線またはドレイン配線と電気的に接続されている。
次に、図2、図3の(i)及び図4の(f)に図示されているように、感光性PI層10及び導電層11を覆うとともに、導電層11中のドレイン配線11aと平面視において重なる開口12aと、導電層11中の引き回し配線11dと平面視において重なる開口12bと、を有する第3樹脂層(感光性平坦化層12)を形成した(S13工程)。
なお、図4の(f)に図示されているように、端子領域(TA)においても、図4の(e)に図示した表示領域(AA)の場合と同様に、引き回し配線11dは、コンタクトホール(CH)と開口10aとを介して、ゲート電極引き伸ばし配線6c(導電部材)と接触するように形成されている。
そして、端子部近方においては、コンタクトホール(CH)と開口10aとを介して、ゲート電極引き伸ばし配線6c(導電部材)と接触する引き回し配線11dが形成されており、この引き回し配線11dが感光性平坦化層12の開口12bを介して露出されている部分が端子部となっている。
本実施形態においては、図4の(f)に図示されているような端子部の構成を用いている場合を、一例に挙げて説明するが、端子部の構成がこのような構成に限定されることはない。
感光性平坦化層12は、感光性材料を含む樹脂層であり、下層の段差を無くす平坦化膜でもある。本実施形態においては、水分や不純物の浸透をより効果的に防ぐことができる点を考慮し、感光性平坦化層12として、感光性材料を含むポリイミド樹脂を用いたがこれに限定されることはない。
なお、感光性平坦化層12は、ポジ型であってもネガ型であってもよいが、本実施形態においては、露光された部分に開口12a・12bが形成されるポジ型を用いた。
また、上記第3樹脂層は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂やアクリル樹脂であってもよく、このような場合には、開口12a・12bは、感光性材料を含まないポリイミド樹脂やアクリル樹脂上に形成された所定パターンのレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングなどで形成することができる。
そして、図2及び図3の(j)に図示されているように、感光性平坦化層12上に、開口12aを介してドレイン配線11aと電気的に接続された第1電極13(電極層)を形成した(S14工程)。
以上のように、フレキシブル有機EL表示装置30においては、表示領域(AA)及び端子領域(TA)に形成されたゲート電極引き伸ばし配線6cと、表示領域(AA)、折り曲げ領域(BA)及び端子領域(TA)に形成された感光性PI層10上の引き回し配線11dとは、電気的に接続されており、電気的に接続されたゲート電極引き伸ばし配線6cと引き回し配線11dとは、表示領域(AA)に備えられたアクティブ素子であるTFT素子と電気的に接続されている。
なお、本実施形態においては、表示領域(AA)に備えられたアクティブ素子であるTFT素子のゲート配線を、ゲート電極引き伸ばし配線6cと、引き回し配線11dとを介して、端子領域(TA)にまで引き回し、端子部を形成した場合を一例に挙げたが、これに限定されることはなく、フレキシブル有機EL表示装置30の表示領域(AA)に備えられたアクティブ素子であるTFT素子のソース配線についても、同様に、引き伸ばし配線と、引き回し配線を他の端子領域(TA)にまで引き回し、端子部を形成してもよい。
次に、図2及び図5の(a)に図示されているように、表示素子14及び封止膜15を形成した(S15工程)。
なお、図5においては、半導体層4と、ゲート絶縁層5と、ゲート電極6aなどを形成する層と、第2絶縁層7と、容量対向電極8を形成する層と、第3絶縁層9と、感光性PI層10と、導電層11と、感光性平坦化層12とを含む膜を積層膜16としている。
積層膜16上には、複数の赤色発光有機EL素子14R、複数の緑色発光有機EL素子14G及び複数の青色発光有機EL素子14Bが形成されており、複数の赤色発光有機EL素子14R、複数の緑色発光有機EL素子14G及び複数の青色発光有機EL素子14Bを覆うように封止膜15が形成されている。
赤色発光有機EL素子14R、緑色発光有機EL素子14G及び青色発光有機EL素子14Bの各々は、例えば、図示してないが、第1電極13、正孔注入層、正孔輸送層、各色の発光層、電子輸送層、電子注入層及び第2電極の積層体である。
なお、図示してないが、第1電極13の各々の端部を取り囲むように、エッジカバーが形成されている。
封止膜15は、赤色発光有機EL素子14R、緑色発光有機EL素子14G及び青色発光有機EL素子14Bを覆い、水、酸素等の異物の浸透を防ぐ。封止膜15は、第1無機封止膜と、第1無機封止膜よりも上層に形成され、バッファ膜として機能する有機封止膜と、第1無機封止膜及び有機封止膜を覆う第2無機封止膜とを含んでいてもよい。
第1無機封止膜及び第2無機封止膜はそれぞれ、例えば、マスクを用いたCVDにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜は、第1無機封止膜及び第2無機封止膜よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって形成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第1無機封止膜上にインクジェット塗布した後、UV照射により硬化させてもよい。
なお、上記エッジカバーは、ポリイミドやアクリル等で形成することができる。
そして、図2及び図5の(a)に図示されているように、非可撓性基板であるガラス基板1側からレーザー光を照射し(S16工程)、PI層2とガラス基板1との界面でアブレーションを起こした。
それから、図2及び図5の(b)に図示されているように、ガラス基板1をPI層2から剥離した(S17工程)。
最後に、図2及び図5の(c)に図示されているように、可撓性基板であるフィルム基板19の一方側の面19aに設けられえた接着層(図示せず)を介して、フィルム基板19をPI層2に貼り付けて、フレキシブル有機EL表示装置30を完成した(S18工程)。
以上のように、フレキシブル有機EL表示装置30によれば、感光性PI層10は、折り曲げ領域(BA)に形成された折り曲げホール(BH)を埋めるとともに、表示領域(AA)と端子領域(TA)とにも形成されている。
図2から図5に基づいて説明した、フレキシブル有機EL表示装置30の製造工程においては、第1樹脂層(感光性PI層10)と、第1樹脂層(感光性PI層10)に形成された開口10aとをマスクとして、開口10aの下層である第2絶縁層7及び第3絶縁層9やゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9や第3絶縁層9を除去し、各々のコンタクトホール(CH)を形成している。
以上のように、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して形成したコンタクトホール(CH)の場合、特にその深さが深いため、先に、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去してコンタクトホール(CH)した後に、第1樹脂層(感光性PI層10)をその上から形成すると、その深さが深いコンタクトホール(CH)に第1樹脂層(感光性PI層10)やレジスト膜が入り、残ってしまうので、コンタクトホール(CH)の形成不具合が生じやすいという問題がある。
そこで、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置30の製造工程においては、第1樹脂層(感光性PI層10)に開口10aを先に形成した後に、第1樹脂層(感光性PI層10)と、第1樹脂層(感光性PI層10)に形成された開口10aとをマスクとして、開口10aの下層である第2絶縁層7及び第3絶縁層9やゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9や第3絶縁層9を除去し、各々のコンタクトホール(CH)を形成しているので、コンタクトホール(CH)の形成不具合が生じるのを抑制できる。
さらに、表示領域(AA)にも、第1樹脂層(感光性PI層10)が形成されているので、表示領域(AA)をある程度平坦化できるとともに、配線間の寄生容量を抑制したフレキシブル有機EL表示装置30を実現できる。
なお、本実施形態においては、Laser Lift Off工程(LLO工程)を含むフレキシブル有機EL表示装置30の製造工程を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、Laser Lift Off工程(LLO工程)を含まないフレキシブル有機EL表示装置の製造工程にも本発明を適用できるのは言うまでもない。
なお、本実施形態においては、引き伸ばし配線(導電部材)がゲート電極引き伸ばし配線6cである場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、引き伸ばし配線(導電部材)は、例えば、容量配線であってもよく、導電層11より下層の導電層であれば、その種類は特に限定されない。
〔実施形態2〕
次に、図6及び図7に基づき、本発明の実施形態2について説明する。本実施形態においては、コンタクトホール(CH)と折り曲げホール(BH)とを一つの工程で形成しているとともに、第1樹脂層(感光性PI層10)に開口10aを形成する前に、コンタクトホール(CH)を形成している点において、実施形態1とは異なり、その他については実施形態1において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
次に、図6及び図7に基づき、本発明の実施形態2について説明する。本実施形態においては、コンタクトホール(CH)と折り曲げホール(BH)とを一つの工程で形成しているとともに、第1樹脂層(感光性PI層10)に開口10aを形成する前に、コンタクトホール(CH)を形成している点において、実施形態1とは異なり、その他については実施形態1において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図6は、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程を説明するための図である。
図7は、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の折り曲げ領域(BA)の概略構成を示す図である。
図2及び図6に図示したS1工程~S8工程を経て、図7の(a)に図示した構成を得ることができる。
その後、図7の(b)に図示されているように、後工程で形成される開口10a及びコンタクトホール(CH)と平面視において重なる部分に、開口26aを有するレジスト膜26を、第3絶縁層9上に形成した。
そして、図6及び図7の(c)に図示されているように、レジスト膜26及びレジスト膜26の開口26aをマスクとして、コンタクトホール(CH)を形成するとともに、レジスト膜26が形成されていない領域において、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去し、折り曲げホール(BH)を形成して、折り曲げ領域(BA)を形成した(S9’工程)。
なお、本実施形態においては、コンタクトホール(CH)は、表示領域(AA)及び端子領域(TA)に形成されている。
その後、図6及び図7の(d)に図示されているように、折り曲げ領域(BA)を埋めるとともに、コンタクトホール(CH)と平面視において重なる開口10aを有する第1樹脂層(感光性PI層10)を形成した(S10’工程)。
それから、図2及び図6に図示したS12工程~S18工程を経て、図7の(e)及び図7の(f)に図示した構成を含むフレキシブル有機EL表示装置を実現できる。
以上のように、図7の(f)に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、感光性PI層10は、折り曲げ領域(BA)に形成された折り曲げホール(BH)を埋めるとともに、表示領域(AA)と端子領域(TA)とにも形成されている。
本実施形態の製造方法においては、図7の(c)及び図7の(d)に図示されているように、コンタクトホール(CH)と折り曲げホール(BH)とを一つの工程で形成しているとともに、第1樹脂層(感光性PI層10)に開口10aを形成する前に、コンタクトホール(CH)を形成している。
したがって、その深さが深いコンタクトホール(CH)に第1樹脂層(感光性PI層10)やレジスト膜が入り、残ってしまい、コンタクトホール(CH)の形成不具合が生じやすいという問題があるので、コンタクトホール(CH)に存在する第1樹脂層(感光性PI層10)を容易に除去できるように、第1樹脂層(感光性PI層10)としては、露光されていない部分が除去されるネガ型を用いることが好ましいとともに、第1樹脂層(感光性PI層10)の現像時に、感光性PI層10が備えられえたガラス基板1を現像液中に完全に入れて現像を行ったり、感光性PI層10が備えられえたガラス基板1を裏返しにして現像液中に完全に入れて現像を行うことが好ましい。
〔実施形態3〕
次に、図8に基づき、本発明の実施形態3について説明する。本実施形態においては、折り曲げホール(BH’)の形状が傾斜端部(テーパ端部)を有さない形状に形成され、折り曲げ領域(BA)は、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去された開口領域である点において、実施形態1とは異なり、その他については実施形態1において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
次に、図8に基づき、本発明の実施形態3について説明する。本実施形態においては、折り曲げホール(BH’)の形状が傾斜端部(テーパ端部)を有さない形状に形成され、折り曲げ領域(BA)は、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去された開口領域である点において、実施形態1とは異なり、その他については実施形態1において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図8は、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の折り曲げ領域(BA)の概略構成を示す図である。
図8の(a)及び図8の(b)に図示されているように、レジスト膜27をマスクとして、レジスト膜27が形成されていない領域において、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去し、傾斜端部(テーパ端部)を有さない形状の折り曲げホール(BH’)を形成することで、折り曲げ領域(BA)を形成した。
図8の(f)に図示されているように、折り曲げ領域(BA)は、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去された開口領域であるので、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の折り曲げ領域(BA)には、無機膜である、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が存在しないので、折り曲げ領域(BA)における、さらなる曲げやすさの向上を図れるとともに、上記無機膜にクラックなどが生じない。
以上のように、図8の(f)に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、感光性PI層10は、折り曲げ領域(BA)に形成された折り曲げホール(BH)を埋めるとともに、表示領域(AA)と端子領域(TA)とにも形成されている。
なお、図8の(c)、図8の(d)及び図8の(e)の説明については、折り曲げホール(BH’)の形状が異なる点以外は、既に実施形態1で説明しているので、ここではその説明を省略する。
〔実施形態4〕
次に、図9に基づき、本発明の実施形態4について説明する。本実施形態においては、折り曲げホール(BH’)の形状が傾斜端部(テーパ端部)を有さない形状に形成され、折り曲げ領域(BA)は、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去された開口領域である点において、実施形態2とは異なり、その他については実施形態2において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態2の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
次に、図9に基づき、本発明の実施形態4について説明する。本実施形態においては、折り曲げホール(BH’)の形状が傾斜端部(テーパ端部)を有さない形状に形成され、折り曲げ領域(BA)は、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去された開口領域である点において、実施形態2とは異なり、その他については実施形態2において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態2の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図9は、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の折り曲げ領域(BA)の概略構成を示す図である。
図9の(b)及び図9の(c)に図示されているように、レジスト膜28及びレジスト膜28の開口28aをマスクとして、コンタクトホール(CH)を形成するとともに、レジスト膜28が形成されていない領域において、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去し、傾斜端部(テーパ端部)を有さない形状の折り曲げホール(BH’)を形成することで、折り曲げ領域(BA)を形成した。
図9の(f)に図示されているように、折り曲げ領域(BA)は、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が除去された開口領域であるので、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の折り曲げ領域(BA)には、無機膜である、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9が存在しないので、折り曲げ領域(BA)における、さらなる曲げやすさの向上を図れるとともに、上記無機膜にクラックなどが生じない。
以上のように、図9の(f)に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、感光性PI層10は、折り曲げ領域(BA)に形成された折り曲げホール(BH)を埋めるとともに、表示領域(AA)と端子領域(TA)とにも形成されている。
なお、図9の(a)、図9の(d)及び図9の(e)の説明については、折り曲げホール(BH’)の形状が異なる点以外は、既に実施形態2で説明しているので、ここではその説明を省略する。
〔まとめ〕
本発明の態様1に係る可撓性表示装置は、上記の課題を解決するために、可撓性基板と、上記可撓性基板上に備えられたアクティブ素子及び表示素子と、を含む可撓性表示装置であって、上記アクティブ素子及び上記表示素子は、表示領域に備えられており、上記表示領域の周辺には、上記表示領域と隣接する折り曲げ領域と、上記折り曲げ領域より外側の端子領域とが備えられており、上記折り曲げ領域は、上記可撓性基板上の上記各領域に備えられた1層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域であり、第1樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に形成されており、上記表示領域においては、上記アクティブ素子と電気的に接続された引き伸ばし配線が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口が形成されており、引き回し配線は、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続されているとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に形成されていることを特徴としている。
本発明の態様1に係る可撓性表示装置は、上記の課題を解決するために、可撓性基板と、上記可撓性基板上に備えられたアクティブ素子及び表示素子と、を含む可撓性表示装置であって、上記アクティブ素子及び上記表示素子は、表示領域に備えられており、上記表示領域の周辺には、上記表示領域と隣接する折り曲げ領域と、上記折り曲げ領域より外側の端子領域とが備えられており、上記折り曲げ領域は、上記可撓性基板上の上記各領域に備えられた1層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域であり、第1樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に形成されており、上記表示領域においては、上記アクティブ素子と電気的に接続された引き伸ばし配線が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口が形成されており、引き回し配線は、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続されているとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に形成されていることを特徴としている。
上記構成によれば、第1樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に形成されている。また、引き回し配線は、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続されているとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に形成されている。
したがって、上記第1樹脂層によって、上記表示領域及び上記端子領域の平坦化を実現できる。また、上記折り曲げ領域において、上記引き回し配線の断線が生じるのを抑制できるとともに、その引き回し配線の長さが必要以上に長くなり抵抗が高くなるのを抑制できる。
本発明の態様2に係る可撓性表示装置は、上記態様1において、上記第1の開口は、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とで構成されており、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とが接する部分において、上記第1樹脂層に形成された開口の側面と上記1層以上の無機膜に形成された開口の側面とは揃っていてもよい。
上記構成によれば、上記第1の開口の形成不具合を抑制できる。
本発明の態様3に係る可撓性表示装置は、上記態様1または2において、上記表示領域における上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜には、上記アクティブ素子の半導体層またはゲート電極が露出するように、第2の開口が形成されており、上記アクティブ素子の配線は、上記第2の開口を介して、上記アクティブ素子と電気的に接続されていてもよい。
上記構成によれば、上記表示領域に第2の開口を有する可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様4に係る可撓性表示装置は、上記態様3において、上記第2の開口は、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とで構成されており、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とが接する部分において、上記第1樹脂層に形成された開口の側面と上記1層以上の無機膜に形成された開口の側面とは揃っていてもよい。
上記構成によれば、上記第2の開口の形成不具合を抑制できる。
本発明の態様5に係る可撓性表示装置は、上記態様1または3において、上記表示領域には、容量電極と、上記容量電極より上層に絶縁層を介して形成された容量対向電極とを含む容量素子が備えられており、上記表示領域における上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜には、上記容量対向電極が露出するように、第3の開口が形成されており、上記容量素子の配線は、上記第3の開口を介して、上記容量対向電極と電気的に接続されていてもよい。
上記構成によれば、上記表示領域に第3の開口を有する可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様6に係る可撓性表示装置は、上記態様5において、上記第3の開口は、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とで構成されており、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とが接する部分において、上記第1樹脂層に形成された開口の側面と上記1層以上の無機膜に形成された開口の側面とは揃っていてもよい。
上記構成によれば、上記第3の開口の形成不具合を抑制できる。
本発明の態様7に係る可撓性表示装置は、上記態様1、3、5の何れかにおいて、上記端子領域には、導電部材が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第4の開口が形成されており、上記引き回し配線は、上記第4の開口を介して、上記導電部材と電気的に接続されていてもよい。
上記構成によれば、上記端子領域に第4の開口を有する可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様8に係る可撓性表示装置は、上記態様7において、上記第4の開口は、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とで構成されており、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とが接する部分において、上記第1樹脂層に形成された開口の側面と上記1層以上の無機膜に形成された開口の側面とは揃っていてもよい。
上記構成によれば、上記第4の開口の形成不具合を抑制できる。
本発明の態様9に係る可撓性表示装置は、上記態様1から8の何れかにおいて、上記折り曲げ領域は、上記1層以上の無機膜の開口領域であってもよい。
上記構成によれば、折り曲げ領域における、さらなる曲げやすさの向上を図れるとともに、折り曲げ領域にクラックなどが生じない可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様10に係る可撓性表示装置は、上記態様1から9の何れかにおいて、上記第1樹脂層は、感光性材料を含むポリイミド樹脂で形成されていてもよい。
上記構成によれば、露光及び現像工程により、上記第1樹脂層をパターニングできるとともに、水分や不純物の浸透をより効果的に防ぐことができる可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様11に係る可撓性表示装置は、上記態様1から9の何れかにおいて、上記第1樹脂層は、感光性材料を含むアクリル樹脂で形成されていてもよい。
上記構成によれば、露光及び現像工程により、上記第1樹脂層をパターニングできるとともに、上記表示素子がボトム発光型であった場合、上記第1樹脂層による発光光の透過率の低下が少ない可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様12に係る可撓性表示装置は、上記態様1から11の何れかにおいて、上記表示素子は、有機EL表示素子であってもよい。
上記構成によれば、上記表示素子として、有機EL表示素子を備えた可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様13に係る可撓性表示装置は、上記態様1から11の何れかにおいて、上記表示素子は、反射型の液晶表示素子であってもよい。
上記構成によれば、上記表示素子として、反射型の液晶表示素子を備えた可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様14に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、アクティブ素子と表示素子とが備えられた表示領域と、上記表示領域と隣接する折り曲げ領域と、上記折り曲げ領域より外側の端子領域とを含む可撓性表示装置の製造方法であって、上記各領域に形成された1層以上の無機膜の少なくとも一部を除去して、上記折り曲げ領域を形成する工程と、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に第1樹脂層を形成する工程と、上記表示領域において、上記アクティブ素子と電気的に接続された引き伸ばし配線が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口を形成する工程と、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続するとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に引き回し配線を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
上記方法によれば、第1樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に形成されている。また、引き回し配線は、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続されているとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に形成されている。
したがって、上記第1樹脂層によって、上記表示領域及び上記端子領域の平坦化を実現できる。また、上記折り曲げ領域において、上記引き回し配線の断線が生じるのを抑制できるとともに、その引き回し配線の長さが必要以上に長くなり抵抗が高くなるのを抑制できる。
本発明の態様15に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様14において、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口を形成する工程においては、上記第1樹脂層に形成した開口と上記第1樹脂層とをマスクとして、上記1層以上の無機膜に開口を形成してもよい。
上記方法によれば、上記第1の開口の形成不具合を抑制できる。
本発明の態様16に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様14において、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口を形成する工程においては、上記1層以上の無機膜に開口を形成した後に、上記第1樹脂層に開口を形成してもよい。
上記方法によれば、上記折り曲げ領域の形成と、上記1層以上の無機膜における開口の形成とを一つの工程で行うことができる。
本発明の態様17に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様14から16の何れかにおいて、上記各領域に形成された1層以上の無機膜は、非可撓性基板の一方側の面上に形成された第2樹脂層上に形成されており、上記非可撓性基板側からレーザー光を照射して、上記第2樹脂層から上記非可撓性基板を剥離する工程と、上記第2樹脂層における上記非可撓性基板を剥離した面に可撓性基板を貼り付ける工程と、を含んでいてもよい。
上記方法によれば、Laser Lift Off工程(LLO工程ともいう)を含む可撓性表示装置の製造方法を実現できる。
本発明の態様18に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様14から17の何れかにおいて、上記第1樹脂層は、感光性材料を含むポリイミド樹脂で形成されていてもよい。
上記方法によれば、露光及び現像工程により、上記第1樹脂層をパターニングできるとともに、水分や不純物の浸透をより効果的に防ぐことができる可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様19に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様14から17の何れかにおいて、上記第1樹脂層は、感光性材料を含むアクリル樹脂で形成されていてもよい。
上記方法によれば、露光及び現像工程により、上記第1樹脂層をパターニングできるとともに、上記表示素子がボトム発光型であった場合、上記第1樹脂層による発光光の透過率の低下が少ない可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様20に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様14から19の何れかにおいて、上記折り曲げ領域は、上記1層以上の無機膜の開口領域であってもよい。
上記方法によれば、折り曲げ領域における、さらなる曲げやすさの向上を図れるとともに、折り曲げ領域にクラックなどが生じない可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様21に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様17において、上記第2樹脂層は、ポリイミド樹脂で形成されていてもよい。
上記方法によれば、水分や不純物の浸透をより効果的に防ぐことができる可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様22に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様14から21の何れかにおいて、上記表示素子は、有機EL表示素子であってもよい。
上記方法によれば、上記表示素子として、有機EL表示素子を備えた可撓性表示装置を実現できる。
本発明の態様23に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様14から21の何れかにおいて、上記表示素子は、反射型の液晶表示素子であってもよい。
上記方法によれば、上記表示素子として、反射型の液晶表示素子を備えた可撓性表示装置を実現できる。
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
本発明は、可撓性表示装置及び可撓性表示装置の製造方法に利用することができる。
1 ガラス基板(非可撓性基板)
2 PI層(第2樹脂層)
3 防湿層(無機膜)
4 半導体層
5 ゲート絶縁層(無機膜)
6a ゲート電極
6b 容量電極
6c ゲート電極引き伸ばし配線(引き伸ばし配線・導電部材)
7 第2絶縁層(無機膜)
8 容量対向電極
9 第3絶縁層(無機膜)
10 感光性PI層(第1樹脂層)
10a 開口
11 導電層
11a ドレイン配線
11b ゲート配線
11c 容量配線
11d 引き回し配線
12 感光性平坦化層(第3樹脂層)
12a、12b 開口
13 第1電極
14 表示素子
15 封止膜
19 フィルム基板(可撓性基板)
30 フレキシブル有機EL表示装置(可撓性表示装置)
AA 表示領域
NAA 非表示領域
BA 折り曲げ領域
TA 端子領域
CH コンタクトホール
BH 折り曲げホール
2 PI層(第2樹脂層)
3 防湿層(無機膜)
4 半導体層
5 ゲート絶縁層(無機膜)
6a ゲート電極
6b 容量電極
6c ゲート電極引き伸ばし配線(引き伸ばし配線・導電部材)
7 第2絶縁層(無機膜)
8 容量対向電極
9 第3絶縁層(無機膜)
10 感光性PI層(第1樹脂層)
10a 開口
11 導電層
11a ドレイン配線
11b ゲート配線
11c 容量配線
11d 引き回し配線
12 感光性平坦化層(第3樹脂層)
12a、12b 開口
13 第1電極
14 表示素子
15 封止膜
19 フィルム基板(可撓性基板)
30 フレキシブル有機EL表示装置(可撓性表示装置)
AA 表示領域
NAA 非表示領域
BA 折り曲げ領域
TA 端子領域
CH コンタクトホール
BH 折り曲げホール
Claims (23)
- 可撓性基板と、上記可撓性基板上に備えられたアクティブ素子及び表示素子と、を含む可撓性表示装置であって、
上記アクティブ素子及び上記表示素子は、表示領域に備えられており、
上記表示領域の周辺には、上記表示領域と隣接する折り曲げ領域と、上記折り曲げ領域より外側の端子領域とが備えられており、
上記折り曲げ領域は、上記可撓性基板上の上記各領域に備えられた1層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域であり、
第1樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に形成されており、
上記表示領域においては、上記アクティブ素子と電気的に接続された引き伸ばし配線が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口が形成されており、
引き回し配線は、上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続されているとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に形成されていることを特徴とする可撓性表示装置。 - 上記第1の開口は、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とで構成されており、
上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とが接する部分において、上記第1樹脂層に形成された開口の側面と上記1層以上の無機膜に形成された開口の側面とは揃っていることを特徴とする請求項1に記載の可撓性表示装置。 - 上記表示領域における上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜には、上記アクティブ素子の半導体層またはゲート電極が露出するように、第2の開口が形成されており、
上記アクティブ素子の配線は、上記第2の開口を介して、上記アクティブ素子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の可撓性表示装置。 - 上記第2の開口は、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とで構成されており、
上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とが接する部分において、上記第1樹脂層に形成された開口の側面と上記1層以上の無機膜に形成された開口の側面とは揃っていることを特徴とする請求項3に記載の可撓性表示装置。 - 上記表示領域には、容量電極と、上記容量電極より上層に絶縁層を介して形成された容量対向電極とを含む容量素子が備えられており、
上記表示領域における上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜には、上記容量対向電極が露出するように、第3の開口が形成されており、
上記容量素子の配線は、上記第3の開口を介して、上記容量対向電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または3に記載の可撓性表示装置。 - 上記第3の開口は、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とで構成されており、
上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とが接する部分において、上記第1樹脂層に形成された開口の側面と上記1層以上の無機膜に形成された開口の側面とは揃っていることを特徴とする請求項5に記載の可撓性表示装置。 - 上記端子領域には、導電部材が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第4の開口が形成されており、
上記引き回し配線は、上記第4の開口を介して、上記導電部材と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1、3、5の何れか1項に記載の可撓性表示装置。 - 上記第4の開口は、上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とで構成されており、
上記第1樹脂層に形成された開口と、上記1層以上の無機膜に形成された開口とが接する部分において、上記第1樹脂層に形成された開口の側面と上記1層以上の無機膜に形成された開口の側面とは揃っていることを特徴とする請求項7に記載の可撓性表示装置。 - 上記折り曲げ領域は、上記1層以上の無機膜の開口領域であることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の可撓性表示装置。
- 上記第1樹脂層は、感光性材料を含むポリイミド樹脂で形成されていることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の可撓性表示装置。
- 上記第1樹脂層は、感光性材料を含むアクリル樹脂で形成されていることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の可撓性表示装置。
- 上記表示素子は、有機EL表示素子であることを特徴とする請求項1から11の何れか1項に記載の可撓性表示装置。
- 上記表示素子は、反射型の液晶表示素子であることを特徴とする請求項1から11の何れか1項に記載の可撓性表示装置。
- アクティブ素子と表示素子とが備えられた表示領域と、上記表示領域と隣接する折り曲げ領域と、上記折り曲げ領域より外側の端子領域とを含む可撓性表示装置の製造方法であって、
上記各領域に形成された1層以上の無機膜の少なくとも一部を除去して、上記折り曲げ領域を形成する工程と、
上記折り曲げ領域を埋めるとともに、上記表示領域及び上記端子領域において、上記1層以上の無機膜上に第1樹脂層を形成する工程と、
上記表示領域において、上記アクティブ素子と電気的に接続された引き伸ばし配線が露出するように、上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口を形成する工程と、
上記第1の開口を介して、上記引き伸ばし配線と電気的に接続するとともに、上記折り曲げ領域の上記第1樹脂層上に引き回し配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする可撓性表示装置の製造方法。 - 上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口を形成する工程においては、上記第1樹脂層に形成した開口と上記第1樹脂層とをマスクとして、上記1層以上の無機膜に開口を形成することを特徴とする請求項14に記載の可撓性表示装置の製造方法。
- 上記第1樹脂層及び上記1層以上の無機膜に第1の開口を形成する工程においては、上記1層以上の無機膜に開口を形成した後に、上記第1樹脂層に開口を形成することを特徴とする請求項14に記載の可撓性表示装置の製造方法。
- 上記各領域に形成された1層以上の無機膜は、非可撓性基板の一方側の面上に形成された第2樹脂層上に形成されており、
上記非可撓性基板側からレーザー光を照射して、上記第2樹脂層から上記非可撓性基板を剥離する工程と、
上記第2樹脂層における上記非可撓性基板を剥離した面に可撓性基板を貼り付ける工程と、を含むことを特徴とする請求項14から16の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。 - 上記第1樹脂層は、感光性材料を含むポリイミド樹脂で形成されていることを特徴とする請求項14から17の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
- 上記第1樹脂層は、感光性材料を含むアクリル樹脂で形成されていることを特徴とする請求項14から17の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
- 上記折り曲げ領域は、上記1層以上の無機膜の開口領域であることを特徴とする請求項14から19の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
- 上記第2樹脂層は、ポリイミド樹脂で形成されていることを特徴とする請求項17に記載の可撓性表示装置の製造方法。
- 上記表示素子は、有機EL表示素子であることを特徴とする請求項14から21の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
- 上記表示素子は、反射型の液晶表示素子であることを特徴とする請求項14から21の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110544710A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板及显示装置 |
CN113470521A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-10-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 支撑层及柔性显示模组 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107994036B (zh) * | 2017-12-14 | 2020-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN110838508A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器的制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299773A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | フレキシブル配線基板及び電気光学装置 |
JP2008233452A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Epson Imaging Devices Corp | 実装構造体、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法 |
WO2016204056A1 (ja) * | 2015-06-16 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
US20170040406A1 (en) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
JP2017097163A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US20170194411A1 (en) * | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Electronic device with flexible display panel |
-
2017
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299773A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | フレキシブル配線基板及び電気光学装置 |
JP2008233452A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Epson Imaging Devices Corp | 実装構造体、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法 |
WO2016204056A1 (ja) * | 2015-06-16 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
US20170040406A1 (en) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
JP2017097163A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US20170194411A1 (en) * | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Electronic device with flexible display panel |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110544710A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板及显示装置 |
US11271066B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-03-08 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible array substrate with stress cushion part and display device having the same |
CN113470521A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-10-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 支撑层及柔性显示模组 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190363154A1 (en) | 2019-11-28 |
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