WO2019012987A1

WO2019012987A1 - 表示装置、及び、電子機器

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Publication number: WO2019012987A1
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Inventors: 朋和大地
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Filing date: 2018-06-27
Publication date: 2019-01-17
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Abstract

表示装置は、第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成され、第１電極は発光部ごとに設けられ、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成され、第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層され、隔壁部と隔壁部との間の凹部を充填する充填層が第２電極上に形成され、隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを含む２層以上の積層体で構成され、隔壁部の上層部の表面において、発光部から入射する光の少なくとも一部が全反射される。

Description

表示装置、及び、電子機器

　本開示は、表示装置、及び、電子機器に関する。

　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置が注目されている。以下、有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置を「有機ＥＬ表示装置」あるいは単に「表示装置」と略称する場合がある。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であり、更には、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有し、商品化が鋭意進められている。

　眼鏡やゴーグルなどといったアイウェアに装着するための表示装置にあっては、例えば、画素サイズを数ミクロンメートルないし１０ミクロンメートル程度とするといったことに加えて、高輝度化を図ることが求められている。発光部と発光部とを区画する隔壁部によって光を全反射させ、光取出し効率を向上させて高輝度化を図るといったことが、例えば、特開２００７－２４８４８４号公報（特許文献１）や特開２０１３－１９１５３３（特許文献２）に開示されている。

特開２００７－２４８４８４号公報特開２０１３－１９１５３３号公報

　全反射によって光を反射させる場合、シリコン酸化物などの屈折率の小さい材料を用いて隔壁部を構成する必要がある。しかしながら、隔壁部と発光層との接触面付近にリークパスが生じ、結果として、隣接する画素間におけるリークによる輝度低下や信頼性低下といった現象が生ずることが考えられる。

　従って、本開示の目的は、光取出し効率を大きく阻害することなく、隣接する画素間におけるリークを低減することができる表示装置、及び、係る表示装置を備えた電子機器を提供することにある。

　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示装置は、
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
　第１電極は発光部ごとに設けられており、
　隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
　隔壁部と隔壁部との間の凹部を充填する充填層が第２電極上に形成されており、
　隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを含む２層以上の積層体で構成されており、
　隔壁部の上層部の表面において、発光部から入射する光の少なくとも一部が全反射される、
表示装置である。

　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子機器は、
　表示装置を備えた電子機器であって、
　表示装置は、
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
　隣接する発光部の間には隔壁部が形成されており、
　隔壁部と隔壁部との間は保護層によって充填されており、
　隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを少なくとも含む２層以上の積層体で構成されていると共に、下層部は、上層部を構成する材料より屈折率が大きい材料から形成されており、
　発光部の光の少なくとも一部分は、隔壁部の上層部の表面において全反射される、
電子機器である。

　本開示の第１の態様に係る表示装置によれば、隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを含む２層以上の積層体で構成されている。下層部を構成する材料として、発光層の接触面付近にリークパスが生じにくい材料を選択することができる。そして、隔壁部の上層部において光が全反射するので、光取出し効率を大きく阻害するといったこともない。また、本開示に記載された効果は例示であって限定されるものではなく、また、付加的な効果があってもよい。

図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。図２は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。図３は、参考例に係る表示装置の模式的な一部断面図である。図４は、参考例に係る表示装置における光の反射を説明するための模式的な一部断面図である。図５は、参考例に係る表示装置における第１電極間のリークパスを説明するための模式的な一部断面図である。図６は、第１の実施形態に係る表示装置における第１電極間のリークパスが分断されることを説明するための模式的な一部断面図である。図７は、第１の実施形態に係る表示装置における光の反射を説明するための模式的な一部断面図である。図８は、隔壁部における全反射条件を説明するための模式図である。図９は、第１の実施形態に係る表示装置における隔壁構造を説明するための模式図である。図１０Ａおよび図１０Ｂは、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１１は、図１０Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１２は、図１１に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１３は、図１２に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１４は、図１３に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１５は、図１４に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１６は、図１５に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１７は、図１６に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１８は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。図１９は、第２の実施形態に係る表示装置における光の反射を説明するための模式的な一部断面図である。図２０Ａおよび図２０Ｂは、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２１は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。図２２Ａおよび図２２Ｂは、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２３は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２３Ａにその正面図を示し、図２３Ｂにその背面図を示す。図２４は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。図２５は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。

　以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
　１．本開示に係る表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明
　２．第１の実施形態
　３．第２の実施形態
　４．第３の実施形態
　５．電子機器の説明、その他

［本開示に係る表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明］
　上述したように、本開示の第１の態様に係る表示装置、及び、本開示の第１の態様に係る電子機器に用いられる表示装置（以下、単に、これらを「本開示の表示装置」と呼ぶ場合がある。）にあっては、
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
　第１電極は発光部ごとに設けられており、
　隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
　隔壁部と隔壁部との間の凹部を充填する充填層が第２電極上に形成されており、
　隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを含む２層以上の積層体で構成されており、
　隔壁部の上層部の表面において、発光部から入射する光の少なくとも一部が全反射される。

　本開示の表示装置において、隔壁部の下層部は、隔壁部の全てが上層部を構成する材料から形成されているとしたときに、発光部の光のうち隔壁部から最も離間した位置から出射する光が全反射をしない領域に配置されている構成とすることができる。

　上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置にあっては、隔壁部の上層部の表面において光を全反射させる必要がある。従って、隔壁部の上層部は、例えば、屈折率が１．４ないし１．５程度といった、低屈折率の材料から構成することが好ましい。上層部は、例えば、無機酸化物から成る構成とすることができる。特に、シリコン酸化物から成る構成とすることが好ましい。

　尚、隔壁部の屈折率は、例えばエリプソメータを用いて測定することで求めることができる。有機層や充填層などの屈折率についても同様である。

　本開示の表示装置において、発光部は、いわゆる上面発光型である構成とすることができる。発光部は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを備えた有機層を、第１電極と第２電極で挟まれることによって構成される。カソードを共通化する場合、第２電極がカソード電極、第１電極がアノード電極となる。

　上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置にあっては、隔壁部の下層部を構成する材料として、屈折率の値に縛られることなく、発光層との界面のリークパスが生じにくい材料を選択することができる。例えば、表面が負電位になる傾向の材料と有機層とが接触すると、有機層にキャリアとしてホールが誘起され、リークパスの要因となる。従って、隔壁部の下層部を構成する材料として、表面が負電位になりにくい傾向の材料を選択することが好ましい。下層部は、例えば、無機窒化物から成る構成、または、無機酸窒化物から成る構成とすることができる。より具体的には、下層部は、シリコン窒化物から成る構成、あるいは又、シリコン酸窒化物から成る構成とすることが好ましい。

　あるいは又、隔壁部の下層部は、樹脂材料から成る構成とすることができる。より具体的には、下層部は、ポリイミド樹脂またはアクリル樹脂から成る構成とすることができる。

　上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置にあっては、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。カラー表示の場合、発光部の発光色自体が、赤色、緑色、青色などといった所定色である構成であってもよい。あるいは又、発光部の発光色は白色であるが、発光部の上方に配置されたカラーフィルタを備えているといった構成であってもよい。カラーフィルタは、例えば、顔料または染料を含ませた樹脂材料などを用いて形成することができる。

　カラー表示の構成とする場合には、１つの画素は複数の副画素から成る構成、具体的には、１つの画素は、赤色表示副画素、緑色表示副画素、及び、青色表示副画素の３つの副画素から成る構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。

　表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ－ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ－ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。

　上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置にあっては、発光層との界面のリークパスをより低減するために、隔壁部の上層部が、下層部側の第１上層部と、第１上層部の上方の第２上層部とから成り、第２上層部は、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されているといった構成とすることができる。この場合において、第１上層部は、層中に、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている層を含んでいる構成とすることもできる。

　隔壁部は、公知の無機材料や有機材料から適宜選択した材料を用いて形成することができ、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などの周知の成膜方法と、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法との組み合わせによって形成することができる。隔壁部と隔壁部との間の凹部を充填する充填層についても、公知の無機材料や有機材料から適宜選択した材料を用いて形成することができる。

　本開示に係る表示装置において、発光部の発光を制御する駆動回路などの構成は特に限定するものではない。発光部は、例えば、基板上の或る平面内に形成され、例えば、層間絶縁層を介して、発光部を駆動する駆動回路の上方に配置されているといった構成とすることができる。駆動回路を構成するトランジスタの構成は、特に限定するものではない。ｐチャネル型の電界効果トランジスタであってもよいし、ｎチャネル型の電界効果トランジスタであってもよい。

　基板の構成材料として、半導体材料、ガラス材料、あるいは、プラスチック材料を例示することができる。駆動回路を半導体基板に形成されたトランジスタによって構成するといった場合、例えばシリコンから成る半導体基板にウェル領域を設け、ウェル内にトランジスタを形成するといった構成とすればよい。一方、駆動回路を薄膜トランジスタなどによって構成するといった場合は、ガラス材料やプラスチック材料から成る基板を用いてその上に半導体薄膜を形成し駆動回路を形成することができる。各種の配線は、周知の構成や構造とすることができる。

　第１電極は、発光部ごとに基板上に設けられており、発光部のアノード電極として機能する。第１電極は、例えば、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｆｅ、もしくはＡｇなどの金属の単体または合金などで形成されていてもよいし、これらの金属膜を複数積層させたもので形成されていてもよい。場合によっては、第１電極は、酸化インジウム亜鉛、または酸化インジウムスズなどの透明導電性材料にて透明電極として形成されてもよい。このような場合、基板との間に金属あるいは合金からなる光反射層が設けられていてもよい。

　有機層は、有機発光材料を含み、共通の連続膜として、第１電極および隔壁部の上に設けられる。有機層は、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されることによって発光する。有機層は、例えば、第１電極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および、電子注入層を順に積層した構造で構成することができる。有機層を構成する正孔輸送材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、有機発光材料は特に限定するものではなく、周知の材料を用いることができる。

　尚、有機層は、複数の発光層を電荷発生層または中間電極を介して接続した、いわゆるタンデム型構造で構成されていてもよい。例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光の発光層を積層することによって、白色で発光する発光部を構成することができる。

　第２電極は、有機層の上に、共通した連続膜として設けられる。第２電極は、光透過性が高い材料を用いて形成することができる。例えば、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、またはガリウムドープ酸化亜鉛などの透明導電性材料を用いて形成することができる。あるいは又、金属や合金などを用いて、光透過性を有する程度に薄くして形成することもできる。

　充填層は、第２電極上に形成され、水分や酸素が有機層に侵入するのを防止する。充填層は、光透過性が高く、透水性が低い材料を用いて構成することができ、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ_x）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯ_x）、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料、またはこれらの組み合わせで構成することができる。

　本明細書における各種の式に示す条件は、式が数学的に厳密に成立する場合の他、式が実質的に成立する場合にも満たされる。式の成立に関し、表示素子や表示装パネル等の設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる図は模式的なものである。例えば、後述する図２は表示装置の断面構造を示すが、幅、高さ、厚さなどの割合を示すものではない。

［第１の実施形態］
　第１の実施形態は、本開示の第１の態様に係る、表示装置、及び、電子機器に関する。

　図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。表示装置１は、アクティブマトリックス型のカラー表示の表示装置であり、平面上に複数配列された発光部の各々の発光を制御することによって、画像等を表示する表示装置である。平面上に複数配列された発光部は、例えば、赤色表示、緑色表示、および青色表示のいずれかの副画素１０を構成しており、これら３つの副画素１０によって、１つの画素が構成される。

　図に示すように、副画素１０は、デルタ配列されている。破線で囲んだ１画素の大きさは、例えば、５マイクロメートル×５マイクロメートルといった大きさである。尚、図１において、赤色表示副画素を符号「Ｒ」で示し、緑色表示副画素を符号「Ｇ」で示し、青色表示副画素を符号「Ｂ」で示した。

　副画素１０、あるいは又、後述する図２で示す発光部１５０の平面形状は、円形である。尚、副画素１０の配列はデルタ配列に限るものではない。例えば、所謂ストライプ配列であってもよい。

　本実施形態に係る表示装置において、副画素１０の発光を制御する駆動回路や、副画素１０に電力を供給する電源回路などの構成は、特に限定するものではない。従って、これらに関する図示や具体的な説明は省略する。

　図２は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。

　表示装置１にあっては、第１電極１１０と有機層１３０と第２電極１４０とが積層されて成る発光部１５０が、基板１００上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている。

　基板１００は、一方の面上に配置された複数の発光部１５０を支持する支持体である。図示されていないが、基板１００には、副画素１０の発光（より具体的には、発光部１５０の発光）を制御するための駆動回路や、副画素１０に電力を供給する電源回路、また、走査線やデータ線などが設けられている。基板１００は、トランジスタ等の形成が容易な半導体材料で形成されている。

　第１電極１１０は、例えば、例えば、アルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）から成り、発光部１５０ごとに設けられている。隣接する第１電極１１０の間には隔壁部１２０が形成されている。後で詳しく説明するが、隔壁部１２０は、２層以上の積層体で構成されている。

　第１電極１１０は発光部１５０のアノード電極として機能する。隔壁部１２０は、隣接する第１電極１１０の間に設けられ、発光部１５０の各々を離隔する。第１電極１１０の側面が露出していると、その上に形成される有機層１３０の膜厚が薄くなり易く、異常発光の要因となる。そのため、隔壁部１２０は、第１電極１１０の側面を被覆するように形成されている。隔壁部１２０の断面形状は、傾斜面を有する略台形形状（テーパー形状）である。隔壁部１２０は、隔壁部１２０を構成する材料層に、第１電極１１０側を底部とし逆側が開いた略円形の開口を形成することによって形成されている。

　第１電極１１０上と隔壁部１２０上を含む全面に、有機層１３０と第２電極１４０とが積層されている。発光部１５０は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを備えた有機層１３０が、第１電極１１０と第２電極１４０とで挟まれることによって構成される。

　有機層１３０は多層構造であるが、図においてはこれを一層で示した。有機層１３０は、赤色発光層、緑色発光層、及び、青色発光層などが積層されたタンデム構造であって、白色を発光する。

　隔壁部１２０と隔壁部１２０との間の凹部を充填する充填層１６０が第２電極１４０上に形成されている。表示装置１は、発光部１５０の上方に配置されたカラーフィルタを備えている。具体的には、充填層１６０の上に表示色に応じたカラーフィルタ１７０が設けられ、その上に、透明基板１８０が配置されている。副画素１０は、上述した積層構造によって構成されている。

　尚、コントラストの向上のために、例えば、所謂ブラックマトリクスを構成する遮光層が設けられていてもよい。遮蔽層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、あるいは又、グラファイトなどの材料を用いて構成することができる。遮蔽層は、カラーフィルタ１７０と同層に形成されていてもよいし、カラーフィルタ１７０とは異なる層に形成されていてもよい。

　隔壁部１２０は、発光部１５０側の下層部１２１と、下層部１２１の上部に位置する上層部１２２とを含む２層以上の積層体で構成されている。上層部１２２は、無機酸化物から成る。より具体的には、上層部１２２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_x）から成る。

　下層部１２１は、無機窒化物、無機酸窒化物、あるいは又、樹脂材料を用いて形成することができる。ここでは、下層部１２１は、シリコン窒化物（ＳｉＮ_x）から成るとして説明する。

　各構成要素の屈折率であるが、有機層１３０、充填層１６０、及び、隔壁部１２０の下層部１２１の屈折率は例えば１．８程度といった値であり、隔壁部１２０の上層部１２２の屈折率は例えば１．４程度といった値である。図７を参照して後で詳しく説明するが、隔壁部１２０の上層部１２２の表面において、発光部１５０から入射する光の少なくとも一部が全反射される。本実施形態に係る表示装置は、発光部１５０が発した光を充填層１６０側から取り出すトップエミッション型の表示装置である。

　ここで、本開示の理解を助けるため、隔壁部をシリコン酸化物（ＳｉＯ_x）のみで構成した構成の、参考例の表示装置の課題について説明する。

　図３は、参考例に係る表示装置の模式的な一部断面図である。図４は、参考例に係る表示装置における光の反射を説明するための模式的な一部断面図である。図５は、参考例に係る表示装置における第１電極間のリークパスを説明するための模式的な一部断面図である。

　図３に示す参考例の表示装置９は、図１に示す表示装置１に対して、隔壁全体を例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ_x）で構成したといった構成である。この場合、隔壁部９２０の屈折率は、上層部分や下層部分であるかを問わず、例えば一律に１．４といった値である。また、上述したように、有機層１３０、充填層１６０の屈折率は例えば１．８程度である。従って、図４に示すように、発光部１５０で発光した光のうち、臨界角を超えて隔壁部９２０に入射する光は、隔壁部９２０の表面で全反射する。従って、光取り出し効率が向上する。

　しかしながら、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ_x）と有機層とが接して形成されていると、有機層にキャリアが誘起されるといったことが散見される。従って、参考例の表示装置９のような構成では、隔壁部９２０と有機層１３０とが接する部分にリークパスが生ずるといったことが考えられる。図５では、リークパス（符号ＬＰで表す）を太い破線で示した。この場合、それぞれ隣接する第１電極１１０の間においてリークパスＬＰによる予期せぬ短絡が生ずる可能性があり、信頼性低下などの要因となる。

　以上、参考例の表示装置９の課題について説明した。

　上述の課題を踏まえ、第１の実施形態の表示装置１にあっては、隔壁部１２０を、発光部１５０側の下層部１２１と、下層部１２１の上部に位置する上層部１２２とを含む２層以上の積層体で構成した。

　図６は、第１の実施形態に係る表示装置における第１電極間のリークパスが分断されることを説明するための模式的な一部断面図である。

　シリコン窒化物（ＳｉＮ_x）と有機層とが接する場合と、シリコン酸化物（ＳｉＯ_x）と有機層とが接する場合とを比較すると、前者の方がリークパスがより生じにくい。従って、図６に示すように、表示装置１にあっては、リークパスＬＰは主に有機層１３０と隔壁部１２０の上層部１２２とが接する部分のみに抑えられるので、第１電極１１０間のリークパスを分断することができる。

　隔壁部１２０の下層部１２１をシリコン窒化物（ＳｉＮ_x）などから構成する場合、下層部１２１の屈折率は、有機層１３０や充填層１６０の屈折率と略同様となる。従って、隔壁部１２０における光の反射は、主に上層部１２２の表面において生ずる。図７は、第１の実施形態に係る表示装置における光の反射を説明するための模式的な一部断面図である。

　隔壁部１２０の下層部１２１を厚くするほど、リークパスを分断する効果は高くなる。しかしながら、下層部１２１を必要以上に厚くしてしまうと、全反射による光の取り出し効率が低下する。従って、隔壁部１２０の下層部１２１は、光の取り出し効率を考慮した上で厚さを設定することが好ましい。

　第１の実施形態において、隔壁部１２０の下層部１２１は、隔壁部の全てが上層部を構成する材料から形成されているとしたときに、発光部１５０の光のうち隔壁部から最も離間した位置から出射する光（以下、最離間光と略す場合がある）が全反射をしない領域に配置されている。以下、図を参照して説明する。

　図８は、隔壁部における全反射条件を説明するための模式図である。以下の説明では、隔壁部の全てが上層部を構成する材料であると仮定している。例えば、隔壁部の屈折率は、場所を問わず１．４といった値であるとする。また、充填層や有機層の屈折率は１．８といった値であるとする。

　図８において、
　符号Ｌ　：　隔壁開口底の径（幅）
　符号Ｈ　：　最離間光が入射する隔壁部の高さ
　符号Ａ_in：　最離間光が隔壁部斜面と成す入射角（単位：度）
　符号Ａ₁ ：　隔壁開口底面と隔壁部斜面とが成す角（単位：度）
とする。
　また、符号Ａ₂，Ａ₃は図８に示す三角形の内角（単位：度）を示す。

　このとき、
　ＳＬ＝Ｈ/ｔａｎ(Ａ₁)　　　　　　　　　　・・・（式１）
　Ａ₂ ＝ｔａｎ^-1(Ｈ/(Ｌ＋ＳＬ))　　　　　・・・（式２）
である。
　また、三角形の外角の和の関係から、
　Ａ₂ ＋Ａ₃ ＝Ａ₁ 　　　　　　　　　　　　・・・（式３）
が成立する。
　そして、
　Ａ₃ ＝９０－Ａ_in　　　　　　　　　　　　・・・（式４）
であるから、（式３）と（式４）から、
　Ａ₂ ＝Ａ_in＋Ａ₁ －９０　　　　　　　　　・・・（式５）
が得られる。
　ここで、
　ｔａｎ(Ａ₂)＝Ｈ/(Ｌ＋ＳＬ)　　　　　　　・・・（式６）
であるから、（式６）と（式１）から、
　　Ｈ＝(Ｌ＋ＳＬ)×ｔａｎ(Ａ₂)
　　　＝(Ｌ＋Ｈ/ｔａｎ(Ａ₁))×ｔａｎ(Ａ₂) ・・・（式７）
となる。
　（式７）を更にＨについて整理すれば、
　　Ｈ＝Ｌ×ｔａｎ(Ａ₂)/(１－ｔａｎ(Ａ₂)／ｔａｎ(Ａ₁))
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（式８）
が得られる。
　そして、（式８）に（式５）を代入すれば、
　　Ｈ＝Ｌ×ｔａｎ(Ａ_in＋Ａ₁ －９０)/(１－ｔａｎ(Ａ_in＋Ａ₁ －９０)／ｔａｎ(Ａ₁))
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（式９）
が得られる。

　ここで、隔壁部の面における臨界角を符号Ａ_CAで表す。最離間光が隔壁部の面に臨界角Ａ_CAで入射するときの隔壁部の高さを符号Ｈ_CAで表せば、その値は、（式９）に基づいて、以下のように表される。
　Ｈ_CA＝Ｌ×ｔａｎ(Ａ_CA＋Ａ₁ －９０)/(１－ｔａｎ(Ａ_CA＋Ａ₁ －９０)／ｔａｎ(Ａ₁))　　　　　　　　　　　　　　・・・（式１０）

　光の全反射は、入射角が臨界角以上である領域で生ずる。
　従って、
　　Ｈ≧Ｈ_CA
の領域において、最離間光は臨界角以上で入射し、全反射する。
　一方、
　　Ｈ＜Ｈ_CA
の領域において、最離間光は臨界角未満で入射し、全反射しない。

　以上説明したように、
　　Ｈ＜Ｈ_CA
の領域において、最離間光は全反射しない。換言すれば、隔壁部のうち、Ｈ＜Ｈ_CAの領域については、最離間光の取り出し効率に影響を与えない。以上の点に鑑み、第１の実施形態において、隔壁部の下層部は、Ｈ＜Ｈ_CAの領域に配置される構成とすることができる。図９は、第１の実施形態に係る表示装置における隔壁構造を説明するための模式図である。

　Ｈ＜Ｈ_CAの領域に下層部を配置することによって、リークパスを分断しつつ、且つ、全反射による光の取り出し効率の低下を抑制することができる。

　次いで、Ｈ_CAがどの程度の値であるかについて、数値例を用いて説明する。
　隔壁部の屈折率が１．４、充填層の屈折率が１．８とすれば、臨界角Ａ_CAは、スネルの法則によって、
　Ａ_CA＝ｓｉｎ^-1(１．４/１．８)
　　　　　≒５１．３（度）
となる。そして、
　符号Ｌ＝１０００（ナノメートル）
　符号Ａ₁＝７１（度）
とすれば、（式１０）に基づいて、Ｈ_CAはおよそ５００（ナノメートル）といった値が得られる。従って、上記のような数値例の場合には、下層部の厚さをおよそ５００（ナノメートル）未満に設定した隔壁部を用いればよい。

　引き続き、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１の製造方法について説明する。

　図１０ないし図１７は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。

　　［工程－１００］（図１０Ａ参照）
　先ず、基板１００上に第１電極１１０を形成する。具体的には、基板１００を準備し、その上に、アルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）からなる材料層を形成する。次いで、第１電極１１０に相当する部分をマスクで覆い、エッチングを施すことで第１電極１１０を得る。

　　［工程－１１０］（図１０Ｂ参照）
　その後、隔壁部１２０を構成するための材料層を形成する。第１電極１１０上を含む基板１００上の全面に、隔壁部１２０の下層部に対応するシリコン窒化物（ＳｉＮ_x）から成る材料層１２１を形成する。次いで、その上に、隔壁部１２０の上層部に対応するシリコン酸化物（ＳｉＯ_x）から成る材料層１２２を形成する。

　　［工程－１２０］（図１１、図１２、図１３、及び、図１４参照）
　その後、隔壁部１２０を形成する。先ず、材料層１２２上の全面に、マスク部を形成するためのレジスト材料層１９０を形成する（図１１）。次いで、リソグラフィ技術に基づいて材料層１９０をパターニングし、隔壁部１２０形成用のマスク部１９０を形成する（図１２）。

　その後、エッチングを施す。先ず、材料層１２２に適した第１エッチング処理（符号２００Ａで表す）を行なう。例えば、フルオロカーボン系ガス（Ｃ_xＦ_y）に酸素ガスを添加した雰囲気中で、プラズマエッチングを行なう。プラズマエッチングを行なう場合、プラズマ発光の変化状態を検知することで、材料層１２２のエッチングプロセスの終点を検知することができる（図１３参照）。引き続き、材料層１２１に適した第２エッチング処理（符号２００Ｂで表す）を行なう。材料層１２１のエッチングプロセスの終点を検知したらエッチングを終了する（図１４参照）。併せて、マスク部１９０を除去する（図は省略した）。尚、場合によっては、第１エッチング処理と第２エッチング処理とを同じ条件で行なうこともできる。この場合には、エッチングプロセスの終点を検知する必要はない。

　　［工程－１３０］（図１５参照）
　次いで、第１電極１１０上、隔壁部１２０の壁面や頂面を含む全面に、有機層１３０と、第２電極１４０とを順次形成する。

　　［工程－１４０］（図１６及び図１７参照）
　その後、隔壁部１２０と隔壁部１２０との間の凹部を充填する充填層１６０を形成する（図１６）。次いで、カラーフィルタ１７０と透明基板１８０とを配置して、表示装置１を得る（図１７）。

　以上、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明した。

　上述の説明では、下層部をシリコン窒化物（ＳｉＮ_x）で構成したが、例えば、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_xＮ_y）、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料で構成することもできる。

［第２の実施形態］
　第２の実施形態は、第１の実施形態の変形である。第１の実施形態に対して、隔壁部の上層の構造が異なる点が相違する。以上の点を除く他は、第１の実施形態と同様の構成である。

　図１８は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。

　第２の実施形態にあっては、隔壁部の上層部は、下層部側の第１上層部と、第１上層部の上方の第２上層部とから成る。そして、第２上層部は、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている。

　図１８において、材料層２２２と材料層２２３は隔壁部２２０の上層部を構成する。ここで、材料層２２２は第１の実施形態の材料層１２２と同様の材料から成る、材料層２２３は第１の実施形態の材料層１２１と同様の材料から成る。

　この構成によれば、隔壁部２２０における材料層２２３と有機層１３０との間においてもリークパスが生じにくい。従って、更に、リークパスを分断する効果は高くなる。

　図１９は、第２の実施形態に係る表示装置における光の反射を説明するための模式的な一部断面図である。

　第２の実施形態にあっては、全反射は主に材料層２２２の壁面において起こる。従って、材料層２２３を必要以上に厚くすると、光の取り出し効率が低下する。以上の観点から、材料層２２３は支障のない範囲で薄く設定することが好ましい。

　引き続き、本開示の第２の実施形態に係る表示装置２の製造方法について説明する。

　　［工程－２００］（図２０Ａ参照）
　先ず、第１の実施形態における［工程－１００］と同様に、基板１００上に第１電極１１０を形成する。

　　［工程－２１０］（図２０Ｂ参照）
　その後、隔壁部２２０を構成するための材料層を形成する。第１電極１１０上を含む基板１００上の全面に、隔壁部２２０の下層部に対応するシリコン窒化物（ＳｉＮ_x）から成る材料層１２１を形成する。次いで、その上に、隔壁部２２０の上層部に対応するシリコン酸化物（ＳｉＯ_x）から成る材料層２２２を形成し、更に、シリコン窒化物（ＳｉＮ_x）から成る材料層２２３を形成する。

　その後の工程は、基本的には、第１の実施形態における［工程－１２０］ないし［工程－１４０］と同様である。但し、隔壁上層部のエッチング処理の際には、材料層の種類に応じて適宜エッチング条件を変更することが好ましい。

［第３の実施形態］
　第３の実施形態は、第２の実施形態の変形である。第２の実施形態に対して、第１上層部は、層中に、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている層を含んでいる点が相違する。以上の点を除く他は、第１の実施形態と同様の構成である。

　図２１は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。

　第３の実施形態においても、隔壁部３２０の上層部は、下層部側の第１上層部と、第１上層部の上方の第２上層部とから成る。そして、第２上層部は、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている。更に、第１上層部は、層中に、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている層を含んでいる。

　図２１において、材料層３２２，３２３，３２４，３２５は隔壁部３２０の上層部を構成する。ここで、材料層３２２，３２４は第１の実施形態の材料層１２２と同様の材料から成る、材料層３２３，３２５は第１の実施形態の材料層１２１と同様の材料から成る。

　この構成によれば、隔壁部３２０における材料層３２３と有機層１３０との間においてもリークパスが生じにくい。従って、更に、リークパスを分断する効果は高くなる。

　第２の実施形態にあっては、全反射は主に材料層３２２，３２４の壁面において起こる。従って、材料層３２３，３２５を必要以上に厚くすると、光の取り出し効率が低下する。以上の観点から、材料層３２３，３２５は支障のない範囲で薄く設定することが好ましい。

　引き続き、本開示の第３の実施形態に係る表示装置３の製造方法について説明する。

　　［工程－３００］（図２２Ａ参照）
　先ず、第１の実施形態における［工程－１００］と同様に、基板１００上に第１電極１１０を形成する。

　　［工程－３１０］（図２２Ｂ参照）
　その後、隔壁部３２０を構成するための材料層を形成する。第１電極１１０上を含む基板１００上の全面に、隔壁部３２０の下層部に対応するシリコン窒化物（ＳｉＮ_x）から成る材料層１２１を形成する。次いで、その上に、隔壁部３２０の上層部に対応するシリコン酸化物（ＳｉＯ_x）から成る材料層３２２を形成し、更に、シリコン窒化物（ＳｉＮ_x）から成る材料層３２３を形成し、シリコン酸化物（ＳｉＯ_x）から成る材料層３２４を形成し、更に、シリコン窒化物（ＳｉＮ_x）から成る材料層２３５を形成する。

［電子機器］
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。

　本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。

（具体例１）
　図２３は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２３Ａにその正面図を示し、図２３Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。

　そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。

　上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例２）
　図２４は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部５１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部５１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例３）
　図２５は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１は、本体部６１２、アーム６１３および鏡筒６１４で構成される。

　本体部６１２は、アーム６１３および眼鏡６００と接続される。具体的には、本体部６１２の長辺方向の端部はアーム６１３と結合され、本体部６１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６００と連結される。なお、本体部６１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。

　本体部６１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６１３は、本体部６１２と鏡筒６１４とを接続させ、鏡筒６１４を支える。具体的には、アーム６１３は、本体部６１２の端部および鏡筒６１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６１４を固定する。また、アーム６１３は、本体部６１２から鏡筒６１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。

　鏡筒６１４は、本体部６１２からアーム６１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６１１において、本体部６１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。

［その他］
　なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。

［Ａ１］
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
　第１電極は発光部ごとに設けられており、
　隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
　隔壁部と隔壁部との間の凹部を充填する充填層が第２電極上に形成されており、
　隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを含む２層以上の積層体で構成されており、
、
　隔壁部の上層部の表面において、発光部から入射する光の少なくとも一部が全反射される、
表示装置。
［Ａ２］
　隔壁部の下層部は、隔壁部の全てが上層部を構成する材料から形成されているとしたときに、発光部の光のうち隔壁部から最も離間した位置から出射する光が全反射をしない領域に配置されている、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ３］
　隔壁部の上層部は、無機酸化物から成る、
上記［Ａ１］又は［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ４］
　隔壁部の上層部は、シリコン酸化物から成る、
上記［Ａ３］に記載の表示装置。
［Ａ５］
　隔壁部の下層部は、無機窒化物から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ６］
　隔壁部の下層部は、シリコン窒化物から成る、
上記［Ａ５］に記載の表示装置。
［Ａ７］
　隔壁部の下層部は、無機酸窒化物から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ８］
　隔壁部の下層部は、シリコン酸窒化物から成る、
上記［Ａ７］に記載の表示装置。
［Ａ９］
　隔壁部の下層部は、樹脂材料から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１０］
　隔壁部の下層部は、ポリイミド樹脂またはアクリル樹脂から成る、
上記［Ａ９］に記載の表示装置。
［Ａ１１］
　発光部の上方に配置されたカラーフィルタを備えている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１０］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１２］
　隔壁部の上層部は、下層部側の第１上層部と、第１上層部の上方の第２上層部とから成り、
　第２上層部は、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１１］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１３］
　第１上層部は、層中に、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている層を含んでいる、
上記［Ａ１２］に記載の表示装置。

［Ｂ１］
　表示装置を備えた電子機器であって、
　表示装置は、
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
　隣接する発光部の間には隔壁部が形成されており、
　隔壁部と隔壁部との間は保護層によって充填されており、
　隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを少なくとも含む２層以上の積層体で構成されていると共に、下層部は、上層部を構成する材料より屈折率が大きい材料から形成されており、
　発光部の光の少なくとも一部分は、隔壁部の上層部の表面において全反射される、
電子機器。
［Ｂ２］
　隔壁部の下層部は、隔壁部の全てが上層部を構成する材料から形成されているとしたときに、発光部の光のうち隔壁部から最も離間した位置から出射する光が全反射をしない領域に配置されている、
上記［Ｂ１］に記載の電子機器。
［Ｂ３］
　隔壁部の上層部は、無機酸化物から成る、
上記［Ｂ１］又は［Ｂ２］に記載の電子機器。
［Ｂ４］
　隔壁部の上層部は、シリコン酸化物から成る、
上記［Ｂ３］に記載の電子機器。
［Ｂ５］
　隔壁部の下層部は、無機窒化物から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ６］
　隔壁部の下層部は、シリコン窒化物から成る、
上記［Ｂ５］に記載の電子機器。
［Ｂ７］
　隔壁部の下層部は、無機酸窒化物から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ８］
　隔壁部の下層部は、シリコン酸窒化物から成る、
上記［Ｂ７］に記載の電子機器。
［Ｂ９］
　隔壁部の下層部は、樹脂材料から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ１０］
　隔壁部の下層部は、ポリイミド樹脂またはアクリル樹脂から成る、
上記［Ｂ９］に記載の電子機器。
［Ｂ１１］
　発光部の上方に配置されたカラーフィルタを備えている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ１０］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ１２］
　隔壁部の上層部は、下層部側の第１上層部と、第１上層部の上方の第２上層部とから成り、
　第２上層部は、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ１１］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ１３］
　第１上層部は、層中に、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている層を含んでいる、
上記［Ｂ１２］に記載の電子機器。

１，２，３，９・・・表示装置、１０・・・副画素、１００・・・基板、１１０・・・第１電極、１２０，２２０，３２０，９２０・・・隔壁部、１２１・・・下層部（材料層）、１２２・・・上層部（材料層）、２２２，２２３，３２２，３２３，３２４，３２５・・・材料層、１３０・・・有機層、１４０・・・第２電極、１５０・・・発光部、１６０・・・充填層、１７０・・・カラーフィルタ、１８０・・・透明基板、１９０・・・マスク部（マスク部を構成する材料層）、２００Ａ・・・第１エッチング処理、２００Ｂ・・・第２エッチング処理、４１１・・・カメラ本体部、４１２・・・撮影レンズユニット、４１３・・・グリップ部、４１４・・・モニタ、４１５・・・ビューファインダ、５１１・・・眼鏡形の表示部、５１２・・・耳掛け部、６００・・・眼鏡（アイウェア）、６１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、６１２・・・本体部、６１３・・・アーム、６１４・・・鏡筒、Ｒ・・・赤色表示画素、Ｇ・・・緑色表示画素、Ｂ・・・青色表示画素

Claims

　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
　第１電極は発光部ごとに設けられており、
　隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
　隔壁部と隔壁部との間の凹部を充填する充填層が第２電極上に形成されており、
　隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを含む２層以上の積層体で構成されており、
、
　隔壁部の上層部の表面において、発光部から入射する光の少なくとも一部が全反射される、
表示装置。
　隔壁部の下層部は、隔壁部の全てが上層部を構成する材料から形成されているとしたときに、発光部の光のうち隔壁部から最も離間した位置から出射する光が全反射をしない領域に配置されている、
請求項１に記載の表示装置。
　隔壁部の上層部は、無機酸化物から成る、
請求項１に記載の表示装置。
　隔壁部の上層部は、シリコン酸化物から成る、
請求項３に記載の表示装置。
　隔壁部の下層部は、無機窒化物から成る、
請求項１に記載の表示装置。
　隔壁部の下層部は、シリコン窒化物から成る、
請求項５に記載の表示装置。
　隔壁部の下層部は、無機酸窒化物から成る、
請求項１に記載の表示装置。
　隔壁部の下層部は、シリコン酸窒化物から成る、
請求項７に記載の表示装置。
　隔壁部の下層部は、樹脂材料から成る、
請求項１に記載の表示装置。
　隔壁部の下層部は、ポリイミド樹脂またはアクリル樹脂から成る、
請求項９に記載の表示装置。
　発光部の上方に配置されたカラーフィルタを備えている、
請求項１に記載の表示装置。
　隔壁部の上層部は、下層部側の第１上層部と、第１上層部の上方の第２上層部とから成り、
　第２上層部は、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている、
請求項１に記載の表示装置。
　第１上層部は、層中に、下層部を構成する材料と同じ材料から構成されている層を含んでいる、
請求項１２に記載の表示装置。
　表示装置を備えた電子機器であって、
　表示装置は、
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
　隣接する発光部の間には隔壁部が形成されており、
　隔壁部と隔壁部との間は保護層によって充填されており、
　隔壁部は、発光部側の下層部と、下層部の上部に位置する上層部とを少なくとも含む２層以上の積層体で構成されていると共に、下層部は、上層部を構成する材料より屈折率が大きい材料から形成されており、
　発光部の光の少なくとも一部分は、隔壁部の上層部の表面において全反射される、
電子機器。