WO2019012787A1 - Laminated ceramic substrate and laminated ceramic package - Google Patents
Laminated ceramic substrate and laminated ceramic package Download PDFInfo
- Publication number
- WO2019012787A1 WO2019012787A1 PCT/JP2018/017588 JP2018017588W WO2019012787A1 WO 2019012787 A1 WO2019012787 A1 WO 2019012787A1 JP 2018017588 W JP2018017588 W JP 2018017588W WO 2019012787 A1 WO2019012787 A1 WO 2019012787A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- laminated ceramic
- ceramic
- wiring
- ceramic substrate
- laminated
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
Provided are a laminated ceramic substrate and a laminated ceramic package that are capable of, when an element is mounted thereon and sealed, exhibiting high airtightness and height reduction. The present invention is provided with: a bottom part 3 that has a main surface 3a and that is formed by laminating a plurality of first ceramic layers 3b; a partition wall part 4 that is provided to the main surface 3a so as to surround a partial region of the bottom part 3 and that is formed by laminating a plurality of second ceramic layers 4b; and a wiring line 5 that has a first end 5a exposed inside the partition wall part 4 on the main surface 3a and a second end 5e exposed outside the partition wall part 4 on the main surface 3a, and that passes through the bottom part 3.
Description
本発明は、素子を搭載するための積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージに関する。
The present invention relates to a laminated ceramic substrate and a laminated ceramic package for mounting a device.
従来、発光素子を搭載するために、発光素子搭載用基板が用いられている。発光素子搭載用基板に搭載される発光素子の一例としてのＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、小型で消費電力が低い光源である。なかでも、白色ＬＥＤは、白熱球や、蛍光ランプに代わる照明として注目を集めている。また、紫外ＬＥＤは、殺菌、空気洗浄、がん治療、または樹脂硬化等の用途において、紫外線光源として注目を集めている。
Conventionally, in order to mount a light emitting element, a light emitting element mounting substrate is used. An LED (Light Emitting Diode) as an example of a light emitting element mounted on a light emitting element mounting substrate is a compact light source with low power consumption. Above all, white LEDs are attracting attention as an alternative to incandescent bulbs and fluorescent lamps. In addition, ultraviolet LEDs have attracted attention as ultraviolet light sources in applications such as sterilization, air washing, cancer treatment, and resin curing.
下記の特許文献１には、窒化アルミニウム基板上に光反射層が設けられてなる発光素子搭載用基板が開示されている。特許文献１では、窒化アルミニウム基板内にフィルドビアが設けられている。上記フィルドビアは、表面側電極と裏面側電極とを接続している。
Patent Document 1 below discloses a light-emitting element mounting substrate in which a light reflection layer is provided on an aluminum nitride substrate. In Patent Document 1, a filled via is provided in an aluminum nitride substrate. The filled via connects the front side electrode and the back side electrode.
また、特許文献１には、上記発光素子搭載用基板に発光素子が搭載された発光デバイスが開示されている。上記発光素子は、上記表面側電極に接続されている。特許文献１では、上記発光素子を覆うように樹脂が設けられており、それによって発光素子が封止されている。
Further, Patent Document 1 discloses a light emitting device in which a light emitting element is mounted on the light emitting element mounting substrate. The light emitting element is connected to the surface side electrode. In patent document 1, resin is provided so that the said light emitting element may be covered, and the light emitting element is sealed by it.
近年、殺菌や空気清浄、または樹脂硬化等の性能をより一層向上させる観点から、深紫外線ＬＥＤへの注目が高まっている。深紫外線ＬＥＤを発光素子として用いる場合、より一層高い気密性が必要となる。しかしながら、特許文献１の発光デバイスは、可視光線を発光する発光素子を前提としており、気密性が十分でなかった。
In recent years, attention has been focused on deep ultraviolet LEDs from the viewpoint of further improving performance such as sterilization, air cleaning, or resin curing. In the case of using a deep ultraviolet LED as a light emitting element, higher air tightness is required. However, the light emitting device of Patent Document 1 is premised on a light emitting element that emits visible light, and the airtightness is not sufficient.
また、発光素子は、発光素子搭載用基板の裏面側電極を介して他の素子と電気的に接続される。そのため、他の素子が搭載された別の実装基板に、発光素子搭載用基板を搭載することを要するため、装置全体の低背化が困難であった。
In addition, the light emitting element is electrically connected to another element through the back surface side electrode of the light emitting element mounting substrate. Therefore, since it is necessary to mount a light emitting element mounting substrate on another mounting substrate on which another element is mounted, it is difficult to reduce the overall height of the device.
本発明の目的は、素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a laminated ceramic substrate and a laminated ceramic package which can exhibit high airtightness and can be reduced in height when the element is mounted and sealed.
本発明の積層セラミック基板は、主面を有し、複数の第１のセラミック層が積層されてなる底部と、底部の一部の領域を囲むように主面に設けられており、複数の第２のセラミック層が積層されてなる隔壁部と、主面における隔壁部の内側に露出している第１の端部と、主面における隔壁部の外側に露出している第２の端部とを有し、かつ底部内を通る配線とを備えることを特徴とする。
The multilayer ceramic substrate of the present invention has a main surface, and is provided on the main surface so as to surround a bottom portion formed by laminating a plurality of first ceramic layers and a partial region of the bottom portion. A partition formed by laminating the two ceramic layers, a first end exposed to the inside of the partition on the main surface, and a second end exposed to the outside of the partition on the main surface And a wire passing through the inside of the bottom.
底部の第１のセラミック層と隔壁部の第２のセラミック層とが同じセラミック材料からなることが好ましい。
Preferably, the first ceramic layer at the bottom and the second ceramic layer at the partition are made of the same ceramic material.
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置と、第２の端部の高さ方向の位置とが同じであってもよい。
When the stacking direction of the first ceramic layer and the second ceramic layer is the height direction, the position in the height direction of the first end of the wiring and the position in the height direction of the second end May be the same.
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置が、第２の端部の高さ方向の位置より高くてもよい。
When the stacking direction of the first ceramic layer and the second ceramic layer is the height direction, the position in the height direction of the first end of the wiring is from the position in the height direction of the second end It may be high.
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置が、第２の端部の高さ方向の位置より低くてもよい。
When the stacking direction of the first ceramic layer and the second ceramic layer is the height direction, the position in the height direction of the first end of the wiring is from the position in the height direction of the second end It may be low.
配線が、隔壁部の内側において、底部の少なくとも１層のセラミック層を積層方向に貫通している第１の貫通部と、隔壁部の外側において、底部の少なくとも１層のセラミック層を積層方向に貫通している第２の貫通部と、底部内を通り、第１の貫通部及び第２の貫通部を接続している接続部とを有することが好ましい。この場合、配線が複数設けられており、複数の配線のうち少なくとも２つの配線の接続部が、互いに異なる第１のセラミック層に設けられていることが好ましい。また、配線が、接続部が延びる方向に直交する方向に複数設けられており、接続部が延びる方向に直交する方向において隣り合う配線の接続部が、互いに異なる第１のセラミック層に設けられており、第１のセラミック層の積層方向と、接続部が延びる方向とに直交する方向に沿う長さを幅としたときに、接続部の幅が第１の貫通部及び第２の貫通部の幅より広いことが好ましい。
The wiring penetrates at least one ceramic layer of the bottom portion in the stacking direction inside the partition wall portion, and at the outside of the partition wall portion, at least one ceramic layer of the bottom portion in the stacking direction It is preferable to have the 2nd penetration part which penetrates, and the connection part which passes through the inside of a bottom part and which connects the 1st penetration part and the 2nd penetration part. In this case, it is preferable that a plurality of wirings be provided, and connection portions of at least two of the plurality of wirings be provided in mutually different first ceramic layers. A plurality of wires are provided in the direction orthogonal to the direction in which the connecting portions extend, and the connecting portions of adjacent wires in the direction orthogonal to the direction in which the connecting portions extend are provided in different first ceramic layers. When the length along the direction perpendicular to the laminating direction of the first ceramic layer and the direction in which the connecting portion extends is a width, the connecting portion has a width of the first through portion and the second through portion. It is preferable to be wider than the width.
本発明の積層セラミックパッケージは、上記積層セラミック基板と、隔壁部上に設けられているガラス蓋とを備えることを特徴とする。
A multilayer ceramic package according to the present invention is characterized by comprising the above-described multilayer ceramic substrate and a glass lid provided on a partition.
本発明によれば、素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide a laminated ceramic substrate and a laminated ceramic package which can exhibit high airtightness and can be reduced in height when the element is mounted and sealed.
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
Hereinafter, preferred embodiments will be described. However, the following embodiments are merely illustrative, and the present invention is not limited to the following embodiments. In each drawing, members having substantially the same functions may be referred to by the same reference numerals.
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。図２は、第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的平面図である。なお、図２においては、後述するガラス蓋、封着材層やワイヤ等を省略している。 First Embodiment
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a laminated ceramic package according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view showing the laminated ceramic package of the first embodiment. In addition, in FIG. 2, the glass lid | cover, sealing material layer, a wire etc. which are mentioned later are abbreviate | omitted.
図１は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。図２は、第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的平面図である。なお、図２においては、後述するガラス蓋、封着材層やワイヤ等を省略している。 First Embodiment
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a laminated ceramic package according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view showing the laminated ceramic package of the first embodiment. In addition, in FIG. 2, the glass lid | cover, sealing material layer, a wire etc. which are mentioned later are abbreviate | omitted.
図１に示すように、積層セラミックパッケージ１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミック基板２と、ガラス蓋７とを備える。積層セラミック基板２には、素子１０が搭載されている。素子１０としては、例えば、可視光線用のＬＥＤ及び深紫外線ＬＥＤ等の発光素子や反射型映像デバイス等を挙げることができる。
As shown in FIG. 1, the laminated ceramic package 1 includes a laminated ceramic substrate 2 according to an embodiment of the present invention and a glass lid 7. An element 10 is mounted on the laminated ceramic substrate 2. Examples of the element 10 include light emitting elements such as LEDs for visible light and deep ultraviolet LEDs, and reflection type video devices.
図２に示すように、積層セラミック基板２は、主面３ａを有する底部３と、底部３の一部の領域を囲むように主面３ａに設けられている隔壁部４とを備える。底部３は、隔壁部４の内側の領域と外側の領域とを有する。素子１０は、底部３の主面３ａにおける、隔壁部４の内側の領域に配置されている。
As shown in FIG. 2, the laminated ceramic substrate 2 includes a bottom 3 having a main surface 3 a and a partition 4 provided on the main surface 3 a so as to surround a partial region of the bottom 3. The bottom 3 has an inner area and an outer area of the partition 4. The element 10 is disposed in the region on the inner side of the partition wall 4 on the main surface 3 a of the bottom 3.
図１に戻り、底部３は複数の第１のセラミック層３ｂが積層されてなる。隔壁部４は、底部３の第１のセラミック層３ｂと同じセラミック材料からなる複数の第２のセラミック層４ｂが積層されてなる。積層セラミック基板２は、底部３及び隔壁部４が一体的に設けられた積層セラミック基板である。なお、第１のセラミック層３ｂと第２のセラミック層４ｂとは、異なるセラミック材料からなっていてもよい。
Returning to FIG. 1, the bottom 3 is formed by laminating a plurality of first ceramic layers 3b. The partition 4 is formed by laminating a plurality of second ceramic layers 4 b made of the same ceramic material as the first ceramic layer 3 b of the bottom 3. The laminated ceramic substrate 2 is a laminated ceramic substrate in which the bottom 3 and the partition 4 are integrally provided. The first ceramic layer 3b and the second ceramic layer 4b may be made of different ceramic materials.
積層セラミック基板２の隔壁部４上には、上記ガラス蓋７が設けられている。ガラス蓋７は、封着材層６により隔壁部４に接合されている。素子１０は、積層セラミック基板２及びガラス蓋７により封止されている。
The glass lid 7 is provided on the partition wall 4 of the laminated ceramic substrate 2. The glass lid 7 is bonded to the partition 4 by the sealing material layer 6. The element 10 is sealed by the laminated ceramic substrate 2 and the glass lid 7.
積層セラミック基板２は、底部３を通る配線５を備える。より具体的には、配線５は、隔壁部４の内側において、底部３の少なくとも１層の第１のセラミック層３ｂを積層方向ｚに貫通している第１の貫通部５ｂを有する。第１の貫通部５ｂは、底部３の主面３ａにおける隔壁部４の内側に露出している第１の端部５ａを含む。配線５は、隔壁部４の外側において、少なくとも１層の第１のセラミック層３ｂを積層方向ｚに貫通している第２の貫通部５ｄを有する。第２の貫通部５ｄは、主面３ａにおける隔壁部４の外側に露出している第２の端部５ｅを含む。さらに、配線５は、底部３内を通り、第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部５ｄを接続している接続部５ｃを有する。
The laminated ceramic substrate 2 is provided with the wiring 5 passing through the bottom 3. More specifically, the wiring 5 has a first through portion 5 b which penetrates at least one first ceramic layer 3 b of the bottom portion 3 in the stacking direction z inside the partition 4. The first penetrating portion 5 b includes a first end 5 a exposed to the inside of the partition wall 4 on the main surface 3 a of the bottom 3. The wiring 5 has a second penetrating portion 5 d which penetrates at least one first ceramic layer 3 b in the stacking direction z outside the partition wall 4. The second penetrating portion 5 d includes a second end 5 e exposed to the outside of the partition wall 4 in the main surface 3 a. Furthermore, the wiring 5 has a connection portion 5c which passes through the bottom portion 3 and connects the first through portion 5b and the second through portion 5d.
なお、接続部５ｃは、複数の第１のセラミック層３ｂのうち１層に設けられている。該第１のセラミック層３ｂの接続部５ｃが設けられている面に、さらに他の第１のセラミック層３ｂが積層されている。
The connection portion 5c is provided in one of the plurality of first ceramic layers 3b. Another first ceramic layer 3b is laminated on the surface of the first ceramic layer 3b on which the connection portion 5c is provided.
ここで、第１のセラミック層３ｂ及び第２のセラミック層４ｂの積層方向ｚを高さ方向ｚとしたときに、本実施形態では、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。なお、本明細書においては、底部３の高さ方向ｚの位置よりもガラス蓋７の高さ方向ｚの位置の方が高いものとする。
Here, when the stacking direction z of the first ceramic layer 3 b and the second ceramic layer 4 b is the height direction z, in the present embodiment, the height direction z of the first end 5 a of the wiring 5 is The position and the position in the height direction z of the second end 5e are the same. In the present specification, the position in the height direction z of the glass lid 7 is higher than the position in the height direction z of the bottom 3.
素子１０は、ワイヤ８により配線５に電気的に接続されている。素子１０は、ワイヤ８及び配線５を介して他の素子等に電気的に接続される。配線５及びワイヤ８は適宜の金属からなる。なお、本実施形態においては、ワイヤ８はＡｕからなる。
The element 10 is electrically connected to the wiring 5 by the wire 8. The element 10 is electrically connected to another element or the like through the wire 8 and the wiring 5. The wiring 5 and the wire 8 are made of an appropriate metal. In the present embodiment, the wire 8 is made of Au.
本実施形態の特徴は、底部３及び隔壁部４が複数のセラミック層の積層体であり、かつ底部３内を通り、主面３ａにおける隔壁部４の内側及び外側に露出している配線５を有することにある。これにより、隔壁部４の第２のセラミック層４ｂが全面において底部３の第１のセラミック層３ｂと接するため、底部３と隔壁部４とを一体的に設けることができる。よって、積層セラミックパッケージ１の密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線５が主面３ａにおける隔壁部４の外側に露出しているため、積層セラミックパッケージ１を実装基板に実装せずに、図１に示す素子１０を他の素子等と電気的に接続することができる。よって、素子１０以外の素子等を含む装置全体として、低背化を図ることができる。
A feature of the present embodiment is that the bottom 3 and the partition 4 are a laminate of a plurality of ceramic layers, and the wiring 5 exposed through the bottom 3 inside and outside of the partition 4 on the main surface 3a is It is to have. Thus, the second ceramic layer 4b of the partition 4 contacts the first ceramic layer 3b of the bottom 3 over the entire surface, so the bottom 3 and the partition 4 can be integrally provided. Therefore, the sealing property of the laminated ceramic package 1 can be effectively improved. In addition, since the wiring 5 is exposed to the outside of the partition 4 on the main surface 3a, the element 10 shown in FIG. 1 is electrically connected with other elements etc. without mounting the laminated ceramic package 1 on the mounting substrate. It can be connected. Thus, the overall height of the device including elements other than the element 10 can be reduced.
ここで、接続部５ｃが延びる方向を方向ｘとし、方向ｘ及び積層方向ｚに直交する方向を方向ｙとする。図２に示すように、本実施形態においては、配線５は方向ｙに複数設けられている。さらに、配線５は方向ｘに複数設けられている。より具体的には、図１に示すように、複数の配線５の接続部５ｃは、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられている。配線５において、第１の貫通部５ｂが隔壁部４に近い位置に配置されているほど、第２の貫通部５ｄも隔壁部４に近い位置に配置されている。それによって、複数の配線５を短絡させずに集中的に配置することができるため、配線５を配置するための面積を小さくすることができる。従って、積層セラミック基板２及び積層セラミックパッケージ１を小型化することができる。なお、配線５の配置は上記に限定されない。
Here, a direction in which the connecting portion 5c extends is taken as a direction x, and a direction orthogonal to the direction x and the stacking direction z is taken as a direction y. As shown in FIG. 2, in the present embodiment, a plurality of wirings 5 are provided in the direction y. Furthermore, a plurality of wires 5 are provided in the direction x. More specifically, as shown in FIG. 1, the connection parts 5c of the plurality of wires 5 are provided on the mutually different first ceramic layers 3b. In the wiring 5, as the first through portion 5 b is arranged closer to the partition 4, the second through portion 5 d is also arranged closer to the partition 4. As a result, since the plurality of wires 5 can be concentrated without being shorted, the area for placing the wires 5 can be reduced. Therefore, the laminated ceramic substrate 2 and the laminated ceramic package 1 can be miniaturized. The arrangement of the wires 5 is not limited to the above.
接続部５ｃが設けられている第１のセラミック層３ｂの外層側に、複数の第１のセラミック層３ｂが設けられていることが好ましい。それによって、積層セラミック基板２の強度を高めることができ、かつ配線５が断線し難い。
It is preferable that a plurality of first ceramic layers 3 b be provided on the outer layer side of the first ceramic layer 3 b in which the connection portion 5 c is provided. Thereby, the strength of the laminated ceramic substrate 2 can be enhanced, and the wires 5 are less likely to be broken.
第１のセラミック層３ｂと第２のセラミック層４ｂとは、本実施形態のように、同じセラミック材料からなることが好ましい。それによって、底部３と隔壁部４との密着性を効果的に高めることができ、積層セラミックパッケージ１の密閉性を効果的に高めることができる。さらに、底部３の材料と隔壁部４の材料との熱膨張係数が同じであるため、温度変化に際しても安定して密閉性を高めることができ、信頼性を高めることができる。
The first ceramic layer 3 b and the second ceramic layer 4 b are preferably made of the same ceramic material as in the present embodiment. Thereby, the adhesion between the bottom 3 and the partition 4 can be effectively enhanced, and the hermeticity of the laminated ceramic package 1 can be effectively enhanced. Furthermore, since the thermal expansion coefficients of the material of the bottom 3 and the material of the partition 4 are the same, the sealing property can be stably enhanced even when the temperature changes, and the reliability can be enhanced.
本実施形態では、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。よって、底部３の厚みの均一性が高く、温度変化による複雑な変形が生じ難い。従って、温度変化に際してもより一層安定して密閉性を高めることができ、信頼性をより一層高めることができる。
In the present embodiment, the position in the height direction z of the first end 5a of the wiring 5 and the position in the height direction z of the second end 5e are the same. Therefore, the uniformity of the thickness of the bottom portion 3 is high, and a complicated deformation due to a temperature change hardly occurs. Therefore, the sealing performance can be further enhanced even when the temperature changes, and the reliability can be further enhanced.
複数の配線５のうち少なくとも２つの配線５の接続部５ｃが、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられていることが好ましい。それによって、上述したように、配線５を集中的に配置することができ、積層セラミック基板２及び積層セラミックパッケージ１を小型化することができる。
It is preferable that the connection portions 5c of at least two of the plurality of wires 5 be provided on the mutually different first ceramic layers 3b. Thereby, as described above, the wirings 5 can be arranged intensively, and the laminated ceramic substrate 2 and the laminated ceramic package 1 can be miniaturized.
図３は、第１の実施形態の変形例における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。本変形例の積層セラミック基板２２は、底部２３における素子１０が配置される部分を方向ｚに貫通している、複数の放熱部材２８を有する。それによって、素子１０から生じる熱を効果的に放熱することができる。放熱部材２８は、特に限定されないが、熱伝導性が高いＡｇ等の金属からなることが好ましい。なお、放熱部材２８は、底部２３の材料よりも熱伝導性が高い材料からなっていればよい。
FIG. 3 is a schematic plan view showing a laminated ceramic substrate in a modification of the first embodiment. The laminated ceramic substrate 22 of the present modification example has a plurality of heat dissipation members 28 penetrating in the direction z in the portion of the bottom 23 where the element 10 is disposed. Thereby, the heat generated from the element 10 can be effectively dissipated. The heat dissipating member 28 is not particularly limited, but is preferably made of metal such as Ag having high thermal conductivity. The heat dissipation member 28 may be made of a material having a thermal conductivity higher than that of the material of the bottom portion 23.
以下、図１に示す積層セラミックパッケージ１を構成する各部材の詳細を説明する。
Hereinafter, details of each member constituting the laminated ceramic package 1 shown in FIG. 1 will be described.
底部３の第１のセラミック層３ｂ及び隔壁部４の第２のセラミック層４ｂを構成するセラミック材料としては、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）等が挙げられる。ＬＴＣＣの具体的な例としては、酸化アルミニウムや酸化ジルコニウム等の無機粉末とガラス粉末との焼結体等が挙げられる。
As a ceramic material which comprises the 1st ceramic layer 3b of the bottom part 3, and the 2nd ceramic layer 4b of the partition part 4, a low temperature co-fired ceramics (LTCC) etc. are mentioned. A specific example of the LTCC is a sintered body of an inorganic powder such as aluminum oxide or zirconium oxide and a glass powder.
ガラス蓋７を構成するガラスの具体例としては、ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ（ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａ）系ガラス、ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫａ）系ガラス、ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ－Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫ）系ガラス等が挙げられる。
Specific examples of the glass constituting the glass lid 7, SiO 2 -B 2 O 3 -RO (R is Mg, Ca, Sr or Ba) based glass, SiO 2 -B 2 O 3 -R '2 O (R 'Is Li, Na or Ka) glass, SiO 2 -B 2 O 3 -RO-R' 2 O (R 'is Li, Na or K) glass and the like.
封着材層６を形成するための封着材料は、Ｂｉ２Ｏ３系ガラス粉末、ＳｎＯ－Ｐ２Ｏ５系ガラス粉末、Ｖ２Ｏ５－ＴｅＯ２系ガラス粉末等の低融点の封着ガラスを含んでいることが好ましい。特に、レーザーを照射して封着する場合、封着材料をより一層短時間の加熱で軟化させる必要性とより一層接合強度を高める観点から、封着ガラスには、軟化点の低いビスマス系ガラス粉末を用いることがより好ましい。また、封着材料には、低膨張耐火性フィラーや、レーザー吸収材等が含まれていてもよい。低膨張耐火性フィラーとしては、例えば、コーディエライト、ウイレマイト、アルミナ、リン酸ジルコニウム系化合物、ジルコン、ジルコニア、酸化スズ、石英ガラス、β－石英固溶体、β－ユークリプタイト、β－スポジュメンが挙げられる。また、レーザー吸収材としては、例えば、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ等から選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む酸化物等の化合物が挙げられる。
The sealing material for forming the sealing material layer 6 is a low melting point sealing such as Bi 2 O 3 based glass powder, SnO-P 2 O 5 based glass powder, V 2 O 5 -TeO 2 based glass powder, etc. It is preferable to contain glass. In particular, in the case of sealing by laser irradiation, bismuth glass having a low softening point is used as the sealing glass from the viewpoint of the need to soften the sealing material by heating for a further shorter time and further enhancing the bonding strength. It is more preferable to use a powder. Further, the sealing material may contain a low expansion refractory filler, a laser absorbing material, and the like. Examples of low expansion refractory fillers include cordierite, willemite, alumina, zirconium phosphate compounds, zircon, zirconia, tin oxide, quartz glass, β-quartz solid solution, β-eucryptite, and β-spodumene. Be Moreover, as a laser absorber, compounds, such as an oxide containing at least 1 sort (s) of metal selected from Fe, Mn, Cu etc., or this metal, are mentioned, for example.
（製造方法）
以下において、第１の実施形態の積層セラミックパッケージ１の製造方法の一例を説明する。図４（ａ）～（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージの製造方法を説明するための模式的断面図である。 (Production method)
Below, an example of the manufacturing method of the laminatedceramic package 1 of 1st Embodiment is demonstrated. FIGS. 4 (a) to 4 (d) are schematic cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the laminated ceramic package of the first embodiment of the present invention.
以下において、第１の実施形態の積層セラミックパッケージ１の製造方法の一例を説明する。図４（ａ）～（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージの製造方法を説明するための模式的断面図である。 (Production method)
Below, an example of the manufacturing method of the laminated
図４（ａ）に示す第１のグリーンシート８３ｂを用意する。より具体的には、セラミック粉末に、樹脂バインダー、可塑剤及び溶剤を添加して混練することにより、スラリーを作製する。次に、作製したスラリーをドクターブレード等によりＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の基材の上に塗布した後乾燥し、第１のグリーンシート８３ｂを作製する。次に、第１のグリーンシート８３ｂに複数の孔８５ａを設ける。なお、孔８５ａの形成方法としては、特に限定されず、例えば、パンチングやドリルによる機械加工や、レーザー加工等により形成することができる。
The first green sheet 83 b shown in FIG. 4A is prepared. More specifically, a slurry is prepared by adding and kneading a resin binder, a plasticizer and a solvent to ceramic powder. Next, the prepared slurry is coated on a substrate such as PET (polyethylene terephthalate) with a doctor blade or the like and then dried to prepare a first green sheet 83b. Next, a plurality of holes 85a are provided in the first green sheet 83b. The method of forming the holes 85a is not particularly limited, and the holes 85a can be formed, for example, by mechanical processing using punching or a drill, laser processing, or the like.
次に、図４（ｂ）に示すように、孔８５ａに金属ペースト８５ｂを充填した後、印刷等により、第１のグリーンシート８３ｂ上に金属ペースト８５ｃを塗布する。金属ペースト８５ｃは、図１に示した配線５の接続部５ｃを形成するための金属ペーストである。同様の方法により、複数の第１のグリーンシート８３ｂを作製する。なお、金属ペースト８５ｃや孔８５ａを形成していない第１のグリーンシート８３ｂを少なくとも１枚作製することが好ましい。
Next, as shown in FIG. 4B, the holes 85a are filled with the metal paste 85b, and then the metal paste 85c is applied onto the first green sheet 83b by printing or the like. The metal paste 85c is a metal paste for forming the connection portion 5c of the wiring 5 shown in FIG. A plurality of first green sheets 83b are produced by the same method. In addition, it is preferable to produce at least one first green sheet 83 b in which the metal paste 85 c and the holes 85 a are not formed.
一方で、第１のグリーンシート８３ｂと同様にして作製したグリーンシートを枠状の形状に打ち抜くことにより、複数の第２のグリーンシートを作製する。
On the other hand, a plurality of second green sheets are produced by punching out a green sheet produced in the same manner as the first green sheet 83b into a frame shape.
次に、図４（ｃ）に示すように、金属ペースト８５ｃが外部に露出しないようにすると共に、各第１のグリーンシート８３ｂの孔８５ａに充填した金属ペースト８５ｂが重なるように、複数の第１のグリーンシート８３ｂを積層圧着する。なお金属ペースト８５ｃを形成していない第１のグリーンシート８３ｂが、上記素子１０を搭載しない方の最外層となるように積層することが好ましい。それによって、上記底部３の強度を高めることができ、かつ上記配線５が断線し難い。
Next, as shown in FIG. 4C, the metal paste 85c is not exposed to the outside, and the plurality of metal pastes 85b filled in the holes 85a of the first green sheets 83b overlap each other. The first green sheet 83b is laminated and crimped. In addition, it is preferable to laminate | stack so that the 1st green sheet 83b in which the metal paste 85c is not formed becomes the outermost layer of the direction which does not mount the said element 10. FIG. As a result, the strength of the bottom 3 can be increased, and the wires 5 are less likely to be broken.
次に、複数の第１のグリーンシート８３ｂの積層体上に、複数の第２のグリーンシート８４ｂを積層する。なお、各金属ペースト８５ｃの、枠状の第２のグリーンシート８４ｂの内側に位置する部分に至る金属ペースト８５ｂ（孔８５ａ）と、第２のグリーンシート８４ｂの外側に位置する部分に至る金属ペースト８５ｂ（孔８５ａ）とを有するように、第２のグリーンシート８４ｂを積層する。次に、温水ラミネータ等を用いて、複数の第１のグリーンシート８３ｂ及び複数の第２のグリーンシート８４ｂを圧着する。
Next, the plurality of second green sheets 84b are stacked on the stacked body of the plurality of first green sheets 83b. The metal paste 85b (holes 85a) reaching the inside of the frame-shaped second green sheet 84b of each metal paste 85c and the metal paste reaching the outside of the second green sheet 84b The second green sheet 84b is laminated so as to have 85b (holes 85a). Next, the plurality of first green sheets 83b and the plurality of second green sheets 84b are pressure-bonded using a warm water laminator or the like.
次に、例えば、８００℃以上、９００℃以下の温度で焼成を行うことにより、図４（ｄ）に示す積層セラミック基板２を得る。
Next, firing is performed, for example, at a temperature of 800 ° C. or more and 900 ° C. or less to obtain the laminated ceramic substrate 2 shown in FIG.
次に、封着材料８６を隔壁部４上もしくはガラス蓋７下に配置する。封着材料８６の配置は、例えば、封着材料８６と適宜の有機バインダとを混合したペーストを印刷することにより行うことができる。次に、例えば、４００℃以上、６００℃以下の温度で焼成を行う。
Next, the sealing material 86 is disposed on the partition 4 or below the glass lid 7. The placement of the sealing material 86 can be performed, for example, by printing a paste in which the sealing material 86 and a suitable organic binder are mixed. Next, firing is performed, for example, at a temperature of 400 ° C. or more and 600 ° C. or less.
次に、素子１０を積層セラミック基板２の底部３の主面３ａ上に配置する。次に、素子１０と配線５の第１の端部５ａとを、ワイヤ８により接続する。なお、素子１０を積層セラミック基板２上に配置する前に、配線５の第１の端部５ａにＡｕ膜等の金属膜を形成することが好ましい。これにより、ワイヤ８により、素子１０と配線５とを容易に接続することができる。上記金属膜は、例えば、無電解めっき法や、電解めっき法により形成することができる。
Next, the element 10 is disposed on the major surface 3 a of the bottom 3 of the laminated ceramic substrate 2. Next, the element 10 and the first end 5 a of the wiring 5 are connected by the wire 8. Preferably, a metal film such as an Au film is formed on the first end 5 a of the wiring 5 before the element 10 is disposed on the laminated ceramic substrate 2. Thus, the element 10 and the wiring 5 can be easily connected by the wire 8. The metal film can be formed by, for example, an electroless plating method or an electrolytic plating method.
次に、ガラス蓋７を隔壁部４上に配置する。次に、ガラス蓋７を封着材料８６及び隔壁部４に密着させた状態で、ガラス蓋７側から封着材料８６にレーザー光Ｌを照射する。これにより、封着材料８６を軟化させ、ガラス蓋７と隔壁部４とを接合する。レーザー光Ｌとしては、例えば、波長が６００ｎｍ以上、１６００ｎｍ以下のレーザー光を用いることができる。それによって、内部を気密封止して、図１に示す積層セラミックパッケージ１を得る。
Next, the glass lid 7 is disposed on the partition 4. Next, in a state in which the glass lid 7 is in close contact with the sealing material 86 and the partition 4, the sealing material 86 is irradiated with the laser light L from the glass lid 7 side. Thereby, the sealing material 86 is softened and the glass lid 7 and the partition 4 are joined. As the laser light L, for example, laser light having a wavelength of 600 nm or more and 1600 nm or less can be used. Thereby, the inside is hermetically sealed to obtain the laminated ceramic package 1 shown in FIG.
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、底部３３における隔壁部４の内側の領域に、凹部３３ｃが設けられている点において、第１の実施形態と異なる。 Second Embodiment
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a laminated ceramic package according to a second embodiment of the present invention. The present embodiment differs from the first embodiment in that arecess 33 c is provided in the region of the bottom 33 inside the partition 4.
図５は、本発明の第２の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、底部３３における隔壁部４の内側の領域に、凹部３３ｃが設けられている点において、第１の実施形態と異なる。 Second Embodiment
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a laminated ceramic package according to a second embodiment of the present invention. The present embodiment differs from the first embodiment in that a
凹部３３ｃが設けられていることにより、底部３３の主面３３ａは段差を有する。図５に示すように、配線３５の第１の貫通部５ｂの高さ方向ｚに沿う長さは、第２の貫通部３５ｄの高さ方向ｚに沿う長さより短い。第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置は第２の端部３５ｅの高さ方向ｚの位置より低い。この場合、底部３３においては、隔壁部４の内側の領域の厚みよりも外側の領域の厚みの方が厚いため、積層セラミック基板３２における外側の強度を高めることができる。それによって、外部から衝撃等が加えられた際、破損し難い。
The main surface 33a of the bottom portion 33 has a step due to the provision of the recess 33c. As shown in FIG. 5, the length along the height direction z of the first through portion 5b of the wiring 35 is shorter than the length along the height direction z of the second through portion 35d. The position in the height direction z of the first end 5a is lower than the position in the height direction z of the second end 35e. In this case, in the bottom portion 33, the thickness of the outer region is thicker than the thickness of the inner region of the partition wall 4, so that the strength of the outer side of the laminated ceramic substrate 32 can be enhanced. Thus, when an impact or the like is applied from the outside, it is difficult to be damaged.
本実施形態においても、底部３３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線３５が主面３３ａにおける隔壁部４の外側に露出しているため、第１の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として、低背化を図ることができる。
Also in the present embodiment, the bottom portion 33 and the partition portion 4 can be integrally provided, and the sealing property of the laminated ceramic package can be effectively enhanced. In addition, since the wiring 35 is exposed to the outside of the partition wall 4 in the main surface 33a, reduction in height can be achieved as a whole device including elements other than the element 10 as in the first embodiment. it can.
（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板４２において、配線４５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点及び底部４３における隔壁部４の外側の厚みが、凹部４３ｃが設けられている部分における厚みと同じである点において、第２の実施形態と異なる。 Third Embodiment
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a laminated ceramic package according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, in the laminatedceramic substrate 42, the point where the recess 43c does not reach the position where the wiring 45 is provided and the thickness outside the partition 4 at the bottom 43 are the thickness at the portion where the recess 43c is provided. It differs from the second embodiment in that it is the same.
図６は、本発明の第３の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板４２において、配線４５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点及び底部４３における隔壁部４の外側の厚みが、凹部４３ｃが設けられている部分における厚みと同じである点において、第２の実施形態と異なる。 Third Embodiment
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a laminated ceramic package according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, in the laminated
図６に示すように、配線４５の第１の貫通部４５ｂの高さ方向ｚに沿う長さは第２の貫通部５ｄの高さ方向ｚに沿う長さより長い。第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置は第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置より高い。それによって、第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とを近づけることができる。よって、素子１０と配線４５とを接続し易くすることができ、生産性を高めることができる。
As shown in FIG. 6, the length along the height direction z of the first through portion 45b of the wiring 45 is longer than the length along the height direction z of the second through portion 5d. The position in the height direction z of the first end 45a is higher than the position in the height direction z of the second end 5e. As a result, the position in the height direction z of the first end 45 a can be made close to the position in the height direction z of the portion connected to the wire 8 of the element 10. Therefore, the element 10 and the wiring 45 can be easily connected, and the productivity can be improved.
第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とがほぼ同じであることが好ましい。それによって、素子１０と配線４５とをより一層接続し易くすることができ、より一層生産性を高めることができる。
It is preferable that the position in the height direction z of the first end 45 a be substantially the same as the position in the height direction z of the portion connected to the wire 8 of the element 10. Thereby, the element 10 and the wiring 45 can be more easily connected, and the productivity can be further enhanced.
底部４３における隔壁部４の外側の厚みは、配線４５の第１の貫通部４５ａが設けられている部分における厚みよりも薄い。それによって、底部４３に用いるセラミック材料の量を削減することができ、生産性を高めることができる。
The thickness of the bottom portion 43 at the outer side of the partition wall 4 is thinner than the thickness at the portion where the first through portion 45 a of the wiring 45 is provided. Thereby, the amount of ceramic material used for the bottom 43 can be reduced, and the productivity can be enhanced.
本実施形態においても、底部４３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線４５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第２の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
Also in the present embodiment, the bottom portion 43 and the partition portion 4 can be integrally provided, and the sealing property of the laminated ceramic package can be effectively enhanced. In addition, since the wiring 45 is exposed to the outside of the partition wall 4 on the main surface, the overall height of the device including elements other than the element 10 can be reduced as in the second embodiment.
（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板５２において、配線５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点において、第２の実施形態と異なる。 Fourth Embodiment
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a laminated ceramic package according to a fourth embodiment of the present invention. The present embodiment is different from the second embodiment in that in the laminatedceramic substrate 52, the recess 43c does not reach the position where the wiring 5 is provided.
図７は、本発明の第４の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板５２において、配線５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点において、第２の実施形態と異なる。 Fourth Embodiment
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a laminated ceramic package according to a fourth embodiment of the present invention. The present embodiment is different from the second embodiment in that in the laminated
図７に示すように、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。この場合においても、第３の実施形態と同様に、凹部４３ｃが設けられていることにより、第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とを近づけることができる。よって、素子１０と配線５とを接続し易くすることができ、生産性を高めることができる。加えて、底部５３において、凹部４３ｃが設けられている部分の厚みよりも、隔壁部４の外側の領域の厚みの方が厚いため、積層セラミック基板５２における外側の強度を高めることができる。
As shown in FIG. 7, the position in the height direction z of the first end 5a of the wiring 5 and the position in the height direction z of the second end 5e are the same. Also in this case, as in the third embodiment, by providing the recess 43 c, the position of the first end 5 a in the height direction z and the portion of the portion connected to the wire 8 of the element 10 The position in the height direction z can be made closer. Therefore, the element 10 and the wiring 5 can be easily connected, and the productivity can be improved. In addition, in the bottom portion 53, since the thickness of the region outside the partition 4 is thicker than the thickness of the portion where the recess 43c is provided, the strength of the outer side of the laminated ceramic substrate 52 can be enhanced.
本実施形態においても、底部５３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第２の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
Also in the present embodiment, the bottom portion 53 and the partition portion 4 can be integrally provided, and the sealing property of the laminated ceramic package can be effectively enhanced. In addition, since the wiring 5 is exposed to the outside of the partition wall 4 on the main surface, the overall height of the device including elements other than the element 10 can be reduced as in the second embodiment.
（第５の実施形態）
図８は、本発明の第５の実施形態における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。図９は、図８中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。本実施形態の積層セラミック基板６２は、配線６５の構成が第１の実施形態と異なる。 Fifth Embodiment
FIG. 8 is a schematic plan view showing a laminated ceramic substrate according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line II in FIG. The laminatedceramic substrate 62 of this embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the wiring 65.
図８は、本発明の第５の実施形態における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。図９は、図８中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。本実施形態の積層セラミック基板６２は、配線６５の構成が第１の実施形態と異なる。 Fifth Embodiment
FIG. 8 is a schematic plan view showing a laminated ceramic substrate according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line II in FIG. The laminated
図８に示すように、配線６５は方向ｙに等ピッチで複数設けられている。なお、配線６５の方向ｙにおけるピッチをＤとする。方向ｙにおいて隣り合う配線６５の各第１の端部５ａの、方向ｘにおける位置は互いに異なる。これにより、第１の端部５ａの位置ずれが生じた場合においても、隣接する配線６５が短絡し難い。よって、配線６５間の短絡を招くことなくピッチを狭くすることができ、配線６５を集中的に配置することができる。
As shown in FIG. 8, a plurality of wirings 65 are provided at equal pitches in the direction y. The pitch in the direction y of the wiring 65 is D. The positions in the direction x of the respective first ends 5a of the wires 65 adjacent in the direction y are different from each other. As a result, even when the positional deviation of the first end 5 a occurs, the adjacent wires 65 are unlikely to be short circuited. Therefore, the pitch can be narrowed without causing a short circuit between the wires 65, and the wires 65 can be arranged intensively.
図９に示すように、方向ｙにおいて隣り合う配線６５の接続部６５ｃは、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられている。方向ｙに沿う長さを幅としたときに、接続部６５ｃの幅は第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部の幅より広い。それによって、配線６５を設ける際に、第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部と、接続部６５ｃとをより一層確実に接続することができる。加えて、配線６５の電気抵抗を小さくすることができる。
As shown in FIG. 9, the connection portions 65c of the wirings 65 adjacent in the direction y are provided on the mutually different first ceramic layers 3b. When the length along the direction y is a width, the width of the connection portion 65c is wider than the width of the first through portion 5b and the second through portion. Thus, when the wiring 65 is provided, the first through portion 5 b and the second through portion can be more reliably connected to the connection portion 65 c. In addition, the electrical resistance of the wiring 65 can be reduced.
本実施形態においても、底部６３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線６５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第１の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
Also in the present embodiment, the bottom portion 63 and the partition portion 4 can be integrally provided, and the sealing property of the laminated ceramic package can be effectively enhanced. In addition, since the wiring 65 is exposed to the outside of the partition wall 4 on the main surface, the overall height of the device including elements and the like other than the element 10 can be reduced as in the first embodiment.
積層セラミック基板６２においては、３層の第１のセラミック層３ｂにそれぞれ接続部６５ｃが設けられている。配線６５は方向ｙにおいて３つ毎に、接続部６５ｃが同じ第１のセラミック層３ｂに設けられている。よって、同じ第１のセラミック層３ｂに設けられている配線６５のピッチは３Ｄである。この場合、接続部６５ｃの幅は、同じ第１のセラミック層３ｂに設けられた配線６５のピッチである３Ｄ未満であればよい。
In the laminated ceramic substrate 62, connection portions 65c are provided to the three first ceramic layers 3b. The interconnections 65 are provided in the same first ceramic layer 3 b for every third wiring 65 in the direction y. Therefore, the pitch of the wiring 65 provided in the same first ceramic layer 3 b is 3D. In this case, the width of the connection portion 65c may be less than 3D which is the pitch of the wiring 65 provided in the same first ceramic layer 3b.
図１０は、第５の実施形態の変形例における積層セラミック基板の模式的断面図である。なお、図１０は、図９に示す断面に相当する変形例の断面を示す。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a laminated ceramic substrate according to a modification of the fifth embodiment. FIG. 10 shows a cross section of a modification corresponding to the cross section shown in FIG.
本変形例の底部７３においては、６層の第１のセラミック層３ｂにそれぞれ接続部７５ｃが設けられている。この場合には、接続部７５ｃの幅を３Ｄよりも広くすることができ、配線７５の電気抵抗をより一層低くすることができる。このように、第１のセラミック層３ｂの層数を多くすることにより、接続部７５ｃの幅を広くしてもよい。
In the bottom portion 73 of the present modification, connection portions 75c are provided to the six first ceramic layers 3b. In this case, the width of the connection portion 75c can be wider than 3D, and the electrical resistance of the wiring 75 can be further lowered. As described above, the width of the connection portion 75c may be increased by increasing the number of the first ceramic layers 3b.
もっとも、図９に示す本実施形態では、接続部６５ｃが設けられている第１のセラミック層３ｂは３層であるため、第１のセラミック層３ｂの最低限の層数を４層とすることができ、効果的に低背化することができる。
However, in the present embodiment shown in FIG. 9, since the first ceramic layer 3b provided with the connection portion 65c is three layers, the minimum number of layers of the first ceramic layer 3b is four. Can be effectively reduced in height.
１…積層セラミックパッケージ
２…積層セラミック基板
３…底部
３ａ…主面
３ｂ…第１のセラミック層
４…隔壁部
４ｂ…第２のセラミック層
５…配線
５ａ…第１の端部
５ｂ…第１の貫通部
５ｃ…接続部
５ｄ…第２の貫通部
５ｅ…第２の端部
６…封着材層
７…ガラス蓋
８…ワイヤ
１０…素子
２２…積層セラミック基板
２３…底部
２８…放熱部材
３２…積層セラミック基板
３３…底部
３３ａ…主面
３３ｃ…凹部
３５…配線
３５ｄ…第２の貫通部
３５ｅ…第２の端部
４２…積層セラミック基板
４３…底部
４３ｃ…凹部
４５…配線
４５ａ…第１の貫通部
４５ｂ…第１の端部
５２…積層セラミック基板
５３…底部
６２…積層セラミック基板
６３…底部
６５…配線
６５ｃ…接続部
７３…底部
７５…配線
７５ｃ…接続部
８３ｂ，８４ｂ…第１，第２のグリーンシート
８５ａ…孔
８５ｂ…金属ペースト
８５ｃ…金属ペースト
８６…封着材料 DESCRIPTION OFSYMBOLS 1 ... laminated ceramic package 2 ... laminated ceramic substrate 3 ... bottom part 3a ... principal surface 3b ... 1st ceramic layer 4 ... partition part 4b ... 2nd ceramic layer 5 ... Wiring 5a ... 1st end 5b ... 1st Through portion 5c: Connection portion 5d: Second through portion 5e: Second end portion 6: Sealing material layer 7: Glass lid 8: Wire 10: Element 22: Laminated ceramic substrate 23: Bottom portion 28: Heat dissipation member 32: Laminated ceramic substrate 33: Bottom 33a: Principal surface 33c: Recess 35: Wiring 35d: Second penetrating portion 35e: Second end 42: Laminated ceramic substrate 43: Bottom 43c: Recess 45: Wiring 45a: First penetration Section 45b First end 52 Layered ceramic substrate 53 Bottom 62 Layered ceramic substrate 63 Bottom 65 Wiring 65c Connecting portion 73 Bottom 75 Wiring 75c Connecting portion 83b 84b ... first, second green sheets 85a ... hole 85b ... metal paste 85c ... metal paste 86 ... sealing material
２…積層セラミック基板
３…底部
３ａ…主面
３ｂ…第１のセラミック層
４…隔壁部
４ｂ…第２のセラミック層
５…配線
５ａ…第１の端部
５ｂ…第１の貫通部
５ｃ…接続部
５ｄ…第２の貫通部
５ｅ…第２の端部
６…封着材層
７…ガラス蓋
８…ワイヤ
１０…素子
２２…積層セラミック基板
２３…底部
２８…放熱部材
３２…積層セラミック基板
３３…底部
３３ａ…主面
３３ｃ…凹部
３５…配線
３５ｄ…第２の貫通部
３５ｅ…第２の端部
４２…積層セラミック基板
４３…底部
４３ｃ…凹部
４５…配線
４５ａ…第１の貫通部
４５ｂ…第１の端部
５２…積層セラミック基板
５３…底部
６２…積層セラミック基板
６３…底部
６５…配線
６５ｃ…接続部
７３…底部
７５…配線
７５ｃ…接続部
８３ｂ，８４ｂ…第１，第２のグリーンシート
８５ａ…孔
８５ｂ…金属ペースト
８５ｃ…金属ペースト
８６…封着材料 DESCRIPTION OF
Claims (9)
- 主面を有し、複数の第１のセラミック層が積層されてなる底部と、
前記底部の一部の領域を囲むように前記主面に設けられており、複数の第２のセラミック層が積層されてなる隔壁部と、
前記主面における前記隔壁部の内側に露出している第１の端部と、前記主面における前記隔壁部の外側に露出している第２の端部とを有し、かつ前記底部内を通る配線とを備える、積層セラミック基板。 A bottom portion having a main surface, on which a plurality of first ceramic layers are laminated;
A partition wall portion provided on the main surface so as to surround a partial region of the bottom portion and formed by laminating a plurality of second ceramic layers;
A first end exposed to the inside of the partition in the main surface; and a second end exposed to the outside of the partition on the main surface, and the inside of the bottom A laminated ceramic substrate comprising wiring to pass through. - 前記底部の前記第１のセラミック層と前記隔壁部の前記第２のセラミック層とが同じセラミック材料からなる、請求項１に記載の積層セラミック基板。 The laminated ceramic substrate according to claim 1, wherein the first ceramic layer at the bottom and the second ceramic layer at the partition wall are made of the same ceramic material.
- 前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置と、前記第２の端部の前記高さ方向の位置とが同じである、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。 When the stacking direction of the first ceramic layer and the second ceramic layer is a height direction, the position in the height direction of the first end of the wiring and the second end The laminated ceramic substrate according to claim 1, wherein the position in the height direction is the same.
- 前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置が、前記第２の端部の前記高さ方向の位置より高い、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。 When the stacking direction of the first ceramic layer and the second ceramic layer is a height direction, the position in the height direction of the first end of the wiring is the second end. The laminated ceramic substrate according to claim 1, wherein the laminated ceramic substrate is higher than the position in the height direction.
- 前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置が、前記第２の端部の前記高さ方向の位置より低い、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。 When the stacking direction of the first ceramic layer and the second ceramic layer is a height direction, the position in the height direction of the first end of the wiring is the second end. The laminated ceramic substrate according to claim 1, wherein the laminated ceramic substrate is lower than the position in the height direction.
- 前記配線が、前記隔壁部の内側において、前記底部の少なくとも１層の前記セラミック層を積層方向に貫通している第１の貫通部と、前記隔壁部の外側において、前記底部の少なくとも１層の前記セラミック層を積層方向に貫通している第２の貫通部と、前記底部内を通り、前記第１の貫通部及び前記第２の貫通部を接続している接続部とを有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の積層セラミック基板。 The wiring is at least one layer of the bottom portion at a first penetration portion which penetrates the ceramic layer of the bottom portion in the stacking direction inside the partition portion and at the outside of the partition portion. A second through-hole penetrating the ceramic layer in the stacking direction, and a connecting part passing through the bottom and connecting the first through-hole and the second through-hole. The laminated ceramic substrate according to any one of 1 to 5.
- 前記配線が複数設けられており、
前記複数の配線のうち少なくとも２つの配線の前記接続部が、互いに異なる前記第１のセラミック層に設けられている、請求項６に記載の積層セラミック基板。 A plurality of the wires are provided,
The laminated ceramic substrate according to claim 6, wherein the connection portions of at least two of the plurality of wirings are provided in the first ceramic layers different from each other. - 前記配線が、前記接続部が延びる方向に直交する方向に複数設けられており、
前記接続部が延びる方向に直交する方向において隣り合う前記配線の前記接続部が、互いに異なる前記第１のセラミック層に設けられており、
前記第１のセラミック層の積層方向と、前記接続部が延びる方向とに直交する方向に沿う長さを幅としたときに、前記接続部の前記幅が前記第１の貫通部及び前記第２の貫通部の前記幅より広い、請求項７に記載の積層セラミック基板。 A plurality of the wires are provided in a direction orthogonal to the direction in which the connection portion extends,
The connection portions of the wirings adjacent in the direction orthogonal to the direction in which the connection portion extends are provided in the first ceramic layers different from each other.
When the length along the direction orthogonal to the laminating direction of the first ceramic layer and the direction in which the connecting portion extends is a width, the width of the connecting portion is the first through portion and the second The laminated ceramic substrate according to claim 7, wherein the width is larger than the width of the penetration portion of - 請求項１～８のいずれか一項に記載の積層セラミック基板と、
前記隔壁部上に設けられているガラス蓋とを備える、積層セラミックパッケージ。 A multilayer ceramic substrate according to any one of claims 1 to 8;
And a glass lid provided on the partition wall.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017-136080 | 2017-07-12 | ||
| JP2017136080A JP2019021670A (en) | 2017-07-12 | 2017-07-12 | Multilayer ceramic substrate and multilayer ceramic package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2019012787A1 true WO2019012787A1 (en) | 2019-01-17 |
Family
ID=65002576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/017588 WO2019012787A1 (en) | 2017-07-12 | 2018-05-07 | Laminated ceramic substrate and laminated ceramic package |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019021670A (en) |
| TW (1) | TW201909210A (en) |
| WO (1) | WO2019012787A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11782267B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-10-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit |
| US11874458B2 (en) | 2019-01-30 | 2024-01-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183900A (en) * | 2003-10-30 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | Light emitting device and lighting system |
| JP2009502024A (en) * | 2005-06-27 | 2009-01-22 | ラミナ ライティング インコーポレーテッド | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
| JP2009099923A (en) * | 2007-09-29 | 2009-05-07 | Kyocera Corp | Package for storing light emitting element, light emitting device, and methods of manufacturing package for storing light emitting element and light emitting device |
| JP2009164311A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Substrate for mounting light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using same |
| JP2009289841A (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Package for housing light emitting element |
| US20140231837A1 (en) * | 2011-09-29 | 2014-08-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED Module |
| JP2017063072A (en) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 東芝ライテック株式会社 | Light emitting device and luminaire |
-
2017
- 2017-07-12 JP JP2017136080A patent/JP2019021670A/en active Pending
-
2018
- 2018-05-07 WO PCT/JP2018/017588 patent/WO2019012787A1/en active Application Filing
- 2018-05-11 TW TW107116037A patent/TW201909210A/en unknown
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183900A (en) * | 2003-10-30 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | Light emitting device and lighting system |
| JP2009502024A (en) * | 2005-06-27 | 2009-01-22 | ラミナ ライティング インコーポレーテッド | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
| JP2009099923A (en) * | 2007-09-29 | 2009-05-07 | Kyocera Corp | Package for storing light emitting element, light emitting device, and methods of manufacturing package for storing light emitting element and light emitting device |
| JP2009164311A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Substrate for mounting light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using same |
| JP2009289841A (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Package for housing light emitting element |
| US20140231837A1 (en) * | 2011-09-29 | 2014-08-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED Module |
| JP2017063072A (en) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 東芝ライテック株式会社 | Light emitting device and luminaire |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11782267B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-10-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit |
| US11835716B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit |
| US11874458B2 (en) | 2019-01-30 | 2024-01-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit |
| JP7438767B2 (en) | 2019-01-30 | 2024-02-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | mirror unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019021670A (en) | 2019-02-07 |
| TW201909210A (en) | 2019-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6754479B2 (en) | Electrical element mounting package, array type package and electrical equipment | |
| US10069054B2 (en) | Wiring substrate and light emitting device | |
| JP5554680B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate, light-emitting device, and manufacturing method thereof | |
| JP5991065B2 (en) | Light emitting device | |
| JPWO2011118639A1 (en) | LIGHT REFLECTIVE SUBSTRATE, LIGHT EMITTING DEVICE MOUNTING SUBSTRATE, LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE MOUNTING SUBSTRATE | |
| US11251352B2 (en) | Wiring board, and light emitting device using the wiring board | |
| JP2008172113A (en) | Wiring substrate | |
| JP6476703B2 (en) | Ceramic package, light emitting device, and manufacturing method thereof | |
| JP2007250899A (en) | Light-emitting module, and display device and lighting device using the same | |
| WO2019012787A1 (en) | Laminated ceramic substrate and laminated ceramic package | |
| JP2009141219A (en) | Light emitting device | |
| TW201924099A (en) | Light emitting device | |
| JP6855663B2 (en) | LED lighting device | |
| US20140138724A1 (en) | Substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the substrate, and optical semiconductor device | |
| WO2018055846A1 (en) | Light emitting element mounting substrate, method for manufacturing same, and light emitting element mounting package | |
| JP7366214B2 (en) | Substrate for mounting light emitting elements and light emitting device | |
| JP2007329370A (en) | Light-emitting device, and method of manufacturing light emitting device | |
| KR100730771B1 (en) | Package for light emission device | |
| JP2006049715A (en) | Luminous light source, illuminating unit, and display unit | |
| KR20110098614A (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing same | |
| JP5773630B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof | |
| JP6064415B2 (en) | Light emitting device | |
| JP5150384B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| KR101259019B1 (en) | Light emitting diode device and fabricating method thereof | |
| JP6028443B2 (en) | Light emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 18832349 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 18832349 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |