WO2018193607A1 - 電気モジュール、内視鏡、および、電気モジュールの製造方法 - Google Patents

電気モジュール、内視鏡、および、電気モジュールの製造方法 Download PDF

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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/555—Constructional details for picking-up images in sites, inaccessible due to their dimensions or hazardous conditions, e.g. endoscopes or borescopes

Definitions

  • the present invention provides an electric module in which a plurality of first electrodes of a first member and a plurality of second electrodes of a second member are electrically connected, an endoscope having the electric module, and the electric
  • the present invention relates to a module manufacturing method.
  • An electrical module includes a first member in which a plurality of first electrodes are disposed on a first surface, and a plurality of second electrodes that are disposed on a second surface. Is electrically connected to the first member, the second member disposed opposite to the first surface, the first resin bonding the first surface and the second surface, the first electrode, and the second electrode. And the joint portion is made of an electroless plating film, and the first resin is disposed around the joint portion.
  • An endoscope includes an electric module, and the electric module includes a first member in which a plurality of first electrodes are disposed on a first surface, and a plurality of second electrodes on a second surface.
  • a first member that is disposed and has the second surface opposed to the first surface, a first resin that bonds the first surface and the second surface, and the first An electrode and a joint electrically connecting the second electrode, the joint comprising an electroless plating film, and the first resin being disposed around the joint Yes.
  • a first member having a plurality of first electrodes disposed on a first surface and a second member having a plurality of second electrodes disposed on a second surface.
  • Each of the plurality of first electrodes and each of the plurality of second electrodes includes an electroless plating film.
  • a plating step of electrically connecting through the joint portion is
  • FIG. 12B is a cross-sectional view of the electric module according to the second embodiment taken along line XIB-XIB in FIG. 12A. It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electric module of 2nd Embodiment. It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electric module of 2nd Embodiment. It is a perspective view of the endoscope system containing the endoscope of 3rd Embodiment.
  • the electric module 1 of the present embodiment includes an imaging element 10 that is a first member to which a cover glass 15 is bonded, and a semiconductor element 30 that is a second member.
  • the imaging element 10 is a parallel plate-shaped element having a light receiving surface 10SA and a first surface 10SB facing the light receiving surface 10SA.
  • a plurality of first electrodes 12 are two-dimensionally arranged on the first surface 10SB of the image sensor 10.
  • the image sensor 10 is a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor, CCD (Charge Coupled Device), or the like.
  • the imaging signal output from the light receiving unit 11 is transmitted to the first electrode 12 through a through wiring (not shown).
  • the imaging device 10 may be either a front-side illumination (FSI: Front Side Illumination) image sensor or a back-side illumination (BSI: Back Side Illumination) image sensor.
  • FSI Front Side Illumination
  • BSI Back Side Illumination
  • the cover glass 15 protects the light receiving unit 11 of the image sensor 10, but is not an essential component of the electric module 1. Conversely, not only the cover glass 15 but also optical members such as a plurality of lenses may be disposed on the light receiving surface 10SA of the image sensor 10.
  • the semiconductor element 30 is formed with a circuit that primarily performs an image pickup signal output from the image pickup element 10 and processes a control signal for controlling the image pickup element 10.
  • the semiconductor element 30 includes an AD conversion circuit, a memory, a transmission output circuit, a filter circuit, a thin film capacitor, a thin film inductor, and the like.
  • the first surface 10SB of the image sensor 10 and the second surface 30SA of the semiconductor element 30 are disposed to face each other and are bonded via the first resin 21. And each of the some 1st electrode 12 and each of the some 2nd electrode 31 are electrically connected through the junction part 40 which consists of an electroless plating film
  • the electroless plating film of the joint 40 is made of a conductive metal whose main component is copper, gold, nickel, or the like. And the 1st electrode 12 and the 2nd electrode 31 are covered by the metal used as the catalyst of an electroless-plating reaction at least the surface.
  • the electroless plating film is selectively deposited only on the surfaces of the first electrode 12 and the second electrode 31, and connects the first electrode 12 and the second electrode 31.
  • the first resin 21 has a plurality of through holes H21 whose both end faces are open. That is, the through hole H21 has a lower surface of the first surface 10SB, an upper surface of the second surface 30SA, and a side surface of the first resin 21.
  • the second resin 22 is filled in the through hole H21 in which the joint portion 40 is disposed.
  • the image sensor 10 and the semiconductor element 30 are electrically connected by a joint 40 made of an electroless plating film formed by a low temperature process of less than 100 ° C. For this reason, since the electrical module 1 does not have a possibility of being damaged by heat at the time of joining, the reliability is high. Further, since the electroless plating film is selectively deposited only on the surfaces of the first electrode 12 and the second electrode 31, there is no possibility of short-circuiting between adjacent electrodes.
  • the plurality of first electrodes 12 and the plurality of second electrodes 31 are connected by the respective joint portions 40. Yes. Further, the first electrode 12 and the second electrode 31 that are arranged to face each other are connected by the joint portion 40 even if there is a slight misalignment.
  • the first member is the imaging element 10 and the second member is the imaging module of the semiconductor element 30.
  • the first member is not limited to the image sensor.
  • the second member is not limited to a semiconductor element, and may be, for example, an interposer made of silicon.
  • an imaging wafer 10 ⁇ / b> W in which a plurality of light receiving portions 11 and the like are arranged on a silicon wafer or the like using a known semiconductor manufacturing technique is manufactured.
  • the imaging wafer 10 ⁇ / b> W may be formed with a peripheral circuit that performs a primary process on the output signal of the light receiving unit 11 and a drive control signal.
  • a cover glass wafer 15W (see FIG. 6) made of flat glass is bonded. Then, after grinding / polishing is performed from the first surface 10SB side of the imaging wafer 10W, a plurality of through wires (not shown) connected to the light receiving unit 11 and a plurality of first electrodes 12 are disposed. The When the through wiring and the first electrode 12 are connected through the surface wiring of the first surface 10SB, the arrangement of the plurality of through wirings and the arrangement of the plurality of first electrodes 12 may be different. Good.
  • the plurality of first electrodes 12 and the plurality of second electrodes 31 are arranged to face each other when the first surface 10SB and the second surface 30SA are arranged to face each other.
  • the first electrode 12 and the second electrode 31 are rectangular, but may be circular.
  • the first electrode 12 and the second electrode 31 are covered with a metal that serves as a catalyst for the electroless plating reaction.
  • the first electrode 12 and the second electrode 31 may be the same metal as the metal to be electrolessly plated, such as copper, gold, palladium, or nickel, or a metal that is electrochemically more precious than the metal to be electrolessly plated, That is, it consists of a metal with a high standard oxidation-reduction potential.
  • the substitution metal film may serve as a catalyst.
  • the first electrode 12 and the second electrode 31 may be an electrochemically lower metal than the metal to be electrolessly plated.
  • the first resin 21 is disposed on the first surface 10SB of the imaging wafer 10W so as not to cover the plurality of first electrodes 12.
  • a first resin 21 that is a photosensitive adhesive is disposed on the entire surface of the first surface 10SB, and is patterned by a photolithography process to form a groove T21. That is, the groove T ⁇ b> 21 is formed by patterning so that the first resin 21 is arranged around the joint 40.
  • the plurality of first electrodes 12 are two-dimensionally arranged, and the first resin 21 is divided by the plurality of grooves T21 so that the plurality of first electrodes 12 are exposed.
  • the groove T21 has a bottom surface that is the first surface 10SB on which the plurality of first electrodes 12 are disposed, and both side surfaces are made of the first resin 21, and are inserted to the outer peripheral surface of the imaging wafer 10W.
  • the first resin 21 may be patterned by a printing method or an inkjet method.
  • a plurality of first electrodes 12 arranged in a straight line are exposed on the bottom surface of one groove T21.
  • the plurality of first electrodes 12 exposed on the bottom surface of one groove T21 may not be arranged linearly.
  • first resin 21 may be disposed on the second surface 30SA of the element wafer 30W, or may be disposed on the imaging wafer 10W and the element wafer 30W, respectively.
  • the plurality of first electrodes 12 are arranged at intervals L (see FIG. 5).
  • the groove T21 of the first resin 21 becomes a through hole H21 of the bonded wafer 1W by bonding the element wafer 30W. That is, the upper surface of the groove T21 is covered with the second surface 30SA to form the through hole H21.
  • the distance between the first surface 10SB of the imaging wafer 10W and the second surface 30SA of the element wafer 30W that is, the distance D between the first electrode 12 and the second electrode 31 that are arranged to face each other is the plurality of first electrodes. It is set to be smaller than 12 intervals L (see FIG. 5), preferably less than 1 ⁇ 2 of the interval L, for example, 10 ⁇ m or less.
  • interval D of the 1st electrode 12 and the 2nd electrode 31 may be zero, ie, may contact.
  • an electroless plating solution 40L an electroless copper plating solution using formalin as a reducing agent, an electroless gold plating solution using DMAB or the like as a reducing agent, an electroless nickel plating solution using hypophosphorous acid or DMAB or the like as a reducing agent, or the like Is used.
  • an electroless nickel plating solution a plating film having a low electrical resistance is formed, a low phosphorus type NiP plating solution with a low phosphorus content, or a NiB plating solution using DMAB or the like as a reducing agent. It is preferable to use it. That is, the joint 40 is made of Cu, Au, Ni, NiB alloy, NiP alloy, or the like.
  • the 1st electrode 12 and the 2nd electrode 31 will be joined.
  • the first electrode 12 and the second electrode 31 are joined when the thickness of the plating film is 5 ⁇ m or more.
  • first electrode 12 and the second electrode 31 are planar electrodes, it is more preferable that the first electrode 12 and the second electrode 31 are curved convex electrodes because voids are hardly formed in the joint portion 40.
  • the flow direction of the electroless plating solution 40L is reversed several times during plating.
  • the flow of the electroless plating solution 40L may be formed by swinging the bonding wafer 1W immersed in the electroless plating solution 40L. That is, in the plating step, it is preferable that the electroless plating solution 40L is alternately poured from the openings at both ends of the through hole H21 because the thickness of the plurality of joint portions 40 becomes uniform.
  • the electroless plating solution 40L is selected according to the metal of the first electrode 12 and the second electrode 31.
  • the metal of the first electrode 12 and the second electrode 31 is selected according to the metal of the joint 40 formed by the electroless plating solution 40L.
  • the joint 40 is gold
  • the first electrode 12 and the second electrode 31 are covered with gold.
  • the first electrode 12 and the second electrode 31 are selected from copper or gold that is electrochemically more noble than copper.
  • the joint 40 is nickel, the first electrode 12 and the second electrode 31 are covered with gold or the like, which is electrochemically noble metal than nickel or nickel.
  • the electroless plating solution 40L is an aqueous solution containing metal ions and a reducing agent, and the temperature is about room temperature to about 90 ° C. lower than the solder melting temperature, so that the imaging element 10 and the semiconductor element 30 are damaged by the plating process. There is no.
  • Step S14 Second Resin Filling Step After the plating step (S13), a liquid uncured second resin 22 is injected into the through hole H21 and a curing process is performed.
  • the second resin 22 need not be filled. Further, the second resin 22 may be injected after the cutting step (S15).
  • Step S15 Cutting process (individualization process)
  • the electrical module 1 is manufactured by cutting the bonded wafer 1W.
  • the manufacturing method of the electric module 1 is arranged by the electroless plating method in which the joint 40 is a low temperature process of less than 100 ° C. For this reason, in the manufacturing method of the electric module 1, since there is no possibility of being damaged by heat at the time of joining, the electric module 1 has high reliability. Further, since the electroless plating film is selectively deposited only on the surfaces of the first electrode 12 and the second electrode 31, there is no possibility of short-circuiting between adjacent electrodes. Furthermore, even if the first surface 10SB and the second surface 30SA are not completely parallel, the plurality of first electrodes 12 and the plurality of second electrodes 31 can be connected by the respective joint portions 40.
  • the bonded wafer 1AW (electric module 1A) of this modification has a groove T10 that is inserted into the through hole H21 on the first surface 10SB of the imaging wafer 10AW (imaging element 10A), and the element wafer.
  • a second surface 30SA of 30W (semiconductor element 30A) has a groove T30 inserted through the through hole H21.
  • the flow path of the electroless plating solution 40L is narrow, so it is not easy to flow the electroless plating solution 40L. Disappear.
  • the groove serves as a main flow path for the electroless plating solution 40L, and a new electroless plating solution 40L is always supplied to the inside of the through hole H21. For this reason, an electroless plating film can be formed stably.
  • the groove inserted into the through hole H21 has the same effect as the electrical module 1A if it is provided on at least one of the first surface 10SB of the imaging wafer 10W and the second surface 30SA of the element wafer 30W. There is no.
  • the electrical module 1 ⁇ / b> B defines the distance between the first surface 10 ⁇ / b> SB and the second surface 30 ⁇ / b> SA, that is, the distance D between the first electrode 12 and the second electrode 31.
  • An interval defining member 29 is provided.
  • the interval defining member 29 is made of a hard material that can define the interval D in the wafer bonding step (S12) in which the imaging wafer 10W and the element wafer 30W are bonded via the first resin 21 to produce the bonded wafer 1W. Yes.
  • the interval defining member 29 has a spherical shape or a rod shape, and may be a convex portion of the imaging wafer 10W or the element wafer 30W. Further, it is sufficient that at least three interval defining members 29 are disposed between the imaging wafer 10W and the element wafer 30W in the case of a spherical shape and at least two in the case of a rod shape, that is, a bonded wafer. It is not necessary that the interval defining member 29 is disposed in all the electric modules 1B manufactured by cutting from 1W. Moreover, the space
  • the interval D is accurately and simply defined by the interval defining member 29. For this reason, it is easier to manufacture and has a higher yield than the electric module 1.
  • a plurality of fourth electrodes 51 are two-dimensionally arranged on the fourth surface 50SA of the semiconductor element 50.
  • Each of the plurality of third electrodes 32 and each of the plurality of fourth electrodes 51 are electrically connected to each other through respective joint portions 40A made of an electroless plating film.
  • the second semiconductor element 50 is bonded in the wafer bonding step (S12), and the bonding portion 40A is the same plating bonding step (S13) as the bonding portion 40 that bonds the imaging element 10 and the first semiconductor element 30 together. ).
  • the arrangement of the plurality of third electrodes 32 and the plurality of fourth electrodes 51 is the same, but may be different from the arrangement of the plurality of first electrodes 12 and the plurality of second electrodes 31. Further, the number of the plurality of third electrodes 32 and the plurality of fourth electrodes 51 may be different from the number of the plurality of first electrodes 12 and the plurality of second electrodes 31. However, the distance between the third electrode 32 and the fourth electrode 51 is preferably the same as the distance D between the first electrode 12 and the second electrode 31.
  • the electric module 1C includes the second semiconductor element 50 as the third member, the electric module 1C has higher performance than the electric module 1 and can be easily downsized.
  • the manufacturing method of the electrical module 1C is easy to manufacture because a plurality of wafer bonding portions can be disposed at the same time.
  • the electrical module 1C may have the interval defining member 29 in the same manner as the electrical module 1B.
  • the imaging modules 1B and 1C have the same effect as the imaging module 1A if the imaging modules 1B and 1C have a groove T10 or the like that becomes a flow path as in the imaging module 1A.
  • the second member in the electric module 1D, is a composite cable 60S having a plurality of cables 60.
  • the second electrode 61 that is the tip of the plurality of cables 60 made of a conductor is two-dimensionally arranged on the second surface 60SA.
  • the tip of the cable 60 made of copper may be covered with gold.
  • a plurality of first electrodes 73 are two-dimensionally arranged on the first surface 72SB, which is the rear surface of the second semiconductor element 72 at the rearmost part of the multilayer element 70.
  • the first surface 72SB and the second surface 60SA are bonded via the first resin 21.
  • Each of the plurality of first electrodes 73 and each of the plurality of second electrodes 61 are electrically connected via respective joint portions 40 made of an electroless plating film.
  • the joint 40 is sealed with the second resin 22.
  • the composite cable 60S and the laminated element 70 are bonded via the first resin 21.
  • the laminated element 70 is covered with a protective member 79 except for the second surface 60SA.
  • the distance D between the first electrode 12 and the second electrode 31 is zero.
  • the first electrode 73 and the second electrode 61 are only in contact and are not electrically stably connected.
  • the first electrode 12 and the second electrode 31 may face each other with a predetermined distance D.
  • the electroless plating solution 40L is poured between the first surface 72SB around the first resin 21 and the second surface 60SA. Then, as shown to FIG. 13B, the 1st electrode 73 and the 2nd electrode 61 are joined via the junction part 40 which consists of an electroless-plating film
  • through holes serving as flow paths for the electroless plating solution may be formed by the patterned first resin 21.
  • the electrical module 1D has the same effect as the electrical module 1 although the second member is the composite cable 60S having the plurality of cables 60 whose tips are the second electrodes 61.
  • the endoscope system 8 including the endoscope 9 includes an endoscope 9, a processor 80, a light source device 81, and a monitor 82.
  • the endoscope 9 includes an insertion unit 90, an operation unit 91, and a universal cord 92.
  • the insertion unit 90 is inserted into the body cavity of the subject, and an in-vivo image of the subject is captured and an image signal is output.
  • the insertion portion 90 includes a distal end portion 90A where the electric modules 1, 1A to 1D (hereinafter referred to as the electric module 1 and the like) are disposed, and a bendable bending portion 90B continuously provided on the proximal end side of the distal end portion 90A. And a flexible portion 90C provided continuously to the proximal end side of the bending portion 90B.
  • the bending portion 90B is bent by the operation of the operation portion 91.
  • the endoscope 9 may be a rigid endoscope or a capsule endoscope.
  • An operation unit 91 provided with various buttons for operating the endoscope 9 is disposed on the proximal end side of the insertion unit 90 of the endoscope 9.
  • the light source device 81 has, for example, a white LED. Illumination light emitted from the light source device 81 is guided to the distal end portion 90A via a universal cord 92 and a light guide (not shown) that passes through the insertion portion 90, and illuminates the subject.
  • the endoscope 9 includes an insertion portion 90, an operation portion 91, and a universal cord 92.
  • the imaging signal output from the electrical module 1 and the like disposed at the distal end portion 90 ⁇ / b> A of the insertion portion 90 is inserted through the insertion portion 90.
  • the composite cable 60S is transmitted.
  • the endoscope 9 Since the electrical module 1 and the like are ultra-compact and highly reliable, the endoscope 9 has a small diameter at the distal end portion 90A of the insertion portion 90 and high reliability. Further, the endoscope 9 is easy to manufacture.

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Abstract

電気モジュール１は、複数の第１電極１２が第１面１０ＳＢに配設されている第１部材１０と、複数の第２電極３１が第２面３０ＳＡに配設されており、前記第２面３０ＳＡが前記第１面１０ＳＢと対向配置されている第２部材２０と、前記第１面１０ＳＢと前記第２面３０ＳＡとを接着している第１の樹脂２１と、第１電極１２と第２電極３１とを電気的に接続している接合部４０と、を具備し接合部４０は無電解めっき膜からなり、かつ第１の樹脂２１が接合部４０の周囲に配置されている。

Description

電気モジュール、内視鏡、および、電気モジュールの製造方法
　本発明は、第１部材の複数の第１電極と第２部材の複数の第２電極とが、それぞれ電気的に接続されている電気モジュール、前記電気モジュールを有する内視鏡、および、前記電気モジュールの製造方法に関する。
　内視鏡は、細長い可撓性の挿入部の先端部に、ＣＣＤ等の撮像素子を含む電気モジュールが配設されている。撮像素子は耐熱性が良くないため、裏面の電極と他部材とを接続するために、半田接合を用いると、信頼性が低下するおそれがあった。また、撮像素子に限らず耐熱性が良くない電気部材では、半田接合を用いると、信頼性が低下するおそれがあった。
　また、第１部材の複数の第１電極と第２部材の複数の第２電極とを同時に接続するためには、電極間距離を一定に配置しないと、接合不良が発生するおそれがあった。また、複数の電極が狹ピッチに配置されている場合には、接合時に隣り合う電極が短絡するおそれがあった。
　なお、日本国特開２００８－４２１６９号公報には、接着層を介して積層された２つの半導体チップの電極を、接着層の壁面にめっき膜を配設し接合する方法が開示されている。
特開２００８－４２１６９号公報
　本発明の実施形態は、信頼性が高い電気モジュール、信頼性が高い内視鏡、および、信頼性が高い電気モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の実施形態の電気モジュールは、複数の第１電極が第１面に配設されている第１部材と、複数の第２電極が第２面に配設されており、前記第２面が前記第１面と対向配置されている第２部材と、前記第１面と前記第２面とを接着している第１の樹脂と、前記第１電極と、前記第２電極とを電気的に接続している接合部と、を具備し前記接合部は無電解めっき膜からなり、かつ前記第１の樹脂が前記接合部の周囲に配置されている。
　別の実施形態の内視鏡は電気モジュールを有し、前記電気モジュールは、複数の第１電極が第１面に配設されている第１部材と、複数の第２電極が第２面に配設されており、前記第２面が前記第１面と対向配置されている第２部材と、前記第１面と前記第２面とを接着している第１の樹脂と、前記第１電極と、前記第２電極とを電気的に接続している接合部と、を具備し前記接合部は無電解めっき膜からなり、かつ前記第１の樹脂が前記接合部の周囲に配置されている。
　また別の実施形態の電気モジュールの製造方法は、複数の第１電極が第１面に配設されている第１部材と、複数の第２電極が第２面に配設されている第２部材と、を作製する作製工程と、前記第１部材と前記第２部材とを、前記第１面と前記第２面とを対向配置し、前記複数の第１電極および前記複数の第２電極とを覆わないようにパターニングされている第１の樹脂を介して接着する接着工程と、前記複数の第１電極のそれぞれと、前記複数の第２電極のそれぞれとを、それぞれが無電解めっき膜からなる接合部を介して電気的に接続するめっき工程と、を具備する。
　本発明の実施形態によれば、信頼性が高い電気モジュール、信頼性が高い内視鏡、および、信頼性が高い電気モジュールの製造方法を提供できる。
第１実施形態の電気モジュールの断面図である。 第１実施形態の電気モジュールの図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 第１実施形態の電気モジュールの分解図である。 第１実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するフローチャートである。 第１実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するための斜視図である。 第１実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の変形例１の電気モジュールの断面図である。 第１実施形態の変形例２の電気モジュールの断面図である。 第１実施形態の変形例３の電気モジュールの断面図である。 第２実施形態の電気モジュールの断面図である。 第２実施形態の電気モジュールの図１２ＡのＸＩＢ－ＸＩＢ線に沿った断面図である。 第２実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態の電気モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 第３実施形態の内視鏡を含む内視鏡システムの斜視図である。
＜第１実施形態＞
　図１から図３に示すように、本実施形態の電気モジュール１は、カバーガラス１５が接着された第１部材である撮像素子１０と、第２部材である半導体素子３０と、を具備する。
　なお、以下の説明において、各実施形態に基づく図面は、模式的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、それぞれの部分の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、一部の構成要素の図示、符号の付与を省略する場合がある。
　撮像素子１０は、受光面１０ＳＡと受光面１０ＳＡと対向する第１面１０ＳＢとを有する平行平板状の素子である。撮像素子１０の第１面１０ＳＢには複数の第１電極１２が、二次元に配置されている。
　撮像素子１０は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ、または、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）等である。受光部１１が出力する撮像信号は、貫通配線（不図示）を介して、第１電極１２に伝送される。撮像素子１０は、表面照射（ＦＳＩ：Front Side Illumination）型イメージセンサまたは裏面照射（ＢＳＩ：Back Side Illumination）型イメージセンサのいずれでもよい。
　カバーガラス１５は撮像素子１０の受光部１１を保護しているが、電気モジュール１の必須構成要素ではない。逆に撮像素子１０の受光面１０ＳＡに、カバーガラス１５だけでなく、複数のレンズ等の光学部材が配設されていてもよい。
　一方、半導体素子３０は、第２面３０ＳＡと第２面と対向する第３面３０ＳＢとを有する平行平板状の素子である。半導体素子３０の第２面３０ＳＡには複数の第２電極３１が二次元に配置されている。また、第３面３０ＳＢには複数の第３電極３２が二次元に配置されている。第２電極３１と第３電極３２とは貫通配線（不図示）を介して電気的に接続されている。
　半導体素子３０は、撮像素子１０が出力する撮像信号を１次処理したり、撮像素子１０を制御する制御信号を処理したりする回路が形成されている。例えば、半導体素子３０は、ＡＤ変換回路、メモリ、伝送出力回路、フィルター回路、薄膜コンデンサ、および、薄膜インダクタ等を含んでいる。
　撮像素子１０の第１面１０ＳＢと半導体素子３０の第２面３０ＳＡとは対向配置され、第１の樹脂２１を介して接着されている。そして、複数の第１電極１２のそれぞれと、複数の第２電極３１のそれぞれとは、無電解めっき膜からなる接合部４０を介して電気的に接続されている。第１の樹脂２１は、接合部４０を覆わないようにパターニングされているため、接合部４０の周囲に配置されている。
　接合部４０の無電解めっき膜は、銅、金、またはニッケル等を主成分とする導電性金属からなる。そして、第１電極１２および第２電極３１は、少なくとも表面が無電解めっき反応の触媒となる金属で覆われている。無電解めっき膜は第１電極１２および第２電極３１の表面だけに選択的に析出し、第１電極１２と第２電極３１とを接続している。
　第１の樹脂２１には両方の端面が開口の複数の貫通孔Ｈ２１がある。すなわち、貫通孔Ｈ２１は、下面が第１面１０ＳＢで上面が第２面３０ＳＡで側面が第１の樹脂２１である。接合部４０が配置された貫通孔Ｈ２１の内部には、第２の樹脂２２が充填されている。
　撮像素子１０と半導体素子３０とは、１００℃未満の低温プロセスで形成される無電解めっき膜からなる接合部４０により電気的に接続されている。このため、電気モジュール１は接合時に熱により損傷するおそれがないため、信頼性が高い。また、無電解めっき膜は第１電極１２および第２電極３１の表面だけに選択的に析出するため、隣接する電極間が短絡するおそれがない。
　さらに、第１面１０ＳＢと第２面３０ＳＡとが完全に平行でない場合であっても、複数の第１電極１２と複数の第２電極３１との間は、それぞれの接合部４０により接続されている。また、対向配置された第１電極１２と第２電極３１とに、多少の位置ずれがあったとしても、接合部４０により接続されている。
　なお、電気モジュール１では、第１部材が撮像素子１０で、第２部材が半導体素子３０の撮像モジュールであった。しかし、第１部材は撮像素子に限られるものはない。第２部材も半導体素子に限られるものではなく、例えば、シリコンからなるインタポーザーでもよい。
＜電気モジュールの製造方法＞
　次に、図４のフローチャートに沿って電気モジュール１の製造方法について説明する。
＜ステップＳ１０＞ウエハ作製工程
　複数の撮像素子１０を含む撮像ウエハ１０Ｗ（図５参照）と複数の半導体素子３０を含む素子ウエハ３０Ｗ（図６参照）とが作製される。
　例えば、シリコンウエハ等に公知の半導体製造技術を用いて、複数の受光部１１等が配設された撮像ウエハ１０Ｗが作製される。撮像ウエハ１０Ｗには、受光部１１の出力信号を１次処理したり、駆動制御信号を処理したりする周辺回路が形成されていてもよい。
　撮像ウエハ１０Ｗの受光部１１を保護するために、平板ガラスからなるカバーガラスウエハ１５Ｗ（図６参照）が接着される。そして、撮像ウエハ１０Ｗの第１面１０ＳＢ側から研削加工／研磨加工が行われてから、受光部１１と接続されている複数の貫通配線（不図示）および複数の第１電極１２が配設される。なお、貫通配線と第１電極１２とが第１面１０ＳＢの表面配線を介して接続されている場合には、複数の貫通配線の配置と複数の第１電極１２の配置とは異なっていてもよい。
　素子ウエハ３０Ｗも、シリコンウエハ等に公知の半導体製造技術を用いて、複数の半導体回路等が配設され、第２面３０ＳＡに複数の第２電極３１が配設される。第２面３０ＳＡと対向する第３面３０ＳＢには、複数の第３電極３２が配設される。
　複数の第１電極１２と複数の第２電極３１は、第１面１０ＳＢと第２面３０ＳＡとが対向配置されたときに、対向するように配置されている。なお、第１電極１２および第２電極３１は、矩形であるが、円形であってもよい。
　また、第１電極１２および第２電極３１は、少なくとも表面が、無電解めっき反応の触媒となる金属で覆われていることが好ましい。例えば、第１電極１２および第２電極３１は、銅、金、パラジウム、ニッケル等の無電解めっきされる金属と同じ金属、または、無電解めっきされる金属よりも電気化学的に貴な金属、すなわち、標準酸化還元電位が高い金属からなる。
　なお、無電解めっき液に浸漬したときに、置換反応により、めっき液中の金属イオンが金属膜となり、置換金属膜が触媒となってもよい。置換金属膜が触媒となる場合には、第１電極１２および第２電極３１は、無電解めっきされる金属よりも電気化学的に卑な金属でよい。
＜ステップＳ１１＞第１の樹脂配設工程
　図５に示すように、撮像ウエハ１０Ｗの第１面１０ＳＢに第１の樹脂２１が、複数の第１電極１２を覆わないように配設される。例えば、感光性接着剤である第１の樹脂２１が第１面１０ＳＢの全面に配設され、フォトリソプロセスによりパターニングされ溝Ｔ２１が形成される。すなわち、第１の樹脂２１は、接合部４０の周囲に配置されるように溝Ｔ２１がパターニングにより形成される。
　複数の第１電極１２は二次元配置されており、第１の樹脂２１は複数の第１電極１２が露出するように複数の溝Ｔ２１により分割される。溝Ｔ２１は、底面が複数の第１電極１２が配置されている第１面１０ＳＢであり、両側面が第１の樹脂２１からなり、撮像ウエハ１０Ｗの外周面まで挿通している。第１の樹脂２１は印刷法またはインクジェット法によりパターニングされていてもよい。
　なお、図５に示す撮像ウエハ１０Ｗでは直線的に列設されている複数の第１電極１２が１本の溝Ｔ２１の底面に露出している。しかし、１本の溝Ｔ２１の底面に露出している複数の第１電極１２は直線的に列設されていなくともよい。
　また、第１の樹脂２１が、素子ウエハ３０Ｗの第２面３０ＳＡに配設されていてもよいし、撮像ウエハ１０Ｗおよび素子ウエハ３０Ｗにそれぞれ配設されていてもよい。なお、複数の第１電極１２は、間隔Ｌで列設されている（図５参照）。
＜ステップＳ１２＞ウエハ接着工程
　撮像ウエハ１０Ｗの第１面１０ＳＢと、素子ウエハ３０Ｗの第２面３０ＳＡとが、例えば、熱圧着法により、第１の樹脂２１を介して接着され接合ウエハ１Ｗが作製される。
　第１の樹脂２１の溝Ｔ２１は素子ウエハ３０Ｗの接着により、接合ウエハ１Ｗの貫通孔Ｈ２１となる。すなわち、溝Ｔ２１は第２面３０ＳＡにより上面が覆われて貫通孔Ｈ２１となる。
　なお、撮像ウエハ１０Ｗの第１面１０ＳＢと素子ウエハ３０Ｗの第２面３０ＳＡとの間隔、すなわち、対向配置されている第１電極１２と第２電極３１との間隔Ｄは、複数の第１電極１２の間隔Ｌ（図５参照）より小さく、好ましくは間隔Ｌの１／２未満の、例えば、１０μｍ以下に設定されている。なお、第１電極１２と第２電極３１との間隔Ｄはゼロ、すなわち接触していてもよい。
＜ステップＳ１３＞めっき工程
　図７および図８Ａに示すように、対向配置されている第１電極１２と第２電極３１とが内部に配置されている接合ウエハ１Ｗの貫通孔Ｈ２１に、無電解めっき液４０Ｌが流し込まれる。
　無電解めっき液４０Ｌは、含まれている金属よりも電気化学的に貴な金属を触媒として還元剤の還元反応により析出反応が開始され、さらに、析出した金属を触媒とする自己触媒反応により析出が継続する。このため、図８Ｂに示すように、めっき膜は第１電極１２の表面および第２電極３１の表面だけに選択的に析出し等方的に成長する。
　無電解めっき液４０Ｌとして、ホルマリンを還元剤とする無電解銅めっき液、ＤＭＡＢ等を還元剤とする無電解金めっき液、次亜リン酸またはＤＭＡＢ等を還元剤とする無電解ニッケルめっき液等が用いられる。なお、無電解ニッケルめっき液としては、電気抵抗が低いめっき膜が成膜される、リン含有量が少ない低リンタイプのＮｉＰ系めっき液、または、ＤＭＡＢ等を還元剤とするＮｉＢ系めっき液を用いることが好ましい。すなわち、接合部４０は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、ＮｉＢ合金、またはＮｉＰ合金等からなる。
　そして、図８Ｃに示すように、接合部４０のめっき膜の厚さが、０．５Ｄ以上になると、第１電極１２と第２電極３１とは接合される。例えば、第１電極１２と第２電極３１との間隔Ｄが１０μｍの場合、めっき膜の厚さが５μｍ以上になると、第１電極１２と第２電極３１とは、接合される。
　なお、第１電極１２および第２電極３１は、平面電極であるが、曲面状の凸電極であることが、接合部４０にボイドが形成されにくいため、より好ましい。
　無電解めっき液４０Ｌは、貫通孔Ｈ２１の一方の開口、すなわち、接合ウエハ１Ｗの外周面の一方方向（図７では上）から、貫通孔Ｈ２１に流入し、他方の開口（図７では下）から流出するように、例えば、ポンプにより流れが制御されている。このため、貫通孔Ｈ２１の内部は常に新しい無電解めっき液４０Ｌにより充填されている。
　また、無電解めっき液４０Ｌの流れの向きは、めっき中に何回か反転することが好ましい。無電解めっき液４０Ｌに浸漬された接合ウエハ１Ｗの揺動により無電解めっき液４０Ｌの流れが形成されていてもよい。すなわち、めっき工程において、貫通孔Ｈ２１の両端の開口から交互に無電解めっき液４０Ｌが流し込まれることが、複数の接合部４０の厚さが均一となるために、好ましい。
　無電解めっき液４０Ｌは、第１電極１２および第２電極３１の金属に応じて選定される。逆に言えば、無電解めっき液４０Ｌにより成膜される接合部４０の金属に応じて第１電極１２および第２電極３１の金属は選択される。例えば、接合部４０が金の場合には、第１電極１２および第２電極３１は金で覆われる。なお、電極が銅等の金よりも卑な金属であっても表面が金で覆われていれば、よい。接合部４０が銅の場合には、第１電極１２および第２電極３１は、銅または銅よりも電気化学的に貴な金属である金等が選択される。接合部４０がニッケルの場合には、第１電極１２および第２電極３１は、ニッケルまたはニッケルよりも電気化学的に貴な金属である金等で覆われる。
　無電解めっき液４０Ｌは金属イオンと還元剤とを含む水溶液であり、温度は半田溶融温度よりも低温の室温から９０℃程度であるため、めっき処理により撮像素子１０および半導体素子３０が損傷することはない。
　なお、接合ウエハ１Ｗはめっき処理の前に前処理が行われることが好ましい。例えば、第１電極１２および第２電極３１が銅の場合には、酸性の前処理液により表面の酸化膜が除去される。第１電極１２および第２電極３１がアルミニウムの場合には、ジンケート処理により、表面に亜鉛が配設される。ジンケート処理されたアルミニウムには、置換めっきされたニッケル膜を触媒として、無電解ニッケル膜が析出する。
＜ステップＳ１４＞第２の樹脂充填工程
　めっき工程（Ｓ１３）の後に、貫通孔Ｈ２１に液体状の未硬化の第２の樹脂２２が注入され硬化処理が行われる。
　なお、第２の樹脂２２が充填されていなくともよい。また切断工程（Ｓ１５）後に第２の樹脂２２が注入されてもよい。
＜ステップＳ１５＞切断工程（個片化工程）
　接合ウエハ１Ｗの切断処理により、電気モジュール１が作製される。
　電気モジュール１の製造方法は、接合部４０が１００℃未満の低温プロセスである無電解めっき法により配設される。このため、電気モジュール１の製造方法では接合時に熱により損傷するおそれがないため、電気モジュール１は信頼性が高い。また、無電解めっき膜は第１電極１２および第２電極３１の表面だけに選択的に析出するため、隣接する電極間が短絡するおそれがない。さらに、第１面１０ＳＢと第２面３０ＳＡとが完全に平行でない場合であっても、複数の第１電極１２と複数の第２電極３１との間は、それぞれの接合部４０により接続できる。
＜第１実施形態の変形例＞
　第１実施形態の変形例の電気モジュールは、電気モジュール１と類似し同じ効果を有するため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
＜第１実施形態の変形例１＞
　図９に示すように、本変形例の接合ウエハ１ＡＷ（電気モジュール１Ａ）は、撮像ウエハ１０ＡＷ（撮像素子１０Ａ）の第１面１０ＳＢに貫通孔Ｈ２１と挿通している溝Ｔ１０があり、素子ウエハ３０Ｗ（半導体素子３０Ａ）の第２面３０ＳＡに貫通孔Ｈ２１と挿通している溝Ｔ３０がある。
　撮像ウエハ１０Ｗの第１面１０ＳＢと素子ウエハ３０Ｗの第２面３０ＳＡとの間隔Ｄが狭い場合には、無電解めっき液４０Ｌの流路が狭いため、無電解めっき液４０Ｌを流すことが容易ではなくなる。しかし、電気モジュール１Ａは溝が無電解めっき液４０Ｌの主流路となり、貫通孔Ｈ２１の内部にも常に新しい無電解めっき液４０Ｌが供給される。このため、安定して無電解めっき膜が成膜できる。
　なお、貫通孔Ｈ２１と挿通している溝は、撮像ウエハ１０Ｗの第１面１０ＳＢまたは素子ウエハ３０Ｗの第２面３０ＳＡの少なくともいずれかにあれば、電気モジュール１Ａと同じ効果を有することは言うまでも無い。
＜第１実施形態の変形例２＞
　図１０に示すように、本変形例の電気モジュール１Ｂは、第１面１０ＳＢと第２面３０ＳＡとの間隔、すなわち、第１電極１２と第２電極３１との間隔Ｄ、を規定している間隔規定部材２９を有する。
　間隔規定部材２９は、撮像ウエハ１０Ｗと素子ウエハ３０Ｗとを第１の樹脂２１を介して接着し接合ウエハ１Ｗを作製するウエハ接着工程（Ｓ１２）において、間隔Ｄを規定できる硬質材料から構成されている。
　例えば、間隔規定部材２９は、球形、または棒状であり、撮像ウエハ１０Ｗまたは素子ウエハ３０Ｗの凸部であってもよい。さらに、間隔規定部材２９は、撮像ウエハ１０Ｗと素子ウエハ３０Ｗとの間に、球形の場合には少なくとも３個、棒状の場合には少なくとも２本だけ配設されていればよい、すなわち、接合ウエハ１Ｗから切断により作製された電気モジュール１Ｂの全てに間隔規定部材２９が配設されている必要は無い。また、接合ウエハ１Ｗの電気モジュール１Ｂとはならない外周部に間隔規定部材２９が配設されていてもよい。
　電気モジュール１Ｂは、間隔規定部材２９により間隔Ｄが正確に、かつ、簡単に規定されている。このため、電気モジュール１よりも製造が容易で歩留まりが高い。
＜第１実施形態の変形例３＞
　図１１に示すように、本変形例の電気モジュール１Ｃは、第３部材である第２の半導体素子５０を更に具備する。第２の半導体素子５０は、第４面５０ＳＡと第４面５０ＳＡと対向する上面５０ＳＢとを有する平行平板状の素子である。
　半導体素子５０の第４面５０ＳＡには、複数の第４の電極５１が二次元に配設されている。そして、複数の第３電極３２のそれぞれと、複数の第４の電極５１のそれぞれとが、無電解めっき膜からなる、それぞれの接合部４０Ａを介して電気的に接続されている。
　第２の半導体素子５０はウエハ接合工程（Ｓ１２）において接合され、接合部４０Ａは、撮像素子１０と第１の半導体素子３０とを接合している接合部４０と、同時に同じめっき接合工程（Ｓ１３）において配設される。
　なお、複数の第３電極３２および複数の第４の電極５１の配列は同じであるが、複数の第１電極１２および複数の第２電極３１の配列とは異なっていてもよい。また、複数の第３電極３２および複数の第４の電極５１の数と、複数の第１電極１２および複数の第２電極３１の数とは異なっていてもよい。ただし、第３電極３２と第４の電極５１との間隔は、第１電極１２と第２電極３１との間隔Ｄと同じであることが好ましい。
　電気モジュール１Ｃは、第３部材である第２の半導体素子５０を具備するため、電気モジュール１よりも高性能で小型化が容易である。また、電気モジュール１Ｃの製造方法は、同時に複数のウエハの接合部を配設できるため製造が容易である。なお、電気モジュール１Ｃが、電気モジュール１Ｂと同じように間隔規定部材２９を有していてもよい。
　また、電気モジュール１Ｃが、第３部材である第２の半導体素子５０の上にさらに、無電解めっき膜からなる接合部により電気的に接続されている第３の半導体素子を有していてもよい。すなわち、撮像素子１０の第１面１０ＳＢに複数の半導体素子を含む素子積層体が接合されていてもよい。
　また、撮像モジュール１Ｂ、１Ｃにおいても、撮像モジュール１Ａのように、流路となる溝Ｔ１０等を有していれば、撮像モジュール１Ａと同じ効果を有する。
＜第２実施形態＞
　第２実施形態の電気モジュール１Ｄは、電気モジュール１等と類似しているため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
　図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、電気モジュール１Ｄでは、第２部材は複数のケーブル６０を有する複合ケーブル６０Ｓである。導電体からなる複数のケーブル６０の先端部である第２電極６１は、第２面６０ＳＡに二次元に配置されている。銅からなるケーブル６０の先端部が金により覆われていてもよい。
　一方、第１部材はカバーガラス１５、撮像素子１０、第１の半導体素子７１、および第２の半導体素子７２が積層されたウエハレベルチップサイズパッケージ型の積層素子７０である。第１の半導体素子７１および第２の半導体素子７２は、半導体素子３０、５０と同じように、撮像素子１０が出力する撮像信号を１次処理したり、撮像素子１０を制御する制御信号を処理したりする。
　積層素子７０の最後部の第２の半導体素子７２の後面である第１面７２ＳＢには、複数の第１電極７３が二次元に配置されている。
　第１面７２ＳＢと第２面６０ＳＡとは、第１の樹脂２１を介して接着されている。そして、複数の第１電極７３のそれぞれと、複数の第２電極６１のそれぞれとは、無電解めっき膜からなる、それぞれの接合部４０を介して電気的に接続されている。接合部４０は第２の樹脂２２により封止されている。
　図１３Ａに示すように、複合ケーブル６０Ｓと積層素子７０とは、第１の樹脂２１を介して接着される。積層素子７０は、第２面６０ＳＡ以外は保護部材７９で覆われる。なお、電気モジュール１Ｄでは、複合ケーブル６０Ｓと積層素子７０とが接着されたときに、第１電極１２と第２電極３１との間隔Ｄはゼロである。しかし、第１電極７３と第２電極６１とは接触しているだけであり、電気的に安定して接続されていない。もちろん、第１電極１２と第２電極３１とが所定の間隔Ｄを介して対向していてもよい。
　そして、第１の樹脂２１の周囲の第１面７２ＳＢと第２面６０ＳＡとの間に無電解めっき液４０Ｌが流し込まれる。すると、図１３Ｂに示すように、第１電極７３と第２電極６１とは、無電解めっき膜からなる接合部４０を介して接合され、電気的に安定に接続される。最後に、接合部４０が第２の樹脂２２により封止される。
　なお、電気モジュール１Ｄでも、パターニングされた第１の樹脂２１により、無電解めっき液の流路となる貫通孔が形成されていてもよい。
　以上の説明のように、電気モジュール１Ｄは、第２部材が、先端が第２電極６１である複数のケーブル６０を有する複合ケーブル６０Ｓであるが、電気モジュール１と同じ効果を有する。
＜第３実施形態＞
　図１４に示すように、本実施形態の内視鏡９を含む内視鏡システム８は、内視鏡９と、プロセッサ８０と、光源装置８１と、モニタ８２と、を具備する。内視鏡９は挿入部９０と操作部９１とユニバーサルコード９２とを有する。内視鏡９は、挿入部９０が被検体の体腔内に挿入されて、被検体の体内画像を撮影し画像信号を出力する。
　挿入部９０は、電気モジュール１、１Ａから１Ｄ（以下、電気モジュール１等という）が配設されている先端部９０Ａと、先端部９０Ａの基端側に連設された湾曲自在な湾曲部９０Ｂと、湾曲部９０Ｂの基端側に連設された軟性部９０Ｃとによって構成される。湾曲部９０Ｂは、操作部９１の操作によって湾曲する。なお、内視鏡９は硬性鏡であってもよいし、カプセル型内視鏡でもよい。
　内視鏡９の挿入部９０の基端側には、内視鏡９を操作する各種ボタン類が設けられた操作部９１が配設されている。
　光源装置８１は、例えば、白色ＬＥＤを有する。光源装置８１が出射する照明光は、ユニバーサルコード９２および挿入部９０を挿通するライトガイド（不図示）を介して先端部９０Ａに導光され、被写体を照明する。
　内視鏡９は、挿入部９０と操作部９１とユニバーサルコード９２とを有し、挿入部９０の先端部９０Ａに配設された電気モジュール１等が出力する撮像信号を、挿入部９０を挿通する複合ケーブル６０Ｓを伝送する。
　電気モジュール１等は超小型で信頼性が高いため、内視鏡９は、挿入部９０の先端部９０Ａが細径であり、かつ、信頼性が高い。また、内視鏡９は、製造が容易である。
　本発明は、上述した実施形態および変形例等に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、組み合わせおよび応用が可能である。
１、１Ａ～１Ｄ・・・電気モジュール
１Ｗ・・・接合ウエハ
９・・・内視鏡
１０・・・撮像素子
１０Ｗ・・・撮像ウエハ
１１・・・受光部
１２・・・第１電極
１５・・・カバーガラス
２１・・・第１の樹脂
２２・・・第２の樹脂
２９・・・間隔規定部材
３０・・・第１の半導体素子
３１・・・第２電極
４０・・・接合部
４０Ｌ・・・めっき液
５０・・・第２の半導体素子
６０・・・ケーブル
６０Ｓ・・・複合ケーブル
７０・・・積層素子
７３・・・第２電極
７９・・・保護部材

Claims (14)

  1. 　複数の第１電極が第１面に配設されている第１部材と、
    　複数の第２電極が第２面に配設されており、前記第２面が前記第１面と対向配置されている第２部材と、
    　前記第１面と前記第２面とを接着している第１の樹脂と、
    　前記第１電極と、前記第２電極とを電気的に接続している接合部と、を具備し
    　前記接合部は無電解めっき膜からなり、かつ前記第１の樹脂が前記接合部の周囲に配置されていることを特徴とする電気モジュール。
  2. 　前記第１面と前記第２面との間隔を規定している間隔規定部材を有することを特徴とする請求項１に記載の電気モジュール。
  3. 　前記第１部材および前記第２部材が、いずれも平行平板状の素子であり、
    　前記第１の樹脂に、前記接合部が内部に配置されている、両端面が開口の貫通孔があることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気モジュール。
  4. 　前記第１面または前記第２面の少なくともいずれかに、前記貫通孔と挿通している溝があることを特徴とする請求講３に記載の電気モジュール。
  5. 　前記貫通孔に充填されている第２の樹脂を更に具備することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の電気モジュール。
  6. 　前記第２部材が前記第２面と対向している第３面を有し、前記第３面に複数の第３電極が配設されており、
    　複数の第４の電極が第４面に配設されている、平行平板状の素子である第３部材と、前記第３面と前記第４面とを接着している前記第１の樹脂と、を具備し、
    　前記複数の第３電極のそれぞれと、前記複数の第４の電極のそれぞれとが、前記無電解めっき膜からなる、それぞれの接合部を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の電気モジュール。
  7. 　前記第２部材が、先端が前記第２電極である複数のケーブルを有する複合ケーブルであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気モジュール。
  8. 　前記第１部材が、前記第１面と対向する受光面に受光部がある撮像素子であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電気モジュール。
  9. 　請求項８に記載の電気モジュールを有することを特徴とする内視鏡。
  10. 　複数の第１電極が第１面に配設されている第１部材と、複数の第２電極が第２面に配設されている第２部材と、を作製する作製工程と、
    　前記第１部材と前記第２部材とを、前記第１面と前記第２面とを対向配置し、前記複数の第１電極および前記複数の第２電極とを覆わないようにパターニングされている第１の樹脂を介して接着する接着工程と、
    　前記複数の第１電極のそれぞれと、前記複数の第２電極のそれぞれとを、それぞれが無電解めっき膜からなる接合部を介して電気的に接続するめっき工程と、を具備することを特徴とする電気モジュールの製造方法。
  11. 　前記接着工程において、複数の第１部材を含む第１のウエハと、複数の第２部材を含む第２のウエハとが、溝のある前記第１の樹脂により接着され、前記溝が内部に前記第１電極および前記第２電極が配置されている貫通孔となり、
    　前記めっき工程において、前記貫通孔に無電解めっき液が流し込まれ、
    　前記めっき工程の後に、複数の電気モジュールに個片化する個片化工程を、更に具備することを特徴とする請求項１０に記載の電気モジュールの製造方法。
  12. 　前記めっき工程において、前記貫通孔の両端の開口から交互に前記無電解めっき液が流し込まれることを特徴とする請求項１１に記載の電気モジュールの製造方法。
  13. 　前記めっき工程の後に、前記貫通孔に第２の樹脂を充填する充填工程を、更に具備することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の電気モジュールの製造方法。
  14. 　前記第１部材が、前記第１面と対向する受光面に受光部がある撮像素子であることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の電気モジュールの製造方法。
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