WO2018182379A1 - 안테나 어셈블리 및 안테나 어셈블리를 포함하는 장치 - Google Patents

안테나 어셈블리 및 안테나 어셈블리를 포함하는 장치 Download PDF

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WO2018182379A1
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processing region
region
processing
heat sink
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김덕용
정배묵
유창우
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주식회사 케이엠더블유
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    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields

Definitions

  • the present invention relates to an antenna device and an antenna assembly, and more particularly, to an antenna device for wireless communication and an antenna assembly used therein.
  • Wireless communication technology for example, multiple input multiple output (MIMO) technology is a technology that dramatically increases the data transmission capacity by using a plurality of antennas, the transmitter transmits different data through each transmit antenna, the receiver It is a spatial multiplexing technique that separates the transmitted data through proper signal processing.
  • MIMO multiple input multiple output
  • the channel capacity increases to allow more data to be transmitted. For example, if you increase the number of antennas to 10, you get about 10 times the channel capacity using the same frequency band compared to the current single antenna system.
  • 4G LTE-advanced uses up to 8 antennas.
  • products with 64 or 128 antennas are being developed in the pre-5G phase, and base station equipment with a much larger number of antennas is expected to be used in 5G.
  • This is called Massive MIMO technology.
  • the current cell operation is 2-Dimension, 3D-Beamforming is possible when Massive MIMO technology is introduced, so it is also called FD-MIMO (Full Dimension).
  • Massive MIMO In Massive MIMO technology, as the number of antennas increases, so does the number of transmitters and filters. Nevertheless, due to installation cost or space constraints, making RF components (Antenna / Filter / Power Amplifier / Transceiver etc.) small, light and inexpensive will determine the success or failure of antenna devices employing Massive MIMO technology. .
  • Massive MIMO requires high power to extend coverage, and the power consumption and heat generated by this high power are a negative factor in reducing weight and size.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide an antenna device having a configuration that can efficiently radiate heat.
  • Another problem to be solved by the present invention is to provide an MIMO antenna assembly of a compact and lightweight laminated structure and an antenna device including the same.
  • a plurality of antenna elements, a plurality of antenna elements are provided on the first PCB is installed on one surface, the other surface of the first PCB, a plurality of cavity filters electrically connected to the plurality of antenna elements, and a plurality of cavity filters on one surface
  • a second PCB comprising at least a power amplifier, a digital processing circuit, a calibration network, the second PCB comprising at least one first processing region and at least one second processing region extending in parallel with each other;
  • the processing circuit may be disposed only in a second processing region of the first processing region and the second processing region, and the power amplifier may be disposed only in a first processing region of the first processing region and the second processing region, and an antenna apparatus including the same. to provide.
  • FIG. 1 is a front perspective view of an antenna device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a laminated structure of a massive MIMO antenna system according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an exploded view of a massive MIMO antenna according to an embodiment of the present invention taking the stacked structure of FIG.
  • FIG. 4 is an exploded view of a subassembly in which filters are coupled to a first PCB to which an antenna element is coupled according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a perspective view illustrating a device arrangement structure on a second PCB according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a perspective view illustrating a device arrangement structure on a second PCB according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective view illustrating a device arrangement structure on a second PCB according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a partially exploded perspective view illustrating a second PCB, a separate body housing, and a heat sink according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front perspective view of an antenna device according to an embodiment of the present invention.
  • An antenna device may include an antenna assembly 10, an antenna body 20, and a power supply module 30.
  • An antenna device is a kind of energy conversion and consumption device for converting electrical energy into wireless transmission and reception radio waves, and generates a considerable amount of heat in accordance with energy conversion and consumption. If the wireless transmit / receive module inside the body housing overheats, the device life will be significantly reduced.
  • the sensitivity of the wireless transmission / reception module may vary. In particular, the temperature deviation according to the position of the wireless transmission / reception module may generate a sensitivity deviation for each wireless transmission / reception module. The sensitivity difference or positional sensitivity deviation according to the temperature of the wireless transmission / reception module may not only impair the transmission / reception accuracy of the antenna device, and thus may reduce the transmission / reception speed.
  • the present invention proposes a massive MIMO antenna having an advantage in the size and weight of the antenna device in the stacked structure of the massive MIMO antenna, and capable of efficient heat generation.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a laminated structure of a massive MIMO antenna according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an exploded view of a massive MIMO antenna according to an embodiment of the present invention taking the stacked structure of FIG. 4 is an exploded view of a subassembly in which filters 130 are coupled to a first PCB 120 to which an antenna element 110 is coupled according to an embodiment of the present invention.
  • the filter 130 used in the present invention may be a cavity filter 130 as an example.
  • the antenna body 20 is illustrated as a configuration of a massive MIMO antenna.
  • the antenna body 20, which is a massive MIMO antenna has a radome 210, a heat sink 220 having a heat dissipation means 220, an example of a heat dissipation fin 221, and a space between them.
  • the antenna assembly 10 may be configured in a form in which modules in which digital elements are implemented are combined in a stacked structure.
  • the stacked structure according to the embodiment of the present invention illustrated in FIG. 2 is electrically connected to signal lines of the first PCB 120, the first PCB 120, and the second PCB 140 to which a plurality of antenna elements are coupled. It may be configured to include a filter 130 to be connected, a digital processing circuit, an analog processing circuit forming a power amplifier, a second PCB 140 including a calibration network.
  • a calibration network is formed on one board together with the power amplifier and the digital processing circuit, the power amplifier, the calibration network, the digital processing circuit, and the filter 130 are interposed. No RF cable connection is required.
  • the laminated structure of FIG. 2 is composed of fewer layers than in the prior art.
  • This structure does not need to be connected by the RF connector between the filter 130 and the PCB, has the advantage of reducing the size of the antenna assembly efficiently.
  • the calibration network is usually composed of a plurality of switches, and RF couplers coupled to one end of each filter 130. Connected with Therefore, since the power supply network and the filter 130 can only be connected through the RF connector, there is a problem in that weight and size increase.
  • the analog board and the digital board on which the power amplifier is formed are configured in separate layers, and each layer is connected to each other through an RF connector, which makes it difficult to reduce weight and size.
  • the stacking structure of the MIMO system according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 2 has an advantage in terms of size and weight, and also has a more advantageous advantage in terms of heat generation by reducing the density of devices integrated on one PCB. There is this.
  • This can be further maximized by replacing the interface connector of the digital signal processing unit with a PCB pattern and replacing the RF interface connector with a surface contact method on the PCB pattern. That is, the above advantages can be maximized from the configuration in which the digital processing circuit and the calibration network are formed in the PCB pattern on the second PCB 140 and the second PCB 140 and the filter 130 are connected in a surface contact manner. .
  • the advantage of the stacked structure of the Massive MIMO antenna system according to an embodiment of the present invention shown in Figure 2 on the at least one PCB, for example, on the second PCB 140, the transceiver circuit, power amplifier, Both calibration networks and digital processing circuits can be more prominent from the particular layout structure that distinguishes and efficiently locates areas.
  • This particular layout structure takes into account the heat generated by the integration of many devices on a single PCB, resulting in higher integration density, and the heat dissipation techniques that eliminate that heat.
  • the PCB may be a second PCB 140, the above object can be achieved by one or more first processing region and the second processing region arranged in parallel with each other on the second PCB (140).
  • FIG. 5 is a plan view illustrating a device arrangement structure on one PCB according to an embodiment of the present invention.
  • a PCB may include a port region 143, a first processing region 141, and a second processing region 142.
  • the port region 143 may be disposed at at least one end of the PCB.
  • the port installed in the port area 143 may be an optical port.
  • the present invention is not limited thereto, and the port may be a digital signal terminal or an analog signal terminal for transmitting and receiving a digital signal or an analog signal with an external device.
  • the port region 143 may extend along at least one edge on the substrate. In an example, the port region 143 may extend along some edges of the first processing region 141 or the second processing region 142.
  • a direction parallel to at least one edge of the substrate on which the port region 143 is formed or a direction in which the port region 143 extends is collectively referred to as a "lateral direction”.
  • the port region 143 may extend laterally at at least one edge of the PCB substrate.
  • region extends in what direction
  • region is a rectangular shape which has long length compared with the width
  • the first processing region 141 is used to mean a region in which a digital processing circuit is not disposed as at least a circuit region in which a power amplifier is installed.
  • the second processing region 142 is at least an area in which a digital processing circuit is disposed and is used to mean an area in which a power amplifier is not disposed.
  • the scope of the present invention is equivalent. Should be considered to be included.
  • the first processing region 141 is not only a power amplifier but also a circuit region in which an analog processing circuit (transceiver circuit) and a calibration network are provided for providing a plurality of transmit / receive (TX / RX) circuits. Can be.
  • the cavity filter may be electrically connected to the PCB through the first processing region 141.
  • the cavity filter may be electrically connected to the first processing region 141 to the PCB through a pin contact terminal formed in the first processing region 141.
  • the first processing region 141 may extend transversely. That is, the first processing region 141 may extend in a direction parallel to at least one edge of the PCB substrate on which the port region 143 is formed.
  • the second processing region 142 may be a circuit region in which digital processing circuits are installed.
  • the digital processing circuit may include a circuit configuration of an IC chip and its accessories for digital signal processing.
  • the first processing region 141 and the second processing region 142 may exhibit a difference in heat generation amount.
  • an area in which a transceiver circuit, a calibration network, and a power amplifier are arranged in a group on one PCB may be defined as the first processing area 141, and digital processing on one PCB.
  • the region in which the circuits are arranged in groups may be defined as the second processing region 142.
  • the present invention is not limited to this.
  • the components included in each of the first processing region 141 and the second processing region 142 are not excluded.
  • the second processing region 142 may be electrically connected to the elements of the first processing region 141 through circuit wiring provided in the second PCB 140.
  • the second processing region 142 may extend transversely. That is, the second processing region 142 may extend in a direction parallel to at least one edge of the substrate of the second PCB on which the port region 143 is formed.
  • the first processing region 141 may be composed of three regions, and at least one region of the first processing region 141 may be disposed adjacent to the port region 143. have.
  • the second processing region 142 may be disposed between the first processing regions 141. That is, in one embodiment of the present invention, the first processing region 141 and the second processing region 142 may be alternately arranged.
  • the circuit of the first processing region 141 extending laterally and the circuit of the second processing region 142 are alternately arranged, the first processing region 141 Locally biased heat generated in the power amplifier of the circuit can be prevented.
  • the second processing region 142 circuit which may generate relatively little heat, may perform a kind of heat absorption and heat sink function for the first processing region 141 circuit, thereby improving cooling performance of the substrate. Can be increased.
  • 6 and 7 are plan views illustrating a device arrangement structure on one PCB according to another embodiment of the present invention.
  • the arrangement structure illustrated in FIG. 5 has a structural effect that can be arranged so that the amount of heat generated in the power amplifier is accumulated upward, but problems may occur according to system performance requirements. have.
  • the power amplifier arrangement is concentrated in the center, so that the heat generation is concentrated in the center, and the dispersion of the digital processing circuit causes signal distortion when a large number of digital high speed signals have a flow of signals processed through the power amplifier PCB layer. It has a potential factor.
  • a PCB according to another embodiment of the present invention may include a port region 143, a first processing region 141, and a second processing region 142.
  • the PCB may be, for example, the second PCB 140 of the stacked structure of the massive MIMO antenna system shown in FIG. 2.
  • PCB according to another embodiment of the present invention is different in the direction and structure of the first processing region 141 and the second processing region 142 compared to the PCB according to an embodiment of the present invention described with reference to FIG. .
  • FIG. 6 focusing on the difference between the region arrangement structure of the PCB according to an embodiment of the present invention described above with reference to FIG. 5 and the region arrangement structure of the PCB according to another embodiment of the present invention and repeated Description is omitted.
  • the port region 143 may extend along at least one edge on the substrate.
  • the first processing region 141 may extend in the longitudinal direction.
  • the longitudinal direction refers to a direction perpendicular to the transverse direction, that is, a direction perpendicular to at least one edge of the formed PCB substrate on which the port region 143 is formed.
  • the second processing region 142 may extend in the longitudinal direction.
  • the second processing region 142 may be disposed adjacent to two long sides, that is, an edge formed at one end of the PCB on which the port region 143 is formed.
  • first processing region 141 may be disposed between the two second processing regions 142.
  • At least one end of the second processing region 142 may be disposed adjacent to an edge formed at one end of the port region 143.
  • the second processing region 142 may be connected to an external signal transmission port of the port region 143, for example, an integrated circuit wiring to an optical port.
  • an electrical signal path leading to the port region 143, the second processing region 142, and the first processing region 141 may be established.
  • other layer wiring structures need not be used through separate bypass paths, eg vias, for such electrical signal paths or wiring arrangements, thereby reducing the number of layers in the PCB.
  • the digital processing circuit of the second processing region 142 is a port region 143, for example.
  • wiring to bypass the first processing region 141 is required to be connected to the optical port, which bypass wiring requires, for example, to be bypassed via vias to other layers of the multilayer PCB.
  • Such bypass wiring can increase the length and complexity of the transmission path, which can cause signal distortion in high-speed digital signal processing.
  • FIG. 6 another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 6, that is, the vertically arranged structure, may reduce the length and complexity of the transmission path to improve its electrical characteristics. Simplification of the wiring structure also has the advantage of increasing transmission accuracy and speed. In addition, according to this vertical arrangement structure, the wiring design difficulty, productivity and cost reduction of the PCB can be achieved.
  • the second processing region 142 when the digital processing circuit of the second processing region 142 has a high complexity, the second processing region 142 may be a higher heating source than the first processing region 141. . In this case, the second processing region 142 may have a relatively higher temperature than the first processing region 141.
  • the second processing region 142 may be disposed at the edge of the PCB, the edge region being in contact with the outside air or outside air compared to the central region where the first processing region 141 is disposed. A wider area may be contacted with the 230 and the heat sink 220. Thus, the heat dissipation of the second processing region 142 which can be heated to a relatively high temperature can be increased, and the overall temperature distribution of the PCB can be made uniform.
  • the device arrangement structure on the PCB according to another embodiment of the present invention is similar to the device arrangement structure on the PCB according to another embodiment of the present invention shown in Figure 6, except that the first processing region 141 and the second There may only be a difference in placement of the processing region 142. That is, in the device arrangement structure on the PCB according to another embodiment of the present invention, compared to the device arrangement structure on the PCB according to another embodiment of the present invention of Figure 6 the first processing region 141 and the second processing region 142 The difference is that the position of is reversed.
  • the difference between the area arrangement structure of the PCB according to the embodiment of the present invention described above and the area arrangement structure of the PCB according to another embodiment of the present invention will be described, and repeated descriptions are omitted.
  • the port region 143 may extend along at least one edge on the substrate.
  • first processing region 141 and the second processing region 142 may extend in the longitudinal direction.
  • the first processing region 141 may be disposed adjacent to two long sides, that is, two corners perpendicular to at least one edge of the PCB on which the port region 143 is formed.
  • the second processing region 142 may be disposed between the two first processing regions 141.
  • the second processing region 142 may be disposed adjacent to the port region 143.
  • the second processing region 142 may be connected to an external signal transmission port of the port region 143, for example, an integrated circuit wiring to an optical port.
  • the first processing region 141 may also be disposed adjacent to the port region 143.
  • the device arrangement structure according to another embodiment of the present invention is an exemplary arrangement structure assuming when the power amplifier is a relatively high heat generating source.
  • the first processing region 141 may be disposed at an edge of the PCB, and the edge region may be disposed in the housing and the heat sink 220 that are in contact with the outside air or the outside air compared to the center region where the second processing region 142 is disposed. It can be contacted with a larger area.
  • the heat dissipation of the first processing region 141 which can be heated to a relatively high temperature can be increased, and the temperature distribution of the entire PCB can be made uniform.
  • FIG. 8 is a partially bonded perspective view and a partially exploded perspective view of the second PCB and the separate body housing 230 and the heat sink 220 according to another embodiment of the present invention.
  • a separate heat sink including a separate high heat dissipation means 220 (for example, a heat dissipation fin 221) 220) may be disposed.
  • the PCB to be heat dissipated may be, for example, the second PCB 140.
  • the second processing region 142 which is disposed on the edge side of the PCB and is a relatively high heating source (or the first processing region 141 when the first processing region 141 is a high heating source according to design characteristics).
  • the heat sink 220 having a high thermal conductivity may be separately installed in the lower region of the PCB.
  • the heat sink 220 may be formed of a material such as copper or aluminum having a higher thermal conductivity than that of the body housing 230.
  • the heat sink 220 may be installed in the lower region of the second PCB 140.
  • the body housing 230 may be disposed in the lower region of the second PCB 140, and the heat sink 220 may be disposed to be detachably disposed below the body housing 230. That is, the heat sink 220 may be a separate heat sink 220.
  • the heat sink 220 may include a heat sink body 222 and a heat dissipation fin 221. The heat sink 220 may increase heat dissipation efficiency of the second PCB 140 by directly receiving heat generated from the second PCB 140 through the long groove 231.
  • the long groove 231 formed in the main body housing 230 may be formed along both edge surfaces of the housing as an example, but is not limited thereto and may be formed in various arrangements. Heat generated in the second PCB 140 may be directly transferred to the heat sink 220 through the long groove 231 formed in the body housing 230. For example, when a relatively high heat generating processing region of the first processing region 141 and the second processing region 142 is disposed at an edge side of the second PCB 140, the second PCB 140 may be formed.
  • the long groove 231 of the body housing 230 may be formed in the lower region of the edge side of the second PCB 140 in which the processing region which is a relatively high heat generating source is formed.
  • the separate heat sink 220 may be disposed in the lower region of the edge side of the second PCB 140 in which the processing region which is a relatively high heat generating source is formed among the second PCB 140.
  • a contact surface may be formed between the second PCB 140 and the heat sink 220, so that heat radiation may be more smoothly performed.
  • a protrusion 223 is formed on an upper surface of the heat sink 220, and the protrusion 223 is in contact with one surface of the second PCB 140 so that the heat radiation of the second PCB 140 may be more smoothly performed. can do.
  • the heat sink 220 of high heat dissipation which is installed separately, may be manufactured by a die casting or an extrusion process of a separate housing. By concentrating the heat dissipation performance on the region of relatively high temperature, the heat dissipation fin 221 of the region of relatively low heat source may be deleted or its size may be reduced. As a result, it is possible to reduce the total volume and weight of the antenna device according to the present disclosure.
  • the first processing region 141 is a heat generating source higher than the second processing region 142
  • the first processing region 141 is disposed on the edge side of the second PCB 140
  • the heat sink 220 The first processing region 141 may be disposed on a bottom surface of the edge side of the second PCB 140.
  • a relatively high heat generating processing region of the first processing region 141 and the second processing region 142 is disposed on the edge side of the second PCB 140, and the lower side of the edge side of the second PCB 140 is present.
  • the heat sink 220 may be disposed in the area.
  • the separate heat sink 220 may be disposed on the bottom surface of the second PCB 140 by extending in a direction perpendicular to the direction in which the first processing region 141 and the second processing region 142 extend.
  • the separate heatsink 220 is disposed across the area formed on the edge side of the second PCB 140 among the first processing area 141 and the second processing area 142, thereby providing the first processing area 141.
  • the heat sink 220 may be disposed on the entire lower surface of the second PCB 140 as long as the arrangement allows.
  • the heat sink 220 having a high heat dissipation characteristic may change its size and structure according to heat dissipation characteristics required according to product characteristics and output. For example, the length of the heat dissipation fin 221 may be changed. Therefore, without changing the appearance of the present product, heat dissipation characteristics can be provided to meet the required output.
  • the heat sink 220 may be integral or separate. If the heat sink 220 is a separate type, it is possible to replace with another heat sink 220 appropriate to the characteristics or output of the product.
  • the separate high heat dissipation heat sink 220 may include one or more contact recesses.
  • the contact recess may be in contact with the rear surface of the PCB, for example, in contact with the rear surface of the region where the high heat generating element of the second processing region 142 is located.
  • heat generated locally in a high heat generating element for example, an FPGA or a dynamic signal processing chip of the second processing region 142 may be directly radiated to the outside, thereby uniformly distributing the temperature distribution of the PCB. have.
  • the heat from the locally generated heating element can be directly radiated or extracted through the contact recess, the heat dissipation efficiency of the separate high heat dissipation fin 221 or the heat sink 220 can be increased, thereby, the whole system.
  • the size and weight of the heat dissipation fin 221 or the heat sink 220 can be reduced.
  • antenna assembly 20 antenna body

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Abstract

복수의 안테나 소자, 복수의 안테나 소자가 일면상에 설치된 제1 PCB, 제1 PCB의 타면에 설치되며, 복수의 안테나 소자에 전기적으로 연결되는 복수의 캐비티 필터 및, 일면 상에서 복수의 캐비티필터에 전기적으로 연결되며, 적어도 파워엠프, 디지털 프로세싱 회로, 캘리브레이션 네트워크를 포함하는 제2PCB를 포함하되, 제2PCB는 서로 나란한 방향으로 연장되는 하나 이상의 제1 프로세싱 영역과 하나 이상의 제2 프로세싱 영역을 포함하며, 디지털 프로세싱 회로는 제1 프로세싱 영역과 제2프로세싱 영역 중 제2 프로세싱 영역에만 배치되고, 파워엠프는 제1 프로세싱 영역과 제2 프로세싱 영역 중 제1 프로세싱 영역에만 배치되는 안테나 어셈블리 및 이를 포함하는 안테나 장치를 제공한다.

Description

안테나 어셈블리 및 안테나 어셈블리를 포함하는 장치
본 발명은 안테나 장치 및 안테나 어셈블리에 관한 것으로, 더욱 상세하게 무선 통신용 안테나 장치 및 이에 사용되는 안테나 어셈블리에 관한 것이다.
무선 통신 기술, 예를 들어, MIMO(Multiple Input Multiple Output) 기술은 다수의 안테나를 사용하여 데이터 전송용량을 획기적으로 늘리는 기술로서, 송신기에서는 각각의 송신 안테나를 통해 서로 다른 데이터를 전송하고, 수신기에서는 적절한 신호처리를 통해 송신 데이터들을 구분해 내는 공간적인 멀티플렉싱 기법이다.
따라서 송수신 안테나의 개수를 동시에 증가시킴에 따라 채널 용량이 증가하여 보다 많은 데이터를 전송할 수 있게 한다. 예를 들어 안테나 수를 10개로 증가시키면 현재의 단일 안테나 시스템에 비해 같은 주파수 대역을 사용하여 약 10배의 채널 용량을 확보하게 된다.
4G LTE-advanced에서는 8개의 안테나까지 사용하고 있으며, 현재 pre-5G 단계에서 64 또는 128개의 안테나를 장착한 제품이 개발되고 있고, 5G에서는 훨씬 더 많은 수의 안테나를 갖는 기지국 장비가 사용될 것으로 예상되며, 이를 Massive MIMO 기술이라고 한다. 현재의 Cell 운영이 2-Dimension인데 반해 Massive MIMO 기술이 도입되면 3D-Beamforming이 가능해지므로 FD-MIMO(Full Dimension)라고도 부른다.
Massive MIMO 기술에서는 안테나의 숫자가 늘어나면서 이에 따른 트랜스미터와 필터의 숫자도 함께 증가한다. 그럼에도 설치장소의 리스비용이나 공간적인 제약으로 인해, RF 부품(Antenna/Filter/Power Amplifier/Transceiver etc.)을 작고 가벼우며, 값싸게 만드는 것이 Massive MIMO 기술을 채용한 안테나 장치의 성패를 좌우하게 된다. Massive MIMO는 커버리지 확장을 위해서는 고출력이 필요한데, 이러한 고출력으로 인한 소모전력과 발열량은 무게 및 사이즈를 줄이는 데 부정적인 요인으로 작용한다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 방열을 효율적으로 할 수 있는 구성을 가진 안테나 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 소형이면서 경량화된 적층구조의 MIMO 안테나 어셈블리 및 이를 포함하는 안테나 장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 안테나 어셈블리 및 안테나 장치는,
복수의 안테나 소자, 복수의 안테나 소자가 일면상에 설치된 제1 PCB, 제1 PCB의 타면에 설치되며, 복수의 안테나 소자에 전기적으로 연결되는 복수의 캐비티 필터 및, 일면 상에서 복수의 캐비티필터에 전기적으로 연결되며, 적어도 파워엠프, 디지털 프로세싱 회로, 캘리브레이션 네트워크를 포함하는 제2PCB를 포함하되, 제2PCB는 서로 나란한 방향으로 연장되는 하나 이상의 제1 프로세싱 영역과 하나 이상의 제2 프로세싱 영역을 포함하며, 디지털 프로세싱 회로는 제1 프로세싱 영역과 제2프로세싱 영역 중 제2 프로세싱 영역에만 배치되고, 파워엠프는 제1 프로세싱 영역과 제2 프로세싱 영역 중 제1 프로세싱 영역에만 배치되는 안테나 어셈블리 및 이를 포함하는 안테나 장치를 제공한다.
기재한 내용 외에 다른 과제 해결 수단은 본 명세서의 다른 기재에 의해 자연히 도출될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 장치의 측전면 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 Massive MIMO 안테나 시스템의 적층구조를 도식화한 도면이다.
도 3은 도 2의 적층구조를 취하는 본 발명의 일 실시예에 따른 Massive MIMO 안테나의 분해도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 소자가 결합된 제1PCB에 필터들이 결합한 서브 어셈블리의 분해도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2PCB 상의 소자 배치 구조를 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2PCB 상의 소자 배치 구조를 나타내는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2PCB 상의 소자 배치 구조를 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제2 PCB 및 별도 본체 하우징, 히트싱크를 도시한 부분 부분 분해 사시도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 식별 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 장치의 측전면 사시도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 장치는 안테나 어셈블리(10), 안테나 본체(20), 전원 공급 모듈(30)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 장치는 전기 에너지를 무선 송수신 전파로 변환하는 일종의 에너지 변환 및 소모 장치로서, 에너지 변환 및 소모에 수반하여 상당한 양의 열을 발생시킨다. 만일, 본체 하우징 내부의 무선 송수신 모듈이 과열되는 경우 장치 수명이 상당히 감소될 것이다. 또한, 무선 송수신 모듈의 온도가 증가함에 따라 무선 송수신 모듈의 감도가 달라질 수 있다. 특히, 무선 송수신 모듈의 위치에 따른 온도 편차는 무선 송수신 모듈 별 감도 편차를 발생시킬 수 있다. 이러한 무선 송수신 모듈의 온도에 따른 감도 차이 또는 위치별 감도 편차는 안테나 장치의 송수신 정확도를 저해시킴은 물론 그로 인해 송수신 속도를 감소시킬 수 있다. 위와 같은 문제점들을 해결하기 위해, 본 발명은 Massive MIMO 안테나의 적층구조에서 안테나 장치의 크기 및 무게에 장점을 가지고, 효율적인 발열이 가능한 Massive MIMO 안테나를 제안한다. 이러한 장점들은 안테나 어셈블리의 구조 및 안테나 어셈블리를 이루는 구성 중 일부인 PCB의 구성에 의해 달성이 가능하므로, 본 명세서에서는 먼저 안테나 장치의 구성 및 안테나 어셈블리의 적층구조에 대해 개략적으로 설명한 후, 안테나 어셈블리를 이루는 PCB의 구성에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 Massive MIMO 안테나의 적층구조를 도식화한 도면이다.
도 3은 도 2의 적층구조를 취하는 본 발명의 일 실시예에 따른 Massive MIMO 안테나의 분해도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 소자(110)가 결합된 제1PCB(120)에 필터(130)들이 결합한 서브 어셈블리의 분해도이다. 한편, 본 발명에서 사용되는 필터(130)는 일 예시적으로 캐비티필터(130)일 수 있다.
도 2에서 안테나 본체(20)는 Massive MIMO 안테나의 구성으로서 예시되었다. Massive MIMO 안테나인 안테나 본체(20)는 레이돔(radome)(210)과, 외부에 방열수단(220), 일 예시적으로 방열핀(221)이 형성된 히트싱크(heat sink-220)와, 이들 사이에 배열되는 안테나 어셈블리(antenna assembly-10)를 포함한다. 안테나 어셈블리(10)는 디지털 소자들이 구현된 모듈들이 적층 구조로 결합된 형태로 구성될 수 있다.
구체적으로, 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 구조는, 복수의 안테나 소자가 체결된 제1PCB(120), 제1PCB(120) 및 제2PCB(140)의 신호라인과 전기적으로 연결되는 필터(130), 디지털 프로세싱 회로, 파워 엠프를 형성하는 아날로그 프로세싱 회로, 캘리브레이션 네트워크를 포함하는 제2PCB(140)를 포함하는 구성으로 이루어질 수 있다. 도 2에 도시된, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 구조에서는 캘리브레이션 네트워크가 파워엠프 및 디지털 프로세싱 회로와 함께 하나의 보드에 형성되므로, 파워엠프, 캘리브레이션 네트워크, 디지털 프로세싱 회로, 필터(130) 간에 RF 케이블 연결이 필요 없게 된다. 또한, 도 2의 적층구조는 종래 기술에 비해 적은 수의 레이어로 구성된다.
이러한 구조는 필터(130)와 PCB간에 RF커넥터로 연결할 필요가 없어, 안테나 어셈블리의 크기를 효율적으로 줄일 수 있는 장점을 가지고 있다. 이와 달리 캘리브레이션 네트워크가 안테나 소자(110)와 필터(130) 사이에 위치하는 안테나 어셈블리 구조의 경우, 캘리브레이션 네트워크는 통상 복수의 스위치로 구성되며, 각 필터(130)의 일단에 커플링된 RF 커플러들과 연결된다. 따라서, 급전 네트워크와 필터(130)들은 RF 커넥터를 통해 연결할 수 밖에 없으므로 무게와 크기가 늘어나는 문제점이 있다. 또한, 이 경우 파워엠프가 형성된 아날로그 보드와 디지털 보드가 별개의 레이어로 구성되고, 각 레이어들이 RF 커넥터를 통해 서로 연결되는 구조이므로, 무게와 크기를 줄이기 어려운 문제점이 있다. 또한, 이러한 구조에서는 하나의 PCB 상에 많은 소자들이 집적되어 집적 밀도가 높아짐으로써 발열과 관련한 문제가 발생할 수 있다. 이와는 달리, 도 2에 나타난 본 발명의 일 실시예에 따른 MIMO 시스템의 적층구조는 크기, 무게와 관련해서 장점을 가지고, 또한 하나의 PCB상에 집적되는 소자들의 밀도를 줄여 발열 측면에서도 더 유리한 장점이 있다. 이는 디지털 신호 처리부의 인터페이스 커넥터를 PCB 패턴으로 치환하고, RF인터페이스 커넥터를 PCB 패턴 상에 면접촉 방식으로 치환하는 구조로써 더욱 극대화될 수 있다. 즉, 제2PCB(140) 상에 디지털 프로세싱 회로 및 캘리브레이션 네트워크를 PCB 패턴으로 형성하고, 제2PCB(140)와 필터(130)가 면접촉 방식으로 연결되도록 하는 구성으로부터 위와 같은 장점들이 극대화될 수 있다.
한편, 도 2에 나타난 본 발명의 일 실시예에 따른 Massive MIMO 안테나 시스템의 적층구조의 장점은, 적어도 하나의 PCB 상에, 예를 들어, 제2PCB(140) 상에, 트랜시버회로, 파워엠프, 캘리브레이션 네트워크 및 디지털 프로세싱 회로 모두를 영역을 구별하여 효율적으로 위치시키는 특별한 배치 구조로부터 더욱 부각될 수 있다. 이러한, 특별한 배치 구조는 하나의 PCB 상에 많은 소자들이 집적되어 집적 밀도가 높아짐으로써 발생하는 발열 및 그 발열을 해소하는 방열 기법들을 고려하고 있다. 구체적으로, 위 PCB는 제2PCB(140)일 수 있으며, 제2PCB(140)상에 서로 나란한 방향으로 배열된 하나 이상의 제1프로세싱 영역과 제2프로세싱 영역에 의해 위 목적을 실현할 수 있다.
이하에서, 본 개시에 따른 하나의 PCB 상의 특별한 배치 구조를 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 PCB 상의 소자 배치 구조를 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 PCB는 포트 영역(143), 제1 프로세싱 영역(141) 및 제2 프로세싱 영역(142)을 포함할 수 있다.
포트 영역(143)은 PCB의 적어도 일단에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 포트 영역(143)에 설치된 포트는 광 포트일 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며 포트는 외부기기와 디지털 신호 또는 아날로그 신호를 송수신하기 위한 디지털 신호 단자 또는 아날로그 신호 단자일 수 있다.
포트 영역(143)은 기판 상의 적어도 일단 모서리를 따라 연장할 수 있다. 일 예시적으로, 포트 영역(143)은 제1 프로세싱 영역(141) 또는 제2 프로세싱 영역(142)의 일부 모서리를 따라 연장할 수 있다.
이하에서, 포트 영역(143)이 형성된 기판 상의 적어도 일단 모서리에 평행한 방향 또는 포트 영역(143)이 연장하는 방향을 "횡방향"으로 통칭한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에서, 포트 영역(143)은 PCB 기판의 적어도 일단 모서리에서 횡방향으로 연장할 수 있다.
또한, 이하에서 "영역이 어떠한 방향으로 연장하는 것"은 그 영역이 폭에 비해 긴 길이를 갖는 장방형 형상이며 그 장방형 형상인 영역의 길이 방향이 어떠한 방향에 나란한 것을 의미한다.
본 명세서에서, 제1 프로세싱 영역(141)은 적어도 파워엠프가 설치된 회로 영역으로서 디지털 프로세싱 회로가 배치되지 않은 영역을 의미하는 것으로 사용된다. 또한, 제2프로세싱 영역(142)은 적어도 디지털 프로세싱 회로가 배치된 영역으로서, 파워엠프가 배치되지 않은 영역을 의미하는 것으로 사용된다. 다만, 제 1프로세싱 영역(141)에 소량의 디지털 프로세싱 회로가 배치되거나, 제2프로세싱 영역(142)에 소량의 파워엠프와 관련한 구성이 포함되어 있는 경우도 균등한 범위 내에서 본 발명의 실시 범위에 포함된다고 보아야 한다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 프로세싱 영역(141)은 파워엠프 뿐만 아니라, 복수의 송신/수신(TX/RX)회로를 제공하는 아날로그 프로세싱 회로(트랜시버회로) 및 켈리브레이션 네트워크도 설치된 회로 영역일 수 있다.
일 예시적으로, 캐비티필터는 제1 프로세싱 영역(141)을 통해 PCB에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 캐비티필터는 제1 프로세싱 영역(141)에 형성된 핀 접촉 단자를 통해 PCB에 전기적으로 제1 프로세싱 영역(141)에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 프로세싱 영역(141)은 횡방향으로 연장할 수 있다. 즉, 제1 프로세싱 영역(141)은 포트 영역(143)이 형성된 PCB 기판의 적어도 일단 모서리에 평행한 방향으로 연장할 수 있다.
제2 프로세싱 영역(142)은, 디지털 프로세싱 회로가 설치된 회로 영역일 수 있다. 디지털 프로세싱 회로는, 디지털 신호 처리를 위한 IC 칩 및 그 부속 소자들의 회로 구성을 포함할 수 있다. 제1 프로세싱 영역(141)과 제2 프로세싱 영역(142)은 발열량의 차이를 보일 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에서, 하나의 PCB 상에서 트랜시버회로, 캘리브레이션 네트워크 및 파워엠프가 군을 이루어 배치되는 영역은 제1 프로세싱 영역(141)으로 정의될 수 있고, 하나의 PCB 상에 디지털 프로세싱 회로가 군을 이루어 배치되는 영역은 제2 프로세싱 영역(142)으로 정의될 수 있다.
그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 그러나, 제1 프로세싱 영역(141) 및 제2 프로세싱 영역(142)이 각각 포함하는 구성 요소들은 서로 교체될 가능성도 배제하는 것은 아니다.
제2 프로세싱 영역(142)은 일 예시적으로 제2PCB(140)에 설치된 회로 배선을 통해 제1 프로세싱 영역(141)의 소자들에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제2 프로세싱 영역(142)은 횡방향으로 연장할 수 있다. 즉, 제2 프로세싱 영역(142)은 포트 영역(143)이 형성된 제2 PCB의 기판의 적어도 일단 모서리에 평행한 방향으로 연장할 수 있다.
도시된 실시예에서, 예시적으로 제1 프로세싱 영역(141)은 3 개의 영역으로 구성될 수 있고, 제1 프로세싱 영역(141)의 적어도 하나의 영역은 포트 영역(143)에 인접하게 배치될 수 있다.
또한, 도시된 실시예에서, 제2 프로세싱 영역(142)은, 제1 프로세싱 영역(141) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에서, 제1 프로세싱 영역(141)과 제2 프로세싱 영역(142)은 서로 교번하여 배치될 수 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따를 때, 횡방향으로 연장하는 제1 프로세싱 영역(141)의 회로 및 제2 프로세싱 영역(142)의 회로가 서로 교번하여 배치되기 때문에, 제1 프로세싱 영역(141) 회로의 파워엠프에서 발생되는 열이 국부적으로 편중되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 일 예시적으로 상대적으로 열 발생이 적을 수 있는 제2 프로세싱 영역(142) 회로가 제1 프로세싱 영역(141) 회로에 대한 일종의 열흡수 및 히트 싱크 기능을 수행할 수 있어 기판의 냉각 성능을 증가시킬 수 있다.
도 6및 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하나의 PCB 상의 소자 배치 구조를 나타내는 평면도이다.
도 5에 일 예시적으로 나타난 배치구조는 상술한 바와 같이, 파워엠프에서 발생되는 열이 위쪽방향으로 누적되는 양이 적도록 배치가 가능한 구조적인 효과를 갖지만, 시스템 요구 성능에 따라 문제점이 발생할 수 있다.
예를 들어, 파워엠프 배치가 중앙부에 밀집되어 발열량이 중앙에 집중되고, 디지털 프로세싱 회로의 분산으로 다수의 디지털 고속 신호가 파워엠프 PCB내층을 지나서 처리되는 신호의 흐름을 가질 때 신호의 일그러짐이 발생할 수 있는 잠재적인 요인을 가지고 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 PCB는 포트 영역(143), 제1 프로세싱 영역(141) 및 제2 프로세싱 영역(142)을 포함할 수 있다. 이 때, PCB는 일 예시적으로 도 2에 나타난 Massive MIMO 안테나 시스템의 적층구조의 제2PCB(140)일 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 PCB는 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 PCB에 비하여 제1 프로세싱 영역(141) 및 제2 프로세싱 영역(142)의 방향 및 구조 상에서 차이가 있다. 이하에서는, 앞서 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른PCB의 영역 배치 구조와 본 발명의 다른 실시예에 따른 PCB의 영역 배치 구조상의 차이점을 위주로 도 6을 참조하여 설명되며 반복되는 설명은 생략된다.
본 발명의 다른 실시예에서, 포트 영역(143)은 기판 상의 적어도 일단 모서리를 따라 연장할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 제1 프로세싱 영역(141)은 종방향으로 연장할 수 있다.
이하에서, 종방향은 횡방향에 수직한 방향, 즉, 포트 영역(143)이 형성된 형성된 PCB 기판의 적어도 일단 모서리에 수직한 방향을 의미한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에서, 제2 프로세싱 영역(142)은 종방향으로 연장할 수 있다.
도시된 실시예에서, 제2 프로세싱 영역(142)은 두 장측변, 즉, 포트 영역(143)이 형성된 PCB의 일단에 형성된 모서리에 인접하게 배치될 수 있다.
또한, 제1 프로세싱 영역(141)은 두 개의 제2 프로세싱 영역(142) 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 제2 프로세싱 영역(142)의 적어도 일단은 포트 영역(143)의 일단에 형성된 모서리에에 인접하게 배치될 수 있다. 이로써, 제2 프로세싱 영역(142)은 포트 영역(143)의 외부 신호 전달 포트, 예를 들어, 광포트에 대한 직접 회로 배선이 이루어질 수 있다.
이에, 포트 영역(143), 제2 프로세싱 영역(142), 및 제1 프로세싱 영역(141)으로 이어지는 전기 신호 경로가 이루어질 수 있다. 또한, 이러한 전기 신호 경로 또는 배선 배치를 위하여 별도의 우회 경로, 예를 들어, 비아를 통해 다른 층 배선 구조가 사용될 필요가 없어 PCB의 레이어(layer)의 수를 감소시킬 수 있다.
앞서 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 PCB 상의 소자 배치 구조, 즉, 횡배치 구조에서는, 제2 프로세싱 영역(142)의 디지털 프로세싱 회로는 포트 영역(143), 예를 들어, 광포트에 연결되기 위해서는 제1 프로세싱 영역(141)을 우회하는 배선이 필요하며, 이러한 우회 배선은 예를 들어, 다층 PCB의 다른 층에 비아를 통해 우회될 것을 요구한다. 이러한 우회 배선에 따라 전송 경로의 길이 및 복잡도가 증가될 수 있고 이는 고속 디지털 신호 처리 시 신호의 일그러짐을 유발할 수 있다.
이와는 달리, 도 6에 도시된 본 발명의 다른 실시예, 즉, 종배치 구조는 전송 경로의 길이 및 복잡도를 축소 시켜 그 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 이러한 배선 구조의 단순화를 통해 전송 정확도 및 속도를 증가시키는 장점도 갖는다. 아울러, 이러한 종배치 구조에 따라, PCB의 배선 설계 난이도, 생산성 및 원가절감이 달성될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따를 때, 제2 프로세싱 영역(142)의 디지털 프로세싱 회로가 복잡도가 높은 경우 제2 프로세싱 영역(142)이 제1 프로세싱 영역(141)보다 더 고 발열원일 수 있다. 이 때, 제2 프로세싱 영역(142)은 제1 프로세싱 영역(141)에 비해 상대적으로 더 높은 온도를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 제2 프로세싱 영역(142)은 PCB의 가장자리에 배치될 수 있고, 가장자리 영역은 제1 프로세싱 영역(141)이 배치된 중앙 영역에 비해 외기 또는 외기에 접촉된 본체 하우징(230)과 히트싱크(220)에 더 넓은 면적으로 접촉될 수 있다. 따라서, 상대적으로 고온으로 가열될 수 있는 제2 프로세싱 영역(142)의 방열성이 증대될 수 있고, PCB의 전체 온도 분포가 균일해질 수 있다.
한편, 도 6 및 도 7과는 달리, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PCB상의 소자 배치 구조도 있을 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PCB상의 소자 배치 구조는 도 6에 나타난 본 발명의 다른 실시예에 따른 PCB상의 소자 배치 구조와 다른 구성은 유사하되, 다만 제1 프로세싱 영역(141)과 제2 프로세싱 영역(142)의 배치의 차이만 있을 수 있다. 즉, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PCB상의 소자 배치 구조에서는 도 6의 본 발명의 다른 실시예에 따른 PCB상의 소자 배치 구조에 비하여 제1 프로세싱 영역(141) 및 제2 프로세싱 영역(142)의 위치가 뒤바뀐 점에서 차이가 있다. 이하에서는, 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 PCB의 영역 배치 구조와 본 발명의 다른 실시예에 따른 PCB의 영역 배치 구조상의 차이점을 위주로 설명되며, 반복되는 설명은 생략된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 포트 영역(143)은 기판 상의 적어도 일단 모서리를 따라 연장할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 제1 프로세싱 영역(141) 및 제2 프로세싱 영역(142)은 종방향으로 연장할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 제1 프로세싱 영역(141)은 두 장측변, 즉, 포트 영역(143)이 형성된 PCB의 적어도 일단 모서리에 수직한 두 모서리에 인접하게 배치될 수 있다.
또한, 제2 프로세싱 영역(142)은 두 개의 제1 프로세싱 영역(141) 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 제2 프로세싱 영역(142)의 적어도 일단은 포트 영역(143)에 인접하게 배치될 수 있다. 이로써, 제2 프로세싱 영역(142)은 포트 영역(143)의 외부 신호 전달 포트, 예를 들어, 광포트에 대한 직접 회로 배선이 이루어질 수 있다. 물론, 이 경우 제1 프로세싱 영역(141)도 포트 영역(143)에 인접하게 배치될 수 있다.
이에, 포트 영역(143), 제2 프로세싱 영역(142), 제1 프로세싱 영역(141)으로 이어지는 전기 신호 경로가 이루어질 수 있다. 또한, 이러한 전기 신호 경로 또는 배선 배치를 위하여 별도의 우회 경로, 예를 들어, 비아를 통해 다른 층 배선 구조가 사용될 필요가 없어 PCB의 레이어(layer)의 수를 감소시킬 수 있고, 배선의 전송 경로 길이 및 복잡성을 낮춰 회로의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소자 배치 구조는, 파워엠프가 상대적으로 고 발열원일 때를 상정한 예시적인 배치 구조이다. 이 경우 제1 프로세싱 영역(141)은 PCB의 가장자리에 배치될 수 있고, 가장자리 영역은 제2 프로세싱 영역(142)이 배치된 중앙 영역에 비해 외기 또는 외기에 접촉된 하우징과 히트싱크(220)에 더 넓은 면적으로 접촉될 수 있다. 따라서, 상대적으로 고온으로 가열될 수 있는 제1 프로세싱 영역(141)의 방열성이 증대될 수 있고, 전체 PCB의 온도 분포가 균일해질 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제2 PCB 및 별도 본체 하우징(230), 히트싱크(220)를 도시한 부분 결합 사시도 및 부분 분해 사시도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PCB의 가장자리측 방열을 더욱 개선하기 위하여 별도의 고방열 방열수단(220)(예를 들어, 방열핀(221)을 포함하는 분리형 히트싱크(220))이 배치될 수 있다. 여기서, 방열 대상이 되는 PCB는 일 예시적으로 제2PCB(140)일 수 있다. 또한, 일 예시적으로 PCB의 가장자리 측에 배치되며 상대적으로 고 발열원인 제2 프로세싱 영역(142)(또는 설계 특성에 따라 제1 프로세싱 영역(141)이 고 발열원인 경우 제1 프로세싱 영역(141)일 수 있음)의 방열 특성을 개선하기 위하여 열전도도가 높은 재질의 히트싱크(220)가 PCB의 하부 영역에 별도 설치될 수 있다. 구체적으로, 히트싱크(220)는 본체 하우징(230) 보다 열전도도가 높은 구리, 알루미늄 등의 소재로 이루어질 수 있다.
히트싱크(220)는 일 예시적으로 제2PCB(140)의 하부 영역에 설치될 수 있다. 구체적으로는, 제2PCB(140)의 하부 영역에 본체 하우징(230)이 배치되고, 히트싱크(220)는 일 예시적으로 본체 하우징(230) 하부에 탈착 가능하도록 배치될 수 있다. 즉, 히트싱크(220)는 분리형 히트싱크(220)일 수 있다. 또한, 히트싱크(220)는 히트싱크 본체(222) 및 방열 핀(221)을 포함할 수 있다. 히트싱크(220)는 장홈(231)을 통해 제2PCB(140)에서 발생된 열을 직접 전달받음으로써 제2PCB(140)의 방열 효율을 높일 수 있다. 본체 하우징(230)에 형성된 장홈(231)은 일 예시적으로 하우징의 양 가장자리면을 따라 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 배치로서 형성이 가능하다. 본체 하우징(230)에 형성된 장홈(231)을 통해 제2PCB(140)에서 발생된 열이 히트싱크(220)로 직접 전달될 수 있다. 일 예시적으로, 제1 프로세싱 영역(141)과 제2 프로세싱 영역(142) 중 상대적으로 고 발열원인 프로세싱 영역이 제2 PCB(140)의 가장자리측에 배치되는 경우, 제2 PCB(140) 중 상대적으로 고 발열원인 프로세싱 영역이 형성된 제2 PCB(140)의 가장자리측의 하부 영역에 본체 하우징(230)의 장홈(231)이 형성될 수 있다. 또한, 제2 PCB(140) 중 상대적으로 고 발열원인 프로세싱 영역이 형성된 제2 PCB(140)의 가장자리측의 하부 영역에 분리형 히트싱크(220)가 배치될 수 있다. 위와 같이 고 발열원이 존재하는 부분에 인접하게 발열을 효율적으로 할 수 있는 구성을 배치함으로써, 제2PCB(140) 및 그 주변부의 발열을 효과적으로 할 수 있다. 이 때, 제2PCB(140)와 히트싱크(220) 사이에는 접촉면이 형성되어 방열이 더욱 원활하게 이루어질 수 있다. 일 예시적으로, 히트싱크(220)의 상면에는 돌출부(223)가 형성되고, 위 돌출부(223)는 제2PCB(140)의 일면에 접촉됨으로써 제2PCB(140)의 방열을 더욱 원활하게 수행되도록 할 수 있다.
별도 설치되는 고 방열 특성의 히트싱크(220)는 별도의 하우징을 다이캐스팅 또는 압출 공정으로 제작할 수 있다. 방열 성능을 상대적으로 고온원인 영역에 집중함으로써 상대적으로 저열원인 영역의 방열핀(221)을 삭제하거나 그 크기를 줄일 수 있다. 이로써, 본 개시에 따른 안테나 장치의 전체 체적 및 중량을 감소시킬 수 있다. 한편, 제1 프로세싱 영역(141)이 제2 프로세싱 영역(142)보다 고 발열원인 경우, 제1 프로세싱 영역(141)이 제2 PCB(140)의 가장자리측에 배치되고, 히트싱크(220)는 제1 프로세싱 영역(141)이 배치된 제2 PCB(140)의 가장자리측의 하면에 배치될 수 있다. 즉, 제1 프로세싱 영역(141)과 제2 프로세싱 영역(142) 중 상대적으로 고 발열원인 프로세싱 영역이 제2 PCB(140)의 가장자리측에 배치되며, 제2 PCB(140)의 가장자리측의 하부 영역에 히트싱크(220)가 배치될 수 있다. 또한, 별도의 히트싱크(220)는 제1 프로세싱 영역(141) 및 제2 프로세싱 영역(142)이 연장된 방향과 수직한 방향으로 연장되어 제2 PCB(140)의 하면에 배치될 수 있다. 이 경우, 별도의 히트싱크(220)는 제1 프로세싱 영역(141)과 제2 프로세싱 영역(142) 중 제2 PCB(140)의 가장자리측에 형성된 영역을 가로질러 배치됨으로써 제1 프로세싱 영역(141) 및 제2 프로세싱 영역(142)의 방열을 도울 수 있다. 또한, 위와는 달리 배치가 허용하는 한 히트싱크(220)가 제2 PCB(140)의 하면 전체에 배치될 수도 있음은 물론이다.
나아가 별도 설치되는 고 방열 특성의 히트싱크(220)는 제품 특성, 출력에 따라 요구되는 방열 특성에 따라 그 크기 및 구조를 변경할 수 있다. 예를 들어, 방열 핀(221)의 길이를 변경할 수 있다. 따라서, 본 제품의 외관 변경 없이, 요구되는 출력에 맞는 방열 특성이 제공될 수 있다. 또한, 히트싱크(220)는 일체형 또는 분리형일 수 있다. 히트싱크(220)가 분리형인 경우, 제품의 특성 또는 출력에 따라 적절한 다른 히트싱크(220)로 교체가 가능하다.
또한, 별도의 고방열 히트싱크(220)는 하나 이상의 접촉 요부를 포함할 수 있다. 접촉 요부는 PCB의 후면에 접촉되며, 예를 들어, 제2 프로세싱 영역(142)의 고발열 소자가 위치된 영역의 후면에 접촉될 수 있다.
즉, 제2 프로세싱 영역(142)의 고발열 소자, 예를 들어, FPGA 또는 동적신호처리 칩에서 국부적으로 발생되는 열을 직접적으로 외부로 방열시킬 수 있고, 이로써 PCB의 온도 분포를 균일하게 분산시킬 수 있다.
접촉 요부를 통해, 국부적으로 발생하는 발열 소자의 열을 직접 방열 또는 뽑아 낼 수 있기 때문에, 별도의 고방열 방열핀(221) 또는 히트싱크(220)의 방열 효율이 증가될 수 있고, 이로써, 전체 시스템에 필요한 방열핀(221) 또는 히트싱크(220)의 사이즈 및 중량이 감소될 수 있다.
이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 안테나 어셈블리 20 : 안테나 본체
110 : 안테나 소자 210 : 레이돔
120 : 제1PCB 220 : 히트싱크
130 : 필터 230 : 본체 하우징
140 : 제2PCB 30 : 전원 공급 모듈
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본 특허출원은, 본 명세서에 그 전체가 참고로서 포함되는, 2017년 03월 31일 한국에 출원한 특허출원번호 제10-2017-0042127호에 대해 우선권을 주장한다.

Claims (10)

  1. 복수의 안테나 소자;
    상기 복수의 안테나 소자가 일면상에 설치된 제1 PCB;
    상기 제1 PCB의 타면에 설치되며, 상기 복수의 안테나 소자에 전기적으로 연결되는 복수의 캐비티 필터; 및
    일면 상에서, 상기 복수의 캐비티필터에 전기적으로 연결되며, 적어도 파워엠프, 디지털 프로세싱 회로, 캘리브레이션 네트워크를 포함하는 제2PCB를 포함하되,
    상기 제2PCB는 서로 나란한 방향으로 연장되는 하나 이상의 제1 프로세싱 영역과 하나 이상의 제2 프로세싱 영역을 포함하며, 상기 디지털 프로세싱 회로는 상기 제1 프로세싱 영역과 상기 제2프로세싱 영역 중 제2 프로세싱 영역에만 배치되고, 상기 파워엠프는 상기 제1 프로세싱 영역과 상기 제2 프로세싱 영역 중 상기 제1 프로세싱 영역에만 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 프로세싱 영역 및 상기 제2 프로세싱 영역의 일부 모서리를 따라 연장하는 포트 영역이 형성되며,
    상기 제1 프로세싱 영역과 상기 제2 프로세싱 영역은 상기 포트 영역이 형성된 기판 상의 일단에 형성된 모서리에 수직한 방향으로 연장하고, 상기 제1 프로세싱 영역 및 상기 제2 프로세싱 영역의 일 모서리는 상기 포트 영역이 형성된 기판 상의 일단에 형성된 모서리에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 어셈블리.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 프로세싱 영역의 일 모서리를 따라 연장하는 포트 영역이 형성되며,
    상기 제1 프로세싱 영역과 상기 제2 프로세싱 영역은 상기 포트 영역이 연장된 방향과 평행한 방향으로 연장하고, 상기 제1 프로세싱 영역은 상기 포트 영역이 형성된 기판 상의 일단에 형성된 모서리에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 어셈블리.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제 1 프로세싱 영역과 제2 프로세싱 영역은 교번되어 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 어셈블리.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 디지털 프로세싱 회로 및 상기 캘리브레이션 네트워크는 상기 제2 PCB 상에 PCB 패턴으로 형성되며,
    상기 제2 PCB와 상기 필터는 면접촉 방식으로 연결되는 것을 특징으로 하는 안테나 어셈블리.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 프로세싱 영역은 상기 포트 영역과 직접 회로 배선으로 연결된 것을 특징으로 하는 안테나 어셈블리.
  7. 제1항의 안테나 어셈블리를 포함하는 안테나 장치로서,
    상기 안테나 어셈블리의 제2PCB의 하면에 배치되는, 장홈이 형성된 본체 하우징;
    상기 본체 하우징의 하면에 탈착가능하게 배치되며, 히트싱크 본체 및 방열 핀을 구비하는 분리형 히트싱크를 포함하며,
    상기 분리형 히트싱크는 상기 장홈을 통해 상기 제2PCB에서 발생된 열을 전달받을 수 있는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 프로세싱 영역과 상기 제2 프로세싱 영역 중 상대적으로 고 발열원인 프로세싱 영역이 상기 제2 PCB의 가장자리측에 배치되며, 상기 제2 PCB 중 상대적으로 고 발열원인 프로세싱 영역이 형성된 가장자리측의 하부 영역에 상기 본체 하우징의 장홈이 형성되며, 상기 분리형 히트싱크가 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 분리형 히트싱크의 상기 히트싱크 본체 상면에는 돌출부가 형성되고, 상기 돌출부는 상기 제2PCB의 하면에 접촉되어 상기 제2PCB로부터 직접 열을 전달받을 수 있는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 분리형 히트싱크는 상기 본체 하우징 보다 열전도도가 높은 소재로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020091329A1 (ko) * 2018-10-30 2020-05-07 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
KR20200049620A (ko) * 2018-10-30 2020-05-08 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
CN114008855A (zh) * 2019-06-28 2022-02-01 株式会社Kmw 天线装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020210284A1 (en) * 2019-04-08 2020-10-15 Nano-Dimension Technologies, Ltd. Systems and methods for additive manufacturing of smt mounting sockets
EP3956940A1 (en) * 2019-04-15 2022-02-23 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Integrated antenna and filter unit (iafu) for 5th generation advanced antenna system (aas) systems
CN111180871A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 武汉虹信通信技术有限责任公司 Massive MIMO天线
JP1686394S (ko) * 2020-04-20 2021-05-31
JP1686393S (ko) * 2020-04-20 2021-05-31
JP7511028B2 (ja) * 2020-05-25 2024-07-04 ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド アンテナ装置
WO2021237419A1 (zh) * 2020-05-25 2021-12-02 瑞声声学科技(深圳)有限公司 天线模组
KR102463546B1 (ko) * 2020-05-25 2022-11-09 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
KR102437332B1 (ko) * 2020-05-26 2022-08-30 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
CN115836440A (zh) * 2020-05-26 2023-03-21 株式会社Kmw 天线装置
EP4164054A1 (en) * 2020-06-05 2023-04-12 KMW Inc. Multi input and multi output antenna apparatus
KR102534806B1 (ko) * 2020-06-05 2023-05-26 주식회사 케이엠더블유 다중 입출력 안테나 장치
CN112103634B (zh) * 2020-11-19 2021-02-26 成都天锐星通科技有限公司 平板相控阵天线
KR102543847B1 (ko) * 2020-12-02 2023-06-21 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
US11778784B2 (en) * 2021-03-19 2023-10-03 Htc Corporation Heat dissipation device with communication function
CN112996329A (zh) * 2021-04-29 2021-06-18 成都天锐星通科技有限公司 相控阵天线
CN113258228A (zh) * 2021-06-29 2021-08-13 成都市克莱微波科技有限公司 一种多通道幅相一致微波组件
CN116111316A (zh) * 2021-11-09 2023-05-12 中兴通讯股份有限公司 有源天线系统、基站、无线通信系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1133064A1 (en) * 2000-03-09 2001-09-12 Lucent Technologies Inc. Transceiver with stacked assembly
KR20130122761A (ko) * 2010-11-29 2013-11-08 더 유니버시티 오브 버밍험 평형 안테나 시스템
KR20140019717A (ko) * 2012-08-07 2014-02-17 주식회사 케이엠더블유 이동통신 시스템의 소형 기지국
KR20140088761A (ko) * 2013-01-03 2014-07-11 삼성전자주식회사 안테나 및 이를 포함하는 통신 시스템
US8941539B1 (en) * 2011-02-23 2015-01-27 Meru Networks Dual-stack dual-band MIMO antenna

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2616698B2 (ja) * 1994-05-13 1997-06-04 日本電気株式会社 複合高周波回路モジュール
KR100387235B1 (ko) * 2000-08-10 2003-06-12 삼성전자주식회사 공진기
US6567048B2 (en) * 2001-07-26 2003-05-20 E-Tenna Corporation Reduced weight artificial dielectric antennas and method for providing the same
KR100864807B1 (ko) * 2005-12-26 2008-10-23 삼성전자주식회사 스마트 안테나 시스템의 신호 보정 장치
KR200442779Y1 (ko) * 2007-03-12 2008-12-10 에스케이텔레시스 주식회사 다기능 중계기
US20080310108A1 (en) * 2007-06-13 2008-12-18 Sony Ericsson Mobile Communications Ab External heat sink for electronic device
JP2009105243A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Sharp Corp 受信装置
US8022861B2 (en) * 2008-04-04 2011-09-20 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Dual-band antenna array and RF front-end for mm-wave imager and radar
CN102369635B (zh) * 2008-12-02 2013-11-06 安德鲁有限责任公司 具有密封无线电设备外壳的平板天线
JP2011155049A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Kyocera Corp 筐体の冷却構造及び基地局
CN102035061A (zh) * 2010-12-10 2011-04-27 广东通宇通讯股份有限公司 一种一体化设计的有源天线散热器
US9398694B2 (en) * 2011-01-18 2016-07-19 Sony Corporation Method of manufacturing a package for embedding one or more electronic components
ES2862457T3 (es) * 2012-11-16 2021-10-07 Kmw Inc Dispositivo de estación base de tamaño pequeño en un sistema móvil de comunicación
CN103490167A (zh) * 2013-08-14 2014-01-01 京信通信技术(广州)有限公司 高增益滤波天线
JP2016127341A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 富士通株式会社 無線装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1133064A1 (en) * 2000-03-09 2001-09-12 Lucent Technologies Inc. Transceiver with stacked assembly
KR20130122761A (ko) * 2010-11-29 2013-11-08 더 유니버시티 오브 버밍험 평형 안테나 시스템
US8941539B1 (en) * 2011-02-23 2015-01-27 Meru Networks Dual-stack dual-band MIMO antenna
KR20140019717A (ko) * 2012-08-07 2014-02-17 주식회사 케이엠더블유 이동통신 시스템의 소형 기지국
KR20140088761A (ko) * 2013-01-03 2014-07-11 삼성전자주식회사 안테나 및 이를 포함하는 통신 시스템

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020091329A1 (ko) * 2018-10-30 2020-05-07 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
KR20200049620A (ko) * 2018-10-30 2020-05-08 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
KR102233029B1 (ko) 2018-10-30 2021-03-30 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
US20210249752A1 (en) 2018-10-30 2021-08-12 Kmw Inc. Antenna apparatus
CN113348591A (zh) * 2018-10-30 2021-09-03 株式会社Kmw 天线装置
JP2022509471A (ja) * 2018-10-30 2022-01-20 ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド アンテナ装置
JP7189367B2 (ja) 2018-10-30 2022-12-13 ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド アンテナ装置
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