WO2018139724A1 - 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a cleaning composition for wafer dicing, and more particularly, to a wafer die using a propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide-based copolymer and / or a block copolymer to improve metal resistance, microbial resistance, and cleanability. It relates to a fresh detergent composition.
- the conventional techniques applied in the wafer processing process has a very low removal force to the particulate contaminant inside the substrate, and has a very low reattachment prevention function.
- Korean Patent Application No. 10-2009-0066314 discloses simply nonionic surfactants such as polyethylene oxide / polypropyleneoxide (PEO-PPO) and polyethylene glycol (PEG) and It is disclosed to prepare a cleaning liquid composition using other additives.
- PEO-PPO polyethylene oxide / polypropyleneoxide
- PEG polyethylene glycol
- the above-described composition has a problem in that it is possible to remove a contaminant of a certain size during cleaning, but in the case of a particulate contaminant, the HLB value (Hydrophlic Lipophilic Value) cannot be lowered relatively much.
- Korean Patent Application No. 10-2013-0091844 discloses a composition comprising an acrylic acid polymer and salts thereof, and a cleaning agent applying other corrosion inhibitors and isothiazolinone, which are disclosed to have good microbial resistance.
- the present invention has been made to overcome the above-mentioned problems, and it is intended to provide an improved microparticle removal performance of a cleaning agent used in wafer dicing, while alleviating thermal damage to a wafer and improving resistance to microorganisms. .
- the present invention provides a cleaning composition for wafer dicing comprising a propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer represented by the following formula (1).
- the R 1 is a C 8 ⁇ 20
- R 2 is -OH or a C 8 ⁇ 20
- x is 1-20
- y is 5 ⁇
- z is 1 to 20.
- the cleaning composition for wafer dicing according to the present invention has the effect of improving the particle removal performance of the cleaning agent used for wafer dicing, alleviating thermal damage to the wafer, and improving resistance to microorganisms.
- the present invention provides a cleaning composition for wafer dicing comprising a propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer represented by the following formula (1).
- the R 1 is a C 8 ⁇ 20
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- the cleaning agent for wafer dicing often includes only ethylene oxide / propylene oxide copolymer, and the amount of added material is often limited.
- the cleaning composition for wafer dicing according to the present invention includes a propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer represented by the following formula (1) (Propylene oxide / Ethylene oxide / Propylene oxide Copolymer).
- R 1 is C 8-20 , preferably C 8-14 ;
- R 2 is -OH or a C 8 ⁇ 20, preferably C 8 ⁇ 10, and;
- x is 1-20, y is 5-20, and
- z is 1-20.
- Propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer according to the present invention has a PO (Propylene oxide) structure on the outside, EO (Ethylene oxide) structure on the inside is excellent in the removal power to the oil pollution and fine particle cleaning. .
- the propylene oxide (PO) / ethylene oxide (EO) / propylene oxide (PO) copolymer according to the present invention is the mutual conversion of x, y, z based on the structural properties arranged in the PO / EO / PO
- the cleaning property and microorganism resistance can be provided.
- the cleaning composition for wafer dicing according to the present invention may further include a propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer represented by the formula (1) and ethylene oxide which is a nonionic surfactant according to the following formula (2).
- R is C 6 ⁇ 24
- n is 1 ⁇ 20.
- the mixing ratio of the propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer represented by the formula (1) and the nonionic surfactant represented by the formula (2) can be changed according to the user's choice, the propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide It is preferable to prepare a detergent composition by mixing 5 to 80 parts by weight of the nonionic surfactant based on 100 parts by weight of the copolymer.
- C 12 ⁇ 14 fatty alcohol C 12 ⁇ 14 Fatty Alchol ( 6EO ⁇ 9EO)
- C 16 ⁇ 18 fatty alcohol C 16 ⁇ 18 Fatty Alchol (11EO ⁇ 80EO)
- C 13 ⁇ 15 oxo alcohols C 13 ⁇ 15 oxo Alchol ( 2EO ⁇ 20EO)
- a C 10 Guerbet alcohol alkoxylate C 10 Guerbet Alchol alkoxylate (4EO ⁇ 5EO)
- It may include, but is not limited to, at least one or more mixtures selected, and may be replaced with components similar to those mentioned above, or -OH may be changed to R in R (EO) nOH of Formula 2.
- the cleaning composition for wafer dicing according to the present invention is based on 100 parts by weight of a propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer microorganism growth inhibitor for inhibiting microbial growth in order to improve not only cleaning but also microbial resistance It may further comprise 1 to 50 parts by weight.
- Preferred microbial growth inhibitors are 5-chloro-2- (2,4-dichlorophenoxy) phenol (5-Chloro-2- (2,4-dichlorophenoxy) phenol), 2-bromo-2-nitropropane-1, 2-diol (2-bromo-2-nitropropane-1,3-diol), formic acid, pentanedial, oxaldehyde, phenoxyethanol, dichlorohydroxydiphenyl ether (Dichlorohydroxydiphenylether), Propane-1,3-diol, 3-[(2-ethylhexyl) oxy] -1,2-propanediol (3-[(2-Ethylhexyl) oxy] -1,2-propanediol) or at least one mixture selected from them.
- the cleaning composition for a wafer dicing according to the present invention is based on 100 parts by weight of a propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer as a corrosion inhibitor for preventing the substrate corrosion and equipment corrosion of the wafer generated during the wafer sawing process As may be further included 1 to 40 parts by weight.
- Preferred preservatives include 1,2,3-benzotriazole, barium nitrate (BARIUM NITRATE), 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole (2, 5-DIMERCAPTO-1,3,4-THIADIAZOLE), PARA TERT BUTYL BENZOIC ACID, PARA TOLUIC ACID, SODIUM MOLYBDATE, Heptamolybdate Ammonium (PARA TOLUIC ACID) AMMONIUM HEPTAMOLYBDATE, MANITOL, 5-AMINOTETRAZOLE MONOHYDRATE, TETRAETHYL AMMONIUM HYDROXIDE, ASCORBIC ACID or at least one selected from these Mixtures.
- BARIUM NITRATE barium nitrate
- 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole
- PARA TERT BUTYL BENZOIC ACID PARA
- the cleaning composition for a wafer dicing according to the present invention is 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of a propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer to prevent corrosion of the substrate of the wafer and corrosion of equipment It may further include.
- Preferred rust inhibitors include strontium chromium, calcium chromium, barium chromium, potassium chromium potassium, zinc tetrachloride, zinc powder, zinc phosphate, organic nitro compound zinc salt, calcium silicate, trioxide tetrazide, zinc potassium or mixtures thereof. It is good.
- the detergent composition was added dropwise to the microbial medium to confirm the growth of microorganisms in a 40 °C incubator for 15 days.
- each of the diluted solution of 3,000: 1 was sprayed onto the wafer, and the blade (Disco ZH05 SD 2000 was used to check the degree of blade damage.
- x, y, z of the propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer represented by Formula 1 was changed as shown in Table 1 to prepare a cleaning composition and tested for cleanability and microbial resistance.
- Example 1 5 5 5 ⁇ ⁇ Example 2 5 10 5 ⁇ ⁇ Example 3 10 15 10 ⁇ ⁇ Example 4 10 20 10 ⁇ ⁇ Example 5 20 15 20 ⁇ ⁇ Example 6 20 20 ⁇ ⁇ Comparative Example 1 - 5 10 ⁇ ⁇ Comparative Example 2 - 10 20 ⁇ ⁇
- Example 4 and Example 5 and the propylene oxide / ethylene oxide / propylene oxide copolymer shown in Table 2 showing the best cleaning and microbial resistance in Example was changed to prepare a composition, and then After changing the n of the nonionic surfactant represented by the formula (2) as shown in Table 2 and preparing the composition by mixing each of the prepared composition in a weight ratio of 7: 3, and after cleaning and microbial resistance The degree of thermal damage was measured.
- Example 4 10 20 10 - ⁇ ⁇ ⁇ Example 5 20 15 20 - ⁇ ⁇ ⁇ Example 7 10 20 10 5 ⁇ ⁇ ⁇ Example 8 20 15 20 10 ⁇ ⁇ ⁇ Example 9 10 20 10 20 ⁇ ⁇ ⁇
- Example 7 As shown in Table 2, as in Example 7 and Example 8, the addition of a nonionic surfactant was found to increase the washability, in the case of Example 8, n of Formula 2 to about 10 In one case, the detergency of microorganisms and thermal damage was very good.
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Abstract
본 발명은 다음 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물. [화학식 1] R1-(PO)x(EO)y(PO)z-R2 여기서, 상기 R1은 C8~20이고, R2는 -OH 또는 C8~20이며, x는 1~20, y는 5~20, z는 1~20이다. 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 웨이퍼 다이싱시 사용되는 세정제의 미립자 제거성능을 향상시키는 동시에, 웨이퍼에 대한 열적 손상을 완화시키고, 미생물에 대한 내성을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 발명은 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 프로필렌 옥사이드/에틸렌 옥사이드/프로필렌 옥사이드계 공중합체 및/또는 블록 공중합체를이용하여 내금속성, 내미생물성, 세정성을 향상시킨 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼 가공공정에서 적용되는 종래의 기술들로는 기판 내부의 미립 오염원에 대한 제거력이 매우 낮고, 재부착 방지 기능이 매우 낮은 특성을 갖는다.
또한, 웨이퍼 가공공정에서 매우 낮은 COD(Chemical Oxygen Demand)를 요구하는 사업장의 특성에 비추어 보면, 세정제 조성물에 적용되는 계면활성제 및 기타 보조제들로 인해 사용 중 또는 보관 중에 미생물에 쉽게 오염되는 문제점이 있다.
이에, 전술한 문제점을 극복하기 위하여 대한민국 특허출원 제10-2009-0066314호에는 단순히 비이온 계면활성제인 폴리에틸렌옥사이드/폴리프로필렌옥사이드(Polyethyleneoxide/Polypropyleneoxide, PEO-PPO)와 폴리에틸렌글리콜(Polyethyleneglycol, PEG) 및 기타 첨가제를 이용하여 세정액 조성물을 제조하는 것이 개시되어 있다.
하지만, 전술한 조성물은 세정시 일정한 크기의 오염원은 제거가 가능하나 미립 오염원의 경우 HLB값(Hydrophlic Lipophilic Value)을 상대적으로 많이 낮출 수가 없어 기능이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 대한민국특허출원 제10-2013-0091844호에는 아크릴산계 중합체 및 이들의 염으로 이루어진 조성물과 기타 부식방지제 및 이소티아졸리논을 적용한 세정제가 개시되어 있으며, 이는 내미생물성이 좋다고 개시되어 있다.
하지만, 전술한 아크릴산계 중합체의 기능적인 한계로 인해 세정성이 매우 낮은 단점이 있고, 이소티아졸리논은 가습기 살균제에 적용이 되어 물의를 일으키고 있는 성분이며, 또한 소량만 적용되어 일반적으로 희석액 형태로 사용되고 있는 현재의 제품 특성에 비추어 보면 희석액에서는 그 효과가 매우 미미하여 실효성이 없다.
본 발명은 전술한 문제점을 극복하기 위해 창출된 것으로서, 웨이퍼 다이싱시 사용되는 세정제의 미립자 제거성능을 향상시키는 동시에, 웨이퍼에 대한 열적 손상을 완화시키고, 미생물에 대한 내성을 향상시키는 것을 제공하고자 한다.
본 발명은 다음 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
R1-(PO)x(EO)y(PO)z-R2
여기서, 상기 R1은 C8~20이고, R2는 -OH 또는 C8~20이며, x는 1~20, y는 5~20, z는 1~20이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 웨이퍼 다이싱시 사용되는 세정제의 미립자 제거성능을 향상시키는 동시에, 웨이퍼에 대한 열적 손상을 완화시키고, 미생물에 대한 내성을 향상시키는 효과가 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명은 다음 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
R1-(PO)x(EO)y(PO)z-R2
여기서, 상기 R1은 C8~20이고, R2는 -OH 또는 C8~20이며, x는 1~20, y는 5~20, z는 1~20이다.
일반적인 웨이퍼 다이싱용 세정제의 경우, 에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체(Ethylene oxide/Propylene Oxide Copolymer)만을 대상으로 하는 경우들이 많으며, 이때 부가되는 물질의 양 또한 제한적인 경우가 많다.
하지만, 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 다음 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체(Propylene oxide/Ethylene oxide/Propylene oxide Copolymer)를 포함한다.
[화학식 1]
R1-(PO)x(EO)y(PO)z-R2
여기서, 상기 R1은 C8~20, 바람직하게는 C8~14이고; R2는 -OH 또는 C8~20, 바람직하게는 C8~10이며; x는 1~20, y는 5~20, z는 1~20이다.
본 발명에 따른 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체는 PO(Propylene oxide) 구조를 외측에 배치하고, EO(Ethylene oxide) 구조를 내측에 배치하여 유성 오염원에 대한 제거력 및 미립자 세정성이 우수하다.
특히, 본 발명에 따른 프로필렌옥사이드(PO)/에틸렌옥사이드(EO)/프로필렌옥사이드(PO) 공중합체는 상기 PO/EO/PO로 배치된 구조적인 특성을 기본으로 하여 x, y, z를 상호 변환하여 그 세정성 및 내미생물성을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체와 다음 화학식 2에 따른 비이온성계면활성제인 에틸렌옥사이드를 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
R-(EO)nOH
여기서, 상기 R은 C6~24이고, n은 1~20이다.
여기서, 상기 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체와 화학식 2로 표시되는 비이온성계면활성제의 혼합비율은 사용자의 선택에 따라 변경 가능하지만, 상기 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체 100중량부 기준으로 5 내지 80중량부의 비이온성계면활성제를 혼합하여 세정제 조성물을 제조하는 것이 좋다.
한편, 본 발명에 따른 화학식 2로 표시되는 비이온성계면활성제로 바람직한 것은 C12~14 지방알콜(C12~14 Fatty Alchol(6EO~9EO)), C16~18 지방알콜(C16~18 Fatty Alchol(11EO~80EO)), C13~15 옥소알콜(C13~15 Oxo Alchol(2EO~20EO)), C10 게르베 알코올 알콕시레이트(C10 Guerbet Alchol Alkoxylate(4EO~5EO)) 또는 이들로부터 선택된 적어도 하나 이상의 혼합물을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것이 아니라, 상기 언급된 물질들과 유사한 성분들로 대체되거나 화학식 2의 R(EO)nOH에서 -OH가 R로 변경될 수 있다.
특정 양태로서, 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 세정성 뿐만 아니라 내미생물성을 향상시키기 위하여 미생물 성장을 억제하기 위한 미생물 성장 억제제를 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체 100중량부 기준으로 1 내지 50중량부 더 포함할 수 있다.
바람직한 미생물 성장 억제제는 5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페놀 (5-Chloro-2-(2,4-dichlorophenoxy)phenol), 2-브로모-2-니트로프로판-1,2-디올(2-bromo-2-nitropropane-1,3-diol), 개미산(Formic Acid), 펜탄디알 (Pentanedial), 옥스알데하이드(Oxaldehyde), 페녹시에탄올(Phenoxyethanol), 디클로로하이드록시디페닐에테르(Dichlorohydroxydiphenylether), 프로판-1,3-디올 (Propane-1,3-diol), 3-[(2-에틸헥실)옥시]-1,2-프로판디올 (3-[(2-Ethylhexyl)oxy]-1,2-propanediol) 또는 이들로부터 선택된 적어도 하나 이상의 혼합물을 포함한다.
다른 특정 양태로서, 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 웨이퍼 쏘잉 과정 중에 발생되는 웨이퍼의 기판부식 및 장비의 부식을 방지하기 위한 부식방지제를 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체 100중량부 기준으로 1 내지 40중량부 더 포함할 수 있다.
바람직한 부식방지제는 1,2,3-벤조트리아졸(1,2,3-Benzotriazole), 바륨 나이트레이트(BARIUM NITRATE), 2,5-디머캅토-1,3,4-티아디아졸 (2,5-DIMERCAPTO-1,3,4-THIADIAZOLE), 파라 테트 부틸 벤조익산(PARA TERT BUTYL BENZOIC ACID), 파라 톨루익산(PARA TOLUIC ACID), 몰리브데이트 나트륨(SODIUM MOLYBDATE), 헵타몰리브데이트 암모늄(AMMONIUM HEPTAMOLYBDATE), 마니톨 (MANNITOL), 5-아미노테트라졸 모노하이드레이트(5-AMINOTETRAZOLE MONOHYDRATE), 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드(TETRAETHYL AMMONIUM HYDROXIDE), 아스코르빅산 (ASCORBIC ACID) 또는 이들로부터 선택된 적어도 하나 이상의 혼합물을 포함한다.
또 다른 특정 양태로서, 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 웨이퍼의 기판부식 및 장비의 부식을 방지하기 위한 방청제를 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체 100중량부 기준으로 0.5 내지 10중량부 더 포함할 수 있다.
바람직한 방청제로는 크롬산 스트론튬, 크롬산 칼슘, 크롬산 바륨, 크롬산 아연칼륨, 사염기산 크롬산 아연, 아연말, 인산아연, 유기니트로 화합물 아연염, 규산염 칼슘, 사산화삼납, 아연 칼륨 또는 이들의 혼합물을 사용하는 것이 좋다.
이하에서 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하기로 한다. 그러나 하기의 실시예는 오로지 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로 이들 실시예에 의해 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
먼저, 실시예 등을 설명하기에 앞서, 실시예 및 비교예 등에 사용된 세정성, 내미생물성, 열적 손상정도는 다음 시험방법으로 실시하였다.
세정성 시험
세정제 조성물을 3,000:1로 희석하여 실리콘 웨이퍼에서 500메쉬(mesh) 이하의 웨이퍼 조각 및 카본블랙을 12인치 웨이퍼에 각 1g씩 골고루 도포 후 오염물 제거에 대한 상대 평가.
내미생물성 시험
미생물 배지에 세정제 조성물을 적가하여 40℃ 인큐베이터에 15일간 미생물의 생장 정도를 확인.
열적 손상정도 시험
세정제 조성물을 기준으로 각 3,000:1의 희석액으로 제조하여 웨이퍼에 분사 후 블레이드(Disco사 ZH05 SD 2000을 이용하여 블레이드 손상 정도를 확인.
[실시예]
세정성 및 내미생물성 테스트
다음 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체의 x, y, z를 표 1과 같이 변경하며 세정제 조성물을 제조한 후 세정성 및 내미생물성을 테스트하였다.
[화학식 1]
R1-(PO)x(EO)y(PO)z-R2
[비교예]
세정성 및 내미생물성 테스트
다음 화학식 3으로 표시되는 에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체의 y, z를 표 1과 같이 변경하며 세정제 조성물을 제조한 후 세정성 및 내미생물성을 테스트하였다.
[화학식 3]
(EO)y(PO)z
| x | y | z | 세정성 | 내미생물성 | |
| 실시예 1 | 5 | 5 | 5 | ○ | ○ |
| 실시예 2 | 5 | 10 | 5 | ○ | ○ |
| 실시예 3 | 10 | 15 | 10 | ○ | ○ |
| 실시예 4 | 10 | 20 | 10 | ◎ | ◎ |
| 실시예 5 | 20 | 15 | 20 | ◎ | ◎ |
| 실시예 6 | 20 | 20 | 20 | ○ | ○ |
| 비교예 1 | - | 5 | 10 | ○ | ○ |
| 비교예 2 | - | 10 | 20 | △ | △ |
여기서, 상기 △는 보통, ○는 좋음, ◎은 매우 좋음이다.
표 1에 나타낸 바와 같이, 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체의 x, y, z의 값 변화에 따라 세정성 및 내미생물성이 변화하는 것을 알 수 있었으며, 실시예들이 비교예들 보다 세정성 및 내미생물성이 좋은 것으로 나타났다.
[실험]
세정성, 내미생물성 및 열적 손상정도 테스트
실시예에서 가장 우수한 세정성 및 내미생물성을 나타낸 실시예 4 및 실시예 5와 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체의 x, y, z를 표 2와 같이 변경하여 조성물을 제조하고, 다음 화학식 2로 표시되는 비이온성계면활성제의 n을 표 2와 같이 변화시키며 조성물을 제조한 뒤 제조된 각각의 조성물을 7:3의 중량비율로 혼합하여 세정제 조성물을 제조한 후 세정성 및 내미생물성과 열적 손상정도를 측정하였다.
[화학식 2]
R-(EO)nOH
| x | y | z | n | 세정성 | 내미생물성 | 열적손상정도 | |
| 실시예 4 | 10 | 20 | 10 | - | △ | △ | △ |
| 실시예 5 | 20 | 15 | 20 | - | ○ | ○ | ○ |
| 실시예 7 | 10 | 20 | 10 | 5 | ◎ | ○ | ○ |
| 실시예 8 | 20 | 15 | 20 | 10 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예 9 | 10 | 20 | 10 | 20 | ○ | ○ | ○ |
여기서, 상기 △는 보통, ○는 좋음, ◎은 매우 좋음이다.
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 7 및 실시예 8과 같이, 비이온성계면활성제를 더 부가하므로서, 세정성이 증가하는 것으로 나타났으며, 실시예 8의 경우, 화학식 2의 n을 약 10으로 한 경우 세정성 내미생물성 및 열적 손상정도가 매우 좋은 것으로 나타났다.
[실시예 10]
상기 실시예 8에 따라 제조된 세정제 조성물에 5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페놀 25g을 더 부가하여 실시하였다.
[실시예 11]
상기 실시예 8에 따라 제조된 세정제 조성물에 1,2,3-벤조트리아졸 20g을 더 부가하여 실시하였다.
[실시예 12]
상기 실시예 8에 따라 제조된 세정제 조성물에 크롬산 스트론튬 5g을 더 부가하여 실시하였다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모두 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모두 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (4)
- 다음 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.[화학식 1]R1-(PO)x(EO)y(PO)z-R2여기서, 상기 R1은 C8~20이고, R2는 -OH 또는 C8~20이며, x는 1~20, y는 5~20, z는 1~20이다.
- 제1항에 있어서,상기 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 다음 화학식 2에 따른 비이온성계면활성제인 에틸렌옥사이드를 더 포함하는 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.[화학식 2]R-(EO)nOH여기서, 상기 R은 C6~24이고, n은 1~20이다.
- 제2항에 있어서,상기 화학식 2에 따른 비이온성계면활성제인 에틸렌옥사이드의 -OH 대신에 -R 이 사용되며, 상기 R은 C6~24 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
- 제2항에 있어서,상기 화학식 2에 따른 비이온성계면활성제인 에틸렌옥사이드는 상기 화학식 1로 표시되는 프로필렌옥사이드/에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 공중합체 100중량부를 기준으로 5 내지 80 중량부로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
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| NENP | Non-entry into the national phase |
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Ref document number: 17894281 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |