WO2018080281A1 - Apparatus and method for modifying skin by using laser and plasma - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a skin reforming apparatus and a method for reforming using a laser and plasma, and more particularly, to a skin reforming apparatus and a method for reforming using a laser and plasma to stimulate the skin and scalp to promote regeneration.
- Human skin tissue is composed of the epidermis and the subcutaneous tissue below it, the epidermal layer having a stratum corneum acts as a biological barrier to the environment, the melanin cells that determine the skin color is present in the base layer.
- the lower subcutaneous tissue maintains the structure of the skin by the extracellular collagen acts as a support.
- Collagen is synthesized by fibroblasts and is a protein in which three polypeptides form a spiral structure.
- the body When injured, the body activates a complex remedy, of which fibroblasts are present under the skin and are activated to temporarily enter the extra cellular matrix (ECM) to cover the wound as soon as possible. Secrete. As fibroblasts slowly move around the matrix, attracting fibers to recombine the matrix, making the matrix more rigid, and because of the growth factors contained in the matrix that were initially soft, the fibroblasts expressed contractile proteins by the growth factors, At some point, the fibroblasts stop moving and turn into strong contractile cells, such as popeye, that settle in the matrix and attract the edges of the wound, resulting in scarring or uneven surface of the skin.
- ECM extra cellular matrix
- the collagen fibrous tissue is heated by a predetermined energy source, degeneration of the physical properties of the protein matrix occurs at a specific temperature, molecular binding of the matrix is broken, and the condition of the skin becomes even, and also activates the collagen layer. The elasticity of the skin can be restored.
- the solid with the lowest energy state among the materials receives energy and is transferred to a liquid or gas.
- a plasma including electrons, ions, neutral atoms, and molecules may be generated by ionization and recombination of electrons and ions.
- Plasma is called ionized conductive gas species because the positive and negative charges are mixed in the plasma to maintain Brown's motion close to free particles and to remain electrically neutral.
- Plasma classification criteria include plasma density, electron temperature, degree of thermal equilibrium (LTE or non-LTE) between species, generation mode, and application field.
- Plasma for research and manufacturing processes is usually either LTE or non-LTE, and the former is commonly referred to as thermal plasma and the latter as low temperature plasma.
- Atmospheric pressure plasma in low temperature plasma is mainly used in the field of surface modification and coating, environmental purification.
- research has been expanded to include bioapplications and biomedical applications.
- many atmospheric pressure plasma apparatuses have been studied (Korean Patent No. 1407672 and Korean Patent No. 1292268).
- the present invention relates to a device for modifying skin and scalp using a laser and a plasma, and to a method for modifying the plasma and the plasma according to the present invention, since hair growth from the scalp promotes hair growth and significantly increases the proliferation of dermal papilla cells. It is expected to be used greatly.
- Patent Document 0001 Republic of Korea Patent Publication No. 10-1407672 (2006.07.04.)
- the present invention was created to improve the problems of the skin and scalp reforming method using a conventional laser and plasma as described above, the skin and scalp reforming apparatus using a laser and plasma to induce regeneration of the skin by laser and plasma And to provide a method.
- the hair growth promoting apparatus includes a laser generator configured to irradiate a laser beam by a power applied from a power supply device, and a power supply from the power supply device to generate a potential difference, thereby generating a plasma. Characterized in that it comprises a plasma generating portion formed to generate.
- the skin modification method using the device is characterized in that it comprises a laser irradiation step of irradiating the laser to the skin, and a plasma treatment step of treating the plasma to the skin.
- control unit may further include a controller connected to the power supply device and configured to control power applied to the laser generator and the plasma generator.
- the laser generating unit and the plasma generating unit may be provided independently of each other to operate individually.
- the laser generating unit and the plasma generating unit may further include a handpiece body coupled.
- the laser generation unit may be connected to one end of the handpiece body, and may generate a laser having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less using LD or LED as a light source.
- the plasma generator may be disposed to be spaced apart from the laser generator, and may generate a plasma by a potential difference, and a pinhole may be formed to pass the laser generated by the laser generator.
- the plasma generating unit may include a plasma electrode for generating a dielectric barrier plasma, and an electrode holder formed to receive the plasma electrode.
- the plasma generating unit may further include a spacer which protrudes to contact the skin to generate a predetermined space between the skin and the plasma electrode.
- the plasma electrode may include a metal electrode generating a potential difference using an applied voltage, and a dielectric layer formed to stabilize the plasma by surrounding the metal electrode.
- the plasma electrode may have the metal electrode and the dielectric layer formed in a lattice form so that the pinhole is formed.
- the bridge may be extended to correspond to the laser focusing distance of the laser generation unit.
- the controller may alternately operate the laser generator and the plasma generator.
- the controller may operate the laser generator and the plasma generator at the same time.
- the power supply device may output a current in the form of a sine wave (sine wave).
- pulse streamer discharges silent discharges, partial discharges, creepage discharges and corona discharges.
- the laser irradiation step it is also possible to irradiate the skin with a peelable laser.
- the laser irradiation step it is also possible to irradiate the laser to the skin by a low power laser therapy method.
- the skin modification method may also be performed after the laser irradiation step.
- the skin modification method may be to perform the laser irradiation step after the plasma treatment step.
- the laser irradiation step and the plasma generating step may be performed according to a predetermined pattern.
- the laser may be irradiated with a wavelength of 1500 nm or more and 11000 nm or less.
- the laser may be irradiated with a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less.
- the device of the present invention is a cosmetic use for skin modification, and may further be used to improve skin wrinkles or to promote transdermal absorption of compositions such as cosmetics.
- "Beauty” in the present invention is intended to beautify the appearance of a healthy subject, and is clearly distinguished from the concept of "treatment” performed in a subject having a disease.
- the laser generating unit is formed so that the laser is irradiated by the power applied from the power supply; And a plasma generator configured to receive power from the power supply, and generate a potential difference to generate plasma, wherein the hair growth promoting device is connected to the power supply and is connected to the laser generator and the plasma. And a control unit provided to control the power applied to the generating unit.
- the hair growth promoting apparatus further comprises: the laser generating unit and the plasma generating unit are provided independently of each other to operate individually. It provides a hair growth promoting device, and provides a hair growth promoting device further comprises; a handpiece body coupled to the laser generator and the plasma generator.
- the laser generating unit is connected to one end of the handpiece body, the LD or LED as a light source, the hair growth promoting device, characterized in that for generating a laser having a wavelength of 500nm or more, 700nm or less to provide.
- the plasma generating unit is arranged to be spaced apart from the laser generating unit, generating a plasma by the potential difference, the hair growth promoting device characterized in that the pinhole is formed to pass the laser generated in the laser generating unit And a bridge extending from the laser generating portion side end of the handpiece body to be connected to the plasma generating portion to prevent damage to the skin.
- the plasma generating unit includes: a plasma electrode for generating a dielectric barrier plasma; And an electrode holder formed to receive the plasma electrode, wherein the plasma generating unit is formed to protrude to generate a predetermined space between the skin and the plasma electrode in contact with the skin. It provides a hair growth promoting apparatus further comprising a spacer.
- the plasma electrode a metal electrode for generating a potential difference using an applied voltage; And a dielectric layer formed to surround the metal electrode to stabilize the plasma, wherein the plasma electrode comprises: the metal electrode and the dielectric layer formed in a lattice form such that the pinhole is formed. It provides a hair growth promoting device, characterized in that.
- the bridge is provided in accordance with the laser focusing distance of the laser generating unit, characterized in that the hair growth promoting device, characterized in that the control unit alternately to operate the laser generating unit and the plasma generating unit.
- a hair growth promoting apparatus is provided, wherein the controller provides the hair growth promoting apparatus, wherein the laser generating unit and the plasma generating unit are operated at the same time, and the power supply device is in the form of a sine wave (sine wave).
- a hair growth promoting device characterized by outputting a current.
- a skin modification method comprising the step of co-processing the plasma and light on the skin, wherein the co-treatment of the plasma and light, the plasma pre-treatment and post-treatment, or the light It provides a skin modification method of pretreatment and post-treatment of plasma, simultaneous treatment of plasma and light, or alternately repeating treatment of plasma and laser, wherein the skin modification is performed on the skin of the plasma-treated area and of the light-treated area.
- a method of skin modification characterized in that the skin is superimposed.
- the plasma is a skin modification method is a low-temperature plasma
- the low temperature plasma is a skin modification method is a plasma by pulse streamer discharge, silent discharge, partial discharge, creeping discharge, or corona discharge.
- the light is a skin modification method
- the laser is a skin modification method, which is a skin-derived laser
- the laser is a skin modification method, which is a laser of low power laser therapy
- the light is a skin characterized in that the wavelength of 605nm to 650nm. Provide a method of reforming.
- the skin is a skin modification method that is the scalp, and the skin modification provides a skin modification method of inhibiting hair loss, promoting hair growth, or strengthening the hair root.
- the plasma is a skin modification method for treating 5 to 40 J / cm 2 to the skin
- the plasma is a skin modification method to treat 10 to 20 J / cm 2 to the skin
- the light Is a skin modification method for treating the skin at 2 to 16 J / cm 2
- the light provides a skin modification method for treating the skin at 2 to 8 J / cm 2 .
- the laser and the scalp are stimulated, and the plasma is penetrated into the irritated skin and the scalp to increase the regeneration effect. It is effective in promoting hair growth.
- FIG. 1 is a flowchart illustrating a method for reforming skin and scalp using laser and plasma according to an embodiment of the present invention
- FIG. 2 is a block diagram of an apparatus for performing skin and scalp modification using laser and plasma according to an embodiment of the present invention
- FIG. 3 is a perspective view of a device for performing the method of skin and scalp modification using a laser and plasma according to an embodiment of the present invention
- FIG. 4 is an enlarged perspective view of a plasma generator and a laser generator in FIG. 3;
- FIG. 5 is a front view of the plasma generator in FIG. 3;
- FIG. 6 is a cross-sectional view showing a cross section of a portion indicated by A-A in FIG. 5;
- FIG. 7 is a result showing the scalp stimulation effect using a laser and a plasma according to an embodiment of the present invention.
- plasma of various energies was combined with red wavelength light in human hair follicle dermal papilla cells.
- the energy range of the plasma is preferably 5 to 40 J / cm 2 , more preferably 10 to 20 J / cm 2 .
- the energy range of the plasma is preferably 5 to 20 J / cm 2 and the light of the red wavelength is 2 to 16 J / cm 2
- the energy of the plasma is 10 to More preferably, the light of 20 J / cm 2 and the red wavelength is 2 to 16 J / cm 2
- the energy range of the plasma is 10 to 20 J / cm 2 and the light of the red wavelength is 2 to 8 J / cm 2 .
- reference numeral 100 denotes a handpiece body
- 200 denotes a laser generator
- 300 denotes a plasma generator
- 310 denotes an electrode holder
- 330 denotes a plasma electrode
- 331 denotes a metal electrode
- 333 denotes a dielectric layer
- 335 denotes a pinhole
- 350 denotes a spacer
- 400 denotes a bridge
- 500 denotes a power supply
- 600 denotes a control unit.
- a method for modifying skin and scalp using a laser and a plasma includes a laser irradiation step (S10) and a plasma processing step (S20).
- the laser irradiation step (S10) and the plasma processing step (S20) is not only performed independently of each other, but also after the laser irradiation step (S10) to perform the plasma processing step (S20) or the plasma processing step (S20) After the laser irradiation step (S10) may be performed, the laser irradiation step (S10) and the plasma processing step (S20) may be performed simultaneously or alternately with each other, and performed according to a predetermined pattern. It is also possible.
- the laser irradiation step (S10) is irradiated with a laser on the skin (scalp).
- the laser irradiated to the skin (scalp) includes a peelable laser.
- Dermabrasive lasers have the effect of irritating the skin's epidermis (CO 2 laser and Erbium Yag laser) or dermis (fractional laser) to regenerate the skin.
- the laser irradiation step (S10) it is also possible to use a laser used for Low Level Laser Treatment (LLLT). That is, by irradiating a laser having a wavelength of 500nm or more and 700nm or less, there is an effect of expanding the blood vessels and improving blood circulation to restore the skin.
- LLLT Low Level Laser Treatment
- a laser (energy source) having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less and using a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED) as a light source may be used.
- Hair repeats three stages of growth, rest, and degeneration, called hair cycles.
- the laser having the above wavelength (wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less) stimulates metabolism by stimulating hair follicles of the resting and degeneration phases. Since the above wavelength (wavelength above 500nm and below 700nm) is specifically absorbed by blood vessels and hair follicles compared to other wavelengths, the above effect can be expected.
- the plasma is treated on the skin (scalp).
- the plasma irradiated to the skin (scalp) includes a low temperature plasma.
- Discharges forming low temperature plasma include pulse streamer discharge, silent discharge, partial discharge, creepage discharge and corona discharge.
- the pulse streamer discharge is applied to a pulsed high voltage with a rise time of several tens of milliseconds and a duration of about 1 milliseconds or less, and a streamer discharge occurs to form a plasma.
- the application of alternating current high voltage causes pulsed discharge, and the spray discharge is the installation of metal mesh electrodes on both sides of the filling of the ceramic ferret with a particle diameter of several mm and the application of alternating current high voltage. It happens in the middle.
- the dielectric barrier plasma belonging to the silent discharge it is possible to generate a controlled plasma while passing through the dielectric layer, thereby preventing damage to a target material including a living tissue.
- the skin (scalp) region irradiated with the laser in the laser irradiation step S10 and the skin (scalp) region where the plasma is treated in the plasma processing step S20 are overlapped.
- the hair growth promoting apparatus using the laser and the plasma according to the present embodiment includes a laser generator 200, a plasma generator 300, a power supply device 500, and a controller 600.
- power is applied from the power supply device 500 to the controller 600, and the power applied to the controller 600 is controlled by the controller 600 and the plasma generator 200 and the plasma. It is electrically connected to the generator 300 to be applied.
- the laser generating unit 200 is a peeling of various wavelengths (1500nm or more, 11000nm or less), including a CO 2 laser (wavelength 10600nm), Erbium Yag laser (Erbium YAG: wavelength 2940nm) and fractional laser (wavelength 1550nm). Sex lasers can be applied.
- the laser generator 200 may be provided to generate a low power laser having a wavelength of 500nm or more, 700nm or less.
- the laser generator 200 may be provided with a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED) having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less.
- LD laser diode
- LED light emitting diode
- the skin reforming apparatus using the laser and the plasma of the present embodiment includes the handpiece body 100, the laser generator 200, the plasma generator 300, the bridge 400, the power supply device 500, and the controller 600. Include.
- the plasma generator 300 is coupled to one end of the handpiece body 100, and the bridge 400 is formed to extend from the plasma generator 300 side end of the handpiece body 100.
- the bridge 400 is coupled to the plasma generator 300.
- the handpiece body 100 forms an outer shape of the present invention, has a cylindrical shape formed along the axial direction, and accommodates the power supply device 500 and the controller 600 therein.
- the laser generator 200 is coupled to one end of the handpiece body 100 and includes a microarray lens (not shown).
- the plasma generator 300 includes an electrode holder 310, a plasma electrode 330, and a spacer 350.
- the plasma electrode 330 is seated inside the electrode holder 310, and the spacer 350 protrudes outward from the electrode holder 310.
- the plasma generating unit 300 applies a dielectric barrier plasma, but is not limited thereto.
- the plasma generator 300 includes a low temperature plasma using a streamer discharge, a dielectric barrier discharge, a creepage discharge, a corona discharge, or the like.
- the electrode holder 310 is connected to one end of the bridge 400, is formed in a disk shape as a whole, it is formed in the shape of a hole so that the plasma electrode 330 can be seated inside.
- the plasma electrode 330 includes a metal electrode 331, a dielectric layer 333, and a pinhole 335. On the other hand, the plasma electrode 330 is coupled to the electrode holder 310 to be detachable.
- the metal electrode 331 is electrically connected to the power supply device 500 and the controller 600, and the surface of the metal electrode 331 is bonded to the dielectric layer 333 and covered.
- the metal electrode 331 is formed in a lattice form.
- the dielectric layer 333 is stacked on the metal electrode 331 with a uniform thickness. Accordingly, the metal electrode 331 is formed in the form of a lattice, and the pinhole 335 is formed between the dielectric layers 333 in the form of a lattice.
- the dielectric layer 333 uses a ceramic material.
- the dielectric layer 333 is not limited thereto, and alumina (Al 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), or the like may be used as the dielectric material.
- the spacer 350 protrudes outward from the electrode holder 310 and is formed along the circumferential direction, and a plurality of spacers 350 are formed at predetermined intervals.
- the spacer 350 is formed to be in contact with the user's skin.
- four spacers 350 are formed at intervals of 90 degrees, but are not limited thereto.
- the bridge 400 extends from an end portion of the laser generating unit side of the handpiece body 100 to be connected to the plasma generating unit 300.
- two bridges 400 are formed, but are not limited thereto.
- the bridge 400 is formed corresponding to the focal length of the laser generator 200.
- FIGS. 4 and 5 the operation and effect of the apparatus for implementing the skin and scalp modification method using the laser and the plasma according to the present embodiment will be described.
- a user grabs the handpiece body 100 and contacts the skin. Let's do it.
- the spacer 350 is in contact with the skin to form a space between the plasma generating unit 300 and the skin.
- the laser generator 200 may skin a laser having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less in a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED). Investigate (scalp).
- LD laser diode
- LED light emitting diode
- the skin reforming apparatus using the laser and the plasma of the present invention when operated, power is applied to the metal electrode 331 of the plasma generating unit 300 through the power supply device 500 and the control unit 600. do.
- the dielectric barrier plasma is generated, the power source uses a low frequency of 30 or more and 99 kHz or less for the dielectric barrier plasma processing, the power consumption of the plasma processing is 1 or more and 15 W or less, and the ground current of the plasma processing. Is not less than 0.1 and less than 9.9 mA, but is not limited thereto.
- the power supply device 500 may supply an output current of a sin (sine) waveform (sine wave).
- the output current waveform is obtained as a sin waveform
- the efficiency compared to the input voltage can be further increased compared to a general square wave (square wave).
- a square wave a surge phenomenon occurs, and when a plasma is generated, a large current flows rapidly for a short time, but the sin wave output has the advantage of enabling stable plasma.
- plasma is generated by the potential difference between the plasma electrode 330 and the skin.
- the energy generated by the potential difference in the metal electrode 331 is stabilized while passing through the dielectric layer 333 to prevent high energy from being concentrated at the localized portion. Therefore, the plasma is generated while passing through the dielectric layer 333 (dielectric barrier plasma) to prevent damage to the target material, including biological tissues.
- the dielectric layer 333 is not formed only on one side thereof but is formed to surround the metal electrode 331, the plasma generation unit as well as the skin and the plasma generation unit 300 are separated from each other. Plasma is generated even when the skin side of 300 is in contact with the skin.
- the metal electrode 331 and the dielectric layer 333 are formed in a lattice form to form the pinhole 335, and the laser generating unit 200 and the plasma generating unit are formed by the bridge 400. 300 was placed coaxially. That is, the skin region for irradiating a laser from the laser generator 200 and the skin region for generating plasma from the plasma generator 300 overlap each other.
- the laser irradiated from the laser generator 200 may pass through the pinhole 335 to irradiate the skin.
- the length of the bridge 400 may be formed to correspond to a laser focusing distance, thereby providing an optimal condition to prevent plasma damage while penetrating the plasma.
- the plasma electrode 330 is detachably coupled, and designed to adjust the intensity of the plasma and the irradiation amount of the laser according to the type of skin.
- control unit 600 not only operates the laser generator 200 and the plasma generator 300 at the same time, but also operates the laser generator 200 and then the plasma generator 300. ) May be operated, and conversely, the plasma generator 300 may be operated first.
- the laser generating unit 200 and the plasma generating unit 300 may be alternately operated.
- the laser generating unit 200 and the plasma generating unit 300 may be operated in accordance with a predetermined pattern.
- VEGF vascular endothelial growth factor
- the plasma treatment showed a doubling of VEGF expression compared to the case of no treatment.
- the treatment of light only showed a slight difference in VEGF expression regardless of the wavelength of light. .
- the wavelength of the light is blue (440 nm to 490 nm), green (485 nm to 555 nm), or yellow (570 nm to 610 nm).
- the plasma and the red wavelength (605nm ⁇ 650nm) is treated together, it can be seen that the expression of VEGF significantly increased compared to all other cases.
- plasma of various energies was combined with red wavelength light in human hair follicle dermal papilla cells.
- Table 2 shows the results of% conversion of the MTT measurement results in each sample on the basis of the negative control group (plasma and light untreated), and the results of% conversion on the basis of untreated light in the same plasma energy group are shown in Table 3 below. Described.
- the energy range of the plasma is preferably 5 to 40 J / cm 2 , more preferably 10 to 20 J / cm 2 .
- the energy range of the plasma is preferably 5 to 20 J / cm 2 and the light of the red wavelength is 2 to 16 J / cm 2
- the energy of the plasma is 10 to More preferably, the light of 20 J / cm 2 and the red wavelength is 2 to 16 J / cm 2
- the energy range of the plasma is 10 to 20 J / cm 2 and the light of the red wavelength is 2 to 8 J / cm 2 .
- the present invention relates to a device for modifying skin and scalp using a laser and a plasma, and to a method for modifying the plasma and the plasma according to the present invention, since hair growth from the scalp promotes hair growth and significantly increases the proliferation of dermal papilla cells. It is expected to be used greatly.
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Abstract
The present invention relates to a method for modifying skin by using a laser and a plasma and an apparatus therefor, the apparatus comprising: a laser generator configured to radiate a laser with a power applied from a power supply device; and a plasma generator configured to receive a power from the power supply device, to generate a potential difference, and thus to generate a plasma. In the apparatus, the laser stimulates the skin and the scalp while the plasma penetrates the stimulated skin and scalp, thereby increasing a skin regeneration effect.
Description
본 발명은 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 개질장치 및 개질방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 피부 및 두피를 자극하여 재생을 촉진시키는 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 개질장치 및 개질방법에 관한 것이다.The present invention relates to a skin reforming apparatus and a method for reforming using a laser and plasma, and more particularly, to a skin reforming apparatus and a method for reforming using a laser and plasma to stimulate the skin and scalp to promote regeneration.
인체의 피부조직은 표피와 그 하부의 피하조직으로 구성되며, 각질층을 가지는 상기 표피층은 환경에 대한 생물학적 장벽으로 작용하고, 기저층에는 피부색을 결정하는 멜라닌 세포가 존재한다. 또한, 하부의 피하조직은 세포외 단백질인 콜라겐이 지지체 역할을 함으로써 피부의 구조를 유지한다. 콜라겐은 섬유아세포에 의해 합성되며, 세 개의 폴리펩티드가 나선구조를 이루고 있는 단백질이다.Human skin tissue is composed of the epidermis and the subcutaneous tissue below it, the epidermal layer having a stratum corneum acts as a biological barrier to the environment, the melanin cells that determine the skin color is present in the base layer. In addition, the lower subcutaneous tissue maintains the structure of the skin by the extracellular collagen acts as a support. Collagen is synthesized by fibroblasts and is a protein in which three polypeptides form a spiral structure.
상처를 입으면 신체는 복잡한 구제기능을 작동시키게 되는데, 이 중 섬유아세포(fibroblast)는 피부 아래에 존재하다가 활성화되어 일시적으로 상처부위의 메트릭스(ECM, extra cellular matrix)로 들어가 가능한 빨리 상처를 덮기 위해 콜라겐을 분비한다. 섬유아세포가 메트릭스 주변에서 천천히 이동하면서 섬유를 끌어당겨 재조합하는 과정에서 메트릭스를 점점 단단하게 만들며, 초기에는 부드러운 상태인 메트릭스에 포함된 성장요소 때문에, 섬유아세포가 성장요소에 의해 수축성 단백질을 발현하면서, 어느 시점에 이르면 섬유아세포는 이동을 멈추고 팝아이(popeye)처럼 강한 수축성 세포로 변하여 메트릭스 내에 정착하여 상처 가장자리를 끌어당기게 되어, 흉터가 생기거나 피부의 표면이 고르지 못하게 된다.When injured, the body activates a complex remedy, of which fibroblasts are present under the skin and are activated to temporarily enter the extra cellular matrix (ECM) to cover the wound as soon as possible. Secrete. As fibroblasts slowly move around the matrix, attracting fibers to recombine the matrix, making the matrix more rigid, and because of the growth factors contained in the matrix that were initially soft, the fibroblasts expressed contractile proteins by the growth factors, At some point, the fibroblasts stop moving and turn into strong contractile cells, such as popeye, that settle in the matrix and attract the edges of the wound, resulting in scarring or uneven surface of the skin.
이때, 콜라겐 섬유 조직이 소정의 에너지원에 의해 가열되며, 특정 온도에서 상기 단백질 메트릭스의 물리적 특성의 변성이 일어나게 되며, 메트릭스의 분자결합이 파괴되게 되어 피부의 상태가 고르게되며, 또한 콜라겐층을 활성화시켜 피부의 탄력이 복귀될 수 있다.At this time, the collagen fibrous tissue is heated by a predetermined energy source, degeneration of the physical properties of the protein matrix occurs at a specific temperature, molecular binding of the matrix is broken, and the condition of the skin becomes even, and also activates the collagen layer. The elasticity of the skin can be restored.
한편, 물질 중 에너지 상태가 가장 낮은 고체가 에너지를 받아 액체, 또는 기체로 전이된다. 이때 중성 기체에 이온화 에너지 이상의 에너지가 인가되면 이온화 및 전자와 이온의 재결합에 의해 전자, 이온, 중성 원자 및 분자로 이루어진 플라즈마를 생성할 수 있다. 플라즈마에는 양전하와 음전하가 혼재하여 자유 입자에 가까운 브라운 운동을 하면서도 전기적으로 중성을 유지하고 있기 때문에 이온화된 전도성 가스종이라고 한다. 플라즈마의 분류 기준에는 플라즈마 밀도, 전자 온도, 종들 간의 열평형 정도(LTE 또는 non-LTE), 발생 방식, 응용 분야 등이 있다. 연구나 제조 공정을 위한 플라즈마는 대개 LTE 또는 non-LTE 중 하나이며, 일반적으로 전자를 열 플라즈마, 후자를 저온 플라즈마라고도 한다. 저온 플라즈마 중 대기압 플라즈마는 주로 물질의 표면 개질 및 코팅, 환경 정화 등의 분야에 활용되고 있다. 최근에는 생체 적용과 바이오 메디칼 분야의 응용 가능성으로 연구가 확대되고 있다. 바이오 메디칼 분야에서 대기압 플라즈마 장치가 많이 연구되고 있다(한국 등록특허 제 1407672호 및 한국 등록특허 제 1292268호).On the other hand, the solid with the lowest energy state among the materials receives energy and is transferred to a liquid or gas. In this case, when energy more than ionization energy is applied to the neutral gas, a plasma including electrons, ions, neutral atoms, and molecules may be generated by ionization and recombination of electrons and ions. Plasma is called ionized conductive gas species because the positive and negative charges are mixed in the plasma to maintain Brown's motion close to free particles and to remain electrically neutral. Plasma classification criteria include plasma density, electron temperature, degree of thermal equilibrium (LTE or non-LTE) between species, generation mode, and application field. Plasma for research and manufacturing processes is usually either LTE or non-LTE, and the former is commonly referred to as thermal plasma and the latter as low temperature plasma. Atmospheric pressure plasma in low temperature plasma is mainly used in the field of surface modification and coating, environmental purification. In recent years, research has been expanded to include bioapplications and biomedical applications. In the field of biomedical, many atmospheric pressure plasma apparatuses have been studied (Korean Patent No. 1407672 and Korean Patent No. 1292268).
그러나 종래의 레이저 등의 에너지원을 이용하여 피부에 상처를 일으켜 피부 탄력을 복귀시키는 기술 및 플라즈마를 이용하여 피부를 개질하는 기술을 각각 사용하는 것은 그 효과에 한계가 있다. 따라서, 이들을 함께 사용하여 피부 및 두피의 개질 효과를 더욱 향상시키는 기술에 대한 개발의 필요성이 증가하고 있다.However, the use of a technique of recovering skin elasticity by using a source of energy such as a laser to restore skin elasticity and a technique of modifying the skin using plasma, respectively, are limited in their effects. Thus, there is an increasing need for the development of techniques for using these together to further enhance the skin and scalp's modifying effects.
이에 본 발명의 출원인들은 본 발명을 완성하였다. 본 발명은 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질장치 및 개질방법에 관한 것으로, 본 발명의 레이저와 플라즈마 병용 투여는 두피로부터 발모를 촉진시키고 모유두세포의 증식을 현저하게 증가시키므로, 의료 및 미용 분야에서 크게 이용될 것으로 기대된다.Applicants of the present invention thus completed the present invention. The present invention relates to a device for modifying skin and scalp using a laser and a plasma, and to a method for modifying the plasma and the plasma according to the present invention, since hair growth from the scalp promotes hair growth and significantly increases the proliferation of dermal papilla cells. It is expected to be used greatly.
[선행기술문헌][Preceding technical literature]
(특허문헌 0001) 대한민국등록특허공보 제10-1407672호(2006.07.04.)(Patent Document 0001) Republic of Korea Patent Publication No. 10-1407672 (2006.07.04.)
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질방법이 가지는 문제점들을 개선하기 위해 창출된 것으로, 레이저 및 플라즈마에 의해 피부의 재생을 유발시키는 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention was created to improve the problems of the skin and scalp reforming method using a conventional laser and plasma as described above, the skin and scalp reforming apparatus using a laser and plasma to induce regeneration of the skin by laser and plasma And to provide a method.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 발모 촉진장치는 전원 공급 장치로부터 인가된 전원에 의하여 레이저가 조사되도록 형성된 레이저 발생부, 및 상기 전원 공급 장치로부터 전원을 공급받고 전위차를 발생시켜 플라즈마를 발생시키도록 형성된 플라즈마 발생부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 장치를 이용한 피부 개질방법은 피부에 레이저를 조사하는 레이저 조사단계, 및 피부에 플라즈마를 처리하는 플라즈마 처리단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the object as described above, the hair growth promoting apparatus according to the present invention includes a laser generator configured to irradiate a laser beam by a power applied from a power supply device, and a power supply from the power supply device to generate a potential difference, thereby generating a plasma. Characterized in that it comprises a plasma generating portion formed to generate. In addition, the skin modification method using the device is characterized in that it comprises a laser irradiation step of irradiating the laser to the skin, and a plasma treatment step of treating the plasma to the skin.
이때, 상기 전원 공급 장치와 연결되고, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부에 인가되는 전원을 제어하도록 구비된 제어부를 더 포함하는 것도 가능하다.In this case, the control unit may further include a controller connected to the power supply device and configured to control power applied to the laser generator and the plasma generator.
한편, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부는 서로 독립적으로 구비되어 개별적으로 작동되는 것도 가능하다.On the other hand, the laser generating unit and the plasma generating unit may be provided independently of each other to operate individually.
또한, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부가 결합되는 핸드피스 바디를 더 포함하는 것도 가능하다.In addition, the laser generating unit and the plasma generating unit may further include a handpiece body coupled.
이때, 상기 레이저 발생부는 상기 핸드피스 바디의 일측 단부에 연결되고, LD 또는 LED를 광원으로 하며, 500nm 이상, 700nm 이하의 파장을 갖는 레이저를 발생시키는 것도 가능하다.In this case, the laser generation unit may be connected to one end of the handpiece body, and may generate a laser having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less using LD or LED as a light source.
또한, 상기 플라즈마 발생부는 상기 레이저 발생부와 이격되게 배치되고, 전위차에 의하여 플라즈마를 발생시키며, 상기 레이저 발생부에서 발생된 레이저를 통과시키도록 핀홀이 형성된 것도 가능하다.In addition, the plasma generator may be disposed to be spaced apart from the laser generator, and may generate a plasma by a potential difference, and a pinhole may be formed to pass the laser generated by the laser generator.
한편, 피부의 손상을 방지하도록 상기 핸드피스 바디의 레이저 발생부 측 단부에서 연장되어 상기 플라즈마 발생부와 연결되도록 형성된 브릿지를 더 포함하는 것도 가능하다.On the other hand, it is also possible to further include a bridge extending from the end portion of the laser generating portion side of the handpiece body to be connected to the plasma generating portion to prevent damage to the skin.
한편, 상기 플라즈마 발생부는 유전체장벽플라즈마를 발생시키는 플라즈마전극, 및 상기 플라즈마전극을 수용하도록 형성된 전극홀더를 포함하는 것도 가능하다.On the other hand, the plasma generating unit may include a plasma electrode for generating a dielectric barrier plasma, and an electrode holder formed to receive the plasma electrode.
또한, 상기 플라즈마 발생부는 피부와 접촉하여 피부와 상기 플라즈마전극 사이에 소정 공간을 발생시키도록 돌출되어 형성된 스페이서를 더 포함하는 것도 가능하다.In addition, the plasma generating unit may further include a spacer which protrudes to contact the skin to generate a predetermined space between the skin and the plasma electrode.
이때, 상기 플라즈마전극은 인가된 전압을 이용하여 전위차를 발생시키는 메탈전극, 및 상기 메탈전극을 감싸 플라즈마를 안정시키도록 형성된 유전체층을 포함하는 것도 가능하다.In this case, the plasma electrode may include a metal electrode generating a potential difference using an applied voltage, and a dielectric layer formed to stabilize the plasma by surrounding the metal electrode.
또한, 상기 플라즈마전극은 상기 핀홀이 형성되도록 상기 메탈전극 및 상기 유전체층이 격자 형태로 형성되는 것도 가능하다.In addition, the plasma electrode may have the metal electrode and the dielectric layer formed in a lattice form so that the pinhole is formed.
한편, 상기 브릿지는 상기 레이저 발생부의 레이저 포커싱 거리에 대응하여 연장된 것도 가능하다.The bridge may be extended to correspond to the laser focusing distance of the laser generation unit.
한편, 상기 제어부는 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부를 교대로 작동시키는 것도 가능하다.Meanwhile, the controller may alternately operate the laser generator and the plasma generator.
또한, 상기 제어부는 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부를 동시에 작동시키는 것도 가능하다.The controller may operate the laser generator and the plasma generator at the same time.
한편, 상기 전원 공급 장치는 싸인파(정현파) 형태로 전류를 출력하는 것도 가능하다.On the other hand, the power supply device may output a current in the form of a sine wave (sine wave).
상기 장치를 이용한 피부 및 두피 개질방법은, 플라즈마 처리단계에서 피부에 저온 플라즈마를 발생시켜 피부에 처리하는 것도 가능하다.In the skin and scalp reforming method using the apparatus, it is also possible to generate a low-temperature plasma to the skin in the plasma treatment step and to treat the skin.
또한, 펄즈스트리머방전, 무성방전, 부분방전, 연면방전 및 코로나방전을 포함하는 것도 가능하다.It is also possible to include pulse streamer discharges, silent discharges, partial discharges, creepage discharges and corona discharges.
한편, 상기 레이저 조사단계에서는 피부에 박피성 레이저를 조사하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the laser irradiation step, it is also possible to irradiate the skin with a peelable laser.
또한, 상기 레이저 조사단계에서는 피부에 저출력 레이저 요법 방식으로 레이저를 조사하는 것도 가능하다.In addition, in the laser irradiation step, it is also possible to irradiate the laser to the skin by a low power laser therapy method.
한편, 상기 레이저 조사단계에서 레이저를 조사하는 피부 영역과 상기 플라즈마 처리단계에서 플라즈마를 발생시키는 피부 영역을 중첩시키는 것도 가능하다.On the other hand, it is also possible to overlap the skin region for irradiating a laser in the laser irradiation step and the skin region for generating a plasma in the plasma processing step.
이때, 상기 레이저 조사단계와 상기 플라즈마 처리단계를 동시에 수행하는 것도 가능하다.In this case, it is also possible to perform the laser irradiation step and the plasma processing step at the same time.
또한, 상기 피부 개질방법은 상기 레이저 조사단계 후 상기 플라즈마 처리단계를 수행하는 것도 가능하다.The skin modification method may also be performed after the laser irradiation step.
또한, 상기 피부 개질방법은 상기 플라즈마 처리단계 후 상기 레이저 조사단계를 수행하는 것도 가능하다.In addition, the skin modification method may be to perform the laser irradiation step after the plasma treatment step.
또한, 상기 레이저 조사단계와 상기 플라즈마 발생단계를 교대로 수행하는 것도 가능하다.It is also possible to alternately perform the laser irradiation step and the plasma generation step.
또한, 상기 레이저 조사단계와 상기 플라즈마 발생단계를 소정 패턴에 따라 수행하는 것도 가능하다.In addition, the laser irradiation step and the plasma generating step may be performed according to a predetermined pattern.
이때, 상기 레이저는 1500nm 이상, 11000nm 이하의 파장으로 조사되는 것도 가능하다.In this case, the laser may be irradiated with a wavelength of 1500 nm or more and 11000 nm or less.
또한, 상기 레이저는 500nm 이상, 700nm 이하의 파장으로 조사되는 것도 가능하다.The laser may be irradiated with a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less.
한편, 본 발명의 장치는 피부 개질을 위한 미용 용도이며, 추가로 피부 주름을 개선하거나 화장료 등 조성물의 경피 흡수를 촉진시키기 위해 사용될 수 있다. 상기 본 발명에서의 “미용”이란, 건강한 개체를 대상으로 용모를 아름답게 하기 위한 것으로, 질병을 가진 환자 개체에서 수행하는 “치료” 개념과는 분명히 구분되는 것이다.On the other hand, the device of the present invention is a cosmetic use for skin modification, and may further be used to improve skin wrinkles or to promote transdermal absorption of compositions such as cosmetics. "Beauty" in the present invention is intended to beautify the appearance of a healthy subject, and is clearly distinguished from the concept of "treatment" performed in a subject having a disease.
본 발명의 일 구체예에서, 전원 공급 장치로부터 인가된 전원에 의하여 레이저가 조사되도록 형성된 레이저 발생부; 및 상기 전원 공급 장치로부터 전원을 공급받고, 전위차를 발생시켜 플라즈마를 발생시키도록 형성된 플라즈마 발생부;를 포함하는 발모 촉진장치를 제공하고, 상기 전원 공급 장치와 연결되고, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부에 인가되는 전원을 제어하도록 구비된 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공하며, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부는 서로 독립적으로 구비되어 개별적으로 작동되는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공하며, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부가 결합되는 핸드피스 바디;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공한다.In one embodiment of the invention, the laser generating unit is formed so that the laser is irradiated by the power applied from the power supply; And a plasma generator configured to receive power from the power supply, and generate a potential difference to generate plasma, wherein the hair growth promoting device is connected to the power supply and is connected to the laser generator and the plasma. And a control unit provided to control the power applied to the generating unit. The hair growth promoting apparatus further comprises: the laser generating unit and the plasma generating unit are provided independently of each other to operate individually. It provides a hair growth promoting device, and provides a hair growth promoting device further comprises; a handpiece body coupled to the laser generator and the plasma generator.
상기 장치에 있어서, 상기 레이저 발생부는, 상기 핸드피스 바디의 일측 단부에 연결되고, LD 또는 LED를 광원으로 하며, 500nm 이상, 700nm 이하의 파장을 갖는 레이저를 발생시키는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공한다.In the apparatus, the laser generating unit is connected to one end of the handpiece body, the LD or LED as a light source, the hair growth promoting device, characterized in that for generating a laser having a wavelength of 500nm or more, 700nm or less to provide.
상기 장치에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는, 상기 레이저 발생부와 이격되게 배치되고, 전위차에 의하여 플라즈마를 발생시키며, 상기 레이저 발생부에서 발생된 레이저를 통과시키도록 핀홀이 형성된 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공하고, 피부의 손상을 방지하도록 상기 핸드피스 바디의 레이저 발생부 측 단부에서 연장되어 상기 플라즈마 발생부와 연결되도록 형성된 브릿지;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공한다.In the above apparatus, the plasma generating unit is arranged to be spaced apart from the laser generating unit, generating a plasma by the potential difference, the hair growth promoting device characterized in that the pinhole is formed to pass the laser generated in the laser generating unit And a bridge extending from the laser generating portion side end of the handpiece body to be connected to the plasma generating portion to prevent damage to the skin.
또한 상기 장치에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는, 유전체장벽플라즈마를 발생시키는 플라즈마전극; 및 상기 플라즈마전극을 수용하도록 형성된 전극홀더;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공하고, 상기 플라즈마 발생부는, 피부와 접촉하여 피부와 상기 플라즈마전극 사이에 소정 공간을 발생시키도록 돌출되어 형성된 스페이서;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공한다.In the above apparatus, the plasma generating unit includes: a plasma electrode for generating a dielectric barrier plasma; And an electrode holder formed to receive the plasma electrode, wherein the plasma generating unit is formed to protrude to generate a predetermined space between the skin and the plasma electrode in contact with the skin. It provides a hair growth promoting apparatus further comprising a spacer.
상기 장치에 있어서, 상기 플라즈마전극은, 인가된 전압을 이용하여 전위차를 발생시키는 메탈전극; 및 상기 메탈전극을 감싸 플라즈마를 안정시키도록 형성된 유전체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공하고, 상기 플라즈마전극은, 상기 핀홀이 형성되도록 상기 메탈전극 및 상기 유전체층이 격자 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공한다.In the device, the plasma electrode, a metal electrode for generating a potential difference using an applied voltage; And a dielectric layer formed to surround the metal electrode to stabilize the plasma, wherein the plasma electrode comprises: the metal electrode and the dielectric layer formed in a lattice form such that the pinhole is formed. It provides a hair growth promoting device, characterized in that.
상기 장치에 있어서, 상기 브릿지는, 상기 레이저 발생부의 레이저 포커싱 거리에 대응하여 연장된 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공하고, 상기 제어부는, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부를 교대로 작동시키는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공하며, 상기 제어부는, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부를 동시에 작동시키는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공하며, 상기 전원 공급 장치는, 싸인파(정현파) 형태로 전류를 출력하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치를 제공한다.In the above apparatus, the bridge is provided in accordance with the laser focusing distance of the laser generating unit, characterized in that the hair growth promoting device, characterized in that the control unit alternately to operate the laser generating unit and the plasma generating unit. A hair growth promoting apparatus is provided, wherein the controller provides the hair growth promoting apparatus, wherein the laser generating unit and the plasma generating unit are operated at the same time, and the power supply device is in the form of a sine wave (sine wave). Provided is a hair growth promoting device, characterized by outputting a current.
본 발명의 다른 구체예에서, 피부에 플라즈마와 빛을 병용 처리하는 단계를 포함하는 피부 개질 방법을 제공하고, 상기 플라즈마와 빛을 병용 처리하는 단계는, 플라즈마 선처리하고 빛을 후처리하거나, 빛을 선처리하고 플라즈마를 후처리하거나, 플라즈마와 빛을 동시 처리하거나, 플라즈마와 레이저를 교대로 반복 처리하는 것인 피부 개질 방법을 제공하며, 상기 피부 개질은 플라즈마 처리되는 영역의 피부와 빛 처리되는 영역의 피부를 중첩시키는 것을 특징으로 하는 피부 개질 방법을 제공한다.In another embodiment of the present invention, there is provided a skin modification method comprising the step of co-processing the plasma and light on the skin, wherein the co-treatment of the plasma and light, the plasma pre-treatment and post-treatment, or the light It provides a skin modification method of pretreatment and post-treatment of plasma, simultaneous treatment of plasma and light, or alternately repeating treatment of plasma and laser, wherein the skin modification is performed on the skin of the plasma-treated area and of the light-treated area. Provided is a method of skin modification characterized in that the skin is superimposed.
상기 피부 개질 방법에 있어서, 상기 플라즈마는 저온 플라즈마인 것인 피부 개질 방법이고, 상기 저온 플라즈마는 펄즈스트리머방전, 무성방전, 부분방전, 연면방전, 또는 코로나방전에의한 플라즈마인 피부 개질 방법이며, 상기 빛은 레이저인 피부 개질 방법이며, 상기 레이저는 박피성 레이저인 피부 개질 방법이며, 상기 레이저는 저출력 레이저 요법의 레이저인 피부 개질 방법이며, 상기 빛은 605nm 내지 650nm 파장인 것을 특징으로 하는 피부 개질 방법을 제공한다.In the skin modification method, the plasma is a skin modification method is a low-temperature plasma, the low temperature plasma is a skin modification method is a plasma by pulse streamer discharge, silent discharge, partial discharge, creeping discharge, or corona discharge. , Wherein the light is a skin modification method, wherein the laser is a skin modification method, which is a skin-derived laser, the laser is a skin modification method, which is a laser of low power laser therapy, and the light is a skin characterized in that the wavelength of 605nm to 650nm. Provide a method of reforming.
또한 상기 피부 개질 방법에 있어서, 상기 피부는 두피인 피부 개질 방법이고, 상기 피부 개질은 탈모를 억제하거나, 발모를 촉진하거나, 모근을 강화하는 것인 피부 개질 방법을 제공한다.In addition, in the skin modification method, the skin is a skin modification method that is the scalp, and the skin modification provides a skin modification method of inhibiting hair loss, promoting hair growth, or strengthening the hair root.
또한 상기 피부 개질 방법에 있어서, 상기 플라즈마는 피부에 5 내지 40 J/cm2 로 처리하는 피부 개질 방법이고, 상기 플라즈마는 피부에 10 내지 20 J/cm2 로 처리하는 피부 개질 방법이며, 상기 빛은 피부에 2 내지 16 J/cm2 로 처리하는 피부 개질 방법이며, 상기 빛은 피부에 2 내지 8 J/cm2 로 처리하는 피부 개질 방법을 제공한다.In addition, in the skin modification method, the plasma is a skin modification method for treating 5 to 40 J / cm 2 to the skin, the plasma is a skin modification method to treat 10 to 20 J / cm 2 to the skin, the light Is a skin modification method for treating the skin at 2 to 16 J / cm 2 , and the light provides a skin modification method for treating the skin at 2 to 8 J / cm 2 .
이하 상기 본 발명을 단계별로 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail step by step.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질장치 및 개질방법에 의하면, 레이저에 의하여 피부 및 두피를 자극하고, 플라즈마를 자극된 피부 및 두피에 침투시켜 재생효과를 증대시키므로, 발모 촉진에 효과적이다.As described above, according to the skin and scalp modifying apparatus and method using the laser and the plasma according to the present invention, the laser and the scalp are stimulated, and the plasma is penetrated into the irritated skin and the scalp to increase the regeneration effect. It is effective in promoting hair growth.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질방법에 대한 흐름도,1 is a flowchart illustrating a method for reforming skin and scalp using laser and plasma according to an embodiment of the present invention;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질방법을 실시하는 장치에 대한 블록도,FIG. 2 is a block diagram of an apparatus for performing skin and scalp modification using laser and plasma according to an embodiment of the present invention; FIG.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질방법을 실시하는 장치를 표현한 사시도,3 is a perspective view of a device for performing the method of skin and scalp modification using a laser and plasma according to an embodiment of the present invention,
도 4는 도 3에서 플라즈마 발생부 및 레이저 발생부를 확대한 사시도,4 is an enlarged perspective view of a plasma generator and a laser generator in FIG. 3;
도 5는 도 3에서 플라즈마 발생부를 바라본 정면도,5 is a front view of the plasma generator in FIG. 3;
도 6은 도 5에서 A-A로 표시된 부분의 단면을 표현한 단면도,FIG. 6 is a cross-sectional view showing a cross section of a portion indicated by A-A in FIG. 5;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저와 플라즈마를 이용한 두피 자극 효과를 나타낸 결과이다.7 is a result showing the scalp stimulation effect using a laser and a plasma according to an embodiment of the present invention.
플라즈마와 빛을 병용 투여시 두피의 발모 자극에 적정한 플라즈마 에너지 범위를 측정하기 위해서, 모유두세포(Human Hair Follicle Dermal Papilla cells)에 다양한 에너지의 플라즈마를 레드 파장의 빛과 병용 처리하였다. In order to measure the plasma energy range suitable for stimulating hair growth of the scalp when co-administering plasma and light, plasma of various energies was combined with red wavelength light in human hair follicle dermal papilla cells.
실험결과, 플라즈마를 단독 처리하는 경우에, 플라즈마의 에너지 범위는 5 내지 40 J/cm2 인 것이 바람직하고, 10 내지 20 J/cm2 인 것이 더욱 바람직한 것으로 나타났다. 플라즈마와 레드 파장의 빛을 병용 처리하는 경우에는, 플라즈마의 에너지 범위는 5 내지 20 J/cm2 이고 레드 파장의 빛은 2 내지 16 J/cm2 인 것이 바람직하며, 플라즈마의 에너지 범위는 10 내지 20 J/cm2 이고 레드 파장의 빛은 2 내지 16 J/cm2 인 것이 더욱 바람직하며, 플라즈마의 에너지 범위는 10 내지 20 J/cm2 이고 레드 파장의 빛은 2 내지 8 J/cm2 인 것이 더욱 바람직한 것으로 나타났다. As a result of the experiment, when the plasma is treated alone, the energy range of the plasma is preferably 5 to 40 J / cm 2 , more preferably 10 to 20 J / cm 2 . In the case where the plasma and the light of the red wavelength are used in combination, the energy range of the plasma is preferably 5 to 20 J / cm 2 and the light of the red wavelength is 2 to 16 J / cm 2 , and the energy of the plasma is 10 to More preferably, the light of 20 J / cm 2 and the red wavelength is 2 to 16 J / cm 2 , the energy range of the plasma is 10 to 20 J / cm 2 and the light of the red wavelength is 2 to 8 J / cm 2 . Has been shown to be more desirable.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 요지에 따라 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. These examples are only for illustrating the present invention in more detail, and it will be apparent to those skilled in the art that the scope of the present invention is not limited by these examples according to the gist of the present invention. .
실시예 1. 플라즈마 및 빛(레이저) 발현 장치의 제조Example 1 Fabrication of Plasma and Light (Laser) Expression Apparatus
본 발명의 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 상세한 설명 및 도면에서 부호 100은 핸드피스 바디를 나타내고, 부호 200은 레이저 발생부를 나타내며, 부호 300은 플라즈마 발생부를 나타내며, 부호 310은 전극홀더를 나타내며, 부호 330은 플라즈마전극을 나타내며, 부호 331은 메탈전극을 나타내며, 부호 333은 유전체층을 나타내며, 부호 335는 핀홀을 나타내며, 부호 350은 스페이서를 나타내며, 부호 400은 브릿지를 나타내며, 부호 500은 전원공급장치를 나타내며, 부호 600은 제어부를 나타낸다.With reference to the drawings of the present invention will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. In the description and drawings of the present invention, reference numeral 100 denotes a handpiece body, 200 denotes a laser generator, 300 denotes a plasma generator, 310 denotes an electrode holder, 330 denotes a plasma electrode, and 331 denotes a metal electrode, 333 denotes a dielectric layer, 335 denotes a pinhole, 350 denotes a spacer, 400 denotes a bridge, 500 denotes a power supply, and 600 denotes a control unit. .
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질방법은 레이저 조사단계(S10) 및 플라즈마 처리단계(S20)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a method for modifying skin and scalp using a laser and a plasma according to an embodiment of the present invention includes a laser irradiation step (S10) and a plasma processing step (S20).
이때, 상기 레이저 조사단계(S10)와 상기 플라즈마 처리단계(S20)는 서로 독립적으로 수행하는 것은 물론, 상기 레이저 조사단계(S10) 후 상기 플라즈마 처리단계(S20)를 수행하거나 상기 플라즈마 처리단계(S20) 후 상기 레이저 조사단계(S10)를 수행하는 것도 가능하고, 상기 레이저 조사단계(S10) 및 상기 플라즈마 처리단계(S20)를 동시에 수행하거나 서로 교대로 수행하는 것도 가능하며, 소정 패턴에 따라 수행하는 것도 가능하다.In this case, the laser irradiation step (S10) and the plasma processing step (S20) is not only performed independently of each other, but also after the laser irradiation step (S10) to perform the plasma processing step (S20) or the plasma processing step (S20) After the laser irradiation step (S10) may be performed, the laser irradiation step (S10) and the plasma processing step (S20) may be performed simultaneously or alternately with each other, and performed according to a predetermined pattern. It is also possible.
상기 레이저 조사단계(S10)에서는 피부(두피)에 레이저를 조사한다. 이때, 피부(두피)에 조사하는 레이저는 박피성 레이저를 포함한다. 박피성 레이저의 경우에는 CO2 레이저(파장 10600nm), 어븀 야그 레이저(Erbium YAG : 파장 2940nm) 및 프랙셔널 레이저(파장 1550nm)를 포함하여 다양한 파장(1500nm 이상, 11000nm이하)의 레이저가 적용 가능하다. 박피성 레이저는 피부의 표피(CO2 레이저 및 어븀 야그 레이저) 또는 진피(프랙셔널 레이저)에 자극을 가하여 피부가 재생되도록 만드는 효과가 있다.In the laser irradiation step (S10) is irradiated with a laser on the skin (scalp). At this time, the laser irradiated to the skin (scalp) includes a peelable laser. In the case of a peelable laser, lasers of various wavelengths (1500 nm or more and 11000 nm or less), including a CO 2 laser (wavelength 10600 nm), an erbium yag laser (Erbium YAG: wavelength 2940 nm), and a fractional laser (wavelength 1550 nm), are applicable. . Dermabrasive lasers have the effect of irritating the skin's epidermis (CO 2 laser and Erbium Yag laser) or dermis (fractional laser) to regenerate the skin.
한편, 상기 레이저 조사단계(S10)에서는 저출력 레이저 요법(Low Level Laser Treatment : LLLT)에 사용되는 레이저를 사용하는 것도 가능하다. 즉 500nm이상, 700nm 이하의 파장을 갖는 레이저를 조사하여 혈관을 확장시키고 혈액순환을 개선시켜 피부를 회복시키는 효과가 있다.On the other hand, in the laser irradiation step (S10) it is also possible to use a laser used for Low Level Laser Treatment (LLLT). That is, by irradiating a laser having a wavelength of 500nm or more and 700nm or less, there is an effect of expanding the blood vessels and improving blood circulation to restore the skin.
또한, 상기 레이저 조사단계(S10)에서는 500nm이상, 700nm 이하의 파장을 갖고, LD(Laser Diode) 또는 LED(Light Emitting Diode)를 광원으로 하는 레이저(에너지원)를 사용하는 것도 가능하다. 모발은 모주기라 일컫는 성장기, 휴지기, 퇴화기의 3단계를 반복하는데 상기의 파장(500nm이상, 700nm 이하의 파장)을 갖는 레이저는 휴지기와 퇴화기의 모낭을 자극하여 대사를 촉진하는 효과가 있다. 상기의 파장(500nm이상, 700nm 이하의 파장)은 다른 파장에 비해 혈관과 모낭에 특이적으로 흡수되기 때문에 위와 같은 효과를 기대할 수 있다.(참고 논문: Eells J.T. Wong-Riley M.T. VerHoeve J., et al. Mitochondrial signal transduction in accelerated wound and retinal healing by near-infrared light therapy. Mitochondrion)In addition, in the laser irradiation step S10, a laser (energy source) having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less and using a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED) as a light source may be used. Hair repeats three stages of growth, rest, and degeneration, called hair cycles. The laser having the above wavelength (wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less) stimulates metabolism by stimulating hair follicles of the resting and degeneration phases. Since the above wavelength (wavelength above 500nm and below 700nm) is specifically absorbed by blood vessels and hair follicles compared to other wavelengths, the above effect can be expected. (Reference paper: Eells JT Wong-Riley MT VerHoeve J., et al.Mitochondrial signal transduction in accelerated wound and retinal healing by near-infrared light therapy.Mitochondrion)
상기 플라즈마 처리단계(S20)에서는 피부(두피)에 플라즈마를 처리한다. 이때, 피부(두피)에 조사하는 플라즈마는 저온 플라즈마를 포함한다. 저온 플라즈마를 형성하는 방전에는 펄즈스트리머방전, 무성방전, 부분방전, 연면방전 및 코로나방전 등이 있다. 펄즈스트리머 방전은 전극 사이에 상승시간(rise time) 수 십 ㎱, 지속시간 약 1 ㎲ 이하의 펄스 고전압을 인가하면 스트리머 방전이 일어나 플라즈마가 형성되고, 무성 방전은 평행 전극 사이에 절연물을 끼워넣고 교류 고전압을 인가하면 펄스상의 방전을 일으키는 것이며, 분무 방전은 입경 수 mm 정도의 세나믹 페레트의 충진물 양측에 금속망의 전극을 설치하고 이것에 교류 고전압을 인가하는 것이고, 코로나 방전은 불평등 전계 중에서 발생하는 것이다. In the plasma treatment step (S20), the plasma is treated on the skin (scalp). At this time, the plasma irradiated to the skin (scalp) includes a low temperature plasma. Discharges forming low temperature plasma include pulse streamer discharge, silent discharge, partial discharge, creepage discharge and corona discharge. The pulse streamer discharge is applied to a pulsed high voltage with a rise time of several tens of milliseconds and a duration of about 1 milliseconds or less, and a streamer discharge occurs to form a plasma. The application of alternating current high voltage causes pulsed discharge, and the spray discharge is the installation of metal mesh electrodes on both sides of the filling of the ceramic ferret with a particle diameter of several mm and the application of alternating current high voltage. It happens in the middle.
특히 무성 방전에 속하는 유전체장벽 플라즈마의 경우에는 유전체층을 거치면서 조절된 플라즈마를 발생시켜 생체조직 등을 포함한 대상물질에 손상을 미치는 것을 방지하는 효과가 있다.In particular, in the case of the dielectric barrier plasma belonging to the silent discharge, it is possible to generate a controlled plasma while passing through the dielectric layer, thereby preventing damage to a target material including a living tissue.
한편, 본 발명에서는 상기 레이저 조사단계(S10)에서 레이저를 조사하는 피부(두피) 영역과 상기 플라즈마 처리단계(S20)에서 플라즈마를 처리시키는 피부(두피) 영역이 중첩되도록 수행한다. 이 경우 종래에 레이저로 피부를 자극하여 재생효과를 유발하거나, 단순히 플라즈마에 의하여 피부의 표피를 자극시키는 효과와는 달리, 상기 레이저 조사단계(S10)를 통하여 피부(두피) 및 모낭을 자극시키고 상기 플라즈마 처리단계(S20)에서 플라즈마를 진피층까지 침투시켜 피부의 재생 및 자극효과를 극대화 시키는 것이 가능하고, 또는 상기 플라즈마 처리단계(S20)에서 플라즈마로 피부(두피) 및 모낭을 자극시키고 상기 레이저 조사단계(S10)에서 저출력 레이저를 통하여 혈관을 확장 및 자극시킴으로써 혈액순환을 개선시켜 피부의 회복 및 발모효과를 극대화 시키는 것이 가능하다.Meanwhile, in the present invention, the skin (scalp) region irradiated with the laser in the laser irradiation step S10 and the skin (scalp) region where the plasma is treated in the plasma processing step S20 are overlapped. In this case, unlike the conventional effect of stimulating the skin with a laser to induce a regeneration effect, or simply irritating the epidermis of the skin by plasma, the laser irradiation step (S10) to stimulate the skin (scalp) and hair follicles and the It is possible to maximize the regeneration and irritation effect of the skin by infiltrating the plasma to the dermal layer in the plasma treatment step (S20), or to stimulate the skin (scalp) and hair follicles with plasma in the plasma treatment step (S20) and the laser irradiation step In (S10) it is possible to maximize the recovery and regrowth effect of the skin by improving blood circulation by expanding and stimulating blood vessels through the low power laser.
도 2 에는 본 발명의 일 실시예에 따른 발모 촉진장치가 도시되어 있다. 본 실시예에 따른 레이저와 플라즈마를 이용한 발모 촉진장치는 레이저 발생부(200), 플라즈마 발생부(300), 전원 공급 장치(500) 및 제어부(600)를 포함한다. 이때, 전원이 상기 전원 공급 장치(500)에서 상기 제어부(600)로 인가되고, 상기 제어부(600)에 인가된 전원은 상기 제어부(600)의 제어에 의하여 상기 레이저 발생부(200) 및 상기 플라즈마 발생부(300)로 인가되도록 전기적으로 연결된다. 2 shows a hair growth promoting device according to an embodiment of the present invention. The hair growth promoting apparatus using the laser and the plasma according to the present embodiment includes a laser generator 200, a plasma generator 300, a power supply device 500, and a controller 600. In this case, power is applied from the power supply device 500 to the controller 600, and the power applied to the controller 600 is controlled by the controller 600 and the plasma generator 200 and the plasma. It is electrically connected to the generator 300 to be applied.
이때, 상기 레이저 발생부(200)는 CO2 레이저(파장 10600nm), 어븀 야그 레이저(Erbium YAG : 파장 2940nm) 및 프랙셔널 레이저(파장 1550nm)를 포함하여 다양한 파장(1500nm 이상, 11000nm이하)의 박피성 레이저를 적용시킬 수 있다.At this time, the laser generating unit 200 is a peeling of various wavelengths (1500nm or more, 11000nm or less), including a CO 2 laser (wavelength 10600nm), Erbium Yag laser (Erbium YAG: wavelength 2940nm) and fractional laser (wavelength 1550nm). Sex lasers can be applied.
한편, 상기 레이저 발생부(200)는 500nm이상, 700nm 이하의 파장을 갖는 저출력 레이저를 발생시키도록 구비된 것도 가능하다.On the other hand, the laser generator 200 may be provided to generate a low power laser having a wavelength of 500nm or more, 700nm or less.
또한, 상기 레이저 발생부(200)는 500nm이상, 700nm 이하의 파장을 갖는 LD(Laser Diode) 또는 LED(Light Emitting Diode)가 구비된 것도 가능하다.In addition, the laser generator 200 may be provided with a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED) having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less.
또한, 도 2 내지 도 6에는 본 발명의 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 개질장치의 구체적인 실시예가 도시되어 있다. 본 실시예의 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 개질장치는 핸드피스 바디(100), 레이저 발생부(200), 플라즈마 발생부(300), 브릿지(400), 전원 공급 장치(500) 및 제어부(600)를 포함한다. 이때, 상기 핸드피스 바디(100)의 일측 단부에 상기 플라즈마 발생부(300)가 결합되고, 상기 핸드피스 바디(100)의 플라즈마 발생부(300) 측 단부에서 상기 브릿지(400)가 연장되어 형성되며, 상기 브릿지(400)는 상기 플라즈마 발생부(300)와 결합된다. 2 to 6 show specific embodiments of the skin modification apparatus using the laser and the plasma of the present invention. The skin reforming apparatus using the laser and the plasma of the present embodiment includes the handpiece body 100, the laser generator 200, the plasma generator 300, the bridge 400, the power supply device 500, and the controller 600. Include. In this case, the plasma generator 300 is coupled to one end of the handpiece body 100, and the bridge 400 is formed to extend from the plasma generator 300 side end of the handpiece body 100. The bridge 400 is coupled to the plasma generator 300.
상기 핸드피스 바디(100)는 본 발명의 외형을 형성하는 것으로, 축 방향을 따라 형성된 실린더 형태를 갖고, 내부에 상기 전원 공급 장치(500) 및 상기 제어부(600) 등을 수용하고 있다.The handpiece body 100 forms an outer shape of the present invention, has a cylindrical shape formed along the axial direction, and accommodates the power supply device 500 and the controller 600 therein.
상기 레이저 발생부(200)는 상기 핸드피스 바디(100)의 일측 단부에 결합되고, 마이크로어레이렌즈(도면 미기재)를 포함한다. The laser generator 200 is coupled to one end of the handpiece body 100 and includes a microarray lens (not shown).
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 플라즈마 발생부(300)는 전극홀더(310), 플라즈마전극(330) 및 스페이서(350)를 포함한다. 이때, 상기 전극홀더(310)의 내부에 상기 플라즈마전극(330)이 안착되어 있고, 상기 전극홀더(310)에서 외측으로 상기 스페이서(350)가 돌출되어 형성된다.5 and 6, the plasma generator 300 includes an electrode holder 310, a plasma electrode 330, and a spacer 350. In this case, the plasma electrode 330 is seated inside the electrode holder 310, and the spacer 350 protrudes outward from the electrode holder 310.
한편, 본 실시예에서는 상기 플라즈마 발생부(300)는 유전체장벽 플라즈마를 적용하고 있으나, 이에 한정되지 않고 스트리머 방전, 유전체장벽 방전, 연면 방전 및 코로나 방전 등의 방식에 의한 저온 플라즈마를 포함한다.Meanwhile, in the present embodiment, the plasma generating unit 300 applies a dielectric barrier plasma, but is not limited thereto. The plasma generator 300 includes a low temperature plasma using a streamer discharge, a dielectric barrier discharge, a creepage discharge, a corona discharge, or the like.
상기 전극홀더(310)는 상기 브릿지(400)의 일측 단부에 연결되고, 전체적으로 원판 형태로 형성되되, 내측에 상기 플라즈마전극(330)이 안착 가능하도록 홀 형태로 형성된다.The electrode holder 310 is connected to one end of the bridge 400, is formed in a disk shape as a whole, it is formed in the shape of a hole so that the plasma electrode 330 can be seated inside.
상기 플라즈마전극(330)은 메탈전극(331), 유전체층(333) 및 핀홀(335)를 포함한다. 한편, 상기 플라즈마전극(330)은 상기 전극홀더(310)와 탈착 가능하도록 결합된다.The plasma electrode 330 includes a metal electrode 331, a dielectric layer 333, and a pinhole 335. On the other hand, the plasma electrode 330 is coupled to the electrode holder 310 to be detachable.
이때, 상기 메탈전극(331)은 상기 전원 공급 장치(500) 및 상기 제어부(600)와 전기적으로 연결되고, 상기 메탈전극(331)의 표면은 상기 유전체층(333)와 접착되어 덮여있다. 또한, 상기 메탈전극(331)은 격자 형태로 형성되어 있다.In this case, the metal electrode 331 is electrically connected to the power supply device 500 and the controller 600, and the surface of the metal electrode 331 is bonded to the dielectric layer 333 and covered. In addition, the metal electrode 331 is formed in a lattice form.
상기 유전체층(333)은 상기 메탈전극(331) 위에 균일한 두께로 적층된다. 따라서 격자 형태로 형성된 상기 메탈전극(331)의 형태를 따라 격자 형태로 형성되고, 격자 형태의 상기 유전체층(333)의 사이에는 상기 핀홀(335)이 형성된다.The dielectric layer 333 is stacked on the metal electrode 331 with a uniform thickness. Accordingly, the metal electrode 331 is formed in the form of a lattice, and the pinhole 335 is formed between the dielectric layers 333 in the form of a lattice.
한편, 본 실시예에서 상기 유전체층(333)은 세라믹 소재를 사용하고 있으나, 이에 한정되지 않고 유전체물질로서 알루미나(Al2O3), 산화 지르코니아(ZrO2) 등을 적용하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the present embodiment, the dielectric layer 333 uses a ceramic material. However, the dielectric layer 333 is not limited thereto, and alumina (Al 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), or the like may be used as the dielectric material.
상기 스페이서(350)는 상기 전극홀더(310)에서 외측으로 돌출되어 원주방향을 따라 형성되되, 소정 간격을 두고 복수 개 형성된다. 또한 상기 스페이서(350)는 사용자의 피부와 접촉 가능하도록 형성된다. 본 실시예에서는 상기 스페이서(350)가 90도 간격으로 4개 형성되어 있으나, 이에 한정되지 않는다.The spacer 350 protrudes outward from the electrode holder 310 and is formed along the circumferential direction, and a plurality of spacers 350 are formed at predetermined intervals. In addition, the spacer 350 is formed to be in contact with the user's skin. In the present embodiment, four spacers 350 are formed at intervals of 90 degrees, but are not limited thereto.
상기 브릿지(400)는 상기 핸드피스 바디(100)의 레이저 발생부 측 단부에서 연장되어 상기 플라즈마 발생부(300)와 연결되도록 형성된다. 본 실시예에서는 상기 브릿지(400)가 2개 형성되나, 이에 한정되지 않는다.The bridge 400 extends from an end portion of the laser generating unit side of the handpiece body 100 to be connected to the plasma generating unit 300. In the present embodiment, two bridges 400 are formed, but are not limited thereto.
한편, 상기 브릿지(400)는 상기 레이저 발생부(200)의 초점 거리에 대응하여 형성된다.The bridge 400 is formed corresponding to the focal length of the laser generator 200.
도 4 및 도 5를 참조하여, 본 실시예에 따른 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질 방법을 실시하는 장치의 작동 및 효과를 설명하면, 사용자가 상기 핸드피스 바디(100)를 잡고 피부에 접촉시킨다. 이때, 상기 스페이서(350)가 피부와 접촉되면서 상기 플라즈마 발생부(300)와 피부 사이에 공간을 형성시킨다.Referring to FIGS. 4 and 5, the operation and effect of the apparatus for implementing the skin and scalp modification method using the laser and the plasma according to the present embodiment will be described. A user grabs the handpiece body 100 and contacts the skin. Let's do it. At this time, the spacer 350 is in contact with the skin to form a space between the plasma generating unit 300 and the skin.
사용자가 본 발명의 레이저와 플라즈마를 이용한 발모 촉진장치를 작동시키면, 상기 레이저 발생부(200)는 LD(Laser Diode) 또는 LED(Light Emitting Diode)에서 500nm이상, 700nm 이하의 파장을 갖는 레이저를 피부(두피)로 조사한다.When the user operates the hair growth promoting device using the laser and the plasma of the present invention, the laser generator 200 may skin a laser having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less in a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED). Investigate (scalp).
또한, 본 발명의 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 개질장치를 작동시키면, 상기 전원 공급 장치(500) 및 상기 제어부(600)를 통하여 상기 플라즈마 발생부(300)의 상기 메탈전극(331)에 전원이 인가된다. 한편, 본 실시예에서는 유전체장벽 플라즈마를 발생시키고, 유전체장벽 플라즈마 처리를 위해 전원은 30 이상 99 kHz 이하의 저주파를 사용하고, 플라즈마 처리의 소비전력은 1 이상 15 W이하이며, 플라즈마 처리의 접지 전류는 0.1 이상 9.9 mA이하로 하였으나 이에 한정하는 것은 아니다.In addition, when the skin reforming apparatus using the laser and the plasma of the present invention is operated, power is applied to the metal electrode 331 of the plasma generating unit 300 through the power supply device 500 and the control unit 600. do. On the other hand, in the present embodiment, the dielectric barrier plasma is generated, the power source uses a low frequency of 30 or more and 99 kHz or less for the dielectric barrier plasma processing, the power consumption of the plasma processing is 1 or more and 15 W or less, and the ground current of the plasma processing. Is not less than 0.1 and less than 9.9 mA, but is not limited thereto.
이때, 상기 전원 공급 장치(500)는 sin(싸인) 파형(정현파)의 출력 전류를 공급하는 것도 가능하다. 출력 전류 파형을 sin 파형으로 얻는 경우, 일반적인 square 파(구형파)와 비교하여 입력 전압 대비 효율을 더 높일 수 있다. 또한 square 파의 경우 서지(surge) 현상이 발생하여 플라즈마 발생시 짧은 시간 동안 급격히 많은 전류가 흘러 따가움을 느낄 수 있으나, sin 파 출력은 안정적인 플라즈마 사용이 가능한 장점이 있다. 상기 메탈전극(331)에 전원이 인가되면, 상기 플라즈마전극(330)과 피부의 전위차에 의하여 플라즈마가 발생된다.In this case, the power supply device 500 may supply an output current of a sin (sine) waveform (sine wave). When the output current waveform is obtained as a sin waveform, the efficiency compared to the input voltage can be further increased compared to a general square wave (square wave). In addition, in the case of a square wave, a surge phenomenon occurs, and when a plasma is generated, a large current flows rapidly for a short time, but the sin wave output has the advantage of enabling stable plasma. When power is applied to the metal electrode 331, plasma is generated by the potential difference between the plasma electrode 330 and the skin.
이때, 상기 메탈전극(331)에서 전위차에 의하여 발생되는 에너지는 상기 유전체층(333)을 거치면서 안정화되어 국소부위에 고에너지가 집중되는 것을 방지한다. 따라서 상기 유전체층(333)을 거치면서 조절된 플라즈마(유전체장벽 플라즈마)를 발생시켜 생체조직 등을 포함한 대상물질에 손상을 미치는 것을 방지한다.At this time, the energy generated by the potential difference in the metal electrode 331 is stabilized while passing through the dielectric layer 333 to prevent high energy from being concentrated at the localized portion. Therefore, the plasma is generated while passing through the dielectric layer 333 (dielectric barrier plasma) to prevent damage to the target material, including biological tissues.
한편 본 실시예에서는 상기 유전체층(333)이 일측 면에만 형성된 것이 아니라 상기 메탈전극(331)을 감싸는 형태로 형성되어 있으므로 피부와 상기 플라즈마 발생부(300)가 이격되어 있는 경우는 물론 상기 플라즈마 발생부(300)의 피부 측 면이 피부와 접촉된 경우에도 플라즈마가 발생한다. In the present embodiment, since the dielectric layer 333 is not formed only on one side thereof but is formed to surround the metal electrode 331, the plasma generation unit as well as the skin and the plasma generation unit 300 are separated from each other. Plasma is generated even when the skin side of 300 is in contact with the skin.
본 실시예에서는 상기 메탈전극(331) 및 상기 유전체층(333)이 격자 형태로 형성되어 상기 핀홀(335)을 형성시키고, 상기 브릿지(400)에 의하여 상기 레이저 발생부(200) 및 상기 플라즈마 발생부(300)를 동축 상에 배치시켰다. 즉, 상기 레이저 발생부(200)에서 레이저를 조사하는 피부 영역과 상기 플라즈마 발생부(300)에서 플라즈마를 발생시키는 피부 영역을 중첩시키는 것이다. In the present exemplary embodiment, the metal electrode 331 and the dielectric layer 333 are formed in a lattice form to form the pinhole 335, and the laser generating unit 200 and the plasma generating unit are formed by the bridge 400. 300 was placed coaxially. That is, the skin region for irradiating a laser from the laser generator 200 and the skin region for generating plasma from the plasma generator 300 overlap each other.
따라서, 상기 레이저 발생부(200)에서 조사된 레이저가 상기 핀홀(335)를 통과하여 피부에 조사 가능하다. 더욱이 상기 브릿지(400)의 길이를 레이저 포커싱 거리에 대응하도록 형성시켜 피부의 손상을 방지하면서도 플라즈마가 침투할 수 있는 최적의 조건을 제공시킬 수 있다. Therefore, the laser irradiated from the laser generator 200 may pass through the pinhole 335 to irradiate the skin. In addition, the length of the bridge 400 may be formed to correspond to a laser focusing distance, thereby providing an optimal condition to prevent plasma damage while penetrating the plasma.
이는 종래에 레이저를 이용하여 피부의 재생효과를 유발하거나, 단순히 플라즈마에 의하여 피부의 표피를 자극시키는 효과와는 달리, 상기 레이저 발생부(200)에서 발생된 레이저에 의하여 피부에 자극이 가해지고, 이 상태에서 상기 플라즈마 발생부(300)에서 발생된 플라즈마가 진피층까지 침투시켜 피부의 재생 및 자극효과를 극대화 시키는 것이다.This causes the skin regeneration effect by using a laser or, unlike the effect of simply stimulating the epidermis of the skin by plasma, irritation is applied to the skin by the laser generated in the laser generator 200, In this state, the plasma generated by the plasma generator 300 penetrates to the dermis layer to maximize the regeneration and stimulation effect of the skin.
한편, 본 발명에서는 상기 플라즈마 전극(330)을 탈착 가능하게 결합시켜, 피부의 타입에 맞추어 플라즈마의 강도 및 레이저의 조사량을 조절 가능하도록 설계하였다.On the other hand, in the present invention, the plasma electrode 330 is detachably coupled, and designed to adjust the intensity of the plasma and the irradiation amount of the laser according to the type of skin.
또한, 본 발명에서 상기 제어부(600)은 상기 레이저 발생부(200) 및 상기 플라즈마 발생부(300)를 동시에 작동시키는 것은 물론, 상기 레이저 발생부(200)를 작동시킨 후 상기 플라즈마 발생부(300)를 작동시키는 것도 가능하고, 반대로 상기 플라즈마 발생부(300)를 먼저 작동시키는 것도 가능하다. 또한 상기 레이저 발생부(200)와 상기 플라즈마 발생부(300)를 교대로 작동되는 것도 가능하고, 개인의 피부에 맞추어 최적의 작동 패턴을 설정하여 소정 패턴에 따라 작동시키는 것도 가능하다.In addition, in the present invention, the control unit 600 not only operates the laser generator 200 and the plasma generator 300 at the same time, but also operates the laser generator 200 and then the plasma generator 300. ) May be operated, and conversely, the plasma generator 300 may be operated first. In addition, the laser generating unit 200 and the plasma generating unit 300 may be alternately operated. Alternatively, the laser generating unit 200 and the plasma generating unit 300 may be operated in accordance with a predetermined pattern.
실시예 2. 빛 파장에 따른 VEFG 단백질 발현량 확인Example 2. Confirmation of VEFG Protein Expression According to Light Wavelength
본 발명의 실시예 1에서 설명한 플라즈마 및 레이저 발생 장치를 이용하여, 플라즈마와 동시 처리하는 빛의 파장에 따른 혈관내피세포성장인자(vascular endothelial growth factor, VEGF)의 발현량을 조사하였다. VEGF는 혈관내피세포에 특이적으로 작용하여 세포 증식이나 혈관신생을 촉진하는 당단백으로, 두피의 모근을 자극하여 발모를 촉진시키는 것으로 알려져있다. 이를 위해, 쥐(SD rat, 수컷, 8주령)의 헤어를 발모하고, 70% 에탄올로 소독한 뒤, 무작위로 그룹당 5마리씩 선별하여 하기 표 1 과 같이 플라즈마를 처리하였다. Using the plasma and laser generating apparatus described in Example 1 of the present invention, the expression level of the vascular endothelial growth factor (VEGF) according to the wavelength of light simultaneously treated with the plasma was investigated. VEGF is a glycoprotein that specifically acts on vascular endothelial cells to promote cell proliferation and angiogenesis. It is known to stimulate hair growth of the scalp to promote hair growth. To this end, the hairs of rats (SD rat, male, 8 weeks old) were regrown, sterilized with 70% ethanol, and randomly selected 5 mice per group, and treated with plasma as shown in Table 1 below.
그룹group | 비고Remarks |
ControlControl | 비처리Untreated |
PlasmaPlasma | 플라즈마 15J/cm2 처리Plasma 15J / cm 2 Treatment |
BlueBlue | 440nm ~ 490nm (465nm peak) 파장의 빛 5 J/cm2 처리5 J / cm 2 light with 440nm ~ 490nm (465nm peak) wavelength |
Blue + PlasmaBlue + Plasma | 플라즈마 15J/cm2 및 440nm ~ 490nm (465nm peak) 파장의 빛 5 J/cm2 처리Plasma 15J / cm 2 and light 5 J / cm 2 with 440nm to 490nm (465nm peak) wavelength |
GreenGreen | 485nm ~ 555nm (520nm peak) 파장의 빛 5 J/cm2 처리5 J / cm 2 light of 485nm ~ 555nm (520nm peak) wavelength |
Green + PlasmaGreen + Plasma | 플라즈마 15J/cm2 및 485nm ~ 555nm (520nm peak) 파장의 빛 5 J/cm2 처리Plasma 15J / cm 2 and 5 J / cm 2 light at 485nm to 555nm (520nm peak) wavelength |
YellowYellow | 570nm ~ 610nm (590nm peak) 파장의 빛 5 J/cm2 처리5 J / cm 2 light at 570 nm to 610 nm (590 nm peak) wavelength |
Yellow + PlasmaYellow + plasma | 플라즈마 15J/cm2 및 570nm ~ 610nm (590nm peak) 파장의 빛 5 J/cm2 처리Plasma 15J / cm 2 and light 5 J / cm 2 with 570nm to 610nm (590nm peak) wavelength |
RedRed | 605nm ~ 650nm (625nm peak) 파장의 빛 5 J/cm2 처리5J / cm 2 light with 605nm ~ 650nm (625nm peak) wavelength |
Red + PlasmaRed + Plasma | 플라즈마 15J/cm2 및 605nm ~ 650nm (625nm peak) 파장의 빛 5 J/cm2 처리Plasma 15J / cm 2 and light 5 J / cm 2 with 605nm to 650nm (625nm peak) wavelength |
표 1과 같이 처리하고, 30분 후 쥐의 두피를 수득하여 VEGF의 단백질 발현량을 웨스턴 블랏팅으로 측정하였다. 상기 결과를 도 7에 나타내었다.After treatment as in Table 1, after 30 minutes, the rat scalp was obtained, and the protein expression level of VEGF was measured by Western blotting. The results are shown in FIG.
실험 결과, 플라즈마만 처리한 경우는 아무것도 처리하지 않은 경우에 비해서 약 2배의 VEGF 발현 증가가 있는 것으로 나타났으나, 빛만 처리한 경우에는 빛의 파장 종류에 상관없이 VEGF 발현량 차이가 미비한 것으로 나타났다. 플라즈마와 빛을 동시에 처리한 경우에도, 빛의 파장이 블루(440nm ~ 490nm), 그린(485nm ~ 555nm), 또는 옐로우(570nm ~ 610nm)인 경우에는 플라즈마만 단독 처리한 경우에 비해 VEGF 발현에 유의미한 차이가 없었으나, 플라즈마와 레드 파장(605nm ~ 650nm)을 함께 처리한 경우에는 다른 모든 경우에 비해서 현저하게 VEGF 발현이 증가하는 것을 알 수 있었다.As a result of the experiment, only the plasma treatment showed a doubling of VEGF expression compared to the case of no treatment. However, the treatment of light only showed a slight difference in VEGF expression regardless of the wavelength of light. . Even when the plasma and the light are treated simultaneously, the wavelength of the light is blue (440 nm to 490 nm), green (485 nm to 555 nm), or yellow (570 nm to 610 nm). Although there was no difference, when the plasma and the red wavelength (605nm ~ 650nm) is treated together, it can be seen that the expression of VEGF significantly increased compared to all other cases.
실시예 3. 플라즈마 에너지량에 따른 모유두세포 증식 변화 확인Example 3. Confirmation of changes in dermal papilla cells according to the plasma energy amount
플라즈마와 빛을 병용 투여시 두피의 발모 자극에 적정한 플라즈마 에너지 범위를 측정하기 위해서, 모유두세포(Human Hair Follicle Dermal Papilla cells)에 다양한 에너지의 플라즈마를 레드 파장의 빛과 병용 처리하였다. In order to measure the plasma energy range suitable for stimulating hair growth of the scalp when co-administering plasma and light, plasma of various energies was combined with red wavelength light in human hair follicle dermal papilla cells.
먼저, 모유두세포(CB-HDP-001, 서린바이오사이언스, 한국)를 24-웰 플레이트에 5 X 105/웰 의 밀도로 배양하고, 배양액을 모두 제거하고, PBS로 2회 워싱한 후, 웰당 50 ㎕의 PBS를 첨가한 상태에서 플라즈마 0 내지 40 J/cm2, 및 레드 파장(605nm ~ 650nm (625nm peak))의 빛 0 내지 16 J/cm2 을 처리하였다. First, incubate the dermal papilla cells (CB-HDP-001, Serin Bioscience, Korea) at a density of 5 × 10 5 / well in a 24-well plate, remove the cultures, wash twice with PBS, and then per well Plasma 0 to 40 J / cm 2 , and red light (605 nm to 650 nm (625 nm peak)) of light 0 to 16 J / cm 2 were treated with 50 μl of PBS added.
이후, 모유두세포의 증식 정도를 MTT 어세이로 측정하였다.Thereafter, the degree of proliferation of dermal papilla cells was measured by MTT assay.
상기 각 시료에서의 MTT 측정 결과를 음성대조군(플라즈마 및 빛 비처리) 기준으로 % 환산할 결과를 표 2에 기재하였고, 각 플라즈마 에너지 동일군에서 빛 비처리 기준으로 % 환산한 결과를 표 3에 기재하였다.Table 2 shows the results of% conversion of the MTT measurement results in each sample on the basis of the negative control group (plasma and light untreated), and the results of% conversion on the basis of untreated light in the same plasma energy group are shown in Table 3 below. Described.
% of control% of control | 플라즈마 에너지(J/cm2)Plasma Energy (J / cm 2 ) | |||||
00 | 55 | 1010 | 2020 | 4040 | ||
레드 파장 빛(J/cm2)Red wavelength light (J / cm 2 ) | 00 | 100100 | 112112 | 132132 | 145145 | 111111 |
22 | 115115 | 121121 | 183183 | 176176 | 105105 | |
44 | 118118 | 127127 | 216216 | 198198 | 109109 | |
88 | 127127 | 131131 | 202202 | 223223 | 101101 | |
1616 | 122122 | 128128 | 132132 | 141141 | 9797 |
% of plasma% of plasma | 플라즈마 에너지(J/cm2)Plasma Energy (J / cm 2 ) | |||||
00 | 55 | 1010 | 2020 | 4040 | ||
레드 파장 빛(J/cm2)Red wavelength light (J / cm 2 ) | 00 | 100100 | 100100 | 100100 | 100100 | 100100 |
22 | 115115 | 108108 | 139139 | 121121 | 9595 | |
44 | 118118 | 113113 | 164164 | 137137 | 9797 | |
88 | 127127 | 117117 | 153153 | 154154 | 9191 | |
1616 | 122122 | 114114 | 100100 | 9797 | 8787 |
실험결과, 플라즈마를 단독 처리하는 경우에, 플라즈마의 에너지 범위는 5 내지 40 J/cm2 인 것이 바람직하고, 10 내지 20 J/cm2 인 것이 더욱 바람직한 것으로 나타났다. 플라즈마와 레드 파장의 빛을 병용 처리하는 경우에는, 플라즈마의 에너지 범위는 5 내지 20 J/cm2 이고 레드 파장의 빛은 2 내지 16 J/cm2 인 것이 바람직하며, 플라즈마의 에너지 범위는 10 내지 20 J/cm2 이고 레드 파장의 빛은 2 내지 16 J/cm2 인 것이 더욱 바람직하며, 플라즈마의 에너지 범위는 10 내지 20 J/cm2 이고 레드 파장의 빛은 2 내지 8 J/cm2 인 것이 더욱 바람직한 것으로 나타났다. As a result of the experiment, when the plasma is treated alone, the energy range of the plasma is preferably 5 to 40 J / cm 2 , more preferably 10 to 20 J / cm 2 . In the case where the plasma and the light of the red wavelength are used in combination, the energy range of the plasma is preferably 5 to 20 J / cm 2 and the light of the red wavelength is 2 to 16 J / cm 2 , and the energy of the plasma is 10 to More preferably, the light of 20 J / cm 2 and the red wavelength is 2 to 16 J / cm 2 , the energy range of the plasma is 10 to 20 J / cm 2 and the light of the red wavelength is 2 to 8 J / cm 2 . Has been shown to be more desirable.
본 발명의 권리는 상기에 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양한 변형과 개작하여 실시할 수 있음은 자명한 것이다.The rights of the present invention are not limited to the embodiments described above, but are defined by the claims, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the technical scope of the present invention. It is obvious that it can be carried out by remodeling.
본 발명은 레이저와 플라즈마를 이용한 피부 및 두피 개질장치 및 개질방법에 관한 것으로, 본 발명의 레이저와 플라즈마 병용 투여는 두피로부터 발모를 촉진시키고 모유두세포의 증식을 현저하게 증가시키므로, 의료 및 미용 분야에서 크게 이용될 것으로 기대된다.The present invention relates to a device for modifying skin and scalp using a laser and a plasma, and to a method for modifying the plasma and the plasma according to the present invention, since hair growth from the scalp promotes hair growth and significantly increases the proliferation of dermal papilla cells. It is expected to be used greatly.
Claims (30)
- 전원 공급 장치로부터 인가된 전원에 의하여 레이저가 조사되도록 형성된 레이저 발생부; 및A laser generator configured to irradiate a laser by power applied from a power supply device; And상기 전원 공급 장치로부터 전원을 공급받고, 전위차를 발생시켜 플라즈마를 발생시키도록 형성된 플라즈마 발생부;A plasma generator configured to receive power from the power supply and generate a plasma by generating a potential difference;를 포함하는 발모 촉진장치.Hair growth promoting device comprising a.
- 제 1항에 있어서,The method of claim 1,상기 전원 공급 장치와 연결되고, 상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부에 인가되는 전원을 제어하도록 구비된 제어부;A controller connected to the power supply device and configured to control power applied to the laser generator and the plasma generator;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.Hair growth promoting device further comprising a.
- 제 2항에 있어서,The method of claim 2,상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부는 서로 독립적으로 구비되어 개별적으로 작동되는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.And the laser generating unit and the plasma generating unit are provided independently of each other to operate individually.
- 제 1항에 있어서, The method of claim 1,상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부가 결합되는 핸드피스 바디;A handpiece body coupled to the laser generator and the plasma generator;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.Hair growth promoting device further comprising a.
- 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein상기 레이저 발생부는,The laser generation unit,상기 핸드피스 바디의 일측 단부에 연결되고, LD 또는 LED를 광원으로 하며, 500nm 이상, 700nm 이하의 파장을 갖는 레이저를 발생시키는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.A hair growth promoting device connected to one end of the handpiece body and generating a laser having a wavelength of 500 nm or more and 700 nm or less, using LD or LED as a light source.
- 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein상기 플라즈마 발생부는,The plasma generation unit,상기 레이저 발생부와 이격되게 배치되고, 전위차에 의하여 플라즈마를 발생시키며, 상기 레이저 발생부에서 발생된 레이저를 통과시키도록 핀홀이 형성된 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.And a pinhole formed to be spaced apart from the laser generator, to generate a plasma by a potential difference, and to pass a laser generated by the laser generator.
- 제 6항에 있어서,The method of claim 6,피부의 손상을 방지하도록 상기 핸드피스 바디의 레이저 발생부 측 단부에서 연장되어 상기 플라즈마 발생부와 연결되도록 형성된 브릿지;A bridge extending from the end portion of the laser generation portion of the handpiece body to be connected to the plasma generation portion to prevent damage to the skin;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.Hair growth promoting device further comprising a.
- 제 1항에 있어서,The method of claim 1,상기 플라즈마 발생부는,The plasma generation unit,유전체장벽플라즈마를 발생시키는 플라즈마전극; 및A plasma electrode generating a dielectric barrier plasma; And상기 플라즈마전극을 수용하도록 형성된 전극홀더; An electrode holder formed to receive the plasma electrode;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.Hair growth promoting device comprising a.
- 제 8항에 있어서,The method of claim 8,상기 플라즈마 발생부는,The plasma generation unit,피부와 접촉하여 피부와 상기 플라즈마전극 사이에 소정 공간을 발생시키도록 돌출되어 형성된 스페이서;A spacer protruding to contact the skin to generate a predetermined space between the skin and the plasma electrode;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.Hair growth promoting device further comprising a.
- 제 8항에 있어서,The method of claim 8,상기 플라즈마전극은,The plasma electrode,인가된 전압을 이용하여 전위차를 발생시키는 메탈전극; 및A metal electrode generating a potential difference using an applied voltage; And상기 메탈전극을 감싸 플라즈마를 안정시키도록 형성된 유전체층;A dielectric layer formed around the metal electrode to stabilize the plasma;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.Hair growth promoting device comprising a.
- 제 10항에 있어서,The method of claim 10,상기 플라즈마전극은, The plasma electrode,상기 핀홀이 형성되도록 상기 메탈전극 및 상기 유전체층이 격자 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.And the metal electrode and the dielectric layer are formed in a lattice form so that the pinhole is formed.
- 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein상기 브릿지는,The bridge,상기 레이저 발생부의 레이저 포커싱 거리에 대응하여 연장된 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.And a hair growth promoting device extending in correspondence with the laser focusing distance of the laser generating unit.
- 제 2항에 있어서,The method of claim 2,상기 제어부는,The control unit,상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부를 교대로 작동시키는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.And the laser generating unit and the plasma generating unit are operated alternately.
- 제 2항에 있어서,The method of claim 2,상기 제어부는,The control unit,상기 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 발생부를 동시에 작동시키는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.The hair growth promoting device, characterized in that for operating the laser generator and the plasma generator at the same time.
- 제 1항에 있어서,The method of claim 1,상기 전원 공급 장치는,The power supply device,싸인파(정현파) 형태로 전류를 출력하는 것을 특징으로 하는 발모 촉진장치.A hair growth promoting device for outputting a current in the form of a sine wave (sine wave).
- 피부에 플라즈마와 빛을 병용 처리하는 단계를 포함하는, 피부 개질 방법.A skin modification method comprising the step of combining plasma and light to the skin.
- 제 16항에 있어서,The method of claim 16,상기 플라즈마와 빛을 병용 처리하는 단계는, Combined treatment of the plasma and light,플라즈마 선처리하고 빛을 후처리하거나, 빛을 선처리하고 플라즈마를 후처리하거나, 플라즈마와 빛을 동시 처리하거나, 플라즈마와 레이저를 교대로 반복 처리하는 것인, 피부 개질 방법.Plasma pretreatment and post-treatment of light, pretreatment of light and post-treatment of plasma, simultaneous treatment of plasma and light, or alternating treatment of plasma and laser alternately.
- 제 16항에 있어서,The method of claim 16,상기 피부 개질은 플라즈마 처리되는 영역의 피부와 빛 처리되는 영역의 피부를 중첩시키는 것을 특징으로 하는, 피부 개질 방법.The skin modification is characterized in that for overlapping the skin of the plasma-treated area and the skin of the light-treated area, skin modification method.
- 제 16항에 있어서,The method of claim 16,상기 플라즈마는 저온 플라즈마인 것인, 피부 개질 방법.Wherein said plasma is a low temperature plasma.
- 제 19항에 있어서,The method of claim 19,상기 저온 플라즈마는 펄즈스트리머방전, 무성방전, 부분방전, 연면방전, 또는 코로나방전에의한 플라즈마인, 피부 개질 방법.The low temperature plasma is a plasma reforming method, a silent discharge, partial discharge, creeping discharge, or corona discharge plasma, skin modification method.
- 제 16항에 있어서,The method of claim 16,상기 빛은 레이저인, 피부 개질 방법.Wherein said light is a laser.
- 제 21항에 있어서,The method of claim 21,상기 레이저는 박피성 레이저인, 피부 개질 방법.Wherein said laser is a peelable laser.
- 제 21항에 있어서,The method of claim 21,상기 레이저는 저출력 레이저 요법의 레이저인, 피부 개질 방법.Wherein said laser is a laser of low power laser therapy.
- 제 16항에 있어서,The method of claim 16,상기 빛은 605nm 내지 650nm 파장인 것을 특징으로 하는, 피부 개질 방법.The light is characterized in that the wavelength of 605nm to 650nm, skin modification method.
- 제 16항에 있어서,The method of claim 16,상기 피부는 두피인, 피부 개질 방법.Wherein said skin is a scalp.
- 제 25항에 있어서,The method of claim 25,상기 피부 개질은 탈모를 억제하거나, 발모를 촉진하거나, 모근을 강화하는 것인, 피부 개질 방법.Wherein said skin modification is to inhibit hair loss, promote hair growth, or strengthen hair roots.
- 제 16항에 있어서,The method of claim 16,상기 플라즈마는 피부에 5 내지 40 J/cm2 로 처리하는, 피부 개질 방법.Wherein the plasma is treated at 5 to 40 J / cm 2 to the skin.
- 제 27항에 있어서,The method of claim 27,상기 플라즈마는 피부에 10 내지 20 J/cm2 로 처리하는, 피부 개질 방법.Wherein the plasma is treated at 10 to 20 J / cm 2 on the skin.
- 제 16항에 있어서,The method of claim 16,상기 빛은 피부에 2 내지 16 J/cm2 로 처리하는, 피부 개질 방법.Wherein said light is treated to the skin at 2 to 16 J / cm 2 .
- 제 29항에 있어서,The method of claim 29,상기 빛은 피부에 2 내지 8 J/cm2 로 처리하는, 피부 개질 방법.Wherein said light is treated to the skin at 2 to 8 J / cm 2 .
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