WO2018019726A1 - Lichtquelle mit einer primäroptik aus silikon und verfahren zur herstellung der lichtquelle - Google Patents

Lichtquelle mit einer primäroptik aus silikon und verfahren zur herstellung der lichtquelle Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to a light source, in particular light-emitting diode or laser diode for a lighting device of a vehicle, and a method for producing a light source, with a light-emitting surface through which light can be emitted during operation of the light source, and comprising an optical body made of transparent material, in which light emitted via the surface can be radiated in, and wherein the optical body is cast by means of a primary molding process on at least one surface formed on the light source.
  • EP 1 934 517 P1 discloses a light source in the form of a light-emitting diode having a light-emitting surface of a light-emitting diode chip, which forms a semiconductor body. Immediately above the LED chip, an optical body is arranged downstream to form a primary optic. When the light source is put into operation, the light-emitting diode chip emits light via the light-emitting surface which radiates directly into the optical body.
  • the optic body is sprayed onto the light source by means of an injection molding process, so that the optic body is seated, for example, on the semiconductor body and on the base body of the light source.
  • the optic body consists for example of silicone, which is transparent and can withstand temperatures occurring.
  • the light source in the form of the light-emitting diode is disclosed as part of a motor vehicle headlight module. More recently, semiconductor light sources have also been used to implement the main light function such as low beam and high beam.
  • DE 10 201 1 107 892 A1 discloses a light-emitting diode with a base body, with a semiconductor body and a light-emitting surface formed on the semiconductor body, via which light can be emitted during operation of the light-emitting diode.
  • the exemplary embodiments show the application of a transparent optical body of silicone onto a main body of the light source.
  • the technology of applying the so-called coating made of silicone makes it clear that a direct solid contact between the light-emitting surface and the light-transparent optical body is because the optoelectronic components are immersed in the silicone before it hardens and crosslinks. Consequently, the light over the surface of the semiconductor body emits directly into the silicone optical body.
  • the optic bodies can also be produced in an injection molding process and subsequently coupled to the base body and / or the semiconductor body.
  • a cavity is created between the optics body and the light-emitting surface, however, the advantages of a grafting of the optic body to at least one surface of the light source can no longer be utilized.
  • injection molding methods for producing the optical body are generally used.
  • a direct contacting of the optic body made of silicone with the light-emitting surface of the semiconductor body or of an emission or converter layer, in particular a phosphor layer, applied to the semiconductor body generally occurs.
  • DE 103 57 818 B4 discloses a method for producing a light source in the form of a light-emitting diode having a light-emitting surface, via which light can be emitted during operation of the light source. Furthermore, the light source has an optical body of transparent material into which the light emitted via the surface can be irradiated. The optical body is molded directly onto a surface of the light source, so that a direct material connection between the optical body and the light-emitting surface is formed.
  • the spectral range changes. rum the decoupled radiation of the light source, in particular the light emitting diode. This creates a color shift, which takes into account in the design of the light source and, if necessary, must be compensated.
  • the refractive interface of the outside of the optic body is available, via which the light is decoupled from the optic body.
  • secondary optics are usually used, into which the light which has been coupled out via the refractive interface of the optical body radiates. With the secondary optics, the actual beam shaping takes place, the primary optics generally fulfilling the task of creating a defined light emission range, which is smaller than a hemisphere.
  • the object of the invention is the development of a light source, in particular light-emitting diode or laser diode, in which the color shift described above does not arise as possible, so that a Einkalkulleiter and compensation of a color shift is not required.
  • the arrangement of the optic body should be maintained by means of a casting process, preferably an injection molding process.
  • the invention includes the technical teaching that a gap is formed between the light-emitting surface and the optical body.
  • the optic body preferably comprises silicone, but the transparent material may include other alternative materials, such as a thermoplastic.
  • the transparent material may include other alternative materials, such as a thermoplastic.
  • the cavity formed by the gap between the light-emitting surface and the optical body has a footprint that is substantially defined and / or limited by the light-emitting surface.
  • the optical body may be formed of silicone and it may be further provided that the light-emitting diode has a main body and in particular a semiconductor body, wherein the surface for sprue of the optical body is preferably formed on the base body and / or on the semiconductor body.
  • the surface for sprue of the optical body can thereby particularly advantageously enclose the light-emitting surface on the emission side of the light source, so that the cavity is formed closed.
  • the silicone for forming the optic body can be injection-molded with particular advantage on the base body and / or on the semiconductor body by means of an injection molding process using an injection molding process. Consequently, there is no need to dispense with the advantages of using an injection molding method, wherein according to the invention measures must be taken to prevent an immediate adhesion of the silicone material of the optical body to the light emitting surface. These measures will be described in more detail below in connection with the method of manufacturing the light source.
  • the light-emitting surface in particular has a siloxane-phobic layer or property, for example produced by means of an applied additive, preferably an antiadhesive.
  • the invention further relates to a method for producing a light source, in particular a light-emitting diode or laser diode, having a light-emitting surface through which light can be emitted when the light source is in operation, and comprising an optical body made of transparent material into which the light emitted via the surface can be radiated
  • the method comprises at least the following steps: providing a base body and / or a semiconductor body on which at least indirectly the light emitting surface is formed, forming an adhesion prevention of the transparent material of a light emitting surface and casting the transparent material on the base body and / or to the semiconductor body by means of a casting method for forming the optical body to form a gap between the light emitting surface and the optical body.
  • the formation of the adhesion prevention can be advantageously produced by applying an additive, in particular a siloxane-phobic layer, to the light-emitting surface. It is also conceivable to generate the formation of the adhesion prevention by means of irradiation for deactivating the light-emitting surface.
  • adhesion prevention for example, a masking of the light-emitting surface, so that the deactivation of the surface, for example by applying the additive takes place exactly at the location of the light-emitting surface, so that in a molding of the silicone to the base body and / or on the Semiconductor body, a sufficiently large contact surface for the substance-liquid connection of the silicone with the main body or the semiconductor body is generated.
  • the additive the opposite effect of a coupling agent is generated in some way, so that adhesion of the silicone to the light-emitting surface is effectively prevented. In this case, a gap of a few micrometers is sufficient, so that the cavity formed can be correspondingly small or flat.
  • Another advantage arises from the fact that a direct surrounding medium of the light source remains air, which has the refractive index n 1. As a result, a change of the emission spectrum of the semiconductor body or of the emission layer remains, which was referred to above as color shift. Accordingly, no adaptation of the light color by the light source, for example by modification of the converter material of the emission layer, must take place.
  • the relative position between the light source and the primary optics is determined and fixed by the master molding process, wherein the primary molding process particularly advantageously comprises an injection molding step, wherein non-pressurized casting methods can also be used.
  • the primary molding process particularly advantageously comprises an injection molding step, wherein non-pressurized casting methods can also be used.
  • Fig. 1 is a schematic representation of a light source with the features according to the invention in cross-section and
  • FIG. 2 shows the light source according to FIG. 1 in an arrangement in front of a secondary optic, wherein the light is shown along a light main axis.
  • Fig. 1 shows a cross-sectional view of a light source 1 in the form of a light emitting diode.
  • the light source 1 has a main body 14, on which a semiconductor body 15, for example comprising a printed circuit board, a semiconductor emitter, a contact and an at least partially plastic encapsulation, is applied.
  • An electrical contacting of the semiconductor body 15 is not shown in detail. This can, for. B. via the base 14.
  • an emission layer 1 6 is applied, which contains, for example, a phosphor material in order to achieve a desired emission spectrum of the light source 1. With the free surface of the emission layer 1 6, a light-emitting surface 10 is formed, over the light of the light source 1 is emitted during operation.
  • an optical body 12 is arranged, which comprises a silicone material.
  • the optic body 12 is molded by means of an injection molding process on a front side of the main body 14 and laterally on the semiconductor body 15.
  • the optical body 12 does not adhere to the light-emitting surface 10, so that a gap 13 is formed.
  • the gap 13 is shown in Fig. 1 for illustration in such a way that it can be seen with a cavity 20 formed.
  • the gap 13 may also be only a few micrometers in size, so that the representation does not reproduce the gap 13 to scale.
  • the light source 1 If the light source 1 is put into operation and light is emitted via the light-emitting surface 10 of the emission layer 16, the light initially enters the gap 13, which is filled, for example, with air or another gas.
  • the filling of the cavity 20 formed with the gap 13 has a refractive index of for example, about 1, so that no color shift takes place by a direct coupling into the optical body 12. After passing through the gap 13, the light enters the optic body 12 and exits on the free surface of the optic body 12 again.
  • FIG. 2 shows the light source 1 with the main body 14, the semiconductor body 15 and with the light-emitting surface 10 on the emission layer 1 6, wherein the optical body 12 is arranged above the emission layer 1 6.
  • the optical body 12 After passage of the light 1 1 through the gap 13, this enters the optical body 12 via the first refractive interface 19a, and the light 1 1 again emerges from the optical body 12 via the second, opposite refractive interface 19b.
  • a secondary optics 18 is shown, which continues to traverse the light 1 1 in order finally to propagate with a corresponding steel formation in the light main axis 17.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Lichtquelle (1), insbesondere Leuchtdiode oder Laserdiode, und ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle (1), mit einer lichtemittierenden Oberfläche (10), über die bei Betrieb der Lichtquelle (1) Licht (11) emittierbar ist, und aufweisend einen Optikkörper (12) aus transparentem Material, in den das über die Oberfläche (10) emittierte Licht (11) einstrahlbar ist, und wobei der Optikkörper (12) mittels eines Urformverfahrens an wenigstens eine an der Lichtquelle (1) ausgebildeten Oberfläche angegossen ist. Erfindungsgemäß ist zwischen der lichtemittierenden Oberfläche (10) und dem Optikkörper (12) ein Spalt (13) ausgebildet.

Description

Lichtquelle mit einer Primäroptik aus Silikon und
Verfahren zur Herstellung der Lichtquelle
Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine Lichtquelle, insbesondere Leuchtdiode oder Laserdiode für eine Beleuchtungseinrichtung eines Fahrzeugs, und ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle, mit einer lichtemittierenden Oberfläche, über die bei Betrieb der Lichtquelle Licht emittierbar ist, und aufweisend einen Optikkörper aus transparentem Material, in dem das über die Oberfläche emittierte Licht einstrahlbar ist, und wobei der Optikkörper mittels eines Urformverfahrens an wenigstens eine an der Lichtquelle ausgebildete Oberfläche angegossen ist.
STAND DER TECHNIK
Beispielsweise offenbart die EP 1 934 517 P1 eine Lichtquelle in Form einer Leuchtdiode mit einer lichtemittierenden Oberfläche eines Leuchtdiodenchips, der einen Halbleiterkörper bildet. Unmittelbar über dem Leuchtdiodenchip ist ein Optikkörper zur Bildung einer Primäroptik nachgeordnet. Wird die Lichtquelle in Betrieb genommen, so emittiert der Leuchtdiodenchip über die lichtemittierende Oberfläche Licht, das direkt in den Optikkörper einstrahlt. Der Optikkörper wird dabei mittels eines Spritzgussverfahrens auf die Lichtquelle aufgespritzt, so dass der Optikkörper beispielsweise auf dem Halbleiterkörper und auf dem Grundkörper der Lichtquelle aufsitzt. Der Optikkörper besteht beispielsweise aus Silikon, das transparent ist und auftretenden Temperaturen standhalten kann. Die Lichtquelle in Form der Leuchtdiode ist als Teil eines Kfz- Scheinwerfermoduls offenbart. In jüngerer Zeit kommen auch für die Umsetzung der Hauptlichtfunktion wie Abblendlicht und Fernlicht Halbleiterlichtquellen zum Einsatz.
Die DE 10 201 1 107 892 A1 offenbart eine Leuchtdiode mit einem Grundkörper, mit einem Halbleiterkörper und eine an dem Halbleiterkörper ausgebildete lichtemittierende Oberfläche, über die im Betrieb der Leuchtdiode Licht emittiert werden kann. Die Ausführungsbeispiele zeigen die Aufbringung eines transparenten Optikkörpers aus Silikon auf einen Grundkörper der Lichtquelle. Die Technologie der Aufbringung der sogenannten Beschichtung aus Silikon macht deutlich, dass ein unmittelbarer Festkörperkontakt zwischen der lichtemittierenden Oberfläche und dem lichttransparenten Optikkörper besteht, da die optoelektronischen Komponenten in das Silikon eingetaucht werden, bevor dieses aushärtet und vernetzt. Folglich emittiert das Licht über die Oberfläche des Halbleiterkörpers unmittelbar in den Optikkörper aus Silikon hinein.
Die Optikkörper können gemäß der EP 2 075 856 A2 auch in einem Spritzgussverfahren hergestellt und anschließend an den Grundkörper und/oder den Halbleiterkörper angekoppelt werden. Dabei wird ein Hohlraum zwischen dem Optikkörper und der lichtemittierenden Oberfläche geschaffen, allerdings können die Vorteile eines Angie- ßens des Optikkörpers an wenigstens eine Oberfläche der Lichtquelle nicht mehr genutzt werden.
Neben der dargestellten Technologie zur Aufbringung des Optikkörpers auf die lichtemittierende Oberfläche sind im allgemeinen Spritzgussverfahren zur Herstellung des Optikkörpers verbreitet. Durch den damit angewendeten Urformprozess entsteht im Allgemeinen eine unmittelbare Kontaktierung des Optikkörpers aus Silikon mit der lichtemittierenden Oberfläche des Halbleiterkörpers beziehungsweise einer auf dem Halbleiterkörper aufgebrachten Emissions- bzw. Konverterschicht, insbesondere Phosphorschicht.
Die DE 103 57 818 B4 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle in Form einer Leuchtdiode mit einer lichtemittierenden Oberfläche, über die bei Betrieb der Lichtquelle Licht emittierbar ist. Weiterhin weist die Lichtquelle einen Optikkörper aus transparentem Material auf, in den das über die Oberfläche emittierte Licht einstrahlbar ist. Der Optikkörper wird direkt an eine Oberfläche der Lichtquelle angespritzt, sodass eine direkte stoffliche Verbindung zwischen dem Optikkörper und der lichtemittierenden Oberfläche gebildet wird.
Aufgrund des höheren Brechungsindex des lichttransparenten Optikkörpers, beispielsweise ausgebildet aus einem Thermoplasten oder ausgebildet aus Silikon, zur Bildung der sogenannten Primärpotik im Vergleich zu Luft verändert sich das Spekt- rum der ausgekoppelten Strahlung der Lichtquelle, insbesondere der Leuchtdiode. Dadurch entsteht ein Farbshift, welcher bei der Auslegung der Lichtquelle einkalkuliert und gegebenenfalls kompensiert werden muss. Zur eigentlichen Formung des Lichts steht lediglich die refraktive Grenzfläche der Außenseite des Optikkörpers zur Verfügung, über die das Licht aus dem Optikkörper wieder ausgekoppelt wird. Beim Einsatz derartiger Lichtquellen in Scheinwerfern von Kraftfahrzeugen werden üblicherweise Sekundäroptiken verwendet, in die das Licht einstrahlt, das über die refraktive Grenzfläche des Optikkörpers ausgekoppelt wurde. Mit der Sekundäroptik erfolgt die eigentliche Strahlformung, wobei die Primäroptik im Allgemeinen die Aufgabe erfüllt, einen definierten Licht-Abstrahlbereich zu schaffen, der kleiner ist als eine Halbkugel.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
Aufgabe der Erfindung ist die Weiterbildung einer Lichtquelle, insbesondere Leuchtdiode oder Laserdiode, bei der der zuvor beschriebene Farbshift möglichst nicht entsteht, so dass eine Einkalkulierung und Kompensation eines Farbshifts nicht erforderlich ist. Insbesondere soll die Anordnung des Optikkörpers mittels eines Gießverfahrens, vorzugsweise eines Spritzgussverfahrens beibehalten werden.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einer Lichtquelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 und ausgehend von einem Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 6 mit den jeweils kennzeichnenden Merkmalen gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Die Erfindung schließt die technische Lehre ein, dass zwischen der lichtemittierenden Oberfläche und dem Optikkörper ein Spalt ausgebildet ist.
Durch die Bildung eines Spalts zwischen der lichtemittierenden Oberfläche und dem Optikkörper wird eine unmittelbare Einkopplung des Lichts von der lichtemittierenden Oberfläche in das Material des Optikkörpers erfindungsgemäß verhindert. Der Optikkörper weist vorzugsweise Silikon auf, das transparente Material kann jedoch auch andere, alternative Werkstoffe umfassen, beispielsweise einen Thermoplasten. Durch die Auskopplung des Lichts über die lichtemittierende Oberfläche in einen durch den Spalt gebildeten Hohlraum entsteht folglich kein Farbshift. Aus dem Hohlraum heraus, beispielsweise gefüllt mit Luft, erfolgt die Einkopplung des Lichts in den Optikkörper über eine erste refraktive Grenzfläche, und nach Durchlauf des Lichts durch den Optikkörper erfolgt die Auskopplung des Lichts aus dem Optikkörper über eine zweite refraktive Grenzfläche. Beide refraktiven Grenzflächen sind am Optikkörper ausgebildet. Erfindungsgemäß können dabei die Vorteile eines Spritzgussverfahrens weiterhin genutzt werden, insbesondere betreffend das einfache stoffschlüssige Verbinden des Optikkörpers mit dem Körper der Lichtquelle und die kostengünstige und reproduzierbare Herstellung.
Der Hohlraum, der durch den Spalt zwischen der lichtemittierenden Oberfläche und dem Optikkörper gebildet wird, weist eine Grundfläche auf, die im Wesentlichen durch die lichtemittierende Oberfläche bestimmt und/oder begrenzt ist. Insbesondere kann der Optikkörper aus Silikon ausgebildet sein und es kann weiterführend vorgesehen sein, dass die Leuchtdiode einen Grundkörper und insbesondere einen Halbleiterköper aufweist, wobei die Oberfläche zum Anguss des Optikkörpers vorzugsweise am Grundkörper und/oder am Halbleiterköper ausgebildet ist. Die Oberfläche zum Anguss des Optikkörpers kann dabei mit besonderem Vorteil die lichtemittierende Oberfläche auf der Abstrahlseite der Lichtquelle umschließen, sodass der Hohlraum geschlossen ausgebildet wird.
Das Silikon zur Bildung des Optikkörpers kann mit besonderem Vorteil an den Grundkörper und/oder an den Halbleiterkörper mittels eines Spritzgussverfahrens unter Verwendung eines Spritzgussverfahrens angespritzt werden. Folglich muss nicht auf die Vorteile bei der Verwendung eines Spritzgussverfahrens verzichtet werden, wobei erfindungsgemäß Maßnahmen getroffen werden müssen, um eine unmittelbare An- haftung des Silikonmaterials des Optikkörpers an der lichtemittierenden Oberfläche zu verhindern. Diese Maßnahmen werden nachstehend in Verbindung mit dem Verfahren zur Herstellung der Lichtquelle näher beschrieben. Die lichtemittierende Oberfläche weist dabei insbesondere eine siloxan-phobe Schicht bzw. Eigenschaft auf, beispielsweise erzeugt mittels eines aufgebrachten Additivs, vorzugsweise eines Antiadhäsivs. Die Erfindung richtet sich weiterhin auf ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle, insbesondere Leuchtdiode oder Laserdiode, mit einer lichtemittierenden Oberfläche, über die bei Betrieb der Lichtquelle Licht emittierbar ist, und aufweisend einen Optikkörper aus transparentem Material, in den das über die Oberfläche emittierte Licht einstrahlbar ist, wobei das Verfahren wenigstens die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Grundkörpers und/oder eines Halbleiterkörpers, an dem wenigstens mittelbar die lichtemittierende Oberfläche ausgebildet ist, Bildung einer Haftverhinderung des transparenten Materials einer lichtemittierenden Oberfläche und Angießen des transparenten Materials an den Grundkörper und/oder an den Halbleiterkörper mittels eines Gießverfahrens zur Bildung des Optikkörpers unter Ausbildung eines Spalts zwischen der lichtemittierenden Oberfläche und dem Optikkörper.
Die Bildung der Haftverhinderung kann mit Vorteil durch Aufbringen eines Additivs, insbesondere einer Siloxan-phoben-Schicht, auf die lichtemittierende Oberfläche erzeugt werden. Auch ist es denkbar, die Bildung der Haftverhinderung mittels einer Bestrahlung zur Deaktivierung der lichtemittierenden Oberfläche zu erzeugen.
Bei der Umsetzung der Haftverhinderung kann beispielsweise eine Maskierung der lichtemittierenden Oberfläche erfolgen, so dass die Deaktivierung der Oberfläche beispielsweise durch das Aufbringen des Additivs genau an der Stelle der lichtemittierenden Fläche erfolgt, so dass bei einem Anspritzen des Silikons an den Grundkörper und/oder an den Halbleiterkörper eine hinreichend große Kontaktfläche zur stoffflüssigen Verbindung des Silikons mit dem Grundkörper oder dem Halbleiterkörper erzeugt wird. Mittels des Additivs wird in gewisser Weise die gegenteilige Wirkung eines Haftvermittlers erzeugt, so dass eine Anhaftung des Silikons an der lichtemittierenden Oberfläche wirksam verhindert ist. Dabei genügt ein Spalt von wenigen Mikrometern, so dass der gebildete Hohlraum entsprechend klein beziehungsweise flach ausgebildet werden kann. Bei der Deaktivierung der lichtemittierenden Oberfläche mittels der Bestrahlung erfolgt eine Eigenschaftsveränderung der Oberfläche, die damit inert gegen einen Stoffschluss mit dem Optikkörper, also insbesondere mit dem Silikon, ist. Bei der Ausgestaltung der Oberfläche zum Anspritzen des Optikkörpers muss beachtet werden, dass mechanische Hinterschneidungen verhindert werde. Außerdem sollte die Viskosität des Silikons nicht zu niedrig gewählt werden.
Durch den gebildeten Spalt wird folglich ein geschlossener Hohlraum zwischen der lichtemittierenden Oberfläche und dem Optikkörper gebildet, so dass eine zusätzliche refraktive Grenzfläche am Optikkörper entsteht und eine zusätzliche Brechung des Lichts erfolgen kann. Im vorliegenden Anwendungsfall zur Bildung der erfindungsgemäßen Lichtquelle entsteht eine Steigerung des Beleuchtungsstärkemaximums des Scheinwerfers mit einer solchen Lichtquelle bei nahezu identischem Leuchtenwirkungsgrad.
Ein weiterer Vorteil entsteht dadurch, dass ein unmittelbares Umgebungsmedium der Lichtquelle Luft bleibt, welche den Brechungsindex n=1 aufweist. Dadurch bleibt eine Änderung des Emissionsspektrums des Halbleiterkörpers beziehungsweise der Emissionsschicht aus, was vorstehend als Farbshift bezeichnet wurde. Dementsprechend muss keine Anpassung der Lichtfarbe seitens der Lichtquelle, beispielsweise durch Modifikation des Konvertermaterials der Emissionsschicht, erfolgen.
Die Relativposition zwischen der Lichtquelle und der Primäroptik wird durch den Ur- formprozess festgelegt und fixiert, wobei der Urformprozess mit besonderem Vorteil einen Spritzgussschritt umfasst, wobei auch drucklose Gießverfahren angewandt werden können. So resultiert die Möglichkeit einer toleranzarmen und reproduzierbaren Herstellung einer Lichtquelle samt der Primäroptik, gebildet durch den Optikkörper. Weiterhin besteht die Möglichkeit der simplen Qualitätskontrolle mittels einer Kameraaufnahme unter bestimmtem Winkel, unter dem das Umgebungslicht an der Grenzfläche Silikon-Luftspalt total reflektiert würde.
BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL DER ERFINDUNG
Weitere, die Erfindung verbessernde Maßnahmen werden nachtstehend gemeinsam mit der Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung anhand der Figuren näher dargestellt. Es zeigt: Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Lichtquelle mit den erfindungsgemäßen Merkmalen im Querschnitt und
Fig. 2 die Lichtquelle gemäß Fig. 1 in Anordnung vor einer Sekundäroptik, wobei das Licht entlang einer Lichthauptachse dargestellt ist.
Fig. 1 zeigt in einer quergeschnittenen Darstellung eine Lichtquelle 1 in Form einer Leuchtdiode. Die Lichtquelle 1 weist einen Grundkörper 14 auf, auf dem ein Halbleiterkörper 15, beispielsweise aufweisend eine Leiterplatte, einen Halbleiteremitter, eine Kontaktierung und eine zumindest teilweise Kunststoffumspritzung, aufgebracht ist. Eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterkörpers 15 ist nicht näher gezeigt. Diese kann z. B. über den Grundkörper 14 erfolgen. Auf einer Vorderseite des Halbleiterkörpers 15 ist eine Emissionsschicht 1 6 aufgebracht, die beispielsweise ein Phosphormaterial enthält, um ein gewünschtes Emissionsspektrum der Lichtquelle 1 zu erzielen. Mit der freien Oberfläche der Emissionsschicht 1 6 wird eine lichtemittierende Oberfläche 10 gebildet, über die im Betrieb der Lichtquelle 1 Licht emittierbar ist.
Auf der lichtemittierenden Seite der Lichtquelle 1 ist ein Optikkörper 12 angeordnet, der ein Silikonmaterial umfasst. Der Optikkörper 12 ist mittels eines Spritzgussverfahrens an einer Vorderseite des Grundkörpers 14 und seitlich am Halbleiterkörper 15 angespritzt. Der Optikkörper 12 haftet dabei nicht an der lichtemittierenden Oberfläche 10 an, so dass ein Spalt 13 gebildet ist. Der Spalt 13 ist in Fig. 1 zur Veranschaulichung derart gezeigt, dass dieser mit einem gebildeten Hohlraum 20 erkennbar ist. Der Spalt 13 kann jedoch auch nur wenige Mikrometer groß sein, so dass die Darstellung den Spalt 13 nicht maßstäblich wiedergibt.
Wird die Lichtquelle 1 in Betrieb genommen und wird Licht über die lichtemittierende Oberfläche 10 der Emissionsschicht 16 emittiert, so tritt das Licht zunächst in den Spalt 13 ein, der beispielsweise mit Luft oder einem sonstige Gas gefüllt ist. Die Füllung des mit dem Spalt 13 gebildeten Hohlraums 20 weist einen Brechungsindex von beispielsweise etwa 1 auf, so dass kein Farbshift durch eine direkte Einkopplung in den Optikkörper 12 erfolgt. Nach Durchlauf des Spalts 13 tritt das Licht in den Optikkörper 12 ein und tritt auf der freien Oberfläche des Optikkörpers 12 wieder aus.
Fig. 2 zeigt die Lichtquelle 1 mit dem Grundkörper 14, dem Halbleiterkörper 15 und mit der lichtemittierenden Oberfläche 10 an der Emissionsschicht 1 6, wobei über der Emissionsschicht 1 6 der Optikkörper 12 angeordnet ist. Nach Durchlauf des Lichts 1 1 durch den Spalt 13 tritt dieses über die erste refraktive Grenzfläche 19a in den Optikkörper 12 ein und über die zweite, gegenüberliegende refraktive Grenzfläche 19b tritt das Licht 1 1 wieder aus dem Optikkörper 12 aus. Beispielhaft ist eine Sekundäroptik 18 gezeigt, die das Licht 1 1 weiterhin durchwandert, um sich schließlich mit einer entsprechenden Stahlformung in der Lichthauptachse 17 auszubreiten.
Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf das vorstehend angegebene bevorzugte Ausführungsbeispiel. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, welche von der dargestellten Lösung auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebraucht macht. Sämtliche aus den Ansprüchen, der Beschreibung oder den Zeichnungen hervorgehenden Merkmale und/oder Vorteile, einschließlich konstruktiver Einzelheiten, räumlicher Anordnungen und Verfahrensschritte, können sowohl für sich als auch in den verschiedensten Kombinationen erfindungswesentlich sein.
Bezugszeichenliste
I Lichtquelle
10 lichtemittierende Oberfläche
I I Licht
12 Optikkörper
13 Spalt
14 Grundkörper
15 Halbleiterkörper
1 6 Emissionsschicht
17 Lichthauptachse
18 Sekundäroptik
19a erste refraktive Grenzfläche
19b zweite refraktive Grenzfläche
20 Hohlraum

Claims

Lichtquelle mit einer Primäroptik aus Silikon und
Verfahren zur Herstellung der Lichtquelle
Patentansprüche
1 . Lichtquelle (1 ), insbesondere Leuchtdiode oder Laserdiode für eine Beleuchtungseinrichtung eines Fahrzeugs, mit
einer lichtemittierenden Oberfläche (10), über die bei Betrieb der Lichtquelle (1 ) Licht (1 1 ) emittierbar ist, und
einem Optikkörper (12) aus transparentem Material, in den das über die Oberfläche (10) emittierte Licht (1 1 ) einstrahlbar ist,
wobei der Optikkörper (12) mittels eines Urformverfahrens an wenigstens eine an der Lichtquelle (1 ) ausgebildeten Oberfläche angegossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der lichtemittierenden Oberfläche (10) und dem Optikkörper (12) ein Spalt (13) ausgebildet ist.
2. Lichtquelle (1 ) nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Spalt
(13) einen über der lichtemittierenden Oberfläche (10) geschlossenen Hohlraum (20) bildet.
3. Lichtquelle (1 ) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraum (20) eine Grundfläche aufweist, die im Wesentlichen durch die lichtemittierende Oberfläche (10) bestimmt und/oder begrenzt ist.
4. Lichtquelle (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass
der Optikkörper (12) aus Silikon ausgebildet ist und/oder
die Leuchtdiode (1 ) einen Grundkörper (14) und/oder einen Halbleiterköper (15) aufweist, wobei optional die Oberfläche zum Anguss des Optikkörpers (12) am Grundkörper (14) und/oder am Halbleiterköper (15) ausgebildet ist. Lichtquelle (1 ) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Silikon zur Bildung des Optikkörpers (12) an den Grundkörper (14) und/oder an den Halbleiterköper (15) mittels eines Spritzgussverfahrens angespritzt ist.
Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle (1 ), insbesondere Leuchtdiode oder Laserdiode für eine Beleuchtungseinrichtung eines Fahrzeugs, mit einer lichtemittierenden Oberfläche (10), über die bei Betrieb der Lichtquelle (1 ) Licht (1 1 ) emittierbar ist, und aufweisend einen Optikkörper (12) aus transparentem Material, in den das über die Oberfläche (10) emittierte Licht (1 1 ) einstrahlbar ist, wobei das Verfahren wenigstens die folgenden Schritte aufweist:
Bereitstellen eines Grundkörpers (14) und/oder eines Halbleiterköpers (15), an dem wenigstens mittelbar die lichtemittierende Oberfläche (10) ausgebildet ist,
Bildung einer Haftverhinderung des transparenten Materials an der lichtemittierenden Oberfläche (10) und
Angießen des transparenten Materials an den Grundkörper (14) und/oder an den Halbleiterköper (15) mittels eines Gießverfahrens zur Bildung des Optikkörpers (12) unter Ausbildung eines Spaltes (13) zwischen der lichtemittierenden Oberfläche (10) und dem Optikkörper (12).
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildung der Haftverhinderung durch ein Aufbringen eines Additivs, insbesondere einer siloxan-phoben Schicht, auf die lichtemittierende Oberfläche (10) erzeugt wird.
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildung der Haftverhinderung durch ein Bestrahlen zur Deaktivierung der lichtemittierenden Oberfläche (10) erzeugt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Optikkörper (12) durch ein Anspritzen eines Silikons an den Grund- körper (14) und/oder an den Halbleiterköper (15) im Spritzgussverfahren erzeugt wird, das das transparente Material bildet.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
dass durch den Spalt (13) ein geschlossener Hohlraum (20) zwischen der lichtemittierenden Oberfläche (10) und dem Optikkörper (12) gebildet wird.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019061855A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 移動体用発光装置、移動体用照明装置及び移動体

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007069119A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Lighting device and method for manufacturing same
EP1934517A1 (de) 2005-10-14 2008-06-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Multifunktions-kfz-scheinwerfermodul insbesondere für den frontbereich eines kraftfahrzeugs
EP2075856A2 (de) 2004-06-04 2009-07-01 Cree, Inc. Gehäuse mit lichtemittierender Hochleistungsdiode und Reflexionslinse, sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
DE10357818B4 (de) 2003-12-09 2009-10-08 Odelo Gmbh Verfahren zur Herstellung lichtemittierender Halbleiterdioden auf einer Platine
WO2010057019A2 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Maven Optronics Corp. Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices
US20100308354A1 (en) * 2009-06-09 2010-12-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with remote phosphor layer and reflective submount
US20100311193A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 Hsuan-Chih Lin Led module fabrication method
DE102011107892A1 (de) 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Beschichtungsverfahren für einoptoelektronisches Chip-On-Board-Modul
US20140286019A1 (en) * 2011-04-22 2014-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha Lens and light source unit

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4504662B2 (ja) 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
KR20090031446A (ko) * 2006-07-06 2009-03-25 티아이알 테크놀로지 엘피 조명 디바이스 패키지
CN2938416Y (zh) * 2006-08-15 2007-08-22 何永祥 一种金属外壳封装的大功率发光二极管
DE102007012504B4 (de) * 2007-01-25 2022-02-10 Osram Oled Gmbh Elektronische Vorrichtung
US8791631B2 (en) * 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7800125B2 (en) * 2008-07-09 2010-09-21 Himax Display, Inc. Light-emitting diode package
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
CN102074637B (zh) * 2009-11-19 2013-06-05 深圳市光峰光电技术有限公司 封装固态发光芯片的方法、结构及使用该封装结构的光源装置
US8809478B2 (en) * 2010-06-11 2014-08-19 Adeka Corporation Silicon-containing curable composition, cured product of the silicon-containing curable composition and lead frame substrate formed of the silicon-containing curable composition
US8552454B2 (en) * 2010-11-29 2013-10-08 Epistar Corporation Light-emitting device and light mixing device
JP2013042079A (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 Sharp Corp 半導体発光装置
CN102518964A (zh) * 2011-12-11 2012-06-27 深圳市光峰光电技术有限公司 光源和照明装置
CN102593340A (zh) * 2012-03-05 2012-07-18 清华大学 一种白光led发光装置
KR101516358B1 (ko) * 2012-03-06 2015-05-04 삼성전자주식회사 발광 장치
US20150145406A1 (en) * 2012-06-28 2015-05-28 Intematix Corporation Solid-state linear lighting arrangements including light emitting phosphor
KR101979825B1 (ko) * 2012-11-19 2019-05-17 서울반도체 주식회사 발광디바이스 및 이를 포함하는 전자장치
US20150372204A1 (en) * 2013-01-31 2015-12-24 Panasonic Intellectual Property Management Co.,Ltd Ultraviolet light emitting device
JP6131664B2 (ja) * 2013-03-25 2017-05-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
US9593812B2 (en) 2014-04-23 2017-03-14 Cree, Inc. High CRI solid state lighting devices with enhanced vividness
WO2015193554A1 (en) * 2014-06-19 2015-12-23 Inkron Oy Transparent siloxane encapsulant and adhesive
US10132476B2 (en) * 2016-03-08 2018-11-20 Lilibrand Llc Lighting system with lens assembly

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10357818B4 (de) 2003-12-09 2009-10-08 Odelo Gmbh Verfahren zur Herstellung lichtemittierender Halbleiterdioden auf einer Platine
EP2075856A2 (de) 2004-06-04 2009-07-01 Cree, Inc. Gehäuse mit lichtemittierender Hochleistungsdiode und Reflexionslinse, sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1934517A1 (de) 2005-10-14 2008-06-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Multifunktions-kfz-scheinwerfermodul insbesondere für den frontbereich eines kraftfahrzeugs
WO2007069119A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Lighting device and method for manufacturing same
WO2010057019A2 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Maven Optronics Corp. Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices
US20100311193A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 Hsuan-Chih Lin Led module fabrication method
US20100308354A1 (en) * 2009-06-09 2010-12-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with remote phosphor layer and reflective submount
US20140286019A1 (en) * 2011-04-22 2014-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha Lens and light source unit
DE102011107892A1 (de) 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Beschichtungsverfahren für einoptoelektronisches Chip-On-Board-Modul

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