WO2017208606A1

WO2017208606A1 - 光センサおよび電子機器

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Publication number: WO2017208606A1
Application number: PCT/JP2017/013425
Authority: WO
Inventors: 教和岡田; 敏幸高田; 祥平鎌田
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2016-06-01
Filing date: 2017-03-30
Publication date: 2017-12-07
Also published as: JP2019133961A

Abstract

光センサは、発光素子（２）と、反射光を受光する第１受光素子（３）と、発光素子（２）から出射された光の一部を検出基準として受ける第２受光素子（４）と、発光素子（１）を収容する第１の室（２１）と、第２受光素子（４）を収容する第２の室（２２）と、第１受光素子（３）を収容する第３の室（２３）と、発光素子（２）から検知物への光が通過する開口部（２５）を有する遮光性の材料からなるケース（２０）を含む。上記第１の室（２１）と第２の室（２２）との間の仕切壁（５１）には、上記検出基準となる上記光の一部が通過する窓（５２）が設けられている。

Description

光センサおよび電子機器

　この発明は、光センサおよび電子機器に関する。

　従来、光センサとしては、特開２００１－２５０２５４号公報（特許文献１）に記載のように、発光素子の発光状態をモニタするモニタ用受光素子を備えたものがある。また同様に、光センサとして、特開２０１４－７２０４７０号公報（特許文献２）に記載のように、レーザー光の一部を透過させ、残部を入射方向に交差する方向でモニタ用受光素子に向けて反射させる光分離素子を備えたものがある。

特開２００１－２５０２５４号公報特開２０１４－７２４７０号公報

　もし、仮に、特許文献１および２を組み合わせたとすると、図１０に示すように、基板１上に発光素子２と検知物検出用受光素子３とモニタ用受光素子４とを設けて、発光素子２からのレーザー光の一部７を光分離素子５に透過させ、レーザー光の残部８を入射方向に交差する方向でモニタ用受光素子４に向けて反射させる光センサが考えられる（なお、この図１０に示す光センサは本件発明の課題を明確に説明するための比較例で、従来技術ではない。）。なお、図１０において、特に、ケース１２は従来技術（特許文献１および２）に記載されているものではない。

　このように、モニタ用受光素子４と光分離素子５とを用いれば、レーザー光の残部８のモニタリングングにより、受光量変動の影響等に応じて発光素子２等を制御可能なため、検知物１０の検出精度が上がり有益である。

　しかしながら、図１０に示す光センサでは、発光素子２上に反射材としての例えばガラス等からなる光分離素子５を設けているので、発光素子２から検知物１０へ有効に利用できる光量が減衰するという問題がある。

　また、発光素子２に対向するケース１２の開口部１８の面積が、光分離素子５を支える支え部１９によって制限されるため、ケース１２の開口部１８の壁面や支え部１９に照射された散乱光がモニタ用受光素子４に戻って誤動作を起こすことが考えられる。

　さらに、光分離素子５を通じて外乱光１４とモニタ用受光素子４との間に導光路ができるため、外乱光１４による誤動作が発生し易いという問題がある。

　そこで、この発明の課題は、ケースの開口部の壁等からの散乱光がモニタ用受光素子に戻り難くて誤動作が起こり難く、外乱光による誤動作が発生し難い光センサを提供することにある。

　上記課題を解決するため、この発明の光センサは、
　発光素子と、
　上記発光素子から出射された光の一部の検知物からの反射光を受光する第１受光素子と、
　上記発光素子から出射された光の一部を検出基準として受ける第２受光素子と、
　上記発光素子を収容する第１の室と、上記第２受光素子を収容する第２の室と、上記第１受光素子を収容する第３の室と、上記発光素子から検知物への光が通過する開口部を有する遮光性の材料からなるケースと
を備え、
　上記第１の室と第２の室との間の仕切壁には、上記検出基準となる上記光の一部が通過する窓が設けられていることを特徴としている。

　この発明によれば、ケースの開口部の壁からの散乱光がモニタ用受光素子に戻り難くて誤動作が起こり難く、外乱光による誤動作が発生し難い光センサが実現できる。

この発明の第１実施形態の光センサの断面図である。図１０の比較例の光センサについて、Ｘ座標値およびＹ座標値と、非干渉性放射照度との関係の光学シミュレーション結果を示す図である。図１の光センサについて、Ｘ座標値およびＹ座標値と、非干渉性放射照度放射照度との関係の光学シミュレーション結果を示す図である。第１実施形態の光センサの受光素子の一例としてのアバランシェフォトダイオードをガイガーモードで用いる回路の一例を示す図である。第１実施形態の光センサを、TOF（飛行時間：Time Of Flight）センサに用いた場合の構成を示すブロック図である。この発明の第２実施形態の光センサの断面図である。この発明の第３実施形態の光センサの断面図である。この発明の第４実施形態の電子機器の要部について、光学シミュレーションを行った結果を示す模式図である。図８に示す光学シミュレーションの結果を示すグラフである。この発明の課題を説明するための比較例の光センサ（従来技術ではない）の断面図である。樹脂とセラミックについて、厚さと赤外光の透過率との関係を示すグラフである。

　以下、この発明を図示の実施形態により詳細に説明する。

　（第１実施形態）
　図１に示すように、この第１実施形態の光センサは、例えば半導体からなる基板１上に発光素子２と第１および第２受光素子３，４を設けている。上記発光素子２は例えばVCSEL（面発光型半導体レーザー素子）からなり、検知物１０に向けて光の一部３７を出射する。上記第１および第２受光素子３，４は、例えばSPAD（シングフォトンアバランシェダイオード）等である。第１受光素子３は、発光素子２から出射された光の一部３７の検知物１０からの反射光３８を受光する検出用の受光素子３である。第２受光素子４は、発光素子２から出射された光の一部３９を検出基準として受けるモニタ用の受光素子４である。

　一方、上記基板１には、遮光性の材料である例えば樹脂、半導体、金属等からなるケース２０を固定している。上記ケース２０は、基板１と共に、第１、第２および第３の室２１，２２，２３を形成している。上記第１の室２１は発光素子２を収容し、第２の室２２は第２受光素子４を収容し、第３の室２３は第１受光素子３を収容している。なお、図１１に示すように、ケース２０にセラミックを用いると主に光センサとして使用する赤外線の波長の透過率が非常に低く、有益である。

　上記ケース２０には、第１の室２１に開口し、発光素子２から検知物１０への光３７が通過する開口部２５を設けている。この開口部２５には、光分離素子を設けていなくて、光の減衰が少なくなるようにしている。

　上記第１の室２１と第２の室２２との間の仕切壁５１には、検出基準となる光３９が通過する窓５２を設けている。一方、上記第２の室２２と第３の室２３との間の遮光壁５５には窓が無くて、第１受光素子３と第２受光素子４との間を光学的に完全に遮断している。

　また、上記ケース２０の第２の室２２の壁面の全てまたは一部に散乱部５３を設けている。この散乱部５３は、例えば、ケース２０の第２の室２２の壁面を形成する部分を粗面加工して形成しても良く、あるいは、第２の室２２の内面に粗面を形成する塗膜を塗布して形成してもよく、あるいは、上記ケース２０の遮光性材料自体の性質によって散乱部を形成してもよい。

　一方、上記第３の室２３の第１受光素子３に対向する開口２９には、ガラスフィルタ５７を設けて、信号光である光３８以外の波長成分を有する光をフィルタリングしている。

　また、上記ケース２０の開口部２５の第２受光素子４側の側面の少なくとも一部は、上記仕切壁５１の発光素子２側の側面の少なくとも一部よりも上記発光素子２側に位置させるか、あるいは、上記開口部２５の第２受光素子４側の側面の少なくとも一部は、上記仕切壁５１の発光素子２側の側面の少なくとも一部と、上記発光素子２から検知物１０への光３７の光軸方向に重ねている。

　このような配置構成によって、上記ケース２０の開口部２５の壁およびその近傍からの散乱光が第２受光素子４に入射するのを仕切壁５１で遮ることができ、また、外乱光１４が第２受光素子４に入射するのを仕切壁５１で遮ることができて、誤動作を防止できるようになっている。

　上記構成の光センサによれば、上記遮光性の材料からなるケース２０内が第１、第２、第３の室２１，２２，２３に分けられ、これらの第１、第２および第３の室２１，２２，２３に発光素子２、第２受光素子４および第１受光素子３が夫々収容され、かつ、上記第１の室２１と第２の室２２との間の仕切壁５１には、上記検出基準となる光の一部３９が通過する窓５２が設けられているから、この仕切壁５１によって、ケース２０の開口部２５の壁からの散乱光や外乱光１４が第２受光素子４に到達することが妨げられて、散乱光や外乱光１４による誤動作が発生し難い。

　また、仮に、外乱光１４が仕切壁５１の窓５２に到達して、窓５２の内面の下部に衝突しても、第２受光素子４と反対側に反射されるから、外乱光１４が第２受光素子３に到達し難い。

　一方、上記仕切壁５１の窓５２を通った発光素子２からの光３９に対しては、この光３９を散乱させて第２受光素子４に導く散乱部５３が第２の室２２に設けられているから、上記窓５２を通った光３９を確実に第２受光素子４に導くことができて、上記窓５２を通った光３９を確実に検出基準として用いることができる。

　図２は、図１０の比較例の光センサについて、Ｘ座標値およびＹ座標値 [mm]と、非干渉性放射照度 [Ｗ]との関係の光学シミュレーションの結果を示す図であり、図３は、図１に示す第１実施形態の光センサについて、Ｘ座標値およびＹ座標値 [mm]と、非干渉性放射照度放射照度 [Ｗ]との関係の光学シミュレーションの結果を示す図である。

　この図２および３から分かるように、図２および１０に示す比較例では直接入力光成分により受光量に偏りが生じているのに対して、図１および３に示す第１実施形態では受光領域の全域に光が散乱されて受光量に偏りが無いことが分かる。このことは、第１実施形態の光センサでは、外乱光１４の成分を除去するだけでなく、受光領域の小型化も可能になることも示していて、この点からも第１実施形態の光センサは有益である。

　次に、第１実施形態の光センサを用いた具体例としてのTOF（飛行時間：Time Of Flight）センサについて詳細に説明する。

　TOFセンサには、高速かつ高精細な光検出を必要とするから、第１および第２受光素子３，４に、フォトダイオードの雪崩増幅(アバランシェ)効果を利用し、微弱光を高速に検出する手法でアバランシェフォトダイオードが用いられる。アバランシェフォトダイオードでは、逆バイアス電圧を降伏電圧(ブレークダウン電圧)以下で動作させると、受光量に対して追従して出力電流が変動するリニアモードとなり、ブレークダウン電圧以上で動作させることでガイガーモードとなる。ガイガーモードでは、単一フォトンの入射でもアバランシェ現象を起こし、大きな出力電流を得ることができることから、シングルフォトンアバランシェダイオード（SPAD）と呼ばれる。

　図４に示すようにガイガーモードでは、シングルフォトンアバランシェダイオード（以下、簡明に記載するため、SPADと略記する場合と、SPADを参照符号として用いる場合がある。）と直列にクエンチング抵抗Rを接続し、一定以上の電流が流れるとクエンチング抵抗によりクエンチングされ、SPADに印加される電圧が低下し、アバランシェ現象が停止する。なお、６０は出力トランジスタである。

　このようシングルフォトンアバランシェダイオードSPADは高速動作が可能であり、基準側受光素子である第２受光素子４の検出タイミングを起点に、検出側受光素子である第１受光素子３が検出するまでの時間tを用いて、光センサと検知物１０までの距離LをL=C(光速)×t ÷２により高精度に算出することが可能であるから、第１実施形態の光センサにより、第２受光素子４で直接検出する発光素子２からの光３９の検出時間を基準として、この基準となる検出時間と、検知物１０からの反射された光３８の第１受光素子３での検出時間との差分により、検知物１０とこの光センサとの間の距離を正確に求めることが可能となる。

　図５はTOF（飛行時間：Time Of Flight）センサのブロック図である。

　図５において、１はVCSEL（面発光型半導体レーザー素子）からなる発光素子、２０１は高電圧発生器、３は戻り側のSPDアレイからなる第１受光素子３、４は基準側のSPDアレイからなる第２受光素子、１０３は戻り側のSPDフロントエンドインターフェース、１０４は基準側のフロントエンドインターフェースである。

　また、１０５は基準電流発生器、１０６は発振器、１０７は基準電圧発生器、１０８はヒューズ、１１０はフェーズロックループ（PPL）、１１１はディレイロックループ(DLL)、１１２はレンジカウンタ、１１３は戻り側のパルスカウンタ、１１４は基準側のパルスカウンタである。

　また、１２１はコマンドレジスタ、１２２はデータレジスタ、１２３はアイ・ツー・シーインタラプト（I2C）、１２４は入出力ポート、１３０はエミッタドライバーである。また、AVDDは正電源端子、AVDD_VCSELは面発光型半導体レーザー素子である発光素子２の正電源端子、AVSS_VCSELは発光素子２の負電源端子、VCSEL_Aは発光素子２のアノード、VCSEL_Ｋは発光素子２のカソード、SDA，SCL，INTはシリアル伝送端子、AGND，DGNDはアナログおよびデジタルグランド端子である。

　上記エミッタドライバー１３０でパルス駆動された発光素子２からの光信号が、高電圧発生器１０１から高電圧が印加された戻り側のSPDアレイからなる第１受光素子３および基準側のSPADアレイからなる第２受光素子４で受光される。上記第１受光素子３で検出された戻り側の信号光の検出時間と、第２受光素子４で検出された基準側の信号光の検出時間との時間差を数万発のパルス分DLL１１１で平均化する。その後、時間差依存するパルス信号数をレンジカウンタ１１２で検出し、アイ・ツー・シーインターラプト（I2C）にて距離値として出力する。このため二つのSPADアレイである第１および第２受光素子３，４間の整合性が必要となるが、第１実施形態の光センサは、第１および第２受光素子３，４には外乱や散乱光の悪影響がなくて整合しているから、TOFセンサ等に適している。

　この第１実施形態の光センサは、TOFセンサに限らず、近接センサ、照度センサ等にも好適に使用される。

　（第２実施形態）
　図６は、この発明の第２実施形態の光センサの断面図であり、図１に示す第１実施形態の光センサとは、発光素子２を覆い、その発光素子２からの光を散乱させて第２受光素子４に基準光１３９として導く樹脂体７０を備える構成のみが異なる。

　したがって、図６において、図１の構成要素と同一構成要素については、図１の構成要素と同一参照番号を付して、それらの構成、作用、効果等の詳しい説明は省略する。

　TOFセンサの場合、長距離の検出を行うため発光素子としてVCSEL（面発光型半導体レーザー素子）を用いる。しかし、VCSELの場合、指向角が狭く、広角の散乱成分が生じ難いという問題がある場合がある。

　しかし、この第２実施形態の光センサでは、図６に示すように、砲弾型の樹脂体７０でVCSELである発光素子２を覆うことによって、広角の散乱光１３９を得ることができて、この散乱光１３９を第２受光素子４に確実に入射する基準光とすることができる。

　なお、１３７，１３８は光である。

　（第３実施形態）
　図７は、この発明の第３実施形態の光センサの断面図であり、図７において、図１に示す第１実施形態の光センサの構成要素と同一構成要素には、図１の構成要素と同一参照番号を付して、それらの詳しい説明は省略する。

　図７に示すように、この第３実施形態の光センサは、例えば半導体からなる基板８０に形成した第１、第２、第３の凹所８１，８２，８３内に夫々発光素子２と第２および第１受光素子４，３を設けている。

　一方、上記基板８０には、遮光性の材料である例えば樹脂、半導体、金属等からなるケース９０を接着樹脂で固定している。上記ケース９０は、基板８０の第１、第２、第３の凹所８１，８２，８３と共に、第１、第２および第３の室９１，９２，９３を形成している。上記第１の室９１は発光素子２を収容し、第２の室９２は第２受光素子４を収容し、第３の室９３は第１受光素子３を収容している。なお、図７では第１および第２受光素子３，４を一体型として、部分２１０にて第１受光素子３への光透過を遮断している。これにより、第１および第２受光素子３，４間の特性バラつきを軽減し、ワイヤ配線数を減らすことが可能となる。

　上記ケース９０には、第１の室９１に開口し、発光素子２から検知物１０への光２３７が通過する開口部９５を設けている。この開口部２５には、光分離素子を設けていなくて、光の減衰が少なくなるようにしている。

　上記第１の室９１と第２の室９２との間の仕切壁２０１には、検出基準となる光（図示せず）が通過する窓２０２を設けている。この窓２０２は、仕切壁２０１に形成された貫通切欠きと基板８０の上面とにより形成されている。この窓２０２に到達した外乱光１４は、基板８０の上面によって反射されて上向きとなるので、第２受光素子４に入り難くなる。

　一方、上記ケース９０の上記開口部２５の上記第２受光素子４側の側面は、上記仕切壁５１の上記発光素子２側の側面と、上記発光素子２から検知物１０への光２３７の光軸方向に重ねられている。

　このような配置構成によって、上記ケース９０の開口部９５の壁からの散乱光が第２受光素子４に入射するのを仕切壁２０１で遮ることができ、また、外乱光１４が第２受光素子４に入射するのを仕切壁２０１で遮ることができて、誤動作を防止できる。また、この配置構成は、上記開口部９５の面積を広げつつ、外乱光１４を防ぐことができるから、電子機器に用いるのに最適である。

　一方、上記第２の室９２と第３の室９３との間は、基板８０の一部、ケース９０の一部および接着樹脂２１０によって遮光壁になっていて第１受光素子３と第２受光素子４との間を光学的に完全に遮断している。

　また、上記ケース９０の第２の室９２の壁面の全てまたは一部は、第１実施形態と同様に散乱部として機能する。

　一方、上記第３の室９３には、第１受光素子３に対向する開口９９を設けて、この開口９９を通して検知物１０からの反射光９８を第１受光素子３が受光できるようにしている。上記第３の室９３内には、波長選択するためのガラスフィルタ９７を設けて、信号光２３８以外の波長成分を有する光をフィルタリングしている。

　一方、上記ケース９０の第１の凹所８１内の発光素子２を透明樹脂２０５で封止し、この透明樹脂２０５の上側の面が水平面、つまり、発光素子２の出射光２３７の光軸に対して垂直な面になるようにしている。

　このように、透明樹脂２０５の上側の面が水平面になっているから、図６に示す第２実施形態の砲弾型の透明樹脂７０では直上の発光成分が樹脂散乱で減少するのに対して、透明樹脂２０５の直上の発光成分の減衰を抑制することができる。

　（第４実施形態）
　図８および９は第４実施形態の電子機器の光学シミュレーション結果を示す図である。

　TOFセンサ等の光センサはスマートフォン等の情報端末、ロボット掃除機等の電子機器に用いられ、図８に示すように、光センサ５００の直上にはパネル５０１が配置される。なお、Ｇは光センサ５００とパネル５０１との間隔で、例えば、０．３mmである。

　図８および９の光学シミュレーション結果から分かるように、パネル５０１による光の反射成分は発光素子２（図１参照）の開口部２５（図１参照）の壁に反射して、第１、第２受光素子３，４に入力してノイズ成分となる。

　このため、図８、９のシミュレーション結果からも、開口部２５（図１参照）の面積はより広いことが望ましい。

　図１０の比較例のように、ケース１２に反射材である光分離素子５を置く構成では、ケース１２に光分離素子５を支える支え部１９が必要となって、そのため、開口部１８の径が制限されてノイズ成分の光が多くなるのに対して、第１～第３実施形態の光センサのように、開口部２５，９５に光分離素子を設け無い構成では、開口部２５，９５の面積が大きくなって、図９に示すように、ノイズ成分の光が少なくなる。

　したがって、第１～第３実施形態の光センサを含むスマートフォン等の情報端末、ロボット掃除機等の電子機器は、極めた精度高く光りを検出できて、例えば、検知物や検知物までの距離を極めて精度高く検出できる。

　また、第１～第３実施形態の光センサを含む電子機器は、ケース２０，９０の開口部２５，９５の第２受光素子４側の側面と仕切壁５１，２０１の上記発光素子２側の側面とを、上記発光素子２から検知物１０への光の光軸方向に重ねるように配置して、開口部２５，９５の面積を広げつつ、外乱光を防ぐために最適な構成とすることができて、例えば、検知物や検知物までの距離を極めて精度高く検出できる。

　この発明および実施形態を纏めると、次のようになる。

　この発明の光センサは、
　発光素子２と、
　上記発光素子２から出射された光の一部の検知物１０からの反射光を受光する第１受光素子３と、
　上記発光素子２から出射された光の一部を検出基準として受ける第２受光素子４と、
　上記発光素子２を収容する第１の室２１，９１と、上記第２受光素子４を収容する第２の室２２，９２と、上記第１受光素子３を収容する第３の室２３，９３と、上記発光素子２から検知物１０への光が通過する開口部２５，９５を有する遮光性の材料からなるケース２０，９０と
を備え、
　上記第１の室２１，９１と第２の室２２，９２との間の仕切壁５１，２０１には、上記検出基準となる上記光の一部が通過する窓５２，２０２が設けられていることを特徴としている。

　上記構成の光センサによれば、上記遮光性の材料からなるケース２０，９０内が第１、第２、第３の室２１，９１；２２，９２；２３，９３に分けられ、これらの第１、第２および第３の室２１，９１；２２，９２；２３，９３に発光素子２、第２受光素子４および第１受光素子３が夫々収容され、かつ、上記第１の室２１，９１と第２の室２２，９との間の仕切壁５１，２０１には、上記検出基準となる上記光の一部が通過する窓５２，２０２が設けられているから、この仕切壁５１，２０１によって、ケース２０，９０の開口部２５，９５の壁からの散乱光や外乱光が第２受光素子４に到達することが妨げられて、散乱光や外乱光による誤動作が発生し難いという利点を有する。

　１実施形態では、
　上記ケース２０，９０の第２の室２２，９２には、上記窓５２，２０２を通った発光素子２からの光を散乱させて上記第２受光素子４に導く散乱部５３が設けられている。

　上記実施形態によれば、上記窓５２，２０２を通った発光素子２からの光を散乱させて上記第２受光素子４に導く散乱部５３が設けられているから、上記窓５２，２０２を通った光を確実に第２受光素子４に導くことができて、上記窓５２，２０２を通った光を確実に検出基準として用いることができる。

　１実施形態では、
　上記ケース２０，９０の上記開口部２５，９５の上記第２受光素子４側の側面の少なくとも一部は、上記仕切壁５１，２０１の上記発光素子２側の側面の少なくとも一部よりも上記発光素子２側に位置するか、あるいは、上記開口部２５，９５の上記第２受光素子４側の側面の少なくとも一部は、上記仕切壁５１，２０１の上記発光素子２側の側面の少なくとも一部と、上記発光素子２から検知物１０への光の光軸方向に重ねられている。

　上記実施形態の仕切壁５１，２０１の配置構成によれば、上記ケース２０，９０の開口部２５，９５の壁からの散乱光が第２受光素子４に入射するのを仕切壁５１，２０１で遮ることができ、また、外乱光が第２受光素子４に入射するのを仕切壁５１，２０１で遮ることができて、誤動作を防止できる。

　１実施形態では、
　上記発光素子２から検知物１０への光が通過する上記開口部２５，９５には、光分離素子が設けられていない。

　上記実施形態によれば、上記開口部２５，９５に光分離素子が設けられていないから、発光素子２から検知物１０へ有効に利用できる光量が減衰することがなくなって、検出精度が向上すると共に、発光素子２に対するケース２０，９０の開口部２５，９５の開口面積が制限されることが無くなって、ケース２０，９０の開口部２５，９５の壁に照射された散乱光が第２受光素子４に戻り難くなって、誤動作を防止できる。

　１実施形態の電子機器は、
　上述の光センサを備える。

　上記電子機器は、上記光センサを備えるから、検知物を正確かつ精度高く検知できて、正確かつ精度の高い制御を行うことができる。

　第１～第４実施形態および変形例で述べた構成要素は、適宜、組み合わせてもよく、また、適宜、選択、置換、あるいは、削除してもよいのは、勿論である。

　１，８０　基板
　２　発光素子
　１０　検知物
　３　第１受光素子
　４　第２受光素子
　２０，９０　ケース
　２１，９１　第１の室
　２２，９２　第２の室
　２３，９３　第３の室
　２５，９５　開口部
　５１，２０１　仕切壁
　５２，２０２　窓
　５３　散乱部

Claims

　発光素子と、
　上記発光素子から出射された光の一部の検知物からの反射光を受光する第１受光素子と、
　上記発光素子から出射された光の一部を検出基準として受ける第２受光素子と、
　上記発光素子を収容する第１の室と、上記第２受光素子を収容する第２の室と、上記第１受光素子を収容する第３の室と、上記発光素子から検知物への光が通過する開口部を有する遮光性の材料からなるケースと
を備え、
　上記第１の室と第２の室との間の仕切壁には、上記検出基準となる上記光の一部が通過する窓が設けられていることを特徴とする光センサ。
　請求項１に記載の光センサにおいて、
　上記ケースの第２の室には、上記窓を通った発光素子からの光を散乱させて上記第２受光素子に導く散乱部が設けられていることを特徴とする光センサ。
　請求項１または２に記載の光センサにおいて、
　上記ケースの上記開口部の上記第２受光素子側の側面の少なくとも一部は、上記仕切壁の上記発光素子側の側面の少なくとも一部よりも上記発光素子側に位置するか、あるいは、上記開口部の上記第２受光素子側の側面の少なくとも一部は、上記仕切壁の上記発光素子側の側面の少なくとも一部と、上記発光素子から検知物への光の光軸方向に重ねられていることを特徴とする光センサ。
　請求項１から３のいずれか１つに記載の光センサにおいて、
　上記発光素子から検知物への光が通過する上記開口部には、光分離素子が設けられていないことを特徴とする光センサ。
　請求項１から４のいずれか１つに記載の光センサを備えることを特徴とする電子機器。