WO2017119376A1

WO2017119376A1 - 液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法

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Publication number: WO2017119376A1
Application number: PCT/JP2016/089011
Authority: WO
Inventors: 真伸水▲崎▼; 博司土屋
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2016-01-07
Filing date: 2016-12-28
Publication date: 2017-07-13
Also published as: CN108474982B; CN108474982A; US10877304B2; US20190011736A1

Abstract

本発明は、光配向膜を用いながら、常温環境下だけではなく、高温環境下でも長期にわたって、良好な電圧保持率を維持でき、更に、焼き付き及びシミの発生とコントラストの低下とを抑制できる液晶表示装置、及び、そのような液晶表示装置を製造可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、上記一対の基板間に挟持された液晶層と、上記一対の基板の少なくとも一方と上記液晶層との間に配置された光配向膜と、上記光配向膜と上記液晶層との間に配置されたポリマー層とを有し、上記ポリマー層は、特定のエポキシ系モノマー由来の構造と、特定の硬化剤由来の構造を有する。

Description

液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法

本発明は、液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法に関する。より詳しくは、光配向膜によって液晶分子の配向が制御される液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法に関するものである。

液晶表示装置は、表示のために液晶組成物を利用する表示装置であり、その代表的な表示方式は、一対の基板間に液晶組成物を封入した液晶パネルに対してバックライトから光を照射し、液晶組成物に電圧を印加して液晶分子の配向を変化させることにより、液晶パネルを透過する光の量を制御するものである。このような液晶表示装置は、薄型、軽量及び低消費電力といった特長を有することから、スマートフォン、タブレットＰＣ、カーナビゲーション等の電子機器に利用されている。近年、スマートフォン等の用途では、画素の高精細化が進展しており、これに伴い、液晶パネル内に設ける配線、ブラックマトリクスの数や面積が増加する傾向にあった。

液晶表示装置において、電圧が印加されていない状態における液晶分子の配向は、配向処理が施された配向膜によって制御されるのが一般的である。配向処理の方法としては、配向膜表面をローラー等で擦るラビング法が従来広く用いられてきた。しかしながら、液晶パネル内に設ける配線、ブラックマトリクスの数や面積が増加しているため、液晶パネル内の基板表面には段差が生じやすくなってきている。基板表面に段差があると、ラビング法によって段差近傍を適切に擦ることができない場合がある。配向処理が不均一であると、液晶表示装置においてコントラスト比の低下が引き起こされてしまう。

これに対して、近年では、ラビング法に代わる配向処理の方法として、配向膜表面に光を照射する光配向法に関する研究開発が進められている。光配向法によれば、配向膜の表面に接触することなく配向処理を実施できるので、基板表面に段差があったとしても配向処理にムラが発生しにくく、基板全面にわたって良好な液晶配向を実現できるという利点がある。

また、従来の液晶表示装置では、焼き付き等の表示不良が発生することがあり、その改善が求められていた。焼き付きを低減する方法として、一対の基板間に重合可能なモノマーを含有する液晶材料を注入し、電圧を印加した状態でモノマーを重合して、液晶分子の倒れる方向を記憶しておく技術が検討されており、例えば、特許文献１では、特定の構造を有するモノマーを用いることで、焼き付きを低減できることが開示されている。

特開２００３－３０７７２０号公報

光反応性官能基を有する光配向膜を用いた液晶表示装置（以下、光配向液晶ディスプレイとも言う。）では、表示画面に焼き付き及びシミが発生することがあった。そこで、本発明者らは、検討を重ね、光配向液晶ディスプレイにおいて焼き付き及びシミは、以下のフローによって発生すると考えた。

光配向膜に光（例えば、可視光及び紫外光を含むバックライト光）が照射されると、光反応性官能基の分解が起こり、ラジカルが発生する。例えば、光反応性官能基であるアゾベンゼン基は、下記のように、光吸収によってラジカルを発生する。

発生したラジカルの一部は液晶層中の液晶分子に容易に転移する。そして、転移したラジカルが最終的にイオン化することで電圧保持率（以下、ＶＨＲとも言う。）が低下し、焼き付き及び／又はシミが発生する。

また、光配向液晶ディスプレイを高温環境下で放置した場合には、光配向膜中のラジカルが液晶層に溶出しやすくなるため、ＶＨＲの低下に起因する焼き付き及びシミが発生しやすくなる。更に、光配向液晶ディスプレイを高温環境下で長期間放置するとコントラストが低下することがあるが、この原因についても、光配向膜から発生したラジカルが液晶分子に転移し、最終的にイオン化することによると考えられる。

液晶層中のラジカルを低減させる方法としては、液晶層にラジカル捕捉剤を溶解させる方法が検討されている。しかしながら、ラジカル捕捉剤が液晶層中を自由に拡散できるため、ラジカル捕捉剤と、配向膜、シール材等に含まれる特定成分とが反応して、不純物を形成する可能性があった。また、ラジカル捕捉剤が液晶層中に存在し続けることで、熱反応が起こったり、液晶材料の物性値がわずかに変化したりするおそれがあった。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、光配向膜を用いながら、常温環境下だけではなく、高温環境下でも長期にわたって、良好な電圧保持率を維持でき、更に、焼き付き及びシミの発生とコントラストの低下とを抑制できる液晶表示装置、及び、そのような液晶表示装置を製造可能な液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、光配向液晶ディスプレイにおいて、光配向膜の光反応性官能基から発生したラジカルが液晶層に溶出し、最終的にイオン化し、ＶＨＲの低下が起こることに着目した。そこで、本発明者らは、光配向膜と液晶層の間にポリマー層を形成することで、光配向膜中の光反応性官能基と液晶層中の液晶分子とが直接接触する領域（面積）を小さくでき、光配向膜中で発生したラジカルが液晶分子に転移することを抑制できることを見出した。

本発明者らは、更に、上記ポリマー層の形成方法について検討を行った。従来のポリマー支持配向技術（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）（以下、ＰＳＡ技術ともいう。）では、液晶層中に添加した重合性モノマーを光重合によりポリマー層を形成していた。しかし、光重合では、光配向膜中の光反応性官能基が３６０ｎｍ以上の長波長光吸収でラジカルを形成する場合があり、光重合によるポリマー層形成の工程時に光配向膜からラジカルが発生し、ラジカルが液晶分子へ転移してしまう可能性があった。そこで、熱重合によりポリマー化できるモノマーを液晶層に溶解させ、液晶層を加熱して上記モノマーを重合させることによりポリマー層形成を行う方法を見出した。

そして、本発明者らは、鋭意検討した結果、熱重合によりポリマー化できるモノマーとして、特定のエポキシ基を有するモノマーと、アミノ基、ヒドラジド基、又は、イミダゾール基（以下、アミノ基等ともいう）を有する硬化剤とを液晶層中に含有させ、これらを熱重合させて、液晶層と光配向膜との間にポリマー層を設けることによって、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達することができた。

すなわち、本発明の一態様は、一対の基板と、上記一対の基板間に挟持された液晶層と、上記一対の基板の少なくとも一方と上記液晶層との間に配置された光配向膜と、上記光配向膜と上記液晶層との間に配置されたポリマー層とを有し、上記ポリマー層は、下記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマー由来の構造と、下記化学式（Ｂ）で表される硬化剤由来の構造を有する液晶表示装置であってもよい。

（式中、Ｅｐは、エポキシ基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、又は、炭素数２～１８の、アルキル基、アルキレン基、不飽和アルキル基、若しくは、不飽和アルキレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、若しくは、アルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ｚ^２は、下記化学式（Ａ－ａ）で表される構造である。
ｎ１は、０、１、２、３、４又は５である。
ｎ２は、０又は１である。）

（式中、ｎ３は、１～１８の整数である。）

（式中、Ｈ^１及びＨ^２は、同一又は異なって、アミノ基、ジメチルアミノ基、ヒドラジド基、又は、イミダゾール基を表す。　
Ｒ^３及びＲ^４は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^３及びＡ^４は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、又は、炭素数２～１８の、アルキル基、アルキレン基、不飽和アルキル基、若しくは、不飽和アルキレン基、－ＣＯ－基、又は、－ＣＯ－ＣＯ－基を表す。
Ａ^３及びＡ^４が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基、－Ｓ－基、又は－ＮＨ－基で置換されていてもよい。
Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、若しくは、アルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^３は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
ｎ４は、０、１、２、３、４又は５である。）

本発明の別の一態様は、一対の基板の少なくとも一方に光配向膜を形成する工程と、上記少なくとも一方に光配向膜が形成された一対の基板間に、液晶材料と、下記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマーと下記化学式（Ｂ）で表される硬化剤と液晶材料とを含む液晶組成物を封入し、液晶層を形成する工程と、上記液晶層を加熱し、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とを反応させることにより、上記光配向膜と上記液晶層との間にポリマー層を形成する熱硬化工程とを有する液晶表示装置の製造方法であってもよい。

（式中、ｎ３は、１～１８の整数である。）

本発明の液晶表示装置は、光配向膜を有するが、ポリマー層を液晶層及び光配向膜の間に有するので、常温環境下だけではなく、高温環境下でも長期にわたって、良好な電圧保持率を維持でき、更に、焼き付き及びシミの発生とコントラストの低下とを抑制できる。

また、本発明の上記態様に係る液晶表示装置の製造方法は、光配向膜を形成する工程を含むが、光配向膜及び液晶層の間にポリマー層を形成する熱硬化工程を含むので、常温環境下だけではなく、高温環境下でも長期にわたって、良好な電圧保持率を維持でき、更に、焼き付き及びシミの発生とコントラストの低下とを抑制できる液晶表示装置を製造することができる。

実施形態１の液晶表示装置を模式的に示した断面図である。実施形態１の液晶表示装置の製造方法において、ポリマー層の形成過程を説明した模式図である。比較形態１に係る液晶表示装置の断面模式図である。比較形態２に係る液晶表示装置の断面模式図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に記載された内容に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。

＜液晶表示装置＞
まず、図１を用いて、実施形態１の液晶表示装置について説明する。
図１は、実施形態１の液晶表示装置を模式的に示した断面図である。図１に示したように、本実施形態の液晶表示装置は、一対の基板１０及び２０と、一対の基板１０、２０間に挟持された液晶層３０と、各基板１０、２０と液晶層３０との間に配置された光配向膜４０と、液晶層３０及び各光配向膜４０の間に設けられたポリマー層５０とを有する。光配向膜４０は、一対の基板１０、２０のいずれか一方のみに設けられてもよい。本実施形態の液晶表示装置は、更に一対の基板１０、２０の後方にバックライト８０を備えており、一対の基板１０、２０は、シール材６０によって貼り合わされている。

本実施形態の液晶表示装置は、液晶層３０及び光配向膜４０の間に設けられたポリマー層５０を有することから、光配向膜４０中の光反応性官能基と液晶層３０中の液晶分子とが直接接触する領域（面積）を小さくすることができる。したがって、バックライト８０からの紫外線又は可視光により、光配向膜４０中の光反応性官能基からラジカルが発生したとしても、上記ラジカルが液晶分子に転移することを抑制できる。これは、高温環境下においても同様である。なお、光配向膜４０が基板１０及び２０のいずれか一方のみに形成される場合、他方の基板上には例えば、配向膜を設けずにポリマー層のみが設けられてもよいし、ラビング配向膜又は無配向処理配向膜とポリマー層が設けられてもよい。

一対の基板１０、２０としては、例えば、アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）及びカラーフィルタ（ＣＦ）基板の組み合わせが挙げられる。

上記アクティブマトリクス基板としては、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。アクティブマトリクス基板を平面視したときの構成としては、透明基板上に、複数本の平行なゲート信号線；ゲート信号線に対して直交する方向に伸び、かつ互いに平行に形成された複数本のソース信号線；ゲート信号線とソース信号線との交点に対応して配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ素子；ゲート信号線とソース信号線とによって区画された領域にマトリクス状に配置された画素電極等が設けられた構成が挙げられる。水平配向モードの場合には、更に、共通配線；共通配線に接続された対向電極等が設けられる。

ＴＦＴは、アモルファスシリコン、ポリシリコン、又は、酸化物半導体であるＩＧＺＯ（インジウム－ガリウム－亜鉛－酸素）によって、チャネルを形成したものが好適に用いられる。特に酸化物半導体はオフリークが小さいため、液晶表示装置の低周波駆動に有利であるが、ＶＨＲが低い場合は、低周波駆動を行えなくなる。本実施形態によりＶＨＲを高めることができるので、低周波駆動が可能となる。すなわち、酸化物半導体と本実施形態の組み合わせは、特に好適と言える。

アクティブマトリクス型の表示方式では、通常、各画素に設けられたＴＦＴがオンのときに、ＴＦＴを通じて信号電圧が電極に印加され、このときに画素に充電された電荷を、ＴＦＴがオフの期間中に保持する。充電された電荷を１フレーム期間（例えば、１６．７ｍｓ）中に保持した割合を示すのが電圧保持率（ＶＨＲ：Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｈｏｌｄｉｎｇ　Ｒａｔｉｏ）である。すなわち、ＶＨＲが低いということは、液晶層に印加される電圧が時間とともに減衰しやすいことを意味し、アクティブマトリクス型の表示方式においては、ＶＨＲを高くすることが求められる。

上記カラーフィルタ基板としては、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。カラーフィルタ基板の構成としては、透明基板上に、格子状に形成されたブラックマトリクス、格子すなわち画素の内側に形成されたカラーフィルタ等が設けられた構成が挙げられる。

なお、一対の基板１０、２０は、カラーフィルタ及びアクティブマトリクスの両方が片側の基板に形成されたものであってもよい。

液晶層３０は、少なくとも１種の液晶材料を含有する層であれば特に限定されないが、通常、サーモトロピック液晶を含み、好適には、ネマティック相を呈する液晶材料（ネマチック液晶）を含むことが好ましい。上記液晶材料は、ネマティック相から温度を上げていくと、ある臨界温度（ネマティック－アイソトロピック相転移温度）以上になると等方相に相転移するものが好ましい。液晶層４０は、液晶表示装置の使用環境下（例えば、－４０℃～９０℃）で、ネマティック相を呈することが好ましい。

上記液晶材料は、下記式で定義される誘電率異方性（Δε）が負の値を有するものであってもよく、正の値を有するものであってもよい。すなわち、液晶分子は、負の誘電率異方性を有するものであってもよく、正の誘電率異方性であってもよい。負の誘電率異方性を有する液晶分子としては、例えば、Δεが－１～－２０のものを用いることができる。正の誘電率異方性を有する液晶分子としては、例えば、Δεが１～２０のものを用いることができる。更に、液晶層３０は、極性を有さない、すなわちΔεが実質的に０である液晶分子（ニュートラル液晶分子）を含有していてもよい。ニュートラル液晶分子としては、アルケン構造を有する液晶分子が挙げられる。
Δε＝（長軸方向の誘電率）－（短軸方向の誘電率）

従来の液晶表示装置では、負の誘電異方性を有する液晶分子を用いたときの方が、正の誘電率異方性を有する液晶分子を用いたときよりも、焼き付き及びシミの不具合はより顕在化して現れる傾向にあった。この理由を検討すると、一般的に、配向膜の構成材料である高分子化合物中でラジカルが発生した場合、その一部は、液晶層中のネガ型液晶分子、及び／又は、アルケン構造を有するニュートラル液晶分子（極性を有さない液晶分子）に転移しやすく、ＶＨＲの低下を引き起こしやすい。そのため、光配向液晶ディスプレイにおいては、光配向膜の光反応性官能基から発生したラジカルが、液晶材料（特にネガ型液晶材料）に転移し、最終的にラジカルがイオン化し、ＶＨＲの低下が起こると考えられる。これは、負の誘電異方性を有する液晶分子では短軸方向に大きな分極が存在するため、イオン化した際のＶＨＲの低下の影響が大きくなるためと推測される。すなわち、本実施形態の液晶表示装置は、負の誘電異方性を有する液晶材料を用いた場合において、正の誘電異方性を有する液晶材料を用いた場合に比べて、より大きな効果を発揮する。

光配向膜４０は、光を照射することで光配向処理が施された配向膜である。光配向膜４０は、液晶層３０中の液晶分子の配向を制御する機能を有し、液晶層３０への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）のときには、主に光配向膜４０の働きによって液晶層３０中の液晶分子の配向が制御される。この状態（以下、初期配向状態とも言う。）において、一対の基板１０、２０の表面に対して液晶分子の長軸が形成する角度が「プレチルト角」と呼ばれる。なお、本明細書において「プレチルト角」とは、基板面と平行な方向からの液晶分子の傾きの角度を表し、基板面と平行な角度が０°、基板面の法線の角度が９０°である。

光配向膜４０によって付与される液晶分子のプレチルト角の大きさは特に限定されず、光配向膜４０は、液晶層３０中の液晶分子を略水平に配向させるもの（水平配向膜）であってもよいし、液晶層３０中の液晶分子を略垂直に配向させるもの（垂直配向膜）であってもよい。水平配向膜の場合、略水平とは、プレチルト角が実質的に０°（例えば、１０°未満）であることが好ましく、長期にわたって良好なコントラスト特性を維持する効果を得る観点からは、０°であることがより好ましい。なお、表示モードがＩＰＳモード又はＦＦＳモードである場合には、視野角特性の観点からも、プレチルト角は０°であることが好ましいが、表示モードがＴＮモードである場合には、モードとしての制約のため、プレチルト角は例えば約２°に設定される。垂直配向膜の場合、略垂直とは、プレチルト角が８３．０°以上であることが好ましく、視野角特性、応答特性、４ドメイン分割配向時の暗線太さ（透過率に影響する）、及び、配向安定性の観点からは、８８．０°以上であることがより好ましい。８３．０°以上のプレチルト角は、電圧印加型ＰＳＡ（光配向膜利用型ＰＳＡ）技術を採用した表示モード（このモードの場合、８５°以下のプレチルト角に設定されることがある。）に好適である。

光配向膜４０は、光反応性官能基を有するポリマー（以下、光反応基含有ポリマーとも言う。）を含むことが好ましい。なお、光反応性官能基とは、紫外光、可視光等の光（電磁波）が照射されることによって構造変化を生じ得る官能基を意味する。光反応性官能基の構造変化としては、例えば、二量化（二量体形成）、異性化、光フリース転移、分解等が挙げられる。光反応性官能基の構造変化に起因して、光配向膜４０の配向規制力が発現したり、光配向膜４０の配向規制力の大きさ及び／又は向きが変化したりすることとなる。配向規制力とは、配向膜近傍に存在する液晶分子の配向を規制する性質をいう。

光配向膜４０が光反応性官能基を含むことにより、光配向膜４０に対して光の照射によって配向処理（光配向処理）を施すことができる。光配向処理は、面内均一性に優れ、かつダストレスで信頼性の高い液晶配向方法である。また、光配向膜４０に直接配向処理がなされるので、突起物や構造物による配向制御手段が不要となり、透過率低下要因をなくすことができるので、高透過率を得ることができる。

上記光反応性官能基の具体例としては、例えば、アゾベンゼン基、カルコン基、シンナメート基、クマリン基、トラン基、スチルベン基等が挙げられる。光反応性官能基のなかでも、３６０ｎｍ以上の波長域で光を吸収する光反応性官能基は、光配向処理時に照射される光や液晶表示装置の使用時のバックライト８０からの光によって分解し、ラジカルとなるおそれがある。本実施形態の液晶表示装置は、液晶層３０及び光配向膜４０の間にポリマー層５０が設けられていることから、光照射によって光配向膜４０からラジカルが発生したとしても、液晶層３０中に溶出することを抑制できる。３６０ｎｍ以上の波長域で光を吸収する光反応性官能基としては、例えば、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基等が挙げられる。光反応性官能基がアゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基である場合、本実施形態の液晶表示装置は、液晶層３０中へのラジカル溶出抑制効果を顕著に発揮することができる。

上記光反応性官能基の具体的な構造としては、下記化学式（Ｃ－１－１）で表されるアゾベンゼンのトランス体、下記化学式（Ｃ－１－２）で表されるアゾベンゼンのシス体、下記化学式（Ｃ－２－１）で表される４－カルコン、下記化学式（Ｃ－２－２）で表される４’－カルコン、下記化学式（Ｃ－３）で表されるシンナメート基が挙げられる。

光配向膜４０は、カルボキシル基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基を有するポリマーと、上記カルボキシル基を有するポリマーとは、個別のポリマーであってもよいし、上記光反応性官能基を有するポリマーが、更に、カルボキシル基を有してもよい。上記カルボキシル基と上記エポキシ系モノマーとが結合していることがより好ましい。上記結合は、加熱による熱重合であることが好ましい。エポキシ基は、カルボキシル基とも反応できるため、液晶層３０を加熱することにより、光配向膜４０中のカルボキシル基を有するポリマー、及び／又は、光反応性官能基を有するポリマーが有するカルボキシル基と、上記ポリマー層５０を構成するエポキシ系モノマーのエポキシ基とが熱反応により結合する。これにより、光配向膜４０とポリマー層５０とを化学結合させることができ、ポリマー層５０を構成するポリマーの一部が液晶層３０へ溶出する可能性が大幅に少なくなるため、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制することができる。

光配向膜４０は、エポキシ基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基を有するポリマーと、上記エポキシ基を有するポリマーとは、個別のポリマーであってもよいし、上記光反応性官能基を有するポリマーが、更に、エポキシ基を有してもよい。上記エポキシ基と上記硬化剤とが結合していることがより好ましい。上記結合は、加熱による熱重合であることが好ましい。液晶層３０を加熱することにより、光配向膜４０中のエポキシ基を有するポリマー、及び／又は、上記光反応性官能基を有するポリマーが有するエポキシ基と、上記ポリマー層５０を構成する硬化剤のアミノ基等とが熱反応により結合する。これにより、光配向膜４０とポリマー層５０とを化学結合させることができ、ポリマー層５０を構成するポリマーの一部が液晶層３０へ溶出する可能性が大幅に少なくなるため、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制することができる。

このようなポリマー層５０を構成するモノマーと、配向膜を構成するモノマーとの組み合わせについては、特許文献１には開示されていない。

光配向膜４０は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーを含有することが好ましい。該ポリマーは、ポリマーを合成する段階で重量平均分子量を大きくできる。そのため、上記光配向膜が、これらのポリマーを含有することで、液晶表示装置の使用時に低分子成分が液晶層に溶出することによる不純物由来の焼き付き（ＶＨＲの低下や残留ＤＣの発生）を、より低減することができる。

光配向膜４０は、上記光反応性官能基を有するポリマーと、カルボキシル基を有するポリマーと、エポキシ基を有するポリマーと、上記ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーとを、個別のポリマーとして含有してもよいし、これらのポリマーが適宜組み合わされたポリマーを含有してもよい。例えば、光配向膜４０は、主鎖が上記ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーであり、更に、主鎖に光反応性官能基、並びに、カルボキシル基及び／又はエポキシ基を有するポリマーを含有してもよい。光配向膜４０は、主鎖が上記ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーであり、更に、主鎖にカルボキシル基及び／又はエポキシ基を有し、側鎖に光反応性官能基を有するポリマーを含有してもよい。光配向膜４０は、主鎖が上記ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーであり、更に、側鎖に光反応性官能基、並びに、カルボキシル基及び／又はエポキシ基を有するポリマーを含有してもよい。

上記ポリアミック酸は、例えば、下記化学式（Ｄ）で表される繰り返し構造単位を含むものであってもよい。ポリアミック酸は、分子中にカルボキシル基を有する。そのため、光配向膜４０が、カルボキシル基を有するポリマーを含有することが好ましい観点からは、光配向膜４０は、ポリアミック酸を含有することが好ましい。

（式中、ｎ７は、重合度を示し、１以上の整数である。）

上記Ｖ１の具体例としては、例えば、下記化学式（Ｅ－１）～（Ｅ－１２）で表される構造が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、フッ素基、メチル基、エチル基、又は、イソプロピル基に置換されていてもよい。

上記Ｖ１が光反応性を有する構造である場合、例えば、下記化学式（Ｆ－１）～（Ｆ－４）で表される構造が挙げられる。

上記Ｙ１の具体例としては、例えば、下記化学式（Ｇ－１）～（Ｇ－１６）で表される構造が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、フッ素基、メチル基、エチル基、又は、イソプロピル基に置換されていてもよい。

上記Ｙ１が光反応性を有する構造である場合、例えば、下記化学式（Ｈ－１）～（Ｈ－８）で表される構造が挙げられる。

上記Ｗ１は、側鎖を表す。上記化学式（Ｄ）で表される繰り返し構造単位の一部又は全部には、Ｗ１が導入されていなくてもよい。

光配向膜４０が水平配向膜である場合、上記化学式（Ｄ）で表される繰り返し構造単位の一部には、Ｗ１として、光の照射によらずに略水平に液晶分子を配向可能な官能基（以下、水平配向官能基とも言う。）が別途導入されていてもよい。

水平配向官能基の具体例としては、例えば、下記化学式（Ｉ－１）～（Ｉ－８）で表される構造が挙げられる。

光配向膜４０が垂直配向膜である場合、上記化学式（Ｄ）で表される繰り返し構造単位の一部には、Ｗ１として、光の照射によらずに略垂直に液晶分子を配向可能な官能基（以下、垂直配向官能基とも言う。）が別途導入されていてもよい。

垂直配向官能基の具体例としては、例えば、下記化学式（Ｊ－１）～（Ｊ－７）で表される構造が挙げられる。

上記化学式（Ｄ）において、Ｖ１、Ｙ１及びＷ１の少なくとも一つは、光反応性官能基を含む。但し、一分子のポリアミック酸において、全ての繰り返し構造単位が光反応性官能基を有する必要はなく、少なくとも一部の繰り返し構造単位が光反応性官能基を含んでいればよい。また、上記ポリアミック酸は、一種の光反応性官能基を含む繰り返し構造単位のみで構成されていてもよいし、一分子中に異なる光反応性官能基を含む繰り返し構造単位が混在してもよい。更に、一種の光反応性官能基を含むポリアミック酸と、異なる他の光反応性官能基を含むポリアミック酸とを混合してもよい。

上記ポリアミック酸は、一部がイミド化していてもよい。上記ポリアミック酸の初期化学イミド化率は、０％以上、５０％以下であることが好ましい。光配向膜４０が、カルボキシル基を有するポリマーを含有することが好ましい観点からは、上記ポリアミック酸の初期化学イミド化率は、低い方が好ましい。上記ポリアミック酸の初期化学イミド化率のより好ましい上限は、４０％である。ポリアミック酸は、加熱又は触媒により脱水閉環することでイミド化することができる。

上記繰り返し構造単位の一部のみに側鎖が導入され、その他の構造単位に側鎖が導入されていない場合、これらの構造単位の配列は特に限定されない。例えば、側鎖が導入された構造単位と、側鎖が導入されていない構造単位とが、交互に配列されていてもよいし、ランダムに配列されていてもよいし、複数の構造単位が連続してブロック単位で配列されていてもよい。

上記光反応基含有ポリマーがポリアミック酸である場合、その重量平均分子量は、２，５００以上であることが好ましく、１，０００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１，０００，０００を超えると、液晶配向剤の粘度が光配向膜４０を成膜できないほど大きくなるおそれがある。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により決定できる。

上記ポリイミドは、上記化学式（Ｄ）で表される繰り返し構造単位を含むポリアミック酸を、加熱又は触媒により脱水閉環（イミド化）したものであってもよい。なお、上記化学式（Ｄ）で表される繰り返し構造単位の全てがイミド化していることが好ましいが、一部がイミド化していない部分があってもよい。上記ポリイミドの初期化学イミド化率は、５０％を超えることが好ましい。

上記光反応基含有ポリマーがポリイミドである場合、その重量平均分子量は、２，５００以上であることが好ましく、１，０００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１，０００，０００を超えると、液晶配向剤の粘度が光配向膜４０を成膜できないほど大きくなるおそれがある。

上記ポリシロキサンは、例えば、下記化学式（Ｋ）で表される繰り返し構造単位を含むものであってもよい。

（式中、αは、－Ｈ基、－ＯＨ基、メトキシ基、又は、エトキシ基を表す。ｍ１は、０＜ｍ≦０．５の範囲の実数である。ｎ８は、重合度を示し、１以上の整数である。）

Ｖ２は、光反応性官能基を含む側鎖を表す。光反応性官能基としては、例えば、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基が挙げられる。

上記化学式（Ｋ）で表される繰り返し構造単位の一部には、Ｖ２に、水平配向官能基又は垂直配向官能基が別途導入されていてもよい。水平配向官能基の具体例としては、上記化学式（Ｉ－１）～（Ｉ－８）で表される構造で表される構造が挙げられ、垂直配向官能基の具体例としては、上記化学式（Ｊ－１）～（Ｊ－７）で表される構造が挙げられる。

上記Ｙ２は、炭素数１～６の飽和若しくは不飽和のアルキレン基、又は、炭素数１～６のアルキレンオキシ基を表す。

上記Ｗ２は、エポキシ基であることが好ましい。光配向膜４０が、エポキシ基を有するポリマーを含有することが好ましい観点からは、光配向膜４０は、上記Ｗ２がエポキシ基であるポリシロキサンを含有することが好ましい。

上記化学式（Ｋ）で表される繰り返し構造単位のより具体的な例としては、例えば、下記化学式（Ｋ－１）又は（Ｋ－２）で表される繰り返し構造単位が挙げられる。

β１は、下記化学式（Ｌ－１）又は（Ｌ－２）で表されるシンナメート基を含む構造を表す。

一分子のポリシロキサンにおいて、全ての繰り返し構造単位が光反応性官能基を有する必要はなく、少なくとも一部の繰り返し構造単位が光反応性官能基を含んでいればよい。また、上記ポリシロキサンは、一種の光反応性官能基を含む繰り返し構造単位のみで構成されていてもよいし、一分子中に異なる光反応性官能基を含む繰り返し構造単位が混在してもよい。更に、一種の光反応性官能基を含むポリシロキサンと、異なる他の光反応性官能基を含むポリシロキサンとを混合してもよい。

上記繰り返し構造単位において、Ｖ２が導入されているユニットと、Ｙ２が導入されているユニットの配列は特に限定されない。例えば、Ｖ２が導入されているユニットと、Ｙ２が導入されているユニットが、交互に配列されていてもよいし、ランダムに配列されていてもよいし、複数のユニットが連続してブロック単位で配列されていてもよい。

上記光反応基含有ポリマーがポリシロキサンである場合、その重量平均分子量は、２，５００以上であることが好ましく、１，０００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１，０００，０００を超えると、液晶配向剤の粘度が光配向膜４０を成膜できないほど大きくなるおそれがある。

上記ポリビニルは、下記化学式（Ｍ）で表される繰り返し構造単位を含むものであってもよい。

（式中、γは、－Ｈ基、－ＣＨ_３基、又は、－Ｃ_２Ｈ_５基を表す。ｍ２は、０＜ｍ２≦０．５の範囲の実数である。ｎ９は、重合度を示し、１以上の整数である。）

Ｖ３は、光反応性官能基を含む側鎖を表す。光反応性官能基としては、例えば、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基が挙げられる。

上記Ｙ３は、炭素数１～６の飽和若しくは不飽和のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、繰り返し数１～６のエチレングリコール基、又は、直接結合を表す。

上記Ｗ３は、カルボキシル基であることが好ましい。光配向膜４０が、カルボキシル基を有するポリマーを含有することが好ましい観点からは、光配向膜４０は、上記Ｗ３は、カルボキシル基であるポリビニルを含有することが好ましい。

上記化学式（Ｍ）で表される繰り返し構造単位の一部には、Ｖ３に、水平配向官能基又は垂直配向官能基が別途導入されていてもよい。水平配向官能基の具体例としては、上記化学式（Ｉ－１）～（Ｉ－８）で表される構造で表される構造が挙げられ、垂直配向官能基の具体例としては、上記化学式（Ｊ－１）～（Ｊ－７）で表される構造が挙げられる。

上記化学式（Ｍ）で表される繰り返し構造単位のより具体的な例としては、下記化学式（Ｍ－１）で表される繰り返し構造単位が挙げられる。β１は、上記化学式（Ｌ－１）又は（Ｌ－２）で表されるシンナメート基を含む構造を表す。

一分子のポリビニルにおいて、全ての繰り返し構造単位が光反応性官能基を有する必要はなく、少なくとも一部の繰り返し構造単位が光反応性官能基を含んでいればよい。また、上記ポリビニルは、一種の光反応性官能基を含む繰り返し構造単位のみで構成されていてもよいし、一分子中に異なる光反応性官能基を含む繰り返し構造単位が混在してもよい。更に、一種の光反応性官能基を含むポリビニルと、異なる他の光反応性官能基を含むポリビニルとを混合してもよい。

上記繰り返し構造単位において、Ｖ３が導入されているユニットと、Ｙ３が導入されているユニットの配列は特に限定されない。例えば、Ｖ３が導入されているユニットと、Ｙ３が導入されているユニットが、交互に配列されていてもよいし、ランダムに配列されていてもよいし、複数のユニットが連続してブロック単位で配列されていてもよい。

上記光反応基含有ポリマーがポリビニルである場合、その重量平均分子量は、２，５００以上であることが好ましく、１，０００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１，０００，０００を超えると、液晶配向剤の粘度が光配向膜４０を成膜できないほど大きくなるおそれがある。

光配向膜４０は、上記光反応基含有ポリマーのほかに、他の成分を更に含有していてもよい。他の成分としては、例えば、上記光反応基含有ポリマー以外のポリマー、硬化剤、硬化促進剤、触媒等を挙げることができる。上記光反応基含有ポリマー以外のポリマーは、液晶配向剤の溶液特性や、配向膜の電気特性をより向上するために使用することができ、そのようなポリマーとしては、例えば、光反応性官能基を有さない一般的な配向膜用ポリマーが挙げられる。

光配向膜４０の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ以上であり、より好ましくは３ｎｍ以上であり、更に好ましくは５ｎｍ以上であり、特に好ましくは８ｎｍ以上である。また、光配向膜４０の膜厚は、好ましくは３００ｎｍ以下であり、より好ましくは１５０ｎｍ以下であり、更に好ましくは１２０ｎｍ以下であり、特に好ましくは１００ｎｍ以下である。一般的に、ラジカルの転移は、その距離が大きいほど起こりにくくなるが、光配向膜については、薄い方が光反応性官能基の絶対的な総量が減るため、ラジカルの転移確率は小さくなる。したがって、ラジカルの液晶分子への転移を効果的に抑制する観点からは、光配向膜４０の膜厚は、可能な限り小さいことが好ましい。

ポリマー層５０は、下記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマー由来の構造と、下記化学式（Ｂ）で表される硬化剤由来の構造を有する。

（式中、Ｅｐは、エポキシ基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、炭素数２～１８のアルキル基、炭素数２～１８のアルキレン基、炭素数２～１８の不飽和アルキル基、又は、炭素数２～１８の不飽和アルキレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数１～６のアルキルカルボニル基、炭素数１～６のアルコキシカルボニル基、又は、炭素数１～６のアルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ｚ^２は、下記化学式（Ａ－ａ）で表される構造である。
ｎ１は、０、１、２、３、４又は５である。
ｎ２は、０又は１である。）

（式中、ｎ３は、１～１８の整数である。）

なお、エポキシ基は、下記化学式（Ａ－ｂ）に示す構造である。上記化学式（Ａ）において、ｎ１が２以上である場合、繰り返し単位中のＡ^２及びＺ^１は、繰り返し単位ごとに、同じであってもよいし、互いに異なってもよい。

（式中、Ｈ^１及びＨ^２は、同一又は異なって、アミノ基、ジメチルアミノ基、ヒドラジド基、又は、イミダゾール基を表す。　
Ｒ^３及びＲ^４は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^３及びＡ^４は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、炭素数２～１８のアルキル基、炭素数２～１８のアルキレン基、炭素数２～１８の不飽和アルキル基、炭素数２～１８の不飽和アルキレン基、－ＣＯ－基、又は、－ＣＯ－ＣＯ－基を表す。
Ａ^３及びＡ^４が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基、－Ｓ－基、又は－ＮＨ－基で置換されていてもよい。
Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数１～６のアルキルカルボニル基、炭素数１～６のアルコキシカルボニル基、又は、炭素数１～６のアルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^３は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
ｎ４は、０、１、２、３、４又は５である。）

上記化学式（Ｂ）において、ｎ２が２以上である場合、繰り返し単位中のＡ^４及びＺ^２は、繰り返し単位ごとに、同じであってもよいし、互いに異なってもよい。

上記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマーは、エポキシ基を有し、上記化学式（Ｂ）で表される硬化剤は、アミノ基、ヒドラジド基、又は、イミダゾール基を有する。液晶層３０中に、液晶材料に加え、上記エポキシ系モノマー及び上記硬化剤を添加することで、液晶層３０を加熱すると、上記エポキシ系モノマーが有するエポキシ基と、上記硬化剤が有するアミノ基等とが反応して、ポリマーを形成する。ここで、一般に「液晶分子」は配列（配向）状態で安定化し、配列状態を形成した液晶分子は、並進運動を行っていると考えられる。一方で、上記ポリマーは、ランダムコイル形状を取りやすく、回転運動が主であると考えられる。並進運動が主の液晶分子中で、回転運動性のポリマーは熱的に存在し難いため、上記ポリマーは、分子量の増加によって、液晶分子から相分離し、大半のポリマーは、液晶層３０と光配向膜４０との境界に存在することになる。このように、上記ポリマーが液晶層３０から相分離することで、液晶層３０と光配向膜４０との間にポリマー層５０を形成することができる。なお、上記ポリマーの相分離は、上記ポリマーの分子量の増加によるため、光配向膜４０が、カルボキシル基を有するポリマー、及び／又は、エポキシ基を有するポリマーを含有していなくても、液晶層３０と光配向膜４０との間にポリマー層５０を形成することができる。

本実施形態では、上記エポキシ系モノマー及び上記硬化剤を熱重合させることで、ポリマー層５０を形成できるため、ポリマー層５０の形成時に液晶層３０に光を照射する必要がない。そのため、ポリマー層５０の形成時に光配向膜４０からラジカルが発生することを抑制できる。他方、モノマーを光重合させてポリマー層を形成する従来のＰＳＡ技術では、ポリマー層を形成する際に光配向膜の光反応性官能基（特に３６０ｎｍ以上の波長域で光を吸収する光反応性官能基）からラジカルが発生し、上記ラジカルが液晶分子への転移し、ＶＨＲの低下につながるおそれがある。

エポキシ基を含有するモノマーを重合させるためには、カチオン若しくはアニオン重合開始剤等のイオン系重合開始剤を導入するか、又は、アミン、ヒドラジド等の硬化剤を導入することが必須である。本実施形態では、エポキシ系モノマーを重合させるために、熱で硬化する硬化剤として、ジアミン系化合物、ジヒドラジド系化合物、イミダゾール系化合物を液晶材料中に溶解させている。特許文献１には、モノマーの重合基の一つとして、エポキシ基を有するものが挙げられているが、イオン系重合開始剤又は硬化剤導入に関する開示はなく、これらが導入されない限りエポキシ系モノマーの重合は不可能である。また、本実施形態では、モノマー層５０を形成するために、熱重合によるポリマー層形成プロセスを採用しており、特許文献１で開示されている光重合によるモノマー層形成プロセスとは異なる。また、本実施形態は、光配向膜を用いる液晶表示装置に対して、好ましくは、光吸収波長が３６０ｎｍ以上である光反応性官能基を有する光配向膜を用いる液晶表示装置に対して、好適に用いることができるが、特許文献１には、配向膜として光配向膜を用いるような記載は全く無い。

上記エポキシ系モノマーは、一分子中に２つのエポキシ基を有し、上記硬化剤は、一分子中に２つのアミノ基等を有する。そのため、上記エポキシ系モノマー及び上記硬化剤は、加熱することで、上記エポキシ系モノマーが有する一方のエポキシ基と、上記硬化剤が有する一方のアミノ基等とが反応して、ポリマーを形成することができる。上記エポキシ系モノマーが有する他方のエポキシ基、及び、上記硬化剤が有する他方のアミノ基等は、それぞれ、光配向膜４０の官能基とも結合できるため、ポリマー層５０中に取り込ませることが可能であり、未反応の上記エポキシ系モノマー及び上記硬化剤が液晶層３０中に残存することを抑制できる。

このように、本実施形態の液晶表示装置は、光配向膜４０を有するが、液晶層３０及び光配向膜４０の間に、上記エポキシ系モノマー由来の構造と上記硬化剤由来の構造を有するポリマー層５０を有するので、ラジカルの液晶分子への転移を抑制できる。その結果、常温環境下だけではなく、高温環境下でも長期にわたって、良好な電圧保持率を維持でき、更に、焼き付き及びシミの発生とコントラストの低下とを抑制することができる。光配向膜４０中の光反応性官能基と液晶層３０中の液晶分子とが直接接触する領域（面積）を小さくする観点からは、ポリマー層５０は、液晶層３０及び光配向膜４０の間に全面に渡って形成されていることが好ましい。液晶層３０及び光配向膜４０の間の少なくとも一部にポリマー層５０が形成されていればよく、液晶層３０及び光配向膜４０の間にポリマー層５０が形成されていない領域があってもよい。なお、「常温」とは、液晶表示装置の通常の使用温度であればよく、例えば、５℃～３５℃である。また、「高温」とは、例えば、５０℃～１１０℃である。

ポリマー層５０は、ＰＳＡ技術を用いて形成されたものである。ＰＳＡ技術とは、重合性モノマーを含有させた液晶組成物を一対の基板間に封入し、その後に重合性モノマーを重合させることにより、配向膜表面に重合体（ポリマー）を形成し、この重合体により液晶分子の初期配向状態を固定化するものである。したがって、ポリマー層５０によれば、上述の作用効果の他に、液晶層３０中の液晶分子の初期配向状態を固定化することができる。

上記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマーは、一分子中に２つのエポキシ基を有する。一分子中に２つのエポキシ基を有するモノマーとしては、ビスフェノールＡ型エポキシモノマー、ビスフェノールＦ型エポキシモノマー、ノボラック型エポキシモノマー、環式脂肪族エポキシモノマー等が挙げられる。

上記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマーの具体例としては、例えば、下記化学式（Ａ－１）～（Ａ－８）で表されるモノマーが挙げられる。下記化学式（Ａ－２）中、ｎ３は、１～１８の整数である。下記化学式（Ａ－８）中、ｎ５は、１～６の整数である。下記化学式（Ａ－６）中、Ｒ^４は、－Ｈ、又は、－ＣＨ_３基である。下記化学式（Ａ－１）及び（Ａ－２）で表されるモノマーは、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの具体例である。下記化学式（Ａ－７）で表されるモノマーは、ノボラック型エポキシモノマーの具体例である。下記化学式（Ａ－６）及び（Ａ－８）で表されるモノマーは、環式脂肪族エポキシモノマーの具体例である。下記化学式（Ａ－７）で表されるモノマーは、ビスフェノールＦ型エポキシモノマーの具体例である。

上記化学式（Ｂ）で表される硬化剤は、一分子中に２つのアミノ基を有する。一分子中に２つのアミノ基を有する硬化剤としては、例えば、フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、イミダゾール化合物、ジヒドラジド化合物等が挙げられる。

上記化学式（Ｂ）で表される硬化剤の具体例としては、例えば、下記化学式（Ｂ－１）～（Ｂ－１９）で表される硬化剤が挙げられる。なかでも、下記化学式（Ｂ－１７）で表される硬化剤が好ましい。下記化学式（Ｂ－１１）～（Ｂ－１３）で表されるモノマーは、ジヒドラジド化合物の具体例である。下記化学式（Ｂ－１４）及び（Ｂ－１５）で表されるモノマーは、イミダゾール化合物の具体例である。下記化学式（Ｂ－１７）で表されるモノマーは、フェニレンジアミンの具体例である。下記化学式（Ｂ－１８）で表されるモノマーは、ジアミノジフェニルメタンの具体例である。下記化学式（Ｂ－１９）で表されるモノマーは、ジアミノジフェニルスルフォンの具体例である。

上記エポキシ系モノマーは、下記化学式（Ａ－８）で表されるモノマーであり、かつ、上記硬化剤は、下記化学式（Ｂ－１７）で表されるモノマーであることが好ましい。下記化学式（Ａ－８）で表されるエポキシ系モノマーは、タ―フェニルアルキレン基を有し、下記化学式（Ｂ－１７）で表される硬化剤は、ビフェニル基を有し、ともに液晶表示装置に用いられる液晶材料に対してよく溶解するため、好適な組み合わせである。液晶材料との相溶性が高いことで、ポリマーが凝集し難く、ポリマーの塊が形成され難い。そのため、ポリマーの塊が形成されることによって引き起こされる、液晶表示装置の使用時における輝点の発生を抑制することができる。また、これらのモノマーにより形成されたポリマー層５０は、フェニレン基を多く含む構造であるので、ＡＣ（交流）電圧に対する焼き付き耐性を高める観点からも、好適に用いられる。

（式中、ｎ５は、１～６の整数である。）

上記エポキシ系モノマーは、下記化学式（Ａ－１）で表されるモノマーであり、かつ、上記硬化剤は、下記化学式（Ｂ－１）で表されるモノマーであることが好ましい。下記化学式（Ａ－１）で表されるエポキシ系モノマーがエポキシ基を２つ有し、下記化学式（Ｂ－１）で表される硬化剤がアミノ基を２つ有することで、加熱による反応が起こり易いため、好適な組み合わせである。また、これらのモノマーにより形成されたポリマー層５０は、フェニレン基を多く含む構造であるので、ＡＣ（交流）電圧に対する焼き付き耐性を高める観点からも、好適に用いられる。

上記エポキシ系モノマーは、下記化学式（Ａ－６）で表されるモノマーであり、かつ、上記硬化剤は、下記化学式（Ｂ－９）で表されるモノマーであることが好ましい。下記化学式（Ａ－６）で表されるエポキシ系モノマーは、フェニレン基を２つ含み、下記化学式（Ｂ－９）で表される硬化剤は、シクロヘキシレン骨格を含むことから、液晶材料と類似構造であり、ともに液晶表示装置に用いられる液晶材料に対してよく溶解するため、好適な組み合わせである。また、これらのモノマーにより形成されたポリマー層５０は、フェニレン基を多く含む構造であるので、ＡＣ（交流）電圧に対する焼き付き耐性を高める観点からも、好適に用いられる。

（式中、Ｒ^４は、－Ｈ又は－ＣＨ_３基を表す。）

上記エポキシ系モノマーは、下記化学式（Ａ－７）で表されるモノマーであり、かつ、上記硬化剤は、下記化学式（Ｂ－１３）で表されるモノマーであることが好ましい。下記化学式（Ａ－７）で表されるエポキシ系モノマーは、フェニレン基を２つ含み、下記化学式（Ｂ－１３）で表される硬化剤もフェニレン基を含むことから、液晶材料と類似構造であり、ともに液晶表示装置に用いられる液晶材料に対してよく溶解するため、好適な組み合わせである。また、これらのモノマーにより形成されたポリマー層５０は、フェニレン基を多く含む構造であるので、ＡＣ（交流）電圧に対する焼き付き耐性を高める観点からも、好適に用いられる。

ラジカルの液晶分子への転移を効果的に抑制する観点からは、ポリマー層５０の膜厚は、大きい方が好ましく、具体的には、好ましくは５ｎｍ以上であり、更に好ましくは１０ｎｍ以上であり、特に好ましくは２０ｎｍ以上である。他方、ポリマー層５０の膜厚を大きくするためには液晶組成物中に導入するエポキシ系モノマー及び硬化剤の濃度を高くする必要があるが、濃度を高くすると、未反応モノマーが液晶層３０中に残存したり、未反応モノマーがそのままポリマー層５０中に取り込まれたりするおそれがある。その場合、信頼性の低下を引き起こすことが考えられる。したがって、本実施形態の液晶表示装置の信頼性の観点からは、ポリマー層５０の膜厚は、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以下であり、特に好ましくは２５ｎｍ以下である。上記膜厚は、ポリマー層５０の平均膜厚である。

シール材６０は、液晶層３０の周囲を囲むように配置されている。シール材６０の材料（シール剤）としては、例えば無機フィラー又は有機フィラー及び硬化剤を含有するエポキシ樹脂等を用いることができる。シール材６０は、紫外線等によって硬化する光硬化性のシール材であってもよいし、加熱により硬化する熱硬化性のシール材であってもよい。光硬化性のシール材を用いる場合は、例えば、表示領域を遮光した状態でシール剤６０に紫外光を照射して硬化させることで、基板１０及び２０を貼り合わせる。熱硬化性のシール材を用いる場合は、シール材６０の熱硬化とポリマー層５０形成を同時に行うことができる。

上記液晶表示装置の表示モードは特に限定されないが、ねじれネマティック（ＴＮ）モード、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モード、イン・プレーン・スイッチング（ＩＰＳ）モード、フリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）モード、垂直配向（ＶＡ）モード、又は、ねじれネマティック垂直配向（ＶＡＴＮ）モードが好ましい。

上記配向モードが水平配向モードであるときには、光配向膜からラジカルが発生しやすいことから、本発明の効果が顕著に得られる。すなわち、垂直配向モードの光配向処理（偏光ＵＶ照射）では、プレチルト角を９０°からわずかに傾かせるだけでよいが、水平配向モードの光配向処理では、液晶配向の方位（基板面内における向き）をより高精度に制御する必要がある。そのため、水平配向モードの光配向処理における照射量は、通常、垂直配向モードの場合よりも一桁以上大きく、副反応によりラジカルが、垂直配向モードの場合より多く発生しやすい。これに対して、本実施形態のポリマー層５０は、光配向処理時に発生したラジカルが液晶層３０中に溶出することを効果的に防止できる。このような観点からは、光配向膜４０は、液晶層３０中の液晶分子を略水平に配向させるものであることが好ましく、本実施形態の液晶表示装置の配向モードは、ＴＮモード、ＩＰＳモード、又は、ＦＦＳモードであることが好ましい。

ＦＦＳモードでは、基板１０及び２０の少なくとも一方に、面状電極と、スリット電極と、面状電極及びスリット電極の間に配置された絶縁膜とを含む構造（ＦＦＳ電極構造）が設けられ、液晶層３０中に斜め電界（フリンジ電界）が形成される。通常では、液晶層３０側から、スリット電極、絶縁膜、面状電極の順に配置される。スリット電極としては、例えば、その全周を電極に囲まれた線状の開口部をスリットとして備えるものや、複数の櫛歯部を備え、かつ櫛歯部間に配置された線状の切れ込みがスリットを構成する櫛型形状のものを用いることができる。

ＩＰＳモードでは、基板１０及び２０の少なくとも一方に一対の櫛形電極が設けられ、液晶層３０中に横電界が形成される。一対の櫛形電極としては、例えば、それぞれ複数の櫛歯部を備え、かつ櫛歯部が互いに噛み合うように配置された電極対を用いることができる。

ＶＡＴＮモードでは、基板１０及び２０の一方に画素電極が設けられ、基板１０及び２０の他方に共通電極が設けられ、液晶層３０中に縦電界が形成される。各基板１０、２０上の光配向膜４０は垂直配向膜であり、それらの配向処理方向が互いに直交する。ＶＡＴＮモードでは、プレチルト角を高精度に制御する必要があるため、光配向処理が好適に用いられる。

また、一対の基板１０、２０の液晶層３０とは反対側にはそれぞれ、偏光板（直線偏光子）７０が配置されてもよい。偏光板７０としては、典型的には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムに、二色性を有するヨウ素錯体等の異方性材料を、吸着配向させたものが挙げられる。通常は、ＰＶＡフィルムの両面にトリアセチルセルロースフィルム等の保護フィルムをラミネートして実用に供される。また、偏光板７０と一対の基板１０、２０との間には、位相差フィルム等の光学フィルムが配置されていてもよい。

図１に示したように、本実施形態の液晶表示装置においては、バックライト８０が液晶パネルの背面側に配置されている。このような構成を有する液晶表示装置は、一般的に、透過型の液晶表示装置と呼ばれる。バックライト８０としては、可視光を含む光を発するものであれば特に限定されず、可視光のみを含む光を発するものであってもよく、可視光及び紫外光の両方を含む光を発するものであってもよい。液晶表示装置によるカラー表示が可能とするためには、バックライト８０は、白色光を発することが好ましい。バックライト８０の光源としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）が好適に用いられる。なお、本明細書において、「可視光」とは、波長３８０ｎｍ以上、８００ｎｍ未満の光（電磁波）を意味する。

本実施形態の主な特徴の一つは、バックライト８０の光に曝露されることで光配向膜４０から発生するラジカルが液晶層３０に溶出することをポリマー層５０によって抑制することである。したがって、バックライト８０の発光スペクトルの少なくとも一部が、光配向膜４０の吸収スペクトルの少なくとも一部と重複している場合に、ポリマー層５０を特に有効に機能させることができる。

本実施形態の液晶表示装置は、液晶パネル及びバックライト８０の他、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム；ベゼル（フレーム）等の複数の部材により構成されるものであり、部材によっては、他の部材に組み込まれていてもよい。既に説明した部材以外の部材については特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。

＜液晶表示装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方に光配向膜を形成する工程と、上記少なくとも一方に光配向膜が形成された一対の基板間に、液晶材料と、下記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマーと、下記化学式（Ｂ）で表される硬化剤とを含有する液晶組成物を封入し、液晶層を形成する工程と、上記液晶層を加熱し、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とを反応させることにより、上記光配向膜と上記液晶層との間にポリマー層を形成する熱硬化工程とを有する。

（式中、ｎ３は、１～１８の整数である。）

本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、光配向膜４０及び液晶層３０の間にポリマー層５０を形成する工程を含むことから、光配向膜４０中の光反応性官能基と液晶層３０中の液晶分子とが直接接触する領域（面積）を小さくすることができる。したがって、バックライト８０からの紫外線又は可視光により、例え光配向膜４０中の光反応性官能基からラジカルが発生したとしても、該ラジカルが液晶分子に転移することを抑制できる。これは、高温環境下においても同様である。

また、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とを熱重合させてポリマー層５０を形成することから、ポリマー層５０の形成時に液晶層３０に光を照射する必要がない。そのため、ポリマー層５０の形成時に光配向膜４０からラジカルが発生することを抑制できる。

このように、本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、光配向膜４０を形成する工程を含むが、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とを熱重合し、光配向膜４０及び液晶層３０の間にポリマー層５０を形成する工程を含むので、ラジカルの液晶分子への転移を抑制できる。その結果、常温環境下だけではなく、高温環境下でも長期にわたって、良好な電圧保持率を維持でき、更に、焼き付き及びシミの発生とコントラストの低下とを抑制可能な液晶表示装置を製造することができる。

以下、各工程について更に説明するが、各部材については上述した通りであるので説明を省略する。

上記光配向膜を形成する工程では、まず、光反応性官能基を有するポリマー（光反応基含有ポリマー）を例えば有機溶媒等の溶剤に溶解させて液晶配向剤を準備する。上記液晶配向剤は、必要に応じて他の任意成分を含有してもよく、好ましくは各成分が溶媒に溶解された溶液状の組成物として調製される。上記有機溶媒としては、光反応基含有ポリマー、及び、他の任意成分を溶解し、これらと反応しないものが好適である。上記他の任意成分としては、例えば、上記光反応基含有ポリマー以外のポリマー、上記化学式（Ｂ）で表される硬化剤以外の硬化剤、硬化促進剤、触媒等を挙げることができる。上記光反応基含有ポリマー以外のポリマーは、液晶配向剤の溶液特性や、配向膜の電気特性をより向上するために使用することができ、そのようなポリマーとしては、例えば、光反応性官能基を有さない一般的な配向膜用ポリマーが挙げられる。上記光反応性官能基としては、上述のように、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基が好適である。また、上述のように、上記光配向膜は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーを含有することが好ましい。

次に、各基板１０、２０の表面上に液晶配向剤を塗布する。塗布方法としては特に限定されず、ロールコーター法、スピンナー法、印刷法、インクジェット法等が挙げられる。

次に、各基板１０、２０を加熱する。これにより、液晶配向剤中の溶剤が揮発し、光配向膜４０が形成される。加熱は、仮焼成（プリベーク）及び本焼成（ポストベーク）の２段階で行ってもよい。

次に、光配向膜４０を光配向処理することによって光配向膜４０に所望の配向規制力を付与する。具体的には、紫外線、可視光等の光を光配向膜４０に照射（露光）する。この結果、光反応基含有ポリマーの光反応性官能基において上述の構造変化が生じ、光反応基含有ポリマーの少なくとも一部の分子構造及び／又は配向が変化する。そして、光配向膜４０は、その表面に接する液晶分子の配向を制御できるようになる。なお、光反応性官能基の全部が上述の構造変化を生じることは通常はない。したがって、光反応性官能基の少なくとも一部は、光配向処理後も光配向膜４０中に存在し続けることになる。

光配向処理に利用される光としては、紫外線、可視光線、又は、これらの両方が挙げられる。また、光配向処理に利用される光は、偏光であってもよいし、無偏光であってもよく、例えば、直線偏光、楕円偏光若しくは円偏光の偏光、又は、無偏光を用いることができる。特に光配向膜に偏光紫外光を照射することが好ましい。

光配向膜４０は、光反応性官能基を有するポリマーを含み、上記光配向膜を形成する工程では、光反応性官能基を有するポリマーに偏光紫外光を照射することが好ましい。

また、光配向膜４０としては、偏光照射により液晶層３０中の液晶分子を略水平に配向させる光配向膜、又は、偏光照射により液晶層３０中の液晶分子を略垂直に配向させる光配向膜が好適である。

なお、基板１０又は２０のいずれか一方のみに光配向膜４０を形成してもよい。また、マルチドメイン化のために分割配向処理を行ってもよい。

上記液晶層を形成する形成工程では、まず、液晶材料と、上記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマーと、上記化学式（Ｂ）で表される硬化剤とを含有する液晶組成物を準備する。上記液晶材料は、少なくとも１種の液晶分子を含む。

上記液晶組成物全体における、上記化学式（Ａ）で表されるエポキシ系モノマーの含有量は、０．００１重量％以上、０．５重量％以下であることが好ましい。上記含有量が０．００１重量％未満であると、十分な厚みのあるポリマー層が形成されないおそれがある。上記含有量が０．５重量％より大きいと、未反応モノマーが液晶層に多く残存するおそれがある。上記含有量のより好ましい上限は、０．４重量％、より好ましい下限は、０．０３重量％、更に好ましい上限は、０．３重量％、更に好ましい下限は、０．０５重量％である。

液晶組成物全体における、上記化学式（Ｂ）で表される硬化剤の含有量は、０．００１重量％以上、０．５重量％以下であることが好ましい。上記含有量が０．００１重量％未満であると、十分な厚みのあるポリマー層が形成されないおそれがある。上記含有量が０．５重量％より大きいと、未反応モノマーが液晶層に多く残存するおそれがある。上記含有量のより好ましい上限は、０．４重量％、より好ましい下限は、０．０３重量％、更に好ましい上限は、０．３重量％、更に好ましい下限は、０．０５重量％である。

液晶組成物全体における、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤との配合比は、１．０：０．８～１．０：１．２であることが好ましい。上記配合比が上記範囲外であると、未反応のエポキシ系モノマー又は硬化剤が液晶層中に残存し、ＶＨＲが低下したり、焼き付きが起こるおそれがある。より好ましい上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤との配合比は、１．００：０．９５～１．００：１．０５である。

次に、真空注入法又は滴下注入法により、基板１０及び２０の間に液晶組成物を充填し、液晶層３０を形成する。真空注入法を採用する場合は、シール剤の塗布、基板１０及び２０の貼り合せ、シール剤の硬化、液晶組成物の注入、及び、注入口の封止をこの順に行うことで、上記液晶組成物を封入し、液晶層を形成する。滴下注入法を採用する場合は、シール剤の塗布、液晶組成物の滴下、基板１０及び２０の貼り合せ、及び、シール剤の硬化をこの順に行うことで、上記液晶組成物を封入し、液晶層を形成する。上述のように、液晶層３０は、誘電率異方性が負の液晶材料を含有することが好ましい。

上記熱硬化工程では、液晶層３０を加熱し、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とを反応させることによりポリマーが生成される。該ポリマーが、液晶層３０からの相分離することで、液晶層３０と光配向膜４０の間にポリマー層５０が形成される。図２は、実施形態１の液晶表示装置の製造方法において、ポリマー層の形成過程を説明した模式図である。熱硬化前の液晶層３０は、液晶材料を含有し、更に、エポキシ系モノマー３１及び硬化剤３２が溶解している。液晶層３０を加熱することで、エポキシ系モノマー３１と硬化剤３２とが熱重合し、ポリマーを形成する。更に、該ポリマーが相分離することで、液晶層３０と光配向膜４０との間に、ポリマー層５０が形成される。なお、エポキシ系モノマー３１はエポキシ基を２つ有し、硬化剤３２はアミノ基等を２つ有するため、エポキシ系モノマー３１及び／又は硬化剤３２の一部が未反応であったとしても、光配向膜４０の官能基と反応し、光配向膜４０中に取り込まれるため、エポキシ系モノマー３１及び硬化剤３２は、ほとんど残存しない。

加熱温度、加熱時間、加熱手段等の条件は、特に限定されないが、上記熱硬化工程は、上記液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より低い温度であり、かつ、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とが反応する硬化反応点以上の温度で行われることが好ましい。上記温度範囲で熱硬化工程を行うことで、液晶配向を効果的に固定化（安定化）できるので、配向安定性を向上させることができる。液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点の測定方法は、例えば、示差走査熱量測定（ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）、又は、キャピラリーに液晶材料を封入し直接温度依存性を観察する方法等により測定することができる。上記硬化反応点は、例えば、示差走査熱量測定等により測定することができる。

ポリマー層形成工程後に、液晶層３０の再配向処理を行ってもよい。上記再配向処理の具体的な方法としては、例えば、液晶層３０中の液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点よりも高い温度で液晶層４０を加熱した後、室温まで冷却する方法が挙げられる。これにより、液晶分子の流動配向が除去され、液晶分子が光配向膜４０の分子構造にならって規則的に並び、液晶層３０が所望の配向状態を示す。

光配向膜４０は、カルボキシル基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基を有するポリマーと、上記カルボキシル基を有するポリマーとは、個別のポリマーであってもよいし、上記光反応性官能基を有するポリマーが、更に、カルボキシル基を有してもよい。また、液晶層３０を加熱することで、上記カルボキシル基と上記エポキシ系モノマーとを結合させることがより好ましい。上記結合は、加熱による熱重合であることが好ましい。エポキシ基は、カルボキシル基とも反応できるため、液晶層３０を加熱することにより、光配向膜４０中のカルボキシル基を有するポリマー、及び／又は、上記光反応性官能基を有するポリマーが有するカルボキシル基と、上記ポリマー層５０を構成するエポキシ系モノマーのエポキシ基とが熱反応により結合する。これにより、光配向膜４０とポリマー層５０とを化学結合させることができ、ポリマー層５０を構成するポリマーの一部が液晶層３０へ溶出する可能性が大幅に少なくなるため、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制することができる。

光配向膜４０は、エポキシ基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基を有するポリマーと、上記エポキシ基を有するポリマーとは、個別のポリマーであってもよいし、上記光反応性官能基を有するポリマーが、更に、エポキシ基を有してもよい。液晶層３０を加熱することで、上記エポキシ基と上記硬化剤とを結合させることがより好ましい。上記結合は、加熱による熱重合であることが好ましい。液晶層３０を加熱することにより、光配向膜４０中のエポキシ基を有するポリマー、及び／又は、上記光反応性官能基を有するポリマーが有するエポキシ基と、上記ポリマー層５０を構成する硬化剤のアミノ基等とが熱反応により結合する。これにより、光配向膜４０とポリマー層５０とを化学結合させることができ、ポリマー層５０を構成するポリマーの一部が液晶層３０へ溶出する可能性が大幅に少なくなるため、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制することができる。

なお、上記カルボキシル基と上記エポキシ系モノマーとを結合させること、上記エポキシ基と上記硬化剤とを結合させることは、上記液晶層を形成する工程後であれば、任意の時に行うことができる。例えば、上記熱硬化工程において、上記結合を行ってもよい。また、上記熱硬化工程と別の工程で上記結合を行ってもよく、熱硬化工程後の任意の時、例えば、バックライトの点灯状態で行われるエージング行程を兼ねていてもよい。また、上記カルボキシル基と上記エポキシ系モノマーとの結合、上記エポキシ基と上記硬化剤との結合は、液晶表示装置の使用中に形成されたものであってもよい。

上記工程の後、偏光板の貼り付け工程、及び、制御部、電源部、バックライト等の取り付け工程を経て、本実施形態の液晶表示装置が完成する。

作製された液晶表示装置の配向モード（表示モード）としては、上述のように、ＴＮモード、ＥＣＢモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、ＶＡモード、又は、ＶＡＴＮモードが好適である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、説明された個々の事項は、すべて本発明全般に対して適用され得るものである。

＜比較形態１＞
図３は、比較形態１に係る液晶表示装置の断面模式図である。図３に示すように、比較形態１に係る液晶表示装置は、ポリマー層５０を有さない点以外は、実施形態１に係る液晶表示装置と同様の構成を有する。比較形態１に係る液晶表示装置では、液晶組成物として、液晶材料を含有し、上記エポキシ系モノマー及び上記硬化剤の両方を導入しないものを用いて製造することができる。比較形態１に係る液晶表示装置は、液晶層３０と光配向膜４０との間にポリマー層５０を有さないため、光配向膜４０中で発生したラジカルが、液晶層３０中の液晶分子に容易に転移する。転移したラジカルは、最終的にイオン化することで電圧保持率が低下し、焼き付き及び／又はシミが発生する。一方、本実施形態では、液晶層３０及び光配向膜４０の間に設けられたポリマー層５０を有することから、光配向膜４０中の光反応性官能基と液晶層３０中の液晶分子とが直接接触する領域（面積）を小さくすることができる。したがって、バックライトからの紫外線又は可視光により、光配向膜４０中の光反応性官能基からラジカルが発生したとしても、上記ラジカルが液晶分子に転移することを抑制できる。

＜比較形態２＞
図４は、比較形態２に係る液晶表示装置の断面模式図である。図４に示すように、比較形態２に係る液晶表示装置は、ポリマー層５０を有さない点、液晶層３０中にラジカル補足剤３１が添加されていることを除いて、実施形態１に係る液晶表示装置と同様の構成を有する。比較形態２に係る液晶表示装置では、液晶組成物として、液晶材料を含有し、上記エポキシ系モノマー及び上記硬化剤の両方を導入せずに、ラジカル補足剤３３を含有するものを用いて製造することができる。液晶層３０中にラジカル捕捉剤３３を添加（溶解）するだけの方法では、ラジカル捕捉剤３１が液晶層中に存在し続けることになる。ラジカル捕捉剤３３は、自由に拡散できるため、光配向膜４０やシール材６０の特定の成分と熱反応し、不純物を生成したり、液晶材料の物性値をわずかに変化したりすることがある。一方、本実施形態では、エポキシ系モノマーや硬化剤のような添加剤が液晶層３０中に残存することが抑制されるため、添加剤の新たな熱反応が起こったり、液晶材料の物性値が変化したりすることを抑制できる。

以下に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

＜合成例１＞
合成例１では、光反応性官能基としてアゾベンゼン基を主鎖に有するポリアミック酸を合成した。下記化学式（Ｎ）に示す光反応性官能基（アゾベンゼン）含有ジアミン０．０５モルと、下記化学式（Ｏ）に示す光反応性官能基を有さないジアミン０．０５モルを含有するγ－ブチロラクトン溶液に、下記化学式（Ｐ）に示す酸無水物０．１０モルを加え、４０℃で１０時間反応させることにより、ランダム構造のポリアミック酸を得た。得られたポリアミック酸の重量平均分子量は５００００、分子量分布は２．５であった。

得られたポリアミック酸は、下記化学式（Ｄ）に示すポリアミック酸において、Ｖ１は、下記化学式（Ｅ－５）で表される構造であり、Ｙ１は、下記化学式（Ｈ－１）で表されるアゾベンゼン基を有するユニット、又は、下記化学式（Ｇ－１０）で表されるユニットである。なお、下記化学式（Ｄ）に示すポリアミック酸は、側鎖Ｗ１が導入されていない。下記化学式（Ｈ－１）で表されるアゾベンゼン基を有するユニットと、下記化学式（Ｇ－１０）で表されるユニットは、１：１の比率で導入されていた。

＜合成例２＞
合成例２では、光反応性官能基としてカルコン基を側鎖に有し、かつ、カルボキシル基を有するポリビニルを合成した。
下記化学式（Ｑ）に示すアクリル酸ポリマーを１．３ｇ含有する１－メチルピロリドン溶液（２０ｍＬ）中に、下記化学式（Ｒ）に示す４－ヒドロキシカルコンを１．５ｇ（６．５ｍｍｏｌ）含有する１－メチルピロリドン溶液（５ｍＬ）を滴下した。続いてＤＣＣ（Ｎ，Ｎ’－ジシクロヘキシルカルボジイミド）１００ｍｇとＴＥＡ（トリエチルアミン）を１００ｍｇ含有する１－メチルピロリドン溶液（５ｍＬ）を滴下し、６０℃、窒素雰囲気下で２４時間反応させた。続いて水酸化ナトリウム溶液を滴下し、未反応のカルボキシル基をカルボン酸ナトリウム塩にすると沈殿物が得られた。得られた沈殿物をエバポレーターを用いて回収し、回収物をさらにメタノールを貧溶媒、水を良溶媒とし、溶解再沈を行い、最後にカチオン交換クロマトグラフィーを用いることで、カルボン酸ナトリウム塩をカルボン酸に戻し、下記化学式（Ｓ）で表されるカルコン基とカルボキシル基を有するポリビニルを得た。得られたポリビニルは、重量平均分子量が２５，０００、分子量分布が２．１であった。下記化学式式（Ｑ）中のｐ、下記化学式式（Ｓ）中のｎ９は、ともに重合度を示し、１以上の整数である。

＜合成例３＞
合成例３では、側鎖にエポキシ基と、光反応性官能基としてシンナメート基を有するポリシロキサンを合成した。側鎖にエポキシ基を有するポリシロキサン（ｑは、重合度を示し、１以上の整数である。）と、シンナメート基を有する化合物とを９０℃で反応させ、下記化学式（Ｋ－１）に示すポリシロキサンを得た。得られたポリシロキサンは、β１が下記化学式（Ｌ－１）で表される構造であり、ｍ１は０．５であった。ｎ８は、重合度を示し、１以上の整数である。

＜実施例１＞
ＦＦＳモードの液晶セルを以下の方法により実際に作製した。
まず、酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）製のＦＦＳ電極構造を有するＩＴＯ基板と、電極を有さない対向基板を用意した。液晶配向剤として、合成例１で作製した、主鎖中にアゾベンゼン基を有するポリアミック酸（初期化学イミド化率：０％）と、アゾベンゼン基を全く有さないポリアミック酸（初期化学イミド化率：０％）とを含有する液晶配向剤を用意した。アゾベンゼン基を全く有さないポリアミック酸は、上記化学式（Ｄ）に示すポリアミック酸において、Ｖ１は、上記化学式（Ｅ－５）で表される構造であり、Ｙ１は、上記化学式（Ｇ－１０）で表されるユニットのみが導入され、上記化学式（Ｈ－１）で表されるアゾベンゼン基を有するユニットが導入されていないものである。なお、側鎖Ｗ１が導入されていない。

得られた液晶配向剤を、ＩＴＯ基板上及び対向基板上に塗布し、９０℃５分間の仮焼成を行った。続いて、ＩＴＯ基板及び対向基板の液晶配向剤が塗布された面に対して、３６５ｎｍを中心波長とする直線偏光紫外光を２Ｊ／ｃｍ^２照射することで配向処理を施した。その後、２３０℃４０分間の本焼成を行うことで、二層構造の光配向膜を得た。二層構造の光配向膜は、光反応性官能基を有さないポリアミック酸からなる下層と、光反応性官能基（アゾベンゼン基）を有するポリアミック酸からなる上層とから形成されており、上層が液晶層と接することになる。上記光配向膜の膜厚は、液晶配向剤のブレンド比率より、１０～４０ｎｍであると推定された。

次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤（積水化学工業社製、商品名：フォトレックＳ－ＷＢ）を描画した。また、もう一方の基板上の所定の位置に、液晶組成物を滴下した。液晶組成物としては、誘電率異方性が負である液晶材料を含有し、下記化学式（Ａ－１）に示すエポキシ系モノマー及び下記化学式（Ｂ－１）に示すジアミン系硬化剤を導入したネガ型液晶組成物を用いた。上記液晶組成物全体に対する上記エポキシ系モノマーの含有量は０．３重量％であり、上記ジアミン系硬化剤の含有量は０．３重量％であった。続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、表示領域を遮光した状態でシール剤に紫外光を照射して硬化させ、液晶セルを形成した。

続いて、６０℃（液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より低く、かつ、上記エポキシ系モノマーと上記ジアミン系硬化剤とが反応する硬化反応点以上の温度）で１２０分間、液晶セルを加熱することで、上記エポキシ系モノマーと上記ジアミン系硬化剤との熱重合によるポリマー層の形成を行った。続いて、液晶の流動配向を消すために、更に１３０℃（液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より高い温度）で４０分間、液晶セルを加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、その後室温まで冷却してＦＦＳモードの液晶セルを得た。なお、上記ポリマー層の膜厚は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）の観察による厚み分布の結果から、５～３０ｎｍであった。

＜比較例１＞
液晶組成物として、誘電率異方性が負である液晶材料を含有し、上記化学式（Ａ－１）に示すエポキシ系モノマー及び上記化学式（Ｂ－１）に示すジアミン系硬化剤の両方を導入しないネガ型液晶組成物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例１のＦＦＳモードの液晶セルを作製した。

＜比較例２＞
液晶組成物として、誘電率異方性が負である液晶材料を含有し、上記化学式（Ａ－１）に示すエポキシ系モノマー及び上記化学式（Ｂ－１）に示すジアミン系硬化剤の両方を導入せず、ニトロキシ系ラジカル捕捉剤を導入したネガ型液晶組成物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例２のＦＦＳモードの液晶セルを作製した。液晶組成物全体に対する、上記ニトロキシ系ラジカル捕捉剤の含有量は、０．００１重量％とした。

＜バックライト上での高温試験＞
実施例１、比較例１及び比較例２で作製したＦＦＳモードの液晶セルの耐熱性を評価するため、点灯したバックライト上に液晶セルを配置し、液晶セルの温度を７５℃に昇温した状態で５０００時間放置する試験を行った。放置の前後で電圧保持率（ＶＨＲ）及びコントラストの測定を行った。結果を下記表１に示した。なお、ＶＨＲは東陽テクニカ社製の６２５４型ＶＨＲ測定システムを用いて、１Ｖ、７０℃の条件で測定した。コントラスト測定は、トプコンテクノハウス社製の分光放射計「ＳＲ－ＵＬ１Ｒ」を用いて、２５℃環境下で測定した。

上記表１に示したように、実施例１の結果より、エポキシ系モノマーとジアミン系硬化剤を用いて、熱重合によりポリマー層を形成することで、比較例１と比べ、５０００時間放置したエージング試験を行った後のＶＨＲ及びコントラストが高く維持された。これより、ポリマー層形成により、アゾベンゼン基を有する光配向膜で形成されたラジカルがネガ型液晶材料に転移することを効果的に抑制でき、結果としてＶＨＲの低下及びコントラストの低下を抑制できたと考えられる。一方、従来から用いられるニトロキシ系ラジカル捕捉剤を液晶材料中に導入した比較例２では、５０００時間放置したエージング試験による、ＶＨＲの低下とコントラストの低下を抑制できる効果は確認されたものの、コントラストが放置前に比べて低い値であった。この結果は、ラジカル捕捉剤が液晶層中で自由に拡散できる状況であったため、結果として液晶の配向揺らぎが大きくなり、コントラストが若干低下したものと考えられる。

＜実施例２＞
液晶配向剤として、実施例１で用いた主鎖中にアゾベンゼン基を有するポリアミック酸の初期化学イミド化率を５０％としたもの、及び、実施例１で用いたアゾベンゼン基を全く有さないポリアミック酸の初期化学イミド化率を５０％としたものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２のＦＦＳモードの液晶セルを作製した。

＜バックライト上での高温試験＞
実施例２で作製したＦＦＳモードの液晶セルについて、実施例１と同様の評価試験を行った結果を下記表２に示した。

上記表２に示したように、実施例２では、主鎖中にアゾベンゼン基を有するポリアミック酸、及び、アゾベンゼン基を全く有さないポリアミック酸の初期化学イミド化率を５０％とした。上記表１に示した比較例１と比べて、エージング試験後のＶＨＲの低下及びコントラストの低下が抑制されており、ポリマー層形成の効果が確認できた。一方で、実施例２は、エージング試験後のＶＨＲが、実施例１と比べてわずかに低下した。これは、実施例１では、光配向膜の構成材料であるポリアミック酸の初期化学イミド化率が低く、光配向膜中にカルボキシル基が多く存在するため、ポリアミック酸中のカルボキシル基とエポキシ系モノマーが有するエポキシ基とが熱反応し、光配向膜とポリマー層とが化学結合したと考えられる。光配向膜とポリマー層とが化学結合することで、ポリマー層を構成するポリマーの一部が液晶層へ溶出することを抑えられることから、実施例１は、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制できると考えられる。

＜実施例３＞
ＩＰＳモードの液晶セルを以下の方法により実際に作製した。
まず、酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）製の一対の櫛形電極を有するＩＴＯ基板と、電極を有さない対向基板を用意した。液晶配向剤として、光反応性官能基を有さないポリイミドと、合成例２で作製した下記化学式（Ｓ）に示すカルコン基及びカルボキシル基を有するポリビニル系ポリマーとを含有する液晶配向剤を用意した。

（式中、ｎ９は、重合度を示し、１以上の整数である。）

得られた液晶配向剤を、ＩＴＯ基板上、及び、対向基板上のそれぞれに塗布し、９０℃５分間の仮焼成、続いて２００℃４０分間の本焼成を行うことで二層構造の光配向膜を得た。続いて、光配向膜が塗布された面に対して、３６５ｎｍを中心波長とする直線偏光紫外光を２Ｊ／ｃｍ^２照射することで配向処理を施した。二層構造の光配向膜は、光反応性官能基を有さないポリイミドからなる下層と、光反応性官能基（カルコン基）を有するポリビニル系ポリマーからなる上層とから形成されており、上層が液晶層と接することになる。

次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤（積水化学工業社製、商品名：フォトレックＳ－ＷＢ）を描画した。また、もう一方の基板上の所定の位置に、液晶組成物を滴下した。ネガ型液晶組成物は、誘電率異方性が負である液晶材料を含有し、下記化学式（Ａ－６）に示すエポキシ系モノマー及び下記化学式（Ｂ－９）に示すジアミン系硬化剤を導入したものを用いた。上記液晶組成物全体に対する上記エポキシ系モノマーの含有量は０．３重量％であり、上記ジアミン系硬化剤の含有量は０．３重量％であった。続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、表示領域を遮光した状態でシール剤に紫外光を照射して硬化させ、液晶セルを形成した。

（式中、Ｒ^４は、－Ｈ基を表す。）

続いて、６０℃（液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より低く、かつ、上記エポキシ系モノマーと上記ジアミン系硬化剤とが反応する硬化反応点以上の温度）で１２０分間、液晶セルを加熱することで熱重合によるポリマー層の形成を行った。続いて、液晶の流動配向を消すために、更に１３０℃（液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より高い温度）で４０分間、液晶セルを加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、その後室温まで冷却してＩＰＳモードの液晶セルを得た。

＜比較例３＞
液晶組成物として、誘電率異方性が負である液晶材料を含有し、上記化学式（Ａ－６）に示すエポキシ系モノマー及び上記化学式（Ｂ－９）に示すジアミン系硬化剤の両方を導入しないネガ型液晶組成物を用いたこと以外は実施例３と同様にして、比較例３のＩＰＳモードの液晶セルを作製した。

＜バックライト上での高温試験＞
実施例３及び比較例３で作製したＩＰＳモードの液晶セルについて、実施例１と同様の評価試験を行った結果を下記表３に示した。

上記表３に示したように、実施例３の結果より、エポキシ系モノマーとジアミン系硬化剤を用いて、熱重合によりポリマー層を形成することで、実施例３は、比較例３と比べ、５０００時間放置したエージング試験を行った後のＶＨＲ及びコントラストが高く維持された。これより、ポリマー層形成により、カルコン基を有する光配向膜で形成されたラジカルがネガ型液晶材料に転移することを効果的に抑制でき、結果としてＶＨＲの低下及びコントラストの低下を抑制できたと考えられる。　

＜実施例４＞
液晶組成物として、誘電率異方性が負である液晶材料を含有し、下記化学式（Ａ－８－１）に示すエポキシ系モノマー及び下記化学式（Ｂ－１７）に示すジアミン系硬化剤を導入したネガ型液晶組成物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例４のＦＦＳモードの液晶セルを作製した。なお、下記化学式（Ａ－８－１）に示すエポキシ系モノマーは、上記化学式（Ａ－８－１）に示すエポキシ系モノマーにおいて、ｎ３が２の場合のモノマーである。上記液晶組成物全体に対する上記エポキシ系モノマーの含有量は０．３重量％であり、上記ジアミン系硬化剤の含有量は０．３重量％であった。

＜バックライト上での高温試験＞
実施例４で作製したＦＦＳモードの液晶セルについて、実施例１と同様の評価試験を行った結果を下記表４に示した。

実施例４では、エポキシ系モノマーとして、フェニレン基が３つ連結した構造を有するタ―フェニルを用い、ジアミン系硬化剤として、フェニレン基が２つ連結した構造を有するビフェニルを用いた。フェニレン基を含む構造は、液晶材料との相溶性がよく、また、液晶中での、エポキシ系モノマーとジアミン系硬化剤との熱硬化反応を促進する。そのため、エポキシ系モノマー、ジアミン系硬化剤ともに、フェニレン基を有する化合物を用いることで、エポキシ系モノマー及びジアミン系硬化剤が液晶層中でポリマーが凝集することによる輝点の発生等の表示不良を抑制することができる。上記表４に示したように、実施例４の結果より、実施例４は、実施例１と比べて同等程度のＶＨＲ及びコントラストを維持しており、上記表１の比較例１と比べてＶＨＲの低下及びコントラストの低下を改善する効果が確認された。

＜実施例５＞
ＶＡＴＮモードの液晶セルを以下の方法により実際に作製した。
まず、酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）製の電極を各々有する２枚のＩＴＯ基板を用意した。液晶配向剤として、光反応性官能基を有さないポリイミドと、合成例２で作製した下記化学式（Ｋ－１）に示す、シンナメート基及びエポキシ基を有するポリシロキサンとを含有する液晶配向剤を用意した。下記化学式（Ｋ－１）に示すポリシロキサンにおいて、β１は、下記化学式（Ｌ－１）で表される構造であり、ｍは０．５である。

得られた液晶配向剤を、２枚のＩＴＯ基板上にそれぞれ塗布し、９０℃５分間の仮焼成、続いて２３０℃４０分間の本焼成を行うことで二層構造の光配向膜を得た。続いて、光配向膜が塗布された面に対して、３２０～３８０ｎｍの波長範囲の直線偏光紫外光を２０ｍＪ／ｃｍ^２照射することで配向処理を施した。二層構造の光配向膜は、光反応性官能基を有さないポリイミドからなる下層と、光反応性官能基（シンナメート基）を有するポリシロキサンからなる上層とから形成されており、上層が液晶層と接することになる。

次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤（積水化学工業社製、商品名：フォトレックＳ－ＷＢ）を描画した。また、もう一方の基板上の所定の位置に、液晶組成物を滴下した。液晶組成として、誘電率異方性が負である液晶材料を含有し、下記化学式（Ａ－７）に示すエポキシ系モノマー及び下記化学式（Ｂ－１３）に示すジヒドラジド系硬化剤を導入したネガ型液晶組成物を用いた。上記液晶組成物全体に対する上記エポキシ系モノマーの含有量は０．３重量％であり、上記ジヒドラジド系硬化剤の含有量は０．３重量％であった。続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、表示領域を遮光した状態でシール剤に紫外光を照射して硬化させ、液晶セルを形成した。

続いて、６０℃（液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より低く、かつ、上記エポキシ系モノマーと上記ジヒドラジド系硬化剤とが反応する硬化反応点以上の温度）で１２０分間、液晶セルを加熱することで、上記エポキシ系モノマーと上記ジヒドラジド系硬化剤との熱重合によるポリマー層の形成を行った。続いて、液晶の流動配向を消すために、更に１３０℃（液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より高い温度）で４０分間、液晶セルを加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、その後室温まで冷却してＶＡＴＮモードの液晶セルを得た。

＜比較例５＞
液晶組成物として、誘電率異方性が負である液晶材料を含有し、上記化学式（Ａ－７）に示すエポキシ系モノマー及び上記化学式（Ｂ－１３）に示すジヒドラジド系硬化剤の両方を導入しないネガ型液晶組成物を用いたこと以外は実施例５と同様にして、比較例５のＶＡＴＮモードの液晶セルを作製した。

＜バックライト上での高温試験＞
実施例５及び比較例５で作製したＶＡＴＮモードの液晶セルについて、実施例１と同様の評価試験を行った結果を下記表５に示した。

上記表５に示すように、実施例５の結果より、エポキシ系モノマーとジヒドラジド系硬化剤とを用いて、熱重合によりポリマー層を形成することで、実施例５は、比較例５と比べ、５０００時間放置したエージング試験を行った後のＶＨＲ及びコントラストが高く維持された。これより、実施例５は、ポリマー層形成により、シンナメート基を有する光配向膜で形成されたラジカルがネガ型液晶材料に転移することを効果的に抑制でき、結果としてＶＨＲの低下及びコントラストの低下を抑制できたと考えられる。

＜実施例６＞
液晶組成物全体に対するエポキシ系モノマーの含有量を０．０５重量％、ジアミン系硬化剤の含有量を０．０５重量％にしたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例６のＦＦＳモードの液晶セルを作製した。

＜バックライト上での高温試験＞
実施例６で作製したＦＦＳモードの液晶セルについて、実施例１と同様の評価試験を行った結果を下記表６に示した。

上記表６に示すように、実施例６の結果より、エポキシ系モノマー及びジアミン系硬化剤の含有量が、ともに０．０５重量％である場合にも、実施例１と同等にＶＨＲの低下及びコントラストの低下を抑制できることが分かった。

［付記］
本発明の一態様は、一対の基板と、上記一対の基板間に挟持された液晶層と、上記一対の基板の少なくとも一方と上記液晶層との間に配置された光配向膜と、上記光配向膜と上記液晶層との間に配置されたポリマー層とを有し、上記ポリマー層は、下記化学式（１）で表されるエポキシ系モノマー由来の構造と、下記化学式（２）で表される硬化剤由来の構造を有する液晶表示装置であってもよい。

（式中、Ｅｐは、エポキシ基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、又は、炭素数２～１８の、アルキル基、アルキレン基、不飽和アルキル基、若しくは、不飽和アルキレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、若しくは、アルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ｚ^２は、下記化学式（１－１）で表される構造である。
ｎ１は、０、１、２、３、４又は５である。
ｎ２は、０又は１である。）

（式中、ｎ３は、１～１８の整数である。）

液晶層及び光配向膜の間に設けられたポリマー層を有することから、上記光配向膜中の光反応性官能基と上記液晶層中の液晶分子とが直接接触する領域（面積）を小さくすることができる。したがって、バックライトからの紫外線又は可視光により、上記光配向膜中の光反応性官能基からラジカルが発生したとしても、上記ラジカルが液晶分子に転移することを抑制できる。また、上記エポキシ系モノマーは、一分子中に２つのエポキシ基を有し、上記硬化剤は、一分子中に２つのアミノ基等を有する。そのため、上記エポキシ系モノマー及び上記硬化剤は、加熱することで、上記エポキシ系モノマーが有する一方のエポキシ基と、上記硬化剤が有する一方のアミノ基等とが反応して、ポリマーを形成することができる。上記エポキシ系モノマーが有する他方のエポキシ基、及び、上記硬化剤が有する他方のアミノ基等は、それぞれ、光配向膜の官能基とも結合できるため、ポリマー層中に取り込ませることが可能であり、未反応の上記エポキシ系モノマー及び上記硬化剤が液晶層中に残存することを抑制できる。

上記エポキシ系モノマーは、下記化学式（３）で表されるモノマーであり、かつ、上記硬化剤は、下記化学式（４）で表されるモノマーであることが好ましい。

（式中、ｎ５は、１～６の整数である。）

上記光配向膜は、光反応性官能基を有するポリマーを含み、上記光反応性官能基は、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基であることが好ましい。
これらの光反応性官能基は、３６０ｎｍ以上の波長域で光を吸収するため、光配向処理時に照射される光や液晶表示装置の使用時のバックライトからの光によって分解し、ラジカルとなるおそれがある。そのため、上記光反応性官能基が、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基である場合に、より効果的にＶＨＲの低下及びコントラストの低下を抑制することができる。

上記光配向膜は、カルボキシル基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基を有するポリマーは、更に、カルボキシル基を有してもよい。上記カルボキシル基と上記エポキシ系モノマーとが結合していることがより好ましい。液晶層を加熱することにより、上記光配向膜中のカルボキシル基を有するポリマー、及び／又は、光反応性官能基を有するポリマーが有するカルボキシル基と、上記ポリマー層が有するエポキシ系モノマーのエポキシ基とが熱反応により結合する。これにより、光配向膜とポリマー層とを化学結合させることができ、ポリマー層を構成するポリマーの一部が上記液晶層へ溶出する可能性が大幅に少なくなるため、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制することができる。

上記光配向膜は、エポキシ基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基を有するポリマーは、更に、エポキシ基を有してもよい。上記エポキシ基と上記硬化剤とが結合していることがより好ましい。液晶層を加熱することにより、上記光配向膜中のエポキシ基を有するポリマー、及び／又は、上記光反応性官能基を有するポリマーが有するエポキシ基と、上記ポリマー層が有する硬化剤のアミノ基等とが熱反応により結合する。これにより、光配向膜とポリマー層とを化学結合させることができ、ポリマー層を構成するポリマーの一部が上記液晶層へ溶出する可能性が大幅に少なくなるため、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制することができる。

上記光配向膜は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーを含有することが好ましい。これらのポリマーは、ポリマーを合成する段階で重量平均分子量を大きくできる。そのため、上記光配向膜が、これらのポリマーを含有することで、液晶表示装置の使用時に低分子成分が液晶層に溶出することによる不純物由来の焼き付き（ＶＨＲの低下や残留ＤＣの発生）を、より低減することができる。

上記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶材料を含有することが好ましい。
光配向膜の光反応性官能基から発生したラジカルは、誘電率異方性が負の液晶材料に転移しやすい。そのため、負の誘電異方性を有する液晶材料を用いた場合に、正の誘電異方性を有する液晶材料を用いた場合に比べて、より効果的にＶＨＲの低下及びコントラストの低下を抑制することができる。

上記液晶表示装置の表示モードは、ねじれネマティック（ＴＮ）モード、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モード、イン・プレーン・スイッチング（ＩＰＳ）モード、フリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）モード、垂直配向（ＶＡ）モード、又は、ねじれネマティック垂直配向（ＶＡＴＮ）モードであることが好ましい。

本発明の別の一態様は、一対の基板の少なくとも一方に光配向膜を形成する工程と、上記少なくとも一方に光配向膜が形成された一対の基板間に、液晶材料と、下記化学式（１）で表されるエポキシ系モノマーと、下記化学式（２）で表される硬化剤とを含有する液晶組成物を封入し、液晶層を形成する工程と、上記液晶層を加熱し、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とを反応させることにより、上記光配向膜と上記液晶層との間にポリマー層を形成する熱硬化工程とを有する液晶表示装置の製造方法であってもよい。

（式中、ｎ３は、１～１８の整数である。）

上記液晶層を加熱し、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とを反応させることにより、上記光配向膜と上記液晶層との間にポリマー層を形成する熱硬化工程とを有することで、上記光配向膜中の光反応性官能基と上記液晶層中の液晶分子とが直接接触する領域（面積）を小さくすることができる。したがって、バックライトからの紫外線又は可視光により、例え光配向膜中の光反応性官能基からラジカルが発生したとしても、該ラジカルが液晶分子に転移することを抑制できる。また、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とを熱重合させてポリマー層を形成することから、ポリマー層の形成時に液晶層に光を照射する必要がない。そのため、ポリマー層の形成時に光配向膜からラジカルが発生することを抑制できる。

上記熱硬化工程は、上記液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より低い温度であり、かつ、上記エポキシ系モノマーと上記硬化剤とが反応する硬化反応点以上の温度で行われることが好ましい。

上記光配向膜は、光反応性官能基を有するポリマーを含み、上記光配向膜を形成する工程では、光反応性官能基を有するポリマーに偏光紫外光を照射することが好ましい。

上記光反応性官能基は、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基であることが好ましい。
これらの光反応性官能基は、３６０ｎｍ以上の波長域で光を吸収するため、光配向処理時に照射される光や液晶表示装置の使用時のバックライトからの光によって分解し、ラジカルとなるおそれがある。そのため、上記光反応性官能基が、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基である場合に、より効果的にＶＨＲの低下及びコントラストの低下を抑制することができる。

上記光配向膜は、カルボキシル基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基を有するポリマーは、更に、カルボキシル基を有してもよい。上記液晶層を加熱することで、上記カルボキシル基と上記エポキシ系モノマーとを結合させることがより好ましい。液晶層を加熱することにより、上記光配向膜中のカルボキシル基を有するポリマー、及び／又は、上記光反応性官能基を有するポリマーが有するカルボキシル基と、上記ポリマー層を構成するエポキシ系モノマーのエポキシ基とが熱反応により結合する。これにより、光配向膜とポリマー層とを化学結合させることができ、ポリマー層を構成するポリマーの一部が上記液晶層へ溶出する可能性が大幅に少なくなるため、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制することができる。

上記光配向膜は、エポキシ基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基を有するポリマーは、更に、エポキシ基を有することが好ましい。上記液晶層を加熱することで、上記エポキシ基と上記硬化剤とを結合させることがより好ましい。液晶層を加熱することにより、上記光配向膜中のエポキシ基を有するポリマー、及び／又は、上記光反応性官能基を有するポリマーが有するエポキシ基と、上記ポリマー層が有する硬化剤のアミノ基等とが熱反応により結合する。これにより、光配向膜とポリマー層とを化学結合させることができ、ポリマー層を構成するポリマーの一部が上記液晶層へ溶出する可能性が大幅に少なくなるため、ＶＨＲの低下及びコントラストの低下をより効果的に抑制することができる。

上記光配向膜は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーであることが好ましい。これらのポリマーは、ポリマーを合成する段階で重量平均分子量を大きくできる。そのため、上記光配向膜が、これらのポリマーを含有することで、液晶表示装置の使用時に低分子成分が液晶層に溶出することによる不純物由来の焼き付き（ＶＨＲの低下や残留ＤＣの発生）を、より低減することができる。

以上に示した本発明の各態様は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。

１０、２０：基板
３０：液晶層
３１：エポキシ系モノマー
３２：硬化剤
３３：ラジカル補足剤
４０：光配向膜
５０：ポリマー層
６０：シール材
７０：偏光板
８０：バックライト
１００、２００、３００：液晶表示装置

Claims

一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方と前記液晶層との間に配置された光配向膜と、前記光配向膜と前記液晶層との間に配置されたポリマー層とを有し、
前記ポリマー層は、下記化学式（１）で表されるエポキシ系モノマー由来の構造と、下記化学式（２）で表される硬化剤由来の構造を有することを特徴とする液晶表示装置。

（式中、Ｅｐは、エポキシ基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、又は、炭素数２～１８の、アルキル基、アルキレン基、不飽和アルキル基、若しくは、不飽和アルキレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、若しくは、アルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ｚ^２は、下記化学式（１－１）で表される構造である。
ｎ１は、０、１、２、３、４又は５である。
ｎ２は、０又は１である。）

（式中、ｎ３は、１～１８の整数である。）

（式中、Ｈ^１及びＨ^２は、同一又は異なって、アミノ基、ジメチルアミノ基、ヒドラジド基、又は、イミダゾール基を表す。　
Ｒ^３及びＲ^４は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^３及びＡ^４は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、又は、炭素数２～１８の、アルキル基、アルキレン基、不飽和アルキル基、若しくは、不飽和アルキレン基、－ＣＯ－基、又は、－ＣＯ－ＣＯ－基を表す。
Ａ^３及びＡ^４が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基、－Ｓ－基、又は－ＮＨ－基で置換されていてもよい。
Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、若しくは、アルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^３は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
ｎ４は、０、１、２、３、４又は５である。）
前記エポキシ系モノマーは、下記化学式（３）で表されるモノマーであり、かつ、前記硬化剤は、下記化学式（４）で表されるモノマーであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

（式中、ｎ５は、１～６の整数である。）
前記光配向膜は、光反応性官能基を有するポリマーを含み、
前記光反応性官能基は、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
前記光反応性官能基を有するポリマーは、更に、カルボキシル基を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
前記光反応性官能基を有するポリマーは、更に、エポキシ基を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の液晶表示装置。
前記光配向膜は、カルボキシル基を有するポリマーを含有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記光配向膜は、エポキシ基を有するポリマーを含有することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記カルボキシル基と前記エポキシ系モノマーとが結合していることを特徴とする請求項４又は６に記載の液晶表示装置。
前記エポキシ基と前記硬化剤とが結合していることを特徴とする請求項５又は７に記載の液晶表示装置。
前記光配向膜は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーを含有することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶材料を含有することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶表示装置の表示モードは、ねじれネマティック（ＴＮ）モード、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モード、イン・プレーン・スイッチング（ＩＰＳ）モード、フリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）モード、垂直配向（ＶＡ）モード、又は、ねじれネマティック垂直配向（ＶＡＴＮ）モードであることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
一対の基板の少なくとも一方に光配向膜を形成する工程と、
前記少なくとも一方に光配向膜が形成された一対の基板間に、液晶材料と、下記化学式（１）で表されるエポキシ系モノマーと、下記化学式（２）で表される硬化剤とを含有する液晶組成物を封入し、液晶層を形成する工程と、
前記液晶層を加熱し、前記エポキシ系モノマーと前記硬化剤とを反応させることにより、前記光配向膜と前記液晶層との間にポリマー層を形成する熱硬化工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（式中、Ｅｐは、エポキシ基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、又は、炭素数２～１８の、アルキル基、アルキレン基、不飽和アルキル基、若しくは、不飽和アルキレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、若しくは、アルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ｚ^２は、下記化学式（１－１）で表される構造である。
ｎ１は、０、１、２、３、４又は５である。
ｎ２は、０又は１である。）

（式中、ｎ３は、１～１８の整数である。）

（式中、Ｈ^１及びＨ^２は、同一又は異なって、アミノ基、ジメチルアミノ基、ヒドラジド基、又は、イミダゾール基を表す。　
Ｒ^３及びＲ^４は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
Ａ^３及びＡ^４は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、１，４－シクロヘキシレン基、又は、炭素数２～１８の、アルキル基、アルキレン基、不飽和アルキル基、若しくは、不飽和アルキレン基、－ＣＯ－基、又は、－ＣＯ－ＣＯ－基を表す。
Ａ^３及びＡ^４が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り、－Ｏ－基、－Ｓ－基、又は－ＮＨ－基で置換されていてもよい。
Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、若しくは、アルキルカルボニルオキシ基であり、Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子のうち、一つ又は二つ以上が置換されていてもよい。
Ｚ^３は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＨＣＯ－基、－ＣＯＮＨ－基、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ（ＣＨ_３）－基、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－基、－ＣＦ_２－基、又は、直接結合を表す。
ｎ４は、０、１、２、３、４又は５である。）
前期熱硬化工程は、前記液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移点より低い温度であり、かつ、前記エポキシ系モノマーと前記硬化剤とが反応する硬化反応点以上の温度で行われることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記光配向膜は、光反応性官能基を有するポリマーを含み、
前記光配向膜を形成する工程では、前記光反応性官能基を有するポリマーに偏光紫外光を照射することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記光反応性官能基は、アゾベンゼン基、カルコン基、又は、シンナメート基であることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記光反応性官能基を有するポリマーは、更に、カルボキシル基を有することを特徴とする請求項１５又は１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記光反応性官能基を有するポリマーは、更に、エポキシ基を有することを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
前記光配向膜は、カルボキシル基を有するポリマーを含有することを特徴とする請求項１３から１８のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
前記光配向膜は、エポキシ基を有するポリマーを含有することを特徴とする請求項１３から１９のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
前記液晶層を加熱することで、前記カルボキシル基と前記エポキシ系モノマーとを結合させることを特徴とする請求項１７又は１９に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記液晶層を加熱することで、前記エポキシ基と前記硬化剤とを結合させることを特徴とする請求項１８又は２０に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記光配向膜は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリビニル、及び、ポリマレイミドからなる群から選ばれるポリマーを含有することを特徴とする請求項１３から２２のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶材料を含有することを特徴とする請求項１３から２３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
前記液晶表示装置の表示モードは、ねじれネマティック（ＴＮ）モード、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モード、イン・プレーン・スイッチング（ＩＰＳ）モード、フリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）モード、垂直配向（ＶＡ）モード、又は、ねじれネマティック垂直配向（ＶＡＴＮ）モードであることを特徴とする請求項１３から２４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。