WO2017098922A1 - Resonator device and method for manufacturing resonator device - Google Patents

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誠之 菊田
多田 斉
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株式会社村田製作所
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type

Abstract

Provided are a resonator device with which excellent connection reliability is stably obtained, and a method for manufacturing said device. A resonator device (10) is provided with dielectric resonators (1), terminals (3), and a combined substrate (4). The dielectric resonator (1) includes a dielectric block (21) in which a hole (24) is formed, an external conductor (22) formed on the outer surface of the dielectric block (21), and an internal conductor (23) formed on the inner surface of the hole (24). The terminal (3) includes an insertion part (31) inserted into the hole (24) and a projecting part (32) projecting from the hole (24). An upper surface electrode (42) to which the projecting part (32) is soldered is formed on the combined substrate (4). A channel (45) is provided on the joined substrate (4) between the upper surface electrodes (42) and the dielectric resonators (1).

Description

共振器装置、および、共振器装置の製造方法Resonator device and method for manufacturing resonator device
 本発明は、誘電体共振器を他の部品にはんだ付けして構成された共振器装置と、その製造方法とに関する。 The present invention relates to a resonator device configured by soldering a dielectric resonator to another component, and a manufacturing method thereof.
 誘電体共振器は、一般に、貫通孔が設けられた誘電体ブロックに内導体および外導体を設けて構成される。このような共振器は、棒状や筒状の端子の一端を誘電体ブロックの貫通孔に挿入し、誘電体ブロックから突出する端子の先端を、他の部品にはんだ付けして利用される(例えば特許文献1参照)。端子を他部品にはんだ付けする際にはんだより先に溶けだすフラックスは、端子や他部品の電極の表面酸化膜を除去し、はんだの濡れ性を改善させる。 A dielectric resonator is generally configured by providing an inner conductor and an outer conductor on a dielectric block provided with a through hole. Such a resonator is used by inserting one end of a rod-like or cylindrical terminal into a through hole of a dielectric block and soldering the tip of the terminal protruding from the dielectric block to another component (for example, Patent Document 1). The flux that is melted before the solder when soldering the terminal to another component removes the surface oxide film of the terminal and the electrode of the other component and improves the wettability of the solder.
実開平4-135001号公報Japanese Utility Model Laid-Open No. 4-135001
 特許文献1に記載の構成では、はんだ付けの際に溶融したフラックスは、端子と他の部品との間に毛管現象が働くことで端子を伝い、誘電体ブロックの貫通孔内の端子と内導体との間の隙間にまで入り込もうとする。これにより、はんだ付けの際に溶融したはんだもフラックスを介して隙間に入り込み、誘電体ブロックの貫通孔内の端子と内導体との間へのはんだの濡れ上がりが生じてしまうことがあった。この現象により、例えばフラックスやはんだの冷熱時に生じる応力集中によって周辺各部の変形や破損が引き起こされ、内導体と端子との接触不良が誘発される等、内導体に対する端子の接続信頼性が低下してしまうことがあった。 In the configuration described in Patent Document 1, the flux that has been melted during soldering travels through the terminal by the action of capillary action between the terminal and other components, and the terminal and inner conductor in the through hole of the dielectric block. Try to get into the gap between. As a result, the solder melted during soldering also enters the gap through the flux, and sometimes the solder gets wet between the terminal in the through hole of the dielectric block and the inner conductor. Due to this phenomenon, for example, deformation and breakage of each part of the periphery due to stress concentration that occurs when the flux or solder is cooled, leading to poor contact between the inner conductor and the terminal, reducing the connection reliability of the terminal to the inner conductor. There was a case.
 そこで、本発明の目的は、良好な接続信頼性を安定して実現することができる共振器装置と、その製造方法とを提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a resonator device capable of stably realizing good connection reliability and a manufacturing method thereof.
 この発明の共振器装置は、孔が形成された誘電体ブロック、前記誘電体ブロックの外面に形成された外導体、および前記孔の内面に形成された内導体、を含む誘電体共振器と、一端側が前記孔に挿入されて前記内導体に接しており、他端側が前記孔から突出している端子と、前記端子の前記孔から突出している領域の一部にはんだ付けされる電極を含む結合基板と、を備え、前記結合基板には、前記電極と前記誘電体共振器との間に開口する空隙部が形成されていることを特徴とする。ここでの空隙部とは、結合基板の電極と誘電体共振器との間に開口するように結合基板に段差、溝、孔、切欠き、へこみなどを設けることで形成される空間である。空隙部は、結合基板を貫通してもよく、結合基板を貫通しなくてもよい。 A resonator device according to the present invention includes a dielectric resonator including a dielectric block having a hole formed therein, an outer conductor formed on an outer surface of the dielectric block, and an inner conductor formed on an inner surface of the hole; A connection including one end inserted into the hole and in contact with the inner conductor, the other end protruding from the hole, and an electrode soldered to a part of the region protruding from the hole of the terminal A gap portion that is opened between the electrode and the dielectric resonator is formed in the coupling substrate. The air gap here is a space formed by providing a step, a groove, a hole, a notch, a dent, etc. in the coupling substrate so as to open between the electrode of the coupling substrate and the dielectric resonator. The void portion may penetrate the coupling substrate or may not penetrate the coupling substrate.
 上記構成では、誘電体共振器に取り付けた端子を結合基板にはんだ付けする際に、結合基板の電極から端子に沿って誘電体共振器側にフラックスが伝わろうとするが、このフラックスは空隙部に滞留する。これにより、誘電体共振器内へのはんだの濡れ上がりを防ぎやすくなり、共振器装置で良好な接続信頼性を安定して実現することが可能になる。 In the above configuration, when the terminal attached to the dielectric resonator is soldered to the coupling substrate, the flux tends to be transmitted from the electrode of the coupling substrate to the dielectric resonator side along the terminal. Stay. This makes it easy to prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator, and it is possible to stably realize good connection reliability in the resonator device.
 前記結合基板は、前記誘電体共振器に接していてもよい。これにより、誘電体共振器に対する結合基板の位置ずれを低減できる。すると、端子によって結合基板の電極と誘電体共振器の内導体とが接続される距離(以下、端子接続長と言う。)に生じる製造ばらつきを低減できる。したがって、端子で生じる寄生インダクタンスのばらつきも低減でき、共振器装置で良好な高周波特性を安定して実現することが可能になる。 The coupling substrate may be in contact with the dielectric resonator. Thereby, the position shift of the coupling substrate with respect to the dielectric resonator can be reduced. Then, it is possible to reduce manufacturing variations that occur in the distance (hereinafter referred to as terminal connection length) where the electrode of the coupling substrate and the inner conductor of the dielectric resonator are connected by the terminal. Therefore, it is possible to reduce variations in parasitic inductance generated at the terminals, and it is possible to stably realize good high frequency characteristics in the resonator device.
 前記端子は、前記孔から直線状に突出することが好ましい。これにより、端子接続長をより短くすることができる。したがって、端子で生じる寄生インダクタンスを低減し、共振器装置の高周波特性を向上させられる。 It is preferable that the terminal protrudes linearly from the hole. Thereby, the terminal connection length can be further shortened. Therefore, the parasitic inductance generated at the terminal can be reduced, and the high frequency characteristics of the resonator device can be improved.
 前記空隙部は、前記端子の突出方向に対して交差する方向に溝状に延びてもよい。これにより、結合基板の電極から端子に沿って誘電体共振器側に伝わろうとするフラックスが多量であっても、フラックスが溝に沿って流出するようになる。このため、誘電体共振器内へのはんだの濡れ上がりがより防ぎやすくなる。 The gap may extend in a groove shape in a direction intersecting the protruding direction of the terminal. Thereby, even if a large amount of flux is transmitted from the electrode of the coupling substrate to the dielectric resonator side along the terminal, the flux flows out along the groove. For this reason, it becomes easier to prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator.
 前記空隙部は、前記端子の突出方向に並んで複数設けられていることが好ましい。このように複数の空隙部を溝状に設けることでも、誘電体共振器内へのはんだの濡れ上がりをより確実に防ぐことができる。更には、前記電極から最も遠い空隙部は、前記電極に最も近い空隙部よりも浅いことが好ましい。このように一部の空隙部を浅くすることで、加工時間を短縮できる。そして、結合基板の電極から最も遠い空隙部が浅くても、この空隙部にはフラックスが到達しにくいので、誘電体共振器内へのはんだの濡れ上がりを十分に防ぐことができる。 It is preferable that a plurality of the gaps are provided side by side in the protruding direction of the terminals. Providing the plurality of gaps in the groove shape in this way can also more reliably prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator. Furthermore, it is preferable that the space farthest from the electrode is shallower than the space closest to the electrode. Thus, the processing time can be shortened by making some of the gaps shallow. And even if the gap part farthest from the electrode of the coupling substrate is shallow, the flux hardly reaches this gap part, so that wetting of the solder into the dielectric resonator can be sufficiently prevented.
 前記空隙部は、孔状であってもよい。これにより、結合基板が薄く小型であっても、結合基板が損壊しにくくなる。なお、この孔は、結合基板を貫通してもよく、結合基板を貫通しなくてもよい。孔が結合基板を貫通する場合には、誘電体共振器内へのはんだの濡れ上がりを防ぎやすい。孔が結合基板を貫通しない場合には、加工時間を短縮できる。 The gap may be a hole. As a result, even if the bonded substrate is thin and small, the bonded substrate is not easily damaged. In addition, this hole may penetrate a coupling substrate and does not need to penetrate a coupling substrate. When the hole penetrates the coupling substrate, it is easy to prevent solder from getting wet into the dielectric resonator. If the holes do not penetrate the bonded substrate, the processing time can be shortened.
 前記電極と前記誘電体共振器との間での前記端子の長さ(端子接続長)は、製造ばらつきの中央値で0.6mm以上1.0mm以下であることが好ましい。仮に端子接続長がこれより短すぎると、結合基板の空隙部を著しく幅狭にする必要が生じてしまう。すると、十分な量のはんだやフラックスを空隙部で捉えることができず、誘電体共振器内へのはんだの濡れ上がりを十分に防ぐことが難しくなる。一方、端子接続長がこれよりも長すぎると、空隙部が設けられなくても誘電体共振器内にはんだの濡れ上がり難くなるので、空隙部を設けることによる効用が低下してしまう。 The length of the terminal (terminal connection length) between the electrode and the dielectric resonator is preferably 0.6 mm or more and 1.0 mm or less as a median of manufacturing variation. If the terminal connection length is too short, the gap of the coupling substrate needs to be remarkably narrowed. Then, a sufficient amount of solder or flux cannot be captured in the gap, and it becomes difficult to sufficiently prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator. On the other hand, if the terminal connection length is longer than this, it is difficult for the solder to get wet in the dielectric resonator even if the gap portion is not provided, so that the utility by providing the gap portion is reduced.
 前記空隙部の深さは、前記結合基板の厚みに対して1/4以上3/4以下であることが好ましい。仮に当該深さがこれよりも浅すぎると、十分な量のはんだを空隙部で捉えることができず、誘電体共振器内へのはんだの濡れ上がりを防ぐことが難しくなる。一方、当該深さがこれよりも深すぎると、結合基板の厚みが薄くなることにより結合基板が損壊しやすくなってしまう。 The depth of the gap is preferably ¼ or more and ¾ or less of the thickness of the combined substrate. If the depth is too shallow, a sufficient amount of solder cannot be captured in the gap, and it becomes difficult to prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator. On the other hand, when the depth is too deep, the combined substrate is likely to be damaged due to the reduced thickness of the combined substrate.
 また、本発明に係る共振器装置の製造方法は、孔が形成されている誘電体ブロック、前記誘電体ブロックの外面に形成されている外導体、および前記孔の内面に形成されている内導体、を含む誘電体共振器を準備し、前記孔から一端側が突出するように、端子を前記孔に挿入し、電極と当該電極から端部までの間に開口する空隙部とが設けられている結合基板を準備し、前記端子の前記孔から突出する部分が前記空隙部を超えて前記電極に沿うように、前記誘電体共振器と前記結合基板とを配置し、前記端子を前記電極にはんだ付けする。これにより、誘電体共振器内へのはんだの濡れ上がりを防ぎやすくなり、良好な接続信頼性を安定して実現することが可能になる。 The method for manufacturing a resonator device according to the present invention includes a dielectric block in which holes are formed, an outer conductor formed on an outer surface of the dielectric block, and an inner conductor formed on an inner surface of the holes. , And a terminal is inserted into the hole so that one end side protrudes from the hole, and an electrode and a gap that opens between the electrode and the end are provided. A coupling substrate is prepared, and the dielectric resonator and the coupling substrate are disposed so that a portion of the terminal protruding from the hole extends along the electrode beyond the gap, and the terminal is soldered to the electrode. Attach. Thereby, it becomes easy to prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator, and it becomes possible to stably realize good connection reliability.
 前記共振器と前記結合基板とを配置する際、前記結合基板を前記誘電体共振器に接触させることが好ましい。これにより、端子接続長に生じる製造ばらつきを低減でき、共振器装置で良好な高周波特性を安定して実現することが可能になる。 It is preferable that when the resonator and the coupling substrate are arranged, the coupling substrate is brought into contact with the dielectric resonator. As a result, manufacturing variations occurring in the terminal connection length can be reduced, and good high frequency characteristics can be stably realized in the resonator device.
 前記結合基板を準備する際、ダイシングにより前記空隙部を溝状に設けることが好ましい。これにより、空隙部を効率的に形成できる。 When preparing the bonded substrate, it is preferable to provide the gap in a groove shape by dicing. Thereby, a space | gap part can be formed efficiently.
 本発明によれば、端子がはんだ付けされる結合基板に、フラックスを滞留させる空隙部が設けられていることによって、端子に沿ってはんだが誘電体共振器内へと濡れ上がることを防ぎやすくなる。したがって、共振器装置において、良好な接続信頼性を安定して実現することが可能になる。 According to the present invention, the coupling substrate to which the terminal is soldered is provided with the gap for retaining the flux, so that it is easy to prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator along the terminal. . Therefore, good connection reliability can be stably realized in the resonator device.
図1は第1の実施形態に係る共振器装置の分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of the resonator device according to the first embodiment. 図2は第1の実施形態に係る共振器装置が備える結合基板の六面図である。FIG. 2 is a hexahedral view of the coupling substrate provided in the resonator device according to the first embodiment. 図3は第1の実施形態に係る共振器装置の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the resonator device according to the first embodiment. 図4(A)は第1の実施形態に係る共振器装置の製造方法を示すフローチャートである。図4(B)は第1の実施形態に係る共振器装置の製造過程におけるはんだ付けに係る工程を示すフローチャートである。FIG. 4A is a flowchart showing a method for manufacturing the resonator device according to the first embodiment. FIG. 4B is a flowchart showing a process related to soldering in the manufacturing process of the resonator device according to the first embodiment. 図5(A)は第1の実施形態に係る共振器装置の断面図である。図5(B)は第1の比較例に係る共振器装置の断面図である。図5(C)は第2の比較例に係る共振器装置の断面図である。FIG. 5A is a cross-sectional view of the resonator device according to the first embodiment. FIG. 5B is a cross-sectional view of the resonator device according to the first comparative example. FIG. 5C is a cross-sectional view of the resonator device according to the second comparative example. 図6(A)および図6(B)は第1の実施形態に係る共振器装置と第2の比較例に係る共振器装置との製造ばらつきについて説明する図である。FIG. 6A and FIG. 6B are diagrams for explaining manufacturing variations between the resonator device according to the first embodiment and the resonator device according to the second comparative example. 図7は第2の実施形態に係る共振器装置の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the resonator device according to the second embodiment. 図8は第3の実施形態に係る共振器装置が備える結合基板の六面図である。FIG. 8 is a six-sided view of the coupling substrate provided in the resonator device according to the third embodiment. 図9は第4の実施形態に係る共振器装置が備える結合基板の六面図である。FIG. 9 is a six-sided view of the coupling substrate provided in the resonator device according to the fourth embodiment.
 以下、共振器装置を実施するための形態を、フィルタ装置を構成する場合を例に説明する。なお、以下に示す各実施形態はあくまで例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。 Hereinafter, a mode for implementing the resonator device will be described by taking a case of configuring a filter device as an example. In addition, each embodiment shown below is an illustration to the last, and the partial substitution or combination of the structure shown in different embodiment is possible.
《第1の実施形態》
 図1は、第1の実施形態に係るフィルタ装置10を分解した状態で視た分解斜視図である。以下、フィルタ装置10における図1中の左手前側の面を正面と称し、フィルタ装置10におけるその逆側の面を背面と称する。また、フィルタ装置10における図1中の右手前側の面を右側面と称し、フィルタ装置10におけるその逆側の面を左側面と称する。また、フィルタ装置10における図1中の上側の面を上面と称し、フィルタ装置10におけるその逆側の面を下面と称する。
<< First Embodiment >>
FIG. 1 is an exploded perspective view of the filter device 10 according to the first embodiment viewed in an exploded state. Hereinafter, the left front surface in FIG. 1 of the filter device 10 is referred to as a front surface, and the opposite surface of the filter device 10 is referred to as a back surface. Further, the right front surface in FIG. 1 of the filter device 10 is referred to as a right side surface, and the opposite surface of the filter device 10 is referred to as a left side surface. Further, the upper surface in FIG. 1 of the filter device 10 is referred to as an upper surface, and the opposite surface of the filter device 10 is referred to as a lower surface.
 まず、フィルタ装置10の概略の構成について説明する。フィルタ装置10は、誘電体共振器1と、端子3と、結合基板4と、を備えている。 First, a schematic configuration of the filter device 10 will be described. The filter device 10 includes a dielectric resonator 1, a terminal 3, and a coupling substrate 4.
 誘電体共振器1は、誘電体ブロック21と、外導体22と、内導体23とを備えている。誘電体ブロック21は、正面側に開口するように孔24が形成されている。外導体22は、誘電体ブロック21の外面に形成されている。内導体23は、孔24の内面に形成されている。 The dielectric resonator 1 includes a dielectric block 21, an outer conductor 22, and an inner conductor 23. The dielectric block 21 is formed with holes 24 so as to open to the front side. The outer conductor 22 is formed on the outer surface of the dielectric block 21. The inner conductor 23 is formed on the inner surface of the hole 24.
 端子3は、正面側(一端側)が孔24から突出する突出部32として構成されている。端子3は、背面側(他端側)が孔24に挿入される挿入部31として構成されている。突出部32は、孔24から誘電体ブロック21の正面方向に直線状に突出している。なお、端子3は、少なくとも一部が孔24に挿入され、他の少なくとも一部が孔24から突出すれば、どのような形状であってもよい。例えば、突出部32が湾曲や屈曲して延びるような形状であってもよい。 The terminal 3 is configured as a protruding portion 32 whose front side (one end side) protrudes from the hole 24. The terminal 3 is configured as an insertion portion 31 whose back side (the other end side) is inserted into the hole 24. The protruding portion 32 protrudes linearly from the hole 24 in the front direction of the dielectric block 21. The terminal 3 may have any shape as long as at least a part is inserted into the hole 24 and at least another part protrudes from the hole 24. For example, the protrusion 32 may be curved or bent and extend.
 結合基板4は、誘電体ブロック21の正面側に配置されている。結合基板4の背面は誘電体ブロック21の正面に接している。結合基板4は、上面に上面電極42を備えている。上面電極42は、端子3の孔24から突出している領域の一部、具体的には、突出部32の先端側がはんだ付けされている。また、結合基板4は、上面電極42と誘電体共振器1との間に挟まれる位置、すなわち上面電極42と結合基板4の背面側端部との間の位置に開口するように、溝45が形成されている。溝45は、特許請求の範囲に記載の空隙部に相当するものである。この溝45は、端子3のはんだ付けの際に、結合基板4の上面電極42から誘電体共振器1の孔24まで端子3に沿って伝おうとするフラックスを留まらせる。したがって、溝45を設けることにより、誘電体共振器1内へのはんだの濡れ上がりを防ぎやすくなる。 The coupling substrate 4 is disposed on the front side of the dielectric block 21. The back surface of the coupling substrate 4 is in contact with the front surface of the dielectric block 21. The coupling substrate 4 includes an upper surface electrode 42 on the upper surface. The upper surface electrode 42 is soldered to a part of the region protruding from the hole 24 of the terminal 3, specifically, the distal end side of the protruding portion 32. In addition, the coupling substrate 4 has a groove 45 so as to open at a position sandwiched between the upper surface electrode 42 and the dielectric resonator 1, that is, a position between the upper surface electrode 42 and the rear side end portion of the coupling substrate 4. Is formed. The groove 45 corresponds to a gap described in the claims. When the terminal 3 is soldered, the groove 45 retains a flux that is transmitted along the terminal 3 from the upper surface electrode 42 of the coupling substrate 4 to the hole 24 of the dielectric resonator 1. Therefore, providing the groove 45 makes it easy to prevent solder from getting wet into the dielectric resonator 1.
 次に、本実施形態に係るフィルタ装置10の詳細について説明する。誘電体共振器1と端子3とは、それぞれ7つ設けられている。また、フィルタ装置10は、更に、基板5と台座6と、を備えている。7つの誘電体共振器1と台座6とは、それぞれ基板5の上面に搭載されている。結合基板4は、台座6の上面に搭載されている。7つの誘電体共振器1は、基板5の左側面側から右側面側にかけて順番に並べられている。結合基板4および台座6は、7つの誘電体共振器1の正面側に配置されている。なお、フィルタ装置10における誘電体共振器1の個数は7個に限られるものではなく、単数を含む任意の個数とすることができる。 Next, details of the filter device 10 according to the present embodiment will be described. Seven dielectric resonators 1 and seven terminals 3 are provided. The filter device 10 further includes a substrate 5 and a pedestal 6. The seven dielectric resonators 1 and the pedestal 6 are respectively mounted on the upper surface of the substrate 5. The coupling substrate 4 is mounted on the upper surface of the base 6. The seven dielectric resonators 1 are arranged in order from the left side surface to the right side surface of the substrate 5. The coupling substrate 4 and the base 6 are disposed on the front side of the seven dielectric resonators 1. Note that the number of dielectric resonators 1 in the filter device 10 is not limited to seven, and may be any number including a single.
 誘電体ブロック21は、LTCC(低温同時焼結セラミックス)などの誘電体材料からなる。誘電体ブロック21は、正面および背面が正方形で、正面と背面との間を長手とする直方体である。例えば、誘電体ブロック21の正面および背面のサイズは7mm×7mmである。誘電体ブロック21の正面と背面との間の長さは、各々が所望の共振器長が得られるように設定される。また、孔24は、誘電体ブロック21の正面-背面間を貫通している。例えば孔24の径はφ2.6mm程度である。外導体22は、誘電体ブロック21の外面のうち、正面を除く他の五面それぞれの全面を覆うように設けられている。内導体23は、孔24の内面を覆うように設けられていて、背面側が外導体22に接続されている。このような構成によって、誘電体共振器1は1/4波長誘電体同軸共振器を構成している。 The dielectric block 21 is made of a dielectric material such as LTCC (low temperature co-sintered ceramics). The dielectric block 21 is a rectangular parallelepiped having a square front and back and a length between the front and back. For example, the size of the front and back surfaces of the dielectric block 21 is 7 mm × 7 mm. The length between the front surface and the back surface of the dielectric block 21 is set so that each has a desired resonator length. Further, the hole 24 penetrates between the front surface and the back surface of the dielectric block 21. For example, the diameter of the hole 24 is about φ2.6 mm. The outer conductor 22 is provided so as to cover the entire surface of the other five surfaces except the front surface of the outer surface of the dielectric block 21. The inner conductor 23 is provided so as to cover the inner surface of the hole 24, and the back side is connected to the outer conductor 22. With such a configuration, the dielectric resonator 1 constitutes a quarter wavelength dielectric coaxial resonator.
 なお、誘電体共振器1は、必ずしも1/4波長誘電体同軸共振器を構成するものに限られず、誘電体ブロック21から端子3が突出する構成であればどのような構成であってもよい。例えば、内導体23の両端を外導体22に接続せずに開放端とした1/2波長誘電体同軸共振器として構成することもできる。 The dielectric resonator 1 is not necessarily limited to the one constituting the quarter wavelength dielectric coaxial resonator, and may be any configuration as long as the terminal 3 protrudes from the dielectric block 21. . For example, the inner conductor 23 can be configured as a half-wavelength dielectric coaxial resonator in which both ends of the inner conductor 23 are not connected to the outer conductor 22 but are open ends.
 端子3は、銅やアルミニウムなどの素材からなる一体の金属板から構成されている。挿入部31は、金属板の一端側の両側方を湾曲させて、軸方向に切れ込みを有する筒状に構成されている。突出部32は、金属板から挿入部31の軸方向に延伸する舌状に構成されている。挿入部31は、誘電体ブロック21の孔24に嵌合され、孔24の内部に設けられている内導体23に弾性的に接触している。 The terminal 3 is composed of an integral metal plate made of a material such as copper or aluminum. The insertion portion 31 is formed in a cylindrical shape having a cut in the axial direction by curving both sides on one end side of the metal plate. The protruding portion 32 is configured in a tongue shape extending from the metal plate in the axial direction of the insertion portion 31. The insertion portion 31 is fitted into the hole 24 of the dielectric block 21 and elastically contacts the inner conductor 23 provided inside the hole 24.
 なお、端子3の挿入部31は、必ずしも筒状に限られず、棒状や線材状など任意の形状とすることができる。ただし、端子3と内導体23との接続信頼性を高めるためには、端子3の挿入部31は、筒状のような弾性的に内導体23に接する形状とすることが好ましい。 In addition, the insertion part 31 of the terminal 3 is not necessarily limited to a cylindrical shape, and may have an arbitrary shape such as a rod shape or a wire shape. However, in order to improve the connection reliability between the terminal 3 and the inner conductor 23, it is preferable that the insertion portion 31 of the terminal 3 has a shape that is elastically in contact with the inner conductor 23, such as a cylindrical shape.
 結合基板4は、上面電極42よりも誘電体共振器1側、すなわち背面側に隣接して、端子3の突出方向に対して交差する方向に延びる溝45が設けられている。溝45は、結合基板4をダイシングすることなどによって容易に形成することができる。 The coupling substrate 4 is provided with a groove 45 extending in a direction intersecting the protruding direction of the terminal 3 adjacent to the dielectric resonator 1 side, that is, the back surface side from the upper surface electrode 42. The groove 45 can be easily formed by dicing the coupling substrate 4 or the like.
 図2は、結合基板4の六面図である。ここで示す結合基板4は、板材41と上面電極42と下面電極43とを備えている。板材41は、LTCCやガラスエポキシなどの誘電体からなる。板材41は、平面視して左側面と右側面との間を長手とする板状であり、溝45によって上面の正面側が高く上面の背面側が低い2段の階段状に構成されている。すなわち、溝45は、板材41の左側面から右側面にかけて延び、板材41の背面および上面に開口している。ここでは、溝45が板材41の左側面から右側面にかけて延びる形状であるために、仮に、端子3を伝おうとするフラックスが多量であっても、それらは溝45に到達すると溝45に沿って流出する。これにより、端子3を伝おうとするはんだが、溝45付近に確実に留まる。したがって、誘電体共振器1内へのはんだの濡れ上がりを防ぎやすくなる。また、溝45が板材41の背面にも開口することによって、溝45の容積を最大化することができ、このことによっても、誘電体共振器1内へのはんだの濡れ上がりを、より防ぎやすくなる。 FIG. 2 is a six-sided view of the combined substrate 4. The coupling substrate 4 shown here includes a plate material 41, an upper surface electrode 42, and a lower surface electrode 43. The plate 41 is made of a dielectric material such as LTCC or glass epoxy. The plate member 41 has a plate shape having a length between the left side surface and the right side surface as viewed in plan, and is configured by a groove 45 in a two-step shape having a high front side on the top surface and a low back side on the top surface. That is, the groove 45 extends from the left side surface to the right side surface of the plate material 41 and opens on the back surface and the top surface of the plate material 41. Here, since the groove 45 has a shape extending from the left side surface to the right side surface of the plate material 41, even if a large amount of flux is transmitted through the terminal 3, when the flux 45 reaches the groove 45, the groove 45 extends along the groove 45. leak. Thereby, the solder which is going to propagate through the terminal 3 stays in the vicinity of the groove 45 reliably. Therefore, it becomes easy to prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator 1. Further, since the groove 45 is also opened on the back surface of the plate member 41, the volume of the groove 45 can be maximized, and this also makes it easier to prevent the solder from getting wet into the dielectric resonator 1. Become.
 上面電極42は、板材41の上面における上段部分に合計7つ、左側面側から右側面側にかけて順番に並べられている。各上面電極42は、7つの誘電体共振器1および端子3のいずれかに対応していて、それぞれに対応する端子3がはんだ付けされている。下面電極43は、板材41の下面に合計2つ設けられており、それぞれ両端の上面電極42の一方または他方に対向している。2つの下面電極43は、それぞれ両端の上面電極42の一方または他方に板材41を介して対向することで容量結合している。また、各上面電極42は互い間隔を空けて隣接することで容量結合している。これにより結合基板4は、容量素子として構成されている。 The upper surface electrode 42 is arranged in order from the left side surface side to the right side surface side in a total of seven on the upper portion of the upper surface of the plate member 41. Each upper surface electrode 42 corresponds to one of the seven dielectric resonators 1 and the terminal 3, and the corresponding terminal 3 is soldered. A total of two lower surface electrodes 43 are provided on the lower surface of the plate member 41 and face one or the other of the upper surface electrodes 42 at both ends. The two lower surface electrodes 43 are capacitively coupled by facing one or the other of the upper surface electrodes 42 at both ends via the plate material 41. The upper surface electrodes 42 are capacitively coupled by being adjacent to each other with a space therebetween. Thereby, the coupling substrate 4 is configured as a capacitive element.
 図1に示す台座6は、ここでは、結合基板4の基板5からの高さや前後の配置を調整可能とするために設けている。台座6は、必須ではなく、設けられていなくてもよい。すなわち、結合基板4は、直接的に基板5に実装されていてもよい。台座6は、板材61と、2つの上面電極62と、2つの下面電極63と、を備えている。板材61は、LTCCやガラスエポキシなどの絶縁体からなる。該板材61は、平面視して左側面と右側面との間を長手とする長方形の平板である。2つの上面電極62は、板材61の上面に設けられており、結合基板4の2つの下面電極43の一方または他方に対応する位置に配置され、結合基板4の2つの下面電極43の一方または他方に接合されている。2つの下面電極63は、板材61の下面に設けられており、2つの上面電極62の一方または他方に対応する位置に配置され、2つの上面電極62の一方または他方にスルーホールなどを介して導通している。なお、台座6は、結合基板4の2つの下面電極43毎に別体に構成されて、合計2つ設けられていてもよい。このような場合、台座6は、全体が金属材料で構成されていてもよい。 Here, the pedestal 6 shown in FIG. 1 is provided so that the height of the combined substrate 4 from the substrate 5 and the arrangement of the front and rear can be adjusted. The pedestal 6 is not essential and may not be provided. That is, the combined substrate 4 may be directly mounted on the substrate 5. The pedestal 6 includes a plate material 61, two upper surface electrodes 62, and two lower surface electrodes 63. The plate member 61 is made of an insulator such as LTCC or glass epoxy. The plate member 61 is a rectangular flat plate having a length between the left side surface and the right side surface in plan view. The two upper surface electrodes 62 are provided on the upper surface of the plate material 61, are arranged at positions corresponding to one or the other of the two lower surface electrodes 43 of the coupling substrate 4, and either one of the two lower surface electrodes 43 of the coupling substrate 4 or It is joined to the other. The two lower surface electrodes 63 are provided on the lower surface of the plate member 61 and are arranged at positions corresponding to one or the other of the two upper surface electrodes 62, and through one or the other of the two upper surface electrodes 62 via a through hole or the like. Conducted. The pedestal 6 may be configured separately for each of the two lower surface electrodes 43 of the coupling substrate 4, and a total of two pedestals 6 may be provided. In such a case, the pedestal 6 may be entirely made of a metal material.
 基板5は、板材51と、2つの接続電極52と、接地電極53と、を備えている。板材51は、ガラスエポキシなどからなる概略正方形状の平板である。例えば、板材51のサイズは、52×17×0.8mm程度である。2つの接続電極52は、基板5の上面に設けられており、台座6の2つの下面電極63の一方または他方に対応する位置に配置され、台座6の2つの下面電極63の一方または他方に接合されている。接地電極53は、基板5の上面に設けられており、7つの誘電体共振器1それぞれの外導体22に対応する位置に配置され、7つの誘電体共振器1それぞれの外導体22に接合されている。 The substrate 5 includes a plate material 51, two connection electrodes 52, and a ground electrode 53. The plate material 51 is a substantially square flat plate made of glass epoxy or the like. For example, the size of the plate material 51 is about 52 × 17 × 0.8 mm. The two connection electrodes 52 are provided on the upper surface of the substrate 5, arranged at positions corresponding to one or the other of the two lower surface electrodes 63 of the pedestal 6, and disposed on one or the other of the two lower surface electrodes 63 of the pedestal 6. It is joined. The ground electrode 53 is provided on the upper surface of the substrate 5, arranged at a position corresponding to the outer conductor 22 of each of the seven dielectric resonators 1, and joined to the outer conductor 22 of each of the seven dielectric resonators 1. ing.
 なお、ここでは基板5に、誘電体共振器1、結合基板4、台座6等の各部材を表面実装しているが、本発明は、少なくとも誘電体共振器1の端子が他部材にはんだ付けされる構成であればよく、フィルタ装置10はこの構成に限られるものではない。例えば、基板5や台座6は設けられていなくてもよい。また、一部の部材が基板5に内蔵されていたり、一部の部材がリード挿入形の部品で構成されていたりしてもよい。 Here, each member such as the dielectric resonator 1, the coupling substrate 4, and the pedestal 6 is surface-mounted on the substrate 5. However, in the present invention, at least the terminals of the dielectric resonator 1 are soldered to other members. The filter device 10 is not limited to this configuration. For example, the substrate 5 and the pedestal 6 may not be provided. Also, some members may be built in the substrate 5, or some members may be constituted by lead insertion type components.
 第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、以上の構成を備えて、バンドパスフィルタ回路を構成している。図3は、フィルタ装置10の等価回路図である。 The filter device 10 according to the first embodiment has the above-described configuration and forms a band-pass filter circuit. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the filter device 10.
 図3中に示す7つの共振器Reは、それぞれ上記誘電体共振器1、すなわち、1/4波長誘電体同軸共振器である。6つの容量Ckは、結合基板4の互いに隣接する上面電極42間に生じる容量である。容量Ceは、結合基板4の上面電極42と下面電極43との間に生じる容量である。このため、該フィルタ装置は、7段の共振器回路として構成されている。そして、該共振器回路は、2つの容量Ceを介して、基板5の接続電極52(外部接続端)に接続されている。 Each of the seven resonators Re shown in FIG. 3 is the dielectric resonator 1, that is, a quarter wavelength dielectric coaxial resonator. The six capacitors Ck are capacitors generated between the adjacent upper surface electrodes 42 of the coupling substrate 4. The capacitance Ce is a capacitance generated between the upper surface electrode 42 and the lower surface electrode 43 of the coupling substrate 4. For this reason, the filter device is configured as a seven-stage resonator circuit. The resonator circuit is connected to the connection electrode 52 (external connection end) of the substrate 5 through two capacitors Ce.
 なお、ここでは、フィルタ装置10によりバンドパスフィルタ回路を構成しているが、本発明に係る共振器装置は、バンドパスフィルタ回路に限らず、帯域阻止フィルタ回路(BEF)など、他のフィルタ回路を構成することもできる。また、本発明に係る共振器装置は、フィルタ回路の他、発振回路など共振器を利用するその他の回路を構成することもできる。 Here, the band pass filter circuit is configured by the filter device 10, but the resonator device according to the present invention is not limited to the band pass filter circuit, but other filter circuits such as a band rejection filter circuit (BEF). Can also be configured. In addition, the resonator device according to the present invention may constitute other circuits using the resonator such as an oscillation circuit in addition to the filter circuit.
 また、第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、次に例示するような製造方法によって製造することができる。 Further, the filter device 10 according to the first embodiment can be manufactured by a manufacturing method as exemplified below.
 図4(A)は、フィルタ装置10の製造方法の一例を示すフローチャートである。フィルタ装置10の製造工程では、準備工程S1と、実装工程S2と、を行う。準備工程S1は、誘電体共振器1、端子3、結合基板4、基板5、および台座6をそれぞれ単体の部材状態で準備する工程である。実装工程S2は、誘電体共振器1の孔24に端子3を挿入し、端子3を結合基板4にはんだ付けし、台座6と結合基板4とを接合し、7つの誘電体共振器1、台座6、および結合基板4を基板5上に実装する工程である。 FIG. 4A is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the filter device 10. In the manufacturing process of the filter device 10, a preparation process S1 and a mounting process S2 are performed. The preparation step S1 is a step of preparing the dielectric resonator 1, the terminal 3, the coupling substrate 4, the substrate 5, and the pedestal 6 in a single member state. In the mounting step S2, the terminal 3 is inserted into the hole 24 of the dielectric resonator 1, the terminal 3 is soldered to the coupling substrate 4, the base 6 and the coupling substrate 4 are joined, and the seven dielectric resonators 1, In this step, the base 6 and the coupling substrate 4 are mounted on the substrate 5.
 なお、準備工程S1においては、結合基板4を準備する際に、平板状の板材41をダイシングすることによって溝45を形成することが好ましい。ただし、溝45の形成方法はダイシングに限られず、幅の異なる複数のシートを積層することで溝45を形成する等の他の方法を採用してもよい。また、実装工程S2においては、はんだペーストをリフロー炉等で加熱することにより、各部材間の接合を行うことが好ましい。ただし、各部材間の接合は、はんだペーストの加熱に限られず、はんだゴテによる加熱により実現することもできる。また、端子3と結合基板4との間がはんだ付けされるならば、その他の部材間はどのように接合されてもよく、例えば、導電性接着剤により他の部材間の接合を実現するようにしてもよい。また、端子3と結合基板4との間のはんだ付けは、他の部材間の接合と同時に実現する他、他の部材間の接合の後工程として実現してもよく、また、他の部材間の接合の前工程として実現してもよい。 In the preparation step S1, it is preferable to form the groove 45 by dicing the flat plate material 41 when preparing the bonding substrate 4. However, the method for forming the groove 45 is not limited to dicing, and other methods such as forming the groove 45 by stacking a plurality of sheets having different widths may be adopted. Further, in the mounting step S2, it is preferable to join the members by heating the solder paste in a reflow furnace or the like. However, the joining between the members is not limited to the heating of the solder paste, but can be realized by heating with a soldering iron. Further, if the terminal 3 and the coupling substrate 4 are soldered, the other members may be joined in any manner. For example, the joining between the other members may be realized by a conductive adhesive. It may be. Further, the soldering between the terminal 3 and the coupling substrate 4 may be realized simultaneously with the joining between the other members, or may be realized as a subsequent process of the joining between the other members, or between the other members. It may be realized as a pre-process of bonding.
 図4(B)は、端子3を結合基板4にはんだ付けする工程についてより詳細を説明するフローチャートである。 FIG. 4B is a flowchart for explaining in more detail the process of soldering the terminal 3 to the coupling substrate 4.
 実装工程S2においては、第1乃至第4のステップを順に行う。第1のステップS21では、端子3と結合基板4の上面電極42とを接続するためのフラックスを含むはんだペーストを準備する。例えば、結合基板4の上面電極42に、フラックスを含むはんだペーストを塗布する。第2のステップS22では、結合基板4の溝45が設けられている側の面、すなわち背面に、誘電体共振器1の正面を接触させ、端子3が溝45を超えて上面電極42に沿うように、誘電体共振器1と結合基板4とを配置する。第3のステップS23では、加熱および冷熱することにより、はんだを溶融および固化させて端子3と上面電極42とを接合させる。第4のステップS24では、フラックスを洗浄する。 In the mounting process S2, the first to fourth steps are sequentially performed. In the first step S21, a solder paste containing a flux for connecting the terminal 3 and the upper surface electrode 42 of the coupling substrate 4 is prepared. For example, a solder paste containing flux is applied to the upper surface electrode 42 of the combined substrate 4. In the second step S22, the front surface of the dielectric resonator 1 is brought into contact with the surface of the coupling substrate 4 on which the groove 45 is provided, that is, the back surface, and the terminal 3 extends along the upper surface electrode 42 beyond the groove 45. As described above, the dielectric resonator 1 and the coupling substrate 4 are arranged. In the third step S23, the terminal 3 and the upper surface electrode 42 are joined by melting and solidifying the solder by heating and cooling. In the fourth step S24, the flux is washed.
 なお、ここでは、第3のステップS23で、結合基板4の背面に、誘電体共振器1の正面を接触させるが、結合基板4と誘電体共振器1とは間隔を空けて離れるように配置されてもよい。また、第4のステップS24は必ずしも行わなくてもよい。 Here, in the third step S23, the front surface of the dielectric resonator 1 is brought into contact with the back surface of the coupling substrate 4, but the coupling substrate 4 and the dielectric resonator 1 are arranged so as to be spaced apart from each other. May be. Further, the fourth step S24 is not necessarily performed.
 これらの第1乃至第4のステップS21~S24の過程で、はんだおよびフラックスは以下の状態となる。 In the course of these first to fourth steps S21 to S24, the solder and flux are in the following states.
 図5(A)は、フィルタ装置10の製造時に、端子3を結合基板4にはんだ付けする際の状態を模式的に示す断面図である。このフィルタ装置10においては、結合基板4の背面に、誘電体共振器1の正面が接する。また、結合基板4は背面側に溝45が設けられている。 FIG. 5A is a cross-sectional view schematically showing a state in which the terminal 3 is soldered to the coupling substrate 4 when the filter device 10 is manufactured. In the filter device 10, the front surface of the dielectric resonator 1 is in contact with the back surface of the coupling substrate 4. The coupling substrate 4 is provided with a groove 45 on the back side.
 端子3が、結合基板4の上面に設けられた上面電極42にはんだ付けされる際には、結合基板4の上面電極42に塗りつけられたフラックスを含むはんだペーストが、リフロー等により、はんだ材料の溶融温度以上の温度に加熱される。これにより、はんだペーストに含まれるはんだ47およびフラックス46が溶融し、溶融したフラックス46は、上面電極42の酸化被膜を除去する。このため、溶融したはんだ47は、上面電極42の表面に濡れ広がって、上面電極42からなだらかに盛り上がる形状になる。また、溶融したフラックス46は、はんだ47の表面を覆うとともに、はんだ47および上面電極42の周囲を囲うようになる。 When the terminal 3 is soldered to the upper surface electrode 42 provided on the upper surface of the coupling substrate 4, the solder paste containing the flux applied to the upper surface electrode 42 of the coupling substrate 4 is made of the solder material by reflow or the like. Heated to a temperature above the melting temperature. Thereby, the solder 47 and the flux 46 contained in the solder paste are melted, and the melted flux 46 removes the oxide film on the upper surface electrode 42. For this reason, the melted solder 47 wets and spreads on the surface of the upper surface electrode 42 and becomes a shape that rises gently from the upper surface electrode 42. The melted flux 46 covers the surface of the solder 47 and surrounds the periphery of the solder 47 and the upper surface electrode 42.
 はんだ47およびフラックス46が溶融した状態では、結合基板4と端子3とが対向する微小な間隙部分での毛管現象によって、溶融したフラックス46が端子3に沿って誘電体共振器1側に伝おうとする。しかしながら、溶融したフラックス46は、結合基板4の溝45に到達すると表面張力によって粒状または隅肉状になり、溝45に留ろうとする。これにより、溶融したフラックス46が端子3に沿って誘電体共振器1側に伝わりにくくなり、溶融したはんだ47が、フラックス46を介して誘電体共振器1内へと濡れ上がるようなことが起こり難くなる。 In a state in which the solder 47 and the flux 46 are melted, the melted flux 46 is transmitted along the terminal 3 to the dielectric resonator 1 side by capillarity in a minute gap portion where the coupling substrate 4 and the terminal 3 face each other. To do. However, when the melted flux 46 reaches the groove 45 of the bonded substrate 4, it becomes granular or fillet-like due to surface tension and tends to stay in the groove 45. As a result, the melted flux 46 is hardly transmitted to the dielectric resonator 1 side along the terminals 3, and the melted solder 47 gets wet into the dielectric resonator 1 through the flux 46. It becomes difficult.
 この結果、溶融したはんだ47が誘電体共振器1内へと濡れ上がることにより生じる、接続信頼性の低下を防ぎやすくなる。 As a result, it becomes easy to prevent a decrease in connection reliability caused by the molten solder 47 getting wet into the dielectric resonator 1.
 ここで、端子3の接続信頼性が低下する現象について、第1の比較例を参照して説明する。図5(B)は、第1の比較例に係るフィルタ装置110を模式的に示す断面図である。フィルタ装置110においては、本実施形態に係るフィルタ装置10と相違する構成として、結合基板104を備えている。結合基板104は、溝が形成されていない平板状の構成である。該結合基板104は、誘電体共振器1に近接するように配置されている。 Here, the phenomenon that the connection reliability of the terminal 3 is lowered will be described with reference to the first comparative example. FIG. 5B is a cross-sectional view schematically showing the filter device 110 according to the first comparative example. The filter device 110 includes a coupling substrate 104 as a configuration different from the filter device 10 according to the present embodiment. The coupling substrate 104 has a flat plate structure in which no groove is formed. The coupling substrate 104 is disposed so as to be close to the dielectric resonator 1.
 この構成では、溝が設けられていない平板状の結合基板104に端子3がはんだ付けされる際に、結合基板104と端子3とが対向する微小な間隙部分での毛管現象によって、溶融したフラックス46が端子3を誘電体共振器1側に伝わる。これにより、フラックス46を介して、溶融したはんだ47が誘電体共振器1内に容易に濡れ上がる。 In this configuration, when the terminal 3 is soldered to the flat coupling substrate 104 having no grooves, the melted flux is caused by the capillary phenomenon in the minute gap portion where the coupling substrate 104 and the terminal 3 face each other. 46 transmits the terminal 3 to the dielectric resonator 1 side. As a result, the molten solder 47 is easily wetted into the dielectric resonator 1 via the flux 46.
 フラックス46は通常、絶縁性を有するために、誘電体共振器1にフラックス46が到達すると、誘電体共振器1の内導体23と端子3との間の接続信頼性が低減する。また、誘電体共振器1にはんだ47が到達する場合には、はんだ47の冷熱時に生じる応力集中によって端子3が変形し、端子3が局所的にしか誘電体共振器1の内導体23に接触しなくなる危険性がある。また、更には、はんだ47が誘電体共振器1に伝わることで、結合基板104の上面電極42に付着するはんだ47の分量が減り、結合基板104に対する端子3の接合不良が発生しやすくなる。 Since the flux 46 normally has an insulating property, when the flux 46 reaches the dielectric resonator 1, the connection reliability between the inner conductor 23 of the dielectric resonator 1 and the terminal 3 is reduced. Further, when the solder 47 reaches the dielectric resonator 1, the terminal 3 is deformed by the stress concentration generated when the solder 47 is cooled, and the terminal 3 contacts the inner conductor 23 of the dielectric resonator 1 only locally. There is a risk that it will not. Furthermore, since the solder 47 is transmitted to the dielectric resonator 1, the amount of the solder 47 adhering to the upper surface electrode 42 of the coupling substrate 104 is reduced, and the bonding failure of the terminal 3 to the coupling substrate 104 is likely to occur.
 これらの現象が生じるために、溝が設けられていない結合基板104では、時として端子3の接続不良が生じることがあり、良好な接続信頼性を安定して実現することが難しかった。したがって、図5(A)に示した第1の実施形態に係るフィルタ装置10のように、溝45が設けられた結合基板4を用いることで、図5(B)に示した第1の比較例に係るフィルタ装置110よりも、はんだ47を端子3に沿って誘電体共振器1内へと濡れ上がり難くすることができ、フィルタ装置10において良好な接続信頼性を安定して実現できる。 Due to the occurrence of these phenomena, in the coupling substrate 104 not provided with the groove, the connection failure of the terminal 3 sometimes occurs, and it has been difficult to stably realize good connection reliability. Therefore, as in the filter device 10 according to the first embodiment shown in FIG. 5A, the first comparison shown in FIG. As compared with the filter device 110 according to the example, it is possible to make it difficult for the solder 47 to wet into the dielectric resonator 1 along the terminal 3, and to achieve good connection reliability stably in the filter device 10.
 また、第1の実施形態に係るフィルタ装置10では、溝45によってはんだ47が端子3に沿って誘電体共振器1内へと濡れ上がり難くすることができるために、結合基板4を誘電体共振器1に接するように近接させて配置することが可能になる。このことにより、第1の実施形態に係るフィルタ装置10では、誘電体共振器1に対する結合基板4の位置ずれを抑制することができ、より良好な高周波特性を安定して実現することが可能になる。 Further, in the filter device 10 according to the first embodiment, the solder 47 can be prevented from getting wet into the dielectric resonator 1 along the terminal 3 by the groove 45, so that the coupling substrate 4 is dielectrically resonant. It is possible to arrange them close to each other so as to contact the container 1. As a result, in the filter device 10 according to the first embodiment, it is possible to suppress the displacement of the coupling substrate 4 with respect to the dielectric resonator 1, and to stably realize better high-frequency characteristics. Become.
 以下、フィルタ装置において高周波特性が劣化する現象について、第2の比較例を参照して説明する。図5(C)は、第2の比較例に係るフィルタ装置210を模式的に示す断面図である。フィルタ装置210においては、本実施形態に係るフィルタ装置10と相違する構成として、結合基板204を備えている。結合基板204は、溝が形成されていない平板状の構成である。そして、結合基板204は、誘電体共振器1から大きく離して配置されている。 Hereinafter, the phenomenon in which the high frequency characteristics deteriorate in the filter device will be described with reference to a second comparative example. FIG. 5C is a cross-sectional view schematically showing the filter device 210 according to the second comparative example. The filter device 210 includes a coupling substrate 204 as a configuration different from the filter device 10 according to the present embodiment. The coupling substrate 204 has a flat plate structure in which no groove is formed. Then, the coupling substrate 204 is arranged far away from the dielectric resonator 1.
 この構成では、溝が設けられていない平板状の結合基板204であっても、誘電体共振器1から十分に離して配置されているので、はんだ付けの際に溶融したフラックス46が結合基板204の側面付近で表面張力によって粒状または隅肉状になって留る。このため、第1の実施形態に係るフィルタ装置10と同様に、この第2の比較例に係るフィルタ装置210においては、溶融したはんだ47が端子3に沿って誘電体共振器1へと濡れ上がる危険性は低い。 In this configuration, even if it is a flat plate-like coupling substrate 204 that is not provided with a groove, it is disposed sufficiently away from the dielectric resonator 1, so that the flux 46 that has been melted during soldering is bonded to the coupling substrate 204. It remains in a granular or fillet shape due to surface tension in the vicinity of the side surface. Therefore, similarly to the filter device 10 according to the first embodiment, in the filter device 210 according to the second comparative example, the molten solder 47 wets up to the dielectric resonator 1 along the terminal 3. Risk is low.
 ただし、このように、結合基板204を誘電体共振器1から大きく離して配置すると、結合基板204に位置ずれが生じ易くなる。このため、第2の比較例に係るフィルタ装置210では、端子3によって内導体23を結合基板204の上面電極42に接続する距離(端子接続長)の製造ばらつきが大きくなってしまう。このように、溶融したはんだ47が誘電体共振器1内へと濡れ上がることを確実に防ぐためには、端子接続長を第1の実施形態に係るフィルタ装置10よりも大きくする必要があるが、今度は端子接続長の製造ばらつきが大きくなるという問題が発生してしまう。 However, if the coupling substrate 204 is arranged at a large distance from the dielectric resonator 1 as described above, the coupling substrate 204 is likely to be displaced. For this reason, in the filter device 210 according to the second comparative example, the manufacturing variation of the distance (terminal connection length) for connecting the inner conductor 23 to the upper surface electrode 42 of the coupling substrate 204 by the terminal 3 increases. Thus, in order to reliably prevent the molten solder 47 from getting wet into the dielectric resonator 1, it is necessary to make the terminal connection length larger than that of the filter device 10 according to the first embodiment. This time, there arises a problem that the manufacturing variation of the terminal connection length becomes large.
 このため、第2の比較例に係るフィルタ装置210では、端子3に生じる寄生インダクタンスおよびそのばらつきが大きくなってしまい、フィルタ装置210の高周波特性が劣化するとともにばらつき易くなってしまう。 For this reason, in the filter device 210 according to the second comparative example, the parasitic inductance generated at the terminal 3 and the variation thereof are increased, and the high frequency characteristics of the filter device 210 are deteriorated and easily varied.
 図6(A)は、第1の実施形態に係るフィルタ装置10のサンプルと第2の比較例に係るフィルタ装置210のサンプルとで確認された、端子接続長のばらつきを説明する図である。なお、サンプル試験では、各々のサンプル数を50前後とした。 FIG. 6A is a diagram for explaining the variation in terminal connection length, which is confirmed between the sample of the filter device 10 according to the first embodiment and the sample of the filter device 210 according to the second comparative example. In the sample test, the number of samples was about 50.
 第1の実施形態に係るフィルタ装置10においては、端子接続長の設定値(中央値)、すなわち溝45の幅を約0.6mmとすることで、全てのサンプルで誘電体共振器1へのフラックスおよびはんだの濡れ上がりが生じないことが確認された。また、この設定では、各サンプルにおける端子接続長は、より狭い範囲(およそ-0.04mmから+0.12mmの範囲)でばらつく結果となった。これは、第1の実施形態に係るフィルタ装置10においては、結合基板4が誘電体共振器1に接するように配置されているので、誘電体共振器1に対する結合基板4の位置ずれが生じにくく、溝等の加工精度に応じたばらつきが主体として生じためと考えられる。 In the filter device 10 according to the first embodiment, the set value (median value) of the terminal connection length, that is, the width of the groove 45 is set to about 0.6 mm, so that all the samples are connected to the dielectric resonator 1. It was confirmed that flux and solder do not wet up. Also, with this setting, the terminal connection length in each sample varied within a narrower range (approximately -0.04 mm to +0.12 mm). This is because, in the filter device 10 according to the first embodiment, the coupling substrate 4 is arranged so as to be in contact with the dielectric resonator 1, so that the positional displacement of the coupling substrate 4 with respect to the dielectric resonator 1 is unlikely to occur. It is considered that the variation according to the processing accuracy of the grooves and the like mainly occurs.
 一方、第2の比較例に係るフィルタ装置210においては、端子接続長の設定値(中央値)を約1.0mmとすることで、全てのサンプルで誘電体共振器1へのフラックスおよびはんだの濡れ上がりが生じないことが確認された。そして、この設定では、各サンプルにおける端子接続長は、より広い範囲(およそ-0.16mmから+0.16mmの範囲)でばらつく結果となった。これは、第2の比較例に係るフィルタ装置210においては、結合基板204が誘電体共振器1から大きく離して配置されているので、誘電体共振器1に対する結合基板204の位置ずれが起こり易いためと考えられる。 On the other hand, in the filter device 210 according to the second comparative example, the set value (median value) of the terminal connection length is set to about 1.0 mm, so that flux and solder to the dielectric resonator 1 in all samples are set. It was confirmed that wetting did not occur. In this setting, the terminal connection length in each sample varied in a wider range (approximately −0.16 mm to +0.16 mm). This is because, in the filter device 210 according to the second comparative example, the coupling substrate 204 is arranged at a large distance from the dielectric resonator 1, so that the positional displacement of the coupling substrate 204 with respect to the dielectric resonator 1 is likely to occur. This is probably because of this.
 このようにサンプル試験においては、第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、第2の比較例に係るフィルタ装置210よりも端子接続長のばらつきが生じにくいことが確認された。そして、第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、第2の比較例に係るフィルタ装置210よりも端子接続長を短くしても、誘電体共振器1へのはんだの濡れ上がりが生じ難いことが確認された。 Thus, in the sample test, it was confirmed that the filter device 10 according to the first embodiment is less likely to cause variations in terminal connection length than the filter device 210 according to the second comparative example. The filter device 10 according to the first embodiment is less likely to cause solder wetting to the dielectric resonator 1 even if the terminal connection length is shorter than that of the filter device 210 according to the second comparative example. Was confirmed.
 図6(B)は、第1の実施形態に係るフィルタ装置10と第2の比較例に係るフィルタ装置とで、上記した設定での挿入損失(IL)の中央値、および、当該中央値からのばらつき(差分)が最も大きかったサンプルでの挿入損失(IL)の値とを比較して説明する図である。 FIG. 6B shows the median value of the insertion loss (IL) and the median value at the above setting in the filter device 10 according to the first embodiment and the filter device according to the second comparative example. It is a figure explaining by comparing with the value of the insertion loss (IL) in the sample with the largest variation (difference).
 前述したように、第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、第2の比較例に係るフィルタ装置210よりも、端子接続長の設定値(中央値)がより小さい。このため、第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、第2の比較例に係るフィルタ装置210よりも、端子3に生じる寄生インダクタンスも小さい。したがって、第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、挿入損失(IL)が中央値で約0.71dBとなり、第2の比較例に係るフィルタ装置210における挿入損失(IL)の中央値約0.81dBよりも、約0.1dBだけ挿入損失(IL)の改善がみられた。 As described above, the filter device 10 according to the first embodiment has a smaller terminal connection length setting value (median value) than the filter device 210 according to the second comparative example. For this reason, the filter device 10 according to the first embodiment has a smaller parasitic inductance at the terminal 3 than the filter device 210 according to the second comparative example. Therefore, in the filter device 10 according to the first embodiment, the insertion loss (IL) is about 0.71 dB as a median value, and the median value of the insertion loss (IL) in the filter device 210 according to the second comparative example is about 0. There was an improvement in insertion loss (IL) by about 0.1 dB over .81 dB.
 その上、前述したように第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、第2の比較例に係るフィルタ装置210よりも、端子接続長に生じる製造ばらつきが小さい。このため、第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、第2の比較例に係るフィルタ装置210よりも、端子3で生じる寄生インダクタンスのばらつきも小さい。したがって、第1の実施形態に係るフィルタ装置10は、中央値からのばらつき(差分)が最も大きかったサンプルであっても、挿入損失(IL)の中央値からの差分が約±0.01dBとなり、第2の比較例に係るフィルタ装置210における同等の差分約±0.03dBよりもばらつきの改善がみられた。 Moreover, as described above, the filter device 10 according to the first embodiment has a smaller manufacturing variation in the terminal connection length than the filter device 210 according to the second comparative example. For this reason, the filter device 10 according to the first embodiment has less variation in parasitic inductance generated at the terminal 3 than the filter device 210 according to the second comparative example. Therefore, in the filter device 10 according to the first embodiment, the difference from the median value of the insertion loss (IL) is about ± 0.01 dB even in the sample having the largest variation (difference) from the median value. The variation was improved more than the equivalent difference of about ± 0.03 dB in the filter device 210 according to the second comparative example.
 このようにサンプル試験からも、第1の実施形態に係るフィルタ装置10では、端子3による端子接続長の製造ばらつきを低減でき、良好な高周波特性を安定して実現できることがわかる。 Thus, also from the sample test, it can be seen that the filter device 10 according to the first embodiment can reduce the manufacturing variation of the terminal connection length due to the terminal 3 and can stably realize a good high-frequency characteristic.
 なお、上記のサンプル試験から、端子接続長の数値範囲は、ばらつきの中央値で0.6mm以上1.0mm以下であることが好ましいこともわかる。端子接続長(中央値)が小さいほど、溝45に必要とされる幅寸法が狭くなり、フラックス46およびはんだ47が溝45を超えやすくなるが、上記サンプル試験により、端子接続長(中央値)が0.6mmよりも大きければ、フラックス46およびはんだ47が溝45を超えることが無いことが確認されたためである。また、端子接続長(中央値)が1.0mmよりも大きければ、第2の比較例と同様の端子接続長となるために、高周波特性を改善する効用が薄れるためである。 Note that, from the above sample test, it is also understood that the numerical range of the terminal connection length is preferably 0.6 mm or more and 1.0 mm or less in the median value of variation. The smaller the terminal connection length (median), the narrower the width required for the groove 45, and the flux 46 and solder 47 are more likely to exceed the groove 45. This is because it has been confirmed that the flux 46 and the solder 47 do not exceed the groove 45 if the diameter is larger than 0.6 mm. Further, if the terminal connection length (median value) is larger than 1.0 mm, the terminal connection length is the same as that of the second comparative example, and the utility of improving the high frequency characteristics is diminished.
 なお、上記のサンプル試験で確認される端子接続長に生じる製造ばらつき(第1の実施形態では0.12mm)を考慮すれば、上記の数値範囲は、個別のフィルタ装置10においては端子接続長が0.48mm以上0.88mm以下の範囲に納まることに相当する。更には、端子接続長に生じる製造ばらつきが第2の比較例で0.16mmであることを考慮すると、個別のフィルタ装置10において第2の比較例よりも、ほぼ確実に端子接続長が短くなる数値範囲は、0.48mm以上0.84mm以下である。 In consideration of the manufacturing variation (0.12 mm in the first embodiment) occurring in the terminal connection length confirmed in the sample test, the above numerical range is the terminal connection length in the individual filter device 10. This corresponds to a range of 0.48 mm to 0.88 mm. Furthermore, considering that the manufacturing variation in the terminal connection length is 0.16 mm in the second comparative example, the terminal connection length is almost certainly shorter in the individual filter device 10 than in the second comparative example. The numerical range is 0.48 mm or more and 0.84 mm or less.
 また、第1の実施形態に係るフィルタ装置10において、溝45の深さは、結合基板4の厚みに対して1/4以上3/4以下の範囲内であることが好ましい。仮に当該深さが結合基板4の厚みに対して1/4未満であれば、十分な量のはんだを開口で捉えることができず、はんだが端子に沿って伝って誘電体共振器1に濡れ上がる危険性が高まる。一方、当該深さが結合基板4の厚みに対して3/4を超えると、結合基板の厚みが薄くなりすぎて結合基板が損壊しやすくなってしまう。 Further, in the filter device 10 according to the first embodiment, it is preferable that the depth of the groove 45 is in a range of 1/4 or more and 3/4 or less with respect to the thickness of the combined substrate 4. If the depth is less than ¼ of the thickness of the coupling substrate 4, a sufficient amount of solder cannot be captured at the opening, and the solder travels along the terminals and gets wet with the dielectric resonator 1. The risk of going up increases. On the other hand, if the depth exceeds 3/4 of the thickness of the bonded substrate 4, the bonded substrate becomes too thin and the bonded substrate is easily damaged.
 したがって、これらの数値範囲に納まるように第1の実施形態に係るフィルタ装置10の結合基板4を構成することにより、良好な接続信頼性と良好な高周波特性とをともに安定して実現させることができる。 Therefore, by configuring the coupling substrate 4 of the filter device 10 according to the first embodiment so as to fall within these numerical ranges, it is possible to stably realize both good connection reliability and good high frequency characteristics. it can.
 以上の説明では、端子3として、誘電体共振器1から直線状に突出する構成について説明したが、端子3の突出部を途中で屈曲または湾曲した構成とすることもできる。ただし、高周波特性を向上させるという観点からは、端子接続長をより短くすることが好ましく、上記第1の実施形態で示した構成のように端子3が誘電体共振器1から直線状に突出する構成が望ましい。 In the above description, the configuration in which the terminal 3 projects linearly from the dielectric resonator 1 has been described, but the projecting portion of the terminal 3 may be bent or curved in the middle. However, from the viewpoint of improving the high-frequency characteristics, it is preferable to shorten the terminal connection length, and the terminal 3 projects linearly from the dielectric resonator 1 as in the configuration shown in the first embodiment. Configuration is desirable.
≪第2の実施形態≫
 次に、第2の実施形態に係るフィルタ装置10Aについて説明する。図7は、フィルタ装置10Aの断面図である。
<< Second Embodiment >>
Next, the filter device 10A according to the second embodiment will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view of the filter device 10A.
 フィルタ装置10Aは、第1の実施形態に係る構成と全く同じ部材から構成されており、誘電体共振器1、端子3、結合基板4、基板5、および、台座6を備えている。ただし、ここでは、結合基板4の配置が第1の実施形態と異なっており、結合基板4は、誘電体共振器1の正面から大きく離して配置している。 10A of filter apparatuses are comprised from the completely same member as the structure which concerns on 1st Embodiment, and are provided with the dielectric resonator 1, the terminal 3, the coupling substrate 4, the board | substrate 5, and the base 6. FIG. However, here, the arrangement of the coupling substrate 4 is different from that of the first embodiment, and the coupling substrate 4 is arranged far away from the front surface of the dielectric resonator 1.
 本発明に係る共振器装置は、このような構成を備えていてもよい。この場合には、結合基板4の溝45により、フラックス46およびはんだ47を留めることができる上に、結合基板4と誘電体共振器1との間が大きく離れていることによって、結合基板4の側面付近でも、フラックス46およびはんだ47を留めることができる、したがって、このフィルタ装置10Aによれば、より確実に、誘電体共振器1へのはんだの濡れ上がりを防ぎやすくなる。 The resonator device according to the present invention may have such a configuration. In this case, the flux 46 and the solder 47 can be fastened by the groove 45 of the coupling substrate 4, and the coupling substrate 4 and the dielectric resonator 1 are largely separated from each other. Even near the side surface, the flux 46 and the solder 47 can be fastened. Therefore, according to this filter device 10A, it becomes easier to more reliably prevent solder from getting wet to the dielectric resonator 1.
≪第3の実施形態≫
 次に、第3の実施形態に係るフィルタ装置について説明する。図8は、第3の実施形態に係るフィルタ装置が備える結合基板4Bの六面図である。
<< Third Embodiment >>
Next, a filter device according to a third embodiment will be described. FIG. 8 is a hexahedral view of the coupling substrate 4B provided in the filter device according to the third embodiment.
 結合基板4Bは、第1の実施形態に係る構成と同様に、板材41、上面電極42、および下面電極43を備えている。そして、この結合基板4Bは、第1の実施形態と異なる構成として溝45B,46Bを備えている。溝45B,46Bは、いずれも、上面電極42よりも背面側に開口している。また、溝45B,46Bは、板材41の左側面から右側面にかけて延びている。溝45Bと溝46Bとのうち、溝45Bはより正面側に配置されており、溝46Bはより背面側に配置されている。溝45Bと溝46Bとは、互いに長さ寸法および幅寸法が等しく、深さ寸法のみが異なり、溝46Bがより浅くなっている。 The coupling substrate 4B includes a plate material 41, an upper surface electrode 42, and a lower surface electrode 43, similarly to the configuration according to the first embodiment. The combined substrate 4B includes grooves 45B and 46B as a configuration different from that of the first embodiment. Each of the grooves 45B and 46B is opened to the back side with respect to the upper surface electrode 42. The grooves 45B and 46B extend from the left side surface to the right side surface of the plate material 41. Of the grooves 45B and 46B, the groove 45B is disposed on the front side, and the groove 46B is disposed on the back side. The groove 45B and the groove 46B have the same length dimension and width dimension, differ only in the depth dimension, and the groove 46B is shallower.
 本発明に係る共振器装置は、このような構成を備えていてもよい。この場合には、上面電極42からより遠くに位置し、フラックスやはんだが到達しにくい溝46Bを、上面電極42のより近くに位置する溝45Bよりも浅くすることにより、溝45Bの加工時間を短縮しながら、誘電体共振器1へのはんだの濡れ上がりが十分に防ぎやすくなる。 The resonator device according to the present invention may have such a configuration. In this case, the groove 46B, which is located farther from the upper surface electrode 42 and is difficult for flux and solder to reach, is made shallower than the groove 45B located closer to the upper surface electrode 42, thereby reducing the processing time of the groove 45B. While shortening, it becomes easy to sufficiently prevent the solder from getting wet to the dielectric resonator 1.
≪第4の実施形態≫
 次に、第4の実施形態に係るフィルタ装置について説明する。図9は、第4の実施形態に係るフィルタ装置が備える結合基板4Cの六面図である。
<< Fourth Embodiment >>
Next, a filter device according to a fourth embodiment will be described. FIG. 9 is a six-sided view of a coupling substrate 4C included in the filter device according to the fourth embodiment.
 結合基板4Cは、第1の実施形態に係る構成と同様に、板材41、上面電極42、および下面電極43を備えている。そして、この結合基板4Cは、第1の実施形態と異なる構成として孔45Cを備えている。孔45Cは、結合基板4cの上面における、上面電極42よりも背面側に開口する非貫通孔である。孔45Cは、特許請求の範囲に記載の空隙部に相当するものである。 The coupling substrate 4 </ b> C includes a plate material 41, an upper surface electrode 42, and a lower surface electrode 43, similarly to the configuration according to the first embodiment. The combined substrate 4C includes a hole 45C as a configuration different from that of the first embodiment. The hole 45C is a non-through hole that opens to the back side of the upper surface electrode 42 on the upper surface of the coupling substrate 4c. The hole 45C corresponds to the gap described in the claims.
 本発明に係る共振器装置は、このような構成を備えていてもよい。この場合には、孔45Cが形成されることによって、結合基板4Cが薄く小型であっても結合基板4Cが損壊しにくくなる。また、孔45Cが非貫通孔で構成されることによって、孔45Cの加工時間を短くすることができる。 The resonator device according to the present invention may have such a configuration. In this case, the formation of the hole 45C makes it difficult for the bonding substrate 4C to be damaged even if the bonding substrate 4C is thin and small. In addition, since the hole 45C is configured as a non-through hole, the processing time of the hole 45C can be shortened.
 以上の各実施形態で示したように、本発明の共振器装置は実施することができるが、各実施形態での説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 As shown in each of the above embodiments, the resonator device of the present invention can be implemented, but the description in each embodiment is an example in all respects and is not restrictive. Should be done. The scope of the present invention is shown not by the above embodiments but by the claims. Furthermore, the scope of the present invention is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims.
1…誘電体共振器
21…誘電体ブロック
22…外導体
23…内導体
24…貫通孔
3…端子
31…挿入部
32…突出部
4,4B…結合基板
41…板材
42…上面電極
43…下面電極
45,45B,46B…溝
46…フラックス
47…はんだ
5…基板
51…板材
52…接続電極
53…接地電極
6…台座
61…板材
62…上面電極
63…下面電極
10,10A,10B…フィルタ装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dielectric resonator 21 ... Dielectric block 22 ... Outer conductor 23 ... Inner conductor 24 ... Through-hole 3 ... Terminal 31 ... Insertion part 32 ... Projection part 4, 4B ... Coupling substrate 41 ... Plate material 42 ... Upper surface electrode 43 ... Lower surface Electrode 45, 45B, 46B ... groove 46 ... flux 47 ... solder 5 ... substrate 51 ... plate material 52 ... connection electrode 53 ... ground electrode 6 ... pedestal 61 ... plate material 62 ... upper surface electrode 63 ... lower surface electrode 10, 10A, 10B ... filter device

Claims (12)

  1.  孔が形成されている誘電体ブロック、前記誘電体ブロックの外面に形成されている外導体、および前記孔の内面に形成されている内導体、を含む誘電体共振器と、
     一端側が前記孔に挿入されて前記内導体に接しており、他端側が前記孔から突出している端子と、
     前記端子の前記孔から突出している領域の一部にはんだ付けされる電極を含む結合基板と、を備え、
     前記結合基板には、前記電極と前記誘電体ブロックとの間に開口する空隙部が形成されていることを特徴とする、
     共振器装置。
    A dielectric resonator including a dielectric block in which holes are formed, an outer conductor formed on an outer surface of the dielectric block, and an inner conductor formed on an inner surface of the holes;
    One end side is inserted into the hole and is in contact with the inner conductor, and the other end side protrudes from the hole, and
    A bonding substrate including an electrode soldered to a part of a region protruding from the hole of the terminal;
    In the coupling substrate, a gap is formed between the electrode and the dielectric block.
    Resonator device.
  2.  前記結合基板は、前記誘電体ブロックに接している、
     請求項1に記載の共振器装置。
    The coupling substrate is in contact with the dielectric block;
    The resonator device according to claim 1.
  3.  前記端子は、前記孔から直線状に突出している、
     請求項1または2に記載の共振器装置。
    The terminal protrudes linearly from the hole,
    The resonator device according to claim 1.
  4.  前記空隙部は、前記端子の突出方向に対して交差する方向に溝状に延びる、
     請求項1乃至3のいずれかに記載の共振器装置。
    The gap portion extends in a groove shape in a direction intersecting the protruding direction of the terminal.
    The resonator device according to claim 1.
  5.  前記空隙部は、前記端子の突出方向に並んで複数設けられている、
     請求項4に記載の共振器装置。
    A plurality of the gaps are provided side by side in the protruding direction of the terminals,
    The resonator device according to claim 4.
  6.  前記電極から最も遠い空隙部は、前記電極に最も近い空隙部よりも浅い、
     請求項5に記載の共振器装置。
    The gap farthest from the electrode is shallower than the gap closest to the electrode,
    The resonator device according to claim 5.
  7.  前記空隙部は、孔状である、
     請求項1乃至3のいずれかに記載の共振器装置。
    The gap is a hole.
    The resonator device according to claim 1.
  8.  前記電極と前記誘電体共振器との間での前記端子の長さは、製造ばらつきの中央値で0.6mm以上1.0mm以下である、
     請求項1乃至7のいずれかに記載の共振器装置。
    The length of the terminal between the electrode and the dielectric resonator is not less than 0.6 mm and not more than 1.0 mm in the median of manufacturing variation.
    The resonator device according to claim 1.
  9.  前記空隙部の深さは、前記結合基板の厚みに対して1/4以上3/4以下である、
     請求項1乃至8のいずれかに記載の共振器装置。
    The depth of the void is 1/4 or more and 3/4 or less with respect to the thickness of the combined substrate.
    The resonator device according to claim 1.
  10.  孔が形成されている誘電体ブロック、前記誘電体ブロックの外面に形成されている外導体、および前記孔の内面に形成されている内導体、を含む誘電体共振器を準備し、
     前記孔から一端側が突出するように、端子を前記孔に挿入し、
     電極と当該電極から端部までの間に開口する空隙部とが設けられている結合基板を準備し、
     前記端子の前記孔から突出する部分が前記空隙部を超えて前記電極に沿うように、前記誘電体共振器と前記結合基板とを配置し、
     前記端子を前記電極にはんだ付けする、
     共振器装置の製造方法。
    Preparing a dielectric resonator including a dielectric block in which holes are formed, an outer conductor formed on an outer surface of the dielectric block, and an inner conductor formed on an inner surface of the holes;
    Insert the terminal into the hole so that one end side protrudes from the hole,
    Prepare a bonding substrate provided with an electrode and a gap that opens between the electrode and the end,
    The dielectric resonator and the coupling substrate are arranged so that a portion protruding from the hole of the terminal extends along the electrode beyond the gap,
    Soldering the terminals to the electrodes;
    A method for manufacturing a resonator device.
  11.  前記誘電体共振器と前記結合基板とを配置する際、前記結合基板を前記誘電体ブロックに接触させる、
     請求項10に記載の共振器装置の製造方法。
    When arranging the dielectric resonator and the coupling substrate, the coupling substrate is brought into contact with the dielectric block;
    A method for manufacturing the resonator device according to claim 10.
  12.  前記結合基板を準備する際、ダイシングにより前記空隙部を溝状に設ける、
     請求項10または請求項11に記載の共振器装置の製造方法。
    When preparing the bonded substrate, the gap is provided in a groove shape by dicing,
    A method for manufacturing the resonator device according to claim 10 or 11.
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