WO2017073174A1 - Ｘ線撮像素子の製造方法 - Google Patents

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thin film
silicon layer
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film silicon
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田坂　知樹
裕也 藤森
水村　通伸
梶山　康一
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V Technology Co Ltd
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V Technology Co Ltd
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
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    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
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    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
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    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an X-ray imaging device for taking a digital radiograph using X-rays.
  • the X-ray imaging apparatus has the advantage that the time from X-ray imaging to image confirmation is very short for an X-ray film, the dynamic range of the image is wide, and no chemicals necessary for developing the X-ray film are required. have.
  • an X-ray image transmitted through a human body (for example, a chest) of a subject is incident on the X-ray imaging apparatus and the image information is converted into an electrical signal.
  • the X-ray imaging apparatus converts X-rays into visible light by a fluorescent conversion film that converts X-rays into visible light, and a two-dimensional image is obtained by a plurality of photodetectors arranged in a matrix. It is detected as information and output as an electrical signal to the outside.
  • an X-ray image sensor In such an indirect X-ray imaging apparatus, an X-ray image sensor is used.
  • This X-ray imaging device converts X-rays transmitted through the human body of a subject into light using a scintillator, and detects light generated by the scintillator using a photodiode and a TFT.
  • photodiodes and TFTs are generally known that are made of a thin silicon film in an amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si”) state (see, for example, Patent Document 1).
  • a-Si has a higher electron mobility and a better performance in a thin film having a higher film formation temperature.
  • a flexible material such as a resin film
  • the heat-resistant temperature of the base material is lower than that of glass, it cannot be heated at a sufficiently high temperature during a-Si film formation. There was a problem.
  • the present invention has been made in view of the above-described demand, and an X-ray imaging device capable of diagnosing a patient with a small amount of X-ray and facilitating application to a portable type, and its An object is to provide a manufacturing method.
  • a method of manufacturing an X-ray imaging device includes a TFT circuit forming step of forming a TFT circuit on an upper layer of a substrate, and converting fluorescence into an electric signal on the upper layer of the TFT circuit.
  • a phosphor layer forming step of forming a body layer is a TFT circuit forming step of forming a TFT circuit on an upper layer of a substrate, and converting fluorescence into an electric signal on the upper layer of the TFT circuit.
  • the photodiode has a lower electrode layer, an n-type thin film silicon layer, an i-type thin film silicon layer, a p-type thin film silicon layer, and a transparent electrode layer from the lower layer to the upper layer of the TFT circuit.
  • Annealing treatment is performed using at least one of the thin film silicon layer and the n-type thin film silicon layer as a target.
  • the photodiode has an upper layer, a lower electrode layer, an n-type thin film silicon layer, an i-type thin film silicon layer, a p-type thin film silicon layer, and a transparent electrode layer in the upper layer of the TFT circuit.
  • Annealing treatment is performed using a thin film silicon layer as a target.
  • the TFT circuit has a capacitor and a gate electrode, an insulating film, a drain electrode and a thin film silicon layer, a source electrode and an insulating layer from the lower layer on the upper layer of the substrate.
  • an annealing process is performed using the thin film silicon layer as a target. It is a thing to give.
  • the photodiode has a lower electrode layer, an n-type thin film silicon layer, an i-type thin film silicon layer, a p-type thin film silicon layer, and a transparent electrode layer in this order from the lower layer to the upper layer of the TFT circuit.
  • Annealing treatment is performed with the electrode portions of the p-type thin film silicon layer, the i-type thin film silicon layer, and the n-type thin film silicon layer as targets.
  • a flexible resin is preferably used for the substrate.
  • An X-ray imaging device can perform diagnosis with a small amount of X-rays by performing annealing treatment and converting it into polycrystalline silicon to increase photoelectric conversion efficiency. Can also be easily applied.
  • the X-ray imaging device shown as the present embodiment is applied to an indirect digital X-ray imaging apparatus (digital radiography).
  • the indirect method is a method in which X-rays are received by the phosphor layer and converted into visible light, and then the visible light is converted into signal charges by an amorphous silicon photodiode or the like and led to a charge storage capacitor.
  • the indirect digital X-ray imaging apparatus 10 includes an X-ray generator 11, a supine imaging table 12, an electronic cassette 13, a console 14, and a monitor 15. Based on the control of the console 14, the electronic cassette 13 detects the X-rays that are transmitted from the X-ray generator 11 to the subject F, and generates an X-ray image.
  • the console 14 performs various types of image processing on the X-ray image data transmitted from the electronic cassette 13 and causes the monitor 15 to display the X-ray image P.
  • the X-ray generator 11 irradiates X-rays from above toward the subject F who is supine on the supine position table 12, and the X-rays are exposed to the subject F.
  • An X-ray image obtained by passing through is detected by the electronic cassette 13. Further, in photographing other parts such as limbs and elbows, the electronic cassette 13 can be placed on the lying position photographing table 12 and photographed.
  • the electronic cassette 13 has a rectangular parallelepiped shape, and has, for example, an outer size conforming to the international standard ISO 4090: 2001 similar to a cassette for a half-cut size (383.5 mm ⁇ 459.5 mm) or IP. Yes.
  • the external size of the electronic cassette 13 includes a four-cut size, a six-cut size, etc. in addition to the half-cut size described above, and is appropriately selected according to the imaging region.
  • the electronic cassette 13 electrically connects a panel-shaped X-ray imaging device 20 for detecting the intensity of X-rays and a signal processing circuit board 16 with a flexible printed circuit board 17, and a predetermined amount.
  • the container 18 is portable.
  • the X-ray image sensor 20 has a structure having a large number of matrix-like pixels 20a.
  • the electronic cassette 13 is a TFT active matrix substrate (hereinafter referred to as TFT) as an X-ray imaging device 20 on an amorphous silicon (hereinafter simply referred to as “a-Si”).
  • TFT TFT active matrix substrate
  • a-Si amorphous silicon
  • a flat panel detector (hereinafter simply referred to as “a flat panel detector”) that converts an incident X-ray into digital data after forming a photodiode layer on top of the TFT circuit and arranging an X-ray sensitive layer (scintillator).
  • FPD X-ray sensitive layer
  • an X-ray image represented by X-rays irradiated through the subject F is generated using the FPD, and the generated X-ray image is stored.
  • the scintillator is, for example, a cesium iodide (CsI) phosphor, and converts X-rays into visible light. As a result, visible light is photoelectrically converted by the photodiode layer, and the generated charges are accumulated in a capacitor (described later).
  • CsI cesium iodide
  • the capacitor charge is read through the silicon TFT circuit.
  • the electric charge reaches the integrating amplifier, where the electric charge / voltage conversion is performed, and then A / D conversion is performed.
  • the electric charge is stored in the memory (not shown) of the electronic cassette 13 as image data of the X-ray image P.
  • Cesium iodide has a relatively high conversion rate from X-rays to visible light, and since phosphors can be easily formed into a columnar crystal structure by vapor deposition, scattering of emitted light within the crystal is caused by the light guide effect. Therefore, the thickness of the phosphor layer can be increased.
  • a mixture of CsI and sodium iodide (NaI) in an arbitrary molar ratio may be deposited as sodium-activated cesium iodide (CsI: Na) using vapor deposition.
  • CsI and thallium iodide (TlI) in an arbitrary molar ratio is deposited as a thallium activated cesium iodide (CsI: Tl) on a support using vapor deposition, and then annealed as a post-process.
  • CsI: Tl thallium activated cesium iodide
  • a-Si + A polycrystalline (p-Si) structure is employed. It should be noted that all of the a-Si structures may be used instead of annealing to generate a p-Si structure.
  • a PSS (Penetration Side Sampling) type FPD and an ISS (Irradiation Side Sampling) type are known depending on the arrangement order of scintillators and TFT circuits.
  • the PSS system is a system in which a TFT circuit is disposed below the scintillator from the X-ray incident side. Detect on the surface) side.
  • the ISS system the relationship between the front and back of the FPD viewed from the incident side is opposite to that of the PSS system. In this embodiment, the case of the PSS method will be described, but application to the ISS method is also possible.
  • a-Si is formed by vapor deposition, sputtering, and various CVD methods.
  • silane (SiH 4 ) and disilane (SiH 6 ) as source gases are decomposed by glow discharge, and an a-Si thin film is grown on a substrate.
  • a heat-resistant plastic is used for the substrate, and it usually grows at 400 ° C. or lower.
  • A-Si has a relatively low defect density because hydrogen contained in the source gas is taken into the film and dangling bonds of silicon are terminated with hydrogen.
  • the carrier mobility of electrons and holes in the a-Si film is much lower than the carrier mobility in the crystal because of the trap level.
  • a-Si has been widely used in TFT circuits because of its advantage of low manufacturing cost.
  • a-Si can produce a semiconductor element by relatively simple processing, but the mobility of electrons is reduced due to its amorphous nature. Therefore, the electron mobility greatly depends on the crystal structure of the substance.
  • polysilicon hereinafter referred to as “p-Si”
  • p-Si polysilicon
  • c-Si crystalline silicon
  • It consists of single crystal silicon grains (single crystal grains).
  • electrons are scattered at the boundary between the grains (grain boundaries), and the mobility is lower than that of c-Si, but the carrier mobility is lower than that of amorphous a-Si. Much bigger.
  • a-Si also has a peak near the normal light emitting region of the scintillator, there is a problem that the sensitivity bandwidth (wavelength width) near the peak is very narrow and the sensitivity difference before and after the peak is severe. .
  • a- Si + p-Si is adopted.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the X-ray imaging element 20 according to the present embodiment.
  • the X-ray imaging device 20 includes a TFT circuit 22 formed on the upper layer of the a-Si substrate 21, a photodiode 23 formed on the upper layer of the TFT circuit 22, and an ITO layer on the uppermost layer of the photodiode 23.
  • a transparent insulating layer 24 and a CsI phosphor layer (scintillator) 25 are formed on the transparent electrode layer 23e.
  • the TFT circuit 22 includes a capacitor 22a and a gate electrode 22b, an insulating film 22c, a drain electrode 22d and a thin film silicon layer 22e, a source electrode 22f, and an insulating layer 22g on the upper layer of the a-Si substrate 21 from the lower layer.
  • the photodiode 23 includes a lower electrode layer 23a, an n-type thin film silicon layer 23b, an i-type thin film silicon layer 23c, a p-type thin film silicon layer 23d, and an ITO transparent electrode layer 23e in the upper layer of the TFT circuit 22 from the lower layer.
  • a signal wiring and a thin film transistor are formed on a glass substrate.
  • a flexible plastic substrate is applied.
  • ITO transparent electrode layer 23e since indium tin oxide (ITO) has high transmittance in the visible light region, the ITO transparent electrode layer 23e has colorless transparency or approximate transparency.
  • the characteristics of ITO are electrical conductivity and transparency. By depositing a film, the charge density is improved and the conductivity is improved.
  • an electron beam vapor deposition method, a physical vapor deposition method, a sputter vapor deposition method, or the like can be used.
  • the X-ray imaging device 20 performs multiple laser annealing processes and flash lamp annealing processes on the silicon layers of the photodiodes 23 and the TFT circuits 22. Conversion to crystalline silicon increases the photoelectric conversion efficiency.
  • a-Si substrate 21 is installed in a plasma CVD apparatus, monosilane gas, diborane gas, phosphine gas, or the like is introduced as a reaction gas, and plasma is excited by high-frequency discharge. -Si film is formed.
  • the introduction gas is only monosilane gas, it becomes an i-type semiconductor, if diborane gas is mixed with monosilane gas, it becomes a p-type semiconductor, and if phosphine gas is introduced into monosilane gas, it becomes an n-type semiconductor. Further, in order to terminate unnecessary dangling bonds of Si, a film is often formed by simultaneously adding hydrogen gas.
  • a high-quality thin film silicon having a high electron mobility can be obtained by forming a film at a high temperature such as a temperature of the substrate of 300 ° C. or higher. Still, the electron mobility is as low as about 1 cm 2 V / s.
  • a-Si substrate 21 it is also possible to increase the electron mobility by heating the entire a-Si substrate 21 at a dull temperature, for example, 1000 ° C. or higher. At this time, not only the a-Si substrate 21 but also the substrate temperature is raised at the same time, and even if the substrate is made of glass, the softening point is exceeded, and such a process cannot be endured.
  • the a-Si thin film is irradiated with powerful light all at once, the thin film is annealed at a high temperature instantaneously, and the polycrystallization of silicon is advanced, the electron mobility greatly increases to 100 cm 2 V / s or more.
  • the TFT circuit 22 and the photodiode 23 having good performance can be obtained.
  • an annealing process using the laser device 30 and an annealing process using the flash lamp device 40 as shown in FIG. 7 are possible.
  • the laser device 30 includes a laser oscillator 31, a collimator lens 32 that converts the laser light emitted from the laser oscillator 31 into parallel light, a mask 33, and an objective lens 34.
  • the objective lens 34 sets the focal length with the target silicon to be annealed as a target.
  • the flash lamp device 40 includes one or more light sources 41 and a reflection mirror 42.
  • the reflecting mirror 42 has a reflecting surface (parabolic surface) so that reflected light is imaged with the target silicon to be annealed as a target.
  • the p-type thin film silicon layer 23d and the n-type thin film silicon layer 23b of the photodiode 23 are annealed. If necessary, an annealing process (see thick arrows in the figure) is performed so as to include regions in contact with the p-type thin film silicon layer 23d and the n-type thin film silicon layer 23b of the i-type thin film silicon layer 23c.
  • the p-type thin film silicon layer 23d and the n-type thin film silicon layer 23b can be annealed to increase the conductivity, and the i-type thin film silicon layer 23c is made amorphous to improve the light absorption rate. It becomes possible.
  • a-Si substrate 21 is prepared, and a TFT circuit forming step (step S1) for forming a TFT circuit 22 on the upper layer is executed.
  • a photodiode forming step (step S2) for forming (depositing) the photodiode 23 on the upper layer of the TFT circuit 22 is executed.
  • a film of metal or resin can be used in addition to glass.
  • the material for the metal film include Al, Al alloy, Fe, Fe alloy, and those laminated.
  • Resin film materials include polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate, polystyrene polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, polyfluorotrifluoroethylene, and triacetyl cellulose. Etc.
  • an annealing process step (step S3) is performed in which the p-type thin film silicon layer 23d and the n-type thin film silicon layer 23b of the formed photodiode 23 are irradiated with light to perform an annealing process.
  • This annealing process is performed to polycrystallize the silicon layer.
  • the laser device 30 outputs 300 mJ / output to the p-type thin film silicon layer 23d and the n-type thin film silicon layer 23b having a thickness of 100 nm. Irradiation with a 10 cm 2 laser (1 shot, 23 ns) is performed.
  • the p-type thin film silicon layer 23d and the n-type thin film silicon layer 23b are annealed to be polycrystallized.
  • step S4 After forming the transparent insulating layer 24 (step S4), the CsI phosphor layer (scintillator) 25 is formed and the phosphor layer forming step (step S5) is executed, whereby the X-ray imaging device 20 is formed. To manufacture.
  • the X-ray imaging device 20 can perform an annealing process and convert it into polycrystalline silicon to increase the photoelectric conversion efficiency, thereby making it possible to diagnose a patient with a small X-ray dose and using a resin substrate. Therefore, application to a portable type can be facilitated.
  • the X-ray imaging device 20 of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various technical designs can be made within the technical scope described in the scope of the claims within the scope of the invention. Changed forms are included.
  • the p-type thin film silicon layer 23d and the n-type thin film silicon layer 23b of the photodiode 23 are annealed.
  • the layer 23c may be annealed. Thereby, the conductivity of the i-type thin film silicon layer 23c can be improved.
  • the focal position of the objective lens 44 (depth direction ⁇ depth> of the photodiode 23) can be adjusted to change the place where the annealing process is performed strongly.
  • the light condensing part can be strongly annealed.
  • the surface can be strongly annealed, and when the light is focused on the inside, the inside can be strongly annealed.
  • the annealing treatment is not limited to the silicon layer constituting the photodiode 23. Specifically, as shown in FIG. 10, the annealing treatment is performed on the thin film silicon layer 22e of the TFT circuit 22. May be. Thereby, the conductivity of the TFT circuit 22 can be improved.
  • the annealing treatment is not limited to each layer unit. Specifically, as shown in FIG. 11, the lower electrode layer 23a of the photodiode 23, the n-type thin film silicon layer 23b, the i-type thin film. An annealing process may be performed across the silicon layer 23c, the p-type thin film silicon layer 23d, and the ITO transparent electrode layer 23e. As a result, the electrode portion of the pixel can be made of polycrystalline silicon and the periphery thereof can have an a-Si structure.
  • the resin substrate has low heat resistance, the temperature cannot be increased during the film formation of a-Si, and the electron mobility tends to be low when compared with glass.
  • the annealing process is performed by narrowing down the target, it is possible to make it difficult for such a problem related to heat resistance to occur, and a resin substrate can be used.
  • the flowchart shown in FIG. 8 does not limit the procedure of the present invention, and the procedure may be added / deleted or the order may be changed without departing from the spirit and technical idea of the invention.
  • the annealing process may be performed after step S5 instead of step S3 in the flowchart of FIG.
  • the methods according to the above embodiments may be used in appropriate combination.
  • the silicon to be annealed for example, all of the silicon shown in FIGS. 5 and 9 may be applied.
  • the method for manufacturing an X-ray imaging device can diagnose a patient with a small X-ray dose by performing annealing treatment and converting it into polycrystalline silicon to increase photoelectric conversion efficiency.
  • a resin substrate can be used, it has the effect that it can be easily applied to a portable type, and manufacture of an X-ray imaging device for taking a digital radiograph using X-rays. Useful for all methods.

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Abstract

アニール処理を施して多結晶シリコンに変換して光電変換効率を上げることにより、少ないＸ線量で患者を診断することが可能なうえ、樹脂基板を使用することができるＸ線撮像素子の製造方法を提供する。基板の上層にＴＦＴ回路を形成するＴＦＴ回路形成ステップと、ＴＦＴ回路の上層に蛍光を電気信号に変換するフォトダイオードを形成するフォトダイオード形成ステップと、ＴＦＴ回路若しくはフォトダイオードを構成するシリコン層にアニール処理を施して多結晶化するアニール処理ステップと、フォトダイオードの上層にＸ線を蛍光に変換する蛍光体層を形成する蛍光体層形成ステップと、を含む。

Description

Ｘ線撮像素子の製造方法
　本発明は、Ｘ線を用いたデジタルレントゲン写真を撮影するためのＸ線撮像素子の製造方法に関する。
　近年、Ｘ線フィルムを用いた撮影装置に置き換わるＸ線画像診断機器としてＸ線画像撮影装置の普及が拡大している。Ｘ線画像撮影装置は、Ｘ線フィルムに対してＸ線撮影から画像確認までの時間が非常に短いうえ、画像のダイナミックレンジが広く、Ｘ線フィルムの現像に必要な薬液も必要が無いという利点を有している。
　Ｘ線画像撮影装置は、現在実用化されているものの多くが間接変換方式を採用している。このような間接型のＸ線画像撮影装置においては、被験者の人体（例えば、胸部）などを透過したＸ線画像をＸ線画像撮影装置に入射し、その画像情報を電気信号に変換する。この際、Ｘ線画像撮影装置は、Ｘ線を可視光に変換する蛍光変換膜によってＸ線を可視光に変換し、その光をマトリクス状に配置した複数の光検出器によって二次元的な画像情報として検出し、外部に電気信号として出力する。
　このような間接型のＸ線画像撮影装置には、Ｘ線撮像素子が使用されている。このＸ線撮像素子は、被験者の人体を透過したＸ線をシンチレータを用いて光に変換し、シンチレータにより生じた光をフォトダイオードとＴＦＴとを用いて検出する。この際、フォトダイオードとＴＦＴとは、通常、アモルファスシリコン（以下、「ａ－Ｓｉ」と称する）状態の薄膜シリコン膜により作成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
　また、このようなＸ線撮像素子は、可搬式とするためにカセッテ型としたものも存在するが、持ち運びの際に落としてしまうことがある。その際、Ｘ紬画像撮影装置のフォトダイオードやＴＦＴは、ガラス基板上に成膜されていることから、そのガラス基板が割れてしまい、場合によっては装置が壊れてしまう虞があるため、ガラス基板に変えて可撓性のプラスチック基板を用いた装置も知られている（例えば、特許文献２，３参照）。
　一方、撮影のために被験者の人体に対するＸ線の被爆量を減らすために、Ｘ線画像撮影装置の高感度化が求められている。
特開２０１４－１２２９０３号公報 特開２００４－０６４０８７号公報 特開２０１１－１４２１６８号公報
　ところで、ａ－Ｓｉは、成膜温度の高い薄膜のほうが電子の移動度が高く、良好な性能を示すことが知られている。しかしながら、樹脂フィルムのような可撓性材料を用いた場合、基材の耐熱温度がガラスと比較して低いため、ａ－Ｓｉの成膜の際に十分に温度を上げて加熱することができないという問題が生じていた。
　そこで、本発明は、上記要望に鑑みて成されたものであり、少ないＸ線量で患者を診断することが可能なうえ、可搬式への適用も容易とすることができるＸ線撮像素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るＸ線撮像素子の製造方法は、基板の上層にＴＦＴ回路を形成するＴＦＴ回路形成ステップと、ＴＦＴ回路の上層に蛍光を電気信号に変換するフォトダイオードを形成するフォトダイオード形成ステップと、ＴＦＴ回路若しくはフォトダイオードを構成するシリコン層にアニール処理を施して多結晶化するアニール処理ステップと、フォトダイオードの上層にＸ線を蛍光に変換する蛍光体層を形成する蛍光体層形成ステップと、を含む。
　フォトダイオードは、ＴＦＴ回路の上層に、下層から、下部電極層、ｎ型薄膜シリコン層、ｉ型薄膜シリコン層、ｐ型薄膜シリコン層、透明電極層、を有し、アニール処理ステップでは、ｐ型薄膜シリコン層及びｎ型薄膜シリコン層の少なくともいずれか一方をターゲットとしてアニール処理を施す、ものである。
　フォトダイオードは、ＴＦＴ回路の上層に、下層から、下部電極層、ｎ型薄膜シリコン層、ｉ型薄膜シリコン層、ｐ型薄膜シリコン層、透明電極層、を有し、アニール処理ステップでは、ｉ型薄膜シリコン層をターゲットとしてアニール処理を施す、ものである。
　ＴＦＴ回路は、基板の上層に、下層から、コンデンサ及びゲート電極、絶縁膜、ドレイン電極及び薄膜シリコン層、ソース電極、絶縁層、を有し、アニール処理ステップでは、薄膜シリコン層をターゲットとしてアニール処理を施す、ものである。
　フォトダイオードは、ＴＦＴ回路の上層に、下層から、下部電極層、ｎ型薄膜シリコン層、ｉ型薄膜シリコン層、ｐ型薄膜シリコン層、透明電極層、をこの順に有し、アニール処理ステップでは、ｐ型薄膜シリコン層とｉ型薄膜シリコン層とｎ型薄膜シリコン層の電極部分をターゲットとしてアニール処理を施す、ものである。
　なお、基板には可撓性樹脂を用いるのが好ましい。
　本発明の一態様に係るＸ線撮像素子は、アニール処理を施して多結晶シリコンに変換して光電変換効率を上げることにより、少ないＸ線量で患者を診断することが可能なうえ、可搬式への適用も容易とすることができる。
本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法により製造したＸ線撮像素子を用いた間接型のデジタルＸ線撮影装置の説明図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法により製造したＸ線撮像素子を用いた電子カセッテの説明図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法により製造したＸ線撮像素子の模式的な平面図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子におけるａ－Ｓｉとｐ－ＳｉとａーＳｉ＋多結晶シリコンの場合の受光感度の比較グラフ図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法により製造したＸ線撮像素子の断面図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法に適用されるレーザ装置の説明図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法に適用されるフラッシュランプ装置の説明図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法の一例を示すフローチ図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法により製造した他のＸ線撮像素子の断面図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法により製造した他のＸ線撮像素子の断面図である。 本発明の一実施の形態に係るＸ線撮像素子の製造方法により製造した他のＸ線撮像素子の断面図である。
　次に、本発明に係る一実施の形態について図面を参照して説明する。本実施の形態として示すＸ線撮像素子は、間接型のデジタルＸ線撮影装置（ｄｉｇｉｔａｌ　ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）に適用される。なお、間接方式とは、蛍光体層によりＸ線を受けて一旦可視光に変換し、可視光をアモルファスシリコンフォトダイオードなどにより信号電荷に変換して電荷蓄積用キャパシタに導く方式である。
　図１に示すように、間接型のデジタルＸ線撮影装置１０は、Ｘ線発生器１１、臥位撮影台１２、電子カセッテ１３、コンソール１４、モニタ１５を備えている。電子カセッテ１３は、コンソール１４の制御に基づいて、Ｘ線発生器１１から被検者Ｆに照射されて透過したＸ線を検出し、Ｘ線画像を生成する。コンソール１４は、電子カセッテ１３から送信されたＸ線画像データに各種画像処理を施し、モニタ１５にＸ線画像Ｐを表示させる。
　間接型のデジタルＸ線撮影装置１０による撮影は、臥位撮影台１２に仰臥した被検者Ｆに向けてＸ線発生器１１により上方からＸ線を照射し、そのＸ線が被検者Ｆを透過して得られるＸ線像を電子カセッテ１３で検出する。また、四肢や肘等のその他の部位の撮影では、臥位撮影台１２の上に電子カセッテ１３を載置して撮影することも可能である。
　電子カセッテ１３は、直方体形状を呈しており、例えば、半切サイズ（３８３．５ｍｍ×４５９．５ｍｍ）のフィルム用またはＩＰ用のカセッテと同様の国際規格ＩＳＯ４０９０：２００１に準拠した外形サイズを有している。電子カセッテ１３の外形サイズは、前述した半切サイズの他、四切サイズ、六切サイズ等があり、撮影部位に応じて適宜選択される。
　図２に示すように、電子カセッテ１３は、Ｘ線の強度を検出するためのパネル状のＸ線撮像素子２０と信号処理回路基板１６とをフレキシブルプリント基板１７で電気的に接続するとともに、所定の容器１８により可搬式としたものである。
　図３に示すように、Ｘ線撮像素子２０にはマトリクス状の多数の画素２０ａを有する構造のものを用いる。
　電子カセッテ１３は、本実施の形態において、詳細には後述するが、Ｘ線撮像素子２０として、アモルファスシリコン（以下、単に「ａ－Ｓｉ」と称する）の上層にＴＦＴアクティブマトリクス基板（以下、ＴＦＴ回路という）を形成し、このＴＦＴ回路の上層にフォトダイオード層を形成したうえでＸ線感応層（シンチレータ）を配置し、入射したＸ線をデジタルデータに変換する平面検出器（以下、単に「ＦＰＤ」と称する）である。また、被検者Ｆを透過して照射されたＸ線により表されるＸ線画像をＦＰＤを用いて生成するとともに、生成したＸ線画像を記憶する可搬型となっている。
　シンチレータは、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）蛍光体であり、Ｘ線を可視光に変換する。これにより、可視光はフォトダイオード層で光電変換され、生じた電荷はコンデンサ（後述する）に蓄積される。
　Ｘ線撮像素子の信号読取時に、コンデンサの電荷は、シリコンＴＦＴ回路を通じて読み出される。電荷は、積分アンプに到達し、そこで、電荷・電圧変換され、その後、Ａ／Ｄ変換されて、電子カセッテ１３のメモリ（図示せず）にＸ線画像Ｐの画像データとして保存される。
　ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、Ｘ線から可視光への変換率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能である。なお、発光効率をさらに向上させるため、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いてナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）として堆積してもよい。また、ＣｓＩとヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いて支持体上にタリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）として堆積したものに、後工程としてアニールを行うことで可視変換効率を向上させ、Ｘ線蛍光体として使用してもよい。
　この際、ａ－Ｓｉを全て多結晶化（ｐ－Ｓｉ化）してしまうと、通常のシンチレータの発光の吸収効率が低下しやすくなってしまう、このため、本実施の形態では、ａ－Ｓｉ＋多結晶（ｐ－Ｓｉ）構造を採用している。なお、アニールを穏やかに行いｐ－Ｓｉ構造を生成させず、全てａ－Ｓｉ構造としても良い。
　ＦＰＤとしては、シンチレータやＴＦＴ回路の配置順序によって、ＰＳＳ（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ　Ｓｉｄｅ　Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式のＦＰＤと、ＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ　Ｓｉｄｅ　Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式と、が知られている。ＰＳＳ方式は、Ｘ線の入射側から、シンチレータの下層にＴＦＴ回路を配置する方式であり、Ｘ線の入射によりシンチレータで発生する光を、シンチレータの背面（Ｘ線の入射面とは反対側の面）側で検出する。これに対し、ＩＳＳ方式は、入射側から見たＦＰＤの表裏の関係がＰＳＳ方式とは逆の関係にある。本実施の形態においては、ＰＳＳ方式の場合で説明するが、ＩＳＳ方式への適用も可能である。
　ａ－Ｓｉは、蒸着法、スパッタ法、各種ＣＶＤ法を用いて形成される。最も多用されているプラズマＣＶＤ法では、グロー放電により原料ガスのシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（ＳｉＨ６）を分解し、ａ－Ｓｉ薄膜を基板上に成長させている。基板には耐熱プラスチックが用いられ、通常４００℃以下で成長する。
　ａ－Ｓｉは、原料ガスに含まれる水素が膜中に取り込まれ、シリコンの未結合手（ダングリング・ボンド）が水素で終端されるため、欠損密度が比較的小さい。ただし、ａ－Ｓｉ膜中の電子や正孔などのキャリア移動度は、トラップ準位のため、結晶中のキャリア移動度と比べてはるかに小さな値になる。
　したがって、ａ－Ｓｉは、製造コストが安価であるという利点があることから、ＴＦＴ回路に多く用いられてきた。
　このように、ａ－Ｓｉは、比較的簡単な加工で半導体素子を作成することができる一方、無定形さゆえに電子の移動度が低下してしまう。したがって、電子の移動度は物質の結晶構造に大きく依存する。
　一方、ポリシリコン（以下、「ｐ－Ｓｉ」と称する）は、ａ－Ｓｉと結晶シリコン（以下、単に「ｃ－Ｓｉ」と称する）との中間に位置するような存在で、異なる方位を有する単結晶のシリコンの粒（単結晶粒）からなっている。ｐ－Ｓｉは、粒と粒の境界部分（結晶粒界）で電子が散乱されてしまい、ｃ－Ｓｉと比べれば移動度が低くなるものの、無定形なａ－Ｓｉと比べればキャリア移動度ははるかに大きい。
　しかしながら、ｐ－Ｓｉは、情報伝達速度を高く要求するメモリ等には向いているものの、図４に示すように、シンチレータの発光領域に対する吸収効率が非常に低いという問題が生じていた。
　他方、ａ－Ｓｉに関しても、シンチレータの通常の発光領域付近でピークを有するものの、ピーク付近の感度用帯域幅（波長幅）が非常に狭く、ピーク前後の感度差が激しいという問題が生じていた。
　そこで、電子の移動度を高くすることによりＸ線の被曝量を抑制したいという要望に対応しつつ、シンチレータの発光に対する感度幅（ピーク幅）を拡大するため、本実施の形態においては、ａ－Ｓｉ＋ｐ－Ｓｉを採用している。
　図５は、本実施の形態に係るＸ線撮像素子２０の一例を示す断面図である。図５において、Ｘ線撮像素子２０は、ａ－Ｓｉ基板２１の上層にＴＦＴ回路２２を形成した後、ＴＦＴ回路２２の上層にフォトダイオード２３を形成したうえで、フォトダイオード２３の最上層のＩＴＯ透明電極層２３ｅの上層に透明絶縁層２４及びＣｓＩ蛍光体層（シンチレータ）２５を形成したものである。
　ＴＦＴ回路２２は、ａ－Ｓｉ基板２１の上層に、下層から、コンデンサ２２ａ及びゲート電極２２ｂ、絶縁膜２２ｃ、ドレイン電極２２ｄ及び薄膜シリコン層２２ｅ、ソース電極２２ｆ、絶縁層２２ｇ、を有する。
　フォトダイオード２３は、ＴＦＴ回路２２の上層に、下層から、下部電極層２３ａ、ｎ型薄膜シリコン層２３ｂ、ｉ型薄膜シリコン層２３ｃ、ｐ型薄膜シリコン層２３ｄ、ＩＴＯ透明電極層２３ｅ、を有する。
　なお、これら各層の形成手順そのものに関しては、例えば、公知の液晶表示装置の製造工程に類似するＴＦＴパネル製造工程に準じている。ただし、液晶表示装置等の場合にはガラス基板上に信号配線と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ回路）とを形成しているが、本実施の形態においては、可撓性を有するプラスチック基板が適用されている。
　なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）は、可視光領域の透過率が高いため、ＩＴＯ透明電極層２３ｅとしては無色透明若しくは近似する透明性を有している。ＩＴＯの特徴は電気伝導性と透明性である。蒸着成膜することで電荷密度が向上し導電性も向上する。ＩＴＯ透明電極層２３ｅは、電子ビーム蒸着法、物理気相成長法、スパッタ蒸着法などを用いることができる。
　このような基本構成において、本実施の形態に係るＸ線撮像素子２０は、フォトダイオード２３やＴＦＴ回路２２のシリコン層に対して、レーザアニール処理やフラッシュランプアニ一ル処理を施すことによって、多結晶シリコンに変換して光電変換効率を上げるようにしている。
　一般に、ａ－Ｓｉの成謨では、ａ－Ｓｉ基板２１をプラズマＣＶＤ装置に設置した後、反応ガスとして、モノシランガスやジボランガス、ホスフィンガスなどを導入して、高周波放電によりプラズマを励起して、ａ－Ｓｉの成膜を行う。
　この際、導入ガスをモノシランガスのみとすると、ｉ型半導体となり、モノシランガスにジボランガスを混合するとｐ型半導体となり、モノシランガスにホスフィンガスを導入すると、ｎ型半導体になる。また、不要なＳｉのダングリングボンドを終末させるため、水素ガスを同時に添加して成膜することもよく行われている。
　ａ－Ｓｉの成膜では、成膜時の基板の温度は一般には３００℃以上など、高温で成膜したほうが電子移動度の高い、良質な薄膜シリコンが得られることが知られているが、それでも電子移動度は、１ｃｍ２Ｖ／ｓ程度と低い。
　ａ－Ｓｉ基板２１の全体を単鈍に、例えば、１０００℃以上に加熱することによっても、電子移動度を上昇させることは可能である。この際、ａ－Ｓｉ基板２１だけでなく、同時に基板温度も上昇させてしまい、基板がガラスであっても軟化点を超えてしまい、このようなプロセスには耐えられない。
　そこで、ａ－Ｓｉ薄膜に、強力な光を一気に照射し、薄膜を瞬時に高温にしてアニール処理し、シリコンの多結晶化を進めると、電子移動度を１００ｃｍ２Ｖ／ｓ以上と、大きく上昇させることができ、良好な性能のＴＦＴ回路２２やフォトダイオード２３を得ることができる。
　ところで、アニール処理を施すには、例えば、図６に示すように、レーザ装置３０を用いたアニール処理と、図７に示すように、フラッシュランプ装置４０を用いたアニール処理とが可能である。
　図６に示すように、レーザ装置３０は、レーザ発振器３１と、レーザ発振器３１から出射したレーザ光を平行光とするコリメートレンズ３２と、マスク３３と、対物レンズ３４と、を有する。ここで、対物レンズ３４は、アニール処理する対象シリコンをターゲットとして焦点距離を設定している。
　図７に示すように、フラッシュランプ装置４０は、一つ以上の光源４１と、反射ミラー４２と、を有する。ここで、反射ミラー４２は、アニール処理する対象シリコンをターゲットとして反射光を結像するよう、反射面（放物面）を設定している。
　アニール処理するターゲットのシリコンとしては、例えば、図５に示すように、フォトダイオード２３のｐ型薄膜シリコン層２３ｄ及びｎ型薄膜シリコン層２３ｂにアニール処理を施す。なお、必要に応じて、ｉ型薄膜シリコン層２３ｃのｐ型薄膜シリコン層２３ｄ並びにｎ型薄膜シリコン層２３ｂと接する領域を含むようにアニール処理（図の太両矢印参照）を施す。
　これにより、ｐ型薄膜シリコン層２３ｄとｎ型薄膜シリコン層２３ｂとにアニール処理を施すことにより伝導度を上げることができるうえ、ｉ型薄膜シリコン層２３ｃをアモルファス状態にして光吸収率を向上させることが可能となる。
　＜Ｘ線撮像素子２０の製造方法＞
　次に、Ｘ線撮像素子２０の製造方法について図８のフロー図に基づいて説明する。
　まず、ａ－Ｓｉ基板２１を用意し、その上層にＴＦＴ回路２２を形成するＴＦＴ回路形成ステップ（ステップＳ１）を実行する。次に、ＴＦＴ回路２２の上層にフォトダイオード２３を形成（成膜）するフォトダイオード形成ステップ（ステップＳ２）を実行する。
　なお、ａ－Ｓｉ基板２１としては、ガラスの他に金属や樹脂のフィルムを用いることができる。金属フィルムの材料としては、ＡｌやＡｌ合金、ＦｅやＦｅ合金およびそれらが積層されたものなどが挙げられる。樹脂フィルムの材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリスチレンポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリフロロトリフルオロエチレン、トリアセチルセルロース等が挙げられる。
　そして、一様に、成膜されたフォトダイオード２３のｐ型薄膜シリコン層２３ｄ及びｎ型薄膜シリコン層２３ｂに光を照射してアニール処理を施すアニール処理ステップ（ステップＳ３）を実行する。このアニール処理は、シリコン層を多結晶化するために行うものであり、例えば、レーザ装置３０から、膜厚１００ｎｍのｐ型薄膜シリコン層２３ｄ及びｎ型薄膜シリコン層２３ｂに対して、出力３００ｍＪ／ｃｍ２のレーザを１０ショット（１ショット２３ｎｓ）照射するものである。
　これにより、ｐ型薄膜シリコン層２３ｄ及びｎ型薄膜シリコン層２３ｂがアニール処理されて多結晶化する。
　その次に、透明絶縁層２４を形成（ステップＳ４）した後に、ＣｓＩ蛍光体層（シンチレータ）２５を形成して蛍光体層形成ステップ（ステップＳ５）を実行することにより、Ｘ線撮像素子２０を製造する。
　このようにして、Ｘ線撮像素子２０は、アニール処理を施して多結晶シリコンに変換して光電変換効率を上げることにより、少ないＸ線量で患者を診断することが可能なうえ、樹脂基板を使用することができることから、可搬式への適用も容易とすることができる。
　ところで、本発明のＸ線撮像素子２０は、上記の実施の形態に限定されるものでなく、特許請求の範囲に記載した技術的範囲には、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々、設計変更した形態が含まれる。
　例えば、上記実施の形態では、フォトダイオード２３のｐ型薄膜シリコン層２３ｄ及びｎ型薄膜シリコン層２３ｂにアニール処理を施したが、例えば、図９に示すように、フォトダイオード２３のｉ型薄膜シリコン層２３ｃにアニール処理を施してもよい。これにより、ｉ型薄膜シリコン層２３ｃの伝導率を向上することができる。
　このアニール処理の際に、例えば、対物レンズ４４の焦点位置（フォトダイオード２３の深さ方向＜深度＞）を調整し、アニール処理を強力に行う場所を変えることもできる。これにより、光の集光部分を強くアニール処理することができる。例えば、表面に集光すると表面を強くアニール処理することができ、内部に集光すると内部を強くアニールしょりすることができる。
　また、アニール処理を施すのは、フォトダイオード２３を構成するシリコン層に限定されるものでもない、具体的には、図１０に示すように、ＴＦＴ回路２２の薄膜シリコン層２２ｅにアニール処理を施してもよい。これにより、ＴＦＴ回路２２の伝導度を向上することができる。
　さらに、アニール処理を施すのは、各層単位に限定されるものでもない、具体的には、図１１に示すように、フォトダイオード２３の下部電極層２３ａ、ｎ型薄膜シリコン層２３ｂ、ｉ型薄膜シリコン層２３ｃ、ｐ型薄膜シリコン層２３ｄ、ＩＴＯ透明電極層２３ｅ、に跨ってアニール処理を施してもよい。これにより、画素の電極部分を多結晶化シリコンとし、その周囲はａ－Ｓｉ構造とすることができる。
　さらに、上記実施の形態では、通常のガラス基板を用いても有効であるが、特に、可撓性の樹脂基板を用いた際に有効である。すなわち、樹脂基板は耐熱性が低いため、ａ－Ｓｉの成膜時に温度を高温とすることができず、ガラスと比較した場合に電子移動度が低くなり易いからである。これに対し、本実施の形態では、ターゲットを絞ってアニール処理を施すため、このような耐熱性に関する不具合を発生し難くすることができ、樹脂基板を用いることができる。
　また、図８に示すフローチャートは、本発明の手順を限定するものではなく、発明の趣旨及び技術的思想を逸脱しない範囲内で手順の追加・削除又は順番の変更等をしてもよい。例えば、アニール処理のタイミングは、図８のフロー図において、ステップＳ３のタイミングではなく、ステップＳ５の後に行ってもよい。
　また、以上既に述べた以外にも、上記実施の形態による手法を適宜組み合わせて利用しても良い。例えば、アニール処理を施すシリコン（ターゲットシリコン）は、例えば、図５及び図９に示したシリコンの全てを適用してもよい。
　その他、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更が加えられて実施されるものである。
　以上説明したように、本発明に係るＸ線撮像素子の製造方法は、アニール処理を施して多結晶シリコンに変換して光電変換効率を上げることにより、少ないＸ線量で患者を診断することが可能なうえ、樹脂基板を使用することができることから、可搬式への適用も容易とすることができるという効果を有し、Ｘ線を用いたデジタルレントゲン写真を撮影するためのＸ線撮像素子の製造方法全般に有用である。
　　２０　Ｘ線撮像素子
　　２１　アモルファスシリコン基板
　　２２　ＴＦＴ回路
　　２３　フォトダイオード
　　２５　ＣｓＩ蛍光体層（シンチレータ）

Claims (6)

  1. 　基板の上層にＴＦＴ回路を形成するＴＦＴ回路形成ステップと、
    　前記ＴＦＴ回路の上層に蛍光を電気信号に変換するフォトダイオードを形成するフォトダイオード形成ステップと、
    　前記ＴＦＴ回路若しくは前記フォトダイオードを構成するシリコン層にアニール処理を施して多結晶化するアニール処理ステップと、
    　前記フォトダイオードの上層にＸ線を蛍光に変換する蛍光体層を形成する蛍光体層形成ステップと、
    　を含むＸ線撮像素子の製造方法。
  2. 　前記フォトダイオードは、
    　前記ＴＦＴ回路の上層に、下層から、下部電極層、ｎ型薄膜シリコン層、ｉ型薄膜シリコン層、ｐ型薄膜シリコン層、透明電極層、を有し、
    　前記アニール処理ステップでは、
    　前記ｐ型薄膜シリコン層及び前記ｎ型薄膜シリコン層の少なくともいずれか一方をターゲットとしてアニール処理を施す
    　ことを特徴とする請求項１に記載のＸ線撮像素子の製造方法。
  3. 　前記フォトダイオードは、
    　前記ＴＦＴ回路の上層に、下層から、下部電極層、ｎ型薄膜シリコン層、ｉ型薄膜シリコン層、ｐ型薄膜シリコン層、透明電極層、を有し、
    　前記アニール処理ステップでは、
    　前記ｉ型薄膜シリコン層をターゲットとしてアニール処理を施す
    　ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＸ線撮像素子の製造方法。
  4. 　前記ＴＦＴ回路は、
    　前記基板の上層に、下層から、コンデンサ及びゲート電極、絶縁膜、ドレイン電極及び薄膜シリコン層、ソース電極、絶縁層、を有し、
    　前記アニール処理ステップでは、
    　前記薄膜シリコン層をターゲットとしてアニール処理を施す
    　ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１の請求項に記載のＸ線撮像素子の製造方法。
  5. 　　前記フォトダイオードは、
    　前記ＴＦＴ回路の上層に、下層から、下部電極層、ｎ型薄膜シリコン層、ｉ型薄膜シリコン層、ｐ型薄膜シリコン層、透明電極層、をこの順に有し、
    　前記アニール処理ステップでは、
    　前記ｐ型薄膜シリコン層と前記ｉ型薄膜シリコン層と前記ｎ型薄膜シリコン層の電極部分をターゲットとしてアニール処理を施す
    　ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１の請求項に記載のＸ線撮像素子の製造方法。
  6. 　前記基板に可撓性樹脂を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１の請求項に記載のＸ線撮像素子の製造方法。
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