WO2017022035A1 - プローブカード - Google Patents

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WO2017022035A1
WO2017022035A1 PCT/JP2015/071867 JP2015071867W WO2017022035A1 WO 2017022035 A1 WO2017022035 A1 WO 2017022035A1 JP 2015071867 W JP2015071867 W JP 2015071867W WO 2017022035 A1 WO2017022035 A1 WO 2017022035A1
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WO
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probe
wall surface
holding
probes
tip
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/071867
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English (en)
French (fr)
Inventor
昭 芹川
高男 柿野
Original Assignee
日本電子材料株式会社
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Publication date
Application filed by 日本電子材料株式会社 filed Critical 日本電子材料株式会社
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Priority to JP2015557683A priority patent/JP6360502B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes

Definitions

  • the present invention relates to a probe card provided with a cantilever type probe.
  • a plurality of semiconductor devices are formed in a matrix on the semiconductor wafer. Each of the four sides of each semiconductor device is provided with a plurality of electrodes in one or a plurality of rows.
  • the first probe card is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-302820.
  • the second probe card is described in JP-A-2006-145402.
  • the first probe card can test a plurality of semiconductor devices of the semiconductor wafer for each row in a state where the semiconductor wafer is inclined at 45 ° with respect to the orientation flat (OF).
  • the first probe card includes a substrate and a plurality of probes.
  • the substrate is provided with a plurality of openings having a substantially rhombic shape in plan view corresponding to the semiconductor device. Probes are provided at the four edges of each opening of the substrate. Each edge probe extends back-radially through the opening toward the corresponding side electrode of the semiconductor device.
  • the second probe card can test four semiconductor devices of a semiconductor wafer at a time.
  • the second probe card includes a substrate and a plurality of probes.
  • the substrate is provided with four openings having a substantially rectangular shape in plan view corresponding to the semiconductor device.
  • Probes are provided on the outer edges of each opening. Each edge probe is inclined by 30 ° with respect to a predetermined axis, and extends through the opening toward the electrodes on the four sides of the semiconductor device.
  • a probe card for inspecting this is generally required to have a narrow probe pitch and an increased number of probes.
  • the probes at each edge extend in the reverse radial direction, and thus cannot cope with the narrowing of the probe pitch and the increase in the number of probes.
  • the probes extend from one edge of the opening to the electrodes on the four sides of the semiconductor device, it is impossible to cope with the narrowing of the probe pitch and the increase in the number of probes.
  • the third probe card can test two semiconductor devices D1 and D2 among a plurality of semiconductor devices D of the semiconductor wafer U shown in FIG.
  • the semiconductor device D is shown by a broken line, while an example of two semiconductor devices D1 and D2 to be inspected by the third probe card is shown by a solid line.
  • the third probe card includes a holding frame, a plurality of cantilever-type probes 20a to 20h, and a substrate 30.
  • the holding frame is made of an insulating resin.
  • the holding frame has holding portions 10a to 10h and rectangular openings 10i and 10j.
  • the openings 10i and 10j are provided at the center of the holding frame so that the corners of the opening 10i on the Y ′ direction and the X direction side and the corners of the opening 10j on the Y direction and the X ′ direction side communicate with each other. Yes.
  • the holding part 10a is a resin block having a rectangular shape in a bottom view provided in the opening 10i of the holding frame.
  • the holding unit 10a includes a first wall surface 11a, a second wall surface 12a that intersects the first wall surface 11a at a right angle, and a third wall surface 13a that intersects the first wall surface 11a at a right angle.
  • the holding portion 10b is a portion on the X ′ direction side of the opening 10i of the holding frame, and is continuous with the holding portion 10a.
  • maintenance part 10b has the 1st wall surface 11b and the 2nd wall surface 12b on the opposite side of the 1st wall surface 11b.
  • the holding portion 10c is a portion on the Y ′ direction side of the opening 10i of the holding frame and a portion on the X ′ direction side of the opening 10j of the holding frame.
  • the holding portion 10c includes a first wall surface 11c, a second wall surface 12c that intersects the first wall surface 11c at a right angle, and a third wall surface 13c opposite to the first wall surface 11c.
  • the first wall surface 11c of the holding portion 10c faces the second wall surface 12a of the holding portion 10a with a gap.
  • the holding portion 10d is a portion on the Y direction side of the opening 10i of the holding frame.
  • the holding part 10d has a first wall surface 11d and a second wall surface 12d opposite to the first wall surface 11d.
  • the first wall surface 11d of the holding portion 10d faces the third wall surface 13a of the holding portion 10a with a gap.
  • the holding part 10e is a bottom-view rectangular resin block provided in the opening 10j of the holding frame.
  • the holding portion 10e includes a first wall surface 11e, a second wall surface 12e that intersects the first wall surface 11e at a right angle, and a third wall surface 13e that intersects the first wall surface 11e at a right angle.
  • the first wall surface 11e of the holding unit 10e faces the second wall surface 12c of the holding unit 10c with a gap.
  • the holding portion 10f is a portion on the X direction side of the opening 10j of the holding frame, and is continuous with the holding portion 10e.
  • the holding part 10f has a first wall surface 11f and a second wall surface 12f opposite to the first wall surface 11f.
  • the holding portion 10g is a portion on the Y direction side of the opening 10j of the holding frame and a portion on the X direction side of the opening 10i of the holding frame.
  • the holding unit 10g includes a first wall surface 11g, a second wall surface 12g that intersects the first wall surface 11g at a right angle, and a third wall surface 13g opposite to the first wall surface 11g.
  • the first wall surface 11g of the holding unit 10g faces the second wall surface 12e of the holding unit 10e with a gap.
  • the second wall surface 12g of the holding unit 10g faces the first wall surface 11a of the holding unit 10a with a gap.
  • the holding portion 10h is a portion on the Y direction side of the opening 10j of the holding frame.
  • the holding part 10h has a first wall surface 11h and a second wall surface 12h opposite to the first wall surface 11h.
  • the first wall surface 11h of the holding unit 10h is opposed to the third wall surface 13e of the holding unit 10e with a
  • the probes 20a to 20h have a front end portion and a rear end portion.
  • the probe 20a extends in the YY ′ direction to the holding portion 10a and the holding portion 10b so that the tip end portion protrudes from the first wall surface 11a of the holding portion 10a and the rear end portion protrudes from the second wall surface 12b of the holding portion 10b.
  • the probe 20b is spaced from the holding portion 10b in the YY 'direction so that the front end portion protrudes from the first wall surface 11b of the holding portion 10b and the rear end portion protrudes from the second wall surface 12b of the holding portion 10b. Is retained.
  • the probe 20c is spaced from the holding portion 10c in the XX ′ direction so that the front end portion protrudes from the first wall surface 11c of the holding portion 10c and the rear end portion protrudes from the third wall surface 13c of the holding portion 10c. Is retained.
  • the probe 20d is spaced from the holding portion 10d in the XX 'direction so that the front end portion protrudes from the first wall surface 11d of the holding portion 10d and the rear end portion protrudes from the second wall surface 12d of the holding portion 10d. Is retained.
  • the probe 20e extends in the YY ′ direction with respect to the holding part 10e and the holding part 10f so that the front end part protrudes from the first wall surface 11e of the holding part 10e and the rear end part protrudes from the second wall surface 12f of the holding part 10f. Are held at intervals.
  • the probe 20f is spaced from the holding portion 10f in the YY 'direction so that the front end portion protrudes from the first wall surface 11f of the holding portion 10f and the rear end portion protrudes from the second wall surface 12f of the holding portion 10f. Is retained.
  • the probe 20g is spaced from the holding portion 10g in the XX ′ direction so that the tip end portion protrudes from the first wall surface 11g of the holding portion 10g and the rear end portion protrudes from the third wall surface 13g of the holding portion 10g. Is retained.
  • the probe 20h is spaced from the holding portion 10h in the XX ′ direction so that the front end portion protrudes from the first wall surface 11h of the holding portion 10h and the rear end portion protrudes from the second wall surface 12h of the holding portion 10h. Is retained.
  • the tips of the probes 20a to 20h extend in the protruding direction and then extend downward (in the direction away from the substrate 30).
  • the rear ends of the probes 20a to 20h are connected to the substrate 30, respectively.
  • the space between the probe 20a and the second wall surface 12g of the holding portion 10g is reduced.
  • the tip of the probe 20a comes into contact with the electrode of the semiconductor device D1
  • the tip of the probe 20a is elastically deformed in the thickness direction of the third probe card
  • the tip of the probe 20a is held by the holding portion 10g.
  • the same problem as the space between the probe 20a and the second wall surface 12g of the holding part 10g occurs in the space between the probe 20e and the second wall surface 12c of the holding part 10c.
  • the present invention was devised in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a probe card that can increase the space between the probe and the wall surface of the holding portion facing the probe. It is to provide.
  • the probe card of one embodiment of the present invention includes a first holding portion having insulation properties, a second holding portion having insulation properties, a plurality of first cantilever probes, and a plurality of second cantilever probes.
  • the first holding part has a first wall surface extending in the first direction.
  • the second holding part has a first wall surface and a second wall surface.
  • the first wall surface of the second holding portion extends in a second direction that intersects the first direction.
  • the second wall surface of the second holding part intersects the first wall surface of the second holding part and faces the first wall surface of the first holding part with a gap.
  • the plurality of first probes have tip portions.
  • the plurality of first probes are held by the first holding part at intervals in the first direction so that the tip part protrudes from the first wall surface of the first holding part.
  • the plurality of second probes have tip portions.
  • the plurality of second probes are held by the second holding portion at intervals in the second direction so that the tips of the plurality of second probes protrude from the first wall surface of the second holding portion.
  • the tip portions of the plurality of second probes have tips and roots.
  • the plurality of second probes includes an outermost second probe positioned closest to the second wall surface of the second holding portion. At least the distal end of the second probe at the outermost end is located closer to the first wall surface of the first holding part than the root of the second probe at the outermost end.
  • the probe card having such a configuration can increase the space between the tip portion of the first probe and the second wall surface of the second holding portion.
  • the reason is as follows.
  • the distal end of the distal end portion of the outermost second probe is located closer to the first wall surface side of the first holding portion than the root of the distal end portion of the outermost second probe.
  • the rear part from the base of the distal end portion of the second end probe at the extreme end can be positioned on the opposite side of the first wall surface side of the first holding portion from the position of the distal end of the second probe at the extreme end. Therefore, the second wall surface of the second holding part can be moved to the side opposite to the first wall surface side of the first holding part.
  • tip part of a 1st probe and the 2nd wall surface of a 2nd holding part becomes large.
  • At least the tip of the second probe at the end may be inclined or curved toward the first wall surface of the first holding part.
  • the space between the tip portion of the first probe and the second wall surface of the second holding portion can be increased.
  • the reason is as follows.
  • the distal end portion of the second probe at the extreme end is inclined or curved toward the first wall surface side of the first holding portion.
  • a rear part can be located on the opposite side to the 1st wall surface side of the 1st holding part rather than the position of the tip of the 2nd probe of the endmost end from the tip part of the 2nd end of the endmost,
  • the second wall surface of the second holding part can be moved to the side opposite to the first wall surface side of the first holding part. Thereby, the space between the front-end
  • the second holding unit may further include a third wall surface opposite to the first wall surface of the second holding unit.
  • the outermost second probe may further include a bent portion that is bent toward the first wall surface of the first holding portion.
  • the outermost second probe may further include an intermediate part provided in the second holding part.
  • the outermost second probe may further include a rear end portion protruding from the third wall surface of the second holding portion.
  • the bent part may be located on the first wall surface of the second holding part. In this case, it is possible to adopt a configuration in which the distal end portion of the second end probe is inclined toward the first wall surface of the first holding portion.
  • the bent part may be provided in the second holding part. In this case, it is possible to adopt a configuration in which a portion closer to the distal end side than the bent portion including the distal end portion of the second end probe is inclined toward the first wall surface side of the first holding portion.
  • the bent portion may be provided between the intermediate portion and the rear end portion and may be positioned on the third wall surface of the second holding portion. In this case, it is possible to adopt a configuration in which the intermediate portion and the distal end portion of the second end probe are inclined toward the first wall surface side of the first holding portion.
  • the endmost second probe may have a curved portion instead of the bent portion.
  • the bending portion can be configured to be bent toward the first wall surface of the first holding portion.
  • the starting point of the bending portion may be located on the first wall surface of the second holding portion.
  • the curved portion is the tip portion of the second end probe.
  • the starting point of the bending portion may be located in the second holding portion.
  • the bending portion can be configured to include a distal end portion of the distal end portion of the second probe at the outermost end and a bending start point of the intermediate portion.
  • the starting point of a curved part may be located in the 3rd wall surface of a 2nd holding
  • the bending portion may include a distal end portion and an intermediate portion of the outermost second probe.
  • the plurality of second probes can have the same configuration as the second end probe.
  • the tips of the tip portions of the plurality of second probes may be positioned closer to the first wall surface side of the first holding portion than the roots of the tip portions of the plurality of second probes.
  • the space between the tip portion of the first probe and the second wall surface of the second holding portion can be increased. The reason is as follows.
  • the tips of the tip portions of the plurality of second probes are respectively positioned closer to the first wall surface side of the first holding portion than the roots of the tip portions of the plurality of second probes.
  • the probe card according to any one of the above aspects may further include a first support part and a second support part.
  • the plurality of first probes may further include a first flat surface extending in the longitudinal direction of the plurality of first probes.
  • a plurality of first probes can be fixed to the first support portion by the first holding portion in a state where the first flat surface is in contact with the first support portion.
  • the plurality of second probes may further include a second flat surface extending in the longitudinal direction of the plurality of second probes.
  • a plurality of second probes can be fixed to the second support portion by the second holding portion in a state where the second flat surface is in contact with the second support portion.
  • the first and second probes can be easily arranged on the first and second support portions.
  • the probe card includes an insulating third holding portion, an insulating fourth holding portion, a plurality of cantilever-type third probes, and a plurality of cantilever-type fourth probes. It is possible to have a configuration provided.
  • the first holding unit can be configured to further include a second wall surface.
  • the second wall surface of the first holding unit can be configured to intersect the first wall surface of the first holding unit and extend in the second direction.
  • the third holding unit can be configured to have a first wall surface and a second wall surface.
  • the first wall surface of the third holding part can be configured to extend in the first direction.
  • the second wall surface of the third holding unit may be configured to intersect the first wall surface of the third holding unit and to face the first wall surface of the second holding unit with a gap.
  • the fourth holding unit can have a first wall surface and a second wall surface.
  • the first wall surface of the fourth holding part may extend in the second direction and face the second wall surface of the first holding part with a gap.
  • the second wall surface of the fourth holding part may intersect the first wall surface of the fourth holding part and face the first wall surface of the third holding part with a gap.
  • the plurality of third probes can be configured to have a tip portion.
  • the plurality of third probes are configured to be held at intervals in the first direction by the third holding portion such that the tip portions of the plurality of third probes protrude from the first wall surface of the third holding portion. It is possible.
  • the plurality of fourth probes may have a tip portion.
  • the plurality of fourth probes are configured to be held by the fourth holding portion at intervals in the second direction so that the tip portions of the plurality of fourth probes protrude from the first wall surface of the fourth holding portion. It is possible.
  • the tip portions of the plurality of fourth probes can be configured to have tips and roots.
  • the plurality of fourth probes may include an endmost fourth probe located closest to the second wall surface of the fourth holding portion. It is possible to adopt a configuration in which at least the tip of the fourth probe at the end is positioned closer to the first wall surface of the third holding part than the root of the fourth probe at the end.
  • the probe in such a manner can increase the space between the tip end portion of the third probe and the second wall surface of the fourth holding portion.
  • the reason is as follows.
  • the distal end of the distal end portion of the outermost fourth probe is located closer to the first wall surface side of the third holding portion than the root of the distal end portion of the outermost fourth probe.
  • the rear part from the base of the tip of the endmost fourth probe can be positioned on the side opposite to the first wall surface side of the third holding part from the position of the tip of the endmost fourth probe. Therefore, the second wall surface of the fourth holding part can be moved to the side opposite to the first wall surface side of the third holding part. Thereby, the space between the front-end
  • the fourth holding unit may further include a third wall surface opposite to the first wall surface of the fourth holding unit.
  • the outermost fourth probe may further include a bent portion that is bent toward the first wall surface of the third holding portion.
  • the outermost fourth probe can further include an intermediate part provided in the fourth holding part.
  • the fourth holding portion may further include a rear end portion protruding from the third wall surface.
  • the bent part may be located on the first wall surface of the fourth holding part. In this case, it is possible to adopt a configuration in which the distal end portion of the outermost fourth probe is inclined toward the first wall surface side of the third holding portion.
  • the bent part may be provided in the fourth holding part. In this case, it is possible to adopt a configuration in which a portion closer to the distal end than the bent portion including the distal end portion of the fourth probe at the end is inclined toward the first wall surface side of the third holding portion.
  • a bending part may be provided between an intermediate part and a rear-end part, and may be located in a 3rd wall surface. In this case, an intermediate part and a tip part of the fourth probe at the end can be inclined to the first wall surface side of the third holding part.
  • the endmost fourth probe may have a curved portion instead of the bent portion.
  • the bending portion can be configured to be bent toward the first wall surface of the third holding portion.
  • the starting point of the bending portion may be located on the first wall surface of the fourth holding portion.
  • the curved portion is the tip of the fourth probe at the end.
  • the starting point of the bending portion may be located in the fourth holding portion.
  • the bending portion may be configured to have a portion on the distal end side with respect to the bending start point of the distal end portion and the intermediate portion of the fourth probe at the outermost end.
  • the starting point of the bending portion may be located on the third wall surface of the fourth holding portion.
  • the bending portion can be configured to have a distal end portion and an intermediate portion of the fourth end probe.
  • the plurality of fourth probes can have the same configuration as the endmost fourth probe.
  • the tips of the tip portions of the plurality of fourth probes may be positioned closer to the first wall surface side of the third holding portion than the roots of the tip portions of the plurality of fourth probes.
  • the probe card includes an insulating fifth holding portion, an insulating sixth holding portion, an insulating seventh holding portion, an insulating eighth holding portion, A plurality of cantilever-type fifth probes, a plurality of cantilever-type sixth probes, a plurality of cantilever-type seventh probes, and a plurality of cantilever-type eighth probes can be provided.
  • the first holding unit may further include a third wall surface that intersects the first wall surface of the first holding unit and extends in the second direction.
  • the third holding unit may further include a third wall surface that intersects the first wall surface of the third holding unit and extends in the second direction.
  • the fifth holding part may have a first wall surface extending in the first direction.
  • the sixth holding part may have a first wall surface extending in the second direction and facing the third wall surface of the first holding part with a gap.
  • the seventh holding part may have a first wall surface extending in the first direction.
  • the eighth holding part may have a first wall surface extending in the second direction and facing the third wall surface of the third holding part with a gap.
  • the plurality of fifth probes can have a tip portion.
  • the plurality of fifth probes are configured to be held by the fifth holding portion at intervals in the first direction so that the tip portions of the plurality of fifth probes protrude from the first wall surface of the fifth holding portion. It is possible.
  • the plurality of sixth probes can be configured to have a tip portion.
  • the plurality of sixth probes are configured to be held by the sixth holding portion at intervals in the second direction so that the tip portions of the plurality of sixth probes protrude from the first wall surface of the sixth holding portion. It is possible.
  • the plurality of seventh probes may have a tip portion.
  • the plurality of seventh probes are configured to be held at intervals in the first direction by the seventh holding portion such that the tip portions of the plurality of seventh probes protrude from the first wall surface of the seventh holding portion.
  • the plurality of eighth probes can be configured to have a tip portion.
  • the plurality of eighth probes are configured to be held at intervals in the second direction by the eighth holding portion such that the tip portions of the plurality of eighth probes protrude from the first wall surface of the eighth holding portion. It is possible.
  • FIG. 2 is a schematic 2-2 enlarged end view of the probe card in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a schematic 3-3 enlarged end view of the probe card in FIG. 1.
  • FIG. 3 is an enlarged end view corresponding to FIG. 2 showing a design change example of the probe card.
  • FIG. 4 is an enlarged end view corresponding to FIG.
  • the probe card C includes a probe unit, a substrate 300, a support plate 400, and a reinforcing plate 500.
  • the Y-Y ′ direction shown in FIGS. 1 and 3 corresponds to the short direction of the probe card C and corresponds to the first direction of the claims.
  • the X-X ′ direction shown in FIGS. 1 and 2 corresponds to the longitudinal direction of the probe card C and corresponds to the second direction of the claims.
  • the X-X ′ direction intersects the Y-Y ′ direction at a right angle.
  • the Z-Z ′ direction shown in FIGS. 2 and 3 corresponds to the thickness direction of the probe card C.
  • the reinforcing plate 500 is made of a material harder than the support plate 400 (for example, aluminum or SUS).
  • the substrate 300 is fixed to the reinforcing plate 500 as shown in FIGS.
  • the substrate 300 has a rectangular frame shape.
  • a plurality of electrodes (not shown) are provided on the substrate 300 so as to correspond to the positions of the rear ends of probes 200a to 200h described later of the probe unit.
  • the support plate 400 is fixed to the reinforcing plate 500 so as to be located in the substrate 300.
  • the support plate 400 is interposed between the reinforcing plate 500 and the probe unit.
  • the support plate 400 is a pedestal that supports the probe unit.
  • the support plate 400 is made of a material harder than the holding frame F (for example, alumina ceramics or a metal material).
  • the support plate 400 includes a groove 410, a groove 420, a groove 430, a groove 440, a groove 450, and a groove 460, as best shown in FIG.
  • the groove 410 extends in the Y-Y ′ direction.
  • the groove 410 has an end in the Y direction and an end in the Y ′ direction.
  • the groove 420 extends in the X-X ′ direction.
  • the groove 420 has an end portion in the X direction and an end portion in the X ′ direction.
  • An end portion of the groove 420 in the X direction communicates with an end portion of the groove 410 in the Y ′ direction.
  • the groove 430 extends in the X-X ′ direction.
  • the groove 430 has an end in the X direction and an end in the X ′ direction.
  • the end of the groove 430 in the X direction communicates with the end of the groove 410 in the Y direction.
  • the groove 440 extends in the Y-Y ′ direction.
  • the groove 440 has an end portion in the Y direction and an end portion in the Y ′ direction.
  • An end portion of the groove 440 in the Y direction communicates with an end portion of the groove 410 in the Y ′ direction and an end portion of the groove 420 in the X direction.
  • the groove 450 extends in the X-X ′ direction.
  • the groove 450 has an end portion in the X direction and an end portion in the X ′ direction.
  • the end portion of the groove 450 in the X ′ direction communicates with the end portion of the groove 410 in the Y ′ direction, the end portion of the groove 420 in the X direction, and the end portion of the groove 440 in the Y direction.
  • the groove 460 extends in the X-X ′ direction.
  • the groove 460 has an end portion in the X direction and an end portion in the X ′ direction.
  • the end portion of the groove 460 in the X ′ direction communicates with the end portion of the groove 440 in the Y ′ direction.
  • the probe unit includes a holding frame F, a plurality of probes 200a (first probe), a plurality of probes 200b (fifth probe), a plurality of probes 200c (fourth probe), and a plurality of probes 200d (sixth probe). ), A plurality of probes 200e (third probe), a plurality of probes 200f (seventh probe), a plurality of probes 200g (second probe), and a plurality of probes 200h (eighth probe).
  • the number of each of the probes 200a to 200h in FIG. 1 does not match the number of each of the probes 200a to 200h in FIG.
  • the number of probes 200a in FIG. 1, the number of probes 200a in FIG. 5A, and the number of probes 200a in FIG. 5B also do not match. In FIG. 3, the probe 200a is not shown.
  • the holding frame F is made of insulating resin.
  • the holding frame F is fixed to the support plate 400.
  • the holding frame F includes a holding unit 100a, a holding unit 100b, a holding unit 100c, a holding unit 100d, a holding unit 100e, a holding unit 100f, a holding unit 100g, a holding unit 100h, and a rectangular opening 100i.
  • a rectangular opening 100j a rectangular opening 100j.
  • the openings 100i and 100j are provided in the central portion of the holding frame F so that the corners of the opening 100i on the Y ′ direction and the X direction side and the corners of the opening 100j on the Y direction and the X ′ direction side communicate with each other. ing.
  • the opening 100 i communicates with the groove 410, the groove 420, and the groove 430 of the support plate 400.
  • the opening 100j communicates with the groove 440, the groove 450, and the groove 460 of the support plate 400.
  • the holding part 100a (first holding part) is a resin block having a rectangular shape in a bottom view provided in the opening 100i of the holding frame F.
  • the end of the holding portion 100 a in the X ′ direction is integrally continuous with a portion (holding portion 100 b) on the X ′ direction side of the opening 100 i of the holding frame F.
  • the bottom surface of the holding portion 100a is inclined in the Z direction from the end in the X direction to the end in the X ′ direction.
  • the holding portion 100a has a first wall surface 110a, a second wall surface 120a, and a third wall surface 130a.
  • the first wall surface 110a is an end surface of the holding unit 100a in the X direction.
  • the second wall surface 120a is an end surface in the Y ′ direction of the holding portion 100a and intersects the first wall surface 110a at a right angle.
  • the third wall surface 130a is an end surface in the Y direction of the holding unit 100a and intersects the first wall surface 110a at a right angle.
  • the third wall surface 130a is the opposite surface of the second wall surface 120a.
  • the holding portion 100b (fifth holding portion) is a portion on the X ′ direction side of the opening 100i of the holding frame F and is located on the X ′ direction side of the holding portion 100a.
  • maintenance part 100b has the 1st wall surface 110b and the 2nd wall surface 120b.
  • the first wall surface 110b is an end surface in the X direction of the holding portion 100b and an inner wall surface in the X ′ direction of the opening 100i.
  • the second wall surface 120b is an end surface in the X ′ direction of the holding portion 100b (an opposite surface of the first wall surface 110b).
  • the holding portion 100c (fourth holding portion) is a portion on the Y ′ direction side of the opening 100i of the holding frame F and a portion on the X ′ direction side of the opening 100j of the holding frame F.
  • the holding part 100c has a first wall surface 110c, a second wall surface 120c, and a third wall surface 130c.
  • the first wall surface 110c is an end surface in the Y direction of the holding portion 100c and an inner wall surface in the Y 'direction of the opening 100i.
  • the first wall surface 110c is opposed to the second wall surface 120a of the holding unit 100a with a gap.
  • the second wall surface 120c is an end surface in the X direction of the holding portion 100c, and is an inner wall surface in the X 'direction of the opening 100j.
  • the third wall surface 130c is an end surface in the Y ′ direction of the holding portion 100c (an opposite surface of the first wall surface 110c).
  • the holding portion 100d (sixth holding portion) is a portion on the Y direction side of the opening 100i of the holding frame F.
  • the holding unit 100d has a first wall surface 110d and a second wall surface 120d.
  • the first wall surface 110d is an end surface in the Y ′ direction of the holding portion 100d and is an inner wall surface in the Y direction of the opening 100i.
  • the first wall surface 110d faces the third wall surface 130a of the holding unit 100a with a gap.
  • the second wall surface 120d is an end surface in the Y direction of the holding portion 100d (an opposite surface of the first wall surface 110d).
  • the holding part 100e (third holding part) is a rectangular resin block in a bottom view provided in the opening 100j of the holding frame F.
  • An end in the X direction of the holding portion 100e is integrally continuous with a portion (holding portion 100f) on the X direction side of the opening 100j of the holding frame F.
  • the bottom surface of the holding portion 100e is inclined in the Z direction from the end in the X ′ direction to the end in the X direction (refer to FIG. 2).
  • the holding unit 100e has a first wall surface 110e, a second wall surface 120e, and a third wall surface 130e.
  • the first wall surface 110e is an end surface in the X ′ direction of the holding unit 100e.
  • the first wall surface 110e faces the second wall surface 120c of the holding unit 100c with a gap.
  • the second wall surface 120e is an end surface in the Y direction of the holding unit 100e and intersects the first wall surface 110e at a right angle.
  • the third wall surface 130e is an end surface in the Y ′ direction of the holding portion 100e and intersects the first wall surface 110e at a right angle.
  • the third wall surface 130e is the opposite surface of the second wall surface 120e.
  • the holding portion 100f (seventh holding portion) is a portion on the X direction side of the opening 100j of the holding frame F and is located on the X direction side with respect to the holding portion 100e.
  • the holding part 100f has a first wall surface 110f and a second wall surface 120f.
  • the first wall surface 110f is an end surface in the X ′ direction of the holding portion 100f and is an inner wall surface in the X direction of the opening 100j.
  • the second wall surface 120f is an end surface in the X direction of the holding portion 100f (an opposite surface of the first wall surface 110f).
  • the holding portion 100g (second holding portion) is a portion on the Y direction side of the opening 100j of the holding frame F and a portion on the X direction side of the opening 100i of the holding frame F.
  • the holding part 100g has a first wall surface 110g, a second wall surface 120g, and a third wall surface 130g.
  • the first wall surface 110g is an end surface in the Y ′ direction of the holding portion 100g and is an inner wall surface in the Y direction of the opening 100j.
  • the first wall surface 110g faces the second wall surface 120e of the holding unit 100e with a gap.
  • the second wall surface 120g is an end surface in the X ′ direction of the holding portion 100g and is an inner wall surface in the X direction of the opening 100i.
  • the third wall surface 130g is an end surface in the Y direction of the holding portion 100g (an opposite surface of the first wall surface 110g).
  • the holding portion 100h (eighth holding portion) is a portion on the Y ′ direction side of the opening 100j of the holding frame F.
  • the holding part 100h has a first wall surface 110h and a second wall surface 120h.
  • the first wall surface 110h is an end surface in the Y direction of the holding portion 100h and an inner wall surface in the Y ′ direction of the opening 100j.
  • the first wall surface 110h faces the third wall surface 130e of the holding unit 100e with a gap.
  • the second wall surface 120h is an end surface in the Y ′ direction of the holding unit 100h (an opposite surface of the first wall surface 110h).
  • Probes 200a to 200h are cantilever needles. Each probe 200a has a tip portion 210a, an intermediate portion 220a, and a rear end portion 230a, as best shown in FIG.
  • the probe 200a is held by the holding unit 100a and the holding unit 100b with an interval in the Y-Y 'direction. More specifically, the intermediate part 220a of the probe 200a is held by the holding part 100a and the holding part 100b with an interval in the Y-Y 'direction.
  • the intermediate part 220a is embedded in the holding part 100a and the holding part 100b.
  • the rear end portion 230a protrudes in the X ′ direction from the second wall surface 120b of the holding portion 100b.
  • the rear end portion 230a is connected to a corresponding electrode of the substrate 300.
  • the tip portion 210a protrudes in the X direction from the first wall surface 110a of the holding portion 100a.
  • the distal end portion 210 a is disposed on the Z ′ direction side of the groove 410 of the support plate 400.
  • the tip portion 210a has a contact portion 211a and an elastic deformation portion 212a.
  • the elastic deformation portion 212a extends in the X direction from the first wall surface 110a.
  • the elastic deformation portion 212a can be elastically deformed in the Z-Z 'direction.
  • the contact portion 211a extends in the Z ′ direction from the end in the X direction of the elastic deformation portion 212a.
  • the tip of the contact portion 211a (hereinafter also referred to as the tip of the probe 200a) is located on the Z ′ direction side from the bottom surfaces of the holding portion 100a and the holding portion 100g.
  • the tip of the contact portion 211a is a part that can contact an electrode (not shown) on the side in the X direction of the semiconductor device D of the semiconductor wafer U.
  • a portion other than the contact portion 211a of the probe 200a is inclined in an oblique direction between the X ′ direction and the Z direction.
  • the tips of the probes 200a can be arranged in one or more rows in the Y-Y 'direction. Examples are shown in FIGS. 4A, 4B, 5A and 5B. As shown in FIGS. 4A and 4B, the probe 200a may be held by the holding unit 100a so that the tips thereof are arranged in a staggered manner in two rows in the Y-Y ′ direction.
  • the probe 200a may be held by the holding unit 100a so that the tips thereof are arranged in a staggered manner in four rows in the Y-Y ′ direction.
  • the first row of probes 200a is spaced from the holding unit 100a in the YY ′ direction so that the tips of the first row of probes 200a are arranged along the first virtual line L1 extending in the arrangement direction of the probes. Is held open.
  • the third row of probes 200a is placed on the holding portion 100a on the Z ′ direction side of the first row of probes 200a so that the tips of the third row of probes 200a are arranged along the third virtual line L3 extending in the arrangement direction.
  • the second row of probes 200a are spaced from the holding unit 100a in the YY ′ direction so that the tips of the second row of probes 200a are arranged along the first virtual line L2 extending in the direction in which the probes are arranged. Is retained.
  • the second row probes 200a are respectively positioned between the first row probes 200a adjacent in the Y-Y 'direction.
  • the fourth row of probes 200a is arranged on the holding portion 100a on the Z ′ direction side of the third row of probes 200a so that the tips of the fourth row of probes 200a are arranged along the fourth virtual line L4 extending in the arrangement direction. It is held at the same interval as the three rows of probes 200a.
  • the first imaginary line L1 to the fourth imaginary line L4 are arranged perpendicular to the arrangement direction and spaced in the longitudinal direction of the probe.
  • the probe 200a may be held by the holding unit 100a so that the tips thereof are arranged in four rows in the Y-Y ′ direction.
  • the probe 200a is held so that the arrangement is repeated in the order of the first row probe 200a, the fourth row probe 200a, the second row probe 200a, and the third row probe 200a from the Y direction side.
  • the portion 100a is held at an interval in the YY ′ direction.
  • the tips of the second row of probes 200a are located on the X ′ direction side of the tips of the first row of probes 200a.
  • the tip of the third row of probes 200a is located on the X ′ direction side of the tip of the second row of probes 200a.
  • the tip end of the fourth row probe 200a is located on the X ′ direction side of the tip end of the third row probe 200a.
  • the tips of the first group of probes 200a in the arrangement direction (for example, a group of probes at one end in the arrangement direction) among the plurality of probes 200a are arranged in a row, and the second group of probes 200a in the arrangement direction (for example, The plurality of probes 200a may be held by the holding portion 100a such that the tips of the grouped probes in the central portion in the arrangement direction) or the tips of the remaining probes 200a are arranged in a plurality of rows.
  • the tips of the first group of probes 200a in the arrangement direction among the plurality of probes 200a are arranged in a plurality of rows, and the tips of the second group or the remaining probes 200a in the arrangement direction are arranged in a plurality of rows different from the plurality of rows.
  • the plurality of probes 200a may be held by the holding unit 100a.
  • a space between the probe 200a and the second wall surface 120g of the holding unit 100g is indicated by S1.
  • Each probe 200b has a front end portion 210b, an intermediate portion 220b, and a rear end portion 230b, as best shown in FIG.
  • the probe 200b is held by the holding unit 100b with an interval in the Y-Y 'direction. More specifically, the intermediate portion 220b of the probe 200b is held at a portion in the Z ′ direction from the intermediate portion 220a of the probe 200a of the holding portion 100b with a space in the Y-Y ′ direction.
  • the intermediate part 220b is embedded in the holding part 100b.
  • the rear end portion 230b protrudes in the X ′ direction from the second wall surface 120b of the holding portion 100b.
  • the rear end portion 230b is located closer to the Z ′ direction than the rear end portion 230a.
  • the rear end portion 230b is connected to a corresponding electrode of the substrate 300.
  • the tip portion 210b protrudes from the first wall surface 110b of the holding portion 100b in the X direction.
  • the tip portion 210b is located on the Z ′ direction side of the holding portion 100a.
  • the tip portion 210b has a contact portion 211b and an elastic deformation portion 212b.
  • the elastic deformation part 212b extends in the X direction from the first wall surface 110b.
  • the elastic deformation part 212b can be elastically deformed in the Z-Z 'direction.
  • the contact portion 211b extends in the Z ′ direction from the end in the X direction of the elastic deformation portion 212b.
  • the tip of the contact portion 211a (hereinafter also referred to as the tip of the probe 200b) is located on the Z ′ direction side of the holding portion 100b and the bottom surface of the holding portion 100a.
  • the tip of the contact portion 211b is a part that can contact an electrode (not shown) on the side in the X ′ direction of the semiconductor device D of the semiconductor wafer U.
  • a portion other than the contact portion 211b of the probe 200b is inclined in an oblique direction between the X ′ direction and the Z direction.
  • the probe 200b may be held by the holding unit 100b so that the tips thereof are arranged in one or more rows in the Y-Y ′ direction.
  • the holding portion is arranged so that the tips of some of the probes 200b are arranged in a row and the tips of another part or the remaining probes 200b are arranged in a plurality of rows.
  • 100b may be held.
  • the tips of some of the probes 200b are arranged in a plurality of rows, and the tips of another part or the remaining probes 200b are arranged in a plurality of rows different from the plurality of rows. As shown, it may be held by the holding unit 100b.
  • Each probe 200c has a tip portion 210c, an intermediate portion 220c, a rear end portion 230c, and a bent portion 240c, as best shown in FIG.
  • the probe 200c is held by the holding unit 100c with an interval in the X-X ′ direction. More specifically, the intermediate portion 220c of the probe 200c is held by the holding portion 100c with an interval in the X-X ′ direction.
  • the intermediate part 220c is embedded in the holding part 100c.
  • the rear end portion 230c protrudes in the Y ′ direction from the third wall surface 130c of the holding portion 100c.
  • the rear end portion 230 c is connected to the corresponding electrode of the substrate 300.
  • the tip portion 210c protrudes from the first wall surface 110c of the holding portion 100c in the Y direction.
  • the tip portion 210 c is located on the Z ′ direction side of the groove 420 of the support plate 400.
  • the tip portion 210c has a contact portion 211c and an elastic deformation portion 212c.
  • the elastic deformation part 212c extends in the Y direction from the first wall surface 110c.
  • the elastic deformation portion 212c can be elastically deformed in the Z-Z 'direction.
  • the elastic deformation portion 212c has an end in the Y direction and an end in the Y ′ direction. An end in the Y ′ direction of the elastic deformation portion 212c corresponds to the root 212c1 of the tip portion 210c.
  • the height position (level) in the Y-Y 'direction of the root 212c1 of the tip portion 210c is the same as the height position (level) in the Y-Y' direction of the first wall surface 110c of the holding unit 100c.
  • the contact portion 211c extends in the Z ′ direction from the end in the Y direction of the elastic deformation portion 212c.
  • the tip 211c1 of the contact portion 211c is the tip of the tip 210c (hereinafter also referred to as the tip of the tip 210c or the tip of the probe 200c).
  • the contact portion 211c is located on the Z ′ direction side of the holding portion 100c and the bottom surface of the holding portion 100a.
  • the tip of the contact portion 211c is a portion that can contact an electrode (not shown) on the side in the Y ′ direction of the semiconductor device D of the semiconductor wafer U.
  • a portion other than the contact portion 211c of the probe 200c is inclined in an oblique direction between the Y ′ direction and the Z direction.
  • the probe 200c may be held by the holding unit 100c so that the tips thereof are arranged in one or more rows in the X-X ′ direction.
  • the holding portion is arranged so that the tips of some of the probes 200c are arranged in a row and the tips of another portion or the remaining probes 200c are arranged in a plurality of rows.
  • 100c may be held.
  • the tips of some of the probes 200c are arranged in a plurality of rows, and the tips of another part or the remaining probes 200c are arranged in a plurality of rows different from the plurality of rows. As shown, it may be held by the holding part 100c.
  • the tip 211c1 of the tip 210c is located closer to the first wall surface 110e of the holding part 100e than the root 212c1 of the tip 210c. This is realized by tilting or bending a part of the probe 200c described later, but is not limited thereto.
  • the bending part 240c can be provided between the front-end
  • the bent part 240c is located on the first wall surface 110c of the holding part 100c.
  • the bent portion 240c is bent in the X direction (the first wall surface 110e side of the holding portion 100e) at the first wall surface 110c.
  • the tip portion 210c is inclined in the X direction.
  • the intermediate portion 220c and the rear end portion 230c extend linearly in the Y-Y ′ direction.
  • the bending part 240c can be provided in the intermediate part 220c, as FIG. 6B shows. In other words, the bent part 240c is located in the holding part 100c.
  • the bent portion 240c is bent in the X direction within the holding portion 100c.
  • a portion of the probe 200c on the tip side with respect to the bent portion 240c (including a portion on the tip side of the bent portion 240c of the tip portion 210c and the intermediate portion 220c) is inclined in the X direction.
  • a portion on the rear end side of the bent portion 240c of the probe 200c (including a portion on the rear end side of the bent portion 240c of the rear end portion 230c and the intermediate portion 220c) extends linearly in the YY ′ direction.
  • the bending part 240c can be provided between the intermediate part 220c and the rear-end part 230c, as FIG. 6C shows.
  • the bent part 240c is located on the third wall surface 130c of the holding part 100c.
  • the bent portion 240c is bent in the X direction by the third wall surface 130c.
  • the tip portion 210c and the intermediate portion 220c are inclined in the X direction (the first wall surface 110e side of the holding portion 100e).
  • the rear end portion 230a extends linearly in the Y-Y ′ direction.
  • a bending start point 250c of the probe 200c (a bending point starting point described later) may be provided between the distal end portion 210c and the intermediate portion 220c as shown in FIG. 6D. That is, the bending start point 250c may be located on the first wall surface 110a of the holding portion 100c. In this case, the tip portion 210c becomes a curved portion.
  • the intermediate portion 220c and the rear end portion 230c extend linearly in the Y-Y ′ direction.
  • the starting point 250c of a curve may be provided in the intermediate part 220c. That is, the bending start point 250c may be located in the holding portion 100c.
  • a portion on the tip side of the bending start point 250c of the probe 200c (including a portion on the tip side of the bent portion 240c of the tip portion 210c and the intermediate portion 220c) is a bending portion.
  • a portion on the rear end side of the bent portion 240c of the probe 200c extends linearly in the YY ′ direction. .
  • the bending start point 250c may be provided between the intermediate portion 220c and the rear end portion 230c. That is, the bending start point 250c may be located on the third wall surface 130c of the holding unit 100c.
  • the tip portion 210c and the intermediate portion 220c are curved portions.
  • the rear end portion 230a extends linearly in the Y-Y ′ direction.
  • the bending end point of the probe 200c is the end in the Y direction of the elastic deformation portion 212c of the tip portion 210c.
  • the probe 200c is one probe 200c located at the end of the probe 200c on the X direction (first wall surface 110e of the holding portion 100e) side (most located on the X direction side).
  • the end probe 200c) or a plurality of probes 200c (including the end probe 200c positioned closest to the X direction) and the remaining probes 200c may be included.
  • the one or more probes 200c are referred to as X-direction side probes 200c.
  • 210c may be more inclined or curved in the X direction than the remaining probe 200c.
  • Each probe 200d has a front end portion 210d, an intermediate portion 220d, and a rear end portion 230d, as best shown in FIG.
  • the probe 200d is held by the holding unit 100d with an interval in the X-X ′ direction. More specifically, the intermediate portion 220d of the probe 200d is held by the holding portion 100d with an interval in the X-X ′ direction.
  • the intermediate part 220d is embedded in the holding part 100d.
  • the rear end portion 230d protrudes in the Y direction from the second wall surface 120d of the holding portion 100d.
  • the rear end portion 230d is connected to a corresponding electrode of the substrate 300.
  • the tip portion 210d protrudes in the Y ′ direction from the first wall surface 110d of the holding portion 100d.
  • the tip portion 210 d is located on the Z ′ direction side of the groove 430 of the support plate 400.
  • the tip portion 210d has a contact portion 211d and an elastic deformation portion 212d.
  • the elastic deformation portion 212d extends in the Y ′ direction from the first wall surface 110d.
  • the elastic deformation part 212d can be elastically deformed in the Z-Z 'direction.
  • the contact portion 211d extends in the Z ′ direction from the end in the Y ′ direction of the elastic deformation portion 212d.
  • the tip of the contact portion 211d (hereinafter also referred to as the tip of the probe 200d) is located on the Z ′ direction side with respect to the holding portion 100d and the bottom surface of the holding portion 100a.
  • the tip of the contact portion 211d is a portion that can contact an electrode (not shown) on the side in the Y direction of the semiconductor device D of the semiconductor wafer U.
  • Parts other than the contact part 211d of the probe 200d are inclined in an oblique direction between the Y direction and the Z direction.
  • the probe 200d may be held by the holding unit 100d so that the tips thereof are arranged in one or more rows in the X-X ′ direction. Further, like the probe 200a, the holding portion is arranged such that the tips of some of the probes 200d are arranged in a row and the tips of another part or the remaining probes 200d are arranged in a plurality of rows. It may be held at 100d. Similarly to the probe 200a, the tips of some of the probes 200d are arranged in a plurality of rows, and the tips of another part or the remaining probes 200d are arranged in a plurality of rows different from the plurality of rows. As shown, it may be held by the holding part 100d.
  • the probe 200e has the same configuration as the probe 200a except that it is held by the holding unit 100e and the holding unit 100f, as will be described later.
  • Each probe 200e has a front end portion 210e, an intermediate portion 220e, and a rear end portion 230e.
  • the probe 200e is held by the holding unit 100e and the holding unit 100f with an interval in the Y-Y 'direction. More specifically, the intermediate part 220e of the probe 200e is held by the holding part 100e and the holding part 100f with an interval in the Y-Y 'direction.
  • the intermediate part 220e is embedded in the holding part 100e and the holding part 100e.
  • the rear end portion 230e protrudes in the X direction from the second wall surface 120f of the holding portion 100f.
  • the rear end portion 230e is connected to a corresponding electrode of the substrate 300.
  • the leading end portion 210e protrudes in the X ′ direction from the first wall surface 110e of the holding portion 100e.
  • the distal end portion 210 e is disposed on the Z ′ direction side of the groove 440 of the support plate 400.
  • the tip portion 210e has a contact portion 211e and an elastic deformation portion 212e.
  • the elastic deformation portion 212e extends from the first wall surface 110e in the X ′ direction.
  • the elastic deformation portion 212e can be elastically deformed in the Z-Z 'direction.
  • the contact portion 211e extends in the Z ′ direction from the end in the X ′ direction of the elastic deformation portion 212e.
  • the tip of the contact portion 211e (hereinafter also referred to as the tip of the probe 200e) is located on the Z ′ direction side from the bottom surfaces of the holding portion 100e and the holding portion 100c.
  • the tip of the contact portion 211e is a portion that can contact an electrode (not shown) on the side in the X ′ direction of another semiconductor device D of the semiconductor wafer U.
  • Portions other than the contact portion 211e of the probe 200e are inclined in an oblique direction between the X direction and the Z direction.
  • the probe 200e may be held by the holding unit 100e so that the tips thereof are arranged in one or more rows in the Y-Y ′ direction.
  • the holding portion is arranged so that the tips of some of the probes 200e are arranged in a row and the tips of another portion or the remaining probes 200e are arranged in a plurality of rows.
  • 100e may be held.
  • the tips of some of the probes 200e are arranged in a plurality of rows, and the tips of another part or the remaining probes 200e are arranged in a plurality of rows different from the plurality of rows.
  • the holding part 100e may hold.
  • a space between the probe 200e and the second wall surface 120c of the holding unit 100c is indicated by S2.
  • the probe 200f has the same configuration as the probe 200b except that the probe 200f is held by the holding unit 100f as described later.
  • Each probe 200f has a front end portion 210f, an intermediate portion 220f, and a rear end portion 230f.
  • the probe 200f is held by the holding portion 100f with an interval in the Y-Y 'direction. More specifically, the intermediate portion 220f of the probe 200f is held at a portion in the Z ′ direction from the intermediate portion 220e of the probe 200e of the holding portion 100f with a gap in the Y-Y ′ direction.
  • the intermediate part 220f is embedded in the holding part 100f.
  • the rear end portion 230f protrudes in the X direction from the second wall surface 120f of the holding portion 100f.
  • the rear end portion 230f is located closer to the Z ′ direction than the rear end portion 230e.
  • the rear end portion 230f is connected to a corresponding electrode of the substrate 300.
  • the front end portion 210f protrudes in the X ′ direction from the first wall surface 110f of the holding portion 100f.
  • the tip portion 210f is located on the Z ′ direction side of the holding portion 100e.
  • the tip portion 210f has a contact portion 211f and an elastic deformation portion 212f.
  • the elastic deformation portion 212f extends in the X ′ direction from the first wall surface 110f.
  • the elastic deformation portion 212f can be elastically deformed in the Z-Z 'direction.
  • the contact portion 211f extends in the Z ′ direction from the end in the X ′ direction of the elastic deformation portion 212f.
  • the tip of the contact portion 211f (hereinafter also referred to as the tip of the probe 200f) is located on the Z ′ direction side with respect to the bottom surfaces of the holding portion 100f and the holding portion 100e.
  • the tip of the contact portion 211f is a part that can contact an electrode (not shown) on the side in the X direction of another semiconductor device D of the semiconductor wafer U.
  • a portion other than the contact portion 211f of the probe 200f is inclined in an oblique direction between the X direction and the Z direction.
  • the probe 200f may be held by the holding unit 100f so that the tips thereof are arranged in one or more rows in the Y-Y ′ direction.
  • the holding portion is arranged so that the tips of some of the probes 200f are arranged in a row and the tips of another or the remaining probes 200f are arranged in a plurality of rows.
  • 100f may be held.
  • the tips of some of the probes 200f are arranged in a plurality of rows, and the tips of another part or the remaining probes 200f are arranged in a plurality of rows different from the plurality of rows. As shown, it may be held by the holding unit 100f.
  • the probe 200g has the same configuration as the probe 200c except that the probe 200g is held by the holding portion 100g and the bending or bending direction of the probe 200g is different as described later.
  • Each probe 200g has a tip portion 210g, an intermediate portion 220g, a rear end portion 230g, and a bent portion (not shown).
  • the probe 200g is held by the holding unit 100g with an interval in the X-X ′ direction. More specifically, the intermediate portion 220g of the probe 200g is held by the holding portion 100g with an interval in the X-X ′ direction.
  • the intermediate part 220g is embedded in the holding part 100g.
  • the rear end portion 230g protrudes in the Y direction from the third wall surface 130g of the holding portion 100g.
  • the rear end portion 230g is connected to a corresponding electrode of the substrate 300.
  • the tip portion 210g protrudes in the Y ′ direction from the first wall surface 110g of the holding portion 100g.
  • the tip portion 210 g is located on the Z ′ direction side of the groove 450 of the support plate 400.
  • the tip portion 210g has a contact portion 211g and an elastic deformation portion 212g.
  • the elastic deformation portion 212g extends in the Y ′ direction from the first wall surface 110g.
  • the elastically deformable portion 212g can be elastically deformed in the Z-Z 'direction.
  • the elastic deformation portion 212g has an end in the Y direction and an end in the Y ′ direction.
  • the end in the Y ′ direction of the elastic deformation portion 212g corresponds to the root 212g1 of the tip portion 210g.
  • the height position (level) in the Y-Y 'direction of the root 212g1 of the tip portion 210g is the same as the height position (level) in the Y-Y' direction of the first wall surface 110g of the holding section 100g.
  • the contact portion 211g extends in the Z ′ direction from the end in the Y ′ direction of the elastic deformation portion 212g.
  • the tip of the contact portion 211g is the tip 211g1 of the tip 210g (hereinafter also referred to as the tip of the tip 210g and the tip of the probe 200g).
  • the tip of the contact portion 211g is located on the Z ′ direction side with respect to the bottom surfaces of the holding portion 100g and the holding portion 100e.
  • the tip of the contact portion 211g is a portion that can contact an electrode (not shown) on the side in the Y direction of another semiconductor device D of the semiconductor wafer U.
  • Parts other than the contact part 211g of the probe 200g are inclined in an oblique direction between the Y direction and the Z direction.
  • the probe 200g may be held by the holding unit 100g so as to be arranged in one or more rows in the X-X ′ direction.
  • the holding portion is arranged such that the tips of some probes 200g among the plurality of probes 200g are arranged in a single row, and the tips of another part or the remaining probes 200g are arranged in a plurality of rows. It may be held at 100 g.
  • the tips of some probes 200g among the plurality of probes 200g are arranged in a plurality of rows, and the tips of another part or the remaining probes 200g are arranged in a plurality of rows different from the plurality of rows. As shown in FIG.
  • the tip 211g1 of the tip 210g is located closer to the first wall surface 110g of the holding part 100g than the root 212g1 of the tip 210g. This is realized by tilting or bending a part of the probe 200g described later, but is not limited thereto.
  • the bent part of the probe 200g can have the same configuration as the bent part 240c of the probe 200c except that the bent part is bent in the X ′ direction (the first wall surface 110a side of the holding part 100a).
  • the tip part 210g is inclined in the X ′ direction.
  • the intermediate portion 220g and the rear end portion 230g extend linearly in the Y-Y ′ direction.
  • the bent portion of the probe 200g is provided in the intermediate portion 220g (refer to FIG.
  • the portion closer to the tip side than the bent portion of the probe 200g is inclined in the X ′ direction.
  • a portion on the rear end side of the bent portion of the probe 200g extends linearly in the Y-Y 'direction.
  • the tip part 210g and the intermediate part 220g are inclined in the X ′ direction. Yes.
  • the rear end portion 230g extends linearly in the Y-Y ′ direction.
  • the tip portion 210g in the X ′ direction (the first wall surface 110a side of the holding portion 100a) instead of inclining the tip portion 210g.
  • the bent part of the probe 200g is omitted.
  • the starting point of bending of the probe 200g (the starting point of the bending portion described later) is provided between the distal end portion 210g and the intermediate portion 220g (refer to FIG. 6D)
  • the distal end portion 210g becomes the bending portion.
  • the intermediate portion 220g and the rear end portion 230g extend linearly in the Y-Y ′ direction.
  • the tip side portion (including the tip side portion of the tip portion 210g and the bent portion of the intermediate portion 220g) is included in the probe 200g. It becomes a curved part.
  • a portion on the rear end side of the bent portion of the probe 200g (including a portion on the rear end side of the bent portion of the rear end portion 230g and the intermediate portion 220g) extends linearly in the Y-Y 'direction.
  • the front end part 210g and the intermediate part 220g become the bending part.
  • the rear end portion 230g extends linearly in the Y-Y ′ direction.
  • the bending end point of the probe 200g is the end in the Y ′ direction of the elastic deformation portion 212g of the tip portion 210g.
  • the tip portions 210g of all the probes 200g, the portions and the tip portions 210g on the tip side of the bent portions of the intermediate portions 220g of all the probes 200g, or the intermediate portions 220g and the tip portions 210g of all the probes 200g are X 'It may be inclined or curved in the direction.
  • the probe 200g is one probe 200g positioned at the end of the probe 200g in the X ′ direction (the first wall surface 110a side of the holding unit 100a) (the most probe 200g positioned closest to the X ′ direction).
  • a plurality of probes 200g including the endmost probe 200g located on the most X ′ direction side) and the remaining probes 200g may be included.
  • the one or more probes 200g are referred to as X 'direction side probes 200g.
  • the tip portion 210g may be greatly inclined in the X ′ direction as compared with the remaining probe 200g.
  • the probe 200h has the same configuration as the probe 200d except that it is held by the holding unit 100h as will be described later.
  • Each probe 200h has a front end portion 210h, an intermediate portion 220h, and a rear end portion 230h.
  • the probe 200h is held by the holding unit 100h with an interval in the X-X ′ direction. More specifically, the intermediate portion 220h of the probe 200h is held by the holding portion 100h with an interval in the X-X ′ direction.
  • the intermediate part 220h is embedded in the holding part 100h.
  • the rear end portion 230h protrudes in the Y ′ direction from the second wall surface 120h of the holding portion 100h.
  • the rear end portion 230h is connected to a corresponding electrode of the substrate 300.
  • the tip portion 210h protrudes from the first wall surface 110h of the holding portion 100h in the Y direction.
  • the front end portion 210 h is located on the Z ′ direction side of the groove 460 of the support plate 400.
  • the tip portion 210h has a contact portion 211h and an elastic deformation portion 212h.
  • the elastic deformation portion 212h extends in the Y direction from the first wall surface 110h.
  • the elastic deformation portion 212h can be elastically deformed in the Z-Z 'direction.
  • the contact portion 211h extends in the Z ′ direction from the Y-direction end of the elastic deformation portion 212h.
  • the tip of the contact portion 211h (hereinafter also referred to as the tip of the probe 200h) is located on the Z ′ direction side with respect to the bottom surfaces of the holding portion 100h and the holding portion 100e.
  • the tip of the contact portion 211h is a portion that can contact an electrode (not shown) on the side in the Y ′ direction of another semiconductor device D of the semiconductor wafer U.
  • Portions other than the contact portion 211h of the probe 200h are inclined in an oblique direction between the Y ′ direction and the Z direction.
  • the probe 200h may be held by the holding unit 100h so that the tips thereof are arranged in one or more rows in the X-X ′ direction.
  • the holding portion is arranged such that the tips of some of the probes 200h are arranged in a row and the tips of another portion or the remaining probes 200h are arranged in a plurality of rows.
  • 100b may be held.
  • the tips of some of the probes 200h are arranged in a plurality of rows, and the tips of another part or the remaining probes 200h are in a plurality of rows different from the plurality of rows. You may hold
  • the probe card C will be described in detail.
  • a mode in which only the tip portion 210c of the probe 200c and the tip portion 210g of the probe 200g are inclined or curved will be described.
  • the probe card C can be manufactured by the same method also in the case of other inclined or curved aspects of the probe 200c and the probe 200g.
  • the probe 200a is arranged on the first pedestal (not shown) with a space in the Y-Y 'direction. Thereafter, a first insulating resin is applied to a part of the intermediate part 220a of the probe 200a, and a part of the intermediate part 220a of the probe 200a is embedded in the first insulating resin and fixed to the first insulating resin. The cured first insulating resin is removed from the first pedestal. Thereafter, the support plate 400 is prepared. The probe 200a and the first insulating resin are arranged on the support plate 400 so that the tip portion 210a of the probe 200a is positioned on the groove 410 of the support plate 400.
  • the first insulating resin is fixed to the support plate 400 with the second insulating resin.
  • the cured second insulating resin and the first insulating resin become the holding portion 100a.
  • the tip portion 210a of the probe 200a protrudes from the first wall surface 110a of the holding portion 100a, and the remaining portion and the rear end portion 230a of the intermediate portion 220a of the probe 200a protrude from the opposite surface of the first wall surface 110a of the holding portion 100a.
  • the probe 200b is prepared.
  • the probe 200b is arranged on the second pedestal (not shown) with an interval in the Y-Y 'direction.
  • a third insulating resin is applied to the intermediate portion 220b of the probe 200b, and the intermediate portion 220b of the probe 200b is embedded in the third insulating resin and fixed to the third insulating resin.
  • the cured third insulating resin is removed from the second pedestal.
  • the probe 200b and the third insulating resin are arranged on the support plate 400 so that the tip portion 210b of the probe 200b is positioned on the holding portion 100a.
  • the fourth insulating resin is applied to the third insulating resin and the remaining portion of the intermediate portion 220a of the probe 200a, the remaining portion of the intermediate portion 220a of the probe 200a is embedded in the fourth insulating resin, and the fourth insulating resin Then, the third insulating resin is fixed to the support plate 400. At this time, the fourth insulating resin contacts the holding part 100a. The cured fourth insulating resin and third insulating resin become the holding portion 100b, and the holding portion 100b is integrated with the holding portion 100a.
  • the tip end portion 210b of the probe 200b protrudes from the first wall surface 110b of the holding portion 100b, and the rear end portion 230a of the probe 200a and the rear end portion 230b of the probe 200b protrude from the second wall surface 120b of the holding portion 100b.
  • the probe 200c is prepared.
  • the probe 200c is arranged on a third pedestal (not shown) with a space in the X-X 'direction. At this time, the inclination direction or the bending direction of the distal end portion 210c of the probe 200c is directed to the X direction.
  • a fifth insulating resin is applied to the intermediate portion 220c of the probe 200c, and the intermediate portion 220c of the probe 200c is embedded in the fifth insulating resin and fixed to the fifth insulating resin. The cured fifth insulating resin is removed from the third pedestal.
  • the probe 200c and the fifth insulating resin are arranged on the support plate 400 so that the tip portion 210c of the probe 200c is positioned on the groove 420 of the support plate 400.
  • the fifth insulating resin is fixed to the support plate 400 with the sixth insulating resin.
  • the sixth insulating resin contacts the holding part 100b.
  • the cured sixth insulating resin and fifth insulating resin become the holding portion 100c, and the holding portion 100c is integrated with the holding portion 100b.
  • the tip end portion 210c of the probe 200c protrudes from the first wall surface 110c of the holding portion 100c, and the rear end portion 230c of the probe 200c protrudes from the third wall surface 130c of the holding portion 100c.
  • the probe 200d is prepared.
  • the probe 200d is disposed on a fourth pedestal (not shown) with an interval in the X-X 'direction.
  • a seventh insulating resin is applied to the intermediate portion 220d of the probe 200d, and the intermediate portion 220d of the probe 200d is embedded in the seventh insulating resin in the support plate 400 and fixed to the seventh insulating resin.
  • the cured seventh insulating resin is removed from the fourth base.
  • the probe 200d and the seventh insulating resin are arranged on the support plate 400 so that the tip portion 210d of the probe 200d is positioned on the groove 430 of the support plate 400.
  • the seventh insulating resin is fixed to the support plate 400 with the eighth insulating resin.
  • the eighth insulating resin contacts the holding part 100b.
  • the cured eighth insulating resin and seventh insulating resin become the holding portion 100d, and the holding portion 100d is integrated with the holding portion 100b.
  • the tip end portion 210d of the probe 200d protrudes from the first wall surface 110d of the holding portion 100d, and the rear end portion 230d of the probe 200d protrudes from the second wall surface 120d of the holding portion 100d.
  • the probe 200e is prepared.
  • the probe 200e is arranged on the fifth pedestal (not shown) with a space in the Y-Y 'direction.
  • a ninth insulating resin is applied to a part of the intermediate part 220e of the probe 200e, and a part of the intermediate part 220e of the probe 200e is embedded in the ninth insulating resin and fixed to the ninth insulating resin.
  • the cured ninth insulating resin is removed from the fifth base.
  • the probe 200e and the ninth insulating resin are arranged on the support plate 400 so that the tip portion 210e of the probe 200e is positioned on the groove 440 of the support plate 400.
  • the ninth insulating resin is fixed to the support plate 400 with the tenth insulating resin.
  • the cured tenth insulating resin and ninth insulating resin become the holding portion 100e.
  • the tip portion 210e of the probe 200e protrudes from the first wall surface 110e of the holding portion 100e, and the remaining portion of the intermediate portion 220e and the rear end portion 230e of the probe 200e protrude from the opposite surface of the first wall surface 110e of the holding portion 100e.
  • the probe 200f is prepared.
  • the probe 200f is disposed on a sixth pedestal (not shown) with an interval in the Y-Y 'direction.
  • the eleventh insulating resin is applied to the intermediate portion 220f of the probe 200f, and the intermediate portion 220f of the probe 200f is embedded in the eleventh insulating resin and fixed to the eleventh insulating resin.
  • the cured eleventh insulating resin is removed from the sixth base.
  • the probe 200f and the eleventh insulating resin are arranged on the support plate 400 so that the tip portion 210f of the probe 200f is positioned on the holding portion 100e.
  • the twelfth insulating resin is applied to the eleventh insulating resin and the remaining portion of the intermediate portion 220e of the probe 200e, the remaining portion of the intermediate portion 220e of the probe 200e is embedded in the twelfth insulating resin, and the twelfth insulating resin is applied. Then, the eleventh insulating resin is fixed to the support plate 400. At this time, the twelfth insulating resin contacts the holding part 100e. The cured twelfth insulating resin and eleventh insulating resin become the holding portion 100f, and the holding portion 100f is integrated with the holding portion 100e.
  • the tip end portion 210f of the probe 200f protrudes from the first wall surface 110f of the holding portion 100f, and the rear end portion 230e of the probe 200e and the rear end portion 230f of the probe 200f protrude from the second wall surface 120f of the holding portion 100f.
  • a probe 200g is prepared.
  • the probe 200g is arranged on the seventh pedestal (not shown) with an interval in the X-X 'direction. At this time, the inclination direction or the bending direction of the tip portion 210g of the probe 200g is directed to the X ′ direction.
  • a 13th insulating resin is applied to the intermediate portion 220g of the probe 200g, and the intermediate portion 220g of the probe 200g is embedded in the 13th insulating resin and fixed to the 13th insulating resin. The cured thirteenth insulating resin is removed from the seventh base.
  • the probe 200g and the thirteenth insulating resin are arranged on the support plate 400 so that the tip portion 210g of the probe 200g is positioned on the groove 450 of the support plate 400.
  • the thirteenth insulating resin is fixed to the support plate 400 with the fourteenth insulating resin.
  • the 14th insulating resin contacts the holding part 100d and the holding part 100f.
  • the cured 14th insulating resin and 13th insulating resin become the holding portion 100g, and are integrated with the holding portion 100d and the holding portion 100f.
  • the tip portion 210g of the probe 200g protrudes from the first wall surface 110g of the holding portion 100g, and the rear end portion 230g of the probe 200g protrudes from the third wall surface 130g of the holding portion 100g.
  • the probe 200h is prepared.
  • the probe 200g is disposed on an eighth pedestal (not shown) with an interval in the X-X 'direction.
  • a fifteenth insulating resin is applied to the intermediate portion 220h of the probe 200h, the intermediate portion 220h of the probe 200h is embedded in the fifteenth insulating resin, and is fixed to the fifteenth insulating resin.
  • the cured 15th insulating resin is removed from the 8th base.
  • the probe 200h and the fifteenth insulating resin are arranged on the support plate 400 so that the tip portion 210h of the probe 200h is positioned on the groove 460 of the support plate 400.
  • the fifteenth insulating resin is fixed to the support plate 400 with the sixteenth insulating resin.
  • the 16th insulating resin contacts the holding part 100c and the holding part 100f.
  • the cured 16th insulating resin and 15th insulating resin become the holding portion 100h, and are integrated with the holding portion 100c and the holding portion 100h.
  • the tip portion 210h of the probe 200h protrudes from the first wall surface 110h of the holding portion 100h, and the rear end portion 230h of the probe 200h protrudes from the second wall surface 120h of the holding portion 100h. In this way, the probe unit is manufactured.
  • the substrate 300 is fixed to the reinforcing plate 500. Thereafter, the support plate 400 of the probe unit is disposed in the substrate 300, and the support plate 400 is disposed on the reinforcing plate 500. Thereafter, the rear end portions 230a to 230h of the probes 200a to 200h are soldered to the electrodes of the substrate 300, respectively.
  • the probe card C described above is used for inspecting the semiconductor wafer U shown in FIG. 11 as follows. First, the probe card C is attached to a prober of an inspection apparatus (not shown). Thereafter, the semiconductor wafer U is set on a prober stage. Thereafter, the probe card C and the semiconductor wafer U are brought relatively close to each other by a prober. Then, the probes 200a to 200d of the probe card C come into contact with the electrodes of the semiconductor device D1 of the semiconductor wafer U, and the probes 200e to 200h of the probe card C come into contact with the electrodes of the semiconductor device D2 of the semiconductor wafer U, respectively. At this time, the electrical characteristics of the semiconductor devices D1 and D2 are inspected at once by the inspection apparatus through the probe card C.
  • the probe card C and the semiconductor wafer U are relatively separated from each other by the prober. Thereafter, the probe card C and the semiconductor wafer U are relatively moved horizontally, and the electrical characteristics of the next two semiconductor devices D of the semiconductor wafer U are inspected. By repeating this, all the semiconductor devices D on the semiconductor wafer U are inspected.
  • the probe card C as described above has the following technical features and effects.
  • First, the space S2 between the probe 200e and the second wall surface 120c of the holding unit 100c can be increased. The reason is as follows.
  • the tip portions 210c of all the probes 200c When the tip portions 210c of all the probes 200c, the portions on the tip side of the bent portions 240c of all the probes 200c, or the intermediate portion 220c and the tip portions 210c of all the probes 200c are inclined or curved, all The tip 211c1 of the tip portion 210c of the probe 200c is arranged according to the position of the electrode of the semiconductor device D, while the root 212c1 of the tip portion 210c of all the probes 200c is the tip of the tip portion 210c of all the probes 200c. It is located on the X ′ direction side from the tip 211c1.
  • the portion of the tip end portion 210c of the probe 200c on the rear end side with respect to the root 212c1 is located on the X ′ direction side of the tip end portion 211c1 of the tip end portion 210c. It can be moved in a direction (a direction away from the first wall surface 110e of the holding unit 100e). For this reason, space S2 can be enlarged.
  • the tips 211c1 of the tips 210c of all the probes 200c correspond to the positions of the electrodes of the semiconductor device D.
  • the root 212c1 of the tip 210c of the remaining probe 200c is positioned on the X ′ direction side of the tip 211c1 of the tip 210c of the remaining probe 200c, and the tip of the probe 200c on the X direction side.
  • the base 212c1 of 210c is located on the X ′ direction side of the tip 211c1 of the tip portion 210c of the probe 200c on the X direction side.
  • the portion of the tip end portion 210c of the probe 200c on the rear end side with respect to the root 212c1 is located on the X ′ direction side of the tip end portion 211c1 of the tip end portion 210c. It can be moved in a direction (a direction away from the first wall surface 110e of the holding unit 100e). For this reason, space S2 can be enlarged.
  • the tip part 210c of the probe 200c on the X direction side Only the tip part 210c of the probe 200c on the X direction side, the part on the tip side of the bent part 240c of the probe 200c on the X direction side, or only the intermediate part 220c and the tip part 210c of the probe 200c on the X direction side are inclined in the X direction.
  • the tips 211c1 of the tips 210c of all the probes 200c are arranged according to the positions of the electrodes of the semiconductor device D, while the roots 212c1 of the tips 210c of the probes 200c on the X direction side are The X direction side probe 200c is positioned closer to the X ′ direction side than the distal end 211c1 of the distal end portion 210c of the probe 200c.
  • the rear end portion of the tip portion 210c of the tip portion 210c of the probe 200c on the X direction side is located on the X ′ direction side of the tip portion 211c1 of the tip portion 210c of the probe 200c on the X ′ direction side.
  • the position of the second wall surface 120c of the portion 100c can be moved in the X ′ direction (a direction away from the first wall surface 110e of the holding portion 100e). For this reason, space S2 can be enlarged.
  • the space S1 between the probe 200a and the second wall surface 120g of the holding unit 100g can be increased.
  • the reason is the same as the reason for the space S2.
  • the probe card C can cope with a narrow pitch of the probes 200a and 200e and an increase in the number of probes 200a and 200e. This is because the spaces S1 and S2 can be increased as described above.
  • the probe card of the present invention includes a first holding portion having insulation properties, a second holding portion having insulation properties, a plurality of first cantilever probes, and a plurality of second cantilever probes. It is possible to change the design arbitrarily.
  • the design of the first holding portion of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has a first wall surface that has insulating properties and extends in the first direction.
  • the first holding unit can be configured to further include a second wall surface.
  • the second wall surface of the first holding unit can be configured to intersect the first wall surface of the first holding unit and extend in the second direction.
  • the first holding portion further includes a third wall surface that intersects the first wall surface of the first holding portion, is opposite to the second wall surface of the first holding portion, and extends in the second direction. Is possible.
  • the first holding unit may further include a fourth wall surface that is the opposite surface of the first wall surface of the first holding unit.
  • the surface opposite to the first wall surface 110a of the holding unit 100a may be disposed at a distance from the holding unit 100b in the X-X ′ direction.
  • the second holding portion of the present invention crosses the first wall surface extending in the second direction intersecting the first direction, the first wall surface of the second holding portion, and the first wall surface of the first holding portion. As long as it has the 2nd wall surface which opposes with a space
  • the plurality of first probes of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters.
  • the first probe is a cantilever type probe and has a tip portion.
  • the first probe is held by the first holding portion with a space in the first direction so that the tip portion protrudes from the first wall surface of the first holding portion of any of the above-described aspects.
  • the rear end portion 230a of the probe 200a may protrude from the first holding portion of any aspect described above in the Z direction and be connected to a substrate or the like. Further, the rear end portion 230a of the probe 200a may protrude from the surface opposite to the first wall surface 110a of the holding portion 100a.
  • the intermediate portion and the elastic deformation portion of the first probe according to any one of the above aspects may extend in parallel to the substrate.
  • the first probe according to any one of the aspects described above may further include a first flat surface extending in the longitudinal direction of the first probe.
  • the probe card may further include a first support portion.
  • the first probe may be fixed to the first support portion by the first holding portion in a state where the first flat surface is in contact with the first support portion.
  • the first flat surface 221a' is provided in the intermediate portion 220a '.
  • the probe 200a ' is fixed to the first support portion 401' by the holding portion 100a in a state where the first flat surface 221a 'is in contact with the inclined surface of the first support portion 401' of the support plate 400 '.
  • the inclined surface of the first support portion 401 ′ can be a parallel surface parallel to the substrate.
  • the plurality of second probes of the present invention can be arbitrarily changed as long as they have the following matters.
  • the second probe is a cantilever type probe and has a tip portion.
  • the second probe is held by the second holding portion at a distance in the second direction so that the tip portion protrudes from the first wall surface of the second holding portion of any of the above-described aspects.
  • the second probe includes an outermost second probe located closest to the second wall surface of the second holding portion, and at least the distal end of the distal end of the secondmost probe is the second end of the second end. It is located in the 1st wall surface side of the 1st holding part rather than the base of the tip part of 2 probes.
  • the rear end portion 230g of the probe 200g can protrude from the second holding portion of any aspect described above in the Z direction and be connected to a substrate or the like.
  • the intermediate portion and the elastic deformation portion of the second probe according to any one of the aspects described above may extend in parallel to the substrate.
  • the second probe according to any one of the aspects described above may further include a second flat surface extending in the longitudinal direction of the second probe.
  • the probe card may further include a second support part.
  • the second probe may be fixed to the second support portion by the second holding portion in a state where the second flat surface is in contact with the second support portion.
  • the second flat surface can also be provided at the intermediate portion of the second probe.
  • the second support portion can also be provided on the support plate.
  • the second support part may have an inclined surface with which the second flat surface abuts.
  • the inclined surface of the second support portion can be a parallel surface parallel to the substrate.
  • the third holding part of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters. 1) The third holding part has an insulating property. 2) As long as the third holding portion has the first wall surface extending in the first direction, the design is arbitrarily changed. 3) The third holding portion further includes a second wall surface that intersects the first wall surface of the third holding portion and faces the first wall surface of the second holding portion with a gap. The third holding portion further includes a third wall surface that intersects the first wall surface of the third holding portion, is opposite to the second wall surface of the third holding portion, and extends in the second direction. Is possible. In addition, the third holding unit may further include a fourth wall surface that is the surface opposite to the first wall surface of the third holding unit. For example, the surface opposite to the first wall surface 110e of the holding unit 100e may be disposed at a distance from the holding unit 100f in the X-X ′ direction.
  • the plurality of third probes of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters.
  • a third probe a cantilever type probe, having a tip.
  • the third probe is held by the third holding portion with a gap in the first direction so that the tip portion protrudes from the first wall surface of the third holding portion of any of the above-described aspects.
  • the rear end portion 230e of the probe 200e can protrude from the third holding portion of any aspect described above in the Z direction and be connected to a substrate or the like. Further, the rear end portion 230e of the probe 200e may protrude from the surface opposite to the first wall surface 110g of the holding portion 100g.
  • the intermediate portion and the elastically deformable portion of the third probe according to any one of the aspects described above may extend in parallel to the substrate.
  • the third probe may further include a third flat surface extending in the longitudinal direction of the third probe.
  • the probe card may further include a third support portion.
  • the third probe may be fixed to the third support portion by the third holding portion in a state where the third flat surface is in contact with the third support portion.
  • the third flat surface can also be provided at an intermediate portion of the third probe.
  • the third support portion can also be provided on the support plate.
  • the third support part may have an inclined surface with which the third flat surface abuts.
  • the inclined surface of the third support portion can be a parallel surface parallel to the substrate.
  • the fourth holding unit of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters.
  • the fourth holding portion has a first wall surface extending in the second direction and facing the second wall surface of the first holding portion with a gap.
  • the fourth holding portion has a second wall surface that intersects the first wall surface of the fourth holding portion and faces the first wall surface of the third holding portion with a gap.
  • the plurality of fourth probes of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters.
  • a fourth probe a cantilever type probe, which has a tip.
  • the fourth probe is held by the fourth holding portion at a distance in the second direction so that the tip portion protrudes from the first wall surface of the fourth holding portion of any of the above-described aspects.
  • the fourth probe includes an outermost fourth probe located closest to the second wall surface of the fourth holding portion, and at least the distal end of the distal end portion of the fourth probe is the outermost fourth probe. It is located in the 1st wall surface side of the 3rd holding part rather than the base of the tip part of 4 probes.
  • the rear end portion 230c of the probe 200c can protrude from the fourth holding portion of any aspect described above in the Z direction and be connected to a substrate or the like.
  • the intermediate portion and the elastically deformable portion of the fourth probe according to any one of the aspects described above may extend in parallel to the substrate.
  • the fourth probe according to any one of the aspects described above can further include a fourth flat surface extending in the longitudinal direction of the fourth probe.
  • the probe card may further include a fourth support portion.
  • the fourth probe may be fixed to the fourth support portion by the fourth holding portion in a state where the fourth flat surface is in contact with the fourth support portion.
  • the fourth flat surface 221c 'can also be provided in the intermediate portion 220c' of the fourth probe 200c ', like the first flat surface 221a'.
  • a fourth support 402 'can also be provided on the support plate 400'.
  • the fourth support portion may have an inclined surface with which the fourth flat surface abuts.
  • the inclined surface of the fourth support portion can be a parallel surface parallel to the substrate.
  • the fifth holding unit of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters. 1)
  • maintenance part has insulation. 2)
  • the fifth holding unit is disposed on the X ′ side of the first holding unit in any of the above-described aspects. 3)
  • the fifth holding unit may have a first wall surface extending in the first direction.
  • the design of the fifth probe of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters.
  • a fifth probe a cantilever type probe, which has a tip.
  • the fifth probe is held by the fifth holding portion at an interval in the first direction so that the tip portion protrudes from the first wall surface of the fifth holding portion of any aspect described above.
  • the rear end portion 230b of the probe 200b protrudes from the fifth holding portion of any aspect described above in the Z direction and can be connected to a substrate or the like.
  • the intermediate part and the elastic deformation part of the fifth probe according to any one of the aspects described above may extend in parallel to the substrate.
  • the fifth probe according to any one of the above-described aspects may further include a fifth flat surface extending in the longitudinal direction of the fifth probe.
  • the probe card further includes a fifth support portion.
  • the fifth probe may be fixed to the fifth support portion by the fifth holding portion in a state where the fifth flat surface is in contact with the fifth support portion.
  • the fifth flat surface can also be provided in the middle part of the fifth probe.
  • the fifth support portion can also be provided on the support plate.
  • the fifth support portion may have an inclined surface with which the fifth flat surface abuts.
  • the inclined surface of the fifth support portion can be a parallel surface parallel to the substrate.
  • the sixth holding unit of the present invention can be arbitrarily changed in design as long as it has the following matters. 1)
  • the sixth holding part has an insulating property. 2)
  • the sixth holding part has a first wall surface extending in the second direction and facing the third wall surface of the first holding part with a gap.
  • the plurality of sixth probes of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters.
  • a sixth probe a cantilever type probe, which has a tip.
  • the sixth probe is held by the sixth holding portion with a gap in the second direction so that the tip portion protrudes from the first wall surface of the sixth holding portion of any of the above-described aspects.
  • the rear end portion 230d of the probe 200d can protrude from the sixth holding portion of any aspect described above in the Z direction and be connected to a substrate or the like.
  • the intermediate portion and the elastically deformable portion of the sixth probe according to any one of the aspects described above may extend in parallel to the substrate.
  • the sixth probe according to any one of the aspects described above may further include a sixth flat surface extending in the longitudinal direction of the sixth probe.
  • the probe card may further include a sixth support portion.
  • the sixth probe may be fixed to the sixth support portion by the sixth holding portion in a state where the sixth flat surface is in contact with the sixth support portion.
  • the sixth flat surface 221d 'can also be provided in the intermediate portion 220d' of the sixth probe 200d ', like the first flat surface 221a'.
  • the sixth support portion 403 'can also be provided on the support plate 400'.
  • the sixth support part may have an inclined surface with which the sixth flat surface abuts.
  • the inclined surface of the sixth support portion can be a parallel surface parallel to the substrate.
  • the seventh holding unit of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters. 1)
  • the seventh holding part has an insulating property. 2)
  • the seventh holding unit is disposed on the X side of the first holding unit in any of the above-described aspects.
  • the seventh holding unit may have a first wall surface extending in the first direction.
  • the plurality of seventh probes of the present invention can be arbitrarily changed as long as they have the following matters. 1) A seventh probe, a cantilever type probe, having a tip. 2) The seventh probe is held by the seventh holding portion with a space in the first direction so that the tip portion protrudes from the first wall surface of the seventh holding portion of any aspect described above. For example, the rear end portion 230f of the probe 200f can protrude from the fifth holding portion of any aspect described above in the Z direction and be connected to a substrate or the like.
  • the intermediate portion and the elastically deformable portion of the seventh probe according to any one of the aspects described above may extend in parallel to the substrate.
  • the seventh probe according to any one of the aspects described above may further include a seventh flat surface extending in the longitudinal direction of the seventh probe.
  • the probe card further includes a seventh support portion.
  • the seventh probe may be fixed to the seventh support portion by the seventh holding portion in a state where the seventh flat surface is in contact with the seventh support portion.
  • the seventh flat surface can also be provided in the middle part of the seventh probe.
  • the seventh support portion can also be provided on the support plate.
  • the seventh support portion may have an inclined surface with which the seventh flat surface abuts.
  • the inclined surface of the seventh support portion can be a parallel surface parallel to the substrate.
  • the design of the eighth holding unit of the present invention can be arbitrarily changed as long as it has the following matters. 1)
  • maintenance part has insulation. 2)
  • the eighth holding portion has a first wall surface extending in the second direction and facing the third wall surface of the third holding portion with a gap.
  • the plurality of eighth probes of the present invention can be arbitrarily changed as long as they have the following matters. 1) An eighth probe, a cantilever type probe, which has a tip. 2) The eighth probe is held at an interval in the second direction with the eighth holding portion so that the tip portion protrudes from the first wall surface of the eighth holding portion of any of the above-described aspects.
  • the rear end portion 230h of the probe 200h can protrude from the eighth holding portion of any aspect described above in the Z direction and be connected to a substrate or the like.
  • the intermediate portion and the elastic deformation portion of the eighth probe according to any one of the aspects described above may extend in parallel to the substrate.
  • the eighth probe according to any one of the aspects described above may further include an eighth flat surface extending in the longitudinal direction of the eighth probe.
  • the probe card may further include an eighth support portion.
  • the eighth probe may be fixed to the eighth support portion by the eighth holding portion in a state where the eighth flat surface is in contact with the eighth support portion.
  • the eighth flat surface can also be provided at an intermediate portion of the eighth probe.
  • the eighth support portion can also be provided on the support plate.
  • the eighth support part may have an inclined surface with which the eighth flat surface abuts.
  • the inclined surface of the eighth support portion can be a parallel surface parallel to the substrate.
  • the first to eighth holding portions of any of the above-described aspects do not need to be integrated and can be separated from each other. It is also possible to integrate a part of the first to eighth holding parts and make the rest separate.
  • the height position in the YY ′ direction at the base of the tip of the second probe in any one of the above aspects is a height position different from the first wall surface of the second holding part in any one of the above aspects. Also good.
  • the base height position of the tip of the fourth probe according to any one of the aspects described above can be set in the same manner.
  • the materials, shapes, dimensions, number, arrangement, etc. constituting each component of the probe card in the above-described embodiments and design modifications are examples, and are arbitrary as long as similar functions can be realized. It is possible to change the design.
  • the above-described embodiments and design modification examples can be combined with each other as long as they do not contradict each other.
  • the design of the first direction of the present invention can be arbitrarily changed as long as it corresponds to the arrangement direction of the first probes.
  • the design of the second direction of the present invention can be arbitrarily changed as long as it intersects the first direction and corresponds to the arrangement direction of the second probes.
  • the third direction of the present invention can be arbitrarily changed as long as it is orthogonal to the first direction and the second direction.
  • Probe card F Holding frame 100a: Holding part (first holding part) 110a: 1st wall surface 120a: 2nd wall surface 130a: 3rd wall surface 100b: Holding part (5th holding part) 110b: 1st wall surface 120b: 2nd wall surface 100c: Holding part (4th holding part) 110c: 1st wall surface 120c: 2nd wall surface 130c: 3rd wall surface 100d: Holding part (6th holding part) 110d: 1st wall surface 120d: 2nd wall surface 100e: Holding part (3rd holding part) 110e: first wall surface 120e: second wall surface 130e: third wall surface 100f: holding portion (seventh holding portion) 110f: 1st wall surface 120f: 2nd wall surface 100g: Holding part (2nd holding part) 110g: 1st wall surface 120g: 2nd wall surface 130g: 3rd wall surface 100h: Holding part (8th holding part) 110h: first wall surface 120h: second wall surface 100i: opening 100j: opening 200a: probe

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Abstract

【目的】 本発明は、プローブと、当該プローブに対向する保持部の壁面との間のスペースを大きくすることができるプローブカードを提供することにある。 【構成】 プローブカードCは、保持部100aと、保持部100gと、カンチレバー型の第1プローブ200aと、カンチレバー型の第2プローブ200gとを備えている。 プローブ200aは、先端部210aが保持部100aの第1壁面110aから突出するように、保持部100aにY-Y'方向に間隔をあけて保持されている。プローブ200gは、先端部210gが保持部100gの第1壁面110gから突出するように、保持部100gにX-X'方向に間隔をあけて保持されている。プローブ200gのうち、最もX'方向側に位置する最端のプローブ200gの先端部210gの先端211g1が、当該最端の第2プローブ200gの先端部210gの根元212g1よりもX'方向側に位置している。

Description

プローブカード
 本発明は、カンチレバー型のプローブを備えたプローブカードに関する。
 半導体ウエハには複数の半導体デバイスがマトリックス状に形成されている。各半導体デバイスの4辺の各々には、複数の電極が一列又は複数列で設けられている。このような半導体ウエハの複数の半導体デバイスを一度に検査し得る従来のプローブカードとして下記第1、第2プローブカードがある。第1プローブカードは特開平07-302820号公報に記載されている。第2プローブカードは特開2006-145402号公報に記載されている。
 第1プローブカードは、半導体ウエハをそのオリエンテーションフラット(OF)を基準として45°に傾けた状態で、当該半導体ウエハの複数の半導体デバイスを一行毎にテストすることができる。第1プローブカードは、基板と、複数のプローブとを備えている。基板には、半導体デバイスに対応した平面視略菱形の複数の開口が設けられている。基板の各開口の4つの縁部には、プローブが設けられている。各縁のプローブは、開口を通って半導体デバイスの対応する辺の電極に向けて逆放射状に延びている。
 第2プローブカードは、半導体ウエハの4つの半導体デバイスを一度にテストすることができる。第2プローブカードは、基板と、複数のプローブとを備えている。基板には、半導体デバイスに対応した平面視略矩形の4つの開口が設けられている。プローブが各開口の外側の縁に設けられている。各縁のプローブは、所定軸を基準に30°傾斜しており且つ開口を通って半導体デバイスの4辺の電極に向けて延びている。
 ところで、近年の半導体デバイスは、微細化及び高集積化している。これを検査するプローブカードは、一般的にプローブの狭ピッチ化及びプローブ数の増加が求められている。しかし、第1プローブカードでは、各縁のプローブが逆放射状に延びているため、プローブの狭ピッチ化及びプローブ数の増加に対応することができない。第2プローブカードでは、プローブが開口の一つの縁から半導体デバイスの4辺の電極に延びているため、プローブの狭ピッチ化及びプローブ数の増加に対応することができない。
 そこで、本願発明者らは、図10に示される第3プローブカードを発明した。第3プローブカードは、図11に示される半導体ウエハUの複数の半導体デバイスDのうちの二つの半導体デバイスD1、D2を一度にテストすることができる。説明の便宜上、図11では半導体デバイスDは破線で示されている一方、第3プローブカードに検査される二つの半導体デバイスD1、D2の一例が実線で示されている。
 第3プローブカードは、保持フレームと、カンチレバー型の複数のプローブ20a~20hと、基板30とを備えている。保持フレームは絶縁樹脂で構成されている。保持フレームは、保持部10a~10hと、矩形状の開口10i、10jとを有している。
 開口10i、10jは、開口10iのY’方向及びX方向側の角部と開口10jのY方向及びX’方向側の角部とが互いに連通するように、保持フレームの中央部に設けられている。
 保持部10aは、保持フレームの開口10i内に設けられた底面視長方形の樹脂ブロックである。保持部10aは、第1壁面11aと、第1壁面11aに直角に交差する第2壁面12aと、第1壁面11aに直角に交差する第3壁面13aとを有している。保持部10bは、保持フレームの開口10iのX’方向側の部分であって、保持部10aに連続している。保持部10bは、第1壁面11bと、第1壁面11bの反対側の第2壁面12bとを有している。保持部10cは、保持フレームの開口10iのY’方向側の部分であり且つ保持フレームの開口10jのX’方向側の部分である。保持部10cは、第1壁面11cと、第1壁面11cに直角に交差する第2壁面12cと、第1壁面11cの反対側の第3壁面13cとを有している。保持部10cの第1壁面11cは、保持部10aの第2壁面12aに間隙をあけて対向している。保持部10dは、保持フレームの開口10iのY方向側の部分である。保持部10dは、第1壁面11dと、第1壁面11dの反対側の第2壁面12dとを有している。保持部10dの第1壁面11dは、保持部10aの第3壁面13aに間隙をあけて対向している。
 保持部10eは、保持フレームの開口10j内に設けられた底面視長方形の樹脂ブロックである。保持部10eは、第1壁面11eと、第1壁面11eに直角に交差する第2壁面12eと、第1壁面11eに直角に交差する第3壁面13eとを有している。保持部10eの第1壁面11eは、保持部10cの第2壁面12cに間隙をあけて対向している。保持部10fは、保持フレームの開口10jのX方向側の部分であって、保持部10eに連続している。保持部10fは、第1壁面11fと、第1壁面11fの反対側の第2壁面12fとを有している。保持部10gは、保持フレームの開口10jのY方向側の部分であり且つ保持フレームの開口10iのX方向側の部分である。保持部10gは、第1壁面11gと、第1壁面11gに直角に交差する第2壁面12gと、第1壁面11gの反対側の第3壁面13gとを有している。保持部10gの第1壁面11gは、保持部10eの第2壁面12eに間隙をあけて対向している。保持部10gの第2壁面12gは、保持部10aの第1壁面11aに間隙をあけて対向している。保持部10hは、保持フレームの開口10jのY方向側の部分である。保持部10hは、第1壁面11hと、第1壁面11hの反対側の第2壁面12hとを有している。保持部10hの第1壁面11hは、保持部10eの第3壁面13eに間隙をあけて対向している。
 プローブ20a~20hは、先端部と、後端部とを有している。プローブ20aは、先端部が保持部10aの第1壁面11aから突出し且つ後端部が保持部10bの第2壁面12bから突出するように、保持部10a及び保持部10bにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。プローブ20bは、先端部が保持部10bの第1壁面11bから突出し且つ後端部が保持部10bの第2壁面12bから突出するように、保持部10bにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。プローブ20cは、先端部が保持部10cの第1壁面11cから突出し且つ後端部が保持部10cの第3壁面13cから突出するように、保持部10cにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。プローブ20dは、先端部が保持部10dの第1壁面11dから突出し且つ後端部が保持部10dの第2壁面12dから突出するように、保持部10dにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。
 プローブ20eは、先端部が保持部10eの第1壁面11eから突出し且つ後端部が保持部10fの第2壁面12fから突出するように、保持部10e及び保持部10fにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。プローブ20fは、先端部が保持部10fの第1壁面11fから突出し且つ後端部が保持部10fの第2壁面12fから突出するように、保持部10fにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。プローブ20gは、先端部が保持部10gの第1壁面11gから突出し且つ後端部が保持部10gの第3壁面13gから突出するように、保持部10gにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。プローブ20hは、先端部が保持部10hの第1壁面11hから突出し且つ後端部が保持部10hの第2壁面12hから突出するように、保持部10hにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。プローブ20a~20hの先端部は、突出する方向に延びた後に、下方(基板30から離れる方向)に延びている。プローブ20a~20hの後端部が基板30に各々接続されている。
特開平07-302820号公報 特開2006-145402号公報
 第3プローブカードにおいて、プローブ20a~20hの狭ピッチ化及びプローブ数の増加が更に進められると、プローブ20aと保持部10gの第2壁面12gとの間のスペースが小さくなる。このスペースが小さくなると、プローブ20aの先端部が半導体デバイスD1の電極に接触し、プローブ20aの先端部が、第3プローブカードの厚み方向に弾性変形するとき、プローブ20aの先端部が保持部10gの第2壁面12gに接触する恐れが生じる。なお、プローブ20eと保持部10cの第2壁面12cとの間のスペースにも、プローブ20aと保持部10gの第2壁面12gとの間のスペースと同様の問題が生じている。
 本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、プローブと、当該プローブに対向する保持部の壁面との間のスペースを大きくすることができるプローブカードを提供することにある。
 本発明の一態様のプローブカードは、絶縁性を有する第1保持部と、絶縁性を有する第2保持部と、カンチレバー型の複数の第1プローブと、カンチレバー型の複数の第2プローブとを備えている。第1保持部は、第1方向に延びる第1壁面を有している。第2保持部は、第1壁面と、第2壁面とを有している。第2保持部の第1壁面は第1方向に交差する第2方向に延びている。第2保持部の第2壁面は、当該第2保持部の第1壁面に交差しており且つ第1保持部の第1壁面に間隙をあけて対向している。複数の第1プローブは、先端部を有している。複数の第1プローブは、先端部が第1保持部の第1壁面から突出するように、当該第1保持部に第1方向に間隔をあけて保持されている。複数の第2プローブは、先端部を有している。複数の第2プローブは、当該複数の第2プローブの先端部が第2保持部の第1壁面から突出するように、当該第2保持部に第2方向に間隔をあけて保持されている。複数の第2プローブの先端部は、先端と、根元とを有している。複数の第2プローブは、最も第2保持部の第2壁面側に位置する最端の第2プローブを含んでいる。少なくとも最端の第2プローブの前記先端が、当該最端の第2プローブの前記根元よりも第1保持部の第1壁面側に位置している。
 このような態様のプローブカードは、第1プローブの先端部と第2保持部の第2壁面との間のスペースを大きくすることができる。その理由は以下の通りである。最端の第2プローブの先端部の先端が当該最端の第2プローブの先端部の根元よりも第1保持部の第1壁面側に位置している。このため、最端の第2プローブの先端部の根元より後方部分を、当該最端の第2プローブの先端の位置よりも第1保持部の第1壁面側の反対側に位置させることができるので、第2保持部の第2壁面を第1保持部の第1壁面側の反対側に移動させることができる。これにより、第1プローブの先端部と第2保持部の第2壁面との間のスペースが大きくなる。
 最端の第2プローブの少なくとも先端部が、第1保持部の第1壁面側に傾斜又は湾曲していても良い。このような態様のプローブカードは、第1プローブの先端部と第2保持部の第2壁面との間のスペースを大きくすることができる。その理由は以下の通りである。最端の第2プローブの先端部が第1保持部の第1壁面側に傾斜又は湾曲している。このため、最端の第2プローブの先端部より後方部分を、当該最端の第2プローブの先端の位置よりも第1保持部の第1壁面側の反対側に位置させることができるので、第2保持部の第2壁面を第1保持部の第1壁面側の反対側に移動させることができる。これにより、第1プローブの先端部と第2保持部の第2壁面との間のスペースが大きくなる。
 第2保持部は、当該第2保持部の第1壁面の反対側の第3壁面を更に有した構成とすることが可能である。最端の第2プローブは、第1保持部の第1壁面側に折り曲げられた折り曲げ部を更に有する構成とすることが可能である。最端の第2プローブは、第2保持部内に設けられた中間部を更に有する構成とすることが可能である。最端の第2プローブは、第2保持部の前記第3壁面から突出した後端部を更に有する構成とすることが可能である。
 折り曲げ部は、第2保持部の第1壁面に位置しても良い。この場合、最端の第2プローブの先端部が第1保持部の第1壁面側に傾斜した構成とすることが可能である。又は、折り曲げ部は、第2保持部内に設けられても良い。この場合、最端の第2プローブの先端部を含む折り曲げ部よりも先端側の部分が、第1保持部の第1壁面側に傾斜した構成とすることが可能である。又は、折り曲げ部が、中間部と後端部との間に設けられ且つ第2保持部の第3壁面に位置していても良い。この場合、最端の第2プローブの中間部及び先端部が、第1保持部の前記第1壁面側に傾斜した構成とすることが可能である。
 最端の第2プローブは、折り曲げ部の代りに、湾曲部を有する構成とすることが可能である。湾曲部は、第1保持部の前記第1壁面側に湾曲した構成とすることが可能である。湾曲部の始点は、第2保持部の第1壁面に位置していても良い。この場合、湾曲部が最端の第2プローブの先端部となる。又は、湾曲部の始点は、第2保持部内に位置していても良い。この場合、湾曲部は、最端の第2プローブの先端部及び中間部の湾曲の始点よりも先端側の部分を含む構成とすることが可能である。又は、湾曲部の始点が、第2保持部の第3壁面に位置していても良い。湾曲部は、最端の第2プローブの先端部及び中間部を含む構成とすることが可能である。
 複数の第2プローブが、最端の第2プローブと同様の構成とすることが可能である。複数の第2プローブの先端部の先端が、当該複数の第2プローブの先端部の根元よりも第1保持部の第1壁面側に各々位置していても良い。このような態様のプローブカードは、第1プローブの先端部と第2保持部の第2壁面との間のスペースを大きくすることができる。その理由は以下の通りである。複数の第2プローブの先端部の先端が当該複数の第2プローブの先端部の根元よりも第1保持部の第1壁面側に各々位置している。このため、複数の第2プローブの先端部より後方部分を、複数の第2プローブの先端の位置よりも第1保持部の第1壁面側の反対側に各々位置させることができるので、第2保持部の第2壁面を第1保持部の第1壁面側の反対側に移動させることができる。これにより、第1プローブの先端部と第2保持部の第2壁面との間のスペースが大きくなる。
 上記何れかの態様のプローブカードは、第1支持部と、第2支持部とを更に備えた構成とすることが可能である。複数の第1プローブは、当該複数の第1プローブの長手方向に延びる第1フラット面を更に有した構成とすることが可能である。第1フラット面が第1支持部に当接した状態で、複数の第1プローブが第1保持部により第1支持部に固定された構成とすることが可能である。複数の第2プローブは、当該複数の第2プローブの長手方向に延びる第2フラット面を更に有した構成とすることが可能である。第2フラット面が第2支持部に当接した状態で、複数の第2プローブが第2保持部により第2支持部に固定された構成とすることが可能である。このような態様のプローブカードによる場合、第1、第2プローブを第1、第2支持部上に配置し易い。
 上記何れかの態様のプローブカードは、絶縁性を有する第3保持部と、絶縁性を有する第4保持部と、カンチレバー型の複数の第3プローブと、カンチレバー型の複数の第4プローブとを備えた構成とすることが可能である。第1保持部は、第2壁面を更に有した構成とすることが可能である。第1保持部の第2壁面は、当該第1保持部の第1壁面に交差しており且つ第2方向に延びた構成とすることが可能である。第3保持部は、第1壁面と、第2壁面とを有する構成とすることが可能である。第3保持部の第1壁面は第1方向に延びた構成とすることが可能である。第3保持部の第2壁面は、当該第3保持部の第1壁面に交差しており且つ第2保持部の第1壁面に間隙をあけて対向する構成とすることが可能である。第4保持部は、第1壁面と、第2壁面とを有する構成とすることが可能である。第4保持部の第1壁面は、第2方向に延びており且つ第1保持部の第2壁面に間隙をあけて対向する構成とすることが可能である。第4保持部の第2壁面は、当該第4保持部の第1壁面に交差しており且つ第3保持部の第1壁面に間隙をあけて対向する構成とすることが可能である。複数の第3プローブは、先端部を有する構成とすることが可能である。複数の第3プローブは、当該複数の第3プローブの先端部が第3保持部の第1壁面から突出するように、第3保持部に第1方向に間隔をあけて保持された構成とすることが可能である。複数の第4プローブは、先端部を有する構成とすることが可能である。複数の第4プローブは、当該複数の第4プローブの先端部が第4保持部の第1壁面から突出するように、第4保持部に第2方向に間隔をあけて保持された構成とすることが可能である。複数の第4プローブの先端部は、先端と、根元とを有する構成とすることが可能である。複数の第4プローブは、最も第4保持部の第2壁面側に位置する最端の第4プローブを含んでいても良い。少なくとも最端の第4プローブの先端が、当該最端の第4プローブの根元よりも第3保持部の第1壁面側に位置した構成とすることが可能である。
 このような態様のプローブは、第3プローブの先端部と第4保持部の第2壁面との間のスペースを大きくすることができる。その理由は以下の通りである。最端の第4プローブの先端部の先端が当該最端の第4プローブの先端部の根元よりも第3保持部の第1壁面側に位置している。このため、最端の第4プローブの先端部の根元より後方部分を、当該最端の第4プローブの先端の位置よりも第3保持部の第1壁面側の反対側に位置させることができるので、第4保持部の第2壁面を第3保持部の第1壁面側の反対側に移動させることができる。これにより、第3プローブの先端部と第4保持部の第2壁面との間のスペースが大きくなる。
 最端の第4プローブの少なくとも先端部が、第3保持部の第1壁面側に傾斜又は湾曲していても良い。第4保持部は、当該第4保持部の第1壁面の反対側の第3壁面を更に有した構成とすることが可能である。最端の第4プローブは、第3保持部の第1壁面側に折り曲げられた折り曲げ部とを更に有する構成とすることが可能である。最端の第4プローブは、第4保持部内に設けられた中間部を更に有する構成とすることが可能である。第4保持部の前記第3壁面から突出した後端部を更に有する構成とすることが可能である。
 折り曲げ部は、第4保持部の第1壁面に位置しても良い。この場合、最端の第4プローブの先端部が第3保持部の第1壁面側に傾斜した構成とすることが可能である。又は、折り曲げ部は、第4保持部内に設けられても良い。この場合、最端の第4プローブの先端部を含む折り曲げ部よりも先端側の部分が、第3保持部の第1壁面側に傾斜した構成とすることが可能である。又は、折り曲げ部が、中間部と後端部との間に設けられ且つ第3壁面に位置していても良い。この場合、最端の第4プローブの中間部及び先端部が、第3保持部の前記第1壁面側に傾斜した構成とすることが可能である。
 最端の第4プローブは、折り曲げ部の代りに、湾曲部を有する構成とすることが可能である。湾曲部は、第3保持部の前記第1壁面側に湾曲した構成とすることが可能である。湾曲部の始点は、第4保持部の第1壁面に位置していても良い。この場合、湾曲部が最端の第4プローブの先端部となる。又は、湾曲部の始点は、第4保持部内に位置していても良い。この場合、湾曲部は、最端の第4プローブの先端部及び中間部の湾曲の始点よりも先端側の部分を有する構成とすることが可能である。又は、湾曲部の始点が、第4保持部の第3壁面に位置していても良い。湾曲部は、最端の第4プローブの先端部及び中間部を有する構成とすることが可能である。
 複数の第4プローブが、最端の第4プローブと同様の構成とすることが可能である。複数の第4プローブの先端部の先端が、当該複数の第4プローブの先端部の根元よりも第3保持部の第1壁面側に各々位置していても良い。
 上記何れかの態様のプローブカードは、絶縁性を有する第5保持部と、絶縁性を有する第6保持部と、絶縁性を有する第7保持部と、絶縁性を有する第8保持部と、カンチレバー型の複数の第5プローブと、カンチレバー型の複数の第6プローブと、カンチレバー型の複数の第7プローブと、カンチレバー型の複数の第8プローブとを備えた構成とすることが可能である。第1保持部は、当該第1保持部の第1壁面に交差しており且つ第2方向に延びた第3壁面を更に有した構成とすることが可能である。第3保持部は、当該第3保持部の第1壁面に交差しており且つ第2方向に延びた第3壁面を更に有した構成とすることが可能である。第5保持部は、第1方向に延びた第1壁面を有した構成とすることが可能である。第6保持部は、第2方向に延びており且つ第1保持部の第3壁面に間隙をあけて対向する第1壁面を有した構成とすることが可能である。第7保持部は、第1方向に延びた第1壁面を有した構成とすることが可能である。第8保持部は、第2方向に延びており且つ第3保持部の第3壁面に間隙をあけて対向する第1壁面を有した構成とすることが可能である。複数の第5プローブは、先端部を有した構成とすることが可能である。複数の第5プローブは、当該複数の第5プローブの先端部が第5保持部の第1壁面から突出するように、第5保持部に第1方向に間隔をあけて保持された構成とすることが可能である。複数の第6プローブは、先端部を有した構成とすることが可能である。複数の第6プローブは、当該複数の第6プローブの先端部が第6保持部の第1壁面から突出するように、第6保持部に第2方向に間隔をあけて保持された構成とすることが可能である。複数の第7プローブは、先端部を有した構成とすることが可能である。複数の第7プローブは、当該複数の第7プローブの先端部が第7保持部の第1壁面から突出するように、第7保持部に第1方向に間隔をあけて保持された構成とすることが可能である。複数の第8プローブは、先端部を有した構成とすることが可能である。複数の第8プローブは、当該複数の第8プローブの先端部が第8保持部の第1壁面から突出するように、第8保持部に第2方向に間隔をあけて保持された構成とすることが可能である。
本願の実施例1に係る発明のプローブカードの模式的底面図である。 前記プローブカードの図1中の概略的2-2拡大端面図である。 前記プローブカードの図1中の概略的3-3拡大端面図である。 前記プローブカードの図1中の4A部分の一例を示す概略的拡大底面図である。 前記プローブカードの図1中の4A部分の別の一例を示す概略的拡大底面図である。 前記プローブカードの第1プローブの配列の第1設計変更例を示す説明図である。 前記プローブカードの第1プローブの配列の第2設計変更例を示す説明図である。 前記プローブカードの第4プローブと第4保持部との関係の第1例を示す説明図である。 前記プローブカードの第4プローブと第4保持部との関係の第2例を示す説明図である。 前記プローブカードの第4プローブと第4保持部との関係の第3例を示す説明図である。 前記プローブカードの第4プローブと第4保持部との関係の第4例を示す説明図である。 前記プローブカードの支持板の模式的底面図である。 前記プローブカードの設計変更例を示す図2に対応する拡大端面図である。 前記設計変更例のプローブカードの図3に対応する拡大端面図である。 前記設計変更例のプローブカードの第1プローブの中間部の短手方向の端面図である。 従来のプローブカードの模式的底面図である。 半導体ウエハの概略的底面図である。
 以下、本発明の実施例1に係るプローブカードCについて図1~図6Cを参照しつつ説明する。プローブカードCは、プローブユニットと、基板300と、支持板400と、補強板500とを備えている。以下、プローブカードCの各構成要素について詳しく説明する。なお、図1及び図3に示されるY-Y’方向は、プローブカードCの短手方向に相当し且つ特許請求の範囲の第1方向に相当している。図1及び図2に示されるX-X’方向は、プローブカードCの長手方向に相当し且つ特許請求の範囲の第2方向に相当している。X-X’方向は、Y-Y’方向に直角に交差している。図2及び図3に示されるZ-Z’方向は、プローブカードCの厚み方向に相当する。
 補強板500は、支持板400よりも硬い素材(例えば、アルミやSUS等)で構成されている。基板300は、図1~図3に示されるように、補強板500に固定されている。基板300は、角枠状である。基板300上には図示しない複数の電極が、プローブユニットの後述するプローブ200a~200hの後端の位置に対応するように設けられている。支持板400は、基板300内に位置するように補強板500に固定されている。支持板400は、補強板500と、プローブユニットとの間に介在している。支持板400は、プローブユニットを支持する台座である。支持板400は、保持フレームFよりも硬質な材料(例えば、アルミナセラミックス又は金属材料)で構成されている。
 支持板400は、図7に最も良く示されているように、溝410と、溝420と、溝430と、溝440と、溝450と、溝460とを有している。溝410はY-Y’方向に延びている。溝410は、Y方向の端部と、Y’方向の端部とを有している。溝420は、X-X’方向に延びている。溝420は、X方向の端部と、X’方向の端部とを有している。溝420のX方向の端部が溝410のY’方向の端部に連通している。溝430は、X-X’方向に延びている。溝430は、X方向の端部と、X’方向の端部とを有している。溝430のX方向の端部が溝410のY方向の端部に連通している。溝440はY-Y’方向に延びている。溝440は、Y方向の端部と、Y’方向の端部とを有している。溝440のY方向の端部が溝410のY’方向の端部及び溝420のX方向の端部に連通している。溝450は、X-X’方向に延びている。溝450は、X方向の端部と、X’方向の端部とを有している。溝450のX’方向の端部が溝410のY’方向の端部、溝420のX方向の端部及び溝440のY方向の端部に連通している。溝460は、X-X’方向に延びている。溝460は、X方向の端部と、X’方向の端部とを有している。溝460のX’方向の端部が溝440のY’方向の端部に連通している。
 プローブユニットは、保持フレームFと、複数のプローブ200a(第1プローブ)と、複数のプローブ200b(第5プローブ)と、複数のプローブ200c(第4プローブ)と、複数のプローブ200d(第6プローブ)と、複数のプローブ200e(第3プローブ)と、複数のプローブ200f(第7プローブ)と、複数のプローブ200g(第2プローブ)と、複数のプローブ200h(第8プローブ)とを有している。なお、図の簡略化のため、図1のプローブ200a~200hのぞれぞれの数と、図4のプローブ200a~200hのぞれぞれの数とは一致していない。図1のプローブ200aの数、図5Aのプローブ200aの数及び図5Bのプローブ200aの数も一致していない。また、図3では、プローブ200aが図示省略されている。
 保持フレームFは絶縁樹脂で構成されている。保持フレームFは、支持板400に固定されている。保持フレームFは、保持部100aと、保持部100bと、保持部100cと、保持部100dと、保持部100eと、保持部100fと、保持部100gと、保持部100hと、矩形状の開口100iと、矩形状の開口100jとを有している。開口100i、100jは、開口100iのY’方向及びX方向側の角部と開口100jのY方向及びX’方向側の角部とが互いに連通するように、保持フレームFの中央部に設けられている。開口100iは、図2及び図3に示されるように、支持板400の溝410、溝420及び溝430に連通している。開口100jは、支持板400の溝440、溝450及び溝460に連通している。
 保持部100a(第1保持部)は、保持フレームFの開口100i内に設けられた底面視長方形の樹脂ブロックである。保持部100aのX’方向の端は、図2に最も良く示されているように、保持フレームFの開口100iのX’方向側の部分(保持部100b)に一体的に連続している。保持部100aの底面は、X方向の端からX’方向の端にかけてZ方向に傾斜している。保持部100aは、図1に最も良く示されているように、第1壁面110aと、第2壁面120aと、第3壁面130aとを有している。第1壁面110aは、保持部100aのX方向の端面である。第2壁面120aは、保持部100aのY’方向の端面であって、第1壁面110aに直角に交差している。第3壁面130aは、保持部100aのY方向の端面であって、第1壁面110aに直角に交差している。第3壁面130aは、第2壁面120aの反対面である。
 保持部100b(第5保持部)は、保持フレームFの開口100iのX’方向側の部分であり且つ保持部100aよりもX’方向側に位置する。保持部100bは、第1壁面110bと、第2壁面120bとを有している。第1壁面110bは、保持部100bのX方向の端面であり且つ開口100iのX’方向の内壁面である。第2壁面120bは、保持部100bのX’方向の端面(第1壁面110bの反対面)である。
 保持部100c(第4保持部)は、保持フレームFの開口100iのY’方向側の部分であり且つ保持フレームFの開口100jのX’方向側の部分である。保持部100cは、第1壁面110cと、第2壁面120cと、第3壁面130cとを有している。第1壁面110cは、保持部100cのY方向の端面であり且つ開口100iのY’方向の内壁面である。第1壁面110cは、保持部100aの第2壁面120aに間隙をあけて対向している。第2壁面120cは、保持部100cのX方向の端面であり且つ開口100jのX’方向の内壁面である。第3壁面130cは、保持部100cのY’方向の端面(第1壁面110cの反対面)である。
 保持部100d(第6保持部)は、保持フレームFの開口100iのY方向側の部分である。保持部100dは、第1壁面110dと、第2壁面120dとを有している。第1壁面110dは、保持部100dのY’方向の端面であり且つ開口100iのY方向の内壁面である。第1壁面110dは、保持部100aの第3壁面130aに間隙をあけて対向している。第2壁面120dは、保持部100dのY方向の端面(第1壁面110dの反対面)である。
 保持部100e(第3保持部)は、保持フレームFの開口100j内に設けられた底面視長方形の樹脂ブロックである。保持部100eのX方向の端は、保持フレームFの開口100jのX方向側の部分(保持部100f)に一体的に連続している。保持部100eの底面は、X’方向の端からX方向の端にかけてZ方向に傾斜している(図2を借りて参照)。保持部100eは、図1に最も良く示されているように、第1壁面110eと、第2壁面120eと、第3壁面130eとを有している。第1壁面110eは、保持部100eのX’方向の端面である。第1壁面110eは、保持部100cの第2壁面120cに間隙をあけて対向している。第2壁面120eは、保持部100eのY方向の端面であって、第1壁面110eに直角に交差している。第3壁面130eは、保持部100eのY’方向の端面であって、第1壁面110eに直角に交差している。第3壁面130eは、第2壁面120eの反対面である。
 保持部100f(第7保持部)は、保持フレームFの開口100jのX方向側の部分であり且つ保持部100eよりもX方向側に位置する。保持部100fは、第1壁面110fと、第2壁面120fとを有している。第1壁面110fは、保持部100fのX’方向の端面であり且つ開口100jのX方向の内壁面である。第2壁面120fは、保持部100fのX方向の端面(第1壁面110fの反対面)である。
 保持部100g(第2保持部)は、保持フレームFの開口100jのY方向側の部分であり且つ保持フレームFの開口100iのX方向側の部分である。保持部100gは、第1壁面110gと、第2壁面120gと、第3壁面130gとを有している。第1壁面110gは、保持部100gのY’方向の端面であり且つ開口100jのY方向の内壁面である。第1壁面110gは、保持部100eの第2壁面120eに間隙をあけて対向している。第2壁面120gは、保持部100gのX’方向の端面であり且つ開口100iのX方向の内壁面である。第3壁面130gは、保持部100gのY方向の端面(第1壁面110gの反対面)である。
 保持部100h(第8保持部)は、保持フレームFの開口100jのY’方向側の部分である。保持部100hは、第1壁面110hと、第2壁面120hとを有している。第1壁面110hは、保持部100hのY方向の端面であり且つ開口100jのY’方向の内壁面である。第1壁面110hは、保持部100eの第3壁面130eに間隙をあけて対向している。第2壁面120hは、保持部100hのY’方向の端面(第1壁面110hの反対面)である。
 プローブ200a~200hは、カンチレバー型の針である。各プローブ200aは、図2に最も良く示されているように、先端部210aと、中間部220aと、後端部230aとを有している。プローブ200aは、保持部100a及び保持部100bにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。より具体的には、プローブ200aの中間部220aが保持部100a及び保持部100bにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。中間部220aは保持部100a及び保持部100b内に埋め込まれている。後端部230aは、保持部100bの第2壁面120bからX’方向に突出している。後端部230aは、基板300の対応する電極に接続されている。
 先端部210aは、保持部100aの第1壁面110aからX方向に突出している。先端部210aは、支持板400の溝410のZ’方向側に配置されている。先端部210aは、接触部211aと、弾性変形部212aとを有している。弾性変形部212aが第1壁面110aからX方向に延びている。弾性変形部212aはZ-Z’方向に弾性変形可能である。接触部211aは弾性変形部212aのX方向の端からZ’方向に延びている。接触部211aの先端(以下、プローブ200aの先端とも称する。)は、保持部100a及び保持部100gの底面よりもZ’方向側に位置している。接触部211aの先端が半導体ウエハUの半導体デバイスDのX方向の辺上の図示しない電極に接触可能な部位である。プローブ200aの接触部211a以外の部分が、X’方向及びZ方向の間の斜め方向に傾斜している。
 プローブ200aは、その先端がY-Y’方向に一列又は複数列で配列可能である。その例が図4A、図4B、図5A及び図5Bに示されている。プローブ200aは、図4A及び図4Bに示されるように、その先端がY-Y’方向に二列で千鳥配列されるように保持部100aに保持されていても良い。
 又は、プローブ200aは、図5Aに示されるように、その先端がY-Y’方向に四列で千鳥配列されるように、保持部100aに保持されていても良い。この場合、第1列のプローブ200aの先端が、当該プローブの並び方向に延びる第1仮想線L1に沿って並ぶように、第1列のプローブ200aが保持部100aにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。第3列のプローブ200aの先端が、並び方向に延びる第3仮想線L3に沿って並ぶように、第3列のプローブ200aが、第1列のプローブ200aのZ’方向側で保持部100aに第1列のプローブ200aと同間隔で保持されている。第2列のプローブ200aの先端が、当該プローブの並び方向に延びる第1仮想線L2に沿って並ぶように、第2列のプローブ200aが保持部100aにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。第2列のプローブ200aは、Y-Y’方向で隣り合う第1列のプローブ200aの間に各々位置している。第4列のプローブ200aの先端が、並び方向に延びる第4仮想線L4に沿って並ぶように、第4列のプローブ200aが第3列のプローブ200aのZ’方向側で保持部100aに第3列のプローブ200aと同間隔で保持されている。なお、第1仮想線L1~第4仮想線L4は、並び方向に直交し且つプローブの長手方向に間隔をあけて配置されている。
 又は、プローブ200aは、図5Bに示されるように、その先端がY-Y’方向に四列で配列されるように、保持部100aに保持されていても良い。この場合、Y方向側から、第1列のプローブ200a、第4列のプローブ200a、第2列のプローブ200a、第3列のプローブ200aの順でこの配置が繰り返されるように、プローブ200aが保持部100aにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。第2列のプローブ200aの先端は、第1列のプローブ200aの先端よりもX’方向側に位置している。第3列のプローブ200aの先端は、第2列のプローブ200aの先端よりもX’方向側に位置している。第4列のプローブ200aの先端は、第3列のプローブ200aの先端よりもX’方向側に位置している。
 なお、複数のプローブ200aのうち並び方向の第1群のプローブ200a(例えば、並び方向の一方の端の一群のプローブ)の先端が一列で配列され、並び方向の第2群のプローブ200a(例えば、並び方向の中央部の一群のプローブ)又は残りのプローブ200aの先端が複数列で配列されるように、当該複数のプローブ200aが保持部100aに保持されていても良い。複数のプローブ200aのうち並び方向の第1群のプローブ200aの先端が複数列で配列され、並び方向の第2群又は残りのプローブ200aの先端が前記複数列と異なる複数列で配列されるように、当該複数のプローブ200aが保持部100aに保持されていても良い。
 図4A及び図4Bにおいて、プローブ200aと保持部100gの第2壁面120gとの間のスペースがS1で示されている。
 各プローブ200bは、図2に最も良く示されているように、先端部210bと、中間部220bと、後端部230bとを有している。プローブ200bは、保持部100bにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。より具体的には、プローブ200bの中間部220bが保持部100bのプローブ200aの中間部220aよりZ’方向の部分にY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。中間部220bは保持部100b内に埋め込まれている。後端部230bは、保持部100bの第2壁面120bからX’方向に突出している。後端部230bは、後端部230aよりもZ’方向側に位置している。後端部230bは、基板300の対応する電極に接続されている。
 先端部210bは、保持部100bの第1壁面110bからX方向に突出している。先端部210bは、保持部100aのZ’方向側に位置している。先端部210bは、接触部211bと、弾性変形部212bとを有している。弾性変形部212bが第1壁面110bからX方向に延びている。弾性変形部212bがZ-Z’方向に弾性変形可能である。接触部211bは弾性変形部212bのX方向の端からZ’方向に延びている。接触部211aの先端(以下、プローブ200bの先端とも称する。)は、保持部100b及び保持部100aの底面よりもZ’方向側に位置している。接触部211bの先端が半導体ウエハUの半導体デバイスDのX’方向の辺上の図示しない電極に接触可能な部位である。プローブ200bの接触部211b以外の部分が、X’方向及びZ方向の間の斜め方向に傾斜している。
 なお、プローブ200bは、プローブ200aと同様に、その先端がY-Y’方向に一列又は複数列で配列されるように、保持部100bに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200bのうち一部のプローブ200bの先端が一列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200bの先端が複数列で配列されるように、保持部100bに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200bのうち一部のプローブ200bの先端が複数列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200bの先端が前記複数列と異なる複数列で配列されるように、保持部100bに保持されていても良い。
 各プローブ200cは、図3に最も良く示されているように、先端部210cと、中間部220cと、後端部230cと、折り曲げ部240cとを有している。プローブ200cは、保持部100cにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。より具体的には、プローブ200cの中間部220cが保持部100cにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。中間部220cは保持部100c内に埋め込まれている。後端部230cは、保持部100cの第3壁面130cからY’方向に突出している。後端部230cは、基板300の対応する電極に接続されている。
 先端部210cは、保持部100cの第1壁面110cからY方向に突出している。先端部210cは、支持板400の溝420のZ’方向側に位置している。先端部210cは、接触部211cと、弾性変形部212cとを有している。弾性変形部212cが第1壁面110cからY方向に延びている。弾性変形部212cがZ-Z’方向に弾性変形可能である。弾性変形部212cは、Y方向の端と、Y’方向の端とを有する。弾性変形部212cのY’方向の端が先端部210cの根元212c1に相当する。先端部210cの根元212c1のY-Y’方向の高さ位置(レベル)は、保持部100cの第1壁面110cのY-Y’方向の高さ位置(レベル)と同じである。接触部211cは弾性変形部212cのY方向の端からZ’方向に延びている。接触部211cの先端211c1が先端部210cの先端(以下、先端部210cの先端又はプローブ200cの先端とも称する。)である。接触部211cは、保持部100c及び保持部100aの底面よりもZ’方向側に位置している。接触部211cの先端が半導体ウエハUの半導体デバイスDのY’方向の辺上の図示しない電極に接触可能な部位である。プローブ200cの接触部211c以外の部分が、Y’方向及びZ方向の間の斜め方向に傾斜している。
 なお、プローブ200cは、プローブ200aと同様に、その先端がX-X’方向に一列又は複数列で配列されるように、保持部100cに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200cのうち一部のプローブ200cの先端が一列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200cの先端が複数列で配列されるように、保持部100cに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200cのうち一部のプローブ200cの先端が複数列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200cの先端が前記複数列と異なる複数列で配列されるように、保持部100cに保持されていても良い。
 先端部210cの先端211c1は、先端部210cの根元212c1よりも保持部100eの第1壁面110e側に位置している。これは、後述するプローブ200cの一部の傾斜又は湾曲により実現されているが、これに限定されない。
 折り曲げ部240cは、図6Aに示されるように、先端部210cと中間部220cとの間に設けることが可能である。換言すると、折り曲げ部240cは、保持部100cの第1壁面110cに位置している。この場合、折り曲げ部240cは第1壁面110cでX方向(保持部100eの第1壁面110e側)に折り曲げられている。先端部210cは、X方向に傾斜している。中間部220c及び後端部230cは、Y-Y’方向において直線状に延びている。又は、折り曲げ部240cは、図6Bに示されるように、中間部220cに設けることが可能である。換言すると、折り曲げ部240cは、保持部100c内に位置している。この場合、折り曲げ部240cは、保持部100c内でX方向に折り曲げられている。プローブ200cの折り曲げ部240cよりも先端側の部分(先端部210c及び中間部220cの折り曲げ部240cよりも先端側の部分を含む)は、X方向に傾斜している。プローブ200cの折り曲げ部240cよりも後端側の部分(後端部230c及び中間部220cの折り曲げ部240cよりも後端側の部分を含む)は、Y-Y’方向において直線状に延びている。又は、折り曲げ部240cは、図6Cに示されるように、中間部220cと後端部230cとの間に設けることが可能である。換言すると、折り曲げ部240cは、保持部100cの第3壁面130cに位置している。この場合、折り曲げ部240cは、第3壁面130cでX方向に折り曲げられている。先端部210c及び中間部220cは、X方向(保持部100eの第1壁面110e側)に傾斜している。後端部230aは、Y-Y’方向において直線状に延びている。
 また、先端部210cを傾斜させるのではなく、X方向(保持部100eの第1壁面110e側)に湾曲させることも可能である。この場合、折り曲げ部240cは省略される。プローブ200cの湾曲の始点250c(後述する湾曲部の始点)が、図6Dに示されるように、先端部210cと中間部220cとの間に設けられていても良い。すなわち、湾曲の始点250cが保持部100cの第1壁面110aに位置していても良い。この場合、先端部210cが湾曲部となる。中間部220c及び後端部230cは、Y-Y’方向において直線状に延びている。又は、湾曲の始点250cが中間部220cに設けられていても良い。すなわち、湾曲の始点250cが保持部100c内に位置していても良い。この場合、プローブ200cの湾曲の始点250cよりも先端側の部分(先端部210c及び中間部220cの折り曲げ部240cよりも先端側の部分を含む)が、湾曲部となる。プローブ200cの折り曲げ部240cよりも後端側の部分(後端部230c及び中間部220cの折り曲げ部240cよりも後端側の部分を含む)は、Y-Y’方向において直線状に延びている。又は、湾曲の始点250cが、中間部220cと後端部230cとの間に設けられていても良い。すなわち、湾曲の始点250cが、保持部100cの第3壁面130cに位置していても良い。この場合、先端部210c及び中間部220cが湾曲部となる。後端部230aはY-Y’方向において直線状に延びている。なお、上記プローブ200cの湾曲の終点は、先端部210cの弾性変形部212cのY方向の端である。
 全ての上記プローブ200cの先端部210c、全ての上記プローブ200cの中間部220cの折り曲げ部240cよりも先端側の部分及び先端部210c、又は全ての上記プローブ200cの中間部220c及び先端部210cが、図4Aに示されるように、X方向に傾斜又は湾曲していても良い。又は、図4Bに示されるように、上記プローブ200cが、当該プローブ200cのうちX方向(保持部100eの第1壁面110e)側の端に位置する一のプローブ200c(最もX方向側に位置する最端のプローブ200c)又は複数のプローブ200c(最もX方向側に位置する最端のプローブ200cを含む。)と、残りのプローブ200cとを含んでいても良い。以下、一又は複数のプローブ200cをX方向側のプローブ200cと称する。X方向側のプローブ200cの先端部210c、X方向側のプローブ200cの中間部220cの折り曲げ部240cよりも先端側の部分及び先端部210c、又はX方向側のプローブ200cの中間部220c及び先端部210cが、残りのプローブ200cよりもX方向に大きく傾斜又は湾曲していても良い。又は、X方向側のプローブ200cの先端部210c、X方向側のプローブ200cの中間部220cの折り曲げ部240cよりも先端側の部分及び先端部210c、又はX方向側のプローブ200cの中間部220c及び先端部210cのみが、X方向に傾斜又は湾曲し、残りのプローブ200cは傾斜及び湾曲していなくても良い。
 各プローブ200dは、図3に最も良く示されているように、先端部210dと、中間部220dと、後端部230dとを有している。プローブ200dは、保持部100dにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。より具体的には、プローブ200dの中間部220dが保持部100dにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。中間部220dは保持部100d内に埋め込まれている。後端部230dは、保持部100dの第2壁面120dからY方向に突出している。後端部230dは、基板300の対応する電極に接続されている。
 先端部210dは、保持部100dの第1壁面110dからY’方向に突出している。先端部210dは、支持板400の溝430のZ’方向側に位置している。先端部210dは、接触部211dと、弾性変形部212dとを有している。弾性変形部212dが第1壁面110dからY’方向に延びている。弾性変形部212dがZ-Z’方向に弾性変形可能である。接触部211dは弾性変形部212dのY’方向の端からZ’方向に延びている。接触部211dの先端(以下、プローブ200dの先端とも称する。)は、保持部100d及び保持部100aの底面よりもZ’方向側に位置している。接触部211dの先端が半導体ウエハUの半導体デバイスDのY方向の辺上の図示しない電極に接触可能な部位である。プローブ200dの接触部211d以外の部分が、Y方向及びZ方向の間の斜め方向に傾斜している。
 なお、プローブ200dは、プローブ200aと同様に、その先端がX-X’方向に一列又は複数列で配列されるように、保持部100dに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200dのうち一部のプローブ200dの先端が一列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200dの先端が複数列で配列されるように、保持部100dに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200dのうち一部のプローブ200dの先端が複数列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200dの先端が前記複数列と異なる複数列で配列されるように、保持部100dに保持されていても良い。
 プローブ200eは、後述の通り、保持部100e及び保持部100fに保持されている以外、プローブ200aと同様の構成である。各プローブ200eは、先端部210eと、中間部220eと、後端部230eとを有している。プローブ200eは、保持部100e及び保持部100fにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。より具体的には、プローブ200eの中間部220eが保持部100e及び保持部100fにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。中間部220eは保持部100e及び保持部100e内に埋め込まれている。後端部230eは、保持部100fの第2壁面120fからX方向に突出している。後端部230eは、基板300の対応する電極に接続されている。
 先端部210eは、保持部100eの第1壁面110eからX’方向に突出している。先端部210eは、支持板400の溝440のZ’方向側に配置されている。先端部210eは、接触部211eと、弾性変形部212eとを有している。弾性変形部212eが第1壁面110eからX’方向に延びている。弾性変形部212eはZ-Z’方向に弾性変形可能である。接触部211eは弾性変形部212eのX’方向の端からZ’方向に延びている。接触部211eの先端(以下、プローブ200eの先端とも称する。)は、保持部100e及び保持部100cの底面よりもZ’方向側に位置している。接触部211eの先端が半導体ウエハUの別の半導体デバイスDのX’方向の辺上の図示しない電極に接触可能な部位である。プローブ200eの接触部211e以外の部分が、X方向及びZ方向の間の斜め方向に傾斜している。
 なお、プローブ200eは、プローブ200aと同様に、その先端がY-Y’方向に一列又は複数列で配列されるように、保持部100eに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200eのうち一部のプローブ200eの先端が一列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200eの先端が複数列で配列されるように、保持部100eに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200eのうち一部のプローブ200eの先端が複数列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200eの先端が前記複数列と異なる複数列で配列される、保持部100eに保持されていても良い。
 図4A及び図4Bにおいて、プローブ200eと保持部100cの第2壁面120cとの間のスペースがS2で示されている。
 プローブ200fは、後述の通り、保持部100fに保持されている以外、プローブ200bと同様の構成である。各プローブ200fは、先端部210fと、中間部220fと、後端部230fとを有している。プローブ200fは、保持部100fにY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。より具体的には、プローブ200fの中間部220fが保持部100fのプローブ200eの中間部220eよりZ’方向の部分にY-Y’方向に間隔をあけて保持されている。中間部220fは保持部100f内に埋め込まれている。後端部230fは、保持部100fの第2壁面120fからX方向に突出している。後端部230fは、後端部230eよりもZ’方向側に位置している。後端部230fは、基板300の対応する電極に接続されている。
 先端部210fは、保持部100fの第1壁面110fからX’方向に突出している。先端部210fは、保持部100eのZ’方向側に位置している。先端部210fは、接触部211fと、弾性変形部212fとを有している。弾性変形部212fが第1壁面110fからX’方向に延びている。弾性変形部212fがZ-Z’方向に弾性変形可能である。接触部211fは弾性変形部212fのX’方向の端からZ’方向に延びている。接触部211fの先端(以下、プローブ200fの先端とも称する。)は、保持部100f及び保持部100eの底面よりもZ’方向側に位置している。接触部211fの先端が半導体ウエハUの別の半導体デバイスDのX方向の辺上の図示しない電極に接触可能な部位である。プローブ200fの接触部211f以外の部分が、X方向及びZ方向の間の斜め方向に傾斜している。
 なお、プローブ200fは、プローブ200aと同様に、その先端がY-Y’方向に一列又は複数列で配列されるように、保持部100fに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200fのうち一部のプローブ200fの先端が一列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200fの先端が複数列で配列されるように、保持部100fに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200fのうち一部のプローブ200fの先端が複数列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200fの先端が前記複数列と異なる複数列で配列されるように、保持部100fに保持されていても良い。
 プローブ200gは、後述の通り、保持部100gに保持されており且つプローブ200gの折り曲げ又は湾曲の方向が相違している以外、プローブ200cと同様の構成である。各プローブ200gは、先端部210gと、中間部220gと、後端部230gと、図示しない折り曲げ部とを有している。プローブ200gは、保持部100gにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。より具体的には、プローブ200gの中間部220gが保持部100gにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。中間部220gは保持部100g内に埋め込まれている。後端部230gは、保持部100gの第3壁面130gからY方向に突出している。後端部230gは、基板300の対応する電極に接続されている。
 先端部210gは、保持部100gの第1壁面110gからY’方向に突出している。先端部210gは、支持板400の溝450のZ’方向側に位置している。先端部210gは、接触部211gと、弾性変形部212gとを有している。弾性変形部212gが第1壁面110gからY’方向に延びている。弾性変形部212gがZ-Z’方向に弾性変形可能である。弾性変形部212gは、Y方向の端と、Y’方向の端とを有する。弾性変形部212gのY’方向の端が先端部210gの根元212g1に相当する。先端部210gの根元212g1のY-Y’方向の高さ位置(レベル)は、保持部100gの第1壁面110gのY-Y’方向の高さ位置(レベル)と同じである。接触部211gは弾性変形部212gのY’方向の端からZ’方向に延びている。接触部211gの先端が先端部210gの先端211g1(以下、先端部210gの先端及びプローブ200gの先端とも称する。)である。接触部211gの先端は、保持部100g及び保持部100eの底面よりもZ’方向側に位置している。接触部211gの先端が半導体ウエハUの別の半導体デバイスDのY方向の辺上の図示しない電極に接触可能な部位である。プローブ200gの接触部211g以外の部分が、Y方向及びZ方向の間の斜め方向に傾斜している。
 なお、プローブ200gは、プローブ200aと同様に、そのX-X’方向に一列又は複数列で配列されるように、保持部100gに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200gのうち一部のプローブ200gの先端が一列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200gの先端が複数列で配列されるように、保持部100gに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200gのうち一部のプローブ200gの先端が複数列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200gの先端が前記複数列と異なる複数列で配列されるように、保持部100gに保持されていても良い。
 先端部210gの先端211g1は、先端部210gの根元212g1よりも保持部100gの第1壁面110g側に位置している。これは、後述するプローブ200gの一部の傾斜又は湾曲により実現されているが、これに限定されない。
 プローブ200gの折り曲げ部は、X’方向(保持部100aの第1壁面110a側)に折り曲げられている以外、プローブ200cの折り曲げ部240cと同様の構成とすることが可能である。プローブ200gの折り曲げ部が先端部210gと中間部220gとの間に設けられている場合(図6Aを借りて参照)、先端部210gがX’方向に傾斜している。中間部220g及び後端部230gは、Y-Y’方向において直線状に延びている。又は、プローブ200gの折り曲げ部が中間部220gに設けられている場合(図6Bを借りて参照)、プローブ200gの折り曲げ部よりも先端側の部分(先端部210g及び中間部220gの折り曲げ部よりも先端側の部分を含む)は、X’方向に傾斜している。プローブ200gの折り曲げ部よりも後端側の部分(後端部230g及び中間部220gの折り曲げ部よりも後端側の部分を含む)は、Y-Y’方向において直線状に延びている。又は、プローブ200gの折り曲げ部が中間部220gと後端部230gとの間に設けられている場合(図6Cを借りて参照)、先端部210g及び中間部220gは、X’方向に傾斜している。後端部230gは、Y-Y’方向において直線状に延びている。
 また、先端部210gを傾斜させるのではなく、X’方向(保持部100aの第1壁面110a側)に湾曲させることも可能である。この場合、プローブ200gの折り曲げ部は省略される。プローブ200gの湾曲の始点(後述する湾曲部の始点)が、先端部210gと中間部220gとの間に設けられている場合(図6Dを借りて参照)、先端部210gが湾曲部となる。中間部220g及び後端部230gは、Y-Y’方向において直線状に延びている。又は、湾曲の始点が中間部220aに設けられている場合、プローブ200gの湾曲の始点よりも先端側の部分(先端部210g及び中間部220gの折り曲げ部よりも先端側の部分を含む)が、湾曲部となる。プローブ200gの折り曲げ部よりも後端側の部分(後端部230g及び中間部220gの折り曲げ部よりも後端側の部分を含む)は、Y-Y’方向において直線状に延びている。又は、湾曲の始点が、中間部220gと後端部230gとの間に設けられている場合、先端部210g及び中間部220gが湾曲部となる。後端部230gは、Y-Y’方向において直線状に延びている。なお、上記プローブ200gの湾曲の終点は、先端部210gの弾性変形部212gのY’方向の端である。
 全ての上記プローブ200gの先端部210g、全ての上記プローブ200gの中間部220gの折り曲げ部よりも先端側の部分及び先端部210g、又は全ての上記プローブ200gの中間部220g及び先端部210gが、X’方向に傾斜又は湾曲していても良い。又は、上記プローブ200gが、当該プローブ200gのうちX’方向(保持部100aの第1壁面110a側)の端に位置する一のプローブ200g(最もX’方向側に位置する最端のプローブ200g)又は複数のプローブ200g(最もX’方向側に位置する最端のプローブ200gを含む。)と、残りのプローブ200gとを含んでいても良い。以下、一又は複数のプローブ200gをX’方向側のプローブ200gと称する。X’方向側のプローブ200gの先端部210g、X’方向側のプローブ200gの中間部220gの折り曲げ部よりも先端側の部分及び先端部210g、又はX’方向側のプローブ200gの中間部220g及び先端部210gが、残りのプローブ200gよりもX’方向に大きく傾斜していても良い。又は、X’方向側のプローブ200gの先端部210g、X’方向側のプローブ200gの中間部220gの折り曲げ部よりも先端側の部分及び先端部210g、又はX’方向側のプローブ200gの中間部220g及び先端部210gのみが、X’方向に傾斜又は湾曲し、残りのプローブ200gは傾斜及び湾曲していなくても良い。
 プローブ200hは、後述の通り、保持部100hに保持されている以外、プローブ200dと同様の構成である。各プローブ200hは、先端部210hと、中間部220hと、後端部230hとを有している。プローブ200hは、保持部100hにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。より具体的には、プローブ200hの中間部220hが保持部100hにX-X’方向に間隔をあけて保持されている。中間部220hは保持部100h内に埋め込まれている。後端部230hは、保持部100hの第2壁面120hからY’方向に突出している。後端部230hは、基板300の対応する電極に接続されている。
 先端部210hは、保持部100hの第1壁面110hからY方向に突出している。先端部210hは、支持板400の溝460のZ’方向側に位置している。先端部210hは、接触部211hと、弾性変形部212hとを有している。弾性変形部212hが第1壁面110hからY方向に延びている。弾性変形部212hがZ-Z’方向に弾性変形可能である。接触部211hは弾性変形部212hのY方向の端からZ’方向に延びている。接触部211hの先端(以下、プローブ200hの先端とも称する。)は、保持部100h及び保持部100eの底面よりもZ’方向側に位置している。接触部211hの先端が半導体ウエハUの別の半導体デバイスDのY’方向の辺上の図示しない電極に接触可能な部位である。プローブ200hの接触部211h以外の部分が、Y’方向及びZ方向の間の斜め方向に傾斜している。
 なお、プローブ200hは、プローブ200aと同様に、その先端がX-X’方向に一列又は複数列で配列されるように、保持部100hに保持されていても良い。また、プローブ200aと同様に、複数のプローブ200hのうち一部のプローブ200hの先端が一列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200hの先端が複数列で配列されるように、保持部100bに保持されていても良い。また、プローブ200hの先端と同様に、複数のプローブ200hのうち一部のプローブ200hの先端が複数列で配列され、別の一部又は残りのプローブ200hの先端が前記複数列と異なる複数列で配列されるように、保持部100hに保持されていても良い。
 以下、プローブカードCの製造方法について詳しく説明する。ここでは、プローブ200cの先端部210c及びプローブ200gの先端部210gのみが傾斜又は湾曲している態様について説明する。プローブ200c及びプローブ200gのその他の傾斜又は湾曲の態様の場合も、プローブカードCは同様の方法で製造可能である。
 プローブ200aを用意する。プローブ200aを図示しない第1台座上にY-Y’方向に間隔をあけて配置する。その後、プローブ200aの中間部220aの一部に第1絶縁樹脂を塗布し、プローブ200aの中間部220aの一部を第1絶縁樹脂内に埋め込み、第1絶縁樹脂に固定させる。硬化した第1絶縁樹脂を第1台座から取り外す。その後、支持板400を用意する。プローブ200aの先端部210aが支持板400の溝410上に位置するように、プローブ200a及び第1絶縁樹脂を支持板400上に配置する。その後、第1絶縁樹脂を第2絶縁樹脂で支持板400に固定する。硬化した第2絶縁樹脂、及び第1絶縁樹脂が保持部100aとなる。保持部100aの第1壁面110aからプローブ200aの先端部210aが突出し、保持部100aの第1壁面110aの反対面からプローブ200aの中間部220aの残りの部分及び後端部230aが突出する。
 その後、プローブ200bを用意する。プローブ200bを図示しない第2台座上にY-Y’方向に間隔をあけて配置する。その後、プローブ200bの中間部220bに第3絶縁樹脂を塗布し、プローブ200bの中間部220bを第3絶縁樹脂内に埋め込み、第3絶縁樹脂に固定させる。硬化した第3絶縁樹脂を第2台座から取り外す。その後、プローブ200bの先端部210bが保持部100a上に位置するように、プローブ200b及び第3絶縁樹脂を支持板400上に配置する。その後、第4絶縁樹脂を第3絶縁樹脂及びプローブ200aの中間部220aの残りの部分に塗布し、プローブ200aの中間部220aの残りの部分を第4絶縁樹脂内に埋め込み、且つ第4絶縁樹脂で第3絶縁樹脂を支持板400に固定する。このとき、第4絶縁樹脂が保持部100aに接触する。硬化した第4絶縁樹脂、及び第3絶縁樹脂が保持部100bとなり、保持部100bが保持部100aと一体化される。保持部100bの第1壁面110bからプローブ200bの先端部210bが突出し、保持部100bの第2壁面120bからプローブ200aの後端部230a及びプローブ200bの後端部230bが突出する。
 その後、プローブ200cを用意する。プローブ200cを図示しない第3台座上にX-X’方向に間隔をあけて配置する。このとき、プローブ200cの先端部210cの傾斜方向又は湾曲方向をX方向に向ける。その後、プローブ200cの中間部220cに第5絶縁樹脂を塗布し、プローブ200cの中間部220cを第5絶縁樹脂に埋め込み、第5絶縁樹脂に固定させる。硬化した第5絶縁樹脂を第3台座から取り外す。その後、プローブ200cの先端部210cが支持板400の溝420上に位置するように、プローブ200c及び第5絶縁樹脂を支持板400上に配置する。その後、第6絶縁樹脂で第5絶縁樹脂を支持板400に固定する。このとき、第6絶縁樹脂が保持部100bに接触する。硬化した第6絶縁樹脂、及び第5絶縁樹脂が保持部100cとなり、保持部100cが保持部100bと一体化される。保持部100cの第1壁面110cからプローブ200cの先端部210cが突出し、保持部100cの第3壁面130cからプローブ200cの後端部230cが突出する。
 その後、プローブ200dを用意する。プローブ200dを図示しない第4台座上にX-X’方向に間隔をあけて配置する。その後、プローブ200dの中間部220dに第7絶縁樹脂を塗布し、プローブ200dの中間部220dを支持板400に第7絶縁樹脂内に埋め込み、第7絶縁樹脂に固定させる。硬化した第7絶縁樹脂を第4台座から取り外す。その後、プローブ200dの先端部210dが支持板400の溝430上に位置するように、プローブ200d及び第7絶縁樹脂を支持板400上に配置する。その後、第8絶縁樹脂で第7絶縁樹脂を支持板400に固定する。このとき、第8絶縁樹脂が保持部100bに接触する。硬化した第8絶縁樹脂、及び第7絶縁樹脂が保持部100dとなり、保持部100dが保持部100bと一体化される。保持部100dの第1壁面110dからプローブ200dの先端部210dが突出し、保持部100dの第2壁面120dからプローブ200dの後端部230dが突出する。
 その後、プローブ200eを用意する。プローブ200eを図示しない第5台座上にY-Y’方向に間隔をあけて配置する。その後、プローブ200eの中間部220eの一部に第9絶縁樹脂を塗布し、プローブ200eの中間部220eの一部を第9絶縁樹脂内に埋め込み、第9絶縁樹脂に固定させる。硬化した第9絶縁樹脂を第5台座から取り外す。プローブ200eの先端部210eが支持板400の溝440上に位置するように、プローブ200e及び第9絶縁樹脂を支持板400上に配置する。その後、第10絶縁樹脂で第9絶縁樹脂を支持板400に固定する。硬化した第10絶縁樹脂、及び第9絶縁樹脂が保持部100eとなる。保持部100eの第1壁面110eからプローブ200eの先端部210eが突出し、保持部100eの第1壁面110eの反対面からプローブ200eの中間部220eの残りの部分及び後端部230eが突出する。
 その後、プローブ200fを用意する。プローブ200fを図示しない第6台座上にY-Y’方向に間隔をあけて配置する。その後、プローブ200fの中間部220fに第11絶縁樹脂を塗布し、プローブ200fの中間部220fを第11絶縁樹脂内に埋め込み、第11絶縁樹脂に固定させる。硬化した第11絶縁樹脂を第6台座から取り外す。その後、プローブ200fの先端部210fが保持部100e上に位置するように、プローブ200f及び第11絶縁樹脂を支持板400上に配置する。その後、第12絶縁樹脂を第11絶縁樹脂及びプローブ200eの中間部220eの残りの部分に塗布し、プローブ200eの中間部220eの残りの部分を第12絶縁樹脂内に埋め込み、且つ第12絶縁樹脂で第11絶縁樹脂を支持板400に固定する。このとき、第12絶縁樹脂が保持部100eに接触する。硬化した第12絶縁樹脂、及び第11絶縁樹脂が保持部100fとなり、保持部100fが保持部100eと一体化される。保持部100fの第1壁面110fからプローブ200fの先端部210fが突出し、保持部100fの第2壁面120fからプローブ200eの後端部230e及びプローブ200fの後端部230fが突出する。
 その後、プローブ200gを用意する。プローブ200gを図示しない第7台座にX-X’方向に間隔をあけて配置する。このとき、プローブ200gの先端部210gの傾斜方向又は湾曲方向をX’方向に向ける。その後、プローブ200gの中間部220gに第13絶縁樹脂を塗布し、プローブ200gの中間部220gを第13絶縁樹脂内に埋め込み、第13絶縁樹脂に固定させる。硬化した第13絶縁樹脂を第7台座から取り外す。その後、プローブ200gの先端部210gが支持板400の溝450上に位置するように、プローブ200g及び第13絶縁樹脂を支持板400上に配置する。その後、第14絶縁樹脂で第13絶縁樹脂を支持板400に固定する。このとき、第14絶縁樹脂が保持部100d及び保持部100fに接触する。硬化した第14絶縁樹脂、及び第13絶縁樹脂が保持部100gとなり、保持部100d及び保持部100fと一体化される。保持部100gの第1壁面110gからプローブ200gの先端部210gが突出し、保持部100gの第3壁面130gからプローブ200gの後端部230gが突出する。
 その後、プローブ200hを用意する。プローブ200gを図示しない第8台座にX-X’方向に間隔をあけて配置する。その後、プローブ200hの中間部220hに第15絶縁樹脂を塗布し、プローブ200hの中間部220hを第15絶縁樹脂内に埋め込み、第15絶縁樹脂に固定される。硬化した第15絶縁樹脂を第8台座から取り外す。その後、プローブ200hの先端部210hが支持板400の溝460上に位置するように、プローブ200h及び第15絶縁樹脂を支持板400上に配置する。その後、第16絶縁樹脂で第15絶縁樹脂を支持板400に固定する。このとき、第16絶縁樹脂が保持部100c及び保持部100fに接触する。硬化した第16絶縁樹脂、及び第15絶縁樹脂が保持部100hとなり、保持部100c及び保持部100hと一体化される。保持部100hの第1壁面110hからプローブ200hの先端部210hが突出し、保持部100hの第2壁面120hからプローブ200hの後端部230hが突出する。このようにしてプローブユニットが製造される。
 基板300を用意する。基板300を補強板500に固定する。その後、プローブユニットの支持板400を基板300内に配置し、当該支持板400を補強板500上に配置させる。その後、プローブ200a~200hの後端部230a~230hを基板300の電極に各々半田接続する。
 上記したプローブカードCは、図11に示される半導体ウエハUを以下の通り検査するのに使用される。まず、プローブカードCを図示しない検査装置のプローバーに取り付ける。その後、半導体ウエハUがプローバーのステージにセットされる。その後、プローバーにより、プローブカードCと半導体ウエハUとを相対的に接近させる。すると、プローブカードCのプローブ200a~200dが半導体ウエハUの半導体デバイスD1の電極に各々接触すると共に、当該プローブカードCのプローブ200e~200hが半導体ウエハUの半導体デバイスD2の電極に各々接触する。このとき、半導体デバイスD1、D2の電気的諸特性がプローブカードCを通じて検査装置により一度に検査される。その後、プローバーにより、プローブカードCと半導体ウエハUとが相対的に離反される。その後、プローブカードCと半導体ウエハUとが相対的に水平移動させられ、半導体ウエハUの次の二つの半導体デバイスDの電気的諸特性が検査される。これが繰り返されることにより、半導体ウエハUの全ての半導体デバイスDの検査が行われる。
 以上のようなプローブカードCは、以下の技術的特徴及び効果を有する。第1に、プローブ200eと保持部100cの第2壁面120cとの間のスペースS2を大きくすることができる。その理由は以下の通りである。
 全ての上記プローブ200cの先端部210c、全ての上記プローブ200cの折り曲げ部240cよりも先端側の部分、又は全ての上記プローブ200cの中間部220c及び先端部210cが傾斜又は湾曲している場合、全てのプローブ200cの先端部210cの先端211c1が半導体デバイスDの電極の位置に応じて配置されている一方で、全てのプローブ200cの先端部210cの根元212c1が当該全てのプローブ200cの先端部210cの先端211c1よりもX’方向側に位置する。すなわち、プローブ200cの先端部210cの根元212c1よりも後端側の部分が、先端部210cの先端211c1よりもX’方向側に位置するので、保持部100cの第2壁面120cの位置をX’方向(保持部100eの第1壁面110eから離れる方向)に移動させることができる。このため、スペースS2を大きくすることができる。
 一又は複数のX方向側のプローブ200cが残りのプローブ200cよりもX方向に大きく傾斜又は湾曲している場合、全てのプローブ200cの先端部210cの先端211c1が半導体デバイスDの電極の位置に応じて配置されている一方で、残りのプローブ200cの先端部210cの根元212c1が残りのプローブ200cの先端部210cの先端211c1よりもX’方向側に位置し、X方向側のプローブ200cの先端部210cの根元212c1が、当該X方向側のプローブ200cの先端部210cの先端211c1よりもX’方向側に位置する。すなわち、プローブ200cの先端部210cの根元212c1よりも後端側の部分が、先端部210cの先端211c1よりもX’方向側に位置するので、保持部100cの第2壁面120cの位置をX’方向(保持部100eの第1壁面110eから離れる方向)に移動させることができる。このため、スペースS2を大きくすることができる。
 X方向側のプローブ200cの先端部210c、X方向側のプローブ200cの折り曲げ部240cよりも先端側の部分、又はX方向側のプローブ200cの中間部220c及び先端部210cのみが、X方向に傾斜又は湾曲している場合、全てのプローブ200cの先端部210cの先端211c1が半導体デバイスDの電極の位置に応じて配置されている一方で、X方向側のプローブ200cの先端部210cの根元212c1が、当該X方向側のプローブ200cの先端部210cの先端211c1よりもよりX’方向側に位置する。よって、X方向側のプローブ200cの先端部210cの根元212c1よりも後端側の部分が、X’方向側のプローブ200cの先端部210cの先端211c1よりもX’方向側に位置するので、保持部100cの第2壁面120cの位置をX’方向(保持部100eの第1壁面110eから離れる方向)に移動させることができる。このため、スペースS2を大きくすることができる。
 第2に、プローブ200aと保持部100gの第2壁面120gとの間のスペースS1を大きくすることができる。上記スペースS2に関する理由と同様の理由である。
 第3に、プローブカードCは、プローブ200a、200eの狭ピッチ化、及びプローブ200a、200eの数の増加に対応することができる。上記の通りスペースS1及びS2を大きくすることができるからである。
 なお、上記したプローブカードは、上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載範囲において任意に設計変更することが可能である。以下、詳しく述べる。
 本発明のプローブカードは、後述する絶縁性を有する第1保持部、絶縁性を有する第2保持部、カンチレバー型の複数の第1プローブ、及びカンチレバー型の複数の第2プローブを備えている限り、任意に設計変更することが可能である。
 本発明の第1保持部は、絶縁性を有し且つ第1方向に延びる第1壁面を有する限り任意に設計変更することが可能である。第1保持部は、第2壁面を更に有した構成とすることが可能である。第1保持部の第2壁面は、当該第1保持部の第1壁面に交差しており且つ第2方向に延びた構成とすることが可能である。第1保持部は、当該第1保持部の第1壁面に交差し、当該第1保持部の第2壁面の反対面であり且つ第2方向に延びた第3壁面を更に有する構成とすることが可能である。また、第1保持部は、当該第1保持部の第1壁面の反対面である第4壁面を更に有する構成とすることが可能である。例えば、保持部100aの第1壁面110aの反対面が、保持部100bとX-X’方向において間隔をあけて配置されていても良い。
 本発明の第2保持部は、第1方向に交差する第2方向に延びた第1壁面と、当該第2保持部の第1壁面に交差しており且つ第1保持部の第1壁面に間隙をあけて対向する第2壁面とを有している限り任意に設計変更することが可能である。
 本発明の複数の第1プローブは、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第1プローブは、カンチレバー型のプローブであって、先端部を有していることである。2)第1プローブは、先端部が上記した何れかの態様の第1保持部の第1壁面から突出するように、当該第1保持部に第1方向に間隔をあけて保持されている。例えば、プローブ200aの後端部230aが上記した何れかの態様の第1保持部からZ方向に突出し、基板等に接続される構成とすることが可能である。また、プローブ200aの後端部230aは、保持部100aの第1壁面110aの反対面から突出していても良い。上記した何れかの態様の第1プローブの中間部及び弾性変形部は、基板に対して平行に延びていても良い。
 上記した何れかの態様の第1プローブは、当該第1プローブの長手方向に延びる第1フラット面を更に有する構成とすることが可能である。この場合、プローブカードが第1支持部を更に備えていると良い。第1フラット面が第1支持部に当接した状態で、第1プローブが第1保持部により第1支持部に固定されていると良い。例えば、図8A及び図9に示されるプローブ200a’は、中間部220a’に第1フラット面221a’が設けられている。第1フラット面221a’が支持板400’の第1支持部401’の傾斜面に当接した状態で、プローブ200a’が保持部100aによって第1支持部401’に固定されている。第1支持部401’の傾斜面は、基板に対して平行な平行面とすることができる。
 本発明の複数の第2プローブは、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第2プローブは、カンチレバー型のプローブであって、先端部を有していることである。2)第2プローブは、先端部が上記した何れかの態様の第2保持部の第1壁面から突出するように、当該第2保持部に第2方向に間隔をあけて保持されている。3)第2プローブは、最も第2保持部の第2壁面側に位置する最端の第2プローブを含んでおり、少なくとも最端の第2プローブの先端部の先端が、当該最端の第2プローブの先端部の根元よりも第1保持部の第1壁面側に位置している。例えば、プローブ200gの後端部230gが上記した何れかの態様の第2保持部からZ方向に突出し、基板等に接続される構成とすることが可能である。上記した何れかの態様の第2プローブの中間部及び弾性変形部は、基板に対して平行に延びていても良い。
 上記した何れかの態様の第2プローブは、当該第2プローブの長手方向に延びる第2フラット面を更に有する構成とすることが可能である。この場合、プローブカードが第2支持部を更に備えていると良い。第2フラット面が第2支持部に当接した状態で、第2プローブが第2保持部により第2支持部に固定されていると良い。第2フラット面も、第1フラット面221a’と同様に、第2プローブの中間部に設けることが可能である。第2支持部も支持板に設けることが可能である。第2支持部は、第2フラット面が当接する傾斜面を有していても良い。第2支持部の傾斜面は、基板に対して平行な平行面とすることができる。
 本発明の第3保持部は、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第3保持部が絶縁性を有している。2)第3保持部は、第1方向に延びる第1壁面を有する限り任意に設計変更している。3)第3保持部は、当該第3保持部の第1壁面に交差しており且つ第2保持部の第1壁面に間隙をあけて対向する第2壁面を更に有している。第3保持部は、当該第3保持部の第1壁面に交差し、当該第3保持部の第2壁面の反対面であり且つ第2方向に延びた第3壁面を更に有する構成とすることが可能である。また、第3保持部は、当該第3保持部の第1壁面の反対面である第4壁面を更に有する構成とすることが可能である。例えば、保持部100eの第1壁面110eの反対面が、保持部100fとX-X’方向において間隔をあけて配置されていても良い。
 本発明の複数の第3プローブは、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第3プローブ、カンチレバー型のプローブであって、先端部を有していることである。2)第3プローブは、先端部が上記した何れかの態様の第3保持部の第1壁面から突出するように、当該第3保持部に第1方向に間隔をあけて保持されている。例えば、プローブ200eの後端部230eが上記した何れかの態様の第3保持部からZ方向に突出し、基板等に接続される構成とすることが可能である。また、プローブ200eの後端部230eは、保持部100gの第1壁面110gの反対面から突出していても良い。上記した何れかの態様の第3プローブの中間部及び弾性変形部は、基板に対して平行に延びていても良い。
 上記した何れかの態様の第3プローブは、当該第3プローブの長手方向に延びる第3フラット面を更に有する構成とすることが可能である。この場合、プローブカードが第3支持部を更に備えていると良い。第3フラット面が第3支持部に当接した状態で、第3プローブが第3保持部により第3支持部に固定されていると良い。第3フラット面も、第1フラット面221a’と同様に、第3プローブの中間部に設けることが可能である。第3支持部も支持板に設けることが可能である。第3支持部は、第3フラット面が当接する傾斜面を有していても良い。第3支持部の傾斜面は、基板に対して平行な平行面とすることができる。
 本発明の第4保持部は、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第4保持部は、第2方向に延びており且つ第1保持部の第2壁面に間隙をあけて対向する第1壁面を有している。第4保持部は、当該第4保持部の第1壁面に交差しており且つ第3保持部の第1壁面に間隙をあけて対向する第2壁面を有している。
 本発明の複数の第4プローブは、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第4プローブ、カンチレバー型のプローブであって、先端部を有していることである。2)第4プローブは、先端部が上記した何れかの態様の第4保持部の第1壁面から突出するように、当該第4保持部に第2方向に間隔をあけて保持されている。3)第4プローブは、最も第4保持部の第2壁面側に位置する最端の第4プローブを含んでおり、少なくとも最端の第4プローブの先端部の先端が、当該最端の第4プローブの先端部の根元よりも第3保持部の第1壁面側に位置している。例えば、プローブ200cの後端部230cが上記した何れかの態様の第4保持部からZ方向に突出し、基板等に接続される構成とすることが可能である。上記した何れかの態様の第4プローブの中間部及び弾性変形部は、基板に対して平行に延びていても良い。
 上記した何れかの態様の第4プローブは、当該第4プローブの長手方向に延びる第4フラット面を更に有する構成とすることが可能である。この場合、プローブカードが第4支持部を更に備えていると良い。第4フラット面が第4支持部に当接した状態で、第4プローブが第4保持部により第4支持部に固定されていると良い。例えば、図8Bに示されるように、第4フラット面221c’も、第1フラット面221a’と同様に、第4プローブ200c’の中間部220c’に設けることが可能である。第4支持部402’も支持板400’に設けることが可能である。第4支持部は、第4フラット面が当接する傾斜面を有していても良い。第4支持部の傾斜面は、基板に対して平行な平行面とすることができる。
 本発明の第5保持部は、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第5保持部は、絶縁性を有している。2)第5保持部は、上記した何れかの態様の第1保持部のX’側に配置されている。3)第5保持部は、第1方向に延びた第1壁面を有した構成とすることが可能である。
 本発明の第5プローブは、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第5プローブ、カンチレバー型のプローブであって、先端部を有していることである。2)第5プローブは、先端部が上記した何れかの態様の第5保持部の第1壁面から突出するように、当該第5保持部に第1方向に間隔をあけて保持されている。例えば、プローブ200bの後端部230bが上記した何れかの態様の第5保持部からZ方向に突出し、基板等に接続される構成とすることが可能である。上記した何れかの態様の第5プローブの中間部及び弾性変形部は、基板に対して平行に延びていても良い。
 上記した何れかの態様の第5プローブは、当該第5プローブの長手方向に延びる第5フラット面を更に有する構成とすることが可能である。この場合、プローブカードが第5支持部を更に備えていると良い。第5フラット面が第5支持部に当接した状態で、第5プローブが第5保持部により第5支持部に固定されていると良い。第5フラット面も、第5プローブの中間部に設けることが可能である。第5支持部も支持板に設けることが可能である。第5支持部は、第5フラット面が当接する傾斜面を有していても良い。第5支持部の傾斜面は、基板に対して平行な平行面とすることができる。
 本発明の第6保持部は、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第6保持部は、絶縁性を有している。2)第6保持部は、第2方向に延びており且つ第1保持部の第3壁面に間隙をあけて対向する第1壁面を有している。
 本発明の複数の第6プローブは、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第6プローブ、カンチレバー型のプローブであって、先端部を有していることである。2)第6プローブは、先端部が上記した何れかの態様の第6保持部の第1壁面から突出するように、当該第6保持部に第2方向に間隔をあけて保持されている。例えば、プローブ200dの後端部230dが上記した何れかの態様の第6保持部からZ方向に突出し、基板等に接続される構成とすることが可能である。上記した何れかの態様の第6プローブの中間部及び弾性変形部は、基板に対して平行に延びていても良い。
 上記した何れかの態様の第6プローブは、当該第6プローブの長手方向に延びる第6フラット面を更に有する構成とすることが可能である。この場合、プローブカードが第6支持部を更に備えていると良い。第6フラット面が第6支持部に当接した状態で、第6プローブが第6保持部により第6支持部に固定されていると良い。例えば、図8Bに示されるように、第6フラット面221d’も、第1フラット面221a’と同様に、第6プローブ200d’の中間部220d’に設けることが可能である。第6支持部403’も支持板400’に設けることが可能である。第6支持部は、第6フラット面が当接する傾斜面を有していても良い。第6支持部の傾斜面は、基板に対して平行な平行面とすることができる。
 本発明の第7保持部は、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第7保持部は、絶縁性を有している。2)第7保持部は、上記した何れかの態様の第1保持部のX側に配置されている。3)第7保持部は、第1方向に延びた第1壁面を有した構成とすることが可能である。
 本発明の複数の第7プローブは、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第7プローブ、カンチレバー型のプローブであって、先端部を有していることである。2)第7プローブは、先端部が上記した何れかの態様の第7保持部の第1壁面から突出するように、当該第7保持部に第1方向に間隔をあけて保持されている。例えば、プローブ200fの後端部230fが上記した何れかの態様の第5保持部からZ方向に突出し、基板等に接続される構成とすることが可能である。上記した何れかの態様の第7プローブの中間部及び弾性変形部は、基板に対して平行に延びていても良い。
 上記した何れかの態様の第7プローブは、当該第7プローブの長手方向に延びる第7フラット面を更に有する構成とすることが可能である。この場合、プローブカードが第7支持部を更に備えていると良い。第7フラット面が第7支持部に当接した状態で、第7プローブが第7保持部により第7支持部に固定されていると良い。第7フラット面も、第7プローブの中間部に設けることが可能である。第7支持部も支持板に設けることが可能である。第7支持部は、第7フラット面が当接する傾斜面を有していても良い。第7支持部の傾斜面は、基板に対して平行な平行面とすることができる。
 本発明の第8保持部は、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第8保持部は、絶縁性を有している。2)第8保持部は、第2方向に延びており且つ第3保持部の第3壁面に間隙をあけて対向する第1壁面を有している。
 本発明の複数の第8プローブは、次の事項を有する限り任意に設計変更することが可能である。1)第8プローブ、カンチレバー型のプローブであって、先端部を有していることである。2)第8プローブは、先端部が上記した何れかの態様の第8保持部の第1壁面から突出するように、当該第8保持部に第2方向に間隔をあけて保持されている。例えば、プローブ200hの後端部230hが上記した何れかの態様の第8保持部からZ方向に突出し、基板等に接続される構成とすることが可能である。上記した何れかの態様の第8プローブの中間部及び弾性変形部は、基板に対して平行に延びていても良い。
 上記した何れかの態様の第8プローブは、当該第8プローブの長手方向に延びる第8フラット面を更に有する構成とすることが可能である。この場合、プローブカードが第8支持部を更に備えていると良い。第8フラット面が第8支持部に当接した状態で、第8プローブが第8保持部により第8支持部に固定されていると良い。第8フラット面も、第1フラット面221a’と同様に、第8プローブの中間部に設けることが可能である。第8支持部も支持板に設けることが可能である。第8支持部は、第8フラット面が当接する傾斜面を有していても良い。第8支持部の傾斜面は、基板に対して平行な平行面とすることができる。
 上記した何れかの態様の第1~第8保持部は、一体化されている必要はなく、互いに別体とすることが可能である。第1~第8保持部のうちの一部を一体化し、残りを別体とすることも可能である。上記した何れかの態様の第2プローブの先端部の根元のY-Y’方向の高さ位置は、上記した何れかの態様の第2保持部の第1壁面と異なる高さ位置であっても良い。上記した何れかの態様の第4プローブの先端部の根元の高さ位置も同様に設定可能である。
 なお、上記実施例及び設計変形例におけるプローブカードの各構成要素を構成する素材、形状、寸法、数及び配置等はその一例を説明したものであって、同様の機能を実現し得る限り任意に設計変更することが可能である。上記した実施例及び設計変更例は、互いに矛盾しない限り、相互に組み合わせることが可能である。本発明の第1方向は、第1プローブの配列方向に相当する限り任意に設計変更することが可能である。本発明の第2方向は、第1方向に交差し且つ第2プローブの配列方向に相当する限り任意に設計変更することが可能である。本発明の第3方向は、第1方向及び第2方向に直交する限り任意に設計変更することが可能である。
 C:プローブカード
  F:保持フレーム
  100a:保持部(第1保持部)
   110a:第1壁面
   120a:第2壁面
   130a:第3壁面
  100b:保持部(第5保持部)
   110b:第1壁面
   120b:第2壁面
  100c:保持部(第4保持部)
   110c:第1壁面
   120c:第2壁面
   130c:第3壁面
  100d:保持部(第6保持部)
   110d:第1壁面
   120d:第2壁面
  100e:保持部(第3保持部)
   110e:第1壁面
   120e:第2壁面
   130e:第3壁面
  100f:保持部(第7保持部)
   110f:第1壁面
   120f:第2壁面
  100g:保持部(第2保持部)
   110g:第1壁面
   120g:第2壁面
   130g:第3壁面
  100h:保持部(第8保持部)
   110h:第1壁面
   120h:第2壁面
  100i:開口
  100j:開口
 200a:プローブ(第1プローブ)
  210a:先端部
   211a:接触部
   212a:弾性変形部
  220a:中間部
  230a:後端部
 200b:プローブ(第5プローブ)
  210b:先端部
   211b:接触部
   212b:弾性変形部
  220b:中間部
  230b:後端部
 200c:プローブ(第4プローブ)
  210c:先端部
   211c:接触部
    211c1:先端(第4プローブの先端部の先端)
   212c:弾性変形部
    212c1:根元(第4プローブの先端部の根元)
  220c:中間部
  230c:後端部
  240c:折り曲げ部
  250c:湾曲部の始点
 200d:プローブ(第6プローブ)
  210d:先端部
   211d:接触部
   212d:弾性変形部
  220d:中間部
  230d:後端部
 200e:プローブ(第3プローブ)
  210e:先端部
   211e:接触部
   212e:弾性変形部
  220e:中間部
  230e:後端部
 200f:プローブ(第7プローブ)
  210f:先端部
   211f:接触部
   212f:弾性変形部
  220f:中間部
  230f:後端部
 200g:プローブ(第2プローブ)
  210g:先端部
   211g:接触部
    211g1:先端(第2プローブの先端部の先端)
   212g:弾性変形部
    212g1:根元(第2プローブの先端部の根元)
  220g:中間部
  230g:後端部
 200h:プローブ(第8プローブ)
  210h:先端部
   211h:接触部
   212h:弾性変形部
  220h:中間部
  230h:後端部
 300:基板
 400:支持板
  410:溝
  420:溝
  430:溝
  440:溝
  450:溝
  460:溝
 500:補強板
 U:半導体ウエハ
  D(D1、D2を含む):半導体デバイス

Claims (8)

  1.  絶縁性を有する第1保持部と、
     絶縁性を有する第2保持部と、
     カンチレバー型の複数の第1プローブと、
     カンチレバー型の複数の第2プローブとを備えており、
     前記第1保持部は、第1方向に延びる第1壁面を有しており、
     前記第2保持部は、前記第1方向に交差する第2方向に延びた第1壁面と、
      当該第2保持部の前記第1壁面に交差しており且つ前記第1保持部の前記第1壁面に間隙をあけて対向する第2壁面とを有しており、
     前記複数の第1プローブは、先端部を有しており、前記複数の第1プローブは、前記先端部が前記第1保持部の前記第1壁面から突出するように、当該第1保持部に前記第1方向に間隔をあけて保持されており、
     前記複数の第2プローブは、先端部を有しており、前記複数の第2プローブは、当該複数の第2プローブの前記先端部が前記第2保持部の前記第1壁面から突出するように、当該第2保持部に前記第2方向に間隔をあけて保持されており、
      前記複数の第2プローブの前記先端部は、先端と、根元とを有しており、
     前記複数の第2プローブは、最も前記第2保持部の前記第2壁面側に位置する最端の第2プローブを含んでおり、
      少なくとも前記最端の第2プローブの前記先端が、当該最端の第2プローブの前記根元よりも前記第1保持部の前記第1壁面側に位置しているプローブカード。
  2.  請求項1記載のプローブカードにおいて、
     前記最端の第2プローブの少なくとも前記先端部が、前記第1保持部の前記第1壁面側に傾斜又は湾曲しているプローブカード。
  3.  請求項2記載のプローブカードにおいて、
     前記最端の第2プローブは、前記第2保持部内に設けられており且つ前記第1保持部の前記第1壁面側に折り曲げられた折り曲げ部を更に有しており、
     前記最端の第2プローブの前記先端部を含む前記折り曲げ部よりも先端側の部分が、前記第1保持部の前記第1壁面側に傾斜しているプローブカード。
  4.  請求項2記載のプローブカードにおいて、
     前記第2保持部は、当該第2保持部の前記第1壁面の反対側の第3壁面を更に有しており、
     前記最端の第2プローブは、前記第2保持部内に設けられた中間部と、
      前記第2保持部の前記第3壁面から突出した後端部と、
      前記中間部と前記後端部との間に設けられており且つ前記第3壁面で前記第1保持部の前記第1壁面側に折り曲げられた折り曲げ部とを更に有しており、
     前記最端の第2プローブの前記中間部及び前記先端部が、前記第1保持部の前記第1壁面側に傾斜しているプローブカード。
  5.  請求項2記載のプローブカードにおいて、
     前記最端の第2プローブは、当該最端の第2プローブの前記先端部を含む湾曲部を更に有しており、
      前記湾曲部は、前記第1保持部の前記第1壁面側に湾曲しており、
      前記湾曲部の始点が前記第2保持部内に配置されているプローブカード。
  6.  請求項2記載のプローブカードにおいて、
     前記第2保持部は、当該第2保持部の前記第1壁面の反対側の第3壁面を更に有しており、
     前記最端の第2プローブは、前記第2保持部の前記第3壁面から突出した後端部と、
      当該最端の第2プローブの前記先端部を含む湾曲部とを更に有しており、
      前記湾曲部は、前記第1保持部の前記第1壁面側に湾曲しており、
      前記湾曲部の始点が前記第3壁面に位置するプローブカード。
  7.  請求項1~6の何れかに記載のプローブカードにおいて、
     前記複数の第2プローブの前記先端が、当該複数の第2プローブの前記根元よりも前記第1保持部の前記第1壁面側に各々位置しているプローブカード。
  8.  請求項1~7の何れかに記載のプローブカードにおいて、
     第1支持部と、
     第2支持部とを更に備えており、
     前記複数の第1プローブは、当該複数の第1プローブの長手方向に延びる第1フラット面を更に有しており、前記第1フラット面が前記第1支持部に当接した状態で、前記複数の第1プローブが前記第1保持部により前記第1支持部に固定されており、
     前記複数の第2プローブは、当該複数の第2プローブの長手方向に延びる第2フラット面を更に有しており、前記第2フラット面が前記第2支持部に当接した状態で、前記複数の第2プローブが前記第2保持部により前記第2支持部に固定されているプローブカード。
     
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