WO2016150929A1 - Elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines elektronischen bauelementes - Google Patents

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WO2016150929A1
WO2016150929A1 PCT/EP2016/056187 EP2016056187W WO2016150929A1 WO 2016150929 A1 WO2016150929 A1 WO 2016150929A1 EP 2016056187 W EP2016056187 W EP 2016056187W WO 2016150929 A1 WO2016150929 A1 WO 2016150929A1
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WO
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indicator
layer
active region
electrically active
electronic component
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PCT/EP2016/056187
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English (en)
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Dominik Pentlehner
Richard Baisl
Original Assignee
Osram Oled Gmbh
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests

Definitions

  • Organic semiconductors as examples of water-sensitive electronic components, such as organic
  • Color change of a pH indicator is detectable.
  • the component according to the invention is characterized in that the Verkapse1ung after production or later at
  • the at least one substance may be a substance that can chemically react with and chemically convert one or more substances of the electrically active region.
  • the at least one substance may be a substance that can chemically react with and chemically convert one or more substances of the electrically active region.
  • the chain reaction is triggered by foreign substances to which the component is usually actually exposed during use (H2O, O2) or other foreign substances that usually do not act on the component, in particular radicals, Lewis acids, Lewis bases or organic compounds, such as lithium organyls.
  • cationic as well as anionic chain polymerization can be used to polymerize unsaturated compounds
  • test can be carried out in the two preceding embodiments following the production or production. also later with something
  • Effort be performed, e.g. in an oven in which the corresponding reactants are in the gas phase or by immersion in a corresponding solution.
  • the barrier structure may be chemically inert with respect to the at least one substance, for example water and / or oxygen, for example a polymer, glass.
  • the electronic component may be formed as an integrated circuit or have such, for example a chip or a chip arrangement.
  • Light tube and / or a halogen lamp are Light tube and / or a halogen lamp.
  • Fluorescent tube an incandescent lamp, a fluorescent tube and / or a halogen lamp; an organic optoelectronic
  • the electrically active region may include a first electrode, a second electrode, and a second electrode
  • the encapsulation structure together with the carrier can surround the optically active region, for example completely surrounded. In one embodiment, the encapsulation structure
  • the barrier structure and / or the indicator structure can / be designed such that a part of the at least one penetrated, in particular diffused material, is sorbable in the barrier structure and / or the indicator structure.
  • the proportion of a harmful substance in the indicator structure can be increased, so that the hermeticity of the barrier structure
  • the indicator structure is disposed between the first barrier layer and the at least one further barrier layer in the encapsulation structure, for example, stacked.
  • the encapsulation structure may comprise a cover and a connecting rail, wherein the cover is connected to the carrier and / or the electrically active region by means of the connection layer, wherein the indicator structure between the cover and the
  • the electronic component may further comprise a metallization, wherein the
  • transparent or translucent structure is formed, for example, as an electrically conductive transparent or translucent structure; wherein the observation window is arranged between the indicator structure and the carrier or between the indicator structure and the cover.
  • the observation window in the metallization in the region of the indicator structure can be formed.
  • the observation window can be formed by structuring the metallization, for example, between the tines of a comb-shaped
  • Figure 2 is a schematic representation of an electronic circuit
  • Figure 6 is a schematic representation of an electronic circuit
  • FIG. 9 shows a schematic representation of a method for producing an electronic component according to various exemplary embodiments.
  • An optoelectronic component may have an organic functional layer system, which is synonymous as organic functional Layer structure is called.
  • the organic functional layer structure may include or be formed from an organic substance or an organic substance mixture that is, for example, configured to emit an electromagnetic radiation from a supplied electric current.
  • a penetration rate in particular
  • Injection may be a random or directed movement of the substance through the barrier structure, for example in the form of an osmosis or electromigration.
  • an electrically active region 106 is formed on or above the carrier 102 resp. hermetically sealed substrate 130.
  • an encapsulation structure 128 is formed on or above the electrically active region 106 and / or the carrier 102 or. hermetically sealed substrate 130.
  • the encapsulation structure 128 is designed to protect the electrically active region 106 from harmful environmental influences and / or substances, for example, the
  • the encapsulation structure 128 at least in a region of the surface 108 a
  • Encapsulation structure 128 in the electrically active region 106 has a
  • Barrier structure 104 such that the penetrating, in particular diffusing, substance is detectable using the indicator structure 110 by means of a chain reaction or the color change of a pH indicator.
  • Molding material may for example be a synthetic resin or a
  • Link edge 330 and / or one or more
  • an indicator structure 110 in the encapsulation structure 128 is integrated, for example, embedded.
  • the indicator structure 110 may be responsive to water and / or oxygen, such as moisture in the environment of electronic device 100, such that the presence of water in electronic device 100, such as within encapsulation structure 128, may be easily detected technically.
  • the indicator structure 110 may be behind a watertight
  • Indicator structure 110 may be embedded in the encapsulation structure 128, for example, surrounded by this.
  • the encapsulation structure 128 and the electrically active region 106 may be monolithically formed on or above the carrier 102.
  • Indicator structure 110 arranged over the entire surface with respect to the surface 108 of the electronic component behind a hermetically sealed layer or.
  • the indicator structure 110 may comprise or be formed from an electrically conductive substance.
  • the penetration, in particular the diffusion 112, of a harmful substance can be determined by a
  • the chain reaction can be a
  • azobisisobutylonitrile (AIBN) (also used to polymerize styrene into polystyrene) can be used as a radical starter.
  • AIBN azobisisobutylonitrile
  • cationic chain polymerization can be used as a starter
  • the organic functional layer structure 212 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the layered structure units.
  • functional layer structure 212 may include a first organic functional layer structure unit 216, an interlayer structure 218, and a second organic functional layer structure unit 220.
  • Silicon carbide Silicon carbide, perylenes, and mixtures and alloys thereof.
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • Sublayers all sublayers can be formed by means of a Atom fürabscheidevons.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate”.
  • the first barrier layer 204 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • the first electrode 204 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 210 may include or be formed from one of the following electrically conductive material: a metal; a conductive conductive oxide (TCO); a network of metallic
  • Nanowires and particles for example of Ag, the
  • the first electrode 210 made of a metal or a metal may comprise or be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials ,
  • the first electrode 210 may comprise, as a transparent conductive oxide, one of the following materials:
  • the organic functional layer structure 212 may comprise one but also more than two organic functional layer structures, for example 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example 70.
  • Layer structures may be the same or different, for example the same or different
  • the second organic functional layered structure unit 220, or the other organic functional layered structure units may be one of those described below
  • An emitter layer may include or be formed from organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”), or a combination of these materials.
  • the optoelectronic component 100 can in a
  • organometal compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and also metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-) 2- (2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • the electron transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NET-18; 2, 2 ', 2 "- (1,3,5-benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazoles); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1 , 3, 4 -oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-1-lithium, 4 - (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl 4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1,10-phenanthrolines (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-
  • Interlayer structure 218 may be formed.
  • Interlayer structure 218 may be formed as an inter mediate electrode 218, for example according to one of
  • Embodiments of the first electrode 210 Embodiments of the first electrode 210.
  • Interlayer structure 218 may be formed as a charge generation layer structure 218 (charge generation layer CGL).
  • a charge carrier pair generation layer structure 218 may include one or more
  • the carrier pair generation layer structure 218 may further be between adjacent ones
  • Each organic functional layer structure unit 216, 220 may, for example, have a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the optoelectronic component 100 can optionally have further organic functional layers, for example arranged on or above the one or more
  • the further organic functional layers can be, for example, internal or external coupling-in / coupling-out structures, which are the
  • the second electrode 214 may be formed.
  • the second electrode 214 may be formed according to any of the configurations of the first electrode 210, wherein the first electrode 210 and the second electrode 214 may be the same or different.
  • the second electrode 214 may be formed as an anode, that is, as a hole injecting electrode or as a cathode, that is as a
  • the second electrode 214 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be from the same or another source of energy
  • the second barrier layer 208 may also be referred to as
  • one or more antireflection coatings for example
  • dielectric As light-scattering particles, dielectric
  • the coherent connection layer 224 may be so
  • Such an adhesive may, for example, be a low refractive adhesive, such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive can also be a high-index adhesive, for example
  • a cohesive bonding layer 224 may be optional, for example, if the cover 226 are formed directly on the second barrier layer 208, such as a glass cover 226 formed by plasma spraying.
  • a laterally structured getter layer may be arranged (not shown).
  • the getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region 106.
  • a getter layer may include or be formed from a zeolite derivative. The getter layer can
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several to.
  • the getter layer may include a lamination adhesive or be embedded in the cohesive bonding layer 224.
  • the cover 226 and / or the integral interconnect layer 224 may have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • an electronic component 100 has an indicator structure 110 with an indicator material and an encapsulated connection edge 330.
  • Barrier structure 104 may be formed as an encapsulated edge seal 330 or be part of an encapsulated junction edge 330, for example, illustrated in the schematic cross-sectional views of FIGS. 3A and 3B.
  • the barrier structure 104 in the form of an encapsulated
  • Verdansensrandes 330 has the advantage that a
  • lateral penetration (112) of moisture into a planar electronic component 100 can be prevented.
  • Defects in the encapsulated connection edge 330 can be quickly resolved by changes in the optical properties of the device
  • Indicator material of the indicator structure 110 are detected, for example by means of a discoloration of the
  • Components 100 can thus already be identified and sorted out during production.
  • the requirements for the laminating adhesive 224 and the thin-film encapsulation 208 may be related to their hermeticity
  • the encapsulated connection edge 330 may prevent water and / or oxygen from entering the electronic component 100 from the side. Defects in the encapsulated connection edge 330 can thus be quickly determined by
  • Changes in the optical properties of the indicator material can be detected, for example by means of a discoloration of the indicator material.
  • the encapsulated connection edge 330 can be arranged between the carrier 102 and / or. the hermetically sealed substrate 130 and a
  • Dünnfilmverkapseiung for example, a PE-CVD and / or ALD layer
  • an adhesive layer 224 for example a
  • the electronic component 100 may be in various aspects
  • the electrically active region 106 may be electrically connected to a metallization 302.
  • the electrically active region 106 may be formed on the metallization 302 and be electrically connected thereto.
  • the metallization 302 may be due to the
  • the conduction of the electric current can be done for example by ITO to a possible
  • the observation window 308 may be optional in glass-lined electronic devices.
  • Observation window 308 may be between the indicator structure 110 and the carrier 102 and / or between the
  • Indicator structure 110 and the cover 226 may be arranged.
  • Indicator structure 110 that is, in the direction of detection, have an observation window 308. Detecting an intrusion stream, in particular diffusion stream, of a harmful substance through the barrier structure 104 may thus For example, by observing window 308 above or below indicator structure 110 in FIG.
  • the detection of the reaction of the indicator material of the indicator structure 110 with water and / or acid substance can be detected by the observation window 308, for example measured, determined or determined.
  • the observation window 308 may, for example, be made of a transparent or translucent electrically conductive
  • the first electrode 210 of the optoelectronic component 100 for example, according to one of the embodiments of the first electrode 210 of the optoelectronic component 100.
  • the metallization 302 may be in the range of
  • Indicator structure 110 may be omitted.
  • the power line may in this case be around the observation window 308.
  • the observation window 308 in the form of tine spaces of a comb-shaped metallization 301 or the complete omission of the metallization 302 in the region of
  • Observation window 308 allows, for example, the discoloration of the indicator material of the indicator structure 110 to recognize.
  • observation window 308 can be any observation window.
  • Indicator structure 110 for example, in the metallization 302 in the area of Indicator structure 110 may be formed, for example, illustrated in Fig. 3B.
  • the indicator structure 110 may, for example, be formed circumferentially around the electrically active region 106.
  • Indicator structure 110 may be formed structured along the connecting edge 330.
  • the indicator material may be, for example, sensitive to water and / or oxygen, for example according to one of the embodiments described above.
  • an observation window 308 may be optional, such as electronic components 100 with glass cover 226 or glass supports 102/130.
  • the solder layer 306 and / or the adhesion promoter layer 304 may surround the electrically active region 106 along the electrically active region 106, for example frame-like or ring-shaped. The formation of an encapsulation can be facilitated thereby.
  • an adhesive layer 304 which has a
  • Adhesive layer 304 is directly connected to the cover 226 and the carrier 102. In one
  • the adhesion promoter layer 304 can be arranged between the solder layer 306 and the carrier 102 / substrate 130 and a further adhesion promoter layer 304 can be arranged between the solder layer 306 and the cover 226, for example illustrated in FIG. 3B. In other words, the solder layer 306 is between the
  • Adhesive layer 304 is arranged and connected to the temporary adhesion promoter layer 304, for example directly.
  • the primer layer 304 is sealed to the cover 226 and the carrier 102, for example, hermetically sealed.
  • the adhesion promoter layer 304 is formed electrically conductive.
  • Adhesive layer 304 may be electrically conductively connected to the solder layer 306.
  • the adhesion promoter layer 304 may, for example, be involved in the electrical contacting of the electronic component 100, for example, by providing a conductive connection between the solder layer 306 and the electrically active region 106 or the
  • Indicator structure 110 or participates in such a compound.
  • the primer layer 304 is the adhesion promoter layer for the solder material
  • Material of the adhesion promoter layer 304 may be a material such that the solder material of the solder layer 306 bonds better to the adhesion promoter layer 304, ie has greater adhesion, than with the cover 226 and / or the carrier 102.
  • the material of the adhesion promoter layer 304 may be a metal or comprise or be formed from an alloy with one or more metals, for example copper or a copper compound.
  • one or more of the following features are provided. In one embodiment, one or more of the following features:
  • Adhesive layer 304 has a thickness of about 10 nm or less. Even such small thicknesses can be sufficient for a good connection of the solder layer 306.
  • the respective adhesion promoter layer 304 may be, for example by vapor deposition, for example by means of thermal
  • a width of the respective bonding agent layer 304 is expediently selected such that the electrically active region 106 is tightly encapsulated.
  • the adhesion promoter layer 304 may have a width which is greater than 10 ⁇ , for example, up to 100 ⁇ or more than 100 ⁇ . Already with such small widths can
  • the solder layer 306 may have a width which is greater than 10 ⁇ , for example, up to 100 ⁇ or more than 100 ⁇ . Even with such small widths, if necessary, a hermetic seal can be achieved.
  • the width can be up to 1 mm or up to 2 mm.
  • the solder layer 306 may be formed electrically conductively connected to the electrically active region 106 and / or the indicator structure 110 or connected.
  • the solder layer 306 may be formed electrically conductively connected to the electrically active region 106 and / or the indicator structure 110 or connected.
  • Lottik 306 with one of the electrodes 210, 214 of the electrically active region 106 may be electrically connected. In this way, the external electrical
  • solder layer 306 can serve as an external electrical connection of the component.
  • an encapsulated connection edge 330 described above may be formed by forming a first structure, such as illustrated in FIG.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view and a plan view with the electrically active region 106, with the metallization 302 and the barrier thin layer 208 on or above the carrier 102 and / or the carrier layer 102.
  • the hermetically sealed substrate 130 is formed.
  • Bonding layer 224 for example, an adhesive film 224, the indicator structure 110 and another
  • Adhesive layer 304 on For example, in the form of an encapsulating glass with structured applied
  • the cover 226 and the electrically active region carrier 102 are positioned relative to each other such that the cover 226 extends over the electrically active region 106.
  • a gap can be formed between the carrier 102 and the cover 226, for example next to the electrically active region 106.
  • a liquid solder material can be introduced such that the intermediate space in places and / or circulating, is filled with liquid solder material or can be.
  • solder material After the introduction of the solder material in the intermediate space, the solder material can be cured, for example, be cured by means of cooling the solder material. As a result, a solder layer 306 can be formed.
  • the cover 226 By means of the solder layer 306, the cover 226 may be connected to the carrier 102. Compared to plastic adhesives, by means of the solder layer 306 a denser connection
  • electrically conductive solder materials such as metal solders or
  • Metal alloy solder can be used.
  • the liquid solder material is introduced into the gap by means of bath soldering, selective wave or wave soldering, or dip soldering.
  • the solder layer 306 is tightly connected to the Haftvermi ttler für 304.
  • the compound may be gastight and / or liquid-tight.
  • the connection can be hermetically sealed.
  • the hermetically sealed connection may be so dense that the permeability of the compound to water of less than 10 " ⁇ g / (m 2 d), preferably smaller than 10" 3 g / (m 2 d), more preferably less than 10 -6 g / (m 2 d), where d stands for one day.
  • the cover 226 may be a metal cover 226 such that a primer layer 304 described above on the cover 226 for the
  • Connecting layer 224 may be disposed with the indicator structure 110 directly on the metal cover 226, for example, illustrated in Fig. 6 in a schematic cross-sectional view and a plan view.
  • the carrier 102 with electrically active region 106 The carrier 102 with electrically active region 106,
  • Barrier thin film 208, primer layer 304 may be bonded to metal cover 226 in a lamination process.
  • the metal cover 226 may be plate-level, that is, prior to singulating multiple
  • the adhesive of the bonding layer 224 may be, for example, a pressure-sensitive adhesive (PSA).
  • PSA pressure-sensitive adhesive
  • Encapsulation structure 128 a cover 226 and a
  • Connection layer 224 wherein the cover 226 is connected by means of the connection layer 224 with the carrier 102 and / or the electrically active region 106, wherein the indicator structure 110 between the cover 226 and the connection layer 224, for example
  • connection layer 224 illustrated in the schematic cross-sectional view in FIG. 8A, and / or formed between the electrically active region 106 and the connection layer 224.
  • the indicator structure 110 can be applied or arranged on the cover 226, and the cover 226 with indicator structure 110 by means of a
  • Connection layer 224 for example, with the
  • Encapsulated connecting edge 330 hermetically sealed.
  • the encapsulated connection edge 330 can completely enclose the electrically active region, for example, be integrated in the connection layer 224, for example in an adhesive film.
  • Barrier thin film 208 may be omitted on the electrically active region 106, so that a cavity 800 between the encapsulation structure and the electrically active region 106, for example, illustrated in the schematic cross-sectional view in FIG. 8B.
  • the electronic component 100 may be free of thin-film encapsulation on or above the electrically active region 106.
  • Such an electronic component 100 may have a cover and an encapsulated connection edge 330 according to an embodiment described above.
  • Indicator structure 110 is disposed between the first barrier layer 208 and the at least one further barrier layer 804 in the encapsulation structure 128, for example stacked; for example, in Fig. 8C.
  • an indicator structure 110 may be between a first barrier film 208 and a second one
  • an indicator structure 110 for example, with a CVD layer and an ALD layer; in which an indicator structure 110 is embedded.
  • a method 900 for manufacturing an electronic component 100 is described provided, for example schematically illustrated in Fig. 9.
  • the method may include forming 902 an electrically active region 106 on or above a carrier 102.
  • the method may include forming a
  • Encapsulation structure 128 on or above the carrier 102 and the electrically active region 106 have.
  • a method 900 for producing an electronic component 100 comprises forming 902 an electrically active region 106 on or above a carrier 102. Furthermore, the method may include forming an encapsulation structure 128 on or above the carrier 102 and the electrically active region 106, wherein the encapsulation structure 128 is formed such that the electrically active region 106 is hermetically sealed with respect to penetration, in particular a diffusion 112, at least of a substance, for example one relating to the electrically active one
  • Area 106 of harmful substance for example water and / or oxygen; from a surface 108 of the
  • Indicator structure 110 on or above the electrically active region 106 and / or the carrier 102 have. Furthermore, the formation of the indicator structure 128 may include forming 906 a barrier structure 104 on or above the electrically active region 106, the carrier 102, and / or the
  • the electronic component 100 has as the barrier structure 104 such that the penetrating, in particular diffusing material using the indicator structure 110 is detectable.
  • the electronic component 100 may be formed as an integrated circuit, for example as a chip or a chip arrangement. Alternatively or additionally, the electronic component 100 may be designed as an optoelectronic
  • Component 100 can be formed, for example a
  • the electronic component 100 may be formed as an organic optoelectronic component 100, for example as an organic one
  • the electrically active region 106 may include a first electrode 210, a second electrode 214, and an organic electrode
  • the functional layer structure may be formed between the first electrode 210 and the second electrode 214, wherein the organic functional layer structure 212 is for converting an electric current into one
  • the electrically active region 106 may be formed with a first electrode 210, a second electrode 214, and a discharge gap between the first electrode 210 and the second electrode 214, wherein the
  • Discharge path comprises a phosphor, which is for converting an electric current into a
  • electromagnetic radiation is formed.
  • Embodiment of the method 900, the electrically active region 106 with a first electrode 210, a second electrode 214 and a pn junction or multiple pn junctions between the first electrode 210 and the second electrode 214 are formed.
  • Forming the encapsulation structure 128 comprise forming a housing, a cover 226, a molding compound and / or one or more barrier layer / s.
  • the molding compound may be or comprise a synthetic resin or an adhesive.
  • the encapsulation structure 128 may be in a
  • Encapsulation structure 128 has a penetration rate, in particular diffusion rate, of a harmful substance of less than about 10 " 6 g / m ⁇ d.
  • the encapsulation structure 128 may be in a
  • Encapsulation structure 128 together with the carrier 102 surrounds the optically active region.
  • the encapsulation structure 128 may be formed such that the encapsulation structure 128 together with the carrier 102 forms a cavity in which the optically active region is arranged.
  • the encapsulation structure 128 may be formed such that the surface 108 is exposed with respect to the environment of the electronic device 100.
  • Barrier structure 104 may include a bonding layer 224, such as a molding compound, such as a molding compound
  • the barrier structure 104 may, for example, at the
  • the barrier structure 104 and / or the indicator structure 110 may be formed such that a portion of the at least one penetrated
  • the barrier structure 104 and / or the indicator structure 110 is sorbable.
  • the indicator structure 110 may be formed on the electrically active region 106. In one embodiment, the indicator structure 110 may be formed over the electrically active region 106.
  • the indicator structure 110 may be formed over the carrier 102, such as on the electrically active region 106.
  • the indicator structure 110 may be formed to include electrical terminals 702 that penetrate through the encapsulation structure 128
  • the indicator structure 110 may be formed to be electrically isolated from the electrically active region 106. Further, the indicator structure 110 may be formed such that the indicator structure 110 is embedded in, for example, surrounded by the encapsulation structure 128. Alternatively or additionally, the indicator structure 110 may be formed such that the encapsulation structure 128 and the electrically active region 106 are monolithically formed on or above the carrier 102.
  • the formation of the encapsulation structure 128 may further include forming at least one further barrier structure 104 between the indicator structure 110 and the electrically active region 106. Additionally or alternatively, the formation of the encapsulation structure 128 may include forming a first barrier layer 208 and at least one further barrier layer 804, the indicator structure 110 between the first barrier layer 208 and the first barrier layer 208
  • Encapsulation structure 128 are formed, for example, stacked. Additionally or alternatively, the formation of the encapsulation structure 128 may include arranging a cover 226, the cover 226 being provided by means of a cover 226
  • Connection layer 224 is connected to the carrier 102 and / or the electrically active region 106, wherein the indicator structure 110 between the cover 226 and the connection layer 224 and / or between the electrically active region 106 and the connection layer 224th
  • Structure are formed, for example as a
  • Indicator structure 110 and the carrier 102 and / or between the indicator structure 110 and the cover 226 are arranged.
  • Metallization 302 are formed on or above the carrier 102, wherein the indicator structure 110 and / or the
  • Metallization 302 is / will be formed and the
  • observation window 308 in FIG. 30 For example, the observation window 308 in FIG.
  • Metallization 302 are formed in the region of the indicator structure 110.
  • the observation window 308 may be formed by structuring the metallization 302, for example
  • the indicator structure 110 may be structured such that the
  • Indicator structure 110 only in the penetration path, in particular
  • Barrier structure 104 and the electrically active region 106 is formed. Alternatively or additionally, the
  • Indicator structure 110 are formed structured such that the indicator structure 110, the electrically active region 106 completely laterally surrounds.
  • moisture by means of an integration of an indicator layer behind the layer, faster and thus more efficient and possibly technically easier qualified.

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein elektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das elektronische Bauelement (100) aufweisend: einen elektrisch aktiven Bereich (106) auf oder über einem Träger (102); eine Verkapselungsstruktur (128) auf oder über dem Träger (102) und dem elektrisch aktiven Bereich (106); wobei die Verkapselungsstruktur (128) ausgebildet ist, den elektrisch aktiven Bereich (106) hermetisch abzudichten bezüglich eines Eindringens, insbesondere einer Diffusion (112), wenigstens eines Stoffs, vorzugsweise Wasser und/oder Sauerstoff, von einer Oberfläche (108) der Verkapselungsstruktur (128) durch die Verkapselungsstruktur (128) in den elektrisch aktiven Bereich (106), und wobei die Verkapselungsstruktur (128) eine Barrierestruktur (104) an der Oberfläche (108), und eine Indikatorstruktur (110) zwischen der Barrierestruktur (104) und dem elektrisch aktiven Bereich (106) aufweist; wobei die Indikatorstruktur (110) eine höhere Reaktivität bezüglich des wenigstens einen durch die Barrierestruktur (104) eindringenden, insbesondere eindiffundierenden, Stoffs aufweist als die Barrierestruktur (104) derart, dass der eindringende, insbesondere eindiffundierende, Stoff unter Verwendung der Indikatorstruktur (110) mit Hilfe einer Kettenreaktion oder des Farbwechsels eines pH-Indikators nachweisbar ist.

Description

Beschreibung
Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein elektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines
elektronischen Bauelementes bereitgestellt .
In verschiedensten elektronischen Bauelementen werden
Materialien angewendet , die empfindlich gegenüber
Umwelteinflüssen sind, beispielsweise gegenüber Wasser .
Organische Halbleiter als Beispiele wasserempfindlicher elektronischer Bauelemente, beispielsweise organischen
Elektroniken, beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light emitting diode) , organische Fotovoltaik (organic photovoltaic - OPV) ; sind besonders empfindlich gegenüber Feuchtigkeit . Entsprechend sollten diese Bauelemente vor Feuchtigkeit geschützt werden .
Ein herkömmliches organisches optoelektronisches Bauelement , beispielsweise eine OLED 1000 - veranschaulicht in Fig .10 , kann auf einem Träger 1002 eine Anode 1010 und eine Kathode 1014 mit einem organischen funktionellen Schichtensystem 1012 dazwischen aufweisen, wobei die Anode 1010 und die Kathode 1014 mittels einer Isolierung 1004 elektrisch voneinander isoliert sind . Das organische funktionelle Schichtensystem 1012 kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird . Ein Stromfluss zwischen den Elektroden 1010 , 1014 führt zum
Erzeugen elektromagnetischer Strahlung in dem organischen funktionellen SchichtSystem 1012. In verschiedenen herkömmlichen Verfahren werden dichte
Schichten, beispielsweise eine Abdeckung 1026 , eine
Barrieredünnschicht 1008 , ein Klebstofffilm 1024 , als Schutz des organischen funktionellen Schichtensystems 1012 vor
Umwelteinflüssen in den optoelektronischen Bauelementen 1000 vorgesehen . Mittels eines Laminierklebstoffes 1024 , der ein Verkapselungsglas 1026 auf der Dünnfilmverkapselung 1008 hält , besteht eine weitere Diffusionsbarriere bezüglich
Wasser .
In weiteren herkömmlichen Verfahren werden empfindliche organische Schichten eines elektronischen Bauelementes durch eine (mehrschichtige) Dünnf ilmverkapselung , beispielsweise eine Dünnfilmschicht , die mittels eines chemischen
Gasphasenabscheidens (chemical vapor deposition - CVD) und/oder Atomlagenabscheidens (atomic layer deposition - ALD ) ausgebildet ist , vor Umwelteinflüssen, beispielsweise
Feuchtigkeit und/oder Atmosphäre geschützt .
Beispielsweise ist ein herkömmlicher Schutz eines OLED- Bauelementes vor Umwelteinflüssen eine Verkapselung aus einer wasserdichten Abdeckung 1026 und/oder einem Dünnfilm 1008 , beispielsweise eine Kombination aus einem Dünnfilm 1008 und einer auf den Dünnfilmschicht 1008 auflaminierten Abdeckung 1026. Die Dünnfilmverkapselung 1008 kann j edoch kleine Fehler (pinholes) aufweisen, die Diffusionspfade für Wasser
darstellen können . Die Dichtheit dieser dichten Schichten, beispielsweise bezüglich Feuchtigkeit , kann durch
verschiedenste Fehlerbilder beeinträchtigt werden . Solche Beeinträchtigungen sollten vor einem Inverkehrbringen des Bauelementes erkannt werden, um einen Ausfall des
Bauelementes bei der Verwendung vermeiden zu können . Vielfach ist eine solche Beeinträchtigung erst j edoch durch eine Schädigung der Funktion des Bauelementes zu erkennen . Der Eintritt dieser Beeinträchtigung kann in verschiedenen
Auf auten (stark) verzögert sein, da das Eindringen,
insbesondere die Diffusion, von Wasser durch diese Strukturen sehr langsam erfolgen kann . Selbst kleinste Fehler
(pinholes ) , in Dünnfilmschichten 1008 können somit zu fatalen Ausfällen des Bauelementes 1000 führen . Es ist daher, und bedingt durch die Dünne oder Transparenz der Dünnfilme, sehr schwierig solche Fehler zuverlässig, nichtzerstörend und wirtschaftlich zu erkennen .
Eine Testmöglichkeit der Dichtheit einer Verkapselung ist es beispielsweise , die Dünnfilmschicht 1008 kurzzeitig mit extremen Umwelteinflüssen zu belasten und daraus auf eine Robustheit bei weniger intensiven Anwendungsbedingungen zu schließen . Ein solcher Test des Dünnfilms 1008 ist in der Kombination des Dünnfilms 1008 mit einer Abdeckung 1026 allerdings kaum möglich . Durch die Abdeckung 1026 können schädliche Umwelteinflüsse nur seitlich durch den
Laminationsklebstoff 1024 zwischen Dünnfilm 1008 und
Abdeckung 1026 in die Bauteilfläche eindringen,
beispielsweise in das organische funktionelle Schichtensystem 1012. Dieser Prozess ergibt , dass Fehler in Dünnfilmen 1008 im Inneren eines flächigen Bauelementes erst nach einer
Verzögerungszeit erkannt werden können . Diese Zeit verlängert die nötige Qualifikationszeit und erschwert ein
wirtschaftliches Testen der elektronischen Bauelemente .
In einem herkömmlichen Verfahren wird der Verbindungsrand zwischen Abdeckung 1026 und Träger 1002 eines elektronischen Bauelementes abgedichtet (edge seal ) , beispielsweise
wasserdicht . Bei der Kontrolle der Dichtheit des verkapselten Verbindungsrandes , besteht ein zu oben beschriebenes
vergleichbares Problem.
In einem herkömmlichen Verfahren wird eine Glattungsschicht zwischen einem wasserdichten Dünnfilm 1008 und einer
wasserempfindlichen Schicht angeordnet , um die Anzahl an pinholes zu reduzieren . Bei der Dichtheit der
Glattungsschicht ergibt sich ein ähnliches Problem wie oben beschrieben für den Dünnfilm.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein elektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines
elektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist , Abdeckung-DünnfiIm-Verkapselungen auf ihre Hermetizität effizienter zu prüfen, beispielsweise kann die Hermetizität einer Schicht gegen Umwelteinflüsse ,
beispielsweise Feuchtigkeit , mittels einer Integration einer Indikatorschicht hinter der Schicht , schneller und somit wirtschaftlicher und gegebenenfalls technisch einfacher qualifiziert werden .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein elektronisches Bauelement bereitgestellt , das elektronische Bauelement aufweisend : einen elektrisch aktiven Bereich auf oder über einem Träger ; eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem Träger und dem elektrisch aktiven Bereich; wobei die
Verkapselungsstruktur ausgebildet ist , den elektrisch aktiven Bereich hermetisch abzudichten bezüglich eines Eindringens , insbesondere einer Diffusion, wenigstens eines Stoffs , beispielsweise eines für den elektrisch aktiven Bereich schädlichen Stoffs , beispielsweise Wasser und/oder
Sauerstoff ; von einer Oberfläche der Verkapselungsstruktur durch die Verkapselungsstruktur in den elektrisch aktiven Bereich, und wobei die Verkapselungsstruktur eine
Barrierestruktur an der Oberfläche , und eine
Indikatorstruktur zwischen der Barrierestruktur und dem elektrisch aktiven Bereich aufweist ; wobei die
Indikatorstruktur eine höhere Reaktivität bezüglich des wenigstens einen durch die Barrierestruktur eindringenden, insbesondere eindiffundierenden, Stoffs aufweist als die
Barrierestruktur derart , dass der eindringende, insbesondere eindiffundierende , Stoff unter Verwendung der
Indikatorstruktur mit Hilfe einer Kettenreaktion oder des
Farbwechsels eines pH- Indikators nachweisbar ist .
Das erfindungsgemäße Bauteil zeichnet sich dadurch aus , dass die Verkapse1ung nach der Produktion oder später beim
Anwender auf technisch relativ einfache Weise überprüft werden kann .
In einer Ausgestaltung kann der wenigstens eine Stoff , beispielsweise schädliche Stoff , ein Stoff sein, der
üblicherweise auf das Bauteil bei der Anwendung einwirkt . Beispielsweise kann der wenigstens eine Stoff ein Stoff sein, der chemisch mit einem Stoff oder mehreren Stoffen des elektrisch aktiven Bereiches reagieren und diese/n chemisch umwandeln kann . Alternativ oder zusätzlich kann der
schädliche Stoff als ein Katalysator für die Umwandlung eines Stoffes oder mehrerer Stoffe des elektrisch aktiven Bereiches sein . Alternativ oder zusätzlich kann der schädliche Stoff einen Stoff oder mehrere Stoffe des elektrisch aktiven
Bereiches vernetzen, degradieren oder lösen .
Ein schädlicher Stoff kann beispielsweise ein
Oxidationsmittel , Reduktionsmittel oder Lösungsmittel sein, beispielsweise Wasser, Sauerstoff , Schwefel oder ein
organisches Lösungsmittel .
Alternativ kann der wenigstens ein Stoff ein Fremdstoff sein, der üblicherweise nicht auf das Bauteil einwirkt ,
insbesondere Radikale , Lewis-Säuren, Lewis-Basen oder
organische Verbindungen, wie etwa Lithium-Organyle .
Erfindungsgemäß ist die Indikatorstruktur, vorzugsweise
Indikatorschicht , so ausgestaltet , dass eine Kettenreaktion oder der Farbwechsel eines pH- Indikators stattfindet , wenn der wenigstens eine Stoff eindringt . Der wenigstens eine Stoff ist also der Initiator der Kettenreaktion oder des Farbwechsels des pH-Indikators .
In einer Ausgestaltung ist die Indikatorstruktur so
ausgestaltet , dass beim Eindringen des wenigstens einen
Stoffes eine Kettenreaktion stattfindet . Dies wird durch Verwendung von Materialien erreicht , die unter Kettenreaktion mit dem wenigstens einen Stoff reagieren, wodurch die
Sensitivität deutlich erhöht wird, d.h. kleinere Mengen
Fremdstoff können nachgewiesen werden .
Je nach Wahl des Materials wird die Kettenreaktion durch Fremdstoffe ausgelöst , denen das Bauteil bei der Anwendung üblicherweise tatsächlich ausgesetzt ist (H2O , O2 ) oder aber andere Fremdstoffen, die üblicherweise nicht auf das Bauteil einwirken, insbesondere Radikale , Lewis-Säuren, Lewis-Basen oder organische Verbindungen, wie etwa Lithium-Organyle .
Die Kettenreaktion kann zur Folge haben, dass ein Farbstoff entsteht oder aber der Farbstoff abreagiert , d.h. das
Eindringen des Fremdstoffes bzw . die durch ihn initiierte Reaktion führt zu einer Farbänderung und ist dadurch leicht erkennbar . Eine Entfärbung ist dabei wesentlich leichter zu realisieren als eine Verfärbung, da bei vielen
Kettenreaktionen die Konjugation, die die Basis der
Farbigkeit vieler Verbindungen darstellt , unterbrochen wird . Entscheidend ist , dass bereits kleine Mengen zu einer
nennenswerten Verfärbung führen .
Es sind aber auch solche Kettenreaktionen ( Polymerisationen) geeignet , bei denen sich Monomere und Polymere nicht in ihrer Farbigkeit unterscheiden . Die Polymerketten werden unter den vorgegebenen Bedingungen in der Regel keine homogene Struktur aufweisen, d.h. ihre 3D Anordnung wird zufällig erscheinen, Quervernetzung kann auftreten . Es können auch gezielt
Monomere eingesetzt werden, bei denen eine Quervernetzung sogar wahrscheinlich ist . Unter diesen Bedingungen erscheint das entstandene Polymer milchig oder zumindest inhomogen, d.h. es ist (auch ohne Farbänderung) leicht zu erkennen, ob eine Reaktion stattfand .
Es besteht auch die Möglichkeit , dass sich die Farbe nicht ändert , die Schicht aber unterschiedlich emittiert . Z.B.
können Monomere beispielsweise bei UV-Bestrahlung
fluoreszieren, das Polymer nicht oder in einer anderen Farbe . Wenn beide Licht derselben Farbe für das Auge emittieren, kann es noch immer sein, dass sich die Emissionsspektren deutlich unterscheiden, was mit einer entsprechenden Messung nachgewiesen werden kann . Darüber hinaus kann sich auch die Emissionsabklingeeit ändern und als Messgröße verwendet werden .
Die Reaktionen können zweierlei Zweck erfüllen : Nach der Produktion kann schnell getestet werden, ob die Verkapselung dicht ist. Des weiteren kann auch der Kunde durch visuelle Inspektion feststellen ob das Produkt bald ausgetauscht werden muss .
Im Falle einer Polymerisation kann das Polymer auch eine zusätzliche Verka se1ungswirkung haben, so kann z.B. ein Epo id eingesetzt werden, mit Wasser entsteht ein Epoxidharz . Dieses Harz entsteht dann an der Stelle , an der der
Fremdstoff eindringen konnte , d.h. das Epoxidharz schließt die offensichtlich vorhandene Schwachstelle in der
Verkapseiung . Die Barrierewirkung ist damit zumindest
vorübergehend und zu einem gewissen Maß wieder hergestellt , und gleichzeitig kann durch visuelle Inspektion erkannt werden, dass eine Schwachstelle in der Verkapselung auftrat . Daran ist zu erkennen, dass das Bauteil getauscht werden sollte . Diese Information bekommt der Anwender aber nicht erst wenn das Bauteil schon ausgefallen ist , sondern schon davor . Wenn als Indikatorstruktur eine IndikatorSchicht verwendet wird, kann diese an verschiedenen Stellen eingefügt werden .
Entscheidend ist nur , dass die IndikatorSchicht mit keinem der Precursor der nach der Indikatorschicht aufgetragenen Schicht reagieren darf . Beispielsweise darf direkt auf
Indikatorschicht , die mit Wasser reagiert keine ALD
(Atomlagenabscheidung ; englisch : atomic layer deposition) mit Wasser als Precursor abgeschieden werden . Die
Indikatorschicht kann direkt an die elektroaktive Schicht angrenzen . Wenn der Indikator reagiert ist dann allerdings die verbleibende Verkapselungswirkung einzig durch die
Indikatorschicht gegeben . Besonders vorteilhaft ist daher eine Ausgestaltung, worin zwischen der elektroaktiven und der Indikatorschicht eine Verkapselungsschicht angeordnet ist . Die Indikatormaterialien können im Vakuum aufgedampft oder flüssig prozessiert werden . Im Idealfall erfolgt die
Prozessierung im ALD/CVD (CVD ; englisch : chemical vapor deposition; chemische Dampfphasenabscheidung) Reaktor .
In einer Ausgestaltung kann die Kettenreaktion eine durch Wasser initiierte Polymerisation von Epoxiden sein .
In einer Ausgestaltung kann die Kettenreaktion eine
radikalische , anionische oder kationische
Kettenpolymerisation sein . Bei der radikalisehen
Kettenreaktion startet ein RadikalStarter die Kettenreaktion . Beispielsweise können Peroxide , wie etwa Dibenzoylperoxid (wird auch in der Dermatologie verwendet ) oder
Azobisisobutylnitril (AIBN) (wird auch zur Polymerisation von Styrol zu Polystyrol eingesetzt) , als RadikalStarter
verwendet werden . Bei der kationischen Kettenpolymerisation können als Starter praktisch alle Säuren dienen (Br nsted- Säuren, zum Teil auch Lewis-Säuren) . Bei der anionischen Kettenpolymerisation können als Starter Bronsted- oder Lewis- Basen, z.B. Lithiumorganyle oder Grignardverbindungen, dienen, allerdings sind diese Stoffe oft luftempfindlich und daher schlecht für einen Test handzuhaben . Sowohl die
kationische als auch die anionische Kettenpolymerisation können zur Polymerisation ungesättigter Verbindungen
eingesetzt werden .
In einer Ausgestaltung kann der Eintritt von Fremdstoffen, insbesondere Diffusionsström, mittels eines pH- Indikators nachgewiesen werden . Diese Reaktionen sind keine
Kettenreaktionen, sondern stöchiometrische Reaktionen . Für den Test werden die erfindungsgemäßen Bauteile Bronsted- Säuren bzw. —Basen ausgesetzt. Diese reagieren mit pH- Indikatoren in der Indikatorschicht , die daraufhin ihre Farbe drastisch ändern . pH Indikatoren werden in der Chemie
verwendet , da der Umschlag zu einer starken Farbänderung führt . Insbesondere gibt es Indikatoren, die zunächst farblos vorliegen und erst nach der Reaktion farbig sind . (z.B.
Phenolphtalein, das nur im basischen rot ist , ansonsten farblos) .
Der Test kann in den beiden vorstehenden Ausgestaltungen im Anschluss an die Produktion bzw . auch später mit etwas
Aufwand durchgeführt werden, z.B. in einem Ofen in dem die entsprechenden Reaktanden in der Gasphase vorl iegen oder durch Eintauchen in eine entsprechende Lösung .
In einer Ausgestaltung kann die Barrierestruktur chemisch inert bezüglich des wenigstens einen Stoffs ausgebildet sein, beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff , beispielsweise aus einem Polymer, Glass .
In einer Ausgestaltung kann das elektronische Bauelement als ein integrierter Schaltkreis ausgebildet sein oder einen solchen aufweisen, beispielsweise einen Chip oder eine Chip- Anordnung .
In einer Ausgestaltung kann das elektronische Bauelement als ein optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein oder ein solches aufweisen, beispielsweise eine Leuchtdiode , eine Solarzelle ; eine Leuchtstoffröhre , eine Glühlampe , eine
Leuchtröhre und/oder eine Halogenlampe .
In einer Ausgestaltung kann das elektronische Bauelement als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein oder ein solches aufweisen, beispielsweise einen
organischen Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode .
Mit anderen Worten : In verschiedenen Ausgestaltungen ist das elektronische Bauelement ausgebildet als oder weist auf :
ein/en integrierter/n Schaltkreis , beispielsweise ein Chip oder eine Chip-Anordnung ; ein optoelektronisches Bauelement , beispielsweise eine Leuchtdiode , eine Solarzelle ; eine
Leuchtstoffröhre , eine Glühlampe , eine Leuchtröhre und/oder eine Halogenlampe ; ein organisches optoelektronisches
Bauelement , beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische
Leuchtdiode .
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch aktive Bereich eine erste Elektrode , eine zweite Elektrode und eine
organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode aufweisen, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische
Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer
elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch aktive Bereich eine erste Elektrode , eine zweite Elektrode und eine
Entladungsstrecke zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode aufweisen, wobei die Entladungsstrecke einen Leuchtstoff aufweist , der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist . In einer Ausgestaltung kann der elektrisch aktive Bereich eine erste Elektrode , eine zweite Elektrode und einen pn- Übergang oder mehrere pn-Übergänge zwischen der ersten
Elektrode und der zweiten Elektrode aufweisen .
In einer Ausgestaltung kann der Träger hermetisch dicht bezüglich eines Eindringens , insbesondere einer Diffusion, eines schädlichen Stoffs durch den Träger in den elektrisch aktiven Bereich ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann der Träger eine Leiterplatte aufweisen oder sein, beispielsweise eine flexible
Leiterplatte .
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsstruktur ein Gehäuse , eine Abdeckung, eine Formmasse und/oder eine oder mehrere Barriereschicht/en aufweisen .
In einer Ausgestaltung kann die Formmasse beispielsweise ein Kunstharz oder ein Klebstoff sein oder aufweisen .
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet sein, dass sie eine Eindringrate, insbesondere eine Diffusionsrate , eines schädlichen Stoffs in den
elektrisch aktiven Bereich von kleiner als ungefähr 10"^ g/ (m2d) (Gramm je Quadratmeter und Tag) aufweist .
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsstruktur zusammen mit dem Träger den optisch aktiven Bereich umgeben, beispielsweise vollständig umgeben . In einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsstruktur
zusammen mit dem Träger eine Kavität ausbilden, in der der optisch aktive Bereich angeordnet ist .
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet sein, dass die Oberfläche frei liegt bezüglich der Umgebung des elektronischen Bauelementes .
In einer Ausgestaltung kann die Barrierestruktur eine
Verbindungsschicht , beispielsweise eine Formmasse,
beispielsweise einen Klebstoff ; einen verkapselten
Verbindungsrand und/oder eine oder mehrere Barriereschicht/en aufweisen oder sein .
In einer Ausgestaltung kann die Barrierestruktur an der
Oberfläche lateral bezüglich einer flächigen Abmessung des elektronischen Bauelementes angeordnet sein, beispielsweise zwischen einer Abdeckung der Verkapselungsstruktur und dem Träger angeordnet sein .
In einer Ausgestaltung können/kann die Barrierestruktur und/oder die Indikatorstruktur derart ausgebildet sein, dass ein Teil des wenigstens einen eingedrungenen, insbesondere eindiffundierten Stoffs , in der Barrierestruktur und/oder der Indikatorstruktur sorbierbar ist . Dadurch kann der Anteil eines schädlichen Stoffs in der Indikatorstruktur erhöht werden, so dass die Hermetizität der Barrierestruktur
schneller getestet werden kann, beispielsweise bei einem qualitativen Nachweisen .
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsstruktur
zwischen der Indikatorstruktur und dem elektrisch aktiven Bereich wenigstens eine weitere Barrierestruktur aufweisen . In einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsstruktur eine erste BarriereSchicht und wenigstens eine weitere
BarriereSchicht aufweisen, wobei die Indikatorstruktur zwischen der ersten BarriereSchicht und der wenigstens einen weiteren BarriereSchicht in der Verkapselungsstruktur angeordnet ist , beispielsweise gestapelt .
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsstruktur eine Abdeckung und eine Verbindungsschient aufweisen , wobei die Abdeckung mittels der VerbindungsSchicht mit dem Träger und/oder dem elektrisch aktiven Bereich verbunden ist , wobei die Indikatorstruktur zwischen der Abdeckung und der
VerbindungsSchicht und/oder zwischen dem elektrisch aktiven Bereich und der VerbindungsSchicht ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann das elektronische Bauelement ferner eine Metallisierung aufweisen, wobei die
Indikatorstruktur und/oder der elektrisch aktive Bereich auf oder über der Metallisierung ausgebildet ist und die
Metallisierung mit dem elektrisch aktiven Bereich elektrisch leitend bezüglich eines Betriebes des elektronischen
Bauelementes verbunden ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann die Indikatorstruktur in der Verkapselungsstruktur eingebettet sein, beispielsweise von dieser umgeben sein .
In einer Ausgestaltung können die Verkapselungsstruktur und der elektrisch aktive Bereich monolithisch auf oder über dem Träger ausgebildet sein . In einer Ausgestaltung kann die Indikatorstruktur elektrisch isoliert sein von dem elektrisch aktiven Bereich .
In einer Ausgestaltung kann die Indikatorstruktur ferner ein Beobachtungsfenster in Richtung des optischen Nachweisens der Reaktivität der Indikatorstruktur mit dem wenigstens einen eingedrungenen, insbesondere eindiffundierten, Stoff
aufweisen, wobei das Beobachtungsfenster als eine
transparente oder transluzente Struktur ausgebildet ist , beispielsweise als eine elektrisch leitfähige transparente oder transluzente Struktur, eine Glasabdeckung oder ein
Glasträger . Das Nachweisen der Reaktion des
Indikatormaterials mit dem durch die Barrierestruktur
eingedrungenen , insbesondere eindiffundierten, Stoff kann durch das Beobachtungsfenster nachgewiesen werden,
beispielsweise gemessen bzw . beobachtet werden .
In einer Ausgestaltung kann das Beobachtungsfenster zwischen der Indikatorstruktur und dem Träger angeordnet sein .
In einer Ausgestaltung kann das Beobachtungsfenster zwischen der Indikatorstruktur und der Abdeckung angeordnet sein .
Mit anderen Worten : In verschiedenen Ausgestaltungen kann das elektronische Bauelement ferner ein Beobachtungsfenster aufweisen, wobei das Beobachtungsfenster als eine
transparente oder transluzente Struktur ausgebildet ist , beispielsweise als eine elektrisch leitfähige transparente oder transluzente Struktur; wobei das Beobachtungsfenster zwischen der Indikatorstruktur und dem Träger oder zwischen der Indikatorstruktur und der Abdeckung angeordnet ist . In einer Ausgestaltung kann das Beobachtungsfenster in der Metallisierung im Bereich der Indikatorstruktur ausgebi ldet sein .
In einer Ausgestaltung kann das Beobachtungsfenster mittels einer Strukturierung der Metallisierung ausgebildet sein, beispielsweise zwischen den Zinken einer kammförmig
strukturierten Metallisierung , oder als ein transparentes oder transluzentes elektrisch leitfähiges Material im Bereich der Indikatorstruktur in der Metallisierung .
In einer Ausgestaltung kann die Indikatorstruktur
strukturiert ausgebildet sein derart , dass die
Indikatorstruktur nur im Eindringpfad, insbesondere
Diffusionspfad, des schädlichen Stoffs zwischen der
Barrierestruktur und dem elektrisch aktiven Bereich
ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann die Indikatorstruktur
strukturiert ausgebildet sein derart , dass die
Indikatorstruktur den elektrisch aktiven Bereich vollständig lateral umgibt .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes bereitgestellt , das Verfahren aufweisend : ein Ausbilden eines elektrisch aktiven Bereiches auf oder über einem Träger ; ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur auf oder über dem Träger und dem elektrisch aktiven Bereich, wobei die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet wird, dass der elektrisch aktive Bereich hermetisch abgedichtet ist bezüglich eines Eindringens , insbesondere einer Diffusion, wenigstens eines Stoffs , beispielsweise eines bezüglich des elektrisch aktiven Bereichs schädlichen Stoffs , beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff ; von einer Oberfläche der Verkapselungsstruktur durch die Verkapselungsstruktur in den elektrisch aktiven Bereich, wobei das Ausbilden der Verkapselungsstruktur aufweist : ein Ausbilden einer Indikatorstruktur auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich und/oder dem Träger ; und ein Ausbilden einer Barrierestruktur auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich, dem Träger und/oder der Indikatorstruktur , wobei die Barrierestruktur einen Teil der Oberfläche der Verkapselungsstruktur ausbildet ; und wobei die
Indikatorstruktur derart ausgebildet wird, dass sie eine höhere Reaktivität bezüglich des wenigstens einen durch die Barrierestruktur eindringenden, insbesondere
eindiffundierenden, Stoffs aufweist als die Barrierestruktur derart , dass der eindringende, insbesondere
eindiffundierende , Stoff unter Verwendung der
Indikatorstruktur mit Hilfe einer Kettenreaktion oder des Farbwechsels eines pH- Indikators nachweisbar wird .
In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Verfahren zum
Herstellen eines elektronischen Bauelementes Merkmale des elektronischen Bauelementes ; und ein elektronisches
Bauelement Merkmale des Verfahrens zum Herstellen des elektronischen Bauelementes aufweisen derart und insoweit , als dass die Merkmale j eweils sinnvoll anwendbar sind .
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen Figur 1 eine schematische Darstellung eines elektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figur 2 eine schematische Darstellung eines elektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 3A bis 3C schematische Darstellungen eines
elektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figuren 4A und 4B eine schematische Darstellung eines
elektronischen Bauelementes im Verfahren zum
Herstellen eines elektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 5 eine schematische Darstellung eines elektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figur 6 schematische Darstellungen eines elektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figur 7 eine schematische Darstellung eines elektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 8A bis 8F schematische Darstellungen verschiedener
Ausführungsbeispiele eines elektronischen Bauelementes und von Indikatorreaktionen bzw.
-materialien; Figur 9 eine schematische Darstellung zu einem Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; und
Figur 10 eine schematische Darstellung eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung werden auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann . In dieser Hinsicht können
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes " , „hinteres " , usw . mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet sein . Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt " verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Ver indung , eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kop lung .
In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen mit identischen
Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente als Beispiel für ein elektronisches Bauelement beschrieben, wobei ein optoelektronisches Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist . Der optisch aktive Bereich kann mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren . In
verschiedenen Ausführungsformen kann das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass die
elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweist , der Röntgenstrahlung , UV-Strahlung (A-C) ,
sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) umfasst .
Ein optoelektronisches Bauelement kann beispielsweise als lichtemittierende Diode ( light emitting diode , LED) , als organische Iichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als lichtemittierender Transistor oder als organischer lichtemittierender Transistor, beispielsweise ein organischer Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik
ausgebildet sein . Weiterhin kann eine Mehrzahl von
elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse . Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird . Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Emittieren einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist .
Eine organische Leuchtdiode kann als ein sogenannter Top- Emitter und/oder ein sogenannter Bottom-Emitter ausgebildet sein . Bei einem Bottom-Emitter wird elektromagnetische
Strahlung aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den Träger emittiert . Bei einem Top-Emitter wird elektromagnetische Strahlung aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger .
Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann j ede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent sein oder ausgebildet werden bezüglich der absorbierten oder emittierten e1ektromagnetischen Strahlung .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind/ist eine
hermetisch dichte Schicht oder Struktur eine im Wesentlichen hermetisch dichte Schicht oder Struktur sein, beispielsweise bezüglich eines für den elektrisch aktiven Bereich
schädlichen Stoffs .
Eine hermetisch dichte Schicht oder Struktur kann
beispielsweise eine Eindringrate , insbesondere
Diffusionsrate, bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffs von kleiner ungefähr 10 " g/ (m^d) durch die Schicht oder Struktur aufweisen, beispielsweise von kleiner ungefähr 10 "4 g/ (m2d) aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10-4 g/ (m2d) bis ungefähr 10-10 g/ (m2d) ,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10"4 g/ (m2d) bis ungefähr 10 " ^ g/ (m2d) . Ein hermetisch dichter Stoff oder hermetisch dichtes Stoffgemisch kann beispielsweise eine Keramik, eine Oxid-Verbindung , Nitrid-Verbindung , Carbid- Verbindung , Oxinitrid-Verbindung, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff . Die Diffusion des wenigstens einen Stoffs , das heißt das
Eindiffundieren, kann eine zufällige oder gerichtete Bewegung des Stoffs durch die Barrierestruktur sein, beispielsweise in Form einer Osmose oder Elektromigration .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein
elektronisches Bauelement 100 einen Träger 102 bzw . ein hermetisch dichtes Substrat 130 auf , beispielsweise
veranschaulicht in Fig .1. Auf oder über dem Träger 102 bzw . hermetisch dichten Substrat 130 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 ausgebildet . Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 und/oder dem Träger 102 bzw . hermetisch dichten Substrat 130 ist eine Verkapselungsstruktur 128 ausgebildet . Die Verkapselungsstruktur 128 ist ausgebildet , den elektrisch aktiven Bereich 106 vor schädlichen Umwelteinflüssen und/oder Stoffen zu schützen, beispielsweise kann die
Verkapselungsstruktur 128 wasserdicht und/oder gasdicht ausgebildet sein . Die Verkapselungsstruktur 128 weist
bezüglich der Umgebung des elektronischen Bauelementes 100 eine Oberfläche 108 auf . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen weist die Verkapselungsstruktur 128 wenigstens in einem Bereich der Oberfläche 108 eine
Barrierestruktur 104 auf . Zwischen der Barrierestruktur 104 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 weist die Verkapselungsstruktur 128 eine Indikatorstruktur 110 auf . Die Indikatorstruktur 110 kann derart ausgebildet sein, dass sie eine höhere Reaktivität bezüglich wenigstens einen durch die Barrierestruktur 104 eindringenden, insbesondere
eindiffundierenden, Stoff aufweist als die Barrierestruktur 104 , beispielsweise bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff . Dadurch kann die Indikatorstruktur 110 die Nachweisbarkeit eines Eindringens , insbesondere einer Diffusion 112 bzw .
eines Diffusionsstromes , eines schädlichen Stoffs von der Oberfläche 108 der Verkapselungsstruktur 128 durch die
Verkapselungsstruktur 128 , beispielsweise durch die
Barrierestruktur 104 , in den elektrisch aktiven Bereich 106 erhöhen, so dass die Dichtheit der Barrierestruktur 104 mittels der Indikatorstruktur 110 nachgewiesen werden kann .
Mit anderen Worten : Die Verkapselungsstruktur 128 ist ausgebildet , den elektrisch aktiven Bereich 106 hermetisch abzudichten bezüglich eines Eindringens , insbesondere einer Diffusion 112 , wenigstens eines Stoffs oder einem schädlichen Umwelteinfluss , beispielsweise einer schädlichen
elektromagnetischen Strahlung; beispielsweise eines für den elektrisch aktiven Bereich 106 schädlichen Stoffs ,
beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff ; von einer
Oberfläche 108 der Verkapselungsstruktur 128 durch die
Verkapselungsstruktur 128 in den elektrisch aktiven Bereich 106. Die Verkapselungsstruktur 128 weist eine
Barrierestruktur 104 an der Oberfläche 108 und eine
Indikatorstruktur 110 zwischen der Barrierestruktur 104 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 auf . Die Indikatorstruktur 110 weist eine höhere Reaktivität bezüglich des wenigstens einen durch die Barrierestruktur 104 eindringenden,
insbesondere eindiffundierenden, Stoffs auf als die
Barrierestruktur 104 derart , dass der eindringende , insbesondere eindiffundierende , Stoff unter Verwendung der Indikatorstruktur 110 mit Hilfe einer Kettenreaktion oder des Farbwechsels eines pH-Indikators nachweisbar ist .
Die Barrierestruktur 104 kann beispielsweise chemisch inert bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet sein .
Das elektronische Bauelement 100 kann als ein integrierter Schaltkreis ausgebildet sein oder einen solchen aufweisen, beispielsweise einen Chip oder eine Chip-Anordnung .
Alternativ oder zusätzlich kann das elektronische Bauelement 100 als ein optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine Leuchtdiode, eine Solarzelle ; eine Leuchtstoffröhre , eine Glühlampe , eine Leuchtröhre und/oder eine Halogenlampe . Alternativ oder zusätzlich kann das elektronische Bauelement 100 als ein organisches
optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet sein,
beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine
organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode .
Der elektrisch aktive Bereich 106 kann eine erste Elektrode 210 , eine zweite Elektrode 214 und eine organische
funktionelle Schichtenstruktur 212 zwischen der ersten
Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 aufweisen, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine
elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist ; beispielsweise veranschaulicht in Fig .2. Alternativ kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 210 , eine zweite Elektrode 214 und eine
Entladungsstrecke zwischen der ersten Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 aufweisen, wobei die Entladungsstrecke einen Leuchtstoff aufweist , der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist . Alternativ kann der elektrisch aktive
Bereich 106 eine erste Elektrode 210 , eine zweite Elektrode 214 und einen pn-Übergang oder mehrere pn-Ubergänge zwischen der ersten Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 aufweisen .
Der Träger 102 kann hermetisch dicht bezüglich eines
Eindringens , insbesondere einer Diffusion 112 , eines
schädlichen Stoffs durch den Träger 102 in den elektrisch aktiven Bereich 106 ausgebildet sein . Der Träger 102 kann beispielsweise eine Leiterplatte aufweisen oder sein, beispielsweise eine flexible Leiterplatte .
Die Verkapselungsstruktur 128 kann beispielsweise ein
Gehäuse , eine Abdeckung 226 , eine Formmasse und/oder eine oder mehrere Barriereschicht/en 208 , 802 aufweisen,
beispielsweise veranschaulicht in Fig .2 und Fig .8. Die
Formmasse kann beispielsweise ein Kunstharz oder ein
Klebstoff sein oder aufweisen .
Die Verkapselungsstruktur 128 kann eine Eindringrate , insbesondere eine Diffusionsrate , eines schädlichen Stoffs von kleiner als ungefähr 10"6 g/m^d aufweisen .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Verkapselungsstruktur 128 zusammen mit dem Träger 102 den optisch aktiven Bereich 106 umgeben, beispielsweise vollständig umgeben,
beispielsweise bis auf die elektrischen Kontaktflächen oder Anschlüsse des elektrisch aktiven Bereiches . Die
Verkapselungsstruktur 128 kann beispielsweise zusammen mit dem Träger 102 eine Kavität 800 ausbilden, in der der optisch aktive Bereich 106 angeordnet ist , beispielsweise veranschaulicht in Fig .8B .
Die Verkapselungsstruktur 128 kann derart ausgebildet sein, dass die Oberfläche 108 frei liegt bezüglich der Umgebung des elektronischen Bauelementes 100.
Die Barrierestruktur 104 kann beispielsweise eine
VerbindungsSchicht 224 , beispielsweise eine Formmasse , beispielsweise einen Klebstoff ; einen verkapselten
Verbindungsrand 330 und/oder eine oder mehrere
Barriereschicht/en 208 , 802 aufweisen oder sein,
beispielsweise veranschaulicht in den Fig .2/3/8.
Die Barrierestruktur 104 kann an der Oberfläche 108 lateral bezüglich einer flächigen Abmessung des elektronischen
Bauelementes 100 angeordnet sein, beispielsweise zwischen einer Abdeckung 226 der Verkapselungsstruktur 128 und dem Träger 102 angeordnet sein .
Die Barrierestruktur 104 und/oder die Indikatorstruktur 110 können/kann derart ausgebildet sein, dass ein Teil des wenigstens einen eingedrungenen, insbesondere
eindiffundierten, Stoffs in der Barrierestruktur 104 und/oder der Indikatorstruktur 110 sorbierbar ist .
Die Indikatorstruktur 110 kann beispielsweise als eine
Indikatorschicht 110 , eine strukturierte IndikatorSchicht 110 oder ein IndikatorSchaltkreis 110 ausgebildet sein .
Mit anderen Worten : in verschiedenen Ausführungsbei spielen ist eine Indikatorstruktur 110 in der Verkapselungsstruktur 128 integriert , beispielsweise eingebettet . Die Indikatorstruktur 110 kann beispielsweise auf Wasser und/oder Sauerstoff , beispielsweise auf Feuchtigkeit in der Umgebung des elektronischen Bauelementes 100 , reagieren, so dass das Vorhandensein von Wasser in dem elektronischen Bauelement 100 , beispielsweise innerhalb der Verkapselungsstruktur 128 , technisch einfach erkannt werden kann . Beispielsweise kann die Indikatorstruktur 110 hinter einer wasserdichten
Barrierestruktur 104 angeordnet sein, so dass im Falle einer kleinsten Beschädigung der Barrierestruktur 104 keine lange Zeit bis zum Nachweisen bezüglich der Eindringzeit ,
insbesondere Diffusionszeit , erforderlich ist , um die
Beschädigung der Barrierestruktur 104 mittels einer
Beschädigung des elektrisch aktiven Bereiches 106
festzustellen zu können . Somit kann die Indikatorstruktur 110 in einem Schnelltest Fehler der wasserdicht angenommenen Verkapselungsstruktur 128 bzw . Barrierestruktur 104 der
Verkapselungsstruktur 128 aufzeigen .
Verzögerungen bis zur Fehlererkennbarkeit in der
Bauteilfunktionalität in Schichten hinter der
Indikatorstruktur 110 bezüglich der Oberfläche 108 des elektronischen Bauelementes 100 , beispielsweise in Form eines dunklen Flecks (dark spot ) bei einer organischen Leuchtdiode , können somit vermieden werden .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Indikatorstruktur 110 einen Stoff oder ein Stoffgemisch des elektrisch aktiven Bereiches 106 aufweisen . In einem Ausführungsbeispiel kann die Indikatorstruktur 110 einen elektrisch aktiven Bereich 106 aufweisen oder derart ausgebildet sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Indikatorstruktur 110 elektrisch isoliert sein von dem elektrisch aktiven Bereich 106.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Indikatorstruktur 110 in der Verkapselungsstruktur 128 eingebettet sein, beispielsweise von dieser umgeben sein . Alternativ oder zusätzlich können die Verkapselungsstruktur 128 und der elektrisch aktive Bereich 106 monolithisch auf oder über dem Träger 102 ausgebildet sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Indikatorstruktur 110 ganzflächig bezüglich der Oberfläche 108 des elektronischen Bauelementes hinter einer hermetisch dichten Schicht angeordnet bzw . ausgebildet sein,
beispielsweise hinter oder unter einer Atomlagenepitaxie- Schicht (atomic layer deposition - ALD) .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Indikatorstruktur 110 ein Indikatormaterial aufweisen oder daraus gebildet sein .
Die Indikatorstruktur 110 kann einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen . Der elektrisch leitfähige Stoff kann derart ausgebildet sein, dass sich wenigstens eine elektrische Eigenschaft des elektrisch leitfähigen Stoffes mittels eines Kontaktes mit dem wenigstens einen eingedrungenen,
insbesondere eindiffundierten, Stoff verändert ,
beispielsweise nach einem Kontakt mit Wasser und/oder
Sauerstoff .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Indikatorstruktur 110 bezüglich des wenigstens einen eingedrungenen, insbesondere eindiffundierten, Stoffs derart ausgebildet sein, dass das Nachweisen des Eindringens , insbesondere des
DiffusionsStromes 112 , des Stoffs ein Nachweisen einer
Änderung wenigstens einer elektrischen Eigenschaft der
Indikatorstruktur 110 ist , beispielsweise eine Änderung der Kapazität, des elektrischen Widerstandes und/oder der
Induktivität der Indikatorstruktur 110. Mit anderen Worten : die Indikatorstruktur 110 kann einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder die Indikatorstruktur 110 kann
ausgebildet sein derart , dass sich wenigstens eine
elektrische Eigenschaft des elektrisch leitfähigen Stoffs oder der Indikatorstruktur 110 mittels eines Kontaktes mit dem eingedrungenen, insbesondere eindiffundierten, Stoff verändert , beispielsweise die Kapazität , der elektrische Widerstand und/oder die Induktivität der Indikatorstruktur 110. Beispielsweise kann der elektrisch aktive Bereich der Indikatorstruktur 110 die gleiche Struktur wie der elektrisch aktive Bereich 106 oder einen Teil der Struktur des
elektrisch aktiven Bereiches 106 aufweisen .
Alternativ oder zusätzlich kann die Indikatorstruktur 110 einen Farbstoff , einen Leuchtstoff , eine metallorganische Verbindung, eine Alkalimetall - und/oder eine Erdalkalimetall - Verbindung, eine IGT ( intramolecular Charge transfer) - und/oder ESIPT (excited State intramolecular proton transfer) -Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können als
Indikatormaterialien anorganische und/oder organische
Verbindungen verwendet werden, deren elektrische , optische und/oder physikalische Eigenschaften sich mittels der
Anwesenheit des wenigstens einen eingedrungenen, insbesondere eindiffundierten , Stoffs ändern können . Kann beispielsweise mittels der Indikatorstruktur 110 ein Eindringen von
Sauerstoff durch die Barrierestruktur 104 in den mittels der Verkapselungsstruktur 128 verkapselten Bereich nachgewiesen werden, so kann auf auch darauf geschlossen werden, dass Wasser auf dem gleichen Eindringpfad, insbesondere
Diffusionspfad , durch die Barrierestruktur 104 in den
elektrisch aktiven Bereich 106 eindringen kann und umgekehrt .
Mit anderen Worten : In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Indikatorstruktur 110 einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein . Beispielsweise kann das Eindringen, insbesondere die Diffusion 112 , eines schädlichen Stoffs ermittelt werden, indem sich eine
elektrische Eigenschaft des elektrisch leitfähigen Stoffs ändert . Beispielsweise kann das elektrisch leitfähige
Indikatormaterial zwischen zwei elektrischen Anschlüssen 702 angeordnet sein, beispielsweise in Fig .7 veranschaulicht .
Die elektrischen Anschlüsse 702 können beispielsweise
Kontaktflächen, - leisten oder -pads sein .
Die Indikatorstruktur 110 kann beispielsweise Schichtförmig angeordnet sein, wobei in der Schicht ein oder mehrere für eine Kettenreaktion geeignete Verbindungen oder ein pH- Indikator enthalten sind .
In einem Ausführungsbeispiel enthält die Indikatorstruktur gegebenenfalls substituierte Epoxide , die beispielsweise durch Wasser initiiert , polymerisieren können . Wie in Fig . 8D beispielhaft gezeigt , reagiert dabei ein Wassermo1ekü1 mit Ethylenoxid zu Glykol . Dieses kann mit weiteren
Ethylenoxidmolekülen unter Ke11enver1ängerung reagieren . In einer Ausgestaltung kann die Kettenreaktion eine
radikalische , anionische oder kationische
Kettenpolymerisation sein . Bei der radikalisehen
Kettenreaktion, die in Fig . 8E gezeigt ist , startet ein
RadikalStarter die Kettenreaktion . Beispielsweise können Peroxide , wie etwa Dibenzoylperoxid (wird auch in der
Dermatologie verwendet ) oder Azobisisobutylnitril (AIBN) (wird auch zur Polymerisation von Styrol zu Polystyrol eingesetzt) , als RadikalStarter verwendet werden . Bei der kationischen Kettenpolymerisation können als Starter
praktisch alle Säuren dienen (Bronsted-Säuren, zum Teil auch Lewis-Säuren) . Bei der anionischen Kettenpolymerisation können als Starter Br nsted- oder Lewis-Basen, z.B.
Lithiumorganyle oder Grignardverbindungen, dienen, allerdings sind diese Stoffe oft luftempfindlich und daher schlecht für einen Test handzuhaben . Sowohl die kationische als auch die anionische Kettenpolymerisation können zur Polymerisation ungesättigter Verbindungen eingesetzt werden .
In einer Ausgestaltung kann der Eindringström, insbesondere der Diffusionsström, mittels eines pH- Indikators nachgewiesen werden . Diese Reaktionen sind keine Kettenreaktionen, sondern stöchiometrische Reaktionen . Für den Test werden die
erfindungsgemäßen Bauteile Bransted-Säuren bzw . —Basen ausgesetzt . Diese reagieren mit pH- Indikatoren in der
Indikatorschicht , die daraufhin ihre Farbe drastisch ändern . pH Indikatoren werden in der Chemie verwendet , da der
Umschlag zu einer starken Farbänderung führt . Insbesondere gibt es Indikatoren, die zunächst farblos vorliegen und erst nach der Reaktion farbig sind . (z.B. Phenolphtalein, das nur im basischen rot ist , ansonsten farblos) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das elektronische Bauelement 100 ein optoelektronisches Bauelement 100 sein, beispielsweise veranschaulicht in Fig . 2.
Das hermetisch dichte Substrat 130 kann einen Träger 102 und eine erste BarriereSchicht 204 aufweisen .
Bei einem optoelektronischen Bauelement 100 kann der
elektrisch aktive Bereich 106 ein optisch aktiver Bereich 106 sein . Der elektrisch aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100 , in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen
Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert werden .
Der elektrisch aktive Bereich 106 kann eine erste Elektrode 210 , eine organische funktionelle Schichtenstruktur 212 und eine zweiten Elektrode 214 aufweisen .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine , zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen . Die organische
funktionelle Schichtenstruktur 212 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 , eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Verkapselungsstruktur 128 eine zweite BarriereSchicht 208 , eine schlüssige VerbindungsSchicht 224 und eine Abdeckung 226 aufweisen . Alternativ oder zusätzlich kann die Verkapselungsstruktur 128 eine Formmasse aufweisen,
beispielsweise ein Kunstharz oder einen Klebstoff .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Verkapselungsstruktur 128 ein Gehäuse für das elektronische Bauelement 100 ausbilden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Verkapselungsstruktur 128 mit dem Träger 102 bzw . mit dem hermetisch dichten Substrat 130 eine Kavität ausbilden, in der der elektrisch aktive Bereich 106 ausgebildet bzw .
angeordnet ist .
Der Träger 102 kann Glas , Quarz , und/oder ein
Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein .
Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein . Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein . Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polymethylmethacrylat (PMMA) , Polyethersulfon ( PES ) und/oder Polyethylennaphthalat ( PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein .
Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, Aluminium, beispielsweise eine Metallverbindung ,
beispielsweise Stahl . Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein . Der Träger 102 kann ein Teil einer
Spiegelstruktur sein oder diese bilden .
Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie .
Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder
absorbierten elektromagnetischen Strahlung des
optoelektronischen Bauelementes 100.
Die erste BarriereSchicht 204 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein :
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid , Aluminium-dotiertes Zinkoxid , Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, Carbide , z.B.
Siliciumcarbid, Perylene , sowie Mischungen und Legierungen derselben .
Die erste BarriereSchicht 204 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden : ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens ( Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren ( Plasma- less Atomic Layer
Deposition ( PLALD) ) ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition (CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma- less Chemical Vapor
Deposition ( PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren .
Bei einer ersten BarriereSchicht 204 , die mehrere
Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden . Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist , kann auch als „Nanolaminat " bezeichnet werden .
Bei einer ersten BarriereSchicht 204 , die mehrere
Teilschichten aufweist , können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten BarriereSchicht 204 mittels eines anderen AbscheideVerfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die erste BarriereSchicht 204 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen , beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung ,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Die erste BarriereSchicht 204 kann ein oder mehrere
hochbrechende Material (ein) aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material ( ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste BarriereSchicht 204 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall , dass der Träger 102 hermetisch dicht
ausgebildet ist , beispielsweise Glas , Metall , Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist .
Die erste Elektrode 204 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein .
Die erste Elektrode 210 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden : ein Metall ; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide , TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen
Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und - Schichten; ein Netzwerk aus halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges Polymer ; ein Übergangsmetalloxid;
und/oder deren Komposite .
Die erste Elektrode 210 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien .
Die erste Elektrode 210 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien aufweisen :
beispielsweise Metalloxide : beispielsweise Zinkoxid,
Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid ( ITO) . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder I112O3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AIZnO, Zn2Sn04 , CdSnC>3 , ZnSn03 , Mgln204 , GaInÜ3 , Zn2In205 oder In4Sn30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden . Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrisehen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw . lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein .
Die erste Elektrode 210 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen . Die erste Elektrode 210 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht , die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
Die erste Elektrode 204 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm .
Die erste Elektrode 210 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 210 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein . Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein . In Fig.2 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 220 veranschaulicht . In
verschiedenen Ausführungsbei spielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 eine , aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3 , 4 , 5 , 6, 7 , 8 , 9, 10 , oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 und die optional weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen . Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 216 ausgebildet sein .
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur -Einheit 216 kann eine Lochinj ektionsschicht , eine
Lochtransportschicht , eine EmitterSchicht , eine
ElektronentransportSchicht und eine
Elektroneninj ektionsschicht aufweisen .
In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 212 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isol iert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können . Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein .
Eine Lochinj ektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 210 ausgebildet sein . Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, W0X, V0X, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2 , NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen- 1 -yl ) -N, N ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 2 -yl ) -N , N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (N, ' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -N , ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD N, N ' -Bis ( 3 -methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9 , 9 -dimethyl - fluoren) ; DPFL-TPD (N, ' -Bis (3- methylphenyl ) -N, N ' -bis (phenyl ) - 9 , 9 -diphenyl - fluoren) ; DPFL- NPB (N , N ' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -N, N' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl - fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 ' - spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis -biphenyl-4 -yl- amino) phenyl] - 9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, -bis-naphthalen- 2 -yl - amino) phenyl] - 9H- fluoren ; 9 , 9-Bis [4 - (Ν,Ν' -bi s -naphthalen- 2 - yl-N, N' -bis -phenyl -amino) -phenyl] - 9H- fluor ; N, N ' - bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin ; 2 , 7 -Bis [N , N- bis ( 9 , 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] - 9 , 9 - spirobif luoren ; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl -4 -yl ) amino] 9 , 9 - spirobifluoren ,· 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl -amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, N- ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 7 ' - tetra (N , N-di - tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, N, N ' , N ' - tetra- naphthalen-2 -yl -benzidin . Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm .
Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine
LochtransportSchicht ausgebildet sein . Die
LochtransportSchicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : NPB (N, N ' - Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl ) -benzidin) ; beta-NPB N, N ' -Bis (naphthalen-2 -yl ) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(N, N ' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, N ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro TPD ( , ' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, N ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen- 1 -yl) - , ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, N ' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, ' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) - , N ' - bis (phenyl) -9, 9 -dimethyl - fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -9 , 9 -diphenyl - fluoren) ; DPFLNPB
(Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- diphenylfluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n- diphenylamino) -9,9 ' - spirobifluoren) ; 9 , 9 -Bis [4 - (N, -bis- biphenyl -4 -yl -amino) phenyl] - 9H-fluoren; 9 , 9 -Bis [4 - (N, N-bis- naphthalen-2 -yl -amino) phenyl] - 9H-fluoren; 9 , 9 -Bis [4 - (N, N ' - bis-naphthalen-2 -yl -N, N ' -bis-phenyl -amino) -phenyl] - 9H- fluor ; N, N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin; 2,7- Bis [N, N-bis ( 9 , 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9,9- spirobifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9 , 9- spirobifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di -phenyl -amino) 9 , 9-spiro- bifluoren; Di - [4 - (N, N-ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan;
2,2' ,7,7'- tetra (N, N-di- tolyl ) amino-spiro-bifluoren; und N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen .
Die LochtransportSchicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm .
Auf oder über der LochtransportSchicht kann eine
Emitterschicht ausgebildet sein . Jede der organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen,
beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern .
Eine Emitterschicht kann organische Polymere , organische Oligomere , organische Monomere , organische kleine , nicht- polymere Moleküle („ small molecules " ) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein .
Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer
Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : organische oder
organometal 1 isehe Verbindungen, wie Derivate von Polyf luoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2 - oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- ( 2 -pyridyl) phenyl - (2- carboxypyridyl ) - iridium III ) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris ( 2 -phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg ) (Tris [4,4' -di- tert- butyl -(2,2') -bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4 -Bis [4 - (di -p- tolylamino) styryl] biphenyl ) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10-Bis [Ν,Ν-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 ( -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl - 9 -enyl -4H-pyran) als nichtpolymere Emitter .
Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer , beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm .
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig ( zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen . Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren . Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein , im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die PrimärStrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert , so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kom ination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen , die als LochtransportSchicht ausgeführt ist/sind .
Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 216 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als ElektronentransportSchicht ausgeführt ist/sind .
Auf oder über der Emitterschicht kann eine
ElektronentransportSchicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein .
Die ElektronentransportSchicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : NET-18; 2 , 2 ' , 2 " -(1,3, 5 -Benzinetriyl ) -tris ( 1 -phenyl - 1 -H- benzimidazole) ; 2 - (4 -Biphenylyl ) - 5 - (4 - tert-butylphenyl ) - 1,3, 4 -oxadiazole , 2 , 9 -Dimethyl -4 , 7 -diphenyl - 1 , 10 - phenanthroline (BCP) ,- 8 -Hydroxyquinolinolato- Iithium, 4 - (Naphthalen-l-yl) -3 , 5 -diphenyl -4H- 1 , 2 , 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo-5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1 , 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl ) -4- phenyl - 5 - tert-butylphenyl - 1 , 2 , 4-triazole ; Bis (2 -methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl -4 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo-2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2 - phenyl - 9 , 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene; 2 , 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine-6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5-yl] - 9 , 9 -dimethyl fluorene ; 1 , 3 -Bis [2 - ( 4 - tert-butylphenyl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl ] benzene ; 2 - (naphthalen-2 -yl ) -4 , 7 -diphenyl - 1 , 10-phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen-2 -yl ) -4 , 7 -diphenyl - 1 , 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl ) phenyl ) orane ; 1-methyl-
2- (4- (naphthalen-2 -yl ) phenyl ) - 1H- imidazo [4,5- f] [1 , 10] phenanthrolin; Phenyl -dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw . dessen Imide ; und
Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die ElektronentransportSchicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm .
Auf oder über der ElektronentransportSchicht kann eine
Elektroneninj ektionsschicht ausgebildet sein . Die
Elektroneninj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : NDN-26 , MgAg, CS2CO3, CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li , LiF; 2,2' , 2 " -(1,3, 5-Benzinetriyl) - tris ( 1 -phenyl - 1 -Libenzimidazole) ; 2 - (4 -Biphenylyl ) - 5 - ( 4 - tert -butylphenyl ) - 1,3, 4 -oxadiazole , 2 , 9 -Dimethyl -4 , 7 -diphenyl - 1 , 10 - phenanthrol ine (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- Iithium, 4 - (Naphthalen- 1 -yl ) -3 , 5 -diphenyl -4H- 1 , 2 , 4-triazole; 1 , 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo-5-yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl ) -4- phenyl - 5 - tert -butylphenyl - 1 , 2 , 4-triazole ; Bis (2 -methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl -4 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo-2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2 - phenyl- 9, 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl ] - 9 , 9 -dimethylfluorene ; 1 , 3-Bis [2 - (4 - tert-butylphenyl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2 - (naphthalen-2 -yl ) -4 , 7 -diphenyl - 1 , 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen-2 -yl ) -4 , 7 -diphenyl - 1 , 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl ) phenyl ) orane ; 1-methyl-
2- (4- (naphthalen-2 -yl ) phenyl ) - 1H- imidazo [4,5- f] [1 , 10] phenanthroline ; Phenyl -dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw . dessen Imide ; und
Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm .
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 212 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 216 , 220 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 ausgebildet sein . Elektrisch zwischen den organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 kann eine
Zwischenschichtstruktur 218 ausgebildet sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 218 als eine Zwi schenelektrode 218 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210. Eine
Zwischenelektrode 218 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein . Die externe Spannungsquel le kann an der Zwischenelektrode 218 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen . Die Zwischenelektrode 218 kann j edoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 218 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 218 (Charge generation layer CGL) ausgebildet sein . Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) aufweisen . Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können j eweils aus einem undotierten leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein . Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht eine Trennung von Elektron und Loch
erfolgen kann . Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann ferner zwischen benachbarten
Schichten eine Eindringbarriere , insbesondere
Diffusionsbarriere , aufweisen .
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 , 220 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm . Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
ElektronentransportSchicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel - /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 200 weiter verbessern .
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 212 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 214 ausgebildet sein .
Die zweite Elektrode 214 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 210 und die zweite Elektrode 214 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können . Die zweite Elektrode 214 kann als Anode , also als Löcher inj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode , also als eine
elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 214 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential einer Zwischenelektrode . Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wertaufweisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen
Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1 , 5 V bis ungefähr 20 V aufweisen, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2 , 5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf der zweiten Elektrode 214 kann die zweite BarriereSchicht 208 ausgebildet sein .
Die zweite BarriereSchicht 208 kann auch als
Dünnschichtverkapselung ( thin film encapsulation TFE) bezeichnet werden . Die zweite BarriereSchicht 208 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten BarriereSchicht 204 ausgebildet sein .
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
BarriereSchicht 208 verzichtet werden kann, beispielsweise veranschaulicht in Fig .8B . In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite BarriereSchicht 208 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 226 , beispielsweise eine Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 (nicht dargestellt ) oder eine interne
AuskoppelSchicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der
mittlere Brechungsindex der Schicht , aus der die
elektromagnetische Strahlung bereitgestellt werden . Ferner können in verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise
kombiniert mit der zweiten BarriereSchicht 208 ) in dem optoelektronischen Bauelement 100 vorgesehen sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 208 eine schlüssige
Verbindungsschient 224 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack . Mittels der schlüssigen VerbindungsSchicht 224 kann beispielsweise eine Abdeckung 226 auf der zweiten BarriereSchicht 208 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein .
Eine schlüssige VerbindungsSchicht 224 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise Iichtstreuende Partikel . Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 224 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der
Auskoppeleffizienz führen .
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (S1O2 ) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrC>2 ) , Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid ( IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid . Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungs index der Matrix der schlüssigen VerbindungsSchicht 224 verschieden sein, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als Iichtstreuende Partikel vorgesehen sein .
Die schlüssige VerbindungsSchicht 224 kann eine Schichtdicke von größer als 1 \im aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren um . In verschiedenen
Ausführungsbei spielen kann die schlüssige VerbindungsSchicht 224 einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein .
Die schlüssige VerbindungsSchicht 224 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem
Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der
Brechungsindex der Abdeckung 226. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist . Der Klebstoff kann j edoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende , nicht - streuende Partikel aufweisen und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweisen, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 212 entspricht ,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden .
In verschiedenen Ausführungsbei spielen kann zwischen der zweiten Elektrode 214 und der schlüssigen VerbindungsSchicht 224 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 3 ym, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μιη, um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbei spielen kann eine schlüssige VerbindungsSchicht 224 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 226 direkt auf der zweiten BarriereSchicht 208 ausgebildet werden, beispielsweise eine Abdeckung 226 aus Glas , die mittels Plasmaspritzens ausgebildet werden .
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter- Struktur,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .
Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 106 sind, absorbiert und bindet . Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein . Die Getter-Schicht kann
transluzent , transparent oder opak und/oder undurchlässig hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung, die in dem optisch aktiven Bereich emittiert und/oder absorbiert werden , ausgebildet sein . Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μπι aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren um . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen VerbindungsSchicht 224 eingebettet sein .
Auf oder über der schlüssigen VerbindungsSchicht 224 kann eine Abdeckung 226 ausgebildet sein . Die Abdeckung 226 kann mittels der schlüssigen VerbindungsSchicht 224 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen . Die Abdeckung 226 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 226 , eine
Metallfolienabdeckung 226 oder eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 226 sein . Die Glasabdeckung 226 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite BarriereSchicht 208 bzw . dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden .
Die Abdeckung 226 und/oder die schlüssige VerbindungsSchicht 224 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen, beispielsweise veranschaulicht in Fig .3 , weist ein elektronisches Bauelement 100 eine Indikatorstruktur 110 mit einem Indikatormaterial und einen verkapselten Verbindungsrand 330 auf .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Barrierestruktur 104 als ein verkapselter Verbindungsrand 330 (edge seal ) ausgebildet sein oder ein Teil eines verkapselten Verbindungsrands 330 sein, beispielsweise veranschaulicht in den schematisehen Querschnittsansichten Fig .3A und Fig .3B . Die Barrierestruktur 104 in Form eines verkapselten
Ver indungsrandes 330 weist den Vorteil auf , dass ein
laterales Eindringen ( 112 ) von Feuchtigkeit in ein flächiges elektronisches Bauelement 100 verhindert werden kann . Defekte in dem verkapselten Verbindungsrand 330 können schnell mittels Änderungen der optischen Eigenschaften des
Indikatormaterials der Indikatorstruktur 110 erkannt werden, beispielsweise mittels eines Verfärbens des
Indikatormaterials . Die betroffenen elektronischen
Bauelemente 100 können so bereits während des Herstellens identifiziert und aussortiert werden .
Weiterhin können aufgrund des verkapselten Verbindungsrandes 330 die Anforderungen an den Laminierklebstoff 224 und die Dünnfilmverkapselung 208 bezüglich ihrer Hermetizität
bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff reduziert werden, so dass günstigere Klebstoffe und/oder einfachere bzw . dünnere Barriereschichten verwendet werden können .
Die verkapselte Verbindungsrand 330 kann verhindern, dass Wasser und/oder Sauerstoff von der Seite in das elektronische Bauelement 100 eindringen kann . Defekte in dem verkapselten Verbindungsrand 330 können somit schnell anhand von
Änderungen der optischen Eigenschaften des Indikatormaterials nachgewiesen werden, beispielsweise mittels eines Verfärbens des Indikatormaterials .
Der verkapselte Verbindungsrand 330 kann zwischen dem Träger 102 bzw . dem hermetisch dichten Substrat 130 und einer
Abdeckung 226 beispielsweise aufweisen : eine
Haftvermittlerschicht 304 , eine Lotschicht 306, ein Beobachtungsfenster 308 eine Indikatorstruktur 110 bzw . eine Indikatorschicht .
Weiterhin kann das elektronische Bauelement 100 wie oben beschrieben eine transparente Kathode 210 , eine organische funktionelle Schichtenstruktur 212 , eine Anode 214 , einen elektrischen Isolator 310 , beispielsweise aus/mit Polyimid; eine Barriereschicht 208 , beispielsweise eine
Dünnfilmverkapseiung, beispielsweise eine PE-CVD und/oder ALD-Schicht , eine Haftschicht 224 , beispielsweise einen
Laminierklebstoff , ein Beobachtungsfenster 308 ,
beispielsweise aus ITO, eine (Kontakt- ) Metallisierung 302 aufweisen .
Das elektronische Bauelement 100 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eine Metallisierung 302 aufweisen, wobei die Indikatorstruktur 110 und/oder der elektrisch aktive Bereich 106 auf oder über der Metallisierung 302 ausgebildet sind/ist und die Metallisierung 302 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 elektrisch leitend bezüglich eines Betriebes des elektronischen Bauelementes 100 verbunden ausgebildet ist . Die Metallisierung 302 kann beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210 ausgebildet sein, beispielsweise auf oder über dem Träger .
Mit anderen Worten : Zum Kontaktieren des elektrisch aktiven Bereiches 106 kann dieser mit einer Metallisierung 302 elektrisch verbunden sein . Beispielsweise kann der elektrisch aktive Bereich 106 auf der Metallisierung 302 ausgebildet sein und mit dieser elektrisch verbunden sein .
Die Metallisierung 302 kann zum elektrischen Kontaktieren des elektronischen Bauelementes 100 in einem Bereich frei gelegt sein, beispielsweise in einem Randbereich des elektronischen Bauelementes 100 , beispielsweise veranschaulicht in Fig .3A bis Fig.3C.
Die Metallisierung 302 kann bedingt durch die
Materialeigenschaften der Metallisierung 302 ein Nachweisen der Eigenschaften der Indikatorstruktur 110 verhindern , beispielsweise indem die Metallisierung optisch undurchlässig ist . Die Metallisierung 302 kann daher beispielsweise
transluzent oder kammförmig ausgebildet sein oder komplett weggelassen sein . Die Leitung des elektrischen Stromes kann beispielsweise durch ITO erfolgen, um eine mögliche
Verfärbung des Indikatormaterials nachweisen zu können . Das Beobachtungsfenster 308 kann optional sein bei elektronischen Bauelementen mit Glasdeckel .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Indikatorstruktur 110 ein Beobachtungsfenster 308 in Richtung des Nachweisens der Reaktivität der Indikatorstruktur 110 mit Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen . Das Beobachtungsfenster 308 kann als eine transparente oder transluzente Struktur ausgebildet sein, beispielsweise als eine elektrisch
leitfähige transparente oder transluzente Struktur . Das
Beobachtungsfenster 308 kann zwischen der Indikatorstruktur 110 und dem Träger 102 und/oder zwischen der
Indikatorstruktur 110 und der Abdeckung 226 angeordnet sein .
Mit anderen Worten : In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Metallisierung 302 unter oder über der
Indikatorstruktur 110 , das heißt in Richtung des Nachweisens , ein Beobachtungsfenster 308 aufweisen . Ein Nachweisen eines Eindringstromes , insbesondere Diffusionsstromes , eines schädlichen Stoffs durch die Barrierestruktur 104 kann so beispielsweise erfolgen, indem das Beobachtungsfenster 308 über oder unter der Indikatorstruktur 110 in dem
elektronischen Bauelement 100 ausgebildet ist , beispielsweise veranschaulicht in Fig .3B und Fig .3C . Das Nachweisen der Reaktion des Indikatormaterials der Indikatorstruktur 110 mit Wasser und/oder Saurestoff kann durch das Beobachtungsfenster 308 nachgewiesen werden, beispielsweise gemessen, ermittelt oder festgestellt werden .
Das Beobachtungsfenster 308 kann beispielsweise aus einem transparenten oder transluzenten elektrisch leitfähigen
Material in der Metallisierung 302 realisiert sein,
beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210 des optoelektronischen Bauelementes 100.
Alternativ oder zusätzlich kann die Metallisierung 302 kammförmig ausgebildet sein, so dass eine Beobachtung der Indikatorstruktur 110 in den Zinkenzwischenräumen möglich ist , beispielsweise veranschaulicht in Fig . 3C .
Alternativ kann die Metallisierung 302 im Bereich der
Indikatorstruktur 110 weggelassen sein . Die Stromleitung kann in diesem Fall um das Beobachtungsfenster 308 herum erfolgen .
Das Beobachtungsfenster 308 in Form von Zinkenzwischenräumen einer kammförmigen Metallisierung 301 oder das komplette Weglassen der Metallisierung 302 im Bereich des
Beobachtungsfensters 308 ermöglicht es beispielsweise die Verfärbung des Indikatormaterials der Indikatorstruktur 110 zu erkennen .
Mit anderen Worten : Das Beobachtungsfenster 308 kann
beispielsweise in der Metallisierung 302 im Bereich der Indikatorstruktur 110 ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in Fig .3B .
Die Indikatorstruktur 110 kann beispielsweise umlaufend um den elektrisch aktiven Bereich 106 angeordnet ausgebildet sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Indikatorstruktur 110 entlang des Verbindungsrandes 330 strukturiert ausgebildet sein .
Die Indikatorstruktur 110 kann strukturiert ausgebildet sein beispielsweise derart , dass die Indikatorstruktur 110 nur im Eindringpfad, insbesondere Diffusionspfad, eines schädlichen Stoffs zwischen der Barrierestruktur 104 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 ausgebildet ist .
Alternativ oder zusätzlich kann die Indikatorstruktur 110 strukturiert ausgebildet sein derart , dass die
Indikatorstruktur 110 den elektrisch aktiven Bereich 106 vollständig lateral umgibt .
Das Indikatormaterial kann beispielsweise sensitiv bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff sein, beispielsweise gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen .
Ein Beobachtungsfenster 308 kann beispielsweise optional sein, beispielsweise bei elektronischen Bauelementen 100 mit Glasabdeckung 226 oder Glasträger 102/130.
Die Lotschicht 306 und/oder die HaftvermittlerSchicht 304 können entlang des elektrisch aktiven Bereichs 106 den elektrisch aktiven Bereich 106 umgeben, beispielsweise rahmenartig oder ringförmig . Das Ausbilden einer Verkapselung kann dadurch erleichtert werden .
Auf dem Träger 102 und/oder der Abdeckung 226 kann eine Haftvermittlerschicht 304 vorgesehen sein, die einen
Benetzungsbereich mit dem flüssigen Lotmaterial definiert . Die Haftvermittlerschicht 304 kann es ermöglichen eine schlüssige Verbindung von Abdeckung 226 und Träger 102 bzw . hermetisch dichtem Substrat 130 mittels der Lotschicht 308 auszubilden . In einem Ausführungsbeispiel ist die
Haftvermittlerschicht 304 unmittelbar mit der Abdeckung 226 beziehungsweise dem Träger 102 verbunden . In einem
Ausführungsbeispiel kann die Haftvermittlerschicht 304 zwischen der Lotschicht 306 und dem Träger 102/Substrat 130 angeordnet sein und eine weitere Haftvermittlerschicht 304 zwischen der Lotschicht 306 und der Abdeckung 226 angeordnet sein, beispielsweise veranschaulicht in Fig .3B . Mit anderen Worten : Die Lotschicht 306 ist zwischen der
Haftvermittlerschicht 304 und der weiteren
Haftvermittlerschicht 304 angeordnet und mit der eweiligen Haftvermittlerschicht 304 , beispielsweise unmittelbar, verbunden .
In einem Ausführungsbeispiel ist die Haftvermittlerschicht 304 mit der Abdeckung 226 beziehungsweise dem Träger 102 dicht verbunden, beispielsweise hermetisch dicht .
In einem Ausführungsbeispiel ist die Haftvermittlerschicht 304 elektrisch leitfähig ausgebildet . Die
Haftvermittlerschicht 304 kann elektrisch leitfähig mit der Lotschicht 306 verbunden sein . Die Haftvermittlerschicht 304 kann beispielsweise an der elektrischen Kontaktierung des elektronischen Bauelements 100 beteiligt sein, zum Beispiel , indem sie eine leitfähige Ver indung zwischen der Lotschicht 306 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 oder der
Indikatorstruktur 110 bildet oder an einer solchen Verbindung beteiligt ist .
In einem Ausführungsbeispiel ist die HaftvermittlerSchicht 304 als Haftvermittlerschicht für das Lotmaterial der
Lotschicht 306 ausgebildet . Beispielsweise kann dadurch flüssiges Lotmaterial die j eweilige Haftvermittlerschicht 304 gut benetzen . Dies hat Vorteile beim Aufbringen des
Lotmaterials aus der flüssigen Phase .
Mittels des Vorsehens einer Haftvermittlerschicht 304 kann für die Lotschicht 306 ein Material bereitgestellt werden, mit dem das Lotmaterial eine gute Verbindung ausbilden kann . Die Freiheitsgrade bei der Materialwahl für den Träger 102 , das hermetisch dichte Substrat 130 bzw . die Abdeckung 226 können dadurch anwendungsspezi fisch erhöht werden . Das
Material der Haftvermittlerschicht 304 kann ein Material sein, dass das Lotmaterial der Lotschicht 306 sich mit der Haftvermittlerschicht 304 besser verbindet , das heißt eine größere Adhäsion aufweist , als mit der Abdeckung 226 und/oder dem Träger 102. Das Material der Haftvermittlerschicht 304 kann ein Metall oder eine Legierung mit einem oder mehreren Metallen aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer oder eine Kupfer-Verbindung .
In einem Ausführungsbeispiel weist eine oder mehrere
Haftvermittlerschicht/en 304 eine Dicke von ungefähr 10 nm oder weniger auf . Bereits derart geringe Dicken können für eine gute Anbindung der Lotschicht 306 ausreichend sein . Die j eweilige Haftvermittlerschicht 304 kann beispielsweise mittels Aufdampfens , zum Beispiel mittels thermischen
Verdampfens im Vakuum, oder Sputtern aufgebracht werden .
Eine Breite der j eweiligen HaftvermittlerSchicht 304 ist zweckmäßigerweise so gewählt , dass der elektrisch aktive Bereich 106 dicht gekapselt ist . Beispielsweise kann die Haftvermittlerschicht 304 eine Breite aufweisen, die größer ist als 10 μπι, zum Beispiel bis zu 100 μιη oder mehr als 100 μπι beträgt . Bereits mit derart geringen Breiten kann
gegebenenfalls eine hermetische Dichtheit erreicht werden . Die Breite kann bis zu 1 mm oder bis zu 2 mm betragen .
In einem Ausführungsbeispiel kann das Lotmaterial der
Lotschicht 306 ein Metall oder eine Legierung mit einem oder mehreren Metallen aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein Weichlot , beispielsweise ein Weichlot , das Zinn und Silber oder Zinn und Bismut aufweist ,
beispielsweise : BiSn, AgSn .
Eine Breite der eweiligen Lotschicht 306 ist
zweckmäßigerweise so gewählt , dass der elektrisch aktive Bereich 106 dicht gekapselt ist . Beispielsweise kann die Lotschicht 306 eine Breite aufweisen, die größer ist als 10 μπι, zum Beispiel bis zu 100 μπι oder mehr als 100 μπι beträgt . Bereits mit derart geringen Breiten kann gegebenenfalls eine hermetische Dichtheit erreicht werden . Die Breite kann bis zu 1 mm oder bis zu 2 mm betragen .
In einem Ausfuhrungsbei spiel kann die Lotschicht 306 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 und/oder der Indikatorstruktur 110 elektrisch leitend verbindbar ausgebildet sein oder verbunden ausgebildet sein . Beispielsweise kann die
Lotschicht 306 mit einer der Elektroden 210 , 214 des elektrisch aktiven Bereiches 106 elektrisch leitend verbunden sein . Auf diese Weise kann die externe elektrische
Kontaktierung des elektrisch aktiven Bereiches 106 oder der Indikatorstruktur 110 mittels der Lotschicht 306 erfolgen . Die Lotschicht 306 kann als externer elektrischer Anschluss des Bauelements dienen .
Alternativ kann die Lotschicht 306 von der Indikatorstruktur 110 und/oder der dem elektrisch aktiven Bereich 106 isoliert sein .
Ein oben beschriebener verkapselter Verbindungsrand 330 kann beispielsweise ausgebildet werden, indem eine erste Struktur, beispielsweise veranschaulicht in Fig .4A in einer
schematische Querschnittsansicht und einer Aufsicht , mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 , mit der Metallisierung 302 und der Barrierendünnschicht 208 auf oder über dem Träger 102 bzw . dem hermetisch dichten Substrat 130 ausgebildet ist .
Auf oder über der Barrierendünnschicht 208 ist weiterhin eine Haftvermittlerschicht 304 ausgebildet . Ausgangspunkt kann somit beispielsweise das beschriebene fertige OLED-Substrat mit aufgebrachter Haftvermittlerschicht 304 sein .
Eine zweite Struktur , beispielsweise veranschaulicht in
Fig .4B in einer schematische Querschnittsansicht und einer Aufsicht , weist auf oder über der Abdeckung 226 , eine
Verbindungsschicht 224 , beispielsweise einen Klebstofffilm 224 , die Indikatorstruktur 110 und eine weitere
Haftvermittlerschicht 304 auf ; beispielsweise in Form eines Verkapselungsglases mit strukturiert aufgebrachten
Laminierglas 224 , dispensten Indikatormaterial 110 und
Haftvermittlerschicht (Cu seed-layer) 304. Die Haf vermi lerschicht 304 kann beispielsweise aufgedampft sein, das Indikatormaterial aufgebracht sein mittels eines Dispensprozesses und kann beispielsweise auch auf dem OLED- Substrat aufgebracht werden, und der Laminierklebstoff beispielsweise mittels eines Rakelprozesses aufgebracht sein .
Die Abdeckung 226 und der Träger 102 mit elektrisch aktivem Bereich 106 werden relativ zueinander so angeordnet , dass sich die Abdeckung 226 über den elektrisch aktiven Bereich 106 erstreckt .
Diese erste Struktur und zweite Struktur können miteinander in einen körperlichen Kontakt gebracht werden, wobei die Verbindungsschicht 224 mit der Barrierendünnschicht 208 verbundenen werden, und somit die erste Struktur mit der zweiten Struktur verbindet . Dabei liegen sich die
Haftvermittlerschichten 304 beispielsweise gegenüber, so dass zwischen der Haftvermittlerschicht 304 der ersten Struktur und der zweiten Struktur ein Zwischenraum für eine Lotschicht 306 gebildet wird, beispielsweise veranschaulicht in Fig .3B .
Das OLED-Substrat kann somit in einem Laminierprozess mit dem Deckglas verklebt werden .
Beim parallelen Herstellen mehrerer elektronischer
Bauelemente auf oder über einem Träger 102 , können die
Zwischenräume (Kanten) der einzelnen elektronischen
Bauelemente nach einem Vereinzeln der elektronischen
Bauelemente verlötet werden , um diese hermetisch zu
verschließen (edge sealing) .
Zwischen dem Träger 102 und der Abdeckung 226 kann somit ein Zwischenraum gebildet werden, beispielsweise neben dem elektrisch aktiven Bereich 106. In den Zwischenraum kann ein flüssiges Lotmaterial eingebracht werden derart , dass der Zwischenraum stellenweise und/oder umlaufend, mit flüssigem Lotmaterial ausgefüllt wird oder werden kann .
Ein bereits flüssiges Lotmaterial kann in den Zwischenraum eingebracht werden . Alternativ kann ein Lotmaterial vor dem Einbringen verflüssigt werden, beispielsweise ein
Aufschmelzen, beispielsweise mittels eines Lasers .
Nach dem Einbringen des Lotmaterials in den Zwischenraum, kann das Lotmaterial ausgehärtet werden, beispielsweise mittels eines Abkühlens des Lotmaterials gehärtet werden . Dadurch kann eine Lotschicht 306 gebildet werden . Mittels der Lotschicht 306 kann die Abdeckung 226 mit dem Träger 102 verbunden sein . Im Vergleich zu Kunststoffklebstoffen kann mittels der Lotschicht 306 eine dichtere Verbindung
ausgebildet werden . Weiterhin können elektrisch leitfähige Lotmaterialien, beispielsweise Metalllote oder
Metalllegierungslot verwendet werden .
In einem Ausführungsbeispiel wird das flüssige Lotmaterial mittels Badlötens , selektiver Wellen- oder Schwalllötung, oder Tauchlöten in den Zwischenraum, eingebracht werden .
In einer bevorzugten Ausgestaltung ist die Lotschicht 306 mit der Haftvermi ttlerschicht 304 dicht verbunden . Die Verbindung kann gasdicht und/oder flüssigkeitsdicht sein . Die Verbindung kann hermetisch dicht sein . Die hermetisch dichte Verbindung kann so dicht sein, dass die Durchlässigkeit der Verbindung für Wasser kleiner als 10 " ^ g/ (m2d) , bevorzugt kleiner als 10"3 g/ (m2d) , besonders bevorzugt kleiner als 10~6 g/ (m2d) , ist , wobei d für einen Tag steht . In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann die Abdeckung 226 eine Metallabdeckung 226 sein, so dass eine oben beschriebene Haftvermittlerschicht 304 auf der Abdeckung 226 für das
Ausbilden eines verkapselten Verbindungsrandes 330 gemäß oben beschriebenem Verbindungsrand 330 , optional sein kann, beispielsweise veranschaulicht in Fig .5. Die Metallabdeckung 226 sollte derart bezüglich des Materials der Lotschicht 306 ausgebildet sein, dass die Metallabdeckung 226 eine
schlüssige Verbindung der Lotschicht 306 zwischen der
Haftvermittlerschicht 304 unter Metallabdeckung 226
ermöglicht .
Bei einer Metallabdeckung 226 kann beispielsweise die
Verbindungsschicht 224 mit der Indikatorstruktur 110 direkt auf der Metallabdeckung 226 angeordnet sein oder werden, beispielsweise veranschaulicht in Fig .6 in einer schematische Querschnittsansicht und einer Aufsicht .
Der Träger 102 mit elektrisch aktiven Bereich 106 ,
Barrierendünnschicht 208 , Haftvermittlerschicht 304 (siehe Beschreibung oben) kann in einem Laminierprozess mit dem Metallabdeckung 226 verklebt werden .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Metallabdeckung 226 auf Plattenebene , das heißt vor dem Vereinzeln mehrerer
elektronischer Bauelemente auf einem Träger 102 , im Bereich der Kontakte der elektronischen Bauelementes mittels eines Laserprozesses geöffnet werden . Somit können ebenfalls auf Plattenebene die Kanten verlötet werden (edge sealing) . Der Klebstoff der Verbindungsschicht 224 kann beispielsweise ein druckempfindlicher Klebstoff sein (pressure sensitive adhesive - PSA) .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Verkapselungsstruktur 128 eine Abdeckung 226 und eine
VerbindungsSchicht 224 aufweisen, wobei die Abdeckung 226 mittels der VerbindungsSchicht 224 mit dem Träger 102 und/oder dem elektrisch aktiven Bereich 106 verbunden ist , wobei die Indikatorstruktur 110 zwischen der Abdeckung 226 und der VerbindungsSchicht 224 , beispielsweise
veranschaulicht in der schematisehen Querschnittsansicht in Fig .8A, und/oder zwischen dem elektrisch aktiven Bereich 106 und der VerbindungsSchicht 224 ausgebildet ist .
Mit anderen Worten : die Indikatorstruktur 110 kann auf der Abdeckung 226 aufgebracht oder angeordnet sein, und die Abdeckung 226 mit Indikatorstruktur 110 mittels einer
VerbindungsSchicht 224 beispielsweise mit der
Barrierendünnschicht 208 auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 angeordnet oder aufgebracht sein oder werden . Diese Struktur kann in den Randbereichen beispielsweise mittels einer oben beschriebenen Ausgestaltung eines
verkapselten Verbindungsrandes 330 hermetisch abgedichtet sein . Der verkapselte Verbindungsrand 330 kann den elektrisch aktiven Bereich komplett umschließen, beispielsweise in der VerbindungsSchicht 224 , beispielsweise in einem Klebstofffilm integriert sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf einer
Barrierendünnschicht 208 auf dem elektrisch aktiven Bereich 106 verzichtet worden sein, so dass eine Kavität 800 zwischen der Verkapselungsstruktur und dem elektrisch aktiven Bereich 106 ausgebildet ist , beispielsweise veranschaulicht in der schematisehen Querschnittsansicht in Fig .8B . Mit anderen Worten : das elektronische Bauelement 100 kann frei sein von Dünnfilmverkapselung auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106. Ein solches elektronisches Bauelement 100 kann eine Abdeckung und einen verkapselten Verbindungsrand 330 gemäß einer oben beschriebenen Ausgestaltung aufweisen .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Verkapselungsstruktur 128 zwischen der Indikatorstruktur 110 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 wenigstens eine weitere Barrierestruktur 104 aufweisen . Beispielsweise kann die Verkapselungsstruktur 128 eine erste BarriereSchicht 208 und wenigstens eine weitere BarriereSchicht 804 aufweisen, wobei die
Indikatorstruktur 110 zwischen der ersten BarriereSchicht 208 und der wenigstens einen weiteren BarriereSchicht 804 in der Verkapselungsstruktur 128 angeordnet ist , beispielsweise gestapelt ; beispielsweise veranschaulicht in Fig .8C .
Mit anderen Worten : eine Indikatorstruktur 110 kann zwischen einer ersten Barrierendünnschicht 208 und einer zweiten
Barrierendünnschicht 804 auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 angeordnet sein . Die erste Barrierendünnschicht 208 kann beispielsweise eine ALD-Schicht sein und die zweite Barrierendünnschicht 804 beispielsweise eine CVD-Schicht sein . Das elektronische Bauelement kann somit eine heterogene oder inhomogene Dünnfilmverkapselung aufweisen,
beispielsweise mit einer CVD-Schicht und einer ALD-Schicht ; in der eine Indikatorstruktur 110 eingebettet ist .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren 900 zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes 100 bereitgestellt, beispielsweise schematisch veranschaulicht in Fig .9.
Das Verfahren kann ein Ausbilden 902 eines elektrisch aktiven Bereiches 106 auf oder über einem Träger 102 aufweisen .
Ferner kann das Verfahren ein Ausbilden einer
Verkapselungsstruktur 128 auf oder über dem Träger 102 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 aufweisen . Die
Verkapselungsstruktur 128 kann derart ausgebildet werden, dass der elektrisch aktive Bereich 106 hermetisch abgedichtet ist bezüglich eines Eindringens , insbesondere einer Diffusion 112 , eines schädlichen Stoffs von einer Oberfläche 108 der Verkapselungsstruktur 128 durch die Verkapselungsstruktur 128 in den elektrisch aktiven Bereich 106.
Das Ausbilden der Verkapselungsstruktur 128 kann ein
Ausbilden 904 einer Indikatorstruktur 110 auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 und/oder dem Träger 102 aufweisen .
Ferner kann das Ausbilden der Verkapselungsstruktur 128 ein Ausbilden 906 einer Barrierestruktur 104 auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 , dem Träger 102 und/oder der Indikatorstruktur 110 aufweisen . Die Barrierestruktur 104 kann einen Teil der Oberfläche 108 der Verkapselungsstruktur 128 ausbilden . Die Indikatorstruktur 110 kann derart
ausgebildet werden, dass sie eine höhere Reaktivität
bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff aufweist als die
Barrierestruktur 104 derart , dass ein Eindringström,
insbesondere ein Diffusionsström, eines schädlichen Stoffs durch die Barrierestrukur 104 unter Verwendung der Indikatorstruktur 104 mit Hilfe einer Kettenreaktion oder des Farbwechsels eines pH- Indikators nachweisbar wird .
Mit anderen Worten : In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren 900 zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes 100 ein Ausbilden 902 eines elektrisch aktiven Bereiches 106 auf oder über einem Träger 102 auf . Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur 128 auf oder über dem Träger 102 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 aufweisen, wobei die Verkapselungsstruktur 128 derart ausgebildet wird, dass der elektrisch aktive Bereich 106 hermetisch abgedichtet ist bezüglich eines Eindringens , insbesondere einer Diffusion 112 , wenigstens eines Stoffs , beispielsweise eines bezüglich des elektrisch aktiven
Bereichs 106 schädlichen Stoffs , beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff ; von einer Oberfläche 108 der
Verkapselungsstruktur 128 durch die Verkapselungsstruktur 128 in den elektrisch aktiven Bereich 106. Das Ausbilden der Verkapselungsstruktur 128 kann ein Ausbilden 904 einer
Indikatorstruktur 110 auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 und/oder dem Träger 102 aufweisen . Ferner kann das Ausbilden der Indikatorstruktur 128 ein Ausbilden 906 einer Barrierestruktur 104 auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 , dem Träger 102 und/oder der
Indikatorstruktur 110 aufweisen, wobei die Barrierestruktur 104 einen Teil der Oberfläche 108 der Verkapselungsstruktur 128 ausbildet . Die Indikatorstruktur 110 kann derart
ausgebildet werden, dass sie eine höhere Reaktivität
bezüglich des wenigstens einen durch die Barrierestruktur 104 eindringenen, insbesondere eindiffundierenden, Stoffs
aufweist als die Barrierestruktur 104 derart , dass der eindringende , insbesondere eindiffundierende , Stoff unter Verwendung der Indikatorstruktur 110 nachweisbar wird . Das elektronische Bauelement 100 kann als ein integrierter Schaltkreis ausgebildet werden, beispielsweise als ein Chip oder eine Chip-Anordnung . Alternativ oder zusätzlich kann das elektronische Bauelement 100 als ein optoelektronisches
Bauelement 100 ausgebildet werden, beispielsweise eine
Leuchtdiode , eine Solarzelle ; eine Leuchtstoffröhre , eine Glühlampe , eine Leuchtröhre und/oder eine Halogenlampe .
Alternativ oder zusätzlich kann das elektronische Bauelement 100 als ein organisches optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet werden, beispielsweise als ein organischer
Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode .
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 900 kann der elektrisch aktive Bereich 106 mit einer ersten Elektrode 210 , einer zweiten Elektrode 214 und einer organischen
funktionellen Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 ausgebildet werden, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine
elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird . In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 900 kann der elektrisch aktive Bereich 106 mit einer ersten Elektrode 210 , einer zweiten Elektrode 214 und einer Entladungsstrecke zwischen der ersten Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 ausgebildet werden, wobei die
Entladungsstrecke einen Leuchtstoff aufweist , der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine
elektromagnetische Strahlung ausgebildet wird . In einem
Ausführungsbeispiel des Verfahrens 900 kann der elektrisch aktive Bereich 106 mit einer ersten Elektrode 210 , einer zweiten Elektrode 214 und einem pn-Übergang oder mehrere pn- Übergängen zwischen der ersten Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 ausgebildet werden .
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann das
Ausbilden der Verkapselungsstruktur 128 ein Ausbilden eines Gehäuses , einer Abdeckung 226, einer Formmasse und/oder einer oder mehrerer Barriereschicht/en aufweisen . Beispielsweise kann die Formmasse ein Kunstharz oder ein Klebstoff sein oder aufweisen . Die Verkapselungsstruktur 128 kann in einem
Ausführungsbeispiel derart ausgebildet werden, dass die
Verkapselungsstruktur 128 eine Eindringrate , insbesondere Diffusionsrate , eines schädlichen Stoffs von kleiner als ungefähr 10 " 6 g/m^d aufweist .
Die Verkapselungsstruktur 128 kann in einem
Ausführungsbeispiel derart ausgebildet werden, dass die
Verkapselungsstruktur 128 zusammen mit dem Träger 102 den optisch aktiven Bereich umgibt . Alternativ oder zusätzlich kann die Verkapselungsstruktur 128 derart ausgebildet werden, dass die Verkapselungsstruktur 128 zusammen mit dem Träger 102 eine Kavität ausbildet , in der der optisch aktive Bereich angeordnet ist .
Die Verkapselungsstruktur 128 kann derart ausgebildet werden, dass die Oberfläche 108 frei liegt bezüglich der Umgebung des elektronischen Bauelementes 100.
In einem Ausführungsbeispiel des Ausbildens 906 der
Barrierestruktur 104 kann eine VerbindungsSchicht 224 , beispielsweise eine Formmasse , beispielsweise einen
Klebstoff ; ein verkapselter Verbindungsrand 330 und/oder eine oder mehrere Barriereschichten 208 , 804 ausgebildet werden . Die Barrierestruktur 104 kann beispielsweise an der
Oberfläche 108 lateral bezüglich einer flächigen Abmessung des elektronischen Bauelementes 100 angeordnet oder
ausgebildet werden, beispielsweise zwischen einer Abdeckung 226 der Verkapselungsstruktur 128 und dem Träger 102
angeordnet werden .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Barrierestruktur 104 und/oder die Indikatorstruktur 110 derart ausgebildet werden, dass ein Teil des wenigstens einen eingedrungenen ,
insbesondere eindiffundierten, Stoffs in der Barrierestruktur 104 und/oder der Indikatorstruktur 110 sorbierbar ist .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Indikatorstruktur 110 auf dem elektrisch aktiven Bereich 106 ausgebildet werden . In einem Ausführungsbei spiel kann die Indikatorstruktur 110 über dem elektrisch aktiven Bereich 106 ausgebildet werden .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Indikatorstruktur 110 auf dem Träger 102 ausgebildet werden, beispielsweise in einem Randbereich des elektronischen Bauelementes 100 , beispielsweise neben dem elektrisch aktiven Bereich .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Indikatorstruktur 110 über dem Träger 102 ausgebildet werden, beispielsweise auf dem elektrisch aktiven Bereich 106.
In einem Ausführungsbeispiel kann die Indikatorstruktur 110 derart ausgebildet werden, dass sie elektrische Anschlüsse 702 aufweist , die durch die Verkapselungsstruktur 128
hindurch elektrisch kontaktierbar sind . Die Indikatorstruktur 110 kann derart ausgebildet werden, dass sie elektrisch isoliert ist von dem elektrisch aktiven Bereich 106. Weiterhin kann die Indikatorstruktur 110 derart ausgebildet werden, dass die Indikatorstruktur 110 in der Verkapselungsstruktur 128 eingebettet ist , beispielsweise von dieser umgeben wird . Alternativ oder zusätzlich kann die Indikatorstruktur 110 derart ausgebildet werden, dass die Verkapselungsstruktur 128 und der elektrisch aktive Bereich 106 monolithisch auf oder über dem Träger 102 ausgebildet sind .
Das Ausbilden der Verkapselungsstruktur 128 kann ferner ein Ausbilden wenigstens einer weiteren Barrierestruktur 104 zwischen der Indikatorstruktur 110 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 aufweisen . Zusätzlich oder alternativ kann das Ausbilden der Verkapselungsstruktur 128 ein Ausbilden einer ersten BarriereSchicht 208 und wenigstens einer weiteren BarriereSchicht 804 aufweisen, wobei die Indikatorstruktur 110 zwischen der ersten BarriereSchicht 208 und der
wenigstens einen weiteren BarriereSchicht 804 in der
Verkapselungsstruktur 128 ausgebildet werden, beispielsweise gestapelt . Zusätzlich oder alternativ kann das Ausbilden der Verkapselungsstruktur 128 ein Anordnen einer Abdeckung 226 aufweisen, wobei die Abdeckung 226 mittels einer
VerbindungsSchicht 224 mit dem Träger 102 und/oder dem elektrisch aktiven Bereich 106 verbunden wird, wobei die Indikatorstruktur 110 zwischen der Abdeckung 226 und der VerbindungsSchicht 224 und/oder zwischen dem elektrisch aktiven Bereich 106 und der VerbindungsSchicht 224
ausgebildet wird .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein
Beobachtungsfenster 308 auf , über oder unter dem Indikatormaterial in Richtung des Nachweisens der Reaktivität der Indikatorstruktur 110 mit dem wenigstens einen
eingedrungenen , insbesondere eindiffundierten, Stoff
ausgebildet werden . Das Beobachtungsfenster 308 kann
beispielsweise als eine transparente oder transluzente
Struktur ausgebildet werden, beispielsweise als eine
elektrisch leitfähige transparente oder transluzente
Struktur .
Das Beobachtungsfenster 308 kann zwischen der
Indikatorstruktur 110 und dem Träger 102 und/oder zwischen der Indikatorstruktur 110 und der Abdeckung 226 angeordnet ausgebildet werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine
Metallisierung 302 auf oder über dem Träger 102 ausgebildet werden, wobei die Indikatorstruktur 110 und/oder der
elektrisch aktive Bereich 106 auf oder über der
Metallisierung 302 ausgebildet werden/wird und die
Metallisierung 302 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 elektrisch leitend bezüglich eines Betriebes des
elektronischen Bauelementes 100 verbunden ausgebildet wird .
Beispielsweise kann das Beobachtungsfenster 308 in der
Metallisierung 302 im Bereich der Indikatorstruktur 110 ausgebildet werden . Alternativ oder zusätzlich kann das Beobachtungsfenster 308 mittels einer Strukturierung der Metallisierung 302 ausgebildet werden, beispielsweise
zwischen den Zinken einer kammförmig strukturiert
ausgebildete Metallisierung 302 , oder als ein transparentes oder transluzentes elektrisch leitfähiges Material im Bereich der Indikatorstruktur 110 in der Metallisierung 302. In einem Ausführungsbeispiel kann die Indikatorstruktur 110 strukturiert ausgebildet werden derart , dass die
Indikatorstruktur 110 nur im Eindringpfad, insbesondere
Diffusionspfad, eines schädlichen Stoffs zwischen der
Barrierestruktur 104 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 ausgebildet ist . Alternativ oder zusätzlich kann die
Indikatorstruktur 110 strukturiert ausgebildet werden derart , dass die Indikatorstruktur 110 den elektrisch aktiven Bereich 106 vollständig lateral umgibt .
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein elektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines
elektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist , Abdeckung-DünnfiIm-Verkapselungen auf ihre
Hermetizität effizienter zu prüfen, beispielsweise kann die Hermetizität einer Schicht gegen Umwelteinflüsse ,
beispielsweise Feuchtigkeit , mittels einer Integration einer Indikatorschicht hinter der Schicht , schneller und somit wirtschaftlicher und gegebenenfalls technisch einfacher qualifiziert werden .

Claims

Patentansprüche
Elektronisches Bauelement (100) , aufweisend :
- einen elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) auf oder über einem Träger (102) ;
- eine Verkapselungsstruktur ( 128 ) auf oder über dem Träger ( 102 ) und dem elektrisch aktiven Bereich (106);
- wobei die Verkapselungsstruktur ( 128 ) ausgebildet ist , den elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) hermetisch
abzudichten bezüglich eines Eindringens , inbesondere einer Diffusion ( 112 ) , wenigstens eines Stoffs ,
vorzugsweise eines für den elektrisch aktiven Bereich (106) schädlichen Stoffs , vorzugsweise Wasser und/oder Sauerstoff ; von einer Oberfläche (108) der
Verkapse1ungsstruktur ( 128 ) durch die
Verkapselungsstruktur ( 128 ) in den elektrisch aktiven Bereich (106) , und
wobei die Verkapselungsstruktur ( 128 ) eine
Barrierestruktur ( 104 ) an der Oberfläche (108) , und eine Indikatorstruktur ( 110 ) zwischen der Barrierestruktur ( 104 ) und dem elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) aufweist ;
- wobei die Indikatorstruktur ( 110 ) eine höhere
Reaktivität bezüglich des wenigstens einen durch die Barrierestruktur ( 104 ) eindringenden, insbesondere eindiffundierenden, Stoffs aufweist als die
Barrierestruktur ( 104 ) derart , dass der eindringende , insbesondere eindiffundierende , Stoff unter Verwendung der Indikatorstruktur ( 110 ) mit Hilfe einer
Kettenreaktion oder des Farbwechsels eines pH-Indikators nachweisbar ist .
Elektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß Anspruch 1 , wobei das elektronische Bauelement (100) ausgebildet ist als oder aufweist :
- ein integrierter Schaltkreis , vorzugsweise als ein Chip oder eine Chi -Anordnung ;
- ein optoelektronisches Bauelement (100) , vorzugsweise eine Leuchtdiode , eine Solarzelle ; eine
Leuchtstoffröhre , eine Glühlampe , eine Leuchtröhre und/oder eine Halogenlampe ;
- ein organisches optoelektronisches Bauelement (100) , vorzugsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische
Leuchtdiode .
Elektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß Anspruch 1 oder 2 , wobei der elektrisch aktive Bereich (106) eine erste Elektrode (210) , eine zweite Elektrode (214 ) und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (212 ) zwischen der ersten Elektrode (210) und der zweiten Elektrode (214) aufweist , wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (212 ) zu einem Umwandeln eines
elektrischen Stromes in eine elektromagnetische
Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer
elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet sein .
Elektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 bis 3 , wobei die Indikatorstruktur ( 110 ) eine Epoxidverbindung aufweist .
Elektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß Anspruch 1 bis wobei die Indikatorstruktur ( 110 ) eine Verbindung aufweist , die durch radikalische, kationische oder anionische Polymerisation polymerisiert werden kann .
6. Elektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 bis 5 , wobei die Indikatorstruktur ( 110 ) einen pH- Indikator aufweist .
7. Elektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 bis 6, wobei die Verkapselungsstruktur ( 128 ) eine erste
BarriereSchicht (208) und wenigstens eine weitere
Barriereschicht ( 804 ) aufweist , wobei die
Indikatorstruktur ( 110 ) zwischen der ersten
BarriereSchicht (208) und der wenigstens einen weiteren BarriereSchicht (804) in der Verkapselungsstruktur ( 128 ) angeordnet ist , vorzugsweise gestapelt .
8. Elektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 bis 7 , wobei die Verkapselungsstruktur ( 128 ) eine Abdeckung
(226 ) und eine Verbindungsschient ( 224 ) aufweist , wobei die Abdeckung (226 ) mittels der VerbindungsSchicht ( 224 ) mit dem Träger ( 102 ) und/oder dem elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) verbunden ist , wobei die Indikatorstruktur
( 110 ) zwischen der Abdeckung (226 ) und der
VerbindungsSchicht ( 224 ) und/oder zwischen dem
elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) und der
VerbindungsSchicht (224 ) ausgebildet ist .
9. Elektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 bis 8 , ferner aufweisend :
ein Beobachtungsfenster (308) , wobei das
Beobachtungsfenster (308) als eine transparente oder transluzente Struktur ausgebildet ist , vorzugsweise als eine elektrisch leitfähige transparente oder
transluzente Struktur ; und wobei das Beobachtungsfenster (308) zwischen der
Indikatorstruktur ( 110 ) und dem Träger ( 102 ) oder zwischen der Indikatorstruktur ( 110 ) und der Abdeckung (226) angeordnet ist .
10. Elektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 bis 9, ferner aufweisend :
eine Metallisierung (302 ) , wobei die Indikatorstruktur ( 110 ) und/oder der elektrisch aktive Bereich ( 106 ) auf oder über der Metallisierung (302 ) ausgebildet sind/ist und die Metallisierung (302 ) mit dem elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) elektrisch leitend bezüglich eines
Betriebes des elektronischen Bauelementes (100)
verbunden ausgebildet ist .
11. Elektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß Anspruch 1 bis 10 , wobei die Indikatorstruktur ( 110 ) strukturiert
ausgebildet ist derart , dass die Indikatorstruktur (110) nur im Eindringpfad, insbesondere Diffusionspfad, des schädlichen Stoffs zwischen der Barrierestruktur ( 104 ) und dem elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) ausgebildet ist .
12. Elektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß Anspruch 1 bis 11 , wobei die Barrierestruktur ( 104 ) chemisch inert
bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet ist .
13. Elektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß Anspruch 1 bis 12 , wobei die Indikatorstruktur (110) derart ausgebildet ist , dass der Eindringstrom, insbesondere
Diffusionsström, mittels eines Änderns wenigstens einer optischen Eigenschaft der Indikatorstruktur ( 110 ) unter Verwendung der Indikatorstruktur nachweisbar ist , vorzugsweise mittels eines Farbumschlags , eines
Entfärbens ; einem Ändern der Transparenz , Transluzenz und/oder Opakheit , und/oder einem Ändern der Intensität einer emittierten elektromagnetischen Strahlung der Indikatorstruktur ( 110 ) und/oder der
Emissionslebensdauer .
14. Elektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß Anspruch 1 bis 13 , wobei die Indikatorstruktur (110) derart ausgebildet ist , dass die Kettenreaktion oder der Farbwechsel eines pH- Indikators durch einen Fremdstoff , insbesondere
Wasser oder Sauerstoff , ausgelöst wird, dem das Bauteil bei der Anwendung üblicherweise ausgesetzt ist .
15. Elektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 bis 13 , wobei die Indikatorstruktur (110) derart ausgebildet ist , dass die Kettenreaktion oder der Farbwechsel eines pH-Indikators durch einen Fremdstoff , insbesondere
Radikale , Lewis-Säuren oder Lewis-Basen, ausgelöst wird, dem das Bauteil bei der Anwendung üblicherweise nicht ausgesetzt ist .
16. Verfahren ( 900 ) zum Herstellen eines elektronischen
Bauelementes (100) , das Verfahren (900) aufweisend :
- ein Ausbilden ( 902 ) eines elektrisch aktiven Bereiches (106) auf oder über einem Träger ( 102 ) ;
- ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur ( 128 ) auf oder über dem Träger ( 102 ) und dem elektrisch aktiven Bereich (106) , wobei die Verkapselungsstruktur ( 128 ) derart ausgebildet wird, dass der elektrisch aktive Bereich (106) hermetisch abgedichtet ist bezüglich eines Eindringens , insbesondere einer Diffusion ( 112 ) ,
wenigstens eines Stoffs , vorzugsweise eines bezüglich des elektrisch aktiven Bereichs (106) schädlichen
Stoffs , vorzugsweise Wasser und/oder Sauerstoff ; von einer Oberfläche (108) der Verkapselungsstruktur ( 128 ) durch die Verkapselungsstruktur ( 128 ) in den elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) ,
- wobei das Ausbilden der Verkapselungsstruktur ( 128 ) aufweist :
- ein Ausbilden ( 904 ) einer Indikatorstruktur ( 110 ) auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) und/oder dem Träger (102) ; und
- ein Ausbilden ( 906 ) einer Barrierestruktur ( 104 ) auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich ( 106 ) , dem Träger ( 102 ) und/oder der Indikatorstruktur
(110) , wobei die Barrierestruktur ( 104 ) einen Teil der Oberfläche (108) der Verkapselungsstruktur ( 128 ) ausbildet ; und
- wobei die Indikatorstruktur ( 110 ) derart
ausgebildet wird, dass sie eine höhere Reaktivität bezüglich des wenigstens einen durch die
Barrierestruktur ( 104 ) eindringenden, insbesondere eindiffundierenden, Stoffs aufweist als die
Barrierestruktur ( 104 ) derart , dass der eindringende , insbesondere eindiffundierende , Stoff unter
Verwendung der Indikatorstruktur ( 110 ) mit Hilfe einer Kettenreaktion oder des Farbwechsels eines pH- Indikators nachweisbar wird .
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