WO2016147232A1 - グリッド及びその製造方法並びにイオンビーム処理装置 - Google Patents

グリッド及びその製造方法並びにイオンビーム処理装置 Download PDF

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保志 安松
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Definitions

  • the present invention relates to a grid plate, a manufacturing method thereof, and an ion beam processing apparatus.
  • An ion beam processing apparatus used for such processing may be provided with a thin plate (hereinafter referred to as a grid) having a plurality of holes for extracting ions from plasma.
  • a grid a thin plate having a plurality of holes for extracting ions from plasma.
  • processing is performed by irradiating the object to be processed with ions that have been formed into a beam by passing through holes in the grid from the plasma.
  • Patent Document 1 describes a particle beam etching apparatus including a grid.
  • a laminated film made of carbon and silicon or a mesh-like grid made of carbon fiber is used.
  • Patent Document 2 describes a grid using a carbon / carbon composite as a material.
  • the carbon / carbon composite of Patent Document 2 has a structure in which woven carbon fibers obtained by bundling a plurality of thread-like carbon fibers are embedded in a carbon matrix (base material) in which a plurality of holes are formed.
  • Examples of arrangement of woven carbon fibers include an example of arrangement along three axes whose directions are different by 60 ° (FIG. 7 of Patent Document 2), and an example of meandering so as to avoid holes (FIG. 8 of Patent Document 2).
  • An example of arranging in a grid pattern (FIG. 9 of Patent Document 2) is disclosed.
  • the grid described in Patent Document 1 is composed of a laminated film of carbon and silicon or carbon fiber, and has no base material. Therefore, the rigidity is low, and the strength may be insufficient when the grid is enlarged to increase the diameter of the ion beam source.
  • the grid described in Patent Document 2 uses carbon / carbon composite as a material, it has high rigidity, and there is no risk of insufficient strength when the grid is enlarged to increase the diameter of the ion beam source.
  • the grid described in Patent Document 2 has holes formed so as to avoid woven carbon fibers arranged in the carbon matrix. Therefore, it is difficult to position the hole during processing, and it is difficult to stably manufacture the hole.
  • Patent Document 2 if the hole is not formed so as to avoid the woven carbon fiber arranged in the carbon matrix, the hole must be formed in the carbon / carbon composite. In this case, the present inventors have found that the following problems may occur.
  • a woven carbon fiber regularly woven in the vertical and horizontal directions is referred to as “cross material”.
  • a carbon / carbon composite using a cloth material is manufactured by impregnating a cloth material containing a carbon such as a thermosetting resin into a cloth material and heating and carbonizing the material. Therefore, a carbon / carbon composite using a cloth material includes carbon fibers extending in two directions, ie, a vertical direction and a horizontal direction perpendicular to each other.
  • FIG. 4 and 5 are conceptual diagrams showing the positional relationship between carbon fibers and holes when holes are formed in a carbon / carbon composite using a cloth material.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram showing a positional relationship when the carbon fiber 401 is located at the center of the formation place of the hole 202.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram showing the positional relationship when the carbon fiber 401 is located near the end of the formation place of the hole 202.
  • the positional relationship of FIG. 4 and FIG. 5 may be obtained by forming a hole without particularly positioning the carbon fiber. .
  • the drill bit moves in the circumferential direction of the hole 202 (in the direction of arrow A or arrow A ′ in FIG. 4). That is, the movement direction of the drill bit is perpendicular to the fiber direction of the carbon fiber 401.
  • the carbon fibers 401 are cut relatively easily because the strength of the carbon fibers 401 in the direction perpendicular to the fiber direction is weaker than in other directions.
  • the drill bit moves in the circumferential direction of the hole 202 (in the direction of arrow B in FIG. 5). That is, the movement direction of the drill bit is parallel to the fiber direction of the carbon fiber 401. Since the strength of the carbon fiber 401 in the direction parallel to the fiber direction is stronger than in other directions, the carbon fiber 401 is not easily cut in this case.
  • carbon fibers 401 are knitted vertically and horizontally.
  • the direction of movement of the drill bit coincides with the direction parallel to the longitudinal or lateral fibers every 90 °. Therefore, in the processing of the carbon / carbon composite using the cloth material, the positional relationship as shown in FIG. 5 can occur with high frequency.
  • FIG. 6 is an enlarged top view of the grid 200 after the holes 202 are formed.
  • the carbon fiber 401 may remain without being cut during the penetration process.
  • a carbon fiber protrusion 601 may be formed on the wall surface of the hole.
  • the protruding carbon fiber may be bent along the wall surface of the hole 202 as in the protruding portion 602 of FIG. In such a state, it becomes difficult to remove the protruding carbon fibers.
  • the fiber direction of the carbon fiber 401 is oriented in the thickness direction of the carbon / carbon composite.
  • the carbon fiber 401 since the drill bit moves perpendicularly to the fiber direction during the penetration process, the carbon fiber 401 is relatively easily cut. Therefore, in this case, the carbon fiber hardly protrudes from the wall surface of the hole 202.
  • the carbon fiber fibers are not oriented in the horizontal direction, the effect of reinforcing the rigidity by using the carbon / carbon composite is weakened. Therefore, it is not preferable to set the fiber direction of the carbon fiber in the direction of the plate thickness direction.
  • carbon fiber protrusions 601 may be formed on the wall surface of the hole when the hole is processed. .
  • the present invention has been made in view of the above-described technical problems, and an object thereof is to provide a grid that is easy to process and in which carbon fiber protrusions are not easily formed on the wall surface of the hole during the processing of the hole. .
  • One aspect of the present invention is a plate-like grid having holes, and the grid is made of a carbon / carbon composite containing carbon fibers arranged in a random direction in the plane direction of the grid.
  • the holes of the grid are formed so as to cut the carbon fibers.
  • FIG. 1 is a structural diagram of an ion beam etching apparatus in which a grid according to an embodiment of the present invention is used. It is a structural diagram of a grid according to an embodiment of the present invention. It is a flowchart which shows the manufacturing method of the grid using a carbon / carbon composite. It is a conceptual diagram which shows the positional relationship when carbon fiber is located in the center of the formation location of a hole. It is a conceptual diagram which shows the positional relationship when carbon fiber is located in the edge part vicinity of the formation location of a hole. It is an upper surface enlarged view of the grid after forming a hole. It is a figure which shows the state which made the fiber direction of the carbon fiber the direction of the plate
  • the ion beam etching apparatus 100 includes a plasma generation chamber 102 for generating plasma and a processing chamber 101 for performing an etching process.
  • a bell jar (discharge vessel) 104, a gas introduction part 105, an antenna 106, and a Faraday shield 118 are installed as plasma forming means for forming plasma.
  • the bell jar 104 is a part of the outer wall of the chamber that defines the discharge space of the plasma generation chamber 102 and keeps the inside in a vacuum.
  • the gas introduction unit 105 is a part for introducing a process gas such as argon (Ar) necessary for generating plasma, and is connected to a cylinder (not shown) or the like.
  • the antenna 106 is a power application unit composed of conductive wiring or the like, and is used to generate plasma in the bell jar 104.
  • the Faraday shield 118 is a metal grid electrode installed on the inner wall surface of the bell jar 104, and has a function of making the high frequency electric field radiated from the antenna uniform.
  • a discharge power source 112 that supplies high-frequency power (source power) to the antenna 106, a matching unit 107 provided between the discharge power source 112 and the antenna 106, and an electromagnetic coil that generates a magnetic field inside the bell jar 104. 108 is provided.
  • the process gas introduced from the gas introduction unit 105 is ionized, and plasma is formed in the plasma generation chamber 102.
  • the processing chamber 101 exhausts the inside of the neutralizer 113 that neutralizes the ion beam, the substrate holder 110 that is a holding unit for holding the substrate 111 that is an object to be processed, the plasma generation chamber 102 and the processing chamber 101. And an exhaust pump 103 for maintaining a vacuum.
  • the substrate holder 110 includes various substrate fixing members such as a clamp chuck.
  • the substrate holder 110 may include a driving mechanism such as a self-revolving mechanism for irradiating an ion beam incident on the substrate at a predetermined position or angle.
  • a grid assembly 109 having holes through which ions are extracted is installed at the boundary between the plasma generation chamber 102 and the processing chamber 101.
  • the grid assembly 109 has one or more grids 200.
  • the plasma generated in the plasma generation chamber 102 passes through the holes of the grid 200 and is drawn out to the processing chamber 101 and irradiated onto the substrate 111.
  • a voltage is applied to the grid 200 by a voltage source (not shown) for ion acceleration or the like.
  • a process gas containing an inert gas such as argon (Ar) is introduced from the gas introduction unit 105 into the plasma generation chamber 102.
  • high frequency power is applied to the antenna 106 from the discharge power source 112 to ionize the process gas in the plasma generation chamber 102 to generate plasma containing ions.
  • Ions contained in the plasma formed in the plasma generation chamber 102 are accelerated by a voltage applied to the grid 200 when passing through holes provided in the grid assembly 109. In this way, an ion beam is drawn from the plasma generation chamber 102 to the processing chamber 101.
  • the ion beam is extracted to the processing chamber 101 and then neutralized by the neutralizer 113.
  • the neutralized beam is applied to the substrate 111, and the substrate surface is etched.
  • each grid 200 has a hole position when viewed from a direction perpendicular to the plane of the grid assembly 109. It is preferable to arrange so that it may overlap. By arranging in this way, the ion beam can be extracted vertically and uniformly with respect to the grid assembly 109.
  • an ion beam etching apparatus is exemplified as an apparatus to which the present invention is applied, but the present invention can also be applied to other apparatuses.
  • the present invention can be widely applied to ion beam processing apparatuses that generate accelerated particles by extracting ions from plasma, such as an ion implantation apparatus and an ion beam sputtering apparatus. Moreover, even if it is except an ion beam processing apparatus, you may apply to the use using a plate-shaped member which has a some hole and requires intensity
  • FIG. 2 is a structural diagram of a grid according to an embodiment of the present invention.
  • the grid 200 has a plurality of holes 202 formed on the grid plate 201.
  • the grid plate 201 is a disk-shaped member made of carbon / carbon composite.
  • the grid plate 201 has a circular shape, but may be appropriately changed according to the shape of the ion source to which the grid 200 is applied.
  • the hole 202 is a circular hole formed on the grid plate 201.
  • the shape of the hole 202 is not limited to a circle, but may be a shape other than a circle such as a polygon or an ellipse.
  • the grid assembly 109 is installed inside an ion beam processing apparatus or the like.
  • the grid assembly 109 may be installed horizontally or obliquely in the ion beam processing apparatus.
  • the grid 200 constituting the grid assembly 109 may bend by its own weight, and the gap between the holes 202 of each grid 200 may change.
  • the gap between the holes 202 of each grid 200 changes, it becomes difficult to extract the ion beam vertically and uniformly. In the present embodiment, such a problem is unlikely to occur because the carbon / carbon composite is strong and lightweight.
  • the carbon / carbon composite has a small linear expansion coefficient, the position shift of the hole 202 due to thermal expansion hardly occurs. Furthermore, since carbon / carbon composites are mainly made of carbon, contamination is less likely to be a problem when manufacturing electronic components using an ion beam processing apparatus. From the above viewpoint, it is preferable to use a carbon / carbon composite as the material of the grid plate 201.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing a grid using a carbon / carbon composite.
  • a grid plate 201 as a material of the grid 200 is prepared.
  • a carbon / carbon composite plate processed to have a predetermined thickness and a predetermined size according to the design of the ion beam etching apparatus 100 is used. Although details will be described later, the carbon / carbon composite used in this step has carbon fibers of a chop material.
  • a plurality of holes 202 are formed in the grid plate 201.
  • the performance of the ion beam etching apparatus 100 such as the etching rate and the straightness of the beam changes. Therefore, in the processing of the grid 200 for the ion beam processing apparatus, it is required that a large number of holes 202 can be stably formed with a predetermined pitch and dimensions.
  • a processing tool that performs cutting by a rotary motion such as a drill or an end mill.
  • a carbon / carbon composite is a composite material in which carbon fibers as a reinforcing material are arranged in a carbon matrix (base material) as a support material.
  • cloth materials and chop materials can be cited as examples of carbon fibers used in the production of carbon / carbon composites.
  • the cloth material is a woven fabric obtained by regularly knitting a bundle of charcoal fiber in the vertical and horizontal directions.
  • a carbon / carbon composite using a cloth material is manufactured by impregnating a cloth material containing a carbon such as a thermosetting resin into a cloth material and heating and carbonizing the material. Therefore, a carbon / carbon composite using a cloth material includes carbon fibers extending in two directions, ie, a vertical direction and a horizontal direction perpendicular to each other.
  • chopped material is a material shortened by chopping a filamentous carbon fiber to a predetermined length (cut into chopped shapes).
  • a carbon / carbon composite using a chop material is manufactured by impregnating a resin into a chop material processed into a mat shape and heat-treating it. At this time, the fibers of the chop material are not aligned in a specific direction, and are randomly or three-dimensionally random with respect to the two-dimensional direction (plane direction). Therefore, the carbon / carbon composite using the chop material includes carbon fibers that are randomly oriented in a plane direction or three-dimensionally.
  • random orientation refers to a disordered state in which the carbon fibers as a whole do not have a certain order such as a periodic structure or symmetry in the grid. For example, a region where carbon fibers are partially parallel is included, but the state in which the carbon fiber orientation is not in a certain order as a whole also includes carbon fibers in a “random orientation”. Shall be included.
  • a carbon / carbon composite using a chop material is used as a material of the grid 200 instead of the cloth material described above.
  • the reason why it is preferable to use the chopping material will be described in comparison with the case where the cloth material is used.
  • the carbon fiber may protrude from the hole after processing.
  • a grid 200 is applied to the ion beam etching apparatus 100, abnormal discharge starting from the carbon fiber protrusions 601 and 602 may occur during the operation of the ion beam etching apparatus 100.
  • FIG. 8A is a diagram showing the relationship between the holes formed in the carbon / carbon composite using the cloth material and the arrangement of the carbon fibers.
  • FIG. 8B is a diagram showing the relationship between the holes formed in the carbon / carbon composite using the chopping material and the arrangement of the carbon fibers.
  • the carbon fiber is depicted only on the lower side of the hole, but in reality, the carbon fiber is similarly disposed around the entire hole.
  • the orientations of the carbon fibers 401 are aligned in the vertical direction and the horizontal direction in the figure. Therefore, there is a portion on the circumference of the hole 202 that is difficult to cut the carbon fiber 401 such as the hole lower end 202a. Therefore, the first problem that the carbon fiber protrudes from the wall surface of the hole 202 may occur.
  • the orientations of the carbon fibers 401 are random and are not aligned in a specific direction. Therefore, a specific portion on the circumference of the hole 202 is not particularly difficult to cut. Therefore, by using the carbon / carbon composite using the chop material, the protrusion of the carbon fiber on the wall surface of the hole in the processing of the carbon / carbon composite using the cloth material is suppressed.
  • FIG. 9 is an enlarged view showing the fiber direction of the cloth material.
  • FIG. 10A is a conceptual diagram when a grid hole is formed using a cloth material
  • FIG. 10B is a conceptual diagram when a grid hole is formed using a chop material.
  • the orientations of the carbon fibers 401 are aligned in the vertical direction and the horizontal direction in the figure.
  • the cloth material has a structure in which a bundle 401a of carbon fibers in the vertical direction and a bundle 401b of carbon fibers in the horizontal direction are woven so as to have a constant interval W. Therefore, when the left hole 202b and the right hole 202c are formed in the grid plate 201 at an interval smaller than the interval W, the vertical carbon fiber bundle 401a between the left hole 202b and the right hole 202c as shown in FIG. The portion where the horizontal carbon fiber 401b is woven may be lost.
  • a part of the carbon fibers 401 may be detached and a step 402 may be generated.
  • a step 402 is generated in a part of the surface of the grid plate 201 between the left hole 202b and the right hole 202c, and the shape of the hole 202 is changed by the step 402. The problem may occur.
  • the horizontal carbon fiber bundle 401b of the first layer remains on the surface, and no step is generated.
  • the first layer of horizontal carbon fiber bundles 401b located between the center right side of the left hole 202b and the center left side of the right hole 202c in FIG. It is cut into 401c and 401d.
  • the first-layer horizontal carbon fiber bundles 401d cut and isolated by the left hole 202b and the right hole 202c are separated together. Thereby, a bundle 401a of carbon fibers in the vertical direction of the second layer appears on the surface.
  • a step 402 is generated between the right circumference of the left hole 202b and the left circumference of the right hole 202c. Due to the step 402, the right side of the center of the left hole 202b and the vicinity of the left side of the center of the right hole 202c are cut and change in shape, resulting in the second problem described above.
  • the shape of the grid hole 202 changes, the shape of the ion beam becomes distorted.
  • the ion beam shape is distorted, it affects the scattering angle of the ion beam, and processing accuracy (for example, an ion beam etching apparatus has an etching cross-sectional shape, and an ion beam film forming apparatus forms a film on a substrate) This causes a problem that the film thickness distribution) decreases.
  • an object to be processed flies and adheres to the grid from the substrate.
  • the grid using the cloth material of FIG. 8A there may be a third problem that the processed material attached to the grid peels off the grid and adheres to the substrate.
  • the grid using the chopping material of FIG. 8B is used in the ion beam processing apparatus, it is possible to solve the third problem that the object to be processed attached to the grid peels off the grid and adheres to the substrate. It is.
  • the uneven pattern formed on the surface of the grid has regularity.
  • the force for holding the deposit is weak. Therefore, when the grid using the cloth material of FIG. 8A is used in an ion beam processing apparatus, the object to be processed attached to the grid may peel from the grid and adhere to the substrate, which is a third problem. Cannot be resolved.
  • the uneven pattern formed on the surface of the grid has an irregular shape and the ends of the carbon fibers are partially exposed. strong. Therefore, when the grid using the cloth material of FIG. 8B is used in the ion beam processing apparatus, the object to be processed attached to the grid is held by the carbon fiber, so that the third problem can be solved.
  • FIG. 11A to FIG. 11D show first micrographs near the holes of the grid using the carbon / carbon composite.
  • FIG. 11A is a photomicrograph of a hole in a carbon / carbon composite using a cloth material.
  • FIG. 11B is an enlarged view of one of the holes illustrated in FIG. 11A. Referring particularly to FIG. 11B, it can be confirmed that there is a first problem that a plurality of fibrous protrusions are formed from the wall surface of the hole.
  • FIG. 11C is a photomicrograph of the vicinity of a grid hole to which a carbon / carbon composite using a chop material is applied.
  • FIG. 11D is an enlarged view of one of the holes illustrated in FIG. 11C. Referring specifically to FIG. 11D, it can be confirmed that there are no fibrous protrusions as seen in FIG. 11B. Therefore, it was confirmed that by applying a carbon / carbon composite using a chopping material as a grid plate material, the protrusion of carbon fibers on the wall surface of the hole is suppressed.
  • FIG. 12A is a photomicrograph of a hole in a carbon / carbon composite using a cloth material.
  • the carbon fibers of the first layer are cut by the formation of the holes at the center right side of the left hole and the center left side of the right hole, and the carbon fibers are collectively detached.
  • the carbon fiber of the 2nd layer has appeared on the surface (in the case of the micrograph of FIG. 12A, the part which looks white in the center part), and on the right circumference of the left hole and the right hole It can be confirmed that there is a second problem that a step occurs on the left circle.
  • FIG. 12B is a photomicrograph of the vicinity of a grid hole to which a carbon / carbon composite using a chop material is applied. Referring to FIG. 12B, the second problem described above does not occur, and the hole shape of the left hole and the right hole does not change (in the case of the micrograph of FIG. 12B, the portion that appears white in the center portion) Has not been confirmed).
  • a grid for an ion beam etching apparatus using a carbon / carbon composite having high rigidity can be manufactured by using a chopping material as a carbon fiber material. Since the carbon fibers are randomly arranged, it is not necessary to position the hole forming portion with respect to the position of the carbon fibers. Moreover, since the protrusion of the carbon fiber in the hole is suppressed, abnormal discharge that can be generated from the protrusion during the operation of the ion beam etching apparatus 100 is suppressed. Therefore, the process for removing the protruding carbon fibers can be reduced or eliminated. For these reasons, the grid can be manufactured easily and at low cost. Therefore, it is possible to provide a grid having high rigidity and easy processing.
  • the grid 200 of the present embodiment may be coated at least partially with a material different from carbon which is the main component of the carbon / carbon composite.
  • a material different from carbon which is the main component of the carbon / carbon composite.
  • a carbon coating such as metal, vapor-grown carbon, and glassy carbon, or an insulator can be used as the coating material.
  • the grid 200 of this embodiment can be used not only for the ion beam etching apparatus shown in FIG. 1 but also for an ion beam processing apparatus such as an ion beam film forming apparatus.
  • an ion beam processing apparatus such as an ion beam film forming apparatus.
  • a well-known ion beam film-forming apparatus is used.

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Abstract

 加工が容易で、孔の加工時に孔の壁面に炭素繊維の突出部が形成されにくいグリッドを提供する。  孔(202)を有する板状のグリッド(200)であって、前記グリッド(200)は、前記グリッド(200)の面方向にランダムな向きに配置された炭素繊維を含むカーボン/カーボンコンポジットを材料とするものであり、前記グリッド(200)の孔(202)は、前記炭素繊維を切断するように形成されている。

Description

グリッド及びその製造方法並びにイオンビーム処理装置
 本発明は、グリッド板及びその製造方法並びにイオンビーム処理装置に関する。
 電子部品等の製造工程において、エッチング、イオン注入等のイオンビームによる処理が広く行われている。このような処理に用いられるイオンビーム処理装置には、プラズマからイオンを引き出すための複数の孔を有する薄板(以下グリッドと呼ぶ)が設けられていることがある。このようなイオンビーム処理装置においては、プラズマからグリッドの孔を通過することによりビーム状となったイオンが被処理物に照射されることにより、処理が行われる。
 特許文献1には、グリッドを備える粒子ビームエッチング装置が記載されている。当該粒子ビームエッチング装置には、炭素とシリコンとからなる積層膜又は炭素繊維によって構成されたメッシュ状のグリッドが用いられている。
 特許文献2には、カーボン/カーボンコンポジットを材料として用いたグリッドが記載されている。特許文献2のカーボン/カーボンコンポジットは、複数の孔が形成された炭素マトリクス(母材)中に、糸状の炭素繊維を複数本束ねた織物状の炭素繊維が埋め込まれた構造となっている。織物状の炭素繊維の配置の例として、60°ずつ向きが異なる3軸に沿って配置させる例(特許文献2の図7)、孔を避けるように蛇行させる例(特許文献2の図8)、格子状に配置する例(特許文献2の図9)が開示されている。
特開平4-180621号公報 米国特許第5548953号明細書
 特許文献1に記載されているグリッドは、炭素とシリコンの積層膜又は炭素繊維によって構成されており、母材を有しない。そのため剛性が低く、イオンビームソースの大口径化のためにグリッドを大型化した際に強度が不足するおそれがある。
 特許文献2に記載のグリッドは、カーボン/カーボンコンポジットを材料として用いているので、剛性が高く、イオンビームソースの大口径化のためにグリッドを大型化した際に強度が不足するおそれはない。しかし、特許文献2に記載されているグリッドは、炭素マトリクス中に配置された織物状の炭素繊維を避けるように孔が形成されている。そのため、孔の加工時の位置決めが難しく、安定的な製造が難しい。
 一方、特許文献2と異なり、炭素マトリクス中に配置された織物状の炭素繊維を避けるように孔が形成されていない場合、カーボン/カーボンコンポジットに孔を形成しなければならない。この場合、以下に示すような問題が生じるおそれがあることを本願発明者らは発見した。
 なお、本明細書においては、縦横方向に規則的に編みこまれた織物状の炭素繊維を「クロス材」と呼ぶ。クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは、クロス材に熱硬化性樹脂等の炭素を含有するマトリクスの原料を含浸させ、加熱して炭化させることにより製造される。したがって、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは互いに垂直な縦方向と横方向の2方向に伸びる炭素繊維を含んでいる。
 図4及び図5はクロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットに孔を形成する際の炭素繊維と孔の位置関係を示す概念図である。図4は、炭素繊維401が孔202の形成箇所の中心に位置している場合の位置関係を示す概念図である。図5は、炭素繊維401が孔202の形成箇所の端部付近に位置している場合の位置関係を示す概念図である。上述のクロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットに対し、炭素繊維の配置に対して特に位置決めを行わずに孔を形成することによって、図4及び図5のいずれの位置関係となる場合があり得る。
 図4のケースにおいて、ドリルで貫通加工を行う場合、ドリルビットは孔202の円周方向(図4の矢印A又は矢印A´の方向)に運動する。すなわち、ドリルビットの運動方向は炭素繊維401の繊維方向に対して垂直となる。繊維方向に対し垂直な方向に対する炭素繊維401の強度は他の方向と比べて弱いので、この場合、炭素繊維401は比較的容易に切断される。
 図5のケースにおいて、ドリルビットは孔202の円周方向(図5の矢印Bの方向)に運動する。すなわち、ドリルビットの運動方向は炭素繊維401の繊維方向に対して平行となる。繊維方向に対し平行な方向に対する炭素繊維401の強度は他の方向と比べて強いので、この場合、炭素繊維401は切断されにくい。クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットでは、炭素繊維401が縦横に編み込まれている。クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットを回転運動するドリルビットによって円形に貫通加工した場合、ドリルビットの運動方向は90°ごとに縦方向又は横方向の繊維と平行な方向と一致する。よって、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットの加工において、図5に示すような位置関係は高頻度で生じ得る。
 図6は、孔202を形成した後のグリッド200の上面拡大図である。図5のケースでは貫通加工時に炭素繊維401が切断されずに残ってしまう場合がある。このような場合、図6に示されるように孔の壁面に炭素繊維の突出部601が形成される場合がある。さらに、炭素繊維が回転運動するドリルビットにより引っ張られる等の原因により、図6の突出部602のように、突出した炭素繊維が孔202の壁面に沿うように折れ曲がってしまうこともある。このような状態になると突出した炭素繊維を除去することが困難となる。
 なお、図7のように、炭素繊維401の繊維方向をカーボン/カーボンコンポジットの板厚方向の向きとなるようにすることも考えられる。この場合、貫通加工時にドリルビットは繊維方向に対して垂直に運動するので、炭素繊維401は比較的切断されやすい。よって、この場合は孔202の壁面からの炭素繊維の突出は起こりにくい。しかしながら、炭素繊維の繊維が水平方向を向いていないため、カーボン/カーボンコンポジットを用いることによる剛性強化の効果が弱まる。したがって、炭素繊維の繊維方向を板厚方向の向きとすることは好ましくない。
 そのため、剛性が高いカーボン/カーボンコンポジットを材料として用いたグリッドを製造しようとすると、図6に示すように、孔の加工時に、孔の壁面に炭素繊維の突出部601が形成される場合がある。
 本発明は、上述した技術的課題に鑑みて行われたものであり、加工が容易で、孔の加工時に孔の壁面に炭素繊維の突出部が形成されにくいグリッドを提供することを目的とする。
 本発明の一態様は、孔を有する板状のグリッドであって、前記グリッドは、前記グリッドの面方向にランダムな向きに配置された炭素繊維を含むカーボン/カーボンコンポジットを材料とするものであり、前記グリッドの孔は、前記炭素繊維を切断するように形成されていることを特徴とする。
 本発明によれば、加工が容易で、孔の加工時に、孔の壁面に炭素繊維の突出部が形成されにくいグリッドを提供することができる。
本発明の一実施形態に係るグリッドが用いられるイオンビームエッチング装置の構造図である。 本発明の一実施形態に係るグリッドの構造図である。 カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの製造方法を示すフローチャートである。 炭素繊維が孔の形成箇所の中心に位置している場合の位置関係を示す概念図である。 炭素繊維が孔の形成箇所の端部付近に位置している場合の位置関係を示す概念図である。 孔を形成した後のグリッドの上面拡大図である。 炭素繊維の繊維方向をカーボン/カーボンコンポジットの板厚方向の向きとした状態を示す図である。 クロス材とチョップ材の繊維方向の違いを示す図である。 クロス材とチョップ材の繊維方向の違いを示す図である。 クロス材の繊維方向を示す拡大図である。 クロス材とチョップ材を用いて、グリッドの孔を形成した場合の概念図である。 クロス材とチョップ材を用いて、グリッドの孔を形成した場合の概念図である。 カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの孔付近の第1の顕微鏡写真である。 カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの孔付近の第1の顕微鏡写真である。 カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの孔付近の第1の顕微鏡写真である。 カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの孔付近の第1の顕微鏡写真である。 カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの孔付近の第2の顕微鏡写真である。 カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの孔付近の第2の顕微鏡写真である。
 以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
(実施形態)
 イオンビーム処理装置の一例として、本発明の一実施形態に係るグリッドが用いられるイオンビームエッチング装置の構造図を図1に示す。イオンビームエッチング装置100は、プラズマを発生させるためのプラズマ発生室102とエッチング処理が行われる処理室101とを備える。プラズマ発生室102には、プラズマを形成するためのプラズマ形成手段として、ベルジャ(放電容器)104、ガス導入部105、アンテナ106及びファラデーシールド118が設置されている。ベルジャ104は、プラズマ発生室102の放電空間を画成するとともに内部を真空に保つチャンバ外壁の一部である。ガス導入部105はプラズマの発生に必要なアルゴン(Ar)などのプロセスガスを導入する部分であり、不図示のボンベ等に接続される。アンテナ106は、導電性配線等により構成される電力印加手段であり、ベルジャ104内にプラズマを発生させるために用いられる。ファラデーシールド118は、ベルジャ104の内壁面に設置される金属製の格子状電極であり、アンテナから放射される高周波電場を均一化させる機能を有する。
 ベルジャ104の外部にはアンテナ106に高周波電力(ソース電力)を供給する放電用電源112、放電用電源112とアンテナ106の間に設けられた整合器107及びベルジャ104内部に磁界を発生させる電磁コイル108が備えられている。放電用電源112から整合器107を介してアンテナ106に高周波電力が供給されることにより、ガス導入部105から導入されるプロセスガスが電離し、プラズマ発生室102の内部にプラズマが形成される。
 処理室101はイオンビームを中和するニュートラライザー113と、処理の対象物である基板111を保持するための保持部である基板ホルダ110と、プラズマ発生室102と処理室101の内部を排気して真空に保つための排気ポンプ103とを備える。基板ホルダ110は、クランプチャック等の種々の基板固定部材を備える。また、基板ホルダ110は基板に入射されるイオンビームを所定の位置又は角度で照射させるための自公転機構等の駆動機構を備えていてもよい。
 プラズマ発生室102と処理室101とを区分する境界にはイオンを引き出す孔を有するグリッドアセンブリ109が設置されている。グリッドアセンブリ109は1つ又は複数のグリッド200を有する。プラズマ発生室102で発生したプラズマはグリッド200の孔を通過して処理室101に引き出され、基板111に照射される。グリッド200にはイオンの加速等のために不図示の電圧源により電圧が印加される。
 イオンビームエッチング装置100を用いたイオンビーム照射の動作を説明する。まず、ガス導入部105からプラズマ発生室102内にアルゴン(Ar)等の不活性ガスを含むプロセスガスを導入する。次に、アンテナ106に放電用電源112から高周波電力を印加することによりプラズマ発生室102内のプロセスガスをイオン化し、イオンを含むプラズマを発生させる。プラズマ発生室102に形成されたプラズマに含まれるイオンは、グリッドアセンブリ109に設けられた孔を通過する際に、グリッド200に与えられた電圧により加速される。このようにして、プラズマ発生室102から処理室101にイオンビームが引き出される。該イオンビームは処理室101に引き出された後、ニュートラライザー113により中和される。中和されたビームは基板111に照射され、基板表面のエッチング処理が行われる。
 図1に示すように、グリッドアセンブリ109が複数のグリッド200を重ねあわせた構造となっている場合、それぞれのグリッド200は、グリッドアセンブリ109の面に対して垂直な方向からみて、孔の位置が重なるように配置されていることが好ましい。このように配置することにより、イオンビームをグリッドアセンブリ109に対して垂直、かつ均一に引き出すことができる。
 なお、本実施形態では、本発明が適用される装置としてイオンビームエッチング装置を例示しているが、本発明はこれ以外の装置にも適用可能である。本発明は、例えば、イオン注入装置、イオンビームスパッタ装置など、プラズマからイオンを引き出すことにより加速粒子を生成するイオンビーム処理装置に広く適用することができる。また、イオンビーム処理装置以外であっても、複数の孔を有し、かつ強度を要する板状の部材を用いる用途に適用してもよい。
 図2は、本発明の一実施形態に係るグリッドの構造図である。グリッド200は、グリッド板201上に形成された複数の孔202を有する。グリッド板201は、カーボン/カーボンコンポジットを材料とする円盤状の部材である。本実施形態ではグリッド板201の形状を円形としているが、グリッド200が適用されるイオンソースの形状にあわせて適宜変更可能である。孔202は、グリッド板201上に形成された円形の孔である。なお、孔202の形状は円形に限られず、多角形や楕円形等の円形以外の形状であってもよい。
 上述のように、グリッドアセンブリ109はイオンビーム処理装置等の内部に設置される。近年、半導体基板の大口径化に伴い、イオンビーム処理装置も大型化しており、グリッドアセンブリ109にも大型化が求められている。グリッドアセンブリ109はイオンビーム処理装置内に水平、又は斜めに設置されることがある。この場合、グリッドアセンブリ109を構成するグリッド200が自重でたわみ、それぞれのグリッド200の孔202同士のギャップが変化してしまうことがある。それぞれのグリッド200の孔202同士のギャップが変化する場合、イオンビームを垂直、かつ均一に引き出しにくくなる。本実施形態では強度が強く、軽量なカーボン/カーボンコンポジットを用いているためこのような問題が起こりにくい。また、カーボン/カーボンコンポジットは線膨張係数が小さいので、熱膨張に起因する孔202の位置ずれも起こりにくい。さらに、カーボン/カーボンコンポジットは主に炭素を原料としているので、イオンビーム処理装置を用いて電子部品等を製造する際にコンタミネーションが問題となりにくい。以上の観点により、グリッド板201の材料として、カーボン/カーボンコンポジットを用いることが好適である。
 図3は、カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの製造方法を示すフローチャートである。ステップS301において、グリッド200の材料となるグリッド板201を準備する。グリッド板201にはイオンビームエッチング装置100の設計に応じて所定の厚さ、所定の大きさに加工されたカーボン/カーボンコンポジットの板が用いられる。詳細は後述するが、本ステップで用いられるカーボン/カーボンコンポジットは、チョップ材の炭素繊維を有する。
 ステップS302において、グリッド板201に複数の孔202を形成する。孔202の配置、孔の大きさ等により、イオンビームエッチング装置100のエッチングレートやビームの直進性等の性能が変化する。そのため、イオンビーム処理装置用のグリッド200の加工において、多数の孔202を所定のピッチ、寸法で安定して形成できることが要求される。このような要求事項に鑑みて、安定的かつ安価に孔を形成するため、ドリルやエンドミル等の回転運動によって切削加工を行う加工工具を備えた装置を用いて孔を形成することが好適である。以下、ドリルを用いて孔202を形成するものとして説明する。
 次にグリッド板201の材料として用いられるカーボン/カーボンコンポジットについて説明する。カーボン/カーボンコンポジットは、強化材である炭素繊維を支持材である炭素マトリクス(母材)中に配置した複合材料である。複数の材料を複合させることにより、剛性等の機械的強度を向上させることができる。特に、炭素繊維の繊維方向の強度がより向上する。
 上記の通り、カーボン/カーボンコンポジットの製造に用いられる炭素繊維の一例として、クロス材とチョップ材とが挙げられる。クロス材は炭層繊維の束を縦横方向に規則的に編んで織物状としたものである。クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは、クロス材に熱硬化性樹脂等の炭素を含有するマトリクスの原料を含浸させ、加熱して炭化させることにより製造される。したがって、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは互いに垂直な縦方向と横方向との2方向に伸びる炭素繊維を含んでいる。
 これに対し、チョップ材(チョップド炭素繊維とも呼ばれる)は、糸状の炭素繊維を所定の長さにチョップする(みじん切り状に切断する)ことにより、短繊維化した材料である。チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは、マット状に加工したチョップ材に樹脂を含浸させ、熱処理することによって製造される。このとき、チョップ材の繊維は特定の向きに揃っておらず、2次元方向(面方向)に対してランダム、又は3次元的にランダムな向きとなっている。したがって、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは面方向又は3次元的にランダムな向きの炭素繊維を含んでいる。ここで、「ランダムな向き」とは、グリッド内において、炭素繊維が全体として周期構造や対称性等の一定の秩序を有しない乱雑な状態であることを指す。例えば、部分的に炭素繊維が平行になっている領域が含まれているが、全体としては炭素繊維の向きに一定の秩序がないという状態も「ランダムな向き」の炭素繊維を含んでいる状態に含まれるものとする。
 本実施形態においては、上述したクロス材ではなく、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットをグリッド200の材料として用いる。以下、チョップ材を用いることが好適である理由を、クロス材を用いた場合と比較しながら説明する。
 上述したように、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットをイオンビームエッチング装置100用のグリッド200の材料として用いる場合、加工後に孔から炭素繊維が突出してしまうことがある。このようなグリッド200をイオンビームエッチング装置100に適用する場合、イオンビームエッチング装置100の動作時に、炭素繊維の突出部601、602を起点とした異常放電が発生し得る。この問題を解決するには、グリッド200の加工後に孔から突出した炭素繊維を除去することが考えられる。例えば、ドリルによる再加工、エージング処理による除去等が想定され得る。しかしながら、このような除去処理は高コストである。したがって、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットをイオンビームエッチング装置100用のグリッド200の材料として用いることは困難である。
 図8Aは、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットに形成される孔と炭素繊維の配置の関係を示す図である。図8Bは、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットに形成される孔と炭素繊維の配置の関係を示す図である。これらの図では省略のため孔の下側のみに炭素繊維が存在しているように描かれているが、実際には孔の周囲全体に同様に炭素繊維が配置されている。図8Aに示されるような、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは、炭素繊維401の向きが図中の垂直方向及び水平方向に揃っている。よって、孔202の円周上に孔下端202aのような炭素繊維401が切断されにくい箇所が存在する。そのため、孔202の壁面から炭素繊維が突出する第1の問題点が発生し得る。
 一方、図8Bに示されるように、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは、炭素繊維401の向きがランダムであり、特定の方向に揃っていない。そのため、孔202の円周上の特定の箇所が特に切断しにくいということもない。したがって、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットを用いることにより、上述のクロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットの加工における孔の壁面における炭素繊維の突出が抑制される。
 次に、図8Aのクロス材を用いて、孔を形成したグリッドをイオンビーム処理装置に用いた場合の第2の問題点を、図9及び図10A、図10Bを用いて説明する。図9は、クロス材の繊維方向を示す拡大図である。図10Aは、クロス材を用いて、グリッドの孔を形成した場合の概念図、図10Bは、チョップ材を用いて、グリッドの孔を形成した場合の概念図を示す。
 図8Aに示すような、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは、炭素繊維401の向きが図中の垂直方向と水平方向に揃っている。図9に示すように、クロス材は、垂直方向の炭素繊維の束401aと水平方向の炭素繊維の束401bとが、一定の間隔Wとなるように織られた構造となっている。そのため、間隔Wより小さな間隔でグリッド板201に左孔202b及び右孔202cを形成した場合、図9のように左孔202bと右孔202cとの間に、垂直方向の炭素繊維の束401aと水平方向の炭素繊維の401bとが織られた部分が無くなることがある。このような箇所では、孔202を加工した際、炭素繊維401の一部がまとまって脱離し、段差402が発生する場合がある。この場合、図10Aに示すように、左孔202bと右孔202cとの間のグリッド板201の表面の一部に段差402が発生して、この段差402により孔202の形状が変わるという第2の問題点が発生する可能性がある。
 この第2の問題点について説明する。図10Aの左孔202bの中央右側及び右孔202cの中央左側以外の外周部においては、第1層の水平方向の炭素繊維の束401bが表面に残存しており、段差は発生しない。これに対し、例えば、図10Aの左孔202bの中央右側及び右孔202cの中央左側の間付近に位置する第1層の水平方向の炭素繊維の束401bは、孔の形成によって炭素繊維の束401cと401dとに切断される。左孔202b及び右孔202cにより切断され孤立した第1層の水平方向の炭素繊維の束401dは、まとまって脱離する。これにより、第2層の垂直方向の炭素繊維の束401aが表面に現れる。このようにして、左孔202bの右円周上と右孔202cの左円周上との間に段差402が発生する。この段差402により、左孔202bの中央右側及び右孔202cの中央左側付近が欠けて形状が変わるため、上記の第2の問題点が生じる。
 イオンビーム処理装置において、グリッドの孔202の形状が変化する場合、イオンビームの形状がいびつになる。イオンビームの形状がいびつになることにより、イオンビームの飛散角に影響を及ぼし、加工精度(例えば、イオンビームエッチング装置ではエッチング断面形状、イオンビーム成膜装置では基板に成膜される成膜物質の膜厚分布)が低下するという問題が発生する。
 これに対し、図8Bに示すように、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットは、炭素繊維401の向きがランダムであり、特定の方向に揃っていない。そのため、図10Bに示すように、孔202を加工した際、一部の炭素繊維401がまとまって脱離することが生じにくい。これにより、孔202の円周上が一部欠けて、孔202の形状が変わるという問題が生じにくくなる。
 次に、図8Aのクロス材を用いて、孔を形成したグリッドをイオンビーム処理装置に用いた場合の第3の問題点について説明する。
 イオンビーム処理装置を用いてイオンビーム処理を行う際に、基板からグリッドに被処理物が飛来して付着する。図8Aのクロス材を用いたグリッドの場合、グリッドに付着した処理物が、グリッドから剥離して基板に付着するという第3の問題点が生じることがある。一方、図8Bのチョップ材を用いたグリッドをイオンビーム処理装置に用いた場合、グリッドに付着した被処理物がグリッドから剥離して基板に付着するという第3の問題点を解決することが可能である。
 図8Bのチョップ材を用いたグリッドをイオンビーム処理装置に使用した場合、グリッドに付着した被処理物が、グリッドから剥離しない理由について、技術的考察に基づいて説明する。
 図8Aのクロス材を用いたグリッドの場合、炭素繊維401の向きが図中の垂直方向と水平方向に揃っているので、グリッドの表面に形成される凹凸のパターンが規則性を有しており、かつ表面が平滑なため、付着物を保持する力が弱い。そのため、図8Aのクロス材を用いたグリッドをイオンビーム処理装置に用いた場合、グリッドに付着した被処理物が、グリッドから剥離して基板に付着してしまうことがあり、第3の問題点を解決することはできない。
 一方、図8Bのチョップ材の場合、グリッドの表面に形成される凹凸のパターンが不規則な形状を有し、かつ炭素繊維の末端が一部露出しているため、付着物を保持する力が強い。そのため、図8Bのクロス材を用いたグリッドをイオンビーム処理装置に用いた場合、グリッドに付着した被処理物は炭素繊維に保持されるので、第3の問題点を解決することができる。
(試作例1)
 図11Aから図11Dに、カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの孔付近の第1の顕微鏡写真を示す。図11Aは、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットの孔の顕微鏡写真である。図11Bは、図11Aに図示された孔の1つを拡大したものである。特に図11Bを参照すると、孔の壁面から複数の繊維状の突起が形成されているという第1の問題点があることが確認できる。
 これに対し、図11Cは、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットを適用したグリッドの孔付近の顕微鏡写真である。図11Dは、図11Cに図示された孔の1つを拡大したものである。特に図11Dを参照すると、図11Bにみられるような繊維状の突起がないことが確認できる。したがって、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットをグリッド板の材料として適用することにより、孔の壁面における炭素繊維の突出が抑制されることが確認された。
(試作例2)
 図12A及び図12Bに、カーボン/カーボンコンポジットを用いたグリッドの孔付近の第2の顕微鏡写真を示す。図12Aは、クロス材を用いたカーボン/カーボンコンポジットの孔の顕微鏡写真である。図12Aを参照すると、左側の孔の中央右側と右側の孔の中央左側において、第1層の炭素繊維が、孔の形成によって切断され、炭素繊維がまとまって脱離している。これにより、当該箇所では、第2層の炭素繊維が表面(図12Aの顕微鏡写真の場合は、中央部の白く見える部分)に現れており、左側の孔の右円周上と右側の孔の左円周上に段差が発生するというという第2の問題点があることが確認できる。
 これに対し、図12Bは、チョップ材を用いたカーボン/カーボンコンポジットを適用したグリッドの孔付近の顕微鏡写真である。図12Bを参照すると、上述の第2の問題点は生じておらず、左側の孔と右側の孔の孔形状が変わることがないこと(図12Bの顕微鏡写真の場合、中央部に白く見える部分が発生しない)が確認された。
 上記実施形態及び試作例によれば、炭素繊維の材料としてチョップ材を採用することにより、剛性が高いカーボン/カーボンコンポジットを用いたイオンビームエッチング装置用のグリッドを作製することができる。炭素繊維はランダムに配置されているので、炭素繊維の位置に対する孔の形成部の位置決めは行わなくてもよい。また、孔における炭素繊維の突出が抑制されているので、イオンビームエッチング装置100の動作時に、突出部から発生し得る異常放電が抑制される。よって、突出した炭素繊維を除去する工程を少なくすること、あるいは無くすことができる。これらの理由によりグリッドの製造が容易かつ低コストとなる。したがって、剛性が高く、加工が容易なグリッドを提供することができる。
(変形例)
 本実施形態のグリッド200には、少なくとも一部にカーボン/カーボンコンポジットの主成分である炭素とは異なる材料による被覆が施されていてもよい。例えば金属や気相成長炭素、ガラス状炭素等の炭素コート、または絶縁体を被覆材として用いることができる。孔202の形成後に被覆を行うことにより、炭素繊維の突出をより確実に抑制することができる。
 本実施形態のグリッド200は、図1に示すイオンビームエッチング装置だけでなく、イオンビーム成膜装置等のイオンビーム処理装置に用いることができる。なお、本実施形態のグリッド200をイオンビーム成膜装置に使用する場合には、公知のイオンビーム成膜装置を使用する。

 

Claims (5)

  1.  孔を有する板状のグリッドであって、
     前記グリッドは、前記グリッドの面方向にランダムな向きに配置された炭素繊維を含むカーボン/カーボンコンポジットを材料とするものであり、
     前記グリッドの孔は、前記炭素繊維を切断するように形成されていることを特徴とするグリッド。
  2.  前記カーボン/カーボンコンポジットに含まれる炭素繊維はチョップド炭素繊維であることを特徴とする請求項1に記載のグリッド。
  3.  前記グリッドは、カーボン/カーボンコンポジットとは異なる材料により、カーボン/カーボンコンポジットの少なくとも一部が被覆されていることを特徴とする請求項1に記載のグリッド。
  4.  プラズマ発生手段と、
     処理室と、
     前記プラズマ発生手段で発生されたプラズマから前記処理室にイオンを引き出すための、請求項1に記載のグリッドを含むグリッドアセンブリと
     を備えることを特徴とするイオンビーム処理装置。
  5.  面方向にランダムな向きに配置された炭素繊維を含む、板状のカーボン/カーボンコンポジットを準備する工程と、
     回転運動による切削加工を行う加工工具を用いて、前記炭素繊維を切断するように前記カーボン/カーボンコンポジットに孔を形成する工程と
     を備えることを特徴とするグリッドの製造方法。

     
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9721747B2 (en) 2015-03-16 2017-08-01 Canon Anelva Corporation Grid, method of manufacturing the same, and ion beam processing apparatus
CN115241032A (zh) * 2021-04-23 2022-10-25 日新离子机器株式会社 离子源

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6810391B2 (ja) * 2018-05-18 2021-01-06 日新イオン機器株式会社 イオン源
KR102125063B1 (ko) * 2019-02-22 2020-06-19 박흥균 빔 조절 기능을 갖는 반도체 공정 시스템용 그리드 장치 및, 이를 이용한 반도체 박막 공정 방법
US20230031722A1 (en) * 2021-07-23 2023-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Voltage Control for Etching Systems

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5548953A (en) * 1993-02-26 1996-08-27 The Boeing Company Carbon-carbon grid elements for ion thruster ion optics

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910016054A (ko) 1990-02-23 1991-09-30 미다 가쓰시게 마이크로 전자 장치용 표면 처리 장치 및 그 방법
US5448883A (en) * 1993-02-26 1995-09-12 The Boeing Company Ion thruster with ion optics having carbon-carbon composite elements
US5465023A (en) * 1993-07-01 1995-11-07 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Carbon-carbon grid for ion engines
US6885010B1 (en) * 2003-11-12 2005-04-26 Thermo Electron Corporation Carbon nanotube electron ionization sources
US7834530B2 (en) * 2004-05-27 2010-11-16 California Institute Of Technology Carbon nanotube high-current-density field emitters
US7129513B2 (en) * 2004-06-02 2006-10-31 Xintek, Inc. Field emission ion source based on nanostructure-containing material
US7034290B2 (en) * 2004-09-24 2006-04-25 Agilent Technologies, Inc. Target support with pattern recognition sites
US7075067B2 (en) * 2004-10-15 2006-07-11 Agilent Technologies, Inc. Ionization chambers for mass spectrometry
JP4434963B2 (ja) * 2005-01-06 2010-03-17 パイオニア株式会社 磁気記録装置用磁気ヘッド
US7507972B2 (en) * 2005-10-10 2009-03-24 Owlstone Nanotech, Inc. Compact ionization source
US7750297B1 (en) * 2007-03-09 2010-07-06 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Carbon nanotube collimator fabrication and application
CN101276724B (zh) * 2007-03-30 2011-06-22 北京富纳特创新科技有限公司 透射电镜微栅及其制备方法
US8294098B2 (en) * 2007-03-30 2012-10-23 Tsinghua University Transmission electron microscope micro-grid
CN101848564B (zh) * 2009-03-27 2012-06-20 清华大学 加热器件
CN101998706B (zh) * 2009-08-14 2015-07-01 清华大学 碳纳米管织物及应用该碳纳米管织物的发热体
JP2013115012A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Ulvac Japan Ltd 荷電粒子引出照射機構
WO2013099372A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 キヤノンアネルバ株式会社 放電容器及びプラズマ処理装置
US9230772B2 (en) * 2011-12-28 2016-01-05 Schlumberger Technology Corporation Device and method for ion generation
SG11201610529QA (en) 2015-03-16 2017-01-27 Canon Anelva Corp Grid, method of manufacturing the same, and ion beam processing apparatus
JP6184441B2 (ja) * 2015-06-01 2017-08-23 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5548953A (en) * 1993-02-26 1996-08-27 The Boeing Company Carbon-carbon grid elements for ion thruster ion optics

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9721747B2 (en) 2015-03-16 2017-08-01 Canon Anelva Corporation Grid, method of manufacturing the same, and ion beam processing apparatus
CN115241032A (zh) * 2021-04-23 2022-10-25 日新离子机器株式会社 离子源
JP2022167278A (ja) * 2021-04-23 2022-11-04 日新イオン機器株式会社 イオン源
JP7543970B2 (ja) 2021-04-23 2024-09-03 日新イオン機器株式会社 イオン源

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