WO2016133168A1 - 電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法及び装置並びに同分布検査診断方法及び装置 - Google Patents

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    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires

Definitions

  • the IGBT market can be broadly divided into three fields: industrial equipment, in-vehicle equipment, and consumer equipment.
  • the major products for industrial equipment are motor control inverter applications for trains, industrial robots, and machine tools.
  • motor control inverter applications for trains, industrial robots, and machine tools.
  • in-vehicle devices there are many applications for hybrid motor drive motors and car / air conditioner control inverters.
  • Consumer products are mainly used for camera strobes and air conditioner inverters.
  • the market is expanding due to IGBT demand in hybrid vehicles and electric vehicles.
  • Non-Patent Document 1 points out problems such as a bonding wire bonding failure occurring due to repeated switching current on / off, and a contact resistance of the bonding portion increasing.
  • a material testing machine configured to perform a material test by applying a load (external force) to a test piece includes a plurality of detection magnetic detection means for detecting magnetic data of the test piece during the material test.
  • the eighth configuration of the present invention is a bonding wire current magnetic field distribution detection of a power semiconductor device in which each of a plurality of power semiconductor devices and a substrate are joined by a plurality of bonding wires.
  • a plurality of current sensors that detect a magnetic field generated by a current flowing through the plurality of bonding wires and output a current corresponding to the magnetic field as a current of each bonding wire, each current sensor having one
  • a current magnetic field measurement comprising at least two sensor elements at different positions on a substrate, wherein the current sensor measures a current magnetic field at a measurement target position and at least one deviation position away from the measurement target position by the current sensor.
  • Differential for calculating the difference between the magnetic field measured by the means, the measurement target position and the displacement position No. is a bonding wire current magnetic field distribution detection apparatus for a semiconductor device for electric power, characterized in that an arithmetic unit.
  • each current sensor including a time axis of a waveform is compared with a current magnetic field distribution pattern that is a previously collected reference and a current magnetic field distribution pattern that is newly collected.
  • a sample difference integrated signal obtained by integrating the current magnetic field signal waveform difference on the time axis is plotted on the space axis of the current sensor array, and the occurrence of spatial bias is evaluated and detected as an abnormal feature, and abnormality determination is performed.
  • the test pulse output from the test signal generating means 31 is input to the trigger signal detecting means 39, and the numerical measurement control means 38 is given a recording start timing.
  • the numerical measurement control means 38 outputs a sampling start signal to the A / D conversion means 37 and starts sampling.
  • the activated A / D conversion means 37 samples the output detected by the current sensor 10 and amplified by the signal amplification means 36, converts it into digital signal information, and starts saving in the signal information primary storage means 40. To do.
  • the A / D conversion means 37 outputs a sampling end notification to the numerical measurement control means 38, and the measurement by the current sensor 10 at the first position and the signal information primary storage means 40 are sent. Finish saving.
  • the noise is removed by moving the current sensor 10 to the first position and the second position and measuring the current magnetic field at each position, and the bonding wire 7 (8).
  • the third embodiment as shown in FIG. 4E, two coils 12, 13 having different positions on the Z-axis are formed on the same substrate 11.
  • the formed current sensor 10A the current magnetic fields at the first position and the second position are detected simultaneously without moving the position of the coil.
  • the test current terminal magnetic field 4TC generated by the test current 351 is a sum of current magnetic field values of the bonding wire current magnetic fields BWC1 to BWC8 generated by the bonding wires (depending on the number of power semiconductor devices packaged in the case of the IGBT module).
  • the sum of the current magnetic field values becomes larger than that) and affects the coils C1 to C16 of the sensor array module 320 as noise.
  • these environmental magnetic field noises can be understood as wide-range noise components that spread over a wide range inside the inspection apparatus.
  • the position is affected by the bonding wire current magnetic fields BWC1 to BWC8 and the test current terminal magnetic field 4TC. Is also affected at the same time.
  • a ref A i
  • the amplitude correction value A j is calculated so as to be (in the embodiment, about 0.7 to 1.3).
  • Decay time constant correction value B j is given by the difference between the constant B i time constant B ref and waveform data V i at the reference output waveform V ref as shown in FIG. 12 (c).
  • B i B ref
  • B ie 0V
  • the bonding failure of the bonding wires B1 to B8 is influenced by the mechanical alignment relative variation, and the signals of the amplifier circuits A1 to A16 constituting the current sensors CS1 to CS16 of the sensor array module 320 of FIG.
  • Various disturbance noises surrounding the measurement environment such as the influence of thermal noise of an LSI circuit that degrades the noise ratio (hereinafter referred to as S / N ratio) or the influence of the test current terminal magnetic field 4TC generated from the test current terminal 350 described in FIG.
  • S / N ratio the influence of the test current terminal magnetic field 4TC generated from the test current terminal 350 described in FIG.
  • the current sensor-specific deviation value T Sj represented by the equation (7) has 16 channels of CS1 to CS16, so that there are 16 independent determination threshold values 1 in this embodiment. Then, there are ⁇ values of different standard deviation values for each current sensor.
  • the determination threshold value 2 has an optimum determination threshold value 2 for each current sensor (in this embodiment, 2 ⁇ , which is a different standard deviation value for each current sensor).
  • the threshold value 2 (for example, 2 ⁇ ) of the second determination criterion 501 for actual defective product determination there may be a tendency value peculiar to the manufacturing process, which is optimal in consideration of the yield of the actual manufacturing line. It is necessary to set a correct value.
  • Step S160 Each of the determination threshold values 1 (1 ⁇ ) and the determination threshold values 2 (2) for the second determination criterion 501 set for each current sensor by using the difference value D Sj for each current sensor output represented by the equation (8). 2 ⁇ ) is used to evaluate the standard deviation value of each current sensor channel.
  • the difference value D Sj is already created for each current sensor in step S110.
  • Step S170 If it is completely within the permissible range (within 1 ⁇ ), the process proceeds to step S150 described above, and “normal” is determined.

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Abstract

　電力用半導体デバイスの複数本のボンディングワイヤに流れる電流の分布を、既存の電力用半導体デバイス試験装置の電力用半導体デバイス・パルス・スイッチング試験に特に影響を及ぼす、試験電気回路系の配線長や電極配置変更等に大きく手を加えることなく、低コスト、非接触、高精度で高速にボンディングワイヤ障害を検出する。　複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤ７，８で接合した電力用半導体デバイス１のボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置において、複数のボンディングワイヤ７，８に流れる電流をそれぞれ検出する複数の電流センサ１０と、電流センサ１０により、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置で電流を測定する手段と、計測目標位置と偏位位置とで測定した電流の差分を演算する手段とを備えた。

Description

電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法及び装置並びに同分布検査診断方法及び装置
　本発明は、電力用半導体デバイス、特にＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)と呼ばれる、１ｋＷ以上の電気機器および電子機器の電源やインバータ等に広く使われているデバイスの後工程、すなわちチップを実装してパッケージングする工程で不良品を検出し、市場での当該デバイスの故障を防止する技術に関する。
　ＩＧＢＴの市場は、産業機器向け、車載機器向け、民生機器向けの３分野に大きく分けられる。産業機器向けで大きいのは、電車や産業ロボット、工作機械のモータ制御インバータ用途である。車載機器向けでも、ハイブリッド自動車の駆動用モータとカー・エアコン制御用のインバータ用途が多い。民生機器ではカメラのストロボ向けとエアコンのインバータ用途が主流である。特にハイブリッド自動車や電気自動車におけるＩＧＢＴ需要により、市場は拡大している。
　ＩＧＢＴを用いた電力用半導体モジュールは、複数の電力用半導体デバイスを同一基板上に密接して併設し、各電力用半導体デバイスと端子間を接合するボンディングワイヤも、高密度で配線されている。電力用半導体デバイスと端子間をボンディングワイヤで接合する場合、接合部やボンディングワイヤ表面の酸化膜の状態や作業上のボンディングワイヤ装着圧力の変化などによりボンディングワイヤ接合不良が生じることがある。すなわち、見掛け上は完全接合しているようでも、接合が不完全であると、接合部の抵抗がばらつき、電流が各電力用半導体デバイスに均等に流れず、一部の電力用半導体デバイスに大電流が流れて破壊することにつながる。また、接合強度が低いと、機械的振動やヒートサイクル負荷により、接合部の断線につながるおそれがある。
　このようなボンディングワイヤ接合不良を、製造段階のボンディング工程後に検査できると、出荷後の故障やトラブルを防止することができる。ボンディング工程後の検査に際し、複数のボンディングワイヤに流れる電流を同時に測定するために、特許文献１には、ボンディングワイヤに流れる電流により発生する磁束を測定する磁束検出装置をボンディングワイヤの数だけ所定の間隔を開けて積層したセンサが開示されている。
　非特許文献１では、スイッチング電流のオンオフを繰り返すことで、ボンディングワイヤ接合不良が発生し、接合部の接触抵抗が大きくなる等の問題点が指摘されている。
　特許文献２～４には、ボンディング方法に関する技術が開示されている。これらの技術は、ボンディングワイヤを介してチップ電流を検出しており、チップの全電流しか測定できない。また接触型の測定であり、電流分布も測定できない。
　特許文献５には、試験片に荷重（外力）を印加して材料試験を行うよう構成された材料試験機において、材料試験中の試験片の磁気データを検出する検出磁気検出手段を複数具備して、試験片における異なる箇所の磁気データを検出するようにした材料試験機が開示されているが、複数のボンディングワイヤに流れる電流を同時に測定するものではない。
　特許文献６には、所定周波数の電流を被測定物の一対の電極間に通電する通電手段と、被測定物の複数の部分に対向して位置し、前記複数の部分に流れる電流によってそれぞれ発生する磁界を検出して、検出磁界を表す信号を出力する磁界検出手段と、前記磁界検出手段から出力される検出磁界を表す信号から、前記所定周波数に等しい周波数の信号成分を取出す周波数成分取出手段と、前記周波数成分取出手段によって取出された信号成分から、被測定物の複数の部分に前記所定周波数と等しい周波数でそれぞれ流れる電流の大きさ及び向きを検出する電流分布検出手段とを備えた電流分布測定装置において、被測定物の一対の電極のうちの一方の電極は、被測定物の複数の異なる位置にそれぞれ接合される複数の電極端子を有し、前記通電手段は、前記複数の電極端子にそれぞれ異なる周波数の電流を通電し、前記周波数成分取出手段は、前記磁界検出手段から出力される検出磁界を表す信号から、前記異なる周波数にそれぞれ等しい周波数の信号成分を取出し、前記電流分布検出手段は、前記異なる周波数ごとに、被測定物の複数の部分に流れる電流の大きさ及び方向を検出する電流分布測定装置が開示されている。
　しかし、この電流分布測定装置では、磁界センサを複数配置する検出構造を取るが、一つのセンサを２つの直交する磁界方向を検出できるように構成し、太陽光発電パネルの発電セルの特性不良を電流磁界ベクトルの方向で検出する事が目的であり、複数のボンディングワイヤに流れる電流を同時に測定する用途には適用できない。
　非特許文献２においては、電力用半導体モジュールの初期不良を防ぐために、ＩＧＢＴチップのボンディングワイヤ上に、小さなコイルを有する非接触センサを有する電流信号分布測定装置を開示しているが、外部磁界やノイズの影響への対策には触れていない。
特開２０１３－７６５６９号公報 欧州特許公開第２６７７５４１号公報 米国特許第８５４１８９２号明細書 米国特許第８００４３０４号明細書 特開２０００－１５５０８３号公報 特許第５１５２２８０号公報
　上述したように、電力用半導体モジュールは、電力用半導体デバイス電極とパッケージ電極との間を複数本のボンディングワイヤで接合し、電力用半導体デバイス電極とパッケージ電極との間での熱膨張係数の違いや車載搭載時の振動や衝撃を吸収しつつ、大電流伝送を可能とする構造を形成している。
　ボンディングワイヤはボンディングワイヤ装着装置により接合されるが、ボンディングワイヤ接合不良により、断線や接触抵抗値が高い状態にある場合、他の正常なボンディングワイヤに分流することになる。
　このデバイス電流分流の変化は、電力用半導体試験工程における非常に短い時間での電力用半導体デバイス・パルス・スイッチング特性試験では、電力用半導体デバイスに流れる総合電流の特性計測を目的としているため、各ボンディングワイヤに流れる電流信号の微妙な特性変化は検出不可能である。これらの試験をすり抜け、隠れた瑕疵が存在する電力用半導体モジュール製品は、市場にて車両や各種パワー制御機器に搭載され、過酷な環境下で長時間動作する内に、ボンディングワイヤに局在する負荷の偏りが、電力用半導体デバイスのデバイス寿命を著しく低下させ、予期せぬ機能障害をもたらす危険性をはらんでいる。
　しかも、これら電力用半導体デバイス製品は、大電力小型化、高集積化されながら、社会インフラの重要な運輸機構あるいは自然エネルギー生成などのエネルギーコントロール部に搭載され、非常な勢いでその応用範囲を拡大しつつある。
　このため、これら機能障害は単なる装置機能停止では止まらず、社会生活根幹に多大な影響及ぼすものとなる。
　本発明の第１の目的は、電力用半導体デバイスの複数本のボンディングワイヤに流れる電流の分布を、既存の電力用半導体デバイス試験装置の電力用半導体デバイス・パルス・スイッチング試験に特に影響を及ぼす、試験電気回路系の配線長や電極配置変更等に大きく手を加えることなく、低コスト、非接触、高精度で高速にボンディングワイヤ障害を検出することにある。
　本発明の第２の目的は、電力用半導体デバイスの配線材である複数のボンディングワイヤや配線路に流れる電流分布の偏りなどの異常を、電流磁界を検出することにより非接触で検査診断し、配線不良などによるデバイスの長期信頼性を損なう恐れのある隠れた瑕疵等の原因を検査、診断、検出し、不良品を排除することにある。
　前記第１の目的を達成するため、本発明の第１の構成は、複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法において、前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する電流センサを複数設け、前記電流センサにより、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置で電流磁界を測定し、前記計測目標位置と、前記偏位位置とで測定した電流磁界の差分をボンディングワイヤ電流信号としてボンディングワイヤ電流磁界分布を検出することを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法である。
　本発明の第２の構成は、第１の構成において、前記複数の電流センサのうち少なくとも１つの電流センサを、前記計測目標位置と前記偏位位置とに移動させることにより前記各位置で電流磁界を測定することを特徴とする。
　本発明の第３の構成は、第１の構成において、前記複数の電流センサは、前記計測目標位置と前記偏位位置とでそれぞれ電流磁界を検出するためのセンサ素子を備え、前記複数の電流センサを予め固定された位置に配置させた状態で前記各位置でそれぞれ同時に電流磁界を測定することを特徴とする。
　前記第１の目的を達成するため、本発明の第４の構成は、複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法において、前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する電流センサを複数設け、前記各電流センサは、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置とに、それぞれ独立したセンサ素子を備えるとともに、各センサ素子の出力信号を電流磁界方向に対して互いに信号を打ち消し合う逆相接続した構成とし、前記逆相接続したセンサ素子の総合的な出力信号をボンディングワイヤの電流磁界信号としてボンディングワイヤ電流磁界分布を検出することを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法である。
　前記第１の目的を達成するため、本発明の第５の構成は、複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置において、前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサと、前記電流センサにより、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置で電流磁界を測定する電流磁界測定手段と、前記計測目標位置と、前記偏位位置とで測定した電流磁界の差分を演算する電流磁界差分演算手段とを備えたことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置である。
　本発明の第６の構成は、第５の構成において、前記複数の電流センサのうち少なくとも１つの電流センサを、前記計測目標位置と前記偏位位置とに移動させる電流センサ移動手段を設け、前記各位置で前記電流磁界測定手段により電流磁界を測定することを特徴とする。
　本発明の第７の構成は、第５の構成において、前記複数の電流センサは、前記計測目標位置と前記偏位位置とでそれぞれ電流磁界を検出するためのセンサ素子を備え、前記複数の電流センサを予め固定された位置に配置させた状態で前記各位置でそれぞれ同時に電流磁界を測定する電流センサユニットを設けたことを特徴とする。
　前記第１の目的を達成するため、本発明の第８の構成は、複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置において、前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサであって、各電流センサは、一つの基板に位置の異なる少なくとも２つのセンサ素子を備えたものであり、前記電流センサにより、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置で電流磁界を測定する電流磁界測定手段と、前記計測目標位置と、前記偏位位置とで測定した電流磁界の差分を演算する差動信号演算手段とを備えたことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置である。
　前記第１の目的を達成するため、本発明の第９の構成は、複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置において、前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサであって、各電流センサは、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた箇所の偏位位置で電流磁界を測定するセンサ素子の出力信号を電流磁界方向に対して互いに信号を打ち消し合う逆相で接続されたものであり、前記電流センサにより、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた箇所の偏位位置における電流磁界の差分を測定する電流磁界差分測定手段とを備えたことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置である。
　前記第２の目的を達成するため、本発明の第１０の構成は、複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法において、前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサを設け、前記電流センサにより予め採取した基準の電流磁界分布パターンと、新たに採取した電流磁界分布パターンの特徴点比較を行い、予め指定された特徴点の差異を評価し、一定の評価値以上の差異が認められた場合に異常として診断することを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法である。
　本発明の第１１の構成は、第１０の構成において、予め採取した基準となる電流磁界分布パターンと、新たに採取した電流磁界分布パターンに対して、波形の時間軸を含めた各電流センサの電流磁界信号波形の差分を時間軸に積算したサンプル差分積分信号を、電流センサ配列の空間軸上にプロットし、空間的な偏りの発生を異常特徴として評価検出し、異常判定を行うことを特徴とする。
　本発明の第１２の構成は、第１０の構成において、予め採取した基準となる電流磁界標準信号と、新たに採取した電流磁界検査信号に対して、各電流センサの電流磁界信号の差分をサンプル期間毎に求め、前記差分を時間軸に積算し、得られた電流センサ別差分積算値と予め設定された判定基準とを比較して、異常判定を行うことを特徴とする。
　本発明の第１３の構成は、第１０から１２のいずれかの構成において、前記複数の電流センサの各出力信号の振幅及び周波数特性に対し、全ての出力特性がほぼ一致するように予め補正を行うことを特徴とする。
　本発明の第１４の構成は、第１０から第１３のいずれかの構成において、前記基準の電流磁界分布パターン及び前記新たに採取した電流磁界分布パターンは、それぞれ、前記電流センサにより検出した電流磁界から本来採取すべき電流磁界信号を著しく妨害する、検査環境に存在する不要な磁界輻射ノイズである環境ノイズ（以下、単に「環境ノイズ」という。）を除去した信号を用いることを特徴とする。
　本発明の第１５の構成は、第１０から第１３のいずれかの構成において、前記基準の電流磁界分布パターン及び前記新たに採取した電流磁界分布パターンは、それぞれ、前記電流センサにより検出した環境ノイズを含む原信号を用いることを特徴とする。
　前記第２の目的を達成するため、本発明の第１６の構成は、複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置において、前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサと、前記電流センサにより予め採取した基準の電流磁界分布パターンと、新たに採取した電流磁界分布パターンの特徴点比較を行い、予め指定された特徴点の差異を評価し、一定の評価値以上の差異が認められた場合に異常として診断する異常診断手段とを設けたことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置である。
　本発明の第１７の構成は、第１６の構成において、前記異常診断手段は、予め採取した基準となる電流磁界分布パターンと、新たに採取した電流磁界分布パターンに対して、波形の時間軸を含めた各電流センサの電流磁界信号波形の差分を時間軸に積算する差分積算手段と、前記差分積算手段により積算されたサンプル差分積分信号を、前記電流センサ配列の空間軸上にプロットし、空間的な偏りの発生を異常特徴として評価検出し、異常判定を行う異常判定手段とを含むことを特徴とする。
　本発明の第１８の構成は、第１６の構成において、前記異常診断手段は、予め採取した基準となる電流磁界標準信号と、新たに採取した電流磁界検査信号に対して、各電流センサの電流磁界信号の差分をサンプル期間毎に求め、前記差分を時間軸に積算する電流センサ別差分積算手段と、得られた電流センサ別差分積算値と予め設定された判定基準とを比較して、異常判定を行う異常判定手段とを含むことを特徴とする。
　本発明の第１９の構成は、第１６から１８のいずれかの構成において、全ての出力特性がほぼ一致するように予め補正を行う電流センサ別出力特性補正手段を有することを特徴とする。
　本発明の第２０の構成は、第１６から第１９のいずれかの構成の異常診断手段において、前記基準の電流磁界分布パターン及び前記新たに採取した電流磁界分布パターンは、それぞれ、前記電流センサにより検出した環境ノイズを除去した信号を用いることを特徴とする。
　本発明の第２１の構成は、第１６から第１９のいずれかの構成の異常診断手段において、前記基準の電流磁界分布パターン及び前記新たに採取した電流磁界分布パターンは、それぞれ、前記電流センサにより検出した環境ノイズを含む原信号を用いることを特徴とする。
　本発明においては、計測目標近傍と少なくとも一点の計測目標から離れた地点の電流磁界を測定し、必要により、前述の少なくとも２つの測定信号のそれぞれの信号強度や周波数特性等の重み付け差分を取った信号を計測目標信号であるとして扱う。
　計測目標の少なくとも一つの電流磁界を測定する場合において、測定目標の電流磁界を妨害する外部（計測目標と異なる周辺）磁界の影響を相殺するために、電流センサの高さを変えて測定するか、複数の電流センサを配置して、それらの差分をとることにより、ノイズ信号を相殺することができる。
　前記第１の構成から第９の構成に係る発明によれば、電力用半導体デバイスのボンディングワイヤに流れる電流の偏りなどの異常を、高さの異なる位置における電流磁界を電流センサで検出しその差分をとることにより非接触で検査診断し、デバイスの信頼性を損なう可能性のある電力用半導体デバイスを選別することが可能になり、市場における当該デバイスの不良発生を未然に防ぐことが可能になる。結果として品質の高い電力用半導体デバイスを提供することができる。また、本発明によるボンディングワイヤ電流磁界分布検出試験行程は、既存の電力用半導体デバイスの特性試験（電力用半導体デバイス・パルス・スイッチング特性試験）のパルス・スイッチング波形をそのまま使用し、特性試験行程と並行して実行することができるため、特殊な周波数やの位相の試験信号や試験タイミングなどを用いた個別の試験行程が不要であり、安価に試験工数を増加させることなく実施可能である。
　前記第１０の構成から第２１の構成に係る発明によれば、電力用半導体デバイスの配線材である複数のボンディングワイヤや配線路に流れる電流分布の偏りなどの異常を、電流磁界を検出することにより非接触で検査診断し、配線不良などによるデバイスの長期信頼性を損なう恐れのある隠れた瑕疵等の原因を検査、診断、検出し、不良品を排除することができる。
本発明の実施の形態１に係る単体センサの三次元位置制御による立体配置法を示すものであり、（ａ）は概略全体図、（ｂ）は要部詳細図である。 本発明の実施の形態１に係る単体センサの三次元位置制御による立体配置法を示すものであり、（ａ）はセンサ位置ロボット制御・演算フルディジタル方式のブロック図、（ｂ）は差分演算手段による演算の説明図である。 本発明の実施の形態２に係る単体センサの三次元位置制御による立体配置法を示すものであり、（ａ）はセンサーコイルを第１の高さ位置に配置して測定する状態、（ｂ）はセンサーコイルを第２の高さ位置に配置して測定する状態を示す説明図である。 本発明の実施の形態３に係るセンサ自体の立体配置法を示すものであり、（ａ）はセンサ配置図、（ｂ）は差分演算の一例を示すブロック図、（ｃ）は差分演算の他の例を示すブロック図、（ｄ）はｘ座標複数積層のセンサを示す図、（ｅ）はｙ座標配置なしの場合のセンサを示す図である。 本発明の実施の形態４に係るセンサ位置立体配置法による演算フルディジタル方式を示すものであり、（ａ）はブロック図、（ｂ）は差分演算手段による演算の説明図である。 本発明の実施の形態５に係るセンサ位置立体配置法による演算アナログ方式を示すものであり、（ａ）はブロック図、（ｂ）は信号記憶エリアの説明図である。 本発明の実施の形態６に係るセンサ位置立体配置法とセンサ素子の出力信号を電流磁界方向に対して互いに打ち消しあう様に逆相接続した方式を示すものであり、（ａ）はブロック図、（ｂ）は信号記憶エリアの説明図である。 複数のボンディングワイヤの形成例を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は電流センサとボンディングワイヤの配置を示す正面図である。 本発明の実施の形態に係る電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断を実施する電流磁界分布解析装置の構成例を示す装置構成図である。 本実施の形態に係るモジュール２０の構成例と各種電流磁界の影響を示す図であり、（ａ）はコイルの配置が電力用半導体デバイス（ＩＧＢＴ）１０のボンディングワイヤに対して正面視で示したものであり、（ｂ）は側面視で示したものである。 本実施の形態に係る電流磁界分布解析装置１００のソフトウエア機能的ブロック図である。 本実施の形態に係るセンサアレイモジュール３２０の各電流センサ出力特性の特性補正を行うための単発矩形波レスポンス波形データによる補正の説明図である。 ８本の接合正常なボンディングワイヤを１６チャンネルのセンサアレイモジュール３２０で測定した場合のボンディングワイヤの並び方向である空間軸方向、信号変化時間軸方向及び信号振幅方向に立体的に面で表した電流磁界波形の分布パターン（電流磁界分布パターン）を示すものであり、（ａ－１）はボンディングワイヤの平面視図、（ａ－２）は各電流センサ出力の電流磁界測定データの平面視図、（ｂ－１）はボンディングワイヤの側面視図、（ｂ－２）は電流磁界測定データの側面視図、（ｃ－１）はボンディングワイヤの斜視図、（ｃ－２）は電流磁界測定データの斜視図、（ｄ）は電流磁界測定データの正面視図、（ｅ）はボンディングワイヤが基板にしっかりと接合されている状態の側面視図、（ｆ）は（ｅ）の接合状態の時の正常応答を示す電流磁界波形図である。 ８本のボンディングワイヤのうち、６番目のボンディングワイヤＢ６が接合不良の時の各ボンディングワイヤに流れる電流を１６チャンネルのセンサアレイモジュール３２０で測定した場合、前記同様に立体的に表した電流磁界分布パターンを示すものであり、（ａ－１）はボンディングワイヤの平面視図、（ａ－２）は各電流センサ出力の電流磁界測定データの平面視図、（ｂ－１）はボンディングワイヤの側面視図、（ｂ－２）は電流磁界測定データの側面視図、（ｃ－１）はボンディングワイヤの斜視図、（ｃ－２）は電流磁界測定データの斜視図、（ｄ）は電流磁界測定データの正面視図、（ｅ）はボンディングワイヤの片方が接合不良で、抵抗を有している状態の側面視図、（ｆ）は（ｅ）の状態の応答を示す電流磁界波形図である。 ボンディングワイヤに流れる電流を測定する場合にセンサアレイモジュール３２０の電流センサ（ＣＳ１からＣＳ１６まで）がボンディングワイヤ接合不良以外から影響を受けるばらつきの原因を示す説明図である。 電流磁界の三次元分布の正面投影図であり、検査サンプル信号（ａ）にボンディングワイヤ接合不良が生じていた場合、標準サンプル平均信号波形（ｂ）に対するサンプル差分積分信号（ｃ）の関係を示したものである。 サンプル差分積分信号図８の（ｃ）及びフロアノイズＤの形状から見たいくつかの不良例のパターンを示すものであり、（ａ）はピークが１つ際立っている場合、（ｂ）はピークが複数（２つ）離れている場合、（ｃ）はピークが複数（２つ）近接している場合、（ｄ）はピークが端に寄っている場合、（ｅ）は端のピークが低い場合、（ｆ）は全体的に低いピークが生じているが、所々でフロアノイズレベルＤを超えている場合を示している。 ボンディングワイヤの試験パルス応答を示すものであり、ＳTは試験対象の電力用半導体デバイスの入力ゲートに印加される試験パルス信号、ＳCはセンサアレイモジュール３２０の電流センサＣＳ１からＣＳ１６の出力信号の代表例の一つを示している。 サンプル差分信号から差分信号積算値を求める方法と不良判定に用いる二種類の判定基準である第一判定基準５００及び第二判定基準５０１の設定方法を示す説明図である。 図１９に示した第一判定基準５００を用いて分析し、判定閾値１（１σ）及び判定閾値２（２σ）により判定した実測例を示す実測値プロットである。 図１１のＧＯ／ＮＯ ＧＯ判定機能１３３で実行される、本発明のボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法の処理ステップを示すフローチャートである。
　１　電力用半導体デバイス
　２　第１基板
　３　正極導体
　４　正極基板
　５　負極導体
　６　負極基板
　７，８　ボンディングワイヤ
　１０，１０Ａ，１０Ｂ　電流センサ
　１１　基板
　１２，１３，１４，１５，１６，１７　コイル
　２０　試験装置
　２１　検査台
　２２　多軸ロボット
　３０　試験装置制御手段
　３１　試験信号発生手段
　３２　試験電流供給手段
　３３　ｘ軸位置制御手段
　３４　ｙ軸位置制御手段
　３５　ｚ軸位置制御手段
　３６　信号増幅手段
　３７　Ａ／Ｄ変換手段
　３８　数値計測制御手段
　３９　トリガ信号検出手段
　４０　信号情報第一次記憶手段
　４１　差分演算手段
　４２　信号情報第二次記憶手段
　１００　電流センサユニット
　１１０　信号増幅手段群
　１２０　Ａ／Ｄ変換手段群
　１３０　差動信号増幅手段群
　１４０　Ａ／Ｄ変換手段群
　１５０　信号情報記憶手段
　１６０　電流センサユニット
　１７０　信号増幅手段群
　３１０　電力用半導体デバイス（ＩＧＢＴ）
　３２０　センサアレイモジュール
　３４０　ＩＧＢＴ試験用検査装置
　３５０　試験電流端子
　３５１　試験電流
　３５２　基準位置
　３５３　偏位位置
　４００　電流磁界分布解析装置
　４１０　高速ディジタイザ
　４２０　ソフトウエア解析演算処理部
　４２２　高速ディジタイザ制御機能ブロック
　４２３　自動レンジデータ取得機能ブロック
　４２４　データ取り込み機能ブロック
　４２５　取得データメモリ
　４２６　周波数成分補正機能ブロック
　４２８　データ選択機能ブロック
　４２９　データ表示制御機能ブロック
　４３０　データ保存／読み出し機能ブロック
　４３１　特徴点マーキング機能ブロック
　４３２　比較データメモリ
　４３３　ＧＯ／ＮＯ ＧＯ判定機能ブロック
　５００　第一判定基準
　５０１　第二判定基準
　以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。
＜実施の形態１＞
　本発明の実施の形態１を、図１及び図２を参照しながら説明する。
　これらの図、特に図２において、被測定デバイスである電力用半導体デバイス（以下、単に「半導体デバイス」と言うことがある。）１は、複数の半導体デバイスが併設された第１基板２と、正極導体３を設けた正極基板４と、負極導体５を設けた負極基板６と、第１基板２の複数の各半導体デバイスと正極基板４間および負極基板６間の対応する電極をそれぞれ接合するボンディングワイヤ７，８を有している。
　各ボンディングワイヤ７，８に電流が流れるとき、各ボンディングワイヤの周りに電流磁界が生じる。この電流磁界を外部から電流センサ１０により測定することにより、ボンディングワイヤ７，８に流れる電流を非接触で検出することができる。本実施の形態では電流センサ１０として基板１１に渦巻状のパターンのコイル１２を形成し、コイル１２に誘起される電流を測定する方式（特許文献１参照）を採用しているが、ホール素子や磁気抵抗効果素子等の他の方式のセンサを用いることができることは勿論である。
　図１（ａ）は電流センサ１０を用いて半導体デバイス１に流れる電流を測定する試験装置２０を示すものであり、検査台２１に載せられた半導体デバイス１のボンディングワイヤ７，８に対して電流センサ１０の高さや前後左右位置を精密制御する多軸ロボット２２が設けられている。
　図１（ｂ）に示すように、電流センサ１０のコイル１２には、ボンディングワイヤ７，８に流れる電流（分流電流）によって生じる磁界の磁束のほか、正極導体３，負極導体５に流れる電流（総合電流）によって生じる磁界の磁束も鎖交し、後者の電流が大きいため、前者に対して後者が大きな電流磁界ノイズとなる。この電流磁界ノイズを除去ないし低減することにより、測定目的の個々のボンディングワイヤ７または８に流れる電流の分布を正確に測定することが本発明の目的である。
　本発明の実施の形態１では、図２に示すように、試験装置制御手段３０は試験信号発生手段３１に試験信号発生指令を出力し、試験信号発生手段３１は試験パルスを生成し、試験電流供給手段３２で所定の電流値の試験パルス電流を生成して、正極導体３、負極導体５に供給する。この試験パルス電流は、半導体デバイス１の複数のボンディングワイヤ７，８に分流して供給される。試験装置制御手段３０はまた、ｘ軸位置制御手段３３、ｙ軸位置制御手段３４、ｚ軸位置制御手段３５を有しており、電流センサのｘ軸位置、ｙ軸位置、ｚ軸位置を制御する。なお、ｘ軸方向はボンディングワイヤ７，８の隣接する各ボンディングワイヤの方向（図１の（ｂ）に示すＸ軸方向）、ｙ軸方向はボンディングワイヤ７から８の並び（左右方向）の方向、ｚ軸方向はボンディングワイヤ７，８に接近、離脱する方向（高さ方向）である。
　一方、試験信号発生手段３１から出力される試験パルスはトリガ信号検出手段３９に入力され、数値計測制御手段３８に記録開始のタイミングを与える。数値計測制御手段３８はＡ／Ｄ変換手段３７にサンプリング開始信号を出力しサンプリングを起動する。起動したＡ／Ｄ変換手段３７は、電流センサ１０で検出され、信号増幅手段３６で増幅された出力をサンプリングし、ディジタル信号情報に変換し、信号情報第一次記憶手段４０への保存を開始する。所定のサイクルのサンプリングが終了したらＡ／Ｄ変換手段３７はサンプリング終了通知を数値計測制御手段３８に出力し、第一の位置での電流センサ１０による測定と信号情報第一次記憶手段４０への保存を終了する。
　次に、ｘ軸位置制御手段３３、ｙ軸位置制御手段３４、ｚ軸位置制御手段３５により多軸ロボット２２（図１参照）を制御し、電流センサ１０を第二の位置に移動して、数値計測制御手段３８は試験信号発生手段３１より試験パルスを発生させ、同様にボンディングワイヤ７，８に流れる電流により発生する磁界を電流センサ１０で検出し、信号増幅手段３６で増幅し、Ａ／Ｄ変換手段３７でディジタル信号情報に変換し、信号情報第一次記憶手段４０に保存する。第二の位置とはＸ軸位置とＹ軸位置が同じで、Ｚ軸に沿ってボンディングワイヤから遠ざかる位置に変位した位置である。第二の位置での測定及びサンプリングデータ保存が全て終了すると、信号情報第一次記憶手段４０に保存された第一の位置での測定データと第二の位置での測定データを読み出し、差分演算手段４１で両者の差を演算して信号情報第二次記憶手段４２に保存する。この差分演算手段４１での差分演算時、補正を加える信号情報第一次記憶手段４０内の目的の記憶エリアと、同じく信号情報第一次記憶手段４０の複数の補正に使用する記憶エリアを選択することが可能であり、補正時の信号強度及び周波数特性等の重み付け演算は任意に可能である。図２（ｂ）は、差分演算手段４１による入力信号と出力信号の様子を示している。信号情報第二次記憶手段４２に保存された情報は、検査診断処理の際に読み出される。
＜実施の形態２＞
　図１及び図２に示した例では電流センサ１０は検出解像度を得るために必要なのは１個であるが、本発明の実施の形態２として図３に示すように、複数のボンディングワイヤ７（または８）に流れる電流を同時に測定するために、ボンディングワイヤ７（または８）の数（チャンネル数）に対応する複数の電流センサ１０を図３の（ａ－２）及び（ｂ－２）に示すように、ボンディングワイヤ７（または８）の設置間隔で併設した電流センサユニット１００を用いることにより、１個の電流センサ１０でチャンネル数と同じ回数の電流測定をする煩雑さと時間を節減することができる。
　なお、図３ではボンディングワイヤ数と電流センサ数が同じであるが、ボンディングワイヤ数に対して電流センサ数が多いほど、検出する電流磁界の解像度は向上する。図３（ａ）（（ａ－１）は正面図、（ａ－２）は側面図）はボンディングワイヤ７に流れる電流Ｉｊにより生じる磁界φｊと鎖交するように電流センサ１０のコイル１２の位置を決めて電流磁界を測定している状態を示している（第一の位置）。この状態では、正極導体３に流れる電流Ｉｃにより生じる磁界φｃも鎖交している。このときの電流センサ１０の検出電圧をＶａとする。
　図３（ｂ）（（ｂ－１）は側面図、（ｂ－２）は正面図）はボンディングワイヤ７に流れる電流Ｉｊにより生じる磁界φｊとの影響が小さくなる位置に電流センサ１０のコイル１２の位置を決めて電流磁界を測定している状態を示している（第二の位置）。この状態では、正極導体３に流れる電流Ｉｃにより生じる磁界φｃが主に鎖交している。このときの電流センサ１０の検出電圧をＶｂとする。
　ここで、ボンディングワイヤ７（８）に流れる電流Ｉｊにより生成される磁界による正味検出電圧Ｖｊは
　Ｖｊ＝Ａ・Ｖａ－Ｂ・Ｖｂ
　Ａ及びＢはそれぞれの検出電圧に対する周波数特性に基づく増幅度特性などの重み付けファクターである。
となり、正極導体３に流れる電流に基づく外部影響磁界によるノイズ電圧を相殺することができる。
＜実施の形態３＞
　以上の実施の形態１，２では、電流センサ１０を第一の位置と第二の位置に移動させてそれぞれの位置の電流磁界を測定することによりノイズを除去し、ボンディングワイヤ７（８）に流れる電流磁界を検出する例を示したが、実施の形態３では、図４（ｅ）に示すように、同一の基板１１上に、Ｚ軸上の位置の異なる２個のコイル１２，１３を形成した電流センサ１０Ａとして、コイルの位置を移動させることなく第一の位置と二の位置の電流磁界を同時に検出するようにしている。
　図４（ｄ）の電流センサ１０Ｂはさらに基板１１のｙ座標方向にもコイル１２，１３，１４，１５，１６，１７を形成し、上下位置だけでなく、ｙ方向の複数の位置での磁束測定を同時に行うようにしている。
　図４（ａ）は電流センサ１０Ｂをボンディングワイヤ７（８）の隣接する方向（ｘ軸方向）に、ボンディングワイヤ７（８）の数と同じ個数、積み重ねて１つの電流センサユニット１００とした例を示している。電流センサ１０Ｂにおける基板１１上でのコイル１２～１７の配置は、電流センサ１０ＢがＸ１の位置にあるとき、コイル１２がＸ１，Ｙ１，Ｚ１、コイル１３がＸ１，Ｙ１，Ｚ２、コイル１４がＸ１，Ｙ２，Ｚ１、コイル１５がＸ１，Ｙ２，Ｚ２、コイル１６がＸ１，Ｙ３，Ｚ１、コイル１７がＸ１，Ｙ３，Ｚ２の座標位置となる。これらの電流センサ１０Ｂの基板１１に形成された６つのコイル１２～１７の出力は、図４（ｂ）に示すように、それぞれアンプで増幅された後、総て記録しておき、後でディジタル計測処理により差分を取ることができる。あるいは、図４（ｃ）に示すように、上下のコイルの出力を差動アンプに入力し、信号差分を記録することもできる。なお、図４（ｃ）の場合の前記重み付けファクターの設定は、それぞれの差動アンプの入力信号増幅度や周波数特性の設定により行われる。
　ここで、電流センサ１０Ｂに６つのコイル１２～１７を設け、Ｚ１の高さとＺ２の高さの検出信号の差分を演算するほかにＹ軸方向にＹ１，Ｙ２，Ｙ３の３つの位置の信号を同時に検出するようにしたのは、実際の半導体デバイス（ＩＧＢＴ）のボンディングワイヤ７（８）の掛かり方が、きれいに直線上に並んでいるのではなく、デバイスの垂直方向の「面電流」を稼ぐために、図８（（ａ）は斜視図、（ｂ）は電流センサ１０ＢとボンディングワイヤＢＷ－１～ＢＷ－８の配置を示す側面図）に示すようにボンディングワイヤＢＷ－１～ＢＷ－８の一端が千鳥状に配置されることが多いため、ボンディングワイヤの複数の屈曲頂点位置（電流センサ１０Ｂのコイル１２とコイル１４の中間に位置する屈曲頂点とコイル１４とコイル１６の間に位置する屈曲頂点で、最もコイルに近いボンディングワイヤの電流磁界が最も強く作用する。）の電流磁界信号をすべて効率よく取得するためである。
　以上の電流センサユニット構造によって、多くの変位位置の電流磁界信号情報を一度に取得でき、計測時間の大幅短縮につながる。
＜実施の形態４＞
　本発明の実施の形態４は、図４（ｂ）に示すように各コイルの出力を総て独立したアンプＡＭＰ（Ｘ［変位位置番号］，Ｙ［変位位置番号］，Ｚ［変位位置番号］）で増幅した後、ディジタル演算する例であり、図５（ａ）に示すように、試験装置制御手段３０は試験信号発生手段３１に試験信号発生指令を出力し、試験信号発生手段３１は試験パルスを生成し、試験電流供給手段３２で所定の電流値の試験パルス電流を生成して、正極導体３、負極導体５に供給する。この試験パルス電流は、半導体デバイス１の複数のボンディングワイヤ７，８に分流して供給される。
　一方、試験信号発生手段３１から出力される試験パルスはトリガ信号検出手段３９に入力され、数値計測制御手段３８に記録開始のタイミングを与える。数値計測制御手段３８はＡ／Ｄ変換手段群１２０にサンプリング開始信号を出力する。Ａ／Ｄ変換手段群１２０は、電流センサユニット１００で検出され、信号増幅手段群１１０で増幅された出力をサンプリングし、ディジタル信号情報に変換し、信号情報第一次記憶手段４０への保存を開始する。所定のサンプリング時間後に保存が終了すると、Ａ／Ｄ変換手段群１２０はサンプリング終了通知を数値計測制御手段３８に出力し、第一の位置および第二の位置における電流センサユニット１００による同時測定と信号情報第一次記憶手段４０への保存を終了する。本実施の形態の場合、電流センサユニット１００での検出信号は一度の試験パルスによってすべての位置での測定、保存が完了する。図５（ｂ）は、差分演算手段４１による入力信号と出力信号の様子を示している。信号情報第二次記憶手段４２に保存された情報は、検査診断処理の際に読み出される。
＜実施の形態５＞
　本発明の実施の形態５は、図４（ｃ）に示すように対応するｘ位置の上下のコイルの出力を差分アンプＤＡＭＰで差分増幅する例であり、図６（ａ）に示すように、試験装置制御手段３０は試験信号発生手段３１に試験信号発生指令を出力し、試験信号発生手段３１は試験パルスを生成し、試験電流供給手段３２で所定の電流値の試験パルス電流を生成して、正極導体３、負極導体５に供給する。この試験パルス電流は、半導体デバイス１の複数のボンディングワイヤ７，８に分流して供給される。
　一方、試験信号発生手段３１から出力される試験パルスはトリガ信号検出手段３９に入力され、数値計測制御手段３８に記録開始のタイミングを与える。数値計測制御手段３８はＡ／Ｄ変換手段群１４０にサンプリング開始信号を出力する。Ａ／Ｄ変換手段群１４０は、電流センサユニット１００で検出され、差動信号増幅手段群１３０で差分増幅された出力をサンプリングし、ディジタル信号情報に変換し、信号情報記憶手段１５０への保存を開始し全てサンプリングが完了するまで保存を継続する。なお、差動信号増幅手段群１３０では、電流センサユニット１００のＺ軸上（Ｚ座標）の上下のコイルのそれぞれの出力に対する信号強度や周波数特性の重み付けが行われる。図６（ｂ）は、信号情報記憶手段１５０に保存された情報を示しており、検査診断処理の際に読み出される。
＜実施の形態６＞
　本発明の実施の形態６は、図７（ａ）に示すように、高さ方向（ｚ方向）の異なる２つのコイルを逆向きとし、コイル同士をコイルの信号出力が電流磁界方向に対してそれぞれ逆相で結線した電流センサユニット１６０を用いたものである。この電流センサユニット１６０の各差分出力端子は信号増幅手段群１７０により差分出力が増幅され、Ａ／Ｄ変換手段群１４０によりディジタル信号に変換されて信号情報記憶手段１５０に保存される。なお、この場合の信号強度や周波数特性等の重み付けファクターは、各コイルの巻き数や口径により設定が可能である。試験信号発生手段３１から出力される試験パルスはトリガ信号検出手段３９に入力され、数値計測制御手段３８に記録開始のタイミングを与える。数値計測制御手段３８はトリガ信号を受け取るとＡ／Ｄ変換手段群１４０にサンプリング開始信号を出力する。Ａ／Ｄ変換手段群１４０は、電流センサユニット１６０で検出され、信号増幅手段群１７０で増幅された出力をサンプリングし、ディジタル信号情報に変換し、信号情報記憶手段１５０に保存を開始する。すべてのサンプリングが終了するとＡ／Ｄ変換手段群１４０は数値計測制御手段３８に対してサンプリングが終了した旨を通知する。図７（ｂ）は、信号情報記憶手段１５０に保存された情報を示しており、検査診断処理の際に読み出される。その他の構成は図６に示す実施の形態５と同様である。
　この実施の形態６のように、高さ方向の異なる２つのコイルを逆相で接続することにより１つの信号増幅手段で差分出力を増幅することができる。このため、実施の形態４のように２つのコイルのそれぞれの出力を後に差分演算したり、実施の形態５のように２つコイルの出力を差動アンプを用いて差分演算する必要がなくなり、構成が簡素化するメリットがある。
　上述したように、本発明の実施の形態１～６によれば、半導体デバイスの各ボンディングワイヤに流れる電流から外部導体（正極導体、負極導体）に流れる大電流による磁界の影響を除去して各ボンディングワイヤに流れる正味電流を検出することができるようになる。このため、ボンディングワイヤに流れる前記正味電流とあらかじめ計測しておいた基準電流との比較を行うことにより、ボンディングワイヤと半導体デバイスとの間の接合不良を判断する際の精度が高くなる。
　本発明では、電流センサによるボンディングワイヤの電流磁界信号を、高さの異なった位置で信号測定することにより、検査装置の内部で発生する周囲磁界ノイズの影響を差し引くことができるため、装置の試験電極を防磁シールドで遮蔽するような特殊な設計をする必要がなく、製品コストを低減できる効果がある。なお、試験電極を磁性体の防磁シールドで遮蔽すると、シールドの磁性体自身が周囲の磁界を誘導することになり、却ってノイズの影響が増大してしまうし、複数の電流センサに対するシールド効果が不均一となり、検出する電流磁界にムラが生じて外部磁界の影響の除去が困難となる。
　また、特許文献１～６あるいは非特許文献１、２に記載されたような従来方式と異なり、電流磁界検出のための特殊な周波数信号や、電力用半導体デバイスの特性使用上において通常使わないような位相信号や検査専用信号を使った特殊な試験行程を追加することなく、従来の電力用半導体デバイス・パルス・スイッチング特性試験工数の中に組み込むことができ、試験工数を増加させない効果がある。
　また、前記特殊な試験用の設備機器も別途必要なく、試験機器費用を抑えることが可能となる優れた効果がある。
　以下、本発明の実施の形態７を、図面を参照しながら具体的に説明する。
　図９は、本発明の実施の形態７に係る電力用半導体デバイス（ＩＧＢＴ）のボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断を実施する電流磁界分布解析装置４００を中心とした検査診断装置構成を示す図である。この電流磁界分布解析装置４００は、検査対象の電力用半導体デバイス（ＩＧＢＴ）３１０の複数のボンディングワイヤ（図１０（ａ）及び（ｂ）のボンディングワイヤＢ１～Ｂ８）に流れる電流により発生する電流磁界を非接触で同時に測定するセンサアレイモジュール３２０からの出力信号を入力し、数学演算を施し、ボンディングワイヤ上の電流分布の増減ばらつき度合いを検査し、電力用半導体デバイス３１０に内在する製造上の欠陥を検出するものである。前述の一連の製品欠陥検査判定機能はＩＧＢＴ試験用検査装置３４０に収容され、電力用半導体デバイス３１０の性能仕様を試験するデバイス・パルス・スイッチング特性試験と同時並行に動作機能するものである。
　電流磁界分布解析装置４００には、センサアレイモジュール３２０からの複数の電流センサ出力（本実施例では図１０のＣＳ１からＣＳ１６の１６チャンネルの構成である）のアナログ信号出力が入力され、高速ディジタイザ４１０で高速サンプリング後、ディジタル信号に変換される。このディジタル信号は、ソフトウエア解析演算処理部４２０でディジタル数学演算が施され、センサアレイモジュール３２０の各電流センサ出力の信号特性のばらつき補正の前処理を施す周波数成分補正を行った後、前もって計算範囲設定や閾値設定が施された判定基準データを元に試験パルスによりボンディングワイヤに流れる特徴的な応答波形の電流分布を測定し、特徴的な変位を抽出し、電力用半導体デバイスの正常／異常判定を行う。具体的には、図１１に示すソフトウエア機能ブロック図に基づいて説明する。
　センサアレイモジュール３２０は図１０の（ａ）に示すような構造をしている。ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８に対してコイルＣ１～Ｃ１６が平行になるように一直線に並べられた構造を取っている。（ｂ）はボンディングワイヤＢ１～Ｂ８とコイルＣ１～Ｃ１６の側面から視た位置関係を示すものである。コイルＣ１～Ｃ１６にはボンディングワイヤに流れる電流により生じる電流磁界ＢＷＣ１～ＢＷＣ８により電流が発生し、信号増幅とコイル特有の出力特性に対する周波数補正を行うアンプ回路Ａ１～Ａ１６に入力され、増幅、周波数特性補正された信号は電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力として、図９の電流磁界分布解析装置４００の高速ディジタイザ４１０に入力される。このように構成された１６チャンネルの独立した一連のコイルＣ１～Ｃ１６とアンプ回路Ａ１～Ａ１６の電流センサ構造では製造ばらつきによりチャンネル間の微妙な特性の差が発生してしまう場合がある。この出力特性のばらつきはその後のボンディングワイヤＢ１～Ｂ８の電流分布検出に支障を来すため、前述ソフトウエア解析演算処理部４２０にてばらつき特性補正を行う必要がある。
　また図１０には、センサアレイモジュール３２０をＩＧＢＴ試験用検査装置３４０に装着し電力用半導体デバイス３１０のボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断を行う場合、本来の検査目的のボンディングワイヤ電流磁界ＢＷＣ１～ＢＷＣ８以外に検査装置内部の構造に起因する様々な環境磁界ノイズの影響を受ける状況の一例を示している。試験電流端子３５０は電力用半導体デバイス３１０のボンディングワイヤＢ１～Ｂ８の接続される基板電極端子に接触し、試験電流３５１を供給する。この時試験電流３５１により発生する試験電流端子磁界４ＴＣは、ボンディングワイヤにより発生するボンディングワイヤ電流磁界ＢＷＣ１～ＢＷＣ８の総和の電流磁界値（ＩＧＢＴモジュールの場合パッケージされる電力用半導体デバイスの搭載個数により更に総和の電流磁界値は大きくなる）よりも極端に大きな値になり、センサアレイモジュール３２０のコイルＣ１～Ｃ１６にノイズとして影響を与える。
　これら環境磁界ノイズはボンディングワイヤの近傍の電流磁界と異なり、検査装置内部の広い範囲に広がる広域的なノイズ成分として捉えることができる。測定時、センサアレイモジュール３２０のコイルＣ１～Ｃ１６がボンディングワイヤＢ１～Ｂ８近傍に位置する位置を基準位置３５２とすると、当該位置ではボンディングワイヤ電流磁界ＢＷＣ１～ＢＷＣ８の影響を受けると共に試験電流端子磁界４ＴＣの影響も同時に受ける。一方ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８よりもコイルＣ１～Ｃ１６の位置が偏位し偏位位置３５３に位置する場合、試験電流端子磁界４ＴＣは同程度の影響を受けるが、ボンディングワイヤ電流磁界ＢＷＣ１～ＢＷＣ８の影響は薄れる状態になる。
　以上のことから基準位置３５２で検出した電流センサＣＳ１～ＣＳ１６出力値から偏位位置３５３で検出した電流センサＣＳ１～ＣＳ１６出力値を差し引くことにより、広域的なノイズ成分である環境磁界ノイズ影響を差し引くことも可能となる。
　次に図１１を用いてソフトウエア解析演算処理部４２０のソフトウエア処理構成の機能説明を行う。高速ディジタイザ制御機能ブロック４２２は、人間の操作インターフェースを介在し、ハードウエアである高速ディジタイザ４１０の、サンプリング速度設定、入力スケーリング設定、入力チャンネル選択設定、入力極性切換、入力インピーダンス切換、入力カプリングＡＣ／ＤＣ切換、入力トリガレベル設定（トリガ入力は図１０の試験パルスＳTの最初の立ち上がりをサンプリング開始とする。）などの設定制御を行う。データ取り込み機能ブロック４２４は、高速ディジタイザ４１０が変換したディジタル信号を記憶部である取得データメモリ４２５内に取り込む制御を行う。自動レンジデータ取得機能ブロック４２３は、取得データメモリ４２５に記憶されたサンプリングされたディジタル信号を読出し、高速ディジタイザ４１０内部のＡ／Ｄ変換器のサンプリング値が最も効率の良いスケーリングとなるように高速ディジタイザ制御機能ブロック４２２に対して制御指示を行う。データ取り込み機能ブロック４２４に対しては、Ａ／Ｄ変換の最適値で取り込めるよう複数回のサンプル波形データ取得を指示する。また取得されたディジタル信号を次処理ブロックである周波数成分補正機能ブロック４２６に引き渡す。
　周波数成分補正機能ブロック４２６は、自動レンジデータ取得機能ブロック４２３でスケール最適化確認された後の、波形ディジタル信号に対して、図１０のセンサアレイモジュール３２０内部の電流センサＣＳ１～ＣＳ１６出力特性の微妙なばらつきに対して周波数特性補正やゲイン調整を施す。具体的な演算補正パラメタの算出方法は図４の（ａ）～（ｃ）の波形を用いて説明する。
　前記センサアレイモジュール３２０の各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力の増幅度及び周波数特性の補正を行う二つの演算補正パラメタすなわち振幅補正値Ａj及び減衰時定数補正値Ｂjは、図１２（ａ）に示す補正用に使用する試験パルス入力（ａ）に対する各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力波形データＶｉと、予め正常な電力用半導体デバイスについて測定した波形データに基づいて作成した図１２（ｂ）に示す理想的な基準出力波形Ｖrefとの比較補正をすることにより求められる。本来センサアレイモジュール３２０の各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６を構成する各アンプ回路Ａ１～Ａ１６の増幅度及び周波数特性は試験用パルス入力（ａ）に対する基準出力波形Ｖrefに一致するように設計されているが、電流センサＣＳ１～ＣＳ１６を構成するコイルＣ１～Ｃ１６のパターン形成過程中のばらつきやアンプ回路Ａ１～Ａ１６を構成する部品の微妙なばらつきにより出力特性の微妙な違いとなって現れている。図１２の（ｂ）に示すＶiは補正対象となるセンサアレイモジュール３２０の補正前の各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力波形の一つの例を示す。
　各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力波形データＶiに対する補正は、次の（１）式で導出される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 　ここで、ｉは電流センサチャンネル番号、Ａjは振幅補正値、Ｂjは減衰時定数補正値（＝ΔＣＲ）である。
　図１２（ｂ）に示すように、測定した波形データＶiには、０Ｖ基準（０電圧）に対するオフセット電圧Ｖoffが生じていたり、振幅Ｖiの振幅Ａiが基準波形の振幅Ａrefとずれていたり、また減衰曲線の傾きが違っていたり、さらに下降エッジの時間にずれΔＴiが生じていたりする。そこで、まず、図１２（ｃ）に示すように、Ｖoffの除去と、振幅Ａiの補正と、下降エッジの時間ずれΔＴiをゼロとする時間補正を行った上でＡref＝Ａiとなるように振幅補正値Ａjを算出する（実施例ではおよそ０．７～１．３程度）。
　次に、減衰時定数Ｂiの修正を行う。減衰時定数補正値Ｂjは図１２（ｃ）に示すように基準出力波形Ｖrefの時定数Ｂrefと波形データＶiの時定数Ｂiの差で与えられる。図１２（ｃ）の例の場合ＢiはＢrefに比べると大きいため補正符号はマイナスとなる。Ｂjの符号を含めた算出式はＢj＝Ｂref－Ｂiで与えられる。なお、実際の波形データＶiに対する演算補正は波形の立ち下がりエッジのＶrefに対する収斂度として、極力Ｖie＝０Ｖとなるような値にＢjを選定する。これらの計算結果の各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力補正値（振幅補正値Ａi及び減衰時定数補正値Ｂj）を周波数成分補正機能ブロック４２６の演算補正パラメタとして組み込み（１）式を用いて各電流センサ出力補正演算を行う。なお一度算出した演算補正パラメタすなわち補正値（振幅補正値Ａi及び減衰時定数補正値Ｂj）は、センサアレイモジュール３２０が別の個体と交換されることがない限り同一補正値が使用される。一方センサアレイモジュールが別の個体と交換された場合には、前記手順に従い再度補正値を算出し直し、その個体特有の補正値として適用する必要がある。
　データ選択機能ブロック４２８は、データ保存／読み出し機能ブロック４３０の制御により、周波数成分補正機能ブロック４２６からの出力ディジタル信号を入力し、取得データメモリ４２５とのディジタル信号の入出力選択し、データ表示制御機能ブロック４２９とＧＯ／ＮＯ ＧＯ判定機能ブロック４３３にディジタル信号を選択し、引き継ぐ。
　データ表示制御機能ブロック４２９は、データ保存／読み出し機能ブロック４３０の制御により、データ選択機能ブロック４２８の出力するディジタル信号を取り込み、人間の操作インターフェースを介し、以下に示す各種表示形式に変換する。二次元（２Ｄ）表示機能Ｇ１は各電流センサ別に色分けし、振幅方向と時間軸方向のスケーリングを合わせた電流磁界波形の各電流センサチャンネルの側面視の二次元重ね表示を行う。三次元（３Ｄ）表示機能Ｇ２は、各電流センサ別の二次元表示波形を電流センサ毎の物理的並び方向の空間に等間隔に並べ、斜め上方視点から俯瞰する表示機能であり、図１３の（ｃ－２）あるいは図１４（ｃ－２）に示したような特徴的な波形形状をつかみやすくための表示機能である。また、操作インターフェースを介し、視点切り替えや表示する電流センサチャンネルの順番切り替えを行う。等高線表示機能Ｇ３は、振幅に色付けを行い振幅軸上方から捉えた二次元画像化表示機能であり、図１３の（ａ－２）あるいは図１４の（ａ－２）に示す波形のように、信号振幅を二次元平面上で等高線色分けし、捉え易くする機能である。また、操作インターフェースを介し、表示色味割り付けが可能である。
　データ保存／読み出し機能ブロック４３０は、人間の操作インターフェースを介し、取得データメモリ４２５に対して波形データであるディジタル信号やスケーリング値、サンプリング間隔情報、その他演算に必要な付加情報などの保存あるいは読み出し制御を行い、データ選択機能ブロック４２８に対して、ディジタル信号の入力ソース切り替え制御を行い、データ表示制御機能ブロック４２９に対して、データ表示制御機能ブロック４２９で変換された各種表示波形データを視点角度や表示電流センサチャネル順序など付加情報と共に取得データメモリ４２５に保存する制御を行う。
　特徴点マーキング機能ブロック４３１は、人間の操作インターフェースを介し、取得データメモリ４２５にあらかじめ格納されている任意の波形データのディジタル信号をその付帯データ（サンプリングビット数、サンプリングスケール値やサンプリング時間間隔など）と共に、データ選択機能ブロック４２８を経由し読み出し、図１８と図１９に示す本発明の判定に用いるディジタル信号演算範囲の積分計算区間の設定を行う。
　特徴点マーキングの際、特徴点マーキング表示機能Ｇ４では、データ表示制御機能ブロック４２９の等高線表示機能Ｇ３で生成された等高線表示情報と同様な波形表示を用いて、ボンディングワイヤ結合不良による波形変化の最も現れやすいと想定される領域を関心領域マーカにより選択設定する。
　マーキングされた関心領域（積分計算区間）は領域を設定した波形情報のディジタル信号と共に比較データメモリ４３２に保存される。
　ＧＯ／ＮＯ ＧＯ判定機能ブロック４３３は、データ選択機能ブロック４２８から出力される被検査波形のディジタル信号と比較データメモリ４３２に格納された検査基本波形の複数のディジタル信号及び関心領域情報（積分計算区間）を用いて図２１に示すソフトウエアアルゴリズムに従い検査・可否判定を行い、結果表示Ｇ５で“正常”，“不良”及び“疑わしい”旨の表示を行う。なお、前述ＧＯ／ＮＯ ＧＯ判定機能ブロック４３３では検査基本波形の複数のディジタル信号を用い、前もって図１９で示される第一判定基準５００の判定閾値１（１σ）及び判定閾値２（２σ）と、第二判定基準５０１の判定閾値１（１σ）、判定閾値２（２σ）及び判定閾値３（１．５σ）の算出を行って、比較データメモリ４３２に格納しておき、図２１のソフトウエアアルゴリズムの各判定ステップで使用する。
　図１３は、８本の接合正常のボンディングワイヤを１６チャンネルのセンサアレイモジュール３２０で測定した場合の各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の並び空間軸方向、信号変化時間軸方向及び信号振幅方向に立体的に面で表した電流磁界分布波形の分布パターンである電流磁界分布パターンを示すものであり、（ａ－１）はボンディングワイヤＢ１～Ｂ８の平面視図、（ａ－２）は各電流センサチャンネルの測定データの平面視図、（ｂ－１）はボンディングワイヤの側面視図、（ｂ－２）は測定データの側面視図、（ｃ－１）はボンディングワイヤの斜視図、（ｃ－２）は測定データの斜視図、（ｄ）は測定データの正面視図、（ｅ）はボンディングワイヤが基板にしっかりと接合されている状態の側面視図、（ｆ）は（ｅ）の接合状態の時の正常応答を示す電流磁界波形図である。この接合正常状態では、全電流センサチャンネルの電流磁界分布波形測定データの三次元分布は（ｄ）の正面視図に示すように、ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８の数の小さな起伏を示す。このようにセンサアレイモジュール３２０を用いて測定した信号波形は時間軸方向（試験パルス信号変化方向）、空間軸方向（センサアレイモジュール３２０の複数の電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の並び方向）及び各電流センサ出力の信号振幅方向（信号強度）で示される海の波のような複雑な波面変化でその特徴を捉えることができる。
　一方、図１４は、８本のボンディングワイヤのうち、６番目のボンディングワイヤＢ６が接合不良の時の各ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８に流れる電流を１６チャンネルのセンサアレイモジュール３２０で測定した場合、前記同様に立体的に表した電流磁界分布波形図を示すものであり、（ａ－１）はボンディングワイヤの平面視図、（ａ－２）は各電流センサチャンネルの測定データの平面視図、（ｂ－１）はボンディングワイヤの側面視図、（ｂ－２）は測定データの側面視図、（ｃ－１）はボンディングワイヤの斜視図、（ｃ－２）は測定データの斜視図、（ｄ）は測定データの正面視図、（ｅ）はボンディングワイヤの片方が接合不良で、微小な抵抗を有している状態の側面視図、（ｆ）は（ｅ）の状態の応答を示す電流磁界波形図である。このようにボンディングワイヤの一部に接合不良があると、それが抵抗値の上昇となり、電流が小さくなりそれが電流磁界波形振幅の減少となって現れ、また試験パルス応答の微妙な応答遅延となって現れる。この電流磁界分布波形値を、予め設定した基準となる電流磁界分布波形と比較することにより、ボンディングワイヤＢ６の不良を検査することができる。しかしながら、実際には次の図１５に示すように多くの機構的な位置合わせばらつきや製造上のばらつき、あるいはＩＧＢＴ試験用検査装置３４０の内部の試験用電源供給電極や試験用負荷のインダクタなどから発生する、強力な環境磁界ノイズなどが外乱となって発生するため、単純な差分検査では電力用半導体デバイス３１０の不良検査は難しい。
　各ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８に流れる電流のばらつきは、接合不良の他に、図１５に示すように、ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８の形状や傾きのばらつきによっても生じる。すなわち、ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８は、全てがきれいに直線上に並んでいるのではなく、電力用半導体デバイス３１０の素子内の垂直方向に流れる「面電流」を向上させるために図１３の（ａ－１）（ｂ－１）（ｃ－１）、図１４の（ａ－１）（ｂ－１）（ｃ－１）及び図１５の（ａ）に示すように、千鳥状に配置されることが多い。また、ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８をデバイス電極面や基板電極端子面に圧着接合する際、完全に垂直ではなく、図１５（ｂ）に示すように多少の傾きが生じる。さらに、センサアレイモジュール３２０の電流センサＣＳ１～ＣＳ１６のコイルＣ１～Ｃ１６のボンディングワイヤＢ１～Ｂ８に対する近接位置には、センサアレイモジュール３２０をＩＧＢＴ試験用検査装置３４０の内部のデバイス試験治具に固定する際の多少の相対位置ばらつき（±Δｘ、±Δｙ、±Δｚ）が生じる。このような各種の影響が複雑に影響し合うと、図１５（ｄ）に示すように、センサアレイモジュール３２０のコイルＣ１～Ｃ１６は均一に配置されていても、全電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の各チャンネルが検出する電流磁界波形には、図１５（ｃ－２）に示すようにばらつきが生じる。これらのばらつきは各電流センサの電流磁界分布検出の際の信号入力の偏差値（図１５（ｃ－１））として認識される。一般にこれら相対位置ばらつきは、各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力信号値の求める標準信号レベルに対して傾向的な信号影響を伴うことが多い。このことは後の図１９の第二判定基準５０１の判定閾値１、判定閾値２及び判定閾値３を用いたフロアノイズ判定として応用される。
　なお、機構的な相対位置のばらつきによる電流磁界分布波形のばらつきは、図１４に示す接合不良による電流磁界分布波形のばらつきとは傾向が異なる。このことを踏まえ、ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８の接合不良を、前記機構的な位置合わせ相対バラツキによる影響や、図１０のセンサアレイモジュール３２０の電流センサＣＳ１～ＣＳ１６を構成するアンプ回路Ａ１～Ａ１６の信号ノイズ比（以降Ｓ／Ｎ比という）を劣化させるＬＳＩ回路の熱雑音の影響、あるいは同じく図１０で説明した試験電流端子３５０から発生する試験電流端子磁界４ＴＣの影響など測定環境を取り巻く各種外乱ノイズを伴う電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力信号の中から、高精度に識別するために、本発明では、以下に示す方法で診断するようにしている。
　本発明においては、図１６に示す電流磁界の三次元分布の正面視図のように、予め採取した接合不良がない正常な電力用半導体デバイスにおける各ボンディングワイヤＢ１～Ｂ８の電流磁界分布である標準サンプル平均信号（ｂ）と検査サンプル信号（ａ）の差分を取ると、サンプル差分積分信号（ｃ）で示すように、時間軸（図奥行き方向）に積算する差分の積分が得られる。この信号差分値の時間軸方向に積算したサンプル差分積分信号（ｃ）において、フロアノイズＤよりもピークが高い部分がボンディングワイヤ接合不良部分であると判定できる。このフロアノイズＤは、主にボンディングワイヤ接合不良が発生すると、減少した電流は他の正常なボンディングワイヤに分流する性質があるために生じるなどに起因するものである。
　図１７は図１６に示したサンプル差分積分信号（ｃ）のいくつかの不良パターンを示すものであり、図１７（ａ）はピークが１つ際立っており、電流センサＣＳ１２近傍で大きなボンディングワイヤ接合不良を検出している場合、（ｂ）はピークが複数（電流センサＣＳ６と電流センサＣＳ１２の近傍の２つ）離れている場合、（ｃ）はピークが複数（電流センサＣＳ１０と電流センサＣＳ１２の２つの近傍）近接している場合、（ｄ）はピークが電流センサＣＳ１の端に寄っている場合、（ｅ）は電流センサＣＳ１の端で且つピークが低い場合、（ｆ）は全体的に非常に低いピークが生じているが、電流センサＣＳ１またはＣＳ２近傍または電流センサＣＳ８及びＣＳ１０近傍の所々でフロアノイズレベルＤを超えている場合を示している。特に（ｅ）や（ｆ）のような条件のサンプル差分積分信号（図１６（ｃ））のボンディングワイヤ接合不良部の信号レベルの低いものや全体的にランダムなものが存在すると不良判定が難しくなる。
　ところで、本発明の実施の形態７では、信号差分を求める元になる標準サンプル平均信号［基準波形］（ｂ）と検査サンプル信号［現在測定波形］（ａ）は、既に図１０のセンサアレイモジュール３２０の曝される環境磁界ノイズで説明したように、信号測定を行ったＩＧＢＴ試験用検査装置３４０の装置機構構造特有の環境磁界ノイズを含んだ信号となる。このことは前述の信号差分で個々の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布のばらつき判定を行う場合、大きな外乱ノイズとなり支障を来す場合がある。このため、環境磁界ノイズの影響を標準サンプル平均信号（ｂ）［基準波形］算出の元となるＮ個の標準波形信号サンプル取得時に前もって除去する処理を行っておくことは、標準サンプル平均信号（ｂ）［基準波形］データの検査装置間の可搬性を高める効果がある。
　その一つの例は、既に図１０で説明したようにセンサアレイモジュール３２０の電力用半導体デバイス３１０のボンディングワイヤＢ１～Ｂ８の電流磁界計測の位置の基準位置３５２とボンディングワイヤＢ１～Ｂ８から遠ざかった偏位位置５３で同じ試験パルス信号応答の差分を取るものである。
　前記の二つの偏位位置における信号波形計測の方法は具体的に、センサアレイモジュール３２０の計測位置を基準位置３５２と偏位位置３５３の二つの位置に移動し、それぞれ同じ試験パルス信号ＳTにて計測する方法と、センサアレイモジュール３２０の電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の構造のコイル位置を基準位置３５２と偏位位置３５３の両方に設ける機構的構造を取る方法によっても可能である。
　なおコイル位置を複数設け信号差分を取る方法は前記の電流センサ出力後のアナログ演算やディジタル演算によっても可能であるし、また基準位置３５２と偏位位置３５３のそれぞれのコイルの磁束に対する起電力の極性方向の異なる巻き線方向の異なるコイル信号出力極性で相殺するよう結線することによっても実現可能である。
　また、前記の複数のコイルＣ１～Ｃ８は磁気抵抗素子など他の磁気検出素子に置き換えられても構わない。
　基準位置３５２と偏位位置３５３での信号波形の差分をとることにより、鋭敏な電流センサ周囲に複雑な形状で、ともすると電流センサ検出信号に有害な誘導磁界影響を与えてしてしまう恐れのある防磁シールドのような特殊な構造を付加することなく、環境磁界ノイズ信号を相殺することができる。
　本発明の実施例では、標準サンプル平均信号（ｂ）［基準波形］を測定するＩＧＢＴ試験用検査装置３４０と検査サンプル信号（ａ）［現在測定波形］を測定するＩＧＢＴ試験用検査装置３４０とが同じ装置であることを前提として説明しており、センサアレイモジュール３２０のコイルＣ１～Ｃ１６に及ぼす環境磁界ノイズ（図１０に示す例として試験電流端子磁界４ＴＣなど）の影響は同等であると考えることができ、後に説明する（３）式の電流センサ別差分積算値Ｄ(i,j)及び後に説明する（４）式の電流センサ総合差分積算値ＤA(i)の演算結果には環境磁界ノイズが差し引き相殺されていることになる。
　そこで、本発明の実施の形態７では、電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の高さを異ならせてそれらの差分を取ることによりノイズを相殺するという工程を省略し、環境ノイズを含んだままの基準波形と測定波形を用いることとした。以下、説明する。
　図１９（ａ）に示す各マス目の数値は、標準サンプル平均信号［基準波形］と検査サンプル信号［現在測定波形］の各サンプル時間タイミングにおける符号付き（図１８の電流センサ出力信号（ｂ）の０Ｖ基準を中心）差分値である。説明図では説明簡略化のため、１や４などに置数しているが、実際は図１９（ｂ－１）に示すボンディングワイヤの磁界電流を検出する電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の出力値（図１９（ｂ－２）参照）（約±１０００．０ｍＶ）の差分値であり実際は±３００．０ｍＶ前後の値で変位する。
　サンプル差分積分信号（図８の（ｃ）と図１７の（ａ）～（ｆ）の例）は、図１９（ｃ）に示す各電流センサ（ＣＳ１～ＣＳ１６）の積分計算区間Ｔｉの積算値である各電流センサ差分積算値の連なりを示す情報である。
　前記積分計算区間Ｔｉにおいて（ａ）の各マス目の差分値を積算することの利点は、一つのサンプル時間のタイミングの瞬時値、すなわち（ａ）のマス目の値にスパイクノイズなどの急峻な変化を捉えた場合、時間軸積分により全体に平準化できることと、また、ボンディングワイヤ接合不良が発生した場合、信号の特徴的な変化が現れ易い点、すなわち差分値が大きくなり易い点（実施例では図１８のＳCで信号の最初の立ち下がり前後を指定している（Ｔｉ））近傍の時間積分により、検出信号のＳ／Ｎ比をより向上できることにある。
　本実施例では、評価基準として、第一判定基準５００と第二判定基準５０１の二つの基準値を設ける。以下にそれぞれの判定基準の算出設定方法の説明を行う。
　図１９（ｆ）の第一判定基準５００は、各マス目のサンプリング差分値の絶対値の全電流センサＣＳ１～ＣＳ１６及び積分計算区間Ｔiにおける積算値を元に計算される。第一判定基準５００の目的は全ての電流センサの差分信号を一度に評価し、本来ボンディングワイヤ電流磁界分布ばらつき不良は多くないことを前提に検査判定速度を高めることを目的としている。
　まず任意の電流センサ出力値の任意のサンプリング時点における振幅の、不良の含まれない電力用半導体デバイスの予め計測したサンプル個体数Ｎで平均した、平均値を（２）式により求める。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 （Ｘ (i,j,k)：電力用半導体デバイスの一つの個体計測するところの、一つの電流センサチャンネルの、一つのサンプリング時点での符号付き信号振幅値，ｉ：１からＮ個の電力用半導体デバイスのサンプル個体数を与える値。ｊ：１からＣ個までの任意の電流センサ（ＣＳ１～ＣＳ１６）数を与える値で最大をＣとする。ｋ：１からＴまでの積分計算区間Ｔiの任意のサンプリング時間位置を与える値で最大をＴとする。）
　次に（３）式で各電流センサ別に積分計算区間の任意のサンプリング時点での前記正常なＮ個のサンプル信号と前記標準サンプル平均信号ＸA(j.k)との差を取り各電流センサ毎のＮ個の分散を求める。信号は図１８のＳCに示すように０Ｖ基準値を中心に極性付振幅の為各信号の絶対値を取り積分計算区間Ｔiで時間積分する。積分結果は二つの信号の差分面積を意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 　次に（４）式で各電流センサ別差分積算値であるＤ(i,j)を全電流センサ（ＣＳ１～ＣＳ１６）で積算した値であり、電流センサ総合差分積算値を求める。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
　次にＮ個の正常な電流センサ総合差分積ＤA(i)の標準偏差値を正規化した、第一判定基準５００の偏差値（図１９の（ｆ）参照）を（５）式で求める。
　算出結果、標準偏差値と存在確率により正常品判定基準である最適な判定閾値１（本実施例では図１８の許容マージンｍ＝１σ［約６８．２％幅の存在確率］として設定）を選択する。一方不良品判定の判定閾値２（実施例では２σ［約９５．４％幅の存在確率］として設定）などに使用する場合には検査治具の位置精度ばらつきなどを含んだ実際の製造ラインの歩留まりなどを事前に充分評価し最適な値を設定する必要がある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
　（６）式は図１８に示す検査サンプル信号（ａ）［現在測定波形］の絶対値と標準サンプル平均信号（ｂ）［基準波形］の絶対値との差分をすべての電流センサＣＳ１～ＣＳ１６と積分計算区間Ｔiで積分した値（電流センサ総合差分面積）であり、評価対象の絶対値をとって分散評価する式である。ここで、電流センサＣＳ１～ＣＳ１６すべての波形値の絶対値をとらずそのまま加算するとボンディングワイヤ接合不良部の減少電流分と他の正常なボンディングワイヤに分流した増加電流分が相殺され、０になる可能性が高いため、本判定では、絶対値を取り総量で評価することとしている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
 （ＸS(j,k)：検査サンプル信号（図１８の（ａ））[現在測定波形]の任意のセンサの任意のサンプリング時間位置における信号振幅値）
　以上、（６）式で与えられる検査サンプル信号（図１８（ａ））［現在測定波形］ＤASを前記判定閾値１（１σ）と前記判定閾値２（２σ）で評価することにより正常・異常判定を行う。
　具体的には１σ以内の場合は「正常」とし、２σ以上の場合には「異常」とする。この判定で主に判断できる不良品判定内容は図１７に示す（ａ）～（ｄ）に示すようなボンディングワイヤ接合不良部がはっきりしているパターンの場合（フロアノイズＤに比較してボンディングワイヤ接合不良部のピークが際立っている場合）である。１σと２σの間の場合は、各種方法が考えられるが、本実施例では以降に述べる第二判定基準５０１に引き継ぐ処理を行う。
　前記第一判定基準５００において各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６の総合差分積算値（ｅ）を算出する利点は、センサアレイモジュール３２０の電流センサＣＳ１～ＣＳ１６を構成する各アンプ回路Ａ１～Ａ１６の互いに相関の無い熱雑音など回路内在ノイズを積算により軽減できることである。これによって電流センサ総合差分積算値（ｅ）のＳ／Ｎ比の改善が期待でき、より判定確度の高い判定を実現可能である。
　次に各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６毎に設定された第二判定基準５０１について説明する。
　図１９（ｄ）の第二判定基準５０１は各電流センサ毎に設定された評価値であり、第一判定基準５００に比べるとより詳細な評価が可能となるが、その分判定に時間が掛かる。
　各電流センサ別ＣＳ１～ＣＳ１６の個々の第二判定基準５０１の偏差値（図１９の（ｄ）参照）を前記第一判定基準５００の手順と同様に（７）式で求める。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
 　（７）式で表される電流センサ別偏差値ＴSjは本実施例の場合、電流センサはＣＳ１～ＣＳ１６の１６チャンネルあるので、各独立の１６通りの判定閾値１が存在し、本実施例では各電流センサ毎の異なる標準偏差値のσ値が存在する。同様に判定閾値２にも各電流センサ毎に最適値の判定閾値２（本実施例では各電流センサ毎の異なる標準偏差値の２σ）が存在する。
　実際の不良品判定の第二判定基準５０１の閾値２（たとえば２σ）などに使用する場合には製造過程特有の傾向値が存在することも考えられ、実際の製造ラインの歩留まりなどを考慮し最適な値を設定する必要がある。
　（８）式は図１８に示す検査サンプル信号（ａ）［現在測定波形］と標準サンプル平均信号（ｂ）［基準波形］との差分の絶対値を各電流センサ別に積分計算区間Ｔiで時間積分した評価対象の分散値である。
　積分の結果、検査サンプル信号（ａ）［現在測定波形］の方が標準サンプル平均信号（ｂ）［基準波形］よりも振幅が大きい場合には（８）式の積分結果の極性は＋（プラス）になる。逆に小さい場合には－（マイナス）になる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
　以上（８）式の各電流センサ出力別の積算値ＤSjを第二判定基準５０１の判定閾値１及び判定閾値２で評価することにより「正常」・「異常」及び「判定不能」（曖昧）の判定を行う。具体的な判定は以下の通りである。
　１σ以内の場合は「正常」とし、ｊで与えられる電流センサ（ＣＳ１～ＣＳ１６）出力の内１つでも２σ以上の場合には「異常」とする。この「異常」判定例は図１７の（ｅ）のような例である。１σと２σの間の場合は、判定不能（曖昧）と見なし、フロアノイズ評価を行う。
　フロアノイズ評価では、第二判定基準５０１の「判定不能」範囲における（８）式の各電流センサ別振幅差分ＤSjの大きさと極性のばらつき（値の±極性分散）の評価を合わせて行う。
　各電流センサ出力（ＣＳ１～ＣＳ１６）出力のＤSjがすべて同一極性方向に偏り（＋または－）が見られる場合は同一傾向オフセット（特性の偏り）として「正常」とする。この「正常」判定はあくまでも、電力用半導体デバイス３１０の各ボンディングワイヤ（Ｂ１～Ｂ８）に分散する電流が同一傾向を持っており、偏りが無いと言う判定であり、ＩＧＢＴ試験用検査装置３４０にてパルス応答特性試験に問題があればその判定に従うものである。一方各電流センサ出力にランダムな極性分散（＋と－が混在）する場合は、１σから１．５σ程度の大きさであれば「正常」とみなし、１．５σ以上の大きさのランダム極性分散が認められると特性の偏りの傾向性が見られず傾向オフセットとはみなされ難いため「疑わしい」とみなす。「疑わしい」判定の例としては図１７の（ｆ）のようなパターンである。なお、各電流センサ出力別のランダム極性分散の場合の大きさ判定閾値３（本実施例では１．５σとしている。）は、実際の製造ラインの不良状態を解析し、最適値が選択される必要がある。
　前記第二判定基準５０１において各電流センサ別差分積算値（ｃ）で評価する利点は、各電流センサＣＳ１～ＣＳ１６出力毎に空間分布する図１７の（ａ）～（ｆ）までに示すサンプル差分積分信号の値をそのまま評価することが可能となり、各電流センサ毎の確度でボンディングワイヤ接合不良の判定を行うことが可能となる点である。
　図２０は、第一判定基準５００の実測例を示すものであり、複数のサンプル波形信号に対して図１９（ｅ）の電流センサ総合差分積算値をプロットし、（９）式の標準サンプル平均値の電流センサ総合積算値平均ＤACを標準偏差値の存在確率の中心値として判定閾値１及び判定閾値２（実施例ではそれぞれ１σ［約６８．２％幅の存在確率］、２σ［約９５．４％幅の存在確率］）を設定する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
 　なお、図２０のデータプロットでは２５個の標準サンプルの中にも正常品でありながら前記２σ（閾値２）を超えるサンプルも存在する。このため図２０のσ値はあくまでも一例を示すものであり、電力用半導体デバイスの歩留まり等を考慮し、判定閾値１、判定閾値２として最適なものを選択設定する必要がある。
　図２１は、本発明のボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法の処理ステップを示すフローチャートである。これは、図１１のＧＯ／ＮＯ ＧＯ判定機能ブロック４３３で処理され（２）式から（８）式をもって評価判定される内容を示し、比較データメモリ４３２内に格納される標準サンプル平均信号データ、第一判定基準５００にかかる評価閾値１及び評価閾値２、第二判定基準５０１にかかる評価閾値１、評価閾値２及び評価閾値３、そして同じく図１１の特徴点マーキング機能ブロック４３１で標準サンプル平均信号データに設定された積分計算区間情報が用いられる。以下、各ステップについて説明する。
ステップＳ１００：図１０のセンサアレイモジュール３２０の各電流センサ（ＣＳ１～ＣＳ１６）出力の検査サンプル信号（図１８の（ａ））［現在測定波形］と標準サンプル平均信号（図１８の（ｂ））［基準波形］差分を作成する。
ステップＳ１１０：各電流センサチャンネル差分信号の図１８の積分計算区間Ｔｉにおいて積分を行う（図１９の（ｃ）参照）。
ステップＳ１２０：各電流センサチャンネル間積分を行う（図１９の（ｅ）参照）。
　以上スッテプＳ１００～Ｓ１２０の一連の処理は（６）式に示されたＤASを算出することを意味する。
ステップＳ１３０：ＤASを第一判定基準５００にかかる判定閾値１（１σ）及び判定閾値２（２σ）を用いて検査サンプル信号（図１８の（ａ））［現在測定波形］の積分計算区間（図１１の特徴点マーキング表示Ｇ４の関心領域マーカで示す領域、及び図１８のＴｉで示す区間）内での標準偏差値評価を行う。
ステップＳ１４０：完全に許容内（１σ以内）であればステップＳ１５０に進み、“正常”と判定する。完全に許容外（２σより外）であればステップＳ１８０に進み、“不良”と判定する。判定が曖昧（1σと２σの間）であればステップＳ１６０の第二判定基準５０１による電流センサ毎の偏差値評価に移行する。ステップＳ１４０の判定で“正常”あるいは“不良”が確定できると最も早く検査が終了する。
ステップＳ１６０：（８）式で表される各電流センサ出力別の差分値ＤSjを各電流センサ毎に設定される第二判定基準５０１にかかる各判定閾値１（１σ）及び各判定閾値２（２σ）を用いて各電流センサチャンネルの標準偏差値で評価する。なお、差分値ＤSjはステップＳ１１０にてすでに各電流センサ毎に作成されている。第二判定基準５０１を用いる場合、電流センサ毎のばらつき範囲で詳細に評価可能であるが処理時間が掛かる。
ステップＳ１７０：完全に許容内（１σ以内）であれば前述ステップＳ１５０に進み、“正常”と判定する。完全に許容外（２σより外）であれば前述ステップＳ１８０に進み、 “不良”と判定する。判定が曖昧（1σと２σの間）であればステップＳ１９０の第二判定基準５０１を用いたフロアノイズの評価に移行する。
ステップＳ１９０：（８）式で表される各電流センサ毎の差分値ＤSjを各電流センサ毎に設定される第二判定基準５０１にかかる各判定閾値１（１σ）、各判定閾値２（２σ）及び判定閾値３（１．５σ）を用いて１σと２σの間の偏り度合いを判別することによりフロアノイズの性質の評価を行う。
ステップＳ２００：各電流センサ毎の差分値ＤSjがランダム（＋側と－側に分かれている状態）で且つ大きく判定閾値３の１．５σ以上である場合はステップＳ２１０に進み、“疑わしい”と判定する。揃って１σと２σの＋側または－側のどちらか一方側に偏ったもの、あるいは前記ランダムであっても判定閾値３の１．５σよりも小さい値であれば傾向性のある特性オフセットあるいは小さなフロアノイズと見なし、ステップＳ２２０に進み、“正常”と判定する。
　なお、このフロアノイズ判定を含む各電流センサ毎の判定を行う第二判定基準５０１の判定閾値１（本実施例では１σ）、判定閾値２（本実施例では２σ）及び判定閾値３（本実施例では１．５σ）は電力用半導体デバイスの特性ばらつきの度合いを考慮し、見直すことによって、より精度の高いものに改善できる。
　以上、図２１のボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法の処理ステップを示すフローチャートの実施例は、判定の高速化と高精度化を達成する例であり、高精度追求のみであれば、ステップＳ１１０から直接ステップＳ１６０に移行し、各電流センサ（ＣＳ１～ＣＳ１６）出力を、第二判定基準５０１を用いて個別に評価するソフトウエア構成のフローチャートも可能である。
　また、判定の高速化のみを追求する場合には、第一判定基準５００に第二判定基準５０１と同様な判定閾値３（判定値の例として１．２σ）を設け、ステップ１９０のフロアノイズの評価と同様な構成を取り、ステップＳ１４０の偏差値評価判定で判定が「曖昧」と判断された場合にステップＳ１９０のフロアノイズの評価に移行するようにフローチャートを構成することにより実現可能である。
　以上説明したように、本実施の形態７によれば、電力用半導体デバイスの配線材である複数のボンディングワイヤに流れる電流分布の偏りなどの異常を、電流磁界を検出することにより非接触で検査診断し、配線不良などによるデバイスの長期信頼性を損なう恐れのある隠れた瑕疵等の原因を検査、診断、検出し、不良品を排除することができる。
　本発明は、電力用半導体デバイス、特にＩＧＢＴのパッケージング時の不良判定を高精度で行うことができる技術として、電気機器および電子機器の電源やインバータ等に広く使われているデバイスの製品の信頼性を著しく向上させることができる。
　また、本発明は、電力用半導体デバイス、特にＩＧＢＴのパッケージング時のボンディングワイヤ接合不良判定を高精度で行うことができる技術として、電気機器および電子機器の電源やインバータ等に広く使われている電力用半導体デバイスの製品の使用中の故障を低減させ、信頼性を著しく向上させることができる。

Claims (21)

  1. 　複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法において、
    　前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する電流センサを複数設け、
    　前記電流センサにより、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置で電流磁界を測定し、
    　前記計測目標位置と、前記偏位位置とで測定した電流磁界の差分をボンディングワイヤ電流信号としてボンディングワイヤ電流磁界分布を検出することを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法。
  2. 　前記複数の電流センサのうち少なくとも１つの電流センサを、前記計測目標位置と前記偏位位置とに移動させることにより前記各位置で電流磁界を測定することを特徴とする請求項１記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法。
  3. 　前記複数の電流センサは、前記計測目標位置と前記偏位位置とでそれぞれ電流磁界を検出するためのセンサ素子を備え、前記複数の電流センサを予め固定された位置に配置させた状態で前記各位置でそれぞれ同時に電流磁界を測定することを特徴とする請求項１記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法。
  4. 　複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法において、
    　前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界をそれぞれ検出する電流センサを複数設け、
    　前記各電流センサは、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置とに、それぞれ独立したセンサ素子を備えるとともに、各センサ素子の出力信号を電流磁界方向に対して互いに信号を打ち消し合う逆相接続した構成とし、
    　前記逆相接続したセンサ素子の総合的な出力信号をボンディングワイヤの電流磁界信号としてボンディングワイヤ電流磁界分布を検出することを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法。
  5. 　複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置において、
    　前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサと、
    　前記電流センサにより、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置で電流磁界を測定する電流磁界測定手段と、
    　前記計測目標位置と、前記偏位位置とで測定した電流磁界の差分を演算する電流磁界差分演算手段と
    を備えたことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置。
  6. 　前記複数の電流センサのうち少なくとも１つの電流センサを、前記計測目標位置と前記偏位位置とに移動させる電流センサ移動手段を設け、前記各位置で前記電流磁界測定手段により電流磁界を測定することを特徴とする請求項５記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置。
  7. 　前記複数の電流センサは、前記計測目標位置と前記偏位位置とでそれぞれ電流磁界を検出するためのセンサ素子を備え、前記複数の電流センサを予め固定された位置に配置させた状態で前記各位置でそれぞれ同時に電流磁界を測定する電流センサユニットを設けた請求項５記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置。
  8. 　複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置において、
    　前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサであって、各電流センサは、一つの基板に位置の異なる少なくとも２つのセンサ素子を備えたものであり、
    　前記電流センサにより、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた少なくとも１箇所の偏位位置で電流磁界を測定する電流磁界測定手段と、
    　前記計測目標位置と、前記偏位位置とで測定した電流磁界の差分を演算する差動信号演算手段と
    を備えたことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置。
  9. 　複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置において、
    　前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサであって、各電流センサは、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた箇所の偏位位置で電流磁界を測定するセンサ素子の出力信号を電流磁界方向に対して互いに信号を打ち消し合う逆相で接続されたものであり、
    　前記電流センサにより、計測目標位置と、その計測目標位置から離れた箇所の偏位位置における電流磁界の差分を測定する電流磁界差分測定手段と
    を備えたことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出装置。
  10. 　複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法において、
    　前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサを設け、
    　前記電流センサにより予め採取した基準の電流磁界分布パターンと、新たに採取した電流磁界分布パターンの特徴点比較を行い、予め指定された特徴点の差異を評価し、一定の評価値以上の差異が認められた場合に異常として診断する
    ことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法。
  11. 　予め採取した基準となる電流磁界分布パターンと、新たに採取した電流磁界分布パターンに対して、波形の時間軸を含めた各電流センサの電流磁界信号波形の差分を時間軸に積算したサンプル差分積分信号を、電流センサ配列の空間軸上にプロットし、空間的な偏りの発生を異常特徴として評価検出し、異常判定を行う請求項１０記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法。
  12. 　予め採取した基準となる電流磁界標準信号と、新たに採取した電流磁界検査信号に対して、各電流センサの電流磁界信号の差分をサンプル期間毎に求め、前記差分を時間軸に積算し、得られた電流センサ別差分積算値と予め設定された判定基準とを比較して、異常判定を行う請求項１０記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法。
  13. 　前記複数の電流センサの各出力信号の振幅及び周波数特性に対し、全ての出力特性がほぼ一致するように予め補正を行うことを特徴とする請求項１０から３のいずれかの項に記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法。
  14. 　前記基準の電流磁界分布パターン及び前記新たに採取した電流磁界分布パターンは、それぞれ、前記電流センサにより検出した電流磁界から本来採取すべき電流磁界信号を著しく妨害する、検査環境に存在する不要な磁界輻射ノイズである環境ノイズ（以下、単に「環境ノイズ」という。）を除去した信号を用いることを特徴とする請求項１０から１３のいずれかの項に記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法。
  15. 　前記基準の電流磁界分布パターン及び前記新たに採取した電流磁界分布パターンは、それぞれ、前記電流センサにより検出した環境ノイズを含む原信号を用いることを特徴とする請求項１０から１３のいずれかの項に記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法。
  16. 　複数の電力用半導体デバイスのそれぞれと基板間を、複数のボンディングワイヤで接合した電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置において、
    　前記複数のボンディングワイヤに流れる電流により生じる磁界を検出するとともに、前記磁界に応じた電流を各ボンディングワイヤの電流としてそれぞれ出力する複数の電流センサと、
    　前記電流センサにより予め採取した基準の電流磁界分布パターンと、新たに採取した電流磁界分布パターンの特徴点比較を行い、予め指定された特徴点の差異を評価し、一定の評価値以上の差異が認められた場合に異常として診断する異常診断手段と
    を設けたことを特徴とする電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置。
  17. 　前記異常診断手段は、
    　予め採取した基準となる電流磁界分布パターンと、新たに採取した電流磁界分布パターンに対して、波形の時間軸を含めた各電流センサの電流磁界信号波形の差分を時間軸に積算する差分積算手段と、
    　前記差分積算手段により積算されたサンプル差分積分信号を、前記電流センサ配列の空間軸上にプロットし、空間的な偏りの発生を異常特徴として評価検出し、異常判定を行う異常判定手段と
    を含むことを特徴とする請求項１６記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置。
  18. 　前記異常診断手段は、
    　予め採取した基準となる電流磁界標準信号と、新たに採取した電流磁界検査信号に対して、各電流センサの電流磁界信号の差分をサンプル期間毎に求め、前記差分を時間軸に積算する電流センサ別差分積算手段と、
    　得られた電流センサ別差分積算値と予め設定された判定基準とを比較して、異常判定を行う異常判定手段と
    を含むことを特徴とする請求項１６記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置。
  19. 　前記複数の電流センサの各出力信号の振幅及び周波数特性に対し、全ての出力特性がほぼ一致するように予め補正を行う電流センサ別出力特性補正手段を有することを特徴とする請求項１６から１８のいずれかの項に記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置。
  20. 　前記異常診断手段において、前記基準の電流磁界分布パターン及び前記新たに採取した電流磁界分布パターンは、それぞれ、前記電流センサにより検出した環境ノイズを除去した信号を用いることを特徴とする請求項１６から１９のいずれかの項に記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置。
  21. 　前記異常診断手段において、前記基準の電流磁界分布パターン及び前記新たに採取した電流磁界分布パターンは、それぞれ、前記電流センサにより検出した環境ノイズを含む原信号を用いることを特徴とする請求項１６から１９のいずれかの項に記載の電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106324472A (zh) * 2016-09-13 2017-01-11 同济大学 一种非接触式变流器igbt模块状态监测方法
WO2019042388A1 (en) * 2017-08-31 2019-03-07 Dongfeng Dana Axle Co., Ltd. METHOD FOR MEASURING AN ENGINE LINK QUANTITY
CN113075584A (zh) * 2021-04-15 2021-07-06 哈尔滨理工大学 定子换位线棒的股线短路故障检测方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353778A (ja) * 1999-04-05 2000-12-19 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体モジュール
JP2011222717A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Renesas Electronics Corp 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
JP2012010465A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Jtekt Corp モータ制御装置及び車両用操舵装置
JP2013229547A (ja) * 2012-03-26 2013-11-07 Toshiba Corp 半導体装置および半導体モジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353778A (ja) * 1999-04-05 2000-12-19 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体モジュール
JP2011222717A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Renesas Electronics Corp 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
JP2012010465A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Jtekt Corp モータ制御装置及び車両用操舵装置
JP2013229547A (ja) * 2012-03-26 2013-11-07 Toshiba Corp 半導体装置および半導体モジュール

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106324472A (zh) * 2016-09-13 2017-01-11 同济大学 一种非接触式变流器igbt模块状态监测方法
CN106324472B (zh) * 2016-09-13 2018-10-26 同济大学 一种非接触式变流器igbt模块状态监测方法
WO2019042388A1 (en) * 2017-08-31 2019-03-07 Dongfeng Dana Axle Co., Ltd. METHOD FOR MEASURING AN ENGINE LINK QUANTITY
US11047913B2 (en) 2017-08-31 2021-06-29 Dongfeng Dana Axle Co., Ltd. Method of measuring an amount of motor bonding
CN113075584A (zh) * 2021-04-15 2021-07-06 哈尔滨理工大学 定子换位线棒的股线短路故障检测方法
CN113075584B (zh) * 2021-04-15 2022-01-14 哈尔滨理工大学 定子换位线棒的股线短路故障检测方法

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