WO2016124537A1 - Organische leuchtdiodenvorrichtung und verfahren zum herstellen einer organischen leuchtdiodenvorrichtung - Google Patents

Organische leuchtdiodenvorrichtung und verfahren zum herstellen einer organischen leuchtdiodenvorrichtung Download PDF

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WO2016124537A1
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layer
separation structure
emitting diode
organic light
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Evelyn TRUMMER-SAILER
Thomas Wehlus
Nina Riegel
Erwin Lang
Richard Baisl
Simon SCHICKTANZ
Philipp SCHWAMB
Jörg FARRNBACHER
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Osram Oled GmbH
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    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Definitions

  • the invention relates to an organic compound
  • An organic light emitting diode device may be, for example, one, two or more organic light emitting diodes (OLEDs) or parts or segments of organic light emitting diodes.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • the object of the invention is to provide an efficient and easy to manufacture organic light-emitting diode device
  • Substrate on which a plurality of pixels is formed comprises. Further, the organic light emitting diode device has a separation structure formed between the pixels and on the substrate. Furthermore, the organic
  • Light emitting diode device on a reflection layer, which is arranged on the separation structure.
  • the organic light-emitting diode device furthermore has an organically functional layer structure with at least one organic layer.
  • the at least one organic layer extends over the gesarate
  • Reflection layer on the separation structure may allow penetration of electromagnetic radiation into the separation structure
  • the reflection layer comprises a metal or is formed from a metal.
  • the separation structure has a
  • an organic light-emitting diode device having a substrate on which a plurality of pixels
  • the organic light-emitting diode device on a separation structure formed between the pixels and on the substrate, wherein the separation structure comprises a matrix material. Furthermore, the organic light-emitting diode device has a decoupling substance which is arranged in or on the separating structure.
  • Refractive index of the decoupling substance is higher than that
  • Refractive index of the matrix material Due to the presence of a decoupling substance in the separation structure, wherein the
  • Refractive index of the decoupling substance is higher or lower than the refractive index of the matrix material
  • the matrix material has a
  • each pixel has in each case a first electrode and a second electrode.
  • the second electrode is at least partially formed over the separation structure and a
  • Insulating layer is formed between the separation structure and the second electrode. According to a development, the separating structure is at least partially formed on or above the first electrode.
  • the second electrode extends over the plurality of pixels and over the separating structure.
  • the organic light-emitting diode device can be formed in a simple manner, since the second electrode can be formed, for example, unstructured.
  • At least one conductor track element is formed on the first electrode or on the second electrode, wherein an insulating element on the
  • Conductor element and the first electrode or the second electrode is formed such that the insulating element completely covers the conductor element.
  • a further reflection layer is formed on the insulating element and the reflectivity of the further reflection layer is higher than the reflectivity of the insulating element.
  • the insulating element has a further matrix material and a further AuskoppeIstoff, wherein the further decoupling substance on or in the Insulating element is arranged and, wherein the refractive index of the further decoupling substance is higher than the refractive index of the further matrix material.
  • the object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing an organic light emitting diode device.
  • the method comprises forming a plurality of pixels on a substrate. Furthermore, the method comprises forming a separation structure between the pixels and on the substrate. Furthermore, the method comprises forming a reflection layer on the separation structure. The refiectivity of the reflection layer is higher than the reflectivity of the separation structure.
  • Light emitting diode device is formed such that the organic light emitting diode device organically
  • the at least one organic layer is formed such that the at least one organic layer extends over the entire reflection layer.
  • the reflection layer is formed from a metal or the reflection layer is formed such that it comprises a metal.
  • the separation structure is formed from a polyimide or the separation structure is formed such that it comprises a polyimide.
  • the object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing an organic light-emitting diode device.
  • the method comprises forming a plurality of pixels on a substrate. Further, the method comprises forming a separation structure between the pixels and on the substrate, wherein the separation structure is formed such that the separation structure
  • Has matrix material The method further includes
  • the refractive index of the decoupling substance is higher than the refractive index of the matrix material
  • the matrix material is formed from a polyimide or the matrix material is formed such that it comprises a polyimide.
  • Formed scattering particles or the decoupling material is formed such that it has scattering particles.
  • each pixel becomes such
  • each pixel has a first electrode and a second electrode.
  • the separation structure is at least partially formed on or above the first electrode.
  • the second electrode is formed over the plurality of pixels and over the separation structure.
  • At least one conductor track element is formed on the first electrode or on the second electrode, wherein an insulating element on the
  • Conductor element and the first electrode or the second electrode is formed such that the insulating element completely covers the conductor element.
  • a further reflection layer is formed on the insulating element and the reflectivity of the further reflection layer is higher than the reflectivity of the insulating element.
  • the insulating element is formed such that the insulating element another
  • Insulating element is arranged and, wherein the refractive index of the further decoupling substance is higher than the refractive index of the further matrix material.
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 2a is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 2b is a schematic plan view of a
  • Figure 3 is a schematic cross-sectional view
  • Figure 4 is a schematic cross-sectional view e
  • Figure 5 is a schematic cross-sectional view e
  • Figure 6 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 7a is a schematic plan view of a
  • Figure 7b is a schematic plan view of a
  • Figure 7c is a schematic plan view of a
  • Figure 8 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 9 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 10 is a schematic cross-sectional view of a
  • FIG. 11 shows a flow diagram of a method for producing an organic light-emitting diode device
  • FIG. 12 shows a flow diagram of a method for producing an organic light-emitting diode device.
  • An organic light emitting diode device may comprise one, two or more organic light emitting diodes.
  • an organic light-emitting diode device may also have one, two or more electronic components.
  • An electronic component may have, for example, an active and / or a passive component.
  • An active electronic component may comprise, for example, a driver circuit, a power source, a computing, control and / or regulating unit and / or one or more transistors.
  • a passive electronic component may, for example, comprise a capacitor, a resistor, a diode or a coil.
  • a light-emitting diode may be an electromagnetic radiation-emitting semiconductor light-emitting diode, an inorganic
  • a light emitting diode may be part of an integrated circuit.
  • a light-emitting diode can emit, for example, light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer or a material is permeable to light, for example for that of the
  • one or more wavelength ranges for example, for light in a wavelength range of visible light (for example, at least in one
  • Translucent layer in various exemplary embodiments is to be understood as meaning that substantially all of the amount of light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer), whereby part of the light can be scattered in this case ,
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments be that a layer is transparent to light
  • Structure for example, a layer coupled light without scattering or light conversion is also coupled out of the structure (for example, layer),
  • the organic light-emitting diode 100 can be used as a surface component, for example as a
  • Light-emitting diode 100 has a carrier 101.
  • the carrier 101 may be translucent or transparent.
  • Carrier 101 serves as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements.
  • the carrier 101 may, for example, comprise or be formed from plastic, metal, glass, quartz and / or a semiconductor material. Further, the carrier 101 may be a
  • the carrier 101 may be mechanically rigid or mechanically flexible.
  • the carrier 101 may also be referred to as
  • Substrate 101 may be referred to. On the carrier 101 is an opto-electronic
  • Layer structure has a first electrode 102, wherein the first electrode 102 on or above the carrier 101
  • the first electrode 102 may also be referred to as the first electrode layer 102.
  • a first, not shown, barrier layer for example a first barrier thin layer, may be formed.
  • Barrier thin film serves to on the carrier 101
  • the first electrode 102 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 102 comprises an electrically conductive material, for example metal and / or a conductive transparent oxide
  • TCO transparent conductive oxide
  • the first electrode 102 may comprise a stack of layers of a coral of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on 1TO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • ITO indium tin oxide
  • the first electrode 102 may alternatively or in addition to the materials mentioned:
  • Networks of metallic nanowires and particles for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires.
  • Above the first electrode 102 is an optically functional
  • Layer structure for example, an organic functional layer structure 103, the optoelectronic
  • the organically functional layer structure 103 can also be described as organic
  • organic functional layer structure 103 may
  • the organically functional group for example, has one, two or more sub-layers.
  • the organically functional group for example, has one, two or more sub-layers.
  • the organically functional group for example, has one, two or more sub-layers.
  • Layer structure 103 a hole injection layer, a
  • Hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer.
  • the hole conductivity is larger than the electron conductivity.
  • the hole transport layer serves to transport the holes.
  • the electron transport layer the electron conductivity is larger than that Hole conductivity,
  • the electron transport layer is used to transport the holes.
  • the electron injection layer serves to reduce the bandgap between the second electrode and the electron transport layer.
  • the organic functional layer structure 103 may have one, two or more functional layer structure units, each of which has the sublayers and / or further intermediate layers.
  • the organic functional layer structure 103 also as an organic functional layer structure 103, can be made translucent or transparent.
  • the second electrode 104 may be formed according to any one of the configurations of the first electrode 102, wherein the first electrode 102 and the second electrode 104 may be the same or different.
  • the first electrode 102 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure.
  • the second electrode 104 serves as a cathode or anode of the optoelectronic corresponding to the first electrode
  • the optoelectronic layer structure is an electrically and / or optically active region.
  • the active region is, for example, the region of the optoelectronic component 100 in which electrical current is used to operate the
  • a getter structure (not shown) may be arranged on or above the active area.
  • the getter layer can be translucent, transparent or opaque.
  • the getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the active area.
  • Region 107 may also be referred to as a light-emitting region.
  • An encapsulation layer 105 of the optoelectronic layer structure, which encapsulates the optoelectronic layer structure, is formed over the second electrode 104.
  • Encapsulation layer 105 may also be referred to as encapsulation 105.
  • the encapsulation layer 105 may serve as a second barrier layer, for example as a second barrier layer
  • Encapsulation layer 105 may also be referred to as
  • Thin film encapsulation 105 may be referred to.
  • Encapsulation layer 105 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric agents, particularly to water (moisture) and oxygen.
  • the encapsulation layer 105 may be formed as a single layer, a layer stack, or a layered structure.
  • the encapsulation layer 105 may include or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia,
  • the first barrier layer on the carrier 101 is Indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof.
  • the first barrier layer on the carrier 101 is Indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof.
  • Encapsulation layer 105 may be formed. Over the encapsulation layer 105 is formed an adhesive layer (not shown).
  • the adhesive layer has, for example, an adhesive, for example a
  • Adhesive for example, a laminating adhesive, a paint and / or a resin.
  • the adhesive layer can
  • particles that scatter electromagnetic radiation such as light-scattering particles.
  • the adhesive layer serves to attach the cover body 106 to the encapsulation layer 105
  • Cover body 106 has, for example, plastic, glass and / or metal.
  • the cover body 106 may be formed substantially of glass and a thin Metal layer, such as a metal foil, and / or a graphite layer, such as a graphite laminate, have on the glass body.
  • the cover body 106 serves to protect the conventional optoelectronic component 100,
  • cover body 106 for distributing and / or
  • the glass of the cover body 106 may serve as protection against external influences, and the metal layer of the cover body 106 may serve for distributing and / or discharging the heat generated during operation of the conventional optoelectronic component 100. According to one
  • cover body 106 is formed as the carrier 101.
  • FIG. 2a shows a schematic cross-sectional view of an organic light-emitting diode device according to a
  • An organic light emitting diode device may include a plurality of organic light emitting diodes 100.
  • the organic light emitting diodes may be the same or different from each other and share a common substrate.
  • the organic light-emitting diodes 100 may, for example, in
  • FIG. 2a shows an embodiment of an organic light-emitting diode which is surrounded by a separating structure 210, as described in detail below.
  • a separating structure 210 In addition to the organic light-emitting diode and in addition to the separating structure 210, further organic light emitting diodes may be formed, which are not shown for the sake of simplicity.
  • the organic light-emitting diodes 100 can furthermore also share at least one of the layers described above, for example by virtue of this layer passing through the separating structure 210 toward one of the layers
  • the organic light emitting diode device has a substrate 201 on which a plurality of pixels are formed. Furthermore, the organic light emitting diode device has a
  • the organic light-emitting diode device has a reflection layer 220, which is arranged on the separation structure 210.
  • the reflectivity of the reflection layer 220 is higher than the Re selectivity of the separation structure 210.
  • the organic light emitting diode device further comprises an organic functional layer structure having at least one organic layer 203.
  • At least one organic layer 203 extends over the entire reflection layer 220. Due to the presence of the reflection layer 220 on the separation structure 210, penetration of electromagnetic radiation into the light source can occur
  • Separation structure 210 can be reduced. Thus, losses of light intensity are reduced and it becomes efficient
  • the substrate 201 is formed according to an embodiment of the substrate 101 described above.
  • the substrate 201 has a plurality of transistors, for example, thin-film transistors (TFTs) for driving the plurality of pixels.
  • TFTs thin-film transistors
  • the substrate 201 is formed flat and has a processing surface, wherein on the processing surface, the separation structure 210 and the
  • Substrate 201 comprises thin film transistors, the substrate 201 or a portion of the substrate 201 as a TFT plane
  • the pixels can be controlled with a driver unit, not shown, so that by means of the organic light emitting diode device one, two or more images, in particular a sequence of images, such as a movie, a video or a video game are visually displayed.
  • the driver unit may be on or in the substrate 201 be educated.
  • the driver unit, not shown, has an electronic circuit.
  • the driver unit has in particular a not shown
  • a data driver unit and a gate drive unit by means of which the pixels can be controlled depending on image data to be displayed.
  • the driver unit changes nominal values of at least one control variable by means of which the pixels
  • the setpoint values of the control variable depend on the image data.
  • the image data contains the
  • Image information for the images to be displayed can, for example, by means of an internal or external
  • the light-emitting components emit light in the different colors, whereby further colors can be displayed by means of color mixing of the generated light.
  • one pixel is out of the
  • a pixel of the plurality of pixels may also be referred to as single pixels or individual pixels.
  • the individual pixels can be the same or different from each other.
  • the plurality of pixels may be considered as a plurality of organic light emitting diodes formed side by side.
  • the individual pixels each have a first electrode 202 and a second electrode 204.
  • the first electrode 202 is disposed on or above the carrier 201.
  • On or above the first electrode is the organically functional
  • the second electrode 204 is arranged.
  • a single pixel may be in a plan view
  • the first electrode 202 is formed according to an embodiment of the first electrode 102 described above.
  • the second electrode 204 is formed according to an embodiment of the second electrode 104 described above.
  • the separation structure 210 is arranged in a structured manner on or above the substrate 201.
  • the separation structure 210 has a plurality of recesses 224, wherein the plurality of pixels in the plurality of
  • the separation structure 210 has a thickness d, for example in a range from about 0.2 ⁇ m to about 20 ⁇ m, for example in a range from about 1 ⁇ m to about 3 ⁇ m, for example in a range from about 1 ⁇ m to about 2 ⁇ m.
  • the separation structure 210 has an upper surface 240, wherein the surface normal of the upper surface 240 parallel to the normal surface of the
  • Processing surface 230 is. Furthermore, the
  • Separation structure on a lower surface 250 The lower surface 250 and the processing surface 230 may be in direct contact with each other, whereas the upper surface 240 is a surface of the separation structure 210 facing away from the substrate 201.
  • the upper surface 240 and the lower surface 250 are connected to each other by means of a side surface.
  • Side surface has a curvature, for example, as shown schematically in Fig.2a.
  • a single pixel can, depending on the shape of the single pixel, be surrounded by several curved sides.
  • the separation structure 210 is at least partially formed on or above the first electrode 202.
  • the separation structure 210 comprises a photoresist, also referred to as resist or Photoresist, up.
  • the separation structure 210 comprises a polyimide or is formed of a polyimide. Polyimides are not normally prone to this during a manufacturing process which takes place using a vacuum.
  • the separation structure 210 may be transparent or translucent,
  • the separation structure is at least partially formed on or above the first electrode.
  • the reflection layer comprises a metal or is formed from a metal.
  • Reflection layer of metal can be a particularly high
  • Have reflectivity for example, a reflectivity of about 20% to about 99.8%, for example from about 50% to about 99%, for example from about 80% to about 95%.
  • the at least one organically functional layer 203 may also be referred to as organic layer 203.
  • the organically functional layer structure is as described above
  • Layer structure 103 formed. For simplification, only the at least one organic functional layer 203 of the organic functional layer structure is shown in FIG. The. at least one organically functional
  • Layer 203 is formed on or over the separation structure 210 and in the pixel spaces.
  • the area that lies between the pixels may be considered a pixel space
  • the organic functional layer 203 is in the
  • the organic functional layer 203 is in the Flanking region 223 and disposed above the reflective layer 220 such that the projection of the organic functional layer 203 overlaps the reflective layer 220.
  • the organic functional layer 203 is disposed throughout in the pixel region 224, in the flank region 223, and in the release structure region 222, the organic functional layer 203 extends over the plurality of pixels and over the separation structure 210.
  • the individual pixels can be designed in such a way that individual pixels are approximately an electromagnetic one
  • Radiation with the same properties such as light with the same or with approximately the same color emit.
  • the pixels are formed such that the individual pixels or certain pixel groups with an electromagnetic radiation
  • the pixels or pixel groups can use light
  • the pixels are configured such that a first pixel subgroup emits red light, a second pixel subgroup emits green light, and a third pixel subgroup emits blue light.
  • the organic light emitting diode device may include one or more color filters or one or more
  • the second electrode 204 is formed at least partially over the separation structure 210, and an insulating layer 260 is formed between the separation structure 210 and the second electrode 204.
  • an insulating layer 260 can easily a short circuit between the second electrode 204 and a
  • insulation can be effected by means of the insulating layer 260.
  • the reflection layer 220 may be applied only on the flank without contact with the first electrode 202, which may be formed, for example, as an anode.
  • the insulating layer 260 is formed of an electrically insulating material.
  • the insulating layer 260 may include or be formed from a photoresist.
  • the insulating layer 260 may be formed of a polyimide, or the insulating layer 260 may include a polyimide.
  • the insulating layer 260 may be translucent or transparent.
  • the second electrode 204 is formed at least partially over the separation structure 210, and an insulation layer 260 is formed between the separation structure 210 and the second electrode 204.
  • the second electrode 204 extends over and over the plurality of pixels
  • Light emitting diode device can be formed in a simple manner, since the second electrode 204 can be formed over a large area in the organic light emitting diode device.
  • the second electrode 204 is formed in the separation structure region 222 such that the second electrode 204 covers the entire separation structure region 222.
  • the second electrode extends over the plurality of pixels and over the pixels
  • Light emitting diode device can be formed in a simple manner, since the second electrode can be formed, for example, unstructured.
  • 2a shows by way of example a cross section of a single pixel together with the separating structure 210 surrounding the pixel.
  • the first electrode 201 On the substrate 201, the first electrode 201
  • Separation structure 210 formed.
  • the separation structure 210 is at least partially on the first electrode 202
  • the separation structure 210 is formed, for example, on an edge portion of the first electrode 202.
  • the first electrode 202 has an area that is free from the separation structure 210.
  • the reflection layer 220 is formed.
  • the reflection layer 220 can also be referred to as a coupling-out layer in the following.
  • the decoupling layer 220 covers the curved ones
  • the decoupling layer 220 is in direct contact with the first electrode 202. Furthermore, the decoupling layer 220 has a curvature similar to that of the curved side surface. On the coupling-out layer 220, the insulating layer 260 is arranged. The insulating layer 260 may completely cover the Auskopp l scaffold 220.
  • Insulating layer 260 isolates decoupling layer 220 from the at least one organic functional layer 203. According to one embodiment, insulating layer 260 is disposed in the entire pixel area 224, which is described in detail below.
  • the organic functional layer structure 203 is formed on the first electrode 202.
  • the second electrode 204 is formed on the at least one organic functional layer 203.
  • Layer structure 203 and the second electrode 204 on a similar curvature as the curved side surface are similar curvature as the curved side surface.
  • Resist layer 210 Due to the presence of the reflection layer 220 on the separation structure 210, penetration of electromagnetic radiation into the separation structure 210, which is also referred to below as Resist layer 210 may be reduced. Thus, losses of light intensity are reduced and a particularly efficient light emitting diode device is provided. Furthermore, higher efficiency can be achieved without far-reaching changes in the chip design or in the design of the OLED. There may also be higher ones
  • Fig.2b shows a schematic representation of a plan view of an embodiment of an organic
  • the organic compound is N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl
  • Light-emitting diode device has an edge region 221 that is free of pixels and is free of the separating structure 210,
  • the organic compound is N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl
  • the separation structure region 222 has the separation structure 210.
  • the separation structure 210 has curved side surfaces.
  • the curved side surfaces may in particular be arranged at the edges of the separating structure 210, for example at those edges of the
  • the flank region 223 shown in FIG. 2b has curved edges
  • the separating structure 210 may also have curved side surfaces at their edges facing the edge region, which are not shown for the sake of simplicity.
  • the separation structure 210 has recesses 224 in which the pixels are formed.
  • the region of the recesses 224 may also be referred to as pixel region 224.
  • Light-emitting diode device for example, can largely correspond to the embodiment shown in FIG.
  • a first electrode 302 is formed on a substrate 301 formed according to the above-described embodiment of the substrate 101, 201.
  • the first electrode 302 is formed in accordance with one above
  • first electrode 102, 202 is formed. At least partially on the first electrode 302, a separation structure 310 is formed.
  • the separation structure 310 is, for example, on an edge region of the first
  • Electrode 302 is formed.
  • the first electrode 302 has an area which is free from the separation structure 310.
  • the reflection layer 320 is formed.
  • the reflective layer 320 covers the curved side surface and is formed on the partition structure 310.
  • the reflection layer 320 is formed only on the separation structure 310.
  • An organic functional layer 303 which according to an embodiment of the
  • the organic functional layer 303 is formed on the first electrode 302. In regions of the substrate 301 having the separation structure 310, the organic functional layer 303 is
  • the organic functional layer 303 is formed predominantly on the coupling-out layer.
  • the second electrode 304 is formed on or above the at least one organic functional layer 303.
  • the second electrode 304 is formed in the region of the first electrode 302 that is free of the separation structure 310.
  • the second electrode 304 may also be at least partially formed in a region of the substrate 301 having the separation structure 310.
  • 4 shows an embodiment of an organic
  • Light-emitting diode device for example, can largely correspond to the embodiment shown in Figure 3.
  • a separation structure 410 is formed on a substrate 401, which is formed according to an embodiment of the substrate 101, 201, 301 described above.
  • the separation structure 410 can be made according to one of the above
  • the first electrode 402 is formed on the substrate 401 and in the pixel region 224.
  • the first electrode 402 is formed in the flank region 223.
  • the first electrode 402 is formed according to an embodiment of the reflective layer 220.
  • the first electrode 402 comprises a metal or is formed of a metal.
  • the first electrode 402 may also be at least partially disposed in the separation structure region 222
  • the at least one organic functional layer 403 is formed on the first electrode 402 and in the pixel region 224.
  • the organic functional layer 403 is disposed in the flank region 223 and above the first electrode 402 such that the projection of the organic
  • the functional layer 403 overlaps the first electrode 402.
  • the at least one organic functional layer 403 is further formed in the flank region 223. According to one embodiment, the at least one organic functional layer 403 covers approximately the entire
  • the second electrode 404 is on or above the at least one organically functional
  • the second electrode 404 is further formed in the flank region 223. According to one
  • Embodiment covers the at least one organic functional layer 403 approximately the entire
  • the anode is after the
  • Forming the separation structure 410, wherein the formation of the separation structure can also be referred to as PI process, deposited to at the edge as
  • the isolation to the cathode is either via at least one trained
  • the first electrode 402 may be formed in the pixel region 224 and approximately in the entire separation structure region 222. In this case, the
  • Separation structure region 222 have a region which is free from the second electrode 404.
  • Figure 5 shows an embodiment of an organic
  • Light emitting diode device for example, can largely correspond to the embodiment shown in Figure 4.
  • the light-emitting diode device illustrated in FIG. 5 has a substrate 501, a first electrode 502, at least one organic-functional layer 503, a second electrode 504 and a separating structure 510.
  • the substrate 501 is according to an embodiment of the invention described above
  • the first electrode 502 is as described above
  • Embodiment of the first electrode 402 is formed.
  • the at least one functional layer 503 is formed according to an embodiment of the at least one functional layer 203, 303, 403 described above.
  • the separation structure 510 is according to an embodiment of the separation structure 210, 310, 410 described above
  • the first electrode 502 and the second electrode 504 are each at least partially in the first electrode 502 and the second electrode 504
  • Separation structure region 222 formed.
  • the organic light-emitting diode device of FIG. 5 has an insulating layer 560.
  • the insulating layer 560 may according to one described in detail above
  • Embodiment of the insulating layer 260 may be formed.
  • the insulating layer 560 is formed of a polyimide.
  • the insulating layer 560 may be formed between the first electrode 502 and the second electrode 504.
  • the insulating layer 560 may be on the at least one organic functional layer 503
  • the insulating layer 560 is formed on the first electrode 502. According to one embodiment, the insulating layer 560 is translucent or transparent.
  • the insulating layer 560 serves to electrically isolate the first electrode 502 from the second electrode 504 in the separation structure region 222.
  • the at least one organically functional layer 503 may be made so thin that an electrical short circuit between the first electrode 502 and the second electrode 504 may occur. 9 shows an embodiment of an organic
  • FIG. 9 shows a substrate 901, which is formed according to an embodiment of the substrate 101, 201, 301, 401, 501, 601, 801 described above.
  • a first electrode 902 is formed on the substrate 901.
  • the first electrode 902 is described in detail above
  • Embodiment of the first electrode 202, 302, 402, 502, 602, 802 formed.
  • Conductor element 926 can also be referred to below as busbar 926 or as electrical busbar 926. Furthermore, several can also be provided on first electrode 902
  • the at least one conductor element 926 can be used to improve the
  • the at least one conductor track element 926 is formed from or comprises an electrically conductive material. According to one exemplary embodiment, this is
  • At least one conductor track element 926 formed of a metal or has such.
  • Electrode 904 may be formed.
  • An insulating member 928 is provided on the wiring member and the first electrode 902 or the second electrode 904
  • the insulating member 928 may be formed according to an embodiment of the insulating layer 260.
  • the insulating element 928 can be formed according to an embodiment of the insulating layer 260.
  • Reflection layer 920 formed on the insulating member 928 and the reflectivity of the further reflection layer 920 is higher than the reflectivity of the insulating.
  • the further reflection layer may be formed according to an embodiment of the reflection layer 220.
  • the further reflection layer 920 may be on the edge of the
  • the further reflection layer 920 may be formed on the insulating element 928 such that a light coupling into the insulating element 928 is reduced.
  • an organic functional layer 903 is formed on or above the further reflection layer 920, on or above the insulating element 928 and on or above the first electrode 902, an organic functional layer 903 is formed.
  • the organic functional layer 903 is formed according to an embodiment of the organic functional layer 203, 303, 403, 503, 603, 803 described above.
  • a second electrode 904 is formed on the organic functional layer 903, a second electrode 904 is formed.
  • the second electrode 904 is according to one described above
  • Embodiment of the second electrode 104, 204, 304, 404, 504, 604, 804 is formed.
  • the areas with electrical busbars usually appear darker than the areas next to it. Therefore, the use of the further reflective layer 920 may be advantageous when used in OLED lighting products. Since OLED lighting products usually have very fine electrical busbars or very fine busbar grids, they can be outshined, whereby an improvement in the visual impression can be achieved.
  • Fig.6 shows an embodiment of an organic
  • the organic light emitting diode device has a substrate 601.
  • the substrate 601 is formed according to an embodiment of the substrate 101, 201, 301, 401, 501 described above. On the substrate 601, a plurality of pixels are formed. Furthermore, the organic
  • the separation structure 610 is formed according to an embodiment of the separation structure 210, 310, 410, 510 described above.
  • the separation structure 610 comprises a matrix material.
  • the matrix material is a
  • Photoresist or has a photoresist on According to one
  • the matrix material on a polyimide or is a polyimide is a polyimide.
  • polyimide may have a refractive index of about 1.6 to about 1.8.
  • the organic light-emitting diode device has a decoupling substance.
  • the decoupling substance is arranged in or on the separating structure 610.
  • the refractive index of the Decoupling material is higher or lower than the refractive index of the matrix material.
  • the decoupling of electromagnetic radiation from the separation structure 610 can be increased. Furthermore, the presence of a decoupling substance on the separation structure 610 can reduce the penetration of electromagnetic radiation into the separation structure 610. Thus, losses of light intensity are reduced and a particularly efficient organic light-emitting diode device is provided.
  • the decoupling substance has scattering particles or is formed from scattering particles.
  • scattering particles may comprise TiO 2 or be formed from T1O 2 .
  • Ti0 2 may be a
  • Refractive index of the decoupling material may also be lower than that of the matrix material.
  • the matrix material may also be lower than that of the matrix material.
  • the decoupling substance having air bubbles.
  • the decoupling substance may, for example, comprise Al 2 O 3, the decoupling substance being in a matrix material with a very high refractive index
  • the light-emitting diode device illustrated in FIG. 6 furthermore has a first electrode 602, at least one organically functional layer 603, a second electrode 604.
  • Each pixel may include a first electrode 602 and a second electrode 604, respectively.
  • the first electrode 602 is formed according to an embodiment of the first electrode 202, 302 described above.
  • the at least one functional layer 603 is formed according to an embodiment of the at least one functional layer 203, 303, 403, 503 described above.
  • the second electrode 604 is formed at least partially over the separation structure 610. Further, an insulating layer (not shown) may be provided between the separation structure 610 and the second electrode 604
  • the separation structure 610 is formed at least partially on or above the first electrode 602.
  • the decoupling substance is formed on the separating structure 610 instead of the reflection layer 320.
  • the decoupling material may be formed on the separation structure 610 such that the
  • Auskoppelstof forms a layer 620 on the separation structure 610.
  • a layer 620 formed by the AuskoppeIstoff may also be referred to as AuskoppelSchicht 620 hereinafter.
  • the decoupling layer 620 may be formed with respect to its arrangement on the separation structure 610 and in the organic light emitting diode device analogous to an embodiment of the reflective layer 220, 320.
  • the decoupling layer 620 is on the
  • the decoupling layer 620 may completely cover the curved side surfaces of the separation structure 610.
  • the coupling-out layer 620 is formed in the entire flank region 223. Furthermore, the coupling-out layer 620 can also be formed in the entire separating structure region 222.
  • the decoupling layer 620 may be in direct contact with the first electrode 602, as shown in Figure 6.
  • the Decoupling layer 620 may also be referred to below as scattering layer 620.
  • a scattering layer 620 can be easily and by means of
  • Inkjet printing are produced. Furthermore, in the case of electrically insulating scattering particles, there is no need for an insulating layer 260, which simplifies the manufacturing process of the organic light-emitting diode device.
  • Scattering particles have a scattering particle size which is approximately in the range of the wavelength of the to be scattered
  • An improvement in the decoupling can be achieved, for example, by applying a scattering layer 620 to the curved side surfaces of the separating structure 610, also referred to below as the trailing edge 610.
  • a scattering layer 620 to the curved side surfaces of the separating structure 610, also referred to below as the trailing edge 610.
  • TiO 2 particles, Hf0 2 particles, Ta 2 0 5 particles, ZrC ⁇ particles and particles of neodymium oxide are among the particles that can be scattered.
  • Terbium oxide and / or yttrium oxide are Terbium oxide and / or yttrium oxide.
  • the second electrode extends over the plurality of pixels and over the separating structure.
  • the organic light-emitting diode device can be formed in a simple manner, since the second electrode can be formed, for example, unstructured.
  • a decoupling layer which according to the above-described
  • Embodiment of the decoupling layer 620 is formed, may be formed instead of the further reflection layer 920 on the insulating member 928.
  • Fig.7a, Fig.7b and Fig.7c are various ways to arrange the reflective layer 220, 320 or the
  • FIG. 7 a shows a part of a separating structure region 722.
  • the separating structure region 722 has a
  • a functional layer 720 is arranged in the pixel area 724.
  • the functional layer 720 is either according to one embodiment of the
  • the separation structure region 722 is according to one above
  • the pixel area 724 is formed according to an embodiment of the pixel area 224 described above.
  • the separating structure region 722 is according to an embodiment of the invention described above
  • Separation structure region 222 formed.
  • the pixel area 724 is framed by the area having the functional layer 720. The entire area between the
  • the separation structure region 722 has an area that is free from the functional layer 720.
  • FIG. 7a shows a plurality of pixels with a non-separated functional layer 720.
  • this exemplary embodiment may be simpler in terms of process technology than embodiments with separation.
  • FIG. 7b shows a schematic illustration of a top view of an embodiment of an organic
  • Light emitting diode device for example, can largely correspond to the embodiment shown in Fig. A
  • Embodiment has the area shown in Figure 7b between the pixels, an area which is free from the functional layer 720.
  • Fig. 7b shows several pixels with a separated one
  • Light emitting diode device for example, can largely correspond to the embodiment shown in FIG.
  • the decoupling layer 720 may be arranged only sporadically around the pixel region 724. In other words, portions of the edge of the pixels may be free from the output 720.
  • FIG. 7c shows a plurality of pixels with a separated but non-rotating functional layer 720.
  • the advantage is that, for example, areas of a bottom emitter, the
  • Structural elements in the substrate also referred to as backplane, also seem to emit.
  • Light emitting diode device for example, the largely in
  • the decoupling substance is not as
  • the organic light emitting diode device illustrated in FIG. 8 has a substrate 801, a first electrode 802, at least one organic functional layer 803, a second one
  • the substrate 801 is according to one described above
  • the first electrode 802 is the first according to an embodiment described above
  • the at least one functional layer 803 is according to one above
  • the separation structure 810 is formed according to an embodiment of the separation structure 210, 310, 410, 510, 610 described above.
  • the decoupling substance has scattering particles or is formed from scattering particles. Furthermore, the
  • scattering particles can be easily integrated into the separation structure, for example by simply adding the scattering particles into the matrix material.
  • Scattering particles can be homogeneous or inhomogeneous in the
  • Matrix material may be arranged.
  • An improvement of the decoupling can be done for example by the introduction of scattering particles in the resist. Stray particles, for example from T1O2, can be added directly to the resist.
  • Embodiments of the organic light emitting diode device may further comprise an encapsulation, an adhesive layer and a cover body.
  • the encapsulation is formed according to an embodiment of the encapsulation 105 described with reference to FIG. Furthermore, the
  • the Haf medium layer formed.
  • the cover body is formed according to an embodiment of the cover body 106 described above, Fig.10 shows an embodiment of an organic
  • FIG. 10 shows a substrate 1001, which is formed according to an embodiment of the substrate 101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901 described above.
  • the substrate 101 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901 described above.
  • Substrate 1001 a first electrode 1002 is formed.
  • the first electrode 1002 is formed according to an embodiment of the first electrode 202, 302, 402, 502, 602, 802, 902 described in detail above.
  • Conductor element 1026 is formed according to an embodiment of the at least one conductor element 926.
  • a plurality of electrodes may also be provided on the first electrode 1002
  • Electrode 1004 may be formed.
  • An insulating member 1028 is formed on the wiring member 1026 and the first electrode 1002 or the second electrode 1004 such that the insulating member 1028 forms the insulating member 1028
  • Insulating element 1028 is formed according to an embodiment of insulating element 328.
  • the insulating element 1028 comprises a further matrix material and a further AuskoppeIstoff, wherein the further
  • Decoupling material is arranged in the insulating element 1028 and, wherein the refractive index of the further decoupling substance is higher than the refractive index of the further matrix material.
  • the further matrix material is according to an exemplary embodiment of the matrix material described above
  • the decoupling material is formed according to an exemplary embodiment of the decoupling substance described above.
  • the matrix material may be
  • the decoupling can scattering particles
  • FIG. 11 shows a flowchart of a method for
  • the flowchart shown in FIG. 11 relates to a method for producing an organic compound
  • Light emitting diode device has a reflective layer 220, 320, 720.
  • Light emitting diode device with the reflective layer 220, 320, 720 are described in detail above and
  • Embodiments of the organic light emitting diode device wherein the organic light emitting diode device, a first
  • Electrode 402, 502 and the first electrode 402, 502 serves as the reflection splitter.
  • Reflection layer serves are shown for example in Figures 4 and 5.
  • Light emitting diode device comprises forming a plurality of pixels on a substrate 201, 301, 401, 501. Further, the method comprises forming a separation structure 210, 310, 410, 510 between the pixels and on the substrate 201, 301, 401, 501. Furthermore, the method has a formation The reflectivity of the reflection layer 220, 320 is higher than the reflectivity of the separation structure 210, 310, 410, 510.
  • the organic light-emitting diode device is designed in such a way that the organic light-emitting diode device is formed on the separation structure 210, 310, 410, 510
  • the at least one organic functional layer 203, 303, 403, 503 is formed in such a way that the at least one organic layer 203, 303, 403, 503 extends over the entire reflection layer 220, 320.
  • a plurality of pixels are formed on the substrate 201, 301, 401, 501.
  • the plurality of pixels may be considered as a plurality of organic light emitting diodes formed side by side.
  • Each pixel is formed such that each pixel has a first electrode 202, 302, 402, 502, at least one organic functional layer 203, 303, 403, 503 and a second electrode 204, 304, 404, 504.
  • the first electrode 202, 302 is formed on the substrate 201, 301 and before the formation of the separation structure 210, 310.
  • the first electrode 402, 502 is formed on the substrate 401, 501 and after forming the separation structure 410, 510 such that the first electrode 402, 502 partially of the
  • Electrode 204, 304, 404, 504 are formed according to an embodiment described above.
  • Electrode 202, 302, 402, 502 will be the same or different formed by the second electrode 204, 304, 404, 504.
  • Electrode 204, 304, 404, 504 may be formed using optical lithography, a mask, or other suitable technique.
  • the first electrode 202, 302, 402, 502 and / or the second electrode 204, 30, 404, 504 may be formed by physical vapor deposition.
  • the organically functional layer 203, 303, 403, 503 is formed according to a further described embodiment.
  • the organic functional layer 203, 303, 403, 503 is screen printed,
  • I 1102 becomes the separation structure 210, 310, 410, 510
  • the separation structure 210, 310, 410, 510 will be according to an embodiment described above
  • the separation structure 210, 310, 410, 510 may be formed using optical lithography, a shadow mask, or using any other suitable method.
  • the release structure 210, 310, 410, 510 may be screen printed, ink jet printed, doctored or
  • the separation structure 210, 310, 410, 510 is formed from a polyimide or the
  • Separation structure 210, 310, 410, 510 is formed to include a polyimide.
  • the second electrode 204, 304, 404, 504 may be at least partially over the separation structure 210, 310, 410, 510
  • an insulating layer 260, 560 may be formed between the separation structure 210, 310, 410, 510 and the second electrode 204, 304, 404, 504.
  • Insulating layer 260, 560 will follow one of the above
  • the Insulating layer 260, 560 may be formed using optical lithography, a shadow mask, or using any other suitable method.
  • Insulating layer 260, 560 may be screen printed
  • the insulating layer 260, 560 can by means of
  • ALD Atomic layer deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • the reflection layer 220, 320 is formed.
  • the reflection layer 220, 320 is formed according to an embodiment described above.
  • Reflection layer 220, 320 may be formed using optical lithography, shadow mask, or under
  • the reflection layer 220, 320 may be formed by a physical vapor deposition. According to one embodiment, the reflection layer
  • Reflection layer have the formation of the first electrode 402, 502 in the flank region 223.
  • the second electrode 204, 304, 404, 504 is above and above the plurality of pixels
  • Separation structure 210, 310, 410, 510 formed.
  • the flowchart shown in FIG. 12 relates to a method for producing an organic light-emitting diode device, for example the organic light-emitting diode device explained above.
  • the flowchart shown in FIG. 12 relates to a method for producing an organic light-emitting diode device
  • Light emitting diode device has a decoupling
  • Light emitting diode device has a forming 1201 a
  • the method comprises forming 1202 a separating structure 610, 810 between the pixels and on the substrate 601, 801, wherein the separating structure 610, 810 is formed such that the separating structure 610, 810 comprises a matrix material.
  • the method further comprises arranging 1203 a decoupling substance in or on the separation structure 610, 810. The refractive index of the decoupling substance is higher than the refractive index of the matrix material.
  • the decoupling substance is formed from scattering particles or the decoupling substance is formed such that it has scattering particles.
  • the matrix material may be formed of a polyimide, or the matrix material may be formed to have a polyimide.
  • the formation 1201 of the plurality of pixels as well as the formation 1202 of the separation structure 610, 810 takes place according to exemplary embodiments described above.
  • the decoupling substance can, as shown in FIG. 6, be arranged on the separating structure 610.
  • the decoupling material can be determined using an optical lithography, a
  • Shadow mask or be arranged on the separation structure 610 using another suitable method.
  • the Decoupling substance can be screen printed,
  • Rotary coating, ink jet printing, doctor blading or spraying are formed.
  • ⁇ uskoppelstoff be dispersed in a suitable solvent and then be arranged by means of a spin coating on the separation structure 610. Subsequently, the solvent can be removed, for example by evaporating the solvent. Subsequently, areas of the resulting decoupling layer can be removed again, for example by means of a suitable solvent
  • Decoupling agent are so mixed with a suitable solvent that a paste is formed.
  • resulting paste can be screen printed on the
  • Separation structure 610 can be arranged.
  • the decoupling material can furthermore be arranged in the matrix material, as shown in FIG. Arranging the
  • Decoyant in the matrix material may include an admixture of the ash coupler into a liquid matrix material.
  • the decoupling substance can then be arranged on the substrate 801 together with the still liquid matrix material. Subsequently, the liquid matrix material can be cured, for example by heating the matrix material. Structuring of the matrix material can be carried out, for example, by means of optical lithography or another suitable process.
  • Reflection layer and the method for producing an organic light emitting diode device with decoupling both can form at least one
  • Printed circuit board element 926, 1026 (shown for example in FIG. 9 and FIG. 10).
  • the conductor element 926, 1026 (shown for example in FIG. 9 and FIG. 10).
  • the conductor element 926, 1026 for example, by means of a physical
  • Gas phase deposition can be formed.
  • Conductor element 926, 1026 and the first electrode 902, 1002 or the second electrode 904, 1004 is formed such that the insulating element 928, 1028 the
  • the first electrode 902, 1002 is formed according to an embodiment of the first electrode 902, 1002 described above.
  • the second electrode 90, 1004 is formed according to an embodiment of the second electrode 904, 1004 described above.
  • Reflection layer 920 formed on the insulating 928, 1028 and the reflectivity of the other
  • Reflection layer 920 is higher than the reflectivity of insulating element 928, 1028.
  • the further reflection layer 920 is formed in accordance with an embodiment of the further reflection layer 920 described above. The others
  • Reflection layer 920 may be formed using optical lithography, a shadow mask, or using any other suitable method.
  • the further reflection layer 920 can be detected by means of a physical
  • Gas phase deposition can be formed.
  • the insulating element 928, 1028 is formed such that the insulating element 928, 1028 has a further matrix material and a further decoupling substance, wherein the further decoupling substance is arranged on or in the insulating element 928, 1028 and, wherein the Refractive index of the further decoupling substance is higher than the refractive index of the further matrix material,
  • the further decoupling material can, as shown in Figure 9, on the insulating 928, 1028 are arranged.
  • Decoupling agent can be made using an optical
  • the further decoupling substance can be screen-printed, spin-coated,
  • the further decoy can be dispersed in a suitable solvent and
  • Insulating element 928, 1028 are arranged. Subsequently, the solvent can be removed, for example by evaporating the solvent. Subsequently, regions which have the further decoupling substance can be removed again, for example by means of a suitable etching process. According to one embodiment, the further decoupling substance can be mixed with a suitable solvent in such a way that a paste is formed. The resulting paste may be screen printed on the insulating member 928, 1028.
  • the further output material can furthermore, as shown in FIG.
  • the arrangement of the further decoupling substance in the further matrix material may be a blending of the
  • the ejector has O'ffs in a liquid further matrix material.
  • the further decoupling substance can then be arranged together with the still liquid further matrix material on the first electrode 1002 and on the conductor track element 1026.
  • the liquid further matrix material can be cured, for example by heating the further matrix material.
  • a structuring of the further matrix material can, for example, by means of an optical lithography or other suitable process.
  • the method of fabricating the organic light emitting diode device may include features of the organic light emitting diode device, and the organic light emitting diode device may include features of the
  • Light emitting diode device have such and insofar as that the features are each usefully applicable. This means, for example, that the subject matter of the dependent device claims are correspondingly applicable to the method and, accordingly, as dependent

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Abstract

Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine organische Leuchtdiodenvorrichtung, die ein Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001) auf dem eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet ist, aufweist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001) ausgebildet ist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Reflexionsschicht (220, 320) auf, die auf der Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) angeordnet ist. Die Reflektivität der Reflexionsschicht (220, 320) ist höher als die RefIektivität der Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810). Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ferner eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (103) mit wenigstens einer organischen Schicht (203, 303, 403, 503, 603, 803, 903, 1003) auf. Die wenigstens eine organische Schicht (203, 303, 403, 503, 603, 803, 903, 1003) erstreckt sich über die gesamte Reflexionsschicht (220, 320).

Description

ORGANI SCHE LEUCHTDIODENVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER ORGANISCHEN LEUCHTDIODENVORRICHTUNG
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine organische
Leuchtdiodenvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. Eine organische Leuchtdiodenvorrichtung kann beispielsweise ein, zwei oder mehr organische Leuchtdioden (OLEDs) oder Teile oder Segmente von organischen Leuchtdioden sein.
Herkömmlicherweise erfolgt bei einem OLED-Display die
Separierung beziehungsweise Isolation der Einzelpixel mittels eines Photoresists oder eines Polyimids . In den Photoresist eingekoppeltes Licht, kann zu einem Verlust an
Lichtintensität führen. Eine Abschätzung hat ergeben, dass der Verlust an Lichtintensität ja nach Größenverhältnis der Pixel und Höhe des Photoresists oder des Polyimids variiert. Bei einem Display kann der geschätzte Intensitätsverlust im zweistelligen Prozentbereich liegen, beispielsweise bei etwa 10%. Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine effiziente und einfach herzustellende organische Leuchtdiodenvorrichtung
bereitzustellen .
Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine organische Leuchtdiodenvorrichtung, die ein
Substrat auf dem eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet ist, aufweist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Trennstruktur auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat ausgebildet ist. Ferner weist die organische
Leuchtdiodenvorrichtung eine Reflexionsschicht auf, die auf der Trennstruktur angeordnet ist. Die Reflektivität der
Reflexionsschicht ist höher als die Reflektivität der Trennstruktur. Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ferner eine organisch funktionelle Schichtenstruktur mit wenigstens einer organischen Schicht auf. Die wenigstens eine organische Schicht erstreckt sich über die gesarate
Reflexionsschicht. Durch das Vorhandensein der
Reflexionsschicht auf der Trennstruktur kann ein Eindringen von elektromagnetische Strahlung in die Trennstruktur
verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine effiziente
Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt.
Gemäß einer Weiterbildung weist die Reflexionsschicht ein Metall auf oder ist aus einem Metall gebildet. Gemäß einer Weiterbildung weist die Trennstruktur ein
Polyimid auf oder ist aus einem Polyimid gebildet.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch eine organische Leuchtdiodenvorrichtung, die ein Substrat aufweist, auf dem eine Mehrzahl von Pixel
ausgebildet ist. Ferner weist die organische
Leuchtdiodenvorrichtung eine Trennstruktur auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat ausgebildet ist, wobei die Trennstruktur ein Matrixmaterial aufweist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen Auskoppelstoff auf, der in oder auf der Trennstruktur angeordnet ist. Der
Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher als der
Brechungsindex des Matrixmaterials. Durch das Vorhandensein eines Auskoppelstoffs in der Trennstruktur, wobei der
Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher oder niedriger als der Brechungsindex des Matrixmaterials, kann die
Auskopplung von elektromagnetische Strahlung aus der
Trennstruktur erhöht werden. Ferner kann durch das
Vorhandensein eines Auskoppelstoff auf der Trennstruktur ein Eindringen von elektromagnetische Strahlung in die
Trennstruktur verringert werden. Somit werden Verluste an LichtIntensität verringert und es wird eine effiziente
Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt . Gemäß einer Weiterbildung weist das Matrixmaterial ein
Polyimid auf oder ist ein Polyimid .
Gemäß einer Weiterbildung weist der Auskoppelstoff
Streupartikel auf oder ist aus Streupartikeln gebildet.
Gemäß einer Weiterbildung weist jedes Pixel jeweils eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode auf. Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Elektrode wenigstens teilweise über der Trennstruktur ausgebildet und eine
Isolierschicht ist zwischen der Trennstruktur und der zweiten Elektrode ausgebildet ist. Gemäß einer Weiterbildung ist die Trennstruktur wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode ausgebildet .
Gemäß einer Weiterbildung erstreckt sich die zweite Elektrode über die Mehrzahl von Pixel und über die Trennstruktur.
Dadurch kann die organische Leuchtdiodenvorrichtung auf einfache Weise ausgebildet werden, da die zweite Elektrode beispielsweise unstrukturiert ausgebildet werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung ist auf der ersten Elektrode oder auf der zweiten Elektrode wenigstens ein Leiterbahnelement ausgebildet, wobei ein Isolierelement auf dem
Leiterbahnelement und der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode ausgebildet ist derart, dass das Isolierelement das Leiterbahnelement vollständig bedeckt.
Gemäß einer Weiterbildung ist eine weitere Reflexionsschicht auf dem Isolierelement ausgebildet und die Reflektivität der weiteren Reflexionsschicht ist höher als die Reflektivität des Isolierelements.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Isolierelement ein weiteres Matrixmaterial und einen weiteren AuskoppeIstoff auf, wobei der weitere Auskoppelstoff auf oder in dem Isolierelement angeordnet ist und, wobei der Brechungsindex des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials. Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, Das Verfahren weist ein Ausbilden einer Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat auf . Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Trennstruktur zwischen den Pixeln und auf dem Substrat auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Reflexionsschicht auf der Trennstruktur auf. Die Refiektivität der Reflexionsschicht ist höher als die RefIektivität der Trennstruktur. Die organische
Leuchtdiodenvorrichtung wird derart ausgebildet, dass die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine organisch
funktionelle Schichtenstruktur mit wenigstens einer
organischen Schicht aufweist. Die wenigstens eine organische Schicht wird derart ausgebildet, dass sich die wenigstens eine organische Schicht über die gesamte Reflexionsschicht erstreckt.
Gemäß einer Weiterbildung wird die Reflexionsschicht aus einem Metall gebildet oder die Reflexionsschicht wird derart gebildet wird, dass sie ein Metall aufweist.
Gemäß einer Weiterbildung wird die Trennstruktur aus einem Polyimid gebildet wird oder die Trennstruktur wird derart ausgebildet, dass sie ein Polyimid aufweist. Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. Das Verfahren weist ein Ausbilden einer Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Trennstruktur zwischen den Pixeln und auf dem Substrat auf, wobei die Trennstruktur derart ausgebildet wird, dass die Trennstruktur ein
Matrixmaterial aufweist. Das Verfahren weist ferner ein
Anordnen eines Auskoppelstoffs in oder auf der Trennstruktur auf. Der Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher als der Brechungs index des Matrixmaterials,
Gemäß einer Weiterbildung wird das Matrixmaterial aus einem Polyimid gebildet oder das Matrixmaterial wird derart ausgebildet, dass es ein Polyimid aufweist.
Gemäß einer Weiterbildung wird der Auskoppelstoff aus
Streupartikeln gebildet oder der Auskoppelstoff wird derart ausgebildet, dass er Streupartikel aufweist.
Gemäß einer Weiterbildung wird jedes Pixel derart
ausgebildet, dass jedes Pixel jeweils eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist.
Gemäß einer Weiterbildung wird die zweite Elektrode
wenigstens teilweise über der Trennstruktur ausgebildet und eine Isolierschicht wird zwischen der Trennstruktur und der zweiten Elektrode ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung wird die Trennstruktur wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung wird die zweite Elektrode über der Mehrzahl von Pixeln und über der Trennstruktur ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung wird auf der ersten Elektrode oder auf der zweiten Elektrode wenigstens ein Leiterbahnelement ausgebildet, wobei ein Isolierelement auf dem
Leiterbahnelement und der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode ausgebildet wird derart, dass das Isolierelement das Leiterbahnelement vollständig bedeckt.
Gemäß einer Weiterbildung wird eine weitere Reflexionsschicht auf dem Isolierelement ausgebildet und die Reflektivität der weiteren Reflexionsschicht ist höher als die Reflektivität des Isolierelements. Gemäß einer Weiterbildung wird das Isolierelement derart ausgebildet, dass das Isolierelement ein weiteres
Matrixmaterial und einen weiteren Auskoppelstoff aufweist, wobei der weitere Auskoppelstof auf oder in dem
Isolierelement angeordnet wird und, wobei der Brechungsindex des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht einer
organischen Leuchtdiode ;
Figur 2a eine schematische Querschnittsansicht eines
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung
Figur 2b eine schematische Draufsicht eines
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung ;
Figur 3 eine schematische Querschnittsansicht
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung ;
Figur 4 eine schematische Querschnittsansicht e
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung ; Figur 5 eine schematische Querschnittsansicht e
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung;
Figur 6 eine schematische Querschnittsansicht eines
Aus führungsbeiSpiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung ; Figur 7a eine schematische Draufsicht eines
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung ; Figur 7b eine schematische Draufsicht eines
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung ;
Figur 7c eine schematische Draufsicht eines
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung;
Figur 8 eine schematische Querschnittsansicht eines
Ausführungsbeispie1s einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung ;
Figur 9 eine schematische Querschnittsansicht eines
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung;
Figur 10 eine schematische Querschnittsansicht eines
Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung ; Figur 11 eine Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung ; und
Figur 12 eine Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann . In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden kennen, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schu zumfang d r vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . I den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist . Eine organische Leuchtdiodenvorrichtung kann ein, zwei oder mehr organische Leuchtdioden aufweisen . Optional kann eine organische Leuchtdiodenvorrichtung auch ein, zwei oder mehr elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Treiberschaltkreis , eine Energiequelle, eine Rechen- , Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen oder mehrere Transistoren aufweisen . Ein passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen .
Eine Leuchtdiode kann eine elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Leuchtdiode , eine anorganische
Leuchtdiode und/oder eine organische Leuchtdiode sein. Eine Leuchtdiode kann Teil einer integrierten Schaltung sein. Eine Leuchtdiode kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht emittieren.
Unter dem Begriff „ transluzent " bzw. „ transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht oder ein Material für Licht durchlässig ist , beispielsweise für das von der
elektromagnetischen Strahlungsquelle erzeugte Licht ,
beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem
Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „ transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann .
Unter dem Begriff „ transparent" oder „ transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest i einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in ine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird,
Fig.1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen
Leuchtdiode 100. Die organische Leuchtdiode 100 kann als ein Flächenbauelement, beispielsweise als eine
Flächenlichtquelle, ausgebildet sein. Die organische
Leuchtdiode 100 weist einen Träger 101 auf . Der Träger 101 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der
Träger 101 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente .
Der Träger 101 kann beispielsweise Kunststoff , Metall , Glas , Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein . Ferner kann der Träger 101 eine
Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein . Der Träger 101 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein . Der Träger 101 kann ferner auch als
Substrat 101 bezeichnet werden . Auf dem Träger 101 ist eine optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebildet . Die optoelektronische
Schichtenstruktur weist eine erste Elektrode 102 auf , wobei die erste Elektrode 102 auf oder über dem Träger 101
ausgebildet ist . Die erste Elektrode 102 kann ferner auch als erste Eiektrodenschicht 102 bezeichnet werden . Zwischen dem Träger 101 und der ersten Elektrodenschicht 102 kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht , beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht , ausgebildet sein. Die erste
Barrieredünnschicht dient dazu, auf dem Träger 101
ausgebildete Elemente vor schädlichen externen Einflüssen, beispielsweise Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit, zu schützen. Die erste Elektrode 102 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 102 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 102 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid
{transparent conductive oxide, TCO) oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 102 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Korabination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn- Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf 1TO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten. Die erste Elektrode 102 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen:
Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff- anoröhren, Graphen- Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Über der ersten Elektrode 102 ist eine optisch funktionelle
Schichtenstruktur, beispielsweise eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 103, der optoelektronischen
Schichtenstruktur ausgebildet. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 103 kann ferner auch als organische
funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet werden. Die
organisch funktionelle Schichtenstruktur 103 kann
beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 103 eine Lochinjektionsschicht, eine
Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine
ElektronentransportSchicht und/oder eine
Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die
Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der LochtransportSchicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der ElektronentransportSchicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit, Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Die Elektroneninj ektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht, Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 103 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 103, ferner auch als organisch funktionelle Schichtenstruktur 103, kann transluzent oder transparent ausgebildet sein.
Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 103 ist eine zweite Elektrode 104 der optoelektronischen
Schichtenstruktur ausgebildet. Die zweite Elektrode 104 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 102 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 102 und die zweite Elektrode 104 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 102 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 104 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen
Schichtenstruktur .
Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des
optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter- Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter- Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter- Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet. Der optisch aktive
Bereich 107 kann ferner auch als lichtemittierender Bereich bezeichnet werden. über der zweiten Elektrode 104 ist eine Verkapselungsschicht 105 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet , die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt . Die
Verkapselungsschicht 105 kann ferner auch als Verkapselung 105 bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 105 kann als zweite Barriereschicht , beispielsweise als zweite
Barrieredünnschicht , ausgebildet sein. Die
Verkapselungsschicht 105 kann auch als
Dünnschichtverkapselung 105 bezeichnet werden . Die
Verkapselungsschicht 105 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff . Die Verkapselungsschicht 105 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 105 kann aufweisen oder daraus gebildet sein : Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid,
Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid,
Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid,
Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 101
korrespondierend zu einer Ausgestaltung der
Verkapselungsschicht 105 ausgebildet sein. Über der Verkapselungsschicht 105 ist eine Haftmittelschicht (nicht dargestellt) ausgebildet . Die Haftmittelschicht weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen
Klebstoff , beispielsweise einen Laminierklebstoff , einen Lack und/oder ein Harz auf . Die Haftmittelschicht kann
beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel .
Über der Haftmittelschicht ist ein Abdeckkörper 106
ausgebildet . Die Haftmittelschicht dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 106 an der Verkapselungsschicht 105. Der
Abdeckkörper 106 weist beispielsweise Kunststoff , Glas und/oder Metall auf . Beispielsweise kann der Abdeckkörper 106 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht , beispielsweise eine Metallfolie , und/oder eine Graphitschicht , beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der Abdeckkörper 106 dient zum Schützen des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 100,
beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 106 zum Verteilen und/oder
Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen
optoelektronischen Bauelement 100 erzeugt wird .
Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 106 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 106 kann zum Verteilen und/oder Abf hren der beim Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 100 entstehenden Wärme dienen . Gemäß einem
Aus führungsbeispiel ist der Abdeckkörper 106 wie der Träger 101 ausgebildet .
Fig.2a zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung gemäß einem
Ausführungsbeispiel .
Eine organische Leuchtdiodenvorrichtung kann eine Mehrzahl von organischen Leuchtdioden 100 aufweisen. Die organischen Leuchtdioden können gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein und sich ein gemeinsames Substrat teilen . Die organischen Leuchtdioden 100 können beispielsweise in
Form einer Matri nebeneinander ausgebildet sein. In Fig.2a ist ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiode dargestellt, die von einer Trennstruktur 210 , wie sie weiter unten ausführlich beschrieben ist , umgeben ist . Neben der organischen Leuchtdiode und neben der Trennstruktur 210 können noch weitere organische Leuchtdioden ausgebildet sein, die zur Vereinfachung nicht dargestellt sind. Die organischen Leuchtdioden 100 können sich ferner auch wenigstens eine der oben beschrieben Schichten teilen, beispielsweise indem sich diese Schicht über die Trennstruktur 210 hin zu einer
benachbarten organischen Leuchtdiode 100 erstreckt . Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Substrat 201 auf, auf dem eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet ist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine
Trennstruktur 210 auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat 201 ausgebildet ist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Reflexionsschicht 220 auf, die auf der Trennstruktur 210 angeordnet ist. Die Reflektivität der Reflexionsschicht 220 ist höher als die Re lektivität der Trennstruktur 210. Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ferner eine organisch funktionelle Schichtenstruktur mit wenigstens einer organischen Schicht 203 auf. Die
wenigstens eine organische Schicht 203 erstreckt sich über die gesamte Reflexionsschicht 220. Durch das Vorhandensein der Reflexionsschicht 220 auf der Trennstruktur 210 kann ein Eindringen von elektromagnetischer Strahlung in die
Trennstruktur 210 verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine effiziente
Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt . Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 201 gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Substrats 101 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeis iel weist das Substrat 201 eine Mehrzahl von Transistoren, beispielsweise Dünnfilmtransistoren (engl, thin-film transistors TFTs) , zum Ansteuern der Mehrzahl der Pixel, auf. Gemäß einem
Ausführungsbeispiel ist das Substrat 201 flächig ausgebildet und weist eine Prozessierungsoberflache auf, wobei auf der Prozessierungsoberflache die Trennstruktur 210 und die
Mehrzahl von Pixeln angeordnet sind. Im Fall, dass das
Substrat 201 Dünnfilmtransistoren aufweist, kann das Substrat 201 oder ein Bereich des Substrats 201 als TFT-Ebene
bezeichnet werden. Im Betrieb der organischen
Leuchtdiodenvorrichtung können die Pixel mit einer nicht dargestellten Treibereinheit so angesteuert werden, dass mittels der organischen Leuchtdiodenvorrichtung ein, zwei oder mehr Bilder, insbesondere eine Bildfolge, beispielsweise ein Film, ein Video oder ein Videospiel optisch darstellbar sind. Die Treibereinheit kann auf oder in dem Substrat 201 ausgebildet sein. Die nicht dargestellte Treibereinheit weist einen elektronischen Schaltkreis auf. Die Treibereinheit weist insbesondere eine nicht dargestellte
Betriebszeitsteuerung, eine Datentreibereinheit und eine Gatetreibereinheit auf, mittels denen die Pixel abhängig von darzustellenden Bilddaten angesteuert werden können. Zum Ansteuern der Pixel verändert die Treibereinheit Soll -Werte mindestens einer AnSteuergröße, mittels der die Pixel
angesteuert werden. Die Soll -Werte der Ansteuergroße hängen von den Bilddaten ab. Die Bilddaten enthalten die
Bildinformation für die darzustellenden Bilder und können beispielsweise mittels einer internen oder externen
Recheneinheit eingeben werden. Abhängig von der Ansteuerung der Pixel mittels der Treibereinheit und der entsprechenden Bilddaten emittieren die lichtemittierenden Bauelemente Licht in den unterschiedlichen Farben, wobei mittels Farbmischung des erzeugten Lichts weitere Farben darstellbar sind.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist ein Pixel aus der
Mehrzahl von Pixeln gemäß einem oben beschriebenen
Ausführungsbeispiel der organischen Leuchtdiode 100
ausgebildet. Im Weiteren kann ein Pixel aus der Mehrzahl von Pixeln auch als Einzelpixel oder einzelner Pixel bezeichnet werden. Die Einzelpixel können gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein. Die Mehrzahl der Pixel kann als eine Mehrzahl von nebeneinander ausgebildeten organischen Leuchtdioden betrachtet werden.
Die Einzelpixel weisen jeweils eine erste Elektrode 202 und eine zweite Elektrode 204 auf. Die erste Elektrode 202 ist auf oder über dem Träger 201 angeordnet. Auf oder über der ersten Elektrode ist die organisch funktionelle
Schichtenstruktur angeordnet. Auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur ist die zweite Elektrode 204 angeordnet. Ein Einzelpixel kann in einer Draufsicht
beispielsweise näherungs eise die Form eines Rechtecks, eines Quadrats, eines Kreises oder einer anderen geeigneten Form aufweisen. Zwei Einzelpixel, die näherungsweise die Form eines Rechtecks aufweisen sind beispielsweise in Fig.2b dargestellt. Die erste Elektrode 202 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 102 ausgebildet . Die zweite Elektrode 204 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der zweiten Elektrode 104 ausgebildet .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Trennstruktur 210 strukturiert auf oder über dem Substrat 201 angeordnet . Die Trennstruktur 210 weist eine Mehrzahl von Aussparungen 224 auf , wobei die Mehrzahl von Pixeln in der Mehrzahl von
Aussparungen 224 angeordnet ist . Die Trennstruktur 210 weist eine Dicke d auf, beispielsweise in einem Bereich von etwa 0 , 2 μτη bis etwa 20 μτη, beispielsweise in einem Bereich von etwa 1 um bis etwa 3 μτη, beispielsweise in einem Bereich von etwa 1 μτη bis etwa 2 μπι. Die Trennstruktur 210 weist eine obere Fläche 240 auf , wobei die Flächennormale der oberen Fläche 240 parallel zu der Fiächennormalen der
Prozessierungsoberfläche 230 steht . Ferner weist die
Trennstruktur eine untere Fläche 250 auf . Die untere Fläche 250 und die Prozessierungsoberfläche 230 können miteinander in direktem Kontakt stehen, wohingegen die obere Fläche 240 eine dem Substrat 201 abgewandte Fläche der Trennstruktur 210 ist . Die obere Fläche 240 und die untere Fläche 250 sind miteinander mittels einer Seitenfläche verbunden . Die
Seitenfläche weist eine Krümmung auf , beispielsweise wie sie schematisch in Fig.2a dargestellt ist . Die gekrümmte
Seitenfläche kann ferner auch als Flanke oder Resistflanke bezeichnet werden . Ein Einzelpixel kann, je nach Form des Einzelpixels, von mehreren gekrümmten Seiten lächen umgeben sein .
Gemäß einem Ausf hrungsbeispiel ist die Trennstruktur 210 wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode 202 ausgebildet .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die Trennstruktur 210 einen Photolack, ferner auch bezeichnet als Resist oder Photoresist, auf . Die Trennstruktur 210 weist ein Polyimid auf oder ist aus einem Polyimid gebildet. Polyimide neigen im Normalfall nicht dazu während einem Herstellungsverfahren, welches unter Anwendung eines Vakuums stattfindet,
auszugasen. Dadurch wird die Herstellung der organischen Leuchtdiodenvorrichtung vereinf cht .
Die Trennstruktur 210 kann transparent oder transluzent ausgebildet sein,
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Trennstruktur wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode ausgebildet . Gemäß einer Weiterbildung weist die Reflexionsschicht ein Metall auf oder ist aus einem Metall gebildet. Eine
Reflexionsschicht aus Metall kann eine besonders hohe
Reflektivität aufweisen, beispielsweise eine Reflektivität von etwa 20 % bis etwa 99,8 %, beispielsweise von etwa 50 % bis etwa 99 %, beispielsweise von etwa 80 % bis etwa 95 % .
Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203 kann ferner auch als Organikschicht 203 bezeichnet werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur gemäß einem oben beschrieben
Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen
Schichtenstruktur 103 ausgebildet . Zur Vereinfachung ist in Fig.2a lediglich die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203 der organisch funktionellen Schichtenstruktur dargestellt . Die. wenigstens eine organisch funktionelle
Schicht 203 ist auf oder über der Trennstruktur 210 und in den Pixelzwischenräumen ausgebildet . Der Bereich, der zwischen den Pixeln liegt, kann als PixelZwischenraum
bezeichnet werden .
Die organisch funktionelle Schicht 203 ist in dem
Pixelbereich 224 und in dem Flankenbereich 223 angeordnet . Die organisch funktionelle Schicht 203 ist in dem Flankenbereich 223 und über der Reflexionsschicht 220 derart angeordnet, dass die Projektion der organisch funktionellen Schicht 203 die Reflexionsschicht 220 überlappt, Alternativ ist die organisch funktionelle Schicht 203 in dem gesamten in dem Pixelbereich 224, in dem Flankenbereich 223 und in dem Trennstrukturbereich 222 angeordnet derart, dass sich die organisch funktionelle Schicht 203 über die Mehrzahl von Pixel und über die Trennstruktur 210 erstreckt.
Die einzelnen Pixel können derart ausgebildet sein, dass einzelnen Pixel näherungsweise eine elektromagnetische
Strahlung mit denselben Eigenschaften, beispielsweise Licht mit derselben beziehungsweise mit näherungsweise derselben Farbe, emittieren.
In einem anderen Ausführungsbeispiel sind die Pixel derart ausgebildet, dass die einzelnen Pixel oder bestimmte Pixel- Gruppen eine elektromagnetische Strahlung mit
unterschiedlichen Eigenschaften emittieren, beispielsweise können die Pixel oder Pixel -Gruppen Licht mit
unterschiedlichen Farben emittieren. In einem
Ausführungsbeispiel sind die Pixel derart ausgebildet, dass eine erste Pixel-Untergruppe rotes Licht emittiert, eine zweite Pixel-Untergruppe grünes Licht emittiert und eine dritte Pixel -Untergruppe blaues Licht emittiert.
Beispielsweise kann die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen oder mehrere Farbfilter oder eine oder mehrere
Konversionsschicht ( en) aufweisen.
Gemäß einem Äusführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 204 wenigstens teilweise über der Trennstruktur 210 ausgebildet und eine Isolierschicht 260 ist zwischen der Trennstruktur 210 und der zweiten Elektrode 204 ausgebildet. Mittels einer Isolierschicht 260 kann auf einfache Weise ein Kurzschluss zwischen der zweiten Elektrode 204 und einer
darunterliegenden Schicht verhindert werden. Bei einer leit ähigen Reflexionsschicht kann beispielsweise eine Isolation mittels der Isolierschicht 260 erfolgen.
Alternativ kann die Ref lexionsschicht 220 nur auf der Flanke aufgebracht werden ohne Kontakt zur ersten Elektrode 202 , die beispielsweise als Anode ausgebildet sein kann .
Die Isolierschicht 260 ist aus einem elektrisch isolierenden Stoff gebildet . Die Isolierschicht 260 kann einen Photolack aufweisen oder daraus gebildet sein . Die Isolierschicht 260 kann aus einem Polyimid gebildet oder die Isolierschicht 260 kann ein Polyimid aufweisen.
Die Isolierschicht 260 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 204 wenigstens teilweise über der Trennstruktur 210 ausgebildet und eine Isolierschicht 260 ist zwischen der Trennstruktur 210 und der zweiten Elektrode 204 ausgebildet ist .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel erstreckt sich die zweite Elektrode 204 über die Mehrzahl von Pixel und über die
Trennstruktur 210. Dadurch kann die organische
Leuchtdiodenvorrichtung auf einfache Weise ausgebildet werden, da die zweite Elektrode 204 großflächig in der organischen Leuchtdiodenvorrichtung ausgebildet werden kann .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 204 in dem Trennstrukturbereich 222 ausgebildet derart , dass die zweite Elektrode 204 den gesamten Trennstrukturbereich 222 bedeckt .
Gemäß einem Ausf hrungsbeispiel erstreckt sich die zweite Elektrode über die Mehrzahl von Pixel und über die
Trennstruktur . Dadurch kann die organische
Leuchtdiodenvorrichtung auf einfache Weise ausgebildet werden, da die zweite Elektrode beispielsweise unstrukturiert ausgebildet werden kann . Fig.2a zeigt exemplarisch einen Querschnitt eines einzelnen Pixels zusammen mit der das Pixel umgebenden Trennstruktur 210. Auf dem Substrat 201 ist die erste Elektrode 201
ausgebildet. Auf der ersten Elektrode 201 ist die
Trennstruktur 210 ausgebildet. Die Trennstruktur 210 ist wenigstens teilweise auf der ersten Elektrode 202
ausgebildet . Die Trenns ruktur 210 ist beispielsweise auf einem Randbereich der ersten Elektrode 202 ausgebildet. Die erste Elektrode 202 weist einen Bereich auf, der frei ist von der Trennstruktur 210. Auf der Trennstruktur 210 und im
Bereich der gekrümmten Seitenfläche der Trennstruktur 210 ist die Reflexionsschicht 220 ausgebildet . Die ReflexionsSchicht 220 kann im Weiteren auch Auskoppelschicht bezeichnet werden. Die Auskoppelschicht 220 bedeckt die gekrümmten
Seitenflächen . Gemäß dem Ausführungsbeispiel , welches in Fig.2a dargestellt ist , steht die Auskoppelschicht 220 in direktem Kontakt mit der ersten Elektrode 202. Ferner weist die Auskoppelschicht 220 eine ähnliche Krümmung wie die gekrümmte Seitenfläche auf . Auf der Auskoppelschicht 220 ist die Isolierschicht 260 angeordnet . Die Isolierschicht 260 kann die Auskopp lschicht 220 vollständig bedecken. Die
Isolierschicht 260 isoliert die Auskoppelschicht 220 von der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 203. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht 260 in dem gesamten Pixelbereich 224, der weiter unten ausführlich beschrieben ist , angeordnet . Auf der ersten Elektrode 202 ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 203 ausgebildet . Auf der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 203 ist die zweite Elektrode 204 ausgebildet .
Wie in Fig.2a gezeigt, weisen die Auskoppelschicht 220 , die Isolierschicht 260 , die organische funktionelle
Schichtenstruktur 203 sowie die zweite Elektrode 204 eine ähnliche Krümmung wie die gekrümmte Seitenfläche auf .
Durch das Vorhandensein der Reflexionsschicht 220 auf der Trennstruktur 210 kann ein Eindringen von elektromagnetische Strahlung in die Trennstruktur 210 , die im Weiteren auch als Resistschicht 210 bezeichnet werden kann, verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine besonders effiziente Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt. Es kann ferner eine höhere Effizienz ohne weitreichende Veränderungen im Chipdesign oder im Design der OLED ermöglicht werden. Es können ferner auch höhere
Lebensdauern erreicht werden.
Fig.2b zeigt eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die organische
Leuchtdiodenvorrichtung einen Randbereich 221 auf, der frei ist von Pixeln und frei ist von der Trennstruktur 210,
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die organische
Leuchtdiodenvorrichtung einen Trennstrukturbereich 222 auf. Der Trennstrukturbereich 222 weist die Trennstruktur 210 auf.
Wie oben ausführlich beschrieben weist die Trennstruktur 210 gekrümmte Seitenflächen auf. Die gekrümmten Seitenflächen können insbesondere an den Rändern der Trennstruktur 210 angeordnet sein, beispielsweise an jenen Rändern der
Trennstruktur 210, die den Pixeln zugewandt sind. Der in Fig.2b dargestellte Flankenbereich 223 weist gekrümmte
Seitenflächen auf. Die Trennstruktur 210 kann auch an ihren dem Randbereich zugewandten Rändern gekrümmte Seitenflächen aufweisen, welche der Einfachheit halber nicht dargestellt sind.
Die Trennstruktur 210 weist Aussparungen 224 auf, in welchen die Pixel ausgebildet sind. Der Bereich der Aussparungen 224 kann ferner auch als Pixelbereich 224 bezeichnet werden.
Fig.3 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in Fig. gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. Auf einem Substrat 301 , welches gemäß ei em weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101 , 201 ausgebildet ist, ist eine erste Elektrode 302 ausgebildet, Die erste Elektrode 302 ist gemäß einem weiter oben
beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 102, 202 ausgebildet . Wenigstens teilweise auf der ersten Elektrode 302 ist eine Trennstruktur 310 ausgebildet . Die Trennstruktur 310 ist beispielsweise auf einem Randbereich der ersten
Elektrode 302 ausgebildet . Die erste Elektrode 302 weist einen Bereich auf , der frei ist von der Trennstruktur 310. A der Trennstruktur 310 und im Bereich der gekrümmten
Seitenfläche der Trennstruktur 310 ist die Reflexionsschicht 320 ausgebildet . Die Reflexions schicht 320 bedeckt die gekrümmte Seitenfläche und ist auf der Trennstruktur 310 ausgebildet . Die Reflexionsschicht 320 ist lediglich auf der Trennstruktur 310 ausgebildet . Eine organisch funktionelle Schicht 303 , die gemäß einem Ausführungsbeispiel der
wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 303
ausgebildet ist, ist über der ersten Elektrode 302 , über der Reflexions schicht 320 und über der Trennstruktur 310
angeordnet . I dem Bereich der ersten Elektrode 302 , der frei ist von der Trennstruktur 310 , ist die organisch funktionelle Schicht 303 auf der ersten Elektrode 302 ausgebildet . In Bereichen des Substrats 301, welche die Trennstruktur 310 aufweisen ist die organisch funktionelle Schicht 303
wenigstens teilweise auf der Trennstruktur 310 ausgebildet . In den Bereich der gekrümmten Seitenwände der Trennstruktur 310 ist die organisch funktionelle Schicht 303 überwiegend auf der Auskoppelschicht ausgebildet . Auf oder über der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 303 ist die zweite Elektrode 304 ausgebildet . Die zweite Elektrode 304 ist in dem Bereich der ersten Elektrode 302 , der frei ist von de Trennstruktur 310 ausgebildet . Gemäß einem
Ausführungsbeispiel und wie in Fig .3 und Fig.2a dargestellt , kann die zweite Elektrode 304 auch wenigstens teilweise in einem Bereich des Substrats 301 , der die Trennstruktur 310 aufweist, ausgebildet sein . Fig.4 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung , das beispielsweise weitgehend dem in Fig.3 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. Auf einem Substrat 401, welches gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301 ausgebildet ist, ist eine Trennstruktur 410 ausgebildet. Die Trennstruktur 410 kann weitestgehend gemäß einem oben
beschrieben Ausführungsbeispiel der Trennstruktur ausgebildet sein . Die erste Elektrode 402 ist auf dem Substrat 401 und in dem Pixelbereich 224 ausgebildet . Die erste Elektrode 402 ist in dem Flankenbereich 223 ausgebildet . Die erste Elektrode 402 ist gemäß einem Aus ührungsbeis iel der Reflexionsschicht 220 ausgebildet . Die erste Elektrode 402 weist ein Metall auf oder ist aus einem Metall ausgebildet .
Wie in Fig. dargestellt kann die erste Elektrode 402 auch wenigstens teilweise in dem Trennstrukturbereich 222
ausgebildet sein.
Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 403 ist auf der ersten Elektrode 402 und in dem Pixelbereich 224 ausgebildet . Die organisch funktionelle Schicht 403 ist in dem Flankenbereich 223 und über der ersten Elektrode 402 derart angeordnet , dass die Proj ektion der organisch
funktionellen Schicht 403 die erste Elektrode 402 überlappt . Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 403 ist ferner in dem Flankenbereich 223 ausgebildet . Gemäß einem Ausführungsbeispiel bedeckt die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 403 näherungsweise den gesamten
Trennstrukturbereich 222. Die zweite Elektrode 404 ist auf oder über der wenigstens einen organisch funktionellen
Schicht 403 und in dem Pixelbereich 224 ausgebildet . Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 404 ferner in dem Flankenbereich 223 ausgebildet . Gemäß einem
Ausführungsbeispiel bedeckt die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 403 näherungsweise den gesamten
Trennstrukturbereich 222. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Anode nach dem
Ausbilden der Trennstruktur 410, wobei das Ausbilden der Trennstruktur im Weiteren auch als PI-Prozess bezeichnet werden kann, abgeschieden, um an der Flanke als
Reflexionsschicht zu dienen. Die Isolation zur Kathode erfolgt entweder über mindestens eine ausgebildete
Organikschicht 403, oder über die Isolationsschicht 260,
Alternativ kann die erste Elektrode 402 in dem Pixelbereich 224 und näherungsweise in dem gesamten Trennstrukturbereich 222 ausgebildet sein. In diesem Fall kann der
Trennstrukturbereich 222 einen Bereich aufweisen, der frei ist von der zweiten Elektrode 404. Fig.5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in Fig.4 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann.
Die in Fig.5 dargestellte Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Substrat 501, eine erste Elektrode 502, wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 503, eine zweite Elektrode 504 und eine Trennstruktur 510 auf. Das Substrat 501 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des
Substrats 101, 201, 301, 401 ausgebildet. Die erste Elektrode 502 ist gemäß einem weiter oben beschrieben
Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 402 ausgebildet. Die wenigstens eine funktionelle Schicht 503 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der wenigstens einen funktionellen Schicht 203, 303, 403 ausgebildet. Die Trennstruktur 510 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Trennstruktur 210, 310, 410
ausgebildet. Die erste Elektrode 502 und die zweite Elektrode 504 sind jeweils wenigstens teilweise in dem
Trennstrukturbereich 222 ausgebildet.
Im Unterschied zu dem in Fig.4 gezeigten Ausführungsbeis iel weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung der Fig.5 eine Isolierschicht 560 auf. Die Isolierschicht 560 kann gemäß einem weiter oben ausführlich beschriebenen
Ausführungsbeispiel der Isolierschicht 260 ausgebildet sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht 560 aus einem Polyimid gebildet. Die Isolierschicht 560 kann zwischen der ersten Elektrode 502 und der zweiten Elektrode 504 ausgebildet sein. Die Isolierschicht 560 kann auf der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 503
ausgebildet sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht 560 auf der ersten Elektrode 502 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht 560 transluzent oder transparent ausgebildet.
Die Isolierschicht 560 dient dazu die erste Elektrode 502 von der zweiten Elektrode 504 in dem Trennstrukturbereich 222 elektrisch zu isolieren. Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 503 kann so dünn ausgebildet sein, dass es zu einem elektrischen Kurzschluss zwischen der ersten Elektrode 502 und der zweiten Elektrode 504 kommen kann. Fig.9 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung .
Fig.9 zeigt ein Substrat 901, welches gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301, 401, 501, 601, 801 ausgebildet ist. Auf dem Substrat 901 ist eine erste Elektrode 902 ausgebildet. Die erste Elektrode 902 ist gemäß einem weiter oben ausführlich beschriebenen
Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 202, 302, 402, 502, 602, 802 ausgebildet.
Auf der ersten Elektrode 902 ist wenigstens ein
Leiterbahnelement 926 ausgebildet. Das wenigstens eine
Leiterbahnelement 926 kann im Weiteren auch als Busbar 926 oder als elektrische Sammelschiene 926 bezeichnet werden, Ferner können auf der ersten Elektrode 902 auch mehrere
Leiterbahnelemente ausgebildet sein. Das wenigstens eine Leiterbahnelement 926 kann zu einer Verbesserung der
lateralen Stromverteilung der ersten Elektrode 902 dienen. Das wenigstens eine Leiterbahnelement 926 ist aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet oder weist einen solchen auf, Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das
wenigstens eine Leiterbahnelement 926 aus einem Metall gebildet oder weist ein solches auf. Alternativ kann das wenigstens eine Leiterbahnelement 926 auf der zweiten
Elektrode 904 ausgebildet sein.
Ein Isolierelement 928 ist auf dem Leiterbahnelement und der ersten Elektrode 902 oder der zweiten Elektrode 904
ausgebildet derart, dass das Isolierelement 928 das
Leiterbahnelement 926 vollständig bedeckt. Das Isolierelement 928 kann gemäß einem Ausführungsbeispiel der Isolierschicht 260 ausgebildet sein. Das Isolierelement 928 kann
näherungsweise die Form eines Halbzylinders aufweisen, der auf dem Leiterbahnelement 926 ausgebildet ist.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist eine weitere
Reflexionsschicht 920 auf dem Isolierelement 928 ausgebildet und die Reflektivität der weiteren Reflexionsschicht 920 ist höher als die Reflektivität des Isolierelements. Die weitere Reflexionsschicht kann gemäß einem Ausführungsbeispiel der Reflexionsschicht 220 ausgebildet sein. Die weitere Reflexionsschicht 920 kann auf dem Rand des
Isolierelements 928 und teilweise auf der ersten Elektrode 902 ausgebildet sein. Die weitere Reflexionsschicht 920 kann derart auf dem Isolierelement 928 ausgebildet sein, dass eine Lichteinkopplung in das Isolierelement 928 verringert wird.
Auf oder über der weiteren Reflexionsschicht 920, auf oder über des Isolierelements 928 und auf oder über der ersten Elektrode 902 ist eine organisch funktionelle Schicht 903 ausgebildet. Die organisch funktionelle Schicht 903 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen Schicht 203, 303, 403, 503, 603, 803 ausgebildet. Auf der organisch funktionellen Schicht 903 ist eine zweite Elektrode 904 ausgebildet. Die zweite Elektrode 904 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen
Ausführungsbeispiels der zweiten Elektrode 104, 204, 304, 404, 504, 604, 804 ausgebildet. Die Bereiche mit elektrischen Sammelschienen erscheinen üblicherweise dunkler als die Bereiche daneben. Daher kann die Verwendung der weiteren Reflexionsschicht 920 bei einem Einsatz in OLED-Beleuchtungsprodukten (engl, lighting) vorteilhaft sein. Da OLED-Beleuchtungsprodukte üblicherweise sehr feine elektrische Sammelschienen beziehungsweise sehr feine Busbargrids aufweisen, können diese überstrahlt werden, wodurch eine Verbesserung des optischen Eindrucks erreicht werden kann. Fig.6 zeigt ein Ausführungsbeispiei einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung .
Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Substrat 601 auf. Das Substrat 601 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiei des Substrats 101, 201, 301, 401, 501 ausgebildet. Auf dem Substrat 601 ist eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet. Ferner weist die organische
Leuchtdiodenvorrichtung eine Trennstruktur 610 auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat 601 ausgebildet ist. Die Trennstruktur 610 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Trennstruktur 210, 310, 410, 510 ausgebildet .
Die Trennstruktur 610 weist ein Matrixmaterial auf. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das Matrixmaterial ein
Photolack oder weist einen Photolack auf. Gemäß einem
Ausführungsbeispiei weist das Matrixraaterial ein Polyimid auf oder ist ein Polyimid. Polyimid kann beispielsweise einen Brechungsindex von etwa 1,6 bis etwa 1,8 aufweisen.
Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen Auskoppelstoff auf. Der Auskoppelstoff ist in oder auf der Trennstruktur 610 angeordnet. Der Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher oder niedriger als der Brechungsindex des Matrixmaterials . Durch das Vorhandensein eines Auskoppelstoffs in der Trennstruktur 610, wobei der Brechungsindex des Auskoppelstoffs höher ist als der
Brechungsindex des Matrixmaterials, kann die Auskopplung von elektromagnetische Strahlung aus der Trennstruktur 610 erhöht werden. Ferner kann durch das Vorhandensein eines Auskoppelstoffs auf der Trennstruktur 610 ein Eindringen von elektromagnetische Strahlung in die Trennstruktur 610 verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine besonders effiziente organische Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist der Auskoppelstoff Streupartikel auf oder ist aus Streupartikeln gebildet.
Streupartikel können beispielsweise Ti02 aufweisen oder aus T1O2 gebildet sein. Ti02 kann beispielsweise einen
Brechungsindex von etwa 2,2 bis etwa 2,6 aufweisen. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann der
Brechungsindex des Auskoppelstoffes auch niedriger sein, als der des Matrixmaterials. Beispielsweise kann der
Auskoppelstoff Luftblasen aufweisen. Der Auskoppelstoff kann beispielsweise AI2O3 aufweisen, wobei der Auskoppelstoff in einem Matrixmaterial mit sehr hohem Brechungsindex
eingebettet ist.
Die in Fig.6 dargestellte Leuchtdiodenvorrichtung weist ferner eine erste Elektrode 602, wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 603, eine zweite Elektrode 604 auf.
Jedes Pixel kann jeweils eine erste Elektrode 602 und eine zweite Elektrode 604 aufweisen. Die erste Elektrode 602 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 202, 302 ausgebildet. Die wenigstens eine funktionelle Schicht 603 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der wenigstens einen funktionellen Schicht 203, 303, 403, 503 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 604 wenigstens teilweise über der Trennstruktur 610 ausgebildet. Ferner kann eine Isolierschicht (nicht dargestellt) zwischen der Trennstruktur 610 und der zweiten Elektrode 604
ausgebildet sein.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Trennstruktur 610 wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode 602 ausgebildet .
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel, das bezüglich Fig.3 weiter oben beschrieben ist, ist auf der Trennstruktur 610 anstelle der Reflexionsschicht 320 der Auskoppelstoff ausgebildet .
Wie in Fig.6 dargestellt, kann der Auskoppelstoff derart auf der Trennstruktur 610 ausgebildet sein, dass der
Auskoppelstof eine Schicht 620 auf der Trennstruktur 610 bildet. Eine von dem AuskoppeIstoff gebildete Schicht 620 kann im Weiteren auch als AuskoppelSchicht 620 bezeichnet werden. Die Auskoppelschicht 620 kann hinsichtlich ihrer Anordnung auf der Trennstruktur 610 und in der organischen Leuchtdiodenvorrichtung analog zu einem Ausführungsbeispiel der Reflexionsschicht 220, 320 ausgebildet sein.
Beispielsweise ist die AuskoppelSchicht 620 auf der
Trennstruktur 610 und im Bereich der gekrümmten Seitenfläche der Trennstruktur 610 ausgebildet. Die Auskoppelschicht 620 kann die gekrümmten Seitenflächen der Trennstruktur 610 vollständig bedecken. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Auskoppelschicht 620 in dem gesamten Flankenbereich 223 ausgebildet. Ferner kann die Auskoppelschicht 620 auch in dem gesamten Trennstrukturbereich 222 ausgebildet sein.
Im Fall, dass die Streupartikel elektrisch isolierend hinsichtlich eines elektrischen Stroms ausgebildet sind, kann die Auskoppelschicht 620 in direktem Kontakt mit der ersten Elektrode 602 stehen, wie in Fig.6 dargestellt. Die Auskoppelschicht 620 kann im Weiteren auch als Streuschicht 620 bezeichnet werden.
Eine Streuschicht 620 kann mittels einfacher und
kostengünstiger Verfahren, beispielsweise
Tintenstrahldrucken, hergestellt werden. Ferner entfällt bei elektrisch isolierend ausgebildeten Streupartikeln der Bedarf für eine Isolierschicht 260, was den Herstellungsprozess der organischen Leuchtdiodenvorrichtung vereinfacht.
Streupartikel weisen eine Streupartikelgröße auf, die in etwa in dem Bereich der Wellenlänge der zu streuenden
elektromagnetischen Strahlung liegt. Eine Verbesserung der Auskopplung kann beispielsweise durch das Aufbringen einer Streuschicht 620 auf die gekrümmten Seitenflächen der Trennstruktur 610, im Weiteren auch als esistflanke 610 bezeichnet, erfolgen. Ais Streupartikel bieten sich unter anderem Ti02- Partikel, Hf02-Partikel, Ta205- Partikel, ZrC^-Partikel sowie Partikel aus Neodymoxid,
Terbiumoxid und/oder Yttriumoxid an.
Gemäß einer Weiterbildung erstreckt sich die zweite Elektrode über die Mehrzahl von Pixel und über die Trennstruktur.
Dadurch kann die organische Leuchtdiodenvorrichtung auf einfache Weise ausgebildet werden, da die zweite Elektrode beispielsweise unstrukturiert ausgebildet werden kann.
Eine Auskoppelschicht, die gemäß dem oben beschriebenen
Ausführungsbeispiel der Auskoppelschicht 620 ausgebildet ist, kann anstelle der weiteren Reflexionsschicht 920 auf dem Isolierelement 928 ausgebildet sein.
Fig.7a zeigt eine schematische Darstellung einer Drauf eines Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung , In Fig.7a, Fig.7b und Fig.7c sind verschiedene Möglichkeiten zur Anordnung der Reflexionsschicht 220, 320 oder der
Auskoppelschicht 620 auf der Trennstruktur 210, 310, 610 dargestellt .
In Fig.7a ist ein Teil eines Trennstrukturbereichs 722 dargestellt, Der Trennstrukturbereich 722 weist einen
Pixelbereich 724 auf. Dm den Pixelbereich 724 ist eine funktionelle Schicht 720 angeordnet. Die funktionelle Schicht 720 ist entweder gemäß einem Ausführungsbeispiel der
Reflexionsschicht 220, 320 oder gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Auskoppelschicht 620 ausgebildet. Der Trennstrukturbereich 722 ist gemäß einem weiter oben
beschriebenen Ausführungsbeispiel des Trennstrukturbereichs 222 ausgebildet. Der Pixelbereich 724 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Pixelbereichs 224 ausgebildet. Der Trennstrukturbereich 722 ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des
Trennstrukturbereichs 222 ausgebildet. Der Pixelbereich 724 ist von dem Bereich, welcher die funktionelle Schicht 720 aufweist eingerahmt. Der gesamte Bereich zwischen den
einzelnen Pixelbereichen 724 weist die funktionelle Schicht 720 auf. Der Trennstrukturbereich 722 weist einen Bereich auf, der frei ist von der funktionellen Schicht 720.
Fig.7a zeigt mehrere Pixel mit einer nicht-separierten funktionellen Schicht 720. Je nach Abscheideart kann dieses Ausführungsbeispiel prozesstechnisch einfacher sein, als Ausführungsbeispiele mit Separierung.
Fig.7b zeigt eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in Fig. a gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann
Im Unterschied zu dem in Fig. a dargestellten
Ausführungsbeispiel, weist der in Fig.7b dargestellte Bereich zwischen den Pixeln einen Bereich auf, der frei ist von der funktionellen Schicht 720.
Fig.7b zeigt mehrere Pixel mit einer separierten
funktionellen Schicht 720. Der Vorteil ist, dass eine solche separierte beziehungsweise pixelierte Anordnung des der funktionellen Schicht 720 auf der Trennstruktur 722, eine sehr gute Pixeldefinition zur Folge hat. Dies kann
vorteilhaft für den Pixeleindruck in einem Betriebszustand (engl, on-state) und in einem Außerbetriebszustand (engl, off -State) sein.
Fig.7c zeigt eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in Fig. b gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann
Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die Auskoppelschicht 720 lediglich vereinzelt um den Pixelbereich 724 angeordnet sein. In anderen Worten, können Bereiche des Rands der Pixel frei sein von dem AuskoppeIstoff 720.
Fig.7c zeigt mehrere Pixel mit separierter, aber nicht- umlaufender funktioneller Schicht 720. Der Vorteil ist, dass so beispielsweise Bereiche eines Bottom-Emitters, der
Strukturelemente in dem Substrat, ferner auch als Backplane bezeichnet, aufweist, ebenfalls zu emittieren scheinen.
Fig.8 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in
Fig.6 gezeigten Äusführungsbeispiel entsprechen kann.
Im Unterschied zu dem in Fig.6 dargestellten
Ausführungsbeispiel ist der Auskoppelstoff nicht als
AuskoppelSchicht 620 auf der Trennstruktur 610 angeordnet, sondern der Auskoppelstoff ist in dem Matrixmaterial der Trennstruktur 810 angeordnet. Die in Fig.8 dargestellte organische Leuchtiodenvorrichtung weist ein Substrat 801, eine erste Elektrode 802, wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 803, eine zweite
Elektrode 804 und eine Trennstruktur 810 auf. Das Substrat 801 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen
Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301, 401, 501, 601 ausgebildet. Die erste Elektrode 802 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten
Elektrode 202, 302, 602 ausgebildet. Die wenigstens eine funktionelle Schicht 803 ist gemäß einem weiter oben
beschrieben Aus führungsbeispiel der wenigstens einen
funktionellen Schicht 203, 303, 403, 503, 603 ausgebildet. Die Trennstruktur 810 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Trennstruktur 210, 310, 410, 510, 610 ausgebildet. Der Auskoppelstoff weist Streupartikel auf oder ist aus Streupartikeln gebildet. Ferner ist der
Auskoppelstoff in dem Matrixmaterial der Trennstruktur 810 angeordnet . Streupartikel können beispielsweise auf einfache Weise in die Trennstruktur integriert werden, beispielsweise durch ein simples Beimengen der Streupartikel in das Matrixmaterial.
Streupartikel können homogen oder inhomogen in dem
Matrixmaterial angeordnet sein.
Eine Verbesserung der Auskopplung kann beispielsweise durch das Einbringen von Streupartikeln in den Resist erfolgen. Streupartikel, beispielsweise aus T1O2 , können direkt dem Resist hinzugefügt werden.
Es ist anzumerken, dass die oben beschrieben
Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung ferner eine Verkapselung, eine Haftmittelschicht und einen Abdeckkörper aufweisen können. Die Verkapselung ist gemäß einem bezüglich Fig.l beschrieben Ausführungsbeispiel der Verkapselung 105 ausgebildet. Ferner ist die
Haftmittelschicht gemäß einem weiter oben beschriebenen Aus führungsbeispiel der Haf mittelschicht ausgebildet. Ferner ist der Abdeckkörper gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Abdeckkörpers 106 ausgebildet, Fig.10 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung .
Fig.10 zeigt ein Substrat 1001, welches gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901 ausgebildet ist. Auf dem
Substrat 1001 ist eine erste Elektrode 1002 ausgebildet. Die erste Elektrode 1002 ist gemäß einem weiter oben ausführlich beschriebenen Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 202, 302, 402, 502, 602, 802, 902 ausgebildet.
Auf der ersten Elektrode 1002 ist wenigstens ein
Leiterbahnelement 1026 ausgebildet. Das wenigstens eine
Leiterbahnelement 1026 ist gemäß einem Ausführungsbeispiel des wenigstens einen Leiterbahnelements 926 ausgebildet.
Ferner können auf der ersten Elektrode 1002 auch mehrere
Leiterbahnelemente ausgebildet sein. Alternativ kann das wenigstens eine Leiterbahnelement 1026 auf der zweiten
Elektrode 1004 ausgebildet sein. Ein Isolierelement 1028 ist auf dem Leiterbahnelement 1026 und der ersten Elektrode 1002 oder der zweiten Elektrode 1004 ausgebildet derart, dass das Isolierelement 1028 das
Leiterbahnelement 1026 vollständig bedeckt. Das
Isolierelement 1028 ist gemäß einem Ausführungsbeispiel des Isolierelements 328 ausgebildet.
Das Isolierelement 1028 weist ein weiteres Matrixmaterial und einen weiteren AuskoppeIstoff auf, wobei der weitere
Auskoppelstoff in dem Isolierelement 1028 angeordnet ist und, wobei der Brechungs index des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials. Das weitere Matrixmaterial ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Matrixmaterials
ausgebildet . Ferner ist der Auskoppelstoff gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Auskoppelstoffs ausgebildet. Beispielsweise kann das Matrixmaterial ein
Polyimid sein, der Auskoppelstoff kann Streupartikel
aufweisen und der Auskoppelstoff kann homogen oder inhomogen in dem Matrixmaterial verteilt sein . Fig.11 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum
Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung,
beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten organische Leuchtdiodenvorrichtung .
Das in Fig.11 gezeigte Ablaufdiagramm bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung , wobei die organische
Leuchtdiodenvorrichtung eine ReflexionsSchicht 220 , 320 , 720 aufweist . Ausführungsbeispiele der organischen
Leuchtdiodenvorrichtung mit der ReflexionsSchicht 220 , 320 , 720 sind weiter oben ausführlich beschrieben und
beispielsweise in den Figuren 2a, 3 und 7 dargestellt . Ferner bezieht sich das Ablaufdiagramm der Fig.11 auf
Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung , wobei die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine erste
Elektrode 402 , 502 aufweist und die erste Elektrode 402 , 502 als die Reflexionsschient dient . Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit der ersten Elektrode 402 , 502 , wobei die erste Elektrode 402 , 502 als
Reflexionsschicht dient sind beispielsweise in den Figuren 4 und 5 dargestellt .
Das Verfahren zum Herstellen einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Ausbilden einer Mehrzahl von Pixel au einem Substrat 201, 301 , 401 , 501 auf . Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Trenns ruktur 210 , 310, 410 , 510 zwischen den Pixeln und auf dem Substrat 201 , 301, 401 , 501 auf . Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Reflexionsschicht 220, 320 auf der Trennstruktur 210, 310, 410, 510 auf, Die Reflektivität der Reflexionsschicht 220, 320 ist höher als die Reflektivität der Trennstruktur 210, 310, 410, 510. Die organische Leuchtdiodenvorrichtung wird derart ausgebildet, dass die organische
Leuchtdiodenvorrichtung eine organisch funktionelle
Schichtenstruktur 103 mit wenigstens einer organischen
Schicht 203, 303, 403, 503 auf eist. Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203, 303, 403, 503 wird derart ausgebildet, dass sich die wenigstens eine organische Schicht 203, 303, 403, 503 sich über die gesamte RefiexionsSchicht 220, 320 erstreckt.
In 1101 wird eine Mehrzahl von Pixel auf dem Substrat 201, 301, 401, 501 ausgebildet. Die Mehrzahl der Pixel kann als eine Mehrzahl von nebeneinander ausgebildeten organischen Leuchtdioden betrachtet werden. Jedes Pixel wird derart ausgebildet, dass jedes Pixel eine erste Elektrode 202, 302, 402, 502, wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203, 303, 403, 503 und eine zweite Elektrode 204, 304, 404, 504 aufweist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen, beispielsweise den in Fig.2a und Fig.3 dargestellten Ausführungsbeispielen, wird die erste Elektrode 202, 302 auf dem Substrat 201, 301 und vor dem Ausbilden der Trennstruktur 210, 310 ausgebildet.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen, beispielsweise den in Fig. und Fig.5 dargestellten Ausführungsbeispielen, wird die erste Elektrode 402, 502 auf dem Substrat 401, 501 und nach dem Ausbilden der Trennstruktur 410, 510 derart ausgebildet, dass die erste Elektrode 402, 502 teilweise auf der
Trennstruktur ausgebildet wird. Die erste Elektrode 202, 302, 402, 502 und die zweite
Elektrode 204, 304, 404, 504 werden gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet. Die erste
Elektrode 202, 302, 402, 502 wird gleich oder unterschiedlich von der zweiten Elektrode 204 , 304 , 404 , 504 ausgebildet . Die erste Elektrode 202, 302, 402, 502 und/oder die zweite
Elektrode 204 , 304 , 404 , 504 können/kann unter Verwendung einer optischen Lithographie , einer Scha tenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet v/erden. Die erste Elektrode 202 , 302 , 402 , 502 und/oder die zweite Elektrode 204 , 30 , 404 , 504 können/kann mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung ausgebildet werde . Die organisch funktionelle Schicht 203, 303 , 403 , 503 wird gemäß einem weiter eben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet . Beispielsweise wird die organisch funktionelle Schicht 203 , 303 , 403 , 503 mittels Siebdrucken,
Tintenstrahldrucken , Rakeln, Aufsprühen und/oder eines
AufdampfVerfahrens ausgebildet .
I 1102 wird die Trennstruktur 210 , 310 , 410 , 510
ausgebildet . Die Trennstruktur 210, 310 , 410 , 510 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel
ausgebildet . Die Trennstruktur 210 , 310 , 410 , 510 kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden . Die Trennstruktur 210 , 310 , 410 , 510 kann mittels Siebdrucken, Tintenstrahldrucken, Rakeln oder
Aufsprühen ausgebildet werden .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Trennstruktur 210 , 310 , 410, 510 aus einem Polyimid gebildet wird oder die
Trennstruktur 210 , 310 , 410 , 510 wird derart ausgebildet, dass sie ein Polyimid aufweist .
Die zweite Elektrode 204 , 304 , 404 , 504 kann wenigstens teilweise über der Trennstruktur 210 , 310 , 410, 510
ausgebildet werde und eine Isolierschicht 260 , 560 kann zwischen der Trennstruktur 210 , 310 , 410 , 510 und der zweiten Elektrode 204 , 304 , 404 , 504 ausgebildet werden. Die
Isolierschicht 260, 560 wird gemäß einem weiter oben
beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet . Die Isolierschicht 260, 560 kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden. Die
Isolierschicht 260, 560 kann mittels Siebdrucken,
Tintenstrahldrucken, Rakeln oder Aufsprühen ausgebildet werden. Die Isolierschicht 260, 560 kann mittels
Atomlagenabscheidung (ALD , atomic layer deposition) und/oder chemischer Gasphasenabscheidung ( CVD , chemical vapour
deposition) ausgebildet werden.
In 1103 wird die Reflexionsschicht 220, 320 ausgebildet. Die Reflexionsschicht 220, 320 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet. Die
Reflexionsschicht 220, 320 kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter
Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden. Die Reflexionsschicht 220, 320 kann mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung ausgebildet werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Reflexionsschicht
220, 320 aus einem Metall gebildet oder die Reflexionsschicht 220, 320 wird derart gebildet wird, dass sie ein Metall aufweist . Wie in Fig. und Fig.5 dargestellt kann das Ausbilden der
Reflexionsschicht das Ausbilden der ersten Elektrode 402, 502 in dem Flankenbereich 223 aufweisen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die zweite Elektrode 204, 304, 404, 504 über der Mehrzahl von Pixeln und über der
Trennstruktur 210, 310, 410, 510 ausgebildet.
Fig.12 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum
Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten organische Leuchtdiodenvorrichtung . Das in Fig.12 gezeigte Ablaufdiagramm bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung, wobei die organische
Leuchtdiodenvorrichtung einen AuskoppelStoff aufweist,
Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit dem AuskoppeIstoff sind weiter oben ausführlich
beschrieben und beispielsweise in den Figuren 6, 7 und 8 dargestellt , Das Verfahren zum Herstellen einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Ausbilden 1201 einer
Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat 601, 801 auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden 1202 einer Trennstruktur 610, 810 zwischen den Pixeln und auf dem Substrat 601, 801 auf, wobei die Trennstruktur 610, 810 derart ausgebildet wird, dass die Trennstruktur 610, 810 ein Matrixmaterial aufweist. Das Verfahren weist ferner ein Anordnen 1203 eines Auskoppelstoffs in oder auf der Trennstruktur 610, 810 auf. Der Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher als der Brechungsindex des Matrixmaterials.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird der Auskoppelstoff aus Streupartikeln gebildet oder der Auskoppelstoff wird derart ausgebildet, dass er Streupartikel aufweist.
Das Matrixmaterial kann aus einem Polyimid gebildet werden oder das Matrixmaterial wird derart ausgebildet, dass es ein Polyimid aufweist. Das Ausbilden 1201 der Mehrzahl von Pixel sowie das Ausbilden 1202 der Trennstruktur 610, 810 erfolgt gemäß weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Der Auskoppelstoff kann, wie in Fig.6 dargestellt, auf der Trennstruktur 610 angeordnet werden. Der Auskoppelstoff kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer
Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens auf der Trennstruktur 610 angeordnet werden. Der Auskoppelstoff kann mittels Siebdruckens,
Rotationsbeschichtens, Tintenstrahldruckens , Rakelns oder Aufsprühens ausgebildet werden . Beispielsweise kann der
Äuskoppelstoff in einem geeigneten Lösungsmittel dispergiert werden und anschließen mittels einer Rotationsbeschichtung auf der Trennstruktur 610 angeordnet werden. Anschließend kann das Lösungsmittel entfernt werden, beispielsweise indem das Lösungsmittel verdampft. Anschließend können Bereiche der daraus resultierenden Auskoppelschicht wieder entfernt werden, beispielsweise mittels eines geeigneten
Ätzverfahrens. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann der
Auskoppelstoff derart mit einem geeigneten Lösungsmittel vermengt werden, dass eine Paste entsteht. Die daraus
resultierende Paste kann mittels Siebdruck auf der
Trennstruktur 610 angeordnet werden.
Der Auskoppelstoff kann ferner, wie in Fig.8 dargestellt, in dem Matrixmaterial angeordnet werden. Das Anordnen des
Auskoppelstoffs in dem Matrixmaterial kann ein Beimengen des Äuskoppelstoffs in ein flüssiges Matrixmaterial aufweisen.
Der Auskoppelstoff kann anschließend zusammen mit dem noch flüssigen Matrixmaterial auf dem Substrat 801 angeordnet werden. Anschließend kann das flüssige Matrixmaterial ausgehärtet werden, beispielsweise mittels Erhitzen des Matrixmaterials . Eine Strukturierung des Matrixmaterials kann beispielsweise mittels einer optischen Lithographie oder eines anderen geeigneten Prozesses erfolgen .
Die beiden oben beschriebenen Verfahren, das Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit
Reflexionsschicht sowie das Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit Auskoppelstoff , können beide das Ausbilden von wenigstens einem
Leiterbahne1ement 926, 1026 (beispielsweise in Fig.9 und Fig .10 dargestellt) aufweisen. Das Leiterbahnelement 926 ,
1026 wird gemäß einem weiter oben beschriebenen
Ausführungsbeispiel ausgebildet . Das Leiterbahnelement 926, 1026 kann beispielsweise mittels einer physikalischen
Gasphasenabscheidung ausgebildet werden.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das wenigstens eine Leiterbahnelernent 926 , 1026 auf der ersten Elektrode 902,
1002 oder auf der zweiten Elektrode 904, 1004 ausgebildet. , und wobei ein Isolierelement 928, 1028 auf dem
Leiterbahnelement 926 , 1026 und der ersten Elektrode 902 , 1002 oder der zweiten Elektrode 904 , 1004 ausgebildet wird derart , dass das Isolierelement 928 , 1028 das
Leiterbahnelement 926 , 1026 vollständig bedeckt .
Die erste Elektrode 902 , 1002 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 902 , 1002 ausgebildet . Die zweite Elektrode 90 , 1004 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der zweiten Elektrode 904 , 1004 ausgebildet .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird eine weitere
Reflexionsschicht 920 auf dem Isolierelement 928 , 1028 ausgebildet und die Reflektivität der weiteren
ReflexionsSchicht 920 ist höher als die Reflektivität des Isolierelements 928 , 1028. Die eine weitere Reflexionsschicht 920 wird gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der weiteren Reflexionsschicht 920 ausgebildet . Die weitere
Reflexionsschicht 920 kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden. Die weitere Reflexionsschicht 920 kann mittels einer physikalischen
Gasphasenabscheidung ausgebildet werden.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das Isolierelement 928 , 1028 derart ausgebildet , dass das Isolierelement 928 , 1028 ein weiteres Matrixmaterial und einen weiteren Auskoppelstoff aufweist , wobei der weitere Auskoppelstoff auf oder in dem Isolierelement 928 , 1028 angeordnet wird und, wobei der Brechungs.index des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials,
Der weitere Auskoppelstoff kann, wie in Fig.9 dargestellt, auf dem Isolierelement 928, 1028 angeordnet werden. Der
Auskoppelstoff kann unter Verwendung einer optischen
Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens auf dem Isolierelement 928, 1028 angeordnet werden. Der weitere Auskoppelstoff kann mittels Siebdruckens, Rotationsbeschichtens,
Tintenstrahldruckens , Rakelns oder Aufsprühens ausgebildet werden. Beispielsweise kann der weitere Auskoppelstoff in einem geeigneten Lösungsmittel dispergiert werden und
anschließen mittels einer Rotationsbeschichtung auf dem
Isolierelement 928, 1028 angeordnet werden. Anschließend kann das Lösungsmittel entfernt werden, beispielsweise indem das Lösungsmittel verdampft. Anschließend können Bereiche, welche den weiteren Auskoppelstoff aufweisen wieder entfernt werden, beispielsweise mittels eines geeigneten Ätzverfahrens. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann der weitere Auskoppelstoff derart mit einem geeigneten Lösungsmittel vermengt werden, dass eine Paste entsteht. Die daraus resultierende Paste kann mittels Siebdruck auf dem Isolierelement 928, 1028 angeordnet werde .
Der weitere AuskoppeIstoff kann ferner, wie in Fig.10
dargestellt, in dem weiteren Matrixmaterial angeordnet werden. Das Anordnen des weiteren Auskoppelstoffs in dem weiteren Matrixmaterial kann ein Beimengen des
ÄuskoppeistO'ffs in ein flüssiges weiteres Matrixmaterial aufweisen. Der weitere Auskoppelstoff kann anschließend zusammen mit dem noch flüssigen weiteren Matrixmaterial auf der ersten Elektrode 1002 und auf dem Leiterbahnelement 1026 angeordnet werden. Anschließend kann das flüssige weitere Matrixmaterial ausgehärtet werden, beispielsweise mittels Erhitzen des weiteren Matrixmaterials. Eine Strukturierung des weiteren Matrixmaterials kann beispielsweise mittels einer optischen Lithographie oder eines anderen geeigneten Prozesses erfolgen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Verfahren zum Herstellen der organische Leuchtdiodenvorrichtung Merkmale der organische Leuchtdiodenvorrichtung aufweisen und die organische Leuchtdiodenvorrichtung kann Merkmale des
Verfahrens zum Herstellen der organische
Leuchtdiodenvorrichtung aufweisen derart und insoweit, als dass die Merkmale jeweils sinnvoll anwendbar sind. Dies bedeutet beispielsweise, dass der Gegenstand der abhängigen Vorrichtungsansprüche entsprechend anwendbar sind bei dem Verfahren und entsprechend auch als abhängige
Verfahrensansprüche formuliert werden können,
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die in den Figuren 1, 2a, 2b, 3, 4 , 5 , 6 , 7a, 7b, 7c, 8, 9 und 10 gezeigten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert sein.
BEZUGSZEICHENLISTE
100 Leuchtdiode
101 Träger
102 erste Elektrode
103 organisch funktionelle Schichtenstruktur
104 zweite Elektrode
105 VerkapselungsSchicht
106 Abdeckkörper
107 optisch aktiver Bereich
201 optisch aktive Bereich
202 erste Elektrode
203 erste Elektrode
204 ..weite Elektrode
210 Trennstruktur
220 ReflexionsSchicht
230 Prozessierungsoberfläche
240 obere Fläche
250 untere Fläche
260 Trennstruktur
d Dicke
221 Randbereich
222 Trennstrukturbereich
223 Flankenbereich
224 Aussparungen
301 Substrat
302 erste Elektrode
303 organisch funktionelle Schicht
304 zweite Elektrode
310 Trennstruktur
320 ReflexionsSchicht
401 Substrat
402 erste Elektrode
403 organische Schicht
404 zweite Elektrode
410 Trennstruktur
501 Substrat
502 erste Elektrode 503 organischen Schicht
504 zweite Elektrode
510 Trennetruktur
560 Isolierschicht
601 Substrat
602 erste Elektrode
603 organische Schicht
604 zweite Elektrode
610 Trennstruktur
620 ReflexionsSchicht
720 funktionelle Schicht
722 Trennstrukturbereich
724 Pixelbereich
801 Substrat
802 erste Elektrode
803 organische Schicht
804 zweite Elektrode
810 Trennstruktur
901 Substrat
902 erste Elektrode
903 organische Schicht
904 zweite Elektrode
920 ReflexionsSchicht
926 Leiterbahnelement
928 Isolierelement
1001 Substrat
1002 erste Elektrode
1003 organischen Schicht
1004 zweite Elektrode
1026 Leiterbahnelement
1028 Isolierelement
1101, 1102, 1103 , 1201, 1202 , 1203 Verfahrensschritte

Claims

PATENTANSPRÜCHE
Organische Leuchtdiodenvorrichtung, aufweisend:
• ein Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001) auf dem eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet ist ;
• eine Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810), die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001} ausgebildet ist;
• eine Reflexionsschicht {220, 320), die auf der
Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810)
angeordnet ist ;
• wobei die Reflektivität der Reflexionsschicht (220, 320) höher ist als die Reflektivität der
Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) ;
• wobei die organische Leuchtdiodenvorrichtung ferner eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (103) mit wenigstens einer organischen Schicht (203, 303, 403 , 503 , 603 , 803 , 903 , 1003) aufweist; und
• wobei sich die wenigstens eine organische Schicht
(203, 303, 403 , 503 , 603 , 803, 903, 1003) über die gesamte ReflexionsSchicht (220 , 320) erstreckt .
Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß Anspruch 1 , wobei die ReflexionsSchicht (220 , 320) ein Metall aufweist oder aus einem Metall gebildet ist .
Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder
2,
wobei die Trennstruktur (210 , 310 , 410 , 510 , 610 , 810) ein Polyimid aufweist oder aus einem Polyimid gebildet ist .
4. Organische Leuchtdiodenvorrichtung, aufweisend:
• ein Substrat {101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001) auf dem eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet ist;
• eine Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) , die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat ( 101 , 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001) ausgebildet ist, wobei die Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) ein Matrixmaterial aufweis ;
• einen Auskoppelstoff der in oder auf der
Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810)
angeordnet ist;
• wobei der Brechungsindex des Auskoppelstoffs höher oder niedriger ist als der Brechungsindex des Matrixmaterials .
5. Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß Anspruch 4,
wobei das Matrixmaterial ein Polyimid aufweist oder ein Polyimid ist.
6. Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß Anspruch 4 oder 5,
wobei der Auskoppelstoff Streupartikel aufweist oder aus Streupartikeln gebildet ist.
7. Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 6,
wobei jedes Pixel jeweils eine erste Elektrode (102, 202, 302, 402, 502, 602, 802, 902, 1002) und eine zweite Elektrode (104, 204 , 304, 404, 504, 604, 804, 904, 1004) aufweist .
8. Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß Anspruch 7 , wobei die zweite Elektrode (104, 204 , 304 , 404 , 504 , 604 , 804 , 904 , 1004 ) wenigstens teilweise über der
Trennstruktur (210, 310 , 410 , 510 , 610, 810) ausgebildet ist und eine Isolierschicht ( 260 , 560) zwischen der Trennstruktur (210, 310 , 410 , 510 , 610, 810) und der zweiten Elektrode (104, 204, 304, 404, 504, 604, 804) ausgebildet ist.
Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß Anspruch 7 oder 8,
wobei die Trennstruktur (210 , 310 , 410 , 510 , 610 , 810) wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode (102, 202, 302, 402, 502, 602, 802) ausgebildet ist .
Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß einem der
Ansprüche 7 bis 9,
wobei sich die zweite Elektrode (104 , 204 , 304 , 404 ,
504 , 604 , 804 ) über die Mehrzahl von Pixel und über die
Trennstruktur (210 , 310 , 410, 510 , 610 , 810) erstreckt .
Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß einem der
Ansprüche 7 bis 10 ,
wobei auf der ersten Elektrode ( 102 , 202 , 302 , 402, 502 , 602 , 802) oder auf der zweiten Elektrode (104 , 204 , 304 , 404 , 504 , 604 , 804 ) wenigstens ein Leiterbahnelement (926 , 1026) ausgebildet ist, und wobei ein
Isolierelement (928, 1028 ) auf dem Leiterbahnelement
(926, 1026 ) und der ersten Elektrode (102 , 202 , 302 , 402 , 502 , 602 , 802) oder der zweiten Elektrode (104 , 204 , 304 , 404 , 504 , 604 , 804) ausgebildet ist derart, dass das Isolierelement (928, 1028 ) das
Leiterbahnelement (926, 1026 ) vollständig bedeckt .
Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß Anspruch 11 , wobei eine weitere ReflexionsSchicht (920) auf dem
Isolierelement { 928 , 1028) ausgebildet ist und die
Ref lektivität der weiteren ReflexionsSchicht { 920) höher ist als die Reflektivität des Isolierelements (928, 1028) .
Organische Leuchtdiodenvorrichtung gemäß Anspruch 12 , wobei das Isolierelement (928, 1028 ) ein weiteres
Matrixmaterial auf eist und einen weiteren Auskoppelstoff , der auf oder in dem Isolierelement (928, 1028) angeordnet ist, wobei der Brechungsindex des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der
Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials.
Verfahren zum Herstellen einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung, das Verfahren aufweisend:
• Ausbilden einer Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001) ;
• Ausbilden einer Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) zwischen den Pixeln und auf dem Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001) ;
• Ausbilden einer Reflexionsschicht (220, 320) auf der Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) ;
• wobei die Reflektivität der Reflexionsschicht (220, 320) höher ist als die Reflektivität der
Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) ;
• wobei die organische Leuchtdiodenvorrichtung derart ausgebildet wird, dass die organische
Leuchtdiodenvorrichtung eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (103) mit wenigstens einer
organischen Schicht (203, 303, 403, 503, 603, 803, 903, 1003) aufweist; und
• wobei die wenigstens eine organische Schicht (203, 303, 403, 503, 603, 803) derart ausgebildet wird, dass sich die wenigstens eine organische Schicht (203, 303 , 403 , 503 ( 603, 803, 903, 1003) über die gesamte Reflexionsschicht (220, 320) erstreckt,
Verfahren gemäß Anspruch 14 ,
wobei die Reflexionsschicht (220, 320) aus einem Metall gebildet wird oder wobei die Reflexionsschicht (220, 320) derart gebildet wird, dass sie ein Metall aufweist,
Verfahren gemäß Anspruch 14 oder 15,
wobei die Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) aus einem Polyimid gebildet wird oder wobei die Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) derart ausgebildet wird, dass sie ein Polyimid aufweist.
Verfahren zum Herstellen einer organischen
Leuchtdiodenvorrichtung, das Verfahren aufweisend:
• Ausbilden einer Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001) ;
• Ausbilden einer Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810} zwischen den Pixeln und auf dem Substrat {101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901, 1001), wobei die Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810) derart ausgebildet wird, dass die Trennstruktur {210, 310, 410, 510, 610, 810) ein Matrixmaterial aufweist;
• Anordnen eines Auskoppelstoffs in oder auf der
Trennstruktur (210, 310, 410, 510, 610, 810);
• wobei der Brechungsindex des Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des Matrixmaterials.
Verfahren gemäß Anspruch 17,
wobei das Matrixmaterial aus einem Polyimid gebildet wird oder wobei das Matrixmaterial (210, 310, 410, 510, 610, 810) derart ausgebildet wird, dass es ein Polyimid aufweist .
Verfahren gemäß Anspruch 17 oder 18,
wobei der Auskoppelstoff aus Streupartikeln gebildet wird oder wobei der Auskoppelstoff derart ausgebildet wird, dass er Streupartikel aufweist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 19,
wobei jedes Pixel derart ausgebildet wird, dass jedes Pixel jeweils eine erste Elektrode (102, 202, 302, 402, 502, 602, 802) und eine zweite Elektrode (104, 204, 304, 404, 504, 604, 804) aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 20,
wobei die zweite Elektrode {104, 204, 304, 404, 504, 604, 804) wenigstens teilweise über der Trennstruktur (210, 310, 410 , 510 , 610 , 810) ausgebildet wird und eine
Isolierschicht (260, 560) zwischen der Trennstruktur
(210, 310, 410, 510, 610, 810) und der zweiten Elektrode
(104 , 204 , 304 , 404 , 504 , 604 , 804) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 20 oder 21 ,
wobei die Trennstruktur (210 , 310 , 410 , 510 , 610, 810) wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode (102, 202, 302, 402, 502, 602 , 802) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 20 bis 22 ,
wobei die zweite Elektrode (104 , 204 , 304 , 40 , 504,
604 , 804 ) über der Mehrzahl von Pixeln und über der Trennstruktur (210, 310 , 410 , 510, 610 , 810) ausgebildet wird .
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 20 bis 23 ,
wobei auf der ersten Elektrode (102 , 202 , 302 , 402, 502 , 602 , 802) oder auf der zweiten Elektrode (10 , 204 , 304 , 404 , 504 , 604 , 804 ) wenigstens ein Leiterbahnelement
(926, 1026 ) ausgebildet wird, und wobei ein
Isolierelement (928, 1028) auf dem Leiterbahnelement (926 , 1026) und der ersten Elektrode (102 , 202 , 302, 402 , 502 , 602, 802) oder der zweiten Elektrode (104 , 204 , 304 , 404 , 504 , 604 , 804) ausgebildet wird derart, dass das Isolierelement (928, 1028 ) das
Leiterbahnelement (926, 1026) vollständig bedeckt .
Verfahren gemäß Anspruch 24 ,
wobei eine weitere Reflexionsschicht (926, 1026) auf dem Isolierelement (928, 1028 ) ausgebildet wird und die Ref lektivität der weiteren Reflexionsschicht ( 926 , 1026} höher ist als die Reflektivität des Isolierelements .
Verfahren gemäß Anspruch 24 ,
wobei das Isolierelement ( 928 , 1028 ) derart ausgebildet wird, dass das Isolierelement (928, 1028) ein weiteres Matrixmaterial aufweist und einen weiteren Auskoppelstoff, wobei der weitere Auskoppelstoff auf oder in dem Isolierelement {928, 1028) angeordnet wird und, wobei der Brechungs ndex des weiteren
Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials .
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