WO2016116570A1 - Lichtemittierendes bauelement, verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements und verfahren zum betreiben eines lichtemittierenden bauelements - Google Patents

Lichtemittierendes bauelement, verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements und verfahren zum betreiben eines lichtemittierenden bauelements Download PDF

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WO2016116570A1
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light
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electromagnetic radiation
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Andreas Rausch
Diana KUEHNLEIN
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Osram Oled Gmbh
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    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission

Definitions

  • the invention relates to a light-emitting component, to a method for producing a light-emitting component and to a method for operating a light-emitting component.
  • an emitter layer is arranged between an anode and a cathode in which electromagnetic radiation is generated.
  • OLEDs are, for example, the use as surface light sources in general lighting, as background lighting or pixels in displays or for displaying information on signs or displays (signage applications).
  • the emitter layer is patterned after forming the OLED by means of a laser to represent the information in the OLED.
  • the emitter layer is structured by using a condensed resist gas with subsequent lift-off pattering.
  • the representation of the information by means of partial modification of the Inj etechnischsteil of charge carriers of one of the electrodes is realized in the emitter layer.
  • the information is displayed by means of a series connection of individually shaped OLED elements.
  • the usual methods are relatively expensive and technically demanding, especially for signage applications.
  • the object of the invention is to provide a light-emitting component, a method for producing a light-emitting component and a method for operating a light-emitting component, with which information can be displayed in an electrically switchable manner, and which can be formed in a technically simple manner.
  • a light-emitting component having an emitter layer, wherein the emitter layer has a first emitter material and a second emitter material.
  • the emitter layer has at least one predetermined first display area and a second display area.
  • the first display region comprises the first emitter material and the second emitter material, and the second display region comprises the first emitter material and is substantially free of the second emitter material.
  • the first emitter material has at least a first excited state and a second excited state, the second excited state being energetically above the first excited state, and emitting a first electromagnetic radiation upon transition from the first excited state to the ground state of the first emitter material
  • the second emitter material has at least one excited state, wherein a second electromagnetic radiation is emitted during the transition from the excited state of the second emitter material to the ground state of the second emitter material.
  • An occupation of the excited state of the second emitter material takes place essentially by means of an energy transfer from the second excited state of the first emitter material to the excited state of the second emitter material such that a mixed light of first electromagnetic radiation and second electromagnetic radiation is emissable from the first display region, and the light that is emanatable from the second display area is substantially free of second electromagnetic radiation.
  • the second excited state of the first emitter material is not formed by direct electron-hole recombination.
  • the occupation of the second excited state of the first emitter material takes place, for example indirectly, for example by a triplet triplet annihilation of two adjacent excited molecules of the first emitter material. This partially forms a third excited state, which is energetically above the second excited state, wherein the third excited state passes through energy transfer in the second excited state.
  • An excited state is an excited state in the energized and deenergized state of the light-emitting device.
  • a display area of a light-emitting device is an area for displaying information.
  • the light-emitting component has at least two display areas, for example a multiplicity of display areas.
  • the plurality of display areas has at least a first display area and a second display area, for example, a plurality of first display areas and a plurality of second display areas.
  • a single display area shows resp. the individual display areas each have a dimension which is large enough, for example at least a few pm 2 to m 2 , that the information displayed in the respective display area can be perceived optically on its own, for example with the naked eye.
  • a display area is perceptible as an area indicating discrete information, for example, with respect to a directly adjacent display area.
  • the first emitter material or an optional matrix material (as will be described in more detail below) of the emitter layer is substantially full-surface doped with a phosphorescent first emitter material.
  • the matrix material of the emitter layer is additionally doped with a high-energy second emitter material.
  • the excited, light-emitting state of the higher-energy, second emitter material is occupied so that the second emitter material also emits light (second electromagnetic radiation).
  • the overall brightness of the emitted light of the light-emitting device is increased.
  • the emitted light of the first display region has a different color than the emitted light of the second display region, in the case where the first electromagnetic radiation and the second electromagnetic radiation are different in color.
  • a lowering of the electric current ⁇ below the threshold value causes the light-emitting component in turn to glow homogeneously monochromatically.
  • the process described is therefore reversible as often as desired.
  • the threshold value depends on the occupation probability of the first excited state of the first emitter material, on the rate of the triplet Triplet annihilation, the used
  • the threshold value can be determined empirically for a light-emitting component.
  • the threshold value may be, for example, a current density greater than or equal to 1 mA / cm 2 , for example greater than or equal to 10 mA / cm 2 , for example greater than or equal to 50 mA / cm 2 ,
  • the light-emitting component By means of the light-emitting component thus information, for example for signage applications, without complex structuring processes of the emitter layer can be displayed.
  • the second emitter material can be embedded in the first display area, for example by means of a simple shadow mask process during the production of the emitter layer in the matrix material.
  • a light emitting device having a very simple structure with a single emitter layer may be sufficient.
  • the structure of the light-emitting component makes it possible to continuously switch on and off the display of information, for example a logo, a symbol, a pictogram or a lettering, electrically.
  • the first emitter material furthermore has at least one third excited state, which is higher in energy than the second excited state.
  • the second excited state can be occupied from the third excited state.
  • the occupation of the second excited state can be done for example by internal conversion.
  • the third excited state is occupied by a bimolecular extinguishing process of first excited states.
  • the emitter layer has a matrix material, wherein the first emitter material and the second emitter material are distributed in the matrix material.
  • the light which can be emitted by the second display region has essentially only the first electromagnetic radiation.
  • the energy level of the excited state of the second emitter material is between the energy level of the first excited state and the energy level of the second excited state of the first emitter material. According to a development, the energy difference of the excited state of the second emitter material to the ground state of the second emitter material is greater than the energy difference of the first excited state of the first emitter material to the ground state of the first emitter material.
  • the first electromagnetic radiation and the second electromagnetic radiation have a different color location.
  • the second electromagnetic radiation has a shorter wavelength range than the first electromagnetic radiation.
  • the first display area and the second display area are arranged next to one another, for example in a plane of the emitter layer.
  • the first emitter material is a phosphorescent material
  • the first electromagnetic radiation is a phosphorescent light.
  • the phosphorescent light has a relatively long cooldown, such as a cooldown greater than
  • the number of occupied, excited states of the second emitter material can be increased.
  • the second emitter material is a fluorescent material
  • the second electromagnetic radiation is a fluorescent Lich.
  • the fluorescent light has a relatively short cooldown, for example, a cooldown of less than 100 ns.
  • the first display area and the second display area are arranged relative to one another such that a predetermined information can be displayed by means of the arrangement in the energized operation of the light-emitting component.
  • the arrangement of the first display area and the second display area relative to one another takes the form of a lettering, a pictogram, a logo, an ideogram and / or a symbol.
  • the second emitter material is homogeneously distributed in the first display area in the matrix material.
  • the second emitter material is distributed inhomogeneously in the matrix material in the first display region. This allows a physiologically pleasing perception of
  • the first display region has a number density gradient at the second emitter material in the matrix material.
  • the object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing a light-emitting component with an emitter layer.
  • the formation of the emitter layer takes place with a first emitter material and a second emitter material.
  • the emitter layer is formed at least with a predetermined first display area and a second display area.
  • the first emitter material and the second emitter material are arranged, and in the second display region, the first emitter material is arranged and the second display region is substantially free of the second emitter material.
  • the first emitter material has at least a first excited state and a second excited state, wherein the second excited state is energetically above the first excited state, and at the transition from the first excited state into the first excited state
  • the second emitter material has at least one excited state on, wherein the transition from the excited state of the second emitter material in the ground state of the second emitter material, a second electromagnetic radiation is emitted.
  • An occupation of the excited state of the second emitter material takes place essentially by means of an energy transfer from the second excited state of the first emitter material to the excited state of the second emitter material such that a mixed light of first electromagnetic radiation and second electromagnetic radiation is emissable from the first display region, and the light that is emissable from the second display area is substantially free of second electromagnetic radiation. This allows a simple production of a light-emitting component with electrically switchable information representation.
  • the object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for operating a light-emitting component according to one of the above-mentioned developments.
  • the method comprises forming an electric current having a current density through the emitter layer, wherein at the current density, the first emitter material emits the first electromagnetic radiation and the second emitter material is non-light emitting.
  • the current density is lower than a threshold value, wherein from the threshold value, an occupation of the excited state of the second emitter material with electrons takes place to a significant extent.
  • the method further comprises changing the current density to a second current density, wherein at the second current density, the first emitter material emits the first electromagnetic radiation and the second emitter material emits the second electromagnetic radiation.
  • the second current density is greater than the threshold.
  • Component according to various developments illustrates different modes of operation of a light-emitting device according to a
  • Embodiment illustrates different modes of operation of a light-emitting device according to another embodiment
  • FIG. 1 illustrates a flowchart of a method for producing a light-emitting component according to various developments.
  • connection As used herein, the terms “connected,” “connected,” and “coupled” are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling.
  • connection As used herein, the terms “connected,” “connected,” and “coupled” are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling.
  • identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
  • a light emitting device may comprise one, two or more light emitting devices.
  • a light-emitting component may also have one, two or more electronic components.
  • An electronic component may have, for example, an active and / or a passive component.
  • An active electronic component may have, for example, a computing, control and / or regulating unit and / or a transistor.
  • a passive electronic component may, for example, comprise a capacitor, a resistor, a diode or a coil.
  • a light-emitting component may be a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or a diode emitting electromagnetic radiation, a diode emitting organic electromagnetic radiation, a transistor emitting electromagnetic radiation or a transistor emitting organic electromagnetic radiation.
  • the light emitted by the light-emitting component is an electromagnetic radiation, for example light in the visible wavelength range, UV light and / or infrared light.
  • the light-emitting device may be formed, for example, as a light emitting diode (LED), an organic light emitting diode (OLED), a light emitting transistor or an organic light emitting transistor.
  • the light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments.
  • a plurality of light-emitting components may be provided, for example housed in a common housing.
  • the light-emitting component can be, for example, a display, a pixel or a backlight of a display.
  • the light-emitting component is a general lighting and / or a surface light source, or a part of such.
  • the light-emitting component has a large area, flat or bendable.
  • the light-emitting component is designed in a so-called bottom-emitter design, top emitter design, bidirectionally emitting design and / or transparent.
  • the light emitted by the light emitting device is detected by, for example, the Carrier (Bottora emitter); in the direction of the side facing away from the carrier (top emitter) in both directions (bidirectional) or in several or many directions (omnidirectional) emitted simultaneously or sequentially.
  • FIG. 1 shows a schematic plan view and a sectional view A-A of a light-emitting component 100 according to various developments.
  • the top view of the light-emitting component 100 illustrates that the light-emitting component has a light-emitting area with a first display area 102 and a second display area 104.
  • the sectional view A-A it is illustrated that the light-emitting device 100 has at least one carrier 106, a first electrode layer 108, an organic functional layer structure 120 and a second electrode layer 116.
  • the first electrode layer 108 is formed on the carrier 106.
  • the first electrode layer 108 may cover a main surface of the carrier 106 substantially over the entire surface.
  • the organic functional layer structure 120 is formed on the first electrode layer 108.
  • the organically functional layered structure 120 is physically and electrically connected to the first electrode layer 108.
  • the organically functional layer structure 120 may cover a main area of the first electrode layer 108 over substantially the entire area, except for a contact area of the light-emitting component 100.
  • the organic electrode layer structure 120 has the second electrode layer 116 formed thereon.
  • the second electrode layer 116 may be a main surface of the organic functional layer structure 120 substantially Cover the whole area.
  • the second electrode layer 116 can be partially formed on the carrier 106, for example in the contact region of the light-emitting component 100.
  • the second electrode layer 116 is physically and electrically connected to the organically functional layer structure 120.
  • the second electrode layer 116 is electrically insulated from the first electrode layer 108 and disposed at a distance therefrom.
  • the organic functional layered structure 120 is electrically connected to the first electrode layer 108 and the second electrode layer 116, and sandwiched between the first electrode layer 108 and the second electrode layer 116.
  • the organically functional layer structure 120 of the light-emitting component 100 is designed to emit an electromagnetic radiation from an electrical energy provided by the electrode layer 108, 116.
  • the organically functional layer structure 120 of the light-emitting component 100 is designed to emit an electromagnetic radiation from an electrical energy provided by the electrode layer 108, 116.
  • Layer structure 120 has, for example, at least one light-emitting layer 112, also referred to as emitter layer 112.
  • Emitter layer 112 has a matrix material 122 in which at least a first emitter material 124 and a second emitter material 126 are embedded.
  • the emitter layer 112 is structured such that it has a first display area 102 and a second display area 104.
  • the first display area 102 is arranged laterally in the emitter layer next to the second display area 104, and vice versa.
  • the first display area 102 is surrounded by the second display area 104.
  • the matrix material 122 is substantially optically transparent.
  • the first emitter material 124 is arranged to emit a first electromagnetic radiation 128 and the second emitter material 126 to a Emitting a second electromagnetic radiation 130 set up.
  • the light-emitting component 100 is illustrated in the so-called top emitter configuration, in which light is not emitted by the carrier 106 but by the second electrode layer 116.
  • light emitted by the light-emitting component 100 is transmitted through the light emitting device 100 Carrier 106 emitted, for example, in which the light-emitting device 100 is formed in a so-called bottom-emitter design and / or formed bidirectional or omnidirectional light-emitting.
  • the light-emitting component 100 is designed to be transparent.
  • the emitter layer 112 is structured in such a way that the first display region 102 has the first emitter material 124 and the second emitter material 126, and the second display region 104 has the first emitter material 124 and is substantially free of second emitter material 126 Emitter material 124 in the first display area a matrix for the second emitter material 126.
  • a matrix material 122 and the emitter layer 112 is structured such that the first display area 102 embedded in the matrix material 122, the first emitter material 124th and the second emitter material 126, and the second display region 104 embedded in the matrix material 122, the first emitter material 124 is on and substantially free of second emitter material 126.
  • the light emitting device 100 is structured such that in b between the first display area 102, a mixed light 132 is emissive, wherein the mixed light 132 at least the first electromagnetic Radiation 128 and the second electromagnetic radiation 130; and the light generated in the second display region 104 or the light emitted therefrom is substantially free of second electromagnetic radiation 130, for example by essentially only first electromagnetic radiation 128 being able to be emitted from the second display region 104.
  • the first emitter material 124 may emit the first electromagnetic radiation 128 by means of an electric current from the first electrode layer 108 through the organic functional layer structure 120 to the second electrode layer 116 (or vice versa).
  • the first electromagnetic radiation 128 is generated essentially by means of electroluminescent excitation of the first emitter material 124.
  • the second emitter material 126 is selected with respect to the first emitter material 124 such that the second emitter material 126 is transferred by means of a transition from an excited state of the first emitter material 124 to an excited state of the second emitter material 126, for example by means of an intermolecular energy transfer from one through triplet Triplet annihilation and subsequent internal conversion produced the excited state of the first emitter material 124 into an excited state.
  • the second electromagnetic radiation 130 is generated by means of a transition from this excited state of the second emitter material 126 to the ground state of the second emitter material 126. In other words, the second electromagnetic radiation 130 is generated from an excited state of the first emitter material 124 substantially by indirect excitation of the second emitter material 124.
  • the method of generating the electromagnetic radiation 128, 130 will be described in more detail below.
  • the carrier 106 according to various developments described above, for example, as a film or a Sheet metal formed.
  • the carrier 106 comprises or is formed from a glass or a plastic.
  • the carrier 106 may be formed electrically conductive, for example, as a metal foil or a glass or Kunststoffsubs rat 106 with a conductor pattern.
  • the carrier 106 comprises or is formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material.
  • the carrier 106 comprises or is formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the carrier 106 may be transparent.
  • the carrier 106 is mechanically flexible, for example, bendable, bendable or formable.
  • the carrier 106 is configured as a foil or a metal sheet.
  • the carrier 106 has at least one mechanically rigid, non-flexible region.
  • the first electrode layer 108 and / or the second electrode layer 116 may be electrically conductively connected to an electrically conductive carrier 106.
  • a contacting of the first electrode layer 108 and / or the second electrode layer 116 by the carrier 106 can take place, which simplifies the contacting of the optoelectronic assembly 100.
  • the first electrode layer 108 may be transparent with respect to the light emitted from the organic functional layer structure 120.
  • the first electrode layer 108 and the second electrode layer 116 may be the same or different.
  • the first electrode layer 108 is formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is to say as an electron-injecting electrode.
  • the first electrode layer 108 is transparent when emitted by the carrier 106, for example, a transparent conductive oxide (TCO) or a thin metal layer, for example, having a thickness of less than 100 nra.
  • TCO transparent conductive oxide
  • the second electrode layer 116 may in this case be opaque, for example reflective, for example of a metal.
  • the first electrode layer 108 is formed, for example, from ITO.
  • transparent conductive oxides are zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, ternary metal oxygen compounds such as Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, Mgln20, GalnO3, Zn20, In205 or In4Sn3012 or mixtures of different transparent conductive oxides (TCO) to the groups of the TCOs ,
  • the organically functional layer structure 120 (for example, at least in each case) has a hole injection layer, a
  • the layers of the organically functional layer structure 120 may have application-specific usual layer thicknesses and materials.
  • the layers of the organic functional layer structure 120 may be disposed between the electrode layers 108, 116 such that, during operation, electrical charge carriers may flow from the first electrode layer 108 through the organic functional layer structure 120 into the second electrode layer 116, and vice versa.
  • the organically functional layer structures 120 may have one or more emitter layers 112, for example with fluorescent and / or phosphorescent ones
  • the emitter materials 124, 126 can without matrix material, ie, matrix-free, for example by Koverdampfens, the
  • the emitter layer 112 is formed with first emitter material 124 and second emitter material 126.
  • the first emitter material 124 is formed substantially completely over the entire area on or above the first electrode layer 108, for example deposited.
  • the second emitter material 126 is only formed in the first display area 102 together with the first emitter material 124 in the matrix material 122, for example by means of co-evaporation by a shadow mask process, a screen printing process, a pad printing process or an ink jet printing process of the second emitter material on the first emitter material 124
  • the emitter layer 112 is formed by means of a doping of a matrix material 122 with emitter material 124, 126.
  • the matrix material 122 is formed essentially completely over the entire area, for example, on or above the first electrode layer 108.
  • the first emitter material 124 is substantially completely embedded in the matrix material 122, for example, the matrix material 122 is doped with the first emitter material 124, for example by means of a co-evaporation process of the first emitter material 124 and the matrix material.
  • the second emitter material 126 is embedded in the matrix material 122 only in the first display region 102 together with the first emitter material 124, for example by co-evaporation by a shadow mask process, a screen printing process, a pad printing process or an ink jet printing process of the second emitter material onto the matrix material.
  • an emitter layer having a first emitter material 124, such as a phosphorescent emitter material, doped with a second emitter material 126, such as a fluorescent emitter material means that the volume fraction of first emitter material 124 at the emitter layer 112 is greater than the volume fraction of the second emitter material 126 at the emitter layer 112.
  • the first emitter material 124 is thus the majority component and the second emitter material 126 is the minority component with respect to the emitter material in the emitter layer.
  • the volume fraction of the second emitter material 126 is less than 0.5 times the volume fraction of the first emitter material 124, for example less than 0.25 times, for example less than 0.10 times, for example less than 0..0 times, for example less than 0. , 025 times, for example, less than 0, Olfache, for example, less than 0, OOlfache, for example, less than the 0, OOOlfache.
  • the excitation of the second emitter material 126 by the first emitter material 124 is made possible.
  • the matrix material 122 may have a larger or smaller volume fraction at the emitter layer than the first emitter material 124.
  • the matrix material 122 consists of or comprises a monomeric organic molecule or a polymer.
  • polymeric matrix materials are: polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE), polyvinylchloride (PVC), polystyrene (PS), polyester, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES ), Polyethylene naphthalate (PEN),
  • PMMA Polymethyl methacrylate
  • PI polyimide
  • PEEK polyether ketones
  • POMS polydimethylsiloxane
  • the first emitter phosphorescent material 124 and the second emitter emitter 126 material may be selected from one another into colorants and phosphors, using conventional tables, for example, by means of the Jablonski diagrams of the dyes and phosphors.
  • the first emitter material 124 comprises a phosphorescent material: concrete examples of suitable first emitter materials 124 are: bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium (III) (FIrPic Bis (2,4-difluorophenylpyridinato) tetrakis (1-pyrazolyl) borates
  • iridium (III) (FIr6); faciridium (III) tris (1-phenyl-3-methylbenzimidazolin- 2 -ylidene-C, C2 ') (fac-Ir (Pmb) 3); mer iridium (III) tris (1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C, C2 ') (mer-Ir (Pmb) 3); Bis (2,4-difluorophenylpyridinato) (5- (pyridin-2-yl) -tetrazolates) iridium (III) (FIrN4), bis (3-trifluoromethyl-5- (2-pyridyl) yrazoles) (( 2,4-difluorobenzyl) diphenylphosphinates) iridium (III)
  • the second emitter material 126 comprises at least one fluorescent material or is formed therefrom, for example from one of the following organic dye classes: acridine, acridone, anthraquinone, anthracene, cyanine, dansyl, squaryllium, spiropyrane, boron-dipyrromethane (BODIPY), perylenes , Pyrene, Naphtalene, Flavine, Pyrrole, Porphrine and Their Metal Complexes, Diarylmethane, Triarylmethane, Nitro, Nitroso, Phthalocyanine, Quinone, Azo, Indophenol, Oxazines, Oxazones, Thiazines, Thiazoles, Xanthenes, Fluorenes, Flurones, Pyronines, Rhodamines, Coumarins, ,
  • the second electrode layer 116 may be reflective.
  • the second electrode layer 116 comprises an electrically conductive material, for example a metal. Suitable metals
  • the second electrode layer 116 is transparent with respect to the light emitted and / or absorbed by the emitter layer 112.
  • second electrode layer 116 comprises a transparent conductive oxide of one of the following materials: for example metal oxides: for example zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO). Alternatively or additionally.
  • the second electrode layer has a layer thickness in the range from a monolayer to 500 nm, for example from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.
  • the light-emitting component 100 has an encapsulation structure (not illustrated).
  • the encapsulation structure is designed such that the light-emitting component 100 is hermetically sealed with respect to a diffusion of a substance chemically reactive or dissolving with respect to the organic functional layer structure 120 through the encapsulation structure into the organic functional layered structure 120.
  • the organically functional layered structure 120 is hermetically sealed by means of the encapsulation structure with respect to a diffusion of at least one substance which is harmful to the organically functional layered structure 120, for example water, sulfur, oxygen and / or their compounds.
  • a hermetically sealed encapsulation structure has a diffusion rate with respect to water and / or oxygen of less than about 10 g / (md), for example in a range of about 10 g / (md) to about 10 g / (md), for example xn one range from about 10 g / (md) to about 10 g / (md).
  • a hermetically sealed substance or a hermetically-tight substance mixture comprises or is formed from a ceramic, a metal and / or a metal oxide.
  • the encapsulation structure has a barrier thin layer, a
  • the encapsulation structure surrounds the first electrode layer 108, the organic functional layer structure 120 and the second electrode layer 116.
  • the barrier film comprises or is formed from any of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum, lanthania, silica, silicon nitride, silicon carbide, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, as well as mixtures and alloys thereof.
  • the input / output layer has a matrix and scattering centers with respect to the electromagnetic radiation distributed therein, the mean refractive index of the coupling-in / out layer being greater or smaller than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided.
  • one or more antireflection layers may additionally be provided in the organic optoelectronic assembly.
  • the bonding layer is formed of an adhesive or a varnish.
  • a connecting layer made of a transparent material has particles which scatter electromagnetic radiation, for example light-scattering particles.
  • the connecting layer acts as a scattering layer, which leads to an improvement in the color angle distortion and the coupling-out efficiency.
  • an electrically insulating layer (not shown) is formed between the second electrode layer 116 and the connection layer, for example SiN, for example with a layer thickness in a range from approximately 300 nm to approximately 1.5 ⁇ m, for example with a layer thickness in one Range from about 500 nm to about 1 pm to protect electrically unstable materials, for example, during a nas schematic process.
  • the layer of getter comprises or is formed from a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region, such as water vapor and / or oxygen.
  • a getter comprises or is formed from a zeolite derivative.
  • the layer with getter has a layer thickness of greater than approximately 1 pm, for example a layer thickness of several pm.
  • the cover is formed or arranged. The cover is connected to the second electrode layer 116 by means of the connection layer and protects the first electrode layer 108, the organic functional layer structure 120 and the second electrode layer 116 from harmful substances.
  • the cover is for example a glass cover, a
  • the glass cover is connected, for example, by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component.
  • contact surfaces by means of which the light-emitting component 100 can be connected to a component-external electrical energy source (not illustrated) are provided. The contact surfaces are arranged outside the encapsulation structure and electrically connected by the encapsulation structure with the electrode layers 108, 116, for example by means of electrically conductive and electrically conductive connection layers.
  • the electrically conductive connection layers have, for example, a layer sequence, for example: Mo / Al / Mo; Cr / Al / Cr or Ag / Mg; or are formed of a single layer, for example AI.
  • a first electrical potential can be applied.
  • the first electrical potential is provided by the device-external electrical energy source, for example a current source or a voltage source.
  • the first electrical potential is applied to an electrically conductive carrier 106 and indirectly electrically supplied to the first electrode layer 108 by the carrier 106.
  • the first electrical potential is, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • a second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential is provided by the same or another component-external electrical energy source as the first electrical potential.
  • the second electrical potential is different from the first electrical potential.
  • the second electric potential has a value such that the difference with the first electric potential is in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 2.5 V bis about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • individual electrically conductive layers that are not directly one should have physical contact, but indirectly to be electrically connected to each other, physically separated by an electrical insulation structure.
  • the insulating structure has, for example, a resist or is formed therefrom, for example a polyimide.
  • a Jablonski scheme 200 bz a Jablonski diagram 200 for the first emitter material 124 and the second emitter material 126 schematically illustrates a light-emitting device according to various
  • first, second or third excited state merely serve to describe the excitation process, and are not intended to indicate the energetic position of the excited states relative to one another or with respect to further non-written states and / or transition processes.
  • the first emitter material 124 has a ground state S 0 (l).
  • the ground state S 0 (1) is, for example, a singlet state.
  • the first emitter material 124 has a first excited state.
  • the first excited state is, for example, a triplet state IN (1). In various embodiments, this state may also have a higher multiplicity and be, for example, a quintet or septate state.
  • the first emitter material 124 may be phosphorescent. In a transition (illustrated in FIG. 2 by means of the arrow 202) from the first excited state Ti (1) to the ground state So (1), the first electromagnetic radiation 128 is generated. In other words ⁇ .
  • the first electromagnetic radiation 128 is a phosphorescent radiation.
  • the first emitter material 124 further has a second excited state S n (1).
  • the second excited state For example, S n (1) is a singlet state.
  • the second excited state S n (1) lies energetically above the first excited state Ti (1).
  • TTA triplet triplet curvature
  • an electron can transition from the first excited state Ti (1) among other things to the second excited state S n (1) by means of a triplet triplet curvature (TTA) 2 (by means of the arrow 204), which may be a bimolecular process in which, in addition to the second excited state S n (1), a further state of higher multiplicity arises.
  • TTA triplet triplet curvature
  • the first emitter material 124 further includes a third excited state Si (1).
  • the third excited state Si (1) is a singlet state, for example.
  • the third excited state Si (1) lies energetically between the second excited state S n (1) and the first excited state Ti (1).
  • An electron can transition from the second excited state to the third excited state by means of internal conversion, that is to say radiationless (illustrated in FIG. 2 by means of the arrow 206).
  • the second emitter material 126 has a ground state S c (2).
  • the ground state So (2) is a singlet state, for example.
  • the second emitter material 126 has an excited state Si (2).
  • the excited state Si (2) is a singlet state, for example.
  • the second emitter material 126 may be fluorescent.
  • the second electromagnetic radiation 130 is generated in a transition (illustrated in FIG. 2 by means of the arrow 210) from the excited state Si ⁇ 2) of the second emitter material of the 126 to the ground state S 0 (2) of the second emitter material.
  • the second electromagnetic radiation 130 is generated in a transition (illustrated in FIG. 2 by means of the arrow 210) from the excited state Si ⁇ 2) of the second emitter material of the 126 to the ground state S 0 (2) of the second emitter material.
  • the second electromagnetic radiation 130 is a fluorescence radiation.
  • the excited state Si (2) of the second emitter material 126 is energetically between the second excited state Sn (1) and / or the third excited state Si (1) of the first emitter material 124 and the first excited state Ti (1) of the first emitter material 124.
  • the second emitter material 126 is in close proximity to the first emitter material 124, such as in the first Display region 102 (see FIG. 1) may have a transition (illustrated in FIG. 2 by arrow 208) of one electron from the third excited state S-_ (1) of the first emitter material 124 z to the excited state Si (2) of the second Emitter material 126.
  • the second emitter material 126 emits second electromagnetic radiation 13 0 by means of a cascade-like excitation process of the first
  • Emitter material 124 is not directly excited by means of an electric current from the first electrode layer 108 through the organic functional layer structure 120 to the second electrode layer 116.
  • the occupation of the light-emitting state Si (2) of the second emitter material 126 is achieved by the concept of triplet triplet annihilation at the transition 2 04 from the first excited state Ti (1) to the second excited state S n (1) of the first Emitter material 124 is used.
  • the first emitter material 124 is selected such that the light-emitting first excited state Ti (1) has a higher multiplicity than the ground state S 0 (1), for example, the first emitter material 124 is a triplet emitter with a long phosphorescence decay time.
  • the decay time is greater than 10 ps, for example greater than 50 ps, for example greater than 100 ⁇ , for example greater than 1 ms.
  • Such a decay time can be realized, for example, by means of PtOEP or a europium compound as the first emitter material 124.
  • PtOEP or a europium compound as the first emitter material 124.
  • the triplets erase to form higher energy states (molecules in excited states of other spin multiplicity), preferably one another.
  • TTA triplet triplet annihilation
  • the state S n (1) then passes, for example by internal conversion, into the energetically lower state Si (I) with identical spin multiplicity.
  • the second emitter material 126 is selected with respect to the first emitter material 124 such that the second emitter material 126 has a singlet excited singlet state Si (2) energetically below the state S n (1) generated by TTA and subsequent internal conversion, ie, energetically below of the second excited state S n (1).
  • the excited state Si ⁇ 2) of the second emitter material 126 can then be occupied by intermolecular energy transfer processes from S n (1) and then radiantly decay by emission of the second electromagnetic radiation 130 (ie, an electron passes into an energetically lower state while emitting electromagnetic radiation ).
  • the second emitter material 126 has a higher emission energy (energy of the junction 210) than the first emitter material 124 for the transition 202 from the first excited state to the ground state, whereby the resulting color of the emitted light in the first display region 102 changes, for example, resulting from the overburden the first electromagnetic radiation 128, for example red, and the second electromagnetic Radiation 130, for example green, a mixed light 132, such as a yellow light.
  • the light emitting device 100 has an emitter layer 112.
  • the emitter layer 112 includes a first emitter material 124 and a second emitter material 126.
  • the emitter layer 112 has at least one predetermined first display area 102 and a second display area 104.
  • the first display region 102 includes the first emitter material 124 and the second emitter material 126.
  • the second display region 104 includes the first emitter material 124 and is substantially free of the second emitter material 126.
  • the first emitter material 124 has at least a first excited state Tl (1) and a second excited state Sl (1), the second excited state State Sl (1) is energetically above the first excited state Tl (1), and at the transition 202 of an electron from the first excited state Tl (1) to the ground state SO (1) of the first emitter material 124, a first electromagnetic radiation 128 is emitted ,
  • the second emitter material 126 has at least one excited state Sl (2), wherein at the transition 210 of an electron from the excited state Sl (2) of the second emit ermaterials 126 in the ground state SO (2) of the second emitter material 126, a second e1ektromagnetician radiation 130th is emitted.
  • An occupation of the excited state Sl (2) of the second emitter material 126 is essentially by means of an energy transfer 208 from the second excited Zus and Sl (1) of the first emitter material 124 to the excited state Sl (2) of the second emitter material 126th
  • is off the first display area 102 is a Mischlich 132 of the first electromagnetic radiation 128 and second electromagnetic radiation 130 can be emitted.
  • the light that is emanatable from the second display region 104 is substantially free of second electromagnetic radiation 130.
  • the first emitter material 124 furthermore has at least one third excited state Sn (1), which lies energetically above the second excited state Sl (1), the second excited state S1 ⁇ 1) being from the third excited state Sn (1 ⁇ . is occupied, for example by internal conversion.
  • the third excited state Sn (1) is occupied by a bimolecular extinguishing process of first excited states T1 (1).
  • the emitter layer 112 has a matrix material 122, wherein the first emitter material 124 and the second emitter material 126 are distributed in the matrix material 122.
  • the light which can be emitted by the second display region 104 has essentially only the first electromagnetic radiation 128.
  • the energy level of the excited state Sl (2) of the second emitter material 126 is energetically between the energy level of the first excited state Tl (1) and the energy level of the second excited state Sl (1) of the first emitter material 124.
  • the energy difference of the excited state Sl (2) of the second emitter material 126 to the ground state and SO (2) of the second emitter material 126 is greater than the energy difference of the first excited state Tl (1) of the first emitter material 124 to the ground state SO (FIG. 1) of the first emitter material 12.
  • the first emitter material 124 is a phosphorescent material
  • the first electromagnetic radiation 128 is a phosphorescent light
  • the second emitter material 126 is a fluorescent material
  • the second electromagnetic radiation 130 is a fluorescent light.
  • the first display area 102 and the second display area 104 are arranged relative to one another such that predetermined information can be displayed by means of the arrangement in the energized mode of the light-emitting component 100.
  • the arrangement forms the form of a lettering, a pictogram, a logo, an ideogram and / or a symbol.
  • FIG. 3 illustrates different operating modes 300, 310, 320 of a light-emitting component according to one exemplary embodiment.
  • the light-emitting component illustrated in FIG. 3 can essentially correspond to a light-emitting component described above.
  • an electric current flows from the first electrode layer 108 through the organic functional layer structure 120 to the second electrode layer 116, and / or vice versa.
  • the current flow of the electric current is generated by means of a component-external electrical energy source, which is electrically connected to the electrode layers 108, 116 of the light-emitting component.
  • the electrical current is in the operating modes 300, 310, 320 each configured such that the emitter layer of the light-emitting device emits an electromagnetic radiation.
  • the second electrode layer of the light-emitting device emits an electromagnetic radiation.
  • Emitter material 126 in the first display area 102 homogeneously distributed in the matrix material 122 (for example, illustrated in FIG. 3).
  • the second emitter material 126 in the first display region 102 is inhomogeneously distributed in the matrix material 122 (for example, illustrated in FIG.
  • the emitter layer 120 is, for example, structured in such a way that the first display area 102 has a cross shape surrounded by the second display area 104, so that a cross sign or a plus sign can be displayed as information in an electrically switchable manner.
  • a first operating mode 300 the electric current is set such that the first emitter material 124 emits the first electromagnetic radiation 128, for example weak or with low intensity.
  • the second emitter material is essentially not excited.
  • the electrical current in the first operating mode 300 is so small that the triplet density in the first excited state of the first emitter material 124 is low, so that excitation of the second emitter material 126 essentially does not take place (see also FIG.
  • substantially only first electromagnetic radiation 128 is emitted by the light emitting component from the first display region 102 and the second display region 104.
  • the electrical current is adjusted such that the first emitter material 124 emits the first electromagnetic radiation 128 and a portion of the second emitter material 126 is excited and emits second electromagnetic radiation 130 (see also FIGS FIG.2).
  • the electrical current for example the electrical voltage, the electric current intensity and / or the electrical current density, in the second operating mode 310 is greater than in the first operating mode 300.
  • a mixed light 132 emitted from first electromagnetic radiation 128 and second electromagnetic radiation 130, and emitted from the second display region 104 substantially only first electromagnetic radiation 128,
  • the structuring of the display region of the light-emitting component is not optically visible with respect to the electromagnetic radiation emitted by the light-emitting component.
  • the structuring of the display region of the light-emitting component is optically visible by emitting a mixed light 132 with first electromagnetic radiation 128 and second electromagnetic radiation 130 from the first display region 102, and substantially only the first electromagnetic radiation 128 from the second display region 104 is emitted.
  • An optically visible contrast for example a color contrast, a brightness contrast, a saturation contrast or the like, is thus generated between the first display area 102 and the second display area 104 by means of the electric current.
  • a further change in the characteristics of the electrical current for example an increase in the electrical voltage, the electric current density and / or the electric current
  • the optically visible contrast between the first display area 102 and the second Display area 104 can be further enhanced, for example, the color difference of be increased to the first display area 102 and the second display area 104 emitted light.
  • the triplet density of the first excited state of the first emi termaterials 124 can be increased.
  • the proportion of second electromagnetic radiation 130 on the mixed light 132 can be increased.
  • the proportion of the second electromagnetic radiation 130 on the mixed light 132 can be increased by means of the greater current intensity, whereby the color location of the mixed light 132 is shifted.
  • the above-described light-emitting device having the emitter layer having the first display region and the second display region can be operated by forming an electric current having a current density through the emitter layer (first operation mode 300). At the current density, the first emitter material emits the first electromagnetic radiation and the second emitter material is non-light-emitting, ie the excited state of the second emitter material is not or not occupied to any appreciable extent.
  • the operation of the light emitting device may comprise changing the first current density to a second current density (second operating mode 310 and / or third operating mode 320), wherein at the second current density the first emitter material emits the first electromagnetic radiation and the second emitter material emits the second electromagnetic radiation emitted.
  • FIG. 4 illustrates different operating modes 400, 410, 420 of a light-emitting component according to a further exemplary embodiment.
  • the light emitting device illustrated in FIG. 4 may substantially correspond to a light emitting device described above.
  • an electric current as described in FIG. 3 flows through the light-emitting component.
  • the exemplary embodiments illustrated in FIG. 4 have an inhomogeneous distribution on second emitter material 126 in the first display region 102.
  • the inhomogeneous distribution of the second emitter material 126 has, for example, a number density gradient (illustrated in FIG.
  • the emitter layer is structured in such a way that the number density of second emitter material 126 decreases, for example, from the center 404 of the first display region 102 to the edge 406 of the first display region 102.
  • the first display region 102 has a number density gradient at the second emitter material 126 in the matrix material 122.
  • Intensticiansgradient 402, 408 of the second electromagnetic radiation in the first display area 102 can be realized.
  • a first operating mode 400 of the light-emitting component with inhomogeneous distribution of second emitter material in the first display region the electric current is set as in the first operating mode 300 in FIG.
  • a second operating mode 410 the electric current is set as in the second operating mode 310 in FIG.
  • mixed light 132 which is inhomogeneous is emitted in the first display region 102.
  • the mixed light 132 has in the first display area 102 has an inhomogeneity, for example a local color point contrast, for example a distribution of color locations.
  • the proportion of second electromagnetic radiation 130 on the mixed light 130 changes, so that, for example, in the first display region 102, a mixed light 132 is generated with a color locus gradient 402 that is lateral relative to the first display region 102 ,
  • the intensity gradient of the second electromagnetic radiation causes a Farbortgradienten the mixed light.
  • the electric current is set as in the third operating mode 320 in FIG.
  • the proportion of the second electromagnetic radiation 130 on the mixed light 132 can be increased by means of the greater current intensity, as a result of which, for example, the visibility or intensity of the mixed light 132 can be enhanced with the Farbortgradienten 408.
  • the current density is increased, a color gradient can be realized in the display region of the light-emitting component.
  • the information to be displayed for example the symbol to be displayed, can be inserted continuously in the display area of the light-emitting component by means of the current density so as to be electrically adjustable.
  • FIG. 5 illustrates part of a flowchart of a method of manufacturing a light emitting device according to various embodiments.
  • the light emitting device is formed with an emitter layer having at least a first display region and a second display region, the first display region comprising at least a first emitter material and a second emitter material, and the second display region having first emitter material and being substantially free of second emitter material ,
  • forming the emitter layer comprises forming 502 the emitter layer having a first emitter material and a second emitter material.
  • the emitter layer is formed with at least one predetermined first display area and a second display area,
  • forming the emitter layer comprises forming 502 a matrix material; and distributing a first emitter material and a second emitter material in the matrix material.
  • the first emitter material and the second emitter material are formed, arranged or deposited, for example distributed in the matrix material.
  • the first emitter material is formed, arranged or deposited, for example distributed in the matrix material, and the second display area, for example the matrix material in the second display area, is substantially free of the second emitter material.
  • the first emitter material has at least a first excited state and a second excited state, wherein the second excited state is energetically higher than the first excited state is the first excited state, and when a transition from one of the first excited state to the ground state of the first emitter material, a first electromagnetic radiation is emitted.
  • the second emitter material has at least one excited state, wherein a second electromagnetic radiation is emitted during the transition from the excited state of the second emitter material to the ground state of the second emitter material.
  • An occupation of the excited state of the second emitter material takes place essentially by means of an energy transfer from the second excited state of the first emitter material to the excited state of the second emi ermaterials such that from the first display region a mixed light of first electromagnetic radiation and second electromagnetic radiation is emitted, and. the light that is emanatable from the second display area is substantially free of second electromagnetic radiation.
  • the emitter layer may comprise at least one further emitter material, which is excited like the second emitter material, for example by means of a radiationless transition from an excited state of the second emitter material to an excited state of the third emitter material and / or by means of a nonradiative transition from an excited state of the first emitter material to an excited state of the third emitter material.
  • the third emitter material may, for example, emit a third electromagnetic radiation which is substantially different from the first electromagnetic radiation and / or second electromagnetic radiation.
  • the third emitter material may be a fluorescent or phosphorescent material.

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement (100) mit einer Emitter- Schicht (112) bereitgestellt. Die Emitter-Schicht (112) weist ein Matrixmaterial (122) auf und in dem Matrixmaterial (122) sind ein erstes Emittermaterial (124) und ein zweites Emittermaterial (126) verteilt, und die Emitter-Schicht (112) weist wenigstens einen vorgegebenen ersten Anzeigebereich (102 ) und einen zweiten Anzeigebereich (104 ) auf, wobei der erste Anzeigebereich (102) das erste Emittermaterial (124) und das zweite Emittermaterial (126) aufweist, und wobei der zweite Anzeigebereich (104) das erste Emittermaterial (124) aufweist und im Wesentlichen frei ist von dem zweiten Emittermaterial (126); wobei das erste Emittermaterial (124) wenigstens einen ersten angeregten Zustand (T1(1)) und einen zweiten angeregten Zustand (S1(1)) aufweist, wobei der zweite angeregte Zustand (S1(1)) energetisch über dem ersten angeregten Zustand (T1(1)) ist, und beim Übergang (202) von dem ersten angeregten Zustand (T1(1)) in den Grundzustand (S0(1)) des ersten Emittermaterials (124 ) eine erste elektromagnetische Strahlung (128 ) emittiert wird, und wobei das zweite Emittermaterial (126) wenigstens einen angeregten Zustand (S1(2)) aufweist, wobei beim Übergang (210) aus dem angeregten Zustand (S1(2)) des zweiten Emittermaterials (126) in den Grundzustand (S0(2)) des zweiten Emittermaterials (126) eine zweite elektromagnetische Strahlung (130) emittiert wird; und wobei eine Besetzung des angeregten Zustandes (S1(2)) des zweiten Emittermaterials (126) im Wesentlichen mittels eines Energietransfers (208) von dem zweiten angeregten Zustand (S1(1)) des ersten Emittermaterials (124 ) zu dem angeregten Zustand (S1(2)) des zweiten Emittermaterials (126) erfolgt derart, dass aus dem ersten Anzeigebereich (102) ein Mischlicht (132) aus erster elektromagnetischer Strahlung (128) und zweiter elektromagnetischer Strahlung (130) emittierbar ist, und das Licht, das aus dem zweite Anzeigebereich (104) emittierbar ist, im Wesentlichen frei ist von zweiter elektromagnetischer Strahlung (130).

Description

LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Bauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements und ein Ver ahren zum Betreiben eines lichtemit ierenden Bauelements .
Bei einem herkömmlichen organischen lichtemittierenden Bauelement , beispielsweise einer organischen lichtemittierenden Diode (OLED) ist zwischen einer Anode und einer Kathode eine Emitter- Schicht angeordnet , in der elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Anwendungen für OLEDs sind beispielsweise der Einsatz als Flächenlichtquellen in der Allgemeinbeleuchtung, als Hintergrundbeleuchtung oder Bildpunkte in Displays oder zur Informationsdarstellung auf Schildern oder Anzeigen (Signage -Anwendungen) .
Bei Signage -Anwendungen basierend auf OLEDs wird in einem üblichen Verfahren die Emitter-Schicht nach dem Ausbilden der OLED mittels eines Lasers strukturiert , um die Information in der OLED darzustellen . Bei einem weiteren üblichen Verfahren wird die Emitter- Schicht durch Nutzung eines kondensierten Resistgases mit anschließendem Lift- Off -Patterning strukturiert . Bei einem weiteren üblichen Verfahren wird die Darstellung der Information mittels partieller Modifizierung der Inj ektionsfähigkeit von Ladungsträgern von einer der Elektroden in die Emitter- Schicht realisiert . In einem weiteren Verfahren wird mittels einer Serienschaltung einzeln geformter OLED- Elemente die Information dargestellt . Die üblichen Verfahren sind jedoch vergleichsweise kostenintensiv und technisch anspruchvoll , insbesondere für Signage -Anwendungen .
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein lichtemittierendes Bauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements und ein Verfahren zum Betreiben eines lichtemittierenden Bauelements bereitzustellen, mit dem eine Information elektrisch schaltbar darstellbar ist , und das auf technisch einfache Weise ausbildbar ist .
Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein lichtemittierendes Bauelement mit einer Emitter- Schicht , wobei die Emitter-Schicht ein erstes Emittermaterial und ein zweites Emittermaterial aufweist . Die Emitter-Schicht weist wenigstens einen vorgegebenen ersten Anzeigebereich und einen zweiten Anzeigebereich auf . Der erste Anzeigebereich weist das erste Emittermaterial und das zweite Emittermateriai auf , und der zweite Anzeigebereich weist das erste Emittermaterial auf und ist im Wesentlichen frei von dem zweiten Emittermaterial . Das erste Emittermaterial weist wenigstens einen ersten angeregten Zustand und einen zweiten angeregten Zustand auf, wobei der zweite angeregte Zustand energetisch über dem ersten angeregten Zustand ist, und beim Übergang von dem ersten angeregten Zustand in den Grundzustand des ersten Emittermaterials eine erste elektromagnetische S rahlung emittiert wird. Das zweite Emittermaterial weist wenigstens einen angeregten Zustand auf , wobei beim Übergang von dem angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials in den Grundzustand des zweiten Emittermaterials eine zweite elektromagnetische Strahlung emittiert wird . Eine Besetzung des angeregten Zustandes des zweiten Emittermaterials erfolgt im Wesentlichen mittels eines Energietransfers von dem zweiten angeregten Zustand des ersten Emittermaterials zu dem angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials derart , dass aus dem ersten Anzeigebereich ein Mischlicht aus erster elektromagnetischer Strahlung und zweiter elektromagnetischer Strahlung emittierbar ist , und das Licht, das aus dem zweiten Anzeigebereich emittierbar ist, im Wesentlichen frei ist von zweiter elektromagnetischer Strahlung . Mit anderen Worten : Der zweite angeregte Zustand des ersten Emittermaterials wird nicht durch direkte Elektron-Loch- Rekombination gebildet . Die Besetzung des zweiten angeregten Zustandes des ersten Emittermaterials erfolgt beispielsweise indirekt, beispielsweise durch eine Triplett-Triplett- Annihilation zweier benachbarter angeregter Moleküle des ersten Emittermaterials. Hierdurch bildet sich teilweise ein dritter angeregter Zustand, der energetisch über dem zweiten angeregten Zustand liegt , wobei der dritte angeregte Zustand durch Energietransfer in den zweiten angeregten Zustand übergeht .
Ein angeregter Zustand ist ein angeregter Zustand, im bestromten und unbestromten Zustand des lichtemittierenden Bauelements .
Ein Anzeigebereich eines lichtemittierenden Bauelementes ist ein Bereich zum Anzeigen bzw. Darstellen von Informationen. Das lichtemittierende Bauelement weist in verschiedenen Weiterbildungen wenigstens zwei Anzeigebereiche auf , beispielsweise eine Vielzahl an Anzeigebereichen . Die Vielzahl an Anzeigebereichen weist wenigstens einen ersten Anzeigebereich und einen zweiten Anzeigebereich auf , beispielsweise eine Vielzahl an ersten Anzeigebereichen und eine Vielzahl an zweiten Anzeigebereichen . Ein einzelner Anzeigebereich weist bzw . die einzelnen Anzeigebereiche weisen j eweils eine Abmessung auf , die groß genug ist , beispielsweise wenigstens einige pm2 bis m2, dass die in dem j eweiligen Anzeigebereich angezeigt Information für sich allein optisch wahrgenommen werden kann, beispielsweise mit dem nackten Auge . Mi anderen Worten: Ein Anzeigebereich ist als ein Bereich wahrnehmbar, der eine diskrete Information anzeigt, beispielsweise bezüglich eines direkt benachbarten Anzeigebereichs . Beispielswelse wird bei einer einfach aufgebauten monochromen organischen Leuchtdiode das erste Emittermaterial bzw. ein optionales Matrixmaterial (wie unten noch ausführlicher beschrieben wird) der Emitter-Schicht im Wesentlichen vollflächig mit einem phosphoreszierenden ersten Emittermaterial dotiert ausgebildet. In einem ersten Anzeigebereich der lichtemittierenden Fläche des lichtemittierenden Bauelementes wird das Matrixmaterial der Emitter-Schicht zusätzlich mit einem hochenergetisch zweiten Emittermaterial dotiert ausgebildet. Wird das lichtemittierende Bauelement mit einem elektrischen Strom mit geringer elektrischer Stromstärke bzw. Stromdichte betrieben (unterhalb eines Schwellenwerts) , resultiert das emittierte Licht im Wesentlichen ausschließlich vom ersten Emittermaterial. Das lichtemittierende Bauelement leuchtet im Wesentlichen vollflächig homogen. Bei einer Erhöhung der Stromstärke bzw. Stromdichte {über den Schwellenwert) wird der angeregte, lichtemittierende Zustand des höher energetischen, zweiten Emittermaterials besetzt, so dass auch das zweite Emittermaterial Licht (zweite elektromagnetische Strahlung) emittiert. Dadurch wird die Gesamthelligkeit des emittierten Lichts des lichtemittierenden Bauelements erhöht. Zusätzlich weist das emittierte Licht des ersten Anzeigebereichs eine andere Farbe auf als das emittierte Licht des zweiten Anzeigebereichs, für den Fall, das die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite elektromagnetische Strahlung verschiedenfarbig sind. Mittels des Farbkontrastes von erstem Anzeigebereich und zweitem Anzeigebereich kann mittels der Form des ersten Anzeigebereiches elektrisch schaltbar eine Information dargestellt werden, beispielsweise ein Symbol, ein Piktogramm, ein Schriftzug oder ähnliches. Eine Erniedrigung der elektrischen Stromstärke {unter den Schwellenwert) lässt Das lichtemittierende Bauelement wiederum homogen monochrom leuchten. Der beschriebene Prozess ist somit beliebig oft reversibel. Der Schwellenwert ist abhängig von der Besetzungswahrscheinlichkeit des ersten angeregten Zustands des ersten Emittermaterials, von der Rate der Triplett- Triplett-Annihilation, den eingesetzten
Emitterkonzentrationen sowie den Emissionsabklingdauern der eingesetzten Emittermaterialien. Der Schwellenwert kann empirisch für ein lichtemittierendes Bauelement ermittelt werden. Der Schwellenwert kann beispielsweise eine Stromdichte größer oder gleich 1 mA/cm 2 sein, beispielsweise größer oder gleich 10 mA/cm 2 , beispielsweise größer oder gleich 50 mA/cm2,
Mittels des lichtemittierenden Bauelementes können somit Informationen, beispielsweise für Signage-Anwendungen, ohne aufwändige Strukturierungsprozesse der Emitter-Schicht darstellbar sein . Das zweite Emittermaterial kann in dem ersten Anzeigebereich beispielsweise mittels eines einfachen Schattenmaskenprozesses während der Herstellung der Emitter- Schicht in dem Matrixmaterial eingebettet werden. Zum Darstellen einer Information kann somit ein lichtemittierendes Bauelement mit einer sehr einfachen Struktur mit einer einzigen Emitter-Schicht ausreichend sein. Der Aufbau des lichtemittierenden Bauelementes ermöglicht es, die Darstellung von Informationen, beispielsweise eines Logos , eines Symbols, eines Piktogramm oder eines Schriftzuges stufenlos elektrisch an- und abzuschalten .
Gemäß einer Weiterbildung weist das erste Emittermaterial ferner wenigstens einen dritten angeregten Zustand auf , der energetisch über dem zweiten angeregten Zustand liegt . Der zweite angeregte Zustand kann aus dem dritten angeregten Zustand besetzt werden . Die Besetzung des zweiten angeregten Zustandes kann beispielsweise durch innere Konversion erfolgen . Gemäß einer Weiterbildung wird der dritte angeregte Zustand durch einen bimolekularen Löschprozess erster angeregter Zustände besetzt . Gemäß einer Weiterbildung weist die Emitter-Schicht ein Matrixmaterial auf , wobei in dem Matrixmaterial das erste Emittermaterial und das zweite Emittermaterial verteilt sind. Gemäß einer Weiterbildung weist das von dem zweiten Anzeigebereich emittierbare Licht im Wesentlich nur die erste elektromagnetische Strahlung auf.
Gemäß einer Weiterbildung ist das Energieniveau des angeregten Zustandes des zweiten Emittermaterials energetisch zwischen dem Energieniveau des ersten angeregten Zustands und dem Energieniveau des zweiten angeregten Zustands des ersten Emittermaterials . Gemäß einer Weiterbildung ist der Energieunterschied des angeregten Zustands des zweiten Emittermaterials zu dem Grundzustand des zweiten Emittermaterials größer als der Energieunterschied des ersten angeregten Zustands des ersten Emittermaterials zu dem Grundzustand des ersten Emittermaterials .
Mit anderen Worten: die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite elektromagnetische Strahlung weisen einen unterschiedlichen Farbort auf . Die zweite elektromagnetische Strahlung weist einen kürzeren Wellenlängenbereich auf als die erste elektromagnetische Strahlung .
Gemäß einer Weiterbildung sind der erste Anzeigebereich und der zweite Anzeigebereich nebeneinander angeordnet , beispielsweise in einer Ebene der Emitter-Schicht .
Gemäß einer Weiterbildung ist das erste Emittermaterial ein phosphoreszierendes Material , und die erste elektromagnetische Strahlung ist ein phosphoreszierendes Licht . Das phosphoreszierende Licht weist eine relativ lange Abklingzeit auf, beispielsweise eine Abklingzeit größer als
Dadurch kann mit Erhöhung der Stromdichte durch die Emitter- Schicht die Anzahl von besetzten, angeregten Zuständen des zweiten Emittermaterials erhöht werden .
Gemäß einer Weiterbildung ist das zweite Emittermaterial ein fluoreszierendes Material , und die zweite elektromagnetische Strahlung ist ein fluoreszierendes Lich .
Das fluoreszierende Licht weist eine relativ kurze Abklingzeit auf , beispielsweise eine Abklingzeit kleiner als 100 ns .
Dadurch kann ein wesentlicher Teil der angeregten und besetzten Zustände des zweiten Emittermaterials zur Emission der zweiten elektromagnetischen Strahlung beitrage .
Gemäß einer Weiterbildung sind der erste Anzeigebereich und der zweite Anzeigebereich zueinander angeordnet , dass mittels der Anordnung im bestromten Betrieb des lichtemittierenden Bauelements eine vorgegebene Information darstellbar ist .
Gemäß einer Weiterbildung bildet die Anordnung des ersten Anzeigebereichs und des zweiten Anzeigebereichs zueinander die Form eines Schriftzuges, eines Piktogramms , eines Logos , eines Ideogramms und/oder eines Symbols aus .
Gemäß einer Weiterbildung ist das zweite Emittermaterial im ersten Anzeigebereich homogen i dem Matrixmaterial verteilt .
Dies ermöglicht eine scharfe Kontur bzw. einen definierten (stetigen) Übergang von erstem Anzeigebereich zu zweitem Anzeigebereich . Gemäß einer Weiterbildung ist das zweite Emittermaterial im ersten Anzeigebereich inhomogen in dem Matrixmaterial verteilt . Dies ermöglicht eine physiologisch angenehme Wahrnehmung von
Information und/oder unterschiedliche Design-Möglichkeiten.
Gemäß einer Weiterbildung weist der erste Anzeigebereich einen Anzahldichtegradienten an zweitem Emittermaterial in dem Matrixmaterial auf .
Dies weist den Vorteil auf, dass ein vorgegebenes Symbol im Betrieb stufenlos eingeblendet werden kann, d.h. mit einem diffus erscheinenden Übergang zu dem zweiten Anzeigebereich. Durch die Nutzung von Konzentra ionsgradienten sind stufenlose Einblendungen von Informationen in der lichtemittierenden Fläche des lichtemittierenden Bauelements möglich, beispielsweise mittels Farbgradienten möglich. Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements mit einer Emitter-Schicht . Das Ausbilden der Emitter-Schicht erfolgt mit einem ersten Emittermaterial und einem zweiten Emittermaterial . Die Emitter- Schicht wi d wenigstens mit einem vorgegebenen ersten Anzeigebereich und einem zweiten Anzeigebereich ausgebildet . Im ersten Anzeigebereich werden das erste Emittermaterial und das zweite Emittermaterial angeordnet , und im zweiten Anzeigebereich wird das erste Emittermaterial angeordnet und der zweite Anzeigebereich ist im Wesentlichen frei von dem zweiten Emittermaterial . Das erste Emittermaterial weist wenigstens einen ersten angeregten Zustand und einen zweiten angeregten Zustand auf , wobei der zweite angeregte Zustand energetisch über dem ersten angeregten Zustand ist, und beim Übergang von dem ersten angeregten Zustand in den
Grundzustand des ersten Emittermaterials eine erste elektromagnetische Strahlung emittiert wird . Das zweite Emittermaterial weist wenigstens einen angeregten Zustand auf , wobei beim Ubergang von dem angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials in den Grundzustand des zweiten Emittermaterials eine zweite elektromagnetische Strahlung emittiert wird. Eine Besetzung des angeregten Zustandes des zweiten Emittermaterials erfolgt im Wesentlichen mittels eines Energietransfers von dem zweiten angeregten Zustand des ersten Emittermaterials zu dem angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials derart , dass aus dem ersten Anzeigebereich ein Mischlicht aus erster elektromagnetischer Strahlung und zweiter elektromagnetischer Strahlung emittierbar ist , und das Licht, das aus dem zweite Anzeigebereich emittierbar ist , im Wesentlichen frei ist von zweiter e1ektromagnetischer Strahlung . Dies ermöglicht ein einfaches Herstellen eines lichtemittierenden Bauelementes mit elektrisch schaltbarer Informationsdarstellung .
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Betreiben eines lichtemittierenden Bauelementes gemäß einem der oben genannten Weiterbildungen . Das Verfahren weist ein Ausbilden eines elektrischen Stromes mit einer Stromdichte durch die Emitter-Schicht auf , wobei bei der Stromdichte das erste Emittermaterial die erste elektromagnetische Strahlung emittiert und das zweite Emittermaterial nichtlichtemittierend ist .
Mit anderen Worten : Die Stromdichte ist geringer als ein Schwellenwert , wobei ab dem Schwellenwert in nennenswertem Ausmaß eine Besetzung des angeregten Zustandes des zweiten Emittermaterials mit Elektronen erfolgt .
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ändern der Stromdichte zu einer zweiten Stromdichte auf, wobei bei der zweiten Stromdichte das erste Emittermaterial die erste elektromagnetische Strahlung emittiert und das zweite Emittermaterial die zweite elektromagnetische Strahlung emittiert.
Mit anderen Worten: Die zweite Stromdichte größer ist als der Schwellenwert.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen zeigt eine schematische Aufsicht und eine Schnittansicht A-A eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Weiterbildungen; veranschaulicht schematisch ein Jablonski-Schema für das erste Emittermaterial und das zweite Emittermaterial eines lichtemittierenden
Bauelements gemäß verschiedenen Weiterbildungen; veranschaulicht unterschiedliche Betriebsmodi eines lichtemittierenden Bauelementes gemäß eines
Ausführungsbeispiels ; veranschaulicht unterschiedliche Betriebsmodi eines lichtemittierenden Bauelementes gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels ; und veranschaulicht einen Tei1 eines Ablaufdiagramms eines Verfahrens zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Weiterbildungen.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt v/erden kann . In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
Ein lichtemittierendes Bauelement kann ein, zwei oder mehr lichtemittierende/s Bauelement aufweisen. Optional kann ein lichtemittierendes Bauelement auch ein, zwei oder mehr elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen . Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Ein passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen. Ein lichtemittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein . Das von dem lichtemittierenden Bauelement emittierte Licht ist eine elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht . In diesem Zusammenhang kann das Iichtemittierendes Bauelement beispielsweise als lichtemi tierende Diode ( light emitting diode - LED) , als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode - OLED) , als lichtemittierender Transistor oder als organischer lichtemi tierender Transistor ausgebildet sein . Das lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein . Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse . Das lichtemittierende Bauelement kann beispielsweise ein Display sein, ein Bildpunkt oder eine Hintergrundbeleuchtung eines Displays sein. Alternativ oder zusätzlich ist das lichtemittierende Bauelement eine Allgemeinbeleuchtung und/oder eine Flächenlichtquelle, oder ein Teil einer solchen.
In verschiedenen Weiterbildungen ist das lichtemittierende Bauelement großflächig, plan bzw. biegbar ausgebildet . In verschiedenen Weiterbildungen ist das lichtemittierende Bauelement in sogenannter Bottom-Emitter-Bauform, Top- Emitter-Bauform, bidirektional emittierender Bauform und/oder transparent ausgebildet . Das von dem lichtemittierenden Bauelement emittierte Licht wird beispielsweise durch den Träger (Bottora-Emitter) ; in Richtung der dem Träger abgewandten Seite (Top-Emitter) in beide Richtungen (bidirektional) oder in mehrere bzw. viele Richtungen (omnidirektional) gleichzeitig oder nacheinander emittiert.
FIG .1 zeigt eine schematische Aufsicht und eine Schnittansicht A-A eines lichtemittierenden Bauelements 100 gemäß verschiedenen Weiterbildungen . In der Aufsicht des lichtemittierenden Bauelementes 100 ist veranschaulicht, dass das lichtemittierende Bauelement einen lichtemittierenden Bereich mit einem ersten Anzeigebereich 102 und einem zweiten Anzeigebereich 104 aufweist . In der Schnittansieht A-A ist veranschaulicht , dass das Iichtemittierende Bauelement 100 wenigstens einen Träger 106 , eine erste Elektrodenschicht 108 , eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 und eine zweite Elektrodenschicht 116 aufweis .
Auf dem Träger 106 ist die erste Elektrodenschicht 108 ausgebildet . Die erste Elektrodenschicht 108 kann eine Hauptfläche des Trägers 106 im Wesentlichen ganzflächig bedecken .
Auf der ersten Elektrodenschicht 108 ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 ausgebildet . Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 ist körperlich und elektrisch mit der ersten Elektrodenschicht 108 verbunden . Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 kann eine Hauptfläche der ersten Elektrodenschicht 108 im Wesentlichen ganzflächig bedecken, bis auf einen Kontaktbereich des lichtemittierenden Bauelementes 100. Auf der organisch funktionellen Schichtenstruktur 120 ist die zweite Elektrodenschicht 116 ausgebildet . Die zweite Elektrodenschicht 116 kann eine Hauptfläche der organisch funktionellen Schichtenstruktur 120 im Wesentlichen ganzflächig bedecken. Darüber hinaus kann die zweite Elektrodenschicht 116 auf den Träger 106 teilweise ausgebildet sein, beispielsweise im Kontaktbereich des lichtemittierenden Bauelements 100. Die zweite Elektrodenschicht 116 ist körperlich und elektrisch mit der organisch funktionellen Schichtenstruktur 120 verbunden .
Die zweite Elektrodenschicht 116 ist von der ersten Elektrodenschicht 108 elektrisch isoliert und in einem Abstand von dieser angeordnet ist . Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 ist mit der ersten Elektrodenschicht 108 und der zweiten Elektrodenschicht 116 elektrisch verbunden, und sandwichartig zwischen der ersten Elektrodenschicht 108 und der zweiten Elektrodenschicht 116 angeordnet.
Die organisch funktionellen Schichtenstruktur 120 des Iichtemittierenden Bauelements 100 ist zu einem Emittieren einer elektromagnetischen Strahlung aus einer mittels der Elektrodenschicht 108 , 116 bereitgestellten elektrischen Energie ausgebildet . Die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 120 weist beispielsweise wenigstens eine lichtemittierende Schicht 112 auf , auch bezeichnet als Emitter-Schicht 112. Die Emitter-Schicht 112 weist ein Matrixmaterial 122 auf , indem wenigstens ein erstes Emittermaterial 124 und ein zweites Emittermaterial 126 eingebettet ist. Die Emitter-Schicht 112 ist strukturiert ausgebildet derart , dass sie einen ersten Anzeigebereich 102 und einen zweiten Anzeigebereich 104 aufweist . Der erste Anzeigebereich 102 ist in der Emitter-Schicht lateral neben dem zweiten Anzeigebereich 104 angeordnet, und umgekehrt . Beispielsweise wird der erste Anzeigebereich 102 von dem zweiten Anzeigebereich 104 umgeben . Das Matrixmaterial 122 ist im Wesentlichen optisch transparent . Das erste Emittermaterial 124 ist zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung 128 eingerichtet und das zweite Emittermaterial 126 zu einem Emittieren einer zweiten elektromagnetischen Strahlung 130 eingerichtet .
In FIG.1 ist das lichtemittierende Bauelement 100 in der sogenannten Top- Emitter-Bauweise veranschaulicht, bei der Licht nicht durch den Träger 106 emittiert wird, sondern durch die zweite Elektrodenschicht 116 » Alternativ oder zusätzlich wird von dem lichtemittierenden Bauelements 100 emittierte Licht durch den Träger 106 emittiert , beispielsweise in dem das lichtemittierende Bauelement 100 in sogenannter Bottom-Emitter-Bauweise ausgebildet ist und/oder bidirektional oder omnidirektionale lichtemittierend ausgebildet ist. Alternativ oder zusätzlich ist das lichtemittierende Bauelement 100 transparent ausgebildet ist.
Die Emitter- Schicht 112 ist derart strukturiert ausgebildet, dass der erste Anzeigebereich 102 das erste Emittermaterial 124 und das zweite Emittermaterial 126 aufweist, und der zweite Anzeigebereich 104 das erste Emittermaterial 124 aufweist und im Wesentlichen frei ist von zweitem Emittermaterial 126. Beispielsweise bildet das erste Emittermaterial 124 in dem ersten Anzeigenbereich eine Matrix für das zweite Emittermaterial 126. Beispielsweise weist die Emitter-Schicht 112 ein Matrixmaterial 122 auf und die Emitter-Schicht 112 ist derart strukturiert ausgebildet , dass der erste Anzeigebereich 102 in dem Matrixmaterial 122 eingebettet das erste Emittermateriai 124 und das zweite Emittermaterial 126 aufweist, und der zweite Anzeigebereich 104 in dem Matrixmaterial 122 eingebettet das erste Emittermaterial 124 auf eist und im Wesentlichen frei ist von zweitem Emittermaterial 126. Mit anderen Worten : Das lichtemittierende Bauelement 100 ist derart strukturiert ausgebildet , dass in bzw. aus dem ersten Anzeigebereich 102 ein Mischlicht 132 emittierbar ist , wobei das Mischlicht 132 wenigstens die erste elektromagnetische Strahlung 128 und die zweite elektromagnetische Strahlung 130 aufweist; und das in dem zweiten Anzeigebereich 104 erzeugte bzw, das daraus emittierte Licht im Wesentlichen frei ist von zweiter elektromagnetischer Strahlung 130 , beispielsweise indem aus dem zweiten Anzeigebereich 104 im Wesentlichen nur erste elektromagnetische Strahlung 128 emittierbar is .
Das erste Emittermaterial 124 kann mittels eines elektrischen Stromes von der ersten Eiektrodenschicht 108 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 zu der zweiten Elektrodenschicht 116 (bzw . in umgekehrte Richtung) die erste elektromagnetische Strahlung 128 emittieren . Mit anderen Worten: die erste elektromagnetische Strahlung 128 wird im Wesentlichen mittels elektrolumineszierender Anregung des ersten Emittermaterials 124 erzeugt .
Das zweite Emittermaterial 126 ist derart bezüglich des ersten Emittermaterials 124 ausgewählt , dass das zweite Emittermaterial 126 mittels eines Überganges von einem angeregten Zustand des ersten Emittermaterials 124 in einen angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials 126 versetzt wird, beispielsweise mittels eines intermolekularen Energietransfers von einem durch Triplett-Triplett - Annihilation und anschließende innere Konversion erzeugten, angeregten Zustand des ersten Emittermaterials 124 in einen angeregten Zustand . Die zweite elektromagnetische Strahlung 130 wird mittels eines Überganges von diesem angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials 126 in den Grundzustand des zweiten Emittermaterials 126 erzeugt . Mit anderen Worten: die zweite elektromagnetische Strahlung 130 wird im Wesentlichen mittels indirekter Anregung des zweiten Emittermaterials 124 von einem angeregten Zustand des ersten Emittermaterials 124 erzeugt . Das Verfahren der Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung 128 , 130 wird unten noch ausführlicher beschrieben .
Der Träger 106 gemäß verschiedenen, oben beschriebenen Weiterbildungen ist beispielsweise als eine Folie oder ein Blech ausgebildet . Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 106 ein Glas oder einen Kunststoff auf oder ist daraus gebildet . Der Träger 106 kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein, beispielsweise als eine Metallfolie oder ein Glas- oder Kunststoffsubs rat 106 mit einer Leiterstruktur. Der Träger 106 weist Glas , Quarz , und/oder ein Halbleitermaterial auf oder ist daraus gebildet . Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 106 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien auf oder ist daraus gebildet sein. Der Träger 106 kann transparent ausgebildet sein .
In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 106 mechanisch flexibel ausgebildet, beispielsweise biegbar, knickbar oder formbar . Beispielsweise ist der Träger 106 als eine Folie oder ein Blech eingerichtet . Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 106 wenigstens einen mechanisch rigiden, nicht-flexiblen Bereich auf . Die erste Elektrodenschicht 108 und/oder die zweite Elektrodenschicht 116 können elektrisch leitfähig mit einem elektrisch leitfähigen Träger 106 verbunden sein. Dadurch kann beispielsweise eine Kontaktierung der ersten Elektrodenschicht 108 und/oder der zweiten Elektrodenschicht 116 durch den Träger 106 erfolgen, was die Kontaktierung der optoelektronischen Baugruppe 100 vereinfacht .
Die erste Elektrodenschicht 108 kann transparent bezüglich des von der organisch funktionellen Schichtenstruktur 120 emittierten Lichts ausgebildet sein.
Die erste Elektrodenschicht 108 und die zweite Elektrodenschicht 116 können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein .
Die erste Elektrodenschicht 108 ist als Anode , also als löcherinj izierende Elektrode ausgebildet oder als Kathode, also als eine elektroneninj izierende Elektrode . Die erste Elektrodenschicht 108 ist bei einer Emission durch den Träger 106 transparent ausgebildet, beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Oxid (transparent conductive oxide - TCO) oder einer dünnen Metallschicht, beispielsweise mit einer Dicke von weniger als 100 nra. Die zweite Elektrodenschicht 116 kann in diesem Fall intransparent sein, beispielsweise reflektierend, beispielsweise aus einem Metall. In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Elektrodenschicht 108 beispielsweise aus ITO gebildet .
Weitere Beispiele für transparente leitfähige Oxide sind Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, ternäre MetallsauerstoffVerbindungen wie Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln20 , Galn03 , Zn20, In205 oder In4Sn3012 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitf higer Oxide (TCO) zu den Gruppen der TCOs .
In verschiedenen Weiterbildungen weist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 (beispielsweise jeweils wenigstens) eine Lochinj ektionsschicht , eine
Lochtransportschiebt 110 , eine Emitter- Schicht 112 , eine Elektronentransportschient und eine
Elektroneninj ektionsschicht 114 auf . Die Schichten der organisch funktionellen Schichtenstruktur 120 können anwendungsspezifisch übliche Schichtdicken und Materialien aufweisen. Die Schichten der organisch funktionellen Schichtenstruktur 120 können zwischen den Elektrodenschichten 108 , 116 derart angeordnet sein, dass im Betrieb elektrische Ladungst äger von der ersten Elektrodenschicht 108 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 hindurch in die zweite Elektrodenschicht 116 fließen können, und umgekehrt .
Wie im Folgenden noch näher erläutert wird kann die organisch funktionelle Schichtenstrukturen 120 eine oder mehrere Emitter- Schichten 112 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden
Emittermaterialien 12 , 126. Die Emittermaterialien 124 , 126 können ohne Matrixmaterial, d.h. matrixfrei , beispielsweise mittels Koverdampfens , die
Emitter-Schicht 112 ausbilden oder in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial 122 eingebettet sein.
In verschiedenen Weiterbildungen wird die Emitter-Schicht 112 mit erstem Emittermaterial 124 und zweitem Emittermaterial 126 ausgebildet . Beispielsweise wird das erste Emittermaterial 124 im Wesentlichen vollflächig auf oder über der ersten Elektrodenschicht 108 ausgebildet , beispielsweise abgeschieden . Das zweite Emittermaterial 126 wird nur im ersten Anzeigebereich 102 zusammen mit dem ersten Emittermaterial 124 in dem Matrixmaterial 122 ausgebildet, beispielsweise mittels eines Koverdampfens durch einen Schattenmaskenprozess , einem Siebdruckverfahren, einem Tampondruckverfahren oder einem Tintenstrahldruckverfahren des zw iten Emittermaterials auf das erste Emittermaterial 124. In verschiedenen Weiterbildungen wird die Emitter-Schicht 112 mittels eines Dotierens eines Matrixmaterials 122 mit Emittermaterial 124 , 126 ausgebildet . Beispielsweise wird das Matrixmaterial 122 im Wesentlichen vollflächig auf oder über der ersten Elektrodenschicht 108 ausgebildet, beispielsweise abgeschieden . Das erste Emittermaterial 124 wird im Wesentlichen vollflächig in dem Matrixmaterial 122 eingebettet, beispielsweise wird das Matrixmaterial 122 mit dem ersten Emittermaterial 124 dotiert , beispielsweise mittels eines Koverdampfungsprozesses des ersten Emittermaterials 124 und des Matrixmaterials . Das zweite Emittermaterial 126 wird nur im ersten Anzeigebereich 102 zusammen mit dem ersten Emittermaterial 124 in dem Matrixmaterial 122 eingebettet , beispielsweise mitteis eines Koverdampfens durch einen Schattenmaskenprozess , einem Siebdruckverfahren, einem Tampondruckverfahren oder einem Tintenstrahldruckverfahren des zweiten Emittermaterials auf das Matrixmaterial . Mit anderen Worten, in verschiedenen Ausführungsbeispielen bedeutet eine Emitter- Schicht mit einem ersten Emittermaterial 124 , beispielsweise einem phosphoreszierendem Emittermaterial, die mit einem zweiten Emittermaterial 126, beispielsweise einem fluoreszierenden Emittermaterial , dotiert ist, dass der Volumenanteil an erstem Emittermaterial 124 an der Emitter- Schicht 112 größer ist als der Volumenanteil des zweiten Emittermaterials 126 an der Emitter- Schicht 112. Das erste Emittermaterial 124 ist somit die Majoritätskomponente und das zweite Emittermaterial 126 die Minoritätskomponente Bezüglich des Emittermaterials in der Emitter-Schicht . Beispielsweise ist der Volumenanteil des zweiten Emittermaterials 126 kleiner als das 0 , 5fache des Volumenanteils des ersten Emittermaterials 124 , beispielsweise kleiner als das 0 , 25fache , beispielsweise kleiner als das 0 , lfache , beispielsweise kleiner als das 0, OSfache, beispielsweise kleiner als das 0 , 025fache , beispielsweise kleiner als das 0 , Olfache , beispielsweise kleiner als das 0 , OOlfache , beispielsweise kleiner als das 0 , OOOlfache . Dadurch wird die Anregung des zweiten Emittermaterials 126 durch das erste Emittermaterial 124 ermöglicht .
Das Matrixmaterial 122 kann einen größeren oder kleinen Volumenanteil an der Emitter-Schicht aufweisen als das erste Emitter-Material 124.
In verschiedenen Weiterbildungen besteht das Matrixmaterial 122 aus einem monomeren organischen Molekül oder einem Polymer, oder weist ein solches auf . Beispiele für polymere Matrixmaterialien sind : Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) } , Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester, Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) , Polyethylennaphthalat (PEN) ,
Polymethylmethacrylat (PMMA) , Polyimid (PI) , Polyetherketone (PEEK) , Polysiloxan, beispielsweise Polydimethylsiloxan (POMS) . Es ist darauf hinzuweisen das zusätzlich oder alternativ zu nachfolgend aufgeführten Emittermaterialien anwendungsspezifisch auch andere geeignete Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind .
Das erste phosphoreszierende Emittermaterial 124 und das zweite fluoreszierende Emittermaterial 126 können bezüglich einander anhand herkömmlicher Tabellenwerke zu Färb- und Leuchtstoffen ausgewählt werden, beispielsweise mittels der Jablonski -Diagramme der Färb- und Leuchtstoffen .
In verschiedenen Ausführungsformen weist das erste Emittermaterial 124 ein phosphoreszierendes Material auf : konkrete Beispiele für geeignete erste Emittermaterialien 124 sind: Bis (3 , 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl) iridium(III) (FIrPic) ; Bis (2,4- difluorophenylpyridinato) tetrakis (1-pyrazolyl) borate
iridium (III) (FIr6) ; fac- iridium ( III) tris ( 1 -phenyl -3 - methylbenzimidazolin- 2 -ylidene- C, C2 ' ) (fac-Ir (Pmb) 3 ) ; mer- iridium (III) tris (l-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene- C, C2 ' ) (mer-Ir (Pmb) 3) ; Bis (2 , 4 -dif luorophenylpyridinato) (5- (pyridin-2-yl) -ΙΗ-tetrazolate) iridium(III) (FIrN4) ,· Bis (3- trifluoromethyl-5 - ( 2 -pyridyi ) yrazole ) ( (2,4- difluorobenzyl) diphenylphosphinate ) iridium (III)
(Ir (fppz) 2 (dfbdp) ) ; Bis ( 3 -trifluoromethyl - 5 - (2- pyridyl ) yrazolate) (benzyldiphenylphosphinate ) iridium (III) (Ir (fppz) 2 (bdp) ) ; Bis (1- ( 2 , 4 -difluorobenzyl) -3- methylbenzimidazolium) (3- (trifluoromethyl) -5- (2-pyridyl) - 1, 2, 4-triazolate) iridium (III) (Ir (fptz) (dfbmb) 2) ; Bis (4 * , 61 - difluorophenylpyridinato) (3 , 5bis (trifluoromethyl) -2(2'- pyridyl) pyrrolate) Iridium (III) (Ir (dfppy) 2 (fpy) ) ; Bis (4 ' , 6 ' - difluorophenylpyridinato) ( 3 - ( trifluoromethyl ) - 5 - (2-pyridyl) - 1, 2, 4-triazolate) Iridium (III) (Ir (dfppy) 2 (fptz) ) ; fac- tris [ (2 , 6-diisopropylphenyl) -2 -phenyl - lHimidazol [e] iridium(III) ( fac - Ir ( iprpmi ) 3 ) ; fac- tris (1- phenyl - 3 -methylimidazolin-2-ylidene -C, (2 ) ' iridium (fac- Ir (pmi) 3 ) mer- tris ( 1 -phenyl- 3 -methylimidazolin- 2 -ylidene- C, C (2) ' iridium (mer-I (pmi) 3 ) ; Bis (1- (4 - fluorophenyl) -3- methylimdazoline-2-ylidene-C, C21 ) {3 , 5 -dimethyl-2- (IH-pyrazol- 5-yl) yridine) Iridiunm (III) ( (fprai) 2Ir (dmpypz) ) ; Bis (1- (4- methylphenyl) -3 -methyIimdazolin-2 -ylidene-C, C2 ' ) (3,5- dimethyl -2 - { IH-pyrazol-5 -yl ) yridine) Iridium (III)
( (mpmi) 2Ir (dmpypz) ) fac-Tris (1, 3 -diphenyl-benzimidazolin-2- ylidene-C, C2 ' ) Iridium (III) (fac-I (dpbic) 3) ; Bis (1- (4- fluorophenyl) -3-methylimdazoline-2-ylidene-C, C2 ' ) (2- (5- trifluoromathyl -2H-pyrazol - 3 -yl ) -pyridine) Iridiunm (III)
( ( fpmi ) 2Ir (tfpypz) ) ; Bis (1- (4 -fluorophenyl) -3- methylimdazoline-2-yiidene-C, C2 ' ) (2- (lH-imidazol-2- yl) yridine) Iridiunm ( III ) ( (fpmi) 2Ir (pyim) ) ; Bis (1- (4- fluorophenyl) - 3 -methylimdazoline- 2 -ylidene-C, C2 ' ) (2- (2H- pyrazol-3-yl) -pyridine) Iridiunm (III) ( (fpmi) 2Ir (pypz) ) ;
Bis (1- ( 4 -methylphenyl ) -3 -methylimdazolin-2-ylidene-C, C2 ' ) (2- (2H-pyrazol-3-yl) -pyridine) Iridium (III) ( (mpmi) 2Ir (pypz) ) ;
Bis ( 1 -phenyl - 3 -methylimdazolin- 2 -ylidene- C , C21 ) (2- (2H- pyrazol-3 -yl) -pyridine) Iridium (III) ( (pmi) 2Ir (pypz) ) , PtOEP, weitere Platin-Komplexe, weitere Iridium-Komplexe, Ruthenium- Komplexe , Palladium- Komplexe , Gold-Komplexe , Kupfer-Komplexe , Osmium- Komplexe , Europium- Komplexe , weitere Komplexe mit Lanthanoid- Zentralatom .
In verschiedenen Weiterbildungen weist das zweite Emittermaterial 126 wenigstens ein fluoreszierendes Material auf oder ist daraus gebildet , z.B. aus einer der folgenden organischen Farbstoffklassen: Acridin, Acridon, Anthrachino, Anthracen, Cyanin, Dansyl , Squaryllium, Spiropyrane , Boron- dipyrromethane (BODIPY) , Perylene, Pyrene , Naphtalene, Flavine , Pyrrole, Porphrine und deren Metallkomplexe, Diarylmethan, Triarylmethan, Nitro, Nitroso, Phthalocyanin, Quinone , Azo, Indophenol, Oxazine , Oxazone , Thiazine, Thiazole, Xanthene, Fluorene, Flurone , Pyronine, Rhodamine, Coumarine , . Die zweite Elektrodenschicht 116 kann reflektierend ausgebildet sein . Die zweite Elektrodenschicht 116 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf , beispielsweise ein Metall. Geeignete Metalle sind beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen daraus .
Alternativ ist die zweite Elektrodenschicht 116 transparent bezüglich des von der Emitter-Schicht 112 emittierten und/oder absorbierten Lichts ausgebildet .
Alternativ oder zusätzlich weist zweite Elektrodenschicht 116 ein transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien auf : beispielsweise Metalloxide : beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) . Alternativ oder zusätzlich weist . Die zweite Elektrodenschicht eine Schichtdicke auf in einem Bereich von einer Monolage bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beis ielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Ferner weist das lichtemittierende Bauelement 100 eine Verkapselungs truktur auf (nicht veranschaulicht ) , Die Verkapselungsstruktur ist derart ausgebildet , dass das lichtemittierende Bauelement 100 hermetisch abgedichtet ist bezüglich einer Eindiffusion eines bezüglich der organisch funktionellen Schichtenstruktur 120 chemisch reaktiven oder lösenden Stoffs durch die Verkapselungsstruktur in die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120. Mit anderen Worten : die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 ist mittels der Verkapselungsstruktur hermetisch abgedichtet bezüglich einer Eindiffusion wenigstens eines Stoffes , der für die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 schädlich ist , beispielsweise Wasser, Schwefel , Sauerstoff und/oder deren Verbindungen .
Eine hermetisch dichte Verkapselungsstruktur weist eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/ (m d) auf , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 g/ (m d) bis ungef hr 10 g/ (m d) , beispielsweise xn einem Bereich von ungefähr 10 g/ (m d) bis ungefähr 10 g/ (m d) . Ein bezüglich Wasser hermetisch dichter Stoff oder ein hermetisch dichtes Stoffgemisch weist eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid auf oder ist daraus gebildet .
Die Verkapselungsstruktur weist in verschiedenen Weiterbildungen eine Barrieredünnschicht, eine
Auskoppelschicht, eine Verbindungsschicht , einen Getter und/oder eine Abdeckung auf . Die Verkapselungsstruktur umgibt die erste Elektrodenschicht 108, die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 und die zweite Elektrodenschicht 116.
Die Barrieredünnschicht weist eines der nachfolgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet : Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.
Die Ein- /AuskoppeIschicht weist eine Matrix und darin verteilt Streuzentren bezüglich der elektromagnetischen S rahlung auf , wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /AuskoppelSchicht größer oder kleiner ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird . Ferner können zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barrieredünnschicht) in der organisch optoelektronischen Baugruppe vorgesehen sein.
Die VerbindungsSchicht ist aus einem Klebstoff oder einem Lack gebildet . In einer Weiterbildung weist eine Verbindungsschicht aus einem transparenten Material Partikel auf , die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel . Dadurch wirkt die Verbindungsschicht als Streuschicht, was zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führt . In einer Weiterbildung ist zwischen der zweiten Elektrodenschicht 116 und der VerbindungsSchicht noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet , beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 um, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 500 nm bis ungefähr 1 pm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nas schemischen Prozesses.
Die Schicht mit Getter weist ein Material auf oder ist daraus gebildet, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet , beispielsweise Wasserdampf und/oder Sauerstoff . Ein Getter weist beispielsweise ein Zeolith- Derivat auf oder ist daraus gebildet sein. Die Schicht mit Getter- weist eine Schichtdicke von größer als ungef hr 1 pm auf , beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren pm. Auf oder über der VerbindungsSchicht ist die Abdeckung ausgebildet oder angeordnet . Die Abdeckung wird mittels der Verbindungsschicht mit der zweiten Elektrodenschicht 116 verbunden und schützt die erste Elektrodenschicht 108 , die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 und die zweite Elektrodenschicht 116 vor schädlichen Stoffen. Die Abdeckung ist beispielsweise eine Glasabdeckung , eine
Metallfolienabdeckung oder eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung. Die Glasabdeckung ist beispielsweise mittels einer Fritten- erbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organisch optoelektronischen Bauelementes verbunden . Weiterhin sind Kontaktflächen mittels derer das lichtemittierende Bauelement 100 mit einer Bauelement - externen elektrischen Energiequelle (nicht veranschaulicht) verbunden werden kann vorgesehen. Die Kontaktflächen sind außerhalb der Verkapselungsstruktur angeordnet und durch die Verkapselungsstruktur mit den Elektrodenschichten 108, 116 elektrisch verbunden, beispielsweise mittels elektrisch leitfähiger und elektrisch leitender Verbindungsschichten . Die elektrisch leitenden Verbindungsschichten weisen beispielsweise eine Schichtenfolge auf , beispielsweise : Mo/AI/Mo; Cr/Al/Cr oder Ag/Mg; oder sind aus einer einzelnen Schicht gebildet, beispielsweise AI . An der ersten Kontaktfläche , die mit der ersten Elektrodenschicht 108 verbunden ist , ist ei erstes elektrisches Potential anlegbar . Das erste elektrische Potential wird von der Bauelement-externen elektrischen Energiequelle bereitgestellt , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ wird das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 106 angelegt und der ersten Elektrodenschicht 108 durch den Träger 106 mittelbar elektrisch zugeführt. Das erste elektrische Potential ist beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential .
An der zweiten Kontaktfläche , die mit der zweiten Elektrodenschicht 116 verbunden is , ist ein zweites elektrisches Potential anlegbar . Das zweite elektrische Potential wird von der gleichen oder einer anderen Bauelement-externen elektrischen Energiequelle bereitgestellt wie das erste elektrische Potential , Das zweite elektrische Potential ist unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential . Das zweite elektrische Potential weist beispielsweise einen Wert auf derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V auf eist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
In verschiedenen Weiterbildungen sind einzelne elektrisch leitfähige Schichten, die nicht unmittelbar einen körperlichen Kontakt aufweisen sollen, aber mittelbar elektrisch miteinander verbunden sein sollen, mittels einer elektrischen Isolierstruktur körperlich voneinander getrennt. Die Isolierstruktur weist beispielsweise ein Resist auf oder ist daraus gebildet, beispielsweise ein Polyimid .
In FIG.2 ist ein Jablonski -Schema 200 bz . ein Jablonski- Diagramm 200 für das erste Emittermaterial 124 und das zweite Emittermaterial 126 schematisch veranschaulicht eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen
Weiterbildungen, wie sie beispielsweise in der Emitter- Schicht des oben beschriebenen Iichtemittierenden Bauelements vorgesehen sind . Die nachfolgenden Bezeichnungen erster, zweiter oder dritter angeregter Zustand dienen lediglich zur Beschreibung des Anregungsprozesses , und sollen nicht die energetische Lage der angeregten Zustände zueinander bzw. bezüglich weiterer nicht beschriebener Zustände und/oder Übergangsprozesse angeben .
Das erste Emittermaterial 124 weist einen Grundzustand S0(l) auf . Der Grundzustand S0 (1) ist beispielsweise ein Singulett- Zustand . Ferner weist das erste Emittermaterial 124 einen ersten angeregten Zustand auf . Der erste angeregte Zustand ist beispielsweise ein Triplett- Zustand IN (1) . In verschiedenen Ausführungsformen kann dieser Zustand auch eine höhere Multiplizität aufweisen und beispielsweise ein Quintett- oder Septett-Zustand sein. Das erste Emittermaterial 124 kann phosphores ierend sein. Bei einem Übergang {veranschaulicht in FIG.2 mittels des Pfeiles 202) aus dem ersten angeregten Zustand Ti (1) in den Grundzustand So (1) wird die erste elektromagnetische Strahlung 128 erzeugt . Mit anderen Worten ·. Die erste elektromagnetische Strahlung 128 ist eine Phosphoreszenz -Strahlung .
Das erste Emittermaterial 124 weist ferner einen zweiten angeregten Zustand Sn ( 1 ) auf . Der zweite angeregte Zustand Sn (1) ist beispielsweise ein Singulett- Zustand . Der zweite angeregte Zustand Sn (1) liegt energetisch über dem ersten angeregten Zustand Ti (1) . Ein Elektron kann, beispielsweise bei hohen Triplett -Dichten (hoher Anzahl besetzter Tripiett- Zustände , mittels einer Triplett -Triplett-Annihilation (TTA) von dem ersten angeregten Zustand Ti (1) unter Anderem in den zweiten angeregten Zustand Sn (1) übergehen (veranschaulicht in FIG.2 mittels des Pfeiles 204) . Hierbei kann es sich um einen bimolekularen Prozess handeln, bei dem neben dem den zweiten angeregten Zustand Sn (1) ein weiterer Zustand höherer Multipiizität entsteht .
Das erste Emittermaterial 124 weist ferner einen dritten angeregten Zustand Si(l) auf . Der dritte angeregte Zustand Si(l) ist beispielsweise ein Singulett - Zustand . Der dritte angeregte Zustand Si (1) liegt energetisch zwischen dem zweiten angeregten Zustand Sn ( 1 ) und dem ersten angeregten Zustand Ti (1) . Ein Elektron kann mittels interner Umwandlung, das heißt strahlungslos , von dem zweiten angeregten Zustand zu dem dritten angeregten Zustand übergehen (veranschaulicht in FIG.2 mittels des Pfeils 206) .
Das zweite Emittermaterial 126 weist einen Grundzustand Sc (2) auf . Der Grundzustand So (2 ) ist beispielsweise ein Singulett- Zustand . Ferner weist das zweite Emittermaterial 126 einen angeregten Zustand Si (2) auf . Der angeregte Zustand Si(2) ist beispielsweise ein Singulett-Zustand . Das zweite Emittermaterial 126 kann fluoreszierendes sein . Bei einem Übergang ( in FIG .2 veranschaulicht mittels des Pfeiles 210) aus dem angeregten Zustand Si{2) des zweiten Emittermaterial des 126 in den Grundzustand S0 (2) des zweiten Emittermaterials wird die zweite elektromagnetische Strahlung 130 erzeugt . Mit anderen Worten : Die zweite elektromagnetische Strahlung 130 ist eine Fluoreszenz - Strahlung .
Der angeregte Zustand Si(2) des zweiten Emittermaterials 126 liegt energetisch zwischen dem zweiten angeregten Zustand Sn ( 1 } und/oder dem dritten angeregten Zustand Si ( 1 ) des ersten Emittermaterials 124 und dem ersten angeregten Zustand Ti ( 1 ) des ersten Emittermaterials 124. Bei räumlicher Nähe des zweiten Emittermaterials 126 mit dem ersten Emittermaterial 124 , wie beispielsweise im ersten Anzeigebereich 102 (siehe FIG.1 ) , kann ein Übergang (in FIG.2 veranschaulicht mittels des Pfeiles 208 ) eines Elektrons von dem dritten angeregten Zustand S-_ ( 1 ) des ersten Emittermaterials 124 z dem angeregten Zustand Si ( 2 ) des zweiten Emittermaterials 126 erfolgen . Mit anderen Worten: das zweite Emittermaterial 126 emittiert zweite elektromagnetische Strahlung 13 0 mittels eines kaskadenartigen Anregungsprozesses des ersten
Emittermaterials 124 , und wird nicht unmittelbar mittels eines elektrischen Stromes von der ersten Elektrodenschicht 108 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 zu der zweiten Elektrodenschicht 116 angeregt .
Mit anderen Worten :
Die Besetzung des lichtemittierenden Zustandes Si ( 2 ) des zweiten Emittermaterials 126 wird erreicht, indem das Konzept der Triplett-Triplett-Annihilation beim Übergang 2 04 von dem ersten angeregten Zustand Ti ( 1 ) zu dem zweiten angeregten Zustand Sn ( 1 ) des ersten Emittermaterials 124 genutzt wird. Das erste Emi termaterial 124 wird derart gewählt , dass der lichtemittierende erste angeregte Zustand Ti ( 1 ) eine höhere Multiplizität aufweist als der Grundzustand S0 ( 1 ) , beispielsweise ist das erste Emittermaterial 124 ein Triplett-Emitter mit langer Phosphoreszenz-Abklingdauer . Die Phosphoreszenz -
Abklingdauer ist beispielsweise größer als 10 ps, beispielsweise größer als 50 ps , beispielsweise größer als 100 μΞ , beispielsweise größer als 1 ms. Eine derartige Abklingzeit kann beispielsweise realisiert werden mittels PtOEP oder einer Europium-Verbindung als das erste Emittermaterial 124 . Bei einem elektrischen Strom mit einer hohen Stromdichte können aufgrund der langen Abklingdauer vom ersten angeregten Zustand i (1) des ersten Emittermaterials 124 nicht mehr alle gebildeten Tripletts (Moleküle im ersten angeregten Zustand Ti (1) ) strahlend zerfallen . Die Tripletts löschen sich unter Bildung von höher energetischen Zuständen (Moleküle in angeregten Zuständen anderer Spin-Multiplizität) aus , bevorzugt gegenseitig . Dadurch entstehen teilweise im ersten Emittermaterial 124 Moleküle im angeregten und nicht lichtemittierenden Singulett- Zustand Sn (1) . Dieser Prozess wird als Triplett- Triplett -Annihilation (TTA) bezeichnet . Der Zustand Sn (1) geht anschließend, beispielsweise durch innere Konversion, in den energetisch tieferliegenden Zustand Si(l) mit identischer Spin-Multiplizität über . Das zweite Emittermaterial 126 wird derart bezüglich des ersten Emittermaterials 124 ausgewählt , dass das zweite Emittermaterial 126 einen lichtemittierenden, angeregten Singulett -Zustand Si(2) energetisch unterhalb des durch TTA und anschließende innere Konversion erzeugten Zustandes Sn (1) aufweist, d.h. energetisch unterhalb des zweiten angeregten Zustandes Sn (1) . Der angeregte Zustand Si {2 ) des zweiten Emittermaterials 126 kann dann durch intermolekulare Energietransferprozesse aus Sn ( 1) besetzt werden und anschließend mittels Emission der zweiten elektromagnetischen Strahlung 130 strahlend zerfallen (d.h. ein Elektron gelangt unter Emission einer elektromagnetischen Strahlung in einen energetisch niedrigeren Zustand) .
Das zweite Emittermaterial 126 weist eine höhere Emmissionsenergie (Energie des Überganges 210) auf als das erste Emittermaterial 124 für den Übergang 202 vom ersten angeregten Zustand zum Grundzustand, wodurch sich die resultierende Farbe des emittierten Lichts in ersten Anzeigebereich 102 ändert , beispielsweise resultiert durch die Über1agerung der erste elektromagnetische Strahlung 128 , beispielsweise rot, und der zweiten elektromagnetischen Strahlung 130 , beispielsweise grün, ein Mischlicht 132 , beispielsweise ein gelbes Licht. Beispielsweise tritt im nennenswerten Ausmaß bei Stromdichten unter 1 mA/cm2 nur Emission aus dem ersten angeregten Zustand Ti ( 1) des ersten Emittermaterials 124 auf und ab einer Stromdichte von 1 mA/cm2 , beispielsweise ab 10 mA/cm2 , eine Emission auch aus de angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials 126.
Mit anderen Worten:
Das lichtemittierende Bauelement 100 weist eine Emitter- Schicht 112 auf . Die die Emitter-Schicht 112 weist ein erstes Emittermaterial 124 und ein zweites Emittermaterial 126 auf . Die Emitter-Schicht 112 weist wenigstens einen vorgegebenen ersten Anzeigebereich 102 und einen zweiten Anzeigebereich 104 auf . Der erste Anzeigebereich 102 weist das erste Emittermaterial 124 und das zweite Emittermaterial 126 auf . Der zweite Anzeigebereich 104 weist das erste Emittermaterial 124 auf und ist im Wesentlichen frei von dem zweiten Emittermaterial 126. Das erste Emittermaterial 124 weist wenigstens einen ersten angeregten Zustand Tl (1) und einen zweiten angeregten Zustand Sl (1) auf , wobei der zweite angeregte Zustand Sl ( 1) energetisch über dem ersten angeregten Zustand Tl (1) ist , und beim Übergang 202 eines Elektrons von dem ersten angeregten Zustand Tl (1) in den Grundzustand SO (1) des ersten Emittermaterials 124 eine erste elektromagnetische Strahlung 128 emittiert wird. Das zweite Emittermaterial 126 weist wenigstens einen angeregten Zustand Sl (2) auf , wobei beim Übergang 210 eines Elektrons von dem angeregten Zustand Sl (2) des zweiten Emit ermaterials 126 in den Grundzustand SO (2) des zweiten Emittermaterials 126 eine zweite e1ektromagnetische Strahlung 130 emittiert wird. Eine Besetzung des angeregten Zustandes Sl (2) des zweiten Emittermaterials 126 erfolgt im Wesentlichen mittels eines Energietransfers 208 von dem zweiten angeregten Zus and Sl (1) des ersten Emittermaterials 124 zu dem angeregten Zustand Sl ( 2 ) des zweiten Emittermaterials 126. Somit ist aus dem ersten Anzeigebereich 102 wird ein Mischlich 132 aus erster elektromagnetischer Strahlung 128 und zweiter elektromagnetischer Strahlung 130 emittierbar. Das Licht, das aus dem zweiten Anzeigebereich 104 emittierbar ist , ist im Wesentlichen frei von zweiter elektromagnetischer Strahlung 130.
Gemäß einer Weiterbildung weist das erste Emittermaterial 124 ferner wenigstens einen dritten angeregten Zustand Sn (1) , der energetisch über dem zweiten angeregten Zustand Sl (1) liegt , wobei der zweite angeregte Zustand S1{1) aus dem dritten angeregten Zustand Sn (1} besetzt wird, beispielsweise durch innere Konversion .
Gemäß einer Weiterbildung wird der dritte angeregte Zustand Sn (1) durch einen bimolekularen Löschprozess erster angeregter Zustände Tl (1) besetzt .
Gemäß einer Weiterbildung weist die Emitter- Schicht 112 ein Matrixmaterial 122 auf, wobei in dem Matrixmaterial 122 das erste Emittermaterial 124 und das zweite Emittermaterial 126 verteilt sind .
In verschiedenen Weiterbildungen weist das von dem zweiten Anzeigebereich 104 emittierbare Licht im Wesentlich nur die erste elektromagnetische Strahlung 128 auf .
In verschiedenen Weiterbildungen ist das Energieniveau des angeregten Zustandes Sl ( 2 ) des zweiten Emittermaterials 126 energetisch zwischen dem Energieniveau des ersten angeregten Zustands Tl (1) und dem Energieniveau des zweiten angeregten Zustands Sl (1) des ersten Emittermaterials 124.
In verschiedenen Weiterbildungen ist der Energieunterschied des angeregten Zustands Sl (2) des zweiten Emittermaterials 126 zu dem Grundzus and SO (2) des zweiten Emittermaterials 126 größer als der Energieunterschied des ersten angeregten Zustands Tl (1) des ersten Emittermaterials 124 zu dem Grundzustand SO (1) des ersten Emittermaterials 12 . In verschiedenen Weiterbildungen sind der erste
Anzeigebereich 102 und der zweite Anzeigebereich 104 nebeneinander angeordnet. In verschiedenen Weiterbildungen ist das erste Emittermaterial 124 ein phosphoreszierendes Material , und die ist erste elektromagnetische Strahlung 128 ein phosphoreszierendes Licht . In verschiedenen Weiterbildungen ist das zweite Emittermaterial 126 ein fluoreszierendes Material , und die zweite elektromagnetische Strahlung 130 ist ein fluoreszierendes Licht . In verschiedenen Weiterbildungen sind der erste Anzeigebereich 102 und der zweite Anzeigebereich 104 zueinander angeordnet, dass mittels der Anordnung im bestromten Betrieb des lichtemittierenden Bauelements 100 eine vorgegebene Information darstellbar ist . In verschiedenen Weiterbildungen bildet die Anordnung die Form eines Schriftzuges , eines Piktogramms , eines Logos , eines Ideogramms und/oder eines Symbols aus .
FIG.3 veranschaulicht unterschiedliche Betriebsmodi 300, 310 , 320 eines lichtemittierenden Bauelementes gemäß einem Ausführungsbeispiel . Das in FIG.3 veranschaulicht lichtemittierende Bauelement kann im Wesentlichen einem oben beschriebenen lichtemittierenden Bauelement entsprechen. In den in FIG.3 veranschaulichten Betriebsmodi 300 , 310, 320 fließt ein elektrischer Strom von der ersten Elektrodenschicht 108 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur 120 zu der zweiten Elektrodenschicht 116 , und/oder umgekehrt . Der Stromfluss des elektrischen Stromes wird mittels einer Bauelement -externen elektrischen Energiequelle erzeugt , die mit den Elektrodenschichten 108 , 116 des lichtemittierenden Bauelements elektrisch verbunden ist . Der elektrische Strom ist in den Betriebsmodi 300 , 310 , 320 jeweils derart eingerichtet , dass die Emitter-Schicht des lichtemittierenden Bauelements eine elektromagnetische Strahlung emittiert . In verschiedenen Weiterbildungen ist das zweite
Emittermaterial 126 im ersten Anzeigebereich 102 homogen in dem Matrixmaterial 122 verteilt (beispielsweise in FIG.3 veranschaulicht) . Alternativ ist das zweite Emittermaterial 126 im ersten Anzeigebereich 102 inhomogen in dem Matrixmaterial 122 verteilt (beispielsweise in FIG. veranschaulicht) .
Die Emit er-Schicht 120 ist beispielsweise derart strukturiert , dass der erste Anzeigebereich 102 eine Kreuzform umgeben von dem zweiten Anzeigebereich 104 aufweist , so dass ein Kreuz - Zeichen oder ein Plus-Zeichen als eine Information elektrisch schaltbar darstellbar ist .
I einem ersten Betriebsmodus 300 ist der elektrische Strom derart eingestellt, dass das erste Emittermaterial 124 die erste elektromagnetische Strahlung 128 emittiert beispielsweise schwach bzw. mit geringer Intensität . Das zweite Emittermaterial wird im Wesentlichen nicht angeregt . Beispielsweise ist der elektrische Strom im ersten Betriebsmodus 300 derart gering, dass die Triplett-Dichte im ersten angeregten Zustand des ersten Emittermaterials 124 gering ist , so dass eine Anregung des zweiten Emittermaterials 126 im Wesentlichen nicht erfolgt (siehe auch FIG.2) . Somit wird im ersten Betriebsmodus 300 von dem lichtemittierenden Bauelement aus dem ersten Anzeigebereich 102 und dem zweiten Anzeigebereich 104 im Wesentlichen nur erste elektromagnetische Strahlung 128 emittiert .
In einem zweiten Betriebsmodus 310 ist der elektrische Strom derart eingestellt, dass das erste Emittermateriai 124 die erste elektromagnetische Strahlung 128 emittiert und ein Teil des zweiten Emittermaterials 126 angeregt wird und zweite elektromagnetische Strahlung 130 emittiert (siehe auch FIG.2). Beispielsweise ist der elektrische Strom, beispielsweise die elektrische Spannung, die elektrische Stromstärke und/oder die elektrische Stromdichte , im zweiten Betriebsmodus 310 größer als im ersten Betriebsmodus 300. Somit wird im zweiten Betriebsmodus 310 von dem lichtemittierenden Bauelement aus dem ersten Anzeigebereich 102 ein Mischlicht 132 aus erster elektromagnetischer Strahlung 128 und zweiter elektromagnetischer Strahlung 130 emittiert , und aus dem zweiten Anzeigebereich 104 im Wesentlichen nur erste elektromagnetische Strahlung 128 emittiert ,
Mit anderen Worten: Im ersten Betriebsmodus 300 ist die Strukturierung des Anzeigebereiches des lichtemittierenden Bauelementes optisch nicht sichtbar bezüglich der von dem lichtemittierenden Bauelement emittierten elektromagnetischen Strahlung. Im zweiten Betriebsmodus 310 ist die Strukturierung des Anzeigebereiches des lichtemittierenden Bauelementes optisch sichtbar indem von dem ersten Anzeigebereich 102 ein Mischlicht 132 mit erster elektromagnetische Strahlung 128 und zweiter elektromagnetischer Strahlung 130 emittiert wird, und aus dem zweiten Anzeigebereich 104 im Wesentlichen nur die erste elektromagnetische Strahlung 128 emittiert wird . Zwischen dem ersten Anzeigebereich 102 und dem zweiten Anzeigebereich 104 wird mittels des elektrischen Stromes somit ein optisch sichtbarer Kontrast erzeugt , beispielsweise ein Farbkontrast , ein Helligkeitskontrast , ein Sättigungskontrast oder ähnliches .
In einem dritten Eetriebsmodus 320 kann bezüglich des zweiten Betriebsmodus 310 mittels einer weitere Änderung der Eigenschaften des elektrischen Stromes, beispielsweise einer Erhöhung der elektrischen Spannung , der elektrischen Stromdichte und/oder der elektrischen Stromstärke, der optisch sichtbare Kontrast zwischen dem ersten Anzeigebereich 102 und dem zweiten Anzeigebereich 104 weiter verstärkt werden, beispielsweise kann der Farbortunterschied des von dem ersten Anzeigebereich 102 und dem zweiten Anzeigebereich 104 emittierten Lichts vergrößert werden. Beispielsweise kann mittels einer größeren Stromstärke des elektrischen Stromes die Triplett-Dichte des ersten angeregten Zustandes des ersten Emi termaterials 124 erhöht werden . Dadurch kann der Anteil an zweiter elektromagnetischer Strahlung 130 an dem Mischlichts 132 erhöht werden. Für den Fall , dass die erste elektromagnetische Strahlung 128 und die zweite elektromagnetische Strahlung 130 einen unterschiedlichen Farbort aufweisen, kann mittels der größeren Stromstärke der Anteil der zweiten elektromagnetischen Strahlung 130 an dem Mischlicht 132 erhöht werden, wodurch der Farbort des Mischlichts 132 verschoben wird. Mit anderen Worten: Das obe beschrieben lichtemittierende Bauelement mit der Emitter- Schicht mit dem ersten Anzeigebereich und dem zweiten Anzeigebereich kann betrieben werden, indem ein elektrischer Strom mit einer Stromdichte durch die Emitter- Schicht ausgebildet wird (erster Betriebsmodus 300) . Bei der Stromdichte emittiert das erste Emittermaterial die erste elektromagnetische Strahlung und das zweite Emittermaterial ist nicht- lichtemittierend, d.h. der angeregte Zustand des zweiten Emittermaterials ist nicht oder nicht im nennenswerten Ausmaß besetzt .
Ferner kann das Betreiben des lichtemittierenden Bauelementes ein Ändern der ersten Stromdichte zu einer zweiten Stromdichte aufweisen ( zweiter Betriebsmodus 310 und/oder dritter Betriebsmodus 320) , wobei bei der zweiten Stromdichte das erste Emittermaterial die erste elektromagnetische Strahlung emittiert und das zweite Emittermaterial die zweite elektromagnetische Strahlung emittiert .
FIG .4 veranschaulicht unterschiedliche Betriebsmodi 400 , 410 , 420 eines lichtemittierenden Bauelementes gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel . Das in FIG.4 veranschaulichte lichtemittierende Bauelement kann im Wesentlichen einem oben beschriebenen lichtemittierenden Bauelement entsprechen . In den in FIG. veranschaulichten Betriebsmodi 400, 410, 420 fließt ein elektrischer Strom wie in FIG.3 beschrieben durch das lichtemittierende Bauelement. Anders als bei dem in FIG.3 veranschaulichten Ausführungsbeispiel eines lichtemittierenden Bauelements , weist das in FIG.4 veranschaulichte Ausführungsbeispielen eine inhomogene Verteilung an zweitem Emittermaterial 126 in dem ersten Anzeigebereich 102 auf . Die inhomogene Verteilung des zweiten Emittermaterials 126 weist beispielsweise einen Anzahldichtegradienten ( in FIG. veranschaulicht als Intensitätsgradient mittels des Pfeils 402, 408) an zweitem Emittermaterial 126 in der Matrix auf . Die Emitter- Schicht ist beispielsweise derart strukturiert ausgebildet, dass die Anzahldichte an zweitem Emittermaterial 126 beispielsweise von der Mitte 404 des ersten Anzeigebereiches 102 zu dem Rand 406 des ersten Anzeigebereiches 102 abnimmt .
Mit anderen Worten : In verschiedenen Weiterbildungen weist der erste Anzeigebereich 102 einen Anzahldichtegradienten an zweitem Emittermaterial 126 in dem Matrixmaterial 122 auf . Mittels des Anzahldichtegradienten kann ein
Intensitätsgradient 402 , 408 der zweiten elektromagnetischen Strahlung in dem ersten Anzeigebereich 102 realisiert werden.
In einem ersten Betriebsmodus 400 des lichtemittierenden Bauelementes mit inhomogener Verteilung von zweitem Emittermaterial in dem ersten Anzeigebereich ist der elektrische Strom wie beim ersten Betriebsmodus 300 in FIG.3 eingestellt .
In einem zweiten Betriebsmodus 410 ist der elektrische Strom wie beim zweiten Betriebsmodus 310 in FIG.3 eingestellt . Mittels der inhomogenen Verteilung des zweiten Emittermaterial 126 in dem Matrixmaterial der Emi ter- Schicht 120 im ersten Anzeigebereich 102 wird in dem ersten Anzeigebereich 102 Mischlicht 132 emittiert , das inhomogene ist . Mit anderen Worten : Das Mischlicht 132 weist in dem ersten Anzeigebereich 102 eine Inhomogenität auf, beispielsweise einen lokalen Farbortkontrast , beispielsweise eine Verteilung von Farborten. Beispielsweise ändert sich entsprechend dem Anzahldichtegradienten des zweiten Emittermaterials 126 in dem ersten Anzeigebereich 102 der Anteil an zweiter elektromagnetischer Strahlung 130 an dem Mischlicht 130 , so dass beispielsweise in dem ersten Anzeigebereich 102 ein Mischlicht 132 mit einem bezüglich des ersten Anzeigebereichs 102 lateralen Farbortgradienten 402 erzeugt wird . Der Intensitätsgradient der zweiten elektromagnetischen Strahlung bewirkt dabei einen Farbortgradienten des Mischlichts .
In einem dritten Betriebsmodus 420 ist der elektrische Strom wie beim dritten Betriebsmodus 320 in FIG.3 eingestellt . Für den Fall , dass die erste elektromagnetische Strahlung 128 und die zweite elektromagnetische Strahlung 130 einen unterschiedlichen Farbort aufweisen, kann mittels der größeren Stromstärke der Anteil der zweiten elektromagnetischen Strahlung 130 an dem Mischlicht 132 erhöht werden, wodurch beispielsweise die Sichtbarkeit bzw. Intensität des Mischlichts 132 mit dem Farbortgradienten 408 verstärkt werden kann . Mit anderen Worten: Bei Erhöhung der Stromdichte wird i dem Anzeigebereich des lichtemittierenden Bauelementes ein Farbgradient realisierbar . Die darzustellende Information, beispielsweise das darzustellende Symbol , kann mittels der Stromdichte stufenlos elektrisch einstellbar in dem Anzeigebereich des lichtemittierenden Bauelementes eingeblendet werden. A f diese Weise kann mittels des Anzahldichtegradientens an zweitem Emittermaterial 126 in weiteren Anwendungsfällen über die Änderung des Symbols (kleiner/größer) oder zusätzlich erscheinender, leuchtender Bereiche unterschiedliche Informationen dargestellt v/erden . FIG.5 veranschaulicht einen Teil eines Ablaufdiagramms eines Verfahrens zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Weiterbildungen. Das lichtemittierende Bauelement wird mit einer Emitter- Schicht mit wenigstens einem ersten Anzeigebereich und einem zweiten Änzeigebereich ausgebildet, wobei der erste Anzeigebereich wenigstens ein erstes Emittermaterial und ein zweites Emittermaterial aufweisen, und der zweite Anzeigebereich dass erste Emittermaterial aufweist und im Wesentlichen frei ist von zweitem Emittermaterial.
Beim Verfahren 500 zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements mit einer Emitter-Schicht, weist das Ausbilden der Emitter-Schicht ein Ausbilden 502 der Emitter-Schicht mit einem ersten Emittermaterial und einem zweiten Emittermaterial auf. Die Emitter-Schicht wird mit wenigstens einem vorgegebenen ersten Anzeigebereich und einem zweiten Anzeigebereich ausgebildet,
Beispielsweise weist das Ausbilden der Emitter-Schicht ein Ausbilden 502 eines Matrixmaterials ; und ein Verteilen eines ersten Emittermaterials und eines zweiten Emittermaterials in dem Matrixmaterial auf .
Im ersten Anzeigebereich werden das erste Emittermaterial und das zweite Emittermaterial ausgebildet, angeordnet oder abgeschieden, beispielsweise in dem Matrixmaterial verteilt. Im zweiten Anzeigebereich wird das erste Emittermaterial ausgebildet, angeordnet oder abgeschieden, beispielsweise in dem Matrixmaterial verteilt, und der zweite Anzeigebereich, beispielsweise das Matrixmaterial im zweiten Anzeigenbereich, ist im Wesentlichen frei von dem zweiten Emittermaterial .
Das erste Emittermaterial weist wenigstens einen ersten angeregten Zustand und einen zweiten angeregten Zustand auf, wobei der zweite angeregte Zustand energetisch über dem ersten angeregten Zustand ist, und beim Übergang eines von dem ersten angeregten Zustand in den Grundzustand des ersten Emittermaterials eine erste elektromagnetische Strahlung emittiert wird . Das zweite Emittermaterial weist wenigstens einen angeregten Zustand auf , wobei beim Übergang von dem angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials in den Grundzustand des zweiten Emittermaterials eine zweite elektromagnetische Strahlung emittiert wird . Eine Besetzung des angeregten Zustandes des zweiten Emittermaterials erfolgt im Wesentlichen mittels eines Energietransfers aus dem zweiten angeregten Zustand des ersten Emittermaterials zu dem angeregten Zustand des zweiten Emi ermaterials derart, dass aus dem ersten Anzeigebereich ein Mischlicht aus erster elektromagnetischer Strahlung und zweiter elektromagnetischer Strahlung emittierbar ist, und. das Licht, das aus dem zweite Anzeigebereich emittierbar ist, im Wesentlichen frei ist von zweiter elektromagnetischer Strahlung .
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt . Beispielsweise kann die Emitter- Schicht wenigstens ein weiteres Emittermaterial aufweisen, das wie das zweite Emittermaterial angeregt wird, beispielsweise mittels eines strahlungslosen Überganges von einem angeregten Zustand des zweiten Emittermaterials zu einem angeregten Zustand des dritten Emittermaterials und/oder mittels eines strahlungslosen Überganges von einem angeregten Zustand des ersten Emittermaterials zu einem angeregten Zustand des dritten Emittermaterials . Das dritte Emittermaterial kann beispielsweise eine dritte elektromagnetische Strahlung emittieren, die im Wesentlichen unterschiedlich ist zu der ersten elektromagnetische Strahlung und/oder zweiten elektromagnetischen Strahlung . Das dritte Emittermaterial kann ein fluoreszierendes oder phosphoreszierendes Material sein . BEZUGSZEICHENLISTE
100 lichtemittierendes Bauelement
102, 104 Anzeigebereich
106 Träger
108, 116 Elektrodenschicht
110 Lochtransportschicht
112 lichtemittierende Schicht
114 Elektroneninj ektionsschicht
120 organisch funktionelle Schichtenstruktur
122 Matrixmaterial
124, 126 Emittermaterial
128 , 130 elektromagnetischen Strahlung
132 Mischlicht
A-A Schnittansicht
200 Jablonski - Schema
202, 204, 206 , 208 , 210 Übergang
300, 310, 320, 400, 410, 420 Betriebsmodi
402, 408 Intensitätsgradient
404 3Ϊ3„'tt-£ä
406 Rand
500 Verfahren
502 Verfahrensschritt

Claims

Patentanspräche
1. Lichtemittierendes Bauelement (100) mit einer Emitter- Schicht (112) ,
· wobei die Emitter-Schicht (112) ein
phosphoreszierendes Emittermaterial (124) und ein fluoreszierendes Emittermaterial (126) aufweist , und
• wobei die Emitter-Schicht (112) wenigstens einen
vorgegebenen ersten Anzeigebereich (102) und einen zweiten Anzeigebereich (104) aufweist,
o wobei der erste Anzeigebereich (102) das
phosphoreszierende Emittermaterial (124) und eine Dotierung mit fluoreszierendem
Emittermaterial (126) aufweist, und
o wobei der zweite Anzeigebereich (104) das
phosphoreszierende Emittermaterial ( 124 ) auf eist und im Wesentlichen frei ist von dem fluoreszierenden Emittermaterial (126) ;
• wobei das phosphoreszierende Emittermaterial (124) wenigstens einen ersten angeregten Zustand (Tl (1) ) und einen zweiten angeregten Zustand (Sl (1) )
aufweist , wobei der zweite angeregte Zustand (Sl (1) ) energetisch über dem ersten angeregten Zustand (Tl (1) ) ist, und beim Übergang (202) von dem ersten angeregten Zustand (Tl (1) ) in den Grundzustand
(SO (1) ) des phosphoreszierenden Emittermaterials ( 124 ) eine erste elektromagnetische Strahlung (128) emittiert wird, und
• wobei das fluoreszierende Emittermaterial (126)
wenigstens einen angeregten Zustand (Sl (2) ) aufweist, wobei beim Übergang (210) von dem angeregten Zustand (Sl (2) ) des fluoreszierenden Emittermaterials (126) in den Grundzustand (SO (2) ) des fluoreszierenden
Emittermaterials (126 ) eine zweite elektromagnetische Strahlung (130) emittiert wird; und
• wobei eine Besetzung des angeregten Zustandes (Sl (2 ) ) des fluoreszierenden Emittermaterials (126) im Wesentlichen mittels eines Energietransfers (208 ) von dem zweiten angeregten Zustand (Sl (1) } des
phosphoreszierenden Emittermaterials (124) zu dem angeregten Zustand (Sl (2 ) ) des fluoreszierenden
Emittermaterials (126) erfolgt derart, dass aus dem ersten Anzeigebereich (102) ein Mischlicht (132) aus erster elektromagnetischer Strahlung (128) und zweiter elektromagnetischer Strahlung (130)
emittierbar ist, und das Licht, das aus dem zweite Anzeigebereich (104 ) emittierbar ist , im Wesentlichen frei ist von zweiter elektromagnetischer Strahlung (130) .
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 , wobei das phosphoreszierende Emittermaterial ( 124 ) ferner wenigstens einen dritten angeregten Zustand
(Sn ( 1) ) , der energetisch über dem zweiten angeregten Zustand (Sl (1) ) liegt , wobei der zweite angeregte
Zustand (Sl (1) ) aus dem dritten angeregten Zustand
(Sn (1) ) besetzt wird, vorzugsweise durch innere
Konversion .
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß Anspruch 2 , wobei der dritte angeregte Zustand (Sn (1) ) durch einen bimolekularen Löschprozess erster angeregter Zustände (Tl (1) ) besetzt wird.
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei die Emitter-Schicht (112) ein Matrixmaterial ( 122 ) aufweist und in dem Matrixmaterial (122 ) das
phosphoreszierende Emittermaterial (124 ) und das
fluoreszierende Emittermaterial (126) verteilt sind.
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 ,
wobei das von dem zweiten Anzeigebereich (104)
emittierbare Licht im Wesentlich nur die erste
elektromagnetische Strahlung (128) auf eist . Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei das Energieniveau des angeregten Zustandes (Sl (2) ) des fluoreszierenden Emittermaterials (126) energetisch zwischen dem Energieniveau des ersten angeregten
Zustands (Tl (1) ) und dem Energieniveau des zweiten angeregten Zustands (Sl ( 1) ) des phosphore zierenden Emittermaterials (124) ist.
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 ,
wobei der Energieunterschied des angeregten Zustands (Sl (2) ) des fluoreszierenden Emittermaterials (126) zu dem Grundzustand (SO (2 ) ) des fluoreszierenden
Emittermaterials (126) größer ist als der
Energieunterschied des ersten angeregten Zustands
(Tl ( 1) ) des phosphoreszierenden Emittermaterials ( 124 ) zu dem Grundzustand (SO (1) ) des phosphoreszierenden Emittermaterials (124) .
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 ,
wobei der erste Anzeigebereich (102) und der zweite Anzeigebereich (104 ) nebeneinander angeordnet sind .
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 ,
wobei der erste Anzeigebereich ( 102 ) und der zweite Anzeigebereich (104) zueinander angeordnet sind, dass mittels der Anordnung im bestromten Betrieb des
lichtemit ierenden Bauelements (100) eine vorgegebene Information darstellbar ist .
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß Anspruch 9, wobei die Anordnung die Form eines Schriftzuges , eine
Piktogramms, eines Logos, eines Ideogramms und/oder eines Symbols ausbildet .
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 10 ,
wobei das fluoreszierende Emittermaterial ( 126 ) im ersten Anzeigebereich (102) homogen in dem
Matrixmaterial (122 ) verteilt ist.
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 ,
wobei das fluoreszierende Emittermaterial (126) im ersten Anzeigebereich (102) inhomogen in dem
Matrixmaterial (122) verteilt ist .
Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß Anspruch 12 wobei der erste Anzeigebereich (102) einen
Anzahldichtegradienten (406 , 408 ) an zweitem
Emittermaterial (126) in dem Matrixmaterial ( 122) aufweist .
Verfahren (500) zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements mi einer Emitter-Schicht (112) ,
wobei das Ausbilden (502) der Emitter-Schicht (112) mit einem phosphoreszierenden Emi termaterial ( 124 ) und einem fluoreszierenden Emittermaterial (126) erfolgt;
• wobei die Emitter-Schicht ( 112 ) wenigstens mit einem vorgegebenen ersten Anzeigebereich (102) und einem zweiten Anzeigebereich (10 ) ausgebildet wird,
o wobei im ersten Anzeigebereich (102) das
phosphores zierende Emittermaterial (124 ) und eine Dotierung aus fluoreszierendem Emittermaterial ( 126) in dem Matrixmaterial ( 122 ) angeordnet werden, und
o wobei im zweiten Anzeigebereich (10 ) das
phosphoreszierende Emittermaterial ( 124 ) angeordnet wird und der zweite Anzeigebereich (104) im Wesentlichen frei ist von dem fluoreszierenden Emittermaterial (126) ;
wobei das phosphoreszierende Emittermaterial (124) wenigstens einen ersten angeregten Zustand (Tl (1) ) und einen zweiten angeregten Zustand {Sl (1) )
aufweist, wobei der zweite angeregte Zustand (Sl ( 1) ) energetisch über dem ersten angeregten Zustand (Tl ( 1) ) ist, und beim Übergang (202) von dem ersten angeregten Zustand (Tl (1) ) in den Grundzustand (SO (1) ) des phosphoreszierenden Emittermaterials ( 124 ) eine erste elektromagnetische Strahlung (128) emittiert wird, und
wobei das fluoreszierende Emittermaterial (126) wenigstens einen angeregten Zustand (Sl (2 ) ) aufweist, wobei beim Übergang (210) von dem angeregten Zustand (Sl (2) ) des fluoreszierenden Emi termaterials (126) in den Grundzustand (SO (2) ) des fluoreszierenden Emittermaterials ( 126 ) eine zweite elektromagnetische Strahlung (130) emittiert wird; und
wobei eine Besetzung des angeregten Zustandes (Sl (2 ) ) des fluoreszierenden Emittermaterials (126) im Wesentlichen mittels eines Energietransfers (208) von dem zweiten angeregten Zustand (Sl (1) ) des
phosphoreszierenden Emittermaterials (124 ) zu dem angeregten Zustand (Sl (2 ) ) des fluoreszierenden Emittermaterials ( 126 ) erfolgt derart , dass aus dem ersten Anzeigebereich (102) ein Mischlicht (130) aus erster elektromagnetischer Strahlung (128 ) und zweiter elektromagnetischer Strahlung (130)
emittierbar ist , und das Licht , das aus dem zweite Anzeigebereich (104) emittierbar ist , im Wesentlichen frei ist von zweiter elektromagnetischer Strahlung (130) .
15. Verfahren zum Betreiben eines lichtemittierenden
Bauelementes (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, das Verfahren aufweisend: Ausbilden eines elektrischen Stromes mit einer
Stromdichte durch die Emitter-Schicht, wobei bei der Stromdichte das phosphoreszierende Emittermaterial (124) die erste elektromagnetische Strahlung (128) emittiert und das fluoreszierende Emittermaterial (126) nicht- lichtemittierend ist.
16. Verfahren gemäß Anspruch 15, ferner aufweisend:
Ände n der Stromdichte zu einer zweiten Stromdichte , wobei bei der zweiten Stromdichte das phosphores ierende Emittermaterial ( 124 ) die erste elektromagnetische
Strahlung (128) emittiert und das fluoreszierende
Emittermaterial (126 ) die zweite elektromagnetische Strahlung (130) emittiert .
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008131750A2 (de) * 2007-04-30 2008-11-06 Novaled Ag Licht emittierendes bauelement und verfahren zum herstellen
US20100314644A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
WO2013164647A2 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Cambridge Display Technology Limited Organic light emitting device and method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003151773A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Toray Ind Inc 発光素子
CN1967901A (zh) * 2005-11-18 2007-05-23 精工电子有限公司 电致发光元件及使用该电致发光元件的显示装置
DE112009003123B4 (de) * 2008-12-11 2020-02-06 Osram Oled Gmbh Organische leuchtdiode und beleuchtungsmittel
DE102009018647A1 (de) * 2009-04-23 2010-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
CN101635334A (zh) * 2009-08-19 2010-01-27 电子科技大学 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
US9299942B2 (en) * 2012-03-30 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device
JP6158543B2 (ja) * 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6076153B2 (ja) * 2012-04-20 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
DE102013106992A1 (de) * 2013-07-03 2015-01-08 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
KR102353647B1 (ko) * 2014-08-29 2022-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9991471B2 (en) * 2014-12-26 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008131750A2 (de) * 2007-04-30 2008-11-06 Novaled Ag Licht emittierendes bauelement und verfahren zum herstellen
US20100314644A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
WO2013164647A2 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Cambridge Display Technology Limited Organic light emitting device and method

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