WO2015003999A1 - Optoelektronische bauelementanordnung, verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementanordnung, verfahren zum betreiben einer optoelektronischen bauelementanordnung - Google Patents

Optoelektronische bauelementanordnung, verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementanordnung, verfahren zum betreiben einer optoelektronischen bauelementanordnung Download PDF

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WO2015003999A1
WO2015003999A1 PCT/EP2014/064195 EP2014064195W WO2015003999A1 WO 2015003999 A1 WO2015003999 A1 WO 2015003999A1 EP 2014064195 W EP2014064195 W EP 2014064195W WO 2015003999 A1 WO2015003999 A1 WO 2015003999A1
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WO
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emitting diode
organic light
diode structure
light
light emitting
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PCT/EP2014/064195
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English (en)
French (fr)
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Arndt Jaeger
Kilian REGAU
Original Assignee
Osram Oled Gmbh
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/841—Applying alternating current [AC] during manufacturing or treatment

Definitions

  • Optoelectronic component arrangement a method for producing an optoelectronic Bauue1ementan extract and a method for operating an optoelectronic
  • OLED organic light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • the regulation of the color location is a special feature, as a mood can be transported via the color location. For example, people react via their photoreceptors to warm white light rather relaxing while cold white light tends to promote their concentration.
  • An organic optoelectronic component for example an OLED, may comprise an anode and a cathode
  • the organically functional layer system may have one or more emitter layers in which
  • Charge carrier pair generation and one or more
  • Electron block layers also referred to as
  • HT Hole transport layer
  • ETL electron transport layer
  • the luminance of OLEDs is limited, among other things, by the maximum current density that can flow through the diode. To increase the luminance of an OLED is
  • the operating time of the white OLED can be limited or one
  • light-emitting diodes or organic light-emitting diodes are controlled in accordance with the power grid in accordance with an alternating current.
  • Fig. 6 shows a conventional method of operating a light-emitting diode array.
  • One of the light-emitting diodes 602, 604 serves for the other in AC operation
  • LED 604, 602 as diode rectifier.
  • AC operation emits only one light emitting diode 602 during the positive half wave and only the other one
  • OLED stack is doped with conductivity
  • Transport layers which consist of laterally alternating regions with nip or nip doping formed.
  • the "p” stands for a p-doped semiconducting layer
  • the "n” for an n-doped semiconducting layer
  • the "i” for a
  • Light-emitting diodes may be surrounded by a glass, for example.
  • a color-tunable OLED is formed by means of inverted stacked OLED units.
  • the OLED has only one OLED unit with a fluorescent blue emitter and a further OLED unit of the OLED in separate layers a red and green phosphorescent emitter. These OLED units are connected in parallel and therefore unsuitable for AC operation. For both OLED units different voltages are required for a color variation.
  • Optoelectronic component arrangement a method for producing an optoelectronic component arrangement and a method for operating an optoelectronic
  • Baue1ementan provided with which it is possible to integrate monolithically connected electrically anti-parallel organic light emitting diodes of different color and thus to a color mixing in AC operation
  • Optoelectronic component can be understood as an embodiment of an electronic component, wherein the optoelectronic component has an optically active region.
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • An optoelectronic component which has two planar, optically active sides on ice can, for example
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a flat, optically inactive
  • an organic light-emitting diode which is set up as a top emitter or bottom emitter.
  • An optoelectronic component which emits electromagnetic radiation may in various embodiments be a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or as an electromagnetic component
  • electromagnetic diode emitting diode emitting diode, emit emitting transistor as an electromagnetic radiation or emissive as an electromagnetic radiation
  • the electromagnetic radiation may, for example, be light in the visible range, UV radiation and / or infrared radiation.
  • the electromagnetic radiation emitting device may be formed, for example, as a light emitting diode (LED) as an organic light emitting diode (OLED), as a light emitting transistor or as an organic light emitting transistor.
  • LED light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • the light-emitting device may be in different
  • Embodiments will be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of light-emitting
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all of the abovementioned substances, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • a substance mixture may be understood to mean components of two or more different substances whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrids
  • the term “material” can be used synonymously with the term “substance”.
  • the term dye can be understood as meaning a substance which can emit light by means of a transition of an electron from a first energetic state into a second energetic state, wherein the first energetic state has greater energy than the second energetic state, and wherein the Wavelength of the emitted light is indirectly proportional to the
  • a dye may also be referred to as an emitter or emitter material.
  • a dye may comprise or be formed from an organic substance.
  • a dye layer may include or be formed from a dye.
  • a dye layer may comprise one or more different dyes distributed in a matrix. The matrix can
  • a polymer for example, a polymer
  • Wavelength spectrum of an electromagnetic radiation and / or a hue that is, a color location, a brightness and / or saturation; be understood. In the context of this
  • a color rating can be considered a
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments
  • a layer is permeable to light
  • the light generated by the light-emitting component for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm).
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered here, for example, by the translucent layer has scattering centers.
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the optoelectronic component arrangement can be set up as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transmissive component,
  • a transparent or translucent organic light-emitting diode for example, a transparent or translucent organic light-emitting diode to be called.
  • the optoelectronic component arrangement comprising: a first organic light-emitting diode structure, a second organic light-emitting diode structure and a Wechse1pressivesque1le or an AC source, wherein the first organic
  • Light-emitting diode structure is arranged to provide a light with a first color location; wherein the second organic light-emitting diode structure is arranged to provide a light having a second color location; wherein the first color location and the second color location are different; and wherein the second organic light-emitting diode structure at least partially in the light path of the first organic
  • Light-emitting diode structure is formed; and where the
  • Flowing the light-emitting diode structures is arranged and is electrically connected to the light-emitting diode structures such that at a first half-wave, a current flows through the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure electrically locks, and at a second half-wave, a current flows through the second organic light-emitting diode structure and the first organic
  • Light-emitting diode structure electrically locks, with the first
  • Half-wave has a different current direction than the second half-wave.
  • the current direction refers to the direction of the
  • the first organic compound in one embodiment, the first organic compound
  • Light-emitting diode structure a first electrode, a second electrode and a first organically functional
  • the second light-emitting diode structure may include a third electrode, a fourth electrode, and a second organic functional layer structure therebetween
  • the third electrode has a different polarity than the fourth electrode.
  • the first electrode can be connected to the fourth electrode physically and electrically (for example electrically conductively).
  • the first electrode and the fourth electrode may be formed as an electrical node, ie have a same electrical potential during operation.
  • the second electrode can be connected to the third electrode physically and electrically (in the case of example electrically conductive).
  • the second electrode and the third electrode may be formed as an electrical node, i. have the same electrical potential during operation.
  • the second electrode and the third electrode may be formed as a common electrode.
  • Component arrangement further comprising a first contact pad and a second contact pad, wherein the contact pads are formed such that the first organic light emitting diode structure and the second organic light emitting diode structure are electrically connected by means of the contact pads with the AC power source or the AC voltage source.
  • the first contact pad may be electrically connected to the first electrode and the fourth electrode
  • the second contact pad may be electrically connected to the second electrode and the third electrode.
  • the first organic compound in one embodiment, the first organic compound
  • Leuchtdioden- structure and the second organic light emitting diode structure form a stack structure, wherein the first
  • organic light emitting diode structure is at least partially formed on the second organic light emitting diode structure or wherein the second organic light emitting diode structure at least partially formed on the first organic light emitting diode structure.
  • the first electrode, the second electrode, the third electrode and / or the fourth electrode can / be transparent or translucent.
  • the third electrode may be formed at least as a part of the second electrode or the second electrode at least as a part of the third
  • Electrode be formed.
  • At least a portion of the first light emitting diode structure may be free of the second light emitting diode structure, or at least a portion of the second
  • Light emitting diode structure be free from the first light emitting diode structure.
  • a portion of an organic light emitting diode structure that is free of another organic light emitting diode structure may also be considered to be one
  • Patterning may be used to form a color-site contrast between the region having an organic light-emitting diode structure and the organic multi-region region
  • Leuchtdioden- structures are used in the beam path, for example, for information reproduction.
  • Information reproduction can be designed, for example, as representing a pictogram, a symbol, an ideogram or a lettering.
  • the first color location and the second color location may have a different color valence.
  • the first organic compound may have a different color valence.
  • Light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure each having a dye for generating light, wherein the first organic light-emitting diode structure a fluorescent dye and the second organic light-emitting diode structure comprises a phosphorescent dye; or wherein the second organic
  • Luminous diode structure has a fluorescent dye and the first organic light emitting diode structure having a phosphorescent dye.
  • the first color locus may be associated with a blue light and the second color locus with a red-green light or a yellow light.
  • the second color locus may be associated with a blue light and the first color locus with a red-green light or a yellow light.
  • the first organic compound in one embodiment, the first organic compound
  • Light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure be formed such that the chromaticity of the
  • Light which is formed from a mixing of first color location and second color location, with a cold white light or a warm white light is associated.
  • the first organic compound in one embodiment, the first organic compound
  • Light-emitting diode structure having a mixed red-green light-emitting phosphorescent emitter.
  • the stack structure may have a first terminal and a second terminal on iron, wherein the
  • Terminals for electrically connecting the first organic light emitting diode structure and the second organic
  • Leuchtdioden- structure are formed with the AC voltage source or AC power source.
  • the first terminal may be electrically connected to the first electrode and / or the fourth electrode and the second terminal to the second Electrode and / or third electrode to be electrically connected.
  • the first organic compound in one embodiment, the first organic compound
  • Light-emitting diode structure having a doped pin structure or a doped nip structure.
  • the second organic compound in one embodiment, the second organic compound
  • Light-emitting diode structure having a doped pin structure or a doped nip structure.
  • a pin structure may have a layer sequence consisting of a p-doped semiconducting layer, an intrinsic layer and an n-doped semiconductive layer.
  • a nip structure can inverted to the pin structure
  • the first organic compound in one embodiment, the first organic compound
  • Light-emitting diode structure and the second organic light emitting diode structure be electrically connected to each other in anti-parallel.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component assembly further comprise a carrier, wherein the first organic light-emitting diode structure and the second
  • Organic light-emitting diode structure are formed on or above the carrier.
  • the first organic compound in one embodiment, the first organic compound
  • Light-emitting diode structure and the second organic light emitting diode structure monolithically formed on or above the carrier.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component array further comprises a wavelength-converting structure at least partially in the light path of the first
  • the optoelectronic Bauenternentean ever further comprises a light scattering structure at least partially in the light path of the first organic
  • At least one optically active side of the first organic light-emitting diode structure and / or the second organic light-emitting diode structure have structured regions, for example arranged laterally on an optically active side.
  • the structured regions of the at least one optically active side can be set up as scattering centers, for example microlenses, an optical one
  • a mirror structure for example a
  • the structured regions may be formed such that the structured regions provide light with a different color locus than
  • unstructured areas for example for
  • An information reproduction for example, as representing a pictogram, a
  • Be formed ideogram or a lettering Be formed ideogram or a lettering.
  • the AC voltage source or AC power source may be configured to control the temporal electrical current profile, and for example a phase dimmer, a pulse modulator or a
  • the phase dimmer may become a
  • the frequency modulator can be set up to change the frequency of the alternating electrical current through the first organic light-emitting diode structure and / or through the second organic light-emitting diode structure.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component assembly further comprising a photodetector device, wherein the photodetector device is adapted to measure the color locus of the light, which differs from the
  • optoelectronic component array is emitted.
  • the photodetector device may comprise one or more photodetectors, for example one or more photodiodes.
  • the photodetector device may be coupled to the AC voltage source or the AC power source such that the AC waveform or the AC voltage waveform is changed or stabilized based on the measured color locus.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Construction device further comprise a driver structure, wherein the driver structure is connected to the first
  • the photodetector device may provide a measurement signal that is applied as an input to the driver structure of the optoelectronic device array.
  • the driver structure can be used to control the
  • the driver structure may be configured such that the driver structure by means of evaluating the measurement signal of the photodetector device, the current waveform or the
  • a method of making an optoelectronic component array comprising: forming a first organic light emitting diode structure to provide a light having a first color location; Forming a second organic light-emitting diode structure for providing a light having a second color locus, the first color locus and the second color locus being different; and wherein the second organic light emitting diode structure is at least partially formed in the light path of the first organic light emitting diode structure; Connecting the light-emitting diode structures with an AC voltage source or a
  • the AC voltage source or the AC power source is arranged to energize the LED structures and is electrically connected to the light emitting diode structures such that at a first half-wave current flows through the first organic light emitting diode structure and the second organic light emitting diode structure electrically blocks, and at a second half-wave, a current flows through the second organic light-emitting diode structure and electrically blocks the first organic light-emitting diode structure, wherein the first half-wave has a different current direction than the second half-wave.
  • organic light emitting diode structure having a first electrode, a second electrode and a first organic
  • Luminous diode structure having a third electrode, a fourth electrode and a second organic functional layer structure formed therebetween iron, wherein the third electrode has a different polarity than the fourth electrode.
  • Electrode and the fourth electrode are formed in such a way that the first electrode with the fourth electrode is physically and electrically connected (for example, electrically conductive).
  • Electrode and the third electrode are formed such that the second electrode with the third electrode
  • Electrode be formed.
  • the method may further comprise forming a first contact pad and a second contact pad, wherein the contact pads are formed such that the first organic light emitting diode structure and the second organic light emitting diode structure by means of the contact pads with the AC power source or the AC voltage source are electrically connected.
  • the first contact pad may be electrically connected to the first electrode and the fourth electrode, and the second contact pad may be electrically connected to the second electrode and the third electrode.
  • the first contact pad may be electrically connected to the first electrode and the fourth electrode
  • the second contact pad may be electrically connected to the second electrode and the third electrode.
  • Organic light emitting diode structure and the second organic light emitting diode structure are formed as a stack structure, wherein the first organic light emitting diode structure at least partially on the second organic
  • Luminous diode structure is formed or wherein the second organic light emitting diode structure is at least partially formed on the first organic light emitting diode structure.
  • the first organic light emitting diode structure is at least partially formed on the first organic light emitting diode structure.
  • the third electrode and / or the fourth electrode are formed transparent or translucent.
  • the third electrode and / or the fourth electrode are formed transparent or translucent.
  • Electrode may be formed at least as a part of the second electrode, or the second electrode may be formed at least as a part of the third electrode. In one embodiment of the method, at least a part of the first light-emitting diode structure free of second
  • Luminous diode structure are formed, or at least a part of the second Leuchtdioden- structure free of the first
  • the first color locus and the second color locus may have a different color valence. In one embodiment of the method, the first color locus and the second color locus may have a different color valence. In one embodiment of the method, the first
  • the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure may be formed such that the first color locus is associated with a blue light and the second color locus with a red-green light or a yellow light.
  • Organic light-emitting diode structure a blue light
  • organic light emitting diode structure having a mixed red-green light emitting phosphorescent emitter.
  • the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure may be formed such that the second color locus is associated with a blue light and the first color locus with a red-green light or a yellow light.
  • the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure can be formed such that the color locus of the light, which is formed from a mixing of the first color locus and the second color locus, with a cold white light or a warm white light is associated.
  • the stack structure may consist of first light-emitting diode structure and second
  • Light-emitting diode structure having a first terminal and a second terminal, wherein the connections to the
  • first organic light emitting diode structure and the second organic light emitting diode structure be formed with the AC voltage source or AC power source.
  • the Terminal are formed electrically connected to the first electrode and / or the fourth electrode and the second terminal to be electrically connected to the second electrode and / or third electrode.
  • the first organic light-emitting diode structure may be formed having a doped pin structure or a doped nip structure.
  • the second organic light-emitting diode structure may be formed having a doped pin structure or a doped nip structure.
  • the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure can be formed electrically connected in anti-parallel with each other.
  • the method may further comprise providing a carrier, wherein the first organic light emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure can be formed on or above the carrier.
  • the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure can be monolithically formed on or above the carrier.
  • the method may further comprise forming a wavelength-converting structure at least partially in the light path of the first having organic light emitting diode and / or the second organic light emitting diode.
  • the method may further comprise forming a light scattering structure at least partially in the light path of the first organic light emitting diode and / or the second organic light emitting diode.
  • At least one optically active side of the first organic compound is selected from
  • Light emitting diode structure structured areas are formed, for example, arranged laterally on an optically active side.
  • structured regions of the at least one optically active side are set up as scattering centers, for example microlenses, an optical grating; a mirror structure, such as a photonic crystal or a
  • structured areas are formed such that the structured areas provide light with a different color location than unstructured areas, for example for information reproduction.
  • the method the
  • phase dimmer a pulse modulator or a frequency modulator.
  • the phase dimmer to a phase control and / or a
  • the pulse modulator can be used for pulse width modulation and / or a pulse width modulation
  • Frequency modulator to change the frequency of the
  • the method may further comprise providing a photodetector device, wherein the photodetector device is adapted to measure the color locus of the light emitted by the constituent device.
  • the photodetector device can have one or more photodetectors, for example a photodiode.
  • a method for operating an optoelectronic component device comprising: applying an alternating current and / or an alternating voltage to a
  • Measuring at least one optoelectronic property of the optoelectronic Component device Measuring at least one optoelectronic property of the optoelectronic Component device; Change at least one
  • AC source or the AC voltage source provide an AC and / or an AC voltage having a frequency of greater than about 30 Hz.
  • AC or the AC voltage of the color location of a light are formed, which is formed from the mixture of the proportion of the first color location with the proportion of the second color location, wherein the proportion refers to the total, provided by the optoelectronic component light.
  • Half-wave and / or the second half-wave have one of the following forms or a hybrid form of one of the following forms: a pulse, a sine half-wave, a rectangle, a triangle, a sawtooth.
  • Half-wave have a different maximum amount than the second half-wave.
  • the alternating current can have a direct current component, or the alternating voltage can have a direct voltage component.
  • the maximum amount of the first half-wave may be greater than the maximum amount of the second half-wave. In one embodiment of the method, the first
  • Half-wave have a different pulse width than the second half-wave.
  • Half-wave have a greater pulse width than the second half-wave.
  • Optoelectronic component device a first
  • At least one alternating current parameter or at least one alternating voltage parameter as a compensation
  • the optoelectronic component array can be extended as a phosphorescent dye ei another
  • Figure 2a, b are schematic representations of various components
  • FIG. 4a, b are schematic representations of various components
  • Figure 5a, b are schematic representations of a method for operating an optoelectronic
  • Figure 6 is a conventional method of operation
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a
  • Optoelectronic component array according to various embodiments.
  • an organic optoelectronic component 100 as an exemplary embodiment of an optoelectronic component arrangement with a first organic
  • Light emitting diode structure 104 which are formed such that they are electrically connected in anti-parallel with each other with an AC power source 106 or an AC voltage source 108.
  • the organic light-emitting diode structures 102, 104 are electrically connected to one another with regard to the alternating voltage applied to the organic optoelectronic component 100 or the alternating current applied to the organic optoelectronic component 100, that at a first half-wave of an alternating voltage or an alternating current, for example a positive half-wave, a current flows through the first organic light-emitting diode structure 102 and electrically blocks the second organic light-emitting diode structure 104, and at a second half-wave,
  • a current flows through the second organic light-emitting diode structure 104 and electrically blocks the first organic light-emitting diode structure 102.
  • the first organic light-emitting diode structure 104 for example, a negative half-wave
  • a current flows through the second organic light-emitting diode structure 104 and electrically blocks the first organic light-emitting diode structure 102.
  • the first organic light-emitting diode structure 104 for example, a negative half-wave
  • the two color loci may differ such that the two color loci are associated with different color valences, for example a blue light and a green light, or for example a blue one Light and a green-red light.
  • a mixing shaft and / or an alternating shaft may be or have, for example, a mixed voltage, an alternating voltage, a mixed current or an alternating current.
  • a change shaft is here
  • a mixing shaft may have positive and / or negative half-waves.
  • a positive half cycle may comprise that part of a mixing wave whose value as a function of time is greater than zero; and a negative half-wave having the part of a mixing wave whose value as a function of time is less than zero.
  • the temporal ratio of positive half-wave to negative half-wave ie the relative proportion of positive half-wave at the mixing shaft to the relative fraction of the negative half-wave of a mixing wave, may have an amount in a range of about 0% to 100%.
  • a mixing wave can have purely positive, purely negative or positive values and negative values in any mixing ratios, for example a positive half wave can have a share of the mixing wave of 70%, while the negative half wave has a share of the mixing wave of 30% ,
  • a positive and / or negative half wave may occur in
  • various embodiments have a shape similar to a geometric half-wave, for example, a half period of a sine wave, a sawtooth course, a rectangular course, a triangular course; or for example in the form of a pulse or peak,
  • Gaussian for example Gaussian, Lorenz-shaped or a similar peak-like shape; for example, similar to one
  • FIG. 5 Exemplary embodiments are shown in FIG. 5.
  • FIGS. 2a and 2b Illustrated in FIGS. 2a and 2b are exemplary embodiments of vertically stacked light-emitting diode structures 102, 104, wherein the light-emitting diode structures 102, 104 have light
  • the first organic light-emitting diode structure 102 emits a red-green light and the second organic light-emitting diode structure 104 emits a blue light.
  • 2a shows in the growth direction pin-pin transitions, while in the
  • the carrier 202 may be used, for example, as a carrier for electronic elements or layers, for example
  • the carrier 202 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material. Further, the carrier 202 may be a
  • Plastic film or a laminate with one or more plastic films or be formed from it are examples of plastic films or a laminate with one or more plastic films or be formed from it.
  • Plastic may include one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • the carrier 202 may be one or more of the above
  • the carrier 202 may include or be formed of a metal or a metal compound, for example, copper, silver, gold, platinum, or the like.
  • a carrier 202 comprising a metal or a
  • Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 202 may be translucent or even transparent.
  • the carrier 202 may be in different
  • the barrier layer may comprise or consist of one or more of the following: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • Barrier layer in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0, 1 nm (one atomic layer) to about hr 5000 nm, for example a Layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • the organic light emitting diode structure 104 may be arranged.
  • the first organic light-emitting diode structure 102 may have a first electrode 204 and a second electrode 212, wherein a first organically functional layer structure 226 is formed between the electrodes 204, 212.
  • the first electrode 204 may, for example, be applied in the form of a first electrode layer 204.
  • the first electrode 204 may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a
  • TCO conductive transparent oxide
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example metal oxides, such as
  • binary oxide Zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 , or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as AIZnO, Zn 2 SnO, CdSnO 3 , ZnSnO 3 , Mgln 2 O 4 , GalnO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 0 12 or mixtures
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 204 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds,
  • Electrode 204 may be formed from a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 204 one or more of the following substances
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • Networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers for example of Graphene particles and layers
  • Networks of semiconducting nanowires for example of Ag
  • the first electrode 204 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 204 and the carrier 202 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 204 may have a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example one
  • the first electrode 204 is a layer thickness of less than or equal to about 18 nm. Furthermore, the first electrode 204
  • a layer thickness of greater than or equal to about 10 nm for example, a layer thickness of greater than or equal to about 15 nm.
  • the first electrode 204 a Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 204 may have a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 204 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, that with conductive polymers
  • the first electrode 204 may be combined to form a network of carbon nanotubes that may be combined with conductive polymers, or may be formed of graphene layers and composites, the first electrode 204, for example, one
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 204 can be used as anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the first electrode 204 may be a first electrical
  • first electrical potential (provided by a power source (not shown), for example, a power source or a voltage source) can be applied.
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 202 or and then indirectly applied to the first electrode 204.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another
  • organically functional layered structure 226 include one or more first emitter layer (s) 208 disposed between a first p-type hole injection layer 206 and a first n-type electron injection layer 210
  • the emitter layers 208 may
  • An electron injection layer 210 may also be referred to as an electron transport layer or a hole blockade layer, wherein an electron injection layer 210 may have a plurality of different sublayers.
  • a hole injection layer 206 may also be referred to as a hole transport layer or an electron block layer, with a hole injection layer 206 having several different ones
  • Partial layers may have.
  • Emitter layer (s) 208 may include organic or organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (e.g., 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) as well as
  • Metal complexes for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green
  • Non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, it is possible to use polymer emitters which can be deposited in particular by means of a wet-chemical method, for example a spin-coating method (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light emitting device 100 may be selected so that light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 208 may include a plurality of different emitter materials (eg, blue and yellow or blue, green, and red) emitting emitters
  • the emitter layer (s) 208 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 208 or blue
  • the emission of light can result in a white color impression.
  • it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation of the first organic light-emitting diode structure and / or the second organic light-emitting diode structure and a
  • the first organically functional layered structure 226 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the first organically functional layered structure 226 may include one or more electroluminescent layers, which may be referred to as a Hole transport layer is executed or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the first organically functional layered structure 226 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • Electroneninj tion is made possible in an electroluminescent layer or an electroluminescent region.
  • the material for the hole transport layer for example, tertiary amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or Polythylendioxythiophen can be used.
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Lochinjetechnischs Faculty 206 may be applied, for example, be deposited.
  • the electron injection layer 210 may be on or above the Emitter layer 208 applied, for example deposited.
  • organic functional layer structure 226 (ie
  • Electron injection layer (s) 210) have a layer thickness of at most about 1.5 ⁇ , for example, a layer thickness of maximum about hr 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of a maximum of approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the first organically functional layer structure 226 may, for example, comprise a stack of
  • a layer thickness may have a maximum of about 1, 5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at the most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of at most approximately 300 nm.
  • the first organically functional layer structure 226 may comprise, for example, a stack of two, three or four OLEDs arranged directly above one another, in which case, for example, organically functional layer structure 226 may have a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ m.
  • the optoelectronic component arrangement 100 may optionally include further organic functional layers,
  • the second electrode 212 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 212).
  • Electrode 212 have the same substances or be formed therefrom as the first electrode 204, wherein in
  • Electrode 212 (for example in the case of a metallic second electrode 212), for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 212 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 204.
  • the second electrode 212 may be formed of one or more of the materials and having the respective layer thickness, in various embodiments, as described above in connection with the first electrode 204.
  • the first electrode 204 and the second electrode 212 are both formed translucent or transparent.
  • the illustrated optoelectronic component assembly 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 212 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the second electrode 212 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the
  • Difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 1.7 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 2 V. up to about 12 V.
  • the second organic light-emitting diode structure 104 may be formed on or above the second electrode 212.
  • the second organic light-emitting diode structure 104 may have a third electrode and a fourth electrode 220, wherein a second organically functional layer structure 228 is formed between the third electrode and the fourth electrode 220.
  • Electrode 212 may be formed (shown).
  • the second organic light emitting diode structure 104 may be formed at least partially on or above the first light emitting diode structure 102 be (shown), or the first organic light-emitting diode structure 102 may be at least partially formed on or above the second light-emitting diode structure 104.
  • the common electrode 212 may also be referred to as an intermediate electrode.
  • the intermediate electrode 212 may be transparent or translucent.
  • the intermediate electrode 212 may be formed of or have an optically transmissive, electrically conductive material.
  • the intermediate electrode 212 may comprise a transparent conducting oxide (TCO) or a thin metal layer.
  • a thin metal layer 212 as an intermediate electrode 212 may include or be formed from one of the following: silver, gold, platinum, palladium, copper, aluminum, magnesium, chromium, for example, MgAg.
  • the intermediate electrode 212 may have an electrically conductive carbon bond which is distinguished by means of a high electrical conductivity and high transmittance, for example an electrically conductive one
  • the intermediate electrode 212 may have a thickness in a range of about 1 nm to about 50 nm, for example in a range of about 2 nm to about 30 nm, for example in a range of about 3 nm to about 20 nm
  • the second organic functional layer structure 228 may be a second
  • Emitter layer 216 which between a second p- doped Lochin etechnischs slaughter 214 and a second n-doped electron injection layer 218 is formed.
  • the second organically functional layered structure 228 may be similar to the first organically functional layered structure 226
  • the second n-doped electron injection layer 218 may be formed similar to one of the configurations of the first n-type hole injection layer 210.
  • Emitter layer 208 and the second emitter layer 216 each have a dye for generating light, wherein the first emitter layer 208 has a fluorescent dye and the second emitter layer 216 a
  • the first organic light emitting diode structure 102 in the first emitter layer 206 may be a red-green phosphorescent
  • Dye and have the second organic light-emitting diode structure 104 in the second emitter layer 216 a blue fluorescent dye.
  • phosphorescent dye may be mixed in an emitter layer 208, 216 or the red and green emitting
  • the second p-type hole injection layer 214 may be similar to one of
  • Embodiments of the first p-type hole injection layer 206 may be formed.
  • Electrode 220 may be formed similar to one of the configurations of the second electrode or third electrode,
  • the transition from n-doped regions to p-doped regions with an intermediate electrode, such as MgAg, may be a stable charge generation layer (CGL) layer structure.
  • an anti-parallel circuit can be realized.
  • the first electrode 204 and the fourth electrode 220 may additionally be electrically connected to one another, for example laterally
  • a white light can be emitted.
  • the color point of the light provided by the optoelectronic component array in its image plane can be adjusted via the AC operating parameters.
  • the differently colored organic light-emitting diode structures 102, 104 have different strengths be driven and their respective contribution to the overall light emission changed.
  • the fourth electrode 220 and thus on or above the electrically active region may optionally be an encapsulation, for example in the form of a
  • a “BarrDeutschünnschi cht” or a “barrier thin film” can in the frame.
  • this application will be understood to mean a layer or layer structure suitable for providing a barrier to chemical attack
  • the barrier thin film is formed to be resistant to OLED damaging matter
  • Water, oxygen or solvents can not or at most be penetrated to very small proportions.
  • the barrier thin film may be formed as a single layer (in other words, as a single layer).
  • the barrier thin film may have a plurality of sublayers formed on one another.
  • the barrier thin layer may be formed as a stack of layers (stack).
  • Barrier thin film or one or more sublayers of the barrier film may, for example, be formed by a suitable deposition process, e.g. by atomic layer deposition (ALD) according to an embodiment, e.g. one ALD deposition process.
  • ALD atomic layer deposition
  • PEALD plasma-enhanced atomic layer deposition
  • CVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition process plasmaless
  • ALD atomic layer deposition process
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • a barrier film comprising a plurality of sublayers, one or more sublayers of the barrier film by means of a deposition process other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film may, according to one embodiment, have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment, for example about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness.
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin layer or the individual partial layers of the barrier thin layer can be designed according to an embodiment as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film (or the individual sublayers of the barrier film) may be made of a translucent or transparent material (or material)
  • the barrier thin layer or in the case of a layer stack with a plurality of
  • Partial layers one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin film have one of the following substances or be formed from it: alumina, ink oxide,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium oxide, aluminum-doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the barrier thin film or (in the case of a stack of layers having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the barrier film may comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2 ,
  • an adhesive and / or a protective lacquer may be provided on or above the barrier thin film, by means of which, for example, a cover (for example a glass cover, a glass cover) may be provided
  • the optically translucent layer of adhesive and / or resist may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ .
  • the adhesive comprises or is a lamination adhesive.
  • Adhesive layer can be embedded in various embodiments still light scattering particles, which contribute to a further improvement of the color angle distortion and the
  • Embodiments may be provided as light scattering particles, for example, dielectric scattering particles such as metal oxides such as silica ( ⁇ 1 ⁇ 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrÜ2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide ( Ga20 x )
  • dielectric scattering particles such as metal oxides such as silica ( ⁇ 1 ⁇ 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrÜ2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide ( Ga20 x )
  • Alumina, or titania may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like can be provided as light-scattering particles.
  • an electrically insulating layer may be applied or be, for example SiN, for example with a layer thickness in a range from approximately 300 nm to approximately 1, 5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to protect electrically unstable substances, for example during a wet chemical process.
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a Acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • an adhesive may be a high refractive index adhesive
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • plasma spraying can be applied to the barrier thin film.
  • the cover for example made of glass, for example by means of a frit bonding / glass soldering / seal gass bonding can be applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 100 with the barrier thin film.
  • the / may
  • Cover and / or the adhesive has a refractive index
  • the barrier thin film for example, the barrier thin film
  • Optoelectronic component assembly 100 may be provided.
  • 3a, b show schematic representations of various embodiments of optoelectronic
  • FIG. 3a A sectional plane is shown schematically in FIG. 3a and in FIG. 3b a schematic cross-sectional view of a
  • Component assembly 100 for example according to a
  • 3a, b shows a large-area organic light-emitting diode having a stacked structure with a red-green light-emitting organic light-emitting diode structure and a blue light-emitting organic light-emitting diode structure.
  • the two light emitting diode structures 102, 104 may be formed in the plane at approximately the same location on or above the carrier 202, but in the vertical direction about one
  • offset from each other above the support 202 may be formed.
  • FIG. 3 a shows: the intermediate electrode 212 on or above the first electrode 204 on or above the carrier 202, the intermediate electrode 212 being connected to the connection 224
  • the first electrode 204 and the intermediate electrode 212 are formed so that they can be electrically contacted without causing an electrical short circuit
  • Intermediate electrode 212 are electrically contacted at different sides of the carrier 202 by means of contact pads 304, 306, for example by the electrodes
  • FIG. 3B shows an exemplary embodiment of an optoelectronic component mounting arrangement 100 similar to one of the embodiments of the descriptions of FIG. 1 or Fig. 2a, b.
  • the fourth electrode 220 is electrically and physically (eg, electrically conductive) with the first one Electrode 204 is connected.
  • the fourth electrode 220, the second organic functional layer structure 228, the third electrode and second electrode for example in the form of the intermediate electrode 224, and the first organic
  • the electrical insulation 302 may be configured such that current flow between two electrically conductive regions, for example between the fourth electrode 220 and the intermediate electrode 212, is prevented.
  • Coating agent for example a polymer and / or a paint.
  • the lacquer may, for example, have a coating material which can be applied in liquid or in powder form, for example comprising or being formed from a polyimide.
  • the electrical insulation 302 may be applied or formed, for example by means of a printing process, for example.
  • Printing process for example, an inkjet printing (inkjet printing), a screen printing and / or a pad printing (pad-printing) have.
  • the electrical contacting of the stack structure 230 may in various embodiments of the geometric
  • Edge region for example, in the optically inactive edge region, the carrier 202 may be formed in the form of contact pads 306.
  • the optoelectronic component 100 may be formed such that contact pads for electrically contacting the
  • a contact pad 304, 306 may be electrically and / or physically (eg, electrically conductively) connected to one of the electrodes 204, 212, 220 of the organic light emitting diode structures 102, 104. However, a contact pad 304, 306 may also be a portion of an electrode 204, 212, 220 be set up.
  • the contact pads 304, 306 may be a substance or a substance mixture similar to one of the substances or substance mixture
  • Electrodes 204, 212, 220 according to one of the embodiments of the descriptions of Fig. 1 or be formed therefrom, for example as a metal layer structure with
  • Aluminum layer for example chromium-aluminum-chromium (Cr-Al-Cr).
  • organic light emitting diode structure 104 form a stack structure 230, wherein the first organic light emitting diode structure at 102 at least partially on the second organic
  • Light-emitting diode structure 104 is formed (not shown) or wherein the second organic light-emitting diode structure 104 is at least partially formed on the first organic light emitting diode 102 structure. In one embodiment (shown in FIGS. 4 a, b), at least a part or a region of the first light-emitting diode structure 102 may be free of second light-emitting diode structure 104. In another
  • the third electrode may be formed at least as a part of the second electrode or the second electrode at least as a part of the third
  • Electrode be formed.
  • the first organic light-emitting diode structure 102 and the second organic light-emitting diode structure 102 are formed.
  • Organic light emitting diode structure 104 may at least partially share a common electrode, wherein a portion of the common electrode may be free of at least one of the organic light emitting diode structures 102, 104
  • the organic light emitting diode structures 102, 104 may light with different colors
  • Optoelectronic component array show, in the part of a second yellow light-emitting organic light-emitting diode structure 10, 402 on or over a first whole-area red light-emitting organic
  • Light-emitting diode structure 102, 406 is formed stacked, wherein a portion of the common electrode 212 on or above the first organic light emitting diode structure 102 is free of second organic light emitting diode structure 104.
  • a red-illuminating region 406 and a yellow-emitting region 402 can be formed next to each other, as well as a region with a light mixture of red and yellow light.
  • a monolithic LED 100 may be part of the illumination of a vehicle, for example as a taillight and turn signal in a car, with a slightly different architecture (not shown) as a top or bottom emitter.
  • Optoelectronic component arrangement can be formed as an efficient surface radiator, wherein the first Organic light-emitting diode structure 102 and / or the second organic light-emitting diode structure 104 may be structured, for example, structured surface.
  • first Organic light-emitting diode structure 102 and / or the second organic light-emitting diode structure 104 may be structured, for example, structured surface.
  • Organic light-emitting diode structure 102 and / or the second organic light emitting diode structure 104 may have regions with different emission wavelengths in the
  • organic light-emitting diode structure 102 are structured with respect to the second organic light-emitting diode structure 104 such that a color contrast and / or a brightness contrast is formed by means of the structuring, by means of which information can be represented,
  • a pictogram for example, a pictogram, an ideogram or a
  • Lettering. 5a, b show schematic representations of a method for operating an optoelectronic component arrangement, according to various exemplary embodiments.
  • 5a shows schematically an embodiment of a method for operating an optoelectronic
  • a device arrangement that relative to each other easy adjustment of the time-averaged intensities of
  • organic light-emitting diode structures 102, 104 according to one of the embodiments of the descriptions of Fig.l to Fig.4 allowed.
  • AC source 106 or an AC source 108 for operating the organic light emitting diode structures 102, 104 is provided (see Fig.l).
  • the AC source 106 or an AC source 108 for operating the organic light emitting diode structures 102, 104 is provided (see Fig.l).
  • AC power source 106 or AC power source 108 provide an AC waveform that includes a first
  • Half-wave and a second half-wave wherein the first half-wave has a different current direction than the second half-wave.
  • a half-wave denotes the half-space of an alternating current curve or a
  • a half-wave shall denote the sign or the quadrant in a Cartesian coordinate system by representing an alternating current waveform or an alternating voltage waveform as a function of time.
  • a calf wave is under this
  • the "half" of a half wave refers to the current direction or the voltage direction of a
  • a half-wave may also be referred to as a pulse, for example a current pulse or a voltage pulse, in a current direction or voltage direction.
  • a pulse may have one of the following shapes or a hybrid of the following shapes: sine - half wave, Gaussian shaped peak, Lorentz shaped peak, Dirac shaped peak, a rectangle, a sawtooth, a triangle.
  • a pulse may have one of the following shapes or a hybrid of the following shapes: sine - half wave, Gaussian shaped peak, Lorentz shaped peak, Dirac shaped peak, a rectangle, a sawtooth, a triangle.
  • AC waveform or an AC waveform have more first half-waves than second half-waves
  • one of the organic light-emitting diode structure can be energized more frequently than the other.
  • the color location and / or the brightness of the Light can be adjusted in the image plane of the optoelectronic component array.
  • Half-wave 518 is associated with a negative current direction.
  • the first half wave 516 flows through the first organic light emitting diode structure 102 and the second half wave 518 flows through the second half wave
  • the positive half wave 516 has as its magnitude a first maximum current 506 and the negative half wave 518 as the magnitude of a second maximum current 508.
  • the maximum amount of currents 506, 508 may be the same (shown in FIG. 5b) or different (shown in FIG. 5a).
  • An alternating current waveform with different maximum currents 506, 508 is illustrative
  • a current profile which has a direct current component and an alternating current component can also be referred to as a mixed current.
  • a voltage curve which has a DC voltage component and an AC component can also be used as
  • a rectified AC voltage may generate an AC current that is either only first
  • Half-waves or only second half-waves, wherein a biased, rectified Wechse1Spannung can also have a first half-wave and a second half-wave.
  • a half-wave 516, 518 may have a shape similar to the following shapes: a geometric half wave, for example, a sine half wave; a rectangle, a triangle, a sawtooth, a peak, for example Gaussian, Lorentz-shaped, Dirac-shaped or a similar peak shape.
  • the first half-wave and the second half-wave the same shape or different
  • Shapes have. Half-waves with the same shape may be formed in different properties, such as the pulse width, the amount of maximum current and / or the amount of maximum voltage, the same or different.
  • Half wave 516 a first pulse width 512 and the second
  • Half-wave 518 a second pulse width 514 on iron, wherein the pulse widths equal (shown in Figure 5a) or
  • the alternating current waveform may be configured such that the half-waves 516, 518 have a periodicity 510 such that the half-waves 516, 518 may repeat periodically with time in the alternating current waveform.
  • the organic light-emitting diode structures 102, 104 are operated with approximately the same pulse length 512, 514.
  • Luminous diode structures 102, 104 is emitted, via the current pulse height 506, 508, ie, the amount of currents of the half-waves, set (pulse amplitude modulation, PAM), wherein the organic light-emitting diode structures 102, 104 are formed in this embodiment, that the luminance is proportional to the current with which the organic light-emitting diode structures 102, 104 is flowed.
  • PAM pulse amplitude modulation
  • Light emitted by the organic light-emitting diode structures 102, 104 can be adjusted via the pulse length 512, 514 (pulse width modulation, PWM). By means of different pulse lengths 512, 514, the organic light-emitting diode structures averaged over time with light
  • an optoelectronic component arrangement described above is provided in which a first organic light-emitting diode structure has a blue-fluorescent dye and a second one
  • Organic light-emitting diode structure a blue
  • the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure may have further dyes and / or emitter layers.
  • the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure may have further dyes and / or emitter layers.
  • the first organic light-emitting diode structure and the second organic light-emitting diode structure may have further dyes and / or emitter layers.
  • Luminous diode structure may be formed, which have different Farbortalterungs means of the different blue dyes. This can
  • phosphorescent dye comprises at least one of the following materials: bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium (III) (FlrPic), bis (2,4-difluorophenylpyridinato) tetrakis (1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C, C2 ') ⁇ fac-Ir (Pmb) 3) iridium iridium (III) tris (1-phenyl-3-methylbenz imidazoline-2-ylidenes - C, C2 ') ⁇ / ner- Ir (Pmb) 3); Bis (2,4-difluorophenylpyridinato) (5- (pyridin-2-yl) - ⁇ -tetrazolates) iridium (III) (FIrN4); Bis (3-trifluoromethyl-5- (2-pyr
  • Optoelectronic component arrangement a method for producing an optoelectronic component arrangement and a method for operating an optoelectronic
  • Optoelectronic component array can be used with low cost AC power drivers.
  • By means of a series connection of the anti-parallel organic light-emitting diode structures it is possible to realize a luminaire suitable for the grid, in which case a transformation of the driver voltage becomes optional.
  • a very similar OLED stack can be realized as with white stacked OLEDs with charge generating layer (CGL) generating structures and thus established processes can be used.
  • CGL charge generating layer
  • a lamp can be realized and operated, in the
  • phosphorescent emitters red-green-emitter / RG-emitter
  • fluorescent emitters blue-emitter / B-emitter
  • OLED driver may be used during the aging of the optoelectronic component array for an active stabilization of the color locus of the light emitted by the optoelectronic component array.
  • lateral structuring of at least one optically active side of at least one organic light-emitting diode structure makes it possible to form regions
  • Density with respect to the reverse voltages can be increased because thicker organic layers can be used. Furthermore, degradation effects in the organic layers by biasing the organic light emitting diode structures in the reverse direction in

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsformen wird eine optoelektronische Bauelementanordnung (100) bereitgestellt, die optoelektronische Bauelementanordnung (100) aufweisend: eine erste organische Leuchtdioden-Struktur (102), eine zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) und eine Wechselstromquelle (106) oder eine Wechselspannungsquelle (108), wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) eingerichtet ist zu einem Bereitstellen eines Lichtes mit einem ersten Farbort; wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) eingerichtet ist zu einem Bereitstellen eines Lichtes mit einem zweiten Farbort; wobei der erste Farbort und der zweite Farbort unterschiedlich sind; und wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen Leuchtdioden-Struktur (102) ausgebildet ist; und wobei die Wechselstromquelle (106) oder die Wechselspannungsquelle (108) zum Bestromen der Leuchtdioden-Strukturen (102, 104) eingerichtet ist und derart mit den Leuchtdioden-Strukturen (102, 104) elektrisch verbunden ist, dass bei einer ersten Halbwelle ein Strom durch die erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) fließt und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104 ) elektrisch sperrt, und bei einer zweiten Halbwelle ein Strom durch die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) fließt und die erste organische Leuchtdioden-St:ruktur (102) elektrisch sperrt, wobei die erste Halbwelle eine andere Stromrichtung aufweist als die zweite Halbwelle.

Description

Beschreibung
Optoelektronische Bauelementanordnung, Verfahren zum
Herstellen einer optoelektronischen Bauelementanordnung, Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen
Baue1ementanordnung
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische Bauelementanordnung, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baue1ementanordnung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen
Bauelementanordnung bereitgestellt .
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis ,
beispielsweise organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete Anwendung in der AIlgemeinbeleuchtung . Beim Betrieb einer Beleuchtung ist die Regulierung des Farbortes eine besondere Eigenschaft, da über den Farbort eine Stimmung transportiert werden kann . Der Mensch reagiert über seine Photorezeptoren beispielsweise auf warm-weißes Licht eher relaxierend während kalt-weißes Licht eher seine Konzentration fördert .
Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem
organisch funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen .
Das organisch funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen
elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten
(„Charge generating layer" , CGL } zur
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en ) („e.l ectron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten . Die Leuchtdichte von OLEDs ist unter anderem durch die maximale Stromdichte begrenzt, die durch die Diode fließen kann. Zum Erhöhen der Leuchtdichte einer OLED ist das
Kombinieren von ein oder mehreren OLED aufeinander in Serie bekannt - sogenannte gestapelte/gestackte OLED oder eine Tandem-OLED.
Beim Betrieb können in den roten, grünen und blauen
Emitterschichten (RGB-Emitter) einer weißen OLED
unterschiedliche Alterungsprozesse stattfinden, die eine sichtbare Farbverschiebung bewirken können. Dadurch kann die Betriebsdauer der weißen OLED beschränkt sein oder eine
Korrektur erforderlich sein .
In einem herkömmlichen Verfahren wird, eine organische
Leuchtdiode mit einem Gleichstrom betrieben.
In verschiedenen herkomm1ichen Verfahren werden Leuchtdioden oder organische Leuchtdioden Stromnetz -konform mit einem Wechselstrom angesteuert .
Fig.6 zeigt ein herkömmliches Verfahren zum Betreiben einer Leuchtdioden-Anordnung .
Dargestellt sind zwei baugleiche organische Leuchtdioden 602 , 604 , die antiparallel zueinander geschaltet und mit einer ViechseiStromquelle 606 verbunden sind . Eine der Leuchtdioden 602 , 604 dient im Wechselstrombetrieb für die andere
Leuchtdiode 604 , 602 als Diodengleichrichter . Im
Wechselstrombetrieb emittiert nur eine Leuchtdiode 602 während der positiven Halbwelle und nur die andere
Leuchtdiode 604 während der negativen Halbwelle des
Strompulses . In verschiedenen herkömmlichen Verfahren sind die baugleichen organischen Leuchtdioden 602 , 604 in der
Fläche nebeneinander oder übereinander gestapelt und können beispielsweise blaues Licht emittieren. In einem weiteren herkömmlichen Verfahren wird ein OLED- Stapel (OLED-Stack) mit leitfähigkeitsdotierten
Transportschichten, die aus lateral abwechselnden Bereichen mit in- bzw. nip-Dotierung bestehen, gebildet . Das „p" steht für eine p-dotierte halbleitende Schicht , das „n" für eine n- dotierte halbleitende Schicht und das „i" für eine
eigenleitende Schicht . Das Realisieren dieses Aufbaus ist technisch aufwendig, da die Gefahr der Abreaktion der
reaktiven p- und n-Dotierstoffe besteh . Weiterhin stellt solch ein Aufbau faktisch eine Parallelschaltung von vielen antiparallel geschalteten, nebeneinander liegenden
Leuchtdioden gleicher Emissionswellenlänge dar.
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren werden
unterschiedliche anorganische Leuchtdioden mit
unterschiedlichen Emissionswellenlängen verwendet . In
Abhängigkei von der Schaltung der anorganischen Leuchtdioden kann im CIE-Diagramm ein Farbort zwischen den Farborten der einzelnen Leuchtdioden über die Wechselstromparameter
eingestellt werden. Hierbei werden jedoch immer Leuchtdioden gleicher Emissionswellenlänge für den Wechselstrombetrieb elektrisch antiparallel geschaltet und parallel dazu
Leuchtdioden einer anderen Emissionswellenlänge . Die
Leuchtdioden können beispielsweise von einem Glas umgeben sein.
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren wird eine farblich durchstimmbare OLED mittels invertiert gestapelter OLED- Einheiten ausgebildet . Die OLED weist j edoch lediglich eine OLED-Einheit mit einem fluoreszierenden blauen Emitter und eine weitere OLED-Einheit der OLED in getrennten Schichten einen roten und grünen phosphoreszierenden Emitter auf . Diese OLED-Einheiten sind parallel geschalten und deshalb für einen Wechselstrombetrieb ungeeignet . Für beide OLED-Einheiten sind für eine Farbvariation verschiedene Spannungen erforderlich.
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren werden mehrere nebeneinander liegende , monolithisch gestapelte OLEDs mit Zwischenkontakten ausgebildet. Die gestapelten OLEDs sind parallel geschaltet, beispielsweise i pinip-Konfiguration, und können durch eine äußere Zusammenschaltung zu einem Netz von antiparallelen OLEDs geschalten werden, die dann im
Wechselstrombetrieb betreibbar sind.
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren wird ein
Wechselstrom-Treibermodus für LEDs verwendet , bei dem ein Strang von anorganischen LEDs einer Farbe mit einer in Reihe geschalteten Kapazität oder Spule versehen sind. Durch diese Beschaltung ist ein Tiefpass eingebaut, der bei hohen
Frequenzen diese LEDs ausschaltet, wodurch eine
frequenzabhängige Farbeinstellung des gesamten LED-Systems realisiert wird.
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische Bauelementanordnung, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementanordnung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen
Baue1ementanordnung bereitgestellt , mit denen es möglich ist, elektrisch antiparallel geschaltete organische Leuchtdioden unterschiedlicher Farborte monolithisch zu integrieren und dadurch eine Farbmischung im Wechselstrombetrieb zu
realisieren.
In verschiedenen Ausführungsformen kann eine
optoelektronische Bauelementeanordnung mehrere
optoelektronische Bauelemente aufweisen. Unter einem
optoelektronischen Bauelement kann eine Ausführung eines elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich auf eist . Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Ein optoelektronisches Bauelement , welches zwei flächige, optisch aktive Seiten auf eis , kann beispielsweise
transparent ausgebildet sein, beispielsweise als eine
transparente organische Leuchtdiode .
Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige , optisch inaktive
Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode , die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist .
Ein optoelektronisches Bauelement , welches elektromagnetische Strahlung emittiert, kann in verschiedenen Ausführungsformen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode , als eine organische
elektromagnetische S rahlung emittierende Diode , als ein elektromagnetische Strahlung emit ierender Transistor oder als ein elektromagnetische Strahlung emittierender
organischer Transistor ausgebildet sein.
Die elektromagnetische Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Strahlung und/oder Infrarot-Strahlung sein.
In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode , LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein . Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen
Ausführungsbeis ie1en Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden
Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise elektrisch in Reihe oder parallel geschaltet .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine , ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine , ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine ,
ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden . Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe , beispielsweise einen organischen Stoff , einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff . Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht , deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind . Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybriden
Stoff (en) zu verstehen . Der Begriff „Material " kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann als Farbstoff ein Stoff verstanden werden, der Licht emittieren kann mittels eines Überganges eines Elektrons aus einem ersten energetischen Zustand in einen zweiten energetischen Zustand, wobei der erste energetische Zustand eine größere Energie aufweist als der zweite energetische Zustand, und wobei die Wellenlänge des emittierten Lichts indirekt proportional zu der
Energieänderung des Elektrons zwischen den beiden
energetischen Zuständen ist . In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Farbstoff auch als ein Emitter oder Emittermaterial bezeichnet werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Farbstoff einen organischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sei . In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Farbstoff -Schicht einen Farbstoff aufweisen oder daraus gebildet sein. In einer Ausgestaltung kann eine Farbstoff - Schicht einen oder mehrere unterschiedliche Farbstoffe verteilt in einer Matrix aufweisen. Die Matrix kann
beispielsweise einen organischen Stoff aufweisen,
beispielsweise ein Polymer .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einer Farbe eines Lichtes ein mit der Farbe oder Farbvalenz physiologisch assoziierter Wellenlängenbereich bzw ein entsprechendes
Wellenlängenspektrum einer elektromagnetischen Strahlung und/oder ein Farbton, das heißt ein Farbort , eine Helligkeit und/oder Sättigung; verstanden werden . Im Rahmen dieser
Beschreibung kann unter einer Farbvalenz eine physiologische , farbige Wirkung einer elektromagnetischen Strahlung
verstanden werden . Eine Farbvalenz kann als ein
ununterscheidbarer Bereich an Farborten (Cx, Cy) in einer CIE- Farbnormtafe1 bestimmt werden.
Unter dem Begriff „transluzent" oder „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden
werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist ,
beispielsweise für das von dem lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche , beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann, beispielsweise indem die transluzente Schicht Streuzentren aufweist .
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Für den Fall , dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll , ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist .
In verschiedenen Ausgestaltungen kann die optoelektronische Bauelementeanordnung als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transmittierendes Bauelement ,
beispielsweise eine transparente oder transluzente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden .
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische Bauelementanordnung bereitgestellt , die optoelektronische Bauelementanordnung aufweisend: eine erste organische Leuchtdioden-Struktur, eine zweite organische Leuchtdioden-Struktur und eine Wechse1spannungsque1le oder eine Wechselstromquelle, wobei die erste organische
Leuchtdioden-Struktur eingerichtet ist zu einem Bereitstellen eines Lichtes mit einem ersten Farbort; wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur eingerichtet ist zu einem Bereitstellen eines Lichtes mit einem zweiten Farbort; wobei der erste Farbort und der zweite Farbort unterschiedlich sind; und wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen
Leuchtdioden-Struktur ausgebildet ist ; und wobei die
Wechselspannungsquelle oder die Wechselstromquelle zum
Beströmen der Leuchtdioden-Strukturen eingerichtet ist und derart mit den Leuchtdioden-Strukturen elektrisch verbunden ist , dass bei einer ersten Halbwelle ein Strom durch die erste organische Leuchtdioden-Struktur fließt und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur elektrisch sperrt, und bei einer zweiten Halbwelle ein Strom durch die zweite organische Leuchtdioden-Struktur fließt und die erste organische
Leuchtdioden-Struktur elektrisch sperrt, wobei die erste
Halbwelle eine andere Stromrichtung aufweist als die zweite Halbwelle .
Die Stromrichtung bezieht sich auf die Richtung des
Stromflusses durch das optoelektronische Bauelement .
In einer Ausgestaltung kann die erste organische
Leuchtdioden-Struktur eine erste Elektrode , eine zweite Elektrode und eine erste organisch funktionelle
Schichtenstruktur dazwischen aufweisen, wobei die erste Elektrode eine andere Polarität au weist als die zweite Elektrode .
In einer Ausgestaltung kann die zweite Leuchtdioden-Struktur eine dritte Elektrode , eine vierte Elektrode und eine zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur dazwischen
aufweisen, wobei die dritte Elektrode eine andere Polarität auf eist als die vierte Elektrode . In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode mit der vierten Elektrode körperlich und elektrisch (beispielsweise elektrisch leitend) verbunden sein . Mit anderen Worten : die erste Elektrode und die vierte Elektrode können als ein elektrischer Knoten ausgebildet sein, d.h. im Betrieb ein gleiches elektrisches Potential aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Elektrode mit der dritten Elektrode körperlich und elektrisch (bei pielsweise elektrisch leitend) verbunden sein. Mit anderen Worten: die zweite Elektrode und die dritte Elektrode können als ein elektrischer Knoten ausgebildet sein, d.h. im Betrieb ein gleiches elektrisches Potential aufweisen.
In einer Ausgestaltung kennen die zweite Elektrode und die dritte Elektrode als eine gemeinsame Elektrode ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementeanordnung ferner ein erstes Kontaktpad und ein zweites Kontaktpad aufweisen, wobei die Kontaktpads derart ausgebildet sind, dass die erste organische Leuchtdioden- Struktur und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur mittels der Kontaktpads mit der Wechselstromquelle oder der Wechselspannungsquelle elektrisch verbunden sind. Das erste Kontaktpad kann beispielsweise mit der ersten Elektrode und der vierten Elektrode elektrisch verbunden sein und das zweite Kontaktpad mit der zweiten Elektrode und der dritten Elektrode elektrisch verbunden sein.
In einer Ausgestaltung können die erste organische
Leuchtdioden- Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur eine Stapel -Struktur bilden, wobei die erste
organische Leuchtdioden-Struktur wenigstens teilweise auf der zweiten organischen Leuchtdioden-Struktur ausgebildet ist oder wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur wenigstens teilweise auf der ersten organischen Leuchtdioden- Struktur ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung können/kann die erste Elektrode, die zweite Elektrode , die dritte Elektrode und/oder die vierte Elektrode transparent oder transluzent ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die dritte Elektrode wenigstens als ein Teil der zweiten Elektrode ausgebildet sein oder die zweite Elektrode wenigstens als ein Teil der dritten
Elektrode ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein Teil der ersten Leuchtdioden- Struktur frei von der zweiten Leuchtdioden- Struktur sein, oder wenigstens ein Teil der zweiten
Leuchtdioden- Struktur frei von der ersten Leuchtdioden- Struktur sein .
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Bereich einer organischen Leuchtdioden-Struktur, der frei von einer anderen organischen Leuchtdioden-Struktur ist, auch als ein
strukturierter Bereich verstanden werden . Eine solche
Strukturierung kann zum Ausbilden eines Farbortkontrastes zwischen dem Bereich mit einer organischen Leuchtdioden- Struktur zu dem Bereich mit mehreren organischen
Leuchtdioden- Strukturen im Strahlengang verwendet werden, beispielsweise zur Informationswiedergabe . Eine
Informationswiedergabe kann beispielsweise als Darstellen eines Piktogramms , eines Symbols , eines Ideogramms oder eines Schriftzugs ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der erste Farbort und der zweite Farbort eine unterschiedliche Farbvalenz aufweisen. In einer Ausgestaltung kann die erste organische
Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur jeweils einen Farbstoff zum Erzeugen von Licht aufweisen, wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur einen fluoreszierenden Farbstoff aufweist und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur einen phosphoreszierenden Farbstoff aufweist ; oder wobei die zweite organische
Leuchtdioden- Struktur einen fluoreszierenden Farbstoff aufweist und die erste organische Leuchtdioden- Struktur einen phosphoreszierenden Farbstoff aufweist .
In einer Ausgestaltung können der erste Farbort mit einem blauen Licht und der zweite Farbort mit einem rot -grünen Licht oder einem gelben Licht assoziiert sein.
In einer Ausgestaltung können der zweite Farbort mit einem blauen Licht und der erste Farbort mit einem rot -grünen Licht oder einem gelben Licht assoziiert sein.
In einer Ausgestaltung können die erste organische
Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur derart ausgebildet sein, dass der Farbort des
Lichtes, das aus einem Mischen von erstem Farbort und zweitem Farbort gebildet wird, mit einem kaltweißen Licht oder einem warmweißen Licht assoziiert wird.
In einer Ausgestaltung kann die erste organische
Leuchtdioden- Struktur einen blaues Licht emi tierenden fluoreszierenden Emitter und die zweite organische
Leuchtdioden-Struktur eine gemischten rot-grünes Licht emittierenden phosphoreszierenden Emitter aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Stapel -Struktur einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss auf eisen, wobei die
Anschlüsse zum elektrischen Verbinden der ersten organischen Leuchtdioden- Struktur und der zweiten organischen
Leuchtdioden- Struktur mit der Wechselspannungsquelle oder Wechselstromquelle ausgebildet sind.
In einer Ausgestaltung kann der erste Anschluss mit der ersten Elektrode und/oder der vierten Elektrode elektrisch verbunden sein und der zweite Anschluss mit der zweiten Elektrode und/oder dritten Elektrode elektrisch verbunden sein.
In einer Ausgestaltung kann die erste organische
Leuchtdioden-Struktur eine dotierte pin-Struktur oder eine dotierte nip-Struktur aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die zweite organische
Leuchtdioden-Struktur eine dotierte pin-Struktur oder eine dotierte nip-Struktur aufweisen.
Eine pin-Struktur kann eine Schichtenfolge aufweisen aus einer p-dotierten halbleitenden Schicht, einer eigenleitenden Schicht und einer n-dotierten halbleitenden Schicht. Eine nip-Struktur kann eine zur pin-Struktur invertierte
Schichtenabfolge aufweisen.
In einer Ausgestaltung können die erste organische
Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur elektrisch antiparallel miteinander verbunden sein.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementeanordnung ferner einen Träger aufweisen, wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur und die zweite
organische Leuchtdioden-Struktur auf oder über dem Träger ausgebildet sind.
In einer Ausgestaltung können die erste organische
Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur monolithisch auf oder über dem Träger ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementeanordnung ferner eine wellenlängenkonvertierende Struktur wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten
organischen Leuchtdiode und/oder der zweiten organischen Leuchtdiode aufweisen. In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelernenteanordnung ferner eine Lichtstreuungs-Struktur wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen
Leuchtdiode und/oder der zweiten organischen Leuchtdiode aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens eine optisch aktive Seite der ersten organischen Leuchtdioden-Struktur und/oder der zweiten organischen Leuchtdioden-Struktur strukturierte Bereiche aufweisen, beispielsweise lateral auf einer optisch aktiven Seite angeordnet.
In einer Ausgestaltung können die strukturierten Bereiche der wenigstens einen optisch aktiven Seite eingerichtet sein als Streuzentren, beispielsweise Mikrolinsen, ein optisches
Gitter; eine Spiegelstruktur, beispielsweise einen
photonischen Kristall oder einen Metallspiegel und/oder als eine wenigstens teilweise durchlässige Spiegelstruktur. In einer Ausgestaltung können die strukturierten Bereiche derart ausgebildet sein, dass die strukturierten Bereiche Licht mit einem anderen Farbort bereitstellen als
unstrukturierte Bereiche, beispielsweise zur
Informationswiedergabe. Eine Informationswiedergabe kann beispielsweise als Darstellen eines Piktogramms, eines
Ideogramms oder eines Schriftzugs ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Wechselspannungsquelle oder Wechselstromquelle zum Steuern des zeitlichen elektrischen Stromverlaufes eingerichtet sein, und beispielsweise einen Phasen-Dimmer, einen Pulsmodulator oder einen
Frequenzmodulator aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann der Phasen-Dimmer zu einem
Phasenanschnittsteuern oder einem Phasenabschnittsteuern des elektrischen Stromes durch die erste organische Leuchtdioden- Struktur und/oder durch die zweite organische Leuchtdioden- Struktur eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung kann der Pulsmodulator zu einer
Pulsweitenmodulation oder einer Pulsamplitudenmodulation des elektrischen Stromes durch die erste organische Leuchtdioden- Struktur und/oder durch die zweite organische Leuchtdioden- Struktur eingerichtet sein .
In einer Ausgestaltung kann der Frequenzmodulator zu einem Ändern der Frequenz des elektrischen Wechselstromes durch die erste organische Leuchtdioden- Struktur und/oder durch die zweite organische Leuchtdioden- Struktur eingerichtet sein .
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementeanordnung ferner eine Fotodetektor-Vorrichtung aufweisen, wobei die Fotodetektor-Vorrichtung zum Messen des Farbortes des Lichtes ausgebildet ist , das von der
optoelektronischen Bauelementeanordnung emittiert wird .
In einer Ausgestaltung kann die Fotodetektor-Vorrichtung einen oder mehrere Fotodetektor/en aufweisen, beispielsweise eine oder mehrere Fotodiode (n) .
In einer Ausgestaltung kann die Fotodetektor-Vorrichtung mit der Wechselspannungsquelle oder der Wechselstromquelle gekoppelt sein derart , dass der Wechselstromverlauf oder der Wechselspannungsverlauf anhand des gemessenen Farbortes geändert oder stabilisiert wird.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Baue1ementeanordnung ferner eine Treiberstruktur aufweisen, wobei die Treiberstruktur verbunden ist mit dem ersten
Kontaktpad, dem zweiten Kontaktpad, der Fotodetektor- Vorrichtung und der Wechselstromquelle oder
Wechselspannungsquelle . Die Fotodetektor-Vorrichtung kann ein Mess- Signal bereitstellen, das als ein Eingangssignal an der Treiberstruktur der optoelektronischen Bauelementeanordnung anliegt . Die Treiberstruktur kann zum Regeln des
Wechselstromverlaufs und/oder des WechselSpannungsverlaufs der optoelektronischen Bauelementeanordnung eingerichtet sein. Die Treiberstruktur kann derart eingerichtet sein, dass die Treiberstruktur mittels des Auswertens des Mess-Signals der Fotodetektor-Vorrichtung den Stromverlauf oder den
Spannungsverlauf der Wechselspannungsquelle und/oder
Wechselstromquelle regelt . Dadurch kann der Farbort des
Lichtes in der Bildebene der optoelektronischen
Bauelementeanordnung geändert werden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementeanordnung bereitgestellt , das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer ersten organischen Leuchtdioden- Struktur zum Bereitstellen eines Lichtes mit einem ersten Farbort ; Ausbilden einer zweiten organischen Leuchtdioden-Struktur zum Bereitstellen eines Lichtes mit einem zweiten Farbort , wobei der erste Farbort und der zweite Farbort unterschiedlich sind; und wobei die zweite organische Leuchtdioden- Struktur wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen Leuchtdioden- Struktur ausgebildet wird; Verbinden der Leuchtdioden- Strukturen mit einer Wechselspannungsquelle oder einer
Wechselstromquelle , wobei die Wechselspannungsquelle oder die Wechselstromquelle zum Bestromen der Leuchtdioden- Strukturen eingerichtet ist und derart mit den Leuchtdioden- Strukturen elektrisch verbunden wird, dass bei einer ersten Halbwelle ein Strom durch die erste organische Leuchtdioden-Struktur fließt und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur elektrisch sperrt , und bei einer zweiten Halbwelle ein Strom durch die zweite organische Leuchtdioden-Struktur fließt und die erste organische Leuchtdioden- Struktur elektrisch sperrt , wobei die erste Halbwelle eine andere Stromrichtung aufweist als die zweite Halbwelle .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
organische Leuchtdioden- Struktur mit einer ersten Elektrode , einer zweiten Elektrode und einer ersten organisch
funktionellen Schichtenstruktur dazwischen aufweisend ausgebildet werden, wobei die erste Elektrode eine andere
Polarität aufweist als die zweite Elektrode .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite
Leuchtdioden- Struktur mit einer dritten Elektrode , einer vierten Elektrode und einer zweiten organisch funktionellen Schichtenstruktur dazwischen auf eisend ausgebildet werden, wobei die dritte Elektrode eine andere Polarität aufweist als die vierte Elektrode .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Elektrode und die vierte Elektrode derart ausgebildet v/erden, dass die erste Elektrode mit der vierten Elektrode körperlich und elektrisch (beispielsweise elektrisch leitend) verbunden ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite
Elektrode und die dritte Elektrode derart ausgebildet werden, dass die zweite Elektrode mit der dritten Elektrode
körperlich und elektrisch (beispielsweise elektrisch leitend) verbunden ist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite
Elektrode und die dritte Elektrode als eine gemeinsame
Elektrode ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden eines ersten Kontaktpads und eines zweiten Kontaktpads aufweisen, wobei die Kontaktpads derart ausgebildet werden, dass die erste organische Leuchtdioden- Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur mittels der Kontaktpads mit der Wechselstromquelle oder der Wechselspannungsquelle elektrisch verbunden sind . Das erste Kontaktpad kann beispielsweise mit der ersten Elektrode und der vierten Elektrode elektrisch verbunden sein und das zweite Kontaktpad mit der zweiten Elektrode und der dritten Elektrode elektrisch verbunden sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
organische Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdiode - Struktur als eine Stapel - Struktur ausgebildet werden, wobei die erste organische Leuchtdioden- Struktur wenigstens teilweise auf der zweiten organischen
Leuchtdioden- Struktur ausgebildet wird oder wobei die zweite organische Leuchtdioden- Struktur wenigstens teilweise auf der ersten organischen Leuchtdioden-Struktur ausgebildet wird. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Elektrode, die zweite Elektrode, die dritte Elektrode
und/oder die vierte Elektrode transparent oder transluzent ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die dritte
Elektrode wenigstens als ein Teil der zweiten Elektrode ausgebildet werden, oder die zweite Elektrode wenigstens als ein Teil der dritten Elektrode ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein Teil der ersten Leuchtdioden- Struktur frei von zweiter
Leuchtdioden- Struktur ausgebildet werden, oder wenigstens ein Teil der zweiten Leuchtdioden- Struktur frei von erster
Leuchtdioden- Struktur ausgebildet werde .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Farbort und der zweite Farbort eine unterschiedliche Farbvalenz aufweisen . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
organische Leuchtdioden- Struktur und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur jeweils mit einem Farbstoff zum
Erzeugen von Licht aufweisend ausgebildet werden, wobei die erste organische Leuchtdioden- Struktur mit einem
fluoreszierenden Farbstoff aufweisend ausgebildet wird und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur mit einem phosphoreszierenden Farbstoff aufweisend ausgebildet wird; oder wobei die zweite organische Leuchtdioden- Struktur mit einem fluoreszierenden Farbstoff aufweisend ausgebildet wird und die erste organische Leuchtdioden-Struktur mit einem phosphoreszierenden Farbstoff aufweisend ausgebildet wird. In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die erste organische Leuchtdioden--Struktur und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur derart ausgebildet werden, dass der erste Farbort mit einem blauen Licht und der zweite Farbort mit einem rot-grünen Licht oder einem gelben Licht assoziiert wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
organische Leuchtdioden-Struktur einen blaues Licht
emittierenden fluoreszierenden Emitter und die zweite
organische Leuchtdioden-Struktur einen gemischten rot-grünes Licht emittierenden phosphoreszierenden Emitter aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die erste organische Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur derart ausgebildet werden, dass der zweite Farbort mit einem blauen Licht und der erste Farbort mit einem rot-grünen Licht oder einem gelben Licht assoziiert werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die erste organische Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- truktur derart ausgebildet werden, dass der Farbort des Lichtes, das aus einem Mischen von erstem Farbort und zweitem Farbort gebildet wird, mit einem kaltweißen Licht oder einem warmweißen Licht assoziiert wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Stapel - Struktur aus erster Leuchtdioden-Struktur und zweiter
Leuchtdioden-Struktur einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss aufweisen, wobei die Anschlüsse zum
elektrischen Verbinden der ersten organischen Leuchtdioden- Struktur und der zweiten organischen Leuchtdioden-Struktur mit der Wechselspannungsquelle oder Wechselstromquelle ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
Anschluss mit der ersten Elektrode und/oder der vierten Elektrode elektrisch verbunden ausgebildet werden und der zweite Anschluss mit der zweiten Elektrode und/oder dritten Elektrode elektrisch verbunden ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste organische Leuchtdioden-Struktur eine dotierte pin-Struktur oder eine dotierte nip-Struktur aufweisend ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite organische Leuchtdioden-Struktur eine dotierte pin-Struktur oder eine dotierte nip-Struktur aufweisend ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die erste organische Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur elektrisch antiparallel miteinander verbunden ausgebildet werden, In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Bereitstellen eines Trägers aufweisen, wobei die die erste organische Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur auf oder über dem Träger ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die erste organische Leuchtdioden-Struktur und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur monolithisch auf oder über dem Träger ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer wellenlängenkonvertierenden Struktur wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen Leuchtdiode und/oder der zweiten organischen Leuchtdiode aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Lichtstreuungs-Struktur wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen Leuchtdiode und/oder der zweiten organischen Leuchtdiode aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können/kann wenigstens eine optisch aktive Seite der ersten organischen
Leuchtdioden-Struktur und/oder der zweiten organischen
Leuchtdioden-Struktur strukturierte Bereiche aufweisend ausgebildet werden, beispielsweise lateral auf einer optisch aktiven Seite angeordnet.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
strukturierten Bereiche der wenigstens einen optisch aktiven Seite eingerichtet werden als Streuzentren, beispielsweise Mikrolinsen, ein optisches Gitter; eine Spiegelstruktur, beispielsweise einen photonischen Kristall oder einen
Metallspiegel und/oder als eine wenigstens teilweise
durchlässige Spiegelstruktur .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
strukturierten Bereiche derart ausgebildet werden, dass die strukturierten Bereiche Licht mit einem anderen Farbort bereitstellen als unstrukturierte Bereiche, beispielsweise zur Informationswiedergabe. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Wechselspannungsquelle oder die Wechselstromquelle zum
Steuern des zeitlichen elektrischen Stromverlaufes
eingerichtet sein, beispielsweise einen Phasen-Dimmer, einen Pulsmodulator oder einen Frequenzmodulator aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Phasen-Dimmer zu einem Phasenanschnittsteuern und/oder einem
Phasenabschnittsteuern des elektrischen Stromes durch die erste organische Leuchtdioden-Struktur oder durch die zweite organische Leuchtdioden-Struktur eingerichtet sein .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Pulsmodulator zu einer Pulsweitenmodulation und/oder einer
Pulsamplitudenmodulation des elektrischen Stromes durch die erste organische Leuchtdioden-Struktur oder durch die zweite organische Leuchtdioden-Struktur eingerichtet sein .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
Frequenzmodulator zu einem Ändern der Frequenz des
elektrischen Wechselstromes durch die erste organische
Leuchtdioden- Struktur oder durch die zweite organische
Leuchtdioden-Struktur eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Bereitstellen einer Fotodetektor-Vorrichtung aufweisen, wobei die Fotodetektor-Vorrichtung zu einem Messen des Farbortes des Lichtes eingerichtet ist , das von der Baue1ementeanordnung emittiert wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Fotodetektor- Vorrichtung einen oder mehrere Fotodetektor/en aufweisen, beispielsweise eine Fotodiode .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Fotodetektor- Vorrichtung mit der Wechselspannungsquelle oder der
Wechselstromque11e gekoppelt sein derart , dass der
Wechselstrom oder die WechselSpannung anhand des gemessenen Farbortes geändert wird .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Anlegen eines Wechselstromes und/oder einer Wechselspannung an ein
optoelektronisches Bauelement gemäß einer der oben
beschriebenen Ausgestaltungen; Messen wenigstens einer optoelektronischen Eigenschaft der optoelektronischen Bauelementevorrichtung ; Ändern wenigstens eines
Wechselstromparameters oder wenigstens eines
Wechselspannungsparameters aufgrund der wenigstens einen gemessenen optoelektronischen Eigenschaft.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Wechselstromquelle oder die WechselSpannungsquelle einen Wechselstrom und/oder eine WechselSpannung bereitstellen mit einer Frequenz von größer als ungefähr 30 Hz.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann mittels des
Wechselstroms oder der WechselSpannung der Farbort eines Lichtes eingestellt werden, das aus der Mischung des Anteils des ersten Farbortes mit dem Anteil des zweiten Farbortes gebildet wird, wobei sich der Anteil auf das gesamte, von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellte Licht bezieht .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Halbwelle und/oder die zweite Halbwelle eine der folgenden Formen oder eine Mischform einer der folgenden Formen aufweisen : ein Puls , ein Sinus-Halbwelle , ein Rechteck, ein Dreieck, ein Sägezahn.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die erste
Halbwelle und die zweite Halbwelle asymmetrisch ausgebildet sei »
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Halbwelle einen anderen maximalen Betrag aufweisen als die zweite Halbwelle .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Wechselstrom einen Gleichstromanteil aufweisen, oder die WechselSpannung einen Gleichspannungsanteil aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der maximale Betrag der ersten Halbwelle größer sein als der maximale Betrag der zweiten Halbwelle . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Halbwelle eine andere Pulsweite aufweisen als die zweite Halbwelle .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Halbwelle eine größere Pulsweite aufweisen als die zweite Halbwelle . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
optoelektronische Bauelementevorrichtung einen ersten
Betriebsmodus und wenigstens einen zweiten Betriebsmodus aufweisen, wobei die Betriebsmodi mittels der WechselSpannung oder dem Wechselstrom eingestellt und/oder ausgebildet
werde .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
optoelektronische Bauelementevorrichtung in dem ersten
Betriebsmodus ein Licht mit einer höheren korrelierten
Farbtemperatur bereitstellen als in dem zweiten
Betriebsmodus .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Messen
wenigstens einer optoelektronischen Eigenschaft mittels der Fotodetektor-Vorrichtung ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern
wenigstens eines Wechselstromparameters oder wenigstens eines Wechselspannungsparameters als ein Ausgleich
unterschiedlicher Alterungen der unterschiedlichen Farbstoffe der ersten organischen Leuchtdioden-Struktur und der zweiten organischen Leuchtdioden-Struktur ausgebildet sein. Dadurch kann die Lebenszeit und/oder die FarbortStabilität der optoelektronischen Bauelementeanordnung verlängert werden, da ein phosphoreszierender Farbstoff ei anderes
Alterungsverhalten aufweisen kann als ein fluoreszierender Farbstoff . Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
eine schematische Darstellung einer
optoelektronischen Bauelementeanordnung , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figur 2a, b schematische Darstellungen verschiedener
Ausführungsbeis iele optoelektronischer
Bauelementeanordnungen; schematische Darstellungen verschiedener Ausführungsbeispiele optoelektronischer
Bauelementeanordnungen;
Figur 4a, b schematische Darstellungen verschiedener
Ausführungsbeispiele optoelektronischer
Bauelementeanordnungen ;
Figur 5a, b schematische Darstellungen eines Verfahrens zum Betreiben einer optoelektronischen
Bauelementeanordnung , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ;
Figur 6 ein herkömmliches Verfahren zum Betreiben
einer Leuchtdioden-Anordnung . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten" , „vorne", „hinten" , „vorderes" , „hinteres", usw.. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur {en) verwendet . Da
Komponenten vo Ausführungs ormen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert v/erden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweiche . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
Fig.1 zeigt eine schematische Darstellung einer
optoelektronischen Bauelementeanordnung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
Dargestellt ist ein organisches optoelektronisches Bauelement 100 als ein Ausführungsbeispiel einer optoe1ektronischen Bauelementeanordnung mit einer ersten organischen
Leuchtdioden- Struktur 102 und einer zweiten organischen
Leuchtdioden- Struktur 104 , die derart ausgebildet sind, dass sie antiparallel zueinander mit einer Wechselstromquelle 106 oder einer Wechselspannungsquelle 108 elektrisch verbunden sind. Die organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 sind derart elektrisch miteinander verbunden hinsichtlich der an das organische optoelektronische Bauelement 100 angelegten Wechselspannung oder des an das organische optoelektronische Bauelement 100 angelegten Wechselstromes, dass bei einer ersten Halbwelle einer WechselSpannung oder eines Wechselstromes, beispielsweise einer positiven Halbwelle, ein Strom durch die erste organische Leuchtdioden-Struktur 102 fließt und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur 104 elektrisch sperrt, und bei einer zweiten Halbwelle,
beispielsweise einer negativen Halbwelle, ein Strom durch die zweite organische Leuchtdioden-Struktur 104 fließt und die erste organische Leuchtdioden-Struktur 102 elektrisch sperrt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste
organische Leuchtdioden-Struktur 102 und die zweite
organische Leuchtdioden-Struktur 104 derart ausgebildet, dass sie Licht unterschiedlicher Farborte emittieren, In einem Ausführungsbeispiel können sich die beiden Farborte derart unterscheiden, dass die beiden Farborte mit unterschiedlichen Farbvalenzen assoziiert werden, beispielsweise einem blauen Licht und einem grünen Licht, oder beispielsweise mit einem blauen Licht und einem grün- oten Licht. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Mischwelle und/oder eine Wechselwelle beispielsweise eine Mischspannung, eine Wechselspannung, ein Mischstrom oder ein Wechselstrom sein oder aufweisen. Eine Wechselwelle ist dabei ein
Spezialfall eine Mischwelle, bei der der zeitlich konstante Anteil, beispielsweise der Gleichspannungsanteil oder der Gleichstromanteil, null beträgt.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Mischwelle positive und/oder negative Halbwellen aufweisen. Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine positive Halbwelle den Teil einer Mischwelle aufweisen, deren Wert als Funktion der Zeit größer als Null ist; und eine negative Halbwelle den Teil einer Mischwelle aufweisen, deren Wert als Funktion der Zeit kleiner als Null ist. Das zeitliche Verhältnis von positiver Halbwelle zu negativer Halbwelle, d.h. der relative Anteil von positiver Halbwelle an der Mischwelle zu dem relativen Anteil der negativen Halbwelle einer Mischwelle, kann einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0% bis 100 % aufweisen. Mit anderen Worten: eine Mischwelle kann rein positiv, rein negativ oder positive Werte und negative Werte in beliebigen Mischungsverhältnissen aufweisen, beispielsweise kann eine positive Halbwelle einen Anteil an der Mischwelle von 70 % aufweisen während die negative Halbwelle einen Anteil an der Mischwelle von 30 % aufweist .
Eine positive und/oder negative Halbwelle kann in
verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Form aufweisen ähnlich einer geometrischen Halbwelle , beispielsweise einer halben Periode einer Sinuswelle, eines Sägezahn-Verlaufes , eines Rechteck-Verlaufes , eines Dreieck-Verlaufes ; oder beispielsweise in Form eines Pulses oder Peaks ,
beispielsweise Gauß- förmig, Lorenz - förmig oder eine ähnliche Peak-artige Form ; beispielsweise ähnlich einer
gleichgerichteten WechselSpannung . Weitere
Ausführungsbeispiele sind Fig .5 dargestellt .
Fig.2a, b zeigen schematische Darstellungen verschiedener Ausführungsbeispiele optoelektronischer
Bauelementeanordnungen .
Dargestellt in Fig .2a und Fig .2b sind Ausführungsbeispiele vertikal gestapelter Leuchtdioden-Strukturen 102 , 104 , wobei die Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 Licht mit
unterschiedlichem Farbort emittieren, beispielsweise kann die erste organische Leuchtdioden- Struktur 102 ein rot -grünes Licht emittiert und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur 104 ein blaues Licht emittiert . Fig.2a zeigt in Wachstumsrichtung pin-pin-Übergänge , während bei dem
Ausführungsbeispiel in Fig .2b diese Übergänge invertiert ausgebildet sind (nip-nip) .
Dargestellt sind: eine Stapel -Struktur 230 mit einer ersten organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 und einer zweiten organischen Leuchtdioden- Strukturen 104 , die auf oder über einen gemeinsamen Träger 202 ausgebildet sind . Der Träger 202 kann beispielsweise als ein Trägereleraent für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 202 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 202 eine
Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der
Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) } aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 202 kann eines oder mehrere der oben
genannten Stoffe aufweisen.
Der Träger 202 kann ein Metall oder eine Metall erbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches .
Ein Träger 202 aufweisend ein Metall oder eine
Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein.
Der Träger 202 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Auf oder über dem Träger 202 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht
angeordnet sein (nicht dargestellt) . Die Barriereschicht kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid , Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben . Ferner kann die
Barriereschicht in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis ungef hr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können auf oder über der Barriereschicht {oder, wenn die Barriereschicht nicht vorhanden ist , auf oder über dem Träger 202 ) die erste organische Leuchtdioden-Struktur 102 und die zweite
organische Leuchtdioden-Struktur 104 angeordnet sein. Die erste organische Leuchtdioden- Struktur 102 kann eine erste Elektrode 204 und eine zweite Elektrode 212 aufweisen, wobei zwischen den Elektroden 204 , 212 eine erste organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 ausgebildet ist . Die erste Elektrode 204 kann beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 204 aufgebracht sein. Die erste Elektrode 204 kann aus einem elektrisch leitf higen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem
Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid {transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs .
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe , beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise
Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder ln203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AIZnO, Zn2Sn0 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204, Galn03 , Zn2In205 oder In4Sn3012 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden . Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 204 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen,
Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe, beispielsweise MgAg .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 204 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 204 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlensto f- Nanoröhren; Graphen-Tei1chen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 204 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 204 und der Träger 202 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall , dass die erste Elektrode 204 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode 204 beispielsweise eine Schichtdicke, aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm . Weiterhin kann die erste Elektrode 204
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 204 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 204 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 204 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall , dass die erste Elektrode 204 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren
kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff - NanorÖhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 204 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungef hr 250 nm.
Die erste Elektrode 204 kann als Anode , also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninj izierende Elektrode .
Die erste Elektrode 204 kann einen ersten elektrischen
Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist . Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 202 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 204 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes
vorgegebenes Bezugspotential sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 eine oder mehrere erste Emitterschicht (en) 208 aufweisen, die zwischen einer ersten p-dotierten Lochinj ektionsschicht 206 und einer ersten n-dotierten Elektroneninjektionsschicht 210
ausgebildet ist . Die Emitterschichten 208 können
beispielsweise fluoreszierende und/oder phosphoreszierende Emitter aufweisen. Eine Elektroneninj ektionsschicht 210 kann auch als ElektronentransportSchicht oder Lochblockadeschicht bezeichnet werden, wobei eine Elektroneninj ektionsschicht 210 mehrere unterschiedliche Teilschichten aufweisen kann. Eine Lochinj ektionsschicht 206 kann auch als LochtransportSchicht oder Elektronenblockadeschicht bezeichnet v/erden, wobei eine Lochinj ektionsschicht 206 mehrere unterschiedliche
Teilschichten aufweisen kann.
Beispiele für Emittermaterialien, die in der
optoelektronischen Bauelementeanordnung 100 gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen für die
Emitterschicht (en) 208 eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen , wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2 - oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie
Metallkomplexe, beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- (2- pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III) , grün
phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris { 2 -phenylpyridin) iridium III) , rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)
(Tris [4,4' -di-tert-butyl- (2,2' ) - bipyridin] ruthenium ( III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4 -Bis [4 - (di -p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA (9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) - amino] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 ( 4 - Dicyanomethylen) -2-methyl- 6 -julolidyl- 9-enyl- 4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 208 des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 208 kann/können mehrere verschiedenfarbig {zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 208 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 208 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 208 , einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 208 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 208. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung der ersten organischen Leuchtdioden- Struktur und/oder der zweiten organischen Leuchtdioden- Struktur zumindest teilweise absorbiert und eine
SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere , organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle {„small molecules" ) oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen . Beispielsweise kann die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als LochtransportSchicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird .
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
ElektronentransportSchicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Als Stoff für die LochtransportSchicht können beispielsweise tertiäre Amine , Carbazolderivate , leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochinj ektionsschicht 206 auf oder über der ersten Elektrode 204 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 208 kann auf oder über der
Lochinjektionsschicht 206 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Elektroneninj ektionsschicht 210 auf oder über der Emitterschicht 208 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 (also
beispielsweise die Summe der Dicken von Lochinj ektionsschicht (en) 206 und Emitterschicht (en) 208 und
Elektroneninjektionsschicht (en) 210) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 1 , 2 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 beispielsweise einen Stapel von
mehreren direkt übereinander angeordneten organischen
Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei j ede OLED
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1 , 5 μνη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organisch funktionelle Schichtenstruktur 226 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μτη.
Die optoelektronische Bauelementeanordnung 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten,
beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 208 oder auf oder über der oder den Elektroneninjektionsschicht (en) 210 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz der
optoelektronischen Bauelementeanordnung 100 weiter zu
verbessern. Auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur 226 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organisch funktionellen Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 212 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 212) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 212 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 204 , wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders
geeignet sind.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 212 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 212) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 212 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 204 , oder unterschiedlich zu dieser . Die zweite Elektrode 212 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Stoffe und mit der j eweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 204 beschrieben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 204 und die zweite Elektrode 212 beide transluzent oder transparent ausgebildet . Somit kann die dargestellte optoelektronische Bauelementeanordnung 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100) ausgebildet sein .
Die zweite Elektrode 212 kann als Anode , also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 212 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der Energiequelle 106/108, anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die
Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,7 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2 V bis ungefähr 12 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 212 kann die zweite organische Leuchtdioden-Struktur 104 ausgebildet sein. Die zweite organische Leuchtdioden-Struktur 104 kann eine dritte Elektrode und eine vierte Elektrode 220 aufweisen, wobei zwischen der dritten Elektrode und der vierten Elektrode 220 eine zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur 228 ausgebildet ist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode und die dritte Elektrode als eine gemeinsame
Elektrode 212 ausgebildet sein (dargestellt) .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite organische Leuchtdioden- Struktur 104 wenigstens teilweise auf oder über der ersten Leuchtdioden- Struktur 102 ausgebildet sein (dargestellt) , oder die erste organische Leuchtdioden- Struktur 102 wenigstens teilweise auf oder über der zweiten Leuchtdioden-Struktur 104 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die gemeinsame Elektrode 212 auch als Zwischenelektrode bezeichnet werden . Die Zwischenelektrode 212 kann transparent oder transluzent ausgebildet sein. Die Zwischenelektrode 212 kann aus einem optisch transmittierenden, elektrisch leitfähigen Material gebildet sein oder ein solches aufweisen . Beispielsweise kann die Zwischenelektrode 212 ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid (transparent conducting oxide - TCO) oder eine dünne Metallschicht aufweisen . Eine dünne Metallschicht 212 als Zwischenelektrode 212 kann beispielsweise einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Silber, Gold, Platin, Palladium, Kupfer, Aluminium, Magnesium, Chrom, beispielsweise MgAg . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Zwischenelektrode 212 eine elektrisch leitfähige Kohlensto f erbindung aufweisen, die sich mittels einer hohen elektrischen Leitf higkeit und einer hohen Transmittivität auszeichnet , beispielsweise ein elektrisch leitfähiges
Polymer, Graphit , Graphen, Kohlenstoffnanoröhrchen,
beispielsweise mit einer Wand ( Single wall carbon nanotube - SWCNT) oder mit mehreren Wänden (multi wall carbon nanotube - MWC T) , beispielsweise funktionalisierte
Kohlenstoffnanoröhren, mit chemisch funktionalen Gruppen an der Oberfläche der Kohlenstoff anoröhren, beispielsweise Phenyl -Gruppen oder Alky1 -Gruppen aufweisend . Die Zwischenelektrode 212 kann eine Dicke in einem Bereich von ungef hr 1 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 2 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 nm bis ungefähr 20 nm
aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur 228 eine zweite
Emitterschicht 216 aufweisen, die zwischen einer zweiten p- dotierten Lochin ektionsschicht 214 und einer zweiten n- dotierten Elektroneninjektionsschicht 218 ausgebildet ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur 228 ähnlich der ersten organisch funktionellen Schichtenstruktur 226
ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite n- dotierte Elektroneninj ektionsschicht 218 ähnlich einer der Ausgestaltungen der ersten n-dotierten Lochinj ektionsschicht 210 ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Emitterschicht 208 und die zweite EmitterSchicht 216 jeweils einen Farbstoff zum Erzeugen von Licht aufweisen, wobei die erste Emitterschicht 208 einen fluoreszierenden Farbstoff aufweist und die zweite Emitterschicht 216 einen
phosphoreszierenden Farbstoff aufweist ; oder wobei die zweite Emitterschicht 216 einen fluoreszierenden Farbstoff aufweist und die erste Emitterschicht 208 einen phosphoreszierenden Farbstoff aufweist . In einem Ausführungsbeispiel kann die erste organische Leuchtdioden- Struktur 102 in der ersten Emitterschicht 206 einen rot -grünen phosphoreszierenden
Farbstoff aufweisen und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur 104 in der zweiten Emitterschicht 216 einen blau fluoreszierenden Farbstoff aufweisen .
In einem Ausführungsbeispiel kann der rot -grün
phosphoreszierende Farbstoff in einer Emitterschicht 208 , 216 gemischt sein oder die roten und grünen emittierenden
Farbstof e in separaten einfarbigen Teilschichten verteilt sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite p- dotierte Lochinj ektionsschicht 214 ähnlich einer der
Ausgestaltungen der ersten p-dotierten Lochinjektionsschicht 206 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die vierte
Elektrode 220 ähnlich einer der Ausgestaltungen der zweiten Elektrode oder dritten Elektrode ausgebildet sein,
beispielsweise eine MgAg Legierung aufweisen oder daraus gebildet sein.
Der Übergang von n-dotierten Gebieten zu p-dotierten Gebieten mit einer Zwischenelektrode, beispielsweise MgAg aufweisend, kann eine stabile Ladungsträgerpaarerzeugungs-Schichtstruktur {Charge generation layer - CGL) sein. Mittels einer
monolithischen, vertikalen Stapelung von zwei oder mehr organischen Leuchtdioden-Strukturen 102, 104 mit
unterschiedlicher Emissionswellenlänge kann mittels
Kontaktierens der zweiten Elektrode und vierten Elektrode, beispielsweise in Form der gemeinsamen Elektrode 212 zwischen den organischen Leuchtdioden-Strukturen 102, 104, und der ersten Elektrode 204 und/oder vierten Elektrode 220 eine Antiparallel-Schaltung realisiert werden. Die erste Elektrode 204 und die vierte Elektrode 220 können zusätzlich elektrisch miteinander verbunden sein, beispielsweise lateral
hinsichtlich der Stapel-Struktur 230, Mit diesem Aufbau kann ein Wechselstrom-Betrieb möglich sein, wobei die organischen Leuchtdioden-Strukturen 102, 104 abwechselnd Licht emittieren bzw. den Strom sperren. Bei Frequenzen über ungefähr 30 Hz kann für das menschliche Auge kein Flackern mehr erkennbar sein. Bei Kombination von einer blau emittierenden
organischen Leuchtdioden-Struktur (blaue organische
Leuchtdioden-Struktur) und einer rot-grün emittierenden organischen Leuchtdioden-Struktur (rot-grünen organischen Leuchtdioden-Struktur) kann ein weißes Licht emittiert werden.
Der Farbpunkt des Lichtes, das von der optoelektronischen Bauelementeanordnung in deren Bildebene bereitgestellt wird, kann über die Wechselstrom-Betriebsparameter eingestellt werden. Dadurch können die verschieden farbigen organischen Leuchtdioden-Strukturen 102, 104 unterschiedlich stark getrieben werden und ihr j eweiliger Beitrag zur gesamten Lichtemission verändert werden.
Auf oder über der vierten Elektrode 220 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich kann optional noch eine Verkapselung , beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung gebildet werden oder sein . Unter einer „Barrierendünnschi cht" bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" kann im Rahmer. dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen
Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht derart ausgebildet, dass sie von OLED- schädigenden Stof en wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt , als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Barrierendünnschicht als SchichtStapel (Stack) ausgebildet sein. Die
Barrierendünnschicht oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition ( PEALD) ) oder eines
plasmalosen Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma- less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahre .
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht , die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden . Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden .
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht , die mehrere Teilschichten aufweist , eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die Barrierendünnschicht kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht mehrere Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht unterschiedliche Schichtdicken
aufweisen . Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten . Die Barrierendünnschicht oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht ) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem
Stoffgemisch, das transluzent oder transparent ist) bestehen. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von
Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein : Aluminiumoxid, inkoxid,
Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid , Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indium inkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht oder ( im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung (beispielsweise eine Glasabdeckung , eine
Metallfolienabdeckung, eine abgedichtete Kunststoff folien- Abdeckung ) auf der Barrierendünnschicht befestigt ,
beispielsweise aufgeklebt ist . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack eine Schichtdicke von größer als 1 μτ aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μτα. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations -Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein .
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht ) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als Iichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Ξ1Ο2), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrÜ2 ) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der vierten Elektrode 220 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μτη, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μπι, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung . Ein solcher Klebstof kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1, 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff
verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung, beispielsweise aus Glas , mittels
beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht aufgebracht werden.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung, beispielsweise aus Glas , beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal giass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der Barrieredünnschicht aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung und/oder der Klebstoff einen Brechungsindex
(beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung,
beispielsweise der Barrierendünnschicht) in der
optoelektronischen Bauelementeanordnung 100 vorgesehen sein .
Fig.3a, b zeigen schematische Darstellungen verschiedener Ausführungsbeispiele optoelektronischer
Bauelementeanordnungen . Dargestellt ist in Fig.3a schematisch eine Schnittebene und in Fig. 3b eine schematische Querschnittsansicht eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen
Bauelementeanordnung 100, beispielsweise gemäß einer
Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.1 oder Fig.2.
Fig.3a, b zeigt eine großflächige organische Leuchtdiode mit einer Stapelstruktur mit einer rot-grünes Licht emittierenden organischen Leuchtdioden-Struktur und einer blaues Licht emittierenden organischen Leuchtdioden-Struktur. Die beiden Leuchtdioden-Strukturen 102, 104 können in der Ebene an ungefähr derselben Stelle auf oder über dem Träger 202 ausgebildet sein, aber in vertikaler Richtung um einen
Abstand von beispielsweise weniger als ungefähr 1 μτη
voneinander versetzt über dem Träger 202 ausgebildet sein .
In Fig.3a ist dargestellt : die Zwischenelektrode 212 auf oder über der ersten Elektrode 204 auf oder über dem Träger 202 , wobei die Zwischenelektrode 212 mit dem Anschluss 224
elektrisch verbunden ist und die erste Elektrode 204 mit dem elektrischen Anschluss 222 elektrisch verbunden ist . Die erste Elektrode 204 und die Zwischenelektrode 212 sind derart ausgebildet , dass sie elektrisch kontaktiert werden können ohne dass es zu einem elektrischen Kurzschluss kommt ,
beispielsweise indem die erste Elektrode 204 und die
Zwischenelektrode 212 an unterschiedlichen Seiten des Trägers 202 mittels Kontaktpads 304 , 306 elektrisch kontaktiert werden, beispielsweise indem sich die Elektroden
unterschiedlicher Polarität kreuzförmig überlappen und elektrisch voneinander isoliert sind (dargestellt in Fig.3b) .
Fig .3B zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Bauelerne tanordnung 100 ähnlich einer der Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig . 1 oder Fig.2a, b .
Dargestellt ist , wie die vierte Elektrode 220 elektrisch und körperlich (beispielsweise elektrisch leitend) mit der ersten Elektrode 204 verbunden ist. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die vierte Elektrode 220 die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur 228, die dritte Elektrode und zweite Elektrode, beispielsweise in Form der Zwischenelektrode 224, und die erste organisch
funktionelle Schichtenstruktur 226 wenigstens teilweise umgeben, wobei die vierte Elektrode von diesen Schichten elektrisch isoliert ist mittels einer elektrischen Isolierung 302
Die elektrische Isolierung 302 kann derart eingerichtet sein, dass ein Stromfluss zwischen zwei elektrisch leitfähigen Bereichen, beispielsweise zwischen der vierten Elektrode 220 und der Zwischenelektrode 212 verhindert wird.
Der Stoff oder das Stoffgemisch der elektrischen Isolierung 302 kann beispielsweise ein Überzug oder ein
Beschichtungsmittel , beispielsweise ein Polymer und/oder ein Lack sein. Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in puiverförmiger Form aufbringbaren BeschichtungsStoff aufweisen, beispielsweise ein Polyimid aufweisen oder daraus gebildet sein, Die elektrischen Isolierungen 302 können beispielsweise mittels eines Druckverfahrens aufgebracht oder ausgebildet werden, beispielsweise strukturiert. Das
Druckverfahren kann beispielsweise einen Tintenstrahl-Druck (Inkjet-Printing) , einen Siebdruck und/oder ein Tampondruck (Pad-Printing) aufweisen.
Die elektrische Kontaktierung der Stapel-Struktur 230 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen am geometrischen
Randbereich, beispielsweise im optisch inaktiven Randbereich, des Trägers 202 in Form von Kontaktpads 306 ausgebildet sein.
Mit anderen Worten: Im geometrischen Randbereich kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet sein, dass Kontaktpads zum elektrischen Kontaktieren des
optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sind
(dargestellt in Fig.3a), beispielsweise indem elektrisch leitfähige Schichten, beispielsweise Elektroden 204, 212 im Bereich der Kontaktpads 304 , 306 wenigstens teilweise
freiliegen (nicht dargestellt) . Ein Kontaktpad 304 , 306 kann elektrisch und/oder körperlich (beispielsweise elektrisch leitend) verbunden sein mit einer der Elektroden 204 , 212 , 220 der organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104. Ein Kontaktpad 304 , 306 kann j edoch auch als ein Bereich einer Elektrode 204 , 212 , 220 eingerichtet sein.
Die Kontaktpads 304 , 306 können als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich einer der
Elektroden 204 , 212 , 220 gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig .1 aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise als eine MetallSchichtenstruktur mit
wenigstens einer Chrom-Schicht und wenigstens einer
Aluminium-Schicht , beispielsweise Chrom-Aluminium-Chrom (Cr- Al-Cr) .
Fig.4a, b zeigen schematische Darstellungen verschiedener Ausführungsbeispiele optoelektronischer
Bauelementeanordnungen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste organische Leuchtdioden-Struktur 102 und die zweite
organische Leuchtdioden-Struktur 104 eine Stapel -Struktur 230 bilden, wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur an 102 wenigstens teilweise auf der zweiten organischen
Leuchtdioden-Struktur 104 ausgebildet ist (nicht dargestellt) oder wobei die zweite organische Leuchtdioden- Struktur 104 wenigstens teilweise auf der ersten organischen Leuchtdioden- Struktur 102 ausgebildet ist . In einem Ausführungsbeispiel (dargestellt in Fig. 4a, b) kann wenigstens ein Teil oder ein Bereich der ersten Leuchtdioden-Struktur 102 frei von zweiter Leuchtdioden-Struktur 104 sein. In einem anderen
Ausführungsbeispie1 (nicht dargestellt) kann wenigstens ein Teil der zweiten Leuchtdioden- Struktur 104 frei von erster Leuchtdioden- Struktur 102 sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die dritte Elektrode wenigstens als ein Teil der zweiten Elektrode ausgebildet sein oder die zweite Elektrode wenigstens als ein Teil der dritten
Elektrode ausgebildet sein. Mit anderen Worten: die erste organische Leuchtdioden-Struktur 102 und die zweite
organische Leuchtdioden-Struktur 104 können sich wenigstens teilweise eine gemeinsame Elektrode teilen, wobei ein Teil der gemeinsamen Elektrode frei von wenigstens einer der organischen Leuchtdioden-Strukturen 102 , 104 sein kann
(dargestellt in Fig.4b) . Die organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 können Licht mit unterschiedlichen
Farborten bereitstellen, die unterschiedlichen Farbvalenzen zugeordnet werden können .
Fig. a, b kann beispielsweise in unterschiedlichen
schematischen Ansichten ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Bauelementeanordnung zeigen, in dem teilflächig eine zweite gelbes Licht emittierende organische Leuchtdioden-Struktur 10 , 402 auf oder über einer ersten ganzflächigen rotes Licht emittierenden organischen
Leuchtdioden-Struktur 102 , 406 gestapelt ausgebildet ist, wobei ein Teil der gemeinsamen Elektrode 212 auf oder über der ersten organischen Leuchtdioden-Struktur 102 frei von zweiter organischer Leuchtdioden-Struktur 104 ist .
Auf diese Weise kann nebeneinander ein rotleuchtender Bereich 406 und ein gelbleuchtender Bereich 402 ausgebildet werden, sowie ein Bereich mit einer Lichtmischung aus rotem und gelbem Licht . In einem Anwendungsbeis ie1 kann solch eine monolithische Leuchtdiode 100 Teil der Beleuchtung eines Fahrzeuges sein, beispielsweise als Rücklicht und Blinker in einem Auto, bei einer leicht abweichenden Architektur (nicht dargestellt) als Top- bzw. Bottom-Emitter .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
optoelektronische Bauelementeanordnung als ein effizienter Flächenstrahler ausgebildet werden, wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur 102 und/oder die zweite organische Leuchtdioden-Struktur 104 strukturiert sein können, beispielsweise flächig strukturiert. Mittels eines unterschiedlichen lateralen Strukturierens der ersten
organischen Leuchtdioden-Struktur 102 und/oder der zweiten organischen Leuchtdioden-Struktur 104 können Bereiche mit unterschiedlichen Emissionswellenlängen in der
optoelektronischen Bauelementeanordnung ausgebildet und betrieben werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
organische Leuchtdioden-Struktur 102 hinsichtlich der zweiten organischen Leuchtdioden-Struktur 104 derart strukturiert werden, dass mittels der Strukturierung ein Farbkontrast und/oder ein Helligkeitskontrast ausgebildet wird, mittels dessen eine Information dargestellt werden kann,
beispielsweise ein Piktogramm, ein Ideogramm oder ein
Schriftzug . Fig.5a, b zeigen schematische Darstellungen eines Verfahrens zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementeanordnung , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
Fig.5a zeigt schematisch ein Ausführungsbeispielen eines Verfahrens zum Betreiben einer optoelektronischen
Bauelementeanordnung , das relativ zueinander ein leichtes Einstellen der zeitlich gemittelten Intensitäten der
organischen Leuchtdioden-Strukturen 102 , 104 gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig.l bis Fig.4 erlaubt .
Dargestellt ist ein Wechselstromverlauf mit einer Stromstärke 504 als Funktion der Zeit 502 , die von einer
Wechselstromquelle 106 oder einer Wechselspannungsquelle 108 zum Betreiben der organischen Leuchtdioden-Strukturen 102 , 104 bereitgestellt wird (siehe Fig.l) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Wechselstromquelle 106 oder die Wechselspannungsquelle 108 einen Wechselstromverlauf bereitstellen, der eine erste
Halbwelle und eine zweite Halbwelle aufweist, wobei die erste Halbwelle eine andere Stromrichtung aufweist als die zweite Halbwelle .
Im Rahmen dieser Beschreibung bezeichnet eine Halbwelle den Halbraum eines Wechselstromverlaufes oder eines
Wechselspannungsverlaufes . Mit anderen Worten: eine Halbwelle soll das Vorzeichen oder den Quadranten in einem kartesische Koordinatensystem bezeichnen, indem ein Wechselstromverlauf oder ein Wechselspannungsverlauf als Funktion der Zeit dargestellt ist . Eine Kalbwelle ist im Rahmen dieser
Beschreibung nicht im Sinne einer halben Periode einer geometrischen Funktion zu verstehen, beispielsweise der Anteil eines Wechselstromverlaufes oder eines
Wechselspannungsverlaufes nach halber Wiederholungszeit. Mit anderen Worten: das „Halb-" einer Halbwelle bezieht sich auf die Stromrichtung oder die Spannungsrichtung eines
Wechselstromverlaufes oder eines Wechselspannungsverlaufes und nicht auf die Zeit . Eine Halbwelle kann auch als ein Puls , beispielsweise ein Strompuls oder ein Spannungspuls , in eine Stromrichtung oder Spannungsrichtung bezeichnet werden. Ein Puls kann beispielsweise eine der folgenden Formen oder eine Mischform der folgenden Formen aufweisen : Sinus - Halbwelle , Gauß' förmiger Peak, Lorentz ' förmiger Peak, Dirac- förmiger Peak, ein Rechteck, eine Sägezahn, ein Dreieck . In verschieden Ausführungsbeispielen kann ein
Wechselstromverlauf oder ein Wechselspannungsverlauf mehr erste Halbwellen als zweite Halbwellen aufweisen,
beispielsweise indem mehrere erste Halbwellen aufeinander folgen, bevor eine zweite Halbwelle folgt . Dadurch kann beispielsweise eine der organischen Leuchtdioden-Struktur häufiger bestromt werden als die andere . Dadurch kann beispielsweise der Farbort und/oder die Helligkeit des Lichtes in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementeanordnung eingestellt werden.
Dargestellt ist ein Wechselstromverlauf mit einer ersten Halbwelle 516 und einer zweiten Halbwelle 518 , wobei in dem Ausführungsbeispiel die erste Halbwelle 516 mit einer positiven Stromrichtung assoziiert ist und die zweite
Halbwelle 518 mit einer negativen Stromrichtung assoziiert ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen beströmt die erste Halbwelle 516 die erste organische Leuchtdioden- Struktur 102 und die zweite Halbwelle 518 die zweite
organische Leuchtdioden-Struktur 104 {siehe Fig.1) .
Die positive Halbwelle 516 weist als Betrag eine erste maximale Stromstärke 506 auf und die negative Halbwelle 518 als Betrag eine zweite maximale Stromstärke 508.
Der maximale Betrag der Stromstärken 506, 508 kann gleich (dargestellt in Fig.5b) oder unterschiedlich (dargestellt in Fig.5a) sein . Ein Wechselstromverlauf mit unterschiedlichen maximalen Stromstärken 506 , 508 kann anschaulich
beispielsweise mittels eines Vorspannens einer der
organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 mit einer Gleichspannung und einem zusätzlich Anlegen eines
Wechselstromes erzeugt werden.
Ein Stromverlauf der einen Gleichstromanteil und einen Wechselstromanteil aufweist , kann auch als Mischstrom bezeichnet werden. Ein Spannungsverlauf der einen Gleichspannungsanteil und einen Wechselspannungsanteil aufweist , kann auch als
Mischspannung bezeichnet werden .
Eine gleichgerichtete WechselSpannung kann beispielsweise einen Wechselstrom erzeugen, der entweder nur erste
Halbwellen oder nur zweite Halbwellen aufweist , wobei eine vorgespannte , gleichgerichtete Wechse1Spannung auch eine erste Halbwelle und eine zweite Halbwelle aufweisen kann. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Halbwelle 516 , 518 eine Form ähnlich der folgenden Formen aufweisen: eine geometrische Halbwelle, beispielsweise eine Sinus - Halbwelle ; ein Rechteck, ein Dreieck, ein Sägezahn, ein Peak, beispielsweise Gauß- förmig, Lorentz -förmig, Dirac-förmig oder eine ähnliche Peak-Form . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können die erste Halbwelle und die zweite Halbwelle die gleiche Form oder unterschiedliche
Formen aufweisen . Halbwellen mit gleicher Form können in anderen Eigenschaften, beispielsweise der Pulsweite , dem Betrag der maximalen Stromstärke und/oder dem Betrag der maximalen Spannung , gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Halbwelle 516 eine erste Pulsweite 512 und die zweite
Halbwelle 518 eine zweite Pulsweite 514 auf eisen, wobei die Pulsweiten gleich (dargestellt in Fig.5a) oder
unterschiedlich (dargestellt in Fig.5b) sein können.
Der Wechselstromverlauf kann derart eingerichtet sein, dass die Halbwellen 516 , 518 eine Periodizität 510 aufweisen, sodass sich die Halbwellen 516 , 518 periodisch mit der Zeit in dem Wechselstromverlauf wiederholen können .
Mit anderen Worten: in dem Ausführungsbeispiel in Fig.5a werden die organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 mit ungefähr derselben Pulslänge 512, 514 betrieben . Die
Leuchtdichte des Lichtes , welches von den organischen
Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 emittiert wird, kann über die Strompulshöhe 506 , 508 , d.h. dem Betrag der Stromstärken der Halbwellen, eingestellt werden (Pulsamplitudenmodulation, PAM) , wobei die organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 in diesem Ausführungsbeispiel derart ausgebildet sind, dass die Leuchtdichte proportional zur Stromstärke ist , mit dem die organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 beströmt werde . In dem Ausführungsbeispiel in Fig.5b werden die organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 146 mit ungefähr derselben
Strompulshöhe 506 , 508 betrieben . Die Leuchtdichte des
Lichtes , welches von den organischen Leuchtdioden- Strukturen 102 , 104 emittiert wird, kann über die Pulslänge 512 , 514 eingestellt werden (Pulsweitenmodulation, PWM) . Mittels unterschiedlicher Pulslängen 512 , 514 können die organischen Leuchtdioden-Strukturen zeitlich gemittelt Licht mit
unterschiedlicher Intensität emittieren.
In einem Ausführungsbeispiel ist eine oben beschriebene optoelektronische Bauelementanordnung bereitgestellt, bei der eine erste organische Leuchtdioden- Struktur einen blau fluoreszierenden Farbstoff aufweist und eine zweite
organische Leuchtdioden-Struktur einen blau
phosphoreszierenden Farbstoff aufweist . Die erste organische Leuchtdioden- Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur können weitere Farbstoffe und/oder Emitterschichten aufweisen. Beispielsweise können die erste organische
Leuchtdioden- Struktur und die zweite organische Leuchtdioden- Struktur als weißes Licht emittierende organische
Leuchtdioden- Struktur ausgebildet sein, wobei diese mittels der unterschiedlichen blauen Farbstoffe unterschiedliche Farbortalterungsverhalten aufweisen. Dadurch kann
beispielsweise die Betriebsdauer der optoelektronischen
Baue1ementanordnung optisch sichtbar gemacht werden Eine organische Leuchtdioden- Struktur mit einem blau
phosphoreszierenden Farbstoff weist wenigstens eines der nachfolgenden Materialien auf : Bis (3 , 5-difluoro-2- (2- pyridyl ) phenyl - ( 2 - carboxypyridyl) iridium(III) (FlrPic) ,· Bis (2 , 4 -difluorophenylpyridinato) tetrakis (l-pyrazolyl) borate iridium(III) (FIr6) ; fac- Iridium (III) tris ( 1-phenyl - 3 - methylbenzimidazolin-2-ylidene- C,C2 ') { fac- Ir (Pmb) 3 ) irier- iridium ( III) tris ( 1-phenyl - 3 -methylbenz imidazolin- 2 -ylidene - C, C2 ' ) {/ner- Ir (Pmb) 3) ; Bis ( 2 , 4 -difluorophenylpyridinato) (5- (pyridin- 2 -yl) -ΙΗ-tetrazolate) iridium(III) (FIrN4) ; Bis (3- trifluoromethyl-5- (2-pyridyi) pyrazole) ( (2,4- difluorobenzyl ) diphenylphosphinate ) iridium(III)
(Ir (fppz) 2 (dfbdp) ) ; Bis (3-trifluoromethyl-5- (2- pyridyl ) pyrazolate ) (benzyldiphenylphosphinate ) iridium ( III )
(Ir (fppz) 2 (bdp) ) ; Bis (1- (2, 4 -difluorobenzyl) -3- methylbenzimidazolium) (3- ( trifluoromethyl ) -5- (2-pyridyl) - 1,2,4- triazolate) iridium (III) (Ir (fptz) (dfbmb) 2) ; Bis (4 ' , 6 ' - difluorophenylpyridinato) (3, 5bis ( trifluoromethyl ) -2(2'- pyridyl )pyrrolate) Iridium (III) (Ir (dfppy) 2 (fpy) ) ; Bis (4 ' , 61 - difluorophenylpyridinato) (3- (trifluoromethyl) -5- (2-pyridyl) - 1, 2,4-triazolate) Iridium (III) (Ir (dfppy) 2 (fptz) ) ; fac- tris [ (2 , 6 -diisopropylpheny1 ) -2-phenyl- lHimidazol [e] iridium ( III) ( fac- Ir ( iprpmi ) 3 ) ; fac- tris (1- phenyl- 3 -methylimidazolin-2 -ylidene-C, C ( 2 ) ' iridium ( fac-
Ir (pmi) 3) ; mer- tris (l-phenyl-3-methylimidazolin-2 -ylidene- C, C (2) ' iridium (mer-Ir (pmi) 3) ; Bis (1- (4-fluorophenyl) -3- methylimdazoline-2-ylidene-C, C2 ' ) (3 , 5 -dimethyl-2 - (IH-pyrazol- 5 -yl) pyridine) Iridiunm (III) { (fpmi) 2Ir (dmpypz) ) ; Bis (1- (4 - methylphenyl) -3 -methylimdazolin-2 -ylidene-C, C2 · ) (3,5- dimethyl-2- (lH-pyrazol-5-yl) pyridine) Iridium (III)
( (mpmi) 2Ir (dmpypz ) ) ; fac-Tris (1, 3-diphenyl-benzimidazolin-2- ylidene-C, C2 ' ) Iridium (III) ( fac- Ir (dpbic) 3 ) ; Bis (1- (4- fluorophenyl) -3 -methyiimdazoline-2 -ylidene-C, C2 ' ) (2- (5- trifluoromathyl- 2H-pyrazol - 3 -yl ) -pyridine) Iridiunm ( III ) ( ( fpmi ) 2Ir (tfpypz) ) Bis (1- (4-fluorophenyl) -3 - methylimdazol ine- 2 -ylidene-C, C2 ' ) (2- ( lH-imidazol-2- yDpyridine) Iridiunm ( III) ( (fpmi) 2Ir (pyim) ) ; Bis (1- (4- fluorophenyl) -3 -methylimdazoline- 2 -ylidene-C, C21 ) (2- (2H- pyrazol-3-yl) -pyridine) Iridiunm (III) ( (fpmi) 2Ir (pypz) ) ,-
Bis (1- ( 4 -methylphenyl ) -3 -methylimdazolin-2 -ylidene-C, C2 ' ) (2- (2H-pyrazol-3-yl) -pyridine) Iridium (III) ( (mpmi) 2Ir (pypz) ) ; Bis (l-phenyl-3 -methylimdazolin-2 -ylidene-C, C2 ' ) (2- (2H- pyrazol-3-yl) -pyridine) Iridium (III) ( (pmi) 2Ir (pypz) ) .
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische Bauelementanordnung , ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementanordnung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen
Bauelementanordnung bereitgestellt, mit denen es möglich ist , elektrisch antiparallel geschaltete organische Leuchtdioden- Strukturen monolithisch zu integrieren. Weiterhin kann die optoelektronische Bauelementeanordnung mit nur zwei
elektrischen Anschlüssen elektrisch kontaktiert werden, wodurch der technische Aufwand zur Verdrahtung hinsichtlich herkömmlicher optoelektronischer Bauelementeanordnungen reduziert wird. Weiterhin wird ermöglicht , dass die
optoelektronische Bauelementeanordnung mit kostengünstigen WechselStromtreibern verwendet werden kann. Mittels einer Reihenschaltung der antiparallelen organischen Leuchtdioden- Strukturen kann eine netztaugliche Leuchte realisiert werden, wobei eine Transformation der TreiberSpannung optional wird. Zusätzlich kann ein sehr ähnlicher OLED-Stapel wie bei weißen gestackten OLEDs mit Ladungsträgerpaar-Erzeugungsstruktur (charge generating layer - CGL) realisiert werden und so etablierte Prozesse verwendet werden. Weiterhin kann eine Leuchte realisiert und betrieben werden, bei der
phosphoreszierende Emitter (rot -grün-Emitter/RG-Emitter) und fluoreszierende Emitter (blau-Emitter/B-Emitter) in
unterschiedlichen organischen Leuchtdioden- Strukturen
verwendet werden. Weiterhin ist mit den
WechselStromparametern ein Einstellen des Farbortes des
Lichtes ermöglicht , welches von der optoelektronischen
Bauelementeanordnung emittiert wird . Die unterschiedlichen Farben der organischen Leuchtdioden- Strukturen entstehen praktisch am selben Ort, sodass technisch einfachere
Strukturen zum Farbmisehen ausreichen können . Eine
Farbkontrolle mittels Farbsensor und Rückkopplung auf den
OLED-Treiber kann während der Alterung der optoelektronischen Bauelementeanordnung zu einer aktiven Stabilisierung des Farbortes des Lichtes verwendet werden, welches von der optoelektronischen Bauelementeanordnung emittiert wird.
Weiterhin ermöglicht eine laterale Strukturierung wenigstens einer optisch aktiven Seite wenigstens einer organischen Leuchtdioden- Struktur ein Ausbilden von Bereichen mit
unterschiedlicher Emissionswellenlänge . Zusätzlich kann mittels Verwendens von dotierten pin-Dioden die
Durchschlagsfestigkeit hinsichtlich der Sperrspannungen erhöht werden, da dickere organische Schichten verwendet werden können. Weiterhin können Degradationseffekte in den organischen Schichten mittels des Vorspannens der organischen Leuchtdioden-Strukturen in Sperrrichtung im
Wechselstrombetrieb reduziert werden .

Claims

Optoelektronische Bauelementanordnung (100) , auf eisend : eine erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) , eine zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) und eine Wechselstromquelle (106) oder eine
WechselSpannungsquelle (108) ,
• wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur
( 102) eingerichtet ist zu einem Bereitstellen eines Lichtes mit einem ersten Farbort ;
• wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur
( 104 ) eingerichtet ist zu einem Bereitstellen eines Lichtes mit einem zweiten Farbort ;
• wobei der erste Farbort und der zweite Farbort
unterschiedlich sind; und
• wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104 ) wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen Leuchtdioden-Struktur (102) ausgebildet ist; und
• wobei die Wechselstromquelle (106) oder die
WechselSpannungsquelle ( 108 ) zum Bestromen der
Leuchtdioden-Strukturen ( 102 , 104 ) eingerichtet ist und derart mit den Leuchtdioden-Strukturen (102,
104 ) elektrisch verbunden ist, dass bei einer ersten Halbwelle ein Strom durch die erste organische
Leuchtdioden-Struktur (102) fließt und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) elektrisch sperrt , und bei einer zweiten Halbwelle ein Strom durch die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104 ) fließt und die erste organische Leuchtdioden- Struktur (102) elektrisch sperrt , wobei die erste Halbwelle eine andere Stromrichtung aufweist als die zweite Halbwelle ; und
• wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur
(102) und die zweite organische Leuchtdioden - Struktur (104 ) jeweils einen Farbstoff zum Erzeugen von Licht aufweisen, o wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur ( 102 ) einen fluoreszierenden Farbstoff aufweist und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) einen phosphoreszierenden Farbstoff
aufweist; oder
o wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (10 ) einen fluoreszierenden Farbstoff aufweist und die erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) einen phosphoreszierenden Farbstoff
aufweist .
Optoelektronische Bauelementeanordnung (100) gemäß
Anspruch 1 ,
ferner aufweisend ein erstes Kontaktpad (306) und ein zweites Kontaktpad (304) , wobei das erste Kontaktpad
(306) und das zweite Kontaktpad (304) derart ausgebildet sind, dass die erste organische Leuchtdioden-Struktur
(102) und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur
(104) mittels des ersten Kontaktpads (306 ) und des zweiten Kontaktpad ( 304 ) mit der Wechselstromquelle
(106) oder der Wechselspannungsquelle (108) elektrisch verbunden sind .
Optoelektronische Bauelementeanordnung (100) gemäß
Anspruch 1 oder 2 ,
wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) eine gemeinsame Elektrode (212 ) aufweisen, wobei wenigstens ein Teil der gemeinsamen Elektrode (212) über der ersten organischen Leuchtdioden-Struktur (102) frei von der zweiten organischen Leuchtdioden-Struktur ( 104 ) ist.
Optoelektronische Bauelementeanordnung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ,
wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) eine p-dotierte halbleitende Schicht, eine eigenleitende Schicht und eine n-dotierte halbleitende Schicht
aufweist und/oder
die zweite organische Leuchtdioden- Struktur (104 ) eine p-dotierte halbleitende Schicht, eine eigenleitende Schicht und eine n-dotierte halbleitende Schicht
aufweist .
Optoelektronische Bauelementeanordnung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis ,
wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur einen blaues Licht emittierenden fluoreszierenden Emitter und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur einen gemischten rot -grünes Licht emittierenden
phosphoreszierenden Emitter aufweist .
Optoelektronische Baue1eme teanordnung (100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 ,
wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) elektrisch antiparallel miteinander verbunden sind.
Optoelektronische Bauelementeanordnung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
ferner auf eisend eine Farbstoff -Struktur wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen
Leuchtdioden-Struktur (102) und/oder der zweiten
organischen Leuchtdioden- Struktur (104 ) .
Optoelektronische Bauelementeanordnung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei die Wechselstromquelle (106) oder
Wechselspannungsquelle (108) zum Steuern des zeitlichen elektrischen Stromverlaufes (516 , 518 ) eingerichtet ist, und insbesondere einen Phasen-Dimmer, einen
Pulsmodulator oder einen Frequenzmodulator aufweist .
9. Optoelektronische Baue1ementeanordnung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner aufweisend eine Fotodetektor-Vorrichtung, die zum Messen des Farbortes des Lichtes eingerichtet ist , das von der optoelektronischen Baueleraenteanordnung (100) emittiert wird.
Optoelektronische Bauelementeanordnung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9,
wobei die Fotodetektor-Vorrichtung mit der
Wechselstromquelle (106) oder der Wechselspannungsquelle (108) gekoppelt ist derart , dass der Wechselstrom oder die WechselSpannung anhand des gemessenen Farbortes geändert wird.
11. Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Baue1ementeanordnung , das Verfahren aufweisend:
• Ausbilden einer ersten organischen Leuchtdioden- Struktur (102) zum Bereitstellen eines Lichtes mit einem ersten Farbor ;
• Ausbilden einer zweiten organischen Leuchtdioden- Struktur (104) zum Bereitstellen eines Lichtes mit einem zweiten Farbort , wobei der erste Farbort und der zweite Farbort unterschiedlich sind, und wobei die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) wenigstens teilweise im Lichtweg der ersten organischen Leuchtdioden-Struktur (102 ) ausgebildet wird;
• Verbinden der Leuchtdioden-Strukturen mit einer
Wechselstromquelle (106) oder einer
Wechselspannungsquelle ( 108 ) , wobei die
Wechselstromquelle (106) oder die
Wechselspannungsquelle ( 108 ) zum Bestromen der Leuchtdioden-Strukturen ( 102 , 104 ) eingerichtet ist und derart mit den Leuchtdioden- Strukturen ( 102 , 104 ) elektrisch verbunden wird, dass bei einer ersten Halbwelle ein Strom durch die erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) fließt und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104) elektrisch sperrt, und bei einer zweiten Halbwelle ein Strom durch die zweite organische Leuchtdioden- Struktur (104) fließt und die erste organische
Leuchtdioden- Struktur (102) elektrisch sperrt , wobei die erste Halbwelle eine andere Stromrichtung aufweist als die zweite Halbwelle ; und
• wobei die erste organische Leuchtdioden- Struktur
( 102 ) und die zweite organische Leuchtdioden - Struktur (104) jeweils mit einem Farbstoff zum
Erzeugen von Licht ausgebildet werden,
o wobei die erste organische Leuchtdioden-Struktur (102) einen fluoreszierenden Farbstoff auf eist und die zweite organische Leuchtdioden-Struktur (104 ) einen phosphoreszierenden Farbstoff
aufweist ; oder
o wobei die zweite organische Leuchtdioden- Struktur (104) einen fluoreszierenden Farbstoff aufweist und die erste organische Leuchtdioden- Struktur (102) einen phosphoreszierenden Farbstoff
aufweist .
Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung , das Verfahren aufweisend :
• Anlegen eines Wechselstromes und./oder einer
Wechselspannung an ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 ;
• Messen wenigstens einer optoelektronischen
Eigenschaft der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung;
• Ändern wenigstens eines WechselStromparameters oder wenigstens eines Wechselspannungsparameters aufgrund der wenigstens einen gemessenen optoelektronischen Eigenschaft .
13. Verfahren gemäß Anspruch 12 ,
wobei die Wechselspannungsquelle (108) oder die
Wechselstromquelle (106) einen Wechselstrom und/oder eine WechselSpannung bereitstellen mit einer Frequenz von größer als ungefähr 30 Hz .
14. Verf hren gemäß Anspruch 12 oder 13 ,
wobei die optoelektronische Bauelementevorrichtung einen ersten Betriebsmodus und wenigstens einen zweiten
Betriebsmodus aufweist , wobei die Betriebsmodi mittels der WechselSpannung oder dem Wechselstrom eingestellt und/oder ausgebildet werden.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14 ,
wobei das Ändern wenigstens eines Wechselstromparameters oder wenigstens eines Wechselspannungsparameters als ein Ausgleich unterschiedlicher Alterungen der
unterschiedlichen Farbstoffe der ersten organischen Leuchtdioden- Struktur (102) und der zweiten organischen Leuchtdioden- Struktur (104) ausgebildet ist .
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