WO2015000815A1 - Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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WO2015000815A1
WO2015000815A1 PCT/EP2014/063753 EP2014063753W WO2015000815A1 WO 2015000815 A1 WO2015000815 A1 WO 2015000815A1 EP 2014063753 W EP2014063753 W EP 2014063753W WO 2015000815 A1 WO2015000815 A1 WO 2015000815A1
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WO
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region
optoelectronic component
mirror structure
layer
optoelectronic
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Application number
PCT/EP2014/063753
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English (en)
French (fr)
Inventor
Michael Popp
Arndt Jaeger
Original Assignee
Osram Oled Gmbh
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Filing date
Publication date
Application filed by Osram Oled Gmbh filed Critical Osram Oled Gmbh
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements

Definitions

  • Optoelectronic component method for producing an optoelectronic component
  • An organic optoelectronic component for example an OLED, may comprise an anode and a cathode
  • the organically functional layer system in between on iron.
  • the organically functional layer system may have one or more emitter layers / ⁇ in which /
  • Electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structure from each two or more charge carrier pair generation layers
  • Charge carrier pair generation and one or more
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer (s) ("hole transport layer” HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) ("electron
  • the color of light emitted by an OLED can be determined as a chromaticity coordinate in a CIE color standard chart, which can be used to convey a mood or the human hormone level Cold-white light is therefore used in work environments, while the relaxing effect of warm white light in the living area is preferred.
  • OLEDs can be used to render information, such as
  • white RGB OLEDs may suffer from aging, which results in a change in the optoelectronic properties, For example, shifting the color locus of the light emitted from the OLED, or an increase in the
  • a white RGB OLED can be understood to mean an OLED that emits white light and has a plurality of emitter layers that are red for themselves
  • thermal loading or sunlight irradiation of the OLED may result in differential aging of the emitters of the emitter layers.
  • one of the color components e.g., red
  • the other components e.g., green and blue
  • the color location of the emitted light may change.
  • Color locus control of an organic light emitting diode in a color-adjustable organic light emitting diode product many adjacent monochromatic RGB strips (red-green-blue stripes) used, which can be controlled separately. This procedure requires a considerable amount
  • an organic light-emitting diode structure is formed such that the color location of the emitted light s is density-dependent.
  • suitable current pulses more precisely by means of variation of current density and pulse width, a color locus shift is achieved within certain limits, which under certain circumstances can be used for the correction of an age-related color locus shift.
  • an OLED has two differently colored organic light-emitting diodes.
  • the two differently colored organic light-emitting diodes can be stacked above or next to each other and be controlled in different ways.
  • a separate control of the organic light emitting diodes is a color adjustment on the connecting line between the
  • the color location of a light emitting diode with wavelength converter is controlled by a switchable reflector, wherein the
  • Wavelength converter is formed between the LED and the reflector.
  • a color locale setting is at this
  • the length converter When the LED is operated, the length converter is always pumped, and the reflector behind it is the pump
  • Emission wavelength can be easily changed by changing the thickness of the microcavity by means of a piezoelectric layer.
  • this design provides almost no color change.
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • Embodiment of an electronic component to be understood wherein the optoelectronic component has an optically active region.
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region and / or a current through the optically active region.
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • An optoelectronic component which has two flat, optically active sides, for example
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a flat, optically inactive side, for example as an organic LED that acts as a top emitter or bottom emitter
  • An optoelectronic component which emits electromagnetic radiation may in various embodiments be a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or as an electromagnetic component
  • an electromagnetic radiation emitting diode as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an electromagnetic radiation emitting
  • the electromagnetic radiation may, for example, be light in the visible range, UV radiation and / or infrared radiation.
  • the electromagnetic radiation emitting device may be formed, for example, as a light emitting diode (LED) as an organic light emitting diode (OLED), as a light emitting transistor or as an organic light emitting transistor.
  • LED light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • the light-emitting device may be in different
  • Embodiments be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of light-emitting
  • an organic substance regardless of the respective state of aggregation, can be present in chemically uniform form
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter present compound characterized by characteristic physical and chemical properties without
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all of the abovementioned substances, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • a mixture of substances can be understood to mean components of two or more different substances whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • Radiation of a wavelength in electromagnetic radiation of different wavelength converts, for example, longer
  • the energy difference from absorbed electromagnetic radiation and emitted electromagnetic radiation can be converted into phonons, that is, heat, and / or by emission of electromagnetic radiation having a wavelength as a function of the energy difference.
  • a phosphor may have or be formed from one of the following materials: Garnets or nitrides, silicates, nitrides, oxides, phosphates, borates, oxynitrides, sulphides, selenides, aluminates, tungstates, and halides of aluminum, silicon, magnesium, calcium,
  • Barium, strontium, zinc, cadmium, manganese, indium, tungsten and other transition metals, or rare earth metals such as
  • the phosphor may be an oxidic or (oxy) nitridic
  • Phosphor like a garnet, orthosilicate
  • Nitrido (alumo) silicate nitride or nitrido orthosilicate, or a halide or halophosphate.
  • suitable phosphors are strontium chloroapati: Eu
  • adjuvants include surfactants and organic solvents.
  • light scattering particles are gold, silver and metal oxide particles.
  • a phosphor may be one of the following materials on iron or formed therefrom: Ce + doped garnets such as YAG: Ce and LuAG, for example (Y,
  • a color valence may serve as an indistinguishable range of color locations (Cx, Cy) in one
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • the light generated by the light-emitting component for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of visible light for example at least in a partial region of the wavelength range from 380 nm to 780 nm).
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Amount of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered here, for example, by the translucent layer has scattering centers.
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the optoelectronic component arrangement can be set up as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be considered optical in one direction
  • transmissive device such as a
  • Optoelectronic component comprising: a
  • Optoelectronic component structure having an organic functional layer structure, wherein the organically functional layer structure for receiving and / or providing an electromagnetic radiation
  • Components structure is formed and electrically
  • the mirror structure is structured such that the
  • first area and the second area are in at least one optoelectronic
  • the mirror structure can furthermore have an optically inactive edge region.
  • the optically inactive edge region may be formed as a frame.
  • the frame can be formed as a frame.
  • the first region may be electrically isolated from the second region.
  • the mirror structure may be formed such that the first region is electrically
  • the second region has electrically switchable optical properties.
  • Mirror structure an electrically switchable second region and an optoelectrically inert, i. one not electrically
  • the first region may be formed as a hole in the second region, for example in the form of a mask.
  • the hole may be in the form of a pictogram, an ideogram or a lettering, for example
  • the mirror structure may have a
  • thermotropic phase having liquid crystalline material or be formed therefrom, for example in a thermotropic phase or a lyotropic phase.
  • the mirror structure may be formed such that the first area is another
  • the mirror structure may be formed such that the first region has a different central optical orientation than the second region.
  • the mean optical orientation can be based on the average orientation of the molecules in the respective region
  • the mirror structure can be designed such that the first region has a different liquid-crystalline substance than the second region, for example also doped differently.
  • the liquid-crystalline substance may be formed as a liquid-crystalline polymer.
  • the liquid-crystalline polymer may have a different chain length in the first region than in the second region. Synonymously with the chain length, the degree of polymerization, the number of monomer units and / or the average molecular weight may also be used as a reference variable.
  • the mirror structure may be formed as an electrically switchable dichroic mirror.
  • a dichroic mirror may also be formed as a dielectric mirror or photonic crystal.
  • the mirror structure may have a
  • the mirror structure may be configured such that the first area is different
  • the mirror structure may have cavities, wherein the cavities with a
  • the mirror structure can be designed such that the first region has particles which have a different geometric shape than in the second region.
  • the mirror structure may be formed such that the first region comprises particles having a different color, a different color combination and / or Ref lek ivity than in the second area.
  • Particles may, for example, be formed as platelets, wherein the flat sides of a platelet differ in their color and / or reflectivity.
  • Color combination of a platelet-shaped particle can, for example, as optical properties of the flat
  • the particles may be formed in the first region and in the second region such that one side of the particles are approximately the same optical
  • the mirror structure may be formed such that the first region has particles that have a different diameter than in the second region.
  • the mirror structure may be formed such that the first region has a
  • Suspended liquid having a different viscosity than in the second region.
  • the mirror structure may be designed such that the first area has a different one
  • the mirror structure may be formed such that the first region is shaped differently
  • the mirror structure may be configured such that the first area is different
  • Mirror structure comprising or being formed from a metal hydride, for example yttrium / lanthanum in combination with a zirconium oxide layer with H2 inclusions,
  • the optoelectronic component can furthermore have a converter structure in the beam path of the optoelectronic component structure.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component structure may be formed between the converter structure and the mirror structure.
  • the mirror structure may be formed as a mirror foil.
  • the optoelectronic component may further comprise a second electrically switchable mirror structure, the second electrically switchable mirror structure
  • optoelectronic component structure is formed. As a result, different colors, color gradients and information can be displayed.
  • the first electrically switchable mirror structure may be formed between a converter structure and the optoelectronic component structure, and a further converter structure may be formed between the first electrically switchable mirror structure and the second electrically switchable mirror structure.
  • switchable mirror structure is in at least one
  • the first area and / or the second area may take the form of a Pictograitims, a
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component structure may be formed as an electroluminescent structure, for example as an organic
  • the first area and / or the second area may each be two or more from each other
  • the independent areas can, for example, be electrically switchable or controllable independently of each other.
  • the first region and / or the second region may each have two or more different electrically switchable structures.
  • the different areas may, for example, have optically different properties.
  • the converter structure in one embodiment, the converter structure
  • the method comprising: providing an optoelectronic component structure having an organic functional layer structure, wherein the organically functional layer structure for receiving and / or providing an electromagnetic radiation
  • the mirror structure is set up; and forming a mirror structure; wherein the mirror structure is formed in the beam path of the optoelectronic component structure and electrically
  • the mirror structure is structured such that the
  • first area and the second area are in at least one optoelectronic
  • first region and the second region each have a planar coherence
  • the optically inactive edge region can be formed as a frame.
  • the first region can be formed electrically insulated from the second region. In one embodiment of the method, the
  • Mirror structure are formed such that the first region is electrically insulating and the second region has electrically switchable optical properties.
  • the first region may be formed as a hole in the second region.
  • Mirror structure have a liquid crystalline material or be formed therefrom, for example in one
  • thermotropic phase or a lyotropic phase.
  • Area has a different liquid crystalline phase than the second area.
  • Mirror structure are formed such that the first region has a different average optical orientation than the second region.
  • Area has a different liquid crystalline material than the second area.
  • liquid crystalline material can be formed as a liquid crystalline polymer.
  • liquid crystalline polymer in the first region have a different chain length than in the second region.
  • Mirror structure can be formed as an electrically switchable dichroic mirror.
  • Mirror structure have a piezoelectric material or be formed from it.
  • Area has different interference conditions than the second area, for example, another piezoelectric
  • Mirror structure cavities are formed, wherein the cavities are filled with a suspension liquid, wherein in the suspension liquid electrophoretically mobile particles are distributed.
  • Mirror structure are formed such that the first region comprises particles having a different geometric shape than in the second region.
  • Mirror structure are formed such that the first region comprises particles having a different color, a different color combination and / or reflectivity than in the second region.
  • the particles in the first region and in the second region can be so
  • Mirror structure are formed such that the first Particle has particles which have a different diameter than in the second region.
  • Area comprises a suspension liquid, which have a different viscosity than in the second area.
  • Mirror structure are formed such that the first area a different mass fraction of particles in the
  • Area has other electrorheological properties than the second area.
  • Mirror structure further has a converter structure in the
  • Mirror structure can be formed as a mirror foil.
  • Mirror structure further comprise a second electrically switchable mirror structure, wherein the second electrically switchable mirror structure between the optoelectronic component structure and the first mirror structure or on the respect, the first electrically switchable
  • optoelectronic component structure is formed.
  • the first area and / or the second area may be formed in the form of a pictogram.
  • the first region and / or the second region can each be formed with two or more independent regions.
  • the first area and / or the second area may be two or more
  • Figures la, b are schematic representations of a
  • FIGS. 2a, b are schematic representations of optoelectronic
  • FIGS. 3a, b are schematic representations of optoelectronic
  • FIGS. 4a, b are schematic illustrations of optoelectronic
  • Fig.la, b shows a schematic representation of a
  • Embodiment of an optoelectronic component Embodiment of an optoelectronic component.
  • FIG. 1 a Shown in FIG. 1 a is an optoelectronic component structure 102 with contact pads 104, 106, by means of which the optoelectronic component structure 102 is electrically connected to a first voltage source 108. Also shown is an electrically switchable mirror structure 110, which by means of contact pads 112, 114 with a second
  • Voltage source 116 is electrically connected.
  • Mirror structure 110 and the optoelectronic component - structure 102 may be formed on or above a common carrier 122.
  • the electrically switchable mirror structure 110 can be any electrically switchable mirror structure 110.
  • the first region 118 and a second region 120 is formed.
  • the first region 118 and a second region 120 is formed.
  • Mirror structure 110 have an optically inactive edge regions in which, for example, the contact pads 112, 114 are formed.
  • the first area 118 and the second area 120 may be structured in various embodiments, for example in the form of a pictogram, an ideogram or a lettering, for example in the form of an arrow (shown).
  • the electrically switchable structured mirror structure 110 may be the
  • Affect component which is provided by the optoelectronic component structure 102.
  • information can be displayed graphically, for example in the form of a pictogram, for example, this pictogram can be switched on and off ⁇ - shown in FIG. lb.
  • Optoelectronic device having a first operating mode and a second operating mode, wherein in the first operating mode, the first voltage source 108, a first
  • the Optoelectronic device structure 102 may be used in the first
  • Voltage may be different to the fourth voltage.
  • Reflectivity for example polarization dependent, whereby the field distribution of the electromagnetic radiation in the image plane of the optoelectronic component 102 can be changed.
  • Image level of the optoelectronic component 100 can be set and / or information, for example, in the form of a pictogram are displayed. As a result, for example, an aging-related shift of the color location can be compensated.
  • a pictogram may be visible in the first mode of operation and in the second
  • Component has changed due to a changed
  • the pictogram can for example by means of a
  • the structured, electrically switchable mirror structure is formed for the electromagnetic radiation in the image plane of the optoelectronic component 102.
  • the mirror structure 110 can be used as a planar
  • Mirror structure may be formed, which may be laterally structured, for example, in the surface have a structuring.
  • Various embodiments of the optoelectronic component with various embodiments of the optoelectronic component structure 102 and the
  • electrically switchable mirror structure 110 are shown in the descriptions of Figure 2a, b and Fig. 3a, b.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component further comprise a converter structure (not shown), which converts to a wavelength conversion of
  • electromagnetic radiation provided by the optoelectronic device structure 102 can be used.
  • electromagnetic radiation provided by the optoelectronic device structure 102 can be used.
  • the structured, electrically switchable mirror structure 110 in the beam path of the optoelectronic component structure 102 in the
  • Component 100 provides.
  • In the second area can be any one of Component 100.
  • a second voltage applied to the mirror structure 110 may be formed, for example, by means of another voltage source or with respect to the first range by means of another electrical resistance in series with the voltage source.
  • Reflection behavior of the second region are changed with respect to the first region, for example, the mirror structure in the second region may be transmissive
  • electrically switchable mirror structure 110 may be formed as an electrically switchable filter aperture, for example, limit the illumination field of the optoelectronic device, change the brightness and / or the color location of the electromagnetic radiation in the image plane of the optoelectronic device.
  • the first region and the second region may be formed by the first region and the second region.
  • the dimension of the first region and the second region can be adjusted, for example, similar to an iris diaphragm.
  • Optoelectronic device having an optically inactive region.
  • In the optically inactive area can be any optically inactive region.
  • Layer structure 220 may be formed.
  • the optoelectronic component 100 may be formed such that optically inactive contact pads 104, 106, 112, 114 are designed for electrically contacting the optoelectronic component 100, for example by electrically conductive layers or the like, in the region of the contact pads 104 , 106, 112, 114 are at least partially exposed (not shown),
  • the contact pads 104, 106, 112, 114 may comprise or be formed from a substance or mixture of substances similar to the first electrode 202 or the second electrode 210 as a substance or substance mixture (see FIG. 2), for example as a metal layer structure having at least one chromium layer. Layer and at least one aluminum layer,
  • chromium-aluminum-chromium Cr-Al-Cr
  • the chromium-aluminum-chromium Cr-Al-Cr
  • Optoelectronic component in the optically inactive region have a device for a conclusive connection, for example, for a cohesive, positive or non-positive connection.
  • This structure can be realized both for bottom emitter OLEDs (FIG. 2) and for top emitter OLEDs (FIG. 3).
  • FIG. 2a, b show schematic representations
  • the optoelectronic component 100 for example an electronic component 100 that provides electromagnetic radiation, for example a light-emitting
  • Component 100 may have a carrier 122.
  • the carrier 122 may serve as a support for electronic elements or layers, such as light-emitting elements.
  • the carrier 122 can be glass,
  • the carrier 122 may include or may be formed from a plastic film or laminate having one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyethylene
  • PP polypropylene
  • the plastic Polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET),
  • the carrier 122 may comprise one or more of the above-mentioned substances.
  • the carrier 122 may comprise a metal or a metal compound, for example copper, silver, gold, platinum or the like, for example in the form of a thin translucent or transparent metal coating.
  • the carrier 122 may be translucent or even transparent.
  • the carrier 122 may be in different
  • the barrier layer may comprise or consist of one or more of the following: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • Barrier layer in various embodiments have a layer thickness in a range of about hr 0, 1 nm (an atomic length) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • An electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged on or above the barrier layer.
  • the electrically active region 106 may be understood as the region of the light emitting device 100 in which an electric current flows for operation of the light emitting device 100.
  • the electrically active region 106, a first electrode 202, a second electrode 210 and between an organic functional layer structure 220 have, as will be explained in more detail below.
  • the barrier layer on or above the barrier layer (or, if the barrier layer is absent, on or above the support 122) may be the first
  • Electrode 202 (for example in the form of a first
  • Electrode layer 202) may be applied.
  • the first electrode 202 (hereinafter also referred to as lower electrode 202) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal-oxygen onnectivity such as ZnO, Sn02, or ⁇ 2 0 3 are genetic compounds, such as AIZnO ternary Metailsauerstoff, Zn 2 Sn0 4, CdSn0 3, ZnSn0 3, Mgln 2 0 4, Galn0 3, Zn 2 In 2 0 5 or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 202 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these substances.
  • Electrode 202 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium-tin oxide
  • ITO-Ag-ITO multilayers Silver layer deposited on an indium-tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • ITO indium-tin oxide
  • Electrode 202 one or more of the following
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode 202 may be electrically conductive
  • Electrode 202 and the carrier 122 is translucent or transparent.
  • the first electrode 202 comprises or is formed of a metal
  • the first electrode 202 may have a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example one
  • the first electrode 202 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 202 a is a first electrode 202 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 202 may have a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in one Range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 202 being made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers
  • a network of carbon nanotubes which may be combined with conductive polymers or of graphene may be used. Layers and composites are formed, the first electrode 202, for example, a
  • a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 202 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the first electrode 202 can be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 122 and then indirectly applied to the first electrode 202.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organically functional layer structure 220 may comprise one or more emitter layers 206, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole injection layers 204 (also referred to as hole transport layer (s) 204).
  • emitter layers 206 for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters
  • hole injection layers 204 also referred to as hole transport layer (s) 204.
  • one or more electron injection layers 208 may be provided.
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2-) (2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on (also referred to as spin coating), are deposited.
  • a wet chemical process such as a spin-on (also referred to as spin coating)
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material. It should be noted that other suitable emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light emitting device 100 may be selected so that light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 206 may comprise a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 206 may also be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 206 or blue
  • phosphorescent emitter layer 206 By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure 220 may be any organic functional layer structure 220.
  • the one or more electroluminescent layers generally comprise one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers generally comprise one or more electroluminescent layers.
  • Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or a combination of these materials.
  • the organically functional layered structure 220 may include one or more
  • Hole transport layer 204 is executed or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective Locherinj tion in an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • the organically functional layered structure 220 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer 208 is performed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 204 may be deposited on or over the first electrode 202, for example, deposited, and the emitter layer 206 may be on or above the
  • Hole transport layer 204 may be applied, for example, be deposited.
  • the electron transport layer 208 may be applied to or over the emitter layer 206, for example, deposited.
  • the organic functional layer structure 220 ⁇ thus for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 204 and
  • the organic functional layer structure 220 for example one
  • a layer thickness may have a maximum of about 1.5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of about 1 microns, for example, a layer thickness of ma imal approximately 800 nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • OLEDs ⁇ organic light-emitting diodes
  • a layer thickness may have a maximum of about 1.5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of about 1 microns, for example, a layer thickness of ma imal approximately 800 nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organically functional layer structure 220 may have a maximum of about 1.5 ⁇ , for example,
  • organic functional layer structure 220 may have a layer thickness of a maximum of about 3 ⁇ .
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Electron transport layer (s) 208 on iron which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • the second electrode 210 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 210).
  • Electrode 210 have the same substances or be formed therefrom as the first electrode 202, wherein in
  • metals are particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • Electrode 210 (for example in the case of a metallic second electrode 210), for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 210 may generally be formed similar to, or different from, the first electrode 202.
  • the second electrode 210 may in one or more embodiments
  • the first electrode 202 and the second electrode 210 are both formed translucent or transparent. Thus, that shown in Fig. La, b
  • the light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 210 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the second electrode 210 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential For example, it may have a value such that the difference from the first electric potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 1.7 V to about 15 V, for example a value in a range of about 32V to about 12V.
  • the second electrode 210 and thus on or above the electrically active region may optionally be an encapsulation 212, for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 212 may be formed or be.
  • a “barrier thin film” 212 or a “barrier thin film” 212 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical
  • the barrier film 212 is formed to be resistant to OLED damaging agents, such as
  • the barrier film 212 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin film 212 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • the barrier thin film 212 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • Barrier thin layer 212 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 212 or one or more sublayers of the barrier film 212 may be formed, for example, by a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition method according to an embodiment, for example, a plasma-enhanced atomic layer deposition method (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) or a plasmalose
  • ⁇ CVD ⁇ ⁇ CVD ⁇
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasma-less a piasmalase vapor deposition process
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • Durc using an atomic layer deposition can be deposited very thin layers.
  • layers can be deposited whose layer thicknesses are in the atomic layer region.
  • Barrier thin film 212 having multiple sub-layers, all sub-layers are formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • a barrier film 212 comprising a plurality of sublayers may include one or more sublayers of the barrier film 212 by a deposition method other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 212 may, according to one embodiment, have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • the barrier thin layer 212 has a plurality of partial layers, all partial layers have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 212 has a plurality of partial layers, all partial layers have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 212 has a plurality of partial layers, all partial layers have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 212 has a plurality of partial layers, all partial layers have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 212 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin layer 212 or the individual partial layers of the barrier thin layer 212 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 212 (or the individual sublayers of the barrier film 212) may be made of a translucent or transparent material (or foam blend that is translucent or transparent).
  • the barrier thin layer 212 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier film 212 comprising or being formed from one of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack with a plurality of sub-layers one or more of the sub-layers of the barrier film 212 have one or more high-refractive materials, in other words one or more high-level materials
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • the cover may be fixed with an adhesive on or over the barrier film 212.
  • an adhesive and / or a protective lacquer may be provided on or above the barrier thin layer 212, by means of which
  • a cover for example, a
  • the optically translucent layer of adhesive and / or protective lacquer may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ m, for example a layer thickness of several ⁇ m.
  • the adhesive may include or be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer can be used in different
  • Be provided scattering particles such as metal oxides such as silica (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide Alumina, or titania.
  • metal oxides such as silica (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide Alumina, or titania.
  • Other particles may be suitable, provided that they have a
  • Metals such as gold, silver, iron, or the like
  • Illuminating particles may be provided.
  • an electrically insulating layer may be applied between the second electrode 210 and the layer of adhesive and / or protective lacquer, for example SiN, for example with a layer thickness in the range from approximately 300 nm to approximately 1, 5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to protect electrically unstable materials, for example, during a wet chemical process.
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • an adhesive may be a high refractive index adhesive
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • plasma spraying may be applied to the barrier film 212.
  • a cover may be formed on or above the barrier thin layer 212, for example of glass, for example by means of a
  • the / may
  • Cover and / or the adhesive has a refractive index
  • Barrier thin layer 212 an electrically switchable
  • Mirror structure 110 may be formed. On or above the electrically switchable mirror structure 110, a
  • Converter structure 214 may be formed. On or above the converter structure 214, a reflector structure 216 may be formed. In one embodiment, a cover as described above may be formed on or over the reflector structure 216. In one
  • Reflector structure 216 may be formed. In various embodiments, a first
  • Voltage source 108 to be electrically connected to the first electrode 202 and the second electrode 210.
  • a second voltage source 116 may be connected to the electrically switchable one
  • the color location of the optoelectronic component can be adjusted.
  • the resulting color location can be at this
  • Embodiment in the CIE color diagram on the connecting line between the color locus of the optoelectronic components - structure 102 and the luminescence of the converter structure 214 are.
  • the converter structure can be different
  • Embodiments have a photoluminescent phosphor or be formed therefrom, for example a phosphor which is in an organic or inorganic
  • an electrically switchable mirror structure 110 may be a composite foil
  • the composite foil may have a first control electrode, a second control electrode and a microcompartment film with cavities.
  • the cavities may comprise electrophoretically mobile particles in a suspension liquid, wherein the cavities in the microcompartment film have, for example, a conical or conical depth profile.
  • an electrically switchable mirror structure 110 may comprise an "electronic ink", the optical properties of the electrically switchable mirror structure being formed by the orientation of single or multicolor pigment particles in an electric field 110 may comprise or be formed from a metal hydride, for example yttrium / lanthanum in combination with a zirconium oxide layer with H2 intercalations
  • the optoelectronic ink for example yttrium / lanthanum in combination with a zirconium oxide layer with H2 intercalations
  • Device may be formed as a bottom emitter, which emits white light by the optoelectronic
  • Component has an emission zone that emits blue-green light, and has a converter structure that converts the blue-green light into a deep red light.
  • a color variable light field be formed by the converter structure in the
  • the carrier 122 may be formed as a glass substrate 122.
  • a first electrode 202 may be formed, wherein the first electrode 202 comprises or is formed of ITO.
  • a p-doped hole injection layer 204 may be formed.
  • the Lochinj edictions slaughter 204 for example, 15 wt. -% Cu (I) pFBz in 1 - have TNATA or aNPD. On or above the Lochinj etechnischs slaughter 204 may have a
  • Emitter layer 206 may be formed.
  • Emitter layer 206 may include one or more phosphors that emit electroluminescent green-blue light through emitter layer 206 by an electrical current.
  • the electron injection layer 208 may be, for example
  • a second electrode 210 may be formed on or above the electron injection layer 208.
  • the second electrode 210 may include or be formed from gAg.
  • a barrier thin film 212 may be formed on or above the second electrode 210.
  • the barrier thin film 112 may be transmissive, for example, transparent, formed, for example, or formed of Al 2 O 3, SiN x , SiO x .
  • barrier film 212 may be a
  • the electrically switchable mirror structure 110 may be formed. On or above the electrically switchable mirror structure 110, a converter structure 214 may be formed.
  • the Converter structure 214 may include or be formed from a phosphor that converts a green-blue light to a red
  • Eu doped nitride phosphors for example (Ca, Sr) AISXM3: EU2 +
  • a reflector structure 216 may be formed on or above the converter structure 214.
  • the reflector structure 216 may be, for example, aluminum or silver on iron or formed therefrom.
  • the electrically switchable mirror structure 110 may be electrically reflective such that approximately the entire electromagnetic radiation incident on the electrically switchable mirror structure 110 is reflected, which is provided by the emitter layer 206.
  • the first operating mode the first operating mode
  • Image plane of the optoelectronic component substantially only the electromagnetic radiation are emitted, which is emitted from the emitter layer 206, that is, for example, green-blue light.
  • the electrically switchable mirror structure 110 may be electrically transmissive such that approximately the entire electromagnetic radiation incident on the electrically switchable mirror structure 110 is transmitted, which is provided by the emitter layer 206. In other words, in the second operating mode, the electrically switchable mirror structure 110 has a
  • Image plane of the optoelectronic component a electromagnetic radiation are perceived whose
  • an electrically switchable mirror structure 110 On or above the converter structure 214, an electrically switchable mirror structure 110
  • An absorber structure 218 may be formed on or above the converter structure 214.
  • a cover may be as above
  • Cover may be formed as an absorber structure 218.
  • a first absorber structure 218 In various embodiments, a first absorber structure 218
  • Voltage source 108 to be electrically connected to the first electrode 202 and the second electrode 210.
  • a regulation of the color locus of the light which is provided by the optoelectronic component can be achieved by means of a structured, electrically switchable mirror structure 110, which is designed similarly to the mirror structure 110 of FIG. 2a, if these are the organic functional layer structure 220 and the converter structure 214 is visually downstream, ie when the converter structure 214 is formed between the mirror structure 110 and the organic functional layer structure 220.
  • the converter structure 214
  • the carrier 122 may be as a
  • Glass substrate 122 may be formed.
  • a first electrode 202 may be formed, wherein the first electrode 202 comprises or is formed of ITO.
  • a p-doped Lochinj emies slaughter 204 may be formed.
  • Lochinj etechnischs für 204 may, for example, 15 wt -.%
  • Cu (I) have FBz in 1-TNATA or aNPD.
  • Emitter layer 206 may be formed.
  • the emitter layer 206 may comprise one or more phosphors, which
  • Electron injection layer 208 may, for example, be 10 wt. - have% CS3PO4 in BCP.
  • a second electrode 210 may be formed on or above the electron injection layer 208.
  • the second electrode 210 may include or be formed from gAg.
  • a barrier thin film 212 may be formed on or above the second electrode 210.
  • the barrier thin film 112 may be transmissive, for example, transparent, formed, for example, or formed of Al 2 O 3, SiN x , SiO x .
  • barrier film 212 may be a
  • Converter structure 214 may be formed.
  • the converter structure 214 may include or be formed of a phosphor that converts a green-blue light into a red light
  • an electrically schaitbare mirror structure 110 may be formed on or above the converter structure 214.
  • an electrically schaitbare mirror structure 110 may be formed on or above the electrically switchable mirror structure 110.
  • an absorber structure 218 On or above the electrically switchable mirror structure 110, an absorber structure 218
  • the absorber structure 218 can be designed such that it has an incident
  • Electromagnetic radiation can absorb or transmit, for example, elemental carbon or carbon black
  • the electrically switchable mirror structure 110 may be electrically reflective such that approximately the entire electromagnetic radiation incident on the electrically switchable mirror structure 110 is reflected, which is provided by the emitter slide 206.
  • the first operating mode the first operating mode
  • the electrically switchable mirror structure 110 may be electrically transmissive such that approximately the entire, incident on the electrically switchable mirror structure 110, electromagnetic radiation is transmitted, which is provided by the emitter layer 206. In other words, in the second operating mode 224, the electrically switchable mirror structure 110 has a
  • 3a, b show schematic representations
  • the optoelectronic component structure 102 may be formed according to one of the embodiments of the description of FIGS. 1a, b and FIGS. 2a, b. Shown is a carrier 122, wherein on or over a flat side of the carrier are formed: a first electrode 202, a Lochinj etechnischs slaughter 204, one or more emitter layers 206, one or more
  • an electrically switchable mirror structure 110 may be formed on or above the carrier 122 on the other planar side of the carrier 122 in the beam path of the electromagnetic radiation emitted by the one or more emitter layers 206.
  • a converter structure 214 may be formed on or above the mirror structure 110 .
  • a reflector structure 216 may be formed on or above the converter structure 214 .
  • the stack of electrically switchable mirror structure 110, converter structure 214, and reflector structure 218 is similar in effect to the embodiment of the description of FIG. 2a.
  • the carrier 122 may be formed as a glass substrate 122.
  • a first electrode 202 may be formed, wherein the first electrode 202 comprises or is formed of ITO.
  • a p-doped Lochinj emies slaughter 204 may be formed.
  • Cu (I) have FBz in 1-TNATA or aNPD.
  • Emitter layer 206 may be formed.
  • the emitter layer 206 may comprise one or more phosphors, which
  • Electron injection layer 208 may, for example, 10 wt. - have% CS3PO4 in BCP.
  • a second electrode 210 may be formed on or above the electron injection layer 208.
  • the second electrode 210 may include or be formed from MgAg.
  • a barrier thin film 212 may be formed on or above the second electrode 210.
  • the barrier thin layer 112 may be transmissive, for example transparent, formed, for example, comprise or be formed from Al 2 O 3, SiN x , SiO x .
  • Support with first electrode 202 is opposite and in
  • Beam path of the electromagnetic radiation emitted by the emitter layer 206 may be electrically
  • switchable mirror structure 110 may be formed.
  • a converter structure 214 may be formed on or above the electrically switchable mirror structure 110.
  • Converter structure 214 may include or be formed from a phosphor that converts a green-blue light to a red
  • Light converts for example, Eu doped nitride phosphors, for example ⁇ Ca, Sr) AIS1N3: EU2 +;
  • a reflector structure 216 may be formed.
  • the reflector structure 216 may, for example, comprise or be formed from aluminum or silver.
  • the electrically switchable mirror structure 110 may be electrically reflective such that approximately the entire electromagnetic radiation incident on the electrically switchable mirror structure 110 is reflected, which is provided by the emitter layer 206. In other words, in the first operating mode, the electrically switchable mirror structure 110 has a
  • Image plane of the optoelectronic device substantially only the electromagnetic radiation emitted by the emitter layer 206, i. E. a greenish light.
  • the electrically switchable mirror structure In a second operating mode 224 of the optoelectronic component, the electrically switchable mirror structure
  • the electrically switchable mirror structure 110 be electrically transmissive such that approximately the entire, to the electrically switchable mirror structure 110th incident electromagnetic radiation provided by the emitter layer 206 is transmitted. In other words, in the second operating mode, the electrically switchable mirror structure 110 has a
  • Color locus is a mixture of primary e1ect omagne
  • a converter structure 214 may be formed on or above the carrier 122 on the other flat side of the carrier 122 in the beam path of the electromagnetic radiation emitted by the one or more emitter layers 206.
  • an electrically switchable mirror structure 110 may be formed on or above the converter structure 214.
  • an absorber structure 218 may be formed on or above the mirror structure 110. The stack of converter structure 214, electrically switchable mirror structure 110 and absorber structure 218 is similar in the effect of the embodiment of the description of Fig.2b.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component may be formed as a top emitter that emits white light by the optoelectronic component has an emission zone that emits blue-green light, and has a converter structure that converts the blue-green light into a deep red light.
  • a color-changeable luminous field can be formed in the image plane by the converter structure being blazed into the beam path
  • optoelectronic component structure by means of electrically switchable mirror structure is switched optically.
  • the carrier 122 may be formed as a glass substrate 122.
  • a first electrode 202 may be formed, wherein the first electrode 202 comprises or is formed of ITO.
  • a p-doped hole injection layer 204 may be formed.
  • Hole injection layer 204 may be, for example, 15% by weight.
  • Emitter layer 206 may be formed.
  • the emitter layer 206 may comprise one or more phosphors, which
  • the electron injection layer 208 may comprise, for example, 10% by weight of CS3PO4 in BCP.
  • an n-doped electron injection layer 208 may be formed on or above the emitter layer 206.
  • a second electrode 210 may be formed on or above the electron injection layer 208.
  • the second electrode 210 may include or be formed from MgAg.
  • a barrier thin film 212 may be formed on or above the second electrode 210.
  • the barrier film 112 may
  • the side of the wearer is transmissive, for example transparent, be formed, for example, AI2O3, Si x , SiO x have or be formed thereof.
  • AI2O3, Si x , SiO x have or be formed thereof.
  • Support with first electrode 202 is opposite and in
  • Beam path of the electromagnetic radiation emitted from the emitter layer 206 may be a
  • Converter structure 214 may be formed.
  • the converter structure 214 may include or be formed of a phosphor that turns a green-blue light into a red light
  • an electrically switchable mirror structure 110 may be formed on or above the converter structure 214.
  • an absorber structure 218 On or above the electrically switchable mirror structure 110, an absorber structure 218
  • the electrically switchable mirror structure 110 may be electrically reflective such that approximately the entire electromagnetic radiation incident on the electrically switchable mirror structure 110 is reflected, which is provided by the emitter layer 206. In other words: in the first mode of operation, the
  • the electrically switchable mirror structure 110 can be electrically transmissive such that approximately the entire electromagnetic radiation incident on the electrically switchable mirror structure 110 is transmitted, which is provided by the emitter layer 206.
  • the electrically switchable mirror structure 110 has a
  • Image plane of the optoelectronic component are perceived mixed electromagnetic radiation emitted by the emitter layer 206 and the converter structure 214, which is, for example, green light.
  • FIG. A, b show schematic representations
  • Serving structuring and may be formed according to the embodiments of the description of Fig.l to Fig.3.
  • Mirror structure 110 with respect to a converter structure 214, a reflector structure 216 and / or an absorber structure 218 ⁇ not shown) to be structured - shown in Fig. A.
  • a converter structure 214 may be provided with regard to an electrically switchable mirror structure 110, a
  • Converter structure 214 and / or an electrically switchable mirror structure 110 with respect to a reflector structure 216 or an absorber structure 218 be structured.
  • the description of FIGS. 1 to 3 the
  • Absorber structure and / or a reflector structure may in the image plane of the optoelectronic component a
  • Information to be presented may be based on a contrast, for example, the brightness or the color location of optically active areas of
  • a first region 402 of the optically active surface may provide light with a first color location and a second region 404 of the optically active surface may provide light with a second color location.
  • the first color location may be a white light and the second color location may be a blue-green light.
  • the illustrated information which is represented by means of structuring at least one of the structures mentioned in the image plane of the optoelectronic component, may be a pictogram, an ideogram and / or a lettering - see, for example, FIG. 1a, b.
  • Structuring one of said structures may be considered as structuring at least one structure
  • a structuring can be understood in such a way that a structure with several substructures, the structure
  • switchable mirror structure is structured.
  • a plurality of different, changing or switchable pictograms, ideograms or logos can be represented by means of an optoelectronic component, for example directional arrows which show different, switchable directions.
  • the optoelectronic component can be realized with a compact layer structure by stacking of optoelectronic
  • Light-emitting diode a structured electrically switchable mirror structure and optionally a converter structure.
  • Component is emitted in the image plane can be set by means of the structure to an electrically controllable color location, for example along a curve or line in a CIE diagram. Furthermore, by means of the electrical color location control the age-related
  • the lifetime of the optoelectronic device can be increased.
  • Component can be almost preserved during operation, since emitted electromagnetic radiation only by absorption losses in the electrically switchable
  • the structuring of the electrically switchable mirror structure and / or the converter structure may include information,
  • a Schri.ftz.ug a pictogram or a
  • luminous area can be generated
  • Forming the optoelectronic component for example, forming the mirror structure in a back-end process, for example by the cover of the optoelectronic component structure as electrically switchable
  • Mirror structure is formed or has such a. For example, this can change the converter structure after the
  • Forming the mirror structure can be formed or already on the mirror structure, for example in the form of a
  • the electrically switchable mirror structure can thereby also additionally as part of a
  • Encapsulation structure act, for example, in an organic light-emitting diode, which is designed as a bottom emitter.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend : eine optoelektronische Bauelemente-Struktur (102) aufweisend eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (220), wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur (220) zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist,- und eine Spiegelstruktur (110),- wobei die Spiegelstruktur (110) im Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente-Struktur (102) ausgebildet ist und elektrisch schaltbare optische Eigenschaften aufweist, und wobei die Spiegelstruktur (110) strukturiert ist derart, dass die Spiegelstruktur (110) einen ersten Bereich (118) und einen zweiten Bereich (120) aufweist, wobei der erste Bereich (118) und der zweite Bereich (120) sich in wenigstens einer optoelektronischen Eigenschaft unterscheiden; und wobei der erste Bereich (118) und der zweite Bereich (120) jeweils flächig zusammenhängend ausgebildet sind.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt .
Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem
organisch funktionellen Schichtensystem dazwischen auf eisen. Das organisch funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/εη aufweisen, in der/denen
elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus j eweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schichten
(„Charge gcnerating layer" , CGL) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung , sowie einer oder mehrerer
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten , auch bezeichnet als Elektronentransportschicht ( en ) („electron. transport
layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten. Die Farbe des Lichtes , das von einer OLED emittiert wird, kann als ein Farbort in einer CIE-Farbnormtafel bestimmt werden. Über den Farbort kann eine Stimmung transportiert werden bzw. der Hormonspiegel des Menschen beeinflusst werden . Kalt-weißes Licht wird deshalb in Arbeitsumgebungen eingesetzt , während die relaxierende Wirkung von warm-weißem Licht im Wohnbereich bevorzugt wird.
Mit zunehmender Verbreitung können OLEDs zur Wiedergabe von Informationen verwendet werden, beispielsweise als
beleuchtete Hinweisschilder . Im Betrieb können weiße RGB- OLEDs unter Alterungserscheinungen leiden, was sich in einem Ändern der optoelektronischen Eigenschaften äußert , beispielsweise einem Verschieben des Farbortes des Lichtes , das von der OLED emittiert wird, oder einer Zunahme des
Spannungsabfa11s über der OLED . Unter einer weißen RGB-OLED kann eine OLED verstanden werden, die weißes Licht emittiert und mehrere Emitterschichten aufweist , die für sich rotes
Licht (R) , grünes Licht (G) und blaues Licht (B) emittieren.
Während des elektrischen Betriebes einer weißen OLED kann es durch thermische Belastung oder unter Sonnenlichtbestrahlung der OLED zu einem differentiellen Altern der Leuchtstoffe der Emitterschichten kommen . Hierbei erfährt beispielsweise eine der Farbkomponenten (z.B. rot) einen stärkeren Lichtabfall als die anderen Komponenten (z.B. grün und blau) , In der Folge kann sich der Farbort des emittierten Lichtes ändern . Für einige Anwendungen ist es daher wünschenswert , diese sichtbare, alterungsbedingte Farbortverschiebung aktiv kompensieren zu können.
In einem herkömmlichen Verfahren für eine aktive
Farbortregelung einer organischen Leuchtdiode werden in einem farbeinstellbaren organischen Leuchtdioden-Produkt viele nebeneinander liegende monochromatische RGB-Streifen (rotgrün-blau-Streifen) verwendet , die separat angesteuert werden können. Dieses Verfahren erfordert einen erheblichen
Herstellungsaufwand, beispielsweise Strukturierungsaufwand .
In einem anderen herkömmlichen Verfahren für eine aktive Farbregelung wird eine organische Leuchtdioden-Struktur derart ausgebildet, dass der Farbort des emittierten Lichtes s romdichteabhängig ist . Mittels geeigneter Strompulse , genauer mittels Variation von Stromdichte und Pulsbreite , wird innerhalb gewisser Grenzen eine Farbortverschiebung erreicht , die unter Umständen für die Korrektur einer alterungsbedingten Farbortverschiebung einsetzbar ist .
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren weist eine OLED zwei unterschiedlich farbige organische Leuchtdioden auf . Die zwei unterschiedlich farbigen organischen Leuchtdioden können über- oder nebeneinander gestapelt sein und in unterschiedlicher Form angesteuert werden. Mittels einer separaten AnSteuerung der organischen Leuchtdioden ist eine Farbeinstellung auf der Verbindungslinie zwischen den
Farborten der organischen Leuchtdioden im CIE-Diagramm möglich.
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren wird eine
elektrochrome Schicht auf einer weißen OLED verwendet , um über schaltbare spektrale Absorption der elektrochromen
Schicht einen Teil der Farbanteile herauszufiltern und dadurch den Farbort des Gesamtsystems zu ändern. Gleichzeitig wird bei diesem Ver ahren j edoch die Bauteil-Effizienz verringert .
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren wird der Farbort einer Leuchtdiode mit Wellenlängenkonverter über einen schaltbaren Reflektor gesteuert, wobei der
Wellenlängenkonverter zwischen der LED und dem Reflektor ausgebildet ist . Eine Farborteinstellung ist bei diesem
Verfahren j edoch nur eingeschränkt möglich, da der
We11enlängenkonverter bei betriebener Leuchtdiode immer gepumpt wird und der dahinter liegende Reflektor die
Gesamtemission nur wenig beeinflusst .
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren weist eine
organische Leuchtdiode eine Mikrokavität auf , in der
emittiertes , monochromatisches Licht geführt wird. Die
Emissionswellenlänge kann mittels eines Änderns der Dicke der Mikrokavität mittels einer piezoelektrischen Schicht leicht verändert werden . Bei einem breiten Emissionsspektrum wie bei einer weißen OLED liefert dieser Aufbau jedoch nahezu keine Farbortänderung . Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis ,
beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) , können aufgrund ihrer zunehmenden Effizienz , Lebensdauer und der Möglichkeit zur großflächigen Beleuchtung zunehmend verbreitete Anwendung in der
Allgemeinbeleuchtung und der Informationswiedergabe finden. Die Farbalterung der OLED kann j edoch die Qualität der
Informationswiedergabe und die Lebensdauer beeinflussen.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist , farbveränderlich Informationen darzustellen.
Unter einem optoelektronischen Bauelement kann eine
Ausführung eines elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist . Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich und/oder einem Strom durch den optisch aktiven Bereich eine elektromagnetische Strahlung emittieren .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Ein optoelektronisches Bauelement , welches zwei flächige , optisch aktive Seiten aufweist , kann beispielsweise
transparent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente organische Leuchtdiode . Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige , optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter
eingerichtet ist.
Ein optoelektronisches Bauelement, welches elektromagnetische Strahlung emittiert , kann in verschiedenen Ausführungsformen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode, als eine organische
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein elektromagnetische Strahlung emittierender
organischer Transistor ausgebildet sein.
Die elektromagnetische Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Strahlung und/oder Infrarot-Strahlung sein .
In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden
Bauelementen vorgesehen sein, die beispielsweise zueinander elektrisch in Reihe oder parallel geschaltet sind.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine , ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Sto f eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaf en gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine ,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende , durch charakteris ische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe , beispielsweise einen organischen Stoff , einen anorganischen Stoff , und/oder einen hybriden Stoff . Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht , deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann als Leuchtstoff ein Stoff verstanden werden, der verlustbehaftet elektromagnetische
Strahlung einer Wellenlänge in elektromagnetische Strahlung anderer Wellenlänge umwandelt, beispielsweise längerer
Wellenlänge (Stokes-Verschiebung) oder kürzerer Wellenlänge (Anti-Stokes-Verschiebung) , beispielsweise mittels
Phosphoreszenz oder Fluoreszenz . Die Energiedifferenz aus absorbierter elektromagnetischer Strahlung und emittierter elektromagnetischer Strahlung kann in Phononen, das heißt Wärme, umgewandelt werden und/oder mittels Emission von elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge als Funktion der Energiedifferenz .
In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Leuchtstoff einen der folgenden Stof e aufweisen oder daraus gebildet sein : Granate oder Nitride, Silikate , Nitride, Oxide, Phosphate , Borate, Oxynitride, Sulfide, Selenide, Aluminate, Wolframate, und Halide von Aluminium, Silizium, Magnesium, Calcium,
Barium, Strontium, Zink, Cadmium, Mangan , Indium, Wolfram und anderen Übergangsmetallen, oder Seltenerdmetallen wie
Yttrium, Gadolinium oder Lanthan, die mit einem Aktivator, wie zum Beispiel Kupfer, Silber, Aluminium, Mangan, Zink, Zinn, Blei , Cer , Terbium, Titan, Antimon oder Europium dotiert sind . In verschiedenen Ausführungsforraen kann der Leuchtstoff ein oxidischer oder (oxy- ) nitridischer
Leuchtstoff , wie ein Granat , Orthosilikat ,
Nitrido (alumo) silikat , Nitrid oder Nitridoorthosilikat , oder ein Halogenid oder Halophosphat . Konkrete Beispiele für geeignete Leuchtstoffe sind Strontiumchloroapati : Eu
( (Sr, Ca) 5 (PO4 ) 3C1 : Eu; SCAP) , Yttrium-Aluminium-Grant : Cer
(YAG : Ce ) oder CaAlSiNß :Eu. Ferner können im Leuchtstoff bzw. Leuchtstoffgemisch beispielsweise Partikel mit Licht
streuenden Eigenschaften und/oder Hilfsstoffe enthalten sein. Beispiele für Hilfsstoffe schließen Tenside und organische Lösungsmittel ein. Beispiele für Licht streuende Partikel sind Gold-, Silber- und Metalloxidpartikel .
In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Leuchtstoff einen der folgenden Stoffe auf eisen oder daraus gebildet sein : Ce + dotierte Granate wie YAG : Ce und LuAG, beispielsweise (Y,
3+ 2+
Lu) 3 (AI, Ga) 5Ö]_2 : Ce ; Eu dotierte Nitride , beispielsweise
2+ 2+ 2+
CaAlSiN3 : Eu , {Ba, Sr) 2Si5N8 : Eu ; Eu dotierte Sulfdide,
SIONe, SiAlON, Orthosi1icate , beispielsweise
2+
(Ba, Sr) 2S1O4 : Eu Chlorosilicate , Chlorophosphate , BAM
(Bariummagnesiumaluminat : Eu) und/oder SCAP, Halophosphat aufweisen oder daraus gebildet sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einer Farbe eines Lichtes eines Lichtes ein mit der Farbe oder Farbvalenz physiologisch assoziierter Wellenlängenbereich einer
elektromagentisehen Strahlung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einer Farbvalenz eine physiologische, farbige Wirkung einer elektromagnetischen Strahlung verstanden werden. Eine Farbvalenz kann als ein ununterscheidbarer Bereich an Farborten (Cx, Cy) in einer
CIE- Farbnormtafel bestimmt werden.
Unter dem Begriff „transluzent" oder „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts {beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbei spielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann, beispielsweise indem die transluzente Schicht Streuzentren aufweist.
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
{beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist. In verschiedenen Ausgestaltungen kann die optoelektronische Bauelementeanordnung als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann hinsichtlich einer Richtung auch als optisch
transmittierendes Bauelement, beispielsweise eine
transparente oder transluzente organische Leuchtdiode ,
bezeichnet werden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das
optoelektronische Bauelement aufweisend: eine
optoelektronische Bauelemente- Struktur aufweisend eine organisch funktionelle Schichtenstruktur, wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung
eingerichtet ist; und eine Spiegelstruktur; wobei die
Spiegelstruktur im Strahlengang der optoelektronischen
Bauelemente -Struktur ausgebildet ist und elektrisch
schaltbare optische Eigenschaften aufweist, und wobei die Spiegelstruktur strukturiert ist derart, dass die
Spiegelstruktur einen ersten Bereich und einen zweiten
Bereich aufweist, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich sich in wenigstens einer optoelektronischen
Eigenschaft unterscheiden; und wobei der erste Bereich und der zweite Bereich jeweils flächig zusammenhängend
ausgebildet sind.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur ferner einen optisch inaktiven Randbereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann der optisch inaktive Randbereich als ein Rahmen ausgebildet sein. Der Rahmen kann
beispielsweise als mechanische Halterung der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich von dem zweiten Bereich elektrisch isoliert sein. In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich elektrisch
isolierend ausgebildet ist und der zweite Bereich elektrisch schaltbare optische Eigenschaften aufweist.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch schaltbare
Spiegelstruktur einen elektrisch schaltbaren zweiten Bereich und einen optoelektrisch inerten , d.h. einen elektrisch nicht
schaltbaren, ersten Bereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich als ein Loch in dem zweiten Bereich ausgebildet sein, beispielsweise in Form einer Maske . Das Loch kann beispielsweise die Form eines Piktogramms , eines Ideogramms oder eines Schriftzugs
aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur einen
flüssigkristallinen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise in einer thermotropen Phase oder einer lyotropen Phase .
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich eine andere
flüssigkristalline Phase aufweist als der zweite Bereich.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich eine andere mittlere optische Orientierung aufweist als der zweite Bereich . Die mittlere optische Orientierung kann sich auf die mittlere Orientierung der Moleküle in dem eweiligen Bereich
hinsichtlich einer gemeinsamen Bezugsrichtung beziehen, beispielsweise mittels einer Orientierungsfunktion. In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich einen anderen flüssigkristallinen Stoff aufweist als der zweite Bereich, beispielsweise auch unterschiedlich dotiert . In einer Ausgestaltung kann der flüssigkristalline Stoff als ein flüssigkristallines Polymer ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann das flüssigkristalline Polymer in dem ersten Bereich eine andere Kettenlänge aufweisen als in dem zweiten Bereich.. Synonym zur Kettenlänge kann auch der Polymerisationsgrad, die Anzahl der Monomereinheiten und/oder die mittlere Molmasse als Bezugsgröße verwendet werden,
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur als ein elektrisch schaltbarer dichroitischer Spiegel ausgebildet sein. Ein dichroitischer Spiegel kann auch als dielektrischer Spiegel oder photonischer Kristall ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur einen
piezoelektrischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich andere
Interferenzbedingungen aufweist als der zweite Bereich, beispielsweise ein anderes piezoelektrisches Verhalten oder eine andere Schichtendicke aufweist. In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur Kavitäten aufweisen, wobei die Kavitäten mit einer
Suspensionsflüssigkeit gefüllt sind, wobei in der
Suspensionsflüssigkeit elektrophoretisch mobile Partikel verteilt sind.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich Partikel aufweist, die eine andere geometrische Form aufweisen als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich Partikel aufweist, die eine andere Farbe, eine andere Farbkombination und/oder Ref lek ivität aufweisen als in dem zweiten Bereich. Die
Partikel können, beispielsweise als Plättchen ausgebildet sein, wobei die flächigen Seiten eines Plättchens sich in Ihrer Farbe und/oder Reflektivität unterscheiden. Eine
Farbkombination eines plättchenförmigen Partikels kann beispielsweise als optische Eigenschaften der flächigen
Seiten des plättchenförmigen Partikels verstanden werden.
In einer Ausgestaltung können die Partikel in dem ersten Bereich und in dem zweiten Bereich derart ausgebildet sein, dass eine Seite der Partikel ungefähr gleiche optische
Eigenschaften aufweist.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegeistruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich Partikel aufweist, die einen anderen Durchmesser aufweisen als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich eine
Suspensionsflüssigkeit aufweist, die eine andere Viskosität aufweist als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich einen anderen
Massenanteil an Partikel in der Suspension aufweist als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich anders geformte
Kavitäten aufweist als in dem zweiten Bereich, beispielsweise im ersten Bereich konisch geformte Kavitäten und im zweiten sphärisch geformte Kavitäten. In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich andere
elektrorheologische Eigenschaften aufweist als der zweite Bereich» Unterschiedliche elektrorheologische Eigenschaften können in einem Wechselstrombetrieb des optoelektronischen Bauelementes zu unterschiedlichen Trägheiten und damit zu unterschiedlichen Schaltzeiten der Bereiche untereinander führen.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch-schaltbare
Spiegelstruktur ein Metallhydrid aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Yttrium/Lanthan in Kombination mit einer Zirkonoxidschicht mit H2 Einlagerungen,
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Konverterstruktur in dem Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente-Struktur aufweisen. In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur zwischen der optoelektronischen Bauelemente-Struktur und der
Konverterstruktur ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Konverterstruktur zwischen der optoelektronischen Bauelemente-Struktur und der
Spiegelstruktur ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelemente-Struktur zwischen der Konverterstruktur und der Spiegelstruktur ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegelstruktur als eine Spiegelfolie ausgebildet sein, In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine zweite elektrisch schaltbare Spiegelstruktur aufweisen, wobei die zweite elektrisch schaltbare
Spiegelstruktur zwischen der optoelektronischen Bauelemente- Struktur und der ersten Spiegelstruktur oder auf der
hinsichtlich der ersten elektrisch schaltbaren
Spiegelstruktur gegenüberliegenden Seite der
optoelektronischen Bauelemente-Struktur ausgebildet ist. Dadurch können unterschiedliche Farben, Farbverläufe und Informationen dargestellt werden.
In einer Ausgestaltung kann die erste elektrisch schaltbare Spiegelstruktur zwischen einer Konverterstruktur und der optoelektronischen Bauelemente-Struktur ausgebildet sein und eine weitere Konverterstruktur zwischen der ersten elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur und der zweiten elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch schaltbare
Spiegelstruktur eine erste elektrisch schaltbare
Spiegelstruktur und eine zweite elektrisch schaltbare
Spiegelstruktur aufweisen, wobei die erste elektrisch
schaltbare Spiegelstruktur und die zweite elektrisch
schaltbare Spiegelstruktur sich in wenigstens einer
optoelektronischen Eigenschaft und/oder Strukturierung unterscheiden, In einer Ausgestaltung können/kann der erste Bereich und/oder der zweite Bereich die Form eines Piktograitims, eines
Ideogramms und/oder eines Schriftzugs aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelemente-Struktur als eine elektrolumineszente Struktur ausgebildet sein, beispielsweise als eine organische
Leuchtdiode, ein organischer Transistor oder ein organischer Fotoleiter . In einer Ausgestaltung können/kann der erste Bereich und/oder der zweite Bereich jeweils zwei oder mehr voneinander
unabhängige Bereich aufweisen. Die unabhängigen Bereiche können beispielsweise elektrisch unabhängig voneinander schaltbar oder ansteuerbar sein.
In einer Ausgestaltung können/kann der erste Bereich und/oder der zweite Bereich jeweils zwei oder mehr unterschiedliche elektrisch schaltbare Strukturen aufweisen. Die unterschiedlichen Bereiche können beispielsweise optisch unterschiedliche Eigenschaften aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Konverterstruktur
strukturiert sein, beispielsweise flächig in Form eines Piktogramms , eines Ideogramms und/oder eines Schriftzugs .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, das Verfahren aufweisend : Bereitstellen einer optoelektronischen Bauelemente-Struktur aufweisend eine organisch funktionelle Schichtenstruktur, wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung
eingerichtet ist; und Ausbilden einer Spiegelstruktur; wobei die Spiegelstruktur im Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente-Struktur ausgebildet wird und elektrisch
schaltbare optische Eigenschaften aufweist, und wobei die Spiegelstruktur strukturiert ist derart , dass die
Spiegelstruktur einen ersten Bereich und einen zweiten
Bereich aufweist , wobei der erste Bereich und der zweite Bereich sich in wenigstens einer optoelektronischen
Eigenschaft unterscheiden; und wobei der erste Bereich und der zweite Bereich j eweils flächig zusammenhängend
ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur ferner mit einem optisch inaktiven
Randbereich ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optisch inaktive Randbereich als ein Rahmen ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Bereich von dem zweiten Bereich elektrisch isoliert ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste Bereich elektrisch isolierend ausgebildet ist und der zweite Bereich elektrisch schaltbare optische Eigenschaften aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Bereich als ein Loch in dem zweiten Bereich ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur einen flüssigkristallinen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden, beispielsweise in einer
thermotropen Phase oder einer lyotropen Phase.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste
Bereich eine andere flüssigkristalline Phase aufweist als der zweite Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste Bereich eine andere mittlere optisch Orientierung aufweist als der zweite Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste
Bereich einen anderen flüssigkristallinen Stoff aufweist als der zweite Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
flüssigkristalline Stoff als ein flüssigkristallines Polymer ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
flüssigkristalline Polymer in dem ersten Bereich eine andere Kettenlänge aufweisen als in dem zweiten Bereich. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur als ein elektrisch schaltbarer dichroitischer Spiegel ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur einen piezoelektrischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste
Bereich andere Interferenzbedingungen aufweist als der zweite Bereich, beispielsweise ein anderes piezoelektrisches
Verhalten oder eine andere Schichtendicke aufweist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur Kavitäten aufweisend ausgebildet werden, wobei die Kavitäten mit einer Suspensionsflüssigkeit gefüllt werden, wobei in der Suspensionsflüssigkeit elektrophoretisch mobile Partikel verteilt sind.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste Bereich Partikel aufweist, die eine andere geometrische Form aufweisen als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste Bereich Partikel aufweist, die eine andere Farbe, eine andere Farbkombination und/oder Reflektivität aufweisen als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Partikel in dem ersten Bereich und in dem zweiten Bereich derart
ausgebildet werden, dass eine Seite der Partikel ungefähr gleiche optische Eigenschaften aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste Bereich Partikel aufweist, die einen anderen Durchmesser aufweisen als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste
Bereich eine Suspensionsflüssigkeit aufweist, die eine andere Viskosität aufweisen als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste Bereich einen anderen Massenanteil an Partikel in der
Suspension aufweist als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste
Bereich anders geformte Kavitäten aufweist als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur derart ausgebildet werden, dass der erste
Bereich andere elektrorheologische Eigenschaften aufweist als der zweite Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur ferner eine Konverterstruktur in dem
Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente-Struktur aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur zwischen der optoelektronischen Bauelemente- Struktur und der Konverterstruktur ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Konverterstruktur zwischen der optoelektronischen
Bauelemente-Struktur und der Spiegelstruktur ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die optoelektronische Bauelemente-Struktur zwischen der
Konverterstruktur und der Spiegelstruktur ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur als eine Spiegelfolie ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spiegelstruktur ferner eine zweite elektrisch schaltbare Spiegelstruktur aufweisen, wobei die zweite elektrisch schaltbare Spiegelstruktur zwischen der optoelektronischen Bauelemente-Struktur und der ersten Spiegelstruktur oder auf der hinsichtlich, der ersten elektrisch schaltbaren
Spiegelstruktur gegenüberliegenden Seite der
optoelektronischen Bauelemente-Struktur ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Bereich und/oder der zweite Bereich in der Form eines Piktogramms ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
optoelektronische Bauelemente-Struktur als eine
elektrolumineszente Struktur ausgebildet werden,
beispielsweise als eine organische Leuchtdiode, ein
organischer Transistor oder ein organischer Potoleiter.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Bereich und/oder der zweite Bereich jeweils mit zwei oder mehr voneinander unabhängige Bereiche ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Bereich und/oder der zweite Bereich mit zwei oder mehr
unterschiedlichen elektrisch schaltbaren Strukturen
ausgebildet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen
Figuren la, b schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ;
Figuren 2a, b schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 3a, b schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen; und Figuren 4a, b schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne" , „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in ein chränkendem. Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. Eine erste Schicht und eine zweite Schicht, die beide auf oder über einem Träger
ausgebildet sind, können auf der gleichen oder
unterschiedlichen Seite (n) des Trägers ausgebildet sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. Fig.la, b zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes.
Dargestellt in Fig.la ist eine optoelektronische Bauelemente- Struktur 102 mit Kontaktpads 104, 106 mittels derer die optoelektronische Bauelemente -Struktur 102 mit einer ersten Spannungsquelie 108 elektrisch verbunden ist. Weiterhin dargestellt ist eine elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110, die mittels Kontaktpads 112, 114 mit einer zweiten
Spannungsquelle 116 elektrisch verbunden ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die
Spiegelstruktur 110 und die optoelektronische Bauelement - Struktur 102 auf oder über einem gemeinsamen Träger 122 ausgebildet sein.
Die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 kann
strukturiert sein derart, dass ein erster Bereich 118 und ein zweiter Bereich 120 ausgebildet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Spiegelstruktur 110 einen optisch inaktiven Randbereichen aufweisen, in dem beispielsweise die Kontaktpads 112, 114 ausgebildet sind. Der erste Bereich 118 und der zweite Bereich 120 können in verschiedenen Ausführungsbeispielen strukturiert sein, beispielsweise in Form eines Piktogramms, eines Ideogramms oder eines Schriftzugs, beispielsweise in Form eines Pfeils (dargestellt) .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch schaltbare, strukturierte Spiegelstruktur 110 die
Feldverteilung des Strahlungsfeldes der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene des optoelektronischen
Bauelementes beeinflussen, die von der optoelektronischen Bauelement-Struktur 102 bereitgestellt wird. Dadurch können beispielsweise Informationen grafisch dargestellt werden, beispielsweise in Form eines Piktogramms, Dieses Piktogramm kann beispielsweise zu- und weggeschaltet werden · - dargestellt in Fig . lb .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann mittels der strukturierten, elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 eine veränderliche Information in der Bildebene des
optoelektronischen Bauelementes dargestellt werden,
beispielsweise unterschiedlich geformte Piktogramme,
farbveränderliche Piktogramme und/oder alterungsbedingte Farbveränderung des Piktogramms kompensiert werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement einen ersten Betriebsmodus und einen zweiten Betriebsmodus aufweisen, wobei in dem ersten Betriebsmodus die erste Spannungsquelle 108 eine erste
Spannung bereitstellt und die zweite Spannungsquelle 116 eine zweite Spannung bereitstellt, und in den zweiten
Betriebsmodus die erste Spannungsquelle 108 eine dritte
Spannung bereitstellt und die zweite Spannungsquelle 116 eine vierte Spannung bereitstellt.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Spannung ungefähr gleich der dritten Spannung sein. Die optoelektronische Bauelemente-Struktur 102 kann in dem ersten
Betriebsmodus eine ungefähr gleiche elektromagnetische
Strahlung bereitstellen wie in dem zweiten Betriebsmodus, beispielsweise mit einem ungefähr gleichen Farbort.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Spannung unterschiedlich sein zu der vierten Spannung.
Dadurch kann die Spiegelstruktur andere optische
Eigenschaften aufweisen, beispielsweise eine andere
Reflektivität , beispielsweise polarisationsabhängig, wodurch die Feldverteilung der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes 102 verändert werden kann. Dadurch kann beispielsweise der Farbort oder die Helligkeit der elektromagnetischen Strahlung, die von der Bauelemente-Struktur 102 bereitgestellt wird, in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes 100 eingestellt werden und/oder eine Information beispielsweise in Form eines Piktogramms dargestellt werden. Dadurch kann beispielsweise auch eine alterungsbedingte Verschiebung des Farbortes kompensiert werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein Piktogramm in dem ersten Betriebsmodus sichtbar sein und im zweiten
Betriebsmodus nicht dargestellt sein, beispielsweise da sich der Strahlengang innerhalb des optoelektronischen
Bauelementes geändert hat aufgrund einer veränderten
Reflektivität der Spiegelstruktur 110.
Das Piktogramm kann beispielsweise mittels eines
Farbortkontrastes sichtbar sein, der mittels der
strukturierten, elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur ausgebildet wird für die elektromagnetische Strahlung in der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes 102. Die Spiegelstruktur 110 kann als eine flächige
Spiegelstruktur ausgebildet sein, die lateral strukturiert sein kann, beispielsweise in der Fläche eine Strukturierung aufweisen. Verschiedene Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauelementes mit verschiedenen Ausführungsbeispielen der optoelektronischen Bauelemente-Struktur 102 und der
elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 werden in den Beschreibungen der Fig.2a, b und Fig. 3a, b dargestellt.
In einem Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische
Bauelement ferner eine Konverterstruktur (nicht dargestellt) aufweisen, die zu einem Wellenlängenkonvertieren der
elektromagnetische Strahlung, die von der optoelektronischen Bauelemente -Struktur 102 bereitgestellt wird, verwendet werden kann. In einem Ausführungsbeispiel kann mittels der strukturierten, elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 im Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente-Struktur 102, in der
Bildebene ein grün leuchtender Pfeil ausgebildet werden. In einem Ausführungsbeispiel kann der grün leuchtende Pfeil beispielsweise in einem ersten Bereich der optoelektronischen Bauelemente- Struktur 102 von Fig. 2a oder 3a gebildet werden {nicht dargestellt) , in dem der schaltbare Reflektor eine hohe Re flektion ( R=l) aufweist und somit die
Konverterstruktur keinen Beitrag an der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene des optoelektronischen
Bauelementes 100 liefert. In dem zweiten Bereich kann
beispielsweise eine zweite Spannung an der Spiegelstruktur 110 anliegen (nicht dargestellt) . Die zweite Spannung kann beispielsweise mittels einer weiteren Spannungsquelle oder hinsichtlich des ersten Bereiches mittels eines anderen elektrischen Widerstandes in Reihe zu der Spannungsquelle ausgebildet sein. Dadurch kann beispielsweise das
Reflexionsverhalten des zweiten Bereiches hinsichtlich des ersten Bereiches verändert werden, beispielsweise kann die Spiegelstruktur im zweiten Bereich transmittierend sein
(R=0) . Dadurch kann die Konverterstruktur zur gesamten emittierten elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes 102 beitragen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
strukturierte, elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 als eine elektrisch schaltbare Filterblende ausgebildet sein, beispielsweise das Beleuchtungsfeld des optoelektronischen Bauelementes eingrenzen, die Helligkeit und/oder den Farbort der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes ändern.
In einem Ausführungsbeispiel können der erste Bereich und der zweite Bereich dadurch ausgebildet werden, dass die
elektrisch schaltbare Spiegelstruktur einen hohen
Flächenwiderstand aufweist und vom Randbereich her beströmt wird. Dadurch kann im Betrieb bei einer angelegten Spannung an die elektrisch schaltbare Speigelstruktur nur ein Teil des elektrischen Stromes in Richtung der Mitte der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur fließen und die
optoelektronischen Eigenschaften verändert werden. Mit einem Ändern der Spannung an der Spiegelstruktur kann in diesem Ausführungsbeispiel die Abmessung des ersten Bereiches und des zweiten Bereiches eingestellt werden, beispielsweise ähnlich einer Irisblende.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement einen optisch inaktiven Bereich aufweisen. In dem optisch inaktiven Bereich können
beispielsweise die Kontaktpads 104, 106, 112, 114 zum
elektrischen Kontaktieren der organisch funktionellen
Schichtenstruktur 220 ausgebildet sein. Mit anderen Worten: Im geometrischen Randbereich kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet sein, dass optisch inaktive Kontaktpads 104, 106, 112, 114 zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sind, beispielsweise indem elektrisch leitfähige Schichten oder ähnliches, im Bereich der Kontaktpads 104, 106, 112, 114 wenigstens teilweise freiliegen (nicht dargestellt) , Die Kontaktpads 104 , 106 , 112 , 114 können als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der ersten Elektrode 202 oder der zweiten Elektrode 210 aufweisen oder daraus gebildet sein (siehe Fig.2} , beispielsweise als eine MetallSchichtenstruktur mit wenigstens einer Chrom- Schicht und wenigstens einer Aluminium-Schicht ,
beispielsweise Chrom-Aluminium-Chrom (Cr-Al-Cr) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement im optisch inaktiven Bereich eine Vorrichtung für ein schlüssiges Verbinden aufweisen, beispielsweise für ein Stoffschlüssiges , formschlüssiges oder kraftschlüssiges Verbinden.
Dieser Aufbau kann sowohl für Bottom-Emitter OLEDs (Fig.2) als auch für Top-Emitter OLEDs (Fig . 3 ) realisiert werden.
Fig .2a, b zeigen schematische Darstellungen
optoelektronischer Bauelemente , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
Das optoelektronische Bauelement 100 , beispielsweise ein e1ektromagnetische Strahlung bereitstellendes elektronisches Bauelement 100 , beispielsweise ein lichtemittierendes
Bauelement 100 , beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode 102 kann ein Träger 122 aufweisen . Der Träger 122 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente , dienen. Beispielsweise kann der Träger 122 Glas ,
Quarz , und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein . Ferner kann der Träger 122 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat { PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 122 kann eines oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweisen.
Der Träger 122 kann ein Metall oder eine Metallverbindung aufweisen, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches, beispielsweise in Form einer dünnen transluzenten oder transparenten Metallbeschichtung .
Der Träger 122 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Auf oder über dem Träger 122 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht
angeordnet sein {nicht dargestellt) . Die Barriereschicht kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen : Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniu oxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 0 , 1 nm (eine Atomläge) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm.
Auf oder über der Barriereschicht kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des lichtemittierenden Bauelements 100 fließt . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 202 , eine zweite Elektrode 210 und dazwischen eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden. So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht (oder, wenn die Barriereschicht nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 122 ) die erste
Elektrode 202 (beispielsweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 202) aufgebracht sein . Die erste Elektrode 202 (im Folgenden auch als untere Elektrode 202 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide , TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitf hige Oxide sind transparente , leitfähige Stoffe, beispielsweise
Metalloxide , wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder Ιη203 gehören auch ternäre Metailsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise AIZnO, Zn2Sn04, CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 , Galn03 , Zn2In205 oder
Ιη43η30 2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden .
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 202 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI , Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 202 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht , die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 202 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff - Nanoröhren; Graphen-Tei1chen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrode 202 elektrisch leitfähige
Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 202 und der Träger 122 transluzent oder transparent ausgebildet sei . In dem Fall , dass die erste Elektrode 202 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode 202 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 202 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 202 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungef hr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall , dass die erste Elektrode 202 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist , die erste Elektrode 202 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungef hr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall» dass die erste Elektrode 202 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können , einem Netzwerk aus Kohlenstoff - Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen- Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 202 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungef hr 500 nm, beispielsweise, eine Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Die erste Elektrode 202 kann als Anode , also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode .
Die erste Elektrode 202 kan einen ersten elektrischen
Kontaktpad auf eisen, an den ein erstes elektrisches
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt ) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquel1e) anlegbar ist . Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 122 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 202 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich des
lichtemittierenden Bauelements 100 eine organisch
funktionelle Schichtenstruktur 220 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 202 aufgebracht ist oder
ausgebildet wird. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 kann eine oder mehrere Emitterschichten 206 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochinj ektionsschichten 204 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 204 ) . In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektroneninj ektionsschichten 208 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 208 ) vorgesehen sein .
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 206
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sow e Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- ( 2 -pyridyl ) phenyl - (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 ( PFg ) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
( 9 , 10 -Bis [N, N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt: werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein . Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeis ielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 206 des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) 206 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 206 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 206 oder blau
phosphoreszierenden EmitterSchicht 206 , einer grün
phosphoreszierenden EmitterSchicht 206 und einer rot
phosphoreszierenden EmitterSchicht 206. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit ei em weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 kann
allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere , organische Monomere, organische kleine, nicht~ polymere Moleküle („small molecules" ) oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen . Beispielsweise kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten auf eisen, die als
Lochtransportschicht 204 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 208 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Als Stoff für die Lochtransportschicht 204 können
beispielsweise tertiäre Amine , Carbazolderivate , leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 204 auf oder über der ersten Elektrode 202 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 206 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 204 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Elektronentranspor schicht 208 auf oder über der Emitterschicht 206 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 {also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 204 und
Emitterschicht (en) 206 und Elektronentransportschicht (en)
208 ) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1 , 5 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 1 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 beispielsweise einen
Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs } aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 μκι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 um, beispielsweise eine Schichtdicke von ma imal ungefähr 800 nra, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nra, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur 220
beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordnete OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μτα.
Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 206 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 208 auf eisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern.
Auf oder über der organisch funktionellen Schichtens ruktur 220 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organisch funktionellen Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 210 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 210) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 210 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 202 , wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 210 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 210) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 210 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 202 , oder unterschiedlich zu dieser . Die zweite Elektrode 210 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder
mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 202 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 202 und die zweite Elektrode 210 beide transluzent oder transparent ausgebildet . Somit kann das in Fig. la, b dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom- Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100) ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 210 kann als Anode , also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 210 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle , anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,7 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 32 V bis ungefähr 12 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 210 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich kann optional noch eine Verkapselung 212 , beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 212 gebildet werden oder sein .
Unter einer „Barrierendünnschicht" 212 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 212 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen
Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 212 derart ausgebildet , dass sie von OLED- schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 212 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt , als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 212 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen . Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 212 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 212 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 212 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma- less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
{CVD} ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines piasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens {Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durc Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 212, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mitteis eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden . Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 212 , die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 212 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die Barrierendünnschicht 212 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungef hr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungef hr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 212 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 212 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten .
Die Barrierendünnschicht 212 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 212 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 212 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 212) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem , . Sto fgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 212 oder ( im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 212 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid,
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 212 oder ( im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 212 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Abdeckung mit einem Klebstoff auf oder über der Barrierendünnschicht 212 fixiert werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 212 ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung (beispielsweise eine
Glasabdeckung, eine Metallfolienabdeckung, eine abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung) auf oder über der
Barrierendünnschicht 212 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In verschiedenen Ausf hrungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack eine Schichtdicke von größer als 1 μιη aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μτ . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations - Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
KlebstoffSchicht ) können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel
eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des
Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können als
Iichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S1O2) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrÜ2) , Indium- Zinn-Oxid ( ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid
Figure imgf000041_0001
Aluminiumoxid, oder Titanoxid . Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen
Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel ,
Metalle wie Gold, Silber, Eisen, oder dergleichen als
Iichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 210 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μν , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μνα, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung . Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist . In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff
verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung, beispielsweise aus Glas , mittels
beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 212 aufgebracht werden .
In. verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 212 eine Abdeckung ausgebildet sein, beispielsweise aus Glas , beispielsweise mittels einer
Fritten-Verbindung {engl . glass frit bonding/glass
soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen
Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung und/oder der Klebstoff einen Brechungsindex
{beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm} von 1 , 55 auf eisen. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 212, beispielsweise der Barrierendünnschicht 212 ) in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen (dargestellt
exemplarisch in Fig.2a) kann auf oder über der
Barrierendünnschicht 212 eine elektrisch schaltbare
Spiegelstruktur 110 ausgebildet sein. Auf oder über der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 kann eine
Konverterstruktur 214 ausgebildet sein. Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine Reflektorstruktur 216 ausgebildet sein . In einem Ausführungsbeispiel kann eine Abdeckung wie sie oben beschrieben wurde auf oder über der Reflektorstruktur 216 ausgebildet sein. In einem
Ausführungsbeispiel kann die Abdeckung als eine
Reflektorstruktur 216 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine erste
Spannungsquelle 108 mit der ersten Elektrode 202 und mit der zweiten Elektrode 210 elektrisch verbunden sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine zweite Spannungsquelle 116 mit der elektrisch schaltbaren
Spiegelstruktur 110 elektrisch verbunden sein .
Mittels einer strukturierten, elektrisch schaltbaren
Spiegelstruktur 110 zwischen der organisch funktionellen Schichtenstruktur 220 und einer Konverterstruktur 214 kann der Farbort des optoelektronischen Bauelementes eingestellt werden. Der resultierende Farbort kann bei dieser
Ausgestaltung im CIE-Farbdiagramm auf der Verbindungslinie zwischen dem Farbort der optoelektronischen Bauelemente - Struktur 102 und der Lumineszenz der Konverterstruktur 214 liegen. Die Konverterstruktur kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen einen photolumineszenten Leuchtstoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielweise einen Leuchtstoff, der in einer organischen oder anorganischen
Matrix verteilt ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine elektrisch- schaltbare Spiegelstruktur 110 als eine Verbundfolie
ausgebildet sein, wobei die Verbundfolie elektrisch
schaltbare, optisch- reflektierende Eigenschaften aufweist .
Die Verbundfolie kann eine erste Steuerelektrode , eine zweite Steuerelektrode und eine Mikrokompartimentfolie mit Kavitäten aufweisen. Die Kavitäten können elektrophoretisch mobile Partikel in einer Suspensionsflüssigkeit aufweisen, wobei die Kavitäten in der Mikrokompartimen folie beispielsweise einen konischen oder kegelartigen Tiefenverlauf aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine elektrisch- schaltbare Spiegelstruktur 110 eine „elektronische Tinte" aufweisen, wobei die optischen Eigenschaften der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur mittels der Orientierung von ein- oder mehrfarbigen Pigmentpartikeln in einem elektrischen Feld ausgebildet ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine elektrisch- schaltbare Spiegelstruktur 110 ein Metallhydrid aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Yttrium/Lanthan in Kombination mit einer Zirkonoxidschicht mit H2 Einlagerungen . In einem Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische
Bauelement als ein Bottom-Emitter ausgebildet sein, der weißes Licht emittiert , indem das optoelektronische
Bauelement eine Emissionszone aufweist , die blau-grünes Licht emittiert, und eine Konverterstruktur aufweist , die das blau- grüne Licht in ein tiefrotes Licht konvertiert . Mittels der strukturierten, elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur kann in der Bildebene ein farbveränderliches Leuchtfeld ausgebildet werden, indem die Konverterstruktur in den
Strahlgang der optoelektronischen Bauelemente-Struktur
mittels der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur optisch zugeschalten wird.
In einem Ausführungsbeispiel kann der Träger 122 als ein Glassubstrat 122 ausgebildet sein . Auf dem Glassubstrat 122 kann eine erste Elektrode 202 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 202 ITO aufweist oder daraus gebildet ist . Auf oder über der ersten Elektrode 202 kann eine p-dotierte Lochinjektionsschicht 204 ausgebildet sein.
Die Lochinj ektionsschicht 204 kann beispielsweise 15 Gew . - % Cu (I) pFBz in 1 - TNATA oder aNPD aufweisen. Auf oder über der Lochinj ektionsschicht 204 kann eine
Emitterschicht 206 ausgebildet sein . Die Emitterschicht 206 kann einen oder mehrere Leuchtstoff (e) aufweisen, der/die elektrolumineszent mittels eines elektrischen Stromes durch die Emitterschicht 206 ein grün-blaues Licht emittiert . Auf oder über der Emitterschicht 206 kann eine n-dotierte
Elektroneninj ektionsschicht 208 ausgebildet sein .
Die Elektroneninj ektionsschicht 208 kann beispielsweise
10 Gew. -% CS3PO4 in BCP aufv/eisen. Auf oder über der Elektroneninj ektionsschicht 208 kann eine zweite Elektrode 210 ausgebildet sein . Die zweite Elektrode 210 kann gAg aufweisen oder daraus gebildet sein. Auf oder über der zweiten Elektrode 210 kann eine Barrierendünnschicht 212 ausgebildet sei . Die Barrierendünnschicht 112 kann transmittierend, beispielsweise transparent , ausgebildet sein, beispielsweise AI2O3 , SiNx, SiOx aufweisen oder daraus gebildet sein.
Auf oder über der Barrierendünnschicht 212 kann eine
elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 ausgebildet sein . Auf oder über der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 kann eine Konverterstruktur 214 ausgebildet sein. Die Konverterstruktur 214 kann einen Leuchtstoff aufweisen oder daraus gebildet sein, der ein grün-blaues Licht in ein rotes
2+
Licht konvertiert, . beispielsweise Eu dotierte Nitrid- Leuchtstoffe , beispielsweise (Ca, Sr) AISXM3 : EU2+
Strontiumchloroapati : Eu, beispielsweise
(Sr, Ca) 5 (P04) 3CI : Eu) ; Ce3+ dotierte Granatleuchtstoffe, beispielsweise YAG : Ce . Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine Reflektorstruktur 216 ausgebildet sein. Die Reflektorstruktur 216 kann beispielsweise Aluminium oder Silber auf eisen oder daraus gebildet sein.
In einem ersten Betriebsmodus 222 des optoelektronischen Bauelementes kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 elektrisch reflektierend sein derart , dass ungefähr die gesamte, auf die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einfallende , elektromagnetische Strahlung reflektiert wird, die von der Emitte schicht 206 bereitgestellt wird . Mit anderen Worten: in dem ersten Betriebsmodus weist die
elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einen
Transmissionsgrad von ungefähr null auf und einen
Reflexionsgrad von ungefähr eins . Dadurch kann in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes im Wesentlichen lediglich die elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden, die von der EmitterSchicht 206 emittiert wird, das ist beispielsweise grün-blaues Licht .
In einem zweiten Betriebsmodus 224 des optoelektronischen Bauelementes kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 elektrisch transmittierend sein derart , dass ungefähr die gesamte, auf die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einfallende , elektromagnetisehe Strahlung transmittiert wird, die von der Emitterschicht 206 bereitgestellt wird. Mit anderen Worten : in dem zweiten Betriebsmodus weist die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einen
Transmissionsgrad von ungefähr eins auf und einen
Reflexionsgrad von ungef hr null . Dadurch kann in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes eine elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden, deren
Farbort eine Mischung der primären elektromagnetischen
Strahlung, d.h. des Lichtes, welches von der Emitterschicht 206 emittiert wird, und der elektromagnetischen Strahlung, die von der Konverterstruktur 214 konvertiert emittiert wird, das ist beispielsweise weißes Licht.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen {dargestellt
exemplarisch in Fig.2b) kann auf oder über der
Barrierendünnschicht 212 eine Konverterstruktur 214
ausgebildet sein. Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110
ausgebildet sein. Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine Absorberstruktur 218 ausgebildet sein. In einem Ausführungsbeispiel kann eine Abdeckung wie sie oben
beschrieben wurde auf oder über der Absorberstruktur 218 ausgebildet sein. In einem Ausführungsbeispiel kann die
Abdeckung als eine Absorberstruktur 218 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine erste
Spannungsquelle 108 mit der ersten Elektrode 202 und mit der zweiten Elektrode 210 elektrisch verbunden sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine zweite
Spannungsquelle 116 mit der elektrisch schaltbaren
Spiegeistruktur 110 elektrisch verbunden sein.
In diesem Ausführungsbeispiel kann ein Regeln des Farbortes des Lichtes, welches von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellt wird, mittels einer strukturierten, elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 erreicht werden, die ähnlich der Spiegelstruktur 110 der Fig.2a ausgestaltet ist, wenn diese der organisch funktionellen Schichtenstruktur 220 und der Konverterstruktur 214 optisch nachgelagert wird, d.h. wenn die Konverterstruktur 214 zwischen der Spiegelstruktur 110 und der organisch funktionellen Schichtenstruktur 220 ausgebildet ist. Die Konverterstruktur 214
wellenlängenkonvertiert in diesem Ausführungsbeispiel selbst bei einer optisch transmit ierenden Spiegelstruktur 110 die elektromagnetische Strahlung, die von der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 220 emittiert wird . In einem Ausführungsbeispiel kann der Träger 122 als ein
Glassubstrat 122 ausgebildet sein . Auf dem Glassubstrat 122 kann eine erste Elektrode 202 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 202 ITO aufweist oder daraus gebildet ist. Auf oder über der ersten Elektrode 202 kann eine p-dotierte Lochinj ektionsschicht 204 ausgebildet sein . Die
Lochinj ektionsschicht 204 kann beispielsweise 15 Gew. -%
Cu (I) FBz in 1-TNATA oder aNPD aufweisen.
Die Angabe in Gewichtsprozent {Gew . %) ist j eweils der
prozentuale Massenanteil an der Masse des Stoffgemischs .
Auf oder über der Lochinj ektionsschicht 204 kann eine
Emitterschicht 206 ausgebildet sein. Die Emitterschicht 206 kann einen oder mehrere Leuchtstoff (e) aufweisen, der
elektrolumineszent mittels eines elektrischen Stromes durch die Emitterschicht 206 ein grün-blaues Licht emittiert . Auf oder über der Emitterschicht 206 kann eine n-dotierte
Elektroneninj ektionsschicht 208 ausgebildet sein. Die
Elektroneninjektionsschicht 208 kann beispielsweise 10 Gew . - % CS3PO4 in BCP aufweisen.
Auf oder über der Elektroneninj ektionsschicht 208 kann eine zweite Elektrode 210 ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 210 kann gAg aufweisen oder daraus gebildet sein. Auf oder über der zweiten Elektrode 210 kann eine Barrierendünnschicht 212 ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 112 kann transmittierend, beispielsweise transparent, ausgebildet sein, beispielsweise AI2Q3, SiNx, SiOx aufweisen oder daraus gebildet sein.
Auf oder über der Barrierendünnschicht 212 kann eine
Konverterstruktur 214 ausgebildet sein. Die Konverterstruktur 214 kann einen Leuchtstoff aufweisen oder daraus gebildet sein, der ein grün-blaues Licht in ein rotes Licht
2+
konvertiert ( beispielsweise Eu dotierte Nitrid- Leuchtstoffe, beispielsweise (Ca, Sr) AIS1N3 ; EU2+ ;
Strontiumchloroapatit : Eu, beispielsweise
3+
(Sr, Ca) 5 (P04) 3C1 :Eu) ; Ce dotierte Granatleuchtstoffe , beispielsweise YAG : Ce . Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine elektrisch schaitbare Spiegelstruktur 110 ausgebildet sein. Auf oder über der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 kann eine Absorberstruktur 218
ausgebildet sein. Die Absorberstruktur 218 kann derart ausgebildet sein, dass sie eine einfallende
elektromagnetische Strahlung absorbieren oder transmittieren kann, beispielsweise elementaren Kohlenstoff oder Ruß
aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einem ersten Betriebsmodus 226 des optoelektronischen Bauelementes kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 elektrisch reflektierend sein derart , dass ungefähr die gesamte , auf die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einfallende, elektromagnetische Strahlung reflektiert wird, die von der Emitterschiebt 206 bereitgestellt wird. Mit anderen Worten: in dem ersten Betriebsmodus weist die
elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einen
Transmissionsgrad von ungefähr null auf und einen
Reflexionsgrad von ungef hr eins . Dadurch kann in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes eine
elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden , deren
Farbort eine Mischung der primären elektromagnetischen
Strahlung, d.h. des Lichtes, welches von der Emitterschicht 206 emittiert wird, und der elektromagnetischen Strahlung, die von der Konverterstruktur 214 konvertiert emittiert wird, das ist beispielsweise weißes Licht . In einem zweiten Betriebsmodus 228 des optoelektronischen
Bauelementes kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 elektrisch transmittierend sein derart , dass ungefähr die gesamte, auf die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einfallende , elektromagnetische Strahlung transmittiert wird, die von der Emitterschicht 206 bereitgestellt wird. Mit anderen Worten: in dem zweiten Betriebsmodus 224 weist die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einen
Transmissionsgrad von ungefähr eins auf und einen
Reflexionsgrad von ungefähr null . Die konvertierte Strahlung wird teilweise in der Absorberstruktur 218 absorbiert
und/oder von dieser transmittiert . Dadurch kann in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes eine gemischte elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden, die von der Emitterschicht 206 und partiell von der Konverterstruktur 214 emittiert wird, das ist beispielsweise grünes Licht . Fig.3a, b zeigen schematische Darstellungen
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
Dargestellt sind ähnlich Fig.2a, b Ausführungsbeispiele optoelektronischer Bauelemente, die jedoch als Top-Emitter ausgebildet sind . Die optoelektronische Bauelemente -Struktur 102 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig. la, b und Fig.2a, b ausgebildet sein. Dargestellt ist ein Träger 122 , wobei auf oder über einer flächigen Seite des Trägers ausgebildet sind: eine erste Elektrode 202 , eine Lochinj ektionsschicht 204, eine oder mehrere Emitterschichten 206 , eine oder mehrere
Elektronenin ektionsschichten 208 , eine zweite Elektrode 210 und eine transmittierende , beispielsweise transluzente oder transparente , Barrierendünnschicht 212.
In einem Ausführungsbeispiel (dargestellt in Fig.3a} kann auf der anderen flächigen Seite des Trägers 122 im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung , die von der einen oder mehreren Emitterschichten 206 emittiert wird, eine elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 auf oder über dem Träger 122 ausgebildet sein . Auf oder über der Spiegelstruktur 110 kann eine Konverterstruktur 214 ausgebildet sein . Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine Reflektorstruktur 216 ausgebildet sein. Der Stapel aus elektrisch schaltbarer Spiegelstruktur 110 , Konverterstruktur 214 und Reflektorstruktur 218 ist ähnlich in der Wirkung der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig .2a .
In einem Ausführungsbeispiel kann der Träger 122 als ein Glassubstrat 122 ausgebildet sein. Auf dem Glassubstrat 122 kann eine erste Elektrode 202 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 202 ITO aufweist oder daraus gebildet ist . Auf oder über der ersten Elektrode 202 kann eine p-dotierte Lochinj ektionsschicht 204 ausgebildet sein . Die
Lochinj ektionsschicht 204 kann beispielsweise 15 Gew . - %
Cu (I) FBz in 1-TNATA oder aNPD aufweisen.
Auf oder über der Lochinj ektionsschicht 204 kann eine
Emitterschicht 206 ausgebildet sein . Die Emitterschicht 206 kann einen oder mehrere Leuchtstoff (e) aufweisen, der
elektrolumineszent mittels eines elektrischen Stromes durch die EmitterSchicht 206 ein grün-blaues Licht emittiert . Auf oder über der Emitterschicht 206 kann eine n-dotierte
Elektroneninj ektionsschicht 208 ausgebildet sein . Die
Elektroneninj ektionsschicht 208 kann beispielsweise 10 Gew . - % CS3PO4 in BCP aufweisen.
Auf oder über der Elektroneninj ektionsschicht 208 kann eine zweite Elektrode 210 ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 210 kann MgAg aufweisen oder daraus gebildet sein . Auf oder über der zweiten Elektrode 210 kann eine Barrierendünnschicht 212 ausgebildet sein . Die Barrierendünnschicht 112 kann transmi1 ierend, beispielsweise transparent , ausgebildet sein, beispielsweise AI2O3 , SiNx, SiOx aufweisen oder daraus gebildet sein . Auf oder über der Seite des Trägers, die der Seite des
Trägers mit erster Elektrode 202 gegenüber ist und im
Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung, die von der Emitterschicht 206 emittiert wird, kann eine elektrisch
schaltbare Spiegelstruktur 110 ausgebildet sein.
Auf oder über der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 kann eine Konverterstruktur 214 ausgebildet sein. Die
Konverterstruktur 214 kann einen Leuchtstoff aufweisen oder daraus gebildet sein, der ein grün-blaues Licht in ein rotes
2+
Licht konvertiert, beispielsweise Eu dotierte Nitrid- Leuchtstoffe , beispielsweise {Ca, Sr) AIS1N3 : EU2+ ;
Strontiumchloroapatit : Eu, beispielsweise
(Sr, Ca) 5 (PO4) 3CI :Eu> ; Ce + dotierte Granatleuchtstoffe , beispielsweise YAG : Ce . Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine Reflektorstruktur 216 ausgebildet sein . Die Reflektorstruktur 216 kann beispielsweise Aluminium oder Silber aufweisen oder daraus gebildet sein .
In einem ersten Betriebsmodus 222 des optoelektronischen Bauelementes kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 elektrisch reflektierend sein derart , dass ungef hr die gesamte, auf die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einfallende , elektromagnetische Strahlung reflektiert wird, die von der Emitterschicht 206 bereitgestellt wird. Mit anderen Worten : in dem ersten Betriebsmodus weist die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einen
Transmissionsgrad von ungefähr null auf und einen
Reflexionsgrad von ungefähr eins . Dadurch kann in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes im Wesentlichen lediglich die elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden, die von der Emitterschicht 206 emittiert wird, d.h. ein grün- laues Licht .
In einem zweiten Betriebsmodus 224 des optoelektronischen Bauelementes kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur
110 elektrisch transmittierend sein derart , dass ungefähr die gesamte, auf die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einfallende , elektromagnetische Strahlung transmittiert wird, die von der Emitterschicht 206 bereitgestellt wird. Mit anderen Worten: in dem zweiten Betriebsmodus weist die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einen
Transmissionsgrad von ungefähr eins auf und einen
Reflexionsgrad von ungefähr null. Dadurch kann in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes eine
elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden, deren
Farbort eine Mischung der primären e1ekt omagne ischen
Strahlung, d.h. des Lichtes, welches von der Emitterschicht 206 emittiert wird, und der elektromagnetischen Strahlung, die von der Konverterstruktur 214 konvertiert emittiert wird, das ist beispielsweise weißes Licht. In einem Ausführungsbeispiel (dargestellt in Fig.3b) kann auf der anderen flächigen Seite des Trägers 122 im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung, die von der einen oder mehreren Emitterschichten 206 emittiert wird, auf oder über dem Träger 122 eine Konverterstruktur 214 ausgebildet sein. Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 ausgebildet sein . Auf oder über der Spiegelstruktur 110 kann eine Absorberstruktur 218 ausgebildet sein . Der Stapel aus Konverterstruktur 214 , elektrisch schaltbarer Spiegelstruktur 110 und Absorberstruktur 218 ist ähnlich in der Wirkung der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.2b.
In einem Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische
Bauelement als ein Top-Emitter ausgebildet sein, der weißes Licht emittiert , indem das optoelektronische Bauelement eine Emissionszone aufweist , die blau-grünes Licht emittiert, und eine Konverterstruktur aufweist , die das blau-grüne Licht in ein tiefrotes Licht konvertiert . Mittels der strukturierten, elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur kann in der Bildebene ein farbveränderliches Leuchtfeld ausgebildet werden, indem die Konverterstruktur in den Strahlgang der
optoelektronischen Bauelemente-Struktur mittels der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur optisch zugeschalten wird .
In einem Ausführungsbeispiel kann der Träger 122 als ein Glassubstrat 122 ausgebildet sein, Auf dem Glassubstrat 122 kann eine erste Elektrode 202 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 202 ITO aufweist oder daraus gebildet ist. Auf oder über der ersten Elektrode 202 kann eine p-dotierte Lochinjektionsschicht 204 ausgebildet sein. Die
Lochinjektionsschicht 204 kann beispielsweise 15 Gew. -%
Cu (I) pFBz in 1-TNATA oder aNPD aufweisen.
Auf oder über der Lochinjektionsschicht 204 kann eine
Emitterschicht 206 ausgebildet sein. Die Emitterschicht 206 kann einen oder mehrere Leuchtstoff (e) aufweisen, der
elektrolumineszent mittels eines elektrischen Stromes durch die Emitterschicht 206 ein grün-blaues Licht emittiert. Die Elektroneninj ektionsschicht 208 kann beispielsweise 10 Gew. -% CS3PO4 in BCP aufweisen.
Auf oder über der Emitterschicht 206 kann eine n-dotierte Elektroneninj ektionsschicht 208 ausgebildet sein. Auf oder über der Elektroneninj ektionsschicht 208 kann eine zweite Elektrode 210 ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 210 kann MgAg aufweisen oder daraus gebildet sein. Auf oder über der zweiten Elektrode 210 kann eine Barrierendünnschicht 212 ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 112 kann
transmittierend, beispielsweise transparent , ausgebildet sein, beispielsweise AI2O3 , Si x, SiOx aufweisen oder daraus gebildet sein. Auf oder über der Seite des Trägers , die der Seite des
Trägers mit erster Elektrode 202 gegenüber ist und im
Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung, die von der Emitterschicht 206 emittiert wird, kann eine
Konverterstruktur 214 ausgebildet sein . Die Konverterstruktur 214 kann einen Leuchtstof aufweisen oder daraus gebildet sein, der ein grün-blaues Licht in ein rotes Licht
2+
konvertiert, beispielsweise Eu dotierte Nitrid- Leuchtstoffe, beispielsweise (Ca, Sr) AIS1N3 : EU2+ ;
Strontiumchloroapatit : Eu, beispielsweise
3+
(Sr, Ca) 5 (PO4) 3CI :Eu) Ce dotierte Granatleuchtstoffe, beispielsweise YAG : Ce . Auf oder über der Konverterstruktur 214 kann eine elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 ausgebildet sein. Auf oder über der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 kann eine Äbsorberstruktur 218
ausgebildet sein.
In einem ersten Betriebsmodus 226 des optoelektronischen Bauelementes kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 elektrisch reflektierend sein derart, dass ungefähr die gesamte, auf die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einfallende, elektromagnetische Strahlung reflektiert wird, die von der Emitterschicht 206 bereitgestellt wird.. Mit anderen Worten: in dem ersten Betriebsmodus weist die
elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einen
Transmissionsgrad von ungefähr null auf und einen
Reflexionsgrad von ungefähr eins. Dadurch kann in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes eine
elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden, deren
Farbort eine Mischung der primären elektromagnetischen
Strahlung, d.h. des Lichtes, welches von der Emitterschicht 206 emittiert wird, und der elektromagnetischen Strahlung, die von der Konverterstruktur 214 konvertiert emittiert wird, das ist beispielsweise weißes Licht.
In einem zweiten Betriebsmodus 228 des optoelektronischen Bauelementes kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 elektrisch transmittierend sein derart, dass ungefähr die gesarate, auf die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einfallende, elektromagnetische Strahlung transmittiert wird, die von der Emitterschicht 206 bereitgestellt wird. Mit anderen Worten: in dem zweiten Betriebsmodus 224 weist die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 einen
Transmissionsgrad von ungefähr eins auf und einen
Reflexionsgrad von ungefähr null. Die konvertierte Strahlung wird teilweise in der Absorber truktur 218 absorbiert
und/oder von dieser transmittier . Dadurch kann in der
Bildebene des optoelektronischen Bauelementes eine gemischte elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden, die von der Emitterschicht 206 und der Konverterstruktur 214 emittiert wird, das ist beispielsweise grünes Licht.
Fig. a, b zeigen schematische Darstellungen
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
Dargestellt in Fig.4a, b sind schematische
Querschnittsansichten optoelektronischer Bauelemente gemäß verschiedener Ausführungsbeispiele. Die in Fig. a, b
dargestellten Ausführungsbeispiele der optoelektronischen Bauelemente sollen lediglich zur Veranschaulichung des
Strukturierens dienen und können gemäß der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l bis Fig.3 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen der Beschreibung der Fig.l bis Fig.3 kann eine elektrisch schaltbare
Spiegelstruktur 110 hinsichtlich einer Konverterstruktur 214, einer Reflektorstruktur 216 und/oder einer Absorberstruktur 218 {nicht dargestellt) strukturiert sein - dargestellt in Fig. a.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen der Beschreibung der Fig.l bis Fig.3 kann eine Konverterstruktur 214 hinsichtlich einer elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110, einer
Reflektorstruktur 216 und/oder einer Absorberstruktur 218 (nicht dargestellt) strukturiert sein - dargestellt in
Fig. b.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen (nicht dargestellt) der Beschreibung der Fig.l bis Fig.3 können/kann eine
Konverterstruktur 214 und/oder eine elektrisch schaltbare Spiegelstruktur 110 hinsichtlich einer Reflektorstruktur 216 oder einer Absorberstruktur 218 strukturiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen (nicht dargestellt) der Beschreibung der Fig .1 bis Fig.3 kann die
Reflektorstruktur 216 oder die Absorberstruktur 218
hinsichtlich einer Konverterstruktur 214 und/oder einer elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur 110 strukturiert sein.
Mittels des Strukturierens einer Konverterstruktur, einer elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur, einer
Absorberstruktur und/oder einer Reflektorstruktur kann in der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes eine
Information dargestellt werden. Die dargestellte Information kann anhand eines Kontrastes , beispielsweise der Helligkeit oder des Farbortes optisch aktiver Bereiche des
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden,
beispielsweise kann ein erster Bereich 402 der optisch aktiven Fläche Licht mit einem ersten Farbort bereitstellen und ein zweiter Bereich 404 der optisch aktiven Fläche Licht mit einem zweiten Farbort bereitstellen. In einem
Ausführungsbeispiel können der erste Farbort ein weißes Licht und der zweite Farbort ein blau-grünes Licht sein.
Die dargestellte Information die mittels des Strukturierens wenigstens einer der genannten Strukturen in der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes dargestellt wird, kann ein Piktogramm, ein Ideogramm und/oder ein Schriftzug sein - siehe beispielsweise Fig.la, b .
Ein Strukturieren einer der genannten Strukturen kann als ein Strukturieren wenigstens einer Struktur hinsichtlich
wenigstens einer anderen Struktur verstanden werden. Ein Strukturieren kann j edcch derart verstanden werden, dass eine Struktur mit mehreren Teilstrukturen, die Struktur
hinsichtlich der Teilstrukturen untereinander strukturiert ist , beispielsweise eine strukturierte , elektrisch schaltbare Spiegelstruktur mit einer ersten elektrisch schaltbaren
Spiegelstruktur und einer zweiten elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur, wobei die erste elektrisch schaltbare Spiegelstruktur hinsichtlich der zweiten elektrisch
schaltbaren Spiegelstruktur strukturiert ist. Dadurch können beispielsweise mehrere unterschiedliche, wechselnde bzw. schaltbare Piktogramme, Ideogramme oder Schriftzüge mittels eines optoelektronischen Bauelementes dargestellt werden, beispielsweise Richtungspfeile, die unterschiedliche, schaltbare Richtungen zeigen.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist farbveränderlich Informationen darzustellen. Das optoelektronische Bauelement kann mit einem kompakten Schichtaufbau realisiert werden mittels Übereinanderstapelns von optoelektronischer
Bauelemente-Struktur, beispielsweise einer organischen
Leuchtdiode, einer strukturierten elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur und optional einer Konverterstruktur. Der Farbort des Lichtes, das von dem optoelektronischen
Bauelement in die Bildebene emittiert wird, kann mittels des Aufbaus auf einen elektrisch kontrollierbaren Farbort eingestellt werden, beispielsweise entlang einer Kurve oder Linie in einem CIE-Diagramm . Weiterhin kann mittels der elektrischen Farbortkontrolle die alterungsbedingte
Farbortverschiebung einer organischen optoelektronischen Bauelemente-Struktur nachgeregelt werden,
Mittels einer stabilen tiefrot-emittierenden,
photolumineszenten Konverterstruktur in der
optoelektronischen Bauelemente-Struktur kann die Lebenszeit des optoelektronischen Bauelementes erhöht werden.
Weiterhin kann die Effizienz des optoelektronischen
Bauelementes während des Betriebs nahezu erhalten werden, da emittierte elektromagnetische Strahlung lediglich durch AbsorptionsVerluste in der elektrisch schaltbaren
Spiegelschicht reduziert wird. Das Strukturieren der elektrisch schaltbaren Spiegelstruktur und/oder der Konverterstruktur kann eine Information,
beispielsweise ein Schri.ftz.ug, ein Piktogramm oder ein
Ideogramm, elektrisch schaltbar auf einer homogen,
beispielsweise leuchtenden Fläche erzeugt werden,
beispielsweise als digitale Beschilderung.
Weiterhin erlaubt das Übereinanderstapeln ein einfaches
Ausbilden des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise ein Ausbilden der Spiegelstruktur in einem Backend-Prozess , beispielsweise indem die Abdeckung der optoelektronischen Bauelemente -Struktur als elektrisch schaltbare
Spiegelstruktur ausgebildet ist oder solch eine aufweist . Beispielsweise kann dadurch die Konverterstruktur nach dem
Ausbilden der Spiegelstruktur ausgebildet werden oder bereits auf der Spiegelstruktur, beispielsweise in Form einer
Spiegelfolie , auf der Spiegelstruktur ausgebildet sein, bevor diese auf der optoelektronischen Bauelemente -Struktur
aufgebracht wird. Die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur kann dadurch auch zusätzlich als Teil einer
Verkapselungsstruktur wirken, beispielsweise bei einer organischen Leuchtdiode, die als Bottom-Emitter ausgebildet ist .
Weiterhin können mehrere Spiegelstrukturen in dem
optoelektronischen Bauelement übereinander in dem
Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente-Struktur gestapelt sein, wodurch verschiedene optische Effekte ausgebildet werden können .

Claims

Patentansprüche
Optoelektronisches Bauelement (100) , aufweisend:
eine optoelektronische Bauelemente -Struktur (102)
aufweisend eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (220 ) , wobei die organisch funktionelle
Schichtenstruktur (220) zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist ; und eine Spiegelstruktur (110) ;
• wobei die Spiegelstruktur (110) im Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente -Struktur (110) ausgebildet ist und elektrisch schaltbare optische Eigenschaften aufweist , und
• wobei die Spiegelstruktur (110) strukturiert ist
derart , dass die Spiegelstruktur (110) einen ersten Bereich (118) und einen zweiten Bereich (120) aufweist ,
• wobei der erste Bereich (118) und der zweite Bereich (120) sich in wenigstens einer optoelektronischen Eigenschaft unterscheiden; und
• wobei der erste Bereich (118 ) und der zweite Bereich (120) jeweils flächig zusammenhängend ausgebildet sind .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 , wobei die Spiegelstruktur (110) ferner einen optisch inaktiven Randbereich aufweist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 oder 2 ,
wobei die Spiegelstruktur (110) derart ausgebildet ist , dass der erste Bereich (118 ) elektrisch isolierend ausgebildet ist und der zweite Bereich (120) elektrisch schaltbare optische Eigenschaf en aufweist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 3, wobei der erste Bereich (118 ) als ein Loch in dem zweiten Bereich (120) ausgebildet ist . Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 ,
wobei die Spiegelstruktur (110) einen
flüssigkristallinen Stoff aufweist oder daraus gebildet ist , insbesondere in einer thermotropen Phase oder einer lyotropen Phase .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 ,
wobei ferner aufweisend: eine Konverterstruktur (214 ) in dem Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente- Struktur (110) .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 6, wobei die Spiegelstruktur (110) zwischen der
optoelektronischen Bauelemente-Struktur ( 102) und der Konverterstruktur (214 ) ausgebildet is .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 6 , wobei die Konverterstruktur (214) zwischen der
optoelektronischen Bauelemente-Struktur ( 102) und der Spiegelstruktur (110) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 6, wobei die optoelektronische Bauelemente-Struktur (102) zwischen der Konverterstruktur (214) und der
Spiegelstruktur (110) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9,
wobei die Spiegelstruktur (110) als eine Spiegeifolie ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 ,
wobei der erste Bereich (118) und/oder der zweite
Bereich (120) die Form eines Piktogramms aufweist/en. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 11,
wobei die optoelektronische Bauelemente-Struktur ( 102 ) als eine elektrolumineszente Struktur ausgebildet ist , insbesondere eine organische Leuchtdiode (100} , ein organischer Transistor (100) oder ein organischer
Fotoleiter (100) .
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes , das Verfahren aufweisend:
Bereitstellen einer optoelektronischen Bauelemente- Struktur (102) aufweisend eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (220) , wobei die organisch
funktionelle Schichtenstruktur (220 ) zu einem Auf ehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen
Strahlung eingerichtet ist und Ausbilden einer
Spiegelstruktur (110) ;
• wobei die Spiegelstruktur (110) im. Strahlengang der optoelektronischen Bauelemente-Struktur (102) ausgebildet wird und elektrisch schaltbare optische Eigenschaften aufweisend ausgebildet wird, und
• wobei die Spiegelstruktur (110) strukturiert wird derart, dass die Spiegelstruktur (110) einen ersten Bereich (118) und einen zweiten Bereich (120) aufweist ,
• wobei der erste Bereich (118) und der zweite Bereich (120) sich in wenigstens einer optoelektronischen Eigenschaft unterscheiden; und
• wobei der erste Bereich (118) und der zweite Bereich (120) j eweils flächig zusammenhängend ausgebildet werden.
14. Verfahren gemäß Anspruch 13,
wobei die Spiegelstruktur (110 ) ferner mit einem optisch inaktiven Randbereich ausgebildet wird.
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