WO2016114508A1 - 센서패키지 - Google Patents

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WO2016114508A1
WO2016114508A1 PCT/KR2015/014103 KR2015014103W WO2016114508A1 WO 2016114508 A1 WO2016114508 A1 WO 2016114508A1 KR 2015014103 W KR2015014103 W KR 2015014103W WO 2016114508 A1 WO2016114508 A1 WO 2016114508A1
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WO
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pattern
sensor package
gas
substrate
metal pattern
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Application number
PCT/KR2015/014103
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English (en)
French (fr)
Inventor
백지흠
황지훈
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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    • H05K7/1462—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack for programmable logic controllers [PLC] for automation or industrial process control
    • H05K7/1468—Mechanical features of input/output (I/O) modules
    • H05K7/1469—Terminal blocks for connecting sensors
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]

Definitions

  • Embodiments of the present invention are directed to the structure of a sensor package.
  • sensing elements Sensors that detect the conditions of various environments such as gas, pressure, infrared rays, and humidity have recently used semiconductor structures called sensing elements. Such a sensing device generally operates by detecting a sensing unit that implements sensing and by analyzing the changed signal value by reading the sensing signal.
  • a sensing element having a semiconductor chip structure is implemented and mounted on a circuit pattern of a printed circuit board (PCB).
  • the solder bump structure is a circuit of the chip and the substrate. It forms between the patterns and implements mutual bonding.
  • aluminum is generally used as an input / output pad corresponding to a terminal provided in the sensing element.
  • UBM under bump metallurgy
  • the UBM layer is an essential component in order to strengthen the bonding, and is implemented by implementing a plurality of layers of plating, resulting in a complicated process and a cost increase.
  • Embodiments of the present invention have been made to solve the above-described problem, in particular, bonding between the terminal pattern and the metal pattern of the sensing element without implementing a separate under bump metallurgy (UBM) in the terminal pattern of the sensing element,
  • UBM under bump metallurgy
  • a sensing element including a first substrate including a metal pattern and a terminal pattern bonded to the metal pattern, and disposed between the bonding pad and the terminal pattern. It is possible to provide a sensor package including a solder joint layer.
  • the first dam pattern having a structure in which the surface of the first substrate is exposed to the inside of the metal pattern in order to eliminate the defects due to the diffusion of the solder bonding layer may be configured.
  • a bonding between the terminal pattern and the metal pattern of the sensing element is implemented by implementing a solder joint layer on the metal pattern on the PCB without implementing a separate under bump metallurgy (UBM) on the terminal pattern of the sensing element.
  • UBM under bump metallurgy
  • a gas movement space is provided between the substrate and the gas sensing element in a structure in which the gas sensing element is mounted on the substrate by flip chip bonding.
  • the cover member is implemented on the upper surface of the element body to form a cavity in the gas sensing element to protect the element including the gas sensing portion, and the cover member can be fixed to the upper part of the adjacent element around the gas sensing element. It is also possible to enhance the connection reliability between the device and the substrate.
  • the bonding structure according to the embodiment of the present invention when applied to the gas sensor package, the gas stays on the cavity to increase the sensing efficiency, while providing a through hole in the first substrate to be combined into a package.
  • the gas By allowing the gas to be introduced through the through-hole, the gas can be sensed to increase the sensing efficiency, and the gas sensor having a very slim structure can be formed.
  • the gas sensing element is directly mounted on the metal electrode of the substrate, wire bonding is unnecessary, thereby reducing the package area and reducing the overall height of the package.
  • gas inflow may be performed through a spaced portion on the side of the chip, so that efficient sensing may be realized.
  • Gas sensor package of various embodiments of the present invention can be applied to the overall IT device through the reduction in the size and cost reduction of the entire package through the above-mentioned slim and multi-functional.
  • 1 to 3 are main cross-sectional views and images showing the structure of a sensing package according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 4 is a cross-sectional view showing the main portion of the structure of the sensing package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating a process flowchart of mounting a sensing device and a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, and a problem thereof.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating a process flowchart of mounting a sensing device and a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, and a problem thereof.
  • FIG. 6 is a bonding process diagram of a sensing element and a substrate according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 illustrates a structure of a dam pattern different from that of the first dam pattern of the present invention.
  • FIGS. 10 and 11 are main cross-sectional views illustrating a structure of a gas sensor package to which a sensing package according to an embodiment of the present invention described above with reference to FIGS. 1 to 9 is applied.
  • FIG. 12 is a conceptual view illustrating main parts of a gas sensing device according to an exemplary embodiment of the present invention applied to the gas sensor package described above with reference to FIGS. 10 and 11.
  • FIG. 13 illustrates the implementation of a cover member for sealing the upper surface of the cavity, in particular in the structure of the gas sensing element described above in FIG. 12.
  • FIG. 14 is a conceptual diagram illustrating a structure of a gas sensor package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 illustrates a top plan view of the package structure described above in FIG. 7.
  • FIGS. 14 and 15 are top plan views of the package in FIGS. 14 and 15 as viewed from the top.
  • FIG. 1 to 3 are conceptual views illustrating a packaging method of a sensing device and a substrate according to an embodiment of the present invention.
  • the sensing element includes a first substrate 210 including a metal pattern 220 and a terminal pattern 130 bonded to the metal pattern 220. And a solder bonding layer 225 disposed between the sensing device 100 and the metal pattern 220 and the terminal pattern 130. That is, the terminal pattern 130 of the sensing device 100 and the metal pattern 220 on the first substrate are bonded by using a single solder bonding layer 225 to realize a plurality of existing plating or deposition layers. Simplification of the structure can be achieved by eliminating the UBM (Under Bump Metallurgy) layer, which enables cost reduction and process simplification. In addition, the additional plated layer of the junction is not present, the transmission resistance of the signal is small, the effect of increasing the efficiency of the signal processing is also implemented.
  • UBM Under Bump Metallurgy
  • the sensing device 100 may be implemented as a device having a semiconductor chip structure including a sensing unit 110 for sensing various external environments or stimulus elements.
  • sensing devices such as a gas sensor, a pressure sensor, and an infrared sensor may be used.
  • the first substrate 210 is provided, such as a printed circuit board having a metal pattern on which the sensing device 100 is mounted, for transmitting a signal.
  • the first substrate 210 is a flexible printed circuit board. It may be a structure having a variety of materials and flexibility, including.
  • a through hole 211 for gas sensing may be implemented in the first substrate 210.
  • the terminal pattern 130 provided in the sensing device 100 and the metal pattern 220 which is a pad part to be bonded to the terminal pattern 130 are provided, and the metal pattern 220 is disposed on the metal pattern 220.
  • the solder joint layer 225 is formed.
  • the solder bonding layer 225 may be implemented on the metal pattern 220 in various ways. For example, a solder cream may be printed using a silk screen printing method or a thin metal pattern may be formed by patterning a solder resist. 220 may be implemented. 1 and 3, the solder bonding layer 225 is arranged between the terminal pattern 130 and the metal pattern 220 of the sensing device, and mutual bonding is implemented through a reflow process. Done.
  • This process does not need to implement a separate UBM (Under Bump Metallurgy) layer, it is possible to implement a bonding in a very simple process. In other words, there is no need to implement solder bumps (bump structures) for bonding.
  • UBM Under Bump Metallurgy
  • FIG. 4 is a cross-sectional conceptual view illustrating another embodiment in which the structure of the metal pattern is diversified from that of FIG. 1.
  • the dam pattern (hereinafter, referred to as a “first dam pattern”) having a structure in which the surface of the lower first substrate 210 is exposed in the metal pattern is implemented in this embodiment. There is a difference in that.
  • the first dam pattern 227 is to print the solder bonding layer on the metal pattern 220 of the surface of the first substrate 210 in the embodiment of the present invention or to apply the solder bonding layer 225 in another way If the viscosity is low, the solder joint layer 225 may flow to an adjacent circuit, or may overflow in a reflow process, causing a defect that may occur with a nearby circuit.
  • the metal pattern 220 is implemented on the first substrate 210 and the metal pattern is formed.
  • the solder bonding layer 225 on the upper surface of 220 is implemented by silk printing.
  • the sensing element 100 and the first substrate are aligned, and as shown in FIG. 5C, the terminal pattern 130 and the terminal of the sensing element 100 are arranged.
  • Alignment of the metal pattern 220 is performed through the solder bonding layer. In this case, a reflow process is performed at the same time. In this case, the solder joint layer may flow to an adjacent terminal pattern, and a short may occur or be transferred to another part.
  • the first dam pattern 227 may be implemented in the metal pattern bonded to the terminal pattern of the sensing element.
  • FIG. 6 is a process conceptual diagram according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • a terminal pattern of a sensing element and a plurality of circuit patterns provided on a surface of a first substrate 210 may be used.
  • the metal pattern 220 which is a circuit pattern of a corresponding portion to be bonded, is processed to implement a pattern (first dam pattern) having a groove pattern structure in which the solder bonding layer 225 may prevent flow.
  • the metal pattern 220 is etched to implement an intaglio pattern in which the surface of the lower first substrate 220 is exposed. .
  • the first dam pattern 227 may be disposed around a portion corresponding to the center of the sensing element. That is, it is arranged between the terminal and the terminal of the sensing element to prevent the short between the neighboring terminal pattern primarily.
  • the expansion and shape of the first dam pattern may be variously modified in consideration of the terminal position of the device or the arrangement between adjacent circuits.
  • the first dam pattern 227 may have a structure in which the surface of the first substrate is exposed inside the metal pattern.
  • the first dam pattern 227 may be implemented to have a predetermined bent shape in consideration of the possibility that the solder bonding layer 225 may affect adjacent terminal patterns or circuits.
  • the first dam pattern may be implemented as a pattern of a continuous or discontinuous structure.
  • the continuous structure has a structure in which one end Y1 of the first dam pattern 225 and the other end Y2 extending from the one end do not communicate with each other, that is, the solder bonding layer 225. ) Is preferably formed so that the one end and the other end do not meet so as to completely isolate). This is to ensure the reliability of the electrical signal transmission through the junction of the terminal pattern and the metal pattern itself.
  • 7 (b) and 7 (c) are images showing an actual alignment process and a reflow process after bonding the sensing elements.
  • FIG. 8 illustrates a modified structure of the various first dam patterns described above with reference to FIG. 7.
  • the first dam pattern 227 in the embodiment of the present invention may be implemented in a structure in which the surface of the first substrate is exposed to the inside of the metal pattern.
  • one end Y1 of the first dam pattern 225 and the other end Y2 extending from the one end do not communicate with each other, or as shown in FIG. It can be variously designed into a structure surrounding the three sides of the layer, or a structure surrounding the three sides and the other one surface of the solder joint layer as shown in (c) of FIG. 8. have.
  • the first dam pattern it is possible to simultaneously implement during the patterning process (ex. Wet etching, dry etching, laser processing, etc.) that implements the circuit pattern of the first substrate, and increases the process equipment and loss of material. It can be implemented in a simple process without any burden in terms of cost and processing time.
  • FIG 9 illustrates a structure of a dam pattern different from that of the first dam pattern of the present invention.
  • a second dam pattern 229 having an embossed spaced apart from 220 may be implemented. That is, if the above-described first pattern is a structure provided inside the metal pattern, the second dam pattern 229 leaves the original metal pattern 220 as it is, and has a protrusion circuit pattern having a predetermined shape in the patterning process. Implement the pattern in a way that leaves In this case, the second dam pattern 229 is not connected to other metal patterns, and disposed so that the surface of the first substrate is exposed between adjacent metal patterns.
  • the second dam pattern when the circuit pattern is processed, the second dam pattern may be embodied as a structure that leaves a metal layer.
  • the patterning is performed in addition to the original process, there is no loss of material, it can be implemented in a manner that does not have any cost loss for additional equipment or additional processes.
  • the second dam pattern 229 is implemented as a structure for implementing a spaced portion 210a spaced apart from the metal pattern as shown in FIGS. 9A to 9B, but one end and the other end Can be implemented in a structure that does not communicate. Furthermore, as shown in FIG. 9C, the shapes of the discontinuous patterns 229a to 229c may be modified.
  • the sensing package implementing the junction structure is a metal on the PCB without bonding between the terminal pattern and the metal pattern of the sensing element to implement a separate under bump metallurgy (UBM) in the terminal pattern of the sensing element
  • UBM under bump metallurgy
  • Implementing a solder joint layer on the pattern simplifies the manufacturing process, lowers the cost of the process, improves the reliability of the bonding, and enables a variety of applications. That is, the present invention may be variously applied to a sensor package that applies a sensing device having a semiconductor structure such as a gas sensor, a pressure sensor, and an infrared sensor.
  • FIGS. 10 and 11 are main cross-sectional views illustrating a structure of a gas sensor package to which a sensing package according to an embodiment of the present invention described above with reference to FIGS. 1 to 9 is applied.
  • FIG. 10 illustrates the structure of FIG. 1
  • FIG. 11 illustrates the package structure according to the embodiment of FIGS. 4 to 9 in which a dam pattern is implemented.
  • the gas sensor package includes a gas sensing unit disposed to face a surface of the first substrate 210 and the first substrate 210 including the metal pattern 220 ( It includes a gas sensing device 100 including a 110, it is to be configured to include a gas moving unit (G1, G2) between the gas sensing device 100 and the first substrate (210).
  • a gas moving unit G1, G2
  • FIG. 11 an embodiment in which a first dam pattern is formed (FIGS. 4 to 8) or a second dam pattern (FIG. 9) may be applied to the metal pattern 220.
  • the first substrate 210 is formed in a structure including a plurality of metal patterns 220 patterned by electrode patterns (circuit patterns) made of a metal material on a substrate surface formed of an insulating material.
  • it includes a first through hole 211 having a structure penetrating the upper and lower portions of the substrate.
  • the first through hole 211 serves as a passage through which the gas sensing unit 110 of the gas sensing element 100, which will be described later, is exposed to be in contact with the gas.
  • the gas sensing element is mounted by combining the metal pattern 220 and the terminal pattern 130 of the gas sensing element.
  • the gas sensing device is mounted as described above so that the bonding may be implemented only through the solder bonding layer without forming a separate UBM layer.
  • the gas sensing device 100 forms a structure spaced apart from the first substrate, that is, the gas movement spaces G1 and G2 serving as gas movement passages, and the gas flows through the gas movement spaces. In the gas sensing unit 110, gas may be detected more easily.
  • the first substrate 210 is provided with a plurality of second through-hole 230 for coupling the first substrate 210 and the external substrate or the object in addition to the first through-hole 211, in particular
  • the second through hole 230 is filled with a metal material as shown in FIGS. 1 and 4 (hereinafter, referred to as a metal filling part 240), and the metal filling part 240 has a predetermined portion as shown. 1 is formed in a structure that protrudes to the lower portion of the substrate (210).
  • the protruding structure may serve to provide a gas flow path at the same time that the object such as a printed circuit board, such as a second substrate to be described later, and the metal filling unit 240 are electrically coupled.
  • the gas flow passage may also perform a function of facilitating the inflow of gas to increase the gas detection efficiency (described later in FIG. 14).
  • gas movement spaces G1 and G2 may appear to block the passage to the gas sensing unit 110 in FIGS. 1 and 4, but the one end view illustrates the terminal pattern 130 and the metal pattern.
  • a junction portion of the 220 corresponds to a very part, so that the space formed by the terminal pattern 130 and the metal pattern 220 is evenly formed along the edge of the gas sensing device 100.
  • the metal pattern 220 of the upper surface of the first substrate 210 is directly bonded to the terminal pattern 220 or the metal electrode of the gas sensing device 100, generally, Ag, Au in the Cu layer It is preferable to be formed in the structure containing the surface treatment plating layer, such as and Sn, and to improve joining property with the above-mentioned solder joint layer.
  • the thickness of the metal pattern (211, 212) to form a range of 1 ⁇ m ⁇ hundreds of ⁇ m to play a role of implementing a gas flow passage to allow gas to be vented to the side of the gas sensing element 100 You can do that.
  • the gas sensing device 100 is a functional unit including a sensing material capable of gas sensing, which can be commonly applied to all commercial gas sensing structures, and includes a sensing device using an oxide semiconductor and a carbon nanotube. Sensing elements, various sensing semiconductor chips, etc. can all be applied.
  • the gas sensing device 100 is mounted to face the surface of the first substrate 100 on which the gas sensing device 100 is mounted.
  • the terminal pattern 130 of the gas sensing device 100 and the metal pattern 220 of the first substrate are directly bonded to each other through the solder bonding layer 225 by flip chip bonding.
  • the package area is reduced, and a mechanism such as a cap member or a mesh member is unnecessary on an upper portion of a separate gas sensing unit, so that the package can be further miniaturized and manufacturing cost can be reduced.
  • the gas sensing unit 110 of the gas sensing device 100 may include a first through hole of the first substrate 100 through which external gas may move and contact the gas. It is preferable to align to correspond to 211). This is a structure in which the gas sensing unit 110 is exposed through the gas inlet hole to increase the contact efficiency with gas, that is, the center of the gas sensing unit 110 and the gas inlet hole 211 are aligned. Most efficient in terms of efficiency. Of course, it is not limited to this, it is also possible to arrange the arrangement of the arrangement in a certain range, in this case, the present invention in the embodiment through the gas moving unit (G1, G2), etc. in the side of the gas sensing element The detection can be supplemented, and thus the effect of improving the sensing efficiency can be realized in the same manner.
  • one or more adjacent devices 300 mounted on the first substrate may be further included.
  • the adjacent device is a concept including both an active device and a passive device.
  • the adjacent device may further include a fixed resistance or a negative temperature coefficient thermistor (NTC) device.
  • NTC negative temperature coefficient thermistor
  • the resistance method is converted into a voltage output.
  • the initial sensing material is compensated for the initial sensing material according to temperature to have a constant initial voltage value. It may be.
  • a cover member 150 having a structure covering the gas sensing element 100 and the upper portion of the adjacent element 300 at the same time.
  • the cover member 150 has a unique structure of the present invention, which provides a cavity 140 for forming a gas retention region in the gas sensing device 100, and seals an upper portion thereof to protect the interior.
  • the cover member 150 when the cover member 150 is fixed together with the upper surface of the adjacent element 300, in addition to the protection of the gas sensing element, the cover member 150 is fixed together with the adjacent element to improve the bonding reliability of the gas sensing element itself. It becomes possible.
  • the cover member is fixed together with the adjacent element, but the adjacent element includes a plurality of chip package structures (a protruding structure other than a gas sensing element) in addition to a chip structure such as an active element or a passive element.
  • the concept includes that can be pinned together.
  • the cover member 150 may be applied to a material of a variety of materials having an insulating property, for example, may be applied to all materials used as a sealing material, such as a material containing epoxy, urethane, Si as a synthetic resin material,
  • the synthetic resin material is preferably applied to a material having a constant viscosity so as not to flow into the cavity.
  • FIG. 12 is a conceptual view illustrating main parts of a gas sensing device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention applied to the gas sensor package described above with reference to FIGS. 10 and 11.
  • a gas sensing device applied to a package includes a device body 120 including a lower surface 121 and a sidewall 122 to provide a cavity 140 therein. It may be configured to include a cover member 150 disposed on the side wall 122 to seal the upper surface of the cavity 140 and a gas sensing unit 110 disposed on an outer surface of the lower surface.
  • FIG. 12 defines a lower direction (A) and an upper direction (B) of the gas sensing element of the present invention, and is a conceptual view of the main part viewed from the upper direction (A), and FIG. 12 (c) is a side cross-sectional conceptual view of the main part in the direction A.
  • FIG. 12 defines a lower direction (A) and an upper direction (B) of the gas sensing element of the present invention, and is a conceptual view of the main part viewed from the upper direction (A)
  • FIG. 12 (c) is a side cross-sectional conceptual view of the main part in the direction A.
  • a gas sensing unit 110 for detecting a gas through a sensing material or a sensing chip is disposed on an outer surface of the lower surface of the device body 120 in an upper direction B, and an adjacent surface thereof.
  • the electrode pattern 130 may be connected to an external terminal, and the gas sensing unit 110 and the electrode pattern 130 may be electrically connected to each other.
  • the gas sensing device As seen from the lower direction (B) of the device as shown in Figure 12 (b), the gas sensing device according to an embodiment of the present invention has a structure in which the cavity 140 is provided inside the side wall 122 and the lower surface 121 ) Is implemented, and is provided as a structure in which an opening area is implemented in an upward direction.
  • the gas sensing unit 110 is disposed on the opposite side of the lower surface 121 of the device body that provides the internal cavity 140.
  • the electrode pattern 130 is provided to be mounted on a substrate or the like later.
  • FIG. 13 illustrates the implementation of the cover member 150 which seals the upper surface of the cavity, in particular in the structure of the gas sensing element described above in FIG. 12.
  • the cover member 150 may be arranged to cover the upper surface of the side wall portion 122 and the upper surface of the cavity of the device body, and to process a separate structure to bond a synthetic resin film such as polyimide
  • a synthetic resin film such as polyimide
  • the cover member 150 is not limited to covering only the upper surface of the gas sensing element, but extends to the adjacent element and is fixed at the same time so as to increase the bonding reliability of the gas sensing element as described above. .
  • the potting material is dropped on the upper surface of the gas sensing element and the upper surface of the adjacent element by dispensing or the like to cover the potting material. Therefore, the lower surface P2 of the cover member according to the embodiment of the present invention has a structure formed below the imaginary horizontal surface P1 formed by the upper end surface of the side wall portion 122 of the device body 120. .
  • the lower surface of the cover member is implemented to have a curvature according to the deflection or surface tension due to gravity of the synthetic resin material having a constant viscosity, this structure makes the upper surface of the cavity has a curvature to facilitate gas retention and circulation
  • the function to implement the complementary function to increase the sensing sensitivity is also implemented.
  • a fine gas movement hole may be formed on the lower surface of the device body, and the fine gas movement hole may be additionally implemented in a part of the cover member.
  • the cover member may be embodied as a structure that does not contact the surface of the first substrate or only a part of the cover member to prevent the gas movement space formed on the side portion of the gas sensing element.
  • FIG. 14 is a conceptual diagram illustrating a structure of a gas sensor package according to another embodiment of the present invention.
  • a package having a structure in which a gas sensing device 100 and a first substrate 210 are coupled according to an embodiment of the present invention is mounted on a second substrate 400 such as a separate printed circuit board. It may be implemented in a structure.
  • a second substrate 400 such as a separate printed circuit board.
  • the embodiment of implementing the structure of the dam pattern as shown in Figures 4 to 9 can be applied to the embodiment of FIG.
  • the second substrate 400 may be a printed circuit board.
  • the printed circuit board may be made of a flexible material, and as shown, the metal filling part 240 of the first substrate 210 and the second substrate which is the printed circuit board ( 400 is electrically connected.
  • the metal filling part 240 has a structure which protrudes a predetermined portion in the direction of the lower surface of the first substrate 210, and has a constant spacing even after connecting to the second substrate 400.
  • the gas flow paths G3 and G4 are formed (hereinafter, referred to as a 'second gas moving space').
  • the second gas movement space 410 is in addition to contacting the gas and the gas sensing unit 110 directly through the first through-hole 211 provided in the first substrate in the package according to the embodiment of the present invention.
  • the gas approaching from the side portion of the gas sensing element may be brought into contact with the gas sensing unit, thereby increasing the sensing efficiency.
  • the conventional gas sensors are implemented by arranging the gas sensing unit to face the upper surface of the substrate in order to ensure contact efficiency with the gas. Therefore, the gas sensing unit is inevitably facing the upper part and at the same time, the mesh network protection net is provided.
  • the cap is installed so that the part provided with the gas sensing unit is in contact with the surface of the first substrate.
  • the package can be miniaturized and manufacturing cost can be reduced.
  • Sensing efficiency is realized by implementing the gas retention using the cavity inside the device and the separation part for inducing gas from the first through hole and the side of the first substrate to the gas sensing unit. It can also be secured.
  • FIG. 15 illustrates a top plan view of the package structure described above in FIG. 7.
  • the surface of the first substrate 100 is bonded in a flip-chip manner so that the gas sensing unit of the gas sensing element faces, and the metal filling unit 240 is disposed below, and has a fixed resistance or a negative temperature coefficient (NTC).
  • NTC negative temperature coefficient
  • thermistor element 300 may be added. (The construction of the cover member is omitted for the sake of brevity.)
  • FIG. 16 is a plan conceptual view of the package in FIGS. 14 and 15 viewed from above, and shows paths G3 and G4 of gas movement through the second gas movement space after the lower PCB and the first substrate 210 are coupled to each other. It is. As shown, the gas moving from the side of the gas sensing element 100 is transmitted through the gas moving spaces G1 and G2, the second gas moving space between the first substrate and the second substrate in the left and right side portions. Through G3 and G4, the gas is smoothly aerated to allow gas to be delivered to the gas sensing unit.
  • a package applying the bonding structure of the sensing element and the printed circuit board according to FIGS. 1 to 9 according to an embodiment of the present invention includes an infrared sensor, a humidity sensor, a temperature sensor, a pressure sensor, and an LED package. It can be applied to various lighting packages and Membrane type MEMS chips.

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Abstract

본 발명의 실시예들은 센서 패키지의 구조에 대한 것으로, 센싱소자의 단자패턴과 금속패턴 사이의 본딩을 별도의 UBM(Under Bump Metallurgy)을 센싱소자의 단자패턴에 구현하지 않고, PCB 상의 금속패턴에 솔더접합층을 구현하여 접합시키는 것을 특징으로 한다.

Description

센서패키지
본 발명의 실시예들은 센서 패키지의 구조에 대한 것이다.
가스나 압력, 적외선, 습도 등 다양한 환경의 상태를 감지하는 센서는 최근에 센싱소자라는 반도체 구조물을 이용하고 있다. 이러한 센싱소자는 일반적으로 센싱을 구현하는 감지부와 이 감지신호를 읽어 들여 변화하는 신호값을 분석함으로써, 측정한 상태의 정보를 분석하는 방식으로 동작한다.
가스센서를 일예로 들면, 최근 반도체 칩 구조의 센싱소자를 구현하고, 이를 인쇄회로기판(PCB)의 회로패턴에 실장(mounting)하는 방식으로 구현되며, 이 경우 솔더 범프 구조물을 칩과 기판의 회로패턴 사이에 형성하고, 상호 접합을 구현하게 된다. 이 경우, 센싱소자에 구비되는 단자에 해당하는 입출력 패드로는 알루미늄을 일반적으로 사용한다. 그러나, 알루미늄은 솔더 범프와의 젖음성이 나쁘기 때문에 젖음성을 확보하기 위하여 알루미늄 패드 위에 UBM(Under Bump Metallurgy)이라고 하는 다수의 금속층을 형성하게 된다. 이러한 UBM 층은 접합성을 강화하기 위해서는 필수적인 구성요소로 여러 다층의 도금을 실시하여 구현하는 방식을 취하는바, 공정이 복잡해 지며 원가가 상승하게 되는 문제가 발생하게 된다.
본 발명의 실시예들은 상술한 문제를 해소하기 위해 안출된 것으로, 특히, 센싱소자의 단자패턴과 금속패턴 사이의 본딩을 별도의 UBM(Under Bump Metallurgy)을 센싱소자의 단자패턴에 구현하지 않고, PCB 상의 금속패턴에 솔더접합층을 구현하여 접합함으로써, 제조공정이 단순화하며 공정비용이 절감되며, 접합의 신뢰도를 향상시키며, 센싱소자의 단자패턴이 접합되는 금속패턴의 내부에 솔더 접합층의 흐름(flow)을 방지하는 댐패턴을 구현하여 쇼트에 의한 불량율을 일소할 수 있는 센싱소자를 제공할 수 있도록 한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 실시예에서는, 금속패턴을 포함하는 제1기판과 상기 금속패턴에 접합되는 단자패턴을 포함하는 센싱소자 및 상기 접합패드와 상기 단자패턴 사이에 배치되는 솔더 접합층를 포함하는 센서패키지를 제공할 수 있도록 한다. 또한, 솔더 접합층의 확산으로 인한 불량을 일소하기 위해 상기 금속패턴의 내부에 상기 제1기판의 표면이 노출되는 구조의 제1댐패턴을 더 포함하여 구성될 수 있도록 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 센싱소자의 단자패턴과 금속패턴 사이의 본딩을 별도의 UBM(Under Bump Metallurgy)을 센싱소자의 단자패턴에 구현하지 않고, PCB 상의 금속패턴에 솔더접합층을 구현하여 접합함으로써, 제조공정이 단순화하며 공정비용이 절감되며, 접합의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.
특히, 센싱소자의 단자패턴이 접합되는 금속패턴의 내부에 솔더 접합층의 흐름(flow)을 방지하는 댐패턴을 구현하여 쇼트에 의한 불량율을 일소할 수 있는 효과도 있다.
본 발명의 실시예예 따른 접합구조를 가스센서패키지에 적용하는 경우, 가스센싱소자가 플립칩본딩(Flip chip bonding) 방식으로 기판상에 실장되는 구조에서 기판과 가스센싱소자 사이에 가스이동이격부를 마련하여 원활한 가스이동을 유도하여 가스감지 효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
특히, 가스센싱소자에 공동부를 형성할 수 있도록 소자 몸체의 상면에 커버부재를 구현하여 가스센싱부를 포함하는 소자를 보호하는 한편, 가스센싱소자의 주변의 인접한 소자의 상부까지 상기 커버부재가 고정할 수 있도록 해, 소자와 기판의 접속신뢰성을 강화할 수 있는 효과도 있다.
아울러, 본 발명의 실시예예 따른 접합구조를 가스센서패키지에 적용하는 경우, 공동부 상에 가스가 체류할 수 있도록 해 센싱효율을 높이는 한편, 패키지로 결합하는 제1기판에 관통홀을 마련하여, 상기 관통홀을 통해 가스의 인입이 가능하도록 하여 가스 센싱할 수 있도록 하여 센싱효율을 높이며, 매우 박형화(Slim)한 구조의 가스센서를 형성할 수 있는 효과가 있다. 특히, 가스센싱소자가 기판의 금속전극에 직접 실장되는 바 와이어 본딩이 불필요하여 패키지 면적이 줄어들며, 패키지 전체 높이를 줄일 수 있는 장점이 구현된다.
또한, 기존 가스센싱패키지에 필수적인 센서칩 상부의 센싱부를 보호하기 위한 별도의 캡이 불필요하여 제조원가를 더욱 절감하는 한편, 패키지를 더욱 소형화할 수 있게 된다. 아울러, 센싱을 위한 가스의 통로를 기판의 가스인입홀을 통한 1차 가스유입외에도 칩의 측면의 이격부를 통해 가스유입이 이루어져 효율적인 센싱이 구현될 수 있는 장점도 있다.
본 발명의 다양한 실시예의 가스센서패키지는 상술한 슬림화와 다기능화를 통해 전제 패키지의 사이즈의 축소 및 원가절감이 반영된 IT 기기 전반에 적용될 수 있다.
도 1 내지 도 3는 본 발명의 실시예에 따른 센싱패키지의 구조를 도시한 요부 단면도 및 이미지이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 센싱패키지의 구조를 도시한 요부단면도이다.
도 5은 본 발명의 실시예에 따른 센싱소자와 기판의 실장 공정순서도와 이에 따른 문제점을 도시한 개념도이다.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 센싱소자와 기판의 접합 공정도이다.
도 7는 본 발명의 단자패턴과 접합되는 제1댐패턴의 요부 이미지이다.
도 8은 본 발명의 제1댐패턴의 다양한 실시예를 도시한 것이다.
도 9은 도 9은 본 발명의 제1댐패턴의 구조와는 다른 댐패턴의 구조를 예시한 것이다.
도 10 및 도 11는 도 1 내지 도 9에서 상술한 본 발명의 실시예에 따른 센싱패키지를 적용한 가스센서패키지의 구조를 도시한 요부 단면도이다.
도 12은 도 10 및 도 11에서 상술한 가스센서패키지에 적용되는 본 발명의 실시예에 따른 가스센싱소자의 구조를 도시한 요부 개념도이다.
도 13은 도 12에서 상술한 가스센싱소자의 구조에서 특히 상기 공동부의 상부면을 밀폐하는 커버부재를 구현하는 것을 도시한 것이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스센서패키지의 구조를 도시한 개념도이다.
도 15은 도 7에서 상술한 패키지 구조의 상부 평면도를 예시한 것이다.
도 16는 도 14 및 도 15에서의 패키지를 상부에서 바라본 평면 개념도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
도 1 내지 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱소자와 기판의 패키징 방법을 도시한 개념도이다.
도시된 도면을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱소자는 금속패턴(220)을 포함하는 제1기판(210)과 상기 금속패턴(220)에 접합되는 단자패턴(130)을 포함하는 센싱소자(100) 및 상기 금속패턴(220)과 상기 단자패턴(130) 사이에 배치되는 솔더 접합층(225)을 포함하여 구성될 수 있다. 즉, 상기 센싱소자(100)의 단자패턴(130)과 제1기판 상의 금속패턴(220)을 1층의 솔더 접합층(225)을 이용하여 접합함으로써, 기존의 다수의 도금 또는 증착층으로 구현해야 하는 UBM(Under Bump Metallurgy)층을 제거하여 구조의 간소화를 구현할 수 있으며, 이로 인해 원가 절감 및 공정의 간소화를 이룰 수 있도록 한다. 아울러, 접합부의 부수적인 도금층이 존재하지 않게 되는바, 신호의 전달저항이 작아져 신호처리의 효율성을 높일 수 있게 하는 효과도 구현된다.
상기 센싱소자(100)는 다양한 외부 환경이나 자극요소를 감지하는 감지부(110)를 구비하는 반도체 칩구조의 소자로 구현될 수 있으며, 이를 테면, 가스센서, 압력센서, 적외선센서 등의 센싱소자일 수 있다. 어느 경우에나 신호 전달을 위해 상기 센싱소자(100)가 실장되는 금속패턴을 구비하는 인쇄회로기판과 같은 제1기판(210)을 구비하며, 이 경우 상기 제1기판(210)은 연성인쇄회로기판을 포함하는 다양한 재질과 유연성을 구비하는 구조일 수 있다. 아울러, 상기 제1기판(210) 에는 가스센싱을 위한 관통홀(211)이 구현될 수도 있다.
본 발명의 실시예에서는 상기 센싱소자(100)에 구비된 단자패턴(130)과 상기 단자패턴(130)이 접합할 패드 부분인 금속패턴(220)을 마련하고, 상기 금속패턴(220) 상에 솔더접합층(225)을 형성한다. 상기 솔더 접합층(225)는 다양한 방식으로 금속패턴(220) 상에 구현할 수 있으며, 일 예로 실크 스크린 인쇄 방식을 이용하여 솔더 크림(Solder cream)을 인쇄하거나, 솔더 레지스트를 패터닝하여 얇게 금속패턴(220) 상에 구현할 수 있도록 한다. 이후, 도 1 및 도 3에 도시된 것과 같이, 센싱소자의 단자패턴(130)과 상기 금속패턴(220) 사이에 상기 솔더 접합층(225)을 어라인 하고 리플로우 공정을 통해 상호 접합을 구현하게 된다. 이러한 공정은 별도의 UBM(Under Bump Metallurgy)층을 구현할 필요가 없는바, 매우 간단한 공정으로 접합을 구현할 수 있게 된다. 즉, 접합을 위한 솔더 범프(범프구조물)을 구현할 필요가 없게 된다.
도 4는 도 1과는 금속패턴의 구조를 다양화한 다른 실시예를 도시한 단면 개념도이다.
본 실시예에서는 도 1의 구조와는 달리, 상기 금속패턴 내에 하부의 제1기판 (210)의 표면이 노출되는 구조의 댐패턴(이하, '제1댐패턴'이라 한다.;227)이 구현되는 점에서 차이가 있다.
상기 제1댐패턴(227)은 본 발명의 실시예에서 제1기판(210)의 표면의 금속패턴(220) 상에 솔더 접합층을 인쇄하거나 다른 방식으로 솔더 접합층(225)을 도포하는 경우, 점성이 약한 경우 상기 솔더 접합층(225)이 인접하는 회로로 흐르거나, 리플로우 공정에서 넘쳐서 인근의 회로와 쇼트가 나는 불량이 발생할 유려가 있다.
도 5을 참조하면, 이는 이러한 문제를 설명하는 공정개념도로, (a) 본 발명의 실시예에 따른 접합공정에서, 제1기판(210) 상에 금속패턴(220)을 구현하고, 상기 금속패턴(220)의 상면에 솔더 접합층(225)를 실크 인쇄로 구현한다.
이후, 도 5의 (b)의 공정과 같이 센싱소자(100)와 상기 제1기판을 어라인하고, 이후 도 5의 (c)와 같이 상기 센싱소자(100)의 단자패턴(130)과 상기 금속패턴(220)을 솔더 접합층을 매개로 어라인 접합을 수행하게 된다. 이 경우 리플로우(reflow) 공정이 동시에 진행이 되는데, 이 경우 솔더 접합층이 인접하는 단자패턴으로 흘러가 쇼트가 발생하거나 다른 부위로 전이될 우려가 있게 된다.
이를 위해, 도 4와 도 6 및 도 7에 도시된 구조와 같이, 본 발명에서는 센싱소자의 단자패턴과 접합되는 금속패턴에 제1댐패턴(227)을 구현할 수 있도록 한다.
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 공정 개념도로, 우선, 도 6(a)에 도시된 것과 같이, 제1기판(210)의 표면에 마련되는 다수의 회로패턴 중, 센싱소자의 단자패턴과 접합되는 대응부위의 회로패턴인 금속패턴(220)을 가공하여 솔더 접합층(225)가 유동을 방지할 수 있는 홈패턴 구조의 패턴(제1댐패턴)을 구현한다. 상기 제1댐패턴(227)은 도 7이 (a)의 실제 이미지와 같이, 금속패턴(220) 부분을 식각하여 하부의 제1기판(220)의 표면이 노출되는 구조의 음각패턴을 구현한다. 이러한 음각의 패턴 구조물은 도 6의 (c) 및 도 7와 같이 실제 센싱소자를 어라인하고 리플로우 공정을 거치는 경우, 솔더 접합층이 인접 단자패턴으로 흐르지 않아 쇼트를 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 예에서는 상기 제1댐패턴(227)이 도 7에 도시된 것과 같이, 센싱소자가 실장되는 경우, 센싱소자의 중심부에 대응되는 부분을 중심으로 배치될 수 있다. 즉, 센싱소자의 단자와 단자 사이에 배치되도록 하여 1차적으로 이웃하는 단자패턴 간의 쇼트를 방지할 수 있도록 한다.
물론, 더욱 확장하여서는 상기 제1댐패턴의 형상과 배치 구조는 소자의 단자 위치나 인접 회로간의 배치를 고려하여 다양하게 변형할 수 있음은 물론이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 이는 본 발명의 제1댐패턴(227)의 다양한 실시예를 도시한 것이다.
도 7의 (a)에 도시된 것과 같이, 상기 제1댐패턴(227)은 금속패턴의 내부에 상기 제1기판의 표면이 노출되는 구조로 구현될 수 있다. 이 경우 상기 제1댐패턴(227)은 솔더 접합층(225)가 인접하는 단자패턴이나 회로에 영향을 줄 우려를 고려하여 일정한 절곡형태를 가지도록 구현할 수 있다. 또한, 상기 제1댐패턴은, 연속 또는 불연속 구조의 패턴으로 구현할 수 있다. 연속구조는 도 7의 (a)에 도시된 것과 같이, 제1댐패턴(225)의 일단(Y1)과 상기 일단에서 연장되는 타단(Y2)이 서로 연통되지 않는 구조, 즉 솔더 접합층(225)를 완전히 고립시키도록 상기 일단과 타단이 만나지 않도록 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 이후 단자패턴과 금속패턴 자체의 접합을 통해 전기적 신호 전달의 신뢰성을 확보하기 위함이다.
도 7의 (b) 및 도 7의 (c)는 실제 어라인 공정 및 센싱소자 접합 후 리플로우 공정을 도시한 이미지이다.
도 8은 도 7에서 상술한 다양한 제1댐패턴의 변형 구조를 예시한 것이다.
즉, 도 8에 도시된 것과 같이, 본 발명의 실시예에서의 제1댐패턴(227)은 금속패턴의 내부에 상기 제1기판의 표면이 노출되는 구조로 구현될 수 있다. 이 경우, 도 8 (a)와 같이 제1댐패턴(225)의 일단(Y1)과 상기 일단에서 연장되는 타단(Y2)이 서로 연통되지 않는 구조이거나, 도 8의 (b)와 같이 솔더 접합층의 3면을 포위하는 구조, 또는 도 8의 (c)와 같이 불연속패턴의 집합구조(z1~z4) 솔더 접합층의 3면과 나머지 1면을 포위하는 구조 등으로 다양하게 변형설계될 수 있다.
또한, 상기 제1댐패턴의 경우, 제1기판의 회로패턴을 구현하는 패터닝 공정(ex) 습식에칭, 건식에칭, 레이저 가공 등)시 동시에 구현할 수 있게 되는바, 공정 장비의 증가나 재료의 손실 등 비용 및 공정시간 측면에서 전혀 부담이 없이 간소한 과정으로 구현할 수 있다.
도 9은 본 발명의 제1댐패턴의 구조와는 다른 댐패턴의 구조를 예시한 것이다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 솔더 접합층의 리플로우 공정시 인접 단자패턴의 쇼트의 우려를 줄이는 댐패턴은 도 6 내지 도 8에서 상술한 구조 외에도, 도 9에 도시된 것과 같이, 금속패턴(220)과 이격되는 양각의 제2댐패턴(229) 구조로 구현될 수 있다. 즉, 상술한 제1패턴이 금속패턴 내부에 마련되는 구조라면, 본 제2댐패턴(229)는 원래의 금속패턴(220)을 그대로 두고, 그 외부에 패터닝공정에서 일정한 형상의 돌출회로패턴을 남기는 방식으로 패턴을 구현한다. 이 경우 상기 제2댐패턴(229)은, 타 금속패턴과 연결되지 않으며, 인접하는 금속패턴 사이에 상기 제1기판의 표면이 노출되도록 배치되도록 한다. 즉, 댐(dam)과 같은 격벽으로 작용하되, 다른 패턴과는 분리되는 구조인바, 솔더 접합층의 이동을 방지할 수 있는 기능을 구현하게 되는 것이다. 상기 제2댐패턴의 경우, 회로패턴 가공시, 금속층을 남기는 구조로 구현하는바, 금속패턴과 동일한 재료로 구현될 수 있다. 즉, 원공정에 부가적으로 패터닝을 수행하는 바, 재료의 손실이 없으며, 별도의 장비나 추가 공정을 위한 비용손실이 전혀 없는 방식으로 구현이 가능하다.
도 9에 도시된 것과 같이, 상기 제2댐패턴(229)은 도 9 (a)~(b)와 같이 금속패턴과 이격되는 이격부(210a)를 구현하는 구조로 구현하되, 일단과 타단이 연통하지 않는 구조로 구현할 수 있다. 나아가, 도 9의 (c)와 같이 불연속적인 패턴(229a~229c)의 형상을 변형하여 구현하는 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 접합구조를 구현하는 센싱패키지는, 센싱소자의 단자패턴과 금속패턴 사이의 본딩을 별도의 UBM(Under Bump Metallurgy)을 센싱소자의 단자패턴에 구현하지 않고, PCB 상의 금속패턴에 솔더접합층을 구현하여 접합함으로써, 제조공정이 단순화하며 공정비용이 절감되며, 접합의 신뢰도가 향상되게 되며, 다양한 응용이 가능하게 된다. 즉, 가스센서, 압력센서, 적외선센서 등 반도체 구조의 센싱소자를 적용하는 센서패키지에 다양하게 적용 가능하게 된다.
이하에서는, 본 발명의 센서패키지가 적용되는 응용예 중, 가스센서패키지를 구현하는 예를 설명하기로 한다.
도 10 및 도 11는 도 1 내지 도 9에서 상술한 본 발명의 실시예에 따른 센싱패키지를 적용한 가스센서패키지의 구조를 도시한 요부 단면도이다. 특히, 도 10은 도 1의 구조를, 도 11는 댐패턴이 구현되는 도 4 내지 도 9의 실시예에 따른 패키지 구조를 적용한 것이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 가스센서패키지는 금속패턴(220)을 포함하는 제1기판(210)과 상기 제1기판(210)의 표면과 마주하도록 배치되는 가스센싱부(110)를 포함하는 가스센싱소자(100)를 포함하며, 상기 가스센싱소자(100)와 상기 제1기판)210) 사이에 가스이동이격부(G1, G2)를 포함하여 구성될 수 있도록 한다. 또한, 도 11의 구조에서는, 금속패턴(220)에 제1댐패턴이 형성(도 4 내지 도 8)되는 실시예나, 제2댐패턴이 형성(도 9)되는 실시예를 적용할 수 있다.
도 1에 도시된 것과 같이, 상기 제1기판(210)은 절연물질로 형성되는 기판표면에 금속물질로 전극패턴(회로패턴)이 패터닝된 금속패턴(220)을 다수 포함하는 구조로 형성되며, 특히 기판의 상하부를 관통하는 구조의 제1관통홀(211)을 포함한다. 상기 제1관통홀(211)은 후술하는 가스센싱소자(100)의 가스센싱부(110)가 노출되어 가스와 접할 수 있는 통로역할을 수행하게 된다.
특히, 상기 금속패턴(220)과 가스센싱소자의 단자패턴(130)의 결합을 통해 상기 가스센싱소자가 실장된다. 상기 가스센싱소자의 실장은 도 1 내지 도 9에서 상술한 것과 같이, 별도의 UBM 층을 형성하지 않고, 솔더 접합층 만을 매개로 접합이 구현되도록 함은 상술한 바와 같다. 또한, 상기 가스센싱소자(100)는 상기 제1기판과 이격되는 구조, 즉 가스이동통로가 되는 가스이동이격부(G1, G2)를 형성하게 되며, 상기 가스이동이격부를 통해 유입되는 가스로 인해 가스센싱부(110)에서 보다 용이하게 가스의 감지가 이루어질 수 있게 된다.
아울러, 상기 제1기판(210)은 상기 제1관통홀(211)외에 상기 제1기판(210)과 외부의 기판이나 대상물과의 결합을 위한 제2관통홀(230)이 다수 구비되며, 특히 상기 제2관통홀(230)은 도 1 및 도 4에 도시된 것과 같이 금속물질로 충진(이하, 금속충진부; 240)되며, 상기 금속충진부(240)는 도시된 것과 같이 일정부분 상기 제1기판(210)의 하부로 돌출되는 구조로 형성된다. 이렇게 돌출되는 구조로 형성됨은 후술하는 제2기판 등의 인쇄회로기판과 같은 대상체와 상기 금속충진부(240)이 전기적으로 결합되는 것과 동시에 가스이동통로를 마련하는 역할을 하게 된다. 이러한 가스이동통로 또한 가스의 유입을 용이하게 하여 가스 감지 효율을 높일 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있게 된다(도 14에서 후술).
특히, 상기 가스이동이격부(G1, G2)는 도 1 및 도 4에서는 가스센싱부(110)으로 진행하는 통로가 막힌 것처럼 보이나, 이는 일단면도를 도시한 것으로, 단자패턴(130)와 금속패턴(220)의 접합부위는 매우 일부분에 해당하는 것인바, 가스센싱소자(100)의 테두리를 따라서 단자패턴(130)와 금속패턴(220)가 만들어 내는 이격공간이 고르게 형성되게 된다.
구체적으로, 상기 제1기판(210)의 상부면의 금속패턴(220)은 상기 가스센싱소자(100)의 단자패턴(220) 또는 금속전극과 직접 접합되게 되며, 일반적으로 Cu 층에 Ag, Au, Sn 등의 표면처리 도금층을 포함하는 구조로 형성되어, 상술한 솔더 접합층과 접합성을 향상시킬 수 있도록 함이 바람직하다. 특히, 상기 금속패턴(211, 212)의 두께를 조절하여 1㎛~수백㎛의 범위로 형성하여 가스센싱소자(100)의 측면부로 가스의 통기가 가능하도록 하는 가스이동통로부를 구현하는 역할을 수행하도록 할 수 있다.
상기 가스센싱소자(100)는 가스센싱이 가능한 센싱물질을 포함하는 기능부로, 통상 상용화된 모든 가스센싱방식의 구조물을 통칭하여 적용할 수 있는 것으로, 산화물반도체를 이용한 센싱소자, 탄소나노튜브를 이용한 센싱소자, 기타 다양한 센싱반도체 칩 등을 모두 적용할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 특징적으로 이러한 가스센싱소자(100)를 실장되는 제1기판(100)의 표면에 마주하도록 실장한다.
즉, 상기 가스센싱소자(100)의 단자패턴(130)과 상기 제1기판의 금속패턴(220)이 플립칩본딩(Flip chip bonding) 방식으로 솔더 접합층(225)를 매개로 직접 결착하도록 하여, 본딩 와이어를 제거할 수 있도록 함으로써, 패키지 면적이 줄어들고, 별도의 가스센싱부 상부에 캡부재나 메쉬부재 등의 기구물이 불필요한바, 패키지를 더욱 소형화할 수 있으며 제조원가를 절감할 수 있게 된다.
도 10 및 도 11에 도시된 것과 같이, 상기 가스센싱소자(100)의 가스센싱부(110)는 외부의 가스가 이동하여 가스와 접촉할 수 있는 제1기판(100)의 제1관통홀(211)과 대응되도록 어라인 됨이 바람직하다. 이는 가스와 접촉효율을 높일 수 있도록 가스인입홀을 통해 상기 가스센싱부(110)가 노출되는 구조, 즉 가스센싱부(110)와 가스인입홀(211)의 중심부가 어라인되도록 배치하는 것이 센싱효율면에서 가장 효율적이다. 물론, 이에 한정되는 것은 아니며, 어라인 구성이 일정 범위에서 어긋나도록 배치하는 것도 가능하며, 이 경우 본 발명이 실시예에서가스센싱소자의 측면에서 가스이동이격부(G1, G2) 등을 통해 가스검출을 보완할 수 있는바, 센싱효율의 향상의 효과를 동일하게 구현될 수 있게 된다.
아울러, 본 발명의 실시예에서는 상기 제1기판상에 실장되는 하나 또는 그 이상의 다수의 인접 소자(300)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 인접소자는 능동소자 또는 수동소자를 모두 포함하는 개념이며, 일 예로 고정저항 또는 NTC(negative temperature coefficient thermistor) 소자를 더 포함할 수 있다. 이러한 고정저항 또는 NTC(negative temperature coefficient thermistor) 소자의 경우 저항방식을 전압방식 출력으로 전환하며, 특히 NTC의 경우 온도에 따른 초기 센싱물질에 저항변화 값을 보상하여 일정한 초기 전압값을 가질 수 있도록 할 수도 있다.
특히, 본 발명의 실시예에서는 상기 가스센싱소자(100)과 인접 소자(300)의 상부를 동시에 덮는 구조의 커버부재(150)을 구비하는 것이 더욱 바람직하다. 이는 상기 커버부재(150)의 구성은 본 발명의 특유의 구조로서 가스센싱소자(100)의 내부에 가스체류영역을 형성하는 공동부(140)을 마련하고, 그 상부를 밀폐하여 내부를 보호하는 한편, 방열을 제어할 수 있도록 하기 위함이다.
나아가, 상기 인접소자(300)의 상부면과 함께 커버부재(150)가 고정을 하게 되는 경우, 가스센싱소자의 보호 외에 인접소자와 함께 고정되어 가스센싱소자 자체의 접합 신뢰성(bondability)을 향상시킬 수 있게 된다. 본 발명의 실시예에서는 인접소자와 함께 커버부재가 고정을 수행하는 것으로 설명하나, 이러한 인접소자에는 능동소자나 수동소자 등의 칩 구조물 외에도 다수의 칩 패키지의 구조물(가스센싱소자 이외의 돌출 구조물)에 함께 고정시킬 수 있음을 포함하는 개념이다.
상기 커버부재(150)는 절연특성을 가지는 다양한 소재의 물질이 적용될 수 있으며, 예를 들어 특히, 합성수지재료로 에폭시, 우레탄, Si를 포함하는 물질 등 실링재로 사용되는 물질을 모두 적용할 수 있으며, 이러한 합성수지재료는 공동부 내부로 흘러들지 않도록 일정한 점도를 가지는 물질을 적용하는 것이 바람직하다.
도 12은 도 10 및 도 11에서 상술한 가스센서패키지에 적용되는 본 발명의 실시예에 따른 가스센싱소자(100)의 구조를 도시한 요부 개념도이다.
도 12을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 패키지에 적용되는 가스센싱소자는 하면(121) 및 측벽(122)을 포함하여 내측에 공동부(140)를 마련하는 소자몸체(120)와, 상기 측벽(122) 상부에 배치되어 상기 공동부(140) 상면을 밀폐하는 커버부재(150) 및 상기 하면의 외부표면에 배치되는 가스센싱부(110)를 포함하여 구성될 수 있다.
구체적으로, 도 12의 (a)는 본 발명의 가스센싱소자의 하부방향(A)과 상부방향(B)을 정의하고, 상부방향(A)에서 바라본 요부 개념도이고, 도 12(b)는 하부방향(A)에서의 요부 개념도, 도 12 (c)는 측면 단면 개념도이다.
이를 참조하면, 도 12의 (a)와 같이 상부방향(B)에서 소자몸체(120) 하면의외표면에센싱물질 또는 센싱칩을 통해 가스를 검출하는 가스센싱부(110)가 배치되며, 인접 표면에 외부 단자와 접속할 수 있는 전극패턴(130)을 구비하며, 가스센싱부(110)와 전극패턴(130)은 상호 전기적으로 연결될 수 있는 구조가 구현된다.
도 12의 (b)와 같이 소자의 하부방향(B)에서 바라보면, 본 발명의 실시예에 따른 가스센싱소자는 내부에 공동부(140)이 마련되는 구조로 측벽(122)과 하면(121)이 구현되는 구조이며, 상부 방향으로는 개구되는 영역이 구현되는 구조로 마련된다.
도 12의 (c)와 같이 측 단면도에서 바라보면, 내부의 공동부(140)을 마련하는 소자몸체의 하면(121)의 반대 면에 가스센싱부(110)이 배치되며, 가스센싱부 주변에는 전극패턴(130)이 마련되어, 추후 기판 등에 실장될 수 있도록 한다.
도 13은 도 12에서 상술한 가스센싱소자의 구조에서 특히 상기 공동부의 상부면을 밀폐하는 커버부재(150)를 구현하는 것을 도시한 것이다.
상기 커버부재(150)는 상기 소자몸체의 측벽부(122)의 상부면과 공동부의 상부면을 덮는 구조로 배치될 수 있으며, 별도의 구조물로 가공하여 폴리이미드 등의 합성수지필름을 접착하는 구조로 구현될 수도 있으나, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 일정한 점도를 가지는 합성수지재료를 디스펜싱 방식으로 공동부의 상부면에 떨어뜨려 밀봉하는 구조로 구현함으로써, 공동부 내측 및 가스센싱부를 보호하고, 가스센싱부에서 가스센싱을 위해 가스가 체류하는 공간을 확보하는 한편, 방열을 방지하는 기능을 구현할 수 있도록 한다. 특히, 본 발명의 실시예에서는 상기 커버부재(150)를 가스센싱소자의 상부면 만을 덮는 것이 아니라 인접소자까지 확장하여 동시에 고정하도록 하여 가스센싱소자의 접합신뢰성을 높일 수 있도록 함은 상술한 바와 같다.
상기 커버부재(150)을 구성함에 있어서, 가스센싱소자의상부면과 인접소자의 상면에 포팅(potting)물질을 디스펜싱 등의 방식을 통해서 떨어 뜨려 커버하도록 한다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 커버부재의 하부면(P2)은 소자몸체(120)의 측벽부(122)의 상부 말단면이 형성하는 가상의 수평면(P1) 이하로 형성되는 구조를 가지게 된다. 이는 일정한 점도를 가지는 합성수지재의 중력에 의한 처짐이나 표면 장력에 따른 곡률을 가지도록 커버부재의 하부면이 구현되며, 이러한 구조는 공동부의 상부면이 곡률을 가지도록 하여 가스의 체류 및 순환을 더욱 용이하게 하는 기능이 구현되어 센싱감도를 높일 수 있도록 하는 보완적인 기능도 구현되게 된다. 센싱효율을 높이기 위해 소자몸체의 하면에는 미세 가스이동홀이 형성될 수 있으며, 상기 커버부재의 일부에도 미세 가스이동홀이 추가로 구현될 수도 있다. 나아가 상기 커버부재는 상기 제1기판의 표면과 접촉하지 않는 구조로 구현되거나 일부만이 접촉하도록 하여, 가스센싱소자의 측면부분에 형성되는 가스이동이격부를 막지 않도록 구현됨이 바람직하다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스센서패키지의 구조를 도시한 개념도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 가스센싱소자(100)와 제1기판(210)이 결합하는 구조의 패키지는 별도의 인쇄회로기판 등의 제2기판(400) 상에 실장되는 구조로 구현될 수 있다. 물론, 도 14의 실시예에서 도 4 내지 도 9과 같은 댐패턴의 구조를 구현하는 실시예를 적용할 수 있음은 물론이다.
상기 제2기판(400)은 인쇄회로기판을 적용할 수 있다. 특히 인쇄회로기판은 플렉시블(flexible)한 재료를 적용할 수 있으며, 도시된 것과 같이 본 발명의 실시예에 따른 제1기판(210)의 금속충진부(240)과 인쇄회로기판인 제2기판(400)과 전기적으로 접속이 이루어지도록 한다. 특히 이 경우 상기 금속충진부(240)는 상기 제1기판(210)의 하부면 방향으로 일정 부분 돌출되는 구조를 가지는 바, 제2기판(400)과 접속후에도 일정한 이격부를 가지게 되며, 이 이격부는 도시된 것과 같이 가스의 이동통로(G3, G4)를 형성하게 된다(이하, '제2가스이동이격부'라 한다.).
상기 제2가스이동이격부(410)는 본 발명의 실시예에 따른 패키지에서 제1기판에 마련되는 제1관통홀(211)을 통해 직접적으로 가스와 가스센싱부(110)가 접촉하는 것 이외에도, 가스센싱소자의측면부에서 접근하는 가스를 가스센싱부와 접촉하게 할 수 있어 센싱효율의 증가를 보장할 수 있다.
종래의 가스센서들이 기판의 상부면을 바라보도록 가스센싱부를 배치하는 방식으로 구현되는 데에는 가스와의 접촉효율을 확보하기 위함이었으며, 이에 필연적으로 가스센싱부를 상부를 바라보도록 하는 동시에 메쉬구조의보호망 등을 필요로 하여 패키지의 크기가 커질 수 밖에 없었으나, 본 발명의 실시예에 따른 패키지의 경우에는 가스센싱부가 마련된 부분이 제1기판의 표면에 접하도록 실장을 구현하여 별도의 캡을 설치하지 않아 패키지를 소형화할 수 있음은 물론, 제조원가를 절감할 수 있게 하며, 소자 내부의 공동부를 이용한 가스체류와 제1기판의 제1관통홀 및 측면으로부터 가스센싱부로 가스를 유도하는 이격부를 구현하여 센싱효율 역시 확보할 수 있게 된다.
도 15은 도 7에서 상술한 패키지 구조의 상부 평면도를 예시한 것이다.
도시된 것과 같이, 제1기판(100)의 표면에 가스센싱소자의 가스센싱부가 마주하도록 플립칩 방식으로 본딩하며, 금속충진부(240)는 하부에 배치되며, 고정저항 또는 NTC(negative temperature coefficient thermistor) 소자(300)가 추가될 수 있다. (간략한 도시를 위해 커버부재의 구성은 도시를 생략하였다.)
도 16는 도 14 및 도 15에서의 패키지를 상부에서 바라본 평면 개념도로, 하부 PCB와 제1기판(210)이 결합한 이후, 제2가스이동이격부를 통한 가스이동의 경로(G3, G4)를 도시한 것이다. 도시된 것과 같이, 가스센싱소자(100)의 측면에서 이동하는 가스는 가스이동이격부(G1, G2)를 통해 전달되며, 좌우 측면부에서 제1기판과 제2기판 사이의 제2가스이동이격부(G3, G4)를 통해 원활한 가스의 통기가 이루어져 가스센싱부에 가스가 전달될 수 있게 된다.
상술한 가스센서패키지 외에도 본 발명의 실시예에 따른 도 1 내지 도 9에 따른 센싱소자와 인쇄회로기판의 접합구조를 적용하는 패키지는 적외선센서, 습도세서, 온도센서, 압력센서, 나아가 LED 패키지와 같은 다양한 조명패키지, Membrane type MEMS 칩에도 다양하게 적용이 가능하다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (20)

  1. 금속패턴을 포함하는 제1기판;
    상기 금속패턴에 접합되는 단자패턴을 포함하는 센싱소자; 및
    상기 금속패턴과 상기 단자패턴 사이에 배치되는 솔더 접합층;
    를 포함하는 센서패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 솔더 접합층은,
    상기 금속패턴의 표면 및 상기 단자패턴의 표면과 직접 접촉하는 센서패키지.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 솔더 접합층은,
    상기 금속패턴의 표면적 이하로 구현되는 센서패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 솔더 접합층은,
    솔더 크림의 인쇄구조물 또는 솔더 레지스트 패턴 구조물인 센서패키지.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 금속패턴은,
    상기 금속패턴의 내부면에 상기 제1기판의 표면이 노출되는 구조의 제1댐패턴;
    을 더 포함하는 센서패키지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1댐패턴은,
    연속 또는 불연속 구조의 음각패턴인 센서패키지.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 음각패턴의 일단 및 상기 일단에서 연장되는 상기 음각패턴의 타단이 상호 연통하지 않는 구조인,
    센서패키지.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 금속패턴과 이격되는 양각의 돌출구조물 타입의 제2댐패턴;
    을 더 포함하는, 센서패키지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제2댐패턴은,
    인접하는 금속패턴 사이에 상기 제1기판의 표면이 노출되도록 배치되는 센서패키지.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2댐패턴은,
    상기 금속패턴과 동일재질인 센서패키지.
  11. 청구항 2에 있어서,
    상기 금속패턴은,
    상기 금속패턴의 내부면에 상기 제1기판의 표면이 노출되는 구조의 제1댐패턴;
    상기 금속패턴과 이격되는 양각의 돌출구조물 타입의 제2댐패턴;
    을 더 포함하는, 센서패키지.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 음각패턴의 일단 및 상기 일단에서 연장되는 상기 음각패턴의 타단이 상호 연통하지 않는 구조인,
    센서패키지.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제2댐패턴은,
    인접하는 금속패턴 사이에 상기 제1기판의 표면이 노출되도록 배치되는 센서패키지.
  14. 청구항 2에 있어서,
    상기 센싱소자는,
    가스센싱부를 포함하는 가스센싱소자인 센서패키지.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 가스센싱소자는,
    상기 제1기판의 표면과 마주하도록 배치되는 센서패키지.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 가스센싱소자와 상기 제1기판 사이에 가스이동이격부;
    를 포함하는 센서패키지.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 센서패키지는,
    상기 제1기판상에 실장되는 하나 또는 그 이상의 다수의 인접 소자를 포함하는 센서패키지.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 인접 소자는,
    고정저항 또는 NTC(negative temperature coefficient thermistor) 소자인 센서패키지.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 인접 소자의 상부를 커버하는 커버부재를 더 포함하는 센서패키지.
  20. 청구항 14에 있어서,
    상기 센싱소자는,
    소자몸체 하면의 외표면에 센싱물질 또는 센싱칩을 통해 가스를 검출하는 가스센싱부가 배치되며, 상기 가스센싱부의 인접 표면에 외부 단자와 접속할 수 있는 전극패턴을 구비하는 센서패키지.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101868833B1 (ko) * 2016-09-13 2018-06-20 (주)포인트엔지니어링 마이크로 센서 패키지
KR101853296B1 (ko) * 2016-09-13 2018-04-30 (주)포인트엔지니어링 마이크로 센서 패키지 및 마이크로 센서 패키지 제조방법
KR20180039350A (ko) * 2016-10-10 2018-04-18 (주)포인트엔지니어링 마이크로 센서 패키지 및 마이크로 센서 패키지 제조방법
KR101947047B1 (ko) * 2017-08-30 2019-02-12 (주)포인트엔지니어링 가스 센서 및 이를 구비한 가스 센서 패키지
KR102017280B1 (ko) * 2017-09-26 2019-09-02 (주)포인트엔지니어링 가스센서 패키지용 필터 및 이를 구비한 가스센서 패키지
KR102455258B1 (ko) * 2017-11-20 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유연성 인쇄 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053432A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Matsushita Electric Works Ltd フリップチップ実装構造
KR20030084513A (ko) * 2002-04-27 2003-11-01 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드의 플립칩 공정방법
JP2009216543A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Citizen Holdings Co Ltd 接触燃焼式ガスセンサ
JP2012078089A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Figaro Eng Inc ガスセンサ
KR101195264B1 (ko) * 2010-07-12 2012-11-14 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서 패키지

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179578A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053432A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Matsushita Electric Works Ltd フリップチップ実装構造
KR20030084513A (ko) * 2002-04-27 2003-11-01 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드의 플립칩 공정방법
JP2009216543A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Citizen Holdings Co Ltd 接触燃焼式ガスセンサ
KR101195264B1 (ko) * 2010-07-12 2012-11-14 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서 패키지
JP2012078089A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Figaro Eng Inc ガスセンサ

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