WO2016067343A1 - レーザ装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

レーザ装置及び極端紫外光生成装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2016067343A1
WO2016067343A1 PCT/JP2014/078522 JP2014078522W WO2016067343A1 WO 2016067343 A1 WO2016067343 A1 WO 2016067343A1 JP 2014078522 W JP2014078522 W JP 2014078522W WO 2016067343 A1 WO2016067343 A1 WO 2016067343A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
output
laser
repetition frequency
euv light
light
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/078522
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
野極　誠二
Original Assignee
ギガフォトン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ギガフォトン株式会社 filed Critical ギガフォトン株式会社
Priority to PCT/JP2014/078522 priority Critical patent/WO2016067343A1/ja
Priority to JP2016556065A priority patent/JP6434985B2/ja
Publication of WO2016067343A1 publication Critical patent/WO2016067343A1/ja
Priority to US15/454,027 priority patent/US10165665B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • H01S3/235—Regenerative amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2366—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media comprising a gas as the active medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3401—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers
    • H01S5/3402—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers intersubband lasers, e.g. transitions within the conduction or valence bands
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/2232—Carbon dioxide (CO2) or monoxide [CO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316—Cascaded amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element

Definitions

  • the present disclosure relates to a laser device and an extreme ultraviolet light generation device.
  • an extreme ultraviolet (EUV) light generation apparatus that generates extreme ultraviolet (EUV) light with a wavelength of about 13 nm and reduced projection reflective optics (Reduced Projection Reflective Optics) to meet the demand for fine processing of 32 nm or less Development of a combined exposure apparatus is expected.
  • EUV extreme ultraviolet
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP plasma generated by discharge
  • Three types of devices have been proposed: a device of the Discharge Produced Plasma method and a device of the SR (Synchrotron Radiation) method using orbital radiation.
  • a laser device is a laser device used with an extreme ultraviolet light generation device that generates extreme ultraviolet light at a preset repetition frequency, and outputs a laser beam when a trigger signal is input.
  • a controller configured to control the optical switch such that the laser light passes at the repetition frequency.
  • a laser device is a laser device used with an extreme ultraviolet light generation device that generates extreme ultraviolet light at a preset repetition frequency, and outputs a laser beam when a trigger signal is input.
  • the control unit may be changed based on the repetition frequency, and may control the optical switch such that the laser light passes at the repetition frequency.
  • a laser device is a laser device used with an extreme ultraviolet light generation device that generates extreme ultraviolet light at a preset repetition frequency, and outputs a laser beam when a trigger signal is input.
  • a semiconductor laser, an optical switch disposed on the optical path of the laser beam, which switches whether to pass the laser beam, and a pulse width of the trigger signal output to the semiconductor laser in synchronization with the repetition frequency The control unit may be changed based on the repetition frequency, and may control the optical switch such that the laser light passes at the repetition frequency.
  • a semiconductor laser that outputs a laser light when a trigger signal is input, and whether it is disposed on the light path of the laser light and passes the laser light
  • An optical switch for switching the light source, a control unit for outputting the trigger signal to the semiconductor laser at a frequency that is an integral multiple of the repetition frequency, and controlling the optical switch to pass the laser light at the repetition frequency;
  • a target supply unit for supplying a target that emits extreme ultraviolet light when irradiated with light, to a chamber into which the laser light that has passed through the optical switch is introduced, at a frequency that is an integral multiple of the repetition frequency; You may have.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP-type EUV light generation system.
  • FIG. 2 shows the configuration of an EUV light generation system in which a specific configuration of a laser device is shown.
  • FIG. 3A shows a diagram for explaining the detailed configuration of the first optical switch.
  • FIG. 3B is a diagram for explaining the relationship between the incident timing of the pulse laser light to the Pockels cell and the voltage applied to the Pockels cell.
  • FIG. 4 shows a diagram for explaining the detailed configuration of the regenerative amplifier.
  • FIG. 5 shows a diagram for explaining the detailed configuration of the first QCL.
  • FIG. 6 shows a diagram for explaining wavelength chirping generated in the first QCL.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP-type EUV light generation system.
  • FIG. 2 shows the configuration of an EUV light generation system in which a specific configuration of a laser device is shown.
  • FIG. 3A shows a diagram for explaining the detailed configuration of the first optical switch.
  • FIG. 7 shows the configuration of an EUV light generation system including the laser device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the operation relating to the laser oscillation of the EUV light generation system including the laser device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the configuration of an EUV light generation system including the laser device of the second embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the delay time added to the trigger signal output from the control unit included in the laser apparatus of the second embodiment.
  • FIG. 11 shows the result of measuring the relationship between the light emission delay time of QCL and the repetition frequency.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining the pulse width of the trigger signal output from the control unit included in the laser device of the third embodiment.
  • FIG. 13 shows the relationship between the repetition frequency of the trigger signal output to the QCL and the pulse width.
  • FIG. 14 is a block diagram showing a hardware environment of each control unit.
  • FIG. 15 shows a diagram for explaining a modified example of the laser apparatus related to the generation of the trigger signal.
  • the laser apparatus 3 is a laser apparatus 3 used together with the EUV light generation apparatus 1 for generating the EUV light 252 at a preset repetition frequency, and the first to fourth QCLs 311 to 314 for outputting the pulsed laser light 30, and the pulse
  • the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374 which are disposed on the optical path of the laser beam 30 and switch whether the pulse laser beam 30 is allowed to pass or not, and the pulse laser beam 30 has an integer multiple of the repetition frequency
  • a control unit 330 that controls the first to fourth QCLs 311 to 314 to be output, and controls the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374 such that the pulse laser beam 30 passes at the repetition frequency; May be provided. With such a configuration, the laser device 3 can output the pulse laser beam 31 having a desired characteristic at a desired timing even when the operating condition is changed.
  • the "target” is an irradiation target of the laser beam introduced into the chamber.
  • the target irradiated with the laser light is plasmatized to emit EUV light.
  • "Droplet” is a form of target supplied into the chamber.
  • the “optical path axis” is an axis passing through the center of the cross section of the laser beam along the traveling direction of the laser beam.
  • the “optical path” is a path through which laser light passes.
  • the optical path may include an optical path axis.
  • the “upstream side” is the side closer to the oscillator of the laser light along the optical path of the laser light.
  • the “downstream side” is the side far from the laser light oscillator along the optical path of the laser light.
  • the “optical switch” is an element that switches whether to change the optical path of the incident laser light. Thereby, the optical switch may switch whether to pass the incident laser light.
  • the optical switch may change the optical path of the incident laser light according to the electrical signal.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP EUV light generation system.
  • the EUV light generation device 1 may be used with at least one laser device 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation system 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26. Chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached, for example, to penetrate the wall of the chamber 2.
  • the material of the target material supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may be transmitted through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed inside the chamber 2, for example.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately stacked may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged, for example, such that its first focal point is located at the plasma generation region 25 and its second focal point is located at the intermediate focusing point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided in the central portion of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation controller 5, a target sensor 4 and the like.
  • the target sensor 4 may have an imaging function, and may be configured to detect the presence, trajectory, position, velocity and the like of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection part 29 that brings the inside of the chamber 2 into communication with the inside of the exposure apparatus 6. Inside the connection portion 29, a wall 291 having an aperture 293 may be provided. The wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focus position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser light traveling direction control unit 34, a laser light collecting mirror 22, a target collecting unit 28 for collecting the target 27, and the like.
  • the laser light traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser light, and an actuator for adjusting the position, attitude, and the like of the optical element.
  • the pulse laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulse laser beam 32 and enter the chamber 2 through the laser beam direction control unit 34.
  • the pulsed laser beam 32 may travel along the at least one laser beam path in the chamber 2, be reflected by the laser beam focusing mirror 22, and be irradiated to the at least one target 27 as the pulsed laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 33.
  • the target 27 irradiated with the pulsed laser light is plasmatized, and the EUV light 251 can be emitted from the plasma along with the emission of light of other wavelengths.
  • the EUV light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be collected at an intermediate collection point 292 and output to the exposure apparatus 6. Note that a plurality of pulses included in the pulsed laser light 33 may be irradiated to one target 27.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data or the like of the target 27 captured by the target sensor 4.
  • the EUV light generation controller 5 may perform at least one of timing control for outputting the target 27 and control of the output direction of the target 27, for example.
  • the EUV light generation controller 5 performs at least one of, for example, control of the output timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser beam 32, and control of the focusing position of the pulse laser beam 33. It is also good.
  • the various controls described above are merely exemplary, and other controls may be added as needed.
  • FIG. 2 shows the configuration of the EUV light generation system 11 in which the specific configuration of the laser device 3 is shown.
  • the EUV light generation system 11 of FIG. 2 may include the EUV light generation apparatus 1 and the laser device 3 as in the EUV light generation system 11 shown in FIG. 1.
  • the description of the same configuration as that of the EUV light generation system 11 shown in FIG. 1 will be omitted.
  • the laser device 3 includes an oscillator 310, a first optical switch 321, a second optical switch 322, a control unit 330, first to fourth amplifiers 351 to 354, and first to fourth RF (Radio Frequency) power supplies 361.
  • a regenerative amplifier 370 To 364, a regenerative amplifier 370, and an RF (Radio Frequency) power supply 380.
  • the number of amplifiers provided in the laser device 3 is described as being four units of the first to fourth amplifiers 351 to 354 for the sake of convenience, but it is not particularly limited. It may be.
  • the number of first to fourth RF power supplies 361 to 364 may be the same as the number of first to fourth amplifiers 351 to 354.
  • the oscillator 310 and the first to fourth amplifiers 351 to 354 may constitute a master oscillator power amplifier (MOPA) system.
  • MOPA master oscillator power amplifier
  • the oscillator 310 may be a master oscillator that constitutes the MOPA system.
  • the oscillator 310 may output pulsed laser light 30.
  • the oscillator 310 may include a semiconductor laser and an optical path regulator 315.
  • the semiconductor laser included in the oscillator 310 may be a quantum cascade laser (QCL).
  • the semiconductor laser included in the oscillator 310 may be a distributed feedback semiconductor laser.
  • the semiconductor laser included in the oscillator 310 may be a semiconductor laser that outputs pulsed laser light of a wavelength included in a wavelength range that can be amplified by a laser amplifier using a CO 2 gas as an amplification medium.
  • the oscillator 310 may include a plurality of semiconductor lasers.
  • the plurality of semiconductor lasers included in the oscillator 310 may be the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the number of QCLs included in the oscillator 310 is described as four units of the first to fourth QCLs 311 to 314 for convenience, it is not particularly limited, and may be one or more. It is also good.
  • Each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may be connected to the control unit 330. Under control of the control unit 330, each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may perform laser oscillation and output pulsed laser light.
  • Each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may output pulsed laser light of a wavelength different from each other.
  • the respective different wavelengths of the pulsed laser light output from the first to fourth QCLs 311 to 314 may be different from each other in the wavelength range that can be amplified in the laser amplifier.
  • a wavelength region that can be amplified by a laser amplifier provided subsequent to the first to fourth QCLs 311 to 314 among the wavelength regions of pulsed laser light output from each of the first to fourth QCLs 311 to 314 Is also referred to as “amplified wavelength region”.
  • Each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may output linearly polarized pulsed laser light.
  • the pulsed laser light output from each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may be incident on the optical path controller 315.
  • the detailed configurations of the first to fourth QCLs 311 to 314 will be described later with reference to FIG.
  • the optical path adjuster 315 may superimpose the optical paths of the pulsed laser light output from the first to fourth QCLs 311 to 314 substantially on one optical path and output the optical path as the pulsed laser light 30.
  • the optical path adjuster 315 may include an optical system (not shown).
  • the optical system included in the optical path adjuster 315 may be provided on the optical path of the pulse laser beam output from each of the first to fourth QCLs 311 to 314 and downstream of the first to fourth QCLs 311 to 314. .
  • the pulsed laser light 30 output through one optical path by the optical path adjuster 315 may enter the first optical switch 321.
  • the first optical switch 321 may switch whether to allow the incident pulse laser beam 30 to pass.
  • the first optical switch 321 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 output from the optical path adjuster 315.
  • the first optical switch 321 may be connected to the controller 330.
  • the first optical switch 321 may switch whether to pass the pulse laser beam 30 under the control of the control unit 330.
  • the pulsed laser light 30 that has passed through the first optical switch 321 may be incident on the regenerative amplifier 370.
  • the detailed configuration of the first optical switch 321 will be described later with reference to FIGS. 3A and 3B.
  • the regenerative amplifier 370 may amplify the incident pulse laser beam 30 and output it at a specific timing.
  • the regenerative amplifier 370 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 that has passed through the first optical switch 321.
  • the regenerative amplifier 370 may include a resonator mirror 371, a resonator mirror 372, a third optical switch 373, a fourth optical switch 374, and an amplifier 375.
  • the resonator mirrors 371 and 372 may constitute an optical resonator of the regenerative amplifier 370.
  • the resonator mirrors 371 and 372 may reflect the pulsed laser light 30 so that the pulsed laser light 30 incident on the regenerative amplifier 370 reciprocates between the resonator mirrors 371 and 372.
  • the amplifier 375 may amplify the pulsed laser light 30 every time the pulsed laser light 30 reciprocates between the resonator mirrors 371 and 372.
  • the amplifier 375 may be a laser amplifier using CO 2 gas as an amplification medium.
  • the amplifier 375 may include a pair of discharge electrodes not shown. Each of the pair of discharge electrodes included in amplifier 375 may be connected to RF power supply 380.
  • the amplifier 375 may amplify the pulsed laser light 30 in accordance with the discharge voltage supplied from the RF power supply 380.
  • Each of the third and fourth optical switches 373 and 374 may switch whether to change the optical path of the incident pulse laser beam 30.
  • Each of the third and fourth optical switches 373 and 374 may be connected to the controller 330.
  • Each of the third and fourth optical switches 373 and 374 may switch whether to change the optical path of the pulsed laser light 30 under the control of the control unit 330.
  • each of the third and fourth optical switches 373 and 374 may guide the incident pulse laser beam 30 into the regenerative amplifier 370 and cause the regenerative amplifier 370 to output it at a specific timing.
  • the pulsed laser light 30 amplified by the regenerative amplifier 370 may be incident on the second optical switch 322 through the high reflection mirror.
  • the detailed configuration of the regenerative amplifier 370 will be described later with reference to FIG.
  • the RF power supply 380 may be a power supply that supplies a high frequency discharge voltage to the amplifier 375 included in the regenerative amplifier 370.
  • the RF power supply 380 may be connected to the controller 330.
  • the RF power supply 380 may supply the discharge voltage to the amplifier 375 under the control of the control unit 330.
  • the second optical switch 322 may be an optical switch that switches whether to allow the incident pulse laser beam 30 to pass.
  • the second optical switch 322 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 output from the regenerative amplifier 370.
  • the second optical switch 322 may be connected to the controller 330.
  • the second optical switch 322 may switch whether to pass the pulse laser beam 30 under the control of the control unit 330.
  • the pulsed laser light 30 that has passed through the second optical switch 322 may be incident on the first to fourth amplifiers 351 to 354.
  • the detailed configuration of the second optical switch 322 will be described later with reference to FIGS. 3A and 3B.
  • a plurality of second optical switches 322 may be provided in the laser device 3.
  • Each of the plurality of second optical switches 322 may be disposed downstream of each of the regenerative amplifier 370 and the first to fourth amplifiers 351 to 354.
  • the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be power amplifiers constituting an MOPA system.
  • Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be a laser amplifier including a pair of discharge electrodes and using CO 2 gas as an amplification medium.
  • Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be either a slab amplifier, a three-axis orthogonal amplifier, or a high speed axial flow amplifier.
  • the first to fourth amplifiers 351 to 354 may sequentially amplify the pulsed laser light 30 that has passed through the second optical switch 322. Specifically, each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 receives respective pulse laser beams output from the former stage regenerative amplifier 370 or the first to third amplifiers 351 to 353 disposed on the upstream side of each of the first to fourth amplifiers 351 to 354. 30 may be incident. Each of the first to third amplifiers 351 to 353 may amplify each incident pulsed laser beam 30 and output the amplified pulse laser light 30 to the second to fourth amplifiers 352 to 354 disposed downstream of the pulse laser beam 30. The fourth amplifier 354 at the final stage may amplify the incident pulse laser beam 30 and output the amplified pulse laser beam 30 to the outside of the laser device 3 as the pulse laser beam 31.
  • Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be connected to each of the first to fourth RF power supplies 361 to 364. Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may amplify the incident pulsed laser light 30 according to the discharge current supplied from each of the first to fourth RF power supplies 361 to 364.
  • the first to fourth RF power supplies 361 to 364 may be power supplies for supplying discharge current to the first to fourth amplifiers 351 to 354. Each of the first to fourth RF power supplies 361 to 364 may be connected to the control unit 330. Each of the first to fourth RF power supplies 361 to 364 may supply a discharge current to each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 under the control of the control unit 330.
  • an EUV light output command signal may be transmitted from the exposure apparatus control unit 61 to the EUV light generation controller 5 included in the EUV light generation apparatus 1 used together with the laser device 3.
  • the EUV light output command signal may be a signal indicating a control command related to the output of the EUV light 252.
  • the EUV light output command signal may include various target values such as a target output start timing of the EUV light 252, a target repetition frequency, and a target pulse energy.
  • Various target values of the EUV light 252 can be set to the EUV light generation controller 5 by transmitting the EUV light output command signal.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a target supply signal based on the EUV light output command signal transmitted from the exposure apparatus controller 61 and output the target supply signal to the target supply unit 26.
  • the target supply signal may be a signal indicating a control command related to the output of the droplet 271 into the chamber 2.
  • the target supply signal may be a signal that controls the operation of the target supply unit 26 so that the droplet 271 is output according to various target values included in the EUV light output command signal.
  • the target supply signal may include various target values such as the target diameter of the droplet 271.
  • the various target values of the droplet 271 may be values determined according to various target values included in the EUV light output command signal.
  • the EUV light generation controller 5 may determine the target output start timing and the target repetition frequency of the droplet 271 according to the target output start timing and the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal. .
  • the target repetition frequency of the droplet 271 may have the same value as the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the target output start timing of the droplet 271 may be a value determined according to the target output start timing of the EUV light 252.
  • the EUV light generation controller 5 may output a target supply signal to the target supply unit 26 according to the target output start timing and the target repetition frequency of the droplet 271 determined.
  • a droplet detection signal may be input from the target sensor 4 to the EUV light generation controller 5.
  • the droplet detection signal may be a detection signal indicating that the droplet 271 which is the target 27 supplied from the target supply unit 26 to the plasma generation region 25 is output into the chamber 2.
  • the droplet 271 can be output from the target supply unit 26 based on the target output start timing of the EUV light 252 and the target supply signal reflecting the target repetition frequency included in the EUV light output command signal.
  • the droplets 271 output from the target supply unit 26 based on the target supply signal can be detected by the target sensor 4 for each output.
  • the droplet detection signal can be output from the target sensor 4 to the EUV light generation controller 5 each time the droplet 271 is detected.
  • the output interval of the droplet 271 may not be strictly constant but may be accompanied by a certain degree of instability.
  • the repetition frequency of the droplet detection signal may slightly fluctuate slightly, although it becomes approximately the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the expression “approximately the same value as the target repetition frequency of the EUV light 252” or the expression “repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252” is used. Although these expressions are strictly different from the target repetition frequency of the EUV light 252, they are used in cases where they can be regarded substantially as the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • a droplet detection signal reflecting an EUV light output command signal can be input to the EUV light generation controller 5.
  • the repetition frequency of the droplet detection signal may be substantially the same value as the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a laser output signal based on the droplet detection signal reflecting the EUV light output command signal, and may output the generated laser output signal to the controller 330.
  • the laser output signal may be a signal indicating a control command related to the output of the pulse laser beam 31.
  • the laser output signal may be a signal that controls the operation of the laser device 3 so that the pulse laser beam 31 is output according to various target values of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal.
  • the laser output signal may include various target values such as target pulse energy of the pulse laser beam 31.
  • the target pulse energy of the pulsed laser light 31 may be a value determined according to the target pulse energy of the EUV light 252.
  • the EUV light generation controller 5 outputs the laser output signal to the controller 330 for each pulse at a timing delayed by a predetermined delay time after the droplet detection signal reflecting the EUV light output command signal is input. It is also good.
  • the hardware configuration of the EUV light generation controller 5 will be described later with reference to FIG.
  • the controller 330 may be connected to the EUV light generation controller 5, and may receive the laser output signal output from the EUV light generation controller 5.
  • the control unit 330 may control the operation of each component included in the laser device 3 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may output a trigger signal to each of the first to fourth QCLs 311 to 314 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may output a trigger signal to each of the first to fourth QCLs 311 to 314 in each pulse in synchronization with the timing when the laser output signal is input.
  • the trigger signal may be a signal for giving an opportunity to cause each of the first to fourth QCLs 311 to 314 to perform laser oscillation to output pulsed laser light.
  • the repetition frequency of the trigger signal may define the repetition frequency of each of the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the repetition frequency of the trigger signal may be the same value as the repetition frequency of the droplet detection signal.
  • the timing at which the trigger signal is output may define the timing at which the operation related to the laser oscillation of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 is started.
  • Each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can perform laser oscillation at the repetition frequency of the trigger signal to output pulsed laser light.
  • the trigger signal may include the set value of the excitation current supplied to each of the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the set value of the excitation current included in the trigger signal is determined based on the target pulse energy of the pulse laser beam 31 included in the laser output signal and the pulse energy of the pulse laser beam 30 measured by an energy monitor not shown. It is also good.
  • Each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output a pulsed laser beam by performing laser oscillation with an excitation current corresponding to the set value included in the input trigger signal.
  • the control unit 330 may output a trigger signal to each of the first to fourth QCLs 311 to 314 at a timing delayed by a predetermined delay time from the timing when the laser output signal is input from the EUV light generation controller 5.
  • the delay times added to the trigger signal may be delay times Dq1 to D4 different for each of the trigger signals output to the first to fourth QCLs 311 to 314, respectively.
  • the amplification wavelength regions corresponding to the pulsed laser beams output from the first to fourth QCLs 311 to 314 may be different from each other.
  • the timings at which pulse laser beams having different wavelengths are output from the first to fourth QCLs 311 to 314 may be different from one another.
  • the lengths of the delay times Dq1 to Dq4 may be determined so that pulse laser beams having wavelengths in the amplification wavelength region are output from the first to fourth QCLs 311 to 314 at substantially the same timing.
  • control unit 330 may output a drive signal to each of the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may output a drive signal to each of the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374 in synchronization with the timing when the laser output signal is input from the EUV light generation controller 5.
  • the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and the drive signal to the optical switch allow the pulse laser beam 30 incident on the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374 to pass. It may be a signal that controls the operation of 374.
  • the control unit 330 drives the drive signals to the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374 at timings delayed by a predetermined delay time from the timing when the laser output signal is input from the EUV light generation control unit 5. May be output.
  • the delay times added to these drive signals may be delay times Dp1 to D4 different for each of the drive signals output to the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374. .
  • the lengths of the delay times Dp1 to 4 are the same as the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and the pulse laser light having the wavelength of the amplification wavelength region output from the first to fourth QCLs 311 It may be defined to be able to pass each of 374.
  • control unit 330 may output a voltage setting signal to the RF power supply 380 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may output a voltage setting signal to the RF power supply 380 in synchronization with the timing when the laser output signal is input from the EUV light generation control unit 5.
  • the voltage setting signal output to the RF power supply 380 may be a signal for setting the setting value of the discharge voltage supplied to the amplifier 375 of the regenerative amplifier 370 to the RF power supply 380.
  • the setting value of the discharge voltage included in the voltage setting signal is the target pulse energy of the pulse laser beam 31 included in the laser output signal and the pulse energy of the amplified pulse laser beam 30 measured by an energy monitor (not shown). It may be determined based on.
  • the RF power supply 380 can supply a discharge voltage corresponding to the setting value included in the input voltage setting signal to the amplifier 375 of the regenerative amplifier 370.
  • the amplifier 375 of the regenerative amplifier 370 can amplify the pulsed laser light 30 incident on the regenerative amplifier 370 according to the supplied discharge voltage.
  • control unit 330 may output a current setting signal to each of the first to fourth RF power supplies 361 to 364 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may output the current setting signal to each of the first to fourth RF power supplies 361 to 364 in synchronization with the timing when the laser output signal is input from the EUV light generation controller 5.
  • the current setting signal output to each of the first to fourth RF power supplies 361 to 364 sets the setting value of the discharge current supplied to the first to fourth amplifiers 351 to 354 to the first to fourth RF power supplies 361 to 364 It may be a signal to be set.
  • the setting value of the discharge current included in the current setting signal is the target pulse energy of the pulse laser beam 31 included in the laser output signal and the pulse energy of the amplified pulse laser beam 30 measured by an energy monitor (not shown). It may be determined based on.
  • Each of the first to fourth RF power supplies 361 to 364 can supply a discharge current corresponding to the setting value included in the input current setting signal to each of the first to fourth amplifiers 351 to 354.
  • Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 can amplify the pulsed laser light 30 incident on each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 in accordance with the supplied discharge current.
  • the hardware configuration of the control unit 330 will be described later with reference to FIG.
  • the other configuration of the EUV light generation system 11 may be similar to the configuration of the EUV light generation system 11 shown in FIG. 1.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a target supply signal based on the EUV light output command signal transmitted from the exposure apparatus controller 61 and output the target supply signal to the target supply unit 26.
  • the target supply unit 26 can output the droplet 271 to the plasma generation region 25 in the chamber 2 based on the target supply signal.
  • the target sensor 4 can detect the droplet 271 output into the chamber 2 and output a droplet detection signal to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 may newly generate a target supply signal based on the EUV light output command signal and the droplet detection signal, and output the target supply signal to the target supply unit 26.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a laser output signal based on the droplet detection signal output from the target sensor 4 and output the laser output signal to the controller 330.
  • the control unit 330 may determine the delay times Dq1 to D4 added to the trigger signals output to the first to fourth QCLs 311 to 314 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may determine the delay times Dp1 to D4 to be added to the drive signals output to the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may determine the setting value of the excitation current included in the trigger signal output to the first to fourth QCLs 311 to 314 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may determine the setting value of the discharge voltage included in the voltage setting signal output to the RF power supply 380 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may determine the set value of the discharge current included in the current setting signal output to the first to fourth RF power supplies 361 to 364 based on the laser output signal.
  • the control unit 330 may output a voltage setting signal including the determined setting value of the discharge voltage to the RF power supply 380.
  • the RF power supply 380 may supply a discharge voltage to the discharge electrode of the amplifier 375 of the regenerative amplifier 370 based on the input voltage setting signal.
  • the control unit 330 may output a current setting signal including the determined setting value of the discharge current to the first to fourth RF power supplies 361 to 364.
  • the first to fourth RF power supplies 361 to 364 may supply a discharge current to the discharge electrodes of the first to fourth amplifiers 351 to 354, based on the input current setting signal.
  • the control unit 330 outputs the trigger signal including the determined setting value of the excitation current to each of the first to fourth QCLs 311 to 314 at a timing delayed by the delay time Dq1 to 4 from the timing when the laser output signal is input. You may Each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output pulsed laser light based on the input trigger signal.
  • the optical path adjuster 315 may superimpose the optical paths of the pulsed laser light output from the first to fourth QCLs 311 to 314 substantially on one optical path, and may output the optical path as the pulsed laser light 30 to the first optical switch 321. .
  • the control unit 330 may output the drive signal to the first optical switch 321 to the first optical switch 321 at a timing delayed by the delay time Dp1 from the timing when the laser output signal is input.
  • the first optical switch 321 can pass the incident pulse laser beam 30 based on the input drive signal, and can output it to the regenerative amplifier 370.
  • the control unit 330 may output the drive signal to the third optical switch 373 to the third optical switch 373 at a timing delayed by the delay time Dp3 from the timing when the laser output signal is input.
  • the third optical switch 373 can change the optical path of the incident pulse laser beam 30 based on the input drive signal, and introduce the pulse laser beam 30 into the regenerative amplifier 370.
  • the pulsed laser light 30 introduced into the regenerative amplifier 370 can be amplified each time it passes through the amplifier 375 while reciprocating between the resonator mirrors 371 and 372.
  • the control unit 330 may output the drive signal to the fourth optical switch 374 to the fourth optical switch 374 at a timing delayed by the delay time Dp4 from the timing when the laser output signal is input.
  • the fourth optical switch 374 can change the optical path of the incident pulse laser beam 30 based on the input drive signal, and can output it from the regenerative amplifier 370 to the high reflection mirror.
  • the high reflection mirror can reflect the incident pulse laser beam 30 and output it to the second optical switch 322.
  • the control unit 330 may output the drive signal to the second optical switch 322 to the second optical switch 322 at a timing delayed by the delay time Dp2 from the timing when the laser output signal is input.
  • the second optical switch 322 can pass the incident pulse laser beam 30 based on the input drive signal and can output the pulse laser beam 30 to the first amplifier 351.
  • Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 can sequentially amplify the pulse laser beam 30.
  • the pulsed laser light 30 amplified by the fourth amplifier 354 at the final stage can be output to the outside of the laser device 3 as a pulsed laser light 31.
  • the pulsed laser light 31 output from the laser device 3 can be introduced into the chamber 2 as pulsed laser light 32 via the laser light traveling direction control unit 34 and the window 21 of the EUV light generation apparatus 1.
  • the pulsed laser beam 32 introduced into the chamber 2 may be focused on the plasma generation region 25 as a pulsed laser beam 33 by the laser beam focusing mirror 22.
  • the pulsed laser light 33 focused on the plasma generation region 25 can irradiate the droplet 271 output from the target supply unit 26 to the plasma generation region 25.
  • the droplet 271 can be plasmatized to emit light including the EUV light 251 when the pulsed laser light 33 is irradiated.
  • the EUV light 251 can be selectively reflected by the EUV collector mirror 23 and output to the exposure apparatus 6 as the EUV light 252.
  • EUV light generation system 11 may be similar to the operations of the EUV light generation system 11 shown in FIG. 1.
  • FIG. 3A shows a diagram for explaining the detailed configuration of the first optical switch 321.
  • FIG. 3B is a diagram for explaining the relationship between the incident timing of the pulse laser light 30 to the Pockels cell 321 a and the voltage applied to the Pockels cell 321 a.
  • the first optical switch 321 may be configured using an electro-optical element.
  • the first optical switch 321 may include a Pockels cell 321a, a polarizer 321b, a polarizer 321c, and a power supply 321d.
  • the polarizers 321 b and 321 c may transmit a specific linear polarization component of the incident pulse laser beam 30 and reflect the other linear polarization components.
  • the polarizers 321 b and 321 c may be disposed to be substantially orthogonal to the optical path axis of the incident pulse laser beam 30.
  • the polarizers 321 b and 321 c may be arranged in a cross nicol state on the optical path of the incident pulse laser beam 30.
  • the polarizer 321 b may transmit the pulse laser beam 30 which is linearly polarized light in the Y direction, and may reflect the pulse laser beam 30 which is linearly polarized light in the X direction.
  • the polarizer 321 c may transmit, for example, the pulse laser beam 30 in linear polarization in the X direction and may reflect the pulse laser beam 30 in linear polarization in the Y direction.
  • the power supply 321 d may be a power supply that applies a voltage to the Pockels cell 321 a.
  • the power supply 321 d may apply a voltage to the Pockels cell 321 a so that an electric field in a direction substantially orthogonal to the traveling direction of the pulsed laser light 30 incident on the Pockels cell 321 a is generated in the Pockels cell 321 a.
  • the power supply 321 d may be connected to the control unit 330.
  • the drive signal to the first optical switch 321 output from the control unit 330 may be input to the power supply 321 d.
  • the power supply 321 d may apply an applied voltage to the Pockels cell 321 a at the voltage value, the pulse width, and the application timing of the applied voltage specified by the input drive signal.
  • the Pockels cell 321a may be formed using a birefringent material. Pockels cell 321a may be disposed between polarizers 321b and 321c. The Pockels cell 321 a may be disposed such that the surface on which the pulse laser beam 30 is incident is substantially orthogonal to the optical path axis of the pulse laser beam 30. The refractive index of the Pockels cell 321a may change according to the applied voltage by the Pockels effect when a voltage is applied from the power supply 321d. The Pockels cell 321 a may modulate the phase of the incident pulse laser beam 30 and generate a phase difference (retardation) in the pulse laser beam 30 according to the applied voltage.
  • the Pockels cell 321a When a half-wave voltage is applied from the power supply 321d, the Pockels cell 321a generates a phase difference ⁇ with respect to the pulse laser beam 30 which is linearly polarized light in the Y direction transmitted through the polarizer 321b, It may be converted into pulsed laser light 30 which is linearly polarized in the direction. On the other hand, when no voltage is applied from the power supply 321d, the Pockels cell 321a transmits the pulse laser beam 30 in the Y-direction linearly polarized light transmitted through the polarizer 321b without transmitting the polarization state. It is also good.
  • the control unit 330 may output a drive signal to the power supply 321 d so that a voltage is applied to the Pockels cell 321 a in synchronization with the timing when the pulse laser light 30 enters the Pockels cell 321 a.
  • the control unit 330 may output a drive signal to the power supply 321 d such that a voltage having a pulse width that can absorb the time jitter of the pulsed laser light 30 is applied to the Pockels cell 321 a. For example, as shown in FIG. 3B, when the pulse width of the pulsed laser light 30 is about 20 ns, the control unit 330 may output a drive signal such that the pulse width of the applied voltage is about 100 ns.
  • the pulsed laser light 30 that has entered the first optical switch 321 can enter the polarizer 321 b disposed on the upstream side.
  • the pulse laser beam 30 incident on the polarizer 321 b may transmit the linearly polarized light component in the Y direction and may be incident on the Pockels cell 321 a as the pulse laser beam 30 which is linearly polarized light in the Y direction.
  • the pulsed laser light 30 in the Y-direction linearly polarized light incident on the Pockels cell 321a passes the Pockels cell 321a as the Y-direction linearly polarized light and is disposed downstream. Can be incident on the polarizer 321c.
  • the pulse laser beam 30 which is linearly polarized light in the Y direction that has entered the polarizer 321 c can be reflected by the polarizer 321 c.
  • the pulsed laser light 30 in the linearly polarized light in the Y direction that has entered the first optical switch 321 can not pass through the first optical switch 321.
  • the pulsed laser light 30 in linear polarization in the Y direction incident on the Pockels cell 321a is converted into pulsed laser light 30 in linear polarization in the X direction
  • the light may be incident on the polarizer 321 c disposed downstream.
  • the pulse laser beam 30 which is linearly polarized light in the X direction and has entered the polarizer 321 c can pass through the polarizer 321 c.
  • the pulse laser beam 30 in linear polarization in the Y direction incident on the first optical switch 321 can be converted into pulse laser beam 30 in linear polarization in the X direction and can pass through the first optical switch 321 .
  • the first optical switch 321 can pass the pulse laser beam 30 by applying a voltage to the Pockels cell 321 a in accordance with the incident timing of the pulse laser beam 30.
  • the first optical switch 321 can suppress the passage of return light from the regenerative amplifier 370 or the like disposed downstream of the first optical switch 321. That is, the first optical switch 321 can have the function of an optical isolator.
  • the second optical switch 322 also operates on the same principle as the first optical switch 321, and may have the function of an optical isolator.
  • the first and second optical switches 321 and 322 may be configured using an electro-optical element including a car cell instead of a Pockels cell. Alternatively, the first and second optical switches 321 and 322 may be configured using an acousto-optical element or a magneto-optical element instead of the electro-optical element.
  • the detailed configuration of the regenerative amplifier 370 will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows a diagram for explaining the detailed configuration of the regenerative amplifier 370.
  • the regenerative amplifier 370 may include the resonator mirror 371, the resonator mirror 372, the third optical switch 373, the fourth optical switch 374, and the amplifier 375, as described above.
  • the third optical switch 373 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 that has passed through the first optical switch 321 and has entered the regenerative amplifier 370.
  • the third optical switch 373 may be disposed between the resonator mirror 371 and the amplifier 375.
  • the third optical switch 373 may be configured using an electro-optical element.
  • the third optical switch 373 may include a Pockels cell 373a, a polarizer 373b, and a power supply (not shown).
  • the polarizer 373 b may be disposed on the optical path of the pulse laser beam 30 incident on the regenerative amplifier 370.
  • the polarizer 373 b may be disposed to intersect the optical path axis of the pulse laser beam 30 incident on the regenerative amplifier 370 at an angle of approximately 45 °.
  • the polarizer 373 b may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reciprocated between the resonator mirrors 371 and 372.
  • the polarizer 373 b may transmit a specific linear polarization component of the pulse laser beam 30 incident on the polarizer 373 b and reflect the other linear polarization components.
  • the pulsed laser beam 30 passing through the first optical switch 321 may be the pulsed laser beam 30 in linear polarization in a specific direction.
  • the pulsed laser light 30 incident on the regenerative amplifier 370 may be pulsed laser light 30 in linear polarization in the specific direction.
  • the polarizer 373 b may reflect the pulse laser beam 30 in linear polarization in the specific direction, which is input to the reproduction amplifier 370, and transmit the pulse laser beam 30 in linear polarization in a direction substantially perpendicular to the specific direction.
  • the power supply (not shown) included in the third optical switch 373 may be a power supply that applies a voltage to the Pockels cell 373a.
  • the drive signal to the third optical switch 373 output from the control unit 330 may be input to the power supply.
  • the power supply may apply an applied voltage to the Pockels cell 373a at the voltage value, pulse width, and application timing of the applied voltage specified by the input drive signal.
  • the other configuration of the power supply may be the same as the power supply 321 d included in the first optical switch 321.
  • the Pockels cell 373a may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reciprocated between the resonator mirrors 371 and 372.
  • the Pockels cell 373a may be disposed between the resonator mirror 371 and the polarizer 373b.
  • the Pockels cell 373a When a voltage is applied from a power supply (not shown), the Pockels cell 373a generates a phase difference of ⁇ / 2 with respect to the linearly polarized pulse laser beam 30 incident thereon and converts it into circularly polarized pulse laser beam 30. It is also good.
  • the Pockels cell 373a When a voltage is applied from a power supply (not shown), the Pockels cell 373a generates a phase difference of ⁇ / 2 with respect to the incident circularly polarized pulse laser beam 30 and converts it into linearly polarized pulse laser beam 30. You may On the other hand, when no voltage is applied from a power supply (not shown), the Pockels cell 321a may transmit the incident linearly polarized pulse laser beam 30 without converting the polarization state.
  • the other configuration of the Pockels cell 321a may be similar to that of the Pockels cell 321a included in the first optical switch 321.
  • the fourth optical switch 374 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reciprocated between the resonator mirrors 371 and 372.
  • the fourth optical switch 374 may be disposed between the resonator mirror 372 and the amplifier 375.
  • the fourth optical switch 374 may be configured using an electro-optical element.
  • the fourth light switch 374 may include a Pockels cell 374a, a polarizer 374b, and a power supply (not shown).
  • the polarizer 374 b may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reciprocated between the resonator mirrors 371 and 372.
  • the polarizer 374 b may be disposed to intersect the optical path axis of the pulsed laser light 30 reciprocated between the resonator mirrors 371 and 372 at an angle of about 45 °.
  • the polarizer 374b may transmit a specific linear polarization component of the pulsed laser light 30 incident on the polarizer 374b, and reflect the other linear polarization components.
  • the polarizer 374 b may be arranged in a parallel nicol state with respect to the polarizer 373 b included in the third light switch 373.
  • the power supply (not shown) included in the fourth optical switch 374 may be a power supply that applies a voltage to the Pockels cell 374a.
  • the drive signal to the fourth optical switch 374 output from the control unit 330 may be input to the power supply.
  • the power supply may apply an applied voltage to the Pockels cell 374a at the voltage value, pulse width, and application timing of the applied voltage specified by the input drive signal.
  • the other configuration of the power supply may be the same as the power supply included in the third optical switch 373.
  • the Pockels cell 374a may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reciprocated between the resonator mirrors 371 and 372. Pockels cell 374a may be disposed between resonator mirror 372 and polarizer 374b. The other configuration of the Pockels cell 374a may be the same as the Pockels cell 373a included in the third optical switch 373.
  • the amplifier 375 may be a slab amplifier.
  • the amplifier 375 may be disposed between the third optical switch 373 and the fourth optical switch 374.
  • the amplifier 375 may include a housing 375a, a window 375b, a window 375c, a concave mirror 375d, and a concave mirror 375e, in addition to a pair of discharge electrodes not shown.
  • the inside of the housing 375a may be airtightly filled with CO 2 gas which is an amplification medium.
  • Windows 375b and 375c may be disposed on the side surface of the housing 375a.
  • the windows 375b and 375c may guide the pulsed laser light 30 incident on the amplifier 375 to the inside of the housing 375a.
  • the windows 375b and 375c may guide the pulsed laser light 30 output from the amplifier 375 to the outside of the housing 375a.
  • the pair of discharge electrodes may be disposed inside the housing 375a.
  • Each of the pair of discharge electrodes may be formed in a substantially plate shape.
  • Each of the pair of discharge electrodes may be disposed to face each other at a predetermined distance from each other.
  • Each of the pair of discharge electrodes may be arranged to be substantially parallel to the optical path axis of the pulsed laser beam 30 incident on the amplifier 375.
  • each of the pair of discharge electrodes may be arranged to be substantially parallel to the paper surface of FIG. 4.
  • a discharge space may be formed between the pair of discharge electrodes.
  • Each of the pair of discharge electrodes may be cooled by a cooling device (not shown).
  • One discharge electrode of the pair of discharge electrodes may be grounded, and the other discharge electrode may be connected to the RF power supply 380.
  • a high frequency discharge voltage may be supplied by the RF power supply 380 between the pair of discharge electrodes.
  • the CO 2 gas filling the discharge space formed between the pair of discharge electrodes can be excited.
  • the pulsed laser light 30 incident on the amplifier 375 can be imparted with energy and amplified when passing through the discharge space.
  • Each of concave mirrors 375d and 375e may be disposed inside housing 375a.
  • the concave mirrors 375 d and 375 e may be arranged to sandwich the discharge space formed between the pair of discharge electrodes.
  • Each of concave mirrors 375d and 375e may be a confocal cylindrical mirror.
  • Each of concave mirrors 375 d and 375 e may reflect pulse laser light 30 incident on amplifier 375 in multiple passes in multiple passes. Thereby, the pulse laser beam 30 can be multipath amplified in the discharge space formed between the pair of discharge electrodes.
  • the amplifier 375 may be a three-axis orthogonal amplifier or a high-speed axial-flow amplifier.
  • the pulsed laser light 30 incident on the regenerative amplifier 370 may be pulsed laser light 30 in linear polarization in a specific direction.
  • the pulse laser beam 30 may be incident on the polarizer 373 b.
  • the pulse laser beam 30 which has entered the polarizer 373 b may be reflected by the polarizer 373 b and may enter the Pockels cell 373 a as it is linearly polarized.
  • the control unit 330 outputs a drive signal to the power supply of the third optical switch 373 so that a voltage is applied to the Pockels cell 373a in synchronization with the timing when the pulse laser light 30 enters the Pockels cell 373a. It is also good.
  • the linearly polarized pulse laser beam 30 incident on the Pockels cell 373a is converted into the circularly polarized pulse laser beam 30 when passing through the Pockels cell 373a, and the resonator mirror It may be incident on 371.
  • the pulsed laser light 30 incident on the resonator mirror 371 can be reflected by the resonator mirror 371 and enter the Pockels cell 373a again as circularly polarized light.
  • the circularly polarized pulsed laser light 30 reentered into the Pockels cell 373a may be converted into linearly polarized pulsed laser light 30 when it passes through the Pockels cell 373a again.
  • the pulse laser beam 30 which has passed through the Pockels cell 373a again can be converted into linearly polarized pulse laser beam 30 having a polarization direction substantially perpendicular to the polarization direction of the pulse laser beam 30 incident on the regenerative amplifier 370.
  • the linearly polarized pulsed laser light 30 that has again passed through the Pockels cell 373a may enter the polarizer 373b again.
  • the pulsed laser light 30 re-incident on the polarizer 373 b can be transmitted through the polarizer 373 b and incident on the amplifier 375 as linearly polarized light.
  • the control unit 330 stops the output of the drive signal output to the power supply of the third optical switch 373 so that no voltage is applied to the Pockels cell 373 a after the pulse laser beam 30 passes through the Pockels cell 373 a again.
  • the pulsed laser light 30 incident on the amplifier 375 may be incident on the inside of the housing 375a through the window 375b.
  • the pulsed laser light 30 incident into the housing 375a may be multipath-amplified while being reflected by the concave mirrors 375d and 375e many times in the discharge space formed between the pair of discharge electrodes.
  • the multipass amplified pulsed laser light 30 can be output from the amplifier 375 through the window 375c as it is linearly polarized.
  • the polarization direction of the linearly polarized pulsed laser light 30 output from the amplifier 375 may remain substantially perpendicular to the polarization direction of the pulsed laser light 30 incident on the regenerative amplifier 370.
  • the pulsed laser light 30 output from the amplifier 375 may be incident on the polarizer 374b.
  • the pulsed laser light 30 incident on the polarizer 374b can be transmitted through the polarizer 374b and incident on the Pockels cell 374a as linearly polarized light.
  • the control unit 330 prevents a drive signal from being output to the power supply of the fourth optical switch 374 so that a voltage is not applied to the Pockels cell 374a when the pulse laser light 30 enters the Pockels cell 374a. It is also good.
  • the linearly polarized pulsed laser light 30 entering the Pockels cell 374a can pass through the Pockels cell 374a as it is and enter the resonator mirror 372.
  • the pulsed laser light 30 incident on the resonator mirror 372 may be reflected by the resonator mirror 372 and pass through the Pockels cell 374a as linearly polarized light.
  • the linearly polarized pulsed laser light 30 that has again passed through the Pockels cell 374a may reenter the polarizer 374b.
  • the pulsed laser light 30 re-incident on the polarizer 374 b can pass through the polarizer 374 b and re-enter the amplifier 375 as linearly polarized light.
  • the pulsed laser light 30 re-incident on the amplifier 375 can be multipath amplified and output again from the amplifier 375 as described above.
  • the polarization direction of the linearly polarized pulsed laser light 30 output again from the amplifier 375 may remain substantially perpendicular to the polarization direction of the pulsed laser light 30 incident on the regenerative amplifier 370.
  • the pulsed laser light 30 output again from the amplifier 375 can pass through the polarizer 373 b and the Pockels cell 373 a and be reflected by the resonator mirror 371.
  • the pulsed laser light 30 passes through the Pockels cells 373a and 374a and the polarizers 373b and 374b, and is amplified by the amplifier 375 while being interposed between the resonator mirrors 371 and 372 It can go back and forth.
  • the control unit 330 drives the power supply of the fourth optical switch 374 so that a voltage is applied to the Pockels cell 374a in synchronization with the timing when the pulse laser light 30 output from the amplifier 375 enters the Pockels cell 374a.
  • a signal may be output.
  • the linearly polarized pulse laser beam 30 incident on the Pockels cell 374a is converted into the circularly polarized pulse laser beam 30 when passing through the Pockels cell 374a, and the resonator mirror It may be incident on 372.
  • the pulsed laser light 30 incident on the resonator mirror 372 may be reflected by the resonator mirror 372 and may enter the Pockels cell 374a again as circularly polarized light.
  • the circularly polarized pulsed laser light 30 re-incident on the Pockels cell 374a can be converted into linearly polarized pulsed laser light 30 when passing through the Pockels cell 374a again.
  • the pulsed laser light 30 that has passed through the Pockels cell 374a again can be converted into linearly polarized pulsed laser light 30 having a polarization direction substantially parallel to the polarization direction of the pulsed laser light 30 that has entered the regenerative amplifier 370.
  • the linearly polarized pulsed laser light 30 that has again passed through the Pockels cell 374a may reenter the polarizer 374b.
  • the pulsed laser light 30 re-incident on the polarizer 374 b may be reflected by the polarizer 374 b and output from the regenerative amplifier 370.
  • the reproduction amplifier 370 can amplify the incident pulse laser beam 30 and output it at a specific timing under the control of the control unit 330.
  • the pulsed laser light 30 amplified and output by the regenerative amplifier 370 may be incident on the second optical switch 322 through the high reflection mirror.
  • FIG. 5 shows a diagram for explaining the detailed configuration of the first QCL 311. As shown in FIG.
  • the first QCL 311 may be a distributed feedback quantum cascade laser.
  • the first QCL 311 may include a semiconductor element 3111 and a Peltier element 3112.
  • the semiconductor element 3111 may be a semiconductor element that generates light using electronic transition between subbands in the quantum well structure.
  • the semiconductor element 3111 may include an active layer 3111 a, a semiconductor layer 3111 b, and a semiconductor layer 3111 c.
  • the semiconductor element 3111 may have a stacked structure in which a semiconductor layer 3111 b, an active layer 3111 a, and a semiconductor layer 3111 c are stacked in this order.
  • the active layer 3111a may have a function of generating and amplifying light.
  • the active layer 3111a may have a cascade structure in which quantum well layers used for light generation and injection layers that inject electrons into the quantum well layers are alternately stacked.
  • the semiconductor layers 3111 b and 3111 c may be provided so as to sandwich the active layer 3111 a from both sides in the stacking direction of the semiconductor element 3111.
  • the semiconductor layers 3111 b and 3111 c may include a guide layer for guiding the light generated in the active layer 3111 a, a cladding layer for confining the light, and the like.
  • a grating 3111 d in which a large number of grooves are formed at a predetermined groove interval A may be provided.
  • the grating 3111 d can function as an optical resonator that selectively returns light in the vicinity of a specific wavelength according to the predetermined groove spacing A.
  • the feedback light amount rapidly increases, and light near the specific wavelength can be output as laser light from one end or both ends of the active layer 3111a.
  • a part of the grooves constituting the grating 3111 d may be formed at an interval other than the predetermined groove interval A.
  • the grooves formed at intervals other than the predetermined groove interval A may be formed at one or more predetermined locations in the output direction of the pulse laser beam.
  • a distributed feedback laser can emit pulsed laser light of two wavelengths ideally when the grooves of the grating are formed at uniform intervals.
  • the first QCL 311 can oscillate pulsed laser light of a single wavelength.
  • the semiconductor layers 3111 b and 3111 c may be provided with a pair of electrode layers (not shown) so as to be sandwiched from both sides in the stacking direction of the semiconductor element 3111.
  • the pair of electrode layers may be connected to the control unit 330 via a current controller (not shown).
  • An excitation current corresponding to the trigger signal output from the control unit 330 may be supplied from the current controller to the pair of electrode layers.
  • an excitation current corresponding to the trigger signal can flow through the semiconductor layers 3111 b and 3111 c and the active layer 3111 a sandwiched by the pair of electrode layers.
  • the Peltier device 3112 may be a device for cooling the semiconductor device 3111.
  • the Peltier device 3112 may be connected to the control unit 330.
  • the Peltier device 3112 may cool the semiconductor device 3111 under the control of the control unit 330.
  • an excitation current may flow through the active layer 3111a of the first QCL 311.
  • the active layer 3111a can generate light.
  • the generated light can be resonated while being wavelength-selected by the grating 3111 d and amplified each time it passes through the active layer 3111 a. Then, the light can be output from the end face of the semiconductor element 3111 as pulsed laser light.
  • the first QCL 311 can output pulsed laser light under the control of the control unit 330.
  • the oscillation wavelength of the first QCL 311 may depend on the optical path length of the optical resonator in the semiconductor element 3111 and the selected wavelength of the grating 3111 d.
  • Each of the second to fourth QCLs 312 to 314 can operate on the same principle as that of the first QCL 311 and output pulsed laser light.
  • the wavelength chirping of the first to fourth QCLs 311 to 314 will be described with reference to FIG. Wavelength chirping may occur in each of the first through fourth QCLs 311-314 as well.
  • the first QCL 311 will be described as an example.
  • FIG. 6 shows a diagram for explaining wavelength chirping generated in the first QCL 311. As shown in FIG.
  • heat generation of the semiconductor element 3111 included in the first QCL 311 may increase the temperature of the active layer 3111 a of the semiconductor element 3111 as illustrated in FIG.
  • the refractive index of the active layer 3111a may change.
  • the optical path length of the optical resonator in the semiconductor element 3111 and the interval A of the grooves of the grating 3111 d may change. Thereby, the oscillation wavelength of the first QCL 311 may change as shown in FIG.
  • the semiconductor element 3111 of the first QCL 311 may be cooled by the Peltier element 3112. Therefore, the temperature of the active layer 3111a can be permanently kept substantially constant by the heat balance between the heat generation of the semiconductor element 3111 and the cooling of the Peltier element 3112. However, the temperature of the active layer 3111a may transiently change as follows. That is, as shown in FIG. 6, the temperature of the active layer 3111a may rise sharply immediately after the excitation current is supplied to the first QCL 311, and may gradually rise with the passage of time. Then, the temperature of the active layer 3111a may drop sharply immediately after the supply of the excitation current is stopped, and may gradually drop with time.
  • the refractive index of the active layer 3111a may increase and the optical path length of the optical resonator in the semiconductor element 3111 may increase, and the oscillation wavelength of the first QCL 311 may also become long.
  • Such a phenomenon in which the oscillation wavelength of a semiconductor laser including QCL changes is called wavelength chirping.
  • the wavelength of pulsed laser light output from the first QCL 311 can be changed by wavelength chirping.
  • the wavelength region of the pulse laser beam 30 that can be amplified by the regenerative amplifier 370 and the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be determined in advance by the amplification medium of these amplifiers. For this reason, the pulsed laser light output from the first QCL 311 can be appropriately amplified only when it has a wavelength in a wavelength region that can be amplified by these amplifiers.
  • the oscillation wavelength of the first QCL 311 changes due to wavelength chirping, the pulsed laser light output from the first QCL 311 can be appropriately amplified only at the timing when the wavelength of the pulsed laser light reaches the wavelength region that can be amplified.
  • a time lag may occur from the timing when the excitation current is supplied to the first QCL 311 to the timing when the wavelength of the output pulse laser light reaches the amplification wavelength region. That is, a time lag may occur from the timing when the trigger signal is output to the first QCL 311 to the timing when the pulse laser light having the wavelength of the amplification wavelength region is output from the first QCL 311.
  • the time lag from the timing when the trigger signal is output to QCL to the timing when the pulse laser light having the wavelength of the amplification wavelength region is output from QCL is also referred to as “emission delay time of QCL”.
  • the wavelength of pulsed laser light output from each of the second to fourth QCLs 312 to 314 can also be changed by wavelength chirping, as in the first QCL 311. Then, in each of the second to fourth QCLs 312 to 314, similarly to the first QCL 311, a light emission delay time may occur.
  • the light emission delay time of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can also vary depending on the load state of each of the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the behavior of the first QCL 311 in a high load state such as 100 kHz is compared with the behavior of the first QCL 311 in a low load state such as 20 kHz.
  • the active layer temperature etc. in the high load state first QCL 311 is shown by a solid line
  • the active layer temperature etc. in the low load state first QCL 311 is shown by a broken line.
  • the number of times the excitation current is supplied per unit time may be increased as compared to the low load state first QCL 311 oscillating at a low repetition frequency. Therefore, the temperature of the active layer 3111a in the first QCL 311 may be higher in the high load state oscillating at a high repetition frequency than in the low load state oscillating at a low repetition frequency. Along with this, the oscillation wavelength immediately after the excitation current is supplied to the first QCL 311 may be shifted to the longer wavelength side in the high load state than in the low load state.
  • the fluctuation range of the oscillation wavelength due to wavelength chirping in the first QCL 311 may be larger in the high load state than in the low load state.
  • the light emission delay time of the first QCL 311 may be shorter in the high load state than in the low load state. That is, in the first QCL 311, the timing when the pulse laser light having the wavelength of the amplification wavelength region is output may be earlier in the high load state than in the low load state. In each of the second to fourth QCLs 312 to 314 as well as the first QCL 311, the timing when the pulse laser light having the wavelength in the amplification wavelength region is output may be earlier in the high load state than in the low load state.
  • the timing at which the pulsed laser light having the wavelength in the amplification wavelength region is output from each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may vary depending on the load state of each QCL.
  • the delay times Dq1 to D4 added to the trigger signal have substantially the same pulse laser beams 30 having wavelengths in the amplification wavelength region, taking into consideration the light emission delay times of the first to fourth QCLs 311 to 314, respectively. It is predetermined to be output at timing.
  • the timing when the pulsed laser light in the amplification wavelength region is output from each of the first to fourth QCLs 311 to 314, and the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374 are driven.
  • the timing may need to be synchronized. However, when the operating condition of the laser device 3 is changed, the timing of the two may not be synchronized.
  • the repetition frequency of the pulse laser beam 31 output from the laser device 3 may be changed to a low value by an instruction from the exposure device 6 or the like.
  • the load states of the first to fourth QCLs 311 to 314 may be lowered, and the timings at which pulse laser beams having wavelengths in the amplification wavelength region are output from the first to fourth QCLs 311 to 314 may be delayed.
  • the pulsed laser light output from any of the first to fourth QCLs 311 to 314 may not be properly amplified.
  • the pulse laser beam 30 may not pass through any of the first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374.
  • FIG. 7 shows the configuration of an EUV light generation system 11 including the laser device 3 of the first embodiment.
  • the configurations of the EUV light generation controller 5 and the controller 330 may be different from the EUV light generation system 11 shown in FIG.
  • the description of the same configuration as that of the EUV light generation system 11 shown in FIG. 2 will be omitted.
  • the EUV light generation controller 5 of FIG. 7 may include a master trigger generator 51.
  • the master trigger generation unit 51 may determine the target repetition frequency of the droplets 271 as the master repetition frequency regardless of the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal.
  • the master repetition frequency may be a constant repetition frequency predetermined based on the specifications of the EUV light generation apparatus 1, the laser apparatus 3, or the exposure apparatus 6.
  • the master repetition frequency may be a repetition frequency of an upper limit value that can be taken by the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal.
  • the master repetition frequency may be a value that is an integral multiple of the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the master repetition frequency may be 100 kHz
  • the target repetition frequency of the EUV light 252 may be 100 Hz, 50 kHz, 33.3 kHz, 25 kHz, 20 kHz, 10 kHz, 1 kHz, or the like.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a target supply signal with the master repetition frequency determined by the master trigger generation unit 51 as the target repetition frequency of the droplets 271.
  • the EUV light generation controller 5 may output the generated target supply signal to the target supply unit 26 at the master repetition frequency.
  • the target supply unit 26 can generate and output the droplets 271 at the master repetition frequency.
  • the target sensor 4 can detect the droplets 271 output at the master repetition frequency and output a droplet detection signal to the EUV light generation controller 5.
  • a droplet detection signal reflecting the master repetition frequency can be input to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a laser output signal based on the droplet detection signal reflecting the master repetition frequency and may output the laser output signal to the controller 330. Specifically, the EUV light generation controller 5 controls the laser output signal for each pulse in synchronization with the timing when the droplet detection signal of the droplet 271 output at the master repetition frequency is input. It may be output to The controller 330 may receive a laser output signal reflecting the master repetition frequency.
  • the EUV light generation controller 5 may separately output various target values such as the target pulse energy of the pulse laser light 31 to the controller 330 without including it in the laser output signal.
  • the EUV light generation controller 5 may output the droplet detection signal of the droplet 271 output at the master repetition frequency as it is to the controller 330 as a laser output signal.
  • the EUV light generation controller 5 may output various target values such as the target pulse energy of the pulsed laser light 31 to the controller 330 before outputting the laser output signal.
  • the control unit 330 sets each of the set value of the excitation current included in the trigger signal, the set value of the discharge voltage included in the voltage set signal, and the set value of the discharge current included in the current set signal before the input of the laser output signal. It may be determined in advance.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a division setting signal and output it to the controller 330.
  • the EUV light generation controller 5 may output a division setting signal to the controller 330 before outputting the laser output signal.
  • the division setting signal may be a control signal for setting, in the control unit 330, a division ratio when dividing the master repetition frequency.
  • the division ratio may be a value obtained by dividing the value of the master repetition frequency by the value of the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal.
  • the control unit 330 of FIG. 7 may include a divider 331.
  • the frequency divider 331 may divide the laser output signal output from the EUV light generation controller 5 based on the division setting signal output from the EUV light generation controller 5.
  • the frequency divider 331 may divide the laser output signal input at a repetition frequency that is substantially the same value as the master repetition frequency using the division ratio included in the division setting signal.
  • the repetition frequency of the divided laser output signal may be a repetition frequency having substantially the same value as the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal.
  • the repetition frequency of the undivided laser output signal may be a repetition frequency of substantially the same value as the master repetition frequency.
  • the control unit 330 outputs a drive signal to the optical switch, a voltage setting signal to the RF power supply 380, and a current setting signal to the first to fourth RF power supplies 361 to 364 based on the divided laser output signal. May be
  • the control unit 330 synchronizes with the timing when the laser output signal is input, and at a repetition frequency of substantially the same value as the target repetition frequency of the EUV light 252, the drive signal to the optical switch, the voltage setting signal, and A current setting signal may be output.
  • the control unit 330 may directly output each of the drive signal to the optical switch, the voltage setting signal, and the current setting signal from the divider 331.
  • Each of the first and second optical switches 321 and 322 is incident at a repetition frequency substantially the same as the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330.
  • the pulsed laser light 30 can be passed.
  • Each of the third and fourth optical switches 373 and 374 is incident at a repetition frequency substantially the same as the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330.
  • the optical path of the pulsed laser light 30 can be changed.
  • the amplifier 375 of the regenerative amplifier 370 amplifies the pulse laser beam 30 at a repetition frequency substantially the same as the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330. It can be output.
  • Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 synchronizes with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330, and generates pulsed laser light at a repetition frequency substantially the same as the target repetition frequency of the EUV light 252. 30 can be amplified and output.
  • control unit 330 may output a trigger signal to each of the first to fourth QCLs 311 to 314 based on the laser output signal not divided.
  • the control unit 330 may output the trigger signal at a repetition frequency substantially the same as the master repetition frequency in synchronization with the timing when the laser output signal is input.
  • the control unit 330 may output the trigger signal at a timing delayed by a predetermined delay time Dq1 to 4 from the timing when the laser output signal is input.
  • Each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output pulse laser light at a repetition frequency substantially the same as the master repetition frequency in synchronization with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330.
  • the other configuration of the EUV light generation system 11 including the laser device 3 of the first embodiment may be the same as that of the EUV light generation system 11 shown in FIG.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the operation related to the laser oscillation of the EUV light generation system 11 including the laser device 3 of the first embodiment.
  • the description of the same operation as that of the EUV light generation system 11 shown in FIG. 2 will be omitted.
  • An EUV light output command signal may be transmitted from the exposure apparatus control unit 61 to the EUV light generation control unit 5.
  • the EUV light generation controller 5 sends various target values such as target pulse energy of the pulse laser beam 31 to the controller 330 based on various target values such as target pulse energy of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal. You may output it.
  • the control unit 330 determines the set values of the excitation current to be set in the first to fourth QCLs 311 to 314 based on various target values such as the target pulse energy of the pulsed laser light 31 output from the EUV light generation controller 5 You may The control unit 330 may determine the set value of the discharge voltage included in the voltage setting signal output to the RF power supply 380 based on various target values such as the target pulse energy of the pulse laser light 31. The control unit 330 determines the set value of the discharge current included in the current setting signal output to the first to fourth RF power supplies 361 to 364 based on various target values such as the target pulse energy of the pulse laser light 31. May be
  • the EUV light generation controller 5 may generate a division setting signal using the target repetition frequency of the EUV light 252 and the master repetition frequency included in the EUV light output command signal, and may output the generated division setting signal to the controller 330.
  • the target repetition frequency of the EUV light 252 may be, for example, 50 kHz.
  • the master repetition frequency may be, for example, 100 kHz.
  • the division ratio included in the division setting signal may be two.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a target supply signal having the target repetition frequency of the droplets 271 as a master repetition frequency, and may output the target supply signal to the target supply unit 26.
  • the target supply unit 26 may generate droplets 271 at the master repetition frequency and output them into the chamber 2.
  • the target sensor 4 can output the droplet detection signal of the droplets 271 output at the master repetition frequency to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 may output the droplet detection signal reflecting the master repetition frequency as it is to the controller 330 as a laser output signal.
  • the control unit 330 may determine the delay times Dq1 to D4 to be added to the trigger signal based on the laser output signal not divided.
  • the control unit 330 may divide the laser output signal based on the division setting signal.
  • the control unit 330 may determine the delay times Dp1 to D4 to be added to the drive signal to the optical switch based on the divided laser output signal.
  • the controller 330 controls the first to fourth QCLs 311 at a timing delayed by a delay time Dq1 to 4 from the timing when the laser output signal which is not divided is input, and the trigger signal including the preset setting value of the excitation current. It may be output to each of 314 314.
  • Each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output pulsed laser light based on the input trigger signal.
  • each of the first to fourth QCLs 311 to 314 is a pulse laser beam 30 having a wavelength of an amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting a master repetition frequency having a value that is an integral multiple of the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the optical path adjuster 315 may superimpose the optical paths of the pulsed laser light output from the first to fourth QCLs 311 to 314 substantially on one optical path, and may output the optical path as the pulsed laser light 30 to the first optical switch 321. .
  • the control unit 330 may output a voltage setting signal including a preset discharge voltage setting value to the RF power supply 380 in synchronization with the timing when the divided laser output signal is input.
  • the RF power supply 380 may supply a discharge voltage to the discharge electrode of the amplifier 375 of the regenerative amplifier 370 based on the input voltage setting signal.
  • the control unit 330 outputs the current setting signal including the preset setting value of the discharge current to the first to fourth RF power supplies 361 to 364 in synchronization with the timing when the divided laser output signal is input. May be
  • the first to fourth RF power supplies 361 to 364 may supply a discharge current to the discharge electrodes of the first to fourth amplifiers 351 to 354, based on the input current setting signal.
  • the control unit 330 may output the drive signal to the first optical switch 321 to the first optical switch 321 at a timing delayed by the delay time Dp1 from the timing when the divided laser output signal is input.
  • the first optical switch 321 can selectively pass the incident pulse laser beam 30 based on the input drive signal, and can output it to the regenerative amplifier 370.
  • the repetition frequency of the pulsed laser light 30 passing through the first optical switch 321 may be substantially equal to the target repetition frequency of the EUV light 252. That is, the first optical switch 321 can pass the pulse laser beam 30 having the wavelength of the amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the pulsed laser light 30 that has not passed through the first optical switch 321 may be reflected by the polarizer 321 c of FIG. 3 and absorbed by a beam damper (not shown).
  • the control unit 330 may output the drive signal to the third optical switch 373 to the third optical switch 373 at a timing delayed by the delay time Dp3 from the timing when the divided laser output signal is input.
  • the third optical switch 373 can change the optical path of the incident pulse laser beam 30 based on the input drive signal, and introduce the pulse laser beam 30 into the regenerative amplifier 370.
  • the pulsed laser light 30 introduced into the regenerative amplifier 370 may be only the pulsed laser light 30 selectively passed by the first optical switch 321. That is, the third optical switch 373 can introduce the pulsed laser light 30 having the wavelength of the amplification wavelength region into the regenerative amplifier 370 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the pulsed laser light 30 introduced into the regenerative amplifier 370 can be amplified each time it passes through the amplifier 375 while reciprocating between the resonator mirrors 371 and 372.
  • the control unit 330 may output the drive signal to the fourth optical switch 374 to the fourth optical switch 374 at a timing delayed by the delay time Dp4 from the timing when the divided laser output signal is input.
  • the fourth optical switch 374 can change the optical path of the incident pulse laser beam 30 based on the input drive signal, and can output it from the regenerative amplifier 370 to the high reflection mirror.
  • the fourth optical switch 374 outputs the pulse laser beam 30 having a wavelength in the amplification wavelength region and appropriately amplified from the regenerative amplifier 370 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252. obtain.
  • the high reflection mirror can reflect the incident pulse laser beam 30 and output it to the second optical switch 322.
  • the control unit 330 may output the drive signal to the second optical switch 322 to the second optical switch 322 at a timing delayed by the delay time Dp2 from the timing when the divided laser output signal is input.
  • the second optical switch 322 can pass the incident pulse laser beam 30 based on the input drive signal, and can output it to the first to fourth amplifiers 351 to 354.
  • the second optical switch 322 can pass the appropriately amplified pulsed laser light 30 having the wavelength of the amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 can appropriately amplify the pulse laser beam 30 in order.
  • the pulsed laser light 30 amplified by the fourth amplifier 354 at the final stage can be output to the outside of the laser apparatus 3 as the pulsed laser light 31 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the other operation of the EUV light generation system 11 including the laser device 3 of the first embodiment may be the same as that of the EUV light generation system 11 shown in FIG.
  • the control unit 330 causes the first to fourth QCLs 311 to 314 to generate trigger signals at repetition frequencies reflecting the master repetition frequency regardless of the target repetition frequency of the EUV light 252 requested from the exposure apparatus control unit 61. It can be output. Therefore, the load state of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can be substantially constant without largely fluctuating even if the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed by a request from the exposure apparatus control unit 61. Thus, each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output pulsed laser light having a wavelength of an amplification wavelength region at substantially the same timing regardless of the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • each of the first and second optical switches 321 and 322 can pass the pulse laser beam 30 having the wavelength of the amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • Each of the third and fourth optical switches 373 and 374 can change the optical path of the pulsed laser light 30 having the wavelength of the amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • Each of the regenerative amplifier 370 and the first to fourth amplifiers 351 to 354 can appropriately amplify and output the pulse laser beam 30 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the laser device 3 of the first embodiment can output the pulse laser light 31 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the laser apparatus 3 according to the first embodiment is a pulse laser appropriately amplified while suppressing fluctuations in the load states of the first to fourth QCLs 311 to 314 even if the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed. Light 31 can be output. Therefore, the laser device 3 according to the first embodiment appropriately amplifies the pulsed laser beam 30 even when the operating condition is changed, and outputs the pulsed laser beam 31 having desired characteristics at a desired timing. It can.
  • FIG. 9 shows the configuration of an EUV light generation system 11 including the laser device 3 of the second embodiment.
  • the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed in response to a request from the exposure apparatus control unit 61
  • the target repetition frequency of the droplets 271 is accordingly May be changed.
  • the repetition frequency of the droplet detection signal of the droplets 271 output according to the target repetition frequency of the droplets 271 may be changed.
  • the repetition frequency of the trigger signal output based on the droplet detection signal may also be changed.
  • the load state of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may change. Therefore, the EUV light generation system 11 according to the second embodiment may cope with wavelength chirping by adjusting the delay times Dq1 to D4 added to the trigger signal.
  • the EUV light generation system 11 according to the second embodiment may be different from the EUV light generation system 11 according to the first embodiment shown in FIG. 7 in the configurations of the EUV light generation controller 5 and the controller 330.
  • the EUV light generation controller 5 according to the second embodiment may not include the master trigger generator 51, and may not output the division setting signal to the controller 330.
  • the control unit 330 according to the second embodiment may not include the divider 331. In the configuration and operation of the EUV light generation system 11 according to the second embodiment, the description of the same configuration and operation as the EUV light generation system 11 according to the first embodiment shown in FIGS. 7 and 8 will be omitted.
  • the EUV light generation controller 5 of FIG. 9 may determine the target repetition frequency of the droplets 271 to be the same value as the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal instead of the master repetition frequency. .
  • the EUV light generation controller 5 may generate a target supply signal with the same value as the target repetition frequency of the EUV light 252 as the target repetition frequency of the droplets 271.
  • the EUV light generation controller 5 may output the generated target supply signal to the target supplier 26 at the same repetition frequency as the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the target supply unit 26 may generate and output the droplets 271 at the same repetition frequency as the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the target sensor 4 can detect the droplets 271 output at the same repetition frequency as the target repetition frequency of the EUV light 252, and can output a droplet detection signal to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 may receive a droplet detection signal reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a laser output signal based on the droplet detection signal reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal, and may output it to the controller 330. Specifically, the EUV light generation controller 5 synchronizes with the timing when the droplet detection signal of the droplet 271 output at the same repetition frequency as the target repetition frequency of the EUV light 252 is input, May be output to the control unit 330 for each pulse.
  • the control unit 330 may receive a laser output signal that reflects the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal.
  • the control unit 330 of FIG. 9 synchronizes with the timing when the laser output signal is input, the drive signal to the optical switch, the voltage setting signal to the RF power supply 380, and the first at the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the current setting signal to the fourth RF power supplies 361 to 364 may be output.
  • Each of the first and second optical switches 321 and 322 is a pulse laser that is incident at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330.
  • the light 30 can be passed.
  • Each of the third and fourth optical switches 373 and 374 is a pulse laser that is incident at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330.
  • the light path of light 30 may be changed.
  • the amplifier 375 of the regenerative amplifier 370 amplifies and outputs the pulse laser beam 30 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330. obtain.
  • Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 synchronizes with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330, and the pulse laser beam 30 is emitted at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252. It can be amplified and output.
  • control unit 330 outputs a trigger signal to each of the first to fourth QCLs 311 to 314 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input. May be At this time, the control unit 330 may output the trigger signal at a timing delayed by a predetermined delay time Dq1 ′ to 4 ′ from the timing when the laser output signal is input.
  • the delay time Dq1 ′ to 4 ′ added to the trigger signal may be a value adjusted from the delay time Dq1 to 4 according to the change in the load state of each of the first to fourth QCLs 311 to 314. .
  • the length of each of the delay times Dq1 'to 4' is such that even if the load condition of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 changes, pulsed laser beams having wavelengths in the amplification wavelength region are output at substantially the same timing It may be defined as
  • the control unit 330 may include a storage operation unit 332 that calculates delay times Dq1 ′ to 4 ′ added to the trigger signal.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the delay times Dq1 ′ to 4 ′ added to the trigger signal output from the control unit 330 included in the laser apparatus 3 of the second embodiment.
  • FIG. 11 shows the result of measuring the relationship between the light emission delay time of QCL and the repetition frequency.
  • each of the first to fourth QCLs 311 to 314 is pulsed at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal.
  • Laser light may be output. That is, in the laser device 3 of the second embodiment, when the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed, the repetition frequency of the trigger signal may also be changed, so the load states of the first to fourth QCLs 311 to 314 change. It can. In this case, as shown in the upper part of FIG. 10, the timing at which the pulse laser light having the wavelength of the amplification wavelength region is output from each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may vary.
  • the light emission delay time may occur in each of the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the light emission delay time of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may vary according to the repetition frequency of each of the first to fourth QCLs 311 to 314, as shown in FIG. FIG. 11 shows how the light emission delay time of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 changes when the repetition frequency of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 is changed based on 100 Hz. It is shown.
  • the variation of the light emission delay time of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may be different for each of the first to fourth QCLs 311 to 314, as is apparent from the different slopes of the graphs in FIG.
  • the storage operation unit 332 of the control unit 330 may store in advance the measurement result regarding the relationship between the light emission delay time of the QCL and the repetition frequency illustrated in FIG.
  • the storage operation unit 332 performs the following processing based on the measurement result on the relationship between the light emission delay time of the QCL and the repetition frequency shown in FIG. May be Thereby, the storage operation unit 332 may calculate the delay times Dq1 ′ to 4 ′ added to the trigger signal.
  • the memory operation unit 332 refers to the measurement result regarding the relationship between the light emission delay time of QCL and the repetition frequency in FIG. 11 and determines the first to fourth QCLs 311 to 314 according to the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the amount of fluctuation of the light emission delay time may be specified.
  • storage calculating part 332 is based on the said measurement result of FIG. May be derived.
  • the correlation equation may be described by a linear approximation function, a polynomial approximation function, or a high-order approximation function.
  • the storage operation unit 332 may calculate the variation of the light emission delay time of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 using the derived correlation equation. Subsequently, the storage operation unit 332 subtracts the fluctuation amount of the specified light emission delay time from the delay times Dq1 to D4 added to the trigger signal before the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed. The times Dq1 ′ to 4 ′ may be calculated.
  • the control unit 330 may determine the value obtained by the storage operation unit 332 as new delay time Dq1 ′ to 4 ′ to be added to the trigger signal. Then, as shown in the lower part of FIG. 10, the control unit 330 performs the first to fourth QCLs 311 to 314 at timings delayed by delay times Dq1 ′ to 4 ′ newly determined from the timing when the laser output signal is input.
  • a trigger signal may be output to each of Thereby, each of the first to fourth QCLs 311 to 314 synchronizes with the timing when the laser output signal is input to the control unit 330, and generates pulse laser light at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252. It can be output.
  • each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output pulsed laser light having a wavelength in the amplification wavelength region at substantially the same timing even if the load state is changed.
  • the other configuration and operation of the EUV light generation system 11 including the laser device 3 of the second embodiment are the same as the EUV light generation system 11 including the laser device 3 of the first embodiment shown in FIGS. 7 and 8. It may be
  • the control unit 330 adjusts the delay times Dq1 to Dq1 ′ to Dq1 ′ to 4 ′ based on the target repetition frequency of the EUV light 252 requested from the exposure apparatus control unit 61, and performs the first to fourth QCLs 311 to A trigger signal may be output to each of 314. Therefore, even if the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed due to the request from the exposure apparatus control unit 61 and the load state changes, each of the first to fourth QCLs 311 to 314 has amplified wavelength regions at substantially the same timing.
  • each of the first and second optical switches 321 and 322 can pass the pulse laser beam 30 having the wavelength of the amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • Each of the third and fourth optical switches 373 and 374 can change the optical path of the pulsed laser light 30 having the wavelength of the amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • Each of the regenerative amplifier 370 and the first to fourth amplifiers 351 to 354 can appropriately amplify and output the pulse laser beam 30 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the laser device 3 of the second embodiment can output the pulse laser light 31 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the laser device 3 according to the second embodiment is a pulse laser appropriately amplified while coping with fluctuations in the load states of the first to fourth QCLs 311 to 314 even if the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed. Light 31 can be output. Therefore, the laser device 3 according to the second embodiment appropriately amplifies the pulsed laser beam 30 even when the operating conditions are changed, and outputs the pulsed laser beam 31 having desired characteristics at a desired timing. It can.
  • the EUV light generation system 11 including the laser device 3 of the third embodiment will be described using FIGS. 12 and 13.
  • the trigger signal may include the pulse width of the trigger signal.
  • the pulse width of the trigger signal is the time during which the excitation current is supplied to the first to fourth QCLs 311 to 314 in one pulse.
  • the pulse width of the trigger signal may be the time width of each pulse of the excitation current supplied to the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining the pulse width W ′ of the trigger signal output from the control unit 330 included in the laser apparatus 3 of the third embodiment.
  • FIG. 13 shows the relationship between the repetition frequency of the trigger signal output to the QCL and the pulse width.
  • the target repetition frequency of the EUV light 252 when the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed due to a request from the exposure apparatus control unit 61, the target repetition frequency of the droplets 271 is accordingly May be changed.
  • the repetition frequency of the droplet detection signal of the droplets 271 output according to the target repetition frequency of the droplets 271 may be changed.
  • the repetition frequency of the trigger signal output based on the droplet detection signal may also be changed.
  • the load state of each of the first to fourth QCLs 311 to 314 may change. Therefore, the EUV light generation system 11 according to the third embodiment may cope with wavelength chirping by adjusting the pulse width W of the trigger signal.
  • the configuration of the control unit 330 may be different from that of the EUV light generation system 11 according to the second embodiment shown in FIG.
  • the storage operation unit 332 of the control unit 330 according to the third embodiment does not have to store in advance the measurement result regarding the relationship between the light emission delay time of the QCL and the repetition frequency shown in FIG.
  • the description of the same configuration and operation as in the EUV light generation system 11 according to the second embodiment shown in FIGS. 9 to 11 will be omitted.
  • the EUV light generation controller 5 includes the target repetition frequency of the droplets 271 in the EUV light output command signal. It may be determined to have the same value as the target repetition frequency of. Then, the EUV light generation controller 5 may generate a target supply signal with the same value as the target repetition frequency of the EUV light 252 as the target repetition frequency of the droplets 271. Furthermore, similarly to the EUV light generation controller 5 according to the second embodiment, the EUV light generation controller 5 is based on the droplet detection signal reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 included in the EUV light output command signal. Alternatively, a laser output signal may be generated and output to the control unit 330.
  • the control unit 330 triggers each of the first to fourth QCLs 311 to 314 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input.
  • a signal may be output.
  • the control unit 330 outputs the trigger signal of the pulse width W ′ at a timing delayed by a predetermined delay time Dq1 to 4 from the timing when the laser output signal is input.
  • the pulse width W ′ of the trigger signal may be a value adjusted from the pulse width W of the trigger signal before the change in accordance with the change of the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the control unit 330 may include a storage operation unit 332 that calculates the pulse width W ′ of the trigger signal.
  • ⁇ T Rth ⁇ (I ⁇ V) ⁇ D
  • I may be the current value of the excitation current supplied to the semiconductor element 3111.
  • V may be a voltage generated in the semiconductor element 3111.
  • D may be a duty ratio of the excitation current supplied to the semiconductor device 3111.
  • the duty ratio of the excitation current supplied to the semiconductor device 3111 may be the same value as the duty ratio of the trigger signal.
  • the duty ratio of the trigger signal may be the product of the pulse width of the trigger signal and the repetition frequency.
  • the storage operation unit 332 of the control unit 330 may store in advance the duty ratio of the trigger signal output to each of the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the duty ratio stored in storage operation unit 332 may be a constant value determined in advance by experiment or the like from the relationship with delay times Dq1 to Dq4.
  • the duty ratio stored in the storage operation unit 332 may store a fixed value such as 40000 ns ⁇ kHz, for example. Then, when the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed, the storage operation unit 332 performs the following processing based on the duty ratio stored in advance to calculate the pulse width W ′ of the trigger signal.
  • the storage operation unit 332 may store in advance a table indicating the relationship between the repetition frequency of the trigger signal and the pulse width as shown in FIG. Then, when the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed, the storage operation unit 332 may specify the pulse width W ′ of the trigger signal with reference to a table stored in advance.
  • the control unit 330 may determine the value obtained by the storage operation unit 332 as the new pulse width W ′ of the trigger signal. Then, as shown in the lower part of FIG. 12, the control unit 330 sets the trigger signal of the newly determined pulse width W 'at the timing delayed by the delay time Dq1 to 4 from the timing when the laser output signal is input. It may be output to each of the first to fourth QCLs 311 to 314. Thus, each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output pulse laser light at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252 in synchronization with the timing when the laser output signal is input.
  • each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output the pulsed laser light having the wavelength of the amplification wavelength region at substantially the same timing, with fluctuation of the load state being suppressed.
  • the storage operation unit 332 previously sets different duty ratios to different values for each of the first to fourth QCLs 311 to 314. You may memorize.
  • the other configuration and operation of the EUV light generation system 11 including the laser device 3 according to the third embodiment are the same as the EUV light generation system 11 including the laser device 3 according to the second embodiment shown in FIGS. It may be
  • the control unit 330 adjusts the pulse width W of the trigger signal to W ′ based on the target repetition frequency of the EUV light 252 requested from the exposure apparatus control unit 61 to obtain the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • a trigger signal can be output to each. Therefore, in each of the first to fourth QCLs 311 to 314, even if the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed due to a request from the exposure apparatus control unit 61, the fluctuation of the load state can be suppressed. Therefore, each of the first to fourth QCLs 311 to 314 can output pulsed laser light having a wavelength of an amplification wavelength region at substantially the same timing.
  • each of the first and second optical switches 321 and 322 can pass the pulse laser beam 30 having the wavelength of the amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • Each of the third and fourth optical switches 373 and 374 can change the optical path of the pulsed laser light 30 having the wavelength of the amplification wavelength region at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • Each of the regenerative amplifier 370 and the first to fourth amplifiers 351 to 354 can appropriately amplify and output the pulse laser beam 30 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the laser device 3 of the third embodiment can output the pulse laser light 31 at a repetition frequency reflecting the target repetition frequency of the EUV light 252.
  • the laser apparatus 3 of the third embodiment is a pulse laser appropriately amplified while suppressing fluctuations in the load states of the first to fourth QCLs 311 to 314 even when the target repetition frequency of the EUV light 252 is changed.
  • Light 31 can be output. Therefore, the laser device 3 of the third embodiment appropriately amplifies the pulsed laser beam 30 even when the operating conditions are changed, and outputs the pulsed laser beam 31 having the desired characteristics at a desired timing. It can.
  • FIG. 14 is a block diagram illustrating an exemplary hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter can be implemented.
  • the exemplary hardware environment 100 of FIG. 14 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, D / A.
  • the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.
  • the processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004.
  • Memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM).
  • the CPU 1001 may be any commercially available processor. Dual microprocessors or other multiprocessor architectures may be used as the CPU 1001.
  • FIG. 14 may be interconnected to perform the processes described in this disclosure.
  • the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005, and the processing unit 1000 may read data from the storage unit 1005 together with the program, and processing The unit 1000 may write data to the storage unit 1005.
  • the CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005.
  • the memory 1002 may be a work area for temporarily storing a program executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001.
  • the timer 1003 may measure a time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program.
  • the GPU 1004 may process image data according to a program read from the storage unit 1005, and may output the processing result to the CPU 1001.
  • the parallel I / O controller 1020 is connected to parallel I / O devices that can communicate with the processing unit 1000, such as the exposure apparatus control unit 61, the EUV light generation control unit 5, the laser light traveling direction control unit 34, and the control unit 330. And control communication between the processing units 1000 and their parallel I / O devices.
  • the serial I / O controller 1030 includes first to fourth RF power supplies 361 to 364, RF power supplies 380, first to fourth optical switches 321, 322, 373 and 374, target supply unit 26, first to fourth QCLs 311 to 314, etc. , And may be connected to a serial I / O device capable of communicating with the processing unit 1000, and may control communication between the processing unit 1000 and those serial I / O devices.
  • the A / D, D / A converter 1040 may be connected to an analog device such as a temperature sensor, a pressure sensor, various gauge sensors, and a target sensor 4 via an analog port, and the processing unit 1000 and those analog devices Control of the communication between them, and A / D and D / A conversion of communication contents may be performed.
  • an analog device such as a temperature sensor, a pressure sensor, various gauge sensors, and a target sensor 4
  • the processing unit 1000 and those analog devices Control of the communication between them, and A / D and D / A conversion of communication contents may be performed.
  • the user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
  • the exemplary hardware environment 100 may be applied to the configurations of the exposure apparatus control unit 61, the EUV light generation control unit 5, the laser light traveling direction control unit 34, and the control unit 330 in the present disclosure.
  • the controllers may be implemented in a distributed computing environment, ie, an environment where tasks are performed by processing units that are linked through a communications network.
  • the exposure apparatus control unit 61, the EUV light generation control unit 5, the laser light traveling direction control unit 34, and the control unit 330 may be connected to one another via a communication network such as Ethernet or the Internet.
  • program modules may be stored on both local and remote memory storage devices.
  • the trigger signal may be a signal that gives the opportunity for the first to fourth QCLs 311 to 314 to perform laser oscillation and to output pulsed laser light.
  • the trigger signal may include the set value of the excitation current supplied to each of the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the pulse width of the trigger signal may be the time width of each pulse of the excitation current supplied to the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the control unit 330 generates the trigger signal output to each of the first to fourth QCLs 311 to 314, but the laser device 3 of the present disclosure is not limited to this. .
  • control unit 330 may cause each of the first to fourth QCL control units included in each of the first to fourth QCLs 311 to 314 to generate a trigger signal. That is, the laser device 3 of the present disclosure can adopt the following modification with regard to the generation of the trigger signal.
  • FIG. 15 shows a diagram for explaining a modified example of the laser device 3 regarding generation of a trigger signal.
  • the first QCL 311 will be described as an example.
  • the control unit 330 included in the laser device 3 of the modification outputs the set value regarding the current value and time width of the excitation current and the output timing signal to each of the first to fourth QCL control units instead of the trigger signal. It is also good.
  • the output timing signal may be a signal indicating that it is the timing at which pulse laser light is output from each of the first to fourth QCLs 311 to 314. Similar to the trigger signal, predetermined delay times Dq 1 to Dq 4 and Dq 1 ′ to Dq 4 ′ may be added to the output timing signal and output from the control unit 330.
  • the set values regarding the current value and the time width of the excitation current may be set values that determine the current value and the time width in the pulse waveform of the excitation current supplied to the semiconductor elements of the first to fourth QCLs 311 to 314.
  • the time width of the excitation current at the setting value may define the pulse width W or the pulse width W ′ of the trigger signal.
  • the first QCL 311 provided in the laser device 3 of the modification example includes a semiconductor element 3111, a Peltier element 3112, a temperature sensor 3113, a current controller 3114, a temperature control unit 3115, and a first QCL control. Part 3116 may be included.
  • the first QCL control unit 3116 may receive a set value related to the current value and the time width of the excitation current supplied to the first QCL 311 output from the control unit 330.
  • the first QCL control unit 3116 may generate a trigger signal having a pulse waveform of the excitation current according to the current value and the time width in the input setting value.
  • the output timing signal for the first QCL 311 output from the control unit 330 may be input to the first QCL control unit 3116.
  • the first QCL control unit 3116 may output the generated trigger signal to the current controller 3114 in response to the input output timing signal.
  • the first QCL control unit 3116 may output a temperature setting value for setting the temperature of the semiconductor element 3111 to a predetermined temperature to the temperature control unit 3115.
  • the trigger signal output from the first QCL control unit 3116 may be input to the current controller 3114.
  • the current controller 3114 may supply an excitation current corresponding to the pulse waveform of the input trigger signal to the pair of electrode layers provided in the semiconductor element 3111.
  • An excitation current corresponding to the trigger signal can flow through the semiconductor layers 3111 b and 3111 c and the active layer 3111 a sandwiched by the pair of electrode layers.
  • the temperature sensor 3113 may detect the temperature of the semiconductor element 3111 and output a detection signal to the temperature control unit 3115.
  • the temperature set value output from the first QCL control unit 3116 may be input to the temperature control unit 3115.
  • the detection signal output from the temperature sensor 3113 may be input to the temperature control unit 3115. Even if the temperature control unit 3115 outputs a signal for controlling the cooling operation of the Peltier element 3112 to the Peltier element 3112 so that the temperature detection value indicated by the input detection signal approaches the input temperature setting value. Good.
  • the first QCL 311 included in the laser device 3 of the modified example generates a trigger signal in the first QCL control unit 3116 under the control of the control unit 330, and the excitation current corresponding to the trigger signal is sent to the semiconductor element 3111. It can be supplied.
  • the first QCL 311 included in the laser device 3 of the modified example can output pulsed laser light from the semiconductor element 3111 under the control of the control unit 330.
  • the configurations of the semiconductor element 3111 and the Peltier element 3112 shown in FIG. 15 may be the same as those of the semiconductor element 3111 and the Peltier element 3112 shown in FIG.
  • the second to fourth QCLs 312 to 314 included in the laser device 3 of the modification may also be configured in the same manner as the first QCL 311 shown in FIG.
  • the EUV light generation controller 5 and the controller 330 may be configured as an integrated controller by combining some or all of them.
  • control unit 330 and the first to fourth QCLs 311 to 314 included in the laser device 3 of the modified example are respectively included in the control unit 330 and the first to fourth QCLs 311 to 314 included in each of the laser devices 3 of the first to third embodiments. It may be applied.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

　所望特性のレーザ光を所望のタイミングで出力する。　レーザ装置は、予め設定された繰り返し周波数で極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置と共に用いられるレーザ装置であって、トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、前記トリガ信号を前記繰り返し周波数の整数倍の周波数で前記半導体レーザに出力し、前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する制御部と、を備えてもよい。

Description

レーザ装置及び極端紫外光生成装置
　本開示は、レーザ装置及び極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２０１３／０１４８６７４号 米国特許第８３１１０６６号 米国特許出願公開第２０１０／０１９３７１０号 米国特許出願公開第２０１３／００３２７３５号
概要
　本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、予め設定された繰り返し周波数で極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置と共に用いられるレーザ装置であって、トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、前記トリガ信号を前記繰り返し周波数の整数倍の周波数で前記半導体レーザに出力し、前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する制御部と、を備えてもよい。
　本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、予め設定された繰り返し周波数で極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置と共に用いられるレーザ装置であって、トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、前記繰り返し周波数に同期して前記半導体レーザに出力する前記トリガ信号の出力タイミングを前記繰り返し周波数に基づいて変更し、前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する制御部と、を備えてもよい。
　本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、予め設定された繰り返し周波数で極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置と共に用いられるレーザ装置であって、トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、前記繰り返し周波数に同期して前記半導体レーザに出力する前記トリガ信号のパルス幅を前記繰り返し周波数に基づいて変更し、前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する制御部と、を備えてもよい。
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、前記トリガ信号を前記繰り返し周波数の整数倍の周波数で前記半導体レーザに出力し、前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する制御部と、前記レーザ光が照射されると極端紫外光を放射するターゲットを、前記光スイッチを通過した前記レーザ光が導入されるチャンバに対して、前記繰り返し周波数の整数倍の周波数で供給するターゲット供給部と、を備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、レーザ装置の具体的構成が示されたＥＵＶ光生成システムの構成を示す。 図３Ａは、第１光スイッチの詳細な構成を説明するための図を示す。 図３Ｂは、パルスレーザ光のポッケルスセルへの入射タイミングと、ポッケルスセルへの印加電圧との関係を説明するための図を示す。 図４は、再生増幅器の詳細な構成を説明するための図を示す。 図５は、第１ＱＣＬの詳細な構成を説明するための図を示す。 図６は、第１ＱＣＬで発生する波長チャーピングを説明するための図を示す。 図７は、第１実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システムの構成を示す。 図８は、第１実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システムのレーザ発振に係る動作を説明するための図を示す。 図９は、第２実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システムの構成を示す。 図１０は、第２実施形態のレーザ装置に含まれる制御部から出力されるトリガ信号に対して付加される遅延時間を説明するための図を示す。 図１１は、ＱＣＬの発光遅延時間と繰り返し周波数との関係を計測した結果を示す。 図１２は、第３実施形態のレーザ装置に含まれる制御部から出力されるトリガ信号のパルス幅を説明するための図を示す。 図１３は、ＱＣＬに出力されるトリガ信号の繰り返し周波数とパルス幅との関係を示す。 図１４は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。 図１５は、トリガ信号の生成に関するレーザ装置の変形例を説明するための図を示す。
実施形態
～内容～
　１．概要
　２．用語の説明
　３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　　３．１　構成
　　３．２　動作
　４．ＥＵＶ光生成装置と共に用いられるレーザ装置
　　４．１　構成
　　４．２　動作
　　４．３　光スイッチ
　　４．４　再生増幅器
　　４．５　量子カスケードレーザ
　５．課題
　６．第１実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム
　　６．１　構成
　　６．２　動作
　　６．３　作用
　７．第２実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム
　８．第３実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム
　９．その他
　　９．１　各制御部のハードウェア環境
　　９．２　トリガ信号の生成に関するレーザ装置の変形例
　　９．３　その他の変形例
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．概要］
　本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。
　レーザ装置３は、予め設定された繰り返し周波数でＥＵＶ光２５２を生成するＥＵＶ光生成装置１と共に用いられるレーザ装置３であって、パルスレーザ光３０を出力する第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４と、パルスレーザ光３０の光路上に配置され、パルスレーザ光３０を通過させるか否かを切り替える第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４と、パルスレーザ光３０が前記繰り返し周波数の整数倍で出力されるよう第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４を制御し、パルスレーザ光３０が前記繰り返し周波数で通過するように第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４を制御する制御部３３０と、を備えてもよい。
　このような構成により、レーザ装置３は、その動作条件が変更された際であっても所望特性のパルスレーザ光３１を所望のタイミングで出力し得る。
［２．用語の説明］
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
　「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
　「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。
　「上流側」は、レーザ光の光路に沿ってレーザ光の発振器に近い側のことである。
　「下流側」は、レーザ光の光路に沿ってレーザ光の発振器から遠い側のことである。
　「光スイッチ」は、入射するレーザ光の光路を変化させるか否かを切り替える素子である。それによって、光スイッチは、入射するレーザ光を通過させるか否かを切り替えてもよい。光スイッチは、入射するレーザ光の光路を電気信号によって変化させてもよい。
［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
　［３．１　構成］
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　［３．２　動作］
　図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
［４．ＥＵＶ光生成装置と共に用いられるレーザ装置］
　［４．１　構成］
　図２を用いて、ＥＵＶ光生成装置１と共に用いられるレーザ装置３の具体的な構成について説明する。
　図２は、レーザ装置３の具体的構成が示されたＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す。
　図２のＥＵＶ光生成システム１１は、図１に示されたＥＵＶ光生成システム１１と同様に、ＥＵＶ光生成装置１と、レーザ装置３と、を含んでもよい。
　図２のＥＵＶ光生成システム１１の構成において、図１に示されたＥＵＶ光生成システム１１と同様の構成については説明を省略する。
　レーザ装置３は、発振器３１０と、第１光スイッチ３２１と、第２光スイッチ３２２と、制御部３３０と、第１～第４増幅器３５１～３５４と、第１～第４ＲＦ（Radio Frequency）電源３６１～３６４と、再生増幅器３７０と、ＲＦ（Radio Frequency）電源３８０と、を備えてもよい。
　本実施形態では、レーザ装置３が備える増幅器の台数は、便宜的に第１～第４増幅器３５１～３５４の４台であるとして説明されているが、特に限定されず、１又は複数の台数であってもよい。第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４の台数は、第１～第４増幅器３５１～３５４の台数と同数であってもよい。
　発振器３１０と、第１～第４増幅器３５１～３５４とは、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）システムを構成してもよい。
　発振器３１０は、ＭＯＰＡシステムを構成するマスターオシレータであってもよい。
　発振器３１０は、パルスレーザ光３０を出力してもよい。
　発振器３１０は、半導体レーザと、光路調節器３１５と、を含んでもよい。
　発振器３１０に含まれる半導体レーザは、量子カスケードレーザ（Quantum-Cascade Laser：ＱＣＬ）であってもよい。
　発振器３１０に含まれる半導体レーザは、分布帰還型の半導体レーザであってもよい。
　発振器３１０に含まれる半導体レーザは、ＣＯ２ガスを増幅媒質とするレーザ増幅器で増幅可能な波長領域に含まれる波長のパルスレーザ光を出力する半導体レーザであってもよい。
　発振器３１０には、複数の半導体レーザが含まれていてもよい。
　発振器３１０に含まれる複数の半導体レーザは、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４であってもよい。
　本実施形態では、発振器３１０に含まれるＱＣＬの台数は、便宜的に第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の４台であるとして説明されているが、特に限定されず、１又は複数の台数であってもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、制御部３３０に接続されてもよい。第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、制御部３３０からの制御により、レーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力してもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、互いに異なる波長のパルスレーザ光を出力してもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されるパルスレーザ光の互いに異なる各波長は、レーザ増幅器における増幅可能な波長領域が互いに異なってもよい。
　本開示では、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されるパルスレーザ光が有する波長領域のうち、当該第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４に後続して設けられたレーザ増幅器で増幅可能な波長領域を、「増幅波長領域」ともいう。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、直線偏光のパルスレーザ光を出力してもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されたパルスレーザ光は、光路調節器３１５に入射してもよい。
　なお、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の詳細な構成については、図５を用いて後述する。
　光路調節器３１５は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されたパルスレーザ光の各光路を、実質的に１つの光路に重ね合せてパルスレーザ光３０として出力してもよい。
　光路調節器３１５は、図示しない光学系を含んでもよい。
　光路調節器３１５に含まれる光学系は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されたパルスレーザ光の光路上であって、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の下流側に設けられてもよい。
　光路調節器３１５によって１つの光路を通って出力されたパルスレーザ光３０は、第１光スイッチ３２１に入射してもよい。
　第１光スイッチ３２１は、入射するパルスレーザ光３０を通過させるか否かを切り替えてもよい。
　第１光スイッチ３２１は、光路調節器３１５から出力されたパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　第１光スイッチ３２１は、制御部３３０に接続されてもよい。第１光スイッチ３２１は、制御部３３０からの制御により、パルスレーザ光３０を通過させるか否かを切り替えてもよい。
　第１光スイッチ３２１を通過したパルスレーザ光３０は、再生増幅器３７０に入射してもよい。
　なお、第１光スイッチ３２１の詳細な構成については、図３Ａ及び図３Ｂを用いて後述する。
　再生増幅器３７０は、入射したパルスレーザ光３０を増幅して特定のタイミングで出力してもよい。
　再生増幅器３７０は、第１光スイッチ３２１を通過したパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　再生増幅器３７０は、共振器ミラー３７１と、共振器ミラー３７２と、第３光スイッチ３７３と、第４光スイッチ３７４と、増幅器３７５と、を含んでもよい。
　共振器ミラー３７１及び３７２は、再生増幅器３７０の光共振器を構成してもよい。
　共振器ミラー３７１及び３７２は、再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０が当該共振器ミラー３７１及び３７２の間を往復するように当該パルスレーザ光３０を反射してもよい。
　増幅器３７５は、パルスレーザ光３０が共振器ミラー３７１及び３７２の間を往復する度に当該パルスレーザ光３０を増幅してもよい。
　増幅器３７５は、ＣＯ２ガスを増幅媒質とするレーザ増幅器であってもよい。
　増幅器３７５は、図示しない一対の放電電極を含んでもよい。
　増幅器３７５に含まれる一対の放電電極のそれぞれは、ＲＦ電源３８０に接続されてもよい。増幅器３７５は、ＲＦ電源３８０から供給された放電電圧に応じて、当該パルスレーザ光３０を増幅してもよい。
　第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、入射するパルスレーザ光３０の光路を変化させるか否かを切り替えてもよい。
　第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、制御部３３０に接続されてもよい。第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、制御部３３０からの制御により、パルスレーザ光３０の光路を変化させるか否かを切り替えてもよい。それにより、第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、入射するパルスレーザ光３０を再生増幅器３７０内に導くと共に特定のタイミングで再生増幅器３７０から出力させてもよい。
　再生増幅器３７０で増幅されたパルスレーザ光３０は、高反射ミラーを介して、第２光スイッチ３２２に入射してもよい。
　なお、再生増幅器３７０の詳細な構成については、図４を用いて後述する。
　ＲＦ電源３８０は、再生増幅器３７０に含まれる増幅器３７５に高周波の放電電圧を供給する電源であってもよい。
　ＲＦ電源３８０は、制御部３３０に接続されてもよい。ＲＦ電源３８０は、制御部３３０からの制御により、増幅器３７５に放電電圧を供給してもよい。
　第２光スイッチ３２２は、入射するパルスレーザ光３０を通過させるか否かを切り替える光スイッチであってもよい。
　第２光スイッチ３２２は、再生増幅器３７０から出力されたパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　第２光スイッチ３２２は、制御部３３０に接続されてもよい。第２光スイッチ３２２は、制御部３３０からの制御により、パルスレーザ光３０を通過させるか否かを切り替えてもよい。
　第２光スイッチ３２２を通過したパルスレーザ光３０は、第１～第４増幅器３５１～３５４に入射してもよい。
　なお、第２光スイッチ３２２の詳細な構成については、図３Ａ及び図３Ｂを用いて後述する。
　また、第２光スイッチ３２２は、レーザ装置３に複数設けられてもよい。複数の第２光スイッチ３２２のそれぞれは、再生増幅器３７０及び第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれの下流側に配置されてもよい。
　第１～第４増幅器３５１～３５４は、ＭＯＰＡシステムを構成するパワーアンプリファイアであってもよい。
　第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、一対の放電電極を含み、ＣＯ２ガスを増幅媒質とするレーザ増幅器であってもよい。第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、スラブ型増幅器、３軸直交型増幅器、又は高速軸流型増幅器の何れかであってもよい。
　第１～第４増幅器３５１～３５４は、第２光スイッチ３２２を通過したパルスレーザ光３０を順次増幅してもよい。
　具体的には、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれには、それぞれの上流側に配置された前段の再生増幅器３７０又は第１～第３増幅器３５１～３５３から出力された各パルスレーザ光３０が入射してもよい。第１～第３増幅器３５１～３５３のそれぞれは、入射した各パルスレーザ光３０を増幅し、それぞれの下流側に配置された後段の第２～第４増幅器３５２～３５４に出力してもよい。最終段の第４増幅器３５４は、入射したパルスレーザ光３０を増幅し、増幅されたパルスレーザ光３０をパルスレーザ光３１としてレーザ装置３の外部に出力してもよい。
　第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４のそれぞれと接続されてもよい。
　第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４のそれぞれから供給された放電電流に応じて、入射する各パルスレーザ光３０を増幅してもよい。
　第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４は、第１～第４増幅器３５１～３５４に放電電流を供給する電源であってもよい。
　第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４のそれぞれは、制御部３３０に接続されてもよい。第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４のそれぞれは、制御部３３０からの制御により、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに放電電流を供給してもよい。
　ここで、レーザ装置３と共に用いられるＥＵＶ光生成装置１に含まれるＥＵＶ光生成制御部５には、ＥＵＶ光出力指令信号が露光装置制御部６１から送信されてもよい。
　ＥＵＶ光出力指令信号は、ＥＵＶ光２５２の出力に係る制御指令を示す信号であってもよい。
　ＥＵＶ光出力指令信号には、ＥＵＶ光２５２の目標出力開始タイミング、目標繰り返し周波数、目標パルスエネルギ等の各種目標値が含まれていてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５には、当該ＥＵＶ光出力指令信号が送信されることによって、ＥＵＶ光２５２の各種目標値が設定され得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置制御部６１から送信されたＥＵＶ光出力指令信号に基づいて、ターゲット供給信号を生成しターゲット供給部２６に出力してもよい。
　ターゲット供給信号は、ドロップレット２７１のチャンバ２内への出力に係る制御指令を示す信号であってもよい。ターゲット供給信号は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれる各種目標値に応じてドロップレット２７１が出力されるよう、ターゲット供給部２６の動作を制御する信号であってもよい。
　ターゲット供給信号には、ドロップレット２７１の目標直径等の各種目標値が含まれていてもよい。ドロップレット２７１の各種目標値は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれる各種目標値に応じて決定された値であってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標出力開始タイミング及び目標繰り返し周波数に応じて、ドロップレット２７１の目標出力開始タイミング及び目標繰り返し周波数を決定してもよい。
　ドロップレット２７１の目標繰り返し周波数は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ値であってもよい。ドロップレット２７１の目標出力開始タイミングは、ＥＵＶ光２５２の目標出力開始タイミングに応じて決定された値であってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、決定されたドロップレット２７１の目標出力開始タイミング及び目標繰り返し周波数に応じて、ターゲット供給信号をターゲット供給部２６に出力してもよい。
　また、ＥＵＶ光生成制御部５には、ドロップレット検出信号がターゲットセンサ４から入力されてもよい。
　ドロップレット検出信号は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に供給されるターゲット２７であるドロップレット２７１がチャンバ２内に出力されたことを示す検出信号であってもよい。
　ドロップレット２７１は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標出力開始タイミング及び目標繰り返し周波数を反映したターゲット供給信号に基づいて、ターゲット供給部２６から出力され得る。当該ターゲット供給信号に基づいてターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１は、出力毎にターゲットセンサ４に検出され得る。ドロップレット検出信号は、当該ドロップレット２７１が検出される毎にターゲットセンサ４からＥＵＶ光生成制御部５に出力され得る。
　この時、ドロップレット２７１の出力間隔は、厳密には一定でなくある程度の不安定性を伴うことがあり得る。このため、ドロップレット検出信号の繰り返し周波数は、ほぼＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数となるものの厳密には僅かに揺らぐことがあり得る。
　以下の説明においては、「ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略同じ値」という表現や、「ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数」という表現が用いられている。これらの表現は、厳密にはＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と僅かに異なるものの、実質的にはＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数とみなせる場合において用いられている。後述する「マスタ繰り返し周波数と略同じ値」という表現や、後述する「マスタ繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数」という表現も同様であり得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５には、ＥＵＶ光出力指令信号を反映したドロップレット検出信号が入力され得る。当該ドロップレット検出信号の繰り返し周波数は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略同じ値であり得る。
　また、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光出力指令信号を反映したドロップレット検出信号に基づいて、レーザ出力信号を生成し制御部３３０に出力してもよい。
　レーザ出力信号は、パルスレーザ光３１の出力に係る制御指令を示す信号であってもよい。レーザ出力信号は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の各種目標値に応じてパルスレーザ光３１が出力されるよう、レーザ装置３の動作を制御する信号であってもよい。
　レーザ出力信号には、パルスレーザ光３１の目標パルスエネルギ等の各種目標値が含まれていてもよい。パルスレーザ光３１の目標パルスエネルギは、ＥＵＶ光２５２の目標パルスエネルギに応じて決定された値であってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光出力指令信号を反映したドロップレット検出信号が入力されてから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで、レーザ出力信号を１パルス毎に制御部３３０に出力してもよい。
　なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図１４を用いて後述する。
　一方、制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続され、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたレーザ出力信号が入力されてもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ出力信号に基づいて、レーザ装置３に含まれる各構成要素の動作を制御してもよい。
　制御部３３０は、レーザ出力信号に基づいて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を出力してもよい。
　制御部３３０は、レーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を１パルス毎に出力してもよい。
　トリガ信号は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれがレーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力する契機を与える信号であってもよい。
　トリガ信号の繰り返し周波数は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの繰り返し周波数を規定してもよい。トリガ信号の繰り返し周波数は、ドロップレット検出信号の繰り返し周波数と同じ値であり得る。
　トリガ信号が出力されるタイミングは、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれのレーザ発振に係る動作を開始するタイミングを規定してもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、トリガ信号の繰り返し周波数にて、レーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力し得る。
　トリガ信号には、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに供給される励起電流の設定値が含まれてもよい。
　トリガ信号に含まれる励起電流の設定値は、レーザ出力信号に含まれるパルスレーザ光３１の目標パルスエネルギと、図示しないエネルギモニタによって計測されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギとに基づいて定められてもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、入力されたトリガ信号に含まれる当該設定値に応じた励起電流で、レーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力し得る。
　制御部３３０は、レーザ出力信号がＥＵＶ光生成制御部５から入力されたタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を出力してもよい。
　トリガ信号に対して付加される遅延時間は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに出力されるトリガ信号毎で異なる遅延時間Ｄｑ１～４であってもよい。
　上述のように、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されるパルスレーザ光に対応する増幅波長領域は、互いに異なってもよい。それぞれ異なる波長を有するパルスレーザ光が第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されるタイミングは、互いに異なり得る。
　遅延時間Ｄｑ１～４のそれぞれの長さは、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから互いに略同一のタイミングで出力されるように定められてもよい。
　また、制御部３３０は、レーザ出力信号に基づいて、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４のそれぞれに駆動信号を出力してもよい。
　制御部３３０は、レーザ出力信号がＥＵＶ光生成制御部５から入力されたタイミングに同期して、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４のそれぞれに駆動信号を出力してもよい。
　光スイッチへの駆動信号は、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４のそれぞれに入射するパルスレーザ光３０を通過させるよう、当該第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４の動作を制御する信号であってもよい。
　制御部３３０は、レーザ出力信号がＥＵＶ光生成制御部５から入力されたタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４のそれぞれに駆動信号を出力してもよい。
　これらの駆動信号に対して付加される遅延時間は、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４のそれぞれに出力される当該駆動信号毎で異なる遅延時間Ｄｐ１～４であってもよい。
　遅延時間Ｄｐ１～４のそれぞれの長さは、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力された増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４のそれぞれを通過し得るように定められてもよい。
　また、制御部３３０は、レーザ出力信号に基づいて、ＲＦ電源３８０に電圧設定信号を出力してもよい。
　制御部３３０は、レーザ出力信号がＥＵＶ光生成制御部５から入力されたタイミングに同期して、ＲＦ電源３８０に電圧設定信号を出力してもよい。
　ＲＦ電源３８０に出力される電圧設定信号は、再生増幅器３７０の増幅器３７５に供給される放電電圧の設定値を、ＲＦ電源３８０に設定する信号であってもよい。
　当該電圧設定信号に含まれる放電電圧の設定値は、レーザ出力信号に含まれるパルスレーザ光３１の目標パルスエネルギと、図示しないエネルギモニタによって計測された増幅後のパルスレーザ光３０のパルスエネルギとに基づいて定められてもよい。
　ＲＦ電源３８０は、入力された電圧設定信号に含まれる当該設定値に応じた放電電圧を再生増幅器３７０の増幅器３７５に供給し得る。再生増幅器３７０の増幅器３７５は、供給された放電電圧に応じて、再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０を増幅し得る。
　また、制御部３３０は、レーザ出力信号に基づいて、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４のそれぞれに電流設定信号を出力してもよい。
　制御部３３０は、レーザ出力信号がＥＵＶ光生成制御部５から入力されたタイミングに同期して、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４のそれぞれに電流設定信号を出力してもよい。
　第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４のそれぞれに出力される電流設定信号は、第１～第４増幅器３５１～３５４に供給される放電電流の設定値を、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４に設定する信号であってもよい。
　当該電流設定信号に含まれる放電電流の設定値は、レーザ出力信号に含まれるパルスレーザ光３１の目標パルスエネルギと、図示しないエネルギモニタによって計測された増幅後のパルスレーザ光３０のパルスエネルギとに基づいて定められてもよい。
　第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４のそれぞれは、入力された電流設定信号に含まれる当該設定値に応じた放電電流を第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給し得る。第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、供給された放電電流に応じて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに入射したパルスレーザ光３０を増幅し得る。
　なお、制御部３３０のハードウェア構成については、図１４を用いて後述する。
　ＥＵＶ光生成システム１１の他の構成については、図１に示されたＥＵＶ光生成システム１１の構成と同様であってもよい。
　［４．２　動作］
　レーザ装置３のレーザ発振に係る動作について、当該レーザ装置３と共に用いられるＥＵＶ光生成装置１の動作に言及しつつ説明する。
　図２のＥＵＶ光生成システム１１の動作において、図１に示されたＥＵＶ光生成システム１１と同様の動作については説明を省略する。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置制御部６１から送信されたＥＵＶ光出力指令信号に基づいて、ターゲット供給信号を生成しターゲット供給部２６に出力してもよい。
　ターゲット供給部２６は、当該ターゲット供給信号に基づいて、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５にドロップレット２７１を出力し得る。ターゲットセンサ４は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を検出し、ドロップレット検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、当該ＥＵＶ光出力指令信号及び当該ドロップレット検出信号に基づいて、新たにターゲット供給信号を生成しターゲット供給部２６に出力してもよい。
　また、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４から出力されたドロップレット検出信号に基づいて、レーザ出力信号を生成し制御部３３０に出力してもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ出力信号に基づいて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４に出力されるトリガ信号に対して付加される遅延時間Ｄｑ１～４を決定してもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ出力信号に基づいて、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４に出力される駆動信号に対して付加される遅延時間Ｄｐ１～４を決定してもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ出力信号に基づいて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４に出力されるトリガ信号に含まれる励起電流の設定値を決定してもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ出力信号に基づいて、ＲＦ電源３８０に出力される電圧設定信号に含まれる放電電圧の設定値を決定してもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ出力信号に基づいて、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４に出力される電流設定信号に含まれる放電電流の設定値を決定してもよい。
　制御部３３０は、決定された放電電圧の設定値を含む電圧設定信号を、ＲＦ電源３８０に出力してもよい。
　ＲＦ電源３８０は、入力された電圧設定信号に基づいて、再生増幅器３７０の増幅器３７５の放電電極に放電電圧を供給し得る。
　制御部３３０は、決定された放電電流の設定値を含む電流設定信号を、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４に出力してもよい。
　第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４は、入力された電流設定信号に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれの放電電極に放電電流を供給し得る。
　制御部３３０は、決定された励起電流の設定値を含むトリガ信号を、レーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｑ１～４だけ遅延したタイミングで、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに出力してもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、入力されたトリガ信号に基づいて、パルスレーザ光を出力し得る。光路調節器３１５は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されたパルスレーザ光の光路を実質的に１つの光路に重ね合せて、パルスレーザ光３０として第１光スイッチ３２１に出力し得る。
　制御部３３０は、第１光スイッチ３２１への駆動信号を、レーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｐ１だけ遅延したタイミングで、第１光スイッチ３２１に出力してもよい。
　第１光スイッチ３２１は、入力された駆動信号に基づいて、入射するパルスレーザ光３０を通過させ、再生増幅器３７０に出力し得る。
　制御部３３０は、第３光スイッチ３７３への駆動信号を、レーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｐ３だけ遅延したタイミングで、第３光スイッチ３７３に出力してもよい。
　第３光スイッチ３７３は、入力された駆動信号に基づいて、入射するパルスレーザ光３０の光路を変化させ、再生増幅器３７０内にパルスレーザ光３０を導入し得る。再生増幅器３７０内に導入されたパルスレーザ光３０は、共振器ミラー３７１及び３７２の間で往復しながら増幅器３７５を通過する度に増幅し得る。
　制御部３３０は、第４光スイッチ３７４への駆動信号を、レーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｐ４だけ遅延したタイミングで、第４光スイッチ３７４に出力してもよい。
　第４光スイッチ３７４は、入力された駆動信号に基づいて、入射するパルスレーザ光３０の光路を変化させ、再生増幅器３７０から高反射ミラーに出力し得る。高反射ミラーは、入射したパルスレーザ光３０を反射して第２光スイッチ３２２に出力し得る。
　制御部３３０は、第２光スイッチ３２２への駆動信号を、レーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｐ２だけ遅延したタイミングで、第２光スイッチ３２２に出力してもよい。
　第２光スイッチ３２２は、入力された駆動信号に基づいて、入射するパルスレーザ光３０を通過させ、第１増幅器３５１に出力し得る。第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、当該パルスレーザ光３０を順次増幅し得る。最終段の第４増幅器３５４で増幅されたパルスレーザ光３０は、パルスレーザ光３１としてレーザ装置３の外部に出力され得る。
　レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、ＥＵＶ光生成装置１のレーザ光進行方向制御部３４及びウインドウ２１を経由して、パルスレーザ光３２としてチャンバ２の内部に導入され得る。チャンバ２の内部に導入されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光ミラー２２によって、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光され得る。プラズマ生成領域２５に集光されたパルスレーザ光３３は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に出力されたドロップレット２７１を照射し得る。ドロップレット２７１は、パルスレーザ光３３が照射されると、プラズマ化してＥＵＶ光２５１を含む光を放射し得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射され、ＥＵＶ光２５２として露光装置６に出力され得る。
　ＥＵＶ光生成システム１１の他の動作については、図１に示されたＥＵＶ光生成システム１１の動作と同様であってもよい。
　［４．３　光スイッチ］
　図３Ａ及び図３Ｂを用いて、第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２の詳細な構成について説明する。
　第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２のそれぞれの内部構成は、互いに略同一の構成であってもよい。
　図３Ａ及び図３Ｂの説明では、第１光スイッチ３２１を例に挙げて説明する。
　図３Ａは、第１光スイッチ３２１の詳細な構成を説明するための図を示す。図３Ｂは、パルスレーザ光３０のポッケルスセル３２１ａへの入射タイミングと、ポッケルスセル３２１ａへの印加電圧との関係を説明するための図を示す。
　第１光スイッチ３２１は、電気光学素子を用いて構成されてもよい。
　第１光スイッチ３２１は、ポッケルスセル３２１ａと、偏光子３２１ｂと、偏光子３２１ｃと、電源３２１ｄと、を含んでもよい。
　偏光子３２１ｂ及び３２１ｃは、入射したパルスレーザ光３０のうち、特定の直線偏光成分を透過させ、それ以外の直線偏光成分を反射してもよい。
　偏光子３２１ｂ及び３２１ｃは、入射したパルスレーザ光３０の光路軸に対して略直交するように配置されてもよい。
　偏光子３２１ｂ及び３２１ｃは、入射したパルスレーザ光３０の光路上にクロスニコルの状態で配置されてもよい。
　偏光子３２１ｂは、例えばＹ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０を透過させ、Ｘ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０を反射してもよい。偏光子３２１ｃは、例えばＸ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０を透過させ、Ｙ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０を反射してもよい。
　電源３２１ｄは、ポッケルスセル３２１ａに電圧を印加する電源であってもよい。
　電源３２１ｄは、ポッケルスセル３２１ａに入射するパルスレーザ光３０の進行方向と略直交する方向の電場がポッケルスセル３２１ａ内に生じるよう、ポッケルスセル３２１ａに電圧を印加してもよい。
　電源３２１ｄは、制御部３３０に接続されてもよい。電源３２１ｄには、制御部３３０から出力された第１光スイッチ３２１への駆動信号が入力されてもよい。電源３２１ｄは、入力された当該駆動信号によって指定される印加電圧の電圧値、パルス幅、及び印加タイミングで、ポッケルスセル３２１ａに対して印加電圧を印加してもよい。
　ポッケルスセル３２１ａは、複屈折材料を用いて形成されてもよい。
　ポッケルスセル３２１ａは、偏光子３２１ｂ及び３２１ｃの間に配置されてもよい。ポッケルスセル３２１ａは、パルスレーザ光３０が入射する面が、当該パルスレーザ光３０の光路軸に対して略直交するように配置されてもよい。
　ポッケルスセル３２１ａの屈折率は、電源３２１ｄから電圧が印加されると、ポッケルス効果により、印加電圧に応じて変化してもよい。
　ポッケルスセル３２１ａは、入射したパルスレーザ光３０の位相を変調し、印加電圧に応じた位相差（retardation）を当該パルスレーザ光３０に発生させてもよい。
　ポッケルスセル３２１ａは、電源３２１ｄから半波長電圧が印加されている場合、偏光子３２１ｂを透過して入射したＹ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０に対して位相差πを発生させて、Ｘ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０に変換してもよい。
　一方、ポッケルスセル３２１ａは、電源３２１ｄから電圧が印加されていない場合、偏光子３２１ｂを透過して入射したＹ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０を、偏光状態を変換せずに透過させてもよい。
　制御部３３０は、パルスレーザ光３０がポッケルスセル３２１ａに入射するタイミングに同期してポッケルスセル３２１ａに電圧が印加されるよう、電源３２１ｄに駆動信号を出力してもよい。
　制御部３３０は、パルスレーザ光３０の時間ジッタを吸収し得る程度のパルス幅を有する電圧がポッケルスセル３２１ａに印加されるよう、電源３２１ｄに駆動信号を出力してもよい。例えば、図３Ｂに示されるように、パルスレーザ光３０のパルス幅が２０ｎｓ程度である場合、制御部３３０は、印加電圧のパルス幅が１００ｎｓ程度となるような駆動信号を出力してもよい。
　第１光スイッチ３２１に入射したパルスレーザ光３０は、上流側に配置された偏光子３２１ｂに入射し得る。偏光子３２１ｂに入射したパルスレーザ光３０は、Ｙ方向の直線偏光成分が透過されて、Ｙ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０としてポッケルスセル３２１ａに入射し得る。
　ポッケルスセル３２１ａに電圧が印加されていない場合、ポッケルスセル３２１ａに入射したＹ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０は、Ｙ方向の直線偏光でポッケルスセル３２１ａを透過して、下流側に配置された偏光子３２１ｃに入射し得る。
　この場合、偏光子３２１ｃに入射したＹ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０は、偏光子３２１ｃにて反射され得る。
　それにより、第１光スイッチ３２１に入射したＹ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０は、当該第１光スイッチ３２１を通過し得ない。
　同様に、ポッケルスセル３２１ａに電圧が印加されていない場合、ポッケルスセル３２１ａに下流側から入射したＸ方向の直線偏光にある戻り光等の光は、Ｘ方向の直線偏光でポッケルスセル３２１ａを透過して、上流側に配置された偏光子３２１ｂに入射し得る。
　この場合、偏光子３２１ｂに入射したＸ方向の直線偏光にある光は、偏光子３２１ｂにて反射され得る。
　また、第１光スイッチ３２１に下流側から入射したＹ方向の直線偏光にある戻り光等の光は、偏光子３２１ｃにて反射され得る。
　一方、ポッケルスセル３２１ａに半波長電圧が印加されている場合、ポッケルスセル３２１ａに入射したＹ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０は、Ｘ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０に変換され、下流側に配置された偏光子３２１ｃに入射し得る。
　この場合、偏光子３２１ｃに入射したＸ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０は、偏光子３２１ｃを透過し得る。
　それにより、第１光スイッチ３２１に入射したＹ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０は、Ｘ方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０に変換されて、当該第１光スイッチ３２１を通過し得る。
　このように、第１光スイッチ３２１は、パルスレーザ光３０の入射タイミングに合せてポッケルスセル３２１ａに電圧が印加されることでパルスレーザ光３０を通過させ得る。そして、第１光スイッチ３２１は、第１光スイッチ３２１の下流側に配置された再生増幅器３７０等からの戻り光の通過は抑制し得る。すなわち、第１光スイッチ３２１は、光アイソレータの機能を有し得る。
　第２光スイッチ３２２も、第１光スイッチ３２１と同様の原理で動作し、光アイソレータの機能を有し得る。
　なお、第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２は、ポッケルスセルではなくカーセルを含む電気光学素子を用いて構成されてもよい。
　或いは、第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２は、電気光学素子ではなく、音響光学素子や磁気光学素子を用いて構成されてもよい。
　［４．４　再生増幅器］
　図４を用いて、再生増幅器３７０の詳細な構成について説明する。
　図４は、再生増幅器３７０の詳細な構成を説明するための図を示す。
　再生増幅器３７０は、上述のように、共振器ミラー３７１と、共振器ミラー３７２と、第３光スイッチ３７３と、第４光スイッチ３７４と、増幅器３７５と、を含んでもよい。
　第３光スイッチ３７３は、第１光スイッチ３２１を通過して再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　第３光スイッチ３７３は、共振器ミラー３７１と増幅器３７５との間に配置されてもよい。
　第３光スイッチ３７３は、電気光学素子を用いて構成されてもよい。
　第３光スイッチ３７３は、ポッケルスセル３７３ａと、偏光子３７３ｂと、図示しない電源と、を含んでもよい。
　偏光子３７３ｂは、再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　偏光子３７３ｂは、再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０の光路軸と略４５°の角度を成して交差するように配置されてもよい。
　偏光子３７３ｂは、共振器ミラー３７１及び３７２の間で往復されるパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　偏光子３７３ｂは、当該偏光子３７３ｂに入射したパルスレーザ光３０のうち、特定の直線偏光成分を透過させ、それ以外の直線偏光成分を反射してもよい。
　上述したように、第１光スイッチ３２１を通過するパルスレーザ光３０は、特定方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０であってもよい。再生増幅器３７０に入射するパルスレーザ光３０は、当該特定方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０であり得る。
　偏光子３７３ｂは、再生増幅器３７０に入射した当該特定方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０を反射し、当該特定方向と略垂直方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０を透過させてもよい。
　第３光スイッチ３７３に含まれる図示しない電源は、ポッケルスセル３７３ａに電圧を印加する電源であってもよい。
　当該電源には、制御部３３０から出力された第３光スイッチ３７３への駆動信号が入力されてもよい。当該電源は、入力された当該駆動信号によって指定される印加電圧の電圧値、パルス幅、及び印加タイミングで、ポッケルスセル３７３ａに対して印加電圧を印加してもよい。
　当該電源の他の構成については、第１光スイッチ３２１に含まれる電源３２１ｄと同様であってもよい。
　ポッケルスセル３７３ａは、共振器ミラー３７１及び３７２の間で往復されるパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　ポッケルスセル３７３ａは、共振器ミラー３７１と偏光子３７３ｂとの間に配置されてもよい。
　ポッケルスセル３７３ａは、図示しない電源から電圧が印加されている場合、入射した直線偏光のパルスレーザ光３０に対して位相差π／２を発生させて、円偏光のパルスレーザ光３０に変換してもよい。
　また、ポッケルスセル３７３ａは、図示しない電源から電圧が印加されている場合、入射した円偏光のパルスレーザ光３０に対して位相差π／２を発生させて、直線偏光のパルスレーザ光３０に変換してもよい。
　一方、ポッケルスセル３２１ａは、図示しない電源から電圧が印加されていない場合、入射した直線偏光のパルスレーザ光３０を、偏光状態を変換せずに透過させてもよい。
　ポッケルスセル３２１ａの他の構成については、第１光スイッチ３２１に含まれるポッケルスセル３２１ａと同様であってもよい。
　第４光スイッチ３７４は、共振器ミラー３７１及び３７２の間で往復されるパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　第４光スイッチ３７４は、共振器ミラー３７２と増幅器３７５との間に配置されてもよい。
　第４光スイッチ３７４は、電気光学素子を用いて構成されてもよい。
　第４光スイッチ３７４は、ポッケルスセル３７４ａと、偏光子３７４ｂと、図示しない電源と、を含んでもよい。
　偏光子３７４ｂは、共振器ミラー３７１及び３７２の間で往復されるパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　偏光子３７４ｂは、共振器ミラー３７１及び３７２の間で往復されるパルスレーザ光３０の光路軸と略４５°の角度を成して交差するように配置されてもよい。
　偏光子３７４ｂは、当該偏光子３７４ｂに入射したパルスレーザ光３０のうち、特定の直線偏光成分を透過させ、それ以外の直線偏光成分を反射してもよい。
　偏光子３７４ｂは、第３光スイッチ３７３に含まれる偏光子３７３ｂに対してパラレルニコルの状態で配置されてもよい。
　第４光スイッチ３７４に含まれる図示しない電源は、ポッケルスセル３７４ａに電圧を印加する電源であってもよい。
　当該電源には、制御部３３０から出力された第４光スイッチ３７４への駆動信号が入力されてもよい。当該電源は、入力された当該駆動信号によって指定される印加電圧の電圧値、パルス幅、及び印加タイミングで、ポッケルスセル３７４ａに対して印加電圧を印加してもよい。
　当該電源の他の構成については、第３光スイッチ３７３に含まれる電源と同様であってもよい。
　ポッケルスセル３７４ａは、共振器ミラー３７１及び３７２の間で往復されるパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　ポッケルスセル３７４ａは、共振器ミラー３７２と偏光子３７４ｂとの間に配置されてもよい。
　ポッケルスセル３７４ａの他の構成については、第３光スイッチ３７３に含まれるポッケルスセル３７３ａと同様であってもよい。
　増幅器３７５は、スラブ型増幅器であってもよい。
　増幅器３７５は、第３光スイッチ３７３と第４光スイッチ３７４との間に配置されてもよい。
　増幅器３７５は、図示しない一対の放電電極の他に、筐体３７５ａと、ウインドウ３７５ｂと、ウインドウ３７５ｃと、凹面ミラー３７５ｄと、凹面ミラー３７５ｅと、を含んでもよい。
　筐体３７５ａの内部には、増幅媒質であるＣＯ２ガスが気密に充填されていてもよい。
　筐体３７５ａの側面部には、ウインドウ３７５ｂ及び３７５ｃが配置されてもよい。
　ウインドウ３７５ｂ及び３７５ｃは、増幅器３７５に入射するパルスレーザ光３０を筐体３７５ａの内部に導いてもよい。ウインドウ３７５ｂ及び３７５ｃは、増幅器３７５から出力されるパルスレーザ光３０を筐体３７５ａの外部に導いてもよい。
　一対の放電電極は、筐体３７５ａの内部に配置されてもよい。
　一対の放電電極のそれぞれは、略板状に形成されてもよい。
　一対の放電電極のそれぞれは、互いに所定間隔だけ離間して、対向して配置されてもよい。一対の放電電極のそれぞれは、増幅器３７５に入射したパルスレーザ光３０の光路軸と略平行となるように配置されてもよい。図４の例では、一対の放電電極のそれぞれは、図４の紙面と略平行となるように配置されてもよい。一対の放電電極の間には、放電空間が形成され得る。
　一対の放電電極のそれぞれは、図示しない冷却装置によって冷却されてもよい。
　一対の放電電極の一方の放電電極は接地され、他方の放電電極はＲＦ電源３８０に接続されてもよい。一対の放電電極の間には、ＲＦ電源３８０によって高周波の放電電圧が供給されてもよい。
　一対の放電電極の間に放電電圧が供給されると、一対の放電電極の間に形成された放電空間を満たすＣＯ２ガスは、励起され得る。それにより、増幅器３７５に入射したパルスレーザ光３０は、当該放電空間を通過する際にエネルギが付与されて増幅され得る。
　凹面ミラー３７５ｄ及び３７５ｅのそれぞれは、筐体３７５ａの内部に配置されてもよい。
　凹面ミラー３７５ｄ及び３７５ｅは、一対の放電電極の間に形成された放電空間を挟むように配置されてもよい。
　凹面ミラー３７５ｄ及び３７５ｅのぞれぞれは、共焦点型のシリンドリカルミラーであってもよい。
　凹面ミラー３７５ｄ及び３７５ｅのそれぞれは、増幅器３７５に入射したパルスレーザ光３０をマルチパスで多数回反射させてもよい。それにより、当該パルスレーザ光３０は、一対の放電電極の間に形成された放電空間においてマルチパス増幅され得る。
　なお、増幅器３７５は、３軸直交型増幅器や高速軸流型増幅器であってもよい。
　再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０は、特定方向の直線偏光にあるパルスレーザ光３０であってもよい。当該パルスレーザ光３０は、偏光子３７３ｂに入射し得る。偏光子３７３ｂに入射したパルスレーザ光３０は、当該偏光子３７３ｂで反射されて直線偏光のままポッケルスセル３７３ａに入射し得る。
　ここで、制御部３３０は、当該パルスレーザ光３０がポッケルスセル３７３ａに入射するタイミングに同期してポッケルスセル３７３ａに電圧が印加されるよう、第３光スイッチ３７３の電源に駆動信号を出力してもよい。
　ポッケルスセル３７３ａに電圧が印加されている場合、ポッケルスセル３７３ａに入射した直線偏光のパルスレーザ光３０は、当該ポッケルスセル３７３ａを通過する際に円偏光のパルスレーザ光３０に変換されて共振器ミラー３７１に入射し得る。共振器ミラー３７１に入射したパルスレーザ光３０は、当該共振器ミラー３７１で反射されて円偏光のまま再びポッケルスセル３７３ａに入射し得る。
　ポッケルスセル３７３ａに再び入射した円偏光のパルスレーザ光３０は、当該ポッケルスセル３７３ａを再び通過する際に直線偏光のパルスレーザ光３０に変換され得る。この際、ポッケルスセル３７３ａを再び通過したパルスレーザ光３０は、再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０の偏光方向に対して略垂直な偏光方向を有する直線偏光のパルスレーザ光３０に変換され得る。ポッケルスセル３７３ａを再び通過した直線偏光のパルスレーザ光３０は、偏光子３７３ｂに再び入射し得る。偏光子３７３ｂに再び入射したパルスレーザ光３０は、当該偏光子３７３ｂを透過して直線偏光のまま増幅器３７５に入射し得る。
　ここで、制御部３３０は、パルスレーザ光３０がポッケルスセル３７３ａを再び通過した後に、ポッケルスセル３７３ａに電圧が印加されないよう、第３光スイッチ３７３の電源に出力していた駆動信号の出力を停止してもよい。
　増幅器３７５に入射したパルスレーザ光３０は、ウインドウ３７５ｂを介して筐体３７５ａ内に入射し得る。筐体３７５ａ内に入射したパルスレーザ光３０は、一対の放電電極の間に形成された放電空間において凹面ミラー３７５ｄ及び３７５ｅによって多数回反射されながらマルチパス増幅され得る。マルチパス増幅されたパルスレーザ光３０は、直線偏光のままウインドウ３７５ｃを介して増幅器３７５から出力され得る。増幅器３７５から出力された直線偏光のパルスレーザ光３０の偏光方向は、再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０の偏光方向に対して略垂直な偏光方向のままであり得る。
　増幅器３７５から出力されたパルスレーザ光３０は、偏光子３７４ｂに入射し得る。偏光子３７４ｂに入射したパルスレーザ光３０は、当該偏光子３７４ｂを透過して直線偏光のままポッケルスセル３７４ａに入射し得る。
　ここで、制御部３３０は、当該パルスレーザ光３０がポッケルスセル３７４ａに入射する際には、ポッケルスセル３７４ａに電圧が印加されないよう、第４光スイッチ３７４の電源に駆動信号が出力されないようにしてもよい。
　ポッケルスセル３７４ａに電圧が印加されていない場合、ポッケルスセル３７４ａに入射した直線偏光のパルスレーザ光３０は、当該ポッケルスセル３７４ａをそのまま通過して共振器ミラー３７２に入射し得る。共振器ミラー３７２に入射したパルスレーザ光３０は、当該共振器ミラー３７２で反射されて直線偏光のまま再びポッケルスセル３７４ａを通過し得る。ポッケルスセル３７４ａを再び通過した直線偏光のパルスレーザ光３０は、偏光子３７４ｂに再び入射し得る。偏光子３７４ｂに再び入射したパルスレーザ光３０は、当該偏光子３７４ｂを透過して直線偏光のまま増幅器３７５に再び入射し得る。
　増幅器３７５に再び入射したパルスレーザ光３０は、上記と同様に、マルチパス増幅されて増幅器３７５から再び出力され得る。増幅器３７５から再び出力された直線偏光のパルスレーザ光３０の偏光方向は、再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０の偏光方向に対して略垂直な偏光方向のままであり得る。
　増幅器３７５から再び出力されたパルスレーザ光３０は、偏光子３７３ｂ及びポッケルスセル３７３ａを通過して共振器ミラー３７１で反射され得る。
　ポッケルスセル３７３ａ及び３７４ａに電圧が印加されていない期間、パルスレーザ光３０は、ポッケルスセル３７３ａ及び３７４ａ並びに偏光子３７３ｂ及び３７４ｂを通過し、増幅器３７５で増幅されつつ共振器ミラー３７１及び３７２の間を往復し得る。
　その後、制御部３３０は、増幅器３７５から出力されたパルスレーザ光３０がポッケルスセル３７４ａに入射するタイミングに同期して、ポッケルスセル３７４ａに電圧が印加されるよう、第４光スイッチ３７４の電源に駆動信号を出力してもよい。
　ポッケルスセル３７４ａに電圧が印加されている場合、ポッケルスセル３７４ａに入射した直線偏光のパルスレーザ光３０は、当該ポッケルスセル３７４ａを通過する際に円偏光のパルスレーザ光３０に変換されて共振器ミラー３７２に入射し得る。共振器ミラー３７２に入射したパルスレーザ光３０は、当該共振器ミラー３７２で反射されて円偏光のまま再びポッケルスセル３７４ａに入射し得る。
　ポッケルスセル３７４ａに再び入射した円偏光のパルスレーザ光３０は、当該ポッケルスセル３７４ａを再び通過する際に直線偏光のパルスレーザ光３０に変換され得る。この際、ポッケルスセル３７４ａを再び通過したパルスレーザ光３０は、再生増幅器３７０に入射したパルスレーザ光３０の偏光方向と略平行な偏光方向を有する直線偏光のパルスレーザ光３０に変換され得る。ポッケルスセル３７４ａを再び通過した直線偏光のパルスレーザ光３０は、偏光子３７４ｂに再び入射し得る。偏光子３７４ｂに再び入射したパルスレーザ光３０は、当該偏光子３７４ｂで反射されて再生増幅器３７０から出力され得る。
　このようにして、再生増幅器３７０は、制御部３３０からの制御により、入射したパルスレーザ光３０を増幅して特定のタイミングで出力し得る。
　再生増幅器３７０で増幅され出力されたパルスレーザ光３０は、高反射ミラーを介して、第２光スイッチ３２２に入射し得る。
　［４．５　量子カスケードレーザ］
　図５を用いて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の詳細な構成について説明する。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの内部構成は、互いに略同一の構成であってもよい。
　図５の説明では、第１ＱＣＬ３１１を例に挙げて説明する。
　図５は、第１ＱＣＬ３１１の詳細な構成を説明するための図を示す。
　第１ＱＣＬ３１１は、分布帰還型の量子カスケードレーザであってもよい。
　第１ＱＣＬ３１１は、半導体素子３１１１と、ペルチェ素子３１１２と、を含んでもよい。
　半導体素子３１１１は、量子井戸構造におけるサブバンド間の電子遷移を利用して光を生成する半導体素子であってもよい。
　半導体素子３１１１は、活性層３１１１ａと、半導体層３１１１ｂと、半導体層３１１１ｃと、を含んでもよい。
　半導体素子３１１１は、半導体層３１１１ｂ、活性層３１１１ａ、及び半導体層３１１１ｃがこの順に積層された積層構造を有していてもよい。
　活性層３１１１ａは、光を生成し増幅する機能を有してもよい。
　活性層３１１１ａは、光の生成に用いられる量子井戸層と当該量子井戸層に電子を注入する注入層とが交互に積層されたカスケード構造にて構成されてよい。
　半導体層３１１１ｂ及び３１１１ｃは、半導体素子３１１１の積層方向の両側から活性層３１１１ａを挟むように設けられてもよい。
　半導体層３１１１ｂ及び３１１１ｃは、活性層３１１１ａにて生成された光を導波するガイド層や当該光を閉じ込めるクラッド層等を含んでもよい。
　半導体層３１１１ｂの活性層３１１１ａ近傍には、多数の溝が所定溝間隔Ａで形成されたグレーティング３１１１ｄが設けられてもよい。
　グレーティング３１１１ｄは、所定溝間隔Ａに応じて特定の波長付近の光を選択的に帰還する光共振器として機能し得る。利得が閾値を超えると帰還光量が急激に増加し、活性層３１１１ａの一端又は両端から当該特定の波長付近の光がレーザ光として出力され得る。
　なお、グレーティング３１１１ｄを構成する溝の一部は、上記所定溝間隔Ａ以外の間隔で形成されてもよい。当該所定溝間隔Ａ以外の間隔で形成される溝は、パルスレーザ光の出力方向における１又は複数の所定箇所に形成されてもよい。一般的に、分布帰還型レーザは、グレーティングの溝が均一間隔で形成されると、理想的には２つの波長のパルスレーザ光を発振し得る。これに対し、グレーティング３１１１ｄの溝の一部が所定溝間隔Ａ以外の間隔で形成される場合、第１ＱＣＬ３１１は単一の波長のパルスレーザ光を発振し得る。
　半導体層３１１１ｂ及び３１１１ｃには、半導体素子３１１１の積層方向の両外側から挟まれるように、図示しない一対の電極層が設けられてもよい。
　当該一対の電極層は、図示しない電流制御器を介して制御部３３０に接続されてもよい。当該一対の電極層には、制御部３３０から出力されたトリガ信号に応じた励起電流が当該電流制御器から供給されてもよい。それにより、当該一対の電極層に挟持された半導体層３１１１ｂ及び３１１１ｃ並びに活性層３１１１ａには、当該トリガ信号に応じた励起電流が流れ得る。
　ペルチェ素子３１１２は、半導体素子３１１１を冷却するための素子であってもよい。
　ペルチェ素子３１１２は、制御部３３０に接続されてもよい。ペルチェ素子３１１２は、制御部３３０からの制御により、半導体素子３１１１を冷却してもよい。
　第１ＱＣＬ３１１に制御部３３０からトリガ信号が入力されると、当該第１ＱＣＬ３１１の活性層３１１１ａには励起電流が流れ得る。
　活性層３１１１ａに励起電流が流れると、活性層３１１１ａは光を生成し得る。生成された光は、グレーティング３１１１ｄによって波長選択されると共に活性層３１１１ａを通過する度に増幅されつつ共振し得る。そして、当該光は、パルスレーザ光として、半導体素子３１１１の端面から出力され得る。
　このようにして、第１ＱＣＬ３１１は、制御部３３０からの制御により、パルスレーザ光を出力し得る。なお、第１ＱＣＬ３１１の発振波長は、半導体素子３１１１内の光共振器の光路長とグレーティング３１１１ｄの選択波長とに依存し得る。
　第２～第４ＱＣＬ３１２～３１４のそれぞれも、第１ＱＣＬ３１１と同様の原理で動作し、パルスレーザ光を出力し得る。
　図６を用いて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の波長チャーピングについて説明する。
　波長チャーピングは、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれで同様に発生し得る。
　図６の説明では、第１ＱＣＬ３１１を例に挙げて説明する。
　図６は、第１ＱＣＬ３１１で発生する波長チャーピングを説明するための図を示す。
　第１ＱＣＬ３１１に励起電流が供給されレーザ発振が行われると、当該第１ＱＣＬ３１１に含まれる半導体素子３１１１の発熱によって、図６に示されるように、半導体素子３１１１の活性層３１１１ａの温度は上昇し得る。
　活性層３１１１ａの温度が変化すると、活性層３１１１ａの屈折率は変化し得る。更に、活性層３１１１ａの温度が変化すると、半導体素子３１１１内の光共振器の光路長やグレーティング３１１１ｄの溝の間隔Ａが変化し得る。
　それにより、第１ＱＣＬ３１１の発振波長は、図６に示されるように、変化し得る。
　第１ＱＣＬ３１１の半導体素子３１１１は、ペルチェ素子３１１２によって冷却されてもよい。そのため、活性層３１１１ａの温度は、恒久的には、半導体素子３１１１の発熱とペルチェ素子３１１２の冷却との熱平衡によって略一定に保たれ得る。
　しかしながら、活性層３１１１ａの温度は、過渡的には、次のように変化し得る。
　すなわち、活性層３１１１ａの温度は、図６に示されるように、第１ＱＣＬ３１１に励起電流が供給された直後から急激に上昇し、時間経過と伴に緩やかに上昇し得る。そして、活性層３１１１ａの温度は、当該励起電流の供給が停止され直後から急激に低下し、時間経過と伴に緩やかに低下し得る。
　このとき、活性層３１１１ａの温度上昇に伴って、活性層３１１１ａの屈折率は増加し得ると共に半導体素子３１１１内の光共振器の光路長は増加してしまい、第１ＱＣＬ３１１の発振波長も長くなり得る。
　ＱＣＬを含む半導体レーザの発振波長が変化するこのような現象を、波長チャーピングという。
　第１ＱＣＬ３１１から出力されるパルスレーザ光の波長は、波長チャーピングによって変化し得る。
　一方、再生増幅器３７０や第１～第４増幅器３５１～３５４において増幅可能なパルスレーザ光３０の波長領域は、これらの増幅器の増幅媒質によって予め決まっていてもよい。
　このため、第１ＱＣＬ３１１から出力されたパルスレーザ光は、これらの増幅器において増幅可能な波長領域の波長を有する場合に限って適切に増幅され得る。
　波長チャーピングにより第１ＱＣＬ３１１の発振波長が変化する場合、第１ＱＣＬ３１１から出力されたパルスレーザ光は、当該パルスレーザ光の波長が増幅可能な波長領域に到達したタイミングでのみ適切に増幅され得る。言い換えると、出力されるパルスレーザ光の波長が増幅波長領域に到達するタイミングにおいて第１ＱＣＬ３１１から出力されたパルスレーザ光だけが適切に増幅され得る。
　つまり、第１ＱＣＬ３１１に励起電流が供給されたタイミングから、出力されるパルスレーザ光の波長が増幅波長領域に到達するタイミングまでには、タイムラグが発生し得る。すなわち、第１ＱＣＬ３１１にトリガ信号が出力されたタイミングから、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が第１ＱＣＬ３１１から出力されるタイミングまでには、タイムラグが発生し得る。
　本開示では、ＱＣＬにトリガ信号が出力されたタイミングから、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光がＱＣＬから出力されるタイミングまでのタイムラグを、ＱＣＬの「発光遅延時間」ともいう。
　第２～第４ＱＣＬ３１２～３１４のそれぞれから出力されるパルスレーザ光の波長も、第１ＱＣＬ３１１と同様に、波長チャーピングによって変化し得る。
　そして、第２～第４ＱＣＬ３１２～３１４のそれぞれにも、第１ＱＣＬ３１１と同様に、発光遅延時間が発生し得る。
　これらの第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの発光遅延時間は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの負荷状態によっても変動し得る。
　例えば、繰り返し周波数が１００ｋＨｚ等の高負荷状態の第１ＱＣＬ３１１の挙動と、繰り返し周波数が２０ｋＨｚ等の低負荷状態の第１ＱＣＬ３１１の挙動とを比較して説明する。図６では、高負荷状態の第１ＱＣＬ３１１における活性層温度等は実線で示され、低負荷状態の第１ＱＣＬ３１１における活性層温度等は破線で示されている。
　高繰り返し周波数で発振する高負荷状態の第１ＱＣＬ３１１では、単位時間当たりに励起電流が供給される回数が、低繰り返し周波数で発振する低負荷状態の第１ＱＣＬ３１１に比べて増加し得る。
　このため、第１ＱＣＬ３１１における活性層３１１１ａの温度は、低繰り返し周波数で発振する低負荷状態よりも高繰り返し周波数で発振する高負荷状態の方が高くなり得る。
　これに伴って、第１ＱＣＬ３１１に励起電流が供給された直後の発振波長は、低負荷状態よりも高負荷状態の方が長波長側にシフトし得る。更に、第１ＱＣＬ３１１における波長チャーピングによる発振波長の変動幅は、低負荷状態よりも高負荷状態の方が大きくなり得る。
　その結果、第１ＱＣＬ３１１の発光遅延時間は、低負荷状態よりも高負荷状態の方が短くなり得る。
　すなわち、第１ＱＣＬ３１１において、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が出力されるタイミングは、低負荷状態よりも高負荷状態の方が早くなり得る。
　第２～第４ＱＣＬ３１２～３１４のそれぞれにおいても、第１ＱＣＬ３１１と同様に、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が出力されるタイミングは、低負荷状態よりも高負荷状態の方が早くなり得る。
　このように、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されるタイミングは、それぞれのＱＣＬの負荷状態に依存して変動し得る。
　トリガ信号に対して付加される遅延時間Ｄｑ１～Ｄ４は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの発光遅延時間を考慮して、増幅波長領域の波長を有する各パルスレーザ光３０が互いに略同一のタイミングで出力されるよう予め定められている。
［５．課題］
　レーザ装置３では、増幅波長領域にあるパルスレーザ光が第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されるタイミングと、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４のそれぞれが駆動されるタイミングとは同期させる必要があり得る。
　しかしながら、レーザ装置３の動作条件が変更された際、両者のタイミングが同期しないことがあり得る。
　例えば、露光装置６からの指令等によりレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３１の繰り返し周波数が低く変更される場合があり得る。この場合、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の負荷状態は低くなり、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されるタイミングは遅くなり得る。
　それにより、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されるタイミングと、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４が駆動されるタイミングとは同期しなくなり得る。
　その結果、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の何れかから出力されたパルスレーザ光が適切に増幅されないことがあり得る。また、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４の何れかをパルスレーザ光３０が通過しないことがあり得る。
　よって、レーザ装置３の動作条件が変更された際であってもパルスレーザ光３０を適切に増幅して、所望の特性を有するパルスレーザ光３１を所望のタイミングで出力し得る技術が求められている。
　なお、レーザ装置３の動作条件の変更に応じて、例えばペルチェ素子３１１２の冷却動作を変更することも考えられる。しかし、ペルチェ素子３１１２の冷却動作を変更するだけでは、活性層３１１１ａの過渡的な温度変化を抑制することは困難であり、波長チャーピングに対処することは困難であり得る。
［６．第１実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム］
　［６．１　構成］
　図７及び図８を用いて、第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１について説明する。
　図７は、第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す。
　第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１は、ＥＵＶ光生成制御部５及び制御部３３０の構成が、図２に示されたＥＵＶ光生成システム１１と異なってもよい。
　第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１の構成において、図２に示されたＥＵＶ光生成システム１１と同様の構成については説明を省略する。
　図７のＥＵＶ光生成制御部５は、マスタトリガ生成部５１を含んでもよい。
　マスタトリガ生成部５１は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数に関わらず、ドロップレット２７１の目標繰り返し周波数をマスタ繰り返し周波数に決定してもよい。
　マスタ繰り返し周波数は、ＥＵＶ光生成装置１、レーザ装置３、又は露光装置６の仕様に基づいて予め定められた一定値の繰り返し周波数であってもよい。
　マスタ繰り返し周波数は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が取り得る上限値の繰り返し周波数であってもよい。
　マスタ繰り返し周波数は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数の整数倍の値であってもよい。例えば、マスタ繰り返し周波数は１００ｋＨｚであり、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数は１００Ｈｚ、５０ｋＨｚ、３３．３ｋＨｚ、２５ｋＨｚ、２０ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、１ｋＨｚ等であってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、マスタトリガ生成部５１にて決定されたマスタ繰り返し周波数をドロップレット２７１の目標繰り返し周波数として、ターゲット供給信号を生成してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、生成されたターゲット供給信号を、マスタ繰り返し周波数でターゲット供給部２６に出力してもよい。
　ターゲット供給部２６は、マスタ繰り返し周波数にてドロップレット２７１を生成し出力し得る。ターゲットセンサ４は、マスタ繰り返し周波数にて出力されたドロップレット２７１を検出し、ＥＵＶ光生成制御部５にドロップレット検出信号を出力し得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５には、マスタ繰り返し周波数を反映したドロップレット検出信号が入力され得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、マスタ繰り返し周波数を反映したドロップレット検出信号に基づいて、レーザ出力信号を生成し制御部３３０に出力してもよい。
　具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、マスタ繰り返し周波数にて出力されたドロップレット２７１のドロップレット検出信号が入力されたタイミングに同期して、レーザ出力信号を１パルス毎に制御部３３０に出力してもよい。
　制御部３３０には、マスタ繰り返し周波数を反映したレーザ出力信号が入力され得る。
　なお、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１の目標パルスエネルギ等の各種目標値をレーザ出力信号に含めずに別途制御部３３０に出力してもよい。
　この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、マスタ繰り返し周波数で出力されたドロップレット２７１のドロップレット検出信号をそのままレーザ出力信号として制御部３３０に出力してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ出力信号の出力前に、パルスレーザ光３１の目標パルスエネルギ等の各種目標値を制御部３３０に出力してもよい。制御部３３０は、トリガ信号に含まれる励起電流の設定値、電圧設定信号に含まれる放電電圧の設定値、及び電流設定信号に含まれる放電電流の設定値のそれぞれを、レーザ出力信号の入力前に予め決定してもよい。
　また、ＥＵＶ光生成制御部５は、分周設定信号を生成し制御部３３０に出力してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ出力信号の出力前に分周設定信号を制御部３３０に出力してもよい。
　分周設定信号は、マスタ繰り返し周波数を分周する際の分周比を制御部３３０に設定するための制御信号であってもよい。
　分周比は、マスタ繰り返し周波数の値を、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数の値で除算した値であってもよい。
　図７の制御部３３０は、分周器３３１を含んでもよい。
　分周器３３１は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された分周設定信号に基づいて、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたレーザ出力信号を分周してもよい。
　分周器３３１は、分周設定信号に含まれる分周比を用いて、マスタ繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数にて入力されるレーザ出力信号を分周してもよい。分周されたレーザ出力信号の繰り返し周波数は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数となり得る。分周されていないレーザ出力信号の繰り返し周波数は、マスタ繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数であり得る。
　制御部３３０は、分周されたレーザ出力信号に基づいて、光スイッチへの駆動信号、ＲＦ電源３８０への電圧設定信号、及び第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４への電流設定信号を出力してもよい。
　制御部３３０は、レーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数にて、当該光スイッチへの駆動信号、当該電圧設定信号、及び当該電流設定信号を出力してもよい。制御部３３０は、当該光スイッチへの駆動信号、当該電圧設定信号、及び当該電流設定信号のそれぞれを、分周器３３１から直接出力してもよい。
　第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２のそれぞれは、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数にて、入射するパルスレーザ光３０を通過させ得る。第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数にて、入射するパルスレーザ光３０の光路を変化させ得る。
　再生増幅器３７０の増幅器３７５は、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３０を増幅して出力し得る。第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３０を増幅して出力し得る。
　また、制御部３３０は、分周されていないレーザ出力信号に基づいて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を出力してもよい。
　制御部３３０は、レーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、マスタ繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数にて当該トリガ信号を出力してもよい。
　この際、制御部３３０は、レーザ出力信号が入力されたタイミングから所定の遅延時間Ｄｑ１～４だけ遅延したタイミングで、当該トリガ信号を出力してもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、マスタ繰り返し周波数と略同じ値の繰り返し周波数にてパルスレーザ光を出力し得る。
　第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成システム１１と同様であってもよい。
　［６．２　動作］
　図８は、第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１のレーザ発振に係る動作を説明するための図を示す。
　第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１の動作において、図２に示されたＥＵＶ光生成システム１１と同様の動作については説明を省略する。
　ＥＵＶ光生成制御部５には、露光装置制御部６１からＥＵＶ光出力指令信号が送信されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標パルスエネルギ等の各種目標値に基づいて、パルスレーザ光３１の目標パルスエネルギ等の各種目標値を制御部３３０に出力してもよい。
　制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたパルスレーザ光３１の目標パルスエネルギ等の各種目標値に基づいて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４に設定される励起電流の設定値を決定してもよい。
　制御部３３０は、当該パルスレーザ光３１の目標パルスエネルギ等の各種目標値に基づいて、ＲＦ電源３８０に出力される電圧設定信号に含まれる放電電圧の設定値を決定してもよい。
　制御部３３０は、当該パルスレーザ光３１の目標パルスエネルギ等の各種目標値に基づいて、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４に出力される電流設定信号に含まれる放電電流の設定値を決定してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数とマスタ繰り返し周波数とを用いて分周設定信号を生成し、制御部３３０に出力してもよい。
　ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数は、例えば５０ｋＨｚであってもよい。マスタ繰り返し周波数は、例えば１００ｋＨｚであってもよい。この例では、分周設定信号に含まれる分周比は、２であり得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７１の目標繰り返し周波数をマスタ繰り返し周波数とするターゲット供給信号を生成し、ターゲット供給部２６に出力してもよい。
　ターゲット供給部２６は、マスタ繰り返し周波数にてドロップレット２７１を生成しチャンバ２内に出力し得る。ターゲットセンサ４は、マスタ繰り返し周波数で出力されたドロップレット２７１のドロップレット検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、マスタ繰り返し周波数を反映したドロップレット検出信号をそのままレーザ出力信号として制御部３３０に出力してもよい。
　制御部３３０は、分周されていないレーザ出力信号に基づいて、トリガ信号に対して付加される遅延時間Ｄｑ１～４を決定してもよい。
　制御部３３０は、分周設定信号に基づいて、レーザ出力信号を分周してもよい。
　制御部３３０は、分周されたレーザ出力信号に基づいて、光スイッチへの駆動信号に対して付加される遅延時間Ｄｐ１～４を決定してもよい。
　制御部３３０は、予め決定された励起電流の設定値を含むトリガ信号を、分周されていないレーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｑ１～４だけ遅延したタイミングで、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに出力してもよい。
　第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、入力されたトリガ信号に基づいて、パルスレーザ光を出力し得る。
　このとき、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数の整数倍の値を有するマスタ繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０を出力し得る。
　光路調節器３１５は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されたパルスレーザ光の光路を実質的に１つの光路に重ね合せて、パルスレーザ光３０として第１光スイッチ３２１に出力し得る。
　制御部３３０は、予め決定された放電電圧の設定値を含む電圧設定信号を、分周されたレーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、ＲＦ電源３８０に出力してもよい。
　ＲＦ電源３８０は、入力された電圧設定信号に基づいて、再生増幅器３７０の増幅器３７５の放電電極に放電電圧を供給し得る。
　制御部３３０は、予め決定された放電電流の設定値を含む電流設定信号を、分周されたレーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４に出力してもよい。
　第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４は、入力された電流設定信号に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれの放電電極に放電電流を供給し得る。
　制御部３３０は、第１光スイッチ３２１への駆動信号を、分周されたレーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｐ１だけ遅延したタイミングで、第１光スイッチ３２１に出力してもよい。
　第１光スイッチ３２１は、入力された駆動信号に基づいて、入射するパルスレーザ光３０を選択的に通過させ、再生増幅器３７０に出力し得る。
　このとき、第１光スイッチ３２１を通過するパルスレーザ光３０の繰り返し周波数は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と略等しくなり得る。すなわち、第１光スイッチ３２１は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０を通過させ得る。
　第１光スイッチ３２１を通過しなかったパルスレーザ光３０は、図３の偏光子３２１ｃで反射され図示しないビームダンパに吸収されてもよい。
　制御部３３０は、第３光スイッチ３７３への駆動信号を、分周されたレーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｐ３だけ遅延したタイミングで、第３光スイッチ３７３に出力してもよい。
　第３光スイッチ３７３は、入力された駆動信号に基づいて、入射するパルスレーザ光３０の光路を変化させ、再生増幅器３７０内にパルスレーザ光３０を導入し得る。
　このとき、再生増幅器３７０内に導入されたパルスレーザ光３０は、第１光スイッチ３２１によって選択的に通過されたパルスレーザ光３０だけであり得る。すなわち、第３光スイッチ３７３は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０を再生増幅器３７０内に導入し得る。
　再生増幅器３７０内に導入されたパルスレーザ光３０は、共振器ミラー３７１及び３７２の間で往復しながら増幅器３７５を通過する度に増幅され得る。
　制御部３３０は、第４光スイッチ３７４への駆動信号を、分周されたレーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｐ４だけ遅延したタイミングで、第４光スイッチ３７４に出力してもよい。
　第４光スイッチ３７４は、入力された駆動信号に基づいて、入射するパルスレーザ光３０の光路を変化させ、再生増幅器３７０から高反射ミラーに出力し得る。
　このとき、第４光スイッチ３７４は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有し且つ適切に増幅されたパルスレーザ光３０を再生増幅器３７０から出力し得る。
　高反射ミラーは、入射したパルスレーザ光３０を反射して第２光スイッチ３２２に出力し得る。
　制御部３３０は、第２光スイッチ３２２への駆動信号を、分周されたレーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｐ２だけ遅延したタイミングで、第２光スイッチ３２２に出力してもよい。
　第２光スイッチ３２２は、入力された駆動信号に基づいて、入射するパルスレーザ光３０を通過させ、第１～第４増幅器３５１～３５４に出力し得る。
　このとき、第２光スイッチ３２２は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有し且つ適切に増幅されたパルスレーザ光３０を通過させ得る。
　第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、当該パルスレーザ光３０を順次適切に増幅し得る。
　最終段の第４増幅器３５４で増幅されたパルスレーザ光３０は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数で、パルスレーザ光３１としてレーザ装置３の外部に出力され得る。
　第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１の他の動作については、図２に示されたＥＵＶ光生成システム１１と同様であってもよい。
　［６．３　作用］
　このように、制御部３３０は、露光装置制御部６１から要求されるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数に関わらず、マスタ繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４にトリガ信号を出力し得る。
　そのため、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの負荷状態は、露光装置制御部６１からの要求によりＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されても、大きく変動せずに略一定となり得る。
　それにより、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数に関わらず、互いに略同一のタイミングで、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光を出力し得る。
　一方、第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０を通過させ得る。第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０の光路を変更し得る。再生増幅器３７０及び第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３０を適切に増幅して出力し得る。
　それにより、第１実施形態のレーザ装置３は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されたら、当該ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３１を出力し得る。加えて、第１実施形態のレーザ装置３は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されても、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の負荷状態の変動を抑制しつつ、適切に増幅されたパルスレーザ光３１を出力し得る。
　よって、第１実施形態のレーザ装置３は、その動作条件が変更された際であってもパルスレーザ光３０を適切に増幅して、所望の特性を有するパルスレーザ光３１を所望のタイミングで出力し得る。
［７．第２実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム］
　図９～図１１を用いて、第２実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１について説明する。
　図９は、第２実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す。
　第２実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１は、露光装置制御部６１からの要求によりＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更された場合、これに応じてドロップレット２７１の目標繰り返し周波数を変更してもよい。
　この場合、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１では、ドロップレット２７１の目標繰り返し周波数に応じて出力されるドロップレット２７１のドロップレット検出信号の繰り返し周波数は変更され得る。そして、当該ドロップレット検出信号に基づいて出力されるトリガ信号の繰り返し周波数も変更され得る。それにより、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの負荷状態は変動し得る。
　そこで、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１は、トリガ信号に付加される遅延時間Ｄｑ１～４を調整することによって、波長チャーピングに対処してもよい。
　第２実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１は、ＥＵＶ光生成制御部５及び制御部３３０の構成が、図７に示された第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１と異なってもよい。
　第２実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、マスタトリガ生成部５１を含まなくてもよく、分周設定信号を制御部３３０に出力しなくてもよい。
　第２実施形態に係る制御部３３０は、分周器３３１を含まなくてもよい。
　第２実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成及び動作において、図７及び図８に示された第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１と同様の構成及び動作については説明を省略する。
　図９のＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７１の目標繰り返し周波数を、マスタ繰り返し周波数ではなく、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ値に決定してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ値をドロップレット２７１の目標繰り返し周波数として、ターゲット供給信号を生成してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、生成されたターゲット供給信号を、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ繰り返し周波数でターゲット供給部２６に出力してもよい。
　ターゲット供給部２６は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ繰り返し周波数にてドロップレット２７１を生成し出力し得る。ターゲットセンサ４は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ繰り返し周波数にて出力されたドロップレット２７１を検出し、ＥＵＶ光生成制御部５にドロップレット検出信号を出力し得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５には、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映したドロップレット検出信号が入力され得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映したドロップレット検出信号に基づいて、レーザ出力信号を生成し制御部３３０に出力してもよい。
　具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ繰り返し周波数にて出力されたドロップレット２７１のドロップレット検出信号が入力されたタイミングに同期して、レーザ出力信号を１パルス毎に制御部３３０に出力してもよい。
　制御部３３０には、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映したレーザ出力信号が入力され得る。
　図９の制御部３３０は、レーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数にて、光スイッチへの駆動信号、ＲＦ電源３８０への電圧設定信号、及び第１～第４ＲＦ電源３６１～３６４への電流設定信号を出力してもよい。
　第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２のそれぞれは、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、入射するパルスレーザ光３０を通過させ得る。第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、入射するパルスレーザ光３０の光路を変化させ得る。
　再生増幅器３７０の増幅器３７５は、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３０を増幅して出力し得る。第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３０を増幅して出力し得る。
　また、制御部３３０は、レーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を出力してもよい。
　この際、制御部３３０は、レーザ出力信号が入力されたタイミングから所定の遅延時間Ｄｑ１’～４’だけ遅延したタイミングで、当該トリガ信号を出力してもよい。
　トリガ信号に対して付加される遅延時間Ｄｑ１’～４’は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの負荷状態の変動に応じて、遅延時間Ｄｑ１～４から調整された値であってもよい。
　遅延時間Ｄｑ１’～４’のそれぞれの長さは、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの負荷状態が変動しても、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が互いに略同一のタイミングで出力されるように定められてもよい。
　制御部３３０は、トリガ信号に対して付加される遅延時間Ｄｑ１’～４’を計算する記憶演算部３３２を含んでもよい。
　図１０及び図１１を用いて、トリガ信号に対して付加される遅延時間Ｄｑ１’～４’について説明する。
　図１０は、第２実施形態のレーザ装置３に含まれる制御部３３０から出力されるトリガ信号に対して付加される遅延時間Ｄｑ１’～４’を説明するための図を示す。図１１は、ＱＣＬの発光遅延時間と繰り返し周波数との関係を計測した結果を示す。
　上述のように、第２実施形態のレーザ装置３では、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれが、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光を出力してもよい。
　すなわち、第２実施形態のレーザ装置３では、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されるとトリガ信号の繰り返し周波数も変更され得ることから、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの負荷状態が変動し得る。
　この場合、図１０上段に示されるように、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光が出力されるタイミングは、変動し得る。すなわち、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに発光遅延時間が発生し得る。
　特に、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの発光遅延時間は、図１１に示されるように、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの繰り返し周波数に応じて変動し得る。
　図１１には、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの繰り返し周波数を１００Ｈｚを基準にして変動させた際に、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの発光遅延時間がどのように変動するかが示されている。
　更に、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれ発光遅延時間の変動量は、図１１の各グラフの傾きが異なることからも明らかなように、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４ごとに異なり得る。
　そこで、制御部３３０の記憶演算部３３２は、図１１に示されたＱＣＬの発光遅延時間と繰り返し周波数との関係に関する計測結果を予め記憶していてもよい。
　記憶演算部３３２は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されると、図１１に示されたＱＣＬの発光遅延時間と繰り返し周波数との関係に関する計測結果に基づいて、次のような処理を行ってもよい。それにより、記憶演算部３３２は、トリガ信号に対して付加される遅延時間Ｄｑ１’～４’を計算してもよい。
　すなわち、記憶演算部３３２は、図１１のＱＣＬの発光遅延時間と繰り返し周波数との関係に関する計測結果を参照して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数に応じて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの発光遅延時間の変動量を特定してもよい。
　この際、発光遅延時間の値が図１１の当該計測結果に掲載されていない場合には、記憶演算部３３２は、図１１の当該計測結果に基づいて、発光遅延時間と繰り返し周波数との相関式を導出してもよい。当該相関式は、線形近似関数や多項式近似関数や高次近似関数で記述されてもよい。そして、記憶演算部３３２は、導出された相関式を用いて第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの発光遅延時間の変動量を計算してもよい。
　続いて、記憶演算部３３２は、特定した発光遅延時間の変動量を、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更される前のトリガ信号に付加された遅延時間Ｄｑ１～４から減算することによって、遅延時間Ｄｑ１’～４’を計算してもよい。
　制御部３３０は、記憶演算部３３２で求められた値を、トリガ信号に対して付加される新たな遅延時間Ｄｑ１’～４’として決定してもよい。
　そして、制御部３３０は、図１０下段に示されるように、レーザ出力信号が入力されたタイミングから新たに決定された遅延時間Ｄｑ１’～４’だけ遅延したタイミングで、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を出力してもよい。
　それにより、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、レーザ出力信号が制御部３３０に入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光を出力し得る。加えて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、負荷状態が変動されても、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光を、互いに略同一のタイミングで出力し得る。
　第２実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１の他の構成及び動作については、図７及び図８に示された第１実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１と同様であってもよい。
　このように、制御部３３０は、露光装置制御部６１から要求されるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数に基づいて遅延時間Ｄｑ１～４をＤｑ１’～４’に調整して、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を出力し得る。
　そのため、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、露光装置制御部６１からの要求によりＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更され負荷状態が変動しても、互いに略同一のタイミングで、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光を出力し得る。
　一方、第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０を通過させ得る。第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０の光路を変更し得る。再生増幅器３７０及び第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３０を適切に増幅して出力し得る。
　それにより、第２実施形態のレーザ装置３は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されたら、当該ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３１を出力し得る。加えて、第２実施形態のレーザ装置３は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されても、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の負荷状態の変動に対処しつつ、適切に増幅されたパルスレーザ光３１を出力し得る。
　よって、第２実施形態のレーザ装置３は、その動作条件が変更された際であってもパルスレーザ光３０を適切に増幅して、所望の特性を有するパルスレーザ光３１を所望のタイミングで出力し得る。
［８．第３実施形態のレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム］
　図１２及び図１３を用いて、第３実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１について説明する。
　トリガ信号は、トリガ信号のパルス幅を含んでもよい。トリガ信号のパルス幅とは、１パルスにおいて第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４に励起電流を供給している時間である。言い換えると、トリガ信号のパルス幅は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４に供給される励起電流の１パルスごとの時間幅であり得る。
　図１２は、第３実施形態のレーザ装置３に含まれる制御部３３０から出力されるトリガ信号のパルス幅Ｗ’を説明するための図を示す。図１３は、ＱＣＬに出力されるトリガ信号の繰り返し周波数とパルス幅との関係を示す。
　第３実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１は、露光装置制御部６１からの要求によりＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更された場合、これに応じてドロップレット２７１の目標繰り返し周波数を変更してもよい。
　この場合、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１では、ドロップレット２７１の目標繰り返し周波数に応じて出力されるドロップレット２７１のドロップレット検出信号の繰り返し周波数は変更され得る。そして、当該ドロップレット検出信号に基づいて出力されるトリガ信号の繰り返し周波数も変更され得る。それにより、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの負荷状態は変動し得る。
　そこで、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１は、トリガ信号のパルス幅Ｗを調整することによって、波長チャーピングに対処してもよい。
　第３実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１は、制御部３３０の構成が、図９に示された第２実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１と異なっていてもよい。
　第３実施形態に係る制御部３３０の記憶演算部３３２は、図１１に示されたＱＣＬの発光遅延時間と繰り返し周波数との関係に関する計測結果を予め記憶していなくてもよい。
　第３実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成及び動作において、図９～図１１に示された第２実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１と同様の構成及び動作については説明を省略する。
　第３実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５と同様に、ドロップレット２７１の目標繰り返し周波数を、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ値に決定してもよい。
　そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数と同じ値をドロップレット２７１の目標繰り返し周波数として、ターゲット供給信号を生成してもよい。
　更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５と同様に、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映したドロップレット検出信号に基づいて、レーザ出力信号を生成し制御部３３０に出力してもよい。
　第３実施形態に係る制御部３３０は、レーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を出力してもよい。
　この際、制御部３３０は、図１２に示されるように、レーザ出力信号が入力されたタイミングから所定の遅延時間Ｄｑ１～４だけ遅延したタイミングで、パルス幅Ｗ’のトリガ信号を出力してもよい。
　トリガ信号のパルス幅Ｗ’は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数の変更に応じて、変更前のトリガ信号のパルス幅Ｗから調整された値であってもよい。
　トリガ信号のパルス幅Ｗ’の大きさは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されても、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４に供給される励起電流のデューティ比が変動しないように定められてもよい。
　制御部３３０は、トリガ信号のパルス幅Ｗ’を計算する記憶演算部３３２を含んでもよい。
　ここで、ＱＣＬの波長チャーピングと、ＱＣＬに供給される励起電流のデューティ比との関係について説明する。
　例えば、第１ＱＣＬ３１１の波長チャーピングを引き起こす半導体素子３１１１の温度変化ΔＴと、第１ＱＣＬ３１１に供給される励起電流のデューティ比との関係は、次式によって記述され得る。
　　ΔＴ＝Ｒｔｈ・（Ｉ・Ｖ）・Ｄ
　Ｒｔｈは、半導体素子３１１１の熱抵抗であり得る。
　Ｉは、半導体素子３１１１に供給される励起電流の電流値であり得る。
　Ｖは、半導体素子３１１１に生じる電圧であり得る。
　Ｄは、半導体素子３１１１に供給される励起電流のデューティ比であり得る。半導体素子３１１１に供給される励起電流のデューティ比は、トリガ信号のデューティ比と同じ値であり得る。トリガ信号のデューティ比は、トリガ信号のパルス幅と繰り返し周波数との積であり得る。
　上記の式により、熱抵抗Ｒｔｈを一定とすると、電流値Ｉを一定に保てば電圧Ｖは変化せず、温度変化ΔＴはデューティ比Ｄに依存することが分かり得る。
　よって、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されても、トリガ信号に含まれる励起電流の設定値を維持した上で、トリガ信号のデューティ比が変動しないようトリガ信号のパルス幅を調整すれば、温度変化ΔＴは抑制され得る。このため、第１ＱＣＬ３１１の負荷状態の変動は抑制され得る。
　そこで、制御部３３０の記憶演算部３３２は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに出力されるトリガ信号のデューティ比を予め記憶していてもよい。
　記憶演算部３３２に記憶されたデューティ比は、遅延時間Ｄｑ１～４との関係から実験等によって予め決定された一定値であってもよい。記憶演算部３３２に記憶されたデューティ比は、例えば４００００ｎｓ・ｋＨｚのような一定値を記憶していてもよい。
　そして、記憶演算部３３２は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されると、予め記憶しておいたデューティ比に基づいて、次のような処理を行ってトリガ信号のパルス幅Ｗ’を計算してもよい。
　例えば、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が１００ｋＨｚから５０ｋＨｚに変更されると、記憶演算部３３２は、パルス幅Ｗ’を次式のように計算し得る。
　　パルス幅Ｗ’＝デューティ比（４００００ｎｓ・ｋＨｚ）／繰り返し周波数（５０ｋＨｚ）＝８００ｎｓ
　或いは、記憶演算部３３２は、図１３に示されるような、トリガ信号の繰り返し周波数とパルス幅との関係を示すテーブルを予め記憶していてもよい。
　そして、記憶演算部３３２は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されると、予め記憶しておいたテーブルを参照して、トリガ信号のパルス幅Ｗ’を特定してもよい。
　制御部３３０は、記憶演算部３３２で求められた値を、トリガ信号の新たなパルス幅Ｗ’に決定してもよい。
　そして、制御部３３０は、図１２下段に示されるように、レーザ出力信号が入力されたタイミングから遅延時間Ｄｑ１～４だけ遅延したタイミングで、新たに決定されたパルス幅Ｗ’のトリガ信号を第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに出力してもよい。
　それにより、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、レーザ出力信号が入力されたタイミングに同期して、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光を出力し得る。加えて、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、負荷状態の変動が抑制されて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光を、互いに略同一のタイミングで出力し得る。
　なお、記憶演算部３３２は、デューティ比として第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれで異なる値を用いた方が好適である場合は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４ごとに異なる値のデューティ比を予め記憶してもよい。
　第３実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１の他の構成及び動作については、図９～図１１に示された第２実施形態のレーザ装置３を含むＥＵＶ光生成システム１１と同様であってもよい。
　このように、制御部３３０は、露光装置制御部６１から要求されるＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数に基づいてトリガ信号のパルス幅ＷをＷ’に調整して、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれにトリガ信号を出力し得る。
　そのため、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、露光装置制御部６１からの要求によりＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されても、負荷状態の変動が抑制され得る。このため、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光を、互いに略同一のタイミングで出力し得る。
　一方、第１及び第２光スイッチ３２１及び３２２のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０を通過させ得る。第３及び第４光スイッチ３７３及び３７４のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、増幅波長領域の波長を有するパルスレーザ光３０の光路を変更し得る。再生増幅器３７０及び第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３０を適切に増幅して出力し得る。
　それにより、第３実施形態のレーザ装置３は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されたら、当該ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数を反映した繰り返し周波数にて、パルスレーザ光３１を出力し得る。加えて、第３実施形態のレーザ装置３は、ＥＵＶ光２５２の目標繰り返し周波数が変更されても、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４の負荷状態の変動を抑制しつつ、適切に増幅されたパルスレーザ光３１を出力し得る。
　よって、第３実施形態のレーザ装置３は、その動作条件が変更された際であってもパルスレーザ光３０を適切に増幅して、所望の特性を有するパルスレーザ光３１を所望のタイミングで出力し得る。
［９．その他］
　［９．１　各制御部のハードウェア環境］
　当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
　図１４は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１４の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
　図１４におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、及び制御部３３０等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、第１~第４ＲＦ電源３６１~３６４、ＲＦ電源３８０、第１～第４光スイッチ３２１、３２２、３７３及び３７４、ターゲット供給部２６、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサ、圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
　例示的なハードウェア環境１００は、本開示における露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、及び制御部３３０の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、及び制御部３３０は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
　［９．２　トリガ信号の生成に関するレーザ装置の変形例］
　上述のように、トリガ信号は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれがレーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力する契機を与える信号であってもよい。トリガ信号には、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに供給される励起電流の設定値が含まれてもよい。トリガ信号のパルス幅は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４に供給される励起電流の１パルスごとの時間幅であってもよい。
　第１～第３実施形態のレーザ装置３では、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに出力されるトリガ信号を制御部３３０が生成していたが、本開示のレーザ装置３はこれに限定されない。
　本開示のレーザ装置３では、制御部３３０は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに含まれる第１～第４ＱＣＬ制御部のそれぞれにトリガ信号を生成させてもよい。
　すなわち、本開示のレーザ装置３は、トリガ信号の生成に関して以下のような変形例を採用し得る。
　図１５を用いて、トリガ信号の生成に関するレーザ装置３の変形例について説明する。
　図１５は、トリガ信号の生成に関するレーザ装置３の変形例を説明するための図を示す。
　なお、図１５の説明では、第１ＱＣＬ３１１を例に挙げて説明する。
　変形例のレーザ装置３が備える制御部３３０は、トリガ信号の代りに、励起電流の電流値及び時間幅に関する設定値と出力タイミング信号とを、第１～第４ＱＣＬ制御部のそれぞれに出力してもよい。
　出力タイミング信号は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれからパルスレーザ光が出力されるタイミングであることを通知する信号であってもよい。出力タイミング信号には、トリガ信号と同様に、所定の遅延時間Ｄｑ１～Ｄｑ４やＤｑ１’～Ｄｑ４’が付加されて制御部３３０から出力されてもよい。
　励起電流の電流値及び時間幅に関する設定値は、第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの半導体素子に供給される励起電流のパルス波形における電流値及び時間幅を定める設定値であってもよい。当該設定値における励起電流の時間幅は、トリガ信号のパルス幅Ｗやパルス幅Ｗ’を規定してもよい。
　変形例のレーザ装置３が備える第１ＱＣＬ３１１は、図１５に示されるように、半導体素子３１１１と、ペルチェ素子３１１２と、温度センサ３１１３と、電流制御器３１１４と、温度制御部３１１５と、第１ＱＣＬ制御部３１１６と、を含んでもよい。
　第１ＱＣＬ制御部３１１６には、制御部３３０から出力された第１ＱＣＬ３１１に供給される励起電流の電流値及び時間幅に関する設定値が入力されてもよい。
　第１ＱＣＬ制御部３１１６は、入力された当該設定値における電流値及び時間幅に応じた励起電流のパルス波形を有するトリガ信号を生成してもよい。
　第１ＱＣＬ制御部３１１６には、制御部３３０から出力された第１ＱＣＬ３１１に対する出力タイミング信号が入力されてもよい。
　第１ＱＣＬ制御部３１１６は、入力された当該出力タイミング信号に応じて、生成された当該トリガ信号を電流制御器３１１４に出力してもよい。
　第１ＱＣＬ制御部３１１６は、半導体素子３１１１の温度を所定温度にするための温度設定値を温度制御部３１１５に出力してもよい。
　電流制御器３１１４には、第１ＱＣＬ制御部３１１６から出力されたトリガ信号が入力されてもよい。
　電流制御器３１１４は、入力された当該トリガ信号が有するパルス波形に応じた励起電流を、半導体素子３１１１に設けられた上記一対の電極層に供給してもよい。
　当該一対の電極層に挟持された半導体層３１１１ｂ及び３１１１ｃ並びに活性層３１１１ａには、当該トリガ信号に応じた励起電流が流れ得る。
　温度センサ３１１３は、半導体素子３１１１の温度を検出し、その検出信号を温度制御部３１１５に出力してもよい。
　温度制御部３１１５には、第１ＱＣＬ制御部３１１６から出力された温度設定値が入力されてもよい。
　温度制御部３１１５には、温度センサ３１１３から出力された検出信号が入力されてもよい。
　温度制御部３１１５は、入力された当該検出信号によって示される温度検出値が、入力された当該温度設定値に近付くよう、ペルチェ素子３１１２の冷却動作を制御する信号をペルチェ素子３１１２に出力してもよい。
　上記構成によって、変形例のレーザ装置３が備える第１ＱＣＬ３１１は、制御部３３０からの制御により、第１ＱＣＬ制御部３１１６にてトリガ信号を生成し、当該トリガ信号に応じた励起電流を半導体素子３１１１に供給し得る。それにより、変形例のレーザ装置３が備える第１ＱＣＬ３１１は、制御部３３０からの制御により、半導体素子３１１１からパルスレーザ光を出力し得る。
　なお、図１５に示された半導体素子３１１１及びペルチェ素子３１１２の構成については、図５に示された半導体素子３１１１及びペルチェ素子３１１２と同様であってもよい。
　変形例のレーザ装置３が備える第２～第４ＱＣＬ３１２～３１４においても、図１５に示された第１ＱＣＬ３１１と同様に構成されてもよい。
　［９．３　その他の変形例］
　ＥＵＶ光生成制御部５及び制御部３３０は、その一部又は全部を組み合わせて一体の制御部として構成されてもよい。
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
　例えば、変形例のレーザ装置３が備える制御部３３０及び第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４は、第１～第３実施形態の各レーザ装置３が備える制御部３３０及び第１～第４ＱＣＬ３１１～３１４にそれぞれ適用されてもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
　１　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置
　２　　　　　　　　　…チャンバ
　２７　　　　　　　　…ターゲット
　３　　　　　　　　　…レーザ装置
　３１１～３１４　　　…第１～第４ＱＣＬ
　３２１、３２２　　　…第１及び第２光スイッチ
　３３０　　　　　　　…制御部
　３７３、３７４　　　…第３及び第４光スイッチ
　

Claims (7)

  1. 　予め設定された繰り返し周波数で極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置と共に用いられるレーザ装置であって、
    　トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、
    　前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、
    　　前記トリガ信号を前記繰り返し周波数の整数倍の周波数で前記半導体レーザに出力し、
    　　前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する
    　制御部と、
    　を備えるレーザ装置。
  2. 　予め設定された繰り返し周波数で極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置と共に用いられるレーザ装置であって、
    　トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、
    　前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、
    　　前記繰り返し周波数に同期して前記半導体レーザに出力する前記トリガ信号の出力タイミングを前記繰り返し周波数に基づいて変更し、
    　　前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する
    　制御部と、
    　を備えるレーザ装置。
  3. 　予め設定された繰り返し周波数で極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置と共に用いられるレーザ装置であって、
    　トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、
    　前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、
    　　前記繰り返し周波数に同期して前記半導体レーザに出力する前記トリガ信号のパルス幅を前記繰り返し周波数に基づいて変更し、
    　　前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する
    　制御部と、
    　を備えるレーザ装置。
  4. 　前記半導体レーザから出力された前記レーザ光を増幅し、前記光スイッチを含む再生増幅器
    　を備える請求項１に記載のレーザ装置。
  5. 　前記半導体レーザから出力された前記レーザ光を増幅し、前記光スイッチを含む再生増幅器
    　を備える請求項２に記載のレーザ装置。
  6. 　前記半導体レーザから出力された前記レーザ光を増幅し、前記光スイッチを含む再生増幅器
    　を備える請求項３に記載のレーザ装置。
  7. 　トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力する半導体レーザと、
    　前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光を通過させるか否かを切り替える光スイッチと、
    　　前記トリガ信号を前記繰り返し周波数の整数倍の周波数で前記半導体レーザに出力し、
    　　前記レーザ光が前記繰り返し周波数で通過するように前記光スイッチを制御する
    　制御部と、
    　前記レーザ光が照射されると極端紫外光を放射するターゲットを、前記光スイッチを通過した前記レーザ光が導入されるチャンバに対して、前記繰り返し周波数の整数倍の周波数で供給するターゲット供給部と、
    　を備える極端紫外光生成装置。
    　
    　
PCT/JP2014/078522 2014-10-27 2014-10-27 レーザ装置及び極端紫外光生成装置 WO2016067343A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/078522 WO2016067343A1 (ja) 2014-10-27 2014-10-27 レーザ装置及び極端紫外光生成装置
JP2016556065A JP6434985B2 (ja) 2014-10-27 2014-10-27 レーザ装置及び極端紫外光生成装置
US15/454,027 US10165665B2 (en) 2014-10-27 2017-03-09 Laser apparatus and extreme ultraviolet light generating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/078522 WO2016067343A1 (ja) 2014-10-27 2014-10-27 レーザ装置及び極端紫外光生成装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/454,027 Continuation US10165665B2 (en) 2014-10-27 2017-03-09 Laser apparatus and extreme ultraviolet light generating apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016067343A1 true WO2016067343A1 (ja) 2016-05-06

Family

ID=55856738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/078522 WO2016067343A1 (ja) 2014-10-27 2014-10-27 レーザ装置及び極端紫外光生成装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10165665B2 (ja)
JP (1) JP6434985B2 (ja)
WO (1) WO2016067343A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018092281A1 (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光生成装置
WO2018175295A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Asml Netherlands B.V. Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source
CN110445008A (zh) * 2019-08-13 2019-11-12 尚华 一种可更换式激光器单元及其阵列
WO2021044730A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザ発振装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2511316B (en) 2013-02-27 2015-06-24 Mcor Technologies Ltd Tack and bond adhesive system and method for layered object manufacture
CN116774535B (zh) * 2023-08-18 2023-11-14 上海图双精密装备有限公司 一种用于掩模对准光刻设备的照明系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010226096A (ja) * 2009-02-27 2010-10-07 Komatsu Ltd レーザ装置および極端紫外光源装置
JP2012182434A (ja) * 2011-02-09 2012-09-20 Gigaphoton Inc レーザ装置、極端紫外光生成システム、レーザ装置の制御方法、および極端紫外光生成方法
JP2013065804A (ja) * 2010-12-20 2013-04-11 Gigaphoton Inc レーザ装置およびそれを備える極端紫外光生成システム
JP2013093308A (ja) * 2011-10-05 2013-05-16 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法
WO2013161760A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 ギガフォトン株式会社 レーザシステム及び極端紫外光生成システム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5536401B2 (ja) * 2008-10-16 2014-07-02 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光光源装置
JP5820290B2 (ja) * 2012-02-08 2015-11-24 矢崎総業株式会社 レバー式コネクタ
KR20140112856A (ko) * 2013-03-14 2014-09-24 삼성전자주식회사 극자외선 광 발생 장치 및 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010226096A (ja) * 2009-02-27 2010-10-07 Komatsu Ltd レーザ装置および極端紫外光源装置
JP2013065804A (ja) * 2010-12-20 2013-04-11 Gigaphoton Inc レーザ装置およびそれを備える極端紫外光生成システム
JP2012182434A (ja) * 2011-02-09 2012-09-20 Gigaphoton Inc レーザ装置、極端紫外光生成システム、レーザ装置の制御方法、および極端紫外光生成方法
JP2013093308A (ja) * 2011-10-05 2013-05-16 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法
WO2013161760A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 ギガフォトン株式会社 レーザシステム及び極端紫外光生成システム

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018092281A1 (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光生成装置
US10481422B2 (en) 2016-11-18 2019-11-19 Gigaphoton Inc. Laser device and extreme ultraviolet light generation device
WO2018175295A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Asml Netherlands B.V. Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source
US10299361B2 (en) 2017-03-24 2019-05-21 Asml Netherlands B.V. Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source
JP2020514806A (ja) * 2017-03-24 2020-05-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 極紫外光源の光パルス発生
US10887975B2 (en) 2017-03-24 2021-01-05 Asml Netherlands B.V. Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source
JP2022176339A (ja) * 2017-03-24 2022-11-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 極紫外光源の光パルス発生
CN110445008A (zh) * 2019-08-13 2019-11-12 尚华 一种可更换式激光器单元及其阵列
US11224757B2 (en) 2019-08-13 2022-01-18 Hua Shang Exchangeable laser unit and array thereof
WO2021044730A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザ発振装置
JPWO2021044730A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11

Also Published As

Publication number Publication date
JP6434985B2 (ja) 2018-12-05
US10165665B2 (en) 2018-12-25
JPWO2016067343A1 (ja) 2017-08-10
US20170181259A1 (en) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016067343A1 (ja) レーザ装置及び極端紫外光生成装置
US10932350B2 (en) Extreme ultraviolet light generation system
US8311066B2 (en) Laser apparatus and extreme ultraviolet light source apparatus
US9570884B2 (en) Laser apparatus, extreme ultraviolet light generation system, method for controlling the laser apparatus, and method for generating the extreme ultraviolet light
JP6121414B2 (ja) 極端紫外光生成システム
WO2015012099A1 (ja) レーザシステム、極端紫外光生成システム及びレーザ装置の制御方法
US10674591B2 (en) Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source
JP6521870B2 (ja) レーザ装置
JP2006128157A (ja) 極端紫外光源装置用ドライバレーザシステム
US10483713B2 (en) Laser apparatus and measurement unit
US9713240B2 (en) Stabilizing EUV light power in an extreme ultraviolet light source
JP5075951B2 (ja) 極端紫外光源装置及びドライバレーザシステム
US10401704B2 (en) Compensating for a physical effect in an optical system
WO2017006418A1 (ja) 増幅器、及びレーザシステム
WO2014119199A1 (ja) レーザ装置及び極端紫外光生成装置
JP6533464B2 (ja) レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム
US9882334B2 (en) Mirror device
US11006511B2 (en) Laser device and extreme ultraviolet light generation device using delay determination at a shutter
US11067907B2 (en) Target supply device, extreme ultraviolet light generating apparatus, and electronic device manufacturing method
WO2019167234A1 (ja) ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14904803

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016556065

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14904803

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1