WO2016016309A1 - Impedanzanpassungsanordnung für eine gaslaseranregungsanordnung und gaslaseranregungsanordnung - Google Patents
Impedanzanpassungsanordnung für eine gaslaseranregungsanordnung und gaslaseranregungsanordnung Download PDFInfo
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Definitions
- the invention relates to an impedance matching arrangement for a gas laser excitation arrangement with a high frequency connection line which is connectable to a power source at a first connection point and to a gas laser electrode at a second connection point.
- the invention relates to a gas laser excitation arrangement with such an impedance matching arrangement.
- High power lasers with light powers greater than or equal to 500W can be used in laser processing, for example for marking metals or non-metals, for cutting, welding and machining materials such as metals. Metals.
- a gas discharge is usually generated.
- the gas discharge is usually generated by feeding electrical power, in particular often by electrical high-frequency power.
- the feeding of the electrical power is usually via electrodes.
- the high frequency power is often injected at one or more feed points at the electrode.
- the electrodes are often arranged in pairs, wherein one of the electrodes is often at a quiescent potential, in particular mass.
- an electrical power source eg an RF power source
- a high-frequency connection cable connects the source and the load.
- the power source has an output impedance.
- the load has a load impedance. For improved energy transfer from source to load, the load impedance must be matched to the source impedance. This is often done by an additional impedance matching circuit connected between load and power source.
- Object of the present invention is to provide a simplified
- An impedance matching arrangement for a gas laser excitation arrangement with a high-frequency connection line which can be connected to a power source at a first connection point and to a gas laser electrode at a second connection point, wherein the impedance of the high-frequency connection line is changed at least in one section by changing the configuration, in particular one parameter, of the high-frequency connection line this section changes.
- Impedance adaptation is thus carried out according to the invention by a part of the high-frequency connection line itself.
- additional components can be saved.
- the impedance can be adjusted over a relatively large range. It has been found that the frequency range in which an impedance matching can be achieved can also be extended in this way.
- the high frequency power can be used with multiple frequency components.
- the impedance can change continuously in the section.
- the parameter of the high-frequency connection line for example the width of the high-frequency connection line, can change continuously in the section.
- the electrical length or the transformation effect with respect to the geometric length can be optimized.
- the change in the configuration of the section can be effected in that the shape, in particular the geometry or the cross section, of the high-frequency connection line in the at least one section changes continuously.
- the high frequency lead may be configured to interact in electromagnetic electromagnetic interaction with the gas laser excitation assembly.
- a part of the gas laser excitation arrangement can also be used for impedance matching.
- the high-frequency connection line can be designed as a coaxial cable with an inner conductor and an outer conductor, wherein the cross section, in particular the magnitude or the size of the cross section, the inner conductor and / or the outer conductor in the section changes continuously.
- the inner conductor and / or the outer conductor may have sections of different constant cross-section, wherein the cross-section during Transition from one cross section to the next cross section changes steadily. Due to the change in cross section, the impedance matching can be adjusted. A change in cross section can in particular take place in that the diameter or the width of the high-frequency connection line changes in the section.
- the diameter or the width of the high-frequency connection line in the section can change continuously.
- the high-frequency connection line can be formed steplessly in the section. This results in a particularly broadband impedance matching.
- the high-frequency connection line can be formed as a conductor track arrangement with a conductor track and a reference surface, wherein the width of the conductor track changes, in particular continuously, in the section.
- the conductor track may have several sections of different width, wherein the width changes continuously in the transition from one width to the next width.
- Impedance transformation can be performed.
- the high-frequency connection line can be formed as a conductor track arrangement with a conductor track and a reference surface, wherein in the section, the distance from the conductor track to the reference surface, in particular continuously changes. By changing the distance, the interaction between the high-frequency connection line and the reference surface changes. This can also be done by impedance matching.
- the high-frequency connection line can be formed as a conductor track arrangement of a conductor track and a reference surface, in which section the dielectric constant of the dielectric between the conductor track and the reference surface changes, in particular continuously.
- a gas laser excitation arrangement having an impedance matching arrangement according to the invention also falls within the scope of the invention, wherein the high-frequency connection line runs at least in a section with a defined distance, in particular parallel, to a gas laser electrode. This can result in a particularly space-saving arrangement of the high-frequency connection line.
- This gas laser electrode may be at least partially part of
- the gas laser electrode is at least partially part of the high-frequency connection line.
- a gas laser electrode may be connected to ground.
- the defined distance between the section and the gas laser electrode can be determined in different ways. Especially the defined distance may be less than or equal to 10 cm, in particular less than or equal to 5 cm, in particular less than or equal to 1 cm. Alternatively, it can be provided that the defined distance is less than or equal to 1/5, in particular less than or equal to 1/10 of the wavelength of the high frequency for which the impedance matching arrangement is designed.
- the defined distance may be less than or equal to half, in particular less than or equal to 1/5, in particular less than or equal to 1/10, of the length of the high-frequency connection line in the section.
- the defined distance can be designed such that a high-frequency electric field is established between the high-frequency connection line and the gas laser electrode when high-frequency power is conducted from the first connection point to the second connection point. In this case, no or a small high-frequency electric field is built outside the section.
- the high-frequency connection line can have a predefined impedance at the first connection point, which can be set with the distance and the area between the high-frequency connection line and the gas laser electrode in the section.
- the impedance matching can be additionally adjusted.
- the high-frequency connection line may be surrounded by the gas discharge in the section.
- the high-frequency connection line in the section may surround the gas discharge.
- the high-frequency connection line can be arranged at least partially in the inner electrode of a coaxial laser.
- the gas laser electrode may be formed as a planar electrode.
- the high-frequency connection line may have an outer conductor forming part of the gas laser electrode.
- the reference surface of the impedance matching arrangement may be at least partially parts of the gas laser excitation arrangement, in particular connected to an electrode.
- FIG. 2 is an enlarged view of the gas laser excitation arrangement in the region of a feed point.
- FIG. 3 shows a schematic illustration to illustrate an exemplary embodiment of the invention with reference to a slab laser
- FIG. 4 shows a schematic illustration to illustrate an alternative exemplary embodiment of the invention with reference to a slab laser
- FIG. 5 is a schematic representation to illustrate an alternative embodiment of the invention with reference to a slab laser.
- FIG. 1 shows a diffusion-cooled gas laser excitation arrangement 1 in a partial sectional view.
- the gas laser excitation assembly 1 has an outer electrode 2 in which cooling tubes 3 for a coolant, e.g. Coolant, are arranged.
- the outer electrode 2 is formed of metal and connected to ground. Directly below the electrode 2 is the discharge gap 4.
- the second electrode is identified by the reference numeral 5.
- the shield 22 is also provided. In this area 23, however, no high frequency connection line is present.
- the shield 22 is connected to ground as well as the electrode 2.
- electrode 2, shielding 22 and sections Ib of the high-frequency connection line run essentially parallel to one another. Also in the second region 23, the shield 22 extends parallel to the electrode. 5
- the part of the high-frequency connection line Ib that runs coaxially with the electrode 5 and the shield 22 reduces its diameter to the feed point 10 at two points. However, the transition from one diameter to another diameter is made continuous, which can be seen at the points 24a, 24b.
- the change in diameter corresponds to a change in the configuration of the high-frequency connection line in the part I Ib of the high-frequency connection line. The change in diameter causes an impedance change.
- FIG. 4 shows a further exemplary embodiment of the invention, in which case the high-frequency connection line has a constant width B in the region I 1b ', but has different heights h1, h2 with respect to the shield 22 ⁇ , which can also be referred to as a reference surface.
- the high-frequency connection line has a constant width B in the region I 1b ', but has different heights h1, h2 with respect to the shield 22 ⁇ , which can also be referred to as a reference surface.
- the height hl changed steadily to the height h2.
- a change in the configuration of the high-frequency connection line I Ib 'and thus an impedance adjustment is also be referred to as a reference surface.
- Impedance adaptation of Figures 3 to 5 can also be combined with each other.
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Abstract
Impedanzanpassungsanordnung für eine Gaslaseranregungsanordnung (1, 1'), mit einer Hochfrequenzanschlussleitung (11b, 11b'), die an einem ersten Anschlusspunkt (20.1, 20.1') an eine Leistungsquelle (20) und an einem zweiten Anschlusspunkt (10.1, 10.1') an eine Gaslaser-Elektrode (5, 5') anschließbar ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass sich die Impedanz der Hochfrequenzanschlussleitung (11b, 11b') zumindest in einem Abschnitt (24, 24') durch Änderung der Ausgestaltung, insbesondere eines Parameters, der Hochfrequenzanschlussleitung (11b, 11b') in diesem Abschnitt ändert.
Description
Impedanzanpassungsanordnung für eine Gaslaseranregungsan- ordnung und Gaslaseranregungsanordnung
Die Erfindung betrifft eine Impedanzanpassungsanordnung für eine Gaslaseranregungsanordnung mit einer Hochfrequenzanschlussleitung, die an einem ersten Anschlusspunkt an eine Leistungsquelle und an einem zweiten Anschlusspunkt an eine Gaslaser-Elektrode anschließbar ist.
Weiterhin betrifft die Erfindung eine Gaslaseranregungsanordnung mit einer solchen Impedanzanpassungsanordnung.
Hochleistungslaser mit Lichtleistungen größer gleich 500W können bei der Laserbearbeitung eingesetzt werden, beispielsweise zum Markieren von Metallen oder Nichtmetallen, zum Schneiden, Schweißen und Bearbeiten von Materialien, wie z.B. Metallen.
Zur Anregung eines Gaslasers wird in der Regel eine Gasentladung generiert. Die Gasentladung wird in der Regel durch Einspeisung elektrischer Leistung generiert, insbesondere oftmals durch elektrische Hochfrequenz-
leistung. Die Einspeisung der elektrischen Leistung erfolgt in der Regel über Elektroden. Die Hochfrequenzleistung wird oftmals an einer oder mehreren Einspeisestellen an der Elektrode eingekoppelt. Die Elektroden sind häufig paarweise angeordnet, wobei eine der Elektroden häufig auf einem ruhenden Potential, insbesondere Masse, liegt. An der anderen Elektrode wird eine elektrische Leistungsquelle, z.B. eine HF- Leistungsquelle, angeschlossen. Mit einer Hochfrequenzanschlussleitung werden Quelle und Last verbunden. Die Leistungsquelle besitzt eine Ausgangsimpedanz. Die Last besitzt eine Lastimpedanz. Für eine verbesserte Energieübertragung von Quelle zur Last muss die Lastimpedanz an die Quellimpedanz angepasst werden. Dies erfolgt häufig durch eine zusätzliche Impedanzanpassungsschaltung, die zwischen Last und Leistungsquelle angeschlossen ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine vereinfachte
Impedanzanpassung bei einer Gaslaseranregungsanordnung zu ermöglichen.
Gelöst wird diese Aufgabe erfindungsgemäß durch eine
Impedanzanpassungsanordnung für eine Gaslaseranregungsanordnung, mit einer Hochfrequenzanschlussleitung, die an einem ersten Anschlusspunkt an eine Leistungsquelle und an einem zweiten Anschlusspunkt an eine Gaslaserelektrode anschließbar ist, wobei sich die Impedanz der Hochfrequenzanschlussleitung zumindest in einem Abschnitt durch Änderung der Ausgestaltung, insbesondere eines Parameters, der Hochfrequenzanschlussleitung in diesem Abschnitt ändert. Die
Impedanzanpassung wird somit erfindungsgemäß durch einen Teil der Hochfrequenzanschlussleitung selbst durchgeführt. Dadurch können zusätzliche Komponenten eingespart werden. Bei einer gegebenen geometrischen Länge, z.B. durch die vorgegebene Länge eines Lasers oder einer
Laserelektrode, kann die Impedanz über einen vergleichsweise großen Bereich angepasst werden. Es hat sich gezeigt, dass auch der Frequenzbereich, in dem eine Impedanzanpassung erzielt werden kann, so erweitert werden kann. So kann die Hochfrequenzleistung mit mehreren Frequenzkomponenten eingesetzt werden.
Die Impedanz kann sich in dem Abschnitt kontinuierlich ändern. Insbesondere kann sich daher der Parameter der Hochfrequenzanschlussleitung, beispielsweise die Breite der Hochfrequenzanschlussleitung, in dem Abschnitt kontinuierlich ändern. Dadurch kann die elektrische Länge bzw. die Transformationswirkung gegenüber der geometrischen Länge optimiert werden.
Die Änderung der Ausgestaltung des Abschnitts kann dadurch erfolgen, dass sich die Form, insbesondere die Geometrie oder der Querschnitt, der Hochfrequenzanschlussleitung in dem zumindest einen Abschnitt kontinuierlich ändert.
Die Hochfrequenzanschlussleitung kann ausgelegt sein, im Abschnitt in elektromagnetische Wechselwirkung mit der Gaslaseranregungsanordnung zu treten. Somit kann auch ein Teil der Gaslaseranregungsanordnung zur Impedanzanpassung verwendet werden.
Die Hochfrequenzanschlussleitung kann als Koaxialkabel mit einem Innenleiter und einem Außenleiter ausgebildet sein, wobei sich der Querschnitt, insbesondere der Betrag oder die Größe des Querschnitts, des Innenleiters und/oder des Außenleiters in dem Abschnitt stetig ändert.
Der Innenleiter und/oder der Außenleiter können Abschnitte unterschiedlichen konstanten Querschnitts aufweisen, wobei sich der Querschnitt beim
Übergang von einem Querschnitt auf den nächsten Querschnitt stetig ändert. Durch die Querschnittsänderung kann die Impedanzanpassung eingestellt werden. Eine Querschnittsänderung kann insbesondere dadurch erfolgen, dass sich der Durchmesser oder die Breite der Hochfrequenzanschlussleitung im Abschnitt ändert.
Dabei kann sich der Durchmesser oder die Breite der Hochfrequenzanschlussleitung im Abschnitt stetig ändern. Insbesondere kann die Hochfrequenzanschlussleitung im Abschnitt stufenlos ausgebildet sein. Dabei ergibt sich eine besonders breitbandige Impedanzanpassung.
Die Hochfrequenzanschlussleitung kann als Leiterbahnanordnung mit einer Leiterbahn und einer Bezugsfläche ausgebildet sein, wobei sich in dem Abschnitt die Breite der Leiterbahn, insbesondere stetig, ändert. Dabei kann die Leiterbahn mehrere Abschnitte unterschiedlicher Breite aufweisen, wobei sich die Breite beim Übergang von einer Breite auf die nächste Breite stetig ändert. Durch die Breitenänderung kann jeweils eine
Impedanztransformation durchgeführt werden.
Die Hochfrequenzanschlussleitung kann als Leiterbahnanordnung mit einer Leiterbahn und einer Bezugsfläche ausgebildet sein, wobei sich in dem Abschnitt der Abstand von Leiterbahn zur Bezugsfläche, insbesondere stetig, ändert. Durch die Änderung des Abstands ändert sich die Wechselwirkung zwischen Hochfrequenzanschlussleitung und der Bezugsfläche. Auch dadurch kann eine Impedanzanpassung erfolgen.
Alternativ oder zusätzlich kann die Hochfrequenzanschlussleitung als Leiterbahnanordnung einer Leiterbahn und einer Bezugsfläche ausgebildet sein, wobei sich in dem Abschnitt die Dielektrizitätszahl des Dielektrikums zwischen Leiterbahn und Bezugsfläche, insbesondere stetig, ändert. Durch
Änderung des Abstands zur Bezugsfläche und/oder durch die Änderung der Dielektrizitätszahl, insbesondere durch die Verwendung unterschiedlicher Dielektrika, lässt sich die Impedanzanpassung auf technisch besonders einfache Art und Weise realisieren.
Die Hochfrequenzanschlussleitung kann am ersten Anschlusspunkt eine vordefinierte Impedanz aufweisen, die mit der kapazitiven und/oder induktiven Kopplung zwischen Hochfrequenzanschlussleitung und einer Abschirmung einstellbar ist. Durch diese Maßnahme kann sichergestellt werden, dass am zweiten Anschlusspunkt eine exakt auf die Last angepasste Impedanz vorliegt.
In den Rahmen der Erfindung fällt außerdem eine Gaslaseranregungsan- ordnung mit einer erfindungsgemäßen Impedanzanpassungsanordnung, wobei die Hochfrequenzanschlussleitung zumindest in einem Abschnitt mit einem definierten Abstand, insbesondere parallel, zu einer Gaslaserelektrode verläuft. Daraus kann sich eine besonders platzsparende Anordnung der Hochfrequenzanschlussleitung ergeben.
Diese Gaslaserelektrode kann zumindest teilweise Teil der
Impedanzanpassungsanordnung sein. Wenn dies der Fall ist, entsteht eine besonders kompakte Ausgestaltung der Impedanzanpassungsanordnung.
Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, dass die Gaslaserelektrode zumindest teilweise Teil der Hochfrequenzanschlussleitung ist.
Eine Gaslaserelektrode kann mit Masse verbunden sein.
Der definierte Abstand zwischen dem Abschnitt und der Gaslaserelektrode kann auf unterschiedliche Art und Weise festgelegt werden. Insbesondere
kann der definierte Abstand kleiner gleich 10 cm, insbesondere kleiner gleich 5 cm, insbesondere kleiner gleich 1 cm sein. Alternativ kann vorgesehen sein, dass der definierte Abstand kleiner gleich 1/5, insbesondere kleiner gleich 1/10 der Wellenlänge der Hochfrequenz ist, für die die Impedanzanpassungsanordnung ausgelegt ist.
In einer weiteren Alternative kann der definierte Abstand kleiner gleich der Hälfte, insbesondere kleiner gleich 1/5, insbesondere kleiner gleich 1/10, der Länge der Hochfrequenzanschlussleitung im Abschnitt sein.
Weiterhin kann der definierte Abstand so ausgelegt sein, dass zwischen der Hochfrequenzanschlussleitung und der Gaslaserelektrode ein hochfrequentes elektrisches Feld aufgebaut wird, wenn Hochfrequenzleistung vom ersten Anschlusspunkt zum zweiten Anschlusspunkt geleitet wird. Dabei wird außerhalb des Abschnitts kein oder ein geringes hochfrequentes elektrisches Feld aufgebaut.
Die Hochfrequenzanschlussleitung kann am ersten Anschlusspunkt eine vordefinierte Impedanz aufweisen, die mit dem Abstand und der Fläche zwischen Hochfrequenzanschlussleitung und Gaslaserelektrode im Abschnitt einstellbar ist. Somit kann die Impedanzanpassung zusätzlich eingestellt werden.
Die Hochfrequenzanschlussleitung kann im Abschnitt von der Gasentladung umgeben sein. Alternativ kann die Hochfrequenzanschlussleitung im Abschnitt die Gasentladung umgeben.
Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung hinsichtlich der Baugröße kann die Hochfrequenzanschlussleitung zumindest teilweise in der inneren Elektrode eines Koaxiallasers angeordnet sein.
Die Gaslaserelektrode kann als flächige Elektrode ausgebildet sein. Die Hochfrequenzanschlussleitung kann einen Außenleiter aufweisen, der einen Teil der Gaslaserelektrode bildet.
Die Bezugsfläche der Impedanzanpassungsanordnung kann zumindest teilweise Teile der Gaslaseranregungsanordnung sein, insbesondere mit einer Elektrode verbunden sein.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung schematisch dargestellt und wird nachfolgend mit Bezug zu den Figuren der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen :
Fig. 1 eine teilweise Schnittdarstellung durch eine erfindungsgemäße diffusionsgekühlte Gaslaseranregungsanordnung;
Fig. 2 eine vergrößerte Darstellung der Gaslaseranregungsanordnung im Bereich einer Einspeisestelle;
Fig. 3 eine schematische Darstellung zur Verdeutlichung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung anhand eines Slab-Lasers;
Fig. 4 eine schematische Darstellung zur Verdeutlichung eines alternativen Ausführungsbeispiels der Erfindung anhand eines Slab- Lasers;
Fig. 5 eine schematische Darstellung zur Verdeutlichung eines alternativen Ausführungsbeispiels der Erfindung anhand eines Slab- Lasers;
Die Figur 1 zeigt eine diffusionsgekühlte Gaslaseranregungsanordnung 1 in einer teilweisen Schnittdarstellung. Die Gaslaseranregungsanordnung 1 weist eine äußere Elektrode 2 auf, in der Kühlrohre 3 für ein Kühlmittel, z.B. Kühlflüssigkeit, angeordnet sind. Die äußere Elektrode 2 ist aus Metall ausgebildet und mit Masse verbunden. Direkt unterhalb der Elektrode 2 befindet sich der Entladungsspalt 4. Die zweite Elektrode ist mit der Bezugsziffer 5 gekennzeichnet.
Über der zweiten Elektrode 5 befindet sich ein Dielektrikum 6, das aus mehreren unterschiedlichen Materialschichten aufgebaut sein kann. Im gezeigten Ausführungsbeispiel erfolgt die Leistungseinspeisung bezogen auf die Länge der Elektrode 5 mittig an der Stelle 10.
In der vergrößerten Darstellung der Figur 2 ist zu erkennen, dass sich zwischen der Elektrode 2 und der Elektrode 5 der Entladungsspalt 4 befindet. Dabei sind die Elektroden 2 und 5 koaxial zueinander angeordnet. Eine Hochfrequenzanschlussleitung I Ia, I Ib ist an einem ersten Anschlusspunkt 20.1 an eine Leistungsquelle 20 angeschlossen, die eine Hochfrequenzleistung erzeugt und an einem zweiten Anschlusspunkt 10.1 an einer Elektrode 5. Die Hochfrequenzanschlussleitung verläuft in ihrem Abschnitt I Ib innerhalb der Elektrode 5 und im Wesentlichen parallel zu deren Er- streckungsrichtung. Zwischen der Anschlussleitung I Ib und der Elektrode
5 ist in einem ersten Bereich 21 eine Abschirmung 22 vorgesehen. Die Abschirmung 22 weist im Bereich der Einspeisestelle 10 eine Aussparung 7 auf, durch die die Hochfrequenzanschlussleitung I Ib zur Elektrode 5 geführt ist. In einem zweiten Bereich 23 ist ebenfalls die Abschirmung 22 vorgesehen. In diesem Bereich 23 ist jedoch keine Hochfrequenzanschlussleitung vorhanden. Die Abschirmung 22 ist ebenso wie die Elektrode 2 mit Masse verbunden. Im gezeigten Ausführungsbeispiel verlaufen Elektrode 2, Abschirmung 22 und Abschnitte I Ib der Hochfrequenzanschlussleitung im Wesentlichen parallel zueinander. Auch im zweiten Bereich 23 verläuft die Abschirmung 22 parallel zu der Elektrode 5.
Der Teil der Hochfrequenzanschlussleitung I Ib, der koaxial zur Elektrode 5 und zur Abschirmung 22 verläuft, verringert seinen Durchmesser bis zur Einspeisestelle 10 an zwei Stellen. Der Übergang von einem Durchmesser zu einem anderen Durchmesser ist jedoch stetig ausgestaltet, was an den Stellen 24a, 24b zu erkennen ist. Die Durchmesseränderung entspricht einer Änderung der Ausgestaltung der Hochfrequenzanschlussleitung im Teil I Ib der Hochfrequenzanschlussleitung. Die Durchmesseränderung bewirkt eine Impedanzänderung.
Die Figur 3 zeigt eine Gaslaseranregungsanordnung 1' in Form eines Slab- Lasers. Zwischen einer Elektrode 2', die mit Masse verbunden ist, und einer Elektrode 5' befindet sich ein Entladungsspalt 4'. Die Elektrode 5' ist am Anschlusspunkt 10. über eine Hochfrequenzanschlussleitung I Ia', I Ib' an die Leistungsquelle 20 am Anschlusspunkt 20. angeschlossen. In einem ersten Bereich 21' ist zwischen dem Abschnitt I Ib' der Hochfrequenzanschlussleitung und der Elektrode 5' eine Abschirmung 22' vorgesehen, die mit Masse verbunden ist. Rechts neben der Einspeisestelle 10' ist lediglich die Abschirmung 22' vorgesehen, nicht jedoch eine Hochfrequenzanschlussleitung. Somit sind im Bereich 23' lediglich die Abschir-
mung 22' und ein Teil der Elektrode 5' vorgesehen. Die Abschirmung 22' weist eine Aussparung 7' auf, durch die hindurch die Elektrode 5' kontaktiert werden kann. Zu erkennen ist, dass sich die Breite B der Hochfrequenzanschlussleitung I Ib' bis zur Einspeisestelle 10' am Anschlusspunkt 10. verringert. Der Übergang zwischen den Breiten erfolgt stetig, was an der Stelle 24' zu erkennen ist. Dadurch erfolgt eine Impedanzanpassung. Die Breitenänderung entspricht einer Änderung der Ausgestaltung der Hochfrequenzanschlussleitung im Teil I Ib der Hochfrequenzanschlussleitung.
Die Figur 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei in diesem Fall die Hochfrequenzanschlussleitung im Bereich I Ib' eine konstante Breite B hat, jedoch unterschiedliche Höhen hl, h2 zu der Abschirmung 22Λ, die auch als Bezugsfläche bezeichnet werden kann, aufweist. Im Bereich 24Λ änderte sich die Höhe hl zur Höhe h2 stetig. Es findet kein stufenförmiger Übergang statt. Auch durch die Abstandsänderung von hl zu h2 erfolgt eine Änderung der Ausgestaltung der Hochfrequenzanschlussleitung I Ib' und somit eine Impedanzanpassung.
Im weiteren Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 5 weist die Hochfrequenzanschlussleitung I Ib' wiederum eine konstante Breite auf. Allerdings ist das Dielektrikum zwischen der Hochfrequenzanschlussleitung I Ib' und der Abschirmung 22Λ, die auch als Bezugsfläche dient, nicht konstant. Insbesondere ändert sich das Dielektrikum, was sich zeichnerisch nicht darstellen lässt, in einem Bereich 24Λ kontinuierlich. Auch dadurch erfolgt eine Impedanzanpassung. Die unterschiedlichen Möglichkeiten in der
Impedanzanpassung aus den Figuren 3 bis 5 können auch beliebig miteinander kombiniert werden.
Claims
1. Impedanzanpassungsanordnung für eine Gaslaseranregungsanord¬ nung ( 1, ), mit einer Hochfrequenzanschlussleitung (I Ib, I Ib'), die an einem ersten Anschlusspunkt (20.1, 20. ) an eine Leistungs¬ quelle (20) und an einem zweiten Anschlusspunkt ( 10. 1, 10. ) an eine Gaslaser-Elektrode (5, 5Λ) anschließbar ist, dadurch gekenn¬ zeichnet, dass sich die Impedanz der Hochfrequenzanschlussleitung (I Ib, I Ib') zumindest in einem Abschnitt (24, 24Λ) durch Änderung der Ausgestaltung, insbesondere eines Parameters, der Hochfre¬ quenzanschlussleitung (I Ib, I Ib') in diesem Abschnitt ändert.
2. Impedanzanpassungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Impedanz in dem Abschnitt (24, 24Λ) konti¬ nuierlich ändert.
3. Impedanzanpassungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Form, insbeson¬ dere die Geometrie oder der Querschnitt, der Hochfrequenzan¬ schlussleitung ( I Ib, I Ib') in dem zumindest einen Abschnitt (24, 24Λ) kontinuierlich ändert.
4. Impedanzanpassungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenzan¬ schlussleitung (I Ib, I Ib') ausgelegt ist, im Abschnitt in elektro¬ magnetische Wechselwirkung mit der Gaslaseranregungsanordnung (1, V) zu treten.
5. Impedanzanpassungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenzan-
Schlussleitung als Koaxialkabel mit einem Innen- und einem Außenleiter ausgebildet ist, wobei der Innenleiter und/oder der Außenleiter Abschnitte unterschiedlichen konstanten Querschnitts aufweisen, wobei sich der Querschnitt beim Übergang von einem Querschnitt auf den nächsten Querschnitt stetig ändert.
6. Gaslaseranregungsanordnung (1, ) mit einer
Impedanzanpassungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenzanschlussleitung (I Ib, l lb^zumindest in einem Abschnitt mit einem definierten Abstand, insbesondere parallel, zu einer Gaslaser- Elektrode (5, 5Λ) verläuft.
7. Gaslaseranregungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaslaser-Elektrode (5, 5Λ) zumindest teilweise Teil der Impedanzanpassungsanordnung ist.
8. Gaslaseranregungsanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaslaser-Elektrode (5, 5Λ) zumindest teilweise Teil der Hochfrequenzanschlussleitung (I Ib, I Ib') ist.
9. Gaslaseranregungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der definierte Abstand kleiner gleich der Hälfte, insbesondere kleiner gleich ein fünftel, insbesondere kleiner gleich ein zehntel, der Länge der Hochfrequenzanschlussleitung im Abschnitt ist.
10. Gaslaseranregungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der definierte Abstand so ausgelegt ist, dass zwischen der Hochfrequenzanschlusslei-
tung (I Ib, I Ib') und der Gaslaser-Elektrode (5, 5Λ) ein hochfrequentes elektrisches Feld aufgebaut wird, wenn Hochfrequenzleistung vom ersten Anschlusspunkt (20.1, 20. ) zum zweiten Anschlusspunkt (10.1, 10. ) geleitet wird
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/415,019 US10305245B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-25 | Impedance matching in a gas-laser excitation arrangement |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014215226.7A DE102014215226B4 (de) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | Impedanzanpassungsanordnung für eine Gaslaseranregungsanordnung und Gaslaseranregungsanordnung |
| DE102014215226.7 | 2014-08-01 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| US15/415,019 Continuation US10305245B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-25 | Impedance matching in a gas-laser excitation arrangement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2016016309A1 true WO2016016309A1 (de) | 2016-02-04 |
Family
ID=53783695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2015/067390 Ceased WO2016016309A1 (de) | 2014-08-01 | 2015-07-29 | Impedanzanpassungsanordnung für eine gaslaseranregungsanordnung und gaslaseranregungsanordnung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10305245B2 (de) |
| DE (1) | DE102014215226B4 (de) |
| WO (1) | WO2016016309A1 (de) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE102012222469B4 (de) | 2012-12-06 | 2017-03-30 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Diffusionsgekühlte Gaslaseranordnung und Verfahren zur Einstellung der Entladungsverteilung bei einer diffusionsgekühlten Gaslaseranordnung |
-
2014
- 2014-08-01 DE DE102014215226.7A patent/DE102014215226B4/de active Active
-
2015
- 2015-07-29 WO PCT/EP2015/067390 patent/WO2016016309A1/de not_active Ceased
-
2017
- 2017-01-25 US US15/415,019 patent/US10305245B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170133817A1 (en) | 2017-05-11 |
| DE102014215226B4 (de) | 2017-03-02 |
| DE102014215226A1 (de) | 2016-02-04 |
| US10305245B2 (en) | 2019-05-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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