WO2016009852A1

WO2016009852A1 - 積層セラミックコンデンサ

Info

Publication number: WO2016009852A1
Application number: PCT/JP2015/069179
Authority: WO
Inventors: 伴野晃一; 中村将典
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-07-14
Filing date: 2015-07-02
Publication date: 2016-01-21
Anticipated expiration: 2017-01-14

Abstract

　溶断後の電極間での放電を抑制、防止するとともに、溶断部における溶融電極量が少なく、セラミック素子に割れが発生してコンデンサとしての機能を失うおそれの少ない信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。　誘電体層として機能するセラミック層１と、セラミック層を介して積層された内部電極２（２ａ，２ｂ）とを備え、内部電極の引き出し部２２（２２ａ，２２ｂ）が端面３（３ａ，３ｂ）に引き出された構造を有するセラミック素子１０に、内部電極と導通するように外部電極４（４ａ，４ｂ）が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極を、ニッケルまたは銅から形成し、引き出し方向に直交する方向の寸法である幅Ｗが、他の部分の幅Ｗ₀よりも狭くなるように形成された狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）を備えた構成とし、狭幅部の、引き出し方向に直交する方向の断面の面積を１０～４０μｍ²の範囲とする。

Description

積層セラミックコンデンサ

　本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、詳しくは、ヒューズ機能を有する積層セラミックコンデンサに関する。

　積層セラミックコンデンサとしては、例えば、図１１に断面図を示し、図１２に要部の分解斜視図を示すように、セラミック素子（セラミック積層体）５１中に、平面形状が長方形の複数の内部電極５２ａ，５２ｂが、誘電体層であるセラミック層５３を介して積層され、かつ、セラミック層５３を介して互いに対向する内部電極５２ａ，５２ｂが交互にセラミック素子５１の逆側の端面５４ａ，５４ｂに引き出されて、該端面に形成された外部電極５５ａ，５５ｂに接続された構造を有するものが広く知られている。

　しかしながら、近年は、誘電体層（セラミック層）の薄層化が進み、セラミック層を介して対向する内部電極間の距離が小さくなっており、セラミック層の欠陥（ピンホールの発生など）や、内部電極の位置ずれなどによって内部電極間の絶縁性が劣化し、内部電極どうしがショートして、コンデンサが発熱し、場合によっては、コンデンサ全体が短絡状態となり、積層セラミックコンデンサが実装されているプリント基板や周辺回路部品に悪影響を与えるおそれがある。

　そこで、上述のような問題点を解決するために、特許文献１には、誘電体セラミック層と低抵抗導体からなる内部電極層とを交互に複数回数積み重ねて形成した積層セラミック体に外部電極を設けた積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極にヒューズ機能をもつ素子部を付与したものが提案されている（請求項１参照）。

　また、図１３に示すように、特許文献１には、内部電極１０２の一部に狭幅部１１２を設けてヒューズ機能を持つ素子部１２２とすることが記載されており（請求項５参照）、狭幅部の断面積を０．０００１ｍｍ²～０．００１ｍｍ²の範囲とし、抵抗値を１Ω以上とすること（請求項５参照）が開示されている。

　さらに、特許文献１には、Ａｇ－３０％Ｐｄペーストを用いて形成した内部電極に狭幅部を設けた構成を有する積層セラミックコンデンサの実施例が開示されている（段落００２４）。

特開２０００－１００６５４号公報

　しかしながら、特許文献１に開示された、ヒューズ機能を備えた素子部は、その断面積が０．０００１ｍｍ²～０．００１ｍｍ²と大きいことから、素子部が溶断する際の体積変化が大きく、その近傍から積層セラミック体に割れが発生して、素子部の溶断後にコンデンサとしての機能を失ってしまう可能性があり、当該積層セラミックコンデンサが用いられている電子回路などが機能しなくなるおそれがある。

　また、素子部が溶断した後に溶断部に形成されるギャップが狭い場合は、電圧がかかると放電を生じ、完全には絶縁されない可能性があり、信頼性が低いという問題点がある。

　本発明は、上記課題を解決するものであり、溶断後の電極間での放電を抑制、防止するとともに、溶断部における溶融電極量が少なく、セラミック素子に割れが発生してコンデンサとしての機能を失うおそれの少ない、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

　上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、
　誘電体層として機能するセラミック層と、前記セラミック層を介して積層された内部電極とを備え、前記内部電極の引き出し部が端面に引き出された構造を有するセラミック素子に、前記内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサであって、
　前記内部電極は、ニッケルまたは銅からなり、かつ、その引き出し方向に直交する方向の寸法である幅が、他の部分の幅よりも狭くなるように形成された狭幅部を備えているとともに、
　前記狭幅部の、前記引き出し方向に直交する方向の断面の面積が１０～４０μｍ²の範囲にあること
　を特徴としている。

　また、本発明の積層セラミックコンデンサにおいて、前記狭幅部は、前記内部電極の前記セラミック素子の前記端面への前記引き出し部に形成されていることが好ましい。

　狭幅部を、内部電極の前記セラミック素子の端面への引き出し部に形成することにより、静電容量の形成に寄与する有効領域（セラミック層を介して隣り合う内部電極どうしが対向する領域）の面積を減らすことなく、狭幅部を設けることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。

　本発明の積層セラミックコンデンサは、内部電極がニッケルまたは銅からなり、引き出し方向に直交する方向の寸法である幅が他の部分の幅よりも狭い狭幅部を備えているとともに、狭幅部の、上記引き出し方向に直交する方向の断面の面積（以下、「狭幅部の断面積」ともいう）が１０～４０μｍ²の範囲となるようにしているので、以下のような効果を奏する。
　（ａ）内部電極を構成するニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）は卑金属であり、内部電極の狭幅部（ヒューズ部）で溶断後が生じた場合、表面がすみやかに酸化され、絶縁性の酸化物膜が形成されるため、溶断した電極間での放電が起こりにくくなるとともに、漏れ電流も少なくなる。
　（ｂ）ヒューズ部として機能する狭幅部の断面積が小さいことから、電極の溶融量が少なく、溶融に伴う体積変化も小さくなるため、セラミック素子に割れが発生してコンデンサとしての機能を失うことを防止できる。
　（ｃ）内部電極として、安価な卑金属のニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）を用いることにより、製造コストを抑えて、経済性に優れた積層セラミックコンデンサを提供することができる。

本発明の実施形態にかかる積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の構成を示す正面断面図である。本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの要部を示す分解斜視図である。表１の試料番号８の試料についての絶縁破壊試験の結果を示す図である。表１の試料番号１１の試料についての絶縁破壊試験の結果を示す図である。表１の試料番号８の試料についての絶縁抵抗の経時変化の挙動を示す図である。表１の試料番号１１の試料についての絶縁抵抗の経時変化の挙動を示す図である。内部電極が狭幅部を備えていない比較用試料についての絶縁抵抗の経時変化の挙動を示す図である。内部電極への狭幅部の配設態様の他の例を示す図である。内部電極への狭幅部の配設態様のさらに他の例を示す図である。内部電極への狭幅部の配設態様のさらに他の例を示す図である。従来の積層セラミックコンデンサの正面断面図である。従来の積層セラミックコンデンサの要部構成を示す分解斜視図である。従来の他の積層セラミックコンデンサの構成を示す斜視図である。

　以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに具体的に説明する。

　［実施形態］
　図１は、本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図、図２は、本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの要部を示す分解斜視図である。

　この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサは、図１に示すように、
誘電体層として機能するセラミック層１と、セラミック層１を介して積層された内部電極２（２ａ，２ｂ）とを備え、内部電極２（２ａ，２ｂ）の引き出し部２２（２２ａ，２２ｂ）が端面３（３ａ，３ｂ）に引き出された構造を有するセラミック素子１０に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように外部電極４（４ａ，４ｂ）が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサである。

　この積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極２（２ａ，２ｂ）はニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）から形成される。

　また、内部電極２（２ａ，２ｂ）は、引き出し方向に直交する方向の寸法である幅Ｗが、内部電極２（２ａ，２ｂ）の他の部分の幅Ｗ₀よりも狭い狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）を備えている。
　なお、この実施形態では、内部電極２（２ａ，２ｂ）の端面３（３ａ，３ｂ）への引き出し部２２（２２ａ，２２ｂ）が狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）となるように構成されている。また、この実施形態では、狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）は、内部電極２（２ａ，２ｂ）の幅方向の中央部に形成されている。

　内部電極に設けられる狭幅部１２は、静電容量の形成に寄与する有効領域の面積を確保する見地から、内部電極２のセラミック素子１０の端面３への引き出し部の領域にあることが好ましい。

　そして、狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）の、内部電極２（２ａ，２ｂ）の引き出し方向に直交する方向の断面の面積（断面積）が、１０～４０μｍ²となるように構成されている。

　次に、この積層セラミックコンデンサを製造する方法について説明する。
　まず、誘電体層となるセラミック層を形成するための原料粉末として、１００モルのＢａＴｉＯ₃に対し、Ｄｙ₂Ｏ₃を２．０モル、ＭｇＣＯ₃を１．５モル、ＭｎＣＯ₃を０．２５モル、ＳｉＯ₂を１．５モルの割合で配合した原料粉末を準備した。

　次に、この原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、スラリーを調整した。
　そして、このセラミックスラリーをドクターブレード法によりシート成形し、厚み６μｍのグリーンシートを得た。

　それから、グリーンシート上に、図２に示すような、狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）を備えた内部電極２（２ａ，２ｂ）が形成されるようなパターンで、導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、導体パターン（内部電極パターン）を形成した。

　導電性ペーストとしては、ニッケル粉末を導電成分とするニッケルペースト、銅粉末を導電成分とする銅ペーストを用いた。
　また、パラジウムの含有割合が３０質量％である銀－パラジウム粉末（貴金属粉末）を導電成分とするＡｇ－Ｐｄ３０％ペーストを用いた。なお、Ａｇ－Ｐｄ３０％ペーストは、比較のため、貴金属からなる内部電極を形成する目的で用いたものである。

　そして、内部電極パターンを形成するにあたっては、焼成後における狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）の幅Ｗ（図２参照）が、表１、表２および表３に示すように、５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍ、および２００μｍになるように、また、焼成後における狭幅部の厚みが０．１μｍ、０．２μｍ、０．３μｍ、および０．４μｍとなるように所定の導電性ペーストを印刷した。

　上述のようにして内部電極パターンを形成したグリーンシートを、焼成後に、図１および２に示すように、内部電極２（２ａ，２ｂ）が交互に逆側の端面に引き出されたセラミック素子（セラミック積層体）１０が得られるように複数枚積層、圧着することにより未焼成のセラミック積層体を形成した。

　それから、このセラミック積層体を、大気中にて２７０℃に加熱し、バインダを除去した後、導電性ペーストを構成する導電成分である金属粉末の種類に応じて９００～１３５０℃の温度にて２時間焼成した。

　次に、焼成後の積層体の両端面に、導電成分である銀粉末と、Ｂ₂Ｏ₃－ＳｉＯ₂－ＢａＯ系ガラスフリットを含有する銀ペーストを塗布し、窒素中で６００℃の温度で焼き付けることにより、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。

　このようにして、表１に示す内部電極がニッケルからなる試料番号１～１６の試料、表２に示す内部電極が銅からなる試料番号２１～３６の試料、および表３の内部電極がＡｇ－Ｐｄからなる表３の試料番号４１の試料（比較用の試料）を作製した。

　作製した積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅１．２ｍｍ、長さ２．０ｍｍ、厚さが１．０ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体層の厚みは５μｍであった。

　また、有効誘電体セラミック層の総数は２層であり、１層あたりの有効領域（セラミック層を介して隣り合う内部電極どうしが対向する領域）の面積は１．７×１０^-6ｍ²であった。

　この実施形態において、内部電極の狭幅部の幅Ｗおよび内部電極の狭幅部の厚みは次のようにして調べた。
　上記のようにして作製した試料（積層セラミックコンデンサ）を、各試料につき１０個ずつ準備し、この１０個の積層セラミックコンデンサを、長さ方向が垂直方向に沿うような姿勢で保持し、試料の周りを樹脂で固め、試料の幅と、厚さにより規定される面を樹脂から露出させた。その後、研磨機により、各試料を研磨し、各試料の狭窄部が露出するように研磨を行った。そして、研磨による内部電極の延びをなくすために、イオンミリングにより、研磨表面を加工した。
　そして、研磨面を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、狭窄部一箇所について幅Ｗおよび厚みを測定した。試料１０個の測定値の平均を求め、これを狭窄部の幅、および厚みとした。

　（２）特性の評価
　（２－１）絶縁破壊試験
　上述のようにして作製した試料のそれぞれについて、試験サンプル数を３０個として、昇圧速度：１００Ｖ／ｓ、最大電圧：１０００Ｖの条件で絶縁破壊試験（ＢＤＶ試験）を行い、絶縁破壊電圧の評価を行った。
　例として、本発明の要件を備えた、表１の試料番号８の試料と、本発明の要件を備えていない、表１の試料番号１１の試料についての絶縁破壊試験の結果を図３および図４に示す。

　狭幅部の断面積が４５μｍ²で、本発明の要件を備えていない試料番号１１の試料の場合、図４に示すように、絶縁破壊後に、すなわち、狭幅部が溶断してヒューズ機能が働いた後に、絶縁性が保たれず、溶断した電極間で放電が生じ、大きな電圧降下が起きることが確認された。

　これは、狭幅部の断面積が本発明の範囲である４０μｍ²を超えた場合、狭幅部において内部電極が溶断することにより一旦はオープンとはなるが、溶断部における電極の収縮が速やかに進まず、かつ、電極表面の酸化が不十分になるため、溶断された電極間で放電が起こりやすくなることによる。

　一方、狭幅部の断面積が４０μｍ²で、本発明の要件を満たしている試料番号８の試料の場合、図３に示すように、絶縁破壊後、すなわち、狭幅部が溶断してヒューズ機能が働いた後に、放電は起こらず、高い絶縁性が保持されることが確認された。

　このような評価を表１の試料番号１～１６の試料、表２の試料番号２１～３６の試料、および表３の試料番号４１の試料について行い、図３に示すように、狭幅部が溶断してヒューズ機能が働いた後の放電が認められなかった試料を絶縁破壊試験の結果が良好（○）であると評価し、図４に示すように、狭幅部が溶断してヒューズ機能が働いた後の放電が認められた試料を絶縁破壊試験の結果が不良（×）であると評価した。評価結果を表１～３に併せて示す。

　表１～３に示す試料のうち、本発明の要件を備えていない狭幅部の断面積が５μｍ²の試料番号１（表１）の試料（内部電極：ニッケル）、および試料番号２１（表２）の試料（内部電極：銅）の場合、外部電極と内部電極とのコンタクトがとれず、容量を取得できないことが確認された。

　また、内部電極にＡｇ－Ｐｄを用いた表３の試料番号４１の試料の場合、狭幅部の断面積が４０μｍ²と本発明の要件を満たしていても、狭幅部が溶断してヒューズ機能が働いた後の放電による電圧降下があり、好ましくないことが確認された。
　これは、貴金属電極であるＡｇ－Ｐｄ電極の場合、電極表面が酸化されることがないため、狭幅部の断面積を４０μｍ²以下としても、絶縁性が得られず、狭幅部が溶断してヒューズ機能が働いた後における放電が起こりやすくなることによる。

　これに対し、狭幅部の断面積が１０～４０μｍ²の試料、すなわち、内部電極がニッケルから形成されている表１の試料番号２～１０，１３，１４の試料、内部電極が銅から形成されている表２の試料番号２２～３０，３３，３４の試料では、狭幅部が溶断してヒューズ機能が働いた後の放電の発生は認められなかった。

　（２－２）ＨＡＬＴ試験
　上述のようにして作製した試料のそれぞれについて、ＨＡＬＴ試験（Highly Accelerated Life Test）として、周囲温度１５０℃で、試料にＤＣ１５０Ｖ（測定数１０個）を印加し、絶縁抵抗の経時変化を調査した。
　そして、絶縁抵抗の挙動から、狭幅部が溶断してヒューズ機能が働いた後にコンデンサとしての機能が残っているかどうかの評価を行った。

　上述のようにして作製した各試料について行ったＨＡＬＴ試験のうち、例として、本発明の要件を備えた、表１の試料番号８の試料と、本発明の要件を備えていない表１の試料番号１１の試料についての、絶縁抵抗の経時変化の挙動を図５および図６に示す。

　また、内部電極が狭幅部を備えていないことを除いて、試料番号８の試料と同じ構成の比較用試料（積層セラミックコンデンサ）を作製し、この試料についても、絶縁抵抗の経時変化を調査した。その結果を図７に示す。
　なお、この狭幅部を有しない積層セラミックコンデンサにおいては内部電極をニッケル電極とし、厚みは０．４μｍとした。その他は同じ条件とした。

　図５に示すように、断面積が４０μｍ²で本発明の要件を備えている試料番号８の試料では、約８７０００秒（約２４時間）の時点で、狭幅部（ヒューズ部）が溶断することが確認された。そして、この試料番号８の試料では、狭幅部（ヒューズ部）が溶断した後も、絶縁抵抗は約１０⁶Ω程度の値が得られており、コンデンサとしての機能を保持していることが確認された。

　また、狭幅部の断面積が１０～４０μｍ²の範囲にある、本発明の要件を備えた他の試料（表１の試料番号２～７，９，１０，１３，１４の試料、内部電極が銅から形成されている表２の試料番号２２～３０，３３，３４の試料）についても、ＨＡＬＴ試験において図５に示す挙動と同様の挙動を示し、狭幅部（ヒューズ部）が溶断した後も、コンデンサとしての機能を保持することが確認された。

　一方、断面積が４５μｍ²で本発明の要件を備えていない試料番号１１の試料の場合、図６に示すように、約８７０００秒（約２４時間）の時点で狭幅部（ヒューズ部）が溶断することが確認された。しかし、この試料番号１１の試料の場合、狭幅部（ヒューズ部）が溶断した後の絶縁抵抗が極めて大きくなっており、コンデンサとしての機能を果たさない状態となることが確認された。これは狭幅部の断面積が大きいため、狭幅部において内部電極が溶断したときの、内部電極の溶融に伴う体積変化によりセラミック素子が破壊され、完全にオープンの状態になったことによるものである。

　また、断面積が４０μｍ²を超えており、本発明の要件を備えていない他の試料（試料番号１２，１５,１６,３１,３２,３５および３６）の場合も、上述の試料番号１１の場合と同様に、ＨＡＬＴ試験において好ましくない結果が得られた。

　また、内部電極が狭幅部を備えていない上述の比較用試料の場合、図７に示すように、約８２００秒（約２３時間）の時点で絶縁破壊が生じ、ショートしてしまうことが確認された。

　上述の結果から、本発明の要件を満たさない試料の場合には、
　（ａ）狭幅部の断面積が本発明の範囲（１０～４０μｍ²）を超えると、狭幅部において内部電極が溶断することによりオープンとなるが、溶断部における電極の収縮が速やかに進まず、電極表面の酸化が不十分になるため、溶断された電極間で放電が起こりやすくなること、
　（ｂ）狭幅部の断面積が本発明の範囲（１０～４０μｍ²）を下回ると、外部電極と内部電極のコンタクトが不十分になり、コンデンサとしての機能を果たさなくなること、
　（ｃ）内部電極がＡｇ－Ｐｄ電極のような貴金属電極の場合、狭幅部で溶断しても電極表面が酸化されず、狭幅部の断面積を４０μｍ²以下にした場合にも、溶断後に絶縁性が得られず、放電が起こりやすくなり、コンデンサとしての機能を果たさなくなること
　が確認された。

　一方、本発明の要件を満たす試料のように、内部電極をニッケルまたは銅から形成し、狭幅部の断面積を１０～４０μｍ²の範囲とした場合、狭幅部で内部電極が溶断すると、溶融した電極材料が玉化して、速やかに収縮し、電極表面が酸化されることで、高い絶縁性が確保され、溶断後の放電の発生を防止できること、すなわち、コンデンサとしての機能が保持されることが確認された。

　なお、上記実施形態では、内部電極２（２ａ，２ｂ）のセラミック素子１０の端面３（３ａ，３ｂ）への引き出し部２２（２２ａ，２２ｂ）に狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）を設けるようにしたが、例えば、図８に示すように、狭幅部１２を、内部電極２の引き出し方向の中央に近い位置に設けるようにすることも可能である。

　さらに、上記実施形態のように、引き出し部分２２（２２ａ，２２ｂ）に狭幅部１２（１２ａ，１２ｂ）を設ける場合においても、例えば図９に示すように、狭幅部１２を幅方向中央ではなく、幅方向の一方側端部に設けることも可能である。

　また、例えば、図１０に示すように、引き出し部２２においては内部電極２の幅を狭くせず、セラミック素体１０の端面３から少し後退した位置に狭幅部１２を設けるようにすることも可能である。このようなパターンとした場合、内部電極と外部電極の接続信頼性を確保しつつ、静電容量の形成に寄与する有効領域の面積を十分に確保することが可能になり、好ましい。

　また、狭幅部は、内部電極にＶ字状やＵ字状の切込みを入れたような形状とすることも可能であり、その具体的な形状に特別の制約はない。

　なお、上記実施形態では、有効誘電体セラミック層（内部電極間に位置するセラミック層）の総数が２層である場合について説明したが、有効誘電体セラミック層の数にとくべつの制約はなく、通常の積層セラミックコンデンサにおいて適用される範囲で任意の層数とすることが可能である。

　本発明はその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、誘電体層であるセラミック層を構成するセラミック材料の種類、外部電極の構成材料などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

　１　　　　　　　　セラミック層
　２（２ａ，２ｂ）　内部電極
　３（３ａ，３ｂ）　セラミック素子の端面
　４（４ａ，４ｂ）　外部電極
　１０　　　　　　　セラミック素子（セラミック積層体）
　１２（１２ａ，１２ｂ）　内部電極の狭幅部
　２２（２２ａ，２２ｂ）　内部電極の引き出し部
　Ｗ　　　　　　　　内部電極の狭幅部の幅
　Ｗ₀ 　　　　　　　内部電極の他の部分の幅

Claims

　誘電体層として機能するセラミック層と、前記セラミック層を介して積層された内部電極とを備え、前記内部電極の引き出し部が端面に引き出された構造を有するセラミック素子に、前記内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサであって、
　前記内部電極は、ニッケルまたは銅からなり、かつ、その引き出し方向に直交する方向の寸法である幅が、他の部分の幅よりも狭くなるように形成された狭幅部を備えているとともに、
　前記狭幅部の、前記引き出し方向に直交する方向の断面の面積が１０～４０μｍ²の範囲にあること
　を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
　前記狭幅部は、前記内部電極の前記セラミック素子の前記端面への前記引き出し部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。