WO2015182279A1 - 蒸着装置および蒸着方法 - Google Patents

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WO2015182279A1
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vapor deposition
substrate
deposition mask
mask
gap
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勇毅 小林
菊池　克浩
伸一 川戸
越智　貴志
和樹 松永
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Sharp Corp
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method.
  • This application claims priority on May 30, 2014 based on Japanese Patent Application No. 2014-113468 for which it applied to Japan, and uses the content for it here.
  • Patent Document 1 a method of performing deposition while moving a deposition source and a deposition mask relative to the substrate has been proposed (for example, Patent Document 1).
  • this vapor deposition method since the entire surface of the substrate is vapor-deposited while moving the vapor deposition mask relative to the substrate in a stepwise manner (scanning), the size of the vapor deposition mask can be made smaller than that of the substrate. Therefore, the evaporation mask is less likely to be bent, and variations in film thickness are suppressed.
  • One embodiment of the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of suppressing both the variation in film thickness and the blurring of the vapor deposition pattern.
  • the vapor deposition apparatus comprises: A substrate holding portion for holding a substrate; a vapor deposition mask disposed on one surface of the substrate; and a relative relationship between the vapor deposition mask and the substrate in a direction parallel to the one surface in a state where the vapor deposition mask and the substrate are separated from each other.
  • a first moving device that changes the position in a stepwise manner, and before the relative movement between the deposition mask and the substrate by the first moving device starts, the deposition mask and the substrate are moved away from each other.
  • the relative movement between the vapor deposition mask and the substrate is adjusted, and the relative movement between the vapor deposition mask and the substrate by the first moving device is stopped, the vapor deposition mask and the substrate are moved.
  • a gap adjusting device that adjusts the gap between the deposition mask and the substrate, and the gap adjusting device and the front surface of the deposition mask.
  • a shutter may be included that shields an emission path of the vapor deposition particles from the vapor deposition source toward the opening.
  • the vapor deposition apparatus includes a temperature control means for lowering a vapor deposition temperature of the vapor deposition source when an injection path of the vapor deposition particles from the vapor deposition source toward the opening is shielded by the shutter. Can be included.
  • the vapor deposition source and the substrate are arranged in a direction parallel to the one surface when the vapor deposition source supplies the vapor deposition particles to the one surface through the opening.
  • a second moving device for relative movement may be included.
  • the second moving device can relatively move the vapor deposition source and the substrate so that the vapor deposition source reciprocates as viewed from the substrate.
  • the gap adjusting device can align the vapor deposition mask with respect to the substrate by rotating the vapor deposition mask around a rotation axis orthogonal to the one surface. .
  • the vapor deposition mask is disposed on one surface side of the substrate, and the vapor deposition mask and the substrate are changed in steps in a direction parallel to the one surface.
  • the injection path can be shielded.
  • the vapor deposition temperature of the vapor deposition source can be lowered while the injection path of the vapor deposition particles is shielded.
  • the vapor deposition source and the substrate can be relatively moved in a direction parallel to the one surface while the first step is performed.
  • the relative movement can be performed such that the vapor deposition source reciprocates as viewed from the substrate.
  • the vapor deposition mask is rotated around a rotation axis orthogonal to the one surface to align the vapor deposition mask with respect to the substrate. be able to.
  • a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method that can suppress both variations in film thickness and blurring of a vapor deposition pattern.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating a vapor deposition apparatus according to this embodiment.
  • 2 to 6 are schematic views for explaining the vapor deposition method according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the flow of the vapor deposition method.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes a substrate holding unit 110, a vapor deposition mask 120, a first moving device 130, a gap adjusting device 140, a vapor deposition source 150, a shutter 160, and a temperature control unit 170. And a second moving device 180.
  • the vapor deposition apparatus 100 deposits vapor deposition particles on the one surface 51 through the vapor deposition mask 120 while relatively moving the substrate 50 and the vapor deposition mask 120 in a direction parallel to the one surface 51 of the substrate 50.
  • a method of performing vapor deposition on one surface 51 of the substrate 50 while relatively moving (scanning) the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is referred to as scan vapor deposition, and a direction SD in which the vapor deposition mask 120 moves relative to the substrate 50 is referred to as a scan direction. May be called.
  • the substrate holding unit 110 holds the substrate 50 so that one surface 51 of the substrate 50 faces the vapor deposition source 150.
  • the substrate holding unit 110 is, for example, an arm-shaped member that holds the substrate 50 horizontally, but the configuration of the substrate holding unit 110 is not limited thereto, and the substrate may be held by, for example, an electrostatic chuck mechanism.
  • the active area 52 jk is an area where a vapor deposition pattern is formed, for example, an area corresponding to one panel of an organic EL display device.
  • the one-dimensional array arranged in parallel with the scan direction SD is referred to as “row”, and the one-dimensional array arranged in parallel with the direction orthogonal to the scan direction SD (hereinafter referred to as “width direction”) is referred to as “column”.
  • the number of rows in the array of the active area 52 jk is s, and the number of columns is t.
  • the active area 52 jk is an active area arranged in the jth row and the kth column.
  • the vapor deposition mask 120 is disposed on the one surface 51 side of the substrate 50.
  • the vapor deposition mask 120 is provided with an opening 121.
  • the opening 121 includes, for example, s pattern openings 121 1 to 121 s arranged in a line in the width direction.
  • the shape of the pattern opening 121 j is a plurality of slits parallel to the scanning direction SD, but is not limited to this shape, and may be, for example, a slot shape.
  • the size can be arranged. Since the vapor deposition mask 120 may be smaller than the substrate 50, even if the substrate 50 is enlarged, the vapor deposition mask is not easily bent. Therefore, variations in film thickness are suppressed.
  • deposition plates 123 are provided at both ends of the vapor deposition mask 120 in the scanning direction SD.
  • the deposition preventing plate 123 blocks a path through which the vapor deposition particles that reach the one surface 51 via the outside of the vapor deposition mask 120 fly. Thereby, the vapor deposition particles reach the one surface 51 only through the opening 121 of the vapor deposition mask 120. As a result, unnecessary vapor deposition particles that do not contribute to patterning can be prevented from being deposited on one surface 51.
  • the first moving device 130 moves the vapor deposition mask 120 relative to the substrate 50 in the scanning direction SD.
  • the first moving device 130 can be configured using a driving mechanism such as a ball screw, for example.
  • the position of the substrate 50 is fixed, and the position of the vapor deposition mask 120 is moved by the first moving device 130.
  • the position of the vapor deposition mask 120 may be fixed and the position of the substrate 50 may be moved by the first moving device 130, and both the positions of the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 may be moved by the first moving device 130. It may be configured to be moved.
  • the first moving device 130 operates in a state where the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are separated from each other so that the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 do not come into contact with each other.
  • the gap adjusting device 140 moves the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 relative to each other in a direction approaching or separating from each other. Thereby, the gap 141 (see FIG. 2) between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 can be adjusted.
  • the gap adjusting device 140 separates the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 after the vapor deposition is completed in one active area row 52 k and before the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are relatively moved. Thereby, it can prevent that the vapor deposition mask 120 and the board
  • the gap adjustment device 140 stops the relative movement between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 and brings the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 close to each other before vapor deposition is performed in the active area row 52 k that is the movement destination. Thereby, it is suppressed that the edge of the vapor deposition film extends outside the edge of the pattern of the opening 121 of the vapor deposition mask 120 (pattern openings 121 1 to 121 s ), and blurring of the vapor deposition pattern is suppressed.
  • the size of the gap 141 (see FIG. 2) during the relative movement of the deposition mask 120 and the substrate 50 is preferably 1 mm or more. There is no particular upper limit, but if the gap is increased too much, the gap adjustment time becomes longer and the tact time is worsened. On the other hand, the size of the gap 141 during vapor deposition is preferably 0.1 mm to 0.3 mm.
  • the gap adjusting device 140 relatively moves the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 in a direction perpendicular to the one surface 51.
  • the gap adjusting device 140 can be configured using, for example, a driving mechanism such as an electric cylinder mechanism.
  • the position of the substrate 50 is fixed, and the position of the vapor deposition mask 120 is moved by the gap adjusting device 140.
  • the position of the vapor deposition mask 120 may be fixed and the position of the substrate 50 may be moved by the gap adjusting device 140, or the position of both the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 may be moved by the gap adjusting device 140. .
  • the gap adjusting device 140 includes, for example, a rotation mechanism that rotates the vapor deposition mask 120 around a rotation axis orthogonal to the one surface 51.
  • a rotation mechanism that rotates the vapor deposition mask 120 around a rotation axis orthogonal to the one surface 51.
  • the rotation mechanism for example, a known rotation mechanism used in a rotation stage or the like is used.
  • the gap adjusting device 140 can align the deposition mask 120 with respect to the substrate 50 by rotating the deposition mask 120 around a rotation axis orthogonal to the one surface 51.
  • the vapor deposition source 150 is adjusted after the gap 141 (see FIG. 2) between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is adjusted by the gap adjusting device 140 being relatively moved in the direction in which the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are close to each other.
  • the vapor deposition particles are supplied to one surface 51 of the substrate 50 through the opening 121 provided in the vapor deposition mask 120. As a result, a film of vapor deposition particles is formed on the one surface 51 exposed from the opening 121.
  • the vapor deposition source 150 includes a nozzle unit 152 that ejects vapor deposition particles.
  • the nozzle unit 152 includes, for example, s nozzles 152 1 to 152 s arranged in a line in the width direction.
  • the s nozzles 152 1 to 152 s are provided in one-to-one correspondence with the s pattern openings 121 1 to 121 s , respectively.
  • the injection path 151 is a set of paths through which individual vapor deposition particles fly.
  • the flight path of each vapor deposition particle starts from the nozzle portion 152 of the vapor deposition source 150 and reaches a point in the opening 121 of the vapor deposition mask 120.
  • injection is performed.
  • a vapor deposition particle limiting unit 153 may be provided on the side facing the vapor deposition mask 120 of the vapor deposition source 150.
  • the vapor deposition particle restriction unit 153 is fixed at a relative position in the vertical direction and the horizontal direction with respect to the vapor deposition source 150.
  • the vapor deposition particle restriction unit 153 is provided with a plurality of through holes 154 through which vapor deposition particles pass.
  • the vapor deposition particle restriction unit 153 includes, for example, s through holes 154 1 to 154 s arranged in a line in the width direction.
  • the s through holes 154 1 to 154 s are provided in one-to-one correspondence with the s nozzles 152 1 to 152 s , respectively.
  • the shutter 160 is a plate-like member that can be inserted between the vapor deposition mask 120 and the vapor deposition source 150.
  • the shutter 160 has a gap 141 (see FIG. 2) between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 when the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are relatively moved by the first moving device 130, and by the gap adjusting device 140.
  • the vapor deposition particle emission path 151 from the vapor deposition source 150 toward the opening 121 is shielded.
  • vapor deposition can be performed on the substrate 50 only when the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are close to each other.
  • the shutter 160 is provided between the vapor deposition mask 120 and the vapor deposition particle restriction unit 153, but may be provided between the vapor deposition particle restriction unit 153 and the nozzle unit 152.
  • the length of the shutter 160 in the scanning direction SD is long enough to cover all the active area columns 52 1 to 52 t from the first column to the t-th column.
  • the temperature control means 170 controls the temperature of the vapor deposition source 150.
  • the temperature control unit 170 lowers the vapor deposition temperature of the vapor deposition source 150 when the ejection path 151 of vapor deposition particles from the vapor deposition source 150 toward the opening 121 is shielded by the shutter 160. Thereby, while vapor deposition is not performed on the substrate 50, flying of vapor deposition particles can be suppressed, and consumption of unnecessary vapor deposition material can be suppressed.
  • the second moving device 180 moves the vapor deposition source 150 relative to the substrate 50 in the scanning direction SD.
  • the second moving device 180 relatively moves the vapor deposition source 150 and the substrate 50 using a driving mechanism such as a ball screw.
  • a driving mechanism such as a ball screw.
  • the position of the substrate 50 is fixed, and the position of the vapor deposition source 150 is moved by the second moving device 180.
  • the second moving device 180 relatively moves the vapor deposition source 150 and the substrate 50 in a direction parallel to the one surface 51 when the vapor deposition source 150 supplies the vapor deposition particles to the one surface 51 through the opening 121. Thereby, the dispersion
  • the vapor deposition mask 120 is disposed on the one surface 51 side of the substrate 50, and the relative position between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is changed stepwise in a direction parallel to the one surface 51.
  • a plurality of vapor deposition pattern rows are sequentially formed on the one surface 51 by depositing vapor deposition particles on the one surface 51 through the first surface 51.
  • the vapor deposition step (first step) S1 the determination step S2, the gap widening step (second step) S3, and the moving step (third step) S4.
  • a gap reduction step (fourth step) S5 are sequentially performed.
  • one deposition pattern row is formed on one surface 51 of the substrate 50 while fixing the relative position between the substrate 50 and the deposition mask 120.
  • One vapor deposition pattern row includes s vapor deposition patterns. Each of the s vapor deposition patterns is a film of vapor deposition particles deposited through the s pattern openings 121 1 to 121 s .
  • the relative position between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is fixed.
  • the size of the gap 141 between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is set to be sufficiently small. Thereby, it can suppress that blur arises in the edge of a vapor deposition pattern.
  • the deposition source 150 When the deposition for the k-th active area row 52 k starts, the deposition source 150 is located at the deposition start position 150 a for the k-th active area row 52 k .
  • the shutter 160 is pulled out of the space between the vapor deposition mask 120 and the vapor deposition source 150 when vapor deposition on the k-th active area row 52 k starts. Thereby, the injection path from the vapor deposition source 150 to the opening 121 of the vapor deposition mask 120 is opened. As a result, the deposition for the active area row 52 k in the k-th row starts.
  • the second moving device 180 moves the vapor deposition source 150 to the vapor deposition start position 150 a for the k-th active area row 52 k. from to evaporation end position 150b relative to the active area column 52 k of the k-th column, it is relatively moved in the scanning direction SD to the substrate 50.
  • the shutter 160 is inserted into a space between the vapor deposition mask 120 and the vapor deposition source 150 located at the vapor deposition end position 150b. Thereby, the injection path from the vapor deposition source 150 to the opening 121 of the vapor deposition mask 120 is closed. As a result, the deposition step S1 for the kth active area row 52k is completed.
  • the gap adjusting device 140 (see FIG. 1) separates the vapor deposition mask 120 and the substrate 50.
  • the gap adjusting device 140 stops the relative movement between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50.
  • the second moving device 180 moves the vapor deposition source 150 relative to the substrate 50 in the scanning direction, as shown in FIG. 3. It may be moved relative to SD.
  • the shutter 160 moves relative to the substrate 50 in the scanning direction SD following the vapor deposition source 150 so that the emission path from the vapor deposition source 150 to the opening 121 of the vapor deposition mask 120 is kept closed.
  • the first mobile device 130 (see FIG. 1), the deposition mask 120, first through the opening 121 is an active area column 52 k a position facing the column k (k + 1)
  • the substrate 50 is moved relative to the substrate 50 in the scanning direction SD to a position facing the active area row 52 k + 1 .
  • the first moving device 130 stops the relative movement between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50.
  • the second moving device 180 scans the vapor deposition source 150 relative to the substrate 50 as shown in FIG.
  • the relative movement may be performed in the direction SD.
  • the shutter 160 moves relative to the substrate 50 in the scanning direction SD following the vapor deposition source 150 so that the emission path from the vapor deposition source 150 to the opening 121 of the vapor deposition mask 120 is kept closed.
  • the gap adjusting device 140 brings the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 close to each other.
  • the gap adjusting device 140 stops the relative movement between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50.
  • the deposition mask 120 may be rotated around a rotation axis orthogonal to the one surface 51 and aligned with the substrate 50 in the gap reduction step S5.
  • the second moving device 180 moves the vapor deposition source 150 relative to the substrate 50 in the scanning direction SD. Also good. In this case, the shutter 160 moves relative to the substrate 50 in the scanning direction SD following the vapor deposition source 150 so that the emission path from the vapor deposition source 150 to the opening 121 of the vapor deposition mask 120 is kept closed.
  • the second moving device 180 moves the deposition source 150 relative to the substrate 50 in the scanning direction SD, and moves the deposition source 150 to the first level. (k + 1) to reach the deposition start position 150c relative to the active area column 52 k + 1 columns.
  • the second moving device 180 moves the vapor deposition source 150 to the (k + 1) th active area column 52 k + 1 .
  • the substrate 50 is moved relative to the substrate 50 in the scanning direction SD from the deposition start position 150c to the deposition end position 150d for the (k + 1) th active area row 52k + 1 .
  • vapor deposition is performed from the active area column 52 1 of the first column to the active area column 52 t of the t column. Thereby, vapor deposition is completed in the whole area of the active area group 52.
  • the vapor deposition source 150 has continued to move in the scanning direction SD, but is not limited to this mode.
  • the deposition end position 150b relative to the active area column 52 k of the k rows, spaced from the substrate 50 of the deposition mask 120, movement in the scanning direction SD of the deposition mask 120, after the proximity to the substrate 50 of the deposition mask 120, the deposition source 150 from the deposition end position 150b relative to the active area column 52 k of the k-th column (k + 1) th row You may move to the vapor deposition start position 150c with respect to the active area row 52 k + 1 .
  • the active area of the substrate 50 is rotationally symmetric with respect to the rotation axis orthogonal to the one surface 51 and the number t of active area columns is an even number
  • the vapor deposition source 150 is moved in the scanning direction SD.
  • the deposited active area row is switched from the first row to the t / 2th row to the (t / 2 + 1) th row to the tth row
  • the substrate 50 is rotated 180 ° around the rotation axis orthogonal to the one surface 51. Rotate and reposition.
  • the vapor deposition source 150 is moved in the direction opposite to the scan direction SD. Thereby, the moving range of the vapor deposition source 150 can be halved. As a result, the scale of the second moving device 180 can be reduced, and the equipment cost can be reduced.
  • the temperature of the vapor deposition source 150 may be lowered using the temperature control means 170 while vapor deposition is not performed. Thereby, consumption of an unnecessary material can be suppressed.
  • FIG. 8 is a perspective view illustrating the vapor deposition apparatus according to this embodiment.
  • 9 to 13 are schematic views for explaining the vapor deposition method according to the present embodiment.
  • the first moving device 230 moves the substrate 50 relative to the vapor deposition mask 120.
  • the gap adjusting device 240 moves the substrate 50 close to or away from the vapor deposition mask 120.
  • the second moving device 280 reciprocates the vapor deposition source 150 with respect to the vapor deposition mask 120.
  • the shutter 260 has a shorter length in the scanning direction SD. In these points, the present embodiment is greatly different from the first embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 200 includes a substrate holding unit 110, a vapor deposition mask 120, a first moving device 230, a gap adjusting device 240, a vapor deposition source 150, a shutter 260, a temperature control unit 170, and a second moving device. 280.
  • the first moving device 230 moves the substrate 50 relative to the vapor deposition mask 120 in the direction opposite to the scanning direction SD.
  • the first moving device 230 can be configured using a driving mechanism such as a ball screw, for example.
  • the position of the vapor deposition mask 120 is fixed, and the position of the substrate 50 is moved by the first moving device 230.
  • the substrate 50 is moved by, for example, fixing the substrate 50 to the substrate holding unit 110 and moving the substrate 50 together with the substrate holding unit 110.
  • the first moving device 230 operates in a state where the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are separated from each other so that the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 do not come into contact with each other.
  • k 1 to t
  • the gap adjusting device 240 moves the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 relative to each other in a direction approaching or separating from each other. As a result, the gap 141 (see FIG. 9) between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 can be adjusted.
  • the gap adjusting device 240 separates the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 after the vapor deposition is completed in one active area row 52 k and before the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are relatively moved. Thereby, it can prevent that the vapor deposition mask 120 and the board
  • the gap adjusting device 240 brings the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 close to each other before the relative movement between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 stops and vapor deposition is performed in the active area row 52 k that is the movement destination. Thereby, it is suppressed that the edge of the vapor deposition film extends outside the edge of the pattern of the opening 121 of the vapor deposition mask 120 (pattern openings 121 1 to 121 s ), and blurring of the vapor deposition pattern is suppressed.
  • the size of the gap 141 (see FIG. 9) during the relative movement of the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is preferably 1 mm or more. There is no particular upper limit, but if the gap is increased too much, the gap adjustment time becomes longer and the tact time is worsened. On the other hand, the size of the gap 141 during vapor deposition is preferably 0.1 mm to 0.3 mm.
  • the gap adjusting device 240 relatively moves the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 in a direction perpendicular to the first surface 51.
  • the gap adjusting device 240 can be configured using a drive mechanism such as an electric cylinder mechanism, for example.
  • the position of the vapor deposition mask 120 is fixed, and the position of the substrate 50 is moved by the gap adjusting device 240.
  • a configuration in which the position of the substrate 50 is fixed and the position of the vapor deposition mask 120 is moved by the gap adjusting device 240 or a position in which both the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are moved by the gap adjusting device 240 may be adopted. .
  • the gap adjusting device 240 includes, for example, a rotation mechanism that rotates the vapor deposition mask 120 around a rotation axis orthogonal to the one surface 51.
  • a rotation mechanism for example, a rotation mechanism used in a rotation stage or the like is used.
  • the gap adjusting device 140 can align the deposition mask 120 with respect to the substrate 50 by rotating the deposition mask 120 around a rotation axis orthogonal to the one surface 51.
  • the shutter 260 is a plate-like member that can be inserted between the vapor deposition mask 120 and the vapor deposition source 150.
  • the shutter 260 has a gap 141 (see FIG. 9) between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 when the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are relatively moved by the first moving device 230 and by the gap adjusting device 240.
  • the vapor deposition particle emission path 151 from the vapor deposition source 150 toward the opening 121 is shielded. Thereby, vapor deposition can be performed on the substrate 50 only when the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 are close to each other. As a result, the blur of the vapor deposition pattern can be further suppressed.
  • the second moving device 280 reciprocates the vapor deposition source 150 with respect to the substrate 50 in parallel with the scanning direction SD while vapor deposition is being performed.
  • the second moving device 280 relatively moves the vapor deposition source 150 and the vapor deposition mask 120 using a drive mechanism such as a ball screw.
  • the substrate 50 is stopped during vapor deposition, and the position of the vapor deposition source 150 is moved by the second moving device 180.
  • the second moving device 280 relatively moves the vapor deposition source 150 and the substrate 50 in a direction parallel to the one surface 51 when the vapor deposition source 150 supplies the vapor deposition particles to the one surface 51 through the opening 121. Thereby, the dispersion
  • the position of the vapor deposition mask 120 is fixed, and the position of the substrate 50 is moved by the first moving device 230. For this reason, the vapor deposition source 150 can reciprocate only in the vicinity of the position facing the fixed opening 121. As a result, the driving cost of the vapor deposition source 150 can be reduced.
  • the length of the shutter 260 in the scanning direction SD is sufficient to cover one row in the active area group 52 of the substrate 50.
  • the weight of the shutter 260 can be reduced, so that the shutter 260 can be prevented from being bent and the driving cost can be reduced.
  • the vapor deposition mask 120 is disposed on the one surface 51 side of the substrate 50, and the relative position between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is changed stepwise in a direction parallel to the one surface 51.
  • a plurality of vapor deposition pattern rows are sequentially formed on the one surface 51 by depositing vapor deposition particles on the one surface 51 through the first surface 51.
  • the vapor deposition step (first step) S1 the determination step S2, the gap widening step (second step) S3, and the moving step (third step) S4.
  • a gap reduction step (fourth step) S5 are sequentially performed.
  • the relative position between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is fixed.
  • the size of the gap 141 between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 is set to be sufficiently small. Thereby, it can suppress that blur arises in the edge of a vapor deposition pattern.
  • the vapor deposition source 150 is located at the first position 150p.
  • the shutter 260 is pulled out of the space between the vapor deposition mask 120 and the vapor deposition source 150. Thereby, the injection path from the vapor deposition source 150 to the opening 121 of the vapor deposition mask 120 is opened. As a result, the deposition for the active area row 52 k in the k-th row starts.
  • the second moving device 280 moves the vapor deposition source 150 between the first position 150p and the second position 150q. Are reciprocated in parallel with the scanning direction SD with respect to the substrate 50.
  • the vapor deposition source 150 moves relative to the substrate 50 while vapor deposition is performed.
  • vapor deposition particles are deposited from various directions from the first position 150p to the second position 150q while vapor deposition is performed on the k-th active area row 52k.
  • variations in film thickness can be suppressed and the film thickness can be made uniform.
  • the shutter 260 is inserted into a space between the vapor deposition mask 120 and the vapor deposition source 150 located at the first position 150p. Thereby, the injection path from the vapor deposition source 150 to the opening 121 of the vapor deposition mask 120 is closed. As a result, the vapor deposition step (first step) S1 for the active area row 52k in the kth row is completed.
  • the gap adjusting device 240 (see FIG. 8) separates the vapor deposition mask 120 and the substrate 50.
  • the gap adjusting device 240 stops the relative movement between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50.
  • the first mobile device 230 (see FIG. 8) is a substrate 50, first the opening portion 121 is an active area column 52 k a position facing the column k (k + 1) columns Is moved relative to the vapor deposition mask 120 in a direction opposite to the scanning direction SD to a position facing the active area row 52 k + 1 .
  • the first moving device 230 stops the relative movement between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50.
  • the gap adjusting device 240 brings the vapor deposition mask 120 and the substrate 50 close to each other.
  • the gap adjusting device 240 stops the relative movement between the vapor deposition mask 120 and the substrate 50.
  • the second moving device 280 moves the vapor deposition source 150 from the first position 150p to the second position 150q. Is reciprocated in parallel with the scanning direction SD with respect to the substrate 50.
  • vapor deposition is performed from the active area column 52 1 of the first column to the active area column 52 t of the t column. Thereby, vapor deposition is completed in the whole area of the active area group 52.
  • the vapor deposition source 150 has reciprocated between the first position 150p and the second position 150q.
  • the present invention is not limited to this mode.
  • the deposition source 150 moves from the first position 150p to the second position 150q in the scanning direction SD
  • the vapor deposition source 150 may move from the second position 150q to the first position 150p in the direction opposite to the scan direction SD. Good. Thereby, the deposition time can be shortened while the uniformity of the film thickness remains the same as in the first embodiment.
  • the temperature of the vapor deposition source 150 may be lowered using the temperature control means 170 while vapor deposition is not performed. Thereby, consumption of an unnecessary material can be suppressed.
  • One embodiment of the present invention can be applied to a vapor deposition apparatus or the like that needs to suppress both variation in film thickness and blurring of a vapor deposition pattern.

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Abstract

　蒸着マスク（１２０）と基板（５０）とが離間した状態で一面（５１）と平行な方向に蒸着マスク（１２０）と基板（５０）との相対位置をステップ状に変化させる第一の移動装置（１３０）と、第一の移動装置（１３０）による蒸着マスク（１２０）と基板（５０）との相対移動が開始する前に、蒸着マスク（１２０）と基板（５０）とを互いに離間する方向に相対移動させ、蒸着マスク（１２０）と基板（５０）との間のギャップを調整し、かつ、第一の移動装置（１３０）による蒸着マスク（１２０）と基板（５０）との相対移動が停止したときに、蒸着マスク（１２０）と基板（５０）とを互いに近接する方向に相対移動させ、蒸着マスク（１２０）と基板（５０）との間の前記ギャップを調整するギャップ調整装置（１４０）と、を含む蒸着装置（１００）。

Description

蒸着装置および蒸着方法
　本発明は、蒸着装置および蒸着方法に関するものである。
　本願は、２０１４年５月３０日に、日本に出願された特願２０１４－１１３４６８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　真空蒸着法を用いた基板のパターニング方法のひとつとして、蒸着源と蒸着マスクとを基板に対して相対移動させながら蒸着を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１）。この蒸着方法では、蒸着マスクを基板に対してステップ状に相対移動（スキャン）させながら、基板の全面を蒸着するので、蒸着マスクのサイズは基板よりも小さくすることができる。そのため、蒸着マスクの撓みが生じにくくなり、膜厚のバラツキが抑制される。
特開２００４－３４９１０１号公報
　しかし、上述の蒸着方法では、基板に対して相対移動する蒸着マスクが基板と接触しないようにするために、蒸着マスクと基板とを十分に離間させる必要がある。蒸着粒子の一部は、基板の法線に対し有限の角度をもって基板に入射する。このため、蒸着マスクと基板とが離間していると、蒸着膜の縁は蒸着マスクの開口部のパターンの縁よりも外側に広がってしまう。その結果、蒸着パターンにボケが発生するという問題が生じる。
　本発明の一態様は上記事情に鑑みてなされたものであって、膜厚のバラツキと蒸着パターンのボケとの両方を抑制できる蒸着装置および蒸着方法を提供することを目的とする。
　本発明の第一の態様に係る蒸着装置は、
基板を保持する基板保持部と、前記基板の一面側に配置された蒸着マスクと、前記蒸着マスクと前記基板とが離間した状態で前記一面と平行な方向に前記蒸着マスクと前記基板との相対位置をステップ状に変化させる第一の移動装置と、前記第一の移動装置による前記蒸着マスクと前記基板との相対移動が開始する前に、前記蒸着マスクと前記基板とを互いに離間する方向に相対移動させ、前記蒸着マスクと前記基板との間のギャップを調整し、かつ、前記第一の移動装置による前記蒸着マスクと前記基板との相対移動が停止したときに、前記蒸着マスクと前記基板とを互いに近接する方向に相対移動させ、前記蒸着マスクと前記基板との間の前記ギャップを調整するギャップ調整装置と、前記ギャップ調整装置によって前記蒸着マスクと前記基板とが互いに近接する方向に相対移動させられて前記蒸着マスクと前記基板との間の前記ギャップが調整された後に、前記蒸着マスクに設けられた開口部を介して前記一面に蒸着粒子を供給し、前記開口部から露出した前記一面に前記蒸着粒子の膜を形成する蒸着源と、を含む。
　本発明の第一の態様に係る蒸着装置は、前記第一の移動装置によって前記蒸着マスクと前記基板とが相対移動しているときおよび前記ギャップ調整装置によって前記蒸着マスクと前記基板との間の前記ギャップが調整されているときに、前記蒸着源から前記開口部に向かう前記蒸着粒子の射出経路を遮蔽するシャッターを含むことができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着装置は、前記シャッターによって前記蒸着源から前記開口部に向かう前記蒸着粒子の射出経路が遮蔽されているときに前記蒸着源の蒸着温度を下げる温度制御手段を含むことができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着装置は、前記蒸着源が前記開口部を介して前記一面に前記蒸着粒子を供給しているときに前記蒸着源と前記基板とを前記一面と平行な方向に相対移動させる第二の移動装置を含むことができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着装置は、前記第二の移動装置が、前記基板から見て前記蒸着源が往復移動するように前記蒸着源と前記基板とを相対移動させることができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着装置は、前記ギャップ調整装置が、前記蒸着マスクを前記一面と直交する回転軸のまわりに回転させて前記蒸着マスクを前記基板に対してアラインメントすることができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着方法は、基板の一面側に蒸着マスクを配置し、前記一面と平行な方向に前記蒸着マスクと前記基板との相対位置をステップ状に変化させながら前記蒸着マスクを介して前記一面に蒸着粒子を堆積させることにより、前記一面上に複数の蒸着パターン列を順次形成する蒸着方法であって、前記基板と前記蒸着マスクとの相対位置を固定して、前記蒸着マスクに設けられた開口部を介して前記一面に蒸着源から前記蒸着粒子を供給し、前記基板の一面上に１つの前記蒸着パターン列を形成する第１ステップと、前記第１ステップが終了した後に前記蒸着マスクと前記基板とを互いに離間する方向に相対移動させ、前記蒸着マスクと前記基板との間のギャップを調整する第２ステップと、前記蒸着マスクと前記基板とが離間した状態で前記一面と平行な方向に前記蒸着マスクと前記基板との相対位置を変化させる第３ステップと、前記蒸着マスクと前記基板との相対移動が停止したときに前記蒸着マスクと前記基板とを互いに近接する方向に相対移動させ、前記蒸着マスクと前記基板との間のギャップを調整する第４ステップと、を含む。
　本発明の第一の態様に係る蒸着方法において、前記第２ステップ、前記第３ステップおよび前記第４ステップが行われる間、前記蒸着源から前記蒸着マスクに設けられた開口部に向かう前記蒸着粒子の射出経路を遮蔽することができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着方法において、前記蒸着粒子の射出経路が遮蔽される間、蒸着源の蒸着温度を下げることができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着方法において、前記第１ステップが行われる間、前記蒸着源と前記基板とを前記一面と平行な方向に相対移動させることができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着方法において、前記相対移動は、前記基板から見て前記蒸着源が往復移動するように行うことができる。
　本発明の第一の態様に係る蒸着方法において、前記第４ステップが行われる間、前記蒸着マスクを前記一面と直交する回転軸のまわりに回転させて前記蒸着マスクを前記基板に対してアラインメントすることができる。
　本発明の一態様によれば、膜厚のバラツキと蒸着パターンのボケとの両方を抑制できる蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
第一の実施形態に係る蒸着装置を説明する斜視図である。 第一の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第一の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第一の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第一の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第一の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第一および第二の実施形態に係る蒸着方法のフローを説明する図である。 第二の実施形態に係る蒸着装置を説明する斜視図である。 第二の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第二の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第二の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第二の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。 第二の実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。
［第一の実施形態］
　以下、本発明の第一の実施形態について、図１から図６を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る蒸着装置を説明する斜視図である。図２から図６は、本実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。図７は、蒸着方法のフローを説明する図である。
（蒸着装置）
　図１に示すように、蒸着装置１００は、基板保持部１１０と、蒸着マスク１２０と、第一の移動装置１３０と、ギャップ調整装置１４０と、蒸着源１５０と、シャッター１６０と、温度制御手段１７０と、第二の移動装置１８０と、を含む。
　蒸着装置１００は、基板５０と蒸着マスク１２０とを基板５０の一面５１と平行な方向に相対移動させながら蒸着マスク１２０を介して一面５１に蒸着粒子を堆積させる。以下、蒸着マスク１２０と基板５０とを相対移動（スキャン）させながら基板５０の一面５１に蒸着を行う方法をスキャン蒸着と称し、蒸着マスク１２０が基板５０に対して相対移動する方向ＳＤをスキャン方向と称することがある。
　基板保持部１１０は、基板５０の一面５１が蒸着源１５０と面するように、基板５０を保持する。基板保持部１１０は、例えば、基板５０を水平に保持するアーム状の部材であるが、基板保持部１１０の構成はこれに限定されず、例えば静電チャック機構で基板を保持しても良い。
　基板５０の一面５１には、複数のアクティブエリア５２ｊｋ（ｊ＝１～ｓ，ｋ＝１～ｔ。ｓは１以上の整数。ｔは２以上の整数）が、マトリクス状に配列されている。アクティブエリア５２ｊｋは、蒸着パターンが形成される領域であり、例えば有機ＥＬディスプレイ装置の１枚分のパネルに相当する領域である。以下、スキャン方向ＳＤに平行に並ぶ１次元配列を「行」、スキャン方向ＳＤと直交する方向（以下、「幅方向」という。）に平行に並ぶ１次元配列を「列」という。アクティブエリア５２ｊｋの配列の行数はｓ、列数はｔである。アクティブエリア５２ｊｋは、第ｊ行第ｋ列に配置されているアクティブエリアである。図１では、ｓ＝４，ｔ＝４の例を示すが、ｓ，ｔはこれらの値に限られない。同じ行（第ｊ行）に属するアクティブエリア５２ｊｋ（ｋ＝１～ｔ）は、すべて同じ形状である。
　以下、同じ列（第ｋ列）に属するアクティブエリア５２ｊｋ（ｊ＝１～ｓ）の集合を、アクティブエリア列５２ｋと称する。また、全アクティブエリア５２ｊｋ（ｊ＝１～ｓ，ｋ＝１～ｔ）の集合を、アクティブエリア群５２と称することがある。
　蒸着マスク１２０は、基板５０の一面５１側に配置される。蒸着マスク１２０には、開口部１２１が設けられる。開口部１２１は、例えば、幅方向に一列に配置されたｓ個のパターン開口１２１１～１２１ｓを含む。パターン開口１２１ｊ（ｊ＝１～ｓ）の形状は、第ｊ行に属するアクティブエリア５２ｊｋ（ｋ＝１～ｔ）に形成される蒸着パターンの形状に対応する。図１では、パターン開口１２１ｊの形状は、スキャン方向ＳＤに平行な複数のスリットであるが、この形状に限られるものではなく、例えばスロット形状でも良い。
　蒸着マスク１２０のスキャン方向ＳＤのサイズは、例えば、１列分のパターン開口１２１ｊ（ｊ＝１～ｓ）が配置できるサイズ、すなわち１列分のアクティブエリア５２ｊｋ（ｋ＝１～ｔ）が配置できるサイズとされる。蒸着マスク１２０が基板５０よりも小さくてよいので、基板５０が大型化しても、蒸着マスクの撓みが生じにくい。よって、膜厚のバラツキが抑制される。
　蒸着マスク１２０のスキャン方向ＳＤの両端には、例えば、防着板１２３が設けられる。防着板１２３は、蒸着マスク１２０の外側を経由して一面５１に到達する蒸着粒子が飛翔する経路を遮断する。これにより、蒸着粒子は、蒸着マスク１２０の開口部１２１のみを経由して一面５１に到達する。その結果、パターニングに寄与しない不要な蒸着粒子が一面５１に堆積することを防止できる。
　第一の移動装置１３０は、蒸着マスク１２０を基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させる。第一の移動装置１３０は、例えば、ボールねじなどの駆動機構を用いて構成できる。本実施形態では、基板５０の位置を固定し、蒸着マスク１２０の位置を第一の移動装置１３０によって移動させる構成となっている。しかし、蒸着マスク１２０の位置を固定し、基板５０の位置を第一の移動装置１３０によって移動させる構成であってもよく、蒸着マスク１２０と基板５０の双方の位置を第一の移動装置１３０によって移動させる構成であってもよい。
　第一の移動装置１３０は、蒸着マスク１２０と基板５０とが接触しないようにするため、蒸着マスク１２０と基板５０とが離間した状態で作動する。第一の移動装置１３０は、複数のアクティブエリア列５２ｋ（ｋ＝１～ｔ）が順次蒸着マスク１２０と対向するように、一面５１と平行な方向に蒸着マスク１２０と基板５０との相対位置をステップ状に変化させる。これにより、アクティブエリア列５２ｋごとに、パターニングを行うことが可能となる。
　ギャップ調整装置１４０は、蒸着マスク１２０と基板５０とを、互いに近接または離間する方向に相対移動させる。これにより、蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１（図２参照）を調整することが可能となる。
　ギャップ調整装置１４０は、１つのアクティブエリア列５２ｋで蒸着が終了した後、蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動が行われる前に、蒸着マスク１２０と基板５０とを離間させる。これにより、蒸着マスク１２０と基板５０とが相対移動する間、蒸着マスク１２０と基板５０とが接触することを防ぐことができる。
　ギャップ調整装置１４０は、蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動が停止し、移動先のアクティブエリア列５２ｋで蒸着が行われる前に、蒸着マスク１２０と基板５０とを互いに近接させる。これにより、蒸着膜の縁が蒸着マスク１２０の開口部１２１のパターン（パターン開口１２１１～１２１ｓ）の縁よりも外側に広がることが抑制され、蒸着パターンのボケが抑制される。
　蒸着マスク１２０と基板５０とが相対移動する間のギャップ１４１（図２参照）の大きさは、１ｍｍ以上であることが好ましい。上限は特にないが、あまりギャップを大きくするとギャップ調整時間が長くなりタクトタイムを悪化させることになる。一方、蒸着中のギャップ１４１の大きさは、０．１ｍｍ～０．３ｍｍであることが好ましい。
　ギャップ調整装置１４０は、蒸着マスク１２０と基板５０とを一面５１と垂直な方向に相対移動させる。ギャップ調整装置１４０は、例えば、電動シリンダー機構などの駆動機構を用いて構成できる。本実施形態では、基板５０の位置が固定され、蒸着マスク１２０の位置がギャップ調整装置１４０によって移動する構成となっている。しかし、蒸着マスク１２０の位置が固定され、基板５０の位置がギャップ調整装置１４０によって移動する構成や、蒸着マスク１２０と基板５０の双方の位置がギャップ調整装置１４０によって移動する構成であってもよい。
　ギャップ調整装置１４０は、例えば、蒸着マスク１２０を一面５１と直交する回転軸のまわりに回転させる回転機構を含む。回転機構としては、例えば、回転ステージなどで用いられる公知の回転機構が用いられる。ギャップ調整装置１４０は、蒸着マスク１２０を一面５１と直交する回転軸のまわりに回転させて、基板５０に対してアラインメントすることができる。
　蒸着源１５０は、ギャップ調整装置１４０によって蒸着マスク１２０と基板５０とが互いに近接する方向に相対移動させられて蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１（図２参照）が調整された後に、蒸着マスク１２０に設けられた開口部１２１を介して基板５０の一面５１に蒸着粒子を供給する。これにより、開口部１２１から露出した一面５１に、蒸着粒子の膜が形成される。
　蒸着源１５０は、蒸着粒子を射出するノズル部１５２を含む。ノズル部１５２は、例えば、幅方向に一列に配置されたｓ個のノズル１５２１～１５２ｓを含む。ｓ個のノズル１５２１～１５２ｓは、それぞれｓ個のパターン開口１２１１～１２１ｓと１対１に対応して設けられる。第ｊ行のノズル１２１ｊ（ｊ＝１～ｓ）から射出された蒸着粒子は、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋ（ｋ＝１～ｔ）が蒸着されるときに、第ｊ行のパターン開口１２１ｊを通過して第ｊ行のアクティブエリア５２ｊｋに堆積する。これにより、第ｊ行のパターン開口１２１ｊの形状に応じた蒸着パターンが、第ｊ行のアクティブエリア５２ｊｋに形成される。
　以下、蒸着源１５０のノズル部１５２と、蒸着マスク１２０の開口部１２１とを結ぶ領域を、射出経路１５１と称する。射出経路１５１は、個々の蒸着粒子が飛翔する経路の集合となっている。個々の蒸着粒子の飛翔経路は、蒸着源１５０のノズル部１５２から出発して、蒸着マスク１２０の開口部１２１内の点に到達する。本実施形態のように、蒸着源１５０がｓ個のノズル１５２１～１５２ｓを有し、これらに対応して、蒸着マスクがｓ個のパターン開口１２１１～１２１ｓを有する場合には、射出経路１５１はｓ個の錐状の領域となる。個々の錐状の領域は、１つのノズル１５２ｊを頂点としパターン開口１２１ｊを底面に持つ（ｊ＝１～ｓ）。
　蒸着源１５０の蒸着マスク１２０と対向する側には、例えば、蒸着粒子制限部１５３を設けてもよい。蒸着粒子制限部１５３は、蒸着源１５０に対して鉛直方向および水平方向の相対位置が固定される。蒸着粒子制限部１５３には、蒸着粒子が通過する複数の貫通穴１５４が設けられる。蒸着粒子制限部１５３は、例えば、幅方向に一列に配置されたｓ個の貫通穴１５４１～１５４ｓを含む。ｓ個の貫通穴１５４１～１５４ｓは、それぞれｓ個のノズル１５２１～１５２ｓと１対１に対応して設けられる。これにより、各ノズル１５２１～１５２ｓから広角方向に射出された蒸着粒子のうち、貫通穴１５４１～１５４ｓを通過した蒸着粒子のみが、蒸着マスク１２０に到達する。これにより、蒸着粒子の射出方向の指向性が高まる。
　シャッター１６０は、蒸着マスク１２０と蒸着源１５０との間に挿入可能な、板状の部材である。シャッター１６０は、第一の移動装置１３０によって蒸着マスク１２０と基板５０とが相対移動しているとき、およびギャップ調整装置１４０によって蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１（図２参照）が調整されているときに、蒸着源１５０から開口部１２１に向かう蒸着粒子の射出経路１５１を遮蔽する。これにより、蒸着マスク１２０と基板５０とが互いに近接した状態にあるときに限り、基板５０に蒸着を行うことができる。その結果、蒸着パターンのボケを、より抑制することができる。なお、図１ではシャッター１６０は蒸着マスク１２０と蒸着粒子制限部１５３との間に設けられているが、蒸着粒子制限部１５３とノズル部１５２との間に設けられていても良い。
　シャッター１６０のスキャン方向ＳＤの長さは、例えば、第１列から第ｔ列までの全てのアクティブエリア列５２１～５２ｔを覆うことのできる程度に十分長くなっている。第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋ（ｋ＝１～ｔ）が蒸着マスク１２０の開口部１２１と対向した状態でギャップ１４１（図２参照）の調整が行われる間、シャッター１６０は第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋを覆う位置まで挿入されている。これにより、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに向かう蒸着粒子の射出経路１５１が遮蔽される。
　温度制御手段１７０は、蒸着源１５０の温度を制御する。温度制御手段１７０は、例えば、シャッター１６０によって蒸着源１５０から開口部１２１に向かう蒸着粒子の射出経路１５１が遮蔽されているときに、蒸着源１５０の蒸着温度を下げる。これにより、基板５０に蒸着が行われない間、蒸着粒子の飛翔を抑制し、不要な蒸着材料の消費を抑えることができる。
　第二の移動装置１８０は、蒸着源１５０を基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させる。第二の移動装置１８０は、例えば、ボールねじなどの駆動機構を用いて蒸着源１５０と基板５０とを相対移動させる。本実施形態では、基板５０の位置を固定し、蒸着源１５０の位置を第二の移動装置１８０によって移動させる構成となっている。
　第二の移動装置１８０は、蒸着源１５０が開口部１２１を介して一面５１に蒸着粒子を供給しているときに、蒸着源１５０と基板５０とを一面５１と平行な方向に相対移動させる。これにより、蒸着粒子の堆積速度が分布を有することに起因する膜厚のバラツキを抑制し、膜厚を均一化することができる。
（蒸着方法）
　以下、図２から図７を用いて、本実施形態に係る蒸着方法を説明する。なお、図２から図６では、便宜上、基板保持部１１０、第一の移動装置１３０、ギャップ調整装置１４０、温度制御手段１７０、および第二の移動装置１８０の図示を省略している。
　本実施形態に係る蒸着方法は、基板５０の一面５１側に蒸着マスク１２０を配置し、一面５１と平行な方向に蒸着マスク１２０と基板５０との相対位置をステップ状に変化させながら蒸着マスク１２０を介して一面５１に蒸着粒子を堆積させることにより、一面５１上に複数の蒸着パターン列を順次形成するものである。図７に示すように、本実施形態に係る蒸着方法では、蒸着ステップ（第１ステップ）Ｓ１と、判定ステップＳ２と、ギャップ拡大ステップ（第２ステップ）Ｓ３と、移動ステップ（第３ステップ）Ｓ４と、ギャップ縮小ステップ（第４ステップ）Ｓ５と、が順次行われる。
（第ｋ列のアクティブエリア列に対する蒸着ステップＳ１）
　まず、図２に示すように、基板５０と蒸着マスク１２０との相対位置を固定して基板５０の一面５１上に、１つの蒸着パターン列を形成する。図２は、例えば、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋ（ｋ＝１～ｔ－１）に蒸着パターン列を形成する例を示している。１つの蒸着パターン列には、ｓ個の蒸着パターンが含まれる。ｓ個の蒸着パターンは、それぞれｓ個のパターン開口１２１１～１２１ｓを介して堆積される蒸着粒子の膜である。蒸着を行う間、蒸着マスク１２０と基板５０との相対位置は固定されている。蒸着を行う間、蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１の大きさは、十分小さく設定されている。これにより、蒸着パターンの縁にボケが生じることを抑制できる。
　第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が開始する時に、蒸着源１５０は第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着開始位置１５０ａに位置している。第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が開始する時に、シャッター１６０は、蒸着マスク１２０と蒸着源１５０との間の空間から引き抜かれる。これにより、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が開放される。その結果、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が開始する。
　第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対して蒸着が行われる間、第二の移動装置１８０（図１参照）は、蒸着源１５０を、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着開始位置１５０ａから第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着終了位置１５０ｂまで、基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させる。
　蒸着源１５０を基板５０に対して固定した状態で蒸着を行う場合には、膜厚のバラツキが生ずる。この膜厚のバラツキは、蒸着粒子の入射角が基板５０の一面５１の中で分布を有するため、蒸着粒子の堆積速度も一面５１の中で分布を有することに起因する。これに対し、本実施形態では、蒸着が行われる間、蒸着源１５０が基板５０に対して、スキャン方向ＳＤに相対移動する。これにより、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対して蒸着を行う間、蒸着開始位置１５０ａから蒸着終了位置１５０ｂに至る様々な方向から蒸着粒子が堆積する。その結果、膜厚のバラツキを抑制し、膜厚を均一化することができる。
　第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が終了した時に、シャッター１６０は、蒸着マスク１２０と、蒸着終了位置１５０ｂに位置する蒸着源１５０との間の空間に挿入される。これにより、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が閉鎖される。その結果、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着ステップＳ１が終了する。
（判定ステップＳ２）
　図７に示すように、蒸着ステップＳ１が終了した時点で、第１列から第ｔ列までのすべてのアクティブエリア列５２ｋ（ｋ＝１～ｔ）に対して蒸着パターン列を形成し終えた場合は、全蒸着工程を終了する。そうでない場合は、ギャップ拡大ステップＳ３に移る。
（ギャップ拡大ステップＳ３）
　次に、図３に示すように、ギャップ調整装置１４０（図１参照）は、蒸着マスク１２０と基板５０とを離間させる。蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１が十分大きくなったところで、ギャップ調整装置１４０は蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動を停止する。ギャップ１４１を十分大きく設定することにより、後述の移動ステップＳ４において蒸着マスク１２０が基板５０に対してスキャン方向ＳＤに沿って相対移動する間、蒸着マスク１２０と基板５０とが接触することを防止できる。
　なお、ギャップ調整装置１４０が蒸着マスク１２０と基板５０とを離間させる間、図３に示すように、第二の移動装置１８０（図１参照）は、蒸着源１５０を基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させていてもよい。この場合、シャッター１６０は、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が閉鎖され続けるよう、蒸着源１５０に追随して、基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動する。
（移動ステップＳ４）
　次に、図４に示すように、第一の移動装置１３０（図１参照）は、蒸着マスク１２０を、開口部１２１が第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋと対向する位置から第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１と対向する位置まで、基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させる。蒸着マスク１２０が、開口部１２１が第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１と対向する位置に到達した時、第一の移動装置１３０は蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動を停止する。
　なお、蒸着マスク１２０が基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動する間、図４に示すように、第二の移動装置１８０（図１参照）は、蒸着源１５０を基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させていてもよい。この場合、シャッター１６０は、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が閉鎖され続けるよう、蒸着源１５０に追随して、基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動する。
（ギャップ縮小ステップＳ５）
　次に、図５に示すように、ギャップ調整装置１４０（図１参照）は、蒸着マスク１２０と基板５０とを近接させる。蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１が十分小さくなったところで、ギャップ調整装置１４０は蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動を停止する。ギャップ１４１を十分小さく設定することにより、蒸着パターンの縁にボケが生じることを抑制できる。
　ギャップ調整装置１４０が回転機構を備える場合には、ギャップ縮小ステップＳ５において、蒸着マスク１２０を一面５１と直交する回転軸のまわりに回転させて、基板５０に対してアラインメントしてもよい。
　蒸着マスク１２０と基板５０とが近接する間、図５に示すように、第二の移動装置１８０（図１参照）は、蒸着源１５０を基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させていてもよい。この場合、シャッター１６０は、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が閉鎖され続けるよう、蒸着源１５０に追随して、基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動する。
　第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着が開始する時までに、第二の移動装置１８０は、蒸着源１５０を基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させ、蒸着源１５０を第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着開始位置１５０ｃまで到達させる。
（第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列に対する蒸着ステップＳ１）
　次に、図６に示すように、第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対して蒸着を行う。第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着が開始する時に、蒸着源１５０は第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着開始位置１５０ｃに位置している。第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着が開始する時に、シャッター１６０は、蒸着マスク１２０と蒸着源１５０との間の空間から引き抜かれる。これにより、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が開放される。その結果、第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着が開始する。
　第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対して蒸着が行われる間、第二の移動装置１８０（図１参照）は、蒸着源１５０を、第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着開始位置１５０ｃから第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着終了位置１５０ｄまで、基板５０に対してスキャン方向ＳＤに相対移動させる。
　以下、同様にして、第１列のアクティブエリア列５２１から第ｔ列のアクティブエリア列５２ｔまで蒸着を行う。これにより、アクティブエリア群５２の全域において蒸着が完了する。
　以上、第一の実施形態について説明した。なお、上述のギャップ拡大ステップＳ３からギャップ縮小ステップＳ５において、蒸着源１５０はスキャン方向ＳＤに移動し続けていたが、この態様に限られるものではない。例えば、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が終了した時点で蒸着源１５０を第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着終了位置１５０ｂに停止させ、蒸着マスク１２０の基板５０からの離間、蒸着マスク１２０のスキャン方向ＳＤへの移動、蒸着マスク１２０の基板５０への近接を行った後に、蒸着源１５０を第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着終了位置１５０ｂから第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着開始位置１５０ｃまで移動させてもよい。
　また、例えば、基板５０のアクティブエリアが一面５１と直交する回転軸に対して回転対称であり、かつ、アクティブエリア列の数ｔが偶数の場合、まず、第１列から第ｔ／２列までのアクティブエリア列５２１～５２ｔ／２に対しては、蒸着源１５０をスキャン方向ＳＤに移動する。次に、蒸着されるアクティブエリア列が第１列～第ｔ／２列から第（ｔ／２＋１）列～第ｔ列に切り替わる間、基板５０を一面５１と直交する回転軸のまわりに１８０°回転させて配置し直す。最後に、第（ｔ／２＋１）列から第ｔ列までのアクティブエリア列５２ｔ／２＋１～５２ｔに対しては、蒸着源１５０をスキャン方向ＳＤと逆方向に移動する。これにより、蒸着源１５０の移動する範囲を半分にすることができる。
その結果、第二の移動装置１８０の規模を縮小でき、設備コストが低減できる。
　また、本実施形態において、蒸着が行われない間、温度制御手段１７０を用いて蒸着源１５０の温度を下げていてもよい。これにより、不要な材料の消費を抑制できる。
［第二の実施形態］
　以下、本発明の第二の実施形態について、図７から図１３を用いて説明する。図８は、本実施形態に係る蒸着装置を説明する斜視図である。図９から図１３は、本実施形態に係る蒸着方法を説明する模式図である。
　本実施形態においては、第一の移動装置２３０は、蒸着マスク１２０に対して基板５０を相対移動させる。ギャップ調整装置２４０は、蒸着マスク１２０に対して基板５０を近接または離間させる。第二の移動装置２８０は、蒸着マスク１２０に対して蒸着源１５０を往復移動させる。またシャッター２６０は、スキャン方向ＳＤの長さがより短くなっている。これらの点において、本実施形態は第一の実施形態と大きく異なる。
（蒸着装置）
　以下、本実施形態に係る蒸着装置２００を、図８を用いて説明する。以下、図１から図６までと共通する構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
　蒸着装置２００は、基板保持部１１０と、蒸着マスク１２０と、第一の移動装置２３０と、ギャップ調整装置２４０と、蒸着源１５０と、シャッター２６０と、温度制御手段１７０と、第二の移動装置２８０と、を含む。
　第一の移動装置２３０は、基板５０を蒸着マスク１２０に対してスキャン方向ＳＤと逆方向に相対移動させる。第一の移動装置２３０は、例えば、ボールねじなどの駆動機構を用いて構成できる。本実施形態では、蒸着マスク１２０の位置を固定し、基板５０の位置を第一の移動装置２３０によって移動させる構成となっている。基板５０の移動は、例えば、基板５０を基板保持部１１０に固定し、基板５０を基板保持部１１０とともに移動させて行う。
　第一の移動装置２３０は、蒸着マスク１２０と基板５０とが接触しないようにするため、蒸着マスク１２０と基板５０とが離間した状態で作動する。第一の移動装置２３０は、複数のアクティブエリア列５２ｋ（ｋ＝１～ｔ）が順次蒸着マスク１２０と対向するように、蒸着マスク１２０と基板５０との相対位置をステップ状に変化させる。これにより、アクティブエリア列５２ｋごとに、パターニングを行うことが可能となる。
　ギャップ調整装置２４０は、蒸着マスク１２０と基板５０とを、互いに近接または離間する方向に相対移動させる。これにより、蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１（図９参照）を調整することが可能となる。
　ギャップ調整装置２４０は、１つのアクティブエリア列５２ｋで蒸着が終了した後、蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動が行われる前に、蒸着マスク１２０と基板５０とを離間させる。これにより、蒸着マスク１２０と基板５０とが相対移動する間、蒸着マスク１２０と基板５０とが接触することを防ぐことができる。
　ギャップ調整装置２４０は、蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動が停止し、移動先のアクティブエリア列５２ｋで蒸着が行われる前に、蒸着マスク１２０と基板５０とを互いに近接させる。これにより、蒸着膜の縁が蒸着マスク１２０の開口部１２１のパターン（パターン開口１２１１～１２１ｓ）の縁よりも外側に広がることが抑制され、蒸着パターンのボケが抑制される。
　蒸着マスク１２０と基板５０とが相対移動する間のギャップ１４１（図９参照）の大きさは、１ｍｍ以上であることが好ましい。上限は特にないが、あまりギャップを大きくするとギャップ調整時間が長くなりタクトタイムを悪化させることになる。一方、蒸着中のギャップ１４１の大きさは、０．１ｍｍ～０．３ｍｍであることが好ましい。
　ギャップ調整装置２４０は、蒸着マスク１２０と基板５０とを一面５１と垂直な方向に相対移動させる。ギャップ調整装置２４０は、例えば、電動シリンダー機構などの駆動機構を用いて構成できる。本実施形態では、蒸着マスク１２０の位置が固定され、基板５０の位置がギャップ調整装置２４０によって移動する構成となっている。しかし、基板５０の位置が固定され、蒸着マスク１２０の位置がギャップ調整装置２４０によって移動する構成や、蒸着マスク１２０と基板５０の双方の位置がギャップ調整装置２４０によって移動する構成であってもよい。
　ギャップ調整装置２４０は、例えば、蒸着マスク１２０を一面５１と直交する回転軸のまわりに回転させる回転機構を含む。回転機構としては、例えば、回転ステージなどで用いられる回転機構が用いられる。ギャップ調整装置１４０は、蒸着マスク１２０を一面５１と直交する回転軸のまわりに回転させて、基板５０に対してアラインメントすることができる。
　シャッター２６０は、蒸着マスク１２０と蒸着源１５０との間に挿入可能な、板状の部材である。シャッター２６０は、第一の移動装置２３０によって蒸着マスク１２０と基板５０とが相対移動しているとき、およびギャップ調整装置２４０によって蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１（図９参照）が調整されているときに、蒸着源１５０から開口部１２１に向かう蒸着粒子の射出経路１５１を遮蔽する。これにより、蒸着マスク１２０と基板５０とが互いに近接した状態にあるときに限り、基板５０に蒸着を行うことができる。その結果、蒸着パターンのボケを、より抑制することができる。
　第二の移動装置２８０は、蒸着が行われている間、蒸着源１５０を基板５０に対してスキャン方向ＳＤに平行に往復移動させる。第二の移動装置２８０は、例えば、ボールねじなどの駆動機構を用いて蒸着源１５０と蒸着マスク１２０とを相対移動させる。本実施形態では、蒸着中は基板５０が停止しており、蒸着源１５０の位置を第二の移動装置１８０によって移動させる構成となっている。
　第二の移動装置２８０は、蒸着源１５０が開口部１２１を介して一面５１に蒸着粒子を供給しているときに、蒸着源１５０と基板５０とを一面５１と平行な方向に相対移動させる。これにより、蒸着粒子の堆積速度が分布を有することに起因する膜厚のバラツキを抑制し、膜厚を均一化することができる。
　本実施形態では、蒸着マスク１２０の位置を固定し、基板５０の位置を第一の移動装置２３０によって移動させる構成となっている。このため、蒸着源１５０は、固定された開口部１２１に対向する位置の近傍でのみ往復移動することができる。その結果、蒸着源１５０の駆動コストを減らすことができる。
　また、本実施形態では、蒸着マスク１２０の位置を固定するため、シャッター２６０のスキャン方向ＳＤの長さは、基板５０のアクティブエリア群５２内の一列を覆うことのできる程度の長さで足りる。その結果、シャッター２６０を軽量化することができるので、シャッター２６０の撓みを防いだり、駆動コストを減らしたりすることができる。
（蒸着方法）
　以下、図７および図９から図１３を用いて、本実施形態に係る蒸着方法を説明する。なお、図９から図１２では、便宜上、基板保持部１１０、第一の移動装置２３０、ギャップ調整装置２４０、温度制御手段１７０、および第二の移動装置２８０の図示を省略している。
　本実施形態に係る蒸着方法は、基板５０の一面５１側に蒸着マスク１２０を配置し、一面５１と平行な方向に蒸着マスク１２０と基板５０との相対位置をステップ状に変化させながら蒸着マスク１２０を介して一面５１に蒸着粒子を堆積させることにより、一面５１上に複数の蒸着パターン列を順次形成するものである。図７に示すように、本実施形態に係る蒸着方法では、蒸着ステップ（第１ステップ）Ｓ１と、判定ステップＳ２と、ギャップ拡大ステップ（第２ステップ）Ｓ３と、移動ステップ（第３ステップ）Ｓ４と、ギャップ縮小ステップ（第４ステップ）Ｓ５と、が順次行われる。
（第ｋ列のアクティブエリア列に対する蒸着ステップＳ１）
　まず、図９に示すように、基板５０と蒸着マスク１２０との相対位置を固定して基板５０の一面５１上に１つの蒸着パターン列を形成する。図９は、例えば、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋ（ｋ＝１～ｔ－１）に対して蒸着パターンを形成する例を示している。
蒸着を行う間、蒸着マスク１２０と基板５０との相対位置は固定されている。蒸着を行う間、蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１の大きさは、十分小さく設定されている。これにより、蒸着パターンの縁にボケが生じることを抑制できる。
　第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が開始する時に、蒸着源１５０は第一の位置１５０ｐに位置している。アクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が開始する時に、シャッター２６０は、蒸着マスク１２０と蒸着源１５０との間の空間から引き抜かれる。これにより、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が開放される。その結果、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が開始する。
　第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対して蒸着が行われる間、第二の移動装置２８０（図８参照）は、蒸着源１５０を、第一の位置１５０ｐから第二の位置１５０ｑまでの区間を、基板５０に対してスキャン方向ＳＤに平行に往復移動させる。
　本実施形態でも、蒸着が行われる間、蒸着源１５０が基板５０に対して相対移動する。
これにより、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対して蒸着を行う間、第一の位置１５０ｐから第二の位置１５０ｑに至る様々な方向から蒸着粒子が堆積する。その結果、膜厚のバラツキを抑制し、膜厚を均一化することができる。
　第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着が終了した時に、シャッター２６０は、蒸着マスク１２０と、第一の位置１５０ｐに位置する蒸着源１５０との間の空間に挿入される。これにより、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が閉鎖される。その結果、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋに対する蒸着ステップ（第１ステップ）Ｓ１が終了する。
（判定ステップＳ２）
　図７に示すように、蒸着ステップＳ１が終了した時点で、第１列から第ｔ列までのすべてのアクティブエリア列５２ｋ（ｋ＝１～ｔ）に対して蒸着パターン列を形成し終えた場合は、全蒸着工程を終了する。そうでない場合は、ギャップ拡大ステップＳ３に移る。
（ギャップ拡大ステップＳ３）
　次に、図１０に示すように、ギャップ調整装置２４０（図８参照）は、蒸着マスク１２０と基板５０とを離間させる。蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１が十分大きくなったところで、ギャップ調整装置２４０は蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動を停止する。ギャップ１４１を十分大きく設定することにより、後述の移動ステップＳ４において蒸着マスク１２０が基板５０に対してスキャン方向ＳＤに沿って相対移動する間、蒸着マスク１２０と基板５０とが接触することを防止できる。
（移動ステップＳ４）
　次に、図１１に示すように、第一の移動装置２３０（図８参照）は、基板５０を、開口部１２１が第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋと対向する位置から第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１と対向する位置まで、蒸着マスク１２０に対してスキャン方向ＳＤと逆方向に相対移動させる。蒸着マスク１２０が、開口部１２１が第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１と対向する位置に到達した時、第一の移動装置２３０は蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動を停止する。
（ギャップ縮小ステップＳ５）
　次に、図１２に示すように、ギャップ調整装置２４０（図８参照）は、蒸着マスク１２０と基板５０とを近接させる。蒸着マスク１２０と基板５０との間のギャップ１４１が十分小さくなったところで、ギャップ調整装置２４０は蒸着マスク１２０と基板５０との相対移動を停止する。ギャップ１４１を十分小さく設定することにより、蒸着パターンの縁にボケが生じることを抑制できる。
（第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列に対する蒸着ステップＳ１）
　次に、図１３に示すように、第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対して蒸着を行う。第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着が開始する時に、蒸着源１５０は第一の位置１５０ｐに位置している。第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着が開始する時に、シャッター２６０は、蒸着マスク１２０と蒸着源１５０との間の空間から引き抜かれる。これにより、蒸着源１５０から蒸着マスク１２０の開口部１２１に至る射出経路が開放される。その結果、第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対する蒸着が開始する。
　第（ｋ＋１）列のアクティブエリア列５２ｋ＋１に対して蒸着が行われる間、第二の移動装置２８０（図８参照）は、蒸着源１５０を、第一の位置１５０ｐから第二の位置１５０ｑまでの区間を、基板５０に対してスキャン方向ＳＤに平行に往復移動させる。
　以下、同様にして、第１列のアクティブエリア列５２１から第ｔ列のアクティブエリア列５２ｔまで蒸着を行う。これにより、アクティブエリア群５２の全域において蒸着が完了する。
　以上、第二の実施形態について説明した。なお、上述の蒸着ステップＳ１において、蒸着源１５０は第一の位置１５０ｐと第二の位置１５０ｑの間を往復移動していたが、この態様に限られるものではない。例えば、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋ（ｋは奇数）に対して蒸着が行われるときは、蒸着源１５０は第一の位置１５０ｐから第二の位置１５０ｑまでスキャン方向ＳＤに移動し、第ｋ列のアクティブエリア列５２ｋ（ｋは偶数）に対して蒸着が行われるときは、蒸着源１５０は第二の位置１５０ｑから第一の位置１５０ｐまでスキャン方向ＳＤと逆方向に移動してもよい。これにより、膜厚の均一性は第一の実施形態と同等のまま、蒸着時間を短縮できる。
　また、本実施形態において、蒸着が行われない間、温度制御手段１７０を用いて蒸着源１５０の温度を下げていてもよい。これにより、不要な材料の消費を抑制できる。
　以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
　本発明の一態様は、膜厚のバラツキと蒸着パターンのボケとの両方を抑制することが必要な蒸着装置などに適用することができる。
１００，２００…蒸着装置、１１０…基板保持部、１２０…蒸着マスク、１２１…開口部、１３０，２３０…第一の移動装置、１４０，２４０…ギャップ調整装置、１４１…ギャップ、１５０…蒸着源、１５１…射出経路、１６０，２６０…シャッター、１７０…温度制御手段、１８０，２８０…第二の移動装置、５０…基板、５１…一面、Ｓ１…第１ステップ、Ｓ３…第二ステップ、Ｓ４…第３ステップ、Ｓ５…第４ステップ

Claims (12)

  1. 　基板を保持する基板保持部と、
    　前記基板の一面側に配置された蒸着マスクと、
    　前記蒸着マスクと前記基板とが離間した状態で前記一面と平行な方向に前記蒸着マスクと前記基板との相対位置をステップ状に変化させる第一の移動装置と、
    　前記第一の移動装置による前記蒸着マスクと前記基板との相対移動が開始する前に、前記蒸着マスクと前記基板とを互いに離間する方向に相対移動させ、前記蒸着マスクと前記基板との間のギャップを調整し、かつ、前記第一の移動装置による前記蒸着マスクと前記基板との相対移動が停止したときに、前記蒸着マスクと前記基板とを互いに近接する方向に相対移動させ、前記蒸着マスクと前記基板との間の前記ギャップを調整するギャップ調整装置と、
    　前記ギャップ調整装置によって前記蒸着マスクと前記基板とが互いに近接する方向に相対移動させられて前記蒸着マスクと前記基板との間の前記ギャップが調整された後に、前記蒸着マスクに設けられた開口部を介して前記一面に蒸着粒子を供給し、前記開口部から露出した前記一面に前記蒸着粒子の膜を形成する蒸着源と、
    　を含む蒸着装置。
  2. 　前記第一の移動装置によって前記蒸着マスクと前記基板とが相対移動しているときおよび前記ギャップ調整装置によって前記蒸着マスクと前記基板との間の前記ギャップが調整されているときに、前記蒸着源から前記開口部に向かう前記蒸着粒子の射出経路を遮蔽するシャッターを含む
    　請求項１に記載の蒸着装置。
  3. 　前記シャッターによって前記蒸着源から前記開口部に向かう前記蒸着粒子の射出経路が遮蔽されているときに前記蒸着源の蒸着温度を下げる温度制御手段を含む
    　請求項２に記載の蒸着装置。
  4. 　前記蒸着源が前記開口部を介して前記一面に前記蒸着粒子を供給しているときに前記蒸着源と前記基板とを前記一面と平行な方向に相対移動させる第二の移動装置を含む
    　請求項１から３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  5. 　前記第二の移動装置は、前記基板から見て前記蒸着源が往復移動するように前記蒸着源と前記基板とを相対移動させる
    　請求項４に記載の蒸着装置。
  6. 　前記ギャップ調整装置は、前記蒸着マスクを前記一面と直交する回転軸のまわりに回転させて前記蒸着マスクを前記基板に対してアラインメントする
    　請求項１から５のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  7. 　基板の一面側に蒸着マスクを配置し、前記一面と平行な方向に前記蒸着マスクと前記基板との相対位置をステップ状に変化させながら前記蒸着マスクを介して前記一面に蒸着粒子を堆積させることにより、前記一面上に複数の蒸着パターン列を順次形成する蒸着方法であって、
    　前記基板と前記蒸着マスクとの相対位置を固定して、前記蒸着マスクに設けられた開口部を介して前記一面に蒸着源から前記蒸着粒子を供給し、前記一面上に１つの前記蒸着パターン列を形成する第１ステップと、
    　前記第１ステップが終了した後に前記蒸着マスクと前記基板とを互いに離間する方向に相対移動させ、前記蒸着マスクと前記基板との間のギャップを調整する第２ステップと、
    　前記蒸着マスクと前記基板とが離間した状態で前記一面と平行な方向に前記蒸着マスクと前記基板との相対位置を変化させる第３ステップと、
    　前記蒸着マスクと前記基板との相対移動が停止したときに前記蒸着マスクと前記基板とを互いに近接する方向に相対移動させ、前記蒸着マスクと前記基板との間のギャップを調整する第４ステップと、を含む
    　蒸着方法。
  8. 　前記第２ステップ、前記第３ステップおよび前記第４ステップが行われる間、前記蒸着源から前記蒸着マスクに設けられた開口部に向かう前記蒸着粒子の射出経路を遮蔽する
    　請求項７に記載の蒸着方法。
  9. 　前記蒸着粒子の射出経路が遮蔽される間、前記蒸着源の蒸着温度を下げる
    　請求項８に記載の蒸着方法。
  10. 　前記第１ステップが行われる間、前記蒸着源と前記基板とを前記一面と平行な方向に相対移動させる
    　請求項７から９のいずれか１項に記載の蒸着方法。
  11. 　前記相対移動は、前記基板から見て前記蒸着源が往復移動するように行う
    　請求項１０に記載の蒸着方法。
  12. 　前記第４ステップが行われる間、前記蒸着マスクを前記一面と直交する回転軸のまわりに回転させて前記蒸着マスクを前記基板に対してアラインメントする
    　請求項７から１１のいずれか１項に記載の蒸着方法。
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