WO2015152098A1 - Semiconductor light-emitting device and optical-semiconductor-mounting substrate - Google Patents
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Abstract
A semiconductor light-emitting device comprising, at least, a substrate, a reflector that has a concave cavity, and an optical semiconductor element. Said semiconductor light-emitting device is characterized in that: the reflector is made from a resin composition that contains a fibrous inorganic substance; the reflector has, in the thickness direction thereof, a section containing a region in which the fibrous inorganic substance is oriented and a region in which the fibrous inorganic substance is unoriented; and, in said section, the thickness of the region in which the fibrous inorganic substance is oriented is no more than 50% of the total thickness of the reflector. An optical-semiconductor-mounting substrate and a semiconductor light-emitting device provided with a reflector that does not warp due to heating or the like are provided.
Description
本発明は、半導体発光装置及び光半導体実装用基板に関するものである。
The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a substrate for mounting an optical semiconductor.
半導体発光素子の一つであるＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子は、小型で長寿命であり、省電力性に優れることから、表示灯等の光源として広く利用されている。そして近年では、より輝度の高いＬＥＤ素子が比較的安価に製造されるようになったことから、蛍光ランプ及び白熱電球に替わる光源としての利用が検討されている。このような光源に適用する場合、大きな照度を得るために、表面実装型ＬＥＤパッケージの多くは、表面に銀などの光を反射する物質が形成された導電性物質からなる基板（ＬＥＤ実装用基板）上にＬＥＤ素子を配置し、各ＬＥＤ素子の周りに光を所定方向に反射させるリフレクター（反射体）を配設する方式が用いられている。
An LED (Light Emitting Diode) element, which is one of semiconductor light emitting elements, is widely used as a light source such as a display lamp because it is small and has a long life and excellent power saving. In recent years, LED elements with higher brightness have been manufactured at a relatively low cost, and therefore, use as a light source to replace fluorescent lamps and incandescent bulbs has been studied. When applied to such a light source, in order to obtain a large illuminance, many surface-mount LED packages are made of a conductive material having a surface that reflects light such as silver (LED mounting substrate). ) LED elements are arranged on top of each other, and a reflector (reflector) that reflects light in a predetermined direction around each LED element is used.
また、従来から、熱可塑性樹脂に繊維状物質を配合した樹脂組成物を用いた成形品が知られており、例えば、芳香族ポリカーボネート樹脂に炭素繊維やガラス繊維などを配合した成形品が知られている。しかしながら、このような成形品は、射出成形時の繊維状物質の配向の異方性が非常に大きく、成形物の方向による成形収縮率が異なるため、成形物が反る等の問題があった。
このような問題に対して、アスペクト比が５～１０の炭素繊維を用いた樹脂成形品が提案されている（特許文献１参照）。この樹脂成形品によれば、機械的特性が改良され、成形収縮率の異方性も著しく低減したと報告されている。しかしながら、このような低異方性の炭素繊維強化成形品は、成形品の強度が低く、半導体発光装置又は光半導体実装用基板に使用するには強度が十分とは言えなかった。また、ガラスビーズなどの等方性の充填材を配合した系では、機械的強度、曲げ強度などの機械的特性を向上させることはできなかった。 Conventionally, a molded article using a resin composition in which a fibrous material is blended with a thermoplastic resin is known. For example, a molded article in which carbon fiber or glass fiber is blended with an aromatic polycarbonate resin is known. ing. However, such molded articles have problems such as warping of the molded article because the anisotropy of the orientation of the fibrous material during injection molding is very large and the molding shrinkage varies depending on the direction of the molded article. .
In order to solve such a problem, a resin molded product using carbon fibers having an aspect ratio of 5 to 10 has been proposed (see Patent Document 1). According to this resin molded article, it has been reported that the mechanical properties are improved and the anisotropy of the molding shrinkage rate is also significantly reduced. However, such a low-anisotropic carbon fiber reinforced molded product has low strength of the molded product and cannot be said to have sufficient strength for use in a semiconductor light emitting device or a substrate for mounting an optical semiconductor. In addition, in a system in which an isotropic filler such as glass beads is blended, mechanical properties such as mechanical strength and bending strength cannot be improved.
このような問題に対して、アスペクト比が５～１０の炭素繊維を用いた樹脂成形品が提案されている（特許文献１参照）。この樹脂成形品によれば、機械的特性が改良され、成形収縮率の異方性も著しく低減したと報告されている。しかしながら、このような低異方性の炭素繊維強化成形品は、成形品の強度が低く、半導体発光装置又は光半導体実装用基板に使用するには強度が十分とは言えなかった。また、ガラスビーズなどの等方性の充填材を配合した系では、機械的強度、曲げ強度などの機械的特性を向上させることはできなかった。 Conventionally, a molded article using a resin composition in which a fibrous material is blended with a thermoplastic resin is known. For example, a molded article in which carbon fiber or glass fiber is blended with an aromatic polycarbonate resin is known. ing. However, such molded articles have problems such as warping of the molded article because the anisotropy of the orientation of the fibrous material during injection molding is very large and the molding shrinkage varies depending on the direction of the molded article. .
In order to solve such a problem, a resin molded product using carbon fibers having an aspect ratio of 5 to 10 has been proposed (see Patent Document 1). According to this resin molded article, it has been reported that the mechanical properties are improved and the anisotropy of the molding shrinkage rate is also significantly reduced. However, such a low-anisotropic carbon fiber reinforced molded product has low strength of the molded product and cannot be said to have sufficient strength for use in a semiconductor light emitting device or a substrate for mounting an optical semiconductor. In addition, in a system in which an isotropic filler such as glass beads is blended, mechanical properties such as mechanical strength and bending strength cannot be improved.
ところで、半導体発光装置に用いられる、ＬＥＤ素子などの半導体発光素子は、発光時に発熱を伴うため、当該素子の温度上昇によりリフレクターが劣化して、その反射率が低下し、ＬＥＤパッケージが発する光の輝度の低下を招くことがあった。
このように、リフレクターには耐熱性が要求されることから、耐熱性を改良したリフレクターの成形用として、ポリメチルペンテンと特定の架橋処理剤を含む電子線硬化性樹脂組成物が提案され、また該樹脂組成物をリフレクターの形成に用いた半導体発光装置が提案されている（特許文献２参照）。特許文献２に記載される樹脂組成物は、耐熱性に極めて優れるものであって、リフレクター等の成形体とした場合にも、優れた耐熱性を発揮する。また、特許文献３では、特定の架橋処理剤を含む電子線硬化性樹脂組成物なども提案され、該樹脂組成物をリフレクターに用いた半導体発光装置が提案されている。 By the way, since a semiconductor light emitting element such as an LED element used in a semiconductor light emitting device is accompanied by heat generation at the time of light emission, the reflector deteriorates due to the temperature rise of the element, the reflectance decreases, and the light emitted from the LED package. In some cases, the luminance was lowered.
Thus, since the reflector is required to have heat resistance, an electron beam curable resin composition containing polymethylpentene and a specific crosslinking agent has been proposed for molding a reflector having improved heat resistance. A semiconductor light emitting device using the resin composition for forming a reflector has been proposed (see Patent Document 2). The resin composition described in Patent Document 2 is extremely excellent in heat resistance, and exhibits excellent heat resistance even when formed into a molded body such as a reflector. Patent Document 3 also proposes an electron beam curable resin composition containing a specific crosslinking agent, and a semiconductor light emitting device using the resin composition as a reflector.
このように、リフレクターには耐熱性が要求されることから、耐熱性を改良したリフレクターの成形用として、ポリメチルペンテンと特定の架橋処理剤を含む電子線硬化性樹脂組成物が提案され、また該樹脂組成物をリフレクターの形成に用いた半導体発光装置が提案されている（特許文献２参照）。特許文献２に記載される樹脂組成物は、耐熱性に極めて優れるものであって、リフレクター等の成形体とした場合にも、優れた耐熱性を発揮する。また、特許文献３では、特定の架橋処理剤を含む電子線硬化性樹脂組成物なども提案され、該樹脂組成物をリフレクターに用いた半導体発光装置が提案されている。 By the way, since a semiconductor light emitting element such as an LED element used in a semiconductor light emitting device is accompanied by heat generation at the time of light emission, the reflector deteriorates due to the temperature rise of the element, the reflectance decreases, and the light emitted from the LED package. In some cases, the luminance was lowered.
Thus, since the reflector is required to have heat resistance, an electron beam curable resin composition containing polymethylpentene and a specific crosslinking agent has been proposed for molding a reflector having improved heat resistance. A semiconductor light emitting device using the resin composition for forming a reflector has been proposed (see Patent Document 2). The resin composition described in Patent Document 2 is extremely excellent in heat resistance, and exhibits excellent heat resistance even when formed into a molded body such as a reflector. Patent Document 3 also proposes an electron beam curable resin composition containing a specific crosslinking agent, and a semiconductor light emitting device using the resin composition as a reflector.
上述の特許文献２及び３に記載の樹脂組成物には、ガラス繊維を添加し得ることが記載されている。ガラス繊維を配合することで異方性が生じ、成形物（リフレクター）の成形収縮率が平面方向や垂直方向で部分的に異なる状況が生じる場合がある。そのような場合、成形物に反りが発生し、基板（リードフレーム）との界面に隙間が生じ、フレームとの密着不良が生じる。
そこで、本願発明の課題は加熱等によっても反りを生じることがなく、密着性が良好なリフレクターを有する半導体発光装置及び光半導体実装用基板を提供することにある。 It is described that glass fibers can be added to the resin compositions described in Patent Documents 2 and 3 described above. Anisotropy arises by mix | blending glass fiber, and the situation where the mold shrinkage rate of a molded object (reflector) differs partially in a plane direction or a perpendicular direction may arise. In such a case, warpage occurs in the molded product, and a gap is generated at the interface with the substrate (lead frame), resulting in poor adhesion with the frame.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device and a substrate for mounting an optical semiconductor which have a reflector having good adhesion without causing warp even by heating or the like.
そこで、本願発明の課題は加熱等によっても反りを生じることがなく、密着性が良好なリフレクターを有する半導体発光装置及び光半導体実装用基板を提供することにある。 It is described that glass fibers can be added to the resin compositions described in Patent Documents 2 and 3 described above. Anisotropy arises by mix | blending glass fiber, and the situation where the mold shrinkage rate of a molded object (reflector) differs partially in a plane direction or a perpendicular direction may arise. In such a case, warpage occurs in the molded product, and a gap is generated at the interface with the substrate (lead frame), resulting in poor adhesion with the frame.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device and a substrate for mounting an optical semiconductor which have a reflector having good adhesion without causing warp even by heating or the like.
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、リフレクターを有する半導体発光装置であって、該リフレクターが繊維状無機物質を含有し、かつ当該繊維状無機物質の配向角度を制御することで、前記課題を解決し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have obtained a semiconductor light emitting device having a reflector, the reflector containing a fibrous inorganic substance, and the orientation angle of the fibrous inorganic substance It has been found that the above-mentioned problem can be solved by controlling. The present invention has been completed based on such findings.
すなわち、本発明は、
（１）基板、凹部形状のキャビティを有するリフレクター、及び光半導体素子を少なくとも備えた半導体発光装置であって、該リフレクターは、繊維状無機物を含有する樹脂組成物から形成され、かつ該リフレクターの厚み方向において、繊維状無機物が配向した領域と配向しない領域を含む部位を有し、その部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする半導体発光装置、
（２）基板、凹部形状のキャビティを有するリフレクター、及び光半導体素子を少なくとも備えた半導体発光装置であって、該半導体発光装置の外形が切削によって形成され、該切削面が、繊維状無機物が配向した領域と非配向領域から形成され、任意の部位におけるその繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする半導体発光装置、
（３）基板及び凹部形状のキャビティを有するリフレクターを備えた光半導体実装用基板であって、該リフレクターは、繊維状無機物を含有する樹脂組成物から形成され、かつ該リフレクターの厚み方向において、繊維状無機物が配向した領域と配向しない領域を含む部位を有し、その部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする光半導体実装用基板、及び
（４）基板及び凹部形状のキャビティを有するリフレクターを備えた光半導体実装用基板であって、光半導体実装用基板の外形が切削によって形成され、該切削面が、繊維状無機物が配向した領域と非配向領域から形成され、任意の部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする光半導体実装用基板、
を提供するものである。 That is, the present invention
(1) A semiconductor light emitting device including at least a substrate, a reflector having a concave cavity, and an optical semiconductor element, wherein the reflector is formed from a resin composition containing a fibrous inorganic substance, and the thickness of the reflector In the direction, it has a portion including a region where the fibrous inorganic material is oriented and a region where the fibrous inorganic material is not oriented, and the thickness of the region where the fibrous inorganic material is oriented in that portion is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion. A semiconductor light emitting device characterized by
(2) A semiconductor light emitting device comprising at least a substrate, a reflector having a concave cavity, and an optical semiconductor element, wherein the outer shape of the semiconductor light emitting device is formed by cutting, and the cut surface is oriented with fibrous inorganic materials A semiconductor light emitting device characterized in that the thickness of the region where the fibrous inorganic substance is oriented in an arbitrary part is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector part,
(3) A substrate for mounting an optical semiconductor comprising a substrate and a reflector having a concave cavity, wherein the reflector is formed from a resin composition containing a fibrous inorganic substance, and fibers are formed in the thickness direction of the reflector. Having a region including a region where the fibrous inorganic material is oriented and a region where the fibrous inorganic material is not oriented, and the thickness of the region where the fibrous inorganic material is oriented is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion. An optical semiconductor mounting substrate including an optical semiconductor mounting substrate and (4) a substrate and a reflector having a recessed cavity, wherein the outer shape of the optical semiconductor mounting substrate is formed by cutting, and the cutting surface is a fiber The thickness of the region where the fibrous inorganic material is oriented at any part is formed from a region where the fibrous inorganic material is oriented and a non-oriented region. An optical semiconductor mounting board, characterized in that the whole is not more than 50% of the thickness,
Is to provide.
（１）基板、凹部形状のキャビティを有するリフレクター、及び光半導体素子を少なくとも備えた半導体発光装置であって、該リフレクターは、繊維状無機物を含有する樹脂組成物から形成され、かつ該リフレクターの厚み方向において、繊維状無機物が配向した領域と配向しない領域を含む部位を有し、その部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする半導体発光装置、
（２）基板、凹部形状のキャビティを有するリフレクター、及び光半導体素子を少なくとも備えた半導体発光装置であって、該半導体発光装置の外形が切削によって形成され、該切削面が、繊維状無機物が配向した領域と非配向領域から形成され、任意の部位におけるその繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする半導体発光装置、
（３）基板及び凹部形状のキャビティを有するリフレクターを備えた光半導体実装用基板であって、該リフレクターは、繊維状無機物を含有する樹脂組成物から形成され、かつ該リフレクターの厚み方向において、繊維状無機物が配向した領域と配向しない領域を含む部位を有し、その部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする光半導体実装用基板、及び
（４）基板及び凹部形状のキャビティを有するリフレクターを備えた光半導体実装用基板であって、光半導体実装用基板の外形が切削によって形成され、該切削面が、繊維状無機物が配向した領域と非配向領域から形成され、任意の部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする光半導体実装用基板、
を提供するものである。 That is, the present invention
(1) A semiconductor light emitting device including at least a substrate, a reflector having a concave cavity, and an optical semiconductor element, wherein the reflector is formed from a resin composition containing a fibrous inorganic substance, and the thickness of the reflector In the direction, it has a portion including a region where the fibrous inorganic material is oriented and a region where the fibrous inorganic material is not oriented, and the thickness of the region where the fibrous inorganic material is oriented in that portion is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion. A semiconductor light emitting device characterized by
(2) A semiconductor light emitting device comprising at least a substrate, a reflector having a concave cavity, and an optical semiconductor element, wherein the outer shape of the semiconductor light emitting device is formed by cutting, and the cut surface is oriented with fibrous inorganic materials A semiconductor light emitting device characterized in that the thickness of the region where the fibrous inorganic substance is oriented in an arbitrary part is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector part,
(3) A substrate for mounting an optical semiconductor comprising a substrate and a reflector having a concave cavity, wherein the reflector is formed from a resin composition containing a fibrous inorganic substance, and fibers are formed in the thickness direction of the reflector. Having a region including a region where the fibrous inorganic material is oriented and a region where the fibrous inorganic material is not oriented, and the thickness of the region where the fibrous inorganic material is oriented is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion. An optical semiconductor mounting substrate including an optical semiconductor mounting substrate and (4) a substrate and a reflector having a recessed cavity, wherein the outer shape of the optical semiconductor mounting substrate is formed by cutting, and the cutting surface is a fiber The thickness of the region where the fibrous inorganic material is oriented at any part is formed from a region where the fibrous inorganic material is oriented and a non-oriented region. An optical semiconductor mounting board, characterized in that the whole is not more than 50% of the thickness,
Is to provide.
本発明の半導体発光装置は、その構成要素であるリフレクターが加熱されても、反りを生じることがなく、密着性が維持される。そして、機械的強度、耐熱性およびリフレクターと基板との密着性に優れることで、長期間にわたって信頼性の高い半導体発光装置及び光半導体実装用基板を提供することができる。
In the semiconductor light emitting device of the present invention, even when the reflector, which is a component, is heated, the warp does not occur and the adhesion is maintained. And it is excellent in mechanical strength, heat resistance, and the adhesiveness of a reflector and a board | substrate, and can provide a highly reliable semiconductor light-emitting device and an optical semiconductor mounting board | substrate over a long period of time.
本発明の半導体発光装置について、図１を用いて詳細に説明する。
本発明の半導体発光装置１は、凹部形状のキャビティ２０を有するリフレクター１２と、凹部の底面に設けられ、少なくとも１つの光半導体素子１０と、該光半導体素子を搭載するためのパッド部１３ａ、及び光半導体素子と電気的に接続するためのリード部１３ｂを有した基板１４を備える。パッド部に搭載された光半導体素子は、リード線１６によりリード部に電気的に接続されている。
また、キャビティ２０は、空隙であってもよいが、電気的な不具合の防止、光半導体素子の湿気及び塵埃等からの保護の観点から、光半導体素子を封止するとともに光半導体素子から発せられた光を外部に透過させることが可能な樹脂（封止樹脂）が充填されていることが好ましい。該封止樹脂は、必要に応じて蛍光体が含有されていても良い。さらに、光半導体素子から発せられた光を集光させるためのレンズ１８をリフレクター１２の上に設けてもよい。該レンズは、通常樹脂製であり、目的、用途等により様々な構造が採用され、必要に応じて着色されていてもよい。
以下、各部材について、詳細に説明する。 The semiconductor light emitting device of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
The semiconductorlight emitting device 1 of the present invention includes a reflector 12 having a concave cavity 20, at least one optical semiconductor element 10 provided on the bottom surface of the concave part, a pad portion 13 a for mounting the optical semiconductor element, and A substrate 14 having a lead portion 13b for electrical connection with the optical semiconductor element is provided. The optical semiconductor element mounted on the pad portion is electrically connected to the lead portion by a lead wire 16.
Thecavity 20 may be an air gap, but from the viewpoint of preventing electrical problems and protecting the optical semiconductor element from moisture, dust, and the like, the optical semiconductor element is sealed and emitted from the optical semiconductor element. It is preferable that a resin (sealing resin) capable of transmitting the light to the outside is filled. The sealing resin may contain a phosphor as necessary. Furthermore, a lens 18 for condensing the light emitted from the optical semiconductor element may be provided on the reflector 12. The lens is usually made of a resin, and various structures are adopted depending on the purpose and application, and may be colored as necessary.
Hereinafter, each member will be described in detail.
本発明の半導体発光装置１は、凹部形状のキャビティ２０を有するリフレクター１２と、凹部の底面に設けられ、少なくとも１つの光半導体素子１０と、該光半導体素子を搭載するためのパッド部１３ａ、及び光半導体素子と電気的に接続するためのリード部１３ｂを有した基板１４を備える。パッド部に搭載された光半導体素子は、リード線１６によりリード部に電気的に接続されている。
また、キャビティ２０は、空隙であってもよいが、電気的な不具合の防止、光半導体素子の湿気及び塵埃等からの保護の観点から、光半導体素子を封止するとともに光半導体素子から発せられた光を外部に透過させることが可能な樹脂（封止樹脂）が充填されていることが好ましい。該封止樹脂は、必要に応じて蛍光体が含有されていても良い。さらに、光半導体素子から発せられた光を集光させるためのレンズ１８をリフレクター１２の上に設けてもよい。該レンズは、通常樹脂製であり、目的、用途等により様々な構造が採用され、必要に応じて着色されていてもよい。
以下、各部材について、詳細に説明する。 The semiconductor light emitting device of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
The semiconductor
The
Hereinafter, each member will be described in detail.
＜基板＞
本発明の半導体発光装置１における基板１４は、リードフレームとも称される金属製の薄板であり、用いられる材料としては主に金属（純金属や合金など）、例えば、アルミニウム、銅、銅－ニッケル－スズの合金、鉄－ニッケルの合金などが挙げられる。また基板は、表裏面の一部、または全部を覆うように光反射層が形成されていてもよい。光反射層は、光半導体素子からの光を反射する反射機能が高いことが望ましい。具体的には、３８０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の電磁波に対して、各波長における反射率が６５％以上１００％以下であることが好ましく、７５％以上１００％以下であることがより好ましく、８０％以上１００％以下であることがさらに好ましい。反射率が高いとＬＥＤ素子が発する光のロスが小さく、ＬＥＤパッケージとしての発光効率が高くなる。
光反射層の材質としては例えば銀や銀を含有する金属を挙げることができるが、銀の含有率は６０質量％以上であることが好ましい。銀の含有率が６０％以上であると、十分な光反射機能が得られる。同様の観点から、銀の含有率は７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。
なお光反射層の厚みは１～２０μｍが望ましい。光反射層の厚みが１μｍ以上であると十分な反射機能が得られ、２０μｍ以下であればコスト的に有利であるとともに、加工性が向上する。 <Board>
Thesubstrate 14 in the semiconductor light emitting device 1 of the present invention is a thin metal plate also called a lead frame, and the material used is mainly metal (pure metal, alloy, etc.), for example, aluminum, copper, copper-nickel. -Tin alloys, iron-nickel alloys, etc. Further, the substrate may have a light reflection layer formed so as to cover part or all of the front and back surfaces. The light reflection layer desirably has a high reflection function for reflecting light from the optical semiconductor element. Specifically, for electromagnetic waves having a wavelength of 380 nm to 800 nm, the reflectance at each wavelength is preferably 65% to 100%, more preferably 75% to 100%, and more preferably 80% More preferably, it is 100% or less. When the reflectance is high, the loss of light emitted from the LED element is small, and the light emission efficiency as the LED package is high.
Examples of the material of the light reflecting layer include silver and silver-containing metals, but the silver content is preferably 60% by mass or more. When the silver content is 60% or more, a sufficient light reflection function can be obtained. From the same viewpoint, the silver content is preferably 70% by mass or more, and more preferably 80% by mass or more.
The thickness of the light reflecting layer is desirably 1 to 20 μm. When the thickness of the light reflection layer is 1 μm or more, a sufficient reflection function is obtained, and when it is 20 μm or less, it is advantageous in terms of cost and processability is improved.
本発明の半導体発光装置１における基板１４は、リードフレームとも称される金属製の薄板であり、用いられる材料としては主に金属（純金属や合金など）、例えば、アルミニウム、銅、銅－ニッケル－スズの合金、鉄－ニッケルの合金などが挙げられる。また基板は、表裏面の一部、または全部を覆うように光反射層が形成されていてもよい。光反射層は、光半導体素子からの光を反射する反射機能が高いことが望ましい。具体的には、３８０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の電磁波に対して、各波長における反射率が６５％以上１００％以下であることが好ましく、７５％以上１００％以下であることがより好ましく、８０％以上１００％以下であることがさらに好ましい。反射率が高いとＬＥＤ素子が発する光のロスが小さく、ＬＥＤパッケージとしての発光効率が高くなる。
光反射層の材質としては例えば銀や銀を含有する金属を挙げることができるが、銀の含有率は６０質量％以上であることが好ましい。銀の含有率が６０％以上であると、十分な光反射機能が得られる。同様の観点から、銀の含有率は７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。
なお光反射層の厚みは１～２０μｍが望ましい。光反射層の厚みが１μｍ以上であると十分な反射機能が得られ、２０μｍ以下であればコスト的に有利であるとともに、加工性が向上する。 <Board>
The
Examples of the material of the light reflecting layer include silver and silver-containing metals, but the silver content is preferably 60% by mass or more. When the silver content is 60% or more, a sufficient light reflection function can be obtained. From the same viewpoint, the silver content is preferably 70% by mass or more, and more preferably 80% by mass or more.
The thickness of the light reflecting layer is desirably 1 to 20 μm. When the thickness of the light reflection layer is 1 μm or more, a sufficient reflection function is obtained, and when it is 20 μm or less, it is advantageous in terms of cost and processability is improved.
基板の厚さについては、特に制限はないが、０．１～１．０ｍｍの範囲であることが好ましい。基板の厚さが０．１ｍｍ以上であると基板の強度が強く変形しにくい。一方、１．０ｍｍ以下であると加工が容易である。同様の観点から、０．１５～０．５ｍｍの範囲であることがさらに好ましい。
基板は、金属製の板材をエッチングやプレス加工などの工程を経て形成され、ＬＥＤチップ等の光半導体素子を搭載するパッド部と該光半導体素子に電力を供給するリード部を有する。パッド部とリード部は絶縁されており、光半導体素子はワイヤーボンディングやチップボンディングなどの工程を経て、リード線によりリード部と接続される。 The thickness of the substrate is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.1 to 1.0 mm. When the thickness of the substrate is 0.1 mm or more, the strength of the substrate is strong and hardly deformed. On the other hand, if it is 1.0 mm or less, processing is easy. From the same viewpoint, the range of 0.15 to 0.5 mm is more preferable.
The substrate is formed by etching or pressing a metal plate material, and includes a pad portion on which an optical semiconductor element such as an LED chip is mounted and a lead portion that supplies power to the optical semiconductor element. The pad portion and the lead portion are insulated, and the optical semiconductor element is connected to the lead portion by a lead wire through processes such as wire bonding and chip bonding.
基板は、金属製の板材をエッチングやプレス加工などの工程を経て形成され、ＬＥＤチップ等の光半導体素子を搭載するパッド部と該光半導体素子に電力を供給するリード部を有する。パッド部とリード部は絶縁されており、光半導体素子はワイヤーボンディングやチップボンディングなどの工程を経て、リード線によりリード部と接続される。 The thickness of the substrate is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.1 to 1.0 mm. When the thickness of the substrate is 0.1 mm or more, the strength of the substrate is strong and hardly deformed. On the other hand, if it is 1.0 mm or less, processing is easy. From the same viewpoint, the range of 0.15 to 0.5 mm is more preferable.
The substrate is formed by etching or pressing a metal plate material, and includes a pad portion on which an optical semiconductor element such as an LED chip is mounted and a lead portion that supplies power to the optical semiconductor element. The pad portion and the lead portion are insulated, and the optical semiconductor element is connected to the lead portion by a lead wire through processes such as wire bonding and chip bonding.
＜リフレクター＞
リフレクター１２は、光半導体素子からの光を出光部の方向（図１においては、レンズ１８の方向）に反射させる作用を有する。
該リフレクターは少なくとも樹脂および繊維状無機物を含有する樹脂組成物により形成される。そして、該リフレクターは、繊維状無機物が配向した配向領域（１２ａ）と、配向しない領域である非配向領域（１２ｂ）とを含む部位を有する。配向領域（１２ａ）は下記のいずれかの方法にて求めることができる。 <Reflector>
Thereflector 12 has a function of reflecting the light from the optical semiconductor element in the direction of the light output portion (in the direction of the lens 18 in FIG. 1).
The reflector is formed of a resin composition containing at least a resin and a fibrous inorganic substance. And this reflector has a site | part containing the orientation area | region (12a) in which the fibrous inorganic material orientated, and the non-orientation area | region (12b) which is an area | region which is not oriented. The alignment region (12a) can be obtained by any of the following methods.
リフレクター１２は、光半導体素子からの光を出光部の方向（図１においては、レンズ１８の方向）に反射させる作用を有する。
該リフレクターは少なくとも樹脂および繊維状無機物を含有する樹脂組成物により形成される。そして、該リフレクターは、繊維状無機物が配向した配向領域（１２ａ）と、配向しない領域である非配向領域（１２ｂ）とを含む部位を有する。配向領域（１２ａ）は下記のいずれかの方法にて求めることができる。 <Reflector>
The
The reflector is formed of a resin composition containing at least a resin and a fibrous inorganic substance. And this reflector has a site | part containing the orientation area | region (12a) in which the fibrous inorganic material orientated, and the non-orientation area | region (12b) which is an area | region which is not oriented. The alignment region (12a) can be obtained by any of the following methods.
（顕微鏡観察）
（１）リフレクター発光面を上になるように置き、上面からリフレクターＸＹ方向の外周部の４辺のいずれかの辺の中点を含む１辺３００μｍの正方形のリフレクター領域を顕微鏡観察する（位置は図３を参照）。
（２）該観察画像を二値化して、二値化画像を得る。ここで二値化とは、構成する各画素に対し、画像内の全画素の明度分布の加重平均値を閾値として、閾値以上を白色、閾値未満を黒色と分類することを言う。これにより、繊維状無機物のみが黒色、その他の成分が白色となり、繊維状無機物の形状が把握できるようになる。
（３）前記二値化画像の繊維状無機物の外形を画像処理ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用いて楕円近似する。
（４）該楕円近似された各繊維状無機物の長軸の中央部分とリフレクター外周部の辺からの角度を求め、これらの平均角度を配向角度０度と定義する。
（５）該配向角度０度からの各繊維状無機物の配向角度を求める。９０％以上の繊維状無機物の配向角度が±２０度の範囲にある領域が配向領域（１２ａ）、９０％以上の繊維状無機物の配向角度が±２０度を超える領域が非配向領域（１２ｂ）と認定する。
（６）顕微観察された繊維状無機物の高さを超えない厚みで研磨を行い、同様に配向角度を求める。本操作を繰り返すことで厚み方向の配向領域を求めることができる。
上記測定は光学顕微鏡（Ａｘｉｏ Ｉｍａｇｅｒ Ｍ１ｍ（株）カールツァイス製）にて倍率を適宜調整して測定した。 (Microscopic observation)
(1) Place the reflector light-emitting surface on the top and observe a 300 μm square reflector region including the midpoint of any one of the four sides of the outer periphery in the reflector XY direction from the upper surface under a microscope (position is (See FIG. 3).
(2) The observation image is binarized to obtain a binarized image. Here, binarization refers to classifying each pixel constituting a weighted average value of the brightness distribution of all pixels in the image as a threshold, white above the threshold and black below the threshold. Thereby, only the fibrous inorganic substance is black and the other components are white, so that the shape of the fibrous inorganic substance can be grasped.
(3) The outer shape of the fibrous inorganic substance in the binarized image is approximated to an ellipse using image processing software Image J.
(4) The angle from the center part of the major axis of each fibrous inorganic substance approximated by the ellipse and the side of the reflector outer peripheral part is obtained, and the average angle is defined as an orientation angle of 0 degree.
(5) The orientation angle of each fibrous inorganic substance from the orientation angle of 0 degree is determined. The region where the orientation angle of 90% or more of the fibrous inorganic material is in the range of ± 20 degrees is the oriented region (12a), and the region where the orientation angle of 90% or more of the fibrous inorganic material is more than ± 20 degrees is the non-oriented region (12b). Certify.
(6) Polishing is performed with a thickness not exceeding the height of the microscopically observed fibrous inorganic material, and the orientation angle is similarly determined. By repeating this operation, the orientation region in the thickness direction can be obtained.
The measurement was performed by appropriately adjusting the magnification with an optical microscope (Axio Imager M1m, manufactured by Carl Zeiss).
（１）リフレクター発光面を上になるように置き、上面からリフレクターＸＹ方向の外周部の４辺のいずれかの辺の中点を含む１辺３００μｍの正方形のリフレクター領域を顕微鏡観察する（位置は図３を参照）。
（２）該観察画像を二値化して、二値化画像を得る。ここで二値化とは、構成する各画素に対し、画像内の全画素の明度分布の加重平均値を閾値として、閾値以上を白色、閾値未満を黒色と分類することを言う。これにより、繊維状無機物のみが黒色、その他の成分が白色となり、繊維状無機物の形状が把握できるようになる。
（３）前記二値化画像の繊維状無機物の外形を画像処理ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用いて楕円近似する。
（４）該楕円近似された各繊維状無機物の長軸の中央部分とリフレクター外周部の辺からの角度を求め、これらの平均角度を配向角度０度と定義する。
（５）該配向角度０度からの各繊維状無機物の配向角度を求める。９０％以上の繊維状無機物の配向角度が±２０度の範囲にある領域が配向領域（１２ａ）、９０％以上の繊維状無機物の配向角度が±２０度を超える領域が非配向領域（１２ｂ）と認定する。
（６）顕微観察された繊維状無機物の高さを超えない厚みで研磨を行い、同様に配向角度を求める。本操作を繰り返すことで厚み方向の配向領域を求めることができる。
上記測定は光学顕微鏡（Ａｘｉｏ Ｉｍａｇｅｒ Ｍ１ｍ（株）カールツァイス製）にて倍率を適宜調整して測定した。 (Microscopic observation)
(1) Place the reflector light-emitting surface on the top and observe a 300 μm square reflector region including the midpoint of any one of the four sides of the outer periphery in the reflector XY direction from the upper surface under a microscope (position is (See FIG. 3).
(2) The observation image is binarized to obtain a binarized image. Here, binarization refers to classifying each pixel constituting a weighted average value of the brightness distribution of all pixels in the image as a threshold, white above the threshold and black below the threshold. Thereby, only the fibrous inorganic substance is black and the other components are white, so that the shape of the fibrous inorganic substance can be grasped.
(3) The outer shape of the fibrous inorganic substance in the binarized image is approximated to an ellipse using image processing software Image J.
(4) The angle from the center part of the major axis of each fibrous inorganic substance approximated by the ellipse and the side of the reflector outer peripheral part is obtained, and the average angle is defined as an orientation angle of 0 degree.
(5) The orientation angle of each fibrous inorganic substance from the orientation angle of 0 degree is determined. The region where the orientation angle of 90% or more of the fibrous inorganic material is in the range of ± 20 degrees is the oriented region (12a), and the region where the orientation angle of 90% or more of the fibrous inorganic material is more than ± 20 degrees is the non-oriented region (12b). Certify.
(6) Polishing is performed with a thickness not exceeding the height of the microscopically observed fibrous inorganic material, and the orientation angle is similarly determined. By repeating this operation, the orientation region in the thickness direction can be obtained.
The measurement was performed by appropriately adjusting the magnification with an optical microscope (Axio Imager M1m, manufactured by Carl Zeiss).
（Ｘ線ＣＴ）
（１）リフレクター発光面を上になるように置き、Ｘ線ＣＴ装置を用いて上面から断層写真を撮る。上面からリフレクターＸＹ方向の外周部の４辺のうち、いずれかの辺の中点を含む１辺３００μｍの正方形のリフレクター領域を拡大する（位置は図３を参照）。
（２）該観察画像を二値化して、二値化画像を得る。ここで二値化とは、構成する各画素に対し、画像内の全画素の明度分布の加重平均値を閾値として、閾値以上を白色、閾値未満を黒色と分類することを言う。これにより、繊維状無機物のみが黒色、その他の成分が白色となり、繊維状無機物の形状が把握できるようになる。
（３）前記二値化画像を画像処理ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用いてフーリエ変換することにより、パワースペクトル画像を得る。なお、パワースペクトル画像の明度は対数で表す。
（４）前記パワースペクトル画像を二値化して、二値化画像を得る。当該二値化における、画像濃度閾値は画像内の明度分布の、明側の半値位置とする。
（５）二値化したパワースペクトル画像を、画像処理ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用いて楕円近似する。
（６）近似楕円の長軸/短軸の比率が２以上であれば配向領域（１２ａ）、２より小さければ非配向領域（１２ｂ）と認定する。
（７）顕微観察された繊維状無機物の繊維断面より小さい幅毎に、本操作を繰り返すことで厚み方向の配向領域を求めることができる。 (X-ray CT)
(1) Place the reflector light emitting surface on top and take a tomographic image from the top using an X-ray CT apparatus. A square reflector region having a side of 300 μm including the midpoint of any one of the four sides of the outer peripheral portion in the reflector XY direction from the upper surface is enlarged (refer to FIG. 3 for the position).
(2) The observation image is binarized to obtain a binarized image. Here, binarization refers to classifying each pixel constituting a weighted average value of the brightness distribution of all pixels in the image as a threshold, white above the threshold and black below the threshold. Thereby, only the fibrous inorganic substance is black and the other components are white, so that the shape of the fibrous inorganic substance can be grasped.
(3) A power spectrum image is obtained by performing Fourier transform on the binarized image using image processing software Image J. In addition, the brightness of a power spectrum image is represented by a logarithm.
(4) The power spectrum image is binarized to obtain a binarized image. In the binarization, the image density threshold is the half value position on the bright side of the brightness distribution in the image.
(5) Ellipse approximation of the binarized power spectrum image using image processing software Image J.
(6) If the ratio of the major axis / minor axis of the approximate ellipse is 2 or more, it is recognized as an oriented region (12a), and if it is smaller than 2, it is recognized as a non-oriented region (12b).
(7) The orientation region in the thickness direction can be obtained by repeating this operation for each width smaller than the fiber cross section of the fibrous inorganic substance observed microscopically.
（１）リフレクター発光面を上になるように置き、Ｘ線ＣＴ装置を用いて上面から断層写真を撮る。上面からリフレクターＸＹ方向の外周部の４辺のうち、いずれかの辺の中点を含む１辺３００μｍの正方形のリフレクター領域を拡大する（位置は図３を参照）。
（２）該観察画像を二値化して、二値化画像を得る。ここで二値化とは、構成する各画素に対し、画像内の全画素の明度分布の加重平均値を閾値として、閾値以上を白色、閾値未満を黒色と分類することを言う。これにより、繊維状無機物のみが黒色、その他の成分が白色となり、繊維状無機物の形状が把握できるようになる。
（３）前記二値化画像を画像処理ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用いてフーリエ変換することにより、パワースペクトル画像を得る。なお、パワースペクトル画像の明度は対数で表す。
（４）前記パワースペクトル画像を二値化して、二値化画像を得る。当該二値化における、画像濃度閾値は画像内の明度分布の、明側の半値位置とする。
（５）二値化したパワースペクトル画像を、画像処理ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用いて楕円近似する。
（６）近似楕円の長軸/短軸の比率が２以上であれば配向領域（１２ａ）、２より小さければ非配向領域（１２ｂ）と認定する。
（７）顕微観察された繊維状無機物の繊維断面より小さい幅毎に、本操作を繰り返すことで厚み方向の配向領域を求めることができる。 (X-ray CT)
(1) Place the reflector light emitting surface on top and take a tomographic image from the top using an X-ray CT apparatus. A square reflector region having a side of 300 μm including the midpoint of any one of the four sides of the outer peripheral portion in the reflector XY direction from the upper surface is enlarged (refer to FIG. 3 for the position).
(2) The observation image is binarized to obtain a binarized image. Here, binarization refers to classifying each pixel constituting a weighted average value of the brightness distribution of all pixels in the image as a threshold, white above the threshold and black below the threshold. Thereby, only the fibrous inorganic substance is black and the other components are white, so that the shape of the fibrous inorganic substance can be grasped.
(3) A power spectrum image is obtained by performing Fourier transform on the binarized image using image processing software Image J. In addition, the brightness of a power spectrum image is represented by a logarithm.
(4) The power spectrum image is binarized to obtain a binarized image. In the binarization, the image density threshold is the half value position on the bright side of the brightness distribution in the image.
(5) Ellipse approximation of the binarized power spectrum image using image processing software Image J.
(6) If the ratio of the major axis / minor axis of the approximate ellipse is 2 or more, it is recognized as an oriented region (12a), and if it is smaller than 2, it is recognized as a non-oriented region (12b).
(7) The orientation region in the thickness direction can be obtained by repeating this operation for each width smaller than the fiber cross section of the fibrous inorganic substance observed microscopically.
上記（１）における断層写真は、例えば、ヤマト科学（株）製「ＴＤＭ１０００-ＩＷ」を用いて、断面のＣＴ画像（Ｘ－Ｚ断面、Ｙ－Ｚ断面、Ｘ－Ｙ断面）を取得することができる。測定条件例を下記に示す。
測定条件：
（１）Ｘ線条件
Ｘ線管電圧：７５．０（ｋＶ）
Ｘ線管電流：０．０１（ｍＡ）
（２）スキャン位置
拡大軸 位置：１０.０（ｍｍ）
（３）スキャンパラメータ
ビュー数：３６０
フレーム数／ビュー：３
（４）再構成情報
マトリックスサイズ Ｘ，Ｙ，Ｚ：各５１２
視野 Ｘ，Ｙ，Ｚ：各２．２６８（ｍｍ）
ボクセルサイズ Ｘ，Ｙ，Ｚ：各０．００４４３（ｍｍ） For the tomographic image in (1) above, a CT image (XZ cross section, YZ cross section, XY cross section) of a cross section is acquired using, for example, “TDM1000-IW” manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd. Can do. An example of measurement conditions is shown below.
Measurement condition:
(1) X-ray conditions X-ray tube voltage: 75.0 (kV)
X-ray tube current: 0.01 (mA)
(2) Scan position Enlarged axis position: 10.0 (mm)
(3) Scan parameters Number of views: 360
Number of frames / view: 3
(4) Reconfiguration information Matrix size X, Y, Z: 512 each
Field of view X, Y, Z: 2.268 (mm) each
Voxel size X, Y, Z: 0.00443 (mm) each
測定条件：
（１）Ｘ線条件
Ｘ線管電圧：７５．０（ｋＶ）
Ｘ線管電流：０．０１（ｍＡ）
（２）スキャン位置
拡大軸 位置：１０.０（ｍｍ）
（３）スキャンパラメータ
ビュー数：３６０
フレーム数／ビュー：３
（４）再構成情報
マトリックスサイズ Ｘ，Ｙ，Ｚ：各５１２
視野 Ｘ，Ｙ，Ｚ：各２．２６８（ｍｍ）
ボクセルサイズ Ｘ，Ｙ，Ｚ：各０．００４４３（ｍｍ） For the tomographic image in (1) above, a CT image (XZ cross section, YZ cross section, XY cross section) of a cross section is acquired using, for example, “TDM1000-IW” manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd. Can do. An example of measurement conditions is shown below.
Measurement condition:
(1) X-ray conditions X-ray tube voltage: 75.0 (kV)
X-ray tube current: 0.01 (mA)
(2) Scan position Enlarged axis position: 10.0 (mm)
(3) Scan parameters Number of views: 360
Number of frames / view: 3
(4) Reconfiguration information Matrix size X, Y, Z: 512 each
Field of view X, Y, Z: 2.268 (mm) each
Voxel size X, Y, Z: 0.00443 (mm) each
本願発明においては、光半導体装置の外形が切削によって形成されたリフレクターの厚み方向において、該繊維状無機物の配向領域（１２ａ）の厚みがリフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする。
また、上記配向領域（１２ａ）の厚さの条件を満足するのであれば、例えば図１に示すように、光半導体素子の実装面に配向領域が存在していてもよい。
このような配向角度の異なる領域（配向領域及び非配向領域）を上述のような配置及び厚さで含有することにより、加熱等によっても反りを生じることのないリフレクターが得られる。 In the present invention, in the thickness direction of the reflector in which the outer shape of the optical semiconductor device is formed by cutting, the thickness of the orientation region (12a) of the fibrous inorganic material is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion. Features.
If the thickness condition of the alignment region (12a) is satisfied, for example, as shown in FIG. 1, the alignment region may exist on the mounting surface of the optical semiconductor element.
By including such regions (alignment regions and non-orientation regions) having different orientation angles in the above arrangement and thickness, a reflector that does not warp even by heating or the like can be obtained.
また、上記配向領域（１２ａ）の厚さの条件を満足するのであれば、例えば図１に示すように、光半導体素子の実装面に配向領域が存在していてもよい。
このような配向角度の異なる領域（配向領域及び非配向領域）を上述のような配置及び厚さで含有することにより、加熱等によっても反りを生じることのないリフレクターが得られる。 In the present invention, in the thickness direction of the reflector in which the outer shape of the optical semiconductor device is formed by cutting, the thickness of the orientation region (12a) of the fibrous inorganic material is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion. Features.
If the thickness condition of the alignment region (12a) is satisfied, for example, as shown in FIG. 1, the alignment region may exist on the mounting surface of the optical semiconductor element.
By including such regions (alignment regions and non-orientation regions) having different orientation angles in the above arrangement and thickness, a reflector that does not warp even by heating or the like can be obtained.
［繊維状無機物］
本発明に用いられる繊維状無機物質としては、本発明の効果を奏する範囲内で特に制限はないが、アスペクト比が２～５０であることが好ましく、５～５０であることがより好ましい。アスペクト比が２以上であると、機械的強度、曲げ強度などの機械的特性を向上させることができる。一方、アスペクト比が５０以下であると、配向の生じる度合いが少なくなる。
また、繊維状無機物質の繊維長としては、１０～１０００μｍであることが好ましい。該繊維長が１０μｍ以上であると、機械的特性を向上させることができ、一方、該繊維長が１０００μｍ以下であると反射特性を阻害することがない。以上の観点から、繊維状無機物質の繊維長は、３０～２００μｍの範囲であることがさらに好ましい。 [Fibrous inorganic matter]
The fibrous inorganic substance used in the present invention is not particularly limited as long as the effects of the present invention are achieved, but the aspect ratio is preferably 2 to 50, and more preferably 5 to 50. When the aspect ratio is 2 or more, mechanical properties such as mechanical strength and bending strength can be improved. On the other hand, when the aspect ratio is 50 or less, the degree of orientation is reduced.
The fiber length of the fibrous inorganic substance is preferably 10 to 1000 μm. When the fiber length is 10 μm or more, the mechanical properties can be improved. On the other hand, when the fiber length is 1000 μm or less, the reflection properties are not hindered. From the above viewpoint, the fiber length of the fibrous inorganic substance is more preferably in the range of 30 to 200 μm.
本発明に用いられる繊維状無機物質としては、本発明の効果を奏する範囲内で特に制限はないが、アスペクト比が２～５０であることが好ましく、５～５０であることがより好ましい。アスペクト比が２以上であると、機械的強度、曲げ強度などの機械的特性を向上させることができる。一方、アスペクト比が５０以下であると、配向の生じる度合いが少なくなる。
また、繊維状無機物質の繊維長としては、１０～１０００μｍであることが好ましい。該繊維長が１０μｍ以上であると、機械的特性を向上させることができ、一方、該繊維長が１０００μｍ以下であると反射特性を阻害することがない。以上の観点から、繊維状無機物質の繊維長は、３０～２００μｍの範囲であることがさらに好ましい。 [Fibrous inorganic matter]
The fibrous inorganic substance used in the present invention is not particularly limited as long as the effects of the present invention are achieved, but the aspect ratio is preferably 2 to 50, and more preferably 5 to 50. When the aspect ratio is 2 or more, mechanical properties such as mechanical strength and bending strength can be improved. On the other hand, when the aspect ratio is 50 or less, the degree of orientation is reduced.
The fiber length of the fibrous inorganic substance is preferably 10 to 1000 μm. When the fiber length is 10 μm or more, the mechanical properties can be improved. On the other hand, when the fiber length is 1000 μm or less, the reflection properties are not hindered. From the above viewpoint, the fiber length of the fibrous inorganic substance is more preferably in the range of 30 to 200 μm.
繊維状無機物質の材料としては、ガラス繊維、ゼオライト繊維、チタン酸カリウム繊維、セラミック繊維、ケイ酸カルシウム繊維などが挙げられるが、なかでもガラス繊維が、透明性、強靭性等の点から好ましい。
繊維状無機物質の含有量としては、リフレクターを形成する樹脂１００質量部に対して、１０～３００質量部であることが好ましい。１０質量部以上であれば、繊維状無機物質の添加効果が現れ、機械的特性が改良される。一方、３００質量部以下であれば、成形性と成形品の強度が良好となる。以上の観点から、繊維状無機物質の含有量は５０～２００質量部の範囲であることがさらに好ましい。 Examples of the material of the fibrous inorganic substance include glass fiber, zeolite fiber, potassium titanate fiber, ceramic fiber, and calcium silicate fiber. Among them, glass fiber is preferable from the viewpoint of transparency, toughness and the like.
The content of the fibrous inorganic substance is preferably 10 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin forming the reflector. If it is 10 mass parts or more, the addition effect of a fibrous inorganic substance will appear and a mechanical characteristic will be improved. On the other hand, if it is 300 parts by mass or less, the moldability and the strength of the molded product are good. From the above viewpoint, the content of the fibrous inorganic substance is more preferably in the range of 50 to 200 parts by mass.
繊維状無機物質の含有量としては、リフレクターを形成する樹脂１００質量部に対して、１０～３００質量部であることが好ましい。１０質量部以上であれば、繊維状無機物質の添加効果が現れ、機械的特性が改良される。一方、３００質量部以下であれば、成形性と成形品の強度が良好となる。以上の観点から、繊維状無機物質の含有量は５０～２００質量部の範囲であることがさらに好ましい。 Examples of the material of the fibrous inorganic substance include glass fiber, zeolite fiber, potassium titanate fiber, ceramic fiber, and calcium silicate fiber. Among them, glass fiber is preferable from the viewpoint of transparency, toughness and the like.
The content of the fibrous inorganic substance is preferably 10 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin forming the reflector. If it is 10 mass parts or more, the addition effect of a fibrous inorganic substance will appear and a mechanical characteristic will be improved. On the other hand, if it is 300 parts by mass or less, the moldability and the strength of the molded product are good. From the above viewpoint, the content of the fibrous inorganic substance is more preferably in the range of 50 to 200 parts by mass.
本発明のリフレクターは、上述のように、樹脂及び繊維状無機物を含有する樹脂組成物により形成される。ここで用いられる樹脂としては、成形性、加工性等の点からは熱可塑性樹脂が好ましい。
［熱可塑性樹脂］
熱可塑性樹脂の種類としては、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等が挙げられ、これらのうちオレフィン樹脂（ポリオレフィン）が好ましい。オレフィン樹脂とは、主鎖が炭素－炭素結合からなる構成単位の重合体であり、炭素結合には環状の構造を含む場合もある。単独重合体でもよく、他のモノマーと共重合してなる共重合体でもよい。例えば、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加、エチレン、プロピレン等のオレフィンのそれぞれ単独重合体、あるいはエチレン－プロピレンのブロック共重合体、ランダム共重合体、あるいはエチレン及び／又はプロピレンと、ブテン、ペンテン、ヘキセン等の他のオレフィンとの共重合体、更には、エチレン及び／又はプロピレンと、酢酸ビニル等の他の単量体との共重合体等が挙げられる。なかでも、ポリメチルペンテンが好ましい。ポリメチルペンテンは屈折率が１．４６とガラス繊維やシリカ粒子の屈折率に近いため、混合した際でも透過率や反射率等の光学特性の阻害を抑えることが可能である。
ポリメチルペンテン樹脂としては４－メチルペンテン－１の単独重合体が好ましいが、４－メチルペンテン－１と他のα－オレフィン、例えばエチレン、プロピレン等の炭素数２～２０のα－オレフィンとの共重合体でもよい。
ポリメチルペンテンは、電子線により硬化させることができるが、架橋と同時に分子鎖の切断が起こるために、電子線による有効な架橋を促進させるために、架橋処理剤を組み合わせて用いることが好ましい。 As described above, the reflector of the present invention is formed of a resin composition containing a resin and a fibrous inorganic substance. The resin used here is preferably a thermoplastic resin from the viewpoint of moldability, workability, and the like.
[Thermoplastic resin]
Examples of the thermoplastic resin include polyolefin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyether imide, and the like. Of these, olefin resin (polyolefin) is preferable. The olefin resin is a polymer of a structural unit whose main chain is composed of a carbon-carbon bond, and the carbon bond may include a cyclic structure. A homopolymer may be sufficient and the copolymer formed by copolymerizing with another monomer may be sufficient. For example, a resin obtained by ring-opening metathesis polymerization of a norbornene derivative or hydrogenation thereof, an olefin homopolymer such as ethylene or propylene, an ethylene-propylene block copolymer, a random copolymer, or ethylene and / or propylene And copolymers of other olefins such as butene, pentene and hexene, and copolymers of ethylene and / or propylene with other monomers such as vinyl acetate. Of these, polymethylpentene is preferable. Since polymethylpentene has a refractive index of 1.46, which is close to the refractive index of glass fibers or silica particles, even when mixed, it is possible to suppress inhibition of optical properties such as transmittance and reflectance.
As the polymethylpentene resin, a homopolymer of 4-methylpentene-1 is preferable, but 4-methylpentene-1 and other α-olefins, for example, α-olefins having 2 to 20 carbon atoms such as ethylene and propylene are used. A copolymer may be used.
Polymethylpentene can be cured with an electron beam, but since molecular chains are broken simultaneously with crosslinking, it is preferable to use a combination of crosslinking treatment agents in order to promote effective crosslinking with an electron beam.
［熱可塑性樹脂］
熱可塑性樹脂の種類としては、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等が挙げられ、これらのうちオレフィン樹脂（ポリオレフィン）が好ましい。オレフィン樹脂とは、主鎖が炭素－炭素結合からなる構成単位の重合体であり、炭素結合には環状の構造を含む場合もある。単独重合体でもよく、他のモノマーと共重合してなる共重合体でもよい。例えば、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加、エチレン、プロピレン等のオレフィンのそれぞれ単独重合体、あるいはエチレン－プロピレンのブロック共重合体、ランダム共重合体、あるいはエチレン及び／又はプロピレンと、ブテン、ペンテン、ヘキセン等の他のオレフィンとの共重合体、更には、エチレン及び／又はプロピレンと、酢酸ビニル等の他の単量体との共重合体等が挙げられる。なかでも、ポリメチルペンテンが好ましい。ポリメチルペンテンは屈折率が１．４６とガラス繊維やシリカ粒子の屈折率に近いため、混合した際でも透過率や反射率等の光学特性の阻害を抑えることが可能である。
ポリメチルペンテン樹脂としては４－メチルペンテン－１の単独重合体が好ましいが、４－メチルペンテン－１と他のα－オレフィン、例えばエチレン、プロピレン等の炭素数２～２０のα－オレフィンとの共重合体でもよい。
ポリメチルペンテンは、電子線により硬化させることができるが、架橋と同時に分子鎖の切断が起こるために、電子線による有効な架橋を促進させるために、架橋処理剤を組み合わせて用いることが好ましい。 As described above, the reflector of the present invention is formed of a resin composition containing a resin and a fibrous inorganic substance. The resin used here is preferably a thermoplastic resin from the viewpoint of moldability, workability, and the like.
[Thermoplastic resin]
Examples of the thermoplastic resin include polyolefin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyether imide, and the like. Of these, olefin resin (polyolefin) is preferable. The olefin resin is a polymer of a structural unit whose main chain is composed of a carbon-carbon bond, and the carbon bond may include a cyclic structure. A homopolymer may be sufficient and the copolymer formed by copolymerizing with another monomer may be sufficient. For example, a resin obtained by ring-opening metathesis polymerization of a norbornene derivative or hydrogenation thereof, an olefin homopolymer such as ethylene or propylene, an ethylene-propylene block copolymer, a random copolymer, or ethylene and / or propylene And copolymers of other olefins such as butene, pentene and hexene, and copolymers of ethylene and / or propylene with other monomers such as vinyl acetate. Of these, polymethylpentene is preferable. Since polymethylpentene has a refractive index of 1.46, which is close to the refractive index of glass fibers or silica particles, even when mixed, it is possible to suppress inhibition of optical properties such as transmittance and reflectance.
As the polymethylpentene resin, a homopolymer of 4-methylpentene-1 is preferable, but 4-methylpentene-1 and other α-olefins, for example, α-olefins having 2 to 20 carbon atoms such as ethylene and propylene are used. A copolymer may be used.
Polymethylpentene can be cured with an electron beam, but since molecular chains are broken simultaneously with crosslinking, it is preferable to use a combination of crosslinking treatment agents in order to promote effective crosslinking with an electron beam.
上記熱可塑性樹脂としては、電子線硬化性樹脂を用いることが、優れた耐熱性を付与し得る点から好ましい。電子線硬化性樹脂を用いる場合の加速電圧については、用いる樹脂やリフレクターの厚さに応じて適宜選定し得るが、通常加速電圧７０～１００００ｋＶ程度で硬化させることが好ましい。
また、照射線量は、樹脂層の架橋密度が飽和する量が好ましく、通常５～６００ｋＧｙ（０．５～６０Ｍｒａｄ）、好ましくは１０～４００ｋＧｙ（１～４０Ｍｒａｄ）の範囲で選定される。
さらに、電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。 As said thermoplastic resin, it is preferable to use electron beam curable resin from the point which can provide the outstanding heat resistance. The acceleration voltage in the case of using an electron beam curable resin can be appropriately selected according to the thickness of the resin or reflector used, but it is usually preferable to cure at an acceleration voltage of about 70 to 10,000 kV.
The irradiation dose is preferably such that the crosslinking density of the resin layer is saturated, and is usually selected in the range of 5 to 600 kGy (0.5 to 60 Mrad), preferably 10 to 400 kGy (1 to 40 Mrad).
Further, the electron beam source is not particularly limited. For example, various electron beam accelerators such as a cockroft Walton type, a bandegraft type, a resonant transformer type, an insulated core transformer type, a linear type, a dynamitron type, and a high frequency type. Can be used.
また、照射線量は、樹脂層の架橋密度が飽和する量が好ましく、通常５～６００ｋＧｙ（０．５～６０Ｍｒａｄ）、好ましくは１０～４００ｋＧｙ（１～４０Ｍｒａｄ）の範囲で選定される。
さらに、電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。 As said thermoplastic resin, it is preferable to use electron beam curable resin from the point which can provide the outstanding heat resistance. The acceleration voltage in the case of using an electron beam curable resin can be appropriately selected according to the thickness of the resin or reflector used, but it is usually preferable to cure at an acceleration voltage of about 70 to 10,000 kV.
The irradiation dose is preferably such that the crosslinking density of the resin layer is saturated, and is usually selected in the range of 5 to 600 kGy (0.5 to 60 Mrad), preferably 10 to 400 kGy (1 to 40 Mrad).
Further, the electron beam source is not particularly limited. For example, various electron beam accelerators such as a cockroft Walton type, a bandegraft type, a resonant transformer type, an insulated core transformer type, a linear type, a dynamitron type, and a high frequency type. Can be used.
［架橋処理剤］
本発明のリフレクターを形成する樹脂組成物は、上記材料に加えて、本願発明の効果を阻害しない範囲で架橋処理剤が混合されていてもよい。架橋処理剤としては、飽和もしくは不飽和の環構造を有し、少なくとも１つの環を形成する原子のうち少なくとも１つの原子が、アリル基、メタクリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタクリル基のいずれかのアリル系置換基と結合してなる構造を有するものが好ましい。
かかる構造を有する架橋処理剤は、特に電子線硬化性樹脂と併用することで、良好な電子線硬化性を発揮し、リフレクターに優れた耐熱性を付与することができる。 [Crosslinking agent]
In addition to the above materials, the resin composition forming the reflector of the present invention may be mixed with a crosslinking agent within a range that does not impair the effects of the present invention. The crosslinking agent has a saturated or unsaturated ring structure, and at least one of the atoms forming at least one ring is an allyl group, a methacryl group, an allyl group via a linking group, and a linking group. Those having a structure formed by bonding to any allylic substituent of the methacrylic group via
The crosslinking agent having such a structure can exhibit excellent electron beam curability and can impart excellent heat resistance to the reflector, particularly when used in combination with an electron beam curable resin.
本発明のリフレクターを形成する樹脂組成物は、上記材料に加えて、本願発明の効果を阻害しない範囲で架橋処理剤が混合されていてもよい。架橋処理剤としては、飽和もしくは不飽和の環構造を有し、少なくとも１つの環を形成する原子のうち少なくとも１つの原子が、アリル基、メタクリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタクリル基のいずれかのアリル系置換基と結合してなる構造を有するものが好ましい。
かかる構造を有する架橋処理剤は、特に電子線硬化性樹脂と併用することで、良好な電子線硬化性を発揮し、リフレクターに優れた耐熱性を付与することができる。 [Crosslinking agent]
In addition to the above materials, the resin composition forming the reflector of the present invention may be mixed with a crosslinking agent within a range that does not impair the effects of the present invention. The crosslinking agent has a saturated or unsaturated ring structure, and at least one of the atoms forming at least one ring is an allyl group, a methacryl group, an allyl group via a linking group, and a linking group. Those having a structure formed by bonding to any allylic substituent of the methacrylic group via
The crosslinking agent having such a structure can exhibit excellent electron beam curability and can impart excellent heat resistance to the reflector, particularly when used in combination with an electron beam curable resin.
飽和もしくは不飽和の環構造としては、シクロ環、ヘテロ環、芳香環等が挙げられる。環構造を形成する原子の数は、３～１２であることが好ましく、５～８であることがより好ましく、６員環であることがさらに好ましい。また、連結基としては、エステル結合、エーテル結合、アルキレン基、（ヘテロ）アリーレン基等が挙げられる。
より具体的には、トリアリルイソシアヌレート、メチルジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、トリメタリルイソシアヌレート、オルトフタル酸のジアリルエステル、イソフタル酸のジアリルエステル等が挙げられる。 Examples of the saturated or unsaturated ring structure include a cyclo ring, a hetero ring, and an aromatic ring. The number of atoms forming the ring structure is preferably 3 to 12, more preferably 5 to 8, and still more preferably a 6-membered ring. Examples of the linking group include an ester bond, an ether bond, an alkylene group, and a (hetero) arylene group.
More specifically, triallyl isocyanurate, methyl diallyl isocyanurate, diallyl monoglycidyl isocyanuric acid, monoallyl diglycidyl isocyanurate, trimethallyl isocyanurate, diallyl ester of orthophthalic acid, diallyl ester of isophthalic acid and the like.
より具体的には、トリアリルイソシアヌレート、メチルジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、トリメタリルイソシアヌレート、オルトフタル酸のジアリルエステル、イソフタル酸のジアリルエステル等が挙げられる。 Examples of the saturated or unsaturated ring structure include a cyclo ring, a hetero ring, and an aromatic ring. The number of atoms forming the ring structure is preferably 3 to 12, more preferably 5 to 8, and still more preferably a 6-membered ring. Examples of the linking group include an ester bond, an ether bond, an alkylene group, and a (hetero) arylene group.
More specifically, triallyl isocyanurate, methyl diallyl isocyanurate, diallyl monoglycidyl isocyanuric acid, monoallyl diglycidyl isocyanurate, trimethallyl isocyanurate, diallyl ester of orthophthalic acid, diallyl ester of isophthalic acid and the like.
該架橋処理剤の分子量は、樹脂組成物中での分散性が良好であり、有効な架橋反応を起こすという点から、１０００以下が好ましく、５００以下がさらに好ましく、３００以下であることがより好ましい。また、環構造の数は１～３であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
また、架橋処理剤の含有量は、樹脂１００質量部に対して、０．５～４０質量部であることが好ましい。この含有量であると、ブリードアウトすることなく、かつ良好な硬化性を付与することができる。以上の観点から、架橋処理剤の含有量は１～３０質量部であることがさらに好ましく、５～２０質量部であることが特に好ましい。 The molecular weight of the crosslinking agent is preferably 1000 or less, more preferably 500 or less, and even more preferably 300 or less, from the viewpoints of good dispersibility in the resin composition and causing an effective crosslinking reaction. . The number of ring structures is preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, and further preferably 1.
Further, the content of the crosslinking agent is preferably 0.5 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin. With this content, good curability can be imparted without bleeding out. From the above viewpoint, the content of the crosslinking agent is more preferably 1 to 30 parts by mass, and particularly preferably 5 to 20 parts by mass.
また、架橋処理剤の含有量は、樹脂１００質量部に対して、０．５～４０質量部であることが好ましい。この含有量であると、ブリードアウトすることなく、かつ良好な硬化性を付与することができる。以上の観点から、架橋処理剤の含有量は１～３０質量部であることがさらに好ましく、５～２０質量部であることが特に好ましい。 The molecular weight of the crosslinking agent is preferably 1000 or less, more preferably 500 or less, and even more preferably 300 or less, from the viewpoints of good dispersibility in the resin composition and causing an effective crosslinking reaction. . The number of ring structures is preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, and further preferably 1.
Further, the content of the crosslinking agent is preferably 0.5 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin. With this content, good curability can be imparted without bleeding out. From the above viewpoint, the content of the crosslinking agent is more preferably 1 to 30 parts by mass, and particularly preferably 5 to 20 parts by mass.
［白色顔料］
本発明のリフレクターに用いる樹脂組成物には、反射効果を高めるために白色顔料を含むことが好ましい。白色顔料としては、酸化チタン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、硫化バリウム、チタン酸カリウム等を単独もしくは混合して使用することが可能で、なかでも酸化チタンが好ましい。白色顔料の含有量は、樹脂成分１００質量部に対し、１０～５００質量部であることが好ましく、５０～４８０質量部であることがより好ましく、１００～４５０質量部であることがさらに好ましい。
白色顔料の平均粒径は成形性を考慮し、かつ高い反射率を得る観点から一次粒度分布において０．０５～０．５０μｍであることが好ましく、０．１０～０．４０μｍであることがより好ましく、０．１５～０．３０μｍであることがさらに好ましい。平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めることができる。 [White pigment]
The resin composition used for the reflector of the present invention preferably contains a white pigment in order to enhance the reflection effect. As the white pigment, titanium oxide, zinc sulfide, zinc oxide, barium sulfide, potassium titanate and the like can be used alone or in combination, and titanium oxide is particularly preferable. The content of the white pigment is preferably 10 to 500 parts by mass, more preferably 50 to 480 parts by mass, and still more preferably 100 to 450 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component.
The average particle size of the white pigment is preferably 0.05 to 0.50 μm in the primary particle size distribution, and more preferably 0.10 to 0.40 μm in view of moldability and high reflectance. Preferably, the thickness is 0.15 to 0.30 μm. An average particle diameter can be calculated | required as mass average value D50 in the particle size distribution measurement by a laser beam diffraction method.
本発明のリフレクターに用いる樹脂組成物には、反射効果を高めるために白色顔料を含むことが好ましい。白色顔料としては、酸化チタン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、硫化バリウム、チタン酸カリウム等を単独もしくは混合して使用することが可能で、なかでも酸化チタンが好ましい。白色顔料の含有量は、樹脂成分１００質量部に対し、１０～５００質量部であることが好ましく、５０～４８０質量部であることがより好ましく、１００～４５０質量部であることがさらに好ましい。
白色顔料の平均粒径は成形性を考慮し、かつ高い反射率を得る観点から一次粒度分布において０．０５～０．５０μｍであることが好ましく、０．１０～０．４０μｍであることがより好ましく、０．１５～０．３０μｍであることがさらに好ましい。平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めることができる。 [White pigment]
The resin composition used for the reflector of the present invention preferably contains a white pigment in order to enhance the reflection effect. As the white pigment, titanium oxide, zinc sulfide, zinc oxide, barium sulfide, potassium titanate and the like can be used alone or in combination, and titanium oxide is particularly preferable. The content of the white pigment is preferably 10 to 500 parts by mass, more preferably 50 to 480 parts by mass, and still more preferably 100 to 450 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component.
The average particle size of the white pigment is preferably 0.05 to 0.50 μm in the primary particle size distribution, and more preferably 0.10 to 0.40 μm in view of moldability and high reflectance. Preferably, the thickness is 0.15 to 0.30 μm. An average particle diameter can be calculated | required as mass average value D50 in the particle size distribution measurement by a laser beam diffraction method.
［分散剤］
本発明のリフレクターを形成する樹脂組成物は、上記材料に加えて、本願発明の効果を阻害しない範囲で分散剤が混合されていてもよい。分散剤としては、一般的に無機物質を含有する樹脂組成物に用いられるものを使用することができるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤は樹脂に対する無機物質の分散性、相溶性が高く、リフレクターに高い機械的特性、寸法安定性を付与することができる。
シランカップリング剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のジシラザン；環状シラザン；トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、トリメトキシシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ－ブチルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ－オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、プロペニルトリメトキシシラン、プロペニルトリエトキシシラン、ブテニルトリメトキシシラン、ブテニルトリエトキシシラン、ペンテニルトリメトキシシラン、ペンテニルトリエトキシシラン、ヘキセニルトリメトキシシラン、ヘキセニルトリエトキシシラン、ヘプテニルトリメトキシシラン、ヘプテニルトリエトキシシラン、オクテニルトリメトキシシラン、オクテニルトリエトキシシラン、ノネニルトリメトキシシラン、ノネニルトリエトキシシラン、デケニルトリメトキシシラン、デケニルトリエトキシシラン、ウンデケニルトリメトキシシラン、ウンデケニルトリエトキシシラン、ドデケニルトリメトキシシラン、ドデケニルトリエトキシシラン、γ－メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、及びビニルトリアセトキシシラン等のアルキルシラン化合物；γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（２－アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）３－アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ－β－（Ｎ－ビニルベンジルアミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等のアミノシラン化合物；等が挙げられる。 [Dispersant]
In the resin composition forming the reflector of the present invention, in addition to the above materials, a dispersant may be mixed within a range that does not impair the effects of the present invention. As the dispersant, those generally used for a resin composition containing an inorganic substance can be used, and a silane coupling agent is preferred. The silane coupling agent has high dispersibility and compatibility of the inorganic substance with respect to the resin, and can impart high mechanical properties and dimensional stability to the reflector.
Examples of the silane coupling agent include disilazane such as hexamethyldisilazane; cyclic silazane; trimethylsilane, trimethylchlorosilane, dimethyldichlorosilane, methyltrichlorosilane, allyldimethylchlorosilane, trimethoxysilane, benzyldimethylchlorosilane, Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, trimethylmethoxysilane, hydroxypropyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-hexadecyl Trimethoxysilane, n-octadecyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, propenyltrimethoxysilane Propenyltriethoxysilane, butenyltrimethoxysilane, butenyltriethoxysilane, pentenyltrimethoxysilane, pentenyltriethoxysilane, hexenyltrimethoxysilane, hexenyltriethoxysilane, heptenyltrimethoxysilane, heptenyltriethoxysilane, octenyl Tenenyltrimethoxysilane, octenyltriethoxysilane, nonenyltrimethoxysilane, nonenyltriethoxysilane, decenyltrimethoxysilane, decenyltriethoxysilane, undecenyltrimethoxysilane, undecenyltriethoxysilane, dodecenyl Alkylsilane compounds such as trimethoxysilane, dodecenyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and vinyltriacetoxysilane; γ-aminopropyltriethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, and aminosilane compounds such as N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane and hexyltrimethoxysilane;
本発明のリフレクターを形成する樹脂組成物は、上記材料に加えて、本願発明の効果を阻害しない範囲で分散剤が混合されていてもよい。分散剤としては、一般的に無機物質を含有する樹脂組成物に用いられるものを使用することができるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤は樹脂に対する無機物質の分散性、相溶性が高く、リフレクターに高い機械的特性、寸法安定性を付与することができる。
シランカップリング剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のジシラザン；環状シラザン；トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、トリメトキシシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ－ブチルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ－オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、プロペニルトリメトキシシラン、プロペニルトリエトキシシラン、ブテニルトリメトキシシラン、ブテニルトリエトキシシラン、ペンテニルトリメトキシシラン、ペンテニルトリエトキシシラン、ヘキセニルトリメトキシシラン、ヘキセニルトリエトキシシラン、ヘプテニルトリメトキシシラン、ヘプテニルトリエトキシシラン、オクテニルトリメトキシシラン、オクテニルトリエトキシシラン、ノネニルトリメトキシシラン、ノネニルトリエトキシシラン、デケニルトリメトキシシラン、デケニルトリエトキシシラン、ウンデケニルトリメトキシシラン、ウンデケニルトリエトキシシラン、ドデケニルトリメトキシシラン、ドデケニルトリエトキシシラン、γ－メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、及びビニルトリアセトキシシラン等のアルキルシラン化合物；γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（２－アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）３－アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ－β－（Ｎ－ビニルベンジルアミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等のアミノシラン化合物；等が挙げられる。 [Dispersant]
In the resin composition forming the reflector of the present invention, in addition to the above materials, a dispersant may be mixed within a range that does not impair the effects of the present invention. As the dispersant, those generally used for a resin composition containing an inorganic substance can be used, and a silane coupling agent is preferred. The silane coupling agent has high dispersibility and compatibility of the inorganic substance with respect to the resin, and can impart high mechanical properties and dimensional stability to the reflector.
Examples of the silane coupling agent include disilazane such as hexamethyldisilazane; cyclic silazane; trimethylsilane, trimethylchlorosilane, dimethyldichlorosilane, methyltrichlorosilane, allyldimethylchlorosilane, trimethoxysilane, benzyldimethylchlorosilane, Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, trimethylmethoxysilane, hydroxypropyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-hexadecyl Trimethoxysilane, n-octadecyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, propenyltrimethoxysilane Propenyltriethoxysilane, butenyltrimethoxysilane, butenyltriethoxysilane, pentenyltrimethoxysilane, pentenyltriethoxysilane, hexenyltrimethoxysilane, hexenyltriethoxysilane, heptenyltrimethoxysilane, heptenyltriethoxysilane, octenyl Tenenyltrimethoxysilane, octenyltriethoxysilane, nonenyltrimethoxysilane, nonenyltriethoxysilane, decenyltrimethoxysilane, decenyltriethoxysilane, undecenyltrimethoxysilane, undecenyltriethoxysilane, dodecenyl Alkylsilane compounds such as trimethoxysilane, dodecenyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and vinyltriacetoxysilane; γ-aminopropyltriethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, and aminosilane compounds such as N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane and hexyltrimethoxysilane;
本発明のリフレクターを形成する樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない限り、種々の添加剤を含有させることができる。例えば、樹脂組成物の性質を改善する目的で、種々のウィスカー、シリコーンパウダー、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤や、ベンゾフェノン系、サリチル酸系、シアノアクリレート系、イソシアヌレート系、シュウ酸アニリド系、ベンゾエート系、ヒンダートアミン系、ベンゾトリアゾール系、フェノール系等の酸化防止剤や、ヒンダードアミン系、ベンゾエート系等の光安定剤といった添加剤を配合することができる。
The resin composition forming the reflector of the present invention can contain various additives as long as the effects of the present invention are not impaired. For example, for the purpose of improving the properties of the resin composition, various kinds of whisker, silicone powder, thermoplastic elastomer, organic synthetic rubber, fatty acid ester, glycerate ester, zinc stearate, calcium stearate and other internal mold release agents, benzophenone , Salicylic acid-based, cyanoacrylate-based, isocyanurate-based, oxalic acid anilide-based, benzoate-based, hindered amine-based, benzotriazole-based, phenol-based antioxidants, hindered amine-based, benzoate-based light stabilizers, etc. Additives can be blended.
［リフレクター用樹脂組成物の調製］
本発明のリフレクターを形成する樹脂組成物は、樹脂とガラス繊維、及び必要に応じて添加される白色顔料及びその他の添加剤とを所定比で混合して作製することができる。混合方法としては、２本ロールあるいは３本ロール、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー等の撹拌機、ポリラボシステムやラボプラストミル、２軸混練押出機等の溶融混練機等の公知の手段を適用することができる。これらは常温、冷却状態、加熱状態、常圧、減圧状態、加圧状態のいずれで行ってもよい。 [Preparation of resin composition for reflector]
The resin composition forming the reflector of the present invention can be prepared by mixing a resin, glass fiber, and a white pigment and other additives added as necessary at a predetermined ratio. As a mixing method, a known means such as a two-roll or three-roll, a stirrer such as a homogenizer, a planetary mixer, a melt kneader such as a polylab system, a lab plast mill, or a biaxial kneading extruder is applied. Can do. These may be performed at normal temperature, cooling state, heating state, normal pressure, reduced pressure state, or pressurized state.
本発明のリフレクターを形成する樹脂組成物は、樹脂とガラス繊維、及び必要に応じて添加される白色顔料及びその他の添加剤とを所定比で混合して作製することができる。混合方法としては、２本ロールあるいは３本ロール、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー等の撹拌機、ポリラボシステムやラボプラストミル、２軸混練押出機等の溶融混練機等の公知の手段を適用することができる。これらは常温、冷却状態、加熱状態、常圧、減圧状態、加圧状態のいずれで行ってもよい。 [Preparation of resin composition for reflector]
The resin composition forming the reflector of the present invention can be prepared by mixing a resin, glass fiber, and a white pigment and other additives added as necessary at a predetermined ratio. As a mixing method, a known means such as a two-roll or three-roll, a stirrer such as a homogenizer, a planetary mixer, a melt kneader such as a polylab system, a lab plast mill, or a biaxial kneading extruder is applied. Can do. These may be performed at normal temperature, cooling state, heating state, normal pressure, reduced pressure state, or pressurized state.
［リフレクターの形状］
リフレクター１２の形状は、レンズ１８の端部（接合部）の形状に準じており、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１の概略断面図においては、リフレクター１２は、筒状体（輪状体）であり、リフレクター１２のすべての端面が基板１４の表面に接触、固定されている。
また、リフレクター１２は、凹部形状のキャビティを有する形状であり、リフレクター１２の内面は、光半導体素子１０からの光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていてもよい。
また、リフレクター１２は、レンズ１８側の端部を、当該レンズ１８の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。 [Reflector shape]
The shape of thereflector 12 conforms to the shape of the end portion (joint portion) of the lens 18 and is usually a cylindrical shape such as a square shape, a circular shape, or an oval shape, or an annular shape. In the schematic cross-sectional view of FIG. 1, the reflector 12 is a cylindrical body (annular body), and all the end faces of the reflector 12 are in contact with and fixed to the surface of the substrate 14.
Moreover, thereflector 12 has a shape having a recessed cavity, and the inner surface of the reflector 12 may be widened upward in a tapered shape in order to increase the directivity of light from the optical semiconductor element 10.
Thereflector 12 can also function as a lens holder when the end portion on the lens 18 side is processed into a shape corresponding to the shape of the lens 18.
リフレクター１２の形状は、レンズ１８の端部（接合部）の形状に準じており、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１の概略断面図においては、リフレクター１２は、筒状体（輪状体）であり、リフレクター１２のすべての端面が基板１４の表面に接触、固定されている。
また、リフレクター１２は、凹部形状のキャビティを有する形状であり、リフレクター１２の内面は、光半導体素子１０からの光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていてもよい。
また、リフレクター１２は、レンズ１８側の端部を、当該レンズ１８の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。 [Reflector shape]
The shape of the
Moreover, the
The
［リフレクターの製造方法］
本発明に係るリフレクターの製造方法としては、特に限定されるものではないが、上記樹脂組成物を用いた射出成形による製造が好ましい。このとき、成形性の観点から、シリンダー温度は２００～４００℃が好ましく、２２０～３２０℃がより好ましい。また、金型温度は１０～１７０℃が好ましく、２０～１５０℃がより好ましい。
本発明に係るリフレクターは、さらに必要に応じて、成形工程の前又は後に、電離放射線照射処理を施しても良く、なかでも、電子線照射処理が好ましい。電子線照射処理を施すことによって、リフレクターの機械的特性、寸法安定性を向上させることができる。 [Manufacturing method of reflector]
Although it does not specifically limit as a manufacturing method of the reflector based on this invention, Manufacture by the injection molding using the said resin composition is preferable. At this time, the cylinder temperature is preferably 200 to 400 ° C., more preferably 220 to 320 ° C. from the viewpoint of moldability. The mold temperature is preferably 10 to 170 ° C, more preferably 20 to 150 ° C.
If necessary, the reflector according to the present invention may be subjected to ionizing radiation irradiation treatment before or after the molding step, and among them, electron beam irradiation treatment is preferable. By performing the electron beam irradiation treatment, the mechanical properties and dimensional stability of the reflector can be improved.
本発明に係るリフレクターの製造方法としては、特に限定されるものではないが、上記樹脂組成物を用いた射出成形による製造が好ましい。このとき、成形性の観点から、シリンダー温度は２００～４００℃が好ましく、２２０～３２０℃がより好ましい。また、金型温度は１０～１７０℃が好ましく、２０～１５０℃がより好ましい。
本発明に係るリフレクターは、さらに必要に応じて、成形工程の前又は後に、電離放射線照射処理を施しても良く、なかでも、電子線照射処理が好ましい。電子線照射処理を施すことによって、リフレクターの機械的特性、寸法安定性を向上させることができる。 [Manufacturing method of reflector]
Although it does not specifically limit as a manufacturing method of the reflector based on this invention, Manufacture by the injection molding using the said resin composition is preferable. At this time, the cylinder temperature is preferably 200 to 400 ° C., more preferably 220 to 320 ° C. from the viewpoint of moldability. The mold temperature is preferably 10 to 170 ° C, more preferably 20 to 150 ° C.
If necessary, the reflector according to the present invention may be subjected to ionizing radiation irradiation treatment before or after the molding step, and among them, electron beam irradiation treatment is preferable. By performing the electron beam irradiation treatment, the mechanical properties and dimensional stability of the reflector can be improved.
＜封止樹脂＞
本発明に係るリフレクターのキャビティは、光半導体素子を封止するとともに光半導体素子から発せられた光を外部に透過させることが可能な樹脂（封止樹脂）で封止されていることが好ましい。ワイヤーボンディング実装において、リード線に直接接触することにより加わる力、及び、間接的に加わる振動、衝撃等により、光半導体素子との接続部、及び／又は、電極との接続部からリード線が外れたり、切断したり、短絡したりすることによって生じる電気的な不具合を防止することができる。また、同時に、湿気、塵埃等から光半導体素子を保護し、長期間に渡って信頼性を維持することができる。
封止樹脂として用いられるものとしては、特に限定されるものではないが、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。これらのうち、耐熱性、耐候性、低収縮性及び耐変色性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。 <Sealing resin>
The cavity of the reflector according to the present invention is preferably sealed with a resin (sealing resin) capable of sealing the optical semiconductor element and transmitting light emitted from the optical semiconductor element to the outside. In wire bonding mounting, the lead wire is disconnected from the connection portion with the optical semiconductor element and / or the connection portion with the electrode due to the force applied by direct contact with the lead wire and the vibration or impact applied indirectly. It is possible to prevent electrical problems caused by cutting, cutting, or short-circuiting. At the same time, the optical semiconductor element can be protected from moisture, dust, etc., and the reliability can be maintained for a long time.
Although what is used as sealing resin is not specifically limited, Silicone resin, epoxy silicone resin, epoxy resin, acrylic resin, polyimide resin, polycarbonate resin, etc. are mentioned. Of these, silicone resins are preferred from the viewpoints of heat resistance, weather resistance, low shrinkage, and discoloration resistance.
本発明に係るリフレクターのキャビティは、光半導体素子を封止するとともに光半導体素子から発せられた光を外部に透過させることが可能な樹脂（封止樹脂）で封止されていることが好ましい。ワイヤーボンディング実装において、リード線に直接接触することにより加わる力、及び、間接的に加わる振動、衝撃等により、光半導体素子との接続部、及び／又は、電極との接続部からリード線が外れたり、切断したり、短絡したりすることによって生じる電気的な不具合を防止することができる。また、同時に、湿気、塵埃等から光半導体素子を保護し、長期間に渡って信頼性を維持することができる。
封止樹脂として用いられるものとしては、特に限定されるものではないが、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。これらのうち、耐熱性、耐候性、低収縮性及び耐変色性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。 <Sealing resin>
The cavity of the reflector according to the present invention is preferably sealed with a resin (sealing resin) capable of sealing the optical semiconductor element and transmitting light emitted from the optical semiconductor element to the outside. In wire bonding mounting, the lead wire is disconnected from the connection portion with the optical semiconductor element and / or the connection portion with the electrode due to the force applied by direct contact with the lead wire and the vibration or impact applied indirectly. It is possible to prevent electrical problems caused by cutting, cutting, or short-circuiting. At the same time, the optical semiconductor element can be protected from moisture, dust, etc., and the reliability can be maintained for a long time.
Although what is used as sealing resin is not specifically limited, Silicone resin, epoxy silicone resin, epoxy resin, acrylic resin, polyimide resin, polycarbonate resin, etc. are mentioned. Of these, silicone resins are preferred from the viewpoints of heat resistance, weather resistance, low shrinkage, and discoloration resistance.
＜光半導体素子＞
光半導体素子は、放射光（一般に、白色光ＬＥＤにおいてはＵＶ又は青色光）を放出する、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体チップ（発光体）であり、例えば、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状をしている。そして、ワイヤーボンディング実装の形態の場合には、リード線を介してリード部に接続されている。 <Optical semiconductor element>
An optical semiconductor device emits radiated light (generally UV or blue light in a white light LED), for example, an active layer made of AlGaAs, AlGaInP, GaP or GaN sandwiched between n-type and p-type cladding layers A semiconductor chip (light emitter) having a double heterostructure, for example, has a hexahedral shape with a side length of about 0.5 mm. And in the case of the form of wire bonding mounting, it is connected to the lead part via the lead wire.
光半導体素子は、放射光（一般に、白色光ＬＥＤにおいてはＵＶ又は青色光）を放出する、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体チップ（発光体）であり、例えば、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状をしている。そして、ワイヤーボンディング実装の形態の場合には、リード線を介してリード部に接続されている。 <Optical semiconductor element>
An optical semiconductor device emits radiated light (generally UV or blue light in a white light LED), for example, an active layer made of AlGaAs, AlGaInP, GaP or GaN sandwiched between n-type and p-type cladding layers A semiconductor chip (light emitter) having a double heterostructure, for example, has a hexahedral shape with a side length of about 0.5 mm. And in the case of the form of wire bonding mounting, it is connected to the lead part via the lead wire.
＜光半導体実装用基板＞
本願発明の光半導体実装用基板は、上記半導体発光装置に好適に用いられ、基板１４及び凹部形状のキャビティを有するリフレクター１２を備える。該リフレクターは、繊維状無機物を含有する樹脂組成物から形成され、かつ該リフレクターは繊維状無機物の配向角度が、一定方向に対して±２０度の範囲にある配向領域と、それ以外の非配向領域を含む構造を有し、光半導体装置の外形が切削によって形成された該リフレクターの厚み方向において、該繊維状無機物の配向領域（１２ａ）の厚みがリフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする。なお、繊維状無機物の配向角度は、上述の方法により測定されるものである。 <Optical semiconductor mounting substrate>
The substrate for mounting an optical semiconductor according to the present invention is suitably used for the semiconductor light emitting device, and includes asubstrate 14 and a reflector 12 having a concave cavity. The reflector is formed from a resin composition containing a fibrous inorganic material, and the reflector has an orientation region in which the orientation angle of the fibrous inorganic material is within a range of ± 20 degrees with respect to a certain direction, and other non-oriented materials. The thickness of the orientation region (12a) of the fibrous inorganic substance is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion in the thickness direction of the reflector having the structure including the region and the outer shape of the optical semiconductor device formed by cutting It is characterized by being. The orientation angle of the fibrous inorganic substance is measured by the above method.
本願発明の光半導体実装用基板は、上記半導体発光装置に好適に用いられ、基板１４及び凹部形状のキャビティを有するリフレクター１２を備える。該リフレクターは、繊維状無機物を含有する樹脂組成物から形成され、かつ該リフレクターは繊維状無機物の配向角度が、一定方向に対して±２０度の範囲にある配向領域と、それ以外の非配向領域を含む構造を有し、光半導体装置の外形が切削によって形成された該リフレクターの厚み方向において、該繊維状無機物の配向領域（１２ａ）の厚みがリフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする。なお、繊維状無機物の配向角度は、上述の方法により測定されるものである。 <Optical semiconductor mounting substrate>
The substrate for mounting an optical semiconductor according to the present invention is suitably used for the semiconductor light emitting device, and includes a
＜光半導体実装用基板の製造方法＞
本発明の光半導体実装用基板の製造方法の一例について、図２を参照しつつ説明するが、本発明の光半導体実装用基板の製造方法は、この例によってなんら限定されるものではない。
まず、基板（金属フレーム又はリードフレーム）１４上にリフレクターを形成するための樹脂組成物を、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成形、圧縮成形、射出成形等により成形し、所定形状のリフレクターを複数有する成形体を得る。リフレクターを複数個、同時に作製することができるので効率的であり、射出成形が好ましい手法である。このようにして得た成形体は必要に応じて電子線照射等の硬化過程を経てもよい。この段階、すなわち基板上にリフレクターを載置したものが光半導体実装用基板（図２（ａ））である。 <Manufacturing method of substrate for mounting optical semiconductor>
An example of a method for manufacturing an optical semiconductor mounting substrate according to the present invention will be described with reference to FIG. 2, but the method for manufacturing an optical semiconductor mounting substrate according to the present invention is not limited to this example.
First, a resin composition for forming a reflector on a substrate (metal frame or lead frame) 14 is molded by transfer molding, compression molding, injection molding or the like using a mold having a cavity space of a predetermined shape, A molded body having a plurality of shaped reflectors is obtained. Since a plurality of reflectors can be produced simultaneously, it is efficient and injection molding is a preferred method. The molded body thus obtained may undergo a curing process such as electron beam irradiation as necessary. At this stage, that is, a substrate on which a reflector is placed is an optical semiconductor mounting substrate (FIG. 2A).
本発明の光半導体実装用基板の製造方法の一例について、図２を参照しつつ説明するが、本発明の光半導体実装用基板の製造方法は、この例によってなんら限定されるものではない。
まず、基板（金属フレーム又はリードフレーム）１４上にリフレクターを形成するための樹脂組成物を、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成形、圧縮成形、射出成形等により成形し、所定形状のリフレクターを複数有する成形体を得る。リフレクターを複数個、同時に作製することができるので効率的であり、射出成形が好ましい手法である。このようにして得た成形体は必要に応じて電子線照射等の硬化過程を経てもよい。この段階、すなわち基板上にリフレクターを載置したものが光半導体実装用基板（図２（ａ））である。 <Manufacturing method of substrate for mounting optical semiconductor>
An example of a method for manufacturing an optical semiconductor mounting substrate according to the present invention will be described with reference to FIG. 2, but the method for manufacturing an optical semiconductor mounting substrate according to the present invention is not limited to this example.
First, a resin composition for forming a reflector on a substrate (metal frame or lead frame) 14 is molded by transfer molding, compression molding, injection molding or the like using a mold having a cavity space of a predetermined shape, A molded body having a plurality of shaped reflectors is obtained. Since a plurality of reflectors can be produced simultaneously, it is efficient and injection molding is a preferred method. The molded body thus obtained may undergo a curing process such as electron beam irradiation as necessary. At this stage, that is, a substrate on which a reflector is placed is an optical semiconductor mounting substrate (FIG. 2A).
＜半導体発光装置の製造方法＞
続いて、本発明の半導体発光装置の製造方法の一例について、図２を参照しつつ説明するが、本発明の半導体発光装置の製造方法は、この例によってなんら限定されるものではない。
上記光半導体実装用基板に、別途、準備したＬＥＤチップ等の光半導体素子１０を配置する（図２（ｂ））。この際、光半導体素子１０を固定するために、接着剤や接合部材を用いてもよい。
次に、図２（ｃ）に示すように、リード線１６を設けて、光半導体素子とリード部（電極）を電気的に接続する。その際には、リード線の接続を良好にするために、１００～２５０℃で５～２０分間加熱することが好ましい。 <Method for Manufacturing Semiconductor Light Emitting Device>
Subsequently, an example of the method for manufacturing the semiconductor light emitting device of the present invention will be described with reference to FIG. 2, but the method for manufacturing the semiconductor light emitting device of the present invention is not limited to this example.
A separately preparedoptical semiconductor element 10 such as an LED chip is disposed on the optical semiconductor mounting substrate (FIG. 2B). At this time, an adhesive or a bonding member may be used to fix the optical semiconductor element 10.
Next, as shown in FIG. 2C, alead wire 16 is provided to electrically connect the optical semiconductor element and the lead portion (electrode). In that case, in order to improve the connection of the lead wire, it is preferable to heat at 100 to 250 ° C. for 5 to 20 minutes.
続いて、本発明の半導体発光装置の製造方法の一例について、図２を参照しつつ説明するが、本発明の半導体発光装置の製造方法は、この例によってなんら限定されるものではない。
上記光半導体実装用基板に、別途、準備したＬＥＤチップ等の光半導体素子１０を配置する（図２（ｂ））。この際、光半導体素子１０を固定するために、接着剤や接合部材を用いてもよい。
次に、図２（ｃ）に示すように、リード線１６を設けて、光半導体素子とリード部（電極）を電気的に接続する。その際には、リード線の接続を良好にするために、１００～２５０℃で５～２０分間加熱することが好ましい。 <Method for Manufacturing Semiconductor Light Emitting Device>
Subsequently, an example of the method for manufacturing the semiconductor light emitting device of the present invention will be described with reference to FIG. 2, but the method for manufacturing the semiconductor light emitting device of the present invention is not limited to this example.
A separately prepared
Next, as shown in FIG. 2C, a
その後、図２（ｄ）に示すように、リフレクターのキャビティ２０に封止樹脂を充填し、硬化させて封止部２２を作製する。
次に、図２（ｅ）に示すように、リフレクターのほぼ中央（図２の点線部）で、ダイシングなどの方法で個片化し、図１に示す半導体発光装置を得る。必要に応じて、封止部２２上にレンズ１８を配設することができる。なおその場合は、封止樹脂が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、封止樹脂を硬化させてもよい。
該半導体発光装置を配線基板２４上に接続し、実装したものが図２（ｆ）である。半導体発光装置を配線基板上に実装する方法は、特に限定されるものではないが、溶融させた半田を用いて行うことが好ましい。より具体的には、配線基板上に半田を設けておき、その半田上にパッケージを載せてから、リフロー炉により一般的な半田の溶融温度である２２０～２７０℃に加熱して、半田を溶融させて配線基板上に半導体発光装置を実装する方法（半田リフロー法）である。上記の半田を用いる方法で使用する半田は、周知のものが使用できる。 Thereafter, as shown in FIG. 2D, the sealingcavity 22 is manufactured by filling the cavity 20 of the reflector with a sealing resin and curing it.
Next, as shown in FIG. 2E, the semiconductor light emitting device shown in FIG. 1 is obtained by dividing into pieces by a method such as dicing at a substantially center of the reflector (dotted line portion in FIG. 2). Thelens 18 can be disposed on the sealing portion 22 as necessary. In this case, the sealing resin may be cured after the lens 18 is placed in a state where the sealing resin is uncured.
FIG. 2F shows the semiconductor light emitting device connected to thewiring board 24 and mounted. A method for mounting the semiconductor light emitting device on the wiring board is not particularly limited, but it is preferable to use a melted solder. More specifically, solder is provided on a wiring board, a package is placed on the solder, and then heated to 220 to 270 ° C., which is a general solder melting temperature, in a reflow furnace to melt the solder. And mounting the semiconductor light emitting device on the wiring substrate (solder reflow method). A well-known thing can be used for the solder used by the method using said solder.
次に、図２（ｅ）に示すように、リフレクターのほぼ中央（図２の点線部）で、ダイシングなどの方法で個片化し、図１に示す半導体発光装置を得る。必要に応じて、封止部２２上にレンズ１８を配設することができる。なおその場合は、封止樹脂が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、封止樹脂を硬化させてもよい。
該半導体発光装置を配線基板２４上に接続し、実装したものが図２（ｆ）である。半導体発光装置を配線基板上に実装する方法は、特に限定されるものではないが、溶融させた半田を用いて行うことが好ましい。より具体的には、配線基板上に半田を設けておき、その半田上にパッケージを載せてから、リフロー炉により一般的な半田の溶融温度である２２０～２７０℃に加熱して、半田を溶融させて配線基板上に半導体発光装置を実装する方法（半田リフロー法）である。上記の半田を用いる方法で使用する半田は、周知のものが使用できる。 Thereafter, as shown in FIG. 2D, the sealing
Next, as shown in FIG. 2E, the semiconductor light emitting device shown in FIG. 1 is obtained by dividing into pieces by a method such as dicing at a substantially center of the reflector (dotted line portion in FIG. 2). The
FIG. 2F shows the semiconductor light emitting device connected to the
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、この例によってなんら限定されるものではない。
（評価方法）
各実施例及び比較例にて作製した成形体に、加速電圧８００ｋＶ、照射線量４００ｋＧｙにて電子線を照射して硬化させた。硬化後の成形体（複数のリフレクター）について、以下の（１）の方法で評価した。また、該成形体（複数のリフレクター）と別途準備したＬＥＤ素子、及び電極を接着剤により基板上に固定し、リード線によりＬＥＤ素子と電極を接続した後、ダイシングして個片化し、半導体発光装置（ＬＥＤパッケージ）を得た。該半導体発光装置について、以下（２）及び（３）の方法で評価した。 EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by this example.
(Evaluation methods)
The molded bodies produced in each Example and Comparative Example were cured by irradiation with an electron beam at an acceleration voltage of 800 kV and an irradiation dose of 400 kGy. The molded body (a plurality of reflectors) after curing was evaluated by the following method (1). In addition, the molded body (a plurality of reflectors) and separately prepared LED elements and electrodes are fixed on a substrate with an adhesive, and the LED elements and electrodes are connected with lead wires, and then diced into individual pieces to emit semiconductor light. A device (LED package) was obtained. The semiconductor light emitting device was evaluated by the following methods (2) and (3).
（評価方法）
各実施例及び比較例にて作製した成形体に、加速電圧８００ｋＶ、照射線量４００ｋＧｙにて電子線を照射して硬化させた。硬化後の成形体（複数のリフレクター）について、以下の（１）の方法で評価した。また、該成形体（複数のリフレクター）と別途準備したＬＥＤ素子、及び電極を接着剤により基板上に固定し、リード線によりＬＥＤ素子と電極を接続した後、ダイシングして個片化し、半導体発光装置（ＬＥＤパッケージ）を得た。該半導体発光装置について、以下（２）及び（３）の方法で評価した。 EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by this example.
(Evaluation methods)
The molded bodies produced in each Example and Comparative Example were cured by irradiation with an electron beam at an acceleration voltage of 800 kV and an irradiation dose of 400 kGy. The molded body (a plurality of reflectors) after curing was evaluated by the following method (1). In addition, the molded body (a plurality of reflectors) and separately prepared LED elements and electrodes are fixed on a substrate with an adhesive, and the LED elements and electrodes are connected with lead wires, and then diced into individual pieces to emit semiconductor light. A device (LED package) was obtained. The semiconductor light emitting device was evaluated by the following methods (2) and (3).
（１）反りの平均値
成形物を定盤の上に静置し、四隅の反りを、隙間ゲージを用いて測定し、その平均値を算出した。
（２）繊維状無機物の配向角度
光学顕微鏡（Ａｘｉｏ Ｉｍａｇｅｒ Ｍ１ｍ（株）カールツァイス製）および画像処理ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用い、明細書本文中に記載の方法により、繊維状物質の配向角度を測定した。また、配向領域および配向領域の全リフレクターの厚さに対する比率を求めた。尚、研磨は１０μｍ毎に行った。
（３）密着度
各リフレクターと基板の密着度を、レッドチェック試験で測定し、判定した。
リフレクターのキャビティにレッドインキ（（株）パイロットコーポレーション製「ＩＮＫ３０Ｒ」）を０．８μＬ垂らし、６時間後の裏面へのインキの漏れ具合を５０倍の光学顕微鏡で観察した。評価基準は以下の通りである。
〇 ６時間経過後でも漏れは見られなかった。
× ６時間経過前に漏れが見られた。 (1) Average value of warpage The molded product was allowed to stand on a surface plate, the warpage of the four corners was measured using a gap gauge, and the average value was calculated.
(2) Orientation angle of fibrous inorganic substance Using an optical microscope (Axio Imager M1m, manufactured by Carl Zeiss) and image processing software Image J, the orientation angle of the fibrous substance was measured by the method described in the specification. . Moreover, the ratio with respect to the thickness of all the reflectors of an orientation area | region and an orientation area | region was calculated | required. The polishing was performed every 10 μm.
(3) Adhesion degree The adhesion degree between each reflector and the substrate was measured by a red check test and judged.
0.8 μL of red ink (“INK30R” manufactured by Pilot Corporation) was dropped in the reflector cavity, and the degree of ink leakage to the back surface after 6 hours was observed with a 50 × optical microscope. The evaluation criteria are as follows.
〇 There was no leakage even after 6 hours.
X Leakage was seen before 6 hours.
成形物を定盤の上に静置し、四隅の反りを、隙間ゲージを用いて測定し、その平均値を算出した。
（２）繊維状無機物の配向角度
光学顕微鏡（Ａｘｉｏ Ｉｍａｇｅｒ Ｍ１ｍ（株）カールツァイス製）および画像処理ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用い、明細書本文中に記載の方法により、繊維状物質の配向角度を測定した。また、配向領域および配向領域の全リフレクターの厚さに対する比率を求めた。尚、研磨は１０μｍ毎に行った。
（３）密着度
各リフレクターと基板の密着度を、レッドチェック試験で測定し、判定した。
リフレクターのキャビティにレッドインキ（（株）パイロットコーポレーション製「ＩＮＫ３０Ｒ」）を０．８μＬ垂らし、６時間後の裏面へのインキの漏れ具合を５０倍の光学顕微鏡で観察した。評価基準は以下の通りである。
〇 ６時間経過後でも漏れは見られなかった。
× ６時間経過前に漏れが見られた。 (1) Average value of warpage The molded product was allowed to stand on a surface plate, the warpage of the four corners was measured using a gap gauge, and the average value was calculated.
(2) Orientation angle of fibrous inorganic substance Using an optical microscope (Axio Imager M1m, manufactured by Carl Zeiss) and image processing software Image J, the orientation angle of the fibrous substance was measured by the method described in the specification. . Moreover, the ratio with respect to the thickness of all the reflectors of an orientation area | region and an orientation area | region was calculated | required. The polishing was performed every 10 μm.
(3) Adhesion degree The adhesion degree between each reflector and the substrate was measured by a red check test and judged.
0.8 μL of red ink (“INK30R” manufactured by Pilot Corporation) was dropped in the reflector cavity, and the degree of ink leakage to the back surface after 6 hours was observed with a 50 × optical microscope. The evaluation criteria are as follows.
〇 There was no leakage even after 6 hours.
X Leakage was seen before 6 hours.
実施例１
ポリメチルペンテン（三井化学（株）製「ＴＰＸ ＲＴ１８」、以下「ＰＭＰ」と記載）１００質量部に対して、酸化チタン（石原産業（株）製「ＰＦ－６９１」、ルチル型、平均粒径０．２１μｍ、以下「ＴｉＯ２」と記載）４５０質量部、ガラス繊維（日東紡績（株）製「ＰＦ７０Ｅ－００１」、繊維長７０μｍ、以下「ＧＦ」と記載）１２０質量部、添加剤としてトリアリルイソシアネート（日本化成（株）製、以下「ＴＡＩＣ」と記載）１８質量部、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦ・ジャパン（株）製）５質量部、ＰＥＰ－３６（（株）ＡＤＥＫＡ社製）０．５質量部、ＳＺ－２０００（堺化学（株）製）０．５質量部、分散剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ－３０６３」）７質量部を配合、混練し、樹脂組成物を得た。なお、混練はポリラボシステム（バッチ式２軸）で行った。
この樹脂組成物と銅板を銀めっきした基板（金属フレーム、リードフレーム）板厚０．２５ｍｍを用い、インサート射出成形法によって複数のリフレクターを有する６０ｍｍ×６０ｍｍ×１ｍｍの成形体を得た。該成形体および上記方法で作製される半導体発光装置を上記方法（１）～（３）により評価した。評価結果を第１表に示す。 Example 1
For 100 parts by mass of polymethylpentene (“TPX RT18” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., hereinafter referred to as “PMP”), titanium oxide (“PF-691” manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), rutile type, average particle size 0.21 μm, hereinafter referred to as “TiO 2 ”) 450 parts by mass, glass fiber (“PF70E-001” manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd., fiber length 70 μm, hereinafter referred to as “GF”) 120 parts by mass, tri as an additive Allyl isocyanate (manufactured by Nippon Kasei Co., Ltd., hereinafter referred to as “TAIC”) 18 parts by mass, IRGANOX 1010 (manufactured by BASF Japan) 5 parts by mass, PEP-36 (manufactured by ADEKA Corporation) 0.5 mass Part, 0.5 parts by mass of SZ-2000 (manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.) and 7 parts by mass of a dispersant (“KBM-3063” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were mixed and kneaded to obtain a resin composition. . The kneading was performed with a polylab system (batch type biaxial).
Using this resin composition and a substrate (metal frame, lead frame) having a thickness of 0.25 mm plated with a copper plate, a molded body of 60 mm × 60 mm × 1 mm having a plurality of reflectors was obtained by an insert injection molding method. The molded body and the semiconductor light emitting device produced by the above method were evaluated by the above methods (1) to (3). The evaluation results are shown in Table 1.
ポリメチルペンテン（三井化学（株）製「ＴＰＸ ＲＴ１８」、以下「ＰＭＰ」と記載）１００質量部に対して、酸化チタン（石原産業（株）製「ＰＦ－６９１」、ルチル型、平均粒径０．２１μｍ、以下「ＴｉＯ２」と記載）４５０質量部、ガラス繊維（日東紡績（株）製「ＰＦ７０Ｅ－００１」、繊維長７０μｍ、以下「ＧＦ」と記載）１２０質量部、添加剤としてトリアリルイソシアネート（日本化成（株）製、以下「ＴＡＩＣ」と記載）１８質量部、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦ・ジャパン（株）製）５質量部、ＰＥＰ－３６（（株）ＡＤＥＫＡ社製）０．５質量部、ＳＺ－２０００（堺化学（株）製）０．５質量部、分散剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ－３０６３」）７質量部を配合、混練し、樹脂組成物を得た。なお、混練はポリラボシステム（バッチ式２軸）で行った。
この樹脂組成物と銅板を銀めっきした基板（金属フレーム、リードフレーム）板厚０．２５ｍｍを用い、インサート射出成形法によって複数のリフレクターを有する６０ｍｍ×６０ｍｍ×１ｍｍの成形体を得た。該成形体および上記方法で作製される半導体発光装置を上記方法（１）～（３）により評価した。評価結果を第１表に示す。 Example 1
For 100 parts by mass of polymethylpentene (“TPX RT18” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., hereinafter referred to as “PMP”), titanium oxide (“PF-691” manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), rutile type, average particle size 0.21 μm, hereinafter referred to as “TiO 2 ”) 450 parts by mass, glass fiber (“PF70E-001” manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd., fiber length 70 μm, hereinafter referred to as “GF”) 120 parts by mass, tri as an additive Allyl isocyanate (manufactured by Nippon Kasei Co., Ltd., hereinafter referred to as “TAIC”) 18 parts by mass, IRGANOX 1010 (manufactured by BASF Japan) 5 parts by mass, PEP-36 (manufactured by ADEKA Corporation) 0.5 mass Part, 0.5 parts by mass of SZ-2000 (manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.) and 7 parts by mass of a dispersant (“KBM-3063” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were mixed and kneaded to obtain a resin composition. . The kneading was performed with a polylab system (batch type biaxial).
Using this resin composition and a substrate (metal frame, lead frame) having a thickness of 0.25 mm plated with a copper plate, a molded body of 60 mm × 60 mm × 1 mm having a plurality of reflectors was obtained by an insert injection molding method. The molded body and the semiconductor light emitting device produced by the above method were evaluated by the above methods (1) to (3). The evaluation results are shown in Table 1.
実施例２～４
実施例１の射出成形条件を適宜変更したこと以外は同様にして、成形体および半導体発光装置の作製及び評価を行った。結果を第１表に示す。 Examples 2-4
A molded body and a semiconductor light emitting device were produced and evaluated in the same manner except that the injection molding conditions of Example 1 were appropriately changed. The results are shown in Table 1.
実施例１の射出成形条件を適宜変更したこと以外は同様にして、成形体および半導体発光装置の作製及び評価を行った。結果を第１表に示す。 Examples 2-4
A molded body and a semiconductor light emitting device were produced and evaluated in the same manner except that the injection molding conditions of Example 1 were appropriately changed. The results are shown in Table 1.
比較例１
実施例１の射出成形条件を適宜変更したこと以外は同様にして、成形体および半導体発光装置の作製及び評価を行った。結果を第１表に示す。 Comparative Example 1
A molded body and a semiconductor light emitting device were produced and evaluated in the same manner except that the injection molding conditions of Example 1 were appropriately changed. The results are shown in Table 1.
実施例１の射出成形条件を適宜変更したこと以外は同様にして、成形体および半導体発光装置の作製及び評価を行った。結果を第１表に示す。 Comparative Example 1
A molded body and a semiconductor light emitting device were produced and evaluated in the same manner except that the injection molding conditions of Example 1 were appropriately changed. The results are shown in Table 1.
本発明によれば、加熱等によっても反りを生じることがないため、個片化したリフレクターを有する半導体発光装置及び光半導体実装用基板においても、基板との密着性が極めて高い。
According to the present invention, since the warp is not caused even by heating or the like, even in the semiconductor light emitting device and the optical semiconductor mounting substrate having the separated reflector, the adhesion to the substrate is extremely high.
１；半導体発光装置
１０；半導体素子
１２；リフレクター
１２ａ；配向領域
１２ｂ；非配向領域
１３ａ；パッド部
１３ｂ；リード部
１４；基板（金属フレーム、リードフレーム）
１５；絶縁部
１６；リード線
１８；レンズ
２０；キャビティ
２２；封止部
２４；配線基板 DESCRIPTION OFSYMBOLS 1; Semiconductor light-emitting device 10; Semiconductor element 12; Reflector 12a; Orientation area | region 12b; Non-orientation area | region 13a; Pad part 13b; Lead part 14; Substrate (metal frame, lead frame)
15; Insulatingpart 16; Lead wire 18; Lens 20; Cavity 22; Sealing part 24;
１０；半導体素子
１２；リフレクター
１２ａ；配向領域
１２ｂ；非配向領域
１３ａ；パッド部
１３ｂ；リード部
１４；基板（金属フレーム、リードフレーム）
１５；絶縁部
１６；リード線
１８；レンズ
２０；キャビティ
２２；封止部
２４；配線基板 DESCRIPTION OF
15; Insulating
Claims (16)
- 基板、凹部形状のキャビティを有するリフレクター、及び光半導体素子を少なくとも備えた半導体発光装置であって、該リフレクターは、繊維状無機物を含有する樹脂組成物から形成され、かつ該リフレクターの厚み方向において、繊維状無機物が配向した領域と配向しない領域を含む部位を有し、その部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする半導体発光装置。 A semiconductor light emitting device comprising at least a substrate, a reflector having a concave cavity, and an optical semiconductor element, the reflector being formed from a resin composition containing a fibrous inorganic substance, and in the thickness direction of the reflector, It has a portion including a region where the fibrous inorganic material is oriented and a region where the fibrous inorganic material is not oriented, and the thickness of the region where the fibrous inorganic material is oriented in that portion is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion. A semiconductor light emitting device.
- 基板、凹部形状のキャビティを有するリフレクター、及び光半導体素子を少なくとも備えた半導体発光装置であって、該半導体発光装置の外形が切削によって形成され、該切削面が、繊維状無機物が配向した領域と非配向領域から形成され、任意の部位におけるその繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする半導体発光装置。 A semiconductor light emitting device comprising at least a substrate, a reflector having a concave cavity, and an optical semiconductor element, wherein the outer shape of the semiconductor light emitting device is formed by cutting, and the cutting surface is a region in which fibrous inorganic materials are oriented. A semiconductor light emitting device characterized in that the thickness of a region formed from a non-oriented region and oriented with the fibrous inorganic substance at an arbitrary portion is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion.
- 前記繊維状無機物のアスペクト比が２～５０である請求項１又は２に記載の半導体発光装置。 3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the fibrous inorganic substance has an aspect ratio of 2 to 50.
- 前記繊維状無機物の繊維長が１０～１０００μｍである請求項１～３のいずれかに記載の半導体発光装置。 4. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the fibrous inorganic substance has a fiber length of 10 to 1000 μm.
- 前記樹脂組成物を構成する樹脂が熱可塑性樹脂である請求項１～４のいずれかに記載の半導体発光装置。 The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin constituting the resin composition is a thermoplastic resin.
- 前記光半導体素子がＬＥＤ素子である請求項１～５のいずれかに記載の半導体発光装置。 6. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the optical semiconductor element is an LED element.
- 前記樹脂組成物がさらに白色顔料を含む請求項１及び３～６のいずれかに記載の半導体発光装置。 7. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resin composition further contains a white pigment.
- 前記リフレクターのキャビティに封止樹脂が充填されてなる請求項１～７のいずれかに記載の半導体発光装置。 The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 7, wherein a sealing resin is filled in a cavity of the reflector.
- 前記樹脂組成物がさらに架橋処理剤を含む請求項１～８のいずれかに記載の半導体発光装置。 The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the resin composition further contains a crosslinking agent.
- 基板及び凹部形状のキャビティを有するリフレクターを備えた光半導体実装用基板であって、該リフレクターは、繊維状無機物を含有する樹脂組成物から形成され、かつ該リフレクターの厚み方向において、繊維状無機物が配向した領域と配向しない領域を含む部位を有し、その部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする光半導体実装用基板。 An optical semiconductor mounting substrate comprising a substrate and a reflector having a concave cavity, wherein the reflector is formed from a resin composition containing a fibrous inorganic material, and the fibrous inorganic material is formed in the thickness direction of the reflector. An optical semiconductor packaging characterized in that it has a portion including an oriented region and a non-oriented region, and the thickness of the region in which the fibrous inorganic material is oriented is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion Substrate.
- 基板及び凹部形状のキャビティを有するリフレクターを備えた光半導体実装用基板であって、光半導体実装用基板の外形が切削によって形成され、該切削面が、繊維状無機物が配向した領域と非配向領域から形成され、任意の部位における該繊維状無機物が配向した領域の厚みが、リフレクター部の全体厚みに対して５０％以下であることを特徴とする光半導体実装用基板。 An optical semiconductor mounting substrate comprising a substrate and a reflector having a concave cavity, wherein the outer shape of the optical semiconductor mounting substrate is formed by cutting, and the cut surface has a region where the fibrous inorganic material is oriented and a non-oriented region A substrate for optical semiconductor mounting, wherein the thickness of the region where the fibrous inorganic material is oriented at an arbitrary portion is 50% or less with respect to the total thickness of the reflector portion.
- 前記繊維状無機物のアスペクト比が２～５０である請求項１０又は１１に記載の光半導体実装用基板。 The substrate for mounting an optical semiconductor according to claim 10 or 11, wherein the fibrous inorganic substance has an aspect ratio of 2 to 50.
- 前記繊維状無機物の繊維長が１０～１０００μｍである請求項１０～１２のいずれかに記載の光半導体実装用基板。 13. The substrate for mounting an optical semiconductor according to claim 10, wherein the fibrous inorganic substance has a fiber length of 10 to 1000 μm.
- 前記樹脂が熱可塑性樹脂である請求項１０～１３のいずれかに記載の光半導体実装用基板。 The substrate for mounting an optical semiconductor according to any one of claims 10 to 13, wherein the resin is a thermoplastic resin.
- 前記樹脂組成物がさらに白色顔料を含む請求項１０～１４のいずれかに記載の光半導体実装用基板。 15. The optical semiconductor mounting substrate according to claim 10, wherein the resin composition further contains a white pigment.
- 前記樹脂組成物がさらに架橋処理剤を含む請求項１０～１５のいずれかに記載の光半導体実装用基板。 16. The optical semiconductor mounting substrate according to claim 10, wherein the resin composition further contains a crosslinking agent.
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|---|---|---|---|
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| JP2013166926A (en) * | 2012-01-17 | 2013-08-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Electron beam-curable resin composition, resin frame for reflector, reflector, semiconductor light-emitting device, and production method of molded body |
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2014
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2015
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- 2015-03-31 TW TW104110460A patent/TW201543723A/en unknown
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| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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| NENP | Non-entry into the national phase | ||
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