WO2015012671A1 - Система устройств и ее составляющие - Google Patents

Система устройств и ее составляющие Download PDF

Info

Publication number
WO2015012671A1
WO2015012671A1 PCT/KZ2013/000018 KZ2013000018W WO2015012671A1 WO 2015012671 A1 WO2015012671 A1 WO 2015012671A1 KZ 2013000018 W KZ2013000018 W KZ 2013000018W WO 2015012671 A1 WO2015012671 A1 WO 2015012671A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vacuum
ces
group
magnets
main device
Prior art date
Application number
PCT/KZ2013/000018
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Алдан Асанович САПАРГАЛИЕВ
Келис Мауленулы АХМЕТОВ
Original Assignee
Saparqaliyev Aldan Asanovich
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saparqaliyev Aldan Asanovich filed Critical Saparqaliyev Aldan Asanovich
Priority to US14/906,634 priority Critical patent/US20160196963A1/en
Publication of WO2015012671A1 publication Critical patent/WO2015012671A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J41/00—Discharge tubes for measuring pressure of introduced gas or for detecting presence of gas; Discharge tubes for evacuation by diffusion of ions
    • H01J41/12—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00—Magnets
    • H01F7/02—Permanent magnets [PM]

Definitions

  • the invention can be used, for example, in electronic industrial in, particle optics systems, medicine, materials science.
  • An attached pumping system is a pumping system made together with the main device in one (system) casing forming a system vacuum chamber.
  • the CES department and the main unit department are the parts of the system vacuum chamber of the system case, respectively, where the CES and the main device are located.
  • the bipolar axis of the magnet is called the axis of the magnet, which perpendicularly crosses the opposite poles of the magnet.
  • Vacuum-integrated device system including: the main device located in the vacuum chamber of the vacuum casing; a vacuum-generating system that comprises at least one pumping unit of a pumping system is known.
  • the vacuum-generating system which together with the main device forms VCSD, is manufactured as a system of external pumps separately from the vacuum casing of the main device and without taking into account its specifics, and they are connected using a standard flange.
  • An external pump is an ion pump with an asymmetric arrangement of four plate magnets in a vacuum pump housing proposed in EP1863068 B1.
  • An asymmetric magnetic field ion pump increases the speed of evacuation of the vacuum chamber.
  • the main disadvantages of VCSD with a permanently connected external pumping system are its bulkiness, high weight and low pressure in the vacuum chamber of the main device (two orders of magnitude lower) compared to the pressure in the vacuum chamber of an external high-vacuum pump.
  • EP2431996 A1 proposes a CES with three connected failing nodes located every 120 degrees of the angle, in a CES compartment with a hexagonal lateral perimeter.
  • each attached pumping unit includes two flat permanent magnets located one on the upper and lower sides of the CES compartment. It includes a group of cylindrical anode electrodes and lamellar cathode electrodes located on its two sides, perpendicular to their axes.
  • EP2562786 A1 proposes a round-shaped CES located in a compartment
  • CES with a round perimeter.
  • CES includes, with different internal and external radii, two groups of flat ring-shaped electrodes forming anode and cathode groups located coaxially, periodically alternating and parallel.
  • Its magnetic system includes, in at least one of the central and peripheral parts, a located, O 1 -type group of magnets. Ring-shaped electrodes and O 1 -type magnets are aligned and form a circular pumping unit. The bipolar axes of the magnets are parallel to each other and to the common axis of the circular pumping unit. Note that a 0 x -type magnet is single-layer and two-band.
  • the main disadvantages of the known VCSD proposed in EP2431996 A1 and EP2562786 A1 include:
  • the inner tract is made in only one form — in a round shape
  • a narrow scope is indicated - for creating a vacuum in accelerators along the path of a passing stream of charged particles.
  • the main objective of the present invention is the proposal of a new type of VCSD, in order to reduce its size, weight, increase the level of vacuum in the compartment of the main device.
  • the VCSD variants proposed in this invention cover all types of the main device.
  • the invention additionally provides improved performance of the main device, an increase in the diversity of species and the expansion of the scope of VCSD.
  • the inventive VCSD meets the criteria of the invention, since at the filing date of the application no similar solutions have been identified.
  • the new types of VCSD proposed here have a number of significant differences from the known VCSD.
  • the proposed new types of VCSD can be implemented on the basis of existing equipment using materials, components and technologies developed in the industry.
  • new types of magnets for a device requiring the use of a magnetic field are required.
  • the main difference between the proposed VCSD and the known VCSDs is that it is made up of at least one feature selected from the group including the following:
  • (a) its vacuum casing is made in a systematic form and it creates a system vacuum chamber, which includes: separation of the main device in which the main device is located; at least one compartment of the attached pumping system in which the attached pumping system (CES) of the vacuum-generating system is located; PT / KZ2013 / 000018
  • At least one pumping unit of the vacuum-creating system includes at least one of the aforementioned types of multilayer magnets.
  • - its system casing is made with a system of internal partitions (screens), made, with the possibility of shielding the main device from the magnetic field and atomized metal debris formed by CES, and includes at least one gas outlet (for pumping gas) window selected from a group consisting of the following types: with a simply connected section, with a doubly connected section, each of them selected from a group consisting of the following types: with a constant size of the vent windows; at least one of the vent windows of its system casing is made with the possibility of a controlled change in its cross section (with a diaphragm), in particular up to zero (closure), the change mode of which provides the optimal combination of maintaining the required vacuum level in the compartment of the main device, as well as the required the level of protection of the main device from the CES magnetic field and garbage emitted during CES operation;
  • the vacuum-generating system includes electrodes of the cathode and anode systems, the shapes and arrangements of which are relative to each other with the possibility of the formation of an electron flow between the anode and cathode electrodes, and they are made selected from the group consisting of the following types: in parallel are a plate cathode electrode and at least one plate anode electrode; plate anode and cathode electrodes are parallel to each other and periodically alternate; with different internal and external radii, two groups of flat ring-shaped electrodes forming the anode and cathode groups are arranged coaxially, periodically alternating and parallel; a group of cylindrical anode electrodes and, at least located on one of its two sides perpendicular to their axes, a plate cathode electrode; at least one cylindrical anode electrode and, inside and coaxially with it, is a cylindrical cathode electrode;
  • - its vacuum-generating system includes a magnetic system, which in the reporting Cartesian coordinate system x, y and z, xy and yz planes of which are aligned respectively by the transverse and horizontal planes of CES, and in the SC plane representation is made selected from the group including the following: plate magnets (single-layer, multi-layer) located symmetrically or antisymmetrically relative to the xz plane; at least in one of the central and peripheral parts located at least one O - type magnet with O X orientation, where 1K> 1; at least one G-type magnet, which is made selected from the group consisting of the following types of SCR representations:
  • (a) is located at least on one of the upper and lower sides and is selected from the group including the following: with 07 orientation and with% Z orientation; Z2013 / 000018
  • (b) is located at least on one of the sides, and is selected from the group including the following: with OX orientation and with hZ orientation;
  • (c) is located at least on one of the end faces, and is selected from the group including the following: with XX orientation and with hZ orientation;
  • (d) is located in the transverse-average form, and is selected from the group including the following: with XX orientation and with hZ orientation;
  • At least two magnets are arranged in a transverse-average form and symmetrically with respect to the xz plane, which are selected from the group including the following: with XX orientation and with% Z orientation;
  • (f) includes at least two magnets that are selected from the above magnets: (a), (b), (c), (d) and (e);
  • (g) includes at least four magnets, which are located in an asymmetric form, the principle arrangement of which, for the case of eight magnets, is shown in FIG. 41-44;
  • an external pumping system which contains at least one external pump, made separately from the connected vacuum-generating subsystem and selected from the group including the following: pre-rarefaction pump and rapid pre-pumping pump;
  • - its vacuum-generating system includes at least one ion pumping unit made in the form of a group selected from the group consisting of the following: implantation (palladium and catalytic), adsorption, sorption, magnetically-discharge; - its system vacuum casing is made with the possibility of separating it through the connecting flange from the external pump system, while CES is made with the possibility of maintaining the necessary level of vacuum in the separation of the main device of the system casing without an external pump system;
  • the docking flange of its system casing includes at least one type of device for vacuum isolation of the system vacuum chamber from its environment, made by a selected group including the following types: magnetic valve, plug (vacuum flange-cover).
  • FIG. 1-4 show examples of 1DP-intersection
  • FIG. 5-11 show examples of UR intersections
  • FIG. Figures 5-7 show examples of arrangements on two opposite sides of the main device (20P1 "intersections)
  • Fig. 8-11 show examples of arrangements on two adjacent sides of the main device;
  • FIG. 12-14 show examples of 3DP intersection
  • D - the main device DO - the main device with a perimeter of a cylindrical shape
  • PjO - type Pj with the corresponding part of the perimeter of a cylindrical shape
  • Pj4 - type Pj with the corresponding part of the perimeter of a quadrangular shape
  • Pj6 - type Pj with the corresponding part of the perimeter of a hexagonal shape
  • Pj8 - type Pj with the corresponding part of the perimeter of an octagonal shape.
  • Each distance between the edges of the separation of the main device and the separation of the components of the CES, indicated in FIG. 1 hSl, in FIG. 2 hS2 and hS3, in FIG. 4 hS4 and hS5, depends on the design features of the system, in particular at least one of They can be equal to zero.
  • the arrangement of the CES components in the form of P2.1 and P2.2 from two opposite sides of the main device, shown in FIG. 5, and particular forms P2.14 and P2.24 shown in FIG. 6, as well as particular forms P2. U and P2.240 shown in FIG. 7 are appropriate when the main device has a significant width or diameter.
  • the proposed invention proposes a new type of magnets - multilayer, which has various types (types of multilayer magnets), and is made containing parallel layers with non-polar facing each other.
  • a multilayer magnet has a higher field strength than the known magnets, with their identical sizes.
  • FIG. 19a-27 in a schematic form some examples of the performance of multilayer magnets are shown — their formation, spatial orientations and pole orientations in the reporting coordinate system:
  • FIG. 26 and 27 show the feasibility of some non-linear configurations of the G type of magnets.
  • FIG. 19a-27 for ease of description, two-layer magnets are provided. Of course, they can contain more than two layers.
  • SCR system coordinate representation
  • the symbols X, Y and Z indicate the orientation of their bipolar axis parallel to, respectively, the rectilinear coordinate axis x, y and r; - the symbols O, O, and C indicate, respectively, an O type magnet, an O type magnet and a curved G type magnet;
  • FIG. 19a-23 show various projections of the G-type magnet in the Cartesian coordinate system i, y and g, the coordinate axes ⁇ and y, which are parallel, respectively, to the horizontal axis of symmetry and the bipolar axis of the G-type magnet and are presented in the SCR representation:
  • FIG. 19a and 19b show a G 2 -THna magnet, respectively, in the XY orientation (the magnet is horizontal with the bipolar axis parallel to the coordinate axis) and in the OF orientation (the magnet is shown in cross section, in the same coordinate system entered).
  • G 2 -rana magnet is shown in schematic notations in different projections in the same coordinate system entered.
  • the coordinate system can be introduced in any other way with respect to the spatial orientation of the magnet.
  • FIG. 24 shows the vertical position of the G type magnet, for which the Cartesian coordinate system x, y, and z is introduced so that the magnet is presented in the hZ orientation (the magnet is located vertically with a bipolar axis parallel to the z coordinate axis).
  • a G type magnet is itself a two-layer magnet. As shown in FIG. 19a: the gap width between the layers is small hs - ⁇ O, the layer thickness is less than its length ⁇ - ⁇ ⁇ .
  • G 2K -type magnets and O xk- type magnets can be called strip magnets, in contrast to the known plate magnets.
  • an O 2 -type magnet is shown, consisting of two O 1 -type magnets, respectively, in ⁇ ⁇ - orientation and in ⁇ ⁇ - orientation with components ⁇ ⁇ ⁇ and 0 [ hX.2.
  • FIG. 26 in the ⁇ - orientation shows the possibility of performing a G-type magnet in a U-shaped configuration, consisting of an HT-shaped magnet HTY - orientation and a linear magnet of hY-orientation and between which a gap s2 is shown.
  • FIG. 27 in the ChX-orientation the possibility of performing the G-type magnet in a curvilinear configuration is shown, between the ends of which the slot s2G is shown.
  • FIG. 28-44 in a SCR representation, in a schematic view some examples of the formation of a CES branch are shown:
  • FIG. 28-34 show, in cross-section along the coordinate xy plane (xy-plane SCR representation), examples of the formation of a magnetic system
  • - in FIG. 35-44 show examples of co-formation of a magnetic system with various types of electrode systems.
  • ⁇ 1 and 2, respectively, the lower position, from the side farthest from the main device, and the upper position, from the opposite to the lower side;
  • . 3 and 4 - respectively, the right and left lateral positions perpendicular to the coordinate axis;
  • the designation hZ3 indicates its right lateral position, in the CES compartment, and the hZ-orientation.
  • the symbol W together with the symbol i, means the wall of the system enclosure relating to the CES compartment and the position corresponding to the value of the symbol i.
  • FIG. 28-44 The continuity of some of FIG. 28-44 along the xy or ⁇ plane, indicates that only one part of the figure is shown symmetrical, respectively, with respect to the xy or xz plane.
  • FIG. 28 and 29 show examples of the formation of a magnetic system from the outside of the CES compartment.
  • W3 and W ⁇ are the walls of the system casing corresponding to the right side and lower walls of the CES compartment; WD ⁇ 1 - one of the walls of the system casing, related to the separation of the main device; SI and S2, respectively, the first and second screens protecting the main device from magnetic field and debris sprayed from the surface of the electrodes; 3 and 0P - respectively, 0X - orientation of a group of magnets located on the right side of the CES compartment (0X3 location) and 0Y orientation of a group of magnets located on the bottom side of the CES compartment (0YI location); Z3 and XZ1 are, respectively, HZ3-arrangements and ⁇ are arrangements of magnet groups.
  • any of the magnetic systems may be located on the inside of the CES compartment of the system case.
  • FIG. 30 and 31 show examples of the formation of a magnetic system from the inside of the CES compartment.
  • the arrangement of the groups of magnets in the CES compartment can be performed in the transverse-average form, and we will choose from the group including the following: with XX orientation and with% ⁇ orientation, i.e. with their arrangement vertically or horizontally, as shown, respectively, in FIG. 32 and 33.
  • ftZ7 and ⁇ are, respectively
  • hZ7 are the arrangements
  • XX7 are the arrangements of the groups of magnets.
  • FIG. 34 shows an example of an asymmetric arrangement of four plate magnets in a CES compartment.
  • FIG. 35-38 in the xz plane examples of the formation of a magnetic system symmetrical with respect to the xy plane are shown together with various types of the electrode system in the quadrangular sections of the CES.
  • the following notation is introduced: WS - wall of the system casing corresponding to the right end wall of the CES compartment; SI A and S1.2 - respectively, the flat and curved parts of the first and second protection screen ST; S2.1 and S2.2 are the first and second parts of the second protection screen, respectively, S2 ⁇ % Y ⁇ and% ⁇ 2, respectively, ⁇ - placements and ⁇ 2 - placing groups of magnets; O - plate cathode electrode; AN and A12 - respectively, the first and second plate anode electrodes; sPl .l - right, of two gas vent windows with a single-connected section; SP and C12 - respectively, the lower and upper plate cathode electrodes; A2 is a group of cylindrical anode electrodes.
  • FIG. 38 shows an example of the formation of two lateral magnetic groups of 0X3 placement, 0X4 placement and the transverse-middle group of magnets 0X7 - placement together with a system of flat plate anode electrodes A3 and cathode electrodes SZ parallel to each other and periodically alternating.
  • FIG. 39 shows: electrodes of the anode Ac and the cathode CC, which are made coaxially in a 2 2 cylindrical shape; O 0X - in the O 0X orientation, a group of ring-shaped O - type magnets; sPc vent window with a single-connected section.
  • electrodes of the anode Ac and the cathode CC which are made coaxially in a 2 2 cylindrical shape; O 0X - in the O 0X orientation, a group of ring-shaped O - type magnets; sPc vent window with a single-connected section.
  • FIG. 40 shows: groups of flat ring-shaped electrodes of the anode A4 and the cathode C4 located parallel to each other and periodically alternating; O ⁇ 0XL and O 2 0X.2 show ring-shaped, respectively, external and internal groups O -type of magnets; sPc2 gas vent with doubly connected section.
  • their magnets and electrodes will also take a quadrangular shape.
  • FIG. Figures 41-44 show examples of the formation of four groups of the G type magnet magnets with respect to the xy plane.
  • FIG. 41 in cross section, along the xy plane, one of the types of CES formation is shown: SP and C12 — respectively the right and left plate cathode electrodes; A2 is a group of cylindrical anode electrodes.
  • SP and C12 respectively the right and left plate cathode electrodes
  • A2 is a group of cylindrical anode electrodes.
  • other forms of electrodes can be formed.
  • FIG. 42 shows the case when a CES is located between two gas outlet windows with a single-connected section (one sP ⁇ .2 of them is shown);
  • FIG. 43 shows the case when there is one vent window sP2 with a single-connected section;
  • FIG. 44 the case is shown where four groups of the G type magnet, antisymmetrically located relative to the xy plane, are formed in a separate casing (ion pump) with a connecting flange
  • bent part of the screen can be made in the form of a valve made with the possibility of regulating the size of the vent window.
  • FIG. 45 and 46 one embodiment of a system case is shown.
  • FIG. 45 in xz projection shows: quadrangular compartment P14z CES; quadrangular compartment D4z of the main unit; connecting, to an external pumping system, flange ZF3z; transverse flange .F2z ⁇ longitudinal flange HF ⁇ z.
  • FIG. 46 in xy projection shows: the quadrangular compartment P14u CES; quadrangular compartment D4y of the main unit; connecting to external pump system flange 3 ⁇ ; transverse flange E 2; longitudinal flange
  • the distance hS6 between the edges of the main unit compartment and the CES compartment shown in FIG. 45 may be zero.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к вакуумно-комплексной системе устройств (VCSD), включающая, требующее вакуума основное устройство (объекты и процессы, требующие вакуумную среду), вакуумосоздающую систему. Согласно изобретению вакуумный кожух выполнен в системном виде и он создает системную вакуумную камеру, которая включает: отделение основного устройства в котором расположено основное устройство; по меньшей мере, одно отделение присоединенной откачной системы, в котором расположена присоединенная откачная система (CES) вакуумосоздающей системы. CES создается в вакуумной камере основного устройств с учетом конструктивных и функциональных характеристик основного устройства, и образуют они вместе системную VCSD. Для первоначального быстрого достижения высокого вакуума в системной камере используется, совместно с CES, система внешних насосов, которая, в дальнейшем отделяется от системной VCSD через соединительный фланец, и вакуумное условие в системной VCSD поддерживает CES. Такая концепция создания VCSD имеет существенные преимущества: легко создать и поддержать в системной VCSD сверхвысокий вакуум; системная VCSD менее громоздкая, и менее массивная по сравнению с VCSD, постоянно использующей систему внешных насосов.

Description

СИСТЕМА УСТРОЙСТВ И ЕЕ СОСТАВЛЯЮЩИЕ
К;¥РАЛДАР ЖУЙЕС1 ЖЭНЕ ОНЬ ^YPAMbl
Изобретение может быть использовано, например, в электронной промышленное in, системах корпускулярной оптики, медицине, материаловедения.
В материалах данной заявки на изобретения введены новые понятия и термины, связанные в основном с новыми обьектами, предложенными впервые, которые в основном поясненены по ходу изложения формул, в пояснении приложенных фигур и в описании заявки изобретения. Некоторые из них, для однозначного их истолкования требуют дополнительного пояснения, которые даны здесь.
Присоединенной откачпой системой (CES) называется откачная система, выполненная совместно с основным устройством в одном (системном) кожухе, образующем системную вакуумную камеру. Отделением CES и отделением основного устройства называются части системной вакуумной камеры системного кожуха, соответственно, где расположены CES и основное устройство.
Расположение составляющих CES относительно периметрии основного устройства характеризуется степенью их jDP- пересечения, где значения j=l ,2,3,4 соответствуют окружению составляющими CES 0,25 ,%, 0,5 %, 0,75 %, 100%
(полного) бокового периметра основного устройства.
Расположение составляющих CES относительно бокового периметра газоотводного (для откачки газа) окна, между отделением основного устройства и отделением CES, характеризуется степенью их kTU-пересечения, где значения к=1,2,3,4 соответствуют окружению составляющими CES 0,25 ,%, 0,5 %, 0,75 %, 100% (полного) бокового периметра газоотводного окна.
Двухполюсной осью магнита, называется, ось магнита, которая перпедикулярно пересекает разноименные полюса магнита.
Вакуумно-комплексная система устройств (VCSD), включающая: основное устройство, расположенное в вакуумной камере вакуумного кожуха; вакуумосоздающую систему, которая содержит, по меньшей мере, один откачной узел откачной системы, известна.
В настоящее время вакуумосоздающая система, которая совместно с основным устройством образует VCSD, изготавливается в виде системы внешних насосов отдельно от вакуумного кожуха основного устройства и без учета его специфики, и соединяются они с помощью стандартного фланца.
Одним из примеров внешних насосов может служить ионный насос с ассиметричным расположением четырех пластинчатых магнитов в вакуумном кожухе насоса, предложенный в ЕР1863068 В1. Ионный насос с ассиметричным магнитным полем позволяет увеличить скорость откачки вакуумной камеры.
К основным недостаткам VCSD с постоянно подключенной внешней насосной системой относятся ее громоздкость, большой вес и низкое давление в вакуумной камере основного устройства (на два порядка ниже) по сравнению с давлением в вакуумной камере внешнего высоковакуумного насоса.
Известны CES 4БР-пресечения, предложенные в ЕР2431996 А1 и ЕР2562786 А1. В ЕР2431996 А1 предложена CES с тремя присоединенными отка иными узлами, расположенные через каждый 120 градуса угла, в отделении CES с боковым периметром шестиугольной формы. При этом, каждый присоединенный откачный узел включает по два плоских постоянных магнита, расположенных по одному на верхней и нижней сторонах отделении CES. Включает группу цилиндрических анодных электродов и расположенные с двух ее сторон, перпендикулярно к осей их, пластинчатые катодные электроды.
В ЕР2562786 А1 предложена круглой формы CES, расположенный в отделении
CES с боковым периметром круглой формы. При этом, CES включает с разными внутренними и внешними радиусами две группы плоских кольцеобразных электродов, образующие анодную и катодную группы, расположенные соосно, периодично чередующимися и параллельно. Магнитная система ее включает, по меньшей мере, в одной из центральной и периферийной частей расположенную, группу О1 -типа магнитов. Кольцеобразные электроды и О1 -типа магниты расположены соосно, и образуют круговой откачный узел. Двухполюсные оси магнитов расположены параллельно между собой и общей оси кругового откачного узла. Отметим, что 0х -типа магнит являться однослойным и двузонным. К основным недостаткам известных VCSD, предложенные в ЕР2431996 А1 и ЕР2562786 А1 относятся:
- не предусмотрены возможности создания VCSD lDP-пересечения, 2DP- пересечения, ЗОР-пересечения;
- не предусмотрены возможное многообразие форм выполнения и расположения электродов, магнитов, которые могут соответствовать многообразию требований, к габаритам и формам основного устройства и уровню вакуума в рабочей области основного устройства.
- внутренний тракт выполнен только в одной форме— в круглой форме;
- указана узкая область применения - для создания вакуума в ускорителях на пути проходящего потока заряженных частиц.
Основной задачей настоящего изобретения являются предложение нового вида VCSD, с целью уменьшения ее габаритов, массы, повышения уровня вакуума в отделении основного устройства. При этом предложенные в данном изобретении варианты VCSD охватывает все виды основного устройства.
Изобретение дополнительно обеспечивает улучшения рабочих характеристик основного устройства, увеличение разнообразия видов и расширение области применения VCSD.
Заявляемая VCSD соответствует критериям изобретения, так как на дату подачи заявки не выявлено аналогичных решений. Предложенные здесь новые виды VCSD имеют ряд существенные отличий от известных VCSD.
Предлагаемые новые виды VCSD могут быть реализованы на основе имеющегося оборудования с использованием освоенных в промышленности материалов, комплектующих и технологий. Для осуществления основной задачей настоящего изобретения предложены новые виды магнитов для устройства, требующего использования магнитного поля.
Основное отличие предлагаемых видов магнитов заключается в том что, они выполнены содержащим параллельно расположенные с неподюсовыми обращенными друг к другу слои, и выбранными из группы, включающей следующие его виды: пластинчатого вида магнит; Οικ -вида магнит, где \К =2,3,4,... количество О -типа магнитов в слойках; G -вида магнит, где ^=1,2,3,... количество G -типа магнитов в слойках.
Другие отличия предлагаемых видов магнитов от известных магнитов заключаются в том что: его G - вида магнит выполнен выбранным из группы, включающей следующие его конфигурации: линейный; неразрывное Г-образиый; одно-разрывное Г-образный неразрывное П-образный; одно-разрывное П- образный; двух-разрывное П-образный; трех-разрывное П-образный ассиметричный; п -разрывное многоугольно-образный; т -разрывное криволинейный, в том числе эллипсоидный и цилиндрический, где и =1> 2, 3,... и т = 1, 2, 3,... количество разрывов.
Основное отличие предлагаемой VCSD от известных VCSD заключается в том что, она выполнена включающей, по меньшей мере, одну особенность, выбранную из группы, включающей следующее:
(а) ее вакуумный кожух выполнен в системном виде и он создает системную вакуумную камеру, которая включает: отделение основного устройства в котором расположено основное устройство; по меньшей мере, одно отделение присоединенной откачной системы, в котором расположена присоединенная откачная система (CES) вакуумосоздающей системы; P T/KZ2013/000018
(b) по меньшей мере, один откачной узел вакуумосоздающей системы включает, по меньшей мере, один из упомянутых видов многослойных магнитов.
Другие отличия предлагаемой VCSD от известных VCSD заключаются в том что:
- ее CES выполнена в виде выбранной из группы, состоящей из следующих видов ее пересечения с основным устройством: jDP- пересечения, где j=l ,2,3,4;
- ее системный кожух выполнен с системой внутренних перегородок (экранов), выполненной, с обеспечением возможности, экранирования основного устройства от магнитного поля и распыленного металического мусора образуемых CES, и включает, по меньшей мере, одно газоотводное (для откачки газа) окно, выбранное из группы, состоящей из следующих видов: с односвязным сечением, с двухсвязным сечением, при этом каждый из них выбран из группы, состоящей из следующих его видов: с постоянным размером газоотводных окон; по меньшей мере, одно из газоотводных окон ее системного кожуха выполнено с обеспечением возможности управляемого изменения его сечения (с диафрагмой), в частности до нуля (закрытия), режим изменения которого предусматривает оптимальное сочетание поддержания требуемого уровня вакуума в отделении основного устройства, а также требуемого уровня защиты основного устройства от магнитного поля CES и выделяемого при работе CES мусора;
- ее CES выполнена в виде выбранной из группы, состоящей из следующих видов ее пересечения с газоотводным окном: kTU - пересечения, где к=1,2,3,4;
- ее вакуумосоздающая система включает электроды катодной и анодной систем, формы и расположения которых относительно друг к другу выполнены с обеспечением возможности образования потока электронов между анодным и катодным электродами, и они выполнены выбранными из группы, состоящей из следующих видов: параллельно расположены пластинчатый катодный электрод и, по меньшей мере, один пластинчатый анодный электрод; пластинчатые анодные и катодные электроды расположены параллельно между собой и периодично чередуются; с разными внутренними и внешними радиусами две группы плоских кольцеобразных электродов, образующие анодную и катодную группы, расположены соосно, периодично чередующимися и параллельно; группа цилиндрических анодных электродов и, по меньшей мере, расположенный с одной из двух ее сторон перпендикулярно к осям их, пластинчатый катодный электрод; по меньшей мере, один цилиндрический анодный электрод и, внутри его и соосно с ним расположен цилиндрический катодный электрод;
- ее вакуумосоздающая система включает магнитную систему, которая в отчетной декартовой системе координат х , у и z , ху и yz плоскости которой совмещены соответственно поперечной и горизонтальной плоскостями CES, и в -плоскостном SCR-представлении выполнена выбранной из группы, включающей следующие: пластинчатые магниты (однослойные, многослойные), расположенные относительно плоскости xz симметрично или антисимметрично; по меньшей мере, в одной из центральной и периферийной частей расположенный, по меньшей мере, один О - вида магнит с О Х -ориентацией, где 1К > 1 ; по меньшей мере, один G -вида магнит, который выполнен выбранным из группы, состоящей из следующих видов SCR-представлений:
(а) расположен, по меньшей мере, на одной из верхней и нижней сторон и выбран из группы, включающей следующее: с 07 -ориентацией и с %Z -ориентацией; Z2013/000018
(b) расположен, по меньшей мере, на одной из боковых сторон, и выбран из группы, включающей следующее: с ОХ -ориентацией и с hZ -ориентацией;
(c) расположен, по меньшей мере, на одной из торцевых сторон, и выбран из группы, включающей следующее: с XX -ориентацией и с hZ -ориентацией;
(d) расположен в поперечно-среднем виде, и выбран из группы, включающей следующее: с XX -ориентацией и с hZ -ориентацией;
(е) расположены в поперечно-среднем виде и симметрично относительно плоскости xz , по меньшей мере, два магнита, которые выбраны из группы, включающей следующее: с XX -ориентацией и с %Z -ориентацией;
(f) включает, по меньшей мере, два магнита, который выбран из вышеупомянутых магнитов: (а), (Ь), (с), (d) и (е);
(g) включает, по меньшей мере, четыре магнитов, которые расположены в ассиметричном виде, принципиальная схема расположения которых, для случая восьми магнитов, показана на фиг. 41-44;
- ее вакуумосоздающая система дополнительно включает внешнюю насосную систему, которая содержит, по меньшей мере, один внешный насос, выполненный отдельно от присоединенной вакуумосоздающей подсистемы и выбранный из группы включающей следующее: насос предварительного разрежения и насос быстрой предварительной откачки;
- ее вакуумосоздающая система включает, по меньшей мере, один ионный откачный узел, выполненный в виде выбранного из группы, состоящей из следующего: имплантационный (палладиевый и каталитический), адсорбционный, сорбционный, магниторазрядный; - ее системный вакуумный кожух выполнен с обеспечением возможности отделения его через стыковочный фланец от внешней насосной системы, при этом CES выполнена с обеспечением возможности поддержания необходимого уровня вакуума в отделении основного устройства системного кожуха без внешней насосной системы;
- стыковочный фланец ее системного кожуха включает, по меньшей мере, один из видов приспособления для вакуумной изоляции системной вакуумной камеры от окружающей ее среды, выполненное выбранным нз группы, включающей следующее его виды: магнитный клапан, заглушка (вакуумный фланец-крышка).
Настоящее изобретение может быть осуществлено во многих вариантах, и только некоторые варианты конструкции, содействующие лучшему пониманию предложенных технических решений, будут описаны посредством примеров, представляемых в сопровождающих чертежах.
На фиг. 1-18 в схематическом виде показаны некоторые примеры формирования системного кожуха и расположения в его системной камере основного устройства и CES, характеризуемой степенью их jDP- пересечения, где j=l,2,3,4:
- на фиг. 1-4 показаны примеры 1DP- пересечения;
- на фиг. 5-11 показаны примеры ЮР-пересечения, причем на фиг. 5-7 показаны примеры расположения с двух противоположенных сторон основного устройства (20Р1"-пересечения), на фиг. 8-11 показаны примеры расположения с двух смежных сторон основного устройства;
- на фиг. 12-14 показаны примеры 3DP- пересечения;
Границы смешанного расположения отделения основного устройства и отделения CES обозначены одинарными прерывистыми линиями. Граница между отделениями основного устройства и CES обозначена двойной прерывистой линией. Для обозначения объектов использован систематизированный подход и введены обозначений: D - основное устройство; DO - основное устройство с периметром цилиндрической формы; D4 - основное устройство с периметром четырехугольной формы; Pj - вид составляющих CES соответствующей его jDP - пресечению; PjO - тип Pj, с соответствующей частью периметра цилиндрической формы; Pj4 - тип Pj, с соответствующей частью периметра четырехугольной формы; Pj6 - тип Pj, с соответствующей частью периметра шестиугольной формы; Pj8 - тип Pj, с соответствующей частью периметра восьмиугольной формы.
Пример показанный на фиг.1, с двумя составляющими Р1(1) и Pl(2) CES, раздельно размещенными на одной стороне основного устройства по его длине, подчеркивает, что могут быт несколько Pj, раздельно размещенных по длине основного устройства. На фиг. 2-18 и на последующих фигурах рассмотрены технические решения для одного Pj, расположенного по длине основного устройства, которые не теряют общности для нескольких Pj, расположенных по длине основного устройства.
Каждое расстояние между краями отделения основного устройства и отделения составляющих CES, указанное на фиг.1 hSl , на фиг.2 hS2 и hS3 , на фиг.4 hS4 и hS5, зависит от конструктивных особенностей системы, в частности, по меньшей мере, одно из них может быть равно нулю.
Размещение составляющих CES, в виде Plf, с торцевой части основного устройства, показанное на фиг. 4, целесообразно при случае, когда основное устройство имеет небольшую длину. Размещение составляющих CES, в виде Р2.1 и Р2.2 с двух противоположных сторон основного устройства, показанное на фиг. 5, и частные формы Р2.14 и Р2.24 показанное на фиг. 6, также как частные формы Р2.Ю и Р2.240 показанное на фиг. 7, целесообразны при случае, когда основное устройство имеет значительную ширину или диаметр.
Для создания эффективно функционирующей, легкой и малогабаритной CES для различного вида основного устройства, в предлагаемом изобретении предложен новый вид магнитов - многослойный, который имеет разнообразные типы (типы многослойных магнитов), и выполнен содержащим параллельно расположенные с неполюсовыми обращенными друг к другу слои. Многослойный магнит обладает более высокой напряженностью поля по сравнению известными магнитами, при их одинаковых размерах. На фиг. 19а-27 в схематическом виде показаны некоторые примеры выполнения многослойных магнитов - их формирования, пространственные ориентации и ориентации полюсов в отчетной системе координат:
- на фиг. 19а-24 показаны многослойные G -вида магниты, при частном случае, когда 2К =2 и К =1, т.е., магнит имеет всего два слоя и образован одним G - типа магнитом;
1 к
- на фиг. 25а 25Ь показан многослойный О -вида магнит, при частном случае, когда \К-2 и К =2, т.е., магнит состоит из двух слоев и образован двумя двузонными
О1 -типа магнитами;
- на фиг. 26 и 27 показаны возможности выполнения некоторых нелинейных конфигураций G -типа магнитов.
На фиг. 19а-27, для простоты описания приведены двухслойные магниты. Конечно они могут содержать более двух слойев. На фиг. 19а-27 и на последующих фигурах, для описания пространственных ориентации магнитов и ориентации их полюсов в отчетной системе координат использовано системное координатное представление (SCR). Для этого введены обозначения:
- символы λ , h и 0 указывают на их пространственные ориентации, соответствующие одному из видов: горизонтальному, вертикальному и поперечному сечению;
- символы X , Y и Z указывают на ориентацию их двухполюсной оси, параллельной, соответственно, прямолинейной координатной оси х , у и г ; - символы О , О и С указывают, соответственно, О -типа магнит, О -типа магнит и криволинейный G -типа магнит;
- плоские магниты представлены без подобных символов, как Ο , Ο η С.
На фиг. 19а-23 показаны различные проекции G -типа магнита в декартовой системе координат я , у и г , координатные оси ζ и у , которой параллельны, соответственно, горизонтальной оси симметрии и двухполюсной оси G -типа магнита и, представленны в SCR-представлении:
- на фиг. 19а и 19Ь показаны G2 -THna магнит, соответственно в XY -ориентации (магнит расположен горизонтально с двухполюсной осью параллельной у координатной оси) и в OF -ориентации (магнит представлен в поперечном разрезе, в той же введеной системе координат).
- на фиг. 20а-23 G2-rana магнит показан в схематических обозначениях в различных проекциях в той же введеной системе координат. Конечно, система координат может быть введена по любому другому варианту по отношению к пространственной ориентации магнита. На фиг. 24 показан вертикального положения G -типа магнит, для которого декартовая система координат х , у и z введена так, что магнит представлен в hZ -ориентации (магнит расположен вертикально с двухполюсной осью параллельной z координатной оси). Отметим, что G -типа магнит сам по себе являться двухслойным. Как показан на фиг. 19а: ширина зазора между слойками мала hs -^ O , толщина слоя меньше чем его длина ΗΧμ -^ Ιμ . G2K -вида магниты и Охк вида магниты можно называть полосковыми, в отличие от известных пластинчатых магнитов.
На фиг. 25а и 25Ь показан О2 -типа магнит, состоящий из двух О1 -типа магнитов, соответственно, в О ОХ - ориентации и в О ЬХ - ориентации с составляющими ОхЬХЛ и 0[hX.2 .
На фиг. 26 в ΜΊΥ - ориентации показана возможность выполнения G -типа магнита в П -образной конфигурации, состоящего из Г -образного магнита HTY - ориентации и линейнго магнита hY -ориентации и между которыми показана щель s2. На фиг. 27 в ChX - ориентации показана возможность выполнения G -типа магнита в криволинейной конфигурации, между концами который показана щель s2G .
На фиг. 28-44 в SCR-представлении, в схематическом виде показаны некоторые примеры формирования отделения CES:
- на фиг. 28-34 показаны, в поперечном разрезе по координатной ху плоскости ( ху -плоскостном SCR-представлении) примеры формирования магнитной системы; - на фиг. 35-44 показаны примеры совместного формирования магнитной системы с различными видами электродной системы.
На фиг. 28-44, для определения положения магнитов относительно сторон отделения CES, к вышеупомянутым обозначениям SCR-представления добавлен символ, / = 1 , 2 , 3 , 4 , 5 , 6 , 7 , где:
ί = 1 и 2 - соответственно, нижнее положение, с дальней от основного устройства стороны, и верхнее положение, с противоположной к нижней стороне;
. = 3 и 4 - соответственно правое и левое боковые положения, перпендикулярные к у координатной оси;
i = 5 и 6 - соответственно правое и левое торцевые положения, перпендикулярные к z координатной оси;
1 = 1 - среднее положение, по отношению двух противоположных сторон.
Например, для G -типа магнита обозначение hZ3 указывает на его правое боковое положение, в отделении CES, и hZ -ориентацию.
Символ W , совместно с символом i означает стену системного кожуха, относящаяся отделению CES и положения, соответствующей значению символа i .
Разрывность некоторых из фиг. 28-44 по плоскости ху или χζ , указывает, что показано только одна часть фигуры симметричная, соответственно, относительно плоскости ху или xz .
На фиг. 28 и 29 показаны примеры формирования магнитной системы с внешней стороны отделения CES. При этом, согласно введенной системой обозначения: W3 и W\ — стены системного кожуха, соответствующие правой боковой и нижней стенам отделения CES; WD\ 1 - одна из стен системного кожуха, относящаяся отделению основного устройства; SI и S2 соответственно первый и второй экраны защиты основного устройства от магнитного поля и мусора, распыленного с поверхности электродов; 3 и 0П - соответственно, 0Х - ориентации группы магнитов, расположенных с правой боковой стороны отделения CES (0X3 -размещения) и 0Y ориентации группы магнитов, расположенных с нижней стороны отделения CES (0YI -размещения); Z3 и XZ1 - соответственно, HZ3 -размещения и λΖΙ - размещения групп магнитов.
Конечно, любая из магнитных систем может быть расположена с внутренней стороны отделения CES системного кожуха. На фиг. 30 и 31 показаны примеры формирования магнитной системы с внутренней стороны отделения CES. При этом 0 Υ2 - 0 Υ2 -размещения группы магнитов.
Расположение групп магнитов в отделении CES можно выполнить поперечно- среднем виде, и выбраним из группы, включающей следующее: с XX -ориентацией и с %Ζ -ориентацией, т.е. с расположением их вертикально или горизонтально, что показано, соответственно на фиг. 32 и 33. При этом ftZ7 и ΧΧΊ - соответственно, hZ7 - размещения и ХХ7 - размещения групп магнитов.
На фиг. 34 показан пример ассиметричного расположения четырех пластинчатых магнитов в отделении CES.
На фиг. 35-38 в xz плоскости показаны примеры симметричного относительно плоскости ху формирования магнитной системы совместно с различными видами электродной системы в четырехугольных отделениях CES. При этом введены обозначения: WS - стена системного кожуха, соответствующая правой торцовой стене отделения CES; SI A и S1.2 - соответственно плоская и загнутая части первого и второго экрана защиты ST; S2.1 и S2.2 - соответственно первая и вторая части второго экрана защиты S2 \ %Y\ и %Υ2 - соответственно, λΠ - размещения и ΧΥ2 - размещения групп магнитов; О - пластинчатый катодный электрод; АН и А12 - соответственно первый и второй пластинчатые анодные электроды; sPl .l - правое, из двух газоотводных окон с односвязным сечением; СП и С12 - соответственно нижний и верхний пластинчатые катодные электроды; А2 - группа цилиндрических анодных электродов. На фиг. 37 показан случай, когда между двумя газоотводными окнами с односвязным сечением (показан один sP2.2 из них) нет составляющие CES.
На фиг. 38 показан пример формирования двух боковых магнитных групп 0X3 -размещения, 0X4 -размещения и поперечно-средней группы магнитов 0X7 - размещения совместно с системой плоских пластинчатых анодных электродов A3 и катодных электродов СЗ , расположенных параллельно между собой и периодично чередующимися.
Расположение магнитных систем О -типа магнитов и электродов показанное на фиг. 39 и 40 позволяет выполнить отделения CES как в цилиндрической форме,
/ 2 2* так и в четырехугольной форме. На фиг. 39 и 40 в хг плоскости, где г = ^у + ζ , показаны примеры соосного, относительно оси х , совместного формирования магнитной системы с различными видами электродной системы. На фиг. 39 показаны: электроды анода Ас и катода Сс , которые выполнены соосно в 2 2 цилиндрической форме; О 0Х - в О 0Х -ориентации группа кольцевидных О - типа магнитов; газоотводное окно sPc с односвязным сечением. На фиг. 40 показаны: группы плоских кольцеобразных электродов анода А4 и катода С4 , расположенные параллельно между собой и периодично чередующимися; О~0ХЛ и О20Х.2 показывают кольцевидных, соответственно, внешних и внутренних групп О -типа магнитов; газоотводное окно sPc2 с двухсвязным сечением. В случае выполнения отделения CES, показанные на фиг. 39 и 40, в четырехугольной форме их магниты и электроды также примут четырехугольную форму.
На фиг. 41-44 показаны примеры антисимметричного, относительно плоскости ху , формирования четырех групп G -типа магнитов. На фиг. 41 в сечении, по ху плоскости, показан один из видов формирования CES: СП и С12 - соответственно правый и левый пластинчатые катодные электроды; А2 - группа цилиндрических анодных электродов. Конечно, можно формировать другие формы электродов. При этом: на фиг. 42 показан случай, когда между двумя газоотводными окнами с односвязным сечением (показан один sP\ .2 из них) расположена CES; на фиг. 43 показан случай, когда имеется одно газоотводное окно sP2 с односвязным сечением; на фиг. 44 показан случай, когда четыре группы G -типа магнитов, антисимметрично расположенные относительно плоскости ху , сформированы в отдельном кожухе (ионный насос) с соединительным фланцем F3z .
Отметим, что загнутая часть экрана может быть выполнена в виде клапана, выполненного с обеспечением возможности регулирования размера газоотводного окна.
На фиг. 45 и 46, показан, один из видов выполнения системного кожуха. На фиг. 45 в xz проекции показаны: четырехугольное отделение P14z CES; четырехугольное отделение D4z основного устройства; соединительный, к внешней насосной системе, фланец ZF3z ; поперечный фланец .F2z \ продольный фланец HF\z . На фиг. 46 в ху проекции показаны: четырехугольное отделение Р14у CES; четырехугольное отделение D4y основного устройства; соединительный, к внешней насосной системе фланец 3 ^ ; поперечный фланец E 2 ; продольный фланец
XFly .
Расстояние hS6 между краями отделения основного устройства и отделения CES, указанное на фиг. 45 может быть равно нулю.

Claims

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
1. Магнит для устройства, требующего использования магнитного поля, отличающийся тем, что он выполнен содержащим параллельно расположенные с неполюсовыми обращенными друг к другу слои, и выбранным из группы, включающей следующие его виды: пластинчатого вида магнит; О -вида магнит, где \К =2,3,4,... количество О -типа магнитов в слойках; G -вида магнит, где К
=1,2,3,.., количество G -типа магнитов в слойках.
2. Магнит для устройства, по п. 1, отличающийся тем, что его G - вида магнит выполнен выбранным из группы, включающей следующие его конфигурации: линейный; неразрывно Г-образный; одно-разрывное Г-образный; неразрывно П- образный; одно-разрывное П-образный; двух-разрывное П-образный; трех- разрывное П-образный ассиметричный; п -разрывно многоугольно образный; т - разрывно криволинейный, в том числе эллипсоидный и цилиндрический, где п =1, 2, 3,... и т = 1, 2, 3,... количество разрывов.
3. Вакуумно-комплексная система устройств (VCSD), включающая: основное устройство, расположенное в вакуумной камере вакуумного кожуха; вакуумосоздающую систему, которая содержит, по меньшей мере, один откачной узел откачной системы, отличающаяся тем, что VCSD выполнена включающей, по меньшей мере, одну особенность, выбранную из группы, включающей следующее:
(а) ее вакуумный кожух выполнен в системном виде, и он создает системную вакуумную камеру, которая включает: отделение основного устройства в котором расположено основное устройство и, по меньшей мере, одно отделение присоединенной откачной системы, в котором расположена присоединенная откачная система (CES) вакуумосоздающей системы; (b) по меньшей мере, один откачной узел вакуумосоздающей системы включает, по меньшей мере, один из упомянутых видов многослойных магнитов.
4. Система по п. 3, отличающаяся тем, что ее CES выполнена в виде выбранной из группы, состоящей из следующих видов ее пересечения с основным устройством: jDP- пересечения, где j=l,2,3,4,
5. Система по п. 4, отличающаяся тем, что ее системный кожух выполнен с системой внутренних перегородок (экранов), выполненной, с обеспечением возможности, экранирования основного устройства от магнитного поля и распыленного металического мусора образуемых CES, и включает, по меньшей мере, одно газоотводное (для откачки газа) окно, выбранное из группы, состоящей из следующих видов: с односвязным сечением, с двухсвязным сечением, при этом каждый из них выбран из группы, состоящей из следующих его видов: с постоянным размером газоотводных окон и, по меньшей мере, одно из газоотводных окон ее системного кожуха выполнено с обеспечением возможности управляемого изменения его сечения (с диафрагмой), в частности до нуля (закрытия), режим изменения которого предусматривает оптимальное сочетание поддержания требуемого уровня вакуума в отделении основного устройства, а также требуемого уровня защиты основного устройства от магнитного поля CES и выделяемого при работе CES мусора.
6. Система по п. 5, отличающаяся тем, что ее CES выполнена в виде выбранной из группы, состоящей из следующих видов ее пересечения с газоотводным окном: kTU - пересечения, где к=1,2,3,4.
7. Система устройств по п, 6, отличающаяся тем, что ее вакуумосоздающая система включает электроды катодной и анодной систем, формы и расположения которых относительно друг к другу выполнены с обеспечением возможности образования потока электронов между анодным и катодным электродами, и они выполнены выбранными из группы, состоящей из следующих видов: параллельно расположены пластинчатый катодный электрод и, по меньшей мере, один пластинчатый анодный электрод; пластинчатые анодные и катодные электроды расположены параллельно менугу собой и периодично чередуются; с разными внутренними и внешними радиусами две группы плоских кольцеобразных электродов, образующие анодную и катодную группы, расположены соосно, периодично чередующимися и параллельно; группа цилиндрических анодных электродов и, по меньшей мере, расположенный с одной из двух ее сторон перпендикулярно к осям их, пластинчатый катодный электрод; по меньшей мере, один цилиндрический анодный электрод и, внутри его и соосно с ним расположен цилиндрический катодный электрод.
8. Система устройств по п. 7, отличающаяся тем, что ее вакуумосоздающая система включает магнитную систему, которая в отчетной декартовой системе координат х , у и г , ху и yz плоскости которой совмещены соответственно поперечной и горизонтальной плоскостями CES, и в у -плоскостном SCR-представлении выполнена выбранной из группы, включающей следующие: пластинчатые магниты (однослойные, многослойные), расположенные относительно плоскости z симметрично или антисимметрично; по меньшей мере, в одной из центральной и периферийной частей расположенный, по меньшей мере, один О -вида магнит с
О ОХ -ориентацией, где IK > 1 ; по меньшей мере, один G -вида магнит, который выполнен выбранным из группы, состоящей из следующих видов SCR- представлений:
(a) расположен, по меньшей мере, на одной из верхней и нижней сторон и выбран из группы, включающей следующее: с OF -ориентацией и с XZ -ориентацией;
(b) расположен, по меньшей мере, на одной из боковых сторон, и выбран из группы, включающей следующее: с ОХ -ориентацией и с hZ -ориентацией; (c) расположен, по меньшей мере, на одной из торцевых сторон, и выбран из группы, включающей следующее: с XX -ориентацией и с hZ -ориентацией;
(d) расположен в поперечно-среднем виде, и выбран из группы, включающей следующее: с XX -ориентацией и с hZ -ориентацией;
(e) расположены в поперечно-среднем виде и симметрично относительно плоскости xz , по меньшей мере, два магнита, которые выбраны из группы, включающей следующее: с XX -ориентацией и с hZ -ориентацией;
(f) включает, по меньшей мере, два магнита, который выбран из вышеупомянутых магнитов: (а), (Ь), (с), (d) и (е);
(g) включает, по меньшей мере, четыре магнитов, которые расположены в ассиметричном виде, принципиальная схема расположения которых, для случая восьми магнитов, показана на фиг. 41-44.;
9. Система по любому из п.п. 7 и 8, отличающаяся тем, что ее вакуумосоздающая система дополнительно включает внешнюю насосную систему, которая содержит, по меньшей мере, один внешный насос, выполненный отдельно от присоединенной вакуумосоздающей подсистемы и выбранный из группы включающей: насос предварительного разрежения и насос быстрой предварительной откачки.
10. Система по любому из п.п. 7-9, отличающаяся тем, что, ее вакуумосоздающая система включает, по меньшей мере, один ионный откачный узел, выполненный в виде выбранного из группы, состоящей из следующего: имплантационный (палладиевый и каталитический), адсорбционный, сорбционный, магниторазрядный.
11. Система по любому из п.п. 9 и 10, отличающаяся тем, что ее системный вакуумный кожух выполнен с обеспечением возможности отделения его через стыковочный фланец от внешней насосной системы, при этом CES выполнена с обеспечением возможности поддержания необходимого уровня вакуума в отделении основного устройства системного кожуха без внешней насосной системы.
12. Система по п. 11, отличающаяся тем, что стыковочный фланец ее системного кожуха включает, по меньшей мере, один из видов приспособления для вакуумной изоляции системной вакуумной камеры от окружающей ее среды, выполненное выбранным из группы, включающей следующее его виды: магнитный клапан, заглушка (вакуумный фланец-крышка).
PCT/KZ2013/000018 2013-07-22 2013-12-20 Система устройств и ее составляющие WO2015012671A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/906,634 US20160196963A1 (en) 2013-07-22 2014-06-05 System of devices and components of said system

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KZ20130972 2013-07-22
KZ2013/0972.1 2013-07-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015012671A1 true WO2015012671A1 (ru) 2015-01-29

Family

ID=52393600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KZ2013/000018 WO2015012671A1 (ru) 2013-07-22 2013-12-20 Система устройств и ее составляющие

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20160196963A1 (ru)
WO (1) WO2015012671A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3107496B1 (en) 2014-02-18 2018-07-04 St. Jude Medical, Cardiology Division, Inc. Bowed runners for paravalvular leak protection
US10559451B2 (en) * 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
WO2020071892A1 (ru) * 2018-10-04 2020-04-09 Алдан Асанович САПАРГАЛИЕВ Высокоразрешающая времяпролетная масс-спектрометрия

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10460917B2 (en) * 2016-05-26 2019-10-29 AOSense, Inc. Miniature ion pump

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1863068A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-05 VARIAN S.p.A. Magnet assembly for a sputter ion pump
EP2562786A1 (en) * 2010-04-02 2013-02-27 National Institute of Information and Communication Technology Ion pump system
US20130128407A1 (en) * 2008-04-04 2013-05-23 Correlated Magnetics Research , LLC. Field Emission System and Method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1863068A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-05 VARIAN S.p.A. Magnet assembly for a sputter ion pump
US20130128407A1 (en) * 2008-04-04 2013-05-23 Correlated Magnetics Research , LLC. Field Emission System and Method
EP2562786A1 (en) * 2010-04-02 2013-02-27 National Institute of Information and Communication Technology Ion pump system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3107496B1 (en) 2014-02-18 2018-07-04 St. Jude Medical, Cardiology Division, Inc. Bowed runners for paravalvular leak protection
US10559451B2 (en) * 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
WO2020071892A1 (ru) * 2018-10-04 2020-04-09 Алдан Асанович САПАРГАЛИЕВ Высокоразрешающая времяпролетная масс-спектрометрия

Also Published As

Publication number Publication date
US20160196963A1 (en) 2016-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015012671A1 (ru) Система устройств и ее составляющие
JP5502017B2 (ja) 電磁振動型ダイヤフラムポンプ
TWI482194B (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
JP6345731B2 (ja) 多電極積層構成体
US10381204B2 (en) Laminated ultra-high vacuum forming device
CN107852810A (zh) 用于产生等离子体的设备和方法以及这种设备的应用
Bates et al. C*-algebras of labelled graphs
JP4835756B2 (ja) イオンポンプシステム及び電磁場発生装置
US20170027072A1 (en) Enclosure including barrier assembly
EP2562786B1 (en) Ion pump system
KR20140026340A (ko) 내부 에어 플레넘으로부터 분리된 ehd 에어 이동체 환기 경로를 구비한 전자 시스템
JP6454486B2 (ja) 検出器の気密性パッケージング
JPWO2008099610A1 (ja) イオンポンプ装置
Grzebyk et al. Miniature ion-sorption vacuum pump with CNT field-emission electron source
Schürmann The Azéma martingales as components of quantum independent increment processes
ES2546687A1 (es) Precipitador electrostático autoregenerable y método de autoregeneración de precipitadores electrostáticos
KR200487382Y1 (ko) 음극 아크 플라즈마 증착 시스템에 사용되는 아크 이온 증발기용 필터 장치
Santos et al. Electron loss and capture from low-charge-state oxygen projectiles in methane
Galati et al. Seshadri constants of K3 surfaces of degrees 6 and 8
JP2010218747A (ja) Ｈモードドリフトチューブ線形加速器
AC Examples of groups with the same number of subgroups of every index
TH175829A (th) การกรองพลาสมาจากอาร์คไอออนอิแวพอเรเตอร์โดยการใช้ท่อที่เรียงซ้อนขนานกัน
Samolov et al. Energy dissipation in plasma treated Nb and Secondary Electron Emission for modeling of multipactor discharges
KR101541854B1 (ko) 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기
WO2017003274A2 (ru) Масс-спектрометр, в том числе 3d времяпролетный масс-спектрометр

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13890114

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14906634

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13890114

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1