WO2015006986A1 - 发光器件及其制作方法 - Google Patents

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transport layer
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黄冲
萧宇均
唐国富
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深圳市华星光电技术有限公司
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Definitions

  • LED Light-Emitting Diode
  • OELD Organic Electrolumine Sence Display
  • Light-emitting diodes generate injected minority carriers (electrons or holes) by using a semiconductor P-N junction structure, and recombine minority carriers to emit light.
  • injected minority carriers electrons or holes
  • the electrons and holes recombine as they move through the junction between the positive and negative electrodes. Energy in this state is less than an amount of the sterile state of electrons and holes are separated, so at this time due to the different energies generated by the light emission.
  • Organic light-emitting diodes emit light by applying a very thin coating of an organic material on a glass substrate.
  • the existing white LEDs mainly use blue wafers and encapsulated yellow YAG phosphors, so that white light is mixed by light, but the color rendering index is low, and the LED substrate layer generally adopts a sapphire substrate because of its low thermal conductivity (generally At less than 50W/mK), the LED heat dissipation is poor, which in turn affects the LED luminous efficiency and life.
  • the OLED glass substrate does not have a high thermal conductivity, and there is also a heat dissipation problem.
  • An object of the present invention is to provide a light-emitting device which has a good heat-dissipating effect, has a long service life, and has a good color display effect.
  • Another object of the present invention is to provide a method for fabricating a light emitting device, which is simple to manufacture.
  • the piece has and the color display effect of the light emitting device is good.
  • the present invention provides a light emitting device comprising: a heat dissipation layer formed on
  • the light emitting unit includes: an electron transport layer formed on the buffer layer, an emission layer formed on the electron transport layer, an N-type ohmic contact electrode formed on the electron transport layer and located on one side of the light-emitting layer, and formed on the light-emitting layer a hole transport layer, a transparent conductive layer formed on the hole transport layer, and a P-type ohmic contact electrode formed on the transparent conductive layer.
  • the luminescent layer is a quantum dot luminescent layer.
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide layer.
  • the light emitting unit includes: an anode formed on the buffer layer, a hole transport layer formed on the anode, an organic light emitting layer formed on the hole transport layer, an electron transport layer formed on the organic light emitting layer, and an electron transport layer formed on the light emitting layer The cathode on the electron transport layer.
  • a method for fabricating a light emitting device comprising the steps of:
  • Step 101 providing a substrate, the substrate includes a heat dissipation layer, and the heat dissipation layer is made of graphene;
  • Step 102 forming a buffer layer on the heat dissipation layer
  • Step 103 Form a light emitting unit on the buffer layer.
  • the light emitting unit includes: an electron transport layer formed on the buffer layer, a light emitting layer formed on the electron transport layer, an N-type ohmic contact electrode formed on the electron transport layer and located on one side of the light emitting layer, and formed on the light emitting layer Hole transport layer, transparent conductive layer formed on the hole transport layer, and P-type contact electrode formed on the transparent conductive layer
  • the luminescent layer is a quantum dot luminescent layer.
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide layer.
  • the light emitting unit includes: an anode formed on the buffer layer, a hole transport layer formed on the anode, an organic light emitting layer formed on the hole transport layer, an electron transport layer formed on the organic light emitting layer, and an electron transport layer formed on the light emitting layer The cathode on the electron transport layer.
  • a method for fabricating a light emitting device comprising the steps of:
  • Step 101 providing a substrate, the substrate includes a heat dissipation layer, the heat dissipation layer is made of graphene, and step 103, forming a light-emitting unit on the buffer;
  • the light emitting unit includes: an electron transport layer formed on the buffer layer, a light emitting layer formed on the electron transport layer, and an N-type ohmic contact electrode formed on the electron transport layer and located on one side of the light emitting layer, and formed on a hole transport layer on the light emitting layer.
  • the luminescent layer is a quantum dot luminescent layer.
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide layer.
  • Advantageous Effects of the Invention The light-emitting device of the present invention and the method for fabricating the same, the heat-dissipating layer made of graphene effectively conducts heat emitted from the light-emitting layer, effectively reducing the temperature of the light-emitting device, and prolonging the service life of the light-emitting device, especially When the light emitting device is a light emitting diode, the light emitting layer adopts a quantum dot light emitting layer, thereby effectively improving the color saturation of the light emitting diode and improving the color display effect of the light emitting diode.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a first embodiment of a light emitting device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic structural view of a second embodiment of a light emitting device according to the present invention.
  • the present invention provides a light emitting device comprising: a heat dissipation layer 2, a buffer layer 4 formed on the heat dissipation layer 2, and a light emitting unit 6 formed on the buffer layer 4, wherein the heat dissipation layer 2 is made of graphene. to make.
  • the graphene has a thermal conductivity of 4000 ⁇ 6000 W/m.K, which effectively transmits the heat emitted by the light-emitting unit 6 to the outside, thereby effectively reducing the temperature of the light-emitting device and prolonging the light-emitting device.
  • the light emitting device is a light emitting diode (LED), and the light emitting unit 6 includes: an electron transport layer 62 formed on the buffer layer 4, formed on the electron transport layer
  • the light-emitting layer 64 on the 62, the N-type ohmic contact electrode 66 formed on the electron-transport layer 62 and on the side of the light-emitting layer 64, and the hole transport layer 67 formed on the light-emitting layer 64 are formed on the hole transport layer 67.
  • the transparent conductive layer 68 and the P-type ohmic contact electrode 69 formed on the transparent conductive layer 68.
  • the luminescent layer 64 is a quantum dot luminescent layer, which effectively improves the color saturation of the LED and enhances the color display effect of the LED;
  • the transparent conductive layer 68 is an Indium Tin Oxides (ITO) layer.
  • the light emitting device is an organic light emitting diode (OLED), and the light emitting unit 6' includes: an anode 602 formed on the buffer layer 4, and an empty space formed on the anode 602.
  • a method for fabricating a light emitting device includes the following steps:
  • a substrate is provided, the substrate comprising a heat dissipation layer 2, and the heat dissipation layer 2 is made of graphene.
  • the graphene has a thermal conductivity of 4000 ⁇ 6000 W/m, K., which effectively transmits the heat emitted by the light emitting device to the outside, thereby effectively reducing the temperature of the light emitting device, and prolonging the use step 102 of the light emitting device on the heat dissipation layer 2.
  • the buffer layer 4 is formed.
  • Step 103 forming a light-emitting unit 6 on the buffer layer 4.
  • the light emitting device is a light emitting diode (LED), and the light emitting unit 6 includes: an electron transport layer 62 formed on the buffer layer 4, and a light emitting layer 64 formed on the electron transport layer 62.
  • An N-type ohmic contact electrode 66 formed on the electron transport layer 62 and located on the side of the light-emitting layer 64, a hole transport layer 67 formed on the light-emitting layer 64, a transparent conductive layer 68 formed on the hole transport layer 67, and formed A P-type ohmic contact electrode 69 on the transparent conductive layer 68.
  • the luminescent layer 64 is a quantum dot luminescent layer, which effectively improves the color saturation of the LED and enhances the color display effect of the LED;
  • the transparent conductive layer 68 is an Indium Tin Oxides (ITO) layer.
  • the light emitting device is an organic light emitting diode (OLED), and the light emitting unit 6 includes: an anode 602 formed on the buffer layer 4, and a hole transport layer 604 formed on the anode 602. An organic light-emitting layer 606 formed on the hole transport layer 604, an electron transport layer 608 formed on the organic light-emitting layer 606, and a cathode 609 formed on the electron transport layer 608.
  • OLED organic light emitting diode
  • the light emitting unit 6 includes: an anode 602 formed on the buffer layer 4, and a hole transport layer 604 formed on the anode 602.
  • An organic light-emitting layer 606 formed on the hole transport layer 604, an electron transport layer 608 formed on the organic light-emitting layer 606, and a cathode 609 formed on the electron transport layer 608.
  • the light-emitting device of the present invention and the manufacturing method thereof can effectively conduct heat emitted from the light-emitting layer through the heat-dissipating layer made of graphene, thereby effectively reducing the temperature of the light-emitting device and prolonging the service life of the light-emitting device, especially
  • the light emitting layer adopts a quantum dot light emitting layer, thereby effectively improving the color saturation of the light emitting diode and improving the color display effect of the light emitting diode.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种发光器件及其制作方法。发光器件包括：散热层（2）、形成于散热层（2）上的缓冲层（4）及形成于缓冲层（4）上的发光单元（6）,散热层（2）由石墨烯制成。石墨烯制成的散热层（2）有效的将发光单元的发光层（64）散发的热量传导出去，有效降低发光器件的温度，延长发光器件的使用寿命。当该发光器件为发光二极管时，发光层（64）采用量子点发光层，有效提高发光二极管的色彩饱和度，提升发光二极管的彩色显示效果。

Description

的发光 件' 背景;
发光二极管 ( Light-Emitting Diode， LED ) 与有机发光二极管 ( Organic Electroiuminesence Display, OELD )是现在较为常用的两种发光 器件。
发光二极管通过使用半导体的 P— N 结结构来产生注入的少数载流子 (电子或空穴） ， 并重新结合少数载流子以发光。 换句话说， 如果向半导 体的特定元素施加正向电压， 电子和空穴在移动通过正极和负极中间的结 合区时重新结合。 在这种状态下的能量小于电子与空穴分开状态下的育1 量， 因而由于此时产生的能量的不同而发光。
有机发光二极管通过在玻璃基板上设置非常薄的有机材料涂层， 当有 电流通过时， 这些有机材料涂层就会发.光。
现有的白光 LED主要采用蓝色晶片外加封装黄色 YAG荧光粉， 从而 混光产生白光， 但其显色指数较低， 且， LED 基底层一般采用蓝宝石衬 底， 因其导热系数较低 （一般在小于 50W/m.K ) , 从而使 LED 散热较 差， 进而影响 LED发光效率和寿命。
同样， OLED 的玻璃基板也不具备较高的导热系数， 同样存在散热问 题。 发明内
本发明的目的在于提供一种发光器件， 其具有良好的散热效果， 使用 寿命长， 且其色彩显示效果较好。
本发明的另一目的在于提供一种发光器件的制作方法， 其制成简单，
, 件具有 且该发光器件的色彩 显示效果较好。
为实现上述目的， 本发明提供一种发光器件， 包括： 散热层、 形成于
.热层上的緩沖层
Figure imgf000003_0001
制成 < 所述发光单元包括： 形成于缓冲层上的电子传输层、 形成于电子传输 层上发光层、 形成于电子传输层上且位于发光层一侧的 N 型欧姆接触电 极、 形成于发光层上的空穴传输层、 形成于空穴传输层上的透明导电层及 形成于透明导电层上的 P型欧姆接触电极。
所述发光层为量子点发光层。
所述透明导电层为氧化铟锡层。
所述发光单元包括： 形成于緩冲层上的阳极， 形成于阳极上的空穴传 输层、 形成于空穴传输层上的有机发光层、 形成于有机发光层上的电子传 输层及形成于电子传输层上的阴极。
一种发光器件的制作方法， 包括以下步骤：
步骤 101、 提供基底， 该基底包括散热层， 所述散热层由石墨烯制 成；
步骤 102、 在散热层上形成缓冲层；
步骤 103 , 在缓冲层上形成发光单元。
所述发光单元包括： 形成于缓冲层上的电子传输层、 形成于电子传输 层上的发光层、 形成于电子传输层上且位于发光层一侧的 N型欧姆接触电 极、 形成于发光层上的空穴传输层、 形成于空穴传输层上的透明导电层及 形成于透明导电层上的 P型欧 接触电极》
所述发光层为量子点发光层。
所述透明导电层为氧化铟锡层。
所述发光单元包括： 形成于緩冲层上的阳极、 形成于阳极上的空穴传 输层、 形成于空穴传输层上的有机发光层、 形成于有机发光层上的电子传 输层及形成于电子传输层上的阴极。
一种发光器件的制作方法， 包括以下步骤：
步骤 101、 提供基底， 该基底包括散热层， 所述散热层由石墨烯制 ， 步骤 103、 在緩沖, 上形成发光单元；
其中， 所述发光单元包括： 形成于緩冲层上的电子传输层、 形成于电 子传输层上的发光层、 形成于电子传输层上且位于发光层一侧的 N型欧姆 接触电极、 形成于发光层上的空穴传输层。 形成于空穴传输层上的透明导 电层及形成于透明导电层上的 P型欧姆 ^^触电极。
所述发光层为量子点发光层。
所述透明导电层为氧化铟锡层。 本发明的有益效果： 本发明的发光器件及其制作方法， 通过石墨烯制 成的散热层有效的将发光层散发的热量传导出去， 有效降低发光器件的温 度， 延长发光器件的使用寿命， 尤其是当该发光器件为发光二极管时， 其 发光层采用量子点发光层， 有效提高发光二极管的色彩饱和度， 提升发光 二极管的彩色显示效果。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图 1为本发明发光器件第一实施例的结构示意图；
图 2为本发明发光器件第二实施例的结构示意图；
图 3为本发明发光器件制作方法的流程图。 具体实旅方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的俛选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 , 本发明提供一种发光器件， 包括： 散热层 2、 形成于散 热层 2上的緩沖层 4及形成于该缓冲层 4上的发光单元 6, 所述散热层 2 由石墨烯制成。
所述石墨烯的导热系数为 4000〜6000W/m.K， 有效将发光单元 6 所散 发的热量传导于外界， 进而有效降低发光器件的温度， 延长发光器件的使
- '请参阅图 1， 在本实施例中， 所述发光器件为一发光二极管 ( LED ) , 所述发光单元 6包括： 形成于缓沖层 4上的电子传输层 62 , 形 成于电子传输层 62上的发光层 64、 形成于电子传输层 62上且位于发光层 64一侧的 N型欧姆接触电极 66、 形成于发光层 64上的空穴传输层 67、 形成于空穴传输层 67上的透明导电层 68及形成于透明导电层 68上的 P 型欧姆接触电极 69。
在本实施例中， 所述发光层 64 为量子点发光层， 有效提高发光二极 管的色彩饱和度， 提升发光二极管的彩色显示效果； 所述.透明导电层 68为氧化铟锡（ Indium Tin Oxides, ITO )层。
请参阅图 2， 在另一实施例中， 所述发光器件为一有机发光二极管 ( OLED ) , 所述发光单元 6'包括： 形成于缓冲层 4上的阳极 602、 形成 于阳极 602上的空穴传输层 604、 形成于空穴传输层 604上的有机发光层 606、 形成于有机发光层 606上的电子传输层 608及形成于电子传输层 608 上的阴极 609。
请参阅图 3， 并参考图 i 及图 2, —种发光器件的制作方法， 包括以 下步骤：
步骤 ！01、 提供基底， 该基底包括散热层 2， 所述散热层 2 由石墨烯 制成。
所述石墨烯的导热系数为 4000〜6000W/m,K.， 有效将发光器件所散发 的热量传导于外界， 进而有效降低发光器件的温度， 延长发光器件的使用 步骤 102 , 在散热层 2上形成缓冲层 4。
步骤 103、 在緩沖层 4上形成发光单元 6。
在本实施例中， 所述发光器件为一发光二极管 （LED ) ， 所述发光单 元 6包括： 形成于緩冲层 4上的电子传输层 62、 形成于电子传输层 62上 的发光层 64、 形成于电子传输层 62上且位于发光层 64—侧的 N型欧姆 接触电极 66、 形成于发光层 64上的空穴传输层 67、 形成于空穴传输层 67 上的透明导电层 68及形成于透明导电层 68上的 P型欧姆接触电极 69。
所述发光层 64 为量子点发光层， 有效提高发光二极管的色彩饱和 度， 提升发光二极管的彩色显示效果； 所述透明导电层 68 为氧化铟锡 ( Indium Tin Oxides , ITO )层。
在另一实施例中， 所述发光器件为一有机发光二极管 （OLED ) , 所 述发光单元 6，包括: 形成于緩冲层 4上的阳极 602、 形成于阳极 602上的 空穴传输层 604、 形成于空穴传输层 604上的有机发光层 606、 形成于有 机发光层 606 上的电子传输层 608 及形成于电子传输层 608 上的阴极 609。
综上所述， 本发明的发光器件及其制作方法， 通过石墨烯制成的散热 层有效的将发光层散发的热量传导出去， 有效降低发光器件的温度， 延长 发光器件的使用寿命， 尤其是当该发光器件为发光二极管时， 其发光层采 用量子点发光层， 有效提高发光二极管的色彩饱和度， 提升发光二极管的 彩色显示效果。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

权 利 要 求 一种发光器件， 包括： 散热层、 形成于散热层上的緩冲层及形成 于该缓沖层上的发光单元， 所述散热层由石墨烯制成。
2 , 如权利要求 i 所述的发光器件， 其中， 所述发光单元包括： 形成 于缓冲层上的电子传输层、 形成于电子传输层上发光层、 形成于电子传输 层上且位于发光层一侧的 N型欧姆接触电极、 形成于发光层上的空穴传输 层、 形成于空穴传输层上的透明导电层及形成于透明导电层上的 P型欧姆 接触电极。
3、 如权利要求 2 所述的发光器件， 其中， 所述发光层为量子点发光 层。
4、 如权利要求 2 所述的发光器件， 其中， 所述透明导电层为氧化铟 锡层。
5、 如权利要求 1 所述的发光器件， 其中， 所述发光单元包括： 形成 于缓冲层上的阳极、 形成于阳极上的空穴传输层、 形成于空穴传输层上的 有机发光层、 形成于有机发光层上的电子传输层及形成于电子传输层上的 阴极„
6、 一种发光器件的制作方法， 包括以下步骤：
步骤 101、 提供基底， 该基底包括散热层， 所述散热层由石墨烯制 成；
步糠 102 在散热层上形成缓冲层；
步骤 103、 在緩沖层上形成发光单元。
7、 如权利要求 6 所述的发光器件的制作方法， 其中， 所述发光单元 包括： 形成于缓冲层上的电子传输层、 形成于电子传输层上的发光层。 形 成于电子传输层上且位于发光层一侧的 N型欧姆 ·接触电极、 形成于发光层 上的空穴传输层、 形成于空穴传输层上的透明导电层及形成于透明导电层 上的 P型欧姆接触电极。
8、 如权利要求 7 所述的发光器件的制作方法， 其中， 所述发光层为 量子点发光层。
9、 如权利要求 7 所述的发光器件的制作方法， 其中， 所述透明导电
^ 1 10, 权利要求 6所述的发光器件的制作方法， 其中， 所述发光单元 包括： 形成于緩冲层上的阳极、 形成于阳极上的空穴传输层、 形成于空穴 传输层上的有机发光层、 形成于有机发光层上的电子传输层及形成于电子 传输层上的阴极„
11、 一种发光器件的制作方法， 包括以下步骤：
步骤 101、 提供基底， 该基底包括散热层， 所述散热层由石墨烯制 成；
步骤 102、 在散热层上形成緩冲层；
步骤 103 , 在缓冲层上形成发光单元；
其中， 所述发光单元包括： 形成于缓冲层上的电子传输层、 形成于电 子传输层上的发光层、 形成于电子传输层上且位于发光层一侧的 N型欧姆 接触电极、 形成于发光层上的空穴传输层、 形成于空穴传输层上的透明导 电层及形成于透明导电层上的 P型欧姆接触电极。
12、 如权利要求 1 1 所述的发光器件的制作方法， 其中， 所述发光层 为量子点发光层。
13、 如权利要求 11 所述的发光器件的制作方法， 其中， 所述透明导 电层为氧化铟 4易层。
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