WO2015004945A1 - 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、薄膜のパターンを高精度に形成することができる蒸着装置及び蒸着方法と、表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法とを提供する。 本発明は、スキャン蒸着法を用いられる蒸着装置であって、制限部材は、第一板部と、第一板部との間に間隔を空けて設けられた第二板部と、第一板部を第二板部に接続する接続部とを含み、第一板部には、開口が設けられ、第二板部には、第一板部の開口に対向する開口が設けられ、第一板部の開口及び第二板部の開口の間には、第一空間が存在し、基板の法線方向及び基板の走査方向に直交する方向において第一空間の隣には、第一板部及び第二板部の間に第二空間が存在し、第一空間は、第二空間とつながり、基板の走査方向において第二空間の隣には、制限部材の外に第三空間が存在し、第二空間は、第三空間とつながる蒸着装置。　

Description

蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

本発明は、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。より詳しくは、大型基板上への有機ＥＬ素子の製造に好適な蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関するものである。

近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化及び低消費電力化が求められている。

そのような状況下、有機材料の電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下、ＥＬとも略記する。）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。

有機ＥＬ表示装置は、例えば、ガラス基板等の基板上に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子とを有している。

有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層及び第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極は、ＴＦＴと接続されている。有機ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等の有機層が積層された構造を有している。

フルカラー表示の有機ＥＬ表示装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色の有機ＥＬ素子をサブ画素として備え、これらのサブ画素は基板上にマトリクス状に配列され、３色のサブ画素から画素が構成されている。そして、該表示装置は、ＴＦＴを用いて、これらの有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。

このような有機ＥＬ表示装置の製造においては、各色のサブ画素に対応させて、有機発光材料から発光層のパターンが形成される。

発光層パターンの形成方法としては、近年、基板よりも小型のマスクを使用し、基板をマスク及び蒸着源に対して相対的に移動させながら基板全面に蒸着を行うことで、マスクより大型の基板上に有機ＥＬ素子を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１～５参照。）。以下、このように基板をマスク及び蒸着源に対して相対的に移動（走査）させながら蒸着を行う方法をスキャン蒸着法とも言う。

特開２０１０－２７０３９６号公報 国際公開第２０１１／０３４０１１号 国際公開第２０１１／１４５４５６号 国際公開第２０１２／０２９５４５号 国際公開第２０１２／１２１１３９号

スキャン蒸着法においては、基板の走査中に基板がマスクと接触して損傷することを防止するため、基板は、マスクと離間して配置される。そのため、基板上に形成される薄膜のパターンの輪郭にボケが生じてしまう。すなわち、膜厚が一定の部分の両側に、膜厚が徐々に減少する部分が発生してしまう。

また、スキャン蒸着法においては、蒸着源の上方に板状の部材である制限板を配置し、蒸着源のノズルから噴き出してきた蒸着流を制限板で制御して、マスクの各開口に所望のノズル以外のノズルから蒸着粒子が飛来しないようにする手法が存在する。

しかしながら、例えば、蒸着レートを高くする、ノズルを制限板に接近させる等の要因により、蒸着流内の蒸着粒子の密度が高くなると、上記手法を用いても完全には蒸着流を制御できず、望まれないノズルからマスクの各開口に蒸着粒子が飛来する可能性がある。その場合、形成された薄膜には望まれないノズルから飛来してきた蒸着粒子が混入することになる。この結果、形成された薄膜のパターンに想定を超えたボケが発生することがある。すなわち、設計上想定される幅に比べて幅が広いパターンが形成されることがある。また、正常なパターンに加えて、ゴーストと呼ばれる異常な（不要な）パターンが発生することがある。これらの現象は、例えばＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置においては、混色発光等の異常発光を引き起こす懸念がある。異常発光は、有機ＥＬ表示装置の表示品位を大きく損なう。このように、蒸着流内の蒸着粒子の密度が高くなると、制限板の機能が低下するおそれがある。

この原因は、以下のように考えることができる。蒸着粒子の密度の高い状態では、蒸着粒子同士が衝突する確率が増加し、蒸着粒子の散乱の度合いが強くなる。また、制限板は通常、蒸着源近傍に配置されるため、蒸着流の中でも相対的に蒸着粒子の密度が高い部分が制限板を通過することになる。したがって、蒸着流内の蒸着粒子の密度が高い状態に達すると、蒸着流が制限板を通過する際において、蒸着粒子同士の衝突及び蒸着粒子の散乱が起こる可能性が高くなる。また、制限板を通過できずに制限板、例えば、制限板の開口内の側面部に付着した蒸着粒子が制限板の温度上昇に起因して再蒸発する可能性もある。再蒸発した蒸着粒子は、ノズルから噴出した直後の蒸着粒子とは違って制御されていないため、想定外の方向に飛行する可能性がある。これらの結果、制限板で制御されるはずの蒸着流が制限板を通過後に必要以上に広がってしまい、その一部が、隣の蒸着流によって成膜されるべき領域に到達し、そして、想定を超えたボケ及び／又はゴーストが発生するものと考えられる。

例えば、特許文献１に記載の薄膜蒸着装置では、制限板として機能する遮断壁と、マスクとして機能する第２ノズルとの間に何も存在しないため、蒸着レートを高くすると、上述の場合と同様に、想定を超えたボケ及び／又はゴーストが発生すると考えられる。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、薄膜のパターンを高精度に形成することができる蒸着装置及び蒸着方法を提供することを目的とするものである。

本発明はまた、上記現状に鑑みてなされたものであり、表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明の一態様は、基板上に薄膜のパターンを形成する蒸着装置であってもよく、
前記蒸着装置は、蒸着源、制限部材及びマスクを含む蒸着ユニットと、
前記基板を前記マスクから離間させた状態で、前記基板の法線方向に直交する第一方向に沿って、前記基板及び前記蒸着ユニットの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備えてもよく、
前記蒸着源、前記制限部材、前記マスク及び前記基板は、この順に配置されてもよく、
前記制限部材は、第一板部と、
前記第一板部との間に間隔を空けて設けられた第二板部と、
前記第一板部を前記第二板部に接続する接続部とを含んでもよく、
前記第一板部には、開口が設けられてもよく、
前記第二板部には、前記第一板部の前記開口に対向する開口が設けられてもよく、
前記第一板部の前記開口及び前記第二板部の前記開口の間には、第一空間が存在してもよく、
前記基板の前記法線方向及び前記第一方向に直交する第二方向において前記第一空間の隣には、前記第一板部及び前記第二板部の間に第二空間が存在してもよく、
前記第一空間は、前記第二空間とつながってもよく、
前記第一方向において前記第二空間の隣には、前記制限部材の外に第三空間が存在してもよく、
前記第二空間は、前記第三空間とつながってもよい。
以下、この蒸着装置を本発明に係る蒸着装置とも言う。

本発明に係る蒸着装置における好ましい実施形態について以下に説明する。なお、以下の好ましい実施形態は、適宜、互いに組み合わされてもよく、以下の２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。

前記制限部材は、前記接続部として、開口が各々設けられた第一壁部及び第二壁部を含んでもよく、
前記第一壁部は、前記第一空間及び前記第二空間の間に設けられてもよく、
前記第二壁部は、前記第二空間及び前記第三空間の間に設けられてもよく、
前記第一空間は、前記第一壁部の前記開口で前記第二空間とつながってもよく、
前記第二空間は、前記第二壁部の前記開口で前記第三空間とつながってもよい。

前記第一壁部の前記開口は、複数設けられてもよく、
前記第二壁部の前記開口は、複数設けられてもよい。

前記第二板部には、第二開口が設けられてもよく、
前記第二板部の前記第二開口は、前記第一板部の前記開口以外の領域において前記第一板部に対向してもよい。

前記第一板部には、第二開口が設けられてもよく、
前記第一板部の前記第二開口は、前記第二板部の前記開口以外の領域において前記第二板部に対向してもよく、
本発明に係る蒸着装置は、前記第一板部及び前記マスクの間に、前記第一板部との間に間隔を空けて設けられた板材を更に備えてもよく、
前記板材は、前記第一板部の前記第二開口よりも大きくてもよく、また、前記基板の前記法線方向に沿って見たときに前記第二開口の全部に重なってもよい。

前記制限部材は、前記板材を前記第一板部に接続する接続部を更に含んでもよい。

本発明の他の態様は、基板上に薄膜のパターンを形成する蒸着工程を含む蒸着方法であってもよく、
前記蒸着工程は、本発明に係る蒸着装置を用いて行われてもよい。

本発明の更に他の態様は、本発明に係る蒸着装置を用いて薄膜のパターンを形成する蒸着工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であってもよい。

本発明によれば、薄膜のパターンを高精度に形成することができる蒸着装置及び蒸着方法を実現することができる。

また、本発明によれば、表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を実現することができる。

実施形態１の有機ＥＬ素子の製造方法により作製された有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示領域内の構成を示す平面模式図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す断面模式図であり、図２中のＡ－Ｂ線における断面に相当する。 実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。 実施形態１の蒸着装置の斜視模式図である。 実施形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。 実施形態１の蒸着装置の制限部材を模式的に示した斜視図である。 実施形態１の蒸着装置の制限部材を模式的に示した切り欠き斜視図である。 実施形態１の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。 実施形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。 実施形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に平行な断面を示す。 比較形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。 比較形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。 実施形態２の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。 実施形態２の蒸着装置の制限部材の底面図である。 実施形態３の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。 実施形態３の蒸着装置の制限部材を模式的に示した斜視図である。 実施形態３の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。 実施形態４の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。 実施形態４の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。 実施形態５の蒸着装置の制限部材を模式的に示した斜視図である。 実施形態５の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。 実施形態６の蒸着装置の制限部材を模式的に示した斜視図である。 実施形態６の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。 比較形態２の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面に参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

なお、以下の実施形態では、水平面内にＸ軸及びＹ軸が存在し、鉛直方向にＺ軸が向く直交座標を適宜用いて説明する。また、以下の実施形態１～６では、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及び、Ｚ軸方向は、それぞれ、本発明に係る蒸着装置における、第二方向、第一方向、及び、基板の法線方向に対応する。

（実施形態１）
本実施形態では、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ素子の製造方法と、その製造方法により作製された有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置とについて主に説明するが、本実施形態は、他のタイプの有機ＥＬ素子の製造方法にも適用可能である。

まず、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体の構成について説明する。
図１は、実施形態１の有機ＥＬ素子の製造方法により作製された有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示領域内の構成を示す平面模式図である。図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す断面模式図であり、図２中のＡ－Ｂ線における断面に相当する。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図３参照）が設けられたＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０上に設けられ、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０を覆う接着層３０と、接着層３０上に配置された封止基板４０とを備えている。

封止基板４０と、有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０とを接着層３０を用いて貼り合わせることで、これら一対の基板１０及び４０の間に有機ＥＬ素子２０を封止している。これにより、酸素及び水分が外部から有機ＥＬ素子２０へ浸入することを防止している。

図３に示すように、ＴＦＴ基板１０は、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を有している。図２に示すように、絶縁基板１１上には、複数の配線１４が形成されており、複数の配線１４は、水平方向に設けられた複数のゲート線と、垂直方向に設けられ、ゲート線と交差する複数の信号線とを含んでいる。ゲート線には、ゲート線を駆動するゲート線駆動回路（図示せず）が接続され、信号線には、信号線を駆動する信号線駆動回路（図示せず）が接続されている。

有機ＥＬ表示装置１は、ＲＧＢフルカラー表示のアクティブマトリクス型の表示装置であり、配線１４で区画された各領域には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）又は青（Ｂ）のサブ画素（ドット）２Ｒ、２Ｇ又は２Ｂが配置されている。サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂは、マトリクス状に配列されている。各色のサブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂには、対応する色の有機ＥＬ素子２０及び発光領域が形成されている。

赤、緑及び青のサブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂは、それぞれ、赤色の光、緑色の光及び青色の光で発光し、３つのサブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂから１つの画素２が構成されている。

サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂには、それぞれ、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂが設けられており、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂは、それぞれ、赤、緑及び青の発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂによって覆われている。発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂは、垂直方向にストライプ状に形成されている。発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂのパターンは、各色毎に、蒸着により形成されている。なお、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂについては後述する。

各サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂには、有機ＥＬ素子２０の第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２が設けられている。各サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの発光強度は、配線１４及びＴＦＴ１２による走査及び選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、各色の有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。

次に、ＴＦＴ基板１０及び有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。まず、ＴＦＴ基板１０について説明する。

図３に示すように、ＴＦＴ基板１０は、絶縁基板１１上に形成されたＴＦＴ１２（スイッチング素子）及び配線１４と、これらを覆う層間膜（層間絶縁膜、平坦化膜）１３と、層間膜１３上に形成された絶縁層であるエッジカバー１５とを有している。

ＴＦＴ１２は、各サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂに対応して設けられている。なお、ＴＦＴ１２の構成は、一般的なものでよいので、ＴＦＴ１２における各層の図示及び説明は省略する。

層間膜１３は、絶縁基板１１上に、絶縁基板１１の全領域に渡って形成されている。層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０の第１電極２１が形成されている。また、層間膜１３には、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。

エッジカバー１５は、第１電極２１の端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることによって有機ＥＬ素子２０の第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するために形成されている。そのため、エッジカバー１５は、第１電極２１の端部を部分的に被覆するように形成されている。

エッジカバー１５には、上述の開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の各開口部１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂが、サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの発光領域となる。言い換えれば、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。

次に、有機ＥＬ素子２０について説明する。

有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層及び第２電極２６を含み、これらは、この順に積層されている。

第１電極２１は、有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、上述のようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。

第１電極２１と第２電極２６との間には、図３に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ、２３Ｇ又は２３Ｂ、電子輸送層２４、及び、電子注入層２５が、この順に積層されている。

なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極とした場合のものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。

正孔注入層は、各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１及びエッジカバー１５を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に一様に形成されている。

なお、本実施形態では、上述のように、正孔注入層及び正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態は、この場合に特に限定されない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。

正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂが、それぞれ、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂに対応して形成されている。

各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂは、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料から形成されている。

電子輸送層２４は、第２電極２６から各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。

電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂ並びに正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に一様に形成されている。また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に一様に形成されている。

なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上述のように互いに独立した層として形成されていてもよいし、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４及び電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。

第２電極２６は、有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に一様に形成されている。

なお、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂ以外の有機層は、有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成することができる。また、有機ＥＬ層には、必要に応じて、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加してもよく、これにより、正孔が電子輸送層２４に到達することを抑制でき、発光効率を向上することができる。

有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）～（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
なお、上述のように、正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは、一体化されていてもよい。

また、有機ＥＬ素子２０の構成は上記（１）～（８）の層構成に特に限定されず、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。

次に、有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
図４は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。

図４に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極の作製工程Ｓ１、正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程Ｓ２、発光層蒸着工程Ｓ３、電子輸送層蒸着工程Ｓ４、電子注入層蒸着工程Ｓ５、第２電極蒸着工程Ｓ６、及び、封止工程Ｓ７を含んでいる。

以下に、図４に示すフローチャートに従って、図１～図３を参照して説明した各構成要素の製造工程について説明する。ただし、本実施形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一例に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるものではない。

また、上述したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極とした場合のものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１及び第２電極２６を構成する材料も反転する。

まず、図３に示すように、一般的な方法によりＴＦＴ１２、配線１４等が形成された絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。

絶縁基板１１としては、例えば、厚さが０．７～１．１ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００～５００ｍｍであり、Ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００～４００ｍｍのガラス基板又はプラスチック基板が挙げられる。

層間膜１３の材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。ただし、ポリイミド樹脂は、一般に透明ではなく、有色である。このため、図３に示すように有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。

層間膜１３の膜厚は、ＴＦＴ１２による段差を補償することができる程度である限り、特に限定されるものではない。例えば、略２μｍとしてもよい。

次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。

次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。

次いで、ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジストのパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に第１電極２１をマトリクス状に形成する。

なお、第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料；金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料；を用いることができる。

また、導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。

第１電極２１の厚さは特に限定されるものではないが、上述のように、例えば、１００ｎｍとすることができる。

次に、層間膜１３と同様の方法により、エッジカバー１５を、例えば略１μｍの膜厚で形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。

以上の工程により、ＴＦＴ基板１０及び第１電極２１が作製される（Ｓ１）。

次に、上記工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークと、第１電極２１の表面洗浄のための酸素プラズマ処理とを施す。

次いで、一般的な蒸着装置を用いて、ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層及び正孔輸送層（本実施形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。

具体的には、表示領域全面に対応して開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせる。そして、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。

なお、表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れることなく蒸着することを意味する。

正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、及び、これらの誘導体；ポリシラン系化合物；ビニルカルバゾール系化合物；チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、又は、ポリマー；等が挙げられる。

正孔注入層と正孔輸送層とは、上述のように一体化されていてもよいし、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚は、例えば、１０～１００ｎｍである。

正孔注入層及び正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を形成する場合、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）を使用することができる。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は、例えば３０ｎｍとすることができる。

次に、正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂに対応して発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂをそれぞれ別々に形成（パターン形成）する（Ｓ３）。

上述したように、各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。

発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、及び、これらの誘導体；トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体；ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体；トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体；ジトルイルビニルビフェニル；等が挙げられる。

各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂの膜厚は、例えば、１０～１００ｎｍである。

本発明に係る製造方法は、このような発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂの形成に特に好適に使用することができる。

本発明に係る製造方法を用いた各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂのパターンの形成方法については、後で詳述する。

次に、上記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程Ｓ２と同様の方法により、電子輸送層２４を、正孔注入層兼正孔輸送層２２並びに発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂを覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。

続いて、上記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程Ｓ２と同様の方法により、電子注入層２５を、電子輸送層２４を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。

電子輸送層２４及び電子注入層２５の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、及び、これらの誘導体や金属錯体；ＬｉＦ（フッ化リチウム）；等が挙げられる。

より具体的には、Ａｌｑ３（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０－フェナントロリン、及び、これらの誘導体や金属錯体；ＬｉＦ；等が挙げられる。

上述したように、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚は、例えば１～１００ｎｍであり、好ましくは１０～１００ｎｍである。また、電子輸送層２４及び電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０～２００ｎｍである。

代表的には、電子輸送層２４の材料にＡｌｑ３を使用し、電子注入層２５の材料にはＬｉＦを使用する。また、例えば、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとする。

次に、上記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、電子注入層２５を覆うように、ＴＦＴ基板１０の表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。この結果、ＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ層、第１電極２１及び第２電極２６を含む有機ＥＬ素子２０が形成される。

第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０～１００ｎｍである。

代表的には、第２電極２６は、厚み５０ｎｍのアルミニウム薄膜から形成される。

次いで、図１に示したように、有機ＥＬ素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０を用いて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行う（Ｓ７）。

封止基板４０としては、例えば、厚さが０．４～１．１ｍｍのガラス基板又はプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。

なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０の絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。

また、有機ＥＬ素子２０の封止方法は、上述の方法に特に限定されず、他のあらゆる封止方法を採用することが可能である。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。

また、第２電極２６上には、第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止するために、保護膜（図示せず）が設けられていてもよい。

保護膜は、絶縁性又は導電性の材料で形成することができる。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコン等が挙げられる。保護膜の厚さは、例えば１００～１０００ｎｍである。

上記工程の結果、有機ＥＬ表示装置１が完成する。

この有機ＥＬ表示装置１においては、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へホール（正孔）が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが各発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ内で再結合する。正孔及び電子の再結合によるエネルギーにより発光材料が励起され、その励起状態が基底状態に戻る際に光が出射される。各サブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。

次に、発光層蒸着工程Ｓ３について説明する。
図５は、実施形態１の蒸着装置の斜視模式図である。図６は、実施形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。

図５及び図６に示すように、発光層蒸着工程Ｓ３は、実施形態１の蒸着装置１０１を用いて行われる。蒸着装置１０１は、真空チャンバ（図示せず）と、真空チャンバに接続された真空ポンプ（図示せず）とを備えている。また、蒸着装置１０１は、真空チャンバ内に、蒸着源６０、制限部材７０及びマスク（蒸着マスク）６５を含む蒸着ユニット５０と、基板（被成膜基板）９０を保持することが可能な保持機構（保持装置）５１と、基板９０をＸＹ面内で、すなわち水平方向に移動させることが可能な移動機構（移動装置）５２と、アライメント機構（アライメント装置、図示せず）とを備えている。

蒸着源６０、制限部材７０及びマスク６５は、一つの蒸着ユニット５０として一体化されている。マスク６５は、蒸着源６０及び基板９０の間に配置され、制限部材７０は、蒸着源６０及びマスク６５の間に配置されている。換言すると、蒸着源６０、制限部材７０、マスク６５及び基板９０は、この順に配置されている。また、蒸着源６０と制限部材７０とはＺ軸方向において離間しており、制限部材７０とマスク６５とはＺ軸方向において離間している。

なお、蒸着源６０及び制限部材７０の間の間隔は、特に限定されず、適宜設定することができ、制限部材７０及びマスク６５の間の間隔も、特に限定されず、適宜設定することができる。前者は、例えば、従来のスキャン蒸着法において採用される蒸着源及び制限板の間の間隔と同程度に設定されてもよく、後者は、例えば、従来のスキャン蒸着法において採用される制限板及びマスクの間の間隔と同程度に設定されてもよい。

保持機構５１の具体的な構成は特に限定されず、具体例としては、例えば、静電チャック等が挙げられる。移動機構５２の具体的な構成は特に限定されず、移動機構５２としては、例えば、モータで送りネジを回転させる送りネジ機構、リニアモータ等の一般的な搬送駆動機構を用いることができる。アライメント機構は、蒸着ユニット５０に対する基板９０の相対的な位置を制御するためのものであり、例えばＣＣＤカメラ等の位置検出手段と、該位置検出手段に接続された制御回路とを含んでいる。

基板９０は、本発明に係る蒸着装置における上記基板に対応する。基板９０は、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程Ｓ１及び正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程Ｓ２を経て作製された基板であり、上述のように、絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２、配線１４、層間膜１３、第１電極２１、エッジカバー１５、及び、正孔注入層兼正孔輸送層２２が形成されたものである。

蒸着源６０は、内部に蒸着材料を収容する容器であり、蒸着材料を加熱する加熱機構（図示せず）を有している。蒸着源６０の制限部材７０に対向する部分、すなわち上部には、ｍ個（ｍは、２以上の整数）の射出口６１が周期的に設けられている。射出口６１は、蒸着源６０に設けられた開口であり、Ｘ軸方向と平行な同一直線上に配置されている。なお、ｍの上限は特に限定されず、適宜設定することができる。蒸着材料は、加熱機構によって加熱されて蒸気となり、この蒸気が蒸着源６０内を拡散し、そして、射出口６１から上方に向かって噴き出す。その結果、各射出口６１からは、蒸着粒子の流れである蒸着流５６が発生する。

なお、各射出口６１の平面形状は、特に限定されず、適宜設定することができる。具体例としては、例えば、円形、楕円形、矩形、正方形等が挙げられる。また、射出口６１の平面形状は、互いに独立して設定可能であるが、通常、全ての射出口６１は、同じ平面形状に設定されている。各射出口６１の大きさ（面積）も特に限定されず、適宜設定することができる。射出口６１の大きさ（面積）は、互いに独立して設定可能であるが、通常、全ての射出口６１は、同じ大きさに設定されている。

各射出口６１は、図５及び図６に示されるように、蒸着源６０の上部に設けられたノズル６２の先端に形成されていてもよい。

制限部材７０は、射出口６１から噴き出した蒸着流５６から不要な成分（蒸着粒子）を排除するための部材である。制限部材７０の構造について概略すると、制限部材７０は、中空の略直方体の構造体であり、ｍ個の射出口６１に対応してｍ個の貫通口７１が設けられている。各貫通口７１の側方には、複数の開口７２が設けられており、更に、制限部材７０の外周部には、複数の開口７３及び複数の開口７４が設けられている。
以下、制限部材７０について詳述する。

図７は、実施形態１の蒸着装置の制限部材を模式的に示した斜視図である。図８は、実施形態１の蒸着装置の制限部材を模式的に示した切り欠き斜視図である。図９は、実施形態１の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。なお、本明細書では、２つの第二壁部の一方の面を正面とし、第一板部の面を平面とし、２つの第三壁部の面を側面とし、第二板部の面を底面とする。図１０は、実施形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。図１１は、実施形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に平行な断面を示す。

図７～１１に示すように、制限部材７０は、第一板部７５、第二板部７６及び接続部８０を含んでいる。板部７５及び７６は、複数の開口が設けられた平板状の部材であり、第一板部７５及び第二板部７６によって、それぞれ、制限部材７０の上部及び底部が形成されている。第一板部７５は、マスク６５と間隔を空けて対向している。第二板部７６は、第一板部７５及び蒸着源６０の間に配置されており、第一板部７５と間隔を空けて対向している。板部７５及び７６は、ＸＹ平面と略平行に配置されている。第一板部７５及び第二板部７６には、それぞれ、射出口６１のＸ軸方向のピッチと略同一のピッチでｍ個の開口７７及びｍ個の開口７８が形成されている。各開口７７は、対応する開口７８と対向している。すなわち、Ｚ軸方向に沿って見たとき、各開口７７の少なくとも一部は、対応する開口７８の少なくとも一部と重なっている。各開口７７と、対向する開口７８との間には、上記貫通口７１に相当する第一空間５３が設けられている。

なお、板部７５及び７６の間の間隔は、特に限定されず、適宜設定することができる。この間隔は、例えば、従来のスキャン蒸着法に利用される厚板状の制限板の厚みに基づいて決定されてもよい。

板部７５及び７６の間には、Ｘ軸方向において第一空間５３に隣接する複数の第二空間５４が設けられている。第一空間５３及び第二空間５４は、Ｘ軸方向において交互に存在している。また、制限部材７０の外には、Ｙ軸方向において制限部材７０に各々隣接する２つの第三空間５５が設けられている。第三空間５５は、Ｙ軸方向において第二空間５４の隣に位置している。各第二空間５４は、２つの第三空間５５の間に存在している。

全ての開口７７及び７８は、略同一寸法で略同一の平面形状に形成されており、各開口７７、７８の平面形状は、矩形又は正方形である。各開口７７は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口７８と略同じ位置に形成されており、各開口７７の輪郭は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口７８の輪郭と略一致している。

ただし、各開口７７は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口７８と異なる位置に形成されていてもよく、各開口７７の輪郭は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口７８の輪郭からずれた位置に存在していてもよい。

また、各開口７７、７８の平面形状は、矩形又は正方形に特に限定されず、開口７７及び７８の平面形状は、互いに独立して適宜設定することができる。各開口７７、７８の平面形状は通常、互いに平行な２辺を含む形状であり、該２辺は通常、Ｙ軸方向に平行である。

また、開口７７及び７８の寸法は特に限定されず、互いに独立して適宜設定することができる。例えば、全ての開口７７を略同一寸法で略同一形状に形成し、かつ、全ての開口７８を略同一寸法で開口７７とは異なる略同一形状に形成してもよい。また、各開口７７、７８は、例えば、従来のスキャン蒸着法に利用される制限板に設けられる開口と同程度の寸法であってもよい。

第一板部７５は、接続部８０によって第二板部７６に接続されており、第一板部７５は、第二板部７６と一体化されている。制限部材７０は、接続部８０として、２×ｍ個の第一壁部８１と、互いに対向する２つの第二壁部８２と、互いに対向する２つの第三壁部８３と、２×ｍ個の第四壁部８４とを含んでいる。各第一壁部８１は、１つの開口７２が設けられた平板状の部材であり、各第二壁部８２は、（ｍ＋１）個の開口７３が設けられた平板状の部材であり、各第三壁部８３は、１つの開口７４が設けられた平板状の部材であり、各第四壁部８４は、開口が設けられていない平板状の部材である。第二壁部８２及び第三壁部８３によって制限部材７０の外周部が形成されており、互いに対向する２つの第一壁部８１と、それらに接する２つの第四壁部８４とによって１つの貫通口７１が形成されている。

各開口７２は、第一空間５３を介して、向かいの第一壁部８１の開口７２と対向している。すなわち、Ｘ軸方向に沿って見たとき、各開口７２の少なくとも一部は、向かいの第一壁部８１の開口７２の少なくとも一部と重なっている。各開口７２は、Ｘ軸方向において第一空間５３の側方に設けられている。

全ての開口７２及び７４は、略同一寸法で略同一の平面形状に形成されており、各開口７２、７４の平面形状は、矩形又は正方形である。全ての開口７２及び７４は、Ｘ軸方向に沿って見たとき、略同じ位置に形成されており、全ての開口７２及び７４の輪郭は、Ｘ軸方向に沿って見たとき、互いに略一致している。

ただし、各開口７２は、Ｘ軸方向に沿って見たとき、向かいの第一壁部８１の開口７２と異なる位置に形成されていてもよく、各開口７２の輪郭は、Ｘ軸方向に沿って見たとき、向かいの第一壁部８１の開口７２の輪郭からずれた位置に存在していてもよい。

各開口７３は、第二空間５４を介して、向かいの第二壁部８２の開口７３と対向している。すなわち、Ｙ軸方向に沿って見たとき、各開口７３の少なくとも一部は、向かいの第二壁部８２の開口７３の少なくとも一部と重なっている。各開口７３は、Ｙ軸方向において第二空間５４の側方に設けられている。

全ての開口７３は、略同一寸法で略同一の平面形状に形成されており、各開口７３の平面形状は、矩形又は正方形である。各開口７３は、Ｙ軸方向に沿って見たとき、向かいの第二壁部８２の開口７３と略同じ位置に形成されており、各開口７３の輪郭は、Ｙ軸方向に沿って見たとき、向かいの第二壁部８２の開口７３の輪郭と略一致している。

ただし、各開口７２、７３、７４の平面形状は、矩形又は正方形に特に限定されず、開口７２及び７４の平面形状は、互いに独立して適宜設定することができ、開口７３の平面形状は、互いに独立して適宜設定することができる。また、開口７２、７３及び７４の寸法は特に限定されず、互いに独立して適宜設定することができる。開口７２、７３及び７４の寸法は、板部７５及び７６の間の間隔や開口７７及び７８の寸法等の他の寸法に基づいて決定されてもよい。

第一及び第三壁部８１及び８３は、ＹＺ平面と略平行に配置されており、第二及び第四壁部８２及び８４は、ＸＺ平面と略平行に配置されている。各第一壁部８１は、接する第四壁部８４と略直交しており、第二壁部８２は、第三壁部８３と略直交している。したがって、各開口７２、７４を形成する平面は、各開口７３を形成する平面に対して略垂直である。

隣り合う第一空間５３及び第二空間５４の間に第一壁部８１は設けられており、隣り合う第一空間５３及び第二空間５４は、その第一壁部８１の開口７２で互いにつながっている。また、第二空間５４及び第三空間５５の間に第二壁部８２は設けられており、第二空間５４及び第三空間５５は、その第二壁部８２の開口７３で互いにつながっている。

第二板部７６の各開口７８の下方には１つの射出口６１が配置されており、貫通口７１（第一空間５３）と、射出口６１とが一対一に対応している。また、Ｙ軸方向に沿って見たときに、各射出口６１は、対応する開口７８の中心の略真下に配置されている。

ただし、貫通口７１（第一空間５３）と、射出口６１との対応関係は特に限定されず、例えば、１つの射出口６１に対して複数の貫通口７１（第一空間５３）が対応して配置されてもよいし、複数の射出口６１に対して１つの貫通口７１（第一空間５３）が対応して配置されてもよい。また、Ｙ軸方向に沿って見たときに、各射出口６１は、対応する開口７８の中心の真下からずれた場所に配置されてもよい。

なお、「射出口６１に対応する貫通口７１（第一空間５３）」とは、その射出口６１から放出された蒸着粒子が通過可能なように設計された貫通口７１（第一空間５３）を意味する。

各貫通口７１（第一空間５３）には下方から、ある拡がり（指向性）をもって射出口６１から放出された蒸着流５６が上昇してくることになる。蒸着流５６に含まれる蒸着粒子のうちの一部は、開口７８、第一空間５３及び開口７７をこの順に通過することができ、マスク６５に到達することができる。他方、残りの蒸着粒子は、第二板部７６の下面、第一壁部８１若しくは第四壁部８４に付着するか、又は、開口７２を通って制限部材７０内に進入するため、貫通口７１を通過することができず、マスク６５に到達することができない。更に、マスク６５には、複数の開口６６が形成されているため、マスク６５に到達した蒸着粒子の一部が、マスク６５の開口６６を通過することができ、基板９０に付着し薄膜のパターン９１を形成する。また、制限部材７０は、各蒸着流５６が隣の貫通口を通過することを抑制している。このように、制限部材７０を設けることによって、基板９０に対する蒸着流５６の入射角が必要以上に大きくなるのを抑制することができ、基板９０に入射する蒸着粒子のＸ軸方向における指向性を向上することができる。その結果、薄膜のパターン９１に発生するボケの大きさを抑制することができる。

このような観点からは、マスク６５の各開口６６に進入する蒸着粒子は、同一の射出口６１から放出されたものに限られることが好ましい。すなわち、異なる射出口６１から放出された蒸着粒子が同一の開口６６に進入しないことが好ましい。

制限部材７０は、冷却機構（冷却装置、図示せず）を含んでいることが好ましい。これにより、制限部材７０に付着した蒸着粒子が再蒸発することを抑制することができる。冷却機構の具体的な構成は特に限定されず、例えば、具体例としては、水等の冷媒を通過させることが可能な配管、ペルチェ素子等の冷却素子が挙げられる。冷却機構の設置の場所及び方法は特に限定されず、例えば、冷却機構は、各板部７５、７６の上面上に載置されてもよい。

マスク６５の各開口６６は、Ｙ軸方向に長く、Ｘ軸方向に短い形状（例えば矩形状（スリット状））に形成されており、Ｙ軸方向と略平行に配置されている。マスク６５に飛来した蒸着流５６の一部は開口６６を通過して基板９０に到達し、残りはマスク６５によって遮蔽される。そのため、マスク６５の開口６６に対応したパターンで基板９０上に蒸着粒子が堆積する。

マスク６５は、基板９０より小さく、マスク６５の少なくとも一辺は、基板９０の蒸着領域の対応する辺よりも短い。これにより、マスク６５を容易に製造することが可能となり、また、マスク６５自身の自重による撓みの発生を抑制している。基板９０の走査中に基板９０が損傷するのを防止するために、マスク６５は、基板９０と離間して配置されており、マスク６５と基板９０との間には所定の大きさの隙間（ギャップ）が設けられている。なお、このギャップの大きさは、特に限定されず、適宜設定することができる。例えば、このギャップは、従来のスキャン蒸着法において採用されるマスク及び基板の間のギャップと同程度に設定されてもよい。

また、蒸着中において、マスク６５と、各射出口６１の形成面との間の間隔も所定の大きさに保たれている。なお、この間隔は、特に限定されず、適宜設定することができる。例えば、この間隔は、従来のスキャン蒸着法において採用されるマスクと射出口の形成面との間の間隔と同程度に設定されてもよい。

そして、発光層蒸着工程Ｓ３では、蒸着を３回行い、３色の発光層２３Ｒ、２３Ｇ及び２３Ｂを順に形成していく。各蒸着では、蒸着源６０等を含む蒸着ユニット５０に対して基板９０を相対的に移動（走査）させながら基板９０上に蒸着粒子を付着させて、発光層２３Ｒ、２３Ｇ又は２３Ｂとして、ストライプ状の薄膜のパターン９１を形成する。

蒸着中、保持機構５１に保持された基板９０は、移動機構５２によって、マスク６５の上方をＹ軸方向に一定速度で移動（走査）される。このとき、基板９０は、マスク６５から一定の間隔だけ離間した状態、すなわち離れた状態に保持される。蒸着源６０、制限部材７０及びマスク６５は、蒸着ユニット５０として一体化されている。そのため、蒸着中、これらの部材は、固定されており、また、これらの部材の相対的な位置関係は、実質的に一定である。ただし、基板９０及び蒸着ユニット５０の両方を移動させてもよし、基板９０を固定し、蒸着ユニット５０を移動させてもよい。また、走査の速度や回数を変更することによって膜厚を適宜変更することができる。蒸着中、真空チャンバ内は、減圧され、低圧力状態に設定される。

本実施形態では、第一空間５３は、第二空間５４とつながっている。そのため、制限部材７０で制限されるべき不要な蒸着粒子を第一空間５３から第二空間５４内、すなわち制限部材７０内に進入させることができ、第一空間５３内での蒸着粒子の密度を低下することができる。したがって、第一空間５３内での蒸着粒子同士の衝突及び蒸着粒子の散乱が生じる確率を低下することができる。

また、第二空間５４は、第三空間５５とつながっている。そのため、第二空間５４内に進入した蒸着粒子の少なくとも一部を制限部材７０の外の第三空間５５に排出することができ、制限部材７０内の圧力上昇を抑制することができ、蒸着粒子同士の衝突及び蒸着粒子の散乱が生じる確率を更に低下することができる。

更に、第二空間５４内に進入した蒸着粒子を制限部材７０の内部、例えば第一板部７５の下面部に付着させることができる。そのため、例え付着した蒸着粒子が制限部材７０の温度上昇に起因して再蒸発したとしても、再蒸発した蒸着粒子がマスク６５の方へ飛行することを防止することが可能である。

以上より、本実施形態では、蒸着レートが高い場合でも、制限部材７０を通過した蒸着流５６がＸ軸方向において必要以上に広がることを抑制することができる。したがって、形成される薄膜のパターン９１に想定を超えたボケ（以下、不要なボケとも言う。）が発生することを抑制でき、また、ゴーストの発生を抑制することができる。すなわち、高精度なパターンを形成することができる。

なお、第三空間５５に進行した蒸着粒子は、最終的に、真空チャンバの壁面部に付着し、捕えられる。また、真空チャンバの壁面部付近では、蒸着粒子の密度が低いため、蒸着粒子の散乱は、ほとんど発生しない。したがって、第三空間５５に進行した蒸着粒子が薄膜のパターン９１に悪影響を与える可能性はほとんどない。

図１２及び１３は、比較形態１の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。なお、図１３は、制限板にアライメントのズレが発生した状態を示している。
図１２に示すように、本比較形態は、制限部材７０の代わりに、二種類の制限板１０７５及び１０７６を別々に配置したことを除いて、実施形態１と実質的に同じである。本比較形態では、制限板１０７５及び１０７６に、設置及び交換時のアライメント精度がそれぞれ要求される。そのため、制限板１０７５及び１０７６を長期に渡って繰り返し使用する場合、図１３に示すように、制限板１０７５及び／又は１０７６が所定の位置からずれて配置される可能性が高くなる。制限板１０７５及び／又は１０７６のアライメントのズレが発生すると、蒸着流５６の向きが変化し、意図しない場所に蒸着粒子が飛来することとなり、均一な薄膜を形成することができなくなる。

それに対して、本実施形態では、第一板部７５は、接続部８０によって第二板部７６と一体化されているため、制限部材７０の設置及び交換時に第一板部７５及び第二板部７６の各々のアライメントを行う必要がない。そのため、アライメントのズレに起因して不均一な薄膜が形成される可能性を減らすことができる。

また、本実施形態では、開口７７が設けられた第一板部７５と、開口７８が設けられた第二板部７６とを含む制限部材７０を用いている。そのため、特許文献１に記載のように、蒸着流の方向に沿って制限板を設けた場合に比べて、アライメント精度の確保が容易であり、冷却機構の構造もより単純にすることができる。

また、比較形態１では、冷却効果が小さくなるため、蒸着源６０側の制限板１０７６の温度が上昇しやすく、制限板１０７６に付着した蒸着粒子が再蒸発しやすい。そのため、再蒸発した蒸着粒子に起因して、不要なボケ及びゴーストが発生する可能性が高い。

それに対して、本実施形態では、第一板部７５は、接続部８０によって第二板部７６と一体化されているため、制限部材７０の熱容量を大きくすることができ、制限部材７０の温度を上昇しにくくすることができる。この効果は、制限部材７０を冷却機構によって冷却する場合に特に効果的に発揮される。したがって、制限部材７０に付着した蒸着粒子が再蒸発することを抑制でき、比較形態１に比べて不要なボケ及びゴーストの発生の可能性を低くすることができる。また、一体型の制限部材７０を用いることによって、二種類の制限板１０７５及び１０７６を別々に配置した場合に比べて、冷却機構の構造をより簡単なものにすることができる。

更に、本実施形態では、制限部材７０が接続部８０として第一及び第二壁部８１及び８２を含んでおり、第一壁部８１は、第一空間５３及び第二空間５４の間に設けられており、第一空間５３は、第一壁部８１の開口７２で第二空間５４とつながっている。また、第二壁部８２は、第二空間５４及び第三空間５５の間に設けられており、第二空間５４は、第二壁部８２の開口７３で第三空間５５とつながっている。そのため、制限部材７０の熱容量を更に大きくすくことができる。したがって、後述する実施形態５及び６に比べて、不要なボケ及びゴーストの発生の可能性をより低くすることができる。

（実施形態２）
本実施形態は、制限部材が異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。

図１４は、実施形態２の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。図１５は、実施形態２の蒸着装置の制限部材の底面図である。
図１４及び１５に示すように、本実施形態に係る蒸着装置１０２は、制限部材７０の代わりに制限部材１７０を備えている。制限部材１７０は、第二板部７６の代わりに第二板部１７６を含んでいることを除いて、制限部材７０と実質的に同じであり、第二板部１７６は、複数の開口７８に加えて、第一板部７５の下方において複数の第二開口１８５が形成されていることを除いて、第二板部７６と実質的に同じである。

各第二開口１８５は、第一板部７５の開口７７以外の領域において、第一板部７５に対向している。すなわち、Ｚ軸方向に沿って見たとき、第一板部７５の開口７７以外の領域において、各第二開口１８５の少なくとも一部は、第一板部７５の少なくとも一部と重なっている。好ましくは、Ｚ軸方向に沿って見たとき、第一板部７５の開口７７以外の領域において、各第二開口１８５の全部（全領域）は、第一板部７５の一部と重なっている。

全ての第二開口１８５は、略同一寸法で略同一の平面形状に形成されており、各第二開口１８５の平面形状は、矩形又は正方形である。ただし、各第二開口１８５の平面形状は、矩形又は正方形に特に限定されず、第二開口１８５の平面形状は、互いに独立して適宜設定することができる。また、第二開口１８５の寸法は特に限定されず、互いに独立して適宜設定することができる。第二開口１８５の寸法は、開口７７及び７８の寸法や開口７７及び７８の間隔等の他の寸法に基づいて決定されてもよい。

本実施形態においては、第二空間５４内に進入した蒸着粒子は、開口７３に加えて、第二開口１８５からも制限部材７０の外に進行することが可能である。そのため、実施形態１に比べて、制限部材１７０内の圧力上昇をより抑制することができ、蒸着粒子同士の衝突及び蒸着粒子の散乱が生じる確率をより低下することができる。したがって、本実施形態によれば、実施形態１に比べて、不要なボケ及びゴーストの発生をより抑制することができ、より高精度なパターンを形成することができる。

（実施形態３）
本実施形態は、制限部材が異なることと、制限部材の上方に板材を更に備えることとを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。

図１６は、実施形態３の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。図１７は、実施形態３の蒸着装置の制限部材を模式的に示した斜視図である。図１８は、実施形態３の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び右側面図である。
図１６～１８に示すように、本実施形態に係る蒸着装置１０３は、制限部材７０の代わりに制限部材２７０を備えている。制限部材２７０は、第一板部７５の代わりに第一板部２７５を含んでいることを除いて、制限部材７０と実質的に同じであり、第一板部２７５は、複数の開口７７に加えて、第二板部７６の上方に複数の第二開口２８６が形成されていることを除いて、第一板部７５と実質的に同じである。

各第二開口２８６は、第二板部７６の開口７８以外の領域において、第二板部７６に対向している。すなわち、Ｚ軸方向に沿って見たとき、第二板部７６の開口７８以外の領域において、各第二開口２８６の少なくとも一部は、第二板部７６の少なくとも一部と重なっている。好ましくは、Ｚ軸方向に沿って見たとき、第二板部７６の開口７８以外の領域において、各第二開口２８６の全部（全領域）は、第二板部７６の一部と重なっている。

全ての第二開口２８６は、略同一寸法で略同一の平面形状に形成されており、各第二開口２８６の平面形状は、矩形又は正方形である。ただし、各第二開口２８６の平面形状は、矩形又は正方形に特に限定されず、第二開口２８６の平面形状は、互いに独立して適宜設定することができる。また、第二開口２８６の寸法は特に限定されず、互いに独立して適宜設定することができる。第二開口２８６の寸法は、開口７７及び７８の寸法や開口７７及び７８の間隔等の他の寸法に基づいて決定されてもよい。

本実施形態に係る蒸着装置１０３は、第一板部２７５及びマスク６５の間に複数の板材２８７を更に備えている。各板材２８７は、第一板部２７５との間に間隔を空けて設けられている。各板材２８７の下方には１つの第二開口２８６が配置されており、板材２８７と第二開口２８６とが一対一に対応している。

各板材２８７は、対応する第二開口２８６よりも大きい。また、各板材２８７は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口２８６の全部（全領域）に重なっている。

全ての板材２８７は、略同一寸法で略同一の平面形状に形成されており、各板材２８７の平面形状は、矩形又は正方形である。ただし、各板材２８７の平面形状は、矩形又は正方形に特に限定されず、板材２８７の平面形状は、互いに独立して適宜設定することができる。また、板材２８７の寸法は、対応する第二開口２８６よりも大きい寸法である限り、互いに独立して適宜設定することができる。ただし、板材２８７は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、開口７７に重ならないことが好ましく、各板材２８７は、隣り合う開口７７の間の領域よりも小さいことが好ましい。

本実施形態においては、第二空間５４内に進入した蒸着粒子は、開口７３に加えて、第二開口２８６からも制限部材２７０の外に進行することが可能である。そのため、実施形態１に比べて、制限部材２７０内の圧力上昇をより抑制することができ、蒸着粒子同士の衝突及び蒸着粒子の散乱が生じる確率をより低下することができる。したがって、本実施形態によれば、実施形態１に比べて、不要なボケ及びゴーストの発生をより抑制することができ、より高精度なパターンを形成することができる。

なお、第二開口２８６から出てきた蒸着粒子は通常、板材２８７に付着するため、不要なボケ及びゴーストの発生の原因とはならない。また、第二開口２８６付近で蒸着粒子の散乱が発生した場合は、板材２８７と平行でない成分（蒸着粒子）のほとんど全ては、板材２８７に付着し、板材２８７と略平行な成分（蒸着粒子）は、板材２８７と略平行に進行するため基板９０に到達することができない。したがって、散乱が発生した場合も、第二開口２８６から出てきた蒸着粒子が不要なボケ及びゴーストの発生要因になることはほとんどない。

板材２８７は、第一板部２７５と一体化されていてもよいし、一体化されていなくてもよい。ただし、前者の場合は、後者に比べ、冷却効果が高まるため、制限部材２７０に付着した蒸着粒子の再蒸発をより抑制することが可能である。

このような観点からは、制限部材２７０は、各板材２８７を第一板部２７５に接続する複数の接続部２６８を更に含んでいることが好ましい。接続部２６８は、第二開口２８６の周囲に設けられており、板材２８７の端部を第一板部２７５に接続している。接続部２６８の具体的な形状は、特に限定されず、例えば、接続部２６８は、円柱又は四角柱状の柱部、平板状の壁部等であってもよい。

（実施形態４）
本実施形態は、制限部材が異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。

図１９は、実施形態４の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。図２０は、実施形態４の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。
図１９及び２０に示すように、本実施形態に係る蒸着装置１０４は、制限部材７０の代わりに制限部材３７０を備えている。

制限部材３７０は、以下の点で制限部材７０と異なる。すなわち、制限部材３７０は、第一板部７５及び第二板部７６の間に設けられた１枚以上の第三板部３８８を含んでいる。第三板部３８８は、複数の開口が設けられた平板状の部材であり、隣り合う板部の間には隙間が設けられている。第三板部３８８は、ＸＹ平面と略平行に配置されており、板部７５、７６及び３８８は、互いに略平行に配置されている。第三板部３８８には、第一板部７５の開口７７及び第二板部７６の開口７８に対応してｍ個の開口３７７が形成されている。

開口３７７は、射出口６１のＸ軸方向のピッチと略同一のピッチで形成されており、各開口３７７は、対応する開口７７及び７８と対向している。すなわち、Ｚ軸方向に沿って見たとき、各開口３７７の少なくとも一部は、対応する開口７７の少なくとも一部と重なっており、かつ、対応する開口７８の少なくとも一部と重なっている。

全ての開口３７７は、略同一寸法で略同一の平面形状に形成されており、各開口３７７の平面形状は、矩形又は正方形である。各開口３７７は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口７７及び７８と略同じ位置に形成されており、各開口３７７の輪郭は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口７７及び７８の各々の輪郭と略一致している。

ただし、各開口３７７は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口７７及び７８と異なる位置に形成されていてもよく、各開口３７７の輪郭は、Ｚ軸方向に沿って見たとき、対応する開口７７及び７８の各々の輪郭からずれた位置に存在していてもよい。

また、各開口３７７の平面形状は、矩形又は正方形に特に限定されず、開口３７７の平面形状は、互いに独立して適宜設定することができる。各開口３７７の平面形状は通常、互いに平行な２辺を含む形状であり、該２辺は通常、Ｙ軸方向に平行である。また、開口３７７の寸法は特に限定されず、互いに独立して適宜設定することができる。例えば、各開口３７７は、従来のスキャン蒸着法に利用される制限板に設けられる開口と同程度の寸法であってもよい。

そして、第一壁部８１の開口７２が複数の領域に分割され、第二壁部８２の開口７３が複数の領域に分割され、第三壁部８３の開口７４が複数の領域に分割されている。

このように、本実施形態においては、各第一壁部８１の開口７２が複数設けられ、各第二壁部８２の開口７３が複数設けられている。したがって、実施形態１に比べて、個々の開口７２、７３の大きさを小さくすることができる。そのため、制限部材３７０の冷却効果を効果的に高めることができ、制限部材３７０に付着した蒸着粒子が再蒸発することを効果的に抑制できる。その結果、実施形態１に比べて、不要なボケ及びゴーストの発生の可能性をより低くすることができる。

（実施形態５）
本実施形態は、制限部材が異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。

図２１は、実施形態５の蒸着装置の制限部材を模式的に示した斜視図である。図２２は、実施形態５の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。
図２１及び２２に示すように、本実施形態に係る蒸着装置は、制限部材７０の代わりに制限部材４７０を備えている。制限部材４７０は、接続部として、第一、第二、第三及び第四壁部８１、８２、８３及び８４の代わりに、複数の第五壁部４８９を含んでいることを除いて、制限部材７０と実質的に同じである。

各第五壁部４８９は、開口が設けられていない平板状の部材であり、ＹＺ平面と略平行に配置されている。Ｚ軸方向に沿って見たとき、各開口７７、７８は、隣り合う２つの第五壁部４８９の間に配置されており、第五壁部４８９と開口７７、７８とが略等間隔で配置されている。そのため、本実施形態では、第一空間５３及び第二空間５４の間と、第二空間５４及び第三空間５５の間とには、何も遮るものが存在していない。

本実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を奏することができる。ただし、制限部材の冷却と、第一板部及び第二板部のアライメント精度の点に関しては、本実施形態よりも実施形態１の方が好ましい。

（実施形態６）
本実施形態は、制限部材が異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。

図２３は、実施形態６の蒸着装置の制限部材を模式的に示した斜視図である。図２４は、実施形態６の蒸着装置の制限部材の平面図、正面図、及び、右側面図である。
図２３及び２４に示すように、本実施形態に係る蒸着装置は、制限部材７０の代わりに制限部材５７０を備えている。制限部材５７０は、接続部として、第一、第二、第三及び第四壁部８１、８２、８３及び８４の代わりに、複数の柱部５６７を含んでいることを除いて、制限部材７０と実質的に同じである。

各柱部５６７は、円柱又は四角柱状の部材であり、その長手方向は、Ｚ軸方向と略平行である。柱部５６７は、第一板部７５及び７６の端部に沿って配置されている。そのため、本実施形態では、第一空間５３及び第二空間５４の間と、第二空間５４及び第三空間５５の間とには、何も遮るものが存在していない。

本実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を奏することができる。ただし、制限部材の冷却と、第一板部及び第二板部のアライメント精度の点に関しては、本実施形態よりも実施形態１の方が好ましい。

以下、実施形態１～６における他の変形例について説明する。
実施形態１～６で説明した平板状の部材は、平板以外の形状であってもよく、例えば、屈曲及び／又は湾曲していてもよく、波板状であってもよい。

実施形態１～６において、制限部材の各部の材料は特に限定されず、適宜選択することができる。また、制限部材の作製方法も特に限定されず、例えば、各部を作製した後、これらを互いに溶接することで結合してもよい。

また、制限部材に設けられる複数の貫通口の配置は特に限定されず、例えば、複数の貫通口が千鳥状に配置されていてもよいし、Ｘ軸方向に並んだ複数の貫通口からなる列がＹ軸方向に複数列配置されていてもよい。

また、蒸着源、制限部材、マスク及び基板は、この順に配置される限り、その向きは特に限定されない。例えば、上述した蒸着ユニットを上下反転させて、蒸着源、制限板、マスク及び基板を上からこの順に配置してもよい。また、上述した蒸着ユニットをＹ軸を中心に９０°回転させて、蒸着源、制限板、マスク及び基板を横に並べて配置してもよい。

また、有機ＥＬ表示装置は、モノクロ表示の表示装置であってもよいし、各画素は複数のサブ画素に分割されていなくてもよい。この場合、発光層蒸着工程では、蒸着を１回だけ行い、１色の発光層のみを形成してもよい。

また、発光層蒸着工程以外の蒸着工程において、発光層蒸着工程と同様にして、薄膜のパターンを形成してもよい。例えば、電子輸送層を各色のサブ画素毎に形成してもよい。

更に、実施形態１～６では、有機ＥＬ素子の発光層を形成する場合を例に説明したが、本発明に係る蒸着装置の用途は、有機ＥＬ素子の製造に特に限定されず、種々の薄膜のパターンの形成に利用することができる。

上述した実施形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜組み合わされてもよい。また、各実施形態の変形例は、他の実施形態に組み合わされてもよい。

（比較形態２）
本比較形態は、制限部材の代わりに制限板を備えることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本比較形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本比較形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本比較形態において、その部材の説明は省略する。

図２５は、比較形態２の蒸着装置の断面模式図であり、基板の走査方向に垂直な断面を示す。
図２５に示すように、本比較形態に係る蒸着装置は、制限部材７０の代わりに制限板１１７０を備えている。制限板１１７０は、１枚の厚板から形成された部材であり、射出口６１に対応して複数の開口１１７７が設けられている。

本比較形態では、蒸着流５６が制限板１１７０の開口１１７７を通過する際において、蒸着粒子同士の衝突及び蒸着粒子の散乱が起こる可能性が高くなる。また、開口１１７７を通過できずに制限板１１７０の側面部１１８１に付着した蒸着粒子が制限板１１７０の温度上昇に起因して再蒸発する可能性もある。再蒸発した蒸着粒子は、射出口６１から噴出した直後の蒸着粒子とは違って制御されていないため、予期せぬ方向に飛行する可能性がある。これらの結果、制限板１１７０で制御されるはずの蒸着流５６が開口１１７７を通過後に必要以上に広がってしまい、その一部が、隣の蒸着流５６によって成膜されるべき領域に到達する。そして、不要なボケ及び／又はゴーストが発生することになる。

１：有機ＥＬ表示装置
２：画素
２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ：サブ画素
１０：ＴＦＴ基板
１１：絶縁基板
１２：ＴＦＴ
１３：層間膜
１３ａ：コンタクトホール
１４：配線
１５：エッジカバー
１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ：開口部
２０：有機ＥＬ素子
２１：第１電極
２２：正孔注入層兼正孔輸送層（有機層）
２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ：発光層（有機層）
２４：電子輸送層（有機層）
２５：電子注入層（有機層）
２６：第２電極
３０：接着層
４０：封止基板
５０：蒸着ユニット
５１：保持機構（保持装置）
５２：移動機構（移動装置）
５３：第一空間
５４：第二空間
５５：第三空間
５６：蒸着流
６０：蒸着源
６１：射出口
６２：ノズル
６５：マスク（蒸着マスク）
７０、１７０、２７０、３７０、４７０、５７０：制限部材
７１：貫通口
６６、７２、７３、７４、７７、７８、３７７：開口
７５、２７５：第一板部
７６、１７６：第二板部
８０：接続部
８１：第一壁部
８２：第二壁部
８３：第三壁部
８４：第四壁部
９０：基板（被成膜基板）
９１：薄膜のパターン
１０１、１０２、１０３、１０４：蒸着装置
１８５、２８６：第二開口
２６８：接続部
２８７：板材
３８８：第三板部
４８９：第五壁部
５６７：柱部

Claims (8)

1. 基板上に薄膜のパターンを形成する蒸着装置であって、
   前記蒸着装置は、蒸着源、制限部材及びマスクを含む蒸着ユニットと、
   前記基板を前記マスクから離間させた状態で、前記基板の法線方向に直交する第一方向に沿って、前記基板及び前記蒸着ユニットの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
   前記蒸着源、前記制限部材、前記マスク及び前記基板は、この順に配置され、
   前記制限部材は、第一板部と、
   前記第一板部との間に間隔を空けて設けられた第二板部と、
   前記第一板部を前記第二板部に接続する接続部とを含み、
   前記第一板部には、開口が設けられ、
   前記第二板部には、前記第一板部の前記開口に対向する開口が設けられ、
   前記第一板部の前記開口及び前記第二板部の前記開口の間には、第一空間が存在し、
   前記基板の前記法線方向及び前記第一方向に直交する第二方向において前記第一空間の隣には、前記第一板部及び前記第二板部の間に第二空間が存在し、
   前記第一空間は、前記第二空間とつながり、
   前記第一方向において前記第二空間の隣には、前記制限部材の外に第三空間が存在し、
   前記第二空間は、前記第三空間とつながる蒸着装置。
2. 前記制限部材は、前記接続部として、開口が各々設けられた第一壁部及び第二壁部を含み、
   前記第一壁部は、前記第一空間及び前記第二空間の間に設けられ、
   前記第二壁部は、前記第二空間及び前記第三空間の間に設けられ、
   前記第一空間は、前記第一壁部の前記開口で前記第二空間とつながり、
   前記第二空間は、前記第二壁部の前記開口で前記第三空間とつながる請求項１記載の蒸着装置。
3. 前記第一壁部の前記開口は、複数設けられ、
   前記第二壁部の前記開口は、複数設けられる請求項２記載の蒸着装置。
4. 前記第二板部には、第二開口が設けられ、
   前記第二板部の前記第二開口は、前記第一板部の前記開口以外の領域において前記第一板部に対向する請求項１～３のいずれかに記載の蒸着装置。
5. 前記第一板部には、第二開口が設けられ、
   前記第一板部の前記第二開口は、前記第二板部の前記開口以外の領域において前記第二板部に対向し、
   前記蒸着装置は、前記第一板部及び前記マスクの間に、前記第一板部との間に間隔を空けて設けられた板材を更に備え、
   前記板材は、前記第一板部の前記第二開口よりも大きく、かつ、前記基板の前記法線方向に沿って見たときに前記第二開口の全部に重なる請求項１～４のいずれかに記載の蒸着装置。
6. 前記制限部材は、前記板材を前記第一板部に接続する接続部を更に含む請求項５記載の蒸着装置。
7. 基板上に薄膜のパターンを形成する蒸着工程を含む蒸着方法であって、
   前記蒸着工程は、請求項１～６のいずれかに記載の蒸着装置を用いて行われる蒸着方法。
8. 請求項１～６のいずれかに記載の蒸着装置を用いて薄膜のパターンを形成する蒸着工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

Images