WO2014203589A1 - 放射線検出モジュール及び放射線検出ユニット - Google Patents

放射線検出モジュール及び放射線検出ユニット Download PDF

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radiation detection
processing unit
radiation
detection module
detection unit
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光俊 杉谷
圭介 名倉
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浜松ホトニクス株式会社
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    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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    • A61B6/56—Details of data transmission or power supply, e.g. use of slip rings

Definitions

  • the present invention relates to a radiation detection module and a radiation detection unit.
  • Patent Document 1 describes a detector module that detects X-rays.
  • the detector module includes a plurality of semiconductor detectors and a metal block to which the plurality of semiconductor detectors are attached. Each semiconductor detector has a scintillation crystal and a photodiode.
  • Patent Document 1 describes a detector assembly including a plurality of the detector modules described above.
  • the detector assembly includes a plurality of detector modules as described above, and an arcuate reference support spine along the channel direction.
  • a plurality of detector modules are attached to the reference support spine along the channel direction.
  • a processing unit that processes a signal from a detection unit that detects radiation generates heat during use. If the temperature of the radiation detection module fluctuates due to heat generation, the radiation detection accuracy may be reduced. Therefore, it is desired to improve the heat dissipation performance in the radiation detection module and the radiation detection unit.
  • the present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a radiation detection module and a radiation detection unit that can improve heat dissipation performance.
  • a radiation detection module is a radiation detection module for a CT apparatus that detects radiation, and includes a detection unit that detects radiation, a processing unit that processes a signal from the detection unit, a processing unit, and a heat And a heat radiating member that dissipates heat from the processing unit, and the heat radiating member has a plurality of fins, and the plurality of fins in the first direction along the slice direction of the CT apparatus, The fins are spaced apart from each other, and each of the plurality of fins has a plate shape that extends so as to intersect the first direction.
  • the plurality of fins provided on the heat dissipation member are separated from each other in the first direction along the slice direction of the CT apparatus (that is, the direction orthogonal to the rotation direction of the gantry of the CT apparatus). For this reason, when the gantry is rotated, an air flow path is generated between adjacent fins. Therefore, the heat dissipation performance can be improved.
  • Each of the plurality of fins has a plate shape that spreads so as to intersect the first direction along the slice direction (that is, a plate shape that spreads so as not to be orthogonal to the rotation direction of the gantry).
  • each of the plurality of fins has a plate shape that extends so as to be orthogonal to the rotation direction of the gantry. it can. Therefore, the power required to rotate the gantry can be reduced.
  • a high thermal conductive resin that thermally couples the processing unit and the heat radiating member may be disposed between the processing unit and the heat radiating member.
  • the heat generated in the processing unit is suitably transmitted to the heat radiating member by the high thermal conductive resin. Therefore, the heat dissipation performance can be further improved.
  • the radiation detection module further includes a substrate that supports the detection unit and the processing unit, and the heat dissipation member includes a coupling unit that is thermally coupled to the processing unit via a high thermal conductive resin, and a fixing unit that is fixed to the substrate.
  • the fixing portion protrudes toward the substrate side with respect to the coupling portion, and the processing portion and the high thermal conductive resin are arranged in a gap between the substrate and the coupling portion formed by the fixing portion. May be. In this case, thermal coupling and mechanical fixation can be realized with a simple structure.
  • the detection unit may include a scintillator that emits scintillation light according to incident radiation, and a detection element that detects scintillation light from the scintillator.
  • the light emission amount of the scintillator changes depending on the temperature of the scintillator. According to the said structure, it can suppress that the heat which generate
  • a radiation detection unit is a radiation detection unit for a CT apparatus including a plurality of the above-described radiation detection modules, and extends along a first direction, and a plurality of heat radiation members extends in the first direction.
  • Each of the heat dissipating members is attached to the frame via a bar-like member so as to be separated from the frame.
  • the heat dissipation performance can be improved and the power required to rotate the gantry can be reduced.
  • the heat radiating member of each radiation detection module is attached to the frame via a support member so as to be separated from the frame. Therefore, the dimensional error and assembly error of each element can be absorbed by the gap between the heat radiating member and the frame while aligning the positions of the incident surfaces among the plurality of radiation detection modules. Therefore, the positions of the incident surfaces can be made uniform among the plurality of radiation detection modules, and the position accuracy can be improved.
  • the present invention it is possible to provide a radiation detection module and a radiation detection unit that can improve heat dissipation performance.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a CT apparatus including a plurality of radiation detection units according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the radiation detection unit in FIG.
  • FIG. 3 is a side view showing the radiation detection module in FIG. 4 is a view taken in the direction of arrows IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a perspective view showing the heat dissipating member in FIG. 4.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a CT apparatus including a plurality of radiation detection units according to the embodiment.
  • a CT (Computed Tomography) apparatus 1 irradiates a subject H with radiation (for example, X-rays or ⁇ rays) from a radiation source (not shown).
  • the transmitted radiation is detected by a plurality of detection modules (radiation detection modules) 2.
  • the plurality of detection modules 2 are fixed to a rotation mechanism (gantry) (not shown).
  • the plurality of detection modules 2 rotate along the rotation direction (channel direction) C of the gantry and linearly move along the slice direction (body axis direction) S.
  • a plurality of detection modules 2 are arranged along each of the channel direction C and the slice direction S.
  • the detection unit (radiation detection unit) 3 includes a plurality of detection modules 2 arranged along the slice direction S.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the radiation detection unit in FIG.
  • the direction along the slice direction S is the first direction D1
  • the direction along the tangent to the channel direction C is the second direction D2
  • the incident surface 51a of the detection module 2 is the third direction D3.
  • the detection unit 3 includes the plurality of detection modules 2 and the frame 4.
  • the frame 4 extends along the first direction D1.
  • the frame 4 includes a support portion 41 that extends along the first direction D1, and frame-side abutting portions 42 and 42 that are respectively positioned at both ends of the support portion 41 in the first direction D1.
  • the support part 41 has a long plate shape.
  • the frame-side abutting portion 42 has a rectangular parallelepiped shape and protrudes from one surface of the support portion 41.
  • the frame side abutting portion 42 is provided with a through hole 43.
  • the plurality of detection modules 2 are attached to the support portion 41 along the first direction D1.
  • the detection module 2 is attached to one surface of the support portion 41 so as to be separated (see FIGS. 3 and 4, details will be described later).
  • [Radiation detection module] 3 is a side view showing the radiation detection module in FIG. 2, and FIG. 4 is a view taken in the direction of arrows IV-IV in FIG.
  • the detection module 2 includes a detection unit 5, a support substrate 6, a processing unit 7, and a heat dissipation member 8.
  • the detection unit 5 includes a scintillator 51 and a photodiode array (detection element) 52.
  • the scintillator 51 has a rectangular plate shape (specifically, a rectangular plate shape) (see FIG. 2).
  • the scintillator 51 extends along the first direction D1 and the second direction D2.
  • the scintillator 51 includes an incident surface 51a on which radiation is incident and an exit surface 51b that is located on the opposite side of the incident surface 51a and emits scintillation light in accordance with the incident radiation.
  • Each of the entrance surface 51a and the exit surface 51b extends along the first direction D1 and the second direction D2.
  • the scintillator 51 is, for example, CsI doped with Tl.
  • CsI has a structure in which a large number of needle-like crystals (columnar crystals) are forested.
  • the photodiode array 52 detects scintillation light from the scintillator 51.
  • the photodiode array 52 includes a plurality of photodiodes and a semiconductor substrate 53 including a plurality of photodiodes.
  • the semiconductor substrate 53 has a rectangular plate shape that is substantially the same as or slightly larger than the scintillator 51 when viewed from the third direction D3.
  • the semiconductor substrate 53 extends along the first direction D1 and the second direction D2.
  • the plurality of photodiodes are arranged two-dimensionally on the semiconductor substrate 53.
  • the semiconductor substrate 53 includes a first surface 53a on which the scintillation light from the scintillator 51 is incident, and a second surface 53b located on the opposite side of the first surface 53a. Each of the first surface 53a and the second surface 53b extends along the first direction D1 and the second direction D2.
  • the scintillator 51 is located on the first surface 53a.
  • the semiconductor substrate 53 is made of, for example, silicon.
  • the photodiode array 52 is, for example, a back-illuminated type, and its photosensitive region is located on the second surface 53b side.
  • the photodiode array 52 may be a front-illuminated type, and the photosensitive region may be located on the first surface 53a side.
  • the photodiode array 52 and a land electrode (described later) of the support substrate 6 may be connected via a through electrode formed inside the semiconductor substrate 53, and a wire It may be connected by bonding.
  • the photodiode array 52 is coupled to the emission surface 51b of the scintillator 51 via an optical coupling agent that is optically transparent to the scintillation light from the scintillator 51.
  • the photodiode array 52 has sensitivity in, for example, the ultraviolet region to the near infrared region.
  • the portions exposed in the first direction D1 and the second direction D2 orthogonal to the third direction are side portions 5a.
  • the support substrate 6 supports the detection unit 5 and the processing unit 7.
  • the support substrate 6 has a rectangular plate shape substantially the same as that of the semiconductor substrate 53 when viewed from the third direction D3.
  • the support substrate 6 extends along the first direction D1 and the second direction D2.
  • the support substrate 6 has a first surface 6 a that supports the detection unit 5, and a second surface 6 b that is located on the opposite side of the first surface 6 a and supports the processing unit 7.
  • Each of the first surface 6a and the second surface 6b extends along the first direction D1 and the second direction D2.
  • a portion exposed in the first direction D1 and the second direction D2 portion along the third direction D3 is a side portion 6c.
  • the support substrate 6 and the semiconductor substrate 53 are integrated.
  • Land electrodes are formed on each of the first surface 6 a and the second surface 6 b of the support substrate 6.
  • a photodiode on the semiconductor substrate 53 is connected to the land electrode on the first surface 6a via a bump electrode.
  • the processing unit 7 is connected to the land electrode on the second surface 6b via a bump electrode.
  • a conductor pattern for connecting the land electrodes on the first surface 6a and the second surface 6b to each other is formed inside the support substrate 6, a conductor pattern for connecting the land electrodes on the first surface 6a and the second surface 6b to each other is formed.
  • the support substrate 6 is formed, for example, by laminating a plurality of green sheets containing ceramic and firing the laminate.
  • the support substrate 6 may be formed of an organic material (for example, a glass epoxy resin).
  • the processing unit 7 processes a signal from the photodiode array 52. As shown in FIG. 4, a plurality of processing units 7 are provided here.
  • the processing unit 7 has a rectangular plate shape (specifically, a rectangular plate shape) smaller than the support substrate 6 when viewed from the third direction D3.
  • the plurality of processing units 7 and 7 are separated from each other in the first direction D1.
  • the processing unit 7 is, for example, an ASIC (Application specific integrated circuit).
  • FIG. 5 is a perspective view showing the heat dissipating member in FIG. 4.
  • the heat radiating member 8 includes a plurality of fins 81.
  • the cross section of the heat dissipation member 8 along the first direction D1 and the third direction D3 has a substantially comb shape (see FIG. 4).
  • the portion connecting the plurality of comb teeth is the base 82, and the comb teeth are the fins 81.
  • the heat radiating member 8 is smaller than the support substrate 6 and has a substantially U-shape (see FIG. 5).
  • a material for forming the heat radiating member 8 for example, Al, Cu, brass, or the like can be used.
  • the base 82 has a substantially plate shape.
  • the base 82 extends along the first direction D1 and the second direction D2.
  • the processing units 7 and 7 are thermally coupled to the base 82.
  • a central portion in the first direction D1 protrudes toward the processing portion 7 with respect to both end portions.
  • the protruding part is a coupling part 83 to which the processing parts 7 and 7 are coupled.
  • a pair of fixing portions 84, 84 protrude from the coupling portion 83 toward the support substrate 6.
  • the fixing portion 84 has a substantially rectangular parallelepiped shape and extends along the first direction D1.
  • the pair of fixing portions 84 and 84 are separated from each other in the second direction D2, and are positioned at both ends of the coupling portion 83 in the second direction D2.
  • the protrusion height of the fixing portion 84 is larger than the thickness of the processing portion 7.
  • the fixing portion 84 is fixed to the second surface 6b of the support substrate 6 with a resin (first resin) R1.
  • the resin R1 for example, an epoxy resin adhesive or the like can be used.
  • the processing portions 7 and 7 are arranged in the gap between the support substrate 6 formed by the fixing portions 84 and 84 and the coupling portion 83.
  • the coupling portion 83 is provided with a plurality of through holes 85 and 85 corresponding to the number of the processing portions 7.
  • the through holes 85 and 85 are separated from each other in the first direction D1.
  • the through hole 85 is provided between the pair of opposing fins 81, 81 in the first direction D1.
  • the through hole 85 overlaps the processing unit 7 when viewed from the third direction D3.
  • a resin (second resin) R2 is sandwiched.
  • a high thermal conductivity resin for example, a silicone resin
  • a high thermal conductivity resin having a higher thermal conductivity than the resin R1 can be used.
  • Resin R2 can be arrange
  • the fin 81 protrudes from the base 82 along the third direction D3 to the side opposite to the processing unit 7 side.
  • the fins 81 have a plate shape that expands so as to intersect the first direction D1. More specifically, the fin 81 has a plate shape that expands so as to be substantially orthogonal to the first direction D1. In other words, the fin 81 has a plate shape extending along the second direction D2 and the third direction D3.
  • a connecting portion 86 that connects the pair of opposing fins 81 and 81 is provided in a part of the gap between the pair of opposing fins 81 and 81 (see FIG. 5).
  • a plurality (more specifically, two) of the connecting portions 86 are provided along the first direction D1.
  • the connecting portion 86 is provided in a gap at a position overlapping the processing portion 7 when viewed from the third direction D3.
  • the connecting portions 86 and 86 are arranged symmetrically with respect to the center portion of the detection module 2 in the first direction D1.
  • the connecting portions 86, 86 are provided outside the through holes 85, 85 for inserting the resin R2 in the first direction D1.
  • the distal end portion (the lower end portion in FIGS. 3 and 4) of the connecting portion 86 protrudes from the distal end portion of the fin 81.
  • the distal end portion of the connecting portion 86 is located on the opposite side of the incident surface 51a in the detection module 2, and functions as the attaching portion 86a.
  • the through-hole 87 is provided in the connection part 86 along the 3rd direction D3.
  • the portion on the base portion 82 side has a larger diameter than the portion on the attachment portion 86a side.
  • a female screw is formed in a portion of the through hole 87 on the mounting portion 86a side.
  • FFC FlexibleFFFlat Cable
  • the detection module 2 as described above and the frame 4 are attached via a bar-shaped support pin (bar-shaped member) FP.
  • a bar-shaped support pin bar-shaped member
  • a through hole 44 is provided at a position corresponding to the through hole 87 of the heat dissipation member 8.
  • a male screw is formed on the support pin FP.
  • the support pin FP passes through the through hole 44 of the support portion 41 and is screwed into the through hole 87 of the heat dissipation member 8.
  • a gap g exists between the support portion 41 and the connecting portion 86.
  • An adhesive is used for fixing the detection module 2 and the frame 4.
  • the adhesive for example, the above resin R1 can be used.
  • the resin R ⁇ b> 1 is inserted into the through hole 87. Note that a gap may be formed between the resin R1 and the resin R2.
  • Resin R ⁇ b> 1 adheres between the distal end portion of the coupling portion 86 and the support portion 41 so as to cover the support pin FP. A portion (head) protruding from the support portion 41 in the support pin FP is covered with the resin R1.
  • the plurality of fins 81 provided on the heat dissipation member 8 are along the slice direction S of the CT apparatus 1 (that is, the direction orthogonal to the rotation direction C of the gantry of the CT apparatus). They are separated from each other in the first direction D1. For this reason, when the gantry is rotated, an air flow path is generated between the adjacent fins 81 and 81. Therefore, the heat dissipation performance can be improved.
  • each of the plurality of fins 81 has a plate shape that extends so as to intersect the first direction D ⁇ b> 1 along the slice direction S (that is, a plate shape that extends so as not to be orthogonal to the rotation direction C of the gantry). Yes. For this reason, the air resistance when rotating the gantry as compared with the case where the air flow path is generated and each of the plurality of fins 81 has a plate shape extending so as to be orthogonal to the rotation direction C of the gantry, for example. Can be reduced. Therefore, the power required to rotate the gantry can be reduced.
  • a resin R ⁇ b> 2 that is a highly thermally conductive resin that thermally couples the processing unit 7 and the heat radiating member 8 is disposed between the processing unit 7 and the heat radiating member 8. For this reason, the heat generated in the processing unit 7 is suitably transmitted to the heat dissipation member 8 by the resin R2. Therefore, the heat dissipation performance can be further improved.
  • the detection module 2 includes a support substrate 6 that supports the detection unit 5 and the processing unit 7, and the heat dissipation member 8 includes a coupling unit 83 that is thermally coupled to the processing unit 7 through the resin R ⁇ b> 2, and the support substrate 6.
  • a fixed portion 84 which protrudes toward the support substrate 6 with respect to the coupling portion 83, and is formed between the support substrate 6 and the coupling portion 83 formed by the fixed portion 84.
  • the processing unit 7 and the resin R2 are disposed in the gap therebetween. For this reason, thermal coupling and mechanical fixation can be realized with a simple structure.
  • the detection unit 5 includes a scintillator 51 that emits scintillation light according to incident radiation, and a photodiode that detects scintillation light from the scintillator 51.
  • the light emission amount of the scintillator 51 changes depending on the temperature of the scintillator 51. According to the said structure, it can suppress that the heat
  • the detection unit 3 of the present embodiment is a detection unit 3 for a CT apparatus provided with a plurality of the detection modules 2 described above, extends along the first direction D1, and the plurality of heat dissipation members 8 are in the first direction D1. And each of the heat dissipating members 8 is attached to the frame 4 via the support pins FP so as to be separated from the frame.
  • the detection unit 3 can improve the heat dissipation performance and reduce the power required to rotate the gantry.
  • the heat radiating member 8 of each detection module 2 is attached to the frame 4 via the support pins FP so as to be separated from the frame 4. Therefore, the dimensional error and assembly error of each element can be absorbed by the gap g between the heat radiating member 8 and the frame 4 while aligning the positions of the incident surfaces 51 a among the plurality of detection modules 2. Therefore, it is possible to align the positions of the incident surfaces 51a among the plurality of detection modules 2, and the position accuracy can be improved.
  • a pair of through holes 87 and 87 are provided symmetrically with respect to the center portion of the detection module 2 in the first direction D 1, and a pair of support pins inserted into the pair of through holes 87 and 87.
  • the detection module 2 is fixed to the frame 4 via the FP and FP. For this reason, the position shift by the centrifugal force at the time of rotation of a gantry can be suppressed.
  • the detection unit 5 includes the scintillator 51 and the photodiode array 52.
  • a direct detection type detection element for example, one using a crystal such as CdTe or CdZnTe
  • the configuration, the number, the material, and the like of each element are not limited to the configuration, the number, the material, and the like in the above embodiment, and can be changed as appropriate.
  • the present invention can be used for a radiation detection module for a CT apparatus.

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Abstract

　放射線を検出するＣＴ装置用の放射線検出モジュールは、放射線を検出する検出部と、検出部からの信号を処理する処理部と、処理部と熱的に結合され、処理部からの熱を放散する放熱部材と、を備える。放熱部材は、複数のフィンを有している。複数のフィンは、ＣＴ装置のスライス方向に沿う第１方向において、互いに離間している。複数のフィンのそれぞれは、第１方向と交差するように拡がる板状を呈している。

Description

放射線検出モジュール及び放射線検出ユニット
　本発明は、放射線検出モジュール及び放射線検出ユニットに関する。
　従来、Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出モジュール、及び、放射線検出モジュールを複数備えた放射線検出ユニットが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、Ｘ線を検出する検知器モジュールが記載されている。この検知器モジュールは、複数の半導体検知器と、複数の半導体検知器が取り付けられた金属ブロックと、を備えている。各半導体検知器は、シンチレーション結晶と、フォトダイオードと、を有している。
　また、特許文献１には、上記の検知器モジュールを複数備えた検知器アセンブリが記載されている。この検知器アセンブリは、上記の複数の検知器モジュールと、チャンネル方向に沿った円弧状の基準支持背骨と、を備えている。複数の検知器モジュールは、チャンネル方向に沿って基準支持背骨に取り付けられている。
特表平９－５０８３０５号公報
　上記のような放射線検出モジュール及び放射線検出ユニットにおいては、使用中に、放射線を検出する検出部からの信号を処理する処理部等が発熱する。発熱により放射線検出モジュールの温度が変動すると、放射線の検出精度が低下するおそれがある。したがって、放射線検出モジュール及び放射線検出ユニットにおいては、放熱性能を向上することが望まれている。
　本発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、放熱性能を向上できる放射線検出モジュール及び放射線検出ユニットを提供することを目的とする。
　本発明の一側面の放射線検出モジュールは、放射線を検出するＣＴ装置用の放射線検出モジュールであって、放射線を検出する検出部と、検出部からの信号を処理する処理部と、処理部と熱的に結合され、処理部からの熱を放散する放熱部材と、を備え、放熱部材は、複数のフィンを有しており、複数のフィンは、ＣＴ装置のスライス方向に沿う第１方向において、互いに離間しており、複数のフィンのそれぞれは、第１方向と交差するように拡がる板状を呈している。
　この放射線検出モジュールでは、放熱部材に設けられた複数のフィンが、ＣＴ装置のスライス方向（すなわち、ＣＴ装置のガントリの回転方向と直交する方向）に沿う第１方向において互いに離間している。このため、ガントリを回転させた際に、隣接するフィン同士の間に空気の流路が発生する。したがって、放熱性能を向上できる。また、複数のフィンのそれぞれが、スライス方向に沿う第１方向と交差するように拡がる板状（すなわち、ガントリの回転方向と直交しないように拡がる板状）を呈している。このため、空気の流路が発生すると共に、例えば複数のフィンのそれぞれがガントリの回転方向と直交するように拡がる板状である場合に比して、ガントリを回転させた際の空気抵抗を低減できる。したがって、ガントリを回転させるために必要な動力を低減できる。
　処理部と放熱部材との間には、処理部と放熱部材とを熱的に結合する高熱伝導性樹脂が配置されていてもよい。この場合、処理部で発生した熱は、高熱伝導性樹脂により好適に放熱部材に伝えられる。したがって、放熱性能をさらに向上できる。
　放射線検出モジュールは、検出部及び処理部を支持する基板を更に備え、放熱部材は、高熱伝導性樹脂を介して処理部と熱的に結合された結合部と、基板に固定された固定部と、を有しており、固定部は、結合部に対して基板側に突出しており、固定部により形成された基板と結合部との間の隙間に、処理部と高熱伝導性樹脂とが配置されていてもよい。この場合、熱的な結合と、機械的な固定とを、簡易な構造により実現できる。
　検出部は、入射した放射線に応じてシンチレーション光を発するシンチレータと、シンチレータからのシンチレーション光を検出する検出素子と、を有していてもよい。シンチレータの発光量は、シンチレータの温度に依存して変化してしまう。上記構成によれば、処理部で発生した熱がシンチレータに伝わることを抑制でき、シンチレータの温度変化を抑制できる。
　本発明の一側面の放射線検出ユニットは、上記の放射線検出モジュールを複数備えたＣＴ装置用の放射線検出ユニットであって、第１方向に沿って延在し、複数の放熱部材が第１方向に沿って取り付けられたフレームを備え、放熱部材のそれぞれは、フレームと離間するように、棒状部材を介してフレームに取り付けられている。
　この放射線検出ユニットでは、上記のように、放熱性能を向上できると共に、ガントリを回転させるために必要な動力を低減できる。また、この放射線検出ユニットでは、各放射線検出モジュールの放熱部材は、フレームと離間するように、支持部材を介してフレームに取り付けられている。このため、複数の放射線検出モジュールの間において、入射面の位置を揃えつつ、各要素の寸法誤差及び組立誤差を、放熱部材とフレームとの間の隙間で吸収することができる。したがって、複数の放射線検出モジュールの間において、入射面の位置を揃えることが可能となり、位置精度を向上できる。
　本発明によれば、放熱性能を向上できる放射線検出モジュール及び放射線検出ユニットを提供することが可能となる。
図１は、実施形態に係る放射線検出ユニットを複数備えたＣＴ装置を示す概略図である。 図２は、図１中の放射線検出ユニットを示す斜視図である。 図３は、図２中の放射線検出モジュールを示す側面図である。 図４は、図３中のIV-IV矢視図である。 図５は、図４中の放熱部材を示す斜視図である。
　以下、実施形態に係る放射線検出モジュール及び放射線検出ユニットついて図面を参照しながら説明する。同一又は相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
［ＣＴ装置］
　図１は、実施形態に係る放射線検出ユニットを複数備えたＣＴ装置を示す概略図である。図１に示されるように、ＣＴ（Computed Tomography）装置１は、被検体Ｈに対して、不図示の放射線源から放射線（例えば、Ｘ線、又はγ線等）を照射し、被検体Ｈを透過した放射線を複数の検出モジュール（放射線検出モジュール）２により検出する。複数の検出モジュール２は、不図示の回転機構（ガントリ）に固定されている。複数の検出モジュール２は、ガントリの回転方向（チャンネル方向）Ｃに沿って回転し、スライス方向（体軸方向）Ｓに沿って直線運動する。
　検出モジュール２は、チャンネル方向Ｃ及びスライス方向Ｓのそれぞれに沿って複数配置されている。検出ユニット（放射線検出ユニット）３は、スライス方向Ｓに沿って配置された複数の検出モジュール２を備えている。
［放射線検出ユニット］
　図２は、図１中の放射線検出ユニットを示す斜視図である。ここで、スライス方向Ｓに沿う方向は第１方向Ｄ１であり、チャンネル方向Ｃの接線に沿う方向（第１方向Ｄ１に直交する方向）は第２方向Ｄ２であり、検出モジュール２の入射面５１ａ（後述）の法線に沿う方向は第３方向Ｄ３である。
　図２に示されるように、検出ユニット３は、上記の複数の検出モジュール２と、フレーム４と、を備えている。フレーム４は、第１方向Ｄ１に沿って延在している。具体的には、フレーム４は、第１方向Ｄ１に沿って延在した支持部４１と、第１方向Ｄ１における支持部４１の両端部にそれぞれ位置したフレーム側突当部４２，４２と、を有している。
　支持部４１は、長板状を呈している。フレーム側突当部４２は、直方体状を呈しており、支持部４１の一方の面から突出している。フレーム側突当部４２には、貫通孔４３が設けられている。複数の検出モジュール２は、第１方向Ｄ１に沿って支持部４１に取り付けられている。検出モジュール２は、支持部４１の一方の面に対して、離間して取り付けられている（図３，４参照、詳しくは後述）。
［放射線検出モジュール］
　図３は、図２中の放射線検出モジュールを示す側面図、図４は、図３中のIV-IV矢視図である。図３及び図４に示されるように、検出モジュール２は、検出部５、支持基板６、処理部７、及び、放熱部材８を有している。
　検出部５は、シンチレータ５１及びフォトダイオードアレイ（検出素子）５２を含んでいる。シンチレータ５１は、矩形板状（詳しくは、長方形板状）を呈している（図２参照）。シンチレータ５１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って拡がっている。シンチレータ５１は、放射線を入射させる入射面５１ａと、入射面５１ａと反対側に位置し、入射した放射線に応じてシンチレーション光を出射させる出射面５１ｂと、を含んでいる。入射面５１ａ及び出射面５１ｂのそれぞれは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って拡がっている。シンチレータ５１は、例えば、ＴｌをドープしたＣｓＩ等である。ＣｓＩは、多数の針状結晶（柱状結晶）が林立した構造を有している。
　フォトダイオードアレイ５２は、シンチレータ５１からのシンチレーション光を検出する。フォトダイオードアレイ５２は、複数のフォトダイオードと、複数のフォトダイオードを含む半導体基板５３と、を有している。半導体基板５３は、第３方向Ｄ３から見た場合にシンチレータ５１と実質的に同じ形又はシンチレータ５１よりも若干大きい形の矩形板状を呈している。半導体基板５３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って拡がっている。複数のフォトダイオードは、半導体基板５３おいて、２次元状に並んでいる。半導体基板５３は、シンチレータ５１からのシンチレーション光を入射させる第１の面５３ａと、第１の面５３ａと反対側に位置する第２の面５３ｂと、を含んでいる。第１の面５３ａ及び第２の面５３ｂのそれぞれは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って拡がっている。第１の面５３ａ上に、シンチレータ５１が位置している。
　半導体基板５３は、例えばシリコン等により形成されている。フォトダイオードアレイ５２は、例えば、裏面入射型であり、その光感応領域が第２の面５３ｂ側に位置している。なお、フォトダイオードアレイ５２は、表面入射型であってもよく、その光感応領域が第１の面５３ａ側に位置していてもよい。フォトダイオードアレイ５２が表面入射型である場合、フォトダイオードアレイ５２と支持基板６のランド電極（後述）とは、半導体基板５３の内部に形成された貫通電極を介して接続されてもよく、ワイヤボンディングにより接続されてもよい。
　フォトダイオードアレイ５２は、シンチレータ５１からのシンチレーション光に対して光学的に透明な光学カップリング剤を介して、シンチレータ５１の出射面５１ｂに結合されている。フォトダイオードアレイ５２は、例えば紫外域～近赤外域に感度を有している。以上のような検出部５において、第３方向に直交する第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に露出した部分（第３方向Ｄ３に沿っている部分）は、側部５ａである。
　支持基板６は、検出部５及び処理部７を支持している。支持基板６は、第３方向Ｄ３から見た場合に半導体基板５３と実質的に同じ形の矩形板状を呈している。支持基板６は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って拡がっている。支持基板６は、検出部５を支持する第１の面６ａと、第１の面６ａと反対側に位置し、処理部７を支持する第２の面６ｂと、を有している。第１の面６ａ及び第２の面６ｂのそれぞれは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って拡がっている。支持基板６において、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に露出した部分（第３方向Ｄ３に沿っている部分）は、側部６ｃである。支持基板６と半導体基板５３とは、一体化されている。
　支持基板６の第１の面６ａ及び第２の面６ｂのそれぞれには、ランド電極が形成されている。第１の面６ａのランド電極には、バンプ電極を介して、半導体基板５３のフォトダイオードが接続されている。第２の面６ｂのランド電極には、バンプ電極を介して、処理部７が接続されている。支持基板６の内部には、第１の面６ａ及び第２の面６ｂのランド電極を互いに接続する導体パターンが形成されている。
　支持基板６は、例えば、セラミックを含むグリーンシートを複数枚積層し、この積層体を焼成することにより形成されている。なお、支持基板６は、有機材料（例えば、ガラスエポキシ樹脂等）により形成されていてもよい。
　処理部７は、フォトダイオードアレイ５２からの信号を処理する。図４に示されるように、ここでは、複数の処理部７が設けられている。処理部７は、第３方向Ｄ３から見た場合に支持基板６よりも小さい矩形板状（詳しくは、長方形板状）を呈している。複数の処理部７，７は、第１方向Ｄ１において互いに離間している。処理部７は、例えばＡＳＩＣ（Application specific integrated circuit）等である。
　放熱部材８は、処理部７，７と熱的に結合されており、処理部７，７で発生した熱を放散する。図５は、図４中の放熱部材を示す斜視図である。図４及び図５に示されるように、放熱部材８は、複数のフィン８１を含んでいる。具体的には、第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３に沿った放熱部材８の断面は、略櫛状を呈している（図４参照）。複数の櫛歯を連結している部分は、基部８２であり、櫛歯の部分は、上記のフィン８１である。放熱部材８は、第３方向から見た場合に、支持基板６よりも小さく、略コの字状を呈している（図５参照）。放熱部材８を形成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、又は真鍮等を使用することができる。
　基部８２は、略板状を呈している。基部８２は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って拡がっている。基部８２には、処理部７，７が熱的に結合されている。具体的には、基部８２において、第１方向Ｄ１における中央側の部分は、両端側の部分に対して処理部７側に突出している。突出した部分が、処理部７，７が結合される結合部８３となっている。図３に示されるように、結合部８３からは、一対の固定部８４，８４が支持基板６側に突出している。
　固定部８４は、略直方体状を呈しており、第１方向Ｄ１に沿って延在している。一対の固定部８４，８４は、第２方向Ｄ２において互いに離間しており、第２方向Ｄ２において結合部８３の両端部に位置している。固定部８４の突起高さは、処理部７の厚みよりも大きい。固定部８４は、樹脂（第１の樹脂）Ｒ１により、支持基板６の第２の面６ｂに固定されている。樹脂Ｒ１としては、例えば、エポキシ樹脂系の接着剤等を用いることができる。固定部８４，８４により形成された支持基板６と結合部８３との間の隙間に、上記の処理部７，７が配置されている。
　図４に示されるように、結合部８３には、処理部７の数に対応して、複数の貫通孔８５，８５が設けられている。貫通孔８５，８５は、第１方向Ｄ１において、互いに離間している。貫通孔８５は、第１方向Ｄ１において、対向する一対のフィン８１，８１の間に設けられている。貫通孔８５は、第３方向Ｄ３から見た場合に、処理部７と互いに重なっている。
　処理部７と結合部８３との間には、樹脂（第２の樹脂）Ｒ２が挟まれている。樹脂Ｒ２としては、高熱伝導性樹脂（例えば、シリコーン樹脂等）を用いることができ、例えば、樹脂Ｒ１よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導性樹脂を用いることができる。樹脂Ｒ２は、例えば、以下のようにして配置できる。まず、支持基板６と固定部８４とを、樹脂Ｒ１により接着する。続いて、上記の貫通孔８５，８５から、樹脂Ｒ２を処理部７と結合部８３との間に挿入する。
　フィン８１は、基部８２から第３方向Ｄ３に沿って処理部７側と反対側に突出している。フィン８１は、第１方向Ｄ１と交差するように拡がる板状を呈している。より詳細には、フィン８１は、第１方向Ｄ１と実質的に直交するように拡がる板状を呈している。言い換えると、フィン８１は、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３に沿って拡がる板状を呈している。対向する一対のフィン８１，８１の間の隙間のうち、一部の隙間には、対向する一対のフィン８１，８１を連結する連結部８６が設けられている（図５参照）。
　連結部８６は、第１方向Ｄ１に沿って複数（詳しくは、２個）設けられている。連結部８６は、第３方向Ｄ３から見た場合に、処理部７と重複する位置の隙間に設けられている。連結部８６，８６は、第１方向Ｄ１において、検出モジュール２の中心部に対して対称に配置されている。連結部８６，８６は、第１方向Ｄ１において、上記の樹脂Ｒ２の挿入用の貫通孔８５，８５よりも外側に設けられている。
　連結部８６の先端部（図３，４において下端部）は、フィン８１の先端部よりも突出している。連結部８６の先端部は、検出モジュール２において入射面５１ａと反対側に位置しており、取付部８６ａとして機能する。
　連結部８６には、第３方向Ｄ３に沿って貫通孔８７が設けられている。貫通孔８７において、基部８２側の部分は、取付部８６ａ側の部分よりも大径になっている。貫通孔８７において取付部８６ａ側の部分には、雌ねじが形成されている。検出モジュール２には、信号を外部に取り出すためのＦＦＣ（Flexible Flat Cable）が取り付けられている（不図示）。
　以上のような検出モジュール２と、上記のフレーム４とは、棒状の支持ピン（棒状部材）ＦＰを介して取り付けられている。具体的には、フレーム４の支持部４１において、放熱部材８の貫通孔８７と対応する位置には、貫通孔４４が設けられている。支持ピンＦＰには、雄ネジが形成されている。支持ピンＦＰは、支持部４１の貫通孔４４を通され、放熱部材８の貫通孔８７に螺合されている。支持部４１と連結部８６との間には、隙間ｇが存在している。
　検出モジュール２とフレーム４との固定には、接着剤が使用されている。接着剤としては、例えば、上記の樹脂Ｒ１を使用できる。具体的には、貫通孔８７には、樹脂Ｒ１が挿入されている。なお、樹脂Ｒ１と樹脂Ｒ２との間には、空隙が形成されていてもよい。連結部８６の先端部と支持部４１との間には、支持ピンＦＰを覆うように、樹脂Ｒ１が付着している。支持ピンＦＰにおいて支持部４１から突き出た部分（頭部）は、樹脂Ｒ１により覆われている。
　以上、本実施形態に係る検出モジュール２では、放熱部材８に設けられた複数のフィン８１が、ＣＴ装置１のスライス方向Ｓ（すなわち、ＣＴ装置のガントリの回転方向Ｃと直交する方向）に沿う第１方向Ｄ１において互いに離間している。このため、ガントリを回転させた際に、隣接するフィン８１，８１同士の間に空気の流路が発生する。したがって、放熱性能を向上できる。
　検出モジュール２では、複数のフィン８１のそれぞれが、スライス方向Ｓに沿う第１方向Ｄ１と交差するように拡がる板状（すなわち、ガントリの回転方向Ｃと直交しないように拡がる板状）を呈している。このため、空気の流路が発生すると共に、例えば複数のフィン８１のそれぞれがガントリの回転方向Ｃと直交するように拡がる板状である場合に比して、ガントリを回転させた際の空気抵抗を低減できる。したがって、ガントリを回転させるために必要な動力を低減できる。
　検出モジュール２では、処理部７と放熱部材８との間には、処理部７と放熱部材８とを熱的に結合する高熱伝導性樹脂である樹脂Ｒ２が配置されている。このため、処理部７で発生した熱は、樹脂Ｒ２により好適に放熱部材８に伝えられる。したがって、放熱性能をさらに向上できる。
　検出モジュール２は、検出部５及び処理部７を支持する支持基板６を備え、放熱部材８は、樹脂Ｒ２を介して処理部７と熱的に結合された結合部８３と、支持基板６に固定された固定部８４と、を有しており、固定部８４は、結合部８３に対して支持基板６側に突出しており、固定部８４により形成された支持基板６と結合部８３との間の隙間に、処理部７と樹脂Ｒ２とが配置されている。このため、熱的な結合と、機械的な固定とを、簡易な構造により実現できる。
　検出部５は、入射した放射線に応じてシンチレーション光を発するシンチレータ５１と、シンチレータ５１からのシンチレーション光を検出するフォトダイオードと、を有している。シンチレータ５１の発光量は、シンチレータ５１の温度に依存して変化してしまう。上記構成によれば、処理部７で発生した熱がシンチレータ５１に伝わることを抑制でき、シンチレータ５１の温度変化を抑制できる。
　本実施形態の検出ユニット３は、上記の検出モジュール２を複数備えたＣＴ装置用の検出ユニット３であって、第１方向Ｄ１に沿って延在し、複数の放熱部材８が第１方向Ｄ１に沿って取り付けられたフレーム４を備え、放熱部材８のそれぞれは、フレームと離間するように、支持ピンＦＰを介してフレーム４に取り付けられている。
　検出ユニット３では、上記のように、放熱性能を向上できると共に、ガントリを回転させるために必要な動力を低減できる。また、検出ユニット３では、各検出モジュール２の放熱部材８は、フレーム４と離間するように、支持ピンＦＰを介してフレーム４に取り付けられている。このため、複数の検出モジュール２の間において、入射面５１ａの位置を揃えつつ、各要素の寸法誤差及び組立誤差を、放熱部材８とフレーム４との間の隙間ｇで吸収することができる。したがって、複数の検出モジュール２の間において、入射面５１ａの位置を揃えることが可能となり、位置精度を向上できる。
　検出モジュール２では、第１方向Ｄ１において、検出モジュール２の中心部に対して対称に一対の貫通孔８７，８７が設けられており、一対の貫通孔８７，８７に挿入された一対の支持ピンＦＰ，ＦＰを介して、検出モジュール２がフレーム４に固定されている。このため、ガントリの回転時の遠心力による位置ずれを抑制できる。
　以上、実施形態に係る放射線検出モジュール及び放射線検出ユニットについて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態では、検出部５はシンチレータ５１及びフォトダイオードアレイ５２を含む構成のものである。しかしながら、検出部５として放射線を直接検出する直接検出型検出素子（例えば、ＣｄＴｅ、又はＣｄＺｎＴｅ等の結晶を用いたもの）が用いられてもよい。各要素の構成、個数及び材質等は、上記実施形態における構成、個数及び材質等に限られず、適宜変更可能である。
　本発明は、ＣＴ装置用の放射線検出モジュールに利用できる。
　１…ＣＴ装置、２…検出モジュール（放射線検出モジュール）、３…検出ユニット（放射線検出ユニット）、４…フレーム、５…検出部、６…支持基板、７…処理部、８…放熱部材、５１…シンチレータ、５２…フォトダイオードアレイ（検出素子）、８１…フィン、ＦＰ…支持ピン（棒状部材）、Ｒ１…樹脂（第１の樹脂）、Ｒ２…樹脂（第２の樹脂）、Ｓ…スライス方向、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向。

Claims (5)

  1. 　放射線を検出するＣＴ装置用の放射線検出モジュールであって、
    　放射線を検出する検出部と、
    　前記検出部からの信号を処理する処理部と、
    　前記処理部と熱的に結合され、前記処理部からの熱を放散する放熱部材と、を備え、
    　前記放熱部材は、複数のフィンを有しており、
    　前記複数のフィンは、前記ＣＴ装置のスライス方向に沿う第１方向において、互いに離間しており、
    　前記複数のフィンのそれぞれは、前記第１方向と交差するように拡がる板状を呈している、
    放射線検出モジュール。
  2. 　前記処理部と前記放熱部材との間には、前記処理部と前記放熱部材とを熱的に結合する高熱伝導性樹脂が配置されている、
    請求項１記載の放射線検出モジュール。
  3. 　前記検出部及び前記処理部を支持する基板を更に備え、
    　前記放熱部材は、
    　前記高熱伝導性樹脂を介して前記処理部と熱的に結合された結合部と、
    　前記基板に固定された固定部と、を有しており、
    　前記固定部は、前記結合部に対して前記基板側に突出しており、
    　前記固定部により形成された前記基板と前記結合部との間の隙間に、前記処理部と前記高熱伝導性樹脂とが配置されている、
    請求項２記載の放射線検出モジュール。
  4. 　前記検出部は、
    　入射した放射線に応じてシンチレーション光を発するシンチレータと、
    　前記シンチレータからのシンチレーション光を検出する検出素子と、を有している、
    請求項１又は２記載の放射線検出モジュール。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項記載の放射線検出モジュールを複数備えたＣＴ装置用の放射線検出ユニットであって、
    　前記第１方向に沿って延在し、前記複数の放熱部材が前記第１方向に沿って取り付けられたフレームを備え、
    　前記放熱部材のそれぞれは、前記フレームと離間するように、棒状部材を介して前記フレームに取り付けられている、
    放射線検出ユニット。
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