WO2014135151A2 - Vorrichtung zum niedertemperatur-drucksintern, verfahren zum niedertemperatur-drucksintern und leistungselektronische baugruppe - Google Patents

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electrical components
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Sören RÖMER
Jacek Rudzki
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Danfoss Silicon Power Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to a device for low-temperature pressure sintering with a heatable upper punch and a heatable lower punch.
  • the invention also relates to a method for low-temperature pressure sintering electrical components on a substrate, as well as an electronic assembly consisting of a plurality of electrical components connected to a substrate by low-temperature pressure sintering.
  • Low-temperature pressure sintering is a connection technique of electrical
  • Components with a substrate that is carried out as a pure solid state reaction at relatively low process temperatures and electronic assemblies that are characterized by a high temperature stability and high resilience.
  • DCB direct copper bond substrates
  • IMS insulated metal substrates
  • the upper punch can be heated.
  • a disadvantage of the known method is that for the heating of the bare substrate underside and the introduction of the joining pressure by a pressure pad on the populated top of the substrate pressure and temperature resistant holding devices must be used, which are usually made of metal and a
  • temperature resistant fluids e.g., high temperature oils and hydrofluorocarbons
  • the sintered assembly must be cleaned after the joining process of the liquid residues by energy-consuming cleaning processes, the fluids used also often
  • the object of the invention is therefore to provide a device for a method for
  • the material used for the pressure pads should be a highly crosslinked polymer, e.g. Silicone.
  • the special feature of such a pillow is that the two pillow halves (upper and lower pillow) during the phase of pressure and
  • Fig. 1 shows an inventively designed device for carrying out the method according to the invention.
  • FIG. 1 shows a device according to the invention for low-temperature pressure sintering of electrical components 8 on a substrate 6 with a heatable upper punch 1, 2, 3 and a heatable lower punch, wherein the upper punch 1, 2, 3 and the lower punch each have at least one pressure pad 4.
  • the upper punch 1, 2, 3 and the lower punch each have at least one pressure pad 4.
  • the pressure pad 4 can be multi-part and multilayer of materials with
  • graded pressure pads 4 which can adapt to the surface contours depending on the height of the contour or the aspect ratio of ups and downs on the substrate.
  • the pressure pad 4 can be kept permanently at the joining temperature. This means that the assemblies to be joined are introduced into the hot joining zone between the pressure pad 4.
  • the surfaces of the pressure pad 4, which bring a touch of the assembly with it, can be occupied by a temperature-resistant, plastically deformable protective layer (eg Teflon film).
  • a temperature-resistant, plastically deformable protective layer eg Teflon film
  • This teflon film can ensure that contaminants of the pressure pad 4 do not get to the surface of the assembly.
  • the deformable protective layer is interchangeable, so that always uncontaminated surfaces touch the assembly. The replacement also leads to a non-preheated protective layer, so that a thermal shock is avoided by touching the cold assembly with the preheated pressure pad surface.
  • the device according to the invention has a running between the upper punch and lower punch double-layered conveyor belt 10, wherein the
  • Conveyor belt 10 for receiving an assembly to be sintered 8, 6 are arranged between the layers of the conveyor belt 10.
  • this conveyor belt 10 has a coating with Teflon.
  • these comprise current-conducting layers 5, 7, an insulator 6, a connection layer 9 and an electrical component, e.g. a semiconductor device 8.
  • the pressure pads 4 may be enclosed on all sides by chamber-like, but separable boundaries, so that a pressure-generated expansion and displacement of the
  • the chamber-like boundaries may be e.g. the two half-shells of a vascular-like chamber (with corresponding heating elements 3 wall-heated lower pan and wall-heated upper trough 2), each occupied by the respective pressure pad 4.
  • the tight closing of the half shells, the expansion volume of the pressure pad is mechanically limited, so that the quasi-hydrostatic pressure build-up can build up evenly in the volume of the half-shells.
  • the half-shells can have different shapes and volumes. So it is possible that in case of asymmetrical placement of the substrate surfaces the same
  • the construction of the joining pressure can be done, for example, by the deformation energy of the pressure pad that the pressure pad are made convex and pushes the upper convex cushion against the lower convex cushion.
  • the construction of the joining pressure can be done by loading a piston in the volume against the deformation energy of the pressure pad.
  • the structure of the joint pressure can exclusively or additionally by the
  • the substrate that is to say the component carrier, can be predominantly flat in shape (for example as a printed circuit board with a printed circuit board).
  • the substrate may be 3-dimensional in shape and have more than two sides for supporting components.
  • the substrate is preferably selected from the group of substrates consisting of direct-bonded copper (DBC), insulated metal substrates (IMS), Kapton and ceramic substrate.
  • DBC direct-bonded copper
  • IMS insulated metal substrates
  • Kapton ceramic substrate.
  • the assembly may consist of several individual parts or substrates, wherein the
  • Assembly may have connecting elements between these substrate parts.
  • the device according to the invention is particularly suitable for multi-sided substrates equipped with electrical components, can also be fitted on one side
  • Substrates are sintered with the device according to the invention (see the left side of Fig. 1).
  • the method for low-temperature pressure sintering electrical components 8 to a substrate 6 is carried out so that first one side of the substrate 6 with at least a first electrical component 8 and then the one side opposite side of the same substrate is equipped with at least one second electrical component . and connecting the electrical components 8 to the substrate 6 by simultaneous application of a joining pressure acting on the two sides of the substrate 6 by means of a respective heated pressure pad 4 acting on one side of the substrate 6.
  • the pressure pads 4 are, as already mentioned, elastically deformable and enclose the assembly formed during the joining pressure acting on the substrate 6 from electrical components 8 and substrate 6.
  • an electronic subassembly comprising a plurality of electrical components 8 connected to a substrate 6 by low-temperature pressure sintering, wherein the electrical components 8 are arranged on two opposite sides of the same substrate 6.
  • the electronic module is in particular a power electronic module.
  • the improved cooling capability of the power electronic assemblies is specifically due to the two-sided application of a cooling medium on the assembly; such a cooling medium may be a gas or a fluid, such as water or oil.
  • a cooling medium may be a gas or a fluid, such as water or oil.
  • it is namely very advantageous and economical to equip the substrate of the module on both sides, as is already common, for example, in the conventional printed circuit board technology with organic circuit boards.

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Abstract

Vorrichtung zum Niedertemperatur-Drucksintern elektrischer Bauelemente (8) auf ein Substrat (6) mit einem beheizbaren Oberstempel (1, 2, 3) und einem beheizbaren Unterstempel, dadurch gekennzeichnet, dass der Oberstempel (1, 2, 3) und der Unterstempel jeweils mindestens ein Druckkissen (4) aufweisen.

Description

Vorrichtung zum Niedertemperatur-Drucksintern, Verfahren zum Niedertemperatur- Drucksintern und leistungselektronische Baugruppe Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Niedertemperatur-Drucksintern mit einem beheizbaren Oberstempel und einem beheizbaren Unterstempel. Die Erfindung betrifft ebenso ein Verfahren zum Niedertemperatur- Drucksintern elektrischer Bauelemente auf ein Substrat, wie auch eine elektronische Baugruppe bestehend aus einer Mehrzahl von mit einem Substrat durch Niedertemperatur- Drucksintern verbundenen elektrischen Bauelementen.
Das Niedertemperatur-Drucksintern ist eine Verbindungstechnik von elektrischen
Bauelementen mit einem Substrat, die als reine Festkörperreaktion bei relativ niedrigen Prozesstemperaturen durchgeführt wird und elektronische Baugruppen liefert, die sich durch eine hohe Temperaturstabilität und eine hohe Belastbarkeit auszeichnen.
Das Sintern von Halbleitern und passiven Bauelementen auf geeignete Substrate, wie etwa Direct-Copper-Bond-Substrate (DCB) oder Insulated-Metal-Substrate (IMS), geschieht regelmäßig durch einseitiges Aufheizen eines auf der Unterseite der zu sinternden Baugruppe angeordneten unnachgiebigen Unterstempels und dem gleichzeitigen Aufbringen von
Montagedruck von der der Wärme abgewandten Oberseite mittels eines Oberstempels, wobei bei einigen speziellen Anwendungen zusätzlich auch der Oberstempel beheizt sein kann.
Zur Vermeidung von Druckspitzen beim einseitigen Drücken von der Oberseite werden üblicherweise nachgiebige und zugleich temperaturbeständige Werkstoffe wie Silicone als Druckkissen eingesetzt. Diese Druckkissen verteilen den Fügedruck während des
Sintervorganges möglichst gleichmäßig auf die zu sinternden Objekte. Kanten werden hierbei umflossen, so dass quasi-hydrostatische, jedoch einseitig nachgiebige Pressbedingungen herrschen. Diese Fügetechnik führt dazu, dass derartige Substrate nur einseitig mit Bauelementen bestückt sind. Die den Bauelementen abgewandte Fläche des Substrats dient dabei der harten Heizfläche, also dem beheizten Unterstempel, zur Einbringung der Prozesswärme und als Widerlager bei der Druckaufbringung durch den„weichen" Oberstempel.
An dem bekannten Verfahren nachteilig ist es jedoch, dass für das Heizen der unbestückten Substratunterseite und des Einbringens des Fügedruckes durch ein Druckkissen auf der bestückten Oberseite des Substrats Druck- und temperaturbeständige Haltevorrichtungen eingesetzt werden müssen, die üblicherweise aus Metall hergestellt sind und eine
beträchtliche Wärmekapazität darstellen, die eine hohe Heizenergie erforderlich machen und bei jedem Aufheiz- und Abkühlvorgang zusätzliche Prozesszeit benötigen. Diese metallischen Haltevorrichtungen wie auch der beheizte Unterstempel leiten dabei während der Aufheiz- und Abkühlphase unter Fügedruck schädlichen Scherstress an die unbestückte
Substratunterseite weiter, wodurch es zu Rissen im Substratmaterial kommen kann.
Wird darüber hinaus die zu sinternde Baugruppe komplett in einem Fluid eingeschlossen und unter Aufbringen eines hydrostatischen Drucks und Aufheizung die gewünschte Fügung in einer fluidgefüllten Kammer bewirkt, ist der Gebrauch des notwendigerweise
temperaturbeständigen Fluids (z.B. Hochtemperaturöle und Fluorkohlenwasserstoffe) aufgrund dessen klimaschädlichen Wirkung von Nachteil. Außerdem muss die gesinterte Baugruppe nach dem Fügeprozess von den Flüssigkeitsresten durch energieverzehrende Reinigungsprozesse gereinigt werden, wobei die verwendeten Fluide häufig auch ein
Korrosions- oder Kontaminationsrisiko für die elektrischen Bauelemente darstellen oder nachfolgende Fertigungsprozesse werden behindert (z.B. schließen sich verölte Oberflächen und Ultraschalldrahtbonden aus).
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Vorrichtung für ein Verfahren zum
Niedertemperatur-Drucksintern zu schaffen, bei dem auf umweltschädliche Fluide und den Zeit- und Energieaufwand erhöhende Haltevorrichtungen verzichtet werden kann.
Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 1 und das Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 8 gelöst. Die jeweils von den nebengeorndeten Ansprüchen abhängigen Unteransprüche geben jeweils vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung wieder. Grundgedanke der Erfindung ist es, das Niedertemperatur- Drucksintern von elektrischen Bauelementen mit ihren Substraten zu einer Baugruppe mittels einem Ober- und einem Unterstempel durchzuführen, die beide je ein beheiztes Druckkissen aufweisen. Durch die beidseits auf die Baugruppe wirkenden Druckkissen wird erreicht, dass auf keiner Seite der Baugruppe beim Aufbringen des Fügedruckes kritische, punktförmige Krafteinleitungen auftreten. Beide Seiten der Baugruppe werden von der nachgiebigen Struktur des Kissens entlang der Konturen umhüllt und auf diese Weise wird die Oberflächenge stalt der gesamten Baugruppe konform eingeschlossen. Auf diese Weise wird eine allseitige, quasi- hydrostatische Aufbringung eines Fügedruckes erreicht, jedoch ohne die Notwendigkeit einer umhüllenden Flüssigkeit.
Das zu für die Druckkissen verwendete Material sollte ein hochvernetztes Polymer sein, z.B. Silikon. Die besondere Eigenschaft eines derartigen Kissens ist es, dass sich die beiden Kissenhälften (oberes und unteres Kissen) während der Phase von Druck- und
Temperaturaufbringung hochelastisch konform spaltfrei berühren, sich dabei aber nicht chemisch verbinden. So ist am Ende des Prozesses eine einfache Trennung der beiden rückverformten Kissen möglich. Während der Phase der Druckaufbringung werden die Elemente der Baugruppe durch die Kissen örtlich fixiert. Damit entfallen die metallischen Haltevorrichtungen und die zusätzlichen Wärmekapazitäten metallischer Vorrichtungen müssen nicht mehr mit zusätzlicher Heizenergie versorgt werden. Die vollständige Umhüllung der zu fügenden Baugruppe durch die elastischen Druckkissen während der Heiz- und Abkühlphase und Fügedruckperiode verhindert zudem die
Weiterleitung der Dehnungsdifferenzen von Heizflächen und Substratmaterialien, wodurch Scherspannungen vermieden werden. Eine Gefahr der Rissbildung in den Substraten oder Bauelemente besteht somit nicht mehr. Die Einbringung der Prozesswärme erfolgt nun durch beidseitige Heizflächen und fließt von der Oberseitenheizfläche und der Unterseitenheizfläche durch die Druckkissen in die zu verbindende Baugruppe. Die Erfindung wird anhand eines in der einzigen Zeichnung dargestellten, besonders bevorzugt ausgestalteten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine erfindungsgemäß ausgestaltete Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Fig 1. eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Niedertemperatur- Drucksintern elektrischer Bauelemente 8 auf ein Substrat 6 mit einem beheizbaren Oberstempel 1, 2, 3 und einem beheizbaren Unterstempel, wobei der Oberstempel 1, 2, 3 und der Unterstempel jeweils mindestens ein Druckkissen 4 aufweisen. Bevorzugt kann insbesondere vorgesehen sein, dass mehr als nur zwei Druckkissen an der konformen Umhüllung der zu fügenden Baugruppe beteiligt sind.
Die Druckkissen 4 können mehrteilig und mehrschichtig aus Werkstoffen mit
unterschiedlichen Elastizitäten und Härten ausgeführt sein (z.B. Silikone unterschiedlicher Shore-Härte). Dadurch entstehen gradierte Druckkissen 4, die sich den Oberflächenkonturen je nach Höhe der Kontur bzw. dem Aspektverhältnis von Höhen und Tiefen auf dem Substrat anpassen können.
Die Druckkissen 4 können dauernd auf Fügetemperatur gehalten werden. Dies bedeutet, dass die zu fügenden Baugruppen in die heiße Fügezone zwischen den Druckkissen 4 eingebracht werden.
Die Flächen der Druckkissen 4, die eine Berührung der Baugruppe mit sich bringen, können von einer temperaturbeständigen, plastisch verformbaren Schutzschicht belegt sein (z.B. Teflonfolie). Diese Teflonfolie kann sicherstellen, dass Kontaminierungen des Druckkissens 4 nicht die Oberfläche der Baugruppe geraten. Die verformbare Schutzschicht ist austauschbar, damit stets unkontaminierte Flächen die Baugruppe berühren. Der Austausch führt auch zu einer nicht vortemperierten Schutzschicht, so dass ein Temperaturschock durch Berührung der kalten Baugruppe mit der vorgeheizten Druckkissenoberfläche unterbleibt.
Vorteilhaft ist es auch, wenn die erfindungsgemäße Vorrichtung ein zwischen Oberstempel und Unterstempel verlaufendes doppellagiges Transportband 10 aufweist, wobei das
Transportband 10 zur Aufnahme einer zu sinternden Baugruppe 8, 6 zwischen die Lagen des Transportbands 10 eingerichtet sind.
Besonders vorteilhaft ist es aus den oben genannten Gründen, wenn dieses Transportband 10 eine Beschichtung mit Teflon aufweist.
Zwischen den Lagen des Transportbandes 10 bzw. zwischen den Teflonschichten oder -folien sind auf der linken Seite eine einseitig bestückte Baugruppe und auf der rechten Seite eine beidseitig bestückte Baugruppe dargestellt. Diese weisen - wie bekannt - stromleitende Schichten 5, 7, einen Isolator 6, eine Verbindungsschicht 9 und ein elektrisches Bauelement , z.B. ein Halbleiterbauelement 8 auf.
Die Druckkissen 4 können allseitig von kammerartigen, jedoch trennbaren Begrenzungen umschlossen sein, so dass ein druckerzeugtes Ausdehnen und Verdrängen des
Druckkissenmaterials verhindert wird. Die kammerartigen Begrenzungen können z.B. die beiden Halbschalen einer gefäßartigen Kammer sein (mit entsprechenden Heizelementen 3 wandbeheizte Unterwanne und wandbeheizte Oberwanne 2), jeweils belegt mit den jeweiligen Druckkissen 4. Durch das dichte Schließen der Halbschalen wird das Dehnungsvolumen der Druckkissen mechanisch begrenzt, so dass sich der quasi-hydrostatische Druckaufbau gleichmäßig im Volumen der Halbschalen aufbauen kann.
Die Halbschalen können unterschiedliche Formgebungen und Volumen haben. So ist es möglich, dass bei unsymmetrischer Bestückung der Substratoberflächen gleiche
Verformung swege des Druckkissenmaterials entlang der Oberfläche der Baugruppe entstehen. Der Aufbau des Fügedruckes kann beispielsweise dadurch gegen die Verformungsenergie der Druckkissen erfolgen, dass die Druckkissen konvex ausgeführt sind und das obere konvexe Kissen gegen das untere konvexe Kissen drückt. Der Aufbau des Fügedruckes kann durch das Belasten eines Kolbens in das Volumen gegen die Verformungsenergie der Druckkissen erfolgen.
Der Aufbau des Fügedruckes kann ausschließlich oder ergänzend durch die
Volumenausdehnung der Druckkissen durch Erwärmung bei konstantem
Haibschalenvolumen erfolgen
Das Substrat, also der Bauelementeträger, kann überwiegend von planer bzw. flacher Gestalt sein (z.B. als Flachbaugruppe mit keramischer Leiterplatte). Das Substrat kann 3-dimensionaler Gestalt sein und mehr als nur zwei Seiten zum Tragen von Bauelementen besitzen.
Das Substrat ist bevorzugt ausgewählt aus der Gruppe von Substraten bestehend aus Direct- Bonded-Copper (DBC), Insulated-Metal-Substrate (IMS), Kapton- und Keramiksubstrat.
Die Baugruppe kann aus mehreren Einzelteilen bzw. Substraten bestehen, wobei die
Baugruppe Verbindungselemente zwischen diesen Substratteilen aufweisen kann.
Wenngleich sich die erfindungsgemäße Vorrichtung insbesondere für mehrseitig mit elektrischen Bauelementen bestückte Substrate eignet, können auch einseitig bestückte
Substrate mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung gesintert werden (vgl. die linke Seite der Fig. 1).
Das Verfahren zum Niedertemperatur- Drucksintern elektrischer Bauelemente 8 auf ein Substrat 6 erfolgt nun so, dass zunächst die eine Seite des Substrats 6 mit wenigstens einem ersten elektrischen Bauelement 8 und darauf die der einen Seite gegenüberliegende Seite desselben Substrats mit wenigstens einem zweiten elektrischen Bauelement bestückt wird, und das Verbinden der elektrischen Bauelemente 8 mit dem Substrat 6 durch gleichzeitiges Anlegen eines auf die beiden Seiten des Substrats 6 wirkenden Fügedrucks mittels je eines auf jeweils eine Seite des Substrats 6 wirkenden, beheizten Druckkissens 4 vorgenommen wird. Die Druckkissen 4 sind, wie zuvor bereits erwähnt, elastisch verformbar und umschließen die während des auf das Substrat 6 wirkenden Fügedrucks aus elektrischen Bauelementen 8 und Substrat 6 gebildete Baugruppe.
Mittels des an der erfindungsgemäßen Vorrichtung ausgeübten Verfahrens erhält man so eine elektronische Baugruppe bestehend aus einer Mehrzahl von mit einem Substrat 6 durch Niedertemperatur- Drucksintern verbundenen elektrischen Bauelementen 8, wobei die elektrischen Bauelemente 8 an zwei sich gegenüberliegenden Seiten desselben Substrats 6 angeordnet sind. Die elektronische Baugruppe ist insbesondere eine leistungselektronische Baugruppe.
Durch die Erfindung ist es aufgrund verbesserter Kühlmöglichkeiten möglich,
leistungselektronische Baugruppen mit einer erhöhten Produktlebenszeit zu schaffen. Die verbesserte Kühlmöglichkeit der leistungselektronischen Baugruppen ergibt sich speziell durch die beidseitige Anwendung eines Kühlmediums auf die Baugruppe; ein solches Kühlmedium kann ein Gas oder ein Fluid, wie etwa Wasser oder Öl, sein. Im Falle einer beidseitigen bzw. allseitigen Kühlung der Baugruppe durch das Kühlmedium ist es nämlich sehr vorteilhaft und ökonomisch, das Substrat der Baugruppe beidseitig zu bestücken, wie es zum Beispiel in der klassischen Leiterplattentechnik mit organischen Leiterplatten bereits üblich ist.
Die beidseitige Bestückung eines Substrats mit elektrischen Bauelementen mittels
Niedertemperatur- Drucksintern kann jedoch nicht durch das aus dem Stand der Technik bekannte Verfahren mit einseitiger Erwärmung auf einer harten Heizfläche erfolgen, da beim gleichzeitigen Aufbringen des Fügedruckes auf der Heizseite punktförmige Krafteinleitungen in die dortigen Bauelemente eine Zerstörung der Bauelemente und der Baugruppe zur Folge hat. Mittels der erfindungsgemäß ausgestalteten Vorrichtung mit beheizte Druckkissen aufweisenden Ober- und Unterstempeln kann die beidseitige Bestückung des Substrats und das Fügen durch Sintern jedoch problemlos erfolgen.

Claims

ANSPRÜCHE
1. Vorrichtung zum Niedertemperatur- Drucksintern elektrischer Bauelemente (8) auf ein Substrat (6) mit
- einem beheizbaren Oberstempel (1, 2, 3) und
- einem beheizbaren Unterstempel, dadurch gekennzeichnet, dass der Oberstempel (1, 2, 3) und der Unterstempel jeweils mindestens ein Druckkissen (4) aufweisen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkissen (4) aus einer Mehrzahl von Schichten unterschiedlicher Elastizität gebildet sind.
3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkissen (4) aus einem hochvernetzten Polymer gebildet sind.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkissen (4) aus Silikon gebildet sind.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkissen (4) jeweils in einer beheizbaren, eine seitliche Ausdehnung des Druckkissens (4) begrenzenden Wanne (2) angeordnet sind.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ein zwischen Oberstempel und Unterstempel verlaufendes doppellagiges Transportband (10), wobei das Transportband (10) zur Aufnahme einer zu sinternden Baugruppe (8, 6) zwischen die Lagen des Transportbands (10) eingerichtet sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Transportband (10) eine Beschichtung mit Teflon aufweist.
8. Verfahren zum Niedertemperatur- Drucksintern elektrischer Bauelemente (8) auf ein Substrat (6), mit den Schritten:
- Bestücken der einen Seite des Substrats (6) mit wenigstens einem ersten
elektrischen Bauelement (8),
- Bestücken der der einen Seite gegenüberliegenden Seite des Substrats (6) mit wenigstens einem zweiten elektrischen Bauelement (8),
- Verbinden der elektrischen Bauelemente (8) mit dem Substrat (6) durch
gleichzeitiges Anlegen eines auf die beiden Seiten des Substrats (6) wirkenden Fügedrucks mittels je eines auf jeweils eine Seite des Substrats (6) wirkenden, beheizten Druckkissens (4).
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkissen (4) elastisch verformbar sind.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, dass die
Druckkissen (4) während des auf das Substrat (6) wirkenden Fügedrucks die aus elektrischen Bauelementen (8) und Substrat (6) gebildete Baugruppe umschließen.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkissen (4) aus einem hoch vernetzten Polymer gebildet sind.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkissen (4) aus Silikon gebildet sind.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ausgewählt ist aus der Gruppe von Substraten bestehend aus Direct-Bonded- Copper (DBC), Insulated-Metal-Substrate (IMS), Kapton- und Keramiksubstrat.
14. Elektronische Baugruppe bestehend aus einer Mehrzahl von mit einem Substrat (6) durch Niedertemperatur-Drucksintern verbundenen elektrischen Bauelementen (8), dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Bauelemente (8) an zwei sich gegenüberliegenden Seiten desselben Substrats (6) angeordnet sind.
15. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die
elektronische Baugruppe eine leistungselektronische Baugruppe ist.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016050548A1 (en) * 2014-09-29 2016-04-07 Danfoss Silicon Power Gmbh Process and device for producing an electronic subassembly by low-temperature pressure sintering in a closable chamber comprising a low-oxygen atmosphere
DE102016102162A1 (de) 2016-02-08 2017-08-10 Pink Gmbh Thermosysteme Sintervorrichtung
CN109285790A (zh) * 2017-07-20 2019-01-29 赛米控电子股份有限公司 压力烧结方法及用于该方法的压力传递装置
US10483229B2 (en) 2014-09-29 2019-11-19 Danfoss Silicon Power Gmbh Sintering device
US10818633B2 (en) 2014-09-29 2020-10-27 Danfoss Silicon Power Gmbh Sintering tool for the lower die of a sintering device
US10814396B2 (en) 2014-09-29 2020-10-27 Danfoss Silicon Power Gmbh Sintering tool and method for sintering an electronic subassembly
DE202021105596U1 (de) 2021-10-14 2021-12-17 Pink Gmbh Thermosysteme Multifunktionale Sinter- oder Diffusionslötvorrichtung und Presswerkzeug
DE102021126716B3 (de) 2021-10-14 2022-09-01 Pink Gmbh Thermosysteme Multifunktionale sinter- oder diffusionslötvorrichtung und presswerkzeug
WO2022200748A1 (fr) 2021-03-26 2022-09-29 Safran Electronics & Defense Procédé pour assembler un composant électronique à un substrat par pressage au moyen d'un matériau de frittage
WO2022200749A2 (fr) 2021-03-26 2022-09-29 Safran Electronics & Defense Procede pour assembler un composant electronique a un substrat
DE102021118949A1 (de) 2021-07-22 2023-01-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung
WO2023061872A2 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Pink Gmbh Thermosysteme Multifunktionale sinter- oder diffusionslötvorrichtung und presswerkzeug
WO2023062116A2 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Pink Gmbh Thermosysteme Diffusionslötvorrichtung und/oder sintervorrichtung, werkzeug und anlage zum verbinden von komponenten zumindest einer elektronischen baugruppe
DE102023107033B3 (de) 2023-03-21 2024-06-13 Danfoss Silicon Power Gmbh Drucksinterverfahren unter Einsatz eines Verformungsaufnahmemittels und damit hergestellte Baugruppe

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015107712B3 (de) * 2015-05-18 2016-10-20 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers
US9704832B1 (en) 2016-02-29 2017-07-11 Ixys Corporation Die stack assembly using an edge separation structure for connectivity through a die of the stack
DE102017209515A1 (de) * 2017-06-06 2018-12-06 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Leistungsumrichtermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102022102229A1 (de) 2022-01-31 2023-08-03 Fachhochschule Kiel, Körperschaft des öffentlichen Rechts Induktionserwärmung niedertemperatur-presssintervorrichtung und zugehöriges verfahren

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040238115A1 (en) * 2001-09-12 2004-12-02 Hisao Matsuno Circuit device mounting method and press
JP4996859B2 (ja) * 2006-02-10 2012-08-08 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 圧着装置
JP4832107B2 (ja) * 2006-02-23 2011-12-07 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 実装方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11776932B2 (en) 2014-09-29 2023-10-03 Danfoss Silicon Power Gmbh Process and device for low-temperature pressure sintering
DE102014114093B4 (de) * 2014-09-29 2017-03-23 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern
WO2016050548A1 (en) * 2014-09-29 2016-04-07 Danfoss Silicon Power Gmbh Process and device for producing an electronic subassembly by low-temperature pressure sintering in a closable chamber comprising a low-oxygen atmosphere
US10483229B2 (en) 2014-09-29 2019-11-19 Danfoss Silicon Power Gmbh Sintering device
US10818633B2 (en) 2014-09-29 2020-10-27 Danfoss Silicon Power Gmbh Sintering tool for the lower die of a sintering device
US10814396B2 (en) 2014-09-29 2020-10-27 Danfoss Silicon Power Gmbh Sintering tool and method for sintering an electronic subassembly
WO2017137420A3 (de) * 2016-02-08 2017-10-05 Pink Gmbh Thermosysteme Sintervorrichtung mit einer kühlvorrichtung in einem oberwerkzeug
WO2017137420A2 (de) 2016-02-08 2017-08-17 Pink Gmbh Thermosysteme Sintervorrichtung
DE102016102162A1 (de) 2016-02-08 2017-08-10 Pink Gmbh Thermosysteme Sintervorrichtung
CN109285790A (zh) * 2017-07-20 2019-01-29 赛米控电子股份有限公司 压力烧结方法及用于该方法的压力传递装置
CN109285790B (zh) * 2017-07-20 2023-08-29 赛米控电子股份有限公司 压力烧结方法及用于该方法的压力传递装置
WO2022200748A1 (fr) 2021-03-26 2022-09-29 Safran Electronics & Defense Procédé pour assembler un composant électronique à un substrat par pressage au moyen d'un matériau de frittage
WO2022200749A2 (fr) 2021-03-26 2022-09-29 Safran Electronics & Defense Procede pour assembler un composant electronique a un substrat
FR3121277A1 (fr) 2021-03-26 2022-09-30 Safran Electronics & Defense Procédé pour assembler un composant électronique à un substrat
FR3121278A1 (fr) 2021-03-26 2022-09-30 Safran Electronics & Defense Procédé pour assembler un composant électronique à un substrat par pressage
DE102021118949A1 (de) 2021-07-22 2023-01-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung
DE102021118949B4 (de) 2021-07-22 2024-10-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung
WO2023061872A2 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Pink Gmbh Thermosysteme Multifunktionale sinter- oder diffusionslötvorrichtung und presswerkzeug
WO2023062116A2 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Pink Gmbh Thermosysteme Diffusionslötvorrichtung und/oder sintervorrichtung, werkzeug und anlage zum verbinden von komponenten zumindest einer elektronischen baugruppe
DE102021126718A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Pink Gmbh Thermosysteme Sintervorrichtung zum verbinden von komponenten zumindest einer elektronischen baugruppe
DE102021126716B3 (de) 2021-10-14 2022-09-01 Pink Gmbh Thermosysteme Multifunktionale sinter- oder diffusionslötvorrichtung und presswerkzeug
DE202021105596U1 (de) 2021-10-14 2021-12-17 Pink Gmbh Thermosysteme Multifunktionale Sinter- oder Diffusionslötvorrichtung und Presswerkzeug
DE102023107033B3 (de) 2023-03-21 2024-06-13 Danfoss Silicon Power Gmbh Drucksinterverfahren unter Einsatz eines Verformungsaufnahmemittels und damit hergestellte Baugruppe

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WO2014135151A3 (de) 2014-12-04

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