WO2014119050A1 - 粒子線治療システム - Google Patents

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Abstract

 本発明の粒子線治療システムはエネルギー吸収体、第一のコリメータ及び第二のコリメータで構成される短飛程領域への照射補償装置を備えた。前記照射補償装置は前記エネルギー吸収体、第一のコリメータ及び第二のコリメータの着脱機構を備えることを特徴とする。第一のコリメータは、ビーム径の小さな上流側に配置することで前記補償装置の横幅を抑えることができ、短前記補償装置の小型・軽量化に寄与する。第二のコリメータは、下流側に設置することでペナンブラの改善に寄与する。

Description

粒子線治療システム
 本発明は、粒子線治療システムに関する。
 粒子線治療では、スキャニング照射法が普及しつつある。スキャニング照射法では、標的を微少領域(以下、スポット)に分割して考え、スポット毎に細径のビームを照射する。あるスポットに既定の線量が付与されると、ビームの照射を停止し、次のスポットに向けてビームを走査する。ビームをビーム進行方向(以下、深さ方向)と垂直な方向(以下、横方向)に走査する場合は、走査電磁石を用いる。ある深さについてすべてのスポットに既定線量が付与されると、ビームを深さ方向に走査する。ビームを深さ方向に走査する場合は、加速器もしくはレンジシフタでビームのエネルギーを変更する。最終的に、全てのスポット、即ち標的全体に一様な線量が付与される。
 スポット毎のビームは、横方向に対して2次元ガウス分布状の広がりを持つ。1σはアイソセンタ面において3~20mm程度であり、高エネルギーのビームほど小さい。低エネルギーのビームは多重クーロン散乱による単位距離あたりの角度発散量が大きく、照射野形成装置内を通過する過程でビーム径が増大する。
 従って、被照射体の表面から浅い位置(以下、短飛程領域)にある標的に対しては、線量分布形成に低エネルギーのビームを用いるため、ペナンブラが増加する。ペナンブラは標的外又は標的と正常組織との境界近傍の領域において付与線量が80%から20%に低下するまでの横方向の距離を示し、ビーム径と正の相関を持つ。ここで、標的中心近傍の付与線量を100%とした。ペナンブラが小さいほど標的形状に合致した高精細な線量分布といえる。
 このような課題に対して、非特許文献1では被照射体の上流にエネルギー吸収体を設置する手法が提示されている。この手法では、短飛程領域の標的に対しても高エネルギーのビームを照射し、エネルギー吸収体により被照射体への入射直前にビームエネルギーを低下させる。低エネルギー状態でのビームのドリフト距離を抑えられるため、ビーム径を抑制し、ペナンブラを改善できる。また、非特許文献2には、コリメータを用いて標的外に入射するビームを遮蔽し、ペナンブラの改善を図る手法が提示されている。
 非特許文献1のエネルギー吸収体と非特許文献2のコリメータを併用すると、短飛程領域へのスキャニング照射においてペナンブラをさらに改善できると考えられる。しかしながら、照射野形成装置へのこれら2つの装置の着脱方法について課題があった。被照射体の表面から深い位置、即ち短飛程領域外の標的に対してはこれら2つの装置を使用しないため、ビーム通過領域から取り除く必要がある。
 エネルギー吸収体の駆動装置やマルチリーフコリメータを照射野形成装置内に備えると、装置の着脱が自動化され、操作者の負担を軽減できる。しかしながら、照射野形成装置が深さ方向に大型化するため、照射野形成装置内でのビームのドリフト距離が増加し、高エネルギー条件においてビーム径が増大する。従って、短飛程領域への照射ではエネルギー吸収体及びコリメータの働きによってペナンブラを改善できるものの、短飛程領域外への照射では逆にペナンブラが増加する。また、照射野形成装置の大型化に伴って回転ガントリーも大型化し、粒子線治療システムのコストが増大する。
 照射野形成装置の先端部分にアプリケータの設置治具を設け、操作者が手動でアプリケータの着脱を実施する場合には、こうした課題を解決できる。ここで、エネルギー吸収体とコリメータで構成される短飛程領域への照射補償装置をアプリケータと称する。しかしながら、スキャニング照射法により照射野を形成する照射野形成装置は、一般的に横方向に対して400mm×300mmの範囲にビームを走査可能であり、こうした仕様に対応するアプリケータは大型且つ重量物となる。従って、照射野形成装置へのアプリケータの手動着脱は操作者の多大な負担となる。
 本発明は、コストの増加、短飛程領域外でのペナンブラ増加、操作者の負担増加を伴うことなく、短飛程領域でのペナンブラを改善することができるスキャニング照射法により照射野を形成する照射野形成装置を備えた粒子線治療システムを提供することを目的とする。
 上記課題を解決するため、本発明の粒子線治療システムは、スキャニング照射法により照射野を形成する照射野形成装置と、エネルギー吸収体、第一のコリメータ、第二のコリメータ、前記エネルギー吸収体、前記第一のコリメータ及び前記第二のコリメータの着脱機構を有する短飛程領域への照射補償装置とを備え、前記照射野形成装置は、前記照射補償装置の着脱機構を有したことを特徴とする。
 本発明によれば、スキャニング照射法により照射野を形成する照射野形成装置を備えた粒子線治療システムにおいて、コストの増加、短飛程領域外でのペナンブラ増加、操作者の負担増加を伴うことなく、短飛程領域でのペナンブラを改善することができる。
本発明の一実施形態による粒子線治療システムの全体構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による照射野形成装置の概略図である。 本発明の一実施形態による短飛程アプリケータの概略図である。 本発明の一実施形態による支持フレームの概略図である。 本発明の一実施形態によるコリメータA及びコリメータBの概略図である。 本発明の一実施形態によるエネルギー吸収体の概略図である。 本発明の一実施形態によるエネルギー吸収体及びコリメータAの概略図である。 本発明の一実施形態によるエネルギー吸収体及びコリメータAの他の例の概略図である。 本発明の一実施形態による照射野形成装置への短飛程アプリケータの設置方法の一例を示す概略図である。 本発明の一実施形態による照射野形成装置への短飛程アプリケータの設置方法の一例を示す概略図である。 本発明の一実施形態による照射野形成装置への短飛程アプリケータの設置方法の他の一例を示す概略図である。 本発明の一実施形態によるコリメータA及びコリメータBの一例の概略図である。 本発明の一実施形態による治療計画の手順を示すフローチャート図である。 本発明の一実施形態による治療計画装置の概略図である。 本発明の一実施形態による短飛程アプリケータ使用時のインターロック機構を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による短飛程アプリケータ使用時のインターロック機構の働きを示すフローチャート図である。
 以下、図1乃至図16を用いて、本発明の一実施形態による粒子線治療システムの構成及び動作について説明する。図1は、本発明の一実施形態による粒子線治療システムの全体構成を示すブロック図である。粒子線治療システムは、短飛程領域への照射補償装置(以下、短飛程アプリケータ)101と、陽子線照射装置102とを備えている。本実施例では、陽子線照射装置102を例に説明するが、本発明は陽子より質量の重い粒子(炭素線など)を用いた重粒子線照射装置にも適用できる。
 図1に示すように、陽子線照射装置102は、陽子線発生装置103,陽子線輸送装置104及び回転式照射装置105を有する。なお、本実施例では回転ガントリーを備える回転式照射装置105を例に説明するが、照射装置は固定式であってもよい。
 陽子線発生装置103は、イオン源106,前段加速器107(例えば、直線加速器)及びシンクロトロン108を有する。イオン源106で発生した陽子イオンは、まず、前段加速器107で加速される。前段加速器107から出射した陽子線(以下、ビーム)は、シンクロトロン108で所定のエネルギーまで加速された後、出射デフレクタ109から陽子線輸送装置104に出射される。最終的に、ビームは、回転式照射装置105を経て被照射体に照射される。回転式照射装置105は、回転ガントリー(図示せず)及び照射野形成装置110を有する。回転ガントリーに設置された照射野形成装置110は、回転ガントリーと共に回転する。陽子線輸送装置104の一部は、回転ガントリーに取り付けられている。本実施例では、陽子線の加速装置としてシンクロトロン108を採用したが、サイクロトロンや直線加速器であってもよい。
 次に、本実施例の照射野形成装置110によって実現される、スキャニング照射法の概要を説明する。スキャニング照射法では、照射範囲を微少領域(スポット)に分割し、スポット毎にビームを照射する。スポットに既定線量が付与されると、照射を停止して次の既定スポットに向けてビームを走査する。横方向へのビーム走査には照射野形成装置110に搭載した走査電磁石(図示せず)を用いる。ある深さについてすべてのスポットに既定線量を付与すると、照射野形成装置110は深さ方向にビームを走査する。シンクロトロン108もしくは照射野形成装置110等に搭載したレンジシフタ(図示せず)を用いてビームのエネルギーを変更することで、深さ方向へのビーム走査は実現される。このような手順を繰り返し、最終的に一様な線量分布が形成される。
 スポット毎のビームの横方向線量分布は、アイソセンタ面において1σ=3mm~20mmのガウス分布状に広がっている。本実施例では、走査電磁石を励磁しない状態においてビームの中心が通過する直線をビーム軸と定義する。また、回転式照射装置105の回転軸とビーム軸との交点をアイソセンタと定義する。
 図2に示すように、照射野形成装置110の先端部分には短飛程アプリケータ設置用のスロットC201が備わる。
 図3に短飛程アプリケータの概略図を示す。短飛程アプリケータ101は支持フレーム301、エネルギー吸収体302、第一のコリメータ303(以下、コリメータA)、第二のコリメータ304(以下、コリメータB)で構成され、短飛程領域へのビーム照射時において、ペナンブラを改善する目的で照射野形成装置110に設置される。図4に示すように、支持フレーム301には、エネルギー吸収体302及びコリメータA303を納めるスロットA401、コリメータB304を納めるスロットB402が備わる。
 本発明の特徴は、機能に応じて短飛程アプリケータ101のコリメータをコリメータA303とコリメータB304に分割したことにある。ペナンブラを改善するには、コリメータをできるだけ下流側に設置する事が求められる。しかしながら、下流側ほどビーム径が増大するため、漏えいビームの遮蔽にはより横幅が広く、重量の大きなコリメータが必要になる。そこで、コリメータをa)漏えいビームの遮蔽機能を持ったコリメータ(コリメータA303)と、b)標的形状に沿ってビームの横方向(ビーム進行方向に対して垂直な方向)形状を成型し、ペナンブラを改善する機能を持ったコリメータ(コリメータB304)に分割し、上記課題を解決した。コリメータA303は、ビーム径の小さな上流側に配置することで横幅を抑えることができ、短飛程アプリケータ101の小型・軽量化に寄与する。コリメータB304は、下流側に設置することでペナンブラの改善に寄与する。コリメータB304には漏えいビームの遮蔽機能が不要なため、図3にも示すようにコリメータA303ほどの横幅は必要ない。また、コリメータが分割され、支持フレーム301に対して個別に取り付ける構造となることから、パーツ毎の重量が減少し、操作者の負担がさらに軽減される。
 図5を用いてコリメータA303及びコリメータB304の構造を説明する。照射野周辺に漏えいするビームを遮蔽するため、コリメータAには厚さ20mmの真鍮板を用いる。照射野外に漏えいしたビームのみを遮蔽するため、コリメータA303の中心部分には開口部501が設けられている。本実施例では、深さ100mm以下の領域を照射する場合のみ短飛程アプリケータ101を使用するため上記仕様で十分な遮蔽効果が得られるが、使用条件によってはコリメータA303の材質及び厚みを変更する必要がある(例えば、より深い領域の照射にも短飛程アプリケータを適用する場合には、厚みを増やす必要がある)。
 コリメータA303と同様に、コリメータB304には厚さ20mmの真鍮板を用いる。標的形状に沿ってビームの横方向形状を成型し、線量分布のペナンブラを改善する目的で使用される。図5に示すように、標的形状に合わせてコリメータB304には患者固有の開口部502が開けられる。コリメータA303と同様に、本実施例では、深さ100mm以下の領域を照射する場合のみ短飛程アプリケータ101を使用するため上記仕様で十分な効果が得られるが、使用条件によってはコリメータB304の材質及び厚みを変更する必要がある。
 図6はエネルギー吸収体302の概略図を示す。本実施例では、エネルギー吸収体302として水等価厚40mmのABS樹脂を用いるが、使用条件等に応じて材質、水等価厚の異なるものを用いてもよい。また、図6に示すように、本実施例のエネルギー吸収体302は中心部分が下流側にせり出しており(中心凸部601を有する)、図7に示すようにコリメータA303と一体化する構造となっている。ビーム径を低減するには、低エネルギー状態でのビームのドリフト距離を短縮するためエネルギー吸収体302をできるだけ下流側に設置することが有効である。ただし、エネルギー吸収体302を図8のような平板状の形態としても良い。この場合、図6、図7と比較してエネルギー吸収体302が上流側に位置するため、ビーム径が増加するデメリットはあるものの、エネルギー吸収体302の製作が容易になり短飛程アプリケータ101の製造コストが低下する。
 図9及び図10を用いて、照射野形成装置110への短飛程アプリケータ101の設置手順を示す。図9に示すように、まず、照射野形成装置110の先端部分に備わるスロットC201に対して、支持フレーム301のジョイント部901を横方向からスライドさせて取り付け、ボルト等の固定具(図示せず)で固定する。このとき、エネルギー吸収体302、コリメータ303A及びコリメータB304は支持フレーム301から取り外されている。次に、図10に示すようにコリメータA303と一体構造のエネルギー吸収体302をスロットA401に対して横方向からスライドさせて取り付け、固定具(図示せず)で固定する。最後に、コリメータB304をスロットB402に対して横方向からスライドさせて取り付け、固定具(図示せず)で固定する。
 本実施例では、短飛程アプリケータ101の設置方法及び手順を上記のように想定したが、エネルギー吸収体302、コリメータA303及びコリメータB304を照射野形成装置110に確実に固定できる方法であれば、同様の効果が得られる。
 図11に示すように、エネルギー吸収体302、コリメータA303及びコリメータB304を深さ方向に複数に分割し、支持フレーム301に対して個別に設置する構造としても本実施例と同様の効果が得られる。1パーツあたりの重量が減るため、短飛程アプリケータ101設置時における操作者の負担がさらに軽減する。
 陽子線照射装置101はアイソセンタ面において400mm×300mmの範囲にビームを照射できるため、想定される全照射条件に対して汎用の短飛程アプリケータ101を採用すると、エネルギー吸収体302、コリメータA303及びコリメータB304を大型化しなくてはならない。そこで、本実施例の粒子線治療システムでは、図12に示すように治療部位毎(例えば、頭頸部、背骨など)に専用形状の短飛程アプリケータ101を備える。放射線治療で要求される照射野形状は、治療部位毎に概ね決まっている。従って、短飛程アプリケータ101を治療部位毎の専用形状とすれば、短飛程アプリケータ101を各治療に対し必要十分なサイズに小型化できる。短飛程アプリケータ101設置時において操作者の負担をさらに低減できる。
 図13に示す治療計画のフローチャート及び図14に示す本実施例の粒子線治療システムに備わる治療計画装置の概要図を用いて、短飛程アプリケータ101適用時における治療計画の手順を示す。図14に示すように、治療計画装置1401は、短飛程アプリケータ101の使用の有無及び使用する短飛程アプリケータ101の種類を選択するための操作画面1402を表示し、表示した操作画面1402で選択された短飛程アプリケータ101の使用の有無及び使用する短飛程アプリケータ101の種類を処方箋に記録して照射制御装置1503(図15参照)に出力する。また、治療計画装置1401は、短飛程アプリケータ101を使用する場合、最適化計算の際に、使用できるスポットの配置および使用できる陽子線発生装置103からの出射ビームを、使用する短飛程アプリケータ101に応じた範囲に制限する。更に、治療計画装置1401は、治療部位毎に専用形状の短飛程アプリケータ101に関する情報や、操作画面1402で選択された短飛程アプリケータ101の使用の有無及び使用する短飛程アプリケータ101の種類を記録する。
  まず、操作者は治療計画装置1401に被照射体のX線CT画像情報を入力し、操作画面1402に表示する(ステップ1301)。次に、操作者は操作画面1402上のCT画像1403を確認しながら、マウス等のユーザーインターフェース(図示せず)を用いて照射方向(即ち、回転ガントリーの角度)及び標的の範囲を指定する(ステップ1302)。本実施例ではX線CT画像情報を用いたが、被照射体の内部構造を確認可能な画像であれば同様の効果が得られる。
 短飛程アプリケータ101を使用しない場合、操作者が操作画面上1402の最適化ボタン1404をクリックすることで、治療計画装置は指定された標的内に一様且つ十分な量の線量を付与するための適切なスポットの配置、各スポットへの照射ビームエネルギー、ビーム照射量を算出し、算出結果を処方箋として出力する(ステップ1303)。
 一方、短飛程アプリケータ101を使用する場合、操作者は操作画面1402上の該当する短飛程アプリケータ使用チェックボックス1405をチェックする(ステップ1304)。例えば、コリメータAの横幅250mm×250mmである頭頸部用短飛程アプリケータの欄1405aにチェックを入れると、治療計画装置1401は処方箋の作成時に実施する最適化計算の際、使用できるスポットの配置を200mm×200mm以内に制限する。また、最適化計算の際、使用できる陽子線発生装置103からの出射ビームを飛程100mm以下に制限する。その後、最適化ボタン1404をクリックすると、治療計画装置1401からは、スポットの配置が200mm×200mm以内、ビーム飛程が100mm以下に制限された処方箋が出力される(ステップ1303)。また、処方箋には短飛程アプリケータの種類に関する情報(例えば、頭頸部用、背骨用など)も記載される。
 このように、本実施例の治療計画装置1401は、短飛程アプリケータ101設置時の誤照射を防止する機能を有する。前述のように、本実施例の短飛程アプリケータ101は小型化のため治療部位毎に専用形状としている。しかしながら、陽子線照射装置102はアイソセンタ面において400mm×300mmの範囲にビーム照射可能な性能を有しているため、コリメータA303の外側への万が一のビーム照射を防止する機能が必須である。なお、本実施例では横幅250mm×250mmの短飛程アプリケータに対してスポットの配置制限を200mm×200mm以内としたが、ビーム径や漏えい線量のクライテリアに応じて変更する必要がある。
 また、本実施例ではコリメータA303およびコリメータB304の厚みを20mmとしている。陽子線照射装置102はこの厚みを容易に透過可能な飛程300mmまでのビームを照射可能な性能を有しているため、本実施例のように、操作者のミス等により高エネルギーのビーム、即ち飛程の長いビームが照射されてしまう事を防止する機能は必須である。本実施例では飛程の制限を100mm以下としたが、エネルギー吸収体302、コリメータA303及びコリメータB304の厚みによって変更する必要がある。
 本実施例では、陽子線照射装置102及び短飛程アプリケータ101も誤照射防止のインターロック機構を備える。図15のブロック図に示すように、照射野形成装置110先端部のスロットC201にはセンサ1501、支持フレーム301の接続部901にはICチップ(第一センサ)1502が備わる。ICチップ1502には短飛程アプリケータ101の種類(例えば、頭頸部用、背骨用など)に関する情報が記録されている。前述の手順に従って支持フレーム301を照射野形成装置110に接続すると、センサ1501がICチップ1502の情報を読み取って照射制御装置1503に送信する。一方、スロットA401及びスロットB402には、エネルギー吸収体302、コリメータA303及びコリメータB304の着脱状況を監視するため、リミットスイッチ(第二センサ)1504が備わる。リミットスイッチ1504からは、エネルギー吸収体302、コリメータA303及びコリメータB304が支持フレーム301に正しく設置されている場合にのみ、センサ1501を介して照射制御装置1503に対して信号が出力される。
 図16は、上記インターロック機能の働きを示すフローチャート図である。まず、被照射体へのビーム照射を実施するため、操作者が、治療計画装置1401から照射制御装置1503に処方箋を入力するよう操作する(ステップ1601)。すると、照射制御装置1503は処方箋から今回のビーム照射における短飛程アプリケータ101適用の有無と、適用予定の短飛程アプリケータ101の種類を読み取る。さらに、照射制御装置1503は読み取った前記情報を照射野形成装置110のセンサ1501から出力されたICチップ1502の情報と照合する(ステップ1602)。処方箋と同じ短飛程アプリケータ101が照射野形成装置110に設置されていることを確認したのち、照射制御装置1503は全リミットスイッチ1504から信号が出力されていることを確認する(ステップ1603)。全リミットスイッチ1504から信号が出力されている事を確認したのち、照射制御装置1503は陽子線照射装置102に対してビーム照射開始許可信号を送信する(ステップ1604)。本実施例ではICチップ1502とセンサ1501を用いたが、短飛程アプリケータ101の種類を識別できる方法であれば同様の効果が得られる。また、本実施例ではリミットスイッチ1504を用いたが、各機器の着脱状況を監視できる方法であれば同様の効果が得られる。
 本発明の粒子線治療システムを用いた短飛程領域へのビーム照射の手順を示す。まず、治療室(図示せず)に備わる患者カウチ(図示せず)に被照射体を固定する。患者カウチは6軸方向に可動し、操作者により被照射体を任意の位置に移動できる。次に、回転ガントリーに取り付けられたレーザーマーカ(図示せず)やX線撮影装置(図示せず)により、被照射体の現在位置と治療計画時の位置とのズレ量を算出し、患者カウチを動作させてズレ量を十分低減させる。さらに、前述の手順に従って短飛程アプリケータ101を照射野形成装置110に設置し、治療計画時と同じ角度まで回転ガントリーを回転させる。上記治療室での作業後、操作者は照射制御室(図示せず)に移動する。最後に、治療計画装置1401を用いて事前に作成した処方箋を照射制御装置1503に入力し、ビーム照射を開始する。短飛程アプリケータ101が正しく照射野形成装置110に設置されている事を確認したのち、照射制御装置1503は陽子線照射装置102にビーム照射許可信号を送信する。ビーム照射許可信号を受信したのち、前述のスキャニング照射法の手順に従い、陽子線照射装置102は処方箋に記載された情報に基づいて各スポットに対して順番にビームを照射する。
 このように、本発明によれば、スキャニング照射法により照射野を形成する照射野形成装置を備えた粒子線治療システムにおいて、コストの増加、短飛程領域外でのペナンブラ増加、操作者の負担増加を伴うことなく、短飛程領域でのペナンブラを改善する。また、短飛程アプリケータの適用によりブラッグピークの幅が増加するため、拡大ブラッグピーク形成に必要な深さ方向へのスポット数が減少し、線量率が向上する。さらにまた、ブラッグピーク幅の拡大により、標的内線量一様度に対するロバスト性が向上する。
 なお、本発明は上記の実施形態に限られず、種々の変形、応用が可能なものである。
101…照射補償装置(短飛程アプリケータ)、
102…陽子線照射装置、
103…陽子線発生装置、
104…陽子線輸送装置、
105…回転式照射装置、
106…イオン源、
107…前段加速器、
108…シンクロトロン、
109…出射デフレクタ、
110…照射野形成装置、
201…スロットC、
301…支持フレーム、
302…エネルギー吸収体、
303…コリメータA、
304…コリメータB、
401…スロットA、
402…スロットB、
501…コリメータAの開口部、
502…コリメータBの開口部、
601…エネルギー吸収体の中心凸部、
901…支持フレームのジョイント部、
1301…治療計画の手順、
1302…治療計画の手順、
1303…治療計画の手順、
1304…治療計画の手順、
1401…治療計画装置、
1402…操作画面、
1403…被照射体のX線CT画像、
1404…最適化ボタン、
1405…短飛程アプリケータ使用の有無を示すチェックボックス、
1405a…使用する短飛程アプリケータの種類を示すチェックボックス、
1501…センサ、
1502…ICチップ、
1503…照射制御装置、
1504…リミットスイッチ、
1601…ビーム照射までの手順、
1602…ビーム照射までの手順、
1603…ビーム照射までの手順、
1604…ビーム照射までの手順。

Claims (6)

  1.  粒子線治療システムであって、
     スキャニング照射法により照射野を形成する照射野形成装置と、
     エネルギー吸収体、第一のコリメータ、第二のコリメータ、前記エネルギー吸収体、前記第一のコリメータ及び前記第二のコリメータの着脱機構を有する短飛程領域への照射補償装置とを備え、
     前記照射野形成装置は、前記照射補償装置の着脱機構を有した
     ことを特徴とする粒子線治療システム。
  2.  請求項1に記載の粒子線治療システムにおいて、
     横方向の形状が異なる少なくとも2種類以上の前記エネルギー吸収体、前記第一のコリメータ及び前記第二のコリメータを有する前記照射補償装置を更に備えた
     ことを特徴とする粒子線治療システム。
  3.  請求項1又は請求項2に記載の粒子線治療システムにおいて、
     処方箋作成時において、最適化計算の際に前記照射補償装置の使用の有無及び使用する前記照射補償装置の種類を選択し、この選択した前記照射補償装置の使用の有無及び使用する前記照射補償装置の種類を前記処方箋に記録して出力する治療計画装置を更に備えた
     ことを特徴とする粒子線治療システム。
  4.  請求項3に記載の粒子線治療システムにおいて、
     前記照射補償装置を使用することが選択された場合、スポットを配置可能な範囲及び使用可能な出射ビームエネルギーを前記照射補償装置毎に制限して最適化計算する前記治療計画装置を更に備えた
     ことを特徴とする粒子線治療システム。
  5.  請求項3又は請求項4に記載の粒子線治療システムにおいて、
     陽子線照射装置と、
     前記照射補償装置の着脱状況及び設置された前記照射補償装置の種類を監視して照射制御装置に出力する第一センサを有する前記照射野形成装置と、
     前記治療計画装置から出力された前記処方箋が入力されると、入力された前記処方箋に記録された、最適化計算の際に選択した前記照射補償装置の使用の有無及び前記照射補償装置の種類の情報と、前記第一センサから出力された前記照射野形成装置における前記照射補償装置の着脱状況及び設置した前記照射補償装置の種類の情報とを照合し、両者が一致する場合のみ前記陽子線照射装置に対してビーム照射を許可する前記照射制御装置とを更に備えた
     ことを特徴とする粒子線治療システム。
  6.  請求項5に記載の粒子線治療システムにおいて、
     前記エネルギー吸収体、前記第一のコリメータ及び前記第二のコリメータの着脱状況を監視して前記照射制御装置に出力する第二センサを有する前記照射補償装置と、
     前記処方箋に前記照射補償装置を使用することが記録され、且つ前記エネルギー吸収体、前記第一のコリメータ及び前記第二のコリメータがすべて前記照射補償装置に設置されていることを前記第二センサから出力された情報より認識した場合のみ前記陽子線照射装置に対してビーム照射を許可する前記照射制御装置とを更に備えた
     ことを特徴とする粒子線治療システム。
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