WO2014048956A1 - Organisches, optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines organischen, optoelektronischen bauelementes und verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen kontaktieren - Google Patents

Organisches, optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines organischen, optoelektronischen bauelementes und verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen kontaktieren Download PDF

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electrical contact
electrical
organic
contact region
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Simon SCHICKTANZ
Philipp SCHWAMB
Evelyn TRUMMER-SAILER
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • organic, optoelectronic component a method for producing an organic, optoelectronic component and a method for cohesive, electrical
  • an organic light emitting diode has at least two electrodes and an organic functional layer system therebetween.
  • the electrodes are electrically connected to contact pads, wherein the contact pads are usually arranged on the geometric edge of the OLED.
  • the contact pads are usually arranged on the geometric edge of the OLED.
  • the contact pads have conventionally, due to established manufacturing processes, metal layer stack, for example
  • Chromium-aluminum-chromium (Cr-Al-Cr).
  • Cr-Al-Cr Chromium-aluminum-chromium
  • solder resist or solder pad is formed to restrict the solderable portions
  • a flexible printed circuit board (flex PCB) is formed by means of an electrically conductive adhesive bond
  • Anisotropic conductive film bonding (ACF bonding) is connected to a contact pad, wherein a flex PCB in turn provides a solder pad for further electrical contacting.
  • Friction welding process (ultrasonic bonding - US bonding) connected to a contact pad.
  • Another problem in electrical contacting is the reverse polarity, wrong polarity or the short-circuiting of an organic, optoelectronic component with similarly shaped poles, such as contact pads.
  • organic, optoelectronic component a method for producing an organic, optoelectronic component and a method for cohesive, electrical
  • Contact provided, with which it is possible to form a solderability of contact pads for electrically contacting the contact pads and additionally to realize a solder stop function.
  • an organic substance irrespective of the respective physical state, in chemically uniform form present, characterized by characteristic physical and chemical properties compound of the carbon are understood.
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • first substance or a first substance mixture may be equal to a second substance or a second substance mixture, if the chemical and
  • a first substance or a first substance mixture may be similar to a second substance or a second substance mixture if the first substance or the first substance mixture and the second substance or the second substance mixture
  • composition approximately the same chemical properties and / or approximately the same physical properties
  • Composition crystalline S1O2 (quartz) is considered to be equal to amorphous S1O2 (silica glass) and similar to SiO x .
  • refractive index (quartz) is considered to be equal to amorphous S1O2 (silica glass) and similar to SiO x .
  • crystalline S1O2 may be different from SiO x or amorphous SiO 2.
  • additives for example in the form of dopants, for example, amorphous SiO 2 may have the same or a similar refractive index as
  • the reference quantity in which a first substance resembles a second substance can be explicitly stated or can be derived from the
  • the dimensional stability of a geometrically shaped substance can be understood on the basis of the modulus of elasticity and the viscosity.
  • a fabric may in various embodiments be dimensionally stable, i. be considered in this sense as hard and / or firm, if the substance has a viscosity in one
  • a fabric can be considered malleable, i. be considered in this sense as soft and / or liquid, if the substance is a
  • Viscosity m in a range of about 1 x 10 Pa-s to
  • a dimensionally stable substance can be added by adding
  • Plasticizers for example, solvents, or increasing the temperature become plastically moldable, i. be liquefied.
  • a plastically malleable substance can by means of a
  • Changing the viscosity for example, increasing the viscosity from a first viscosity value to a second viscosity value.
  • the second viscosity value may be many times greater than the first viscosity value, for example in a range of about 10 to
  • the fabric may be formable at the first viscosity and dimensionally stable at the second viscosity.
  • the solidification of a substance or mixture of substances may involve a process or a process in which
  • low molecular weight constituents are removed from the substance or mixture of substances, for example solvent molecules or low molecular weight, uncrosslinked constituents of the substance or the mixture of substances, for example a drying or
  • the substance or the mixture of substances may, for example, in the moldable state have a higher concentration of low molecular weight substances in the entire substance or substance mixture than in
  • a body of a dimensionally stable substance or mixture of substances may be malleable, for example when the body is arranged as a film, for example one
  • Plastic film a glass foil or a metal foil.
  • Such a body may, for example, be termed mechanically flexible, since changes in the geometric shape of the body, for example, bending of a film,
  • a mechanically flexible body for example a film
  • a mechanically flexible body can also be plastically moldable, for example by the mechanically flexible body being solidified after deformation, for example a
  • connection of a first body to a second body may be positive, non-positive and / or cohesive.
  • the connections may be detachable, i. reversible.
  • a reversible, interlocking connection for example as a
  • connections may also be non-detachable, i. irreversible.
  • a non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means.
  • a non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means.
  • first body perpendicular, i. normal, moving in the direction of the restricting surface of the second body.
  • a pin (first body) in a blind hole (second body) may be restricted in motion in five of the six spatial directions.
  • Connection can be realized, for example, as a screw connection, a Velcro fastener, a clamp / a use of brackets.
  • Self-locking a screw in a complementarily shaped thread be.
  • Self-locking can be understood as resistance through friction.
  • the first body can be connected to the second body by means of atomic and / or molecular forces.
  • Cohesive compounds can often be non-releasable compounds.
  • a cohesive connection In various embodiments, a cohesive connection
  • a solder joint such as a glass solder, or a Metalotes
  • a welded joint be realized.
  • a conclusive fixing can be used as an example
  • Embodiments by means of a conclusive connecting means, such as a fusion connector can be realized.
  • the quality, i. the degree of covalent fixation may be a function of the wetting of a liquefied fusion connector on the first body and / or the second body.
  • wetting is a behavior of liquids upon contact with the surface of solids.
  • the degree of conclusive fixation can also be described, for example, as
  • a liquid can have a surface depending on the material
  • Connecting means such as a fusion connector, a
  • Substance or substance mixture for cohesively joining two bodies for example an organic,
  • a fusion connector may be a material that is dimensionally stable at room temperature to about 80 ° C and that is first liquefied and then solidified to bond the bodies. In this case, the fusion connector can be brought into contact with the two bodies even before liquefying or only in the formable, for example, liquid, state.
  • the fusion connector in a Convection oven, a reflow oven or by means of local
  • Heating be liquefied, for example by means of a laser irradiation.
  • the fusion connector can be a plastic, for example a
  • Resin, and / or a metal, such as a solder have.
  • the solder may comprise an alloy.
  • the solder may have one of the following materials: lead, tin, zinc, copper, silver, aluminum, silicon and / or glass and / or organic or inorganic additives.
  • an electronic component can be understood as a component which controls, controls or amplifies an electrical component
  • An electronic component may, for example, a diode, a transistor, a
  • Thermogenerator an integrated circuit or a
  • the optoelectronic component has an optically active region.
  • an optically active region of an optoelectronic component can be understood as the region of an optoelectronic component which can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom, or by means of a photocurrent applied voltage to the optically active region
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • An optoelectronic component whose optically active region has two flat, optically active sides can, for example, be transparent, for example as a transparent organic light-emitting diode.
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a flat, optically inactive side, for example an organic light-emitting diode which is set up as a top emitter or bottom emitter.
  • Optoelectronic device can in different
  • Embodiments for example, an electromagnetic
  • the radiation can, for example, light in the visible range
  • the electromagnetic radiation emitting device for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting diode (LED).
  • the light-emitting Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting components may be provided,
  • optoelectronic component for example an organic light emitting diode (OLED), an organic photovoltaic system, for example an organic solar cell; in the organic functional layer system comprise or be formed from an organic substance or an organic substance mixture which, for example, for providing an electromagnetic radiation from a supplied electric current or to
  • a harmful environmental influence can be, for example, a substance harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example oxygen and / or, for example, a solvent, for example water.
  • a harmful environmental influence can be, for example, an environment which is harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example a change above or below a critical value, for example the temperature and / or a change in the ambient pressure.
  • an organic, optoelectronic component comprising the organic, optoelectronic component: at least one
  • Contact area are electrically connected to the contact pad; and wherein the second electrical contact region is arranged such that it has a higher adhesion with regard to a material-locking electrical connection of the
  • Contact pads has as the first electrical contact area.
  • the first electrical contact region can be set up for a non-positive and / or positive electrical contacting of the contact pad.
  • the second electrical contact region can be set up for a conclusive, electrical contacting of the contact pad, for example a cohesive, non-positive and / or positive electrical connection
  • the first electrical contact region may be formed next to the second electrical contact region. In one embodiment of the organic, optoelectronic component, the first electrical contact region can surround the second electrical contact region at least partially laterally, for example annularly or flatly. In one embodiment of the organic, optoelectronic
  • the second electrical contact area a have greater layer thickness than the first electrical contact area.
  • the second electrical contact region can be raised with respect to the first electrical contact region, wherein a sublime can be understood as a topographic sublime.
  • a sublime can be understood as a topographic sublime.
  • the second electrical contact region as an exposed layer having a primer layer.
  • the adhesion promoter layer may be formed such that the adhesion between a cohesive
  • the adhesion promoter layer can be designed to be electrically conductive.
  • the primer layer may therefore also be referred to as a second electrically conductive layer.
  • the second layer structure may be such
  • the second electrical contact region may have a greater or smaller surface roughness than the first electrical contact region such that the second electrical contact region has a larger contact surface has as the first electrical contact area
  • the adhesion promoter layer may be one of
  • the first electrical contact region can have as an exposed layer an electrically conductive layer, for example comprising or being formed from chromium or aluminum.
  • An exposed layer may also have an exposed layer or exposed surface
  • the first electrical contact region as an exposed layer may comprise a dielectric layer, for example a barrier thin layer.
  • the first electrical contact region and the second electrical contact region can be formed on or above a common, electrically conductive substrate.
  • Bonding agent layer of the second layer structure may be formed on or above the dielectric layer.
  • the part of the adhesion promoter layer on or above the dielectric layer can be materially and / or electrically connected to the second electrical contact region.
  • the adhesion promoter layer can be adhesively bonded to the dielectric layer such that the physical contact of the first electrical contact region with the second electrical contact region is at least partially hermetically sealed with respect to at least water and / or oxygen, for example, by the adhesive layer cohesively with the
  • the second layer structure may be the organic, optoelectronic component
  • Bonding agent layer and at least partially have the first layer structure for example, the second layer structure may be formed as a primer layer on or above the first layer structure and / or
  • the adhesion promoter layer may be formed on or over an exposed, electrically conductive region of the first layer structure.
  • Layer structure as part of the second layer structure should not have a dielectric layer in the current path of the second layer structure.
  • the second electrical contact region can be set up to spatially delimit the cohesive, electrical contacting of the contact pad.
  • the organic, optoelectronic component for example, as a solder stop.
  • Component further comprise an optically active region and an optically inactive region.
  • Area can be formed, for example, flat adjacent to the optically active region, for example, the surface area optically active, laterally at least partially surrounded.
  • the optically active region having an electrically active region, for example, an organic functional layer structure and at least one electrode.
  • an organic functional layer structure for example, an organic functional layer structure and at least one electrode.
  • the contact pad may be at least partially formed in the optically inactive region, for example substantially or completely, for example, a part of an electrode of the electrically active region or a connection layer, which is electrically connected to an electrode of the electrically active region, be configured as a contact pad.
  • the optically active region and the optically inactive region may be formed such that the contact pad is electrically connected to the electrically active region, for example by the contact pad being electrically connected to the at least one electrode.
  • the organic, optoelectronic component In one embodiment of the organic, optoelectronic component, the organic, optoelectronic
  • a method for producing an organic, optoelectronic component comprising: providing a contact pad having a first electrical contact region and a second electrical contact region;
  • electrical contact area are formed adjacent to the second electrical contact area.
  • electrical contact region are formed such that the first electrical contact region the second
  • contact area electrically surrounds contact area at least partially laterally, for example, annular or planar.
  • Contact area are formed on or over a common, electrically conductive substrate.
  • electrical contact area are formed with a greater layer thickness than the first electrical contact area.
  • a primer layer can be formed as an exposed layer.
  • Adhesive layer can be formed such that the adhesion between a cohesive Connecting means and the layer on or over which the primer layer is formed is increased,
  • Adhesive layer be formed electrically conductive.
  • Layer structure are formed such that the
  • Adhesive layer is electrically connected to the contact pad.
  • Contact area have a greater or lesser surface roughness than the first electrical contact area such that the second contact area has a larger contact area than the first contact area with respect to the material connection.
  • Adhesive layer have one of the following materials or are formed from it: gold, silver, copper, platinum, palladium, nickel, aluminum.
  • electrical contact region are formed such that the exposed layer of the first layer structure is formed as an electrically conductive layer
  • chromium or aluminum has or is formed from it.
  • Layer structure are formed such that the
  • exposed layer of the first layer structure as one dielectric layer is formed, for example, a barrier thin film.
  • At least part of the adhesion promoter layer of the second layer structure can be formed on or above the dielectric layer, for example by the first electrical contact region as a structured dielectric layer surrounding the second electrical contact region and the
  • Adhesive layer is formed such that the
  • Adhesive layer overfills the structured dielectric layer.
  • the part of the method is formed from
  • the formation of the second electrical contact region may form a bonding agent layer on or over at least the
  • the second contact region may have the same or fewer layers than the first electrical contact region except for the adhesion promoter layer.
  • Forming the adhesion promoter layer and / or the formation of the second electrical contact region may include
  • first electrical contact region for example, a partial removal of the dielectric layer so that the second electrical contact region is free of the dielectric layer.
  • electrical contact area are set to a spatial limiting the cohesive, electrical contacting of the contact pad.
  • the method may further comprise forming an optically active region and an optically inactive region.
  • forming the optically active region may include forming an electrically active region, for example forming an organic functional layer structure and
  • the contact pad can be formed in the optically inactive region.
  • the optically active region and the optically inactive region can be formed such that the contact pad with the electrically active
  • the organic, optoelectronic component can be formed as an organic solar cell or an organic light-emitting diode.
  • the method comprising: providing a contact pad having a first electrical contact region and a second electrical contact region; Increasing the adhesion of the second electrical contact area
  • cohesive connecting means may be formed prior to forming the physical and / or electrical contact.
  • electrical contacting can / can the cohesive
  • Connecting means and / or the contact pad set up be that the first contact area free from
  • Cohesive connection means is.
  • the liquefied cohesive connection means can only wet the second electrical contact area and the electrical connection structure.
  • Connecting means be electrically conductive, for example, as a metallic solder or an electrically conductive adhesive.
  • Connecting means be electrically insulated, for example, as a glass solder or an adhesive.
  • Connecting means a matrix of at least one kind
  • electrical contacting of the adhesion promoter additive may be distributed particulate in the matrix.
  • the adhesion promoter additive may comprise or be formed from one of the following substances: gold, silver, copper, nickel, platinum, palladium,
  • the liquefying may be an electrical current flow through the electrical current
  • the electrical current path can be set up such that the current path is closed by the contact pad.
  • the electrical current can be set up in such a way that dielectric layers in the current path of the electrical connection are penetrated.
  • cohesive bonding agent having an irradiation of the cohesive bonding agent with electromagnetic radiation, for example, a laser irradiation.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component according to FIG.
  • Figure 3 is a schematic plan view of the back of an optoelectronic device, according to various embodiments.
  • FIG. 4 shows a diagram of a method for producing an electrical component, according to FIG.
  • Figures 5a-f are schematic cross-sectional views of a
  • Figures 6a-d are schematic cross-sectional views of a
  • Figure 7 is a schematic representation of a
  • Figures 8a-c are schematic representations of a
  • Fig.l shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • the optoelectronic component 100 for example, an electronic component 100 providing electromagnetic radiation, for example a light-emitting
  • Component 100 may have a carrier 102.
  • the carrier 102 may serve as a support for electronic elements or layers, such as light-emitting elements.
  • the carrier 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material.
  • the carrier 102 may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyolefins
  • PP polypropylene
  • the carrier 102 may comprise one or more of the above-mentioned substances.
  • the carrier 102 may include or be formed from a metal or metal compound, such as copper, silver, gold, platinum, or the like.
  • a carrier 102 comprising a metal or a
  • Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • the carrier 102 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104.
  • the barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • the barrier layer 104 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 be arranged on or above the barrier layer 104.
  • the electrically active region 106 may be understood as the region of the light emitting device 100 in which an electric current is used to operate the
  • the electrically active region 106 may have a first electrode 110, a second electrode 114 and an organic functional layer structure 112, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 110 eg, in the form of a first
  • Electrode layer 110 may be applied.
  • the first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as, for example, ZnO, SnO 2, or ⁇ 2 O 3
  • ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO include
  • Zn2SnO4 CdSnO3, ZnSnO3, Mgln204, GalnO3, Zn2In20s or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; for example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these substances.
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 110 one or more of the following substances
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • Networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers for example of Graphene particles and layers
  • Networks of semiconducting nanowires for example of Ag
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 110 comprises or is formed from a metal
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 110 a the first electrode 110 a
  • the first electrode 110 may have a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range of about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 110 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, that with conductive polymers
  • the first electrode 110 may be combined, a network of carbon nanotubes, which may be combined with conductive polymers, or formed of graphene layers and composites, the first electrode 110, for example one
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly to the first electrode 110 be created or be.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer structure 112 may comprise one or more emitter layers 118, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 116 (also referred to as hole transport layer (s) 120).
  • emitter layers 118 for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters
  • hole line layers 116 also referred to as hole transport layer (s) 120.
  • one or more electron conduction layers 116 may be provided.
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • a wet chemical process such as a spin-on process (also referred to as spin coating)
  • spin coating also referred to as spin coating
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light emitting device 100 may be selected so that light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 118 may include a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 118 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 118 or blue
  • the organic functional layer structure 112 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or a combination of these materials.
  • the organic functional layer structure 112 may be one or more
  • Hole transport layer 120 is or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer 116 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • Electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a substance for the hole transport layer 120 can be any substance for the hole transport layer 120 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 120 may be deposited on or over the first electrode 110, for example, deposited, and the emitter layer 118 may be on or above the
  • Hole transport layer 120 may be applied, for example, be deposited.
  • electron transport layer 116 may be deposited on or over the emitter layer 118, for example, deposited.
  • the organic functional layer structure 112 that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 120 and
  • Emitter layer (s) 118 and electron transport layer (s) 116) have a maximum thickness of approximately 1.5 ⁇ m, for example a maximum thickness of approximately 1.2 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 1 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 800 ⁇ m nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may include a
  • each OLED may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may for example have a layer thickness of at most about 1.5
  • organic functional layer structure 112 may have a layer thickness of at most about 3 ym.
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Electron transport layer (s) 116 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • Layer structures may be the second electrode 114
  • a second electrode layer 112 (for example in the form of a second electrode layer 114) may be applied.
  • Electrode 114 have the same substances or be formed from it as the first electrode 110, wherein in
  • metals are particularly suitable.
  • Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 110.
  • the second electrode 114 may be made of one or more embodiments in various embodiments
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both translucent or transparent educated. Thus, the shown in Fig.l
  • light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 114 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the second electrode 114 may be a second electrical
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the
  • Difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V. up to about 12 V.
  • an encapsulation 108 for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • a “barrier thin film” 108 or a “barrier thin film” 108 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier film 108 is formed to be resistant to OLED damaging materials such as
  • the barrier thin-film layer 108 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • Barrier thin film 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 108 or one or more sublayers of the barrier film 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 108 having multiple sub-layers, all sub-layers are formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate". According to an alternative embodiment, in a
  • Barrier thin film 108 having a plurality of sublayers, one or more sublayers of the barrier thin film 108 by a deposition method other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • the barrier thin film in which the barrier thin film
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 108 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin-film layer 108 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent).
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin layer 108 include or may be formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide Lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum ⁇ doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack with a plurality of sub-layers one or more of the sub-layers of the barrier layer 108 have one or more high-index materials, in other words, one or more high-level materials
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • the cover 126 for example made of glass, for example by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic device 100 with the barrier layer 108 become.
  • Protective varnish 124 may be provided, by means of which, for example, a cover 126 (for example, a glass cover 126, a metal foil cover 126, a sealed
  • Plastic film cover 126) is attached to the barrier thin film 108, for example glued.
  • translucent layer of adhesive and / or protective varnish 124 have a layer thickness of greater than 1 ym
  • a layer thickness of several ym for example, a layer thickness of several ym.
  • the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer can be embedded in various embodiments still light scattering particles, which contribute to a further improvement of the color angle distortion and the Can lead outcoupling efficiency.
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example scattered dielectric particles, such as, for example, metal oxides, such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • metal oxides such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • Alumina, or titania may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like can be provided as light-scattering particles.
  • an electrically insulating layer is disposed between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124.
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ym, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ym to protect electrically unstable materials, for example during a
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • an adhesive may be a high refractive index adhesive
  • Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 124, for example in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, are applied to the barrier thin layer 108 by means of, for example, plasma spraying.
  • the / may
  • Cover 126 and / or the adhesive 124 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various aspects
  • FIG. 2 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic component according to one of the embodiments of the description of FIG. 1, which is characterized by the cutout 100 in the cross-sectional view 200.
  • a first electrode 110 which is formed on or above a carrier 102.
  • an organic functional On or above the first electrode 110 is an organic functional
  • Layer structure 112 is formed. About or on the
  • Organic functional layer structure 112 is one second electrode 114 is formed.
  • the second electrode 114 is electrically insulated from the first electrode 110 by means of electrical insulation 204.
  • the second electrode 114 may be physically and electrically connected to an electrical connection layer 202. The electric
  • Connecting layer 202 may be formed in the geometric edge region of carrier 102 on or above carrier 102, for example laterally next to first electrode 110. Electrical connection layer 202 is electrically insulated from the first one by means of a further electrical insulation 204
  • Electrode 110 isolated. On or above the second electrode 114, a barrier thin film 108 is disposed such that the second electrode 114, the electrical insulations 204, and the organic functional layer structure 112 are surrounded by the barrier thin film 108, that is, in FIG.
  • barrier thin layer 108 Connection of barrier thin layer 108 with the carrier 102 are included.
  • the barrier film 108 can hermetically seal the trapped layers from harmful environmental influences. On or above the
  • Barrier thin film 108 is an adhesive layer 124 arranged such that the adhesive layer 124 the
  • a cover 126 is disposed on or above the adhesive layer 124.
  • the cover may be adhered to the barrier film 108 with an adhesive 124, for example
  • the region of the optoelectronic component 100 having an organic functional layer structure 112 on or above the carrier 102 may be designated as the optically active region 212.
  • optically inactive region 214 may, for example, be arranged flat next to the optically active region 212.
  • An optoelectronic component 100 which is at least translucent, for example transparent, formed, for example, a least translucent carrier 102, at least translucent electrodes 110, 114, an at least translucent, organic functional layer system and an at least translucent barrier thin layer 108th
  • device 100 may also have only one optically active side and one optically inactive side,
  • an optoelectronic component 100 which is set up as a top emitter or bottom emitter, for example by the second electrode 100 or the
  • Barrier thin layer 108 is formed reflective of provided electromagnetic radiation.
  • the carrier 102, the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, the second electrode 114, the barrier thin-film layer 108, the adhesive layer 124, and the cover 126 may be, for example, according to any one of
  • the electrical insulations 204 are set up in such a way that current flow between two electrically conductive regions, for example between the first electrode 110 and the second electrode 114, is prevented.
  • the substance or mixture of electrical insulation can be
  • the lacquer may, for example, have a coating substance which can be applied in liquid or in powder form,
  • the electrical insulation 204 may be applied or formed, for example, by means of a printing process and, for example, lithographically structured.
  • the printing method may, for example, an inkjet printing (inkjet printing), a screen printing and / or a
  • Pad printing (pad printing) have.
  • the electrical connection layer 202 can be a substance or mixture of substances, a substance or a substance mixture similar to the electrodes 110, 114 according to one of the embodiments of
  • the optically inactive region 214 may be, for example
  • Contact pads 206, 208 for electrically contacting the organic functional layer structure 112 have.
  • the optoelectronic component 100 may be formed such that contact pads 206, 208 are configured to electrically contact the optoelectronic component 100,
  • electrical connection layers 202 for example, electrical connection layers 202,
  • a contact pad 206, 208 may be electrically and / or physically connected to an electrode 110, 114, for example by means of a connection layer 202.
  • a contact pad 206, 208 may also be configured as a region of an electrode 110, 114 or a connection layer 202.
  • the contact pads 206, 208 can be a substance or mixture of substances, a substance or a mixture of substances similar to the second
  • Electrode 114 according to one of the embodiments of
  • chromium layer at least one chromium layer and at least one Aluminum layer, for example chromium-aluminum-chromium (Cr-Al-Cr).
  • FIG 3 shows a schematic plan view of the rear side of an optoelectronic component, according to various exemplary embodiments.
  • the contact pads 206, 208, 302, 304 surround approximately a layered structure of the schematic
  • the geometric configuration of the optoelectronic component 100 shown in FIG. 3, the geometric shape and the positions of the electrical contact pads 206, 208, 302, 304 should be understood as an exemplary embodiment.
  • Other geometric shapes and more or less contact pads may be formed, for example, 1 contact pad, 2 contact pads, 3 contact pads, 5 contact pads, 6 contact pads, or more.
  • the number of contact pads can be dependent on the
  • the number and shape of the contact pads of an optoelectronic component 100 can be dependent on how many further optoelectronic components 100 are to be connected to this optoelectronic component 100, for example, to be connected, for example, in parallel or in series.
  • the contact pads 206, 208, 302, 304 may be electrically connected to the electrodes 110, 114 of the organic device 100
  • the contact pads 206, 208, 302, 304 can do this
  • Optoelectronic component partially or completely surrounded, for example laterally, for example, annular in the optically inactive region; and / or be multilayered.
  • a contact pad on the upper side of the contact pad can have an electrical connection layer that is connected to another electrode than an electrical connection layer on the underside of the contact pad
  • Contact pads 206, 208, 302, 304 may have a different polarity than the other contact pads, for example 208, 302, 304
  • Polarity or polarity can be different
  • Exit points or entry points of charge carriers of a power source are understood.
  • FIG. 4 shows a diagram of a method for producing an electrical component, according to various
  • the method 400 may include forming 402 a first
  • Forming 402 a first electrical contact region and a second electrical contact region may include removing and / or forming a substance or a mixture of substances on or above a contact pad.
  • the method 400 may include forming 404 a physical and / or electrical contact of an electrical
  • Forming 404 of the physical and / or electrical contact may, for example, as approaching a
  • a cohesive connection means can already be on or above the second electrical
  • the interlocking connection means may for example be formed as a fusion connector and be in a dimensionally stable state during the approach.
  • the method 400 may include forming 406 a
  • Forming 406 a cohesive, electrically
  • the liquefaction of the conclusive connecting means may be formed by means of an electric current, for example in which the
  • Contact pad is contacted so electrically that an electric current flows only through the contact pad.
  • Connecting means are heated from the outside, for example, be melted by means of a laser or a soldering iron.
  • the interlocking connection means may be after physical training
  • connection structure can be formed with the second electrical contact area.
  • the conclusive connecting means may be, for example, on the positive and / or
  • non-positive connection can be applied, for example, be sprayed or poured over.
  • FIG. 5a-f shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component in the method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • 5a shows a schematic cross-sectional view of a portion of a contact pad 206, 208, 302, 304 of a
  • the region may include a dielectric layer 502 on or over an electrically conductive layer 504.
  • the dielectric layer 502 may generally be a
  • Dielectric layer or, for example, similar to the barrier thin film 108 one of the embodiments of
  • the electrically conductive layer 504 may generally be an electrically conductive layer, or may be configured, for example, similar to the electrode 110, 114 or interconnect layer 202 of any of the configurations of the descriptions of FIG. 1 or FIG.
  • the electrically conductive layer 504 may be self-supporting or formed on a carrier 102 (not
  • FIG. 5 b shows a schematic cross-sectional view of a contact pad of an optoelectronic component, according to various exemplary embodiments.
  • Fig.5b are exposed areas 506, 508 in the
  • An exposed area 506, 508 may be provided by means of a
  • dielectric layer 502 are formed on or above the electrically conductive layer 504 such that the exposed surface of the layer system of electrically conductive layer 504 and dielectric layer 502 in an exposed area 506, 508 has the electrically conductive layer 502.
  • the exposed areas 506, 508 may after the formation of the optoelectronic device 100 with a
  • a mechanical exposure of the areas to be exposed 506, 508 can be realized for example with a glass fiber brush.
  • a ballistic exposure of the areas to be exposed 506, 508 can be realized, for example, by bombarding a region to be cleared with particles, molecules, atoms, ions, electrons and / or photons.
  • photon bombardment may be formed as a laser having a wavelength in a range of about 200 nm to about 1700 nm, for example, focused having a focus diameter in a range of about 10 ym to about 2000 ym, for example, pulsed,
  • a pulse duration in the range of about 100 fs to about 0.5 ms, for example with a power of about 50 mW to about 1000 mW, for example with
  • a plurality of exposed portions 506, 508 may be formed at or spaced apart from each other 510, with the gap 510 between the exposed ones
  • the spacing 510 of the exposed areas 506, 508 may be formed in a range of about 100 ym to about 10 cm, for example, in a range of 1 mm to about 5 cm, for example, in a range of about 5 mm to about 2 cm.
  • the exposed areas 506, 508 may comprise or resemble a geometric shape or part of a geometric shape from the group of geometric bodies: cylinder, cone, truncated cone, sphere, hemisphere, cube, cuboid, pyramid, truncated pyramid, prism, or a polyhedron.
  • the conductive regions 504 of the device may also be exposed on the top side or the sides of the device 200 on an optically inactive side, for example the optically active region 212, and / or an optically inactive region 214, for example in the region of the mounting of the device , Exposing areas 506, 508 may Therefore, be formed on all sides of the device and on several sides simultaneously.
  • An exposed area may be considered a depression with a
  • Encapsulation layer 108 may correspond.
  • the exposed areas 506, 508 may have a same or a different cross-section
  • 5c shows a schematic cross-sectional view of an electrical, material connection of a
  • Optoelectronic device with electrical contacts before the coupling according to various embodiments.
  • 508 may be a second
  • dielectric layer 502 are formed.
  • the second electrically conductive layer 514, 516 may act as a spatially limited, thin metallization layer on the non-solderable ones
  • the applied metallization layer may, for example, comprise a solderable metal, for example copper, silver, gold,
  • Aluminum or a bondable fabric Aluminum or a bondable fabric.
  • electrically conductive layer 514, 516 for example, a flow of a solder as cohesive
  • an applied metallization layer can realize a solder stop, for example by using a copper point as Metallization takes a lot and, for example, chromium of the electrically conductive layer 504 and the
  • a selective, spatially limited formation of the second, electrically conductive layer 514, 516 can, for example, by means of a powder coating at low temperatures (low temperature powder coating), a complex plasma or a dusty plasma (plasma dust or dusty plasma) or an aerosol jet printing (aerosol jet printing) can be realized. This can be a low local temperature powder coating, a complex plasma or a dusty plasma (plasma dust or dusty plasma) or an aerosol jet printing (aerosol jet printing) can be realized. This can be a low local powder coating at low temperatures (low temperature powder coating), a complex plasma or a dusty plasma (plasma dust or dusty plasma) or an aerosol jet printing (aerosol jet printing) can be realized. This can be a low local plasma or a dusty plasma (plasma dust or dusty plasma) or an aerosol jet printing (aerosol jet printing) can be realized. This can be a low local temperature powder coating, a complex plasma or a dusty plasma (plasma dust or dusty plasma) or
  • Mixtures are realized, for example, less than about 150 ° C, for example less than about 120 ° C, for example in a range of about 80 ° C to about 100 ° C.
  • the second electrically conductive layer 514, 516 may include, for example, copper, silver, nickel, gold, platinum,
  • the second electrically conductive layer 514, 516 may be formed such that the side surfaces of the dielectric layer 502 of the exposed regions 506, 508 are hermetically sealed with respect to water, for example, by the second electrically conductive layer 514, 516
  • Dielectric layer 502 at least partially surrounds.
  • forming 402 a first electrical contact region 526 and a second electrical contact region 524 may include forming the
  • the region without the second electrically conductive layer 514, 516 may be understood as the first contact region 526, and the region with the second, electrically conductive layer 514, 516 may be understood as the second contact region 524.
  • FIG. 5d shows a prepared cohesive connection with the contact pad.
  • a material-locking connection means 518, 520 on or above the second electrically conductive layer 514, 516 on or above the second electrically conductive layer 514, 516.
  • electrically conductive layer are formed.
  • the cohesive connection means 518, 520 can be any cohesive connection means 518, 520 .
  • the cohesive connection means 518, 520 can be any cohesive connection means 518, 520 .
  • the cohesive connecting means 518, 520 may have a shapeable state, for example liquid or viscous, for example an uncured one
  • Epoxide a thermal paste, such as a silver ⁇ containing paste, solder or other liquid metal.
  • the dielectric layer 502 may be formed such that the dielectric layer 502 is impermeable to the substance or mixture of the material bonding agent 518, 520.
  • the integral connection means 518, 520 may be formed such that the dielectric layer 502 is not wetted by the integral connection means 518, 520. Prevention of wetting of the dielectric layer 502 by means of the material bonding means 518, 520 may be achieved by adjusting the surface tension of the substance or mixture of the dielectric layer 502, the surface tension of the substance or mixture of the cohesive bonding agent 518, 520, and / or the roughness of the dielectric layer 502 can be realized. Adjusting the surface tension of the cloth or mixture of the dielectric layer 502 may be
  • a silanization, thiolation, rinsing with a solvent or the like For example, a silanization, thiolation, rinsing with a solvent or the like.
  • 5e shows a schematic cross-sectional view of an electrical, material connection of a
  • Optoelectronic component with electrical contacts after the coupling according to various embodiments.
  • the interlocking connection means 518, 520 may have a formable or dimensionally stable condition.
  • the electrical connection structure 512 may be, for example, as an area of a cable, an electro-mechanical
  • Connector or an electronic component to be formed To align the electrical connections 512 to
  • terminals 512 may simplify the contacting end of the terminals 512 flat or tapered, for example, conical or spherical (not shown).
  • Connecting means 518, 520 can be formed by means of the physical contact of an electrical connection structure 512 with the material connection means 518, 520, an electrical connection between the electrical connection structure 512 and the second, electrically conductive layer 514, 516. This allows the dimension of the
  • electrical connection structure 512 may be smaller than the dimension of the exposed areas 506, 508 and / or the second, electrically conductive layer 514, 516. As a result, the alignment of the electrical connection structure 512 with respect to the second electrical contact area 524 or the exposed areas 506, 508 simplified. In an electrically non-conductive, cohesive
  • Connecting means 518, 520, an electrical connection between an electrical connection structure 512 and the second electrical contact region 524 by means of physical contact of the electrical connection structure 512 with the second electrically conductive layer 514, 516 are formed.
  • conductive layer 514, 516 may be for the electrical
  • Terminals 512 have an aligning effect
  • Connection structure 512 to the second electrical contact region 524.
  • 5f shows a schematic cross-sectional view of an electrical, material connection of a
  • Optoelectronic component with electrical contacts after the coupling according to various embodiments.
  • the cohesive in one embodiment, the cohesive
  • Connection be encapsulated by means of an encapsulant 522.
  • the encapsulation means 522 may for example be arranged and / or similar to or equal to the electrical insulation 204 of an embodiment of the description of FIG.
  • the encapsulant 522 may be hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.
  • the encapsulant 522 may be, for example, electrically insulating.
  • the encapsulant 522 may be similar or equal to the second electrical layer 514, 516
  • the encapsulant 522 may include, for example
  • Metal oxide an organic material or an organic mixture, for example, a plastic, such as an epoxy, an acrylate or the like.
  • 6a-d shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component in the method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • 6a shows a schematic cross-sectional view of a portion of a contact pad 206, 208, 502, 504 of a
  • Embodiments by an electrical connection to be formed.
  • the region may include an electrically conductive layer 602.
  • the electrically conductive layer 602 may generally be an electrically conductive layer or, for example, similar to the electrode 110, 114, the
  • the electrically conductive region 602 may be formed self-supporting or on a support 102 (not
  • 6b shows a schematic cross-sectional view of an electrical, material connection of a
  • Optoelectronic device with electrical contacts before the coupling according to various embodiments.
  • a second electrically conductive layer 514 may be formed, for example similar to one of the embodiments of FIGS be formed second electrically conductive layer 514 of the description of Figure 5 or.
  • electrically conductive layer 514 may, for example, a flow of a solder as cohesive
  • an applied metallization layer can realize a solder stop, for example by using a copper point as
  • electrically conductive layer 504 for example, not.
  • a selective, spatially limited forming of the second, electrically conductive layer 514 can be carried out, for example, by means of a low-temperature powder coating, a complex plasma or a plasma dust or a plasma dust
  • Aerosol jet printing can be realized.
  • locally a low temperature load of organic substances and organic substance mixtures can be realized, for example less than approximately 150 ° C.
  • 6c shows prepared cohesive connections of an electrical connection structure with a contact pad.
  • a cohesive connection means 518 may be or may be formed.
  • the cohesive connecting means 518 may, for example, similar to one of the embodiments of the cohesive
  • the electrical connection structure 512 may, for example, be similar to one of the embodiments of the electrical
  • FIG. 6 d shows a schematic cross-sectional view of an electrical, material-locking connection of a
  • Optoelectronic component with electrical contacts after the coupling according to various embodiments.
  • the cohesive is formed by forming 406 a cohesive, electrical connection only between the electrical connection structure 512 and the second electrical contact region 524.
  • the cohesive is formed by forming 406 a cohesive, electrical connection only between the electrical connection structure 512 and the second electrical contact region 524.
  • FIG. 7 shows a schematic representation of an electrical circuit of an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • Fig.7 is an embodiment of the electrical
  • Polarity for example, the contact pads 206, 302, and 208, 304; can be electrically connected to each other by means of electrical bridges 706, 708, for example, with conventional wirings with cohesive
  • the second electrical contact regions 524, 702, 712 defined position for the electrical bridges 706, 708 and electrical connections 704, 710 can be realized.
  • the defined positions can be used, for example, for automated forming of the bridges 706, 708 and / or simplifying the parallel connection of the contact pads 206, 302, and 208, 304, since only one wiring element 706, 708, for example a cable, is processed or soldered per solder joint is held. This allows soldering multiple cables, for example, to bridge contact pads without loosening existing cable kills.
  • Contact areas 524 can not be formed, electrically isolated, for testing, at one
  • the configuration of the second electrical contact regions 524 may be on or over the contact pads 206, 208, 302, 304 as reverse polarity protection be set up such that only at the same polarity of electrical connections and electrical contact areas, an electrical connection can be formed.
  • Embodiment of an optoelectronic component Embodiment of an optoelectronic component.
  • the organic light emitting diode 800 may, for example, a
  • the organic light emitting diode 800 may be similar to one of
  • a portion of the barrier film 108 may be removed on or above an electrode 110, 114 and / or an electrical connection layer 202, i. an exposed area 506 similar to one of the embodiments of the description of FIG. 5 may be formed.
  • the focused laser beam may be formed as a laser, for example, having a wavelength of about 248 nm with a focus diameter of about 400 ym with a pulse duration of about 15 ns and an energy of about 18 mJ.
  • the areal dimension and the shape of the exposed laser beam may be formed as a laser, for example, having a wavelength of about 248 nm with a focus diameter of about 400 ym with a pulse duration of about 15 ns and an energy of about 18 mJ.
  • Area 506, 508 may be defined by means of the degree of focus, i. the diameter of the focal point of the laser beam and its convergence, and the power of the beam source
  • the electrical connection of the contact pad 206 with the electrical connection structure 512 for example, an electro-mechanical connection pin 512, can be formed according to Figure 5 as an electrical, cohesive connection.
  • a second, electrical contact region 524 can be formed in the exposed region 506, which, for example, can be shaped at least partially complementary to an electrical connection structure 512-shown in FIG. 8c.
  • the selectively applied metallization 514, 516 may be used as a solder pad and solder stop for an electrical interconnect structure 512, such as an electromechanical connector 512. Accurate positioning (without solder bleed) can be important to getting a perfect fit
  • organic, optoelectronic component an organic optoelectronic component, a method for producing an organic, optoelectronic component and a method for cohesive, electrical contacting provided, with which it is possible to form a solderability of contact pads for electrically contacting the contact pads and in addition to a solder stop function
  • soldering points can be selectively formed by means of a backend process
  • the selectively applied metal layers may damage the metallic or electrically conductive and potentially hermetically sealed damage of an encapsulant layer on or over a contact pad removed from the contact pad for electrical contact

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) bereitgestellt, das organische, optoelektronische Bauelement aufweisend: wenigstens ein Kontaktpad (206, 208, 302, 304) mit einem ersten elektrischen Kontakt-Bereich (526) und einem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524); wobei der erste elektrische Kontakt-Bereich (526) und der zweite elektrische Kontakt-Bereich (524) elektrisch mit dem Kontaktpad (206, 208, 302, 304) verbunden sind; wobei der zweite elektrische Kontakt-Bereich (524) derart eingerichtet ist, dass er eine höhere Adhäsion hinsichtlich einer stoffschlüssigen elektrischen Verbindung des Kontaktpads (206, 208, 302, 304) aufweist als der erste elektrische Kontakt-Bereich (526).

Description

Beschreibung
Organisches, optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren
In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein
organisches, optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes und ein Verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen
Kontaktieren bereitgestellt.
Ein organisches, optoelektronisches Bauelement,
beispielsweise eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , weist wenigstens zwei Elektroden und ein organisches funktionelles Schichtensystem dazwischen auf. Die Elektroden sind mit Kontaktpads elektrisch verbunden, wobei die Kontaktpads üblicherweise am geometrischen Rand der OLED angeordnet sind. An die Kontaktpads wird ein
elektrischer Anschluss angekoppelt, d.h. elektrisch
kontaktiert, der dadurch das organische funktionelle
Schichtensystem mit Strom versorgt.
Die Kontaktpads weisen herkömmlich, auf Grund etablierter Fertigungsprozesse, Metallschichtstapel auf, beispielsweise
Chrom-Aluminium-Chrom (Cr-Al-Cr) . Die freiliegende Oberfläche dieser Metallschichtstapel, beispielsweise Chrom, ist
aufgrund ihrer Beschaffenheit nicht lötbar mit herkömmlichen Loten, da beispielsweise die freiliegende Chrom-Oberfläche und das Lötzinn nicht miteinander verträglich sind,
beispielsweise nicht mischbar sind. Dadurch kommt es zu einem willkürlichen Verlaufen des Lötzinns auf der Chrom-Oberfläche des Kontaktpads. Das verlaufende Lötzinn erschwert dann das präzise Positionieren der Anschlüsse auf der Lötstelle. In einem herkömmlichen Verfahren wird zum Einschränken der lötbaren Bereiche ein Lötstopplack oder Lötpadformen
(Verengungen) verwendet. In einem anderen herkömmlichen Verfahren wird eine flexible Leiterplatine (flexible printed circuit board - flex-PCB) mittels einer elektrisch leitfähigen Klebstoff-Bindung
(anisotropic conductive film bonding - ACF-Bonden) mit einem Kontaktpad verbunden, wobei ein Flex-PCB wiederum ein Lötpad zum weiteren, elektrischen Kontaktieren bereitstellt.
In einem weiteren herkömmlichen Verfahren wird zum
elektrischen Kontaktieren ein Draht mittels eines
Reibschweißprozesses (Ultraschall-Bonden - US bonding) mit einem Kontaktpad verbunden.
In einem herkömmlichen Verfahren wird das elektrische
Kontaktieren mittels Klemmkontakten realisiert,
beispielsweise mittels Federstiften und entsprechenden
Klemmhalterungen.
Ein weiteres Problem beim elektrischen Kontaktieren stellt die Verpolung, Falschpolung bzw. das Kurzschließen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes bei ähnlich geformten Polen, beispielsweise Kontaktpads, dar.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein
organisches, optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes und ein Verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen
Kontaktieren bereitgestellt, mit denen es möglich ist eine Lötbarkeit von Kontaktpads zum elektrischen Kontaktieren der Kontaktpads auszubilden und zusätzlich eine Lötstoppfunktion zu realisieren.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem
Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch gleich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn die chemischen und
physikalischen Eigenschaften des ersten Stoffs bzw. ersten Stoffgemisches identisch mit den chemischen und
physikalischen Eigenschaften des zweiten Stoffs bzw. des zweiten Stoffgemischs sind. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch ähnlich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn der erste Stoff bzw. das erste Stoffgemisch und der zweite Stoff bzw. das zweite
Stoffgemisch eine ungefähr gleiche stöchiometrische
Zusammensetzung, ungefähr gleiche chemische Eigenschaften und/oder ungefähr gleiche physikalische Eigenschaften
aufweist bezüglich wenigstens einer Größe, beispielsweise der Dichte, dem Brechungsindex, der chemischen Beständigkeit oder ähnliches.
So kann beispielsweise bezüglich der stöchiometrischen
Zusammensetzung kristallines S1O2 (Quarz) als gleich zu amorphen S1O2 (Kieselglas) und als ähnlich zu SiOx betrachtet werden. Jedoch kann bezüglich des Brechungsindexes
kristallines S1O2 unterschiedlich sein zu SiOx oder amorphem Si02- Mittels Zugabe von Zusätzen, beispielsweise in Form von Dotierungen, kann beispielsweise amorphes S1O2 den gleichen oder einen ähnlichen Brechungsindex aufweisen wie
kristallines S1O2 jedoch dann bezüglich der chemischen
Zusammensetzung und/oder der chemischen Beständigkeit
unterschiedlich zu kristallinem S1O2 sein.
Die Bezugsgröße, in der ein erster Stoff einem zweiten Stoff ähnelt, kann explizit angegeben sein oder sich aus dem
Kontext ergeben, beispielsweise aus den gemeinsamen
Eigenschaften einer Gruppe von Stoffen oder Stoffgemischen .
Die Formstabilität eines geometrisch geformten Stoffes kann anhand des Elastizitätsmoduls und der Viskosität verstanden werden .
Ein Stoff kann in verschiedenen Ausführungsformen als formstabil, d.h. in diesem Sinne als hart und/oder fest, angesehen werden, wenn der Stoff eine Viskosität in einem
2 23
Bereich von ungefähr 5 x 10 Pa-s bis ungefähr 1 x 10 Pa-s und ein Elastizitätsmodul in einem Bereich von ungefähr
6 12
1 x 10 Pa bis ungefähr 1 x 10 Pa aufweist, da der Stoff nach Ausbilden einer geometrischen Form ein viskoelastisches bis sprödes Verhalten zeigen kann.
Ein Stoff kann als formbar, d.h. in diesem Sinne als weich und/oder flüssig, angesehen werden, wenn der Stoff eine
-2
Viskosität m einem Bereich von ungefähr 1 x 10 Pa-s bis
2
ungefähr 5 x 10 Pa-s oder ein Elastizitätsmodul bis ungefähr
6
1 x 10 Pa aufweist, da jede Veränderung der geometrischen Form des Stoffes zu einer irreversiblen, plastischen
Veränderung der geometrischen Form des Stoffes führen kann.
Ein formstabiler Stoff kann mittels Zugebens von
Weichmachern, beispielsweise Lösungsmittel, oder Erhöhen der Temperatur plastisch formbar werden, d.h. verflüssigt werden.
Ein plastisch formbarer Stoff kann mittels einer
Vernetzungsreaktion, einem Entzug von Weichmachern und/oder Wärme formstabil werden, d.h. verfestigt werden.
Das Verfestigen eines Stoffs oder Stoffgemisches , d.h. der
Übergang eines Stoffes von formbar zu formstabil, kann ein
Ändern der Viskosität aufweisen, beispielweise ein Erhöhen der Viskosität von einem ersten Viskositätswert auf einen zweiten Viskositätswert. Der zweite Viskositätswert kann um ein Vielfaches größer sein als der erste Viskositätswert sein, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 bis
6
ungefähr 10 . Der Stoff kann bei der ersten Viskosität formbar sein und bei der zweiten Viskosität formstabil sein.
Das Verfestigen eines Stoffs oder Stoffgemisches , d.h. der Übergang eines Stoffes von formbar zu formstabil, kann ein Verfahren oder einen Prozess aufweisen, bei dem
niedermolekulare Bestandteile aus dem Stoff oder Stoffgemisch entfernt werden, beispielsweise Lösemittelmoleküle oder niedermolekulare, unvernetzte Bestandteile des Stoffs oder des Stoffgemischs , beispielsweise ein Trocknen oder
chemisches Vernetzen des Stoffs oder des Stoffgemischs . Der Stoff oder das Stoffgemisch kann beispielweise im formbaren Zustand eine höhere Konzentration niedermolekularer Stoffe am gesamten Stoff oder Stoffgemisch aufweisen als im
formstabilen Zustand.
Ein Körper aus einem formstabilen Stoff oder Stoffgemisch kann jedoch formbar sein, beispielsweise wenn der Körper als eine Folie eingerichtet ist, beispielsweise eine
Kunststofffolie, eine Glasfolie oder eine Metallfolie. Solch ein Körper kann beispielsweise als mechanisch flexibel bezeichnet werden, da Veränderungen der geometrischen Form des Körpers, beispielsweise ein Biegen einer Folie,
reversibel sein können. Ein mechanisch flexibler Körper, beispielsweise eine Folie, kann jedoch auch plastisch formbar sein, beispielsweise indem der mechanisch flexible Körper nach dem Verformen verfestigt wird, beispielsweise ein
Tiefziehen einer Kunststofffolie .
Die Verbindung eines ersten Körpers mit einem zweiten Körper kann formschlüssig, kraftschlüssig und/oder stoffschlüssig sein. Die Verbindungen können lösbar ausgebildet sein, d.h. reversibel. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine reversible, schlüssige Verbindung beispielsweise als eine
Schraubverbindung, ein Klettverschluss , eine Klemmung / eine Nutzung von Klammern realisiert sein.
Die Verbindungen können jedoch auch nicht lösbar ausgebildet sein, d.h. irreversibel. Eine nicht lösbare Verbindung kann dabei nur mittels Zerstörens der Verbindungsmittel getrennt werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine
irreversible, schlüssige Verbindung beispielsweise als eine Nietverbindung, eine Klebeverbindung oder eine Lötverbindung realisiert sein. Bei einer formschlüssigen Verbindung kann die Bewegung des ersten Körpers von einer Fläche des zweiten Körpers
beschränkt werden, wobei sich der erste Körper senkrecht, d.h. normal, in Richtung der beschränkenden Fläche des zweiten Körpers bewegt. Ein Stift (erster Körper) in einem Sackloch (zweiter Körper) kann beispielsweise in fünf der sechs Raumrichtungen in der Bewegung beschränkt sein. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine formschlüssige
Verbindung beispielsweise als eine Schraubverbindung, ein Klettverschluss , eine Klemmung / eine Nutzung von Klammern realisiert sein.
Bei einer kraftschlüssigen Verbindung kann zusätzlich zu der Normalkraft des ersten Körpers auf den zweiten Körper, d.h. einem körperlich Kontakt der beiden Körper unter Druck, eine Haftreibung eine Bewegung des ersten Körpers parallel zu dem zweiten Körper beschränken. Ein Beispiel für eine
Kraftschlüssige Verbindung kann beispielsweise die
Selbsthemmung einer Schraube in einem komplementär geformten Gewinde sein. Als Selbsthemmung kann dabei ein Widerstand mittels Reibung verstanden werden. In verschiedenen
Ausgestaltungen kann eine kraftschlüssige Verbindung
beispielsweise als eine Schraubverbindung, eine Nietung realisiert sein.
Bei einer stoffschlüssigen Verbindung kann der erste Körper mit dem zweiten Körper mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte verbunden werden. Stoffschlüssige Verbindungen können häufig nicht lösbare Verbindungen sein. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Stoffschlüssige Verbindung
beispielsweise als eine Klebeverbindung, eine Lotverbindung, beispielsweise eines Glaslotes, oder eines Metalotes, eine Schweißverbindung realisiert sein. Ein schlüssiges Fixieren kann beispielsweise als ein
schlüssiges Verbinden eines organischen, optoelektronischen Bauelementes mit einem Halter verstanden werden. Ein Stoffschlüssiges Fixieren kann in verschiedenen
Ausgestaltungen mittels eines schlüssigen Verbindungsmittels, beispielsweise einem Schmelzverbinder, realisiert werden. Die Qualität, d.h. der Grad, des schlüssigen Fixierens kann eine Funktion der Benetzung eines verflüssigten Schmelzverbinders auf dem ersten Körper und/oder dem zweiten Körper sein.
Allgemein ist die Benetzung ein Verhalten von Flüssigkeiten bei Kontakt mit der Oberfläche von Festkörpern. Der Grad des schlüssigen Fixierens kann beispielsweise auch als
Benetzbarkeit bezeichnet werden oder je nach Anwendung auch
Lötbarkeit, Klebbarkeit oder ähnliches. Eine Flüssigkeit kann eine Oberfläche in Abhängigkeit von der stofflichen
Beschaffenheit der Flüssigkeit, beispielsweise der atomaren Wechselwirkungseigenschaften; der stofflichen Beschaffenheit und topografischen Beschaffenheit, beispielsweise der
Rauheit, der benetzten Oberfläche und der
Grenzflächenspannung zwischen benetzter Oberfläche und der Flüssigkeit unterschiedlich stark benetzen. Der Zusammenhang kann mittels der Young' sehen Gleichung über den Kontaktwinkel in Beziehung stehen und diesen damit zum Maß für die
Benetzbarkeit machen. Je größer dabei der Kontaktwinkel ist, desto geringer ist die Benetzbarkeit.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein schlüssiges
Verbindungsmittel, beispielsweise ein Schmelzverbinder, ein
Stoff oder Stoffgemisch zum Stoffschlüssigen Verbinden zweier Körper sein, beispielsweise eines organischen,
optoelektronischen Bauelements mit einem Halter. In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Schmelzverbinder ein Stoff sein, der bei Zimmertemperatur bis ungefähr 80 °C formstabil ist und der zum Verbinden der Körper zunächst verflüssigt und dann wieder verfestigt wird. Dabei kann der Schmelzverbinder bereits vor dem Verflüssigen oder erst im formbaren, beispielsweise flüssigem, Zustand mit den beiden Körpern in Kontakt gebracht werden. In verschiedenen
Ausgestaltungen kann der Schmelzverbinder in einem Konvektionsofen, einem Reflow-Ofen oder mittels lokaler
Erwärmung, beispielsweise mittels einer Laser-Bestrahlung, verflüssigt werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann der Schmelzverbinder einen Kunststoff, beispielsweise ein
Kunstharz, und/oder ein Metall, beispielsweise ein Lot, aufweisen. In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Lot eine Legierung aufweisen. In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Lot einen der folgenden Stoffe aufweisen: Blei, Zinn, Zink, Kupfer, Silber, Aluminium, Silizium und/oder Glas und/oder organische oder anorganische Zusatzstoffe.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein elektrisches
Kontaktieren als ein Ausbilden eines elektrischen Kontaktes zwischen einer elektrischen Verbindungsstruktur und einem Kontaktpad, einer Elektrode und/oder einer elektrischen
Verbindungsschicht verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches die Steuerung, Regelung oder Verstärkung eines elektrischen
Stromes betrifft, beispielsweise mittels Verwendens von
Halbleiterbauelementen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Diode, einen Transistor, einen
Thermogenerator, eine integrierte Schaltung oder ein
Thyristor sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
optoelektronischen Bauelement eine Ausführung eines
elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optisch aktiven Bereich eines optoelektronischen Bauelementes der Bereich eines optoelektronischen Bauelementes verstanden werden, der elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden kann oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich
elektromagnetische Strahlung emittieren kann.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Ein optoelektronisches Bauelement dessen optisch aktiver Bereich zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann beispielsweise transparent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente organische Leuchtdiode. Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top- Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist.
Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes,
optoelektronisches Bauelement kann in verschiedenen
Ausgestaltungen beispielsweise ein elektromagnetische
Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich,
UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein,
beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein organisches
optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , eine organische Photovoltaikanlage, beispielsweise eine organische Solarzelle; im organischen funktionellen Schichtensystem einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom oder zum
Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer
bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist .
Im Rahmen dieser Beschreibung können unter einem schädlichen Umwelteinfluss alle Einflüsse verstanden werden, die
beispielsweise potentiell zu einem Degradieren, Vernetzen, und/oder Kristallisieren des organischen Stoffs oder des organischen Stoffgemisches führen können und damit
beispielsweise die Betriebsdauer organischer Bauelemente begrenzen können.
Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise ein für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädlicher Stoff sein, beispielsweise Sauerstoff und/oder beispielsweise einem Lösungsmittel, beispielsweise Wasser.
Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise eine für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädliche Umgebung sein, beispielsweise eine Änderung über oder unter einen kritischen Wert, beispielsweise der Temperatur und/oder eine Änderung des Umgebungsdruckes. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein organisches, optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das organische, optoelektronische Bauelement aufweisend: wenigstens ein
Kontaktpad mit einem ersten elektrischen Kontakt-Bereich und einem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich; wobei der erste elektrische Kontakt-Bereich und der zweite elektrische
Kontakt-Bereich elektrisch mit dem Kontaktpad verbunden sind; und wobei der zweite elektrische Kontakt-Bereich derart eingerichtet ist, dass er eine höhere Adhäsion hinsichtlich einer stoffschlüssigen elektrischen Verbindung des
Kontaktpads aufweist als der erste elektrische Kontakt- Bereich .
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der erste elektrische Kontakt-Bereich zu einem kraftschlüssigen und/oder formschlüssigen, elektrischen Kontaktieren des Kontaktpads eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der zweite elektrische Kontakt-Bereich zu einem schlüssigen, elektrischen Kontaktieren des Kontaktpads eingerichtet sein, beispielsweise einem stoffschlüssigen, kraftschlüssigen und/oder formschlüssigen elektrischen
Kontaktieren .
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der erste elektrische Kontakt-Bereich neben dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der erste elektrische Kontakt-Bereich den zweiten elektrischen Kontakt-Bereich wenigstens teilweise lateral umgeben, beispielsweise ringförmig oder flächig. In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes kann der zweite elektrische Kontakt-Bereich eine größere Schichtdicke als der erste elektrische Kontakt- Bereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der zweite elektrische Kontakt-Bereich erhaben sein bezüglich des ersten elektrischen Kontakt- Bereiches, wobei ein Erhaben als ein topografisches Erhaben verstanden werden kann. In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes kann der zweite elektrische Kontakt-Bereich als freiliegende Schicht eine Haftvermittlerschicht aufweisen. Die Haftvermittlerschicht kann derart ausgebildet sein, dass die Adhäsion zwischen einem stoffschlüssigen
Verbindungsmittel und der Schicht, auf oder über der die Haftvermittlerschicht ausgebildet ist, erhöht wird,
beispielsweise indem die Adhäsionsarbeit des stoffschlüssigen Verbindungsmittels beim Benetzten reduziert wird, wodurch der Grad der Benetzung erhöht wird.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann die Haftvermittlerschicht elektrisch leitfähig ausgebildet sein. Die Haftvermittlerschicht kann daher auch als eine zweite elektrisch leitfähige Schicht bezeichnet werden.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann die zweite Schichtenstruktur derart
ausgebildet sein, dass die Haftvermittlerschicht mit dem Kontaktpad elektrisch verbunden ist, beispielsweise
stoffschlüssig verbunden.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der zweite elektrische Kontakt-Bereich eine größere oder kleinere Oberflächenrauheit aufweisen als der erste elektrische Kontakt-Bereich derart, dass der zweite elektrische Kontakt-Bereich eine größere Kontaktfläche aufweist als der erste elektrische Kontakt-Bereich
hinsichtlich der stoffschlüssigen Verbindung.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann die Haftvermittlerschicht einen der
folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Gold, Silber, Kupfer, Platin, Palladium, Nickel, Aluminium.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der erste elektrische Kontakt-Bereich als freiliegende Schicht eine elektrisch leitfähige Schicht aufweisen, beispielsweise Chrom oder Aluminium aufweisen oder daraus gebildet sein. Eine freiliegende Schicht kann auch exponierte Schicht oder exponierte Oberfläche einer
Schichtenstruktur bezeichnet bzw. verstanden werden.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der erste elektrische Kontakt-Bereich als freiliegende Schicht eine dielektrische Schicht aufweisen, beispielsweise eine Barrieredünnschicht.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der erste elektrische Kontakt-Bereich und der zweite elektrische Kontakt-Bereich auf oder über einem gemeinsamen, elektrisch leitfähigen Substrat ausgebildet sind .
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes kann wenigstens ein Teil der
Haftvermittlerschicht der zweiten Schichtstruktur auf oder über der dielektrischen Schicht ausgebildet sein.
Beispielsweise kann der zweite Kontakt-Bereich von dem ersten
Kontaktbereich lateral umgeben werden, beispielsweise in Form einer strukturierten dielektrischen Schicht, wobei im zweiten elektrischen Kontakt-Bereich keine dielektrische Schicht ausgebildet ist und die Haftvermittlerschicht des zweiten Kontakt-Bereiches die strukturierte dielektrische Schicht überfüllt .
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der Teil der Haftvermittlerschicht auf oder über der dielektrischen Schicht stoffschlüssig und/oder elektrisch mit dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich verbunden sein.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann die Haftvermittlerschicht stoffschlüssig mit der dielektrischen Schicht verbunden sein derart, dass der körperliche Kontakt des ersten elektrischen Kontakt- Bereiches mit dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich wenigstens teilweise hermetisch abgedichtet ist bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff, beispielsweise indem die Haftvermittlerschicht stoffschlüssig mit der
dielektrischen Schicht verbunden ist.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann die zweite Schichtenstruktur die
Haftvermittlerschicht und wenigstens teilweise die erste Schichtenstruktur aufweisen, beispielsweise kann die zweite Schichtenstruktur als Haftvermittlerschicht auf oder über der ersten Schichtenstruktur ausgebildet sein und/oder
beispielswiese kann die Haftvermittlerschicht auf oder über einem freigelegten, elektrisch leitfähigen Bereich der ersten Schichtenstruktur ausgebildet sein. Der Teil der ersten
Schichtenstruktur als Teil der zweiten Schichtenstruktur sollte im Strompfad der zweiten Schichtenstruktur keine dielektrische Schicht aufweisen.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der zweite elektrische Kontakt-Bereich zu einem räumlichen Begrenzen des stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktierens des Kontaktpads eingerichtet sein,
beispielsweise als Lötstopp. In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann das organische, optoelektronische
Bauelement ferner einen optisch aktiven Bereich und einen optisch inaktiven Bereich aufweisen. Der optisch inaktive
Bereich kann beispielsweise flächig neben dem optisch aktiven Bereich ausgebildet sein, beispielsweise den optisch aktiven Bereich flächig, lateral wenigstens teilweise umgeben. In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes kann der optisch aktive Bereich einen elektrisch aktiven Bereich aufweisen, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur und wenigstens eine Elektrode. In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen
Bauelementes kann das Kontaktpad wenigstens teilweise in dem optisch inaktiven Bereich ausgebildet sein, beispielsweise wesentlich oder vollständig, beispielsweise kann ein Teil einer Elektrode des elektrisch aktiven Bereiches oder einer Verbindungsschicht, welche mit einer Elektrode des elektrisch aktiven Bereiches elektrisch verbunden ist, als Kontaktpad eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich derart ausgebildet sind, dass das Kontaktpad mit dem elektrisch aktiven Bereich elektrisch verbunden ist, beispielsweise indem das Kontaktpad mit der wenigstens einen Elektrode elektrisch verbunden ist.
In einer Ausgestaltung des organischen, optoelektronischen Bauelementes kann das organische, optoelektronische
Bauelement als eine organische Solarzelle oder eine
organische Leuchtdiode ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bereitstellen eines Kontaktpads, das einen ersten elektrischen Kontakt-Bereich und einen zweiten elektrischen Kontakt-Bereich aufweist;
Erhöhen der Adhäsion des zweiten elektrischen Kontakt- Bereiches verglichen mit dem ersten elektrischen Kontakt- Bereich hinsichtlich einer stoffschlüssigen elektrischen Verbindung einer Verbindungsstruktur mit dem Kontaktpad.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
elektrische Kontakt-Bereich neben dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite
elektrische Kontakt-Bereich derart ausgebildet werden, dass der erste elektrische Kontakt-Bereich den zweiten
elektrischen Kontakt-Bereich wenigstens teilweise lateral umgibt, beispielsweise ringförmig oder flächig.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
elektrische Kontakt-Bereich und der zweite elektrische
Kontakt-Bereich auf oder über einem gemeinsamen, elektrisch leitfähigen Substrat ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite
elektrische Kontakt-Bereich mit einer größeren Schichtdicke ausgebildet werden als der erste elektrische Kontakt-Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite
elektrische Kontakt-Bereich erhaben ausgebildet werden bezüglich des ersten elektrischen Kontakt-Bereiches,
beispielsweise topografisch erhaben.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann im zweiten
elektrischen Kontakt-Bereich eine Haftvermittlerschicht als freiliegende Schicht ausgebildet werden. Die
Haftvermittlerschicht kann derart ausgebildet werden, dass die Adhäsion zwischen einem stoffschlüssigen Verbindungsmittel und der Schicht, auf oder über der die Haftvermittlerschicht ausgebildet ist, erhöht wird,
beispielsweise indem die Adhäsionsarbeit des stoffschlüssigen Verbindungsmittels beim Benetzten reduziert wird, wodurch der Grad der Benetzung erhöht wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Haftvermittlerschicht elektrisch leitfähig ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite
Schichtenstruktur derart ausgebildet werden, dass die
Haftvermittlerschicht mit dem Kontaktpad elektrisch verbunden ist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite
Kontakt-Bereich eine größere oder kleinere Oberflächenrauheit aufweisen als der erste elektrische Kontakt-Bereich derart, dass der zweite Kontakt-Bereich eine größere Kontaktfläche aufweist als der erste Kontakt-Bereich hinsichtlich der stoffschlüssigen Verbindung.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Haftvermittlerschicht einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: Gold, Silber, Kupfer, Platin, Palladium, Nickel, Aluminium.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
elektrische Kontakt-Bereich derart ausgebildet werden, dass die freiliegende Schicht der ersten Schichtenstruktur als eine elektrisch leitfähige Schicht ausgebildet wird,
beispielsweise Chrom oder Aluminium aufweist oder daraus gebildet wird. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Schichtenstruktur derart ausgebildet werden, dass die
freiliegende Schicht der ersten Schichtenstruktur als eine dielektrische Schicht ausgebildet wird, beispielsweise eine Barrieredünnschicht .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein Teil der Haftvermittlerschicht der zweiten Schichtstruktur auf oder über der dielektrischen Schicht ausgebildet werden, beispielsweise indem der erste elektrische Kontakt-Bereich als eine strukturierte dielektrische Schicht den zweiten elektrischen Kontakt-Bereich umgibt und die
Haftvermittlerschicht derart ausgebildet wird, dass die
Haftvermittlerschicht die strukturierte dielektrische Schicht überfüllt .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Teil der
Haftvermittlerschicht auf oder über der dielektrischen
Schicht stoffschlüssig und/oder elektrisch mit dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich verbunden werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Haftvermittlerschicht stoffschlüssig mit der dielektrischen
Schicht verbunden werden derart, dass der körperliche Kontakt des ersten elektrischen Kontakt-Bereiches mit dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich wenigstens teilweise hermetisch abgedichtet ist bezüglich wenigstens Wasser und/oder
Sauerstoff.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden des zweiten elektrischen Kontakt-Bereiches ein Ausbilden der Haftvermittlerschicht auf oder über wenigstens dem
gemeinsamen Substrat des ersten elektrischen Kontakt- Bereiches eingerichtet sein. Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann der zweite Kontakt-Bereich bis auf die Haftvermittlerschicht die gleichen oder weniger Schichten aufweisen als der erste elektrische Kontakt-Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden des zweiten elektrischen Kontakt-Bereiches vor dem Ausbilden der Haftvermittlerschicht ein Freilegen einer elektrisch
leitfähigen Schicht des ersten elektrischen Kontakt-Bereiches aufweisen, wobei die freigelegte Schicht mit dem Kontaktpad elektrisch verbunden ist. Mit anderen Worten: vor dem
Ausbilden der Haftvermittlerschicht und/oder das Ausbilden des zweiten elektrischen Kontakt-Bereiches kann ein
strukturieren des ersten elektrischen Kontakt-Bereiches aufweisen, beispielsweise ein teilweises Entfernen der dielektrischen Schicht sodass der zweite elektrische Kontakt- Bereich frei von der dielektrischen Schicht ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite
elektrische Kontakt-Bereich zu einem räumlichen Begrenzen des stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktierens des Kontaktpads eingerichtet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden eines optisch aktiven Bereiches und eines optisch inaktiven Bereiches aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden des optisch aktiven Bereiches ein Ausbilden eines elektrisch aktiven Bereiches aufweisen, beispielsweise ein Ausbilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur und
wenigstens einer Elektrode.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Kontaktpad in dem optisch inaktiven Bereich ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich derart ausgebildet werden, dass das Kontaktpad mit dem elektrisch aktiven
Bereich elektrisch verbunden ist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das organische, optoelektronische Bauelement als eine organische Solarzelle oder eine organische Leuchtdiode ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren einer
elektrischen Verbindungsstruktur mit einem Kontaktpad eines organischen, optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bereitstellen eines Kontaktpads, das einen ersten elektrischen Kontakt-Bereich und einen zweiten elektrischen Kontakt-Bereich aufweist; Erhöhen der Adhäsion des zweiten elektrischen Kontakt-Bereiches
verglichen mit dem ersten elektrischen Kontakt-Bereich hinsichtlich einer stoffschlüssigen, elektrischen Verbindung einer Verbindungsstruktur mit dem Kontaktpad; Ausbilden eines körperlich und/oder eines elektrischen Kontaktes der
elektrischen Verbindungsstruktur mit dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich; Ausbilden einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen der elektrischen Verbindungsstruktur und dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann das Ausbilden der
stoffschlüssigen Verbindung aufweisen: Aufbringen eines stoffschlüssigen Verbindungsmittels auf oder über den zweiten elektrischen Kontakt-Bereich und/oder der elektrischen
Verbindungsstruktur; Verflüssigen des stoffschlüssigen
Verbindungsmittels und Verfestigen des stoffschlüssigen
Verbindungsmittels .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann das Aufbringen des
stoffschlüssigen Verbindungsmittels vor dem Ausbilden des körperlichen und/oder elektrischen Kontaktes ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren können/kann das stoffschlüssige
Verbindungsmittel und/oder das Kontaktpad derart eingerichtet sein, dass der erste Kontakt-Bereich frei von
Stoffschlüssigem Verbindungsmittel ist. Mit anderen Worten: das verflüssigte Stoffschlüssige Verbindungsmittel kann nur den zweiten elektrischen Kontakt-Bereich und die elektrische Verbindungsstruktur benetzt.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann das Stoffschlüssige
Verbindungsmittel elektrisch leitfähig eingerichtet sein, beispielsweise als ein metallisches Lot oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann das stoffschlüssige
Verbindungsmittel elektrisch isolierend eingerichtet sein, beispielsweise als ein Glaslot oder ein Klebstoff.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann das stoffschlüssige
Verbindungsmittel eine Matrix mit wenigstens einer Art
Haftvermittler-Zusatz aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann der Haftvermittler-Zusatz partikelförmig in der Matrix verteilt sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann der Haftvermittler-Zusatz einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Platin, Palladium,
Aluminium .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann das Verflüssigen ein Ausbilden eines elektrischen Stromflusses durch die elektrische
Verbindung aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann der elektrische Strompfad derart eingerichtet werden, dass der Strompfad durch das Kontaktpad geschlossen wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann der elektrische Strom derart eingerichtet sein, dass dielektrische Schichten im Strompfad der elektrischen Verbindung durchschlagen werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren kann das Verflüssigen des
stoffschlüssigen Verbindungsmittels ein Bestrahlen des stoffschlüssigen Verbindungsmittels mit elektromagnetischer Strahlung aufweisen, beispielsweise ein Laser-Bestrahlen .
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 2 eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figur 3 eine schematische Draufsicht auf die Rückseite eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 4 ein Diagramm zu einem Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelementes, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen; Figuren 5a-f schematische Querschnittsansichten eines
optoelektronischen Bauelementes im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;
Figuren 6a-d schematische Querschnittsansichten eines
optoelektronischen Bauelementes im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;
Figur 7 eine schematische Darstellung einer
elektrischen Schaltung eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; und
Figuren 8a-c schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen
Bauelementes .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig.l zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen . Das optoelektronische Bauelement 100, beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung bereitstellendes elektronisches Bauelement 100, beispielsweise ein lichtemittierendes
Bauelement 100, beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode 100 kann ein Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweisen.
Der Träger 102 kann ein Metall oder eine Metallverbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches.
Ein Träger 102 aufweisend ein Metall oder eine
Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein.
Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen .
Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm.
Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des
lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110, eine zweite Elektrode 114 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden. So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 102) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO,
Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2ln20s oder
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 110 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 110 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren
kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff- Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 110 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein. Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des
lichtemittierenden Bauelements 100 eine organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder
ausgebildet wird.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120). In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 116) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 118, einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht 120 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 120 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 120 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann dir Elektronentransportschicht 116 auf oder über der Emitterschicht 118 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 120 und
Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en) 116) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen
Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112
beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 ym. Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 116 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 114
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110, wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder
mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100) ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. Die zweite Elektrode 114 kann eine zweite elektrische
Verbindungsstruktur aufweisen, an den ein zweites
elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die
Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108, beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barrierendünnschicht" 108 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendünnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung . Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht
108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Die Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium¬ dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas, beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der Barrieredünnschicht 108 aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ein Klebstoff und/oder ein
Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126, eine Metallfolienabdeckung 126, eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 126) auf der Barrierendünnschicht 108 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch
transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 ym aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20a)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 ym, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 ym, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 108 aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 108,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 108) in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein.
Fig.2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
In der schematischen Querschnittsansicht in Fig.2 ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelementes gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l dargestellt - gekennzeichnet mittels des Ausschnittes 100 in der Querschnittsansicht 200.
Dargestellt sind: Eine erste Elektrode 110, die auf oder über einem Träger 102 ausgebildet ist. Auf oder über der ersten Elektrode 110 ist eine organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 ausgebildet. Über oder auf der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 ist eine zweite Elektrode 114 ausgebildet. Die zweite Elektrode 114 ist mittels einer elektrischen Isolierung 204 von der ersten Elektrode 110 elektrisch isoliert. Die zweite Elektrode 114 kann mit einer elektrischen Verbindungsschicht 202 körperlich und elektrisch verbunden sein. Die elektrische
Verbindungsschicht 202 kann im geometrischen Randbereich des Trägers 102 auf oder über dem Träger 102 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der ersten Elektrode 110. Die elektrische Verbindungsschicht 202 ist mittels einer weiteren elektrischen Isolierung 204 elektrisch von der ersten
Elektrode 110 isoliert. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 ist eine Barrierendünnschicht 108 angeordnet derart, dass die zweite Elektrode 114, die elektrischen Isolierungen 204 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 von der Barrierendünnschicht 108 umgeben sind, das heißt in
Verbindung von Barrierendünnschicht 108 mit dem Träger 102 eingeschlossen sind. Die Barrierendünnschicht 108 kann die eingeschlossenen Schichten hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichten. Auf oder über der
Barrierendünnschicht 108 ist eine KlebstoffSchicht 124 angeordnet derart, dass die KlebstoffSchicht 124 die
Barrierendünnschicht 108 flächig und hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet. Auf oder über der KlebstoffSchicht 124 ist eine Abdeckung 126 angeordnet. Die Abdeckung beispielsweise auf die Barrierendünnschicht 108 mit einem Klebstoff 124 aufgeklebt sein, beispielsweise
auflaminiert sein.
Ungefähr der Bereich des optoelektronischen Bauelementes 100 mit organischer funktioneller Schichtenstruktur 112 auf oder über dem Träger 102 kann als optisch aktiver Bereich 212 bezeichnet werden. Ungefähr der Bereich des
optoelektronischen Bauelementes 100 ohne organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 auf oder über dem Träger 102 kann als optisch inaktiver Bereich 214 bezeichnet werden. Der optisch inaktive Bereich 214 kann beispielsweise flächig neben dem optisch aktiven Bereich 212 angeordnet sein. Ein optoelektronisches Bauelement 100, welches wenigstens transluzent, beispielsweise transparent, ausgebildet ist, beispielsweise einen wenigsten transluzenten Träger 102, wenigstens transluzente Elektroden 110, 114, ein wenigstens transluzentes , organisches funktionelles Schichtensystem und eine wenigstens transluzente Barrierendünnschicht 108
aufweist, kann beispielsweise zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweisen - in der schematischen Querschnittsansicht die Oberseite und die Unterseite des optoelektronischen
Bauelementes 100.
Der optisch aktive Bereich 212 eines optoelektronischen
Bauelementes 100 kann jedoch auch nur eine optisch aktive Seite und eine optisch inaktive Seite aufweisen,
beispielsweise bei einem optoelektronischen Bauelement 100, das als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist, beispielsweise indem die zweite Elektrode 100 oder die
Barrierendünnschicht 108 reflektierend für bereitgestellte elektromagnetische Strahlung ausgebildet wird.
Der Träger 102, die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114, die Barrierendünnschicht 108, die KlebstoffSchicht 124 und die Abdeckung 126 können beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l eingerichtet sein.
Die elektrische Isolierungen 204 sind derart eingerichtet, dass ein Stromfluss zwischen zwei elektrisch leitfähigen Bereichen, beispielsweise zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 verhindert wird. Der Stoff oder das Stoffgemisch der elektrischen Isolierung kann
beispielsweise ein Überzug oder ein Beschichtungsmittel, beispielsweise ein Polymer und/oder ein Lack sein. Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in pulverförmiger Form aufbringbaren Beschichtungsstoff aufweisen,
beispielsweise ein Polyimid aufweisen oder daraus gebildet sein. Die elektrischen Isolierungen 204 können beispielsweise mittels eines Druckverfahrens aufgebracht oder ausgebildet werden und beispielsweise lithografisch strukturiert werden. Das Druckverfahren kann beispielsweise einen Tintenstrahl- Druck ( Inkj et-Printing) , einen Siebdruck und/oder ein
Tampondruck ( Pad-Printing) aufweisen.
Die elektrische Verbindungsschicht 202 kann als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der Elektroden 110, 114 gemäß einer der Ausgestaltungen der
Beschreibungen der Fig.l aufweisen oder daraus gebildet sein.
Der optisch inaktive Bereich 214 kann beispielsweise
Kontaktpads 206, 208 zum elektrischen Kontaktieren der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 aufweisen. Mit anderen Worten: Im geometrischen Randbereich kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet sein, dass Kontaktpads 206, 208 zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sind,
beispielsweise indem elektrisch leitfähige Schichten,
beispielsweise elektrische Verbindungsschichten 202,
Elektroden 110, 114 oder ähnliches im Bereich der Kontaktpads 206, 208 wenigstens teilweise freiliegen (nicht dargestellt). Ein Kontaktpad 206, 208 kann elektrisch und/oder körperlich verbunden sein mit einer Elektrode 110, 114, beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht 202. Ein Kontaktpad 206, 208 kann jedoch auch als ein Bereich einer Elektrode 110, 114 oder einer Verbindungsschicht 202 eingerichtet sein.
Die Kontaktpads 206, 208 können als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der zweiten
Elektrode 114 gemäß einer der Ausgestaltungen der
Beschreibungen der Fig.l aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise als eine Metallschichtenstruktur mit
wenigstens einer Chrom-Schicht und wenigstens einer Aluminium-Schicht, beispielsweise Chrom-Aluminium-Chrom (Cr- Al-Cr) .
Fig.3 zeigt eine schematische Draufsicht auf die Rückseite eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
In Fig.3 ist zur Veranschaulichung schematisch eine
Draufsicht auf die Rückseite eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 100 mit elektrischen
Kontaktpads 206, 208, 302, 304 der Fig.l und Fig.2
dargestellt. Die Kontaktpads 206, 208, 302, 304 umgeben ungefähr eine Schichtenstruktur der schematischen
Querschnittsansicht 100 - die flächige Abmessung der
elektrischen Isolierungen 204 und die Differenz der Fläche aus optisch inaktivem Bereich 214 und Kontaktpads 206, 208, 302, 304 ist in dieser Ansicht 300 nicht dargestellt.
Die geometrische Ausgestaltung des in Fig.3 dargestellten optoelektronischen Bauelementes 100, die geometrisch Form und die Positionen der elektrischen Kontaktpads 206, 208, 302, 304 ist als ein Ausführungsbeispiel zu verstehen. Andere geometrische Formen und mehr oder weniger Kontaktpads können ausgebildet sein, beispielsweise 1 Kontaktpad, 2 Kontaktpads, 3 Kontaktpads, 5 Kontaktpads, 6 Kontaktpads oder mehr.
Die Anzahl der Kontaktpads kann abhängig sein von der
flächigen Abmessung des optoelektronischen Bauelementes 100 und dem Anspruch nach der flächigen Homogenität der
emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung.
Weiterhin kann die Anzahl und die Form der Kontaktpads eines optoelektronischen Bauelementes 100 davon abhängig sein wie viele weitere optoelektronischen Bauelemente 100 mit diesem optoelektronischen Bauelementes 100 verbunden werden sollen, beispielsweise verschaltet werden sollen, beispielsweise parallel oder in Reihe. Die Kontaktpads 206, 208, 302, 304 können elektrisch mit den Elektroden 110, 114 des organischen Bauelementes 100
verbunden sein, wie in Fig.2 dargestellt.
Die Kontaktpads 206, 208, 302, 304 können das
optoelektronische Bauelement teilweise oder ganz umgeben, beispielsweise seitlich, beispielsweise ringförmig im optisch inaktiven Bereich; und/oder mehrlagig sein. In einem
Ausführungsbeispiel kann ein Kontaktpad auf der Oberseite des Kontaktpads eine elektrische Verbindungsschicht aufweisen, die mit einer anderen Elektrode verbunden ist, als eine elektrische Verbindungsschicht auf der Unterseite des
Kontaktpads .
In einem Ausführungsbeispiel kann wenigstens eines der
Kontaktpads 206, 208, 302, 304, beispielsweise das Kontaktpad 206, kann eine andere Polarität bzw. Polung aufweisen als die anderen Kontaktpads, beispielsweise 208, 302, 304. Als
Polarität bzw. Polung können dabei unterschiedliche
Austrittspunkte bzw. Eintrittspunkte von Ladungsträgern einer Stromquelle verstanden werden.
Fig.4 zeigt ein Diagramm zu einem Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen .
Das Verfahren 400 kann ein Ausbilden 402 eines ersten
elektrischen Kontakt-Bereiches und eines zweiten elektrischen Kontakt-Bereiches auf oder über einem Kontaktpad aufweisen.
Das Ausbilden 402 eines ersten elektrischen Kontakt-Bereiches und eines zweiten elektrischen Kontakt-Bereiches kann ein Entfernen und/oder ein Ausbilden eines Stoffs oder eines Stoffgemisches auf oder über einem Kontaktpad aufweisen. Das Verfahren 400 kann ein Ausbilden 404 eines körperlichen und/oder elektrischen Kontaktes einer elektrischen
Verbindungsstruktur mit dem zweiten elektrischen Kontakt- Bereich aufweisen.
Das Ausbilden 404 des körperlichen und/oder elektrischen Kontaktes kann beispielsweise als ein Annähern einer
elektrischen Verbindungsstruktur an ein Kontaktpad
eingerichtet sein. Ein stoffschlüssiges Verbindungsmittel kann dabei bereits auf oder über dem zweiten elektrischen
Kontakt-Bereich und/oder der elektrischen Verbindungsstruktur ausgebildet sein. Das schlüssige Verbindungsmittel kann beispielsweise als ein Schmelzverbinder ausgebildet sein und während des Annäherns in einem formstabilen Zustand sein.
Das Verfahren 400 kann ein Ausbilden 406 einer
stoffschlüssigen, elektrischen Verbindung nur zwischen der elektrischen Verbindungsstruktur und dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich aufweisen.
Das Ausbilden 406 einer stoffschlüssigen, elektrischen
Verbindung nur zwischen der elektrischen Verbindungsstruktur und dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich kann
beispielsweise ein Verflüssigen oder Erweichen eines
stoffschlüssigen Verbindungsmittels aufweisen.
In einem Ausführungsbeispiels kann das Verflüssigen des schlüssigen Verbindungsmittels mittels eines elektrischen Stromes ausgebildet sein, beispielsweise in dem das
Kontaktpad derart elektrisch kontaktiert wird, dass ein elektrischer Strom nur durch das Kontaktpad fließt.
In einem Ausführungsbeispiel kann das schlüssige
Verbindungsmittel von außen erwärmt werden, beispielsweise mittels eines Lasers oder eines Lötkolbens aufgeschmolzen werden . In einem Ausführungsbeispiel kann das schlüssige Verbindungsmittel nach dem Ausbilden des körperlichen
Kontaktes, beispielsweise eines formschlüssigen und/oder kraftschlüssigen Kontaktes, der elektrischen
Verbindungsstruktur mit dem zweiten elektrischen Kontakt- Bereich ausgebildet werden. Das schlüssige Verbindungsmittel kann beispielsweise auf die formschlüssige und/oder
kraftschlüssige Verbindung aufgebracht werden, beispielsweise aufgesprüht werden oder umgössen werden.
Fig.5a-f zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen .
Fig.5a zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Bereiches eines Kontaktpads 206, 208, 302, 304 eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen, in dem eine elektrische Verbindung ausgebildet werden soll.
Der Bereich kann eine dielektrische Schicht 502 auf oder über einer elektrisch leitfähigen Schicht 504 aufweisen. Die dielektrische Schicht 502 kann allgemein eine
dielektrische Schicht sein oder beispielsweise ähnlich der Barrierendünnschicht 108 einer der Ausgestaltungen der
Beschreibungen der Fig. 1 oder Fig. 2 eingerichtet sein. Die elektrisch leitfähige Schicht 504 kann allgemein eine elektrisch leitfähige Schicht sein oder beispielsweise ähnlich der Elektrode 110, 114 oder Verbindungsschicht 202 einer der Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig. 1 oder Fig. 2 eingerichtet sein. Die elektrisch leitfähige Schicht 504 kann selbsttragend ausgebildet sein oder auf einem Träger 102 (nicht
dargestellt) ausgebildet sein. Fig.5b zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Kontaktpads eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
In Fig.5b sind freigelegte Bereiche 506, 508 in der
dielektrischen Schicht 502 dargestellt.
Ein freigelegter Bereich 506, 508 kann mittels eines
Entfernens eines Teils oder eines Bereiches der
dielektrischen Schicht 502 auf oder über der elektrisch leitfähigen Schicht 504 ausgebildet werden derart, dass die freiliegende Oberfläche des Schichtensystems aus elektrisch leitfähiger Schicht 504 und dielektrischer Schicht 502 in einem freigelegten Bereich 506, 508 die elektrisch leitfähige Schicht 502 aufweist.
Die freigelegten Bereiche 506, 508 können nach dem Ausbilden des optoelektronischen Bauelementes 100 mit einem
mechanischen Prozess oder einem ballistischen Prozess ausgebildet werden.
Ein mechanisches Freilegen der freizulegenden Bereiche 506, 508 kann beispielsweise mit einem Glasfaser-Pinsel realisiert werden . Ein ballistisches Freilegen der freizulegenden Bereiche 506, 508 kann beispielsweise mittels Beschuss eines freizulegenden Bereiches mit Partikeln, Molekülen, Atomen, Ionen, Elektronen und oder Photonen realisiert werden. Ein Beschuss mit Photonen kann beispielsweise als Laser mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 1700 nm ausgebildet sein, beispielsweise fokussiert mit einem Fokusdurchmesser in einem Bereich von ungefähr 10 ym bis ungefähr 2000 ym, beispielsweise gepulst,
beispielsweise mit einer Pulsdauer im Bereich von ungefähr 100 fs bis ungefähr 0,5 ms, beispielsweise mit einer Leistung von ungefähr 50 mW bis ungefähr 1000 mW, beispielsweise mit
2 2 einer Leistungsdichte von 100 kW/cm bis ungefähr 10 GW/cm und beispielsweise mit einer Repititionsrate in einem Bereich von ungefähr 100 Hz bis ungefähr 1000 Hz ausgebildet werden. Auf einem Kontaktpad können ein oder in einem Abstand 510 voneinander mehrere freigelegte Bereiche 506, 508 ausgebildet werden, wobei der Abstand 510 zwischen den freigelegten
Bereichen und die Position der freigelegten Bereiche auf einem Kontaktpad unterschiedlich bezüglich anderer
Kontaktpads und/oder weiterer freigelegter Bereichen des gleichen Kontaktpads ausgebildet sein können (nicht
dargestellt) .
Der Abstand 510 der freigelegten Bereiche 506, 508 kann in einem Bereich von ungefähr 100 ym bis ungefähr 10 cm, beispielsweise in einem Bereich von 1 mm bis ungefähr 5 cm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 2 cm ausgebildet sein. Die freigelegten Bereiche 506, 508 können eine geometrische Form oder einen Teil einer geometrischen Form aus der Gruppe der geometrischen Körper: Zylinder, Kegel, Kegelstumpf, Kugel, Halbkugel, Würfel, Quader, Pyramide, Pyramidenstumpf, Prisma, oder eines Polyeders aufweisen oder ähneln.
Die leitfähigen Bereiche 504 des Bauelementes können auch an der Oberseite bzw. den Seiten des Bauelementes 200 auf einer optisch inaktiven Seite, beispielsweise des optisch aktiven Bereiches 212, und/oder einem optisch-inaktiven Bereich 214 freigelegt werden, beispielsweise im Bereich der Halterung des Bauelementes. Ein Freilegen von Bereichen 506, 508 kann daher an allen Seiten des Bauelementes und auch an mehreren Seiten gleichzeitig ausgebildet sein.
Ein freigelegter Bereich kann als eine Vertiefung mit einer
2 flächigen Abmessung m einem Bereich von ungefähr 0,01 mm
2
bis ungefähr 1 cm und einer Höhe, die der Dicke der
Verkapselungsschicht 108 entsprechen kann.
Die freigelegten Bereiche 506, 508 können untereinander einen gleichen oder einen unterschiedlichen Querschnitt,
beispielsweise geometrische Form, aufweisen.
Fig.5c zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer elektrischen, stoffschlüssigen Verbindung eines
optoelektronischen Bauelementes mit elektrischen Kontakten vor der Kopplung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
In dem freigelegten Bereich 506, 508 kann eine zweite
elektrisch leitfähige Schicht 514, 516 auf oder über der elektrisch leitfähigen Schicht 504 und/oder der
dielektrischen Schicht 502 ausgebildet werden.
In einem Ausführungsbeispiel kann die zweite elektrisch leitfähige Schicht 514, 516 als eine räumlich begrenzte, dünne Metallisierungsschicht auf den nicht lötbaren
Kontaktpads, d.h. auf der nicht lötbaren elektrisch
leitfähigen Schicht 504, ausgebildet werden. Die aufgebrachte Metallisierungsschicht kann beispielsweise ein lötbares Metall aufweisen, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold,
Aluminium oder einen verklebbaren Stoff.
Die räumliche Begrenzung der aufgebrachten zweiten,
elektrisch leitfähigen Schicht 514, 516 kann beispielsweise ein Verfließen eines Lötzinns als Stoffschlüssiges
Verbindungsmittel verhindern. Mit anderen Worten: eine aufgebrachte Metallisierungsschicht kann einen Lötstopp realisieren, beispielsweise indem ein Kupferpunkt als Metallisierungsschicht ein Lot annimmt und beispielsweise Chrom der elektrisch leitfähigen Schicht 504 und die
dielektrische Schicht 502 nicht. Ein selektives, räumlich begrenztes Ausbilden der zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht 514, 516 kann beispielsweise mittels eines Pulverbeschichtens bei niedrigen Temperaturen (low temperature powder coating) , eines komplexen Plasmas bzw. eines staubigen Plasmas (plasma dust oder dusty plasma) oder eines Aerosol-Strahldruckens (aerosol jet printing) realisiert werden. Dadurch kann lokal eine niedrige
Temperaturbelastung organischer Stoffe und organischer
Stoffgemische realisiert werden, beispielswiese kleiner ungefähr 150 °C, beispielsweise kleiner ungefähr 120 °C, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 °C bis ungefähr 100 °C.
Die zweite elektrisch leitfähige Schicht 514, 516 kann beispielsweise Kupfer, Silber, Nickel, Gold, Platin,
Palladium und/oder Aluminium aufweisen oder daraus gebildet sein .
Die zweite elektrisch leitfähige Schicht 514, 516 kann derart ausgebildet werden, dass die Seitenflächen der dielektrischen Schicht 502 der freigelegten Bereiche 506, 508 hermetisch bezüglich Wasser abgedichtet sind, beispielsweise indem die zweite elektrisch leitfähige Schicht 514, 516 die
dielektrische Schicht 502 wenigstens teilweise umgibt. In einem Ausführungsbeispielen kann ein Ausbilden 402 eines ersten elektrischen Kontakt-Bereiches 526 und eines zweiten elektrischen Kontakt-Bereiches 524 ein Ausbilden der
freigelegten Bereiche 506, 508 und ein Ausbilden der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 514, 516 aufweisen
(dargestellt) . Der Bereich ohne zweite elektrisch leitfähige Schicht 514, 516 kann als erster Kontakt-Bereich 526 und der Bereich mit zweiter, elektrisch leitfähiger Schicht 514, 516 kann als zweiter Kontakt-Bereich 524 verstanden werden.
Fig.5d zeigt eine vorbereitete stoffschlüssige Verbindung mit dem Kontaktpad.
In einem Ausführungsbeispiel kann auf oder über der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 514, 516 ein stoffschlüssiges Verbindungsmittel 518, 520 auf oder über der zweiten
elektrisch leitfähigen Schicht ausgebildet werden.
Das stoffschlüssige Verbindungsmittel 518, 520 kann
elektrisch leitfähig oder elektrisch isolierend ausgebildet sein .
Das stoffschlüssige Verbindungsmittel 518, 520 kann
beispielsweise als ein Klebstoff oder ein Lot ausgebildet sein, d.h. organische und/oder anorganische Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein.
Das stoffschlüssige Verbindungsmittel 518, 520 kann einen formbaren Zustand aufweisen, beispielsweise flüssig oder zähflüssig sein, beispielsweise ein nicht ausgehärtetes
Epoxid, eine Wärmeleitpaste, beispielsweise eine Silber¬ haltige Paste, Lötzinn oder ein anderes flüssiges Metall.
Die dielektrische Schicht 502 kann derart ausgebildet sein, dass die dielektrische Schicht 502 impermeable für den Stoff oder das Stoffgemisch des stoffschlüssigen Verbindungsmittels 518, 520 ausgebildet ist.
Das stoffschlüssige Verbindungsmittel 518, 520 kann derart ausgebildet sein, dass die dielektrische Schicht 502 nicht von dem stoffschlüssige Verbindungsmittel 518, 520 benetzt wird . Das Verhindern eines Benetzens der dielektrischen Schicht 502 mittels des Stoffschlüssigen Verbindungsmittels 518, 520 kann mittels eines Anpassens der Oberflächenspannung des Stoffs oder des Stoffgemisches der dielektrischen Schicht 502, der Oberflächenspannung des Stoffs oder des Stoffgemisches des Stoffschlüssigen Verbindungsmittels 518, 520 und/oder der Rauheit der dielektrischen Schicht 502 realisiert werden. Ein Anpassen der Oberflächenspannung des Stoffs oder des Stoffgemisches der dielektrischen Schicht 502 kann
beispielweise ein Funktionalisieren der freiliegenden
Oberfläche der dielektrischen Schicht 502 aufweisen,
beispielsweise ein Silanisieren, Thiolieren, Spülen mit einem Lösungsmittel oder ähnliches.
Fig.5e zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer elektrischen, stoffschlüssigen Verbindung eines
optoelektronischen Bauelementes mit elektrischen Kontakten nach der Kopplung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
In Fig.5e ist eine stoffschlüssige Verbindung dargestellt, nach dem Ausbilden 404 eines körperlichen und/oder
elektrischen Kontaktes einer elektrischen Verbindungsstruktur 512 mit dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich 524 und/oder nach dem Ausbilden 406 einer stoffschlüssigen, elektrischen Verbindung nur zwischen der elektrischen Verbindungsstruktur 512 und dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich 524,
beispielsweise kann das schlüssige Verbindungsmittel 518, 520 einen formbaren oder formstabilen Zustand aufweisen.
Die elektrische Verbindungsstruktur 512 kann beispielsweise als ein Bereich eines Kabels, eines elektro-mechanisch
Konnektors oder einer elektronischen Komponente ausgebildet sein. Um das Ausrichten der elektrischen Anschlüsse 512 zu
vereinfachen kann das kontaktierende Ende der Anschlüsse 512 flach oder spitz zulaufend, beispielsweise konisch oder kugelförmig ausgebildet sein (nicht gezeigt) .
Bei einem elektrisch leitfähigen, stoffschlüssigen
Verbindungsmittel 518, 520 kann mittels des körperlichen Kontaktes einer elektrischen Verbindungsstruktur 512 mit dem stoffschlüssigen Verbindungsmittel 518, 520 eine elektrische Verbindung zwischen der elektrischen Verbindungsstruktur 512 und der zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht 514, 516 ausgebildet werden. Dadurch kann die Abmessung der
elektrischen Verbindungsstruktur 512 kleiner sein als die Abmessung der freigelegten Bereiche 506, 508 und/oder der zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht 514, 516. Dadurch kann die Ausrichtung der elektrischen Verbindungsstruktur 512 bezüglich des zweiten elektrischen Kontakt-Bereiches 524 bzw. der freigelegten Bereiche 506, 508 vereinfacht werden. Bei einem elektrisch nichtleifähigen, stoffschlüssigen
Verbindungsmittel 518, 520 kann eine elektrische Verbindung zwischen einer elektrischen Verbindungsstruktur 512 und dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich 524 mittels eines körperlichen Kontaktes der elektrischen Verbindungsstruktur 512 mit der zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht 514, 516 ausgebildet werden.
Die freiliegende Oberfläche der zweiten, elektrisch
leitfähigen Schicht 514, 516 kann für die elektrischen
Anschlüsse 512 eine ausrichtende Wirkung aufweisen,
beispielsweise während des Annäherns der elektrischen
Verbindungsstruktur 512 an den zweiten elektrischen Kontakt- Bereich 524. Als ausrichtenden Wirkung kann dabei ein Verringern von
Abweichungen der Ausrichtung von der wenigstens teilweise komplementären Form der elektrischen Verbindungsstruktur 512 bezüglich des jeweiligen zweiten elektrischen Kontakt- Bereiches 524 mittels einer lateralen Krafteinwirkung mittels der Form der elektrischen Verbindungsstruktur 512 bzw. der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 514, 516 und/oder dem stoffschlüssigen Verbindungsmittels 518, 520 verstanden werden .
Fig.5f zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer elektrischen, stoffschlüssigen Verbindung eines
optoelektronischen Bauelementes mit elektrischen Kontakten nach der Kopplung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Dargestellt ist eine elektrische, stoffschlüssige Verbindung einer elektrischen Verbindungsstruktur 512 mit einem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich 524 mittels eines
stoffschlüssigen Verbindungsmittels 518, 520.
In einem Ausführungsbeispiel kann die stoffschlüssige
Verbindung mittels eines Verkapselungsmittels 522 verkapselt werden.
Das Verkapselungsmittel 522 kann beispielsweise ähnlich oder gleich der elektrischen Isolierung 204 einer Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.2 eingerichtet sein und/oder
ausgebildet werden.
Das Verkapselungsmittel 522 kann beispielsweise hermetisch dicht sein bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff. Das Verkapselungsmittel 522 kann beispielsweise elektrisch isolierend sein.
Das Verkapselungsmittel 522 kann beispielsweise ähnlich oder gleich der zweiten elektrischen Schicht 514, 516 bei
niedrigen Temperaturen ausgebildet werden. Das Verkapselungsmittel 522 kann beispielsweise ein
Metalloxid, einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen, beispielsweise einen Kunststoff, beispielsweise ein Epoxid, ein Acrylat oder ähnliches.
Fig.6a-d zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen .
Fig.6a zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Bereiches eines Kontaktpads 206, 208, 502, 504 eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen, indem eine elektrische Verbindung ausgebildet werden soll.
Der Bereich kann eine elektrisch leitfähige Schicht 602 aufweisen. Die elektrisch leitfähige Schicht 602 kann allgemein eine elektrisch leitfähige Schicht sein oder beispielsweise ähnlich der Elektrode 110, 114, der
Verbindungsschicht 202 oder der elektrisch leitfähigen
Schicht 504 einer der Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig.l, Fig.2 oder Fig.5 eingerichtet sein. Der elektrisch leitfähige Bereich 602 kann selbsttragend ausgebildet sein oder auf einem Träger 102 (nicht
dargestellt) ausgebildet sein.
Fig.6b zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer elektrischen, stoffschlüssigen Verbindung eines
optoelektronischen Bauelementes mit elektrischen Kontakten vor der Kopplung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Auf oder über der elektrisch leitfähigen Schicht 602 kann eine zweite elektrisch leitfähige Schicht 514 ausgebildet werden, beispielsweise ähnlich einer der Ausgestaltungen der zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht 514 der Beschreibung der Fig.5 ausgebildet sein oder werden.
Die räumliche Begrenzung der aufgebrachten zweiten,
elektrisch leitfähigen Schicht 514 kann beispielsweise ein Verfließen eines Lötzinns als Stoffschlüssiges
Verbindungsmittel verhindern. Mit anderen Worten: eine aufgebrachte Metallisierungsschicht kann einen Lötstopp realisieren, beispielsweise indem ein Kupferpunkt als
Metallisierungsschicht ein Lot annimmt und Chrom der
elektrisch leitfähigen Schicht 504 beispielsweise nicht.
Ein selektives, räumlich begrenztes Ausbilden der zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht 514 kann beispielsweise mittels eines Pulverbeschichtens bei niedrigen Temperaturen (low temperature powder coating) , eines komplexen Plasmas bzw. eines staubigen Plasmas (plasma dust) oder eines
Aerosol-Strahldruckens (aerosol jet printing) realisiert werden. Dadurch kann lokal eine niedrige Temperaturbelastung organischer Stoffe und organischer Stoffgemische realisiert werden, beispielswiese kleiner ungefähr 150 °C,
beispielsweise kleiner ungefähr 120 °C, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 °C bis ungefähr 100 °C. Fig.6c zeigt vorbereitete Stoffschlüssige Verbindungen eines einer elektrischen Verbindungsstruktur mit einem Kontaktpad.
Auf oder über der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 514 (dargestellt in Ansicht 610) und/oder auf oder über der elektrischen Verbindungsstruktur 512 (dargestellt in Ansicht 620) können/kann ein stoffschlüssiges Verbindungsmittel 518 ausgebildet sein oder werden.
Das stoffschlüssige Verbindungsmittel 518 kann beispielsweise ähnlich einer der Ausgestaltungen des stoffschlüssigen
Verbindungsmittels 518, 520 der Beschreibung der Fig.5 ausgebildet sein oder werden. Die elektrische Verbindungsstruktur 512 kann beispielsweise ähnlich einer der Ausgestaltungen der elektrischen
Verbindungsstruktur 512 der Beschreibung der Fig.5
ausgebildet sein oder werden.
Fig.6d zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer elektrischen, stoffschlüssigen Verbindung eines
optoelektronischen Bauelementes mit elektrischen Kontakten nach der Kopplung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
In Fig.6d ist eine Stoffschlüssige Verbindung dargestellt, nach dem Ausbilden 404 eines körperlichen und/oder
elektrischen Kontaktes einer elektrischen Verbindungsstruktur 512 mit dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich 524 und/oder nach dem Ausbilden 406 einer stoffschlüssigen, elektrischen Verbindung nur zwischen der elektrischen Verbindungsstruktur 512 und dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich 524. In einem Ausführungsbeispiel kann die stoffschlüssige
Verbindung mittels eines Verkapselungsmittels verkapselt sein, beispielsweise ähnlich einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.5. Fig.7 zeigt eine schematische Darstellung einer elektrischen Schaltung eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
In Fig.7 ist ein Ausführungsbeispiel zum elektrischen
Kontaktieren eines organischen, optoelektronischen
Bauelementes mit mehreren Kontaktpads gleicher Polarität dargestellt, wobei nicht für jedes elektrische Kontaktpad 206, 208, 502, 304 eine elektrische Verbindung mit einer externen Stromversorgung notwendig ist - angedeutet mittels der elektrischen Anschlüsse 704, 710. Elektrische Kontaktpads 206, 208, 302, 304 gleicher
Polarität, beispielsweise die Kontaktpads 206, 302, und 208, 304; können mittels elektrischer Brücken 706, 708 miteinander elektrisch, stoffschlüssig Verbunden werden, beispielsweise mit herkömmlichen Verdrahtungen mit stoffschlüssiger
Verbindung an der optisch inaktiven Bauelementunterseite (wenn vorhanden) oder optisch inaktiven Randbereichen des Bauelementes . Mittels der zweiten elektrischen Kontakt-Bereiche 524, 702, 712 können definierte Position für die elektrischen Brücken 706, 708 und elektrischen Anschlüsse 704, 710 realisiert werden. Die definierten Positionen können beispielsweise für ein automatisiertes Ausbilden der Brücken 706, 708 verwendet werden und/oder das Parallelschalten der Kontaktpads 206, 302, und 208, 304 vereinfachen, da pro Lötstelle immer nur ein Verdrahtungselement 706, 708, beispielsweise ein Kabel, bearbeitet bzw. gehalten wird. Dies ermöglicht das Verlöten mehrerer Kabel beispielsweise zum Brücken von Kontaktpads ohne bestehende Kabellötungen zu lösen.
Mit mehreren freigelegten Bereichen 506, 508, auf den mit den elektrischen Anschlüssen 704, 710 verbundenen Kontaktpads 302, 304 können mittels der elektrischen Brücken 706, 708 auch mehr als ein Kontaktpad 206, 208 gleicher Polarität mit jeweils einer elektrischen Verbindungsstruktur 704, 710 gleichzeitig bestromt werden.
Anwendungsspezifisch nicht benötigte zweite elektrische
Kontakt-Bereiche 524 können nicht ausgebildet werden, elektrisch isoliert werden, zu einem Testen, zu einem
Ausrichten und/oder zu einem Fixieren des organischen, optoelektronischen Bauelementes verwendet werden. In einem Ausführungsbeispiel kann die Konfiguration der zweiten elektrischen Kontakt-Bereiche 524 auf oder über den Kontaktpads 206, 208, 302, 304 als ein Verpolungsschutz eingerichtet sein derart, dass nur bei übereinstimmender Polung von elektrischen Anschlüssen und elektrischen Kontakt- Bereichen eine elektrische Verbindung ausgebildet werden kann .
Fig.8a-c zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes.
Dargestellt ist ein Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelementes 100 als organische
Leuchtdiode 800 - dargestellt in Fig.8a.
Die organische Leuchtdiode 800 kann beispielsweise eine
2 flächige Abmessung m einem Bereich von ungefähr 50 cm bis
2
ungefähr 100 cm aufweisen.
Die organische Leuchtdiode 800 kann ähnlich einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l, Fig.2 und/oder Fig.3 ausgebildet sein.
In Fig.8b ist eine Vergrößerung eines Kontaktpad 304
dargestellt .
Mittels eines fokussierten Laserstrahls kann ein Teil der Barrierendünnschicht 108 auf oder über einer Elektrode 110, 114 und/oder einer elektrischen Verbindungsschicht 202 entfernt werden, d.h. es kann ein freigelegter Bereich 506 ähnlich einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.5 ausgebildet werden.
Der fokussierte Laserstrahl kann beispielsweise als ein Laser ausgebildet sein, beispielsweise mit einer Wellenlänge von ungefähr 248 nm mit einem Fokusdurchmesser von ungefähr 400 ym mit einer Pulsdauer von ungefähr 15 ns und einer Energie von ungefähr 18 mJ. Die flächige Abmessung und die Form des freigelegten
Bereiches 506, 508 können mittels des Fokussierungsgrades , d.h. dem Durchmesser des Fokuspunktes des Laserstrahls und dessen Konvergenz, und der Leistung der Strahlquelle
eingestellt werden.
Die elektrische Verbindung des Kontaktpads 206 mit der elektrischen Verbindungsstruktur 512, beispielsweise einem elektro-mechanischem Anschluss-Pin 512, kann gemäß Fig.5 als eine elektrische, Stoffschlüssige Verbindung ausgebildet werden .
Dazu kann in dem freigelegten Bereich 506 ein zweiter, elektrischer Kontakt-Bereich 524 ausgebildet werden, der beispielsweise wenigstens teilweise komplementär zu einer elektrischen Verbindungsstruktur 512 geformt sein kann - dargestellt in Fig.8c.
Die selektiv aufgebrachte Metallisierung 514, 516 kann beispielsweise als ein Lötpunkt und Lötstopp für eine elektrische Verbindungsstruktur 512, beispielsweise einen elektro-mechanischen Konnektor 512, verwendet werden. Ein genaues Positionieren (ohne ein Verlaufen des Lötzinns) kann dazu wichtig sein, um die Passgenauigkeit zu einem
komplementären Gegenstück zu ermöglichen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein
organisches, optoelektronisches Bauelement, ein organisches optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes und ein Verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktieren bereitgestellt, mit denen es möglich ist eine Lötbarkeit von Kontaktpads zum elektrischen Kontaktieren der Kontaktpads auszubilden und zusätzlich eine Lötstoppfunktion zu
realisieren. Weiterhin können die wirtschaftlichen, beispielsweise
kostengünstigen, Verfahren zum Herstellen des Trägers des organischen, optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise des Trägers des organischen, optoelektronischen Bauelementes, weiter verwendet werden.
Weiterhin können anwendungsspezifisch mittels eines Backend- Prozesses selektiv Lötpunkte ausgebildet werden,
beispielsweise nach Kundenwunsch, beispielsweise zum
elektrischen Kontaktieren von Kabeln, elektro-mechanisch Konnektoren oder elektronischer Komponenten.
Weiterhin kann ein wirtschaftlicher, beispielsweise
kostengünstiger, und etablierter Lötprozess zum Aufbringen elektronischer Komponenten auch bei nicht-lötbaren
Kontaktpads verwendet werden.
Weiterhin können die selektiv aufgebrachten Metallschichten die Schädigungen einer Verkapselungsschicht auf oder über einem Kontaktpad, die zum elektrischen Kontaktieren von dem Kontaktpad entfernt werden, metallisch und somit elektrisch gut leitend und potentiell hermetisch dicht bezüglich
schädlicher Stoffe, beispielsweise Wasser, abzudichten.

Claims

Patentansprüche
Organisches, optoelektronisches Bauelement ( 100 , 200, 300, 800), aufweisend:
wenigstens ein Kontaktpad (206, 208, 302, 304) mit einem ersten elektrischen Kontakt-Bereich (526) und einem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524);
• wobei der erste elektrische Kontakt-Bereich (526) und der zweite elektrische Kontakt-Bereich (524) elektrisch mit dem Kontaktpad (206, 208, 302, 304) verbunden sind;
• wobei der zweite elektrische Kontakt-Bereich (524) derart eingerichtet ist, dass er eine höhere Adhäsion hinsichtlich eines Stoffschlüssigen Verbindungsmittels mit dem Kontaktpad (206, 208, 302, 304) aufweist als der erste elektrische Kontakt-Bereich (526); und
• wobei das Kontaktpad (206, 208, 302, 304) derart
eingerichtet ist, dass der erste elektrische Kontakt-Bereich (526) frei von stoffschlüssigem Verbindungsmittel ist.
Organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) gemäß Anspruch 1,
wobei der erste elektrische Kontakt-Bereich (526) neben dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524)
ausgebildet ist.
Organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei der zweite elektrische Kontakt-Bereich (524) als freiliegende Schicht eine Haftvermittlerschicht (514, 516) aufweist. 4. Organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) gemäß Anspruch 3, wobei die Haftvermittlerschicht (514, 516) elektrisch leitfähig ausgebildet ist.
Organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei der erste elektrische Kontakt-Bereich (526) als freiliegende Schicht eine dielektrische Schicht (502) aufweist, insbesondere eine Barrieredünnschicht (108)
Organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) gemäß Anspruch 5,
wobei die Haftvermittlerschicht (514, 516)
stoffschlüssig mit der dielektrischen Schicht (502) verbunden ist derart, dass der körperliche Kontakt des ersten elektrischen Kontakt-Bereiches (526) mit dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524) wenigstens teilweise hermetisch abgedichtet ist bezüglich
wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff.
Organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei der zweite elektrische Kontakt-Bereich (524) zu einem räumlichen Begrenzen des stoffschlüssigen, elektrischen Kontaktierens des Kontaktpads (206, 208, 302, 304) eingerichtet ist, insbesondere als ein
Lötstopp .
Organisches, optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 800) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei das organische, optoelektronische Bauelement (100, 200, 300, 800) als eine organische Solarzelle oder eine organische Leuchtdiode (100, 200, 300, 800) ausgebildet ist .
Verfahren (400) zum Herstellen eines organischen, optoelektronischen Bauelementes (100, 200, 300, 8 das Verfahren (400) aufweisend: • Bereitstellen eines Kontaktpads, das einen ersten elektrischen Kontakt-Bereich (526) und einen zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524) aufweist;
• Erhöhen der Adhäsion des zweiten elektrischen
Kontakt-Bereiches (524) verglichen mit dem ersten elektrischen Kontakt-Bereich (526) hinsichtlich eines Stoffschlüssigen Verbindungsmittels mit dem Kontaktpad; und
• wobei das Kontaktpad (206, 208, 302, 304) derart
eingerichtet werden, dass der erste elektrische
Kontakt-Bereich (526) frei von stoffschlüssigem Verbindungsmittel ist.
10. Verfahren (400) gemäß Anspruch 9,
wobei der erste elektrische Kontakt-Bereich und der zweite elektrische Kontakt-Bereich auf oder über einem gemeinsamen, elektrisch leitfähigen Substrat ausgebildet werden . 11. Verfahren (400) gemäß Anspruch einem der Ansprüche 9 oder 10,
wobei im zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524) eine Haftvermittlerschicht (514, 516) als freiliegende
Schicht ausgebildet wird.
12. Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11,
wobei im ersten elektrischen Kontakt-Bereich (526) eine dielektrische Schicht (504) als freiliegende Schicht ausgebildet wird, insbesondere eine Barrieredünnschicht (108) .
13. Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 9 bis 12,
wobei das organische, optoelektronische Bauelement als eine organische Solarzelle oder eine organische
Leuchtdiode (100, 200, 300, 800) ausgebildet wird. Verfahren zum stoffschlüssigen, elektrischen
Kontaktieren einer elektrischen Verbindungsstruktur (512) mit einem Kontaktpad (206, 208, 302, 304) eines organischen, optoelektronischen Bauelementes (100, 200, 300, 800), das Verfahren aufweisend:
• Bereitstellen eines Kontaktpads, das einen ersten elektrischen Kontakt-Bereich (526) und einen zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524) aufweist;
• Erhöhen der Adhäsion des zweiten elektrischen
Kontakt-Bereiches (524) verglichen mit dem ersten elektrischen Kontakt-Bereich (526) hinsichtlich einer stoffschlüssigen, elektrischen Verbindung einer Verbindungsstruktur mit dem Kontaktpad;
• Ausbilden (404) eines körperlich und/oder eines
elektrischen Kontaktes der elektrischen
Verbindungsstruktur (512) mit dem zweiten
elektrischen Kontakt-Bereich (524); und
• Ausbilden (406) einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen der elektrischen Verbindungsstruktur (512) und dem zweiten elektrischen Kontakt-Bereich (524).
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US14/430,575 US20150236294A1 (en) 2012-09-27 2013-09-25 Organic optoelectronic component, method for producing an organic optoelectronic component and method for cohesive electrical contacting

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DE102012109161.7 2012-09-27

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DE (1) DE102012109161B4 (de)
WO (1) WO2014048956A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013111409B4 (de) 2013-10-16 2019-12-05 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US20150351167A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Samsung Sdi Co., Ltd. Encapsulated device having edge seal and methods of making the same
DE102014110473A1 (de) 2014-07-24 2016-01-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für ein elektrisches Bauelement
DE102015117932A1 (de) 2015-10-21 2017-04-27 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements
DE102016101788A1 (de) 2016-02-02 2017-08-03 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0883191A2 (de) * 1997-06-02 1998-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Elektrolumineszente Vorrichtung, elektrolumineszentes Gerät, und deren Herstellungsverfahren
US20020079503A1 (en) * 2000-12-21 2002-06-27 Shunpei Yamazaki Light emitting device and method of manufacturing the same
US20030043316A1 (en) * 2000-11-29 2003-03-06 International Business Machines Corporation Three level stacked reflective display
US20030077848A1 (en) * 2001-10-22 2003-04-24 Won-Seok Ma Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011033393A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Geometry of contact sites at brittle inorganic layers in electronic devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4322189B2 (ja) * 2004-09-02 2009-08-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US7741714B2 (en) 2004-11-02 2010-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Bond pad structure with stress-buffering layer capping interconnection metal layer
DE102010032834B4 (de) * 2010-07-30 2023-05-25 Pictiva Displays International Limited Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
US8283781B2 (en) * 2010-09-10 2012-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having pad structure with stress buffer layer

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0883191A2 (de) * 1997-06-02 1998-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Elektrolumineszente Vorrichtung, elektrolumineszentes Gerät, und deren Herstellungsverfahren
US20030043316A1 (en) * 2000-11-29 2003-03-06 International Business Machines Corporation Three level stacked reflective display
US20020079503A1 (en) * 2000-12-21 2002-06-27 Shunpei Yamazaki Light emitting device and method of manufacturing the same
US20030077848A1 (en) * 2001-10-22 2003-04-24 Won-Seok Ma Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011033393A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Geometry of contact sites at brittle inorganic layers in electronic devices

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