WO2014048944A1 - Optoelektronische bauelementevorrichtung, verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung und ein verfahren zum betreiben einer optoelektronischen bauelementevorrichtung - Google Patents

Optoelektronische bauelementevorrichtung, verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung und ein verfahren zum betreiben einer optoelektronischen bauelementevorrichtung Download PDF

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optoelectronic
mixer
electromagnetic radiation
radiation
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Simon SCHICKTANZ
Philipp SCHWAMB
Daniel Steffen Setz
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • G02B6/0081—Mechanical or electrical aspects of the light guide and light source in the lighting device peculiar to the adaptation to planar light guides, e.g. concerning packaging
    • G02B6/0095—Light guides as housings, housing portions, shelves, doors, tiles, windows, or the like

Definitions

  • Optoelectronic component device a method for producing an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component device provided.
  • Optoelectronic components for example light emitting diodes (LED) or organic light emitting diodes (OLEDs), are becoming increasingly popular and can be used for the illumination of surfaces.
  • a surface can be understood, for example, as a table, a wall or a floor.
  • wavelength conversion Forming electromagnetic radiation of a second wavelength from electromagnetic radiation of a first wavelength is called wavelength conversion.
  • Wavelength conversion is in optoelectronic
  • a blue light turns into a yellow light
  • the color mixture of blue light and yellow light forms white light.
  • White light can be formed, for example, by means of a blue LED and a wavelength converter.
  • the wavelength converter can be
  • Wavelength conversion is often one
  • blue phosphor molecules i.e., phosphor molecules that convert blue light
  • red or green phosphor molecules i.e., red or green phosphor molecules.
  • the wavelength range associated with green light can be any inorganic light-emitting diodes (light emitting diode).
  • LEDs can provide electromagnetic radiation with only a narrow spectrum. Furthermore, LEDs may require a complex cooling. Furthermore, LEDs can be more optical
  • Components such as a mirror and / or a
  • different correlated color temperature for example, set dynamically and / or continuously, for example, to different lighting purposes
  • pixels can provide red green and / or blue light (RGB pixels).
  • RGB pixels red green and / or blue light
  • a color mixture can by means of appropriate
  • Control of the individual, colored pixels are generated.
  • wavelength converters to provide electromagnetic radiation with a concrete one
  • Color valence can lead to a loss of efficiency
  • the quality of light can usually be low
  • Intensity maximum less than about 430 nm.
  • organic layers of an optoelectronic component device sequentially, that is stacked, for example, as
  • Optoelectronic component device a method for producing an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component device provided, with which it is possible to compactly form an optoelectronic device, and the spectrum of a perceptible in the image plane
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all of the abovementioned substances, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • a mixture of substances can be understood to mean components of two or more different substances whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • the energy difference between absorbed electromagnetic radiation and emitted electromagnetic radiation may be in phonons, ie heat, be converted and / or by emission of electromagnetic radiation having a wavelength indirectly proportional to the energy difference.
  • a phosphor can be Ce-doped garnets such as
  • YAG Ce and LuAG, for example, (Y, Lu) 3 (Al, Ga) 5O 2: Ce;
  • Eu doped nitrides for example CaAlSiN3: Eu,
  • Orthosilicates for example (Ba, Sr) 2S104: Eu;
  • Chlorosilicates Chlorosilicates, chlorophosphates, BAM
  • electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or as an electromagnetic
  • electromagnetic radiation emitting diode as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
  • the electromagnetic radiation emitting device for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as electromagnetic radiation emitting transistor or as organic
  • emitting device can be in different
  • Embodiments be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of electromagnetic radiation emitting components may be provided, for example housed in a common housing.
  • an optoelectronic component device which at the same time an inorganic optoelectronic device and an organic
  • Optoelectronic device as a
  • optoelectronic hybrid component can be understood.
  • a hybrid optoelectronic device as a
  • Optoelectronic device which has at least one organic optoelectronic device and at least one inorganic optoelectronic device.
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • a color valence can be a physiological, colored effect of a
  • Color valence can be determined as a color locus (Cx, Cy) in a CIE color standard chart.
  • the spectrum of an electromagnetic radiation can be understood as an embodiment of an intensity distribution of the electromagnetic radiation as a function of the wavelength of the electromagnetic radiation.
  • a different type of two optoelectronic components can be provided if two optoelectronic components differ in at least one optoelectronic property and / or have a different layer cross section.
  • a cluster of optoelectronic components may also be considered as a group
  • Optoelectronic device or a pixel can be understood.
  • the radiation distribution of electromagnetic radiation can be the spatial
  • Distribution of intensity for example one
  • the optoelectronic component device comprising:
  • At least one second optoelectronic component configured for receiving and / or providing electromagnetic radiation; an optical radiation mixer, arranged in the beam path of the first optoelectronic component and the second optoelectronic component, wherein the optical
  • Optoelectronic component device is provided and / or wherein the optical radiation mixer in the
  • Image plane of the optoelectronic component device is arranged and provided electromagnetic
  • the first can be any organic compound.
  • the first can be any organic compound.
  • the at least one, first optoelectronic component can be set up as at least one organic optoelectronic component.
  • the at least one second optoelectronic component can be set up as at least one inorganic optoelectronic component.
  • Optoelectronic component and at least one second optoelectronic component have a different design with respect to further optoelectronic components of the first optoelectronic component and / or the second optoelectronic component.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component device having a first mode of operation and a second mode of operation.
  • the optoelectronic components of the first operating mode In the first operating mode, the optoelectronic components of the first operating mode.
  • Optoelectronic component device provide electromagnetic radiation with a first spectrum and provide in the second mode of operation electromagnetic radiation with a second spectrum. With suitable control of the optoelectronic components, the optoelectronic component device in the first operating mode
  • the optoelectronic component device may have other application-specific,
  • Optoelectronic properties than in the second mode of operation for example, a different efficiency.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • the optical radiation mixer can be set up as a carrier of at least one optoelectronic component, for example the first one
  • the first optoelectronic component and / or the second optoelectronic component can be arranged or formed on or above the optical radiation mixer.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component device further comprise a scattering layer, wherein the at least one scattering layer is arranged on or above the optical radiation mixer in the beam path of the provided in the optoelectronic component device electromagnetic radiation, for example, is applied and / or the optical radiation mixer is arranged scattering.
  • optoelectronic component or arranged at an angle with an amount in a range of about 0 ° to about 90 °.
  • Radiation mixer is mixed before this in the Image plane of the optoelectronic component device is provided.
  • Component have the same or different design.
  • Optoelectronic components of the first optoelectronic component and / or the two or more optoelectronic components of the second optoelectronic component may be arranged in clusters.
  • the clusters may be a regular or irregular array of two or more
  • Optoelectronic components of the first optoelectronic component and / or the two or more optoelectronic components of the second optoelectronic component may be arranged side by side and / or one above the other.
  • Optoelectronic components arranged one above another can be configured, for example, as a stacked optoelectronic component, for example a white OLED having at least two emitter layers and / or as one
  • Optoelectronic component with wavelength converter be configured, for example, as a InGaN diode with phosphor layer.
  • Component for example, an organic optoelectronic device, for example, an OLED, be configured to provide electromagnetic radiation.
  • the second optoelectronic component can be configured as an inorganic light-emitting diode, for example electromagnetic radiation
  • the first optoelectronic component can be configured as an organic light-emitting diode such that the color mixture of the electromagnetic radiation of the first
  • Optoelectronic device is associated with a white light.
  • At least one optical element in one embodiment, at least one optical signal
  • Component be formed or arranged on or above the optical radiation mixer.
  • the optical component may have a scattering layer, a reflector, a converter element and / or an optical lens or be configured as such.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component device at least one litter layer in Beam path of the provided electromagnetic
  • the optical radiation mixer can be designed to be scattering.
  • the litter layer as a
  • the scattering layer can have a matrix in which additives are distributed.
  • the additives may be arranged so that they can scatter electromagnetic radiation, for example particulate additives with another
  • Refractive index as the matrix and a mean diameter in a range of about 100 nm to about 2 ym.
  • the particulate additives can beispielswiese a
  • an alumina, titania, zirconia, silica or the like may for example comprise or be formed from a plastic, for example as a potting material or a film.
  • the matrix as potting material may for example comprise an epoxide, a silicone or a silazane.
  • the matrix as a film may, for example, comprise a polefinefin, a polyacrylate, a polyimide, a polyamide, a polyphthalate or the like.
  • the scattering layer may have a thickness in a range of about 1 ym to about 500 ym
  • Component above or on the optical radiation mixer be formed and / or over or on the optical
  • Optoelectronic component to be formed on or above the optical radiation mixer cohesively.
  • a cohesive arrangement can be formed by gluing the first optoelectronic component on the optical radiation mixer.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component device further comprising a heat sink, wherein the heat sink in a physical and / or
  • Component and / or the second optoelectronic component is set up.
  • the cooling body can be arranged laterally to the first optoelectronic component, for example in physical contact with the second optoelectronic component.
  • the heat sink may be designed for cooling the optoelectronic component device, for example, for warming the first optoelectronic component and / or the second optoelectronic component.
  • Heat dissipation be set up, for example as a heat sink.
  • the heat sink should be set up so that the thermal conductivity, the emissivity, the
  • Heatsink is greater than the thermal conductivity, the emissivity, the convection coefficient and / or surface of the first optoelectronic component and / or the second optoelectronic component.
  • Device device can be realized.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component device further comprise a reflector, wherein the reflector is arranged such that the
  • Component device is provided, is deflected in the optical radiation mixer in the main emission direction.
  • Main emission direction for example, the image plane
  • the optical radiation mixer can be deflected by the reflector in the optical radiation mixer, for example, be reflected, for example, be totally reflected. This allows the
  • Radiation distribution characteristics are adapted application specific in the image plane of the optoelectronic component device.
  • a method of making an optoelectronic component device comprising: applying a first optoelectronic device to or via an optical beam mixer; Arranging the optical
  • the optical radiation mixer or applying a second optoelectronic component on or via the optical radiation mixer.
  • the optical radiation mixer In one embodiment of the method, the optical
  • Radiation mixer as a carrier at least one
  • the first optoelectronic component and / or the second optoelectronic component for example, the first optoelectronic component and / or the second optoelectronic component.
  • the method may further comprise the formation, application and / or arrangement of a scattering layer in the beam path of the electromagnetic
  • Component device is provided, wherein the
  • At least one scattering layer is applied and / or formed on or above the optical radiation mixer and / or the optical radiation mixer is formed to be scattering.
  • the first can be any organic compound.
  • the first can be any organic compound.
  • Optoelectronic component having two or more optoelectronic components.
  • the at least one, first optoelectronic component can be set up as at least one organic optoelectronic component.
  • the at least one second optoelectronic component can be set up as at least one inorganic optoelectronic component.
  • the first optoelectronic component and / or the second one can / may be used
  • Optoelectronic component having two or more optoelectronic components.
  • the first optoelectronic component can be arranged with respect to the second optoelectronic component in this way be that provided by the first optoelectronic device and the second optoelectronic device electromagnetic radiation in the optical
  • Radiation mixer can be mixed.
  • Optoelectronic component device as a
  • Optoelectronic component a same and / or
  • the at least one, first optoelectronic component and the at least one second optoelectronic component can have a
  • Optoelectronic component having an at least partially regular or irregular arrangement with respect to the optical radiation mixer.
  • Optoelectronic component can be arranged in clusters.
  • the clusters may be designed such that the clusters have a regular and / or irregular arrangement of two or more
  • the clusters can be arranged regularly and / or irregularly with respect to the optical radiation mixer.
  • At least one optical component over or on the optical radiation mixer.
  • an optical component as a scattering layer, a reflector, a
  • Converter element and / or an optical lens can be formed.
  • optical radiation mixer are formed.
  • the litter layer can be used to homogenize the
  • the clusters may have a regular or irregular arrangement of two or more optoelectronic components in a cluster.
  • optoelectronic component over or on the optical Radiation mixer are formed and / or arranged over or on the optical radiation mixer.
  • arranging the first optoelectronic component on or above the optical radiation mixer can be formed as a material fit, for example by gluing the first
  • the method may further comprise applying and / or arranging a heat sink, wherein the heat sink in physical and / or thermal contact with the first
  • optoelectronic component is arranged.
  • the heat sink can be arranged laterally to the first optoelectronic component, for example, be arranged in physical contact with the second optoelectronic component.
  • the heat sink may be used for cooling the optoelectronic component device, for example the first
  • the heat sinks should be set up so that the thermal conductivity, the emissivity, the
  • Heatsink is greater than the thermal conductivity, the emissivity, the convection coefficient and / or the
  • the heat dissipation for example, the cooling of the optoelectronic component
  • the method may further comprise the arrangement and / or the application of a reflector, wherein the reflector is arranged and / or applied such that the electromagnetic radiation emitted by the optical
  • Component device is provided, is deflected in the optical radiation mixer in the main emission direction.
  • a method of operating an optoelectronic component device comprising: providing a radiation distribution of electromagnetic radiation in the image plane of an optoelectronic component device, wherein the optoelectronic component device for
  • Image plane is set up, with the optoelectronic
  • Component device at least a first
  • Optoelectronic component and at least one second optoelectronic component wherein the at least one first optoelectronic component and the at least one second optoelectronic component a
  • the at least one first optoelectronic component and the at least one second optoelectronic component provide electromagnetic radiation in an optical radiation mixer and / or receive from an optical radiation mixer;
  • Operating current and the second operating current time course of the radiation distribution of the electromagnetic radiation in the image plane is formed similar to a waveform. Changing the radiation distribution of the electromagnetic radiation in the image plane of the optoelectronic
  • Component device can by means of a local and / or temporal modulation of the provided
  • Operating current / the second operating currents of the second optoelectronic component can be a dynamic
  • the optoelectronic components of the optoelectronic component device can be controlled in such a way that a heterogeneous radiation characteristic which can be tuned in the surface is formed in the image plane of the electromagnetic radiation provided.
  • the temporal modulation can be set up as a dynamically tunable radiation distribution be, for example, a dynamically tunable color location within the color space, of the different types of optoelectronic components of the
  • Optoelectronic component device is clamped.
  • a dynamic gradient for example, as
  • wave-like, moving surface are perceived, for example, similar to a wavy water surface and / or a cloud movement in the sky.
  • Figure 1 is a schematic representation of a
  • Optoelectronic component device according to various embodiments.
  • Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 3 is a schematic plan view of a
  • Optoelectronic component device according to various embodiments.
  • Figure 4 is a CIE color chart with a color space of a
  • Optoelectronic component device according to various embodiments; a cross-sectional view of an optoelectronic component device, according to various
  • Figure 6 is a cross-sectional view of an optoelectronic
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of an optoelectronic component device according to various embodiments.
  • Figure 8 is a cross-sectional view of an optoelectronic
  • Component device according to various embodiments; a cross-sectional view of an optoelectronic component device, according to various embodiments;
  • Figure 10 is a schematic plan view of a
  • Fig.l shows a schematic representation of a
  • first optoelectronic component 102 Shown are a first optoelectronic component 102, a second optoelectronic component 104 and an optical radiation mixer 106.
  • the illustrated optoelectronic component device 100 is, without loss of generality, as
  • the first optoelectronic component 102 and / or the second optoelectronic component 104 may thus be arranged in the optoelectronic component device 100, for example around the optical radiation mixer 106, for example in physical contact, the
  • Optoelectronic devices 102, 104 is provided in the optical radiation mixer 106, for example.
  • Optoelectronic devices 102, 104 is provided in the optical radiation mixer 106, for example.
  • Optoelectronic devices 102, 104 is provided in the optical radiation mixer 106, for example.
  • the illustration is an optoelectronic
  • Radiation of at least two optoelectronic devices 102, 104 is provided.
  • one of the two or both optoelectronic Components 102, 104 may be configured to receive electromagnetic radiation.
  • one of the optoelectronic components 102, 104 may receive electromagnetic radiation, while the at least one other optoelectronic component
  • Component 104 102 electromagnetic radiation
  • radiation-providing opto-electronic device 102, 104 may, for example, as an optical coupler
  • optoelectronic components 102, 104 receive electromagnetic radiation (not shown).
  • Optoelectronic components 102, 104 may be configured, for example, as a photodetector or solar cell.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Components 102, 104 for providing and / or a
  • Recording be adapted to electromagnetic radiation, for example at the same time, for example by means of changing the operating mode of the optoelectronic component 102, 104, for example, in a bidirectional optical coupler.
  • the provided electromagnetic radiation 108, 110 is shown schematically in view 100 by means of the arrows 108, 110.
  • the provided electromagnetic radiation 108, 110 may be mixed in the optical radiation mixer 106.
  • the optical radiation mixer can be provided from the first spectrum and / or
  • the third spectrum may have characteristics of the first spectrum and the second spectrum.
  • the mixed electromagnetic radiation 112 may then at least partially enter the image plane 114 of FIG.
  • Optoelectronic device device 100 may be provided, for example, forwarded.
  • Radiation 112 can by means of the properties of the
  • the intensity of the provided image for example, the intensity of the provided image
  • electromagnetic radiation can be adjusted.
  • the first optoelectronic component 102 may be designed as an organic optoelectronic
  • Be configured device for example, a planar organic light-emitting diode, for example according to one of
  • the organic light emitting diode 102 may be a single-color and / or multi-color organic
  • the second optoelectronic component 104 can be embodied, for example, as an inorganic
  • an inorganic light emitting diode 104 for example, an inorganic light emitting diode 104,
  • GaN diode InGaN diode or InGaAlP diode.
  • Component 102 for example, an inorganic light emitting diode, be set up.
  • the second optoelectronic component 104 may be designed as an organic optoelectronic
  • Component 104 for example an organic light-emitting diode, be set up.
  • Components 102, 104 have a round, circular, angular, rectangular, polygonal shape of the surface provided by the electromagnetic radiation and / or
  • Component 104 a plurality of optoelectronic components
  • the plurality of optoelectronic components can be any one of optoelectronic components.
  • the plurality of optoelectronic components can be any suitable design.
  • the plurality of optoelectronic components can be any suitable design.
  • Constructed optoelectronic components can, for example, as one above the other in the same
  • An example of an optoelectronic component arranged one above the other in the same beam path can be, for example, a white organic light-emitting diode.
  • An example of an optoelectronic component with a wavelength converter can be, for example, an InGaN diode with a phosphor layer.
  • the optical radiation mixer 106 may be in a
  • a beam guide in various embodiments, is a conductor for conducting electromagnetic radiation.
  • the beam conductor may be a device suitable for
  • electromagnetic radiation is transparent or at least substantially transparent.
  • a substantially transparent beam conductor can be any substantially transparent beam conductor.
  • a beam director may be an elongated
  • flat shape such as dimension
  • flat shape have, for example, be formed in a spatial direction much longer or much shorter than in the other two spatial directions.
  • the beam line of electromagnetic radiation can be carried out in the beam conductor, for example due to internal reflection on an outer wall of the beam guide due to a higher refractive index of the material of the beam guide than the refractive index of the medium surrounding the beam guide.
  • the internal reflection can be called internal total reflection
  • the outer wall can also be referred to as the boundary surface of the beam guide.
  • the beam conductor fibers for example, the beam conductor fibers, a tube or a rod, whereby the electromagnetic
  • the beam conductor may also be referred to as optical fiber, optical fiber, optical fiber or optical fiber.
  • the beam conductor may comprise glass fibers and / or as
  • Fiber optic cables are called.
  • the beam conductor may be plastic, for example
  • the beam conductor can be planar
  • the beam conductor may be in the form of a rod, a bolt, a small plate, a cuboid, a cube, a hollow cylinder or other similar geometric figures.
  • the optoelectronic components 102, 104 may comprise further optical elements, for example a lens, for example a converging lens or diverging lens, or, for example, a wavelength converter, for example a phosphor layer.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various aspects
  • the organic optoelectronic component 200 is the organic optoelectronic component 200.
  • an organic light emitting device 200 for example, an organic light emitting diode 200 may include a carrier 202.
  • the carrier 202 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
  • the carrier 202 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material. Further, the carrier 202 may be a
  • Plastic film or a laminate with one or more plastic films or be formed from it are examples of plastic films or a laminate with one or more plastic films or be formed from it.
  • Plastic may include one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • the carrier 202 may be one or more of the above
  • the carrier 202 may include or be formed from a metal or metal compound, for example copper, silver, gold, platinum, aluminum, steel or the like.
  • a carrier 202 comprising a metal or a
  • Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 202 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). For example, is below the term
  • Translucent layer in various embodiments to understand that essentially the whole in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case.
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • Light emitting diode 200 (or the light-emitting devices according to the above or later described
  • Embodiments as a so-called top and / or bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be referred to as an optically transparent component, for example a transparent organic light-emitting diode.
  • the carrier 202 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 204.
  • the barrier layer 204 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • Barrier layer 204 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • barrier layer 204 may be an electrically active region 206 of the organic optoelectronic
  • Component 200 may be arranged.
  • Area 206 may be considered the area of the organic
  • Optoelectronic device 200 are understood in which an electric current for the operation of the organic
  • the electrically active region 206 may include a first electrode 210, a second electrode 214, and a first electrode 210 have organic functional layer structure 212, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 210 (eg, in the form of a first
  • Electrode layer 210) may be applied.
  • the first electrode 210 (hereinafter also referred to as lower electrode 210) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as, for example, ZnO, SnO 2, or ⁇ 2 O 3
  • ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO include
  • Zn2SnO4 CdSnO3, ZnSnO3, Mgln204, GalnO3, Zn2In20s or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 210 comprises a metal; for example, Cu, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these substances.
  • the first metal for example, Cu, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these substances.
  • the first metal for example, Cu, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these substances.
  • the first metal for example, Cu, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these substances.
  • Electrode 210 may be formed from a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 210 one or more of the following substances
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • Networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers for example of Graphene particles and layers
  • Networks of semiconducting nanowires for example of Ag
  • the first electrode 210 can comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 210 and the carrier 202 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 210 comprises or is formed of a metal
  • the first electrode 210 may have, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one
  • the first electrode 210 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 210 a the first electrode 210 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 210 may be, for example, one Layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range of about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 210 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes may be used.
  • Nanotubes which may be combined with conductive polymers, or are formed of graphene layers and composites, the first electrode 210, for example, a
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 210 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the first electrode 210 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 202 and then indirectly applied to the first electrode 210.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • organic optoelectronic component 200 a organic optoelectronic component 200 a
  • organic functional layer structure 212 the is applied or formed on or above the first electrode 210.
  • the organic functional layer structure 212 may comprise one or more emitter layers 218, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 216 (also referred to as hole transport layer (s) 220).
  • emitter layers 218, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters and one or more hole line layers 216 (also referred to as hole transport layer (s) 220).
  • hole transport layer (s) 220 also referred to as hole transport layer (s) 220.
  • one or more electron conduction layers 216 may be provided.
  • emitter materials used in the organic optoelectronic device 200 are examples of emitter materials used in the organic optoelectronic device 200 according to various aspects
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material. It should be noted that other suitable spin-on process (also referred to as spin coating).
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • organic optoelectronic device 200 may be any organic optoelectronic device 200.
  • the emitter layer (s) 218 can be several different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 218 may also be composed of several sub-layers, such as a blue-fluorescent emitter layer 218 or blue-phosphorescent
  • Emitter layer 218 By the mixture of different colors can the emission of light with a white
  • Color impression result it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and a
  • the organic functional layer structure 212 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent layers.
  • Layers may or may comprise organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”) or a combination of these substances functional layer structure 212 one or more
  • Hole transport layer 220 is or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the organic functional layer structure 212 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer 216 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • Electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a substance for the hole transport layer 220 can be any substance for the hole transport layer 220 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 220 may be deposited on or over the first electrode 210, for example, deposited, and the emitter layer 218 may be on or above the
  • Hole transport layer 220 may be applied, for example, be deposited.
  • electron transport layer 216 may be deposited on or over the emitter layer 218, for example, deposited.
  • the organic functional layer structure 212 ie, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 220 and
  • Emitter layer (s) 218 and electron transport layer (s) 216) have a maximum thickness of approximately 1.5 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 1.2 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 1 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 800 ⁇ m nm, For example, a layer thickness of at most about 500 nm, for example, a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of about 300 nm.
  • the organic functional layer structure 212 for example
  • each OLED may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 212 may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 212 may for example have a layer thickness of at most about 1.5
  • organic functional layer structure 212 may have a layer thickness of at most about 3 ym.
  • the organic optoelectronic component 200 may generally comprise further organic functional layers,
  • the organic optoelectronic component 200 for example, arranged on or above the one or more emitter layers 218 or on or above the electron transport layer (s) 216, which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the organic optoelectronic component 200.
  • organic functional layer structure 212 On or above the organic functional layer structure 212 or optionally on or above the one or more further organic functional layers
  • Layer structures may be the second electrode 214
  • the second electrode layer 214 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 214).
  • the second electrode layer 214 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 214).
  • Electrode 214 have the same substances or be formed therefrom as the first electrode 210, wherein in
  • metals are particularly suitable.
  • Electrode 214 (for example, in the case of a metallic second electrode 214), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 214 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 210.
  • the second electrode 214 may be formed of one or more of the materials and with the respective layer thickness in various embodiments, as described above in connection with the first electrode 210. In different
  • the first electrode 210 and the second electrode 214 are both formed translucent or transparent.
  • the organic optoelectronic device 200 shown in Fig.l can be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 200).
  • the second electrode 214 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the second electrode 214 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • the second electrode 214 and thus on or above the electrically active region 206 may optionally be an encapsulation 208, for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 208 a “barrier thin film” 208 or a “barrier thin film” 208 can be understood as meaning, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier film 208 is formed to be resistant to OLED damaging agents such as
  • Water, oxygen or solvents can not or at most be penetrated to very small proportions.
  • the barrier film 208 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin film 208 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • the barrier thin film 208 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • Barrier thin film 208 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 208 or one or a plurality of partial layers of the barrier thin film 208 may be formed, for example, by means of a suitable deposition method, for example by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 208 having multiple sub-layers, all sub-layers are formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • a barrier film 208 having a plurality of sublayers may include one or more sublayers of the barrier film 208 by a deposition method other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 208 may, according to one embodiment, have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a layer thickness from about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness.
  • Barrier thin layer 208 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier film 208 or the individual sub-layers of the barrier film 208 may be formed as a translucent or transparent layer according to an embodiment.
  • the barrier film 208 (or the individual sub-layers of the barrier film 208) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent).
  • the barrier thin layer 208 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier film 208 comprising or being formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack having a plurality of sublayers one or more of the sublayers of the barrier film 208 comprise one or more high refractive indexes, in other words one or more high content materials
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • an adhesive 224 and / or on or above the barrier film 208 may be used
  • Protective varnish 224 may be provided, by means of which, for example, a cover 226 (for example, a glass cover 226, a metal foil cover 226, a sealed
  • Plastic film cover 226) is secured to the barrier film 208, for example, adhered thereto.
  • translucent layer of adhesive and / or protective varnish 224 have a layer thickness of greater than 1 ym
  • the adhesive may include or be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer or the protective varnish 224 can in
  • light-scattering particles for example, dielectric
  • Be provided scattering particles such as metal oxides such as silica (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconia (ZrO2), indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20 a ) alumina, or titanium oxide ,
  • Other particles may be suitable, provided that they have a
  • Metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ym, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ym to protect electrically unstable materials, for example during a
  • the adhesive may be configured to have an index of refraction itself that is less than or greater than the refractive index of the cover 226.
  • an adhesive may be, for example, a low refractive index adhesive, such as an acrylate having a refractive index of approximately 1.3.
  • a low refractive index adhesive such as an acrylate having a refractive index of approximately 1.3.
  • the adhesive may be a high-refractive adhesive which has, for example, high-refraction, non-scattering particles and has an average refractive index which is approximately the average refractive index of the organic
  • Embodiments can also be dispensed with entirely an adhesive 224, for example in embodiments in which the cover 226, for example made of glass, are applied to the barrier thin film 208 by means of, for example, plasma spraying.
  • the cover 226, for example made of glass, for example by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic device 200 with the barrier film 208 become.
  • the / may
  • Cover 226 and / or the adhesive 224 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • organic optoelectronic device 200 may be provided.
  • the optoelectronic device 200 In one embodiment of the optoelectronic
  • Component device 100 may be the first optoelectronic component 102 and / or the second optoelectronic component
  • FIG. 3 shows a schematic plan view of a
  • Optoelectronic component device Shown is a top view 300 of a configuration of an optoelectronic component device 100 similar or identical to an embodiment of the descriptions of FIG.
  • optoelectronic components 306, 308 Shown in plan view 300, are optoelectronic components 306, 308 arranged laterally to form an optical radiation mixer 106.
  • optoelectronic components 306, 308 can be understood as a second optoelectronic device 104 and, for example, have a different design, for example, electromagnetic radiation with record a different color valence and / or
  • the optoelectronic component 306 arranged on the left side of the optical radiation mixer 106 may also be referred to as the second optoelectronic component 104.
  • the optoelectronic component 308 arranged in the view to the right of the optical radiation mixer could, within the scope of the description, be a further, second optoelectronic component 104 or else a third optoelectronic component
  • Component be designated.
  • At least one optoelectronic component 306 of the second optoelectronic component 104 may be configured as an inorganic light emitting diode 306, wherein the inorganic light emitting diode 306 provides electromagnetic radiation in a wavelength range which is associated with red light.
  • at least one optoelectronic component 308 of the second optoelectronic component 104 may be configured as an inorganic light emitting diode 308, wherein the inorganic light emitting diode 308 provides electromagnetic radiation in a wavelength range that is associated with blue light.
  • the first carrier can comprise or be formed from an inorganic substance.
  • the optoelectronic substance can comprise or be formed from an inorganic substance.
  • Component device having a heat sink 304.
  • the heat sink 304 may be in physical and / or thermal contact with the first, for example optoelectronic component 102 and / or second
  • the heat sink 314 for cooling the optoelectronic component device 100 is the heat sink 314 for cooling the optoelectronic component device 100
  • the heat sink 304 may be configured, for example, by the heat sink 304, a larger surface area, emissivity, a larger
  • Thermal conductivity has, as at least one further region of the optoelectronic component device 100, which is in thermal contact with the heat sink, for example, the first optoelectronic device 102 and / or the second optoelectronic device 104th
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component device having a reflector 302.
  • the reflector 302 may, for example, on or on the
  • fixed optical radiation mixer 106 for example, be glued or vapor-deposited.
  • the reflector 302 may be formed such that
  • Radiation mixer 106 is reflected by the reflector 302, for example, with a proportion of incident electromagnetic radiation of greater than about 50%, for example greater than about 90%, for example
  • 4 shows a CIE color chart with a color space of an optoelectronic component device, according to FIG
  • the illustrated color space 410 is merely as
  • Optoelectronic device device 100 to understand.
  • the optoelectronic component device 100 can have, for example, 2, 3 (illustrated), 4, 5, 6 or more optoelectronic components of the same and / or different design, wherein the optoelectronic components can be arranged in the optoelectronic component apparatus 300 at least in an ordered manner or irregularly ,
  • electromagnetic radiation 108, 110 may be the corner points of the achievable color space 410 of the optoelectronic
  • Component device 100, 300 represent.
  • each color locus Cx, Cy can be adjusted by means of the optoelectronic component device 300, i. be achieved.
  • a concrete color locus with the chromaticity coordinates Cx, Cy can be adjusted by the optoelectronic properties of the optoelectronic
  • Components 102, 306, 308 are set, for example, in which the operating current of the optoelectronic components 102, 306, 308 are set such that the
  • Components of the spanned color space generates the desired color.
  • Components 102, 306, 308 may be in the optical
  • each color location Cx 404, Cy 402 are set within the spanned color space 410.
  • Radiation mixer 106 provide electromagnetic radiation 112 may occupy each color location Cx 404, Cy 402 within the color space 410.
  • the configuration of the color space 410 may be dependent on the optoelectronic properties, for example of the type, and the arrangement of the optoelectronic components 102, 104 in the optoelectronic
  • Device device 100 300.
  • the connecting line between two end points of the color space for example the
  • Connecting line 412 a non-linear shape, for example, by one of the optoelectronic components of the vertices an optoelectronic device and a Wavelength converter has, in other words, one of the vertices by means of a color mixture, for example, a wavelength conversion, is formed.
  • 5 shows a cross-sectional view of an optoelectronic component device, according to various embodiments.
  • FIG. 5 shows a cross-sectional view 500 of a configuration of an optoelectronic component device 100
  • Component be configured as an organic optoelectronic device 200, for example, be similar or equal to a configuration of the descriptions of Figure 2 set up.
  • the geometric edge regions of the first optoelectronic component 102, 200 are.
  • optoelectronic component 102, 200 is the
  • the electrodes 210, 214 may be arranged in physical and / or electrical contact with contact pads 504 for electrically contacting the first optoelectronic component 102, 200 with external electrical connections (not shown).
  • the second electrode 214 may be electrically insulated with respect to the first electrode 210 by means of a resist 502, for example a polyimide. In one embodiment, the second electrode 214
  • the encapsulation of the second electrode 214 by means of the layers 208, 224, 226 may be optional.
  • the carrier 202 of the first optoelectronic component may additionally be configured as an optical radiation mixer 106, for example comprising or being formed from a glass and / or plastic.
  • the first optoelectronic component 102, 200 can be formed on or above the optical radiation mixer 106, 202.
  • the first optoelectronic component can be so
  • a first scattering layer 510 may be applied. The first
  • Litter layer 510 may, for example, the coupling of electromagnetic radiation from the optical
  • the scattering layer 510 may, for example, be arranged between the optical radiation mixer 106 and the image plane 114
  • the first scattering layer 510 may be similar or equal to the adhesive layer 224 according to any one of
  • the first scattering layer 510 may also be configured as a scattering film, wherein the scattering film may have scattering particles.
  • the scattering particles may be configured similar to the scattering particles or additives of the adhesive layer 224.
  • the scattering film may have a carrier, wherein the carrier of the scattering film, for example, a
  • Plastic film plastic film, a glass foil or a metal foil
  • the scattering film may, for example, a thickness in one
  • the scattering film can, for example, on or over the
  • optical radiation mixer 106 are laminated
  • the optoelectronic component device 100 can have at least one second optoelectronic component, shown as laterally to the optical
  • Radiation mixer 106 arranged optoelectronic
  • the at least one second optoelectronic component 104 may have a plurality of optoelectronic components.
  • two optoelectronic components 306, 308 can be seen as the second optoelectronic component 104.
  • Optoelectronic component 104 may have a
  • Provide radiation mixer 106 for example
  • the mixture of the electromagnetic radiation 108, 506, 508 can take place in the optical radiation mixer 106 and / or in the scattering layer 510.
  • the optical radiation mixer 106 may provide electromagnetic radiation 112 that is a function of the
  • electromagnetic radiation 108, 506, 108 provided by the optoelectronic devices 102, 104 and in optical contact with the optical radiation mixer 106.
  • the optical properties of the electromagnetic radiation 112 provided by the optical beam mixer 106 can be adjusted and / or changed.
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view of an optoelectronic component device, according to various embodiments.
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view 600 of a configuration of an optoelectronic component device 100
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • the second diffusion layer 602 may, for example, be similar to or the same as the first diffusion layer 510, according to any one of
  • the second scattering layer 602 may, for example, be arranged between the carrier 202 and the optional barrier layer 204 or
  • Radiation 108, 506, 508 may in this embodiment in the scattering layers 510, 602 and the optical
  • the second scattering layer 602 can be configured differently from the first scattering layer 510, for example, be designed to be scattering for another wavelength range of the electromagnetic radiation.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional view of an optoelectronic component device, according to various embodiments.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional view 700 of an embodiment of an optoelectronic component device 100
  • the optoelectronic component device of Figure 3 and Fig.6 represented, for example, similar or equal to one of the configuration of the optoelectronic component device of Figure 3 and Fig.6.
  • the optoelectronic component device of Figure 3 and Fig.6 represented, for example, similar or equal to one of the configuration of the optoelectronic component device of Figure 3 and Fig.6.
  • the optoelectronic component device of Figure 3 and Fig.6 In one embodiment, the optoelectronic
  • the cross-sectional view 700 shows a scattering, optical radiation mixer 106, 702, wherein in the beam path of the
  • the scattering particles are distributed.
  • the scattering particles may be similar or equal to the scattering particles of the adhesive layer 224.
  • Radiation 108, 506, 508, for example the color mixture can be done in the embodiment in the scattering layers 510 and the scattering, optical radiation mixer 702.
  • the optoelectronic component device 100 can have a second scattering layer 602 and a scattering, optical radiation mixer 702.
  • the scattering layers 510, 602 may be optional and a scattering effect only by means of a scattering, optical radiation mixer 702
  • Device device 100 no scattering layers 510, 602 and / or a light-scattering, optical radiation mixer 702 are set up, but only radiation mixer 106 without scattering additives.
  • the scattering effect can then be formed, for example, by means of a rough surface of the electromagnetic radiation 112 providing surface.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view of an optoelectronic component device according to various embodiments.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view 800 of an embodiment of an optoelectronic component device 100
  • Device device 100 may be between the
  • a second scattering layer 602 be set up similar or equal to the embodiment of the descriptions of Figure 6. Furthermore, in a configuration of the optoelectronic component device 100, no first scattering layer 510 can be formed. Furthermore, in one embodiment of the optoelectronic component device 100, the second optoelectronic
  • Component 104 optoelectronic components of a type (shown). Furthermore, in one embodiment of the optoelectronic component device 100, the first optoelectronic
  • Component 102 may be multicolored.
  • a multicolored first optoelectronic component 102 may, for example, electromagnetic radiation 802
  • an optoelectronic device 102 with multiple emission zones for example, several
  • the second optoelectronic component 104 may provide electromagnetic radiation 108 in the optical radiation mixer 106, for example a monochrome light, for example a blue light.
  • the second optoelectronic component 104 can be embodied, for example, as an inorganic
  • Optoelectronic device 104 for example, an organic light emitting diode 104, for example, an InGaN diode 104, GaN diode 104 or InGaAlP diode 104 may be set up.
  • One or more second optoelectronic components 104 may be arranged laterally to the optical radiation mixer 106, for example, be glued onto the
  • optical beam mixer 106 may be aligned such that the provided by the optoelectronic device electromagnetic radiation 108, 110, 112 can be directed into the optical beam mixer 106.
  • the optical radiation mixer 106 may then comprise a mixed electromagnetic radiation 112 of the first optoelectronic component 102 and the second one
  • optoelectronic device 104 provide.
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view of an optoelectronic component device according to various embodiments.
  • Component device 100 shown in the schematic cross-sectional view 900, may be similar to the embodiment of the descriptions of Figure 6, the first opto-electronic
  • Component 102 may be formed with second litter layer 602 on or above the carrier 202.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component device a separate optical component
  • Radiation mixer 106 have. In other words the
  • Carrier 202 of the optoelectronic component is not set up as an optical radiation mixer 106. Instead, the carrier 202 with the first optoelectronic component 102 can be fixed on or above the optical radiation mixer 106, for example with a coherent connection 902. In other words, the carrier 202 can be applied or fixed on or above an optical radiation mixer 106, for example, be connected to substance-locking
  • the cohesive connection 902 may be similar or the same as the adhesive layer 224, for example, the interlocking connection 902 may be transparent and / or translucent.
  • the interlocking connection 902 may include scattering centers.
  • Fig. 10 shows a schematic plan view of a
  • Optoelectronic component device in operation, according to various embodiments.
  • the current-time diagrams 1002, 1004, 1006, 1008, 1010 show the operating current of selected optoelectronic components as a function of time.
  • optoelectronic component 102 and the at least one second optoelectronic component 104 are driven separately, for example individually; and / or collectively, for example correlated, for example in clusters
  • optoelectronic components of the first optoelectronic component 102 and / or the second optoelectronic component Component 104 for example, separately, for example, individually; and / or collectively, for example correlated, for example, within a cluster and / or as clusters.
  • Optoelectronic component device shown in view 1000, for example, the first
  • optoelectronic component 102 for example, configured as a white-light-emitting organic light-emitting diode 102, and optoelectronic components 306 of a type, for example a red light-emitting light emitting diode 306, the second optoelectronic component 104 a
  • a static control can, for example, have a time-constant operating current, illustrated for a selection of optoelectronic components in the current-time diagrams 1002, 1006, 1010.
  • the further optoelectronic components 308 of the second optoelectronic component can be, for example
  • optical radiation mixer 106 provided
  • electromagnetic radiation 112 is a radiation distribution of the electromagnetic radiation similar or equal to a wavy surface, for example a water surface, a dynamic surface, for example a
  • Cloud movement of the firmament, in the image plane 114 exhibit.
  • the radiation distribution can be modulated in time, for example dynamically tunable.
  • color locations and / or areal heterogeneous radiation distributions can be realized, for example, similar to a reddish sky or another color mixture.
  • Optoelectronic component device a method for producing an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component device provided, with which it is possible to provide and / or absorb a wide range of electromagnetic radiation, for example, a wide Farbvalenz, for example a large color space.
  • a wide range of electromagnetic radiation for example, a wide Farbvalenz, for example a large color space.
  • a deep blue hue using the
  • optoelectronic component device can be adjusted.
  • Organic optoelectronic devices that provide, for example, a red-green light can be made highly efficient and with long life.
  • blue light can be provided high efficiency by means of LEDs.
  • component device with exclusively LEDs results by means of the hybrid component, the advantage that can be dispensed with lossy wavelength conversion.
  • Component device can be divided into the arrangement of LEDs and OLEDs. As a result, the requirements for the cooling system can be reduced.
  • the optoelectronic component device may have a higher efficiency and / or more compact design.
  • Component device can be extended with similar optoelectronic properties.
  • Circuits such as control circuits, can be operated, it is easily possible, a dynamic
  • Component device already has a directing arrangement of the optoelectronic components.

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Description

Beschreibung
Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum
Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baue1ementevorrichtung
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt .
Optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden (light emitting diode - LED) oder organische Leuchtdidode (organic light emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete Anwendung und können für die Beleuchtung von Oberflächen eingesetzt werden. Eine Oberfläche kann dabei beispielsweise als ein Tisch, eine Wand oder ein Fußboden verstanden werden.
Das Bilden von elektromagnetischer Strahlung einer zweiten Wellenlänge aus elektromagnetischer Strahlung einer ersten Wellenlänge wird Wellenlängenkonversion genannt.
Wellenlängenkonversion wird in optoelektronischen
Bauelementen für die Farbumwandlung verwendet, beispielsweise zur Vereinfachung der Erzeugung von weißem Licht. Dabei wird beispielsweise ein blaues Licht in ein gelbes Licht
konvertiert. Die Farbmischung aus blauen Licht und gelben Licht bildet weißes Licht. Weißes Licht kann beispielsweise mittels einer blauen LED und einem Wellenlängenkonverter ausgebildet werden. Der Wellenlängenkonverter kann
beispielsweise einen Leuchtstoff aufweisen oder daraus gebildet sein, der blaues Licht in gelbes Licht umwandelt. Die Wellenlängenkonversion ist jedoch häufig mit einem
Energieverlust und damit mit einem Effizienzverlust behaftet. Die Effizienz von weißen organischen Leuchtdioden ist
beschränkt, aufgrund der kürzeren Haltbarkeit verfügbarer blauer Leuchtstoffmoleküle (d.h. Leuchtstoffmoleküle, die blaues Licht umwandeln) bezüglich beispielsweise roter oder grüner Leuchtstoffmoleküle .
Bei anorganischen Leuchtdioden (light emitting diode) kann der zu grünem Licht assoziierte Wellenlängenbereich
elektromagnetischer Strahlung nur schwer mittels
hocheffizienter LEDs realisiert werden. Weiterhin können LEDs elektromagnetische Strahlung mit nur einem schmalen Spektrum bereitstellen. Weiterhin können LEDs eine aufwändige Kühlung benötigen. Weiterhin können LEDs weitere optische
Bauelemente, beispielsweise einem Spiegel und/oder ein
Reflektor, benötigen um einen gerichteten Lichtstrahl
auszubilden .
Durch genannte Probleme ist es mit OLEDs und LEDs schwierig, weißes Licht hocheffizient und/oder mit sehr guter
Lichtqualität bereitzustellen.
Weiterhin ist bei beiden Ansätzen ein hoher technischer
Aufwand notwendig, um die Lichtfarbe, beispielsweise die Wellenlänge der bereitgestellten, elektromagnetischen
Strahlung, durchstimmbar zu gestalten.
So ist beispielsweise ein großer technischer Aufwand
notwendig um Licht mit unterschiedlichen Farborten,
beispielsweise unterschiedlicher korrelierter Farbtemperatur, beispielsweise dynamisch und/oder stufenlos einzustellen, beispielsweise um unterschiedliche Beleuchtungszwecke
einzustellen .
Um OLEDs mit variabler Farbtemperatur für Beleuchtungszwecke herzustellen, sind zwei herkömmliche Ansätze bekannt.
In einer herkömmlichen Methode werden mehrfarbige Pixel bzw. mehrfarbige Streifen verwendet, beispielsweise Pixel die rotes grünes und/oder blaues Licht bereitstellen können (RGB- Pixel) . Eine Farbmischung kann mittels entsprechender
Ansteuerung der einzelnen, farbigen Pixel erzeugt werden. Das Verwenden von Wellenlängenkonvertern zum Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung mit einer konkreten
Farbvalenz (Farbe) kann zu einem Effizienzverlust der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung führen. Weiterhin kann die Lichtqualität meist gering sein,
beispielsweise ein zweifarbiges weiß aufweisen. Dadurch kann die Mischung unterschiedlicher Konvertermaterialien
erforderlich sein. Weiße organische Leuchtdioden mit
hocheffizienten blauem Emissionssystem sind bekannt,
allerdings haben diese Bauteile nur eine sehr begrenzte
Lebensdauer und/oder können kein tief blaues Licht
emittieren, beispielsweise mit einer Wellenlänge des
Intensitätsmaximums kleiner ungefähr 430 nm. In einer weiteren herkömmlichen Methode werden organische Schichten einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung nacheinander, das heißt gestapelt, beispielsweise als
gestackte-OLED, ausgebildet. Ein dynamisches Durchstimmen der Farbe ist nur begrenzt möglich, beispielsweise nur unter großem technischen Aufwand und/oder unter einem Verlust an Effizienz .
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, mit denen es möglich ist ein optoelektronisches Bauelement kompakt auszubilden, und das Spektrum einer in der Bildebene wahrnehmbaren
elektromagnetischen Strahlung innerhalb eines Farbraumes dynamisch zu verändern. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden.
Als Leuchtstoff kann ein Stoff verstanden werden, der verlustbehaftet elektromagnetische Strahlung einer
Wellenlänge in elektromagnetische Strahlung anderer
(längerer) Wellenlänge umwandelt, beispielsweise mittels Phosphoreszenz oder Fluoreszenz. Die Energiedifferenz aus absorbiertem elektromagnetischer Strahlung und emittierter elektromagnetischer Strahlung kann in Phononen, d.h. Wärme, umgewandelt werden und/oder mittels Emission von elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge indirekt proportional zur Energiedifferenz.
3+
Em Leuchtstoff kann beispielsweise Ce dotierte Granate wie
3+
YAG:Ce und LuAG, beispielsweise (Y, Lu) 3 (AI , Ga) 5O 2 : Ce ;
2+ 2+
Eu dotierte Nitride, beispielsweise CaAlSiN3:Eu ,
2+ 2+
(Ba, Sr) 2S15 8 :Eu ; Eu dotierte Sulfdide, SIONe, SiAlON,
2+
Orthosilicate, beispielsweise (Ba, Sr) 2S1O4 : Eu ;
Chlorosilicate, Chlorophosphate, BAM
(Bariummagnesiumaluminat : Eu) und/oder SCAP, Halophosphat aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein
elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode, als eine organische
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Strahlung und/oder Infrarot-Strahlung sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als organischer
elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor
ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung
emittierende Bauelement kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine optoelektronische Bauelementevorrichtung, die gleichzeitig ein anorganisches optoelektronisches Bauelement und ein organisches
optoelektronisches Bauelement aufweist, als ein
optoelektronisches Hybrid-Bauelement verstanden werden.
Mit anderen Worten: Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein optoelektronisches Hybrid-Bauelement als ein
optoelektronisches Bauelement verstanden werden, welches wenigstens ein organisches optoelektronisches Bauelement und wenigstens ein anorganisches optoelektronisches Bauelement aufweist .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einer Farbvalenz eine physiologische, farbige Wirkung einer
elektromagnetischen Strahlung verstanden werden. Eine
Farbvalenz kann als ein Farbort (Cx, Cy) in einer CIE- Farbnormtafel bestimmt werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann das Spektrum einer elektromagnetischen Strahlung als eine Ausgestaltung einer Intensitätsverteilung der elektromagnetischen Strahlung als Funktion der Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine unterschiedliche Bauart zweier optoelektronischer Bauelemente gegeben sein, wenn sich zwei optoelektronischen Bauelemente in wenigstens einer optoelektronischen Eigenschaft unterscheiden und/oder einen unterschiedlichen Schichtenquerschnitt aufweisen. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Cluster optoelektronischer Bauelemente auch als eine Gruppe
optoelektronischer Bauelement oder ein Pixel verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann die Strahlungsverteilung einer elektromagnetischen Strahlung kann die räumliche
Verteilung der Intensität, beispielsweise eine
Helligkeitsverteilung von Licht, und die räumliche Verteilung der Farbvalenz, d.h. die Farborte der Spektren, aufweisen
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt, die optoelektronische Bauelementevorrichtung aufweisend:
mindestens ein erstes optoelektronisches Bauelement,
eingerichtet zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von
elektromagnetischer Strahlung; mindestens ein zweites optoelektronisches Bauelement, eingerichtet zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung; einen optischen Strahlungsmischer, angeordnet im Strahlengang des ersten optoelektronisches Bauelement und des zweiten optoelektronischen Bauelementes, wobei der optische
Strahlungsmischer zum Aufnehmen, zum Mischen und zum
Weiterleiten bereitgestellter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist; sodass elektromagnetische Strahlung aus dem optischen Strahlungsmischer in die Bildebene der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt wird und/oder wobei der optische Strahlungsmischer in der
Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung angeordnet ist und bereitgestellte elektromagnetische
Strahlung aufnimmt.
In einer Ausgestaltung können/kann das erste
optoelektronische Bauelement und/oder das zweite
optoelektronische Bauelement mehrere optoelektronische
Bauelemente aufweisen. In einer Ausgestaltung kann das wenigstens eine, erste optoelektronische Bauelement als wenigstens ein organisches optoelektronisches Bauelement eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung kann das wenigstens eine, zweite optoelektronische Bauelement als wenigstens ein anorganisches optoelektronisches Bauelement eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein erstes
optoelektronisches Bauelement und wenigstens ein zweites optoelektronisches Bauelement eine unterschiedliche Bauart aufweisen bezüglich weiterer optoelektronischer Bauelemente des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten optoelektronischen Bauelementes.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung einen ersten Betriebsmodus und einen zweiten Betriebsmodus aufweisen. Im ersten Betriebsmodus können die optoelektronischen Bauelemente der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung elektromagnetische Strahlung mit einem ersten Spektrum bereitstellen und im zweiten Betriebsmodus elektromagnetische Strahlung mit einem zweiten Spektrum bereitstellen. Bei geeigneter Ansteuerung der optoelektronischen Bauelemente kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung im ersten Betriebsmodus
elektromagnetische Strahlung bereitstellen, die den gleichen Farbort aufweist, wie die elektromagnetische Strahlung, die im zweiten Betriebsmodus bereitgestellt wird. Die
optoelektronische Bauelementevorrichtung kann in dem ersten Betriebsmodus jedoch andere anwendungsspezifische,
optoelektronische Eigenschaften aufweisen als im zweiten Betriebsmodus, beispielsweise eine andere Effizienz.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung als ein optoelektronisches Hybrid- Bauelement eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung kann der optische Strahlungsmischer als Träger wenigstens eines optoelektronischen Bauelementes eingerichtet sein, beispielsweise des ersten
optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten
optoelektronischen Bauelementes.
Mit anderen Worten: das erste optoelektronische Bauelement und/oder das zweite optoelektronische Bauelement können auf oder über dem optischen Strahlungsmischer angeordnet sein oder ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung ferner eine Streuschicht aufweisen, wobei die wenigstens eine Streuschicht auf oder über dem optischen Strahlungsmischer im Strahlengang der in der optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung angeordnet ist, beispielsweise aufgebracht ist und/oder der optische Strahlungsmischer streuend eingerichtet ist.
Die Ausrichtung der elektromagnetischen Strahlung
aufnehmenden Oberfläche und/oder Strahlung bereitstellenden Oberfläche des ersten optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise senkrecht zu der elektromagnetischen Strahlung aufnehmenden Oberfläche und/oder elektromagnetischen
Strahlung bereitstellenden Oberfläche des zweiten
optoelektronischen Bauelementes angeordnet sein, oder in einem Winkel mit einem Betrag in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 90° angeordnet sein.
Der große Bereich der Anordnung des ersten optoelektronischen Bauelementes bezüglich des zweiten optoelektronischen
Bauelementes kann realisiert werden, da die von dem ersten optoelektronischen Bauelement und dem zweiten
optoelektronischen Bauelement bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung in dem optischen
Strahlungsmischers gemischt wird, bevor diese in die Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt wird.
In einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr
optoelektronischen Bauelemente des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten optoelektronischen
Bauelementes eine gleiche oder unterschiedliche Bauart aufweisen . In einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr
optoelektronischen Bauelemente des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten optoelektronischen
Bauelementes eine wenigstens teilweise regelmäßige oder unregelmäßige Anordnung bezüglich des optischen
Strahlungsmischers aufweisen.
In einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr
optoelektronischen Bauelemente des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder die zwei oder mehr optoelektronischen Bauelemente des zweiten optoelektronischen Bauelementes in Clustern angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung können die Cluster eine regelmäßige oder unregelmäßige Anordnung von zwei oder mehr
optoelektronischen Bauelementen in einem Cluster aufweisen.
In einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr
optoelektronischen Bauelemente des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder die zwei oder mehr optoelektronischen Bauelemente des zweiten optoelektronischen Bauelementes nebeneinander und/oder übereinander angeordnet sein.
Übereinander angeordnete optoelektronische Bauelemente können beispielsweise als gestapeltes optoelektronisches Bauelement eingerichtet sein, beispielsweise eine weiße OLED mit wenigstens zwei Emitterschichten und/oder als ein
optoelektronisches Bauelement mit Wellenlängenkonverter eingerichtet sein, beispielsweise als eine InGaN-Diode mit LeuchtstoffSchicht .
In einer Ausgestaltung kann das erste optoelektronische
Bauelement, beispielsweise ein organisches optoelektronisches Bauelement beispielsweise eine OLED, zum Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann die bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung mit grünem und/oder rotem Licht assoziiert werden.
In einer Ausgestaltung kann die bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung mit blauem und/oder rotem Licht assoziiert werden.
In einer Ausgestaltung kann das zweite optoelektronische Bauelement als eine anorganische Leuchtdiode eingerichtet sein, die beispielsweise elektromagnetische Strahlung
bereitstellt, die mit einem blauen Licht assoziiert wird. Das erste optoelektronische Bauelement kann als eine organische Leuchtdiode eingerichtet sein derart, dass die Farbmischung der elektromagnetischen Strahlungen des ersten
optoelektronischen Bauelementes und des zweiten
optoelektronischen Bauelementes mit einem weißen Licht assoziiert wird.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein optisches
Bauelement auf oder über dem optischen Strahlungsmischers ausgebildet oder angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung kann das optische Bauelement eine Streuschicht, einen Reflektor, ein Konverterelement und/oder eine optische Linse aufweisen oder als solche eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronischen
Bauelementevorrichtung wenigstens eine Streuschicht im Strahlengang der bereitgestellten elektromagnetischen
Strahlung des ersten optoelektronischen Bauelementes, des zweiten optoelektronischen Bauelementes und/oder des
optischen Strahlungsmischers aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann der optische Strahlungsmischer streuend ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Streuschicht als eine
streuende Beschichtung oder ein Streufilm eingerichtet sein.
Die Streuschicht kann eine Matrix aufweisen in der Zusätze verteilt sind. Die Zusätze können derart eingerichtet sein, dass sie elektromagnetische Strahlung streuen können, beispielsweise partikelförmige Zusätze mit einem anderen
Brechungsindex als die Matrix und einem mittleren Durchmesser in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 2 ym.
Die partikelförmigen Zusätze können beispielswiese ein
Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise ein Aluminiumoxid, Titanoxid, Zirkoniumoxid, Siliziumoxid oder ähnliches. Die Matrix kann beispielsweise einen Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise als ein Vergussmaterial oder eine Folie. Die Matrix als Vergussmaterial kann beispielsweise ein Epoxid, ein Silikon oder ein Silazan aufweisen. Die Matrix als Folie kann beispielsweise ein Poleolefin, ein Polyacrylat, ein Polyimid, ein Polyamid, ein Polypthalat oder ähnliches aufweisen . In einer Ausgestaltung kann die Streuschicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 ym bis ungefähr 500 ym
aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 ym bis ungefähr 200 ym.
In einer Ausgestaltung kann das erste optoelektronische
Bauelement über oder auf dem optischen Strahlungsmischers ausgebildet sein und/oder über oder auf dem optischen
Strahlungsmischers angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung kann ein Anordnen des ersten
optoelektronischen Bauelementes auf oder über dem optischen Strahlungsmischers Stoffschlüssig ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann ein stoffschlüssiges Anordnen mittels Aufklebens des ersten optoelektronischen Bauelementes auf dem optischen Strahlungsmischer ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung ferner einen Kühlkörper aufweisen, wobei der Kühlkörper in einem körperlichen und/oder
thermischen Kontakt mit dem ersten optoelektronischen
Bauelement und/oder dem zweiten optoelektronischen Bauelement eingerichtet ist.
In einer Ausgestaltung kann der Kühlkörper seitlich zu dem ersten optoelektronischen Bauelement angeordnet sein, beispielsweise in körperlichem Kontakt mit dem zweiten optoelektronischen Bauelement.
Der Kühlkörper kann zur Entwärmung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung eingerichtet sein, beispielsweise zum Entwärmen des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten optoelektronischen Bauelementes.
In einer Ausgestaltung kann die optisch inaktive, flächige Unterseite eines optoelektronischen Bauelementes zur
Entwärmung eingerichtet sein, beispielsweise als Kühlkörper.
Der Kühlkörper sollte derart eingerichtet sein, dass die Wärmeleitfähigkeit, die Emissivität, der
Konvektionskoeffizient und/oder die Oberfläche des
Kühlkörpers größer ist/sind als die Wärmeleitfähigkeit, die Emissivität, der Konvektionskoeffizient und/oder Oberfläche des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder das zweiten optoelektronischen Bauelementes.
Mittels einer seitlichen Anordnung der Kühlkörper bezüglich eines der optoelektronischen Bauelemente kann beispielweise eine kompakte Bauform der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung realisiert werden.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung ferner einen Reflektor aufweisen, wobei der Reflektor derart angeordnet ist, dass die
elektromagnetische Strahlung, die von dem optischen
Strahlungsmischer in eine andere Richtung als die
Hauptemissionsrichtung der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt wird, in dem optischen Strahlungsmischer in die Hauptemissionsrichtung umgelenkt wird .
Mit anderen Worten: elektromagnetische Strahlung,
beispielsweise Licht, welches nicht in die
Hauptemissionsrichtung, beispielsweise die Bildebene, von dem optischen Strahlungsmischer bereitgestellt wird, kann von dem Reflektor in den optischen Strahlungsmischer umgelenkt werden, beispielsweise reflektiert werden, beispielsweise totalreflektiert werden. Dadurch kann die
Strahlungsverteilungscharakteristik anwendungsspezifisch in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung angepasst werden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Aufbringen eines ersten optoelektronischen Bauelementes auf oder über einen optischen Strahlungsmischer; Anordnen des optischen
Strahlungsmischers im Lichtweg eines zweiten
optoelektronischen Bauelementes oder Aufbringen eines zweiten optoelektronischen Bauelementes auf oder über den optischen Strahlungsmischer . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optische
Strahlungsmischer als Träger wenigstens eines
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden,
beispielsweise des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten optoelektronischen Bauelementes.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner das Ausbilden, Aufbringen und/oder Anordnen einer Streuschicht im Strahlengang der elektromagnetischen
Strahlung aufweisen, die in der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt wird, wobei die
wenigstens eine Streuschicht auf oder über dem optischen Strahlungsmischers aufgebracht und/oder ausgebildet wird und/oder der optische Strahlungsmischer streuend ausgebildet wird .
In einer Ausgestaltung können/kann das erste
optoelektronische Bauelement und/oder das zweite
optoelektronische Bauelement zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das wenigstens eine, erste optoelektronische Bauelement als wenigstens ein organisches optoelektronisches Bauelement eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das wenigstens eine, zweite optoelektronische Bauelement als wenigstens ein anorganisches optoelektronisches Bauelement eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können/kann das erste optoelektronische Bauelement und/oder das zweite
optoelektronische Bauelement zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen.
Das erste optoelektronische Bauelement kann bezüglich des zweiten optoelektronischen Bauelementes derart angeordnet werden, dass die von dem ersten optoelektronischen Bauelement und dem zweiten optoelektronischen Bauelement bereitgestellte elektromagnetische Strahlung in dem optischen
Strahlungsmischer gemischt werden kann.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
optoelektronische Bauelementevorrichtung als ein
optoelektronisches Hybrid-Bauelement ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die zwei oder mehr optoelektronischen Bauelemente des ersten
optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten
optoelektronischen Bauelementes eine gleiche und/oder
unterschiedliche Bauart aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das wenigstens eine, erste optoelektronische Bauelement und das wenigstens eine, zweite optoelektronische Bauelement eine
unterschiedliche Bauart aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die zwei oder mehr optoelektronischen Bauelemente des ersten
optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten
optoelektronischen Bauelementes eine wenigstens teilweise regelmäßige oder unregelmäßige Anordnung bezüglich des optischen Strahlungsmischers aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die zwei oder mehr optoelektronischen Bauelemente des ersten
optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten
optoelektronischen Bauelementes in Clustern angeordnet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Cluster derart ausgebildet sein, dass die Cluster eine regelmäßige und/oder unregelmäßige Anordnung von zwei oder mehr
optoelektronischen Bauelemente in den Clustern aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Cluster regelmäßig und/oder unregelmäßig bezüglich des optischen Strahlungsmischers angeordnet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die zwei oder mehr optoelektronischen Bauelemente des ersten
optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten
optoelektronischen Bauelementes nebeneinander und/oder übereinander angeordnet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können/kann das
Verfahren ferner das Anordnen und/oder das Ausbilden
wenigstens eines optischen Bauelementes über oder auf dem optischen Strahlungsmischer aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein optisches Bauelement als eine Streuschicht, ein Reflektor, ein
Konverterelement und/oder eine optische Linse ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Streuschicht im Lichtweg der bereitgestellten elektromagnetischen
Strahlung des ersten optoelektronischen Bauelementes, des zweiten optoelektronischen Bauelementes und/oder des
optischen Strahlungsmischers ausgebildet werden.
Die Streuschicht kann zu einem Homogenisieren der
Strahlungsverteilung der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung beitragen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Cluster eine regelmäßige oder unregelmäßige Anordnung von zwei oder mehr optoelektronischen Bauelemente in einem Cluster aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste
optoelektronische Bauelement über oder auf dem optischen Strahlungsmischer ausgebildet werden und/oder über oder auf dem optischen Strahlungsmischer angeordnet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein Anordnen des ersten optoelektronischen Bauelementes auf oder über dem optischen Strahlungsmischer stoffschlüssig ausgebildet sein, beispielsweise mittels Aufklebens des ersten
optoelektronischen Bauelementes auf dem optischen
Strahlungsmischer .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Aufbringen und/oder Anordnen eines Kühlkörpers aufweisen, wobei der Kühlkörper in einem körperlichen und/oder thermischen Kontakt mit dem ersten
optoelektronischen Bauelement und/oder dem zweiten
optoelektronischen Bauelement angeordnet wird.
In einer Ausgestaltung kann der Kühlkörper seitlich zu dem ersten optoelektronischen Bauelement angeordnet werden, beispielsweise in körperlichem Kontakt mit dem zweiten optoelektronischen Bauelement angeordnet werden.
Der Kühlkörper kann zur Entwärmung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung, beispielsweise des ersten
optoelektronischen Bauelementes eingerichtet sein.
Die Kühlkörper sollte derart eingerichtet sein, dass die Wärmeleitfähigkeit, die Emissivität, der
Konvektionskoeffizient und/oder die Oberfläche des
Kühlkörpers größer ist/sind als die Wärmeleitfähigkeit, die Emissivität, der Konvektionskoeffizient und/oder die
Oberfläche des ersten optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten optoelektronischen Bauelementes.
Mittels der seitlichen Anordnung der Kühlkörper bezüglich de ersten optoelektronischen Bauelementes kann die Wärmeabfuhr, beispielsweise die Entwärmung der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung, erhöht werden. In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner das Anordnen und/oder das Aufbringen eines Reflektors aufweisen, wobei der Reflektor derart angeordnet und/oder aufgebracht wird, dass die elektromagnetische Strahlung, die von dem optischen
Strahlungsmischer in eine andere Richtung als die
Hauptemissionsrichtung der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt wird, in dem optischen Strahlungsmischer in die Hauptemissionsrichtung umgelenkt wird.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bereitstellen einer Strahlungsverteilung von elektromagnetischer Strahlung in der Bildebene einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, wobei die optoelektronische Bauelementevorrichtung zum
Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung in der
Bildebene eingerichtet ist, wobei die optoelektronische
Bauelementevorrichtung wenigstens ein erstes
optoelektronisches Bauelement und wenigstens ein zweites optoelektronisches Bauelement aufweist, wobei das wenigstens eine erste optoelektronische Bauelement und das wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement eine
unterschiedliche Bauart aufweisen; wobei das wenigstens eine erste optoelektronische Bauelement mit einem ersten
Betriebsstrom betrieben wird und wobei das wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement mit einem zweiten
Betriebsstrom betrieben wird; wobei das wenigstens eine erste optoelektronische Bauelement und das wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement elektromagnetische Strahlung in einen optischen Strahlungsmischer bereitstellen und/oder von einem optischen Strahlungsmischer aufnehmen; wobei die
Strahlungsverteilung der in der Bildebene bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung mittels der in dem optischen Strahlungsmischer bereitgestellten elektromagnetischen
Strahlung ausgebildet wird; wobei mittels des ersten
Betriebsstromes und des zweiten Betriebsstromes ein zeitlicher Verlauf der Strahlungsverteilung der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene ähnlich einem Wellenverlauf ausgebildet wird. Das Ändern der Strahlungsverteilung der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung kann mittels einer lokalen und/oder zeitlichen Modulation der bereitgestellten
elektromagnetischen Strahlung der wenigstens zwei
unterschiedlichen optoelektronischen Bauelemente eingestellt werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann mittels der
Betriebsströme der optoelektronischen Bauelemente der Anteil der elektromagnetischen Strahlung, der von einem
optoelektronischen Bauelement bereitgestellt wird,
eingestellt werden, so dass die Strahlungsverteilung der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung verändert wird.
Mittels einer zeitlichen Modulation des ersten
Betriebsstromes/der ersten Betriebsströme des ersten
optoelektronischen Bauelementes und/oder des zweiten
Betriebsstromes/der zweiten Betriebsströme des zweiten optoelektronischen Bauelementes kann ein dynamischer
Farbverlauf und/oder Farbeindruck der flächig von dem
optischen Strahlungsmischer bereitgestellten
elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden. Mit anderen Worten: die optoelektronischen Bauelemente der optoelektronischen Bauelementevorrichtung können derart angesteuert werden, dass eine in der Fläche durchstimmbare, heterogene Strahlungscharakteristik in der Bildebene der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung kann die zeitliche Modulation als eine dynamisch durchstimmbare Strahlungsverteilung eingerichtet sein, beispielsweise ein dynamisch durchstimmbarer Farbort innerhalb des Farbraumes, der von den unterschiedlichen Bauarten der optoelektronischen Bauelemente der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung aufgespannt wird.
Ein dynamischer Farbverlauf kann beispielsweise als
wellenartige, bewegte Oberfläche wahrgenommen werden, beispielsweise ähnlich einer welligen Wasseroberfläche und/oder einer Wolkenbewegung am Firmament.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine schematische Darstellung einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltung;
Figur 2 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 3 eine schematische Draufsicht auf eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;
Figur 4 eine CIE-Farbtafel mit einem Farbraum einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen;
Figur 6 eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen; Figur 7 eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;
Figur 8 eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; und
Figur 10 eine schematische Draufsicht einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung im
Betrieb, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig.l zeigt eine schematische Darstellung einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausgestaltung.
Dargestellt sind ein erstes optoelektronisches Bauelement 102, ein zweites optoelektronisches Bauelement 104 und ein optischer Strahlungsmischer 106. Die dargestellte optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 ist, ohne Beschränkung der Allgemeinheit, als
beispielhafte Anordnung von optoelektronischen Bauelementen 102, 104 um einen optischen Strahlungsmischer 106 herum zu verstehen .
Das erste optoelektronische Bauelement 102 und/oder das zweite optoelektronische Bauelement 104 können derart in der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 angeordnet sein, beispielsweise um den optischen Strahlungsmischer 106, beispielsweise im körperlichen Kontakt, das
elektromagnetische Strahlung 108, 110 von den
optoelektronischen Bauelementen 102, 104 in den optischen Strahlungsmischer 106 beispielsweise bereitgestellt wird. In der Darstellung ist eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung gezeigt, bei der elektromagnetische
Strahlung von wenigstens zwei optoelektronischen Bauelementen 102, 104 bereitgestellt wird. In weiteren Ausgestaltungen kann eines der beiden oder beide optoelektronische Bauelemente 102, 104 zum Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann eines der optoelektronischen Bauelemente 102,104 elektromagnetische Strahlung aufnehmen, während das wenigstens eine andere optoelektronische
Bauelement 104, 102 elektromagnetische Strahlung
bereitstellt . Eine Ausgestaltung mit einem Strahlungsaufnehmenden
optoelektronischen Bauelement 102, 104 und einem
strahlungsbereitstellenden optoelektronischen Bauelement 102, 104 kann beispielsweise als ein optischer Koppler
eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung können die wenigstens zwei
optoelektronischen Bauelemente 102, 104 elektromagnetische Strahlung aufnehmen (nicht dargestellt) . Eine Ausgestaltung mit Strahlungsaufnehmenden
optoelektronischen Bauelementen 102, 104 kann beispielsweise als Fotodetektor oder Solarzelle eingerichtet sein,
beispielsweise für unterschiedliche Wellenlängenbereiche der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung.
In einer Ausgestaltung können die optoelektronischen
Bauelemente 102, 104 für ein Bereitstellen und/oder ein
Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sein, beispielsweise gleichzeitig, beispielsweise mittels Änderns des Betriebsmodus des optoelektronischen Bauelementes 102, 104, beispielsweise bei einem bidirektionalen optischen Koppler .
Die bereitgestellte elektromagnetische Strahlung 108, 110 ist in Ansicht 100 mittels der Pfeile 108, 110 schematisch dargestellt . Die bereitgestellte elektromagnetische Strahlung 108, 110 kann in dem optischen Strahlungsmischer 106 gemischt werden.
Mit anderen Worten: in dem optischen Strahlungsmischer kann aus dem ersten Spektrum bereitgestellter und/oder
aufgenommener elektromagnetischer Strahlung des ersten optoelektronischen Bauelementes und aus dem zweiten Spektrum bereitgestellter und/oder aufgenommener elektromagnetischer Strahlung des zweiten optoelektronischen Bauelementes, ein gemischtes, drittes Spektrum elektromagnetischer Strahlung ausgebildet werden.
Das dritte Spektrum kann beispielsweise Eigenschaften des ersten Spektrums und des zweiten Spektrums aufweisen.
Die gemischte elektromagnetische Strahlung 112 kann dann wenigstens teilweise in die Bildebene 114 der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 bereitgestellt werden, beispielsweise weitergeleitet werden.
Die Eigenschaften der gemischten elektromagnetischen
Strahlung 112 kann mittels der Eigenschaften der
optoelektronischen Bauelemente 102, 104 und/oder deren
Betriebsmodi, beispielsweise deren Betriebsstrom,
beispielsweise die Intensität der bereitgestellten
elektromagnetischen Strahlung, eingestellt werden.
In einer Ausgestaltung kann das erste optoelektronische Bauelement 102 als ein organisches optoelektronisches
Bauelement eingerichtet sein, beispielsweise eine flächige organische Leuchtdiode, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig.2.
In einer Ausgestaltung kann die organische Leuchtdiode 102 als eine einfarbige und/oder mehrfarbige organische
Leuchtdiode eingerichtet sein, beispielsweise als eine OLED mit mehreren gleichen oder unterschiedlichen Emissionszonen, beispielsweise unterschiedlichen Emitterschichten. In einer Ausgestaltung kann das zweite optoelektronische Bauelement 104 beispielsweise als ein anorganisches
optoelektronisches Bauelement 104 eingerichtet sein,
beispielsweise eine anorganische Leuchtdiode 104,
beispielsweise eine GaN-Diode, InGaN-Diode oder InGaAlP- Diode .
In einer Ausgestaltung kann das erste optoelektronische
Bauelement 102 als ein anorganisches optoelektronisches
Bauelement 102, beispielsweise eine anorganische Leuchtdiode, eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann das zweite optoelektronische Bauelement 104 als ein organisches optoelektronisches
Bauelement 104, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann das erste optoelektronische
Bauelement 102 größer oder kleiner als das zweite
optoelektronische Bauelement 104 ausgebildet sein,
beispielsweise eine größere, Strahlung bereitstellende
Oberfläche aufweisen. In einer Ausgestaltung können die optoelektronischen
Bauelemente 102, 104 eine runde, kreisförmige, eckige, rechteckige, vieleckige Form der Oberfläche aufweisen von der elektromagnetische Strahlung bereitgestellt und/oder
aufgenommen wird.
In einer Ausgestaltung können das erste optoelektronische Bauelement 102 und/oder das zweite optoelektronische
Bauelement 104 mehrere optoelektronischer Bauelemente
aufweisen .
Die mehreren optoelektronischen Bauelemente können
beispielsweis eine unterschiedliche Bauart aufweisen. Die mehreren optoelektronischen Bauelemente können
beispielsweise nebeneinander oder übereinander ausgebildet sein . Übereinander ausgebildete optoelektronische Bauelemente können beispielsweise als übereinander im gleichen
Strahlengang angeordnete optoelektronische Bauelemente und/oder als ein optoelektronisches Bauelement mit einem Wellenlängenkonverter eingerichtet sein.
Ein Beispiel für ein übereinander im gleichen Strahlengang angeordnete optoelektronische Bauelemente kann beispielsweise eine weiße organische Leuchtdiode sein. Ein Beispiel für ein optoelektronisches Bauelement mit einem Wellenlängenkonverter kann beispielsweise eine InGaN-Diode mit einer LeuchtstoffSchicht sein.
Der optische Strahlungsmischer 106 kann in einer
Ausgestaltung als Wellenleiter und/oder Strahlleiter
eingerichtet sein.
Ein Strahlleiter ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Leiter zum Leiten von elektromagnetischer Strahlung. Der Strahlleiter kann ein Bauelement sein, das für
elektromagnetische Strahlung transparent oder zumindest im Wesentlichen transparent eingerichtet ist.
Ein im Wesentlichen transparenter Strahlleiter kann
beispielsweise eine Transmission einfallender
elektromagnetischer Strahlung von größer ungefähr 90 % aufweisen .
Ein Strahlleiter kann beispielsweise eine längliche,
beispielsweise flächige Form, beispielsweise Abmessung, aufweisen, beispielsweise in einer Raumrichtung sehr viel länger oder sehr viel kürzer ausgebildet sein als in die beiden anderen Raumrichtungen. Die Strahlleitung elektromagnetischer Strahlung kann in dem Strahlleiter beispielsweise aufgrund von interner Reflexion an einer Außenwandung des Strahlleiters aufgrund eines höheren Brechungsindex des Materials des Strahlleiters als der Brechungsindex des den Strahlleiter umgebenden Mediums erfolgen .
Die interne Reflexion kann als interne Totalreflexion
und/oder mittels einer Verspiegelung der Außenwandung des Strahlleiters eingerichtet sein.
Die Außenwandung kann auch als Grenzfläche des Strahlleiters bezeichnet werden.
Beispielsweise kann der Strahlleiter Fasern, eine Röhre oder einen Stab aufweisen, wodurch die elektromagnetische
Strahlung über eine Strecke hinweg transportiert werden kann. Der Strahlleiter kann auch als Lichtleiter, Lichtleitfaser, Lichtwellenleiter oder Lichtfaser bezeichnet werden.
Der Strahlleiter kann Glasfasern aufweisen und/oder als
Glasfaserkabel bezeichnet werden.
Der Strahlleiter kann beispielsweise Kunststoff, wie
beispielsweise polymere Fasern, PMMA, Polycarbonat und/oder Hard Clad Silica aufweisen. Ferner kann der Strahlleiter als planare
Lichtwellenleiterstrukturen (PLWL) ausgebildet sein.
Ferner kann der Strahlleiter in Form eines Stabes, eines Riegels, eines Plättchens, eines Quaders, eines Würfels, eines Hohlzylinders oder sonstiger, ähnlicher geometrischer Figuren ausgebildet sein. Die optoelektronischen Bauelemente 102, 104 können weitere optische Elemente aufweisen, beispielsweise eine Linse, beispielsweise eine Sammellinse oder Zerstreuungslinse, oder beispielsweise einen Wellenlängenkonverter, beispielsweise eine LeuchtstoffSchicht .
Fig.2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen .
Das organische optoelektronische Bauelement 200,
beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung
bereitstellendes organisches elektronisches Bauelement 200, beispielsweise ein organische lichtemittierendes Bauelement 200, beispielsweise eine organische Leuchtdiode 200 kann einen Träger 202 aufweisen.
Der Träger 202 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 202 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 202 eine
Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der
Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 202 kann eines oder mehrere der oben
genannten Stoffe aufweisen. Der Träger 202 kann ein Metall oder eine Metallverbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Aluminium, Stahl oder ähnliches. Ein Träger 202 aufweisend ein Metall oder eine
Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein.
Der Träger 202 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff
„transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann.
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen . Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische
Leuchtdiode 200 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und/oder Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom- Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Auf oder über dem Träger 202 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 204 angeordnet sein. Die Barriereschicht 204 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 204 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm.
Auf oder über der Barriereschicht 204 kann ein elektrisch aktiver Bereich 206 des organischen optoelektronischen
Bauelements 200 angeordnet sein. Der elektrisch aktive
Bereich 206 kann als der Bereich des organischen
optoelektronischen Bauelements 200 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des organischen
optoelektronischen Bauelements 200 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 206 eine erste Elektrode 210, eine zweite Elektrode 214 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 212 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden.
So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 204 (oder, wenn die Barriereschicht 204 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 202) die erste Elektrode 210 (beispielsweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 210) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 210 (im Folgenden auch als untere Elektrode 210 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO,
Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2ln20s oder
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 210 ein Metall aufweisen; beispielsweise Cu, Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 210 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 210 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 210 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 210 und der Träger 202 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 210 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode 210 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 210 beispielsweise Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 210 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 210 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 210 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 210 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff-
Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 210 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. Die erste Elektrode 210 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die erste Elektrode 210 kann einen ersten elektrischen
Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 202 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 210 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein. Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 206 des
organischen optoelektronischen Bauelements 200 eine
organische funktionelle Schichtenstruktur 212 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 210 aufgebracht ist oder ausgebildet wird.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 kann eine oder mehrere Emitterschichten 218 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 216 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 220). In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 216 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 216) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem organischen optoelektronischen Bauelement 200 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 218
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein. Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 218 des
organischen optoelektronischen Bauelements 200 können
beispielsweise so ausgewählt sein, dass das organische optoelektronische Bauelement 200 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 218 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot)
emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ
kann/können die Emitterschicht (en) 218 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 218 oder blau phosphoreszierenden
Emitterschicht 218 , einer grün phosphoreszierenden
Emitterschicht 218 und einer rot phosphoreszierenden
Emitterschicht 218. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen
Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine
Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die
Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht 220 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 216 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht 220 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes
Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 220 auf oder über der ersten Elektrode 210 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 218 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 220 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann dir Elektronentransportschicht 216 auf oder über der Emitterschicht 218 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 220 und
Emitterschicht (en) 218 und Elektronentransportschicht (en) 216) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 beispielsweise einen
Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 212
beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 212 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 ym.
Das organische optoelektronische Bauelement 200 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten,
beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 218 oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht (en) 216 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des organischen optoelektronischen Bauelements 200 weiter zu verbessern .
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 212 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 214
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 214) aufgebracht sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 214 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 210, wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 214 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 214) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 214 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 210, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 214 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 210 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 210 und die zweite Elektrode 214 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte organische optoelektronische Bauelement 200 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 200) ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 214 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. Die zweite Elektrode 214 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 214 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 206 kann optional noch eine Verkapselung 208, beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 208 gebildet werden oder sein. Unter einer „Barrierendünnschicht" 208 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 208 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 208 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 208 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 208 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 208 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 208 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 208 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 208, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 208, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 208 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendünnschicht 208 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung . Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 208 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 208 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Die Barrierendünnschicht 208 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 208 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 208 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 208) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 208 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 208 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid,
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium- dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 208 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 208 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 208 ein Klebstoff 224 und/oder ein
Schutzlack 224 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 226 (beispielsweise eine Glasabdeckung 226, eine Metallfolienabdeckung 226, eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 226) auf der Barrierendünnschicht 208 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch
transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 224 eine Schichtdicke von größer als 1 ym aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 10 ym bis ungefähr 50 ym. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs 224 (auch bezeichnet als
Kleberschicht) oder des Schutzlackes 224 können in
verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende
Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S1O2), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20a) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen
Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel ,
Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder
dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 214 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 224 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 ym, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 ym, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner oder größer ist als der Brechungsindex der Abdeckung 226. In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. In einer Ausgestaltung kann ein
Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0.
Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe
vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 224 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 226, beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 208 aufgebracht werden.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 226, beispielsweise aus Glas, beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 200 mit der Barrieredünnschicht 208 aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 226 und/oder der Klebstoff 224 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 208,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 208) in dem
organischen optoelektronischen Bauelement 200 vorgesehen sein . In einer Ausgestaltung der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 100 kann das erste optoelektronischer Bauelement 102 und/oder das zweite optoelektronischer
Bauelement 104 als ein organisches optoelektronisches
Bauelement 200 eingerichtet sein.
Fig.3 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen . Dargestellt ist eine Draufsicht 300 einer Ausgestaltung einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 ähnlich oder gleich einer Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l.
In der Draufsicht 300 dargestellt, sind seitlich zu einem optischen Strahlungsmischer 106 angeordnete optoelektronische Bauelemente 306, 308.
Die seitlich zu dem optischen Strahlungsmischer 106
angeordneten optoelektronischen Bauelemente 306, 308 können als zweites optoelektronisches Bauelement 104 verstanden werden und beispielsweise eine unterschiedliche Bauart aufweisen, beispielsweise elektromagnetische Strahlung mit einer unterschiedlichen Farbvalenz aufnehmen und/oder
bereitstellen .
Das in der Ansicht links des optischen Strahlungsmischers 106 angeordnete optoelektronische Bauelement 306 kann auch als zweites optoelektronisches Bauelement 104 bezeichnet werden. Das in der Ansicht rechts des optischen Strahlungsmischers angeordnete optoelektronische Bauelement 308 könnte im Rahmen der Beschreibung als weiteres, zweites optoelektronisches Bauelement 104 oder auch als drittes optoelektronisches
Bauelement bezeichnet werden.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein optoelektronisches Bauelement 306 des zweiten optoelektronischen Bauelementes 104 als eine anorganische Leuchtdiode 306 eingerichtet sein, wobei die anorganische Leuchtdiode 306 elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich bereitstellt, der mit rotem Licht assoziiert wird. In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein optoelektronisches Bauelement 308 des zweiten optoelektronischen Bauelementes 104 als eine anorganische Leuchtdiode 308 eingerichtet sein, wobei die anorganische Leuchtdiode 308 elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich bereitstellt, der mit blauem Licht assoziiert wird.
In einer Ausgestaltung kann das erste optoelektronische
Bauelement 102 (nicht zu erkennen) gemäß einer der
Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.l oder Fig.2
eingerichtet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der erste Träger einen anorganischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die optoelektronischer
Bauelementevorrichtung einem Kühlkörper 304 aufweisen.
Der Kühlkörper 304 kann beispielsweise im körperlichen und/oder thermischen Kontakt mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 102 und/oder zweiten
optoelektronischen Bauelement 104 eingerichtet sein,
beispielsweise aufgeklebt sein, beispielsweise mittels einer Wärmeleitpaste .
In einer Ausgestaltung kann der Kühlkörper 314 zur Entwärmung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100
eingerichtet sein, beispielsweise indem der Kühlkörper 304 eine größere Oberfläche, Emissivität, einen größeren
Konvektionskoeffizient und/oder eine größere
Wärmeleitfähigkeit aufweist, als wenigstens ein weiterer Bereich der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100, der mit dem Kühlkörper in einem thermischen Kontakt steht, beispielsweise das erste optoelektronischer Bauelement 102 und/oder das zweite optoelektronische Bauelement 104.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronischen
Bauelementevorrichtung einen Reflektor 302 aufweisen.
Der Reflektor 302 kann beispielsweise auf oder an dem
optischen Strahlungsmischer 106 fixiert sein, beispielsweise aufgeklebt oder aufgedampft sein.
Der Reflektor 302 kann derart ausgebildet sein, dass
elektromagnetische Strahlung in dem optischen
Strahlungsmischer 106 von dem Reflektor 302 reflektiert wird, beispielsweise mit einem Anteil bezüglich einfallender elektromagnetischer Strahlung von größer ungefähr 50 %, beispielsweise größer ungefähr 90 %, beispielsweise
totalreflektiert wird.
Mittels des Reflektors 302 kann eine Auswahl der
Bildebene 114 der optoelektronischen Bauelementevorrichtung getroffen werden, in die elektromagnetische Strahlung 112 von dem optischen Strahlungsmischer 106 bereitgestellt wird und/oder von dem optischen Strahlungsmischer 106 aufgenommen wird . Fig.4 zeigt eine CIE-Farbtafel mit einem Farbraum einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen. Dargestellt ist eine CIE-Farbtafein 400 mit den Farborten Cy 402 und Cx 404 mit den Einträgen als unterschiedlicher
Farborte .
Weiterhin dargestellt sind der korrelierte
Farbtemperaturverlauf der elektromagnetischen Strahlung eines Schwarzkörpers 406 und die Spektralfarbenlinie 408.
Weiterhin ist der Farbraum 410 für eine optoelektronische Bauelementevorrichtung 300 mit drei optoelektronischen
Bauelement 102, 306, 308 mit unterschiedlichen
optoelektronischen Eigenschaften dargestellt, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltung der Fig.3.
Der dargestellte Farbraum 410 ist lediglich als
Veranschaulichung des Funktionsprinzips der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 zu verstehen.
In einer weiteren Ausgestaltung kann die optoelektronischer Bauelementevorrichtung 100 beispielsweise 2, 3 (dargestellt), 4, 5, 6 oder mehr optoelektronischen Bauelemente gleicher und/oder unterschiedlicher Bauart aufweisen, wobei die optoelektronischen Bauelemente wenigstens geordnet oder unregelmäßig in der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 angeordnet sein können.
Die von den optoelektronischen Bauelementen 102, 306, 308 einer Bauart bereitstellbare und/oder aufnehmbare
elektromagnetische Strahlung 108, 110 kann die Eckpunkte des erreichbaren Farbraumes 410 der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 100, 300 darstellen.
Zur Veranschaulichung wird, ohne Beschränkung der
Allgemeinheit, der Farbraum am Beispiel einer Strahlung bereitstellenden optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 beschrieben.
Innerhalb des Farbraumes 410 (angedeutet mittels der
gestrichelten Linien) kann jeder Farbort Cx, Cy mittels der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 eingestellt werden, d.h. erreicht werden. Ein konkreter Farbort mit den Farbortkoordinaten Cx, Cy kann eingestellt werden, indem die optoelektronischen Eigenschaften der optoelektronischen
Bauelemente 102, 306, 308 eingestellt werden, beispielsweise in dem der Betriebsstrom der optoelektronischen Bauelemente 102, 306, 308 derart eingestellt werden, dass die
Farbmischung der Einzelfarben der optoelektronischen
Bauelemente des aufgespannten Farbraums die gewünschte Farbe erzeugt.
Mit anderen Worten: mittels der unterschiedlichen
optoelektronischen Eigenschaften der optoelektronischen
Bauelemente 102, 306, 308 kann in dem optischen
Strahlungsmischer 106 jeder Farbort Cx 404, Cy 402 innerhalb des aufgespannten Farbraumes 410 eingestellt werden.
Mit anderen Worten: die von dem optischen
Strahlungsmischer 106 bereitstellbare elektromagnetische Strahlung 112 kann jeden Farbort Cx 404, Cy 402 innerhalb des Farbraumes 410 einnehmen.
Die Ausgestaltung des Farbraumes 410 kann abhängig sein, von den optoelektronischen Eigenschaften, beispielsweise der Bauart, und der Anordnung der optoelektronischen Bauelemente 102, 104 in der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 100, 300.
In einer Ausgestaltung kann die Verbindungslinie zwischen zwei Endpunkten des Farbraumes, beispielsweise die
Verbindungslinie 412, eine nichtlineare Form aufweisen, beispielsweise indem eines der optoelektronischen Bauelemente der Eckpunkte ein optoelektronisches Bauelement und einen Wellenlängenkonverter aufweist, mit anderen Worten einer der Eckpunkte mittels einer Farbmischung, beispielsweise einer Wellenlängenkonversion, ausgebildet wird. Fig.5 zeigt eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen.
In Fig.5 ist eine Querschnittsansicht 500 einer Ausgestaltung einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100
dargestellt, beispielsweise gleich einer der Ausgestaltungen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung der Fig.3.
In einer Ausgestaltung kann das erste optoelektronische
Bauelement als ein organisches optoelektronisches Bauelement 200 eingerichtet sein, beispielsweise ähnlich oder gleich einer Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.2 eingerichtet sein .
Zusätzlich in der Querschnittsansicht 500 dargestellt, sind die geometrischen Randbereiche des ersten optoelektronischen Bauelementes 102, 200.
In den geometrischen Randbereichen des ersten
optoelektronischen Bauelementes 102, 200 ist die
Kontaktierung der ersten Elektrode 210 und der zweiten
Elektrode 214 zu erkennen.
Die Elektroden 210,214 können in einem körperlichen und/oder elektrischen Kontakt mit Kontaktpads 504 zur elektrischen Kontaktierung des ersten optoelektronischen Bauelementes 102, 200 mit externen elektrischen Anschlüssen (nicht dargestellt) eingerichtet sein.
Die zweite Elektrode 214 kann mittels eines Resists 502, beispielsweise ein Polyimid, elektrisch bezüglich der ersten Elektrode 210 isoliert sein. In einer Ausgestaltung kann die zweite Elektrode 214
reflektierend für bereitgestellte elektromagnetische
Strahlung eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung kann die Verkapselung der zweiten Elektrode 214 mittels der Schichten 208, 224, 226 optional sein .
In einer Ausgestaltung der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 100 kann der Träger 202 des ersten optoelektronischen Bauelementes zusätzlich als optischer Strahlungsmischer 106 eingerichtet sein, beispielsweise ein Glas und/oder Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten: das erste optoelektronische Bauelement 102, 200 kann auf oder über dem optischen Strahlungsmischer 106, 202 ausgebildet werden.
Das erste optoelektronische Bauelement kann derart
ausgebildet werden, dass elektromagnetische Strahlung 108 in den optischen Strahlungsmischer 106, 202 bereitgestellt wird.
Auf oder über dem optischen Strahlungsmischers 106 kann eine erste Streuschicht 510 aufgebracht sein. Die erste
Streuschicht 510 kann beispielsweise die Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung aus dem optischen
Strahlungsmischers 106 erhöhen. Die Streuschicht 510 kann beispielsweise zwischen dem optischen Strahlungsmischer 106 und der Bildebene 114 angeordnet sein
Die erste Streuschicht 510 kann beispielsweise ähnlich oder gleich der KlebstoffSchicht 224 gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig.2 eingerichtet sein .
In einer Ausgestaltung kann die erste Streuschicht 510 auch als eine Streufolie eingerichtet sein, wobei die Streufolie streuende Partikel aufweisen kann. Die streuenden Partikel der Streufolie können beispielsweise ähnlich der streuenden Partikel bzw. Zusätze der KlebstoffSchicht 224 eingerichtet sein . Zusätzlich kann die Streufolie einen Träger aufweisen, wobei der Träger der Streufolie beispielswiese eine
Kunststofffolie, eine Glasfolie oder eine Metallfolie
aufweisen kann. Die Streufolie kann beispielsweise eine Dicke in einem
Bereich von ungefähr 50 ym bis ungefähr 500 ym aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 100 ym bis ungefähr 200 ym. Die Streufolie kann beispielsweise auf oder über den
optischen Strahlungsmischer 106 auflaminiert werden,
beispielsweise mittels eines Klebstoffes, wobei der Klebstoff ähnlich der KlebstoffSchicht 224 eingerichtet sein kann. Weiterhin kann die optoelektronischer Bauelementevorrichtung 100 wenigstens ein zweites optoelektronisches Bauelement aufweisen, dargestellt als seitlich zum optischen
Strahlungsmischer 106 angeordnete, optoelektronische
Bauelemente 306, 308.
In einer Ausgestaltung kann das wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement 104 mehrere optoelektronische Bauelemente aufweisen. In der Querschnittsansicht 500 sind zwei optoelektronischen Bauelemente 306, 308 als zweites optoelektronisches Bauelement 104 zu erkennen. Die beiden optoelektronischen Bauelement 306, 308 des zweiten
optoelektronischen Bauelementes 104 können eine
unterschiedliche Bauart aufweisen, so dass die beiden
optoelektronischen Bauelemente unterschiedliche
elektromagnetische Strahlung 506, 508 in den optischen
Strahlungsmischer 106 bereitstellen, beispielsweise
elektromagnetische Strahlung die mit blauem und/oder rotem Licht assoziiert werden/wird. Die Mischung der elektromagnetischen Strahlung 108, 506, 508 kann in dem optischen Strahlungsmischer 106 und/oder in der Streuschicht 510 erfolgen.
Der optische Strahlungsmischer 106 kann elektromagnetische Strahlung 112 bereitstellen, die eine Funktion der
elektromagnetischen Strahlung 108, 506, 108 ist, die von den optoelektronischen Bauelementen 102, 104 bereitgestellt wird und im optischen Kontakt mit dem optischen Strahlungsmischer 106 stehen.
Mittels Änderns des Betriebsstromes der optoelektronischen Bauelemente 102, 104 können die optischen Eigenschaften der elektromagnetischen Strahlung 112, die von dem optischen Strahlungsmischer 106 bereitgestellt wird, eingestellt und/oder verändert werden.
Fig.6 zeigt eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen.
In Fig.6 ist eine Querschnittsansicht 600 einer Ausgestaltung einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100
dargestellt, beispielsweise ähnlich oder gleich einer der Ausgestaltungen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung der Fig.3 und Fig.5.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung ähnlich oder gleich einer der
Ausgestaltungen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 in der Querschnittsansicht 600 eine zweite
Streuschicht 602 aufweisen.
Die zweite Streuschicht 602 kann beispielsweise ähnlich oder gleich der ersten Streuschicht 510, gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig.5 eingerichtet sein . Die zweite Streuschicht 602 kann beispielsweise zwischen dem Träger 202 und der optionalen Barriereschicht 204 bzw.
zwischen dem Träger 202 und der ersten Elektrode 210
angeordnet sein.
Die Mischung der bereitgestellten elektromagnetischen
Strahlung 108, 506, 508 kann in dieser Ausgestaltung in den Streuschichten 510, 602 und dem optischen
Strahlungsmischer 106 erfolgen.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Streuschicht 602 unterschiedlich zu der ersten Streuschicht 510 eingerichtet sein, beispielsweise für einen anderen Wellenlängenbereich der elektromagnetischen Strahlung streuend eingerichtet sein.
Fig.7 zeigt eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen.
In Fig.7 ist eine Querschnittsansicht 700 einer Ausgestaltung einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100
dargestellt, beispielsweise ähnlich oder gleich einer der Ausgestaltung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung der Fig.3 und Fig.6. In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung 100 ähnlich oder gleich der
Ausgestaltung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 eingerichtet sein. Die Querschnittsansicht 700 zeigt einen streuenden, optischen Strahlungsmischer 106, 702, wobei im Strahlengang des
streuenden, optischen Strahlungsmischers 702 streuende
Partikel verteilt sind. Die streuenden Partikel können beispielsweise ähnlich oder gleich den streuenden Partikel der KlebstoffSchicht 224 eingerichtet sein.
Die Mischung der bereitgestellten elektromagnetischen
Strahlung 108, 506, 508, beispielsweise die Farbmischung, kann in dieser Ausgestaltung in den Streuschichten 510 und dem streuenden, optischen Strahlungsmischer 702 erfolgen.
In einer weiteren Ausgestaltung kann die optoelektronischer Bauelementevorrichtung 100 eine zweite Streuschicht 602 und einen streuenden, optischen Strahlungsmischer 702 aufweisen.
In einer weiteren Ausgestaltung können die Streuschichten 510, 602 optional sein und eine streuende Wirkung nur mittels eines streuenden, optischen Strahlungsmischers 702
ausgebildet werden.
In einer weiteren Ausgestaltung optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 100 sind keine Streuschichten 510, 602 und/oder ein lichtstreuender, optischer Strahlungsmischer 702 eingerichtet, sondern nur Strahlungsmischer 106 ohne streuend Zusätze .
Die streuende Wirkung kann dann beispielsweise mittels einer rauen Oberfläche der elektromagnetischen Strahlung 112 bereitstellenden Oberfläche ausgebildet werden.
Fig.8 zeigt eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. In Fig.8 ist eine Querschnittsansicht 800 einer Ausgestaltung einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100
dargestellt, beispielsweise ähnlich oder gleich einer der Ausgestaltung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung der Fig.3 und Fig.5.
In der dargestellten Ausgestaltung der
Querschnittsansicht 800 der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 100 kann zwischen der
Barriereschicht 204 bzw. der ersten Elektrode 210 und dem Träger 202 eine zweite Streuschicht 602 ähnlich oder gleich der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.6 eingerichtet sein . Weiterhin kann in einer Ausgestaltung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 keine erste Streuschicht 510 ausgebildet sein. Weiterhin kann in einer Ausgestaltung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 das zweite optoelektronische
Bauelement 104 optoelektronische Bauelemente einer Bauart aufweisen (dargestellt) . Weiterhin kann in einer Ausgestaltung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 das erste optoelektronischen
Bauelement 102 mehrfarbig eingerichtet sein.
Ein mehrfarbiges erstes optoelektronisches Bauelement 102 kann beispielsweise elektromagnetische Strahlung 802
bereitstellen, die mit einem grünen Licht, roten Licht und/oder einer Lichtmischung aus rotem und grünem Licht assoziiert wird. In einer Ausgestaltung kann das erste optoelektronische
Bauelement 102 zum Bereitstellen mehrfarbiger
elektromagnetischer Strahlung 802 eingerichtet sein,
beispielsweise als ein optoelektronisches Bauelement 102 mit mehreren Emissionszonen, beispielweise mehreren
Emitterschichten 218, aus denen elektromagnetische Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge bereitgestellt wird.
In einer Ausgestaltung kann das zweite optoelektronische Bauelement 104 elektromagnetische Strahlung 108 in den optischen Strahlungsmischer 106 bereitstellen, beispielsweise ein einfarbiges Licht, beispielsweise ein blaues Licht.
In einer Ausgestaltung kann das zweite optoelektronische Bauelement 104 beispielsweise als ein anorganisches
optoelektronisches Bauelement 104, beispielsweise eine organischen Leuchtdiode 104, beispielsweise eine InGaN-Diode 104, GaN-Diode 104 oder InGaAlP-Diode 104 eingerichtet sein. Seitlich zu dem optischen Strahlungsmischer 106 können ein oder mehrere zweite optoelektronischen Bauelemente 104 angeordnet sein, beispielsweise aufgeklebt sein auf die
Seitenwände des optischen Strahlungsmischers 106 und/oder auf die Seitenwänden des optischen Strahlungsmischers 106 ausgerichtet sein derart, dass die von den optoelektronischen Bauelement bereitgestellte elektromagnetische Strahlung 108, 110, 112 in den optischen Strahlungsmischer 106 gelenkt werden kann. Der optische Strahlungsmischer 106 kann dann eine gemischte elektromagnetische Strahlung 112 des ersten optoelektronischen Bauelementes 102 und des zweiten
optoelektronischen Bauelementes 104 bereitstellen.
Fig.9 zeigt eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen.
Dargestellt ist eine optoelektronische Bauelementevorrichtung 100, beispielsweise ähnlich oder gleich einer der
Ausgestaltungen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung der Fig.3 und Fig.6.
In einer weiteren Ausgestaltung der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 100, dargestellt in der schematischen Querschnittsansicht 900, kann ähnlich zu der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.6 das erste optoelektronische
Bauelement 102, mit zweiter Streuschicht 602 auf oder über dem Träger 202 ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung einen separaten optischen
Strahlungsmischer 106 aufweisen. Mit anderen Worten der
Träger 202 des optoelektronischen Bauelementes ist nicht als optischer Strahlungsmischer 106 eingerichtet. Stattdessen kann der Träger 202 mit erstem optoelektronischen Bauelement 102 auf oder über dem optischen Strahlungsmischer 106 fixiert werden, beispielsweise mit einer schlüssigen Verbindung 902. Mit anderen Worten: Der Träger 202 kann auf oder über einem optischen Strahlungsmischer 106 aufgebracht bzw. fixiert sein, beispielsweise Stoffschlüssige verbunden sein,
beispielsweise aufgeklebt sein.
In einer Ausgestaltung kann die Stoffschlüssige Verbindung 902 ähnlich oder gleich der KlebstoffSchicht 224 eingerichtet sein, beispielsweise kann die schlüssige Verbindung 902 transparent und/oder transluzent eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann die schlüssige Verbindung 902 Streuzentren aufweisen. Fig.10 zeigt eine schematische Draufsicht einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung im Betrieb, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen.
In der schematischen Draufsicht 1000 ist eine Momentaufnahme einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100,
beispielsweise ähnlich oder gleich einer Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.3 bis Fig.9 in einem Betriebsmodus gemäß verschiedenen Ausgestaltungen dargestellt. In den Strom-Zeit-Diagrammen 1002, 1004, 1006, 1008, 1010 ist der Betriebsstrom ausgewählter optoelektronischer Bauelemente als Funktion der Zeit dargestellt.
In einer Ausgestaltung kann das wenigstens eine erste
optoelektronische Bauelement 102 und das wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement 104 separat angesteuert werden, beispielsweise individuell; und/oder kollektiv, beispielsweise korreliert, beispielsweise in Clustern
und/oder als Cluster angesteuert werden.
In einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr
optoelektronischen Bauelemente des ersten optoelektronischen Bauelementes 102 und/oder des zweiten optoelektronischen Bauelementes 104, beispielsweise separat, beispielsweise individuell; und/oder kollektiv, beispielsweise korreliert, beispielsweise innerhalb eines Clusters und/oder als Cluster angesteuert werden.
In einer Ausgestaltung eines Betriebsmodus einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, dargestellt in Ansicht 1000, können beispielsweise das erste
optoelektronische Bauelement 102, beispielsweise eingerichtet als eine weißes-Licht-emittierende organische Leuchtdiode 102, und optoelektronische Bauelemente 306 einer Bauart, beispielsweise eine rotes-Licht-emittierende Leuchtdiode 306, des zweiten optoelektronischen Bauelementes 104 eine
statische Ansteuerung aufweisen. Eine statische Ansteuerung kann beispielsweise einen zeitlich konstanten Betriebsstrom aufweisen, dargestellt für eine Auswahl optoelektronischer Bauelemente in den Strom-Zeit-Diagrammen 1002, 1006, 1010.
In einer Ausgestaltung des Betriebsmodus der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung kann der
Betriebsstrom eines weiteren optoelektronischen Bauelementes 308, beispielsweise eingerichtet als eine blaues-Licht- emittierende Leuchtdiode, des zweiten optoelektronischen Bauelementes 104 einen zeitlich veränderlichen Betriebsstrom, beispielsweise eine dynamische Ansteuerung, aufweisen.
Die weiteren optoelektronischen Bauelemente 308 des zweiten optoelektronischen Bauelementes können beispielsweise
individuell angesteuert werden, dargestellt in den Strom- Zeit-Diagrammen 1004, 1008.
Mittels der dynamischen Ansteuerung kann die von dem
optischen Strahlungsmischer 106 bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung 112 eine Strahlungsverteilung der elektromagnetische Strahlung ähnlich oder gleich einer welligen Oberfläche, beispielsweise einer Wasseroberfläche, eine dynamische Oberfläche, beispielsweise eine
Wolkenbewegung des Firmaments, in der Bildebene 114 aufweisen. Die Strahlungsverteilung kann zeitlich moduliert werden, beispielsweise dynamisch durchstimmbar sein.
In weiteren Betriebsmodi können weitere Farborte und/oder flächig heterogene Strahlungsverteilungen realisiert werden, beispielsweise ähnlich einem rötlichen Firmament oder einer anderen Farbmischung.
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, mit denen es möglich ist ein breites Spektrum elektromagnetischer Strahlung bereitzustellen und/oder aufzunehmen, beispielsweise eine breite Farbvalenz, beispielsweise eines großen Farbraumes. Zusätzlich kann ein tief blauer Farbton mittels der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung eingestellt werden. Organische optoelektronische Bauelemente, die beispielsweise ein rot-grünes Licht bereitstellen, können hocheffizient und mit langer Lebensdauer hergestellt werden.
Zur Erzeugung weißen lichtes fehlt jedoch ein hoch
effizienter, langlebiger, blauer Farbstoff, beispielsweise Leuchtstoff. Blaues Licht kann jedoch hoch Effizienz mittels LEDs bereitgestellt werden.
Im Vergleich zu einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung mit ausschließlich LEDs ergibt sich mittels des Hybrid-Bauelements jedoch der Vorteil, dass auf verlustbehaftete Wellenlängenkonversion verzichtet werden kann .
Zusätzlich kann die Entwärmung der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung auf die Anordnung der LEDs und OLEDs aufgeteilt werden. Dadurch können die Anforderungen an das Kühlsystem reduziert werden. Indem ein Kühlkörper seitlich bezüglich der Hauptabstrahlungsrichtung der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung angeordnet werden kann, kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung eine höhere Effizienz und/oder kompaktere Bauform aufweisen.
Weiterhin kann mittels der verschiedenen Ausgestaltungen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung die Lebensdauer bezüglich herkömmlicher optoelektronischer
Bauelementevorrichtung mit ähnlichen optoelektronischen Eigenschaften verlängert werden.
Da das erste optoelektronische Bauelement und dass zweite optoelektronische Bauelement mit unterschiedlichen
Stromkreisen, beispielsweise Steuerkreisen, betrieben werden können, ist es problemlos möglich, eine dynamisch
durchstimmbare Beleuchtung auszubilden, beispielsweise mit einstellbarer Farbvalenz. Dadurch kann das Bereitstellen eines Farbortes in dem Farbraum der möglichen Farbvalenzen dynamisch eingestellt werden.
Weiterhin können zusätzliche optische Bauelemente zur
Richtung der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung optional werden, da die optoelektronischer
Bauelementevorrichtung bereits eine richtende Anordnung der optoelektronischen Bauelemente aufweist.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100),
aufweisend :
• mindestens ein erstes optoelektronisches Bauelement
(102), eingerichtet zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung (108) ;
• mindestens ein zweites optoelektronisches
Bauelement (104), eingerichtet zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung (110) ;
• ein optischen Strahlungsmischer (106), angeordnet im Strahlengang des ersten optoelektronisches Bauelement (102) und des zweiten optoelektronischen Bauelementes (104), wobei der optische
Strahlungsmischer (106) zum Aufnehmen, zum Mischen und zum Weiterleiten (112) bereitgestellter
elektromagnetischer Strahlung (108, 110) eingerichtet ist;
• sodass elektromagnetische Strahlung (112) aus dem optischen Strahlungsmischer (106) in die Bildebene (114) der optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt wird und/oder wobei der optische Strahlungsmischer (106) in der Bildebene (114) der optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100) angeordnet ist und bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung (112) aufnimmt;
• wobei das zweite optoelektronische Bauelement (104) seitlich zu dem optischen Strahlungsmischer (106) angeordnet ist hinsichtlich des ersten
optoelektronischen Bauelementes (102).
2. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß
Anspruch 1,
wobei das erste optoelektronische Bauelement (102) und/oder das zweite optoelektronische Bauelement (104) mehrere optoelektronische Bauelemente (306, 308) aufweist .
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei die mehreren optoelektronischen Bauelemente (306, 308) des ersten optoelektronischen Bauelementes (102) und/oder des zweiten optoelektronischen Bauelementes (104) eine gleiche oder unterschiedliche Bauart
aufweisen .
Optoelektronischer Bauelementevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei das wenigstens eine erste optoelektronische
Bauelement (102) wenigstens ein organisches
optoelektronisches Bauelement (102) und wobei das wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement (104) wenigstens ein anorganisches optoelektronisches Bauelement (104) aufweist.
Optoelektronischer Bauelementevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei wenigstens ein optoelektronischen Bauelement auf oder über dem optischen Strahlungsmischers (106) ausgebildet ist.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
ferner aufweisend eine Streuschicht (510, 602), ein Konverterelement, ein Reflektor (302) und/oder eine optische Linse über oder auf dem optischen
Strahlungsmischers (106).
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
ferner aufweisend wenigstens eine Streuschicht (502, 602), wobei die wenigstens eine Streuschicht (502, 602) im Strahlengang der in der optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100) bereitgestellten
elektromagnetischen Strahlung (108, 110, 112) auf oder über dem optischen Strahlungsmischers (106) aufgebracht ist und/oder der optische Strahlungsmischer (106) als streuender optischer Strahlungsmischer (702)
eingerichtet ist.
Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung (100), das Verfahren aufweisend:
• Aufbringen eines ersten optoelektronischen
Bauelementes (102) auf oder über einen optischen Strahlungsmischer (106);
• Anordnen des optischen Strahlungsmischers (106) im Lichtweg eines zweiten optoelektronischen Bauelementes (104) oder Aufbringen eines zweiten optoelektronischen Bauelementes (104) auf oder über den optischen Strahlungsmischer (106); ;
• wobei das zweite optoelektronische Bauelement (104) seitlich zu dem optischen Strahlungsmischer (106) angeordnet oder aufgebracht wird hinsichtlich des ersten optoelektronischen Bauelementes (102).
Verfahren gemäß Anspruch 8,
wobei das erste optoelektronische Bauelement (102) und/oder das zweite optoelektronische Bauelement (104) über oder auf dem optischen Strahlungsmischer (106) ausgebildet werden und/oder über oder auf dem optische Strahlungsmischer (106) angeordnet werden. 10. Verfahren gemäß Anspruch 9,
wobei ein Anordnen des ersten optoelektronischen
Bauelementes (102) und/oder des zweiten
optoelektronischen Bauelementes (104) auf oder über dem optischen Strahlungsmischer (106) als ein
stoffschlüssiges Verbinden ausgebildet ist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) mit wenigstens einem organischen optoelektronischen Bauelement (102) und mit wenigstens einem anorganischen optoelektronischen Bauelement (104) ausgebildet wird.
Verfahrens zum Betreiben einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung (100), das Verfahren aufweisend: Bereitstellen einer Strahlungsverteilung von
elektromagnetischer Strahlung (112) in der Bildebene
(114) einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
(100) ,
• wobei die optoelektronische Bauelementevorrichtung
(100) zum Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung (112) in der Bildebene (114) eingerichtet ist, wobei die optoelektronische
Bauelementevorrichtung (100) wenigstens ein erstes optoelektronisches Bauelement (102) und wenigstens ein zweites optoelektronisches Bauelement (104) aufweist, wobei das wenigstens eine erste
optoelektronische Bauelement (102) und das
wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement (104) eine unterschiedliche Bauart aufweisen; wobei das wenigstens eine erste optoelektronische
Bauelement (102) mit einem ersten Betriebsstrom betrieben wird und wobei das wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement (104) mit einem zweiten Betriebsstrom betrieben wird;
• wobei das wenigstens eine erste optoelektronische Bauelement (102) und das wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelement (104)
elektromagnetische Strahlung (108, 110) in einen optischen Strahlungsmischer (106) bereitstellen und/oder von einem optischen Strahlungsmischer (106) aufnehmen;
• wobei die Strahlungsverteilung der in der Bildebene
(114) bereitgestellten elektromagnetischen
Strahlung (112) mittels der in dem optischen Strahlungsmischer (106) bereitgestellten
elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird; wobei mittels des ersten Betriebsstromes und des zweiten Betriebsstromes ein zeitlicher Verlauf der Strahlungsverteilung der elektromagnetischen
Strahlung in der Bildebene (114) ähnlich einem Wellenverlauf ausgebildet wird.
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