WO2014033152A1 - Gehäuse, elektronische baugruppe, gehäuseverbund, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe - Google Patents

Gehäuse, elektronische baugruppe, gehäuseverbund, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe Download PDF

Info

Publication number
WO2014033152A1
WO2014033152A1 PCT/EP2013/067777 EP2013067777W WO2014033152A1 WO 2014033152 A1 WO2014033152 A1 WO 2014033152A1 EP 2013067777 W EP2013067777 W EP 2013067777W WO 2014033152 A1 WO2014033152 A1 WO 2014033152A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
housing
lead frame
receiving
recess
molding material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2013/067777
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tobias Gebuhr
Thomas Schwarz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE112013004274.6T priority Critical patent/DE112013004274B4/de
Priority to US14/424,539 priority patent/US9673136B2/en
Publication of WO2014033152A1 publication Critical patent/WO2014033152A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/421—Shapes or dispositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01—Manufacture or treatment
    • H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/048—Mechanical treatments, e.g. punching, cutting, deforming or cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/131—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49158—Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base

Definitions

  • the invention relates to a housing for an electronic component.
  • the housing has a leadframe section and a molding material.
  • the leadframe portion is formed of an electrically conductive material and has a receiving area for receiving the electronic component and / or a contact area for contacting the electronic component.
  • the lead frame section is embedded in the molding material, wherein the molding material has at least one receiving recess. In the receiving recess of the receiving area and / or the contact area are exposed.
  • the invention relates to an electronic Bau ⁇ group, a housing composite, a method for producing a housing and a method for producing an electronic assembly.
  • German priority application DE 10 2012 215 285.7 which expressly forms part of the disclosure of the present application, also describes a housing, an electronic assembly, a housing assembly, a method for manufacturing a housing and a method for producing an electronic assembly.
  • CMOS complementary metal-oxide-semiconductor
  • QFN quad f_lat no leads
  • IC integrated circuits
  • QFN includes different sizes of IC packages, all of which can be soldered as surface mounted components on printed circuit boards
  • QFN is also used to represent the following Designations used include: Micro Leadframe Package Quad (MLPQ), Micro Leadframe Package Micro (MLPM), Micro Leadframe Package Dual (MLPD), Dual Row Micro Leadframe Package (DRMLF), Dual Fiat No-lead Package (DFN), Thin Dual Fiat No-lead Package), Ultra Thin Dual Fiat No-lead Package (UTDFN), Extreme Thin Dual Fiat No-lead Package (XDFN), QFN-TEP (Quad Fiat No Lead Package with Top Exposed Ped), TQFN (Thin Quad Flat No-lead package), VQFN (Very Thin Quad Flat No leads Packa ge ⁇ ).
  • the electrical connec ⁇ se do not project laterally beyond the dimensions of the plastic coating, the housing, but are in the form of non-tin-plated copper connectors, for example, can be formed by the undersides of the leadframe sections, integrated plan into the bottom of the housing. This can be reduced to the board the space required to ⁇ and a higher packing density can be achieved. Furthermore, a particularly good heat dissipation can be ensured to the circuit board.
  • the lead frame portions are made of lead frames simplistic ⁇ tent.
  • the lead frames comprise, for example, an electrically conductive material, such as copper, or are formed from ⁇ represents.
  • the lead frame portions are used for example for the mechanical fixing and / or for electrically contacting electronic components such as chips, for example semiconductor chips, and / or electromag netic radiation ⁇ emitting devices.
  • the lead frame sections for example, receiving areas for receiving the electronic components, and / or contact areas for electrically contacting the electronic components.
  • the lead frames are embedded in a molding material, for example in a mold material.
  • the molding material may be formed as KunststoffStuffummantelung.
  • the structure of molding material and the one in it Embedded lead frame can also be referred to as a housing composite.
  • the fact that the lead frames orêtrahmenab ⁇ sections are embedded in the mold material, for example, means that the lead frame or the lead frame sections are at least partially surrounded by the molding material.
  • Parts of the leadframe may remain free of molding material, for example the electrical connections for contacting the housings, in particular the leadframe sections of the housings, and / or for example on an upper side of the leadframe receiving recesses in which the receiving areas and / or contact areas are released.
  • the electrical contacts of Ge ⁇ housing are formed on an opposite side of the receiving portions of the lead frame portions.
  • the electrical contacts are formed by the undersides of the leadframe sections.
  • bent housing assemblies or housings may pose problems in subsequent machining processes. For example, the bent housing assemblies on rolling tapes, magazine inputs or outputs and / or suction on a vacuum table can be handled relatively poorly.
  • One cause of the deflection is, for example, the different coefficients of thermal expansion (CTE) between the material of the leadframe and the material of the leadframe Molding material, for example, a thermoset aufwei ⁇ Sen, for example, epoxy resin, silicone resin, or a thermoplastic, such as PPA or polyester.
  • CTE coefficients of thermal expansion
  • the CTE of the molding material is usually higher than the glass transition temperature of the material of the lead frame and un ⁇ ter the glass transition temperature below the CTE of the material of the lead frame. Because of these differences the heat from ⁇ expansion coefficient, the above- ⁇ be specified deflection occurs, for example korrespondie ⁇ rend to the known bi-metal effect.
  • a molding material epoxy-based resins for example, an EMC (electro Mold Compound) whose CTEs below their glass ⁇ transition temperature, for example between 7 ppm / K to 12 ppm / K amount, and for the material of the lead frame beispielswei ⁇ se to use a FeNi alloy, for example Alloy 42, with a CTE of about 8 ppm / K. Len Using this materi- but the bending held ⁇ th can not be prevented in the housing composite low.
  • highly heat conductive lead frames such as copper, may be desired.
  • a housing and an electronic assembly are provided which are simple, can be produced precisely and / or with only a small or no deflection.
  • a method for producing a housing for electronic components and a method for producing an electronic assembly are provided that are simple and / or precise feasible and / or in which a deflection of a housing assembly during the manufacturing process can be reduced or prevented ver ⁇ ,
  • a housing for an electronic component has a leadframe portion which is formed of an electrically conductive material and which has a receiving region for receiving the electronic component and / or a contact region for contacting the electronic component.
  • the housing further comprises a molding material in which the leadframe portion is embedded.
  • the molding material has at least one receiving recess in which the receiving area and / or the contact area are exposed.
  • the molding material has at least one voltage reduction recess that is free of the receiving region and / or the contact region.
  • the voltage reduction recess causes during a manufacturing process for producing the housing a Reduzie ⁇ tion of a corresponding to the bi-metal effect effect between the molding material and the lead frame portion and thus helps to prevent bending of the lead frame and the molding material or at least verrin ⁇ gladly. Because of preventing or reducing the Naturalbie ⁇ supply the following machining processes can be carried out easily and accurately.
  • That the voltage reduction recess is free of the receiving region and / or the contact region means, for example, that the voltage reduction recess has no other Purpose has as to reduce the voltage between the mold material and the lead frame and / or that in subsequent machining processes, the voltage reduction recess is not used for arranging and / or contacting electronic components.
  • the receiving recess can play as referred to in ⁇ as a cavity.
  • the housing may for example also be referred to as a mold array.
  • the electronic component may for example also be referred to as a unit. Furthermore, a plurality of electronic components may be arranged in a housing.
  • the electronic components arranged in the receiving recess can be enveloped and / or embedded in the enveloping material, for example with or in silicone or in silicone with a converter for converting electromagnetic radiation or with T1O 2 , wherein the enveloping material for example, in part or completely covered with a black epoxy.
  • the housing may have, for example, two, three or more of the stress reduction recesses.
  • the housing may be formed, for example, as a QFN housing. This means, for example, that the housing has no wires leading to the outside, which for example project laterally out of the housing and which would have to be bent downwards when arranging the housing onto a printed circuit board, for example, but the QFN housing has on its underside, electr ⁇ cal connections, which are formed for example by the Lei ⁇ terrahmenab mustard and by the placement of the QFN housing on the circuit board both a mechanical and an electrical coupling of the QFN housing and with ⁇ means of the lead frame section and an electrical Kopp ⁇ ment the electronic component arranged therein is connected to the printed circuit board.
  • the printed circuit board may be, for example, an FR1, FR2, FR3, FR4, FR5, CEM1, CEM2, CEM3, CEM4 or CEM5 printed circuit board, for example a plated-through FR-4 printed circuit board.
  • the voltage reduction recess is formed so deeply that the material of the leadframe section is exposed in the voltage reduction recess. This can easily and effectively contribute to a substantial reduction in sag.
  • the voltage reduction recess has a groove in the molding material.
  • the groove can easily help to prevent and / or reduce the deflection.
  • the groove can be formed in a simple and / or known manner.
  • no receiving recess is formed in a free area, which it extends ⁇ in the molding material along a direction parallel to a surface of the lead frame portion and parallel to a lateral outer wall of the housing and the clamping ⁇ Vietnamesesreduktionsaus originallyung is formed in the free area.
  • the voltage reduction recess can be formed, for example, precisely in the free areas in which otherwise the molding material would extend from one end to the other end of the housing and in which therefore particularly high forces would act on the housing assembly. This can help a particularly effective way to Verhin ⁇ countries or decreasing the bending of the housing association.
  • an electronic module comprising a housing, for example, the above-explained case, and an electronic Bauele ⁇ ment.
  • the electronic component is disposed in the receiving area on ⁇ the housing and / or in electrical contact in the contact region of the housing ⁇ .
  • the tension production recess is free of electronic components and / or electrical contacts.
  • the electronic component may, for example, an electromagnetic radiation emittie ⁇ rendes component and / or a chip, for wise a semiconductor chip to be.
  • the electromagnetic radiation emitting device may for example be a LED and / or egg ⁇ ne OLED.
  • a method of manufacturing a case for electronic component is provided, for example for manufacturing the housingchoge ⁇ starting explained.
  • a lead frame portion is provided, which is formed from an electrically lei ⁇ border material and having a receiving area for receiving the electronic component and / or a contact area for contacting the electronic component.
  • the lead frame section is embedded in a form ⁇ material.
  • at least one receiving recess is formed in which the Consbe ⁇ rich and / or the contact region are exposed.
  • at least onepulsreduktionsausneh ⁇ mung is formed, which is free from the receiving area and / or the contact region.
  • the stress reduction recess can be formed for example in the form of a groove. Furthermore, two, three or more corresponding voltage reduction recesses can also be formed.
  • theistsreduk- tion recess is formed so deep that the material of the leadframe portion is exposed in the voltage reduction recess.
  • a free area is formed in the molding material.
  • the free area extends in the mold material along a direction parallel to a surface of the lead frame portion and parallel to a lateral outer wall of the housing. In the free area is no receiving recess formed. Theorsredukti- onsaus originallyung is formed in the free area.
  • the leadframe section is provided in a composite with further leadframe sections as a leadframe.
  • the lead frame portion is embedded in the molding material by embedding the lead frame in the molding material.
  • the embedded Lei ⁇ terrahmen forms a composite housing.
  • For each lead frame section at least one receiving recess and at least one voltage reduction recess are formed. From the housing assembly several housings are separated by the embedded leadframe sections are separated from each other.
  • the housing is produced by first the housing assembly is made having the embedded in the molding material lead frame, and then by the housing having each one of the Porterrahmenab ⁇ sections are separated from the housing assembly.
  • the Tren ⁇ NEN the lead frame sections from one another may comprise beispielswei ⁇ se a cutting or sawing of the composite body and / or of the lead frame.
  • the leadframe has a long side and a short side parallel to its surface.
  • the stress reduction recesses are formed, for example, perpendicular to the long side and / or parallel to the short side. This can be particularly effectively contribute to preventing and / or decreasing the deflection of the housing composite, because the bending is substantially and / or generally occurs along the long side and then passing the bend along the long side and be ⁇ Sonders can be effectively reduced if the voltage ⁇ reduction recess is formed perpendicular to the course of the bend.
  • each housing in the housing ⁇ composite defined by predetermined housing boundaries.
  • the Ge ⁇ koruse bayn may lie in transition areas at the junctions, for example at the junctions and / Odei.
  • the voltage reduction recesses can now be formed on the housing boundaries and / or the housing boundaries overlapping and / or lying on the housing boundaries.
  • the voltage reduction recesses are formed in areas in which subsequently the housings are to be separated, for example, to be sawn.
  • Thechrosredukti- onsauslangisme can extend along the entire housing boundaries or only over part of the housing boundaries.
  • a plurality of clamping ⁇ Vietnamese sewagesreduktionsauslangieri may be formed along a boundary housing which are separated by voneinandei molding material.
  • the stress reduction recesses may be formed to adequately separate the molding material associated with different housings.
  • the voltage reduction recesses may for example be designed so that they partially separate the individual housings in the housing assembly from each other or completely, in particular their form ⁇ material.
  • the housings are out of the housing composite isolated by separation of the individual Ge ⁇ housing in the region of at least some of the voltage reduction ⁇ recesses.
  • This can contribute to a particularly simple and / or rapid separation of the housing, since in the region of the stress reduction recesses only little or no molding material has to be severed. This can help to essentially cut through only the lead frame.
  • the separation can, for example, by sawing or cutting the housing assembly and / or the lead frame he follow ⁇ .
  • a saw blade for separating the housing can be chosen so wide that the corresponding saw ⁇ cut has a width that corresponds to the width of thechrosredukti- onsausEnglishstead or almost corresponds.
  • the saw ⁇ sheet strength can be chosen, for example, that in In the finished housing, the voltage reduction recess is good, hardly or not at all recognizable.
  • a conductor frame voltage reduction recess in the leadframe in a region that is free of molding material, a conductor frame voltage reduction recess is formed.
  • the conductor frame voltage reduction recess may be formed in the lead frame, for example.
  • the lead frame voltage reduction recess may be formed, for example, between two large areas of molding material.
  • the leadframe voltage reduction recess may be formed, for example, along a center line which marks a center of the long side of the leadframe and which extends perpendicularly to the long side.
  • the lead frame voltage reduction recess may extend through the entire thickness of the lead frame.
  • the leadframe stress reduction recess in the leadframe, as well as the stress reduction recess in the molding material may help to prevent and / or reduce deflection of the housing assembly.
  • a method for producing an electronic assembly in which a housing is formed, for example according to the method explained above, and in which the electronic component or components are arranged in the receiving recess before or after singulating the housing from the housing assembly and / or contacted.
  • Embodiments of the invention are in the figures Darge ⁇ provides and are explained in more detail below.
  • Figure 1 is a sectional view in side view of a
  • Figure 2 is a side view of an embodiment ei ⁇ nes housing composite
  • Figure 3 is a side view of an embodiment ei ⁇ nes housing composite
  • Figure 4 is a side view of an embodiment ei ⁇ nes housing composite
  • FIG. 5 shows a diagram with curves of thermal expansion coefficients as a function of the temperature
  • Figure 6 is a plan view of an embodiment of a
  • Figure 7 is a sectional side view of the housing assembly according to Figure 6;
  • Figure 8 is a plan view of an embodiment of a
  • Figure 9 is a sectional side view of the housing assembly according to Figure 8.
  • Figure 10 is a plan view of an embodiment of a
  • Figure 11 is a sectional view in side view of the housing assembly according to Figure 10;
  • Figure 12 is a sectional detail view of an embodiment ⁇ example of a voltage reduction recess ;
  • FIG. 13 shows a saw cut through an embodiment of a voltage reduction recess
  • Figure 14 is a saw cut through an embodiment of a voltage reduction recess
  • Figure 15 is a plan view of an embodiment of a housing assembly
  • FIG. 16 is a sectional side view of the Ge ⁇ housing composite according to Figure 14;
  • Figure 17 is a plan view of an embodiment of a
  • Figure 18 is a perspective view of an embodiment ⁇ example of an electronic module
  • FIG. 19 shows a perspective view of an embodiment of an electronic assembly
  • Figure 20 is a flow diagram of one embodiment ei ⁇ nes method for manufacturing a housing for an electronic component and a method of fabricating an electronic assembly.
  • An electronic component can be, for example, a component emitting electromagnetic radiation.
  • An electromagnetic radiation-emitting device may in various embodiments be a electromagnetic radiation-emitting semiconductor component and / or emitting the electromagnetic radiation-emitting diode, as an organic electromagnetic radiation emitting Di ⁇ ode, as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation emitting Transistor be formed.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the electromagnetic radiation-emitting component may be formed, for example, as a light-emitting diode (LED) as an organic light-emitting diode (OLED), as a light-emitting transistor or as an organic light-emitting transistor.
  • the light-emitting component can be part of an integrated circuit in various exemplary embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting components may be provided, for example housed in a common housing.
  • Fig.l shows a sectional view of aforementioned ⁇ game of a conventional housing 10 for an electronic Component.
  • the housing 10 may for example comprise a conductor ⁇ frame portion 12 and a molding material fourteenth
  • the leadframe portion 12 can be embedded, for example in the form of plant material ⁇ fourteenth
  • a receiving recess 18 may be formed.
  • the receiving recess 18 serves, for example, for receiving and / or contacting the electronic component (see FIGS. 17 to 19).
  • the leadframe portion 12 of play has a receiving area for receiving the electronic component and / or a contact area for contacting the electronic component at ⁇ .
  • the cinnamonbe be ⁇ rich and / or the contact area can be arranged for example in the receiving recess 18 and exposed.
  • the leadframe portion 12 can for example have a elekt ⁇ driven conductive material.
  • the material of the conductor ⁇ frame portion 12, for example, have a particularly high electrical conductivity.
  • the material may in ⁇ game as copper, for example, CuW or CuMo, Kupferle- alloys, having brass, nickel and / or iron, such as Fe-Ni and / or may for example be formed therefrom.
  • the molding material 14 may for example comprise a anorgani ⁇ ULTRASONIC material, for meadow a composite material, game, in ⁇ epoxy resin and / or silicone, a silicone hybrid, and / or silicone-epoxy hybrid.
  • a thickness of the lead frame portion 12 may be at play ⁇ example 100 pm to 500 pm, for example 150 pm to 300 pm.
  • the housing 10 is, for example, a QFN housing and / or a housing element of a QFN package, for example an MLPQ (Micro Leadframe Package Quad), MLPM (Micro Leadframe Package Micro), MLPD (Micro Leadframe Package Dual), DRMLF (Dual Row Micro Leadframe Package), Dual Fiat No-lead Package (DFN), Thin Dual Fiat No-lead Package (TDFN), Ultra Thin Dual Fiat No-lead Package (UTDFN), XDFN (Extreme thin Dual Fiat No-lead Package), QFN-TEP (Quad Fiat No-lead Package with Top Exposed Ped), TQFN (Thin Quad Fiat No-lead Package), VQFN (Very Thin Quad Fiat No Leads Package) Packa ⁇ ges.
  • MLPQ Micro Leadframe Package Quad
  • MLPM Micro Leadframe Package Micro
  • MLPD Micro Leadframe Package Dual
  • DRMLF Dual Row Micro Leadframe Package
  • the housing 10 may serve, for example, for receiving and / or contacting the electronic component or two or more electronic components.
  • the electrical con- clocking of the electronic component can be effected, for example, via the lead frame portion 12 which electrically at ⁇ play, on its underside (the underside in Figure 1) with a non-illustrated circuit board
  • the housing 10 can have a very good behavior in case of thermal cycling, as the material of the circuit board portion 12 can be adapted particularly well to the motherboardausdeh ⁇ expansion coefficient of the circuit board and / or the heat sink.
  • the printed circuit board can be, for example, an FR1, FR2, FR3, FR4, FR5, CEM1, CEM2, CEM3, CEM4 or CEM5 printed circuit board, for example a plated-through FR-4 printed circuit board.
  • Fig. 2 shows a side view of an embodiment of a housing bond 20.
  • the housing composite 20 may ⁇ play, have a lead frame 22 in which may comprise for example a plurality of lead frame portions 12, which may be interconnected via the lead frame and / or which may form the lead frame ,
  • the lead frame 22 may be coated with the molding material 14 and / or embedded in the molding material 14.
  • the individual lead frame sections 12 and further details of the housing assembly 20, the molding material 14 and / or the lead frame sections 12 are not shown.
  • FIG. 3 shows an exemplary embodiment of the housing assembly 20 according to FIG. 2, in which the housing assembly 20 and / or the housing housing 10 are bent in its center downwards, which will be explained in more detail below.
  • Fig. 4 shows an embodiment of the housing assembly 20 according to Figure 2, in which the housing assembly 20 and / or the Ge ⁇ housing 10 are bent in its center upwards, which will be explained in more detail below.
  • Fig. 5 shows an embodiment of a diagram in which an example of a course CTE_F of coefficients of thermal ⁇ coefficient CTE of the material of the mold material 14 in ppm per Kelvin and a history CTE_C coefficient of thermal expansion CTE of the material of the lead frame 22 in ppm per Kelvin as a function of temperature T are drawn. From the diagram it is apparent that the coefficients of thermal ⁇ coefficient CTE is below a glass transition temperature Tg of the material of the mold material 14, for example, under the heat ⁇ expansion coefficient CTE of the material of the lead frame 22 and is above the glass transition temperature Tg above the coefficient of thermal expansion CTE of the material of the lead frame 22nd
  • a curing temperature Tc of the material of the mold material 14 may, for example, at a 145 ° C lie ⁇ gen.
  • the material of the mold material 14 is hard or fixed .
  • the strength in design, materials abruptly changes as the mold material 14 so that this Tg is soft or viscous above the glass transition temperature.
  • the temperature-induced material expansions of the material of the molding material 14 and the material of the lead frame 22 differ more or less strongly depending on the temperature.
  • the material of the lead frame 22 may be stronger stretch ⁇ than the material of the mold material 14 at high temperatures and at low At temperatures the material of the molding material 14 can expand more than the material of the lead frame 22. This leads at different temperatures to different effects according to the known bi-metal effect, although the material of the molding material 14 may also be free of metal.
  • a temperature of ge Serviceh ⁇ th in Figure 3 embodiment of the housing assembly 20 is about 135 ° C, which causes the deflection of the housing assembly 20 and / or the housing 10 in its center down.
  • a temperature of the ge Service ⁇ th in Figure 4 embodiment of the housing assembly 20 for example, below 50 ° C, for example below 30 ° C, for example, about 25 ° C, which is the deflection of the housing assembly 20 and / or the housing 10 in its center causes upward.
  • FIG. 6 and FIG. 7 show an exemplary embodiment of a housing composite 20, which may have, for example, a plurality of housings 10 with corresponding leadframe sections 12, which may be connected to one another via the leadframe 22 and the molding material 14.
  • Figure 6 is a plan view of the housing composite 20
  • Figure 7 is a sectional view of the composite housing 20 along the section shown in Figure 6 ⁇ edge.
  • the housing 10 may be formed largely corresponding to the housing shown in Figure 1.
  • the housings 10 and / or the housing assembly 20 shown in FIG. 6 have a plurality of stress-reducing recesses 24 formed in the molding material 14 for avoiding or reducing the above-described deflection.
  • the voltage reduction recesses 24 may be regularly distributed over the individual housings 10.
  • each For example, one, two, three or more stress reduction recesses 24 may be formed, for example next to a respective receiving region 18.
  • the stress reduction recesses 24 may be smaller, larger or the same size compared to the receiving region 18.
  • only onepsreduktionsausANSung 24 may be formed per housing 10 which extends, for example, from a un ⁇ lowermost of permissreduktionsausANSung 24 shown in Figure 6 one of the housing 10 to a top of the same casing 24 shownchrosreduktionsausnaturalines 10th
  • the deflection can be further reduced or prevented by, for example, forming a region in the center of the housing composite 20 in which the leadframe 22 is free of molding material 14 and in which, for example, one, two or more lead frame stress reduction recesses 26 are formed.
  • FIGS. 8 and 9 show a further exemplary embodiment of a housing composite 20, which can largely correspond to the exemplary embodiment of the housing composite 20 explained with reference to FIGS . 6 and 7.
  • FIG. 8 shows a plan view of the housing assembly 20 and FIG. 9 a
  • the voltage reduction recesses 24 may, for example, be designed such that they are formed in the housing assembly 20 in the molding material 14 at transitions from one of the housings 10 to another of the housings 10.
  • the transitions can also be boundaries of the housing 10.
  • the stress reduction recesses 24 may be formed along dividing lines 28 drawn in FIG. 8, at which the housings 10 are subsequently singulated, for example cut or sawn.
  • this can help the separation, such as cutting or sawing ver ⁇ simple, since then less material of the molding material 14 ge ⁇ separates, in particular sawn or cut must be. This can, for example, contribute to a Trennwerk- convincing, such as a saw blade is less wear under ⁇ .
  • FIGS. 10 and 11 show a further exemplary embodiment of a housing composite 20, which can largely correspond to one of the exemplary embodiments of the housing assembly 20 explained above.
  • FIG. 10 shows a plan view of the housing assembly 20
  • FIG. 11 shows a sectional view of the housing assembly 20 along that shown in FIG.
  • the featuresreduktionsaus- recesses 24 may be formed continuously at the transitions from one housing 10 to another of the housing 10 so that, for example, with respect to the molding material 14, the housing 10 are already separated from each other in the housing assembly 20. This can for example help to simplify the separation, crizspielswei ⁇ se cutting or sawing process because then single ⁇ Lich the material of the lead frame 20 must be disconnected and not the mold material 14.
  • thematsreduktionsaus traditions 24 also be made in extend continuously in one direction, for example according to FIG. 10, and be interrupted in another direction, for example perpendicular thereto, for example according to FIG. 8.
  • the stress reduction recesses 24 at the transitions according to FIGS. 8 and / or 10 can be interrupted by the stress reduction recesses 24 be combined according to FIG.
  • Fig. 12 shows a cross section through an embodiment of achrosreduktionsausappelituated 24, for example one of the previously explainedchrosreduktionsausappelungen 24.
  • Thematsreduktionsausappelung 24 may for example have a width B from 0.1 to 10.00 mm, beispielswei ⁇ SE from 2 to 4 mm ,
  • the voltage reduction tion recess 24, for example have a depth T, which may correspond to a thickness of the molding material 14 on the lead frame 12, for example.
  • the lead frame 12 may be exposed in the stress reduction recess 14 and / or be free of molding material 14.
  • side walls of the recesses, through which thematsreduktionsausappelisme 24 are formed for example, have an angle to a perpendicular to a surface of the lead frame 22 be, for example, between 1 and 20 degrees, for example between 5 and 15 degrees, beispielswei ⁇ se about 9 degrees can.
  • FIG. 13 shows the cross section of the exemplary embodiment of the voltage reduction recess 24 shown in FIG. 12 after a singulation of the housing 10, for example after a separation of the leadframe sections 12 from one another.
  • the singulating and / or separating is done for example in one
  • Cutting or sawing process performed.
  • the sawing process it is possible, for example, to use a saw blade having a first width Wl which, for example, is smaller than the width B of the stress reduction recess 24. This has the effect that the oblique side walls of the stress reduction recesses 24 are retained at the edge in the subsequently singulated housings 10.
  • FIG. 14 shows the cross section of the exemplary embodiment of the voltage reduction recess 24 shown in FIG. 12 after the housing 10 has been singulated, for example after the leadframe sections 12 have been separated from one another.
  • the separation and / or separation is for example in one
  • a saw blade having a second width W2 may be used for example, which is almost as large, equal to or greater than the width
  • Fig. 15 and Fig. 16 show another embodiment of a composite housing 20 which may largely correspond to one of the proceeding vorste ⁇ described embodiments of the composite housing 20.
  • FIG. 15 shows a plan view of the housing assembly 20
  • FIG. 16 shows a sectional view of the housing assembly 20 along that shown in FIG
  • the exemplary embodiment of the housing assembly 20 may, for example, only have leadframe stress reduction recesses 26, for example a leadframe stress reduction recess 26, in the leadframe 22.
  • the lead frame stress reduction recess 26 may be formed prior to embedding the lead frame 22 in the molding material 14.
  • the lead frame voltage reduction recesses 26 may be formed in a center of the lead frame 22, for example.
  • the lead frame stress reduction recesses 26 may be formed along a center line that indicates a center of a long side of the lead frame 22 and that is perpendicular to the long side.
  • the lead frame voltage reduction recesses 26 may extend through the entire thickness of the lead frame 22.
  • FIG. 17 shows, in contrast, an embodiment of a housing composite 20, which can in principle speak one of the above it ⁇ läuterten embodiments of the housing composite 20 ent ⁇ , wherein Figure 17 shows the housing composite 20, as can for example be designed in detail.
  • electronic components 30 can be arranged, for example, in receiving areas, and / or the electronic components 30 can be incorporated in the constructions. be contacted electrically contact areas.
  • lead frame 24 for example, one, two or more leadframe stress reduction recesses 26 may be formed in the center, for example.
  • the composite casing 20 has a long side and a short AI Be ⁇ te A2, where A2 is the short side, for example, perpendicular to the long side of AI.
  • the voltage reduction ⁇ recesses 24 and / or the lead frame canpsreduktionsausEnglishept 26 of this or of the embodiments described starting scige- be perpendicular to the long side of AI and / or formed in parallel to the short side A2.
  • Fig. 18 shows an electronic assembly comprising a housing, for example, one of the housing 10 previously described, and for example, several, for example five, electronic components 30 has ⁇ specific.
  • the electronic module may also have more or fewer electronic components 30.
  • the electronic components 30 may comprise game examples, electromagnetic radiation emitting Bauele ⁇ elements.
  • the electronic components 30 may be electrically connectedness for example by means of bonding connections 34 with contact ⁇ areas 32 of the lead frame portion 12 be his.
  • the housing 10 may, for example, at two of its corners and / or parallel to the receiving area 18 each have two voltage reduction recesses 24. Alternatively, however, more or only onechrosredukti- onsaus Principleung 24 may be formed.
  • Fig. 19 shows an embodiment of an electronic assembly which may, for example, largely correspond to the exemplary embodiment explained with reference to Fi ⁇ gur 18 of the electronic assembly, the electronic assembly, for example, only at two of its corners and / or parallel to the receiving portion 18, a large voltage reduction ⁇ recesses 24 may have.
  • the pelletsreduktionsausNase 24 may be formed, for example, in the free areas 36, the example ⁇ , parallel to a long side wall of the housing extending and parallel to a surface of the Leitrahmenab- section 12 and which is free from receiving areas and contact areas.
  • the stress reduction recesses 24 may be formed just in the free areas 36 where the mold material 14 would otherwise extend over a relatively large area. This can be particularly effective in helping to prevent or reduce the bending of the housing assembly 22 and / or the housing 10.
  • Fig. 20 shows a flow diagram of one embodiment of a method for manufacturing a housing for a elekt ⁇ ronisches component, for example for making one of the housing previously described 10.
  • the method serves as to ⁇ to manufacture the housing 10 without or at least with only a slight bending of and / or bending the housing assembly 20 during the manufacturing process to ver ⁇ reduce or prevent.
  • a lead frame is provided, for example one of the above-explained lead frames 22.
  • the lead frame 22 may have a plurality of lead frame portions 12.
  • a copper sheet may be provided as the conductor frame blank, in which the lead frame sections 12 may be formed, for example, by means of one or two etching processes.
  • a step S4 optionally, one, two or more of the leadframe stress reduction recesses 26 may be formed in the lead frame 22.
  • the steps S2 and S4 may be performed simultaneously.
  • the lead frame may be formed in the same etching processpsreduktionsausappelisme 26 as the lead frame portions 12 age ⁇ native to the lead frame canpsreduktionsausappel 26 in a subsequent process, such as an etching process or a
  • the lead frame 22 can be embedded in the molding material 14.
  • the lead frame 22 for example, in a mold for forming the mold ⁇ material 14, 16 are arranged.
  • the molding tool may have, for example, an upper molded body (topmold) and a lower molded body (bottomold).
  • At least one of the shaped bodies, for example the upper shaped body has a plurality of highlights, by means of which the receiving recesses 18 and / or the stress reduction recesses 24 are formed during the formation of the molding material 14.
  • the highlights stand out in the closed mold, for example, except for the lead frame, so that it remains free of mold material in the areas in which the emphasis is arranged.
  • the mold can be closed and the mold can be supplied liquefied molding material.
  • the mold material can at ⁇ play, with a temperature of 150 ° C to 190 ° C, the pitch fed at ⁇ with about 175 ° C.
  • the form- Material can for example be injected or poured.
  • the molding material settles in the mold around the highlights and on and under the lead frame 22.
  • the housing assembly 20 can be cured in the mold or removed from the mold and then cured. For example, you can cool the housing assembly 20 or cool, for example, to a temperature below 135 ° C, for example, to about 25 ° C. Due to thematsreduktionsaus Principlessen 24 is a
  • the at least substantially flat housing composite 20 can simply be sucked in, transported on a conveyor belt, equipped with the electronic components 30 and / or singulated.
  • the housings 10 can be singulated out of the housing assembly 20.
  • the housing ⁇ composite can be cut or sawn 30, whereby the single housing 10 can be separated from each other.
  • Each of the housings 10 may be referred to as a QFN package, for example.
  • the housing 10 can be Herge ⁇ represents.
  • the method of manufacturing the housing 10 may be terminated after the processing of the step S8.
  • one more step S10 can also be carried out, 30 arranged in the one, two or more electronic ⁇ construction elements in the housing 10 and contacted by the ⁇ .
  • the housing 10 together with the electronic components 30 may be, for example, an electronic assembly
  • the step S10 may, for example before or after the step S8, so there game carried out at ⁇ before or after singulation.
  • the step S10 can be ⁇ also referred to as mounting of the housing 10th
  • the steps S2 to S10 may also be referred to as Ver ⁇ drive for manufacturing an electronic module.
  • the electronic components 20 arranged in the receiving recess 18 can be enveloped, for example, with a shell material and / or embedded in the shell material, for example with or in silicone or in silicone with a converter for converting electromagnetic radiation or with T1O 2 , the shell material for example. It may be partly or completely covered with a black epoxy.
  • the enveloping or embedding of the electronic components 30 can be carried out, for example, before or after the singulation of the housing 10.
  • the invention is not limited to the specifiedssensbei ⁇ games.
  • the individual exemplary embodiments can be combined with each other.
  • the voltage reduction recesses shown in FIGS. 6 to 16 may be formed together in any combination on a housing assembly 20 and / or a housing 10.
  • the stress reduction recesses 24 may be formed in the fine regions 36 and the transition regions. Further, the voltage reduction ⁇ recesses 24 may be partially formed continuously and partially individually.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement bereitgestellt. Das Gehäuse weist einen Leiterrahmenabschnitt und einen Formwerkstoff auf. Der Leiterrahmenabschnitt ist aus einem elektrisch leitenden Material gebildet und weist einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements und/oder einen Kontaktbereich zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements auf. Der Leiterrahmenabschnitt ist in den Formwerkstoff eingebettet. Der Formwerkstoff weist mindestens eine Aufnahmeausnehmung auf, in der der Aufnahmebereich und/oder der Kontaktbereich frei gelegt sind. In dem Formwerkstoff ist mindestens eine Spannungsreduktionsausnehmung ausgebildet, die frei von dem Aufnahmebereich und/oder dem Kontaktbereich ist.

Description

Besehreibung
Gehäuse, elektronische Baugruppe, Gehäuseverbünd, Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe
Die Erfindung betrifft ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement. Das Gehäuse weist einen Leiterrahmenabschnitt und einen Formwerkstoff auf. Der Leiterrahmenabschnitt ist aus einem elektrisch leitenden Material gebildet und weist einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements und/oder einen Kontaktbereich zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements auf. Der Leiterrahmenabschnitt ist in den Formwerkstoff eingebettet, wobei der Formwerkstoff mindestens eine Aufnahmeausnehmung aufweist. In der Aufnahmeausnehmung sind der Aufnahmebereich und/oder der Kontaktbereich frei gelegt. Ferner betrifft die Erfindung eine elektronische Bau¬ gruppe, einen Gehäuseverbund, ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses und ein Verfahren zum Herstellen einer elekt- ronischen Baugruppe.
Die deutsche Prioritätsanmeldung DE 10 2012 215 285.7, die ausdrücklich einen Teil der Offenbarung der vorliegenden Anmeldung bildet, beschreibt ebenfalls ein Gehäuse, eine elekt- ronische Baugruppe, einen Gehäuseverbund, ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses und ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe.
Bekannte Gehäuse für elektronische Bauelemente, beispielswei- se QFN (quad f_lat no leads) -Gehäuse, weisen als Basismateri¬ al beispielsweise Leiterrahmenabschnitte auf. Die QFN-Gehäuse werden auch als QFN-Packages und/oder als Micro Lead Frame (MLF) bezeichnet und sind in der Elektronik als Chipgehäuse¬ bauform für integrierte Schaltungen (IC) bekannt. Die Be- Zeichnung „QFN" umfasst unterschiedliche Größen von IC- Gehäusen, welche alle als oberflächenmontierte Bauteile auf Leiterplatten gelötet werden können. In dieser Beschreibung wird die Bezeichnung „QFN" auch stellvertretend für folgende Bezeichnungen verwendet: MLPQ (Micro Leadframe Package Quad) , MLPM (Micro Leadframe Package Micro) , MLPD (Micro Leadframe Package Dual), DRMLF (Dual Row Micro Leadframe Package), DFN (Dual Fiat No-lead Package) , TDFN (Thin Dual Fiat No-lead Pa- ckage) , UTDFN (Ultra Thin Dual Fiat No-lead Package), XDFN (extreme thin Dual Fiat No-lead Package) , QFN-TEP (Quad Fiat No-lead package with Top Exposed Päd) , TQFN (Thin Quad Fiat No-lead Package) , VQFN (Very Thin Quad Fiat No Leads Packa¬ ge) . Als wesentliches Merkmal und im Gegensatz zu den ähnli- chen Quad Fiat Package (QFP) ragen die elektrischen Anschlüs¬ se (Pins) nicht seitlich über die Abmessungen der Kunststoff- ummantelung der Gehäuse hinaus, sondern sind in Form von nicht verzinnten Kupferanschlüssen, die beispielsweise durch die Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte gebildet sein kön- nen, plan in die Unterseite des Gehäuses integriert. Dadurch kann der benötigte Platz auf der Leiterplatte reduziert wer¬ den und eine höhere Packungsdichte erreicht werden. Ferner kann eine besonders gute Wärmeabfuhr hin zu der Leiterplatte gewährleistet werden.
Die Leiterrahmenabschnitte werden aus Leiterrahmen verein¬ zelt. Die Leiterrahmen weisen beispielsweise ein elektrisch leitendes Material, beispielsweise Kupfer, auf oder sind dar¬ aus gebildet. Die Leiterrahmenabschnitte dienen beispielswei- se zum mechanischen Befestigen und/oder zum elektrischen Kontaktieren elektronischer Bauelemente, wie beispielsweise Chips, beispielsweise Halbleiter-Chips, und/oder elektromag¬ netische Strahlung emittierende Bauelemente. Dazu weisen die Leiterrahmenabschnitte beispielsweise Aufnahmebereiche zum Aufnehmen der elektronischen Bauelemente, und/oder Kontaktbereiche zum elektrischen Kontaktieren der elektronischen Bauelemente auf.
Beim Herstellen der Gehäuse werden die Leiterrahmen in einen Formwerkstoff eingebettet, beispielsweise in einem Mold-
Verfahren, beispielsweise einem Spritzguss- oder Spritzpress¬ verfahren. Der Formwerkstoff kann als KunstStoffummantelung ausgebildet sein. Das Gebilde aus Formwerkstoff und dem darin eingebetteten Leiterrahmen kann auch als Gehäuseverbund bezeichnet werden. Dass die Leiterrahmen bzw. Leiterrahmenab¬ schnitte in den Formwerkstoff eingebettet werden, bedeutet beispielsweise, dass die Leiterrahmen bzw. die Leiterrahmenabschnitte zumindest teilweise von dem Formwerkstoff umgeben werden. Teile der Leiterrahmen können frei von Formwerkstoff bleiben, beispielsweise an einer Unterseite der Leiterrahmen die elektrischen Anschlüsse zum Kontaktieren der Gehäuse, insbesondere der Leiterrahmenabschnitte der Gehäuse, und/oder beispielsweise an einer Oberseite der Leiterrahmen Aufnahme- ausnehmungen, in denen die Aufnahmebereiche und/oder Kontaktbereiche frei gelegt sind. Die elektrischen Kontakte der Ge¬ häuse sind an einer den Aufnahmebereichen gegenüberliegenden Seite der Leiterrahmenabschnitte ausgebildet. Beispielsweise sind die elektrischen Kontakte durch die Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte gebildet. Dadurch können die fertigen Ge¬ häuse auf eine Leiterplatte aufgesetzt werden, wobei direkt über den dadurch entstehenden körperlichen Kontakt zwischen dem Gehäuse und der Leiterplatte auch der elektrische Kontakt zu dem Leiterrahmenabschnitt und dem damit kontaktierten elektronischen Bauelement und/oder eine thermische Ankopplung des Gehäuses bzw. des elektronischen Bauelements an die Lei¬ terplatte hergestellt werden kann.
Bei dem Einbetten des Leiterrahmens in den Formwerkstoff kön¬ nen sich die durch Formwerkstoff und Leiterrahmen gebildeten Gehäuseverbände und/oder die entsprechenden Gehäuse bei¬ spielsweise aufgrund von Materialschwindung und/oder aufgrund von Wärmeausdehnung verbiegen. Bei derartig verbogenen Gehäuseverbänden bzw. Gehäusen können bei nachfolgenden Bearbeitungsprozessen Probleme aufwerfen. Beispielsweise können die verbogenen Gehäuseverbände auf Rollbändern, Magazin-Ein- oder Ausgängen und/oder bei Ansaugung auf einem Vakuumtisch relativ schlecht gehandhabt werden.
Eine Ursache für die Durchbiegung liegt beispielsweise in den unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen dem Material des Leiterrahmens und dem Material des Formwerkstoffs, der beispielsweise einen Duroplasten aufwei¬ sen kann, beispielsweise Epoxidharz, Silikonharz, oder einen Thermoplasten, beispielsweise PPA oder Polyester. Der CTE des Formwerkstoffs liegt in der Regel über der Glasübergangstemperatur höher als der des Materials des Leiterrahmens und un¬ ter der Glasübergangstemperatur unter dem CTE des Materials des Leiterrahmens. Aufgrund dieser Unterschiede der Wärmeaus¬ dehnungskoeffizienten entsteht beispielsweise korrespondie¬ rend zu dem bekannten Bi-Metall-Effekt die vorstehend be¬ schriebene Durchbiegung.
Zum Vermeiden der Durchbiegung des Gehäuseverbundes bzw. des Gehäuses ist es bekannt, beispielsweise als Formwerkstoff Epoxid-basierte Harze zu verwenden, beispielsweise einen EMC (electro mold Compound) , deren CTEs unterhalb ihrer Glasüber¬ gangstemperatur beispielsweise zwischen 7 ppm/K bis 12 ppm/K betragen, und für das Material der Leiterrahmen beispielswei¬ se eine FeNi-Legierung, beispielsweise Alloy 42, zu verwenden mit einem CTE von ca. 8 ppm/K. Bei Verwendung dieser Materia- len kann bei dem Gehäuseverbund die Verbiegung gering gehal¬ ten jedoch nicht verhindert werden. Bei vielen Anwendungen, beispielsweise bei Gehäusen für elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelemente, können jedoch hochwärmeleitfähige Leiterrahmen, beispielsweise aus Kupfer, gewünscht sein.
Ferner ist es zum Vermindern der Verbiegung bekannt, eine Dicke des Formwerkstoffs auf den Leiterrahmen so weit wie mög¬ lich zu verringern. Ferner ist es zum Vermindern der Verbiegung bekannt, zwei Formwerkstoffbereiche auf einem Leiterrah¬ men auszubilden, die in der Mitte voneinander beabstandet sind, so dass der Leiterrahmen zwischen den beiden Formwerkstoffbereichen frei von Formwerkstoff ist. Ferner können bei den nachfolgenden Bearbeitungsprozessen beispielsweise Andruckrollen verwendet werden, um die durchgebogenen Gehäuseverbände auf das entsprechende Transportmittel zu drücken.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein Gehäuse und eine elektronische Baugruppe bereitgestellt, die einfach, präzise und/oder mit lediglich einer geringen oder keiner Durchbiegung herstellbar sind.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für elektronische Bauelemente und ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe bereitgestellt, die einfach und/oder präzise durchführbar sind und/oder bei denen eine Durchbiegung eines Gehäuseverbundes während des Herstellungsprozesses verringert oder ver¬ hindert werden kann.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement bereitgestellt. Das Gehäuse weist einen Leiterrahmenabschnitt auf, der aus einem elektrisch leitenden Material gebildet ist und der einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements und/oder einen Kontaktbereich zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements aufweist. Das Gehäuse weist ferner einen Formwerkstoff auf, in den der Leiterrahmenabschnitt eingebettet ist. Der Formwerkstoff weist mindestens eine Aufnahmeausnehmung auf, in der der Aufnahmebereich und/oder der Kontaktbereich frei gelegt sind. Der Formwerkstoff weist mindestens eine Span- nungsreduktionsausnehmung auf, die frei von dem Aufnahmebereich und/oder dem Kontaktbereich ist.
Die Spannungsreduktionsausnehmung bewirkt während eines Herstellungsprozesses zum Herstellen des Gehäuses eine Reduzie¬ rung eines zu dem Bi-Metall-Effekt korrespondierenden Effekts zwischen dem Formwerkstoff und dem Leiterrahmenabschnitt und trägt somit dazu bei, ein Durchbiegen des Leiterrahmens und des Formwerkstoffs zu verhindern oder zumindest zu verrin¬ gern. Aufgrund des Verhinderns bzw. Verringerns der Durchbie¬ gung können nachfolgende Bearbeitungsprozesse einfach und präzise durchgeführt werden.
Dass die Spannungsreduktionsausnehmung frei von dem Aufnahmebereich und/oder dem Kontaktbereich ist, bedeutet beispielsweise, dass die Spannungsreduktionsausnehmung keinen anderen Zweck hat, als die Spannung zwischen dem Formwerkstoff und dem Leiterrahmen zu verringern und/oder dass bei nachfolgenden Bearbeitungsprozessen die Spannungsreduktionsausnehmung nicht zum Anordnen und/oder Kontaktieren elektronischer Bau- elemente verwendet wird. Die Aufnahmeausnehmung kann bei¬ spielsweise auch als Kavität bezeichnet werden. Das Gehäuse kann beispielsweise auch als Mold-Array bezeichnet werden. Das elektronische Bauelement kann beispielsweise auch als Unit bezeichnet werden. Ferner können mehrere elektronische Bauelemente in einem Gehäuse angeordnet sein. Die in der Auf- nahmeausnehmung angeordneten elektronischen Bauelemente können beispielsweise mit einem Hüllmaterial umhüllt und/oder in das Hüllmaterial eingebettet werden, beispielsweise mit bzw. in Silikon oder in Silikon mit einem Konverter zum Konvertie- ren elektromagnetischer Strahlung oder mit T1O2, wobei das Hüllmaterial beispielsweise zum Teil oder ganz mit eine schwarzen Epoxid bedeckt sein kann.
Das Gehäuse kann beispielsweise zwei, drei oder mehr der Spannungsreduktionsausnehmungen aufweisen. Das Gehäuse kann beispielsweise als QFN-Gehäuse ausgebildet sein. Das bedeutet beispielsweise, dass das Gehäuse keine nach außen führenden Drähte aufweist, die beispielsweise seitlich aus dem Gehäuse hervorstehen und die beim Anordnen des Gehäuses auf eine Lei- terplatte beispielsweise nach unten gebogen werden müssten, sondern dass das QFN-Gehäuse an seiner Unterseite, elektri¬ sche Anschlüsse aufweist, die beispielsweise durch den Lei¬ terrahmenabschnitt gebildet sind und durch die beim Aufsetzen des QFN-Gehäuses auf die Leiterplatte sowohl eine mechanische als auch eine elektrische Kopplung des QFN-Gehäuses und mit¬ tels des Leiterrahmenabschnitts auch eine elektrische Kopp¬ lung des darin angeordneten elektronischen Bauelements mit der Leiterplatte erfolgt. Ferner kann der körperliche Kontakt des Gehäuses zu der Leiterplatte und die damit verbundene thermische Ankopplung des Gehäuses an die Leiterplatte zu ei¬ nem sehr guten Verhalten bei Temperaturwechselbelastung beitragen, da das Material des Leiterplattenabschnitts besonders gut an die Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leiterplatte und/oder der Wärmesenke angepasst werden kann. Dabei kann die Leiterplatte beispielsweise eine FR1-, FR2-, FR3- , FR4-, FR5-, CEM1-, CEM2-, CEM3-, CEM4- oder CEM5-Leiterplatte sein, beispielsweise eine durchkontaktierte FR-4-Leiterplatte .
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist die Spannungsredukti- onsausnehmung so tief ausgebildet ist, dass das Material des Leiterrahmenabschnitts in der Spannungsreduktionsausnehmung frei gelegt ist. Dies kann einfach und effektiv zu einer weitgehenden Reduzierung der Durchbiegung beitragen.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die Spannungsreduk- tionsausnehmung eine Nut in dem Formwerkstoff auf. Die Nut kann auf einfache Weise dazu beitragen, die Durchbiegung zu verhindern und/oder zu verringern. Ferner kann die Nut auf einfache und/oder bekannte Weise ausgebildet werden.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist in einem freien Bereich, der sich in dem Formwerkstoff entlang einer Richtung parallel zu einer Oberfläche des Leiterrahmenabschnitts und parallel zu einer seitlichen Außenwand des Gehäuses er¬ streckt, keine Aufnahmeausnehmung ausgebildet und die Span¬ nungsreduktionsausnehmung ist in dem freien Bereich ausgebildet. In anderen Worten kann die Spannungsreduktionsausnehmung beispielsweise genau in den freien Bereichen ausgebildet sein, in denen sich sonst der Formwerkstoff von einem Ende zum anderen Ende des Gehäuses erstrecken würde und in denen daher besonders hohe Kräfte auf den Gehäuseverbund wirken würden. Dies kann auf besonders effektive Weise zum Verhin¬ dern bzw. Verringern des Durchbiegens des Gehäuseverbundes beitragen .
In verschiedenen Ausführungsformen ist eine elektronische Baugruppe bereitgestellt, die ein Gehäuse, beispielsweise das vorstehend erläuterte Gehäuse, und ein elektronisches Bauele¬ ment aufweist. Das elektronische Bauelement ist in dem Auf¬ nahmebereich des Gehäuses angeordnet und/oder in dem Kontakt¬ bereich des Gehäuses elektrisch kontaktiert. Die Spannungsre- duktionsausnehmung ist frei von elektronischen Bauelementen und/oder elektrischen Kontakten. Das elektronische Bauelement kann beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung emittie¬ rendes Bauelement und/oder ein Chip, beispielsweises ein Halbleiterchip, sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann beispielsweise eine LED und/oder ei¬ ne OLED sein.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für ein elektronisches Bauelement bereitgestellt, beispielsweise zum Herstellen des vorherge¬ hend erläuterten Gehäuses. Bei dem Verfahren wird ein Leiterrahmenabschnitt bereitgestellt, der aus einem elektrisch lei¬ tenden Material gebildet ist und der einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements und/oder einen Kontaktbereich zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements aufweist. Der Leiterrahmenabschnitt wird in einen Form¬ werkstoff eingebettet. In dem Formwerkstoff wird mindestens eine Aufnahmeausnehmung ausgebildet, in der der Aufnahmebe¬ reich und/oder der Kontaktbereich frei gelegt sind. In dem Formwerkstoff wird mindestens eine Spannungsreduktionsausneh¬ mung ausgebildet, die frei von dem Aufnahmebereich und/oder dem Kontaktbereich ist. Die Spannungsreduktionsausnehmung kann beispielsweise in Form einer Nut ausgebildet werden. Ferner können auch zwei, drei oder mehr entsprechende Spannungsreduktionsausnehmungen ausgebildet werden.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die Spannungsreduk- tionsausnehmung so tief ausgebildet, dass das Material des Leiterrahmenabschnitts in der Spannungsreduktionsausnehmung frei gelegt ist.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird in dem Formwerkstoff ein freier Bereich gebildet. Der freie Bereich erstreckt sich in dem Formwerkstoff entlang einer Richtung parallel zu einer Oberfläche des Leiterrahmenabschnitts und parallel zu einer seitlichen Außenwand des Gehäuses. In dem freien Bereich wird keine Aufnahmeausnehmung ausgebildet. Die Spannungsredukti- onsausnehmung wird in dem freien Bereich ausgebildet.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird der Leiterrahmenabschnitt in einem Verbund mit weiteren Leiterrahmenabschnitten als Leiterrahmen bereitgestellt. Der Leiterrahmenabschnitt wird in den Formwerkstoff eingebettet, indem der Leiterrahmen in den Formwerkstoff eingebettet wird. Der eingebettete Lei¬ terrahmen bildet einen Gehäuseverbund. Zu jedem Leiterrahmenabschnitt werden mindestens eine Aufnahmeausnehmung und mindestens eine Spannungsreduktionsausnehmung ausgebildet. Aus dem Gehäuseverbund werden mehrere Gehäuse vereinzelt, indem die eingebetteten Leiterrahmenabschnitte voneinander getrennt werden. In anderen Worten wird das Gehäuse hergestellt, indem zunächst der Gehäuseverbund hergestellt wird, der den in den Formwerkstoff eingebetteten Leiterrahmen aufweist, und indem dann die Gehäuse aufweisend jeweils einen der Leiterrahmenab¬ schnitte aus dem Gehäuseverbund vereinzelt werden. Das Tren¬ nen der Leiterrahmenabschnitte voneinander kann beispielswei¬ se ein Schneiden oder Sägen des Gehäuseverbunds und/oder des Leiterrahmens umfassen.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist der Leiterrahmen parallel zu seiner Oberfläche eine lange Seite und eine kurze Seite auf. Die Spannungsreduktionsausnehmungen werden beispielsweise senkrecht zu der langen Seite und/oder parallel zu der kurzen Seite ausgebildet. Dies kann besonders effektiv zum Verhindern und/oder Verringern der Durchbiegung des Gehäuseverbundes beitragen, da die Verbiegung im Wesentlichen und/oder grundsätzlich entlang der langen Seite auftritt und da die die Biegung entlang der langen Seite verläuft und be¬ sonders effektiv verringert werden kann, wenn die Spannungs¬ reduktionsausnehmung senkrecht zu dem Verlauf der Biegung ausgebildet ist.
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden die Spannungsre- duktionsausnehmungen an Übergängen von einem der Leiterrahmenabschnitte zu einem anderen der Leiterrahmenabschnitte ausgebildet. Beispielsweise ist jedes Gehäuse in dem Gehäuse¬ verbund durch vorgegebene Gehäusegrenzen definiert. Die Ge¬ häusegrenzen können beispielsweise an den Übergängen und/odei in Übergangsbereichen an den Übergängen liegen. Die Span- nungsreduktionsausnehmungen können nun an den Gehäusegrenzen und/oder die Gehäusegrenzen überlappend und/oder auf den Gehäusegrenzen liegend ausgebildet sein. Beispielsweise sind die Spannungsreduktionsausnehmungen in Bereichen ausgebildet, in denen nachfolgend die Gehäuse getrennt, beispielsweise ge¬ sägt werden sollen. Dabei können sich die Spannungsredukti- onsausnehmungen entlang der gesamten Gehäusegrenzen erstrecken oder lediglich über einen Teil der Gehäusegrenzen. Beispielsweise können entlang einer Gehäusegrenze mehrere Span¬ nungsreduktionsausnehmungen ausgebildet sein, die voneinandei durch Formwerkstoff getrennt sind. Beispielsweise können die Spannungsreduktionsausnehmungen so ausgebildet werden, dass sie den Formwerkstoff, der zu unterschiedlichen Gehäusen gehört, entsprechend abtrennen. Die Spannungsreduktionsausnehmungen können beispielsweise so ausgebildet sein, dass sie die einzelnen Gehäuse in dem Gehäuseverbund voneinander teil¬ weise oder vollständig abtrennen, insbesondere deren Form¬ werkstoff .
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden die Gehäuse aus dem Gehäuseverbund vereinzelt durch Trennen der einzelnen Ge¬ häuse im Bereich zumindest einiger der Spannungsreduktions¬ ausnehmungen . Dies kann zu einem besonders einfachen und/odei schnellen Vereinzeln der Gehäuse beitragen, da im Bereich dei Spannungsreduktionsausnehmungen nur wenig oder gar kein Formwerkstoff durchtrennt werden muss. Dies kann dazu beitragen, dass im Wesentlichen nur der Leiterrahmen durchgetrennt werden muss. Das Trennen kann beispielsweise mittels Sägen oder Schneiden des Gehäuseverbundes und/oder des Leiterrahmens er¬ folgen. Beispielsweise kann ein Sägeblatt zum Vereinzeln der Gehäuse so breit gewählt werden, dass der entsprechende Säge¬ schnitt eine Breite hat, die der Breite der Spannungsredukti- onsausnehmungen entspricht oder nahezu entspricht. Die Säge¬ blattstärke kann beispielsweise so gewählt werden, dass bei dem fertiggestellten Gehäuse die Spannungsreduktionsausneh- mung gut, kaum oder gar nicht erkennbar ist.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird in dem Leiterrahmen in einem Bereich, der frei von Formwerkstoff ist, eine Lei- terrahmen-Spannungsreduktionsausnehmung ausgebildet. Die Lei- terrahmen-Spannungsreduktionsausnehmung kann beispielsweise in dem Leiterrahmen ausgebildet werden. Die Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmung kann beispielsweise zwischen zwei großen Flächen von Formwerkstoff ausgebildet sein. Die Leiterrahmen-Spannungsreduktionsausnehmung kann beispielsweise entlang einer Mittellinie ausgebildet sein, die eine Mitte der langen Seite des Leiterrahmens kennzeichnet und die senk¬ recht zu der langen Seite verläuft. Die Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmung kann sich beispielsweise durch die gesamte Dicke des Leiterrahmens hindurch erstrecken. Die Leiterrahmen-Spannungsreduktionsausnehmung in dem Leiterrahmen kann genauso wie die Spannungsreduktionsausnehmung in dem Formwerkstoff dazu beitragen, das Durchbiegen des Gehäuseverbundes zu verhindern und/oder zu verringern.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe bereitgestellt, bei dem ein Gehäuse ausgebildet wird, beispielsweise gemäß dem vorhergehend erläuterten Verfahren, und bei dem vor oder nach dem Vereinzeln der Gehäuse aus dem Gehäuseverbund das bzw. die elektronischen Bauelemente in der Aufnahmeausnehmung angeordnet und/oder kontaktiert werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren darge¬ stellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine Schnittdarstellung in Seitenansicht eines
Ausführungsbeispiels eines Gehäuses für ein elekt- ronisches Bauelement; Figur 2 eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels ei¬ nes Gehäuseverbundes;
Figur 3 eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels ei¬ nes Gehäuseverbundes;
Figur 4 eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels ei¬ nes Gehäuseverbundes;
Figur 5 ein Diagramm mit Verläufen von Wärmeausdehnungskoeffizienten abhängig von der Temperatur;
Figur 6 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines
Gehäuseverbundes ;
Figur 7 eine Schnittdarstellung in Seitenansicht des Gehäuseverbundes gemäß Figur 6;
Figur 8 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines
Gehäuseverbundes ;
Figur 9 eine Schnittdarstellung in Seitenansicht des Gehäuseverbundes gemäß Figur 8;
Figur 10 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines
Gehäuseverbundes ;
Figur 11 eine Schnittdarstellung in Seitenansicht des Gehäuseverbundes gemäß Figur 10;
Figur 12 eine geschnittene Detailansicht eines Ausführungs¬ beispiels einer Spannungsreduktionsausnehmung;
Figur 13 einen Sägeschnitt durch ein Ausführungsbeispiel einer Spannungsreduktionsausnehmung;
Figur 14 einen Sägeschnitt durch ein Ausführungsbeispiel einer Spannungsreduktionsausnehmung; Figur 15 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines Gehäuseverbundes ; Figur 16 eine Schnittdarstellung in Seitenansicht des Ge¬ häuseverbundes gemäß Figur 14;
Figur 17 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines
Gehäuseverbundes ;
Figur 18 eine perspektivische Ansicht auf ein Ausführungs¬ beispiel einer elektronischen Baugruppe;
Figur 19 eine perspektivische Ansicht auf ein Ausführungs- beispiel einer elektronischen Baugruppe;
Figur 20 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels ei¬ nes Verfahrens zum Herstellen eines Gehäuses für ein elektronisches Bauelement und eines Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifi- sehe Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfin¬ dung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungs¬ terminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbei¬ spiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vor- genommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Be¬ schreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Be¬ schreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugs¬ zeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein elekt- romagnet ische Strahlung emittierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Di¬ ode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als or- ganischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein.
Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Aus¬ führungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Fig.l zeigt eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbei¬ spiels eines herkömmlichen Gehäuses 10 für ein elektronisches Bauelement. Das Gehäuse 10 kann beispielsweise einen Leiter¬ rahmenabschnitt 12 und einen Formwerkstoff 14 aufweisen. Der Leiterrahmenabschnitt 12 kann beispielsweise in dem Formwerk¬ stoff 14 eingebettet sein. In dem Formwerkstoff 14 kann bei- spielsweise eine Aufnahmeausnehmung 18 ausgebildet sein. Die Aufnahmeausnehmung 18 dient beispielsweise zum Aufnehmen und/oder Kontaktieren des elektronischen Bauelements (siehe Figuren 17 bis 19) . Der Leiterrahmenabschnitt 12 weist bei¬ spielsweise einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektro- nischen Bauelements und/oder einen Kontaktbereich zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements auf. Der Aufnahmebe¬ reich und/oder der Kontaktbereich können beispielsweise in der Aufnahmeausnehmung 18 angeordnet und frei gelegt sein. Der Leiterrahmenabschnitt 12 kann beispielsweise ein elekt¬ risch leitendes Material aufweisen. Das Material des Leiter¬ rahmenabschnitts 12 kann beispielsweise eine besonders hohe elektrische Leitfähigkeit aufweisen. Das Material kann bei¬ spielsweise Kupfer, beispielsweise CuW oder CuMo, Kupferle- gierungen, Messing, Nickel und/oder Eisen, beispielsweise Fe- Ni, aufweisen und/oder kann beispielsweise daraus gebildet sein. Der Formwerkstoff 14 kann beispielsweise ein anorgani¬ sches Material, beispielswiese einen Verbundwerkstoff, bei¬ spielsweise Epoxidharz, und/oder Silikon, ein Silikon-Hybrid und/oder ein Silikon-Epoxid-Hybrid aufweisen. Eine Dicke des Gehäuses 10 kann beispielsweise 100 pm bis 1 mm, beispiels¬ weise 200 pm bis 500 pm, beispielsweise 250 pm bis 300 pm betragen. Eine Dicke des Leiterrahmenabschnitts 12 kann bei¬ spielsweise 100 pm bis 500 pm, beispielsweise 150 pm bis 300 pm betragen.
Das Gehäuse 10 ist beispielsweise ein QFN-Gehäuse und/oder ein Gehäuseelement eines QFN-Packages , beispielsweise eines MLPQ- (Micro Leadframe Package Quad) , MLPM- (Micro Leadframe Package Micro), MLPD- (Micro Leadframe Package Dual), DRMLF- (Dual Row Micro Leadframe Package) , DFN- (Dual Fiat No-lead Package) , TDFN- (Thin Dual Fiat No-lead Package) , UTDFN- (Ultra Thin Dual Fiat No-lead Package) , XDFN- (extreme thin Dual Fiat No-lead Package) , QFN-TEP- (Quad Fiat No-lead pa- ckage with Top Exposed Päd) , TQFN- (Thin Quad Fiat No-lead Package) , VQFN- (Very Thin Quad Fiat No Leads Package) Packa¬ ges .
Das Gehäuse 10 kann beispielsweise zum Aufnehmen und/oder Kontaktieren des elektronischen Bauelements oder zweier oder mehr elektronischer Bauelemente dienen. Die elektrische Kon- taktierung des elektronischen Bauelements kann beispielsweise über den Leiterrahmenabschnitt 12 erfolgen, welcher bei¬ spielsweise an seiner Unterseite (die Unterseite in Figur 1) mit einer nicht dargestellten Leiterplatte elektrisch
und/oder thermisch kontaktiert sein kann. Ferner kann das Gehäuse 10 ein sehr gutes Verhalten bei Temperaturwechselbelastung aufweisen, da das Material des Leiterplattenabschnitts 12 besonders gut an die Wärmeausdeh¬ nungskoeffizienten der Leiterplatte und/oder der Wärmesenke angepasst werden kann. Dabei kann die Leiterplatte beispiels- weise eine FR1-, FR2-, FR3- , FR4-, FR5-, CEM1-, CEM2-, CEM3- , CEM4- oder CEM5-Leiterplatte sein, beispielsweise eine durchkontaktierte FR-4-Leiterplatte .
Fig. 2 zeigt eine Seitenansicht auf ein Ausführungsbeispiel eines Gehäuseverbundes 20. Der Gehäuseverbund 20 kann bei¬ spielsweise einen Leiterrahmen 22 aufweisen, der beispielsweise mehrere der Leiterrahmenabschnitte 12 aufweisen kann, die über den Leiterrahmen miteinander verbunden sein können und/oder die den Leiterrahmen bilden können. Der Leiterrahmen 22 kann mit dem Formwerkstoff 14 beschichtet sein und/oder in den Formwerkstoff 14 eingebettet sein. Zur vereinfachten Darstellung sind die einzelnen Leiterrahmenabschnitte 12 und weitere Details des Gehäuseverbundes 20, des Formwerkstoffs 14 und/oder der Leiterrahmenabschnitte 12 nicht dargestellt.
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Gehäuseverbundes 20 gemäß Figur 2, bei dem der Gehäuseverbund 20 und/oder die Ge- häuse 10 in ihrer Mitte nach unten durchgebogen sind, was weiter unten näher erläutert wird.
Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Gehäuseverbundes 20 gemäß Figur 2, bei dem der Gehäuseverbund 20 und/oder die Ge¬ häuse 10 in ihrer Mitte nach oben durchgebogen sind, was weiter unten näher erläutert wird.
Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Diagramms, bei dem beispielhaft ein Verlauf CTE_F eines Wärmeausdehnungskoeffi¬ zienten CTE des Materials des Formwerkstoffs 14 in ppm pro Kelvin und ein Verlauf CTE_C des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE des Materials des Leiterrahmens 22 in ppm pro Kelvin in Abhängigkeit von der Temperatur T eingezeichnet sind. Aus dem Diagramm geht hervor, dass der Wärmeausdehnungskoeffi¬ zient CTE unterhalb einer Glasübergangstemperatur Tg des Materials des Formwerkstoffs 14 beispielsweise unter dem Wärme¬ ausdehnungskoeffizient CTE des Materials des Leiterrahmens 22 liegt und oberhalb der Glasübergangstemperatur Tg oberhalb des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE des Materials des Leiterrahmens 22 liegt.
Beispielsweise liegt die Glasübergangstemperatur Tg des Wärmeübergangskoeffizienten CTE des Materials des Formwerkstoffs 14 bei 135° C. Eine Aushärtetemperatur Tc des Materials des Formwerkstoffs 14 kann beispielsweise bei einer 145° C lie¬ gen. Unterhalb der Glasübergangstemperatur Tg ist das Material des Formwerkstoffs 14 hart oder fest. Oberhalb der Glas¬ übergangstemperatur Tg ändert sich die Festigkeit des Materi- als des Formwerkstoffs 14 abrupt, so dass dieser oberhalb der Glasübergangstemperatur Tg weich oder zähflüssig ist.
Somit weichen die temperaturbedingten Materialausdehnungen des Materials des Formwerkstoffs 14 und des Materials des Leiterrahmens 22 abhängig von der Temperatur mehr oder weniger stark voneinander ab. Beispielsweise kann sich bei hohen Temperaturen das Material des Leiterrahmens 22 stärker aus¬ dehnen als das Material des Formwerkstoffs 14 und bei niedri- gen Temperaturen kann sich das Material des Formwerkstoffs 14 stärker ausdehnen als das Material des Leiterrahmens 22. Dies führt bei unterschiedlichen Temperaturen zu unterschiedlichen Auswirkungen gemäß dem bekannten Bi-Metall-Effekt , obwohl das Material des Formwerkstoffs 14 auch frei von Metall sein kann .
Beispielsweise beträgt eine Temperatur des in Figur 3 gezeig¬ ten Ausführungsbeispiels des Gehäuseverbundes 20 ungefähr 135° C, was die Durchbiegung des Gehäuseverbundes 20 und/oder der Gehäuse 10 in ihrer Mitte nach unten bewirkt.
Beispielsweise beträgt eine Temperatur des in Figur 4 gezeig¬ ten Ausführungsbeispiels des Gehäuseverbundes 20 beispiels- weise unter 50° C, beispielsweise unter 30° C, beispielsweise ungefähr 25° C, was die Durchbiegung des Gehäuseverbundes 20 und/oder der Gehäuse 10 in ihrer Mitte nach oben bewirkt.
Fig. 6 und Fig. 7 zeigen ein Ausführungsbeispiel eines Gehäu- severbundes 20, der beispielsweise mehrere Gehäuse 10 mit entsprechenden Leiterrahmenabschnitten 12 aufweisen kann, die über den Leiterrahmen 22 und den Formwerkstoff 14 miteinander verbunden sein können. Dabei zeigen Figur 6 eine Draufsicht auf den Gehäuseverbund 20 und Figur 7 eine Schnittansicht des Gehäuseverbundes 20 entlang der in Figur 6 gezeigten Schnitt¬ kante .
Die Gehäuse 10 können weitgehend korrespondierend zu dem in Figur 1 gezeigten Gehäuse ausgebildet sein. Zusätzlich zu dem in Figur 1 gezeigten Gehäuse 1 weisen jedoch die in Figur 6 gezeigten Gehäuse 10 und/oder der Gehäuseverbund 20 zum Vermeiden der vorstehend erläuterten Durchbiegung oder zum Verringern derselben mehrere Spannungsreduktionsausnehmungen 24 auf, die in dem Formwerkstoff 14 ausgebildet sind.
Beispielsweise können die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 regelmäßig über die einzelnen Gehäuse 10 verteilt sein. Bei¬ spielsweise können in dem Formwerkstoff 14 der Gehäuse 10 je- weils eine, zwei, drei oder mehr Spannungsreduktionsausneh- mungen 24 ausgebildet sein, beispielsweise neben je einem Aufnahmebereich 18. Ferner können die Spannungsreduktionsaus- nehmungen 24 verglichen mit dem Aufnahmebereich 18 kleiner, größer oder gleich groß ausgebildet sein. Beispielsweise kann lediglich eine Spannungsreduktionsausnehmung 24 pro Gehäuse 10 ausgebildet sein, die sich beispielsweise von einer un¬ tersten der in Figur 6 gezeigten Spannungsreduktionsausnehmung 24 eines der Gehäuse 10 bis zu einer obersten der gezeigten Spannungsreduktionsausnehmungen 24 desselben Gehäuses 10 erstreckt.
Die Durchbiegung kann weiter verringert oder verhindert wer- den, indem beispielsweise in der Mitte des GehäuseVerbundes 20 ein Bereich gebildet ist, in dem der Leiterrahmen 22 frei von Formwerkstoff 14 ist und in dem beispielsweise eine, zwei oder mehr Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmungen 26 ausgebildet sind.
Fig. 8 und Fig. 9 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel ei¬ nes Gehäuseverbundes 20, das weitgehend dem mit Bezug zu den Figuren 6 und 7 erläuterten Ausführungsbeispiel des Gehäuse¬ verbundes 20 entsprechen kann. Dabei zeigen Figur 8 eine Draufsicht auf den Gehäuseverbund 20 und Figur 9 eine
Schnittansicht des Gehäuseverbundes 20 entlang der in Figur 8 gezeigten Schnittkante.
Alternativ oder zusätzlich zu den in den Figuren 6 und 7 gezeigten Spannungsreduktionsausnehmungen 24 können die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 beispielsweise so ausgebildet sein, dass sie in dem Gehäuseverbund 20 in dem Formwerkstoff 14 bei Übergängen von je einem der Gehäuse 10 zu einem anderen der Gehäuse 10 ausgebildet sind. Die Übergänge können auch Grenzen der Gehäuse 10 sein. Beispielsweise können die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 entlang von in Figur 8 eingezeichneten Trennlinien 28 ausgebildet sein, an denen die Gehäuse 10 nachfolgend vereinzelt, beispielsweise geschnitten oder gesägt werden. Dies kann beispielsweise dazu beitragen, den Trenn-, beispielsweise Schneide- bzw. Sägeprozess zu ver¬ einfachen, da dann weniger Material des Formwerkstoffs 14 ge¬ trennt, insbesondere gesägt oder geschnitten werden muss. Dies kann beispielsweise dazu beitragen, dass ein Trennwerk- zeug, beispielsweise ein Sägeblatt weniger Verschleiß unter¬ liegt .
Fig. 10 und Fig. 11 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Gehäuseverbundes 20, das weitgehend einem der vorherge- hend erläuterten Ausführungsbeispiele des Gehäuseverbundes 20 entsprechen kann. Dabei zeigen Figur 10 eine Draufsicht auf den Gehäuseverbund 20 und Figur 11 eine Schnittansicht des Gehäuseverbundes 20 entlang der in Figur 10 gezeigten
Schnittkante .
Alternativ oder zusätzlich können die Spannungsreduktionsaus- nehmungen 24 an den Übergängen von einem Gehäuse 10 zu einem anderen der Gehäuse 10 durchgehend ausgebildet sein, so dass beispielsweise bezüglich des Formwerkstoffs 14 die Gehäuse 10 schon im Gehäuseverbund 20 voneinander abgetrennt sind. Dies kann beispielsweise dazu beitragen, den Trenn-, beispielswei¬ se Schneide- bzw. Sägeprozess zu vereinfachen, da dann ledig¬ lich das Material des Leiterrahmens 20 getrennt werden muss und nicht der Formwerkstoff 14. Alternativ dazu können sich die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 auch lediglich in einer Richtung durchgehend erstrecken, beispielsweise gemäß Fi¬ gur 10, und in einer anderen Richtung, beispielsweise senkrecht dazu, unterbrochen sein, beispielsweise gemäß Figur 8. Ferner können die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 an den Übergängen gemäß den Figuren 8 und/oder 10 mit den Spannungsreduktionsausnehmungen 24 gemäß Figur 6 kombiniert sein.
Fig. 12 zeigt einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel einer Spannungsreduktionsausnehmungen 24, beispielsweise ei- ner der vorhergehend erläuterten Spannungsreduktionsausnehmungen 24. Die Spannungsreduktionsausnehmung 24 kann beispielsweise eine Breite B von 0,1 bis 10,00 mm, beispielswei¬ se von 2 bis 4 mm aufweisen. Ferner kann die Spannungsreduk- tionsausnehmung 24, beispielsweise eine Tiefe T aufweisen, die beispielsweise einer Dicke des Formwerkstoffs 14 auf dem Leiterrahmen 12 entsprechen kann. In anderen Worten kann der Leiterrahmen 12 in der Spannungsreduktionsausnehmung 14 frei gelegt sein und/oder frei von Formwerkstoff 14 sein. Ferner können Seitenwandungen der Ausnehmungen, durch die die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 gebildet sind, beispielsweise einen Winkel zu einer Senkrechten auf einer Oberfläche des Leiterrahmens 22 aufweisen, der beispielsweise zwischen 1 und 20 Grad, beispielsweise zwischen 5 und 15 Grad, beispielswei¬ se ungefähr 9 Grad sein kann.
Fig. 13 zeigt den in Figur 12 gezeigten Querschnitt des Aus¬ führungsbeispiels der Spannungsreduktionsausnehmung 24 nach einem Vereinzeln der Gehäuse 10, beispielsweise nach einem Trennen der Leiterrahmenabschnitte 12 voneinander. Das Vereinzeln und/oder Trennen wird beispielsweise in einem
Schneid- oder Sägeprozess durchgeführt. Bei dem Sägeprozess kann beispielsweise ein Sägeblatt mit einer ersten Breite Wl verwendet werden, die beispielsweise kleiner als die Breite B der Spannungsreduktionsausnehmung 24 ist. Dies bewirkt, dass die schrägen Seitenwände der Spannungsreduktionsausnehmungen 24 bei den nachfolgend vereinzelten Gehäusen 10 am Rand erhalten bleiben.
Fig. 14 zeigt den in Figur 12 gezeigten Querschnitt des Ausführungsbeispiels der Spannungsreduktionsausnehmung 24 nach einem Vereinzeln der Gehäuse 10, beispielsweise nach einem Trennen der Leiterrahmenabschnitte 12 voneinander. Das Ver- einzeln und/oder Trennen wird beispielsweise in einem
Schneid- oder Sägeprozess durchgeführt. Bei dem Sägeprozess kann beispielsweise ein Sägeblatt mit einer zweiten Breite W2 verwendet werden, die nahezu so groß, gleich groß oder größer ist als die Breite B der Spannungsreduktionsausnehmung 24. Dies bewirkt, dass die schrägen Seitenwände der Spannungsre¬ duktionsausnehmungen 24 bei den nachfolgend vereinzelten Gehäusen 10 am Rand nur noch kaum oder gar nicht mehr zu sehen sind . Fig. 15 und Fig. 16 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Gehäuseverbundes 20, das weitgehend einem der vorste¬ hend erläuterten Ausführungsbeispiele des Gehäuseverbundes 20 entsprechen kann. Dabei zeigt Figur 15 eine Draufsicht auf den Gehäuseverbund 20 und Figur 16 eine Schnittansicht des Gehäuseverbundes 20 entlang der in Figur 15 gezeigten
Schnittkante. Das Ausführungsbeispiel des Gehäuseverbundes 20 kann beispielsweise lediglich Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmungen 26, beispielsweise eine Lei- terrahmen-Spannungsreduktionsausnehmung 26, in dem Leiterrahmen 22 aufweisen. Beispielsweise kann die Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmung 26 vor dem Einbetten des Leiterrahmens 22 in den Formwerkstoff 14 ausgebildet werden. Die Leiterrahmen-Spannungsreduktionsausnehmungen 26 können beispielsweise in einer Mitte des Leiterrahmens 22 ausgebildet sein. Die Leiterrahmen-Spannungsreduktionsausnehmungen 26 können beispielsweise entlang einer Mittellinie ausgebildet sein, die eine Mitte einer langen Seite des Leiterrahmens 22 kennzeichnet und die senkrecht zu der langen Seite verläuft. Die Leiterrahmen-Spannungsreduktionsausnehmungen 26 können sich beispielsweise durch die gesamte Dicke des Leiterrahmens 22 hindurch erstrecken. Die vorstehenden Ausführungsbeispiele wurden mit Bezug zu stark vereinfachten grafischen Darstellungen in den entsprechenden Figuren erläutert, um die grundlegenden Prinzipien der Erfindung zu verdeutlichen. Fig. 17 zeigt im Gegensatz dazu ein Ausführungsbeispiel eines Gehäuseverbundes 20, das prinzipiell einem der vorstehend er¬ läuterten Ausführungsbeispiele des Gehäuseverbundes 20 ent¬ sprechen kann, wobei Figur 17 den Gehäuseverbund 20 zeigt, wie er beispielsweise im Detail ausgebildet sein kann.
In den Aufnahmeausnehmungen 18 können beispielsweise in Aufnahmebereichen elektronische Bauelemente 30 angeordnet sein und/oder die elektronischen Bauelemente 30 können in den Kon- taktbereichen elektrisch kontaktiert sein. In dem Leiterrahmen 24 können beispielsweise in der Mitte beispielsweise ein, zwei oder mehr Leiterrahmen-Spannungsreduktionsausnehmungen 26 ausgebildet sein. Zur Veranschaulichung sind auf dem in Figur 17 rechten Abschnitt des Formwerkstoffs 14 keine Span¬ nungsreduktionsausnehmungen 24 ausgebildet und in dem linken Abschnitt sind die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 in den Gehäusen 10 ausgebildet. Falls sich die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 und/oder die Leiterrahmen-Spannungsreduktionsausnehmungen 26 dieses oder der vorhergehend erläuterten Ausführungsbeispiele in ei¬ ner länglichen Richtung erstrecken, so kann diese Richtung beispielsweise so gewählt werden, dass sie auf einer mögli- chen Durchbiegerichtung senkrecht steht. Beispielsweise weist der Gehäuseverbund 20 eine lange Seite AI und eine kurze Sei¬ te A2 auf, wobei die kurze Seite A2 beispielsweise senkrecht auf der langen Seite AI steht. Die Gefahr der Durchbiegung besteht in diesem Fall beispielsweise in Richtung der langen Seite AI, so dass beispielsweise entlang der kurzen Seite A2 keine oder nur eine vernachlässigbare Durchbiegung erfolgt. In diesem Fall können beispielsweise die Spannungsreduktions¬ ausnehmungen 24 und/oder die Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmungen 26 dieses oder der vorherge- hend erläuterten Ausführungsbeispiele senkrecht zu der langen Seite AI und/oder parallel zu der kurzen Seite A2 ausgebildet sein .
Fig. 18 zeigt eine elektronische Baugruppe, die ein Gehäuse, beispielsweise eines der vorhergehend erläuterten Gehäuse 10, und beispielsweise mehrere, beispielsweise fünf, elektroni¬ sche Bauelemente 30 aufweist. Die elektronische Baugruppe kann jedoch auch mehr oder weniger elektronische Bauelemente 30 aufweisen. Die elektronischen Bauelemente 30 können bei- spielsweise elektromagnetische Strahlung emittierende Bauele¬ mente aufweisen. Die elektronischen Bauelemente 30 können beispielsweise mit Hilfe von Bondverbindungen 34 mit Kontakt¬ bereichen 32 des Leiterrahmenabschnitts 12 elektrisch verbun- den sein. Das Gehäuse 10 kann beispielsweise an zwei seiner Ecken und/oder parallel zu dem Aufnahmebereich 18 je zwei Spannungsreduktionsausnehmungen 24 aufweisen. Alternativ dazu können jedoch auch mehr oder lediglich eine Spannungsredukti- onsausnehmung 24 ausgebildet sein.
Fig. 19 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer elektronischen Baugruppe, das beispielsweise weitgehend dem mit Bezug zu Fi¬ gur 18 erläuterten Ausführungsbeispiel der elektronischen Baugruppe entsprechen kann, wobei die elektronische Baugruppe beispielsweise lediglich an zwei seiner Ecken und/oder parallel zu dem Aufnahmebereich 18 eine große Spannungsreduktions¬ ausnehmungen 24 aufweisen kann. Bei den Ausführungsbeispielen gemäß Figur 18 und Figur 19 können die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 beispielsweise in freien Bereichen 36 ausgebildet sein, die sich beispiels¬ weise parallel zu einer langen Seitenwand des Gehäuses erstrecken und parallel zu einer Oberfläche des Leitrahmenab- Schnitts 12 erstrecken und die frei von Aufnahmebereichen und Kontaktbereichen sind. In anderen Worten können die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 gerade in den freien Bereichen 36 ausgebildet werden, in denen sich ansonsten der Formwerkstoff 14 über einen relativ großen Bereich erstrecken würde. Dies kann besonders effektiv dazu beitragen, das Durchbiegen des Gehäuseverbundes 22 und/oder der Gehäuse 10 zu verhindern oder zu verringern.
Fig. 20 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines Gehäuses für ein elekt¬ ronisches Bauelement, beispielsweise zum Herstellen eines der vorhergehend erläuterten Gehäuse 10. Das Verfahren dient da¬ zu, das Gehäuse 10 ohne oder zumindest mit lediglich einer geringen Verbiegung herzustellen und/oder ein Verbiegen des Gehäuseverbundes 20 während des Herstellungsprozesses zu ver¬ ringern oder zu verhindern. In einem Schritt S2 wird ein Leiterrahmen bereitgestellt, beispielsweise einer der vorstehend erläuterten Leiterrahmen 22. Der Leiterrahmen 22 kann eine Mehrzahl von Leiterrahmenabschnitten 12 aufweisen. Beispielsweise kann ein als Leiter- rahmenrohling ein Kupferblech bereitgestellt werden, in dem die Leiterrahmenabschnitte 12 beispielsweise mittels eines oder zweier Ätzprozesse ausgebildet werden können.
In einem Schritt S4 können optional eine, zwei oder mehr der Leiterrahmen-Spannungsreduktionsausnehmungen 26 in dem Leiterrahmen 22 ausgebildet werden. Die Schritte S2 und S4 können beispielsweise gleichzeitig durchgeführt werden. In ande¬ ren Worten können die Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmungen 26 in demselben Ätzprozess ausgebildet werden wie die Leiterrahmenabschnitte 12. Alter¬ nativ dazu können die Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmungen 26 auch in einem nachfolgenden Prozess, beispielsweise einem Ätzprozess oder einem
Schneid- oder Sägeprozess, ausgebildet werden.
In einem Schritt S6 kann der Leiterrahmen 22 in den Formwerkstoff 14 eingebettet werden. Dazu kann der Leiterrahmen 22 beispielsweise in einem Formwerkzeug zum Ausbilden des Form¬ werkstoffs 14, 16 angeordnet werden. Das Formwerkzeug kann beispielsweise einen oberen Formkörper (Topmold) und einen unteren Formkörper (Bottommold) aufweisen. Mindestens einer der Formkörper, beispielsweise der obere Formkörper, weist mehrere Hervorhebungen auf, durch die beim Ausbilden des Formwerkstoffs 14 die Aufnahmeausnehmungen 18 und/oder die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 gebildet werden. Die Hervorhebungen stehen in dem geschlossenen Formwerkzeug beispielsweise bis auf den Leiterrahmen hervor, so dass dieser in den Bereichen, in denen die Hervorhebungen angeordnet sind, frei von Formwerkstoff bleibt. Das Formwerkzeug kann geschlossen werden und dem Formwerkzeug kann verflüssigter Formwerkstoff zugeführt werden. Der Formwerkstoff kann bei¬ spielsweise mit einer Temperatur von 150° C bis 190° C, bei¬ spielsweise mit ungefähr 175° C zugeführt werden. Der Form- werkstoff kann beispielsweise eingespritzt oder eingegossen werden. Der Formwerkstoff legt sich in dem Formwerkzeug um die Hervorhebungen und auf und unter den Leiterrahmen 22 an. Nachfolgend kann der Gehäuseverbund 20 in dem Formwerkzeug gehärtet werden oder aus dem Formwerkzeug entnommen und dann gehärtet werden. Beispielsweise kann man den Gehäuseverbund 20 abkühlen lassen oder abkühlen, beispielsweise auf eine Temperatur unter 135° C, beispielsweise auf ungefähr 25° C. Aufgrund der Spannungsreduktionsausnehmungen 24 ist eine
Durchbiegung des Gehäuseverbundes 20 weitgehend verringert und/oder unterbunden, so dass nachfolgend die weitere Verar¬ beitung des Gehäuseverbundes 20 einfach und effektiv erfolgen kann. Beispielsweise kann der zumindest weitgehend flache Ge- häuseverbund 20 einfach angesaugt, auf einem Transportband transportiert, mit den elektronischen Bauelementen 30 bestückt und/oder vereinzelt werden.
In einem Schritt S8 können die Gehäuse 10 aus dem Gehäusever- bund 20 vereinzelt werden. Beispielsweise kann der Gehäuse¬ verbund 30 geschnitten oder gesägt werden, wodurch die einzelnen Gehäuse 10 voneinander getrennt werden können. Jedes einzelne der Gehäuse 10 kann beispielsweise als QFN-Gehäuse bezeichnet werden.
Mit Hilfe der Schritte S2 bis S8 kann das Gehäuse 10 herge¬ stellt werden. In anderen Worten kann das Verfahren zum Herstellen des Gehäuses 10 nach dem Abarbeiten des Schritts S8 beendet werden.
Alternativ dazu kann zusätzlich noch ein Schritt S10 durchgeführt werden, in dem ein, zwei oder mehr elektronische Bau¬ elemente 30 in dem Gehäuse 10 angeordnet und kontaktiert wer¬ den. Das Gehäuse 10 zusammen mit den elektronischen Bauele- menten 30 kann beispielsweise elektronische Baugruppe
und/oder als QFN-Package bezeichnet werden. Der Schritt S10 kann beispielsweise vor oder nach dem Schritt S8, also bei¬ spielsweise vor oder nach dem Vereinzeln durchgeführt werden. Der Schritt S10 kann auch als Bestücken des Gehäuses 10 be¬ zeichnet werden. Die Schritte S2 bis S10 können auch als Ver¬ fahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe bezeichnet werden. Die in der Aufnahmeausnehmung 18 angeordneten elektronischen Bauelemente 20 können beispielsweise mit einem Hüllmaterial umhüllt und/oder in das Hüllmaterial eingebettet werden, beispielsweise mit bzw. in Silikon oder in Silikon mit einem Konverter zum Konvertieren elektromagnetischer Strahlung oder mit T1O2, wobei das Hüllmaterial beispielswei- se zum Teil oder ganz mit eine schwarzen Epoxid bedeckt sein kann. Das Umhüllen bzw. Einbetten der elektronischen Bauelemente 30 kann beispielsweise vor oder nach dem Vereinzeln der Gehäuse 10 durchgeführt werden. Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbei¬ spiele beschränkt. Beispielsweise können die einzelnen Aus¬ führungsbeispiele miteinander kombiniert werden. Beispiels¬ weise können die in den Figuren 6 bis 16 gezeigten Spannungsreduktionsausnehmungen in beliebiger Kombination gemeinsam an einem Gehäuseverbund 20 und/oder einem Gehäuse 10 ausgebildet werden. Beispielsweise können die Spannungsreduktionsausnehmungen 24 in den feien Bereichen 36 und den Übergangsbereichen ausgebildet sein. Ferner können die Spannungsreduktions¬ ausnehmungen 24 teilweise durchgehend und teilweise einzeln ausgebildet sein.

Claims

Patentansprüche
1. Gehäuse (10) für ein elektronisches Bauelement (30), aufweisend :
- einen Leiterrahmenabschnitt (12), der aus einem elekt¬ risch leitenden Material gebildet ist und der einen Aufnahme¬ bereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements (30) und/oder einen Kontaktbereich (32) zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements (30) aufweist,
- einen Formwerkstoff (14), in den der Leiterrahmenab¬ schnitt (12) eingebettet ist und der mindestens eine Aufnah- meausnehmung (18) aufweist, in der der Aufnahmebereich und/oder der Kontaktbereich (32) frei gelegt sind, und
mindestens eine Spannungsreduktionsausnehmung (24), die in dem Formwerkstoff ausgebildet ist und die frei von dem Aufnahmebereich und/oder dem Kontaktbereich (32) ist.
2. Gehäuse (10) nach Anspruch 1, bei dem die Spannungsre¬ duktionsausnehmung (24) so tief ausgebildet ist, dass das Ma- terial des Leiterrahmenabschnitts (12) in der Spannungsreduk- tionsausnehmung (24) frei gelegt ist.
3. Gehäuse (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Spannungsreduktionsausnehmung (24) eine Nut in dem Formwerkstoff (14) aufweist.
4. Gehäuse (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem in einem freien Bereich (36), der sich in dem Formwerkstoff (14) entlang einer Richtung parallel zu einer Oberflä- che des Leiterrahmenabschnitts (12) und parallel zu einer seitlichen Außenwand (38) des Gehäuses (10) erstreckt, keine Aufnahmeausnehmung (18) ausgebildet ist und bei dem die Span¬ nungsreduktionsausnehmung (24) in dem freien Bereich (36) ausgebildet ist.
5. Elektronische Baugruppe, die ein Gehäuse (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche und ein elektronisches Bauelement (30) aufweist, das in dem Aufnahmebereich des Gehäuses (10) angeordnet ist und/oder in dem Kontaktbereich (32) des Gehäuses (10) elektrisch kontaktiert ist, und bei der die Span- nungsreduktionsausnehmung (24) frei von elektronischen Bauelementen (30) und/oder elektrischen Kontakten ist.
6. Gehäuseverbund (20)
mit mehreren miteinander verbundenen Gehäusen (10) für elektronische Bauelemente (30),
jedes Gehäuse (10) aufweisend:
- einen Leiterrahmenabschnitt (12), der aus einem elekt¬ risch leitenden Material gebildet ist und der einen Aufnahme¬ bereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements (30) und/oder einen Kontaktbereich (32) zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements (30) aufweist,
- einen Formwerkstoff (14), in den der Leiterrahmenab¬ schnitt (12) eingebettet ist und der mindestens eine Aufnah- meausnehmung (18) aufweist, in der der Aufnahmebereich und/oder der Kontaktbereich (32) frei gelegt sind, und
mindestens eine Spannungsreduktionsausnehmung (24), die in dem Formwerkstoff ausgebildet ist und die frei von dem Aufnahmebereich und/oder dem Kontaktbereich (32) ist.
7. Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses (10) für ein elektronisches Bauelement (30), bei dem
- ein Leiterrahmenabschnitt (12) bereitgestellt wird, der aus einem elektrisch leitenden Material gebildet ist und der einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements (30) und/oder einen Kontaktbereich (32) zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements (30) aufweist,
- der Leiterrahmenabschnitt (12) in einen Formwerkstoff (14) eingebettet wird, wobei in dem Formwerkstoff (14) min¬ destens eine Aufnahmeausnehmung (18) ausgebildet wird, in der der Aufnahmebereich und/oder der Kontaktbereich frei gelegt ist, und
- in dem Formwerkstoff (14) mindestens eine Spannungsre¬ duktionsausnehmung (24) ausgebildet wird, die frei von dem Aufnahmebereich und/oder dem Kontaktbereich (32) ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Spannungsredukti- onsausnehmung (24) so tief ausgebildet wird, dass das Materi¬ al des Leiterrahmenabschnitts (12) in der Spannungsredukti- onsausnehmung (24) frei gelegt ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, bei dem in dem Formwerkstoff (14) ein freier Bereich (36) gebildet wird, der sich in dem Formwerkstoff (14) entlang einer Richtung parallel zu einer Oberfläche des Leiterrahmenabschnitts (12) und parallel zu einer seitlichen Außenwand (38) des Gehäuses (10) erstreckt und in dem keine Aufnahmeausnehmung (18) aus¬ gebildet wird, und bei dem die Spannungsreduktionsausnehmung (24) in dem freien Bereich (36) ausgebildet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem
- der Leiterrahmenabschnitt (12) in einem Verbund mit weiteren Leiterrahmenabschnitten (12) als Leiterrahmen (22) bereitgestellt wird,
- der Leiterrahmenabschnitt (12) in den Formwerkstoff eingebettet wird, indem der Leiterrahmen (22) in den Formwerkstoff (14) eingebettet wird, wodurch ein Gehäuseverbund (20) gebildet wird, wobei zu jedem Leiterrahmenabschnitt (12) mindestens eine Aufnahmeausnehmung (18) und mindestens eine Spannungsreduktionsausnehmung (24) ausgebildet werden, und - mehrere Gehäuse (10) aus dem Gehäuseverbund (20) ver¬ einzelt werden, indem die eingebetteten Leiterrahmenabschnit¬ te (12) voneinander getrennt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Leiterrahmen (22) parallel zu seiner Oberfläche eine lange Seite (A2) und eine kurze Seite (AI) aufweist und bei dem die Spannungsredukti- onsausnehmungen (24) senkrecht zu der langen Seite (A2) und/oder parallel zu der kurzen Seite (AI) ausgebildet wer¬ den .
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 oder 11, bei dem die Spannungsreduktionsausnehmungen (24) an Übergängen von einem der Leiterrahmenabschnitte (12) zu einem anderen der Leiterrahmenabschnitte (12) ausgebildet werden.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Gehäuse (10) aus dem Gehäuseverbund (20) vereinzelt werden durch Trennen der einzelnen Gehäuse (10) im Bereich zumindest einiger der Span- nungsreduktionsausnehmungen (24) .
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 13, bei dem in dem Leiterrahmen (12) in einem Bereich, der frei von Formwerkstoff (14) ist, eine Leiterrahmen- Spannungsreduktionsausnehmung (26) ausgebildet wird.
15. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe, bei dem ein Gehäuse (10) nach einem der Ansprüche 7 bis 14 ausgebildet wird und bei dem vor oder nach dem Vereinzeln der Gehäuse (10) aus dem Gehäuseverbund (22) das elektronische Bauelement (30) in der Aufnahmeausnehmung (18) angeordnet und/oder kontaktiert wird.
PCT/EP2013/067777 2012-08-29 2013-08-28 Gehäuse, elektronische baugruppe, gehäuseverbund, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe Ceased WO2014033152A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112013004274.6T DE112013004274B4 (de) 2012-08-29 2013-08-28 Gehäuseverbund, Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe
US14/424,539 US9673136B2 (en) 2012-08-29 2013-08-28 Housing arrangement, method of producing a housing and method of producing an electronic assembly

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012215285.7 2012-08-29
DE102012215285.7A DE102012215285A1 (de) 2012-08-29 2012-08-29 Gehäuse, elektronische Baugruppe, Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014033152A1 true WO2014033152A1 (de) 2014-03-06

Family

ID=49035596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/067777 Ceased WO2014033152A1 (de) 2012-08-29 2013-08-28 Gehäuse, elektronische baugruppe, gehäuseverbund, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9673136B2 (de)
DE (2) DE102012215285A1 (de)
WO (1) WO2014033152A1 (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008038937A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminous element
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
US20110241028A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Hyung Hwa Park Light emitting device and light unit having the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3915707A1 (de) * 1989-05-13 1990-11-22 Asea Brown Boveri Kunststoffgehaeuse und leistungshalbleitermodul mit diesem gehaeuse
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
US5986316A (en) * 1997-11-26 1999-11-16 Denso Corporation Semiconductor type physical quantity sensor
US6130473A (en) 1998-04-02 2000-10-10 National Semiconductor Corporation Lead frame chip scale package
JP2000356561A (ja) * 1999-04-14 2000-12-26 Denso Corp 半導体歪みセンサ
GB2366394A (en) 2000-08-11 2002-03-06 Kymata Ltd Integrated optical device with cladding having mesa formation
US7968377B2 (en) * 2005-09-22 2011-06-28 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit protruding pad package system
US7662672B2 (en) * 2006-10-13 2010-02-16 Chipmos Technologies (Bermuda) Ltd. Manufacturing process of leadframe-based BGA packages

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008038937A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminous element
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
US20110241028A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Hyung Hwa Park Light emitting device and light unit having the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE102012215285A1 (de) 2014-03-06
DE112013004274A5 (de) 2015-05-28
US20150228562A1 (en) 2015-08-13
US9673136B2 (en) 2017-06-06
DE112013004274B4 (de) 2023-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012215705B4 (de) Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe
EP1540745B1 (de) Verfahren zur herstellung eines leadframe-basierten gehäuses
DE102015106552B4 (de) Elektronisches Modul mit Fluid-Kühlkanal und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102015116152B4 (de) Elektronische Vorrichtung mit Kapselungsstruktur mit verbesserter elektrischer Zugänglichkeit und Verfahren zum Herstellen der elektronischen Vorrichtung
WO2017032772A1 (de) Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE112008001657T5 (de) Integriertes Leistungsbauelementgehäuse und Modul mit zweiseitiger Kühlung und Verfahren zur Herstellung
DE112006001663T5 (de) Halbleiterchip-Gehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102011053871A1 (de) Multichip-Halbleitergehäuse und deren Zusammenbau
WO2004004017A2 (de) Oberflächenmontierbare lumineszenz- und/oder photo-diode und verfahren zu deren herstellung
DE102016107792B4 (de) Packung und halbfertiges Produkt mit vertikaler Verbindung zwischen Träger und Klammer sowie Verfahren zum Herstellen einer Packung und einer Charge von Packungen
WO2014154632A1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE102012207519A1 (de) Verfahren zum herstellen eines bauelementträgers, einer elektronischen anordnung und einer strahlungsanordnung und bauelementträger, elektronische anordnung und strahlungsanordnung
DE102018128846A1 (de) Bildung von leitfähigen Verbindungsbahnen im Verpackungsformkörper durch stromlose Plattierung
WO2016202917A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102014117337A1 (de) Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006037538A1 (de) Elektronisches Bauteil bzw. Bauteilstapel und Verfahren zum Herstellen eines Bauteils
WO2017046257A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102017202345A1 (de) Leiterrahmen, halbleitergehäuse, das einen leiterrahmen umfasst, und verfahren zum bilden eines halbleitergehäuses
DE102019104010A1 (de) Elektronisches modul mit verbesserter wärmeabfuhr und dessen herstellung
DE102018103979B4 (de) Baugruppe mit einer Trägereinrichtung mit einem Chip und einer Komponente, die durch eine Öffnung montiert ist, und Verfahren zur Herstellung und zur Verwendung
WO2005064696A1 (de) Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102021129753A1 (de) Halbleiter-Packages und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102006000724A1 (de) Halbleiterbauteil mit Durchgangskontakten und mit Kühlkörper sowie Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils
DE102019121012B4 (de) Package und Verfahren zum Herstellen eines Packages
WO2015132380A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13753182

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14424539

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120130042746

Country of ref document: DE

Ref document number: 112013004274

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112013004274

Country of ref document: DE

Effective date: 20150528

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13753182

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1