WO2014029677A1 - Optoelektronische bauelementevorrichtung, verfahren zum betrieb eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronische bauelementevorrichtung, verfahren zum betrieb eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses

Definitions

  • an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided.
  • An opto-electronic device e.g., an organic electronic device
  • OLED Light Emitting Diode
  • a white organic light emitting diode (White
  • Organic Light Emitting Diode, WOLED), a solar cell, etc. on an organic basis is usually characterized by a mechanical flexibility and moderate
  • an organic-based optoelectronic device can potentially be manufactured inexpensively due to the possibility of large-scale manufacturing methods (e.g., roll-to-roll manufacturing processes).
  • organic light emitting diode organic light
  • a surface can be understood, for example, as a table, a wall or a floor.
  • An organic optoelectronic component for example an OLED, may comprise an anode and a cathode
  • the organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structures of each two or more carrier pair generation layers ("Charge generating layer", CGL)
  • Charge carrier pair generation and one or more
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing current flow.
  • s electron transport layer
  • the luminance of OLED is limited by the maximum current density that can flow through the diode.
  • To increase the luminance of an OLED is
  • the color and luminance, the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component, or the physiologically perceived color (color valence) of the illuminated surface can be separated by means of a separate
  • the separated individual colors can be individually
  • the desired color mixing can be achieved.
  • a plurality of optoelectronic components or a complicated control of the individual emitter layers may be necessary.
  • Emitter layers can vary in strength
  • an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided with which it is possible to set the color valence of an illuminated surface or the configuration of an absorbed wavelength spectrum with only one optoelectronic component.
  • an organic substance regardless of the respective state of aggregation, can be present in chemically uniform form
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid Understand substance (s).
  • material can be used synonymously with the term “substance”.
  • the optoelectronic component device comprising: an optoelectronic component; wherein the optoelectronic component has a planar surface and wherein from the planar surface of the optoelectronic component, an electromagnetic radiation is provided in an image plane of the optoelectronic component and / or an electromagnetic radiation from an object plane of the optoelectronic component is provided and received by the optoelectronic component; wherein the optoelectronic component is set up in such a way that the spectrum of the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic component or of the component picked up by the optoelectronic component,
  • electromagnetic radiation is adjusted by means of a deflection of the optoelectronic component, wherein the deflection is formed as an alignment of the surface normal of the planar surface of the optoelectronic component to the surface normal of the image plane and / or the surface normal of the obj ektebene.
  • Component be configured as a light emitting diode, for example as an organic light emitting diode.
  • a source of electromagnetic radiation may be arranged in the object plane.
  • Component be configured as a solar cell.
  • the first deflection may be a first solid angle between the surface normal of the
  • the first solid angle may have an amount value in a range of about 0 ° to about 90 °.
  • the first deflection may be implemented as a rotation of the optoelectronic component about the
  • the second angle may have an amount value in a range of about 0 ° to about 180 °
  • Component device further comprise a holder, wherein the optoelectronic component is held by the holder.
  • the holder can be rotatable about the axis of rotation of the first solid angle and / or rotatable about the surface normal of the optoelectronic component
  • the Hal tion may be formed stationary, i. immobile.
  • Component device further comprises at least one reflector with a, for electromagnetic radiation, reflective Have surface.
  • a reflector with a, for electromagnetic radiation, reflective Have surface.
  • the reflective surface for example, the proportion of a
  • Optoelectronic device provided in the direction of the image plane, electromagnetic radiation can be increased.
  • the reflector may be such
  • Component provided electromagnetic radiation, at least partially by means of the reflective surface of the reflector, is deflected by the optoelectronic component on the image plane.
  • Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component away from the image plane, are deflected by means of the reflector on the image plane.
  • the reflector may be such
  • the part of the electromagnetic radiation emitted from the object plane from the optoelectronic component can be deflected by means of the reflective surface of the reflector onto the optoelectronic component.
  • the reflector may be stationary, i. immobile.
  • the reflector may be designed to be movable.
  • the movement of the reflector may be formed as at least one second deflection, for example a rotation about a third angle.
  • Reflector be coupled to the first deflection of the optoelectronic device.
  • provided electromagnetic radiation on the reflective surface of the reflector has a different value on iron than on the optoelectronic device.
  • Image plane and / or obj ektebene can be a mixing of the
  • composition be formed.
  • Component device further comprising a housing, wherein the housing at least partially surrounds the opto-electronic device.
  • the housing may be at least partially configured as a reflector, for example by means of at least one reflective inner surface.
  • the housing may have at least one aperture in the light path of the optoelectronic component and / or in the light path of the reflective surface of the reflector, for example at least one
  • a plurality of apertures in the light path may be at a constant distance from each other. In yet another embodiment, a plurality of apertures in the light path at a different distance from each other
  • the electromagnetic radiation provided by an optoelectronic component i. a nonlinear
  • the method comprising: providing and / or recording a spectrum of electromagnetic
  • a surface to be illuminated can be arranged in the image plane. In yet another embodiment of the method, the
  • Optoelectronic component be configured as a light emitting diode, for example as an organic light emitting diode.
  • a light emitting diode for example as an organic light emitting diode.
  • Optoelectronic component to be set up as a solar cell.
  • the change of the solid angle may be a change of a first solid angle between the surface normal of the optoelectronic component and the surface normal of the image plane of the optoelectronic element
  • Optoelectronic component device can be understood in this sense as deflecting one of the surface normals.
  • the deflection of one of the surface normals may be formed automatically, for example as a tag arc of the sun, wherein the electromagnetic radiation source as
  • the first solid angle can be formed as a sun position to a solar cell.
  • the first solid angle can be used as a value having an amount in a range of about 0 ° to about 90 0th
  • the change of the solid angle can have as a rotation of the optoelectronic component about the surface normal of the optoelectronic component by a second angle.
  • the second angle may have as value an amount in a range of about 0 ° to about 180 °.
  • Optoelectronic component device further a
  • Spectrum is formed by means of a rotation of the holder.
  • the electromagnetic radiation received by an optoelectronic component can be determined at least partially from the object plane of the reflector by means of the reflecting surface of a reflector
  • optoelectronic component are deflected to the optoelectronic component.
  • the reflector may be designed to be movable, wherein changing the Jardinwinke.ls the electromagnetic radiation by means of a second
  • Deflection of the reflector is formed.
  • provided spectrum can be the spectrum of
  • Optoelectronic device is provided. The recorded by the optoelectronic component or
  • provided spectrum of electromagnetic radiation can be the same over all solid angles.
  • the spectrum of an optoelectronic component recorded or provided under a solid angle can be used
  • Radiation can be changed by changing the solid angle.
  • the reflecting surface of the reflector can therefore deflect a different spectrum of electromagnetic radiation than is directly recorded and / or provided by the optoelectronic component at a solid angle.
  • the changing of the spectrum can be formed with at least one aperture in the light path of the optoelectronic component and / or in the light path of the reflecting surface, for example at least one slit or slit.
  • Slit planes can be designed in such a way that incident on the slit diaphragm electromagnetic
  • a multiplicity of diaphragms can be formed in the light path of the electromagnetic radiation of the optoelectronic component, the plurality of diaphragms having a constant or different distance from one another.
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 2 color coordinates of an optoelectronic component in a standard color chart, according to various
  • 3 shows schematically two different deflections of an optoelectronic component, according to various embodiments
  • Figure 4 is a schematic cross-sectional view of a
  • Optoelectronic component device according to various embodiments.
  • Figure 5 is a schematic cross-sectional view of a
  • Optoelectronic component device according to various embodiments.
  • Figure 6 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 7 shows a concrete embodiment of a
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a structure of FIG.
  • a carrier pair generation layer according to various embodiments.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various aspects
  • the optoelectronic component 100 in the form of a
  • Organic light emitting diode 100 may include a carrier 102.
  • the carrier 102 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
  • the carrier 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material. Further, the carrier 102 may be a
  • the plastic may be one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride ⁇ PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • the carrier 102 may be one or more of the above
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm).
  • Translucent layer in various embodiments to understand that essentially the whole in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case.
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • the carrier 102 On or above the carrier 102 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104.
  • the barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • the barrier layer 104 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0, 1 nrc (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of
  • an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged on or above the barrier layer 104.
  • the electrically active region 106 can be understood as the region of the light-emitting component 100 in which an electrical current for operating the
  • the electrically active region 106 may have a first electrode 110, a second electrode 114 and an organically functional layer system 112, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 110 (eg, in the form of a first
  • Electrode layer 110 may be applied.
  • the first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers thereof Metal or different metals and / or the same TCO or different TCO.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, S11O2, or In 2 03
  • ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSnÜ 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 In 2 05 or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these substances.
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium-tin oxide
  • ITO-Ag-ITO multilayers Silver layer deposited on an indium-tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • Electrode 110 one or more of the following substances
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode 110 may be electrically conductive
  • Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 110 comprises or is formed from a metal
  • the first electrode 110 may, for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one
  • the first electrode 110 may, for example, have a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 110 a the first electrode 110 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of about 100 nm to about 150 nm.
  • a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of about 100 nm to about 150 nm.
  • the first electrode 110 of, for example, a network of metallic nanowires, such as Ag, which may be combined with conductive polymers
  • a network of carbon nanotubes combined with conductive polymers may be used can be formed, or graphene layers and composites, the first electrode 110, for example one
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly applied to the first electrode 110.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer system 112 may include one or more organic functional layer structures 116, 120. In various embodiments, however, the organic electroluminescent layer structure 110 may also be more than two organic functional ones
  • Fig.l Have layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more.
  • Fig.l are a first organic functional
  • the first organic functional layer structure 116 may be disposed on or above the first electrode 110.
  • Layer structure 120 may be disposed on or above the first organic functional layer structure 116.
  • a charge carrier pair generation layer structure 118 (CGL) may be arranged between the first organic functional layer structure 116 and the second organic functional layer structure 120.
  • Layer structure may be provided a respective charge carrier pair generation layer structure.
  • each of the organic functional layer structures 116, 120 may each comprise one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-line layers (not shown in FIG Hole transport layer (s)).
  • one or more electronic conductor layers ⁇ also referred to as electron-transport layer (s)) may be used.
  • Embodiments for the emitter layer (s) 706, 710 can be used include organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl) (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light-emitting device 100 may be selected such that light-emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) may include several emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) may also be constructed of a plurality of sublayers, such as a blue emitting emitter push or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter coat, and a red phosphorescent emitter layer.
  • a blue emitting emitter push or blue phosphorescent emitter layer such as a blue emitting emitter push or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter coat, and a red phosphorescent emitter layer.
  • Layers generated primary emission to arrange a converter material that absorbs the primary radiation at least partially and emits a secondary radiation of different wavelength, so that from a (not yet white)
  • the emitter materials of various organic functional layer structures can be chosen, or be, that, although the individual emitter materials light
  • a light preset Color such as white light
  • the organic functional layer structures 116, 120 may generally comprise one or more electroluminescent
  • electroluminescent layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic monomers,
  • Layer structure 116, 120 one or more
  • the organic functional layer structure 116, 120 may include one or more functional layers, which may be referred to as a Electron transport layer 708, 712 (see also Figure 7) is executed or are, so that, for example, in an OLED effective electron injection into a
  • electroluminescent region is made possible.
  • a material for the hole transport layer 70, 810 for example, tertiary amines,
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 704 (see also Fig. 7) on or above the first electrode 110 or the Lochinj etechnischs slaughter 702nd
  • the first emitter layer 706 can be applied to or over the first hole transport layer 704 (see also FIG. 7), for example deposited.
  • the first electron transport layer 708 may be on or above the first
  • Emitter layer 706 applied, for example, be deposited.
  • the first Emitter layer 706 applied, for example, be deposited.
  • Charge pair generation structure 118 is applied to or over the first electron transport layer 708,
  • Embodiments may include second emitter layer 710 on or above the charge carrier pair generation structure 118
  • Electron transport layer 712 applied to or over the second emitter layer 710, for example deposited.
  • the organic functional layer system 112 ie, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 704, 810 and emitter layer (s) 706, 710, and
  • Charge carrier pair generation structure 118 have a layer thickness of at most approximately 1.5 ⁇ , for example one
  • Layer thickness of a maximum of about 1, 2 ⁇ for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm, for example, a layer thickness of about 400 nm, for example, a maximum layer thickness about 300 nm.
  • Layer system 112 for example, a stack of a plurality of directly superimposed organic light-emitting diodes (OLEDs), wherein each OLED example, a
  • Layer thickness may have a maximum of about 1.5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm, for example a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of ma imal about 300 nm.
  • the organic functional layer system 112 for example, a stack of two, three or four directly stacked OLEDs have, in which case, for example
  • organic functional layer system 112 a
  • Layer thickness may have a maximum of about 3 ⁇ , ⁇ .
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Emitter layers 708, 710 or on or over the or the electron transport layer (s) 712 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • the second electrode 114 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 114), as described above.
  • Electrode 114 have the same substances or be formed from it as the first electrode 110, wherein in
  • Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nra,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 110.
  • the second electrode 114 in various embodiments, may be formed of one or more of the materials and having the respective layer thickness, as discussed above the first electrode 110 described. In different
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both translucent or transparent
  • light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 114 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may, for example, be a value of iron such that the difference to the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • On or above the second electrode 114 and thus on or above the electrically active region 106 may optionally be an encapsulation 108, for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • a “barrier thin film” 108 or a “barrier thin film” 108 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier thin film 108 is so trained that they like OLED-damaging substances
  • the barrier skin layer 108 may be implemented as a single layer (in other words, as a single layer)
  • the barrier skin layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • the barrier skin layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • Barrier layer 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier skin layer 108 or one or more sublayers of the barrier skin layer 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition process plasmaless
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 108 having multiple sublayers, all sublayers by an atomic layer deposition process be formed.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • Barrier layer 108 which has multiple sub-layers, one or more sub-layers of the barrier layer 108 by means of a different deposition method than a
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin film 108 different iron thickness aufv / iron. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin-film layer 108 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent).
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the Barrier thin layer 108 include or may be formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • Protective varnish 124 may be provided, by means of which, for example, a cover 126 (for example, a glass cover 126) attached to the barrier thin layer 108, for example, is glued.
  • a cover 126 for example, a glass cover 1266 attached to the barrier thin layer 108, for example, is glued.
  • Protective varnish 124 has a layer thickness of greater than 1 ⁇
  • the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer in various embodiments, light-scattering particles may be embedded which lead to a further improvement of the color angle distortion and the
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example, dielectric scattering particles such as, for example, metal oxides such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrC> 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO ), Gallium oxide (Ga 2 O a ) Alumina, or titania.
  • dielectric scattering particles such as, for example, metal oxides such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrC> 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO ), Gallium oxide (Ga 2 O a ) Alumina, or titania.
  • Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver
  • an electrically insulating layer is disposed between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124.
  • Si for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1, 5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to protect electrically unstable substances, for example during a
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 124, for example in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, are applied to the barrier thin layer 108 by means of, for example, plasma spraying.
  • the / may
  • Cover 126 and / or the adhesive 124 has a refractive index
  • spectral color characteristic 206 and the color temperature characteristic 208 of a black body are also visible.
  • measured color locations 210 are an opto-electronic
  • Component 100 shown according to various embodiments at different solid angles 212.
  • the optoelectronic device 100 may include color loci 210 formed approximately on the color temperature characteristic 208 of a blackbody in a color temperature range of about 3500K to about 5800K.
  • FIG 3 shows schematically two different Au steering an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • the surface normal 304 of an optoelectronic component 100 may be parallel to the Surface normal 306 an Obj ektebene 302 or an image plane 302 aligned.
  • the image plane 302 can be understood as a plane in which the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic component 100 can be accommodated.
  • the optoelectronic component 100 may be formed, for example, as an organic light emitting diode.
  • the object plane 302 can be understood as a plane in which the electromagnetic radiation that can be picked up by the optoelectronic component 100 is made available.
  • the optoelectronic component 100 may be designed, for example, as a solar cell and the radiation source as the sun or projection of the sun, for example, on the earth's surface or a sun
  • the optoelectronic component device may have a solid angle 322 between the surface normal 304 of the optoelectronic component 100 and the surface normal 306 of the object plane 302 or
  • the second embodiment 320 may comprise a rotation about one of the geometric axes of the optoelectronic component 100, for example a rotation in the plane of the drawing or a rotation perpendicular to the plane of the drawing. However, the second embodiment may also as a rotation of the
  • Obj ektebene be understood, for example, as a day arc of the sun, where the value of the solid angle 322 can be understood as the sun's position.
  • the solid angle 322 may have a value with an amount in a range of about 0 0 to about 90 0 , for example about 0 °.
  • the second embodiment 320 of the solid angle may have a value at an amount in a range of about 0 ° to about 90 ° 322, for facing to about 75 0th
  • the optoelectronic component 100 can be designed such that the color valence in the image plane and / or the absorbable wavelength spectrum of the
  • electromagnetic radiation of the object plane can be changed by means of the solid angle 322 of the deflection.
  • FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic construction device, according to FIG.
  • Optoelectronic device 100 a holder 402 on iron.
  • the optoelectronic component 100 can be designed according to one of the embodiments of the description of FIG.
  • the holder 402 may be movable, for example rotatable.
  • a movable holder 402 can open
  • Object plane 302 and / or an image plane 302 allow.
  • the component device can be set up such that changing the solid angle 322 with a
  • electrical control is connected, for example, similar to a dimmer.
  • FIG. 5 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to FIG.
  • the device device 500 may include an opto-electronic device 100 in a housing 502.
  • the optoelectronic component 100 may be designed in accordance with one of the embodiments of the description of FIG.
  • Component 100 for example, according to one of
  • the housing 502 can at least one aperture 504
  • the electromagnetic radiation which is not emitted downwards by the optoelectronic component, can be absorbed by the housing. This can ensure that there is no impairment of the color variance of the electromagnetic radiation provided with electromagnetic radiation of others
  • the diaphragms can thereby collimate the electromagnetic radiation and / or filter the spectrum of the electromagnetic radiation, for example similar to one
  • the housing 502 may have more than one aperture 504 in the optical path of the optoelectronic device 100, for example two, three, four, five, six or more.
  • the distance 506 between adjacent apertures 504 may be constant or
  • optoelectronic component 100 to the housing 502 decrease or increase, for example, in a
  • the diaphragms 504 may, for example, the shape of similar or equal concentric rings, slats and / or of
  • the housing 502 may have the shape similar or equal to one
  • Hollow cylinder, a hollow sphere, a cuboid and / or a polygon have.
  • FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device, according to FIG.
  • Component device 600 at least one reflective surface of a reflector 604 in an optical path 602, 606 of the optoelectronic component 100 have.
  • the optoelectronic component 100 may be formed according to one of the embodiments of the description of FIG. Furthermore, the holder 402 of the optoelectronic
  • Component 100 for example, according to one of
  • the optoelectronic component device a housing 502, for example, according to one of
  • the reflective surface of the reflector 604 may
  • Optoelectronic device 100 is provided in a different direction than the directly provided
  • Component 100 may be provided at a first solid angle 322, for example 0 °, a first spectrum of electromagnetic radiation.
  • a second spectrum for example 0 °
  • Electromagnetic radiation can be at a second
  • Solid angle 322 for example, be provided with an amount of 45 0 . Electromagnetic radiation of the second spectrum is, however, provided at solid angles at -45 ° and + 45 °. Since the optoelectronic component 100 only with a solid angle 322 to the image plane 302 or
  • Object level 302 can be aligned, only half of the below a solid angle with an amount of 45 0
  • the emitted spectrum can be used to illuminate the image plane 302, for example the part of the spectrum which is provided at a spatial angle of + 45 °.
  • the second half of the second spectrum can be redirected to the image plane 302, for example the part of the spectrum which is at a solid angle of -45 °
  • the efficiency of the optoelectronic component 100 can be increased.
  • the angle of incidence for electromagnetic radiation on the reflective surface of the reflector 604 may be discrete or continuously adjusted and changed stationarily or dynamically.
  • a stationary set angle of incidence can be any stationary set angle of incidence.
  • a stationary reflector 604 may be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604.
  • a stationary reflector 604 may be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604.
  • a stationary reflector 604 may be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604.
  • a stationary reflector 604 may be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604.
  • Housing be formed, for example, as a reflective inner surface of the housing 502 one of the embodiment of the description of Figure 5.
  • Dynamic adjustment of the angle of incidence may be realized with a movable reflector 604, for example as a movable mirror 604.
  • the second deflection of the reflector 604 may, for example, be coupled to the deflection 404 of the optoelectronic component 100.
  • the angle of incidence of electromagnetic radiation on the reflecting surface of the reflector 604 may be equal to or different from the solid angle 322 of FIG.
  • Component 100 may be formed.
  • Electromagnetic radiation which, for example, from an optoelectronic component 100 according to one of
  • Embodiments of Fig.l is provided, on the reflective surface of the reflector 604 may have a different angle of incidence than the solid angle 322 of
  • the spectrum of the electromagnetic radiation in the image plane 302 can be changed, since the optoelectronic component 100 depends on the Solid angle 322 can provide a spectrum electromagnetic radiation with variable color variance.
  • the reflective surface of the reflector 604 and the optoelectronic component 100 may be configured such that the electromagnetic radiation 606 deflected in the direction of the image plane 302 has a different spectrum than that of the spectrum provided directly by the optoelectronic component 100
  • electromagnetic radiation 602. The spectrum of indirectly provided electromagnetic radiation 606 and the spectrum of directly provided electromagnetic
  • Radiation 602 may thereby be superimposed in the image plane 302, i. a color mixture can be adjusted.
  • the reflective surface of the reflector 604 and the optoelectronic component 100 may be configured such that the direction of the
  • Component 100 has as the directly on the
  • Electromagnetic radiation 602. The indirect
  • provided electromagnetic radiation 606 and the directly provided electromagnetic radiation 602 can thereby be mixed in the optoelectronic device 100.
  • the first organic functional layer structure 116 a Lochinj etechnischs für sat 702nd
  • a hole transport layer can be understood as an electron block layer.
  • Electron transport layer can be understood as a Lochblockadetik.
  • aNPD MoO X / PEDOT: PSS, HT508;
  • DPFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • the Lochinj edictions slaughter 702 may have a layer thickness
  • a first hole transport layer 704 may be applied, for example
  • the first hole transport layer 704 may comprise or consist of one or more of the following materials:
  • NPB N 1 -bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine
  • DPFL-TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dipheny1-fluorene);
  • DPFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • the first hole transport layer 704 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
  • a first emitter layer 706 may be applied, for example deposited.
  • the emitter materials that may be provided for the first emitter layer 706, for example, are described above.
  • Emitter layer 706 have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
  • a first electron transport layer 708 may be arranged, for example deposited, on or above the first emitter layer 706.
  • Electron transport layer 708 comprise or consist of one or more of the following materials:
  • Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides
  • Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides fabrics based on siloles with a
  • the first electron transport layer 708 may be a
  • Layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
  • Layer structure 116 is a charge generation layer (CGL) layer structure 118
  • the carrier pair generation layer structure 118 may be in different
  • the second organic functional layer structure 120 may be arranged.
  • the second organic functional layered structure 120 may in various embodiments include a second
  • Hole transport layer 810 also as hole-conducting
  • Charge pair E- generating layer 810 can be designated and is arranged as part of the charge carrier pair generation layer structure 118.
  • the second hole transport layer 810 may be in physical contact 808 with the first electron conductive carrier pair.
  • Hole transport layer 810 or hole-conducting charge carrier pair generation layer 810 one or more of the following materials or a stoichiometric variant of these
  • DMFL-NPB (', - bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethy1-fluorene);
  • DPFL-TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
  • DPFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • the second hole transport layer 810 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
  • Layer structure 120 a second emitter layer 710
  • the second emitter layer 710 may have the same emitter materials as the first one
  • Emitter layer 710 be set up so that they
  • electromagnetic radiation for example, visible
  • the second emitter layer 710 may be configured to emit electromagnetic radiation, such as visible light, others
  • Wavelength ⁇ n Wavelength emitted as the first emitter layer 706.
  • the emitter materials of the second emitter layer may be materials as described above.
  • Layer structure 120 may include a second electron transport layer 712, which may be disposed on or over the second emitter layer 710, for example, deposited.
  • the second electron transport layer 712 may be disposed on or over the second emitter layer 710, for example, deposited.
  • the second electron transport layer 712 may be disposed on or over the second emitter layer 710, for example, deposited.
  • Electron transport layer 712 one or more of
  • the second electron transport layer 712 may be a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 50 nm, for example in a range of
  • Electron injection layer 714 applied, for example deposited.
  • Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides
  • Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides fabrics based on siloles with a
  • the electron injection layer 714 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 700 nm, for example, in a range of about 70 nm to about 50 nm, for example about 40 nm.
  • the (optional) second hole transport layer 810, the second emitter layer 710, the (optional) second electron transport layer 712, and the (optional) electron injection layer 714 form the second organic functional layer structure 120.
  • the organic electroluminescent layer structure 110 (ie.
  • Electron transport layer (s), etc. ) have a layer thickness of at most about 1, 5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1.2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm , For example, a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of at most about 800 nm.
  • the organic electroluminescent layer structure 110 may include a stack of several directly stacked organic
  • OLEDs Light-emitting diodes
  • a layer thickness may have a maximum of about 1.5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1.2 / im, for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of at most approximately 800 nm.
  • the organic electroluminescent layer structure 110 may, for example, comprise a stack of two, three or four directly superimposed OLEDs, in which case, for example organic electroluminescent
  • Layer structure 110 may have a layer thickness of at most about 8 ⁇ .
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Layer structure 110 or optionally on or over the one or more other organic compound
  • the optoelectronic component 100 may be designed such that the spectrum of, from which
  • electromagnetic radiation is dependent on the
  • the optoelectronic component can be realized for example by means of conventional organic substances.
  • the organic species may have a refractive index in a range of about 1.6 to about 1.9, for example about 1.8, at a wavelength of about 550 nm.
  • the optoelectronic component may have an organic functional layer structure which absorbs and / or provides electromagnetic radiation associated with blue light, for example with a wavelength in a range from approximately 430 nm to approximately 490 nm.
  • the optoelectronic component may have an organic functional layer structure that can absorb and / or provide electromagnetic radiation that is associated with green light.
  • the optoelectronic device may comprise an organic functional layer structure that can absorb and / or provide electromagnetic radiation associated with red light,
  • the optoelectronic component can have two or more organic functional layer structures, which are blue, green and / or red light
  • the organic functional layer structures may be formed such that a
  • Dependence of the color valence, for example the correlated color temperature, of the provided and / or recorded electromagnetic radiation is realized by the angle of incidence and / or the angle of reflection.
  • Layered structures provided electromagnetic radiation can be mixed, for example, such that the provided electromagnetic radiation in the image plane of the optoelectronic component device, a white Farbvalenz, similar to or equal to a black
  • the optoelectronic component of the optoelectronic component device can be such
  • Electron injection layer 714 has a thickness in a range of about 45 nm and about 65 nm,
  • Charge pair generation layer 114 has a thickness in a range of about 120 nm and about 140 nm, for example, about 135 nm.
  • Hole injection layer 702 has a thickness in a range of about 250 nm and about 290 nm on iron, for example about 270 nm.
  • Electron transport of an organic functional layer structure has a combined thickness, i. Total thickness, in a range of about 20 nm to about 40 nm.
  • red light for example, from red light to green light
  • electromagnetic radiation having a wavelength of about 610 nm to about 580 nm.
  • electromagnetic radiation having a wavelength of about 610 nm to about 580 nm.
  • Electron injection layer 714 have a thickness in a range of about 45 nm and about 65 nm,
  • Charge pair generation layer 114 has a thickness in one Range of about 105 nm and about 145 nm, for example about 125 nm.
  • Hole injection layer 702 has a thickness in a range of about 170 nm and about 210 nm, for example about 190 nm.
  • Electron transport layer of an organic functional layer structure has a combined thickness, i. Total thickness, in a range of about 20 nm to about 40 nm.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view of the structure of a charge carrier pair E-generating layer 114 according to various embodiments.
  • a charge carrier pair E-generating layer 114 according to various embodiments.
  • electron conductive charge carrier pair generation layer 802 may be disposed on or over the first electron transport layer 708, for example, with this in FIG.
  • the first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 may be disposed on or above the first electron-conductive charge carrier pair generation layer 802, optionally between these two layers 802, 806 an intermediate layer 804 may be provided. On or above the first electron-conducting
  • Charge pair generation layer 806 may be the second
  • Charge pair generation layer 810 may be disposed and is in physical contact therewith (designated by reference numeral 808 in Fig. 8).
  • the second hole transport layer 810 may also be referred to as
  • Charge carrier pairs at the common interface 808 of the first electron-carrier charge carrier pair generation layer 806 are separated with the hole transport layer 810.
  • the hole transport layer 810 In various embodiments, the
  • Interlayer 804 (also referred to as "InterLayer")
  • the interlayer 804 may create states in the bandgap of the carrier pair generation layers 802, 806 and facilitate carrier pair separation.
  • the intermediate layer 804 may further include a
  • Layer interdiffusion e.g. organic portions of the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 into an organic first electron-conducting layer
  • optoelectronic component 100 for example an OLED.
  • Carrier pair generation layer 802, interlayer 804, or one of the layers, i. the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 and / or the first electron-carrier charge-carrier generation layer 806 may include or consist of an inorganic substance.
  • the intermediate layer can prevent abreaction of the first electron-carrier charge carrier generation layer 806 with the second electron-carrier charge-carrier generation layer 802, i. the intermediate layer 804 may form a reaction barrier.
  • intermediate layer 804 may be the
  • electron-conducting charge carrier pair generation layer is reduced or compensated by means of the intermediate layer 804.
  • the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may be composed of a plurality of substances, for example, a mixture of substances, or of a single substance (for this reason, the second electron-conducting
  • Charge pair generation layer 802 also as undoped second electron conductive carrier pair generation layer 802).
  • Charge pair generation layer 802 forms, that is, for example, the substance from which the second
  • Electronically conductive charge carrier pair generation layer 802 can be a high Elektronenleitfschreib
  • the order of magnitude is better than about 10 S / m, for example, better than about 10 6 S / m, for example
  • the substance of the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may be a low
  • electron-conducting charge carrier pair generation layer 802 may be provided which satisfies all of these conditions, for example a NET 18 matrix with NDN-26 dopant (mixture of substances) or NDN-26, MgAg, CS 2 CO 3, CS 3 PO 4, Na, Ca , K, Mg, Cs, Li, LiF (substance).
  • NDN-26 dopant mixture of substances
  • NDN-26, MgAg, CS 2 CO 3, CS 3 PO 4 Na, Ca , K, Mg, Cs, Li, LiF (substance).
  • the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example in a range of about 8 nm to about 100 nm, for example in one
  • the first nm to about 90 nm for example in a range of about 70 nm to about 80 nm, for example in a range of about 80 nm to about 70 nm, for example in a range of about 40 nm to about 60 nm, for example a layer thickness of about 50 nm.
  • the first nm to about 90 nm for example in a range of about 70 nm to about 80 nm, for example in a range of about 80 nm to about 70 nm, for example in a range of about 40 nm to about 60 nm, for example a layer thickness of about 50 nm.
  • Electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 of several substances so for example a mixture of substances, or also be composed of a single substance (for this reason, the first electron-conducting
  • Carrier pair generation layer 806 may also be referred to as undoped first electron-conductive carrier couple generation layer 806).
  • Charge pair generation layer 806 forms, that is, for example, the substance from which the first
  • a high conductivity for example, a conductivity on the order of, for example
  • 10 S / m for example, better about 10 S / m.
  • Charge pair generation layer 806 has a high
  • Work function for example, a work function in a range of about 8.5 eV to about 5.5 eV
  • the material of the first electron-conducting charge carrier aar generation layer 806 can be any material or material that satisfies these conditions, for example HATCN, Cu (I) FBz, MoO x , W0 x / x V0, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP - 9, Bi (III) pFBz, F16CuPc.
  • electron-conductive charge carrier pair generation layer 806 have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example in a range of about 8 nm to about 100 nm, for example in a range of about 10 nm to about 90 nm, for example in a range of about 70 nm to about 80 nm, for example in a range of about 80 nm to
  • about 70 nm for example in a range of about 40 nm to about 60 nm, for example, a layer thickness of about 50 nm.
  • the first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 may, in various embodiments, comprise a substance or substance mixture with high conductivity and a conduction band (Lowest Unoccupied Molecule Orbital,
  • Charge pair generation layer 802 is formed.
  • the substance or mixture of the first electron-carrier charge carrier generation layer 806 has a LUMO that is approximately the same height as the HOMO of the material or
  • the charge carrier pair is at the common Gren surface 808 of the hole transport layer 810 with the first
  • electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 is generated and separated such that the hole of the generated charge carrier pair in the hole transport layer 810 to
  • Emitter layer 710 of the second organic functional layer structure 120 is transported and wherein the
  • the hole transport layer 810 may additionally be configured as a hole-conducting charge carrier pair generation layer 810.
  • the intermediate layer 804 may have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 700 nra,
  • Intermediate layer 804 may be direct or indirect.
  • the substance or mixture of the intermediate layer 804 may be an electrical insulator for an indirect charge carrier line.
  • the HOMO of the electrically insulating material of the intermediate layer 804 may be higher than the LUMO of the immediately adjacent first electron-conductive carrier pair generation layer 806 and higher than the HOMO of the directly adjacent second electron-carrier charge carrier generation layer 802. This allows a tunneling flow to take place through the intermediate layer 804.
  • Suitable material for the intermediate layer 804 may be
  • phthalocyanine for example, unsubstituted phthalocyanine;
  • metal oxide phthalocyanine compounds for example
  • CuPc copper phthalocyanine
  • AlPc aluminum phthalocyanine
  • NiPc nickel phthalocyanine ⁇ NiPc
  • FePc iron phthalocyanine
  • ZnPc zinc Phthalocyanine
  • MnPC manganese phthalocyanine
  • Electron transport layer 708 NET 18 with a layer thickness of approximately 10 nm second electron-conducting charge carrier pair generation layer 802:
  • NET-18 doped with NDN-26 for example at a concentration of about 8% by volume of the composition ( with a layer thickness of about 50 nm;
  • first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806:
  • HAT-CN with a layer thickness of approximately 5 nm.
  • CuGa0 2 with a layer thickness of about 50 nm.
  • the charge carrier pair generation layer structure 114 has an adjacent one
  • Hole transport layer 810 and electron transport layer 708 have the following layers:
  • Electron transport layer 708 is Electron transport layer 708
  • NET-18 doped with NDN-26 for example at a concentration of about 8% by volume of the mixture, with a layer thickness of about 50 nm;
  • first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806:
  • HAT-CN with a layer thickness of approximately 5 nm.
  • an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided with which it is possible, by means of a technically simple structure, the To change color valence in an image plane or that

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Description

Beschreibung
Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum
Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt . Ein optoelektronisches Bauelement (z.B. eine organische
Leuchtdiode (Organic Light Emitting Diode, OLED) ,
beispielsweise eine weiße organische Leuchtdiode (White
Organic Light Emitting Diode , WOLED) , eine Solarzelle , etc . ) auf organischer Basis zeichne sich üblicherweise durch eine mechanische Flexibilität und moderaten
Herstellungsbedingungen aus . Verglichen mit einem Bauelement aus anorganischen Materialien kann ein optoelektronisches Bauelement auf organischer Basis aufgrund der Möglichkeit großflächiger Herstellungsmethoden (z.B. Rolle- zu-Rolle - Herstellungsverfahren) potentiell kostengünstig hergestellt werden .
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis ,
beispielsweise organische Leuchtdidode (organic light
emitting diode - OLED) , finden daher zunehmend verbreitete Anwendung und können für die Beleuchtung von Oberflächen eingesetzt werden. Eine Oberfläche kann dabei beispielsweise als ein Tisch, eine Wand oder ein Fußboden verstanden werden . Ein organisches optoelektronisches Bauelement , beispielsweise eine OLED , kann eine Anode und eine Kathode mit einem
organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen
aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, i der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichtenstruktur aus j eweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichten („Charge generating layer", CGL) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromf luss zu richten.
Die Leuchtdichte von OLED ist unter anderem durch die maximale Stromdichte begrenzt, die durch die Diode fließen kann. Zum Erhöhen der Leuchtdichte einer OLED ist das
Kombinieren von ein oder mehreren OLED aufeinander in Serie bekannt - sogenannte gestapelte/gestackte OELD oder eine
Tandem-OLED.
Die Farbe und Leuchtdichte, der von dem optoelektronischen Bauelement emittierten elektromagnetischen Strahlung, bzw. die physiologisch wahrgenommene Farbe ( Farbvalenz} der beleuchteten Oberfläche , kann mittels separierter
Einzelfarben in einem optoelektronischen Bauelement
eingestellt werden.
Die separierten Einzelfarben können dabei einzeln
angesteuerte optoelektronische Bauelemente oder einzeln angesteuerte Emitterschichten eines optoelektronischen
Bauelementes sein, wobei mittels Mischens der Einzelfarben der optoelektronischen Bauelemente oder Emitterschichten die gewünschte Farbmischung erreicht werden kann . Zum Einstellen einer gewünschten Farbvalenz können daher mehrere optoelektronische Bauelemente oder eine aufwendige Steuerung der einzelnen Emitterschichten notwendig sein . Die einzelnen optoelektronischen Bauelemente oder
Emitterschichten können dabei unterschiedlich stark
beansprucht werden und daher unterschiedlich schnell verschleißen . Dadurch kann die Lebensdauer des gesamten optoelektronischen Bauelementes begrenzt werden. In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist die Farbvalenz einer beleuchteten Oberfläche oder die Ausgestaltung eines absorbierten Wellenlängenspektrum mit nur einem optoelektronischen Bauelement einzustellen .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine , ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende , durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine , ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaf en gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende , durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe , beispielsweise einen organischen Stoff , einen anorganischen Stoff , und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem
Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind . Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische BauelementeVorrichtung bereitgestellt, die optoelektronische BauelementeVorrichtung aufweisend: ein optoelektronisches Bauelement; wobei das optoelektronische Bauelement eine flächige Oberfläche aufweist und wobei von der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes eine elektromagnetische Strahlung in eine Bildebene des optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt wird und/oder eine elektromagnetische Strahlung von einer Objektebene des optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt und von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommen wird; wobei das optoelektronische Bauelement derart eingerichtet ist , dass das Spektrum der, von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellten, elek romagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommenen,
elektromagnetischen Strahlung mittels einer Auslenkung des optoelektronischen Bauelementes eingestellt wird, wobei die Auslenkung als eine Ausrichtung der Flächennormale der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes zu der Flächennormale der Bildebene und/oder der Flächennormale der Obj ektebene ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann in der Bildebene eine
auszuleuchtende Oberfläche angeordnet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische
Bauelement als Leuchtdiode eingerichtet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode .
In einer Ausgestaltung kann in der Objektebene eine Quelle elektromagnetischer Strahlung angeordnet sein .
In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische
Bauelement als Solarzelle eingerichtet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die erste Auslenkung einen ersten Raumwinkel zwischen der Flächennormale des
optoelektronischen Bauelementes und der Flächennormale der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes und/oder der Flächennormale der Objektebene des optoelektronischen
Bauelementes bilden.
In noch einer Ausgestaltung kann der erste Raumwinkel als Wert einen Betrag aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 90 ° .
In noch einer Ausgestaltung kann die erste Auslenkung als eine Drehung des optoelektronischen Bauelementes um die
Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes um einen zweiten Winkel ausgebildet sein .
In noch einer Ausgestaltung kann der zweite Winkel als Wert einen Betrag aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 180 °,
In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung ferner eine Halterung aufweisen, wobei das optoelektronische Bauelement von der Halterung gehalten wird.
In noch einer Ausgestaltung kann die Halterung drehbar um die Drehachse des ersten Raumwinkels und/oder drehbar um die Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes
ausgebildet sein .
In noch einer Ausgestaltung kann die Hal erung stationär ausgebildet sein, d.h. unbeweglich. In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung ferner wenigstens einen Reflektor mit einer, für elektromagnetische Strahlung, reflektierenden Oberfläche aufweisen. Mittels der reflektierenden Oberfläche kann beispielsweise der Anteil, der von einem
optoelektronischen Bauelement in Richtung der Bildebene bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung erhöht werden.
In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor derart
ausgebildet sein, dass die von einem optoelektronischen
Bauelement bereitgestellte elektromagnetische Strahlung , wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors , von dem optoelektronischen Bauelement auf die Bildebene umgelenkt wird. Dabei kann der Teil der
elektromagnetischen Strahlung , der von dem optoelektronischen Bauelement von der Bildebene weg emittiert wird, mittels des Reflektors auf die Bildebene umgelenkt werden.
In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor derart
ausgebildet sein, dass die von einem optoelektronischen
Bauelement aufgenommene , elektromagnetische Strahlung, wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors , von der Ob ektebene des optoelektronischen Bauelementes auf das optoelektronische Bauelement umgelenkt wird. Dabei kann der Teil der elektromagnetischen Strahlung, der aus der Obj ektebene von dem optoelektronischen Bauelement weg emittiert wird, mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors auf das optoelektronische Bauelement umgelenkt werde .
In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor stationär ausgebildet sein, d.h. unbeweglich.
In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor beweglich ausgebildet sein . In noch einer Ausgestaltung kann die Bewegung des Reflektors als wenigstens eine zweite Auslenkung ausgebildet sein, beispielsweise eine Drehung um einen dritten Winkel . In noch einer Ausgestaltung kann die zweite Auslenkung des
Reflektors mit der ersten Auslenkung des optoelektronischen Bauelementes gekoppelt sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der Winkel der
bereitgestellten elektromagne ischen Strahlung auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors einen anderen Wert auf eisen als auf dem optoelektronischen Bauelement .
Mittels unterschiedlicher Winkel der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung auf der reflektierenden
Ober läche und dem optoelektronischen Bauelementes zu der . Bildebene und/oder Obj ektebene kann ein Mischen des
umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche mit dem bereitgestellten Spektrum der Obj ektebene oder ein Mischen des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche mit dem bereitgestellten Spektrum des optoelektronischen
Bauelementes ausgebildet werden. In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung ferner ein Gehäuse aufweisen, wobei das Gehäuse das optoelektronische Bauelement wenigstens teilweise umgibt . In noch einer Ausgestaltung kann das Gehäuse wenigstens teilweise als Reflektor eingerichtet sein, beispielsweise mittels wenigstens einer reflektierenden Innenfläche .
In noch einer Ausgestaltung kann das Gehäuse wenigstens eine Blende im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes und/oder im Lichtweg der reflektierenden Oberfläche des Reflektors aufweisen, beispielsweise wenigstens eine
Schlitzblende oder Spaltblende . In noch einer Ausgestaltung kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg einen konstanten Abstand voneinander aufweisen . In noch einer Ausgestaltung kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg einen unterschiedlichen Abstand voneinander
aufweisen. Der Abstand benachbarter Blenden kann
beispielsweise von der geometrischen Mitte des
optoelektronischen Bauelementes zum geometrischen Rand des optoelektronischen Bauelementes oder zum geometrischen Rand des Gehäuses hin zunehmen oder auch abnehmen . Dadurch kann bei einer nichtlinearen Raumwinke1abhängigkeit beispielsweise der von einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellten e1ektromagnetischen Strahlung, d.h. einer nichtlinearen
Raumwinke1abhängigkeit der Farbvalenz , ein Aufbereiten des bereitgestellten Spektrums der elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt , das Verfahren aufweisend : Bereitstellen und/oder Aufnehmen eines Spektrums elektromagnetischer
Strahlung in einer Objektebene eines optoelektronischen Bauelementes und/oder einer Bildebene eines
optoelektronischen Bauelementes ; wobei das in der
Objektebene eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellte Spektrum von dem optoelektronischen
Bauelement aufgenommen wird; und wobei das in der Bildebene eines optoelektronischen Bauelementes aufgenommene Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellt wird; Ändern des von dem optoelektronischen Bauelement
aufgenommenen und/oder bereitgestellten Spektrums
elektromagnetischer Strahlung von einem ersten Spektrum zu einem zweiten Spektrum; wobei das Ändern des Spektrums wenigstens ein Ändern eines Raumwinkels der
elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg der
elektromagnetischen Strahlung aufweist . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann in der Bildebene eine auszuleuchtende Oberfläche angeordnet sein . In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als Leuchtdiode eingerichtet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann in der
Objektebene eine Quelle elektromagnetischer Strahlung
angeordnet sein .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als Solarzelle eingerichtet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Raumwinkels ein Ändern eines ersten Raumwinkels zwischen der Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes und der Flächennormale der Bildebene des optoelektronischen
Bauelementes und/oder der Flächennormale der Objektebene des optoelektronischen Bauelementes aufweisen . Das Ändern des Einfallswinkels und/oder des Ausfallwinkels der
elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung kann in diesem Sinne auch als Auslenken einer der Flächennormalen verstanden werden. Das Auslenken einer der Flächennormale kann dabei automatisch ausgebildet sein, beispielsweise als Tagbogen der Sonne, wobei die elektromagnetische Strahlungsquelle als
Sonne oder Projektion der Sonne- eingerichtet ist und wobei der erste Raumwinkel als Sonnenstand zu einer Solarzelle ausgebildet sein kann. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Raumwinkel als Wert einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 90 0 aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Raumwinkels als eine Drehung des optoelektronischen Bauelementes um die Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes um einen zweiten Winkel aufweisen. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Winkel als Wert einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 180 ° aufweisen .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
optoelektronische Bauelementevorrichtung ferner eine
Halterung aufweisen, wobei das optoelektronische Bauelement von der Halterung gehalten wird, wobei das Ändern des
Spektrums mittels eines Drehens der Halterung ausgebildet wird.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein Teil der elektromagnetischen Strahlung eines Spektrums von einer reflektierenden Oberfläche eines Reflektors
umgelenkt werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die von einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche eines Reflektors von dem
optoelektronischen Bauelement in die Bildebene des
optoelektronischen Bauelementes umgelenkt werden. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die von einem optoelektronischen Bauelement aufgenommene elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche eines Reflektors von der Objektebene des
optoelektronischen Bauelementes zu dem optoelektronische Bauelement umgelenkt werden .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Reflektor beweglich ausgebildet sein, wobei das Ändern des Raumwinke.ls der elektromagnetischen Strahlung mittels eines zweiten
Auslenkens des Reflektors ausgebildet wird. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite Auslenken des Reflektors mit dem ersten Auslenken des
optoelektronischen Bauelementes gekoppelt sein. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Spektrums der bereitgestellten elektromagnetischen
Strahlung mittels Mischens des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche des Reflektors mit dem
bereitgestellten Spektrum ausgebildet werden. Das
bereitgestellte Spektrum kann dabei das Spektrum der
elektromagnetischen Strahlung sein, das von der Ob ektebene eines optoelektronischen Bauelementes oder einem
optoelektronischen Bauelement bereitgestellt wird. Das von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommene oder
bereitgestellte Spektrum der elektromagnetischen Strahlung kann über sämtliche Raumwinkel gleich sein . Allerdings kann das unter einem Raumwinkel aufgenommene oder bereitgestellte Spektrum eines optoelektronischen Bauelementes bei
benachbarten Raumwinkel unterschiedlich sein . Dadurch kann die Farbvalenz bereitgestellter elektromagnetischer Strahlung und/oder das Spektrum aufgenommener elektromagnetischer
Strahlung mittels Änderns des Raumwinkels verändert werden . Die reflektierende Oberfläche des Reflektors kann daher ein anderes Spektrum elektromagnetischer Strahlung umlenken als von dem optoelektronischen Bauelement unter einem Raumwinkel direkt aufgenommen und/oder bereitgestellt wird .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Spektrums mit wenigstens einer Blende im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes und/oder im Lichtweg der reflektierenden Oberfläche ausgebildet werden, beispielsweise wenigstens eine Schlitzblende oder Spaltplente . Die
Schlitzebenen können stofflich derart ausgebildet sein, dass auf die Schlitzblenden einfallende elektromagnetische
Strahlung teilweise oder vollständig absorbiert wird, d.h. nicht weitergeleitet wird. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg der elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein, wobei die Vielzahl an Blenden einen konstanten oder unterschiedlichen Abstand voneinander aufweisen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeige.
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 2 Farbkoordinaten eines optoelektronischen Bauelementes in einer Normfarbtafel, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen; Figur 3 schematisch zwei unterschiedliche Auslenkungen eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;
Figur 4 eine schematische Querschni tsansicht einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;
Figur 5 eine schematische Querschnittsansicht einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;
Figur 6 eine schematische Querschnittsansicht einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung , gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; Figur 7 eine konkrete Ausgestaltung eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen; und Figur 8 eine Querschnittansicht eines Aufbaus einer
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsforme gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen
Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig.1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen .
Das optoelektronische Bauelement 100 in Form einer
organischen Leuchtdiode 100 kann einen Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein . Ferner kann der Träger 102 eine
Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid { PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein . Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben
genannten Stoffe aufweisen . Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur {beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann .
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird .
Somit ist „ ransparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ei Spezialfall von „transluzent" anzusehen . Für den Fall , dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein . Ein Top- und/oder Bottom- Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement ,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode , bezeichnet werden . Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann einen oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid , Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid , Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumz inkoxid , Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 nrc (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von
ungefähr 40 nm.
Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, i dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des
lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110 , eine zweite Elektrode 114 und ein organisch funktionelles Schichtensystem 112 aufweisen, wie es im Folgenden noch näher erläutert wird .
So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist , auf oder über dem Träger 102 ) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid ( transparent conductive oxide , TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCO . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe , beispielsweise
Metalloxide , wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, S11O2 , oder In203 gehören auch ternäre Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSnÜ3 , Mgln204 , Galn03 , Zn2In205 oder
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p -dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehr . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht , die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen : Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige
Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 110 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein . In dem Fall , dass die erste Elektrode 110 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist , kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungef hr 25 ntn, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 20 nra,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 ητη . Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall , dass die erste Elektrode 110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungef hr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Fe ner kann für den Fall , dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag , die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können , einem Netzwerk aus Kohlenstoff - Nanoröhren, die mit leitf higen Polymeren kombiniert sein können , oder aus Graphen- Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode .
Die erste Elektrode 110 kann ein erstes elektrisches
Kontaktpad aufweisen, an das ein erstes elektrisches
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt ) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsque1le) anlegbar ist . Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 110 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des
lichtemittierenden Bauelements 100 ein organisch
funktionelles Schichtensystem 112 aufweisen, das auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder
ausgebildet wird. Das organisch funktionelle Schichtensystem 112 kann eine oder mehrere organische funktionelle Schichtenstrukturen 116 , 120 aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 aber auch mehr als zwei organische funktionelle
Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3 , 4, 5, 6, 7 , 8 , 9, 10 , oder sogar mehr . In Fig.l sind eine erste organische funktionelle
Schichtenstruktur 116 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur 120 dargestellt. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur 116 kann auf oder über der ersten Elektrode 110 angeordnet sein,
Weiterhin kann die zweite organische funktionelle
Schichtenstruktur 120 auf oder über der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur 116 angeordnet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der ersten organischen funktione1len Schichtenstruktur 116 und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur 120 eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur 118 (engl.: Charge Generation Layer, CGL) angeordnet sein. In
Ausführungsbeispielen, in denen mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen vorgesehen sind, kann zwischen j eweils zwei organischen funktionellen
Schichtenstruktur eine j eweilige Ladungstragerpaar- Erzeugungs-Schichtenstruktur vorgesehen sein.
Wie im Folgenden noch näher erläutert wird, kann jede der organischen funktionellen Schichtenstruktur 116 , 120 jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten (in Fig .1 nicht dargestellt) {auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) ) . In verschiedenen Aus ührungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehre e Elektronenleitungsschichten {auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) )
vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 706 , 710 eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-dif luoro-2- ( 2 -pyridyl ) pheny1 - (2- carboxypyridyl) - iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [ , 4 ' -di- tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4 -Bis [4 - (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10-Bis [N, N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2 -methyl- 6 - julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemi tierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) auch aus mehreren Teilschichten au gebaut sein, wie einer blau f luoreszierenden Emitterschiebt oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht , einer grün phosphoresz ierenden Emitterschlicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht . Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese
Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen)
PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Auch können die Emittermaterialien verschiedener organischer funktionelle Schichtenstrukturen so gewählt, sein oder werden, dass zwar die einzelnen Emittermaterialien Licht
unterschiedlicher Farbe (beispielsweise blau, grün oder rot oder beliebige andere Farbkombinationen, beispielsweise beliebige andere Komplementär-Farbkombinationen) emittieren, dass aber beispielsweise das Gesamtlicht , das insgesamt von allen organischen funktionellen Schichtenstruktur emittiert wird und von der OLED nach außen emittiert wird, ein Licht vorgegebener Farbe , beispielsweise Weißlicht, ist .
Die organischen funktionellen Schichtenstrukturen 116 , 120 können allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente
Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren
elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere ,
organische kleine , nicht-polyniere Moleküle {„small
molecules") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann eine organische funktionelle
Schichtenstruktur 116 , 120 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Locht ansportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird .
Alternativ können in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 116 , 120 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht 708 , 712 (siehe auch Fig.7) ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine
elektrolumineszierende Schicht oder einen
elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Als Stoff für die Lochtransportschicht 70 , 810 (siehe auch Fig .7 und Fig .8 ) können beispielsweise tertiäre Amine ,
Carbazolderivate , leitendes Polyanilin oder
Polyethylendioxythiophen verwendet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Lochtransportschicht 704 (siehe auch Fig .7 ) auf oder über der ersten Elektrode 110 oder der Lochinj ektionsschicht 702
(siehe auch Fig.7) aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die erste Emitterschicht 706 (siehe auch Fig.7) kann auf oder über der ersten Lochtransportschicht 704 (siehe auch Fig.7) aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektronentransportschicht 708 auf oder über der ersten
Emitterschicht 706 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Ladungsträgerpaar-E zeugungs -Struktur 118 auf oder über der ersten Elektronentransportschicht 708 aufgebracht ,
beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann zweite Emitterschicht 710 auf oder über der Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Struktur 118
aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein . In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektronentransportschicht 712 auf oder über der zweiten Emitterschicht 710 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Elektroneninj ektionsschicht 714 auf oder über der zweiten Elektronentransportschicht 712 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle Schichtensystem 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von LochtransportSchicht (en) 704, 810 und Emitterschicht (en) 706, 710 und
Elektronentransportschicht (en) 708 , 712 und
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Struktur 118) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1 , 5 μν , beispielsweise eine
Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 τη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle
Schichtensystem 112 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei j ede OLED beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 μτ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ma imal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle Schichtensystem 112 beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise das
organische funktionelle Schichtensystem 112 eine
Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μ,τη. Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 708 , 710 oder auf oder über der oder den ElektronentransportSchicht (en) 712 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern.
Auf oder über dem organischen funktionellen Schichtensystem 112 kann die zweite Elektrode 114 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114 ) aufgebracht sein, wie oben beschrieben worden ist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110 , wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders
geeignet sind .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114 ) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nra,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110 , oder unterschiedlich zu dieser . Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Stoffe und mit der eweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent
ausgebildet . Somit kann das in Fig.l dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom- Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100 ) ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann als Anode , also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert auf eisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2 , 5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108 , beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barrierendünnschicht" 108 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist , eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff , zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann . Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendunnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt , als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendunnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen . Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendunnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein . Die Barrierendunnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendunnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens ( Plasma- less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma- less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren . Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden . Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen . Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108 , die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendunnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendunnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverf hrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendunnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufv/eisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Die Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein . Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid , Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid , Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere, der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ein Klebstoff und/oder ein
Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126 ) auf der Barrierendünnschicht 108 befestigt , beispielsweise aufgeklebt ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder
Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 μνα
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μιτι. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
KleberSchicht) können in verschiedenen Aus führungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsv/eise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S1O2 ) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrC>2) , Indium- Zinn-Oxid ( ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga2Oa) Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder GlashohlkugeIn . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise Si , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μτη, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μπι, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der Brechungs index der
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist . Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 126 , beispielsweise aus Glas , mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 108 aufgebracht werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen Brechungsindex
(beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
{beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 108 ,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 108) in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein.
Fig.2 zeigt Farbkoordinaten eines optoelektronischen
Bauelementes in einer Normfarbtafel , gemäß verschiedenen Ausgestaltungen .
Dargestellt ist ein CIE- ormvalenzSystem 200 mit der X- Koordinatenachse 204 und der y- Koordinatenachse 202.
Weiterhin zu erkennen sind die Spektralfarbkennlinie 206 und die Farbtemperaturkennlinie 208 eines schwarzen Strahlers .
Auf der Farbtemperaturkennlinie 208 des schwarzen Strahlers sind gemessene Farborte 210 eines optoelektronischen
Bauelementes 100 gemäß verschiedener Ausgestaltungen bei unterschiedlichen Raumwinkeln 212 dargestellt .
Wie zu erkennen ist, kann das optoelektronische Bauelement 100 in Abhängigkeit von dem konkreten Raumwinkel 212 Farborte 210 aufweisen, die ungefähr auf der Farbtemperaturkennlinie 208 eines schwarzen Strahlers in einem Farbtemperaturbereich von ungefähr 3500 K bis ungefähr 5800 K ausgebildet sind.
Fig.3 zeigt schematisch zwei unterschiedliche Au lenkungen eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausgestaltungen .
In einer ersten Ausgestaltung 310 kann die Flächennormale 304 eines optoelektronischen Bauelementes 100 parallel zu der Flächennormale 306 einer Obj ektebene 302 oder einer Bildebene 302 ausgerichtet sein.
Die Bildebene 302 kann als Ebene verstanden werden, in der die elektromagnetische Strahlung aufgenommen werden kann, die von dem optoelektronischen Bauelement 100 bereitgestellt wird. Das optoelektronische Bauelement 100 kann dabei beispielsweise als eine organische Leuchtdiode ausgebildet sein.
Die Ob ektebene 302 kann als Ebene verstanden werden, in der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird, die von dem optoelektronischen Bauelement 100 aufgenommen werden kann . Das optoelektronische Bauelement 100 kann dabei beispielsweise als eine Solarzelle und die Strahlungsquelle als Sonne oder Proj ektion der Sonne ausgebildet sein, beispielsweise auf der Erdoberfläche oder einer
Erdumlaufbah . In einer zweiten Ausgestaltung 320 kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung einen Raumwinkel 322 zwischen der Flächennormale 304 des optoelektronischen Bauelementes 100 und der Flächennormale 306 der Obj ektebene 302 oder der
Flächennormale 306 der Bildebene 302 aufweisen.
Die zweite Ausgestaltung 320 kann eine Drehung um eine der geometrischen Achsen des optoelektronischen Bauelementes 100 aufweisen, beispielsweise eine Drehung in de Zeichenebene oder eine Drehung senkrecht zu der Zeichenebene . Die zweite Ausgestaltung kann jedoch auch als eine Drehung der
Obj ektebene verstanden werden, beispielweise als Tagesbogen der Sonne , wobei der Wert des Raumwinkels 322 als Sonnenstand verstanden werden kann . In der ersten Ausgestaltung 310 kann de Raumwinkel 322 einen Wert mit einem Betrag in einem Bereich von ungefähr 0 0 bis ungefähr 90 0 aufweisen, beispielsweis ungefähr 0 ° . In der zweiten Ausgestaltung 320 kann der Raumwinkel 322 einen Wert mit einem Betrag in einem Bereich von ungefähr 0 ° bis ungefähr 90 ° aufweisen, beispielsweis bis ungefähr 75 0. Das optoelektronische Bauelement 100 kann dabei derart ausgebildet sein, dass die Farbvalenz in der Bildebene und/oder das absorbierbare Wellenlängenspektrum der
elektromagnetischen Strahlung der Objektebene mittels des Raumwinkels 322 der Auslenkung verändert werden kann.
Fig.4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Baueiementevorrichtung , gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen . Für ein dynamisches Ändern der Auslenkung des
optoelektronischen Bauelementes 100 , kann das
optoelektronische Bauelement 100 einen Halter 402 auf eisen. Das optoelektronische Bauelement 100 kann dabei gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig .1 ausgebildet sein.
Der Halter 402 kann beweglich, beispielsweise drehbar, ausgebildet sein. Ein beweglicher Halter 402 kann auf
einfache Weise ein diskretes oder kontinuierliches ;
stationäres oder dynamisches Ändern 404 des Raumwinkels 322 des optoelektronischen Bauelementes 100 bezüglich einer
Objektebene 302 und/oder einer Bildebene 302 ermöglichen.
Die Bauelementevorrichtung kann dabei derart eingerichtet sein, dass das Ändern des Raumwinkels 322 mit einer
elektrischen Steuerung verbunden ist , beispielsweise ähnlich einem Dimmer.
Fig .5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen . In einer Ausgestaltung kann die BauelementeVorrichtung 500 ein optoelektronisches Bauelement 100 in einem Gehäuse 502 aufweisen . Das optoelektronische Bauelement 100 kann gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.l ausgebildet sein. Weiterhin kann der Halter 402 des optoelektronischen
Bauelementes 100 beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung Fig .4 eingerichtet sein .
Das Gehäuse 502 kann dabei wenigstens eine Blende 504
aufweisen, beispielsweise eine Schlitzblende 504 oder eine Spaltblende 504 , im Lichtweg der elektromagnetischen
Strahlung von und/oder zu dem optoelektronischen Bauelement . Dadurch kann beispielsweise die elektromagnetische Strahlung, die von dem optoelektronischen Bauelement nicht nach unten emittiert wird, von dem Gehäuse absorbiert werden . Dadurch kann gewährleistet werden, dass es zu keiner Beeinträchtigung der Farbvarianz der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung mit elektromagnetischer Strahlung anderer
Raumwinkel kommt .
Die Blenden können dabei die elektromagnetische Strahlung kollimieren und/oder das Spektrum der elektromagnetische Strahlung filtern, beispielsweise ähnlich einem
Monochromator .
Mittels der Blende 504 in dem Lichtweg kann in dem Gehäuse 502 gestreute elektromagnetische Strahlung,
elektromagnetische Strahlung anderer Raumwinkel 322 und/oder elektromagnetische Strahlung anderer Spektren im
bereitgestellten und/oder aufgenommenen Spektrum reduziert werden . Das Gehäuse 502 kann mehr als eine Blende 504 im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes 100 aufweisen, beispielsweise zwei , drei , vier, fünf , sechs oder mehr . Der Abstand 506 zwischen benachbarten Blenden 504 kann konstant oder
unterschiedlich ausgebildet sein.
Der Betrag eines unterschiedlich ausgebildeten Abstandes 506 der Blenden 504 kann beispielsweise von der Mitte des
optoelektronischen Bauelementes 100 zum Gehäuse 502 hin abnehmen oder zunehmen, beispielsweise bei einem
nichtlinearen Zusammenhang zwischen Raumwinkel 322 und beispielsweise der Farbvalenz der, von einem
optoelektronischen Bauelement bereitgestellten,
elektromagnetischen Strahlung.
Die Blenden 504 können beispielsweise die Form ähnlich oder gleich konzentrischer Ringe , Lamellen und/oder von
Spaltblenden aufweisen.
Das Gehäuse 502 kann die Form ähnlich oder gleich eines
Hohlzylinders , einer Hohlkugel , eines Quaders und/oder eines Vieleckes aufweisen .
Fig.6 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen . Zusätzlich oder stattdessen zu den Ausgestaltungen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 400 , 500 der
Beschreibungen der Fig .4 und/oder Fig.5 kann die
Bauelementevorrichtung 600 wenigstens eine reflektierenden Oberfläche eines Reflektor 604 in einem Lichtweg 602, 606 des optoelektronischen Bauelementes 100 aufweisen.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig .1 ausgebildet sein. Weiterhin kann der Halter 402 des optoelektronischen
Bauelementes 100 beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig .4 eingerichtet se Weiterhin kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ein Gehäuse 502 beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig .5 aufweisen. Die reflektierende Oberfläche des Reflektors 604 kann
indirekt bereitgestell e elektromagnetische Strahlung 606 umlenken, welches von der Objektebene 302 oder dem
optoelektronischen Bauelement 100 in eine andere Richtung bereitgestellt wird als die direkt bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung 602.
Mit anderen Worten: von einem optoelektronischen
Bauelement 100 kann unter einem ersten Raumwinkel 322 , beispielsweise 0 ° , ein erstes Spektrum e1ektromagnetischer Strahlung bereitgestellt werden. Ein zweites Spektrum
elektromagnetischer Strahlung kann bei einem zweiten
Raumwinkel 322 , beispielsweise mit einem Betrag von 45 0 bereitges ellt werden . Elektromagnetische Strahlung des zweiten Spektrums wird j edoch bei Raumwinkeln bei -45 ° und +45 ° bereitgestellt . Da das optoelektronische Bauelement 100 nur mit einem Raumwinkel 322 zu der Bildebene 302 bzw.
Objektebene 302 ausgerichtet werden kann, kann nur die Hälfte des unter einem Raumwinkel mit einem Betrag von 45 0
ausgestrahlten Spektrums beispielsweise zum Beleuchten der Bildebene 302 verwendet werden, beispielsweise de Teil des Spektrums der unter einem Raumwinkel von + 45° bereitgestellt wird. Mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors 604 kann die zweite Hälfte des zweiten Spektrums auf die Bildebene 302 umgelenkt werden, beispielsweise der Teil des Spektrums der unter einem Raumwinkel von - 45 °
bereitgestellt wird.
Mittels der zusätzlichen, reflektierten elektromagnetischen Strahlung 606 kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelementes 100 erhöht werden.
Der Einfallswinkel für elektromagne ische Strahlung auf die reflektierende Oberfläche des Reflektors 604 kann diskret oder kontinuierlich eingestellt und stationär oder dynamisch geändert werden .
Ein stationär eingestellter Einfallswinkel kann
beispielsweise bei einem unbeweglichen optoelektronischen Bauelement 100 und/oder einer unbeweglichen Reflektor 604 realisiert sein. Ein stationärer Reflektor 604 kann
beispielsweise als verspiegelte Innenflächen 604 eines
Gehäuses ausgebildet sein, beispielsweise als reflektierende Innenfläche des Gehäuses 502 einer der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.5.
Ein dynamisches Einstellen des Einfallswinkels kann bei einem beweglichen Reflektor 604 realisiert sein, beispielsweise als ein beweglicher Spiegel 604.
Die zweite Auslenkung des Reflektors 604 kann beispielsweise mit der Auslenkung 404 des optoelektronischen Bauelementes 100 gekoppelt sein.
Der Einfallswinkel elektromagnetischer Strahlung kann auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors 604 dabei gleich oder unterschiedlich zu dem Raumwinkel 322 der
elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen
Bauelementes 100 ausgebildet sein.
Elektromagnetische Strahlung, welche beispielsweise von einem optoelektronischen Bauelement 100 gemäß einer der
Ausgestaltungen der Fig.l bereitgestellt wird, kann auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors 604 einen anderen Einfallswinkel aufweisen als der Raumwinkel 322 des
optoelektronischen Bauelementes .
Mittels der zweiten Auslenkung der reflektierenden Oberfläche des Reflektors 604 kann das Spektrum der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene 302 verändert werden, da das optoelektronische Bauelement 100 in Abhängigkeit des Raumwinkels 322 ein Spektrum elektromagneti cher Strahlung mit veränderlicher Farbvarianz bereitstellen kann.
In einer Ausgestaltung kann die reflektierende Oberfläche des Reflektors 604 und das optoelektronische Bauelement 100 derart eingerichtet sein, dass die in Richtung der Bildebene 302 umgelenkte elektromagnetische Strahlung 606 , ein anderes Spektrum aufweist als das das Spektrum der direkt, von dem optoelektronischen Bauelement 100 , bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung 602. Das Spektrum der indirekt bereitgestellten, elektromagentischen Strahlung 606 und das Spektrum der direkt bereitgestellten elektromagentische
Strahlung 602 können dadurch in der Bildebene 302 überlagert werden, d.h. eine Farbmischung eingestellt werden .
In einer Ausgestaltung kann die reflektierende Oberfläche des Reflektors 604 und das optoelektronische Bauelement 100 derart eingerichtet sein, dass die aus Richtung der
O j ektebene 302 umgelenkte elektromagnetische Strahlung 606 einen anderen Raumwinkel 322 auf dem optoelektronischen
Bauelement 100 aufweist als die direkt auf das
optoelektronische Bauelemente 100 bereitgestellte
e1ektromagnetische Strahlung 602. Die indirekt
bereitgestellte elektromagentische Strahlung 606 und die direkt bereitgestellte elektromagentische Strahlung 602 können dadurch in dem optoelektronischen Bauelement 100 gemischt werden .
Fig.7 zeigt eine konkrete Ausgestaltung eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen .
Wie in Fig.7 dargestellt ist , kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen die erste organische funktionelle Schichtenstruktur 116 eine Lochinj ektionsschicht 702
aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 106 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein kann. Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine Lochtransportschicht als eine Elektronenblockadeschicht verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine
Elektronentransportschicht als eine Lochblockadeschicht verstanden werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochinj ektionsschicht 702 eines oder mehrere der folgenden
Materialien aufweisen oder daraus bestehen:
• HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, V0X, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (IlDpFBz, F16CuPc, HTM01 : Cu ( II } FBz ,
aNPD:MoOX/ PEDOT:PSS, HT508;
• NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl} - benzidin) ;
• beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 2 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ,- TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ;
• Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - spiro) ; DMFL-TPD N, N ' -Bis (3 -methylphenyl) -N, 1 ~
bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ;
• DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9-dimethyl-fluoren) ;
• DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9 -diphenyl-fluoren)
• DPFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9 -diphenyl - fluoren) ;
• Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, -diphenylamino) - 9,9 ' - spirobifluoren) ;
• 9, 9-Bis [4- (N, N-bis -bipheny1-4 -y1 -amino) phenyl] -9H- fluoren;
• 9, 9-Bis [4- (N, N-bis- aphthalen- 2 -yl-amino) henyl] -9H- fluoren;
• 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis -naphthalen- 2 -yl-N, 1 -bis-phenyl- amino) -phenyl] - 9H-fluor ; • , N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin;
• 2, 7-Bis [N, N-bis (9, 9-spiro-bifluorene- 2 -yl) -amino] -9, 9- spiro-bifluoren;
• 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren;
• 2,2' -Bis (N, N-di -phenyl -amino) 9 , 9-spiro-bifluoren;
• Di- [4 - (N, N-ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan;
• 2,2' ,7,7' - tetra (N( N-di- tolyi) amino- spiro-bifluoren; und
• N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.
Die Lochinj ektionsschicht 702 kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 250 nm bis ungefähr 290 nm, beispielsweise ungefähr 270 nm. Auf oder über der Lochinj ektionsschicht 702 kann eine erste Lochtransportschicht 704 aufgebracht, beispielsweise
abgeschieden, sein oder werden . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Lochtransportschicht 704 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen :
• NPB (N, N 1 -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ;
• beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin) ;
• Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9 , -dimethyl-fluoren) ;
· D FL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -
9 , 9 -dimethyl-fluoren) ;
• DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9 -dipheny1 - fluoren) ;
• DPFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9-diphenyl-fluoren) ;
• Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 ' - spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4 - (N, N-bis-biphenyl-4 -yl-amino) phenyl] -9H- fluoren;
9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen- 2 -yl-amino) phenyl] -9H- fluoren;
9, 9-Bis [4- (N, ' -bis -naphthalen- 2 -yl -N, N ' -bis -phenyl - amino) -phenyl] -9H-fluor ;
N, N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin; 2, 7-Bis [N, -bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -araino] -9, 9- spiro-bifluoren,·
2,2' -Bis [N, N-bis (bipheny1 -4 -y1 ) amino] 9, 9-spiro- bifluoren,·
2,2' -Bis (N, N-di -phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren;
Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2 , 2 ' , 7 , 7 ' - tetra (N, N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren; und
N, N, 1 , N ' -tetra-naphthalen- 2 -yl -benzidin.
Die erste Lochtransportschicht 704 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht 704 kann eine erste Emitterschicht 706 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein. Die Emittermaterialien, die beispielsweise für die erste Emitterschicht 706 vorgesehen sein können, sind oben beschrieben .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Emitterschicht 706 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungef hr 40 nm.
Weiterhin kann auf oder über der ersten Emitterschicht 706 eine erste Elektronentransportschicht 708 angeordnet , beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektronentransportschicht 708 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen :
• NET- 18 2,2' ,2" - (1,3 , 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ;
2- (4 -Biphenylyl} -5- (4 -tert-butylphenyl) -1, 3,4- oxadiazole , 2, 9 -Dimethyl -4 , 7 -diphenyl- 1 , 10-phenanthroline (BCP) ;
8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4 - (Naphthalen- 1-yl) -3,5- diphenyl-4H-l , 2 , 4-triazole;
1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3,4 -oxadiazo-5- yl] benzene;
, 7 -Diphenyl- 1, 10-phenanthroline (BPhen) ;
3 - (4 -Biphenylyl) -4 -pheny1-5 -tert-butylphenyl- 1 , 2, 4- triazole ;
Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium;
6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2'- bipyridyl ;
2-phenyl-9 , 10 -di (naphthalen-2 -yl) -anthracene ;
2, 7-Bis [2- {2 , 21 -bipyridine-6-yl) -1,3 , 4 -oxadiazo-5-yl] -
9, 9-dimethylfluorene ;
1, 3-Bis [2- (4 - tert-butylphenyl ) -1,3 , 4-oxadiazo-5- yl] benzene ;
2 - (naphthalen-2 -yi) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2 , 9-Bis (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl ) phenyl) borane ;
l-methyl-2- (4- (naphthalen-2 -yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1 , 10] phenanthroline ;
Phenyl-dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die erste Elektronentransportschicht 708 kann eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm. Wie oben beschrieben worden ist , bilden die (optionale)
Lochinj ektionsschicht 702 , die (optionale) erste
LochtransportSchicht 70 , die erste EmitterSchicht 706 , sowie die (optionale) erste Elektronentransportschicht 708 die erste organische funktionelle Schichtenstruktur 116.
Auf oder über der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur 116 ist eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur ( Charge generation layer - CGL) 118
angeordnet , die im Folgenden noch näher beschrieben wird.
Auf oder über der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur 118 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur 120 angeordnet sein .
Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur 120 kann in verschiedenen Aus führungsbeispielen eine zweite
Lochtransportschicht 810 aufweisen, wobei die zweite
Lochtransportschicht 810 auch als lochleitende
Ladungsträgerpaar-E zeugungs- Schichtens 810 bezeichnet werden kann und als Teil der Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichtenstruktur 118 angeordnet ist . Beispielsweise kann die zweite Lochtransportschicht 810 in körperlichem Kontakt 808 mit der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-
Erzeugungs -Schichtenstruktur 806 sein, anders ausgedrückt , sie teilen sich eine gemeinsame Grenzfläche .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Lochtransportschicht 810 bzw. lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schichtens 810 eines oder mehrere der folgenden Materialien oder eine stöchiometrische Variante dieser
Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein : ;
• BaCuSF, BaCuTeF , NiO, Cu haltige Delafossite
beispielsweise C MO2 (M = trivalentes Kation
beispielsweise AI , Ga, In, oder ähnliches) CUO2 ,
CuY1_xCax02 , CuCri-xMgx02 , ZnM204 (M = Co, Rh, Rh, Ir, oder ähnliches) , SrCu2C>2 , LaCuOM (M = S, Se , Te, oder ähnliches) oder auch Mg dotiertes CuCrÜ2 , NPB (N, N 1 - Bis (naphthalen-l-yl) - , N 1 -bis (phenyl) -benzidin)
beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 2 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3- me hylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - spiro) ; DMFL-TPD ,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9 -diraethyl-fluoren) ;
DMFL-NPB ( , ' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9 - dimethy1 - fluoren) ;
DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9 - diphenyl - fluoren) ;
DPFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9-diphenyl-fluoren) ;
Spiro-TAD (2,2· ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 1 - spirobifluoren) ;
9, 9-Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino) henyl] -9H- fluoren ,-
9, 9-Bis [4- (N, -bis-naphthalen-2 -yl -amino) henyl] -9H- fluoren;
9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen- 2 -yl -N, ' -bis -phenyl - amino) -phenyl] -9H-fluor ;
N, ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin; 2, 7-Bis [N, -bis (9 , 9 - spiro-bifluorene- 2 -yl ) -amino] -9, 9- spiro-bifluoren;
2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4 -yl ) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren,-
2,2' -Bis (N, -di-phenyl -amino) 9 , 9 - spiro-bifluoren;
Di- [4 - (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bif luoren; und
N, N, N ' , N 1 -tetra-naphthalen- 2 -yl-benzidin
HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, Ox, VOx , ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPc Als Erzeugungsmethode der Lochleiterschichten mit diesen
Stoffen eignen sich gepulste Laserdeposition bei
Raumtemperatur, Sputtern bei niedrigen Temperaturen oder gepulstes Magnetronsputtern .
Die zweite LochtransportSchicht 810 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm .
Weiterhin kann die zweite organische funktioneile
Schichtenstruktur 120 eine zweite Emitterschicht 710
aufweisen, die auf oder über der zweiten LochtransportSchicht 810 angeordnet sein kann. Die zweite Emitterschicht 710 kann die gleichen Emittermaterialien aufweisen wie die erste
Emitterschicht 706. Alternativ können die zweite
Emitterschicht 710 und die erste Emitterschicht 706
unterschiedliche Emittermaterialien aufweisen. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Emitterschicht 710 derart eingerichtet sein, dass sie
elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares
Licht , gleicher Wellenlänge (n) emittiert, wie die erste
Emitterschicht 706. Alternativ kann die zweite Emitterschicht 710 derart eingerichtet sein, dass sie elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht , anderer
Wellenlänge <n) emittiert als die erste Emitterschicht 706. die Emittermaterialien der zweiten Emitterschicht können Materialien sein, wie sie oben beschrieben worden sind .
Andere geeignete Emittermaterialien können selbstverständlich sowohl für die erste Emitterschicht 706 als auch für die zweite Emitterschicht 710 vorgesehen sein.
Weiterhin kann die zweite organische funktionelle
Schichtenstruktur 120 eine zweite Elektronentransportschicht 712 aufweisen, die auf oder über der zweiten Emitterschicht 710 angeordnet , beispielsweise abgeschieden, sein kann. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektronentranspor Schicht 712 eines oder mehrere der
folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen :
• NET- 18 , NET- 5 , ETM033 , ETM036, BCP, BPhen;
· 2,2' , 2 " - (1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1 -phenyl -1-H- benzimidazole) ;
• 2- (4 -Biphenylyl) -5- ( 4 -tert -butylphenyl ) -1,3,4- oxadiazole , 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline (BCP) ;
· 8 -Hydroxyquinolinolato- 1ithium, 4- (Naphthalen- 1-yl) -3,5- diphenyl -4H- 1 , 2, 4-triazole;
• l,3-Bis[2-(2,2' -bipyridine- 6 -yl ) -1,3, 4-oxadiazo-5- yl] benzene ,-
• 4 , 7-Diphenyl-l, 10 -phenanthroline (BPhen) ;
· 3- (4 -Biphenylyl) -4 -phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2,4- triazole;
• Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4-
(phenylphenolato) aluminium;
• 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4 -yl) -1,3 , 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2'- bipyridyl ;
• 2-phenyl-9, 10 -di (naphthalen- 2 -yl) -anthracene ;
• 2, 7 -Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -yl ) -1, 3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] - 9, 9 -dimethy1fluorene ;
• 1, 3 -Bis [2- ( 4 - tert-butylphenyl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 - yl] benzene ;
• 2- (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ;
• 2 , 9-Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline ;
• Tris (2,4,6-trimethyl - 3 - (pyridin-3 -yl ) phenyl) borane ;
· l-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) - 1H- imidazo [4 , 5- f] [1 , 10] henanthroline;
• Phenyl-dipyrenylphosphine o ide ;
• Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
• Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und · Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die zweite ElektronentransportSchicht 712 kann eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von
ungefähr 15 nm bis ungefähr 40 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm.
Ferner kann auf oder über der zweiten
Elektronentransportschicht 712 eine
Elektroneninjektionsschicht 714 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Elektroneninj ektionsschicht 714 eines oder mehrere der
folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen:
NDN-26, gAg, CS2 O3 , CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF ;
2 , 2 ' , 2 " -(1,3, 5-Benzinetriyl) - tris {1-phenyl-l-H- benzimidazole) ;
2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4- oxadiazole, 2 , 9 -Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP) ;
8 -Hydroxyquinolinolato- 1 i thium , 4 - (Naphthalen- 1 -yl ) -3,5- diphenyl -4H-1 , 2,4- triazole ;
1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -yl ) -1, 3 , 4 -oxadiazo- 5 - yl] benzene ;
4 , 7-Diphenyl-l , 10-phenanthroline (BPhen) ;
3- (4-Biphenylyl) -4 -pheny1 - 5 - 1ert -butylpheny1 -1,2 , 4- triazole ;
Bis (2 -methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium;
6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2'- bipyridyl ;
2-phenyl-9, 10 -di (naphthalen- 2 -y1 ) -anthracene ;
2 , 7-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine - 6 -yl ) -1,3,4 -oxadiazo- 5 -yl] - 9, 9 -dimethy1 f luorene ;
• 1 , 3-Bis [2- ( 4 - tert -butylphenyl ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 - yl] benzene ; 2- {naphthalen- 2 -y1 ) -4 , 7 -diphenyl - 1 , 10-phenanthro1ine 2 , 9 -Bis (naphthalen-2-yl) -4 , 7 -diphenyl- 1, 10- phenanthroline ;
Tris {2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl ) phenyl } borane ;
l-methyl-2- (4- ( aphthalen- 2 -yl) henyl ) -lH-imidazo [4,5- f] [1, 10] phenanthroline;
Phenyl -dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit ,
Die Elektroneninj ektionsschicht 714 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 700 nm , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm.
Wie oben beschrieben worden ist , bilden die (optionale) zweite Lochtransportschicht 810 , die zweite Emi erschicht 710 , die (optionale) zweite Elektronentransportschicht 712 , sowie die (optionale) Elektroneninj ektionsschicht 714 die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur 120.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 (also
beispielsweise die Summe der Dicken von
Lochtransportschicht (en) und Emitterschicht (en) und
Elektronentransportschicht (en) , etc . ) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1 , 5 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise, eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen
Leuchtdioden (OLEDs) auf eisen, wobei jede OLED
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 /im, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 800 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektroiumineszente Schichtenstruktur 110 beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektroiumineszente
Schichtenstruktur 110 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 8 μτη .
Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des
lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern .
Auf oder über der organischen elektrolumineszenten
Schichtenstruktur 110 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen
Funktionsschichten kann die zweite Elektrode 108
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 108) aufgebracht sein, wie oben beschrieben worden ist .
In einer konkreten Ausgestaltung eines optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet sein, dass das Spektrum der, von dem
optoelektronischen Bauelement bereitgestellten,
elektromagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommenen,
elektromagnetischen Strahlung abhängig ist von dem
Einfallswinkel bzw. Ausfallswinkel der elektromagnetischen
Strahlung auf der Oberfläche des optoelektronischen
Bauelementes, von dem Strahlung aufgenommen wird und/oder von dem Strahlung bereitgestellt wird.
Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise mittels herkömmlicher organischer Stoffe realisiert werden.
Die organische Stoffe können bei einer Wellenlänge von ungefähr 550 nm einen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1 , 6 bis unge ähr 1,9, beispielsweise ungefähr 1,8 aufweisen .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit blauen Licht assoziiert wird, aufnehmen und/oder bereitstellen, beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 430 nm bis ungefähr 490 nm.
In einer Ausgestal ung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit grünem Licht assoziiert wird, aufnehmen kann und/oder bereitstellen kann,
beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 560 nm. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit rotem Licht assoziiert wird, aufnehmen kann und/oder bereitstellen kann,
beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 570 nm bis ungefähr 630 nm. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement zwei oder mehr organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, die blaues, grünes und/oder rotes Licht
bereitstellt oder aufnimmt.
In einer Ausgestaltung können die organischen funktionellen Schichtenstrukturen derart ausgebildet sein, dass eine
Abhängigkeit der Farbvalenz, beispielsweise der korrelierten Farbtemperatur, der bereitgestellten und/oder aufgenommenen elektromagnetischen Strahlung von dem Einfallswinkel und/oder dem Ausfallswinkel realisiert wird.
Die von den unterschiedlichen organischen funktionellen
Schichtenstrukturen bereitgestellten elektromagnetischen Strahlungen können beispielsweise derart gemischt werden, dass die bereitgestellte elektromagnetische Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung eine weiße Farbvalenz, ähnlich oder gleich einem schwarzen
Strahler, schwarzen Körper oder Planck 'sehen Strahler
ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement der optoelektronischen Bauelementevorrichtung derart
eingerichtet sein, dass sich die Farbvalenz der aufgenommenen und/oder bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung als
Funktion des Einfallswinkels und/oder des Ausfallswinkels der elektromagnetischen Strahlung ändern kann .
In einer ersten konkreten Ausgestaltung kann beispielsweise die korrelierte Farbtemperatur der bereitgestellten
elektromagnetischen Strahlung mit zunehmendem oder
abnehmendem Beobachtungswinkel , beispielsweise von ungefähr 3000 K zu ungefähr 5000 K zunehmen . In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die
Elektroneninj ektionsschicht 714 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 45 nm und ungefähr 65 nm aufweisen,
beispielsweise ungefähr 55 nm.
In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 114 eine Dicke in einem Bereich von ungef hr 120 nm und ungef hr 140 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 135 nm.
In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die
Lochinj ektionsschicht 702 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 250 nm und ungefähr 290 nm auf eisen, beispielsweise ungefähr 270 nm.
I der ersten konkreten Ausgestaltung können die
Lochtransportschicht , die Emitterschicht und die die
Elektronentransportschient einer organischen funktionellen Schichtenstruktur eine kombinierte Dicke , d.h. Gesamtdicke, in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 40 nm aufweisen .
In einer zweiten konkreten Ausgestaltung kann beispielsweise die Farbvalenz der bereitgestellten elektromagnetischen
Strahlung mit zunehmendem oder abnehmendem Beobachtungswinkel von einem ersten Farbort zu einem zweiten Farbort hin
verändern, beispielsweise zunehmen oder abnehmen,
beispielsweise von rotem Licht zu grünem Licht ,
beispielsweise von elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge von ungefähr 610 nm zu ungef hr 580 nm. In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die
Elektroneninj ektionsschicht 714 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 45 nm und ungefähr 65 nm aufweisen,
beispielsweise ungefähr 55 nm. In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 114 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 105 nm und ungefähr 145 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 125 nm.
In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die
Lochinjektionsschicht 702 eine Dicke in einem Bereich von ungef hr 170 nm und ungefähr 210 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 190 nm.
In der zweiten konkreten Ausgestaltung können die
Lochtransportschicht , die EmitterSchicht und die die
Elektronentransportschicht einer organischen funktionellen Schichtenstruktur eine kombinierte Dicke , d.h. Gesamtdicke , in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 40 nm aufweisen .
In Fig.8 ist in einer QuerSchnittansicht der Aufbau einer Ladungsträgerpaar-E zeugungs -Schicht 114 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schichtstruktur 118 eine
lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 810 , eine erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 und eine zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 802 auf eisen, wobei die zweite
elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs-Schicht 802 auf oder über der ersten Elektronentransportschicht 708 angeordnet sein kann, beispielsweise mit dieser in
körperlichem Kontakt sein kann .
Die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 kann auf oder über der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 802 angeordnet sein, wobei optional zwischen diesen beiden Schichten 802 , 806 eine Zwischenschicht 804 vorgesehen sein kann. Auf oder über der ersten elektronenleitenden
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 kann die zweite
Lochtransportschicht 810 bzw. die lochleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 810 angeordnet sein oder werden und steht mit ihr im körperlichen Kontakt (in Fig. 8 bezeichnet mit Bezugszeichen 808 ) .
Die zweite Lochtransportschicht 810 kann auch als
lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 810
eingerichtet sein bzw. verstanden werden, indem
Ladungsträgerpaare an der gemeinsamen Grenzfläche 808 der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 mit der Lochtransportschicht 810 getrennt werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schichtstruktur 114 um die
Zwischenschicht 804 (auch bezeichnet als „InterLayer")
zwischen den elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schichten 802 , 806 erweitert werden, um den
Verlauf der Bandstruktur zu verändern.
Beispielsweise kann die Zwischenschicht 804 Zustände in der Bandlücke der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schichten 802 , 806 erzeugen und die Ladungsträgerpaartrennung erleichtern.
Die Zwischenschicht 804 kann weiterhin eine
Schichtinterdiffusion verhindern beispielsweise des
Dotierstoffs oder des Matrixstoffes . Anders als bei anorganischen Schichtenfolgen in Halbleiter- Bauelementen können organische Schichten partiell in andere organische Schichten interdiffundieren (partielle
Schichtinterdiffusion) , z.B. organische Teile der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 802 in eine organische erste elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtstruktur in einem
optoelektronischen Bauelement 100, beispielsweise einer OLED.
Um die partielle Schichtinterdiffusion zu unterdrücken (das heißt anschaulich eine Barrierewirkung zu erreichen) kann zwischen die einzelnen organischen Schichten, z.B. zwischen die ersten elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 und die zweiten elektronenleitenden
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 802 , die Zwischenschicht 804 eingefügt werden oder eine der Schichten, d.h. die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 und/oder die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schicht 806 , können einen anorganischen Stoff aufweisen oder daraus bestehen.
Weiterhin kann die Zwischenschicht eine Abreaktion der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 806 mit der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schicht 802 verhindern, d.h. die Zwischenschicht 804 kann eine Reaktionsbarriere bilden.
Weiterhin kann die Zwischenschicht 804 die
Grenzflächenrauheit zwischen der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 und der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 reduzieren, indem die Oberflächenrauheit der ersten
elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht mittels der Zwischenschicht 804 reduziert bzw. kompensiert wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 802 aus mehreren Stoffen, also beispielsweise einem Stoffgemisch, oder aus einem einzigen Stoff zusammengesetzt sein (aus diesem Grund kann die zweite elektronenleitende
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 802 auch als undotierte zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 802 bezeichnet werden) .
Der Stoff, der die zweite elektronenleitende
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schicht 802 bildet, das heißt beispielsweise der Stoff, aus dem die zweite
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 besteht , kann eine hohe Elektronenleitf higkeit
(beispielsweise eine Elektronenleitfähigkeit in einer
-7
Größenordnung beispielsweise besser als ungef hr 10 S/m, beispielsweise besser als ungefähr 10 6 S/m, beispielsweise
- 5
besser als ungefähr 10 S/m aufweisen .
Weiterhin kann der Stoff der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 802 eine niedrige
Austrittsarbeit (beispielsweise eine Austrittsarbeit von kleiner oder gleich ungefähr 8 eV) und eine geringe
Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der zweiten
elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schicht 802 j eder Stoff vorgesehen sein, das bzw. der diese genannten Bedingungen erfüllt , beispielsweise eine NET- 18 Matrix mit NDN-26 Dotierstoff ( Stoffgemisch) oder NDN-26, MgAg, CS2CO3 , CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF (Stoff) .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem
Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 90 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 60 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 50 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 806 aus mehreren Stoffen, also beispielsweise einen Stoffgemisch , oder ebenfalls aus einem einzigen Stoff zusammengesetzt sein (aus diesem Grund kann die erste elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 806 auch als undotierte erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 bezeichnet werden) . Der Stoff , der die erste elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 bildet , das heißt beispielsweise der Stoff , aus dem die erste
elektronenleitende Ladungs rägerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 besteht, kann eine hohe Leitfähigkeit (beispielsweise eine Leitf higkeit in einer Größenordnung von beispielsweise
-5
besser ungefähr 10 S/m , beispielsweise besser ungefähr
-4 -3
10 S/m, beispielsweise besser ungefähr 10 S/m.
Weiterhin kann der Stoff der ersten elektronenleitenden
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 806 eine hohe
Austrittsarbeit , beispielsweise eine Austrittsarbeit in einem Bereich von ungefähr 8,5 eV bis ungefähr 5,5 eV,
beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 4 , 4 eV bis ungefähr 5,5 eV, und eine geringe Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der ersten elektronenleitenden Ladungs räger aar- Erzeugungs-Schicht 806 jedes Material bzw. j eder Stoff vorgesehen sein, das bzw. der diese genannten Bedingungen erfüllt, beispielsweise HAT- CN, Cu(I) FBz, MoOx, W0X/ V0X, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP - 9 , Bi (III)pFBz, F16CuPc.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 90 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 nm bis
ungefähr 70 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 60 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 50 nm.
Die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Stoff oder Stoffgemisch aufweisen mit hoher Leitfähigkeit und einem Leitungsband (Lowest Unoccupied Molecule Orbital ,
LUMO) , das energetisch ungefähr gleich bezüglich des
Valenzbandes (Highest Occupied Molecule Orbital , HOMO) der direkt oder indirekt benachbarten LochtransportSchicht 810 bzw. lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 810 und des Valenzbandes der zweiten eiektronenleitenden
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 ausgebildet ist . Anders ausgedrückt weist der Stoff oder das Stoffgemisch der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 ein LUMO auf , dass energetisch ungef hr auf der gleichen Höhe liegt wie das HOMO des Stoffs oder
Stoffgemischs der LochtransportSchicht 810 und das HOMO der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 802. Das Ladungsträgerpaar wird an der gemeinsamen Gren fläche 808 der Lochtransportschicht 810 mit der ersten
elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 806 erzeugt und getrennt derart, dass das Loch des erzeugten Ladungsträgerpaares in der Lochtransportschicht 810 zur
Emitterschicht 710 der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur 120 transportiert wird und wobei das
Elektron des erzeugten Ladungsträgerpaares mittels erster elektronenleitender Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 806 und zweiter Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 802 zur ersten Emitterschicht 706 der ersten organischen
funktionellen Schichtenstruktur 116 transportiert wird. Mit anderen Worten, die LochtransportSchicht 810 kann zusätzlich als lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 810 eingerichtet sein.
Die Zwischenschicht 804 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 1 nm bis ungefähr 700 nra,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis
ungef hr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 6 nm. Die Ladungsträgerleitung durch die
Zwischenschicht 804 kann direkt oder indirekt erfolgen.
Der Stoff oder das Stoffgemisch der Zwischenschicht 804 kann bei einer indirekten Ladungsträgerleitung ein elektrischer Isolator sein. Das HOMO des elektrisch isolierenden Stoffes der Zwischenschicht 804 kann höher als das LUMO der direkt benachbarten ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 806 und höher als das HOMO der direkt benachbarten zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- ' Erzeugungs-Schicht 802 sein . Dadurch kann ein Tunnelström durch die Zwischenschicht 804 erfolgen.
Geeignete Stoff für die Zwischenschicht 804 können
beispielsweise sein: NET- 39, Phthalocyanin-Derivate ,
beispielsweise unsubstituiertes Phthalocyanin ; beispielsweise Metalloxid- Phthalocyanin Verbindungen, beispielsweise
Vanadiumoxid- Phthalocyanin (VOPc) , Titanoxid- Phthalocyanin (TiOPc) ; beispielsweise Metall - Phthalocyanin-Derivate , beispielsweise Kupfer-Phthalocyanin (CuPc) , (H2?c) , Kobalt- Phthalocyanin (CoPc) , Aluminium-Phthalocyanin (AlPc) , Nickel- Phthalocyanin {NiPc) , Eisen- Phthalocyanin (FePc) , Zink- Phthalocyanin (ZnPc) oder Mangan-Phthalocyanin (MnPC) .
In einer ersten konkreten Implementierung verschiedener
Ausführungsbeispiele , die jedoch keinerlei einschränkenden Charakter auf eisen soll , kann die oben beschriebene
Schichtenstruktur folgende Schichten auf eisen:
Elektronentransportschicht 708 : NET- 18 mit einer Schichtdicke von ungefähr 10 nm zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 802 :
NET-18 dotiert mit NDN-26 , beispielweise mit einer Konzentration von ungefähr 8 % bezüglich des Volumens des Stoffgemischtes ( mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm; und
erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schicht 806:
HAT-CN mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm .
LochtransportSchicht 810 :
CuGa02 mit einer Schichtdicke von ungef hr 50 nm.
In einer zweiten konkreten Implementierung verschiedener Ausführungsbeispiele , die jedoch keinerlei einschränkenden Charakter aufweisen soll, weist die Ladungsträgerpaar- Erzeugungs-Schichtenstruktur 114 mit angrenzender
Lochtransportschicht 810 und Elektronentransportschicht 708 folgende Schichten auf :
- Elektronentransportschicht 708 :
NET-18 mit einer Schichtdicke von ungefähr 10 nm zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 802 :
NET-18 dotiert mit NDN-26 , beispielweise mit einer Konzentration von ungefähr 8 % bezüglich des Volumens des Stoffgemisches , mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm; und
erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-E zeugungs- Schicht 806:
HAT-CN mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm.
LochtransportSchicht 810 :
SrCu2Ü2 mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm.
In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist , mittels eines technisch einfachen Aufbaus , die Farbvalenz in einer Bildebene zu verändern oder das
absorbierbare Spektrum eines optoelektronischen Bauelementes einzustellen.

Claims

Patentansprüche
Optoelektronische Bauelementevorrichtung ( 300 , 400 , 500 , 600) ,
aufweisend ein optoelektronisches Bauelement (100;
• wobei das optoelektronische Bauelement (100) eine
flächige Oberfläche aufweist und wobei von der flächigen Oberfläche des optoelektronischen
Bauelementes (100) eine elektromagnetische Strahlung in eine Bildebene (302) des optoelektronischen Bauelementes (100) bereitgestellt wird und/oder eine elektromagnetische Strahlung von einer Obj ektebene (302) des optoelektronischen Bauelementes (100) bereitgestellt und von dem optoelektronischen Bauelement (100) aufgenommen wird;
• wobei das optoelektronische Bauelement (100) derart eingerichtet ist , dass das Spektrum der, von dem optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement (100) aufgenommene , elektromagnetischen Strahlung mittels einer
Auslenkung (212 , 322) des optoelektronischen
Bauelementes (100) eingestellt wird, wobei die Auslenkung (212 , 322 ) als eine Ausrichtung der Flächennormale (304) der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes (100) zu der
Flächennormale (306) der Bildebene (302) und/oder der Flächennormale (306) der Objektebene (302)
ausgebildet ist .
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500 , 600) gemäß Anspruch 1 ,
wobei in der Bildebene (302) eine auszuleuchtende
Oberfläche (302) angeordnet ist .
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500 , 600) gemäß Anspruch 2, wobei das optoelektronische Bauelement (100) als
Leuchtdiode (100) eingerichtet ist, insbesondere eine organische Leuchtdiode (100) .
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300, 400, 500, 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
ferner eine Halterung (402) aufweisend, wobei das
optoelektronische Bauelement (100) von der Halterung (402) gehalten wird .
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500 , 600) gemäß Anspruch 4,
wobei die Halterung (402) drehbar um die Drehachse des ersten Raumwinkels (212 , 322) und/oder drehbar um die Flächennormale (304 ) des optoelektronischen Bauelementes (100) ausgebildet ist.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400, 500 , 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 ,
wobei die optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500, 600) ferner wenigstens einen Reflektor (604 ) mit einer, für elektromagnetische Strahlung,
reflektierenden Oberfläche aufweist, wobei der Reflektor
(604) derart ausgebildet ist , dass die von einem
optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellte elektromagnetische Strahlung (606) wenigstens teilweise mittels des Reflektors (604 ) von dem optoelektronischen Bauelement (100) auf die Bildebene (302) umgelenkt wird und/oder wobei der Reflektor (604 ) derart ausgebildet ist , dass die von einem optoelektronischen Bauelement
(100) aufgenommene elektromagnetische Strahlung (606) wenigstens teilweise mittels des Reflektors (604) von der Obj ektebene ( 302 ) des optoelektronischen
Bauelementes (100) auf das optoelektronische Bauelement
(100) umgelenkt wird. Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300, 400, 500, 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
ferner ein Gehäuse (502) aufweisend, wobei das Gehäuse (502) das optoelektronische Bauelement (100) wenigstens teilweise umgibt .
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300, 400, 500, 600) gemäß Anspruch 7 ,
wobei das Gehäuse (502) wenigstens eine Blende (504) im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes (100) und/oder im Lichtweg des Reflektors (604) aufweis , insbesondere eine Schlitzblende (504 ) oder Spaltblende (504) .
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500 , 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 ,
wobei die von dem optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellte elektromagnetische Strahlung eine weiße Farbvalenz aufweist , ähnlich oder gleich einem schwarzen Strahler .
Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen
Bauelementes (100) , das Verfahren aufweisend:
• Bereitstellen und/oder Aufnehmen eines Spektrums
elektromagnetischer Strahlung in einer Obj ektebene (302) eines optoelektronischen Bauelementes (100) und/oder einer Bildebene (302) eines
optoelektronischen Bauelementes (100) ; wobei das in der Obj ektebene (302) eines optoelektronischen
Bauelementes (100) bereitgestellte Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement (100) aufgenommen wird; und wobei das in der Bildebene (302) eines
optoelektronischen Bauelementes (100) aufgenommene Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellt wird;
• Ändern des von dem optoelektronischen Bauelement
(100) aufgenommenen und/oder bereitgestellten Spektrums elektromagnetischer Strahlung von einem ersten Spektrum zu einem zweiten Spektrum;
• wobei das Ändern des Spektrums wenigstens ein Ändern eines Raumwinkels (212, 322) der elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg der elektromagnetischen
Strahlung aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 10,
wobei das Ändern des Raumwinkels (212 , 322 ) ein Ändern des Raumwinkels (212 , 322) zwischen der Flächennormale (304) des optoelektronischen Bauelementes (100) und der Flächennormale (306) der Bildebene (302) des
optoelektronischen Bauelementes (100) und/oder der Flächennormale (306) der Objektebene (302 ) des
optoelektronischen Bauelementes (100) aufweist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 oder 11 , wobei die reflektierende Oberfläche (604) beweglich ausgebildet ist , wobei das Ändern des Spektrums der elektromagnetischen Strahlung mittels eines zweiten Auslenkens der beweglichen reflektierenden Oberfläche (604) ausgebildet wird, wobei das zweite Auslenken der reflektierenden Oberfläche (604 ) mit dem ersten
Auslenken des optoelektronischen Bauelementes (100) gekoppelt ist .
Verfahren gemäß Anspruch 12 ,
wobei das Ändern des Spektrums mittels Mischens des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche (604) mit dem bereitgestellten Spektrum ausgebildet wird.
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