WO2014029677A1 - Optoelectronic component device, method for operating an optoelectronic component - Google Patents

Optoelectronic component device, method for operating an optoelectronic component Download PDF

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WO2014029677A1
WO2014029677A1 PCT/EP2013/067021 EP2013067021W WO2014029677A1 WO 2014029677 A1 WO2014029677 A1 WO 2014029677A1 EP 2013067021 W EP2013067021 W EP 2013067021W WO 2014029677 A1 WO2014029677 A1 WO 2014029677A1
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optoelectronic component
layer
electromagnetic radiation
optoelectronic
spectrum
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PCT/EP2013/067021
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Thomas Wehlus
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses

Definitions

  • an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided.
  • An opto-electronic device e.g., an organic electronic device
  • OLED Light Emitting Diode
  • a white organic light emitting diode (White
  • Organic Light Emitting Diode, WOLED), a solar cell, etc. on an organic basis is usually characterized by a mechanical flexibility and moderate
  • an organic-based optoelectronic device can potentially be manufactured inexpensively due to the possibility of large-scale manufacturing methods (e.g., roll-to-roll manufacturing processes).
  • organic light emitting diode organic light
  • a surface can be understood, for example, as a table, a wall or a floor.
  • An organic optoelectronic component for example an OLED, may comprise an anode and a cathode
  • the organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structures of each two or more carrier pair generation layers ("Charge generating layer", CGL)
  • Charge carrier pair generation and one or more
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing current flow.
  • s electron transport layer
  • the luminance of OLED is limited by the maximum current density that can flow through the diode.
  • To increase the luminance of an OLED is
  • the color and luminance, the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component, or the physiologically perceived color (color valence) of the illuminated surface can be separated by means of a separate
  • the separated individual colors can be individually
  • the desired color mixing can be achieved.
  • a plurality of optoelectronic components or a complicated control of the individual emitter layers may be necessary.
  • Emitter layers can vary in strength
  • an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided with which it is possible to set the color valence of an illuminated surface or the configuration of an absorbed wavelength spectrum with only one optoelectronic component.
  • an organic substance regardless of the respective state of aggregation, can be present in chemically uniform form
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid Understand substance (s).
  • material can be used synonymously with the term “substance”.
  • the optoelectronic component device comprising: an optoelectronic component; wherein the optoelectronic component has a planar surface and wherein from the planar surface of the optoelectronic component, an electromagnetic radiation is provided in an image plane of the optoelectronic component and / or an electromagnetic radiation from an object plane of the optoelectronic component is provided and received by the optoelectronic component; wherein the optoelectronic component is set up in such a way that the spectrum of the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic component or of the component picked up by the optoelectronic component,
  • electromagnetic radiation is adjusted by means of a deflection of the optoelectronic component, wherein the deflection is formed as an alignment of the surface normal of the planar surface of the optoelectronic component to the surface normal of the image plane and / or the surface normal of the obj ektebene.
  • Component be configured as a light emitting diode, for example as an organic light emitting diode.
  • a source of electromagnetic radiation may be arranged in the object plane.
  • Component be configured as a solar cell.
  • the first deflection may be a first solid angle between the surface normal of the
  • the first solid angle may have an amount value in a range of about 0 ° to about 90 °.
  • the first deflection may be implemented as a rotation of the optoelectronic component about the
  • the second angle may have an amount value in a range of about 0 ° to about 180 °
  • Component device further comprise a holder, wherein the optoelectronic component is held by the holder.
  • the holder can be rotatable about the axis of rotation of the first solid angle and / or rotatable about the surface normal of the optoelectronic component
  • the Hal tion may be formed stationary, i. immobile.
  • Component device further comprises at least one reflector with a, for electromagnetic radiation, reflective Have surface.
  • a reflector with a, for electromagnetic radiation, reflective Have surface.
  • the reflective surface for example, the proportion of a
  • Optoelectronic device provided in the direction of the image plane, electromagnetic radiation can be increased.
  • the reflector may be such
  • Component provided electromagnetic radiation, at least partially by means of the reflective surface of the reflector, is deflected by the optoelectronic component on the image plane.
  • Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component away from the image plane, are deflected by means of the reflector on the image plane.
  • the reflector may be such
  • the part of the electromagnetic radiation emitted from the object plane from the optoelectronic component can be deflected by means of the reflective surface of the reflector onto the optoelectronic component.
  • the reflector may be stationary, i. immobile.
  • the reflector may be designed to be movable.
  • the movement of the reflector may be formed as at least one second deflection, for example a rotation about a third angle.
  • Reflector be coupled to the first deflection of the optoelectronic device.
  • provided electromagnetic radiation on the reflective surface of the reflector has a different value on iron than on the optoelectronic device.
  • Image plane and / or obj ektebene can be a mixing of the
  • composition be formed.
  • Component device further comprising a housing, wherein the housing at least partially surrounds the opto-electronic device.
  • the housing may be at least partially configured as a reflector, for example by means of at least one reflective inner surface.
  • the housing may have at least one aperture in the light path of the optoelectronic component and / or in the light path of the reflective surface of the reflector, for example at least one
  • a plurality of apertures in the light path may be at a constant distance from each other. In yet another embodiment, a plurality of apertures in the light path at a different distance from each other
  • the electromagnetic radiation provided by an optoelectronic component i. a nonlinear
  • the method comprising: providing and / or recording a spectrum of electromagnetic
  • a surface to be illuminated can be arranged in the image plane. In yet another embodiment of the method, the
  • Optoelectronic component be configured as a light emitting diode, for example as an organic light emitting diode.
  • a light emitting diode for example as an organic light emitting diode.
  • Optoelectronic component to be set up as a solar cell.
  • the change of the solid angle may be a change of a first solid angle between the surface normal of the optoelectronic component and the surface normal of the image plane of the optoelectronic element
  • Optoelectronic component device can be understood in this sense as deflecting one of the surface normals.
  • the deflection of one of the surface normals may be formed automatically, for example as a tag arc of the sun, wherein the electromagnetic radiation source as
  • the first solid angle can be formed as a sun position to a solar cell.
  • the first solid angle can be used as a value having an amount in a range of about 0 ° to about 90 0th
  • the change of the solid angle can have as a rotation of the optoelectronic component about the surface normal of the optoelectronic component by a second angle.
  • the second angle may have as value an amount in a range of about 0 ° to about 180 °.
  • Optoelectronic component device further a
  • Spectrum is formed by means of a rotation of the holder.
  • the electromagnetic radiation received by an optoelectronic component can be determined at least partially from the object plane of the reflector by means of the reflecting surface of a reflector
  • optoelectronic component are deflected to the optoelectronic component.
  • the reflector may be designed to be movable, wherein changing the Jardinwinke.ls the electromagnetic radiation by means of a second
  • Deflection of the reflector is formed.
  • provided spectrum can be the spectrum of
  • Optoelectronic device is provided. The recorded by the optoelectronic component or
  • provided spectrum of electromagnetic radiation can be the same over all solid angles.
  • the spectrum of an optoelectronic component recorded or provided under a solid angle can be used
  • Radiation can be changed by changing the solid angle.
  • the reflecting surface of the reflector can therefore deflect a different spectrum of electromagnetic radiation than is directly recorded and / or provided by the optoelectronic component at a solid angle.
  • the changing of the spectrum can be formed with at least one aperture in the light path of the optoelectronic component and / or in the light path of the reflecting surface, for example at least one slit or slit.
  • Slit planes can be designed in such a way that incident on the slit diaphragm electromagnetic
  • a multiplicity of diaphragms can be formed in the light path of the electromagnetic radiation of the optoelectronic component, the plurality of diaphragms having a constant or different distance from one another.
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 2 color coordinates of an optoelectronic component in a standard color chart, according to various
  • 3 shows schematically two different deflections of an optoelectronic component, according to various embodiments
  • Figure 4 is a schematic cross-sectional view of a
  • Optoelectronic component device according to various embodiments.
  • Figure 5 is a schematic cross-sectional view of a
  • Optoelectronic component device according to various embodiments.
  • Figure 6 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 7 shows a concrete embodiment of a
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a structure of FIG.
  • a carrier pair generation layer according to various embodiments.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various aspects
  • the optoelectronic component 100 in the form of a
  • Organic light emitting diode 100 may include a carrier 102.
  • the carrier 102 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
  • the carrier 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material. Further, the carrier 102 may be a
  • the plastic may be one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride ⁇ PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • the carrier 102 may be one or more of the above
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm).
  • Translucent layer in various embodiments to understand that essentially the whole in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case.
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • the carrier 102 On or above the carrier 102 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104.
  • the barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • the barrier layer 104 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0, 1 nrc (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of
  • an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged on or above the barrier layer 104.
  • the electrically active region 106 can be understood as the region of the light-emitting component 100 in which an electrical current for operating the
  • the electrically active region 106 may have a first electrode 110, a second electrode 114 and an organically functional layer system 112, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 110 (eg, in the form of a first
  • Electrode layer 110 may be applied.
  • the first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers thereof Metal or different metals and / or the same TCO or different TCO.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, S11O2, or In 2 03
  • ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSnÜ 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 In 2 05 or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these substances.
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium-tin oxide
  • ITO-Ag-ITO multilayers Silver layer deposited on an indium-tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • Electrode 110 one or more of the following substances
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode 110 may be electrically conductive
  • Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 110 comprises or is formed from a metal
  • the first electrode 110 may, for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one
  • the first electrode 110 may, for example, have a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 110 a the first electrode 110 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of about 100 nm to about 150 nm.
  • a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of about 100 nm to about 150 nm.
  • the first electrode 110 of, for example, a network of metallic nanowires, such as Ag, which may be combined with conductive polymers
  • a network of carbon nanotubes combined with conductive polymers may be used can be formed, or graphene layers and composites, the first electrode 110, for example one
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly applied to the first electrode 110.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer system 112 may include one or more organic functional layer structures 116, 120. In various embodiments, however, the organic electroluminescent layer structure 110 may also be more than two organic functional ones
  • Fig.l Have layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more.
  • Fig.l are a first organic functional
  • the first organic functional layer structure 116 may be disposed on or above the first electrode 110.
  • Layer structure 120 may be disposed on or above the first organic functional layer structure 116.
  • a charge carrier pair generation layer structure 118 (CGL) may be arranged between the first organic functional layer structure 116 and the second organic functional layer structure 120.
  • Layer structure may be provided a respective charge carrier pair generation layer structure.
  • each of the organic functional layer structures 116, 120 may each comprise one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-line layers (not shown in FIG Hole transport layer (s)).
  • one or more electronic conductor layers ⁇ also referred to as electron-transport layer (s)) may be used.
  • Embodiments for the emitter layer (s) 706, 710 can be used include organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl) (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light-emitting device 100 may be selected such that light-emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) may include several emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) may also be constructed of a plurality of sublayers, such as a blue emitting emitter push or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter coat, and a red phosphorescent emitter layer.
  • a blue emitting emitter push or blue phosphorescent emitter layer such as a blue emitting emitter push or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter coat, and a red phosphorescent emitter layer.
  • Layers generated primary emission to arrange a converter material that absorbs the primary radiation at least partially and emits a secondary radiation of different wavelength, so that from a (not yet white)
  • the emitter materials of various organic functional layer structures can be chosen, or be, that, although the individual emitter materials light
  • a light preset Color such as white light
  • the organic functional layer structures 116, 120 may generally comprise one or more electroluminescent
  • electroluminescent layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic monomers,
  • Layer structure 116, 120 one or more
  • the organic functional layer structure 116, 120 may include one or more functional layers, which may be referred to as a Electron transport layer 708, 712 (see also Figure 7) is executed or are, so that, for example, in an OLED effective electron injection into a
  • electroluminescent region is made possible.
  • a material for the hole transport layer 70, 810 for example, tertiary amines,
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 704 (see also Fig. 7) on or above the first electrode 110 or the Lochinj etechnischs slaughter 702nd
  • the first emitter layer 706 can be applied to or over the first hole transport layer 704 (see also FIG. 7), for example deposited.
  • the first electron transport layer 708 may be on or above the first
  • Emitter layer 706 applied, for example, be deposited.
  • the first Emitter layer 706 applied, for example, be deposited.
  • Charge pair generation structure 118 is applied to or over the first electron transport layer 708,
  • Embodiments may include second emitter layer 710 on or above the charge carrier pair generation structure 118
  • Electron transport layer 712 applied to or over the second emitter layer 710, for example deposited.
  • the organic functional layer system 112 ie, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 704, 810 and emitter layer (s) 706, 710, and
  • Charge carrier pair generation structure 118 have a layer thickness of at most approximately 1.5 ⁇ , for example one
  • Layer thickness of a maximum of about 1, 2 ⁇ for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm, for example, a layer thickness of about 400 nm, for example, a maximum layer thickness about 300 nm.
  • Layer system 112 for example, a stack of a plurality of directly superimposed organic light-emitting diodes (OLEDs), wherein each OLED example, a
  • Layer thickness may have a maximum of about 1.5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm, for example a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of ma imal about 300 nm.
  • the organic functional layer system 112 for example, a stack of two, three or four directly stacked OLEDs have, in which case, for example
  • organic functional layer system 112 a
  • Layer thickness may have a maximum of about 3 ⁇ , ⁇ .
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Emitter layers 708, 710 or on or over the or the electron transport layer (s) 712 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • the second electrode 114 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 114), as described above.
  • Electrode 114 have the same substances or be formed from it as the first electrode 110, wherein in
  • Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nra,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 110.
  • the second electrode 114 in various embodiments, may be formed of one or more of the materials and having the respective layer thickness, as discussed above the first electrode 110 described. In different
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both translucent or transparent
  • light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 114 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may, for example, be a value of iron such that the difference to the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • On or above the second electrode 114 and thus on or above the electrically active region 106 may optionally be an encapsulation 108, for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • a “barrier thin film” 108 or a “barrier thin film” 108 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier thin film 108 is so trained that they like OLED-damaging substances
  • the barrier skin layer 108 may be implemented as a single layer (in other words, as a single layer)
  • the barrier skin layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • the barrier skin layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • Barrier layer 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier skin layer 108 or one or more sublayers of the barrier skin layer 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition process plasmaless
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 108 having multiple sublayers, all sublayers by an atomic layer deposition process be formed.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • Barrier layer 108 which has multiple sub-layers, one or more sub-layers of the barrier layer 108 by means of a different deposition method than a
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin film 108 different iron thickness aufv / iron. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin-film layer 108 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent).
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the Barrier thin layer 108 include or may be formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • Protective varnish 124 may be provided, by means of which, for example, a cover 126 (for example, a glass cover 126) attached to the barrier thin layer 108, for example, is glued.
  • a cover 126 for example, a glass cover 1266 attached to the barrier thin layer 108, for example, is glued.
  • Protective varnish 124 has a layer thickness of greater than 1 ⁇
  • the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer in various embodiments, light-scattering particles may be embedded which lead to a further improvement of the color angle distortion and the
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example, dielectric scattering particles such as, for example, metal oxides such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrC> 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO ), Gallium oxide (Ga 2 O a ) Alumina, or titania.
  • dielectric scattering particles such as, for example, metal oxides such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrC> 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO ), Gallium oxide (Ga 2 O a ) Alumina, or titania.
  • Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver
  • an electrically insulating layer is disposed between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124.
  • Si for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1, 5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to protect electrically unstable substances, for example during a
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 124, for example in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, are applied to the barrier thin layer 108 by means of, for example, plasma spraying.
  • the / may
  • Cover 126 and / or the adhesive 124 has a refractive index
  • spectral color characteristic 206 and the color temperature characteristic 208 of a black body are also visible.
  • measured color locations 210 are an opto-electronic
  • Component 100 shown according to various embodiments at different solid angles 212.
  • the optoelectronic device 100 may include color loci 210 formed approximately on the color temperature characteristic 208 of a blackbody in a color temperature range of about 3500K to about 5800K.
  • FIG 3 shows schematically two different Au steering an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • the surface normal 304 of an optoelectronic component 100 may be parallel to the Surface normal 306 an Obj ektebene 302 or an image plane 302 aligned.
  • the image plane 302 can be understood as a plane in which the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic component 100 can be accommodated.
  • the optoelectronic component 100 may be formed, for example, as an organic light emitting diode.
  • the object plane 302 can be understood as a plane in which the electromagnetic radiation that can be picked up by the optoelectronic component 100 is made available.
  • the optoelectronic component 100 may be designed, for example, as a solar cell and the radiation source as the sun or projection of the sun, for example, on the earth's surface or a sun
  • the optoelectronic component device may have a solid angle 322 between the surface normal 304 of the optoelectronic component 100 and the surface normal 306 of the object plane 302 or
  • the second embodiment 320 may comprise a rotation about one of the geometric axes of the optoelectronic component 100, for example a rotation in the plane of the drawing or a rotation perpendicular to the plane of the drawing. However, the second embodiment may also as a rotation of the
  • Obj ektebene be understood, for example, as a day arc of the sun, where the value of the solid angle 322 can be understood as the sun's position.
  • the solid angle 322 may have a value with an amount in a range of about 0 0 to about 90 0 , for example about 0 °.
  • the second embodiment 320 of the solid angle may have a value at an amount in a range of about 0 ° to about 90 ° 322, for facing to about 75 0th
  • the optoelectronic component 100 can be designed such that the color valence in the image plane and / or the absorbable wavelength spectrum of the
  • electromagnetic radiation of the object plane can be changed by means of the solid angle 322 of the deflection.
  • FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic construction device, according to FIG.
  • Optoelectronic device 100 a holder 402 on iron.
  • the optoelectronic component 100 can be designed according to one of the embodiments of the description of FIG.
  • the holder 402 may be movable, for example rotatable.
  • a movable holder 402 can open
  • Object plane 302 and / or an image plane 302 allow.
  • the component device can be set up such that changing the solid angle 322 with a
  • electrical control is connected, for example, similar to a dimmer.
  • FIG. 5 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to FIG.
  • the device device 500 may include an opto-electronic device 100 in a housing 502.
  • the optoelectronic component 100 may be designed in accordance with one of the embodiments of the description of FIG.
  • Component 100 for example, according to one of
  • the housing 502 can at least one aperture 504
  • the electromagnetic radiation which is not emitted downwards by the optoelectronic component, can be absorbed by the housing. This can ensure that there is no impairment of the color variance of the electromagnetic radiation provided with electromagnetic radiation of others
  • the diaphragms can thereby collimate the electromagnetic radiation and / or filter the spectrum of the electromagnetic radiation, for example similar to one
  • the housing 502 may have more than one aperture 504 in the optical path of the optoelectronic device 100, for example two, three, four, five, six or more.
  • the distance 506 between adjacent apertures 504 may be constant or
  • optoelectronic component 100 to the housing 502 decrease or increase, for example, in a
  • the diaphragms 504 may, for example, the shape of similar or equal concentric rings, slats and / or of
  • the housing 502 may have the shape similar or equal to one
  • Hollow cylinder, a hollow sphere, a cuboid and / or a polygon have.
  • FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device, according to FIG.
  • Component device 600 at least one reflective surface of a reflector 604 in an optical path 602, 606 of the optoelectronic component 100 have.
  • the optoelectronic component 100 may be formed according to one of the embodiments of the description of FIG. Furthermore, the holder 402 of the optoelectronic
  • Component 100 for example, according to one of
  • the optoelectronic component device a housing 502, for example, according to one of
  • the reflective surface of the reflector 604 may
  • Optoelectronic device 100 is provided in a different direction than the directly provided
  • Component 100 may be provided at a first solid angle 322, for example 0 °, a first spectrum of electromagnetic radiation.
  • a second spectrum for example 0 °
  • Electromagnetic radiation can be at a second
  • Solid angle 322 for example, be provided with an amount of 45 0 . Electromagnetic radiation of the second spectrum is, however, provided at solid angles at -45 ° and + 45 °. Since the optoelectronic component 100 only with a solid angle 322 to the image plane 302 or
  • Object level 302 can be aligned, only half of the below a solid angle with an amount of 45 0
  • the emitted spectrum can be used to illuminate the image plane 302, for example the part of the spectrum which is provided at a spatial angle of + 45 °.
  • the second half of the second spectrum can be redirected to the image plane 302, for example the part of the spectrum which is at a solid angle of -45 °
  • the efficiency of the optoelectronic component 100 can be increased.
  • the angle of incidence for electromagnetic radiation on the reflective surface of the reflector 604 may be discrete or continuously adjusted and changed stationarily or dynamically.
  • a stationary set angle of incidence can be any stationary set angle of incidence.
  • a stationary reflector 604 may be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604.
  • a stationary reflector 604 may be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604.
  • a stationary reflector 604 may be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604.
  • a stationary reflector 604 may be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604.
  • Housing be formed, for example, as a reflective inner surface of the housing 502 one of the embodiment of the description of Figure 5.
  • Dynamic adjustment of the angle of incidence may be realized with a movable reflector 604, for example as a movable mirror 604.
  • the second deflection of the reflector 604 may, for example, be coupled to the deflection 404 of the optoelectronic component 100.
  • the angle of incidence of electromagnetic radiation on the reflecting surface of the reflector 604 may be equal to or different from the solid angle 322 of FIG.
  • Component 100 may be formed.
  • Electromagnetic radiation which, for example, from an optoelectronic component 100 according to one of
  • Embodiments of Fig.l is provided, on the reflective surface of the reflector 604 may have a different angle of incidence than the solid angle 322 of
  • the spectrum of the electromagnetic radiation in the image plane 302 can be changed, since the optoelectronic component 100 depends on the Solid angle 322 can provide a spectrum electromagnetic radiation with variable color variance.
  • the reflective surface of the reflector 604 and the optoelectronic component 100 may be configured such that the electromagnetic radiation 606 deflected in the direction of the image plane 302 has a different spectrum than that of the spectrum provided directly by the optoelectronic component 100
  • electromagnetic radiation 602. The spectrum of indirectly provided electromagnetic radiation 606 and the spectrum of directly provided electromagnetic
  • Radiation 602 may thereby be superimposed in the image plane 302, i. a color mixture can be adjusted.
  • the reflective surface of the reflector 604 and the optoelectronic component 100 may be configured such that the direction of the
  • Component 100 has as the directly on the
  • Electromagnetic radiation 602. The indirect
  • provided electromagnetic radiation 606 and the directly provided electromagnetic radiation 602 can thereby be mixed in the optoelectronic device 100.
  • the first organic functional layer structure 116 a Lochinj etechnischs für sat 702nd
  • a hole transport layer can be understood as an electron block layer.
  • Electron transport layer can be understood as a Lochblockadetik.
  • aNPD MoO X / PEDOT: PSS, HT508;
  • DPFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • the Lochinj edictions slaughter 702 may have a layer thickness
  • a first hole transport layer 704 may be applied, for example
  • the first hole transport layer 704 may comprise or consist of one or more of the following materials:
  • NPB N 1 -bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine
  • DPFL-TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dipheny1-fluorene);
  • DPFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • the first hole transport layer 704 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
  • a first emitter layer 706 may be applied, for example deposited.
  • the emitter materials that may be provided for the first emitter layer 706, for example, are described above.
  • Emitter layer 706 have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
  • a first electron transport layer 708 may be arranged, for example deposited, on or above the first emitter layer 706.
  • Electron transport layer 708 comprise or consist of one or more of the following materials:
  • Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides
  • Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides fabrics based on siloles with a
  • the first electron transport layer 708 may be a
  • Layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
  • Layer structure 116 is a charge generation layer (CGL) layer structure 118
  • the carrier pair generation layer structure 118 may be in different
  • the second organic functional layer structure 120 may be arranged.
  • the second organic functional layered structure 120 may in various embodiments include a second
  • Hole transport layer 810 also as hole-conducting
  • Charge pair E- generating layer 810 can be designated and is arranged as part of the charge carrier pair generation layer structure 118.
  • the second hole transport layer 810 may be in physical contact 808 with the first electron conductive carrier pair.
  • Hole transport layer 810 or hole-conducting charge carrier pair generation layer 810 one or more of the following materials or a stoichiometric variant of these
  • DMFL-NPB (', - bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethy1-fluorene);
  • DPFL-TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
  • DPFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • the second hole transport layer 810 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
  • Layer structure 120 a second emitter layer 710
  • the second emitter layer 710 may have the same emitter materials as the first one
  • Emitter layer 710 be set up so that they
  • electromagnetic radiation for example, visible
  • the second emitter layer 710 may be configured to emit electromagnetic radiation, such as visible light, others
  • Wavelength ⁇ n Wavelength emitted as the first emitter layer 706.
  • the emitter materials of the second emitter layer may be materials as described above.
  • Layer structure 120 may include a second electron transport layer 712, which may be disposed on or over the second emitter layer 710, for example, deposited.
  • the second electron transport layer 712 may be disposed on or over the second emitter layer 710, for example, deposited.
  • the second electron transport layer 712 may be disposed on or over the second emitter layer 710, for example, deposited.
  • Electron transport layer 712 one or more of
  • the second electron transport layer 712 may be a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 50 nm, for example in a range of
  • Electron injection layer 714 applied, for example deposited.
  • Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides
  • Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides fabrics based on siloles with a
  • the electron injection layer 714 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 700 nm, for example, in a range of about 70 nm to about 50 nm, for example about 40 nm.
  • the (optional) second hole transport layer 810, the second emitter layer 710, the (optional) second electron transport layer 712, and the (optional) electron injection layer 714 form the second organic functional layer structure 120.
  • the organic electroluminescent layer structure 110 (ie.
  • Electron transport layer (s), etc. ) have a layer thickness of at most about 1, 5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1.2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm , For example, a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of at most about 800 nm.
  • the organic electroluminescent layer structure 110 may include a stack of several directly stacked organic
  • OLEDs Light-emitting diodes
  • a layer thickness may have a maximum of about 1.5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1.2 / im, for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of at most approximately 800 nm.
  • the organic electroluminescent layer structure 110 may, for example, comprise a stack of two, three or four directly superimposed OLEDs, in which case, for example organic electroluminescent
  • Layer structure 110 may have a layer thickness of at most about 8 ⁇ .
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Layer structure 110 or optionally on or over the one or more other organic compound
  • the optoelectronic component 100 may be designed such that the spectrum of, from which
  • electromagnetic radiation is dependent on the
  • the optoelectronic component can be realized for example by means of conventional organic substances.
  • the organic species may have a refractive index in a range of about 1.6 to about 1.9, for example about 1.8, at a wavelength of about 550 nm.
  • the optoelectronic component may have an organic functional layer structure which absorbs and / or provides electromagnetic radiation associated with blue light, for example with a wavelength in a range from approximately 430 nm to approximately 490 nm.
  • the optoelectronic component may have an organic functional layer structure that can absorb and / or provide electromagnetic radiation that is associated with green light.
  • the optoelectronic device may comprise an organic functional layer structure that can absorb and / or provide electromagnetic radiation associated with red light,
  • the optoelectronic component can have two or more organic functional layer structures, which are blue, green and / or red light
  • the organic functional layer structures may be formed such that a
  • Dependence of the color valence, for example the correlated color temperature, of the provided and / or recorded electromagnetic radiation is realized by the angle of incidence and / or the angle of reflection.
  • Layered structures provided electromagnetic radiation can be mixed, for example, such that the provided electromagnetic radiation in the image plane of the optoelectronic component device, a white Farbvalenz, similar to or equal to a black
  • the optoelectronic component of the optoelectronic component device can be such
  • Electron injection layer 714 has a thickness in a range of about 45 nm and about 65 nm,
  • Charge pair generation layer 114 has a thickness in a range of about 120 nm and about 140 nm, for example, about 135 nm.
  • Hole injection layer 702 has a thickness in a range of about 250 nm and about 290 nm on iron, for example about 270 nm.
  • Electron transport of an organic functional layer structure has a combined thickness, i. Total thickness, in a range of about 20 nm to about 40 nm.
  • red light for example, from red light to green light
  • electromagnetic radiation having a wavelength of about 610 nm to about 580 nm.
  • electromagnetic radiation having a wavelength of about 610 nm to about 580 nm.
  • Electron injection layer 714 have a thickness in a range of about 45 nm and about 65 nm,
  • Charge pair generation layer 114 has a thickness in one Range of about 105 nm and about 145 nm, for example about 125 nm.
  • Hole injection layer 702 has a thickness in a range of about 170 nm and about 210 nm, for example about 190 nm.
  • Electron transport layer of an organic functional layer structure has a combined thickness, i. Total thickness, in a range of about 20 nm to about 40 nm.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view of the structure of a charge carrier pair E-generating layer 114 according to various embodiments.
  • a charge carrier pair E-generating layer 114 according to various embodiments.
  • electron conductive charge carrier pair generation layer 802 may be disposed on or over the first electron transport layer 708, for example, with this in FIG.
  • the first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 may be disposed on or above the first electron-conductive charge carrier pair generation layer 802, optionally between these two layers 802, 806 an intermediate layer 804 may be provided. On or above the first electron-conducting
  • Charge pair generation layer 806 may be the second
  • Charge pair generation layer 810 may be disposed and is in physical contact therewith (designated by reference numeral 808 in Fig. 8).
  • the second hole transport layer 810 may also be referred to as
  • Charge carrier pairs at the common interface 808 of the first electron-carrier charge carrier pair generation layer 806 are separated with the hole transport layer 810.
  • the hole transport layer 810 In various embodiments, the
  • Interlayer 804 (also referred to as "InterLayer")
  • the interlayer 804 may create states in the bandgap of the carrier pair generation layers 802, 806 and facilitate carrier pair separation.
  • the intermediate layer 804 may further include a
  • Layer interdiffusion e.g. organic portions of the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 into an organic first electron-conducting layer
  • optoelectronic component 100 for example an OLED.
  • Carrier pair generation layer 802, interlayer 804, or one of the layers, i. the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 and / or the first electron-carrier charge-carrier generation layer 806 may include or consist of an inorganic substance.
  • the intermediate layer can prevent abreaction of the first electron-carrier charge carrier generation layer 806 with the second electron-carrier charge-carrier generation layer 802, i. the intermediate layer 804 may form a reaction barrier.
  • intermediate layer 804 may be the
  • electron-conducting charge carrier pair generation layer is reduced or compensated by means of the intermediate layer 804.
  • the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may be composed of a plurality of substances, for example, a mixture of substances, or of a single substance (for this reason, the second electron-conducting
  • Charge pair generation layer 802 also as undoped second electron conductive carrier pair generation layer 802).
  • Charge pair generation layer 802 forms, that is, for example, the substance from which the second
  • Electronically conductive charge carrier pair generation layer 802 can be a high Elektronenleitfschreib
  • the order of magnitude is better than about 10 S / m, for example, better than about 10 6 S / m, for example
  • the substance of the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may be a low
  • electron-conducting charge carrier pair generation layer 802 may be provided which satisfies all of these conditions, for example a NET 18 matrix with NDN-26 dopant (mixture of substances) or NDN-26, MgAg, CS 2 CO 3, CS 3 PO 4, Na, Ca , K, Mg, Cs, Li, LiF (substance).
  • NDN-26 dopant mixture of substances
  • NDN-26, MgAg, CS 2 CO 3, CS 3 PO 4 Na, Ca , K, Mg, Cs, Li, LiF (substance).
  • the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example in a range of about 8 nm to about 100 nm, for example in one
  • the first nm to about 90 nm for example in a range of about 70 nm to about 80 nm, for example in a range of about 80 nm to about 70 nm, for example in a range of about 40 nm to about 60 nm, for example a layer thickness of about 50 nm.
  • the first nm to about 90 nm for example in a range of about 70 nm to about 80 nm, for example in a range of about 80 nm to about 70 nm, for example in a range of about 40 nm to about 60 nm, for example a layer thickness of about 50 nm.
  • Electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 of several substances so for example a mixture of substances, or also be composed of a single substance (for this reason, the first electron-conducting
  • Carrier pair generation layer 806 may also be referred to as undoped first electron-conductive carrier couple generation layer 806).
  • Charge pair generation layer 806 forms, that is, for example, the substance from which the first
  • a high conductivity for example, a conductivity on the order of, for example
  • 10 S / m for example, better about 10 S / m.
  • Charge pair generation layer 806 has a high
  • Work function for example, a work function in a range of about 8.5 eV to about 5.5 eV
  • the material of the first electron-conducting charge carrier aar generation layer 806 can be any material or material that satisfies these conditions, for example HATCN, Cu (I) FBz, MoO x , W0 x / x V0, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP - 9, Bi (III) pFBz, F16CuPc.
  • electron-conductive charge carrier pair generation layer 806 have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example in a range of about 8 nm to about 100 nm, for example in a range of about 10 nm to about 90 nm, for example in a range of about 70 nm to about 80 nm, for example in a range of about 80 nm to
  • about 70 nm for example in a range of about 40 nm to about 60 nm, for example, a layer thickness of about 50 nm.
  • the first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 may, in various embodiments, comprise a substance or substance mixture with high conductivity and a conduction band (Lowest Unoccupied Molecule Orbital,
  • Charge pair generation layer 802 is formed.
  • the substance or mixture of the first electron-carrier charge carrier generation layer 806 has a LUMO that is approximately the same height as the HOMO of the material or
  • the charge carrier pair is at the common Gren surface 808 of the hole transport layer 810 with the first
  • electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 is generated and separated such that the hole of the generated charge carrier pair in the hole transport layer 810 to
  • Emitter layer 710 of the second organic functional layer structure 120 is transported and wherein the
  • the hole transport layer 810 may additionally be configured as a hole-conducting charge carrier pair generation layer 810.
  • the intermediate layer 804 may have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 700 nra,
  • Intermediate layer 804 may be direct or indirect.
  • the substance or mixture of the intermediate layer 804 may be an electrical insulator for an indirect charge carrier line.
  • the HOMO of the electrically insulating material of the intermediate layer 804 may be higher than the LUMO of the immediately adjacent first electron-conductive carrier pair generation layer 806 and higher than the HOMO of the directly adjacent second electron-carrier charge carrier generation layer 802. This allows a tunneling flow to take place through the intermediate layer 804.
  • Suitable material for the intermediate layer 804 may be
  • phthalocyanine for example, unsubstituted phthalocyanine;
  • metal oxide phthalocyanine compounds for example
  • CuPc copper phthalocyanine
  • AlPc aluminum phthalocyanine
  • NiPc nickel phthalocyanine ⁇ NiPc
  • FePc iron phthalocyanine
  • ZnPc zinc Phthalocyanine
  • MnPC manganese phthalocyanine
  • Electron transport layer 708 NET 18 with a layer thickness of approximately 10 nm second electron-conducting charge carrier pair generation layer 802:
  • NET-18 doped with NDN-26 for example at a concentration of about 8% by volume of the composition ( with a layer thickness of about 50 nm;
  • first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806:
  • HAT-CN with a layer thickness of approximately 5 nm.
  • CuGa0 2 with a layer thickness of about 50 nm.
  • the charge carrier pair generation layer structure 114 has an adjacent one
  • Hole transport layer 810 and electron transport layer 708 have the following layers:
  • Electron transport layer 708 is Electron transport layer 708
  • NET-18 doped with NDN-26 for example at a concentration of about 8% by volume of the mixture, with a layer thickness of about 50 nm;
  • first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806:
  • HAT-CN with a layer thickness of approximately 5 nm.
  • an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided with which it is possible, by means of a technically simple structure, the To change color valence in an image plane or that

Landscapes

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Abstract

In various exemplary embodiments, an optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) is provided, the component device (300, 400, 500, 600) comprising an optoelectronic component (100); wherein the optoelectronic component (100) has a planar surface and wherein, from the planar surface of the optoelectronic component (100), electromagnetic radiation is provided into an image plane (302) of the optoelectronic component (100) and/or electromagnetic radiation is provided from an object plane (302) of the optoelectronic component (100) and is picked up by the optoelectronic component (100); wherein the optoelectronic component (100) is designed in such a way that the spectrum of the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic component (100) or of the electromagnetic radiation picked up by the optoelectronic component (100) is set by means of a deflection (212, 322) of the optoelectronic component (100), wherein the deflection (212, 322) is embodied as an orientation of the surface normal (304) to the planar surface of the optoelectronic component (100) with respect to the surface normal (306) to the image plane (302) and/or the surface normal (306) to the object plane (302).

Description

Beschreibung description
Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Optoelectronic component device, method for
Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes Operation of an optoelectronic component
In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt . Ein optoelektronisches Bauelement (z.B. eine organische In various embodiments, an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided. An opto-electronic device (e.g., an organic electronic device)
Leuchtdiode (Organic Light Emitting Diode, OLED) , Light Emitting Diode (OLED),
beispielsweise eine weiße organische Leuchtdiode (White For example, a white organic light emitting diode (White
Organic Light Emitting Diode , WOLED) , eine Solarzelle , etc . ) auf organischer Basis zeichne sich üblicherweise durch eine mechanische Flexibilität und moderaten Organic Light Emitting Diode, WOLED), a solar cell, etc. ) on an organic basis is usually characterized by a mechanical flexibility and moderate
Herstellungsbedingungen aus . Verglichen mit einem Bauelement aus anorganischen Materialien kann ein optoelektronisches Bauelement auf organischer Basis aufgrund der Möglichkeit großflächiger Herstellungsmethoden (z.B. Rolle- zu-Rolle - Herstellungsverfahren) potentiell kostengünstig hergestellt werden .  Conditions of production. Compared to an inorganic material device, an organic-based optoelectronic device can potentially be manufactured inexpensively due to the possibility of large-scale manufacturing methods (e.g., roll-to-roll manufacturing processes).
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis , Organic-based optoelectronic components,
beispielsweise organische Leuchtdidode (organic light For example, organic light emitting diode (organic light
emitting diode - OLED) , finden daher zunehmend verbreitete Anwendung und können für die Beleuchtung von Oberflächen eingesetzt werden. Eine Oberfläche kann dabei beispielsweise als ein Tisch, eine Wand oder ein Fußboden verstanden werden . Ein organisches optoelektronisches Bauelement , beispielsweise eine OLED , kann eine Anode und eine Kathode mit einem Therefore, they are finding widespread application and can be used for the illumination of surfaces. A surface can be understood, for example, as a table, a wall or a floor. An organic optoelectronic component, for example an OLED, may comprise an anode and a cathode
organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen organic functional layer system in between
aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, i der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichtenstruktur aus j eweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichten („Charge generating layer", CGL) zur exhibit. The organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structures of each two or more carrier pair generation layers ("Charge generating layer", CGL)
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer  Charge carrier pair generation, and one or more
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Electron block layers, also referred to as
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromf luss zu richten.  Hole transport layer (HT), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing current flow.
Die Leuchtdichte von OLED ist unter anderem durch die maximale Stromdichte begrenzt, die durch die Diode fließen kann. Zum Erhöhen der Leuchtdichte einer OLED ist das Among other things, the luminance of OLED is limited by the maximum current density that can flow through the diode. To increase the luminance of an OLED is
Kombinieren von ein oder mehreren OLED aufeinander in Serie bekannt - sogenannte gestapelte/gestackte OELD oder eineCombining one or more OLEDs successively known in series - so-called stacked / stacked OELD or one
Tandem-OLED. Tandem OLED.
Die Farbe und Leuchtdichte, der von dem optoelektronischen Bauelement emittierten elektromagnetischen Strahlung, bzw. die physiologisch wahrgenommene Farbe ( Farbvalenz} der beleuchteten Oberfläche , kann mittels separierter The color and luminance, the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component, or the physiologically perceived color (color valence) of the illuminated surface, can be separated by means of a separate
Einzelfarben in einem optoelektronischen Bauelement Individual colors in an optoelectronic component
eingestellt werden. be set.
Die separierten Einzelfarben können dabei einzeln The separated individual colors can be individually
angesteuerte optoelektronische Bauelemente oder einzeln angesteuerte Emitterschichten eines optoelektronischen controlled optoelectronic components or individually controlled emitter layers of an optoelectronic
Bauelementes sein, wobei mittels Mischens der Einzelfarben der optoelektronischen Bauelemente oder Emitterschichten die gewünschte Farbmischung erreicht werden kann . Zum Einstellen einer gewünschten Farbvalenz können daher mehrere optoelektronische Bauelemente oder eine aufwendige Steuerung der einzelnen Emitterschichten notwendig sein . Die einzelnen optoelektronischen Bauelemente oder  Be component, wherein by mixing the individual colors of the optoelectronic components or emitter layers, the desired color mixing can be achieved. To set a desired color valence, therefore, a plurality of optoelectronic components or a complicated control of the individual emitter layers may be necessary. The individual optoelectronic components or
Emitterschichten können dabei unterschiedlich stark Emitter layers can vary in strength
beansprucht werden und daher unterschiedlich schnell verschleißen . Dadurch kann die Lebensdauer des gesamten optoelektronischen Bauelementes begrenzt werden. In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist die Farbvalenz einer beleuchteten Oberfläche oder die Ausgestaltung eines absorbierten Wellenlängenspektrum mit nur einem optoelektronischen Bauelement einzustellen . be claimed and therefore wear at different rates. As a result, the life of the entire optoelectronic component can be limited. In various embodiments, an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided with which it is possible to set the color valence of an illuminated surface or the configuration of an absorbed wavelength spectrum with only one optoelectronic component.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine , ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende , durch In the context of this description, an organic substance, regardless of the respective state of aggregation, can be present in chemically uniform form
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine , ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form characteristic physical and chemical properties characterized compound of the carbon. Furthermore, in the context of this description, an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaf en gekennzeichnete Verbindung ohne present compound characterized by characteristic physical and chemical properties without
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine, Carbon or simple carbon compound can be understood. In the context of this description, an organic-inorganic substance (hybrid substance) can be a
ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende , durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe , beispielsweise einen organischen Stoff , einen anorganischen Stoff , und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einemirrespective of the particular state of aggregation, in chemically uniform form, characterized by characteristic physical and chemical properties, of compounds containing carbon and free of carbon. In the context of this description, the term "substance" encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind . Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden. For example, components are very finely divided. As a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid Understand substance (s). The term "material" can be used synonymously with the term "substance".
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine In various embodiments, a
optoelektronische BauelementeVorrichtung bereitgestellt, die optoelektronische BauelementeVorrichtung aufweisend: ein optoelektronisches Bauelement; wobei das optoelektronische Bauelement eine flächige Oberfläche aufweist und wobei von der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes eine elektromagnetische Strahlung in eine Bildebene des optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt wird und/oder eine elektromagnetische Strahlung von einer Objektebene des optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt und von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommen wird; wobei das optoelektronische Bauelement derart eingerichtet ist , dass das Spektrum der, von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellten, elek romagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommenen, Optoelectronic component device provided, the optoelectronic component device comprising: an optoelectronic component; wherein the optoelectronic component has a planar surface and wherein from the planar surface of the optoelectronic component, an electromagnetic radiation is provided in an image plane of the optoelectronic component and / or an electromagnetic radiation from an object plane of the optoelectronic component is provided and received by the optoelectronic component; wherein the optoelectronic component is set up in such a way that the spectrum of the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic component or of the component picked up by the optoelectronic component,
elektromagnetischen Strahlung mittels einer Auslenkung des optoelektronischen Bauelementes eingestellt wird, wobei die Auslenkung als eine Ausrichtung der Flächennormale der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes zu der Flächennormale der Bildebene und/oder der Flächennormale der Obj ektebene ausgebildet ist . electromagnetic radiation is adjusted by means of a deflection of the optoelectronic component, wherein the deflection is formed as an alignment of the surface normal of the planar surface of the optoelectronic component to the surface normal of the image plane and / or the surface normal of the obj ektebene.
In einer Ausgestaltung kann in der Bildebene eine In one embodiment, in the image plane a
auszuleuchtende Oberfläche angeordnet sein. be illuminated surface to be illuminated.
In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische In yet another embodiment, the optoelectronic
Bauelement als Leuchtdiode eingerichtet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode . Component be configured as a light emitting diode, for example as an organic light emitting diode.
In einer Ausgestaltung kann in der Objektebene eine Quelle elektromagnetischer Strahlung angeordnet sein . In one embodiment, a source of electromagnetic radiation may be arranged in the object plane.
In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische In yet another embodiment, the optoelectronic
Bauelement als Solarzelle eingerichtet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die erste Auslenkung einen ersten Raumwinkel zwischen der Flächennormale des Component be configured as a solar cell. In yet another embodiment, the first deflection may be a first solid angle between the surface normal of the
optoelektronischen Bauelementes und der Flächennormale der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes und/oder der Flächennormale der Objektebene des optoelektronischen Optoelectronic component and the surface normal of the image plane of the optoelectronic component and / or the surface normal of the object plane of the optoelectronic
Bauelementes bilden. Form component.
In noch einer Ausgestaltung kann der erste Raumwinkel als Wert einen Betrag aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 90 ° . In yet another embodiment, the first solid angle may have an amount value in a range of about 0 ° to about 90 °.
In noch einer Ausgestaltung kann die erste Auslenkung als eine Drehung des optoelektronischen Bauelementes um die In yet another embodiment, the first deflection may be implemented as a rotation of the optoelectronic component about the
Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes um einen zweiten Winkel ausgebildet sein . Surface normal of the optoelectronic component to be formed by a second angle.
In noch einer Ausgestaltung kann der zweite Winkel als Wert einen Betrag aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 180 °, In yet another embodiment, the second angle may have an amount value in a range of about 0 ° to about 180 °,
In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische In yet another embodiment, the optoelectronic
Bauelementevorrichtung ferner eine Halterung aufweisen, wobei das optoelektronische Bauelement von der Halterung gehalten wird. Component device further comprise a holder, wherein the optoelectronic component is held by the holder.
In noch einer Ausgestaltung kann die Halterung drehbar um die Drehachse des ersten Raumwinkels und/oder drehbar um die Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes In yet another embodiment, the holder can be rotatable about the axis of rotation of the first solid angle and / or rotatable about the surface normal of the optoelectronic component
ausgebildet sein . be educated.
In noch einer Ausgestaltung kann die Hal erung stationär ausgebildet sein, d.h. unbeweglich. In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische In yet another embodiment, the Hal tion may be formed stationary, i. immobile. In yet another embodiment, the optoelectronic
Bauelementevorrichtung ferner wenigstens einen Reflektor mit einer, für elektromagnetische Strahlung, reflektierenden Oberfläche aufweisen. Mittels der reflektierenden Oberfläche kann beispielsweise der Anteil, der von einem Component device further comprises at least one reflector with a, for electromagnetic radiation, reflective Have surface. By means of the reflective surface, for example, the proportion of a
optoelektronischen Bauelement in Richtung der Bildebene bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung erhöht werden. Optoelectronic device provided in the direction of the image plane, electromagnetic radiation can be increased.
In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor derart In yet another embodiment, the reflector may be such
ausgebildet sein, dass die von einem optoelektronischen be formed that of an optoelectronic
Bauelement bereitgestellte elektromagnetische Strahlung , wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors , von dem optoelektronischen Bauelement auf die Bildebene umgelenkt wird. Dabei kann der Teil der Component provided electromagnetic radiation, at least partially by means of the reflective surface of the reflector, is deflected by the optoelectronic component on the image plane. The part of the
elektromagnetischen Strahlung , der von dem optoelektronischen Bauelement von der Bildebene weg emittiert wird, mittels des Reflektors auf die Bildebene umgelenkt werden. Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component away from the image plane, are deflected by means of the reflector on the image plane.
In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor derart In yet another embodiment, the reflector may be such
ausgebildet sein, dass die von einem optoelektronischen be formed that of an optoelectronic
Bauelement aufgenommene , elektromagnetische Strahlung, wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors , von der Ob ektebene des optoelektronischen Bauelementes auf das optoelektronische Bauelement umgelenkt wird. Dabei kann der Teil der elektromagnetischen Strahlung, der aus der Obj ektebene von dem optoelektronischen Bauelement weg emittiert wird, mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors auf das optoelektronische Bauelement umgelenkt werde . Component received, electromagnetic radiation, at least partially by means of the reflective surface of the reflector, is deflected by the ob ebenebene of the optoelectronic component to the optoelectronic device. In this case, the part of the electromagnetic radiation emitted from the object plane from the optoelectronic component can be deflected by means of the reflective surface of the reflector onto the optoelectronic component.
In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor stationär ausgebildet sein, d.h. unbeweglich. In yet another embodiment, the reflector may be stationary, i. immobile.
In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor beweglich ausgebildet sein . In noch einer Ausgestaltung kann die Bewegung des Reflektors als wenigstens eine zweite Auslenkung ausgebildet sein, beispielsweise eine Drehung um einen dritten Winkel . In noch einer Ausgestaltung kann die zweite Auslenkung desIn yet another embodiment, the reflector may be designed to be movable. In yet another embodiment, the movement of the reflector may be formed as at least one second deflection, for example a rotation about a third angle. In yet another embodiment, the second deflection of the
Reflektors mit der ersten Auslenkung des optoelektronischen Bauelementes gekoppelt sein. Reflector be coupled to the first deflection of the optoelectronic device.
In noch einer Ausgestaltung kann der Winkel der In yet another embodiment, the angle of
bereitgestellten elektromagne ischen Strahlung auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors einen anderen Wert auf eisen als auf dem optoelektronischen Bauelement . provided electromagnetic radiation on the reflective surface of the reflector has a different value on iron than on the optoelectronic device.
Mittels unterschiedlicher Winkel der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung auf der reflektierenden By means of different angles of the electromagnetic radiation provided on the reflecting
Ober läche und dem optoelektronischen Bauelementes zu der . Bildebene und/oder Obj ektebene kann ein Mischen des Upper surface and the optoelectronic component to the. Image plane and / or obj ektebene can be a mixing of the
umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche mit dem bereitgestellten Spektrum der Obj ektebene oder ein Mischen des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche mit dem bereitgestellten Spektrum des optoelektronischen deflected spectrum of the reflective surface with the provided spectrum of the object plane or a mixing of the deflected spectrum of the reflective surface with the provided spectrum of the optoelectronic
Bauelementes ausgebildet werden. In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Component be formed. In yet another embodiment, the optoelectronic
Bauelementevorrichtung ferner ein Gehäuse aufweisen, wobei das Gehäuse das optoelektronische Bauelement wenigstens teilweise umgibt . In noch einer Ausgestaltung kann das Gehäuse wenigstens teilweise als Reflektor eingerichtet sein, beispielsweise mittels wenigstens einer reflektierenden Innenfläche .  Component device further comprising a housing, wherein the housing at least partially surrounds the opto-electronic device. In yet another embodiment, the housing may be at least partially configured as a reflector, for example by means of at least one reflective inner surface.
In noch einer Ausgestaltung kann das Gehäuse wenigstens eine Blende im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes und/oder im Lichtweg der reflektierenden Oberfläche des Reflektors aufweisen, beispielsweise wenigstens eine In yet another embodiment, the housing may have at least one aperture in the light path of the optoelectronic component and / or in the light path of the reflective surface of the reflector, for example at least one
Schlitzblende oder Spaltblende . In noch einer Ausgestaltung kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg einen konstanten Abstand voneinander aufweisen . In noch einer Ausgestaltung kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg einen unterschiedlichen Abstand voneinander Slit diaphragm or slit diaphragm. In yet another embodiment, a plurality of apertures in the light path may be at a constant distance from each other. In yet another embodiment, a plurality of apertures in the light path at a different distance from each other
aufweisen. Der Abstand benachbarter Blenden kann exhibit. The distance between adjacent apertures can
beispielsweise von der geometrischen Mitte des for example, from the geometric center of the
optoelektronischen Bauelementes zum geometrischen Rand des optoelektronischen Bauelementes oder zum geometrischen Rand des Gehäuses hin zunehmen oder auch abnehmen . Dadurch kann bei einer nichtlinearen Raumwinke1abhängigkeit beispielsweise der von einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellten e1ektromagnetischen Strahlung, d.h. einer nichtlinearen optoelectronic component to the geometric edge of the optoelectronic component or to the geometric edge of the housing towards increase or decrease. As a result, in the case of a nonlinear space angle dependence, for example, the electromagnetic radiation provided by an optoelectronic component, i. a nonlinear
Raumwinke1abhängigkeit der Farbvalenz , ein Aufbereiten des bereitgestellten Spektrums der elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes  Raumwinke1abhängigkeit the color valence, a processing of the provided spectrum of electromagnetic radiation are made possible. In various embodiments, a method for operating an optoelectronic component
bereitgestellt , das Verfahren aufweisend : Bereitstellen und/oder Aufnehmen eines Spektrums elektromagnetischer provided, the method comprising: providing and / or recording a spectrum of electromagnetic
Strahlung in einer Objektebene eines optoelektronischen Bauelementes und/oder einer Bildebene eines Radiation in an object plane of an optoelectronic component and / or an image plane of a
optoelektronischen Bauelementes ; wobei das in der optoelectronic component; where in the
Objektebene eines optoelektronischen Bauelementes Object level of an optoelectronic component
bereitgestellte Spektrum von dem optoelektronischen provided spectrum of the optoelectronic
Bauelement aufgenommen wird; und wobei das in der Bildebene eines optoelektronischen Bauelementes aufgenommene Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellt wird; Ändern des von dem optoelektronischen Bauelement Component is added; and wherein the spectrum recorded in the image plane of an optoelectronic component is provided by the optoelectronic component; Change of the optoelectronic device
aufgenommenen und/oder bereitgestellten Spektrums recorded and / or provided spectrum
elektromagnetischer Strahlung von einem ersten Spektrum zu einem zweiten Spektrum; wobei das Ändern des Spektrums wenigstens ein Ändern eines Raumwinkels der electromagnetic radiation from a first spectrum to a second spectrum; wherein changing the spectrum is at least a change in a solid angle of the
elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg der electromagnetic radiation in the light path of the
elektromagnetischen Strahlung aufweist . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann in der Bildebene eine auszuleuchtende Oberfläche angeordnet sein . In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das having electromagnetic radiation. In one embodiment of the method, a surface to be illuminated can be arranged in the image plane. In yet another embodiment of the method, the
optoelektronische Bauelement als Leuchtdiode eingerichtet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann in der Optoelectronic component be configured as a light emitting diode, for example as an organic light emitting diode. In yet another embodiment of the method can in the
Objektebene eine Quelle elektromagnetischer Strahlung Object level a source of electromagnetic radiation
angeordnet sein . be arranged.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das In yet another embodiment of the method, the
optoelektronische Bauelement als Solarzelle eingerichtet sein. Optoelectronic component to be set up as a solar cell.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Raumwinkels ein Ändern eines ersten Raumwinkels zwischen der Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes und der Flächennormale der Bildebene des optoelektronischen In yet another embodiment of the method, the change of the solid angle may be a change of a first solid angle between the surface normal of the optoelectronic component and the surface normal of the image plane of the optoelectronic element
Bauelementes und/oder der Flächennormale der Objektebene des optoelektronischen Bauelementes aufweisen . Das Ändern des Einfallswinkels und/oder des Ausfallwinkels der Have component and / or the surface normal of the object plane of the optoelectronic device. Changing the angle of incidence and / or the angle of failure of
elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg einer electromagnetic radiation in the light path of a
optoelektronischen Bauelementevorrichtung kann in diesem Sinne auch als Auslenken einer der Flächennormalen verstanden werden. Das Auslenken einer der Flächennormale kann dabei automatisch ausgebildet sein, beispielsweise als Tagbogen der Sonne, wobei die elektromagnetische Strahlungsquelle alsOptoelectronic component device can be understood in this sense as deflecting one of the surface normals. The deflection of one of the surface normals may be formed automatically, for example as a tag arc of the sun, wherein the electromagnetic radiation source as
Sonne oder Projektion der Sonne- eingerichtet ist und wobei der erste Raumwinkel als Sonnenstand zu einer Solarzelle ausgebildet sein kann. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Raumwinkel als Wert einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 90 0 aufweisen. Sun or projection of the sun is set up and wherein the first solid angle can be formed as a sun position to a solar cell. In yet an embodiment of the method, the first solid angle can be used as a value having an amount in a range of about 0 ° to about 90 0th
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Raumwinkels als eine Drehung des optoelektronischen Bauelementes um die Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes um einen zweiten Winkel aufweisen. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Winkel als Wert einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 180 ° aufweisen . In yet another embodiment of the method, the change of the solid angle can have as a rotation of the optoelectronic component about the surface normal of the optoelectronic component by a second angle. In yet another embodiment of the method, the second angle may have as value an amount in a range of about 0 ° to about 180 °.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die In yet another embodiment of the method, the
optoelektronische Bauelementevorrichtung ferner eine Optoelectronic component device further a
Halterung aufweisen, wobei das optoelektronische Bauelement von der Halterung gehalten wird, wobei das Ändern des Have holder, wherein the optoelectronic device is held by the holder, wherein the changing of
Spektrums mittels eines Drehens der Halterung ausgebildet wird. Spectrum is formed by means of a rotation of the holder.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein Teil der elektromagnetischen Strahlung eines Spektrums von einer reflektierenden Oberfläche eines Reflektors In yet another embodiment of the method, at least part of the electromagnetic radiation of a spectrum of a reflective surface of a reflector
umgelenkt werden. be redirected.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die von einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellte In yet another embodiment of the method, the provided by an optoelectronic component
elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche eines Reflektors von dem electromagnetic radiation at least partially by means of the reflective surface of a reflector of the
optoelektronischen Bauelement in die Bildebene des optoelectronic component in the image plane of the
optoelektronischen Bauelementes umgelenkt werden. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die von einem optoelektronischen Bauelement aufgenommene elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche eines Reflektors von der Objektebene des be deflected optoelectronic component. In yet another embodiment of the method, the electromagnetic radiation received by an optoelectronic component can be determined at least partially from the object plane of the reflector by means of the reflecting surface of a reflector
optoelektronischen Bauelementes zu dem optoelektronische Bauelement umgelenkt werden . optoelectronic component are deflected to the optoelectronic component.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Reflektor beweglich ausgebildet sein, wobei das Ändern des Raumwinke.ls der elektromagnetischen Strahlung mittels eines zweiten In yet another embodiment of the method, the reflector may be designed to be movable, wherein changing the Raumwinke.ls the electromagnetic radiation by means of a second
Auslenkens des Reflektors ausgebildet wird. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite Auslenken des Reflektors mit dem ersten Auslenken des Deflection of the reflector is formed. In yet another embodiment of the method, the second deflection of the reflector with the first deflection of the
optoelektronischen Bauelementes gekoppelt sein. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Spektrums der bereitgestellten elektromagnetischen be coupled optoelectronic component. In yet another embodiment of the method, changing the spectrum of the provided electromagnetic
Strahlung mittels Mischens des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche des Reflektors mit dem Radiation by mixing the deflected spectrum of the reflective surface of the reflector with the
bereitgestellten Spektrum ausgebildet werden. Das be prepared spectrum provided. The
bereitgestellte Spektrum kann dabei das Spektrum der provided spectrum can be the spectrum of
elektromagnetischen Strahlung sein, das von der Ob ektebene eines optoelektronischen Bauelementes oder einem be electromagnetic radiation from the ektebene ectober of an optoelectronic device or a
optoelektronischen Bauelement bereitgestellt wird. Das von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommene oder Optoelectronic device is provided. The recorded by the optoelectronic component or
bereitgestellte Spektrum der elektromagnetischen Strahlung kann über sämtliche Raumwinkel gleich sein . Allerdings kann das unter einem Raumwinkel aufgenommene oder bereitgestellte Spektrum eines optoelektronischen Bauelementes bei provided spectrum of electromagnetic radiation can be the same over all solid angles. However, the spectrum of an optoelectronic component recorded or provided under a solid angle can be used
benachbarten Raumwinkel unterschiedlich sein . Dadurch kann die Farbvalenz bereitgestellter elektromagnetischer Strahlung und/oder das Spektrum aufgenommener elektromagnetischer be different in neighboring solid angle. Thereby, the color valence of provided electromagnetic radiation and / or the spectrum of recorded electromagnetic
Strahlung mittels Änderns des Raumwinkels verändert werden . Die reflektierende Oberfläche des Reflektors kann daher ein anderes Spektrum elektromagnetischer Strahlung umlenken als von dem optoelektronischen Bauelement unter einem Raumwinkel direkt aufgenommen und/oder bereitgestellt wird . Radiation can be changed by changing the solid angle. The reflecting surface of the reflector can therefore deflect a different spectrum of electromagnetic radiation than is directly recorded and / or provided by the optoelectronic component at a solid angle.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Spektrums mit wenigstens einer Blende im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes und/oder im Lichtweg der reflektierenden Oberfläche ausgebildet werden, beispielsweise wenigstens eine Schlitzblende oder Spaltplente . Die In yet another embodiment of the method, the changing of the spectrum can be formed with at least one aperture in the light path of the optoelectronic component and / or in the light path of the reflecting surface, for example at least one slit or slit. The
Schlitzebenen können stofflich derart ausgebildet sein, dass auf die Schlitzblenden einfallende elektromagnetische Slit planes can be designed in such a way that incident on the slit diaphragm electromagnetic
Strahlung teilweise oder vollständig absorbiert wird, d.h. nicht weitergeleitet wird. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg der elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein, wobei die Vielzahl an Blenden einen konstanten oder unterschiedlichen Abstand voneinander aufweisen. Radiation is partially or completely absorbed, that is not forwarded. In yet another embodiment of the method, a multiplicity of diaphragms can be formed in the light path of the electromagnetic radiation of the optoelectronic component, the plurality of diaphragms having a constant or different distance from one another.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
Es zeige. Show it.
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;  optoelectronic component, according to various embodiments;
Figur 2 Farbkoordinaten eines optoelektronischen Bauelementes in einer Normfarbtafel, gemäß verschiedenen Figure 2 color coordinates of an optoelectronic component in a standard color chart, according to various
Ausgestaltungen; Figur 3 schematisch zwei unterschiedliche Auslenkungen eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;  configurations; 3 shows schematically two different deflections of an optoelectronic component, according to various embodiments;
Figur 4 eine schematische Querschni tsansicht einer Figure 4 is a schematic cross-sectional view of a
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;  Optoelectronic component device, according to various embodiments;
Figur 5 eine schematische Querschnittsansicht einer Figure 5 is a schematic cross-sectional view of a
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;  Optoelectronic component device, according to various embodiments;
Figur 6 eine schematische Querschnittsansicht einer Figure 6 is a schematic cross-sectional view of a
optoelektronischen Bauelementevorrichtung , gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; Figur 7 eine konkrete Ausgestaltung eines Optoelectronic component device, according to various embodiments; Figure 7 shows a concrete embodiment of a
optoelektronischen Bauelementes, gemäß  optoelectronic component, according to
verschiedenen Ausgestaltungen; und Figur 8 eine Querschnittansicht eines Aufbaus einer  various configurations; and FIG. 8 is a cross-sectional view of a structure of FIG
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .  A carrier pair generation layer according to various embodiments.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part hereof and in which is by way of illustration specific
Ausführungsforme gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Embodiments are shown in which the invention can be practiced. In this regard will
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da Directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. used with reference to the orientation of the described figure (s). There
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl Components of embodiments in number
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der different orientations can be positioned, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various exemplary embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be construed in a limiting sense, and the
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Scope of the present invention is defined by the appended claims.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe In the context of this description, the terms
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen"connected", "connected" and "coupled" used to describe both a direct and indirect connection, a direct or indirect connection and a direct or indirect coupling. In the figures be identical or similar elements with identical
Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. Provided reference numerals, as appropriate.
Fig.1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen 1 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
Ausführungsbeispielen . Exemplary embodiments.
Das optoelektronische Bauelement 100 in Form einer The optoelectronic component 100 in the form of a
organischen Leuchtdiode 100 kann einen Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise Organic light emitting diode 100 may include a carrier 102. The carrier 102 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein . Ferner kann der Träger 102 eine light-emitting elements, serve. For example, the carrier 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material. Further, the carrier 102 may be a
Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder  Plastic film or a laminate with one or more plastic films or be formed from it. The plastic may be one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Polypropylene (PP)) or be formed therefrom.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid { PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,  Furthermore, the plastic may be polyvinyl chloride {PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein . Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben  Polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN) or be formed therefrom. The carrier 102 may be one or more of the above
genannten Stoffe aufweisen . Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. have mentioned substances. The carrier 102 may be translucent or even transparent.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, The term "translucent" or "translucent layer" can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer for example, for the light generated by the light emitting device, for example one or more
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wavelength ranges, for example, for light in one
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). For example, is below the term "Translucent layer" in various embodiments to understand that essentially the whole in one
Struktur {beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Structure {for example, a layer) coupled
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann . Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case.
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist The term "transparent" or "transparent layer" can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des (For example, at least in a portion of the
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird . Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
Somit ist „ ransparent" in verschiedenen Thus, "transparent" in different
Ausführungsbeispielen als ei Spezialfall von „transluzent" anzusehen . Für den Fall , dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes  In the case that, for example, a light-emitting monochromatic or limited in the emission spectrum
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte is to be provided electronic component, it is sufficient that the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
Emissionsspektrum transluzent ist . Emission spectrum is translucent.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen In various embodiments, the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein . Ein Top- und/oder Bottom- Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement ,  Embodiments) may be configured as a so-called top and bottom emitter. A top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode , bezeichnet werden . Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen For example, a transparent organic light emitting diode, be designated. On or above the carrier 102 may be in different
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann einen oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid , Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104. The barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid , Siliziumoxid,  Hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide,
Indiumz inkoxid , Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, as well
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die Mixtures and alloys thereof. Furthermore, the
Barriereschicht 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 nrc (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von The barrier layer 104 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0, 1 nrc (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of
ungefähr 40 nm. about 40 nm.
Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, i dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des On or above the barrier layer 104, an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged. The electrically active region 106 can be understood as the region of the light-emitting component 100 in which an electrical current for operating the
lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110 , eine zweite Elektrode 114 und ein organisch funktionelles Schichtensystem 112 aufweisen, wie es im Folgenden noch näher erläutert wird . light emitting device 100 flows. In various exemplary embodiments, the electrically active region 106 may have a first electrode 110, a second electrode 114 and an organically functional layer system 112, as will be explained in more detail below.
So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist , auf oder über dem Träger 102 ) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten Thus, in various embodiments, on or above the barrier layer 104 (or, if the barrier layer 104 is not present on or above the carrier 102), the first electrode 110 (eg, in the form of a first
Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid ( transparent conductive oxide , TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCO . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe , beispielsweise Electrode layer 110) may be applied. The first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers thereof Metal or different metals and / or the same TCO or different TCO. Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
Metalloxide , wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, S11O2 , oder In203 gehören auch ternäre Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSnÜ3 , Mgln204 , Galn03 , Zn2In205 oder Cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, S11O2, or In 2 03 also ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSnÜ 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 In 2 05 or
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. In 4 Sn30] _ 2 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs and can be used in various embodiments.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to one
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p -dotiert oder n-dotiert sein. stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste In various embodiments, the first
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe . Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these substances.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste In various embodiments, the first
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehr . Ein Beispiel ist eine Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is one
Silberschicht , die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten .  Silver layer deposited on an indium-tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste In various embodiments, the first
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Stoffe Electrode 110 one or more of the following substances
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen : Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige alternatively or additionally to the abovementioned substances: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag; Networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires. Furthermore, the first electrode 110 may be electrically conductive
Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste Having polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides. In various embodiments, the first
Elektrode 110 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein . In dem Fall , dass die erste Elektrode 110 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist , kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungef hr 25 ntn, beispielsweise eine  Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent. In the case where the first electrode 110 comprises or is formed from a metal, the first electrode 110 may, for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 20 nra, Layer thickness of less than or equal to about 20 nra,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 ητη . Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen for example, a layer thickness of less than or equal to about 18 ητη. Furthermore, the first electrode 110 may, for example, have a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine Embodiments, the first electrode 110 a
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall , dass die erste Elektrode 110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungef hr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm. Further, in the case where the first electrode 110 has or is formed of a conductive transparent oxide (TCO), the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of about 100 nm to about 150 nm.
Fe ner kann für den Fall , dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag , die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können , einem Netzwerk aus Kohlenstoff - Nanoröhren, die mit leitf higen Polymeren kombiniert sein können , oder aus Graphen- Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine For example, in the case of the first electrode 110 of, for example, a network of metallic nanowires, such as Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes combined with conductive polymers may be used can be formed, or graphene layers and composites, the first electrode 110, for example one
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von For example, a layer thickness in a range of
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. about 40 nm to about 250 nm.
Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als The first electrode 110 can be used as the anode, ie as
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als hole-injecting electrode may be formed or as
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode .  Cathode, so as an electron injecting electrode.
Die erste Elektrode 110 kann ein erstes elektrisches The first electrode 110 may be a first electrical
Kontaktpad aufweisen, an das ein erstes elektrisches Contact pad, to which a first electrical
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt ) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsque1le) anlegbar ist . Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 110 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein . Potential (provided by a power source (not shown), for example, a power source or a Spannungsque1le) can be applied. Alternatively, the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly applied to the first electrode 110. The first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des Furthermore, the electrically active region 106 of the
lichtemittierenden Bauelements 100 ein organisch light emitting device 100 an organic
funktionelles Schichtensystem 112 aufweisen, das auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder functional layer system 112, which is applied on or above the first electrode 110 or
ausgebildet wird. Das organisch funktionelle Schichtensystem 112 kann eine oder mehrere organische funktionelle Schichtenstrukturen 116 , 120 aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 aber auch mehr als zwei organische funktionelle is trained. The organic functional layer system 112 may include one or more organic functional layer structures 116, 120. In various embodiments, however, the organic electroluminescent layer structure 110 may also be more than two organic functional ones
Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3 , 4, 5, 6, 7 , 8 , 9, 10 , oder sogar mehr . In Fig.l sind eine erste organische funktionelleHave layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more. In Fig.l are a first organic functional
Schichtenstruktur 116 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur 120 dargestellt. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur 116 kann auf oder über der ersten Elektrode 110 angeordnet sein, Layer structure 116 and a second organic functional layer structure 120 shown. The first organic functional layer structure 116 may be disposed on or above the first electrode 110.
Weiterhin kann die zweite organische funktionelle Furthermore, the second organic functional
Schichtenstruktur 120 auf oder über der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur 116 angeordnet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der ersten organischen funktione1len Schichtenstruktur 116 und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur 120 eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur 118 (engl.: Charge Generation Layer, CGL) angeordnet sein. In Layer structure 120 may be disposed on or above the first organic functional layer structure 116. In various embodiments, a charge carrier pair generation layer structure 118 (CGL) may be arranged between the first organic functional layer structure 116 and the second organic functional layer structure 120. In
Ausführungsbeispielen, in denen mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen vorgesehen sind, kann zwischen j eweils zwei organischen funktionellen Embodiments in which more than two organic functional layer structures are provided can each have two organic functional layers
Schichtenstruktur eine j eweilige Ladungstragerpaar- Erzeugungs-Schichtenstruktur vorgesehen sein. Layer structure may be provided a respective charge carrier pair generation layer structure.
Wie im Folgenden noch näher erläutert wird, kann jede der organischen funktionellen Schichtenstruktur 116 , 120 jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten (in Fig .1 nicht dargestellt) {auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) ) . In verschiedenen Aus ührungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehre e Elektronenleitungsschichten {auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) ) As will be explained in more detail below, each of the organic functional layer structures 116, 120 may each comprise one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-line layers (not shown in FIG Hole transport layer (s)). In various embodiments, alternatively or additionally, one or more electronic conductor layers {also referred to as electron-transport layer (s)) may be used.
vorgesehen sein. be provided.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem Examples of emitter materials used in the
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen light emitting device 100 according to various
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 706 , 710 eingesetzt werden können, schließen organische oder Embodiments for the emitter layer (s) 706, 710 can be used include organic or
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-dif luoro-2- ( 2 -pyridyl ) pheny1 - (2- carboxypyridyl) - iridium III) , grün phosphoreszierendes organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl) (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [ , 4 ' -di- tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4 -Bis [4 - (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3 * 2 (PFg) (tris [, 4'-di-tert-butyl- (2,2 ') -bipyridine] ruthenium (III) complex) as well as blue fluorescent DPAVBi (4,4' ') Bis [4 - (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA
(9, 10-Bis [N, N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot (9, 10-bis [N, N-di (p-tolyl) amino] anthracene) and red
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2 -methyl- 6 - julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6-ylolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter. Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein. Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited. The emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete It should be noted that other suitable
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind. Emitter materials are also provided in other embodiments.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) des The emitter materials of the emitter layer (s) of the
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemi tierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien For example, light-emitting device 100 may be selected such that light-emitting device 100 emits white light. The emitter layer (s) may include several emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) auch aus mehreren Teilschichten au gebaut sein, wie einer blau f luoreszierenden Emitterschiebt oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht , einer grün phosphoresz ierenden Emitterschlicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht . Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese alternatively, the emitter layer (s) may also be constructed of a plurality of sublayers, such as a blue emitting emitter push or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter coat, and a red phosphorescent emitter layer. By the Mix of different colors can result in the emission of light with a white color impression. Alternatively, it can also be provided in the beam path through this
Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Layers generated primary emission to arrange a converter material that absorbs the primary radiation at least partially and emits a secondary radiation of different wavelength, so that from a (not yet white)
PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Auch können die Emittermaterialien verschiedener organischer funktionelle Schichtenstrukturen so gewählt, sein oder werden, dass zwar die einzelnen Emittermaterialien Licht Primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation gives a white color impression. Also, the emitter materials of various organic functional layer structures can be chosen, or be, that, although the individual emitter materials light
unterschiedlicher Farbe (beispielsweise blau, grün oder rot oder beliebige andere Farbkombinationen, beispielsweise beliebige andere Komplementär-Farbkombinationen) emittieren, dass aber beispielsweise das Gesamtlicht , das insgesamt von allen organischen funktionellen Schichtenstruktur emittiert wird und von der OLED nach außen emittiert wird, ein Licht vorgegebener Farbe , beispielsweise Weißlicht, ist . different color (for example blue, green or red or any other color combinations, for example any other complementary color combinations) emit, but that, for example, the total light emitted from all organic functional layer structure and emitted to the outside of the OLED, a light preset Color, such as white light, is.
Die organischen funktionellen Schichtenstrukturen 116 , 120 können allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente The organic functional layer structures 116, 120 may generally comprise one or more electroluminescent
Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren Have layers. The one or more
elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere , electroluminescent layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic monomers,
organische kleine , nicht-polyniere Moleküle {„small Organic Small Non-Polynier Molecules {"small
molecules") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann eine organische funktionelle molecules ") or a combination of these substances, for example, an organic functional
Schichtenstruktur 116 , 120 eine oder mehrere Layer structure 116, 120 one or more
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als have electroluminescent layers, which as
Locht ansportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive  Hole punched or is executed, so that, for example, in the case of an OLED an effective
Löcherinj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Locherinj tion in an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
Alternativ können in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 116 , 120 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht 708 , 712 (siehe auch Fig.7) ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine Alternatively, in various embodiments, the organic functional layer structure 116, 120 may include one or more functional layers, which may be referred to as a Electron transport layer 708, 712 (see also Figure 7) is executed or are, so that, for example, in an OLED effective electron injection into a
elektrolumineszierende Schicht oder einen electroluminescent layer or a
elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Als Stoff für die Lochtransportschicht 70 , 810 (siehe auch Fig .7 und Fig .8 ) können beispielsweise tertiäre Amine , electroluminescent region is made possible. As a material for the hole transport layer 70, 810 (see also FIGS. 7 and 8), for example, tertiary amines,
Carbazolderivate , leitendes Polyanilin oder Carbazole derivatives, conductive polyaniline or
Polyethylendioxythiophen verwendet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als  Polyethylenedioxythiophene be used. In various embodiments, the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein. be carried out electroluminescent layer.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste In various embodiments, the first
Lochtransportschicht 704 (siehe auch Fig .7 ) auf oder über der ersten Elektrode 110 oder der Lochinj ektionsschicht 702 Hole transport layer 704 (see also Fig. 7) on or above the first electrode 110 or the Lochinj ektionsschicht 702nd
(siehe auch Fig.7) aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die erste Emitterschicht 706 (siehe auch Fig.7) kann auf oder über der ersten Lochtransportschicht 704 (siehe auch Fig.7) aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektronentransportschicht 708 auf oder über der ersten  (see also FIG. 7), for example deposited, and the first emitter layer 706 (see also FIG. 7) can be applied to or over the first hole transport layer 704 (see also FIG. 7), for example deposited. In various embodiments, the first electron transport layer 708 may be on or above the first
Emitterschicht 706 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Emitter layer 706 applied, for example, be deposited. In various embodiments, the
Ladungsträgerpaar-E zeugungs -Struktur 118 auf oder über der ersten Elektronentransportschicht 708 aufgebracht , Charge pair generation structure 118 is applied to or over the first electron transport layer 708,
beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen for example, be deposited. In different
Ausführungsbeispielen kann zweite Emitterschicht 710 auf oder über der Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Struktur 118 Embodiments may include second emitter layer 710 on or above the charge carrier pair generation structure 118
aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein . In applied, for example, be deposited. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite various embodiments, the second
Elektronentransportschicht 712 auf oder über der zweiten Emitterschicht 710 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein. Electron transport layer 712 applied to or over the second emitter layer 710, for example deposited.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die In various embodiments, the
Elektroneninj ektionsschicht 714 auf oder über der zweiten Elektronentransportschicht 712 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. Elektroneninj ektionsschicht 714 on or above the second Electron transport layer 712 applied, for example, be deposited.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle Schichtensystem 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von LochtransportSchicht (en) 704, 810 und Emitterschicht (en) 706, 710 und In various embodiments, the organic functional layer system 112 (ie, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 704, 810 and emitter layer (s) 706, 710, and
Elektronentransportschicht (en) 708 , 712 und Electron transport layer (s) 708, 712 and
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Struktur 118) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1 , 5 μν , beispielsweise eine Charge carrier pair generation structure 118) have a layer thickness of at most approximately 1.5 μν, for example one
Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 τη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle Layer thickness of a maximum of about 1, 2 τη, for example, a layer thickness of at most about 1 μχα, for example, a layer thickness of about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm, for example, a layer thickness of about 400 nm, for example, a maximum layer thickness about 300 nm. In various embodiments, the organic functional
Schichtensystem 112 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei j ede OLED beispielsweise eine Layer system 112, for example, a stack of a plurality of directly superimposed organic light-emitting diodes (OLEDs), wherein each OLED example, a
Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 μτ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ma imal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle Schichtensystem 112 beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise das Layer thickness may have a maximum of about 1.5 μτ, for example, a layer thickness of at most about 1, 2 μχα, for example, a layer thickness of at most about 1 μτη, for example, a layer thickness of about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm, for example a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of ma imal about 300 nm. In various embodiments, the organic functional layer system 112, for example, a stack of two, three or four directly stacked OLEDs have, in which case, for example
organische funktionelle Schichtensystem 112 eine organic functional layer system 112 a
Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μ,τη. Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise Layer thickness may have a maximum of about 3 μ, τη. Optionally, the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 708 , 710 oder auf oder über der oder den ElektronentransportSchicht (en) 712 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern. arranged on or over one or more Emitter layers 708, 710 or on or over the or the electron transport layer (s) 712, which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
Auf oder über dem organischen funktionellen Schichtensystem 112 kann die zweite Elektrode 114 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114 ) aufgebracht sein, wie oben beschrieben worden ist . On or above the organic functional layer system 112, the second electrode 114 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 114), as described above.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite In various embodiments, the second
Elektrode 114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110 , wobei in Electrode 114 have the same substances or be formed from it as the first electrode 110, wherein in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders various embodiments metals especially
geeignet sind . are suitable .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite In various embodiments, the second
Elektrode 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114 ) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nra, Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nra,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 30 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. For example, a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110 , oder unterschiedlich zu dieser . Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Stoffe und mit der eweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen The second electrode 114 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 110. The second electrode 114, in various embodiments, may be formed of one or more of the materials and having the respective layer thickness, as discussed above the first electrode 110 described. In different
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent Embodiments, the first electrode 110 and the second electrode 114 are both translucent or transparent
ausgebildet . Somit kann das in Fig.l dargestellte educated . Thus, the shown in Fig.l
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom- Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100 ) ausgebildet sein. light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
Die zweite Elektrode 114 kann als Anode , also als The second electrode 114 can be used as the anode, ie as
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als hole-injecting electrode may be formed or as
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode . Cathode, so as an electron injecting electrode.
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches The second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten Potential (which is different from the first one)
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der electric potential) provided by the
Energiequelle, anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert auf eisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2 , 5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108 , beispielsweise in Form einer Energy source, can be applied. The second electrical potential may, for example, be a value of iron such that the difference to the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example a value in a range of about 3 V to about 12 V. On or above the second electrode 114 and thus on or above the electrically active region 106 may optionally be an encapsulation 108, for example in the form of a
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein. Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
Unter einer „Barrierendünnschicht" 108 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist , eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff , zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie In the context of this application, a "barrier thin film" 108 or a "barrier thin film" 108 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form. In other words, the barrier thin film 108 is so trained that they like OLED-damaging substances
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann . Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendunnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt , als Water, oxygen or solvents can not or at most be penetrated to very small proportions. In one embodiment, the barrier skin layer 108 may be implemented as a single layer (in other words, as a single layer)
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendunnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen . Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Single layer) may be formed. According to an alternative embodiment, the barrier skin layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another. In other words, according to one embodiment, the
Barrierendunnschicht 108 als Schichtstapel (Stack) Barrier layer 108 as a stack of layers (stack)
ausgebildet sein . Die Barrierendunnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendunnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines be educated. The barrier skin layer 108 or one or more sublayers of the barrier skin layer 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen  Atomic Layer Deposition (ALD) according to one embodiment, e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
Atomlageabscheideverfahrens ( Plasma- less Atomic Layer Atomic deposition method (Plasmaless Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen Deposition (PLALD)), or by means of a chemical
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition Gas phase deposition process (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines  (CVD)) according to another embodiment, e.g. one
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma- less plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or a plasmaless vapor deposition process (plasma less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren . Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden . Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen . Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), or alternatively by other suitable deposition methods. By using an atomic layer deposition process (ALD) very thin layers can be deposited. In particular, layers can be deposited whose layer thicknesses are in the atomic layer region. According to one embodiment, in a
Barrierendünnschicht 108 , die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden. Barrier thin film 108 having multiple sublayers, all sublayers by an atomic layer deposition process be formed. A layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer According to an alternative embodiment, in a
Barrierendunnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendunnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverf hrens als einem Barrier layer 108, which has multiple sub-layers, one or more sub-layers of the barrier layer 108 by means of a different deposition method than a
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, Atomic layer deposition processes are deposited,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . for example by means of a gas phase separation process.
Die Barrierendunnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer The barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung . Embodiment, for example, about 40 nm according to an embodiment.
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen According to an embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Design, the individual sub-layers of
Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufv/eisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Barrier thin film 108 different iron thickness aufv / iron. In other words, at least one of
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten. Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
Die Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein . Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid , Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid The barrier thin-film layer 108 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer. In other words, the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent). According to one embodiment, the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the Barrier thin layer 108 include or may be formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide
Lanthaniumoxid , Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen Silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines the same. In various embodiments, the barrier thin film 108 or (in the case of a
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere, der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen Layer stack having a plurality of sublayers) one or more of which sublayers of the barrier film 108 comprise one or more high refractive indexes, in other words one or more high content materials
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. Refractive index, for example with a refractive index of at least 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ein Klebstoff und/oder ein In various embodiments, on or above the barrier thin film 108, an adhesive and / or a
Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126 ) auf der Barrierendünnschicht 108 befestigt , beispielsweise aufgeklebt ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Protective varnish 124 may be provided, by means of which, for example, a cover 126 (for example, a glass cover 126) attached to the barrier thin layer 108, for example, is glued. In various embodiments, the optically translucent layer of adhesive and / or
Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 μνα Protective varnish 124 has a layer thickness of greater than 1 μνα
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μιτι. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein. have, for example, a layer thickness of several μιτι. In various embodiments, the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als In the layer of the adhesive (also referred to as
KleberSchicht) können in verschiedenen Aus führungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der  Adhesive layer), in various embodiments, light-scattering particles may be embedded which lead to a further improvement of the color angle distortion and the
Auskoppeleffizienz führen können . In verschiedenen Can lead outcoupling efficiency. In different
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsv/eise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S1O2 ) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrC>2) , Indium- Zinn-Oxid ( ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga2Oa) Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder GlashohlkugeIn . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein . Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example, dielectric scattering particles such as, for example, metal oxides such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrC> 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO ), Gallium oxide (Ga 2 O a ) Alumina, or titania. Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass bubbles. Furthermore, for example, metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like can be provided as light-scattering particles.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht In various embodiments, between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124, an electrically insulating layer
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,  (not shown) are applied or be
beispielsweise Si , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μτη, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μπι, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines For example, Si, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1, 5 μτη, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 μπι to protect electrically unstable substances, for example during a
nasschemischen Prozesses . wet-chemical process.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der Brechungs index der In various embodiments, the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Cover 126. Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist . Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Acrylate having a refractive index of about 1.3. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence. It should also be noted that in various
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 126 , beispielsweise aus Glas , mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 108 aufgebracht werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 124, for example in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, are applied to the barrier thin layer 108 by means of, for example, plasma spraying. In various embodiments, the / may
Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen BrechungsindexCover 126 and / or the adhesive 124 has a refractive index
(beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen. (for example at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen Furthermore, in various embodiments
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten additionally one or more antireflection coatings
{beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 108 ,  {eg combined with the encapsulation 108,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 108) in dem for example, the barrier thin film 108) in the
lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein. be provided light emitting device 100.
Fig.2 zeigt Farbkoordinaten eines optoelektronischen 2 shows color coordinates of an optoelectronic
Bauelementes in einer Normfarbtafel , gemäß verschiedenen Ausgestaltungen . Component in a standard color chart, according to various embodiments.
Dargestellt ist ein CIE- ormvalenzSystem 200 mit der X- Koordinatenachse 204 und der y- Koordinatenachse 202. Shown is a CIE ormvalence system 200 having the X-coordinate axis 204 and the y-coordinate axis 202.
Weiterhin zu erkennen sind die Spektralfarbkennlinie 206 und die Farbtemperaturkennlinie 208 eines schwarzen Strahlers . Also visible are the spectral color characteristic 206 and the color temperature characteristic 208 of a black body.
Auf der Farbtemperaturkennlinie 208 des schwarzen Strahlers sind gemessene Farborte 210 eines optoelektronischen On the color temperature characteristic 208 of the blackbody, measured color locations 210 are an opto-electronic
Bauelementes 100 gemäß verschiedener Ausgestaltungen bei unterschiedlichen Raumwinkeln 212 dargestellt . Component 100 shown according to various embodiments at different solid angles 212.
Wie zu erkennen ist, kann das optoelektronische Bauelement 100 in Abhängigkeit von dem konkreten Raumwinkel 212 Farborte 210 aufweisen, die ungefähr auf der Farbtemperaturkennlinie 208 eines schwarzen Strahlers in einem Farbtemperaturbereich von ungefähr 3500 K bis ungefähr 5800 K ausgebildet sind. As can be seen, depending on the concrete solid angle 212, the optoelectronic device 100 may include color loci 210 formed approximately on the color temperature characteristic 208 of a blackbody in a color temperature range of about 3500K to about 5800K.
Fig.3 zeigt schematisch zwei unterschiedliche Au lenkungen eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausgestaltungen . 3 shows schematically two different Au steering an optoelectronic component, according to various embodiments.
In einer ersten Ausgestaltung 310 kann die Flächennormale 304 eines optoelektronischen Bauelementes 100 parallel zu der Flächennormale 306 einer Obj ektebene 302 oder einer Bildebene 302 ausgerichtet sein. In a first embodiment 310, the surface normal 304 of an optoelectronic component 100 may be parallel to the Surface normal 306 an Obj ektebene 302 or an image plane 302 aligned.
Die Bildebene 302 kann als Ebene verstanden werden, in der die elektromagnetische Strahlung aufgenommen werden kann, die von dem optoelektronischen Bauelement 100 bereitgestellt wird. Das optoelektronische Bauelement 100 kann dabei beispielsweise als eine organische Leuchtdiode ausgebildet sein. The image plane 302 can be understood as a plane in which the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic component 100 can be accommodated. The optoelectronic component 100 may be formed, for example, as an organic light emitting diode.
Die Ob ektebene 302 kann als Ebene verstanden werden, in der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird, die von dem optoelektronischen Bauelement 100 aufgenommen werden kann . Das optoelektronische Bauelement 100 kann dabei beispielsweise als eine Solarzelle und die Strahlungsquelle als Sonne oder Proj ektion der Sonne ausgebildet sein, beispielsweise auf der Erdoberfläche oder einer The object plane 302 can be understood as a plane in which the electromagnetic radiation that can be picked up by the optoelectronic component 100 is made available. The optoelectronic component 100 may be designed, for example, as a solar cell and the radiation source as the sun or projection of the sun, for example, on the earth's surface or a sun
Erdumlaufbah . In einer zweiten Ausgestaltung 320 kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung einen Raumwinkel 322 zwischen der Flächennormale 304 des optoelektronischen Bauelementes 100 und der Flächennormale 306 der Obj ektebene 302 oder der Earth orbit. In a second embodiment 320, the optoelectronic component device may have a solid angle 322 between the surface normal 304 of the optoelectronic component 100 and the surface normal 306 of the object plane 302 or
Flächennormale 306 der Bildebene 302 aufweisen. Have surface normals 306 of the image plane 302.
Die zweite Ausgestaltung 320 kann eine Drehung um eine der geometrischen Achsen des optoelektronischen Bauelementes 100 aufweisen, beispielsweise eine Drehung in de Zeichenebene oder eine Drehung senkrecht zu der Zeichenebene . Die zweite Ausgestaltung kann jedoch auch als eine Drehung der The second embodiment 320 may comprise a rotation about one of the geometric axes of the optoelectronic component 100, for example a rotation in the plane of the drawing or a rotation perpendicular to the plane of the drawing. However, the second embodiment may also as a rotation of the
Obj ektebene verstanden werden, beispielweise als Tagesbogen der Sonne , wobei der Wert des Raumwinkels 322 als Sonnenstand verstanden werden kann . In der ersten Ausgestaltung 310 kann de Raumwinkel 322 einen Wert mit einem Betrag in einem Bereich von ungefähr 0 0 bis ungefähr 90 0 aufweisen, beispielsweis ungefähr 0 ° . In der zweiten Ausgestaltung 320 kann der Raumwinkel 322 einen Wert mit einem Betrag in einem Bereich von ungefähr 0 ° bis ungefähr 90 ° aufweisen, beispielsweis bis ungefähr 75 0. Das optoelektronische Bauelement 100 kann dabei derart ausgebildet sein, dass die Farbvalenz in der Bildebene und/oder das absorbierbare Wellenlängenspektrum der Obj ektebene be understood, for example, as a day arc of the sun, where the value of the solid angle 322 can be understood as the sun's position. In the first embodiment 310, the solid angle 322 may have a value with an amount in a range of about 0 0 to about 90 0 , for example about 0 °. In the second embodiment 320 of the solid angle may have a value at an amount in a range of about 0 ° to about 90 ° 322, for facing to about 75 0th The optoelectronic component 100 can be designed such that the color valence in the image plane and / or the absorbable wavelength spectrum of the
elektromagnetischen Strahlung der Objektebene mittels des Raumwinkels 322 der Auslenkung verändert werden kann. electromagnetic radiation of the object plane can be changed by means of the solid angle 322 of the deflection.
Fig.4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Baueiementevorrichtung , gemäß 4 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic construction device, according to FIG
verschiedenen Ausgestaltungen . Für ein dynamisches Ändern der Auslenkung des different configurations. For dynamically changing the deflection of the
optoelektronischen Bauelementes 100 , kann das Optoelectronic device 100, the
optoelektronische Bauelement 100 einen Halter 402 auf eisen. Das optoelektronische Bauelement 100 kann dabei gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig .1 ausgebildet sein. Optoelectronic device 100 a holder 402 on iron. The optoelectronic component 100 can be designed according to one of the embodiments of the description of FIG.
Der Halter 402 kann beweglich, beispielsweise drehbar, ausgebildet sein. Ein beweglicher Halter 402 kann auf The holder 402 may be movable, for example rotatable. A movable holder 402 can open
einfache Weise ein diskretes oder kontinuierliches ; simple way a discrete or continuous;
stationäres oder dynamisches Ändern 404 des Raumwinkels 322 des optoelektronischen Bauelementes 100 bezüglich einer stationary or dynamic changing 404 of the solid angle 322 of the optoelectronic component 100 with respect to a
Objektebene 302 und/oder einer Bildebene 302 ermöglichen. Object plane 302 and / or an image plane 302 allow.
Die Bauelementevorrichtung kann dabei derart eingerichtet sein, dass das Ändern des Raumwinkels 322 mit einer The component device can be set up such that changing the solid angle 322 with a
elektrischen Steuerung verbunden ist , beispielsweise ähnlich einem Dimmer. electrical control is connected, for example, similar to a dimmer.
Fig .5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß FIG. 5 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to FIG
verschiedenen Ausgestaltungen . In einer Ausgestaltung kann die BauelementeVorrichtung 500 ein optoelektronisches Bauelement 100 in einem Gehäuse 502 aufweisen . Das optoelektronische Bauelement 100 kann gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.l ausgebildet sein. Weiterhin kann der Halter 402 des optoelektronischen different configurations. In one embodiment, the device device 500 may include an opto-electronic device 100 in a housing 502. The optoelectronic component 100 may be designed in accordance with one of the embodiments of the description of FIG. Furthermore, the holder 402 of the optoelectronic
Bauelementes 100 beispielsweise gemäß einer der Component 100, for example, according to one of
Ausgestaltungen der Beschreibung Fig .4 eingerichtet sein . Embodiments of the description Fig. 4 be established.
Das Gehäuse 502 kann dabei wenigstens eine Blende 504 The housing 502 can at least one aperture 504
aufweisen, beispielsweise eine Schlitzblende 504 oder eine Spaltblende 504 , im Lichtweg der elektromagnetischen have, for example, a slit 504 or a slit 504, in the optical path of the electromagnetic
Strahlung von und/oder zu dem optoelektronischen Bauelement . Dadurch kann beispielsweise die elektromagnetische Strahlung, die von dem optoelektronischen Bauelement nicht nach unten emittiert wird, von dem Gehäuse absorbiert werden . Dadurch kann gewährleistet werden, dass es zu keiner Beeinträchtigung der Farbvarianz der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung mit elektromagnetischer Strahlung anderer Radiation from and / or to the optoelectronic component. As a result, for example, the electromagnetic radiation, which is not emitted downwards by the optoelectronic component, can be absorbed by the housing. This can ensure that there is no impairment of the color variance of the electromagnetic radiation provided with electromagnetic radiation of others
Raumwinkel kommt . Solid angle comes.
Die Blenden können dabei die elektromagnetische Strahlung kollimieren und/oder das Spektrum der elektromagnetische Strahlung filtern, beispielsweise ähnlich einem The diaphragms can thereby collimate the electromagnetic radiation and / or filter the spectrum of the electromagnetic radiation, for example similar to one
Monochromator . Monochromator.
Mittels der Blende 504 in dem Lichtweg kann in dem Gehäuse 502 gestreute elektromagnetische Strahlung, By means of the aperture 504 in the light path scattered in the housing 502 electromagnetic radiation,
elektromagnetische Strahlung anderer Raumwinkel 322 und/oder elektromagnetische Strahlung anderer Spektren im electromagnetic radiation of other solid angles 322 and / or electromagnetic radiation of other spectra in the
bereitgestellten und/oder aufgenommenen Spektrum reduziert werden . Das Gehäuse 502 kann mehr als eine Blende 504 im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes 100 aufweisen, beispielsweise zwei , drei , vier, fünf , sechs oder mehr . Der Abstand 506 zwischen benachbarten Blenden 504 kann konstant oder provided and / or recorded spectrum can be reduced. The housing 502 may have more than one aperture 504 in the optical path of the optoelectronic device 100, for example two, three, four, five, six or more. The distance 506 between adjacent apertures 504 may be constant or
unterschiedlich ausgebildet sein. be formed differently.
Der Betrag eines unterschiedlich ausgebildeten Abstandes 506 der Blenden 504 kann beispielsweise von der Mitte des The amount of a different trained distance 506 of the aperture 504, for example, from the center of the
optoelektronischen Bauelementes 100 zum Gehäuse 502 hin abnehmen oder zunehmen, beispielsweise bei einem optoelectronic component 100 to the housing 502 decrease or increase, for example, in a
nichtlinearen Zusammenhang zwischen Raumwinkel 322 und beispielsweise der Farbvalenz der, von einem nonlinear relationship between solid angle 322 and, for example, the color valence of, from a
optoelektronischen Bauelement bereitgestellten, Optoelectronic device provided,
elektromagnetischen Strahlung. electromagnetic radiation.
Die Blenden 504 können beispielsweise die Form ähnlich oder gleich konzentrischer Ringe , Lamellen und/oder von The diaphragms 504 may, for example, the shape of similar or equal concentric rings, slats and / or of
Spaltblenden aufweisen. Have slit diaphragm.
Das Gehäuse 502 kann die Form ähnlich oder gleich eines The housing 502 may have the shape similar or equal to one
Hohlzylinders , einer Hohlkugel , eines Quaders und/oder eines Vieleckes aufweisen . Hollow cylinder, a hollow sphere, a cuboid and / or a polygon have.
Fig.6 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß 6 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device, according to FIG
verschiedenen Ausgestaltungen . Zusätzlich oder stattdessen zu den Ausgestaltungen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 400 , 500 der different configurations. Additionally or instead, to the embodiments of the optoelectronic component device 400, 500 of
Beschreibungen der Fig .4 und/oder Fig.5 kann die Descriptions of Fig. 4 and / or Fig.5 can the
Bauelementevorrichtung 600 wenigstens eine reflektierenden Oberfläche eines Reflektor 604 in einem Lichtweg 602, 606 des optoelektronischen Bauelementes 100 aufweisen. Component device 600 at least one reflective surface of a reflector 604 in an optical path 602, 606 of the optoelectronic component 100 have.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig .1 ausgebildet sein. Weiterhin kann der Halter 402 des optoelektronischen The optoelectronic component 100 may be formed according to one of the embodiments of the description of FIG. Furthermore, the holder 402 of the optoelectronic
Bauelementes 100 beispielsweise gemäß einer der Component 100, for example, according to one of
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig .4 eingerichtet se Weiterhin kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ein Gehäuse 502 beispielsweise gemäß einer der Embodiments of the description of Fig. 4 set se Furthermore, the optoelectronic component device, a housing 502, for example, according to one of
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig .5 aufweisen. Die reflektierende Oberfläche des Reflektors 604 kann Embodiments of the description of FIG. 5 have. The reflective surface of the reflector 604 may
indirekt bereitgestell e elektromagnetische Strahlung 606 umlenken, welches von der Objektebene 302 oder dem indirectly provide e electromagnetic radiation 606 redirect, which of the object plane 302 or the
optoelektronischen Bauelement 100 in eine andere Richtung bereitgestellt wird als die direkt bereitgestellte Optoelectronic device 100 is provided in a different direction than the directly provided
elektromagnetische Strahlung 602. electromagnetic radiation 602.
Mit anderen Worten: von einem optoelektronischen  In other words: from an opto-electronic
Bauelement 100 kann unter einem ersten Raumwinkel 322 , beispielsweise 0 ° , ein erstes Spektrum e1ektromagnetischer Strahlung bereitgestellt werden. Ein zweites Spektrum Component 100 may be provided at a first solid angle 322, for example 0 °, a first spectrum of electromagnetic radiation. A second spectrum
elektromagnetischer Strahlung kann bei einem zweiten Electromagnetic radiation can be at a second
Raumwinkel 322 , beispielsweise mit einem Betrag von 45 0 bereitges ellt werden . Elektromagnetische Strahlung des zweiten Spektrums wird j edoch bei Raumwinkeln bei -45 ° und +45 ° bereitgestellt . Da das optoelektronische Bauelement 100 nur mit einem Raumwinkel 322 zu der Bildebene 302 bzw. Solid angle 322, for example, be provided with an amount of 45 0 . Electromagnetic radiation of the second spectrum is, however, provided at solid angles at -45 ° and + 45 °. Since the optoelectronic component 100 only with a solid angle 322 to the image plane 302 or
Objektebene 302 ausgerichtet werden kann, kann nur die Hälfte des unter einem Raumwinkel mit einem Betrag von 45 0 Object level 302 can be aligned, only half of the below a solid angle with an amount of 45 0
ausgestrahlten Spektrums beispielsweise zum Beleuchten der Bildebene 302 verwendet werden, beispielsweise de Teil des Spektrums der unter einem Raumwinkel von + 45° bereitgestellt wird. Mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors 604 kann die zweite Hälfte des zweiten Spektrums auf die Bildebene 302 umgelenkt werden, beispielsweise der Teil des Spektrums der unter einem Raumwinkel von - 45 ° For example, the emitted spectrum can be used to illuminate the image plane 302, for example the part of the spectrum which is provided at a spatial angle of + 45 °. By means of the reflecting surface of the reflector 604, the second half of the second spectrum can be redirected to the image plane 302, for example the part of the spectrum which is at a solid angle of -45 °
bereitgestellt wird. provided.
Mittels der zusätzlichen, reflektierten elektromagnetischen Strahlung 606 kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelementes 100 erhöht werden. By means of the additional, reflected electromagnetic radiation 606, the efficiency of the optoelectronic component 100 can be increased.
Der Einfallswinkel für elektromagne ische Strahlung auf die reflektierende Oberfläche des Reflektors 604 kann diskret oder kontinuierlich eingestellt und stationär oder dynamisch geändert werden . The angle of incidence for electromagnetic radiation on the reflective surface of the reflector 604 may be discrete or continuously adjusted and changed stationarily or dynamically.
Ein stationär eingestellter Einfallswinkel kann A stationary set angle of incidence can
beispielsweise bei einem unbeweglichen optoelektronischen Bauelement 100 und/oder einer unbeweglichen Reflektor 604 realisiert sein. Ein stationärer Reflektor 604 kann For example, be implemented in a fixed optoelectronic device 100 and / or a stationary reflector 604. A stationary reflector 604 may
beispielsweise als verspiegelte Innenflächen 604 eines for example, as mirrored inner surfaces 604 of a
Gehäuses ausgebildet sein, beispielsweise als reflektierende Innenfläche des Gehäuses 502 einer der Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.5. Housing be formed, for example, as a reflective inner surface of the housing 502 one of the embodiment of the description of Figure 5.
Ein dynamisches Einstellen des Einfallswinkels kann bei einem beweglichen Reflektor 604 realisiert sein, beispielsweise als ein beweglicher Spiegel 604. Dynamic adjustment of the angle of incidence may be realized with a movable reflector 604, for example as a movable mirror 604.
Die zweite Auslenkung des Reflektors 604 kann beispielsweise mit der Auslenkung 404 des optoelektronischen Bauelementes 100 gekoppelt sein. The second deflection of the reflector 604 may, for example, be coupled to the deflection 404 of the optoelectronic component 100.
Der Einfallswinkel elektromagnetischer Strahlung kann auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors 604 dabei gleich oder unterschiedlich zu dem Raumwinkel 322 der The angle of incidence of electromagnetic radiation on the reflecting surface of the reflector 604 may be equal to or different from the solid angle 322 of FIG
elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen electromagnetic radiation of the optoelectronic
Bauelementes 100 ausgebildet sein. Component 100 may be formed.
Elektromagnetische Strahlung, welche beispielsweise von einem optoelektronischen Bauelement 100 gemäß einer der Electromagnetic radiation which, for example, from an optoelectronic component 100 according to one of
Ausgestaltungen der Fig.l bereitgestellt wird, kann auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors 604 einen anderen Einfallswinkel aufweisen als der Raumwinkel 322 des Embodiments of Fig.l is provided, on the reflective surface of the reflector 604 may have a different angle of incidence than the solid angle 322 of
optoelektronischen Bauelementes . optoelectronic component.
Mittels der zweiten Auslenkung der reflektierenden Oberfläche des Reflektors 604 kann das Spektrum der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene 302 verändert werden, da das optoelektronische Bauelement 100 in Abhängigkeit des Raumwinkels 322 ein Spektrum elektromagneti cher Strahlung mit veränderlicher Farbvarianz bereitstellen kann. By means of the second deflection of the reflecting surface of the reflector 604, the spectrum of the electromagnetic radiation in the image plane 302 can be changed, since the optoelectronic component 100 depends on the Solid angle 322 can provide a spectrum electromagnetic radiation with variable color variance.
In einer Ausgestaltung kann die reflektierende Oberfläche des Reflektors 604 und das optoelektronische Bauelement 100 derart eingerichtet sein, dass die in Richtung der Bildebene 302 umgelenkte elektromagnetische Strahlung 606 , ein anderes Spektrum aufweist als das das Spektrum der direkt, von dem optoelektronischen Bauelement 100 , bereitgestellte In an embodiment, the reflective surface of the reflector 604 and the optoelectronic component 100 may be configured such that the electromagnetic radiation 606 deflected in the direction of the image plane 302 has a different spectrum than that of the spectrum provided directly by the optoelectronic component 100
elektromagnetische Strahlung 602. Das Spektrum der indirekt bereitgestellten, elektromagentischen Strahlung 606 und das Spektrum der direkt bereitgestellten elektromagentische electromagnetic radiation 602. The spectrum of indirectly provided electromagnetic radiation 606 and the spectrum of directly provided electromagnetic
Strahlung 602 können dadurch in der Bildebene 302 überlagert werden, d.h. eine Farbmischung eingestellt werden . Radiation 602 may thereby be superimposed in the image plane 302, i. a color mixture can be adjusted.
In einer Ausgestaltung kann die reflektierende Oberfläche des Reflektors 604 und das optoelektronische Bauelement 100 derart eingerichtet sein, dass die aus Richtung der In one embodiment, the reflective surface of the reflector 604 and the optoelectronic component 100 may be configured such that the direction of the
O j ektebene 302 umgelenkte elektromagnetische Strahlung 606 einen anderen Raumwinkel 322 auf dem optoelektronischen Oj ektebene 302 deflected electromagnetic radiation 606 another solid angle 322 on the optoelectronic
Bauelement 100 aufweist als die direkt auf das Component 100 has as the directly on the
optoelektronische Bauelemente 100 bereitgestellte Optoelectronic devices 100 provided
e1ektromagnetische Strahlung 602. Die indirekt Electromagnetic radiation 602. The indirect
bereitgestellte elektromagentische Strahlung 606 und die direkt bereitgestellte elektromagentische Strahlung 602 können dadurch in dem optoelektronischen Bauelement 100 gemischt werden . provided electromagnetic radiation 606 and the directly provided electromagnetic radiation 602 can thereby be mixed in the optoelectronic device 100.
Fig.7 zeigt eine konkrete Ausgestaltung eines 7 shows a concrete embodiment of a
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen optoelectronic component, according to various
Ausgestaltungen . Embodiments.
Wie in Fig.7 dargestellt ist , kann in verschiedenen As shown in Figure 7, can in different
Ausführungsbeispielen die erste organische funktionelle Schichtenstruktur 116 eine Lochinj ektionsschicht 702 Exemplary embodiments, the first organic functional layer structure 116 a Lochinj ektionsschicht 702nd
aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 106 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein kann. Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine Lochtransportschicht als eine Elektronenblockadeschicht verstanden werden. may be deposited on or over the first electrode 106, for example, deposited. In the context of this description, a hole transport layer can be understood as an electron block layer.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine In the context of this description, a
Elektronentransportschicht als eine Lochblockadeschicht verstanden werden.  Electron transport layer can be understood as a Lochblockadeschicht.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die In various embodiments, the
Lochinj ektionsschicht 702 eines oder mehrere der folgenden Lochinj ektionsschicht 702 one or more of the following
Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Have or consist of materials:
• HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, V0X, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (IlDpFBz, F16CuPc, HTM01 : Cu ( II } FBz , • HAT-CN, (Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, X V0, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi IlDpFBz, F16CuPc, HTM01: Cu (II} FBZ,
aNPD:MoOX/ PEDOT:PSS, HT508; aNPD: MoO X / PEDOT: PSS, HT508;
• NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl} - benzidin) ;  • NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) benzidine);
• beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 2 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ,- TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ;  Beta-NPB Ν, Ν'-bis (naphthalene-2-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) benzidine), - TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν ' bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
• Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - spiro) ; DMFL-TPD N, N ' -Bis (3 -methylphenyl) -N, 1 ~ Spiro-NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) spiro); DMFL-TPD N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, 1 ~
bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ;  bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
• DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9-dimethyl-fluoren) ;  • DMFL-NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
• DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9 -diphenyl-fluoren)  • DPFL-TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene)
• DPFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9 -diphenyl - fluoren) ;  DPFL-NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
• Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, -diphenylamino) - 9,9 ' - spirobifluoren) ;  Spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (n, -diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene);
• 9, 9-Bis [4- (N, N-bis -bipheny1-4 -y1 -amino) phenyl] -9H- fluoren;  • 9,9-bis [4- (N, N-bis -biphenyl-1-4-yl-amino) -phenyl] -9H-fluorene;
• 9, 9-Bis [4- (N, N-bis- aphthalen- 2 -yl-amino) henyl] -9H- fluoren;  9, 9-bis [4- (N, N-bis-aphthalene-2-ylamino) -henyl] -9H-fluorene;
• 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis -naphthalen- 2 -yl-N, 1 -bis-phenyl- amino) -phenyl] - 9H-fluor ; • , N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin;• 9,9-bis [4- (Ν, Ν'-bis -naphthalene-2-yl-N, 1 -bis-phenylamino) -phenyl] -9H-fluoro; • N, N'-bis (phenanthrene-9-yl) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidine;
• 2, 7-Bis [N, N-bis (9, 9-spiro-bifluorene- 2 -yl) -amino] -9, 9- spiro-bifluoren; • 2, 7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluoren-2-yl) -amino] -9,9-spiro-bifluorene;
• 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren;  • 2,2 '- bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spirobifluorene;
• 2,2' -Bis (N, N-di -phenyl -amino) 9 , 9-spiro-bifluoren;  2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene;
• Di- [4 - (N, N-ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan;  Di- [4 - (N, N-ditolylamino) -phenyl] cyclohexane;
• 2,2' ,7,7' - tetra (N( N-di- tolyi) amino- spiro-bifluoren; und• 2,2 ', 7,7' - tetra (N ( N-di-toly) amino spiro-bifluorene;
• N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin. • N, Ν, Ν ', Ν'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine.
Die Lochinj ektionsschicht 702 kann eine Schichtdicke The Lochinj ektionsschicht 702 may have a layer thickness
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 250 nm bis ungefähr 290 nm, beispielsweise ungefähr 270 nm. Auf oder über der Lochinj ektionsschicht 702 kann eine erste Lochtransportschicht 704 aufgebracht, beispielsweise in a range from about 250 nm to about 290 nm, for example about 270 nm. On or above the hole injection layer 702, a first hole transport layer 704 may be applied, for example
abgeschieden, sein oder werden . In verschiedenen be deposited, be or become. In different
Ausführungsbeispielen kann die erste Lochtransportschicht 704 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen : In embodiments, the first hole transport layer 704 may comprise or consist of one or more of the following materials:
• NPB (N, N 1 -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ; • NPB (N, N 1 -bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) benzidine);
• beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin) ; Beta-NPB Ν, Ν'-bis (naphthalen-2-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) benzidine); TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -N, 1 -bis (phenyl) benzidine);
• Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9 , -dimethyl-fluoren) ;  Spiro-NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) spiro); DMFL-TPD Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9, -dimethyl-fluorene);
· D FL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - D FL-NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -
9 , 9 -dimethyl-fluoren) ; 9, 9 -dimethyl-fluorene);
• DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9 -dipheny1 - fluoren) ;  DPFL-TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-dipheny1-fluorene);
• DPFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9-diphenyl-fluoren) ;  DPFL-NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
• Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 ' - spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4 - (N, N-bis-biphenyl-4 -yl-amino) phenyl] -9H- fluoren; Spiro-TAD (2, 2 ', 7, 7'-tetrakis (n, n-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene); 9,9-bis [4 - (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) -phenyl] -9H-fluorene;
9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen- 2 -yl-amino) phenyl] -9H- fluoren;  9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalene-2-ylamino) phenyl] -9H-fluorene;
9, 9-Bis [4- (N, ' -bis -naphthalen- 2 -yl -N, N ' -bis -phenyl - amino) -phenyl] -9H-fluor ;  9,9-bis [4- (N, '-bis -naphthalene-2-yl-N, N'-bis -phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluoro;
N, N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin; 2, 7-Bis [N, -bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -araino] -9, 9- spiro-bifluoren,·  N, N'-bis (phenanthrene-9-yl) -N, '-bis (phenyl) -benzidine; 2, 7-bis [N, -bis (9,9-spiro-bifluoren-2-yl) -araino] -9,9-spiro-bifluorene,
2,2' -Bis [N, N-bis (bipheny1 -4 -y1 ) amino] 9, 9-spiro- bifluoren,·  2,2 'bis [N, N-bis (bipheny1 -4-yl) amino] 9,9-spirobifluorene,
2,2' -Bis (N, N-di -phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren;  2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene;
Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;  Di- [4- (Ν, Ν -ditolylamino) -phenyl] cyclohexane;
2 , 2 ' , 7 , 7 ' - tetra (N, N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren; und 2, 2 ', 7, 7' - tetra (N, N-di-tolyl) amino spiro-bifluorene; and
N, N, 1 , N ' -tetra-naphthalen- 2 -yl -benzidin. N, N, 1 , N'-tetra-naphthalene-2-yl-benzidine.
Die erste Lochtransportschicht 704 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm. The first hole transport layer 704 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht 704 kann eine erste Emitterschicht 706 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein. Die Emittermaterialien, die beispielsweise für die erste Emitterschicht 706 vorgesehen sein können, sind oben beschrieben . On or above the hole transport layer 704, a first emitter layer 706 may be applied, for example deposited. The emitter materials that may be provided for the first emitter layer 706, for example, are described above.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste In various embodiments, the first
Emitterschicht 706 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungef hr 40 nm. Emitter layer 706 have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
Weiterhin kann auf oder über der ersten Emitterschicht 706 eine erste Elektronentransportschicht 708 angeordnet , beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Furthermore, a first electron transport layer 708 may be arranged, for example deposited, on or above the first emitter layer 706. In different
Ausführungsbeispielen kann die erste Embodiments may be the first
Elektronentransportschicht 708 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen : Electron transport layer 708 comprise or consist of one or more of the following materials:
• NET- 18 2,2' ,2" - (1,3 , 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; • NET- 18 2,2 ', 2 "- (1,3,5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole);
2- (4 -Biphenylyl} -5- (4 -tert-butylphenyl) -1, 3,4- oxadiazole , 2, 9 -Dimethyl -4 , 7 -diphenyl- 1 , 10-phenanthroline (BCP) ;  2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1, 3,4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP);
8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4 - (Naphthalen- 1-yl) -3,5- diphenyl-4H-l , 2 , 4-triazole;  8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4 - (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole;
1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3,4 -oxadiazo-5- yl] benzene;  1, 3-bis [2- (2,2'-bipyridines-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene;
, 7 -Diphenyl- 1, 10-phenanthroline (BPhen) ;  7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen);
3 - (4 -Biphenylyl) -4 -pheny1-5 -tert-butylphenyl- 1 , 2, 4- triazole ;  3 - (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazoles;
Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium;  Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum;
6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2'- bipyridyl ;  6,6'-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] -2,2'-bipyridyl;
2-phenyl-9 , 10 -di (naphthalen-2 -yl) -anthracene ;  2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) -anthracenes;
2, 7-Bis [2- {2 , 21 -bipyridine-6-yl) -1,3 , 4 -oxadiazo-5-yl] -2, 7-bis [2- {2, 2 1 -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo-5-yl] -
9, 9-dimethylfluorene ; 9,9-dimethylfluorene;
1, 3-Bis [2- (4 - tert-butylphenyl ) -1,3 , 4-oxadiazo-5- yl] benzene ;  1, 3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene;
2 - (naphthalen-2 -yi) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2 , 9-Bis (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline ;  2 - (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines; 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl ) phenyl) borane ;  Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) boranes;
l-methyl-2- (4- (naphthalen-2 -yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1 , 10] phenanthroline ;  1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthrolines;
Phenyl-dipyrenylphosphine oxide ;  Phenyl-dipyrenylphosphine oxides;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer  Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides; Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and fabrics based on siloles with a
Silacyclopentadieneinheit .  Silacyclopentadiene unit.
Die erste Elektronentransportschicht 708 kann eine The first electron transport layer 708 may be a
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm. Wie oben beschrieben worden ist , bilden die (optionale) Layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm. As described above, the (optional)
Lochinj ektionsschicht 702 , die (optionale) erste Lochinj ektionsschicht 702, the (optional) first
LochtransportSchicht 70 , die erste EmitterSchicht 706 , sowie die (optionale) erste Elektronentransportschicht 708 die erste organische funktionelle Schichtenstruktur 116. Hole transport layer 70, the first emitter layer 706, and the (optional) first electron transport layer 708, the first organic functional layer structure 116th
Auf oder über der ersten organischen funktionellen On or above the first organic functional
Schichtenstruktur 116 ist eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur ( Charge generation layer - CGL) 118 Layer structure 116 is a charge generation layer (CGL) layer structure 118
angeordnet , die im Folgenden noch näher beschrieben wird. arranged, which will be described in more detail below.
Auf oder über der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur 118 kann in verschiedenen On or above the carrier pair generation layer structure 118 may be in different
Ausführungsbeispielen die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur 120 angeordnet sein . Embodiments, the second organic functional layer structure 120 may be arranged.
Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur 120 kann in verschiedenen Aus führungsbeispielen eine zweite The second organic functional layered structure 120 may in various embodiments include a second
Lochtransportschicht 810 aufweisen, wobei die zweite Hole transport layer 810, wherein the second
Lochtransportschicht 810 auch als lochleitende Hole transport layer 810 also as hole-conducting
Ladungsträgerpaar-E zeugungs- Schichtens 810 bezeichnet werden kann und als Teil der Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichtenstruktur 118 angeordnet ist . Beispielsweise kann die zweite Lochtransportschicht 810 in körperlichem Kontakt 808 mit der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Charge pair E- generating layer 810 can be designated and is arranged as part of the charge carrier pair generation layer structure 118. For example, the second hole transport layer 810 may be in physical contact 808 with the first electron conductive carrier pair.
Erzeugungs -Schichtenstruktur 806 sein, anders ausgedrückt , sie teilen sich eine gemeinsame Grenzfläche . In other words, they share a common interface.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite In various embodiments, the second
Lochtransportschicht 810 bzw. lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schichtens 810 eines oder mehrere der folgenden Materialien oder eine stöchiometrische Variante dieser Hole transport layer 810 or hole-conducting charge carrier pair generation layer 810 one or more of the following materials or a stoichiometric variant of these
Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein : ; Compound or be formed from:;
• BaCuSF, BaCuTeF , NiO, Cu haltige Delafossite  • BaCuSF, BaCuTeF, NiO, Cu containing Delafossite
beispielsweise C MO2 (M = trivalentes Kation  for example, C MO2 (M = trivalent cation
beispielsweise AI , Ga, In, oder ähnliches) CUO2 ,  for example, Al, Ga, In, or the like) CUO2,
CuY1_xCax02 , CuCri-xMgx02 , ZnM204 (M = Co, Rh, Rh, Ir, oder ähnliches) , SrCu2C>2 , LaCuOM (M = S, Se , Te, oder ähnliches) oder auch Mg dotiertes CuCrÜ2 , NPB (N, N 1 - Bis (naphthalen-l-yl) - , N 1 -bis (phenyl) -benzidin) CuY 1 _ x Ca x 0 2, CuCri- x Mg x 0 2, Znm 2 0 4 (M = Co, Rh, Rh, Ir, or the like), SrCu 2 C> 2, LaCuOM (M = S, Se, Te, or the like), or Mg-doped CuCr 2, NPB (N, N 1 -bis (naphthalen-1-yl) -, N 1 -bis (phenyl) benzidine)
beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 2 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3- me hylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν, Ν'-bis (naphthalen-2-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) benzidine); TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) benzidine);
Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - spiro) ; DMFL-TPD ,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9 -diraethyl-fluoren) ; Spiro-NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-l-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) spiro); DMFL-TPD, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
DMFL-NPB ( , ' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9 - dimethy1 - fluoren) ;  DMFL-NPB (', - bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-dimethy1-fluorene);
DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9 - diphenyl - fluoren) ;  DPFL-TPD (Ν, Ν'-bis (3-methylphenyl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
DPFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9, 9-diphenyl-fluoren) ;  DPFL-NPB (Ν, Ν'-bis (naphthalen-1-yl) -Ν, Ν'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
Spiro-TAD (2,2· ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 1 - spirobifluoren) ; Spiro-TAD (2,2 ·, 7,7 'tetrakis (N, N-diphenylamino) - 9, 9 1 - spirobifluorene);
9, 9-Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino) henyl] -9H- fluoren ,- 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) -heyl] -9H-fluorene,
9, 9-Bis [4- (N, -bis-naphthalen-2 -yl -amino) henyl] -9H- fluoren; 9,9-bis [4- (N, -naphthalen-2-yl-amino-amino) -9H-fluorene;
9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen- 2 -yl -N, ' -bis -phenyl - amino) -phenyl] -9H-fluor ;  9,9-bis [4- (Ν, Ν'-bis-naphthalene-2-yl-N, '-bis -phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluoro;
N, ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin; 2, 7-Bis [N, -bis (9 , 9 - spiro-bifluorene- 2 -yl ) -amino] -9, 9- spiro-bifluoren; N, '-bis (phenanthrene-9-yl) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidine; 2, 7-bis [N, -bis (9, 9-spiro-bifluoren-2-yl) -amino] -9, 9-spiro-bifluorene;
2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4 -yl ) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren,- 2,2 '- bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spirobifluorene,
2,2' -Bis (N, -di-phenyl -amino) 9 , 9 - spiro-bifluoren; 2,2'-bis (N, -di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene;
Di- [4 - (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;  Di- [4 - (N, N-ditolylamino) -phenyl] cyclohexane;
2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bif luoren; und 2, 2 ', 7, 7' -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluorene; and
N, N, N ' , N 1 -tetra-naphthalen- 2 -yl-benzidin N, N, N ', N 1 -tetra-naphthalene-2-yl-benzidine
HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, Ox, VOx , ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPc Als Erzeugungsmethode der Lochleiterschichten mit diesen HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, O x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc As a production method of the hole conductor layers with these
Stoffen eignen sich gepulste Laserdeposition bei Fabrics are suitable for pulsed laser deposition
Raumtemperatur, Sputtern bei niedrigen Temperaturen oder gepulstes Magnetronsputtern . Room temperature, sputtering at low temperatures or pulsed magnetron sputtering.
Die zweite LochtransportSchicht 810 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm . The second hole transport layer 810 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 40 nm.
Weiterhin kann die zweite organische funktioneile Furthermore, the second organic functional
Schichtenstruktur 120 eine zweite Emitterschicht 710 Layer structure 120, a second emitter layer 710
aufweisen, die auf oder über der zweiten LochtransportSchicht 810 angeordnet sein kann. Die zweite Emitterschicht 710 kann die gleichen Emittermaterialien aufweisen wie die erste which may be disposed on or above the second hole transport layer 810. The second emitter layer 710 may have the same emitter materials as the first one
Emitterschicht 706. Alternativ können die zweite Emitter layer 706. Alternatively, the second
Emitterschicht 710 und die erste Emitterschicht 706 Emitter layer 710 and the first emitter layer 706
unterschiedliche Emittermaterialien aufweisen. In have different emitter materials. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite various embodiments, the second
Emitterschicht 710 derart eingerichtet sein, dass sie Emitter layer 710 be set up so that they
elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares electromagnetic radiation, for example, visible
Licht , gleicher Wellenlänge (n) emittiert, wie die erste Light, same wavelength (s) emitted as the first
Emitterschicht 706. Alternativ kann die zweite Emitterschicht 710 derart eingerichtet sein, dass sie elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht , anderer  Emitter layer 706. Alternatively, the second emitter layer 710 may be configured to emit electromagnetic radiation, such as visible light, others
Wellenlänge <n) emittiert als die erste Emitterschicht 706. die Emittermaterialien der zweiten Emitterschicht können Materialien sein, wie sie oben beschrieben worden sind . Wavelength <n) emitted as the first emitter layer 706. The emitter materials of the second emitter layer may be materials as described above.
Andere geeignete Emittermaterialien können selbstverständlich sowohl für die erste Emitterschicht 706 als auch für die zweite Emitterschicht 710 vorgesehen sein. Of course, other suitable emitter materials may be provided for both the first emitter layer 706 and the second emitter layer 710.
Weiterhin kann die zweite organische funktionelle Furthermore, the second organic functional
Schichtenstruktur 120 eine zweite Elektronentransportschicht 712 aufweisen, die auf oder über der zweiten Emitterschicht 710 angeordnet , beispielsweise abgeschieden, sein kann. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Layer structure 120 may include a second electron transport layer 712, which may be disposed on or over the second emitter layer 710, for example, deposited. In various embodiments, the second
Elektronentranspor Schicht 712 eines oder mehrere der Electron transport layer 712 one or more of
folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen : have or consist of the following materials:
• NET- 18 , NET- 5 , ETM033 , ETM036, BCP, BPhen;  • NET18, NET5, ETM033, ETM036, BCP, BPhen;
· 2,2' , 2 " - (1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1 -phenyl -1-H- benzimidazole) ;  2,2 ', 2 "- (1,3,5-triethylenetriyl) tris (1 -phenyl-1-H-benzimidazole);
• 2- (4 -Biphenylyl) -5- ( 4 -tert -butylphenyl ) -1,3,4- oxadiazole , 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline (BCP) ;  2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP);
· 8 -Hydroxyquinolinolato- 1ithium, 4- (Naphthalen- 1-yl) -3,5- diphenyl -4H- 1 , 2, 4-triazole;  8-hydroxyquinolinolato-1ithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole;
• l,3-Bis[2-(2,2' -bipyridine- 6 -yl ) -1,3, 4-oxadiazo-5- yl] benzene ,- L, 3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene,
• 4 , 7-Diphenyl-l, 10 -phenanthroline (BPhen) ; • 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen);
· 3- (4 -Biphenylyl) -4 -phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2,4- triazole;  3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazoles;
• Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4-
(phenylphenolato) aluminium; (phenylphenolato) aluminum;
• 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4 -yl) -1,3 , 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2'- bipyridyl ;  • 6,6 '- bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] -2,2'-bipyridyl;
• 2-phenyl-9, 10 -di (naphthalen- 2 -yl) -anthracene ;  2-phenyl-9,10-di (naphthalene-2-yl) -anthracenes;
• 2, 7 -Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -yl ) -1, 3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] - 9, 9 -dimethy1fluorene ;  • 2, 7 -bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1, 3, 4 -oxadiazol-5-yl] -9,9-dimethyfluorene;
• 1, 3 -Bis [2- ( 4 - tert-butylphenyl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 - yl] benzene ;  • 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene;
• 2- (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ; • 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines;
• 2 , 9-Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline ; • 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines;
• Tris (2,4,6-trimethyl - 3 - (pyridin-3 -yl ) phenyl) borane ;  Tris (2,4,6-trimethyl-3 - (pyridin-3-yl) phenyl) boranes;
· l-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) - 1H- imidazo [4 , 5- f] [1 , 10] henanthroline;  1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4, 5-f] [1, 10] henanthroline;
• Phenyl-dipyrenylphosphine o ide ;  • phenyl-dipyrenylphosphine o ide;
• Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides;
• Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und · Stoffen basierend auf Silolen mit einer Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and · fabrics based on siloles with a
Silacyclopentadieneinheit . Die zweite ElektronentransportSchicht 712 kann eine Silacyclopentadiene unit. The second electron transport layer 712 may be a
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von  Layer thickness in a range of about 10 nm to about 50 nm, for example in a range of
ungefähr 15 nm bis ungefähr 40 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm. about 15 nm to about 40 nm, for example, in a range of about 70 nm to about 80 nm.
Ferner kann auf oder über der zweiten Further, on or above the second
Elektronentransportschicht 712 eine Electron transport layer 712 a
Elektroneninjektionsschicht 714 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.  Electron injection layer 714 applied, for example deposited.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die In various embodiments, the
Elektroneninj ektionsschicht 714 eines oder mehrere der Elektroneninj ektionsschicht 714 one or more of
folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: have or consist of the following materials:
NDN-26, gAg, CS2 O3 , CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF ;  NDN-26, gAg, CS2 O3, CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
2 , 2 ' , 2 " -(1,3, 5-Benzinetriyl) - tris {1-phenyl-l-H- benzimidazole) ;  2, 2 ', 2 "- (1,3,5-benzene triyl) tris {1-phenyl-1-H-benzimidazoles);
2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4- oxadiazole, 2 , 9 -Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP) ;  2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP);
8 -Hydroxyquinolinolato- 1 i thium , 4 - (Naphthalen- 1 -yl ) -3,5- diphenyl -4H-1 , 2,4- triazole ;  8-hydroxyquinolinolato-1-thio, 4 - (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1, 2,4-triazole;
1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -yl ) -1, 3 , 4 -oxadiazo- 5 - yl] benzene ;  1, 3-bis [2- (2,2'-bipyridines-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene;
4 , 7-Diphenyl-l , 10-phenanthroline (BPhen) ;  4,7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BPhen);
3- (4-Biphenylyl) -4 -pheny1 - 5 - 1ert -butylpheny1 -1,2 , 4- triazole ;  3- (4-biphenylyl) -4-pheny1-5-1-tert-butylpheny1-1,2,4-triazoles;
Bis (2 -methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium;  Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum;
6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2'- bipyridyl ;  6,6'-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] -2,2'-bipyridyl;
2-phenyl-9, 10 -di (naphthalen- 2 -y1 ) -anthracene ;  2-phenyl-9,10-di (naphthalene-2-yl) -anthracenes;
2 , 7-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine - 6 -yl ) -1,3,4 -oxadiazo- 5 -yl] - 9, 9 -dimethy1 f luorene ;  2, 7-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] -9,9-dimethyl-1-fluorene;
• 1 , 3-Bis [2- ( 4 - tert -butylphenyl ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 - yl] benzene ; 2- {naphthalen- 2 -y1 ) -4 , 7 -diphenyl - 1 , 10-phenanthro1ine 2 , 9 -Bis (naphthalen-2-yl) -4 , 7 -diphenyl- 1, 10- phenanthroline ; 1, 3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene; 2- {naphthalene-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthro \ n, 2,2-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
Tris {2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl ) phenyl } borane ;  Tris {2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl} boranes;
l-methyl-2- (4- ( aphthalen- 2 -yl) henyl ) -lH-imidazo [4,5- f] [1, 10] phenanthroline;  1-methyl-2- (4- (aphthalene-2-ynyl) -heyl) -1H-imidazo [4,5- f] [1,10] phenanthroline;
Phenyl -dipyrenylphosphine oxide ;  Phenyldipyrenylphosphine oxides;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer  Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides; Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and fabrics based on siloles with a
Silacyclopentadieneinheit ,  Silacyclopentadiene unit,
Die Elektroneninj ektionsschicht 714 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 700 nm , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm. The electron injection layer 714 may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 700 nm, for example, in a range of about 70 nm to about 50 nm, for example about 40 nm.
Wie oben beschrieben worden ist , bilden die (optionale) zweite Lochtransportschicht 810 , die zweite Emi erschicht 710 , die (optionale) zweite Elektronentransportschicht 712 , sowie die (optionale) Elektroneninj ektionsschicht 714 die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur 120. As has been described above, the (optional) second hole transport layer 810, the second emitter layer 710, the (optional) second electron transport layer 712, and the (optional) electron injection layer 714 form the second organic functional layer structure 120.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 (also In various embodiments, the organic electroluminescent layer structure 110 (ie
beispielsweise die Summe der Dicken von for example, the sum of the thicknesses of
Lochtransportschicht (en) und Emitterschicht (en) und Hole transport layer (s) and emitter layer (s) and
Elektronentransportschicht (en) , etc . ) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1 , 5 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise, eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm. In verschiedenenElectron transport layer (s), etc. ) have a layer thickness of at most about 1, 5 μπι, for example, a layer thickness of at most about 1.2 μτη, for example, a layer thickness of at most about 1 μτη, for example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm , For example, a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of at most about 800 nm. In various
Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen For example, the organic electroluminescent layer structure 110 may include a stack of several directly stacked organic
Leuchtdioden (OLEDs) auf eisen, wobei jede OLED Light-emitting diodes (OLEDs) on iron, with each OLED
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 /im, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 800 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektroiumineszente Schichtenstruktur 110 beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektroiumineszente For example, a layer thickness may have a maximum of about 1.5 μπι, for example, a layer thickness of at most about 1.2 / im, for example, a layer thickness of at most about 1 μτη, for example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of at most approximately 800 nm. In various embodiments, the organic electroluminescent layer structure 110 may, for example, comprise a stack of two, three or four directly superimposed OLEDs, in which case, for example organic electroluminescent
Schichtenstruktur 110 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 8 μτη . Layer structure 110 may have a layer thickness of at most about 8 μτη.
Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise Optionally, the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren arranged on or over one or more
Emitterschichten oder auf oder über der oder den Emitter layers or on or over the or the
Elektronentransportschicht (en) aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des Have electron transport layer (s), which serve the functionality and thus the efficiency of the
lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern . light emitting device 100 to further improve.
Auf oder über der organischen elektrolumineszenten On or over the organic electroluminescent
Schichtenstruktur 110 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen Layer structure 110 or optionally on or over the one or more other organic
Funktionsschichten kann die zweite Elektrode 108 Functional layers, the second electrode 108th
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 108) aufgebracht sein, wie oben beschrieben worden ist .  (for example in the form of a second electrode layer 108), as described above.
In einer konkreten Ausgestaltung eines optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet sein, dass das Spektrum der, von dem In a specific embodiment of an optoelectronic component, the optoelectronic component 100 may be designed such that the spectrum of, from which
optoelektronischen Bauelement bereitgestellten, Optoelectronic device provided,
elektromagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommenen, electromagnetic radiation or the, of which optoelectronic component recorded,
elektromagnetischen Strahlung abhängig ist von dem electromagnetic radiation is dependent on the
Einfallswinkel bzw. Ausfallswinkel der elektromagnetischenAngle of incidence or angle of the electromagnetic
Strahlung auf der Oberfläche des optoelektronischen Radiation on the surface of the optoelectronic
Bauelementes, von dem Strahlung aufgenommen wird und/oder von dem Strahlung bereitgestellt wird. Component from which radiation is received and / or provided by the radiation.
Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise mittels herkömmlicher organischer Stoffe realisiert werden. The optoelectronic component can be realized for example by means of conventional organic substances.
Die organische Stoffe können bei einer Wellenlänge von ungefähr 550 nm einen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1 , 6 bis unge ähr 1,9, beispielsweise ungefähr 1,8 aufweisen . The organic species may have a refractive index in a range of about 1.6 to about 1.9, for example about 1.8, at a wavelength of about 550 nm.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit blauen Licht assoziiert wird, aufnehmen und/oder bereitstellen, beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 430 nm bis ungefähr 490 nm. In an embodiment, the optoelectronic component may have an organic functional layer structure which absorbs and / or provides electromagnetic radiation associated with blue light, for example with a wavelength in a range from approximately 430 nm to approximately 490 nm.
In einer Ausgestal ung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit grünem Licht assoziiert wird, aufnehmen kann und/oder bereitstellen kann, In one embodiment, the optoelectronic component may have an organic functional layer structure that can absorb and / or provide electromagnetic radiation that is associated with green light.
beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 560 nm. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit rotem Licht assoziiert wird, aufnehmen kann und/oder bereitstellen kann, for example, having a wavelength in a range of about 500 nm to about 560 nm. In one embodiment, the optoelectronic device may comprise an organic functional layer structure that can absorb and / or provide electromagnetic radiation associated with red light,
beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 570 nm bis ungefähr 630 nm. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement zwei oder mehr organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, die blaues, grünes und/oder rotes Licht for example, having a wavelength in a range of about 570 nm to about 630 nm. In one embodiment, the optoelectronic component can have two or more organic functional layer structures, which are blue, green and / or red light
bereitstellt oder aufnimmt. provides or receives.
In einer Ausgestaltung können die organischen funktionellen Schichtenstrukturen derart ausgebildet sein, dass eine In one embodiment, the organic functional layer structures may be formed such that a
Abhängigkeit der Farbvalenz, beispielsweise der korrelierten Farbtemperatur, der bereitgestellten und/oder aufgenommenen elektromagnetischen Strahlung von dem Einfallswinkel und/oder dem Ausfallswinkel realisiert wird. Dependence of the color valence, for example the correlated color temperature, of the provided and / or recorded electromagnetic radiation is realized by the angle of incidence and / or the angle of reflection.
Die von den unterschiedlichen organischen funktionellen The ones from the different organic functional ones
Schichtenstrukturen bereitgestellten elektromagnetischen Strahlungen können beispielsweise derart gemischt werden, dass die bereitgestellte elektromagnetische Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung eine weiße Farbvalenz, ähnlich oder gleich einem schwarzen Layered structures provided electromagnetic radiation can be mixed, for example, such that the provided electromagnetic radiation in the image plane of the optoelectronic component device, a white Farbvalenz, similar to or equal to a black
Strahler, schwarzen Körper oder Planck 'sehen Strahler Spotlights, black body or Planck 'spotlights
ausgebildet wird. is trained.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement der optoelektronischen Bauelementevorrichtung derart In one embodiment, the optoelectronic component of the optoelectronic component device can be such
eingerichtet sein, dass sich die Farbvalenz der aufgenommenen und/oder bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung alsbe established that the color valence of the received and / or provided electromagnetic radiation as
Funktion des Einfallswinkels und/oder des Ausfallswinkels der elektromagnetischen Strahlung ändern kann . Change the function of the angle of incidence and / or the angle of reflection of the electromagnetic radiation.
In einer ersten konkreten Ausgestaltung kann beispielsweise die korrelierte Farbtemperatur der bereitgestellten In a first specific embodiment, for example, the correlated color temperature of the provided
elektromagnetischen Strahlung mit zunehmendem oder electromagnetic radiation with increasing or
abnehmendem Beobachtungswinkel , beispielsweise von ungefähr 3000 K zu ungefähr 5000 K zunehmen . In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die decreasing viewing angle, for example from about 3000K to about 5000K. In the first concrete embodiment, the
Elektroneninj ektionsschicht 714 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 45 nm und ungefähr 65 nm aufweisen, Electron injection layer 714 has a thickness in a range of about 45 nm and about 65 nm,
beispielsweise ungefähr 55 nm. for example, about 55 nm.
In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die In the first concrete embodiment, the
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 114 eine Dicke in einem Bereich von ungef hr 120 nm und ungef hr 140 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 135 nm. Charge pair generation layer 114 has a thickness in a range of about 120 nm and about 140 nm, for example, about 135 nm.
In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die In the first concrete embodiment, the
Lochinj ektionsschicht 702 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 250 nm und ungefähr 290 nm auf eisen, beispielsweise ungefähr 270 nm. Hole injection layer 702 has a thickness in a range of about 250 nm and about 290 nm on iron, for example about 270 nm.
I der ersten konkreten Ausgestaltung können die I the first concrete embodiment, the
Lochtransportschicht , die Emitterschicht und die die Hole transport layer, the emitter layer and the
Elektronentransportschient einer organischen funktionellen Schichtenstruktur eine kombinierte Dicke , d.h. Gesamtdicke, in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 40 nm aufweisen .  Electron transport of an organic functional layer structure has a combined thickness, i. Total thickness, in a range of about 20 nm to about 40 nm.
In einer zweiten konkreten Ausgestaltung kann beispielsweise die Farbvalenz der bereitgestellten elektromagnetischen In a second concrete embodiment, for example, the color valency of the provided electromagnetic
Strahlung mit zunehmendem oder abnehmendem Beobachtungswinkel von einem ersten Farbort zu einem zweiten Farbort hin Radiation with increasing or decreasing viewing angle from a first color point to a second color point
verändern, beispielsweise zunehmen oder abnehmen, change, for example increase or decrease,
beispielsweise von rotem Licht zu grünem Licht , for example, from red light to green light,
beispielsweise von elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge von ungefähr 610 nm zu ungef hr 580 nm. In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die For example, electromagnetic radiation having a wavelength of about 610 nm to about 580 nm. In the second specific embodiment, the
Elektroneninj ektionsschicht 714 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 45 nm und ungefähr 65 nm aufweisen,  Electron injection layer 714 have a thickness in a range of about 45 nm and about 65 nm,
beispielsweise ungefähr 55 nm. In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die For example, about 55 nm. In the second concrete embodiment, the
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 114 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 105 nm und ungefähr 145 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 125 nm. Charge pair generation layer 114 has a thickness in one Range of about 105 nm and about 145 nm, for example about 125 nm.
In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die In the second concrete embodiment, the
Lochinjektionsschicht 702 eine Dicke in einem Bereich von ungef hr 170 nm und ungefähr 210 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 190 nm. Hole injection layer 702 has a thickness in a range of about 170 nm and about 210 nm, for example about 190 nm.
In der zweiten konkreten Ausgestaltung können die In the second concrete embodiment, the
Lochtransportschicht , die EmitterSchicht und die die Hole transport layer, the emitter layer and the
Elektronentransportschicht einer organischen funktionellen Schichtenstruktur eine kombinierte Dicke , d.h. Gesamtdicke , in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 40 nm aufweisen .  Electron transport layer of an organic functional layer structure has a combined thickness, i. Total thickness, in a range of about 20 nm to about 40 nm.
In Fig.8 ist in einer QuerSchnittansicht der Aufbau einer Ladungsträgerpaar-E zeugungs -Schicht 114 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine 8 shows a cross-sectional view of the structure of a charge carrier pair E-generating layer 114 according to various embodiments. In various embodiments, a
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schichtstruktur 118 eine  Charge pair generation layer structure 118 a
lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 810 , eine erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 und eine zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 802 auf eisen, wobei die zweite hole conductive charge carrier pair generation layer 810, a first electron conductive charge carrier pair generation layer 806 and a second electron conductive charge carrier pair generation layer 802 on iron, wherein the second
elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs-Schicht 802 auf oder über der ersten Elektronentransportschicht 708 angeordnet sein kann, beispielsweise mit dieser in electron conductive charge carrier pair generation layer 802 may be disposed on or over the first electron transport layer 708, for example, with this in FIG
körperlichem Kontakt sein kann . can be physical contact.
Die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 kann auf oder über der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 802 angeordnet sein, wobei optional zwischen diesen beiden Schichten 802 , 806 eine Zwischenschicht 804 vorgesehen sein kann. Auf oder über der ersten elektronenleitenden The first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 may be disposed on or above the first electron-conductive charge carrier pair generation layer 802, optionally between these two layers 802, 806 an intermediate layer 804 may be provided. On or above the first electron-conducting
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 kann die zweite Charge pair generation layer 806 may be the second
Lochtransportschicht 810 bzw. die lochleitende Lochtransportschicht 810 or the hole-conducting
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 810 angeordnet sein oder werden und steht mit ihr im körperlichen Kontakt (in Fig. 8 bezeichnet mit Bezugszeichen 808 ) . Charge pair generation layer 810 may be disposed and is in physical contact therewith (designated by reference numeral 808 in Fig. 8).
Die zweite Lochtransportschicht 810 kann auch als The second hole transport layer 810 may also be referred to as
lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 810 hole-conducting charge carrier pair generation layer 810
eingerichtet sein bzw. verstanden werden, indem be established or understood by
Ladungsträgerpaare an der gemeinsamen Grenzfläche 808 der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 mit der Lochtransportschicht 810 getrennt werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die  Charge carrier pairs at the common interface 808 of the first electron-carrier charge carrier pair generation layer 806 are separated with the hole transport layer 810. In various embodiments, the
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schichtstruktur 114 um die  Charge pair generation layer structure 114 around the
Zwischenschicht 804 (auch bezeichnet als „InterLayer") Interlayer 804 (also referred to as "InterLayer")
zwischen den elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schichten 802 , 806 erweitert werden, um den be extended between the electron-conducting charge carrier pair generation layers 802, 806 to the
Verlauf der Bandstruktur zu verändern. Change the course of the band structure.
Beispielsweise kann die Zwischenschicht 804 Zustände in der Bandlücke der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schichten 802 , 806 erzeugen und die Ladungsträgerpaartrennung erleichtern. For example, the interlayer 804 may create states in the bandgap of the carrier pair generation layers 802, 806 and facilitate carrier pair separation.
Die Zwischenschicht 804 kann weiterhin eine The intermediate layer 804 may further include a
Schichtinterdiffusion verhindern beispielsweise des Layer interdiffusion, for example, prevents the
Dotierstoffs oder des Matrixstoffes . Anders als bei anorganischen Schichtenfolgen in Halbleiter- Bauelementen können organische Schichten partiell in andere organische Schichten interdiffundieren (partielle Dopant or the matrix material. Unlike inorganic layer sequences in semiconductor devices, organic layers can partially interdiffuse into other organic layers (partial
Schichtinterdiffusion) , z.B. organische Teile der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 802 in eine organische erste elektronenleitende Layer interdiffusion), e.g. organic portions of the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 into an organic first electron-conducting layer
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtstruktur in einem Charge pair generation layer 806 of a Charge pair generation layer structure in one
optoelektronischen Bauelement 100, beispielsweise einer OLED. optoelectronic component 100, for example an OLED.
Um die partielle Schichtinterdiffusion zu unterdrücken (das heißt anschaulich eine Barrierewirkung zu erreichen) kann zwischen die einzelnen organischen Schichten, z.B. zwischen die ersten elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 und die zweiten elektronenleitenden In order to suppress the partial layer interdiffusion (that is, to visually obtain a barrier effect), between the individual organic layers, e.g. between the first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 and the second electron-conducting ones
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 802 , die Zwischenschicht 804 eingefügt werden oder eine der Schichten, d.h. die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 und/oder die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schicht 806 , können einen anorganischen Stoff aufweisen oder daraus bestehen. Carrier pair generation layer 802, interlayer 804, or one of the layers, i. the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 and / or the first electron-carrier charge-carrier generation layer 806 may include or consist of an inorganic substance.
Weiterhin kann die Zwischenschicht eine Abreaktion der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 806 mit der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schicht 802 verhindern, d.h. die Zwischenschicht 804 kann eine Reaktionsbarriere bilden. Furthermore, the intermediate layer can prevent abreaction of the first electron-carrier charge carrier generation layer 806 with the second electron-carrier charge-carrier generation layer 802, i. the intermediate layer 804 may form a reaction barrier.
Weiterhin kann die Zwischenschicht 804 die Furthermore, the intermediate layer 804 may be the
Grenzflächenrauheit zwischen der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 und der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 reduzieren, indem die Oberflächenrauheit der ersten  Reduce interface roughness between the first electron-carrier charge carrier generation layer 806 and the second electron-carrier charge-carrier generation layer 802 by reducing the surface roughness of the first
elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht mittels der Zwischenschicht 804 reduziert bzw. kompensiert wird. electron-conducting charge carrier pair generation layer is reduced or compensated by means of the intermediate layer 804.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 802 aus mehreren Stoffen, also beispielsweise einem Stoffgemisch, oder aus einem einzigen Stoff zusammengesetzt sein (aus diesem Grund kann die zweite elektronenleitende In various embodiments, the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may be composed of a plurality of substances, for example, a mixture of substances, or of a single substance (for this reason, the second electron-conducting
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 802 auch als undotierte zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 802 bezeichnet werden) . Charge pair generation layer 802 also as undoped second electron conductive carrier pair generation layer 802).
Der Stoff, der die zweite elektronenleitende The substance that the second electron-conducting
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schicht 802 bildet, das heißt beispielsweise der Stoff, aus dem die zweite Charge pair generation layer 802 forms, that is, for example, the substance from which the second
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 besteht , kann eine hohe Elektronenleitf higkeit Electronically conductive charge carrier pair generation layer 802, can be a high Elektronenleitfigkeit
(beispielsweise eine Elektronenleitfähigkeit in einer  (For example, an electronic conductivity in one
-7  -7
Größenordnung beispielsweise besser als ungef hr 10 S/m, beispielsweise besser als ungefähr 10 6 S/m, beispielsweise For example, the order of magnitude is better than about 10 S / m, for example, better than about 10 6 S / m, for example
- 5  - 5
besser als ungefähr 10 S/m aufweisen . better than about 10 S / m.
Weiterhin kann der Stoff der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 802 eine niedrige Furthermore, the substance of the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may be a low
Austrittsarbeit (beispielsweise eine Austrittsarbeit von kleiner oder gleich ungefähr 8 eV) und eine geringe  Work function (for example, a work function of less than or equal to about 8 eV) and a low
Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der zweiten Have visible light absorption. In various embodiments, as the substance of the second
elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schicht 802 j eder Stoff vorgesehen sein, das bzw. der diese genannten Bedingungen erfüllt , beispielsweise eine NET- 18 Matrix mit NDN-26 Dotierstoff ( Stoffgemisch) oder NDN-26, MgAg, CS2CO3 , CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF (Stoff) . electron-conducting charge carrier pair generation layer 802 may be provided which satisfies all of these conditions, for example a NET 18 matrix with NDN-26 dopant (mixture of substances) or NDN-26, MgAg, CS 2 CO 3, CS 3 PO 4, Na, Ca , K, Mg, Cs, Li, LiF (substance).
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einemIn various embodiments, the second electron-carrier charge carrier generation layer 802 may have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example in a range of about 8 nm to about 100 nm, for example in one
Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 90 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 60 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 50 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Range from about 10 nm to about 90 nm, for example in a range of about 70 nm to about 80 nm, for example in a range of about 80 nm to about 70 nm, for example in a range of about 40 nm to about 60 nm, for example a layer thickness of about 50 nm. In various embodiments, the first
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 806 aus mehreren Stoffen, also beispielsweise einen Stoffgemisch , oder ebenfalls aus einem einzigen Stoff zusammengesetzt sein (aus diesem Grund kann die erste elektronenleitende Electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 of several substances, so for example a mixture of substances, or also be composed of a single substance (for this reason, the first electron-conducting
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 806 auch als undotierte erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 bezeichnet werden) . Der Stoff , der die erste elektronenleitende  Carrier pair generation layer 806 may also be referred to as undoped first electron-conductive carrier couple generation layer 806). The substance that is the first electron-conducting
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 bildet , das heißt beispielsweise der Stoff , aus dem die erste  Charge pair generation layer 806 forms, that is, for example, the substance from which the first
elektronenleitende Ladungs rägerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 besteht, kann eine hohe Leitfähigkeit (beispielsweise eine Leitf higkeit in einer Größenordnung von beispielsweise electron-conducting charge carrier pair generation layer 806, a high conductivity (for example, a conductivity on the order of, for example
-5  -5
besser ungefähr 10 S/m , beispielsweise besser ungefähr better about 10 S / m, for example, better about
-4 -3  -4 -3
10 S/m, beispielsweise besser ungefähr 10 S/m. 10 S / m, for example, better about 10 S / m.
Weiterhin kann der Stoff der ersten elektronenleitenden Furthermore, the substance of the first electron-conducting
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 806 eine hohe Charge pair generation layer 806 has a high
Austrittsarbeit , beispielsweise eine Austrittsarbeit in einem Bereich von ungefähr 8,5 eV bis ungefähr 5,5 eV,  Work function, for example, a work function in a range of about 8.5 eV to about 5.5 eV,
beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 4 , 4 eV bis ungefähr 5,5 eV, und eine geringe Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der ersten elektronenleitenden Ladungs räger aar- Erzeugungs-Schicht 806 jedes Material bzw. j eder Stoff vorgesehen sein, das bzw. der diese genannten Bedingungen erfüllt, beispielsweise HAT- CN, Cu(I) FBz, MoOx, W0X/ V0X, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP - 9 , Bi (III)pFBz, F16CuPc. for example, in a range of about 4. 4 eV to about 5.5 eV, and have low visible light absorption. In various exemplary embodiments, the material of the first electron-conducting charge carrier aar generation layer 806 can be any material or material that satisfies these conditions, for example HATCN, Cu (I) FBz, MoO x , W0 x / x V0, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP - 9, Bi (III) pFBz, F16CuPc.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste In various embodiments, the first
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 806 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 90 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 nm bis electron-conductive charge carrier pair generation layer 806 have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example in a range of about 8 nm to about 100 nm, for example in a range of about 10 nm to about 90 nm, for example in a range of about 70 nm to about 80 nm, for example in a range of about 80 nm to
ungefähr 70 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 60 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 50 nm. about 70 nm, for example in a range of about 40 nm to about 60 nm, for example, a layer thickness of about 50 nm.
Die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Stoff oder Stoffgemisch aufweisen mit hoher Leitfähigkeit und einem Leitungsband (Lowest Unoccupied Molecule Orbital , The first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 may, in various embodiments, comprise a substance or substance mixture with high conductivity and a conduction band (Lowest Unoccupied Molecule Orbital,
LUMO) , das energetisch ungefähr gleich bezüglich des LUMO), which is approximately the same in terms of energy
Valenzbandes (Highest Occupied Molecule Orbital , HOMO) der direkt oder indirekt benachbarten LochtransportSchicht 810 bzw. lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 810 und des Valenzbandes der zweiten eiektronenleitenden Highest Occupied Molecule Orbital (HOMO) of the directly or indirectly adjacent hole transport layer 810 or hole-conducting charge carrier pair generation layer 810 and the valence band of the second electron-conducting layer
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht 802 ausgebildet ist . Anders ausgedrückt weist der Stoff oder das Stoffgemisch der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 806 ein LUMO auf , dass energetisch ungef hr auf der gleichen Höhe liegt wie das HOMO des Stoffs oder Charge pair generation layer 802 is formed. In other words, the substance or mixture of the first electron-carrier charge carrier generation layer 806 has a LUMO that is approximately the same height as the HOMO of the material or
Stoffgemischs der LochtransportSchicht 810 und das HOMO der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 802. Das Ladungsträgerpaar wird an der gemeinsamen Gren fläche 808 der Lochtransportschicht 810 mit der ersten Mixture of the hole transport layer 810 and the HOMO of the second electron-conducting charge carrier pair generation layer 802. The charge carrier pair is at the common Gren surface 808 of the hole transport layer 810 with the first
elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 806 erzeugt und getrennt derart, dass das Loch des erzeugten Ladungsträgerpaares in der Lochtransportschicht 810 zur electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 is generated and separated such that the hole of the generated charge carrier pair in the hole transport layer 810 to
Emitterschicht 710 der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur 120 transportiert wird und wobei das Emitter layer 710 of the second organic functional layer structure 120 is transported and wherein the
Elektron des erzeugten Ladungsträgerpaares mittels erster elektronenleitender Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 806 und zweiter Ladungsträgerpaar-Erzeugungs -Schicht 802 zur ersten Emitterschicht 706 der ersten organischen Electron of the generated charge carrier pair by means of the first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806 and second charge carrier pair generation layer 802 to the first emitter layer 706 of the first organic
funktionellen Schichtenstruktur 116 transportiert wird. Mit anderen Worten, die LochtransportSchicht 810 kann zusätzlich als lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 810 eingerichtet sein. functional layer structure 116 is transported. In other words, the hole transport layer 810 may additionally be configured as a hole-conducting charge carrier pair generation layer 810.
Die Zwischenschicht 804 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 1 nm bis ungefähr 700 nra, The intermediate layer 804 may have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 700 nra,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis for example, in a range of about 8 nm to
ungef hr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 6 nm. Die Ladungsträgerleitung durch die about 100 nm, for example in a range from about 5 nm to about 10 nm, for example a layer thickness of about 6 nm. The charge carrier line through the
Zwischenschicht 804 kann direkt oder indirekt erfolgen. Intermediate layer 804 may be direct or indirect.
Der Stoff oder das Stoffgemisch der Zwischenschicht 804 kann bei einer indirekten Ladungsträgerleitung ein elektrischer Isolator sein. Das HOMO des elektrisch isolierenden Stoffes der Zwischenschicht 804 kann höher als das LUMO der direkt benachbarten ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schicht 806 und höher als das HOMO der direkt benachbarten zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- ' Erzeugungs-Schicht 802 sein . Dadurch kann ein Tunnelström durch die Zwischenschicht 804 erfolgen. The substance or mixture of the intermediate layer 804 may be an electrical insulator for an indirect charge carrier line. The HOMO of the electrically insulating material of the intermediate layer 804 may be higher than the LUMO of the immediately adjacent first electron-conductive carrier pair generation layer 806 and higher than the HOMO of the directly adjacent second electron-carrier charge carrier generation layer 802. This allows a tunneling flow to take place through the intermediate layer 804.
Geeignete Stoff für die Zwischenschicht 804 können Suitable material for the intermediate layer 804 may be
beispielsweise sein: NET- 39, Phthalocyanin-Derivate , for example: NET-39, phthalocyanine derivatives,
beispielsweise unsubstituiertes Phthalocyanin ; beispielsweise Metalloxid- Phthalocyanin Verbindungen, beispielsweise for example, unsubstituted phthalocyanine; For example, metal oxide phthalocyanine compounds, for example
Vanadiumoxid- Phthalocyanin (VOPc) , Titanoxid- Phthalocyanin (TiOPc) ; beispielsweise Metall - Phthalocyanin-Derivate , beispielsweise Kupfer-Phthalocyanin (CuPc) , (H2?c) , Kobalt- Phthalocyanin (CoPc) , Aluminium-Phthalocyanin (AlPc) , Nickel- Phthalocyanin {NiPc) , Eisen- Phthalocyanin (FePc) , Zink- Phthalocyanin (ZnPc) oder Mangan-Phthalocyanin (MnPC) . Vanadium oxide phthalocyanine (VOPc), titanium oxide phthalocyanine (TiOPc); for example, metal phthalocyanine derivatives, for example, copper phthalocyanine (CuPc), (H 2? c), cobalt phthalocyanine (CoPc), aluminum phthalocyanine (AlPc), nickel phthalocyanine {NiPc), iron phthalocyanine (FePc), zinc Phthalocyanine (ZnPc) or manganese phthalocyanine (MnPC).
In einer ersten konkreten Implementierung verschiedener In a first concrete implementation of various
Ausführungsbeispiele , die jedoch keinerlei einschränkenden Charakter auf eisen soll , kann die oben beschriebene Embodiments, however, which are not intended to be limiting to iron, may be those described above
Schichtenstruktur folgende Schichten auf eisen: Layer structure following layers on iron:
Elektronentransportschicht 708 : NET- 18 mit einer Schichtdicke von ungefähr 10 nm zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schicht 802 : Electron transport layer 708: NET 18 with a layer thickness of approximately 10 nm second electron-conducting charge carrier pair generation layer 802:
NET-18 dotiert mit NDN-26 , beispielweise mit einer Konzentration von ungefähr 8 % bezüglich des Volumens des Stoffgemischtes ( mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm; und NET-18 doped with NDN-26, for example at a concentration of about 8% by volume of the composition ( with a layer thickness of about 50 nm;
erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schicht 806:  first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806:
HAT-CN mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm .  HAT-CN with a layer thickness of approximately 5 nm.
LochtransportSchicht 810 :  Hole Transport Layer 810:
CuGa02 mit einer Schichtdicke von ungef hr 50 nm. CuGa0 2 with a layer thickness of about 50 nm.
In einer zweiten konkreten Implementierung verschiedener Ausführungsbeispiele , die jedoch keinerlei einschränkenden Charakter aufweisen soll, weist die Ladungsträgerpaar- Erzeugungs-Schichtenstruktur 114 mit angrenzender In a second concrete implementation of various exemplary embodiments, which however should not have any restrictive character, the charge carrier pair generation layer structure 114 has an adjacent one
Lochtransportschicht 810 und Elektronentransportschicht 708 folgende Schichten auf : Hole transport layer 810 and electron transport layer 708 have the following layers:
- Elektronentransportschicht 708 : Electron transport layer 708:
NET-18 mit einer Schichtdicke von ungefähr 10 nm zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs - Schicht 802 :  NET-18 with a layer thickness of approximately 10 nm second electron-conducting charge carrier pair generation layer 802:
NET-18 dotiert mit NDN-26 , beispielweise mit einer Konzentration von ungefähr 8 % bezüglich des Volumens des Stoffgemisches , mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm; und  NET-18 doped with NDN-26, for example at a concentration of about 8% by volume of the mixture, with a layer thickness of about 50 nm; and
erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-E zeugungs- Schicht 806:  first electron-conducting charge carrier pair generation layer 806:
HAT-CN mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm.  HAT-CN with a layer thickness of approximately 5 nm.
LochtransportSchicht 810 :  Hole Transport Layer 810:
SrCu2Ü2 mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm.  SrCu2Ü2 with a layer thickness of approximately 50 nm.
In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist , mittels eines technisch einfachen Aufbaus , die Farbvalenz in einer Bildebene zu verändern oder das In various embodiments, an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component are provided with which it is possible, by means of a technically simple structure, the To change color valence in an image plane or that
absorbierbare Spektrum eines optoelektronischen Bauelementes einzustellen. absorbable spectrum of an optoelectronic component.

Claims

Patentansprüche claims
Optoelektronische Bauelementevorrichtung ( 300 , 400 , 500 , 600) , Optoelectronic component device (300, 400, 500, 600),
aufweisend ein optoelektronisches Bauelement (100;  comprising an optoelectronic component (100;
• wobei das optoelektronische Bauelement (100) eine  • wherein the optoelectronic component (100) a
flächige Oberfläche aufweist und wobei von der flächigen Oberfläche des optoelektronischen  having a flat surface and wherein the surface of the optoelectronic surface
Bauelementes (100) eine elektromagnetische Strahlung in eine Bildebene (302) des optoelektronischen Bauelementes (100) bereitgestellt wird und/oder eine elektromagnetische Strahlung von einer Obj ektebene (302) des optoelektronischen Bauelementes (100) bereitgestellt und von dem optoelektronischen Bauelement (100) aufgenommen wird;  Component (100) an electromagnetic radiation in an image plane (302) of the optoelectronic component (100) is provided and / or electromagnetic radiation from an obj ektebene (302) of the optoelectronic component (100) and received by the optoelectronic component (100) becomes;
• wobei das optoelektronische Bauelement (100) derart eingerichtet ist , dass das Spektrum der, von dem optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement (100) aufgenommene , elektromagnetischen Strahlung mittels einer  Wherein the optoelectronic component (100) is set up in such a way that the spectrum of the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic component (100) or the electromagnetic radiation picked up by the optoelectronic component (100) is determined by means of a
Auslenkung (212 , 322) des optoelektronischen  Deflection (212, 322) of the optoelectronic
Bauelementes (100) eingestellt wird, wobei die Auslenkung (212 , 322 ) als eine Ausrichtung der Flächennormale (304) der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes (100) zu der  Component (100) is set, wherein the deflection (212, 322) as an orientation of the surface normal (304) of the planar surface of the optoelectronic component (100) to the
Flächennormale (306) der Bildebene (302) und/oder der Flächennormale (306) der Objektebene (302)  Surface normal (306) of the image plane (302) and / or the surface normal (306) of the object plane (302)
ausgebildet ist .  is trained .
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500 , 600) gemäß Anspruch 1 , An optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) according to claim 1,
wobei in der Bildebene (302) eine auszuleuchtende  wherein in the image plane (302) to be illuminated
Oberfläche (302) angeordnet ist .  Surface (302) is arranged.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500 , 600) gemäß Anspruch 2, wobei das optoelektronische Bauelement (100) als An optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) according to claim 2, wherein the optoelectronic component (100) as
Leuchtdiode (100) eingerichtet ist, insbesondere eine organische Leuchtdiode (100) . Light-emitting diode (100) is arranged, in particular an organic light-emitting diode (100).
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300, 400, 500, 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, Optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) according to one of claims 1 to 3,
ferner eine Halterung (402) aufweisend, wobei das further comprising a holder (402), wherein the
optoelektronische Bauelement (100) von der Halterung (402) gehalten wird . optoelectronic component (100) is held by the holder (402).
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500 , 600) gemäß Anspruch 4, An optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) according to claim 4,
wobei die Halterung (402) drehbar um die Drehachse des ersten Raumwinkels (212 , 322) und/oder drehbar um die Flächennormale (304 ) des optoelektronischen Bauelementes (100) ausgebildet ist. wherein the holder (402) is rotatable about the axis of rotation of the first solid angle (212, 322) and / or rotatable about the surface normal (304) of the optoelectronic component (100).
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400, 500 , 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 , Optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) according to one of claims 1 to 5,
wobei die optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500, 600) ferner wenigstens einen Reflektor (604 ) mit einer, für elektromagnetische Strahlung, wherein the optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) further comprises at least one reflector (604) with one, for electromagnetic radiation,
reflektierenden Oberfläche aufweist, wobei der Reflektorreflective surface, wherein the reflector
(604) derart ausgebildet ist , dass die von einem (604) is formed such that of a
optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellte elektromagnetische Strahlung (606) wenigstens teilweise mittels des Reflektors (604 ) von dem optoelektronischen Bauelement (100) auf die Bildebene (302) umgelenkt wird und/oder wobei der Reflektor (604 ) derart ausgebildet ist , dass die von einem optoelektronischen Bauelementat least partially by means of the reflector (604) of the optoelectronic component (100) on the image plane (302) is deflected and / or wherein the reflector (604) is formed such that the an optoelectronic component
(100) aufgenommene elektromagnetische Strahlung (606) wenigstens teilweise mittels des Reflektors (604) von der Obj ektebene ( 302 ) des optoelektronischen (100) recorded electromagnetic radiation (606) at least partially by means of the reflector (604) of the obj ektebene (302) of the optoelectronic
Bauelementes (100) auf das optoelektronische BauelementComponent (100) on the optoelectronic component
(100) umgelenkt wird. Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300, 400, 500, 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, (100) is redirected. Optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) according to one of claims 1 to 6,
ferner ein Gehäuse (502) aufweisend, wobei das Gehäuse (502) das optoelektronische Bauelement (100) wenigstens teilweise umgibt . further comprising a housing (502), wherein the housing (502) at least partially surrounds the optoelectronic device (100).
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300, 400, 500, 600) gemäß Anspruch 7 , Optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) according to claim 7,
wobei das Gehäuse (502) wenigstens eine Blende (504) im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes (100) und/oder im Lichtweg des Reflektors (604) aufweis , insbesondere eine Schlitzblende (504 ) oder Spaltblende (504) . wherein the housing (502) at least one aperture (504) in the optical path of the optoelectronic component (100) and / or in the optical path of the reflector (604), in particular a slit (504) or slit (504).
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 , 400 , 500 , 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 , Optoelectronic component device (300, 400, 500, 600) according to one of claims 1 to 8,
wobei die von dem optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellte elektromagnetische Strahlung eine weiße Farbvalenz aufweist , ähnlich oder gleich einem schwarzen Strahler . wherein the electromagnetic radiation provided by the optoelectronic device (100) has a white color valence, similar to or equal to a blackbody radiator.
Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Method for operating an optoelectronic
Bauelementes (100) , das Verfahren aufweisend: Device (100), the method comprising:
• Bereitstellen und/oder Aufnehmen eines Spektrums  • Providing and / or recording a spectrum
elektromagnetischer Strahlung in einer Obj ektebene (302) eines optoelektronischen Bauelementes (100) und/oder einer Bildebene (302) eines  electromagnetic radiation in an object plane (302) of an optoelectronic component (100) and / or an image plane (302) of a
optoelektronischen Bauelementes (100) ; wobei das in der Obj ektebene (302) eines optoelektronischen  optoelectronic component (100); this being in the obj ektebene (302) of an optoelectronic
Bauelementes (100) bereitgestellte Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement (100) aufgenommen wird; und wobei das in der Bildebene (302) eines  Component (100) provided spectrum of the optoelectronic component (100) is received; and wherein in the image plane (302) of a
optoelektronischen Bauelementes (100) aufgenommene Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellt wird;  Optoelectronic component (100) is provided spectrum of the optoelectronic component (100) is provided;
• Ändern des von dem optoelektronischen Bauelement  • Change of the optoelectronic component
(100) aufgenommenen und/oder bereitgestellten Spektrums elektromagnetischer Strahlung von einem ersten Spektrum zu einem zweiten Spektrum; (100) recorded and / or provided Spectrum of electromagnetic radiation from a first spectrum to a second spectrum;
• wobei das Ändern des Spektrums wenigstens ein Ändern eines Raumwinkels (212, 322) der elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg der elektromagnetischen Wherein changing the spectrum is at least a change of a solid angle (212, 322) of the electromagnetic radiation in the light path of the electromagnetic
Strahlung aufweist.  Having radiation.
Verfahren gemäß Anspruch 10, Method according to claim 10,
wobei das Ändern des Raumwinkels (212 , 322 ) ein Ändern des Raumwinkels (212 , 322) zwischen der Flächennormale (304) des optoelektronischen Bauelementes (100) und der Flächennormale (306) der Bildebene (302) des wherein changing the solid angle (212, 322) comprises changing the solid angle (212, 322) between the surface normal (304) of the optoelectronic device (100) and the surface normal (306) of the image plane (302) of the
optoelektronischen Bauelementes (100) und/oder der Flächennormale (306) der Objektebene (302 ) des optoelectronic component (100) and / or the surface normal (306) of the object plane (302) of the
optoelektronischen Bauelementes (100) aufweist. optoelectronic component (100).
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 oder 11 , wobei die reflektierende Oberfläche (604) beweglich ausgebildet ist , wobei das Ändern des Spektrums der elektromagnetischen Strahlung mittels eines zweiten Auslenkens der beweglichen reflektierenden Oberfläche (604) ausgebildet wird, wobei das zweite Auslenken der reflektierenden Oberfläche (604 ) mit dem ersten A method according to any of claims 10 or 11, wherein the reflective surface (604) is moveable, wherein changing the spectrum of the electromagnetic radiation is formed by second deflection of the movable reflective surface (604), the second deflection of the reflective surface (604). 604) with the first
Auslenken des optoelektronischen Bauelementes (100) gekoppelt ist . Deflection of the optoelectronic component (100) is coupled.
Verfahren gemäß Anspruch 12 , Method according to claim 12,
wobei das Ändern des Spektrums mittels Mischens des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche (604) mit dem bereitgestellten Spektrum ausgebildet wird. wherein changing the spectrum is accomplished by mixing the deflected spectrum of the reflective surface (604) with the provided spectrum.
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