WO2014019295A1 - 白色有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

白色有机电致发光器件及其制造方法 Download PDF

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WO2014019295A1
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bipolar
electroluminescent device
organic electroluminescent
doped
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朱儒晖
于军胜
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    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
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    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
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    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to a white organic electroluminescent device and a method of fabricating the same. Background technique
  • WOLEDs White organic electroluminescent devices
  • the existing white organic electroluminescent device with blue fluorescence and green and red phosphorescence can achieve an external quantum efficiency of 18.7% by designing a single inner connecting layer and using the triplet excitons.
  • the disadvantage is that the color coordinates are obvious. Yellowish, and the device structure is relatively complex. In general, the fluorescence is relatively weak relative to phosphorescence. How to match the structure of phosphorescence and fluorescence to achieve the balance between the energy point CIE (0.33, 0.33) and high efficiency is still a difficult point. Summary of the invention
  • Embodiments of the present invention provide a white organic electroluminescent device and a method of fabricating the same to improve luminous efficiency and ensure color stability.
  • a white organic electroluminescent device comprising a cathode layer, a positive electrode including a barrier light emitting layer, and a fluorescent emitting layer; an emitting color of the phosphorescent emitting layer and the fluorescent emitting layer The luminescent color is different; a composite interconnecting layer is disposed between the phosphorescent luminescent layer and the fluorescent luminescent layer.
  • the white organic electroluminescent device for example, the mundane light emitting layer is a yellow phosphorescent emitting layer disposed under the composite interconnecting layer; the fluorescent emitting layer is a blue fluorescent emitting layer, disposed in the Above the composite interconnect layer.
  • the yellow phosphorescent emitting layer may be composed of a combination of a red phosphor layer and a green phosphor layer.
  • the organic layer may further include a hole transport layer and an electron transport layer; the hole transport layer is disposed on the anode conductive layer and the yellow light-emitting layer The electron transport layer is disposed between the blue fluorescent light emitting layer and the cathode layer.
  • the composite interconnect layer comprises an auxiliary transition layer composed of at least a bipolar organic transport material doped with a single polarity transport type material.
  • the composite interconnect layer further comprises an auxiliary transition layer composed of a bipolar organic transport material or a single polar transport material.
  • the composite interconnect layer has a single-layer structure in which a bipolar transport type material is doped with a single polarity transport type material.
  • the structure of the composite interconnect layer is a two-layer structure including a bipolar type connection layer and a bipolar type doped connection layer arranged from bottom to top;
  • the bipolar type connection layer is composed of a bipolar transmission type material;
  • the bipolar type doped connection layer is composed of a bipolar transmission type material doped single polarity transmission type material.
  • the structure of the composite interconnect layer is a two-layer structure including a bipolar type doped connection layer and a bipolar type connection layer arranged from bottom to top;
  • the bipolar type connection layer is composed of a bipolar transmission type material;
  • the bipolar type doped connection layer is composed of a bipolar transmission type material doped single polarity transmission type material.
  • the composite interconnect layer is structured to include a bipolar type connection layer, a bipolar type doped connection layer, and a bipolar type connection layer arranged from bottom to top.
  • the bilayer structure is composed of a bipolar transmission type material; and the bipolar type doping connection layer is composed of a bipolar transmission type material doped single polarity transmission type material.
  • the composite interconnect layer is structured to include a bipolar type connection layer, a bipolar type doped connection layer, and a single polarity transfer layer arranged from bottom to top.
  • a three-layer structure the bipolar connection layer is composed of a bipolar transmission type material
  • the hybrid layer is composed of a bipolar transmission type material doped with a single polarity transmission type material.
  • Another aspect of the present invention provides a method of fabricating a white organic electroluminescent device, comprising: forming an anode conductive layer, an organic layer, and a cathode layer in order from bottom to top on a substrate; the organic layer including a barrier light emitting layer And a fluorescent light-emitting layer; the light-emitting color of the phosphorescent light-emitting layer is different from the light-emitting color of the fluorescent light-emitting layer; and a composite inner connecting layer is disposed between the phosphorescent light-emitting layer and the fluorescent light-emitting layer.
  • the monument light emitting layer is a yellow phosphorescent emitting layer
  • the fluorescent emitting layer is a blue fluorescent emitting layer
  • the step of providing a composite interconnecting layer between the phosphorescent emitting layer and the fluorescent emitting layer comprises A yellow phosphorescent emitting layer, a composite interconnecting layer, and a blue fluorescent emitting layer are sequentially formed between the cathode layer and the anode conductive layer from bottom to top.
  • the organic layer further includes a hole transport layer and an electron transport layer; for example, the manufacturing method may further include: providing a hole transport layer between the yellow phosphorescent layer and the anode conductive layer; An electron transport layer is disposed between the fluorescent light emitting layer and the cathode layer.
  • a white organic electroluminescent device and a method of fabricating the same wherein an organic layer is provided between a cathode layer and an anode conductive layer arranged from top to bottom, the organic layer comprising a phosphorescent emitting layer having different luminescent colors and a fluorescent light emitting layer, and a composite interconnecting layer is disposed between the phosphorescent emitting layer and the fluorescent emitting layer, and the composite interconnecting layer can effectively modulate carrier and singlet and triplet exciton transmission, and balance The distribution of carriers and singlet and triplet excitons in different luminescent layers adjusts the efficiency of the white organic electroluminescent device and ensures the color stability of the white organic electroluminescent device.
  • FIG. 1 is a structural view of a white organic electroluminescent device according to the present invention.
  • Figure 2 is a structural view of Embodiment 1 of the white organic electroluminescent device of the present invention
  • Figure 3 is a structural view of Embodiment 2 of the white organic electroluminescent device of the present invention
  • Figure 3 is a structural view of a white organic electroluminescent device of the present invention
  • Figure 5 is a structural view of a white organic electroluminescent device of the present invention
  • Figure 6 is a white organic electro-optic according to the present invention.
  • an embodiment of the white organic electroluminescent device of the present invention includes a transparent substrate 1 , an anode conductive layer 2 , a hole transport layer 3 , and a yellow phosphorescent light emitting layer 4 arranged in this order from bottom to top.
  • the transparent substrate 1 may be, for example, a glass or a flexible substrate, and the flexible substrate may be made of one of a polyester or a polyimide compound; an indium tin oxide (ITO), an aluminum-doped oxide
  • ITO indium tin oxide
  • a metal oxide such as ruthenium, preferably ruthenium, is preferably one of poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/polystyrenesulfonic acid (PEDOT/PSS) and polyaniline (PANI).
  • the hole transport layer 3 may be a P-type organic semiconductor having a strong hole transporting ability, and is generally a triphenylamine compound such as fluorene, ⁇ '-diphenyl-N, N'-(1-naphthyl).
  • ⁇ -biphenyl-4,4'-diamine NPB
  • hydrazine ⁇ '-diphenyl-fluorene, ⁇ '-bis(3-mercaptophenyl)-fluorene, fluorene-biphenyl
  • TPD -4,4'-diamine
  • MTDATA 4,4',4"-tris(indol-3-phenylphenyl)-phenyl-triphenylamine
  • MTDATA preferably hydrazine .
  • the yellow phosphorescent light-emitting layer 4 can be used as a resistive dopant such as bis[2-(4-triamine-butylphenyl)benzothiazolato-N, C2'] oxime (acetylacetonate compound) (t -bt)2Ir ( acac ) , two ( 2-(2- One of materials such as fluorophenyl)-1,3-benzothiazole-N, C2'] fluorene (acetylacetonate compound) (f-bt) 2Ir (acac), preferably (t-bt) 2Ir ( acac )
  • the doping concentration is 2% ⁇ 10%, preferably 7%.
  • the main body may be an electron transport type main body such as 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (Bphen), or a hole transport type body may be selected.
  • Bphen 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • a hole transport type body may be selected.
  • PB electron-hole mixed type main body such as hole type 4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine (TCTA)-doped electron type 1,3-double (optional)
  • TCTA hole type 4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine
  • UHM3 triphenylsilyl)benzene
  • the composite inner connecting layer 5 may be doped with an electron transporting type material such as CBP (4,4'-bis(9-carbazole)biphenyl) (such as 1, 3, 5 - 3) (1-Phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene (TPBI), Bphen).
  • CBP 4,4'-bis(9-carbazole)biphenyl
  • TPBI 1, 3, 5 - 3
  • Bphen an electron transporting type material
  • the composite inner connecting layer 5 may also be composed of a bipolar transmission type material doped single polarity transmission type material and an auxiliary transition layer; the auxiliary transition layer may be a bipolar transmission type material or a single polarity transmission type Material composition.
  • the main body of the blue fluorescent light emitting layer 6 may be an electron transporting type material such as 9-(2-naphthyl)-10-[4-(1-naphthyl)phenyl]anthracene (BH), and the film layer has a thickness of, for example, 20 ⁇ 40 ⁇ , preferably 30nm
  • the doped dye of the blue fluorescent light-emitting layer 6 may be selected from 4,4'-bis(9-ethyl-3-carbazolevinyl)-fluorene, fluorene-biphenyl (BczVBi) , 4,4'-bis[4-(di-p-phenylamino)styrene]biphenyl (DPAVBi), 4,4'-bis[4-(diphenylamino)styryl]biphenyl ( BDAVBi ) or ⁇ , ⁇ '-diphenyl-fluorene, ⁇ '-bis(2-naphthy
  • the electron transport layer 7 is, for example, a metal organic complex such as Alq3 (8-hydroxyquinoline aluminum), BAlq (bis(2-mercapto-8-hydroxyquinoline- ⁇ 1,08)-(1, ⁇ -linked Benzene-4-hydroxy)aluminum), Gaq3 (8-hydroxyquinolate) or Bebq2 (bis(10-hydroxybenzo[h]quinoline)indole), phenanthroline or oxadiazole Materials, the present invention selects Bebq2 as an electron transport layer, and has a thickness of, for example, 15 nm.
  • the cathode layer 8 may, for example, be a metal having a lower work function such as lithium, magnesium, calcium, aluminum or indium or an alloy thereof with copper, gold or silver, and an organic or inorganic material which enhances electron injecting ability, and the present invention
  • a lithium fluoride (LiF) layer and an A1 layer which were sequentially laminated were used as a metal cathode layer.
  • the LiF layer has a thickness of 0.5 nm and the A1 layer has a thickness of 200 ⁇ .
  • Example 1 As shown in FIG. 2, the laminated structure of the organic electro white light device of Example 1 is as follows: Glass substrate / ITO / NPB / NPB: (t - bt) 2 Ir ( acac ) / CBP / CBP: TPBi / BH: BD /Bebq2/LiF/AL
  • the composite interconnection layer includes a bipolar type connection layer 51 and a bipolar type doping connection layer 52 which are arranged from bottom to top.
  • the preparation method of the white organic electroluminescent device of the present embodiment is as follows. Ultrasonic cleaning of a glass substrate coated with an ITO film as a transparent conductive substrate, for example, sequentially coating a transparent conductive substrate with an ethanol solution, an acetone solution, and deionized water, respectively.
  • the glass substrate of the ITO film was ultrasonically cleaned, washed, and dried by high-purity dry nitrogen.
  • the ITO film on the surface of the glass substrate serves as the anode conductive layer of the device.
  • the ITO film has a sheet resistance of 10 ⁇ - 50 ⁇ and a film thickness of 100 nm - 200 nm.
  • the dried glass substrate is transferred to a pretreatment chamber, for example, by oxygen plasma treatment for 5 minutes at an oxygen partial pressure of 25 Pa, and the power is 100 W.
  • the above cleaned and pretreated glass substrate is placed in a vacuum chamber, evacuated to 5 ⁇ 10" 4 Pa, and then a hole transporting material NPB is evaporated on the ITO film.
  • a hole transporting material NPB is evaporated on the ITO film.
  • the evaporation rate of the material may be It is selected to be 0.1 to 0.2 nm/s, and the film thickness is preferably 40 nm.
  • the yellow phosphorescent light-emitting layer is further evaporated, and doping is performed by a dual-source co-evaporation method.
  • the evaporation rate of NPB is preferably 0.1 nm/s, and the doping rate is controlled by (t-bt).
  • the 2Ir (acac) doping ratio is preferably maintained at 6%, and the film layer thickness is, for example, 15 nm.
  • the evaporation rate is, for example, 0.01-0.05 nm/s
  • the film thickness of CBP is, for example, 1 nm; then the ratio of 1:1 is used to co-evaporate CBP and TPBI, CBP at a ratio of 1:1.
  • the total film thickness of TPBI and the TPBI is, for example, 3.2 nm.
  • the blue fluorescent light-emitting layer is evaporated on the composite inner connecting layer, and the double-source co-steaming method is used.
  • the evaporation rate of BH is preferably 0.1 nm/s, and the thickness of the BH film layer is preferably 25 nm.
  • the proportion of impurities is preferably controlled at 4%.
  • the pressure in the vacuum chamber is kept constant, and Bebq 2 is continuously evaporated on the organic light-emitting layer as an electron transport layer.
  • the evaporation rate is preferably 0.1 to 0.2 nm/s, and the film thickness is preferably 15 nm.
  • a metal fluoride LiF layer and a metal A1 layer are sequentially deposited on the electron transport layer as a cathode layer of the device.
  • the thickness of the LiF layer is 0.5 nm
  • the thickness of the A1 layer is 200 nm.
  • the stack structure of the device is as follows: Glass substrate / ITO / NPB / NPB: (t-bt) 2Ir ( acac ) / CBP / BH: BD / Bebq2 / LiF / Al Comparative Example 1
  • the preparation method of the device is similar to that of Example 1, except that the internal connection
  • the layer is a single tie layer composed of a bipolar transport material such as CBP having a film thickness of 4.2 nm.
  • the stack structure of the device is as follows:
  • Example 1 Glass substrate / ITO / NPB / NPB: (t-bt) 2Ir ( acac ) / BH: BD / Bebq2 / LiF / Al Comparative Example 1
  • the preparation method of the device is similar to that of Example 1, except that there is no design connection Floor.
  • Example 1 The efficiency of Example 1 was 9.9 cd/A at a current density of 100 mA/cm 2 , while the efficiency of Comparative Example 1 was 3.4 cd/A, while the efficiency of Comparative Example 2 was 2.3 cd/A. It can be seen that the efficiency of the device with the composite interconnect layer is significantly higher than that of the single tie layer.
  • the white light was bluish, the light in Comparative Example 2 was blue, and the light in Example 1 was white, which was closer to the energy point such as white light. This can be understood as the following reasons.
  • TPBi and CBP with auxiliary transition layer When TPBi is used, as long as its thickness is larger than the radius of Forster energy transfer and less than the propagation distance of the triplet state, the singlet energy can be all confined to the blue light-emitting layer, so that the fluorescent dye Fully utilized, it is also possible to propagate part of the triplet energy to the yellow luminescent layer to illuminate the lithographic dye.
  • TPBi is an effective carrier block material and an excellent electron transport material, which can block some holes between the two light-emitting layers, thereby making the electron and hole devices. Performance and the device color coordinates remain substantially constant with voltage changes and are within the white field.
  • CBP can easily crystallize and crystallize in the vapor deposited film state, which affects the life and stability of the device.
  • Doping TPBi can improve the film formation of CBP and reduce the charge trap.
  • the organic electro white light device of Example 2 has a laminated structure of the following structural formula: Glass substrate / ITO / NPB / NPB: (t - bt) 2 Ir ( acac ) / CBP : TPBi / CBP / BH :BD/Bebq2/LiF/Al
  • the composite interconnect layer includes a bipolar type doped connection layer 52 and a bipolar type connection layer 51 which are arranged from bottom to top.
  • the structure of the composite connection layer of Embodiment 2 is a two-layer structure, and the bipolar type doped connection layer 52 is composed of a bipolar transmission type material CBP doped with a single polarity transmission type material TPBi, and is adjacent to the yellow light layer.
  • the bipolar type connection layer 51 is an auxiliary transition layer composed of CBP, which is close to the blue side.
  • the fabrication method of the device of Example 2 was similar to that of Example 1, except that the bipolar type connection layer 51 and the bipolar type doping connection layer 52 were arranged from top to bottom.
  • the ratio of CBP to TPBi of the bipolar type doped connection layer 52 in the composite interconnect layer may be 3:2
  • the total film thickness may be 3 nm
  • the film thickness of the bipolar type connection layer 51 may be 1 nm.
  • the structure can also balance the distribution of carriers and singlet and triplet excitons in different luminescent layers to achieve a balance between efficiency and color coordinates.
  • the laminated structure of the organic electroluminescent device of Example 3 is as follows: Glass substrate
  • the composite interconnect layer includes bottom to top
  • the bipolar type connection layer 51, the bipolar type doping connection layer 52, and the bipolar type connection layer 51 are arranged.
  • the composite connecting layer of Embodiment 3 has a three-layer structure, the bipolar connecting layer 51 is an auxiliary transition layer composed of CBP, and is adjacent to the side of the yellow light-emitting layer; and the other bipolar connecting layer 51 is also composed of CBP.
  • the auxiliary transition layer is adjacent to the blue fluorescent light emitting side;
  • the bipolar type doped connection layer 52 is composed of a bipolar transmission material CBP doped electron transport type material TPBi, and the two bipolar type connection layers 51 are interposed therebetween. between.
  • the preparation method of the device of Embodiment 3 is similar to that of Embodiment 1, except that the ratio of CBP to TPBi of the bipolar type doped connection layer in the interconnect layer can be, for example, 2:3, and the total film thickness can be, for example, 4 nm.
  • the film thickness of the two double polarity connection layers 51 may be, for example, 1 nm. Since the auxiliary transition layer is added on both sides of the inner connecting layer, the fluorescent or phosphorescent luminescent dye can be more effectively isolated from contaminating CBP: TPBi to prevent quenching of triplet excitons.
  • the laminated structure of the organic electro white light device of Example 4 is as follows: Glass substrate /ITO/NPB/NPB: (t-bt)2Ir ( acac ) /CBP/CBP: TPBi/TPBi/BH: BD/Bebq2/LiF/Al
  • the composite interconnect layer includes The bipolar type connection layer 51, the bipolar type doping connection layer 52, and the single polarity transmission layer 53 are arranged above.
  • the composite connection layer of Embodiment 4 is a three-layer structure
  • the bipolar connection layer 51 is an auxiliary transition layer composed of CBP, and is adjacent to the side of the yellow light-emitting layer
  • the single-polarity transmission layer 53 is made of electrons.
  • Another auxiliary transition layer composed of the transport material TPBi is adjacent to the side of the blue fluorescent light emitting layer
  • the bipolar type doped connection layer 52 is composed of a bipolar transport material CBP doped electron transport type material TPBi layer
  • the bipolar type connection layer 51 is between the single polarity transmission layer 53.
  • the preparation method of the device of Embodiment 4 is similar to that of Embodiment 1, except that the ratio of CBP to TPBi of the bipolar type doped connection layer 52 in the composite interconnection layer may be, for example, 4:1, and the total film thickness is, for example,
  • the film thickness of the bipolar connection layer 51 may be, for example, 1 nm
  • the film thickness of the electron transport layer 53 may be, for example, 0.5 nm.
  • the present invention can also employ the following preferred embodiment 5:
  • the laminated structure of the organic electro white light device of Example 5 has the following structural formula: Glass substrate / ITO / NPB / NPB: (t - bt) 2 Ir ( acac ) / CBP: TPBi / BH: BD / Bebq2 /LiF/Al;
  • the composite interconnect layer comprises a bipolar doped connection layer 52;
  • Example 5 The preparation method of the device was similar to that of Example 1.
  • the composite inner connecting layer was a single-layer doped structure, and the CBP:TPBi ratio may be, for example, 1:1, and the film thickness may be, for example, 4 ⁇ .
  • NPB:(t-bt)2Ir( acac ) may also preferably be mCP:(f-bt) 2Ir ( acac )
  • Embodiments of the present invention also provide a method of fabricating a white organic electroluminescent device, which may include the following steps:
  • the organic layer includes a barrier light emitting layer and a fluorescent emitting layer
  • the luminescent color of the phosphorescent luminescent layer is different from the luminescent color of the fluorescent luminescent layer;
  • a composite interconnect layer is provided between the phosphorescent layer and the fluorescent layer.
  • the daunting light emitting layer is a yellow phosphorescent emitting layer
  • the fluorescent emitting layer is a blue fluorescent emitting layer.
  • the step of providing a composite interconnect layer between the phosphorescent layer and the fluorescent layer comprises: a layer and a blue fluorescent layer.
  • the organic layer further includes a hole transport layer and an electron transport layer.
  • the manufacturing method further comprises: providing a hole transport layer between the yellow phosphorescent layer and the anode conductive layer; and providing an electron transport layer between the blue phosphor layer and the cathode layer.
  • the white organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention can be used, for example, for an organic light emitting display device, a lighting device, or the like.

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Abstract

一种白色有机电致发光器件及其制造方法，该器件包括阴极层（8）、阳极导电层（2），以及夹在该阴极层（8）与该阳极导电层（2）之间的有机层；该有机层包括磷光发光层（4）和荧光发光层（6）；该磷光发光层（4）的发光颜色和该荧光发光层（6）的发光颜色不同；在该磷光发光层（4）和荧光发光层（6）之间设置有复合内连接层（5）。该器件及其制造方法可以提高发光效率以及保证色稳定性。

Description

白色有机电致发光器件及其制造方法 技术领域
本发明的实施例涉及一种白色有机电致发光器件及其制造方法。 背景技术
白色有机电致发光器件（WOLEDs ) 因其在照明与显示领域广阔的应用 潜力， 已成为有机发光领域的热点研究方向之一。
经过近 20年的发展，白色有机电致发光器件的性能及理论研究均取得了 长足的进展。 然而， 在以往的器件中大多釆用荧光发光材料， 而荧光发光材 料中最多只有 25%的激子（单线态）参与发光， 从而限制了整个器件效率的 提高。为了突破这一限制，通常引入单线态和三线态均参与发光的磷光材料。 由于具有重原子偶合效应， 碑光材料的内部量子效率理论值可以达到 100%。 由于蓝光碑光材料能隙大,选择合适的宽能隙主体材料比较难,更增加了获得 高效蓝色磷光发射的难度。 到目前为止， 蓝色磷光材料由于色纯度相对比较 弱以及寿命稳定性不佳， 从而尚未实用化。 相比之下， 蓝色荧光材料的应用 却比较普遍， 部分地选用蓝色荧光材料制作白光器件成为一种可能的方案。
现有的蓝色荧光与绿色、 红色磷光共存的白色有机电致发光器件， 通过 设计单一内连接层， 巧妙利用三重态激发子， 可使外部量子效率达到 18.7%, 其不足在于其色坐标明显偏黄， 且器件结构相对复杂。 通常来说， 荧光发光 相对于磷光发光还是偏弱， 磷光与荧光的结构如何匹配才能实现光色 CIE接 近等能点 （0.33,0.33 ) 以及高效率之间的平衡依旧是一个难点。 发明内容
本发明的实施例提供一种白色有机电致发光器件及其制造方法， 以提高 发光效率以及保证色稳定性。
本发明的一个方面提供了一种白色有机电致发光器件， 包括阴极层、 阳 包括碑光发光层和荧光发光层； 该磷光发光层的发光颜色和该荧光发光层的 发光颜色不同； 在该磷光发光层和该荧光发光层之间设置有复合内连接层。 在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述碑光发光层为黄色磷光发光 层， 设置于所述复合内连接层之下； 所述荧光发光层为蓝色荧光发光层， 设 置于所述复合内连接层之上。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述黄色磷光发光层可以由红色 磷光层与绿色磷光层组合构成。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 该有机层还可以包括空穴传输层 和电子传输层； 所述空穴传输层设置于所述阳极导电层和所述黄光碑光发光 层之间； 所述电子传输层设置于所述蓝光荧光发光层和所述阴极层之间。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述复合内连接层包含至少由双 极性有机传输材料掺杂单一极性传输型材料构成的辅助过渡层。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述复合内连接层还包含由双极 性有机传输材料或单一极性传输材料构成的辅助过渡层。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述复合内连接层的结构为双极 性传输型材料掺杂单一极性传输型型材料的单层结构。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述复合内连接层的结构为包含 由下而上排列的双极性型连接层和双极性型掺杂连接层的双层结构； 所述双 极性型连接层由双极性传输型材料构成； 所述双极性型掺杂连接层由双极性 传输型材料掺杂单一极性传输型材料构成。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述复合内连接层的结构为包含 由下而上排列的双极性型掺杂连接层和双极性型连接层的双层结构； 所述双 极性型连接层由双极性传输型材料构成； 所述双极性型掺杂连接层由双极性 传输型材料掺杂单一极性传输型材料构成。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述复合内连接层的结构为包含 由下而上排列的双极性型连接层、 双极性型掺杂连接层和双极性型连接层的 三层结构； 所述双极性型连接层由双极性传输型材料构成； 所述双极性型掺 杂连接层由双极性传输型材料掺杂单一极性传输型材料构成。
在该白色有机电致发光器件中， 例如， 所述复合内连接层的结构为包含 由下而上排列的双极性型连接层、 双极性型掺杂连接层和单一极性传输层的 三层结构； 所述双极性型连接层由双极性传输型材料构成； 所述双极性型掺 杂连接层由双极性传输型材料掺杂单一极性传输型材料构成。
本发明的另一个方面还提供了一种白色有机电致发光器件的制造方法， 包括： 在基板上由下至上依次形成阳极导电层、 有机层和阴极层； 所述有机 层包括碑光发光层和荧光发光层； 该磷光发光层的发光颜色和该荧光发光层 的发光颜色不同； 在该磷光发光层和该荧光发光层之间设置复合内连接层。
在该方法中， 例如， 所述碑光发光层为黄色磷光发光层， 所述荧光发光 层是蓝色荧光发光层； 在该磷光发光层和该荧光发光层之间设置复合内连接 层步骤包括:在阴极层和阳极导电层之间由下至上依次形成黄色磷光发光层、 复合内连接层和蓝色荧光发光层。
在该方法中， 例如， 该有机层还包括空穴传输层和电子传输层； 例如， 该制造方法还可以包括： 在黄色磷光发光层和阳极导电层之间设 置空穴传输层； 在蓝色荧光发光层和阴极层之间设置电子传输层。
本发明实施例所述的白色有机电致发光器件及其制造方法， 通过在由上 至下排列的阴极层和阳极导电层之间设置有机层， 该有机层包括发光颜色不 同的磷光发光层和荧光发光层， 并在该磷光发光层和该荧光发光层之间设置 有复合内连接层， 该复合内连接层可有效地调制载流子及单重态与三重态激 子的传输， 平衡了载流子及单重态与三重态激子在不同发光层间的分布， 从 而调整白色有机电致发光器件的效率， 保证了白色有机电致发光器件的色稳 定性。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例， 而非对本发明的限制。
图 1是本发明所述的白色有机电致发光器件的结构图；
图 2是本发明所述的白色有机电致发光器件的实施例 1的结构图； 图 3是本发明所述的白色有机电致发光器件的实施例 2的结构图； 图 4是本发明所述的白色有机电致发光器件的实施例 3的结构图； 图 5是本发明所述的白色有机电致发光器件的实施例 4的结构图； 图 6是本发明所述的白色有机电致发光器件的实施例 5的结构图。 具体实施方式
为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
除非另作定义， 此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。 本发明专利申请说明书以及权 利要求书中使用的 "第一" 、 "第二" 以及类似的词语并不表示任何顺序、 数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样， "一个 "或者 "一" 等类似词语也不表示数量限制， 而是表示存在至少一个。 "连接" 或者 "相 连" 等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接， 而是可以包括电性的 连接， 不管是直接的还是间接的。 "上" 、 "下" 、 "左" 、 "右" 等仅用 于表示相对位置关系， 当被描述对象的绝对位置改变后， 则该相对位置关系 也相应地改变。
如图 1所示， 本发明所述的白色有机电致发光器件的一实施例包括由下 至上依次排列的透明基片 1、 阳极导电层 2、 空穴传输层 3、 黄色磷光发光层 4、 复合内连接层 5、 蓝色荧光发光层 6、 电子传输层 7和阴极层 8。
所述透明基片 1 , 例如可以是玻璃或柔性基片， 柔性基片可以釆用聚酯 类、 聚酰亚胺类化合物中的一种材料； 为氧化铟锡 (ITO)、 掺铝氧化辞（ΖΑΟ )等金属氧化物， 优选 ΙΤΟ, 有机导电 聚合物优选聚 (3,4-乙烯二氧噻吩） /聚苯乙烯磺酸 (PEDOT/PSS)、 聚苯胺 ( PANI ) 中的一种材料。
所述空穴传输层 3可以釆用空穴传输能力较强的 P-型有机半导体， 一般 为三苯胺类化合物，如 Ν,Ν'-二苯基 -N,N'-(1-萘基) -Ι,Γ-联苯 -4,4'-二胺（NPB )、 Ν,Ν'-二苯基 -Ν,Ν'-二 (3-曱基苯基) -Ι,Γ-联苯 -4,4'-二胺（TPD ) 、 4,4',4"-三 (Ν-3- 曱基苯基 -Ν-苯基 « 三苯胺 ( MTDATA )等材料中的一种， 优选 ΝΡΒ。
所述黄色磷光发光层 4可以釆用的碑光掺杂剂如二 [2-(4-三元胺-丁基苯 基)苯并 thiazolato-N, C2']铱 (乙酰丙酮化合物） (t-bt)2Ir ( acac ) , 二 ( 2-(2- 氟苯基 )-1,3-苯并噻唑 -N, C2']铱（乙酰丙酮化合物）（f-bt) 2Ir ( acac )等材料 中的一种， 优选 (t-bt)2Ir ( acac ) , 掺杂浓度 2%~10%,优选为 7%, 主体可选 用电子传输型主体如 4,7-二苯基 -1,10-菲罗啉（Bphen ) , 也可选用空穴传输 型主体如 PB, 还可选用电子空穴混合型主体如空穴型的 4,4',4"-三 (咔唑 -9- 基)三苯胺 ( TCTA )掺杂电子型的 1,3-双 (三苯基硅)苯（ UGH3 )混合主体等， 本发明的实施例中优选为 NPB, 膜层厚度为 10~30nm, 本发明的实施例优选 为 15nm。
所述复合内连接层 5可以由双极性传输型材料 (如 CBP ( 4,4'-二 (9-咔唑) 联苯） )掺杂电子传输型材料 (如 1,3,5-三 (1-苯基 -1H-苯并咪唑 -2-基)苯( TPBI ), Bphen )构成。
所述复合内连接层 5还可以由双极性传输型材料掺杂单一极性传输型材 料与辅助过渡层构成； 所述辅助过渡层可以是由双极性传输型材料或单一极 性传输型材料构成。
所述蓝色荧光发光层 6 主体可以为电子传输型材料如 9-(2-萘 基) -10-[4-(1-萘基)苯基]蒽 （BH ) ,膜层厚度例如为 20~40匪，优选为 30nm, 所述蓝色荧光发光层 6 的掺杂染料可以选择 4,4'-双 (9-乙基 -3-咔唑乙烯 基) -Ι,Γ-联苯 （BczVBi ) , 4,4'-双 [4- (二对曱苯基氨基）苯乙烯基]联苯 ( DPAVBi ) 、 4,4'-双 [4- (二苯胺基)苯乙烯基]联苯（BDAVBi )或 Ν,Ν'-二苯 基 -Ν,Ν'-二 (2-萘基) -2,2'-二萘基乙烯基 -6,6，-二胺（BD ) , 优选为 BD, 掺杂 浓度例如为 2%~7%, 优选 4%; 所述蓝色荧光发光层 6也可以选择为不掺杂 的单层， 如 4,4'-二 (2,2-二苯乙婦基) -1,1'-联苯 DPVBi。
所述电子传输层 7例如为金属有机配合物， 如 Alq3 ( 8-羟基喹啉铝） 、 BAlq (双 (2-曱基 -8-羟基喹啉 -Ν1,08)-(1,Γ-联苯 -4-羟基)铝） 、 Gaq3 ( 8-羟基 喹啉镓）或 Bebq2 (双 (10-羟基苯并 [h]喹啉)铍） 、 邻菲咯啉类或恶二唑类化 合物的一种材料， 本发明选择 Bebq2作为电子传输层， 厚度例如为 15nm。
所述阴极层 8例如可以釆用锂、 镁、 钙、 铝、 铟等功函数较低的金属或 它们与铜、 金、 银的合金， 还包括提升电子注入能力的有机或无机材料， 本 发明实施例釆用依次层叠的氟化锂 (LiF)层、 A1层作为金属阴极层。例如， LiF 层的厚度为 0.5nm, A1层的厚度为 200匪。
实施例 1 如图 2所示， 实施例 1的有机电致白光器件的叠层结构如下： 玻璃衬底 /ITO/NPB/NPB:(t-bt)2Ir ( acac ) /CBP/CBP:TPBi/BH:BD/Bebq2/LiF/AL
在实施例 1中， 所述复合内连接层包括由下而上排列的双极性型连接层 51和双极性型掺杂连接层 52。
根据一种示例，本实施例的白色有机电致发光器件的制备方法如下所述。 对作为透明导电基片的镀覆有 ITO膜的玻璃衬底进行超声清洗， 例如， 依次分别利用乙醇溶液、 丙酮溶液和去离子水对作为透明导电基片的镀覆有
ITO膜的玻璃衬底进行超声清洗， 清洗后用高纯干燥氮气吹干。 玻璃衬底上 面的 ITO膜作为器件的阳极导电层。 例如， ITO膜的方块电阻为 10 Ω -50 Ω , 膜厚为 100nm-200nm。
将干燥后的玻璃衬底移入预处理腔室，例如，在氧分压为 25Pa的环境下 对背板进行氧等离子处理 5分钟， 功率为 100W。
将上述清洗并经过预处理的玻璃衬底置于真空腔内， 抽真空至 5 χ 10"4Pa, 然后在上述 ITO膜上蒸镀一层空穴传输材料 NPB。 例如， 材料的蒸 发速度可选为 0.1-0.2nm/s , 膜厚优选为 40nm。
在上述空穴传输层上继续蒸镀黄色磷光发光层， 利用双源共蒸的方法进 行掺杂，例如， NPB的蒸镀速率优选为 0.1nm/s ,通过控制掺杂速率使 (t-bt)2Ir ( acac )掺杂比例优选保持在 6%, 膜层厚度例如为 15nm。
在黄色磷光发光层之上蒸镀 CBP, 蒸镀速率例如为 0.01-0.05nm/s , CBP 的膜层厚度例如为 lnm; 随后以 1 : 1的速率之比双源共蒸 CBP与 TPBI, CBP 和 TPBI的总膜厚例如为 3.2nm。
在复合内连接层之上蒸镀蓝色荧光发光层， 釆用双源共蒸的方法进行， 例如， BH的蒸镀速率优选为 0.1nm/s , BH膜层厚度优选为 25nm, BD的掺 杂比例优选控制在 4%。
保持上述真空腔内压力不变， 在上述有机发光层之上继续蒸镀 Bebq2作 为电子传输层， 例如， 蒸发速度优选为 0.1-0.2nm/s , 膜厚优选为 15nm。
在上述电子传输层之上依次蒸镀金属氟化物 LiF层和金属 A1层作为器件 的阴极层， 例如， LiF层的厚度为 0.5nm, A1层的厚度为 200nm。
对比例 1
器件的叠层结构如下： 玻璃衬底 /ITO/NPB/NPB:(t-bt)2Ir ( acac ) /CBP/BH:BD/Bebq2/LiF/Al 对比例 1器件的制备方法与实施例 1相似， 区别之处在于内连接层为膜 层厚度为 4.2nm的由双极性传输材料 (如 CBP )构成的单一连接层。
对比例 2
器件的叠层结构如下：
玻璃衬底 /ITO/NPB/NPB:(t-bt)2Ir ( acac ) /BH:BD/Bebq2/LiF/Al 对比例 1器件的制备方法与实施例 1相似， 区别之处在于没有设计内连 接层。
在 100mA/cm2电流密度下， 实施例 1的效率为 9.9cd/A, 而对比例 1的 效率为 3.4 cd/A, 而对比例 2效率为 2.3 cd/A。 可以看出， 具有复合内连接层 的器件效率比单一连接层有显著提高。 对比例 1发光为白光偏蓝， 对比例 2 发光为蓝色， 实施例 1发光为白色， 比较接近白色发光等能点。 这可理解为 以下几方面的原因。
(1)激子在蓝光主体中形成单线态激子和三线态激子； 单线态激子通过 Forster能量转移传给蓝色荧光染料客体， 非辐射三线态激子能量既不能通过
Forster 能量转移， 又由于是低浓度掺杂也不能通过 Dexter 能量转移有效地 传给荧光染料， 而三线态激子的传播距离较大接近 lOOnm, 所以当在器件两 发光层之间插入一层 CBP: TPBi及包含辅助过渡层的 CBP: TPBi时， 只要 它的厚度大于 Forster能量转移的半径而小于三线态的传播距离时，就可以将 单线态能量全部限制在蓝色发光层中， 使荧光染料得到充分利用， 还可以将 部分三线态能量传播到达黄色发光层从而激发碑光染料发光。
(2)由于增加了辅助过渡层， 可以有效隔离荧光或磷光发光染料污染 CBP: TPBi而防止三重态激子的淬灭。
(3)另一方面的原因在于 TPBi是一种有效的载流子阻挡层材料及优良的 电子传输材料， 它在两发光层之间可以阻挡部分空穴， 从而使电子和空穴的 了器件性能并使器件色坐标随电压的变化基本保持稳定且位于白场范围内。
(4) CBP在蒸镀的薄膜状态下很容易起分子堆叠而结晶，影响器件的寿命 及稳定性， 掺杂 TPBi可以改善 CBP的成膜性， 减少电荷陷阱。
实施例 2 如图 3所示，实施例 2的有机电致白光器件具有以下结构式的叠层结构： 玻璃衬底 /ITO/NPB/NPB:(t-bt)2Ir( acac ) /CBP:TPBi/CBP/BH:BD/Bebq2/LiF/Al 在实施例 2中， 所述复合内连接层包括由下而上排列的双极性型掺杂连 接层 52和双极性型连接层 51。
实施例 2的复合连接层的结构为双层结构，所述双极性型掺杂连接层 52 由双极性传输型材料 CBP掺杂单一极性传输型材料 TPBi而构成， 靠近黄光 层一侧； 所述双极性型连接层 51是由 CBP构成的辅助过渡层， 靠近蓝光一 侧。
实施例 2器件的制备方法与实施例 1相似， 区别之处在于： 双极性型连 接层 51和双极性型掺杂连接层 52是由上至下排列。 例如， 复合内连接层中 双极性型掺杂连接层 52的 CBP与 TPBi的比例可以为 3:2, 总膜厚可以为 3nm, 所述双极性型连接层 51的膜厚可以为 lnm, 该结构也可平衡载流子及 单重态与三重态激子在不同发光层间的分布， 达到效率与色坐标的平衡。
实施例 3
如图 4所示， 实施例 3的有机电致白光器件的叠层结构如下： 玻璃衬底
/ITO/NPB/NPB:(t-bt)2Ir ( acac ) /CBP/CBP:TPBi/CBP/BH:BD/Bebq2/LiF/Al 在实施例 3中， 所述复合内连接层包括由下至上排列的双极性型连接层 51、 双极性型掺杂连接层 52和双极性型连接层 51。
实施例 3的复合连接层为三层结构， 所述双极性连接层 51是由 CBP构 成的辅助过渡层， 靠近黄光碑光发光层一侧； 另一双极性连接层 51 也是由 CBP构成的辅助过渡层， 靠近蓝光荧光发光一侧； 所述双极性型掺杂连接层 52由双极性传输材料 CBP掺杂电子传输型材料 TPBi构成，介于该两双极性 型连接层 51之间。
实施例 3器件的制备方法与实施例 1相似， 区别之处在于内连接层中双 极性型掺杂连接层的 CBP与 TPBi的比例例如可以为 2:3 , 总膜厚例如可以 为 4nm, 两双极性连接层 51的膜层厚度分别例如可以为 lnm。 由于在内连 接层两侧都增加了辅助过渡层， 可以更有效隔离荧光或磷光发光染料污染 CBP: TPBi而防止三重态激子的淬灭。
实施例 4
如图 5所示， 实施例 4的有机电致白光器件的叠层结构如下： 玻璃衬底 /ITO/NPB/NPB:(t-bt)2Ir ( acac ) /CBP/CBP:TPBi/TPBi/BH:BD/Bebq2/LiF/Al 在实施例 4中， 所述复合内连接层包括由下而上排列的双极性型连接层 51、 双极性型掺杂连接层 52和单一极性传输层 53。
实施例 4的复合连接层为三层结构， 所述双极性连接层 51是由 CBP构 成的辅助过渡层，靠近黄光碑光发光层一侧； 所述单一极性传输层 53是由电 子传输型材料 TPBi构成的另一辅助过渡层， 靠近蓝光荧光发光层一侧； 所 述双极性型掺杂连接层 52由双极性传输材料 CBP掺杂电子传输型材料 TPBi 层构成， 介于该双极性型连接层 51和该单一极性传输层 53之间。
实施例 4器件的制备方法与实施例 1相似， 区别之处在于复合内连接层 中所述双极性型掺杂连接层 52的 CBP与 TPBi的比例例如可以为 4:1 , 总膜 厚例如可以为 4nm; 所述双极性连接层 51的膜层厚度例如可以为 lnm, 所 述电子传输层 53的膜层厚度例如可以为 0.5nm。
作为制作工艺上的简化， 本发明还可釆用如下优选的实施例 5:
实施例 5
如图 6, 实施例 5的有机电致白光器件的叠层结构具有以下结构式： 玻 璃衬底 /ITO/NPB/NPB:(t-bt)2Ir ( acac ) /CBP:TPBi/BH:BD/Bebq2/LiF/Al;
在实施例 5中， 所述复合内连接层包括双极性型掺杂连接层 52;
实施例 5器件的制备方法与实施例 1相似， 复合内连接层为单层掺杂结 构， CBP:TPBi比例例如可以为 1 :1 ,膜厚例如可以为 4匪。其中 NPB:(t-bt)2Ir ( acac )也可优选 mCP:(f-bt) 2Ir ( acac ) , BH:BD 也可优选 4,4'-二 (2,2-二苯 乙烯基 )-1,1'-联苯 DPVBi, 或者作为另一种选择方案， 黄色磷光层与蓝色荧 光层互换， NPB:(t-bt)2Ir ( acac ) 由 DPVBi替换， BH:BD 由 Bphen ： (t-bt)2Ir ( acac )替换„
上面实施例 1、 2、 3、 4、 5和对比例 1、 2的器件结构及性能如表 1所示 器件 复合内连接层结构 发光效率 色坐标（x,y )
( cd /A )
对比例 1 CBP(4.2nm) 3.4 (0.26,0.29) 对比例 2 无 2.3 (0.17,0.20) 实施例 1 CBP(lnm)/CBP:50%TPBi(3.2匪） 9.9 (0.32,0.34) 实施例 2 CBP:40%TPBi(3nm)/CBP(lnm) 10.5 (0.33,0.35) 实施例 3 CBP(lnm)/CBP:60%TPBi(4nm)/CB 14.8 (0.32,0.35)
P(lnm)
Figure imgf000011_0001
本发明的实施例还提供了一种白色有机电致发光器件的制造方法， 可以 包括如下步骤：
在基板上由下至上依次形成阳极导电层、 有机层和阴极层；
所述有机层包括碑光发光层和荧光发光层；
该磷光发光层的发光颜色和该荧光发光层的发光颜色不同；
在该磷光发光层和该荧光发光层之间设置复合内连接层。
根据一种具体实施方式， 所述碑光发光层为黄色磷光发光层， 所述荧光 发光层是蓝色荧光发光层。
例如，在该磷光发光层和该荧光发光层之间设置复合内连接层步骤包括： 层和蓝色荧光发光层。
根据一种具体实施方式， 该有机层还包括空穴传输层和电子传输层。 根据一种具体实施方式， 该制造方法还包括： 在黄色磷光发光层和阳极 导电层之间设置空穴传输层； 在蓝色荧光发光层和阴极层之间设置电子传输 层。
根据本发明实施例的白色有机电致发光器件例如可以用于有机发光显示 装置、 照明装置等。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式， 而非用于限制本发明的保护范 围， 本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims

权利要求书
1、 一种白色有机电致发光器件， 包括阴极层、 阳极导电层， 以及夹在所 述阴极层与所述阳极导电层之间的有机层；
该有机层包括碑光发光层和荧光发光层；
该磷光发光层的发光颜色和该荧光发光层的发光颜色不同；
在该磷光发光层和该荧光发光层之间设置有复合内连接层。
2、 如权利要求 1所述的白色有机电致发光器件， 其中，
所述碑光发光层为黄色磷光发光层， 设置于所述复合内连接层之下； 所述荧光发光层为蓝色荧光发光层， 设置于所述复合内连接层之上。
3、如权利要求 2所述的白色有机电致发光器件， 其中， 所述黄色磷光发 光层由红色磷光层与绿色磷光层组合构成。
4、如权利要求 2所述白色有机电致发光器件， 其中， 该有机层还包括空 穴传输层和电子传输层；
所述空穴传输层设置于所述阳极导电层和所述黄光碑光发光层之间； 所述电子传输层设置于所述蓝光荧光发光层和所述阴极层之间。
5、如权利要求 1至 4中任一权利要求所述的白色有机电致发光器件，其 中 , 所述复合内连接层包含至少由双极性有机传输材料掺杂单一极性传输型 材料构成的辅助过渡层。
6、如权利要求 1至 4中任一权利要求所述的白色有机电致发光器件，其 中， 所述复合内连接层还包含由双极性有机传输材料或单一极性传输材料构 成的辅助过渡层。
7、如权利要求 1至 4中任一权利要求所述的白色有机电致发光器件，其 中 , 所述复合内连接层的结构为双极性传输型材料掺杂单一极性传输型型材 料的单层结构。
8、如权利要求 1至 4中任一权利要求所述的白色有机电致发光器件，其 中， 所述复合内连接层的结构为包含由下而上排列的双极性型连接层和双极 性型掺杂连接层的双层结构；
所述双极性型连接层由双极性传输型材料构成；
所述双极性型掺杂连接层由双极性传输型材料掺杂单一极性传输型材料 构成。
9、如权利要求 1至 4中任一权利要求所述的白色有机电致发光器件，其 中， 所述复合内连接层的结构为包含由下而上排列的双极性型掺杂连接层和 双极性型连接层的双层结构；
所述双极性型连接层由双极性传输型材料构成；
所述双极性型掺杂连接层由双极性传输型材料掺杂单一极性传输型材料 构成。
10、 如权利要求 1至 4中任一权利要求所述的白色有机电致发光器件， 其中， 所述复合内连接层的结构为包含由下而上排列的双极性型连接层、 双 极性型掺杂连接层和双极性型连接层的三层结构；
所述双极性型连接层由双极性传输型材料构成；
所述双极性型掺杂连接层由双极性传输型材料掺杂单一极性传输型材料 构成。
11、 如权利要求 1至 4中任一权利要求所述的白色有机电致发光器件， 其中， 所述复合内连接层的结构为包含由下而上排列的双极性型连接层、 双 极性型掺杂连接层和单一极性传输层的三层结构；
所述双极性型连接层由双极性传输型材料构成；
所述双极性型掺杂连接层由双极性传输型材料掺杂单一极性传输型材料 构成。
12、 一种白色有机电致发光器件的制造方法， 包括：
在基板上由下至上依次形成阳极导电层、 有机层和阴极层；
所述有机层包括碑光发光层和荧光发光层；
该磷光发光层的发光颜色和该荧光发光层的发光颜色不同；
在该磷光发光层和该荧光发光层之间设置复合内连接层。
13、如权利要求 12所述的白色有机电致发光器件的制造方法， 其中， 所 述磷光发光层为黄色磷光发光层， 所述荧光发光层是蓝色荧光发光层； 在该 磷光发光层和该荧光发光层之间设置复合内连接层步骤包括： 连接层和蓝色荧光发光层。
14、如权利要求 13所述的白色有机电致发光器件的制造方法， 其中， 该 有机层还包括空穴传输层和电子传输层， 该制造方法还包括： 在黄色磷光发光层和阳极导电层之间设置空穴传输层； 在蓝色荧光发光 层和阴极层之间设置电子传输层。
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