WO2014017650A1 - サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法 - Google Patents

サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014017650A1
WO2014017650A1 PCT/JP2013/070373 JP2013070373W WO2014017650A1 WO 2014017650 A1 WO2014017650 A1 WO 2014017650A1 JP 2013070373 W JP2013070373 W JP 2013070373W WO 2014017650 A1 WO2014017650 A1 WO 2014017650A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
susceptor
lower plate
upper plate
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2013/070373
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雅仁 宮下
正昭 肥後
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Electronics Materials Co Ltd
Original Assignee
Dowa Electronics Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dowa Electronics Materials Co Ltd filed Critical Dowa Electronics Materials Co Ltd
Priority to CN201380039771.5A priority Critical patent/CN104641454A/zh
Priority to JP2014527036A priority patent/JP6062436B2/ja
Priority to US14/417,329 priority patent/US20150206785A1/en
Publication of WO2014017650A1 publication Critical patent/WO2014017650A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7611—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7614—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7624—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2921—Materials being crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3416—Nitrides

Definitions

  • the present invention relates to a susceptor used for forming a growth layer on a substrate by a chemical vapor deposition (CVD) method, a crystal growth apparatus using this susceptor, and a crystal growth method.
  • CVD chemical vapor deposition
  • Group III nitride semiconductors typified by GaN are widely used as materials for light-emitting elements and power elements such as LEDs (light-emitting diodes) and LDs (laser diodes) such as ultraviolet, blue, and green because of their wide band gaps. It has been.
  • a semiconductor device such as LSI using silicon or the like
  • a large-diameter wafer obtained by cutting out a large-diameter bulk crystal is used, whereas in such a group III nitride semiconductor, a large-diameter wafer is used. It is extremely difficult to obtain a bulk crystal (for example, a diameter of 4 inches or more).
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • the MOCVD method is preferably used because it has higher mass productivity than the MBE method.
  • an organic metal gas containing an element constituting a raw material of a semiconductor (with a wafer serving as a substrate held on a susceptor at a predetermined temperature (for example, 1000 ° C. or higher) is placed in a chamber. Raw material gas) is flowed. When the source gas reacts on the surface of the substrate at this temperature, a high-quality single crystal semiconductor layer can be formed on the substrate.
  • the susceptor that holds the substrate at a high temperature greatly affects the characteristics of the grown semiconductor layer (growth layer).
  • the thermal conductivity is high and the substrate temperature can be kept constant, and (2) it becomes electrically or optically active in the semiconductor (electrically or optically characteristic). It must be free of impurity elements (which have an influence), and (3) have sufficient mechanical strength and heat resistance.
  • graphite or the like having high thermal conductivity is used as the material of the susceptor.
  • a new substrate is placed on the susceptor for each crystal growth, and crystal growth is performed.
  • the susceptor is used repeatedly within its lifetime. For this reason, it is also required that a semiconductor layer having the same characteristics can be obtained with good reproducibility over a long period of time using the same susceptor.
  • Various susceptors have been proposed that have structures that meet these requirements.
  • Patent Documents 1 and 2 describe a structure in which a replaceable structure is newly provided on the upper part of the susceptor in order to improve reproducibility for each crystal growth.
  • this structure is a cover made of SiC, and in the technique described in Patent Document 2, it is a thin adhesion plate made of graphite.
  • Such a structure is configured such that these structures can be appropriately replaced and cleaned. This suppresses impurities from diffusing from the substrate side to the susceptor and further diffusing to another newly placed substrate and the semiconductor layer thereon. That is, this structure suppresses the transfer of impurities between the substrates, and a semiconductor layer with good characteristics can be obtained with good reproducibility over a long period of time.
  • the source gas reacts also on the inner wall of the chamber and the surface of the structure such as the susceptor, so that the reaction product (generally a polycrystalline layer having a similar composition to the semiconductor layer) It is also formed on the surface of the structure.
  • the reaction product does not necessarily become an impurity, but if the reaction product becomes thick and partially peels off and adheres to the substrate surface, crystal growth is hindered at the place where it adheres, which may cause a decrease in yield. Become. Further, when the reaction product becomes thick, the surface temperature changes due to this, which causes fluctuations in the film thickness and various characteristics of the semiconductor layer on the substrate. For this reason, the chamber, the susceptor and the like need to be periodically replaced and cleaned, but the maintenance thereof is preferably easy.
  • the present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an invention that solves the above problems.
  • the susceptor of the present invention is a susceptor for holding a substrate and forming a growth layer on the substrate by a chemical vapor deposition (CVD) method.
  • the susceptor is installed on a lower plate and an upper surface of the lower plate.
  • An upper plate, and the lower plate includes a substrate platform that is an area on which the substrate is placed on an upper surface of the lower plate, and further, the substrate is placed around the substrate platform.
  • the substrate includes an outer peripheral protrusion formed so as to have a shape surrounded by the substrate mounting portion, and the upper plate is a region excluding the substrate mounting portion and the outer peripheral protrusion on the upper surface of the lower plate.
  • the substrate mounting portion and the top portion of the outer peripheral protrusion are exposed on the upper surface side of the upper plate, and the thermal conductivity in the vertical direction of the upper plate is determined by the lower plate. Wherein the lower than the thermal conductivity in the vertical direction.
  • a surface on which the substrate is placed in the substrate placing portion is set higher than an upper surface of the lower plate on which the upper plate is placed, and the lower plate and the upper plate are When combined, the upper surface of the upper plate and the top of the outer peripheral protrusion are set to have the same height.
  • the width of the outer peripheral projection is in the range of 1.0 mm to 5.0 mm.
  • the main material constituting the upper plate is pyrolytic graphite (pyrolytic carbon).
  • the susceptor of the present invention comprises a surface protective layer on the surface of the lower plate.
  • the surface protective layer is made of pyrolytic boron nitride (pBN) or silicon carbide (SiC).
  • the crystal growth apparatus of the present invention is a crystal growth apparatus in which a substrate is placed on a susceptor and a growth layer is formed on the substrate by a chemical vapor deposition method.
  • the susceptor includes a lower plate and the lower plate.
  • the upper plate is exposed to the upper surface side of the upper plate, and the thermal conductivity in the vertical direction of the upper plate is lower than the lower plate. And wherein the lower than the thermal conductivity in the plate and the vertical direction of the substrate.
  • a surface on which the substrate is placed in the substrate placing portion is set higher than an upper surface of the lower plate on which the upper plate is placed, the lower plate, the substrate, When the upper plate is combined, the upper surface of the upper plate, the upper surface of the substrate, and the top of the outer peripheral projection are set to have the same height.
  • the width of the outer peripheral projection is in the range of 1.0 mm to 5.0 mm.
  • the main material constituting the lower plate is graphite
  • the main material constituting the upper plate is pyrolytic graphite (pyrolytic carbon).
  • the crystal growth apparatus of the present invention is characterized in that a surface protective layer is provided on the surface of the lower plate.
  • the surface protective layer is composed of pyrolytic boron nitride (pBN) or silicon carbide (SiC).
  • the raw material for the growth layer is contained in a state where the lower plate is heated in the chamber using the crystal growth apparatus and the substrate is placed on the susceptor and heated. It is characterized by flowing raw material gas.
  • the substrate is sapphire, and the temperature of the substrate during the growth of the growth layer is 1000 ° C. or higher.
  • the growth layer is a nitride semiconductor.
  • the growth layer can be uniformly grown on the substrate placed on the susceptor. Furthermore, it is possible to provide a susceptor that facilitates maintenance.
  • FIG. 1 It is a perspective view (a: before assembling, b: after assembling) of a susceptor used in a crystal growth apparatus as a reference example. It is an assembly figure in the section along the up-and-down direction in the case of using the conventional susceptor (a) and the susceptor used in the crystal growth device used as a reference example (b). It is a figure which shows typically the condition of the heat conduction in the conventional susceptor. It is an assembly figure in the section along the up-and-down direction at the time of using the modification of the susceptor used in the crystal growth device used as a reference example. It is a perspective view before the assembly of the susceptor used in the crystal growth apparatus concerning an embodiment of the invention.
  • the in-plane non-uniformity of the characteristics (crystallinity, film thickness, etc.) of the semiconductor layer that occurs when the semiconductor layer is grown on the substrate placed on the susceptor by MOCVD is the substrate temperature during the growth. It was found to be caused by in-plane non-uniformity.
  • this non-uniformity is reduced. This reduces in-plane non-uniformity in the characteristics of the grown semiconductor layer.
  • FIG. 1 is a perspective view (a: before assembly, b: after assembly) of a susceptor 10 used in a crystal growth apparatus as a reference example.
  • the susceptor 10 includes a lower plate 11 and an upper plate 12.
  • a source gas is flowed in a chamber in a state where a substrate is placed on the susceptor 10 and its temperature is controlled.
  • the semiconductor layer is formed on the substrate by causing a chemical reaction on the surface of the substrate by the source gas.
  • the semiconductor layer formed here is, for example, a nitride semiconductor (for example, aluminum nitride), and a sapphire substrate is used as the substrate.
  • TMA trimethylaluminum
  • NH 3 ammonia
  • the growth temperature is set to 1000 ° C. or higher.
  • the surface of the lower plate 11 (the surface on which the substrate 50 is placed) is preferably shaped to reduce the gap with the back surface of the substrate 50, for example, flat. Further, this surface is sufficiently larger than the substrate 50 to be used, and a substantially disc-shaped substrate (wafer) 50 can be placed on this surface.
  • the lower plate 11 is used to place the substrate 50 thereon and maintain it at a desired temperature, and corresponds to a conventional susceptor used in a conventional crystal growth apparatus. For this reason, the material which comprises the lower plate 11 is the same as that of the conventional susceptor, for example, graphite with high heat conductivity is used. Further, in FIG.
  • the lower plate 11 has a rectangular shape, but the shape below the surface is arbitrary as long as the shape has the above surface. Further, the lower plate 11 does not need to be made of a single material, and in order to improve the impact resistance and chemical stability of the surface, as a surface protective layer, for example, pyrolytic boron nitride (pBN) or graphite is used. A structure coated with silicon carbide (SiC) can also be used.
  • pBN pyrolytic boron nitride
  • SiC silicon carbide
  • the lower plate 11 is configured to be heated by, for example, a heater or high-frequency heating means.
  • a temperature sensor is also attached to the lower plate 11, and the heating means is controlled by feeding back the temperature measured here, so that the lower plate 11 can be held at a predetermined temperature (for example, 1000 ° C. or higher).
  • the lower plate can be heated, for example, from its lower surface side.
  • the upper plate 12 can be made thinner than the lower plate 11, and an opening 121 is provided at the center.
  • the opening 121 has a shape that matches the shape of the substrate 50.
  • the size of the substrate (wafer) 50 used here is arbitrary, for example, a circle having a diameter of 2 inches. In this case, the diameter of the opening 121 is a circle slightly larger than 2 inches so that the substrate 50 is placed therein.
  • the upper plate 12 is used by being installed on the surface of the lower plate 11, so that the outer shape thereof is a shape adapted to the surface of the lower plate 11.
  • the surface of the lower plate 11 in the opening 121 is a substrate placement portion on which the substrate 50 is placed. At least the surface of this region is flat. Therefore, in the state of FIG. 1B, crystal growth can be performed in a state where the substrate 50 is placed in the opening 121 and the temperature of the substrate 50 is maintained at a temperature close to the lower plate 11.
  • a concave portion is provided in one part of these, and a convex portion corresponding to this is provided in the other, and a tenon joint or a dowel joint is secured to fix the upper plate 12 to the end. It can be detachably fixed using a method such as screwing the part.
  • the fixing portion is provided at a location away from the substrate 50 in the lower plate 11 and the upper plate 12.
  • the shape of the substrate 50 is simplified and described as a simple circle. However, in reality, the substrate 50 is not a complete circle, and an orientation flat (orientation flat) is provided at a part of the circumference. It is often provided.
  • the shape of the opening 121 is set so that the substrate 50 can be placed therein, and can be a shape corresponding to the shape of the substrate 50 with the orientation flat.
  • the main material constituting the upper plate 12 is different from the main material constituting the lower plate 11.
  • the main material means a material exceeding 50% by volume.
  • the thermal conductivity in the vertical direction is different in the main materials constituting these, and the thermal conductivity in this direction of the material constituting the upper plate 12 is the lower plate. 11 is set smaller than the thermal conductivity in the same direction of the material constituting 11. Further, the thermal conductivity in the same direction of the material constituting the upper plate 12 is set to be lower than the thermal conductivity of the substrate in the same direction.
  • the thing by the measuring method of JISA1412 can be used, for example.
  • the thermal conductivity in a temperature range of 1000 ° C. or higher can be set to about 40 to 100 W / m / K.
  • the thermal conductivity in the thickness direction (c-axis direction) in the temperature range of 1000 ° C. or higher is about 8 W / m / K.
  • the upper plate 12 can be made of pyrolytic graphite (PG: pyrolytic carbon).
  • PG pyrolytic carbon
  • the constituent element of PG is carbon like ordinary graphite, but it is made by peeling the base material after forming a thick film with a thickness of about several millimeters by CVD on the base material made of graphite.
  • the thermal conductivity in the thickness direction can be set to, for example, about 1.5 W / m / K in a temperature range of 1000 ° C. or higher. In the case of such a material configuration, the above thermal conductivity relationship is satisfied.
  • graphite reacts with ammonia gas at high temperatures and is consumed, but densely formed PG has low reactivity with ammonia gas and can withstand long-term use. It is particularly preferable to use such ammonia-resistant PG.
  • FIG. 2 shows an assembly drawing in a cross section along the thickness direction (vertical direction) of the substrate when the conventional susceptor 90 is used (a) and when the above susceptor 10 is used (b).
  • the susceptor 90 is integrated, but in order to fix the substrate 50 thereon, a recess 91 corresponding to the shape of the substrate 50 is formed on the surface thereof.
  • the bottom surface of the recess 91 is flat.
  • the thickness of the substrate 50 is, for example, about 430 ⁇ m, and the depth of the concave portion 91 is about 0.5 mm.
  • the shape of the substrate 50 can hold the substrate 50 therein, for example, the substrate 50 having a diameter of 2 inches.
  • the circular shape is slightly larger than 2 inches in diameter.
  • the cross-sectional shape of the recess 91 may be a shape that smoothly supplies and exhausts the source gas to the surface of the substrate 50.
  • the surface of the substrate 50 placed and the surface of the surrounding susceptor 90 have almost the same height, which is preferable in this respect.
  • the substrate 50 is fixed by being held in the opening 121 (substrate mounting portion) of the upper plate 12. That is, in the susceptor 10, the lower plate 11 corresponds to the conventional susceptor 90 without the recess 91, and the opening 121 of the upper plate 12 corresponds to the recess 91.
  • the thickness of the substrate 50 is about 430 ⁇ m, for example, the thickness of the upper plate 12 is about 0.5 mm, which is the same as the depth of the recess 91, and the opening 121 is a circle slightly larger than 2 inches in diameter. It can be a shape.
  • the inventor uses a conventional susceptor 90 shown in FIG. 2A to grow a semiconductor layer on a substrate (wafer) 50 having two types of sizes (2 inch diameter and 4 inch diameter), thereby forming a semiconductor.
  • the electrical properties and crystallinity of the layer were examined. As a result, in either case, the characteristics (crystallinity and film thickness) were different between the central portion and the peripheral portion of the semiconductor layer.
  • the characteristics of the semiconductor layer obtained in the case of the 4-inch diameter in detail, the characteristics of the region corresponding to the 2-inch diameter at the center of the 4-inch diameter wafer are different from the results of the 2-inch diameter wafer. It was very different and almost uniform and showed the same characteristics as the central part.
  • the temperature of the surface of the substrate 50 placed on the susceptor 90 varies strictly depending on conditions such as the growth temperature and pressure, but the surroundings It was confirmed that the temperature was about 50 to 100 ° C. lower than the surface temperature of the susceptor.
  • this in-plane non-uniformity does not occur on the entire surface of the substrate, but occurs only at the end portion regardless of the size of the substrate. This is considered to be because a region where the temperature increases around the substrate is generated from the result of the temperature measurement. Accordingly, it is considered that in-plane non-uniformity is reduced by using a susceptor having a structure in which a region where the temperature of the substrate is non-uniform is hardly generated.
  • FIG. 3 schematically shows the state of heat conduction from the susceptor 90 to the substrate 50 in the conventional configuration of FIG.
  • substrate 50 was mounted is expanded and shown, and the arrow in a figure is a direction of heat conduction.
  • heat conduction in the vertical direction is heat conduction toward the substrate 50 from the inner surface of the recess 91 that faces the end surface of the substrate 50.
  • the substrate 50 is heated not only by heat conduction but also by radiation from the susceptor 90, but this effect is also the same.
  • the substrate 50 and the susceptor 90 are in surface contact with each other on the susceptor 90, the placed substrate 50 is fixed only by gravity. For this reason, even if the back surface of the substrate 50 and the surface of the susceptor 90 are both flat, the degree of adhesion between them is low, and the thermal resistance between the substrate 50 and the susceptor 90 is not small. For this reason, although it is preferable that the heat conduction in the vertical direction is dominant as described above, even when the thermal conductivity in the thickness direction of the susceptor 90 and the substrate 50 is both high, the vertical direction is actually The efficiency of heat conduction should not be high.
  • the influence of heating by radiation from the susceptor 90 is stronger between the substrate 50 and the susceptor 90 than heat conduction by contact.
  • the growth temperature is set to 1000 ° C. or higher as in the case of growing a group III nitride semiconductor, radiation is dominant. This is because heat conduction is determined almost in proportion to the temperature difference between the two objects (the substrate 50 and the susceptor 90), whereas the energy release by radiation is proportional to the fourth power of the temperature of the heat source (susceptor 90). It is. Therefore, in FIG. 3, the influence of heat conduction and radiation from the lateral direction at the end of the substrate 50 cannot be ignored.
  • the temperature of the susceptor directly under the substrate when the temperature of the susceptor directly under the substrate is set to a certain temperature, the temperature of the susceptor surface around the substrate (the region where the substrate is not placed) may be equal to or lower than the substrate surface temperature. If possible, it is considered that the temperature non-uniformity at the edge of the substrate is reduced. Since it is the temperature of the substrate surface that directly affects crystal growth, the temperature of the susceptor may be set higher than the desired temperature so that the surface temperature of the substrate becomes the desired temperature. .
  • the lower plate 11 is used as a portion corresponding to the conventional susceptor 90.
  • the lower plate 11 and the upper plate 12 are used separately.
  • a concave portion is provided so that a part of the lower plate 11 having a high temperature does not face the inner surface of the substrate 50 in a state where the substrate 50 is placed on the lower plate 11. Absent. That is, unlike the susceptor 90, the surface of the lower plate 11 is flat. Instead, the inner surface of the opening 121 of the upper plate 12 faces the side surface of the substrate 50.
  • the upper plate 12 As with the substrate 50, the upper plate 12 is placed on the lower plate 11 by gravity. For this reason, the thermal resistance between the upper plate 12 and the lower plate 11 is similarly high as between the substrate 50 and the lower plate 11. Furthermore, since the heat conductivity of the upper plate 12 is set lower than that of the lower plate 11 and the substrate 50, the heat conduction efficiency to the upper plate 12 is further lower than the heat conduction efficiency to the substrate 50, The temperature of the surface of the plate 12 can be lowered. Further, the temperature of the inner surface of the opening 121 facing the side surface of the substrate 50 is lower than the temperature of the inner surface of the recess 91 in the conventional susceptor 90. Therefore, the influence of the lateral heat conduction and radiation from the upper plate 12 on the substrate 50 in the configuration of FIG.
  • the susceptor 10 is installed in a chamber, and a semiconductor layer is formed on the substrate 50 in the chamber.
  • the reaction product adheres to the inner wall of the chamber.
  • it is generally necessary to perform maintenance such as replacement and cleaning of the chamber to which the reaction product adheres at an appropriate frequency.
  • the susceptor 10 when used, the surface temperature of the upper plate 12 is lowered, so that the temperature of the inner wall of the chamber facing it is also lowered. For this reason, the amount of reaction products adhering to the inner wall of the chamber is also reduced.
  • the amount of the reaction product adhering to the susceptor 10 and the chamber can be reduced, so that the frequency of maintenance can be reduced, and the upper plate to which the reaction product adheres. 12 can be easily replaced and cleaned.
  • the upper plate 12 it is also possible to configure the upper plate 12 with a material that makes this cleaning particularly easy.
  • the reaction product is, for example, AlInGaN having a thermal expansion coefficient of about 4 to 6 ppm / K
  • the thermal expansion coefficient Due to the difference, it is particularly easy to peel and clean the reaction product.
  • the thermal conductivity of the material of the substrate 50 is generally lower than this.
  • a material having a lower thermal conductivity can be appropriately used depending on the material of the substrate 50.
  • SiC thermal conductivity in a temperature range of 1000 ° C. or higher to about 70 W / m / K
  • TaC standard as about 9 to 22 W / K
  • the upper plate 12 needs to be made of a material that does not react with the gas used (such as ammonia or hydrogen) or has low reactivity. In this respect, any of the above materials can be used without any problem. The same applies to the lower plate 11.
  • FIG. 4 shows an assembly drawing in a cross section of a susceptor 20 which is a modification of the susceptor 10 as a reference example.
  • a lower plate 21 and an upper plate 22 are used, and heat conduction to the upper plate 22 is further suppressed.
  • the material which comprises the lower plate 21 and the upper plate 22 is the same as the said lower plate 11 and the upper plate 12, respectively, and only the shapes differ.
  • the substrate mounting portion 211 which is a region on which the substrate 50 is mounted, is made higher than its surroundings.
  • the surface of the lower plate 21 other than the substrate platform 211 is configured to be deeper than the substrate platform 211.
  • the surface of the substrate platform 211 is flat like the surface of the lower plate 11.
  • an opening 221 corresponding to the substrate 50 is formed in the same manner as the upper plate 12.
  • the opening 221 is set so as to correspond to the substrate mounting portion 211. That is, when the susceptor 20 is used, the substrate 50 is mounted on the substrate platform 211 in the opening 221.
  • the area other than the substrate platform 211 in the lower plate 21 has a shape dug down from the substrate platform 211. Therefore, when the height relationship between the upper surface of the upper plate 22 and the upper surface of the substrate 50 in the state where the upper plate 22 and the lower plate 21 are combined is made the same as that of the susceptor 10, the upper plate 22 is The thickness of the lower plate 21 can be increased by the amount dug. That is, the upper plate 22 can be made thicker than the susceptor 10 described above. Since the upper plate 22 having a low thermal conductivity becomes thick, the temperature of the surface of the upper plate 22 can be further reduced. For this reason, the nonuniformity of the temperature in the edge part of the board
  • the upper plate 22 is installed on the lower plate 21. Fixing is performed more reliably.
  • the thickness of the substrate 50 is reduced.
  • the thermal conductivity is ⁇ S
  • the thickness of the upper plate 22 (12) is T TP
  • the thermal conductivity is ⁇ TP
  • the upper limit of the thickness T TP of the upper plate 22 (12) is, for example, about 2000 ⁇ m.
  • the lower limit of the thickness of the upper plates 12 and 22 is set to a thickness that can be manufactured as a thin plate that is portable depending on the material, for example, PG Then, it is about 200 ⁇ m.
  • the value of TTP is set in consideration of the equation (1), the total thickness of the susceptors 10 and 20 (total thickness when the upper plates 12 and 22 are placed on the lower plates 11 and 21) Is set depending on the thicknesses of the lower plates 11 and 21 as well. However, the warpage is suppressed as the upper plates 12 and 22 are thicker.
  • the height of the upper surface of the substrate and the height of the upper surface of the upper plate are not necessary to make the height of the upper surface of the substrate and the height of the upper surface of the upper plate exactly match.
  • the temperature of the upper surface of the upper plate can be further lowered.
  • the temperature of the upper surface of the upper plate can be made lower than that of the conventional susceptor.
  • the temperature distribution on the upper surface of the susceptor including the wafer is adjusted, and in particular, the temperature of the upper surface of the upper plate is lowered, so that the growth layer on the substrate is uniform in the plane. Had improved.
  • the susceptor having this configuration is used, there are some cases where cracks are formed at the outermost end (outer peripheral portion) of the growth layer.
  • the temperature distribution in the most region of the growth layer can be made uniform by the above configuration, while the temperature gradient in the outer peripheral portion (endmost portion) of the growth layer is conversely increased. Conceivable.
  • the susceptor according to the embodiment of the present invention is configured so that a uniform growth layer is obtained and the temperature gradient in the outer peripheral portion of the substrate is reduced in order to solve this problem.
  • FIG. 5 is a perspective view of the susceptor 30 according to the embodiment of the present invention before the assembly of the lower plate 31, the upper plate 32, and the substrate 50
  • FIG. 6 is the state before assembly (a) and after assembly (b). It is sectional drawing along the thickness direction of the board
  • FIG. Here, like the upper plate 22 in FIG. 4, a circular opening 321 is formed in the upper plate 32, and the substrate placing portion 311 in the lower plate 31 is also a surface on which the upper plate 32 is placed. Is set higher than.
  • the heat conductivity of the lower plate 31 and the upper plate 32 it sets similarly to the said reference example. For this reason, the temperature uniformity over most of the substrate 50 can be improved, and the uniformity of the growth layer can be improved as in the above-described reference example.
  • an outer peripheral projection 312 is formed on the outer periphery of the substrate platform 311 so as to surround the substrate platform 311.
  • the substrate platform 311 is a bottom surface of a recess formed in the lower plate 31, and the substrate 50 is placed in this recess. That is, the lower plate 31 is shaped such that the substrate 50 is fitted inside the outer periphery protruding portion 312.
  • the opening 321 in the upper plate 32 corresponds to the outer diameter of the outer peripheral projection 312, not the substrate 50, and has a shape that fits thereto.
  • the top of the outer peripheral projection 312 is a plane parallel to the substrate platform 311 and the like.
  • the lower plate upper surface (the upper surface of the lower plate 31) 313 of the lower plate 31 outside the outer peripheral projection 312 can be formed in a planar shape, for example. Further, when the substrate 50 and the upper plate 32 are installed on the lower plate 31, they contact the lower surface of the upper plate (the lower surface of the upper plate 32) 322 in the upper plate 32.
  • the lower plate upper surface 313 and the upper plate lower surface 322 that are in contact with each other can have a planar shape, for example. However, if the source gas does not easily enter the interface when they are in contact with each other, the upper surface is not necessary. At this time, as viewed from above, the upper surface of the substrate 50 and the top of the outer peripheral projection 312 are exposed from the upper plate 32.
  • the inner periphery of the upper plate 12 constituting the opening 121 and the outer periphery of the substrate 50 face each other directly, whereas the opening 321 is configured.
  • an outer peripheral projection 312 integrated with the lower plate 31 is provided between the inner periphery of the upper plate 32 and the outer periphery of the substrate 50.
  • the depth T (the height of the outer peripheral projection 312 from the substrate mounting portion 311) in FIG. 6 is equal to the thickness of the substrate 50 (for example, about 0.43 mm).
  • the thickness D of the upper plate 32 is the same as the height of the outer peripheral protrusion 312 from the outer side of the outer peripheral protrusion 312 (the surface on which the upper plate 32 is placed) in the lower plate 31.
  • the thickness D is eventually thicker than the substrate 50 and can be about 2 mm.
  • the upper surface of the upper plate 32 and the substrate 50 constitute the same surface on the lower plate 31 in the assembled state. Further, the substrate 50 is supported only by the lower plate 31, not the upper plate 32.
  • the materials constituting the lower plate 31 and the upper plate 32 and their thermal conductivity are the same as those in the reference example. That is, for example, the lower plate 31 can be made of graphite coated with thin PG, and the upper plate can be made of PG.
  • the outer peripheral projection 312 is a part of the lower plate 31, the outer peripheral projection 312 is locally protruded upward, so the temperature of the outer peripheral projection 312 is Is not equal to the main body of the lower lower plate 31 and is lower than this.
  • the temperature of the outer peripheral projection 312 is determined by the lower plate 31 main body, the upper plate 32, and the substrate 50 which are lower than this. Therefore, a region having a large temperature gradient in the outer peripheral portion of the growth layer when the susceptor according to the first embodiment is used is formed in the outer peripheral protrusion 312. Since a region having a large temperature gradient is not formed in the substrate 50, generation of cracks in the outer peripheral portion of the growth layer is suppressed.
  • the width W in the left-right direction in FIG. 6 of the outer peripheral projection 312 is preferably 1 to 5 mm, and more preferably 1 to 3 mm.
  • the width W is less than 1.0 mm, the effect of reducing the temperature gradient in the outermost region of the substrate 50 is reduced. If the width W exceeds 5 mm, the uniformity of the growth layer decreases because the width W substantially approaches the conventional susceptor 90 (FIG. 2A).
  • the upper surface of the substrate 50 and the upper surface of the upper plate 32 have the same height.
  • the height is preferably the same as these.
  • the upper plate 32 can be made thicker than in the first embodiment.
  • the upper plate 32 since the upper surface side of the upper plate 32 is exposed to the source gas during growth, a reaction product layer is formed on the upper surface of the upper plate 32. Due to the difference in thermal expansion coefficient between the reaction product layer and the upper plate 32, the upper plate 32 may be warped during heating (during growth). Problems such as poor reproducibility occur. In order to suppress this, it is effective to make the upper plate 32 sufficiently thick. In the above configuration, such a thick upper plate 32 can be used even when the substrate 50 is thin. That is, in this susceptor 30, the upper plate 32 in which warpage is suppressed due to its thickness can be used. Thereby, reproducibility of crystal growth can be improved.
  • the case where one substrate is placed on one set of susceptors has been described.
  • a plurality of substrates can be appropriately disposed.
  • an opening in the upper plate, a substrate mounting portion in the lower plate, and the like may be formed according to the configuration in which the substrate is arranged.
  • the above structure can provide higher temperature uniformity in each substrate, and thereby a semiconductor layer having high in-plane uniformity can be obtained.
  • the susceptor and individual substrates may be rotated in order to improve the uniformity between the substrates. In this case, the same effect can be obtained. it is obvious.
  • the configuration of the susceptor in the region between the substrates can be set as appropriate.
  • the distance between the substrates is narrow (when the closest distance between the substrates is 0 to 5 mm)
  • the above-described substrate placement is obtained by integrating the substrate placement portions corresponding to two adjacent substrates. It can also be considered a department.
  • the openings 321 corresponding to the two adjacent substrates can be continuously formed so that the upper plate does not exist between the two substrates.
  • the closest distance is particularly narrow, such as less than 1 mm
  • the outer peripheral projection is not provided between the substrates, and the outer peripheral projection is provided only around the integrated substrate mounting portion. Can do. The same applies when three or more substrates are used.
  • the upper plate is shaped so that the upper surface of the placed substrate and the top of the outer peripheral projection are exposed on the upper surface side of the upper plate.
  • Such a configuration is effective when, for example, a large number of substrates (wafers) having a relatively small diameter of 2 to 3 inches are arranged.
  • the effects of the configuration around the substrate in the reference example and the susceptor according to the above embodiment are not Relatively small.
  • the area where the lower plate is exposed increases when a plurality of substrates are arranged close to each other. For this reason, the effect of the configuration around the substrate in the reference example and the susceptor according to the above-described embodiment is increased. That is, the susceptor of the present invention is particularly effective when a plurality of substrates are arranged and a large-diameter substrate is used.
  • the upper plate is preferably made of a single material such as PG, but it is not always necessary.
  • a thick surface protective layer may be formed on the composite material, for example, the base material.
  • graphite can be used as a base material and PG having a low thermal conductivity can be thickly coated (thick enough to become a main material) to form the upper plate.
  • PG is used as a base material, and pBN (thermal conductivity: about 2.7 W / m / K), which is difficult to form an upper plate because it is soft as a single body, can be coated thereon.
  • the surface temperature of the upper plate can be made lower than the surface temperature of the substrate, and the same effect can be obtained.
  • the upper plate is generally composed of a single material because peeling, cracking, and deterioration of durability due to the difference in thermal expansion coefficient between the base material and the coating layer occur.
  • PG is particularly preferable as the material.
  • a sapphire substrate is placed on a susceptor of two types shown in FIG. 2 (a: comparative example) (b: reference example) and placed in a chamber.
  • Carrier gas N 2 and H 2
  • the susceptor was heated using a heater below the susceptor, and AlN crystals were grown on the sapphire substrate under the same conditions except for the susceptor.
  • a sapphire substrate having a diameter of 2 inches and a thickness of 430 ⁇ m (vertical thermal conductivity in a temperature range of 1000 ° C. or higher: about 8 W / m / K) was used, and TMA and NH 3 were used as source gases.
  • the material of the comparative susceptor is 6.5 mm thick graphite (thermal conductivity in the vertical direction in the temperature range of 1000 ° C. or higher: 40 to 100 W / m / K), and the surface is coated with 150 ⁇ m of pBN. .
  • the depth of the recess is 0.5 mm.
  • the lower plate of the reference example has a flat plate structure with a thickness of 6 mm, and the material is the same as the susceptor of the comparative example.
  • the material of the upper plate of the reference example is PG (thermal conductivity in the vertical direction in a temperature range of 1000 ° C. or higher: about 1.5 W / m / K), and the thickness is 0.5 mm.
  • the measurement results for the semiconductor layers obtained using the susceptors of the comparative example and the reference example are shown in comparative example 1 and reference example 1 of Table 1.
  • the growth temperature (actual substrate surface temperature measured without contact) was 1150 ° C.
  • the film thickness distribution of the semiconductor layer was measured at a total of 25 locations including the central one point in the 2-inch diameter plane, and the film thickness distribution according to the following equation was calculated as uniformity.
  • the center of the full width at half maximum (FWHM) (arcsec) of the X-ray diffraction rocking curve (XRC) of the (002) plane of the semiconductor layer (AlN) and four points 20 mm away from the center The difference between the maximum value and the minimum value ( ⁇ XRC (002)) of the measured values at a total of five points, and the difference between the maximum value and the minimum value ( ⁇ XRC (102)) obtained in the same manner for the (102) plane were measured.
  • the susceptor of the comparative example in order to remove AlN adhering to the susceptor, it was necessary to immerse in an alkaline solution, and cleaning for reuse was not easy.
  • the AlN adhering to the upper plate can be removed only by stroking with a light force using a wiper or the like, and cleaning was easy.
  • AlN layer having a thickness of 1.0 ⁇ m was formed on the sapphire substrate in the same manner as in Reference Example 1 except that the growth temperature was set to 1300 ° C. and the pressure was set to 10 Torr using the susceptor of Reference Example. To grow. As a result, although a highly uniform growth layer (AlN layer) was obtained in the same manner as in Reference Example 1, cracks occurred at the outer peripheral edge. An optical micrograph of the surface is shown in FIG. In FIG. 7, the gray region is the growth layer, and the boundary line between this region and the black region is the end of the growth layer. There are some cracks from the lower left to the upper right.
  • this crack is formed only in a very narrow area at the end, and the device is formed at a position away from the center toward the center of the wafer. It is more preferable that the cracks are suppressed because the cracks may propagate and cause a substrate crack.
  • Example 1 crystal growth was performed under the same growth conditions as in Reference Example 2 using the susceptor.
  • the thickness as a whole susceptor of an Example is 6.5 mm same as the susceptor of a comparative example and a reference example.
  • the warpage of the upper plate after the crystal growth of the upper plate or during the crystal growth was also reduced.
  • the upper plate thickness is 0.5 mm
  • the susceptor of the example In Example 1 using (upper plate thickness 2 mm) no wafer movement occurred. That is, also from the viewpoint of warping of the upper plate, good results were obtained when the susceptor of the example was used.
  • Example 2 Comparative Example 2, and Reference Example 3
  • crystal growth was performed using the susceptors of Examples, Comparative Examples, and Reference Examples at a growth temperature of 1300 ° C. and a pressure of 10 Torr.
  • the evaluation results of evaluating the film thickness distribution and crystallinity in the same manner as in Reference Example 1 are shown in Table 2. From this result, although the average growth rate is lowered in Example 2 and Reference Example 3, the values of the film thickness distribution and crystallinity are smaller than those in Comparative Example 2, and the film thickness distribution and crystallinity. It can be seen that is improved. Further, comparing Example 2 with Reference Example 3, it can be seen that Example 2 has a greater improvement effect.
  • the growth layer is not limited to a semiconductor layer and can be made of any material.
  • the growth layer has a laminated structure of a plurality of layers, and the growth temperature of each layer is the same or different, it is clear that the above effect can be obtained by the above configuration in at least one layer. It is. In the above example, the case where the MOCVD method is used is described. However, it is obvious that the same effect can be obtained regardless of the type of gas if the CVD method is a method in which a source gas is reacted on a high-temperature substrate.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

　サセプタ上に載置された基板上に成長層を均一に成長させる。　この下部プレート３１においては、基板載置部３１１の外周にこれよりも高 くなる外周突起部３１２が、基板載置部３１１を囲んで形成されている。このため、基板載置部３１１は、下部プレート３１中に形成された凹部の底面となっており、基板５０はこの凹部に載置される。すなわち、下部プレート３１は、外周突起部３１２で囲まれた内部に基板５０が嵌合するような形状とされる。

Description

サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法
　本発明は、化学気相成長（ＣＶＤ）法によって基板上に成長層を形成させるために用いられるサセプタ、及びこのサセプタを用いる結晶成長装置、結晶成長方法に関する。
　ＧａＮに代表されるＩＩＩ族窒化物半導体は、そのバンドギャップが広いために、紫外、青色、緑色等のＬＥＤ（発光ダイオード）、ＬＤ（レーザーダイオード）等の発光素子やパワー素子の材料として広く用いられている。シリコン等を用いたＬＳＩ等の半導体装置を製造するに際しては、大口径のバルク結晶を切り出して得られた大口径のウェハが用いられるのに対して、こうしたＩＩＩ族窒化物半導体においては、大口径（例えば４インチ径以上）のバルク結晶を得ることが極めて困難である。このため、こうしたＩＩＩ族窒化物半導体を用いた半導体装置を製造するに際しては、これと異なる材料からなる基板上にこのＩＩＩ族窒化物半導体をエピタキシャル成長（ヘテロエピタキシャル成長）させたウェハを用いるのが一般的である。
　ＩＩＩ族窒化物半導体に対するエピタキシャル成長方法としては、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）やＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）が知られている。この中で、ＭＯＣＶＤ法は、ＭＢＥ法よりも量産性が高いため、好ましく用いられている。ＭＯＣＶＤ法においては、チャンバ内において、基板となるウェハがサセプタ上で所定の温度（例えば１０００℃以上）に保持されて載置された状態で、半導体の原材料を構成する元素を含む有機金属ガス（原料ガス）等が流される。原料ガスがこの温度下において基板の表面で反応することによって、基板上に単結晶の良質な半導体層を形成することができる。
　この際に、基板を高温下で保持するサセプタが、成長した半導体層（成長層）の特性に対して与える影響は大きい。サセプタに対しては、（１）熱伝導率が高く基板の温度を一定に保持することができること、（２）半導体中において電気的又は光学的に活性となる（電気的又は光学的に特性に影響を与える）不純物元素を含まないこと、（３）充分な機械的強度及び耐熱性をもつこと、等が要求される。このため、一般には、サセプタの素材としては熱伝導率の高い黒鉛等が用いられる。また、サセプタ上には結晶成長毎に新たな基板が載置されて結晶成長が行われるが、サセプタはその寿命内においては繰り返し使用される。このため、同一のサセプタを用いて長期間にわたり同等の特性の半導体層を再現性よく得ることができることも要求される。こうした要求を満たすような構造をもつ各種のサセプタが提案されている。
　特許文献１、２には、結晶成長毎の再現性を向上させるために、サセプタの上部に交換可能な構造物を新たに設けた構造が記載されている。この構造物は、特許文献１に記載の技術においてはＳｉＣ製のカバーであり、特許文献２に記載の技術においては薄い黒鉛製の防着板である。こうした構造においては、これらの構造物を適宜交換、洗浄することができる構成とされている。これにより、基板側からサセプタに不純物が拡散し、これが更に新たに載置された別の基板やこの上の半導体層に拡散することが抑制される。すなわち、この構成によって基板間の不純物の転写が抑制され、長期間にわたり良好な特性の半導体層を再現性よく得ることができる。
特開平３－６９１１３号公報 特開平６－３１４６５５号公報
　上記の技術によって良好な特性の半導体層を再現性よく得ることができるものの、実際には、１枚の基板上に形成された半導体層において、その結晶性や膜厚は中心部と周辺部とでは異なっていた。すなわち、成長毎の再現性は良好ではあるが、半導体層（成長層）の面内均一性は良好とはなっていなかった。
　ＭＯＣＶＤ法に限らず、他のＣＶＤ法等、温度制御されたサセプタ上に載置された基板上に成長層を形成する場合には、こうした状況は同様に発生する。
　すなわち、サセプタ上に載置された基板上に成長層を均一に成長させることは困難であった。
　また、基板以外においても、チャンバ内壁やサセプタ等の構造物の表面においても原料ガスは反応を生じるため、反応生成物（一般には半導体層と類似組成の多結晶層）が、チャンバ内壁、サセプタや構造物の表面にも形成される。反応生成物は必ずしも不純物となるものではないが、反応生成物が厚くなって部分的に剥離して基板表面に付着すると、これが付着した箇所において結晶成長が阻害されるため、歩留まり低下の原因となる。更に、反応生成物が厚くなると、このために表面温度が変移し、基板上の半導体層の膜厚や諸特性の変動の原因ともなる。このため、チャンバ、サセプタ等は定期的に交換、清掃される必要があるが、そのメインテナンスは容易であることが好ましい。
　本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
　本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
　本発明のサセプタは、基板を保持し、当該基板上に化学気相成長（ＣＶＤ）法によって成長層を形成するためのサセプタであって、前記サセプタは、下部プレートと当該下部プレートの上面に設置される上部プレートとを有し、前記下部プレートは、前記下部プレートの上面に前記基板が載置される領域である基板載置部を具備し、さらに、前記基板載置部の周囲に、前記基板が前記基板載置部上において囲まれる形状となるように形成された外周突起部を具備し、前記上部プレートは、前記下部プレートの上面の前記基板載置部及び前記外周突起部を除く領域に載置され、前記基板載置部と前記外周突起部の頂部とを前記上部プレートの上面側に露出させる形状を具備し、前記上部プレートの上下方向における熱伝導率は、前記下部プレートの上下方向における熱伝導率よりも低いことを特徴とする。
　本発明のサセプタにおいて、前記基板載置部において前記基板が載置される面は、前記上部プレートが載置される前記下部プレートの上面よりも高く設定され、前記下部プレートと前記上部プレートとを組み合わせた際に、前記上部プレートの上面と前記外周突起部の頂部とが同一の高さとなるように設定されたことを特徴とする。
　本発明のサセプタにおいて、前記外周突起部の幅は１．０ｍｍ～５．０ｍｍの範囲であることを特徴とする。
　本発明のサセプタにおいて、前記上部プレートを構成する主な材料はパイロリテックグラファイト（熱分解炭素）であることを特徴とする。
　本発明のサセプタは、前記下部プレートの表面に、表面保護層を具備することを特徴とする。
　本発明のサセプタにおいて、前記表面保護層はパイロリティックボロンナイトライド（ｐＢＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で構成されたことを特徴とする。
　本発明の結晶成長装置は、サセプタの上に基板が載置され、当該基板上に化学気相成長法によって成長層を形成する結晶成長装置であって、前記サセプタは、下部プレートと当該下部プレートの上面に設置される上部プレートとを有し、前記下部プレートは、前記下部プレートの上面に前記基板が載置される領域である基板載置部を具備し、さらに、前記基板載置部の周囲に、前記基板が前記基板載置部上において囲まれる形状となるように形成された外周突起部を具備し、前記上部プレートは、前記下部プレートの上面の前記基板載置部及び前記外周突起部を除く領域に載置され、前記基板の上面と前記外周突起部の頂部とを前記上部プレートの上面側に露出させる形状を具備し、前記上部プレートの上下方向における熱伝導率は、前記下部プレート及び前記基板の上下方向における熱伝導率よりも低いことを特徴とする。
　本発明の結晶成長装置において、前記基板載置部において前記基板が載置される面は、前記上部プレートが載置される前記下部プレートの上面よりも高く設定され、前記下部プレート、前記基板、及び前記上部プレートを組み合わせた際に、前記上部プレートの上面、前記基板の上面、及び前記外周突起部の頂部が同一の高さとなるように設定されたことを特徴とする。
　本発明の結晶成長装置において、前記外周突起部の幅は１．０ｍｍ～５．０ｍｍの範囲であることを特徴とする。
　本発明の結晶成長装置において、前記下部プレートを構成する主な材料は黒鉛、前記上部プレートを構成する主な材料はパイロリテックグラファイト（熱分解炭素）であることを特徴とする。
　本発明の結晶成長装置は、前記下部プレートの表面に、表面保護層を具備することを特徴とする。
　本発明の結晶成長装置において、前記表面保護層はパイロリティックボロンナイトライド（ｐＢＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で構成されたことを特徴とする。
　本発明の結晶成長方法は、前記結晶成長装置を用い、チャンバ内において、前記下部プレートを加熱して、前記基板が前記サセプタの上に載置され加熱された状態で前記成長層の原料が含まれる原料ガスを流すことを特徴とする。
　本発明の結晶成長方法において、前記基板はサファイアであり、前記成長層の成長時の前記基板の温度を１０００℃以上とすることを特徴とする。
　本発明の結晶成長方法において、前記成長層は窒化物半導体であることを特徴とする。
　本発明は以上のように構成されているので、サセプタ上に載置された基板上に成長層を均一に成長させることができる。更に、メインテナンスが容易となるサセプタを提供することができる。
参考例となる結晶成長装置において用いられるサセプタの斜視図（ａ：組立前、ｂ：組立後）である 従来のサセプタ（ａ）と、参考例となる結晶成長装置において用いられるサセプタを用いた場合（ｂ）における、上下方向に沿った断面における組立図である。 従来のサセプタにおける熱伝導の状況を模式的に示す図である。 参考例となる結晶成長装置において用いられるサセプタの変形例を用いた場合における、上下方向に沿った断面における組立図である。 本発明の実施の形態に係る結晶成長装置において用いられるサセプタの組立前の斜視図である。 本発明の実施の形態に係る結晶成長装置において用いられるサセプタの断面図（ａ：組立前、ｂ：組立後）である。 成長層の外周部に発生したクラックの一例の光学顕微鏡写真である。
　以下、本発明の実施の形態に係る結晶成長装置について説明する。発明者は、ＭＯＣＶＤ法によってサセプタ上に載置された基板上に半導体層を成長させる場合に生じる半導体層の特性（結晶性、膜厚等）の面内不均一性は、成長時の基板温度の面内不均一性に起因することを知見した。この基板温度の面内不均一性の原因を調べ、以下に説明する構造のサセプタを用いることによって、この不均一性が低減されることが示された。これによって、成長した半導体層の特性の面内不均一性が低減される。ただし、この場合において、成長した半導体層の最端部においてクラックが発生する場合が散見された。この点が本発明の実施の形態に係る結晶成長装置においては更に改善される。
　図１は、参考例となる結晶成長装置において用いられるサセプタ１０の斜視図（ａ：組立前、ｂ：組立後）である。ここで、このサセプタ１０は、下部プレート１１と上部プレート１２で構成される。この結晶成長装置においては、チャンバ内において、このサセプタ１０に基板が設置されその温度が制御された状態で、原料ガスが流される。原料ガスが基板の表面で化学反応を起こすことによって半導体層が基板上に形成される。ここで形成される半導体層は例えば窒化物半導体（例えば窒化アルミニウム）であり、基板としては例えばサファイア基板が用いられる。この場合の原料ガスとしては、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＮＨ３（アンモニア）等が用いられる。この場合、成長温度は１０００℃以上とされる。
　下部プレート１１の表面（基板５０が載置される側の面）は、基板５０の裏面との間における隙間が少なくなる形状であることが好ましく、例えば平坦であることが好ましい。また、この表面は、使用する基板５０よりも充分に大きく、この表面に略円板状の基板（ウェハ）５０を載置することができる構成とされる。下部プレート１１は、基板５０をこの上に載置させて所望の温度に保持するために用いられ、従来の結晶成長装置において用いられる従来のサセプタに対応する。このため、下部プレート１１を構成する材料は、従来のサセプタと同様であり、例えば熱伝導率の高い黒鉛が用いられる。また、図１（ａ）では下部プレート１１は矩形体形状としているが、上記の表面を具備する形状であれば、表面よりも下側の形状は任意である。また、下部プレート１１は単一の材料で構成されている必要はなく、表面の耐衝撃性や化学安定性を高めるために、表面保護層として、例えば黒鉛にパイロリティックボロンナイトライド（ｐＢＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）をコーティングした構成を用いることもできる。
　下部プレート１１は、例えばヒーターや高周波加熱の加熱手段によって加熱される構成とされる。また、下部プレート１１には温度センサも取り付けられ、ここで測定された温度をフィードバックして加熱手段が制御され、下部プレート１１を所定の温度（例えば１０００℃以上）に保持することができる。前記下部プレートは、例えばその下面側から加熱することができる。
　一方、上部プレート１２は、下部プレート１１よりも薄くすることができ、中央部には開口部１２１が設けられている。開口部１２１は、基板５０の形状に適合した形状とされる。ここで用いられる基板（ウェハ）５０のサイズは任意であり、例えば直径２インチの円形とされる。この場合、開口部１２１の直径は、その中に基板５０が載置されるように、２インチよりもわずかに大きな円形とされる。また、上部プレート１２は、図１（ｂ）に示されるように、下部プレート１１の表面に設置されて使用されるため、その外形は下部プレート１１の表面に適合した形状とされる。また、上部プレート１２が下部プレート１１の表面に設置された際に、開口部１２１中の下部プレート１１の表面は、基板５０が載置される基板載置部となっており、下部プレート１１における少なくともこの領域の表面は平坦とされている。このため、図１（ｂ）の状態において、開口部１２１中に基板５０を載置し、この基板５０の温度を下部プレート１１に近い温度に保持した状態で、結晶成長を行うことができる。上部プレート１２を下部プレート１１上に設置するに際しては、これらのうちの一方の一部に凹部を、他方にこれに対応する凸部を設けることによってこれらを固定するほぞ接ぎやだぼ接ぎ、端部をビス止めする等の方法を用いて、着脱自在に固定することができる。なお、こうした固定のために用いられる固定部が基板５０の温度に与える影響を小さくするために、固定部は、下部プレート１１、上部プレート１２において基板５０から離れた箇所に設けることが好ましい。
　なお、図１においては、基板５０の形状を単純な円形として単純化して記載しているが、実際には基板５０は完全な円形ではなく、その円周の一部にオリエンテーションフラット（オリフラ）が設けられている場合が多い。開口部１２１の形状は、基板５０をこの中に載置できるように設定され、このオリフラ付きの基板５０の形状に対応した形状とすることができる。
　ここで、上部プレート１２を構成する主な材料は、下部プレート１１を構成する主な材料とは異なる。ここで、主な材料とは、体積比で５０％を越える材料を意味するものとする。特に、上下方向（基板あるいは上部プレート１２における厚さ方向）における熱伝導率が、これらを構成する主な材料においては異なり、上部プレート１２を構成する材料のこの方向における熱伝導率は、下部プレート１１を構成する材料の同方向における熱伝導率よりも小さく設定される。また、上部プレート１２を構成する材料の同方向における熱伝導率は、同方向における基板の熱伝導率よりも低く設定される。なお、熱伝導率の値としては、例えばＪＩＳＡ１４１２に記載の測定方法によるものを用いることができる。
　例えば、下部プレート１１が黒鉛で構成された場合、１０００℃以上の温度域におけるその熱伝導率を４０～１００Ｗ／ｍ／Ｋ程度とすることができる。また、基板としてサファイアが用いられた場合、１０００℃以上の温度域における厚さ方向（ｃ軸方向）の熱伝導率は８Ｗ／ｍ／Ｋ程度である。この場合には、例えば上部プレート１２を、パイロリテックグラファイト（ＰＧ：熱分解炭素）で構成することができる。ＰＧの構成元素は通常の黒鉛と同様に炭素であるが、黒鉛からなる基材の上にＣＶＤにて数ｍｍ程度の厚さの厚膜を成形した後に基材を剥がして作られているため、異方性が高く、その面内方向と厚さ方向では熱伝導率は大きく異なる。このため、ＰＧで薄板状の上部プレート１２を形成すれば、その厚さ方向の熱伝導率を、１０００℃以上の温度域において、例えば１．５Ｗ／ｍ／Ｋ程度とすることができる。こうした材料構成の場合には、上記の熱伝導率の関係は満たされる。なお、一般的には、黒鉛は高温下でアンモニアガスと反応して消耗するものの、緻密に形成されたＰＧはアンモニアガスとの間の反応性が低く、長期間の使用にも耐えうる。こうしたアンモニア耐性のあるＰＧを用いることが特に好ましい。
　従来のサセプタ９０を用いた場合（ａ）と、上記のサセプタ１０を用いた場合（ｂ）について、基板の厚さ方向（上下方向）に沿った断面における組立図を、図２に示す。従来のサセプタ９０においては、サセプタ９０は一体とされているが、基板５０をこの上で固定するために、その表面において基板５０の形状に対応した凹部９１が形成されている。凹部９１の底面は平坦とされる。ここで、基板５０の厚さは例えば４３０μｍ程度、凹部９１の深さは０．５ｍｍ程度であり、その形状は、この中に基板５０を保持することのできる形状、例えば２インチ径の基板５０が用いられる場合には直径２インチをわずかに上回る円形形状とされる。凹部９１の断面形状は、基板５０の表面への原料ガスの供給、排気が円滑に行われる形状であればよい。上記の構成では、載置された基板５０の表面とその周囲のサセプタ９０の表面とはほぼ同一の高さとなり、この点において好ましい。
　これに対して、上記のサセプタ１０においては、基板５０は、上部プレート１２の開口部１２１中（基板載置部）に保持されることによって固定される。すなわち、上記のサセプタ１０においては、下部プレート１１が凹部９１のない従来のサセプタ９０に対応し、上部プレート１２の開口部１２１が凹部９１に対応する。このため、基板５０の厚さが４３０μｍ程度の場合、例えば、上部プレート１２の厚さは前記の凹部９１の深さと同様の０．５ｍｍ程度、開口部１２１は、直径２インチをわずかに上回る円形形状とすることができる。
　上記の構成のサセプタ１０を用いることによって、基板温度の不均一性が解消される点について以下に説明する。
　発明者は、図２（ａ）に示した従来のサセプタ９０を用いて２種類のサイズ（２インチ径と４インチ径）の基板（ウェハ）５０上に半導体層を成長させ、形成された半導体層の電気的特性、結晶性を調べた。その結果、どちらの場合でも、半導体層の中心部と周辺部では特性（結晶性や膜厚）が異なっていた。しかしながら、４インチ径の場合に得られた半導体層の特性を詳細に調べた結果、４インチ径のウェハの中心部の２インチ径相当の領域の特性は、２インチ径のウェハの結果とは大きく異なり、ほぼ一様に中心部と同等の特性を示し、均一であった。また、放射温度計を用いて非接触で温度を測定したところ、サセプタ９０上に載置された基板５０の表面の温度は、厳密には成長温度や圧力等の条件によって異なるものの、その周囲のサセプタの表面の温度よりもおよそ５０～１００℃程度低くなっていることが確認された。
　この事実より、この面内不均一性は基板の全面で生じてはおらず、基板の大きさに関わらずにその端部でのみ発生していることがわかる。これは、前記の温度測定の結果より、基板の周囲において温度が高くなる領域が発生しているためであると考えられる。従って、基板の温度が不均一となる領域が発生しにくくなる構造のサセプタを用いることにより、面内不均一性は低減すると考えられる。
　図２（ａ）の従来の構成において、サセプタ９０から基板５０への熱伝導の状況を図３に模式的に示す。ここで、基板５０が載置された状況における凹部９１の端部を含む領域の断面を拡大して示しており、図中の矢印が熱伝導の方向である。まず、基板５０の中央部（凹部９１の端部から離れた領域）においては、サセプタ９０の表面から上側に向かう上下方向の熱伝導が支配的であることは明らかである。しかしながら、基板５０の端部においては、この上下方向の熱伝導と、サセプタ９０における凹部９１の端部からの横方向の熱伝導の２種類の熱伝導を考慮する必要がある。この横方向からの熱伝導は、基板５０の端面と対向する凹部９１の内側面から基板５０に向かう熱伝導である。なお、実際には熱伝導だけでなく、サセプタ９０からの輻射によっても基板５０は加熱されるが、この影響についても同様である。
　ここで、サセプタ９０上において、基板５０とサセプタ９０との間は面接触の状態となるものの、載置された基板５０は重力によってのみ固定される状態である。このため、基板５０の裏面とサセプタ９０の表面が共に平坦であっても、これらの間の密着度は低く、基板５０とサセプタ９０との間の熱抵抗は小さくはない。このため、前記の通り上下方向の熱伝導が支配的であることが好ましいものの、サセプタ９０や基板５０の厚さ方向の熱伝導率が共に高い場合であっても、実際にはこの上下方向の熱伝導の効率は高くはならない。
また、例えば成長温度が８００℃以上の場合、基板５０とサセプタ９０との間においては、接触による熱伝導よりも、サセプタ９０からの輻射による加熱の影響が強くなる。更に、ＩＩＩ族窒化物半導体を成長させる場合のように成長温度を１０００℃以上とする場合には、輻射の方が支配的となる。これは、熱伝導が２つの物体（基板５０とサセプタ９０）の温度差にほぼ比例して決まるのに対して、輻射によるエネルギーの放出は熱源（サセプタ９０）の温度の４乗に比例するためである。従って、図３において、基板５０の端部における横方向からの熱伝導や輻射の影響は無視できない。
　このため、基板直下のサセプタの温度をある一定の温度とした場合において、基板の周囲（基板が載置されていない領域）におけるサセプタ表面の温度を基板表面温度と同等かそれより低くすることができれば、基板端部の温度の不均一性は低減すると考えられる。結晶成長に直接影響を与えるのは基板の表面の温度であるため、サセプタの温度は、基板の表面の温度が所望の温度となるように、この所望の温度よりも高い温度に設定すればよい。
　そこで、上記のサセプタ１０においては、従来のサセプタ９０に対応する部分として下部プレート１１が用いられている。基板５０を固定するためには、下部プレート１１と別体の上部プレート１２が用いられる。ただし、基板５０が下部プレート１１に載置された状態において、温度の高い下部プレート１１の一部が基板５０の内側面と対向しないように、従来のサセプタ９０とは異なり、凹部は設けられていない。すなわち、下部プレート１１の表面は、サセプタ９０とは異なり、平坦とされる。代わりに、基板５０の側面と対向するのは、上部プレート１２の開口部１２１の内側面である。
　上部プレート１２は、基板５０と同様に、下部プレート１１の上に重力によって載置された状態となっている。このため、基板５０と下部プレート１１との間と同様に、上部プレート１２と下部プレート１１との間の熱抵抗も同様に高い。更に、上部プレート１２の熱伝導率を下部プレート１１、基板５０よりも低く設定していることにより、上部プレート１２への熱伝導効率は、基板５０への熱伝導効率よりも更に低くなり、上部プレート１２の表面の温度を低下させることができる。また、基板５０の側面と対向する開口部１２１の内側面の温度は、従来のサセプタ９０における凹部９１の内側面の温度よりも低くなる。このため、図２（ｂ）の構成における基板５０に対する上部プレート１２からの横方向の熱伝導や輻射の影響は、図２（ａ）、図３の構成における基板５０に対するサセプタ９０の凹部９１の端部からの横方向の熱伝導や輻射の影響よりも小さくなる。このため、図２（ａ）の従来の構成と比べて、基板５０端部における温度の不均一性を低減することができる。また、前記の熱伝導と輻射による加熱の温度依存性より、成長温度を１０００℃以上とした場合には、特に高い効果が得られる。
　また、下部プレート１１と別体の上部プレート１２を用いることにより、特許文献１、２と同様の効果を奏することは明らかである。すなわち、この構成においては、最表面にある上部プレート１２の方が下部プレート１１よりも汚染されやすいが、この場合に、上部プレート１２の交換、洗浄等を容易に行うことができ、これによって再現性の高い結晶成長を行うことができる。また、上部プレート１２の表面温度が低くなれば、一般にはその表面における化学反応は生じにくくなる。このため、従来のサセプタ９０と比べて、上部プレート１２の表面に付着する反応生成物の量も低減される。
　また、このサセプタ１０はチャンバ内に設置され、このチャンバ内で基板５０上に半導体層が形成される。この際、チャンバ内壁も、対向するサセプタや基板からの輻射によって加熱されるため、チャンバ内壁にも反応生成物が付着する。このため、一般には反応生成物が付着したチャンバを適切な頻度で交換、清掃等のメインテナンスをすることが必要である。これに対して、上記のサセプタ１０を用いた場合には、上部プレート１２の表面温度が低下するために、これと対向するチャンバ内壁の温度も低下する。このため、チャンバ内壁に付着する反応生成物の量も低減する。
　すなわち、このサセプタ１０を用いる場合には、サセプタ１０やチャンバに付着する反応生成物の量も低減させることができるためにメインテナンスの頻度を低くすることができ、かつ反応生成物が付着した上部プレート１２の交換や清掃を容易に行うことができる。
　この清掃が特に容易となる材料で上部プレート１２を構成することも可能である。例えば、反応生成物が例えば熱膨張係数が４～６ｐｐｍ／Ｋ程度であるＡｌＩｎＧａＮとなる場合、熱膨張係数が１ｐｐｍ／Ｋ程度である上記のＰＧを上部プレート１２の材料として用いれば、熱膨張係数の違いによって、反応生成物を剥離、清掃することは特に容易となる。
　また、下部プレート１１は熱伝導率の高い材料が選択されて用いられるため、一般には基板５０の材料の熱伝導率はこれよりも低い。上部プレート１２の材料は、基板５０の材料に応じ、これよりも熱伝導率の低い材料を適宜用いることができる。例えば、ＳｉＣ（１０００℃以上の温度域における熱伝導率～７０Ｗ／ｍ／Ｋ程度）、ＴａＣ（同、９～２２Ｗ／Ｋ程度）は、前記のサファイアよりも熱伝導率が高いが、これらよりも熱伝導率が高い材料を基板５０として用いる場合には、用いることができる。
　なお、上部プレート１２は、使用されるガス（アンモニアや水素等）と反応を生じないか反応性が低い材料で構成されることが必要である。この点において、上記の材料はいずれも問題なく使用することができる。下部プレート１１についても同様である。
　参考例となる上記のサセプタ１０の変形例であるサセプタ２０の断面における組立図を図４に示す。このサセプタ２０においては、下部プレート２１と上部プレート２２が用いられ、上部プレート２２への熱伝導が更に抑制される。ここで、下部プレート２１、上部プレート２２を構成する材料は、それぞれ前記の下部プレート１１、上部プレート１２と同じであり、その形状のみが異なる。
　下部プレート２１においては、図２（ａ）に示された従来のサセプタ９０とは逆に、基板５０が載置される領域である基板載置部２１１がその周囲よりも高くされている。あるいは、基板載置部２１１以外の下部プレート２１の表面は基板載置部２１１よりも掘り下げられた構成とされる。基板載置部２１１の表面は、前記の下部プレート１１の表面と同様に平坦とされる。
　上部プレート２２においては、前記の上部プレート１２と同様に、基板５０に対応した開口部２２１が形成される。また、この場合には、上部プレート２２と下部プレート２１を組み合わせた際に、開口部２２１は基板載置部２１１と対応するように設定される。すなわち、このサセプタ２０を使用する際には、基板５０は開口部２２１中で基板載置部２１１上に搭載される。
　一方、下部プレート２１における基板載置部２１１以外の領域は、基板載置部２１１から掘り下げられた形状となっている。このため、上部プレート２２と下部プレート２１とを組み合わせた状態における上部プレート２２の上面と基板５０の上面との高さの関係を前記のサセプタ１０と同一にする場合には、上部プレート２２を、下部プレート２１の表面が掘り下げられた分だけ厚くすることができる。すなわち、前記のサセプタ１０と比べて、上部プレート２２を厚くすることができる。熱伝導率の低い上部プレート２２が厚くなるため、上部プレート２２の表面の温度を更に低下させることができる。このため、基板５０端部における温度の不均一性を更に低減することができる。
　また、このサセプタ２０においては、下部プレート２１の凸部（基板載置部２１１）と上部プレート２２の開口部２２１を嵌合させる形態となるために、上部プレート２２の下部プレート２１への設置、固定がより確実に行われる。
　上記の図２（ｂ）、図４のいずれの場合においても、上部プレート２２（１２）の表面の温度を基板５０の表面の温度と同等かそれよりも低くするためには、基板５０の厚さをＴｓ、その熱伝導率をλＳ、上部プレート２２（１２）の厚さをＴＴＰ、その熱伝導率をλＴＰとした場合に、以下の関係が成立していればよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　実際には、通常用いられる基板の厚さとしては、５００μｍ程度であるため、上部プレート２２（１２）の厚さＴＴＰの上限は例えば２０００μｍ程度とされる。また、下部プレート１１、２１と別体の薄板として取り扱えることが必要となるために、上部プレート１２、２２の厚さの下限は、材料によって可搬性のある薄板として製造できる厚さとして、例えばＰＧでは２００μｍ程度となる。式（１）を考慮してＴＴＰの値は設定されるが、サセプタ１０、２０全体の厚さ（下部プレート１１、２１上に上部プレート１２、２２が載置された場合の合計厚さ）が設定されている場合においては、下部プレート１１、２１の厚さにも依存して設定される。ただし、上部プレート１２、２２が厚いほどその反りは抑制される。
　ただし、原料ガスの基板表面への供給が面内で均一に行われる限りにおいて、基板の上面の高さと上部プレートの上面の高さを厳密に一致させる必要はない。上部プレートの上面が基板の上面よりも高い場合には、上部プレートの上面の温度を更に低下させることができる。また、上部プレートの上面が基板の上面よりも低い場合であっても、上部プレートの上面の温度を、従来のサセプタと比べて低くできることは明らかである。
（本発明の実施の形態）
　上記の参考例となるサセプタにおいては、上記の通り、ウェハを含めたサセプタの上面の温度分布を調整し、特に上部プレートの上面の温度を低下させることによって、基板上の成長層の面内均一性を向上させていた。ただし、この構成のサセプタを用いた場合には、成長層の最端部（外周部）にクラックが形成される場合が散見された。これは、上記の構成によって成長層の大部分の領域における温度分布を均一にすることができる一方で、成長層の外周部（最端部）における温度勾配は逆に大きくなっていることによると考えられる。すなわち、上記の構成によって、温度勾配の大きな領域は基板上の広い範囲においては除去されているものの、基板上における最端部に近い狭い領域には温度勾配の大きな領域が形成されていると考えられる。そこで、本発明の実施の形態となるサセプタにおいては、これを解消するために、均一な成長層が得られると共に、基板の外周部における温度勾配が小さくなるような構成とされる。
　図５は、本発明の実施の形態に係るサセプタ３０における下部プレート３１、上部プレート３２、基板５０の組立前の斜視図であり、図６は、組立前（ａ）、組立後（ｂ）におけるその基板５０の厚さ方向に沿った断面図である。ここで、上部プレート３２においては、図４における上部プレート２２と同様に、円形の開口部３２１が形成されており、下部プレート３１における基板載置部３１１も、上部プレート３２が載置される面よりも高く設定されている。なお、下部プレート３１、上部プレート３２の熱伝導率については、前記の参考例と同様に設定される。このため、基板５０上の大部分においての温度均一性を高めることができ、成長層の均一性を高めることができることは前記の参考例と同様である。
　ただし、この下部プレート３１においては、基板載置部３１１の外周にこれよりも高くなる外周突起部３１２が、基板載置部３１１を囲んで形成されている。このため、基板載置部３１１は、下部プレート３１中に形成された凹部の底面となっており、基板５０はこの凹部に載置される。すなわち、下部プレート３１は、外周突起部３１２で囲まれた内部に基板５０が嵌合するような形状とされる。一方、上部プレート３２における開口部３２１は、基板５０ではなく、外周突起部３１２の外径に対応し、これに嵌合する形状とされる。外周突起部３１２の頂部は、基板載置部３１１等と平行な平面とされる。
この構成においては、外周突起部３１２の外側における下部プレート３１における下部プレート上面（下部プレート３１の上面）３１３は、例えば平面形状とすることができる。また、基板５０と上部プレート３２とが下部プレート３１に設置された際に、上部プレート３２における上部プレート下面（上部プレート３２の下面）３２２と接触する。なお、接触する下部プレート上面３１３と上部プレート下面３２２とは、例えば共に平面形状とすることができるが、これらが接触した際に原料ガスが界面に入りにくければ、平面形状である必要はない。この際に、上側から見て、基板５０の上面と外周突起部３１２の頂部は上部プレート３２から露出する。例示した図では、上面側から見て、前記の参考例では開口部１２１を構成する上部プレート１２の内周と基板５０の外周とが直接面していたのに対して、開口部３２１を構成する上部プレート３２の内周と基板５０の外周との間に、下部プレート３１と一体化された外周突起部３１２が設けられた点が異なる。
　また、図６における前記の凹部の深さＴ（外周突起部３１２の基板載置部３１１からの高さ）は、基板５０の厚さと同等（例えば０．４３ｍｍ程度）とされる。上部プレート３２の厚さＤは、下部プレート３１における外周突起部３１２の外側（上部プレート３２が載置される面）からの外周突起部３１２の高さと同様とされる。前記の通り、上部プレート３２が載置される面よりも基板載置部３１１を高くするために、結局、この厚さＤは、基板５０よりも厚く、２ｍｍ程度とすることができる。この構成により、図６（ｂ）に示されるように、組立後の状態においては、上部プレート３２、基板５０の上面は、下部プレート３１上で同一面を構成する。また、基板５０は、上部プレート３２ではなく下部プレート３１のみによって支持される。
　また、下部プレート３１、上部プレート３２を構成する材質やその熱伝導率は、参考例と同様とする。すなわち、例えば薄いＰＧがコートされた黒鉛で下部プレート３１を構成し、ＰＧで上部プレートを構成することができる。
この構成においては、外周突起部３１２が存在する以外の点については、前記の参考例と同様の構成を具備するため、前記の参考例と同様の効果を奏することは明らかである。このため、結晶成長時には、上面側で、基板５０の周囲の上部プレート３２の表面の温度を低下させることができ、これによって基板５０の上に成長する成長層の均一性を高めることができる。
　ここで、外周突起部３１２は下部プレート３１の一部となっているが、外周突起部３１２は局所的に上側に突出した形態とされているために、外周突起部３１２の温度は、これよりも下側の下部プレート３１の本体と等しくはならず、これよりも低くなる。外周突起部３１２の温度は、これよりも下側の下部プレート３１本体、上部プレート３２、基板５０によって定まる。このため、第１の実施の形態のサセプタを用いた場合における成長層の外周部における温度勾配の大きな領域は、この外周突起部３１２に形成されることになる。温度勾配の大きな領域は、基板５０内においては形成されないため、成長層の外周部におけるクラックの発生が抑制される。
　また、外周突起部３１２の図６における左右方向の幅Ｗは、１～５ｍｍとすることが好ましく、１～３ｍｍとすることがより好ましい。この幅Ｗが１．０ｍｍ未満の場合には、基板５０の最外周の領域における温度勾配を小さくするという効果が小さくなる。この幅Ｗが５ｍｍを越える場合には、実質的に従来のサセプタ９０（図２（ａ））に近づくために、成長層の均一性が低下する。
　また、前記の通り、基板５０に対する原料ガスの供給を円滑にするために、基板５０の上面と上部プレート３２の上面の高さを同一とすることが好ましいが、ここでは、外周突起部３１２の高さもこれらと同一とすることが好ましい。ここで、外周突起部３１２は、基板載置部３１１よりも更に高くするために、上部プレート３２を、第１の実施の形態よりも厚くすることができる。
　前記の通り、上部プレート３２の上面側は成長時に原料ガスに曝されるために、上部プレート３２の上面には反応生成物層が形成される。こうした反応生成物層と上部プレート３２との間の熱膨張係数の差に起因して、加熱時（成長時）において上部プレート３２に反りが発生することもあり、この場合には、温度分布の再現性が悪くなる等の問題が発生する。これを抑制するためには、上部プレート３２を充分に厚くすることが有効である。上記の構成においては、基板５０が薄い場合でも、こうした厚い上部プレート３２を用いることができる。すなわち、このサセプタ３０においては、厚いために反りが抑制された上部プレート３２を用いることができる。これによって、結晶成長の再現性を高めることができる。
　なお、上記の実施の形態においては、１組のサセプタに１枚の基板を載置する場合について記載したが、実際には、複数の基板を適宜配置することができる。この場合には、上部プレートにおける開口部や下部プレートにおける基板載置部等を、基板を配置する構成に応じて形成すればよい。こうした場合であっても、上記の構成により、個々の基板においてより高い温度均一性が得られ、これによって、面内均一性が高い半導体層が得られることは明らかである。特にサセプタ上に複数の基板を載置する場合には、基板間の均一性を向上させるためにサセプタや個々の基板を回転させる場合もあるが、この場合においても、同様の効果を奏することは明らかである。
　ただし、複数の基板を配置する場合においては、基板の間の領域におけるサセプタの構成は適宜設定することができる。例えば、基板間の間隔が狭い場合（基板の最近接間隔が０～５ｍｍとなる場合）には、隣接する２枚の基板に対応する基板載置部を一体化したものを上記の基板載置部と考えることもできる。この場合、隣接する２枚の基板に対応した開口部３２１を連続的にして２枚の基板の間には上部プレートが存在しない形態とすることもできる。あるいは、最近接間隔が１ｍｍ未満と特に狭い場合には、更にこの基板の間に外周突起部も設けず、一体化された基板載置部の周囲にのみ外周突起部を設けた構成とすることができる。基板を３枚以上用いる場合においても同様である。すなわち、こうした場合においても、上部プレートが下部プレートの上面に設置された状態において、基板載置部及び外周突起部を除く領域において下部プレートの上面と上部プレートの下面が面接触する。また、この際、上部プレートは、載置された基板の上面と外周突起部の頂部とが上部プレートの上面側で露出するような形状とされる。
こうした構成は、例えば比較的小径である２～３インチ径の基板（ウェハ）を多数配置する場合において有効である。こうした場合には、大径の基板を配置する場合と比べてサセプタ（下部プレート）が露出する面積が小さくなるために、参考例や上記の実施の形態に係るサセプタにおける基板周辺の構成による効果は比較的小さくなる。これに対して、３インチ径を越える基板の場合には、これを近接して複数配置した場合においては下部プレートが露出する面積が大きくなる。このため、参考例や上記の実施の形態に係るサセプタにおける基板周辺の構成による効果は大きくなる。すなわち、本発明のサセプタは、基板を複数配列する場合には、大径の基板を用いた場合において特に有効である。
　上記の実施の形態においては、上部プレートは、ＰＧのような単一の材料で一様に構成されていることが好ましいが、必ずしもその必要はなく、上部プレートを構成する主な材料の上下方向の熱伝導率が、基板や下部プレートよりも低いという条件を満たす範囲内で、複合材、例えば母材に表面保護層を厚く形成した構成とすることもできる。例えば、母材として黒鉛を用い、これに熱伝導率の低いＰＧを厚く（主な材料となる程度に厚く）コーティングして上部プレートを構成することもできる。また、母材としてＰＧを用い、単体では柔らかいために上部プレートを構成することが難しいｐＢＮ（熱伝導率：２．７Ｗ／ｍ／Ｋ程度）をこの上にコーティングすることもできる。こうした場合であっても、上部プレートの表面温度を基板の表面温度よりも低くすることができ、同様の効果を奏することができる。ただし、こうした場合には、母材とコーティング層との間の熱膨張係数の差に起因する剥離、割れ、及びこれらによる耐久性の劣化が出るため、一般には上部プレートを単一の材料で構成することが好ましく、この場合の材料としてはＰＧが特に好ましい。
（実施例）　実際に図２（ａ：比較例）（ｂ：参考例）の２種類の形態のサセプタにサファイア基板を載置してチャンバ内に設置し、チャンバ内において横方向から原料ガスおよびキャリアガス（Ｎ２及びＨ２）を基板上に流すとともに、サセプタ下側のヒーターを用いてサセプタを加熱し、サセプタ以外を同一条件としてサファイア基板上にＡｌＮの結晶成長を行った。基板としては２インチ径、４３０μｍ厚のサファイア基板（１０００℃以上の温度帯における垂直方向の熱伝導率：約８Ｗ／ｍ／Ｋ）を用い、原料ガスとしてＴＭＡ、ＮＨ３を用いた。
　比較例のサセプタの材質は厚さ６．５ｍｍの黒鉛（１０００℃以上の温度帯における垂直方向の熱伝導率：４０～１００Ｗ／ｍ／Ｋ）であり、表面に１５０μｍのｐＢＮをコーティングしている。凹部の深さは０．５ｍｍである。参考例の下部プレートは厚さ６ｍｍの平板構造であり、材質は比較例のサセプタと同一である。参考例の上部プレートの材質はＰＧ（１０００℃以上の温度帯における垂直方向の熱伝導率：約１．５Ｗ／ｍ／Ｋ）であり、厚さは０．５ｍｍである。
　比較例と参考例のサセプタを用いて得られた半導体層についての測定結果を表１の比較例１と参考例１に示す。成長温度（非接触で測定された実際の基板表面の温度）を１１５０℃とした。ここでは、２インチ径の面内における中央の１点を含む合計２５箇所において半導体層の膜厚分布を測定し、均一性として、以下の式による膜厚分布を計算した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
また、結晶性を示す量として、半導体層（ＡｌＮ）の（００２）面のＸ線回折ロッキングカーブ（ＸＲＣ）の半値全幅（ＦＷＨＭ）値（ａｒｃｓｅｃ）の中心と、中心から２０ｍｍ離れた４点の計５点における測定値の最大値と最小値の差（ΔＸＲＣ（００２））、同じく（１０２）面について同様に求めた最大値と最小値の差（ΔＸＲＣ（１０２））を測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　この結果より、比較例１と参考例１では平均的な成長速度は大差ないが、膜厚分布が参考例１で低減されていることが確認できる。また、結晶性についても、ΔＸＲＣ（００２）、ΔＸＲＣ（１０２）が共に参考例１で小さく、高い均一性が得られていることが確認できる。なお、参考例１の（００２）面のＦＷＨＭの最小値は５５ａｒｃｓｅｃであり、（１０２）面のＦＷＨＭの最小値は１０３０ａｒｃｓｅｃであった。
　また、比較例のサセプタでは、サセプタ上に付着したＡｌＮを除去するためには、アルカリ溶液に浸漬することが必要であり、再使用するためのクリーニングが容易ではなかった。これに対し、参考例のサセプタにおいては、上部プレートに付着したＡｌＮを、ワイパー等を用いて軽い力でなでるだけで除去することができ、クリーニングは容易であった。
　次に、参考例のサセプタを用いて、参考例２として、成長温度を１３００℃、圧力を１０Ｔｏｒｒとした以外は参考例１と同様にして、厚さが１．０μｍのＡｌＮ層をサファイア基板上に成長させた。その結果、参考例１と同様に均一性の高い成長層（ＡｌＮ層）が得られたものの、その外周端部においては、クラックが発生していた。その表面の光学顕微鏡写真を図７に示す。図７においては、灰色の領域が成長層であり、この領域と黒い領域との境界線が成長層の端部となっている。左下側から右上側に向かうクラックが散見される。実際にはこのクラックは端部の極狭い領域にのみ形成され、デバイスはここからウェハの中央部に向かって離れた箇所に形成されるために、デバイスへの影響は大きくはないが、端部のクラックが伝播して基板割れの原因になることがあるため、このクラックが抑制されることがより好ましい。
　そこで、材質を参考例と同じ（下部プレート：ｐＢＮをコーティングした黒鉛、上部プレート：ＰＧ）とし、その形状を図６におけるＴ＝０．５ｍｍ、Ｄ＝２ｍｍ、Ｗ＝２ｍｍとした構成の実施例のサセプタを用いて、実施例１として、参考例２と同様の成長条件で結晶成長を行った。なお、実施例のサセプタ全体としての厚さは比較例、参考例のサセプタと同じ６．５ｍｍである。同じ条件で５回結晶成長を行ったところ、参考例のサセプタを用いた参考例２では全て端部のクラックが発生したのに対し、実施例のサセプタを用いた実施例１ではそのクラックが見られなかった。すなわち、このクラックに対しては、実施例のサセプタが有効であることが確認できた。
　また、実施例のサセプタを用いた場合においては、上部プレートの結晶成長後、あるいは結晶成長中における上部プレートの反りも低減された。参考例のサセプタ（上部プレートの厚さ０．５ｍｍ）を用いた参考例２では、この反りが生じたために、サセプタにおいてウェハ（基板）が動く場合が散見されたのに対し、実施例のサセプタ（上部プレートの厚さ２ｍｍ）を用いた実施例１においては、ウェハの移動は全く発生しなかった。すなわち、上部プレートの反りの観点からも、実施例のサセプタを用いた場合においては良好な結果が得られた。
また、実施例２、比較例２、および参考例３として、成長温度を１３００℃、圧力を１０Ｔｏｒｒとして、実施例、比較例、および参考例のサセプタを用いて結晶成長を行い、比較例１および参考例１と同様に膜厚分布と結晶性を評価した評価結果を表２に示す。この結果より、実施例２と参考例３では平均的な成長速度の低下は見られるものの、膜厚分布および結晶性の値が比較例２に比べて小さくなっており、膜厚分布および結晶性が改善されていることが分かる。また、実施例２と参考例３とを比較すると、実施例２の方が改善の効果がより大きいことがわかる。
なお、実施例のサセプタを用いた場合においても上部プレートに付着したＡｌＮのクリーニングは容易であり、下部プレートにおける外周突起部は面積が小さいために、外周突起部にＡｌＮが付着しても基板上の結晶成長への影響が小さく、クリーニング頻度を比較例に比べ大幅に減少させることができた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　上記の例では、ＡｌＮを成長させる例について記載したが、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮを成長させた場合でも同様の結果が得られた。このように、成長層が他の材料である場合にも、成長層の特性に対する成長温度の影響が存在する限りにおいて、同様の効果を奏することは明らかである。例えば、成長層は半導体層に限定されず、任意の材料とすることができる。また、成長層が複数の層の積層構造であり、各々の層の成長温度が同一もしくは異なる場合において、少なくとも一つの層において上記の構成によって上記の効果が得られれば、有効であることは明らかである。また、上記の例ではＭＯＣＶＤ法を用いた場合について記載したが、高温の基板上で原料ガスを反応させるＣＶＤ法であれば、ガスの種類に関わらず同様の効果を奏することは明らかである。
１０、２０、３０、９０　サセプタ
１１、２１、３１　下部プレート
１２、２２、３２　上部プレート
５０　基板
９１　凹部
１２１、２２１、３２１　開口部
２１１、３１１　基板載置部
３１２　外周突起部
３１３　下部プレート上面（下部プレートの上面）
３２２　上部プレート下面（上部プレートの下面）

Claims (15)

  1. 　基板を保持し、当該基板上に化学気相成長（ＣＶＤ）法によって成長層を形成するためのサセプタであって、
    　前記サセプタは、下部プレートと当該下部プレートの上面に設置される上部プレートとを有し、
    　前記下部プレートは、前記下部プレートの上面に前記基板が載置される領域である基板載置部を具備し、さらに、前記基板載置部の周囲に、前記基板が前記基板載置部上において囲まれる形状となるように形成された外周突起部を具備し、
    前記上部プレートは、前記下部プレートの上面の前記基板載置部及び前記外周突起部を除く領域に載置され、前記基板載置部と前記外周突起部の頂部とを前記上部プレートの上面側に露出させる形状を具備し、
    前記上部プレートの上下方向における熱伝導率は、前記下部プレートの上下方向における熱伝導率よりも低いことを特徴とするサセプタ。
  2. 　前記基板載置部において前記基板が載置される面は、前記上部プレートが載置される前記下部プレートの上面よりも高く設定され、前記下部プレートと前記上部プレートとを組み合わせた際に、前記上部プレートの上面と前記外周突起部の頂部とが同一の高さとなるように設定されたことを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
  3. 　前記外周突起部の幅は１．０ｍｍ～５．０ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載のサセプタ。
  4. 　前記上部プレートを構成する主な材料はパイロリテックグラファイト（熱分解炭素）であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のサセプタ。
  5. 　前記下部プレートの表面に、表面保護層を具備することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のサセプタ。
  6. 　前記表面保護層はパイロリティックボロンナイトライド（ｐＢＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で構成されたことを特徴とする請求項５に記載のサセプタ。
  7. 　サセプタの上に基板が載置され、当該基板上に化学気相成長法によって成長層を形成する結晶成長装置であって、
    　前記サセプタは、下部プレートと当該下部プレートの上面に設置される上部プレートとを有し、
    　前記下部プレートは、前記下部プレートの上面に前記基板が載置される領域である基板載置部を具備し、さらに、前記基板載置部の周囲に、前記基板が前記基板載置部上において囲まれる形状となるように形成された外周突起部を具備し、
    　前記上部プレートは、前記下部プレートの上面の前記基板載置部及び前記外周突起部を除く領域に載置され、前記基板の上面と前記外周突起部の頂部とを前記上部プレートの上面側に露出させる形状を具備し、
    前記上部プレートの上下方向における熱伝導率は、前記下部プレート及び前記基板の上下方向における熱伝導率よりも低いことを特徴とする結晶成長装置。
  8. 　前記基板載置部において前記基板が載置される面は、前記上部プレートが載置される前記下部プレートの上面よりも高く設定され、前記下部プレート、前記基板、及び前記上部プレートを組み合わせた際に、前記上部プレートの上面、前記基板の上面、及び前記外周突起部の頂部が同一の高さとなるように設定されたことを特徴とする請求項７に記載の結晶成長装置。
  9. 　前記外周突起部の幅は１．０ｍｍ～５．０ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項７又は８に記載の結晶成長装置。
  10. 　前記下部プレートを構成する主な材料は黒鉛、前記上部プレートを構成する主な材料はパイロリテックグラファイト（熱分解炭素）であることを特徴とする請求項７から請求項９までのいずれか１項に記載の結晶成長装置。
  11. 　前記下部プレートの表面に、表面保護層を具備することを特徴とする請求項７から請求項１０までのいずれか１項に記載の結晶成長装置。
  12. 　前記表面保護層はパイロリティックボロンナイトライド（ｐＢＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で構成されたことを特徴とする請求項１１に記載の結晶成長装置。
  13. 　請求項７から請求項１２までのいずれか１項に記載の結晶成長装置を用い、
    　チャンバ内において、前記下部プレートを加熱して、前記基板が前記サセプタの上に載置され加熱された状態で前記成長層の原料が含まれる原料ガスを流すことを特徴とする結晶成長方法。
  14. 　前記基板はサファイアであり、前記成長層の成長時の前記基板の温度を１０００℃以上とすることを特徴とする請求項１３に記載の結晶成長方法。
  15. 　前記成長層は窒化物半導体であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の結晶成長方法。
PCT/JP2013/070373 2012-07-26 2013-07-26 サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法 Ceased WO2014017650A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201380039771.5A CN104641454A (zh) 2012-07-26 2013-07-26 基座、结晶生长装置以及结晶生长方法
JP2014527036A JP6062436B2 (ja) 2012-07-26 2013-07-26 サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法
US14/417,329 US20150206785A1 (en) 2012-07-26 2013-07-26 Susceptor, crystal growth apparatus, and crystal growth method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-165692 2012-07-26
JP2012165692 2012-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014017650A1 true WO2014017650A1 (ja) 2014-01-30

Family

ID=49997454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/070373 Ceased WO2014017650A1 (ja) 2012-07-26 2013-07-26 サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150206785A1 (ja)
JP (1) JP6062436B2 (ja)
CN (1) CN104641454A (ja)
WO (1) WO2014017650A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016204201A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 シャープ株式会社 窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法
JPWO2017043165A1 (ja) * 2015-09-11 2017-09-07 住友電気工業株式会社 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
KR20180031796A (ko) * 2015-08-17 2018-03-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공간적 원자층 증착을 위한 가열원
JP2018082100A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 昭和電工株式会社 搭載プレート、ウェハ支持台、及び化学気相成長装置
JP2021190688A (ja) * 2020-05-28 2021-12-13 環球晶圓股▲ふん▼有限公司Global Wafers Co., Ltd. ウェハマウントステーションおよびウェハ埋め込み構造の形成方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102417181B1 (ko) * 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
DE102016115614A1 (de) * 2016-08-23 2018-03-01 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
CN107785243B (zh) * 2016-08-26 2023-06-20 住友电工光电子器件创新株式会社 形成氮化物半导体层的工艺
US10947640B1 (en) * 2016-12-02 2021-03-16 Svagos Technik, Inc. CVD reactor chamber with resistive heating for silicon carbide deposition
US20200385864A1 (en) * 2017-10-18 2020-12-10 Nippon Techno-Carbon Co., Ltd. Susceptor
KR102580723B1 (ko) 2017-12-13 2023-09-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 기판 홀더

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318079A (ja) * 1986-07-10 1988-01-25 Toshiba Corp 薄膜形成方法及び装置
JPH02186622A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
JPH0547670A (ja) * 1991-06-20 1993-02-26 Ibiden Co Ltd 常圧ｃｖｄ装置のための黒鉛製ウエハ保持治具
JP2006173560A (ja) * 2004-11-16 2006-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法
JP2009194045A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置
JP2009252969A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Sumitomo Electric Ind Ltd サセプタおよび気相成長装置
JP2012044030A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Showa Denko Kk 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4245983B2 (ja) * 2003-05-28 2009-04-02 助川電気工業株式会社 黒鉛真空容器
JP5787526B2 (ja) * 2011-01-17 2015-09-30 イビデン株式会社 電子部品位置決め用治具

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318079A (ja) * 1986-07-10 1988-01-25 Toshiba Corp 薄膜形成方法及び装置
JPH02186622A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
JPH0547670A (ja) * 1991-06-20 1993-02-26 Ibiden Co Ltd 常圧ｃｖｄ装置のための黒鉛製ウエハ保持治具
JP2006173560A (ja) * 2004-11-16 2006-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法
JP2009194045A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置
JP2009252969A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Sumitomo Electric Ind Ltd サセプタおよび気相成長装置
JP2012044030A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Showa Denko Kk 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016204201A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 シャープ株式会社 窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法
KR20180031796A (ko) * 2015-08-17 2018-03-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공간적 원자층 증착을 위한 가열원
JP2018533201A (ja) * 2015-08-17 2018-11-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 空間的原子層堆積用の加熱源
KR102796880B1 (ko) * 2015-08-17 2025-04-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공간적 원자층 증착을 위한 가열원
JPWO2017043165A1 (ja) * 2015-09-11 2017-09-07 住友電気工業株式会社 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2018082100A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 昭和電工株式会社 搭載プレート、ウェハ支持台、及び化学気相成長装置
JP2021190688A (ja) * 2020-05-28 2021-12-13 環球晶圓股▲ふん▼有限公司Global Wafers Co., Ltd. ウェハマウントステーションおよびウェハ埋め込み構造の形成方法
JP7267327B2 (ja) 2020-05-28 2023-05-01 環球晶圓股▲ふん▼有限公司 ウェハマウントステーションおよびウェハ埋め込み構造の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2014017650A1 (ja) 2016-07-11
CN104641454A (zh) 2015-05-20
JP6062436B2 (ja) 2017-01-18
US20150206785A1 (en) 2015-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6062436B2 (ja) サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法
US8153454B2 (en) Fabrication apparatus and fabrication method of semiconductor device produced by heating substrate
US9064696B2 (en) Apparatus for manufacturing compound semiconductor, method for manufacturing compound semiconductor, and compound semiconductor
CN103839863B (zh) 化合物半导体的制造装置以及晶片保持体
JP5472513B2 (ja) 単結晶基板、それを用いて得られるｉｉｉ族窒化物結晶及びｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
US8753448B2 (en) Apparatus and method for manufacturing compound semiconductor, and compound semiconductor manufactured thereby
CN107881557B (zh) 氮化物晶体衬底的制造方法及氮化物晶体层叠体
JP6740084B2 (ja) 気相成長装置、環状ホルダ、及び、気相成長方法
JP6704386B2 (ja) 窒化物半導体テンプレート及びその製造方法、並びにエピタキシャルウエハ
JP5228583B2 (ja) サセプタおよび気相成長装置
CN109312491B (zh) 氮化物半导体模板、氮化物半导体模板的制造方法以及氮化物半导体自支撑基板的制造方法
EP2312616B1 (en) Film deposition method
JP6405767B2 (ja) 窒化ガリウム基板
JP2014116331A (ja) 結晶成長装置、結晶成長方法及びサセプタ
CN100468631C (zh) 衬托器
JP5333156B2 (ja) 気相成長装置
JP2010030846A (ja) 窒化物体の製造方法
JP2010083683A (ja) 単結晶体の製造方法および単結晶体の製造装置
JP2015103652A (ja) 気相成長装置
JP2011153045A (ja) 単結晶体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13822976

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014527036

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14417329

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13822976

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1