WO2013190841A1 - 被覆方法および有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents

被覆方法および有機ｅｌ素子の製造方法 Download PDF

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WO2013190841A1
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solvent
organic
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pixel electrode
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島村　隆之
朝希 佐野
松島　英晃
伸幸 石倉
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パナソニック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for coating a defective portion in an organic EL (Electro-Luminescence) element and a method for manufacturing the organic EL element.
  • organic EL Electro-Luminescence
  • an organic EL display panel in which an organic EL element is disposed on a substrate is becoming popular as a display device.
  • the organic EL display panel has characteristics such as high visibility because it uses an organic EL element that performs self-emission, and excellent impact resistance because it is a complete solid element.
  • An organic EL element is a current-driven light-emitting element, and a plurality of functional layers such as a light-emitting layer that performs electroluminescence phenomenon by recombination of carriers (holes, electrons) are provided between a pixel electrode and a common electrode pair. It is constructed by stacking.
  • Patent Document 1 a method for preventing the occurrence of dark spot defects by applying a non-conductive liquid material on such a defective region to form an insulating film and preventing current from flowing in the defective region has been conventionally known.
  • Known for example, Patent Document 1).
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 are suitable as methods for forming an insulating film in such a minute region.
  • the material for forming the insulating film is preferably a material having high stability, that is, a material having a small change in viscosity with time and in which a phenomenon such as stringing does not occur.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a coating method suitable for covering a defective portion of an organic EL element with an insulating material.
  • the coating method according to one aspect of the present invention is a coating method for coating a defect portion in a laminated structure with an insulating material, the first step of preparing a mixture containing the insulating material and a solvent, and the mixing A second step of applying an agent so as to cover the defective part; and a step of evaporating the solvent in the mixture applied so as to cover the defective part to coat the defective part with the insulating material.
  • the boiling point of the solvent is 178 ° C. or higher
  • the weight ratio of the insulating material to the solvent in the mixture is 10% or higher.
  • the coating method according to one embodiment of the present invention uses a solvent having a high boiling point and hardly volatilizes, the speed of thickening with time is small and the stability of the mixture can be improved. And since the ratio of the solid content in a mixing agent is high and the viscosity of a mixing agent is high, a mixing agent does not spread easily after application to a defective part. As a result, the area covered with the insulating film can be prevented from becoming larger than necessary, and the area of the non-light emitting region can be prevented from becoming larger than necessary. At the same time, the mixture is difficult to spread and prevents the insulating film from becoming unnecessarily thin, and sufficient insulation can be ensured.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing pixels of the organic EL display panel according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the organic EL element according to Embodiment 1, and is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 2.
  • FIG. 5 is a schematic process diagram illustrating a manufacturing process of an organic EL display panel including the organic EL element according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the display panel according to Embodiment 1, wherein (a) is a schematic cross-sectional view showing a state in which a pixel electrode is formed on a base substrate, and (b) FIG. 4C is a schematic cross-sectional view showing a state where an insulating film is formed so as to cover a defective portion on the pixel electrode.
  • FIG. 5C is a diagram illustrating a case where a hole injection layer is formed on the defective portion covered with the pixel electrode and the insulating film.
  • (D) is a schematic cross-sectional view showing a state in which a bank is formed on the hole injection layer.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing process subsequent to FIG. 5 of the display panel according to Embodiment 1, wherein (a) is a schematic cross-sectional view showing a state in which an organic light emitting layer is formed in the opening. (B) is a schematic cross section which shows the state in which the electron carrying layer was formed on the organic light emitting layer and the bank, (c) is a schematic cross section which shows the state in which the common electrode was formed on the electron carrying layer It is a figure and (d) is a schematic cross section which shows the state in which the sealing layer was formed on the common electrode.
  • a coating method is a coating method for coating a defect portion in a laminated structure with an insulating material, the first step of preparing a mixture containing the insulating material and a solvent, and the mixing A second step of applying an agent so as to cover the defective part; and a step of evaporating the solvent in the mixture applied so as to cover the defective part to coat the defective part with the insulating material.
  • the boiling point of the solvent is 178 ° C. or higher
  • the weight ratio of the insulating material to the solvent in the mixture is 10% or higher.
  • the boiling point of the solvent is 210 ° C. or less
  • the weight ratio of the insulating material to the solvent is 40% or less.
  • the mixture is such that the weight ratio (%) of the insulating material to the solvent is x and the boiling point (° C.) of the solvent is y. 10 ⁇ x ⁇ 20, 178 ⁇ y ⁇ 210, y ⁇ 3.2x + 146 and y ⁇ 0.97x + 20.5.
  • the said mixing agent is filled in the storage container which has an opening part, and it has a rod shape in the said 2nd process.
  • the stacked structure includes a base substrate, a pixel electrode formed on the base substrate, and a plurality of functions stacked on the pixel electrode.
  • An organic EL element having a layer and a common electrode formed on the plurality of functional layers, wherein the defect portion is a foreign substance located between the pixel electrode and the common electrode, or the pixel It is a protrusion part or a recessed part formed in the electrode and the plurality of functional layers.
  • An organic EL element manufacturing method includes a base substrate, a pixel electrode formed on the base substrate, a plurality of functional layers stacked on the pixel electrode, and the plurality of functions. And a defect portion for detecting the defect portion after the pixel electrode is formed and before the common electrode is formed.
  • a covering step of covering the defective portion with an insulating material prior to the formation of the next functional layer or the common electrode when a defective portion is detected in the defective portion detecting step In the covering step, a first step of preparing a mixture containing an insulating material and a solvent, a second step of applying the mixture so as to cover the defective portion, and a step of applying so as to cover the defective portion Evaporating the solvent in the mixture, A third step of covering the depression with the insulating material, the boiling point of the solvent is 178 ° C. or higher, and the weight ratio of the insulating material to the solvent in the mixture is 10% or higher. It is characterized by that.
  • the defect portion is located on the pixel electrode.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram showing a configuration of an organic EL display device 1 having an organic EL display panel 100 according to the first embodiment.
  • the organic EL display device 1 includes an organic EL display panel 100 and a drive control unit 20 connected thereto.
  • the organic EL display panel 100 is a panel using an electroluminescence phenomenon of an organic material, and a plurality of organic EL elements 10 (see FIGS. 2 and 3) are arranged on a substrate, for example, in a matrix.
  • the drive control unit 20 includes four drive circuits 21 to 24 and a control circuit 25.
  • the arrangement of the drive control unit 20 with respect to the organic EL display panel 100 is not limited to this.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing a schematic configuration viewed from the display surface side of the organic EL display panel 100.
  • 3 is a partially enlarged cross-sectional view of the organic EL display panel 100 taken along the line A-A ′ of FIG.
  • the organic EL display panel 100 is a so-called top emission type having a display surface on the Z direction side.
  • the organic EL display panel 100 includes a base substrate 11, a pixel electrode 12, a hole injection layer 13, a bank 14, an organic light emitting layer 15, an electron transport layer 16, a common electrode 17, as main components.
  • a sealing layer 18 is provided.
  • the organic EL display panel 100 uses the organic EL element 10 having the organic light emitting layer 15 corresponding to any one of red (R), green (G), and blue (B) as a subpixel, as shown in FIG.
  • subpixels are arranged in a matrix. 2 shows a state in which the electron transport layer 16, the common electrode 17, and the sealing layer 18 are removed for easy understanding.
  • the organic EL display panel 100 has the defect portion 3 in the hole injection layer 13.
  • the base substrate 11 includes a substrate body 11a, a TFT (thin film transistor) layer 11b, and an interlayer insulating layer 11c.
  • the substrate main body 11a is a portion that becomes a base material of the organic EL display panel 100.
  • a base material of the organic EL display panel 100 For example, alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphate glass, borate glass, quartz, acrylic resin, styrene resin , Polycarbonate resin, epoxy resin, polyethylene, polyester, silicone resin, or an insulating material such as alumina.
  • the TFT layer 11b is provided for each subpixel on the surface of the substrate body 11a, and a pixel circuit including a thin film transistor element is formed in each.
  • the interlayer insulating layer 11c is formed on the TFT layer 11b, and ensures electrical insulation between the TFT layer 11b and the pixel electrode 12 and flattens the step on the upper surface of the TFT layer 11b. It is.
  • the interlayer insulating layer 11c is made of an organic insulating material such as polyimide resin, acrylic resin, or novolac type phenol resin, or inorganic insulating material such as SiO (silicon oxide) or SiN (silicon nitride).
  • the pixel electrode 12 is a pixel electrode provided individually for each subpixel.
  • Ag silver
  • Al aluminum alloy
  • Mo molybdenum
  • APC silver, palladium, copper alloy
  • ARA alloy of silver, rubidium, gold
  • MoCr alloy of molybdenum and chromium
  • MoW alloy of molybdenum and tungsten
  • NiCr alloy of nickel and chromium
  • ACL alloy of aluminum, cobalt, germanium, lanthanum
  • the pixel electrode 12 is an anode.
  • a known transparent conductive film may be further provided on the surface of the pixel electrode 12.
  • a material of the transparent conductive film for example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) can be used.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the transparent conductive film is interposed between the pixel electrode 12 and the hole injection layer 13 and has a function of improving the bonding property between the respective layers.
  • the hole injection layer 13 is made of, for example, an oxide such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), or PEDOT. It is a layer made of a conductive polymer material such as (mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid).
  • the hole injection layer 13 made of metal oxide has a function of injecting and transporting holes to and from the organic light emitting layer 15 by stably generating holes or assisting the generation of holes.
  • the hole injection layer 13 is made of an oxide of a transition metal, a plurality of levels can be taken because a plurality of oxidation numbers are taken. As a result, hole injection is facilitated and driving voltage is reduced. can do.
  • a bank 14 is provided for partitioning an opening 14 a serving as a region where the organic light emitting layer 15 is formed.
  • the bank 14 is formed so as to have a certain trapezoidal cross section, and is made of an insulating organic material (for example, an acrylic resin, a polyimide resin, a novolac type phenol resin, or the like).
  • the bank 14 functions as a structure for preventing the applied ink from overflowing when the organic light emitting layer 15 is formed by a coating method, and is deposited when the organic light emitting layer 15 is formed by a vapor deposition method. It functions as a structure for mounting the mask.
  • the area defined by the opening 14a is a light emitting area, and each light emitting area corresponds to one subpixel.
  • the organic light emitting layer 15 is a portion that emits light by recombination of carriers (holes and electrons), and is configured to include an organic material corresponding to any of R, G, and B colors.
  • the organic light emitting layer 15 is formed in each opening 14a of the bank 14, and therefore is formed for each subpixel.
  • Examples of materials that can be used for the organic light emitting layer 15 include polyparaphenylene vinylene (PPV), polyfluorene, and, for example, an oxinoid compound, a perylene compound, and a coumarin described in a patent publication (JP-A-5-163488).
  • the electron transport layer 16 has a function of transporting electrons injected from the common electrode 17 to the organic light-emitting layer 15, and includes, for example, an oxadiazole derivative (OXD), a triazole derivative (TAZ), a phenanthroline derivative (BCP, Bphen) or the like.
  • OXD oxadiazole derivative
  • TEZ triazole derivative
  • BCP phenanthroline derivative
  • the common electrode 17 is provided in common to each sub-pixel, and is formed of, for example, a light-transmitting material having conductivity such as ITO or IZO. In the case of a top emission type organic EL display panel, it is preferably formed of a light transmissive material.
  • the common electrode 17 As a material used for forming the common electrode 17, in addition to the above, for example, a structure in which a layer containing an alkali metal, an alkaline earth metal, or a halide thereof and a layer containing silver are stacked in this order is used. You can also.
  • the layer containing silver may be formed of silver alone, or may be formed of a silver alloy.
  • a refractive index adjusting layer having high transparency can be provided on the silver-containing layer.
  • the common electrode 17 is a cathode.
  • the sealing layer 18 is provided to protect the hole injection layer 13, the organic light emitting layer 15, the electron transport layer 16, and the common electrode 17 from moisture or oxygen that has entered the organic EL display panel 100.
  • a black matrix, a color filter, or the like may be formed on the sealing layer 18.
  • the defective portion 3 is a foreign matter, a protruding portion, or a recessed portion existing between the pixel electrode 12 and the common electrode 17. Due to the presence of the defect portion 3, the portion corresponding to the defect portion 3 of each layer formed thereon (the portion located above the defect portion 3) protrudes upward (Z direction side) or below (opposite to the Z direction) Side). Furthermore, a part of the part corresponding to the defective part 3 may not be formed.
  • the defect portion 3 is a foreign matter existing on the pixel electrode 12, specifically, a minute dust such as dust or dust.
  • the defective portion 3 may be formed between the pixel electrode 12 and the common electrode 17 due to a foreign matter, a protruding portion, or a recessed portion below the pixel electrode 12.
  • a portion formed on the foreign matter of the pixel electrode 12 protrudes upward, and this becomes the defect portion 3. There is.
  • a protruding portion or a recessed portion formed between the pixel electrode 12 and the common electrode 17 due to a factor existing below the pixel electrode 12 is also treated as the defective portion 3.
  • the pixel electrode surface is also included between the pixel electrode 12 and the common electrode 17.
  • the insulating film 4 is made of an insulating material, and is formed on the defect portion 3 and the pixel electrode 12 by coating so as to cover the defect portion 3. As a result, no current flows in a portion corresponding to the defect portion 3 between the pixel electrode 12 and the common electrode 17, and the portion becomes a non-light emitting region.
  • the insulating material include acrylic resins, polyimide resins, fluorine resins, epoxy resins, and styrene resins.
  • the insulating film 4 is not necessarily formed directly on the defect portion 3.
  • the insulating film 4 may be formed on a portion of the hole injection layer 13 located above the defect portion 3. Details of the insulating film 4 will be described later.
  • the organic EL element 10 having the defect portion 3 shows the organic EL element 10 having the defect portion 3, but not all the organic EL elements 10 formed on the organic EL display panel 100 have the defect portion 3. . There is a possibility that only some of the plurality of organic EL elements 10 formed on the organic EL display panel 100 have the defect portion 3, and the organic EL elements having the defect portion 3 are zero.
  • the organic EL display panel 100 in which the organic EL element 10 having the defective portion 3 is present in a predetermined ratio or more is processed as a defective product.
  • FIGS. 4 is a schematic process diagram showing the manufacturing process of the organic EL display panel 100
  • FIGS. 5 to 6 are partial cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL display panel 100.
  • FIG. 4 is a schematic process diagram showing the manufacturing process of the organic EL display panel 100
  • FIGS. 5 to 6 are partial cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL display panel 100.
  • the TFT layer 11b is formed on the substrate body 11a (step S1 in FIG. 4).
  • an interlayer insulating layer 11c having a thickness of about 4 [ ⁇ m] is formed on the TFT layer 11b using an organic material having excellent insulating properties (step S2 in FIG. 4), and the base substrate 11 Get.
  • a contact hole 2 (see FIG. 2) is formed at the corresponding position.
  • the contact hole 2 is formed by performing pattern exposure and development.
  • pixel electrodes 12 made of a metal material having a thickness of about 400 [nm] are formed for each sub-pixel on the base substrate 11 based on a vacuum deposition method or a sputtering method (see FIG. 5A). Step S3 in FIG.
  • the defective portion 3 on the surface of the pixel electrode 12 is detected (step S4 in FIG. 4).
  • the defect portion 3 is detected using, for example, a pattern inspector.
  • the pattern inspector detects the defective portion 3 by comparing adjacent subpixels one after another and detecting a difference between the plurality of organic EL elements 10 (subpixels) formed in a matrix.
  • the coordinate data of the detected defective part 3 is stored in a storage unit (not shown).
  • an insulating film 4 is formed by applying a mixture of an insulating material dissolved in a solvent so as to cover the defective portion 3 by a needle coating method.
  • the coordinate data is input to the coating device, and the mixture can be accurately coated on the defect portion 3 based on the coordinate data.
  • the applied admixture is a liquid before application, but the solvent volatilizes after application, so that the ratio of the insulating material that is a solid content is increased and becomes a film-like solid.
  • the solvent used for the mixture is, for example, DPMA (N- [2- (3,5-dimethoxyphenyl) -2- (2-methylphenyl) ethyl] adenosine, N- [2 -(3,5-dimethoxyphenyl) -2- (o-tolyl) ethyl] adenosine, N- [2- (2-methylphenyl) -2- (3,5-dimethoxyphenyl) ethyl] adenosine) and cyclo Hexanol, 2-octanol and 1-octanol.
  • DPMA N- [2- (3,5-dimethoxyphenyl) -2- (2-methylphenyl) ethyl] adenosine
  • N- [2 -(3,5-dimethoxyphenyl) -2- (o-tolyl) ethyl] adenosine N- [2- (2-methylpheny
  • the insulating material used for the mixture is, for example, a monomer or oligomer that undergoes a crosslinking reaction such as polymerization.
  • the insulating material in the heating (firing) step in the subsequent step of the mixture application step (for example, the bank forming step or the organic light emitting layer forming step), the insulating material is cross-linked and has stable physical properties.
  • An insulating film 4 having the structure is formed.
  • the final insulating film 4 is formed through a crosslinking reaction by heating.
  • step S5 of FIG. 4 and FIGS. 5B and 5C mixing is performed.
  • the insulating film 4 is formed in such a state that the agent is applied onto the defect portion 3 and the solvent is volatilized to some extent and is physically stable to some extent (solidified to some extent).
  • the hole injection layer 13 is uniformly sputter-deposited on the base substrate 11 and the pixel electrode 12 with tungsten oxide (step S6 in FIG. 4).
  • the bank 14 is formed based on the photolithography method.
  • a paste-like bank material containing a photosensitive resist is prepared as a material for forming the bank. This bank material is uniformly applied on the hole injection layer 13. A mask formed in the pattern of the opening 14a shown in FIG. 2 is overlaid thereon. Subsequently, exposure is performed on the mask to form a bank pattern. Thereafter, excess bank material is washed out with an aqueous or non-aqueous etching solution (developer). Thereby, patterning of the bank material is completed, and thereafter baking (heating) is performed. The bank 14 is baked, for example, at a temperature of 150 ° C. or higher and 210 ° C. or lower for 60 minutes. Thus, the opening part 14a used as an organic light emitting layer formation area is prescribed
  • the surface of the bank 14 is made to have a predetermined surface in order to adjust the contact angle of the bank 14 with respect to the ink (solution) applied to the opening 14 a or to impart water repellency to the surface.
  • Surface treatment may be performed with an alkaline solution, water, an organic solvent, or the like, or plasma treatment may be performed.
  • a material constituting the electron transport layer 16 is formed on the organic light emitting layer 15 and the bank 14 based on a vacuum deposition method. Thereby, the electron transport layer 16 is formed (step S9 in FIG. 4).
  • the common electrode 17 is formed (step S10 in FIG. 4).
  • a sealing layer 18 is formed on the surface of the common electrode 17 by forming a light transmissive material such as SiN or SiON by sputtering, CVD, or the like (step S11 in FIG. 4).
  • the organic EL display panel 100 is completed through the above steps.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an outline of the coating method in the present embodiment.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view schematically showing a state before the mixture 40 is applied to the defect portion 3.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view schematically showing a state where the tip 33 a of the needle 33 is in contact with the defective part 3.
  • FIG. 7C is a cross-sectional view schematically showing a state where the tip 33 a of the needle 33 is separated from the defect 3 and the defect 3 is covered with the mixture 40.
  • the coating unit 30 in the present embodiment has the same configuration as the coating unit 10 described in Patent Document 2. That is, as shown in FIGS. 7A, 7 ⁇ / b> B, and 7 ⁇ / b> C, the application unit 30 is a main part of an application unit (not shown), and the application unit 30 includes a container 31, a lid 32, and a needle. 33.
  • a first hole 31 a is opened at the bottom of the container 31, and the mixture 40 is injected into the container 31.
  • the upper opening of the container 31 is closed by a lid 32.
  • a second hole 32 a is opened at the center of the lid 32.
  • a tapered portion having a cross-sectional area that gradually decreases toward the tip is formed at the tip of the needle 33, and a circular flat surface is formed at the tip of the needle 33.
  • the needle 33 has substantially the same diameter as the first and second holes 31a and 32a.
  • the tip 33 a of the needle 33 penetrates the second hole 32 a and is immersed in the mixture 40. Since the diameters of the first and second holes 31a and 32a are slightly larger than the diameter of the needle 33 penetrating them, the first hole 31a and the second hole 31a are very small. There is almost no leakage of the mixture 40 from the hole 31a.
  • the diameter of the first hole 31a is 1 mm or less.
  • the needle 33 is supported by a linear motion bearing (not shown) so as to advance and retract in the vertical direction.
  • a linear motion bearing (not shown) so as to advance and retract in the vertical direction.
  • the container 31 has a tapered shape in which the cross-sectional area decreases as it approaches the first hole 31a. Accordingly, the tip 33a of the needle 33 can be immersed with a small amount of the mixture 40.
  • the amount of the mixture 40 is, for example, 20 ⁇ l (microliter).
  • the tip 33a of the needle 33 and the defective part 3 are opposed to each other with a predetermined gap.
  • the needle 33 is lowered by a driving device (not shown), and the tip 33a of the needle 33 projects below the container 31 through the first hole 31a.
  • the admixture 40 adhering to 33a is applied to the defective portion 3.
  • the needle 33 is returned upward by a driving device (not shown), and one application is completed. And the front-end
  • the mixture 40 wets and spreads around the defect portion 3 on the pixel electrode 12.
  • the solvent in the mixture 40 volatilizes, the ratio of the insulating material (solid content) in the mixture 40 increases, and the viscosity increases.
  • the rate of wetting and spreading also slows, and eventually the wetting and spreading stops. Thereafter, the solvent is further volatilized, and further, the solvent is further volatilized by heating in a later step, and the insulating material is crosslinked to complete the insulating film 4 (see FIG. 3) having stable physical properties.
  • the first property is desirably a mixture that does not spread so much after application to the defective part 3.
  • the second characteristic is that a mixture having a sufficient film thickness in a state where the wet spread is settled after being applied to the defect portion 3 is required.
  • the third characteristic is that a viscosity agent suitable for application with a needle is required, and a mixture having a viscosity that does not cause defects such as stringing after application is required.
  • Viscosity properties suitable for application with a needle mean that the speed of thickening is low and the stability is high.
  • a mixed agent having a high viscosity satisfies these characteristics.
  • the film thickness gradually decreases as the mixture spreads wet. However, the higher the viscosity of the mixture, the harder the film spreads.
  • the ratio of the solid content in the mixture may be increased.
  • the solvent has a low boiling point, the solvent is volatilized in a relatively short time after being applied to the defect portion 3 even when a mixture having a low viscosity and a low viscosity is used. Therefore, it is considered that wetting can be suppressed and a sufficient film thickness can be secured.
  • the coating operation of the defective part is often performed continuously for several tens to several hundreds of panels for a long time, and the amount of the mixture used in one application is very small. Therefore, the mixture 40 is often held in the container 31 for a long time. In such a case, when the boiling point of the solvent is low, the solvent volatilizes while being held in the container 31, and the viscosity increases. Then, in addition to problems such as stringing, the first hole 31a may be blocked by the insulating material dried and solidified.
  • the coating area was measured as an index for evaluating the first characteristic.
  • the application area was measured by applying the mixture 40 onto the pixel electrode by a needle application method and measuring the diameter of the mixture which spreads after 5 minutes.
  • the film thickness was measured to evaluate the second characteristic.
  • the film thickness was measured by applying the mixture 40 onto the pixel electrode by a needle coating method, and measuring the film thickness of the mixture spread after 5 minutes.
  • stability was measured as an index for evaluating the third characteristic.
  • the stability was measured by periodically measuring the film thickness (for example, every 30 minutes) and measuring the time until the film thickness was 1.1 times the initial film thickness.
  • a thickness smaller than 40 nm was set as NG. This is because if the film thickness on the plane is 40 nm or more, a foreign matter having a size of 5 ⁇ m which is the largest foreign matter size in the process can be insulated.
  • the time until the film thickness becomes 1.1 times is 12 hours or more, it is set as Good, and if it is less than 12 hours, it is set as NG. This is because when the film thickness variation is 10% or more, the coating property is affected, and the frequency of material exchange in the production line is limited to twice a day.
  • the overall evaluation is Good, and if there is even one NG, the overall evaluation is NG.
  • FIG. 8B shows the results of the comprehensive evaluation of the insulating film suitability test for the 13 types of mixture shown in FIG. 8A, with the vertical axis representing the boiling point of the solvent and the horizontal axis representing the solid content ratio. It is the figure plotted on the graph. The numbers enclosed in circles in the figure are numbers indicating the types of the mixture.
  • the solvents used in the admixture used in this insulating film suitability test were DPMA (boiling point: 210 ° C.), cyclohexanol (boiling point: 162 ° C.), 2-octanol (boiling point: 178 ° C.), 1-octanol (boiling point). 194 ° C.).
  • a mixed solvent may be used.
  • the boiling point of each solvent is defined as the boiling point of the mixed solvent obtained by multiplying the boiling point of each solvent by the mixing ratio of the solvent and adding the multiplied values for each solvent.
  • the solid content (%) is the weight ratio (%) of the insulating material to the solvent.
  • the mixture whose overall evaluation is Good is within the region surrounded by the line segment connecting the points of the No. 4, No. 6, No. 12, No. 13, and No. 8 admixtures. Are all located. Accordingly, it is considered that a mixture located in the region exhibits good characteristics in all of stability, film thickness, and application area.
  • the defect portion 3 is a foreign matter on the pixel electrode 12.
  • the defect part 3 is not restricted to a foreign material.
  • the pixel electrode 12 may be formed to protrude upward due to a foreign matter or a protruding portion below the pixel electrode 12. In such a case, the protruding portion of the pixel electrode 12 becomes the defective portion 3.
  • Embodiment 2 describes a case where the defective portion 3 is a protruding portion formed on the pixel electrode 12 due to a protruding portion formed on the surface of the interlayer insulating layer 11c.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an outline of a method of covering the defect portion 3 in the organic EL element according to the second embodiment.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view schematically showing a state before the mixture 40 is applied to the defect portion 3.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view schematically showing a state where the tip 33 a of the needle 33 is in contact with the defect 3.
  • FIG. 9C is a cross-sectional view schematically showing a state in which the tip 33 a of the needle 33 is separated from the defect 3 and the defect 3 is covered with the mixture 40.
  • the surface protrusion 5 is formed on the surface of the interlayer insulating layer 11c.
  • the surface protrusion 5 is formed due to exposure unevenness or mask defects when forming the interlayer insulating layer 11c.
  • a portion of the pixel electrode 12 located on the surface protrusion 5 is formed so as to protrude upward, and becomes a defect 3.
  • a non-uniform film thickness portion or a portion that is not partially formed is generated. Therefore, it is important to cover the defect portion 3 which is such a protruding portion with the insulating film 4.
  • the coating process for applying the mixture 40 to the defective part 3 in the second embodiment and covering the defective part 3 with an insulating material is the same as the coating process in the first embodiment, and a detailed description thereof is omitted here. To do.
  • the insulating film 4 can be formed so as to cover the defective portion 3 by the needle application method similar to that of the first embodiment also for the defective portion 3 of the organic EL element according to the second embodiment. Even in this case, as in the first embodiment, the insulating film 4 having good characteristics can be formed by using the mixture located in the region surrounded by the straight and broken lines in FIG. It is thought that can be done.
  • the defect portion 3 is a foreign matter on the pixel electrode 12.
  • the defective portion is a protruding portion formed on the pixel electrode 12 due to the surface protrusion portion existing below the pixel electrode 12.
  • the defective part 3 is not limited to a foreign substance or a protrusion.
  • the defective part 3 may be a recessed part.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing an outline of a method of covering the defect portion 3 in the organic EL element according to the third embodiment.
  • FIG. 10A is a cross-sectional view schematically showing a state before the mixture 40 is applied to the defect portion 3.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view schematically showing a state in which the tip 33 a of the needle 33 is in contact with the defective part 3.
  • FIG. 10C is a cross-sectional view schematically showing a state where the tip 33 a of the needle 33 is separated from the defect 3 and the defect 3 is covered with the mixture 40.
  • a surface recess 6 is formed on the surface of the interlayer insulating layer 11c.
  • the surface recess 6 is formed by exposure unevenness or mask defect when forming the interlayer insulating layer 11c, or by mask defect when forming the contact hole 2 (see FIG. 2) in the interlayer insulating layer 11c. There are some cases.
  • the pixel electrode 12 is formed on such a surface recess 6, a portion located on the surface recess 6 of the pixel electrode 12 is formed so as to be recessed downward, thereby forming the defect portion 3.
  • FIGS. 10A, 10B, and 10C a surface recess 6 is formed on the surface of the interlayer insulating layer 11c.
  • each functional layer laminated on the stepped portion also has a stepped portion or a locally thin portion where the pixel electrode and the common electrode are very close to each other at the stepped portion. Or formed in contact with each other may cause a short circuit or the like. Further, even when the surface recess 6 is not so deep and the pixel electrode 12 is continuously formed along the recess surface of the surface recess 6, a hole is formed on the defect 3.
  • the organic light emitting layer 15, etc. are formed, a portion having a thin film thickness is formed in the recessed edge portion of the defect portion 3, and charges are concentrated there, thereby promoting deterioration. Eventually, a non-light emitting area is generated. Therefore, it is important to cover the defective portion 3 due to such recesses with the insulating film 4.
  • the coating process for applying the mixture 40 to the defective part 3 in the third embodiment and covering the defective part 3 with an insulating material is the same as the coating process in the first and second embodiments. The detailed explanation is omitted.
  • the insulating film 4 can also be formed so as to cover the defective portion 3 of the defective portion 3 of the organic EL element according to the third embodiment by the same needle coating method as in the first and second embodiments. Even in this case, as in the first embodiment, the insulating film 4 having good characteristics can be formed by using the mixture located in the region surrounded by the straight and broken lines in FIG. It is thought that can be done.
  • the insulating film 4 is formed on the pixel electrode 12, but the present invention is not limited to this.
  • the hole injection layer 13 is formed by sputtering or the like, silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), etc.
  • the insulating film 4 may be formed not on the pixel electrode 12 but on the hole injection layer 13.
  • the insulating film 4 Since the insulating film 4 has only to suppress the supply of holes or electrons to a portion corresponding to the upper portion of the defect portion 3 of the organic light emitting layer 15, the insulating film 4 is not necessarily provided between the pixel electrode 12 and the organic light emitting layer 15. It may not be formed. For example, it may be formed between any layers between the organic light emitting layer 15 and the common electrode 17.
  • the insulating film 4 When the insulating film 4 is formed below the organic light emitting layer 15, the film thickness distribution of the organic light emitting layer 15 in the vicinity of the end of the insulating film 4 may be adversely affected, but the insulating film 4 is formed above the organic light emitting layer 15. Such an adverse effect can be eliminated by forming.
  • the organic EL device according to one embodiment of the present invention may further include other layers such as a hole transport layer, an electron injection layer, a passivation film, and a transparent conductive layer.
  • the covering method and the manufacturing method of the organic EL element of the present invention include, for example, an organic EL display panel used as a home or public facility, or various display devices for business use, a television device, a display for a portable electronic device, etc.
  • the present invention can be suitably used for a manufacturing method and a method for covering a defective portion of an organic EL element applied in the manufacturing method.

Abstract

　絶縁性材料と溶媒とを含む混合剤を準備する第１工程と、欠陥部を覆うように混合剤を塗布する第２工程と、欠陥部を覆うように塗布した混合剤中の溶媒を蒸発させて、欠陥部を絶縁性材料により被覆させる第３工程とを有する被覆方法である。溶媒の沸点は１７８℃以上であり、混合剤における溶媒に対する絶縁性材料の重量比は１０％以上である。これにより、滅点を引き起こす原因となる欠陥部を絶縁性材料で被覆する場合において、非発光領域の面積を必要最小限に留め、且つ十分な絶縁性および良好な作業性を実現することができる。

Description

被覆方法および有機ＥＬ素子の製造方法
　本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子における欠陥部の被覆方法および有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
　近年、表示装置として基板上に有機ＥＬ素子を配設した有機ＥＬ表示パネルが普及しつつある。有機ＥＬ表示パネルは、自己発光を行う有機ＥＬ素子を利用するため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるなどの特徴を有する。
　有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であり、画素電極及び共通電極の電極対の間に、キャリア（正孔、電子）の再結合による電界発光現象を行う発光層等の複数の機能層を積層して構成される。
　有機ＥＬ表示パネルの製造過程において、ゴミ等の微小な異物が付着したり、レジストの不具合により電極や機能層の表面に局所的な凹凸が生じたりする場合がある。すると、その上に形成された機能層に局所的に膜厚が薄い領域が生じたり、場合によっては局所的に機能層が形成されない領域が生じたりする。このような欠陥領域が形成されると、当該欠陥領域に集中的に電流が流れて他の領域よりも輝度が高い輝点が生じる原因となる。また、画素電極と共通電極との間にショートが発生して発光層が非発光となる、所謂滅点欠陥が生じる原因にもなる。輝点が発生した場合、欠陥領域に集中的に電流が流れるため劣化が促進され、やがて非発光化して滅点欠陥となってしまう。
　そこで、このような欠陥領域の上に非導電性の液体材料を塗布して絶縁膜を形成し、当該欠陥領域に電流が流れないようにして滅点欠陥の発生を防止する方法が、従来から知られている（例えば、特許文献１）。
　また、このような欠陥領域は、大きさ０．５～１０μｍ程度の微小な領域であるため、そのような微小領域に絶縁膜を形成するのに適した方法として、特許文献１および特許文献２に示すようなニードル塗布法が従来から知られている。
特開２０１１－１０８３６９号公報 特開２０１１－３３６８９号公報
　ところで、絶縁膜が形成された部分は電流が流れず非発光となるため、絶縁膜形成領域はできるだけ小さい方が良い。また、絶縁膜の膜厚は、絶縁性を確保するのに十分な厚さが必要である。さらには、絶縁膜を形成するための材料は、安定性が高い、即ち粘度の経時変化が小さなものであって、且つ、糸引き等の現象が生じないものが好ましい。
　本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、有機ＥＬ素子の欠陥部を絶縁性の材料で覆う場合に好適な被覆方法を提供することを目的とする。
　本発明の一態様である被覆方法は、積層構造における欠陥部を絶縁性材料で被覆する被覆方法であって、前記絶縁性材料と溶媒とを含む混合剤を準備する第１工程と、前記混合剤を、前記欠陥部を覆うように塗布する第２工程と、前記欠陥部を覆うように塗布した前記混合剤中の前記溶媒を蒸発させて、前記欠陥部を前記絶縁性材料により被覆させる第３工程と、を有し、前記溶媒の沸点は１７８℃以上であり、前記混合剤における前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比が１０％以上であることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る被覆方法は、沸点が高く揮発しにくい溶媒を使用しているため、経時的な増粘の速度が小さく混合剤の安定性を高めることが出来る。そして、混合剤中の固形分の割合が高く混合剤の粘度が高いため、欠陥部への塗布後に混合剤が濡れ広がりにくい。これにより、絶縁膜により覆われる面積が必要以上に大きくなるのを防いで、非発光領域の面積が必要以上に大きくなるのを防ぐことができる。それとともに、混合剤が濡れ広がりにくいことにより、絶縁膜が必要以上に薄くなるのを防いで、十分な絶縁性を確保することができる。
本発明の実施形態１に係る表示装置の構成を示す模式ブロック図である。 実施形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの画素を模式的に示す平面図である。 実施形態１に係る有機ＥＬ素子の概略構成を模式的に示す断面図であって、図２のＡ－Ａ’直線による断面図である。 実施形態１に係る有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示パネルの製造過程を示す模式工程図である。 実施形態１に係る表示パネルの製造過程の一部を示す模式断面図であって、（ａ）は、下地基板に画素電極が形成された状態を示す模式断面図であり、（ｂ）は、画素電極上の欠陥部を覆うように絶縁膜が形成された状態を示す模式断面図であり、（ｃ）は、画素電極および絶縁膜で被覆された欠陥部の上にホール注入層が形成された状態を示す模式断面図であり、（ｄ）は、ホール注入層上にバンクが形成された状態を示す模式断面図である。 実施形態１に係る表示パネルの図５の続きの製造過程の一部を示す模式断面図であって、（ａ）は、開口部内に有機発光層が形成された状態を示す模式断面図であり、（ｂ）は、有機発光層およびバンク上に電子輸送層が形成された状態を示す模式断面図であり、（ｃ）は、電子輸送層上に共通電極が形成された状態を示す模式断面図であり、（ｄ）は、共通電極上に封止層が形成された状態を示す模式断面図である。 実施形態１に係る被覆方法を模式的に示す断面図であって、（ａ）は、欠陥部に混合剤を塗布する前の状態を示す断面図であって、（ｂ）は、欠陥部にニードルの先端部が接触している状態を示す断面図であって、（ｃ）は、欠陥部が混合剤で覆われている状態を示す断面図である。 （ａ）は、各種混合剤の絶縁膜適性試験の結果を示すテーブルであって、（ｂ）は、（ａ）に示す試験結果をグラフにプロットした図である。 実施形態２に係る被覆方法を模式的に示す断面図であって、（ａ）は、欠陥部に混合剤を塗布する前の状態を示す断面図であって、（ｂ）は、欠陥部にニードルの先端部が接触している状態を示す断面図であって、（ｃ）は、欠陥部が混合剤で覆われている状態を示す断面図である。 実施形態３に係る被覆方法を模式的に示す断面図であって、（ａ）は、欠陥部に混合剤を塗布する前の状態を示す断面図であって、（ｂ）は、欠陥部にニードルの先端部が接触している状態を示す断面図であって、（ｃ）は、欠陥部が混合剤で覆われている状態を示す断面図である。
　≪本発明の一態様の概要≫
　本発明の一態様に係る被覆方法は、積層構造における欠陥部を絶縁性材料で被覆する被覆方法であって、前記絶縁性材料と溶媒とを含む混合剤を準備する第１工程と、前記混合剤を、前記欠陥部を覆うように塗布する第２工程と、前記欠陥部を覆うように塗布した前記混合剤中の前記溶媒を蒸発させて、前記欠陥部を前記絶縁性材料により被覆させる第３工程と、を有し、前記溶媒の沸点は１７８℃以上であり、前記混合剤における前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比が１０％以上であることを特徴とする。
　これにより、沸点が高く揮発しにくい溶媒を使用しているため、経時的な増粘の速度が小さく混合剤の安定性を高めることが出来る。そして、混合剤中の固形分の割合が高く混合剤の粘度が高いため、欠陥部への塗布後に混合剤が濡れ広がりにくい。これにより、絶縁膜により覆われる面積が必要以上に大きくなるのを防いで、非発光領域の面積が必要以上に大きくなるのを防ぐことができる。それとともに、混合剤が濡れ広がりにくいことにより、絶縁膜が必要以上に薄くなるのを防いで、十分な絶縁性を確保することができる。
　また、本発明の一態様に係る被覆方法の特定の局面では、前記溶媒の沸点は２１０℃以下であり、且つ、前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比は４０％以下であることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る被覆方法の特定の局面では、前記混合剤は、前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比（％）をｘ、前記溶媒の沸点（℃）をｙとした場合に、１０≦ｘ≦２０、１７８≦ｙ≦２１０であって、ｙ≦３．２ｘ＋１４６且つｙ≧０．９７ｘ＋２０．５であることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る被覆方法の特定の局面では、前記第１工程において、前記混合剤は、開口部を有する収容容器に充填されており、前記第２工程において、棒形状を有する塗布部材を前記収容容器の開口部に挿入し、前記塗布部材の先端部に混合剤を付着させた後、前記混合剤を付着させた前記塗布部材の先端部を前記欠陥部に接触させて前記混合剤を前記欠陥部に塗布することを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る被覆方法の特定の局面では、前記積層構造は、下地基板と、前記下地基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に積層形成された複数の機能層と、前記複数の機能層上に形成された共通電極と、を有する有機ＥＬ素子であって、前記欠陥部は、前記画素電極と前記共通電極との間に位置する異物、または、前記画素電極および前記複数の機能層に形成された突出部または凹入部であることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、下地基板と、前記下地基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に積層形成された複数の機能層と、前記複数の機能層上に形成された共通電極と、を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記画素電極が形成された後で、前記共通電極が形成される前に、前記欠陥部を検出する欠陥部検出工程と、前記欠陥部検出工程において欠陥部が検出された場合に、次の機能層または前記共通電極の形成に先立って、前記欠陥部を絶縁性材料で被覆する被覆工程と、を含み、前記被覆工程は、絶縁性材料と溶媒を含む混合剤を準備する第１工程と、前記混合剤を、前記欠陥部を覆うように塗布する第２工程と、前記欠陥部を覆うように塗布した前記混合剤中の前記溶媒を蒸発させて、前記欠陥部を前記絶縁性材料により被覆させる第３工程と、を有し、前記溶媒の沸点は１７８℃以上であり、前記混合剤における前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比が１０％以上であることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法の特定の局面では、前記欠陥部は、前記画素電極上に位置することを特徴とする。
　≪実施形態１≫
　［１－１．全体構成］
　図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。有機ＥＬ表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子１０（図２，３参照）が基板上に、例えばマトリクス状に、配列されている。駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１～２４と制御回路２５とから構成されている。
　なお、実際の有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ表示パネル１００に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
　［１－２．有機ＥＬ表示パネルの構成］
　有機ＥＬ表示パネル１００の構成について、図２を用い説明する。
　図２は、有機ＥＬ表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図３は、有機ＥＬ表示パネル１００の図２のＡ－Ａ’直線による一部拡大断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、Ｚ方向側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型である。
　図３に示すように、有機ＥＬ表示パネル１００は、その主な構成として、下地基板１１、画素電極１２、ホール注入層１３、バンク１４、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を備える。有機ＥＬ表示パネル１００は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１５を有する有機ＥＬ素子１０をサブピクセルとし、図２に示すように、サブピクセルがマトリクス状に配設されている。なお、図２においては、図示をわかりやすくするために、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を取り除いた状態を示している。
　また、有機ＥＬ表示パネル１００は、ホール注入層１３に欠陥部３を有する。
　＜下地基板＞
　下地基板１１は、基板本体部１１ａ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層１１ｂ、層間絶縁層１１ｃを有する。
　基板本体部１１ａは、有機ＥＬ表示パネル１００の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。
　ＴＦＴ層１１ｂは、基板本体部１１ａの表面にサブピクセル毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む画素回路が形成されている。
　層間絶縁層１１ｃは、ＴＦＴ層１１ｂ上に形成されており、ＴＦＴ層１１ｂと画素電極１２との間の電気的絶縁性を確保するとともに、ＴＦＴ層１１ｂの上面の段差を平坦化するためのものである。層間絶縁層１１ｃは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料や、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料から成る。
　＜画素電極＞
　画素電極１２は、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）、ＡＣＬ（アルミニウム、コバルト、ゲルマニウム、ランタンの合金）等の光反射性導電材料からなる。本実施形態においては、画素電極１２は、陽極である。
　なお、画素電極１２の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。透明導電膜は、画素電極１２とホール注入層１３の間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。
　＜ホール注入層＞
　ホール注入層１３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層１３は、ホールを安定的に生成、またはホールの生成を補助して、有機発光層１５に対しホールを注入および輸送する機能を有する。
　ここで、ホール注入層１３を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるため複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
　＜バンク＞
　ホール注入層１３の表面には、有機発光層１５の形成領域となる開口部１４ａを区画するためのバンク１４が設けられている。バンク１４は一定の台形断面を持つように形成されており、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。バンク１４は、有機発光層１５を塗布法で形成する場合には塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、有機発光層１５を蒸着法で形成する場合には蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。
　また、開口部１４ａにより規定された領域が発光領域であり、各発光領域が、１サブピクセルに相当する。
　＜有機発光層＞
　有機発光層１５は、キャリア（正孔と電子）の再結合による発光を行う部位であり、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含むように構成されている。有機発光層１５は、バンク１４の開口部１４ａ内にそれぞれ形成されており、そのため、サブピクセル毎に形成されていることになる。
　有機発光層１５として用いることが可能な材料としては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンや、例えば、特許公開公報（特開平５－１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
　＜電子輸送層＞
　電子輸送層１６は、共通電極１７から注入された電子を有機発光層１５へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
　＜共通電極＞
　共通電極１７は、各サブピクセル共通に設けられており、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性を有する光透過性材料で形成されている。トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルの場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
　共通電極１７の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取り出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
　本実施形態においては、共通電極１７は、陰極である。
　＜封止層１８＞
　封止層１８は、有機ＥＬ表示パネル１００内に浸入した水分又は酸素からホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７を保護するために設けられている。
　なお、図３においては、図示を省略しているが、封止層１８の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。
　＜欠陥部＞
　欠陥部３は、画素電極１２と共通電極１７との間に存在する異物または突出部または凹入部である。欠陥部３の存在により、その上に形成される各層の欠陥部３に対応する部分（欠陥部３の上方に位置する部分）が上方（Ｚ方向側）に突出または下方（Ｚ方向とは反対側）に凹入する態様で形成される。さらには、欠陥部３に対応する部分の一部が形成されない場合も有る。
　本実施形態においては、図３に示すように、欠陥部３は、画素電極１２上に存在する異物であり、具体的には、塵や埃等の微小なゴミである。
　なお、画素電極１２よりも下方の異物や突出部、凹入部が原因で画素電極１２と共通電極１７との間に欠陥部３が形成される場合もある。例えば、層間絶縁層１１ｃ上に異物が存在した状態で画素電極１２が形成された場合、画素電極１２の異物上に形成された部分が上方に突出する態様となり、それが欠陥部３となる場合がある。
　ここでは、上記のように、画素電極１２よりも下に存在する要因により画素電極１２と共通電極１７との間に形成された突出部または凹入部についても、欠陥部３として扱う。また、画素電極１２と共通電極１７との間には、画素電極表面も含む。
　＜絶縁膜＞
　絶縁膜４は、絶縁性材料から成り、欠陥部３を覆うように欠陥部３および画素電極１２上に塗布により形成されている。これにより、画素電極１２と共通電極１７との間において欠陥部３に対応する部分には電流が流れず、当該部分は、非発光領域となる。上記絶縁性材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、スチレン系樹脂などが挙げられる。
　なお、絶縁膜４は、必ずしも欠陥部３上に直接形成されなくてもよい。例えば、ホール注入層１３の欠陥部３の上方に位置する部分の上に絶縁膜４が形成されてもよい。絶縁膜４については、詳しくは、後述する。
　なお、図３には、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子１０を示しているが、有機ＥＬ表示パネル１００に形成された全ての有機ＥＬ素子１０が欠陥部３を有しているというわけではない。有機ＥＬ表示パネル１００に形成された複数の有機ＥＬ素子１０のうちのいくつかのみが欠陥部３を有しており、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子がゼロである可能性もある。欠陥部３を有する有機ＥＬ素子１０が所定の割合以上存在する有機ＥＬ表示パネル１００は、不良品として処理される。
　［１－３．有機ＥＬ表示パネルの製造方法］
　次に、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子１０を備えた有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法について、図４～図６を用いて説明する。なお、図４は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図であり、図５～図６は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程を模式的に示す部分断面図である。
　まず、基板本体部１１ａ上にＴＦＴ層１１ｂを形成する（図４のステップＳ１）。
　続いて、フォトレジスト法に基づき、ＴＦＴ層１１ｂの上に絶縁性に優れる有機材料を用いて、厚み約４［μｍ］の層間絶縁層１１ｃを形成し（図４のステップＳ２）、下地基板１１を得る。
　なお、図３，図５，図６に示す断面図および図４の工程図には現れないが、このとき、層間絶縁層１１ｃの各開口部１４ａ（が形成される予定の領域）の間に該当する位置にコンタクトホール２（図２参照）を形成する。コンタクトホール２は、パターン露光と現像を行うことにより形成される。
　次に、図５（ａ）に示すように、下地基板１１上に、真空蒸着法またはスパッタ法に基づき、厚み４００［ｎｍ］程度の金属材料からなる画素電極１２をサブピクセル毎に形成する（図４のステップＳ３）。
　そして、画素電極１２表面の欠陥部３を検出する（図４のステップＳ４）。欠陥部３の検出は、例えば、パターン検査器を用いて行う。パターン検査器は、マトリクス状に形成された複数の有機ＥＬ素子１０（サブピクセル）について、隣接するサブピクセル同士を次々に比較して相違点を検出することにより、欠陥部３を検出する。パターン検査器により欠陥部３が検出された場合、検出された欠陥部３の座標データが不図示の記憶部に記憶される。
　次に、図５（ｂ）に示すように、ニードル塗布法により、絶縁性材料を溶媒に溶解させた混合剤を、欠陥部３を覆うように塗布し、絶縁膜４を形成する。このとき、塗布装置に上記の座標データが入力され、当該座標データに基づいて、欠陥部３上に正確に混合剤を塗布することが出来る。
　塗布された混合剤は、塗布する前においては液状体であるが、塗布後に溶媒が揮発することにより、固形分である絶縁性材料の割合が高くなり、膜状の固体となる。
　ここで、本実施形態において、混合剤に用いられる溶媒は、例えば、ＤＰＭＡ（N-[2-(3,5-ジメトキシフェニル)-2-(2-メチルフェニル)エチル]アデノシン、N-[2-(3,5-ジメトキシフェニル)-2-(o-トリル)エチル]アデノシン、N-[2-(2-メチルフェニル)-2-(3,5-ジメトキシフェニル)エチル]アデノシン）や、シクロヘキサノール、２－オクタノール、１－オクタノールである。
　また、本実施形態において、混合剤に用いられる絶縁性材料は、例えば、重合等の架橋反応をするモノマーやオリゴマーである。これにより、詳しくは後述するが、混合剤塗布工程の後工程（例えば、バンク形成工程や有機発光層の成膜工程）における加熱（焼成）工程において、絶縁性材料が架橋して、安定した物性を有する絶縁膜４が形成される。
　なお、正確には、上述したように、加熱による架橋反応を経て最終的な絶縁膜４が形成されるのであるが、図４のステップＳ５および図５（ｂ），（ｃ）においては、混合剤が欠陥部３上に塗布され、溶媒がある程度揮発して物理的にある程度安定した状態（ある程度固体化した状態）を以て、絶縁膜４としている。
　続いて、図５（ｃ）に示すように、酸化タングステンによりホール注入層１３を下地基板１１および画素電極１２上に一様にスパッタ成膜する（図４のステップＳ６）。
　次に、図５（ｄ）に示すように、バンク１４をフォトリソグラフィー法に基づいて形成する。まずバンクを形成する材料として、感光性レジストを含むペースト状のバンク材料を用意する。このバンク材料をホール注入層１３上に一様に塗布する。この上に、図２に示した開口部１４ａのパターンに形成されたマスクを重ねる。続いてマスクの上から感光させ、バンクパターンを形成する。その後は、余分なバンク材料を水系もしくは非水系エッチング液（現像液）で洗い出す。これにより、バンク材料のパターニングが完了し、この後、焼成（加熱）を行う。バンク１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。このようにして、有機発光層形成領域となる開口部１４ａが規定され、バンク１４が完成する（図４のステップＳ７）。
　また、バンク１４の形成工程においては、さらに、開口部１４ａに塗布するインク（溶液）に対するバンク１４の接触角を調節する、もしくは、表面に撥水性を付与するためにバンク１４の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。
　続いて、図６（ａ）に示すように、有機発光層１５を構成する有機材料と溶媒を所定比率で混合した有機発光層用インクを、インクジェット法を用いて開口部１４ａ内に塗布した後、インクに含まれる溶媒を蒸発乾燥させ、必要に応じて加熱焼成して、有機発光層１５を形成する（図４のステップＳ８）。
　次に、図６（ｂ）に示すように、有機発光層１５およびバンク１４の上に、電子輸送層１６を構成する材料を真空蒸着法に基づいて成膜する。これにより、電子輸送層１６が形成される（図４のステップＳ９）。
　そして、図６（ｃ）に示すように、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を用い、真空蒸着法、スパッタ法等で成膜する。これにより共通電極１７が形成される（図４のステップＳ１０）。
　そして、共通電極１７の表面に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法、ＣＶＤ法等で成膜することで、封止層１８を形成する（図４のステップＳ１１）。
　以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。
　［１－４．欠陥部の被覆方法］
　次に、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の欠陥部の被覆方法について説明する。ここでは、実施形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００に対して行われる被覆方法について以下に説明する。
　図７は、本実施形態における被覆方法の概要を模式的に示す断面図である。図７（ａ）は、欠陥部３に混合剤４０を塗布する前の状態を模式的に示す断面図である。図７（ｂ）は、欠陥部３にニードル３３の先端部３３ａが接触している状態を模式的に示す断面図である。図７（ｃ）は、ニードル３３の先端部３３ａが欠陥部３から離間し、欠陥部３が混合剤４０で覆われている状態を模式的に示す断面図である。
　本実施形態における塗布部３０は、特許文献２に記載の塗布部１０と同様の構成を備えている。即ち、図７（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、塗布部３０は、塗布ユニット（不図示）の要部であり、塗布部３０は、容器３１、蓋３２、およびニードル３３を含む。容器３１の底には第１の孔３１ａが開口されており、容器３１内には混合剤４０が注入されている。容器３１の上側の開口部は、蓋３２によって閉じられている。蓋３２の中央部には第２の孔３２ａが開口されている。ニードル３３の先端部には、先端に向かって断面積が徐々に小さくなるテーパ部が形成され、ニードル３３の先端には、円形の平坦面が形成されている。
　なお、図７各図においては、ニードル３３以外は断面で示されている。
　ニードル３３は、第１および第２の孔３１ａ，３２ａと略同じ径を有する。ニードル３３の先端部３３ａは、第２の孔３２ａを貫通して混合剤４０内に浸漬される。第１および第２の孔３１ａ，３２ａの径は、それらに貫通するニードル３３の径よりも少し大きいが微小であるので、混合剤４０の表面張力や容器３１の撥液性により、第１の孔３１ａからの混合剤４０の漏れはほとんど無い。たとえば第１の孔３１ａの径は１ｍｍ以下とされる。
　ニードル３３は、直動軸受（図示せず）によって上下方向に進退可能に支持されている。ニードル３３の先端部３３ａが欠陥部３に接触した際には、ニードル３３を含む可動部材の重量が欠陥部３に印加される。また、ニードル３３の先端部３３ａが欠陥部３に接触してからもさらにニードル３３を下降させようとしても、ニードル３３を含む可動部が上方に退避し、先端部３３ａの損傷が回避される。
　容器３１は、第１の孔３１ａに近づくに従って横断面積が小さくなるテーパ形状を有する。したがって、少ない混合剤４０でもニードル３３の先端部３３ａを浸漬することができる。混合剤４０の量は、たとえば２０μｌ（マイクロリットル）である。
　次に、欠陥部３に混合剤４０を塗布して、絶縁性材料により欠陥部３を被覆する被覆工程について説明する。
　まず図７（ａ）に示すように、ニードル３３の先端部３３ａと欠陥部３とを所定の隙間を開けて対峙させる。
　次いで図７（ｂ）に示すように、駆動装置（図示せず）によってニードル３３を下降させ、第１の孔３１ａを介してニードル３３の先端部３３ａを容器３１の下に突出させ、先端部３３ａに付着した混合剤４０を欠陥部３に塗布する。
　次に、図７（ｃ）に示すように、駆動装置（図示せず）によってニードル３３を上方に戻し、１回の塗布が完了する。そして、ニードル３３の先端部３３ａは、再び容器３１内の混合剤４０内に浸漬された状態（図７（ａ）と同じ状態）となる。このとき、欠陥部３は、混合剤４０により覆われた状態となる。そして、混合剤４０が欠陥部３に塗布されると、混合剤４０は、画素電極１２上を欠陥部３の周囲に濡れ広がる。濡れ広がると同時に混合剤４０中の溶媒が揮発して混合剤４０中の絶縁性材料（固形分）の割合が上昇し、粘度が上昇する。混合剤４０の粘度が上昇するにつれて濡れ広がりの速度も遅くなり、やがて、ほぼ濡れ広がりが停止した状態となる。この後、さらに溶媒が揮発し、また、後の工程において加熱されてさらに溶媒が揮発するとともに、絶縁性材料が架橋して、安定した物性を有する絶縁膜４（図３参照）が完成する。
　［１－５．絶縁膜適性試験］
　絶縁膜４で覆われた部分には電流が流れないため、有機発光層１５の絶縁膜４に対応する部分は、非発光領域となる。１つのサブピクセル内で非発光領域が大きいと当該サブピクセルの輝度が低下するため、非発光領域は必要最小限の大きさであることが望ましい。加えて、絶縁膜４には絶縁性を確保するに十分な厚さが必要である。そこで、上記説明した方法において使用される混合剤には、次の３つの特性が求められる。
　第１の特性は、欠陥部３に塗布した後、濡れ広がりがあまり大きくない混合剤が望ましい。
　第２の特性は、欠陥部３に塗布した後、濡れ広がりが落ち着いた状態において十分な膜厚を有するような混合剤が求められる。
　第３の特性は、ニードルによる塗布に適した粘度性質を有し、塗布後に糸引き等の不具合が発生しない粘度の混合剤が求められる。ニードルによる塗布に適した粘度性質とは、増粘速度が低く、安定性が高いことを意味する。
　第１および第２の特性については、粘度の高い混合剤であれば、これらの特性を満たすと考えられる。混合剤が濡れ広がるにつれて徐々に膜厚が薄くなっていくが、混合剤の粘度が高いほど、濡れ広がりにくいため、膜厚も薄くなりにくい。粘度を高くするには、混合剤中の固形分の割合を高くするとよい。
　しかし、粘度が高すぎると、塗布後に糸引き等の問題が発生しやすくなる。
　そこで、沸点の低い溶媒であれば、混合剤中の絶縁性材料の割合が低く、粘度が低い混合剤を用いても、欠陥部３に塗布された後、比較的短時間で溶媒が揮発して粘度が上昇するため、濡れ広がりを抑えることが出来、十分な膜厚を確保することもできると考えられる。
　ところが、欠陥部の被覆作業は、数十枚から数百枚のパネルに対して長時間連続して行われることが多く、且つ、１回の塗布で使用される混合剤の量は微量であるために、混合剤４０が容器３１中に長時間保持される場合が多い。このような場合、溶媒の沸点が低いと、容器３１中に保持されている間に溶媒が揮発していき、増粘していく。すると、糸引き等の問題が発生することとなるほか、乾燥して固化した絶縁性材料により第１の孔３１ａが閉塞されてしまう場合もある。
　従って、上記３つの特性をバランス良く満たす混合剤が望まれる。そこで、溶媒の沸点および固形分の割合を変えた１３種類の混合剤（１番～１３番）について、絶縁膜適性試験を行った。絶縁膜適性試験は、欠陥部を有しない画素電極１２上にニードル塗布法により混合剤４０を塗布して行い、以下の３つの測定項目について測定した。
　１つめは、第１の特性を評価する指標として塗布面積を測定した。塗布面積は、ニードル塗布法により混合剤４０を画素電極上に塗布し、５分後に濡れ広がった混合剤の直径を測定して行った。
　２つめは、第２の特性を評価するために膜厚を測定した。膜厚の測定は、ニードル塗布法により混合剤４０を画素電極上に塗布し、５分後に濡れ広がった混合剤の膜厚を測定して行った。
　３つめは、第３の特性を評価する指標として安定性を測定した。安定性の測定は、上記膜厚の測定を定期的に（例えば、３０分おきに）行い、膜厚が初回の膜厚の１．１倍になるまでの時間を測定して行った。
　上記３つの測定項目について行った絶縁膜適性試験の結果を、図８（ａ）のテーブルに表す。塗布面積については、直径６０μｍ以下をＧｏｏｄとし、６０μｍよりも大きいものについては、ＮＧと判定した。これは非発光領域が６０μｍ以上あると目視で認識できてしまうためである。
　膜厚については、４０ｎｍ以上をＧｏｏｄとし、４０ｎｍよりも小さいものをＮＧとした。平面上の膜厚で４０ｎｍ以上あれば、工程中で最も大きい異物サイズである５μｍの異物を絶縁被覆できるからである。
　安定性については、膜厚が１．１倍になるまでの時間が１２時間以上であれば、Ｇｏｏｄとし、１２時間未満のものについては、ＮＧとした。膜厚の変動が１０％以上になると塗布性に影響を与え、生産ラインにおいて材料交換頻度としては１日２回が限度だからである。
　そして、これら３つの測定項目全てにおいてＧｏｏｄと判定された混合剤については、総合評価をＧｏｏｄとし、１つでもＮＧがあれば、総合評価はＮＧとした。
　図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す１３種類の混合剤についての絶縁膜適性試験の総合評価の結果を、縦軸に溶媒の沸点を、横軸に固形分の割合を取ってグラフ上にプロットした図である。図中の円で囲まれた数字は、混合剤の種類を示す番号である。
　なお、本絶縁膜適性試験に供した混合剤に用いた溶媒は、ＤＰＭＡ（沸点：２１０℃）およびシクロヘキサノール（沸点：１６２℃）、２－オクタノール（沸点：１７８℃）、１－オクタノール（沸点：１９４℃）を使用した。また混合溶媒でもよく、その場合は、各溶媒の沸点にその溶媒の混合比率を乗算し、各溶媒についての前記乗算した値を足し合わせたものを混合溶媒の沸点と定義する。
　また、固形分（％）は、溶媒に対する絶縁性材料の重量比（％）である。
　図８（ｂ）に示すように、総合評価がＧｏｏｄとなった混合剤は、４番，６番，１２番，１３番，および８番の混合剤の点を結ぶ線分により囲まれる領域内に全て位置している。従って、当該領域内に位置する混合剤であれば、安定性、膜厚、塗布面積の全てにおいて、良好な特性を示すと考えられる。
　ここで、４番の混合剤の点と６番の混合剤の点とを結ぶ直線は、数式ｙ＝３．２ｘ＋１４６で表される。また、８番の混合剤の点と１３番の混合剤の点とを結ぶ直線は、数式ｙ＝０．９７ｘ＋２０．５で表される。従って、上記領域は、ｙ軸に溶媒の沸点を、ｘ軸に固形分％をとった場合に、沸点が１７８℃以上２１０℃以下、固形分１０％以上４０％以下の範囲において、直線ｙ＝３．２ｘ＋１４６とｙ＝０．９７ｘ＋２０．５とで囲まれる領域である。
　≪実施の形態２≫
　実施形態１では、欠陥部３は、画素電極１２上の異物であった。しかし、欠陥部３は異物に限られない。実施形態１の欠陥部３の項目において説明したように、画素電極１２よりも下方の異物や突出部が原因で画素電極１２が上方に突出するように形成される場合がある。このような場合、画素電極１２の突出部が欠陥部３となる。
　実施形態２では、欠陥部３が、層間絶縁層１１ｃ表面に形成された突起部が原因で画素電極１２に形成された突出部である場合について、説明する。
　なお、説明の重複を避けるため、実施形態１と同じ構成要素については、同符号を付して、その説明を省略する。以下、後述する実施形態３および各変形例についても同様である。
　図９は、実施形態２に係る有機ＥＬ素子における欠陥部３の被覆方法の概要を模式的に示す断面図である。図９（ａ）は、欠陥部３に混合剤４０を塗布する前の状態を模式的に示す断面図である。図９（ｂ）は、欠陥部３にニードル３３の先端部３３ａが接触している状態を模式的に示す断面図である。図９（ｃ）は、ニードル３３の先端部３３ａが欠陥部３から離間し、欠陥部３が混合剤４０で覆われている状態を模式的に示す断面図である。
　図９（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、層間絶縁層１１ｃ表面に表面突起部５が形成されている。表面突起部５は、層間絶縁層１１ｃを形成する際の露光ムラやマスクの不具合などによって形成される。このような表面突起部５の上に画素電極１２が形成されると、画素電極１２の表面突起部５上に位置する部分が上方に突出するように形成され、欠陥部３となる。このような欠陥部３の上に形成されるホール注入層１３や有機発光層１５等に膜厚の不均一な部分や一部製膜されない部分などが生じることとなる。したがって、このような突出部である欠陥部３についても、絶縁膜４で被覆することが重要である。
　実施形態２における欠陥部３に混合剤４０を塗布して、絶縁性材料により欠陥部３を被覆する被覆工程については、実施形態１における被覆工程と同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
　このように、実施形態２に係る有機ＥＬ素子の欠陥部３についても、実施形態１と同様のニードル塗布法により、欠陥部３を覆うように絶縁膜４を形成することが出来る。そして、この場合においても、実施形態１と同様に、図８（ｂ）の直線および破線で囲まれた領域内に位置する混合剤を用いれば、良好な特性を有する絶縁膜４を形成することが出来ると考えられる。
　≪実施の形態３≫
　実施形態１では、欠陥部３は、画素電極１２上の異物であった。実施形態２では、欠陥部は、画素電極１２よりも下に存在する表面突起部が原因で画素電極１２に形成された突出部であった。しかし、欠陥部３は異物や突出部に限られない。例えば、欠陥部３は凹入部である場合も考えられる。
　図１０は、実施形態３に係る有機ＥＬ素子における欠陥部３の被覆方法の概要を模式的に示す断面図である。図１０（ａ）は、欠陥部３に混合剤４０を塗布する前の状態を模式的に示す断面図である。図１０（ｂ）は、欠陥部３にニードル３３の先端部３３ａが接触している状態を模式的に示す断面図である。図１０（ｃ）は、ニードル３３の先端部３３ａが欠陥部３から離間し、欠陥部３が混合剤４０で覆われている状態を模式的に示す断面図である。
　図１０（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、層間絶縁層１１ｃ表面に表面凹部６が形成されている。表面凹部６は、層間絶縁層１１ｃを形成する際の露光ムラやマスクの不具合によって形成される場合や、層間絶縁層１１ｃにコンタクトホール２（図２参照）を形成する際のマスクの不具合によって形成される場合などがある。このような表面凹部６の上に画素電極１２が形成されると、画素電極１２の表面凹部６上に位置する部分が下方に凹入するように形成され、欠陥部３となる。特に、図１０（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、表面凹部６のエッジ部分において、画素電極１２が一部形成されない個所、所謂段切れが発生した場合、その部分が非発光となる。さらには、段切れ個所の上に積層形成された各機能層にも段切れや局所的に膜厚が非常に薄い部分が形成され、段切れ部分において画素電極と共通電極とが非常に近接してまたは互いに接触して形成された場合、ショート等が発生する原因となる。また、表面凹部６の凹入程度がそれほど大きくなく、画素電極１２が表面凹部６の凹入面に沿って連続的に形成された場合であっても、このような欠陥部３の上にホール注入層１３や有機発光層１５等が形成されると、欠陥部３の凹入のエッジ部分において、膜厚が局所的に薄い部分が形成され、そこに電荷が集中して、劣化が促進され、やがて非発光領域が発生する原因となる。したがって、このような凹入による欠陥部３についても、絶縁膜４で被覆することが重要である。
　実施形態３における欠陥部３に混合剤４０を塗布して、絶縁性材料により欠陥部３を被覆する被覆工程については、実施形態１および実施形態２における被覆工程と同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
　このように、実施形態３に係る有機ＥＬ素子の欠陥部３についても、実施形態１および２と同様のニードル塗布法により、欠陥部３を覆うように絶縁膜４を形成することが出来る。そして、この場合においても、実施形態１と同様に、図８（ｂ）の直線および破線で囲まれた領域内に位置する混合剤を用いれば、良好な特性を有する絶縁膜４を形成することが出来ると考えられる。
　［変形例］
　以上、本発明の構成を実施形態１，２，３に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例を実施することができる。
　（１）上記各実施の形態においては、絶縁膜４を画素電極１２上に形成したが、これに限られない。例えば、ホール注入層１３がスパッタリング法などを用いて、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物により形成される場合には、画素電極１２上ではなく、ホール注入層１３上に絶縁膜４を形成してもよい。
　（２）絶縁膜４は、有機発光層１５の欠陥部３の上方に相当する部分への正孔または電子の供給を抑制すればよいので、必ずしも画素電極１２と有機発光層１５との間に形成されていなくてもよい。例えば、有機発光層１５と共通電極１７との間のいずれかの層間に形成されてもよい。有機発光層１５より下層に絶縁膜４を形成すると、絶縁膜４の端部近傍での有機発光層１５の膜厚分布が悪影響を受ける場合があるが、有機発光層１５より上層に絶縁膜４を形成することで、このような悪影響を除くことができる。
　（３）本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、ホール輸送層、電子注入層、パッシベーション膜、透明導電層などの他の層を更に含む構成とすることもできる。
　本発明の被覆方法および有機ＥＬ素子の製造方法は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等として用いられる有機ＥＬ表示パネル、その製造方法、およびその製造方法において適用される有機ＥＬ素子の欠陥部の被覆方法に好適に利用可能である。
　　１　　有機ＥＬ表示装置
　　３　　欠陥部
　　４　　絶縁膜
　　５　　表面突起部
　　６　　表面凹部
　　１０　有機ＥＬ素子
　　１１　下地基板
　　１１ａ　基板本体部
　　１１ｂ　ＴＦＴ層
　　１１ｃ　層間絶縁層
　　１２　画素電極
　　１３　ホール注入層
　　１４　バンク
　　１４ａ　開口部
　　１５　有機発光層
　　１６　電子輸送層
　　１７　共通電極
　　３０　塗布部
　　３１　容器
　　３１ａ　第１の孔
　　３２　蓋部
　　３２ａ　第２の孔
　　３３　ニードル
　　３３ａ　先端部
　　４０　混合剤
　　１００　有機ＥＬ表示パネル

Claims (7)

  1. 　積層構造における欠陥部を絶縁性材料で被覆する被覆方法であって、
    　前記絶縁性材料と溶媒とを含む混合剤を準備する第１工程と、
    　前記混合剤を、前記欠陥部を覆うように塗布する第２工程と、
    　前記欠陥部を覆うように塗布した前記混合剤中の前記溶媒を蒸発させて、前記欠陥部を前記絶縁性材料により被覆させる第３工程と、を有し、
    　前記溶媒の沸点は１７８℃以上であり、前記混合剤における前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比が１０％以上である
    　ことを特徴とする被覆方法。
  2. 　前記溶媒の沸点は２１０℃以下であり、且つ、前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比は４０％以下である
    　ことを特徴とする請求項１に記載の被覆方法。
  3. 　前記混合剤は、前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比（％）をｘ、前記溶媒の沸点（℃）をｙとした場合に、１０≦ｘ≦２０、１７８≦ｙ≦２１０であって、ｙ≦３．２ｘ＋１４６且つｙ≧０．９７ｘ＋２０．５である
    　ことを特徴とする請求項２に記載の被覆方法。
  4. 　前記第１工程において、前記混合剤は、開口部を有する収容容器に充填されており、
    　前記第２工程において、棒形状を有する塗布部材を前記収容容器の開口部に挿入し、前記塗布部材の先端部に混合剤を付着させた後、前記混合剤を付着させた前記塗布部材の先端部を前記欠陥部に接触させて前記混合剤を前記欠陥部に塗布する
    　ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の被覆方法。
  5. 　前記積層構造は、下地基板と、前記下地基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に積層形成された複数の機能層と、前記複数の機能層上に形成された共通電極と、を有する有機ＥＬ素子であって、
    　前記欠陥部は、前記画素電極と前記共通電極との間に位置する異物、または、前記画素電極および前記複数の機能層に形成された突出部または凹入部である
    　ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の被覆方法。
  6. 　下地基板と、前記下地基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に積層形成された複数の機能層と、前記複数の機能層上に形成された共通電極と、を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
    　前記画素電極が形成された後で、前記共通電極が形成される前に、前記欠陥部を検出する欠陥部検出工程と、
    　前記欠陥部検出工程において欠陥部が検出された場合に、次の機能層または前記共通電極の形成に先立って、前記欠陥部を絶縁性材料で被覆する被覆工程と、を含み、
    　前記被覆工程は、
    　絶縁性材料と溶媒を含む混合剤を準備する第１工程と、
    　前記混合剤を、前記欠陥部を覆うように塗布する第２工程と、
    　前記欠陥部を覆うように塗布した前記混合剤中の前記溶媒を蒸発させて、前記欠陥部を前記絶縁性材料により被覆させる第３工程と、を有し、
    　前記溶媒の沸点は１７８℃以上であり、前記混合剤における前記溶媒に対する前記絶縁性材料の重量比が１０％以上である
    　ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
  7. 　前記欠陥部は、前記画素電極上に位置する
    　ことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
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