WO2013171209A1 - Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements - Google Patents
Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements Download PDFInfo
- Publication number
- WO2013171209A1 WO2013171209A1 PCT/EP2013/059938 EP2013059938W WO2013171209A1 WO 2013171209 A1 WO2013171209 A1 WO 2013171209A1 EP 2013059938 W EP2013059938 W EP 2013059938W WO 2013171209 A1 WO2013171209 A1 WO 2013171209A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- translucent
- electrode
- layer
- protective layer
- halogen
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 126
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 31
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 21
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 ZnO Chemical class 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N oxo-bis(oxoalumanyloxy)titanium Chemical compound O=[Al]O[Ti](=O)O[Al]=O CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100425947 Mus musculus Tnfrsf13b gene Proteins 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- WHXTVQNIFGXMSB-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-[tris(dimethylamino)stannyl]methanamine Chemical compound CN(C)[Sn](N(C)C)(N(C)C)N(C)C WHXTVQNIFGXMSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Definitions
- OLEDs Organic light-emitting diodes
- Illumination purposes and display applications are known and typically have on an anode substrate and above a cathode with interposed organic layers having at least one light-emitting layer.
- OLEDs are distinguished between those that emit light in one direction and those that emit light in two
- Single-sided radiating OLEDs can be designed as so-called “bottom emitters", in which the light is opposite that of the encapsulation
- Substrate is radiated, or as so-called "top
- Two-sided emitting OLEDs are
- the double-sided emitting OLED is also referred to as a transparent OLED.
- Corrosion for example by moisture and / or
- OLEDs which have an encapsulation of a cavity having a glass cover, in which a desiccant is arranged and by means of a
- Adhesive bead can be attached.
- WO 2009/095006 a thin-film encapsulation is known, which is a combination of means of plasma-enhanced chemical
- PECVD plasma-enhanced chemical vapor deposition
- ALD atomic layer deposition
- Precursors used for manufacturing that are known for fast process time such as
- Halogenated starting materials can by their
- Decomposition products such as HBr in the case of BBr3 and HCl in the case of SiCl 4 , TiCl 4 and TaCl, for example, lead to damage of the cathode, whereby the
- At least one object of certain embodiments is to provide an organic light emitting device with a Specify thin-film encapsulation arrangement. At least another object of certain embodiments is to provide a method for producing an organic light
- an organic light-emitting component has a substrate on which a functional layer stack with a first electrode and above this a translucent second electrode is arranged. Between the first and second electrodes, that is above the first electrode and below the translucent second
- Electrode the functional layer stack on an organic functional layer stack with at least one organic light-emitting layer.
- Organic functional layer stack is here and hereafter referred to the entirety of the organic layers of the organic light emitting device, which are arranged between the electrodes, while the
- the organic light-emitting component can be designed in particular as an organic light-emitting diode (OLED), which as an organic light-emitting LED
- Layer has an electroluminescent layer.
- the term "translucent" layer is here and below referred to as a layer that is permeable to visible light, whereby the translucent layer may be transparent, ie transparent, or at least partially light-scattering and / or partially absorbing light, so that the translucent layer For example, it may also be diffuse or milky translucent It is particularly preferable for a layer designated here as translucent to be as transparent as possible, so that in particular the absorption of light is as low as possible.
- a translucent thin-film encapsulation arrangement is arranged above the translucent second electrode.
- translucent thin-film encapsulation arrangement is arranged directly on the translucent second electrode, a translucent protective layer.
- Layer stack provided, which has a first electrode and above a translucent second electrode, between which an organic functional layer stack is arranged with at least one organic light-emitting layer. Furthermore, directly on the
- a translucent thin-film encapsulation is arranged on the translucent protective layer.
- the translucent protective layer has a refractive index which is greater than 1.6.
- the refractive index data here and below relate to the refractive index at a wavelength of about 600 nm.
- the translucent protective layer is made using a halogen-free
- the translucent protective layer means that no halogen-containing starting materials, in particular no halogen-containing metal compounds, are used for the production of the translucent protective layer.
- the translucent protective layer can thus the formation of hydrogen halide compounds such as
- HBr or HCl can be avoided in the case of the known in the prior art halogen-containing starting materials BBr 3 , SiCl 4 , TiCl 4 and TaCl, which could damage, for example, the translucent second electrode.
- Electrode applied layers so the protective layer and the thin-film encapsulation, at the same time the task of optical adjustment in terms of maximum Transparency and optimization of the emission ratio between the substrate-side and the encapsulation-side emission. This can be beneficial to the translucent
- Protective layer may be provided directly on the translucent second electrode as a high-refractive anti-reflection layer on which then the thin-film encapsulation is applied. Also in the case of a top emitter designed organic light emitting device can compared to known OLEDs by the translucent protective layer with the refractive index of greater than 1.6 due to the better
- Antireflection properties for example a better one
- translucent protective layer has a refractive index greater than 1.8 and preferably greater than 2.0.
- Refractive index of greater than 1.6 is applied, caused by the Al 2 O 3 layer loss of transparency in the visible wavelength range and a worse
- the thin-film encapsulation arrangement ie the encapsulation layers of the Thin-film encapsulation assembly applied to the translucent protective layer, for example, also applied using a halogen-containing metal compound that enables efficient industrial fabrication. Due to the halogen-free applied translucent protective layer can thus have the advantage of rapid deposition of
- the thin-film encapsulation arrangement can for this purpose one or more
- encapsulation layers each having a thickness of less than or equal to several 100 nm.
- Suitable materials for the layers of the thin-film encapsulation arrangement are, for example, aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide,
- Titanium oxide hafnium oxide, tantalum oxide.
- the first metal oxide titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide.
- Encapsulation arrangement a layer sequence with a plurality of thin layers, each having a thickness between an atomic layer and 10 nm, wherein the boundaries of the indicating area are included.
- Encapsulation arrangement for example, have at least two layers of different materials.
- the encapsulation arrangement may also comprise at least three or more layers of different materials. Furthermore, the encapsulation arrangement
- the translucent protective layer can also be embodied as an encapsulation layer and thus form a first translucent encapsulation layer over the functional layer stack directly on the translucent second electrode, which together with the translucent
- Thin-film encapsulation arrangement forms an encapsulation.
- the translucent protective layer can also have more than one layer.
- the translucent protective layer can be formed by a stack of layers having at least two layers, each of which by means of a
- the refractive index of the protective layer described herein may be a refractive index averaged over the layers in the case of a layer stack in which the thickness of one or all layers of the protective layer is smaller than the wavelength of the light emitted from the organic light emitting device.
- the translucent protective layer is applied by means of an atomic layer deposition method (ALD).
- ALD atomic layer deposition method
- the thin-film encapsulation arrangement can also be applied by means of ALD.
- ALD is a method
- a first gaseous starting compound is supplied to a volume in which a surface to be coated is provided, so that the first gaseous compound can adsorb on the surface.
- the part of the first starting compound which is still present in gaseous and / or not adsorbed on the surface, usually removed again from the volume and a second
- the second starting compound is intended to chemically react with the first starting compound adsorbed on the surface to form a solid ALD layer.
- Atomisingabscheidung more than two starting compounds can be used.
- the surface to be coated is heated to a temperature above room temperature. Thereby, the reaction for forming the solid ALD layer can be thermally initiated.
- the temperature of the surface to be coated is usually dependent on the starting compounds.
- the ALD method can be used to produce a plasma (PEALD: "plasma-enhanced atomic layer deposition") or in
- Protective layer in particular by means of ALD, at a temperature of less than or equal to 150 ° C, preferably of less than or equal to 120 ° C and particularly preferably less than or equal to 90 ° C. applied.
- the translucent thin-film encapsulation device can also be applied at such a temperature. This can cause damage or negative
- the thin-film encapsulation arrangement may comprise at least one or a plurality of further layers, ie in particular barrier layers and / or
- Passiviansstiken which is deposited by thermal vapor deposition or by means of a plasma-assisted process, such as sputtering or PECVD.
- a plasma-assisted process such as sputtering or PECVD.
- Materials for this may be the aforementioned materials as well as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride,
- encapsulant layers may each have a thickness between 1 nm and 5 ym, and preferably between 1 nm and 400 nm, with the limits of the stated ranges included.
- the translucent protective layer comprises an oxide, in particular a metal oxide, having the aforementioned refractive index, in particular one or more of the following materials: zirconium dioxide (ZrO 2 ), titanium dioxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), hafnium dioxide (HfO 2 ), Tin dioxide (SnO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 Os), vanadium oxide (V 2 Os). Accordingly, with advantage for the procedure for
- the halogen-free metal compound has a halogen-free organometallic
- the halogen-free organometallic compound may comprise, for example, tetrakis (dimethylamine) (TDMA) or an alkoxide, and in particular a halogen-free organometallic compound based on a TDMA or an alkoxide, in particular with one of the metals Zr, Ti, Zn, Hf, Sn, Ta, V.
- TDMA tetrakis (dimethylamine)
- alkoxide a halogen-free organometallic compound based on a TDMA or an alkoxide, in particular with one of the metals Zr, Ti, Zn, Hf, Sn, Ta, V.
- halogen-containing starting compounds such as chlorine-containing compounds
- suitable measuring methods such as
- Metal compounds such as those used in advance and hereinafter, in the prepared layer, can not be given such relative halogen contents
- halogen-free metal compound can be formed, in particular, by one of the following materials, to which exemplary temperatures for ALD processes are given in parentheses with the further starting materials specified in each case for the purpose of forming the respectively indicated materials:
- Tetrakis (dimethylamino) tin H 2 O 2 ; 50 ° C; SnO 2 )
- Ta [N (CH 3 ) 2 ] 5 (0 2 plasma; 100 ° C; Ta 2 0 5 )
- one of the abovementioned materials can be used. Further, one of the following materials may be used, such as those exemplified above in parentheses
- Trimethylaluminum H 2 O, 33 ° C, 42 ° C, A1 2 0 3 .
- Trimethylaluminum (0 3 ; room temperature; A1 2 0 3 )
- Trimethylaluminum (0 2 plasma, room temperature, A1 2 0 3 )
- MeCpPtMe 3 (0 2 plasma + H 2 , 100 ° C, Pt)
- TaCl 5 H 2 O; 80 ° C; Ta 2 0 5 )
- TaCIs H plasma, room temperature, Ta
- a translucent second electrode has a transparent conductive oxide or consists of a transparent conductive oxide.
- Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, usually metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide,
- binary metal oxygen compounds such as ZnO
- Sn0 2 or ln 2 0 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 In 2 0s or In 4 Sn 3 0i 2 or mixtures
- the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.
- the translucent second electrode can be a
- Metal layer or a metal film with a metal or an alloy for example, with one or more of the following materials: Al, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Mg, Ca, Sr, Ba, Ge, Sn, Li, Sm, Y , Yb, Ti, Zr, Zn.
- Metal layer or the metal film has such a small Thickness on that the metal layer or the metal film
- the translucent second electrode may also comprise a combination of at least one or more TCO layers and at least one translucent metal layer.
- Electrodes may be partially alone, in alloys or in combinations, for example, sensitive to
- halogen-containing starting materials in a deposition of a layer directly on the translucent second electrode, as in the deposition itself and / or the conversion to the final oxide by halogen-containing starting materials damage or alteration of the second electrode and
- the substrate comprises one or more materials in the form of a layer, a plate, a foil or a laminate, which are selected from glass, quartz, plastic, metal, silicon wafers.
- the substrate comprises or is glass, for example in the form of a glass layer, glass sheet or glass plate.
- the substrate and the first electrode are formed translucent, so that light generated in the light-emitting layer through the
- the organic light-emitting component may be formed as a bottom emitter and as a top emitter or as a transparent OLED.
- the first electrode is designed to be translucent, then the first electrode may be one of those associated with
- the first electrode has, in particular a TCO. If the first electrode is designed to be reflective, it can have, for example, one or more of the aforementioned metals with a sufficiently large thickness. Alternatively or additionally, the
- reflective formed first electrode also have one or more of the above TCO materials.
- the organic functional layer stack may comprise layers with organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”) or combinations thereof.
- the organic functional layer stack has an organic functional layer which is designed as a hole transport layer in order to allow effective hole injection into the at least one light-emitting layer.
- a hole transport layer for example, tertiary amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or Polyethylendioxythiophen prove to be advantageous.
- emissive layers are materials that use a
- organic functional layer stacks have a functional layer that serves as an electron transport layer
- the layer stack can also have electron and / or hole blocking layers.
- the organic functional layer stack can also be a
- the electrodes can each be designed over a large area. This allows a large-area radiation of the in
- Organic light-emitting layer generated light can be made possible.
- Large area can mean that the organic light-emitting component and in particular the organic light-emitting layer has an area, particularly preferably a contiguous area of greater than or equal to a few square millimeters, preferably greater than or equal to one square centimeter and particularly preferably greater than or equal to one square decimeter having.
- FIGS 1 to 3 show schematic representations of process steps for producing an organic light-emitting device according to several
- FIG. 1 shows an exemplary embodiment of a first embodiment
- the functional layer stack 10 has a first one
- the organic functional layer stack 4 has at least one organic light-emitting layer
- At least one organic light-emitting layer 5 further includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and / or an electron injection layer, which are suitable for making holes and electrons organic light
- the organic functional layer stack 4 may have a plurality of light-emitting layers. Suitable layer structures for the organic functional layer stack 4 are known to the person skilled in the art and therefore will not be further discussed here
- Electrode 3 is translucent and has
- one or more translucent metal layers each having one or more of the following metals: Al, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Mg, Ca, Sr, Ba, Ge, Sn, Li, Sm, Y, Yb, Ti, Zr, Zn.
- Electrode 3 alternatively or additionally have one or more TCOs as described above in the general part,
- the translucent second electrode 3 may also be formed as a multilayer electrode with at least one or more TCO layers and at least one or more translucent metal layers.
- the first electrode 2 as the anode and the second electrode 3 are formed as a cathode.
- the polarities of the electrodes 2, 3 may be reversed.
- the substrate 1 for example in the form of a
- the first electrode 2 formed translucent.
- the first electrode 2 has
- a transparent conductive oxide such as ITO or another material mentioned above in the general part for a transparent electrode.
- the layer stack formed by the substrate 1 and the functional layer stack 10 may form an OLED designed as a top emitter.
- the first electrode 2 may preferably be designed to be reflective, or it may additionally be provided on the substrate 1 a reflective layer which generates the light emitted in the organic light-emitting layer 5 during operation and emitted in the direction of the substrate 1
- functional layer stack 10 It is necessary for functional layer stack 10 to be sensitive to moisture, oxygen and other corrosive gases such as hydrogen sulfide
- Layer stack 10 applied. Since the layer stack described here is designed as a transparent OLED or at least as a top emitter, the encapsulation next to the Protective function for the functional layer stack 10 at the same time fulfill the task of optical adjustment in terms of maximum transparency and optimization of light emission.
- the layers applied to the functional layer stack 10 and described below are produced by means of a
- Atomic layer deposition method (ALD method) applied. It has been shown that in particular the advance for the
- the starting materials for ALD layer formation both in the deposition and in their chemical conversion to the final oxide, the layers of the functional
- Layer stack 10 and in particular the translucent second electrode 3 does not damage or change so that affects the function of the device and / or the
- translucent second electrode 3 applied layers in particular the applied directly on the translucent second electrode 3 layer, a suitable
- the layer applied directly on the translucent second electrode 3 is designed as a high-index antireflection layer.
- Electrode 3 applied a translucent protective layer 6 by means of ALD.
- the translucent protective layer 6 has a refractive index of greater than 1.6, preferably greater than 1.8, and more preferably greater than 2.0.
- the translucent protective layer 6, a metal oxide, preferably Zr0 2 , Ti0 2 , ZnO, Hf0 2 , Sn0 2 , Ta 2 0 5 or V 2 0 5 , which is applied by means of ALD.
- the ALD process is carried out at a temperature of less than or equal to 150 ° C, preferably less than or equal to 120 ° C and most preferably less than or equal to 90 ° C performed.
- a halogen-free metal compound is used as the source of the metal of the translucent protective layer 6.
- halogen-free organometallic compounds having one of the metals Zr, Ti, Zn, Hf, Sn, Ta, V, in particular those based on TDMA or an alkoxide, for example one of the materials mentioned above in the general part, which contains an ALD Deposition at low temperatures, ie temperatures of less than 100 ° C, allow.
- a thin-film encapsulation arrangement 7 is deposited on the translucent protective layer 6, which is preferred
- the encapsulation layers of the thin-film encapsulation 7 may be arbitrary nature and in particular also be applied for example using halogen-containing metal compounds.
- the thin-film encapsulation device 7 can also at least one or more T 1O 2 -
- encapsulation layers but which are applied using TiCl 4 .
- an aluminum-titanium oxide for example, to be deposited using trimethylaluminum and TiCl 4 as the encapsulation layer of the thin-film encapsulation arrangement 7.
- a translucent protective layer 6 of T 1O 2 this may for example be made of Z r0 2 , the halogen-free using a zirconium alcoholate or TDMAZr
- Encapsulation layers of T 1O 2 and / or aluminum-titanium oxide can be applied using halogen-containing metal compounds. Furthermore, it is also possible that, for example, as a translucent protective layer 6 ⁇ 1 ⁇ 2 is applied, via which one of the aforementioned thin-film encapsulation 7 is applied.
- the thin-film encapsulation arrangement 7 can consist of an encapsulation layer or have a plurality of identical or different encapsulation layers. As an alternative to the ALD method, these can be applied at least partially by means of another method, for example by means of PECVD or sputtering.
- the encapsulation arrangement 7 may, for example, comprise at least two layers of different materials. Furthermore, the encapsulation arrangement 7 can also have at least three or more layers of different materials. In addition, as
- Encapsulation arrangement 7 one above the other also several
- Layer stack can be arranged with at least two, three or more layers of different materials.
- the finished, organic, light-emitting component 100 shown in FIG. 3 thus has on the substrate 1 the functional layer stack 10 formed from the first electrode 2, above it the organic functional layer stack 4 with at least one organic layer
- Encapsulation arrangement 7 are applied, wherein the
- translucent protective layer has a refractive index of greater than 1.6. Due to the method described above, one as a top emitter, a double-emitting or a
- transparent OLED can be obtained, which has a high efficiency in terms of light extraction or high transparency, which is coupled with a good
- the translucent protective layer 6 can also be embodied as an encapsulation layer which, together with the thin-film encapsulation arrangement 7 arranged above it, serves to encapsulate the functional layer stack 10.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Es wird ein organisches Licht emittierendes Bauelement angegeben mit einem Substrat (1), auf dem ein funktioneller Schichtenstapel (10) aufgebracht ist, der eine erste Elektrode (2), darüber einen organischen funktionellen Schichtenstapel (4) mit einer organischen Licht emittierenden Schicht (5) und darüber eine transluzente zweite Elektrode (3) aufweist, und einer transluzenten Dünnfilm-Verkapselungsanordnung (7) über der transluzenten zweiten Elektrode (3), wobei zwischen der transluzenten zweiten Elektrode (3) und der Dünnfilm-Verkapselungsanordnung (7) unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode (3) eine transluzente Schutzschicht (6) mit einem Brechungsindex von größer als 1,6 angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements angegeben.
Description
Beschreibung
Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
Es werden ein organisches Licht emittierendes Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht
emittierenden Bauelements angegeben.
Organische lichtemittierende Dioden (OLEDs) sind für
Beleuchtungszwecke und Displayanwendungen bekannt und weisen typischerweise auf einem Substrat eine Anode und darüber eine Kathode mit dazwischen angeordneten organischen Schichten mit zumindest einer lichtemittierenden Schicht auf.
Man unterscheidet bei OLEDs zwischen solchen, die Licht in eine Richtung abstrahlen und solchen, die Licht in zwei
Richtungen abstrahlen. Einseitig abstrahlende OLEDs können als so genannte „bottom emitter" ausgebildet sein, bei denen das Licht durch das der Verkapselung gegenüberliegende
Substrat abgestrahlt wird, oder als so genannte „top
emitter", bei denen das Licht durch die Verkapselung
abgestrahlt wird. Zweiseitig emittierende OLEDs sind
gleichzeitig als Bottom-Emitter und Top-Emitter ausgebildet. Sind alle Schichten einer zweiseitig emittierenden OLED transparent ausgeführt, so wird die zweiseitig emittierende OLED auch als transparente OLED bezeichnet.
Da OLEDs Materialien enthalten, die empfindlich gegen
Korrosion beispielsweise durch Feuchtigkeit und/oder
Sauerstoff sind, müssen diese durch eine Verkapselung
geschützt werden.
Aus den Druckschriften DE 11 2009 002 034 und US 6,692,610 sind beispielsweise OLEDs bekannt, die eine Verkapselung aus einem eine Kavität aufweisenden Glasdeckel aufweisen, in dem ein Trockenmittel angeordnet ist und der mittels einer
Kleberaupe befestigt werden kann.
Weiterhin ist beispielsweise aus der Druckschrift
WO 2009/095006 eine Dünnfilm-Verkapselung bekannt, die eine Kombination von mittels plasmaunterstützter chemischer
Gasphasenabscheidung (PECVD: "plasma-enhanced chemical vapor deposition") und mittels Atomlagenabscheidung (ALD: "atomic layer deposition") aufgebrachten Schichten aufweist.
Für Dünnfilm-Verkapselungen werden oft halogenhaltige
Ausgangsmaterialien ( "precursor" ) zur Herstellung verwendet, die für eine schnelle Prozesszeit bekannt sind wie
beispielsweise BBr3, SiCl4, TiCl4 und TaCls. Halogenhaltige Ausgangsmaterialien können jedoch durch ihre
Zersetzungsprodukte, etwa HBr im Falle von BBr3 und HCl im Falle von SiCl4, TiCl4 und TaCls, beispielsweise zu einer Beschädigung der Kathode führen, wodurch auch die
Verkapselungswirkung der Dünnfilm-Verkapselung komplett verloren gehen kann. Als Schutz gegen solche Beschädigungen der Kathode durch halogenhaltige Ausgangsmaterialien wird im Stand der Technik üblicherweise eine Al203-Schicht als
Zwischenschicht auf der Kathode eingesetzt. Allerdings hat diese Schicht nur einen mäßig hohen Brechungsindex von etwa 1,6, sodass bei als Top-Emitter oder transparent ausgeführten OLEDs keine optimale Lichtauskopplung beziehungsweise
Transparenz erreicht werden kann.
Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein organisches Licht emittierendes Bauelement mit einer
Dünnfilm-Verkapselungsanordnung anzugeben. Zumindest eine weitere Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht
emittierenden Bauelements anzugeben.
Diese Aufgaben werden durch einen Gegenstand und ein
Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des
Gegenstands und des Verfahrens sind in den abhängigen
Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der
nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein organisches Licht emittierendes Bauelement ein Substrat auf, auf dem ein funktioneller Schichtenstapel mit einer ersten Elektrode und über dieser einer transluzenten zweiten Elektrode angeordnet ist. Zwischen der ersten und zweiten Elektrode, also über der ersten Elektrode und unter der transluzenten zweiten
Elektrode, weist der funktionelle Schichtenstapel einen organischen funktionellen Schichtenstapel mit zumindest einer organischen Licht emittierenden Schicht auf. Mit dem
„organischen funktionellen Schichtenstapel" wird hier und im folgenden die Gesamtheit der organischen Schichten des organischen Licht emittierenden Bauelements bezeichnet, die zwischen den Elektroden angeordnet sind, während der
„funktionelle Schichtenstapel" zusätzlich zum organischen funktionellen Schichtenstapel zumindest noch die Elektroden aufweist. Das organische Licht emittierende Bauelement kann insbesondere als organische Licht emittierende Diode (OLED) ausgebildet sein, die als organische Licht emittierende
Schicht eine elektrolumineszierende Schicht aufweist.
Als „transluzente" Schicht wird hier und im Folgenden eine Schicht bezeichnet, die durchlässig für sichtbares Licht ist. Dabei kann die transluzente Schicht transparent, also klar durchscheinend, oder zumindest teilweise Licht streuend und/oder teilweise Licht absorbierend sein, so dass die transluzente Schicht beispielsweise auch diffus oder milchig durchscheinend sein kann. Besonders bevorzugt ist eine hier als transluzent bezeichnete Schicht möglichst transparent ausgebildet, so dass insbesondere die Absorption von Licht so gering wie möglich ist.
Weiterhin ist über der transluzenten zweiten Elektrode eine transluzente Dünnfilm-Verkapselungsanordnung angeordnet.
Zwischen der transluzenten zweiten Elektrode und der
transluzenten Dünnfilm-Verkapselungsanordnung ist unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode eine transluzente Schutzschicht angeordnet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden
Bauelements ein Substrat mit einem funktionellen
Schichtenstapel bereitgestellt, der eine erste Elektrode und darüber eine transluzente zweite Elektrode aufweist, zwischen denen ein organischer funktioneller Schichtenstapel mit zumindest einer organischen lichtemittierenden Schicht angeordnet ist. Weiterhin wird unmittelbar auf der
transluzenten zweiten Elektrode eine transluzente
Schutzschicht aufgebracht. In einem weiteren
Verfahrensschritt wird auf der transluzenten Schutzschicht eine transluzente Dünnfilm-Verkapselungsanordnung angeordnet.
Die im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten gleichermaßen für das organische lichtemittierende
Bauelement und das Verfahren zur Herstellung des organischen lichtemittierenden Bauelements.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die transluzente Schutzschicht einen Brechungsindex auf, der größer als 1,6 ist .
Die Brechungsindexangaben hier und im Folgenden beziehen sich auf den Brechungsindex bei einer Wellenlänge von etwa 600 nm.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die transluzente Schutzschicht unter Verwendung einer halogenfreien
Metallverbindung aufgebracht.
Die Verwendung einer halogenfreien Metallverbindung zur
Herstellung der transluzenten Schutzschicht unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode kann insbesondere
bedeuten, dass keine halogenhaltigen Ausgangsprodukte, insbesondere keine halogenhaltigen Metallverbindungen, zur Herstellung der transluzenten Schutzschicht verwendet werden. Beim Aufbringen der transluzenten Schutzschicht kann somit die Bildung von HalogenwasserstoffVerbindungen wie
beispielsweise HBr oder HCl im Fall der im Stand der Technik bekannten halogenhaltigen Ausgangsmaterialien BBr3, SiCl4, TiCl4 und TaCls vermieden werden, die beispielsweise die transluzente zweite Elektrode schädigen könnten.
Ist das organische lichtemittierende Bauelement als
zweiseitig emittierendes, transluzentes Bauelement
ausgebildet, so haben die auf der transluzenten zweiten
Elektrode aufgebrachten Schichten, also die Schutzschicht sowie die Dünnfilm-Verkapselungsanordnung, gleichzeitig die Aufgabe der optischen Anpassung hinsichtlich einer maximalen
Transparenz und einer Optimierung des Emissionsverhältnisses zwischen der substratseitigen und der verkapselungsseitigen Emission. Hierbei kann mit Vorteil die transluzente
Schutzschicht direkt auf der transluzenten zweiten Elektrode als hochbrechende Antireflexionsschicht vorgesehen sein, auf der dann die Dünnfilm-Verkapselungsanordnung aufgebracht ist. Auch im Fall eines als Top-Emitter ausgeführten organischen Licht emittierenden Bauelements können im Vergleich zu bekannten OLEDs durch die transluzente Schutzschicht mit dem Brechungsindex von größer als 1,6 aufgrund der besseren
Antireflexionseigenschaften zum Beispiel eine bessere
winkelabhängige Farbhomogenität beziehungsweise Vorteile bei der Lichtauskopplung erreicht werden. In beiden Fällen sind die vorteilhaften optischen Eigenschaften mit einer guten Verkapselungswirkung durch die auf der Schutzschicht
aufgebrachten Dünnfilm-Verkapselungsanordnung gekoppelt.
Besonders vorteilhaft kann es auch sein, wenn die
transluzente Schutzschicht einen Brechungsindex von größer als 1,8 und bevorzugt von größer als 2,0 aufweist.
Da bei dem hier beschriebenen organischen lichtemittierenden Bauelement anstelle einer im Stand der Technik bekannten Zwischenschicht aus AI2O3 eine Schutzschicht mit einem
Brechungsindex von größer als 1,6 aufgebracht wird, kann der durch die Al203-Schicht hervorgerufene Verlust an Transparenz im sichtbaren Wellenlängenbereich und eine schlechtere
Auskoppeleffizienz von Licht aufgrund des zu niedrigen
Brechungsindex von AI2O3 durch die hier beschriebene
Schutzschicht vermieden werden.
Weiterhin ist es aber möglich, dass die Dünnfilm- Verkapselungsanordnung, also die Verkapselungsschichten der
Dünnfilm-Verkapselungsanordnung, die auf der transluzenten Schutzschicht aufgebracht werden, beispielsweise auch unter Verwendung einer halogenhaltigen Metallverbindung aufgebracht wird, die eine effiziente industrielle Fertigung ermöglicht. Durch die halogenfrei aufgebrachte transluzente Schutzschicht kann somit der Vorteil der schnellen Abscheidung der
Dünnfilm-Verkapselungsanordnung unter Verwendung von
halogenhaltigen Ausgangsmaterialien weiter genutzt werden. Unter einer Dünnfilm-Verkapselungsanordnung wird eine
Vorrichtung verstanden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Feuchtigkeit, Sauerstoff und/oder gegenüber weiteren
schädigenden Substanzen wie etwa korrosiven Gasen,
beispielsweise Schwefelwasserstoff, zu bilden. Die Dünnfilm- Verkapselungsanordnung kann hierzu eine oder mehrere
Verkapselungsschichten mit jeweils einer Dicke von kleiner oder gleich einigen 100 nm aufweisen. Geeignete Materialien für die Schichten der Dünnfilm-Verkapselungsanordnung sind beispielsweise Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid,
Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid. Bevorzugt weist die
Verkapselungsanordnung eine Schichtenfolge mit einer Mehrzahl der dünnen Schichten auf, die jeweils eine Dicke zwischen einer Atomlage und 10 nm aufweisen können, wobei die Grenzen des angebenden Bereichs eingeschlossen sind. Die
Verkapselungsanordnung kann beispielsweise zumindest zwei Schichten aus unterschiedlichen Materialien aufweisen.
Insbesondere kann die Verkapselungsanordnung auch zumindest drei oder mehr Schichten aus unterschiedlichen Materialien aufweisen. Weiterhin kann die Verkapselungsanordnung
übereinander mehrere Schichtstapel mit jeweils zumindest zwei, drei oder mehr Schichten aus unterschiedlichen
Materialien aufweisen, so dass die die Verkapselungsanordnung
die Schichten aus den unterschiedlichen Materialien
abwechselnd übereinander aufweisen kann.
Insbesondere kann die transluzente Schutzschicht auch als Verkapselungsschicht ausgebildet sein und somit eine erste transluzente Verkapselungsschicht über dem funktionellen Schichtenstapel unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode bilden, die zusammen mit der transluzenten
Dünnfilm-Verkapselungsanordnung eine Verkapselung bildet.
Weiterhin kann die transluzente Schutzschicht auch mehr als eine Schicht aufweisen. Beispielsweise kann die transluzente Schutzschicht durch einen Schichtenstapel mit zumindest zwei Schichten gebildet werden, die jeweils mittels einer
halogenfreien Metallverbindung aufgebracht werden. Der hier beschriebene Brechungsindex der Schutzschicht kann im Falle eines Schichtenstapels, bei dem die Dicke einer oder aller Schichten der Schutzschicht kleiner als die Wellenlänge des vom organischen Licht emittierenden Bauelement emittierten Lichts ist, ein über die Schichten gemittelter Brechungsindex sein .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die transluzente Schutzschicht mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) aufgebracht. Weiterhin kann auch die Dünnfilm- Verkapselungsanordnung mittels ALD aufgebracht werden.
Mit ALD wird vorliegend insbesondere ein Verfahren
bezeichnet, bei dem eine erste gasförmige Ausgangsverbindung einem Volumen zugeführt wird, in dem eine zu beschichtende Oberfläche bereitgestellt ist, so dass die erste gasförmige Verbindung auf der Oberfläche adsorbieren kann. Nach einer bevorzugt vollständigen oder nahezu vollständigen Bedeckung
der Oberfläche mit der ersten Ausgangsverbindung werden der Teil der ersten Ausgangsverbindung, der noch gasförmig und/oder nicht auf der Oberfläche adsorbiert vorliegt, in der Regel wieder aus dem Volumen entfernt und eine zweite
Ausgangsverbindung zugeführt. Die zweite Ausgangsverbindung ist dafür vorgesehen, mit der an der Oberfläche adsorbierten, ersten Ausgangsverbindung unter Bildung einer festen ALD- Schicht chemisch zu reagieren. Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass bei der
Atomlagenabscheidung auch mehr als zwei Ausgangsverbindungen zum Einsatz kommen können.
Bei der Atomlagenabscheidung ist es in der Regel vorteilhaft, wenn die zu beschichtende Oberfläche auf eine Temperatur über Raumtemperatur erhitzt wird. Dadurch kann die Reaktion zur Bildung der festen ALD-Schicht thermisch initiiert werden. Die Temperatur der zu beschichteten Oberfläche ist hierbei in der Regel von den Ausgangsverbindungen abhängig. Weiterhin kann das ALD-Verfahren unter Erzeugung eines Plasmas (PEALD: „plasma-enhanced atomic layer deposition") oder in
Abwesenheit eines Plasmas (PLALD: „plasma-less atomic layer deposition" ) durchgeführte werden. Im Hinblick auf die
Durchführung des ALD-Verfahrens und die dabei verwendeten Materialien und Parameter wird auf die Druckschriften US
2011/0121354 AI, US 2011/0114992 AI und US 2011/0049730 AI verwiesen, die diesbezüglich hiermit ausdrücklich durch
Rückbezug aufgenommen werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die transluzente
Schutzschicht, insbesondere mittels ALD, bei einer Temperatur von kleiner oder gleich 150°C, bevorzugt von kleiner oder gleich 120°C und besonders bevorzugt kleiner oder gleich 90°C
aufgebracht. Die transluzente Dünnfilm-Verkapselungsanordnung kann ebenfalls bei einer solchen Temperatur aufgebracht werden. Dadurch kann eine Schädigung oder negative
Beeinflussung der Schichten des funktionellen
Schichtenstapels bei höheren Temperaturen vermieden werden.
Alternativ oder zusätzlich zu mittels ALD hergestellten dünnen Schichten kann die Dünnfilm-Verkapselungsanordnung zumindest eine oder eine Mehrzahl weiterer Schichten, also insbesondere Barrierenschichten und/oder
Passivierungsschichten, aufweisen, die durch thermisches Aufdampfen oder mittels eines plasmagestützten Prozesses, etwa Sputtern oder PECVD, abgeschieden wird. Geeignete
Materialien dafür können die vorab genannten Materialien sowie Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Siliziumoxinitrid,
Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Aluminiumoxid sowie Mischungen und Legierungen der genannten Materialien sein. Die eine oder die mehreren weiteren
Verkapselungsschichten können beispielsweise jeweils eine Dicke zwischen 1 nm und 5 ym und bevorzugt zwischen 1 nm und 400 nm aufweisen, wobei die Grenzen der angegebenen Bereiche eingeschlossen sind.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die transluzente Schutzschicht ein Oxid, insbesondere ein Metalloxid, mit dem vorgenannten Brechungsindex auf, insbesondere eines oder mehrere der folgenden Materialien: Zirkoniumdioxid (Zr02) , Titandioxid (Ti02) , Zinkoxid (ZnO) , Hafniumdioxid (Hf02) , Zinndioxid (Sn02) , Tantaloxid (Ta2Os) , Vanadiumoxid (V2Os) . Dementsprechend kann mit Vorteil für das Verfahren zur
Herstellung des organischen lichtemittierenden Bauelements eine halogenfreie Metallverbindung zur Herstellung der
transluzenten Schutzschicht verwendet werden, die Zr, Ti, Zn, Hf, Sn, Ta oder V enthält.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die halogenfreie Metallverbindung eine halogenfreie metallorganische
Verbindung auf. Die halogenfreie metallorganische Verbindung kann beispielsweise Tetrakis (dimethylamin) (TDMA) oder ein Alkoholat aufweisen und insbesondere eine halogenfreie, auf einem TDMA oder einem Alkoholat basierende metallorganische Verbindung sein, insbesondere mit einem der Metalle Zr, Ti, Zn, Hf, Sn, Ta, V.
Bei der Verwendung von halogenhaltigen Ausgangsverbindungen wie beispielsweise Chlor-haltigen Verbindungen kann mittels geeigneter Messmethoden, beispielsweise etwa
Massenspektroskopie oder FIB-Analyse (FIB: „focused ion beam") , ein relativer Anteil des Halogens, also
beispielsweise Chlor, in der hergestellten Schicht
nachweisbar sein. Wird hingegen eine halogenfreie
Metallverbindung wie etwa einer der vorab und in Folgenden genannten verwendet, lassen sich in der hergestellten Schicht entsprechend keine solchen relativen Halogenanteile
feststellen. Insbesondere beispielsweise auch durch den
Vergleich einer mittels halogenhaltigen Ausgangsmaterialien hergestellten Schicht und einer mittels halogenfreien
Ausgangsmaterialien hergestellten Schicht kann somit
ermittelbar sein, ob halogenhaltige oder halogenfreie
Ausgangsmaterialien verwendet wurden. Wird kein Halogen wie beispielsweise Chlor in einer Schicht festgestellt, so kann daraus somit der Rückschluss gezogen werden, dass keine entsprechende halogenhaltige, also beispielsweise Chlor¬ haltige, Ausgangsverbindung zu deren Herstellung verwendet wurde .
Die halogenfreie Metallverbindung kann insbesondere durch eines der folgenden Materialien gebildet werden, zu denen in Klammern beispielhafte Temperaturen für ALD-Verfahren mit den jeweils angegebenen weiteren Ausgangsmaterialien zur Bildung der jeweils danach angegebenen Materialien angegeben sind:
- Hf[N(Me2)]4 (H20; 90°C; Hf02)
- Tetrakis (dimethylamino) zinn (H2O2; 50°C; Sn02)
- C12H26N2Sn (H202; 50°C; SnOx)
- Ta[N(CH3)2]5 (02-Plasma; 100°C; Ta205)
- Ti [OCH(CH3) ]4 (H20; 35°C; Ti02)
- VO(OC3H9)3 (02; 90°C; V205)
- Zn(CH2CH3)2 (H20; 60°C; ZnO)
- Zn(CH2CH3)2 (H202; Raumtemperatur; ZnO)
- Tetrakis (dimethylamino) zirkon (H20; 80°C; Zr02)
Für das Aufbringen der transluzenten Dünnfilm- Verkapselungsanordnung mit einer oder mehreren transluzenten Verkapselungsschichten auf der transluzenten Schutzschicht kann eines der vorgenannten Materialien verwendet werden. Weiterhin kann auf eines der folgenden Materialien verwendet werden, zu denen wie oben in Klammern beispielhafte
Temperaturen für ALD-Verfahren mit den jeweils angegebenen weiteren Ausgangsmaterialien zu Bildung der jeweils danach angegebenen Materialien angegeben sind:
- Trimethylaluminium (H20; 33°C, 42°C; A1203)
- Trimethylaluminium (03; Raumtemperatur; A1203)
- Trimethylaluminium (02-Plasma; Raumtemperatur; A1203)
- BBr3 (H20; Raumtemperatur; B203)
- Cd(CH3)2 (H2S; Raumtemperatur; CdS)
- Pd(hfac)2 (H2, 80°C; Pd)
- Pd(hfac)2 (H2-Plasma, 80°C; Pd)
- MeCpPtMe3 (02-Plasma+H2 ; 100°C; Pt)
- MeCpPtMe3 (02-Plasma; 100°C; Pt02)
- Si(NCO)4 (H20; Raumtemperatur; Si02)
- S1CI4 (H20; Raumtemperatur, mit Pyridin-Katalysator ; Si02)
- TaCl5 (H20; 80°C; Ta205)
- TaCIs (H-Plasma; Raumtemperatur; Ta)
- T1CI4 (H-Plasma; Raumtemperatur; Ti)
- TiCl4 (H20; 100°C; Ti02)
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist eine transluzente zweite Elektrode ein transparentes leitendes Oxid auf oder besteht aus einem transparenten leitenden Oxid. Transparente leitende Oxide (TCO: „transparent conductive oxide") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid,
Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 oder ln203 gehören auch ternäre Metallsauerstoff- Verbindungen, wie beispielsweise Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2In20s oder In4Sn30i2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n- dotiert sein.
Weiterhin kann die transluzente zweite Elektrode eine
Metallschicht oder einen Metallfilm mit einem Metall oder einer Legierung aufweisen, beispielsweise mit einem oder mehreren der folgenden Materialien: AI, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Mg, Ca, Sr, Ba, Ge, Sn, Li, Sm, Y, Yb, Ti, Zr, Zn. Die
Metallschicht oder der Metallfilm weist eine derart geringe
Dicke auf, dass die Metallschicht oder der Metallfilm
zumindest teilweise durchlässig für Licht ist.
Die transluzente zweite Elektrode kann auch eine Kombination aus zumindest einer oder mehreren TCO-Schichten und zumindest einer transluzenten Metallschicht aufweisen.
Die genannten Materialien für die transluzente zweite
Elektrode können teilweise alleine, in Legierungen oder in Kombinationen beispielsweise empfindlich gegenüber
halogenhaltigen Ausgangsmaterialien bei einer Abscheidung einer Schicht direkt auf der transluzenten zweiten Elektrode, da bei der Abscheidung selbst und/oder der Umsetzung zum finalen Oxid durch halogenhaltige Ausgangsmaterialien eine Schädigung oder Veränderung der zweiten Elektrode und
möglicherweise auch weiterer Schichten des organischen Licht emittierenden Bauelements hervorgerufen werden kann, die die Funktion des Bauelements beeinflussen und/oder durch die die Verkapselungswirkung gestört werden kann. Wie bereits oben beschrieben ist, kann durch die Abscheidung der hier
beschriebenen transluzenten Schutzschicht unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode unter Verwendung einer halogenfreien Metallverbindung eine solche Schädigung
vermieden werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Substrat eines oder mehrere Materialien in Form einer Schicht, einer Platte, einer Folie oder einem Laminat auf, die ausgewählt sind aus Glas, Quarz, Kunststoff, Metall, Siliziumwafer . Besonders bevorzugt weist das Substrat Glas, beispielsweise in Form einer Glasschicht, Glasfolie oder Glasplatte, auf oder ist daraus .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind das Substrat und die erste Elektrode transluzent ausgebildet, sodass in der Licht emittierenden Schicht erzeugtes Licht durch die
transluzente erste Elektrode und das transluzente Substrat abgestrahlt werden kann. In diesem Fall kann das organische Licht emittierende Bauelement als Bottom-Emitter und als Top- Emitter oder als transparente OLED ausgebildet sein.
Ist die erste Elektrode transluzent ausgebildet, so kann die erste Elektrode eines der im Zusammenhang mit der
transluzenten zweiten Elektrode genannten Materialien
aufweisen, insbesondere ein TCO. Ist die erste Elektrode reflektierend ausgebildet, kann sie beispielsweise eines oder mehrere der vorgenannten Metalle mit einer ausreichend großen Dicke aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die
reflektierend ausgebildete erste Elektrode auch eines oder mehrere der oben genannten TCO-Materialien aufweisen.
Der organische funktionelle Schichtstapel kann Schichten mit organischen Polymeren, organischen Oligomeren, organischen Monomeren, organischen kleinen, nicht-polymeren Molekülen („small molecules") oder Kombinationen daraus aufweisen.
Insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn der organische funktionelle Schichtenstapel eine organische funktionelle Schicht aufweist, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist, um eine effektive Löcherinjektion in die zumindest eine Licht emittierende Schicht zu ermöglichen. Als Materialien für eine Lochtransportschicht können sich beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen als vorteilhaft erweisen. Als
Materialien für die zumindest eine organische Licht
emittierende Schicht eignen sich Materialien, die eine
Strahlungsemission aufgrund von Fluoreszenz oder
Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren,
Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon. Weiterhin kann der
organische funktionelle Schichtenstapel eine funktionelle Schicht aufweisen, die als Elektronentransportschicht
ausgebildet ist. Darüber hinaus kann der Schichtenstapel auch Elektronen- und/oder Löcherblockierschichten aufweisen. Der organische funktionelle Schichtenstapel kann auch eine
Mehrzahl von organischen Licht emittierenden Schichten aufweisen, die zwischen den Elektroden angeordnet sind.
Im Hinblick auf den prinzipiellen Aufbau eines organischen Licht emittierenden Bauelements, dabei beispielsweise im Hinblick auf den Aufbau, die SchichtZusammensetzung und die Materialien des organischen funktionellen Schichtenstapels, wird auf die Druckschrift WO 2010/066245 AI verwiesen, die insbesondere im Bezug auf den Aufbau, die
SchichtZusammensetzung und die Materialien eines organischen Licht emittierenden Bauelements hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Elektroden können jeweils großflächig ausgebildet sein. Dadurch kann eine großflächige Abstrahlung des in der
organischen Licht emittierenden Schicht erzeugten Lichts ermöglicht werden. „Großflächig" kann dabei bedeuten, dass das organische Licht emittierende Bauelement und insbesondere die organische Licht emittierende Schicht eine Fläche, besonders bevorzugt eine zusammenhängende Fläche, von größer oder gleich einigen Quadratmillimetern, bevorzugt größer oder gleich einem QuadratZentimeter und besonders bevorzugt größer oder gleich einem Quadratdezimeter aufweist.
Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und
Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in
Verbindung mit den Figuren beschriebenen
Ausführungsbeispielen .
Die Figuren 1 bis 3 zeigen schematische Darstellungen von Verfahrensschritten zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements gemäß mehreren
Ausführungsbeispielen .
In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel für einen ersten
Verfahrensschritt eines Verfahrens zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements 100 gezeigt, in dem ein Substrat 1 bereits gestellt wird, auf dem ein
funktioneller Schichtenstapel 10 aufgebracht ist.
Der funktionelle Schichtenstapel 10 weist eine erste
Elektrode 2 und darüber einer zweite Elektrode 3 auf, zwischen denen ein organischer funktioneller Schichtenstapel
4 angeordnet ist. Der organische funktionelle Schichtenstapel 4 weist zumindest eine organische Licht emittierende Schicht
5 auf .
Der organische funktionelle Schichtenstapel 4 mit der
zumindest einen organischen Licht emittierenden Schicht 5 weist weiterhin beispielsweise eine Lochinjektionsschicht, eine Löchertransportschicht, eine Elektronenblockierschicht , eine Löcherblockierschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht auf, die geeignet sind, Löcher und Elektronen zur organischen Licht
emittierenden Schicht 5 zu leiten oder den jeweiligen
Transport zu blockieren. Weiterhin ist es auch möglich, dass der organische funktionelle Schichtenstapel 4 mehrere Licht emittierende Schichten aufweist. Geeignete Schichtaufbauten für den organischen funktionellen Schichtenstapel 4 sind dem Fachmann bekannt und werden daher hier nicht weiter
ausgeführt .
Die dem Substrat 1 gegenüber liegend angeordnete zweite
Elektrode 3 ist transluzent ausgebildet und weist
beispielsweise eine oder mehrere transluzente Metallschichten mit jeweils einem oder mehreren der folgenden Metalle auf: AI, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Mg, Ca, Sr, Ba, Ge, Sn, Li, Sm, Y, Yb, Ti, Zr, Zn. Weiterhin kann die transluzente zweite
Elektrode 3 alternativ oder zusätzlich ein oder mehrere TCOs wie oben im allgemeinen Teil beschrieben aufweisen,
beispielsweise ITO. Die transluzente zweite Elektrode 3 kann auch als Mehrschichtelektrode mit zumindest einer oder mehreren TCO-Schichten und zumindest einer oder mehreren transluzenten Metallschichten ausgebildet sein.
Im gezeigten Ausführungsbeispiel sind die erste Elektrode 2 als Anode und die zweite Elektrode 3 als Kathode ausgebildet. Alternativ hierzu können die Polaritäten der Elektroden 2, 3 auch umgekehrt ausgeführt sein.
Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist der durch das Substrat 1 mit dem funktionellen Schichtenstapel 10 gebildete
Schichtenstapel als beidseitig emittierende, transparente OLED ausgeführt. Hierzu sind zusätzlich zur zweiten Elektrode 3 auch das Substrat 1, beispielsweise in Form einer
Glasplatte oder Glasschicht, und die erste Elektrode 2 transluzent ausgebildet. Die erste Elektrode 2 weist
beispielsweise ein transparentes leitendes Oxid wie etwa ITO oder ein anderes oben im allgemeinen Teil genanntes Material für eine transparent ausgeführte Elektrode auf.
Alternativ hierzu ist es auch möglich, dass der durch das Substrat 1 und den funktionellen Schichtenstapel 10 gebildete Schichtenstapel eine als Top-Emitter ausgeführte OLED bilden. Hierzu kann die erste Elektrode 2 bevorzugt reflektierend ausgebildet sein oder es kann auf dem Substrat 1 zusätzlich eine reflektierende Schicht vorgesehen sein, die das in der organischen Licht emittierenden Schicht 5 im Betrieb erzeugte und in Richtung des Substrats 1 abgestrahlte Licht in
Richtung der transluzenten zweiten Elektrode 3 reflektiert.
Da die Materialien für die Elektroden 2, 3, insbesondere die vorab genannten Metalle, sowie auch Materialien des
organischen funktionellen Schichtenstapels 4 empfindlich gegenüber Feuchtigkeit, Sauerstoff und anderen korrosiven Gasen wie etwa Schwefelwasserstoff sein können, ist es erforderlich, den funktionellen Schichtenstapel 10 zu
verkapseln. Hierzu wird, wie in den nachfolgenden
Verfahrensschritten beschrieben ist, eine Dünnfilm- Verkapselungsanordnung 7 über den funktionellen
Schichtenstapel 10 aufgebracht. Da der hier beschriebene Schichtenstapel als transparente OLED oder zumindest als Top- Emitter ausgeführt ist, muss die Verkapselung neben der
Schutzfunktion für den funktionellen Schichtenstapel 10 gleichzeitig die Aufgabe der optischen Anpassung hinsichtlich maximaler Transparenz und Optimierung der Lichtemission erfüllen .
Um eine möglichst hohe Dichtigkeit zu erhalten, werden die auf dem funktionellen Schichtenstapel 10 aufgebrachten, im Folgenden beschriebenen Schichten mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (ALD-Verfahren) aufgebracht. Es hat sich gezeigt, dass insbesondere die vorab für die
transluzente zweite Elektrode 3 genannten Metalle sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser
empfindlich gegenüber halogenhaltigen Ausgangsmaterialien sind, die üblicherweise in ALD-Verfahren zur Herstellung von Verkapselungsschichten verändert werden. Um einen
zuverlässigen Betrieb des organischen lichtemittierenden Bauelements 100 zu gewährleisten, ist es jedoch erforderlich, dass die Ausgangsmaterialien zur ALD-Schichterzeugung sowohl bei der Abscheidung als auch bei ihrer chemischen Umsetzung zum finalen Oxid die Schichten des funktionellen
Schichtenstapels 10 und im speziellen die transluzente zweite Elektrode 3 nicht beschädigen oder so verändern, dass die Funktion des Bauelements beeinflusst und/oder die
Verkapselungswirkung gestört wird.
Weiterhin ist es erforderlich, dass die über der
transluzenten zweiten Elektrode 3 aufgebrachten Schichten, insbesondere die unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode 3 aufgebrachte Schicht, einen geeigneten
Brechungsindex aufweist, so dass aufgrund von daraus
folgenden Antireflexionseigenschaften zum Beispiel eine bessere winkelabhängige Farbhomogenität und/oder eine
effektive Lichtauskopplung bewirkt werden können.
Insbesondere ist es vorteilhaft, wenn die direkt auf der transluzenten zweiten Elektrode 3 aufgebrachte Schicht als hochbrechende Antireflexionsschicht ausgeführt ist. Hierzu wird in einem zweiten Verfahrensschritt gemäß Figur 2 unmittelbar und direkt auf der transluzenten zweiten
Elektrode 3 eine transluzente Schutzschicht 6 mittels ALD aufgebracht. Die transluzente Schutzschicht 6 weist einen Brechungsindex von größer als 1,6, bevorzugt von größer als 1,8 und besonders bevorzugt von größer 2,0 auf. Im gezeigten Ausführungsbeispiel weist die transluzente Schutzschicht 6 ein Metalloxid, bevorzugt Zr02, Ti02, ZnO, Hf02, Sn02, Ta205 oder V205 auf, das mittels ALD aufgebracht wird. Um die Schichten des funktionellen Schichtenstapels 10 während des ALD-Verfahrens nicht negativ zu beeinflussen, wird das ALD- Verfahren bei einer Temperatur von kleiner oder gleich 150°C, bevorzugt von kleiner oder gleich 120°C und besonders bevorzugt bei kleiner oder gleich 90 °C durchgeführt. Als Ausgangsmaterialien für die transluzente Schutzschicht 6 wird eine halogenfreie Metallverbindung als Quelle für das Metall der transluzenten Schutzschicht 6 verwendet. Hierzu werden bevorzugt halogenfreie metallorganische Verbindungen mit einem der Metalle Zr, Ti, Zn, Hf, Sn, Ta, V verwendet, insbesondere solche, die auf TDMA oder einem Alkoholat basieren, beispielsweise eines der oben im allgemeinen Teil genannten Materialien, die eine ALD-Abscheidung bei tiefen Temperaturen, also Temperaturen von weniger als 100°C, ermöglichen. Somit werden beispielsweise zur Abscheidung von Ti02 oder Zr02 als transluzente Schutzschicht 6 als
halogenfreie Metallverbindung Ti [OCH (CH3) ] 4 beziehungsweise Zr(N(CH3)2)4 verwendet.
In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß Figur 3 wird auf der transluzenten Schutzschicht 6 eine Dünnfilm- Verkapselungsanordnung 7 abgeschieden, die bevorzugt
ebenfalls mittels eines ALD-Verfahrens bei den vorgenannten Temperaturen aufgebracht wird. Da die Schichten des
funktionellen Schichtenstapels 10 durch die transluzente Schutzschicht 6 unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode 3 geschützt sind, können die Verkapselungsschichten der Dünnfilm-Verkapselungsanordnung 7 beliebiger Natur sein und insbesondere auch beispielsweise unter Verwendung von halogenhaltigen Metallverbindungen aufgebracht werden.
Wird beispielsweise die transluzente Schutzschicht 6
halogenfrei mittels eines Titanalkoholats zur Bildung von 1O2 abgeschieden, kann die Dünnfilm-Verkapselungsanordnung 7 ebenfalls zumindest eine oder mehrere T 1O2 -
Verkapselungsschichten aufweisen, die aber unter Verwendung von TiCl4 aufgebracht werden. Weiterhin ist es auch möglich, dass als Verkapselungsschicht der Dünnfilm-Verkapselungsanordnung 7 beispielsweise ein Aluminium-Titan-Oxid unter Verwendung von Trimethylaluminium und TiCl4 abgeschieden wird. Anstelle einer transluzenten Schutzschicht 6 aus T 1O2 kann diese beispielsweise auch aus Z r02 sein, das halogenfrei unter Verwendung eines Zirkonalkoholats oder TDMAZr
abgeschieden wird. Darüber können als Dünnfilm- Verkapselungsanordnung 7 die vorgenannten
Verkapselungsschichten aus T 1O2 und/oder Aluminium-Titan-Oxid unter Verwendung von halogenhaltigen Metallverbindungen aufgebracht werden.
Weiterhin ist es auch möglich, dass beispielsweise als transluzente Schutzschicht 6 Η1Ό2 aufgebracht wird, über der eine der vorgenannten Dünnfilm-Verkapselungsanordnungen 7 aufgebracht wird.
Die Dünnfilm-Verkapselungsanordnung 7 kann dabei aus einer Verkapselungsschicht bestehen oder eine Mehrzahl gleicher oder verschiedener Verkapselungsschichten aufweisen. Diese können alternativ zum ALD-Verfahren zumindest teilweise auch mittels eines anderen Verfahrens, beispielsweise mittels PECVD oder Sputtern, aufgebracht werden.
Insbesondere kann die Verkapselungsanordnung 7 beispielsweise zumindest zwei Schichten aus unterschiedlichen Materialien aufweisen. Weiterhin kann die Verkapselungsanordnung 7 auch zumindest drei oder mehr Schichten aus unterschiedlichen Materialien aufweisen. Darüber hinaus können als
Verkapselungsanordnung 7 übereinander auch mehrere
Schichtstapel mit jeweils zumindest zwei, drei oder mehr Schichten aus unterschiedlichen Materialien angeordnet sein.
Das in Figur 3 gezeigte, fertig gestellte, organische, lichtemittierende Bauelement 100 weist somit auf dem Substrat 1 den funktionellen Schichtenstapel 10 gebildet aus der ersten Elektrode 2, darüber der organischen funktionellen Schichtenstapel 4 mit zumindest einer organischen
lichtemittierenden Schicht 5 und darüber der transluzenten zweiten Elektrode 3 auf, über denen unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode 3 die transluzente
Schutzschicht 6 und darüber die Dünnfilm-
Verkapselungsanordnung 7 aufgebracht sind, wobei die
transluzente Schutzschicht einen Brechungsindex von größer als 1,6 aufweist.
Aufgrund des vorab beschriebenen Verfahrens kann eine als Top-Emitter, eine beidseitig emittierende oder eine
transparente OLED erhalten werden, die eine hohe Effizienz hinsichtlich der Lichtauskopplung beziehungsweise eine hohe Transparenz aufweist, die gekoppelt ist mit einer guten
Verkapselungswirkung . Durch die Einführung der halogenfrei aufgebrachten Schutzschicht 6 kann man den Vorteil der schnellen ALD-Abscheidung mit halogenhaltigen
Ausgangsmaterialien weiterhin nutzen, ohne dass es zu einer Schädigung der Schichten des funktionellen Schichtenstapels 10 kommt. Insbesondere kann die transluzente Schutzschicht 6 auch als Verkapselungsschicht ausgebildet sein, die zusammen mit der darüber angeordneten Dünnfilm-Verkapselungsanordnung 7 der Verkapselung des funktionellen Schichtenstapels 10 dient .
Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen
Ausführungsbeispiele können alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß den oben im allgemeinen Teil
beschriebenen Ausführungsformen aufweisen.
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 10 2012 208 142.9, deren
Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Claims
1. Organisches Licht emittierendes Bauelement mit
einem Substrat (1), auf dem ein funktioneller
Schichtenstapel (10) aufgebracht ist, der eine erste Elektrode (2), darüber einen organischen funktionellen Schichtenstapel (4) mit einer organischen Licht
emittierenden Schicht (5) und darüber eine transluzente zweite Elektrode (3) aufweist, und
einer transluzenten Dünnfilm-Verkapselungsanordnung (7) über der transluzenten zweiten Elektrode (3) ,
wobei zwischen der transluzenten zweiten Elektrode (3) und der Dünnfilm-Verkapselungsanordnung (7) unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode (3) eine
transluzente Schutzschicht (6) mit einem Brechungsindex von größer als 1,6 angeordnet ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, wobei die Schutzschicht (6) einen Brechungsindex von größer als 1,8 und bevorzugt von größer als 2,0 aufweist.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die
Schutzschicht (6) eines oder mehrere der folgenden
Materialien aufweist: Zirkoniumdioxid, Titandioxid, Zinkoxid, Hafniumdioxid, Zinndioxid, Tantaloxid,
Vanadiumoxid .
4. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Schutzschicht (6) halogenfrei ist.
5. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Substrat (1) und die erste Elektrode (2) transluzent sind .
Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements mit den Schritten:
- Bereitstellen eines Substrats (1), auf dem ein
funktioneller Schichtenstapel (10) aufgebracht ist, der eine erste Elektrode (2), darüber einen organischen funktionellen Schichtenstapel (4) mit einer organischen Licht emittierenden Schicht (5) und darüber eine
transluzente zweite Elektrode (3) aufweist,
- Aufbringen einer transluzenten Schutzschicht (6) unmittelbar auf der transluzenten zweiten Elektrode (3) unter Verwendung einer halogenfreien Metallverbindung, wobei die Schutzschicht (6) einen Brechungsindex von größer als 1,
6 aufweist, und
- Aufbringen einer transluzenten Dünnfilm- Verkapselungsanordnung
(7) auf der transluzenten
Schutzschicht (6).
Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Schutzschicht (6) einen Brechungsindex von größer als 1,
8 und bevorzugt von größer als 2,0 aufweist.
Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, bei dem die
Schutzschicht (6) und die Dünnfilm- Verkapselungsanordnung (7) jeweils mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens aufgebracht werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, bei dem die Schutzschicht (6) bei einer Temperatur von kleiner oder gleich 150°C. aufgebracht wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Schutzschicht (6) bei einer Temperatur von kleiner oder gleich 120°C und bevorzugt von kleiner oder gleich 90°C aufgebracht wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, bei dem als halogenfreie Metallverbindung eine halogenfreie
metallorganische Verbindung verwendet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem die halogenfrei
metallorganische Verbindung ein Tetrakis (dimethylamin) oder ein Alkoholat aufweist.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, bei dem die
halogenfrei Metallverbindung Zr, Ti, Zn, Hf, Sn, Ta oder V enthält.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 13, bei dem die Dünnfilm-Verkapselungsanordnung (7) unter Verwendung einer halogenhaltigen Metallverbindung aufgebracht wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 14, bei dem die transluzente zweite Elektrode (3) eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweist: ein transparentes leitfähiges Oxid, AI, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Mg, Ca, Sr, Ba, Ge, Sn, Li, Sm, Y, Yb, Ti, Zr, Zn.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015512031A JP6038295B2 (ja) | 2012-05-15 | 2013-05-14 | 有機発光素子および有機発光素子の製造方法 |
| US14/398,821 US9419244B2 (en) | 2012-05-15 | 2013-05-14 | Organic light-emitting element and method of producing an organic light-emitting element |
| KR1020147035071A KR20150035605A (ko) | 2012-05-15 | 2013-05-14 | 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 제조 방법 |
| CN201380025741.9A CN104584253A (zh) | 2012-05-15 | 2013-05-14 | 有机发光器件和用于制造有机发光器件的方法 |
| US15/207,711 US9685633B2 (en) | 2012-05-15 | 2016-07-12 | Organic light-emitting element and method of producing an organic light-emitting element |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012208142.9A DE102012208142B4 (de) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements |
| DE102012208142.9 | 2012-05-15 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| US14/398,821 A-371-Of-International US9419244B2 (en) | 2012-05-15 | 2013-05-14 | Organic light-emitting element and method of producing an organic light-emitting element |
| US15/207,711 Continuation US9685633B2 (en) | 2012-05-15 | 2016-07-12 | Organic light-emitting element and method of producing an organic light-emitting element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2013171209A1 true WO2013171209A1 (de) | 2013-11-21 |
Family
ID=48430799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2013/059938 WO2013171209A1 (de) | 2012-05-15 | 2013-05-14 | Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9419244B2 (de) |
| JP (1) | JP6038295B2 (de) |
| KR (1) | KR20150035605A (de) |
| CN (1) | CN104584253A (de) |
| DE (1) | DE102012208142B4 (de) |
| WO (1) | WO2013171209A1 (de) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681768B (zh) * | 2013-12-20 | 2017-01-11 | 合肥京东方光电科技有限公司 | Oled显示器件及其制备方法、oled显示装置 |
| DE102015100174B4 (de) * | 2015-01-08 | 2022-10-27 | Pictiva Displays International Limited | Organisches lichtemittierendes Bauelement, organische lichtemittierende Baugruppe und Verfahren zum Betreiben des organischen lichtemittierenden Bauelements oder der organischen lichtemittierenden Baugruppe |
| CN107615881B (zh) * | 2015-05-29 | 2019-08-27 | 富士胶片株式会社 | 有机电致发光显示装置 |
| DE102016219060A1 (de) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung mit Reflektionseigenschaft |
| EP3421278B1 (de) * | 2017-06-29 | 2022-10-19 | PLASMAN Europe AB | Beleuchtete zierleiste |
| TWI626776B (zh) * | 2017-08-17 | 2018-06-11 | 華碩電腦股份有限公司 | 可撓式顯示器及其製造方法 |
| CN109427997B (zh) * | 2017-08-31 | 2021-07-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示装置及oled显示装置的制备方法 |
| CN109437278A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-03-08 | 复旦大学 | 一种基于氧化铜-氧化锡核壳纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用 |
| KR20200082763A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6692610B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-02-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oled packaging |
| US20080272367A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Cok Ronald S | Light-emitting device having improved light output |
| US20080286448A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Elam Jeffrey W | Synthesis of transparent conducting oxide coatings |
| WO2009095006A1 (de) | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorrichtung mit verkapselungsanordnung |
| WO2010066245A1 (de) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische leuchtdiode und beleuchtungsmittel |
| DE112009002034T5 (de) | 2008-08-21 | 2011-06-30 | Cambridge Display Technology Ltd. | Organisches elektrolumineszierendes Bauelement |
| US20120098022A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | Institute Of Nuclear Energy Research Atomic Energy Council, Executive Yuan | Packaging structure and method for oled |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272594A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜ｅｌパネル |
| US5896005A (en) | 1997-01-29 | 1999-04-20 | Copytele, Inc. | High speed solid state optical display |
| JP4062981B2 (ja) | 2002-06-14 | 2008-03-19 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ素子 |
| CN1661820A (zh) | 2004-02-26 | 2005-08-31 | 元砷光电科技股份有限公司 | 发光二极管 |
| JP5464775B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2014-04-09 | エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | 低温での金属酸化物膜の製造方法 |
| JP4722746B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | Ｅｌ装置 |
| US20080100202A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-01 | Cok Ronald S | Process for forming oled conductive protective layer |
| CN1971936A (zh) | 2006-11-30 | 2007-05-30 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机发光显示器件电极基板 |
| US8053365B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Methods for forming all tungsten contacts and lines |
| AU2009234506B2 (en) * | 2008-04-09 | 2013-11-21 | Agency For Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
| KR101084267B1 (ko) * | 2009-02-26 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| DE102009024411A1 (de) | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement |
| JP5210267B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2013-06-12 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光装置及びその製造方法 |
| KR20130143547A (ko) * | 2010-07-16 | 2013-12-31 | 에이쥐씨 글래스 유럽 | 유기발광소자용 반투명 전도성 기재 |
| DE102011084276B4 (de) | 2011-10-11 | 2019-10-10 | Osram Oled Gmbh | Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement, ein organisches elektronisches bauelement mit der verkapselung und ein verfahren zur herstellung eines organischen elektronischen bauelements mit der verkapselung |
-
2012
- 2012-05-15 DE DE102012208142.9A patent/DE102012208142B4/de active Active
-
2013
- 2013-05-14 KR KR1020147035071A patent/KR20150035605A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-05-14 WO PCT/EP2013/059938 patent/WO2013171209A1/de active Application Filing
- 2013-05-14 CN CN201380025741.9A patent/CN104584253A/zh active Pending
- 2013-05-14 JP JP2015512031A patent/JP6038295B2/ja active Active
- 2013-05-14 US US14/398,821 patent/US9419244B2/en active Active
-
2016
- 2016-07-12 US US15/207,711 patent/US9685633B2/en active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6692610B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-02-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oled packaging |
| US20080272367A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Cok Ronald S | Light-emitting device having improved light output |
| US20080286448A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Elam Jeffrey W | Synthesis of transparent conducting oxide coatings |
| WO2009095006A1 (de) | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorrichtung mit verkapselungsanordnung |
| WO2009094997A1 (de) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement |
| US20110049730A1 (en) | 2008-01-30 | 2011-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Device Comprising an Encapsulation Unit |
| US20110114992A1 (en) | 2008-01-30 | 2011-05-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for Producing an Electronic Component and Electronic Component |
| US20110121354A1 (en) | 2008-01-30 | 2011-05-26 | Osram Optp Semiconductors Gmbh | Method for Producing an Electronic Component and Electronic Component |
| DE112009002034T5 (de) | 2008-08-21 | 2011-06-30 | Cambridge Display Technology Ltd. | Organisches elektrolumineszierendes Bauelement |
| WO2010066245A1 (de) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische leuchtdiode und beleuchtungsmittel |
| US20120098022A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | Institute Of Nuclear Energy Research Atomic Energy Council, Executive Yuan | Packaging structure and method for oled |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6038295B2 (ja) | 2016-12-07 |
| US20150129846A1 (en) | 2015-05-14 |
| US20160322605A1 (en) | 2016-11-03 |
| US9685633B2 (en) | 2017-06-20 |
| KR20150035605A (ko) | 2015-04-06 |
| CN104584253A (zh) | 2015-04-29 |
| US9419244B2 (en) | 2016-08-16 |
| JP2015520485A (ja) | 2015-07-16 |
| DE102012208142B4 (de) | 2021-05-12 |
| DE102012208142A1 (de) | 2013-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102012208142B4 (de) | Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements | |
| EP2425037A1 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
| EP0817281B1 (de) | Organisches elektrolumineszentes Bauteil mit Ladungstransportschicht | |
| DE102011086168B4 (de) | Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements | |
| DE102010040839B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektronsichen Bauelements und elektronisches Bauelement | |
| WO2005104261A1 (de) | Organisches, elektro-optisches element mit erhöhter auskoppeleffizienz | |
| WO2015007920A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement | |
| DE102011084437A1 (de) | Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements | |
| DE102012221080A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Oberflächenbereich eines elektronischen Bauelements | |
| WO2014005766A1 (de) | Organisches licht emittierendes bauelement | |
| WO2013007485A1 (de) | Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelements | |
| EP2715826A1 (de) | Organisches elektrolumineszierendes bauelement | |
| DE102011079048A1 (de) | Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements | |
| EP2460204A1 (de) | Elektronisches bauelement sowie elektrischer kontakt | |
| WO2012123196A1 (de) | Organisches optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements | |
| DE102010042982A1 (de) | Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements | |
| WO2015172961A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer isolatorschicht, verfahren zur herstellung eines organischen optoelektronischen bauelements umfassend eine isolatorschicht und organisches optoelektronisches bauelement umfassend eine isolatorschicht | |
| DE102013210942A1 (de) | Substrat zur Lichtextraktion für eine organische lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung des Substrats | |
| WO2013007488A1 (de) | Organisches optoelektronisches bauteil und verfahren zu dessen herstellung | |
| EP2936583A2 (de) | Verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelementes und organisches lichtemittierendes bauelement | |
| DE102012109209B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement | |
| JP2011077043A (ja) | 電極 | |
| WO2015169643A1 (de) | Organisches licht emittierendes bauelement | |
| DE102014222946A1 (de) | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements | |
| WO2016180815A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer ladungsträgererzeugungsschicht, verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements mit einer ladungsträgererzeugungsschicht und organisches licht emittierendes bauelement mit einer ladungsträgererzeugungsschicht |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 13722449 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 14398821 Country of ref document: US |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2015512031 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20147035071 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 13722449 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |