CN1971936A - 一种有机发光显示器件电极基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光显示器件电极基板，其导线区结构顺次包括电极层、导线层及保护层；保护层中含有钒、铟、锌或镍元素中的一种或几种。本发明的导线层采用银、铜、铝金属或含银、铜、铝的合金、混合物，电极的电阻降低，显示器显示效率提高，但这些材料易受环境中氧、硫等元素的破坏，因此在导线层上设置含有钒、铟、锌或镍元素的保护层，即利用其在室温下对氧、硫的稳定性，并耐盐酸、稀硫酸、碱溶液的特性，用以防止导线层的变质；同时导线层的蚀刻液通常采用磷酸、硝酸、氢氟酸或浓硫酸及水以一定比例配制而成，而这些酸对钒、铟、锌或镍都有腐蚀作用，因此导线层、保护层可同步蚀刻。
Description
技术领域
本发明涉及一种电极基板，尤其涉及一种有机发光显示器件电极基板。
背景技术
有机电致发光显示器(OLED)具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，具有广阔的应用前景。其中，OLED显示屏所使用的电极基板是决定器件性能的关键结构之一，通常由玻璃基板及其上附着的电极层结构组成。
为了进一步降低导线的压降，具有较低电阻率的金属导线层多被采用。铬、铜、钼、铝、银等金属都被采用。其中，铜、铝、银等金属由于具备更低的电阻率，从而使得产品具有更低的驱动电压，进而降低显示器的整体功耗。
但铝在较高温及大电流流动的情况下容易产生突出物(hillock)，致使导电线产生短路或断路的情况，导致显示面板产生可靠度的问题。而铜、银虽在导电性能上更加优异，但铜、银表面极易发生氧化。例如，银对硫、氨、氯及氧等气氛抵抗力不强，长时间使用会导致银薄膜劣化，电阻上升，进而使得屏体的发光效率下降。
申请号为03155743.0的中国专利申请公开了一种以金属钛或钛合金为保护层的银基板，利用金属钛或钛合金表面形成的二氧化钛保护银薄膜，并对其下的银导线层形成保护。二氧化钛薄膜在空气中具有良好的热稳定性能，从而使得基板在存储和加工过程中的稳定性得到了明显的改善，但由于二氧化钛过于致密，该层的蚀刻工序极其困难，使得基板的蚀刻节拍明显延长。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有保护效果好，且蚀刻工艺简单的导线层保护层的有机发光显示器件电极基板。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的：本发明之显示器件的导线区结构包括电极层、导线层及保护层；其特征在于，所述保护层中含有钒元素、铟元素、锌元素或镍元素中的一种或几种。
所述保护层的材质为钒金属、含有金属钒的混合物、含钒元素的化合物、钒合金、铟金属、含有金属铟的混合物、含铟元素的化合物、铟合金、锌金属、含有金属锌的混合物、含锌元素的化合物、锌合金、镍金属、含有金属镍的混合物、含镍元素的化合物或镍合金。
所述保护层最好为1nm～20nm的金属钒、金属铟、金属锌或金属镍与金属钯、锰、铍、锌、钒、镉、锂、锆、铝、铟、铂、钛、镍、铬、钴、镓、锡、钼、锗、稀土金属中的一种或一种以上金属的混合物。
所述保护层优选为1nm～20nm的金属钒和氧化钒的叠层结构、金属铟和氧化铟的叠层结构、金属锌和氧化锌的叠层结构、金属镍和氧化镍的叠层结构。
所述保护层进一步优选为1nm～20nm的氧化钒、氧化铟、氧化锌或氧化镍。
所述保护层更进一步优选为1nm～20nm的钒、铟、锌或镍与钯、锰、铍、锌、钒、镉、锂、锆、铝、铟、铂、镍、铬、钴、镓、锡、钼、锗、稀土金属中的一种或一种以上金属的合金。
所述保护层中钒元素、铟元素、锌元素或镍元素的比例为90％～99.9％。
所述导线层为银金属、银合金、含有银金属的混合物、铜金属、铜合金、含有铜金属的混合物、铝金属、铝合金或含有铝金属的混合物。
所述导线层的厚度为100nm～600nm。
本发明的导线层采用银、铜、铝金属或含银、铜、铝的合金、混合物，电极的电阻降低，显示器显示效率提高，但这些材料易受到环境中氧、硫等元素的破坏，因此在导线层上设置含有钒、铟、锌或镍元素的保护层，即利用其在室温下对氧、硫的稳定性，并耐盐酸、稀硫酸、碱溶液的特性，用以防止导线层的变质；同时导线层的刻蚀液通常采用磷酸、硝酸、氢氟酸或浓硫酸及水以一定比例配制而成，而这些酸对钒、铟、锌或镍都有腐蚀作用，即含有钒、铟、锌或镍元素的保护层也可使用同样的蚀刻液，因此导线层、保护层可以同步蚀刻。
附图说明
图1为本发明实施例1-4的蚀刻前结构示意图。
图2为本发明实施例1-4的蚀刻后结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
参照图1、2。本实施例之有机发光显示器件电极基板包括充当电极层1的ITO(150nm)，充当导线层2的银金属(160nm)，在其上采用溅射的方法，制备钒金属保护层3，厚度为15nm。
金属银导线层2和金属钒保护层3采用体积比为磷酸∶硝酸∶水＝9∶1∶3的蚀刻液进行同时蚀刻，蚀刻速率为40A/s。其下的ITO采用体积比为硝酸∶盐酸∶水＝1∶10∶10的蚀刻液进行蚀刻，蚀刻速率为10A/s。通过上述条件，可以制备出如图2的结构。导线层2表面方阻为0.1ohm/sq，120℃下加热30分钟，表面方阻为0.11ohm/sq，呈现良好的稳定性能。
实施例2
参照图1、2。本实施例之有机发光显示器件电极基板包括充当电极层1的ITO(150nm)，充当导线层2的铝金属(300nm)。在其上采用双源蒸镀的方法，蒸镀金属铟和金属钯的混合物作为保护层3，金属铟和金属钯的蒸镀质量比例控制为9.5∶1的金属混合层，即保护层3的厚度为15nm。
金属铝的导线层2及金属铟、金属钯混合物的保护层3采用体积比为磷酸∶硝酸∶水＝8∶1∶3的蚀刻液进行同时蚀刻，蚀刻速率为30A/s。其下的ITO采用体积比为硝酸∶盐酸∶水＝1∶10∶10的蚀刻液进行蚀刻，蚀刻速率为10A/s。通过上述条件，可以制备出如图2的结构。导线层2表面方阻为0.2ohm/sq，120℃下加热30分钟，表面方阻为0.23ohm/sq，呈现良好的稳定性能。
实施例3
参照图1、2。本实施例之有机发光显示器件电极基板包括充当电极层1的ITO(150nm)，充当导线层2的铜银合金(300nm)，铜银合金的组成为铜∶银＝1∶9。在其上采用溅射的方法，溅射氧化锌做为保护层3，保护层3的厚度为12nm。
铜银合金导线层2和氧化锌保护层3采用体积比为磷酸∶硝酸∶水＝9∶2∶3的蚀刻液进行同时蚀刻，蚀刻速率为60A/s。其下的ITO采用体积比为硝酸∶盐酸∶水＝1∶10∶10的蚀刻液进行蚀刻，蚀刻速率为10A/s。通过上述条件，可以制备出如图2的结构。导线层2表面方阻为0.25ohm/sq，120℃下加热30分钟，表面方阻为0.3ohm/sq，呈现良好的稳定性能。
实施例4
参照图1、2。本实施例之有机发光显示器件电极基板包括充当电极层1的ITO(150nm)，充当导线层2的铜银合金(300nm)，铜银合金的组成为铜∶银＝1∶9。在其上采用溅射的方法，溅射金属镍及氧化镍的叠层结构做为保护层3，保护层3的厚度为14nm。
铜银合金导线层2和金属镍及氧化镍的叠层结构的保护层3采用体积比为磷酸∶硝酸∶水＝8∶2∶3的蚀刻液进行同时蚀刻，蚀刻速率为40A/s。其下的ITO采用体积比为硝酸∶盐酸∶水＝1∶10∶10的蚀刻液进行蚀刻，蚀刻速率为10A/s。通过上述条件，可以制备出如图2的结构。导线层2表面方阻为0.16ohm/sq，120℃下加热30分钟，表面方阻为0.18ohm/sq，呈现良好的稳定性能。
虽然以上描述了本发明的最佳实施例，但本发明的技术范围并不局限于上述讨论的范围。上述提供的实施例只是仅仅用于进一步在发明内容的基础上解释本发明。应该理解的是，本领域的技术人员可以对上述过程做出多种改进，但是所有的这类改进也都属于本发明的范围内。
Claims (9)
1.一种有机发光显示器件电极基板，其导线区结构顺次包括电极层、导线层及保护层；其特征在于，所述保护层中含有钒元素、铟元素、锌元素或镍元素中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件电极基板，其特征在于，所述保护层的材质为钒金属、含有金属钒的混合物、含钒元素的化合物、钒合金、铟金属、含有金属铟的混合物、含铟元素的化合物、铟合金、锌金属、含有金属锌的混合物、含锌元素的化合物、锌合金、镍金属、含有金属镍的混合物、含镍元素的化合物或镍合金。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示器件电极基板，其特征在于，所述保护层为1nm～20nm的金属钒、金属铟、金属锌或金属镍与金属钯、锰、铍、锌、钒、镉、锂、锆、铝、铟、铂、钛、镍、铬、钴、镓、锡、钼、锗、稀土金属中的一种或一种以上金属的混合物。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示器件电极基板，其特征在于，所述保护层为1nm～20nm的钒、铟、锌或镍与钯、锰、铍、锌、钒、镉、锂、锆、铝、铟、铂、镍、铬、钴、镓、锡、钼、锗、稀土金属中的一种或一种以上金属的合金。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示器件电极基板，其特征在于，所述保护层为1nm～20nm的氧化钒、氧化铟、氧化锌或氧化镍。
6.根据权利要求2所述的有机发光显示器件电极基板，其特征在于，所述保护层为1nm～20nm的金属钒和氧化钒的叠层结构、金属铟和氧化铟的叠层结构、金属锌和氧化锌的叠层结构、金属镍和氧化镍的叠层结构。
7.根据权利要求1～6任一项所述的有机发光显示器件电极基板，其特征在于，所述保护层中钒元素、铟元素、锌元素或镍元素的比例为90％～99.9％。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示器件电极基板，其特征在于，所述导线层为银金属、银合金、含有银金属的混合物、铜金属、铜合金、含有铜金属的混合物、铝金属、铝合金或含有铝金属的混合物。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示器件的电极基板，其特征在于，所述导线层的厚度为100nm～600nm。
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| CN102610760A (zh) * | 2011-12-15 | 2012-07-25 | 友达光电股份有限公司 | 发光装置及其制作方法 |
| US9685633B2 (en) | 2012-05-15 | 2017-06-20 | Osram Oled Gmbh | Organic light-emitting element and method of producing an organic light-emitting element |
| CN109887983A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板、显示面板以及基板的制备方法 |
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