CN204333041U - 一种多层结构的有机发光二极管 - Google Patents
一种多层结构的有机发光二极管 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种多层结构的有机发光二极管，包括自上而下顺次叠放的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极层和玻璃基板，其特征在于，所述阴极层是MgAg合金层，所述阳极层是导电玻璃层，所述空穴注入层和导电玻璃层之间还设置有缓冲层，所述缓冲层是绝缘物质层且厚度为0.6-1.8nm，所述空穴注入层是PEDOT层。优选，所述缓冲层可以是二氧化硅层，或者是氟化锂层。优选，电子注入层是碱金属化合物层或碱金属氟化物层。对现有的多层结构进行改进，提高空穴注入层的电荷注入效率、降低驱动电压。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多层结构的有机发光二极管。
背景技术
有机发光二极管又称为有机电激光显示，具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，而且OLED显示屏幕可视角度大，并且能够节省电能。常见的有三层结构和多层结构，其中，多层结构是在三层结构的基础上，加入了电子注入层和空穴注入层，但是，空穴注入层的电荷注入效率比较低，而且驱动电压比较高。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型提供一种多层结构的有机发光二极管，对现有的多层结构进行改进，提高空穴注入层的电荷注入效率、降低驱动电压。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：
一种多层结构的有机发光二极管，包括自上而下顺次叠放的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极层和玻璃基板，其特征在于，所述阴极层是MgAg合金层，所述阳极层是导电玻璃层，所述空穴注入层和导电玻璃层之间还设置有缓冲层，所述缓冲层是绝缘物质层且厚度为0.6-1.8nm，所述空穴注入层是PEDOT层。
优选，所述缓冲层可以是二氧化硅层，或者是氟化锂层。
优选，电子注入层是碱金属化合物层或碱金属氟化物层。
空穴注入层增加了界面之间的电荷注入，可以提高器件的效率和寿命，采用PEDOT层结构可以将缓冲层的表面平整化，减少器件短路的概率，降低器件的起始电压；缓冲层提高空穴注入层的电荷注入效率、降低驱动电压；电子注入层帮助电子或空穴更有效的从电极注入电子传输层。
本实用新型的有益效果是：对现有的多层结构进行改进，提高空穴注入层的电荷注入效率、降低驱动电压。
附图说明
图1是本实用新型一种多层结构的有机发光二极管的结构示意图；
附图的标记含义如下：
1：MgAg合金层；2：电子注入层；3：电子传输层；4：发光层；5：空穴传输层；6：空穴注入层；7：缓冲层；8：导电玻璃层；9：玻璃基板。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本实用新型技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
一种多层结构的有机发光二极管，如图1所示，包括自上而下顺次叠放的阴极层、电子注入层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6、阳极层和玻璃基板9。其中，所述阴极层是MgAg合金层1，所述阳极层是导电玻璃层8（利用溅射、蒸发等多种方法镀上一层氧化铟锡，俗称ITO），所述空穴注入层6和导电玻璃层8之间还设置有缓冲层7，所述缓冲层7是绝缘物质层且厚度为0.6-1.8nm，所述空穴注入层6是PEDOT层。优选，所述阴极层的顶部到玻璃基板9底部的厚度为1-2mm，即器件的高度范围是1-2mm。
其中，所述缓冲层7可以是二氧化硅层，也可以是氟化锂层。缓冲层7的厚度不宜过大，否则会导致驱动电压反而上升。
其中，所述电子注入层2可以是碱金属化合物层，且厚度是0.5-0.8mm，比如，氧化锂、碳酸铯等；也可以是碱金属氟化物层，且厚度是0.3-0.8mm，比如氟化钠、氟化钾等。
空穴注入层6增加了界面之间的电荷注入，可以提高器件的效率和寿命，采用PEDOT层结构可以将缓冲层7的表面平整化，减少器件短路的概率，降低器件的起始电压；缓冲层7提高空穴注入层6的电荷注入效率、降低驱动电压；电子注入层2帮助电子或空穴更有效的从电极注入电子传输层3。
以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或者等效流程变换，或者直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种多层结构的有机发光二极管，包括自上而下顺次叠放的阴极层、电子注入层（2）、电子传输层（3）、发光层（4）、空穴传输层（5）、空穴注入层（6）、阳极层和玻璃基板（9），其特征在于，所述阴极层是MgAg合金层（1），所述阳极层是导电玻璃层（8），所述空穴注入层（6）和导电玻璃层（8）之间还设置有缓冲层（7），所述缓冲层（7）是绝缘物质层且厚度为0.6-1.8nm，所述空穴注入层（6）是PEDOT层。
2.根据权利要求1所述的一种多层结构的有机发光二极管，其特征在于，所述缓冲层（7）是二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的一种多层结构的有机发光二极管，其特征在于，所述缓冲层（7）是氟化锂层。
4.根据权利要求2或3所述的一种多层结构的有机发光二极管，其特征在于，所述电子注入层（2）是碱金属化合物层，且厚度是0.5-0.8mm。
5.根据权利要求2或3所述的一种多层结构的有机发光二极管，其特征在于，所述电子注入层（2）是碱金属氟化物层，且厚度是0.3-0.8mm。
6.根据权利要求1所述的一种多层结构的有机发光二极管，其特征在于，所述阴极层的顶部到玻璃基板（9）底部的厚度为1-2mm。
Priority Applications (1)
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| CN201420800417.1U CN204333041U (zh) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 一种多层结构的有机发光二极管 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576963A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-04-29 | 苏州汉克山姆照明科技有限公司 | 一种多层结构的有机发光二极管 |
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2014
- 2014-12-18 CN CN201420800417.1U patent/CN204333041U/zh not_active Expired - Fee Related
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