WO2013099361A1 - コンデンサ素子製造用治具及びコンデンサ素子の製造方法 - Google Patents

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substrate
capacitor element
capacitor
socket
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内藤　一美
鈴木　雅博
克俊 田村
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昭和電工株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a capacitor element manufacturing jig used when manufacturing a capacitor element used for, for example, a solid electrolytic capacitor, and a capacitor element manufacturing method using the capacitor element manufacturing jig.
  • Capacitors around CPU (Central Processing Unit) used in personal computers, etc. have high capacity and low ESR (Equivalent Series Resistance) to suppress voltage fluctuations and to suppress heat generation when passing through high ripple. There is a need to be.
  • an aluminum solid electrolytic capacitor, a tantalum solid electrolytic capacitor, or the like is used as such a capacitor.
  • These solid electrolytic capacitors are composed of one electrode (anode body) made of a sintered body obtained by sintering aluminum foil having fine pores in the surface layer or tantalum powder having minute pores inside, and the surface of the electrode.
  • a dielectric layer formed on the dielectric layer and the other electrode (usually a semiconductor layer) formed on the dielectric layer is known.
  • one end of a lead wire extended from the anode body is connected to the lower end portion of the support substrate of the anode body, and a plurality of the support substrates are vertically arranged at equal intervals.
  • a large number of anode bodies are fixed in an orderly parallel manner in the side direction of the substrate, and the anode bodies are immersed in the chemical conversion liquid, and the anode bodies are placed in the chemical conversion liquid with the anode body side as an anode.
  • a dielectric layer is formed on the surface of the anode body by applying a voltage between the negative electrode and the cathode, and then the anode body provided with the dielectric layer on the surface is immersed in a semiconductor layer forming solution.
  • a method is known in which a semiconductor layer is further formed on the surface of the dielectric layer on the surface of the anode body (see Patent Document 1).
  • the support substrate is difficult to be subjected to deformation due to gravity when standing vertically, but is easily received and easily bent when held horizontally.
  • the formation position (particularly the height) of the semiconductor layer formed on the anode body is different for each product. It becomes irregular.
  • a capacitor in which the semiconductor layer is formed beyond a predetermined position in the anode body has a high probability of becoming a defective product and greatly reduces the yield.
  • a small anode body is required to control the immersion position (height) with higher accuracy.
  • the present invention has been made in view of such a technical background.
  • the number of anode bodies that can be processed with one substrate is large, and the production efficiency is excellent.
  • the immersion position (height) of the anode body with respect to the processing liquid is determined. It is an object of the present invention to provide a capacitor element manufacturing jig and a capacitor element manufacturing method that can be controlled with high accuracy.
  • the present invention provides the following means.
  • a substrate [1] a substrate; A plurality of beam members arranged in parallel on at least one side of the substrate; A plurality of conductive sockets provided on the beam member, The plurality of sockets can be electrically connected to a power source that supplies current to the capacitor anode body;
  • the socket has an insertion port for the lead wire when the lead wire of the capacitor anode body having the lead wire is electrically connected, and the insertion port is opened downward of the substrate.
  • a jig for manufacturing a capacitor element A jig for manufacturing a capacitor element.
  • the power source comprises an electric circuit formed on at least one side of the substrate, 4.
  • the capacitor according to any one of the preceding items 1 to 3, wherein each of the sockets is electrically connected to each of the power sources and is electrically insulated from each other except that the sockets are connected to the power sources. Element manufacturing jig.
  • the capacitor anode body is connected to the socket of the capacitor element manufacturing jig according to any one of items 1 to 6,
  • the jig substrate is held at both edges in the longitudinal direction of the beam member and held horizontally; and
  • a method of manufacturing a capacitor element comprising: forming a dielectric layer on a surface of the anode body by energizing the anode body as an anode.
  • An anode body having a surface provided with a dielectric layer is connected to the socket of the capacitor element manufacturing jig according to any one of 1 to 6 above, The jig substrate is held at both edges in the longitudinal direction of the beam member and held horizontally; and With the anode body immersed in the semiconductor layer forming solution, A method of manufacturing a capacitor element, comprising: a semiconductor layer forming step of forming a semiconductor layer on a surface of a dielectric layer on a surface of the anode body by energizing the anode body as an anode.
  • the capacitor anode body is connected to the socket of the capacitor element manufacturing jig according to any one of 1 to 6 above,
  • the jig substrate is held at both edges in the longitudinal direction of the beam member and held horizontally; and
  • a dielectric layer forming step of forming a dielectric layer on a surface of the anode body by energizing the anode body as an anode; and
  • the substrate in a state where the anode body is connected to the socket is held horizontally, and With the anode body immersed in the semiconductor layer forming solution,
  • a semiconductor layer forming step of forming a semiconductor layer on the surface of the dielectric layer on the surface of the anode body by energizing the anode body as an anode.
  • Electrode terminals are electrically connected to the anode body and the semiconductor layer of the capacitor element obtained by the manufacturing method according to any one of items 7 to 9 above, and a part of the electrode terminals is left and sealed. Capacitor manufacturing method to stop.
  • the invention of [1] since it includes a plurality of beam members arranged in parallel on at least one side of the substrate, for example, when holding both edges in the longitudinal direction of the beam member on the substrate and holding it in a horizontal state, since the board is not easily deformed (distorted) such as bending, and the socket is provided on the beam member that is particularly difficult to bend among them, the socket of the board for the capacitor element manufacturing jig in the horizontal holding state is provided.
  • the height position of each anode body becomes the same with high accuracy, and thus, for example, the formation height position of the dielectric layer and the semiconductor layer in the anode body is accurately the same. The height can be controlled, and a high-quality capacitor element can be manufactured.
  • the socket opening of the socket mounted on the substrate opens downward in the substrate, for example, it becomes possible to mount a large number of capacitor anode bodies in many areas (substantially the entire surface, etc.) of the substrate, Thus, the number of anode bodies that can be processed with one substrate is large and the productivity is excellent.
  • the shape is easy to handle, and deformation (distortion) such as bending of the substrate is much less likely to occur.
  • the formation height position of a dielectric layer or a semiconductor layer in the anode body is determined. Furthermore, it can be controlled to the same height with high accuracy.
  • the substrate of the capacitor element manufacturing jig since the substrate of the capacitor element manufacturing jig is unlikely to be deformed (distorted) such as bending of the plate even if held in a horizontal state, it is connected to the socket of the horizontally held substrate.
  • the height position of each anode body becomes the same with high precision, and thereby the formation height position of the dielectric layer in the anode body is controlled to the same height with high precision. And high quality capacitor elements can be manufactured.
  • the substrate of the capacitor element manufacturing jig is not easily deformed (distortion) such as bending of the plate even if it is held in a horizontal state, so that it is connected to the socket of the substrate in the horizontally held state.
  • disortion such as bending of the plate even if it is held in a horizontal state, so that it is connected to the socket of the substrate in the horizontally held state.
  • the capacitor element manufacturing jig since the substrate of the capacitor element manufacturing jig is unlikely to be deformed (distortion) such as bending of the plate even if held in a horizontal state, the capacitor element manufacturing jig in the horizontal holding state
  • a processing solution chemical conversion solution, semiconductor layer forming solution
  • the height position of each anode body becomes the same with high precision.
  • the formation height position of the body layer can be accurately controlled to the same height, and the formation height position of the semiconductor layer can be controlled to the same height with high precision, and a high quality capacitor element can be manufactured.
  • FIG. 3 is an enlarged sectional view taken along line XX in FIG. 2. It is a schematic diagram which expands and shows a part of electric circuit of the top view of FIG. It is a figure which expands and shows the beam member in which the socket was embed
  • FIG. 1 It is a schematic front view which shows the manufacturing method of the capacitor
  • the capacitor element manufacturing jig 10 includes a substrate 11 and a beam member 8.
  • the beam member 8 includes a plurality of conductive sockets 1 and is mounted on the lower surface of the substrate 11.
  • the socket 1 includes a conductive socket main body 2 having a lead wire insertion port 37 provided on the lower surface, and an insulating unit 5 that covers a part of the socket main body 2 in a manner that does not block the insertion port 37. (A part of the beam member 8) and a conductive lead wire portion 4 electrically connected to the socket body portion 2 (see FIGS. 4 and 6).
  • a beam member 8 in which a plurality of sockets 1 are embedded in parallel at equal intervals is used as the plurality of sockets 1 (see FIGS. 3 and 6).
  • An electric circuit 30 having a pair of electric terminals 14 and 15 is formed on the substrate 11 as shown in FIGS.
  • the pair of electrical terminals 14 and 15 are electrically connected to a power supply source (hereinafter referred to as “power source”) 32 (see FIG. 9).
  • power source a power supply source
  • the electric circuit 30 has a circuit for limiting current (for example, the circuits of FIGS. 9 and 10), and each anode body (conductor) 52 via the socket 1 and the lead wire 53 connected thereto. Independently supply current. That is, the electric circuit 30 limits the current for each individual socket 1.
  • the maximum current value flowing through each anode body (conductor) 52 is the current limit value of the electric circuit.
  • the circuit for limiting the current is preferably a constant current circuit (for example, FIG. 9) in order to minimize the deviation of the obtained capacitor.
  • the electric circuit 30 is a circuit for limiting the voltage for each individual socket 1. That is, the electric circuit 30 is more preferably a circuit that limits the voltage applied to each anode body (conductor) 52. In this case, even when a relatively large current is passed, the maximum voltage value applied to the anode body 52 is limited, so that the processing time for chemical formation and semiconductor layer formation can be shortened.
  • the pair of electrical terminals 14 and 15 are provided at one end of the circuit board 11 in the width direction (see FIGS. 1 to 3).
  • One electric terminal is a current limit terminal 14, and a current limit value is set by a voltage applied to the terminal 14.
  • a current limit value is set by a voltage applied to the terminal 14.
  • it can be set by the potential difference between the current limiting terminal 14 and the voltage limiting terminal 15 described later, and in the case of the circuit of FIG. 10, it can be set by the potential difference between the current limiting terminal 14 and the cathode plate 51.
  • the other electrical terminal is a voltage limiting terminal 15, and the maximum voltage value applied to each anode body (conductor) 52 is limited by the voltage applied to the terminal 15.
  • the maximum voltage value applied to each anode body (conductor) 52 is limited by the voltage applied to the terminal 15.
  • it can be set by the potential difference between the voltage limiting terminal 15 and the cathode plate 51.
  • a transistor 19 and a resistor 18 are mounted (attached) on the upper surface of the substrate 11, and an emitter E of the transistor 19 is electrically connected to one end of the resistor 18.
  • the other end of the capacitor 18 is electrically connected to the current limiting terminal 14, the base B of the transistor 19 is electrically connected to the voltage limiting terminal 15, and the collector C of the transistor 19 is connected to the lead wire portion 4 of the socket 1. Is electrically connected.
  • a part of the base end side of the lead wire portion 4 is disposed in a through hole 49 provided in the substrate 11 (see FIG. 4).
  • the wire portion 4 is inserted from the lower surface side of the substrate 11, and the leading end of the lead wire portion 4 is electrically connected to the electric circuit 30 (see FIG. 4).
  • a plurality of through holes 49 arranged in a second row (second row from one end in the width direction) along the length direction of the substrate 11 were embedded in another beam member 8.
  • Each lead wire portion 4 of the socket 1 is inserted from the lower surface side of the substrate 11, and the leading end of the lead wire portion 4 is electrically connected to the electric circuit 30 (see FIG. 4).
  • the lead wire portions 4 of the socket 1 embedded in the beam member 8 are inserted from the lower surface side of the substrate 11 with respect to the large number of through holes 49 in each row after the third row.
  • the tip is electrically connected to the electric circuit 30 (see FIG. 4).
  • the lead wire portion 4 is electrically connected to the electric circuit 30, whereby the socket 1 is electrically connected to the electric circuit 30 (see FIG. 4).
  • the plurality of sockets 1 are mounted on the lower surface of the substrate 11 (see FIGS. 3 and 4).
  • the length direction of the substrate 11 and the length direction of the beam member 8 are substantially coincident (including coincidence) (see FIG. 3).
  • the electrical connection between the tip of the lead wire portion 4 and the electric circuit 30 is made by solder 20 (see FIGS. 4 and 5).
  • lead wire insertion ports 37 of the plurality of sockets 1 mounted on the substrate 11 are opened downward on the lower surface side of the substrate 11.
  • the lead wire 53 of the capacitor anode body 53 having the lead wire 53 is electrically connected to the insertion port 37 on the lower surface of the socket 1, the insertion direction of the lead wire 53 is relative to the lower surface of the substrate 11.
  • the vertical direction see FIGS. 7 and 8).
  • the electric circuit 30 in the capacitor element manufacturing jig 10 is not particularly limited to the one having the configuration shown in FIG. 9, and may have a circuit configuration as shown in FIG. In FIG. 10, 31 is a diode.
  • the substrate 11 may be constituted by a single plate or a laminated plate in which a plurality of plates are laminated.
  • a laminated plate as the substrate 11 for example, it may be a laminated plate in which the adjacent plates are simply overlapped without being bonded, or a laminated plate in which the adjacent plates are bonded together. There may be.
  • An insulating substrate is used as the substrate 11.
  • the material of the insulating substrate is not particularly limited, and examples thereof include insulating materials such as phenol resin, glass epoxy resin, and polyimide resin.
  • the socket 1 used in this embodiment is shown in FIG.
  • the socket 1 includes a conductive socket main body 2 and a conductive lead wire 4.
  • a plurality of sockets 1 are embedded in the beam member 8 in parallel (see FIG. 6).
  • the socket body 2 is a member that plays a role as an electrical connection terminal that is electrically connected to the anode body (conductor) 52 and the like, and is made of a conductive material such as a metal material in order to obtain electrical continuity.
  • the metal constituting the socket body 2 is not particularly limited, but contains at least one metal selected from the group consisting of copper, iron, silver and aluminum as a main component (containing 50% by mass or more). It is preferable to use a metal (including an alloy).
  • the surface of the socket main body 2 may be provided with at least one layer of conventionally known plating such as tin plating, solder plating, nickel plating, gold plating, silver plating, copper plating and the like.
  • the socket main body 2 includes a cylindrical portion 21 and an inclined surface portion 22 that extends outward from the peripheral edge of the bottom surface of the cylindrical portion 21 downward (see FIG. 6). ),
  • the cylindrical portion 21 and the inclined surface portion 22 are made of a conductive material such as a metal material.
  • a lead wire insertion port 37 is formed by being surrounded by the inclined surface portion 22 (see FIG. 6).
  • a hollow portion 23 having an opening on the bottom surface is provided inside the cylindrical portion 21. The hollow portion 23 communicates with the space of the lead wire insertion port 37.
  • a metal spring member 24 is connected to the inner peripheral surface of the hollow portion 23, and a lead wire insertion hole 38 is formed by being surrounded by the metal spring member 24.
  • the lead wire insertion hole 38 communicates with the space of the lead wire insertion port 37.
  • the socket body 2 and the anode body (conductor) 52 are electrically connected. Connected.
  • a lead wire portion 4 extends from the center of the upper surface of the socket body portion 2 (the upper surface of the cylindrical portion 21) (see FIG. 6).
  • the lead wire portion 4 is made of a conductive material such as a metal material. That is, the lead wire portion 4 is formed integrally with the socket body portion 2 and is electrically connected to the socket body portion 2.
  • Examples of the metal constituting the lead wire portion 4 include the same metals as exemplified as the metal constituting the socket main body portion 2.
  • the lead wire portion 4 is usually made of the same metal as that constituting the socket body portion 2.
  • a part of the socket main body 2 is covered with the resin insulating portion 5 so as not to block the lead wire insertion port 37.
  • the entire peripheral side surface of the socket main body 2 is covered with the resin insulating portion 5 (see FIG. 6).
  • each lead wire portion 4 of the socket 1 is inserted into each of the through holes 49 provided in the substrate 11 from the lower surface side of the substrate 11, and the upper surface of the beam member 8 is inserted into the lower surface of the substrate 11.
  • the upper surface of the beam member 8 (the plurality of sockets 1) is fixed to the lower surface of the substrate 11 in a manner in contact with the lower surface of the substrate 11. It is mounted on the lower surface (see FIGS. 3 and 4).
  • the beam member 8 includes an insulating portion 5 around at least the socket 1 in order to electrically insulate the sockets 1 from each other.
  • the beam member 8 may be made of an insulating material and may also serve as an insulating portion.
  • the material constituting the beam member 8 or the insulating portion 5 is not particularly limited, but is preferably an insulating material that is easy to process for providing the socket 1 and has higher rigidity. Examples thereof include hard resins such as epoxy resins, phenol resins, polyimide resins, polycarbonate resins, polyamide resins, polyamideimide resins, polyester resins, and polyphenylene sulfide resins.
  • FIG. 7 is a schematic view showing an example of a method for manufacturing a capacitor element.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing the method of manufacturing the capacitor element in terms of an electric circuit.
  • the processing container 50 in which the processing liquid 59 is charged is prepared.
  • the treatment liquid 59 include a chemical conversion treatment liquid for forming the dielectric layer 54 and a semiconductor layer forming solution for forming the semiconductor layer 55.
  • an anode body (conductor) 52 having a lead wire 53 is connected to each socket 1 mounted on the lower surface of the substrate 11 of the capacitor element manufacturing jig 10 (see FIG. 8). Since the leading end side of the lead wire 53 is in contact with the metal spring member 24 in the cavity 23 of the socket main body 2, the socket 1 and the anode body (conductor) 52 are electrically connected ( (See FIG. 8). Thereby, the anode body 52 is electrically connected to the electric circuit 30 of the substrate 11 (see FIGS. 7 and 9). The lead wire 53 is inserted into the socket 1 in a direction perpendicular to the substrate 11 (see FIGS. 7 and 8).
  • the capacitor element manufacturing jig 10 on which the anode body (conductor) 52 is set is horizontally disposed above the processing container 50, and the manufacturing jig 10 is in a horizontal state (the lower surface of the substrate 11).
  • the jig 10 is lowered to a state in which at least a part (usually all) of the anode body (conductor) 52 is immersed in the treatment liquid 59 while maintaining the horizontal position).
  • the jig 10 is fixed (see FIG. 7).
  • the anode body 52 is used as an anode, and the cathode plate 51 disposed in the treatment liquid 59 is used as a cathode (see FIGS. 7 and 9).
  • a chemical conversion treatment liquid is used as the first treatment liquid 59, a dielectric layer 54 (see FIG. 11) can be formed on the surface of the conductor 52 by the energization (dielectric layer forming step).
  • the anode body 52 provided with the dielectric layer 54 on the surface is washed with water and dried, and then a semiconductor layer forming solution 59 is newly introduced into a processing container 50 different from the above, Similarly, the jig 10 is held in a horizontal state (the bottom surface of the substrate 11 is horizontal) until at least a part (usually all) of the anode body 52 is immersed in the semiconductor layer forming solution 59.
  • the jig 10 is fixed at the height position, the anode body 52 is used as an anode, and the cathode plate 51 disposed in the semiconductor layer forming solution 59 is used as a cathode. That is, the second treatment is performed.
  • the semiconductor layer 55 can be formed on the surface of the dielectric layer 54 on the surface of the anode body 52 (semiconductor layer forming step).
  • Body layer 54 is laminated, It can further semiconductor layer 55 on the surface of the collector layer 54 to produce a capacitor element 56 formed by stacking (see FIG. 11).
  • heat treatment is performed on the anode body 52 between the dielectric layer forming step and the semiconductor layer forming step and / or after the semiconductor layer forming step. May be.
  • the size of the beam member 8 is not particularly limited, but may be a size according to the arrangement of the capacitor elements when immersed in the processing liquid 59.
  • the width W of the beam member 8 is preferably 1.6 mm to 5.1 mm, more preferably 2 mm to 3 mm.
  • the height H of the beam member 8 is preferably 2 mm to 10 mm, more preferably 3 mm to 5 mm.
  • the length L of the beam member 8 is longer than the length that can accommodate at least the required number of sockets 1 and is preferably in a range that does not protrude from the substrate 11, and is preferably longer in this range. If it is in the range of such a dimension, it will be easy to carry a machine and it will be easy to obtain the jig
  • the anode body 52 is not particularly limited, and examples thereof include at least one anode body selected from the group consisting of a valve metal and a conductive oxide of the valve metal. Specific examples thereof include aluminum, tantalum, niobium, titanium, zirconium, niobium monoxide, zirconium monoxide and the like.
  • the shape of the anode body 52 is not particularly limited, and examples thereof include a foil shape, a plate shape, a rod shape, and a rectangular parallelepiped shape.
  • the chemical conversion treatment liquid 59 is not particularly limited.
  • an organic acid or a salt thereof for example, adipic acid, acetic acid, ammonium adipate, benzoic acid, etc.
  • an inorganic acid or a salt thereof for example, phosphoric acid
  • examples thereof include a solution in which a conventionally known electrolyte such as silicic acid, ammonium phosphate, ammonium silicate, sulfuric acid, ammonium sulfate or the like is dissolved or suspended.
  • the surface of the anode body 52 contains an insulating metal oxide such as Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , Zr 2 O 3 , Nb 2 O 5 or the like.
  • a dielectric layer 54 can be formed.
  • the dielectric layer forming step using such a chemical conversion treatment solution may be omitted, and the anode body 52 having the dielectric layer 54 already provided on the surface may be used for the semiconductor layer forming step.
  • Examples of such a surface dielectric layer 54 include a dielectric layer mainly composed of at least one selected from insulating oxides, and a conventionally known dielectric layer in the field of ceramic capacitors and film capacitors.
  • the semiconductor layer forming solution 59 is not particularly limited as long as it can form a semiconductor by energization.
  • examples thereof include solutions containing oxythiophene and the like.
  • a dopant may be further added to the semiconductor layer forming solution 59.
  • well-known dopants such as aryl sulfonic acid or its salt, alkyl sulfonic acid or its salt, various polymeric sulfonic acid or its salt, etc. are mentioned.
  • a conductive polymer for example, polyaniline, polythiophene, polypyrrole, polymethylpyrrole, etc.
  • the semiconductor layer 55 made of can be formed.
  • an electrode layer is formed on the semiconductor layer 55 of the capacitor element 56 obtained by the above manufacturing method in order to improve electrical contact with an electrode terminal (for example, a lead frame) for external extraction of the capacitor. It may be provided.
  • the electrode layer can be formed by, for example, solidifying a conductive paste, plating, metal deposition, or forming a heat-resistant conductive resin film.
  • a conductive paste As the conductive paste, silver paste, copper paste, aluminum paste, carbon paste, nickel paste and the like are preferable.
  • Electrode terminals are electrically connected to the anode body 52 and the semiconductor layer 55 of the capacitor element 56 thus obtained (for example, the lead wire 53 is welded to one electrode terminal, and the electrode layer (semiconductor layer) 55 is connected. Is adhered to the other electrode terminal with a silver paste or the like), and the capacitor is obtained by sealing with leaving a part of the electrode terminal.
  • the sealing method is not particularly limited, and examples thereof include a resin mold exterior, a resin case exterior, a metal case exterior, a resin dipping exterior, and a laminate film exterior.
  • a resin mold exterior is preferable because it can be easily reduced in size and cost.
  • An electric circuit 30 or the like serving as a power source for supplying current to the anode body shown in FIGS. 2 and 5 described in detail in the previous section is formed on the substrate 11.
  • a current limiting terminal 14 and a voltage limiting terminal 15 are provided at an intermediate portion of one of the pair of edges extending in the length direction of the upper surface of the substrate 11 (FIGS. 1 and 2). reference).
  • each transistor 19 was mounted on the substrate 11 with the configuration shown in FIGS. 2 to 5 and 9 described in detail in the previous section.
  • the collector C of each transistor 19 is an output as a power source.
  • the resistor 18, 1 K ⁇ (error within ⁇ 0.5%) was used, and as the transistor 19, “transistor 2SA2154” manufactured by Toshiba was used.
  • a beam member 8 made of polyphenylene sulfide resin (length L: 165.1 mm, width W: 2.54 mm, height H: 4.5 mm) was prepared.
  • 64 sockets 1 are embedded in parallel at a pitch of 2.54 mm, and each lead wire portion 4 of the socket 1 is drawn from the upper surface of the beam member 8 (see FIG. 6).
  • Each of the lead wire portions 4 of the beam member 8 is inserted into each of the 640 through holes 49 provided in the substrate 11 from the lower surface side of the substrate 11, and the upper surface of the beam member 8 is disposed on the lower surface of the substrate 11. It is glued. Further, the lead wire portion 4 is electrically connected to the output of the power source (see FIGS. 4 and 5). Thus, the ten beam members 8 are mounted in parallel on the lower surface of the substrate 11 (see FIGS. 3, 4, 7, and 8).
  • both edges in the longitudinal direction of the beam member 8 of the jig 10 for manufacturing the solid electrolytic capacitor element are connected to a machine transfer device (illustrated).
  • the substrate 11 is held horizontally by being gripped by the gripping portion 40.
  • an anode body (conductor) 52 having a lead wire 53 is connected to each of the plurality of sockets 1 mounted on the lower surface of the substrate 11 of the capacitor element manufacturing jig 10.
  • the lead wire 53 is inserted into the socket 1 in a direction perpendicular to the substrate 11 (see FIGS. 7 and 8).
  • the capacitor element manufacturing jig 10 in which the anode body (conductor) 52 is set is positioned above a processing vessel 50 made of metal (stainless steel) containing a 2 mass% phosphoric acid aqueous solution (processing solution) 59 therein. And placed horizontally.
  • the metal processing vessel 50 also serves as the cathode plate 51.
  • the jig 10 is lowered while maintaining the horizontal state so that the whole of the anode body 52 and the lower end 5 mm of the lead wire 53 are immersed in the processing liquid 59. Fixed in position (see FIG. 7). In this immersed state, a voltage is applied between the voltage limiting terminal 15 and the cathode plate (including the metal processing vessel 50) 51 so that the voltage limiting value (chemical conversion voltage) is 8.3 V, and each anode body The current was applied by applying a voltage between the current limiting terminal 14 and the voltage limiting terminal 15 so that the current limiting value of the current was 2.1 mA.
  • the pores and the outer surface of the conductive sintered body 52 and the surface of a part of the lead wire (for 5 mm) are formed.
  • a dielectric layer 54 was formed.
  • the current limit value was continuously decreased at a rate of 0.5 mA per hour for the latter 4 hours from 4 hours to 8 hours (dielectric layer forming step).
  • the anode body 52 having the dielectric layer 54 on the surface is washed with water and dried, and then immersed in a 20% by mass ethylenedioxythiophene ethanol solution, while the semiconductor is contained in a processing container 50 different from the processing container 50.
  • Layer forming solution 59 (a solution in which 0.4% by mass of ethylenedioxythiophene and 0.6% by mass of anthraquinone sulfonic acid were mixed in a mixed solvent consisting of 70 parts by mass of water and 30 parts by mass of ethylene glycol) was added.
  • the jig 10 is kept in a horizontal state so that the whole anode body 52 having the dielectric layer 54 on the surface and the lower end 5 mm of the lead wire 53 are immersed in the semiconductor layer forming solution 59. It was lowered and fixed at that height position. In this immersed state, electrolytic polymerization was carried out at 20 ° C. with a constant current of 5 ⁇ A per anode body for 50 minutes. Thereafter, the anode body 52 provided with the dielectric layer 54 on the surface thereof was pulled up from the solution 59, washed with water, washed with alcohol, and dried.
  • Dielectric layer 54 was formed on the surface by performing such electrolytic polymerization (electropolymerization for 50 minutes at a constant current of 5 ⁇ A per anode body), water washing, alcohol washing, and drying six more times.
  • a semiconductor layer 55 made of a conductive polymer was formed on the surface of the dielectric layer 54 of the anode body 52 (semiconductor layer forming step).
  • the dielectric layer 54 was repaired by re-forming. This re-chemical conversion was performed for 15 minutes using the same solution as that used in the anodic oxidation at a limiting voltage of 6.3 V and a limiting current of 0.1 mA for each anode body (re-forming process).
  • the substrate 11 with the anode body 52 connected to the socket 1 is heated to 150 ° C. Drying was performed by leaving it in the atmosphere for 3 hours (carbon layer forming step).
  • the anode body 52 formed by laminating the dielectric layer 54, the semiconductor layer 55, and the carbon layer is washed with water and dried, and then a silver paste is applied to the surface of the carbon layer, and then the anode body 52 is connected to the socket 1. Drying was performed by leaving the substrate 11 in a state in which it was left in an atmosphere of 150 ° C. for 4 hours (silver paste lamination step). In this way, a capacitor element 56 was obtained.
  • capacitor elements 56 can be manufactured through the above-described series of steps. By performing this process three more times (that is, four times in total), a total of 2560 capacitor elements 56 were manufactured.
  • Example 1 A capacitor element manufacturing jig was obtained in the same manner as in Example 1 except that the beam member was not used and 640 pieces were individually mounted directly on the substrate 11 without embedding the socket 1 in the beam member. That is, the socket 1 is inserted into the through hole 49 of the substrate 11 (having a hole diameter into which the cylindrical portion 21 of the socket 1 is inserted) so that the upper surface of the socket 1 is flush with the upper surface of the substrate. Were individually (in an independent state) fixed with a filler in a state where the lead wire insertion port was directed toward the lower surface of the substrate 11. Each socket 1 is electrically connected to an output of a power source configured on the substrate 11 as in the first embodiment.
  • an anode body (conductor) 52 having a lead wire 53 was connected to each of the plurality of sockets 1 mounted on the lower surface of the substrate in the same manner as in Example 1.
  • capacitor elements 56 can be manufactured through the above-described series of steps. By performing this process three more times (that is, four times in total), a total of 2560 capacitor elements 56 were manufactured.
  • the number of elements in which the semiconductor layer protruded from the base (base end) of the lead wire 53 above the polytetrafluoroethylene washer (thickness: 0.10 mm) was 1352.
  • the comparative example 1 since the third implementation, distortion deformation is relatively remarkably generated in the glass epoxy substrate held horizontally, and after the third implementation, the semiconductor layer protrudes from the position above the washer. The number of formed elements has increased remarkably.
  • the term present invention or inventory should not be construed inappropriately as identifying criticality, nor should it be construed as inappropriately applied across all aspects or all embodiments ( That is, the present invention should be understood to have numerous aspects and embodiments) and should not be construed inappropriately to limit the scope of the present application or the claims.
  • the term “embodiment” is also used to describe any aspect, feature, process or step, any combination thereof, and / or any part thereof. It is done. In some examples, various embodiments may include overlapping features.
  • the abbreviations “e.g.,” and “NB” may be used, meaning “for example” and “carefully”, respectively.
  • the capacitor element manufacturing jig according to the present invention is suitably used as an electrolytic capacitor element manufacturing jig, but is not particularly limited to such applications. Further, the capacitor obtained by the manufacturing method of the present invention can be used for digital devices such as personal computers, cameras, game machines, AV devices, and mobile phones, and electronic devices such as various power sources.

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Abstract

処理できる陽極体の数が多くて生産効率に優れると共に、処理液中の陽極体の浸漬位置を高精度で制御できるコンデンサ素子製造用治具を提供する。 本発明の治具１０は、基板１１と、基板の少なくとも片面に並列に配置された複数の梁部材８と、梁部材８に設けられた複数個の導電性のソケット１と、を備え、複数個のソケット１は、コンデンサ用陽極体に電流を供給する電源に電気的に接続可能であり、ソケット１は、リード線を有するコンデンサ用陽極体のリード線を電気接続する際の該リード線の差込口３７を有し、前記差込口３７が前記基板１１の下方向に開かれている。

Description

コンデンサ素子製造用治具及びコンデンサ素子の製造方法
　本発明は、例えば固体電解コンデンサ等に使用されるコンデンサ素子を製造する際に用いるコンデンサ素子製造用治具及び該コンデンサ素子製造用治具を用いたコンデンサ素子の製造方法に関する。
　パソコン等に使用されるＣＰＵ（中央演算処理装置）周りのコンデンサは、電圧変動を抑制し、高リップル（ripple）通過時の発熱を低く抑えるために、高容量かつ低ＥＳＲ（等価直列抵抗）であることが求められている。このようなコンデンサとしては、アルミニウム固体電解コンデンサ、タンタル固体電解コンデンサ等が用いられている。これら固体電解コンデンサは、表面層に微細な細孔を有するアルミニウム箔または内部に微小な細孔を有するタンタル粉を焼結した焼結体からなる一方の電極（陽極体）と、該電極の表面に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された他方の電極（通常、半導体層）とから構成されたものが知られている。
  前記固体電解コンデンサの製造方法としては、陽極体の支持基板の下端部に、陽極体から延ばされたリード線の一端を接続し、複数枚の該支持基板を鉛直に立てて等間隔で配置することにより、多数個の陽極体を該基板の辺方向に整然と並列して固定すると共に、この陽極体を化成処理液に浸漬し、該陽極体側を陽極にして前記化成処理液中に配置せしめた陰極との間に電圧を印加して通電することにより、陽極体の表面に誘電体層を形成し、次いで、表面に誘電体層が設けられた前記陽極体を半導体層形成溶液に浸漬し、前記陽極体表面の誘電体層の表面にさらに半導体層を形成する方法が知られている（特許文献１参照）。
　前記支持基板は、重力による変形を、鉛直に立てた状態では受けにくいが、水平に保持した状態では受けやすく、撓みやすい。
　従来は、陽極体が化成処理液等の処理液に浸漬される際の浸漬位置（高さ）を精度高く制御するために、前記変形の影響が出にくい鉛直に立てた位置で支持基板を使用していた。
　なお、陽極体が処理液に浸漬される際の浸漬位置（高さ）を精度高く制御しない場合には、例えば、陽極体に形成される半導体層の形成位置（特に高さ）が製品毎に不揃いになる。半導体層が陽極体における決められた位置を超えて形成されたコンデンサは、不良品になる確率が高く、歩留まりを大きく低下させる。特に小さな陽極体では、より高い精度で浸漬位置（高さ）を制御することが求められている。
国際公開第２０１０／１０７０１１号パンフレット
　しかしながら、上記のように、鉛直に立てて配置された支持基板の下端部に並列して固定された多数個の陽極体に、誘電体層、半導体層を形成する場合には、陽極体を支持基板の下端部にしか接続できないため、支持基板１枚で処理できる陽極体の数が少なく、生産効率が低いという問題があった。
　本発明は、かかる技術的背景に鑑みてなされたものであって、基板１枚で処理できる陽極体の数が多くて生産効率に優れると共に、処理液に対する陽極体の浸漬位置（高さ）を高い精度で制御できるコンデンサ素子製造用治具及びコンデンサ素子の製造方法を提供することを目的とする。
  前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
　［１］基板と、
  前記基板の少なくとも片面に並列に配置された複数の梁部材と、
  前記梁部材に設けられた複数個の導電性のソケットと、を備え、
　前記複数個のソケットは、コンデンサ用陽極体に電流を供給する電源に電気的に接続可能であり、
　前記ソケットは、リード線を有するコンデンサ用陽極体のリード線を電気接続する際の該リード線の差込口を有し、前記差込口が前記基板の下方向に開かれていることを特徴とするコンデンサ素子製造用治具。
　［２］前記梁部材は、幅１．６ｍｍ～５．１ｍｍ、高さ２ｍｍ～１０ｍｍである前項１に記載のコンデンサ素子製造用治具。
　［３］前記梁部材は、硬質樹脂を含有してなる前項１または２に記載のコンデンサ素子製造用治具。
　［４］前記電源は、前記基板の少なくとも片面に形成された電気回路からなり、
　個々の前記ソケットは、それぞれ個々の前記電源に電気的に接続され、前記電源に接続されていることを除き相互に電気的に絶縁されている前項１～３のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具。
　［５］前記電気回路が定電流回路である前項４に記載のコンデンサ素子製造用治具。
　［６］前記電気回路は、個々の前記ソケット毎に電圧を制限する回路でもある前項４または５に記載のコンデンサ素子製造用治具。
　［７］前項１～６のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具のソケットにコンデンサ用陽極体が接続されると共に、
　前記治具の基板が、前記梁部材の長手方向の両縁部において把持されて、水平に保持された状態にあり、かつ、
　前記陽極体が化成処理液中に浸漬された状態で、
　前記陽極体を陽極にして通電することによって、前記陽極体の表面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程を含むことを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
　［８］前項１～６のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具のソケットに、表面に誘電体層が設けられた陽極体が接続されると共に、
　前記治具の基板が、前記梁部材の長手方向の両縁部において把持されて、水平に保持された状態にあり、かつ、
　前記陽極体が半導体層形成用溶液中に浸漬された状態で、
　前記陽極体を陽極にして通電することによって、前記陽極体表面の誘電体層の表面に半導体層を形成する半導体層形成工程を含むことを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
　［９］前項１～６のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具のソケットにコンデンサ用陽極体を接続されると共に、
　前記治具の基板が、前記梁部材の長手方向の両縁部において把持されて、水平に保持された状態にあり、かつ、
　前記陽極体が化成処理液中に浸漬された状態で、
　前記陽極体を陽極にして通電することによって、前記陽極体の表面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
　前記誘電体層形成工程の後に、陽極体がソケットに接続された状態の前記基板が水平に保持された状態にあり、かつ、
  前記陽極体が半導体層形成用溶液中に浸漬された状態で、
　前記陽極体を陽極にして通電することによって、前記陽極体表面の誘電体層の表面に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を含むことを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
　［１０］前項７～９のいずれか１項に記載の製造方法で得たコンデンサ素子の陽極体及び半導体層に、それぞれ電極端子を電気的に接続し、前記電極端子の一部を残して封止するコンデンサの製造方法。
　［１］の発明では、基板の少なくとも片面に並列に配置された複数の梁部材を備えているから、例えば、基板における梁部材の長手方向の両縁部を把持して水平状態に保持すると、基板が撓む等の変形（歪み）を生じ難いものとなる上に、その中でも特に撓みにくい梁部材にソケットが設けられているから、この水平保持状態のコンデンサ素子製造用治具の基板のソケットに接続されている陽極体を処理液中に浸漬した際に各陽極体の高さ位置が精度良く同一となり、これにより陽極体における例えば誘電体層や半導体層の形成高さ位置を精度良く同一高さに制御することができ、高品質のコンデンサ素子を製造することができる。
　また、基板に実装されたソケットの差込口が基板の下方向に開口しているから、例えば基板の多くの領域（略全面等）に多数個のコンデンサ陽極体を実装することが可能となり、このように基板１枚で処理できる陽極体の数が多くて生産性に優れる。
　［２］及び［３］の発明では、取り扱い易い形状で、基板が撓む等の変形（歪み）をより一層生じ難いものとなり、陽極体における例えば誘電体層や半導体層の形成高さ位置をさらに精度良く同一高さに制御することができる。
　［４］の発明では、電源が基板に形成されるので、コンデンサ素子製造システムとして省スペースなものを構成できる。さらに、個々のソケットは、それぞれ個々の電源に電気的に接続されているから、個々のコンデンサ用陽極体に個別に供給する電流を制御することができる。
　［５］の発明では、電気回路が定電流回路であるから、得られるコンデンサ素子の偏差を少なくできる利点がある。
　［６］の発明では、電気回路は、個々の前記ソケット毎に電圧を制限する回路でもあるから、比較的大きな電流を流しても、陽極体に印加される最大の電圧値が制限され、これにより化成や半導体層形成の処理時間を短縮できる利点がある。
　［７］の発明では、コンデンサ素子製造用治具の基板は、水平状態に保持しても板が撓む等の変形（歪み）を生じ難いから、この水平保持状態の基板のソケットに接続されている陽極体を化成処理液中に浸漬した際に各陽極体の高さ位置が精度良く同一となり、これにより陽極体における誘電体層の形成高さ位置を精度良く同一高さに制御することができ、高品質のコンデンサ素子を製造できる。
　［８］の発明では、コンデンサ素子製造用治具の基板は、水平状態に保持しても板が撓む等の変形（歪み）を生じ難いから、この水平保持状態の基板のソケットに接続されている陽極体を半導体層形成用溶液中に浸漬した際に各陽極体の高さ位置が精度良く同一となり、これにより陽極体における半導体層の形成高さ位置を精度良く同一高さに制御することができ、高品質のコンデンサ素子を製造できる。
　［９］の発明では、コンデンサ素子製造用治具の基板は、水平状態に保持しても板が撓む等の変形（歪み）を生じ難いから、この水平保持状態のコンデンサ素子製造用治具の基板のソケットに接続されている陽極体を処理液（化成処理液、半導体層形成用溶液）中に浸漬した際に各陽極体の高さ位置が精度良く同一となり、これにより陽極体における誘電体層の形成高さ位置を精度良く同一高さに制御できると共に、半導体層の形成高さ位置を精度高く同一高さに制御することができ、高品質のコンデンサ素子を製造できる。
　［１０］の発明では、陽極体における例えば誘電体層や半導体層の形成高さ位置を精度高く所定高さに制御した高品質のコンデンサを製造することができる。
本発明に係るコンデンサ素子製造用治具の一実施形態を示す斜視図である。 実装状態の基板を示す上面図である。 実装状態の基板を示す下面図である。 図２におけるＸ－Ｘ線の拡大断面図である。 図２の上面図の電気回路の一部を拡大して示す模式図である。 ソケットが埋設された梁部材を拡大して示す図であって、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は底面図、（Ｃ）は（Ａ）におけるＶ－Ｖ線の断面図である。 本発明のコンデンサ素子製造用治具を用いたコンデンサ素子の製造方法を示す概略正面図である。 図７におけるソケットと陽極体の接続態様を示す断面図である。 本発明のコンデンサ素子の製造方法を電気回路的に示す模式図である（コンデンサ素子製造用治具における回路は２回路のみ示した）。 コンデンサ素子製造用治具の基板における電気回路の他の例を示す回路図である。 本発明に係る製造方法で製造されるコンデンサ素子の一実施形態を示す一部断面図である。
　本発明に係るコンデンサ素子製造用治具１０の一実施形態を図１～６に示す。前記コンデンサ素子製造用治具１０は、基板１１と、梁部材８とを備える。前記梁部材８は、複数個の導電性ソケット１を備え、前記基板１１の下面に実装されている。
　前記ソケット１は、下面にリード線差込口３７が設けられた導電性のソケット本体部２と、該ソケット本体部２の一部を前記差込口３７を塞がない態様で覆う絶縁部５（梁部材８の一部）と、前記ソケット本体部２と電気的に接続された導電性のリード線部４とを備える（図４、６参照）。
  本実施形態では、前記複数個のソケット１として、複数個のソケット１が並列に等間隔に埋設されてなる梁部材８を用いている（図３、６参照）。
　前記基板１１に、図２、５に示すように、一対の電気端子１４、１５を有する電気回路３０が形成されている。前記一対の電気端子１４、１５は、電力供給源（以下、「電源」という）３２に電気接続されている（図９参照）。
　前記電気回路３０は、電流を制限する回路（例えば、図９、図１０の回路等）を有し、ソケット１及びそれに接続されたリード線５３を介して、各陽極体（導電体）５２ごとに独立して電流を供給する。即ち、前記電気回路３０は、個々の前記ソケット１毎に電流を制限する。
  したがって、各陽極体（導電体）５２に流れる最大の電流値は、前記電気回路の電流制限値になる。電流を制限する回路としては、得られるコンデンサの偏差をできるだけ少なくするために、定電流回路（例えば、図９）とすることが好ましい。
　また、前記電気回路３０が、さらに、個々のソケット１毎に電圧を制限する回路であるのがより好ましい。即ち、前記電気回路３０が、さらに、各陽極体（導電体）５２に印加される電圧を制限する回路であるのがより好ましい。この場合には、比較的大きな電流を流しても、陽極体５２に印加される最大の電圧値が制限されるので、化成や半導体層形成の処理時間を短縮できる。
　前記一対の電気端子１４、１５は、前記回路基板１１の幅方向の一端部に設けられている（図１～３参照）。一方の電気端子は、電流制限端子１４であり、この端子１４に与える電圧により電流の制限値が設定される。例えば、図９の回路の場合、電流制限端子１４と後述する電圧制限端子１５との電位差により、図１０の回路の場合、電流制限端子１４と陰極板５１との電位差により、それぞれ設定できる。
　前記他方の電気端子は、電圧制限端子１５であり、この端子１５に与える電圧により各陽極体（導電体）５２に印加される最大の電圧値が制限される。例えば、図９及び図１０の回路の場合、電圧制限端子１５と陰極板５１との電位差により設定できる。
　本実施形態における、前記基板１１に形成された電気回路３０の詳細について説明する。図２～５、９に示すように、前記基板１１の上面にトランジスタ１９及び抵抗器１８が実装され（取り付けられ）、前記トランジスタ１９のエミッタＥが抵抗器１８の一端に電気接続され、前記抵抗器１８の他端が電流制限端子１４に電気的に接続され、前記トランジスタ１９のベースＢが電圧制限端子１５に電気的に接続され、前記トランジスタ１９のコレクタＣが、ソケット１のリード線部４に電気的に接続されている。前記リード線部４の基端側の一部は、前記基板１１に設けられた貫通孔４９内に配置されている（図４参照）。
  前記基板１１の長さ方向に沿って一列（幅方向の一端側の一列）に配置された多数個の貫通孔４９のそれぞれに、前記１個の梁部材８に埋設されたソケット１の各リード線部４が、基板１１の下面側から挿通され、該リード線部４の先端が、前記電気回路３０に電気的に接続されている（図４参照）。前記基板１１の長さ方向に沿って第二列（幅方向の一端側から二列目）に配置された多数個の貫通孔４９のそれぞれに、別の１個の梁部材８に埋設されたソケット１の各リード線部４が、基板１１の下面側から挿通され、該リード線部４の先端が前記電気回路３０に電気的に接続されている（図４参照）。第三列以降の各列の多数個の貫通孔４９についても同様に梁部材８に埋設されたソケット１の各リード線部４が、基板１１の下面側から挿通され、該リード線部４の先端が前記電気回路３０に電気的に接続されている（図４参照）。このように、前記リード線部４が、前記電気回路３０に電気的に接続されることにより、前記ソケット１が前記電気回路３０に電気的に接続されている（図４参照）。こうして前記複数個のソケット１は、前記基板１１の下面に実装されている（図３、４参照）。本実施形態では、前記基板１１の長さ方向と前記梁部材８の長さ方向とが略一致（一致を含む）する態様である（図３参照）。なお、前記リード線部４の先端と前記電気回路３０との電気的接続は、半田２０により行われている（図４、５参照）。
　図４に示すように、前記基板１１に実装された複数個のソケット１のリード線差込口３７が該基板１１の下面側で下方向に向けて開口している。前記ソケット１の下面の差込口３７に、リード線５３を有するコンデンサ用陽極体５３の該リード線５３を電気接続する際に、このリード線５３の差し込み方向は、前記基板１１の下面に対し垂直方向である（図７、８参照）。
　本発明において、コンデンサ素子製造用治具１０における電気回路３０は、図９に示す構成のものに特に限定されるものではなく、例えば図１０に示すような回路構成であってもよい。図１０において、３１は、ダイオードである。
　本発明において、前記基板１１は、１枚の板で構成されていてもよいし、複数枚の板が積層された積層板であってもよい。前記基板１１として積層板を採用する場合において、例えば、隣り合う板同士が接着されることなく単に重ね合わされた状態の積層板であってもよいし、隣り合う板同士が接着された積層板であってもよい。
  前記基板１１としては、絶縁性基板が用いられる。前記絶縁性基板の材質としては、特に限定されるものではないが、例えば、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁材料が挙げられる。
  本実施形態で用いたソケット１を図６に示す。このソケット１は、導電性のソケット本体部２と、導電性のリード線部４と、を備える。本実施形態では、複数個のソケット１が並列に梁部材８に埋設された構成となっている（図６参照）。
　前記ソケット本体部２は、陽極体（導電体）５２等と電気接続する電気接続端子としての役割を担う部材であり、電気的導通を得るために、金属材等の導電性材料で構成される。前記ソケット本体部２を構成する金属としては、特に限定されるものではないが、銅、鉄、銀及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を主成分（５０質量％以上含有する）とする金属（合金を含む）を用いるのが好ましい。前記ソケット本体部２の表面に、錫メッキ、半田メッキ、ニッケルメッキ、金メッキ、銀メッキ、銅メッキ等の従来公知のメッキが少なくとも一層施されていてもよい。
  本実施形態では、前記ソケット本体部２は、円柱部２１と、該円柱部２１の底面の周縁部から下方に向けて外側に拡がるように延ばされた傾斜面部２２とからなり（図６参照）、これら円柱部２１及び傾斜面部２２は、金属材等の導電性材料で構成されている。前記傾斜面部２２により取り囲まれることによってリード線差込口３７が形成されている（図６参照）。前記円柱部２１の内部には、その底面に開口を有した空洞部２３が設けられている。この空洞部２３は、前記リード線差込口３７の空間と連通している。前記空洞部２３の内周面には金属製ばね部材２４が連接されており、該金属製ばね部材２４で取り囲まれてリード線挿通孔３８が形成されている。前記リード線挿通孔３８は、前記リード線差込口３７の空間と連通している。前記リード線挿通孔３８に、陽極体（導電体）５２のリード線５３等が接触状態に挿通配置されることによって、前記ソケット本体部２と前記陽極体（導電体）５２とが電気的に接続される。
  前記ソケット本体部２の上面（円柱部２１の上面）の中央からリード線部４が延設されている（図６参照）。前記リード線部４は、金属材等の導電性材料で構成される。即ち、前記リード線部４は、前記ソケット本体部２と一体に形成されていて該ソケット本体部２と電気的に接続されている。前記リード線部４を構成する金属としては、前記ソケット本体部２を構成する金属として例示したものと同様のものが挙げられる。前記リード線部４は、通常は、前記ソケット本体部２を構成する金属と同一の金属で構成される。
  前記ソケット本体部２の一部が、前記リード線差込口３７を塞がない態様で、前記樹脂製絶縁部５で被覆されている。本実施形態では、前記ソケット本体部２の周側面の全部が樹脂製絶縁部５で被覆されている（図６参照）。
　而して、前記基板１１に設けられた貫通孔４９のそれぞれに、前記ソケット１の各リード線部４が、基板１１の下面側から挿通されて、基板１１の下面に前記梁部材８の上面が接着剤で接着されている。このように、前記梁部材８（複数個のソケット１）の上面が、前記基板１１の下面に当接した態様で該基板１１の下面に固定されることによって、前記ソケット１が前記基板１１の下面に実装されている（図３、４参照）。
　前記梁部材８は、各ソケット１間を電気的に絶縁するため、少なくともソケット１の周囲に絶縁部５を備える。梁部材８が絶縁材料からなり、絶縁部を兼ねてもよい。前記梁部材８または前記絶縁部５を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、好ましくは、ソケット１を設けるための加工がしやすく、より剛性の高い絶縁材料である。例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂等の硬質樹脂等が挙げられる。
　次に、上記コンデンサ素子製造用治具１０を用いたコンデンサ素子の製造方法について説明する。図７にコンデンサ素子の製造方法の一例を概略図で示す。図９は、このコンデンサ素子の製造方法を電気回路的に示した模式図である。
　まず、中に処理液５９が投入された処理容器５０を準備する。前記処理液５９としては、誘電体層５４形成のための化成処理液、半導体層５５形成のための半導体層形成用溶液等が挙げられる。
　一方、図７に示すように、前記固体電解コンデンサ素子製造用治具１０の基板１１の長さ方向の両縁部を、機械搬送装置（図示しない）の把持部４０で把持することによって、基板１１を水平に保持する。
　次いで、前記コンデンサ素子製造用治具１０の基板１１の下面に実装された各ソケット１のそれぞれに、リード線５３を有する陽極体（導電体）５２を接続する（図８参照）。前記リード線５３の先端側が、前記ソケット本体部２の空洞部２３内の金属製ばね部材２４と接触状態となるから、ソケット１と陽極体（導電体）５２とが電気的に接続される（図８参照）。これにより、前記陽極体５２が、基板１１の電気回路３０に電気的に接続される（図７、９参照）。前記リード線５３のソケット１への差し込み方向は基板１１に対し垂直方向である（図７、８参照）。
　次いで、前記陽極体（導電体）５２がセットされたコンデンサ素子製造用治具１０を、前記処理容器５０の上方位置で水平に配置せしめ、該製造用治具１０の水平状態（基板１１の下面が水平な状態）を保持しつつ、前記陽極体（導電体）５２の少なくとも一部（通常は全部）が前記処理液５９に浸漬される状態まで治具１０を下降せしめてその高さ位置で治具１０を固定する（図７参照）。
　そして、前記陽極体（導電体）５２の浸漬状態において、前記陽極体５２を陽極にし、前記処理液５９中に配置した陰極板５１を陰極にして通電する（図７、９参照）。第１番目の処理液５９として化成処理液を用いると、前記通電により導電体５２の表面に誘電体層５４（図１１参照）を形成することができる（誘電体層形成工程）。
　次いで、必要に応じて前記誘電体層５４を表面に備えた陽極体５２を水洗、乾燥させた後、前記とは別の処理容器５０内に新たに半導体層形成用溶液５９を投入して、前記同様に前記陽極体５２の少なくとも一部（通常は全部）が前記半導体層形成用溶液５９に浸漬される状態まで治具１０を水平状態（基板１１の下面が水平な状態）を保持しつつ下降せしめてその高さ位置で治具１０を固定し、前記陽極体５２を陽極にし、前記半導体層形成用溶液５９中に配置した陰極板５１を陰極にして通電すると、即ち第２番目の処理液５９として半導体層形成用溶液を用いて通電すると、陽極体５２表面の誘電体層５４の表面に半導体層５５を形成することができ（半導体層形成工程）、こうして陽極体５２の表面に誘電体層５４が積層され、該誘電体層５４の表面にさらに半導体層５５が積層されてなるコンデンサ素子５６（図１１参照）を製造することができる。
　そして、本発明に係るコンデンサ素子の製造方法においては、例えば、前記誘電体層形成工程と前記半導体層形成工程の間に、及び／又は半導体層形成工程の後に、陽極体５２に対し熱処理を行ってもよい。
　前記梁部材８の大きさは、特に制限はないが、処理液５９に浸漬する際のコンデンサ素子の配置に合わせた大きさ、などにすればよい。梁部材８の幅Ｗは、好ましくは１．６ｍｍ～５．１ｍｍ、より好ましくは２ｍｍ～３ｍｍである。梁部材８の高さＨは、好ましくは２ｍｍ～１０ｍｍ、より好ましくは３ｍｍ～５ｍｍである。梁部材８の長さＬは、少なくとも必要なソケット１の数を収納できる長さより長く、基板１１からはみ出さない範囲が好ましく、この範囲内ではより長い方がより好ましい。このような寸法の範囲内であれば、機械搬送がしやすく、より剛性の高い治具１０が得られやすい。
　前記陽極体５２としては、特に限定されるものではないが、例えば、弁作用金属及び弁作用金属の導電性酸化物からなる群より選ばれる陽極体の少なくとも１種を例示できる。これらの具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム、一酸化ニオブ、一酸化ジルコニウム等が挙げられる。
　前記陽極体５２の形状としては、特に限定されず、例えば、箔状、板状、棒状、直方体状等が挙げられる。
　前記化成処理液５９としては、特に限定されるものではないが、例えば有機酸またはその塩（例えば、アジピン酸、酢酸、アジピン酸アンモニウム、安息香酸等）、無機酸またはその塩（例えば、燐酸、珪酸、燐酸アンモニウム、珪酸アンモニウム、硫酸、硫酸アンモニウム等）等の従来公知の電解質が溶解又は懸濁した液などが挙げられる。このような化成処理液を用いて前記通電を行うことによって陽極体５２の表面に、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｚｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5等の絶縁性金属酸化物を含む誘電体層５４を形成することができる。
　なお、このような化成処理液を用いた誘電体層形成工程を省略して、既に表面に誘電体層５４が設けられた陽極体５２を前記半導体層形成工程に供してもよい。このような表面の誘電体層５４としては、絶縁性酸化物から選ばれる少なくとも１つを主成分とする誘電体層、セラミックコンデンサやフィルムコンデンサの分野で従来公知の誘電体層が挙げられる。
　前記半導体層形成用溶液５９としては、通電により半導体が形成され得る溶液であれば特に限定されず、例えば、アニリン、チオフェン、ピロール、メチルピロール、これらの置換誘導体（例えば、３，４－エチレンジオキシチオフェン等）等を含有する溶液などが挙げられる。前記半導体層形成用溶液５９にさらにドーパントを添加してもよい。前記ドーパントとしては、特に限定されるものではないが、例えば、アリールスルホン酸またはその塩、アルキルスルホン酸またはその塩、各種高分子スルホン酸またはその塩等の公知のドーパント等が挙げられる。このような半導体層形成用溶液５９を用いて前記通電を行うことによって前記陽極体５２表面の誘電体層５４の表面に、例えば導電性高分子（例えばポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリメチルピロール等）からなる半導体層５５を形成することができる。
　本発明では、上記製造方法で得られたコンデンサ素子５６の半導体層５５の上に、コンデンサの外部引き出し用の電極端子（例えば、リードフレーム）との電気的接触を良くするために、電極層を設けてもよい。
　前記電極層は、例えば導電ペーストの固化、メッキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フィルムの形成等により形成することができる。導電ペーストとしては、銀ペースト、銅ペースト、アルミニウムペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましい。
　このようにして得たコンデンサ素子５６の陽極体５２及び半導体層５５に、それぞれ電極端子を電気的に接続し（例えば、リード線５３を一方の電極端子に溶接し、電極層（半導体層）５５を銀ペーストなどで他方の電極端子に接着する）、前記電極端子の一部を残して封止することによりコンデンサが得られる。
　封止方法は、特に限定されないが、例えば、樹脂モールド外装、樹脂ケース外装、金属製ケース外装、樹脂のディッピングによる外装、ラミネートフィルムによる外装などがある。これらの中でも、小型化と低コスト化が簡単に行えることから、樹脂モールド外装が好ましい。
　次に、本発明の具体的実施例について説明するが、本発明はこれら実施例のものに特に限定されるものではない。
　＜実施例１＞
［陽極体（導電体）５２の作製］
　長さ０．８０ｍｍ×幅０．５３ｍｍ×厚さ０．４３ｍｍの直方体形状のタンタル焼結体（陽極体）５２の０．５３ｍｍ×０．４３ｍｍの面（上面）に、長さ１０．４±０．３ｍｍ、直径０．１５ｍｍのタンタル線（リード線）５３が植立されたものを６４０個準備した。更に、外径０．４０ｍｍ、内径０．１０ｍｍ、厚さ０．１０ｍｍのポリテトラフルオロエチレン製の環状のワッシャーをリード線５３の根元まで装着した（外装した）。
　［本発明の固体電解コンデンサ素子製造用治具１０の作製］
　（電子部品が実装された基板）
  長さ１８０ｍｍ×幅９６ｍｍ×厚さ１．６ｍｍのガラスエポキシ基板を準備した。このガラスエポキシ基板には、該基板の長さ方向に沿って６４個の貫通孔４９が２．５４ｍｍピッチで形成され、これら一列に延びた６４個の貫通孔４９の群が、基板１１の幅方向に沿って８ｍｍピッチで合計で１０列形成されている（なお、図面では、作図上の理由により９列のみ記載している）。即ち、前記ガラスエポキシ基板１１には、合計で６４０個の貫通孔４９が形成されている。
  前記基板１１に、前項で詳述した図２、５に示す、陽極体へ電流を供給するための電源となる電気回路３０等が形成されている。前記基板１１の上面の長さ方向に延びる一対の縁部のうちの一方の縁部の該長さ方向の中間部に電流制限端子１４及び電圧制限端子１５が設けられている（図１、２参照）。
　また、前項で詳述した図２～５、９に示す構成で各種電子部品（トランジスタ１９及び抵抗器１８）を前記基板１１に実装した。各トランジスタ１９のコレクタＣを電源としての出力とする。前記抵抗器１８として、１ＫΩ（誤差±０．５％以内）を使用し、前記トランジスタ１９として、東芝製の「トランジスタ２ＳＡ２１５４」を使用した。
　ポリフェニレンサルファイド樹脂製の梁部材８（長さＬが１６５．１ｍｍ、幅Ｗが２．５４ｍｍ、高さＨが４．５ｍｍ）を用意した。この梁部材８には、６４個のソケット１が２．５４ｍｍピッチで並列に埋設され、梁部材８の上面よりソケット１の各リード線部４が引き出されている（図６参照）。
  前記基板１１に設けられた６４０個の貫通孔４９のそれぞれに、前記梁部材８の各リード線部４が、基板１１の下面側から挿通され、基板１１の下面に前記梁部材８の上面が接着されている。また、前記リード線部４が前記電源の出力に電気的に接続されている（図４、５参照）。しかして、１０個の前記梁部材８が、前記基板１１の下面に並列に実装されている（図３、４、７、８参照）。
　このようにして、基板１１と、該基板１１に実装された電子部品と、前記基板１１の下面に実装された複数個のソケット１とを備えた固体電解コンデンサ素子製造用治具１０を得た（図１～６参照）。
　［コンデンサ素子の製造］
　図７に示すように、前記固体電解コンデンサ素子製造用治具１０の梁部材８の長手方向の両縁部（図７の基板１１の長さ方向の両縁部）を、機械搬送装置（図示しない）の把持部４０で把持することによって、基板１１を水平に保持する。
　次いで、前記コンデンサ素子製造用治具１０の基板１１の下面に実装された複数個のソケット１のそれぞれに、リード線５３を有する陽極体（導電体）５２を接続する。前記リード線５３のソケット１への差し込み方向は基板１１に対し垂直方向である（図７、８参照）。
　次いで、前記陽極体（導電体）５２がセットされたコンデンサ素子製造用治具１０を、中に２質量％燐酸水溶液（処理液）５９が入った金属（ステンレス）製の処理容器５０の上方位置で水平状態に配置せしめた。前記金属製処理容器５０は、陰極板５１の役割も兼ねる。
　前記機械搬送装置を操作して、前記陽極体５２の全部及びリード線５３の下端５ｍｍ分が前記処理液５９に浸漬されるように前記治具１０を水平状態を保持しつつ下降せしめてその高さ位置で固定した（図７参照）。この浸漬状態で、電圧制限値（化成電圧）が８．３Ｖとなるように電圧制限端子１５と陰極板（金属製処理容器５０を含む）５１との間に電圧を印加し、各陽極体ごとの電流制限値が２．１ｍＡとなるように電流制限端子１４と電圧制限端子１５との間に電圧を印加して、通電した。前記化成処理液５９の温度を６５℃に維持した状態で８時間陽極酸化を行うことによって、前記導電性焼結体５２の細孔及び外表面並びにリード線の一部（５ｍｍ分）の表面に誘電体層５４を形成した。なお、前記陽極酸化中、４時間経過後から８時間経過までの後半の４時間は、電流制限値を１時間当たり０．５ｍＡの割合で連続的に減少させた（誘電体層形成工程）。
  前記誘電体層５４を表面に備えた陽極体５２を水洗、乾燥させた後、２０質量％のエチレンジオキシチオフェンエタノール溶液に浸漬する一方、前記処理容器５０とは別の処理容器５０内に半導体層形成用溶液５９（水７０質量部及びエチレングリコール３０質量部からなる混合溶媒に、エチレンジオキシチオフェンを０．４質量％及びアントラキノンスルホン酸を０．６質量％含有せしめた溶液）を投入した後、前記誘電体層５４を表面に備えた陽極体５２の全部及びリード線５３の下端５ｍｍ分が前記半導体層形成用溶液５９に浸漬されるように前記治具１０を水平状態を保持しつつ下降せしめてその高さ位置で固定した。この浸漬状態で、２０℃で１つの陽極体あたり５μＡの定電流で５０分間電解重合を行った。この後、前記誘電体層５４を表面に備えた陽極体５２を溶液５９から引き上げ、水洗、アルコール洗浄、乾燥を行った。このような電解重合（１つの陽極体あたり５μＡの定電流で５０分間電解重合）、水洗、アルコール洗浄、乾燥からなる操作を、さらに６回行うことによって、表面に誘電体層５４が形成された陽極体５２の該誘電体層５４の表面に、導電性高分子からなる半導体層５５を形成した（半導体層形成工程）。
　次いで、再化成を行うことによって前記誘電体層５４の修復をした。この再化成は、前記陽極酸化時と同じ溶液を用いて、制限電圧６．３Ｖ、各陽極体ごとの制限電流０．１ｍＡで１５分間行った（再化成処理工程）。
  次に、陽極体上の半導体層５５の表面にカーボンペースト（アチソン社製「エレクトロダッグＰＲ－４０６」）を塗布した後、陽極体５２がソケット１に接続された状態の基板１１を１５０℃の雰囲気に３時間放置することによって乾燥を行った（カーボン層形成工程）。
　次に、誘電体層５４と半導体層５５とカーボン層とが積層されてなる陽極体５２を水洗、乾燥した後、カーボン層の表面に銀ペーストを塗布し、次いで陽極体５２がソケット１に接続された状態の基板１１を１５０℃の雰囲気に４時間放置することによって乾燥を行った（銀ペースト積層工程）。こうしてコンデンサ素子５６を得た。
　上記一連の工程を経て６４０個のコンデンサ素子５６を作製できるが、これを更に３回実施する（即ち全部で４回行う）ことによって、合計２５６０個のコンデンサ素子５６を作製した。
　これら２５６０個のコンデンサ素子について、リード線５３の根元（基端）のポリテトラフルオロエチレン製ワッシャー（厚さ０．１０ｍｍ）の上の位置に半導体層がはみ出して形成されているものがないか目視で調べたところ、半導体層がはみ出していたものは０個であった。
　＜比較例１＞
　梁部材を用いず、また、ソケット１を梁部材に埋設せずに６４０個をそれぞれ個別に基板１１に直接実装した以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ素子製造用治具を得た。即ち、基板１１の貫通孔４９（前記ソケット１の円柱部２１が入る穴径になっている）内に、ソケット１の上面が基板上面と面一になるようにソケット１を挿通して、ソケットを個別に（独立した状態で）基板１１の下面方向にリード線差込口を向けた状態で充填材で固定した。また、各ソケット１は、実施例１と同様に基板１１に構成された電源の出力にそれぞれ電気的に接続されている。
　次いで、前記基板の下面に実装された複数個のソケット１のそれぞれに、実施例１と同様にしてリード線５３を有する陽極体（導電体）５２を接続した。
　そして、これ以降の工程（誘電体層形成工程等）を実施例１と同様に行ってコンデンサ素子５６を作製した。
　上記一連の工程を経て６４０個のコンデンサ素子５６を作製できるが、これを更に３回実施する（即ち全部で４回行う）ことによって、合計２５６０個のコンデンサ素子５６を作製した。
　リード線５３の根元（基端）のポリテトラフルオロエチレン製ワッシャー（厚さ０．１０ｍｍ）の上の位置に半導体層がはみ出して形成されていた素子の数は、１３５２個であった。この比較例１では、３回目の実施から、水平保持されているガラスエポキシ基板に歪み変形が比較的顕著に発生し、３回目の実施以降において、ワッシャーの上の位置に半導体層がはみ出して形成された素子の数が顕著に多くなった。
　本願は、２０１１年１２月２８日付で出願された日本国特許出願の特願２０１１－２８８０７０号の優先権主張を伴うものであり、その開示内容は、そのまま本願の一部を構成するものである。
　ここに用いられた用語及び表現は、説明のために用いられたものであって限定的に解釈するために用いられたものではなく、ここに示され且つ述べられた特徴事項の如何なる均等物をも排除するものではなく、この発明のクレームされた範囲内における各種変形をも許容するものであると認識されなければならない。
　本発明は、多くの異なった形態で具現化され得るものであるが、この開示は本発明の原理の実施例を提供するものと見なされるべきであって、それら実施例は、本発明をここに記載しかつ／または図示した好ましい実施形態に限定することを意図するものではないという了解のもとで、多くの図示実施形態がここに記載されている。
　本発明の図示実施形態を幾つかここに記載したが、本発明は、ここに記載した各種の好ましい実施形態に限定されるものではなく、この開示に基づいていわゆる当業者によって認識され得る、均等な要素、修正、削除、組み合わせ（例えば、各種実施形態に跨る特徴の組み合わせ）、改良及び／又は変更を有するありとあらゆる実施形態をも包含するものである。クレームの限定事項はそのクレームで用いられた用語に基づいて広く解釈されるべきであり、本明細書あるいは本願のプロセキューション中に記載された実施例に限定されるべきではなく、そのような実施例は非排他的であると解釈されるべきである。例えば、この開示において、「preferably」という用語は非排他的なものであって、「好ましいがこれに限定されるものではない」ということを意味するものである。この開示および本願のプロセキューション中において、ミーンズ・プラス・ファンクションあるいはステップ・プラス・ファンクションの限定事項は、特定クレームの限定事項に関し、ａ）「means for」あるいは「step for」と明確に記載されており、かつｂ）それに対応する機能が明確に記載されており、かつｃ）その構成を裏付ける構成、材料あるいは行為が言及されていない、という条件の全てがその限定事項に存在する場合にのみ適用される。この開示および本願のプロセキューション中において、「present invention」または「invention」という用語は、この開示範囲内における１または複数の側面に言及するものとして使用されている場合がある。このpresent inventionまたはinventionという用語は、臨界を識別するものとして不適切に解釈されるべきではなく、全ての側面すなわち全ての実施形態に亘って適用するものとして不適切に解釈されるべきではなく（すなわち、本発明は多数の側面および実施形態を有していると理解されなければならない）、本願ないしはクレームの範囲を限定するように不適切に解釈されるべきではない。この開示および本願のプロセキューション中において、「embodiment」という用語は、任意の側面、特徴、プロセスあるいはステップ、それらの任意の組み合わせ、及び／又はそれらの任意の部分等を記載する場合にも用いられる。幾つかの実施例においては、各種実施形態は重複する特徴を含む場合がある。この開示および本願のプロセキューション中において、「e.g.,」、「NB」という略字を用いることがあり、それぞれ「たとえば」、「注意せよ」を意味するものである。
　本発明に係るコンデンサ素子製造用治具は、電解コンデンサ素子製造用治具として好適に用いられるが、特にこのような用途に限定されるものではない。また、本発明の製造方法により得られたコンデンサは、例えば、パソコン、カメラ、ゲーム機、ＡＶ機器、携帯電話等のデジタル機器や、各種電源等の電子機器に利用可能である。
１…ソケット
２…ソケット本体部
４…リード線部
５…絶縁部
８…梁部材
１０…コンデンサ素子製造用治具
１１…基板
１４…電流制限端子
１５…電圧制限端子
１８…抵抗器
１９…トランジスタ
３０…電気回路
３２…電源
３７…リード線差込口
４９…貫通孔
５１…陰極板
５２…陽極体（導電体）
５３…リード線
５４…誘電体層
５５…半導体層
５６…コンデンサ素子
５９…処理液（化成処理液、半導体層形成用溶液）

Claims (10)

  1. 　基板と、
      前記基板の少なくとも片面に並列に配置された複数の梁部材と、
      前記梁部材に設けられた複数個の導電性のソケットと、を備え、
    　前記複数個のソケットは、コンデンサ用陽極体に電流を供給する電源に電気的に接続可能であり、
    　前記ソケットは、リード線を有するコンデンサ用陽極体のリード線を電気接続する際の該リード線の差込口を有し、前記差込口が前記基板の下方向に開かれていることを特徴とするコンデンサ素子製造用治具。
  2. 　前記梁部材は、幅１．６ｍｍ～５．１ｍｍ、高さ２ｍｍ～１０ｍｍである請求項１に記載のコンデンサ素子製造用治具。
  3. 　前記梁部材は、硬質樹脂を含有してなる請求項１または２に記載のコンデンサ素子製造用治具。
  4.   前記電源は、前記基板の少なくとも片面に形成された電気回路からなり、
    　個々の前記ソケットは、それぞれ個々の前記電源に電気的に接続され、前記電源に接続されていることを除き相互に電気的に絶縁されている請求項１～３のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具。
  5.   前記電気回路が定電流回路である請求項４に記載のコンデンサ素子製造用治具。
  6.   前記電気回路は、個々の前記ソケット毎に電圧を制限する回路でもある請求項４または５に記載のコンデンサ素子製造用治具。
  7.   請求項１～６のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具のソケットにコンデンサ用陽極体が接続されると共に、
    　前記治具の基板が、前記梁部材の長手方向の両縁部において把持されて、水平に保持された状態にあり、かつ、
    　前記陽極体が化成処理液中に浸漬された状態で、
    　前記陽極体を陽極にして通電することによって、前記陽極体の表面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程を含むことを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
  8.   請求項１～６のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具のソケットに、表面に誘電体層が設けられた陽極体が接続されると共に、
    　前記治具の基板が、前記梁部材の長手方向の両縁部において把持されて、水平に保持された状態にあり、かつ、
    　前記陽極体が半導体層形成用溶液中に浸漬された状態で、
    　前記陽極体を陽極にして通電することによって、前記陽極体表面の誘電体層の表面に半導体層を形成する半導体層形成工程を含むことを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
  9.   請求項１～６のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具のソケットにコンデンサ用陽極体を接続されると共に、
    　前記治具の基板が、前記梁部材の長手方向の両縁部において把持されて、水平に保持された状態にあり、かつ、
    　前記陽極体が化成処理液中に浸漬された状態で、
    　前記陽極体を陽極にして通電することによって、前記陽極体の表面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
    　前記誘電体層形成工程の後に、陽極体がソケットに接続された状態の前記基板が水平に保持された状態にあり、かつ、
      前記陽極体が半導体層形成用溶液中に浸漬された状態で、
    　前記陽極体を陽極にして通電することによって、前記陽極体表面の誘電体層の表面に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を含むことを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
  10.   請求項７～９のいずれか１項に記載の製造方法で得たコンデンサ素子の陽極体及び半導体層に、それぞれ電極端子を電気的に接続し、前記電極端子の一部を残して封止するコンデンサの製造方法。
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