WO2013098536A1 - Dispositif oled a emission par l'arriere - Google Patents
Dispositif oled a emission par l'arriere Download PDFInfo
- Publication number
- WO2013098536A1 WO2013098536A1 PCT/FR2012/053100 FR2012053100W WO2013098536A1 WO 2013098536 A1 WO2013098536 A1 WO 2013098536A1 FR 2012053100 W FR2012053100 W FR 2012053100W WO 2013098536 A1 WO2013098536 A1 WO 2013098536A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- contact
- cathode
- anode
- point
- oled device
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 101100091494 Mus musculus Rorc gene Proteins 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VZVQQBDFMNEUHK-UHFFFAOYSA-N [La].[Hf] Chemical compound [La].[Hf] VZVQQBDFMNEUHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3035—Edge emission
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
La présente invention a pour objet un dispositif OLED (100), comportant une anode transparente de résistance par carré donné R1,une cathode (3)de résistance par carré donnée R2, le ratio r = R2/R1allant de0,1 à5, un premier contact électrique d'anode adapté et un premier contact électrique de cathode (5a, 5d)qui est décalé du contact électrique d'anode adapté(41),pour tout point B1 de chaque contact d'anode adapté (41), en définissant une distance D1entre ledit point B1et le point C1 de la surface de contact le plus proche dudit point B1, et en définissant une distance L1 entre ledit point B1 et un point X1 d'un deuxième bord (22)de la zone active opposé au premier bord (21), en passant par C1,alors on définit les critères suivants: -si 0,1≤r < 1,75,alors 20% < D1/L1, -si 1,75 ≤r < 2,5, alors 20% < D1/L1< 90%, -ou si 2,5 ≤r < 3, alors 20% < D1/L1< 80%, -ou encore si 3 ≤r ≤5 alors 20%< D1/L1< 70%, et un réflecteur(6) couvre la zone active (20).
Description
DISPOSITIF OLED A EMISSION PAR L'ARRIERE
La présente invention a pour objet un dispositif à diode électroluminescent organique à émission par l'arrière.
Les systèmes électroluminescents organiques connus ou OLED (pour
« Organic Light Emitting Diodes » en anglais) comportent un empilement de couches électroluminescentes organiques alimentées en électricité par des électrodes l'encadrant sous forme de couches minces électroconductrices. Lorsqu'une tension est appliquée entre les deux électrodes, le courant électrique traverse la couche organique, générant ainsi de la lumière par électroluminescence.
Dans un dispositif OLED à émission par l'arrière (bottom OLED en anglais), l'électrode supérieure, ou cathode, est une couche métallique réfléchissante typiquement avec résistance par carré inférieure ou égale à 0, 1 Ω/carré et l'électrode inférieure ou anode, est une couche transparente, déposée sur un substrat verre ou plastique laissant passer la lumière émise, de résistance par carré de plusieurs ordres de grandeurs supérieures.
Le document WO99/02017 constate qu'une très grande différence de résistance par carré entre l'anode et la cathode conduit à la fois une inhomogénéité de la luminance, une diminution de la durée et de la fiabilité, tout particulièrement pour des dispositifs de grandes tailles. Aussi, il propose un dispositif à diode électroluminescente organique avec une anode transparente de résistance par carré donnée R1 et une cathode avec une résistance par carré R2 donnée proche, le ratio r = R2/R1 étant compris entre 0,3 et 3.
A titre d'exemple, l'anode est une couche d'ITO de résistance par carré 10 ohms et la cathode est une couche mince d'ytterbium de résistance par carré 9,9 ohms soit r autour de 1 .
Le gain en homogénéité n'est cependant pas encore optimal et même n'est pas certain pour toutes les configurations d'OLED.
Aussi, la présente invention a tout d'abord pour objet un dispositif à diode électroluminescent organique, dit OLED, comportant un substrat transparent avec une première face principale comportant un empilement comprenant dans cet ordre en partant de ladite première face :
- (directement sur la première face ou sur une sous couche par exemple) une électrode inférieure formant anode, qui est transparente, comportant de
préférence au moins une couche électroconductrice, anode de résistance par carré donnée R1 , notamment R1 inférieure à 30 Ohm/carré voire inférieure ou égale à 15 Ohm/carré ou même 10 Ohm/carré, l'anode ayant une surface anodique donnée, la dimension caractéristique de la surface anodique étant de préférence d'au moins 2 cm, voire 5 cm,
- un système électroluminescent organique au-dessus de l'anode,
- une électrode supérieure formant cathode, au-dessus du système électroluminescent organique (voire directement sur le système), comportant de préférence une couche électroconductrice, cathode de résistance par carré donnée R2, cathode de préférence d'épaisseur donnée constante, avec un ratio r = R2/R1 allant de 0, 1 à 5
l'anode, le système électroluminescent organique et la cathode définissant ainsi une zone commune dite active (correspondant à la surface éclairante moins des éventuels contacts d'anode internes, si trop opaques).
Le dispositif OLED comporte en outre :
- le long d'un premier bord de la zone active, tout le long par exemple du premier bord, ou encore le long d'un groupe de bords adjacents (incluant le premier bord), un premier contact électrique d'anode adapté, voire plusieurs contacts électriques d'anode adaptés, notamment en périphérie interne et/ou externe de la zone active,
- un premier contact électrique de cathode (de préférence unique), qui est décalé du ou des contacts électriques d'anode adaptés, contact de cathode de surface donnée, dite surface de contact.
Pour (la majorité voire 80% ou au mieux pour) tout point B1 de chaque contact d'anode adapté (notamment du premier contact électrique d'anode adapté), en définissant une distance D1 entre ledit point B1 et le point C1 de la surface de contact le plus proche dudit point B1 , et en définissant une distance L1 entre ledit point B1 et un point X1 d'un deuxième bord de la zone active opposée au premier bord , en passant par C1 , alors on définit les critères suivants :
- si 0,1≤r < 1 ,75 alors 20% < D1/L1 ,
- si 1 ,75 < r < 2,5, alors 20% < D1/L1 < 90%, ou
- si 2,5 < r < 3, alors 20% < D1/L1 < 80%,
- ou encore si 3 < r < 5, alors 20%< D1/L1 < 70%.
Enfin, le dispositif OLED, comporte au-dessus du système électroluminescent organique, en s'éloignant de la première face, un réflecteur couvrant la zone active.
Un tel dispositif est apte à être connecté en série par l'agencement des contacts de cathode et d'anode notamment.
L'invention a également pour objet un dispositif à diode électroluminescent organique, dit OLED, comportant un substrat transparent avec une première face principale comportant un nombre n supérieur à 1 d'empilements, chaque empilement comprenant dans cet ordre en partant de ladite première face :
- (directement sur la première face ou sur une sous couche par exemple) une électrode inférieure formant anode, qui est transparente, comportant de préférence au moins une couche électroconductrice, anode de résistance par carré donné R1 ,
- un système électroluminescent organique au-dessus de l'anode,
- une électrode supérieure formant cathode, au dessus du système électroluminescent organique et comportant de préférence une couche électroconductrice, cathode de résistance par carré donnée R2 de préférence d'épaisseur donnée constante, le ratio r = R2/R1 allant de 0,1 à 5 l'anode, le système électroluminescent organique et la cathode définissant ainsi une zone commune dite active,
les empilements étant connectés en série, ou aptes à être connectés en série (par l'agencement des contacts de cathode ou d'anode notamment...) et pour au moins l'un des empilements, de préférence pour la majorité voire chacun des n empilements, le dispositif OLED comportant :
- le long d'un premier bord de la zone active, un premier contact électrique d'anode adapté voire plusieurs contacts électriques d'anode adaptés,
- un premier contact électrique de cathode (de préférence unique), qui est décalé du ou des contacts électriques d'anode adaptés, contact de cathode de surface donnée, dite surface de contact,
Pour (la majorité voire 80% ou au mieux pour) tout point B1 de chaque contact d'anode adapté (notamment du premier contact électrique d'anode adapté), en définissant une distance D1 entre ledit point B1 et le point C1 de la surface de contact le plus proche dudit point B1 , et en définissant une distance L1 entre ledit point B1 et un point X1 d'un deuxième bord de la zone active opposé au premier bord, en passant par C1 , alors on définit les critères suivants :
- si 0,1 < r < 1 ,75 alors 20% < D1/L1 ,
- si 1 ,75 < r < 2,5, alors 20% < D1/L1 < 90%, ou
- si 2,5 < r < 3, alors 20% < D1/L1 < 80%, ou encore
- si 3 < r < 5, alors 20%< D1/L1 < 70%.
Enfin, le dispositif OLED, comporte au-dessus du système électroluminescent organique, en s'éloignant de la première face, un réflecteur couvrant la zone active.
Aussi pour 0,1 < r < 1 ,75, si D1 est inférieur à L1 (D1/L1 < 100%), le premier contact électrique de cathode est agencé au-dessus de la zone active et couvre alors partiellement la région de la cathode au-dessus de la zone active (s'étendant jusqu'au deuxième bord opposé au premier bord). Si D1 est supérieure ou égale à L1 , le premier contact électrique de cathode est agencé le long du deuxième bord en périphérie externe de la zone active (par exemple dans une zone de cathode dépassante de la zone active).
Pour les autres gammes de r, le premier contact électrique de cathode est alors agencé au-dessus de la zone active et couvre alors partiellement la région de la cathode au-dessus de la zone active, (s'étendant jusqu'au deuxième bord opposé au premier bord).
Plus rigoureusement, D1 est la distance entre B1 et la projection (orthogonale) de C1 sur l'anode ou mieux dans le plan passant par B1 parallèle à l'anode, mais compte- tenu de la faible hauteur de l'OLED, cela ne change pas les critères définis ci-dessus.
Et de même plus rigoureusement, L1 la distance entre B1 et X1 (X1 dans le plan passant par B1 parallèle à l'anode) en passant par la projection orthogonale de C dans le plan passant par B1 parallèle à l'anode mais compte-tenu de la faible hauteur de l'OLED, cela ne change pas les critères définis ci-dessus.
On peut préférer donc définir D1 et L1 dans le plan passant par B1 parallèle à l'anode.
Le substrat transparent peut être monolithique (commun pour tout ou partie des empilements) ou en plusieurs morceaux (par exemple un support par empilement, n supports étant aboutés pour former le substrat).
Selon l'invention, on entend par contact adapté d'anode (c'est-à-dire le premier contact d'anode adapté comme le ou les autres contacts d'anode adaptés), un contact électrique ayant une conduction suffisante pour que, lorsque l'OLED est en fonctionnement, la tension soit la même en tout point du contact adapté. Il en résulte de cette propriété de conduction, qu'entre deux points du contact adapté, la variation de luminance à proximité de ces deux points est inférieure à 5%. Le rôle du contact adapté
d'anode est donc de distribuer un même potentiel électrique sur toute sa surface.
Selon l'invention, le premier contact électrique de cathode a en outre une conduction suffisante pour que, lorsque l'OLED est en fonctionnement, la tension soit la même en tout point du premier contact de cathode. Il en résulte de cette propriété de conduction, qu'entre deux points de ce contact de cathode, la variation de luminance à proximité de ces deux points est inférieure à 5%. Le rôle de ce contact de cathode est donc de distribuer un même potentiel électrique sur toute sa surface.
Le but de cette invention est de fabriquer l'OLED la plus grande possible satisfaisant un critère d'homogénéité de luminance pré-requis avec une anode de R1 donnée et une résistance de couche organique rorg donnée, en particulier avec une configuration donnée de contacts d'anode sur un seul bord ou des OLED en série.
La Demanderesse a constaté que les positions des connectiques d'anode et de cathode, notamment leur positionnement l'une par rapport à l'autre, ainsi que leurs formes étaient critiques. Pour un véritable gain en homogénéité, il est ainsi crucial :
- de choisir judicieusement le ou les contacts d'anode, notamment leur position et leur résistance (pour qu'ils soient adaptés),
- de placer correctement le premier contact de cathode,
- et d'éloigner suffisamment le premier contact de cathode du ou des contacts d'anode adaptés.
On obtient ainsi une différence de potentiels la plus constante possible entre la cathode et l'anode sur toute la surface éclairante.
D1 peut être constant quelque soit le point B1 ou varier tout en restant avec le ratio D1/L1 selon l'invention qui dépend drastiquement du choix du ratio r.
Le premier contact de cathode peut s'étendre dans la zone active vers les bords de la zone active au moins en direction du ou des contacts d'anode adaptés.
La limite éventuelle supérieure de D1/L1 rappelle que le premier contact de cathode selon l'invention s'écarte alors d'un contact de type ponctuel.
Un contact de cathode laissant alors une part de la zone centrale de la zone active inhomogène n'est pas conforme à l'invention. On peut citer comme contre exemples :
- un contact de cathode en plusieurs morceaux trop espacés entre eux dans la zone centrale de la zone active,
- un contact de cathode creux formant un cadre ou un anneau trop fin.
Un autre contre exemple de contact de cathode (non conforme à l'invention)
serait en outre un réseau de contacts résistifs ou même adaptés, tel qu'une grille ou des bandes parallèles, occupant seulement la périphérie interne de la zone active (de largeur D1 ) ou l'ensemble de la zone active.
Le premier contact de cathode selon l'invention, notamment au-dessus de la zone active, de préférence n'est pas un contact de type ponctuel.
Le contact de cathode selon l'invention ne reproduit pas forcément la symétrie de la zone active.
La surface de contact peut être une surface pleine, une surface en grille (agencée pour maintenir un équipotentiel). La surface de contact peut être de préférence une seule surface (en un morceau) et/ou le contact de cathode peut être unique.
La surface de contact (sensiblement) pleine (notamment une couche déposée sur l'anode) peut présenter des discontinuités de surface, mais inaptes à perturber sa fonction d'équipotentiel.
Et, comme déjà indiqué, de préférence la surface de contact pleine n'est pas de type creuse.
On préfère en outre que la zone active soit de type pleine.
Le contact de cathode peut être autosupporté et rapporté sur la cathode par exemple un ensemble de fils, en nappe, etc.
De préférence l'épaisseur du premier contact de cathode est constante.
Le premier contact adapté quant à lui peut être une couche pleine ou de type maillage (grille resserrée formant une bande..), voire un ensemble de contacts d'anode ponctuels suffisamment proches pour répartir le courant, par exemple éloignés de moins de quelques mm.
L'expression « le long d'un premier bord » est à interpréter au sens large, le ou les contacts d'anode adaptés pouvant suivre le contour du premier bord (en interne ou en la dénomination « deuxième bord opposé au premier bord est prise au sens large et incorpore deux zones opposées d'une zone active arrondie (disque, contour ovoïde, etc).
Le premier contact adapté, notamment (sensiblement) rectiligne, peut être périphérique, périphérique pris au sens large donc :
- en périphérie externe au premier bord,
- couvert par le système électroluminescent (et par la cathode au-dessus) et est passivée par une couche de passivation, telle que du polyimide, donc (au moins en partie) en périphérie interne du premier bord.
Le premier contact adapté périphérique externe et/ou le ou les deuxièmes
contacts d'anode adaptés périphériques externes éventuels sont de préférence à une distance W inférieure à L/10 voire à L/20 du premier bord où L est la distance entre premier et deuxième bord, de préférence constante.
De préférence le premier contact adapté qui est périphérique (comme le ou les deuxièmes contacts d'anode adaptés périphérique éventuels) longe (sensiblement) la périphérie (interne ou externe) du premier bord, et est à distance constante (ou à peu près) de la périphérie de la zone active.
Le premier contact adapté périphérique, externe et/ou interne, est de préférence à une distance inférieure à 10 mm, voire inférieure ou égale à 5 mm du premier bord et voire est (en partie) sur le premier bord de la zone active (en dépassant de part et d'autre).
Le premier voire les autres contacts d'anode adaptés périphérique éventuels d'anode périphérique (externe et/ou interne) sont de préférence à une distance (constante de préférence) inférieure à 10 mm voire à 5 mm du premier bord, et voire sont (en partie) sur le premier bord de la zone active (en dépassant de part et d'autre).
Le premier contact adapté peut être sur ou sous l'anode.
Le premier et/ou le ou les deuxièmes contacts d'anode adaptés (notamment périphériques) éventuels peuvent (sensiblement) être rectilignes, être courbes....
Typiquement la largeur d'un contact d'anode adapté (étendu voire ponctuel) est de l'ordre du cm. Il n'y a probablement pas de lumière sortante dans la zone active dotée du premier contact d'anode adapté, car ce dernier est trop opaque.
Par ailleurs, contrairement à l'art antérieur précité, on préserve, via le réflecteur selon l'invention, un niveau de luminance acceptable. Typiquement le réflecteur peut avoir une réflexion lumineuse RL (vers le système organique) d'au moins 80 %.
Le système électroluminescent organique est au-dessus de l'anode :
- notamment directement sur l'anode, en intégrant dans la fonction anode aussi une planarisation éventuelle électroconductrice,
- ou encore directement sur une passivation de contact d'anode adapté interne à la zone active (comme discuté plus tard),
- notamment directement sur l'anode, en intégrant dans la fonction anode aussi une planarisation éventuelle électroconductrice,
- ou encore directement sur une passivation de contact d'anode résistif interne à la zone active (comme discuté plus tard).
Typiquement, le substrat revêtu de l'anode (anode directement sur le substrat ou
séparée par une couche par exemple pour l'extraction de lumière) peut avoir une transmission lumineuse d'au moins 70%.
Selon l'invention, on entend par couche mince, une couche (mono ou multicouche en l'absence de précision) d'épaisseur inférieure au micron, voire à 500 nm, voire à 100 nm.
Selon l'invention, on entend par couche une monocouche ou multicouche, ceci en l'absence de précision.
La cathode est de préférence d'épaisseur donnée constante notamment avec une tolérance en fonction du procédé de fabrication, par exemple ± 10% pour un dépôt type couche mince.
L'OLED selon l'invention tout particulièrement destinée à l'éclairage aussi la dimension caractéristique, i. e. la plus grande dimension, telle que la longueur ou le diamètre, de la zone active peut être d'au moins 10 cm voire 15 cm.
La cathode étant alimentée électriquement à un potentiel Vc, telle que la différence de potentiel(s) entre anode et cathode est apte pour l'éclairage, notamment Vc est à la masse.
On considère qu'une cathode épaisse classique est idéale, c'est-à-dire qu'elle forme en elle-même un contact de cathode (équi potentiel en tout point de la cathode). L'invention se distingue d'une telle cathode de part l'augmentation de la résistance par carré de la cathode R2 et des critères sur la surface de contact.
Le contact de cathode est au-dessus de la zone active, notamment si 1 ,75 < r ou le contact de cathode peut être en dehors de la zone active si r < 1 ,75.
De préférence, le premier contact de cathode qui est au-dessus de la zone active, peut avoir une surface (sensiblement) homothétique à la surface de la zone active et/ou être de distance (sensiblement) constante au contact d'anode adapté notamment (sensiblement) parallèle au contact d'anode adapté.
Si la zone active est un carré ou un rectangle, le contact de cathode est un carré ou un rectangle ou si la zone active est ronde, le premier contact de cathode, présente un bord arrondi en regard du premier bord.
Pour une homogénéisation encore meilleure, on préfère :
- si 0,1 < r < 1 ,75, alors 40% < D1/L1 , voire 60% < D1/L1 ,
- si 1 ,75 < r < 2,5, alors 40% < D1/L1 < 80%, voire 50% < D1/L1 < 70%,
- si 2,5 < r < 3, alors 40% < D1/L1 < 70%, voire 40% < D1/L1 < 60%,
- si 3 < r < 5, alors 30% < D1/L1 < 50%.
Le dispositif OLED peut comprendre un ou des contacts électriques d'anode dits résistifs, notamment en couche électroconductrice, reliés au premier contact d'anode adapté et/ou au(x) éventuel(s) contact(s) d'anode adapté(s)), contacts résistifs éventuellement interconnectés, contacts de résistance plus grande que la résistance du ou des contacts d'anode adaptés.
Et le ratio r = R2/R1 allant de 0,1 à 5 est alors remplacé par un ratio r' = R2/R1 ' allant 0,1 à 5, dans lequel R1 ' est la résistance par carré équivalente de l'ensemble anode et contact(s) résistif(s) dans la zone active et l'on conserve les ratios D1/L1 .
Naturellement on préférera :
- si 0,1 < r' < 1 ,75, alors 40% < D1/L1 , voire 60% < D1/L1 ,
- si 1 ,75 < r'< 2,5, alors 40% < D1/L1 < 80%, voire 50% < D1/L1 < 70%,
- si 2,5 < r' < 3, alors 40% < D1/L1 < 70%, voire 40% < D1/L1 < 60%,
- si 3 < r' < 5 alors 30% < D1/L1 < 50%.
Les contacts résistifs sont de résistance telle qu'en fonctionnement, certains points du contact résistif sont à un potentiel Vr distinct du potentiel du contact d'anode adapté de plus de 5 % en relation absolue, voire au moins 10% ou même 20%.
La résistance globale de l'anode peut ainsi se définir comme la mise en parallèle de la résistance des contacts résistifs avec la résistance de la couche d'anode transparente.
Le contact résistif peut être en un même matériau que le contact adapté, mais beaucoup plus fin par exemple de moins de 1 mm.
A des fins esthétiques, on peut préférer un dispositif OLED dénué d'un ou de plusieurs contacts d'anode adaptés dans la zone active, voire même dénué d'un ou de plusieurs de contacts résistifs d'anode (même si assez fins en général) dans la zone active.
Un contact d'anode (adapté ou résistif) peut être sous forme de couche d'épaisseurs comprises entre 0,2 à 10 μηη et de préférence sous forme d'une monocouche en l'un des métaux suivants : Mo, Al, Cr, Nb ou en alliage tel que MoCr, AINb ou sous forme d'une multicouche telle que Mo/AI/Mo ou Cr/AI/Cr.
Il peut aussi s'agir d'un bus bar à l'argent sérigraphié (émail à l'argent) ou déposé par jet d'encre.
Il est déjà connu d'abaisser R1 de l'anode par un maillage assez fin de contacts électriques résistifs, typiquement un réseau métallique carré ou nid d'abeille
sur l'anode.
Les brins sont de l'ordre de 50 à 100 μηι de large et le pas du réseau est en général de 1/5 mm, ce qui donne un taux d'occultation entre 1 et 5 %.
R1 ' peut varier de 0,5 à 5 Ohms par exemple. En pratique, on utilise une multicouche Mo ou Cr (100 nm)/AI (500 nm à 1000 nm)/Mo ou Cr (100 nm) est déposée par exemple sur ΙΊΤΟ de 140 nm. Cette multicouche est ensuite gravée chimiquement, avec un procédé de photolithographie en général, pour former les contacts résistifs et éventuellement les contacts d'anode adaptés en la même matière mais plus larges.
Ainsi, au niveau de l'anode, tout se passe comme si l'on avait une anode de résistance équivalente à la mise en parallèle de l'anode et du ou des contacts d'anode résistifs.
On a alors une tension dans les contacts résistifs d'anode qui va diminuer progressivement à mesure qu'on s'éloigne des bords de l'OLED.
De la même manière, il peut y avoir un ou plusieurs contacts résistifs de cathode, par exemple en couche électroconductrice, reliés au premier contact de cathode, contacts résistifs éventuellement interconnectés et notamment répartis sur l'ensemble de la zone entre le premier contact de cathode et les bords de l'OLED.
Dans ce cas, R2 correspond à la résistance par carré équivalente de l'ensemble cathode et contact(s) résistif(s).
Les contacts résistifs sont par exemple de résistance telle qu'en fonctionnement, certains points du contact résistif sont à un potentiel Vr distinct du potentiel du premier contact de cathode V de plus de 2 % en relation absolue, voire au moins 4% ou même 8%.
Le premier contact d'anode adapté peut être un contact étendu, notamment unique ou le premier contact d'anode adapté est un contact de type ponctuel, et des autres contacts d'anode adaptés de type ponctuel sont répartis sur le premier bord.
Le premier bord et le deuxième bord sont de préférence les bords longitudinaux (les plus longs) de la zone active. On préfère qu'il n'y ait pas de contacts d'anode adaptés sur les bords adjacents au premier et au deuxième bord. On préfère que le ou les contacts d'anode adaptés s'étendent sur (au moins) un premier bord sur une distance inférieure à la moitié de la zone active.
Pour une zone active de type carrée ou un rectangle, on préfère que le ou les contacts d'anode adaptés s'étendent sur un seul bord de préférence le plus long.
Si le contact de cathode est externe, sa forme importe moins. De préférence il est à proximité (voire est en contact avec le deuxième bord) et longe le deuxième bord.
Pour une zone active ronde, le contact d'anode et le contact de cathode sont de type parenthèse si le contact de cathode est externe. Ou le contact d'anode est en C et le contact de cathode interne est en C, notamment à distance constante du C du contact d'anode.
On évite une forme de zone active de type triangle les premier et deuxième bords étant « trop » adjacents. On préfère une zone active de type symétrique.
Le ou les zones actives peuvent former des bandes, carrées ou rectangulaires, des bandes (sensiblement) rectilignes, parallèles ou courbes.
Dans le cas de n empilements, les zones actives sont par exemple alignées suivant au moins une direction donnée A dite de connexion, ou encore s'étendent selon une autre forme telle qu'un soleil...
Les zones actives des n empilements, notamment pleines, sont de préférence de tailles similaires, notamment égales à une surface S±10% et de préférence les zones actives sont de formes similaires. La distance entre le premier bord et le deuxième bord est de préférence (sensiblement) constante, par exemple vaut une valeur G±10%.
L'espacement entre les zones actives est de préférence minimisé à moins de 500 μηη, notamment entre 100 et 500 μηη.
Entre les zones actives, on peut prolonger le réflecteur.
A l'état off, on peut s'arranger pour que le réflecteur forme un miroir sur l'ensemble des n empilements (donc sans discontinuités).
Les zone actives sont de préférence des formes géométriques, des pavages (rectangle, carré, nid d'abeille..).
Par ailleurs, du fait de l'adaptation de R2, la cathode peut être transparente ou semi-réfléchissante, notamment de réflexion RL inférieure à 80%, voire inférieure ou égale à 60%, voire 50%.
La cathode laisse passer la lumière émise, de préférence sans trop absorber. Dans une première configuration (avec la cathode transparente ou semi- transparente), le réflecteur peut comporter un élément couvrant réfléchissant de préférence métallique, notamment en couche(s) (mince(s)), au-dessus de la cathode en s'éloignant de la première face principale, l'élément couvrant étant séparé de la cathode par un élément isolant électrique, notamment en couche, dit intercalaire.
Le premier contact de cathode, adjacent à l'intercalaire, peut aussi faire partie du réflecteur et est de préférence en contact voire électriquement couplé à l'élément couvrant réfléchissant.
L'élément couvrant réfléchissant peut être :
une couche, déposée par dépôt physique en phase vapeur sur l'intercalaire, ou sur une face interne d'un contre élément (verre, film plastique..) rapporté contre l'intercalaire (en contact optique de préférence),
une feuille métallique : Cu, Inox, Alu, Ag ...
L'élément couvrant réfléchissant, de préférence à couche, est à base d'au moins un métal choisi parmi Al, Ag, Cu, Mo, Cr.
L'intercalaire peut être choisi pour laisser passer la lumière émise, de préférence sans trop absorber. Par exemple l'intercalaire est transparent, de préférence de TL > 90 %, et peu absorbant notamment A < 3 %.
L'intercalaire peut être :
une couche déposée sur la cathode couche mince déposée par dépôt physique en phase vapeur, voire une colle si le réflecteur est une plaque (inox etc) ...
de l'air, le réflecteur étant écarté par des espaceurs, périphériques à la zone active,
un film rapporté, par exemple un intercalaire de feuilletage (type PVB) et le réflecteur est par exemple un substrat verre avec une couche réfléchissante. L'intercalaire de préférence comprend voire est constitué d'une (mono)couche
(notamment d'épaisseur inférieure à 100 nm, épaisseur ajustée en fonction de son absorption) qui est
o minérale, de préférence choisie parmi un nitrure, un oxyde, un oxynitrure, par exemple un nitrure de silicium,
o ou une résine par exemple identique à la résine de passivation des bords d'OLED, notamment en polyimide,
o et/ou éventuellement est diffusante, par exemple par ajout de particules diffusantes notamment minérales dans un liant notamment minéral. De préférence, dans cette première configuration, le premier contact de cathode comprend une couche à base du même matériau que l'élément couvrant métallique, de préférence qui est une couche à base d'aluminium.
Le contact de cathode peut être :
- une couche déposée sur la cathode : colle conductrice, couche déposée par jet d'encre ou sérigraphie selon la forme souhaitée, couche mince déposée par PVD et si nécessaire patternée, une brasure voire une soudure ...
- et /ou un film rapporté avec la forme prédéterminée : clinquant ...
Le contact de cathode, de préférence à couche, est à base d'au moins un métal de préférence choisi parmi Al, Ag, Cu, Mo, Cr.
Notamment, le contact de cathode et l'élément couvrant peuvent être formés par une couche continue, notamment sur l'intercalaire (en couche) et la cathode. De préférence le contact de cathode, voire la couche continue, est à base du même matériau que la cathode, notamment l'aluminium.
De cette manière à l'état off, la couche continue peut former un miroir et on ne différencie par le contact de cathode de l'élément couvrant.
On peut souhaiter utiliser une seule technique de dépôt (par exemple physique en phase vapeur PVD, notamment pulvérisation cathodique ou évaporation) pour l'élément couvrant et le contact de cathode (et même la cathode ou encore l'intercalaire), voire même une seule étape de dépôt de couche pour l'élément couvrant et le contact de cathode.
Plus largement, parmi les matériaux possibles pour la cathode on peut citer
- des métaux : aluminium, béryllium, magnésium, calcium, strontium, baryum, lanthane hafnium, indium, bismuth,
- et des lanthanides : cérium, praséodyme, néodyme, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, et lutétium.
On préfère en particulier l'aluminium, l'argent, le baryum, le calcium, le samarium qui sont souvent utilisés pour leur faible travail de sortie.
Le tableau 1 ci-dessous donne
la R2 de l'aluminium (qui peut être transparent ou semi-transparent en fonction de l'épaisseur choisie),
la R2 du samarium, de résistivité (massique) de 900 nOhm.m, qui peut être transparent ou semi-transparent en fonction de l'épaisseur choisie et la R2 du baryum, de résistivité (massique) de 332 nOhm.m, qui est transparent ou semi-transparent en fonction de l'épaisseur choisie.
Epaisseur (nm) R2 (Ω/D) Epaisseur R2 (Ω /□) Epaisseur R2 (Ω /□) pour Al (nm) pour Ba (nm) pour Sm
10 5 5 66 10 90
20 2,5 10 33 50 18
50 1 30 1 1 100 9
100 0,5 50 6 200 4,5
200 0,25 75 4
500 0,1 100 3
Tableau 1
On préfère que R2 soit supérieure ou égale à 1 voire à 3 ohm/carré et inférieure à 20 ohm/carré.
La cathode de manière préférée est à base d'au moins un métal, de préférence choisi parmi Al et Ag, avec optionnellement une couche de LiF sous- jacente à la couche de métal et par exemple d'épaisseur inférieure à 3 nm.
Tout particulièrement la cathode peut comprendre, voire est constituée, d'une couche à base d'aluminium et le contact de cathode est une couche à base d'aluminium, formant par exemple une surépaisseur sur la couche de cathode en aluminium.
Dans une deuxième configuration (avec la cathode transparente ou semi- transparente), le réflecteur est un miroir de Bragg, miroir de Bragg agencé sur la cathode et adjacent au contact de cathode, et le contact de cathode fait partie du réflecteur.
Le miroir de Bragg est connu comme un empilement formé d'une alternance de couches minces haut indice de réfraction n1 , telles que Ti02, Zr02, AI203, Si3N4, et de couches minces de plus bas indice n2, telles que Si02, CaF2.
Par exemple le delta d'indice n2-n1 est d'au moins 0,3, et de préférence d'au moins 0,6, et l'empilement comprend au moins deux couches haut indice et deux couches bas indice.
Ainsi, pour une OLED de longueur d'onde centrée vers 570 nm, on pourra envisager un empilement multicouche Ti02 60 nm / Si02 95 nm, voire éventuellement la superposition de cet empilement multicouche.
L'utilisation de miroirs de Bragg pour des OLEDs est bien connue de l'homme du métier, qui pourra éventuellement se référer aux publications suivantes :
• Appl. Phys. Lett. 69, 1997 (1996); Efficiency enhancement of microcavity organic light emitting diodes ; R. H. Jordan, A. Dodabalapur, and R. E. Slusher
• JOSA B, Vol. 17, Issue 1 , pp. 1 14-1 19 (2000),Semitransparent métal or distributed Bragg reflector for wide-viewing-angle organic light- emitting-diode microcavities; Kristiaan Neyts, Patrick De Visschere, David K. Fork, and Greg B. Anderson.
Le contact de cathode peut toucher le miroir de Bragg.
Le contact de cathode est connecté par exemple par l'une de ses extrémités dépassantes de la zone active formant alors une zone de connectique cathode.
L'invention sera maintenant décrite plus en détails à l'aide d'exemples non limitatifs et de figures
La figure 1 est une vue schématique en coupe d'un premier dispositif électroluminescent organique conforme à l'invention,
- La figure 1 a illustre une vue schématique de dessus du dispositif OLED de la figure 1 ,
La figure 1 b montre des graphes d'homogénéité de la luminance obtenus selon l'invention
La figure 1 ' est une vue schématique en coupe d'un deuxième dispositif électroluminescent organique conforme à l'invention,
La figure 1 'a illustre une vue schématique de dessus du dispositif OLED de la figure 1 ',
La figure 2 est une vue schématique en coupe d'un troisième dispositif électroluminescent organique conforme à l'invention,
- La figure 2a illustre une vue schématique partielle de dessus du dispositif
OLED de la figure 2,
La figure 3 est une vue schématique en coupe d'un quatrième dispositif OLED conforme à l'invention avec 4 empilements connectés en série. On précise que par souci de clarté les différents éléments des objets (y compris les angles) représentés ne sont pas reproduits à l'échelle.
La figure 1 , volontairement très schématique, représente en coupe un dispositif électroluminescent organique à émission à travers le substrat ou « bottom émission » en anglais.
Le dispositif OLED 100 (connectable en série aisément) comporte un substrat transparent avec une première face principale 10 comportant un empilement comprenant dans cet ordre en partant de ladite première face :
- une électrode inférieure formant anode 1 , qui est transparente, comportant au moins une couche électroconductrice, anode de résistance par carré donné R1 , par exemple un TCO ou un empilement à l'argent,
- un système électroluminescent organique 2 au-dessus de l'anode, (incluant couche HTL et ETL),
- une électrode supérieure formant cathode 3, transparente ou semi- réfléchissante, au-dessus du système électroluminescent organique, comportant une couche électroconductrice, cathode de résistance par carré donné R2 d'épaisseur donnée constante, le ratio r = R2/R1 allant de 0,1 à 5, l'empilement définissant ainsi une zone commune, dite active 20.
Un potentiel V, par exemple 4 V ou 10 V, est appliqué en bordure de l'anode 1 via un premier contact électrique d'anode 41 périphérique, en (multi)couches métalliques par exemple. Il est dit premier contact d'anode adapté 41 , c'est-à-dire de résistance électrique adaptée pour être, en fonctionnement, au premier potentiel V en tout point.
Le premier contact adapté 41 est ici à l'extérieur de la zone active 20 sur un premier bord 21 longitudinal de la zone active.
L'invention consiste ainsi en un module OLED dont à la fois le ratio r et la géométrie des connexions électriques sur les deux électrodes sont ajustés de façon à ce que les chutes de tension qui ont lieu dans les deux électrodes se compensent pour maintenir une différence de tension la plus uniforme possible entre les deux électrodes.
Pour tout point B1 du premier contact d'anode adapté 41 , en définissant une distance D1 entre ledit point B1 et le point C1 de la surface de contact le plus proche dudit point B, et en définissant une distance L1 entre ledit point B1 et un point X1 d'un deuxième bord longitudinal 22 de la zone active opposé au premier bord 21 , en passant par C1 , alors on définit les critères suivants :
- si 0,1 < r < 1 ,75, alors 20% < D1/L1 ,
- si 1 ,75 < r < 2,5, alors 20% < D1/L1 < 90%,
- si 2,5 < r < 3, alors 20% < D1/L1 < 80%,
- si 3 < r < 5, alors 20%< D1/L1 < 70%.
Et mieux encore
- si 0,1 < r < 1 ,75 alors 40% < D1/L1 , voire 60% < D1/L1 , voire même 70% < D1/L1
- si 1 ,75 < r < 2,5, alors 40% < D1/L1 < 80%, voire 50% < D1/L1 < 70%,
- si 2.5 < r < 3, alors 40% < D1/L1 < 70%, voire 40% < D1/L1 < 60%,
- si 3 < r < 5 alors 30% < D1/L1 < 50%
La surface de contact 5 est ici une surface pleine, en variante elle est en grille.
Un réflecteur 6 comporte un élément couvrant réfléchissant métallique 61 , au-dessus de la cathode 3 en s'éloignant de la première face principale, l'élément couvrant 61 étant séparé de la cathode 3 par un élément électriquement isolant électrique 7 dit intercalaire, transparente et peu absorbante, ici une couche de préférence minérale et mince, telle que 50 nm de nitrure de silicium.
Le premier contact de cathode 5, adjacent à l'intercalaire 7, est réfléchissant, fait donc partie du réflecteur 6 et est de préférence en contact voire électriquement couplé à l'élément couvrant réfléchissant 61 .
Le contact de cathode 5 est de préférence à base du même matériau que l'élément couvrant métallique 61 . Le contact de cathode 5 et le réflecteur couvrant 6 sont alors formés par une couche continue sur l'intercalaire 7 et la cathode 3 par exemple par dépôt physique en phase vapeur. De préférence cette couche continue est à base d'aluminium par exemple de 100 nm, voire de 500 nm d'épaisseur. Naturellement l'intercalaire 7 a été structuré avant le dépôt pour laisser une zone libre correspondant à la zone destinée à être la zone du contact de cathode.
Le deuxième bord 22 de la zone active 20 est par exemple passivé par de la résine polyimide par exemple 71 .
Le contact d'anode 41 est ici sur l'anode 1 déposée préalablement sur le substrat (ou sur une couche sous jacente). Toutefois, l'anode 2 peut tout aussi bien être déposée après le contact d'anode 41 et le recouvrir partiellement pour sa liaison électrique.
En variante non représentée, le réflecteur comporte un miroir de Bragg adjacent audit premier contact de cathode. Le contact de cathode, réfléchissant, fait alors toujours partie du réflecteur. Le miroir de Bragg (en matériaux diélectriques) peut être directement sur la cathode.
La cathode 3 est par exemple une couche d'aluminium, notamment de R2 supérieure ou égale à 1 ohm/carré, voire supérieure ou égale à 3 ohm/carré et
inférieure à 20 ohm/carré voire à 10 ohm/carré, le contact de cathode est alors de préférence une couche à base d'aluminium, comme déjà indiquée.
La zone active 20 est par exemple d'au moins 5 cm par 5 cm.
Le contact de cathode se prolonge en dehors de la zone active au-delà du deuxième bord 22 et par exemple est déposé sur un plot de contact préexistant 81 .
Le dispositif OLED 100 comporte au-dessus du système électroluminescent organique 2, en s'éloignant de la première face 10, un réflecteur 6 couvrant la zone active 20. La figure 1 a illustre une vue schématique de dessus du dispositif 100 montrant une partie des éléments du dispositif pour plus de clarté, à savoir les éléments à fonction électrique.
Le premier contact adapté d'anode 41 est une bande rectiligne. La zone active 20 (définie ici simplement par ses contours, en pointillés), est carrée elle aussi.
Les bords 23, 24 de la zone active adjacents aux premier et deuxième bords
21 , 22 ne sont pas pourvus de contacts d'anode adaptés.
A titre illustratif, on a tracé un point B1 du contact d'anode 41 , le point C1 le pus proche appartenant au contact de cathode 5 (ici interne) et le point X1 du deuxième bord 22 (dans le plan de B1 parallèle à l'anode). La droite passant par B1 , par la projection orthogonale de C1 dans le plan de B1 parallèle à l'anode et passant par X1 permet de définir au mieux L1 et D1 .
Pratiquement l'espace entre le premier contact adapté 21 et le premier bord 21 est restreint. Le premier contact adapté périphérique externe est de préférence à une distance W inférieure à L/10 voire à L/20 du premier bord où L est la distance entre premier et deuxième bords 21 et 22 ici constante (égale à L1 ).
On choisit L = 15 cm, Rorg = 1000 Ohm. cm2, une anode de 3 Ohm/carré, et on définit l'homogénéité H de la luminance comme le rapport entre la luminance minimale sur la luminance maximale pour une OLED alimentée à une tension donnée au-dessus de la tension d'allumage de l'OLED.
La figure 1 b montre les graphes d'homogénéité H en fonction de D1/L1 du contact de cathode 5 du dispositif 100 montré en figure 1 , pour différents ratios r (entre 0,1 et 4).
On y voit six courbes F1 à F6 d'homogénéité H (en %) respectivement pour r = 0,1 ; r = 0,5 ; r = 1 ; r= 2 ; r =3 ; r = 4.
Ces graphes F1 à F6 rappellent les plages de paramètres qui conviennent, en particulier vers les r bas, la plage optimale est plus étroite mais H est meilleure.
Les résultats pour H sont similaires (suivent la même tendance) avec une
Rorg différente, typiquement entre 50 et 1000 Ohm. cm2, une anode de R1 différente typiquement entre 1 et 10 ohm par carré, et pour toute autre taille de zone active.
On choisit par exemple r = 3 et D/L = 50% avec une anode en ITO de R1 = 8 Ohm par carré et une cathode de R2 = 24 Ohm par carré; ou encore une anode à l'argent de R1 = 3 Ohm par carré et une cathode de R2 = 9 Ohm par carré.
On peut aussi choisir un r plus faible, pour des facilités de fabrication, par exemple avec r = 1 et D/L = 70% => avec une anode en ITO de R1 = 8 Ohm par carré et une cathode de R2 = 8 Ohm par carré; ou encore une anode à l'argent de R1 = 3 Ohm - cathode de R2 = 3 Ohm par carré.
Pour réaliser une anode de R1 égale à 3 ohm par carré, on préfère un empilement à l'argent plutôt qu'un oxyde transparent conducteur « TCO », tel que ITO. On peut citer par exemple les empilements monocouche à l'argent ou bicouche à l'argent décrits dans les demandes WO 2008/029060 et WO 2009/083693.
Pour réaliser la cathode, on dépose de l'aluminium en ajustant l'épaisseur.
La figure 1 ' est une vue schématique en coupe d'un deuxième dispositif électroluminescent organique 100' conforme à l'invention.
On a choisit un r assez faible, par exemple avec r = 1 et 100%< D/L. Autrement dit l'intercalaire 7 et l'élément couvrant 61 couvrent toute la zone active 20 et le contact de cathode 5' est déporté en périphérie du deuxième bord 22 dans une zone de la cathode 3 dépassante de la zone active 20.
Le contact de cathode 5' peut être en contact avec l'élément couvrant 61 par exemple formant une couche continue dans la zone active et au-delà. La figure 1 'a illustre une vue schématique de dessus du dispositif 100' montrant une partie des éléments du dispositif pour plus de clarté, à savoir les éléments à fonction électrique.
Le premier contact adapté d'anode 41 est une bande rectiligne. La zone active 20 (définie ici simplement par ses contours, en pointillés), est rectangulaire.
Les bords 23 et 24 de la zone active adjacents aux premier et deuxième bords 21 , 22 ne sont pas pourvus de contacts d'anode adaptés.
Pratiquement l'espace entre le premier contact adapté et le premier bord 21 est restreint. Le premier contact adapté périphérique externe est de préférence à une distance W inférieure à L/10 voire à L/20 du premier bord où L est la distance entre premier et deuxième bords 21 , 22.
A titre illustratif on a tracé un point B1 du contact d'anode 41 , le point C1 le plus proche du contact de cathode 5 (ici externe) et le point X1 du deuxième bord 22 (dans le plan de B1 parallèle à l'anode). La droite passant par B1 , par la projection orthogonale de C1 dans le plan de B1 parallèle à l'anode et passant par X1 permet de définir au mieux L1 et D1 .
On choisit L = 15 cm, Rorg = 1000 Ohm. cm2, une anode de 3 Ohm/carré, et on définit l'homogénéité H de la luminance comme le rapport entre la luminance minimale sur la luminance maximale pour une OLED alimentée à une tension donnée au-dessus de la tension d'allumage de l'OLED.
La figure 2 est une vue schématique en coupe d'un deuxième dispositif électroluminescent organique 100' conforme à l'invention dans une variante du premier dispositif 100. La figure 2a illustre une vue schématique partielle de dessus du dispositif OLED de la figure 2,
On ajoute des contacts électriques d'anode 42 résistifs, en couche électroconductrice reliés au premier contact d'anode adapté 41 . Ici ces contacts résistifs 42 sont interconnectés et forment une grille sur l'anode (ou en variante dessous) et passivés par un résine 71 .
Aussi pour obtenir une bonne homogénéité d'éclairement, le ratio r est remplacé par un ratio r' = R2/R'1 dans laquelle R'1 est la résistance par carré équivalente de l'ensemble anode et contact(s) d'anode résistif(s), c'est-à-dire la mise en parallèle de l'anode et des contacts d'anode résistifs.
Le contact résistif d'anode 42 peut être en un même matériau que le contact adapté 41 mais beaucoup plus fin par exemple de moins de 1 mm. Par exemple, un maillage carré de brins métalliques d'une période de 5 mm, réalisé à l'aide de fils d'aluminium de 500 nm de hauteur et de 100 μηη de largeur forme un système ayant une résistance par carré équivalente de 2,7 ohm par carré. Si un tel maillage est placé sur une anode d'ITO de résistance par carré de 20 ohm par carré, la résistance équivalente de
l'anode (définie comme la résistance résultant de la mise en parallèle de l'anode et des contacts résistifs), est alors de 2,4 ohm par carré. En réalisant sur cette anode une OLED de zone active carrée de 8x8 cm2, ayant une résistance verticale des matériaux organiques de l OO ohm.cm2, l'éclairement sera à proximité d'un contact résistif situé à 4 cm du bord de l'OLED 20% plus faible. Cette diminution de l'éclairement supérieure à 5% est attribuée au caractère résistif des contacts résistifs qui engendrent une diminution de la tension de l'anode au centre de l'OLED, engendrant la chute d'éclairement.
Une autre différence par rapport au premier dispositif est que le premier contact d'anode 41 longe le premier bord 21 dans la zone active 20 et non en dehors. Aussi, il est passivé par une résine 71 . Il dépasse du bord 24 (adjacent au premier bord 21 ) pour sa connexion électrique.
La figure 3 est une vue schématique en coupe d'un troisième dispositif électroluminescent organique 1000 conforme à l'invention.
En fait le dispositif OLED comporte quatre dispositifs OLED 100a à 100b du type du premier dispositif 100, donc quatre empilements définissant quatre zones actives 20a à 20d et connectés en série suivant une direction A.
Naturellement le plot de contact de cathode 81 est déplacé sur le dernier bord du dernier empilement 20d. En outre le premier contact de cathode 5a déborde de la première zone active 20a et sert de contact d'anode 41 b de la deuxième anode 2b et ainsi de suite.
Ici il y a un seul substrat 10, mais on peut aussi utiliser quatre supports avec les OLED aboutées ensemble.
Les zones actives de préférence identiques sont des bandes rectilignes voire des bandes courbées et de largeur constante.
On préfère minimiser les zones non réfléchissantes entre chaque dispositif 100a à 100d.
On peut aussi réaliser des OLEDS en série avec le dispositif de type 100' ou 200. On peut aussi réaliser des OLEDS en série avec des zones actives rondes ou similaires.
Claims
REVENDICATIONS
Dispositif à diode électroluminescente organique, dit OLED (100 à 200, 1000), comportant un substrat transparent avec une première face principale (10) comportant un empilement comprenant dans cet ordre en partant de ladite première face :
- une électrode inférieure formant anode (1 ), qui est transparente, anode de résistance par carré donné R1 ,
- un système électroluminescent organique (2) au-dessus de l'anode,
- une électrode supérieure formant cathode (3), au-dessus du système électroluminescent organique, cathode (3) de résistance par carré donnée R2, le ratio r = R2/R1 allant de 0,1 à 5,
l'anode, le système électroluminescent organique et la cathode définissant ainsi une zone commune dite active (20),
le dispositif OLED comportant :
- le long d'un premier bord (21 ) de la zone active (20), un premier contact électrique d'anode adapté (41 ), voire plusieurs contacts électriques d'anode adaptés,
- un premier contact électrique de cathode (5', 5, 5a, 5d) qui est décalé du contact électriques d'anode adapté (41 ), contact de cathode (5) de surface donnée, dite surface de contact,
pour tout point B1 de chaque contact d'anode adapté (41 ), en définissant une distance D1 entre ledit point B1 et le point C1 de la surface de contact le plus proche dudit point B1 , et en définissant une distance L1 entre ledit point B1 et un point X1 d'un deuxième bord (22) de la zone active opposé au premier bord (21 ), en passant par C1 , alors on définit les critères suivants :
- si 0,1 < r < 1 ,75, alors 20% < D1/L1 ,
- si 1 ,75 < r < 2,5, alors 20% < D1/L1 < 90%,
- ou si 2,5 < r < 3, alors 20% < D1/L1 < 80%,
- ou encore si 3 < r < 5 alors 20%< D1/L1 < 70%,
et le dispositif OLED (100) comporte au-dessus du système électroluminescent organique (2), en s'éloignant de la première face (10), un réflecteur (6) couvrant la zone active (20).
Dispositif à diode électroluminescente organique, dit OLED (1000), comportant un substrat transparent avec une première face principale (10) comportant un nombre n supérieur à 1 d'empilements (100a à 100d), chaque empilement comprenant dans cet ordre en partant de ladite première face:
- une électrode inférieure formant anode (1 ), qui est transparente, anode de résistance par carré donné R1 ,
- un système électroluminescent organique (2) au-dessus de l'anode,
- une électrode supérieure formant cathode (3), au-dessus du système électroluminescent organique, cathode (3) de résistance par carré donnée R2, le ratio r = R2/R1 allant de 0,1 à 5,
l'anode (1 ), le système électroluminescent organique
(2) et la cathode
(3) définissant ainsi une zone commune dite active (20a, 20d),
les empilements étant connectés en série, ou aptes à être connectés en série et pour au moins l'un des empilements, de préférence pour la majorité voire chacun des n empilements, le dispositif OLED comporte :
- le long d'un premier bord (21 ) de la zone active (20), un premier contact électrique d'anode adapté voire plusieurs contacts électriques d'anode adaptés (41 , 41 a à 41 d),
- un premier contact électrique de cathode (5', 5a à 5d), qui est décalé du ou des contacts électriques d'anode adaptés (41 ), contact de cathode (5) de surface donnée, dite surface de contact,
- pour tout point B1 de chaque contact d'anode adapté (41 ), en définissant une distance D1 entre ledit point B1 et le point C1 de la surface de contact le plus proche dudit point B, et en définissant une distance L1 entre ledit point B1 et un point X1 d'un deuxième bord (22) de la zone active opposé au premier bord (21 ), en passant par C1 , alors on définit les critères suivants :
- si 0,1 < r < 1 ,75, alors 20% < D1/L1 ,
- si 1 ,75 < r < 2,5, alors 20% < D1/L1 < 90%,
- si 2,5 < r < 3, alors 20% < D1/L1 < 80%,
- si 3 < r < 5, alors 20%< D1/L1 < 70%,
Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la surface de contact (5, 5', 5a à 5d) est une surface pleine, une surface en grille.
4. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le contact de cathode (5) est au-dessus de la zone active (20), notamment si 1 ,75 < r ou le contact de cathode (5') est en dehors de la zone active (20) notamment si r < 1 ,75.
5. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le contact de cathode (5) est au-dessus de la zone active (20) et présente une surface sensiblement homothétique à la surface de la zone active (20) et notamment est de distance sensiblement constante au contact d'anode adapté (41 ).
6. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le contact de cathode (5) est au-dessus de la zone active (20) et est de distance sensiblement constante au contact d'anode adapté (41 ).
7. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que :
- si 0,1 < r < 1 ,75, alors 40% < D1/L1 voire 60% < D1/L1 ,
- si 1 ,75 < r < 2,5, alors 40% < D1/L1 < 80%, voire 50% < D1/L1 < 70%,
- si 2,5 < r < 3, alors 40% < D1/L1 < 70%, voire 40% < D1/L1 < 60%,
- si 3 < r < 5, alors 30% < D1/L1 < 50%.
8. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que des contacts électriques d'anode dits résistifs (42), notamment en couche électroconductrice, contacts (42) de résistance plus grande que la résistance du ou des contacts d'anode adaptés (41 ), sont reliés au(x) contact(s) d'anode adapté(s) (41 ), et en ce que le ratio r compris entre 0,1 et 5 est remplacé par un ratio r'= R2/R1 ' allant de entre 0,1 à 5 dans laquelle R1 ' est la résistance par carré équivalente de l'ensemble anode (1 ) et contact(s) d'anode résistif(s) (42).
9. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le premier bord (21 ) et le deuxième bord (22) sont des bords longitudinaux de la zone active (20).
10. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications 2 à 9 caractérisé en ce que les zones actives de plusieurs des n empilements, voire des n empilements, sont de tailles similaires.
1 1. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la cathode (3) étant transparente ou semi-réfléchissante, le
réflecteur (6) comporte un élément couvrant réfléchissant (61 ), notamment métallique, au-dessus de la cathode (3) en s'éloignant de la première face principale, l'élément couvrant réfléchissant (61 ) étant séparé de la cathode par un élément isolant électrique (7) dit intercalaire, et en ce que le premier contact de cathode (5), adjacent à l'intercalaire (7), fait de préférence partie du réflecteur (6) et est de préférence en contact voire électriquement couplé à l'élément couvrant réfléchissant (61 ).
12. Dispositif OLED (100 à 1000) selon la revendication précédente caractérisé en ce que le premier contact de cathode (5) est à base du même matériau que l'élément couvrant réfléchissant (61 ), de préférence à base d'aluminium, notamment le premier contact de cathode (5) et l'élément couvrant réfléchissant (61 ) sont formés par une couche continue, et de préférence le contact de cathode (5) est à base du même matériau que la cathode (3).
13. Dispositif OLED (100 à 1000) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la couche continue est à base du même matériau que la cathode (3), notamment l'aluminium.
14. Dispositif OLED (100 à 1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la cathode comprend une couche à base d'aluminium et le premier contact de cathode comprend une couche à base d'aluminium.
15. Dispositif OLED selon l'une des revendications 1 à 10 caractérisé en ce que le réflecteur comporte un miroir de Bragg, adjacent au contact de cathode, et le contact de cathode fait partie du réflecteur.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/369,351 US9112178B2 (en) | 2011-12-30 | 2012-12-28 | Back-emitting OLED device |
| EP12821292.5A EP2798685A1 (fr) | 2011-12-30 | 2012-12-28 | Dispositif oled a emission par l'arriere |
| KR1020147021057A KR20140116891A (ko) | 2011-12-30 | 2012-12-28 | 배면 발광 ｏｌｅｄ 소자 |
| JP2014549530A JP2015503823A (ja) | 2011-12-30 | 2012-12-28 | 背面発光型ｏｌｅｄデバイス |
| CN201280070915.9A CN104137291A (zh) | 2011-12-30 | 2012-12-28 | 后向发射的oled设备 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1162590A FR2985380B1 (fr) | 2011-12-30 | 2011-12-30 | Dispositif oled a emission par l'arriere |
| FR1162590 | 2011-12-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2013098536A1 true WO2013098536A1 (fr) | 2013-07-04 |
Family
ID=47666416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/FR2012/053100 WO2013098536A1 (fr) | 2011-12-30 | 2012-12-28 | Dispositif oled a emission par l'arriere |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9112178B2 (fr) |
| EP (1) | EP2798685A1 (fr) |
| JP (1) | JP2015503823A (fr) |
| KR (1) | KR20140116891A (fr) |
| CN (1) | CN104137291A (fr) |
| FR (1) | FR2985380B1 (fr) |
| WO (1) | WO2013098536A1 (fr) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109935727B (zh) * | 2017-12-15 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板、显示装置及导电薄膜的制备方法 |
| JP2019153551A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2023548288A (ja) * | 2021-05-25 | 2023-11-16 | オーレッドワークス エルエルシー | 分割ｏｌｅｄ |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999002017A1 (fr) | 1997-06-30 | 1999-01-14 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg | Electrode a couches pelliculaires destinee a des dispositifs organiques emetteurs de lumiere, et procede de production associe |
| EP1536492A2 (fr) * | 2003-11-25 | 2005-06-01 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Dispositif électroluminescent organique et dispositif d'éclairage |
| WO2008029060A2 (fr) | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Saint-Gobain Glass France | Substrat pour dispositif electroluminescent organique, utilisation et procede de fabrication de ce substrat, ainsi que dispositif electroluminescent organique. |
| US20080197371A1 (en) * | 2005-01-20 | 2008-08-21 | Schott Ag | Electro-Optical Element with Controlled, in Particular Uniform Functionality Distribution |
| WO2009083693A2 (fr) | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Saint-Gobain Glass France | Substrat pour dispositif electroluminescent organique, ainsi que dispositif electroluminescent organique l'incorporant |
| WO2010109379A1 (fr) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Dispositif électroluminescent et dispositif d'éclairage segmenté |
| EP2267818A1 (fr) * | 2009-06-22 | 2010-12-29 | Novaled AG | Dispositif d'éclairage organique |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6881447B2 (en) * | 2002-04-04 | 2005-04-19 | Dielectric Systems, Inc. | Chemically and electrically stabilized polymer films |
| US6693296B1 (en) * | 2002-08-07 | 2004-02-17 | Eastman Kodak Company | OLED apparatus including a series of OLED devices |
| JP2006092936A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toyota Industries Corp | 有機ｅｌ装置 |
-
2011
- 2011-12-30 FR FR1162590A patent/FR2985380B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-28 WO PCT/FR2012/053100 patent/WO2013098536A1/fr active Application Filing
- 2012-12-28 CN CN201280070915.9A patent/CN104137291A/zh active Pending
- 2012-12-28 EP EP12821292.5A patent/EP2798685A1/fr not_active Withdrawn
- 2012-12-28 KR KR1020147021057A patent/KR20140116891A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-12-28 JP JP2014549530A patent/JP2015503823A/ja active Pending
- 2012-12-28 US US14/369,351 patent/US9112178B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999002017A1 (fr) | 1997-06-30 | 1999-01-14 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg | Electrode a couches pelliculaires destinee a des dispositifs organiques emetteurs de lumiere, et procede de production associe |
| EP1536492A2 (fr) * | 2003-11-25 | 2005-06-01 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Dispositif électroluminescent organique et dispositif d'éclairage |
| US20080197371A1 (en) * | 2005-01-20 | 2008-08-21 | Schott Ag | Electro-Optical Element with Controlled, in Particular Uniform Functionality Distribution |
| WO2008029060A2 (fr) | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Saint-Gobain Glass France | Substrat pour dispositif electroluminescent organique, utilisation et procede de fabrication de ce substrat, ainsi que dispositif electroluminescent organique. |
| WO2009083693A2 (fr) | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Saint-Gobain Glass France | Substrat pour dispositif electroluminescent organique, ainsi que dispositif electroluminescent organique l'incorporant |
| WO2010109379A1 (fr) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Dispositif électroluminescent et dispositif d'éclairage segmenté |
| EP2267818A1 (fr) * | 2009-06-22 | 2010-12-29 | Novaled AG | Dispositif d'éclairage organique |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| APPL. PHYS. LETT., vol. 69, 1996, pages 1997 |
| R. H. JORDAN; A. DODABALAPUR; R. E. SLUSHER, JOSA B, vol. 17, no. 1, 2000, pages 114 - 119 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2985380B1 (fr) | 2014-07-11 |
| FR2985380A1 (fr) | 2013-07-05 |
| KR20140116891A (ko) | 2014-10-06 |
| US9112178B2 (en) | 2015-08-18 |
| JP2015503823A (ja) | 2015-02-02 |
| EP2798685A1 (fr) | 2014-11-05 |
| US20150041782A1 (en) | 2015-02-12 |
| CN104137291A (zh) | 2014-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2013098534A1 (fr) | Dispositif oled a emission par l'arriere, et procede d'homogeneisation de la luminance d'un dispositif oled a emission par l'arriere | |
| EP2232610B1 (fr) | Dispositif électroluminescent organique | |
| WO2005114762A1 (fr) | Diode electroluminescente organique (oled) a extraction de lumiere amelioree, afficheur correspondant | |
| WO2008119899A2 (fr) | Substrat porteur d'une electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications | |
| WO2013175130A1 (fr) | Dispositif a diode electroluminescente organique comportant un support comprenant un element en couches transparent | |
| EP3717239B1 (fr) | Toit vitre de vehicule, vehicule l'incorporant et fabrication | |
| FR2999807A1 (fr) | Support conducteur pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant | |
| EP2798684B1 (fr) | Dispositif oled a emission par l'arriere | |
| EP2798685A1 (fr) | Dispositif oled a emission par l'arriere | |
| EP2567408A2 (fr) | Cellule photovoltaïque à face arrière structurée et procédé de fabrication associé | |
| EP2883257A1 (fr) | Support conducteur diffusant pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant | |
| EP2883258A1 (fr) | Support conducteur diffusant pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant | |
| WO2006077342A1 (fr) | Procede de metallisation d'un dispositif semi-conducteur | |
| WO2018115670A1 (fr) | Dispositif electroluminescent | |
| WO2015092222A1 (fr) | Support extracteur de lumière et dispositif oled l'incorporant | |
| WO2015155481A1 (fr) | Support extracteur de lumière et dispositif oled l'incorporant | |
| EP4268293A1 (fr) | Dispositif electroluminescent | |
| EP4143143A1 (fr) | Matériau comportant un empilement a sous-couche dielectrique fine d'oxide a base de zinc et procédé de depôt de ce materiau | |
| EP1686598A1 (fr) | Condensateur à champ de claquage élevé | |
| EP3491673A1 (fr) | Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication | |
| WO2017072446A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un substrat composite | |
| FR2999808A1 (fr) | Support conducteur pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 12821292 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| REEP | Request for entry into the european phase |
Ref document number: 2012821292 Country of ref document: EP |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2012821292 Country of ref document: EP |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2014549530 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 14369351 Country of ref document: US |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20147021057 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |