WO2013064294A1 - Variable widerstandsanordnung, messbrückenschaltung und verfahren zum kalibrieren einer messbrückenschaltung - Google Patents

Variable widerstandsanordnung, messbrückenschaltung und verfahren zum kalibrieren einer messbrückenschaltung Download PDF

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WO2013064294A1
WO2013064294A1 PCT/EP2012/067374 EP2012067374W WO2013064294A1 WO 2013064294 A1 WO2013064294 A1 WO 2013064294A1 EP 2012067374 W EP2012067374 W EP 2012067374W WO 2013064294 A1 WO2013064294 A1 WO 2013064294A1
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WO
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resistor
bridge circuit
resistance value
tolerance range
variable
Prior art date
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PCT/EP2012/067374
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French (fr)
Inventor
Ingo Herrmann
Roland Mueller-Fiedler
Veronique Krueger
Original Assignee
Robert Bosch Gmbh
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
    • G01R35/005—Calibrating; Standards or reference devices, e.g. voltage or resistance standards, "golden" references
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R17/00—Measuring arrangements involving comparison with a reference value, e.g. bridge
    • G01R17/10—AC or DC measuring bridges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C10/00—Adjustable resistors
    • H01C10/16—Adjustable resistors including plural resistive elements

Definitions

  • the present invention relates to a variable resistor arrangement, to a measuring bridge circuit, to a method for calibrating a measuring bridge circuit and to a corresponding control device and computer program product.
  • a possibility for adjusting the resistance of at least one of the strings is required due to component tolerances and manufacturing tolerances.
  • irreversible adjustment methods such as laser trimming or Zener zapping
  • individual resistors of a cascaded arrangement of resistors can be bridged or short-circuited in order to adapt a resulting resistance of the arrangement. If the balance is disturbed, for example because of component aging in the strands, readjustment is required. For this purpose, the cascaded arrangement can be exchanged and adjusted.
  • a device for the adjustment of sensor signals is known from DE 4 1 15 288 A1.
  • the present invention provides a variable resistor arrangement, a measuring bridge circuit, a method for calibrating a measuring bridge circuit, and finally a corresponding control device and computer program product according to the main claims.
  • Advantageous embodiments emerge from the respective subclaims and the following description.
  • the invention is based on the finding that a memristor can store an inscribed electrical resistance value as long as the memristor is operated above a cutoff frequency and / or below a limiting current strength.
  • the electrical resistance can be increased or decreased when the memristor is energized with a current below the cutoff frequency and / or above the cutoff amperage.
  • a circuit with a memristor may be operated to calibrate the circuit below the cutoff frequency and / or above the cutoff current level.
  • the circuit with the memristor can be operated in operation above the cutoff frequency and / or below the limit current and the calibration is maintained.
  • a single memristor occupying a small area can replace a large number of individual components that are conventionally held ready for calibration and occupy a large area.
  • a circuit with the memristor can be made smaller. Since the memristor can be calibrated again and again, the circuit can be permanently installed, since no circuit replacement is required. Due to the smaller number of parts, the circuit can also be provided inexpensively.
  • the present invention provides a variable resistance device comprising: a first device having a fixed electrical resistance; and a variable electrical resistance memristor connected in parallel with the first component to vary a total electrical resistance value of the resistor assembly.
  • the present invention provides a measuring bridge circuit, with the following features: a first branch having a series connected first resistor and a fixed resistor, wherein a first tap point is disposed between the first resistor and the fixed resistor; and a second branch having a series connected second resistor and a variable resistor arrangement according to the approach presented herein, wherein a second tap is disposed between the second resistor and the resistor arrangement, wherein the first branch and the second branch are connected in parallel and between the first tap and the second
  • the present invention provides a method for calibrating a measuring bridge circuit according to the approach presented here, the method comprising the following steps:
  • a component with a fixed electrical resistance value can be understood to be a resistor which remains the same within a tolerance range over its service life.
  • a memristor can be understood to mean a component with a variable electrical resistance value.
  • An electrical total resistance of a parallel circuit can be understood as the reciprocal of a sum of a reciprocal of the resistance value of the first component and a reciprocal of the resistance value of the memristor or of the second component.
  • the first component and the second component may be individual discrete components.
  • a measuring bridge circuit may have a first connection point for a supply voltage and a second connection point for the supply voltage.
  • the first branch may be electrically connected at the connection points with the second branch.
  • a Tap point can be a connection point.
  • a measuring instrument may be an ammeter or a voltage meter.
  • a physical calibration variable can be understood, for example, as a predetermined force. For example, the calibration size may be defined so that no external effect is applied to the resistor. The calibration sizes can be the same.
  • Changing the electrical resistance value for example, a rectified current or a rectified voltage can be applied to the Memristor.
  • a rectified component By connecting a rectified component to the memristor charge carriers in the memristor can experience a change in location, which can increase or decrease an electrical resistance of the memristor.
  • the rectified component may have a minimum size and / or a minimum duration.
  • the first resistor and / or the second resistor may be a resistive variable resistor, and configured to map a change in a physical quantity at the sensor in a corresponding change in an electrical resistance value.
  • a measuring variable-sensitive resistor may be a piezoresistive pressure sensor or a length sensor.
  • the first measurable sensitive resistor may be connected before the invariable resistor.
  • the variable resistor arrangement may be connected in front of the second measurement-sensitive resistor. By this arrangement, a half-bridge circuit can be realized.
  • the circuit can also be constructed as a quarter bridge with only one measuring variable sensitive resistor.
  • the variable resistor array may include at least one externally accessible calibration port.
  • the memristor can be directly supplied with current via a calibration connection. As a result, an effect of the other components on the calibration process can be minimized.
  • a tension measuring device can be arranged between the first tapping point and the second tapping point.
  • the measuring bridge circuit can be supplied with a constant current.
  • a change in the measured value sensitive resistors can be imaged by a change of a voltage value at the voltage measuring device.
  • the resistance value can be continuously increased in one direction until the measured value emerges from the tolerance range.
  • An interval of the resistance value between the entry of the measured value into the tolerance range and the exit of the measured value from the tolerance range can be determined.
  • the resistance value can be continuously reduced by a predetermined proportion, in particular half, of the interval. Or, in the step of changing the resistance value, it can be reduced continuously until the measured value emerges from the tolerance range.
  • An interval of the resistance value between the entry of the measured value into the tolerance range and the output of the measured value out of the tolerance range can be determined. Subsequently, the resistance value can be increased continuously by a predetermined proportion, in particular half, of the interval in order to calibrate the measuring bridge circuit.
  • a resistance band results, in the middle of which the resistance value can be set in order to tune the measuring bridge.
  • An interval may represent a width of the resistance band. The resistance value can be increased, for example, until the tolerance range is left. Then, the resistance value can be reduced again until the predetermined portion of the interval is reached.
  • the present invention further provides a control device which is designed to carry out or implement the steps of the method according to the invention in corresponding devices. Also by this embodiment of the
  • a control device can be understood as meaning an electrical device which processes sensor signals and outputs control signals in dependence thereon.
  • the control unit may have an interface, which may be formed in hardware and / or software.
  • the interfaces can be part of a so-called system ASIC, for example, which contains various functions of the control unit.
  • the interfaces are their own integrated circuits or at least partially consist of discrete components.
  • the interfaces may be software modules that are available for example on a microcontroller in addition to other software modules.
  • a computer program product with program code which can be stored on a machine-readable carrier such as a semiconductor memory, a hard disk memory or an optical memory and is used to carry out the method according to one of the embodiments described above, is also of advantage, the program being on a computer or a device is performed.
  • FIG. 1 is a block diagram of a measuring bridge circuit with a variable resistor arrangement according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 shows a flow diagram of a method for calibrating a measuring bridge circuit according to an embodiment of the present invention.
  • the measuring bridge circuit 100 has two branches. In one of the branches, a first variable resistor Ri (x) and the variable resistor 102 are connected in series. Between both a first tap 104 is arranged. In the other of the branches, a second variable-sized resistor R 2 M and a first invariable resistor R fix , 1 connected in series. Between both a second tapping point 106 is arranged. Both branches are parallel to each other between a first terminal 108 and a second terminal 1 10 connected.
  • the variable resistor arrangement 102 has a second immovable resistor R fix , 2 and a memristor M connected in parallel thereto.
  • the measuring bridge circuit 100 is supplied by means of a supply voltage Uv between the first terminal 108 and the second terminal 110 through both branches of the measuring bridge circuit 100.
  • the second terminal 110 can be at a zero potential GND.
  • both branches are in equilibrium with each other, no current flows between the first tap point 104 and the second tap point 106, and no voltage U is applied.
  • the measuring bridge circuit 100 is detuned, for example due to a drift of one of the measured value sensitive resistors Ri (x), R 2 M, although both resistors Ri (x), R 2 M are sensitive to the measured variable, a calibration of the measuring bridge circuit 100 is required. to prevent the flow of current between the taps 104, 106.
  • variable resistor array 102 is changed until equilibrium is restored.
  • a memristor current I M is applied from the memristor terminal to the second terminal 10 by the memristor M.
  • the Memristorstrom l M can have a high DC component. Charge carriers within the memristor M are moved by the memristor current I M , as a result of which a conductivity, that is to say the resistance value of the memristor M, changes.
  • the measuring bridge circuit 100 While the measuring bridge circuit 100 is operated with a voltage U v at a carrier frequency which is higher than a limit frequency of the memristor M, the resistance value of the memrister M does not change. Between the tapping points 104, 106, an amplitude-modulated signal U can then be tapped, which maps a measured variable to the measured variable-sensitive resistors R 1 x), R 2 (x).
  • the method 200 includes a determination step 202 and a modification step 204.
  • determining 202 a measured value of the measuring instrument is determined when the first measuring-size-sensitive resistor is exposed to a physical calibration variable and the second measuring variable sensitive resistance also a physical Kalibrieriere exposed.
  • the calibration variables may be identical, or the same size with opposite signs.
  • the measured variable-sensitive resistors can only be exposed to their own weight or to a base load.
  • the electrical resistance of the second device of the variable resistor array (the memristor) is changed until the measured value is in a tolerance range by a predetermined value.
  • the predetermined value may be a predetermined voltage level, such as zero volts.
  • the tolerance range can be determined, for example, taking into account a measurement inaccuracy.
  • a memristor M can replace a resistor network for matching sensors Ri (x), R 2 (x).
  • a resistance network can be set to the desired value, for example by laser trimming or by Zener zapping at the time of adjustment.
  • the principle of the memristor M can theoretically best be described in comparison with the other passive components. All components are based on the coupling of the electrical charge and its discharge (current) on one side and the magnetic flux and its derivative (voltage) on the other side. On this basis, an electrical resistance corresponds to a derivative of the voltage after the current, an inductance corresponds to a derivative of the flux after the current, a (reciprocal) capacitance corresponds to a derivative of the voltage after the charge, and a memrity corresponds to a derivative of the flux after the charge ,
  • memristors as non-volatile analog memory.
  • the resistance of a memristor can be adjusted (described) with low frequencies and high fields, while the reading is done with small high frequency voltages that do not change the state of the memristor, since the time integral of the current remains constant.
  • a memristor can avoid zener zapping cascades or trim resistor networks that take up relatively large space. The more space is required, the more accurate the adjustment value is to be set, and the greater the matching range, since each part of the cascade or network represents only one binary value.
  • a value set with zener zapping cascades or trim resistor networks is only conditionally correctable, a subsequent re-adjustment by e.g. It is usually only possible to correct the drift of a sensor over its service life in the workshop (see hair cutting).
  • With a memristor as the adjustment element can be stored with a single or a few components with a small footprint an analog adjustment value, which can be corrected later if necessary.
  • a sensor arrangement is shown whose signal is imaged by means of a Wheatstone bridge 100 of two variable resistors R (x) in an electrical value.
  • the variable resistors eg piezoresistive resistors on a pressure sensor membrane
  • R fix two fixed resistors
  • a combination 102 consisting of a normal resistor (R f i X , 2) and a memristor (M) is used instead of the trim resistor network, the memristor can be described at the time of adjustment via an additional terminal. the.
  • R f i X normal resistor
  • M memristor

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Messbrückenschaltung (100), mit einem ersten und zweiten Ast. Im ersten Ast sind ein erster messgrößensensitiver Widerstand (R2(x)) und ein unveränderlicher Widerstand (Rfix,1 ) in Reihe geschaltet, wobei zwischen dem ersten messgroßensensitiven Widerstand (R2(x)) und dem unveränderlichen Widerstand (Rfix,1 ) eine erste Abgriffstelle (104) angeordnet ist. Im zweiten Ast ist ein zweiter messgroßensensitiven Widerstand (R1(x)) und eine variable Widerstandsanordnung (102) in Reihe geschaltet. Die Variable Widerstandsanordnung (102) weist ein erstes Bauelement (Rfix,2) mit einem unveränderlichen elektrischen Widerstandswert und ein zweites Bauelement (M) mit einem veränderbaren elektrischen Widerstandswert auf, wobei das zweite Bauelement parallel zu dem ersten Bauelement (Rfix,2) geschaltet ist, um einen elektrischen Gesamtwiderstandswert der Widerstandsanordnung (102) zu variieren. Zwischen dem zweiten messgroßensensitiven Widerstand (R1(x)) und der Widerstandsanordnung (102) ist eine zweite Abgriffstelle (106) angeordnet. Der erste Ast und der zweite Ast sind parallel geschaltet. Zwischen der ersten Abgriffstelle (104) und der zweiten Abgriffstelle (106) ist ein Messinstrument anordenbar.

Description

Beschreibung
Titel
Variable Widerstandsanordnung, Messbrückenschaltung und Verfahren zum Kalibrieren einer Messbrückenschaltung
Stand der Technik
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine variable Widerstandsanordnung, auf eine Messbrückenschaltung, auf ein Verfahren zum Kalibrieren einer Messbrückenschaltung sowie auf ein entsprechendes Steuergerät und Computerprogrammprodukt.
In einer Schaltung, die auf dem elektrischen Gleichgewicht in beispielsweise zwei Strängen basiert, ist aufgrund von Bauteiltoleranzen und Fertigungstoleranzen eine Möglichkeit zum Justieren des Widerstands zumindest eines der Stränge erforderlich. Beispielsweise können mittels irreversiblen Justierverfahren, wie Laser-Trimmung oder Zener-Zapping einzelne Widerstände einer kaskadierten Anordnung von Widerständen überbrückt oder kurzgeschlossen werden, um einen resultierenden Widerstand der Anordnung anzupassen. Bei einer Störung des Gleichgewichts, beispielsweise aufgrund von Bauteilalterung in den Strängen ist ein erneutes Justieren erforderlich. Dazu kann die kaskadierte Anordnung ausgetauscht und justiert werden.
Eine Einrichtung zum Abgleich von Sensorsignalen ist aus der DE 4 1 15 288 A1 bekannt.
Offenbarung der Erfindung
Vor diesem Hintergrund wird mit der vorliegenden Erfindung eine variable Widerstandsanordnung, eine Messbrückenschaltung, ein Verfahren zum Kalibrieren einer Messbrückenschaltung sowie schließlich ein entsprechendes Steuergerät und Computerprogrammprodukt gemäß den Hauptansprüchen vorgestellt. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung.
Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass ein Memristor einen eingeschriebenen elektrischen Widerstandswert speichern kann, solange der Memristor oberhalb einer Grenzfrequenz und/oder unterhalb einer Grenz-Stromstärke betrieben wird. Der elektrische Widerstandswert kann vergrößert oder verkleinert werden, wenn der Memristor mit einem Strom unterhalb der Grenzfrequenz und/oder oberhalb der Grenz-Stromstärke bestromt wird. Eine Schaltung mit einem Memristor kann zum Kalibrieren der Schaltung unterhalb der Grenzfrequenz und/oder oberhalb der Grenz-Stromstärke betrieben werden. Die Schaltung mit dem Memristor kann im Betrieb oberhalb der Grenzfrequenz und/oder unterhalb der Grenz-Stromstärke betrieben werden und die Kalibrierung bleibt erhalten.
Vorteilhafterweise kann ein einzelner Memristor, der eine geringe Fläche belegt, eine große Anzahl von Einzelbauteilen ersetzen, die herkömmlicherweise zum Kalibrieren vorgehalten werden und eine große Fläche belegen. Dadurch kann eine Schaltung mit dem Memristor kleiner ausgeführt werden. Da der Memristor immer wieder kalibriert werden kann, kann die Schaltung fest verbaut werden, da kein Schaltungstausch erforderlich ist. Aufgrund der geringeren Teilezahl kann die Schaltung ferner kostengünstig bereitgestellt werden.
Die vorliegende Erfindung schafft eine variable Widerstandsanordnung mit folgenden Merkmalen: einem ersten Bauelement mit einem unveränderlichen elektrischen Widerstandswert; und einem Memristor mit einem veränderbaren elektrischen Widerstandswert, der parallel zu dem ersten Bauteil geschaltet ist, um einen elektrischen Gesamtwiderstandswert der Widerstandsanordnung zu variieren.
Weiterhin schafft die vorliegende Erfindung eine Messbrückenschaltung, mit folgenden Merkmalen: einem ersten Ast, der einen in Reihe geschalteten ersten Widerstand und einen unveränderlichen Widerstand aufweist, wobei zwischen dem ersten Widerstand und dem unveränderlichen Widerstand eine erste Abgriffstelle angeordnet ist; und einem zweiten Ast, der einen in Reihe geschalteten zweiten Widerstand und eine variable Widerstandsanordnung gemäß dem hier vorgestellten Ansatz aufweist, wobei zwischen dem zweiten Widerstand und der Widerstandsanordnung eine zweite Abgriffstelle angeordnet ist, wobei der erste Ast und der zweite Ast parallel geschaltet sind und zwischen der ersten Abgriffstelle und der zweiten
Abgriffstelle ein Messinstrument anordenbar ist.
Desweiteren schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Kalibrieren einer Messbrückenschaltung gemäß dem hier vorgestellten Ansatz, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Ermitteln eines Messwerts des Messinstruments, wenn der erste Widerstand einer physikalischen Kalibriergröße ausgesetzt ist und der zweite Widerstand ebenfalls einer physikalischen Kalibriergröße ausgesetzt ist; und
Verändern des elektrischen Widerstandswerts des Memristors der variablen Widerstandsanordnung bis der Messwert in einem Toleranzbereich um einen vorbestimmten Wert ist, um die Messbrückenschaltung zu kalibrieren.
Unter einem Bauelement mit einem unveränderlichen elektrischen Widerstandswert kann ein Widerstand verstanden werden, der innerhalb eines Toleranzbereichs über seine Lebensdauer gleich bleibt. Unter einem Memristor kann ein Bauelement mit einem veränderbaren elektrischen Widerstandswert verstanden werden. Ein elektrischer Gesamtwiderstand einer Parallelschaltung kann als Kehrwert einer Summe eines Kehrwerts des Widerstandswerts des ersten Bauelements und eines Kehrwerts des Widerstandswerts des Memristors bzw. des zweiten Bauelements verstanden werden. Das erste Bauelement und das zweite Bauelement können einzelne diskrete Bauelemente sein. Eine Messbrückenschaltung kann einen ersten Anschlusspunkt für eine Speisespannung und einen zweiten Anschlusspunkt für die Speisespannung aufweisen. Der erste Ast kann an den Anschlusspunkten mit dem zweiten Ast elektrisch verbunden sein. Eine Abgriffstelle kann ein Anschlusspunkt sein. Ein Messinstrument kann ein Strommessgerät oder ein Spannungsmessgerät sein. Unter einer physikalischen Kalibriergröße kann beispielsweise eine vorbestimmte Kraft verstanden werden. Zum Beispiel kann die Kalibriergröße so definiert sein, dass keine äußere Einwir- kung auf den Widerstand einwirkt. Die Kalibriergrößen können gleich sein. Zum
Verändern des elektrischen Widerstandswerts kann beispielsweise ein gleichgerichteter Strom oder eine gleichgerichtete Spannung an den Memristor angelegt werden. Durch ein Aufschalten einer gleichgerichteten Komponente auf den Memristor können Ladungsträger im Memristor eine Ortsveränderung erfahren, die einen elektrischen Widerstand des Memristors vergrößern oder verkleinern können. Die gleichgerichtete Komponente kann eine Mindestgröße und/oder eine Mindestdauer aufweisen.
Der erste Widerstand und/oder der zweite Widerstand kann ein messgrößensen- sitiver Widerstand sein, und dazu ausgebildet sein, eine Veränderung einer physikalischen Größe am Sensor in einer entsprechenden Änderung eines elektrischen Widerstandswerts abzubilden. Beispielsweise kann ein messgrößensensi- tiver Widerstand ein piezoresistiver Drucksensor oder ein Längensensor sein.
Der erste messgrößensensitive Widerstand kann vor den unveränderlichen Widerstand geschaltet sein. Die variable Widerstandsanordnung kann vor den zweiten messgrößensensitiven Widerstand geschaltet sein. Durch diese Anordnung kann eine Halbbrückenschaltung realisiert werden. Die Schaltung kann auch als Viertelbrücke mit nur einem messgrößensensitiven Widerstand aufgebaut werden.
Die variable Widerstandsanordnung kann zumindest einen extern zugreifbaren Kalibrierungsanschluss aufweisen. Über einen Kalibrierungsanschluss kann der Memristor unmittelbar bestromt werden. Dadurch kann eine Auswirkung der an- deren Bauelemente auf den Kalibriervorgang minimiert werden.
Zwischen der ersten Abgriffstelle und der zweiten Abgriffstelle kann eine Spannungsmesseinrichtung angeordnet sein. Die Messbrückenschaltung kann mit einem konstanten Strom bestromt werden. Eine Veränderung an den messgrö- ßensensitiven Widerständen kann durch eine Änderung eines Spannungswerts an der Spannungsmesseinrichtung abgebildet werden. Im Schritt des Veränderns kann der Widerstandswert solange in einer Richtung stetig vergrößert werden, bis der Messwert aus dem Toleranzbereich austritt. Ein Intervall des Widerstandswerts zwischen dem Eintritt des Messwerts in den Tole- ranzbereich und dem Austritt des Messwerts aus dem Toleranzbereich kann ermittelt werden. Anschließend kann der Widerstandswert um einen vorbestimmten Anteil, insbesondere die Hälfte, des Intervalls stetig verkleinert werden. Oder es kann im Schritt des Veränderns der Widerstandswert solange stetig verkleinert werden, bis der Messwert aus dem Toleranzbereich austritt. Ein Intervall des Wi- derstandswerts zwischen dem Eintritt des Messwerts in den Toleranzbereich und dem Austritt des Messwerts aus dem Toleranzbereich kann ermittelt werden. Anschließend kann der Widerstandswert um einen vorbestimmten Anteil, insbesondere die Hälfte, des Intervalls stetig vergrößert werden, um die Messbrückenschaltung zu kalibrieren. Durch ein Erfassen eines ersten Werts des Wi- derstands beim Eintritt in den Toleranzbereich und einem zweiten Wert des Widerstands beim Austritt aus dem Toleranzbereich ergibt sich ein Widerstandsband, in dessen Mitte der Widerstandswert eingestellt werden kann, um die Messbrücke abzustimmen. Ein Intervall kann eine Breite des Widerstandsbands repräsentieren. Der Widerstandswert kann beispielsweise vergrößert werden, bis der Toleranzbereich verlassen ist. Dann kann der Widerstandswert wieder verkleinert werden, bis der vorbestimmte Anteil des Intervalls erreicht wird.
Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Steuergerät, das ausgebildet ist, um die Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens in entsprechenden Einrichtun- gen durchzuführen bzw. umzusetzen. Auch durch diese Ausführungsvariante der
Erfindung in Form eines Steuergeräts kann die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe schnell und effizient gelöst werden.
Unter einem Steuergerät kann vorliegend ein elektrisches Gerät verstanden wer- den, das Sensorsignale verarbeitet und in Abhängigkeit davon Steuersignale ausgibt. Das Steuergerät kann eine Schnittstelle aufweisen, die hard- und/oder softwaremäßig ausgebildet sein kann. Bei einer hardwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen beispielsweise Teil eines sogenannten System-ASICs sein, der verschiedenste Funktionen des Steuergeräts beinhaltet. Es ist jedoch auch möglich, dass die Schnittstellen eigene, integrierte Schaltkreise sind oder zumindest teilweise aus diskreten Bauelementen bestehen. Bei einer Software- mäßigen Ausbildung können die Schnittstellen Softwaremodule sein, die beispielsweise auf einem Mikrocontroller neben anderen Softwaremodulen vorhanden sind.
Von Vorteil ist auch ein Computerprogrammprodukt mit Programmcode, der auf einem maschinenlesbaren Träger wie einem Halbleiterspeicher, einem Festplattenspeicher oder einem optischen Speicher gespeichert sein kann und zur Durchführung des Verfahrens nach einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen verwendet wird, wobei das Programm auf einem Computer oder einer Vorrichtung ausgeführt wird.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der beigefügten Zeichnungen beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild einer Messbrückenschaltung mit einer variablen Widerstandsanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 2 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Kalibrieren einer Messbrückenschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
In der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden für die in den verschiedenen Figuren dargestellten und ähnlich wirkenden Elemente gleiche oder ähnliche Bezugszeichen verwendet, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente verzichtet wird.
Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild einer Messbrückenschaltung 100 mit einer variablen Widerstandsanordnung 102 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Messbrückenschaltung 100 weist zwei Äste auf. In einem der Äste ist ein erster messgrößensensitiver Widerstand Ri(x) und die variable Widerstandsanordnung 102 in Reihe geschaltet. Zwischen beiden ist eine erste Abgriffstelle 104 angeordnet. Im anderen der Äste ist ein zweiter messgrößensensitiver Widerstand R2M und ein erster unveränderlicher Widerstand Rfix,1 in Reihe geschaltet. Zwischen beiden ist eine zweite Abgriffstelle 106 angeordnet .Beide Äste sind parallel zueinander zwischen einem ersten Anschluss 108 und einem zweiten Anschluss 1 10 geschaltet. Die variable Widerstandsanordnung 102 weist einen zweiten unveränderlichen Widerstand Rfix,2 und einen parallel dazu geschalteten Memristor M auf. Im Betrieb wird die Messbrückenschaltung 100 mittels einer Versorgungsspannung Uv zwischen dem ersten Anschluss 108 und dem zweiten Anschluss 1 10 durch beide Äste der Messbrückenschaltung 100 versorgt. Der zweite Anschluss 1 10 kann auf einem Nullpotential GND liegen. Wenn beide Äste zueinander im Gleichgewicht stehen fließt zwischen der ersten Abgriffstelle 104 und der zweiten Abgriffstelle 106 kein Strom und es liegt keine Spannung U an. Wenn die Messbrückenschaltung 100 beispielsweise aufgrund einer Drift eines der messgrö- ßensensitiven Widerstände Ri(x), R2M verstimmt ist, obwohl beide messgrößen- sensitiven Widerstände Ri(x), R2M unbelastet sind, ist eine Kalibrierung der Messbrückenschaltung 100 erforderlich, um den Stromfluss zwischen den Abgriffstellen 104, 106 zu unterbinden. Zum Kalibrieren der Messbrückenschaltung 100 wird die variable Widerstandsanordnung 102 verändert, bis das Gleichgewicht wieder hergestellt ist. Um einen Widerstandswert des Memristors M zu verändern wird von einem Memristorterminal zu dem zweiten Anschluss 1 10 durch den Memristor M ein Memristorstrom lM angelegt. Der Memristorstrom lM kann einen hohen Gleichstromanteil aufweisen. Durch den Memristorstrom lM werden Ladungsträger innerhalb des Memristors M bewegt, wodurch sich eine Leitfähigkeit, also der Widerstandswert des Memristor M ändert.
Während die Messbrückenschaltung 100 mit einer Spannung Uv mit einer Trä- gerfrequenz betrieben wird, die höher als eine Grenzfrequenz des Memristors M ist, verändert sich der Widerstandswert des Memristors M nicht. Zwischen den Abgriffstellen 104, 106 kann dann ein Amplitudenmoduliertes Signal U abgegriffen werden, das eine Messgröße an den messgrößensensitiven Widerständen R^x), R2(x) abbildet.
Fig. 2 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 200 zum Kalibrieren einer Messbrückenschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Verfahren 200 weist einen Schritt des Ermitteins 202 und einen Schritt des Veränderns 204 auf. Im Schritt des Ermitteins 202 wird ein Messwert des Messinstruments ermittelt, wenn der erste messgroßensensitive Widerstand einer physikalischen Kalibriergröße ausgesetzt ist und der zweite messgrößen- sensitive Widerstand ebenfalls einer physikalischen Kalibriergröße, ausgesetzt ist. Insbesondere können die Kalibriergrößen identisch sein, oder gleich groß bei entgegengesetzten Vorzeichen sein. Beispielsweise können die messgrößen- sensitiven Widerstände lediglich ihrem Eigengewicht oder einer Grundlast aus- gesetzt sein. Im Schritt des Veranderns 204 wird der elektrische Widerstandswert des zweiten Bauelements der variablen Widerstandsanordnung (des Memristors) verändert, bis der Messwert in einem Toleranzbereich um einen vorbestimmten Wert ist. Beispielsweise kann der vorbestimmte Wert ein vorbestimmtes Spannungsniveau, wie null Volt sein. Der Toleranzbereich kann beispielsweise unter Berücksichtigung einer Messungenauigkeit festgelegt werden.
Mit anderen Worten kann ein Memristor M ein Widerstandsnetzwerk zum Abgleich von Sensoren Ri(x), R2(x) ersetzen. Ein solches Widerstandsnetzwerk kann z.B. durch Laser-Trimmung oder durch Zener-Zapping zum Abgleichzeit- punkt auf den gewünschten Wert eingestellt werden.
Das Prinzip des Memristors M lässt sich theoretisch am besten im Vergleich mit den anderen passiven Bauelementen beschreiben. Allen Bauelementen liegt die Verkopplung der elektrischen Ladung und ihrer Ableitung (Strom) auf der einen Seite und des magnetischen Flusses und seiner Ableitung (Spannung) auf der anderen Seite zu Grunde. Auf dieser Basis entspricht ein elektrischer Widerstand einer Ableitung der Spannung nach dem Strom, eine Induktivität entspricht einer Ableitung des Flusses nach dem Strom, eine (reziproke) Kapazität entspricht einer Ableitung der Spannung nach der Ladung und eine Memristivität entspricht einer Ableitung des Flusses nach der Ladung.
In einer mikrosystemtechnischen Realisierung eines Memristors werden sehr dünne (einige nm) Titandioxid-Schichten zwischen Platinelektroden aufgebracht. Wird nun ein Teil der Ti02-Schicht mit Sauerstofffehlstellen dotiert, stellt sich in diesem Teil eine hohe elektrische Leitfähigkeit ein, während der undotierte Teil ein Isolator ist. Durch Anlegen eines elektrischen Feldes, also Spannung, lässt sich die Trennlinie zwischen den Bereichen verschieben und damit der Gesamtwiderstand der Schicht verändern. Dabei ist jedoch nicht nur die Höhe des Feldes entscheiden, sondern auch die Historie des Feldverlaufs (ähnlich wie bei ei- nem Kondensator die gespeicherte Ladung von der Historie der Bestromung abhängt). Auch die Geschwindigkeit der Feldänderung spielt eine große Rolle. Das Verhalten ist also (wie bei Induktivitäten und Kapazitäten auch) stark frequenzabhängig. Dies lässt sich ausnutzen um Memristoren als nichtflüchtigen analogen Speicher zu nutzen. Der Widerstand eines Memristors kann mit niedrigen Frequenzen und hohen Feldern eingestellt (beschrieben) werden, während das Auslesen mit kleinen hochfrequenten Spannungen geschieht, die den Zustand des Memristors nicht verändern, da das Zeitintegral des Stroms konstant bleibt.
Durch einen Memristor können Zener-Zappingkaskaden oder Trimmwiderstandsnetzwerke vermieden werden, die vergleichsweise viel Platz brauchen. Der Platzbedarf steigt umso mehr, je genauer der Abgleichwert eingestellt werden soll, und je größer ein Abgleichbereich ist, da jeder Teil der Kaskade bzw. des Netzwerks nur einen binären Wert repräsentiert. Ein mit Zener- Zappingkaskaden oder Trimmwiderstandsnetzwerken eingestellter Wert ist nur bedingt korrigierbar, ein nachträglicher erneuter Abgleich um z.B. in der Werk- statt die Drift eines Sensors über Lebensdauer zu korrigieren ist meist nur in einer Richtung möglich (vgl. Haareschneiden). Mit einem Memristor als Abgleichelement kann mit einem einzelnen oder wenigen Bauelementen mit geringem Platzbedarf ein analoger Abgleichwert gespeichert werden, der sich bei Bedarf nachträglich korrigieren lässt. Durch einen Memristor in einer Sensoranordnung, wie sie hier vorgestellt ist kann bei verringertem Platzbedarf ein Abgleichwert analog statt digital gespeichert werden und der Abgleichwert kann nachträglich ohne Einschränkung verändert werden.
In Fig. 1 ist beispielsweise eine Sensoranordnung gezeigt deren Signal mit Hilfe einer Wheatstone-Brücke 100 aus zwei veränderlichen Widerständen R(x) in einen elektrischen Wert abgebildet wird. Die veränderlichen Widerstände (z.B. piezoresistive Widerstände auf einer Drucksensormembran) sind mit zwei festen Widerständen (Rfix) verschaltet. Aus technologischen Gründen kommt es dabei in der Regel zu einer Verstimmung der Brücke 100, die man herkömmlicherweise dadurch korrigieren kann, dass einer der festen Widerstände als Netzwerk aus mehreren Widerständen aufgebaut wird, die z.B. durch Laser-Trimmen einzeln deaktiviert werden können. Dadurch kann die Verstimmung der Brücke 100 weitestgehend ausgeglichen werden, allerdings nur einmalig. Wird wie in Fig. 1 gezeigt, statt des Trimmwiderstandsnetzwerks eine Kombination 102 aus einem normalen Widerstand (RfiX,2) und einem Memristor (M) verwendet, kann zum Abgleichzeitpunkt über ein zusätzliches Terminal der Memristor beschrieben wer- den. Das ermöglicht eine nahezu beliebig genaue Abstimmung der Brücke 100. Für den Fall, dass die Sensoren eine Drift über Lebensdauer aufweisen, ist es so auch möglich, z.B. bei einem Werkstattaufenthalt die Sensoranordnung neu abzugleichen, wohingegen es notwendig wäre, ein Sensor mit herkömmlichem Abgleich auszutauschen. Ein Einsatz des Memristor-Abgleichs ist prinzipiell bei allen Sensoren möglich, bei denen ein Abgleich nach der Herstellung notwendig ist und die nicht über eine interne Auswertelogik verfügen. Dort ist dieser Abgleich ohne Zusatzaufwand möglich.
Die beschriebenen und in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele sind nur beispielhaft gewählt. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele können vollständig oder in Bezug auf einzelne Merkmale miteinander kombiniert werden. Auch kann ein Ausführungsbeispiel durch Merkmale eines weiteren Ausführungsbeispiels ergänzt werden.
Ferner können erfindungsgemäße Verfahrensschritte wiederholt sowie in einer anderen als in der beschriebenen Reihenfolge ausgeführt werden.

Claims

Ansprüche
1 . Variable Widerstandsanordnung (102) mit folgenden Merkmalen: einem ersten Bauelement (RfiX,2) mit einem unveränderlichen elektrischen Widerstandswert; und einem Memristor (M) mit einem veränderbaren elektrischen Widerstandswert, der parallel zu dem ersten Bauelement (RfiX,2) geschaltet ist, um einen elektrischen Gesamtwiderstandswert der Widerstandsanordnung (102) zu variieren.
2. Messbrückenschaltung (100), mit folgenden Merkmalen: einem ersten Ast, der einen in Reihe geschalteten ersten Widerstand (R2M) und einen unveränderlichen Widerstand (RfiX,1 ) aufweist, wobei zwischen dem ersten Widerstand (R2M) und dem unveränderlichen Widerstand (RfiX,1 ) eine erste Abgriffstelle (104) angeordnet ist; und einem zweiten Ast, der einen in Reihe geschalteten zweiten Widerstand
(Ri(x)) und eine variable Widerstandsanordnung (102) gemäß Anspruch 1 aufweist, wobei zwischen dem zweiten Widerstand (Ri(x)) und der Widerstandsanordnung (102) eine zweite Abgriffstelle (106) angeordnet ist, wobei der erste Ast und der zweite Ast parallel geschaltet sind und zwischen der ersten Abgriffstelle (104) und der zweiten Abgriffstelle (106) ein Messinstrument anordenbar ist.
3. Messbrückenschaltung (100) gemäß Anspruch 2, bei der der erste Widerstand (R2M) und/oder der zweite Widerstand (Ri(x)) ein messgrößensensiti- ver Widerstand ist, der dazu ausgebildet ist, eine Veränderung einer physikalischen Größe am Sensor in einer entsprechenden Änderung eines elektrischen Widerstandswerts abzubilden. Messbrückenschaltung (100) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei der die variable Widerstandsanordnung (102) zumindest einen extern zugreifbaren Kalibrierungsanschluss aufweist.
Messbrückenschaltung (100) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei der zwischen der ersten Abgriffstelle (104) und der zweiten
Abgriffstelle (106) eine Spannungsmesseinrichtung angeordnet ist.
Verfahren (200) zum Kalibrieren einer Messbrückenschaltung (100) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Ermitteln (202) eines Messwerts des Messinstruments, wenn der erste Widerstand ( 2M) einer physikalischen Kalibriergröße ausgesetzt ist und der zweite Widerstand (Ri(x)) ebenfalls einer physikalischen Kalibriergröße ausgesetzt ist; und
Verändern (204) des elektrischen Widerstandswerts des Memristors (M) der variablen Widerstandsanordnung (102) bis der Messwert in einem Toleranzbereich um einen vorbestimmten Wert ist, um die Messbrückenschaltung (100) zu kalibrieren.
Verfahren (200) gemäß Anspruch 6, bei dem im Schritt des Veränderns (204) der Widerstandswert solange stetig vergrößert wird, bis der Messwert aus dem Toleranzbereich austritt, und ein Intervall des Widerstandswerts zwischen dem Eintritt des Messwerts in den Toleranzbereich und dem Austritt des Messwerts aus dem Toleranzbereich ermittelt wird, wobei der Widerstandswert anschließend um einen vorbestimmten Anteil, insbesondere die Hälfte, des Intervalls stetig verkleinert wird, und/oder
bei dem im Schritt des Veränderns (204) der Widerstandswert solange stetig verkleinert wird, bis der Messwert aus dem Toleranzbereich austritt, und ein Intervall des Widerstandswerts zwischen dem Eintritt des Messwerts in den Toleranzbereich und dem Austritt des Messwerts aus dem Toleranzbereich ermittelt wird, wobei der Widerstandswert anschließend um einen vorbestimmten Anteil, insbesondere die Hälfte, des Intervalls stetig vergrößert wird, um die Messbrückenschaltung (100) zu kalibrieren. Steuergerät, das ausgebildet ist, um die Schritte eines Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 6 bis 7 durchzuführen.
Computer-Programmprodukt mit Programmcode zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 6 bis 7, wobei das Programm auf einer Vorrichtung oder einem Steuergerät ausgeführt wird.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8848337B2 (en) * 2011-02-01 2014-09-30 John R. Koza Signal processing devices having one or more memristors
US10026476B2 (en) * 2014-11-25 2018-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Bi-polar memristor
EP3251149B1 (de) * 2015-01-28 2019-03-13 Hewlett-Packard Enterprise Development LP Umschaltung eines memristiven elektrostatischen entladungselements
CN105004927B (zh) * 2015-07-15 2018-08-03 北京东方计量测试研究所 桥式电阻及其应用
EP3153850A1 (de) * 2015-10-08 2017-04-12 Nokia Technologies Oy Vorrichtung und zugehöriges verfahren zur messung eines physikalischen reizes
DE102016206958A1 (de) * 2016-04-25 2017-10-26 Continental Automotive Gmbh Verfahren zum Bestimmen eines Laststroms und Batteriesensor
EP3282265B3 (de) 2016-08-10 2024-03-27 X-FAB Semiconductor Foundries GmbH Halbleiterschaltungen, vorrichtungen und verfahren
CN106557092B (zh) * 2016-11-30 2019-11-26 中国航天空气动力技术研究院 电动舵机实际旋转角度与反馈角度对应关系的调节方法
CN108427017B (zh) * 2018-01-31 2020-07-28 浙江万物工场智能科技有限公司 一种测试系统及终端
CN110837016B (zh) * 2019-11-19 2021-09-10 思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司 精密匹配电阻阵列及其校准方法
CN111337811B (zh) * 2020-03-23 2021-03-30 电子科技大学 一种忆阻器测试电路
CN113156216B (zh) * 2021-04-23 2023-06-13 中国科学院半导体研究所 用于半桥模块寄生电感校准测试的测试装置及方法
CN115951291B (zh) * 2023-03-14 2023-05-23 北京森社电子有限公司 一种闭环霍尔传感器的自动调零设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2214603A1 (de) * 1971-03-25 1972-09-28 Telemecanique Electrique Vorrichtung zum Messen schwacher elektrischer Gleich-Signale
US4006430A (en) * 1974-07-10 1977-02-01 U.S. Philips Corporation Circuit arrangement for converting a bridge unbalance into a frequency variation
EP0264388B1 (de) * 1986-04-16 1990-01-03 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung zur messung einer mechanischen verformung, insbesondere unter einwirkung eines drucks
DE4024402C1 (de) * 1990-08-01 1991-10-31 Dr.Ing.H.C. F. Porsche Ag, 7000 Stuttgart, De
DE4115288A1 (de) 1991-05-10 1992-11-12 Bosch Gmbh Robert Einrichtung zum abgleich von sensorsignalen
US5485100A (en) * 1993-06-04 1996-01-16 United Technologies Corporation Automatically balanced and tested bridge measurement circuit, and method
US20100109656A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Seagate Technology Llc Magnetic Tunnel Junction and Memristor Apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3893192A (en) * 1971-02-25 1975-07-01 Danfoss As Converter for measured quantities
CN1465981A (zh) 2002-06-29 2004-01-07 骆乃光 一种实验用电桥
DE10308029B3 (de) * 2003-02-24 2004-10-28 Elmos Semiconductor Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung des Widerstandswerts eines elektrischen Bauelements und elektrische Schaltung mit einer derartigen Vorrichtung
US7106120B1 (en) * 2003-07-22 2006-09-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. PCMO resistor trimmer
JP2007184065A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Toshiba Corp 磁気記憶装置
DE102006051365B4 (de) 2006-10-27 2011-04-21 Sartorius Ag Messverstärkungsvorrichtung und -verfahren
JP5197512B2 (ja) * 2009-07-02 2013-05-15 株式会社東芝 半導体記憶装置
US9196354B2 (en) * 2010-02-09 2015-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory resistor adjustment using feedback control
US8694452B2 (en) * 2010-07-07 2014-04-08 Qualcomm Incorporated Methods and systems for CMOS implementation of neuron synapse

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2214603A1 (de) * 1971-03-25 1972-09-28 Telemecanique Electrique Vorrichtung zum Messen schwacher elektrischer Gleich-Signale
US4006430A (en) * 1974-07-10 1977-02-01 U.S. Philips Corporation Circuit arrangement for converting a bridge unbalance into a frequency variation
EP0264388B1 (de) * 1986-04-16 1990-01-03 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung zur messung einer mechanischen verformung, insbesondere unter einwirkung eines drucks
DE4024402C1 (de) * 1990-08-01 1991-10-31 Dr.Ing.H.C. F. Porsche Ag, 7000 Stuttgart, De
DE4115288A1 (de) 1991-05-10 1992-11-12 Bosch Gmbh Robert Einrichtung zum abgleich von sensorsignalen
US5485100A (en) * 1993-06-04 1996-01-16 United Technologies Corporation Automatically balanced and tested bridge measurement circuit, and method
US20100109656A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Seagate Technology Llc Magnetic Tunnel Junction and Memristor Apparatus

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHUA L O: "Nonlinear circuit foundations for nanodevices, part I: the four-element torus", PROCEEDINGS OF THE IEEE, IEEE. NEW YORK, US, vol. 9, no. 11, 1 November 2003 (2003-11-01), pages 1830 - 1859, XP011102736, ISSN: 0018-9219, DOI: 10.1109/JPROC.2003.818319 *
PERSHIN Y V ET AL: "Practical Approach to Programmable Analog Circuits With Memristors", IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I: REGULAR PAPERS, IEEE, US, vol. 57, no. 8, 1 August 2010 (2010-08-01), pages 1857 - 1864, XP011333751, ISSN: 1549-8328, DOI: 10.1109/TCSI.2009.2038539 *
SANGHO SHIN ET AL: "Memristor Applications for Programmable Analog ICs", IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, IEEE SERVICE CENTER, PISCATAWAY, NJ, US, vol. 10, no. 2, 1 March 2011 (2011-03-01), pages 266 - 274, XP011352152, ISSN: 1536-125X, DOI: 10.1109/TNANO.2009.2038610 *
SANGHO SHIN ET AL: "Memristor-based fine resolution programmable resistance and its applications", COMMUNICATIONS, CIRCUITS AND SYSTEMS, 2009. ICCCAS 2009. INTERNATIONAL CONFERENCE ON, IEEE, PISCATAWAY, NJ, USA, 23 July 2009 (2009-07-23), pages 948 - 951, XP031528785, ISBN: 978-1-4244-4886-9 *
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