WO2013063919A1 - 基片处理设备及其腔室装置 - Google Patents

基片处理设备及其腔室装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013063919A1
WO2013063919A1 PCT/CN2012/075667 CN2012075667W WO2013063919A1 WO 2013063919 A1 WO2013063919 A1 WO 2013063919A1 CN 2012075667 W CN2012075667 W CN 2012075667W WO 2013063919 A1 WO2013063919 A1 WO 2013063919A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chamber
heating
substrate
lamp
heat
Prior art date
Application number
PCT/CN2012/075667
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
赵梦欣
王厚工
刘旭
文莉辉
丁培军
Original Assignee
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 filed Critical 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Publication of WO2013063919A1 publication Critical patent/WO2013063919A1/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Definitions

  • the present invention relates to the field of semiconductor technology, and more particularly to a substrate processing apparatus and a chamber apparatus therefor. Background technique
  • the degassing step is to heat the substrate to about 350 ° C in the degassing chamber to remove water vapor and other volatile impurities on the substrate.
  • the present invention aims to solve at least one of the above technical problems.
  • a chamber device includes: a chamber body defining a processing chamber therein; a transparent medium window, the transparent medium window being disposed in the processing chamber, and An outer peripheral edge of the transparent medium window is connected to the inner peripheral wall of the chamber body to partition the processing chamber into an upper chamber and a lower chamber; a heating member, the heating member being disposed in the upper chamber a support table, the support table is disposed in the lower chamber for supporting the substrate, The upper surface of the support table is opposite to the heating member, and the substrate is placed on the upper surface of the support table.
  • the heat collecting plate is disposed in the lower chamber and above the support table.
  • the heat generated by the heating member can be branched and then transmitted to the substrate by heat radiation, heat convection, etc., by means of a heat collecting plate disposed between the heating member and the substrate, thereby realizing The hooks of the substrate are heated.
  • chamber device may further have the following additional technical features:
  • the support table is provided with a bottom heater for heating the substrate.
  • the heat insulating plate is made of a ceramic or graphite material and has a predetermined blackness.
  • the transparent medium window is a quartz window.
  • the top end of the chamber body is open and closed by a reflecting plate provided at the top end of the chamber body.
  • the heating element is a heat lamp.
  • the heating lamp is an annular heating lamp
  • the annular heating lamp comprises an inner ring heating lamp and an outer ring heating lamp
  • the outer ring heating lamp is heated around the inner ring in a circumferential direction. Light settings.
  • a mounting plate is disposed on an upper surface of the reflector, the heating lamp is mounted on the mounting plate through a lamp holder, and the lamp holder is mounted on an upper surface of the mounting plate .
  • the mounting plate is provided with a protective cover for protecting the lamp holder.
  • the mounting plate is provided with a first cooling passage for circulating a cooling medium.
  • the chamber device further includes a shield connected to the top end of the chamber body and extending downward along the inner peripheral wall of the chamber body.
  • a second cooling passage for circulating a cooling medium is disposed in the shield.
  • the shield comprises a barrel and a flange extending radially from an upper end of the barrel, the flange being connected to a top end of the chamber body and the barrel along The inner peripheral wall of the chamber body extends downward, and the reflecting plate is mounted on an upper end surface of the flange.
  • the outer peripheral edge of the quartz window is connected to the inner peripheral wall of the cylinder.
  • the present invention provides a substrate processing apparatus comprising the chamber device of any of the above embodiments.
  • the substrate processing apparatus is a physical vapor deposition apparatus.
  • the chamber device is a degassing chamber in the physical vapor deposition apparatus.
  • FIG. 1 is a schematic illustration of a chamber device in accordance with an embodiment of the present invention.
  • Heating wire ie one of the bottom heaters
  • connection In the description of the present invention, it should be noted that the terms “installation”, “connected”, and “connected” are to be understood broadly, and may be fixed or detachable, for example, unless otherwise specifically defined and defined. Connected, or connected integrally; can be mechanical or electrical; can be directly connected, or indirectly connected through an intermediate medium, can be the internal communication of the two components.
  • Connected, or connected integrally can be mechanical or electrical; can be directly connected, or indirectly connected through an intermediate medium, can be the internal communication of the two components.
  • the above terms can be understood in the present invention according to specific circumstances. The specific meaning.
  • the chamber device includes a chamber body 3, a heating member 11, a support table 5, a heat equalizing plate 13, and a transparent dielectric window 12.
  • the chamber body 3 surrounds the processing chamber 8, i.e., the chamber body 3 defines a processing chamber 8.
  • a transparent dielectric window 12 is disposed within the processing chamber 8, and an outer peripheral edge of the transparent dielectric window 12 is coupled to the inner peripheral wall of the chamber body 3 to partition the processing chamber 8 into an upper chamber and a lower chamber.
  • the heating member 11 is provided at the top of the upper chamber.
  • the support table 5 is provided in the lower chamber for supporting the substrate 4, and the upper surface of the support table 5 is opposed to the heating member 11, and the substrate 4 is placed on the upper surface of the support table 5.
  • the heat equalizing plate 13 is disposed in the lower chamber and above the support table 5, i.e., the heat equalizing plate 13 is located between the heating member 11 and the substrate 4.
  • the outer peripheral edge of the transparent medium window 12 can be hermetically connected with the inner peripheral wall of the chamber body 3, whereby the heating member 11 can be placed in the atmosphere in the presence of the transparent medium window 12. (i.e., the upper chamber can be in communication with the atmosphere) and the lower chamber is isolated from the outside atmosphere to treat the substrate 4 in the lower chamber.
  • a quartz window is preferably used as the transparent dielectric window 12 from the viewpoints of light transmittance, thermal conductivity, cost, and the like.
  • the chamber device can be produced by the heating member 11 by the heat equalizing plate 13 disposed between the heating member 11 and the support table 5 (i.e., disposed between the heating member 11 and the substrate 4).
  • the heat is transferred to the substrate 4 by heat radiation, heat convection, etc., to heat the substrate 4, thereby solving the problem of poor heating uniformity caused by the discrete arrangement of the heating lamps, thereby realizing Uniform heating of the substrate 4.
  • the support table 5 is provided with a bottom heater for heating the substrate 4. By heating the substrate 4 by the simultaneous operation of the bottom heater and the heating member 11, the heating efficiency of the chamber device can be further increased, thereby increasing the rate of temperature rise of the substrate 4.
  • the bottom heater is a heating wire 6 disposed in the support table 5.
  • the support table 5 in which the heating wire 6 is disposed in the present invention functions substantially like an electrostatic chuck, a mechanical chuck, and a differential pressure chuck in which a heater is provided.
  • the heat equalizing plate 13 is made of a ceramic or graphite material and has a predetermined blackness.
  • blackness refers to the ratio of the radiation capacity of the gray body to the radiation power of the black body at the same temperature.
  • the hot plate 13 having a predetermined blackness can be obtained in the process of manufacturing the heat equalizing plate 13 based on the materials and additives used.
  • the top end of the chamber body 3 is open and closed by a reflecting plate 2 provided at the top end of the chamber body 3.
  • the reflection plate 2 With the reflection plate 2, the light emitted from the heating member 11 can be reflected toward the inside of the processing chamber 8 to heat the substrate 4. Therefore, the provision of the reflecting plate 2 contributes to an improvement in the heating efficiency of the chamber device.
  • the heating element 11 is a heat lamp.
  • the heating lamp is an annular heating lamp, including an inner ring heating lamp 15 (as shown in FIG. 1, the inner ring heating lamp 15 is a heating lamp located in a central region of the processing chamber 8 and distributed along the circumferential direction of the processing chamber 8) And the outer ring heat lamp 16 (shown in Figure 1, the outer ring heat lamp 16 is a heat lamp located in the edge region of the processing chamber 8 and is disposed circumferentially around the inner ring heat lamp 15).
  • the outer ring heat lamp 16 is a heat lamp located in the edge region of the processing chamber 8 and is disposed circumferentially around the inner ring heat lamp 15.
  • the upper surface of the reflector 2 is provided with a mounting plate 1 and the two are closely attached.
  • the mounting plate 1 is provided with a first cooling passage 17 for circulating a cooling medium for cooling the reflector 2, In order to prevent the reflecting plate 2 from being overheated, it is ensured that the reflecting plate 2 is in a safe temperature range.
  • the heat lamp is mounted on the mounting board 1 through the socket 7, and the socket 7 is mounted on the upper surface of the mounting board 1.
  • a protective cover 18 for protecting the lamp holder 7 may be provided on the mounting plate 1. thus, It is possible to avoid an accident caused by the operator coming into contact with the lamp holder 7, thereby contributing to an improvement in operational safety.
  • the chamber device further comprises a shield 10 connected to the top end of the chamber body 3 and extending downwardly along the inner peripheral wall of the chamber body 3 and surrounding the inner peripheral wall of the chamber body 3 , to avoid overheating of the chamber body 3.
  • a second cooling passage 9 for circulating a cooling medium is disposed in the shield 10.
  • the chamber body 3 can be cooled by a cooling medium (e.g., water, oil, gas, etc.) to prevent it from overheating.
  • a cooling medium e.g., water, oil, gas, etc.
  • the chamber device having the shield 10 has a better effect of preventing overheating of the chamber body 3 and has a simple structure.
  • cooling medium circulating in the first cooling passage 17 and the second cooling passage 9 may be the same or different.
  • the shield 10 includes a barrel and a flange extending radially from the upper end of the barrel, wherein the flange is coupled to the top end of the chamber body 3 and the barrel is along
  • the inner peripheral wall of the chamber body 3 extends downward, and the reflecting plate 2 is mounted on the upper end surface of the flange.
  • the chamber unit has a simple structure and is easy to install.
  • the outer peripheral edge of the quartz window 12 may be connected to the inner peripheral wall of the cylindrical body.
  • a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is described below.
  • a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes the chamber apparatus described in any of the above embodiments.
  • Other portions and functions of the substrate processing apparatus in accordance with embodiments of the present invention are known to those of ordinary skill in the art and will not be described herein.
  • the substrate processing apparatus is a physical vapor deposition apparatus.
  • the chamber device is a degassing chamber in the physical vapor deposition apparatus.
  • the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention has an advantage that the substrate processing effect is good because the chamber device according to the embodiment of the present invention is used.
  • the substrate degassing process according to one embodiment of the present invention will be described below by taking the chamber device as a degassing chamber device as an example. First, the substrate 4 is placed on the support table 5 in the processing chamber 8.
  • the heat equalizing plate 13 is heated by the heating member 11, thereby indirectly heating the substrate 4 on the support table 5, and by heating the heating power of the heating member 11, the heating temperature is about 350 °C.
  • the degassing treatment process of the above substrate has the advantages of high heating efficiency, uniform heating, and good degassing effect.
  • the description of the terms “one embodiment”, “some embodiments”, “example”, “specific example”, or “some examples” and the like means a specific feature described in connection with the embodiment or example.
  • a structure, material or feature is included in at least one embodiment or example of the invention.
  • the schematic representation of the above terms does not necessarily mean the same embodiment or example.
  • the particular features, structures, materials, or characteristics described may be combined in a suitable manner in any one or more embodiments or examples.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)

Abstract

本发明公开了基片处理设备及其腔室装置。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；透明介质窗，所述透明介质窗设在所述处理腔室内，并且所述透明介质窗的外周沿与所述腔室本体的内周壁相连，以将所述处理腔室隔成上部腔室和下部腔室；加热部件，设在所述上部腔室内的顶部；支承台，其设在所述下部腔室内，所述支承台的上表面用于支撑基片并且与所述加热部件相对；匀热板，设在下部腔室内且位于支承台的上方。根据本发明实施例的腔室装置，可以将由加热灯产生的热量均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。

Description

基片处理设备及其腔室装置 技术领域
本发明涉及半导体技术领域， 尤其是涉及基片处理设备及其腔室装置。 背景技术
在半导体集成电路制造技术领域中， 铜互连 PVD设备需要经过如下四 个工艺步骤： 去气、 预清洗、 Ta(N)沉积、 Cu 沉积。 其中去气步骤是在去气 腔室内将基片加热至 350°C左右， 以去除基片上的水蒸气及其它易挥发杂质。
实验表明，去气工艺对基片加热均匀性要求较高，如果均匀性不能保证， 将出现某些区域易挥发杂质去除不完全情况， 而且当局部温度严重不均匀时 还可能会造成碎片。 此外， 出于产率的考虑， 希望基片能够尽快的到达工艺 温度， 基于此点考虑， 这种类型的加热必须使用加热组件。
现有的去气腔室的加热方案中一般使用灯泡类型的加热灯对基片进行 加热。 然而， 由于加热灯泡为离散配置， 容易导致加热均匀性较差。 发明内容
本发明旨在至少解决上述技术问题之一。
为此， 本发明的一个目的在于提出一种具有良好的加热均勾性的腔室装 置。
本发明的另一个目的在于提出一种具有上述腔室装置的基片处理设备。 为了实现上述目的， 根据本发明的腔室装置， 包括： 腔室本体， 所述腔 室本体内限定有处理腔室； 透明介质窗， 所述透明介质窗设在所述处理腔室 内， 并且所述透明介质窗的外周沿与所述腔室本体的内周壁相连， 以将所述 处理腔室隔成上部腔室和下部腔室； 加热部件， 所述加热部件设在所述上部 腔室内的顶部； 支承台， 所述支承台设在所述下部腔室内用于支撑基片， 所 述支承台的上表面与所述加热部件相对， 基片置于所述支承台的上表面； 匀 热板， 所述勾热板设在所述下部腔室内且位于所述支承台的上方。
根据本发明的腔室装置， 通过设置在加热部件与基片之间的匀热板， 可 以将由加热部件产生的热量均勾化后通过热辐射、热对流等方式传导给基片， 因此可以实现对基片的均勾加热。
另夕卜， 根据本发明上述实施例的腔室装置还可以具有如下附加的技术特 征：
根据本发明的一个实施例， 所述支承台上设有用于加热基片的底部加热 器。
根据本发明的一个实施例， 所述勾热板由陶瓷或石墨材料制成且具有预 定的黑度。
根据本发明的一个实施例， 所述透明介质窗为石英窗。
根据本发明的一个实施例， 所述腔室本体的顶端敞开且由设在所述腔室 本体的顶端的反射板封闭。
根据本发明的一个实施例， 所述加热部件为加热灯。
才艮据本发明的一个实施例， 所述加热灯为环形加热灯， 所述环形加热灯 包括内环加热灯和外环加热灯， 所述外环加热灯沿周向围绕所述内环加热灯 设置。
根据本发明的一个实施例， 所述反射板的上表面上设有安装板， 所述加 热灯通过灯座安装在所述安装板上，所述灯座安装在所述安装板的上表面上。
根据本发明的一个实施例， 所述安装板上设有用于保护所述灯座的保护 罩。
根据本发明的一个实施例， 所述安装板内设有用于流通冷却介质的第一 冷却通道。
根据本发明的一个实施例， 腔室装置还包括屏蔽件， 所述屏蔽件与所述 腔室本体的顶端相连且沿所述腔室本体的内周壁向下延伸。 根据本发明的一个实施例， 所述屏蔽件内设有用于流通冷却介质的第二 冷却通道。
根据本发明的一个实施例， 所述屏蔽件包括筒体和从所述筒体上端沿径 向延伸出的凸缘， 所述凸缘与所述腔室本体的顶端相连且所述筒体沿所述腔 室本体的内周壁向下延伸， 所述反射板安装在所述凸缘的上端面。
根据本发明的一个实施例， 所述石英窗的外周沿与所述筒体的内周壁相 连。
此外， 本发明还提供一种基片处理设备， 其包括上述任一实施例所述的 腔室装置。
进一步地， 所述基片处理设备为物理气相沉积设备。
进一步地， 所述腔室装置为所述物理气相沉积设备中的去气腔室。 本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出， 部分将从下面的 描述中变得明显， 或通过本发明的实践了解到。 附图说明
本发明的上述和 /或附加的方面和优点将通过结合下面附图对实施例的 描述中变得明显和容易理解， 其中：
图 1是根据本发明实施例的腔室装置的示意图。
附图标记说明如下：
1.安装板
2.反射板
3.腔室本体
4.基片
5.支承台
6.加热丝 (即底部加热器的一种）
7.灯座
8.处理腔室 9.第二冷却通道
10.屏蔽件
11.加热部件
12.石英窗
13.匀热板
15.内环加热灯
16.外环加热灯
17.第一冷却通道
18.保护罩 具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例， 所述实施例的示例在附图中示出， 其中 自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的 元件。 以下参考附图描述的实施例是示例性的， 仅用于解释本发明， 而不能 理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中， 需要理解的是， 术语 "中心"、 "纵向"、 "横向"、 "上"、 "下"、 "前"、 "后"、 "左"、 "右"、 "竖直"、 "水平"、 "顶，，、 "底" "内"、 "外" 等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系， 仅是为了便于描述本发明和简化描述， 而不是指示或暗示所指的装置或元件 必须具有特定的方位、 以特定的方位构造和操作， 因此不能理解为对本发明 的限制。 此外， 术语 "第一"、 "第二" 仅用于描述目的， 而不能理解为指示 或暗示相对重要性。
在本发明的描述中， 需要说明的是， 除非另有明确的规定和限定， 术语 "安装"、 "相连"、 "连接" 应做广义理解， 例如， 可以是固定连接， 也可以 是可拆卸连接， 或一体地连接； 可以是机械连接， 也可以是电连接； 可以是 直接相连， 也可以通过中间媒介间接相连， 可以是两个元件内部的连通。 对 于本领域的普通技术人员而言， 可以根据具体情况理解上述术语在本发明中 的具体含义。
此外， 在本发明的描述中， 除非另有说明， "多个" 的含义是两个或两 个以上。 下面参考附图描述本发明实施例的腔室装置。
根据本发明实施例的腔室装置， 包括腔室本体 3、 加热部件 11、 支承台 5、 匀热板 13、 和透明介质窗 12。
具体而言， 腔室本体 3围绕形成处理腔室 8, 即腔室本体 3内限定有处 理腔室 8。
透明介质窗 12设在处理腔室 8内， 并且透明介质窗 12的外周沿与腔室 本体 3的内周壁相连， 以将处理腔室 8隔成上部腔室和下部腔室。 加热部件 11设在上部腔室内的顶部。 支承台 5设在下部腔室内用于支撑基片 4, 并且 支承台 5的上表面与加热部件 11相对，基片 4置于支承台 5的上表面。 匀热 板 13设在下部腔室内且位于支承台 5的上方， 即， 匀热板 13位于加热部件 11与基片 4之间。
可以理解的是， 透明介质窗 12的外周沿可以与腔室本体 3的内周壁之 间气密地相连， 由此， 在透明介质窗 12存在的情况下， 可以使加热部件 11 处于大气环境中（即上部腔室可以与大气连通）， 而下部腔室与外界大气相隔 绝， 以在下部腔室内对基片 4进行处理。 其中， 从光透过率、 导热性能、 成 本等考虑， 优选釆用石英窗作为该透明介质窗 12。
可以理解的是， 关于勾热板 13在处理腔室 8内的具体安装方式没有特 别要求， 可以釆用任意安装方式， 只要可以使匀热板 13 安装在处理腔室 8 内即可。
根据本发明上述实施例的腔室装置，通过设置在加热部件 11与支承台 5 之间 (即， 设置在加热部件 11与基片 4之间） 的匀热板 13 , 可以将由加热 部件 11产生的热量均勾化后再通过热辐射、 热对流等方式传导给基片 4, 以 对基片 4进行加热， 从而解决了由于加热灯离散配置所导致的加热均匀性较 差的问题， 进而实现对基片 4的均匀加热。 根据本发明的一个实施例，支承台 5设有用于加热基片 4的底部加热器。 通过底部加热器和加热部件 11同时工作来对基片 4进行加热，可以进一步提 高腔室装置的加热效率， 从而提高基片 4的升温速率。 在本发明的一些实施 例中， 如图 1所示， 所述底部加热器为设在支^ ^台 5内的加热丝 6。 可以理 解的是， 本发明中的内部设置有加热丝 6的支承台 5的作用实际上类似于内 设有加热器的静电卡盘、 机械卡盘以及压差卡盘。
根据本发明的一个实施例， 匀热板 13 由陶瓷或石墨材料制成且具有预 定的黑度。 由此， 可以提高匀热板 13的匀热效果， 从而可以进一步改善基片 4 的处理效果。 其中， 黑度是指在一定温度下， 灰体的辐射能力与同温度下 黑体的辐射能力之比。在实际应用中，可以在匀热板 13的加工制作过程中基 于所釆用的材质、 添加剂等具体情况来得到预定黑度的勾热板 13。
根据本发明的一个实施例， 腔室本体 3的顶端敞开且由设在腔室本体 3 的顶端的反射板 2封闭。 借助该反射板 2, 可以将加热部件 11发出的光朝向 处理腔室 8内反射， 以对基片 4进行加热。 因此， 设置该反射板 2会有利于 提高腔室装置的加热效率。
根据本发明的一个实施例， 加热部件 11 为加热灯。 所述加热灯为环形 加热灯， 包括内环加热灯 15(如图 1所示， 内环加热灯 15是位于处理腔室 8 中心区域的加热灯， 且沿处理腔室 8的周向分布)和外环加热灯 16 (如图 1 所示，外环加热灯 16是位于处理腔室 8边缘区域的加热灯，且沿周向围绕内 环加热灯 15设置）。 由此，借助于上述加热部件 11将有利于进一步提高基片 4的温度均匀性。
进一步， 反射板 2的上表面上设有安装板 1 , 且二者紧密贴合， 而且， 安装板 1内设有用于流通冷却介质的第一冷却通道 17 ,用以对反射板 2进行 冷却， 以防止反射板 2过热， 从而确保反射板 2处于安全温度范围内。 此外 , 加热灯通过灯座 7安装在安装板 1上， 灯座 7安装在安装板 1的上表面上。
更进一步地， 安装板 1上可以设有用于保护灯座 7的保护罩 18。 由此， 可以避免发生因操作者接触到灯座 7而引起的事故， 从而有利于提高操作安 全性。
根据本发明的一个实施例， 腔室装置还包括屏蔽件 10, 屏蔽件 10与腔 室本体 3的顶端相连且沿腔室本体 3的内周壁向下延伸并环绕着腔室本体 3 的内周壁， 以避免腔室本体 3过热。
进一步， 屏蔽件 10内设有用于流通冷却介质的第二冷却通道 9。 由此， 可以通过冷却介质 （例如水、 油、 气体等）冷却腔室本体 3以避免其过热。 具有该屏蔽件 10的腔室装置，其防止腔室本体 3过热的效果更好，且结构简 单。
需要理解的是， 第一冷却通道 17和第二冷却通道 9中所流通的冷却介 质既可以相同也可以不同。
在本发明的一些实施例中， 屏蔽件 10 包括筒体和从所述筒体上端沿径 向延伸出的凸缘， 其中所述凸缘与腔室本体 3的顶端相连且所述筒体沿腔室 本体 3的内周壁向下延伸， 反射板 2安装在所述凸缘的上端面。 该腔室装置 结构简单，便于安装。 在此情况下， 石英窗 12的外周沿可以与所述筒体的内 周壁相连。
下面描述根据本发明实施例的基片处理设备。根据本发明实施例的基片 处理设备包括上述任一实施例所述的腔室装置。 根据本发明实施例的基片处 理设备的其他部分和功能对于本领域普通技术人员来说是已知的， 在此不再 赘述。
可选地， 所述基片处理设备为物理气相沉积设备。 进一步， 所述腔室装 置为所述物理气相沉积设备中的去气腔室。
根据本发明实施例的基片处理设备， 由于釆用了根据本发明实施例的腔 室装置， 因此具有基片处理效果好的优点。
下面以所述腔室装置作为去气腔室装置为例描述根据本发明一个实施 例的基片去气处理过程。 首先， 将基片 4放置到处理腔室 8内的支承台 5上。
接着， 通过加热部件 11加热匀热板 13 , 从而间接地对支承台 5上的基 片 4进行加热， 并通过调节加热部件 11的加热功率使得加热温度在 350 °C左 右。
上述基片的去气处理过程具有加热效率高、 加热均勾、 去气效果好等优 点。
在本说明书的描述中， 参考术语 "一个实施例"、 "一些实施例"、 "示 例"、 "具体示例"、或 "一些示例"等的描述意指结合该实施例或示例描述的 具体特征、 结构、 材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。 在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。 而且， 描述的具体特征、 结构、 材料或者特点可以在任何的一个或多个实施 例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例， 本领域的普通技术人员可以理 解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、 修改、 替换和变型， 本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims

UP-120796-00 利 要 求 书
1、 一种腔室装置， 其特征在于， 包括：
腔室本体， 所述腔室本体内限定有处理腔室；
透明介质窗， 所述透明介质窗设在所述处理腔室内， 并且所述透明介质 窗的外周沿与所述腔室本体的内周壁相连， 以将所述处理腔室隔成上部腔室 和下部腔室；
加热部件， 所述加热部件设在所述上部腔室内的顶部；
支承台， 所述支承台设在所述下部腔室内， 所述支承台的上表面用于支 撑基片并且与所述加热部件相对；
匀热板， 所述勾热板设在所述下部腔室内且位于所述支承台的上方。
2、 根据权利要求 1 所述的腔室装置， 其特征在于， 所述支承台设有用 于加热基片的底部加热器。
3、 根据权利要求 1 所述的腔室装置， 其特征在于， 所述匀热板由陶瓷 或石墨材料制成且具有预定的黑度。
4、根据权利要求 1-3中任一项所述的腔室装置， 其特征在于， 所述透明 介质窗为石英窗。
5、 根据权利要求 4所述的腔室装置， 其特征在于， 所述腔室本体的顶 端敞开且由设在所述腔室本体的顶端的反射板封闭。
6、 根据权利要求 1 所述的腔室装置， 其特征在于， 所述加热部件为加 热灯。
7、 根据权利要求 6所述的腔室装置， 其特征在于， 所述加热灯为环形 加热灯， 所述环形加热灯包括内环加热灯和外环加热灯， 所述外环加热灯沿 周向围绕所述内环加热灯设置。
8、 根据权利要求 6所述的腔室装置， 其特征在于， 所述反射板的上表 面上设有安装板， 所述加热灯通过灯座安装在所述安装板上， 所述灯座安装 在所述安装板的上表面上。
9、 根据权利要求 8所述的腔室装置， 其特征在于， 所述安装板上设有 用于保护所述灯座的保护罩。
10、 根据权利要求 8所述的腔室装置， 其特征在于， 所述安装板内设有 用于流通冷却介质的第一冷却通道。
11、 根据权利要求 5所述的腔室装置， 其特征在于， 所述腔室装置还包 括屏蔽件， 所述屏蔽件与所述腔室本体的顶端相连且沿所述腔室本体的内周 壁向下延伸。
12、 根据权利要求 11 所述的腔室装置， 其特征在于， 所述屏蔽件内设 有用于流通冷却介质的第二冷却通道。
13、 根据权利要求 11 所述的腔室装置， 其特征在于， 所述屏蔽件包括 筒体和从所述筒体上端沿径向延伸出的凸缘， 所述凸缘与所述腔室本体的顶 端相连且所述筒体沿所述腔室本体的内周壁向下延伸， 所述反射板安装在所 述凸缘的上端面。
14、 根据权利要求 13 所述的腔室装置， 其特征在于， 所述石英窗的外 周沿与所述筒体的内周壁相连。
15、 一种基片处理设备， 其特征在于， 包括权利要求 1-14中任一项所述 的腔室装置。
16、 根据权利要求 15所述的基片处理设备， 其特征在于， 所述基片处 理设备为物理气相沉积设备。
17、 根据权利要求 16所述的基片处理设备， 其特征在于， 所述腔室装 置为所述物理气相沉积设备中的去气腔室。
PCT/CN2012/075667 2011-11-03 2012-05-17 基片处理设备及其腔室装置 WO2013063919A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110343642.8 2011-11-03
CN2011103436428A CN103088288A (zh) 2011-11-03 2011-11-03 基片处理设备及其腔室装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013063919A1 true WO2013063919A1 (zh) 2013-05-10

Family

ID=48191261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2012/075667 WO2013063919A1 (zh) 2011-11-03 2012-05-17 基片处理设备及其腔室装置

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN103088288A (zh)
TW (1) TWI512128B (zh)
WO (1) WO2013063919A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104726843B (zh) * 2013-12-19 2017-09-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 透明窗的密封装置及反应腔室
CN104733274B (zh) * 2013-12-19 2017-10-27 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及等离子体加工设备
CN108118287A (zh) * 2016-11-28 2018-06-05 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室
CN108807214B (zh) * 2017-04-27 2021-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 一种去气装置
CN115161764B (zh) * 2022-06-23 2024-02-06 江苏天芯微半导体设备有限公司 一种控温装置及其外延设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01234391A (ja) * 1988-03-15 1989-09-19 Nec Corp 基板ホルダー
US20010034004A1 (en) * 2000-04-21 2001-10-25 Masayuki Kitamura Quartz window having reinforcing ribs
CN1507648A (zh) * 2001-04-17 2004-06-23 �������ɭ 用于集成电路的快速热处理系统
CN101656194A (zh) * 2008-08-21 2010-02-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子腔室及其温度控制方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4321213B2 (ja) * 2003-10-24 2009-08-26 ウシオ電機株式会社 加熱ユニット
KR100827476B1 (ko) * 2006-08-29 2008-05-06 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자를 제조하기 위한 디가스 챔버 및 이를 이용한디가스 공정
US20080066683A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 General Electric Company Assembly with Enhanced Thermal Uniformity and Method For Making Thereof
TW201135845A (en) * 2009-10-09 2011-10-16 Canon Anelva Corp Acuum heating and cooling apparatus
US8603292B2 (en) * 2009-10-28 2013-12-10 Lam Research Corporation Quartz window for a degas chamber

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01234391A (ja) * 1988-03-15 1989-09-19 Nec Corp 基板ホルダー
US20010034004A1 (en) * 2000-04-21 2001-10-25 Masayuki Kitamura Quartz window having reinforcing ribs
CN1507648A (zh) * 2001-04-17 2004-06-23 �������ɭ 用于集成电路的快速热处理系统
CN101656194A (zh) * 2008-08-21 2010-02-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子腔室及其温度控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103088288A (zh) 2013-05-08
TWI512128B (zh) 2015-12-11
TW201319293A (zh) 2013-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101510577B1 (ko) 열판 및 그 열판을 이용한 기판 처리 장치
WO2013063919A1 (zh) 基片处理设备及其腔室装置
CN102808152B (zh) 腔室装置和基片处理设备
TWI725067B (zh) 可旋轉靜電夾盤
CN103572211B (zh) 物理气相沉积设备及物理气相沉积工艺
CN103094156B (zh) 基片处理设备及其腔室装置和基片加热方法
US10903067B2 (en) Cooled reflective adapter plate for a deposition chamber
TW201623662A (zh) 加熱腔室以及半導體加工裝置
KR20090037899A (ko) 노용 다중 구역 히터
KR20130080465A (ko) 기판 처리 장치 및 가열 장치
CN103668073A (zh) 去气腔室及物理气相沉积设备
TW201840877A (zh) 用於處理基板的方法及設備
CN104633492B (zh) 一体化灯设备及用于制造所述一体化灯设备的方法
TWI550146B (zh) A heating chamber and a semiconductor processing device
CN202881385U (zh) 晶圆加热装置
TWI510662B (zh) A substrate processing system
CN210575852U (zh) 一种热处理腔室
JP2912613B1 (ja) 板体加熱装置
JP2001057342A (ja) 処理チャンバ内でエネルギーを節約するための装置
CN104390470A (zh) 一种加热管及其安装方法
CN206271672U (zh) 一种用于晶圆铜膜cvd退火及氧化物还原的装置
CN216628246U (zh) 盖体及具有其的烹饪器具
CN213272730U (zh) 一种陶瓷火锅的电热炉
CN210128374U (zh) 一种使用安全的电陶炉
NL2015653A (en) LED lamp.

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12845891

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12845891

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1