TW201840877A - 用於處理基板的方法及設備 - Google Patents

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Abstract

本文揭露了用於退火基板的方法及設備的實施例。在一些實施例中，基板支撐件包括基板支撐底座，該基板支撐底座具有支撐基板的上表面及相對的底表面，其中該基板支撐底座由對輻射透明的材料形成；燈組件，該燈組件經設置在該基板支撐底座下方及具有經配置成加熱該基板的複數個燈；底座支撐件，該底座支撐件延伸穿過該燈組件以與該複數個燈間隔開的一關係來支撐該基板支撐底座；軸，該軸經耦接至該底座支撐件之與第一端相對的第二端；及旋轉組件，該旋轉組件經耦接至與該底座支撐件相對的軸，以相對於該燈組件旋轉該軸、該底座支撐件及該基板支撐底座。

Description

用於處理基板的方法及設備
本申請案的實施例大體上係與半導體基板處理相關。
基板(例如，STT-RAM)上的一些裝置的形成需要經沉積在如物理氣相沉積(PVD)腔室之沉積腔室中的多層薄膜。在一些實施例中，在沉積過程期間需要旋轉基板，以獲得良好的膜均勻性。例如，當沉積處理使用多個相對於基板而離軸設置的陰極及靶來沉積不同材料時，需要旋轉基板以確保良好的膜均勻性。某些層的沉積亦可能需要基板處於低溫並隨後被退火。然而，典型的基板支撐件包括當經加熱到高溫時保持溫度的底座。因此，在進行任何進一步的低溫處理之前，必須讓底座冷卻。結果，產量受到負面影響。
為了避免此種腔室停機時間，可將基板轉移至單獨的退火腔室，該退火腔室可經耦合至相同的群集工具以作為PVD腔室。然而，本發明人已觀察到需要原位退火以改善PVD腔室的產量。本發明人亦已觀察到需要一種以比習知退火腔室更均勻的方式來加熱基板的非原位退火腔室。
因此，本發明人已提供了經改善之用於處理基板的方法及設備的實施例。
本文揭露了用於處理基板的方法及設備的實施例。在一些實施例中，一種基板支撐件包括：基板支撐底座，該基板支撐底座具有支撐基板的上表面及相對的底表面，其中該基板支撐底座由對輻射透明的材料形成；燈組件，該燈組件設置在該基板支撐底座下方及具有經配置成加熱該基板的複數個燈，其中該燈組件包括中心孔；底座支撐件，該底座支撐件延伸穿過該中心孔及在該底座支撐件的第一端處經耦接至該基板支撐底座的該底表面，以用與該複數個燈間隔開的關係來支撐該基板支撐底座；軸，該軸經耦接至該底座支撐件之與該第一端相對的第二端；及旋轉組件，該旋轉組件經耦接至與該底座支撐件相對的該軸，以相對於該燈組件旋轉該軸、該底座支撐件及該基板支撐底座。
在一些實施例中，一種基板退火腔室包括：腔室主體，該腔室主體具有腔室壁及內部容積；燈組件，該燈組件設置在該內部容積中及具有經配置成加熱基板的複數個燈，其中該燈組件經耦接至支撐該燈組件的軸；複數個升舉銷，該複數個升舉銷延伸穿過該燈組件，以用與該複數個燈間隔開的關係來支撐該基板；一狹縫閥，該狹縫閥經設置成穿過該腔室主體的壁及在該燈組件上方以允許該基板進出該內部容積；環形燈組件，該環形燈組件具有經設置在該狹縫閥上方之該基板退火腔室的上部分中的至少一個燈；及頂部反射器，該頂部反射器經設置在環形燈組件上方，以向下朝著燈組件反射輻射。
在一些實施例中，一種處理基板的方法包括以下步驟：接收待處理的基板；將該基板抬起至處理位置；濺射濺射靶以沉積材料於該基板上；及快速加熱該基板以退火經沉積在該基板上的該材料。
下文描述了本申請案之其他及進一步的實施例。
本文提供了用於處理基板的方法及設備的實施例。在一些實施例中，提供了基板支撐底座，其有利地允許對基板進行原位退火，從而藉由減少將基板轉移至非原位退火腔室所導致的停機時間來改善處理系統的產量。本申請案的實施例進一步地提供了退火腔室，該退火腔室有利地提供更均勻的基板加熱。本發明的方法及設備藉由減少將基板轉移至非原位退火腔室所需的停機時間或藉由減少退火時間來有利地改善產量。本發明的基板支撐底座可經耦接至作為靜電夾盤之現有的基板支撐件，以有利地允許在具有夾持電極以夾持基板的底座及如本文所述之用於退火基板的底座之間進行方便切換。
圖1為根據本申請案的一些實施例的電漿處理腔室的示意性橫截面圖。在一些實施例中，電漿處理腔室為物理氣相沉積(PVD)處理腔室。然而，其他類型的處理腔室亦可使用或被修改，以與本文所述之本發明的基板支撐件的實施例一起使用。
腔室100為真空腔室，該真空腔室經適當地調適以在基板處理期間於腔室內部容積120內維持低於大氣壓的壓力。腔室100包括由蓋104所覆蓋之腔室主體106，該蓋104包圍位於腔室內部容積120的上半部分中的處理容積119。腔室100亦可包括一或多個外接各種腔室元件的屏蔽件105，以防止不需要的在此類元件及經離子化的處理材料之間的反應。腔室主體106及蓋104可由金屬(如鋁)製成。腔室主體106可透過耦合至接地115而接地。
基板支撐件124經設置在腔室內部容積120內，以支撐及保持基板S(如半導體晶片或(舉例而言)其他此類基板)。基板支撐件124通常可包括基板支撐件150(下文參考圖2更詳細地描述)及用於支撐基板支撐件150的中空支撐軸112。中空支撐軸112提供導管以提供(例如)處理氣體、流體、冷卻劑、功率或諸如此類至基板支撐件150。
在一些實施例中，中空支撐軸112經耦接至作為旋轉組件的馬達113以旋轉中空支撐軸112，及可選地經耦接至垂直升舉機以提供基板支撐件150之在上部的處理位置(如圖1所示)與下部的轉移位置(未示出)間的垂直移動。波紋管組件110圍繞中空支撐軸112設置，且該波紋管組件110經耦接在基板支撐件150及腔室100的底表面126之間以提供可撓的密封件，該可撓的密封件允許基板支撐件150的垂直運動，同時防止腔室100內的真空損失。波紋管組件110亦包括下部波紋管凸緣164，該下部波紋管凸緣164與O形環165或與底表面126接觸的其他合適的密封元件接觸，以幫助防止腔室真空的損失。
當需要時，中空支撐軸112提供用於將流體源142、氣體供應源141、電源140及RF源(例如，RF偏置電源117)耦合至基板支撐件150的導管。在一些實施例中，RF偏置電源117經由RF匹配網路116耦接至基板支撐件。然而，在一些實施例中，且如從下文敘述中將顯而易見地，可在使用基板支撐件時(例如，如下所述的退火處理)省略延伸穿過中空支撐軸112的一些元件。
基板升舉機130可包括安裝在經連接至軸111的平臺108上的升舉銷109，該軸111經耦接至第二升舉機構132以用於升高及降低基板升舉機130，使得基板「S」可放置在基板支撐件150上或可從該基板支撐件150移除該基板「S」。基板支撐件150包括通孔(下文描述)以接收升舉銷109。波紋管組件131經耦接在基板升舉機130及底表面126之間以提供可撓的密封件，該可撓的密封件在基板升舉機130的垂直運動期間維持腔室真空。
腔室100經耦接至真空系統114，並與該真空系統114流體連通，該真空系統114包括用於將腔室100排氣的節流閥(未示出)及真空泵(未示出)。可藉由調整節流閥及/或真空泵來調節腔室100內的壓力。腔室100亦經耦接至處理氣體供應裝置118並與該處理氣體供應裝置118流體連通，該處理氣體供應裝置118可將一或多種處理氣體供應至腔室100以處理設置在該腔室100中的基板。
在操作中，例如，可在腔室內部容積120中產生電漿102以執行一或多個處理。可藉由將來自電漿電源(例如，RF電漿電源170)的功率經由靠近腔室內部容積120或在腔室內部容積120內的一或多個電極耦合至處理氣體以點燃處理氣體並產生電漿102來產生電漿102。在一些實施例中，亦可從偏置電源(例如，RF偏置電源117)將偏置功率經由電容耦合偏置板(下文描述)提供至經設置在基板支撐件150內的一或多個電極(下文描述)以吸引朝向基板S的電漿離子。
在一些實施例中，例如，在腔室100是PVD腔室的情況下，包括待沉積在基板S上之源材料的靶166可設置在基板上方及在腔室內部容積120內。靶166可由腔室100的接地導電部分(例如，透過介電隔離器的鋁配接器)支撐。在其他實施例中，腔室100可包括多陰極佈置中的複數個靶，以使用相同腔室來沉積不同材料的層。
可控制的DC電源168可經耦接至腔室100以向靶166施加負電壓或偏壓。RF偏壓電源117可經耦接至基板支撐件124以便在基板S上引起負DC偏壓。此外，在一些實施例中，在處理期間可在基板S上形成負DC自偏壓。在一些實施例中，RF電漿電源170亦可經耦接至腔室100，以將RF功率施加至靶166，以便於控制基板S上的沉積速率的徑向分佈。在操作中，在腔室100中所產生之電漿102中的離子與來自靶166的源材料反應。此反應使靶166噴射源材料的原子，接著將該等原子引向基板S，從此沉積材料。
圖2描繪了根據本申請案的一些實施例的基板支撐件200的頂部分的橫截面圖。基板支撐件200可作為圖1中所示的基板支撐件124。基板支撐件200包括基板支撐底座202、自基板支撐底座202的底部延伸的軸204及包圍基板支撐底座202的外殼206、軸204及基板支撐件200的所有組件(下文描述)。
基板支撐底座202由對輻射(該輻射係在處理期間用於加熱基板)透明的材料形成，使得設置在基板支撐底座202的上表面225頂部上的基板可在沒有吸收大部分熱之基板支撐底座202的情況下被加熱。由於傳統底座吸收大量熱，故放置在預先加熱的底座上的冷基板立即被底座加熱。結果，可能直到底座冷卻為止皆不會執行需要低溫的處理。然而，因本發明的底座允許熱穿過底座，故可在已對本發明的底座執行退火後不久來執行低溫處理。此外，基板退火的溫度躍升速率顯著增加，且該速率可在約22℃/秒及約35℃/秒之間。在一些實施例中，基板支撐底座202可為石英板。在一些實施例中，基板支撐底座202可具有在約5mm與約7mm之間的厚度T1 。
基板支撐件200亦可包括位於基板支撐底座202附近(例如，在基板支撐底座202之約3英寸內)的軸承218，以在旋轉期間為基板支撐件200提供增加的剛性。軸承218可包括(例如)交叉滾子軸承或諸如此類。
為了便於加熱經設置在基板支撐底座202上的基板，基板支撐件200包括燈組件278，該燈組件278包括複數個燈214。在一些實施例中，燈組件278可包括反射板216，該反射板216由反射材料形成或塗覆有反射材料，以朝著基板支撐底座202向上反射熱。例如，反射板216可由拋光鋁或不銹鋼形成。複數個燈214包括能經由輻射發射足夠的熱以加熱基板支撐底座202之任何數量及類型的燈。例如，複數個燈214可包括鹵素燈。在一些實施例中，複數個燈214的總功率輸出在約2.25千瓦(kW)及約9.5kW之間。
複數個燈214從經設置在介電板203(如陶瓷板)中的複數個導體205接收電力。導體205可經由加熱器電力線(例如，導體)223及224來自電源140或從另一電源(未示出)接收電力。在一些實施例中，介電層213可經設置在介電板203頂部上以保護導體205及防止導體205與基板支撐件200的任何其他導電元件之間的意外接觸。提供介電層213中的開口以助於將導體205耦接至相應的燈214。在一些實施例中，可將複數個燈分成複數個區域；例如，內部陣列的燈及可獨立控制的外部陣列的燈。
如上所述，在啟動複數個燈214時產生了熱且經設置在基板支撐底座202上的物被加熱。由於熱沿各個方向發射，故在外殼206中形成複數個流體通道215以保持外殼206冷卻。任何合適的冷卻劑(例如，水及丙二醇等)可流過流體通道215以冷卻外殼206。
為了便於基板在基板支撐底座202上的放置及移除，基板支撐件200亦可包括升舉銷組件，該升舉銷組件包括複數個升舉銷201以將基板升高及降低至基板支撐底座202上。在一些實施例中，複數個升舉銷201中的至少一者可包括用於量測基板支撐底座202之溫度的高溫計。然而，高溫計可設置在任何其他適於量測基板溫度的位置。
基板支撐件200進一步包括底座支撐件222，基板支撐底座202可移除地耦合至該底座支撐件222。在一些實施例中，底座支撐件222包括與複數個夾持電力線228對應及經耦接至該複數個夾持電力線228的複數個電分接頭(展示兩個電分接頭：209及211)。複數電分接頭可經耦接至用於靜電夾持基板之底座中的夾持電極。然而，在基板支撐底座202中不存在夾持電極的實施例中，複數個電分接頭不與任何物耦合，因而不使用該複數個電分接頭。
在一些實施例中，可圍繞底座支撐件222設置金屬套筒207，以將複數個電分接頭屏蔽於由複數個燈214所發射的輻射。在一些實施例中，金屬套筒可由鋁形成。在一些實施例中，底座支撐件312可由氧化鋁形成。
在一些實施例中，底座支撐件222可包括中心通道220，該中心通道220經設置成穿過底座支撐件222從第一端217到第二端212，以在需要此種氣體時提供背側氣體。然而，在圖2所示的基板支撐底座202中，未使用背側氣體，因此基板支撐底座202不包括允許背側氣體從中心通道220穿過基板支撐底座202的開口。中心通道220經流體耦接至導管221，該導管221係經設置在軸204內並流體耦接至氣體供應源141。在一些實施例中，動態密封O形環226經設置在導管221的外壁及中心通道220的內壁之間。動態密封O形環226提供動態密封以防止在底座支撐件222圍繞靜止導管221旋轉的期間的任何背側氣體的洩漏。在未使用的實施例中，不需要提供中心通道220及導管221。然而，提供中心通道220及導管221可助於在基板支撐底座202及其他支撐件(如靜電吸盤)之間的快速切換，而無需自處理腔室移除整個基板支撐件200。
底座支撐件222在第一端217處經耦接至基板支撐底座202的底表面及在第二端212處經耦接至軸204。底座支撐件222以與複數個燈214間隔開的關係支撐基板支撐底座202。如上所述，基板支撐底座202可移除地耦合至基板支撐件，使得不同底座之間的切換相對簡單。因此，在一些實施例中，基板支撐底座202可包括延伸穿過基板支撐底座202的複數個安裝孔255以容納複數個相對應的固定元件(例如螺栓、螺釘及夾具等)，以有利地助於以更容易可移除及可替換的方式將基板支撐底座202耦接至底座支撐件222。底座支撐件222包括與複數個安裝孔255相對應的複數個盲孔219，以接收固定元件的端部以便於耦接。基板支撐底座202進一步包括複數個升舉銷孔258，升舉銷201穿過該複數個升舉銷孔延伸以將基板提升離開基板支撐底座202或接收待處理的基板。
圖3描繪了具有複數個燈214的燈組件278的頂視圖。如上所述，複數個燈214加熱經設置在基板支撐底座202頂上的基板。燈組件278亦包括中心孔302(底座支撐件222延伸穿過該中心孔302)及複數個孔270以允許複數個升舉銷201穿過燈組件278。雖然以特定配置示出，但燈的形狀及數量可變化以提供期望的基板支撐底座202上的熱分佈。在一些實施例中，複數個燈214包括內部陣列的燈306及可獨立控制的外部陣列的燈304。
圖4描繪了根據本申請案的一些實施例的基板退火腔室400的橫截面圖。基板退火腔室400可經配置成經安裝至群集工具，及在一些實施例中，基板退火腔室400可經安裝至具有亦安裝到其上的另一個處理腔室(如物理氣相沉積腔室)的群集工具，以有利地助於將基板自沉積腔室轉移至退火腔室且不暴露於大氣。
在一些實施例中，基板退火腔室400包括具有腔室壁405、經設置在腔室壁405頂部上的上部加熱組件460及內部容積407的腔室主體404。支撐組件480經設置在內部容積407內。在一些實施例中，支撐組件480包括燈組件470，該燈組件470具有經設置在軸410上的複數個燈417。為了便於基板傳入及傳出基板退火腔室400，狹縫閥412形成在燈組件470上方的腔室壁405中。複數個升舉銷414延伸穿過燈組件470以支撐與複數個燈417間隔開的基板。
在一些實施例中，上部加熱組件460包括經設置在狹縫閥412上方的基板退火腔室400的上部分中的環形燈組件430。環形燈組件430包括經設置在上部環形反射器434與下部環形反射器436之間的至少一個燈432。在一些實施例中，上部環形反射器434經設置在由腔室壁405支撐的下部環形反射器436上。在使用中，由至少一個燈432在每個方向上發射輻射。朝向下部環形反射器436發射的輻射朝上部環形反射器434向上反射，該上部環形反射器434朝向經設置在複數個升舉銷414頂部上的基板向下反射輻射。
在一些實施例中，使用從上部環形反射器434延伸的複數個鉤形臂438來支撐至少一個燈432。上部環形反射器434及下部環形反射器436經配置成朝向經設置在複數個升舉銷414頂部上的基板反射來自至少一個燈432的輻射。為了促進環形反射器的反射率，上部環形反射器及下部環形反射器可由拋光材料(例如不銹鋼)形成。在基板退火腔室400的操作溫度低於600℃的實施例中，環形反射器可替代地由鋁形成。在一些實施例中，下部環形反射器可包括環形冷卻劑通道440，冷卻劑流經該環形冷卻劑通道440以將下部環形反射器的溫度維持在期望溫度或低於期望溫度。在一些實施例中，基板退火腔室可包括至少一個高溫計448，該至少一個高溫計448經配置成量測經設置在複數個升舉銷414頂部上的基板的溫度，以提供反饋以控制退火處理。
在一些實施例中，上部加熱組件460進一步包括頂部反射器444，該頂部反射器444經設置在環形燈組件430上方及經配置成朝向經設置在複數個升舉銷414頂部上的基板(即，朝向燈組件470)向下反射輻射。頂部反射器444及腔室壁405限定了基板退火腔室400的內部容積407。帽446可經設置在上部加熱組件460頂部上以作為上部加熱組件460的潛在高溫元件及周圍環境之間的阻障層。複數個O形環450可經設置在各種元件的界面處(例如，在上部加熱組件460及腔室壁405之間及在帽446及上部加熱組件460之間等)，以確保組件之間的適當密封。
支撐組件480的其餘部分類似於上述的基板支撐件200。例如，在一些實施例中，複數個燈417從經設置在介電板402(如陶瓷板)中的複數個導體403接收電力。導體403可經由加熱器電力線(例如導體)420及424來從電源(未示出，但類似於電源140)或從另一電源(未示出)接收電力。在一些實施例中，介電層422可經設置在介電板402頂部上以保護導體403，及防止導體403與支撐組件480的任何其他導電元件之間的意外接觸。支撐組件480亦可包括冷卻劑通道425，冷卻劑經過該冷卻劑通道425流動以保持支撐組件480的溫度在期望的溫度。
燈組件470基本上類似於上文討論的且在圖3中示出的燈組件278。因此，為了簡潔起見，在此將省略對燈組件470的進一步討論。
圖4A及4B描繪了根據本申請案的一些實施例的至少一個燈432的示意圖。在一些實施例中，且如圖4A所示，至少一個燈432可包括具有為耦接至電源(未示出)之相應正極端及負極端的正極引線433及負極引線435的一環形燈。在一些實施例中，且如圖4B所示，至少一個燈可替代地包括具有相對應的正極引線433A與433B及負極引線435A與435B的兩個半圓形燈432A及432B。
圖5為描繪根據本申請案的一些實施例的處理基板的方法500的流程圖。在步驟502處，待處理的基板被接收在處理腔室(例如腔室100)中的基板支撐件上。在步驟504處，基板被抬起至處理位置。在步驟506處，濺射至少一個濺射靶以沉積材料於基板上。在步驟508處，快速加熱基板以退火經沉積在基板上的材料。
在一些實施例中，在相同腔室中執行濺射及快速加熱。例如，且如上文關於基板支撐件200所解釋地，基板支撐底座202由對輻射透明的材料(例如石英)形成，且基板藉由經設置在基板支撐底座202下方的複數個燈214加熱。因此，即使處理溫度低(例如，處於室溫或接近室溫)，仍可處理基板並接著在相同腔室中退火該基板。
在一些實施例中，濺射及快速加熱在不同腔室中進行。例如，且如上文關於基板退火腔室400所解釋地，將基板轉移至基板退火腔室400，並使用經設置在基板上方的環型燈組件430自上方及使用經設置在基板下方的複數個燈417自下方加熱該基板。複數個反射器(例如，上部環形反射器434、下部環形反射器436、頂部反射器444及燈組件反射板)經配置成朝著基板反射輻射。
雖然前述內容係針對本申請案的實施例，但可在不背離本申請案之基本範疇的情況下設計本申請案的其他及進一步的實施例。
100‧‧‧腔室
102‧‧‧電漿
104‧‧‧蓋
105‧‧‧屏蔽件
106‧‧‧腔室主體
108‧‧‧平臺
109‧‧‧升舉銷
110‧‧‧波紋管組件
111‧‧‧軸
112‧‧‧支撐軸
113‧‧‧馬達
114‧‧‧真空系統
115‧‧‧接地
116‧‧‧RF匹配網路
117‧‧‧RF偏置電源
118‧‧‧處理氣體供應裝置
119‧‧‧處理容積
120‧‧‧腔室內部容積
124‧‧‧基板支撐件
126‧‧‧底表面
130‧‧‧基板升舉機
131‧‧‧波紋管組件
132‧‧‧第二升舉機構
140‧‧‧電源
141‧‧‧氣體供應源
142‧‧‧流體源
150‧‧‧基板支撐件
164‧‧‧下部波紋管凸緣
165‧‧‧O形環
166‧‧‧靶
168‧‧‧DC電源
170‧‧‧RF電漿電源
200‧‧‧基板支撐件
201‧‧‧升舉銷
202‧‧‧支撐底座
203‧‧‧介電板
204‧‧‧軸
205‧‧‧導體
206‧‧‧外殼
207‧‧‧金屬套筒
209‧‧‧電分接頭
211‧‧‧電分接頭
212‧‧‧第二端
213‧‧‧介電層
214‧‧‧燈
215‧‧‧流體通道
216‧‧‧反射板
217‧‧‧第一端
218‧‧‧軸承
219‧‧‧盲孔
220‧‧‧中心通道
221‧‧‧導管
222‧‧‧底座支撐件
223‧‧‧導體
224‧‧‧導體
225‧‧‧上表面
226‧‧‧O形環
228‧‧‧電力線
255‧‧‧安裝孔
258‧‧‧升舉銷孔
270‧‧‧複數個孔
278‧‧‧燈組件
302‧‧‧中心孔
304‧‧‧燈
306‧‧‧燈
400‧‧‧腔室
402‧‧‧介電板
403‧‧‧導體
404‧‧‧腔室主體
405‧‧‧腔室壁
407‧‧‧內部容積
410‧‧‧軸
412‧‧‧狹縫閥
414‧‧‧升舉銷
417‧‧‧燈
420‧‧‧電力線
422‧‧‧介電層
424‧‧‧電力線
425‧‧‧冷卻劑通道
430‧‧‧環形燈組件
432‧‧‧燈
432A‧‧‧半圓形燈
432B‧‧‧半圓形燈
433‧‧‧正極引線
433A‧‧‧正極引線
433B‧‧‧正極引線
434‧‧‧上部環形反射器
435‧‧‧負極引線
435A‧‧‧負極引線
435B‧‧‧負極引線
436‧‧‧下部環形反射器
438‧‧‧鉤形臂
440‧‧‧環形冷卻劑通道
444‧‧‧頂部反射器
446‧‧‧帽
448‧‧‧高溫計
450‧‧‧O形環
460‧‧‧上部加熱組件
470‧‧‧燈組件
480‧‧‧支撐組件
500‧‧‧方法
502‧‧‧步驟
504‧‧‧步驟
506‧‧‧步驟
508‧‧‧步驟
藉由參考在附加圖式中描繪的本申請案的說明性實施例，可理解上文簡要總結並於下文更詳細討論的本申請案的實施例。然而，附加圖式僅示出了本申請案的典型實施例，因此該等附加圖式不被認為是對範圍的限制(因本申請案可允許其他等效的實施例)。
圖1描繪了根據本申請案的一些實施例的具有可旋轉基板支撐件的處理腔室的示意圖。
圖2描繪了根據本申請案的一些實施例的可旋轉基板支撐件的上部分的橫截面圖。
圖3描繪了根據本申請案的一些實施例的基板加熱設備的頂視圖。
圖4描繪了根據本申請案的一些實施例的退火腔室的示意性橫截面圖。
圖4A至圖4B描繪了根據本申請案的一些實施例的用於退火腔室中的環形燈的示意圖。
圖5為描繪根據本申請案的一些實施例的處理基板方法的流程圖。
為了便於理解，已儘可能地使用相同的元件符號來表示圖式中共有的相同元件。該等圖式不是按比例繪製的，且為了清晰起見可能會被簡化。一實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無需進一步的敘述。
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國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (20)

  1. 一種基板支撐件，包括： 一基板支撐底座，該基板支撐底座具有支撐一基板的一上表面及一相對的底表面，其中該基板支撐底座由對輻射透明的一材料形成； 一燈組件，該燈組件設置在該基板支撐底座下方及具有經配置成加熱該基板的複數個燈，其中該燈組件包括一中心孔； 一底座支撐件，該底座支撐件延伸穿過該中心孔及在該底座支撐件的一第一端處經耦接至該基板支撐底座的該底表面，以用與該複數個燈間隔開的一關係來支撐該基板支撐底座； 一軸，該軸經耦接至該底座支撐件之與該第一端相對的一第二端；及 一旋轉組件，該旋轉組件經耦接至與該底座支撐件相對的該軸，以相對於該燈組件旋轉該軸、該底座支撐件及該基板支撐底座。
  2. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該基板支撐底座由石英形成。
  3. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該基板支撐底座具有約5mm至約7mm之間的一厚度。
  4. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該基板支撐底座進一步包括： 複數個安裝孔，該複數個安裝孔經配置成接收對應之複數個固定元件以將該基板支撐底座耦接至該底座支撐件。
  5. 如請求項1至4中之任一項所述之基板支撐件，其中該複數個燈包括鹵素燈及具有在約2.25kW與約9.5kW之間的一總功率輸出。
  6. 如請求項1至4中之任一項所述之基板支撐件，其中該複數個燈包括一內部陣列的燈及一可獨立控制的外部陣列的燈。
  7. 如請求項1至4中之任一項所述之基板支撐件，其中該燈組件包括設置在該複數個燈下方及經配置成朝向該基板支撐底座反射來自該複數個燈的輻射的一反射板。
  8. 一種基板退火腔室，包括： 一腔室主體，該腔室主體具有一腔室壁及一內部容積； 一燈組件，該燈組件設置在該內部容積中及具有經配置成加熱一基板的複數個燈，其中該燈組件經耦接至支撐該燈組件的一軸； 複數個升舉銷，該複數個升舉銷延伸穿過該燈組件，以用與該複數個燈間隔開的一關係來支撐該基板； 一狹縫閥，該狹縫閥經設置成穿過該腔室主體的一壁及在該燈組件上方以允許該基板進出該內部容積； 一環形燈組件，該環形燈組件具有經設置在該狹縫閥上方之該基板退火腔室的一上部分中的至少一個燈；及 一頂部反射器，該頂部反射器經設置在環形燈組件上方，以向下朝著燈組件反射輻射。
  9. 如請求項8所述之基板退火腔室，其中該至少一個燈包括一個環形燈。
  10. 如請求項8所述之基板退火腔室，其中該至少一個燈包括沿著一圓佈置的兩個半圓形燈。
  11. 如請求項8所述之基板退火腔室，其中該環形燈組件包括經設置在該至少一個燈上方的一上部環形反射器及經設置在該至少一個燈下方的一下部環形反射器，及其中該上部環形反射器及該下部環形反射器經配置成朝向經設置在該複數個升舉銷頂部上的一基板反射來自該至少一個燈的輻射。
  12. 如請求項11所述之基板退火腔室，其中該下部環形反射器包括一環形冷卻劑通道。
  13. 如請求項8至12之任一項所述之基板退火腔室，其中該頂部反射器及該腔室壁限定該內部容積。
  14. 如請求項8至12之任一項所述之基板退火腔室，其中該複數個燈包括鹵素燈及具有在約2.25kW及約9.5kW之間的一總功率輸出。
  15. 如請求項14所述之基板退火腔室，其中該複數個燈包括一內部陣列的燈及一可獨立控制的外部陣列的燈。
  16. 如請求項8至12之任一項所述之基板退火腔室，其中該燈組件包括一反射板，該反射板經設置在該複數個燈下方及經配置成將來自該複數個燈的輻射反射向該基板。
  17. 一種處理基板的方法，包括以下步驟： 接收待處理的一基板； 將該基板抬起至一處理位置； 濺射一濺射靶以沉積材料於該基板上；及 快速加熱該基板以退火經沉積在該基板上的該材料。
  18. 如請求項17所述之方法，其中在同一腔室中執行濺射及快速加熱該基板之步驟，及其中將該基板設置在一石英板上及藉由設置在該石英板下方的複數個燈來快速加熱該基板。
  19. 如請求項17所述之方法，其中快速加熱該基板之步驟包括以下步驟： 將該基板轉移至具有經設置在該基板上方的一環形燈組件、經佈置在該基板下方的複數個燈及經配置成將輻射反射向該基板的複數個反射器的一退火腔室。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該複數個反射器包括： 一頂部反射器，該頂部反射器經設置在該環形燈組件上方以向下朝向基板反射輻射； 一上部環形反射器，該上部環形反射器經設置在該環形燈組件的至少一個燈上方；及 一下部環形反射器，該下部環形反射器經設置在該至少一個燈下方，以向上朝向該上部環形反射器反射輻射，該上部環形反射器向下朝向該基板反射該輻射。
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