WO2013002088A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2013002088A1
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antenna
port
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村瀬永徳
山本宗禎
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株式会社村田製作所
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    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
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    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
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    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
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    • H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0006—Particular feeding systems

Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module that enables communication in a plurality of frequency bands with a common antenna in, for example, multiband communication.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a switch module described in Patent Document 1.
  • the switch module described in Patent Document 1 includes an FET switch circuit 100 as a multiport device (SPnT (single input multiple output)) switch.
  • the FET switch circuit 100 is a switch that switches a transmission path through which a transmission / reception signal of the communication system passes.
  • the FET switch circuit 100 is connected to a terminal A connected to the common antenna 110 and filter circuits 101 to 105 or a duplexer 106 corresponding to each frequency band. Any one of the terminals B to F to be connected to is connected.
  • communication in a plurality of frequency bands is enabled with a common antenna.
  • Patent Document 1 when a design change is made such that the number of terminals connected to the outside is different, it is necessary to change the FET switch circuit or add an FET switch circuit accordingly. There is a problem that the design cannot be changed.
  • an object of the present invention is to provide a high-frequency module that can cope with the same switch circuit without changing the switch circuit even if the design is changed.
  • the high-frequency module according to the present invention includes a laminate formed by laminating dielectric layers, an external input / output terminal that is provided in the laminate, and that inputs and outputs signals, and is provided in the laminate and includes the external input / output terminal.
  • a first switch element and a second switch element connected to the first switch element on the external input / output terminal side and connected to the other external connection terminal are mounted on the surface of the laminate.
  • the switch circuit wherein the switch circuit is in a non-connected state within itself and is electrically connected to the outside of the first switch element and the second switch element. 3 further comprises a switching element.
  • the switch circuit since the switch circuit includes the third switch element that is not connected to the first switch element and the second switch element and can be externally connected, the high-frequency module is connected to the external input / output terminal. Even in the case of having another external terminal other than the external connection terminal, the same switch circuit can be used. For example, when the high-frequency module has an external output terminal that outputs a signal input from the external input / output terminal, if the third switch element is connected to the external input / output terminal and the external output terminal, the external input / output terminal The connection destination can be switched to either an external connection terminal or an external output terminal.
  • the design of the high frequency module can be easily changed.
  • the external input / output terminal is an antenna terminal connected to an antenna
  • the external connection terminal is a terminal connected to a communication system that performs communication via the antenna. It may be configured.
  • a high-frequency module can be used as a switch module that connects or disconnects the antenna and the communication system.
  • the external input / output terminal includes a first antenna terminal connected to an antenna corresponding to the first frequency band, and a second antenna terminal connected to an antenna corresponding to the second frequency band.
  • the external connection terminal includes a first output terminal for signal output to the communication system corresponding to the first frequency band, and a first input terminal for signal input from the communication system corresponding to the first frequency band.
  • a second output terminal for signal output to a communication system corresponding to the second frequency band, and a second input terminal for signal input from the communication system corresponding to the second frequency band, and the switch circuit Has two each of the first switch element and the second switch element, and one of the first switch elements is connected to the first antenna terminal and the first output terminal, The other of the first switch elements is connected to the second antenna terminal and the second output terminal, and one of the second switch elements is connected to one of the first switch elements on the external input / output terminal side. And the other of the second switch elements is connected to the other of the first switch elements on the second antenna terminal side and connected to the second input terminal.
  • the configuration is preferable.
  • the high-frequency module can be a high-frequency switch module in multiband communication.
  • the 3rd switch element can be used for any communication of the 1st frequency band or the 2nd frequency band, a design change becomes easy.
  • the high-frequency module according to the present invention may further include a ground conductor formed in the multilayer body, and the third switch element may be connected to the ground conductor.
  • the high frequency module according to the present invention may be configured such that the third switch element is connected to the first switch element and the second switch element via a wiring electrode formed on a surface and / or inside of the multilayer body. Good.
  • the signal path can be changed by connecting the third switch element to the first switch element and the second switch element.
  • the present invention within the number of the third switch elements, there is a problem such as an increase in cost due to a change in the type of the switch circuit or an increase in the number of mounted switch circuits regardless of the number of terminals of the high-frequency module. Therefore, it is possible to easily change the design of the high-frequency module.
  • GSM Global System for Mobile Communications
  • GSM 900 Global System for Mobile Communications
  • GSM 1800 GSM 1900 communication signal
  • W-CDMA Wideband Code Division Multiple Access
  • a high-frequency module that performs transmission and reception of communication signals of band classes Band1 (frequency band 2 GHz), Band2 (frequency band 1 GHz), Band5 (frequency band 800 MHz), and Band8 (frequency band 900 MHz) of the communication system will be described.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of a switch circuit used in the high-frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a circuit configuration of the high-frequency module according to the embodiment.
  • the high-frequency module 10 is a high-frequency switch module that enables high-band (first frequency band) and low-band (second frequency band) multiband communication.
  • GSM1800, GSM1900, W-CDMA (Band1), and W-CDMA (Band2) are set as high bands
  • GSM850, GSM900, W-CDMA (Band5), and W-CDMA (Band8) are set as low bands.
  • the high frequency module 10 includes a switch circuit SWIC.
  • the high-frequency module 10 includes a stacked body (not shown) in which dielectric layers are stacked, and the switch circuit SWIC is mounted on the surface of the stacked body. As shown in FIG. 2, the switch circuit SWIC includes ten switch elements SW1 to SW10.
  • the switch elements SW1 to SW10 are, for example, FET (Field effector transistor) switches.
  • the switch elements SW1-SW5 are high band switches, and the switch elements SW6-SW10 are low band switches.
  • Each switch element SW1-SW10 is connected to an external connection terminal, and electrically connects or disconnects between the terminals.
  • switch elements SW1 to SW10 can be appropriately changed as long as they are used as high-frequency switches such as MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) switches and diode switches instead of FET switches.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • the high-band switch element (first switch element) SW1 has one terminal connected to the common terminal S1 outside the switch circuit SWIC and the other terminal connected to the port electrode PMrH1.
  • the common terminal S1 is connected to the port electrode (first antenna terminal) PMan1 via an antenna-side matching circuit 11A that also serves as an ESD (Electro-Static Discharge) circuit.
  • the port electrode (first output terminal) PMan1 is connected to an external antenna ANT1 for high band.
  • the port electrode PMrH1 is a port for outputting a GSM1800 reception signal to the outside (communication system).
  • the high-band switch element (second switch element) SW2 has one terminal connected in the switch circuit SWIC to one terminal of the switch element SW1 connected to the common terminal S1, and the other terminal is a port.
  • the electrode (first output terminal) is connected to PMrH2. That is, one terminal of the switch element SW2 is connected from the common terminal S1 to the port electrode PMan1 via the antenna-side matching circuit 11A, like the switch element SW1.
  • the port electrode PMrH2 is a port for outputting a GSM1900 reception signal to the outside (communication system).
  • the high-band switch element (third switch element) SW3 has one terminal connected to the common terminal S1, and the other terminal connected to the port electrode (first input terminal) PMtH via the transmission filter 12A. Yes.
  • the port electrode PMtH is a port to which a GSM1800 or GSM1900 transmission signal is input from the outside (communication system).
  • the transmission filter 12A is a filter circuit that attenuates the second harmonic and the third harmonic of the GSM1800 or GSM1900 transmission signal and sets the use frequency band of the GSM1800 or GSM1900 transmission signal as a pass band.
  • the high-band switch element (third switch element) SW4 has one terminal connected to the common terminal S1 and the other terminal connected to the port electrode PMc1.
  • the port electrode PMc1 is a port for outputting a W-CDMA (Band1) transmission signal to the outside and inputting a reception signal from the outside.
  • the high-band switch element (third switch element) SW5 has one terminal connected to the common terminal S1 and the other terminal connected to the port electrode PMc2.
  • the port electrode PMc2 is a port for outputting a W-CDMA (Band2) transmission signal to the outside and inputting a reception signal from the outside.
  • the low-band switch element (first switch element) SW6 has one terminal connected to the common terminal S2 outside the switch circuit SWIC and connected to the port electrode (second output terminal) PMrL1.
  • the common terminal S2 is connected to the port electrode (second antenna terminal) PMan2 via the antenna-side matching circuit 11B that also serves as an ESD circuit.
  • the port electrode PMan2 is connected to an external antenna ANT2 for low band.
  • the port electrode PMrL1 is a port for outputting a GSM850 reception signal to the outside.
  • the low-band switch element (second switch element) SW7 has one terminal connected to the common terminal S2 and the other terminal connected to the port electrode (second output terminal) PMrL2. That is, one terminal of the switch element SW7 is connected from the common terminal S2 to the port electrode PMan2 via the antenna side matching circuit 11B, similarly to the switch element SW6.
  • the port electrode PMrL2 is a port for outputting a GSM900 reception signal to the outside.
  • the low-band switch element (third switch element) SW8 has one terminal connected to the common terminal S2, and the other terminal connected to the port electrode (second input terminal) PMtL via the transmission filter 12B.
  • the port electrode PMtL is a port to which a GSM850 or GSM900 transmission signal is input from the outside.
  • the transmission filter 12B is a filter circuit that attenuates the second harmonic and the third harmonic of the GSM850 or GSM900 transmission signal and uses the frequency band of the GSM850 or GSM900 transmission signal as a pass band.
  • the low-band switch element SW9 has one terminal connected to the common terminal S2 and the other terminal connected to the port electrode PMc3.
  • the port electrode PMc3 is a port for outputting a W-CDMA (Band 5) transmission signal to the outside and inputting a reception signal from the outside.
  • the low-band switch element SW10 has one terminal connected to the common terminal S2 and the other terminal connected to the port electrode PMc4.
  • the port electrode PMc4 is a port that outputs a W-CDMA (Band 8) transmission signal to the outside and inputs a reception signal from the outside.
  • the switch elements SW3-SW5 and SW8-SW10 of the switch circuit SWIC are independent of each other in the switch circuit SWIC and are provided so as to be connectable from the outside of the switch circuit SWIC. Connection is made at common terminals S1 and S2 outside the circuit SWIC. That is, when the switch circuit SWIC is used when forming the high-frequency module 10, the signal path (pattern electrode described later) connected to the switch elements SW3-SW5, SW8-SW10 can be changed as appropriate.
  • the switch elements SW3-SW5 are high-band switches and are connected to the common terminal S1, but when used as low-band switches, the switch elements SW3-SW5 are connected to the common terminal S2. What should I do?
  • the switch elements SW3-SW5 may be connected to the antenna and the corresponding port electrode. As described above, even when the design of the high-frequency module 10 is changed, it is only necessary to change the signal path formed in the stacked body, and it is not necessary to change the switch circuit SWIC to another switch circuit.
  • the switch circuit SWIC includes a ground terminal PG for connection to the ground GND.
  • the ground terminal PG is connected to the ground port electrode PMG for external connection of the high-frequency module 10.
  • the switch circuit SWIC includes a voltage application terminal PV for applying a drive voltage and a control voltage.
  • the voltage application terminal PV is connected to the power supply system for external connection of the high-frequency module 10 and the port electrode PMV of the control system.
  • the switch circuit SWIC performs on / off control of each of the switch elements SW1-SW10 by a combination of control voltages applied to the voltage application terminals PV for applying a control voltage.
  • 4 and 5 are stacked views of the high-frequency module 10 of the present embodiment. 4 and 5 show electrode patterns obtained by viewing each dielectric layer of the multilayer body from the bottom surface side.
  • the laminate is formed by laminating 16 dielectric layers, and each dielectric layer is formed with a predetermined electrode pattern for configuring the high-frequency module 10 and a via electrode connecting the layers. Yes.
  • the via electrode is represented by a circle shown in each layer of FIGS. In the following description, the uppermost layer is referred to as the first layer PL1, and the numerical value increases as the lower layer is reached, and the lowermost layer is described as the sixteenth layer PL16.
  • element mounting electrodes for mounting each circuit element are formed on the top surface of the first layer PL1, which is the uppermost layer, that is, the top surface of the laminate.
  • FIG. 4 shows the switch circuit SWIC and the antenna side matching circuits 11A and 11B.
  • a lead pattern electrode is formed on the second layer PL2.
  • one terminal of the switch elements SW1 to SW6 is connected to the common terminal S1 with the same electrode pattern.
  • This electrode pattern is connected to one terminal of the antenna-side matching circuit 11A.
  • the other terminal of the antenna-side matching circuit 11A is connected to the port electrode PMan1 which is one of the port electrodes arranged in the 16th layer PL16 described later from the routing pattern electrode through the via electrode of the other layer.
  • one terminal of the switch elements SW7 to SW10 is connected to the common terminal S2 with the same electrode pattern.
  • This electrode pattern is connected to one terminal of the antenna-side matching circuit 11B.
  • the other terminal of the antenna-side matching circuit 11B is connected to the port electrode PMan2 that is one of the port electrodes arranged and formed on the 16th layer PL16 from the routing pattern electrode through the via electrode of the other layer.
  • a lead pattern electrode is formed on the third layer PL3.
  • a ground electrode GND is formed on the fourth layer PL4.
  • Pattern electrodes, via electrodes, routing electrodes, ground electrodes, and the like constituting the transmission filters 12A and 12B are formed on the fifth layer PL5 to the fifteenth layer PL15.
  • port electrodes for external connection are arranged in the sixteenth layer PL16 which is the lowermost layer, that is, on the bottom surface of the laminate.
  • port electrodes PMrH1, PMrH2, PMc1, PMc2, PMrL1, PMrL2, PMc3, and PMc4 are arranged on the side of the 16th layer PL16 (upper side in the figure).
  • Each of these port electrodes is connected to the switch elements SW1, SW2, SW4, SW5, SW6, SW7, SW9, SW10 via via electrodes in other layers.
  • the port electrode PMtH is formed on the 16th layer PL16, and connected to the switch element SW3 via the pattern electrode constituting the transmission filter 12A on the other layer.
  • a port electrode PMtL is formed on the 16th layer PL16, and is connected to the switch element SW8 via a pattern electrode constituting the transmission filter 12B on the other layer.
  • the switch elements SW1-SW10 of the switch circuit SWIC are classified and used for five high bands and five low bands.
  • the switch elements SW3-SW5 and SW8-10 of the switch circuit SWIC are provided independently of each other, and these switch elements are connected outside the switch circuit SWIC (common terminals S1, S2, etc.). Therefore, the purpose of use of the switch elements SW3-SW5 and SW8-10 can be freely changed.
  • the switch elements SW1-SW5 are connected to the common terminal S1 outside the switch circuit SWIC, and the switch elements SW6-SW10 are connected to the switch circuit. It is connected to a common terminal S2 outside the SWIC.
  • the same switch circuit can be obtained by changing the design of the signal path of the laminate.
  • Another high frequency module can be formed using SWIC.
  • FIG. 6 and 7 are stacked diagrams of the high-frequency module in the case where there are six high-band transmission / reception terminals and four low-band transmission / reception terminals.
  • the switch elements SW1 to SW6 are used as high band switches
  • the switch elements SW7 to SW10 are used as low band switches.
  • GSM850, GSM900, and W-CDMA (Band 5) are set to the low band, and GSM1800, GSM1900, W-CDMA (Band 1), W-CDMA (Band 2), and W-CDMA (Band 4) are set to the high band.
  • one terminal of the switch elements SW1-SW6 is connected to the common terminal S1 with the same electrode pattern.
  • This electrode pattern is connected to one terminal of the antenna-side matching circuit 11A.
  • the other terminal of the antenna-side matching circuit 11B is connected to the port electrode PMan1, which is one of the port electrodes arranged in the 16th layer PL16, from the routing pattern electrode through the via electrode in the other layer.
  • one terminal of the switch elements SW7 to SW10 is connected to the common terminal S2 with the same electrode pattern.
  • This electrode pattern is connected to one terminal of the antenna side matching circuit 11B.
  • the other terminal of the antenna-side matching circuit 11B is connected to the port electrode PMan2 that is one of the port electrodes arranged and formed on the 16th layer PL16 from the routing pattern electrode through the via electrode of the other layer.
  • port electrodes for external connection are arranged in the 16th layer PL16, which is the lowest layer.
  • port electrodes PMrH1, PMrH2, PMc1, PMc2, PMc5, PMrL1, PMrL2, PMc3, and PMc4 are arranged on the side of the 16th layer PL16 (upper side in the figure).
  • the port electrode PMc5 is a port for outputting a TD-SCDMA transmission signal to the outside and receiving a reception signal from the outside.
  • Each of these port electrodes is connected to the switch elements SW1, SW2, SW4, SW5, SW6, SW7, SW9, SW10 via via electrodes in other layers.
  • the switch element SW3 is connected to the port electrode PMtH, and the switch element SW8 is connected to the port electrode PMtL.
  • the switch elements SW1 to SW6 can be used as high band switches, and the switch elements SW7 to SW10 can be used as low band switches.
  • the switch elements SW1-SW4 are used as high band switches
  • the switch elements SW5-SW10 are used as low band switches.
  • GSM850, GSM900, W-CDMA (Band5), W-CDMA (Band8), W-CDMA (Band13) having a frequency band of 1.7 GHz are low-band, GSM1800, GSM1900, W-CDMA (Band1 ) Is the high band.
  • one terminal of the switch elements SW1-SW4 is connected to the common terminal S1 with the same electrode pattern.
  • This electrode pattern is connected to one terminal of the antenna-side matching circuit 11A.
  • the other terminal of the antenna-side matching circuit 11B is connected to the port electrode PMan1, which is one of the port electrodes arranged in the 16th layer PL16, from the routing pattern electrode through the via electrode in the other layer.
  • one terminal of the switch elements SW5-SW10 is connected to the common terminal S2 with the same electrode pattern.
  • This electrode pattern is connected to one terminal of the antenna side matching circuit 11B.
  • the other terminal of the antenna-side matching circuit 11B is connected to the port electrode PMan2 that is one of the port electrodes arranged and formed on the 16th layer PL16 from the routing pattern electrode through the via electrode of the other layer.
  • port electrodes for external connection are arranged in the 16th layer PL16, which is the lowest layer.
  • port electrodes PMrH1, PMrH2, PMc1, PMrL1, PMrL2, PMc6, PMc3, and PMc4 are arranged on the side of the sixteenth layer PL16 (upper side in the drawing).
  • the port electrode PMc6 is a port for outputting a W-CDMA (Band 9) transmission signal to the outside and inputting a reception signal from the outside.
  • Each of these port electrodes is connected to the switch elements SW1, SW2, SW4, SW5, SW6, SW7, SW9, SW10 via via electrodes in other layers.
  • the switch element SW3 is connected to the port electrode PMtH, and the switch element SW8 is connected to the port electrode PMtL.
  • the switch elements SW1-SW4 can be used as high-band switches, and the switch elements SW5-SW10 can be used as low-band switches.
  • the switch elements SW1-SW10 of the switch circuit SWIC are connected to the port electrodes.
  • the switch elements SW3-SW5 or SW8-SW10 are not connected to the port electrodes. It may be configured not to be connected to. For example, when four high-band transmission / reception terminals and four low-band transmission / reception terminals are required, the two switch elements of the switch circuit SWIC may be unused.
  • the unused switch element may have a configuration in which a terminal is connected to a ground electrode (for example, the ground electrode GND of the fourth layer PL4), or is used as a switching switch for another circuit, for example, a power amplifier. You may do it.
  • the switch circuit SWIC has ten switch elements, and the switch elements SW3-SW5 and SW8-SW10 are not connected and independent in the switch circuit SWIC. It is not limited to this. All the switch elements may be disconnected in the switch circuit SWIC. The number of switch elements can be changed as appropriate.

Abstract

　誘電体層の積層体に設けられた外部接続端子として、ポート電極（ＰＭａｎ１，ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｔＨ，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２）を備える。ポート電極（ＰＭａｎ１）は、アンテナ（ＡＮＴ１）に接続している。ポート電極（ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｔＨ，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２）は、それぞれ周波数帯域に応じた通信システムに接続している。ポート電極（ＰＭａｎ１）と、ポート電極（ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｔＨ，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２）とは、スイッチ素子（ＳＷ１－ＳＷ５）で接続している。そして、スイッチ素子（ＳＷ１，ＳＷ２）と、スイッチ素子（ＳＷ３－ＳＷ５）とは、スイッチ回路（ＳＷＩＣ）内において非接続状態で、かつ、スイッチ回路（ＳＷＩＣ）の外部の共通端子（Ｓ１）で接続可能としている。これにより、設計変更を行ってもスイッチ回路を変更することなく同じスイッチ回路で対応することが可能な高周波モジュールを提供する。

Description

高周波モジュール
　本発明は、例えばマルチバンド通信において、共通のアンテナで複数の周波数帯域での通信を可能にする高周波モジュールに関する。
　近年の携帯電話機等の情報通信機器等は、一台で複数の周波数帯域（マルチバンド）を利用することができる機能を有しているものが多くなっている。このような機能を搭載した通信機器では、複数の周波数帯域に対応させるために、例えば、分波器等の複数の回路素子を一つの高周波回路の多層基板に実装している。この場合、多層基板に複数の回路素子を実装すると、多層基板が大型化する。このため、例えば、周波数帯域毎に複数のアンテナを用いず、複数の周波数帯域に対し共通アンテナを用いることで、多層基板に実装する回路素子を減少させ、大型化を抑制するモジュール等が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
　図１は特許文献1に記載のスイッチモジュールの模式図である。特許文献1に記載のスイッチモジュールは、マルチポートデバイス（ＳＰｎＴ（単入力多出力））スイッチとしてのＦＥＴスイッチ回路１００を備えている。ＦＥＴスイッチ回路１００は、通信システムの送受信信号が通過する伝送経路を切り替えるスイッチであって、共通アンテナ１１０に接続される端子Ａと、周波数帯域毎に対応するフィルタ回路１０１～１０５または分波器１０６に接続する端子Ｂ～Ｆの何れかとを接続する。これにより、特許文献１では、共通のアンテナで、複数の周波数帯域での通信を可能としている。
特開２００８－２７１４２０号公報
　しかしながら、特許文献１において、外部と接続する端子数が異なるような設計変更を行うと、それに合わせてＦＥＴスイッチ回路を変更し、又はＦＥＴスイッチ回路を増設する必要があり、特許文献１では、容易に設計変更できないという問題がある。
　そこで、本発明の目的は、設計変更を行ってもスイッチ回路を変更することなく同じスイッチ回路で対応することが可能な高周波モジュールを提供することにある。
　本発明に係る高周波モジュールは、誘電体層を積層してなる積層体と、該積層体に設けられ、信号を入出力する外部入出力端子と、前記積層体に設けられ、前記外部入出力端子から入力された信号を出力し、又は、前記外部入出力端子から出力する信号を入力する少なくとも二つの外部接続端子と、前記外部入出力端子及び一方の前記外部接続端子のそれぞれに接続している第１スイッチ素子、及び該第１スイッチ素子と前記外部入出力端子側で接続し、かつ、他方の前記外部接続端子に接続している第２スイッチ素子を有し、前記積層体の表面に実装されたスイッチ回路と、を備え、前記スイッチ回路は、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子に対し、自身の内部で非接続状態で、かつ、自身の外部で導通可能な一又は複数の第３スイッチ素子をさらに有する。
　この構成では、スイッチ回路は、第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子に対して非接続状態で、かつ、外部で導通可能な第３スイッチ素子を有しているため、高周波モジュールが外部入出力端子及び外部接続端子以外にさらに別の外部端子を有している場合であっても、同じスイッチ回路で対応することができる。例えば、高周波モジュールが外部入出力端子から入力された信号を出力する外部出力端子を有している場合、第３スイッチ素子を外部入出力端子及び外部出力端子に接続すれば、外部入出力端子の接続先を、外部接続端子又は外部出力端子の何れかに切り替えることができる。
　このように、第３スイッチ素子の存在個数内であれば、高周波モジュールの端子の数に関係なく、スイッチ回路の種類の変更又はスイッチ回路の実装数の増加等によるコストの高騰などの問題が生ずることなく、高周波モジュールの設計変更を容易に行うことができる。
　本発明に係る高周波モジュールにおいて、前記外部入出力端子は、アンテナに接続されるアンテナ端子であって、前記外部接続端子は、前記アンテナを介した通信を行う通信システムに接続される端子である、構成でもよい。
　この構成では、アンテナと通信システムとの間を接続又は切断するスイッチモジュールとして高周波モジュールを用いることができる。
　本発明に係る高周波モジュールにおいて、前記外部入出力端子は、第１周波数帯域に対応するアンテナに接続される第１アンテナ端子、及び、第２周波数帯域に対応するアンテナに接続される第２アンテナ端子、を有し、前記外部接続端子は、第１周波数帯域に対応する通信システムへの信号出力用の第１出力端子、第１周波数帯域に対応する通信システムからの信号入力用の第１入力端子、第２周波数帯域に対応する通信システムへの信号出力用の第２出力端子、及び、第２周波数帯域に対応する通信システムからの信号入力用の第２入力端子、を有し、前記スイッチ回路は、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子をそれぞれ二つ有し、前記第１スイッチ素子の一方は、前記第１アンテナ端子及び前記第１出力端子に接続し、前記第１スイッチ素子の他方は、前記第２アンテナ端子及び前記第２出力端子に接続し、前記第２スイッチ素子の一方は、前記第１スイッチ素子の一方と前記外部入出力端子側で接続し、かつ、前記第１入力端子に接続し、前記第２スイッチ素子の他方は、該第１スイッチ素子の他方と前記第２アンテナ端子側で接続し、かつ、前記第２入力端子に接続している、構成が好ましい。
　この構成では、高周波モジュールを、マルチバンド通信における高周波スイッチモジュールとすることができる。そして、第３スイッチ素子は、第１周波数帯域又は第２周波数帯域の何れの通信に対しても使用することができるため、設計変更が容易となる。
　本発明に係る高周波モジュールは、前記積層体に形成されたグランド導体をさらに備え、前記第３スイッチ素子は、前記グランド導体に接続している構成でもよい。
　この構成では、スイッチ回路の第３スイッチ素子の端子が接地されることで、不要な反射等の影響を抑制することができる。
　本発明に係る高周波モジュールは、前記第３スイッチ素子は、前記積層体の表面および／または内部に形成された配線電極を介して前記第１スイッチ素子および前記第２スイッチ素子に接続される構成でもよい。
　この構成では、第３スイッチ素子が第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子と接続することで、信号経路を変更することができる。
　本発明によれば、第３スイッチ素子の存在個数内であれば、高周波モジュールの端子の数に関係なく、スイッチ回路の種類の変更又はスイッチ回路の実装数の増加等によるコストの高騰などの問題が生ずることなく、高周波モジュールの設計変更を容易に行うことができる。
特許文献1に記載のスイッチモジュールの模式図 実施形態に係る高周波モジュールに用いるスイッチ回路の構成を模式的に示す図 実施形態に係る高周波モジュールの回路構成を模式的に示す図 実施形態の高周波モジュールの積み図 実施形態の高周波モジュールの積み図 ハイバンドの送受信端子が６個、ローバンドの送受信端子が４つとした場合の高周波モジュールの積み図 ハイバンドの送受信端子が６個、ローバンドの送受信端子が４つとした場合の高周波モジュールの積み図 ハイバンドの送受信端子が４個、ローバンドの送受信端子が６個とした場合の高周波モジュールの積み図 ハイバンドの送受信端子が４個、ローバンドの送受信端子が６個とした場合の高周波モジュールの積み図
　以下、本発明に係る高周波モジュールの好適な実施形態について図面を参照して説明する。以下に説明する実施形態では、ＧＳＭ（登録商標）（Global System for Mobile Communications）８５０の通信信号、ＧＳＭ９００の通信信号、ＧＳＭ１８００の通信信号、ＧＳＭ１９００の通信信号、Ｗ－ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）通信システムのバンドクラスＢａｎｄ１（周波数帯域２ＧＨｚ），Ｂａｎｄ２（周波数帯域１ＧＨｚ），Ｂａｎｄ５（周波数帯域８００ＭＨｚ），Ｂａｎｄ８（周波数帯域９００ＭＨｚ）の通信信号の送受信の送受信を行う高周波モジュールについて説明する。
　図２は実施形態に係る高周波モジュールに用いるスイッチ回路の構成を模式的に示す図である。図３は実施形態に係る高周波モジュールの回路構成を模式的に示す図である。
　高周波モジュール１０は、ハイバンド（第１周波数帯域）およびローバンド（第２周波数帯域）のマルチバンド通信を可能とするための高周波スイッチモジュールである。本実施形態では、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）をハイバンド、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ８）をローバンドとする。
　高周波モジュール１０は、スイッチ回路ＳＷＩＣを備えている。高周波モジュール１０は、誘電体層が積層された積層体（不図示）を備えており、スイッチ回路ＳＷＩＣは、積層体の表面に実装されている。このスイッチ回路ＳＷＩＣは、図２に示すように、１０個のスイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ１０を備えている。
　スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ１０は、例えばＦＥＴ（Field effect transistor）スイッチである。スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ５はハイバンド用のスイッチ、スイッチ素子ＳＷ６－ＳＷ１０はローバンド用のスイッチである。各スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ１０は、外部接続用端子に接続し、それぞれの端子間を電気的に接続し、又は切断する。
　なお、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ１０の種別は、ＦＥＴスイッチでなく、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）スイッチ、ダイオードスイッチ等、高周波スイッチとして用いられるものであれば、適宜変更可能である。
　ハイバンド用のスイッチ素子（第１スイッチ素子）ＳＷ１は、一方の端子がスイッチ回路ＳＷＩＣの外部にある共通端子Ｓ１に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｒＨ１に接続している。共通端子Ｓ１は、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge）回路を兼ねるアンテナ側整合回路１１Ａを介してポート電極（第１アンテナ端子）ＰＭａｎ１に接続している。ポート電極（第１出力端子）ＰＭａｎ１は、ハイバンド用の外部のアンテナＡＮＴ１に接続している。ポート電極ＰＭｒＨ１は、ＧＳＭ１８００の受信信号を外部（通信システム）へ出力するポートである。
　ハイバンド用のスイッチ素子（第２スイッチ素子）ＳＷ２は、一方の端子が、共通端子Ｓ１に接続しているスイッチ素子ＳＷ１の一方の端子に対しスイッチ回路ＳＷＩＣ内で接続し、他方の端子がポート電極（第１出力端子）ＰＭｒＨ２に接続している。すなわち、スイッチ素子ＳＷ２の一方の端子は、スイッチ素子ＳＷ１と同様、共通端子Ｓ１からアンテナ側整合回路１１Ａを介してポート電極ＰＭａｎ１に接続している。ポート電極ＰＭｒＨ２は、ＧＳＭ１９００の受信信号を外部（通信システム）へ出力するポートである。
　ハイバンド用のスイッチ素子（第３スイッチ素子）ＳＷ３は、一方の端子が共通端子Ｓ１に接続し、他方の端子が、送信フィルタ１２Ａを介してポート電極（第１入力端子）ＰＭｔＨに接続している。ポート電極ＰＭｔＨは、ＧＳＭ１８００又はＧＳＭ１９００の送信信号が外部（通信システム）から入力されるポートである。また、送信フィルタ１２Ａは、ＧＳＭ１８００又はＧＳＭ１９００の送信信号の２倍高調波および３倍高調波を減衰させ、ＧＳＭ１８００又はＧＳＭ１９００の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路である。
　ハイバンド用のスイッチ素子（第３スイッチ素子）ＳＷ４は、一方の端子が共通端子Ｓ１に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｃ１に接続している。ポート電極ＰＭｃ１は、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。
　ハイバンド用のスイッチ素子（第３スイッチ素子）ＳＷ５は、一方の端子が共通端子Ｓ１に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｃ２に接続している。ポート電極ＰＭｃ２は、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。
　ローバンド用のスイッチ素子（第１スイッチ素子）ＳＷ６は、一方の端子がスイッチ回路ＳＷＩＣの外部にある共通端子Ｓ２に接続し、ポート電極（第２出力端子）ＰＭｒＬ１に接続している。共通端子Ｓ２は、ＥＳＤ回路を兼ねるアンテナ側整合回路１１Ｂを介してポート電極（第２アンテナ端子）ＰＭａｎ２に接続している。ポート電極ＰＭａｎ２は、ローバンド用の外部のアンテナＡＮＴ２に接続している。ポート電極ＰＭｒＬ１は、ＧＳＭ８５０の受信信号を外部へ出力するポートである。
　ローバンド用のスイッチ素子（第２スイッチ素子）ＳＷ７は、一方の端子が共通端子Ｓ２に接続し、他方の端子がポート電極（第２出力端子）ＰＭｒＬ２に接続している。すなわち、スイッチ素子ＳＷ７の一方の端子は、スイッチ素子ＳＷ６と同様、共通端子Ｓ２からアンテナ側整合回路１１Ｂを介してポート電極ＰＭａｎ２に接続している。ポート電極ＰＭｒＬ２は、ＧＳＭ９００の受信信号を外部へ出力するポートである。
　ローバンド用のスイッチ素子（第３スイッチ素子）ＳＷ８は、一方の端子が共通端子Ｓ２に接続し、他方の端子が送信フィルタ１２Ｂを介してポート電極（第２入力端子）ＰＭｔＬに接続している。ポート電極ＰＭｔＬは、ＧＳＭ８５０又はＧＳＭ９００の送信信号が外部から入力されるポートである。また、送信フィルタ１２Ｂは、ＧＳＭ８５０又はＧＳＭ９００の送信信号の２倍高調波および３倍高調波を減衰させ、ＧＳＭ８５０又はＧＳＭ９００の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路である。
　ローバンド用のスイッチ素子ＳＷ９は、一方の端子が共通端子Ｓ２に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｃ３に接続している。ポート電極ＰＭｃ３は、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。
　ローバンド用のスイッチ素子ＳＷ１０は、一方の端子が共通端子Ｓ２に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｃ４に接続している。ポート電極ＰＭｃ４は、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ８）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。
　以上のように、スイッチ回路ＳＷＩＣのスイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５およびスイッチ素子ＳＷ８－ＳＷ１０は、スイッチ回路ＳＷＩＣ内において、それぞれが非接続状態で独立し、スイッチ回路ＳＷＩＣの外部から接続可能に設けられ、スイッチ回路ＳＷＩＣの外部にある共通端子Ｓ１，Ｓ２で接続するようになっている。すなわち、高周波モジュール１０の形成時においてスイッチ回路ＳＷＩＣを用いる場合、スイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５，ＳＷ８－ＳＷ１０に対して接続する信号経路（後述のパターン電極）を適宜変更することができる。
　例えば、図３では、スイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５はハイバンド用のスイッチとし、共通端子Ｓ１に接続しているが、ローバンド用のスイッチとして用いる場合、スイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５を、共通端子Ｓ２に接続するようにすればよい。また、さらに別の周波数帯域のアンテナ、及びその周波数帯域の通信システムに接続するポート電極を設けた場合、スイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５をそのアンテナと、対応するポート電極とに接続すればよい。このように、高周波モジュール１０の設計変更をした場合であっても、積層体に形成する信号経路を変更すればよく、スイッチ回路ＳＷＩＣを別のスイッチ回路に変更する必要がなくなる。
　なお、スイッチ回路ＳＷＩＣは、グランドＧＮＤに接続するためのグランド用端子ＰＧを備えている。グランド用端子ＰＧは、高周波モジュール１０の外部接続用のグランドポート電極ＰＭＧに接続している。また、スイッチ回路ＳＷＩＣは、駆動用の電圧、および制御用の電圧を印加するための電圧印加用端子ＰＶを備えている。電圧印加用端子ＰＶは、高周波モジュール１０の外部接続用の電源系および制御系のポート電極ＰＭＶに接続している。スイッチ回路ＳＷＩＣは、制御用の電圧を印加するための電圧印加用端子ＰＶにそれぞれ印加される制御電圧の組み合わせにより、各スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ１０それぞれをオンオフ制御する。
　図４および図５は、本実施形態の高周波モジュール１０の積み図である。なお、図４および図５は積層体の各誘電体層を底面側から見た電極パターンを示している。
　積層体は、１６層の誘電体層を積層してなり、各誘電体層には高周波モジュール１０を構成するための所定の電極パターンが形成されるとともに、層間を接続するビア電極が形成されている。ビア電極は、図４および図５の各層に示す丸印で表されている。なお、以下では、最上層を第１層ＰＬ１として、下層側になるほど数値が増加し、最下層を第１６層ＰＬ１６として説明する。
　最上層にある第１層ＰＬ１の天面、すなわち積層体の天面には、上述のように、各回路素子を実装するための素子実装用電極が形成されている。なお、図４では、スイッチ回路ＳＷＩＣおよびアンテナ側整合回路１１Ａ，１１Ｂを示している。
　第２層ＰＬ２には引き回しパターン電極が形成されている。第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ６の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ１に接続している。なお、この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ａの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ａの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、後述する第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ１に接続している。
　なお、スイッチ素子ＳＷ２は、スイッチ回路ＳＷＩＣ内でスイッチ素子ＳＷ１と接続しているため、第１層ＰＬおよび第２層ＰＬ２にはビア電極は存在しない。
　また、第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ７－ＳＷ１０の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ２に接続している。なお、この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ｂの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ２に接続している。
　なお、スイッチ素子ＳＷ７は、スイッチ回路ＳＷＩＣ内でスイッチ素子ＳＷ６と接続しているため、第１層ＰＬおよび第２層ＰＬ２にはビア電極は存在しない。
　第３層ＰＬ３には引き回しパターン電極が形成されている。第４層ＰＬ４には、グランド電極ＧＮＤが形成されている。第５層ＰＬ５から第１５層ＰＬ１５には送信フィルタ１２Ａ、１２Ｂを構成するパターン電極やビア電極、引き回し電極、グランド電極等が形成されている。
　最下層である第１６層ＰＬ１６には、すなわち積層体の底面には、外部接続用のポート電極が配列形成されている。図５に示すように、第１６層ＰＬ１６の側辺（図中上側の辺）には、ポート電極ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２，ＰＭｒＬ１、ＰＭｒＬ２，ＰＭｃ３，ＰＭｃ４が配列形成されている。これら各ポート電極は、他層のビア電極を介して、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６，ＳＷ７，ＳＷ９，ＳＷ１０に接続している。
　また、第１６層ＰＬ１６には、ポート電極ＰＭｔＨが形成されており、他層に送信フィルタ１２Ａを構成するパターン電極を介して、スイッチ素子ＳＷ３に接続している。さらに、第１６層ＰＬ１６には、ポート電極ＰＭｔＬが形成されており、他層に送信フィルタ１２Ｂを構成するパターン電極を介して、スイッチ素子ＳＷ８に接続している。
　以上のように、本実施形態に係る高周波モジュール１０において、スイッチ回路ＳＷＩＣの各スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ１０は、５つのハイバンド用および５つのローバンド用に分類されて使用されている。スイッチ回路ＳＷＩＣのスイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５およびスイッチ素子ＳＷ８－１０は、それぞれが非接続に独立して設けられ、かつ、これら各スイッチ素子がスイッチ回路ＳＷＩＣの外部（共通端子Ｓ１，Ｓ２等）で接続可能としているため、スイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５およびスイッチ素子ＳＷ８－１０の使用目的を自由に変更することができる。
　例えば、本実施形態では、ハイバンド及びローバンドそれぞれの送受信端子が５個ずつであるため、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ５をスイッチ回路ＳＷＩＣの外部の共通端子Ｓ１に接続し、スイッチ素子ＳＷ６－ＳＷ１０をスイッチ回路ＳＷＩＣの外部の共通端子Ｓ２に接続している。これに対して、ハイバンドの送受信端子が６個（又は４個）、ローバンドの送受信端子が４個（又は６個）とした場合、積層体の信号経路の設計を変更すれば、同じスイッチ回路ＳＷＩＣを用いて、別の高周波モジュールを形成できる。
　図６及び図７は、ハイバンドの送受信端子が６個、ローバンドの送受信端子が４つとした場合の高周波モジュールの積み図である。この場合、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ６がハイバンド用、スイッチ素子ＳＷ７－ＳＷ１０がローバンド用のスイッチとして用いられる。
　図６及び図７では、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）をローバンド、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ４）をハイバンドとする。
　第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ６の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ１に接続している。この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ａの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ１に接続している。
　また、第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ７－ＳＷ１０の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ２に接続している。この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ｂの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ２に接続している。
　最下層である第１６層ＰＬ１６には、外部接続用のポート電極が配列形成されている。図７に示すように、第１６層ＰＬ１６の側辺（図中上側の辺）には、ポート電極ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２，ＰＭｃ５，ＰＭｒＬ１、ＰＭｒＬ２，ＰＭｃ３，ＰＭｃ４が配列形成されている。ポート電極ＰＭｃ５は、ＴＤ－ＳＣＤＭＡの送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。これら各ポート電極は、他層のビア電極を介して、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６，ＳＷ７，ＳＷ９，ＳＷ１０に接続している。
　なお、図３と同様に、スイッチ素子ＳＷ３は、ポート電極ＰＭｔＨに接続し、スイッチ素子ＳＷ８は、ポート電極ＰＭｔＬに接続している。
　このようにパターン電極を形成することにより、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ６は、ハイバンド用のスイッチとして用いることができ、また、スイッチ素子ＳＷ７－ＳＷ１０は、ローバンド用のスイッチとして用いることができる。
　図８及び図９は、ハイバンドの送受信端子が４個、ローバンドの送受信端子が６個とした場合の高周波モジュールの積み図である。この場合、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ４がハイバンド用、スイッチ素子ＳＷ５－ＳＷ１０がローバンド用のスイッチとして用いられる。
　図８及び図９では、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ８）、周波数帯域が１．７ＧＨｚのＷ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１３）をローバンド、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）をハイバンドとする。
　図８及び図９の場合、第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ４の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ１に接続している。この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ａの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ１に接続している。
　また、第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ５－ＳＷ１０の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ２に接続している。この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ｂの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ２に接続している。
　最下層である第１６層ＰＬ１６には、外部接続用のポート電極が配列形成されている。図９に示すように、第１６層ＰＬ１６の側辺（図中上側の辺）には、ポート電極ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｃ１，ＰＭｒＬ１，ＰＭｒＬ２，ＰＭｃ６，ＰＭｃ３，ＰＭｃ４が配列形成されている。ポート電極ＰＭｃ６は、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ９）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。これら各ポート電極は、他層のビア電極を介して、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６，ＳＷ７，ＳＷ９，ＳＷ１０に接続している。
　なお、図３と同様に、スイッチ素子ＳＷ３は、ポート電極ＰＭｔＨに接続し、スイッチ素子ＳＷ８は、ポート電極ＰＭｔＬに接続している。
　このようにパターン電極を形成することにより、スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ４は、ハイバンド用のスイッチとして用いることができ、また、スイッチ素子ＳＷ５－ＳＷ１０は、ローバンド用のスイッチとして用いることができる。
　なお、上述の実施形態に係る高周波モジュール１０は、スイッチ回路ＳＷＩＣの各スイッチ素子ＳＷ１－ＳＷ１０をそれぞれポート電極に接続する構成としているが、スイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５又はスイッチ素子ＳＷ８－ＳＷ１０は、ポート電極に接続しない構成でもよい。例えば、ハイバンド用の送受信端子が４個、ローバンド用の送受信端子が４個必要とする場合、スイッチ回路ＳＷＩＣの二つのスイッチ素子は未使用とする構成でもよい。
　また、未使用とするスイッチ素子は、端子をグランド電極（例えば、第４層ＰＬ４のグランド電極ＧＮＤ）に接続する構成としてもよいし、他の回路、例えば、パワーアンプの切り替え用スイッチとして利用するようにしてもよい。
　なお、高周波モジュール１０の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。
　例えば、上述の実施形態では、スイッチ回路ＳＷＩＣは、１０個のスイッチ素子を有し、スイッチ素子ＳＷ３－ＳＷ５およびスイッチ素子ＳＷ８－ＳＷ１０が、スイッチ回路ＳＷＩＣ内において非接続で独立した構成としているが、これに限定されない。全てのスイッチ素子がスイッチ回路ＳＷＩＣ内で非接続であってもよい。また、スイッチ素子の数は適宜変更可能である。
１０－高周波モジュール
ＡＮＴ１，ＡＮＴ２－アンテナ
ＳＷＩＣ－スイッチ回路
ＳＷ１，ＳＷ６－スイッチ素子（第１スイッチ素子）
ＳＷ２，ＳＷ７－スイッチ素子（第２スイッチ素子）
ＳＷ３－ＳＷ５，ＳＷ８－ＳＷ１０－スイッチ素子（第３スイッチ素子）
ＰＭａｎ１，ＰＭａｎ２－ポート電極（外部入出力端子）
ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｔＨ，ＰＭｒＬ１，ＰＭｒＬ２，ＰＭｔＬ－ポート電極（外部接続端子）

Claims (5)

  1. 　誘電体層を積層してなる積層体と、
    　該積層体に設けられ、信号を入出力する外部入出力端子と、
    　前記積層体に設けられ、前記外部入出力端子から入力された信号を出力し、又は、前記外部入出力端子から出力する信号を入力する少なくとも二つの外部接続端子と、
    　前記外部入出力端子及び一方の前記外部接続端子のそれぞれに接続している第１スイッチ素子、及び該第１スイッチ素子と前記外部入出力端子側で接続し、かつ、他方の前記外部接続端子に接続している第２スイッチ素子を有し、前記積層体の表面に実装されたスイッチ回路と、
    　を備え、
    　前記スイッチ回路は、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子に対し、自身の内部で非接続状態で、かつ、自身の外部で導通可能な一又は複数の第３スイッチ素子をさらに有する、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記外部入出力端子は、
    　アンテナに接続されるアンテナ端子であって、
    　前記外部接続端子は、
    　前記アンテナを介した通信を行う通信システムに接続される端子である、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記外部入出力端子は、
    　第１周波数帯域に対応するアンテナに接続される第１アンテナ端子、及び、
    　第２周波数帯域に対応するアンテナに接続される第２アンテナ端子、
    　を有し、
    　前記外部接続端子は、
    　第１周波数帯域に対応する通信システムへの信号出力用の第１出力端子、
    　第１周波数帯域に対応する通信システムからの信号入力用の第１入力端子、
    　第２周波数帯域に対応する通信システムへの信号出力用の第２出力端子、及び、
    　第２周波数帯域に対応する通信システムからの信号入力用の第２入力端子、
    　を有し、
    　前記スイッチ回路は、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子をそれぞれ二つ有し、
    　前記第１スイッチ素子の一方は、前記第１アンテナ端子及び前記第１出力端子に接続し、
    　前記第１スイッチ素子の他方は、前記第２アンテナ端子及び前記第２出力端子に接続し、
    　前記第２スイッチ素子の一方は、前記第１スイッチ素子の一方と前記外部入出力端子側で接続し、かつ、前記第１入力端子に接続し、
    　前記第２スイッチ素子の他方は、該第１スイッチ素子の他方と前記第２アンテナ端子側で接続し、かつ、前記第２入力端子に接続している、
    　請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記積層体に形成されたグランド導体
    　をさらに備え、
    　前記第３スイッチ素子は、前記グランド導体に接続している、
    　請求項１から３の何れか一つに記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第３スイッチ素子は、前記積層体の表面および／または内部に形成された配線電極を介して前記第１スイッチ素子および前記第２スイッチ素子に接続される、請求項１から４の何れか一つに記載の高周波モジュール。
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