WO2013001225A1

WO2013001225A1 - Composant de connexion muni d'inserts creux

Info

Publication number: WO2013001225A1
Application number: PCT/FR2012/051460
Authority: WO
Inventors: François Marion
Original assignee: Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
Priority date: 2011-06-30
Filing date: 2012-06-26
Publication date: 2013-01-03
Also published as: US10002842B2; EP2727144B1; FR2977370A1; EP2727144A1; US20160233186A1; US20140075747A1; FR2977370B1

Abstract

Un composant de connexion électro-mécanique (10) muni sur une face de connexion d'inserts conducteurs (72) est destinés à être insérés dans des plots conducteurs respectifs (18) ménagés sur une face d'un autre composant de connexion (12) pour une hybridation du type face contre face. Chaque insert (72) du composant (10) comprend : une âme métallique creuse (50) constituée d'un fond disposé sur la face de connexion (14) et d'une paroi latérale faisant saillie dudit fond, définissant une surface interne de l'insert (72), au moins une portion de ladite surface interne étant non oxydée; et une couche métallique (70) recouvrant sensiblement uniquement la surface interne de l'âme métallique (50). Selon un mode de réa lisation, la couche métallique (70) comprende une première sous- couche (80) d'un métal oxydable et une seconde sous-couche (82) d'oxyd natif du métal consitutif de la première sous-couche (80).

Description

COMPOSANT DE CONNEXION MUNI D'INSERTS CREUX

DOMAINE DE L'INVENTION L'invention a trait au domaine de la connexion de deux composants selon la technique d'hybridation face contre face, mieux connue sous l'expression anglo-saxonne «flip chip», et plus particulièrement la connexion de deux composants électroniques par insertion à température ambiante du type métal d'inserts dans un métal constitutif de plots.

L'invention trouve ainsi particulièrement application dans les assemblages dits « puce sur puce », « puce sur wafer » et « wafer sur wafer ».

ETAT DE LA TECHNIQUE

Pour remplacer les hybridations « flip chip » par billes de soudure, il est connu de prévoir sur une face d'un premier composant électronique des inserts réalisés en un métal dur, par exemple en nitrure de titane, et sur une face d'un deuxième composant électronique des plots réalisé en un métal ductile, par exemple en argent, puis d'hybrider les deux composants en insérant à froid les inserts dans les plots, ce qui crée ainsi des interconnexions mécaniques et électriques entre les composants.

Les figures 1 et 2 illustrent de manière schématique, l'hybridation « flip-chip » d'un premier et d'un second composants microélectroniques 10, 12. Le premier composant 10 comporte sur l'une de ses faces 14, un ensemble d'inserts 16 électriquement conducteurs, destinés à pénétrer dans des plots 18 électriquement conducteurs respectifs, les plots 18 étant agencés sur la face 20 du second composant 12.

Le fond de chaque insert 16 est par ailleurs au contact d'une plage de connexion 22 formée dans l'épaisseur du premier composant 10, cette plage 22 faisant l'interface avec par exemple avec un circuit électronique 24. De manière analogue, chaque plot 18 est au contact d'une plage de connexion 26 formée dans l'épaisseur du second composant 12, la plage 26 faisant l'interface par exemple avec un circuit électronique 28. Pour réaliser l'hybridation, préférentiellement à froid, les composants électroniques 10 et 12 sont alignés de manière à présenter chaque insert 16 en face d'un plot 18, et une pression appropriée, illustrée par les flèches, est par exemple exercée sur le premier composant qui est mobile (figure 1). Les inserts 16, qui ont une dureté supérieure à celle des plots 18, pénètrent alors dans ceux-ci. Des interconnexions 30 entre le premier et les second composants microélectroniques 10, 12 sont ainsi réalisées (figure 2). Les interconnexions 30 solidarisent mécaniquement les deux composants 10, 12, tout en créant des connexions électriques entre ceux-ci.

A titre d'exemple, le premier composant 10 est une matrice de détection constituée d'une pluralité d'éléments sensibles de détection, notamment de rayonnement électromagnétique, et le second composant 12 est un circuit de lecture desdits éléments sensibles. Les interconnexions 30 réalisent ainsi la connexion électrique du circuit de lecture avec chacun des éléments sensibles du premier composant 10.

Toutefois, un problème récurrent dans ce type d'hybridation par insertion « métal dans métal » réside dans le fait que, sans opération particulière, la surface des inserts s'oxyde, ce qui crée des connexions électriques de mauvaise qualité entre les inserts et les plots dans lesquels ils sont enfichés. En effet, les métaux adaptés pour une insertion à froid, plus communément les métaux « durs », comme par exemple le nitrure de titane, sont oxydables.

Une solution utilisée pour éviter l'insertion d'inserts oxydés est de fabriquer des inserts 16 constitués chacun d'une âme centrale en métal présentant une dureté supérieure à celle des plots 18, et de recouvrir cette âme, avant son oxydation, d'une couche de métal noble, et donc non oxydable, comme de l'or ou du platine. L'âme et la couche de métal noble sont ainsi insérées ensemble dans un plot 18 sans qu'il y ait apparition d'oxyde susceptible d'affecter la qualité de la connexion électrique.

Un exemple de procédé de fabrication à bas coût d'inserts 16 cylindriques creux recouverts d'une couche de métal noble est décrit ci-dessous en relation avec les figures schématiques en coupe 3 à 10. Le procédé débute par le dépôt d'une couche sacrificielle 40 d'une épaisseur e sur la face 14 du composant 10, par exemple une couche de résine du type polyimide, suivi d'une photolithographie pour réaliser des trous circulaires 42 dans la couche sacrificielle 40 jusqu'à la face 14 du composant 10 (figure 3). L'épaisseur e correspond à la hauteur désirée pour l'âme des inserts et le diamètre des trous circulaires 42 correspond au diamètre extérieur de l'âme. Le procédé se poursuit par le dépôt pleine plaque d'une couche ou d'un multicouche de métal dur 44, par exemple du nitrure de titane ou un alliage à base de nitrure de titane, d'une épaisseur correspondant à l'épaisseur de l'âme des inserts 16. Le dépôt est par exemple un dépôt chimique en phase vapeur, ou dépôt « CVD » (pour l'acronyme anglo- saxon « Chemical Vapor Déposition ») réalisé à une température compatible avec les éléments microélectroniques du composant 10, notamment une température inférieure à 425°C pour un composant 10 mettant en œuvre une technologie CMOS (figure 4).

Un retrait de la portion de la couche de métal dur 44 déposée entre les trous 42 est alors effectué, par exemple à l'aide d'une gravure « damascène » ou de « gap fil » bien connu en soi.

Par exemple, selon la gravure « gap-fïl », une couche de résine fluide 46 est déposée pleine plaque et vient ainsi combler les trous 42 et planariser l'ensemble obtenu à l'étape précédente (figure 5). Une fois solidifiée, la couche de résine 46 est alors gravée uniformément, par exemple par un polissage mécanique ou mécanochimique, jusqu'à atteindre la surface de couche métallique 46. Les trous 42 restent quant à eux remplis de résine 46 afin de protéger le métal les recouvrant lors des étapes ultérieures (figure 6). Une gravure du métal 44 agencé entre les trous 42 est alors mise en œuvre de manière connue en soi (figure 7).

Le procédé se poursuit alors par le retrait de la résine 46 comprise dans les trous 42, par exemple à l'aide d'un délaquage à base d'un plasma 0₂ suivi du retrait de la couche sacrificielle 40, par exemple au moyen d'un délaquage à base d'un plasma 0₂ (figure 8). Les âmes 50 des inserts 16 sont ainsi réalisées.

Une couche 52 en métal noble est ensuite déposée pleine plaque, tel qu'une couche d'or ou de platine, par exemple au moyen d'un dépôt CVD (figure 9), puis la portion de couche 52 agencée entre les âmes 50 est ôtée, par exemple au moyen de la technique de photolithographie classique (figure 10).

Cependant, ce procédé présente un certain nombre d'inconvénients. Tout d'abord, même si le procédé s'avère de « bas coût » et permet un rendement de fabrication élevé, il met en œuvre des étapes complexes et nombreuses. Ensuite, ce type de procédé implique une difficulté, voire une impossibilité, de réduire les pas d'interconnexion, c'est-à-dire l'espace minimal entre deux interconnexions inserts/plots, si des techniques de fabrication à bas coût de la couche de métal noble recouvrant les âmes métalliques des inserts sont utilisées. En effet les techniques de fabrication à bas coût consistent à réaliser un dépôt pleine plaque d'une couche de métal noble sur la face du composant comportant les inserts, puis à graver ensuite la couche de métal noble présente entre les inserts. Or, la seule technique de gravure à bas coût de l'état de la technique applicable aux métaux nobles comme l'or et le platine est une gravure chimique en phase liquide qui ne permet pas à l'heure actuelle de graver des surfaces de dimensions inférieures à 10 micromètres, voire 15 micromètres. Seule une gravure par usinage ionique permet aujourd'hui de graver des pas d'interconnexion inférieurs à 10 micromètres. Cependant, cette technique présente un rendement très faible en raison notamment des nettoyages nécessaires entre chaque dépôt, et s'avère donc onéreuse.

Cette difficulté de réduction du pas d'interconnexion est illustrée aux figures schématiques en coupe 11 et 12.

Notamment, comme cela est visible sur la figure 11, la couche de métal noble 52 n'est pas entièrement retirée entre les inserts 16 en raison de la précision de la gravure en phase liquide utilisée. Il demeure ainsi une couronne de métal noble 54 autour de chaque insert 16.

En prenant l'hypothèse simplificatrice de plages de connexion cylindrique 22 alignées avec leurs inserts 16 respectifs, le pas d'interconnexion minimum P est égal à la somme de la largeur LJ_ de la plage de connexion 22, du double de la largeur GJ_ entre le diamètre externe de l'âme 50 d'un insert 16 et le bord de la plage de connexion 22, du double de la largeur G2 entre le diamètre externe de l'âme 50 et le bord de la couronne 54 entourant un insert 16, et de la largeur L4 séparant deux couronnes 54 d'inserts 16 adjacents, à savoir P = Ll + 2G1 + 2G2 + L4.

La largeur LJ_ est principalement fixée par le courant maximal destiné à traverser l'interconnexion 30 formée d'un insert 16 inséré dans un plot 18 et est donc sensiblement indépendante du procédé de fabrication des inserts 16. Une largeur LJ_ minimale, par exemple dans les imageurs, est de 3 micromètres. La largeur GJ_ dépend quant à elle de la précision de la photolithogravure utilisée pour réaliser les ouvertures 42 dans la couche sacrificielle 40. A l'aide des techniques de gravure actuelles, la largeur GJ_ minimale réalisable est d'environ 1 micromètre. Les largeurs G2_ dépend de la précision de la photolithogravure utilisée pour ôter la couche de métal noble 52 entre les inserts 16. A l'aide des gravures actuelles, la largeur G2 minimale réalisable est d'environ 1 micromètre.

Enfin, la largeur LA représente également la distance séparant deux éléments conducteurs d'interconnexion 30 adjacents. On estime qu'une largeur minimale LA d'environ 3 micromètres est appropriée pour éviter tout risque de court circuit entre les interconnexions.

En outre, les métaux nobles, par exemple l'or ou le platine, sont très réfléchissants, ce qui gêne la photolithogravure. Par ailleurs, les chimies de gravure sont très agressives pour les circuits, notamment les capteurs d'image.

Ainsi donc, le pas d'interconnexion P minimal réalisable est à l'heure actuelle d'environ 10 micromètres, soit une densité surfacique d'interconnexions égale à environ 10⁴ interconnexions/mm².

EXPOSE DE L'INVENTION

Le but de la présente invention est de proposer des inserts permettant de réduire le pas d'interconnexion et qui soient réalisables avec les techniques de fabrication usuelles, ainsi qu'un procédé bas coût de fabrication de tels inserts, et notamment un procédé permettant également la réalisation d'une hybridation de microcomposants à température ambiante A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de réalisation d'un composant de connexion électro -mécanique muni sur une face de connexion d'inserts conducteurs destinés à être insérés à température ambiante dans des plots conducteurs ductiles respectifs ménagés sur une face d'un autre composant de connexion pour une hybridation du type face contre face. Selon l'invention :

■ le procédé comprend pour chaque insert :

o la réalisation d'une âme métallique creuse constituée d'un fond disposé sur la face de connexion et d'une paroi latérale faisant saillie dudit fond, définissant une surface interne de Γ insert, au moins une portion de ladite surface interne étant non oxydée; et

o la réalisation d'une couche métallique recouvrant sensiblement uniquement la surface interne de l'âme métallique et destinée à être au contact du plot associé à Γ insert ;

■ et la couche métallique est constituée d'un métal inoxydable, notamment un métal noble ou la réalisation de la couche métallique comporte :

o la réalisation d'une première sous-couche métallique non oxydée sur au moins une portion de sa surface, recouvrant au moins ladite portion non oxydée de la surface interne de l'âme, la première sous-couche ayant une plasticité supérieure à celle de l'âme ; et

o la réalisation d'une seconde sous-couche recouvrant au moins la première sous- couche sur sa portion non oxydée et ayant une plasticité inférieure à celle de la première sous-couche. Par « température ambiante », on entend ici une température éloignée de la température de fusion du matériau constitutif de la première couche et des plots, par exemple des températures de l'ordre de 300°K, pour lesquels on n'observe donc pas un ramollissement important de cette première couche et des plots dans lesquels sont destinés à être insérer les inserts. L'hybridation « à froid », ou « à température ambiante » de l'invention se distingue donc des hybridations de type « thermo-compression » au cours desquelles à la fois une pression et un chauffage sont exercés, le chauffage ayant pour but de ramollir ou fondre les plots afin de faciliter l'insertion des inserts.

En d'autres termes, il est choisi de ne pas recouvrir entièrement l'âme centrale métallique des inserts mais uniquement sa partie creuse, et donc de ne pas prendre de mesure particulière pour éviter l'oxydation de la surface externe de l'âme centrale. En évitant de recouvrir la surface externe de l'âme d'une couche de métal noble, on s'affranchit donc corolairement de la présence d'une couronne de métal noble autour des inserts. C'est en effet en cherchant à protéger l'intégralité de la surface oxydable de l'âme centrale en mettant en œuvre des procédés de fabrication bas coût, et notamment un dépôt pleine plaque, qu'une couche métallique indésirable est déposée entre les inserts, couche indésirable qu'il faut ensuite retirer à l'aide de gravure bas coût à la précision limitée. Ainsi des couronnes métalliques autour des inserts sont inévitablement réalisées, ce qui limite la minimisation du pas d'interconnexion.

Il est remarquable que la plus grande surface conductrice a jusqu'ici été recherchée pour un insert afin de maximiser la qualité de l'interconnexion électrique formée d'un insert et d'un plot. C'est notamment ce qui motive de recouvrir entièrement l'âme conductrice centrale d'une couche de métal noble afin que la totalité de la surface de l'âme ne soit pas oxydée. Cette motivation implique donc, dans le cadre d'un procédé de fabrication à bas coût, de dégager l'âme centrale des inserts de la couche sacrificielle dans laquelle elle est réalisée pour procéder à un dépôt pleine plaque, de manière à enrober totalement cette âme d'une couche de métal noble.

Toutefois, les inventeurs ont remarqué que cette démarche se fonde en fait sur un présupposé techniquement erroné, à savoir que la surface externe et la surface interne de l'âme définissent des chemins conducteurs d'électricité d'importances analogues.

En fait, les métaux nobles, et plus généralement les métaux non oxydables, ont une résistivité électrique inférieure à celle des métaux durs utilisés pour réaliser l'âme centrale. Ainsi donc, le courant emprunte préférentiellement la couche de métal noble plutôt que l'âme centrale.

En se référant à la figure schématique en coupe 13, lorsqu'un courant total Ι_Ί circule dans une interconnexion 30, par exemple un courant injecté via la plage 26 du plot 18, ce courant total [_M se décompose en un premier courant /^ circulant dans la portion interne 60 de la couche de métal noble 52 et en un second courant [ext circulant dans la portion externe 62 de la couche 52. Or, comme cela est visible, le courant externe [ext doit traverser deux fois l'âme centrale 50, qui est de résistivité supérieure à celle de la couche 52, pour atteindre la plage de connexion 22 de l'insert 16. En revanche, le courant interne tint ne traverse qu'une fois l'âme centrale au niveau du fond 64 de celle-ci. Des mesures montrent ainsi que le courant interne I_M représente 90% du courant total Ι_Ί et donc que le courant externe [ext ne représente que 10% de ce courant.

Aussi, la portion externe 62 de la couche de métal noble 52 peut être considérée comme un bras mort réalisant une conduction électrique négligeable et son élimination n' entraine pas une dégradation sensible de la conduction électrique d'une interconnexion 30. En outre, selon une première variante, la couche métallique étant constituée d'un métal inoxydable, notamment un métal noble, tel que de l'or ou du platine, ceci permet donc de définir une surface non-oxydée en interface avec le plot lorsque l'insert est inséré dans le plot.

Cependant, cette variante présente un certain nombre d'inconvénients, au rang desquels :

^■ un coût élevé, d'une part, en raison du coût des métaux nobles et, d'autre part, en raison des étapes complexes et nombreuses à mettre en œuvre pour recouvrir uniquement les inserts d'une couche d'un tel métal ;

■ une impossibilité de réduire les pas d'interconnexion, comme précédemment décrit en raison de la précision limitée des gravures en phase liquide des métaux nobles ;

^■ une inter-diffusion et une électro -migration du métal noble recouvrant les inserts.

Ainsi les interconnexions finissent par être constituées d'un multicouche complexe formé du matériau des inserts, du métal noble et du matériau des plots, ce qui rend les interconnexions très sensibles à la diffusion du type solide/solide, à la création de trous de type Kirkendall, et de trous aux interfaces des zones constituées de métaux différents ; et

^■ une contamination croisée de l'or. En effet, l'or est un matériau très dopant pour le silicium usuellement présent dans les composants électroniques. Toutes les étapes de fabrication utilisant de l'or doivent donc être réalisées dans des zones de fabrication différentes de celles où du silicium est présent à nu.

La seconde variante multicouche permet une hybridation « flip chip » par insertion d'inserts métalliques dans des plots métalliques assurant une connexion électrique sans utilisation de métaux nobles.

Sous l'effet de l'insertion dans un plot, les différentes régions d'un insert subissent une déformation. Ayant une plasticité supérieure à celle de l'âme, la première sous-couche va donc subir une plus forte déformation que celle-ci lors de la pénétration dans un plot. Comme par ailleurs la seconde sous-couche a une plasticité inférieure à celle de la première sous-couche, cette seconde sous-couche ne peut se déformer autant que la première sous-couche sans casser. Ne pouvant se conformer à la déformation subie par la première sous-couche, la seconde sous-couche se « craquelle ». Si l'adhérence de la seconde sous-couche sur la première sous-couche est faible, la seconde sous-couche « pèle » en glissant sur la première sous-couche lors de l'insertion et demeure à l'extérieur du plot, découvrant alors entièrement la première sous-couche qui est non oxydée et donc bonne conductrice d'électricité. Si l'adhérence de la seconde sous-couche sur la première sous-couche est forte, la seconde sous-couche pénètre également dans le plot tout en présentant des craquelures en raison du différentiel de plasticité avec la première sous-couche. Les craquelures définissent ainsi autant de « chemins » électriques non oxydés vers la première sous- couche non oxydée, et donc bons conducteurs d'électricité, assurant ainsi une bonne conduction électrique de l'interconnexion formée de Pinsert et du plot.

Ce résultat est obtenu indépendamment de la nature oxydable de la première sous-couche qui est donc choisie avantageusement parmi des matériaux non nobles. Il n'est pas non plus nécessaire d'utiliser un flux désoxydant lors de l'insertion puisque les chemins électriques sont formés, et cela même si la seconde sous-couche est oxydée.

Selon un mode de réalisation, l'adhérence de la seconde sous-couche sur la première sous-couche est faible de manière à ce que la seconde sous-couche glisse sur la première sous-couche sous l'effet d'un cisaillement appliqué à l'empilement des première et seconde sous-couches. De cette manière, lors de l'insertion de l'insert dans un plot, la seconde sous-couche pèle et demeure à l'extérieur du plot.

Selon un mode de réalisation, la première sous-couche est constituée d'un métal oxydable, et la seconde sous-couche est réalisée en oxydant la première sous-couche de manière à créer une couche d'oxyde natif du métal de la première sous-couche ayant une plasticité inférieure à celle de la première sous-couche

Par « couche d'oxyde natif », on entend une couche d'oxyde obtenue par l'oxydation naturelle du métal lorsqu'il est au contact avec l'oxygène.

La couche d'oxyde natif présente la double propriété d'être très cassante et de très peu adhérer au métal dont elle est issu. Sous l'effet de la pénétration de l'insert dans le plot, on observe ainsi un phénomène de « ice on mud », c'est-à-dire que la couche d'oxyde natif se craquelle en forme de plaques qui glissent sur la première sous-couche lors de l'insertion. La seconde sous-couche est donc « pelée » et reste à l'extérieur du plot.

En outre, la couche d'oxyde natif a l'avantage de présenter une épaisseur très fine, de l'ordre de quelques nano mètres, complètement définie par la nature du métal. Ainsi quel que soit le temps d'exposition de la première sous-couche à l'oxygène, l'épaisseur de la seconde sous-couche reste constante. De plus, le composant électronique pourvu d'inserts peut donc être stocké dans des conditions oxydantes, comme l'air par exemple, sans précaution particulière.

Ainsi donc, non seulement, la première sous-couche n'est pas un métal noble mais en outre de manière privilégiée, on recherche pour celle-ci des métaux oxydables de manière à former une couche d'oxyde natif.

Avantageusement, la première sous-couche est réalisée en un métal choisi dans le groupe comprenant l'aluminium, l'étain, l'indium, le plomb, l'argent, le cuivre, le zinc et les alliages à base de ces métaux. Ces matériaux sont avantageusement très plastiques, et peuvent être mise en œuvre dans des processus de gravure bas coût exploitables pour des pas d'interconnexion faibles inférieurs à 10 micromètres, voire même 5 micromètres. Plus particulièrement, la première sous-couche est constituée d'aluminium qui présente également l'avantage d'être un matériau à la fois ductile tout en gardant une dureté constante pour une large plage de températures en raison de sa température de fusion élevée supérieure à 500°C.

L'avantage de la mise en œuvre d'un insert creux réside dans la réduction de la surface d'appui de l'insert sur le plot, et donc de faciliter l'insertion, voire même de permettre une insertion à froid à température ambiante. Du fait de la surface d'appui réduite, la pression surfacique exercée sur la surface des première et seconde couches en appui sur le plot est également augmentée, ce qui facilite la déformation de la première couche, et corollairement la craquelure de la seconde couche. Ceci augmente également l'effet de cisaillement et aide au pelage de la seconde couche en cas de faible adhérence de celle-ci sur la première couche. On remarque que le cylindre est la forme qui optimise ces effets, les inserts creux étant ainsi avantageusement de cette forme.

Selon une variante, la première sous-couche a une ductilité sensiblement égale à celle des plots, ce qui facilite la déformation subie par la première sous-couche lors de l'insertion, et donc facilite également le craquelage de la seconde sous-couche

Selon un mode de réalisation, le procédé consiste :

^■ à déposer une couche sacrificielle sur la face de connexion du premier composant ;

^■ à réaliser des ouvertures dans la couche sacrificielle au droit des emplacements souhaités pour les inserts ;

^■ à déposer une première couche métallique au moins dans les ouvertures de manière à réaliser l'âme métallique pour chaque insert ; ^■ à déposer une seconde couche métallique au moins dans les ouvertures de manière à réaliser une couche métallique recouvrant l'âme de chaque insert ; et

^■ à retirer la couche sacrificielle. Non seulement, ce procédé permet de fabriquer des inserts qui ne sont pas entourés de couronne de métal, mais en outre il permet de réduire le coût de fabrication. En effet, le coût est principalement inhérent au nombre de séquences de fabrication nécessitant un changement de matériel. Notamment, dans le procédé de fabrication décrit en relation avec les figures 3 à 10, on observe une première séquence de fabrication relative à la réalisation des ouvertures 42 (figure 3), une deuxième séquence relative au dépôt du métal constitutif de l'âme 50 des inserts 16 (figure 4), une troisième séquence relative au retrait de la couche sacrificielle 40 (figures 5 à 8), une quatrième séquence relative au dépôt de la couche de métal noble 52 (figure 9) et une cinquième séquence relative au retrait de la couche de métal 52 noble entre les inserts 16 (figure 10). Comme cela sera plus aisément compréhensible à la lecture de ce qui suit, le procédé selon l'invention comporte uniquement trois séquences de fabrication, ce qui représente une réduction importante du coût de fabrication.

L'invention a également pour objet un procédé d'hybridation de type face contre face d'un composant microélectronique obtenu selon un procédé du type précité avec un composant microélectronique ayant sur une de ses face des plots conducteurs respectifs de dureté inférieure à la dureté de l'âme métallique des inserts creux, comportant l'insertion à température ambiante des inserts, munis de leur seconde sous couche métallique, dans les plots.

Avantageusement, le pas d'interconnexion entre les microcomposants est inférieur à 10 micromètres.

Selon un mode de réalisation, la pression exercée sur une surface d'appui de chaque insert lors de leur insertion dans les plots est supérieure à 1800 mégaPascals, ce qui permettant un pelage efficace de la couche d'oxyde.

BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent des éléments identiques ou analogues, et dans lesquels : ^■ les figures 1 et 2 sont des vues schématiques en coupe de l'hybridation d'un premier et d'un second composants microélectroniques par insertion d'inserts dans des plots ;

^■ les 3 à 10 sont des vues schématiques en coupe illustrant un procédé de fabrication d'inserts comportant une couche externe de métal noble ;

■ la figure 11 est une vue en coupe de deux inserts adjacents fabriqués selon le procédé des figures 3 à 10 et insérés dans des plots respectifs ;

^■ la figure 12 est une vue schématique en coupe d'un insert de la figure 11 selon le plan A-A ;

^■ la figure 13 est une vue schématique d'un insert fabriqué selon le procédé des figures 3 à 10 et inséré dans un plot, illustrant les courants électriques dans l'insert ;

^■ les figures 14 à 18 sont des vues schématiques en coupe illustrant un procédé de fabrication d'inserts selon l'invention ;

^■ la figure 19 est une vue en coupe selon une première variante de réalisation de l'invention, de deux inserts adjacents fabriqués selon le procédé des figures 14 à 18 et insérés dans des plots respectifs ;

^■ la figure 20 est une vue schématique en coupe d'un insert de la figure 19 selon le plan B-B ;

^■ la figure 21 est une vue en coupe d'un insert selon une seconde variante de réalisation de l'invention ;

■ la figure 22 est une vue schématique en coupe de l'insert de la figure 3 selon le plan C-C ;

^■ la figure 23 est une vue schématique en coupe illustrant la pénétration de l'insert de la figure 21 dans un plot ductile DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L 'INVENTION

Il va à présent être décrit en relation avec les figures 14 à 18 un procédé de fabrication selon l'invention d'inserts pour une hybridation « flip-chip » d'un premier et d'un second composants microélectroniques analogue à celle décrite en relation avec les figures 1 et 2.

On notera que les inserts peuvent prendre n'importe quelle forme, bien que les inserts présentant une surface d'appui réduite, comme des cylindres creux par exemple, soient privilégiés pour diminuer la pression nécessaire à leur insertion dans les plots. Dans ce qui suit, il va cependant être décrit des inserts cylindriques et creux de section en forme de U, cette forme constituant un mode de réalisation privilégié. Cependant, on comprendra que les considérations portant sur les matériaux constitutifs des inserts et des plots sont indépendantes de la forme adoptée pour ceux-ci. Par exemple, les inserts peuvent être pleins et/ou de forme triangulaire, carrée, et de manière plus générale polygonale, en forme d'étoile, etc...

Le procédé débute de manière analogue aux étapes de fabrication décrites en relation avec les figures 3 et 4. Le métal 44 constitutif de l'âme 50 des inserts présente une dureté supérieure à celle des plots 18 pour pouvoir y être insérés. A cet effet, l'âme centrale 50 a de préférence un module d'Young supérieur à 1,5 fois le module de Young du matériau des plots 18. Avantageusement, le métal 44 constitutif de l'âme centrale 50 est constituée d'un métal dur, comme du nitrure de titane (Ti ), du nitrure de tungstène (NiW), du cuivre (Cu), du vanadium (V), du molybdène (Mo), du nickel (Ni), du tungstènate de titane (TiW), du WSi, ou du tungstène (W) par exemple, et les plots 18 sont constitués d'un métal ductile, par exemple de l'aluminium, de l'étain, de l'indium, du plomb, de l'argent, du cuivre, du zinc, ou un alliage de ces métaux.

Le procédé se poursuit par le dépôt pleine plaque d'une couche ou d'un multicouche de métal 70 ayant pour fonction de protéger la surface interne de l'âme central 50 des inserts de l'oxydation, et présentant optionnellement une résistivité électrique inférieure au métal 44, le métal 44 constitutif de l'âme n'étant pas oxydé à cette étape du procédé. Le dépôt est par exemple un dépôt chimique en phase vapeur ou dépôt CVD réalisé à une température compatible avec les éléments microélectroniques du composant 10, notamment une température inférieure à 425°C pour un composant 10 mettant en œuvre une technologie CMOS (figure 14).

La couche 70 est de préférence constituée d'aluminium, ce métal présentant l'avantage d'avoir une température de fusion très élevée supérieure à 500°C.

Un retrait de la portion de la couche de métal dur 44 déposée entre les trous 42 est alors effectué, par exemple à l'aide d'une gravure « damascène » ou de « gap fil » bien connue en soi.

Par exemple, une gravure « gap-fil » analogue à celle décrite en relation avec les figures 5 à 8 est mise en œuvre, comportant :

- le dépôt pleine plaque d'une couche de résine fluide 46 (figure 15),

la gravure uniforme de la couche 46 solidifiée jusqu'à atteindre la surface de la couche métallique 70 (figure 16), la gravure de l'empilement de couches métalliques 44, 70 agencé entre les trous 42 (figure 17), et

le retrait de la résine 46 comprise dans les trous 42, suivi du retrait de la couche sacrificielle 40 (figure 18).

Le procédé comporte donc trois séquences de fabrication, à savoir une première séquence de fabrication relative à la réalisation des ouvertures 42 (figure 3), une deuxième séquence relative au dépôt des métaux 44 et 70 (figure 14), une troisième séquence relative au retrait de la couche sacrificielle 40 (figures 15 à 18).

Les figures 19 et 20 sont des vues schématiques en coupe illustrant des inserts 72 fabriqués selon le procédé venant d'être décrit. Comme illustré, les inserts 72 sont constitués d'une âme centrale 50, dont uniquement la surface interne est recouverte d'une couche de protection métallique contre l'oxydation 70.

Toujours en prenant l'hypothèse simplificatrice de plages de connexion cylindrique 22 alignées avec leurs inserts 16 respectifs, le pas d'interconnexion P obtenu grâce à l'invention est égal à la somme de la largeur LJ_ de la plage de connexion 22, du double de la largeur GJ_ entre le diamètre externe de l'âme 50 d'un insert 16, et de la largeur L5_ séparant les diamètres externes des inserts 72 adjacents, à savoir P = Ll + 2G1 + L5.

En reprenant les exemples numériques décrits précédemment, à savoir une valeur minimale de LJ_ égale à 3 micromètres, une valeur minimale de GJ_ égale à 1 micromètre, et une valeur de L5_ égale à 3 micromètres, il est obtenue un pas d'interconnexion P minimum égale à 8 micromètres, soit une densité surfacique d'interconnexions égale à environ 1,625.10⁴ interconnexions/mm².

Selon une première variante, la couche de métal 70 est constituée d'un métal noble, comme de l'or ou du platine par exemple.

Selon une seconde variante, illustrée sur les figures schématiques en coupe 21 et 22, la couche de métal 70 est constituée d'une première sous-couche métallique 80 formée sur l'âme 50 de l'insert 72, la sous-couche 80 étant elle-même recouverte par une sous- couche de protection 82. La première sous-couche métallique 80, outre sa fonction d'être conductrice de l'électricité et d'adhérer fortement à l'âme centrale 50 de l'insert 72 en raison de l'interface métal-métal qu'elle forme avec l'âme 50, a pour fonction de se déformer, tout en restant accrochée à l'âme 50, lors de la pénétration de l'insert dans un plot 18. Elle présente à cet effet une plasticité supérieure à celle de l'âme 50. La sous-couche 80 peut ainsi être constituée d'un métal ductile. Notamment, un métal ductile ayant un module d'Young supérieur à 1,5 fois celui du matériau de l'âme 50 présente une plasticité appropriée. De préférence, la sous-couche 80 présente une ductilité sensiblement égale à celle des plots 18 de manière à permettre la pénétration de l'âme dure 50 sans se casser et obtenir des déformations relatives de la sous-couche 80 et du plot 18 de manière sensiblement égales. La sous-couche 80 est ainsi avantageusement constituée d'aluminium, d'étain, d'indium, de plomb, d'argent, de cuivre, de zinc ou d'un alliage de ces métaux. Par ailleurs, la sous- couche métallique 80 n'est pas oxydée.

La sous-couche de protection 82 a pour première fonction de protéger la sous-couche métallique 80 de l'oxydation, et pour seconde fonction de libérer au moins une portion de la sous-couche métallique 80 lors de l'insertion de l'insert 72 dans un plot 18 de manière à créer une connexion électrique entre le matériau du plot 18 et l'âme centrale 50. Pour ce faire, la sous-couche de protection 82 est choisie pour se craqueler sous l'effet de la déformation de la sous-couche métallique 80. La sous-couche de protection 82 présente ainsi une plasticité inférieure à celle de la sous-couche métallique 80.

De préférence, la sous-couche de protection 82 est choisie de manière à présenter un seuil de rupture sous des contraintes de déformation très bas, autrement dit est très « cassante ». La sous-couche de protection 82 peut être un film de protection rapporté sur la sous-couche métallique 80, comme par exemple une résine époxy photosensible ou une couche de polymère tel que du parylène par exemple, ou une couche de métal dur ou une couche d'isolant dur et cassant comme par exemple du Si0₂ ou du SiN.

De préférence, la sous-couche de protection 82 est constituée de l'oxyde natif du métal constitutif de la sous-couche métallique 80, ce qui présente le triple avantage :

de disposer d'une sous-couche de protection 82 très fine, de l'ordre de quelques nanomètres, d'être dure et cassante, et notamment de plasticité et de ductilités très inférieures à celles du métal 80 lui-même, et

d'adhérer très faiblement à la sous-couche métallique 80. De plus ce mode de réalisation présente l'avantage qu'il n'est pas besoin de prendre des mesures particulières pour éviter l'oxydation des inserts lors de leur stockage, puisqu'on laisse volontairement s'oxyder les inserts 72.

Comme illustré à la figure 22, lors de la pénétration de l'insert 72 dans le plot 18, une déformation, même faible de la sous-couche métallique 80, casse la couche d'oxyde 82 en plaques, et sous l'effet du cisaillement, les plaques d'oxyde natif glissent sur la sous- couche métallique 80 en demeurant en dehors du plot 18. La couche d'oxyde 82 est ainsi « pelée » lors de l'insertion en mettant à nue la sous-couche métallique 80, créant ainsi une connexion électrique de qualité, notamment sans oxyde.

Il a été décrit une âme centrale 50 non oxydée sur la totalité de sa surface interne. En variante, seule une portion de la surface interne de l'âme centrale 50 est non oxydée. L'âme centrale 50 est alors recouverte de la couche 70 au moins sur cette portion non oxydée. Dans la seconde variante, la sous-couche recouvre au moins cette portion non oxydée et la sous-couche de protection 82 recouvre au moins la portion de la sous-couche 80, recouvrant la partie non oxydée de l'âme 50, cette portion de la sous-couche 80 étant non oxydée.

Comme dit plus haut, les inserts 72 sont de préférence des cylindres creux ayant des surfaces d'appui S (figure 3 et 4) très faibles, de manière à pouvoir réaliser une insertion à froid, sous atmosphère ambiante, c'est-à-dire sous une température ambiante très inférieure à la température de fusion des plots 18, par exemple une température d'environ 300°K, et sous pression atmosphérique. Outre ceci, des surfaces d'appui très faible ont pour effet d'augmenter les contraintes exercées sur les différentes régions des inserts et donc notamment les forces de déformation et de cisaillement, ce qui facilite la craquelure des la sous-couche de protection 82 ainsi que son pelage dans le cas d'une couche de protection faiblement adhérente à la sous-couche métallique 80. On se reportera avantageusement au document FR 2 928 033 pour le calcul de la surface d'appui permettant une insertion à froid sous atmosphère ambiante. De manière avantageuse, la pression exercée sur la surface d'appui S lors de l'insertion d'insert comprenant une première sous-couche 80 en aluminium recouverte d'une couche d'oxyde natif 82 (alumine AI₂O₃) dans des plots 18 en aluminium est supérieure à 1800 mega Pascal. Les inventeurs en en effet observé que pour des valeurs de pression inférieures, les interconnexions formées des inserts 16 dans les plots 18 présentent une résistance électrique importante, ce qui signifie que le pelage de la couche d'oxyde 82 n'est pas complète. Les inventeurs ont par contre observé que pour la configuration d'inserts et de plots précédente des pressions supérieures à 1800 megaPascal (MPa) produisent des interconnexions de bonne qualité, c'est-à-dire présentant une résistance électrique proche de celle de l'aluminium, ce qui signifie que la couche d'oxyde a été pelée de manière quasi complète.

De manière avantageuse, la force d'insertion globale, ou de manière équivalente la pression d'insertion globale, exercée sur les circuits 10 et 12 pour hybrider ceux-ci, par exemple celle exercée sur le circuit 10 tel qu'illustrée par les flèches à la figure 1, et la surface d'appui S des cylindres creux sont donc choisies de manière à obtenir ladite pression minimale.

Par exemple, un cylindre creux d'un diamètre égal à 4μιη, avec une épaisseur de paroi égale à 0,2 μιη a une surface d'appui S égale à 2,512 μιη². Lorsqu'un tel insert subit une force d'insertion de 5mN, la pression exercée sur sa surface d'appui S est égale à 1990 MPa.

Connaissant la force d'insertion globale et le nombre d'interconnexions entre les circuits 10 et 12, on en déduit donc la force d'insertion unitaire subit par chaque insert 16. Connaissant la force d'insertion unitaire, on est donc capable d'en déduire une aire maximale d'appui pour obtenir au moins la pression minimale de 1800MPa. Enfin, la surface d'appui S d'un cylindre creux étant donnée par la relation S = 2 x π x (R₂ - x R₂ , où R₂ - R_x est l'épaisseur des parois des inserts 16 et 2 x R₂ est le diamètre externe des inserts 16 (figure 4), on en déduit aisément des couples d'épaisseur et de diamètre. Le choix de valeur particulière pour l'épaisseur et le diamètre peut alors être réalisé selon d'autres considérations, notamment des considérations pourtant sur des épaisseurs atteignables en fonction du procédé de fabrication utilisé ou des considérations portant sur la robustesse mécanique des inserts.

Claims

REVENDICATIONS

Procédé de réalisation d'un composant de connexion électro-mécanique (10) muni sur une face de connexion (14) d'inserts conducteurs (72) destinés à être insérés à température ambiante dans des plots conducteurs ductiles respectifs (18) ménagés sur une face (20) d'un autre composant de connexion (12) pour une hybridation du type face contre face, caractérisé :

^■ en ce le procédé comprend pour chaque insert (72) :

o la réalisation d'une âme métallique creuse (50) constituée d'un fond disposé sur la face de connexion (14) et d'une paroi latérale faisant saillie dudit fond, définissant une surface interne de l'insert (72), au moins une portion de ladite surface interne étant non oxydée; et

o la réalisation d'une couche métallique (70) recouvrant sensiblement uniquement la surface interne de l'âme métallique (50) et destinée à être au contact du plot associé à l'insert ;

^■ et en ce que la couche métallique (70) est constituée d'un métal inoxydable, notamment un métal noble ou en ce que la réalisation de la couche métallique (70) comporte :

o la réalisation d'une première sous-couche métallique (80) non oxydée sur au moins une portion de sa surface, recouvrant au moins ladite portion non oxydée de la surface interne de l'âme (50), la première sous-couche (80) ayant une plasticité supérieure à celle de l'âme (50) ; et

o la réalisation d'une seconde sous-couche (82) recouvrant au moins la première sous-couche (80) sur sa portion non oxydée et ayant une plasticité inférieure à celle de la première sous-couche (80).

Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première sous-couche (80) est constituée d'un métal oxydable, et en ce que seconde sous-couche (82) est réalisée en oxydant la première sous-couche (26) de manière à créer une couche d'oxyde natif du métal constitutif de la première sous-couche ayant une plasticité inférieure à celle de la première sous-couche (80).

3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première sous-couche (80) est constituée d'aluminium, la seconde souche-couche (82) étant un oxyde d'aluminium.

4. Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que l'âme métallique creuse (50) est constituée d'un métal dur, notamment de nitrure de titane, de nitrure de tungstène, de cuivre, de vanadium, de molybdène, de nickel, de tungstènate de titane, de WSi, et/ou de tungstène.

5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'adhérence de la seconde sous-couche (82) sur la première sous-couche (80) est faible de manière à ce que la seconde sous-couche glisse sur la première sous- couche sous l'effet d'un cisaillement appliqué à l'empilement des première et seconde sous-couches.

6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première sous-couche (80) a une ductilité sensiblement égale à celle des plots (18).

7. Procédé d'hybridation de type face contre face d'un composant microélectronique (10) obtenu selon un procédé conforme à l'une quelconque des revendications précédentes avec un composant microélectronique ayant sur une de ses faces (20) des plots conducteurs ductiles respectifs (18) de dureté inférieure à la dureté de l'âme métallique des inserts creux, comportant l'insertion à température ambiante des inserts (16), munis de leur seconde sous couche métallique (82), dans les plots (18).

8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le pas d'interconnexion entre les microcomposants est inférieur à 10 micromètres.